JP2022027166A

JP2022027166A - Substrate processing apparatus

Info

Publication number: JP2022027166A
Application number: JP2020130998A
Authority: JP
Inventors: 大輔川田; Daisuke Kawada; 友美藤原; Tomomi Fujiwara
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2020-07-31
Filing date: 2020-07-31
Publication date: 2022-02-10
Anticipated expiration: 2040-07-31
Also published as: KR20220015942A; JP7479236B2

Abstract

【課題】インピーダンス及びガスのコンダクタンスを調整する。【解決手段】処理容器と、高周波電流を供給する高周波電源と、前記処理容器に電気的に接続された部材１５と、を有し、前記部材１５は、前記処理容器内の複数の特定の構成に対応する前記部材の複数の領域のそれぞれの単位体積あたりの表面積と、前記部材の複数の領域以外の領域である前記部材の第１の領域の単位体積あたりの表面積とが異なるように構成し、前記部材の複数の領域の各領域及び前記第１の領域は、領域毎に穴を有し、前記部材の複数の領域と前記第１の領域とは、前記穴の開口率が異なる、基板処理装置が提供される。【選択図】図３[Problem] To adjust impedance and gas conductance. [Solution] A substrate processing apparatus is provided, comprising a processing vessel, a high frequency power supply supplying high frequency current, and a member 15 electrically connected to the processing vessel, the member 15 being configured such that the surface area per unit volume of each of a plurality of regions of the member corresponding to a plurality of specific configurations in the processing vessel is different from the surface area per unit volume of a first region of the member which is a region other than the plurality of regions of the member, each of the plurality of regions of the member and the first region has a hole in each region, and the plurality of regions of the member and the first region have a different aperture ratio of the holes. [Selected Figure] Figure 3

Description

本開示は、基板処理装置に関する。 The present disclosure relates to a substrate processing apparatus.

プラズマ処理装置の処理容器の側壁と載置台との間には、複数の穴を有する環状のバッフル板が設けられている。例えば、特許文献１は、アルミニウムで形成されたバッフル板の母材の表面にアルマイト層を形成し、アルマイト層を介してイットリアの膜を溶射し、これにより、プラズマに晒されるバッフル板の耐電圧を改善することを提案している。 An annular baffle plate having a plurality of holes is provided between the side wall of the processing container of the plasma processing apparatus and the mounting table. For example, in Patent Document 1, an alumite layer is formed on the surface of a base material of a baffle plate made of aluminum, and an alumite film is sprayed through the alumite layer, whereby the withstand voltage of the baffle plate exposed to plasma. We are proposing to improve.

特開２０１６－２８３７９号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2016-28379

本開示は、インピーダンス及びガスのコンダクタンスを調整することができる技術を提供する。 The present disclosure provides techniques capable of adjusting impedance and gas conductance.

本開示の一の態様によれば、処理容器と、高周波電流を供給する高周波電源と、前記処理容器に電気的に接続された部材と、を有し、前記部材は、前記処理容器内の複数の特定の構成に対応する前記部材の複数の領域のそれぞれの単位体積あたりの表面積と、前記部材の複数の領域以外の領域である前記部材の第１の領域の単位体積あたりの表面積とが異なるように構成し、前記部材の複数の領域の各領域及び前記第１の領域は、領域毎に穴を有し、前記部材の複数の領域と前記第１の領域とは、前記穴の開口率が異なる、基板処理装置が提供される。 According to one aspect of the present disclosure, it has a processing container, a high frequency power source for supplying a high frequency current, and a member electrically connected to the processing container, and the member is a plurality of members in the processing container. The surface area per unit volume of each of the plurality of regions of the member corresponding to the specific configuration of the member is different from the surface area per unit volume of the first region of the member, which is a region other than the plurality of regions of the member. Each region of the plurality of regions of the member and the first region have holes for each region, and the plurality of regions of the member and the first region have an aperture ratio of the holes. Different, substrate processing equipment is provided.

一の側面によれば、インピーダンス及びガスのコンダクタンスを調整することができる。 According to one aspect, impedance and gas conductance can be adjusted.

一実施形態に係る基板処理装置の一例を示す断面模式図である。It is sectional drawing which shows an example of the substrate processing apparatus which concerns on one Embodiment. 一実施形態に係るバッフル板、シャッター及びその周囲の一例を示す拡大図である。It is an enlarged view which shows an example of a baffle plate, a shutter and its surroundings which concerns on one Embodiment. 一実施形態に係るバッフル板の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the baffle plate which concerns on one Embodiment. 一実施形態に係るバッフル板に設けられた穴を拡大して示す断面図である。It is sectional drawing which enlarges and shows the hole provided in the baffle plate which concerns on one Embodiment. 一実施形態に係る特定の構成とバッフル板の各領域の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the specific structure and each area of a baffle plate which concerns on one Embodiment. 一実施形態に係るエッチング処理とチルティング角度の実験結果の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the experimental result of the etching process and the tilting angle which concerns on one Embodiment. 一実施形態に係るバッフル板の表面積とチルティング角度との関係の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the relationship between the surface area of the baffle plate which concerns on one Embodiment, and the tilting angle.

以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present disclosure will be described with reference to the drawings. In each drawing, the same components may be designated by the same reference numerals and duplicate explanations may be omitted.

［基板処理装置の全体構成］
まず、一実施形態に係る基板処理装置１の構成について、図１を参照して説明する。図１は、一実施形態に係る基板処理装置１の一例を示す断面模式図である。なお、本実施形態では、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）型の基板処理装置１を例に挙げて説明する。 [Overall configuration of board processing equipment]
First, the configuration of the substrate processing apparatus 1 according to the embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment. In this embodiment, a RIE (Reactive Ion Etching) type substrate processing apparatus 1 will be described as an example.

基板処理装置１は、金属製、例えば、アルミニウム又はステンレス鋼製の処理容器１０を有し、その内部は、プラズマエッチングやプラズマＣＶＤ等のプラズマ処理が行われる処理空間Ｕとなっている。処理容器１０は接地されている。処理容器１０は、軸Ａｘを中心軸とする円筒型の容器である。 The substrate processing apparatus 1 has a processing container 10 made of metal, for example, aluminum or stainless steel, and the inside thereof is a processing space U in which plasma processing such as plasma etching or plasma CVD is performed. The processing container 10 is grounded. The processing container 10 is a cylindrical container having an axis Ax as a central axis.

処理容器１０の内部には、基板Ｗを載置する円板状のステージ１１が配設されている。ステージ１１は、基材１１ａと静電チャック２５とを有する。基材１１ａは、例えば、アルミニウムからなり、絶縁性の筒状保持部材１２を介して処理容器１０の底から垂直上方に延びる筒状支持部１３に支持されている。 Inside the processing container 10, a disk-shaped stage 11 on which the substrate W is placed is arranged. The stage 11 has a base material 11a and an electrostatic chuck 25. The base material 11a is made of, for example, aluminum and is supported by a cylindrical support portion 13 extending vertically upward from the bottom of the processing container 10 via an insulating tubular holding member 12.

静電チャック２５は、基材１１ａの上に配置される。静電チャック２５は、基板Ｗが載置される円板状の中央部２５ａと、中央部２５ａの外側の環状の周縁部２５ｂとからなる。中央部２５ａの高さは周縁部２５ｂの高さよりも高くなっている。処理容器１０及びステージ１１は、軸Ａｘを共通にするように配置される。 The electrostatic chuck 25 is arranged on the base material 11a. The electrostatic chuck 25 includes a disk-shaped central portion 25a on which the substrate W is placed, and an annular peripheral edge portion 25b on the outer side of the central portion 25a. The height of the central portion 25a is higher than the height of the peripheral portion 25b. The processing container 10 and the stage 11 are arranged so that the axis Ax is common.

中央部２５ａは、導電膜からなる電極２５ｃを有する。電極２５ｃには直流電源２６がスイッチ２７を介して電気的に接続されている。静電チャック２５は、直流電源２６から電極２５ｃに印加された直流電圧により静電力を発生させ、その静電力により基板Ｗを吸着保持する。周縁部２５ｂの上面には、基板の周囲を環状に囲むエッジリング３０（フォーカスリングともいう。）が載置されている。エッジリング３０は、例えばシリコンから形成されている。 The central portion 25a has an electrode 25c made of a conductive film. A DC power supply 26 is electrically connected to the electrode 25c via a switch 27. The electrostatic chuck 25 generates an electrostatic force by a DC voltage applied from the DC power supply 26 to the electrode 25c, and attracts and holds the substrate W by the electrostatic force. An edge ring 30 (also referred to as a focus ring) that circularly surrounds the periphery of the substrate is placed on the upper surface of the peripheral edge portion 25b. The edge ring 30 is made of, for example, silicon.

ステージ１１の内部には、例えば、円周方向に延在する環状の冷媒室３１が設けられている。冷媒室３１には、チラーユニット３２から配管３３、３４を介して所定温度の熱媒体、例えば、冷却水が循環供給され、熱媒体の温度によって静電チャック２５上の基板Ｗの温度を制御する。 Inside the stage 11, for example, an annular refrigerant chamber 31 extending in the circumferential direction is provided. A heat medium having a predetermined temperature, for example, cooling water is circulated and supplied from the chiller unit 32 to the refrigerant chamber 31 via the pipes 33 and 34, and the temperature of the substrate W on the electrostatic chuck 25 is controlled by the temperature of the heat medium. ..

静電チャック２５には、ガス供給ライン３６を介して伝熱ガス供給部３５が接続されている。伝熱ガス供給部３５は、ガス供給ライン３６を用いて、静電チャック２５の中央部２５ａの上面と、基板Ｗの下面とで挟まれる空間に伝熱ガスを供給する。伝熱ガスとしては、熱伝導性を有するガス、例えば、Ｈｅガス等が好適に用いられる。 A heat transfer gas supply unit 35 is connected to the electrostatic chuck 25 via a gas supply line 36. The heat transfer gas supply unit 35 uses the gas supply line 36 to supply the heat transfer gas to the space sandwiched between the upper surface of the central portion 25a of the electrostatic chuck 25 and the lower surface of the substrate W. As the heat transfer gas, a gas having thermal conductivity, for example, He gas or the like is preferably used.

ステージ１１には、プラズマ生成用およびＲＩＥ用の第１高周波電源２１が整合器２１ａを介して電気的に接続されている。第１高周波電源２１は、第１の高周波、例えば、４０ＭＨｚの周波数の電力をステージ１１に印加する。 A first high frequency power supply 21 for plasma generation and RIE is electrically connected to the stage 11 via a matching unit 21a. The first high frequency power supply 21 applies a first high frequency power, for example, a power having a frequency of 40 MHz to the stage 11.

