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JP2022014159A - Method for manufacturing element module - Google Patents

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JP2022014159A
JP2022014159A JP2020116353A JP2020116353A JP2022014159A JP 2022014159 A JP2022014159 A JP 2022014159A JP 2020116353 A JP2020116353 A JP 2020116353A JP 2020116353 A JP2020116353 A JP 2020116353A JP 2022014159 A JP2022014159 A JP 2022014159A
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JP
Japan
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resin
mold
forming
module
mold resin
Prior art date
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Application number
JP2020116353A
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Japanese (ja)
Inventor
佳朗 角
Yoshiaki Sumi
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Toyota Motor Corp
Original Assignee
Toyota Motor Corp
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Publication date
Application filed by Toyota Motor Corp filed Critical Toyota Motor Corp
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  • Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
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Abstract

Figure 2022014159000001

【課題】損傷し易い素子も混載された素子モジュールの製造方法において、素子の損傷が抑制された素子モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】素子モジュールの製造方法は、主表面10を有する回路基板2と、主表面10に配置された第1素子4および第2素子3とを含むモジュール本体30を準備する工程と、第1金型を用いてモジュール本体30に第1素子4を覆う第1モールド樹脂6を形成する工程と、第2金型を用いて第1モールド樹脂6および第2素子3を覆うように、主表面10に第2モールド樹脂7を形成する工程と備え、第1素子4は第2素子3よりも低い外力によって損傷する脆弱部を含み、第1モールド樹脂6を形成するときの成形圧力は、第2モールド樹脂7を形成する成形圧力よりも低い。
【選択図】図1

Figure 2022014159000001

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing an element module in which damage to an element is suppressed in a method for manufacturing an element module in which an element which is easily damaged is also mixed.
A method for manufacturing an element module includes a step of preparing a module main body 30 including a circuit board 2 having a main surface 10 and a first element 4 and a second element 3 arranged on the main surface 10. Mainly, a step of forming the first mold resin 6 covering the first element 4 on the module main body 30 using one mold, and covering the first mold resin 6 and the second element 3 using the second mold. The first element 4 includes a fragile portion damaged by an external force lower than that of the second element 3, and the molding pressure when forming the first mold resin 6 is the step of forming the second mold resin 7 on the surface 10. It is lower than the molding pressure for forming the second mold resin 7.
[Selection diagram] Fig. 1

Description

本開示は、素子モジュールの製造方法である。 The present disclosure is a method for manufacturing an element module.

一般的に素子モジュールは、回路基板と、回路基板に配置された複数の素子と、複数の素子を覆うように形成されたモールド樹脂とを含む。 Generally, the element module includes a circuit board, a plurality of elements arranged on the circuit board, and a mold resin formed so as to cover the plurality of elements.

素子モジュールの製造方法としては、たとえば、特開2004-111435号公報などに記載されているように、回路基板に複数の素子を配置してモジュール本体を形成する工程と、素子モジュールにモールド樹脂を形成する工程とを含む。 As a method for manufacturing an element module, for example, as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-111435, a step of arranging a plurality of elements on a circuit board to form a module main body and a mold resin on the element module are used. Including the step of forming.

モールド樹脂を形成する工程は、素子モジュールを金型内に配置する工程と、樹脂を金型内に注入する工程とを含む。 The step of forming the mold resin includes a step of arranging the element module in the mold and a step of injecting the resin into the mold.

特開2004-111435号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-111435

素子モジュールには各種の素子が搭載されており、素子によっては外部からの圧力によって損傷しやすい素子がある。 Various elements are mounted on the element module, and some elements are easily damaged by external pressure.

その一方で、モールド樹脂を形成する際には、モジュール本体が配置された金型内に樹脂を行きわたらせるために、所定以上の注入圧力で樹脂を金型内に供給する必要がある。 On the other hand, when forming the mold resin, it is necessary to supply the resin into the mold with an injection pressure equal to or higher than a predetermined value in order to distribute the resin in the mold in which the module main body is arranged.

そのため、損傷し易い素子が回路基板に搭載されている場合には、モールド樹脂を形成する過程において、当該素子が損傷するおそれがある。 Therefore, when an element that is easily damaged is mounted on the circuit board, the element may be damaged in the process of forming the mold resin.

