[go: up one dir, main page]

JP2022010209A - Pellicle - Google Patents

Pellicle Download PDF

Info

Publication number
JP2022010209A
JP2022010209A JP2021183367A JP2021183367A JP2022010209A JP 2022010209 A JP2022010209 A JP 2022010209A JP 2021183367 A JP2021183367 A JP 2021183367A JP 2021183367 A JP2021183367 A JP 2021183367A JP 2022010209 A JP2022010209 A JP 2022010209A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pellicle
film
frame
less
forming substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2021183367A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
公幸 丸山
Masayuki Maruyama
辰典 中原
Tatsunori Nakahara
尊 藤川
Takeru Fujikawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Asahi Kasei Corp
Original Assignee
Asahi Kasei Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Kasei Corp filed Critical Asahi Kasei Corp
Publication of JP2022010209A publication Critical patent/JP2022010209A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/66Containers specially adapted for masks, mask blanks or pellicles; Preparation thereof

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

【課題】FPD用で解像度2.0μm以降の露光機を使用する場合に用いられる面積1000cm2以上のペリクルであって、パターン寸法精度に与える影響が少なく、転写されたパターンに不具合を生じさせないペリクルを提供することを目的とする。【解決手段】面積1000cm2以上の平面視矩形状の開口部を備えるペリクル用枠体と、当該ペリクル用枠体の一方の端面に前記開口部を覆うように展張支持されたペリクル膜と、前記ペリクル用枠体の他方の端面にマスク粘着剤と、を含むペリクルであって、前記ペリクル膜の膜厚が1.0μm以上3.0μm以下であり、前記ペリクル膜面内の膜厚バラツキが80nm以下である、ペリクル。【選択図】なしKind Code: A1 A pellicle having an area of 1000 cm 2 or more is used when an exposure device with a resolution of 2.0 μm or higher is used for FPD, and the pellicle has little effect on pattern dimension accuracy and does not cause defects in transferred patterns. intended to provide A pellicle frame having a rectangular opening with an area of 1000 cm2 or more in plan view, a pellicle film stretched and supported on one end surface of the pellicle frame so as to cover the opening, and the pellicle. and a mask adhesive on the other end face of the frame, wherein the pellicle film has a film thickness of 1.0 μm or more and 3.0 μm or less, and a film thickness variation within the pellicle film surface is 80 nm or less. is the pellicle. [Selection figure] None

Description

本発明は、ペリクルに関する。 The present invention relates to a pellicle.

従来、半導体回路パターン等の製造に於いては、一般にペリクルと呼ばれる防塵手段を
用いて、フォトマスクやレティクルへの異物の付着を防止することが行われている。ペリ
クルは、例えばフォトマスク或いはレティクルの形状に合わせた形状を有する厚さ数ミリ
程度の枠体の上縁面に、厚さ10μm以下のニトロセルロース或いはセルロース誘導体或
いはフッ素ポリマーなどの透明な高分子膜(以下、「ペリクル膜」という)を展張して接
着し、かつ該枠体の下縁面に粘着剤を塗着すると共に、この粘着剤上に所定の接着力で保
護フィルムを粘着させたものである。
Conventionally, in the manufacture of semiconductor circuit patterns and the like, dustproof means generally called a pellicle is used to prevent foreign matter from adhering to a photomask or a reticle. The pellicle is, for example, a transparent polymer film such as nitrocellulose or a cellulose derivative or a fluoropolymer having a thickness of 10 μm or less on the upper edge surface of a frame having a thickness of about several millimeters having a shape matching the shape of a photomask or a reticle. (Hereinafter referred to as "pellicle film") is stretched and adhered, and an adhesive is applied to the lower edge surface of the frame, and a protective film is adhered on the adhesive with a predetermined adhesive force. Is.

上記粘着剤は、ペリクルをフォトマスク或いはレティクルに固着するためのものであり
、また、保護フィルムは該粘着剤がその用に供するまで該粘着剤の接着力を維持するため
に、該粘着剤の接着面を保護するものである。
The pressure-sensitive adhesive is for adhering a pellicle to a photomask or a reticle, and a protective film is used to maintain the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive until the pressure-sensitive adhesive is used for the purpose. It protects the adhesive surface.

このようなペリクルは、一般的には、ペリクルを製造するメーカーから、フォトマスク
或いはレティクルを製造するメーカーに供給され、そこで、ペリクルをフォトマスク或い
はレティクルに貼付の後、半導体メーカー、パネルメーカー、等のリソグラフィーを行う
メーカーに供給される。
Such pellicle is generally supplied from the manufacturer of the pellicle to the manufacturer of the photomask or the reticle, where the pellicle is attached to the photomask or the reticle, and then the semiconductor manufacturer, the panel manufacturer, etc. It is supplied to the manufacturer who performs lithography.

ペリクル膜としては、露光に使用する光源に対応して最適な材料が選択され使用されて
いる。例えば、KrFレーザー(248nm)以下の短波長の場合は、十分な透過率と耐
光性をもつフッ素系樹脂が用いられている。
As the pellicle film, the optimum material is selected and used according to the light source used for exposure. For example, in the case of a short wavelength of KrF laser (248 nm) or less, a fluorine-based resin having sufficient transmittance and light resistance is used.

一方、FPD用では、光源として一般的には高圧水銀ランプや超高圧水銀ランプが用い
られ、240nm~600nmのブロードバンドの波長を用いるため、ニトロセルロース
やエチルセルロース、プロピオン酸セルロース等のセルロース系樹脂、シクロオレフィン
樹脂、フッ素系樹脂、ポリビニルアセタール樹脂などが用いられている。
On the other hand, for FPD, a high-pressure mercury lamp or an ultra-high pressure mercury lamp is generally used as a light source, and since a broadband wavelength of 240 nm to 600 nm is used, a cellulosic resin such as nitrocellulose, ethyl cellulose, or propionate cellulose, or cyclo Olefin resins, fluororesins, polyvinyl acetal resins and the like are used.

また、半導体用でもg&i線などの長い波長を用いる露光もあり、その場合でもフッ素
系以外にセルロース系樹脂やシクロオレフィン系樹脂、ポリビニルアセタール樹脂などが
既に用いられている。(例えば、特許文献1~3参照)
Further, even for semiconductors, there is exposure using a long wavelength such as g & i line, and even in that case, a cellulose-based resin, a cycloolefin-based resin, a polyvinyl acetal resin, or the like has already been used in addition to the fluorine-based resin. (For example, refer to Patent Documents 1 to 3)

FPDにおいても、生産性を向上させる目的からより線幅の細かい回路の要望があり、
高い露光波長が要求されるようになってきており、それに対応した大型ペリクル用膜が開
発されている。(例えば、特許文献4参照)
Even in FPDs, there is a demand for circuits with finer line widths for the purpose of improving productivity.
High exposure wavelengths are required, and large-sized pellicle films have been developed to meet the demands. (See, for example, Patent Document 4)

特開平04-081854号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 04-081854 特開平01-133052号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 01-133052 特開平07-199451号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 07-199451 特開2012-212043号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2012-212043

従来のFPDの露光波長は、あまり解像度を必要としないパターンが多いためブロード
バンドにて平均透過率が90%以上あれば問題なくペリクル膜が使用できていた。しかし
近年、FPDの世界でも、スマートフォンに代表される、最先端の高機能モバイル機器用
、高精細有機ELパネル及び液晶パネル用に、高解像度・高精度アライメントに注力した
露光装置が開発されてきている。
Since many patterns of conventional FPD exposure wavelengths do not require much resolution, a pellicle film can be used without problems if the average transmittance is 90% or more in broadband. However, in recent years, even in the world of FPDs, exposure equipment focusing on high-resolution and high-precision alignment has been developed for cutting-edge high-performance mobile devices such as smartphones, high-definition organic EL panels, and liquid crystal panels. There is.

そのため、等倍投影露光で、i線単波長、または、i線、g線、j線などの特定波長の
混合波長(以下、「特定混合波長」という)を使用し、より高解像度の回路を描画しよう
とする動きがでてきている。その際、パターン寸法精度(CD)とよばれるマスクパター
ンと設計パターンの幾何学的形状誤差を小さくするために露光機メーカーやマスクメーカ
ーは、露光機やマスクに様々な工夫をしている。
Therefore, in the same magnification projection exposure, a circuit with higher resolution is provided by using a single wavelength of i-line or a mixed wavelength of a specific wavelength such as i-line, g-line, j-line (hereinafter referred to as "specific mixed wavelength"). There is a movement to draw. At that time, in order to reduce the geometrical shape error between the mask pattern and the design pattern, which is called pattern dimensional accuracy (CD), the exposure machine maker and the mask maker have devised various measures for the exposure machine and the mask.

既に半導体用でg&i線波長等が使用されており、特許文献1~3のようにg線、i線
のどちらも共用できるペリクルとして膜厚を設計することで透過率を高め問題のないペリ
クルを提供している。
G & i-ray wavelengths have already been used for semiconductors, and by designing the film thickness as a pellicle that can share both g-line and i-line as in Patent Documents 1 to 3, the transmittance is increased and there is no problem with the pellicle. providing.

しかし、面積1000cm2以上のFPD(フラットパネルディスプレイ)用で、解像
度2.0μm以降(「解像度2.0μm以下」を言う)を目指してi線単波長や特定混合
波長で露光する場合、透過率だけを気にしてペリクルを作製しても解像度が低下し、転写
されたパターンの線幅が細ったり、パターンとパターンが接触したり、パターンの切れ不
良がおこるなど、部分的に不良がおこることが判明した。
However, for FPDs (flat panel displays) with an area of 1000 cm 2 or more, when exposed with an i-line single wavelength or a specific mixed wavelength aiming for a resolution of 2.0 μm or higher (referred to as “resolution 2.0 μm or less”), the transmittance Even if you make a pellicle only by paying attention to it, the resolution will be reduced, the line width of the transferred pattern will be narrowed, the pattern will come into contact with each other, and the pattern will be cut off. There was found.

従来は、ペリクルはマスクを異物から保護する役目として透過率がある範囲内であれば
不具合なく使用できていた。ところが、高精細用になり、パネルメーカー、露光機メーカ
ーでCDを小さくしても最後にペリクルを貼って露光すると予想以上にCDが大きくなり
、ペリクルがパターンに悪影響を与えていることを初めて見出した。
Conventionally, the pellicle can be used without any problem as long as it has a transmittance as long as it protects the mask from foreign substances. However, it became for high-definition, and even if the CD was made smaller by the panel maker and the exposure machine maker, when the pellicle was pasted and exposed at the end, the CD became larger than expected, and it was discovered for the first time that the pellicle had an adverse effect on the pattern. rice field.

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、FPD用で解像度2.0μm以下
の露光機を使用する場合に用いられる面積1000cm2以上の大型ペリクルであって、
パターン寸法精度に与える影響が少なく、転写されたパターンに不具合を生じさせないペ
リクルを提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and is a large pellicle having an area of 1000 cm 2 or more used when using an exposure machine for FPD with a resolution of 2.0 μm or less.
It is an object of the present invention to provide a pellicle that has little influence on the pattern dimensional accuracy and does not cause a defect in the transferred pattern.

上記の課題を解決するために本発明者らは、鋭意検討した結果、ペリクル膜面内の膜厚
バラツキをある範囲内にすることで上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成す
るに至った。
As a result of diligent studies to solve the above problems, the present inventors have found that the above problems can be solved by keeping the film thickness variation in the pellicle film surface within a certain range, and have completed the present invention. rice field.

