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JP2023027918A - Grinding apparatus - Google Patents

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JP2023027918A
JP2023027918A JP2021133280A JP2021133280A JP2023027918A JP 2023027918 A JP2023027918 A JP 2023027918A JP 2021133280 A JP2021133280 A JP 2021133280A JP 2021133280 A JP2021133280 A JP 2021133280A JP 2023027918 A JP2023027918 A JP 2023027918A
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JP
Japan
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wafer
height
probe
grinding
holding surface
Prior art date
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Pending
Application number
JP2021133280A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
大 齋藤
Masaru Saito
晋也 山田
Shinya Yamada
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
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Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2021133280A priority Critical patent/JP2023027918A/en
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Abstract

【課題】ウェーハの厚みを誤って測定することを抑制する。【解決手段】保持面200でウェーハ8を保持するチャックテーブル2と、保持面200に保持されたウェーハ8を研削砥石340で研削する研削機構3と、保持面200に保持されたウェーハ8の被研削面80に第1測定子108を接触させて、ウェーハ8の被研削面80の高さを測定する上面高さ測定器61と、繰り返し制御部90と、を備える研削装置1では、繰り返し制御部90が、第1測定子108をウェーハ8の被研削面80に接触させることと、ウェーハ8の被研削面80に接触している第1測定子108をウェーハ8から離間させることとを、連続する2回の測定によるウェーハ8の被研削面80の高さの測定値の差が予め設定した値よりも小さくなるまで繰り返すことにより、第1測定子108に付着している研削屑を取り除く。【選択図】図3[Problem] To prevent erroneous measurement of the thickness of a wafer. [Solution] In a grinding device 1 including a chuck table 2 that holds a wafer 8 on a holding surface 200, a grinding mechanism 3 that grinds the wafer 8 held on the holding surface 200 with a grinding wheel 340, an upper surface height gauge 61 that brings a first probe 108 into contact with the grinding surface 80 of the wafer 8 held on the holding surface 200 to measure the height of the grinding surface 80 of the wafer 8, and a repetitive control unit 90, the repetitive control unit 90 repeats the process of bringing the first probe 108 into contact with the grinding surface 80 of the wafer 8 and separating the first probe 108 that is in contact with the grinding surface 80 of the wafer 8 from the wafer 8 until the difference between the measured values of the height of the grinding surface 80 of the wafer 8 in two consecutive measurements becomes smaller than a preset value, thereby removing grinding debris adhering to the first probe 108. [Selected Figure] FIG. 3

Description

本発明は、研削装置に関する。 The present invention relates to grinding equipment.

特許文献1に開示のように、研削装置では、接触式の測定器で保持面高さとウェーハの上面高さとを測定して、その差をウェーハ厚みとして算出している。この算出した厚みが所定の厚みになるまで、ウェーハが研削される。 As disclosed in Patent Document 1, in the grinding apparatus, the height of the holding surface and the height of the upper surface of the wafer are measured by a contact-type measuring device, and the difference between them is calculated as the wafer thickness. The wafer is ground until the calculated thickness reaches a predetermined thickness.

ウェーハの上面高さを測定する測定子には、研削加工中の研削屑が付着することがあり、付着した研削屑によって、ウェーハの上面に傷をつけることがある。その対策として、特許文献2および3に開示のように、洗浄水で測定子の先端に研削屑が付着することを防止している。
また、チャックテーブルが保持した研削前のウェーハの厚みを測定することによって、ウェーハの上面に高速で研削砥石を接近させ、研削時間を短縮している。
Grinding debris during the grinding process may adhere to the probe for measuring the height of the upper surface of the wafer, and the attached grinding debris may damage the upper surface of the wafer. As a countermeasure, as disclosed in Patent Documents 2 and 3, washing water is used to prevent grinding dust from adhering to the tip of the probe.
Further, by measuring the thickness of the wafer held by the chuck table before grinding, the grinding wheel is brought closer to the upper surface of the wafer at high speed, thereby shortening the grinding time.

特開2008-073785号公報JP 2008-073785 A 特開2005-246491号公報JP 2005-246491 A 特開2014-079838号公報JP 2014-079838 A

しかし、研削前のウェーハの厚み測定の際に、測定子の先端に、以前の研削での研削屑が付着していることがある。この場合、実際のウェーハ厚みよりも測定値が大きくなるので、研削時間が長くなってしまう。
したがって、本発明の目的は、ウェーハの厚みを誤って測定することを防止することにある。
However, when measuring the thickness of the wafer before grinding, grinding debris from previous grinding may adhere to the tip of the probe. In this case, since the measured value is larger than the actual wafer thickness, the grinding time is lengthened.
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to prevent erroneous measurement of the thickness of a wafer.

本発明の第1の研削装置は、保持面でウェーハを保持するチャックテーブルと、該保持面に保持されたウェーハを研削砥石で研削する研削機構と、該保持面に保持されたウェーハの上面に第1測定子を接触させ該上面の高さを測定する上面高さ測定器と、を備える研削装置であって、該第1測定子を該ウェーハの上面に接触させて該上面の高さを測定することと、該ウェーハの上面に接触している該第1測定子を該ウェーハから離間させることとを、連続する2回の測定による該ウェーハの上面の高さの測定値の差が予め設定した値よりも小さくなるまで繰り返す繰り返し制御部を備える。
上記の第1の研削装置は、該保持面の外側で該保持面に同一面となるリング状上面に第2測定子を接触させ該保持面の高さを測定する保持面高さ測定器を備え、該繰り返し制御部は、該第2測定子を該リング状上面に接触させて該保持面の高さを測定することと、該リング状上面に接触している該第2測定子を該リング状上面から離間させることとを、連続する2回の測定による該保持面の高さの測定値の差が予め設定した値よりも小さくなるまで繰り返してもよい。
本発明の第2の研削装置は、保持面でウェーハを保持するチャックテーブルと、該保持面に保持されたウェーハを研削砥石で研削する研削機構と、該保持面に保持されたウェーハの上面に第1測定子を接触させ該上面の高さを測定する上面高さ測定器と、該保持面の外側で該保持面に同一面となるリング状上面に第2測定子を接触させ該保持面の高さを測定する保持面高さ測定器と、該上面高さ測定器の測定値と該保持面高さ測定器の測定値との差を算出する算出部と、を備える研削装置であって、該算出部が算出した連続する2回の値の差が予め設定した値よりも小さくなるまで、該第1測定子を該ウェーハの上面に接触させて該上面の高さを測定するとともに、該第2測定子を該リング状上面に接触させて該保持面の高さを測定することと、該ウェーハの上面に接触している該第1測定子を該ウェーハから離間させるとともに、該リング状上面に接触している該第2測定子を該リング状上面から離間させることとを繰り返す、繰り返し制御部を備える。
A first grinding apparatus of the present invention comprises a chuck table that holds a wafer on a holding surface, a grinding mechanism that grinds the wafer held on the holding surface with a grinding wheel, and an upper surface of the wafer held on the holding surface. and a top surface height measuring device that measures the height of the top surface by bringing the first probe into contact with the top surface of the wafer, wherein the first probe is brought into contact with the top surface of the wafer to measure the height of the top surface. and separating the first probe that is in contact with the upper surface of the wafer from the wafer, if the difference between the measured values of the height of the upper surface of the wafer obtained by two successive measurements is determined in advance. A repeat control unit is provided that repeats until the value becomes smaller than the set value.
The first grinding apparatus includes a holding surface height measuring device that measures the height of the holding surface by bringing the second probe into contact with the ring-shaped upper surface that is flush with the holding surface outside the holding surface. the repetition control unit measures the height of the holding surface by bringing the second probe into contact with the ring-shaped upper surface; The separation from the ring-shaped upper surface may be repeated until the difference between the measured values of the height of the holding surface obtained by two successive measurements becomes smaller than a preset value.
A second grinding apparatus of the present invention comprises a chuck table that holds a wafer on a holding surface, a grinding mechanism that grinds the wafer held on the holding surface with a grinding wheel, and an upper surface of the wafer held on the holding surface. A top surface height measuring device for measuring the height of the top surface by contacting a first probe, and a ring-shaped top surface flush with the holding surface outside the holding surface, and a second probe being brought into contact with the holding surface. and a calculator for calculating the difference between the measured value of the top surface height measuring device and the measured value of the holding surface height measuring device. and measuring the height of the upper surface by bringing the first probe into contact with the upper surface of the wafer until the difference between the two consecutive values calculated by the calculating unit becomes smaller than a preset value; measuring the height of the holding surface by bringing the second probe into contact with the ring-shaped upper surface; separating the first probe in contact with the upper surface of the wafer from the wafer; A repeat control unit is provided for repeating the separation of the second probe in contact with the ring-shaped upper surface from the ring-shaped upper surface.

本発明の第1の研削装置では、繰り返し制御部が、第1測定子をウェーハの上面に接触させて上面の高さを測定することと、ウェーハの上面に接触している第1測定子をウェーハから離間させることとを、連続する2回の測定によるウェーハの上面の高さの測定値の差が、予め設定した値よりも小さくなるまで繰り返す。このように、繰り返し制御部が、第1測定子をウェーハの上面に繰り返し接触させることで、第1測定子に付着していた研削屑等を取り除くことができるので、ウェーハの上面の高さを良好に測定することができる。したがって、ウェーハの厚みを誤って測定することを防止することができる。
また、本発明の第2の研削装置では、第1測定子をウェーハの上面に繰り返し接触させるとともに、第2測定子をリング状上面に繰り返し接触させることで、第1測定子および第2測定子に付着していた研削屑等を取り除くことができる。このため、ウェーハの上面の高さおよび保持面の高さを良好に測定することができる。したがって、ウェーハの厚みを誤って測定することを防止することができる。
In the first grinding apparatus of the present invention, the repeat control unit brings the first probe into contact with the upper surface of the wafer to measure the height of the upper surface, and moves the first probe in contact with the upper surface of the wafer. Separating from the wafer is repeated until the difference between the measured values of the height of the upper surface of the wafer obtained by two successive measurements becomes smaller than a preset value. In this manner, the repetition control unit repeatedly brings the first probe into contact with the upper surface of the wafer, so that the grinding dust and the like adhering to the first probe can be removed. can be measured well. Therefore, erroneous measurement of the wafer thickness can be prevented.
Further, in the second grinding apparatus of the present invention, the first probe and the second probe are repeatedly brought into contact with the upper surface of the wafer and the second probe is repeatedly brought into contact with the ring-shaped upper surface of the wafer. It is possible to remove the grinding waste etc. attached to the Therefore, the height of the upper surface of the wafer and the height of the holding surface can be measured satisfactorily. Therefore, erroneous measurement of the wafer thickness can be prevented.

研削装置の斜視図である。1 is a perspective view of a grinding device; FIG. 上面高さ測定器の斜視図である。It is a perspective view of an upper surface height measuring instrument. 上面高さ測定器の断面図である。It is a sectional view of an upper surface height measuring instrument.

図1に示す研削装置1は、研削機構3によって被加工物であるウェーハ8を研削するための装置である。研削装置1は、Y軸方向に延設されたベース10と、ベース10の+Y方向側に立設されたコラム11とを備えている。 A grinding apparatus 1 shown in FIG. 1 is an apparatus for grinding a wafer 8 as a workpiece by a grinding mechanism 3 . The grinding device 1 includes a base 10 extending in the Y-axis direction and a column 11 standing on the +Y direction side of the base 10 .

ウェーハ8は、たとえば、円形の半導体ウェーハである。図1においては下方を向いているウェーハ8の一方の面は、複数のデバイスを保持するデバイス面であり、たとえば保護テープ(図示せず)が貼着されることによって保護されている。ウェーハ8の他方の面は、研削加工が施される被研削面80となる。 Wafer 8 is, for example, a circular semiconductor wafer. One surface of the wafer 8 facing downward in FIG. 1 is a device surface that holds a plurality of devices, and is protected by, for example, attaching a protective tape (not shown). The other surface of the wafer 8 is a ground surface 80 to be ground.