本開示は、上記のような課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、損傷し易い素子も混載された素子モジュールの製造方法において、素子の損傷が抑制された素子モジュールの製造方法を提供することである。 The present disclosure has been made in view of the above-mentioned problems, and an object thereof is a method for manufacturing an element module in which damage to an element is suppressed in a method for manufacturing an element module in which an element that is easily damaged is also mounted. Is to provide.

本開示に係る素子モジュールの製造方法は、主表面を有する回路基板と、主表面に配置された第1素子および第2素子とを含むモジュール本体を準備する工程と、第1金型を用いてモジュール本体に第1素子を覆う第1モールド樹脂を形成する工程と、第2金型を用いて第1モールド樹脂および第2素子を覆うように、主表面に第2モールド樹脂を形成する工程とを備え、第1素子は第2素子よりも低い外力によって損傷する脆弱部を含み、第1モールド樹脂を形成するときの成形圧力は、第2モールド樹脂を形成する成形圧力よりも低い。 The method for manufacturing an element module according to the present disclosure uses a step of preparing a module main body including a circuit board having a main surface and a first element and a second element arranged on the main surface, and a first mold. A step of forming a first mold resin covering the first element on the module body, and a step of forming a second mold resin on the main surface so as to cover the first mold resin and the second element using a second mold. The first element contains a fragile portion that is damaged by an external force lower than that of the second element, and the molding pressure when forming the first mold resin is lower than the molding pressure for forming the second mold resin.

上記の素子モジュールの製造方法によれば、第2モールド樹脂を形成する際に、脆弱部を含む第1素子を覆う第1モールド樹脂が形成されているため、第1素子が損傷することを抑制することができる。 According to the above-mentioned method for manufacturing an element module, when the second mold resin is formed, the first mold resin that covers the first element including the fragile portion is formed, so that the first element is suppressed from being damaged. can do.

本開示に係る素子モジュールの製造方法によれば、損傷し易い素子も混載された素子モジュールの製造方法において、素子の損傷を抑制することができる。 According to the method for manufacturing an element module according to the present disclosure, damage to an element can be suppressed in the method for manufacturing an element module in which an element that is easily damaged is also mounted.

素子モジュール1を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the element module 1. FIG. アルミ電解コンデンサ4を示す側断面図ある。It is a side sectional view showing an aluminum electrolytic capacitor 4. 素子モジュール1を製造する製造工程を示すフロー図である。It is a flow diagram which shows the manufacturing process which manufactures the element module 1. 準備工程S1を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the preparation process S1. 第1樹脂形成工程S2を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the 1st resin formation process S2. 第2樹脂形成工程S3を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the 2nd resin formation process S3.

図1から図6を用いて、本実施の形態に係る素子モジュールについて説明する。図1から図6に示す構成のうち、同一または実質的に同一の構成については、同一の符号を付して重複した説明を省略する。 The element module according to this embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 6. Of the configurations shown in FIGS. 1 to 6, the same or substantially the same configuration is designated by the same reference numerals and duplicated description will be omitted.

図1は、素子モジュール1を示す断面図である。素子モジュール1は、モジュール本体30と、モールド樹脂6,7とを含む。 FIG. 1 is a cross-sectional view showing the element module 1. The element module 1 includes a module main body 30 and mold resins 6 and 7.

モジュール本体30は、回路基板2と、複数の半導体素子3と、アルミ電解コンデンサ4と、コネクタ5とを備える。 The module main body 30 includes a circuit board 2, a plurality of semiconductor elements 3, an aluminum electrolytic capacitor 4, and a connector 5.

回路基板2は、たとえば、セラミックス基板と、このセラミックス基板に形成された回路配線とを含む。回路基板2は、主表面10および主表面11を含み、主表面10に複数の半導体素子3、アルミ電解コンデンサ4およびコネクタ5が実装されている。 The circuit board 2 includes, for example, a ceramic substrate and circuit wiring formed on the ceramic substrate. The circuit board 2 includes a main surface 10 and a main surface 11, and a plurality of semiconductor elements 3, an aluminum electrolytic capacitor 4, and a connector 5 are mounted on the main surface 10.

半導体素子3は、たとえば、半導体ベアチップなどである。半導体素子3は、図示されていないワイヤボンディングなどによって、回路基板2に形成された回路配線に接続されている。 The semiconductor element 3 is, for example, a semiconductor bare chip or the like. The semiconductor element 3 is connected to the circuit wiring formed on the circuit board 2 by wire bonding or the like (not shown).