すなわち、本発明は以下のとおりである。
〔1〕
面積1000cm2以上の平面視矩形状の開口部を備えるペリクル用枠体と、当該ペリ
クル用枠体の一方の端面に前記開口部を覆うように展張支持されたペリクル膜と、前記ペ
リクル用枠体の他方の端面にマスク粘着剤と、を含むペリクルであって、
前記ペリクル膜の膜厚が1.0μm以上3.0μm以下であり、前記ペリクル膜面内の
膜厚バラツキが80nm以下である、ペリクル。
〔2〕
前記ペリクル膜の365nmの波長に対する透過率が、95%以上である、〔1〕に記
載のペリクル。
〔3〕
前記ペリクルを貼り付けたマスクを使用して露光した時に、転写されるL/S(縦縞模
様)におけるパターン寸法精度の面内レンジが、200nm以下である、〔1〕又は〔2
〕に記載のペリクル。
〔4〕
前記ペリクルを貼り付けたマスクを使用して露光した時に、転写されるコンタクトホー
ルにおけるパターン寸法精度の面内レンジが、300nm以下である、〔1〕~〔3〕の
いずれかに記載のペリクル。
That is, the present invention is as follows.
[1]
A pellicle frame having an opening having a rectangular shape in a plan view having an area of 1000 cm 2 or more, a pellicle film stretched and supported on one end surface of the pellicle frame so as to cover the opening, and the pellicle frame. A pellicle containing a mask adhesive on the other end face of the
A pellicle in which the film thickness of the pellicle film is 1.0 μm or more and 3.0 μm or less, and the film thickness variation in the pellicle film surface is 80 nm or less.
[2]
The pellicle according to [1], wherein the transmittance of the pellicle film with respect to a wavelength of 365 nm is 95% or more.
[3]
When exposed using the mask to which the pellicle is attached, the in-plane range of pattern dimensional accuracy in the transferred L / S (vertical stripe pattern) is 200 nm or less, [1] or [2].
] The pellicle described in.
[4]
The pellicle according to any one of [1] to [3], wherein the in-plane range of pattern dimensional accuracy in the contact hole to be transferred is 300 nm or less when exposed using the mask to which the pellicle is attached.

本発明によれば、FPD用で解像度2.0μm以降の露光機を使用する場合に用いられ
得る面積1000cm2以上のペリクルであって、パターン寸法精度に与える影響が少な
く、転写されたパターンに不具合を生じさせないペリクルを提供することができる。
According to the present invention, it is a pellicle having an area of 1000 cm 2 or more that can be used when using an exposure machine for FPD with a resolution of 2.0 μm or more, and has little influence on the pattern dimensional accuracy, and the transferred pattern is defective. It is possible to provide a pellicle that does not cause the above.

実施例1のウェハー上のパターンのSEM写真である。It is an SEM photograph of the pattern on the wafer of Example 1. FIG. 比較例1のウェハー上のパターンのSEM写真である。6 is an SEM photograph of a pattern on a wafer of Comparative Example 1. CD測定におけるラインアンドスペース(L/S)パターンを示す図である。It is a figure which shows the line and space (L / S) pattern in the CD measurement. 実施例4にて作製したペリクルを使用し露光した時、転写されたコンタクトホールのSEM写真である。6 is an SEM photograph of a contact hole transferred when exposed using the pellicle prepared in Example 4. 比較例1にて作製したペリクルを使用し露光した時、転写されたコンタクトホールのSEM写真である。6 is an SEM photograph of a contact hole transferred when exposed using the pellicle produced in Comparative Example 1.

以下、本発明の実施の形態(以下、「本実施形態」という。)について詳細に説明する
が、本発明はこれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形が
可能である。
Hereinafter, embodiments of the present invention (hereinafter referred to as “the present embodiment”) will be described in detail, but the present invention is not limited thereto, and various modifications can be made without departing from the gist thereof. Is.

〔ペリクル〕
本実施形態のペリクルは、面積1000cm2以上の平面視矩形状の開口部を備えるペ
リクル用枠体と、当該ペリクル用枠体の一方の端面に前記開口部を覆うように展張支持さ
れたペリクル膜と、前記ペリクル用枠体の他方の端面にマスク粘着剤と、を含むペリクル
であって、前記ペリクル膜の膜厚が1.0μm以上3.0μm以下であり、前記ペリクル
膜面内の膜厚バラツキが80nm以下である。
[Pellicle]
The pellicle of the present embodiment has a pellicle frame having an opening having a rectangular shape in a plan view having an area of 1000 cm 2 or more, and a pellicle film stretched and supported on one end surface of the pellicle frame so as to cover the opening. And a pellicle containing a mask pressure-sensitive adhesive on the other end surface of the pellicle frame, the thickness of the pellicle film is 1.0 μm or more and 3.0 μm or less, and the film thickness in the pellicle film surface. The variation is 80 nm or less.

(ペリクル膜)
本実施形態におけるペリクル膜は、ペリクル用枠体の一方の端面に前記開口部を覆うよ
うに展張支持されたものである。このようなペリクル膜を構成する成分としては、特に制
限されないが、例えば、セルロース誘導体(ニトロセルロース、セルロースアセテート、
セルロースアセテートプロピオネート、セルロースアセテートブチレート等、あるいはこ
れら2種以上の混合物)、フッ素系ポリマー(テトラフルオロエチレン-ビニリデンフル
オライド-ヘキサフルオロプロピレンの3元コポリマー、主鎖に環状構造を持つポリマー
であるデュ・ポン社製のテフロンAF(商品名)、旭硝子社製のサイトップ(商品名)、
アウジモント社製のアルゴフロン(商品名)等)等のポリマー等が用いられる。
(Pellicle membrane)
The pellicle film in the present embodiment is stretched and supported on one end surface of the pellicle frame so as to cover the opening. The components constituting such a pellicle membrane are not particularly limited, but for example, cellulose derivatives (nitrocellulose, cellulose acetate, etc.)
Cellulose acetate propionate, cellulose acetate butyrate, etc., or a mixture of two or more of these), a fluoropolymer (tetrafluoroethylene-vinylidene fluoride-hexafluoropropylene ternary copolymer, polymer with a cyclic structure in the main chain) Teflon AF (trade name) manufactured by Du Pont, Cytop (trade name) manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.,
Polymers such as argoflon (trade name) manufactured by Audimont Co., Ltd. are used.

現在用いられている等倍投影露光液晶露光機の光源である超高圧水銀ランプに対しては
、耐光性やコストの点から、セルロースアセテートプロピオネートやセルロースアセテー
トブチレートやサイトップやテフロンAF等のフッ素系ポリマーが好ましく使用される。
For the ultra-high pressure mercury lamp, which is the light source of the 1x projection exposure liquid crystal exposure machine currently used, cellulose acetate propionate, cellulose acetate butyrate, Cytop, Teflon AF, etc. are used in terms of light resistance and cost. Fluorine-based polymers are preferably used.

上記のポリマーは、夫々に適した溶媒(ケトン系溶媒、エステル系溶媒、アルコール系
溶媒、フッ素系溶媒等)により溶解させて、ポリマー溶液として用いることができる。特
に、上記のセルロースアセテートプロピオネートやセルロースアセテートブチレートに対
しては、乳酸エチル等のエステル系溶媒が好ましい。また、サイトップやテフロンAF等
のフッ素系ポリマーに対しては、トリス(パーフルオロブチル)アミン等のフッ素系溶媒
が好ましい。ポリマー溶液は必要に応じてデプスフィルター、メンブレンフィルター等に
より濾過される。
The above polymers can be dissolved in suitable solvents (ketone-based solvent, ester-based solvent, alcohol-based solvent, fluorine-based solvent, etc.) and used as a polymer solution. In particular, an ester solvent such as ethyl lactate is preferable for the above-mentioned cellulose acetate propionate and cellulose acetate butyrate. Further, for a fluorine-based polymer such as Cytop or Teflon AF, a fluorine-based solvent such as tris (perfluorobutyl) amine is preferable. The polymer solution is filtered by a depth filter, a membrane filter or the like, if necessary.

ペリクル膜の厚さは、1.0~3.0μmであり、好ましくは1.4~2.8μmであ
り、より好ましくは1.5~2.6μmであり、さらに好ましくは1.6~2.5μmで
ある。ペリクル膜の厚さが上記範囲にあることにより、光の光路が短くなり、波長による
位相差が小さくなるため、i線単波長や特定混合波長を使用する場合に適する。また、ペ
リクル膜の厚さが上記範囲にあることにより、より容易に透過率を95%以上に調整でき
る傾向にある。更に、ペリクル膜の厚さが上記範囲にあることにより、成膜時に基板から
膜を剥離するときに膜破れをおこすことなく、きれいに剥離することができるため、歩留
まりもより向上する。また、ペリクルのハンドリング時に膜破れをおこすこともなく、更
に、ペリクル膜に付着した異物をエアブローで除去するときにも破れることもないため好
ましい。
The thickness of the pellicle film is 1.0 to 3.0 μm, preferably 1.4 to 2.8 μm, more preferably 1.5 to 2.6 μm, still more preferably 1.6 to 2 It is 5.5 μm. When the thickness of the pellicle film is within the above range, the optical path of light is shortened and the phase difference depending on the wavelength is small, so that it is suitable when i-line single wavelength or specific mixed wavelength is used. Further, when the thickness of the pellicle film is within the above range, the transmittance tends to be adjusted to 95% or more more easily. Further, when the thickness of the pellicle film is within the above range, the film can be peeled off cleanly without causing tearing when the film is peeled off from the substrate at the time of film formation, so that the yield is further improved. Further, it is preferable because the film does not break when the pellicle is handled, and further, it does not break when the foreign matter adhering to the pellicle film is removed by air blow.

なお、ペリクル膜の厚さは、ポリマー溶液の濃度や塗布条件(例えば、塗布速度、乾燥
時間等)を調整することにより減少させることができる。また、ペリクル膜の厚さは、実
施例に記載の方法により測定することができる。
The thickness of the pellicle film can be reduced by adjusting the concentration of the polymer solution and the coating conditions (for example, coating speed, drying time, etc.). Further, the thickness of the pellicle film can be measured by the method described in Examples.