研削装置1は、ベース10上に、保持面200でウェーハ8を保持するチャックテーブル2を備えている。チャックテーブル2は、円板状の吸引部20と、吸引部20を支持する枠体21とを備えている。吸引部20の上面は、ウェーハ8を保持する保持面200である。保持面200は、図示しない吸引源に連通されることにより、ウェーハ8を吸引保持する。 The grinding apparatus 1 has a chuck table 2 on a base 10 for holding a wafer 8 on a holding surface 200 . The chuck table 2 includes a disk-shaped suction portion 20 and a frame 21 that supports the suction portion 20 . The upper surface of the suction part 20 is a holding surface 200 that holds the wafer 8 . The holding surface 200 sucks and holds the wafer 8 by communicating with a suction source (not shown).

また、枠体21は、保持面200の外側で保持面200に同一面となるリング状上面210を備えている。つまり、枠体21のリング状上面210は、保持面200の外側において、保持面200と面一となるように形成されている。 The frame body 21 also has a ring-shaped upper surface 210 that is flush with the holding surface 200 outside the holding surface 200 . That is, the ring-shaped upper surface 210 of the frame 21 is formed so as to be flush with the holding surface 200 on the outside of the holding surface 200 .

チャックテーブル2は、チャックテーブル2を支持して回転する支持部材23に支持されている。支持部材23は、保持面200の中心を軸にチャックテーブル2を回転させるように構成されている。 The chuck table 2 is supported by a support member 23 that supports and rotates the chuck table 2 . The support member 23 is configured to rotate the chuck table 2 around the center of the holding surface 200 .

ベース10の内部には、内部ベース12が配設されている。内部ベース12の上には、チャックテーブル2を水平方向(Y軸方向)に移動させる水平移動機構26が配設されている。 An internal base 12 is arranged inside the base 10 . A horizontal movement mechanism 26 for moving the chuck table 2 in the horizontal direction (Y-axis direction) is arranged on the inner base 12 .

水平移動機構26は、Y軸方向の回転軸265を有するボールネジ260と、ボールネジ260に対して平行に配設された一対のガイドレール261と、ボールネジ260に連結され回転軸265を軸にしてボールネジ260を回転させるY軸モータ262と、可動板263とを備えている。
可動板263は、ガイドレール261にスライド可能に設置されている。可動板263には、図示しないナット部が固定されている。このナット部には、ボールネジ260が螺合されている。Y軸モータ262によりボールネジ260が駆動されて、ボールネジ260が回転軸265を軸として回転すると、これに伴って、可動板263が、ガイドレール261に案内されてY軸方向に移動する。
The horizontal movement mechanism 26 includes a ball screw 260 having a rotating shaft 265 in the Y-axis direction, a pair of guide rails 261 arranged parallel to the ball screw 260, and a ball screw connected to the ball screw 260 and rotating around the rotating shaft 265. 260 and a movable plate 263 .
The movable plate 263 is slidably installed on the guide rail 261 . A nut portion (not shown) is fixed to the movable plate 263 . A ball screw 260 is screwed into this nut portion. When the ball screw 260 is driven by the Y-axis motor 262 and rotates about the rotating shaft 265, the movable plate 263 is guided by the guide rail 261 and moves in the Y-axis direction.

可動板263の上には、チャックテーブル2を支持する支持部材23が配設されている。可動板263がY軸方向に移動することにより、支持部材23およびチャックテーブル2が、可動板263と一体的にY軸方向に移動する。
本実施形態では、チャックテーブル2は、保持面200にウェーハ8を保持させるための-Y方向側の載置位置と、ウェーハ8が研削される+Y方向側の研削位置との間を、水平移動機構26によって、Y軸方向に沿って移動される。
A support member 23 for supporting the chuck table 2 is arranged on the movable plate 263 . By moving the movable plate 263 in the Y-axis direction, the support member 23 and the chuck table 2 move together with the movable plate 263 in the Y-axis direction.
In this embodiment, the chuck table 2 moves horizontally between a mounting position on the −Y direction side for holding the wafer 8 on the holding surface 200 and a grinding position on the +Y direction side where the wafer 8 is ground. It is moved along the Y-axis direction by the mechanism 26 .

なお、チャックテーブル2の周囲には、カバー28、および、カバー28に伸縮自在に連結された蛇腹29が配設されている。チャックテーブル2がY軸方向に移動すると、カバー28が、チャックテーブル2とともにY軸方向に移動して、蛇腹29が伸縮する。 Around the chuck table 2, a cover 28 and a bellows 29 connected to the cover 28 in an extendable manner are provided. When the chuck table 2 moves in the Y-axis direction, the cover 28 moves in the Y-axis direction together with the chuck table 2, and the bellows 29 expands and contracts.

研削装置1は、保持面200に保持されたウェーハ8を研削砥石340で研削する研削機構3を備えている。研削機構3は、コラム11の-Y方向側の側面に配設された研削送り機構36に、昇降可能に支持されている。 The grinding device 1 includes a grinding mechanism 3 that grinds the wafer 8 held on the holding surface 200 with a grinding wheel 340 . The grinding mechanism 3 is movably supported by a grinding feed mechanism 36 arranged on the side surface of the column 11 in the -Y direction.

研削機構3は、Z軸方向の回転軸35を有するスピンドル30と、スピンドル30を回転可能に支持するハウジング31と、回転軸35を軸にしてスピンドル30を回転駆動するスピンドルモータ32と、スピンドル30の下端に接続されたマウント33と、マウント33の下面に装着された研削ホイール34とを備えている。 The grinding mechanism 3 includes a spindle 30 having a rotating shaft 35 in the Z-axis direction, a housing 31 rotatably supporting the spindle 30, a spindle motor 32 rotating the spindle 30 about the rotating shaft 35, and the spindle 30. It has a mount 33 connected to its lower end and a grinding wheel 34 attached to the underside of the mount 33 .

研削ホイール34は、ホイール基台341と、ホイール基台341の下面に環状に配列された略直方体状の複数の研削砥石340とを備えている。研削砥石340の下面342は、ウェーハ8に接触する研削面である。 The grinding wheel 34 includes a wheel base 341 and a plurality of substantially rectangular parallelepiped grinding wheels 340 annularly arranged on the lower surface of the wheel base 341 . A lower surface 342 of the grinding wheel 340 is a grinding surface that contacts the wafer 8 .

研削砥石340は、回転軸35を中心として、スピンドル30、マウント33およびホイール基台341を介して、スピンドルモータ32によって回転され、研削位置に配置されているチャックテーブル2に保持されたウェーハ8を研削する。 The grinding wheel 340 is rotated by the spindle motor 32 via the spindle 30, the mount 33 and the wheel base 341 around the rotary shaft 35, and the wafer 8 held on the chuck table 2 arranged at the grinding position. Grind.

研削送り機構36は、Z軸方向の回転軸365を有するボールネジ360と、ボールネジ360に対して平行に配設された一対のガイドレール361と、回転軸365を軸にしてボールネジ360を回転させるZ軸モータ362と、ガイドレール361にスライド可能に設置されている昇降板363と、昇降板363に取り付けられたホルダ364とを備えている。昇降板363には、図示しないナット部が固定されており、このナット部にボールネジ360が螺合されている。ホルダ364は、研削機構3を支持している。 The grinding feed mechanism 36 includes a ball screw 360 having a rotation axis 365 in the Z-axis direction, a pair of guide rails 361 arranged parallel to the ball screw 360, and a Z axis for rotating the ball screw 360 around the rotation axis 365. It comprises a shaft motor 362 , an elevating plate 363 slidably installed on a guide rail 361 , and a holder 364 attached to the elevating plate 363 . A nut portion (not shown) is fixed to the lift plate 363, and the ball screw 360 is screwed into the nut portion. A holder 364 supports the grinding mechanism 3 .

研削送り機構36では、Z軸モータ362によってボールネジ360が駆動されて、ボールネジ360が回転軸365を軸にして回転すると、これに伴って、昇降板363がガイドレール361に案内されてZ軸方向に昇降移動する。これにより、昇降板363に取り付けられたホルダ364、および、ホルダ364に支持された研削機構3も、昇降板363とともにZ軸方向に移動する。 In the grinding feed mechanism 36, the ball screw 360 is driven by the Z-axis motor 362, and when the ball screw 360 rotates around the rotary shaft 365, the lift plate 363 is guided by the guide rail 361 and moves in the Z-axis direction. to move up and down. As a result, the holder 364 attached to the elevating plate 363 and the grinding mechanism 3 supported by the holder 364 also move in the Z-axis direction together with the elevating plate 363 .

研削装置1では、研削送り機構36によって研削機構3の研削砥石340を下降させて、研削砥石340を保持面200に保持されているウェーハ8の上面である被研削面80に接触させることで、ウェーハ8の被研削面80が研削砥石340によって研削される。 In the grinding apparatus 1, the grinding feed mechanism 36 lowers the grinding wheel 340 of the grinding mechanism 3 to bring the grinding wheel 340 into contact with the surface to be ground 80, which is the upper surface of the wafer 8 held on the holding surface 200. A surface 80 to be ground of the wafer 8 is ground by a grinding wheel 340 .

また、研削装置1は、ベース10上に、厚み測定機構6を備えている。厚み測定機構6は、水平方向に回転可能な支持体63と、支持体63から水平方向に延びるアーム66と、アーム66によって支持されている上面高さ測定器61および保持面高さ測定器62と、を備えている。 The grinding machine 1 also has a thickness measuring mechanism 6 on the base 10 . The thickness measuring mechanism 6 includes a horizontally rotatable support 63 , an arm 66 horizontally extending from the support 63 , an upper surface height measuring device 61 and a holding surface height measuring device 62 supported by the arm 66 . and have.

上面高さ測定器61および保持面高さ測定器62は、直動式のリニアゲージの一例である。上面高さ測定器61は、チャックテーブル2の保持面200に保持されているウェーハ8の上面である被研削面80に第1測定子を接触させることにより、被研削面80の高さを測定するために用いられる。 The upper surface height measuring device 61 and the holding surface height measuring device 62 are an example of a direct-acting linear gauge. The upper surface height measuring device 61 measures the height of the surface to be ground 80 by bringing the first probe into contact with the surface to be ground 80 which is the upper surface of the wafer 8 held on the holding surface 200 of the chuck table 2 . used to

図2および図3に示すように、上面高さ測定器61は、平板状の支持板102と、シャフト110と、シャフト110を支持するケーシング112と、シャフト110をZ軸方向に沿って移動させる移動機構113と、目盛り140を有するスケール114と、スケール114の目盛り140を読み取る検知機構115と、シャフト110の回転を規制する回転規制機構5と、これらを収容する図示しないケースと、を備えている。 As shown in FIGS. 2 and 3, the upper surface height measuring device 61 moves a flat support plate 102, a shaft 110, a casing 112 supporting the shaft 110, and the shaft 110 along the Z-axis direction. A movement mechanism 113, a scale 114 having a scale 140, a detection mechanism 115 for reading the scale 140 of the scale 114, a rotation regulation mechanism 5 for regulating the rotation of the shaft 110, and a case (not shown) containing these. there is

支持板102は、図3に示すように、アーム66の先端に設けられている載置台104によって支持されている。 The support plate 102 is supported by a mounting table 104 provided at the tip of the arm 66, as shown in FIG.

