JP2023027918A - Grinding apparatus - Google Patents
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Abstract
【課題】ウェーハの厚みを誤って測定することを抑制する。【解決手段】保持面200でウェーハ8を保持するチャックテーブル2と、保持面200に保持されたウェーハ8を研削砥石340で研削する研削機構3と、保持面200に保持されたウェーハ8の被研削面80に第1測定子108を接触させて、ウェーハ8の被研削面80の高さを測定する上面高さ測定器61と、繰り返し制御部90と、を備える研削装置1では、繰り返し制御部90が、第1測定子108をウェーハ8の被研削面80に接触させることと、ウェーハ8の被研削面80に接触している第1測定子108をウェーハ8から離間させることとを、連続する2回の測定によるウェーハ8の被研削面80の高さの測定値の差が予め設定した値よりも小さくなるまで繰り返すことにより、第1測定子108に付着している研削屑を取り除く。【選択図】図3[Problem] To prevent erroneous measurement of the thickness of a wafer. [Solution] In a grinding device 1 including a chuck table 2 that holds a wafer 8 on a holding surface 200, a grinding mechanism 3 that grinds the wafer 8 held on the holding surface 200 with a grinding wheel 340, an upper surface height gauge 61 that brings a first probe 108 into contact with the grinding surface 80 of the wafer 8 held on the holding surface 200 to measure the height of the grinding surface 80 of the wafer 8, and a repetitive control unit 90, the repetitive control unit 90 repeats the process of bringing the first probe 108 into contact with the grinding surface 80 of the wafer 8 and separating the first probe 108 that is in contact with the grinding surface 80 of the wafer 8 from the wafer 8 until the difference between the measured values of the height of the grinding surface 80 of the wafer 8 in two consecutive measurements becomes smaller than a preset value, thereby removing grinding debris adhering to the first probe 108. [Selected Figure] FIG. 3
Description
本発明は、研削装置に関する。 The present invention relates to grinding equipment.
特許文献1に開示のように、研削装置では、接触式の測定器で保持面高さとウェーハの上面高さとを測定して、その差をウェーハ厚みとして算出している。この算出した厚みが所定の厚みになるまで、ウェーハが研削される。
As disclosed in
ウェーハの上面高さを測定する測定子には、研削加工中の研削屑が付着することがあり、付着した研削屑によって、ウェーハの上面に傷をつけることがある。その対策として、特許文献2および3に開示のように、洗浄水で測定子の先端に研削屑が付着することを防止している。
また、チャックテーブルが保持した研削前のウェーハの厚みを測定することによって、ウェーハの上面に高速で研削砥石を接近させ、研削時間を短縮している。
Grinding debris during the grinding process may adhere to the probe for measuring the height of the upper surface of the wafer, and the attached grinding debris may damage the upper surface of the wafer. As a countermeasure, as disclosed in
Further, by measuring the thickness of the wafer held by the chuck table before grinding, the grinding wheel is brought closer to the upper surface of the wafer at high speed, thereby shortening the grinding time.
しかし、研削前のウェーハの厚み測定の際に、測定子の先端に、以前の研削での研削屑が付着していることがある。この場合、実際のウェーハ厚みよりも測定値が大きくなるので、研削時間が長くなってしまう。
したがって、本発明の目的は、ウェーハの厚みを誤って測定することを防止することにある。
However, when measuring the thickness of the wafer before grinding, grinding debris from previous grinding may adhere to the tip of the probe. In this case, since the measured value is larger than the actual wafer thickness, the grinding time is lengthened.
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to prevent erroneous measurement of the thickness of a wafer.
本発明の第1の研削装置は、保持面でウェーハを保持するチャックテーブルと、該保持面に保持されたウェーハを研削砥石で研削する研削機構と、該保持面に保持されたウェーハの上面に第1測定子を接触させ該上面の高さを測定する上面高さ測定器と、を備える研削装置であって、該第1測定子を該ウェーハの上面に接触させて該上面の高さを測定することと、該ウェーハの上面に接触している該第1測定子を該ウェーハから離間させることとを、連続する2回の測定による該ウェーハの上面の高さの測定値の差が予め設定した値よりも小さくなるまで繰り返す繰り返し制御部を備える。
上記の第1の研削装置は、該保持面の外側で該保持面に同一面となるリング状上面に第2測定子を接触させ該保持面の高さを測定する保持面高さ測定器を備え、該繰り返し制御部は、該第2測定子を該リング状上面に接触させて該保持面の高さを測定することと、該リング状上面に接触している該第2測定子を該リング状上面から離間させることとを、連続する2回の測定による該保持面の高さの測定値の差が予め設定した値よりも小さくなるまで繰り返してもよい。
本発明の第2の研削装置は、保持面でウェーハを保持するチャックテーブルと、該保持面に保持されたウェーハを研削砥石で研削する研削機構と、該保持面に保持されたウェーハの上面に第1測定子を接触させ該上面の高さを測定する上面高さ測定器と、該保持面の外側で該保持面に同一面となるリング状上面に第2測定子を接触させ該保持面の高さを測定する保持面高さ測定器と、該上面高さ測定器の測定値と該保持面高さ測定器の測定値との差を算出する算出部と、を備える研削装置であって、該算出部が算出した連続する2回の値の差が予め設定した値よりも小さくなるまで、該第1測定子を該ウェーハの上面に接触させて該上面の高さを測定するとともに、該第2測定子を該リング状上面に接触させて該保持面の高さを測定することと、該ウェーハの上面に接触している該第1測定子を該ウェーハから離間させるとともに、該リング状上面に接触している該第2測定子を該リング状上面から離間させることとを繰り返す、繰り返し制御部を備える。
A first grinding apparatus of the present invention comprises a chuck table that holds a wafer on a holding surface, a grinding mechanism that grinds the wafer held on the holding surface with a grinding wheel, and an upper surface of the wafer held on the holding surface. and a top surface height measuring device that measures the height of the top surface by bringing the first probe into contact with the top surface of the wafer, wherein the first probe is brought into contact with the top surface of the wafer to measure the height of the top surface. and separating the first probe that is in contact with the upper surface of the wafer from the wafer, if the difference between the measured values of the height of the upper surface of the wafer obtained by two successive measurements is determined in advance. A repeat control unit is provided that repeats until the value becomes smaller than the set value.
The first grinding apparatus includes a holding surface height measuring device that measures the height of the holding surface by bringing the second probe into contact with the ring-shaped upper surface that is flush with the holding surface outside the holding surface. the repetition control unit measures the height of the holding surface by bringing the second probe into contact with the ring-shaped upper surface; The separation from the ring-shaped upper surface may be repeated until the difference between the measured values of the height of the holding surface obtained by two successive measurements becomes smaller than a preset value.