ステージ１１には、イオン引き込み用の第２高周波電源２２が整合器２２ａを介して電気的に接続されている。第２高周波電源２２は、第１高周波よりも低い第２高周波、例えば、３ＭＨｚの周波数の電力をステージ１１に印加する。 A second high frequency power supply 22 for drawing ions is electrically connected to the stage 11 via a matching unit 22a. The second high frequency power supply 22 applies a second high frequency lower than the first high frequency, for example, a power having a frequency of 3 MHz to the stage 11.

また、処理容器１０の天井部には、ガスシャワーヘッド２４が配設されている。処理容器１０及びガスシャワーヘッド２４は、軸Ａｘを共通にするように配置される。第１の高周波の電力及び／又は第２の高周波の電力が供給されることにより、ガスシャワーヘッド２４（上部電極）とステージ１１（下部電極）との間で高周波電界が生成される。処理ガス供給部４０から出力された所定のガスは、ガスシャワーヘッド２４からシャワー状に供給され、処理空間Ｕにて高周波電界によりプラズマ化する。 Further, a gas shower head 24 is arranged on the ceiling of the processing container 10. The processing container 10 and the gas shower head 24 are arranged so that the shaft Ax is common. By supplying the first high frequency power and / or the second high frequency power, a high frequency electric field is generated between the gas shower head 24 (upper electrode) and the stage 11 (lower electrode). The predetermined gas output from the processing gas supply unit 40 is supplied in a shower shape from the gas shower head 24, and is turned into plasma by a high frequency electric field in the processing space U.

処理容器１０の内壁には、デポシールド５２が着脱自在に設けられている。デポシールド５２は、プラズマ処理中に生成される反応生成物が処理容器１０の内壁に付着することを防止する。デポシールド５２は、処理容器１０の内壁及びステージ１１の外周に設けられてもよい。 A depot shield 52 is detachably provided on the inner wall of the processing container 10. The depot shield 52 prevents the reaction product generated during the plasma treatment from adhering to the inner wall of the processing container 10. The depot shield 52 may be provided on the inner wall of the processing container 10 and the outer periphery of the stage 11.

処理容器１０の内壁とステージ１１との間には、排気路１４が形成されている。排気路１４の上方であって基板Ｗの下方の位置には、コニカル形状（円錐台形状）のバッフル板１５が設けられている。バッフル板１５は、ステージ１１の外周に配置された部材５３に固定されている。バッフル板１５は、ガスの流れを整えるとともに、排気路１４の空間にプラズマが侵入することを抑制する。処理容器１０とバッフル板１５は、軸Ａｘを共通にするように配置される。 An exhaust passage 14 is formed between the inner wall of the processing container 10 and the stage 11. A conical-shaped (conical cone-shaped) baffle plate 15 is provided at a position above the exhaust passage 14 and below the substrate W. The baffle plate 15 is fixed to a member 53 arranged on the outer periphery of the stage 11. The baffle plate 15 regulates the flow of gas and suppresses the invasion of plasma into the space of the exhaust passage 14. The processing container 10 and the baffle plate 15 are arranged so that the shaft Ax is common.

処理空間Ｕの搬送口１９に対応する部分は、シャッター５１により開閉可能となっている。シャッター５１は、シャッター５１に接続されたリフター５０の駆動により昇降し、処理容器１０に設けられた搬送口１９（開口）を開閉する。リフター５０の駆動によりシャッター５１が下降すると搬送口１９が開き、シャッター５１が上昇すると搬送口１９が閉じる。 The portion of the processing space U corresponding to the transport port 19 can be opened and closed by the shutter 51. The shutter 51 moves up and down by driving the lifter 50 connected to the shutter 51, and opens and closes the transport port 19 (opening) provided in the processing container 10. When the shutter 51 is lowered by driving the lifter 50, the transport port 19 is opened, and when the shutter 51 is raised, the transport port 19 is closed.

排気路１４の底部には排気口１６が形成されている。排気口１６には、排気管１７を介して排気装置１８が接続されている。排気装置１８は、真空ポンプを有し、処理容器１０内の処理空間を所定の真空度まで減圧する。また、排気管１７は可変式バタフライバルブである自動圧力制御弁（automatic pressure control valve）（以下、「ＡＰＣ」という）を有し（図示せず）、ＡＰＣは自動的に処理容器１０内の圧力制御を行う。さらに、処理容器１０の側壁には、基板Ｗの搬送口１９を開閉するゲートバルブ２０が取り付けられている。 An exhaust port 16 is formed at the bottom of the exhaust passage 14. An exhaust device 18 is connected to the exhaust port 16 via an exhaust pipe 17. The exhaust device 18 has a vacuum pump and decompresses the processing space in the processing container 10 to a predetermined degree of vacuum. Further, the exhaust pipe 17 has an automatic pressure control valve (hereinafter referred to as "APC") which is a variable butterfly valve (hereinafter referred to as "APC") (not shown), and the APC automatically controls the pressure in the processing container 10. Take control. Further, a gate valve 20 for opening and closing the transport port 19 of the substrate W is attached to the side wall of the processing container 10.

排気口１６は、処理容器１０の底部であって処理容器１０の上部から視認した場合にシャッター５１の下方の左寄りの位置に偏在する。ただし、排気口１６は、シャッター５１の下方以外の位置で排気路１４に連通してもよい。 The exhaust port 16 is the bottom of the processing container 10 and is unevenly distributed at a position on the left side below the shutter 51 when visually recognized from the upper part of the processing container 10. However, the exhaust port 16 may communicate with the exhaust passage 14 at a position other than below the shutter 51.

ガスシャワーヘッド２４は、絶縁部材４４を介して処理容器１０の天井部に支持されている。ガスシャワーヘッド２４は、電極板３７と、電極板３７を着脱可能に支持する電極支持体３８とを有する。電極板３７は、多数のガス通気孔３７ａを有する。電極支持体３８の内部にはバッファ室３９が設けられている。処理ガス供給部４０は、ガス供給配管４１を介してガス導入口３８ａに接続されている。処理ガス供給部４０から供給されたガスは、バッファ室３９に通され、多数のガス通気孔３７ａから処理容器１０内に供給される。 The gas shower head 24 is supported on the ceiling of the processing container 10 via the insulating member 44. The gas shower head 24 has an electrode plate 37 and an electrode support 38 that detachably supports the electrode plate 37. The electrode plate 37 has a large number of gas vents 37a. A buffer chamber 39 is provided inside the electrode support 38. The processing gas supply unit 40 is connected to the gas introduction port 38a via the gas supply pipe 41. The gas supplied from the processing gas supply unit 40 is passed through the buffer chamber 39 and is supplied into the processing container 10 through a large number of gas ventilation holes 37a.

基板処理装置１の各構成要素は、制御部４３に接続されている。制御部４３は、基板処理装置１の各構成要素を制御する。各構成要素としては、例えば、排気装置１８、第１高周波電源２１、第２高周波電源２２、スイッチ２７、直流電源２６、チラーユニット３２、伝熱ガス供給部３５および処理ガス供給部４０が挙げられる。 Each component of the board processing apparatus 1 is connected to the control unit 43. The control unit 43 controls each component of the substrate processing device 1. Examples of the components include an exhaust device 18, a first high frequency power supply 21, a second high frequency power supply 22, a switch 27, a DC power supply 26, a chiller unit 32, a heat transfer gas supply unit 35, and a processing gas supply unit 40. ..

制御部４３は、ＣＰＵ４３ａ及びメモリ４３ｂ（記憶装置）を備え、メモリ４３ｂに記憶されたプログラム及び処理レシピを読み出して実行することで、基板処理装置１においてプラズマ処理を制御する。また、制御部４３は、プラズマ処理に応じて、シャッター５１の開閉処理、エッジリング３０を静電吸着するための静電吸着処理及び伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給処理等を制御する。 The control unit 43 includes a CPU 43a and a memory 43b (storage device), and controls plasma processing in the substrate processing device 1 by reading and executing a program and a processing recipe stored in the memory 43b. Further, the control unit 43 controls the opening / closing process of the shutter 51, the electrostatic adsorption process for electrostatically adsorbing the edge ring 30, the heat transfer gas supply process for supplying the heat transfer gas, and the like according to the plasma process.

処理容器１０の周囲には、環状又は同心状に延びる磁石４２が配置されている。基板処理装置１の処理容器１０内では、磁石４２によって一方向に向かう水平磁界が形成される。また、ステージ１１とガスシャワーヘッド２４との間に印加された高周波電力によって鉛直方向のＲＦ電界が形成される。これにより、処理容器１０内において処理ガスを介したマグネトロン放電が行われ、ステージ１１の表面近傍において処理ガスから高密度のプラズマが生成される。 Around the processing container 10, magnets 42 extending in an annular shape or concentrically are arranged. In the processing container 10 of the substrate processing apparatus 1, a horizontal magnetic field directed in one direction is formed by the magnet 42. Further, a vertical RF electric field is formed by the high frequency power applied between the stage 11 and the gas shower head 24. As a result, magnetron discharge is performed in the processing container 10 via the processing gas, and high-density plasma is generated from the processing gas in the vicinity of the surface of the stage 11.

プラズマ処理において、基板処理装置１は、まず、ゲートバルブ２０を開状態にして基板Ｗを搬送口１９から搬入し、ステージ１１上に載置する。排気装置１８は処理容器１０内を排気する。処理ガス供給部４０は処理ガスを処理容器１０内に導入する。伝熱ガス供給部３５は、伝熱ガスを基板Ｗの裏面に供給する。第１高周波電源２１がプラズマ生成用の高周波電力をステージ１１に印加すると、処理ガスがプラズマ化し、プラズマ中のラジカルやイオンによって基板Ｗの表面に所定のプラズマ処理が行われる。第２高周波電源２２からイオン引き込み用の高周波電力をステージ１１に印加してもよい。 In the plasma processing, the substrate processing apparatus 1 first opens the gate valve 20 and carries in the substrate W from the transport port 19 and places it on the stage 11. The exhaust device 18 exhausts the inside of the processing container 10. The processing gas supply unit 40 introduces the processing gas into the processing container 10. The heat transfer gas supply unit 35 supplies the heat transfer gas to the back surface of the substrate W. When the first high-frequency power source 21 applies high-frequency power for plasma generation to the stage 11, the processing gas is turned into plasma, and a predetermined plasma treatment is performed on the surface of the substrate W by the radicals and ions in the plasma. High frequency power for ion attraction may be applied to the stage 11 from the second high frequency power supply 22.

