JP2021164241A - Current detector and current detection method - Google Patents
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Abstract
Description
この明細書における開示は、電流検出装置、および、電流検出方法に関する。 The disclosure in this specification relates to a current detection device and a current detection method.
特許文献1は、コア付き電流センサと、コアレス電流センサとを利用する電力変換装置を開示する。電力変換装置は、複数の負荷回路の電流を制御するためのスイッチング素子群を備えている。 Patent Document 1 discloses a power conversion device that uses a cored current sensor and a coreless current sensor. The power conversion device includes a group of switching elements for controlling the currents of a plurality of load circuits.
センサユニットは、電流検出のための複数の素子を含む場合がある。この場合、ノイズの原因となる磁束は、センサユニットの外部から到来する外部磁束と、センサユニットの内部に置かれた電気導体が生成する内部の漏れ磁束とを含む。ノイズ磁束を抑制、または、阻止しようとする消極的な改良が試みられてきた。上述の観点において、または言及されていない他の観点において、電流検出装置、および、電流検出方法にはさらなる改良が求められている。 The sensor unit may include a plurality of elements for current detection. In this case, the magnetic flux that causes noise includes an external magnetic flux arriving from the outside of the sensor unit and an internal leakage flux generated by an electric conductor placed inside the sensor unit. Negative improvements have been attempted to suppress or prevent noise magnetic flux. Further improvements are required in the current detection device and the current detection method in the above-mentioned viewpoints or in other viewpoints not mentioned.
開示されるひとつの目的は、内部の漏れ磁束を積極的に利用する電流検出装置、および、電流検出方法を提供することである。 One object disclosed is to provide a current detection device that positively utilizes the internal leakage flux and a current detection method.
ここに開示された電流検出装置は、少なくとも第1バスバ(65a)および第2バスバ(65d)を含む複数のバスバ(165)と、第1バスバに流れる電流に起因する正規の磁束を検出する第1素子(67a)、および、第2バスバに流れる電流に起因する正規の磁束を検出する第2素子(67d)を含む複数の素子(167)と、電流を示す信号を第1素子から取得し、電流を示す信号を第2素子から取得する制御システム(170、175)とを備え、制御システムは、第1バスバに第1電流が流れ、第2バスバに電流が流れない漏れ観測条件の成立を判定する条件判定部(181)と、漏れ観測条件が成立するとき、第1電流に起因して生成され、第2素子に鎖交する漏れ磁束を検出した漏れ観測信号(Im)を第2素子から取得する漏れ取得部(185)と、漏れ観測信号によって第2素子を評価する評価部(186)とを有する。 The current detection device disclosed herein is a plurality of bus bars (165) including at least a first bus bar (65a) and a second bus bar (65d), and a first bus bar (165) that detects a normal magnetic flux caused by a current flowing through the first bus bar. A plurality of elements (167) including one element (67a) and a second element (167d) for detecting a normal magnetic flux caused by a current flowing through the second bus bar, and a signal indicating the current are acquired from the first element. , A control system (170, 175) that acquires a signal indicating the current from the second element, and the control system satisfies the leakage observation condition in which the first current flows through the first bus bar and no current flows through the second bus bar. When the leakage observation condition is satisfied, the condition determination unit (181) for determining the above, and the leakage observation signal (Im) for detecting the leakage magnetic flux interlinking with the second element, which is generated due to the first current, are second. It has a leakage acquisition unit (185) acquired from the element and an evaluation unit (186) for evaluating the second element by the leakage observation signal.
開示される電流検出装置によると、漏れ磁束が積極的に利用される、制御システムは、漏れ観測条件の成立を判定する。これにより、第2素子に対して第1バスバからの漏れ磁束だけが作用している状態が特定される。制御システムは、漏れ磁束を検出する第2素子の出力を、漏れ観測信号として観測する。さらに、制御システムは、漏れ観測信号によって第2素子を評価する。この結果、漏れ磁束を積極的に利用する電流検出装置が提供される。 According to the disclosed current detector, the leakage flux is actively utilized, the control system determines the establishment of the leakage observation condition. Thereby, the state in which only the leakage flux from the first bus bar acts on the second element is specified. The control system observes the output of the second element that detects the leakage flux as a leakage observation signal. Further, the control system evaluates the second element by the leak observation signal. As a result, a current detection device that positively utilizes the leakage flux is provided.
ここに開示された電流検出方法は、第1バスバ(65a)に流れる電流によって生成される正規の磁束を第1素子(67a)により検出し、第1素子から電流を示す正規観測信号(In)を取得し、または、第2バスバ(65d)に流れる電流によって生成される正規の磁束を第2素子(67d)により検出し、第2素子から電流を示す正規観測信号(In)を取得する正規取得ステップ(188)と、第1バスバに第1電流が流れ、かつ、第2バスバに電流が流れない漏れ観測条件の成立を判定する条件判定ステップ(181)と、漏れ観測条件が成立するとき、第1電流に起因して生成され、第2素子に鎖交する漏れ磁束を検出した漏れ観測信号(Im)を第2素子から取得する漏れ取得ステップ(185)と、漏れ観測信号によって第2素子を評価する評価ステップ(186)とを有する。 In the current detection method disclosed herein, the first element (67a) detects a normal magnetic flux generated by the current flowing through the first bus bar (65a), and the normal observation signal (In) indicating the current from the first element. Or, the normal magnetic flux generated by the current flowing in the second bus bar (65d) is detected by the second element (67d), and the normal observation signal (In) indicating the current is obtained from the second element. When the acquisition step (188), the condition determination step (181) for determining the establishment of the leakage observation condition in which the first current flows in the first bus bar and no current flows in the second bus bar, and the leakage observation condition are satisfied. , The leak acquisition step (185) of acquiring the leak observation signal (Im) for detecting the leakage magnetic flux interlinking with the second element generated by the first current from the second element, and the second by the leak observation signal. It has an evaluation step (186) for evaluating the element.