ペリクル膜の膜面内の膜厚バラツキは、80nm以下であり、好ましくは70nm以下
であり、より好ましくは50nm以下であり、さらに好ましくは45nm以下であり、よ
りさらに好ましくは35nm以下である。ペリクル膜の膜面内の膜厚バラツキは0nmが
理想であるが、ペリクルの場合、ペリクルフレーム外形の面積が1000cm2以上ある
ため、バラツキを0nmにすることは生産上より一層困難である。このような生産上の問
題から、一般的には10nm以上は製造バラツキを含んでいると思われるが、この点につ
いては特に制限されない。また、ペリクル膜の膜面内の膜厚バラツキが上記範囲内である
ことにより、ペリクルの面積が大きくても、CDが所定の範囲に収まり面内のCDバラツ
キが小さくなるため好ましい。これは、屈折率をn、膜厚をdとした場合、光の光路(光
が感じる距離)は、n×dで簡易に表すことができる。実際に光は膜面に対して直角だけ
ではなく位相の角度も関係してくるため、斜めからの入射も含まれてくる。そのため膜厚
バラツキを小さくすることが、ペリクル全体で同じようなパターンを描くことができるよ
うになると考えている。特に、投影等倍露光である場合には、この影響をより強く受ける
と考えられる。
The film thickness variation in the film surface of the pellicle film is 80 nm or less, preferably 70 nm or less, more preferably 50 nm or less, still more preferably 45 nm or less, still more preferably 35 nm or less. Ideally, the film thickness variation in the film surface of the pellicle film is 0 nm, but in the case of the pellicle, since the area of the outer shape of the pellicle frame is 1000 cm 2 or more, it is more difficult to make the variation 0 nm in production. From such a production problem, it is generally considered that 10 nm or more contains production variation, but this point is not particularly limited. Further, since the film thickness variation in the film surface of the pellicle film is within the above range, even if the area of the pellicle is large, the CD is contained in a predetermined range and the CD variation in the surface is small, which is preferable. When the refractive index is n and the film thickness is d, the optical path of light (distance felt by light) can be easily expressed by n × d. In fact, since light is related not only to the right angle to the film surface but also to the phase angle, the incident from an oblique angle is also included. Therefore, we believe that reducing the film thickness variation will enable us to draw similar patterns throughout the pellicle. In particular, in the case of projection 1x exposure, it is considered that this influence is stronger.

なお、ペリクル膜の膜面内の膜厚バラツキは、スピンコーターやスリットコートにより
調整しやすく、回転速度やポリマー溶液の濃度やノズル塗布条件を調整することにより減
少させることができる。また、ペリクル膜の膜面内の膜厚バラツキは、実施例に記載の方
法により測定することができる。
The variation in the film thickness in the film surface of the pellicle film can be easily adjusted by adjusting the spin coater or the slit coat, and can be reduced by adjusting the rotation speed, the concentration of the polymer solution, and the nozzle coating conditions. Further, the film thickness variation in the film surface of the pellicle film can be measured by the method described in Examples.

ペリクルを貼り付けたマスクを使用して露光した時に、転写されるCDの面内レンジは
、L/S(縦縞模様)として、好ましくは200nm以下であり、より好ましくは150
nm以下であり、さらに好ましくは100nm以下、よりさらに好ましくは80nm以下
である。
また、ペリクルを貼り付けたマスクを使用して露光した時にコンタクトホールを形成す
る場合、転写されるコンタクトホールにおけるCDの面内レンジは、好ましくは300n
m以下であり、より好ましくは250nm以下であり、さらに好ましくは200nm以下
、よりさらに好ましくは150nm以下である。
L/S及びコンタクトホールにおけるCDの面内レンジが上記範囲にあることにより、
解像度が2.0μm以降の等倍投影露光の場合で大面積であっても、ラインとラインの間
のスペースが接触することや、所望のホールが確保できないことや、パターンの切れ不良
が、発生しない傾向にある。
When exposed using a mask to which a pellicle is attached, the in-plane range of the transferred CD is preferably 200 nm or less as an L / S (vertical stripe pattern), more preferably 150.
It is nm or less, more preferably 100 nm or less, still more preferably 80 nm or less.
Further, when a contact hole is formed when exposed using a mask to which a pellicle is attached, the in-plane range of the CD in the contact hole to be transferred is preferably 300 n.
It is m or less, more preferably 250 nm or less, still more preferably 200 nm or less, still more preferably 150 nm or less.
The in-plane range of the CD in the L / S and contact holes is within the above range.
Even if the area is large in the case of 1x projection exposure with a resolution of 2.0 μm or more, the space between the lines touches, the desired hole cannot be secured, and the pattern is poorly cut. I tend not to.

ペリクル膜のi線(365nm)の波長に対する透過率は、好ましくは95%以上であ
り、より好ましくは97%以上であり、さらに好ましくは98%以上である。また、ペリ
クル膜のi線(365nm)の波長に対する透過率の上限は、特に制限されないが、好ま
しくは100%であり、より好ましくは99.8%以下である。なお、ペリクル膜のi線
(365nm)の波長に対する透過率が95%以上であることにより、解像度がより向上
する傾向にある。これは、解像度2.0μm、特には1.5μm以降、更には1.2μm
以降を達成するためにはi線が使われるためである。また、ペリクル膜のi線(365n
m)の波長に対する透過率が99.8%以下であることにより、膜厚バラツキが抑制され
、大面積の膜でも生産性良く製造できる傾向にある。特に、透過率が95%以上で、膜厚
バラツキを80nm以下にするとCDがより一層安定する傾向にある。
The transmittance of the pellicle film with respect to the wavelength of the i-line (365 nm) is preferably 95% or more, more preferably 97% or more, still more preferably 98% or more. The upper limit of the transmittance of the pellicle film with respect to the wavelength of the i-line (365 nm) is not particularly limited, but is preferably 100%, more preferably 99.8% or less. The resolution of the pellicle film tends to be further improved when the transmittance of the i-line (365 nm) with respect to the wavelength is 95% or more. This has a resolution of 2.0 μm, especially after 1.5 μm, and even 1.2 μm.
This is because the i-line is used to achieve the following. In addition, i-line (365n) of the pellicle membrane
Since the transmittance for the wavelength of m) is 99.8% or less, the film thickness variation is suppressed, and even a large-area film tends to be produced with good productivity. In particular, when the transmittance is 95% or more and the film thickness variation is 80 nm or less, the CD tends to be more stable.

(ペリクル用枠体)
本実施形態におけるペリクル用枠体は、面積1000cm2以上の平面視矩形状の開口
部を備える。ペリクル用枠体の形状は、マスク形状と相似の矩形や正方形である。そのた
め、ペリクル用枠体も同様にマスク形状と相似の矩形や正方形である。
(Frame for pellicle)
The frame for the pellicle in the present embodiment includes an opening having a rectangular shape in a plan view having an area of 1000 cm 2 or more. The shape of the frame for the pellicle is a rectangle or a square similar to the mask shape. Therefore, the frame for the pellicle is also a rectangle or a square similar to the mask shape.

ペリクル用枠体各辺の断面形状としては、矩形、H型、T型等、特に限定は無いが、矩
形形状が最も好ましい。断面は中空構造であっても良い。
The cross-sectional shape of each side of the pellicle frame is not particularly limited, such as rectangular, H-shaped, and T-shaped, but a rectangular shape is most preferable. The cross section may have a hollow structure.

また、ペリクル用枠体の厚みは、好ましくは下限が3.0mm以上であり、より好まし
くは下限が3.5mm以上であり、特に好ましくは4.0mm以上である。一方ペリクル
用枠体の厚みの上限は、好ましくは10mm以下であり、より好ましくは8mm以下、さ
らに好ましくは7mm以下である。
The thickness of the pellicle frame is preferably 3.0 mm or more, more preferably 3.5 mm or more, and particularly preferably 4.0 mm or more. On the other hand, the upper limit of the thickness of the pellicle frame is preferably 10 mm or less, more preferably 8 mm or less, still more preferably 7 mm or less.

ペリクル用枠体の幅は、好ましくは3.5mm~30mmの間が好ましい。この範囲に
あることで有効露光面積を確保しつつ、ペリクル膜の張力に耐えられるため好ましい。ペ
リクル用枠体の幅の下限は、より好ましくは4mm以上、さらに好ましくは6mm以上で
あり、ペリクル用枠体の面積に応じて膜張力に耐えられるように変更することが好ましい
。一方ペリクル用枠体の幅の上限は、好ましくは30mm以下、より好ましくは25mm
以下、さらに好ましくは19mm以下がよい。尚、幅は長辺、短辺何れの辺の幅とも同じ
であってもよく、各々独立の幅であっても構わない。
The width of the frame for the pellicle is preferably between 3.5 mm and 30 mm. Within this range, it is preferable because it can withstand the tension of the pellicle film while ensuring an effective exposure area. The lower limit of the width of the pellicle frame is more preferably 4 mm or more, further preferably 6 mm or more, and it is preferable to change the width so as to withstand the membrane tension according to the area of the pellicle frame. On the other hand, the upper limit of the width of the frame for the pellicle is preferably 30 mm or less, more preferably 25 mm.
Below, it is more preferably 19 mm or less. The width may be the same as the width of either the long side or the short side, or may be an independent width.

ペリクル用枠体は、例えばアルミニウム、アルミニウム合金(5000系、6000系
、7000系等)、鉄及び鉄系合金、セラミックス(SiC、AlN、Al23等)、セ
ラミックスと金属との複合材料(Al-SiC、Al-AlN、Al-Al23等)、炭
素鋼、工具鋼、ステンレスシリーズ、マグネシウム合金、並びにポリカーボネート樹脂、
アクリル樹脂等の樹脂等からなり、平面視において略矩形状を呈している。ペリクルは、
マスク粘着剤層を介してマスクに貼り付くため、剛性が高くて比較的重量が小さいものが
好ましく、アルミニウム、アルミニウム合金、マグネシウム合金、樹脂等の素材が好まし
い。
The frame for the pellicle is, for example, aluminum, aluminum alloy (5000 series, 6000 series, 7000 series, etc.), iron and iron alloy, ceramics (SiC, AlN, Al 2 O 3 , etc.), composite material of ceramics and metal (Chemicals and metal). Al-SiC, Al-AlN, Al-Al 2 O 3 etc.), carbon steel, tool steel, stainless steel series, magnesium alloy, and polycarbonate resin,
It is made of a resin such as acrylic resin and has a substantially rectangular shape in a plan view. Pellicle
Since it adheres to the mask via the mask pressure-sensitive adhesive layer, a material having high rigidity and a relatively small weight is preferable, and a material such as aluminum, an aluminum alloy, a magnesium alloy, or a resin is preferable.

本実施形態におけるペリクル用枠体が備える平面視矩形状の開口部の面積は、1000
cm2以上であり、好ましくは5000cm2以上であり、より好ましくは6000cm2
以上である。ペリクル用枠体が備える平面視矩形状の開口部の面積が1000cm2以上
である大型の場合には、本発明の効果がより一層発揮される。なお、FPDの製造に用い
るマスク等を考慮すると、平面視矩形状の開口部の面積の上限は35000cm2であれ
ば十分である。
The area of the rectangular opening in the plan view provided in the frame for the pellicle in the present embodiment is 1000.
cm 2 or more, preferably 5000 cm 2 or more, more preferably 6000 cm 2
That is all. The effect of the present invention is further exhibited when the area of the rectangular opening in the plan view provided by the frame for the pellicle is 1000 cm 2 or more. Considering the mask used for manufacturing the FPD, the upper limit of the area of the rectangular opening in a plan view is sufficient if it is 35,000 cm 2 .

また、ペリクル枠体の長辺の長さは、400mm以上、好ましくは800mm以上であ
ればよく、2100mm以下であればよい。
The length of the long side of the pellicle frame may be 400 mm or more, preferably 800 mm or more, and 2100 mm or less.

(内壁、通気孔、フィルター)
必要に応じてペリクル用枠体の内壁面又は全面に、異物を捕捉するための粘着剤(アク
リル系、酢酸ビニル系、シリコーン系、ゴム系等)やグリース(シリコーン系、フッ素系
等)を塗布しても良い。
(Inner wall, ventilation holes, filters)
If necessary, apply an adhesive (acrylic, vinyl acetate, silicone, rubber, etc.) or grease (silicone, fluorine, etc.) to capture foreign matter on the inner wall surface or the entire surface of the pellicle frame. You may.