［バッフル板及びシャッターの構成］
次に、バッフル板１５、シャッター５１及びその周囲の構成について、図１及び図２を参照しながら説明する。図２は、一実施形態に係るバッフル板１５、シャッター５１及びその周囲の一例を示す拡大図である。 [Structure of baffle plate and shutter]
Next, the configuration of the baffle plate 15, the shutter 51 and its surroundings will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 2 is an enlarged view showing an example of the baffle plate 15, the shutter 51, and the periphery thereof according to the embodiment.

図１を参照すると、デポシールド５２とステージ１１との間にバッフル板１５が設けられている。バッフル板１５の上部の開口は、下部の開口よりも大きく、コニカル形状を有する。バッフル板１５の上端の外側には、円周方向の一部の、搬送口１９に対応する位置にシャッター５１が昇降可能に設けられている。シャッター５１が上昇すると、デポシールド５２に当接し、これにより、搬送口１９が閉じられる。バッフル板１５の下端の内側には、ステージ１１の外周に配置された部材５３が設けられている。バッフル板１５は、部材５３を介して処理容器１０の底部に固定されている。図２に拡大して示すように、バッフル板１５の上端は環状のコンタクト部材５４に接合されている。コンタクト部材５４は、金属又は金属にセラミックスを被覆した構成である。 Referring to FIG. 1, a baffle plate 15 is provided between the depot shield 52 and the stage 11. The upper opening of the baffle plate 15 is larger than the lower opening and has a conical shape. A shutter 51 is provided on the outside of the upper end of the baffle plate 15 so as to be able to move up and down at a position corresponding to the transport port 19 in a part of the circumferential direction. When the shutter 51 rises, it comes into contact with the depot shield 52, whereby the transport port 19 is closed. Inside the lower end of the baffle plate 15, a member 53 arranged on the outer periphery of the stage 11 is provided. The baffle plate 15 is fixed to the bottom of the processing container 10 via the member 53. As shown enlarged in FIG. 2, the upper end of the baffle plate 15 is joined to the annular contact member 54. The contact member 54 has a structure in which a metal or a metal is coated with ceramics.

バッフル板１５、シャッター５１、デポシールド５２及び部材５３は、アルミニウム等の金属から形成されている。バッフル板１５、シャッター５１、デポシールド５２及び部材５３は、アルミニウム材に、アルミナ、イットリア（Ｙ_２Ｏ_３）等のセラミックスを被覆したものを用いてもよい。 The baffle plate 15, the shutter 51, the depot shield 52, and the member 53 are made of a metal such as aluminum. As the baffle plate 15, the shutter 51, the depot shield 52, and the member 53, an aluminum material coated with ceramics such as alumina and _ytria ₍ Y2O3) may be used.

処理空間Ｕ（図１参照）の一部は、シャッター５１により開閉可能となっている。基板Ｗの搬入及び搬出時、図２（ａ）に示すように、シャッター５１に接続されたリフター５０の駆動によりシャッター５１を下降させてシャッター５１を開ける。この状態でゲートバルブ２０を開き、図示しない搬送アームを搬送口１９から処理容器１０内に差し入れ、基板Ｗを搬入又は搬出する。 A part of the processing space U (see FIG. 1) can be opened and closed by the shutter 51. As shown in FIG. 2A, when the substrate W is carried in and out, the shutter 51 is lowered by driving the lifter 50 connected to the shutter 51 to open the shutter 51. In this state, the gate valve 20 is opened, a transfer arm (not shown) is inserted into the processing container 10 from the transfer port 19, and the substrate W is carried in or out.

プラズマ処理中、図２（ｂ）に示すように、リフター５０の駆動によりシャッター５１をデポシールド５２及びコンタクト部材５４に当接するまで上昇させ、シャッター５１を閉じる。 During the plasma processing, as shown in FIG. 2B, the shutter 51 is raised until it comes into contact with the depot shield 52 and the contact member 54 by driving the lifter 50, and the shutter 51 is closed.

図２（ｂ）に示すように、シャッター５１を閉じると、シャッター５１は、バッフル板１５及びデポシールド５２と接続され、バッフル板１５及びデポシールド５２は、グランド（処理容器１０）へと高周波電流を流す経路となる。かかる構成により、処理空間Ｕには、高周波電力によりガスからプラズマが生成される。 As shown in FIG. 2B, when the shutter 51 is closed, the shutter 51 is connected to the baffle plate 15 and the depot shield 52, and the baffle plate 15 and the depot shield 52 are connected to the ground (processing container 10) with a high frequency current. It becomes a route to flow. With this configuration, plasma is generated from the gas in the processing space U by high frequency power.

処理容器１０の底部に設けられた排気口１６は、処理容器１０の上部から視認した場合にシャッター５１の下方の左寄りに偏って配置される（図５参照）。このため、排気口１６の位置によって、バッフル板１５の穴を通って排気口１６から排気されるガスのコンダクタンスに偏りが生じる。また、シャッター５１とデポシールド５２の接触部分、及び、シャッター５１とコンタクト部材５４の接触部分は、インピーダンスの変化点となり高周波電流の流れが悪くなる。 The exhaust port 16 provided at the bottom of the processing container 10 is arranged unevenly to the left below the shutter 51 when viewed from the upper part of the processing container 10 (see FIG. 5). Therefore, depending on the position of the exhaust port 16, the conductance of the gas exhausted from the exhaust port 16 through the hole of the baffle plate 15 is biased. Further, the contact portion between the shutter 51 and the depot shield 52 and the contact portion between the shutter 51 and the contact member 54 become impedance change points, and the flow of high-frequency current deteriorates.

図３のバッフル板１５の斜視図に示すように、シャッター５１にオーバーラップするバッフル板１５の領域Ａｒ２及び領域Ａｒ２の左側に隣接し、排気口１６に対応する領域Ａｒ３は、インピーダンス及び／又はガスのコンダクタンスの状態が領域Ａｒ１と異なる。例えば、シャッター５１とコンタクト部材５４の接触部分は、インピーダンスの変化点となり高周波電流の流れが悪くなるため、領域Ａｒ２は、領域Ａｒ１よりもインピーダンスが高くなる。また、領域Ａｒ３は、下方に排気口１６があるため、領域Ａｒ１よりもガスのコンダクタンスがよくなる。 As shown in the perspective view of the baffle plate 15 of FIG. 3, the region Ar2 of the baffle plate 15 overlapping the shutter 51 and the region Ar3 adjacent to the left side of the region Ar2 and corresponding to the exhaust port 16 are impedance and / or gas. The state of conductance is different from the region Ar1. For example, the contact portion between the shutter 51 and the contact member 54 becomes a change point of impedance and the flow of high-frequency current becomes poor, so that the impedance of the region Ar2 is higher than that of the region Ar1. Further, since the region Ar3 has the exhaust port 16 below, the conductance of the gas is better than that of the region Ar1.

そこで、本実施形態に係るバッフル板１５は、各領域のインピーダンス及びガスのコンダクタンスを調整するために、バッフル板１５の領域Ａｒ２及び領域Ａｒ３と、領域Ａｒ１との上面において穴の開口率を変える。例えば、バッフル板１５は高周波電流が流れる経路となり、シャッター５１が重なる部分にてコンタクト部材５４の接触部分等により高周波電流の流れが悪くなる。そこで、領域Ａｒ２の穴の上面（プラズマ側の面）の開口率を領域Ａｒ１の穴の上面の開口率よりも小さくする。これにより、領域Ａｒ２の上面の単位体積当たりの面積を領域Ａｒ１の上面の単位体積当たりの面積よりも大きくすることでインピーダンスを調整し、バッフル板１５の領域Ａｒ２と領域Ａｒ１とで高周波電流の流れ易さが同じになるように制御できる。 Therefore, the baffle plate 15 according to the present embodiment changes the aperture ratio of the holes on the upper surfaces of the regions Ar2 and Ar3 of the baffle plate 15 and the regions Ar1 in order to adjust the impedance and the conductance of the gas in each region. For example, the baffle plate 15 becomes a path through which a high-frequency current flows, and the flow of the high-frequency current deteriorates due to the contact portion of the contact member 54 or the like at the portion where the shutter 51 overlaps. Therefore, the opening ratio of the upper surface of the hole in the region Ar2 (the surface on the plasma side) is made smaller than the opening ratio of the upper surface of the hole in the region Ar1. As a result, the impedance is adjusted by making the area per unit volume of the upper surface of the region Ar2 larger than the area per unit volume of the upper surface of the region Ar1, and the high frequency current flows between the regions Ar2 and Ar1 of the baffle plate 15. It can be controlled so that the ease is the same.

また、例えば、排気口１６に対応するバッフル板１５の領域Ａｒ３では、領域Ａｒ１よりもガスの流れが良くなる。そこで、領域Ａｒ３の穴の上面の開口率を領域Ａｒ１の穴の上面の開口率よりも小さくする。これにより、領域Ａｒ３と領域Ａｒ１のガスの流れ易さが同じになる。これにより、バッフル板１５の領域Ａｒ３と領域Ａｒ１とでガスのコンダクタンスが同じになるように制御できる。領域Ａｒ２の穴の上面の開口率と領域Ａｒ３の穴の上面の開口率は、インピーダンスの調整及びガスのコンダクタンスの調整ができれば、同じであってもよいし、異なってもよい。つまり、本実施形態では、バッフル板１５は、処理容器１０内の複数の特定の構成に対応するバッフル板１５の領域Ａｒ２及び領域Ａｒ３のそれぞれの単位体積あたりの表面積が、領域Ａｒ１の単位体積あたりの表面積と異なる。これにより、本実施形態に係るバッフル板１５によれば、インピーダンスとガスのコンダクタンスを調整することができる。 Further, for example, in the region Ar3 of the baffle plate 15 corresponding to the exhaust port 16, the gas flow is better than that in the region Ar1. Therefore, the opening ratio of the upper surface of the hole in the region Ar3 is made smaller than the opening ratio of the upper surface of the hole in the region Ar1. As a result, the ease of gas flow in the region Ar3 and the region Ar1 becomes the same. Thereby, the conductance of the gas can be controlled to be the same in the region Ar3 and the region Ar1 of the baffle plate 15. The opening ratio of the upper surface of the hole in the region Ar2 and the opening ratio of the upper surface of the hole in the region Ar3 may be the same or different as long as the impedance and the conductance of the gas can be adjusted. That is, in the present embodiment, in the baffle plate 15, the surface area per unit volume of each of the region Ar2 and the region Ar3 of the baffle plate 15 corresponding to a plurality of specific configurations in the processing container 10 is per unit volume of the region Ar1. Different from the surface area of. Thereby, according to the baffle plate 15 according to the present embodiment, the impedance and the conductance of the gas can be adjusted.