開示される電流検出方法は、漏れ磁束を積極的に利用する。正規取得ステップは、第1バスバに流れる電流を第1素子で検出し、第2バスバに流れる電流を第2素子で検出する。第1バスバに第1電流が流れ、かつ、第2バスバに電流が流れない漏れ観測条件が成立すると、第2素子に対して第1バスバからの漏れ磁束だけが作用する。この結果、漏れ磁束を示す漏れ観測信号が取得される。漏れ観測信号は、第2素子を評価するために利用することができる。この結果、漏れ磁束を積極的に利用する電流検出方法が提供される。 The disclosed current detection method actively utilizes the leakage flux. In the normal acquisition step, the current flowing through the first bus bar is detected by the first element, and the current flowing through the second bus bar is detected by the second element. When the leakage observation condition is satisfied in which the first current flows through the first bus bar and no current flows through the second bus bar, only the leakage flux from the first bus bar acts on the second element. As a result, a leakage observation signal indicating the leakage flux is acquired. The leak observation signal can be used to evaluate the second element. As a result, a current detection method that positively utilizes the leakage flux is provided.
この明細書において開示された複数の形態は、それぞれの目的を達成するために、互いに異なる技術的手段を採用する。請求の範囲およびこの項に記載した括弧内の符号は、後述する実施形態の部分との対応関係を例示的に示すものであって、技術的範囲を限定することを意図するものではない。この明細書に開示される目的、特徴、および効果は、後続の詳細な説明、および添付の図面を参照することによってより明確になる。 The plurality of forms disclosed herein employ different technical means to achieve their respective objectives. The claims and the reference numerals in parentheses described in this section exemplify the correspondence with the parts of the embodiments described later, and are not intended to limit the technical scope. The objectives, features, and effects disclosed herein will be made clearer by reference to the subsequent detailed description and accompanying drawings.
複数の実施形態が、図面を参照しながら説明される。複数の実施形態において、機能的におよび/または構造的に対応する部分および/または関連付けられる部分には同一の参照符号、または百以上の位が異なる参照符号が付される場合がある。対応する部分および/または関連付けられる部分については、他の実施形態の説明を参照することができる。 A plurality of embodiments will be described with reference to the drawings. In a plurality of embodiments, functionally and / or structurally corresponding parts and / or related parts may be designated with the same reference code or reference codes having a hundreds or more different digits. For the corresponding and / or associated part, the description of other embodiments can be referred to.
第1実施形態
図1において、電力変換装置100は、電動車両に搭載されている。電力変換装置100は、電動車両における回転電機へ供給される電力、および、回転電機から回生される電力を制御する。なお、電動車両には、内燃機関と回転電機とを動力源とするハイブリッド自動車、および、回転電機のみを動力源とする電気自動車が含まれる。電力変換装置100は、第1回転電機1、第2回転電機2、および直流電源3を含む複数の機器の間における電力変換を提供する。電力変換装置100は、電流検出装置を備える。電力変換装置100において、電流検出方法が実行される。
First Embodiment In FIG. 1, the
第1回転電機1および第2回転電機2は、三相交流式の回転電機である。第1回転電機1は、例えば、主として車両の走行駆動源として利用されている。第2回転電機2は、例えば、主として車両の内燃機関から出力される回転駆動力を利用して発電する発電機として利用されている。直流電源3は、例えば、リチウムイオン電池などの充放電可能な2次電池を含む、直流電圧を出力する電源ユニットである。直流電源3は、例えば、燃料電池でもよい。
The first rotary electric machine 1 and the second rotary
電力変換装置100は、フィルタとしてのコンデンサ110、コンバータ120、平滑コンデンサ130、第1インバータ140a、第2インバータ140b、センサユニット160、および制御回路170(CNTR)を備える。
The
コンデンサ110は、正極ライン10Pと、負極ライン10Nとの間に設けられている。正極ライン10Pは、直流電源3の正極に接続された電力線であり、電線、および/または、バスバによって提供されている。負極ライン10Nは、直流電源3の負極に接続された電力線であり、電線、および/または、バスバによって提供されている。コンデンサ110は、直流電源3からコンバータ120に供給される直流電圧のノイズを除去するフィルタとして機能する。
The
コンバータ120は、電圧変換回路である。コンバータ120は、正極ライン10Pと負極ライン10Nとの間における電圧と、高電位ライン20Hと低電位ライン20Lとの間における電圧との間における電圧変換を提供する。高電位ライン20Hと低電位ライン20Lとは、第1回転電機1、および、第2回転電機2を流れる大電力のためのラインである。コンバータ120は、直流電圧を異なる電圧の直流電圧に変換する変換回路である。コンバータ120は、直流電源3と第1インバータ140aとの間、および、直流電源3と第2インバータ140bとの間における直流電圧の変換に用いられている。コンバータ120は、直流電源3から供給される直流電圧を昇圧する昇圧回路として機能する。コンバータ120は、高電位ライン20Hと低電位ライン20Lとの間における電圧を降圧する降圧回路として機能してもよい。
The
コンバータ120は、半導体スイッチング素子、および、リアクトル60を含む。半導体スイッチング素子は、図示される逆導通絶縁ゲートバイポーラトランジスタによって提供されている。半導体スイッチング素子は、パワーMOSFET、SiCトランジスタなど多様な素子によって提供可能である。コンバータ120は、高電位ライン20Hと低電位ライン20Lとの間に、直列に接続された2つの半導体スイッチング素子を有する。複数の半導体スイッチング素子は、複数の半導体スイッチング素子をひとつのパッケージに収容したモジュール40によって提供されている。コンバータ120は、モジュール43を有する。コンバータ120は、リアクトル60を有する。リアクトル60は、ハイサイドの半導体スイッチング素子と、ローサイドの半導体スイッチング素子との接続点と、正極ライン10Pとの間に直列に配置されている。
