JP2022185323A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 良好な画像表示を維持することができる表示装置を提供すること。
【解決手段】 一実施形態によれば、表示装置は、第１基板と、第１基板と対向する第２基板と、第１基板と第２基板との間に配置される液晶層と、第１基板と第２基板とを接着し、液晶層を封止するシールと、を備える。第１基板は、画像を表示する表示領域に配置される画素電極と、表示領域を囲む周辺領域に配置される周辺回路と、周辺回路と平面視において重なる位置に配置されるシールド電極と、を含む。第２基板は、表示領域に配置され、画素電極と対向する共通電極を含む。シールド電極と共通電極とは、平面視において重畳しない。
【選択図】 図２

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

近年、ウェアラブルデバイス（例えば腕時計型のウェアラブルデバイス、眼鏡型のウェアラブルデバイス等）が普及してきている。このようなウェアラブルデバイスにおいては、良好な画像表示を維持することが望まれており、種々様々な開発が進められている。

特開２０１４－１３４０６号公報

本開示は、良好な画像表示を維持することができる表示装置を提供することを目的の一つとする。

一実施形態によれば、表示装置は、第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置される液晶層と、前記第１基板と前記第２基板とを接着し、前記液晶層を封止するシールと、を具備する。前記第１基板は、画像を表示する表示領域に配置される画素電極と、前記表示領域を囲む周辺領域に配置される周辺回路と、前記周辺回路と平面視において重なる位置に配置されるシールド電極と、を備える。前記第２基板は、前記表示領域に配置され、前記画素電極と対向する共通電極を備える。前記シールド電極と前記共通電極とは、平面視において重畳しない。

図１は、一実施形態に係る表示装置の一構成例を示す平面図である。 図２は、同実施形態に係る表示装置の一構成例を示す断面図である。 図３は、同実施形態に係る周辺領域の一部を拡大して示す平面図である。 図４は、第１比較例に係る表示装置を示す断面図である。 図５は、同実施形態に係る表示装置が奏し得る効果を説明するための図である。 図６は、同実施形態に係る表示装置の別の構成例を示す断面図である。 図７は、第２比較例に係る表示装置を示す断面図である。 図８は、同実施形態に係る表示装置を構成する第１基板の一構成例を示す断面図である。 図９は、同実施形態に係る表示装置を構成する第１基板の別の構成例を示す断面図である。

いくつかの実施形態につき、図面を参照しながら説明する。
なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の趣旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実施の態様に比べて模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を省略することがある。

図１は、一実施形態に係る表示装置１の一構成例を示す平面図である。一例では、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、および第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していてもよい。第１方向Ｘおよび第２方向Ｙは、表示装置１を構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第３方向Ｚは、表示装置１の厚さ方向に相当する。本明細書においては、第３方向Ｚを示す矢印の先端に向かう方向を上方向、当該矢印の先端から反対に向かう方向を下方向と称することもある。また、第３方向Ｚを示す矢印の先端側に表示装置１を観察する観察位置がある。この観察位置から、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙで規定されるＸ－Ｙ平面に向かって見ることを平面視と言う。

図１に示すように、表示装置１は、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡを囲む額縁状の周辺領域ＳＡと、を備えている。表示領域ＤＡには画素ＰＸが配置されている。具体的には、表示領域ＤＡには、多数の画素ＰＸが第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに沿ってマトリクス状に配列されている。本実施形態において、画素ＰＸは、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の副画素ＳＰを含む。また、各副画素ＳＰは、複数のセグメント画素ＳＧを有する。各セグメント画素ＳＧは、面積の異なる画素電極ＰＥを有しており、複数のセグメント画素ＳＧの表示／非表示状態を切り替えることで、副画素ＳＰごとに階調が形成される。

図１において拡大して示すように、セグメント画素ＳＧは、スイッチング素子ＳＷ、画素回路ＰＣ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＣ、等を備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、走査線Ｇおよび信号線Ｓと電気的に接続されている。走査線Ｇは、第１方向Ｘに並んだセグメント画素ＳＧの各スイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。信号線Ｓは、第２方向Ｙに並んだセグメント画素ＳＧの各スイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、画素回路ＰＣからの出力に基づいて所定の電位が与えられる。画素電極ＰＥの各々は、表示領域ＤＡの全面に亘って配置された共通電極ＣＥと対向し、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界（縦電界）によって液晶層ＬＣを駆動している。走査線Ｇおよび信号線Ｓは周辺領域ＳＡに配置される周辺回路と電気的に接続されている。