なお、シャッター５１及び排気口１６は、処理容器１０内の複数の特定の構成の一例である。ただし、処理容器１０内の複数の特定の構成は、これらに限られず、シャッター５１、排気口１６、搬送口１９、ゲートバルブ２０、排気路１４、排気管１７、その他の処理容器１０内の構成（部品、部分）の少なくとも２つであればよい。 The shutter 51 and the exhaust port 16 are examples of a plurality of specific configurations in the processing container 10. However, the plurality of specific configurations in the processing container 10 are not limited to these, and the shutter 51, the exhaust port 16, the transport port 19, the gate valve 20, the exhaust passage 14, the exhaust pipe 17, and other configurations in the processing container 10. At least two (parts, parts) may be used.

なお、バッフル板１５及びデポシールド５２は、処理容器に電気的に接続された部材の一例である。図３は、一実施形態に係るバッフル板１５の一例を示す斜視図である。図３に示すように、本例では、バッフル板１５の領域Ａｒ３は、領域Ａｒ２に隣接し、排気口１６の位置に対応するが（図５参照）、領域Ａｒ３は領域Ａｒ２に隣接した領域に限られない。例えば、排気口１６がシャッター５１の位置と離れている場合、領域Ａｒ３は領域Ａｒ２に隣接しない場合がある。このように処理容器１０内の特定の構成に応じてバッフル板１５の領域Ａｒ２、領域Ａｒ３が定められる。また、バッフル板１５は、処理容器１０内の特定の構成に応じて領域Ａｒ２、領域Ａｒ３以外の１又は２以上の領域を有してもよい。例えば、図３において破線で示す領域Ａｒ４のように、シャッター５１に応じた領域Ａｒ２、排気口１６に応じた領域Ａｒ３以外に処理容器１０内の特定の構成に応じたバッフル板１５の領域を有してもよい。特定の構成に応じたバッフル板１５の領域Ａｒ２、領域Ａｒ３・・・以外のバッフル板１５の領域が領域Ａｒ１となる。 The baffle plate 15 and the depot shield 52 are examples of members electrically connected to the processing container. FIG. 3 is a perspective view showing an example of the baffle plate 15 according to the embodiment. As shown in FIG. 3, in this example, the region Ar3 of the baffle plate 15 is adjacent to the region Ar2 and corresponds to the position of the exhaust port 16 (see FIG. 5), but the region Ar3 is adjacent to the region Ar2. Not limited. For example, when the exhaust port 16 is separated from the position of the shutter 51, the region Ar3 may not be adjacent to the region Ar2. In this way, the region Ar2 and the region Ar3 of the baffle plate 15 are defined according to the specific configuration in the processing container 10. Further, the baffle plate 15 may have one or more regions other than the region Ar2 and the region Ar3 depending on the specific configuration in the processing container 10. For example, like the region Ar4 shown by the broken line in FIG. 3, the region of the baffle plate 15 according to the specific configuration in the processing container 10 is provided in addition to the region Ar2 corresponding to the shutter 51 and the region Ar3 corresponding to the exhaust port 16. You may. The region of the baffle plate 15 other than the region Ar2, the region Ar3, ... Of the baffle plate 15 according to the specific configuration is the region Ar1.

領域Ａｒ２、領域Ａｒ３の単位体積あたりの表面積は、特定の構成に対応するバッフル板１５の中心角θ２、θ３に基づき決定される。領域Ａｒ１の単位体積あたりの表面積は、中心角θ２、θ３以外の角度θ１に基づき決定される。図３の例では、特定の構成はシャッター５１と排気口１６である。 The surface area per unit volume of the regions Ar2 and Ar3 is determined based on the central angles θ2 and θ3 of the baffle plate 15 corresponding to the specific configuration. The surface area per unit volume of the region Ar1 is determined based on the angles θ1 other than the central angles θ2 and θ3. In the example of FIG. 3, the specific configuration is a shutter 51 and an exhaust port 16.

中心角θ２は、軸Ａｘからシャッター５１の一端部までの直線と、軸Ａｘからシャッター５１の他端部までの直線とにより形成される。中心角θ３は、中心角θ２に隣接して排気口１６側であって排気口１６の大きさに応じた所定角度である。 The central angle θ2 is formed by a straight line from the axis Ax to one end of the shutter 51 and a straight line from the axis Ax to the other end of the shutter 51. The central angle θ3 is a predetermined angle adjacent to the central angle θ2 on the exhaust port 16 side and corresponding to the size of the exhaust port 16.

図３の例では、領域Ａｒ１に形成される複数の穴１５ｂと、領域Ａｒ２に形成される複数の穴１５ａと、領域Ａｒ３に形成される複数の穴１５ｃとは、各領域で穴の開口率は異なる。これにより、バッフル板１５の領域Ａｒ２、領域Ａｒ３のそれぞれの単位体積あたりの表面積と、領域Ａｒ１の単位体積あたりの表面積とを異なるように構成される。この場合には、領域Ａｒ２の単位体積あたりの表面積と領域Ａｒ３の単位体積あたりの表面積も異なるように構成される。 In the example of FIG. 3, the plurality of holes 15b formed in the region Ar1, the plurality of holes 15a formed in the region Ar2, and the plurality of holes 15c formed in the region Ar3 have the aperture ratios of the holes in each region. Is different. As a result, the surface area of each of the regions Ar2 and Ar3 of the baffle plate 15 per unit volume and the surface area of the region Ar1 per unit volume are configured to be different. In this case, the surface area per unit volume of the region Ar2 and the surface area per unit volume of the region Ar3 are also configured to be different.

穴の開口率を異なるように構成するために、例えば、バッフル板１５の領域Ａｒ２、領域Ａｒ３の穴１５ａ、１５ｃの形状を領域Ａｒ１の穴１５ｂの形状と異なる形状にしてもよい。また、領域Ａｒ２、領域Ａｒ３の穴１５ａ、１５ｃの数を領域Ａｒ１の穴１５ｂの数と異なるようにしてもよい。穴の形状と数を変えてもよい。なお、バッフル板１５の領域Ａｒ２と領域Ａｒ３との穴の形状及び／又は穴の数は同じであってもよいし、異なってもよい。 In order to configure the hole opening ratios to be different, for example, the shapes of the regions Ar2 of the baffle plate 15 and the holes 15a and 15c of the regions Ar3 may be different from the shapes of the holes 15b of the regions Ar1. Further, the number of holes 15a and 15c in the regions Ar2 and Ar3 may be different from the number of holes 15b in the region Ar1. The shape and number of holes may be changed. The shape and / or number of holes in the regions Ar2 and Ar3 of the baffle plate 15 may be the same or different.

図３に示すように、バッフル板１５は、バッフル板１５を貫通する複数の穴１５ａ、１５ｂ、１５ｃが領域毎に概ね均等に配置されている。複数の穴１５ａ、１５ｂ、１５ｃは、バッフル板１５の上面及び下面に対して垂直に貫通する。 As shown in FIG. 3, in the baffle plate 15, a plurality of holes 15a, 15b, 15c penetrating the baffle plate 15 are arranged substantially evenly in each region. The plurality of holes 15a, 15b, 15c penetrate perpendicularly to the upper surface and the lower surface of the baffle plate 15.

本実施形態では、バッフル板１５はコニカル形状であり、処理容器１０に配置した場合、上端の直径が下端の直径よりも大きい。バッフル板１５をコニカル形状にすることで、穴１５ａ、１５ｂ、１５ｃの数を増やすことができ、バッフル板１５の表面積を増やすことができる。しかし、これに限られず、バッフル板１５は上端の直径と下端の直径とが同じ筒状に形成されてもよい。なお、図３では、各領域を明確に図示するために、バッフル板１５の上端が下向きに図示されている。 In the present embodiment, the baffle plate 15 has a conical shape, and when placed in the processing container 10, the diameter of the upper end is larger than the diameter of the lower end. By forming the baffle plate 15 into a conical shape, the number of holes 15a, 15b, and 15c can be increased, and the surface area of the baffle plate 15 can be increased. However, the present invention is not limited to this, and the baffle plate 15 may be formed in a cylindrical shape having the same diameter at the upper end and the diameter at the lower end. In FIG. 3, the upper end of the baffle plate 15 is shown downward in order to clearly show each region.

バッフル板１５は、領域毎に開口率が異なる穴１５ａ、１５ｂ、１５ｃからガスを排気口１６に向けて流す。これにより、ガスのコンダクタンスを調整し、円周方向のガスの流れを整え、ガスの排気の偏りをなくす機能を有する。また、バッフル板１５は、処理空間Ｕと排気路１４とを仕切り、プラズマを処理空間Ｕに閉じ込め、排気路１４にプラズマが侵入することを抑制する機能を有する。 The baffle plate 15 allows gas to flow toward the exhaust port 16 through holes 15a, 15b, and 15c having different aperture ratios for each region. This has the function of adjusting the conductance of the gas, adjusting the gas flow in the circumferential direction, and eliminating the bias of the gas exhaust. Further, the baffle plate 15 has a function of partitioning the processing space U and the exhaust passage 14, confining the plasma in the processing space U, and suppressing the invasion of the plasma into the exhaust passage 14.

図２（ｂ）に戻り、プラズマ処理中、シャッター５１が閉じられると、バッフル板１５、シャッター５１及びデポシールド５２は電気的に接続され、グランド電位の処理容器１０に高周波電流を流す経路となる。第１高周波電源２１及び／又は第２高周波電源２２から出力された高周波電流が流れる経路を図２（ｂ）に矢印で示す。 Returning to FIG. 2B, when the shutter 51 is closed during plasma processing, the baffle plate 15, the shutter 51 and the depot shield 52 are electrically connected to form a path for passing a high-frequency current to the ground potential processing container 10. .. The path through which the high-frequency current output from the first high-frequency power supply 21 and / or the second high-frequency power supply 22 flows is shown by an arrow in FIG. 2 (b).