The
平滑コンデンサ130は、高電位ライン20Hと低電位ライン20Lとの間に設けられている。平滑コンデンサ130は、高電位ライン20Hと低電位ライン20Lとの間における電圧を平滑化する機能を有する。
The smoothing capacitor 130 is provided between the high potential line 20H and the low
第1インバータ140aは、高電位ライン20Hと低電位ライン20Lとの間と、第1回転電機1との間に配置されている。第1インバータ140aは、直流電力と三相交流電力との間の直流交流変換を提供する。第1インバータ140aは、第1回転電機1に流れる電力を変換する。
The
第2インバータ140bは、高電位ライン20Hと低電位ライン20Lとの間と、第2回転電機2との間に配置されている。第2インバータ140bは、直流電力と三相交流電力との間の直流交流変換を提供する。第2インバータ140bは、第2回転電機2に流れる電力を変換する。
The
第1インバータ140aおよび第2インバータ140bは、複数の半導体スイッチング素子を含む。複数の半導体スイッチング素子は、二組の三相ブリッジ回路を提供している。第1インバータ140aおよび第2インバータ140bにおけるハイサイドの半導体スイッチング素子と、ローサイドの半導体スイッチング素子とは、モジュール40によって提供されている。第1インバータ140aおよび第2インバータ140bは、複数のモジュール40を含む。第1インバータ140aは、3つのモジュール41を有する。第2インバータ140bは、3つのモジュール42を有する。図示の例では、電力変換装置100は、7つのモジュール40を有する。
The
図示の例では、ひとつのモジュール40は、2つの半導体スイッチング素子を有する。これに代えて、ひとつのモジュール40は、多様な数の半導体スイッチング素子を備えることができる。ひとつのモジュール40は、例えば、一組の三相ブリッジ回路を収容してもよい。また、ひとつのモジュール40は、ハイサイドまたはローサイドの複数の半導体スイッチング素子を収容してもよい。ひとつのモジュール40に収容される半導体スイッチング素子の数、および、回路構成は、多様に変更可能である。
In the illustrated example, one
センサユニット160は、電力変換装置100の各部に流れる電流を検出する。センサユニット160は、第1インバータ140aと第1回転電機1との間の第1電流I1を検出する。センサユニット160は、第2インバータ140bと第2回転電機2との間の第2電流I2を検出する。センサユニット160は、コンバータ120に流れる第3電流I3を検出する。センサユニット160は、検出対象としての導電体に近接して配置されたコアレス電流センサを備える。センサユニット160は、複数の導電体としての複数のバスバを備える。センサユニット160は、複数のコアレス電流センサを備える。コアレス電流センサは、検出対象である電流が生成する磁束を集束するための大きい磁束コアを備えることなく、検出対象である電流が生成する磁束を検出する。
The
制御回路170は、回路、または、回路群である。制御回路170は、制御装置とも呼ばれる。制御回路170は、コンバータ120、第1インバータ140a、および第2インバータ140bにおける複数の半導体スイッチング素子の作動を制御する機能を発揮する。制御回路170は、例えば、制御用のソフトウェアを記録したメモリ、およびソフトウェアを実行するプロセッサを含むマイクロコンピュータを含む。制御回路170は、センサユニット160で検出された電流などに基づいて複数の半導体スイッチング素子の作動を制御することにより、電力変換を制御する。制御回路170は、例えば、車両内または車両外に設置された上位制御装置からの指令に応答するように構成されている。制御回路170は、例えば、上位制御装置からの出力トルク要求信号に基づいて、第1回転電機1、および/または、第2回転電機2の各相に流す電流の目標変動パターンを設定する。制御回路170は、センサユニット160によって第1回転電機1、第2回転電機2、および、コンバータ120に流れる電流をモニタする。制御回路170は、目標変動パターンを実現するように、第1インバータ140a、および/または、第2インバータ140bをフィードバック制御する。
The
電力変換装置100は、後述のケース90の外部に設置された外部制御装置175(EXCT)を備える。外部制御装置175は、制御回路170とともに、電力変換装置100の制御システムを構成している。制御システムは、(a)if−then−else形式と呼ばれる複数の論理としてのアルゴリズム、または(b)機械学習によってチューニングされた学習済みモデル、例えばニューラルネットワークとしてのアルゴリズムによって提供される。
The
制御システムは、少なくともひとつのコンピュータを含む制御システムによって提供される。制御システムは、データ通信装置によってリンクされた複数のコンピュータを含む場合がある。コンピュータは、ハードウェアである少なくともひとつのプロセッサ(ハードウェアプロセッサ)を含む。ハードウェアプロセッサは、下記(i)、(ii)、または(iii)により提供することができる。 The control system is provided by a control system that includes at least one computer. The control system may include multiple computers linked by data communication equipment. A computer includes at least one processor (hardware processor) which is hardware. The hardware processor can be provided by (i), (ii), or (iii) below.
(i)ハードウェアプロセッサは、少なくともひとつのメモリに格納されたプログラムを実行する少なくともひとつのプロセッサコアである場合がある。この場合、コンピュータは、少なくともひとつのメモリと、少なくともひとつのプロセッサコアとによって提供される。プロセッサコアは、CPU:Central Processing Unit、GPU:Graphics Processing Unit、RISC−CPUなどと呼ばれる。メモリは、記憶媒体とも呼ばれる。メモリは、プロセッサによって読み取り可能な「プログラムおよび/またはデータ」を非一時的に格納する非遷移的かつ実体的な記憶媒体である。記憶媒体は、半導体メモリ、磁気ディスク、または光学ディスクなどによって提供される。プログラムは、それ単体で、またはプログラムが格納された記憶媒体として流通する場合がある。 (I) The hardware processor may be at least one processor core that executes a program stored in at least one memory. In this case, the computer is provided by at least one memory and at least one processor core. The processor core is called a CPU: Central Processing Unit, a GPU: Graphics Processing Unit, RISC-CPU, or the like. Memory is also called a storage medium. A memory is a non-transitional and substantive storage medium that non-temporarily stores "programs and / or data" that can be read by a processor. The storage medium is provided by a semiconductor memory, a magnetic disk, an optical disk, or the like. The program may be distributed by itself or as a storage medium in which the program is stored.