A second grinding apparatus of the present invention comprises a chuck table that holds a wafer on a holding surface, a grinding mechanism that grinds the wafer held on the holding surface with a grinding wheel, and an upper surface of the wafer held on the holding surface. A top surface height measuring device for measuring the height of the top surface by contacting a first probe, and a ring-shaped top surface flush with the holding surface outside the holding surface, and a second probe being brought into contact with the holding surface. and a calculator for calculating the difference between the measured value of the top surface height measuring device and the measured value of the holding surface height measuring device. and measuring the height of the upper surface by bringing the first probe into contact with the upper surface of the wafer until the difference between the two consecutive values calculated by the calculating unit becomes smaller than a preset value; measuring the height of the holding surface by bringing the second probe into contact with the ring-shaped upper surface; separating the first probe in contact with the upper surface of the wafer from the wafer; A repeat control unit is provided for repeating the separation of the second probe in contact with the ring-shaped upper surface from the ring-shaped upper surface.
本発明の第1の研削装置では、繰り返し制御部が、第1測定子をウェーハの上面に接触させて上面の高さを測定することと、ウェーハの上面に接触している第1測定子をウェーハから離間させることとを、連続する2回の測定によるウェーハの上面の高さの測定値の差が、予め設定した値よりも小さくなるまで繰り返す。このように、繰り返し制御部が、第1測定子をウェーハの上面に繰り返し接触させることで、第1測定子に付着していた研削屑等を取り除くことができるので、ウェーハの上面の高さを良好に測定することができる。したがって、ウェーハの厚みを誤って測定することを防止することができる。
また、本発明の第2の研削装置では、第1測定子をウェーハの上面に繰り返し接触させるとともに、第2測定子をリング状上面に繰り返し接触させることで、第1測定子および第2測定子に付着していた研削屑等を取り除くことができる。このため、ウェーハの上面の高さおよび保持面の高さを良好に測定することができる。したがって、ウェーハの厚みを誤って測定することを防止することができる。
In the first grinding apparatus of the present invention, the repeat control unit brings the first probe into contact with the upper surface of the wafer to measure the height of the upper surface, and moves the first probe in contact with the upper surface of the wafer. Separating from the wafer is repeated until the difference between the measured values of the height of the upper surface of the wafer obtained by two successive measurements becomes smaller than a preset value. In this manner, the repetition control unit repeatedly brings the first probe into contact with the upper surface of the wafer, so that the grinding dust and the like adhering to the first probe can be removed. can be measured well. Therefore, erroneous measurement of the wafer thickness can be prevented.
Further, in the second grinding apparatus of the present invention, the first probe and the second probe are repeatedly brought into contact with the upper surface of the wafer and the second probe is repeatedly brought into contact with the ring-shaped upper surface of the wafer. It is possible to remove the grinding waste etc. attached to the Therefore, the height of the upper surface of the wafer and the height of the holding surface can be measured satisfactorily. Therefore, erroneous measurement of the wafer thickness can be prevented.
図1に示す研削装置1は、研削機構3によって被加工物であるウェーハ8を研削するための装置である。研削装置1は、Y軸方向に延設されたベース10と、ベース10の+Y方向側に立設されたコラム11とを備えている。
A
ウェーハ8は、たとえば、円形の半導体ウェーハである。図1においては下方を向いているウェーハ8の一方の面は、複数のデバイスを保持するデバイス面であり、たとえば保護テープ(図示せず)が貼着されることによって保護されている。ウェーハ8の他方の面は、研削加工が施される被研削面80となる。
Wafer 8 is, for example, a circular semiconductor wafer. One surface of the
研削装置1は、ベース10上に、保持面200でウェーハ8を保持するチャックテーブル2を備えている。チャックテーブル2は、円板状の吸引部20と、吸引部20を支持する枠体21とを備えている。吸引部20の上面は、ウェーハ8を保持する保持面200である。保持面200は、図示しない吸引源に連通されることにより、ウェーハ8を吸引保持する。
The
また、枠体21は、保持面200の外側で保持面200に同一面となるリング状上面210を備えている。つまり、枠体21のリング状上面210は、保持面200の外側において、保持面200と面一となるように形成されている。
The
チャックテーブル2は、チャックテーブル2を支持して回転する支持部材23に支持されている。支持部材23は、保持面200の中心を軸にチャックテーブル2を回転させるように構成されている。
The chuck table 2 is supported by a
ベース10の内部には、内部ベース12が配設されている。内部ベース12の上には、チャックテーブル2を水平方向(Y軸方向)に移動させる水平移動機構26が配設されている。
An
水平移動機構26は、Y軸方向の回転軸265を有するボールネジ260と、ボールネジ260に対して平行に配設された一対のガイドレール261と、ボールネジ260に連結され回転軸265を軸にしてボールネジ260を回転させるY軸モータ262と、可動板263とを備えている。
可動板263は、ガイドレール261にスライド可能に設置されている。可動板263には、図示しないナット部が固定されている。このナット部には、ボールネジ260が螺合されている。Y軸モータ262によりボールネジ260が駆動されて、ボールネジ260が回転軸265を軸として回転すると、これに伴って、可動板263が、ガイドレール261に案内されてY軸方向に移動する。
The
The