また、必要に応じてペリクル用枠体の内部と外部を貫通する微細な穴を開けて、ペリク
ルとフォトマスクで形成された空間の内外の気圧差がなくなるようにすると、膜の膨らみ
や凹みを防止出来る。
In addition, if necessary, a minute hole is made to penetrate the inside and outside of the pellicle frame so that the pressure difference between the inside and outside of the space formed by the pellicle and the photomask is eliminated, so that the bulge and dent of the film can be prevented. It can be prevented.

また、この時、微細な穴の外側に異物除去フィルターを取り付けると、気圧調整が可能
な上、ペリクルとフォトマスクで形成された空間の中に異物が侵入することを防げるので
好ましい。
Further, at this time, it is preferable to attach a foreign matter removing filter to the outside of the fine hole because the atmospheric pressure can be adjusted and foreign matter can be prevented from entering the space formed by the pellicle and the photomask.

ペリクルとフォトマスクで形成された空間容積が大きい場合には、これらの穴やフィル
ターを複数個設けると、気圧変動による膜の膨らみや凹みの回復時間が短くなり、好まし
い。
When the space volume formed by the pellicle and the photomask is large, it is preferable to provide a plurality of these holes or filters because the recovery time of the swelling or dent of the film due to the atmospheric pressure fluctuation is shortened.

本実施形態におけるペリクル枠体は、上記の要件を満足することで適度な剛性と柔軟性
を兼ね備えることが可能となるため、ペリクル膜を展張することによる枠体の歪がなく、
ペリクルを単独でハンドリングする場合の撓みはもちろん、その後の、マスクへ貼り付け
後のハンドリングにおけるマスク自身の撓みにも追従することが可能である。その結果、
ペリクルにシワが生じず、かつ、マスクの撓みにも追従できるので、エアパスが生じるこ
ともないといった優れた効果を奏するものである。
Since the pellicle frame in the present embodiment can have appropriate rigidity and flexibility by satisfying the above requirements, there is no distortion of the frame due to the expansion of the pellicle film.
It is possible to follow not only the bending when the pellicle is handled alone, but also the bending of the mask itself in the subsequent handling after being attached to the mask. as a result,
Since the pellicle does not wrinkle and can follow the bending of the mask, it has an excellent effect that no air path is generated.

(ペリクル膜の製法)
ペリクル膜は、例えばポリマー溶液から成膜された薄膜が使用されている。この薄膜に
は張力が存在する。一方、この張力は、ペリクル膜が撓んだりしわが入らないようにする
ために必要である。
(Manufacturing method of pellicle membrane)
As the pellicle film, for example, a thin film formed from a polymer solution is used. Tension is present in this thin film. On the other hand, this tension is necessary to prevent the pellicle film from bending or wrinkling.

ペリクル膜が撓んだりしわが入ると、ペリクル膜に付着した異物をエアブローで除去す
る時に、該ペリクル膜が大きく振動し除去し難い。また、ペリクル膜の高さが場所により
変わるために、ペリクル膜の異物検査機が正常に機能しない。また、ペリクル膜の光学的
高さ測定に誤差を及ぼす等の問題が生じる。
When the pellicle film is bent or wrinkled, the pellicle film vibrates greatly and is difficult to remove when the foreign matter adhering to the pellicle film is removed by air blow. In addition, the foreign matter inspection machine for the pellicle membrane does not function normally because the height of the pellicle membrane changes depending on the location. In addition, problems such as causing an error in the optical height measurement of the pellicle film occur.

ポリマー溶液の成膜法には、スピンコート法、ロールコート法、ナイフコート法、キャ
スト法等があるが、均一性や異物の管理の点から、スピンコート法が好ましい。スピンコ
ート法により成膜基板上に成膜した後、必要に応じてホットプレート、クリーンオーブン
、(遠)赤外線加熱等により溶媒を乾燥することにより、均一な膜が形成される。この時
の成膜基板としては、合成石英、溶融石英、無アルカリガラス、低アルカリガラス、ソー
ダライムガラス等が利用出来る。
The polymer solution film forming method includes a spin coating method, a roll coating method, a knife coating method, a casting method and the like, but the spin coating method is preferable from the viewpoint of uniformity and control of foreign matter. After forming a film on the film-forming substrate by the spin coating method, a uniform film is formed by drying the solvent with a hot plate, a clean oven, (far) infrared heating, or the like, if necessary. As the film-forming substrate at this time, synthetic quartz, molten quartz, non-alkali glass, low-alkali glass, soda lime glass and the like can be used.

本実施形態に係るペリクルの成膜用の基板のサイズは大きいので、乾燥時の温度斑によ
り成膜基板が割れることがある。これを防ぐために、成膜用基板の熱膨張係数は小さいほ
ど好ましい。特に、0℃~300℃における線膨張係数が50×10-7m/℃以下である
ことが好ましい。
Since the size of the substrate for film formation of the pellicle according to the present embodiment is large, the film-forming substrate may be cracked due to temperature spots during drying. In order to prevent this, it is preferable that the coefficient of thermal expansion of the film-forming substrate is small. In particular, it is preferable that the coefficient of linear expansion from 0 ° C to 300 ° C is 50 × 10 -7 m / ° C or less.

また、成膜用の基板の表面には、シリコーン系、フッ素系等の材料により、あらかじめ
離型処理を施しておけば良い。また、上記のペリクル膜は単層でも良いが、ペリクル膜の
片側、あるいは両側に、該ペリクル膜よりも屈折率の低い層(即ち、反射防止層)を形成
することにより、露光光線に対する透過率を高めることが出来、好ましい。
Further, the surface of the substrate for film formation may be subjected to a mold release treatment in advance with a material such as silicone or fluorine. Further, the above-mentioned pellicle film may be a single layer, but by forming a layer having a lower refractive index than the pellicle film (that is, an antireflection layer) on one side or both sides of the pellicle film, the transmittance with respect to the exposed light beam is formed. Can be enhanced, which is preferable.

反射防止層の材料としては、フッ素系ポリマー(テトラフルオロエチレン-ビニリデン
フルオライド-ヘキサフルオロプロピレンの3元コポリマー、主鎖に環状構造を持つポリ
マーであるデュ・ポン社製のテフロンAF(商品名)、旭硝子社製のサイトップ(商品名
)、アウジモント社製のアルゴフロン(商品名)、ポリフルオロアクリレート等)や、フ
ッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、フッ化バリウム等の屈折率の低い材料が使用され
る。
As the material of the antireflection layer, a fluoropolymer (tetrafluoroethylene-vinylidene fluoride-hexafluoropropylene ternary copolymer, Teflon AF (trade name) manufactured by Du Pont, which is a polymer having a cyclic structure in the main chain). , Asahi Glass's Cytop (trade name), Audimont's Argoflon (trade name), polyfluoroacrylate, etc.) and materials with low refractive index such as calcium fluoride, magnesium fluoride, and barium fluoride are used. Will be done.

反射防止層は、ポリマーの場合、前述と同様のスピンコート法により、無機物の場合、
真空蒸着やスパッタリング等の薄膜形成法により形成することが出来る。異物の点からは
、ポリマー溶液によるスピンコート法が好ましい。デュ・ポン社製のテフロンAF(商品
名)、アウジモンド社製のアルゴフロン(商品名)は、屈折率が小さいので反射防止効果
が高く好ましい。
In the case of a polymer, the antireflection layer is formed by the same spin coating method as described above, and in the case of an inorganic substance, the antireflection layer is formed.
It can be formed by a thin film forming method such as vacuum deposition or sputtering. From the viewpoint of foreign matter, the spin coating method using a polymer solution is preferable. Teflon AF (trade name) manufactured by DuPont and Argoflon (trade name) manufactured by Audimond are preferable because they have a low refractive index and therefore have a high antireflection effect.

上記により成膜基板上に形成されたペリクル膜は、アルミニウム合金、ステンレススチ
ール、樹脂等に粘着剤を貼り付けた仮枠により、成膜基板から剥がし取って所望のペリク
ル枠体に貼り替えても良い。また成膜基板上で所望のペリクル枠体を接着後、成膜基板か
ら剥がし取っても良い。
The pellicle film formed on the film-forming substrate as described above can be peeled off from the film-forming substrate by a temporary frame in which an adhesive is attached to an aluminum alloy, stainless steel, resin, etc., and replaced with a desired pellicle frame. good. Further, the desired pellicle frame may be adhered on the film-forming substrate and then peeled off from the film-forming substrate.

このようにして得られたペリクル膜は、ペリクル枠体に張力を架けて接着剤により貼着
される。
The pellicle film thus obtained is attached to the pellicle frame by applying tension to the pellicle frame.

(膜接着剤)
ぺリクル膜とペリクル用枠体に接着するための膜接着剤は、ペリクル膜の材質とペリク
ル枠体の材質によって適宜選択する。たとえば、エポキシ系、アクリル系、シリコーン系
、フッ素系等の接着剤が使用される。
(Membrane adhesive)
The film adhesive for adhering to the pellicle film and the pellicle frame is appropriately selected depending on the material of the pellicle film and the material of the pellicle frame. For example, epoxy-based, acrylic-based, silicone-based, and fluorine-based adhesives are used.

また、接着剤の硬化方法は夫々の接着剤に適した硬化方法(熱硬化、光硬化、嫌気性硬
化等)が採用される。発塵性、コスト、作業性の面から、アクリル系の紫外線硬化型接着
剤が好ましい。
Further, as the curing method of the adhesive, a curing method suitable for each adhesive (heat curing, photo-curing, anaerobic curing, etc.) is adopted. Acrylic-based UV-curable adhesives are preferable from the viewpoints of dust generation, cost, and workability.

ペリクル用枠体をフォトマスクに貼り付けるためのマスク粘着剤には、それ自身に粘着
力のあるホットメルト系(ゴム系、アクリル系)、基材の両面に粘着剤を塗布したテープ
系(基材としてアクリル系、PVC系等のシートあるいはゴム系、ポリオレフィン系、ウ
レタン系等のフォーム等が適用出来、粘着剤としてゴム系、アクリル系、シリコーン系等
の粘着剤が適用される)等が使用される。
The mask adhesive for attaching the pellicle frame to the photo mask includes a hot melt adhesive (rubber type, acrylic type) that has adhesiveness to itself, and a tape type (base) in which the adhesive is applied to both sides of the base material. Acrylic-based, PVC-based sheets or rubber-based, polyolefin-based, urethane-based foams, etc. can be applied as materials, and rubber-based, acrylic-based, silicone-based, etc. adhesives are applied as adhesives). Will be done.

(マスク粘着剤、ライナー)
本実施形態に係るペリクルでは、マスク粘着剤として、ペリクルをフォトマスクに均一
に貼り付け可能で、マスクからペリクルを容易に剥離できるように、比較的柔らかいホッ
トメルト材料やフォームが好適である。フォームの場合は、その断面にアクリル系や酢酸
ビニル系の粘着性材料あるいは非粘着性材料で覆うことにより、フォームからの発塵を防
ぐことが出来る。
(Mask adhesive, liner)
In the pellicle according to the present embodiment, a relatively soft hot melt material or foam is suitable as the mask adhesive so that the pellicle can be uniformly attached to the photomask and the pellicle can be easily peeled off from the mask. In the case of a foam, dust generation from the foam can be prevented by covering the cross section with an acrylic or vinyl acetate-based adhesive material or a non-adhesive material.