(ii)ハードウェアプロセッサは、ハードウェア論理回路である場合がある。この場合、コンピュータは、プログラムされた多数の論理ユニット(ゲート回路)を含むデジタル回路によって提供される。デジタル回路は、ロジック回路アレイ、例えば、ASIC:Application−Specific Integrated Circuit、FPGA:Field Programmable Gate Array、SoC:System on a Chip、PGA:Programmable Gate Array、CPLD:Complex Programmable Logic Deviceなどとも呼ばれる。デジタル回路は、プログラムおよび/またはデータを格納したメモリを備える場合がある。コンピュータは、アナログ回路によって提供される場合がある。コンピュータは、デジタル回路とアナログ回路との組み合わせによって提供される場合がある。 (Ii) The hardware processor may be a hardware logic circuit. In this case, the computer is provided by a digital circuit that includes a large number of programmed logic units (gate circuits). The digital circuit is a logic circuit array, for example, ASIC: Application-Special Integrated Circuit, FPGA: Field Programmable Gate Array, SoC: System on a Chip, PGA: Programmable Cable. Digital circuits may include memory for storing programs and / or data. Computers may be provided by analog circuits. Computers may be provided by a combination of digital and analog circuits.
(iii)ハードウェアプロセッサは、上記(i)と上記(ii)との組み合わせである場合がある。(i)と(ii)とは、異なるチップの上、または共通のチップの上に配置される。これらの場合、(ii)の部分は、アクセラレータとも呼ばれる。 (Iii) The hardware processor may be a combination of the above (i) and the above (ii). (I) and (ii) are arranged on different chips or on a common chip. In these cases, the part (ii) is also called an accelerator.
この開示に記載の制御部及びその手法は、コンピュータプログラムにより具体化された一つ乃至は複数の機能を実行するようにプログラムされたプロセッサ及びメモリを構成することによって提供された専用コンピュータにより、実現されてもよい。代替的に、この開示に記載の制御部及びその手法は、一つ以上の専用ハードウェア論理回路によってプロセッサを構成することによって提供された専用コンピュータにより、実現されてもよい。代替的に、この開示に記載の制御部及びその手法は、一つ乃至は複数の機能を実行するようにプログラムされたプロセッサ及びメモリと一つ以上のハードウェア論理回路によって構成されたプロセッサとの組み合わせにより構成された一つ以上の専用コンピュータにより、実現されてもよい。また、コンピュータプログラムは、コンピュータにより実行されるインストラクションとして、コンピュータ読み取り可能な非遷移有形記録媒体に記憶されていてもよい。 The controls and methods thereof described in this disclosure are realized by a dedicated computer provided by configuring a processor and memory programmed to perform one or more functions embodied by a computer program. May be done. Alternatively, the controls and methods thereof described in this disclosure may be implemented by a dedicated computer provided by configuring the processor with one or more dedicated hardware logic circuits. Alternatively, the controls and techniques described in this disclosure include a processor and memory programmed to perform one or more functions and a processor composed of one or more hardware logic circuits. It may be realized by one or more dedicated computers configured by a combination. Further, the computer program may be stored in a computer-readable non-transitional tangible recording medium as an instruction executed by the computer.
制御システムは、センサユニット160から検出された電流を示す信号を処理する検出処理を実行する。制御システムは、センサユニット160における較正処理を実行する。制御システムは、センサユニット160における異常を判定する異常検出処理を実行する。制御システムは、検出された異常に応じて、電力変換装置100、または、車両を保護する保護処理を実行する。さらに、制御システムは、第1回転電機1および第2回転電機2を制御することにより車両を走行させる走行処理を実行する。制御システムは、複数の処理を実行することにより、電力変換装置100を機能させる。
The control system executes a detection process that processes a signal indicating the current detected from the
電力変換装置100は、例えば、直流電源3から供給される直流電圧を三相交流に変換して、第1回転電機1へ供給する。電力変換装置100は、直流電源3に充電された電力を使用して、第1回転電機1によって、車両を駆動する。この運転モードは、EV駆動モードと呼ばれる。電力変換装置100は、例えば、内燃機関の回転駆動力で発電している第2回転電機2から供給される三相交流を、周波数などの異なる三相交流に変換して、第1回転電機1に供給する。電力変換装置100は、内燃機関の回転駆動力を用いて発電した電力を使用して、第1回転電機1によって、車両を駆動する。この運転モードは、インラインHV駆動モードと呼ばれる。
The
さらに、電力変換装置100は、例えば、第1回転電機1、および/または、第2回転電機2を発電機として機能させ、直流電源3へ充電する回生駆動モードを提供する場合がある。上記電流関係は、回生駆動モードにおいて提供される場合がある。なお、第1回転電機1および第2回転電機2の用途は、上述したものに限られず、利用される車両の設計に応じて適宜変更や追加、入れ替え可能である。従って、電力変換装置100の作動も、上述したものに限られず適宜変更や追加、入れ替え可能である。
Further, the
第1回転電機1と第1インバータ140aとを含む回路は、制御可能な第1電流I1が流れる第1スイッチ回路LD1を提供する。第1スイッチ回路LD1は、通電経路を提供する電線、および/または、バスバを含む。言い換えると、第1スイッチ回路LD1は、第1第1電流を制御する。第2回転電機2と第2インバータ140bとを含む回路は、制御可能な第2電流I2が流れる第2スイッチ回路LD2を提供する。第2スイッチ回路LD2は、通電経路を提供する電線、および/または、バスバを含む。言い換えると、第2スイッチ回路LD2は、第2電流I2を制御する。コンバータ120は、制御可能な第3電流I3が流れる第3スイッチ回路LD3を提供する。第3スイッチ回路LD3は、通電経路を提供する電線、および/または、バスバを含む。言い換えると、第3スイッチ回路LD3は、第3電流I3を制御する。複数のスイッチ回路LD1、LD2、LD3は、負荷回路とも呼ばれる。よって、第1スイッチ回路LD1は、第1回転電機1の電力を制御する第1インバータ140aを含む。第2スイッチ回路LD2は、第2回転電機2の電力を制御する第2インバータ140bを含む。第3スイッチ回路LD3は、直流電源3と第1インバータ140aとの間、および、直流電源3と第2インバータ140bとの間における電圧変換を提供するコンバータ120を含む。
The circuit including the first rotary electric machine 1 and the
複数のスイッチ回路を流れる電流の電流関係は、下記第1条件および第2条件((1)式および(2)式)を満たす。 The current relationship of the currents flowing through the plurality of switch circuits satisfies the following first condition and second condition (Equations (1) and (2)).