コネクタ5は、コネクタ本体15と、端子16とを含む。コネクタ5には、素子モジュール1の外部に設けられたコネクタが接続される。コネクタ本体15は、樹脂によって形成されている。端子16はコネクタ本体15内に配置されており、接続ワイヤ17は端子16および回路基板2の回路配線を接続している。 The connector 5 includes a connector main body 15 and terminals 16. A connector provided outside the element module 1 is connected to the connector 5. The connector body 15 is made of resin. The terminal 16 is arranged in the connector main body 15, and the connection wire 17 connects the terminal 16 and the circuit wiring of the circuit board 2.

モールド樹脂6は、アルミ電解コンデンサ4を覆うように形成されている。具体的には、モールド樹脂6を覆うように形成されている一方で、モールド樹脂6の周囲に位置する他の素子には形成されていない。 The mold resin 6 is formed so as to cover the aluminum electrolytic capacitor 4. Specifically, while it is formed so as to cover the mold resin 6, it is not formed on other elements located around the mold resin 6.

モールド樹脂7は、回路基板2の主表面10に形成されている。モールド樹脂7は、複数の半導体素子3と、コネクタ5と、モールド樹脂6とを覆うように形成されている。モールド樹脂6,7は、たとえば、エポキシ樹脂成形材料によって形成されている。 The mold resin 7 is formed on the main surface 10 of the circuit board 2. The mold resin 7 is formed so as to cover the plurality of semiconductor elements 3, the connector 5, and the mold resin 6. The mold resins 6 and 7 are formed of, for example, an epoxy resin molding material.

図2は、アルミ電解コンデンサ4を示す側断面図ある。アルミ電解コンデンサ4は、金属ケース20と、封止部材21と、リード線22,23と、電極体24と、台座26と、端子27,28とを含む。 FIG. 2 is a side sectional view showing an aluminum electrolytic capacitor 4. The aluminum electrolytic capacitor 4 includes a metal case 20, a sealing member 21, lead wires 22, 23, an electrode body 24, a pedestal 26, and terminals 27, 28.

金属ケース20は、アルミニウムなどによって形成されている。金属ケース20には、下方に向けて開口する開口部25が形成されている。 The metal case 20 is made of aluminum or the like. The metal case 20 is formed with an opening 25 that opens downward.

電極体24は、金属ケース20内に収容されている。電極体24は、電解紙と、アルミニウム電極箔とを含む。電解紙と、アルミニウム電極箔とは積層した状態で巻回されている。なお、電極体24には電解液が染み込んでいる。 The electrode body 24 is housed in the metal case 20. The electrode body 24 includes an electrolytic paper and an aluminum electrode foil. The electrolytic paper and the aluminum electrode foil are wound in a laminated state. The electrode body 24 is impregnated with the electrolytic solution.

封止部材21は樹脂によって形成されている。封止部材21は開口部25を閉塞するように形成されている。台座26は封止部材21の下方に配置されており、台座26は主表面10に配置されている。台座26は樹脂などによって形成されている。 The sealing member 21 is made of resin. The sealing member 21 is formed so as to close the opening 25. The pedestal 26 is arranged below the sealing member 21, and the pedestal 26 is arranged on the main surface 10. The pedestal 26 is made of resin or the like.

ここで、封止部材21および台座26は樹脂材料によって形成されており、たとえば、封止部材21および台座26の耐圧力は、半導体素子3の耐圧力よりも低い。たとえば、封止部材21および台座26に割れなどが生じる荷重は、半導体素子3に性能劣化などが生じる荷重よりも小さい。すなわち、本実施の形態においては、「封止部材21および台座26の少なくとも一方」が、「脆弱部」に対応する。 Here, the sealing member 21 and the pedestal 26 are formed of a resin material, and for example, the withstand pressure of the sealing member 21 and the pedestal 26 is lower than the withstand pressure of the semiconductor element 3. For example, the load at which the sealing member 21 and the pedestal 26 are cracked is smaller than the load at which the semiconductor element 3 is deteriorated in performance. That is, in the present embodiment, "at least one of the sealing member 21 and the pedestal 26" corresponds to the "fragile portion".

端子27,28は、封止部材21内に配置されており、端子27,28は電極体24に電気的に接続されている。 The terminals 27 and 28 are arranged in the sealing member 21, and the terminals 27 and 28 are electrically connected to the electrode body 24.

