JP2021176026A - メモリシステム - Google Patents

Abstract

【課題】不揮発性半導体メモリを有するメモリシステムの故障発生率を低減する。
【解決手段】メモリシステムは、不揮発性半導体メモリと、不揮発性半導体メモリを制御するコントローラと、不揮発性半導体メモリおよびコントローラの少なくともいずれかの動作温度を取得する温度センサを備える。コントローラは、動作温度を累積した累積動作温度に少なくとも基づく温度パラメータを算出し、メモリシステムの消費電力が異なる複数の動作設定を、温度パラメータに基づいて切り替える。
【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、不揮発性半導体メモリを含むメモリシステムに関する。

不揮発性半導体メモリを含むメモリシステムとして、Solid State Drive（ＳＳＤ）などが使用されている。メモリシステムでの故障の発生を低減するために、不揮発性半導体メモリの制御について種々の検討がされている。

米国特許出願公開第２０１９／００１２０９８号明細書

本発明の実施形態が解決しようとする課題は、不揮発性半導体メモリを含むメモリシステムの故障発生率を低減することである。

実施形態に係るメモリシステムは、不揮発性半導体メモリと、不揮発性半導体メモリを制御するコントローラと、不揮発性半導体メモリおよびコントローラの少なくともいずれかの動作温度を取得する温度センサを備える。コントローラは、動作温度を累積した累積動作温度に少なくとも基づく温度パラメータを算出し、メモリシステムの消費電力が異なる複数の動作設定を、温度パラメータに基づいて切り替える。

第１の実施形態に係るメモリシステムの構成を示すブロック図である。 第１の実施形態に係るメモリシステムの動作を説明するためのフローチャートである。 第１の実施形態に係るメモリシステムの動作を説明するためのグラフである。 第１の実施形態の変形例に係るメモリシステムの構成を示すブロック図である。 第２の実施形態に係るメモリシステムの構成を示すブロック図である。 第２の実施形態に係るメモリシステムの動作を説明するためのフローチャートである。

以下に、図面を参照して実施形態を説明する。図面の記載において同一部分には同一符号を付して説明を省略する。

（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係るメモリシステム１は、例えばＳＳＤである。メモリシステム１は、ホスト機器２と接続可能である。

図１に示すように、メモリシステム１は、不揮発性半導体メモリ２０と、不揮発性半導体メモリ２０を制御するコントローラ１０と、温度センサ３０を備える。不揮発性半導体メモリ２０は、例えばＮＡＮＤ型フラッシュメモリである。温度センサ３０は、不揮発性半導体メモリ２０およびコントローラ１０の少なくともいずれかの動作温度を取得する。

ホスト機器２は、パーソナルコンピュータやサーバーのような情報処理装置であってもよい。ホスト機器２は、デジタルカメラのような撮像装置であってもよい。ホスト機器２は、タブレットコンピュータ、携帯電話、スマートフォンのような携帯端末であってもよい。ホスト機器２は、ゲーム機器であってもよい。ホスト機器２は、カーナビゲーションシステムのような車載端末であってもよい。ホスト機器２は、情報処理装置、撮像装置、携帯端末、ゲーム機器、車載端末などに搭載されるプロセッサであってもよい。

コントローラ１０は、system-on-a-chip（ＳｏＣ）のような回路で構成され得る。コントローラ１０は、中央処理装置（ＣＰＵ）１１、動作設定選択ユニット１２、温度センサ３０を含む。

ＣＰＵ１１は、メモリシステム１の動作を統括的に制御する。動作設定選択ユニット１２の構成については後述する。コントローラ１０の各機能は、ＣＰＵ１１がファームウェアを実行することにより実現されてもよい。コントローラ１０の各機能は、コントローラ１０内の専用ハードウェアにより実現されてもよい。