第1条件:I1>I2・・・(1)式
第2条件:I1>I3・・・(2)式
上記(1)式および(2)式で示される電流関係は、第1回転電機1、第2回転電機2、および、コンバータ120の役割設定によって実現可能である。例えば、第1回転電機1を走行用の主力動力源とすることにより、上記電流関係を実現できる。また、第1回転電機1および第2回転電機2と、車両の駆動輪との間に配置される動力伝達系統の構成によっても、上記電流関係は実現可能である。動力伝達系統の構成は、遊星歯車など多様な構成を利用可能である。上記(1)式および(2)式で示される電流関係は、制御回路170による制御によって実現される場合がある。電力変換装置100は、例えば、コンバータ120、第1インバータ140a、および、第2インバータ140bを制御することにより、複数の異なる運転モードを提供する。複数の運転モードは、第1スイッチ回路LD1に流れる第1電流I1と、第2スイッチ回路LD2に流れる第2電流I2と、第3スイッチ回路LD3に流れる第3電流I3とのうち、第1電流I1が最大となる高電流駆動モードを含む場合がある。上記電流関係は、上記EV駆動モードにおいて提供される場合がある。上記電流関係は、上記インラインHV駆動モードにおいて提供される場合がある。
First condition: I1> I2 ... (1) formula Second condition: I1> I3 ... (2) formula The current relationship represented by the above formulas (1) and (2) is the first rotary electric machine 1. This can be achieved by setting the roles of the second rotary
さらに、上記(1)式および(2)式で示される電流関係は、複数のスイッチ回路LD1、LD2、LD3(後述のスイッチユニット140)と平滑コンデンサ130との間に流れる電流にもあらわれる。第1スイッチ回路LD1と平滑コンデンサ130との間に流れる電流は、第2スイッチ回路LD2と平滑コンデンサ130との間に流れる電流より大きい。第1スイッチ回路LD1と平滑コンデンサ130との間に流れる電流は、第3スイッチ回路LD3と平滑コンデンサ130との間に流れる電流より大きい。図示の構成によると、第1スイッチ回路LD1において、ジュール熱に起因する発熱量が最も大きい。また、第1電流I1の大きさに起因して、第1スイッチ回路LD1において、インダクタンス成分に起因するサージ電圧が最も大きい。
Further, the current relationship represented by the above equations (1) and (2) also appears in the current flowing between the plurality of switch circuits LD1, LD2, LD3 (switch
図2および図3において、電力変換装置100における複数の部品の配置が図示されている。図2は、図3の矢印II方向における側面図である。図3は、図2の矢印IIIにおける平面図である。図2および図3において、便宜的に、高さ方向XD、幅方向YD、および、奥行き方向ZDを含む直交座標系が示されている。高さ、幅、および、奥行きの呼び名は、便宜的なものであって、電力変換装置100の設置姿勢を限定的に示すものではない。電力変換装置100は、重力方向に対して多様な姿勢をとることができる。電力変換装置100は、ケース90を有する。ケース90は、電力変換装置100のための複数の部品を収容している。
2 and 3 show the arrangement of a plurality of components in the
電力変換装置100は、複数のモジュール40を備える。それぞれのモジュール40は、平板状の半導体モジュールである。それぞれのモジュール40は、高電位端子44H、低電位端子44L、および接続点端子44Mを含む三つの電力端子44を備える。電力端子44は、主端子とも呼ばれる。高電位端子44Hは、高電位ライン20Hに接続されている。低電位端子44Lは、低電位ライン20Lに接続されている。接続点端子44Mは、ハイサイドの半導体スイッチング素子と、ローサイドの半導体スイッチング素子との接続点である。接続点端子44Mは、第1回転電機1、第2回転電機2、または、リアクトル60に接続されている。それぞれのモジュール40は、制御信号およびモニタ信号のための複数の制御端子45を備えている。複数の制御端子45は、制御回路170に接続されている。複数の電力端子44、および、複数の制御端子45は、モジュール40の縁から高さ方向XDに沿って延びだしている。
The
複数のモジュール40は、奥行き方向ZDに沿って積層的に配列されている。複数のモジュール40は、それぞれの板状主平面が平行となるように、かつ、それぞれの板状主平面が重複するように配列されている。複数のモジュール40は、奥行き方向ZDに沿って、それぞれの縁を揃えるように配列されている。複数のモジュール40は、少なくとも高電位端子44H、および、低電位端子44Lを含む複数の電力端子44を提供している。複数の電力端子44は、複数の列を形成するように配列されている。三つの電力端子44は、モジュール40における高さ方向XDに面する側面から高さ方向XDに突出している。異なるモジュール40から突出している同種の電力端子44は、奥行き方向ZDに沿ってひとつの列を形成するように配列されている。言い換えると、複数のモジュール40は、複数の電力端子44が、複数の列をなすように、奥行き方向ZDに沿って配列されている。以下の説明において、奥行き方向ZDは、配列方向とも呼ばれる。また、配列方向における、複数の電力端子44が位置づけられた範囲は、配列範囲RGとも呼ばれる。
The plurality of
電力変換装置100は、複数のモジュール40を冷却するための冷却器50を備える。冷却器50は、水などの冷却媒体が流通する流路を有する。複数のモジュール40と冷却器50とは、液冷式のスイッチユニット140を提供している。よって、スイッチユニット140は、半導体スイッチング素子を収容し、電力端子44を有する複数のモジュール40を備える。スイッチユニット140は、複数のモジュール40を冷却する冷却器50を備える。
The