可動板263の上には、チャックテーブル2を支持する支持部材23が配設されている。可動板263がY軸方向に移動することにより、支持部材23およびチャックテーブル2が、可動板263と一体的にY軸方向に移動する。
本実施形態では、チャックテーブル2は、保持面200にウェーハ8を保持させるための-Y方向側の載置位置と、ウェーハ8が研削される+Y方向側の研削位置との間を、水平移動機構26によって、Y軸方向に沿って移動される。
A
In this embodiment, the chuck table 2 moves horizontally between a mounting position on the −Y direction side for holding the
なお、チャックテーブル2の周囲には、カバー28、および、カバー28に伸縮自在に連結された蛇腹29が配設されている。チャックテーブル2がY軸方向に移動すると、カバー28が、チャックテーブル2とともにY軸方向に移動して、蛇腹29が伸縮する。
Around the chuck table 2, a
研削装置1は、保持面200に保持されたウェーハ8を研削砥石340で研削する研削機構3を備えている。研削機構3は、コラム11の-Y方向側の側面に配設された研削送り機構36に、昇降可能に支持されている。
The
研削機構3は、Z軸方向の回転軸35を有するスピンドル30と、スピンドル30を回転可能に支持するハウジング31と、回転軸35を軸にしてスピンドル30を回転駆動するスピンドルモータ32と、スピンドル30の下端に接続されたマウント33と、マウント33の下面に装着された研削ホイール34とを備えている。
The
研削ホイール34は、ホイール基台341と、ホイール基台341の下面に環状に配列された略直方体状の複数の研削砥石340とを備えている。研削砥石340の下面342は、ウェーハ8に接触する研削面である。
The
研削砥石340は、回転軸35を中心として、スピンドル30、マウント33およびホイール基台341を介して、スピンドルモータ32によって回転され、研削位置に配置されているチャックテーブル2に保持されたウェーハ8を研削する。
The grinding
研削送り機構36は、Z軸方向の回転軸365を有するボールネジ360と、ボールネジ360に対して平行に配設された一対のガイドレール361と、回転軸365を軸にしてボールネジ360を回転させるZ軸モータ362と、ガイドレール361にスライド可能に設置されている昇降板363と、昇降板363に取り付けられたホルダ364とを備えている。昇降板363には、図示しないナット部が固定されており、このナット部にボールネジ360が螺合されている。ホルダ364は、研削機構3を支持している。
The grinding
研削送り機構36では、Z軸モータ362によってボールネジ360が駆動されて、ボールネジ360が回転軸365を軸にして回転すると、これに伴って、昇降板363がガイドレール361に案内されてZ軸方向に昇降移動する。これにより、昇降板363に取り付けられたホルダ364、および、ホルダ364に支持された研削機構3も、昇降板363とともにZ軸方向に移動する。
In the
研削装置1では、研削送り機構36によって研削機構3の研削砥石340を下降させて、研削砥石340を保持面200に保持されているウェーハ8の上面である被研削面80に接触させることで、ウェーハ8の被研削面80が研削砥石340によって研削される。
In the
また、研削装置1は、ベース10上に、厚み測定機構6を備えている。厚み測定機構6は、水平方向に回転可能な支持体63と、支持体63から水平方向に延びるアーム66と、アーム66によって支持されている上面高さ測定器61および保持面高さ測定器62と、を備えている。
The grinding
上面高さ測定器61および保持面高さ測定器62は、直動式のリニアゲージの一例である。上面高さ測定器61は、チャックテーブル2の保持面200に保持されているウェーハ8の上面である被研削面80に第1測定子を接触させることにより、被研削面80の高さを測定するために用いられる。
The upper surface
図2および図3に示すように、上面高さ測定器61は、平板状の支持板102と、シャフト110と、シャフト110を支持するケーシング112と、シャフト110をZ軸方向に沿って移動させる移動機構113と、目盛り140を有するスケール114と、スケール114の目盛り140を読み取る検知機構115と、シャフト110の回転を規制する回転規制機構5と、これらを収容する図示しないケースと、を備えている。
As shown in FIGS. 2 and 3, the upper surface
支持板102は、図3に示すように、アーム66の先端に設けられている載置台104によって支持されている。
The
シャフト110は、円柱状に形成されており、保持面200に垂直な方向であるZ軸方向に延在している。シャフト110は、一方の端部(先端)に第1測定子108を有している。この第1測定子108は、ウェーハ8の被研削面80の高さを測定する際に、ウェーハ8の被研削面80に接触する。シャフト110の他方の端部は、連結板103に連結されている。また、シャフト110は、支持板102を貫通しており、先端の第1測定子108が、支持板102から下方に突出している。
The
ケーシング112は、シャフト110を収容する枠体120を備えている。枠体120には、図3に示すように、シャフト110の形状に対応する横断面円形状のZ軸方向に延びる収容孔125が形成されている。枠体120は、この収容孔125にシャフト110を挿通させて、シャフト110の周囲を非接触で支持するように構成されている。
Casing 112 includes a
また、枠体120は、内側の支持面121と、支持面121に設けられた複数の噴出口122とを備えている。支持面121は、シャフト110の側面111から均等な間隔をあけて、側面111に対面している。
Further, the
また、ケーシング112は、枠体120に、エア配管70を通じてエア供給源7に接続された流入口123を備えている。さらに、枠体120は、流入口123と各噴出口122とを連通させるエア流路124を備えている。
The
ケーシング112では、枠体120の支持面121をシャフト110の側面111に対面させた状態で、エア供給源7からエア配管70を通じて流入口123に供給されたエアを、エア流路124および支持面121の噴出口122を介して、シャフト110の側面111に吹き付ける。これにより、ケーシング112は、シャフト110の側面111と支持面121との間にエアを介在させた状態で、シャフト110を、Z軸方向に昇降可能に、非接触で支持することができる。
In the
なお、ケーシング112の枠体120内に流入したエアは、枠体120の収容孔125の上端部、および、後述する水膜形成機構4の下方の下側排気口126から排出される。下側排気口126からエアが排気されることにより、シャフト110および第1測定子108に研削屑等が付着することを抑制することができる。
The air that has flowed into the
移動機構113は、支持板102上におけるシャフト110の近傍に配設されており、エアシリンダ機構を有している。移動機構113は、シリンダ130と、シリンダ130の内部に収容されたピストン134と、ピストン134の上面に連結されたピストンロッド131とを備えている。図3に示す状態では、ピストンロッド131は、その下部がシリンダ130の内部に収容され、また、その上部がシリンダ130の上方に突出している。
The moving
シリンダ130は、その内部にエアを流入させるための上側流入口132および下側流入口133を備えている。上側流入口132および下側流入口133は、それぞれ、エア配管72および73を通じてソレノイドバルブ71に接続されている。また、ソレノイドバルブ71は、エア配管74を通じてエア供給源7に接続されている。移動機構113では、ソレノイドバルブ71を制御することによって、上側流入口132にエア供給源7が連通している状態と、下側流入口133にエア供給源7が連通している状態と、を切り替えることができる。
The
移動機構113では、ピストン134をZ軸方向に直動させることにより、連結板103を介して、シャフト110をZ軸方向に移動させることができる。
In the moving
移動機構113によって+Z方向にシャフト110を上昇させるときには、ソレノイドバルブ71を制御して、下側流入口133にエア供給源7を連通させる。これにより、エア供給源7からのエアが、下側流入口133を介してシリンダ130内に供給され、ピストン134およびピストンロッド131が一体的に上昇する。そして、ピストンロッド131の上端が、連結板103に接触して連結板103を上昇させることにより、連結板103に連結されたシャフト110が上昇する。
When the moving
一方、移動機構113によってシャフト110を下降させるときには、ソレノイドバルブ71を制御して、上側流入口132にエア供給源7を連通させる。これにより、エア供給源7からのエアが、上側流入口132を介してシリンダ130内に供給されて、シリンダ130の内部においてピストン134が規制された速度で下降し、それとともにピストンロッド131が下降する。その結果、シャフト110およびシャフト110に連結されている連結板103の自重によって、シャフト110が、規制された速度で下降する。
On the other hand, when the
また、移動機構113では、シャフト110を下降させるときに、上側流入口132からのエアの流入量を調整することにより、ピストン134の下降速度を調整して、シャフト110の下降速度を制限することができる。
Further, in the moving