コントローラ１０は、ホスト機器２とメモリシステム１との間の通信を制御する。具体的には、コントローラ１０は、ホスト機器２からのコマンドを受信し、書き込み動作や読み出し動作を実行するように不揮発性半導体メモリ２０を制御する。例えば、コントローラ１０は、書き込みコマンドで指定されたデータ（以下、「ライトデータ」と称する。）を書き込むように不揮発性半導体メモリ２０を制御する。また、コントローラ１０は、読み出しコマンドで指定された不揮発性半導体メモリ２０のアドレスから読み出したデータをホスト機器２に送信する。或いは、コントローラ１０は、記憶したデータを消去する消去動作を実行するように不揮発性半導体メモリ２０を制御する。以下において、不揮発性半導体メモリ２０が実行する書き込み動作、読み出し動作および消去動作を「不揮発性半導体メモリ２０の動作」とも総称する。

温度センサ３０が取得する動作温度は、例えば、コントローラ１０や不揮発性半導体メモリ２０を構成する半導体デバイスのｐｎ接合の温度である。温度センサ３０は、例えば熱電対である。或いは、温度センサ３０は半導体温度センサである。半導体温度センサは、半導体のバンドギャップで温度変化に比例して変化する電気特性を用いて温度を測定する。

コントローラ１０内に配置した温度センサ３０は、コントローラ１０の動作温度を取得する。また、温度センサ３０が取得するコントローラ１０の動作温度と、不揮発性半導体メモリ２０の実際の動作温度との間に差分がある場合は、例えば実測によってその差分を検出しておく。コントローラ１０は、温度センサ３０が取得する動作温度をこの差分に応じて補正して、不揮発性半導体メモリ２０の動作温度を算出する。このように、メモリシステム１では、コントローラ１０および不揮発性半導体メモリ２０のいずれの動作温度も取得される。以下では、特に断りがない場合は、「動作温度」という用語は、コントローラ１０の動作温度または不揮発性半導体メモリ２０の動作温度のことを表す。

コントローラ１０は、メモリシステム１の動作期間の情報および温度センサ３０によって取得された動作温度の情報を用いて、特定の温度パラメータを算出する。メモリシステム１の動作期間は、例えばメモリシステム１が起動してから停止するまでの、メモリシステム１が動作している期間である。メモリシステム１の動作期間は、例えばメモリシステム１に電力を供給し始めてから、メモリシステム１に供給する電力を遮断するまでの、メモリシステム１が電力を消費している期間である。メモリシステム１の過去の全ての動作期間を累積した期間を、メモリシステム１の「累積動作期間」とも称する。

温度パラメータは、メモリシステム１の過去の動作期間において温度センサ３０が取得した動作温度を累積した温度（以下において、「累積動作温度」とも称する。）を含む。温度パラメータは、メモリシステム１の過去の動作期間における平均の動作温度（以下において、「平均動作温度」とも称する。）であってもよい。平均動作温度は、累積動作温度を累積動作期間で除算して得られる。或いは、平均動作温度と累積動作期間の積として累積動作温度が得られる。累積動作温度は、特定の条件を満たした動作温度を累積したものではない。例えば累積動作温度は、特定の温度を超えた動作温度を累積したものではない。コントローラ１０は、動作期間に温度センサ３０が取得した動作温度を、動作温度の範囲に関わらず累積して累積動作温度を算出する。

コントローラ１０は、メモリシステム１の消費電力が異なる複数の動作設定を温度パラメータに対応して動的に切り替えながら、動作設定に従って動作するように不揮発性半導体メモリ２０を制御する。ここで、「動作設定」は、不揮発性半導体メモリ２０の動作を規定する設定である。

以下では、動作設定が、第１動作設定と、第１動作設定よりもメモリシステム１の消費電力が少ない第２動作設定の２種類である場合を説明する。データ転送効率を消費電力よりも優先する動作設定を第１動作設定とし、消費電力の低減をデータ転送効率よりも優先する動作設定を第２動作設定としてもよい。以下において、メモリシステム１の消費電力を低減する動作を「電力スロットリング動作」とも称する。電力スロットリング動作の詳細については後述する。