スイッチユニット140は、コンバータ120、第1インバータ140a、および、第2インバータ140bのための複数のモジュール40を含む。言い換えると、スイッチユニット140は、第1スイッチ回路LD1、第2スイッチ回路LD2、および、第3スイッチ回路LD3における主要な発熱部品である複数のモジュール40を含む。この結果、スイッチユニット140は、配列方向に沿って配列された複数の電力端子44を有する。スイッチユニット140において、複数の電力端子44は、配列方向に沿って3列に配列されている。複数の電力端子44は、1列、2列、3列、4列など多様な数の多列に配列されてもよい。
The
言い換えると、スイッチユニット140は、第1スイッチ回路LD1、第2スイッチ回路LD2、および、第3スイッチ回路LD3の複数の電力端子44が配列範囲RGにわたって、所定の順に配列されている。複数の電力端子44は、第1スイッチ回路LD1の電力端子44の両側に、第2スイッチ回路LD2の電力端子44、および、第3スイッチ回路LD3の電力端子44が位置するように配列されている。言い換えると、所定の順は、第2スイッチ回路LD2、第1スイッチ回路LD1、第3スイッチ回路LD3の順である。
In other words, in the
第1スイッチ回路LD1は、複数のモジュール41を備える。第2スイッチ回路LD2は、複数のモジュール42を備える。第3スイッチ回路LD3は、モジュール43を備える。第3スイッチ回路LD3は、複数のモジュール43を備えていてもよい。モジュール42は、スイッチユニット140における端部に位置している。モジュール43は、スイッチユニット140における端部に位置している。モジュール41は、スイッチユニット140において、モジュール42と、モジュール43との間に位置している。第1電流I1が流れるモジュール41は、第1電流I1より小さい第2電流I2が流れるモジュール42と、第1電流I1より小さい第3電流I3が流れるモジュール43との間に位置している。スイッチユニット140における中間領域にモジュール41が位置づけられており、両方の端部領域にモジュール42、43がそれぞれ位置づけられている。
The first switch circuit LD1 includes a plurality of modules 41. The second switch circuit LD2 includes a plurality of modules 42. The third switch circuit LD3 includes a module 43. The third switch circuit LD3 may include a plurality of modules 43. The module 42 is located at the end of the
コンデンサユニット30およびセンサユニット160は、幅方向YDにおいて、スイッチユニット140の横に配置されている。コンデンサユニット30およびセンサユニット160は、スイッチユニット140の両側に分かれて配置されている。言い換えると、スイッチユニット140の両側にセンサユニット160とコンデンサユニット30とが離れて配置されている。複数の高電位端子44Hは、三つの電力端子44の中において、最もコンデンサユニット30に近い位置に配置されている。複数の低電位端子44Lは、三つの電力端子44の中において、接続点端子44Mと高電位端子44Hとの間に配置されている。複数の接続点端子44Mは、三つの電力端子44の中において、最もセンサユニット160に近い位置に配置されている。なお、複数の電力端子44の配置は、互いに入替え可能である。
The
センサユニット160は、複数の検出部161、162、163を有する。検出部161、162、163は、接続点端子44Mを流れる電流を検出し、検出信号を制御回路170に出力する。センサユニット160は、制御回路170に接続されている。センサユニット160において、それぞれの検出部161、162、163は、図3に部分的な破断図として示される要素を備える。センサユニット160は、絶縁樹脂製のボディ内に複数の検出部161、162、163を収容している。センサユニット160は、端子台を兼ねている。
The
複数の検出部161、162、163のそれぞれは、バスバ165を有する。バスバ165は、外部接続のための端子165aと、接続点端子44Mとの接続のための端子165bとを有する。バスバ165は、少なくとも1つの曲がり部を有する。バスバ165は、例えば、クランク状である。センサユニット160は、複数の検出部161、162、163にわたって広がる磁気的なシールド板169、169を有する。シールド板169、169は、センサユニット160の外部から到来する外部磁束に対する遮蔽を提供する。センサユニット160は、複数の検出部161、162、163にわたって広がる支持部材としての回路基板168を有する。複数の検出部161、162、163のそれぞれは、回路基板168に搭載されたコアレス型の電流センサである素子167を有する。素子167は、第1電流I1、第2電流I2、および、第3電流I3を検出する。素子167は、バスバ165に近接して配置されている。素子167は、バスバ165に流れる電流に起因する磁束を検出することにより、電流を示す信号を出力する。
Each of the plurality of
検出部161は、第1スイッチ回路LD1に流れる第1電流I1を検出する。検出部161におけるバスバ165は、第1スイッチ回路LD1に所属している。センサユニット160は、3相電力を検出するために、3つの検出部161を備える。3つの検出部161は、一群の検出部161を形成するように配置されている。一群の検出部161は、スイッチユニット140の横に配置されている。一群の検出部161は、第1スイッチ回路LD1に属する複数の接続点端子44Mの横に配置されている。
The
検出部162は、第2スイッチ回路LD2に流れる第2電流I2を検出する。検出部162におけるバスバ165は、第2スイッチ回路LD2に所属している。センサユニット160は、3相電力を検出するために、3つの検出部162を備える。3つの検出部162は、一群の検出部162を形成するように配置されている。一群の検出部162は、スイッチユニット140の横に配置されている。一群の検出部162は、第2スイッチ回路LD2に属する複数の接続点端子44Mの横に配置されている。
The
検出部163は、第3スイッチ回路LD3に流れる第3電流I3を検出する。検出部163におけるバスバ165は、第3スイッチ回路LD3に所属している。センサユニット160は、コンバータ120における単相電力を検出するために、1つの検出部163を備える。コンバータ120が複数の検出対象を有する場合、センサユニット160は、複数の検出部163を備えていてもよい。検出部163は、一群の検出部163を形成するように配置されている。一群の検出部163は、スイッチユニット140の横に配置されている。一群の検出部163は、第3スイッチ回路LD3に属する接続点端子44Mの横に配置されている。