図２（ｂ）の状態では、シャッター５１の一端とデポシールド５２、及びシャッター５１の他端とコンタクト部材５４とが当接した状態である。この状態では、シャッター５１とデポシールド５２の接触部分、及び、シャッター５１とコンタクト部材５４の接触部分はインピーダンスの変化点となり、高周波ＲＦの電流の流れが悪くなり易い。 In the state of FIG. 2B, one end of the shutter 51 and the depot shield 52, and the other end of the shutter 51 and the contact member 54 are in contact with each other. In this state, the contact portion between the shutter 51 and the depot shield 52 and the contact portion between the shutter 51 and the contact member 54 become impedance change points, and the current flow of high frequency RF tends to deteriorate.

図３に示すように、軸Ａｘをバッフル板１５の中心としてバッフル板１５の円周方向の３６０°の領域のうち、シャッター５１を閉じたときにバッフル板１５とシャッター５１とが重なる中心角θ２の領域を領域Ａｒ２とする。シャッター５１がない領域のうち、排気口１６に対応する中心角θ３の領域を領域Ａｒ３とする。それ以外の中心角θ１の領域を領域Ａｒ１とする。 As shown in FIG. 3, in a region of 360 ° in the circumferential direction of the baffle plate 15 with the axis Ax as the center of the baffle plate 15, the central angle θ2 where the baffle plate 15 and the shutter 51 overlap when the shutter 51 is closed. Let the region of be the region Ar2. Of the regions without the shutter 51, the region having the central angle θ3 corresponding to the exhaust port 16 is defined as the region Ar3. The other region of the central angle θ1 is defined as the region Ar1.

領域Ａｒ２は、特定の構成に対応するバッフル板１５の複数の領域の一つであり、第２の領域に相当する。領域Ａｒ３は、特定の構成に対応するバッフル板１５の複数の領域の一つであり、第３の領域に相当する。領域Ａｒ１は、バッフル板１５の複数の領域以外の領域であり、第１の領域に相当する。 The region Ar2 is one of a plurality of regions of the baffle plate 15 corresponding to a specific configuration, and corresponds to a second region. The region Ar3 is one of a plurality of regions of the baffle plate 15 corresponding to a specific configuration, and corresponds to a third region. The region Ar1 is a region other than the plurality of regions of the baffle plate 15, and corresponds to a first region.

シャッター５１とデポシールド５２の接触部分、及び、シャッター５１とコンタクト部材５４の接触部分で高周波ＲＦの電流の流れが悪くなると、領域Ａｒ２では、領域Ａｒ１及び領域Ａｒ３よりもインピーダンスが高くなる。つまり、領域Ａｒ２では、領域Ａｒ１及び領域Ａｒ３よりも第１高周波電源２１及び／又は第２高周波電源２２から出力された高周波電流の流れが悪くなる。 When the high frequency RF current flow is impaired at the contact portion between the shutter 51 and the depot shield 52 and the contact portion between the shutter 51 and the contact member 54, the impedance in the region Ar2 becomes higher than that in the region Ar1 and the region Ar3. That is, in the region Ar2, the flow of the high frequency current output from the first high frequency power supply 21 and / or the second high frequency power supply 22 is worse than that in the region Ar1 and the region Ar3.

このため、基板Ｗにプラズマ処理を行った場合、各領域の穴の形状及び／又は数が同じであると、図３の上下方向に、シャッター５１がある側のプラズマエッチングにより形成されたホールのＣＤ（ＣｒｉｔｉｃａｌＤｉｍｅｎｔｉｏｎ）と、シャッター５１がない側のプラズマエッチングにより形成されたホールのＣＤに偏りが生じる。 Therefore, when the substrate W is subjected to plasma processing, if the shape and / or number of holes in each region are the same, the holes formed by plasma etching on the side where the shutter 51 is located in the vertical direction of FIG. 3 There is a bias between the CD (Critical Division) and the CD of the hole formed by plasma etching on the side without the shutter 51.

そこで、領域Ａｒ２と領域Ａｒ２以外の領域（図３では領域Ａｒ１及び領域Ａｒ３）に分けて穴の形状及び／又は数を変え、領域Ａｒ１及び領域Ａｒ３では同じ穴の形状及び数にした場合、プラズマエッチングにより形成されたホールのチルティング角度に偏りが生じる。つまり、基板Ｗのプラズマエッチングで形成されるホールが異なる方向に傾く傾向が見られた。 Therefore, when the shape and / or number of holes are changed by dividing into regions Ar2 and regions other than region Ar2 (regions Ar1 and region Ar3 in FIG. 3), and the same hole shape and number are used in regions Ar1 and region Ar3, plasma is used. The tilting angle of the holes formed by etching is biased. That is, there was a tendency that the holes formed by the plasma etching of the substrate W were inclined in different directions.

そこで、本実施形態に係るバッフル板１５は、シャッター５１がある側の領域Ａｒ２において領域Ａｒ１よりも高周波電流を通り易くする構成を有する。これにより、バッフル板１５の領域Ａｒ２のインピーダンスとそれ以外の領域Ａｒ１、領域Ａｒ３のインピーダンスとが概ね同じになるようにインピーダンス調整をする。 Therefore, the baffle plate 15 according to the present embodiment has a configuration that makes it easier for a high frequency current to pass in the region Ar2 on the side where the shutter 51 is located than in the region Ar1. As a result, the impedance is adjusted so that the impedance of the region Ar2 of the baffle plate 15 and the impedances of the other regions Ar1 and Ar3 are substantially the same.

加えて、排気口１６がある側の領域Ａｒ３に形成された穴は、領域Ａｒ１に形成された穴に対して穴の形状及び／又は数を変更する。これにより、領域Ａｒ３ガスのコンダクタンスを調整することで、ガスの排気の偏りを均等化する。この結果、バッフル板１５によりインピーダンス及びガスのコンダクタンスを調整することができる。 In addition, the holes formed in the region Ar3 on the side where the exhaust port 16 is located change the shape and / or number of holes with respect to the holes formed in the region Ar1. As a result, the conductance of the region Ar3 gas is adjusted to equalize the bias of the gas exhaust. As a result, the impedance and the conductance of the gas can be adjusted by the baffle plate 15.

バッフル板１５のインピーダンスとガスのコンダクタンスを調整する構成について、図３及び図４を参照して説明する。図４は、一実施形態に係るバッフル板１５に設けられた各領域の穴を拡大して示す断面図である。 The configuration for adjusting the impedance of the baffle plate 15 and the conductance of the gas will be described with reference to FIGS. 3 and 4. FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view showing a hole in each region provided in the baffle plate 15 according to the embodiment.

図４に示すように、バッフル板１５のプラズマに暴露される面（上面：プラズマ側）において、領域Ａｒ２の穴１５ａの上面１５ａ１の直径は、領域Ａｒ１の穴１５ｂの上面１５ｂ１の直径よりも小さい。図４の例では、穴１５ａの上面１５ａ１の直径は１．８ｍｍであり、穴１５ｂの上面１５ｂ１の直径２．５ｍｍよりも小さい。一方、領域Ａｒ２の穴１５ａの下面１５ａ２の直径は、領域Ａｒ１の穴１５ｂの下面１５ｂ２の直径と同じであり、図４の例では２．５ｍｍである。 As shown in FIG. 4, on the surface of the baffle plate 15 exposed to plasma (upper surface: plasma side), the diameter of the upper surface 15a1 of the hole 15a in the region Ar2 is smaller than the diameter of the upper surface 15b1 of the hole 15b in the region Ar1. .. In the example of FIG. 4, the diameter of the upper surface 15a1 of the hole 15a is 1.8 mm, which is smaller than the diameter of the upper surface 15b1 of the hole 15b of 2.5 mm. On the other hand, the diameter of the lower surface 15a2 of the hole 15a of the region Ar2 is the same as the diameter of the lower surface 15b2 of the hole 15b of the region Ar1, which is 2.5 mm in the example of FIG.

更に、領域Ａｒ３の穴１５ｃの上面１５ｃ１の直径は、領域Ａｒ１の穴１５ｂの上面１５ｂ１の直径よりも小さい。図４の例では、穴１５ｃの上面１５ｃ１の直径は１．８ｍｍ～２．２ｍｍであり、穴１５ｂの上面１５ｂ１の直径２．５ｍｍよりも小さい。一方、領域Ａｒ３の穴１５ｃの下面１５ｃ２の直径は、領域Ａｒ１の穴１５ｂの下面１５ｂ２の直径と同じであり、図４の例では２．５ｍｍである。 Further, the diameter of the upper surface 15c1 of the hole 15c of the region Ar3 is smaller than the diameter of the upper surface 15b1 of the hole 15b of the region Ar1. In the example of FIG. 4, the diameter of the upper surface 15c1 of the hole 15c is 1.8 mm to 2.2 mm, which is smaller than the diameter of the upper surface 15b1 of the hole 15b of 2.5 mm. On the other hand, the diameter of the lower surface 15c2 of the hole 15c of the region Ar3 is the same as the diameter of the lower surface 15b2 of the hole 15b of the region Ar1, which is 2.5 mm in the example of FIG.

また、領域Ａｒ２の穴１５ａ及び領域Ａｒ３の穴１５ｃは、バッフル板１５の厚さをＨ２とすると、バッフル板１５の上面からＨ１（Ｈ１＜Ｈ２）の距離に段差が設けられている。これに対して、領域Ａｒ１の穴１５ｂは段差を有さない。 Further, the hole 15a in the region Ar2 and the hole 15c in the region Ar3 are provided with a step at a distance of H1 (H1 <H2) from the upper surface of the baffle plate 15 when the thickness of the baffle plate 15 is H2. On the other hand, the hole 15b in the region Ar1 has no step.

このように、バッフル板１５の領域Ａｒ２及び領域Ａｒ３に形成された穴１５ａ、１５ｃの下面の直径は、それぞれの穴１５ａ、１５ｃの上面の直径よりも大きい。なお、領域Ａｒ１、領域Ａｒ２及び領域Ａｒ３の上面の穴の直径は、領域毎に異なっていてもよいし、領域Ａｒ２及び領域Ａｒ３が同じで、領域Ａｒ１のみ異なっていてもよい。 As described above, the diameters of the lower surfaces of the holes 15a and 15c formed in the regions Ar2 and Ar3 of the baffle plate 15 are larger than the diameters of the upper surfaces of the holes 15a and 15c, respectively. The diameters of the holes on the upper surfaces of the regions Ar1, the regions Ar2, and the regions Ar3 may be different for each region, or the regions Ar2 and Ar3 may be the same, but only the regions Ar1 may be different.