シャフト110は、円柱状に形成されており、保持面200に垂直な方向であるZ軸方向に延在している。シャフト110は、一方の端部(先端)に第1測定子108を有している。この第1測定子108は、ウェーハ8の被研削面80の高さを測定する際に、ウェーハ8の被研削面80に接触する。シャフト110の他方の端部は、連結板103に連結されている。また、シャフト110は、支持板102を貫通しており、先端の第1測定子108が、支持板102から下方に突出している。 The shaft 110 has a cylindrical shape and extends in the Z-axis direction, which is the direction perpendicular to the holding surface 200 . The shaft 110 has a first probe 108 at one end (tip). The first probe 108 contacts the ground surface 80 of the wafer 8 when measuring the height of the ground surface 80 of the wafer 8 . The other end of shaft 110 is connected to connecting plate 103 . Further, the shaft 110 passes through the support plate 102 , and the first probe 108 at the tip protrudes downward from the support plate 102 .

ケーシング112は、シャフト110を収容する枠体120を備えている。枠体120には、図3に示すように、シャフト110の形状に対応する横断面円形状のZ軸方向に延びる収容孔125が形成されている。枠体120は、この収容孔125にシャフト110を挿通させて、シャフト110の周囲を非接触で支持するように構成されている。 Casing 112 includes a frame 120 that accommodates shaft 110 . As shown in FIG. 3 , the frame 120 is formed with an accommodation hole 125 extending in the Z-axis direction and having a circular cross section corresponding to the shape of the shaft 110 . The frame 120 is configured to allow the shaft 110 to pass through the receiving hole 125 and support the periphery of the shaft 110 in a non-contact manner.

また、枠体120は、内側の支持面121と、支持面121に設けられた複数の噴出口122とを備えている。支持面121は、シャフト110の側面111から均等な間隔をあけて、側面111に対面している。 Further, the frame 120 has an inner support surface 121 and a plurality of ejection ports 122 provided in the support surface 121 . The support surface 121 is evenly spaced from the side 111 of the shaft 110 and faces the side 111 .

また、ケーシング112は、枠体120に、エア配管70を通じてエア供給源7に接続された流入口123を備えている。さらに、枠体120は、流入口123と各噴出口122とを連通させるエア流路124を備えている。 The casing 112 also has an inlet 123 connected to the air supply source 7 through the air pipe 70 in the frame 120 . Furthermore, the frame 120 has an air flow path 124 that allows the inlet 123 and each of the ejection ports 122 to communicate with each other.

ケーシング112では、枠体120の支持面121をシャフト110の側面111に対面させた状態で、エア供給源7からエア配管70を通じて流入口123に供給されたエアを、エア流路124および支持面121の噴出口122を介して、シャフト110の側面111に吹き付ける。これにより、ケーシング112は、シャフト110の側面111と支持面121との間にエアを介在させた状態で、シャフト110を、Z軸方向に昇降可能に、非接触で支持することができる。 In the casing 112, with the support surface 121 of the frame 120 facing the side surface 111 of the shaft 110, the air supplied from the air supply source 7 to the inlet 123 through the air pipe 70 flows through the air flow path 124 and the support surface. The side face 111 of the shaft 110 is sprayed through the outlet 122 of 121 . As a result, the casing 112 can support the shaft 110 in a non-contact manner so that the shaft 110 can move up and down in the Z-axis direction with air interposed between the side surface 111 and the support surface 121 of the shaft 110 .

なお、ケーシング112の枠体120内に流入したエアは、枠体120の収容孔125の上端部、および、後述する水膜形成機構4の下方の下側排気口126から排出される。下側排気口126からエアが排気されることにより、シャフト110および第1測定子108に研削屑等が付着することを抑制することができる。 The air that has flowed into the frame 120 of the casing 112 is discharged from the upper end of the accommodation hole 125 of the frame 120 and the lower exhaust port 126 below the water film forming mechanism 4, which will be described later. By exhausting the air from the lower exhaust port 126 , it is possible to suppress adhesion of grinding dust and the like to the shaft 110 and the first probe 108 .

移動機構113は、支持板102上におけるシャフト110の近傍に配設されており、エアシリンダ機構を有している。移動機構113は、シリンダ130と、シリンダ130の内部に収容されたピストン134と、ピストン134の上面に連結されたピストンロッド131とを備えている。図3に示す状態では、ピストンロッド131は、その下部がシリンダ130の内部に収容され、また、その上部がシリンダ130の上方に突出している。 The moving mechanism 113 is arranged near the shaft 110 on the support plate 102 and has an air cylinder mechanism. The moving mechanism 113 includes a cylinder 130 , a piston 134 housed inside the cylinder 130 , and a piston rod 131 connected to the upper surface of the piston 134 . In the state shown in FIG. 3 , the piston rod 131 has its lower portion housed inside the cylinder 130 and its upper portion protruding above the cylinder 130 .

シリンダ130は、その内部にエアを流入させるための上側流入口132および下側流入口133を備えている。上側流入口132および下側流入口133は、それぞれ、エア配管72および73を通じてソレノイドバルブ71に接続されている。また、ソレノイドバルブ71は、エア配管74を通じてエア供給源7に接続されている。移動機構113では、ソレノイドバルブ71を制御することによって、上側流入口132にエア供給源7が連通している状態と、下側流入口133にエア供給源7が連通している状態と、を切り替えることができる。 The cylinder 130 has an upper inlet 132 and a lower inlet 133 for introducing air thereinto. The upper inlet 132 and lower inlet 133 are connected to the solenoid valve 71 through air pipes 72 and 73, respectively. Also, the solenoid valve 71 is connected to the air supply source 7 through an air pipe 74 . In the moving mechanism 113, by controlling the solenoid valve 71, a state in which the upper inlet 132 is communicated with the air supply source 7 and a state in which the lower inlet 133 is communicated with the air supply source 7 are changed. You can switch.

移動機構113では、ピストン134をZ軸方向に直動させることにより、連結板103を介して、シャフト110をZ軸方向に移動させることができる。 In the moving mechanism 113 , the shaft 110 can be moved in the Z-axis direction via the connecting plate 103 by linearly moving the piston 134 in the Z-axis direction.

移動機構113によって+Z方向にシャフト110を上昇させるときには、ソレノイドバルブ71を制御して、下側流入口133にエア供給源7を連通させる。これにより、エア供給源7からのエアが、下側流入口133を介してシリンダ130内に供給され、ピストン134およびピストンロッド131が一体的に上昇する。そして、ピストンロッド131の上端が、連結板103に接触して連結板103を上昇させることにより、連結板103に連結されたシャフト110が上昇する。 When the moving mechanism 113 moves the shaft 110 upward in the +Z direction, the solenoid valve 71 is controlled to connect the air supply source 7 to the lower inlet 133 . As a result, air from the air supply source 7 is supplied into the cylinder 130 through the lower inlet 133, and the piston 134 and the piston rod 131 are integrally raised. Then, the upper end of the piston rod 131 contacts the connecting plate 103 to raise the connecting plate 103, thereby raising the shaft 110 connected to the connecting plate 103. As shown in FIG.

一方、移動機構113によってシャフト110を下降させるときには、ソレノイドバルブ71を制御して、上側流入口132にエア供給源7を連通させる。これにより、エア供給源7からのエアが、上側流入口132を介してシリンダ130内に供給されて、シリンダ130の内部においてピストン134が規制された速度で下降し、それとともにピストンロッド131が下降する。その結果、シャフト110およびシャフト110に連結されている連結板103の自重によって、シャフト110が、規制された速度で下降する。 On the other hand, when the shaft 110 is lowered by the moving mechanism 113 , the solenoid valve 71 is controlled to communicate the air supply source 7 with the upper inlet 132 . As a result, air from the air supply source 7 is supplied into the cylinder 130 through the upper inlet port 132, and the piston 134 descends inside the cylinder 130 at a regulated speed, and the piston rod 131 descends accordingly. do. As a result, the weight of shaft 110 and connecting plate 103 connected to shaft 110 causes shaft 110 to descend at a regulated speed.

また、移動機構113では、シャフト110を下降させるときに、上側流入口132からのエアの流入量を調整することにより、ピストン134の下降速度を調整して、シャフト110の下降速度を制限することができる。 Further, in the moving mechanism 113, when the shaft 110 is lowered, the amount of air flowing in from the upper inlet 132 is adjusted to adjust the lowering speed of the piston 134, thereby limiting the lowering speed of the shaft 110. can be done.

スケール114は、図2および図3に示すように、連結板103から-Z方向に垂下しており、シャフト110の延在方向であるZ軸方向と平行に配設されている。スケール114は、連結板103を介してシャフト110に連結されており、シャフト110とともに、Z軸方向に移動する。このような構成を有するスケール114は、シャフト110が下降して第1測定子108がウェーハ8の被研削面80に接触した際の、シャフト110の高さ位置を認識するために用いられる。 As shown in FIGS. 2 and 3, the scale 114 hangs from the connecting plate 103 in the −Z direction and is arranged parallel to the Z-axis direction, which is the extension direction of the shaft 110 . The scale 114 is connected to the shaft 110 via the connecting plate 103 and moves along with the shaft 110 in the Z-axis direction. The scale 114 having such a structure is used to recognize the height position of the shaft 110 when the shaft 110 descends and the first probe 108 comes into contact with the ground surface 80 of the wafer 8 .

検知機構115は、支持板102の-X方向側の側面に取り付けられている。検知機構115は、Z軸方向に延在する支持板150、および、支持板150の先端に配設された検知部151を備えている。検知部151は、スケール114の目盛り140と対面しており、この目盛り140を読み取る。このように、検知機構115は、シャフト110とともにZ軸方向に移動するスケール114の目盛り140を読み取ることによって、シャフト110におけるZ軸方向の位置を検知する。 The detection mechanism 115 is attached to the side surface of the support plate 102 on the -X direction side. The detection mechanism 115 includes a support plate 150 extending in the Z-axis direction and a detection section 151 provided at the tip of the support plate 150 . The detection unit 151 faces the scale 140 of the scale 114 and reads the scale 140 . Thus, the detection mechanism 115 detects the position of the shaft 110 in the Z-axis direction by reading the scale 140 of the scale 114 that moves in the Z-axis direction together with the shaft 110 .

回転規制機構5は、シャフト110の延在方向(Z軸方向)に平行な軸を中心とする回転を規制する。回転規制機構5は、連結板103の+X方向側の側面に取り付けられたガイド棒53と、ガイド棒53の下端に連結されたブロック形状の第1磁石51と、2本の第2磁石52とを備えている。2本の第2磁石52は、図2に示すように、ケーシング112の枠体120の+X方向側の側面に、第1磁石51を挟んで均等な間隔をあけて配設されている。第2磁石52の磁界は、第1磁石51の磁界に反発するように方向付けられている。 The rotation restricting mechanism 5 restricts rotation about an axis parallel to the extending direction (Z-axis direction) of the shaft 110 . The rotation restricting mechanism 5 includes a guide rod 53 attached to the side surface of the connecting plate 103 on the +X direction side, a block-shaped first magnet 51 connected to the lower end of the guide rod 53, and two second magnets 52. It has As shown in FIG. 2, the two second magnets 52 are arranged on the +X direction side of the frame 120 of the casing 112 with the first magnet 51 interposed therebetween at an even interval. The magnetic field of the second magnet 52 is oriented to repel the magnetic field of the first magnet 51 .

回転規制機構5では、移動機構113によってシャフト110を昇降させる際の連結板103の昇降にともなって、ガイド棒53および第1磁石51が、2本の第2磁石52の間を昇降する。その際、第1磁石51と第2磁石52とが互いに反発することにより、第1磁石51を有するガイド棒53と第2磁石52との水平方向の距離が一定に保たれるため、ガイド棒53の向きが変化することが抑制される。これにより、連結板103を介してガイド棒53に連結されているシャフト110の回転が規制される。 In the rotation restricting mechanism 5 , the guide rod 53 and the first magnet 51 move up and down between the two second magnets 52 as the connecting plate 103 moves up and down when the shaft 110 is moved up and down by the movement mechanism 113 . At this time, since the first magnet 51 and the second magnet 52 repel each other, the horizontal distance between the guide rod 53 having the first magnet 51 and the second magnet 52 is kept constant. A change in the orientation of 53 is suppressed. Thereby, the rotation of the shaft 110 connected to the guide rod 53 via the connecting plate 103 is restricted.