スケール114は、図2および図3に示すように、連結板103から-Z方向に垂下しており、シャフト110の延在方向であるZ軸方向と平行に配設されている。スケール114は、連結板103を介してシャフト110に連結されており、シャフト110とともに、Z軸方向に移動する。このような構成を有するスケール114は、シャフト110が下降して第1測定子108がウェーハ8の被研削面80に接触した際の、シャフト110の高さ位置を認識するために用いられる。
As shown in FIGS. 2 and 3, the
検知機構115は、支持板102の-X方向側の側面に取り付けられている。検知機構115は、Z軸方向に延在する支持板150、および、支持板150の先端に配設された検知部151を備えている。検知部151は、スケール114の目盛り140と対面しており、この目盛り140を読み取る。このように、検知機構115は、シャフト110とともにZ軸方向に移動するスケール114の目盛り140を読み取ることによって、シャフト110におけるZ軸方向の位置を検知する。
The
回転規制機構5は、シャフト110の延在方向(Z軸方向)に平行な軸を中心とする回転を規制する。回転規制機構5は、連結板103の+X方向側の側面に取り付けられたガイド棒53と、ガイド棒53の下端に連結されたブロック形状の第1磁石51と、2本の第2磁石52とを備えている。2本の第2磁石52は、図2に示すように、ケーシング112の枠体120の+X方向側の側面に、第1磁石51を挟んで均等な間隔をあけて配設されている。第2磁石52の磁界は、第1磁石51の磁界に反発するように方向付けられている。
The
回転規制機構5では、移動機構113によってシャフト110を昇降させる際の連結板103の昇降にともなって、ガイド棒53および第1磁石51が、2本の第2磁石52の間を昇降する。その際、第1磁石51と第2磁石52とが互いに反発することにより、第1磁石51を有するガイド棒53と第2磁石52との水平方向の距離が一定に保たれるため、ガイド棒53の向きが変化することが抑制される。これにより、連結板103を介してガイド棒53に連結されているシャフト110の回転が規制される。
In the
また、上面高さ測定器61は、図3に示すように、水膜形成機構4を備えている。水膜形成機構4は、支持板102の下面に対して着脱可能に配設された、円筒状の水供給ノズル41を備えている。水供給ノズル41は、その上端に形成された雄ネジ部410が、支持板102の下面に形成された雌ネジ部411にネジ留めされることで、支持板102の下面に装着されている。また、水供給ノズル41は、Z軸方向に延在する横断面円形状の貫通孔44を備えており、この貫通孔44を、シャフト110が貫通している。
Further, the upper surface
水供給ノズル41の側面には、水供給口412が形成されている。水供給口412は、水配管40を介して水供給源49に接続されている。また、水供給口412は、水供給ノズル41の内部に形成された水流路43の一端に連通している。水流路43は、水供給ノズル41の下端側に向けて縮径する筒状に形成されており、その下端には、水噴出口430が形成されている。
A
水膜形成機構4では、水供給源49から水供給口412を介して水供給ノズル41に水が供給される。供給された水は、水流路43を介して水供給ノズル41の内部を下降していき、水噴出口430から外部に噴出する。そして、水噴出口430から水供給ノズル41の外部に噴出した水は、シャフト110の側面111を伝って下降して、第1測定子108まで伝達される。このようにして、水膜形成機構4は、第1測定子108およびシャフト110の側面111に水膜を形成することができる。そして、この水膜により、第1測定子108およびシャフト110に研削屑等が付着することを抑制することができる。
なお、移動機構113は、てこ式の機構によってシャフト110を昇降させるように構成されていてもよい。
In the water
Note that the moving
また、図1に示した保持面高さ測定器62は、チャックテーブル2のリング状上面210に第2測定子109を接触させることにより、リング状上面210と同一面である保持面200の高さを測定するために用いられる。
この保持面高さ測定器62は、上面高さ測定器61と同様の構成を有している。ただし、保持面高さ測定器62は、図2および図3に示すように、シャフト110の先端に、第1測定子108に代えて、第2測定子109を備えている。
In addition, the holding surface
This holding surface
また、研削装置1は、図1に示すように、上述した研削装置1の各構成要素を制御する制御部9を備えている。制御部9は、たとえば、研削装置1の各構成要素を制御して、ウェーハ8に対して作業者の所望とする加工を実施する。
The grinding
また、研削装置1は、繰り返し制御部90を備えている。繰り返し制御部90は、上面高さ測定器61のシャフト110の第1測定子108をウェーハ8の被研削面80に接触させて被研削面80の高さを測定することと、ウェーハ8の被研削面80に接触している第1測定子108をウェーハ8から離間させることとを繰り返す。
The grinding
さらに、繰り返し制御部90は、保持面高さ測定器62のシャフト110の第2測定子109を枠体21のリング状上面210に接触させて保持面200の高さを測定することと、リング状上面210に接触している第2測定子109をリング状上面210から離間させることとを繰り返す。
Furthermore, the
また、繰り返し制御部90は、図1に示すように、記憶部91を備えている。この記憶部91は、測定されたウェーハ8の被研削面80の高さおよび保持面200の高さを記憶するために用いられる。
The
以下、制御部9および繰り返し制御部90の機能を、研削装置1によるウェーハ8に対する研削加工方法とともに説明する。研削装置1の研削加工では、ウェーハ8をチャックテーブル2の保持面200によって保持し、保持面200に保持されたウェーハ8を研削砥石340によって研削する。また、この研削加工は、上面高さ測定器61によるウェーハ8の被研削面80の高さの測定、および、保持面高さ測定器62による保持面200の高さの測定を含む。
The functions of the
[保持工程]
本実施形態では、まず、作業者が、載置位置にあるチャックテーブル2の保持面200に、被研削面80を上向きにして、ウェーハ8を保持させる。その後、制御部9が、水平移動機構26を制御し、チャックテーブル2を研削位置に移動させる。
[Holding step]
In this embodiment, first, the operator holds the
[第1繰り返し工程]
この工程では、繰り返し制御部90が、第1測定子108をウェーハ8の上面である被研削面80に接触させて被研削面80の高さを測定することと、ウェーハ8の被研削面80に接触している第1測定子108をウェーハ8から離間させることとを、連続する2回の測定によるウェーハ8の被研削面80の高さの測定値の差が、予め設定した値である第1閾値よりも小さくなるまで繰り返す。
[First repeating step]
In this step, the
具体的には、まず、繰り返し制御部90は、ウェーハ8の被研削面80の高さの1回目の測定を行う。この際、繰り返し制御部90は、厚み測定機構6の支持体63を回転させることにより、チャックテーブル2の保持面200に保持されたウェーハ8の上方に上面高さ測定器61を位置付けるとともに、リング状上面210の上方に保持面高さ測定器62を位置付ける。
Specifically, first, the
次いで、繰り返し制御部90は、上面高さ測定器61の移動機構113を用いてシャフト110を下降させることにより、シャフト110の先端の第1測定子108を、ウェーハ8の被研削面80に接触させる。
Next, the
そして、繰り返し制御部90は、上面高さ測定器61の検知機構115を制御して、上面高さ測定器61のスケール114の目盛り140を読み取らせる。さらに、繰り返し制御部90は、読み取られた目盛り140に基づいてウェーハ8の被研削面80の高さを測定して、測定値を記憶部91に記憶させる。
Then, the
その後、繰り返し制御部90は、移動機構113を用いてシャフト110を上昇させることにより、ウェーハ8の被研削面80に接触している第1測定子108を、ウェーハ8から離間させる。
Thereafter, the
次に、繰り返し制御部90は、ウェーハ8の被研削面80の高さの2回目の測定を行う。すなわち、繰り返し制御部90は、再び、移動機構113を用いてシャフト110を下降させることで、第1測定子108をウェーハ8の被研削面80に接触させて、ウェーハ8の被研削面80の高さを測定し、測定値を記憶部91に記憶させる。その後、繰り返し制御部90は、移動機構113を用いてシャフト110を上昇させることで、第1測定子108をウェーハ8から離間させる。
Next, the
次に、繰り返し制御部90は、上記の連続する2回の測定による被研削面80の高さの測定値の差を算出する。すなわち、繰り返し制御部90は、1回目に測定された被研削面80の高さの測定値と、2回目に測定された被研削面80の高さの測定値とを記憶部91から読み出して、これらの差を算出する。そして、繰り返し制御部90は、算出された測定値の差と、予め設定されている第1閾値とを比較する。この第1閾値は、たとえば、研削加工の開始前に、作業者によって、研削装置1に対して予め設定される。
なお、第1閾値としては、たとえば、被研削面80に形成される研削痕(ソーマーク)の凹凸によって変化する量以下の値、すなわち、研削痕の凹凸によって形成される被研削面80の高低差以下の値が設定されている。
Next, the