かかる構成により、領域Ａｒ２の上面及び穴１５ａの内壁面の総和に対する単位面積当たりの表面積と、領域Ａｒ１の上面及び穴１５ｂの内壁面の総和に対する単位面積当たりの表面積との比率を調整することができる。また、領域Ａｒ３の上面及び穴１５ｃの内壁面の総和に対する単位面積当たりの表面積を、領域Ａｒ１の上面及び穴１５ｂの内壁面の総和に対する単位面積当たりの表面積との比率を調整することができる。 With this configuration, the ratio of the surface area per unit area to the total surface area of the upper surface of the region Ar2 and the inner wall surface of the hole 15a and the surface area per unit area to the total surface area of the upper surface of the region Ar1 and the inner wall surface of the hole 15b can be adjusted. can. Further, the ratio of the surface area per unit area to the total surface area of the upper surface of the region Ar3 and the inner wall surface of the hole 15c can be adjusted to the surface area per unit area to the total surface area of the upper surface of the region Ar1 and the inner wall surface of the hole 15b.

これにより、シャッター５１を経由する高周波の伝搬経路と、シャッター５１を経由しない高周波の伝搬経路とを略同一のインピーダンスに調整することができる。これにより、図３にて上下方向の、シャッター５１がある側のプラズマエッチングにより形成されたホールのＣＤと、シャッター５１がない側のプラズマエッチングにより形成されたホールのＣＤの偏りを解消することができ、プロセス特性及び生産性を向上させることができる。 Thereby, the high frequency propagation path passing through the shutter 51 and the high frequency propagation path not passing through the shutter 51 can be adjusted to substantially the same impedance. As a result, in FIG. 3, it is possible to eliminate the bias between the CD of the hole formed by plasma etching on the side with the shutter 51 and the CD of the hole formed by plasma etching on the side without the shutter 51 in the vertical direction. It can improve the process characteristics and productivity.

また、領域Ａｒ２の穴１５ａと領域Ａｒ３の穴１５ｃに段差を設け、バッフル板１５の下面における開口を広げることで、ガスのコンダクタンスを調整しつつ、穴１５ａ、１５ｃを通るガスのコンダクタンスを確保することができる。これにより、バッフル板１５によりインピーダンス及びガスのコンダクタンスを調整することができる。 Further, by providing a step between the hole 15a of the region Ar2 and the hole 15c of the region Ar3 and widening the opening on the lower surface of the baffle plate 15, the conductance of the gas passing through the holes 15a and 15c is secured while adjusting the conductance of the gas. be able to. Thereby, the impedance and the conductance of the gas can be adjusted by the baffle plate 15.

図５では、各領域に形成された穴の図示を省略しているが、図５（ａ）の比較例では、バッフル板１５の領域Ａｒ２と領域Ａｒ１の穴の形状を変えることでインピーダンスを調整する。本実施形態では、図５（ｂ）に示すように、シャッター５１に対応した領域Ａｒ２に加えて、排気口１６に対応した領域Ａｒ３にガスのコンダクタンス調整を考慮した適正な形状及び／又は数の穴１５ｃを設ける。これにより、ガスのコンダクタンスを最適化し、排気口１６の位置の偏りにより発生するガスの流れの偏りを改善できる。これにより、図５（ｂ）に示すＡ（９０度）からＢ（２７０度）への円周方向（以下、Ａ－Ｂ方向ともいう。）のガスのコンダクタンスの均等化を図ることができる。このようにして領域Ａｒ２及び領域Ａｒ３によりインピーダンス及びガスのコンダクタンスを調整することで、プラズマの偏りを改善し、Ａ－Ｂ方向のプラズマ密度分布を均一にすることができる。これにより、Ａ－Ｂ方向のチルティング角度の偏りをなくし、円周方向（３６０度）におけるエッチング形状の垂直性を向上できる。また、図３にて上下方向の、シャッター５１がある側と内側のプラズマエッチングにより形成されたホールのＣＤの均一性を高めることができる。 In FIG. 5, the holes formed in each region are not shown, but in the comparative example of FIG. 5A, the impedance is adjusted by changing the shapes of the holes in the regions Ar2 and Ar1 of the baffle plate 15. do. In this embodiment, as shown in FIG. 5B, in addition to the region Ar2 corresponding to the shutter 51, the region Ar3 corresponding to the exhaust port 16 has an appropriate shape and / or number in consideration of gas conductance adjustment. A hole 15c is provided. As a result, the conductance of the gas can be optimized, and the deviation of the gas flow generated by the deviation of the position of the exhaust port 16 can be improved. This makes it possible to equalize the conductance of the gas in the circumferential direction (hereinafter, also referred to as the AB direction) from A (90 degrees) to B (270 degrees) shown in FIG. 5 (b). By adjusting the impedance and the conductance of the gas by the regions Ar2 and Ar3 in this way, the plasma bias can be improved and the plasma density distribution in the AB direction can be made uniform. As a result, it is possible to eliminate the bias of the tilting angle in the AB direction and improve the verticality of the etching shape in the circumferential direction (360 degrees). Further, in FIG. 3, it is possible to improve the uniformity of the CD of the holes formed by plasma etching on the side where the shutter 51 is located and the inside in the vertical direction.

［実施例１］
図５（ａ）の比較例に係るバッフル板１５と、図５（ｂ）の本実施形態に係るバッフル板１５を有する基板処理装置１において、ガスの流れを示すシミュレーションを行った。図５（ａ）の比較例は、領域Ａｒ１と領域Ａｒ２と有するバッフル板１５であり、図５（ａ）では、比較例のバッフル板１５の領域Ａｒ１には図４に示す複数の穴１５ｂが形成され、領域Ａｒ２には図４に示す複数の穴１５ａが形成されている。 [Example 1]
A simulation showing the flow of gas was performed in the substrate processing apparatus 1 having the baffle plate 15 according to the comparative example of FIG. 5 (a) and the baffle plate 15 according to the present embodiment of FIG. 5 (b). The comparative example of FIG. 5A is a baffle plate 15 having a region Ar1 and a region Ar2, and in FIG. 5A, a plurality of holes 15b shown in FIG. 4 are provided in the region Ar1 of the baffle plate 15 of the comparative example. It is formed, and a plurality of holes 15a shown in FIG. 4 are formed in the region Ar2.

また、図５（ｂ）では図示を省略しているが、本実施形態のバッフル板１５の領域Ａｒ１及び領域Ａｒ２には図５（ａ）と同じ穴１５ｂ、１５ａが形成され、さらに領域Ａｒ３には図４に示す穴１５ｃが形成されている。 Further, although not shown in FIG. 5 (b), the same holes 15b and 15a as in FIG. 5 (a) are formed in the regions Ar1 and Ar2 of the baffle plate 15 of the present embodiment, and further in the region Ar3. Is formed with the hole 15c shown in FIG.

本シミュレーションでは、板処理装置１にガスを流し、排気装置１８により排気口１６からガスを排気したときの基板Ｗ上の外周部の圧力を測定する。具体的には、図５（ａ）及び（ｂ）に円状の破線で示した円ＭＰ、すなわち、軸Ａｘを中心とした直径３００ｍｍの基板Ｗの端部の上方であって基板Ｗから５ｍｍ程度離れた位置における処理容器１０内の圧力を測定する。 In this simulation, gas is flowed through the plate processing device 1, and the pressure on the outer peripheral portion on the substrate W when the gas is exhausted from the exhaust port 16 by the exhaust device 18 is measured. Specifically, the circle MP shown by the broken line in the circles in FIGS. 5A and 5B, that is, above the end of the substrate W having a diameter of 300 mm centered on the axis Ax and 5 mm from the substrate W. The pressure in the processing container 10 at a position separated from each other is measured.

本シミュレーションの結果、比較例では、円ＭＰ上の９０度及び２７０度の２点（Ａ、Ｂ）の基板Ｗから５ｍｍ離れた空間における圧力差が０．００９８ｍＴ（０．００１３Ｐａ）であった。これに対して、本実施形態では、圧力差が０．００６０ｍＴ（０．０００８０Ｐａ）と低下した。以上のシミュレーション結果から、本実施形態では、領域Ａｒ３を設け、領域Ａｒ３の穴１５ｃの上面の直径を領域Ａｒ１の穴１５ｂの上面の直径より小さくすることでガスのコンダクタンスを調整でき、これにより、ガスの流れの偏りを改善できることがわかった。つまり、領域Ａｒ３を設け、穴１５ｃの上面の直径を変更することでガスのコンダクタンスを調整する。なお、領域Ａｒ２においてグランド面を増やすために穴１５ａの上面の直径を領域Ａｒ１の穴１５ｂの直径より小さくすることでインピーダンスを調整する。これにより、シャッター５１に対応する領域Ａｒ２及び領域Ａｒ３における穴の形状の最適化によって高周波電流の流れを良好にしてプラズマの偏りを改善し、プラズマ密度分布を均一にすることができる。これにより、プラズマエッチングにより形成されたホールのチルティング角度の偏りをなくし、エッチング形状の垂直性を向上できる。なお、以上の説明では、領域Ａｒ２の穴１５ａはインピーダンス調整のために領域Ａｒ１の穴１５ｂの形状と変え、領域Ａｒ３の穴１５ｃはガスのコンダクタンス調整のために領域Ａｒ１の穴１５ｂの形状と変えるように説明した。しかし、領域Ａｒ２及び領域Ａｒ３のいずれのおいても穴の形状及び／又は数を変えることで、インピーダンス及びガスのコンダクタンスが変わる。よって、領域Ａｒ２及び領域Ａｒ３の穴の開口率により、適正なインピーダンス調整及びガスのコンダクタンス調整が実現される。 As a result of this simulation, in the comparative example, the pressure difference in the space 5 mm away from the substrate W at the two points (A and B) of 90 degrees and 270 degrees on the circle MP was 0.0098 mT (0.0013 Pa). On the other hand, in the present embodiment, the pressure difference was reduced to 0.0060 mT (0.00080Pa). From the above simulation results, in the present embodiment, the gas conductance can be adjusted by providing the region Ar3 and making the diameter of the upper surface of the hole 15c of the region Ar3 smaller than the diameter of the upper surface of the hole 15b of the region Ar1. It was found that the bias of the gas flow can be improved. That is, the area Ar3 is provided, and the conductance of the gas is adjusted by changing the diameter of the upper surface of the hole 15c. The impedance is adjusted by making the diameter of the upper surface of the hole 15a smaller than the diameter of the hole 15b of the region Ar1 in order to increase the ground surface in the region Ar2. As a result, by optimizing the shape of the holes in the regions Ar2 and Ar3 corresponding to the shutter 51, the flow of high-frequency current can be improved, the plasma bias can be improved, and the plasma density distribution can be made uniform. As a result, it is possible to eliminate the bias of the tilting angle of the holes formed by plasma etching and improve the verticality of the etching shape. In the above description, the hole 15a in the region Ar2 is changed to the shape of the hole 15b in the region Ar1 for impedance adjustment, and the hole 15c in the region Ar3 is changed to the shape of the hole 15b in the region Ar1 for adjusting the conductance of the gas. I explained as follows. However, in both the region Ar2 and the region Ar3, the impedance and the conductance of the gas are changed by changing the shape and / or the number of holes. Therefore, appropriate impedance adjustment and gas conductance adjustment are realized by the aperture ratios of the holes in the regions Ar2 and Ar3.