なお、本実施形態では、各副画素ＳＰが複数のセグメント画素ＳＧを有するとしたが、これに限定されず、各副画素ＳＰは１つのセグメント画素ＳＧを有するとしてもよい。この場合、副画素ＳＰが、図１において拡大して示したセグメント画素ＳＧに相当し、スイッチング素子ＳＷ、画素回路ＰＣおよび画素電極ＰＥは、副画素ＳＰごとに形成される。

周辺領域ＳＡには、走査線Ｇや信号線Ｓと接続する各種ドライバや、画素電極ＰＥや共通電極ＣＥに所定の電位を与える配線、等を含む周辺回路が配置されている。なお、周辺回路については後述するため、図１ではその図示を省略している。周辺領域ＳＡには、シールド電極Ｅ１が配置されている。シールド電極Ｅ１は、周辺領域ＳＡのうち、周辺回路が配置された領域のほぼ全面に亘って配置されている。また、シールド電極Ｅ１と共通電極ＣＥは、平面視において重畳しない。シールド電極Ｅ１は、表示領域ＤＡから周辺領域ＳＡに向けて引き出される引出配線ＣＥＬとも、平面視において重畳しない。引出配線ＣＥＬは、共通電極ＣＥの一部であり、周辺領域ＳＡにおいて、共通電極ＣＥに所定の電位を与えるための配線と電気的に接続される部分である。周辺領域ＳＡには、シールＳＥが配置され、液晶層ＬＣを封止している。

図２は、本実施形態に係る表示装置１の一構成例を示す断面図である。以下では、表示領域ＤＡ側の構成と、周辺領域ＳＡ側の構成とのそれぞれについて説明する。

表示装置１は、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、シールＳＥと、液晶層ＬＣと、スペーサＳＰＡと、を備えている。第１基板ＳＵＢ１および第２基板ＳＵＢ２は、Ｘ－Ｙ平面と平行な面を有する平板状に形成されている。第１基板ＳＵＢ１および第２基板ＳＵＢ２は、平面視において重畳し、シールＳＥによって接着されている。液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に配置され、シールＳＥによって封止されている。シールＳＥには、ここでは図示しない導通材（金属でコーティングされた導電ビーズ）が含まれており、これにより、第１基板ＳＵＢ１側の構成と、第２基板ＳＵＢ２側の構成とが電気的に接続される。スペーサＳＰＡは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に配置され、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に所定のセルギャップを形成している。
なお、図２では図示を省略しているが、第２基板ＳＵＢ２の上には偏光板やカバー部材がさらに設けられる。

表示領域ＤＡ側において、第１基板ＳＵＢ１は、図２に示すように、透明基板１０と、画素回路ＰＣと、平坦化膜１１と、画素電極ＰＥと、配向膜ＡＬ１と、を備えている。第１基板ＳＵＢ１は、上述した構成の他に、図１に示した走査線Ｇや信号線Ｓ、スイッチング素子ＳＷ、等を備えているが、図２ではこれらの図示を省略している。

透明基板１０は、主面（下面）１０Ａと、主面１０Ａの反対側の主面（上面）１０Ｂと、を備えている。画素回路ＰＣは、透明基板１０の上に配置されている。平坦化膜１１は、少なくとも１つ以上の絶縁膜によって構成されており、画素回路ＰＣを覆っている。画素電極ＰＥは、平坦化膜１１の上に配置され、平坦化膜１１に形成された開口部ＯＰ１を通じて画素回路ＰＣに接続されている。配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥを覆い、液晶層ＬＣに接している。
なお、図２においては、画素回路ＰＣを簡略化して図示しているが、実際には画素回路ＰＣは半導体層や各層の電極を含んでいる。