コントローラ１０は、温度パラメータが所定の動作温度条件を満たす期間は、第１動作設定に従って動作するように不揮発性半導体メモリ２０を制御する。そして、コントローラ１０は、温度パラメータが動作温度条件を満たさない期間は、第２動作設定に従って動作するように不揮発性半導体メモリ２０を制御する。

温度パラメータに対する動作温度条件は、メモリシステム１の故障発生率に影響する動作温度などに応じて設定する。例えば、温度パラメータが動作温度条件を満たさない期間が続くと、動作温度に起因するメモリシステム１の故障発生率が上昇する。コントローラ１０は、動作温度条件として閾値温度を設けてもよい。例えば、温度パラメータが閾値温度を超える期間が続くと、コントローラ１０または不揮発性半導体メモリ２０において、エレクトロマイグレーションが生じる恐れがある。

コントローラ１０は、温度パラメータが閾値温度を超えない期間は、第１動作設定に従って動作するように不揮発性半導体メモリ２０を制御してもよい。一方、温度パラメータが閾値温度以上である期間は、コントローラ１０は、第２動作設定に従って動作するように不揮発性半導体メモリ２０を制御してもよい。このようなコントローラ１０による動作設定の切り替えにより、メモリシステム１では動作温度の上昇が抑制される。

動作設定選択ユニット１２は、温度パラメータに対応して不揮発性半導体メモリ２０の動作設定を切り替える。温度センサ３０は、取得した動作温度を動作設定選択ユニット１２に送信する。

動作設定選択ユニット１２は、タイマー１２１、算出部１２２、選択部１２３を有する。タイマー１２１は、メモリシステム１の動作期間を計測する。算出部１２２は、例えばメモリシステム１の累積動作期間の情報と累積動作温度の情報とを用いて、温度パラメータを算出する。選択部１２３は、温度パラメータに基づいて不揮発性半導体メモリ２０の動作設定を選択する。

動作設定選択ユニット１２は、選択部１２３が選択した動作設定をＣＰＵ１１に送信する。ＣＰＵ１１は、選択された動作設定に従って不揮発性半導体メモリ２０の動作を制御する。

以下において、累積動作温度の情報や累積動作期間の情報を、「累積情報」とも称する。不揮発性半導体メモリ２０は、累積情報を記憶する累積情報記憶領域２１を有する。コントローラ１０は、累積情報記憶領域２１から読み出した累積情報を用いて温度パラメータを算出する。

図２に示すフローチャートを参照して、メモリシステム１の動作を説明する。以下では、温度パラメータが平均動作温度である場合について説明する。

ステップＳ１１においてメモリシステム１が起動する。ステップＳ１２において、コントローラ１０は、累積情報を累積情報記憶領域２１から読み出す。

ステップＳ１３において、コントローラ１０は、累積動作期間の情報を更新すると共に、温度パラメータを算出する。具体的には、コントローラ１０は、タイマー１２１によって計測された、累積動作期間の情報が前回更新されてからのメモリシステム１の動作期間を、累積情報中の累積動作期間の情報に加算して、累積動作期間の情報を更新する。コントローラ１０は、温度センサ３０が取得する動作温度を用いて平均動作温度を算出する。例えば、算出部１２２は、累積動作温度の情報が前回更新されてからのメモリシステム１の累積動作温度を、累積情報中の累積動作温度の情報に加算して、累積動作温度の情報を更新する。そして、コントローラ１０は、更新した累積動作温度を、更新した累積動作期間で除算して、平均動作温度を算出する。

ステップＳ１４において、コントローラ１０は、温度パラメータ（ここでは平均動作温度）が所定の動作温度条件を満たすか否かを判定する。温度パラメータが動作温度条件を満たす場合(ステップＳ１４のＹＥＳ)は、ステップＳ１５において、選択部１２３が第１動作設定を選択する。一方、温度パラメータが動作温度条件を満たさない場合（ステップＳ１４のＮＯ）は、ステップＳ１６において、選択部１２３が第２動作設定を選択する。例えば、選択部１２３は、平均動作温度が閾値温度を超えない場合は第１動作設定を選択し、平均動作温度が閾値温度以上である場合は第２動作設定を選択する。