［実施例２］
図６は、一実施形態に係る基板処理装置１を用いた基板Ｗのエッチング処理により基板上に形成されたホールのチルティング角度の実験結果の一例を示す図である。図６（ａ）の比較例と、図６（ｂ）及び（ｃ）の本実施形態に係るバッフル板１５を有する基板処理装置１においてチルティング角度を測定する実験を行った。 [Example 2]
FIG. 6 is a diagram showing an example of an experimental result of a tilting angle of a hole formed on a substrate by etching the substrate W using the substrate processing apparatus 1 according to the embodiment. An experiment was conducted in which the tilting angle was measured in the comparative example of FIG. 6 (a) and the substrate processing apparatus 1 having the baffle plate 15 according to the present embodiment of FIGS. 6 (b) and 6 (c).

図６（ａ）の比較例は、図５（ａ）に示す領域Ａｒ１と領域Ａｒ２と有するバッフル板１５を使用した場合である。比較例のバッフル板１５の領域Ａｒ１には図４に示す複数の穴１５ｂが形成され、領域Ａｒ２には図４に示す複数の穴１５ａが形成されている。 The comparative example of FIG. 6A is a case where the baffle plate 15 having the region Ar1 and the region Ar2 shown in FIG. 5A is used. A plurality of holes 15b shown in FIG. 4 are formed in the region Ar1 of the baffle plate 15 of the comparative example, and a plurality of holes 15a shown in FIG. 4 are formed in the region Ar2.

また、図６（ｂ）及び（ｃ）の本実施形態は、図５（ｂ）に示す領域Ａｒ１と領域Ａｒ２と領域Ａｒ３と有するバッフル板１５を使用した場合である。本実施形態のバッフル板１５の領域Ａｒ１及び領域Ａｒ２には、比較例と同じ穴が形成され、領域Ａｒ３には図４に示す複数の穴１５ｃが形成されている。 Further, the present embodiment of FIGS. 6 (b) and 6 (c) is a case where the baffle plate 15 having the region Ar1, the region Ar2, and the region Ar3 shown in FIG. 5 (b) is used. The same holes as in the comparative example are formed in the regions Ar1 and Ar2 of the baffle plate 15 of the present embodiment, and a plurality of holes 15c shown in FIG. 4 are formed in the region Ar3.

図６（ｂ）と図６（ｃ）との違いは、領域Ａｒ３に形成された複数の穴１５ｃの数である。本実施形態のうち、図６（ｂ）に示す実施例１では一定数の穴１５ｃを減らし、図６（ｃ）に示す実施例２では図６（ｂ）の実施例１で減らした数の約２倍の数の穴１５ｃを減らし、ガスのコンダクタンスを変えた点である。 The difference between FIG. 6 (b) and FIG. 6 (c) is the number of a plurality of holes 15c formed in the region Ar3. Of the present embodiments, in Example 1 shown in FIG. 6 (b), a certain number of holes 15c are reduced, and in Example 2 shown in FIG. 6 (c), the number reduced in Example 1 of FIG. 6 (b). The point is that the number of holes 15c is reduced by about twice, and the conductance of the gas is changed.

図６の上段のエッチングレートのグラフでは、横軸の基板位置の「９０度」は図５の点Ａにおける所定膜のエッチングレートを示す。「２７０度」は図５の点Ｂにおける所定膜のエッチングレートを示す。 In the graph of the etching rate in the upper part of FIG. 6, “90 degrees” at the substrate position on the horizontal axis indicates the etching rate of the predetermined film at the point A in FIG. "270 degrees" indicates the etching rate of the predetermined film at the point B in FIG.

実験の結果、図６の上段のエッチングレートのグラフに示すように、図６（ａ）の比較例と比べて、図６（ｂ）及び（ｃ）の実施例１及び実施例２では、図５に示すＢ方向にてＡ方向よりもエッチングレートが高くなった。 As a result of the experiment, as shown in the graph of the etching rate in the upper part of FIG. 6, in Examples 1 and 2 of FIGS. The etching rate in the B direction shown in 5 was higher than that in the A direction.

また、図６の下段のチルティング角度のグラフに示すように、図６（ｂ）の実施例１では、点Ａにおけるチルティング角度と、点Ｂにおけるチルティング角度との差分が「０．１６」となった。この結果、本実施形態の実施例１及び実施例２では、図６（ａ）の比較例のチルティング角度の差分「０．３４」と比べてＡ－Ｂ方向のエッチング形状の相違が少なくなり、チルティング角度の偏りを改善できた。 Further, as shown in the graph of the chilling angle in the lower part of FIG. 6, in the first embodiment of FIG. 6B, the difference between the chilling angle at the point A and the chilling angle at the point B is “0.16”. It became. As a result, in Examples 1 and 2 of the present embodiment, the difference in etching shape in the AB direction is smaller than that in the difference of the chilling angle “0.34” in the comparative example of FIG. 6 (a). , The bias of the tilting angle could be improved.

更に、図６（ｃ）の実施例２では、左右のチルティング角度が逆転した。また、左右のチルティング角度の差分「０．２３」は、図６（ａ）の比較例のチルティング角度の差分「０．３４」と比べて小さく、チルティング角度の偏りを改善できた。 Further, in Example 2 of FIG. 6C, the left and right tilting angles were reversed. Further, the difference "0.23" between the left and right tilting angles was smaller than the difference "0.34" between the tilting angles in the comparative example of FIG. 6A, and the bias of the tilting angles could be improved.

以上から、領域Ａｒ３の穴の個数又は形状を最適化することで、ガスのコンダクタンスを変え、これにより、チルティング角度のＡ－Ｂ方向における差異を小さくし、エッチング形状を改善できることがわかった。 From the above, it was found that by optimizing the number or shape of the holes in the region Ar3, the conductance of the gas can be changed, thereby reducing the difference in the tilting angle in the AB direction and improving the etching shape.

本実施形態では、領域Ａｒ３の穴１５ｃの個数を減らすことで、領域Ａｒ３におけるガスのコンダクタンスが変わることが確認できた。従って、基板処理装置１では領域Ａｒ３の穴を図４に示す穴１５ｃの形状にすること、及び／又は穴の数を変えることにより、コンダクタンスを調整することで、エッチングレートを制御し、Ａ－Ｂ方向におけるチルティング角度を制御できる。 In this embodiment, it was confirmed that the conductance of the gas in the region Ar3 changes by reducing the number of holes 15c in the region Ar3. Therefore, in the substrate processing apparatus 1, the etching rate is controlled by adjusting the conductance by making the hole of the region Ar3 into the shape of the hole 15c shown in FIG. 4 and / or by changing the number of holes, and A- The etching angle in the B direction can be controlled.

なお、図４の穴１５ａ～１５ｃの形状は一例であり、領域Ａｒ１～Ａｒ３の穴の形状はこれに限られない。例えば、穴１５ａ、１５ｃは段差を有していなくてもよいし、複数の段差を有してもよい。また、穴１５ｂに段差を設けてもよい。例えば、ガスのコンダクタンスを積極的に変えたい場合には、段差を有する穴を形成することが好ましい。 The shapes of the holes 15a to 15c in FIG. 4 are examples, and the shapes of the holes in the regions Ar1 to Ar3 are not limited to this. For example, the holes 15a and 15c may not have a step, or may have a plurality of steps. Further, a step may be provided in the hole 15b. For example, when it is desired to positively change the conductance of the gas, it is preferable to form a hole having a step.

図７は、一実施形態に係るバッフル板１５の表面積（プラズマ側の面）とチルティング角度との関係の一例を示す図である。図７の横軸はバッフル板１５の表面積を示し、縦軸はチルティング角度を示す。バッフル板１５の表面積（％）は、領域Ａｒ１～領域Ａｒ３に穴１５ａ～穴１５ｃがなかったときの表面積を１００とし、領域Ａｒ１～Ａｒ３に穴１５ａ～穴１５ｃがあったときの上面の面積の割合をパーセンテージで示す。つまり、図７の横軸は領域Ａｒ１～Ａｒ３に形成された穴の開口率（％）を示す。 FIG. 7 is a diagram showing an example of the relationship between the surface area (plane on the plasma side) of the baffle plate 15 and the tilting angle according to the embodiment. The horizontal axis of FIG. 7 indicates the surface area of the baffle plate 15, and the vertical axis indicates the tilting angle. The surface area (%) of the baffle plate 15 is the surface area when the regions Ar1 to Ar3 do not have holes 15a to 15c, and the surface area is the area of the upper surface when the regions Ar1 to Ar3 have holes 15a to 15c. The percentage is shown as a percentage. That is, the horizontal axis of FIG. 7 indicates the aperture ratio (%) of the holes formed in the regions Ar1 to Ar3.

これによれば、領域Ａｒ３に形成された穴１５ｃの開口率とチルティング角度には比例関係があり、図７の例では、領域Ａｒ３に形成された穴１５ｃの開口率が５９．６（％）のとき、チルティング角度が９０°になり、エッチング形状が垂直となる。つまり、図７の例では、穴の開口率が５９．６（％）の範囲に含まることを条件に領域Ａｒ３の穴１５ｃの形状を最適化したり、穴の個数を決定したりすることが好ましい。 According to this, there is a proportional relationship between the opening ratio of the hole 15c formed in the region Ar3 and the chilling angle, and in the example of FIG. 7, the opening ratio of the hole 15c formed in the region Ar3 is 59.6 (%). ), The tilting angle becomes 90 ° and the etching shape becomes vertical. That is, in the example of FIG. 7, the shape of the hole 15c in the region Ar3 may be optimized or the number of holes may be determined on condition that the aperture ratio of the hole is within the range of 59.6 (%). preferable.