リード線22,23は端子27,28に電気的に接続されており、台座26内を通り、台座26から引き出されるように形成されている。なお、リード線22,23は、主表面10に形成された回路配線に接続されている。 The lead wires 22 and 23 are electrically connected to the terminals 27 and 28, and are formed so as to pass through the pedestal 26 and be drawn out from the pedestal 26. The lead wires 22 and 23 are connected to the circuit wiring formed on the main surface 10.

図3は、素子モジュール1を製造する製造工程を示すフロー図である。素子モジュール1の製造工程は、準備工程S1と、第1樹脂形成工程S2と、第2樹脂形成工程S3とを含む。 FIG. 3 is a flow chart showing a manufacturing process for manufacturing the element module 1. The manufacturing process of the element module 1 includes a preparation step S1, a first resin forming step S2, and a second resin forming step S3.

図4は、準備工程S1を模式的に示す断面図である。準備工程S1は、モジュール本体30を準備する工程である。モジュール本体30を準備する工程は、回路基板2を形成する工程と、回路基板2の主表面10に複数の半導体素子3と、アルミ電解コンデンサ4と、コネクタ5とを実装する工程とを含む。 FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing the preparation step S1. The preparation step S1 is a step of preparing the module main body 30. The step of preparing the module main body 30 includes a step of forming the circuit board 2 and a step of mounting a plurality of semiconductor elements 3, an aluminum electrolytic capacitor 4, and a connector 5 on the main surface 10 of the circuit board 2.

回路基板2を形成する工程は、セラミックス基板を準備する工程と、セラミックス基板の主表面に回路配線を形成する工程とを含む。 The step of forming the circuit board 2 includes a step of preparing a ceramic substrate and a step of forming circuit wiring on the main surface of the ceramic substrate.

図5は、第1樹脂形成工程S2を示す断面図である。第1樹脂形成工程S2は、第1金型31を用いて、モジュール本体30にモールド樹脂6を形成する工程である。 FIG. 5 is a cross-sectional view showing the first resin forming step S2. The first resin forming step S2 is a step of forming the mold resin 6 on the module main body 30 by using the first mold 31.

準備工程S1は、モジュール本体30を載置台32の上面に配置する配置工程と、モジュール本体30の主表面10に第1金型31を配置する配置工程と、注入装置33を用いて第1金型31内に樹脂を注入する注入工程と、熱硬化工程とを含む。 The preparation step S1 includes an arrangement step of arranging the module main body 30 on the upper surface of the mounting table 32, an arrangement step of arranging the first mold 31 on the main surface 10 of the module main body 30, and a first metal using the injection device 33. It includes an injection step of injecting resin into the mold 31 and a heat curing step.

第1金型31は、中空状に形成されている。第1金型31には、キャビティ34と、挿入口35とが形成されている。キャビティ34は下方に向けて開口しており、第1金型31には開口部36が形成されている。挿入口35はキャビティ34の上端に接続されている。 The first mold 31 is formed in a hollow shape. A cavity 34 and an insertion port 35 are formed in the first mold 31. The cavity 34 is open downward, and the opening 36 is formed in the first mold 31. The insertion slot 35 is connected to the upper end of the cavity 34.

注入装置33は、シリンダ37と、ピストン38とを含み、シリンダ37内には樹脂39が充填されている。 The injection device 33 includes a cylinder 37 and a piston 38, and the cylinder 37 is filled with resin 39.

第1金型31を配置する配置工程において、アルミ電解コンデンサ4を覆うように第1金型31が配置される。この際、キャビティ34の内表面と、アルミ電解コンデンサ4との間には隙間が形成されており、この隙間を空間R1とする。なお、半導体素子3などは第1金型31によって覆われていない。 In the arrangement step of arranging the first mold 31, the first mold 31 is arranged so as to cover the aluminum electrolytic capacitor 4. At this time, a gap is formed between the inner surface of the cavity 34 and the aluminum electrolytic capacitor 4, and this gap is used as the space R1. The semiconductor element 3 and the like are not covered by the first mold 31.