ステップＳ１７において、コントローラ１０は、選択部１２３が選択した動作設定に応じて、第１動作設定又は第２動作設定に従って動作するように不揮発性半導体メモリ２０を制御する。その後、ステップＳ１８において、コントローラ１０は、メモリシステム１が停止するか否かを検知する。例えば、ホスト機器２は、メモリシステム１に供給する電力を遮断する場合に、電力を遮断することをメモリシステム１に通知してもよい。メモリシステム１が停止することをコントローラ１０が検知しない間は、メモリシステム１はステップＳ１３からステップＳ１７の動作を繰り返す。メモリシステム１が停止することをコントローラ１０が検知した場合は、動作はステップＳ１９に進む。

ステップＳ１９において、コントローラ１０は、更新した累積動作期間の情報や累積動作温度の情報を含む累積情報を累積情報記憶領域２１に書き込む。その後、メモリシステム１は停止する。累積情報記憶領域２１に書き込まれた累積情報は、次回のメモリシステム１の起動時にコントローラ１０によって読み出される。

なお、メモリシステム１の最初の起動では、ステップＳ１２は省略される。

コントローラ１０が累積情報を累積情報記憶領域２１に書き込むタイミングは、メモリシステム１が停止する直前に限られない。例えば、メモリシステム１の動作期間の一定の期間ごとに、コントローラ１０が累積情報を累積情報記憶領域２１に書き込んでもよい。或いは、例えばホスト機器２からのコマンドに応じて、コントローラ１０が累積情報を累積情報記憶領域２１に書き込んでもよい。

メモリシステム１の累積動作期間と動作温度および平均動作温度との関係の例を、図３のグラフに示す。グラフの横軸はメモリシステム１の累積動作期間である。グラフの縦軸は温度である。動作温度Ｔｍは破線で示される。平均動作温度Ｔａは実線で示される。また、温度パラメータは平均動作温度である。動作温度条件は閾値温度Ｔｔｈである。累積動作期間の起点は、メモリシステム１が最初に起動した時刻である。

図３において、平均動作温度Ｔａが閾値温度Ｔｔｈを超えない第１期間Ｔ１、第３期間Ｔ３は、コントローラ１０が、第１動作設定に従って動作するように不揮発性半導体メモリ２０を制御する。そして、平均動作温度Ｔａが閾値温度Ｔｔｈ以上である第２期間Ｔ２は、コントローラ１０が、第２動作設定に従って動作するように不揮発性半導体メモリ２０を制御する。例えば、平均動作温度Ｔａが閾値温度Ｔｔｈに達した第１時刻ｔｓから、コントローラ１０は、メモリシステム１の電力スロットリング動作を開始する。そして、平均動作温度Ｔａが閾値温度Ｔｔｈより低くなる第２時刻ｔｅに、コントローラ１０は電力スロットリング動作を終了する。

以下に、第２動作設定におけるメモリシステム１の消費電力の低減、ひいては動作温度の低下を実現する電力スロットリング動作の例を説明する。

ライトデータを圧縮することで、不揮発性半導体メモリ２０に書き込むデータ量が減り、書き込み動作の消費電力が低減する。このため、第１動作設定ではライトデータを圧縮せず、第２動作設定ではライトデータを圧縮するようにしてもよい。不揮発性半導体メモリ２０がＮＡＮＤ型フラッシュメモリである場合、書き込み動作について、１メモリセルあたりに１ビットの情報を保存するＳＬＣ（single-level cell）方式と、１セルあたりに３ビットの情報を保存するＴＬＣ（triple-level cell）方式を採用可能である。ＳＬＣ方式に比べて、ＴＬＣ方式は１メモリセルあたりに保存するビット数が多い。第１動作設定ではＴＬＣ方式を採用し、第２動作設定でＳＬＣ方式を採用してもよい。書き込み動作をＴＬＣ方式からＳＬＣ方式に切り替えることで、メモリシステム１の消費電力が低減する。ＴＬＣ方式のほかに、１セルあたりに２ビットの情報を保存するＭＬＣ（multi-level cell）方式を採用し、ＭＬＣ方式とＳＬＣ方式を切り替えてもよい。ＴＬＣ方式のほかに、１セルあたりに４ビットの情報を保存するＱＬＣ（quad-level cell）方式を採用し、ＱＬＣ方式とＳＬＣ方式を切り替えてもよい。