The first threshold is, for example, a value that is less than or equal to the amount that varies depending on the unevenness of the grinding marks (saw marks) formed on the
そして、繰り返し制御部90は、算出された測定値の差が第1閾値よりも小さい場合には、第1繰り返し工程を終了する。
一方、繰り返し制御部90は、算出された測定値の差が第1閾値以上である場合には、ウェーハ8の被研削面80の高さの3回目の測定を行う。
Then, if the calculated difference between the measured values is smaller than the first threshold, the
On the other hand, the
そして、繰り返し制御部90は、2回目に測定された被研削面80の高さの測定値と、3回目に測定された被研削面80の高さの測定値との差を算出し、算出された測定値の差と第1閾値とを比較する。
繰り返し制御部90は、算出された測定値の差が第1閾値よりも小さい場合には、第1繰り返し工程を終了する。
Then, the
The
一方、算出された測定値の差が第1閾値以上である場合には、繰り返し制御部90は、ウェーハ8の被研削面80の高さの4回目の測定を行い、3回目の測定の測定値と4回目の測定の測定値との差を算出し、第1閾値と比較する。
On the other hand, when the difference between the calculated measured values is equal to or greater than the first threshold, the
このように、繰り返し制御部90は、第1測定子108をウェーハ8の被研削面80に接触させて被研削面80の高さを測定することと、ウェーハ8の被研削面80に接触している第1測定子108をウェーハ8から離間させることとを、連続する2回の測定によるウェーハ8の被研削面80の高さの測定値の差が第1閾値よりも小さくなるまで繰り返す。
この工程では、第1測定子108をウェーハ8の被研削面80に繰り返し接触させることで、第1測定子108に付着している研削屑等を、第1測定子108から取り除くことができる。
[第2繰り返し工程]
In this manner, the
In this step, by repeatedly bringing the
[Second repeating step]
この工程では、繰り返し制御部90が、第2測定子109をリング状上面210に接触させて保持面200の高さを測定することと、リング状上面210に接触している第2測定子109をリング状上面210から離間させることとを、連続する2回の測定による保持面200の高さの測定値の差が、予め設定した値である第2閾値よりも小さくなるまで繰り返す。
なお、この第2繰り返し工程は、上述した第1繰り返し工程の前、第1繰り返し工程の後、あるいは、第1繰り返し工程と同時に実施される。
In this process, the
The second repeating process is performed before the first repeating process, after the first repeating process, or simultaneously with the first repeating process.
具体的には、まず、繰り返し制御部90は、保持面200の高さの1回目の測定を行う。すなわち、繰り返し制御部90は、保持面高さ測定器62の移動機構113を用いてシャフト110を下降させることにより、シャフト110の先端の第2測定子109を、チャックテーブル2のリング状上面210に接触させる。
Specifically, first, the
そして、繰り返し制御部90は、保持面高さ測定器62の検知機構115を制御して、保持面高さ測定器62のスケール114の目盛り140を読み取らせる。さらに、繰り返し制御部90は、読み取られた目盛り140に基づいてリング状上面210の高さを測定して、得られた測定値を、リング状上面210と同一面である保持面200の高さの測定値として、記憶部91に記憶させる。
Then, the
その後、繰り返し制御部90は、移動機構113を用いてシャフト110を上昇させることにより、リング状上面210に接触しているシャフト110の第2測定子109を、リング状上面210から離間させる。
After that, the
次に、繰り返し制御部90は、保持面200の高さの2回目の測定を行う。すなわち、繰り返し制御部90は、再び、移動機構113を用いてシャフト110を下降させることで、第2測定子109をリング状上面210に接触させて、リング状上面210の高さを測定し、得られた測定値を、保持面200の高さの測定値として記憶部91に記憶させる。その後、繰り返し制御部90は、移動機構113を用いてシャフト110を上昇させることで、第2測定子109をリング状上面210から離間させる。
Next, the
次に、繰り返し制御部90は、上記の連続する2回の測定による保持面200の高さの測定値の差を算出する。すなわち、繰り返し制御部90は、1回目に測定された保持面200の高さの測定値と、2回目に測定された保持面200の高さの測定値とを記憶部91から読み出して、これらの差を算出する。そして、繰り返し制御部90は、算出された測定値の差と、予め設定されている第2閾値とを比較する。この第2閾値は、たとえば、研削加工の開始前に、作業者によって、研削装置1に対して予め設定される。
なお、第2閾値としては、たとえば、保持面高さ測定器62が測定するリング状上面210の凹凸の変化量以下の値、すなわち、リング状上面210の凹凸によって形成されるリング状上面210の高低差以下の値が設定されている。なお、リング状上面210は、保持面200の外側に緻密体のセラミック部材で形成されていて、保持面200と共に研削砥石で研削し凹凸を有して同一面に形成している。
Next, the
The second threshold is, for example, a value equal to or less than the variation in the unevenness of the ring-shaped
そして、繰り返し制御部90は、算出された測定値の差が第2閾値よりも小さい場合には、第2繰り返し工程を終了する。
一方、繰り返し制御部90は、算出された測定値の差が第2閾値以上である場合には、保持面200の高さの3回目の測定を行う。
Then, the
On the other hand, the
そして、繰り返し制御部90は、2回目に測定された保持面200の高さの測定値と、3回目に測定された保持面200の高さの測定値との差を算出し、算出された測定値の差と第2閾値とを比較する。
繰り返し制御部90は、算出された測定値の差が第2閾値よりも小さい場合には、第1繰り返し工程を終了する。
Then, the
The
一方、算出された測定値の差が第2閾値以上である場合には、繰り返し制御部90は、保持面200の高さの4回目の測定を行い、3回目の測定の測定値と4回目の測定の測定値との差を算出し、第2閾値と比較する。
On the other hand, when the difference between the calculated measured values is equal to or greater than the second threshold, the
このように、繰り返し制御部90は、第2測定子109をリング状上面210に接触させて保持面200の高さを測定することと、第2測定子109をリング状上面210から離間させることとを、連続する2回の測定による保持面200の高さの測定値の差が第2閾値よりも小さくなるまで繰り返す。
この工程では、第2測定子109をリング状上面210に繰り返し接触させることで、第2測定子109に付着している研削屑等を、第2測定子109から取り除くことができる。
In this manner, the
In this step, by repeatedly bringing the
[研削工程]
本実施形態では、この研削工程は、上述した第1繰り返し工程および第2繰り返し工程の後に実施される。この工程では、制御部9が、研削機構3によってウェーハ8の研削加工を行う。
[Grinding process]
In this embodiment, this grinding process is performed after the first repeated process and the second repeated process described above. In this step, the
具体的には、制御部9が、支持部材23により、ウェーハ8を保持しているチャックテーブル2を回転させる。さらに、制御部9は、スピンドルモータ32により回転軸35を軸にして研削砥石340を回転させるとともに、研削送り機構36を用いて、研削砥石340を下降させる。これにより、研削砥石340の下面342によって、ウェーハ8の被研削面80が研削される。
Specifically, the
また、研削砥石340によるウェーハ8の研削中に、制御部9は、厚み測定機構6を用いて、ウェーハ8の厚みの測定を行う。すなわち、制御部9は、研削開始時に、保持面高さ測定器62の第2測定子109をチャックテーブル2のリング状上面210に接触させて、保持面200の高さを測定する。さらに、制御部9は、研削中に、上面高さ測定器61の第1測定子108をウェーハ8の被研削面80に接触させた状態に維持し、ウェーハ8の被研削面80の高さを連続的あるいは断続的に測定する。
Further, while the