表示領域ＤＡ側において、第２基板ＳＵＢ２は、図２に示すように、透明基板２０と、カラーフィルタＣＦと、オーバーコート層ＯＣと、共通電極ＣＥと、配向膜ＡＬ２と、を備えている。

透明基板２０は、主面（下面）２０Ａと、主面２０Ａの反対側の主面（上面）２０Ｂと、を備えている。カラーフィルタＣＦは透明基板２０の主面２０Ａ側に配置され、画素電極ＰＥと対向している。カラーフィルタＣＦは、赤色カラーフィルタＣＦＲ、緑色カラーフィルタＣＦＧ、青色カラーフィルタＣＦＢ、等を含む。オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦを覆っている。共通電極ＣＥは、複数のセグメント画素ＳＧ（複数の画素ＰＸ）に亘って配置され、第３方向Ｚにおいて複数の画素電極ＰＥと対向している。共通電極ＣＥはオーバーコート層ＯＣの上に配置されている。配向膜ＡＬ２は、共通電極ＣＥを覆い、液晶層ＬＣに接している。なお、図２では、表示領域ＤＡ側の第２基板ＳＵＢ２の構成として、各カラーフィルタＣＦを区画する遮光膜が設けられていない構成を説明したが、各カラーフィルタＣＦを区画するための遮光膜が設けられ、この遮光膜がカラーフィルタＣＦの一部と重なる構成であってもよい。

透明基板１０および２０は、例えばガラス基材やプラスチック基板などの絶縁基板である。平坦化膜１１は、例えばアクリル樹脂などの透明な有機絶縁膜によって形成されている。一例では、平坦化膜１１は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物などの無機絶縁膜と有機絶縁膜を含む複数層で構成されていても構わない。画素電極ＰＥは、反射電極として形成され、例えば、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電膜と、反射電極としての銀（Ａｇ）とを積層する構成となっている。共通電極ＣＥは、例えばＩＴＯやインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電材料によって形成された透明電極である。配向膜ＡＬ１およびＡＬ２は、液晶層ＬＣの液晶材料に配向規制力を与える膜である。配向規制力は、ラビング処理により付与されてもよいし、光配向処理により付与されてもよい。

周辺領域ＳＡ側において、第１基板ＳＵＢ１は、図２に示すように、透明基板１０と、周辺回路ＳＣと、平坦化膜１１と、シールド電極Ｅ１と、配向膜ＡＬ１と、を備えている。以下では、表示領域ＤＡ側において既に説明した構成については、その詳しい説明を省略する。

透明基板１０の上には、周辺回路ＳＣが配置されている。周辺回路ＳＣは、上述したように、各種ドライバや各種配線を含み、例えば、共通電極ＣＥに所定の電位を与えるための配線や、シールド電極Ｅ１に所定の電位を与えるための配線、等を含む。以下では、シールド電極Ｅ１に所定の電位を与えるための配線を、給電線ＦＬと称して説明する。平坦化膜１１は、周辺回路ＳＣを覆っている。平坦化膜１１の上には、シールド電極Ｅ１が配置されている。シールド電極Ｅ１は、平坦化膜１１に形成された開口部ＯＰ２を通じて給電線ＦＬに接触している。配向膜ＡＬ１は、シールド電極Ｅ１を覆い、液晶層ＬＣに接している。なお、当該給電線ＦＬは、シールド電極Ｅ１にのみ電位を供給する構成も採用可能であるが、これに限らず、周辺回路ＳＣの電源線の一つとしても機能する。当該構成においては、給電線ＦＬはシールド電極Ｅ１に接続されており、且つ、周辺回路ＳＣにも接続されている。このように給電線ＦＬが周辺回路ＳＣの電源線として機能する場合、給電線ＦＬは表示領域ＤＡに沿って周回する。この場合、シールド電極Ｅ１は給電線ＦＬと表示領域ＤＡ周りの複数個所で接続されていても構わない。