また、上面高さ測定器61は、図3に示すように、水膜形成機構4を備えている。水膜形成機構4は、支持板102の下面に対して着脱可能に配設された、円筒状の水供給ノズル41を備えている。水供給ノズル41は、その上端に形成された雄ネジ部410が、支持板102の下面に形成された雌ネジ部411にネジ留めされることで、支持板102の下面に装着されている。また、水供給ノズル41は、Z軸方向に延在する横断面円形状の貫通孔44を備えており、この貫通孔44を、シャフト110が貫通している。 Further, the upper surface height measuring device 61 is provided with a water film forming mechanism 4, as shown in FIG. The water film forming mechanism 4 includes a cylindrical water supply nozzle 41 that is detachably attached to the lower surface of the support plate 102 . The water supply nozzle 41 is attached to the lower surface of the support plate 102 by screwing a male threaded portion 410 formed on the upper end thereof into a female threaded portion 411 formed on the lower surface of the support plate 102 . The water supply nozzle 41 also has a through hole 44 extending in the Z-axis direction and having a circular cross section, and the shaft 110 passes through the through hole 44 .

水供給ノズル41の側面には、水供給口412が形成されている。水供給口412は、水配管40を介して水供給源49に接続されている。また、水供給口412は、水供給ノズル41の内部に形成された水流路43の一端に連通している。水流路43は、水供給ノズル41の下端側に向けて縮径する筒状に形成されており、その下端には、水噴出口430が形成されている。 A water supply port 412 is formed on the side surface of the water supply nozzle 41 . The water supply port 412 is connected to the water supply source 49 via the water pipe 40 . Also, the water supply port 412 communicates with one end of the water flow path 43 formed inside the water supply nozzle 41 . The water flow path 43 is formed in a cylindrical shape that decreases in diameter toward the lower end side of the water supply nozzle 41, and a water ejection port 430 is formed at the lower end thereof.

水膜形成機構4では、水供給源49から水供給口412を介して水供給ノズル41に水が供給される。供給された水は、水流路43を介して水供給ノズル41の内部を下降していき、水噴出口430から外部に噴出する。そして、水噴出口430から水供給ノズル41の外部に噴出した水は、シャフト110の側面111を伝って下降して、第1測定子108まで伝達される。このようにして、水膜形成機構4は、第1測定子108およびシャフト110の側面111に水膜を形成することができる。そして、この水膜により、第1測定子108およびシャフト110に研削屑等が付着することを抑制することができる。
なお、移動機構113は、てこ式の機構によってシャフト110を昇降させるように構成されていてもよい。
In the water film forming mechanism 4 , water is supplied from the water supply source 49 to the water supply nozzle 41 through the water supply port 412 . The supplied water descends inside the water supply nozzle 41 through the water flow path 43 and is ejected to the outside from the water ejection port 430 . Water ejected from the water ejection port 430 to the outside of the water supply nozzle 41 descends along the side surface 111 of the shaft 110 and is transmitted to the first probe 108 . In this manner, the water film forming mechanism 4 can form a water film on the first probe 108 and the side surface 111 of the shaft 110 . This water film can prevent grinding dust and the like from adhering to the first probe 108 and the shaft 110 .
Note that the moving mechanism 113 may be configured to move the shaft 110 up and down using a lever mechanism.

また、図1に示した保持面高さ測定器62は、チャックテーブル2のリング状上面210に第2測定子109を接触させることにより、リング状上面210と同一面である保持面200の高さを測定するために用いられる。
この保持面高さ測定器62は、上面高さ測定器61と同様の構成を有している。ただし、保持面高さ測定器62は、図2および図3に示すように、シャフト110の先端に、第1測定子108に代えて、第2測定子109を備えている。
In addition, the holding surface height measuring device 62 shown in FIG. Used to measure thickness.
This holding surface height measuring device 62 has the same configuration as the top surface height measuring device 61 . However, the holding surface height measuring device 62 has a second probe 109 instead of the first probe 108 at the tip of the shaft 110, as shown in FIGS.

また、研削装置1は、図1に示すように、上述した研削装置1の各構成要素を制御する制御部9を備えている。制御部9は、たとえば、研削装置1の各構成要素を制御して、ウェーハ8に対して作業者の所望とする加工を実施する。 The grinding machine 1 also includes a control unit 9 that controls each component of the grinding machine 1 described above, as shown in FIG. The control unit 9 controls, for example, each component of the grinding apparatus 1 to process the wafer 8 as desired by the operator.

また、研削装置1は、繰り返し制御部90を備えている。繰り返し制御部90は、上面高さ測定器61のシャフト110の第1測定子108をウェーハ8の被研削面80に接触させて被研削面80の高さを測定することと、ウェーハ8の被研削面80に接触している第1測定子108をウェーハ8から離間させることとを繰り返す。 The grinding apparatus 1 also includes a repeat control section 90 . The repetition control unit 90 measures the height of the ground surface 80 of the wafer 8 by bringing the first probe 108 of the shaft 110 of the upper surface height measuring device 61 into contact with the ground surface 80 of the wafer 8 , and measures the height of the ground surface 80 of the wafer 8 . Separating the first probe 108 in contact with the ground surface 80 from the wafer 8 is repeated.

さらに、繰り返し制御部90は、保持面高さ測定器62のシャフト110の第2測定子109を枠体21のリング状上面210に接触させて保持面200の高さを測定することと、リング状上面210に接触している第2測定子109をリング状上面210から離間させることとを繰り返す。 Furthermore, the repeat control unit 90 measures the height of the holding surface 200 by bringing the second probe 109 of the shaft 110 of the holding surface height measuring device 62 into contact with the ring-shaped upper surface 210 of the frame 21, and Separating the second probe 109 in contact with the ring-shaped upper surface 210 from the ring-shaped upper surface 210 is repeated.

また、繰り返し制御部90は、図1に示すように、記憶部91を備えている。この記憶部91は、測定されたウェーハ8の被研削面80の高さおよび保持面200の高さを記憶するために用いられる。 The repetition control unit 90 also includes a storage unit 91 as shown in FIG. This storage unit 91 is used to store the measured height of the surface 80 to be ground and the height of the holding surface 200 of the wafer 8 .

以下、制御部9および繰り返し制御部90の機能を、研削装置1によるウェーハ8に対する研削加工方法とともに説明する。研削装置1の研削加工では、ウェーハ8をチャックテーブル2の保持面200によって保持し、保持面200に保持されたウェーハ8を研削砥石340によって研削する。また、この研削加工は、上面高さ測定器61によるウェーハ8の被研削面80の高さの測定、および、保持面高さ測定器62による保持面200の高さの測定を含む。 The functions of the control unit 9 and the repetition control unit 90 will be described below together with the method of grinding the wafer 8 by the grinding apparatus 1. FIG. In the grinding process of the grinding apparatus 1 , the wafer 8 is held by the holding surface 200 of the chuck table 2 and the wafer 8 held on the holding surface 200 is ground by the grinding wheel 340 . This grinding process also includes measurement of the height of the ground surface 80 of the wafer 8 by the upper surface height measuring device 61 and measurement of the height of the holding surface 200 by the holding surface height measuring device 62 .

[保持工程]
本実施形態では、まず、作業者が、載置位置にあるチャックテーブル2の保持面200に、被研削面80を上向きにして、ウェーハ8を保持させる。その後、制御部9が、水平移動機構26を制御し、チャックテーブル2を研削位置に移動させる。
[Holding step]
In this embodiment, first, the operator holds the wafer 8 on the holding surface 200 of the chuck table 2 at the mounting position with the surface to be ground 80 facing upward. After that, the controller 9 controls the horizontal movement mechanism 26 to move the chuck table 2 to the grinding position.

[第1繰り返し工程]
この工程では、繰り返し制御部90が、第1測定子108をウェーハ8の上面である被研削面80に接触させて被研削面80の高さを測定することと、ウェーハ8の被研削面80に接触している第1測定子108をウェーハ8から離間させることとを、連続する2回の測定によるウェーハ8の被研削面80の高さの測定値の差が、予め設定した値である第1閾値よりも小さくなるまで繰り返す。
[First repeating step]
In this step, the repeat control unit 90 brings the first probe 108 into contact with the surface to be ground 80 that is the upper surface of the wafer 8 to measure the height of the surface to be ground 80 , and The difference between the measured values of the height of the ground surface 80 of the wafer 8 obtained by two consecutive measurements is a preset value. It repeats until it becomes smaller than a 1st threshold value.

具体的には、まず、繰り返し制御部90は、ウェーハ8の被研削面80の高さの1回目の測定を行う。この際、繰り返し制御部90は、厚み測定機構6の支持体63を回転させることにより、チャックテーブル2の保持面200に保持されたウェーハ8の上方に上面高さ測定器61を位置付けるとともに、リング状上面210の上方に保持面高さ測定器62を位置付ける。 Specifically, first, the repetition control unit 90 performs the first measurement of the height of the ground surface 80 of the wafer 8 . At this time, the repeat control unit 90 rotates the support 63 of the thickness measuring mechanism 6 to position the top surface height measuring device 61 above the wafer 8 held on the holding surface 200 of the chuck table 2, and also rotates the ring. Position the holding surface height gauge 62 above the top surface 210 of the shape.

次いで、繰り返し制御部90は、上面高さ測定器61の移動機構113を用いてシャフト110を下降させることにより、シャフト110の先端の第1測定子108を、ウェーハ8の被研削面80に接触させる。 Next, the repetition control unit 90 lowers the shaft 110 using the movement mechanism 113 of the upper surface height measuring device 61 to bring the first probe 108 at the tip of the shaft 110 into contact with the ground surface 80 of the wafer 8. Let

そして、繰り返し制御部90は、上面高さ測定器61の検知機構115を制御して、上面高さ測定器61のスケール114の目盛り140を読み取らせる。さらに、繰り返し制御部90は、読み取られた目盛り140に基づいてウェーハ8の被研削面80の高さを測定して、測定値を記憶部91に記憶させる。 Then, the repeat control unit 90 controls the detection mechanism 115 of the upper surface height measuring device 61 to read the scale 140 of the scale 114 of the upper surface height measuring device 61 . Further, the repeat control unit 90 measures the height of the ground surface 80 of the wafer 8 based on the read scale 140 and stores the measured value in the storage unit 91 .

その後、繰り返し制御部90は、移動機構113を用いてシャフト110を上昇させることにより、ウェーハ8の被研削面80に接触している第1測定子108を、ウェーハ8から離間させる。 Thereafter, the repeat control unit 90 lifts the shaft 110 using the moving mechanism 113 to separate the first probe 108 in contact with the ground surface 80 of the wafer 8 from the wafer 8 .

次に、繰り返し制御部90は、ウェーハ8の被研削面80の高さの2回目の測定を行う。すなわち、繰り返し制御部90は、再び、移動機構113を用いてシャフト110を下降させることで、第1測定子108をウェーハ8の被研削面80に接触させて、ウェーハ8の被研削面80の高さを測定し、測定値を記憶部91に記憶させる。その後、繰り返し制御部90は、移動機構113を用いてシャフト110を上昇させることで、第1測定子108をウェーハ8から離間させる。 Next, the repetition control unit 90 performs the second measurement of the height of the ground surface 80 of the wafer 8 . That is, the repetition control unit 90 again lowers the shaft 110 using the moving mechanism 113 to bring the first probe 108 into contact with the surface 80 to be ground of the wafer 8 , thereby increasing the surface 80 to be ground of the wafer 8 . Height is measured, and the measured value is stored in the storage unit 91 . After that, the repetition control unit 90 moves the first probe 108 away from the wafer 8 by raising the shaft 110 using the moving mechanism 113 .