そして、制御部9は、測定された保持面200の高さとウェーハ8の被研削面80の高さとの差を、ウェーハ8の厚みとして算出する。そして、制御部9は、ウェーハ8の厚みが所定の仕上げ厚みとなったときに、ウェーハ8の研削を終了する。
Then, the
以上のように、本実施形態では、繰り返し制御部90が、第1測定子108をウェーハ8の被研削面80に接触させて被研削面80の高さを測定することと、ウェーハ8の被研削面80に接触している第1測定子108をウェーハ8から離間させることとを、連続する2回の測定によるウェーハ8の被研削面80の高さの測定値の差が第1閾値よりも小さくなるまで繰り返す(第1繰り返し工程)。
As described above, in the present embodiment, the
このように、繰り返し制御部90が、第1測定子108をウェーハ8の被研削面80に繰り返し接触させることで、第1測定子108に付着していた研削屑等を取り除くことができる。
In this manner, the
ここで、第1測定子108に研削屑等が付着している場合、第1測定子108が被研削面80に接触するたびに、研削屑等の少なくとも一部が第1測定子108から除去される。そして、研削屑等の少なくとも一部が第1測定子108から除去される前後では、第1測定子108を用いた被研削面80の高さ測定の結果が変化する。したがって、第1測定子108に研削屑等が付着している場合、連続する2回の測定による被研削面80の高さの測定値の差が、比較的に大きくなる。
このため、第1繰り返し工程において、連続する2回の測定による被研削面80の高さの測定値の差が第1閾値よりも小さくなることは、第1測定子108に、研削屑等が実質的に付着していないことを意味する。したがって、本実施形態では、第1繰り返し工程により、第1測定子108に付着していた研削屑等を、良好に除去することができる。
Here, if grinding dust or the like adheres to the
Therefore, in the first repeated step, if the difference between the measured values of the height of the surface to be ground 80 obtained by two consecutive measurements becomes smaller than the first threshold value, it means that the
したがって、本実施形態では、研削工程において、ウェーハ8の被研削面80の高さを良好に測定することができる。このため、ウェーハ8の厚みを誤って測定することを抑制することができる。
Therefore, in the present embodiment, the height of the
また、本実施形態では、繰り返し制御部90が、第2測定子109をリング状上面210に接触させて保持面200の高さを測定することと、リング状上面210に接触している第2測定子109をリング状上面210から離間させることとを、連続する2回の測定による保持面200の高さの測定値の差が第2閾値よりも小さくなるまで繰り返す(第2繰り返し工程)。
In addition, in the present embodiment, the
このように、繰り返し制御部90が、第2測定子109をリング状上面210に繰り返し接触させることで、第2測定子109に付着していた研削屑等を取り除くことができる。
In this manner, the
ここで、連続する2回の測定による保持面200の高さの測定値の差が第2閾値よりも小さくなることは、第2測定子109に、研削屑等が実質的に付着していないことを意味する。したがって、本実施形態では、第2繰り返し工程により、第2測定子109に付着していた研削屑等を、良好に除去することができる。
Here, when the difference between the measured values of the height of the holding
したがって、本実施形態では、研削工程において、ウェーハ8の被研削面80の高さに加えて、保持面200の高さを良好に測定することができる。このため、ウェーハ8の厚みを誤って測定することを、より良好に抑制することができる。
Therefore, in the present embodiment, the height of the holding
なお、研削装置1では、研削工程の途中あるいは研削工程の後に、繰り返し制御部90が、上述の第1繰り返し工程を行ってもよい。すなわち、研削工程の途中あるいは研削工程の後に、繰り返し制御部90が、第1測定子108をウェーハ8の被研削面80に接触させて被研削面80の高さを測定することと、ウェーハ8の被研削面80に接触している第1測定子108をウェーハ8から離間させることとを、連続する2回の測定によるウェーハ8の被研削面80の高さの測定値の差が第1閾値よりも小さくなるまで繰り返してもよい。この構成では、研削工程において第1測定子108に付着した研削屑等を取り除くことができる。
In addition, in the
同様に、研削装置1では、研削工程の途中あるいは研削工程の後に、繰り返し制御部90が、上述の第2繰り返し工程を行ってもよい。すなわち、研削工程の途中あるいは研削工程の後に、繰り返し制御部90が、第2測定子109をリング状上面210に接触させて保持面200の高さを測定することと、第2測定子109をリング状上面210から離間させることとを、連続する2回の測定による保持面200の高さの測定値の差が第2閾値よりも小さくなるまで繰り返してもよい。この構成では、研削工程において第2測定子109に付着した研削屑等を取り除くことができる。
Similarly, in the
また、研削工程の後に第1繰り返し工程および/または第2繰り返し工程を実施する場合には、その後、あらためて、第1測定子108および第2測定子109を用いてウェーハ8の厚みを測定してもよい。これにより、研削後のウェーハ8が所望の仕上げ厚みに仕上げられているか否かを、良好に確認することができる。
Further, when performing the first repeating step and/or the second repeating step after the grinding step, the thickness of the
また、上記のように、本実施形態では、第1測定子108および第2測定子109に付着している研削屑を、これらをウェーハ8の被研削面80およびリング状上面210にそれぞれ接触させることにより、除去している。しかしながら、第1測定子108および第2測定子109に研削屑等が堅固に固着している場合、これらを被研削面80およびリング状上面210に接触させても、研削屑等がほとんど除去されないおそれがある。すなわち、この場合、連続する2回の測定による測定値の差が閾値よりも小さくなったとしても、第1測定子108および第2測定子109に研削屑等が残存しており、ウェーハ8の厚みの測定値が不正確となる可能性がある。
In addition, as described above, in the present embodiment, the grinding shavings adhering to the
そこで、本実施形態では、記憶部91に、ウェーハ8の厚みの許容範囲が記憶されていてもよい。この場合、制御部9は、研削工程においてウェーハ8の厚みを測定したときに、測定値が許容範囲内である場合には、その測定値をウェーハ8の厚みとして認識する。一方、制御部9は、測定値が許容範囲外である場合には、第1測定子108および/または第2測定子109に研削屑等が付着しており、測定値が不正確であると判断して、たとえば、研削工程を中断して、研削屑等が付着していることを作業者に通知する。
この構成では、制御部9がウェーハ8の厚みを誤って認識してしまうことを防止することができる。
Therefore, in this embodiment, the allowable range of the thickness of the
This configuration can prevent the
また、本実施形態では、制御部9は、上面高さ測定器61の測定値と保持面高さ測定器62の測定値との差(すなわちウェーハ8の厚み)を算出する算出部として機能する。そして、繰り返し制御部90は、制御部9によって算出されるウェーハ8の厚み値に基づく制御を実施してもよい。
この場合、研削装置1によるウェーハ8に対する研削加工方法では、上述した第1繰り返し工程および第2繰り返し工程に代えて、以下の第3繰り返し工程が実施される。
In addition, in the present embodiment, the
In this case, in the grinding method for the
[第3繰り返し工程]
この工程では、制御部9が算出した連続する2回の値の差が予め設定した値である第3閾値よりも小さくなるまで、第1測定子108をウェーハ8の被研削面80に接触させて被研削面80の高さを測定するとともに、第2測定子109をリング状上面210に接触させて保持面200の高さを測定することと、ウェーハ8の被研削面80に接触している第1測定子108をウェーハ8から離間させるとともに、リング状上面210に接触している第2測定子109を第1測定子108から離間させることとを繰り返す。
[Third repeating step]
In this step, the
具体的には、まず、繰り返し制御部90および制御部9が、ウェーハ8の厚みの1回目の算出を行う。この際、繰り返し制御部90は、厚み測定機構6の支持体63を回転させることにより、チャックテーブル2の保持面200に保持されたウェーハ8の上方に上面高さ測定器61を位置付けるとともに、リング状上面210の上方に保持面高さ測定器62を位置付ける。