シールド電極Ｅ１は、平面視において、周辺回路ＳＣと重なるように配置されている（換言すると、シールド電極Ｅ１は、周辺回路ＳＣを覆うように配置されている）。より詳しくは、シールド電極Ｅ１は、平面視において、周辺領域ＳＡに配置されたほぼ全ての周辺回路ＳＣと重なる。図２において、周辺回路ＳＣは、平面視においてシールＳＥの一部と重なる位置まで配置されている。このため、シールド電極Ｅ１もまた、平面視において、シールＳＥの一部と重なる位置まで延在している。シールド電極Ｅ１には、給電線ＦＬを介して正の固定電位（例えば＋３Ｖ）が与えられる。詳細については後述するが、シールド電極Ｅ１に正の固定電位が与えられることにより、シールＳＥから発生する陽イオンに起因した表示品位の低下を抑制することが可能である。

周辺領域ＳＡ側において、第２基板ＳＵＢ２は、図２に示すように、透明基板２０と、遮光膜ＢＭと、オーバーコート層ＯＣと、配向膜ＡＬ２とを備えている。以下では、表示領域ＤＡ側において既に説明した構成については、その詳しい説明を省略する。

透明基板２０の主面２０Ａ側には、遮光膜ＢＭが配置されている。遮光膜ＢＭは、周辺領域ＳＡのほぼ全面に亘って配置されている。オーバーコート層ＯＣは、表示領域ＤＡ側のカラーフィルタＣＦと共に遮光膜ＢＭを覆っている。配向膜ＡＬ２はオーバーコート層ＯＣを覆い、液晶層ＬＣに接している。

図３は、本実施形態に係る周辺領域ＳＡの一部を拡大して示す平面図である。図３に示すように、周辺領域ＳＡには周辺回路ＳＣが配置されている。なお、図３では、周辺領域ＳＡに配置された各種配線のみを周辺回路ＳＣとして図示しているが、既に説明したように、周辺回路ＳＣには各種ドライバ等も含まれる。シールド電極Ｅ１は、平面視において周辺回路ＳＣと重なるように配置されている。シールド電極Ｅ１は、複数の開口部ＯＰ２を通じて周辺回路ＳＣの１つである給電線ＦＬに接続されている。周辺領域ＳＡに配置されたシールド電極Ｅ１は、平面視で表示領域ＤＡに配置された共通電極ＣＥと平面視において重畳せず、シールド電極Ｅ１と共通電極ＣＥとの間には、距離Ｄ１の間隔が空けられている。

なお、図１に示したように、表示領域ＤＡは模式的には円弧状を呈しているが、実際には表示領域ＤＡを形成する画素ＰＸは階段状に（段々状に）配置されており、これら階段状に配置される多数の画素ＰＸは、全体としてユーザ目線では円弧状を呈するように配置されている。このような表示領域ＤＡ外縁に沿って配置される共通電極ＣＥもまた、図３に示すように階段状に形成され、当該共通電極ＣＥと略全周に亘って距離Ｄ１の間隔が空けて配置されるシールド電極Ｅ１の外縁もまた、図３に示すように階段状に形成される。なお、共通電極ＣＥの一部である引出配線ＣＥＬと、シールド電極Ｅ１の間においても距離Ｄ１の間隔は維持される。つまり、引出配線ＣＥＬとシールド電極Ｅ１の間には、距離Ｄ１の間隔が空けられている。

ここで、第１比較例を用いて、本実施形態に係る表示装置１が奏し得る効果について説明する。なお、第１比較例は、本実施形態に係る表示装置１が奏し得る効果の一部を説明するためのものであって、第１比較例と本実施形態とで共通する効果を本願発明の範囲から除外するものではない。

第１比較例における表示装置１Ａは、図４に示すように、シールド電極Ｅ１が配置されていない点で、図１～図３に示した本実施形態の表示装置１の構成と相違している。

液晶層ＬＣを封止するシールＳＥからは、不純物イオンとして陽イオンＣＡが発生する（漏出される）ことが知られている。陽イオンとは、正の電荷を帯びた原子または原子団である。シールＳＥから発生した陽イオンＣＡは、例えば画像を表示する際に画素電極ＰＥと共通電極ＣＥの間で生じる電界の影響を受けて、図４に示すように、周辺領域ＳＡから表示領域ＤＡに向かって液晶層ＬＣ内を移動し、表示領域ＤＡに停滞する。陽イオンＣＡが表示領域ＤＡに停滞してしまうと、当該陽イオンＣＡに起因した局所的な電位異常等が発生し、部分的な表示不良を発生させる可能性があるといった問題がある。

