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JP2022018480A - 固体撮像装置及びその製造方法 - Google Patents

固体撮像装置及びその製造方法 Download PDF

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electrode
solid
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麗菜 香川
Reina Kagawa
俊介 丸山
Shunsuke Maruyama
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Sony Semiconductor Solutions Corp
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Abstract

【課題】光電変換された電荷の蓄積中に、一部の電荷が電極に流入しないようにする。【解決手段】光電変換を行う第１基板と、光電変換された光電流を読み出す第２基板と、を積層させた固体撮像装置は、前記第１基板は、光電変換部と、前記光電変換部よりも前記第２基板側に配置され、前記光電変換部で光電変換された電荷を蓄積及び転送する第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜よりも前記第２基板側に配置され、前記光電変換部に対向して配置される第１電極と、前記第１絶縁膜よりも前記第２基板側に配置され、前記第１電極と離隔して配置される第２電極と、前記第２電極に対向して配置され、前記光電変換部と前記第１絶縁膜との界面から前記光電変換部の深さ方向に配置される不純物イオン拡散領域と、を有する。【選択図】図１

Description

本開示は、固体撮像装置及びその製造方法に関する。
有機センサやInGaAsセンサのような光電変換膜が形成された基板と読み出し回路が形成された基板とを積層した構造の固体撮像装置では、光電変換膜を完全空乏化できないため、光電変換された電荷を完全転送することができず、ｋＴＣノイズを除去できないという課題がある。
この課題の対策として、特許文献１は、光電変換層の下方に絶縁膜及び蓄積電極を配置して、蓄積電極の電位を制御することで、光電変換層で光電変換された電荷を、絶縁膜に蓄積し、その後に下部電極に転送している。
特開2017-157816号公報
しかしながら、特許文献１の素子構造では、光電変換層で光電変換された電荷を絶縁膜に蓄積する最中に、一部の電荷が下部電極に流れ込むという課題がある。
そこで、本開示では、光電変換された電荷の蓄積中に、一部の電荷が電極に流入しないようにした固定撮像装置及びその製造方法を提供するものである。
上記の課題を解決するために、本開示によれば、光電変換を行う第１基板と、光電変換された光電流を読み出す第２基板と、を積層させた固体撮像装置であって、
前記第１基板は、
光電変換部と、
前記光電変換部よりも前記第２基板側に配置され、前記光電変換部で光電変換された電荷を蓄積及び転送する第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜よりも前記第２基板側に配置され、前記光電変換部に対向して配置される第１電極と、
前記第１絶縁膜よりも前記第２基板側に配置され、前記第１電極と離隔して配置される第２電極と、
前記第２電極に対向して配置され、前記光電変換部と前記第１絶縁膜との界面から前記光電変換部の深さ方向に配置される不純物イオン拡散領域と、を有する、固体撮像装置が提供される。
前記不純物イオン拡散領域は、前記第２電極を前記光電変換部の表面に投影した投影面積の全域を含む領域に対向して前記光電変換部内に配置されてもよい。
前記不純物イオン拡散領域と前記第１絶縁膜との間に配置され、前記不純物イオン拡散領域よりもバンドギャップが広い半導体層を有してもよい。
前記第１基板は、
それぞれが前記光電変換部を有する複数の画素と、
前記第１絶縁膜よりも前記第２基板側で、かつ前記画素の境界に沿って配置され、固定電位に設定される第３電極と、を有し、
前記不純物イオン拡散領域の少なくとも一部は、前記光電変換部内の前記第３電極に対向する領域に配置されてもよい。
前記不純物イオン拡散領域は、前記第３電極を前記光電変換部の表面に投影した投影面積の全域を含む領域に対向して前記光電変換部内に配置されてもよい。
前記不純物イオン拡散領域は、
前記光電変換部内の前記第２電極に対向する領域に配置される第１拡散領域と、
前記光電変換部内の前記第３電極に対向する領域に配置される第２拡散領域と、を有し、
前記第１拡散領域及び前記第２拡散領域は、互いに接触するように配置されていてもよい。
前記不純物イオン拡散領域は、
前記光電変換部内の前記第２電極に対向する領域に配置される第１拡散領域と、
前記光電変換部内の前記第３電極に対向する領域に配置される第２拡散領域と、を有し、
前記第１拡散領域及び前記第２拡散領域は、互いに離隔して配置されていてもよい。
前記第１基板は、前記画素ごとに前記不純物イオン拡散領域に導通するコンタクトを有し、
前記不純物イオン拡散領域は、前記コンタクトに印加される電圧により、所定の電位に設定されてもよい。
前記光電変換部が配置された有効画素領域の外側に配置され、前記不純物イオン拡散領域に導通するコンタクトを備え、
前記不純物イオン拡散領域は、前記コンタクトに印加される電圧により、所定の電位に設定されてもよい。
前記不純物イオン拡散領域は、前記第１絶縁膜が蓄積及び転送する電荷とは逆極性の不純物イオンを拡散させた領域であってもよい。
前記第１絶縁膜及び前記第１電極の間に設けられ、前記第１絶縁膜とは異なる材料を含む第２絶縁膜を備えてもよい。
前記光電変換部と前記第１絶縁膜との界面から前記光電変換部の深さ方向に配置される柱状体を備え、
前記不純物イオン拡散領域は、前記柱状体の表面に沿って配置されてもよい。
前記第１基板は、前記光電変換部を間に挟んで前記第１電極とは反対側に配置される第４電極を備え、
前記不純物イオン拡散領域は、前記第４電極に接触するように配置されてもよい。
前記不純物イオン拡散領域は、前記光電変換部と前記第１絶縁膜との界面からの深さがそれぞれ相違し、それぞれが隣接して配置される第１拡散領域及び第２拡散領域を有してもよい。
前記第１拡散領域は、前記光電変換部の前記界面とは反対側の面に接しており、
前記第２拡散領域は、前記光電変換部の前記反対側の面よりも浅い深さ位置まで配置されてもよい。
前記不純物イオン拡散領域は、前記光電変換部と前記第１絶縁膜との界面から前記光電変換部の深さ方向に曲面形状で拡散されていてもよい。
前記第１絶縁膜は、前記光電変換部からの光電変換された電荷を蓄積する場合と、前記蓄積された電荷を前記第２電極に転送する場合とで、互いに異なる電位に設定されてもよい。
前記光電変換部は、極性が異なる複数種類の有機材料を含む有機光電変換部であり、
前記第１基板は、
前記第１電極及び前記第２電極を間に挟んで前記光電変換部と反対側に配置され、極性が異なる複数の無機材料を含む無機光電変換部を有し、
前記無機光電変換部は、複数の光波長域の光を別々に光電変換し、
前記有機光電変換部が光電変換する光波長域は、前記無機光電変換部が光電変換する光波長域とは相違してもよい。
本開示の他の一態様では、第１基板内の光電変換部に不純物イオンを注入及び拡散させて不純物イオン拡散領域を形成する工程と、
前記第１基板上に、前記光電変換部及び前記不純物イオン拡散領域に接するように第１絶縁膜を形成する工程と、
前記第１絶縁膜上に、前記光電変換部に対向するように第１電極を形成するとともに、前記不純物イオン拡散領域に対応するように第２電極を形成する工程と、
前記第１電極及び前記第２電極に接続される配線層を形成する工程と、
前記第１基板の前記配線層に第２基板の配線層を接続する工程と、
前記第１基板の前記配線層とは反対の面側を削って、前記第１基板を薄膜化する工程と、
前記第１基板の削った表面に第３電極を形成する工程と、を備える、固体撮像装置の製造方法が提供される。
前記不純物イオン拡散領域を形成する工程は、前記光電変換部の表面から深さ方向にトレンチを形成し、形成された前記トレンチ内に不純物イオンを注入して前記不純物イオン拡散領域を形成する、請求項１９に記載の固体撮像装置の製造方法。
本開示の第１の実施形態による固体撮像装置の断面図。 電荷蓄積時の蓄積電極と下部電極のポテンシャル変化を示す図。 電荷転送時の蓄積電極と下部電極のポテンシャル変化を示す図。 本実施形態の一変形例による固体撮像装置の断面図。 図３の固体撮像装置のより詳細な断面図。 第２変形例による固体撮像装置の断面図。 ４画素分のレイアウトを示す図。 図４の固体撮像装置の第１変形例によるレイアウト図。 図４の固体撮像装置の第２変形例によるレイアウト図。 図４の固体撮像装置の第３変形例によるレイアウト図。 ２画素で１つの下部電極を共有する一例を示すレイアウト図。 ４画素で１つの下部電極を共有する一例を示すレイアウト図。 図４の固体撮像装置の第４変形例によるレイアウト図。 図４の固体撮像装置の第５変形例による断面図。 図１３の固体撮像装置のレイアウト図。 不純物イオン拡散領域に接続されるコンタクトの一例を示す断面図。 固体撮像装置の第１基板の断面構造を示す図。 図４の固体撮像装置の製造工程を示す工程図。 図１７Ａに続く工程図。 図１７Ｂに続く工程図。 図１７Ｃに続く工程図。 図１７Ｄに続く工程図。 図１７Ｅに続く工程図。 図１７Ｆに続く工程図。 図１７Ｇに続く工程図。 図１７Ｈに続く工程図。 図１７Ｉに続く工程図。 図１７Ｊに続く工程図。 図１７Ｋに続く工程図。 第２の実施形態による固体撮像装置の単位画素の断面図。 図１８の固体撮像装置の下部電極と蓄積電極の平面配置を示すレイアウト図。 本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図。 撮像部の設置位置の一例を示す図。