次に、繰り返し制御部90は、上記の連続する2回の測定による被研削面80の高さの測定値の差を算出する。すなわち、繰り返し制御部90は、1回目に測定された被研削面80の高さの測定値と、2回目に測定された被研削面80の高さの測定値とを記憶部91から読み出して、これらの差を算出する。そして、繰り返し制御部90は、算出された測定値の差と、予め設定されている第1閾値とを比較する。この第1閾値は、たとえば、研削加工の開始前に、作業者によって、研削装置1に対して予め設定される。
なお、第1閾値としては、たとえば、被研削面80に形成される研削痕(ソーマーク)の凹凸によって変化する量以下の値、すなわち、研削痕の凹凸によって形成される被研削面80の高低差以下の値が設定されている。
Next, the repetition control section 90 calculates the difference between the measured values of the height of the surface to be ground 80 obtained by the above-described two successive measurements. That is, the repetition control unit 90 reads out the first measured value of the height of the ground surface 80 and the second measured value of the height of the ground surface 80 from the storage unit 91. , calculate the difference between them. Then, the repetition control unit 90 compares the calculated difference between the measured values with a preset first threshold value. This first threshold value is preset for the grinding apparatus 1 by the operator, for example, before starting the grinding process.
The first threshold is, for example, a value that is less than or equal to the amount that varies depending on the unevenness of the grinding marks (saw marks) formed on the ground surface 80, that is, the height difference of the ground surface 80 formed by the unevenness of the grinding marks. The following values are set.

そして、繰り返し制御部90は、算出された測定値の差が第1閾値よりも小さい場合には、第1繰り返し工程を終了する。
一方、繰り返し制御部90は、算出された測定値の差が第1閾値以上である場合には、ウェーハ8の被研削面80の高さの3回目の測定を行う。
Then, if the calculated difference between the measured values is smaller than the first threshold, the repetition control section 90 ends the first repetition step.
On the other hand, the repeat control unit 90 measures the height of the ground surface 80 of the wafer 8 for the third time when the difference between the calculated measured values is equal to or greater than the first threshold.

そして、繰り返し制御部90は、2回目に測定された被研削面80の高さの測定値と、3回目に測定された被研削面80の高さの測定値との差を算出し、算出された測定値の差と第1閾値とを比較する。
繰り返し制御部90は、算出された測定値の差が第1閾値よりも小さい場合には、第1繰り返し工程を終了する。
Then, the repetition control unit 90 calculates the difference between the measured value of the height of the surface to be ground 80 measured for the second time and the measured value of the height of the surface to be ground 80 measured for the third time, and calculates The difference in the measured values obtained is compared with a first threshold.
The repetition control section 90 terminates the first repetition step when the calculated difference between the measured values is smaller than the first threshold.

一方、算出された測定値の差が第1閾値以上である場合には、繰り返し制御部90は、ウェーハ8の被研削面80の高さの4回目の測定を行い、3回目の測定の測定値と4回目の測定の測定値との差を算出し、第1閾値と比較する。 On the other hand, when the difference between the calculated measured values is equal to or greater than the first threshold, the repetition control unit 90 performs the fourth measurement of the height of the ground surface 80 of the wafer 8, and the third measurement. The difference between the value and the measured value of the fourth measurement is calculated and compared with the first threshold.

このように、繰り返し制御部90は、第1測定子108をウェーハ8の被研削面80に接触させて被研削面80の高さを測定することと、ウェーハ8の被研削面80に接触している第1測定子108をウェーハ8から離間させることとを、連続する2回の測定によるウェーハ8の被研削面80の高さの測定値の差が第1閾値よりも小さくなるまで繰り返す。
この工程では、第1測定子108をウェーハ8の被研削面80に繰り返し接触させることで、第1測定子108に付着している研削屑等を、第1測定子108から取り除くことができる。
[第2繰り返し工程]
In this manner, the repetition control unit 90 causes the first probe 108 to contact the surface 80 to be ground of the wafer 8 to measure the height of the surface 80 to be ground. Separating the first probe 108 from the wafer 8 is repeated until the difference between the measured values of the height of the surface 80 to be ground of the wafer 8 measured two consecutive times becomes smaller than the first threshold value.
In this step, by repeatedly bringing the first probe 108 into contact with the surface 80 to be ground of the wafer 8 , it is possible to remove grinding dust and the like adhering to the first probe 108 from the first probe 108 .
[Second repeating step]

この工程では、繰り返し制御部90が、第2測定子109をリング状上面210に接触させて保持面200の高さを測定することと、リング状上面210に接触している第2測定子109をリング状上面210から離間させることとを、連続する2回の測定による保持面200の高さの測定値の差が、予め設定した値である第2閾値よりも小さくなるまで繰り返す。
なお、この第2繰り返し工程は、上述した第1繰り返し工程の前、第1繰り返し工程の後、あるいは、第1繰り返し工程と同時に実施される。
In this process, the repeat control unit 90 causes the second probe 109 to contact the ring-shaped upper surface 210 to measure the height of the holding surface 200, and the second probe 109 in contact with the ring-shaped upper surface 210. is separated from the ring-shaped upper surface 210 until the difference between the measured values of the height of the holding surface 200 obtained by two successive measurements becomes smaller than the preset second threshold value.
The second repeating process is performed before the first repeating process, after the first repeating process, or simultaneously with the first repeating process.

具体的には、まず、繰り返し制御部90は、保持面200の高さの1回目の測定を行う。すなわち、繰り返し制御部90は、保持面高さ測定器62の移動機構113を用いてシャフト110を下降させることにより、シャフト110の先端の第2測定子109を、チャックテーブル2のリング状上面210に接触させる。 Specifically, first, the repetition control unit 90 performs the first measurement of the height of the holding surface 200 . That is, the repetition control unit 90 lowers the shaft 110 using the moving mechanism 113 of the holding surface height measuring device 62 , thereby moving the second probe 109 at the tip of the shaft 110 to the ring-shaped upper surface 210 of the chuck table 2 . come into contact with

そして、繰り返し制御部90は、保持面高さ測定器62の検知機構115を制御して、保持面高さ測定器62のスケール114の目盛り140を読み取らせる。さらに、繰り返し制御部90は、読み取られた目盛り140に基づいてリング状上面210の高さを測定して、得られた測定値を、リング状上面210と同一面である保持面200の高さの測定値として、記憶部91に記憶させる。 Then, the repetition control unit 90 controls the detection mechanism 115 of the holding surface height measuring device 62 to read the scale 140 of the scale 114 of the holding surface height measuring device 62 . Furthermore, the repeat control unit 90 measures the height of the ring-shaped upper surface 210 based on the scale 140 that has been read, and compares the obtained measured value to the height of the holding surface 200 that is flush with the ring-shaped upper surface 210. is stored in the storage unit 91 as a measured value of .

その後、繰り返し制御部90は、移動機構113を用いてシャフト110を上昇させることにより、リング状上面210に接触しているシャフト110の第2測定子109を、リング状上面210から離間させる。 After that, the repeat control unit 90 lifts the shaft 110 using the moving mechanism 113 to separate the second probe 109 of the shaft 110 that is in contact with the ring-shaped upper surface 210 from the ring-shaped upper surface 210 .

次に、繰り返し制御部90は、保持面200の高さの2回目の測定を行う。すなわち、繰り返し制御部90は、再び、移動機構113を用いてシャフト110を下降させることで、第2測定子109をリング状上面210に接触させて、リング状上面210の高さを測定し、得られた測定値を、保持面200の高さの測定値として記憶部91に記憶させる。その後、繰り返し制御部90は、移動機構113を用いてシャフト110を上昇させることで、第2測定子109をリング状上面210から離間させる。 Next, the repeat control unit 90 measures the height of the holding surface 200 for the second time. That is, the repeat control unit 90 again lowers the shaft 110 using the moving mechanism 113 to bring the second probe 109 into contact with the ring-shaped upper surface 210, measure the height of the ring-shaped upper surface 210, The obtained measured value is stored in the storage unit 91 as the measured value of the height of the holding surface 200 . After that, the repetition control unit 90 moves the second probe 109 away from the ring-shaped upper surface 210 by raising the shaft 110 using the moving mechanism 113 .

次に、繰り返し制御部90は、上記の連続する2回の測定による保持面200の高さの測定値の差を算出する。すなわち、繰り返し制御部90は、1回目に測定された保持面200の高さの測定値と、2回目に測定された保持面200の高さの測定値とを記憶部91から読み出して、これらの差を算出する。そして、繰り返し制御部90は、算出された測定値の差と、予め設定されている第2閾値とを比較する。この第2閾値は、たとえば、研削加工の開始前に、作業者によって、研削装置1に対して予め設定される。
なお、第2閾値としては、たとえば、保持面高さ測定器62が測定するリング状上面210の凹凸の変化量以下の値、すなわち、リング状上面210の凹凸によって形成されるリング状上面210の高低差以下の値が設定されている。なお、リング状上面210は、保持面200の外側に緻密体のセラミック部材で形成されていて、保持面200と共に研削砥石で研削し凹凸を有して同一面に形成している。
Next, the repetition control unit 90 calculates the difference between the measured values of the height of the holding surface 200 obtained by the above-described two consecutive measurements. That is, the repetition control unit 90 reads out the first measured value of the height of the holding surface 200 and the second measured value of the height of the holding surface 200 from the storage unit 91, and reads these values. Calculate the difference between Then, the repetition control unit 90 compares the calculated difference between the measured values with a preset second threshold value. This second threshold value is preset for the grinding device 1 by the operator, for example, before starting the grinding process.
The second threshold is, for example, a value equal to or less than the variation in the unevenness of the ring-shaped upper surface 210 measured by the holding surface height measuring device 62, that is, the ring-shaped upper surface 210 formed by the unevenness of the ring-shaped upper surface 210. A value equal to or less than the height difference is set. The ring-shaped upper surface 210 is formed of a dense ceramic member outside the holding surface 200, and is ground together with the holding surface 200 with a grinding wheel to have unevenness on the same surface.

そして、繰り返し制御部90は、算出された測定値の差が第2閾値よりも小さい場合には、第2繰り返し工程を終了する。
一方、繰り返し制御部90は、算出された測定値の差が第2閾値以上である場合には、保持面200の高さの3回目の測定を行う。
Then, the repetition control section 90 terminates the second repetition step when the calculated difference between the measured values is smaller than the second threshold.
On the other hand, the repetition control unit 90 measures the height of the holding surface 200 for the third time when the difference between the calculated measurement values is equal to or greater than the second threshold.

そして、繰り返し制御部90は、2回目に測定された保持面200の高さの測定値と、3回目に測定された保持面200の高さの測定値との差を算出し、算出された測定値の差と第2閾値とを比較する。
繰り返し制御部90は、算出された測定値の差が第2閾値よりも小さい場合には、第1繰り返し工程を終了する。
Then, the repetition control unit 90 calculates the difference between the second measured value of the height of the holding surface 200 and the third measured value of the height of the holding surface 200, and calculates Compare the measured difference to a second threshold.
The repetition control section 90 terminates the first repetition step when the calculated difference between the measured values is smaller than the second threshold.

一方、算出された測定値の差が第2閾値以上である場合には、繰り返し制御部90は、保持面200の高さの4回目の測定を行い、3回目の測定の測定値と4回目の測定の測定値との差を算出し、第2閾値と比較する。 On the other hand, when the difference between the calculated measured values is equal to or greater than the second threshold, the repetition control unit 90 measures the height of the holding surface 200 for the fourth time, and is calculated and compared with a second threshold value.