The
一群の検出部161は、配列方向に関して、一群の検出部162と、一群の検出部163との間に配置されている。センサユニット160は、複数の電力端子44の配列方向に沿って、複数の電力端子44の配列範囲RGにわたって広がっている。図示の例では、センサユニット160は、奥行き方向ZDに沿って、すべての接続点端子44Mにわたって延びている。この配置は、センサユニット160におけるノイズ抑制効果、または、熱集中の回避効果に関して有利な効果をもたらす場合がある。
The group of
リアクトル60は、奥行き方向ZDにおいて、スイッチユニット140の横に配置されている。リアクトル60は、コンデンサユニット30、スイッチユニット140、および、センサユニット160にわたって配置されている。制御回路170は、高さ方向XDにおいて、スイッチユニット140の上に配置されている。制御回路170における回路基板は、スイッチユニット140の上において、複数の制御端子45と接続されている。なお、スイッチユニット140に対する、コンデンサユニット30、リアクトル60、センサユニット160、および、制御回路170の配置は、図示の配置に限定されない。
The
高電位ライン20Hは、バスバ131によって提供されている。バスバ131は、複数の高電位端子44Hと電気的に接続されている。バスバ131は、電気的な接続のための複数の接続部132を有する。接続部132は、バスバ131に開設された切り起こし片によって提供されている。低電位ライン20Lは、バスバ133によって提供されている。バスバ133は、複数の低電位端子44Lと電気的に接続されている。バスバ133は、電気的な接続のための複数の接続部134を有する。接続部134は、バスバ131に開設された切り起こし片によって提供されている。バスバ133は、バスバ131よりやや長い。
The high potential line 20H is provided by the
バスバ131は、後述の並列接続部135と複数の電力端子44との間にブリッジ部136を有する。バスバ133も、ブリッジ部136を有する。バスバ131のブリッジ部と、バスバ133のブリッジ部とは、重複している。バスバ131のブリッジ部と、バスバ133のブリッジ部とは、同じ形状である。ブリッジ部136は、平板状である。ブリッジ部136は、配列範囲RGにわたる幅をもつ四辺形である。ブリッジ部136は、配列範囲RGよりやや広い幅を有している。ブリッジ部136は、四辺形の全体において導電経路を提供する。ブリッジ部136は、配列範囲RGの少なくとも中間部において、後述の並列接続部135と複数の電力端子44とを電気的に接続している。四辺形のブリッジ部136は、中間部を含む配列範囲RGの全体で後述の並列接続部135と複数の電力端子44とを電気的に接続している。ブリッジ部136は、複数のコンデンサ素子30aと複数の電力端子44との間において、配列範囲RGの全体にわたって無数の導電経路を提供している。
The
バスバ131、133は、互いに重複するように平行に配置されている。なお、図示においては、2つのバスバ131、133の存在を示すために、バスバ131とバスバ133とは、わずかにずれて図示されている。バスバ131、133は、複数の高電位端子44Hと複数の低電位端子44Lとが配置されている2次元の範囲にわたって2次元状に広がっている。バスバ131、133は、複数の電力端子44の配列方向に沿って、複数の電力端子44の配列範囲RGにわたって延びている。バスバ131、133は、それらの間に配置された電気的な絶縁部材を備えていてもよい。
The bus bars 131 and 133 are arranged in parallel so as to overlap each other. In the illustration, in order to show the existence of the two
バスバ131、133は、コンデンサユニット30に収容されたコンデンサ素子30aを接続するためのバスバでもある。バスバ131、133は、コンデンサバスバとも呼ばれる。バスバ131、133は、複数のコンデンサ素子30aを並列接続するための並列接続部135を有する。バスバ131が有する並列接続部135と、バスバ133が有する並列接続部135との間に、複数のコンデンサ素子30aが並列接続されている。
The bus bars 131 and 133 are also bus bars for connecting the
コンデンサユニット30は、複数の電力端子44の配列方向に沿って、複数の電力端子44の配列範囲RGにわたって延びている。コンデンサユニット30は、奥行き方向に関して、配列範囲RGを越えて延びだしている。並列接続部135は、複数の電力端子44の配列方向に沿って、複数の電力端子44の配列範囲RGにわたって延びている。
The
コンデンサユニット30は、並列接続された複数のコンデンサ素子30aを有する。図示では、3つのコンデンサ素子30aが例示されている。コンデンサユニット30は、ひとつ、ふたつ、または、4以上のコンデンサ素子30aを有していてもよい。また、コンデンサユニット30は、平滑コンデンサ130に加えて、コンデンサ110を収容していてもよい。
The
バスバ131は、複数の電力端子44に電気的に接続された複数の接続部132を有する。バスバ133は、複数の電力端子44に電気的に接続された複数の接続部134を有する。バスバ131は、複数のコンデンサ素子30aを並列接続する並列接続部135を有する。バスバ133は、複数のコンデンサ素子30aを並列接続する並列接続部135を有する。ブリッジ部136は、複数の接続部132、134と並列接続部135との間に配置されている。バスバ131、133のそれぞれは、配列範囲RGにわたる広い奥行き方向ZDの幅をもち、この幅にわたって複数の電力端子44と並列接続部135とを電気的に接続している。
The
バスバ131、133のそれぞれの中には、少なくとも配列範囲RGにおける中間範囲において、複数の電力端子44とコンデンサユニット30とを接続するブリッジ部136が含まれている。図示されるブリッジ部136は、広い板状のバスバ131、133の一部において仮想された導体部分を示している。よって、バスバ131、133は、配列範囲RGにわたる幅をもつ。ブリッジ部136は、バスバ131、133の一部において仮想された導体部分である。ブリッジ部136は、少なくとも第1スイッチ回路LD1に含まれる複数の電力端子44が配列された中間範囲において、複数の電力端子44とコンデンサユニット30との間を直線的に接続している。