注入工程において、シリンダ37の先端部が挿入口35に挿入される。そして、ピストン38が樹脂39を加圧して、樹脂39がキャビティ34内に注入される。樹脂39は、たとえば、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂である。シリンダ37内における樹脂39の温度は、たとえば、60℃から80℃であり、樹脂39は流動性のある状態である。そして、キャビティ34内に樹脂39を注入するときの圧力は、成形圧力P1である。成形圧力P1(kg/cm2)は、たとえば、2~10(kg/cm2)程度である。 In the injection step, the tip of the cylinder 37 is inserted into the insertion port 35. Then, the piston 38 pressurizes the resin 39, and the resin 39 is injected into the cavity 34. The resin 39 is a thermosetting resin such as an epoxy resin. The temperature of the resin 39 in the cylinder 37 is, for example, 60 ° C to 80 ° C, and the resin 39 is in a fluid state. The pressure at which the resin 39 is injected into the cavity 34 is the molding pressure P1. The molding pressure P1 (kg / cm 2 ) is, for example, about 2 to 10 (kg / cm 2 ).

熱硬化工程において、樹脂39に成形圧力P1を印加した状態で樹脂39を熱硬化させる。樹脂39が熱硬化することでモールド樹脂6が形成される。熱硬化工程において、空間R1内の樹脂39の温度は、130℃から170℃程度である。 In the thermosetting step, the resin 39 is thermoset while the molding pressure P1 is applied to the resin 39. The mold resin 6 is formed by thermally curing the resin 39. In the thermosetting step, the temperature of the resin 39 in the space R1 is about 130 ° C. to 170 ° C.

その後、第1金型31を取り外すことで、モールド樹脂6が形成されたモジュール本体30を製造することができる。 After that, by removing the first mold 31, the module main body 30 on which the mold resin 6 is formed can be manufactured.

図6は、第2樹脂形成工程S3を示す断面図である。第2樹脂形成工程S3においては、第2金型40を用いて、モールド樹脂7を形成する工程である。 FIG. 6 is a cross-sectional view showing the second resin forming step S3. The second resin forming step S3 is a step of forming the mold resin 7 by using the second mold 40.

第2金型40は、下金型41と、上金型42とを含み、第2金型40内にはキャビティ43が形成されている。下金型41には凹部44が形成されている。上金型42には凹部45と、ゲート46と、充填室47とが形成されている。下金型41および上金型42が組み合わさると、凹部44および凹部45によってキャビティ43が形成される。 The second mold 40 includes a lower mold 41 and an upper mold 42, and a cavity 43 is formed in the second mold 40. A recess 44 is formed in the lower mold 41. The upper mold 42 is formed with a recess 45, a gate 46, and a filling chamber 47. When the lower mold 41 and the upper mold 42 are combined, the cavity 43 is formed by the recess 44 and the recess 45.

ゲート46は凹部45および充填室47に連通している。充填室47内には樹脂48が充填されている。 The gate 46 communicates with the recess 45 and the filling chamber 47. The filling chamber 47 is filled with the resin 48.

第2樹脂形成工程S3は、モールド樹脂6が形成されたモジュール本体30を凹部44内に配置する第1配置工程と、上金型42を下金型41に組み付けて、モジュール本体30をキャビティ43内に配置する第2配置工程と、樹脂48を注入する注入工程と、熱硬化工程とを含む。 In the second resin forming step S3, the module main body 30 in which the mold resin 6 is formed is arranged in the recess 44, and the upper mold 42 is assembled to the lower mold 41 to form the module main body 30 in the cavity 43. It includes a second placement step of arranging the resin 48, an injection step of injecting the resin 48, and a heat curing step.

第2配置工程において、モールド樹脂6が形成されたモジュール本体30がキャビティ43内に配置されると、キャビティ43の内表面とモジュール本体30との間に隙間が形成される。キャビティ43の内表面と、モジュール本体30との間に形成される隙間を空間R2とする。 In the second arrangement step, when the module main body 30 on which the mold resin 6 is formed is arranged in the cavity 43, a gap is formed between the inner surface of the cavity 43 and the module main body 30. The gap formed between the inner surface of the cavity 43 and the module main body 30 is defined as the space R2.