電力スロットリング動作として、第２動作設定において、コンパクション動作およびリフレッシュ動作を抑止して、ホスト機器２からのコマンドに応じた不揮発性半導体メモリ２０に対するアクセスを優先する制御を行ってもよい。コンパクション動作およびリフレッシュ動作を抑止する第２動作設定により、コンパクション動作およびリフレッシュ動作を抑止しない第１動作設定に対して、メモリシステム１の消費電力が低減する。なお、第２動作設定において、コンパクション動作およびリフレッシュ動作のいずれか一方を抑止してもよい。

電力スロットリング動作として、不揮発性半導体メモリ２０に対するアクセスにウェイトを挿入する制御を行ってもよい。この制御により、書き込み動作、読み出し動作および消去動作の待機が行われる。第２動作設定において不揮発性半導体メモリ２０に対するアクセスにウェイトを挿入することにより、不揮発性半導体メモリ２０にアクセスする間隔が長くなり、メモリシステム１の単位時間あたりの消費電力が低減する。なお、不揮発性半導体メモリ２０の動作に挿入するウェイトは、メモリシステム１の使用態様に応じて適切に設定される。書き込み動作、読み出し動作および消去動作に対して挿入するウェイトは、それぞれ異なってもよいし、同じでもよい。

不揮発性半導体メモリ２０を複数のメモリチップで構成する場合に、電力スロットリング動作として、同時にアクセスされるメモリチップの数を減少させる制御を行ってもよい。この制御は、並列して駆動されるチャネル数の減少や、１つのチャネル内で並列動作（バンクインターリーブ）するメモリチップ数の減少を含む。同時にアクセスされるメモリチップの数を減少させることにより、メモリシステム１の消費電力が低減する。

メモリシステム１の消費電力を低減する方法は、上記の電力スロットリング動作の例に限られないことはもちろんである。

以上に説明したように、コントローラ１０は、温度パラメータに応じてメモリシステム１の動作設定を切り替える。例えば、コントローラ１０は、第１動作設定と、第１動作設定よりも消費電力が少ない第２動作設定とを動的に切り替えて、メモリシステム１の消費電力を低減する。

したがって、メモリシステム１によれば、平均動作温度や累積動作温度の上昇を低減できる。その結果、メモリシステム１の故障発生率が低減できる。メモリシステム１によれば、例えばエレクトロマイグレーションに起因する故障の発生を低減できる。

コントローラ１０は、温度パラメータが動作温度条件を満たさなくなった場合に、即時にメモリシステム１の動作設定を切り替えても良い。コントローラ１０は、定期的に（例えば１週間に１回）温度パラメータを確認し、温度パラメータが動作温度条件を満たさなくなった場合に、メモリシステム１の動作設定を切り替えても良い。

上記では不揮発性半導体メモリ２０がＮＡＮＤ型フラッシュメモリの場合について例示的に説明したが、不揮発性半導体メモリ２０が他の種類の不揮発性半導体メモリであってもよい。

メモリシステム１では、温度センサ３０がコントローラ１０と不揮発性半導体メモリ２０のそれぞれの動作温度を取得する。コントローラ１０の温度パラメータと不揮発性半導体メモリ２０の温度パラメータの少なくともいずれかが動作温度条件を満たさない期間は、コントローラ１０は、第２動作設定に従って動作するように不揮発性半導体メモリ２０を制御してもよい。このとき、コントローラ１０の温度パラメータに対する動作温度条件と、不揮発性半導体メモリ２０の温度パラメータに対する動作温度条件が同じでもよいし、異なってもよい。或いは、不揮発性半導体メモリ２０の温度パラメータとコントローラ１０の温度パラメータのいずれか一方にのみ動作温度条件を設定してもよい。