Specifically, first, the
次いで、繰り返し制御部90は、上面高さ測定器61の移動機構113を用いてシャフト110を下降させることにより、シャフト110の先端の第1測定子108を、ウェーハ8の被研削面80に接触させる。
Next, the
そして、繰り返し制御部90は、上面高さ測定器61の検知機構115を制御して、上面高さ測定器61のスケール114の目盛り140を読み取らせる。さらに、繰り返し制御部90は、読み取られた目盛り140に基づいてウェーハ8の被研削面80の高さを測定して、得られた測定値を記憶部91に記憶させる。
Then, the
さらに、繰り返し制御部90は、保持面高さ測定器62の移動機構113を用いてシャフト110を下降させることにより、シャフト110の先端の第2測定子109を、チャックテーブル2のリング状上面210に接触させる。
Furthermore, the
そして、繰り返し制御部90は、保持面高さ測定器62の検知機構115を制御して、保持面高さ測定器62のスケール114の目盛り140を読み取らせる。さらに、繰り返し制御部90は、読み取られた目盛り140に基づいてリング状上面210の高さを測定して、得られた測定値を、リング状上面210と同一面である保持面200の高さの測定値として、記憶部91に記憶させる。
Then, the
その後、繰り返し制御部90は、上面高さ測定器61および保持面高さ測定器62の移動機構113を用いてシャフト110を上昇させることにより、ウェーハ8の被研削面80に接触している第1測定子108をウェーハ8から離間させるとともに、リング状上面210に接触している第2測定子109をリング状上面210から離間させる。
また、制御部9は、被研削面80の高さの測定値と保持面200の高さの測定値とを記憶部91から読み出して、これらの差を算出し、1回目に算出されたウェーハ8の厚み値として記憶部91に記憶させる。
After that, the
Further, the
次に、繰り返し制御部90および制御部9は、ウェーハ8の厚みの2回目の算出を行う。すなわち、繰り返し制御部90は、再び、第1測定子108をウェーハ8の被研削面80に接触させて被研削面80の高さを測定し、測定値を記憶部91に記憶させるとともに、第2測定子109をリング状上面210に接触させて保持面200の高さを測定し、測定値を記憶部91に記憶させる。そして、繰り返し制御部90は、第1測定子108をウェーハ8から離間させるとともに、第2測定子109を、リング状上面210から離間させる。
また、制御部9が、被研削面80の高さの測定値と保持面200の高さの測定値とを記憶部91から読み出して、これらの差を算出し、2回目に算出されたウェーハ8の厚み値として記憶部91に記憶させる。
Next, the
In addition, the
次に、繰り返し制御部90は、制御部9が算出した連続する2回の値の差を求める。すなわち、繰り返し制御部90は、1回目に算出されたウェーハ8の厚み値と、2回目に算出されたウェーハ8の厚み値とを記憶部91から読み出して、これらの差を求める。そして、繰り返し制御部90は、求められた厚み値の差と、予め設定されている第3閾値とを比較する。この第3閾値は、たとえば、研削加工の開始前に、作業者によって、研削装置1に対して予め設定される。
Next, the
そして、繰り返し制御部90および制御部9は、求められた厚み値の差が第3閾値よりも小さい場合には、第3繰り返し工程を終了する。
一方、繰り返し制御部90および制御部9は、求められた厚み値の差が第3閾値以上である場合には、ウェーハ8の厚みの3回目の算出を行う。
Then, the
On the other hand, the
そして、繰り返し制御部90は、2回目に算出されたウェーハ8の厚み値と、3回目に算出されたウェーハ8の厚み値との差を求め、求められた厚み値の差と第3閾値とを比較する。
繰り返し制御部90および制御部9は、求められた厚み値の差が第3閾値よりも小さい場合には、第3繰り返し工程を終了する。
Then, the
The
一方、求められた厚み値の差が第3閾値以上である場合には、繰り返し制御部90および制御部9は、ウェーハ8の厚みの4回目の算出を行う。そして、繰り返し制御部90は、3回目に算出されたウェーハ8の厚み値と4回目に算出されたウェーハ8の厚み値との差を求め、求められた厚み値の差と第3閾値とを比較する。
On the other hand, when the obtained difference in thickness value is equal to or greater than the third threshold value, the
このように、この工程では、制御部9が算出した連続する2回の値の差が第3閾値よりも小さくなるまで、すなわち、制御部9による連続する2回の算出によって得られた値の差が第3閾値よりも小さくなるまで、第1測定子108をウェーハ8の被研削面80に繰り返し接触させるとともに、第2測定子109をリング状上面210に繰り返し接触させる。
Thus, in this step, until the difference between the two consecutive values calculated by the
この工程では、第1測定子108および第2測定子109を、被研削面80あるいはリング状上面210に繰り返し接触させることにより、第1測定子108および第2測定子109に付着している研削屑等を取り除くことができる。
In this step, by repeatedly bringing the
ここで、制御部9が算出した連続する2回の値の差が第3閾値よりも小さくなることは、第1測定子108および第2測定子109に、研削屑等が実質的に付着していないことを意味する。このため、第3繰り返し工程により、第1測定子108および第2測定子109に付着している研削屑等を、良好に取り除くことができる。したがって、後の研削工程において、ウェーハ8の被研削面80の高さおよび保持面200の高さを、良好に測定することができる。このため、ウェーハ8の厚みを誤って測定することを防止することができる。
Here, when the difference between the two consecutive values calculated by the
1:研削装置、2:チャックテーブル、3:研削機構、4:水膜形成機構
5:回転規制機構、6:厚み測定機構、7:エア供給源、8:ウェーハ
9:制御部、10:ベース、11:コラム、12:内部ベース、20:吸引部
21:枠体、23:支持部材、26:水平移動機構、28:カバー、29:蛇腹
30:スピンドル、31:ハウジング、32:スピンドルモータ、33:マウント
34:研削ホイール、35:回転軸、36:研削送り機構、40:水配管
41:水供給ノズル、43:水流路、44:貫通孔、49:水供給源
51:第1磁石、52:第2磁石、53:ガイド棒
61:上面高さ測定器、62:保持面高さ測定器、63:支持体、66:アーム
70:エア配管、71:ソレノイドバルブ、72:エア配管、74:エア配管
80:被研削面、90:繰り返し制御部、91:記憶部
102:支持板、103:連結板、104:載置台
108:第1測定子、109:第2測定子、110:シャフト、111:側面
112:ケーシング、113:移動機構、114:スケール、115:検知機構
120:枠体、121:支持面、122:噴出口、123:流入口
124:エア流路、125:収容孔、126:下側排気口
130:シリンダ、131:ピストンロッド、132:上側流入口
133:下側流入口、134:ピストン
140:目盛り、150:支持板、151:検知部
200:保持面、210:リング状上面
260:ボールネジ、261:ガイドレール、262:Y軸モータ
263:可動板、265:回転軸、340:研削砥石
341:ホイール基台、342:下面、360:ボールネジ
361:ガイドレール、362:Z軸モータ、363:昇降板、364:ホルダ
365:回転軸、410:雄ネジ部、411:雌ネジ部
412:水供給口、430:水噴出口
1: Grinding device, 2: Chuck table, 3: Grinding mechanism, 4: Water film forming mechanism 5: Rotation regulation mechanism, 6: Thickness measuring mechanism, 7: Air supply source, 8: Wafer 9: Control unit, 10: Base , 11: Column, 12: Internal base, 20: Suction part 21: Frame, 23: Support member, 26: Horizontal movement mechanism, 28: Cover, 29: Bellows 30: Spindle, 31: Housing, 32: Spindle motor, 33: Mount 34: Grinding wheel 35: Rotating shaft 36: Grinding feed mechanism 40: Water pipe 41: Water supply nozzle 43: Water flow path 44: Through hole 49: Water supply source 51: First magnet 52: second magnet, 53: guide rod 61: upper surface height measuring device, 62: holding surface height measuring