マスク粘着剤の厚さは通常0.2mm以上とされるが、フォトマスクへの均一な貼付の
ために、好ましくは1mm以上とされる。上記マスク粘着剤の粘着面をフォトマスクに貼
り付けるまでの間保護するために、シリコーンやフッ素で離型処理されたポリエステルフ
ィルムが使用される。
The thickness of the mask adhesive is usually 0.2 mm or more, but is preferably 1 mm or more for uniform application to the photomask. In order to protect the adhesive surface of the mask adhesive until it is attached to the photomask, a polyester film that has been mold-released with silicone or fluorine is used.

以下、本発明を実施例及び比較例を用いてより具体的に説明する。本発明は、以下の実
施例によって何ら限定されるものではない。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples. The present invention is not limited to the following examples.

[評価方法]
(1)膜厚バラツキ(nm)
外寸40mm×35mm、長辺幅、短辺幅ともに5mmのアルミニウムの枠体に両面テ
ープを貼付けた。この枠体をペリクル膜の9点の測定対象場所(後述)それぞれに対して
貼付け、ペリクルのペリクル膜を切り出した。その後、切り出した膜付枠体を紫外可視分
光光度計(株式会社島津製作所、UV-1800)にセットし測定した(測定波長365
nm)。測定した9点の測定対象場所の膜厚のうち、一番厚い膜厚から一番薄い膜厚を引
いた値を膜厚バラツキとした。
[Evaluation methods]
(1) Film thickness variation (nm)
Double-sided tape was attached to an aluminum frame having an outer dimension of 40 mm × 35 mm and a long side width and a short side width of 5 mm. This frame was attached to each of the nine measurement target locations (described later) of the pellicle membrane, and the pellicle membrane of the pellicle was cut out. After that, the cut out frame with a film was set in an ultraviolet visible spectrophotometer (Shimadzu Corporation, UV-1800) and measured (measurement wavelength 365).
nm). Of the nine measured film thicknesses at the measurement target locations, the value obtained by subtracting the thinnest film thickness from the thickest film thickness was defined as the film thickness variation.

(2)膜厚(μm)
上記膜厚バラツキと同じ方法で9点の測定対象場所毎の膜付枠体を切り出した。切り出
した膜付枠体を測定し、一番厚い膜厚と一番薄い膜厚の中間(平均)を膜厚とした。
(2) Film thickness (μm)
A frame with a film was cut out for each measurement target location at 9 points by the same method as the above-mentioned film thickness variation. The cut out frame with a film was measured, and the middle (average) between the thickest film thickness and the thinnest film thickness was taken as the film thickness.

(3)透過率(%)
上記膜厚バラツキと同じ方法で9点の測定対象場所毎の膜付枠体を切り出した。切り出
した膜付枠体を紫外可視分光光度計(株式会社島津製作所、UV-1800)にセットし
365nmの透過率を測定した。9点の透過率の相加平均値を透過率とした。
(3) Transmittance (%)
A frame with a film was cut out for each measurement target location at 9 points by the same method as the above-mentioned film thickness variation. The cut out frame with a film was set in an ultraviolet visible spectrophotometer (Shimadzu Corporation, UV-1800), and the transmittance at 365 nm was measured. The arithmetic mean value of the transmittance at 9 points was taken as the transmittance.

(4)CDの面内レンジの測定方法
シリコン基板(12インチ、300mmφ)を成膜基板として、その表面にシランカッ
プリングを行い、離型性を向上させた。次いで、ポリマー溶液や条件はそれぞれの実施例
と同じものを用い、膜厚バラツキが同じになるようにして成膜を行った。次いで仮枠に成
膜基板から乾燥された膜を引き剥がした。
(4) Method for measuring the in-plane range of a CD A silicon substrate (12 inches, 300 mmφ) was used as a film-forming substrate, and silane coupling was performed on the surface thereof to improve releasability. Next, the same polymer solution and conditions as in each example were used, and the film was formed so that the film thickness variation was the same. Then, the dried film was peeled off from the film-forming substrate on the temporary frame.

その後、黒色アルマイトしたアルミ合金製のペリクル枠の一方の端面に、実施例と同じ
マスク粘着剤を塗布し、保護フィルムとしてポリエステルファイルにて保護した。保護フ
ィルムの厚みは100μmであった。ペリクル枠の他方の端面に、実施例と同じ膜接着剤
を塗布し、上記仮枠上のペリクル膜を接着した。ペリクル枠の外径は122mm×149
mmであり、内径は118mm×145mmであり、高さは4.8mmであった。
Then, the same mask adhesive as in the examples was applied to one end face of a black alumite aluminum alloy pellicle frame, and the film was protected with a polyester file as a protective film. The thickness of the protective film was 100 μm. The same film adhesive as in the examples was applied to the other end face of the pellicle frame, and the pellicle film on the temporary frame was adhered. The outer diameter of the pellicle frame is 122 mm x 149.
It was mm, the inner diameter was 118 mm × 145 mm, and the height was 4.8 mm.

クロム薄膜層を有する合成石英ガラス上(6025)にフォトレジスト(感光性物質)
を塗布し、プレベーク後、電子ビーム露光装置を用いて100mm×100mmの領域内
でフォトレジストに5列のパターンを描画した。1列に描画形状が図3と同じで、ライン
幅を複数変更したパターンの形状とした。1つのパターンは、例えば図3のようなL/S
にし、ライン幅(L)を2.0μm、スペース幅(S)を0.4μmとした。同じ描画形
状でライン幅(L)を1.8μm、1.7μm、1.6μmと複数変更した。また、図3
のようなL/Sパターンの近くに2.0μmのコンタクトホールを9個ずつ作製し、それ
ぞれの描画形状の近くに同じように作製した。このように作製した1列と同じパターンを
5列作製した。現像処理後、レジストのパターンから露出しているクロム層部分をエッチ
ングし、レジストパタンをクロム層に転写した。最後にレジスト残渣を洗浄しレティクル
を作製した。
A photoresist (photosensitive substance) on synthetic quartz glass (6025) having a chromium thin film layer.
After pre-baking, a pattern of 5 rows was drawn on the photoresist in a region of 100 mm × 100 mm using an electron beam exposure apparatus. The drawing shape is the same as that in FIG. 3 in one column, and the shape of the pattern is changed by changing the line width. One pattern is, for example, L / S as shown in FIG.
The line width (L) was set to 2.0 μm, and the space width (S) was set to 0.4 μm. The line width (L) was changed to 1.8 μm, 1.7 μm, and 1.6 μm with the same drawing shape. In addition, FIG.
Nine 2.0 μm contact holes were made near each L / S pattern as shown in the above, and the same was made near each drawing shape. Five rows of the same pattern as the one row thus prepared were produced. After the development treatment, the chromium layer portion exposed from the resist pattern was etched, and the resist pattern was transferred to the chromium layer. Finally, the resist residue was washed to prepare a reticle.

その後、レティクルに前記作製したペリクルを、簡易型マウンターを用い、加重30k
gf、加重時間は60secで貼りあわせた。
After that, the prepared pellicle was used as a reticle with a weight of 30 k using a simple mounter.
The gf and the weighting time were 60 sec.

シリコン基板(φ4インチ)上にフォトレジストをスピンコーターで均一に塗布後、プ
レベークしフォトレジストを固化させた。次に半導体素子製造装置の一つである縮小投影
型露光装置(ステッパー)を用いて、先に作製されたレティクルの微細パターンを縮小投
影レンズにより1/5に縮小し、レジストを塗布したウェハー上を移動しながら投影露光
した。110℃で90sec加熱し、その後、有機アルカリ現像液に浸し、感光した部分
のレジストを除去した。超純水で数回すすぎ、感光した残渣を完全に除去した。
The photoresist was uniformly applied on a silicon substrate (φ4 inch) with a spin coater, and then prebaked to solidify the photoresist. Next, using a reduction projection type exposure device (stepper), which is one of the semiconductor element manufacturing devices, the fine pattern of the reticle produced earlier is reduced to 1/5 by a reduction projection lens, and the wafer is coated with resist. Was projected and exposed while moving. The mixture was heated at 110 ° C. for 90 seconds and then immersed in an organic alkaline developer to remove the resist in the exposed portion. It was rinsed with ultrapure water several times to completely remove the exposed residue.

露光条件としては、露光強度500mW/cm2で露光時間を285msec~445
msec、フォーカスが-0.3~0.7μm条件を振った。露光後現像し、SEMにて
L/Sの解像度2.0μmのパターンに対してCDが小さい条件を見つける条件出しを行
った。
As the exposure conditions, the exposure intensity is 500 mW / cm 2 and the exposure time is 285 msec to 445.
The condition of msec and focus of -0.3 to 0.7 μm was shaken. After the exposure, it was developed, and the condition for finding the condition that the CD was small for the pattern with the resolution of 2.0 μm of L / S was set by SEM.

上記にて決定した条件に対して、露光強度500mW/cm2、フォーカスを一定にし
、露光時間を300msec~320msecに振って、再度露光を行い、現像を行った
。なお、フォーカスと露光時間は、求める解像度に対して条件を適宜決めた。
Under the conditions determined above, the exposure intensity was 500 mW / cm 2 , the focus was constant, the exposure time was set to 300 msec to 320 msec, the exposure was performed again, and the development was performed. The conditions for focus and exposure time were appropriately determined for the desired resolution.

(5)CDの面内レンジ測定
上記(4)にて作製されたウェハー上のパターンをSEM(株式会社日立ハイテクノロ
ジーズ社製 SU8000走査電子顕微鏡)にて、加電圧1.0kV、30000~35
000倍にて観察し、SEM上でL/Sの解像度2.0μmのパターンに対して、9本ラ
インの中央ラインの長さを任意の三カ所で測定し、平均を出した。それを縦18か所(0
.4mmピッチ)行い、各々の平均値から一番長い長さから一番短い長さを算出し、その
値を5倍した値を、CDの面内レンジとした。
また、コンタクトホールの解像度2.0μmのパターンに対して、9か所のホールの直
径を算出し、「2.0μm-算出結果」の値を5倍した値を、コンタクホールでのCDの
面内レンジとした。
(5) In-plane range measurement of CD The pattern on the wafer produced in (4) above is subjected to SEM (SU8000 scanning electron microscope manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation) with an applied voltage of 1.0 kV, 30,000 to 35.
The observation was performed at 000 times, and the length of the center line of the 9 lines was measured at any three points with respect to the pattern of L / S resolution of 2.0 μm on the SEM, and the average was calculated. 18 places vertically (0)
.. (4 mm pitch) was performed, the shortest length was calculated from the longest length from each average value, and the value obtained by multiplying the value by 5 was defined as the in-plane range of the CD.
In addition, the diameters of 9 holes are calculated for a pattern with a resolution of 2.0 μm for contact holes, and the value obtained by multiplying the value of "2.0 μm-calculation result" by 5 is the surface of the CD in the contact hole. It was set to the inner range.

[実施例1]
ペリクル膜を構成するポリマーであるセルロースアセテートプロピオネート(CAP
4 80-20、 Eastman Chemical Company製)と、溶媒で
ある乳酸エチルとを混合し、固形分濃度4質量%の溶液を作製した。この溶液を窒素で0
.01MPaに加圧し、口径0.1μmのメンブレンフィルターを通してろ過を行った。
[Example 1]
Cellulose Acetate Propionate (CAP), a polymer that constitutes a pellicle membrane
4 80-20, manufactured by Eastman Chemical Company) and ethyl lactate as a solvent were mixed to prepare a solution having a solid content concentration of 4% by mass. 0 with nitrogen in this solution
.. The pressure was increased to 01 MPa, and filtration was performed through a membrane filter having a diameter of 0.1 μm.