以下、図面を参照して、固体撮像装置及びその製造方法の実施形態について説明する。以下では、固体撮像装置及びその製造方法の主要な構成部分を中心に説明するが、固体撮像装置及びその製造方法には、図示又は説明されていない構成部分や機能が存在しうる。以下の説明は、図示又は説明されていない構成部分や機能を除外するものではない。
（第１の実施形態）
図１は本開示の第１の実施形態による固体撮像装置１の断面図である。図１の固体撮像装置１は、第１基板２を備えており、第１基板２には光電変換部３が設けられている。光電変換部３の一方の面上には上部電極４が配置されている。光電変換部３の反対側の面上には第１絶縁膜５が配置されている。第１絶縁膜５上には第２絶縁膜６が配置されている。第２絶縁膜６内には、蓄積電極７と、下部電極８とが互いに離隔して配置されている。
光電変換部３は、上部電極４側にＰ＋層３ａを有し、下部電極８側にＮ層又はNon-doped層（ｉ層とも呼ぶ）３ｂを有する。光電変換部３の材料は、例えばシリコン（Ｓｉ）やゲルマニウム（Ｇｅ）、ＳｉＧｅである。あるいは、光電変換部３の材料は、ＩｎＧａＡｓやＩｎＡｓなどの化合物半導体や有機半導体などでもよい。
第１絶縁膜５は、光電変換部３で光電変換された電荷を蓄積及び転送できるようなポテンシャルを持つ材料が好ましい。例えば、光電変換部３がＩｎＧａＡｓの場合、第１絶縁膜５の材料はＩＧＺＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２、Ｚｎ２ＳｎＯ４などである。また、第１絶縁膜５が正孔を蓄積及び転送する場合、第１絶縁膜５の材料はＮｉＯやＭｏＯｘなどである。
第２絶縁膜６は、第１絶縁膜５とは異なる材料で形成される。より具体的には、第２絶縁膜６の材料は、例えばＳｉＯ２、アルミナ、ＨｆＯ２などである。
上部電極４は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明電極である。透明電極とは、光電変換部３で光電変換する光波長域の光を透過させる電極を意味する。蓄積電極７と下部電極８は、上部電極４と同じ材料で形成されてもよいし、異なる材料で形成されてもよい。
光電変換部３は、不純物イオン拡散領域９を有する。この不純物イオン拡散領域９は、光電変換部３と第１絶縁膜５の界面から、光電変換部３の深さ方向（上部電極４の方向）に設けられている。不純物イオン拡散領域９は、下部電極８を覆うように配置されている。より詳細には、不純物イオン拡散領域９は、下部電極８を光電変換部３の表面に投影した投影面積の全域を含む領域に対向するように光電変換部３内に配置されている。不純物イオン拡散領域９は、光電変換部３の表面、すなわち光電変換部３と第１絶縁膜５の界面から不純物イオンを注入して、不純物イオンが光電変換部３内で拡散することにより形成される領域である。拡散により形成されることから、不純物イオン拡散領域９の光電変換部３内での境界面は、曲面形状になる。
不純物イオン拡散領域９は、第１絶縁膜５に蓄積される電荷とは逆極性の不純物イオンを含んでいる。不純物イオン拡散領域９は、光電変換部３で光電変換された電荷を再結合させるため、光電変換部３で光電変換された電荷を第１絶縁膜５が蓄積している最中に、光電変換部３で光電変換された電荷が下部電極８に流れ込まなくなる。これにより、固体撮像装置１のノイズを抑制できる。
図２Ａ及び図２Ｂは蓄積電極７と下部電極８のポテンシャル変化を示す図である。図２Ａ及び図２Ｂは、第１絶縁膜５が蓄積及び転送する電荷が電子である例を示している。光電変換部３で光電変換された電子は、図２Ａに示すように、蓄積電極７の電位を高くすることにより、光電変換部３から第１絶縁膜５に電子が移動する。この状態では、蓄積電極７の両側にポテンシャルの壁ができるため、第１絶縁膜５に電子が蓄積される。その後、図２Ｂに示すように、蓄積電極７の電位を低くすることにより、蓄積電極７と下部電極８との間のポテンシャルの壁が低くなり、蓄積電極７から下部電極８に電子が転送される。
図３は本実施形態の一変形例による固体撮像装置１の断面図である。図３の固体撮像装置１は、図１の構造にシールド電極１１を追加し、光電変換部３内のシールド電極１１に対向する場所に不純物イオン拡散領域９を設けている。シールド電極１１は、画素間の分離のために設けられる。シールド電極１１は、第２絶縁膜６内に設けられ、蓄積電極７や下部電極８とは分離して配置されている。シールド電極１１は固定電位に設定され、図３の下側に示すように、第１絶縁膜５に電子を蓄積する際に、蓄積電極７とシールド電極１１との間にポテンシャルの壁ができるようにしている。
図３の光電変換部３は、下部電極８に対向する場所に配置される不純物イオン拡散領域９（以下、第１拡散領域９ａとも呼ぶ）と、シールド電極１１に対向する場所に配置される不純物イオン拡散領域９（以下、第２拡散領域９ｂとも呼ぶ）とを有する。
第１拡散領域９ａは、光電変換部３と第１絶縁膜５との界面から光電変換部３の深さ方向（上部電極４の方向）に設けられる。第２拡散領域９ｂは、光電変換部３と第１絶縁膜５との界面から光電変換部３の深さ方向（上部電極４の方向）に設けられている。第２拡散領域９ｂは、シールド電極１１を覆うように配置されている。より詳細には、第２拡散領域９ｂは、シールド電極１１を光電変換部３の表面に投影した投影面積の全域を含む領域に対向して光電変換部３内に配置される。第１拡散領域９ａと第２拡散領域９ｂはいずれも、第１絶縁膜５が蓄積及び転送する電荷とは逆極性の不純物イオンを注入及び拡散させた領域である。第１拡散領域９ａと第２拡散領域９ｂは、互いに接触して電気的に導通していてもよい。あるいは、第１拡散領域９ａと第２拡散領域９ｂは、電気的に導通しないように互いに離隔して配置されていてもよい。
これら第１拡散領域９ａと第２拡散領域９ｂを設けることで、第１絶縁膜５が電荷を蓄積している最中に、光電変換部３から下部電極８とシールド電極１１に電荷が流れ込むのを防止できる。
図１～図３では省略しているが、本実施形態による固体撮像装置１、１ａは、光電変換部３を有する第１基板２と、光電変換された光電流を読み出す第２基板とを積層させた構造を備えている。図４は図３の固体撮像装置１のより詳細な断面図である。図４の固体撮像装置１は、第１基板２の各電極７，８，１１に接続される配線層１３ａと第２基板１０の配線層１３ｂとを接続することで、第１基板２と第２基板１０を積層している。配線層１３ａ、１３ｂ同士の接続は、Ｃｕ－Ｃｕ接合、バンプ、ビア等により行われる。
図１では省略しているが、図１の固体撮像装置１における各電極７，８上の配線層１３ａにも、第２基板１０の配線層１３ｂが接続される。また、以下に説明する種々の変形例による固体撮像装置１においても、断面図では省略するものの、実際には第１基板２の配線層１３ａに第２基板１０の配線層１３ｂが接続されて、第１基板２と第２基板１０が積層される。
図５は第２変形例による固体撮像装置１の断面図である。図５の固体撮像装置１は、不純物イオン拡散領域９と第１絶縁膜５の間に、不純物イオン拡散領域９よりもバンドギャップが広い半導体層１４を配置している。半導体層１４の材料は、例えばＩｎＰなどである。このような半導体層１４を設けることで、不純物イオン拡散領域９や光電変換部３の内部の結晶欠陥等により発生された自由電子を半導体層１４の内部で再結合させることができ、暗電流を抑制できる。後述するように、第１基板２としてＩｎＰ基板を用いる場合には、ＩｎＰ基板と第２基板１０を積層した後にＩｎＰ基板のすべてをエッチング除去する代わりに、ＩｎＰ基板の一部を上述した半導体層１４として残すことで、図５の断面構造を比較的容易に形成できる。
なお、図５では、不純物イオン拡散領域９を構成する第１拡散領域９ａと第２拡散領域９ｂの双方と第１絶縁膜５との間に半導体層１４を設けているが、いずれか一方のみに設けてもよい。また、図１の固体撮像装置１内の不純物イオン拡散領域９と第１絶縁膜５との間に図５と同様の半導体層１４を設けてもよい。
次に、本実施形態による固体撮像装置１のレイアウト配置について説明する。図６は図４の固体撮像装置１のレイアウト図である。図６は４画素分のレイアウトを示している。図６に示すように、各画素の蓄積電極７の直上を除く画素領域は不純物イオン拡散領域９で覆われている。図６の例では、下部電極８を覆う第１拡散領域９ａと、シールド電極１１を覆う第２拡散領域９ｂは接続されており、第１拡散領域９ａと第２拡散領域９ｂは同電位である。
図７は図４の固体撮像装置１の第１変形例によるレイアウト図である。図７では、図６と異なり、下部電極８を覆う第１拡散領域９ａと、シールド電極１１を覆う第２拡散領域９ｂとが離隔して配置されている。図７の場合、第１拡散領域９ａと第２拡散領域９ｂをそれぞれ異なる電位に設定できる。