これに対し、本実施形態に係る表示装置１においては、正の固定電位を与える給電線ＦＬと接続したシールド電極Ｅ１が周辺領域ＳＡに配置されているため、シールド電極Ｅ１近辺に、図５に示すような正の電界シールドＥＦＳを形成することができる。正の電界シールドＥＦＳは、同種の電荷の斥力（反発）により、シールＳＥから発生した陽イオンＣＡをシールＳＥ近辺に留めさせ、当該陽イオンＣＡが表示領域ＤＡに向かって移動することを抑制する。これにより、上述した局所的な電位異常の発生を抑制することができ、上述した表示品位の低下を抑制することが可能である。つまり、本実施形態に係る表示装置１の構成によれば、第１比較例に係る表示装置１Ａの構成よりも良好な表示を維持することが可能である。

なお、本実施形態に係る表示装置１においては、シールド電極Ｅ１を単に周辺領域ＳＡに配置するだけでなく、平面視において周辺回路ＳＣと重なるようにして周辺領域ＳＡに配置している。これによれば、シールド電極Ｅ１は、ＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏ－Ｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）から周辺回路ＳＣを保護することもできる。つまり、正の固定電位を与える給電線ＦＬと接続したシールド電極Ｅ１が、平面視において周辺回路ＳＣと重なるようにして周辺領域ＳＡに配置されることにより、上述した陽イオンＣＡの移動を抑制すると共に、ＥＳＤから周辺回路ＳＣを保護することが可能である。

なお、ＥＳＤから周辺回路ＳＣを保護する観点からすると、シールド電極Ｅ１は、正の固定電位を与える配線（いわゆるＶＤＤ配線）ではなく、負の固定電位またはグランド電位を与える配線（いわゆるＶＳＳ配線）に接続していてもよい。この場合においても、負の固定電位またはグランド電位を与える配線と接続したシールド電極Ｅ１が平面視において周辺回路ＳＣと重なるように配置さえされていれば、ＥＳＤから周辺回路ＳＣを保護することができるので、ＥＳＤに起因した表示装置１の表示品位の低下を抑制することができる。

また、本実施形態においては、図２に示したように、周辺回路ＳＣ及びシールド電極Ｅ１が平面視においてシールＳＥの一部と重なる位置にまで配置された構成である。これに対し、例えば図６に示すように、周辺回路ＳＣが、平面視においてシールＳＥと重なっていない場合、シールド電極Ｅ１もまた、平面視においてその外縁がシールＳＥよりも内側に位置する。図６に示す構成であっても、正の固定電位を与える給電線ＦＬと接続したシールド電極Ｅ１が周辺領域ＳＡに配置されている点と、当該シールド電極Ｅ１が平面視において周辺回路ＳＣと重なるようにして周辺領域ＳＡに配置されている点と、に変わりはないため、上述した効果と同様な効果を得ることが可能である。

なお、図６に示した構成のように、シールド電極Ｅ１が、平面視においてシールＳＥと重なっていない場合、シールド電極Ｅ１とシールＳＥの間には、図６において破線で囲んで示される所定のスペースｓｐが設けられる。このスペースｓｐは、シールド電極Ｅ１による電界シールドＥＦＳによって移動が抑制された上記陽イオンＣＡが溜まるバッファ（ポケット）として機能する。

次に、第２比較例を用いて、本実施形態に係る表示装置１が奏し得るさらなる効果について説明する。なお、第２比較例は、本実施形態に係る表示装置１が奏し得る効果の一部を説明するためのものであって、第２比較例と本実施形態とで共通する効果を本願発明の範囲から除外するものではない。

第２比較例における表示装置１Ｂは、図７に示すように、シールド電極Ｅ１と共通電極ＣＥとが、表示領域ＤＡと周辺領域ＳＡの境界近辺の領域である領域Ｒ１において重なっている点で、図１～図３に示した本実施形態の表示装置１の構成と相違している。