＜変形例＞
図４に示す第１の実施形態の変形例に係るメモリシステム１は、温度センサ３０を不揮発性半導体メモリ２０内に配置している。不揮発性半導体メモリ２０内に配置した温度センサ３０は、不揮発性半導体メモリ２０の動作温度を取得する。温度センサ３０が取得する動作温度とコントローラ１０の実際の動作温度との差分を考慮することにより、温度センサ３０が取得する動作温度を補正してコントローラ１０の動作温度を算出することが可能である。したがって、図４に示すメモリシステム１は、コントローラ１０および不揮発性半導体メモリ２０のいずれの動作温度も取得できる。

なお、温度センサ３０を、コントローラ１０と不揮発性半導体メモリ２０の両方に配置してもよい。その場合、コントローラ１０は、温度センサ３０が取得する動作温度を補正することなく、コントローラ１０と不揮発性半導体メモリ２０のいずれの動作温度も取得できる。

或いは、コントローラ１０と不揮発性半導体メモリ２０を同一のプリント基板上に実装した構成のメモリシステム１において、プリント基板上に温度センサ３０を配置してもよい。

（第２の実施形態）
図５に示す第２の実施形態に係るメモリシステム１ａでは、コントローラ１０が、メモリシステム１ａが起動するごとに、起動してからの動作期間の情報と動作温度の情報を用いて、起動ごとの温度パラメータを算出する。つまり、過去の動作期間における累積情報を参照せずに、メモリシステム１ａが新たに起動してからの動作期間において取得した動作温度の情報を用いて温度パラメータを算出することが、メモリシステム１ａが第１の実施形態のメモリシステム１と異なる点である。このため、メモリシステム１ａの不揮発性半導体メモリ２０は、累積情報記憶領域２１を有さない。その他の構成については、メモリシステム１ａは、第１の実施形態のメモリシステム１と同様である。

例えば、メモリシステム１ａは、メモリシステム１の動作期間ごとに温度パラメータを算出して、メモリシステム１ａの電力スロットリング動作の開始と終了を制御する。これにより、メモリシステム１ａでは、平均動作温度や累積動作温度の上昇を低減できる。第２の実施形態では、図３に示したグラフにおける累積動作期間の起点は、メモリシステム１ａが新たに起動した時点である。

図６に示すフローチャートを参照して、メモリシステム１ａの動作を説明する。以下では、温度パラメータが平均動作温度である場合について説明する。

図６のステップＳ２１においてメモリシステム１ａが起動する。ステップＳ２２において、コントローラ１０は、メモリシステム１ａが起動してからの温度パラメータを算出する。つまり、タイマー１２１によって計測された、メモリシステム１ａが起動してからの動作期間と、温度センサ３０が取得する動作温度を用いて、算出部１２２が平均動作温度を算出する。

ステップＳ２３において、コントローラ１０は、温度パラメータが所定の動作温度条件を満たすか否かを判定する。温度パラメータが動作温度条件を満たす場合(ステップＳ２３のＹＥＳ)は、ステップＳ２４において、選択部１２３が第１動作設定を選択する。一方、温度パラメータが動作温度条件を満たさない場合（ステップＳ２３のＮＯ）は、ステップＳ２５において、選択部１２３が第２動作設定を選択する。例えば、選択部１２３は、平均動作温度が閾値温度を超えない場合は第１動作設定を選択し、平均動作温度が閾値温度以上である場合は第２動作設定を選択する。

ステップＳ２６において、コントローラ１０は、選択部１２３が選択した動作設定に応じて、第１動作設定又は第２動作設定に従って動作するように不揮発性半導体メモリ２０を制御する。その後、ステップＳ２７において、コントローラ１０は、メモリシステム１ａが停止するか否かを検知する。メモリシステム１ａが停止することをコントローラ１０が検知しない間は、メモリシステム１ａはステップＳ２２からステップＳ２６の動作を繰り返す。メモリシステム１ａが停止することをコントローラ１０が検知した場合は、処理は終了してメモリシステム１ａは停止する。