device, 63: support, 66: arm 70: air pipe, 71: solenoid valve, 72: air pipe, 74: Air pipe 80: Surface to be ground 90: Repeat control unit 91: Storage unit 102: Support plate 103: Connection plate 104: Mounting table 108: First probe 109: Second probe 110: Shaft 111: Side 112: Casing 113: Moving mechanism 114: Scale 115: Detection mechanism 120: Frame body 121: Support surface 122: Jet port 123: Inflow port 124: Air flow path 125: Housing hole, 126: lower exhaust port 130: cylinder, 131: piston rod, 132: upper inlet 133: lower inlet, 134: piston 140: scale, 150: support plate, 151: detection unit 200: holding surface, 210: Ring-shaped upper surface 260: Ball screw 261: Guide rail 262: Y-axis motor 263: Movable plate 265: Rotating shaft 340: Grinding wheel 341: Wheel base 342: Lower surface 360: Ball screw 361: Guide rail , 362: Z-axis motor, 363: lifting plate, 364: holder 365: rotating shaft, 410: male threaded portion, 411: female threaded portion 412: water supply port, 430: water jet port
Claims (3)
該第1測定子を該ウェーハの上面に接触させて該上面の高さを測定することと、該ウェーハの上面に接触している該第1測定子を該ウェーハから離間させることとを、連続する2回の測定による該ウェーハの上面の高さの測定値の差が予め設定した値よりも小さくなるまで繰り返す繰り返し制御部を備える、研削装置。 a chuck table that holds a wafer on a holding surface; a grinding mechanism that grinds the wafer held on the holding surface with a grinding wheel; A grinding apparatus comprising a top surface height measuring device for measuring height,
bringing the first probe into contact with the upper surface of the wafer to measure the height of the upper surface; and separating the first probe in contact with the upper surface of the wafer from the wafer, continuously. A grinding apparatus comprising a repeat control unit that repeats until the difference between the measured values of the height of the upper surface of the wafer obtained by the two measurements becomes smaller than a preset value.
該繰り返し制御部は、
該第2測定子を該リング状上面に接触させて該保持面の高さを測定することと、該リング状上面に接触している該第2測定子を該リング状上面から離間させることとを、連続する2回の測定による該保持面の高さの測定値の差が予め設定した値よりも小さくなるまで繰り返す、請求項1記載の研削装置。 a holding surface height measuring instrument for measuring the height of the holding surface by bringing a second probe into contact with the ring-shaped upper surface flush with the holding surface outside the holding surface;
The repeat control unit
measuring the height of the holding surface by bringing the second probe into contact with the ring-shaped upper surface; and separating the second probe in contact with the ring-shaped upper surface from the ring-shaped upper surface. is repeated until the difference between the measured values of the height of the holding surface obtained by two successive measurements becomes smaller than a preset value.
該算出部が算出した連続する2回の値の差が予め設定した値よりも小さくなるまで、該第1測定子を該ウェーハの上面に接触させて該上面の高さを測定するとともに、該第2測定子を該リング状上面に接触させて該保持面の高さを測定することと、該ウェーハの上面に接触している該第1測定子を該ウェーハから離間させるとともに、該リング状上面に接触している該第2測定子を該リング状上面から離間させることとを繰り返す、繰り返し制御部を備える、
研削装置。 a chuck table that holds a wafer on a holding surface; a grinding mechanism that grinds the wafer held on the holding surface with a grinding wheel; A holding surface height measuring device for measuring the height of the upper surface, and a holding surface height measuring the height of the holding surface by bringing a second probe into contact with the ring-shaped upper surface that is flush with the holding surface outside the holding surface. A grinding apparatus comprising: a measuring device; and a calculating unit for calculating a difference between the measured value of the upper surface height measuring device and the measured value of the holding surface height measuring device,
The first probe is brought into contact with the upper surface of the wafer to measure the height of the upper surface until the difference between the two consecutive values calculated by the calculating unit becomes smaller than a preset value, and measuring the height of the holding surface by bringing a second probe into contact with the ring-shaped upper surface; separating the first probe in contact with the upper surface of the wafer from the wafer; A repetition control unit that repeats separating the second probe in contact with the upper surface from the ring-shaped upper surface,
grinding equipment.
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2021
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