図７に示す如く、比較例に係る表示装置１Ｂのように、シールド電極Ｅ１が領域Ｒ１において共通電極ＣＥと重なっている場合、或いは表示領域ＤＡの画素電極ＰＥにきわめて近接している場合、シールド電極Ｅ１と共通電極ＣＥの電位差、或いはシールド電極Ｅ１と画素電極ＰＥの電位差により電極間に電界が発生し、これによってシールド電極Ｅ１により形成される正の電界シールドＥＦＳの影響が周辺領域ＳＡだけでなく表示領域ＤＡにまで及ぶ可能性がある。このように電界シールドＥＦＳの影響が表示領域ＤＡにまで及んでしまうと、液晶層ＬＣを駆動した際に、液晶層ＬＣに含まれる液晶分子の一部（具体的には、図７において斜線が付された液晶分子）が正常に駆動されず、その結果、表示不良を引き起こす可能性がある。

これに対し、本実施形態に係る表示装置１においては、シールド電極Ｅ１は、平面視において共通電極ＣＥと重ならないように配置され、シールド電極Ｅ１と共通電極ＣＥとの間には、図５に示したように、距離Ｄ１の間隔が空けられている。つまり、本実施形態におけるシールド電極Ｅ１は上述した領域Ｒ１において共通電極ＣＥと重なっていないため、シールド電極Ｅ１により形成される正の電界シールドＥＦＳの影響が表示領域ＤＡにまで及ぶことを抑制することができる。これによれば、電界シールドＥＦＳに起因した表示不良を抑制することができ、第２比較例に係る表示装置１Ｂの構成よりも良好な表示を維持することが可能である。

以上説明した本実施形態においては、図８に示すように、第１基板ＳＵＢ１が１つの平坦化膜１１を含む構成について説明した。この場合、製造工程の観点から、シールド電極Ｅ１は、図８に示すように、表示領域ＤＡ側に配置された画素電極ＰＥと同層に配置されることが望ましい。より具体的には、図８に示す画素電極ＰＥは透明導電膜たるＩＴＯ層Ｌ１に反射電極膜たる金属層Ｌ２が積層されることによって形成されているが、シールド電極Ｅ１は当該ＩＴＯ層Ｌ１と同層、すなわち、画素電極ＰＥを形成するＩＴＯ層Ｌ１を形成する過程で同時に形成される。なお、図８に示すように、開口部ＯＰ１と重なる位置において、画素電極ＰＥを形成するＩＴＯ層Ｌ１の上には充填層３０が配置される。充填層３０は、画素電極ＰＥを形成する金属層Ｌ２を平坦化するために配置される。金属層Ｌ２は、例えば銀（Ａｇ）であり、画素電極ＰＥを反射電極として機能させるために配置される。

しかしながら、第１基板ＳＵＢ１は、図８に示した構成に限られず、例えば図９に示すように、２つの平坦化膜１１および１２を含む構成であっても構わない。図９に示す構成の場合、表示領域ＤＡ側において、平坦化膜１１の上には、画素回路ＰＣと画素電極ＰＥの間に位置してこれらを中継する中継電極ＲＥが配置される。中継電極ＲＥは平坦化膜１１に形成された開口部ＯＰ３を通じて画素回路ＰＣに接触している。中継電極ＲＥは平坦化膜１２によって覆われている。平坦化膜１２の上には画素電極ＰＥを形成するＩＴＯ層Ｌ１が配置され、平坦化膜１２に形成された開口部ＯＰ４を通じて中継電極ＲＥに接触している。開口部ＯＰ４と重なる位置において、画素電極ＰＥを形成するＩＴＯ層Ｌ１の上には充填層３０が配置される。画素電極ＰＥを形成するＩＴＯ層Ｌ１および充填層３０の上には、画素電極ＰＥを形成する金属層Ｌ２が配置される。