図８は図４の固体撮像装置１の第２変形例によるレイアウト図である。図８では、蓄積電極７の周囲を取り囲むように下部電極８を配置し、さらに下部電極８を取り囲むようにシールド電極１１を配置している。下部電極８を覆う第１拡散領域９ａと、シールド電極１１を覆う第２拡散領域９ｂとは接続されている。
図８の場合、蓄積電極７から下部電極８までの距離のばらつきを抑制でき、蓄積電極７から下部電極８までの電荷の転送距離を短くできる。また、図８の場合も、第１絶縁膜５に電荷を蓄積中に、光電変換部３で光電変換された電荷が下部電極８やシールド電極１１に流れ込むおそれを防止できる。
図９は図４の固体撮像装置１の第３変形例によるレイアウト図である。図９は、図８と異なり、下部電極８を覆う第１拡散領域９ａと、シールド電極１１を覆う第２拡散領域９ｂとが分離して配置されている。よって、第１拡散領域９ａと第２拡散領域９ｂをそれぞれ異なる電位に設定できる。
図１０は２画素で１つの下部電極８を共有する一例を示すレイアウト図である。図１０では、横方向Ｘに並ぶ２つの蓄積電極７の間に下部電極８が配置され、２つの蓄積電極７の周囲を囲むようにシールド電極１１が配置されている。シールド電極１１は、縦方向Ｙに並ぶ２つの蓄積電極７の間に配置されている。図１０において、下部電極８を覆う第１拡散領域９ａと、シールド電極１１を覆う第２拡散領域９ｂとは接続されており、第１拡散領域９ａと第２拡散領域９ｂは同電位に設定される。
図１１は４画素で１つの下部電極８を共有する一例を示すレイアウト図である。図１１では、横方向Ｘに並ぶ２つの蓄積電極７と縦方向Ｙに並ぶ２つの蓄積電極７を合わせた計４つの蓄積電極７の中央に下部電極８を配置している。シールド電極１１は、各蓄積電極７の周囲と下部電極８の周囲を囲むように配置されている。下部電極８を覆う第１拡散領域９ａと、シールド電極１１を覆う第２拡散領域９ｂとは接続されている。
図１０及び図１１のように、複数の画素で下部電極８を共有することにより、蓄積電極７のサイズを大きくすることができ、感度向上が図れる。あるいは、蓄積電極７のサイズを変えることなく、画素サイズを縮小でき、微細化が可能になる。
図１２は図４の固体撮像装置１の第４変形例によるレイアウト図である。図１２の固体撮像装置１は、光電変換部３にトレンチ１５を配置し、トレンチ１５の内部に不純物イオンを注入して拡散させることにより、光電変換部３内に不純物イオン拡散領域９を形成している。トレンチ１５の深さ制御は比較的正確に行えるため、トレンチ１５の内部に不純物イオンを注入して拡散させることにより、光電変換部３の第１絶縁膜５との界面から深さ方向への不純物イオンの拡散制御をより精度よく行うことができ、微細化が可能となる。なお、トレンチ１５は充填物で充填される。充填物は、絶縁材料でもよいし、絶縁材料と金属材料の混合材料でもよい。このように、トレンチ１５の内部に絶縁材料等を充填することで柱状体１６が形成される。図１２では、柱状体１６の表面から光電変換部３内に不純物イオン拡散領域９が配置されている。
図１２の不純物イオン拡散領域９は、トレンチ１５の底部から上部電極４側に延びるため、上部電極４と導通する位置まで、深さ方向に延ばすことが比較的容易に行える。これにより、不純物イオン拡散領域９の電位を上部電極４にて設定できる。
図１３は図４の固体撮像装置１の第５変形例による断面図である。図１３の固体撮像装置１は、図１２と同様に、光電変換部３にトレンチ１５を形成した後、トレンチ１５内に不純物イオンを注入及び拡散して、深さの大きい第１不純物イオン拡散領域９ｃを形成するとともに、第１不純物イオン拡散領域９ｃに隣接して、深さの浅い第２不純物イオン拡散領域９ｄを形成する。
第２不純物イオン拡散領域９ｄは、深さは浅いが、面方向の広がりを大きくしている。第２不純物イオン拡散領域９ｄの配置場所における第２不純物イオン拡散領域９ｄと上部電極４との間には、光電変換部３が配置されており、光電変換を行うことができる。このように、第１不純物イオン拡散領域９ｃの他に、深さの浅い第２不純物イオン拡散領域９ｄを設けることで、第１絶縁膜５が電荷を蓄積している最中に、下部電極８に電荷が流れ込むおそれをより確実に防止できるとともに、第２不純物イオン拡散領域９ｄの周囲では光電変換を行うことができるため、感度向上を図れる。第１不純物イオン拡散領域９ｃの面方向の幅を狭くして、かつ上部電極４と接触させることにより第１不純物イオン拡散領域９ｃを所定の電位に固定できるため、第１不純物イオン拡散領域９ｃと第２不純物イオン拡散領域９ｄに接続されるコンタクトを設けなくて済み、微細化が可能となる。
図１４は図１３の固体撮像装置１のレイアウト図である。蓄積電極７と下部電極８の周囲は、深さの大きい第１不純物イオン拡散領域９ｃで囲まれている。下部電極８は、深さの浅い第２不純物イオン拡散領域９ｄで覆われている。このように、深さの異なる２種類の不純物イオン拡散領域９を設けることで、第１絶縁膜５に電荷を蓄積している最中に、電荷が下部電極８に流れ込むおそれを確実に防止できるだけでなく、深さの浅い第２不純物イオン拡散領域９ｄの配置場所の上方（上部電極４側）では、光電変換を行うことができ、感度向上が図れる。
図１～図１４に示した不純物イオン拡散領域９は、所定の電位に固定される。不純物イオン拡散領域９を所定の電位に固定するために、不純物イオン拡散領域９にコンタクトを接続して、コンタクトに所定の電位を付与する。図１５は不純物イオン拡散領域９に接続されるコンタクト１７の一例を示す断面図である。図１５の例では、撮像を行う有効画素エリアの外側に、撮像に寄与しない周辺ダミー画素エリアを設けて、この周辺画素エリア内に、コンタクト１７に接続された不純物イオン拡散領域９を設けている。光電変換部３には、画素ごとに複数の不純物イオン拡散領域９が設けられているが、例えば図６に示すように、いずれの不純物イオン拡散領域９も繋がっている。よって、周辺ダミー画素エリア内の不純物イオン拡散領域９にコンタクト１７を接続して所定の電位を付与することにより、光電変換部３内のすべての不純物イオン拡散領域９の電位を固定にすることができる。
一方、図７や図９等に示すように、下部電極８を覆う不純物イオン拡散領域９ａと、シールド電極１１を覆う不純物イオン拡散領域９ｂとが分離している場合、例えば、シールド電極１１を覆う不純物イオン拡散領域９ｂは、周辺ダミー画素エリア内の不純物イオン拡散領域９と接続することで、図１５と同様にして電位を固定にすることができる。下部電極８を覆う不純物イオン拡散領域９ａについては、画素ごとに下部電極８を覆う不純物イオン拡散領域９ａに接続されるコンタクトを設けて、このコンタクトに所定の電位を付与してもよい。
上述した図１～図１４では、光電変換部３で光電変換された電子を第１絶縁膜５に蓄積して下部電極８に転送する例を説明したが、電子の代わりに正孔を第１絶縁膜５に蓄積して下部電極８に転送してもよい。図１６は正孔を第１絶縁膜５に蓄積して下部電極８に転送する固体撮像装置１の断面図である。
図１６は固体撮像装置１の第１基板２の断面構造を示している。実際には、図４に示すように、第１基板２上の配線層と第２基板１０上の配線層とがＣｕ－Ｃｕ接合等により接続されて積層される。
図１６の第１基板２は、光電変換部３と、光電変換部３の一主面上に配置される上部電極４と、光電変換部３の反対側の一主面上に配置される第１絶縁膜５と、第１絶縁膜５上に配置される第２絶縁膜６と、第２絶縁膜６上にそれぞれ離隔して配置される蓄積電極７、下部電極８及びシールド電極１１とを有する。
光電変換部３は、Ｎ＋層３ｃと、Ｐ層又はNon-doped層（ｉ層）３ｄとを有する。Ｐ層又はｉ層３ｄは第１絶縁膜５に接する側に配置され、Ｎ＋層３ｃは上部電極４に接する側に配置されている。第１絶縁膜５は、光電変換部３で光電変換された正孔を蓄積して転送することが可能なポテンシャルを有する。
光電変換部３には、下部電極８を覆う不純物イオン拡散領域９（第１拡散領域９ａ）と、シールド電極１１を覆う不純物イオン拡散領域９（第２拡散領域９ｂ）とが設けられている。第１拡散領域９ａ及び第２拡散領域９ｂは、Ｎ＋の不純物イオンが拡散された領域である。このため、光電変換部３で光電変換された正孔が第１拡散領域９ａ又は第２拡散領域９ｂに流れ込むと、第１拡散領域９ａ又は第２拡散領域９ｂ内で電子と再結合する。よって、正孔が第１拡散領域９ａから下部電極８に流れ込むおそれを回避できる。
このように、図１６の固体撮像装置１は、光電変換部３と不純物イオン拡散領域９の導電型が図１等とは異なっており、第１絶縁膜５の材料も図１の第１絶縁膜５とは異なる。図１６の第１絶縁膜５の材料は、例えばＮｉＯやＭｏＯｘなどである。
図１７Ａ～図１７Ｌは図４の固体撮像装置１の製造工程を示す工程図である。まず、図１７Ａに示すように、ＩｎＰ基板２１上に、ＩｎＧａＡｓ層２２、Ｐ＋ＩｎＰ層２３、及びｉ（又はＮ）－ＩｎＧａＡｓ層２４を順にエピタキシャル成長させる。
次に、図１７Ｂに示すように、ｉ（又はＮ）－ＩｎＧａＡｓ層２４の上にハードマスク２５を形成する。次に、図１７Ｃに示すように、ハードマスク２５越しに不純物イオン（例えばＺｎイオン）を注入して拡散させ、不純物イオン拡散領域９を形成する。ここでは、Ｐ＋の不純物イオンがＩｎＰ基板２１に到達するように、不純物イオンを拡散させる。