第２の実施形態のメモリシステム１ａでは、累積情報を累積情報記憶領域２１から読み出したり累積情報記憶領域２１に書き込んだりする時間が不要である。このため、メモリシステム１ａによれば、第１の実施形態のメモリシステム１よりも動作時間を短縮できる。他は、第２の実施形態は第１の実施形態と実質的に同様であり、重複した記載は省略される。

（その他の実施形態）
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、書き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。

例えば、第１の実施形態のメモリシステム１では、累積情報を記憶する累積情報記憶領域２１を不揮発性半導体メモリ２０が有する場合を説明した。しかし、累積情報を記憶する記憶領域を不揮発性半導体メモリ２０以外に設定してもよい。例えば、コントローラ１０の内部に不揮発性メモリを配置し、この不揮発性メモリに累積情報を記憶してもよい。

また、上記で説明した平均動作温度に応じた電力スロットリング動作の制御と併せて、コントローラ１０や不揮発性半導体メモリ２０の動作可能上限温度に対応して電力スロットリング動作を制御してもよい。

１、１ａ…メモリシステム
２…ホスト機器
１０…コントローラ
１１…ＣＰＵ
１２…動作設定選択ユニット
２０…不揮発性半導体メモリ
２１…累積情報記憶領域
３０…温度センサ
１２１…タイマー
１２２…算出部
１２３…選択部

Claims (6)

1. 不揮発性半導体メモリと、
   前記不揮発性半導体メモリを制御するコントローラと、
   前記不揮発性半導体メモリおよび前記コントローラの少なくともいずれかの動作温度を取得する温度センサと
   を備えるメモリシステムであって、
   前記コントローラは、
   前記動作温度を累積した累積動作温度に少なくとも基づく温度パラメータを算出し、
   前記メモリシステムの消費電力が異なる複数の動作設定を、前記温度パラメータに基づいて切り替える、
   メモリシステム。
2. 前記コントローラは、
   前記温度パラメータが所定の動作温度条件を満たす期間は、第１動作設定に従って動作するように前記不揮発性半導体メモリを制御し、
   前記温度パラメータが前記動作温度条件を満たさない期間は、前記第１動作設定よりも前記メモリシステムの消費電力が少ない第２動作設定に従って動作するように前記不揮発性半導体メモリを制御する、
   請求項１に記載のメモリシステム。
3. 前記温度パラメータは、前記累積動作温度と、前記メモリシステムの累積動作期間とに基づいて算出される平均動作温度であり、
   前記コントローラは、
   前記平均動作温度が前記動作温度条件としての閾値温度を超えない期間は、前記第１動作設定に従って動作するように前記不揮発性半導体メモリを制御し、
   前記平均動作温度が前記閾値温度以上である期間は、前記第２動作設定に従って動作するように前記不揮発性半導体メモリを制御する、
   請求項２に記載のメモリシステム。
4. 前記不揮発性半導体メモリは、前記累積動作温度の情報を記憶する累積情報記憶領域を有し、
   前記コントローラは、前記累積情報記憶領域から読み出した前記累積動作温度を用いて前記温度パラメータを算出する、
   請求項１乃至３のいずれか１項に記載のメモリシステム。
5. 前記コントローラは、前記累積動作温度に少なくとも基づく前記温度パラメータに代えて、前記メモリシステムが新たに起動するごとに、起動してからの動作期間において取得された前記動作温度の情報を用いて起動ごとの温度パラメータを算出し、前記起動ごとの温度パラメータに基づいて、前記動作設定を切り替える、請求項１又は２に記載のメモリシステム。
6. 前記不揮発性半導体メモリがＮＡＮＤ型フラッシュメモリである、請求項１乃至５のいずれか１項に記載のメモリシステム。

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