表示領域ＤＡにおいて、第１基板ＳＵＢ１が上述した構成を有している場合、周辺領域ＳＡに配置されるシールド電極Ｅ１は、図９に示すように、画素電極ＰＥを形成するＩＴＯ層Ｌ１と同層ではなく中継電極ＲＥと同層に配置されてもよい。すなわち、シールド電極Ｅ１は中継電極ＲＥを形成する過程で同時に形成されてもよい。この場合、シールド電極Ｅ１は平坦化膜１１に形成された開口部ＯＰ５を通じて給電線ＦＬと接触する。以上のように、第１基板ＳＵＢ１が２つの平坦化膜１１および１２を含み、シールド電極Ｅ１が表示領域ＤＡ側の中継電極ＲＥと同層に配置される構成であっても、正の固定電位を与える給電線ＦＬと接続したシールド電極Ｅ１が周辺領域ＳＡに配置されている点と、当該シールド電極Ｅ１が平面視において周辺回路ＳＣと重なるようにして周辺領域ＳＡに配置されている点と、に変わりはないため、上述した各種効果と同様な効果を得ることが可能である。

以上説明した一実施形態によれば、表示装置１は、周辺回路ＳＣと重なるように配置され、正の固定電位を与える給電線ＦＬと接続したシールド電極Ｅ１を備えている。これによれば、従来の表示装置に比べて、良好な画像表示を維持することが可能である。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１…表示装置、ＤＡ…表示領域、ＳＡ…周辺領域、ＳＵＢ１…第１基板、ＳＵＢ２…第２基板、ＬＣ…液晶層、ＳＥ…シール、ＳＰＡ…スペーサ、１０…透明基板、ＰＣ…画素回路、１１…平坦化膜、ＯＰ１…開口部、ＰＥ…画素電極、ＡＬ１…配向膜、２０…透明基板、ＣＦ…カラーフィルタ、ＯＣ…オーバーコート層、ＣＥ…共通電極、ＡＬ２…配向膜、ＳＣ…周辺回路、ＦＬ…給電線、ＯＰ２…開口部、Ｅ１…シールド電極、ＢＭ…遮光膜。

Claims (10)

1. 第１基板と、
   前記第１基板と対向する第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に配置される液晶層と、
   前記第１基板と前記第２基板とを接着し、前記液晶層を封止するシールと、を具備し、
   前記第１基板は、
   画像を表示する表示領域に配置される画素電極と、
   前記表示領域を囲む周辺領域に配置される周辺回路と、
   前記周辺回路と平面視において重なる位置に配置されるシールド電極と、を備え、
   前記第２基板は、
   前記表示領域に配置され、前記画素電極と対向する共通電極を備え、
   前記シールド電極と前記共通電極とは、平面視において重畳しない、
   表示装置。
2. 前記シールド電極は、前記周辺回路に含まれ所定の固定電位を与える配線に接続される、
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記配線は、前記シールド電極に対して、前記シールから漏出されるイオンが有する電荷と同種の固定電位を与える、
   請求項２に記載の表示装置。
4. 前記配線は、前記シールド電極に対して正の固定電位を与える、
   請求項２または請求項３に記載の表示装置。
5. 前記配線は、前記シールド電極に対して負の固定電位またはグランド電位を与える、
   請求項２に記載の表示装置。
6. 前記共通電極は、前記表示領域から前記周辺領域に向けて引き出される引出配線を含み、
   前記シールド電極は、前記引出配線とも平面視において重畳しない、
   請求項１～請求項５のいずれか１項に記載の表示装置。
7. 前記第１基板は、
   前記画素電極と電気的に接続される画素回路と、
   前記画素回路を覆う第１平坦化膜と、をさらに備え、
   前記画素電極は、前記第１平坦化膜の上に配置され、前記第１平坦化膜に形成される開口部を通じて前記画素回路と接触する、
   請求項１～請求項６のいずれか１項に記載の表示装置。
8. 前記シールド電極は、前記画素電極と同層に配置される、
   請求項７に記載の表示装置。
9. 前記第１基板は、
   前記画素電極と電気的に接続される画素回路と、
   前記画素回路を覆う第１平坦化膜と、
   前記第１平坦化膜の上に配置される中継電極と、
   前記中継電極を覆う第２平坦化膜と、をさらに備え、
   前記画素電極は、前記第２平坦化膜の上に配置され、前記第２平坦化膜に形成される開口部を通じて前記中継電極と接触することで前記画素回路と電気的に接続する、
   請求項１～請求項６のいずれか１項に記載の表示装置。
10. 前記シールド電極は、前記中継電極と同層に配置される、
    請求項９に記載の表示装置。

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