次に、図１７Ｄに示すようにハードマスク２５を除去した後、図１７Ｅに示すように、ｉ（又はＮ）－ＩｎＧａＡｓ層２４及び不純物イオン拡散領域９の上に、ＩＧＺＯなどを材料とする第１絶縁膜５を形成する。次に、図１７Ｆに示すように、第１絶縁膜５の上に、ＳｉＯ２などを材料とする第２絶縁膜６を形成する。次に、図１７Ｇに示すように、リソグラフィによる第２絶縁膜６のパターニングにより、第２絶縁膜６に開口を形成する。次に、図１７Ｈに示すように、第２絶縁膜６の開口部分に下部電極８を形成するとともに、第２絶縁膜６の上に、蓄積電極７とシールド電極１１を形成する。
次に、図１７Ｉに示すように、蓄積電極７、下部電極８及びシールド電極１１のそれぞれに接続される配線層１３ａを形成する。次に、図１７Ｊに示すように、図１７Ｉの工程まで行った第１基板２と、配線層１３ｂが形成された第２基板１０とを積層する。ここでは、第１基板２の配線層１３ａと第２基板１０の配線層１３ｂとをＣｕ－Ｃｕ接合、バンプ、ビア等により接続する。
次に、図１７Ｋに示すように、第１基板２内のＩｎＧａＡｓ層２２をエッチングストッパとして、第１基板２上のＩｎＰ基板２１をエッチング除去する。次に、図１７Ｌに示すように、第１基板２のＩｎＧａＡｓ層２２を除去し、Ｐ＋ＩｎＰ層２３を露出させる。次に、図４に示すように、Ｐ＋ＩｎＰ層２３の上に上部電極４を形成する。
このように、第１の実施形態による固体撮像装置１は、少なくとも下部電極８に対向させて光電変換部３内に不純物イオン拡散領域９を形成するため、光電変換部３で光電変換された電荷を第１絶縁膜５に蓄積している最中に、一部の電荷が光電変換部３から下部電極８に流れ込むおそれがなくなる。また、シールド電極１１に対向させて光電変換部３内に不純物イオン拡散領域９を形成することで、シールド電極１１への電荷の流れ込みも防止できる。よって、本実施形態によれば、撮像画像のノイズを抑制できる。
（第２の実施形態）
図１等に示す固体撮像装置１は、単一の光波長域の光を光電変換する例を示しており、光波長域は、例えば赤外光又は遠赤外光帯域である。これに対して、以下に説明する第２の実施形態による固体撮像装置１は、複数の光波長帯域に分けて光電変換するものである。
図１８は第２の実施形態による固体撮像装置１の単位画素の断面図である。図１９は図１８の固体撮像装置１の下部電極８と蓄積電極７の平面配置を示すレイアウト図である。図１９に示すように、図１８の固体撮像装置１は、４つの単位画素Ｐで１つの下部電極８を共有し、単位画素Ｐごとに蓄積電極７が配置されている。図１８は図１９のＡ－Ａ線方向の断面構造を示している。
図１８の固体撮像装置１は、１つの有機光電変換部３１と、２つの無機光電変換部３２Ｒ、３２Ｂとが縦方向に積層された、いわゆる縦方向分光型の構成を備えている。２つの無機光電変換部３２Ｒ、３２Ｂは、半導体基板３３の内部に配置されている。半導体基板３３と有機光電変換部３１の間には、固定電荷層３４、誘電体層３５及び層間絶縁層３６が順に積層されている。
有機光電変換部３１は、層間絶縁層３６の上に配置される蓄積電極７、障壁調整電極３７及び下部電極８と、これら電極７，３７，８の上に配置される第１絶縁膜５と、第１絶縁膜５の上に配置される光電変換部３と、光電変換部３の上に配置される上部電極４とを有する。
光電変換部３の下部電極８と接続される箇所の周辺には、図１と同様に不純物イオン拡散領域９が形成されている。このため、光電変換部３で光電変換された電荷を第１絶縁膜５が記憶している最中に、下部電極８に電荷が流れ込むことを防止できる。
蓄積電極７、障壁調整電極３７及び下部電極８は、それぞれコンタクト３８ａ，３８ｂ，３８ｃを介してパッド３９ａ，３９ｂ，３９ｃに接続されている。下部電極８の下方のパッド３９ｃは、深さ方向に延びる貫通電極４０に接続されている。貫通電極４０は、基板面方向に延びる接続部４１に接続されており、接続部４１は、コンタクト４２を介してフローティングディフュージョンＦＤ１に接続されている。リセットトランジスタＲＳＴは、有機光電変換部３１からフローティングディフュージョンＦＤ１に転送された電荷をリセットする。リセットトランジスタＲＳＴは、リセットゲート４３ａと、チャネル形成領域４３ｂと、ソース／ドレイン領域４３ｃ，４３ｄとを有する。リセットトランジスタＲＳＴの一方のソース／ドレイン領域４３ｃは、フローティングディフュージョンＦＤ１を兼ねている。リセットトランジスタＲＳＴを構成する他方のソース／ドレイン領域４３ｄは、電源ＶＤＤに接続されている。
アンプトランジスタＡＭＰは、有機光電変換部３１で生じた電荷量を電圧に変調する。具体的には、アンプトランジスタＡＭＰは、ゲート４４ａと、チャネル形成領域４４ｂと、ソース／ドレイン領域４４ｃ，４４ｄとを有する。ゲート４４ａは、下部第１コンタクト４５、接続部４１、下部第２コンタクト４２を介して、リセットトランジスタＲＳＴの一方のソース／ドレイン領域４３ｃ（フローティングディフュージョンＦＤ１）に接続されている。また、アンプトランジスタＡＭＰの一方のソース／ドレイン領域４４ｃは、リセットトランジスタＲＳＴを構成する他方のソース／ドレイン領域４３ｄと、領域を共有しており、電源ＶＤＤに接続されている。
選択トランジスタＳＥＬは、ゲート４６ａと、チャネル形成領域４６ｂと、ソース／ドレイン領域４６ｃ，４６ｄとを有する。ゲート４６ａは、選択線ＳＥＬ１に接続されている。また、一方のソース／ドレイン領域４６ｃは、アンプトランジスタＡＭＰを構成する他方のソース／ドレイン領域４４ｄと、領域を共有しており、他方のソース／ドレイン領域４６ｄは、不図示の信号線（データ出力線）に接続されている。
無機光電変換部３２Ｒ、３２Ｂは、それぞれ半導体基板３３の所定領域にｐｎ接合を有する。無機光電変換部３２Ｒ、３２Ｂは、シリコン基板において光の入射深さに応じて吸収される光の波長が異なることを利用して縦方向に光を分光することを可能としている。
無機光電変換部３２Ｂは、青色光を選択的に検出して青色に対応する信号電荷を蓄積させるものであり、青色光を効率的に光電変換可能な深さに設置されている。無機光電変換部３２Ｒは、赤色光を選択的に検出して赤色に対応する信号電荷を蓄積させるものであり、赤色光を効率的に光電変換可能な深さに設置されている。なお、青（Ｂ）は、例えば４５０ｎｍ～４９５ｎｍの波長域、赤（Ｒ）は、例えば６２０ｎｍ～７５０ｎｍの波長域にそれぞれ対応する色である。無機光電変換部３２Ｒ、３２Ｂはそれぞれ、各波長域のうちの一部または全部の波長域の光を検出可能となっていればよい。
無機光電変換部３２Ｒ、３２Ｂは、例えば、正孔蓄積層となるｐ＋領域と、電子蓄積層となるｎ領域とを含んで構成されている。無機光電変換部３２Ｒ、３２Ｂは、例えば、正孔蓄積層となるｐ＋領域と、電子蓄積層となるｎ領域とを有する（ｐ－ｎ－ｐの積層構造を有する）。無機光電変換部３２Ｒ、３２Ｂのｎ領域は、縦型の転送トランジスタＴｒ１に接続されている。無機光電変換部３２Ｒ、３２Ｂのｐ＋領域は、転送トランジスタＴｒ２に沿って屈曲している。
転送トランジスタＴｒ１は、無機光電変換部３２Ｂにおいて発生して蓄積された、青色に対応する信号電荷（ここでは、電子）を、フローティングディフュージョンＦＤ２に転送する。無機光電変換部３２Ｂは半導体基板３３の第２面３３Ｓ２から深い位置に形成されているので、無機光電変換部３２Ｂの転送トランジスタＴｒ１は縦型のトランジスタにより構成されていることが好ましい。また、転送トランジスタＴｒ１は、不図示の転送ゲート線に接続されている。更に、転送トランジスタＴｒ１のゲート４７ａの近傍の領域４７ｂには、フローティングディフュージョンＦＤ２が設けられている。無機光電変換部３２Ｂに蓄積された電荷は、ゲート４７ａに沿って形成される転送チャネルを介してフローティングディフュージョンＦＤ２に読み出される。
転送トランジスタＴｒ２は、無機光電変換部３２Ｒにおいて発生し、蓄積された赤色に対応する信号電荷（ここでは、電子）を、フローティングディフュージョンＦＤ３に転送するものであり、例えばＭＯＳトランジスタにより構成されている。また、転送トランジスタＴｒ２は、不図示の転送ゲート線に接続されている。更に、転送トランジスタＴｒ２のゲート４８ａの近傍の領域４８ｂには、フローティングディフュージョンＦＤ３が設けられている。無機光電変換部３２Ｒに蓄積された電荷は、ゲート４８ａに沿って形成される転送チャネル４８ｃを介してフローティングディフュージョンＦＤ３に読み出される。
このように、第２の実施形態による固体撮像装置１においても、光電変換部３内の下部電極８に接続される箇所付近に不純物イオン拡散領域９を設けるため、第１絶縁膜５が電荷を蓄積している最中に光電変換部３で光電変換された電荷が下部電極８に流れ込まなくなり、ノイズ低減が図れる。
＜本開示に係る技術の適用例＞
本開示に係る技術は、様々な製品に適用することができる。以下に、より具体的な適用例について説明する。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット、建設機械、農業機械（トラクター）などのいずれかの種類の移動体に搭載される測距装置として実現されてもよい。
［移動体］
図２０は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システム７０００の概略的な構成例を示すブロック図である。車両制御システム７０００は、通信ネットワーク７０１０を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図２０に示した例では、車両制御システム７０００は、駆動系制御ユニット７１００、ボディ系制御ユニット７２００、バッテリ制御ユニット７３００、車外情報検出ユニット７４００、車内情報検出ユニット７５００、及び統合制御ユニット７６００を備える。これらの複数の制御ユニットを接続する通信ネットワーク７０１０は、例えば、ＣＡＮ（Controller Area Network）、ＬＩＮ（Local Interconnect Network）、ＬＡＮ（Local Area Network）又はＦｌｅｘＲａｙ（登録商標）等の任意の規格に準拠した車載通信ネットワークであってよい。