ただし、図７は一例であり、領域Ａｒ３に形成される穴１５ｃの開口率の最適値は、エッチング条件、排気口１６の位置や大きさ、その他の処理容器１０内の状態によって変化する。 However, FIG. 7 is an example, and the optimum value of the opening ratio of the hole 15c formed in the region Ar3 changes depending on the etching conditions, the position and size of the exhaust port 16, and other conditions in the processing container 10.

なお、領域Ａｒ３に形成された穴１５ｃの開口率は、領域Ａｒ１に形成された穴１５ｂの開口率と異なるが、領域Ａｒ３に形成された穴１５ｃの開口率は、領域Ａｒ２に形成された穴１５ａの開口率と異なっていてもよいし、同じであってもよい。 The opening ratio of the hole 15c formed in the region Ar3 is different from the opening ratio of the hole 15b formed in the region Ar1, but the opening ratio of the hole 15c formed in the region Ar3 is the hole formed in the region Ar2. It may be different from or the same as the aperture ratio of 15a.

以上、本実施形態に係るバッフル板１５を例に挙げて説明した。また、処理容器１０内の複数の特定の構成としてシャッター５１及び排気口１６を例に挙げ、シャッター５１及び排気口１６に対応するバッフル板１５の領域Ａｒ２及び領域Ａｒ３の穴形状について説明した。 The baffle plate 15 according to the present embodiment has been described above as an example. Further, the shutter 51 and the exhaust port 16 are taken as an example as a plurality of specific configurations in the processing container 10, and the hole shapes of the regions Ar2 and the regions Ar3 of the baffle plate 15 corresponding to the shutter 51 and the exhaust port 16 have been described.

しかしながら、シャッター５１及び排気口１６は特定の構成の一例であり、特定の構成は、処理容器１０に取り付けた観測窓、圧力計、排気口１６以外の排気口、搬送口１９、ゲートバルブ２０、排気路１４、排気管１７等であってもよい。係る特定の構成に対応するバッフル板１５の領域Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４、Ａｒ５・・・が存在し得る。 However, the shutter 51 and the exhaust port 16 are examples of a specific configuration, and the specific configuration includes an observation window attached to the processing container 10, a pressure gauge, an exhaust port other than the exhaust port 16, a transport port 19, a gate valve 20, and the like. It may be an exhaust passage 14, an exhaust pipe 17, or the like. Regions Ar2, Ar3, Ar4, Ar5 ... Of the baffle plate 15 corresponding to such a specific configuration may exist.

以上に説明したように、本実施形態の基板処理装置１によれば、シャッター５１に対応する領域Ａｒ２及び排気口１６に対応する領域Ａｒ３にそれぞれ形成される穴の形状を最適化する。これにより、バッフル板１５を一例とする処理容器１０に電気的に接続された部材におけるインピーダンスとガスのコンダクタンスを調整することができる。これにより、高周波電流の流れを良好にしてプラズマの偏りを改善し、プラズマ密度分布を均一にすることができる。また、処理容器１０内の特定の構成が存在する位置に応じた排気の偏りによるチルティング角度の偏りを改善し、エッチング形状の垂直性を向上できる。 As described above, according to the substrate processing apparatus 1 of the present embodiment, the shapes of the holes formed in the region Ar2 corresponding to the shutter 51 and the region Ar3 corresponding to the exhaust port 16 are optimized. Thereby, the impedance and the conductance of the gas in the member electrically connected to the processing container 10 using the baffle plate 15 as an example can be adjusted. As a result, the flow of high-frequency current can be improved, the plasma bias can be improved, and the plasma density distribution can be made uniform. Further, it is possible to improve the deviation of the tilting angle due to the deviation of the exhaust gas according to the position where the specific configuration exists in the processing container 10, and improve the verticality of the etching shape.

上記実施形態では、領域Ａｒ２及び領域Ａｒ３の穴１５ａ、１５ｃの形状を領域Ａｒ１の穴１５ｂの形状と異ならせることで、バッフル板１５の領域Ａｒ２及び領域Ａｒ３の表面積を領域Ａｒ１の表面積と異なるように構成した。しかしながら、これに限られず、バッフル板１５の領域Ａｒ２及び領域Ａｒ３の表面形状を領域Ａｒ１の表面形状と変えることで、領域Ａｒ２及び領域Ａｒ３の表面積を領域Ａｒ１の表面積と異なるように構成してもよい。また、バッフル板１５の領域Ａｒ２及び領域Ａｒ３の厚さを領域Ａｒ１の厚さと変えることで、領域Ａｒ２及び領域Ａｒ３の表面積を領域Ａｒ１の表面積と異なるように構成してもよい。 In the above embodiment, the surface areas of the regions Ar2 and Ar3 of the baffle plate 15 are different from the surface area of the region Ar1 by making the shapes of the holes 15a and 15c of the regions Ar2 and Ar3 different from the shapes of the holes 15b of the region Ar1. It was configured in. However, the present invention is not limited to this, and the surface area of the region Ar2 and the region Ar3 may be configured to be different from the surface area of the region Ar1 by changing the surface shape of the region Ar2 and the region Ar3 of the baffle plate 15 to the surface shape of the region Ar1. good. Further, the surface area of the region Ar2 and the region Ar3 may be configured to be different from the surface area of the region Ar1 by changing the thickness of the region Ar2 and the region Ar3 of the baffle plate 15 to the thickness of the region Ar1.

また、バッフル板１５の領域Ａｒ２及び領域Ａｒ３に酸化イットリウムやアルミナの溶射膜を形成し、表面処理を行うことでインピーダンス及びガスのコンダクタンスを調整してもよい。領域Ａｒ２及び領域Ａｒ３の表面に溶射やその他のコーティング技術を用いて絶縁膜を形成することで、領域Ａｒ２及び領域Ａｒ３のインピーダンスを領域Ａｒ１のインピーダンスよりも高くすることができる。これにより、領域Ａｒ２及び領域Ａｒ３の表面積を領域Ａｒ１の表面積よりも大きくし過ぎた場合にシャッター５１側の領域Ａｒ２のインピーダンスが下がり過ぎた状態を改善し、インピーダンス及びガスのコンダクタンスを調整することができる。 Further, impedance and gas conductance may be adjusted by forming a sprayed film of yttrium oxide or alumina in the regions Ar2 and Ar3 of the baffle plate 15 and performing surface treatment. By forming an insulating film on the surfaces of the regions Ar2 and Ar3 using thermal spraying or other coating techniques, the impedance of the regions Ar2 and Ar3 can be made higher than the impedance of the regions Ar1. As a result, when the surface area of the region Ar2 and the region Ar3 is made too large than the surface area of the region Ar1, the state in which the impedance of the region Ar2 on the shutter 51 side is too low can be improved, and the impedance and the conductance of the gas can be adjusted. can.

今回開示された一実施形態に係る基板処理装置は、すべての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。 The substrate processing apparatus according to one embodiment disclosed this time should be considered to be exemplary and not restrictive in all respects. The above embodiment can be modified and improved in various forms without departing from the scope of the attached claims and the gist thereof. The matters described in the plurality of embodiments may have other configurations within a consistent range, and may be combined within a consistent range.

本開示の基板処理装置は、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition ）装置、Capacitively Coupled Plasma(CCP)、Inductively Coupled Plasma(ICP)、Radial Line Slot Antenna、 Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR)、Helicon Wave Plasma(HWP)のどのタイプでも適用可能である。 The substrate processing apparatus of the present disclosure includes ALD (Atomic Layer Deposition) apparatus, Capacitively Coupled Plasma (CCP), Inductively Coupled Plasma (ICP), Radial Line Slot Antenna, Electron Cyclotron Resonance Plasma (ECR), and Helicon Wave Plasma (HWP). Any type is applicable.

１基板処理装置
１０処理容器
１１ステージ
１４排気路
１５バッフル板
１５ａ、１５ｂ、１５ｃ穴
１９搬送口
２０ゲートバルブ
２１第１高周波電源
２２第２高周波電源
２４ガスシャワーヘッド
２５静電チャック
３０エッジリング
４０処理ガス供給部
４３制御部
５１シャッター
５２デポシールド
Ａｘ軸
Ｕ処理空間
Ｗ基板 1 Board processing equipment 10 Processing container 11 Stage 14 Exhaust channel 15 Baffle plate 15a, 15b, 15c Hole 19 Conveyor port 20 Gate valve 21 1st high frequency power supply 22 2nd high frequency power supply 24 Gas shower head 25 Electrostatic chuck 30 Edge ring 40 processing Gas supply unit 43 Control unit 51 Shutter 52 Depot shield Ax axis U Processing space W Board

Claims

With the processing container
A high-frequency power supply that supplies high-frequency current,
With a member electrically connected to the processing container,
The member is
The surface area per unit volume of each of the plurality of regions of the member corresponding to the plurality of specific configurations in the processing container and the unit volume of the first region of the member which is a region other than the plurality of regions of the member. Configured so that the surface area per area is different,
Each region of the plurality of regions of the member and the first region have holes in each region.
The plurality of regions of the member and the first region have different aperture ratios of the holes.
Board processing equipment.

The member is
The shape of the hole formed in each region of the plurality of regions of the member is different from the shape of the hole formed in the first region of the member, or is formed in each region of the plurality of regions of the member. By making the number of holes different from the number of holes formed in the first region of the member, the plurality of regions of the member and the first region have different aperture ratios of the holes on the upper surface. Configure,
The substrate processing apparatus according to claim 1.

The diameter of the lower surface of the hole formed in each region of the plurality of regions of the member is larger than the diameter of the upper surface of the hole.
The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2.

The member is a baffle plate.
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3.

The baffle plate has a conical shape.
The substrate processing apparatus according to claim 4.

The plurality of specific configurations include a shutter and an exhaust port.
The plurality of regions of the member include a second region corresponding to the shutter and a third region corresponding to the exhaust port.
The holes formed in the second region are different in shape and / or number from the holes formed in the first region.
The holes formed in the third region are different in shape and / or number from the holes formed in the first region, and are different in shape and / or number from the holes formed in the second region. Is the same,
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5.

The member is a baffle plate electrically connected to the processing container.
The shutter is configured to come into contact with the baffle plate and the processing container when the shutter is closed and to be separated from the second region of the baffle plate when the shutter is opened.
The baffle plate is
The impedance of the high-frequency current path passing through the second region of the baffle plate and the processing container via the shutter allows the first region of the baffle plate and the processing container to pass through the shutter. It is configured to be substantially equal to the impedance of the path of the high frequency current passing through and the impedance of the path of the high frequency current passing through the third region of the baffle plate and the processing vessel.
The substrate processing apparatus according to claim 6.