成膜用基板を物理研磨し、物理研磨後さらに化学研磨し、純水で洗浄したものを用意し
た。この成膜用基板をクリーンオーブンで100℃、2時間加熱乾燥した後、室温まで冷
却した。次に、この成膜用基板とヘキサメチルジシラザン20ccを導入した直径5cm
の上部が開放されたポリエチレンの容器を、清浄な金属製の箱に室温で30分間封入した
。成膜用基板を取り出した後、クリーンオーブンで100℃、2時間加熱した。このよう
にして準備した成膜用基板をクローズドカップ式のスピンコーターにセットし、先に準備
したポリマー溶液をガラス基板上に約300g供給し、成膜用基板を330rpmで90
sec間回転させた。この成膜用基板を60℃のホットプレート上に15分間載せて、ポ
リマー溶液中の溶媒を蒸発させることにより、成膜用基板上にペリクル膜を成膜した。
A film-forming substrate was physically polished, physically polished, then chemically polished, and washed with pure water. The film-forming substrate was heated and dried at 100 ° C. for 2 hours in a clean oven, and then cooled to room temperature. Next, the diameter of the substrate for film formation and the diameter of 5 cm into which hexamethyldisilazane 20 cc was introduced.
A polyethylene container with an open top was sealed in a clean metal box at room temperature for 30 minutes. After taking out the film-forming substrate, it was heated in a clean oven at 100 ° C. for 2 hours. The film-forming substrate prepared in this way is set in a closed cup type spin coater, about 300 g of the previously prepared polymer solution is supplied onto the glass substrate, and the film-forming substrate is 90 at 330 rpm.
It was rotated for sec. The film-forming substrate was placed on a hot plate at 60 ° C. for 15 minutes, and the solvent in the polymer solution was evaporated to form a pellicle film on the film-forming substrate.

外形の一辺が1396mm、幅が20mm、厚さが6mmのアルミニウム合金(606
1)を黒色アルマイトおよび封孔処理した仮枠を用意した。この仮枠に、エポキシ接着剤
を塗布し、成膜用基板上のペリクル膜に押圧・固定した。該エポキシ接着剤が硬化した後
、この仮枠を静かに起こし、成膜用基板からペリクル膜を仮枠に剥がし取った。
Aluminum alloy (606) with an outer shape of 1396 mm on one side, a width of 20 mm, and a thickness of 6 mm.
A temporary frame in which 1) was treated with black alumite and a hole was prepared. An epoxy adhesive was applied to this temporary frame, and the film was pressed and fixed to the pellicle film on the film-forming substrate. After the epoxy adhesive was cured, the temporary frame was gently raised, and the pellicle film was peeled off from the film-forming substrate on the temporary frame.

次いで、ペリクル用枠体として、ヤング率70[GPa]のアルミニウム合金(505
2)製であって、外寸1150mm×785mm、外側コーナーR10mm、内側コーナ
ーR2mm、長辺幅が11mm、短辺幅が10mm、高さ5.2mmである枠体を用いた
。なお、この枠体の各長辺中央部に口径1.5mmの貫通穴(通気口)を4つずつ計8個
開け、各長辺端部にアルマイト処理時の把持および電極用として口径2mm、深さ2mm
の穴を2箇所ずつ計4箇所開け、さらに、両短辺の高さ方向の中央部に幅1.5mm、深
さ2.3mmのハンドリング用溝を切る加工を、短辺の全長に渡り施した。このペリクル
用枠体表面をショットブラスト処理したのち、黒色アルマイトおよび封孔処理したものを
用意した。
Next, as a frame for the pellicle, an aluminum alloy (505) having a Young's modulus of 70 [GPa]
A frame made of 2) having an outer dimension of 1150 mm × 785 mm, an outer corner R10 mm, an inner corner R2 mm, a long side width of 11 mm, a short side width of 10 mm, and a height of 5.2 mm was used. In addition, a total of eight through holes (vents) with a diameter of 1.5 mm were opened in the center of each long side of this frame, and the ends of each long side had a diameter of 2 mm for gripping and electrodes during alumite treatment. Depth 2 mm
A total of 4 holes are made in 2 holes each, and a handling groove with a width of 1.5 mm and a depth of 2.3 mm is cut in the center of both short sides in the height direction over the entire length of the short sides. bottom. After shot blasting the surface of the frame for pellicle, black alumite and sealing treatment were prepared.

このペリクル用枠体の内壁面に、アクリル製の粘着剤を、厚さ約10μmに塗布した。
通気口部には四フッ化エチレン製のメンブレンフィルターをアクリル系粘着剤で取り付け
た。ペリクル用枠体の一方の縁面には、マスク粘着剤として、SEBS(スチレン-エチ
レン-ブチレン-スチレンブロック共連合体)製のホットメルト樹脂を、幅6mm、高さ
1.6mmになるよう、塗布、成型した。ホットメルト樹脂の表面を保護するための保護
ライナーとして、シリコーン離型処理を施した、厚さ0.1mmのポリエステル製フィル
ムを貼り付けた。
An acrylic adhesive was applied to the inner wall surface of the pellicle frame to a thickness of about 10 μm.
A membrane filter made of ethylene tetrafluoride was attached to the vent with an acrylic adhesive. A hot melt resin made of SEBS (styrene-ethylene-butylene-styrene block co-association) was applied to one edge of the pellicle frame as a mask adhesive so as to have a width of 6 mm and a height of 1.6 mm. It was applied and molded. As a protective liner for protecting the surface of the hot melt resin, a polyester film having a thickness of 0.1 mm and subjected to a silicone mold release treatment was attached.

ペリクル用枠体の先に粘着剤を塗布した反対の縁面に、ウレタンアクリレート系の紫外
線硬化型接着剤を塗布した。その後、先の仮枠に張設したペリクル膜を載置し、紫外線を
照射し該紫外線硬化型接着剤を硬化せしめ、ペリクル用枠体とペリクル膜を接着した。そ
の後、ペリクル用枠体のフレームの外周エッジ部に刃を沿わせて、余分なペリクル膜を切
断、除去し、ペリクルを作製した。
A urethane acrylate-based ultraviolet curable adhesive was applied to the opposite edge surface to which the adhesive was applied to the tip of the pellicle frame. Then, the pellicle film stretched on the temporary frame was placed, irradiated with ultraviolet rays to cure the ultraviolet curable adhesive, and the pellicle frame and the pellicle film were adhered to each other. Then, a blade was placed along the outer peripheral edge of the frame for the pellicle to cut and remove the excess pellicle film to prepare a pellicle.

このペリクルの中央1ヶ所、ペリクルの対角線を引いた時の中央から300mmの4ヶ
所、中央から560mmの4ヶ所の計9か所を膜厚測定の測定対象場所とし、これら各箇
所の膜厚を測定し、膜厚バラツキを算出した。また、その時の365nmの波長での透過
率を測定した。また、6インチペリクルを作製し、露光条件としてフォーカスを-0.1
μm、露光時間を300msec、305msec、310msec、315msec、
320msecと変更し露光評価をした。その後、CDの面内レンジを測定した。
A total of nine locations, one in the center of the pellicle, four locations 300 mm from the center when the diagonal line of the pellicle is drawn, and four locations 560 mm from the center, are set as the measurement target locations for film thickness measurement, and the film thickness of each of these locations is used. The film thickness variation was calculated by measurement. Moreover, the transmittance at the wavelength of 365 nm at that time was measured. In addition, a 6-inch pellicle was produced, and the focus was set to -0.1 as an exposure condition.
μm, exposure time 300msec, 305msec, 310msec, 315msec,
The exposure was evaluated by changing the value to 320 msec. Then, the in-plane range of the CD was measured.

[実施例2]
ペリクル用枠体として、ヤング率70[GPa]のアルミニウム合金(5052)製で
あって、外寸900mm×750mm、外側コーナーR10mm、内側コーナーR2mm
、長辺幅が8mm、短辺幅が7mm、高さが5.2mmである枠体を用いたこと以外は、
実施例1と同様にペリクルを作製した。また、このペリクルの膜厚バラツキの算出場所を
中央1ヶ所、ペリクルの対角線を引いた時の中央から345mmの4ヶ所、中央から69
0mmの4ヶ所の計9か所の膜厚を測定したこと以外は、実施例1と同様に評価を行った
[Example 2]
The frame for the pellicle is made of an aluminum alloy (5052) having a Young's modulus of 70 [GPa], and has an outer dimension of 900 mm × 750 mm, an outer corner R10 mm, and an inner corner R2 mm.
Except for using a frame with a long side width of 8 mm, a short side width of 7 mm, and a height of 5.2 mm.
A pellicle was prepared in the same manner as in Example 1. In addition, the calculation location of the film thickness variation of this pellicle is one in the center, four locations 345 mm from the center when the diagonal line of the pellicle is drawn, and 69 from the center.
The evaluation was performed in the same manner as in Example 1 except that the film thicknesses at 4 locations of 0 mm were measured at 9 locations in total.

[実施例3]
ペリクル膜を構成するポリマーであるセルロースアセテートプロピオネート(CAP
4 80-20、 Eastman Chemical Company製)と、溶媒で
ある乳酸エチルとを混合し、固形分濃度4質量%の溶液を作製した。この溶液を窒素で0
.01MPaに加圧し、口径0.1μmのメンブレンフィルターを通してろ過を行った。
成膜用基板を物理研磨し、物理研磨後さらに化学研磨し、純水で洗浄したものを用意し
た。この成膜用基板をクリーンオーブンで100℃、2時間加熱乾燥した後、室温まで冷
却した。次に、この成膜用基板とヘキサメチルジシラザン20ccを導入した直径5cm
の上部が開放されたポリエチレンの容器を、清浄な金属製の箱に室温で30分間封入した
。成膜用基板を取り出した後、クリーンオーブンで100℃、2時間加熱した。このよう
にして準備した成膜用基板をクローズドカップ式のスピンコーターにセットし、先に準備
したポリマー溶液をガラス基板上に約300g供給し、成膜用基板を320rpmで60
0sec間回転させた。この成膜用基板を60℃のホットプレート上に15分間載せて、
ポリマー溶液中の溶媒を蒸発させて、主膜を作製した。
次に、反射防止層を構成するポリマーとしてフッ素樹脂(旭硝子(株)社製、サイトッ
プ)をフッ素系溶媒であるサイトップCT-SLV(旭硝子(株)社製)の溶液で調製し
、孔径0.1μmのメンブレンフィルターでろ過し、そのろ過液を上記主膜の中心層の上
に5cc滴下し、320rpmで200秒間回転させた後、風乾し反射防止層を形成した
こと以外は、実施例1と同様のペリクルフレームにてペリクルを作製し、実施例1と同様
の評価を行った。
[Example 3]
Cellulose Acetate Propionate (CAP), a polymer that constitutes a pellicle membrane
4 80-20, manufactured by Eastman Chemical Company) and ethyl lactate as a solvent were mixed to prepare a solution having a solid content concentration of 4% by mass. 0 with nitrogen in this solution
.. The pressure was increased to 01 MPa, and filtration was performed through a membrane filter having a diameter of 0.1 μm.
A film-forming substrate was physically polished, physically polished, then chemically polished, and washed with pure water. The film-forming substrate was heated and dried at 100 ° C. for 2 hours in a clean oven, and then cooled to room temperature. Next, the diameter of the substrate for film formation and the diameter of 5 cm into which hexamethyldisilazane 20 cc was introduced.
A polyethylene container with an open top was sealed in a clean metal box at room temperature for 30 minutes. After taking out the film-forming substrate, it was heated in a clean oven at 100 ° C. for 2 hours. The film-forming substrate prepared in this way is set in a closed cup type spin coater, about 300 g of the previously prepared polymer solution is supplied onto the glass substrate, and the film-forming substrate is 60 at 320 rpm.
It was rotated for 0 seconds. The film-forming substrate was placed on a hot plate at 60 ° C. for 15 minutes.
The solvent in the polymer solution was evaporated to make a main membrane.
Next, a fluororesin (Cytop, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) was prepared as a polymer constituting the antireflection layer with a solution of Cytop CT-SLV (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), which is a fluorosolvent, and the pore size was adjusted. Examples except that the filtrate was filtered with a 0.1 μm membrane filter, 5 cc of the filtrate was dropped onto the central layer of the main membrane, rotated at 320 rpm for 200 seconds, and then air-dried to form an antireflection layer. A pellicle was prepared with the same pellicle frame as in No. 1, and the same evaluation as in Example 1 was performed.