各制御ユニットは、各種プログラムにしたがって演算処理を行うマイクロコンピュータと、マイクロコンピュータにより実行されるプログラム又は各種演算に用いられるパラメータ等を記憶する記憶部と、各種制御対象の装置を駆動する駆動回路とを備える。各制御ユニットは、通信ネットワーク７０１０を介して他の制御ユニットとの間で通信を行うためのネットワークＩ／Ｆを備えるとともに、車内外の装置又はセンサ等との間で、有線通信又は無線通信により通信を行うための通信Ｉ／Ｆを備える。図２０では、統合制御ユニット７６００の機能構成として、マイクロコンピュータ７６１０、汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０、専用通信Ｉ／Ｆ７６３０、測位部７６４０、ビーコン受信部７６５０、車内機器Ｉ／Ｆ７６６０、音声画像出力部７６７０、車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０及び記憶部７６９０が図示されている。他の制御ユニットも同様に、マイクロコンピュータ、通信Ｉ／Ｆ及び記憶部等を備える。
駆動系制御ユニット７１００は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット７１００は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。駆動系制御ユニット７１００は、ＡＢＳ（Antilock Brake System）又はＥＳＣ（Electronic Stability Control）等の制御装置としての機能を有してもよい。
駆動系制御ユニット７１００には、車両状態検出部７１１０が接続される。車両状態検出部７１１０には、例えば、車体の軸回転運動の角速度を検出するジャイロセンサ、車両の加速度を検出する加速度センサ、あるいは、アクセルペダルの操作量、ブレーキペダルの操作量、ステアリングホイールの操舵角、エンジン回転数又は車輪の回転速度等を検出するためのセンサのうちの少なくとも一つが含まれる。駆動系制御ユニット７１００は、車両状態検出部７１１０から入力される信号を用いて演算処理を行い、内燃機関、駆動用モータ、電動パワーステアリング装置又はブレーキ装置等を制御する。
ボディ系制御ユニット７２００は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット７２００は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット７２００には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット７２００は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。
バッテリ制御ユニット７３００は、各種プログラムにしたがって駆動用モータの電力供給源である二次電池７３１０を制御する。例えば、バッテリ制御ユニット７３００には、二次電池７３１０を備えたバッテリ装置から、バッテリ温度、バッテリ出力電圧又はバッテリの残存容量等の情報が入力される。バッテリ制御ユニット７３００は、これらの信号を用いて演算処理を行い、二次電池７３１０の温度調節制御又はバッテリ装置に備えられた冷却装置等の制御を行う。
車外情報検出ユニット７４００は、車両制御システム７０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット７４００には、撮像部７４１０及び車外情報検出部７４２０のうちの少なくとも一方が接続される。撮像部７４１０には、ＴｏＦ（Time Of Flight）カメラ、ステレオカメラ、単眼カメラ、赤外線カメラ及びその他のカメラのうちの少なくとも一つが含まれる。車外情報検出部７４２０には、例えば、現在の天候又は気象を検出するための環境センサ、あるいは、車両制御システム７０００を搭載した車両の周囲の他の車両、障害物又は歩行者等を検出するための周囲情報検出センサのうちの少なくとも一つが含まれる。
環境センサは、例えば、雨天を検出する雨滴センサ、霧を検出する霧センサ、日照度合いを検出する日照センサ、及び降雪を検出する雪センサのうちの少なくとも一つであってよい。周囲情報検出センサは、超音波センサ、レーダ装置及びＬＩＤＡＲ（Light Detection and Ranging、Laser Imaging Detection and Ranging）装置のうちの少なくとも一つであってよい。これらの撮像部７４１０及び車外情報検出部７４２０は、それぞれ独立したセンサないし装置として備えられてもよいし、複数のセンサないし装置が統合された装置として備えられてもよい。
ここで、図２１は、撮像部７４１０及び車外情報検出部７４２０の設置位置の例を示す。撮像部７９１０，７９１２，７９１４，７９１６，７９１８は、例えば、車両７９００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部のうちの少なくとも一つの位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部７９１０及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部７９１８は、主として車両７９００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部７９１２，７９１４は、主として車両７９００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部７９１６は、主として車両７９００の後方の画像を取得する。車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部７９１８は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。
尚、図２１には、それぞれの撮像部７９１０，７９１２，７９１４，７９１６の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲ａは、フロントノーズに設けられた撮像部７９１０の撮像範囲を示し、撮像範囲ｂ，ｃは、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部７９１２，７９１４の撮像範囲を示し、撮像範囲ｄは、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部７９１６の撮像範囲を示す。例えば、撮像部７９１０，７９１２，７９１４，７９１６で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両７９００を上方から見た俯瞰画像が得られる。
車両７９００のフロント、リア、サイド、コーナ及び車室内のフロントガラスの上部に設けられる車外情報検出部７９２０，７９２２，７９２４，７９２６，７９２８，７９３０は、例えば超音波センサ又はレーダ装置であってよい。車両７９００のフロントノーズ、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部に設けられる車外情報検出部７９２０，７９２６，７９３０は、例えばＬＩＤＡＲ装置であってよい。これらの車外情報検出部７９２０～７９３０は、主として先行車両、歩行者又は障害物等の検出に用いられる。
図２０に戻って説明を続ける。車外情報検出ユニット７４００は、撮像部７４１０に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像データを受信する。また、車外情報検出ユニット７４００は、接続されている車外情報検出部７４２０から検出情報を受信する。車外情報検出部７４２０が超音波センサ、レーダ装置又はＬＩＤＡＲ装置である場合には、車外情報検出ユニット７４００は、超音波又は電磁波等を発信させるとともに、受信された反射波の情報を受信する。車外情報検出ユニット７４００は、受信した情報に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。車外情報検出ユニット７４００は、受信した情報に基づいて、降雨、霧又は路面状況等を認識する環境認識処理を行ってもよい。車外情報検出ユニット７４００は、受信した情報に基づいて、車外の物体までの距離を算出してもよい。
また、車外情報検出ユニット７４００は、受信した画像データに基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等を認識する画像認識処理又は距離検出処理を行ってもよい。車外情報検出ユニット７４００は、受信した画像データに対して歪補正又は位置合わせ等の処理を行うとともに、異なる撮像部７４１０により撮像された画像データを合成して、俯瞰画像又はパノラマ画像を生成してもよい。車外情報検出ユニット７４００は、異なる撮像部７４１０により撮像された画像データを用いて、視点変換処理を行ってもよい。