注入工程において、ピストン49は充填室47内の樹脂48を加圧する。これにより、樹脂48がゲート46を通ってキャビティ43内に注入される。樹脂48がキャビティ43内に注入される圧力を成形圧力P2とする。注入工程において、充填室47内の樹脂48の温度は、たとえば、60℃から80℃であり、樹脂48は流動性のある状態である。 In the injection step, the piston 49 pressurizes the resin 48 in the filling chamber 47. As a result, the resin 48 is injected into the cavity 43 through the gate 46. The pressure at which the resin 48 is injected into the cavity 43 is defined as the molding pressure P2. In the injection step, the temperature of the resin 48 in the filling chamber 47 is, for example, 60 ° C to 80 ° C, and the resin 48 is in a fluid state.

熱硬化工程において、樹脂48に成形圧力P2を印加させた状態で樹脂48を熱硬化させる。この際、空間R2内の樹脂48の温度は、130℃から170℃程度である。これにより、樹脂48が熱硬化して、モールド樹脂7が形成される。なお、樹脂48は、たとえば、エポキシ樹脂である。 In the thermosetting step, the resin 48 is thermosetting in a state where the molding pressure P2 is applied to the resin 48. At this time, the temperature of the resin 48 in the space R2 is about 130 ° C to 170 ° C. As a result, the resin 48 is thermally cured to form the mold resin 7. The resin 48 is, for example, an epoxy resin.

図5に示す空間R1と、図6に示す空間R2とを比較すると、空間R2の方が広い。さらに、空間R2の方が空間R1よりも水平方向に広く、また、空間R2は空間R1よりも複雑な形状となっている。 Comparing the space R1 shown in FIG. 5 and the space R2 shown in FIG. 6, the space R2 is wider. Further, the space R2 is wider in the horizontal direction than the space R1, and the space R2 has a more complicated shape than the space R1.

このため、空間R2内に樹脂48を充填し難くなっており、注入工程において、成形圧力P2が成形圧力P1よりも低いと、樹脂48がゲート46から逆流したり、空間R2内に樹脂48が行き渡らなくなったりする。 Therefore, it is difficult to fill the space R2 with the resin 48, and if the molding pressure P2 is lower than the molding pressure P1 in the injection step, the resin 48 may flow back from the gate 46 or the resin 48 may be placed in the space R2. It doesn't spread.

この結果、樹脂48が充填された後においても空間R2内に空隙が形成されたり、樹脂48の充填密度にバラつきが生じたりする。このような状態で樹脂48が熱硬化すると、モールド樹脂7および素子モジュール1自体が収縮したり、モールド樹脂7の成形不良が生じたりする。その結果、モールド樹脂7および素子モジュール1の寸法精度が悪くなるという問題が生じる。そのため、成形圧力P2は成形圧力P1よりも高く設定されており、成形圧力P1は成形圧力P2よりも低く設定されている。 As a result, even after the resin 48 is filled, voids are formed in the space R2, and the filling density of the resin 48 varies. If the resin 48 is thermally cured in such a state, the mold resin 7 and the element module 1 itself may shrink, or molding defects of the mold resin 7 may occur. As a result, there arises a problem that the dimensional accuracy of the mold resin 7 and the element module 1 deteriorates. Therefore, the forming pressure P2 is set higher than the forming pressure P1, and the forming pressure P1 is set lower than the forming pressure P2.

たとえば、成形圧力P1(kg/cm2)は、2~10(kg/cm2)程度であり、成形圧力P2は、20~50(kg/cm2)程度である。 For example, the molding pressure P1 (kg / cm 2 ) is about 2 to 10 (kg / cm 2 ), and the molding pressure P2 is about 20 to 50 (kg / cm 2 ).

そして、モールド樹脂7が形成された素子モジュール1を第2金型40から取り外すことで、素子モジュール1を製造することができる。 Then, the element module 1 can be manufactured by removing the element module 1 on which the mold resin 7 is formed from the second mold 40.

上記の素子モジュール1の製造方法において、モールド樹脂7を形成する際には、アルミ電解コンデンサ4を覆うモールド樹脂6が既に形成されている。そのため、モールド樹脂7を形成する際に、アルミ電解コンデンサ4の封止部材21および台座26に成形圧力P2が直接的に加えられることを抑制することができる。その結果、脆弱部である封止部材21および台座26に割れなどが生じることを抑制することができる。 In the above-mentioned manufacturing method of the element module 1, when the mold resin 7 is formed, the mold resin 6 that covers the aluminum electrolytic capacitor 4 is already formed. Therefore, when forming the mold resin 7, it is possible to prevent the molding pressure P2 from being directly applied to the sealing member 21 and the pedestal 26 of the aluminum electrolytic capacitor 4. As a result, it is possible to prevent the sealing member 21 and the pedestal 26, which are fragile portions, from being cracked.