このように、繰り返し制御部90は、第2測定子109をリング状上面210に接触させて保持面200の高さを測定することと、第2測定子109をリング状上面210から離間させることとを、連続する2回の測定による保持面200の高さの測定値の差が第2閾値よりも小さくなるまで繰り返す。
この工程では、第2測定子109をリング状上面210に繰り返し接触させることで、第2測定子109に付着している研削屑等を、第2測定子109から取り除くことができる。
In this manner, the repeat control unit 90 causes the second probe 109 to contact the ring-shaped upper surface 210 to measure the height of the holding surface 200 and separates the second probe 109 from the ring-shaped upper surface 210. and are repeated until the difference between the measured values of the height of the holding surface 200 obtained by two consecutive measurements becomes smaller than the second threshold.
In this step, by repeatedly bringing the second probe 109 into contact with the ring-shaped upper surface 210 , grinding dust and the like attached to the second probe 109 can be removed from the second probe 109 .

[研削工程]
本実施形態では、この研削工程は、上述した第1繰り返し工程および第2繰り返し工程の後に実施される。この工程では、制御部9が、研削機構3によってウェーハ8の研削加工を行う。
[Grinding process]
In this embodiment, this grinding process is performed after the first repeated process and the second repeated process described above. In this step, the control unit 9 grinds the wafer 8 by the grinding mechanism 3 .

具体的には、制御部9が、支持部材23により、ウェーハ8を保持しているチャックテーブル2を回転させる。さらに、制御部9は、スピンドルモータ32により回転軸35を軸にして研削砥石340を回転させるとともに、研削送り機構36を用いて、研削砥石340を下降させる。これにより、研削砥石340の下面342によって、ウェーハ8の被研削面80が研削される。 Specifically, the controller 9 causes the support member 23 to rotate the chuck table 2 holding the wafer 8 . Further, the control unit 9 causes the spindle motor 32 to rotate the grinding wheel 340 around the rotating shaft 35 and uses the grinding feed mechanism 36 to lower the grinding wheel 340 . Thereby, the ground surface 80 of the wafer 8 is ground by the lower surface 342 of the grinding wheel 340 .

また、研削砥石340によるウェーハ8の研削中に、制御部9は、厚み測定機構6を用いて、ウェーハ8の厚みの測定を行う。すなわち、制御部9は、研削開始時に、保持面高さ測定器62の第2測定子109をチャックテーブル2のリング状上面210に接触させて、保持面200の高さを測定する。さらに、制御部9は、研削中に、上面高さ測定器61の第1測定子108をウェーハ8の被研削面80に接触させた状態に維持し、ウェーハ8の被研削面80の高さを連続的あるいは断続的に測定する。 Further, while the grinding wheel 340 is grinding the wafer 8 , the controller 9 uses the thickness measuring mechanism 6 to measure the thickness of the wafer 8 . That is, at the start of grinding, the control unit 9 brings the second probe 109 of the holding surface height measuring device 62 into contact with the ring-shaped upper surface 210 of the chuck table 2 to measure the height of the holding surface 200 . Furthermore, the control unit 9 keeps the first probe 108 of the upper surface height measuring device 61 in contact with the ground surface 80 of the wafer 8 during grinding, and the height of the ground surface 80 of the wafer 8 is measured. is measured continuously or intermittently.

そして、制御部9は、測定された保持面200の高さとウェーハ8の被研削面80の高さとの差を、ウェーハ8の厚みとして算出する。そして、制御部9は、ウェーハ8の厚みが所定の仕上げ厚みとなったときに、ウェーハ8の研削を終了する。 Then, the controller 9 calculates the difference between the measured height of the holding surface 200 and the height of the ground surface 80 of the wafer 8 as the thickness of the wafer 8 . Then, when the thickness of the wafer 8 reaches a predetermined finish thickness, the control section 9 ends the grinding of the wafer 8 .

以上のように、本実施形態では、繰り返し制御部90が、第1測定子108をウェーハ8の被研削面80に接触させて被研削面80の高さを測定することと、ウェーハ8の被研削面80に接触している第1測定子108をウェーハ8から離間させることとを、連続する2回の測定によるウェーハ8の被研削面80の高さの測定値の差が第1閾値よりも小さくなるまで繰り返す(第1繰り返し工程)。 As described above, in the present embodiment, the repeat control unit 90 brings the first probe 108 into contact with the surface 80 to be ground of the wafer 8 to measure the height of the surface 80 to be ground and measures the height of the surface 80 to be ground. The first probe 108 in contact with the ground surface 80 is separated from the wafer 8, and the difference between the measured values of the height of the ground surface 80 of the wafer 8 obtained by two consecutive measurements is greater than the first threshold value. is reduced (first repetition step).

このように、繰り返し制御部90が、第1測定子108をウェーハ8の被研削面80に繰り返し接触させることで、第1測定子108に付着していた研削屑等を取り除くことができる。 In this manner, the repetition control unit 90 repeatedly brings the first probe 108 into contact with the surface 80 to be ground of the wafer 8 , thereby removing the grinding dust and the like adhering to the first probe 108 .

ここで、第1測定子108に研削屑等が付着している場合、第1測定子108が被研削面80に接触するたびに、研削屑等の少なくとも一部が第1測定子108から除去される。そして、研削屑等の少なくとも一部が第1測定子108から除去される前後では、第1測定子108を用いた被研削面80の高さ測定の結果が変化する。したがって、第1測定子108に研削屑等が付着している場合、連続する2回の測定による被研削面80の高さの測定値の差が、比較的に大きくなる。
このため、第1繰り返し工程において、連続する2回の測定による被研削面80の高さの測定値の差が第1閾値よりも小さくなることは、第1測定子108に、研削屑等が実質的に付着していないことを意味する。したがって、本実施形態では、第1繰り返し工程により、第1測定子108に付着していた研削屑等を、良好に除去することができる。
Here, if grinding dust or the like adheres to the first probe 108, at least part of the grinding dust or the like is removed from the first probe 108 each time the first probe 108 contacts the surface 80 to be ground. be done. Before and after at least a portion of the grinding dust or the like is removed from the first probe 108, the result of height measurement of the ground surface 80 using the first probe 108 changes. Therefore, when grinding dust or the like adheres to the first probe 108, the difference between the measured values of the height of the surface 80 to be ground 80 measured two times in succession becomes relatively large.
Therefore, in the first repeated step, if the difference between the measured values of the height of the surface to be ground 80 obtained by two consecutive measurements becomes smaller than the first threshold value, it means that the first probe 108 has grinding debris or the like. It means that there is substantially no adhesion. Therefore, in the present embodiment, it is possible to satisfactorily remove the grinding dust and the like adhering to the first probe 108 by the first repeating step.

したがって、本実施形態では、研削工程において、ウェーハ8の被研削面80の高さを良好に測定することができる。このため、ウェーハ8の厚みを誤って測定することを抑制することができる。 Therefore, in the present embodiment, the height of the ground surface 80 of the wafer 8 can be measured satisfactorily in the grinding process. Therefore, erroneous measurement of the thickness of the wafer 8 can be suppressed.

また、本実施形態では、繰り返し制御部90が、第2測定子109をリング状上面210に接触させて保持面200の高さを測定することと、リング状上面210に接触している第2測定子109をリング状上面210から離間させることとを、連続する2回の測定による保持面200の高さの測定値の差が第2閾値よりも小さくなるまで繰り返す(第2繰り返し工程)。 In addition, in the present embodiment, the repetition control unit 90 causes the second probe 109 to contact the ring-shaped upper surface 210 to measure the height of the holding surface 200 , and measures the height of the holding surface 200 . Separating the probe 109 from the ring-shaped upper surface 210 is repeated until the difference between the measured values of the height of the holding surface 200 obtained by two successive measurements becomes smaller than the second threshold (second repeating step).

このように、繰り返し制御部90が、第2測定子109をリング状上面210に繰り返し接触させることで、第2測定子109に付着していた研削屑等を取り除くことができる。 In this manner, the repetition control unit 90 repeatedly brings the second probe 109 into contact with the ring-shaped upper surface 210 , thereby removing the grinding dust and the like adhering to the second probe 109 .

ここで、連続する2回の測定による保持面200の高さの測定値の差が第2閾値よりも小さくなることは、第2測定子109に、研削屑等が実質的に付着していないことを意味する。したがって、本実施形態では、第2繰り返し工程により、第2測定子109に付着していた研削屑等を、良好に除去することができる。 Here, when the difference between the measured values of the height of the holding surface 200 obtained by two consecutive measurements becomes smaller than the second threshold value, it means that the second probe 109 is not substantially adhered with grinding dust or the like. means that Therefore, in the present embodiment, it is possible to satisfactorily remove the grinding dust and the like adhering to the second probe 109 by the second repeated step.

したがって、本実施形態では、研削工程において、ウェーハ8の被研削面80の高さに加えて、保持面200の高さを良好に測定することができる。このため、ウェーハ8の厚みを誤って測定することを、より良好に抑制することができる。 Therefore, in the present embodiment, the height of the holding surface 200 can be well measured in addition to the height of the ground surface 80 of the wafer 8 in the grinding process. Therefore, erroneous measurement of the thickness of the wafer 8 can be better suppressed.

なお、研削装置1では、研削工程の途中あるいは研削工程の後に、繰り返し制御部90が、上述の第1繰り返し工程を行ってもよい。すなわち、研削工程の途中あるいは研削工程の後に、繰り返し制御部90が、第1測定子108をウェーハ8の被研削面80に接触させて被研削面80の高さを測定することと、ウェーハ8の被研削面80に接触している第1測定子108をウェーハ8から離間させることとを、連続する2回の測定によるウェーハ8の被研削面80の高さの測定値の差が第1閾値よりも小さくなるまで繰り返してもよい。この構成では、研削工程において第1測定子108に付着した研削屑等を取り除くことができる。 In addition, in the grinding apparatus 1, the repetition control section 90 may perform the above-described first repetition process during or after the grinding process. That is, during the grinding process or after the grinding process, the repeat control unit 90 brings the first probe 108 into contact with the ground surface 80 of the wafer 8 to measure the height of the ground surface 80; When the first probe 108 in contact with the surface 80 to be ground of the wafer 8 is separated from the wafer 8, the difference between the measured values of the height of the surface 80 to be ground 80 of the wafer 8 by two consecutive measurements is the first You may repeat until it becomes smaller than a threshold value. With this configuration, it is possible to remove grinding dust and the like attached to the first probe 108 in the grinding process.

同様に、研削装置1では、研削工程の途中あるいは研削工程の後に、繰り返し制御部90が、上述の第2繰り返し工程を行ってもよい。すなわち、研削工程の途中あるいは研削工程の後に、繰り返し制御部90が、第2測定子109をリング状上面210に接触させて保持面200の高さを測定することと、第2測定子109をリング状上面210から離間させることとを、連続する2回の測定による保持面200の高さの測定値の差が第2閾値よりも小さくなるまで繰り返してもよい。この構成では、研削工程において第2測定子109に付着した研削屑等を取り除くことができる。 Similarly, in the grinding apparatus 1, the repetition control section 90 may perform the above-described second repetition process during or after the grinding process. That is, during or after the grinding process, the repeat control unit 90 brings the second probe 109 into contact with the ring-shaped upper surface 210 to measure the height of the holding surface 200, and moves the second probe 109 The separation from the ring-shaped upper surface 210 may be repeated until the difference between the measured values of the height of the holding surface 200 obtained by two consecutive measurements becomes smaller than the second threshold. With this configuration, it is possible to remove grinding dust and the like adhering to the second probe 109 in the grinding process.