[実施例4]
実施例3の成膜基板を100rpmで500sec間回転させ、更に、実施例2と同様
のペリクルフレームを使用してペリクルを作製したこと以外は、実施例3と同様にしてペ
リクルを作製した。更に、実施例1と同様の評価を行った。
[Example 4]
The film-forming substrate of Example 3 was rotated at 100 rpm for 500 seconds, and the pellicle was produced in the same manner as in Example 3 except that the pellicle was produced using the same pellicle frame as in Example 2. Further, the same evaluation as in Example 1 was performed.

[実施例5]
ペリクル膜を構成するポリマーであるフッ素樹脂(旭硝子(株)社製、サイトップ)を
フッ素系溶媒(旭硝子(株)社製、サイトップCT-SLV)で希釈後、成膜基板上に塗
布し、成膜基板を300rpmで600sec間回転させた。次いで、ホットプレートに
より180℃まで加熱して溶媒を完全に除去したこと以外は実施例1と同様にしてペリク
ルを作製した。更に、実施例1と同様の評価を行った。
[Example 5]
Fluororesin (Cytop, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), which is a polymer constituting the pellicle film, is diluted with a fluorine-based solvent (Cytop CT-SLV, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) and then applied onto the film-forming substrate. , The film-forming substrate was rotated at 300 rpm for 600 sec. Then, a pellicle was prepared in the same manner as in Example 1 except that the solvent was completely removed by heating to 180 ° C. with a hot plate. Further, the same evaluation as in Example 1 was performed.

[実施例6]
ペリクル膜を構成するポリマーであるフッ素樹脂(旭硝子(株)社製、サイトップ)を
フッ素系溶媒(旭硝子(株)社製、サイトップCT-SLV)で希釈後、成膜基板上に塗
布し、成膜基板を300rpmで400sec間回転させた。次いで、ホットプレートに
より180℃まで加熱して溶媒を完全に除去したこと以外は、実施例1と同様にしてペリ
クルを作製した。更に、実施例1と同様の評価を行った。
[Example 6]
Fluororesin (Cytop, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), which is a polymer constituting the pellicle film, is diluted with a fluorine-based solvent (Cytop CT-SLV, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) and then applied onto the film-forming substrate. , The film-forming substrate was rotated at 300 rpm for 400 seconds. Then, a pellicle was prepared in the same manner as in Example 1 except that the solvent was completely removed by heating to 180 ° C. with a hot plate. Further, the same evaluation as in Example 1 was performed.

[比較例1]
ペリクル膜を構成するポリマーであるセルロースアセテートプロピオネート(CAP
4 80-20、 Eastman Chemical Company製)と、溶媒で
ある乳酸エチルとを混合し、固形分濃度8質量%の溶液を作製した。この溶液を窒素で0
.01MPaに加圧し、口径0.1μmのメンブレンフィルターを通してろ過を行った。
[Comparative Example 1]
Cellulose Acetate Propionate (CAP), a polymer that constitutes a pellicle membrane
4 80-20, manufactured by Eastman Chemical Company) and ethyl lactate as a solvent were mixed to prepare a solution having a solid content concentration of 8% by mass. 0 with nitrogen in this solution
.. The pressure was increased to 01 MPa, and filtration was performed through a membrane filter having a diameter of 0.1 μm.

成膜用基板を物理研磨し、物理研磨後さらに化学研磨し、純水で洗浄したものを用意し
た。この成膜用基板をクリーンオーブンで100℃、2時間加熱乾燥した後、室温まで冷
却した。次に、この成膜用基板とヘキサメチルジシラザン20ccを導入した直径5cm
の上部が開放されたポリエチレンの容器を、清浄な金属製の箱に室温で30分間封入した
。成膜用基板を取り出した後、クリーンオーブンで100℃、2時間加熱した。このよう
にして準備した成膜用基板をクローズドカップ式のスピンコーターにセットし、先に準備
したポリマー溶液を成膜用基板上に約300g供給し、成膜用基板を280rpmで90
sec間回転させた。この成膜用基板を60℃のホットプレート上に20分間載せて、ポ
リマー溶液中の溶媒を蒸発させることにより、成膜用基板上にペリクル膜を製膜した。こ
のこと以外は、実施例1と同様にペリクルを作製した。また、露光条件としてフォーカス
を-0.2μmにしたこと以外は、実施例1と同様に評価を実施した。
A film-forming substrate was physically polished, physically polished, then chemically polished, and washed with pure water. The film-forming substrate was heated and dried at 100 ° C. for 2 hours in a clean oven, and then cooled to room temperature. Next, the diameter of the substrate for film formation and the diameter of 5 cm into which hexamethyldisilazane 20 cc was introduced.
A polyethylene container with an open top was sealed in a clean metal box at room temperature for 30 minutes. After taking out the film-forming substrate, it was heated in a clean oven at 100 ° C. for 2 hours. The film-forming substrate prepared in this way is set in a closed cup type spin coater, about 300 g of the polymer solution prepared above is supplied onto the film-forming substrate, and the film-forming substrate is 90 at 280 rpm.
It was rotated for sec. The film-forming substrate was placed on a hot plate at 60 ° C. for 20 minutes, and the solvent in the polymer solution was evaporated to form a pellicle film on the film-forming substrate. Except for this, a pellicle was prepared in the same manner as in Example 1. Further, the evaluation was carried out in the same manner as in Example 1 except that the focus was set to −0.2 μm as the exposure condition.

[比較例2]
ペリクル用枠体として、ヤング率70[GPa]のアルミニウム合金(5052)製で
あって、外寸900mm×750mm、外側コーナーR10mm、内側コーナーR2mm
、長辺幅が8mm、短辺幅が7mm、高さが5.2mmである枠体を用いたこと以外は、
比較例1と同様にペリクルを作製した。また、露光条件としてフォーカスを-0.2μm
にしたこと以外は、実施例1と同様に評価を実施した。
[Comparative Example 2]
The frame for the pellicle is made of an aluminum alloy (5052) having a Young's modulus of 70 [GPa], and has an outer dimension of 900 mm × 750 mm, an outer corner R10 mm, and an inner corner R2 mm.
Except for using a frame with a long side width of 8 mm, a short side width of 7 mm, and a height of 5.2 mm.
A pellicle was prepared in the same manner as in Comparative Example 1. Also, as an exposure condition, focus is -0.2 μm.
The evaluation was carried out in the same manner as in Example 1 except that the above was performed.

[参考例1]
参考例としてペリクル無しでの露光評価を実施し、そのときのCDの面内レンジを測定
した。その結果を表に記載する。
[Reference Example 1]
As a reference example, an exposure evaluation without a pellicle was performed, and the in-plane range of the CD at that time was measured. The results are shown in the table.

Figure 2022010209000001
Figure 2022010209000001

本発明は、LSI、フラットパネルディスプレイ(FPD)を構成する薄膜トランジス
タ(TFT)やカラーフィルター(CF)等を製造する際のリソグラフィー工程で使用さ
れるフォトマスクやレティクルに異物が付着することを防止するために用いられる大型ペ
リクルとして産業上の利用可能性を有する。特に、本発明は、露光光源として、i線(3
65nm)、j線(313nm)、h線(405nm)の何れか、あるいはそれらを混合
した紫外線を利用するリソグラフィー工程で使用される大型ペリクルとして産業上の利用
可能性を有する。本発明のペリクルは、近年開発されてきた高画質、高精細表示が可能な
大型のカラーTFTLCD(薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ)のフォトリソグラフィ
工程で使用される大型のフォトマスクやレティクルに適用出来る。
The present invention prevents foreign matter from adhering to a photomask or reticle used in a lithography process when manufacturing a thin film transistor (TFT), a color filter (CF), or the like constituting an LSI or a flat panel display (FPD). Has industrial applicability as a large pellicle used for. In particular, the present invention uses the i-line (3) as an exposure light source.
It has industrial applicability as a large pellicle used in a lithography process using ultraviolet rays of 65 nm), j-line (313 nm), h-line (405 nm), or a mixture thereof. The pellicle of the present invention can be applied to a large photomask or reticle used in a photolithography process of a large color TFT LCD (thin film transistor liquid crystal display) capable of displaying high image quality and high definition, which has been developed in recent years.

参考例5]
ペリクル膜を構成するポリマーであるフッ素樹脂(旭硝子(株)社製、サイトップ)をフッ素系溶媒(旭硝子(株)社製、サイトップCT-SLV)で希釈後、成膜基板上に塗布し、成膜基板を300rpmで600sec間回転させた。次いで、ホットプレートにより180℃まで加熱して溶媒を完全に除去したこと以外は実施例1と同様にしてペリクルを作製した。更に、実施例1と同様の評価を行った。
[ Reference Example 5]
Fluororesin (Cytop, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), which is a polymer constituting the pellicle film, is diluted with a fluorine-based solvent (Cytop CT-SLV, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) and then applied onto the film-forming substrate. , The film-forming substrate was rotated at 300 rpm for 600 sec. Then, a pellicle was prepared in the same manner as in Example 1 except that the solvent was completely removed by heating to 180 ° C. with a hot plate. Further, the same evaluation as in Example 1 was performed.

参考例6]
ペリクル膜を構成するポリマーであるフッ素樹脂(旭硝子(株)社製、サイトップ)をフッ素系溶媒(旭硝子(株)社製、サイトップCT-SLV)で希釈後、成膜基板上に塗布し、成膜基板を300rpmで400sec間回転させた。次いで、ホットプレートにより180℃まで加熱して溶媒を完全に除去したこと以外は、実施例1と同様にしてペリクルを作製した。更に、実施例1と同様の評価を行った。
[ Reference Example 6]
Fluororesin (Cytop, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), which is a polymer constituting the pellicle film, is diluted with a fluorine-based solvent (Cytop CT-SLV, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) and then applied onto the film-forming substrate. , The film-forming substrate was rotated at 300 rpm for 400 seconds. Then, a pellicle was prepared in the same manner as in Example 1 except that the solvent was completely removed by heating to 180 ° C. with a hot plate. Further, the same evaluation as in Example 1 was performed.