車内情報検出ユニット７５００は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット７５００には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部７５１０が接続される。運転者状態検出部７５１０は、運転者を撮像するカメラ、運転者の生体情報を検出する生体センサ又は車室内の音声を集音するマイク等を含んでもよい。生体センサは、例えば、座面又はステアリングホイール等に設けられ、座席に座った搭乗者又はステアリングホイールを握る運転者の生体情報を検出する。車内情報検出ユニット７５００は、運転者状態検出部７５１０から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。車内情報検出ユニット７５００は、集音された音声信号に対してノイズキャンセリング処理等の処理を行ってもよい。
統合制御ユニット７６００は、各種プログラムにしたがって車両制御システム７０００内の動作全般を制御する。統合制御ユニット７６００には、入力部７８００が接続されている。入力部７８００は、例えば、タッチパネル、ボタン、マイクロフォン、スイッチ又はレバー等、搭乗者によって入力操作され得る装置によって実現される。統合制御ユニット７６００には、マイクロフォンにより入力される音声を音声認識することにより得たデータが入力されてもよい。入力部７８００は、例えば、赤外線又はその他の電波を利用したリモートコントロール装置であってもよいし、車両制御システム７０００の操作に対応した携帯電話又はＰＤＡ（Personal Digital Assistant）等の外部接続機器であってもよい。入力部７８００は、例えばカメラであってもよく、その場合搭乗者はジェスチャにより情報を入力することができる。あるいは、搭乗者が装着したウェアラブル装置の動きを検出することで得られたデータが入力されてもよい。さらに、入力部７８００は、例えば、上記の入力部７８００を用いて搭乗者等により入力された情報に基づいて入力信号を生成し、統合制御ユニット７６００に出力する入力制御回路などを含んでもよい。搭乗者等は、この入力部７８００を操作することにより、車両制御システム７０００に対して各種のデータを入力したり処理動作を指示したりする。
記憶部７６９０は、マイクロコンピュータにより実行される各種プログラムを記憶するＲＯＭ（Read Only Memory）、及び各種パラメータ、演算結果又はセンサ値等を記憶するＲＡＭ（Random Access Memory）を含んでいてもよい。また、記憶部７６９０は、ＨＤＤ（Hard Disc Drive）等の磁気記憶デバイス、半導体記憶デバイス、光記憶デバイス又は光磁気記憶デバイス等によって実現してもよい。
汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０は、外部環境７７５０に存在する様々な機器との間の通信を仲介する汎用的な通信Ｉ／Ｆである。汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０は、ＧＳＭ（登録商標）（Global System of Mobile communications）、ＷｉＭＡＸ、ＬＴＥ（Long Term Evolution）若しくはＬＴＥ－Ａ（LTE－Advanced）などのセルラー通信プロトコル、又は無線ＬＡＮ（Ｗｉ－Ｆｉ（登録商標）ともいう）、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）などのその他の無線通信プロトコルを実装してよい。汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０は、例えば、基地局又はアクセスポイントを介して、外部ネットワーク（例えば、インターネット、クラウドネットワーク又は事業者固有のネットワーク）上に存在する機器（例えば、アプリケーションサーバ又は制御サーバ）へ接続してもよい。また、汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０は、例えばＰ２Ｐ（Peer To Peer）技術を用いて、車両の近傍に存在する端末（例えば、運転者、歩行者若しくは店舗の端末、又はＭＴＣ（Machine Type Communication）端末）と接続してもよい。
専用通信Ｉ／Ｆ７６３０は、車両における使用を目的として策定された通信プロトコルをサポートする通信Ｉ／Ｆである。専用通信Ｉ／Ｆ７６３０は、例えば、下位レイヤのＩＥＥＥ８０２．１１ｐと上位レイヤのＩＥＥＥ１６０９との組合せであるＷＡＶＥ（Wireless Access in Vehicle Environment）、ＤＳＲＣ（Dedicated Short Range Communications）、又はセルラー通信プロトコルといった標準プロトコルを実装してよい。専用通信Ｉ／Ｆ７６３０は、典型的には、車車間（Vehicle to Vehicle）通信、路車間（Vehicle to Infrastructure）通信、車両と家との間（Vehicle to Home）の通信及び歩車間（Vehicle to Pedestrian）通信のうちの１つ以上を含む概念であるＶ２Ｘ通信を遂行する。
測位部７６４０は、例えば、ＧＮＳＳ（Global Navigation Satellite System）衛星からのＧＮＳＳ信号（例えば、ＧＰＳ（Global Positioning System）衛星からのＧＰＳ信号）を受信して測位を実行し、車両の緯度、経度及び高度を含む位置情報を生成する。尚、測位部７６４０は、無線アクセスポイントとの信号の交換により現在位置を特定してもよく、又は測位機能を有する携帯電話、ＰＨＳ若しくはスマートフォンといった端末から位置情報を取得してもよい。
ビーコン受信部７６５０は、例えば、道路上に設置された無線局等から発信される電波あるいは電磁波を受信し、現在位置、渋滞、通行止め又は所要時間等の情報を取得する。尚、ビーコン受信部７６５０の機能は、上述した専用通信Ｉ／Ｆ７６３０に含まれてもよい。
車内機器Ｉ／Ｆ７６６０は、マイクロコンピュータ７６１０と車内に存在する様々な車内機器７７６０との間の接続を仲介する通信インタフェースである。車内機器Ｉ／Ｆ７６６０は、無線ＬＡＮ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、ＮＦＣ（Near Field Communication）又はＷＵＳＢ（Wireless USB）といった無線通信プロトコルを用いて無線接続を確立してもよい。また、車内機器Ｉ／Ｆ７６６０は、図示しない接続端子（及び、必要であればケーブル）を介して、ＵＳＢ（Universal Serial Bus）、ＨＤＭＩ（登録商標）（High-Definition Multimedia Interface）、又はＭＨＬ（Mobile High-definition Link）等の有線接続を確立してもよい。車内機器７７６０は、例えば、搭乗者が有するモバイル機器若しくはウェアラブル機器、又は車両に搬入され若しくは取り付けられる情報機器のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。また、車内機器７７６０は、任意の目的地までの経路探索を行うナビゲーション装置を含んでいてもよい。車内機器Ｉ／Ｆ７６６０は、これらの車内機器７７６０との間で、制御信号又はデータ信号を交換する。
車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０は、マイクロコンピュータ７６１０と通信ネットワーク７０１０との間の通信を仲介するインタフェースである。車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０は、通信ネットワーク７０１０によりサポートされる所定のプロトコルに則して、信号等を送受信する。
統合制御ユニット７６００のマイクロコンピュータ７６１０は、汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０、専用通信Ｉ／Ｆ７６３０、測位部７６４０、ビーコン受信部７６５０、車内機器Ｉ／Ｆ７６６０及び車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０のうちの少なくとも一つを介して取得される情報に基づき、各種プログラムにしたがって、車両制御システム７０００を制御する。例えば、マイクロコンピュータ７６１０は、取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット７１００に対して制御指令を出力してもよい。例えば、マイクロコンピュータ７６１０は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（Advanced Driver Assistance System）の機能実現を目的とした協調制御を行ってもよい。また、マイクロコンピュータ７６１０は、取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行ってもよい。