また、研削工程の後に第1繰り返し工程および/または第2繰り返し工程を実施する場合には、その後、あらためて、第1測定子108および第2測定子109を用いてウェーハ8の厚みを測定してもよい。これにより、研削後のウェーハ8が所望の仕上げ厚みに仕上げられているか否かを、良好に確認することができる。 Further, when performing the first repeating step and/or the second repeating step after the grinding step, the thickness of the wafer 8 is measured again using the first probe 108 and the second probe 109. good too. Thereby, it is possible to confirm whether or not the wafer 8 after grinding is finished to have a desired finish thickness.

また、上記のように、本実施形態では、第1測定子108および第2測定子109に付着している研削屑を、これらをウェーハ8の被研削面80およびリング状上面210にそれぞれ接触させることにより、除去している。しかしながら、第1測定子108および第2測定子109に研削屑等が堅固に固着している場合、これらを被研削面80およびリング状上面210に接触させても、研削屑等がほとんど除去されないおそれがある。すなわち、この場合、連続する2回の測定による測定値の差が閾値よりも小さくなったとしても、第1測定子108および第2測定子109に研削屑等が残存しており、ウェーハ8の厚みの測定値が不正確となる可能性がある。 In addition, as described above, in the present embodiment, the grinding shavings adhering to the first probe 108 and the second probe 109 are brought into contact with the surface to be ground 80 and the ring-shaped upper surface 210 of the wafer 8, respectively. It is thus removed. However, when grinding dust or the like is firmly adhered to the first probe 108 and the second probe 109, even if these are brought into contact with the surface to be ground 80 and the ring-shaped upper surface 210, the grinding dust and the like are hardly removed. There is a risk. That is, in this case, even if the difference between the measured values obtained by two consecutive measurements becomes smaller than the threshold value, the grinding dust or the like remains in the first probe 108 and the second probe 109, and the wafer 8 is Thickness measurements can be inaccurate.

そこで、本実施形態では、記憶部91に、ウェーハ8の厚みの許容範囲が記憶されていてもよい。この場合、制御部9は、研削工程においてウェーハ8の厚みを測定したときに、測定値が許容範囲内である場合には、その測定値をウェーハ8の厚みとして認識する。一方、制御部9は、測定値が許容範囲外である場合には、第1測定子108および/または第2測定子109に研削屑等が付着しており、測定値が不正確であると判断して、たとえば、研削工程を中断して、研削屑等が付着していることを作業者に通知する。
この構成では、制御部9がウェーハ8の厚みを誤って認識してしまうことを防止することができる。
Therefore, in this embodiment, the allowable range of the thickness of the wafer 8 may be stored in the storage unit 91 . In this case, when the thickness of the wafer 8 is measured in the grinding process, the controller 9 recognizes the measured value as the thickness of the wafer 8 if the measured value is within the allowable range. On the other hand, when the measured value is out of the allowable range, the control unit 9 determines that the measured value is inaccurate because grinding dust or the like is attached to the first probe 108 and/or the second probe 109. After making a decision, for example, the grinding process is interrupted and the operator is notified that grinding dust or the like is attached.
This configuration can prevent the controller 9 from erroneously recognizing the thickness of the wafer 8 .

また、本実施形態では、制御部9は、上面高さ測定器61の測定値と保持面高さ測定器62の測定値との差(すなわちウェーハ8の厚み)を算出する算出部として機能する。そして、繰り返し制御部90は、制御部9によって算出されるウェーハ8の厚み値に基づく制御を実施してもよい。
この場合、研削装置1によるウェーハ8に対する研削加工方法では、上述した第1繰り返し工程および第2繰り返し工程に代えて、以下の第3繰り返し工程が実施される。
In addition, in the present embodiment, the control unit 9 functions as a calculation unit that calculates the difference between the measurement value of the upper surface height measurement device 61 and the measurement value of the holding surface height measurement device 62 (that is, the thickness of the wafer 8). . Then, the repetition control section 90 may perform control based on the thickness value of the wafer 8 calculated by the control section 9 .
In this case, in the grinding method for the wafer 8 by the grinding apparatus 1, the following third repeated process is performed instead of the first repeated process and the second repeated process described above.

[第3繰り返し工程]
この工程では、制御部9が算出した連続する2回の値の差が予め設定した値である第3閾値よりも小さくなるまで、第1測定子108をウェーハ8の被研削面80に接触させて被研削面80の高さを測定するとともに、第2測定子109をリング状上面210に接触させて保持面200の高さを測定することと、ウェーハ8の被研削面80に接触している第1測定子108をウェーハ8から離間させるとともに、リング状上面210に接触している第2測定子109を第1測定子108から離間させることとを繰り返す。
[Third repeating step]
In this step, the first probe 108 is kept in contact with the ground surface 80 of the wafer 8 until the difference between the two consecutive values calculated by the control unit 9 becomes smaller than the preset third threshold value. and measure the height of the surface 80 to be ground by bringing the second probe 109 into contact with the ring-shaped upper surface 210 to measure the height of the holding surface 200; The first probe 108 that is in contact with the wafer 8 is separated from the wafer 8 and the second probe 109 that is in contact with the ring-shaped upper surface 210 is separated from the first probe 108 .

具体的には、まず、繰り返し制御部90および制御部9が、ウェーハ8の厚みの1回目の算出を行う。この際、繰り返し制御部90は、厚み測定機構6の支持体63を回転させることにより、チャックテーブル2の保持面200に保持されたウェーハ8の上方に上面高さ測定器61を位置付けるとともに、リング状上面210の上方に保持面高さ測定器62を位置付ける。 Specifically, first, the repetition control unit 90 and the control unit 9 perform the first calculation of the thickness of the wafer 8 . At this time, the repeat control unit 90 rotates the support 63 of the thickness measuring mechanism 6 to position the top surface height measuring device 61 above the wafer 8 held on the holding surface 200 of the chuck table 2, and also rotates the ring. Position the holding surface height gauge 62 above the top surface 210 of the shape.

次いで、繰り返し制御部90は、上面高さ測定器61の移動機構113を用いてシャフト110を下降させることにより、シャフト110の先端の第1測定子108を、ウェーハ8の被研削面80に接触させる。 Next, the repetition control unit 90 lowers the shaft 110 using the movement mechanism 113 of the upper surface height measuring device 61 to bring the first probe 108 at the tip of the shaft 110 into contact with the ground surface 80 of the wafer 8. Let

そして、繰り返し制御部90は、上面高さ測定器61の検知機構115を制御して、上面高さ測定器61のスケール114の目盛り140を読み取らせる。さらに、繰り返し制御部90は、読み取られた目盛り140に基づいてウェーハ8の被研削面80の高さを測定して、得られた測定値を記憶部91に記憶させる。 Then, the repeat control unit 90 controls the detection mechanism 115 of the upper surface height measuring device 61 to read the scale 140 of the scale 114 of the upper surface height measuring device 61 . Further, the repeat control unit 90 measures the height of the ground surface 80 of the wafer 8 based on the read scale 140 and stores the obtained measurement value in the storage unit 91 .

さらに、繰り返し制御部90は、保持面高さ測定器62の移動機構113を用いてシャフト110を下降させることにより、シャフト110の先端の第2測定子109を、チャックテーブル2のリング状上面210に接触させる。 Furthermore, the repetition control unit 90 lowers the shaft 110 using the moving mechanism 113 of the holding surface height measuring device 62 so that the second probe 109 at the tip of the shaft 110 moves to the ring-shaped upper surface 210 of the chuck table 2 . come into contact with

そして、繰り返し制御部90は、保持面高さ測定器62の検知機構115を制御して、保持面高さ測定器62のスケール114の目盛り140を読み取らせる。さらに、繰り返し制御部90は、読み取られた目盛り140に基づいてリング状上面210の高さを測定して、得られた測定値を、リング状上面210と同一面である保持面200の高さの測定値として、記憶部91に記憶させる。 Then, the repetition control unit 90 controls the detection mechanism 115 of the holding surface height measuring device 62 to read the scale 140 of the scale 114 of the holding surface height measuring device 62 . Furthermore, the repeat control unit 90 measures the height of the ring-shaped upper surface 210 based on the scale 140 that has been read, and compares the obtained measured value to the height of the holding surface 200 that is flush with the ring-shaped upper surface 210. is stored in the storage unit 91 as a measured value of .

その後、繰り返し制御部90は、上面高さ測定器61および保持面高さ測定器62の移動機構113を用いてシャフト110を上昇させることにより、ウェーハ8の被研削面80に接触している第1測定子108をウェーハ8から離間させるとともに、リング状上面210に接触している第2測定子109をリング状上面210から離間させる。
また、制御部9は、被研削面80の高さの測定値と保持面200の高さの測定値とを記憶部91から読み出して、これらの差を算出し、1回目に算出されたウェーハ8の厚み値として記憶部91に記憶させる。
After that, the repeat control unit 90 raises the shaft 110 using the moving mechanism 113 of the upper surface height measuring device 61 and the holding surface height measuring device 62, thereby contacting the ground surface 80 of the wafer 8. The first probe 108 is separated from the wafer 8 and the second probe 109 in contact with the ring-shaped upper surface 210 is separated from the ring-shaped upper surface 210 .
Further, the control unit 9 reads out the measured value of the height of the ground surface 80 and the measured value of the height of the holding surface 200 from the storage unit 91, calculates the difference between them, and calculates the wafer 8 is stored in the storage unit 91.

次に、繰り返し制御部90および制御部9は、ウェーハ8の厚みの2回目の算出を行う。すなわち、繰り返し制御部90は、再び、第1測定子108をウェーハ8の被研削面80に接触させて被研削面80の高さを測定し、測定値を記憶部91に記憶させるとともに、第2測定子109をリング状上面210に接触させて保持面200の高さを測定し、測定値を記憶部91に記憶させる。そして、繰り返し制御部90は、第1測定子108をウェーハ8から離間させるとともに、第2測定子109を、リング状上面210から離間させる。
また、制御部9が、被研削面80の高さの測定値と保持面200の高さの測定値とを記憶部91から読み出して、これらの差を算出し、2回目に算出されたウェーハ8の厚み値として記憶部91に記憶させる。
Next, the repeat control unit 90 and the control unit 9 perform the second calculation of the thickness of the wafer 8 . That is, the repetition control unit 90 again brings the first probe 108 into contact with the surface 80 to be ground of the wafer 8 to measure the height of the surface 80 to be ground, stores the measured value in the storage unit 91, and stores the measured value in the storage unit 91. 2. The probe 109 is brought into contact with the ring-shaped upper surface 210 to measure the height of the holding surface 200 , and the measured value is stored in the storage unit 91 . Then, the repetition control unit 90 separates the first probe 108 from the wafer 8 and separates the second probe 109 from the ring-shaped upper surface 210 .
In addition, the control unit 9 reads out the measured value of the height of the ground surface 80 and the measured value of the height of the holding surface 200 from the storage unit 91, calculates the difference between them, and calculates the second calculated wafer 8 is stored in the storage unit 91.

次に、繰り返し制御部90は、制御部9が算出した連続する2回の値の差を求める。すなわち、繰り返し制御部90は、1回目に算出されたウェーハ8の厚み値と、2回目に算出されたウェーハ8の厚み値とを記憶部91から読み出して、これらの差を求める。そして、繰り返し制御部90は、求められた厚み値の差と、予め設定されている第3閾値とを比較する。この第3閾値は、たとえば、研削加工の開始前に、作業者によって、研削装置1に対して予め設定される。 Next, the repetition control section 90 obtains the difference between two consecutive values calculated by the control section 9 . That is, the repetition control unit 90 reads out the first calculated thickness value of the wafer 8 and the second calculated thickness value of the wafer 8 from the storage unit 91 and obtains the difference between them. Then, the repetition control unit 90 compares the calculated difference in thickness value with a preset third threshold value. This third threshold value is preset for the grinding apparatus 1 by the operator, for example, before starting the grinding process.