上記の素子モジュール1の製造方法において、モールド樹脂6を形成する際には、封止部材21および台座26には、圧力の低い成形圧力P1が加えられることになる。そのため、モールド樹脂6を形成する過程において、封止部材21および台座26が損傷することが抑制されている。 In the above-mentioned manufacturing method of the element module 1, when the mold resin 6 is formed, a low-pressure molding pressure P1 is applied to the sealing member 21 and the pedestal 26. Therefore, damage to the sealing member 21 and the pedestal 26 is suppressed in the process of forming the mold resin 6.

また、モールド樹脂6を形成した後に、モールド樹脂6を覆うモールド樹脂7を形成するため、モールド樹脂6に要求される寸法精度は高くなくてもよく、さらに、モールド樹脂6に要求される防水性能は高くなくてもよい。そのため、モールド樹脂6を簡単に形成することができる。 Further, since the mold resin 7 that covers the mold resin 6 is formed after the mold resin 6 is formed, the dimensional accuracy required for the mold resin 6 does not have to be high, and the waterproof performance required for the mold resin 6 is not high. Does not have to be expensive. Therefore, the mold resin 6 can be easily formed.

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 It should be considered that the embodiments disclosed this time are exemplary in all respects and not restrictive. The scope of the present invention is indicated by the scope of claims and is intended to include all modifications within the meaning and scope equivalent to the scope of claims.

1 素子モジュール、2 回路基板、3 半導体素子、4 アルミ電解コンデンサ、5 コネクタ、6,7 モールド樹脂、10,11 主表面、15 コネクタ本体、16,27,28 端子、17 接続ワイヤ、20 金属ケース、21 封止部材、22,23 リード線、24 電極体、25,36 開口部、26 台座、30 モジュール本体、31 第1金型、32 置台、33 注入装置、34,43 キャビティ、35 挿入口、37 シリンダ、38,49 ピストン、39,48 樹脂、40 第2金型、41 下金型、42 上金型、44,45 凹部、46 ゲート、47 充填室、2004 特開、P1,P2 成形圧力、R1,R2 空間、S1 準備工程、S2 第1樹脂形成工程、S3 第2樹脂形成工程。 1 element module, 2 circuit board, 3 semiconductor element, 4 aluminum electrolytic capacitor, 5 connector, 6,7 mold resin, 10,11 main surface, 15 connector body, 16,27,28 terminals, 17 connection wire, 20 metal case , 21 Sealing member, 22,23 lead wire, 24 electrode body, 25,36 opening, 26 pedestal, 30 module body, 31 1st mold, 32 pedestal, 33 injection device, 34,43 cavity, 35 insertion port , 37 Cylinder, 38,49 Piston, 39,48 Resin, 40 Second Mold, 41 Lower Mold, 42 Upper Mold, 44,45 Recess, 46 Gate, 47 Filling Chamber, 2004 JP, P1, P2 Molding Pressure, R1, R2 space, S1 preparation step, S2 first resin forming step, S3 second resin forming step.

Claims (1)

主表面を有する回路基板と、前記主表面に配置された第1素子および第2素子とを含むモジュール本体を準備する工程と、
第1金型を用いて前記モジュール本体に前記第1素子を覆う第1モールド樹脂を形成する工程と、
第2金型を用いて前記第1モールド樹脂および前記第2素子を覆うように、前記主表面に第2モールド樹脂を形成する工程と、
を備え、
前記第1素子は前記第2素子よりも低い外力によって損傷する脆弱部を含み、
前記第1モールド樹脂を形成するときの成形圧力は、前記第2モールド樹脂を形成する成形圧力よりも低い、素子モジュールの製造方法。
A step of preparing a module main body including a circuit board having a main surface and a first element and a second element arranged on the main surface.
A step of forming a first mold resin covering the first element on the module body using the first mold, and a step of forming the first mold resin.
A step of forming the second mold resin on the main surface so as to cover the first mold resin and the second element using the second mold, and a step of forming the second mold resin.
Equipped with
The first element contains a fragile portion that is damaged by a lower external force than the second element.
A method for manufacturing an element module, wherein the molding pressure when forming the first mold resin is lower than the molding pressure for forming the second mold resin.
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