マイクロコンピュータ７６１０は、汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０、専用通信Ｉ／Ｆ７６３０、測位部７６４０、ビーコン受信部７６５０、車内機器Ｉ／Ｆ７６６０及び車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０のうちの少なくとも一つを介して取得される情報に基づき、車両と周辺の構造物や人物等の物体との間の３次元距離情報を生成し、車両の現在位置の周辺情報を含むローカル地図情報を作成してもよい。また、マイクロコンピュータ７６１０は、取得される情報に基づき、車両の衝突、歩行者等の近接又は通行止めの道路への進入等の危険を予測し、警告用信号を生成してもよい。警告用信号は、例えば、警告音を発生させたり、警告ランプを点灯させたりするための信号であってよい。
音声画像出力部７６７０は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図２０の例では、出力装置として、オーディオスピーカ７７１０、表示部７７２０及びインストルメントパネル７７３０が例示されている。表示部７７２０は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。表示部７７２０は、ＡＲ（Augmented Reality）表示機能を有していてもよい。出力装置は、これらの装置以外の、ヘッドホン、搭乗者が装着する眼鏡型ディスプレイ等のウェアラブルデバイス、プロジェクタ又はランプ等の他の装置であってもよい。出力装置が表示装置の場合、表示装置は、マイクロコンピュータ７６１０が行った各種処理により得られた結果又は他の制御ユニットから受信された情報を、テキスト、イメージ、表、グラフ等、様々な形式で視覚的に表示する。また、出力装置が音声出力装置の場合、音声出力装置は、再生された音声データ又は音響データ等からなるオーディオ信号をアナログ信号に変換して聴覚的に出力する。
尚、図２０に示した例において、通信ネットワーク７０１０を介して接続された少なくとも二つの制御ユニットが一つの制御ユニットとして一体化されてもよい。あるいは、個々の制御ユニットが、複数の制御ユニットにより構成されてもよい。さらに、車両制御システム７０００が、図示されていない別の制御ユニットを備えてもよい。また、上記の説明において、いずれかの制御ユニットが担う機能の一部又は全部を、他の制御ユニットに持たせてもよい。つまり、通信ネットワーク７０１０を介して情報の送受信がされるようになっていれば、所定の演算処理が、いずれかの制御ユニットで行われるようになってもよい。同様に、いずれかの制御ユニットに接続されているセンサ又は装置が、他の制御ユニットに接続されるとともに、複数の制御ユニットが、通信ネットワーク７０１０を介して相互に検出情報を送受信してもよい。
以上、本開示に係る技術が適用され得る車両制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、例えば、撮像部７９１０，７９１２，７９１４，７９１６，７９１８や、車外情報検出部７９２０，７９２２，７９２４，７９２６，７９２８，７９３０や、運転者状態検出部７５１０等に適用され得る。具体的には、これらの撮像部や検出部に対して、本開示の固体撮像装置１を適用することができる。そして、本開示に係る技術を適用することにより、センサノイズ等のノイズイベントの影響を緩和し、真イベントの発生を確実に、かつ、迅速に感知することができるため、安全な車両走行を実現することが可能となる。
なお、本技術は以下のような構成を取ることができる。
（１）光電変換を行う第１基板と、光電変換された光電流を読み出す第２基板と、を積層させた固体撮像装置であって、
前記第１基板は、
光電変換部と、
前記光電変換部よりも前記第２基板側に配置され、前記光電変換部で光電変換された電荷を蓄積及び転送する第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜よりも前記第２基板側に配置され、前記光電変換部に対向して配置される第１電極と、
前記第１絶縁膜よりも前記第２基板側に配置され、前記第１電極と離隔して配置される第２電極と、
前記第２電極に対向して配置され、前記光電変換部と前記第１絶縁膜との界面から前記光電変換部の深さ方向に配置される不純物イオン拡散領域と、を有する、固体撮像装置。
（２）前記不純物イオン拡散領域は、前記第２電極を前記光電変換部の表面に投影した投影面積の全域を含む領域に対向して前記光電変換部内に配置される、（１）に記載の固体撮像装置。
（３）前記不純物イオン拡散領域と前記第１絶縁膜との間に配置され、前記不純物イオン拡散領域よりもバンドギャップが広い半導体層を有する、（１）又は（２）に記載の固体撮像装置。
（４）前記第１基板は、
それぞれが前記光電変換部を有する複数の画素と、
前記第１絶縁膜よりも前記第２基板側で、かつ前記画素の境界に沿って配置され、固定電位に設定される第３電極と、を有し、
前記不純物イオン拡散領域の少なくとも一部は、前記光電変換部内の前記第３電極に対向する領域に配置される、（１）乃至（３）のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
（５）前記不純物イオン拡散領域は、前記第３電極を前記光電変換部の表面に投影した投影面積の全域を含む領域に対向して前記光電変換部内に配置される、（４）に記載の固体撮像装置。
（６）前記不純物イオン拡散領域は、
前記光電変換部内の前記第２電極に対向する領域に配置される第１拡散領域と、
前記光電変換部内の前記第３電極に対向する領域に配置される第２拡散領域と、を有し、
前記第１拡散領域及び前記第２拡散領域は、互いに接触するように配置されている、（４）又は（５）に記載の固体撮像装置。
（７）前記不純物イオン拡散領域は、
前記光電変換部内の前記第２電極に対向する領域に配置される第１拡散領域と、
前記光電変換部内の前記第３電極に対向する領域に配置される第２拡散領域と、を有し、
前記第１拡散領域及び前記第２拡散領域は、互いに離隔して配置されている、（４）又は（５）に記載の固体撮像装置。
（８）前記第１基板は、前記画素ごとに前記不純物イオン拡散領域に導通するコンタクトを有し、
前記不純物イオン拡散領域は、前記コンタクトに印加される電圧により、所定の電位に設定される、（４）乃至（７）のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
（９）前記光電変換部が配置された有効画素領域の外側に配置され、前記不純物イオン拡散領域に導通するコンタクトを備え、
前記不純物イオン拡散領域は、前記コンタクトに印加される電圧により、所定の電位に設定される、（１）乃至（７）のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
（１０）前記不純物イオン拡散領域は、前記第１絶縁膜が蓄積及び転送する電荷とは逆極性の不純物イオンを拡散させた領域である、（１）乃至（９）のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
（１１）前記第１絶縁膜及び前記第１電極の間に設けられ、前記第１絶縁膜とは異なる材料を含む第２絶縁膜を備える、（１）乃至（１０）のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
（１２）前記光電変換部と前記第１絶縁膜との界面から前記光電変換部の深さ方向に配置される柱状体を備え、
前記不純物イオン拡散領域は、前記柱状体の表面に沿って配置される、（１）乃至（１１）のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
（１３）前記第１基板は、前記光電変換部を間に挟んで前記第１電極とは反対側に配置される第４電極を備え、
前記不純物イオン拡散領域は、前記第４電極に接触するように配置される、（１）乃至（１２）のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
（１４）前記不純物イオン拡散領域は、前記光電変換部と前記第１絶縁膜との界面からの深さがそれぞれ相違し、それぞれが隣接して配置される第１拡散領域及び第２拡散領域を有する、（１）乃至（１３）のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
（１５）前記第１拡散領域は、前記光電変換部の前記界面とは反対側の面に接しており、
前記第２拡散領域は、前記光電変換部の前記反対側の面よりも浅い深さ位置まで配置される、（１４）に記載の固体撮像装置。
（１６）前記不純物イオン拡散領域は、前記光電変換部と前記第１絶縁膜との界面から前記光電変換部の深さ方向に曲面形状で拡散されている、（１）乃至（１５）のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
（１７）前記第１絶縁膜は、前記光電変換部からの光電変換された電荷を蓄積する場合と、前記蓄積された電荷を前記第２電極に転送する場合とで、互いに異なる電位に設定される、（１）乃至（１６）のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
（１８）前記光電変換部は、極性が異なる複数種類の有機材料を含む有機光電変換部であり、