Figure 2022010209000007
Figure 2022010209000007

Claims (4)

面積1000cm2以上の平面視矩形状の開口部を備えるペリクル用枠体と、当該ペリ
クル用枠体の一方の端面に前記開口部を覆うように展張支持されたペリクル膜と、前記ペ
リクル用枠体の他方の端面にマスク粘着剤と、を含むペリクルであって、
前記ペリクル膜の膜厚が1.0μm以上3.0μm以下であり、前記ペリクル膜面内の
膜厚バラツキが80nm以下である、ペリクル。
A pellicle frame having an opening having a rectangular shape in a plan view having an area of 1000 cm 2 or more, a pellicle film stretched and supported on one end surface of the pellicle frame so as to cover the opening, and the pellicle frame. A pellicle containing a mask adhesive on the other end face of the
A pellicle in which the film thickness of the pellicle film is 1.0 μm or more and 3.0 μm or less, and the film thickness variation in the pellicle film surface is 80 nm or less.
前記ペリクル膜の365nmの波長に対する透過率が、95%以上である、請求項1に
記載のペリクル。
The pellicle according to claim 1, wherein the transmittance of the pellicle film with respect to a wavelength of 365 nm is 95% or more.
前記ペリクルを貼り付けたマスクを使用して露光した時に、転写されるL/S(縦縞模
様)におけるパターン寸法精度の面内レンジが200nm以下である、請求項1又は2に
記載のペリクル。
The pellicle according to claim 1 or 2, wherein the in-plane range of pattern dimensional accuracy in the L / S (vertical stripe pattern) transferred when exposed using the mask to which the pellicle is attached is 200 nm or less.
前記ペリクルを貼り付けたマスクを使用して露光した時に、転写されるコンタクトホー
ルにおけるパターン寸法精度の面内レンジが300nm以下である、請求項1~3のいず
れか一項に記載のペリクル。
The pellicle according to any one of claims 1 to 3, wherein the in-plane range of pattern dimensional accuracy in the contact hole to be transferred is 300 nm or less when exposed using the mask to which the pellicle is attached.
JP2021183367A 2016-04-05 2021-11-10 Pellicle Pending JP2022010209A (en)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016076101 2016-04-05
JP2016076101 2016-04-05
JP2016183020 2016-09-20
JP2016183020 2016-09-20
JP2017074168A JP2018049256A (en) 2016-04-05 2017-04-04 Pellicle

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017074168A Division JP2018049256A (en) 2016-04-05 2017-04-04 Pellicle

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2022010209A true JP2022010209A (en) 2022-01-14

Family

ID=60074225

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017074168A Pending JP2018049256A (en) 2016-04-05 2017-04-04 Pellicle
JP2021183367A Pending JP2022010209A (en) 2016-04-05 2021-11-10 Pellicle

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017074168A Pending JP2018049256A (en) 2016-04-05 2017-04-04 Pellicle

Country Status (3)

Country Link
JP (2) JP2018049256A (en)
KR (2) KR101970059B1 (en)
CN (1) CN107272327B (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7125835B2 (en) * 2016-04-05 2022-08-25 旭化成株式会社 pellicle

Citations (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62261033A (en) * 1986-05-06 1987-11-13 Mitsubishi Electric Corp Light transmission factor measuring apparatus for pericle
JPH0481854A (en) * 1990-07-25 1992-03-16 Asahi Chem Ind Co Ltd Pellicle for both g-line and i-line
JPH04366844A (en) * 1991-06-13 1992-12-18 Asahi Kasei Denshi Kk Large-size dustproof body
JPH08101497A (en) * 1994-09-30 1996-04-16 Shin Etsu Chem Co Ltd Pellicle
JP2865347B2 (en) * 1990-01-12 1999-03-08 信越化学工業株式会社 Pellicle for lithography
JP2002040628A (en) * 2000-07-31 2002-02-06 Asahi Glass Co Ltd Pellicle and method of bonding pellicle plate and pellicle frame
JP2002296763A (en) * 2001-01-26 2002-10-09 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Large pellicle
JP2004053817A (en) * 2002-07-18 2004-02-19 Hoya Corp Photomask and manufacturing method therefor
JP2004157229A (en) * 2002-11-05 2004-06-03 Shin Etsu Chem Co Ltd Pellicle for lithography and manufacturing method thereof
JP2004361649A (en) * 2003-06-04 2004-12-24 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Large pellicle
WO2008001431A1 (en) * 2006-06-27 2008-01-03 Asahi Kasei Emd Corporation Large pellicle forming substrate
JP2009032747A (en) * 2007-07-24 2009-02-12 Canon Inc Scanning stepper and device manufacturing method
JP2011059446A (en) * 2009-09-10 2011-03-24 Asahi Kasei E-Materials Corp Pellicle frame, pellicle, and usage of pellicle frame
JP2011118117A (en) * 2009-12-02 2011-06-16 Asahi Kasei E-Materials Corp Pellicle and method for mounting the same
JP2011158814A (en) * 2010-02-03 2011-08-18 Shin-Etsu Chemical Co Ltd Method and device for manufacturing pellicle film
JP2012058400A (en) * 2010-09-07 2012-03-22 Asahi Kasei E-Materials Corp Manufacturing method of pellicle
JP2012068667A (en) * 2008-09-12 2012-04-05 Asahi Kasei E-Materials Corp Pellicle frame body, pellicle and method for using pellicle frame body
WO2013141325A1 (en) * 2012-03-21 2013-09-26 旭化成イーマテリアルズ株式会社 Pellicle, pellicle frame, and method for manufacturing pellicle
WO2014142125A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 旭化成イーマテリアルズ株式会社 Pellicle film, and pellicle
JP2015036791A (en) * 2013-08-15 2015-02-23 旭化成イーマテリアルズ株式会社 Pellicle frame body, and pellicle

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01133052A (en) 1987-11-18 1989-05-25 Mitsui Petrochem Ind Ltd Dustproof mask
JP2790850B2 (en) * 1989-05-10 1998-08-27 旭化成工業株式会社 Cellulose thin film for pellicle
JPH07199451A (en) 1993-12-28 1995-08-04 Shin Etsu Chem Co Ltd Pellicle
JP3697426B2 (en) * 2002-04-24 2005-09-21 株式会社東芝 Pattern forming method and semiconductor device manufacturing method
CN100545726C (en) * 2004-11-29 2009-09-30 友达光电股份有限公司 Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
KR101628367B1 (en) * 2009-08-12 2016-06-08 엘지이노텍 주식회사 Pellicle membrane
CN102959468B (en) * 2010-07-08 2014-11-19 三井化学株式会社 Pellicle film
JP2012151158A (en) * 2011-01-17 2012-08-09 Shin Etsu Chem Co Ltd Pellicle film for euv and pellicle, and method of producing pellicle film
JP5279862B2 (en) 2011-03-31 2013-09-04 信越化学工業株式会社 Pellicle membrane, method for producing the same, and pellicle on which the membrane is stretched
JP6314519B2 (en) * 2014-02-10 2018-04-25 セイコーエプソン株式会社 CONDUCTIVE STRUCTURE, METHOD FOR PRODUCING CONDUCTIVE STRUCTURE, DROPLET DISCHARGE HEAD

Patent Citations (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62261033A (en) * 1986-05-06 1987-11-13 Mitsubishi Electric Corp Light transmission factor measuring apparatus for pericle
JP2865347B2 (en) * 1990-01-12 1999-03-08 信越化学工業株式会社 Pellicle for lithography
JPH0481854A (en) * 1990-07-25 1992-03-16 Asahi Chem Ind Co Ltd Pellicle for both g-line and i-line
JPH04366844A (en) * 1991-06-13 1992-12-18 Asahi Kasei Denshi Kk Large-size dustproof body
JPH08101497A (en) * 1994-09-30 1996-04-16 Shin Etsu Chem Co Ltd Pellicle
JP2002040628A (en) * 2000-07-31 2002-02-06 Asahi Glass Co Ltd Pellicle and method of bonding pellicle plate and pellicle frame
JP2002296763A (en) * 2001-01-26 2002-10-09 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Large pellicle
JP2004053817A (en) * 2002-07-18 2004-02-19 Hoya Corp Photomask and manufacturing method therefor
JP2004157229A (en) * 2002-11-05 2004-06-03 Shin Etsu Chem Co Ltd Pellicle for lithography and manufacturing method thereof
JP2004361649A (en) * 2003-06-04 2004-12-24 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Large pellicle
WO2008001431A1 (en) * 2006-06-27 2008-01-03 Asahi Kasei Emd Corporation Large pellicle forming substrate
JP2009032747A (en) * 2007-07-24 2009-02-12 Canon Inc Scanning stepper and device manufacturing method
JP2012068667A (en) * 2008-09-12 2012-04-05 Asahi Kasei E-Materials Corp Pellicle frame body, pellicle and method for using pellicle frame body
JP2011059446A (en) * 2009-09-10 2011-03-24 Asahi Kasei E-Materials Corp Pellicle frame, pellicle, and usage of pellicle frame
JP2011118117A (en) * 2009-12-02 2011-06-16 Asahi Kasei E-Materials Corp Pellicle and method for mounting the same
JP2011158814A (en) * 2010-02-03 2011-08-18 Shin-Etsu Chemical Co Ltd Method and device for manufacturing pellicle film
JP2012058400A (en) * 2010-09-07 2012-03-22 Asahi Kasei E-Materials Corp Manufacturing method of pellicle
WO2013141325A1 (en) * 2012-03-21 2013-09-26 旭化成イーマテリアルズ株式会社 Pellicle, pellicle frame, and method for manufacturing pellicle
WO2014142125A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 旭化成イーマテリアルズ株式会社 Pellicle film, and pellicle
JP2015036791A (en) * 2013-08-15 2015-02-23 旭化成イーマテリアルズ株式会社 Pellicle frame body, and pellicle

Also Published As

Publication number Publication date
CN107272327B (en) 2021-05-07
KR101970059B1 (en) 2019-04-17
KR20190016061A (en) 2019-02-15
CN107272327A (en) 2017-10-20
KR20170114977A (en) 2017-10-16
JP2018049256A (en) 2018-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI815825B (en) Protective film frame and protective film components
TWI745990B (en) Pellicle, photomask with pellicle, exposure method, pattern manufacturing method, semiconductor device manufacturing method, and liquid crystal panel manufacturing method
JP7456526B2 (en) Method for manufacturing a pellicle, method for manufacturing a photomask with a pellicle, exposure method, method for manufacturing a semiconductor device, method for manufacturing a liquid crystal display, and method for manufacturing an organic EL display
KR20130024878A (en) Photo mask unit and its manufacturing method
JP4007752B2 (en) Large pellicle frame and large pellicle
JP2022010209A (en) Pellicle
JP6389353B2 (en) Pellicle frame and pellicle
JP2019066848A (en) Pellicle
JP6308676B2 (en) Pellicle container for lithography.
JP7125835B2 (en) pellicle
JP4345882B2 (en) Large pellicle
TWI797380B (en) Pellicle for flat panel display photomask
TW202307560A (en) Protective film frame, protective film, and photomask and system including same

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211119

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20211119

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20221111

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20221223

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230307

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20230907