そして、繰り返し制御部90および制御部9は、求められた厚み値の差が第3閾値よりも小さい場合には、第3繰り返し工程を終了する。
一方、繰り返し制御部90および制御部9は、求められた厚み値の差が第3閾値以上である場合には、ウェーハ8の厚みの3回目の算出を行う。
Then, the repetition control section 90 and the control section 9 end the third repetition step when the obtained difference in thickness value is smaller than the third threshold value.
On the other hand, the repetition control unit 90 and the control unit 9 perform the third calculation of the thickness of the wafer 8 when the difference between the obtained thickness values is equal to or greater than the third threshold.

そして、繰り返し制御部90は、2回目に算出されたウェーハ8の厚み値と、3回目に算出されたウェーハ8の厚み値との差を求め、求められた厚み値の差と第3閾値とを比較する。
繰り返し制御部90および制御部9は、求められた厚み値の差が第3閾値よりも小さい場合には、第3繰り返し工程を終了する。
Then, the repetition control unit 90 obtains the difference between the thickness value of the wafer 8 calculated the second time and the thickness value of the wafer 8 calculated the third time, and compares the difference between the calculated thickness values with the third threshold value. compare.
The repetition control section 90 and the control section 9 end the third repetition step when the obtained difference in thickness value is smaller than the third threshold value.

一方、求められた厚み値の差が第3閾値以上である場合には、繰り返し制御部90および制御部9は、ウェーハ8の厚みの4回目の算出を行う。そして、繰り返し制御部90は、3回目に算出されたウェーハ8の厚み値と4回目に算出されたウェーハ8の厚み値との差を求め、求められた厚み値の差と第3閾値とを比較する。 On the other hand, when the obtained difference in thickness value is equal to or greater than the third threshold value, the repetition control unit 90 and the control unit 9 perform the fourth calculation of the thickness of the wafer 8 . Then, the repetition control unit 90 obtains the difference between the thickness value of the wafer 8 calculated for the third time and the thickness value of the wafer 8 calculated for the fourth time, and calculates the difference between the obtained thickness values and the third threshold value. compare.

このように、この工程では、制御部9が算出した連続する2回の値の差が第3閾値よりも小さくなるまで、すなわち、制御部9による連続する2回の算出によって得られた値の差が第3閾値よりも小さくなるまで、第1測定子108をウェーハ8の被研削面80に繰り返し接触させるとともに、第2測定子109をリング状上面210に繰り返し接触させる。 Thus, in this step, until the difference between the two consecutive values calculated by the control unit 9 becomes smaller than the third threshold value, that is, the values obtained by the two consecutive calculations by the control unit 9 are changed. The first probe 108 is repeatedly brought into contact with the ground surface 80 of the wafer 8 and the second probe 109 is repeatedly brought into contact with the ring-shaped upper surface 210 until the difference becomes smaller than the third threshold.

この工程では、第1測定子108および第2測定子109を、被研削面80あるいはリング状上面210に繰り返し接触させることにより、第1測定子108および第2測定子109に付着している研削屑等を取り除くことができる。 In this step, by repeatedly bringing the first probe 108 and the second probe 109 into contact with the surface to be ground 80 or the ring-shaped upper surface 210, the ground surface attached to the first probe 108 and the second probe 109 is removed. Debris can be removed.

ここで、制御部9が算出した連続する2回の値の差が第3閾値よりも小さくなることは、第1測定子108および第2測定子109に、研削屑等が実質的に付着していないことを意味する。このため、第3繰り返し工程により、第1測定子108および第2測定子109に付着している研削屑等を、良好に取り除くことができる。したがって、後の研削工程において、ウェーハ8の被研削面80の高さおよび保持面200の高さを、良好に測定することができる。このため、ウェーハ8の厚みを誤って測定することを防止することができる。 Here, when the difference between the two consecutive values calculated by the control unit 9 becomes smaller than the third threshold value, it means that grinding dust or the like substantially adheres to the first probe 108 and the second probe 109. means not Therefore, by the third repeated step, the grinding dust and the like adhering to the first probe 108 and the second probe 109 can be removed satisfactorily. Therefore, in the later grinding process, the height of the ground surface 80 of the wafer 8 and the height of the holding surface 200 can be measured satisfactorily. Therefore, erroneous measurement of the thickness of the wafer 8 can be prevented.

1:研削装置、2:チャックテーブル、3:研削機構、4:水膜形成機構
5:回転規制機構、6:厚み測定機構、7:エア供給源、8:ウェーハ
9:制御部、10:ベース、11:コラム、12:内部ベース、20:吸引部
21:枠体、23:支持部材、26:水平移動機構、28:カバー、29:蛇腹
30:スピンドル、31:ハウジング、32:スピンドルモータ、33:マウント
34:研削ホイール、35:回転軸、36:研削送り機構、40:水配管
41:水供給ノズル、43:水流路、44:貫通孔、49:水供給源
51:第1磁石、52:第2磁石、53:ガイド棒
61:上面高さ測定器、62:保持面高さ測定器、63:支持体、66:アーム
70:エア配管、71:ソレノイドバルブ、72:エア配管、74:エア配管
80:被研削面、90:繰り返し制御部、91:記憶部
102:支持板、103:連結板、104:載置台
108:第1測定子、109:第2測定子、110:シャフト、111:側面
112:ケーシング、113:移動機構、114:スケール、115:検知機構
120:枠体、121:支持面、122:噴出口、123:流入口
124:エア流路、125:収容孔、126:下側排気口
130:シリンダ、131:ピストンロッド、132:上側流入口
133:下側流入口、134:ピストン
140:目盛り、150:支持板、151:検知部
200:保持面、210:リング状上面
260:ボールネジ、261:ガイドレール、262:Y軸モータ
263:可動板、265:回転軸、340:研削砥石
341:ホイール基台、342:下面、360:ボールネジ
361:ガイドレール、362:Z軸モータ、363:昇降板、364:ホルダ
365:回転軸、410:雄ネジ部、411:雌ネジ部
412:水供給口、430:水噴出口
1: Grinding device, 2: Chuck table, 3: Grinding mechanism, 4: Water film forming mechanism 5: Rotation regulation mechanism, 6: Thickness measuring mechanism, 7: Air supply source, 8: Wafer 9: Control unit, 10: Base , 11: Column, 12: Internal base, 20: Suction part 21: Frame, 23: Support member, 26: Horizontal movement mechanism, 28: Cover, 29: Bellows 30: Spindle, 31: Housing, 32: Spindle motor, 33: Mount 34: Grinding wheel 35: Rotating shaft 36: Grinding feed mechanism 40: Water pipe 41: Water supply nozzle 43: Water flow path 44: Through hole 49: Water supply source 51: First magnet 52: second magnet, 53: guide rod 61: upper surface height measuring device, 62: holding surface height measuring device, 63: support, 66: arm 70: air pipe, 71: solenoid valve, 72: air pipe, 74: Air pipe 80: Surface to be ground 90: Repeat control unit 91: Storage unit 102: Support plate 103: Connection plate 104: Mounting table 108: First probe 109: Second probe 110: Shaft 111: Side 112: Casing 113: Moving mechanism 114: Scale 115: Detection mechanism 120: Frame body 121: Support surface 122: Jet port 123: Inflow port 124: Air flow path 125: Housing hole, 126: lower exhaust port 130: cylinder, 131: piston rod, 132: upper inlet 133: lower inlet, 134: piston 140: scale, 150: support plate, 151: detection unit 200: holding surface, 210: Ring-shaped upper surface 260: Ball screw 261: Guide rail 262: Y-axis motor 263: Movable plate 265: Rotating shaft 340: Grinding wheel 341: Wheel base 342: Lower surface 360: Ball screw 361: Guide rail , 362: Z-axis motor, 363: lifting plate, 364: holder 365: rotating shaft, 410: male threaded portion, 411: female threaded portion 412: water supply port, 430: water jet port

Claims (3)

保持面でウェーハを保持するチャックテーブルと、該保持面に保持されたウェーハを研削砥石で研削する研削機構と、該保持面に保持されたウェーハの上面に第1測定子を接触させ該上面の高さを測定する上面高さ測定器と、を備える研削装置であって、
該第1測定子を該ウェーハの上面に接触させて該上面の高さを測定することと、該ウェーハの上面に接触している該第1測定子を該ウェーハから離間させることとを、連続する2回の測定による該ウェーハの上面の高さの測定値の差が予め設定した値よりも小さくなるまで繰り返す繰り返し制御部を備える、研削装置。
a chuck table that holds a wafer on a holding surface; a grinding mechanism that grinds the wafer held on the holding surface with a grinding wheel; A grinding apparatus comprising a top surface height measuring device for measuring height,
bringing the first probe into contact with the upper surface of the wafer to measure the height of the upper surface; and separating the first probe in contact with the upper surface of the wafer from the wafer, continuously. A grinding apparatus comprising a repeat control unit that repeats until the difference between the measured values of the height of the upper surface of the wafer obtained by the two measurements becomes smaller than a preset value.
該保持面の外側で該保持面に同一面となるリング状上面に第2測定子を接触させ該保持面の高さを測定する保持面高さ測定器を備え、
該繰り返し制御部は、
該第2測定子を該リング状上面に接触させて該保持面の高さを測定することと、該リング状上面に接触している該第2測定子を該リング状上面から離間させることとを、連続する2回の測定による該保持面の高さの測定値の差が予め設定した値よりも小さくなるまで繰り返す、請求項1記載の研削装置。
a holding surface height measuring instrument for measuring the height of the holding surface by bringing a second probe into contact with the ring-shaped upper surface flush with the holding surface outside the holding surface;
The repeat control unit
measuring the height of the holding surface by bringing the second probe into contact with the ring-shaped upper surface; and separating the second probe in contact with the ring-shaped upper surface from the ring-shaped upper surface. is repeated until the difference between the measured values of the height of the holding surface obtained by two successive measurements becomes smaller than a preset value.
保持面でウェーハを保持するチャックテーブルと、該保持面に保持されたウェーハを研削砥石で研削する研削機構と、該保持面に保持されたウェーハの上面に第1測定子を接触させ該上面の高さを測定する上面高さ測定器と、該保持面の外側で該保持面に同一面となるリング状上面に第2測定子を接触させ該保持面の高さを測定する保持面高さ測定器と、該上面高さ測定器の測定値と該保持面高さ測定器の測定値との差を算出する算出部と、を備える研削装置であって、
該算出部が算出した連続する2回の値の差が予め設定した値よりも小さくなるまで、該第1測定子を該ウェーハの上面に接触させて該上面の高さを測定するとともに、該第2測定子を該リング状上面に接触させて該保持面の高さを測定することと、該ウェーハの上面に接触している該第1測定子を該ウェーハから離間させるとともに、該リング状上面に接触している該第2測定子を該リング状上面から離間させることとを繰り返す、繰り返し制御部を備える、
研削装置。
a chuck table that holds a wafer on a holding surface; a grinding mechanism that grinds the wafer held on the holding surface with a grinding wheel; A holding surface height measuring device for measuring the height of the upper surface, and a holding surface height measuring the height of the holding surface by bringing a second probe into contact with the ring-shaped upper surface that is flush with the holding surface outside the holding surface. A grinding apparatus comprising: a measuring device; and a calculating unit for calculating a difference between the measured value of the upper surface height measuring device and the measured value of the holding surface height measuring device,
The first probe is brought into contact with the upper surface of the wafer to measure the height of the upper surface until the difference between the two consecutive values calculated by the calculating unit becomes smaller than a preset value, and measuring the height of the holding surface by bringing a second probe into contact with the ring-shaped upper surface; separating the first probe in contact with the upper surface of the wafer from the wafer; A repetition control unit that repeats separating the second probe in contact with the upper surface from the ring-shaped upper surface,
grinding equipment.
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