前記第１基板は、
前記第１電極及び前記第２電極を間に挟んで前記光電変換部と反対側に配置され、極性が異なる複数の無機材料を含む無機光電変換部を有し、
前記無機光電変換部は、複数の光波長域の光を別々に光電変換し、
前記有機光電変換部が光電変換する光波長域は、前記無機光電変換部が光電変換する光波長域とは相違する、（１）乃至（１７）のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
（１９）第１基板内の光電変換部に不純物イオンを注入及び拡散させて不純物イオン拡散領域を形成する工程と、
前記第１基板上に、前記光電変換部及び前記不純物イオン拡散領域に接するように第１絶縁膜を形成する工程と、
前記第１絶縁膜上に、前記光電変換部に対向するように第１電極を形成するとともに、前記不純物イオン拡散領域に対応するように第２電極を形成する工程と、
前記第１電極及び前記第２電極に接続される配線層を形成する工程と、
前記第１基板の前記配線層に第２基板の配線層を接続する工程と、
前記第１基板の前記配線層とは反対の面側を削って、前記第１基板を薄膜化する工程と、
前記第１基板の削った表面に第３電極を形成する工程と、を備える、固体撮像装置の製造方法。
（２０）前記不純物イオン拡散領域を形成する工程は、前記光電変換部の表面から深さ方向にトレンチを形成し、形成された前記トレンチ内に不純物イオンを注入して前記不純物イオン拡散領域を形成する、（１９）に記載の固体撮像装置の製造方法。
本開示の態様は、上述した個々の実施形態に限定されるものではなく、当業者が想到しうる種々の変形も含むものであり、本開示の効果も上述した内容に限定されない。すなわち、特許請求の範囲に規定された内容およびその均等物から導き出される本開示の概念的な思想と趣旨を逸脱しない範囲で種々の追加、変更および部分的削除が可能である。
１ 固体撮像装置、２ 第１基板、３ 光電変換部、４ 上部電極、５ 第１絶縁膜、６ 第２絶縁膜、７ 蓄積電極、８ 下部電極、９ 不純物イオン拡散領域、１１ シールド電極、１３ａ、１３ｂ 配線層、１４ 半導体層、１５ トレンチ、１６ 柱状体、１７ コンタクト、２１ ＩｎＰ基板、２２ ＩｎＧａＡｓ層、２３ Ｐ＋ＩｎＰ層、２４ ｉ（又はＮ）－ＩｎＧａＡｓ層、２５ ハードマスク、３１ 有機光電変換部、３２Ｒ、３２Ｂ 無機光電変換部、３３ 半導体基板、３４ 固定電荷層、３５ 誘電体層、３６ 層間絶縁層、３７ 障壁調整電極、３８ａ，３８ｂ，３８ｃ コンタクト、３９ａ，３９ｂ，３９ｃ パッド、４０ 貫通電極、４１ 接続部、４２ コンタクト、４３ａ リセットゲート、４３ｂ チャネル形成領域、４３ｃ、４３ｄ ソース／ドレイン領域、４４ａ ゲート、４４ｂ チャネル形成領域、４４ｃ、４４ｄ ソース／ドレイン領域、４５ 下部第１コンタクト、４６ａ ゲート、４６ｂ チャネル形成領域、４６ｃ、４６ｄ ソース／ドレイン領域

Claims (20)

  1. 光電変換を行う第１基板と、光電変換された光電流を読み出す第２基板と、を積層させた固体撮像装置であって、
    前記第１基板は、
    光電変換部と、
    前記光電変換部よりも前記第２基板側に配置され、前記光電変換部で光電変換された電荷を蓄積及び転送する第１絶縁膜と、
    前記第１絶縁膜よりも前記第２基板側に配置され、前記光電変換部に対向して配置される第１電極と、
    前記第１絶縁膜よりも前記第２基板側に配置され、前記第１電極と離隔して配置される第２電極と、
    前記第２電極に対向して配置され、前記光電変換部と前記第１絶縁膜との界面から前記光電変換部の深さ方向に配置される不純物イオン拡散領域と、を有する、固体撮像装置。
  2. 前記不純物イオン拡散領域は、前記第２電極を前記光電変換部の表面に投影した投影面積の全域を含む領域に対向して前記光電変換部内に配置される、請求項１に記載の固体撮像装置。
  3. 前記不純物イオン拡散領域と前記第１絶縁膜との間に配置され、前記不純物イオン拡散領域よりもバンドギャップが広い半導体層を有する、請求項１に記載の固体撮像装置。
  4. 前記第１基板は、
    それぞれが前記光電変換部を有する複数の画素と、
    前記第１絶縁膜よりも前記第２基板側で、かつ前記画素の境界に沿って配置され、固定電位に設定される第３電極と、を有し、
    前記不純物イオン拡散領域の少なくとも一部は、前記光電変換部内の前記第３電極に対向する領域に配置される、請求項１に記載の固体撮像装置。
  5. 前記不純物イオン拡散領域は、前記第３電極を前記光電変換部の表面に投影した投影面積の全域を含む領域に対向して前記光電変換部内に配置される、請求項４に記載の固体撮像装置。
  6. 前記不純物イオン拡散領域は、
    前記光電変換部内の前記第２電極に対向する領域に配置される第１拡散領域と、
    前記光電変換部内の前記第３電極に対向する領域に配置される第２拡散領域と、を有し、
    前記第１拡散領域及び前記第２拡散領域は、互いに接触するように配置されている、請求項４に記載の固体撮像装置。
  7. 前記不純物イオン拡散領域は、
    前記光電変換部内の前記第２電極に対向する領域に配置される第１拡散領域と、
    前記光電変換部内の前記第３電極に対向する領域に配置される第２拡散領域と、を有し、
    前記第１拡散領域及び前記第２拡散領域は、互いに離隔して配置されている、請求項４に記載の固体撮像装置。
  8. 前記第１基板は、前記画素ごとに前記不純物イオン拡散領域に導通するコンタクトを有し、
    前記不純物イオン拡散領域は、前記コンタクトに印加される電圧により、所定の電位に設定される、請求項４に記載の固体撮像装置。
  9. 前記光電変換部が配置された有効画素領域の外側に配置され、前記不純物イオン拡散領域に導通するコンタクトを備え、
    前記不純物イオン拡散領域は、前記コンタクトに印加される電圧により、所定の電位に設定される、請求項１に記載の固体撮像装置。
  10. 前記不純物イオン拡散領域は、前記第１絶縁膜が蓄積及び転送する電荷とは逆極性の不純物イオンを拡散させた領域である、請求項１に記載の固体撮像装置。
  11. 前記第１絶縁膜及び前記第１電極の間に設けられ、前記第１絶縁膜とは異なる材料を含む第２絶縁膜を備える、請求項１に記載の固体撮像装置。
  12. 前記光電変換部と前記第１絶縁膜との界面から前記光電変換部の深さ方向に配置される柱状体を備え、
    前記不純物イオン拡散領域は、前記柱状体の表面に沿って配置される、請求項１に記載の固体撮像装置。
  13. 前記第１基板は、前記光電変換部を間に挟んで前記第１電極とは反対側に配置される第４電極を備え、
    前記不純物イオン拡散領域は、前記第４電極に接触するように配置される、請求項１に記載の固体撮像装置。
  14. 前記不純物イオン拡散領域は、前記光電変換部と前記第１絶縁膜との界面からの深さがそれぞれ相違し、それぞれが隣接して配置される第１拡散領域及び第２拡散領域を有する、請求項１に記載の固体撮像装置。
  15. 前記第１拡散領域は、前記光電変換部の前記界面とは反対側の面に接しており、
    前記第２拡散領域は、前記光電変換部の前記反対側の面よりも浅い深さ位置まで配置される、請求項１４に記載の固体撮像装置。
  16. 前記不純物イオン拡散領域は、前記光電変換部と前記第１絶縁膜との界面から前記光電変換部の深さ方向に曲面形状で拡散されている、請求項１に記載の固体撮像装置。
  17. 前記第１絶縁膜は、前記光電変換部からの光電変換された電荷を蓄積する場合と、前記蓄積された電荷を前記第２電極に転送する場合とで、互いに異なる電位に設定される、請求項１に記載の固体撮像装置。
  18. 前記光電変換部は、極性が異なる複数種類の有機材料を含む有機光電変換部であり、
    前記第１基板は、
    前記第１電極及び前記第２電極を間に挟んで前記光電変換部と反対側に配置され、極性が異なる複数の無機材料を含む無機光電変換部を有し、
    前記無機光電変換部は、複数の光波長域の光を別々に光電変換し、
    前記有機光電変換部が光電変換する光波長域は、前記無機光電変換部が光電変換する光波長域とは相違する、請求項１に記載の固体撮像装置。
  19. 第１基板内の光電変換部に不純物イオンを注入及び拡散させて不純物イオン拡散領域を形成する工程と、
    前記第１基板上に、前記光電変換部及び前記不純物イオン拡散領域に接するように第１絶縁膜を形成する工程と、
    前記第１絶縁膜上に、前記光電変換部に対向するように第１電極を形成するとともに、前記不純物イオン拡散領域に対応するように第２電極を形成する工程と、
    前記第１電極及び前記第２電極に接続される配線層を形成する工程と、
    前記第１基板の前記配線層に第２基板の配線層を接続する工程と、
    前記第１基板の前記配線層とは反対の面側を削って、前記第１基板を薄膜化する工程と、
    前記第１基板の削った表面に第３電極を形成する工程と、を備える、固体撮像装置の製造方法。
  20. 前記不純物イオン拡散領域を形成する工程は、前記光電変換部の表面から深さ方向にトレンチを形成し、形成された前記トレンチ内に不純物イオンを注入して前記不純物イオン拡散領域を形成する、請求項１９に記載の固体撮像装置の製造方法。
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