Each of the
図4において、理解を容易にするために、複数の検出部を含む単一のセンサユニット160は外形として図示されている。センサユニット160を形作る樹脂材料を示すハッチングは図示されていない。以下の説明では、理解を容易にするために、ひとつのバスバに流れる電流から生じるひとつの漏れ磁束がひとつの素子に鎖交する例を中心に説明する。これに代えて、複数のバスバに流れる電流から複数の漏れ磁束が生じ、これら複数の漏れ磁束がひとつの素子に鎖交する例を想定してもよい。このような拡張は、当業者の有する通常の電気磁気学的な知識に基づいて可能である。
In FIG. 4, a
センサユニット160において、シールド板169は、センサユニット160の外部に起因する外部ノイズ磁束を抑制している。センサユニット160が備える複数のバスバ165のそれぞれは、そこに流れる電流に起因して磁束を生成する。ひとつのバスバ165に流れる電流は、検出されるべき正規の磁束と、漏れ磁束とを生成する。正規の磁束は、主磁束とも呼ばれる。漏れ磁束は、副磁束とも呼ぶことができる。
In the
正規の磁束は、バスバ165に対応付けられた素子167に鎖交する。素子167は、正規の磁束に応じた電気信号を生成し、出力する。この電気信号は、バスバ165に流れる電流を示す信号として利用される。
The normal magnetic flux interlinks with the
漏れ磁束は、他のバスバ165のために設けられた他の素子167に鎖交する。漏れ磁束は、センサユニット160における内部ノイズ磁束として機能する。他の素子167は、漏れ磁束に応じた電気信号を生成し、出力する。この電気信号は、検出されるべき電流とは異なるノイズとして出力される。この結果、センサユニット160に含まれる任意の素子167の出力は、対応付けられた特定のバスバ165からの磁束に起因する電気信号だけでなく、センサユニット160に含まれる他のバスバ165からの漏れ磁束に起因するノイズ信号を含む。
The leakage flux interlinks with another
図4は、検出されるべき電流として、第1スイッチ回路LD1に電流が流れている場合を例示している。なお、以下の説明において、主としてバスバ65aと、素子67dとの関係が説明されている。しかし、この関係は、複数のバスバ165と、複数の素子167との間にも適用されるものとして理解されるべきである。
FIG. 4 illustrates a case where a current is flowing through the first switch circuit LD1 as the current to be detected. In the following description, the relationship between the
図4の場合、複数の検出部161に所属する複数のバスバ165のそれぞれは、正規の磁束M1を生成する。複数の検出部161に所属する複数の素子167のそれぞれは、磁束M1に起因する電気信号を出力する。このとき、第1スイッチ回路LD1に所属する複数のバスバ165は、他のスイッチ回路に所属する検出部162、163に向けて漏れ磁束ML1、ML2・・・MLnを供給する。
In the case of FIG. 4, each of the plurality of
代表的に、図中の中央のバスバ65aと、検出部162を例に説明する。バスバ65aは、第1バスバを提供する。バスバ65dは、第2バスバを提供する。バスバ65aに流れる電流は第1電流と呼ばれる。バスバ65dに流れる電流は、第2電流と呼ばれる。素子67aは、第1バスバに流れる第1電流に起因して生成される磁束を検出する第1素子を提供する。素子67dは、第2バスバに流れる第2電流に起因して生成される磁束を検出する第2素子を提供する。制御システムは、第1素子から第1電流を示す信号を取得する。制御システムは、第2素子から第2電流を示す信号を取得する。こうして、電力変換装置100のセンサユニット160を含む電流検出装置は、任意のバスバに流れる電流を検出する。
Typically, the
この場合、バスバ65aは、第2スイッチ回路LD2の検出部162に向けて破線で示される漏れ磁束ML1と、一点鎖線で示される漏れ磁束ML2と、二点鎖線で示される漏れ磁束ML3とを生成する。漏れ磁束MLnの最大数は、センサユニット160に含まれるバスバ165の数に達する場合がある。図示の場合、漏れ磁束MLnは、ML6に達する場合がある。
In this case, the
図示の場合、最も左端に位置づけられた素子67dには、漏れ磁束ML3が鎖交する。左から2番目の素子67cには、漏れ磁束ML2と漏れ磁束ML3との両方が鎖交する。さらに、左から3番目の素子67bには、漏れ磁束ML1と漏れ磁束ML2と漏れ磁束ML3とのすべてが鎖交する。
In the figure, the leakage flux ML3 is interlinked with the
このように、漏れ磁束は、ひとつのバスバ65aに流れる電流と、ひとつのバスバ65aと他の検出部162に所属する素子67b、67c、67dとの幾何学的な位置関係とに応じて予め知ることができる。この結果、所定の観測条件の下において、第2素子67dに作用する漏れ磁束は、既知の値として予め知ることができる。例えば、第2素子67dに対応付けられた第2バスバ65dへの通電がなく、他のバスバである第1バスバ65aへ既知の通電が実行されるときは、第2素子67dの出力は、予め予測することができる。例えば、第2素子67dの出力は、第1バスバ65aへの既知の通電に基づいて推定することができる。この説明は、複数の素子167のすべてに当てはまる。このことは、当業者が当然に理解しうることである。よって、後述のフローチャートによる処理が複数の素子167のそれぞれに対しても適用可能であることも当然に理解されることである。
As described above, the leakage flux is known in advance according to the current flowing through one
この明細書における開示では、所定の漏れ観測条件下における第2素子67dの出力が漏れ観測信号として観測される。漏れ観測条件は、複数のバスバ165への通電状態によって規定されている。漏れ観測条件は、第2素子67dに対応付けられたバスバ65dへの通電がなく、第1素子67aに対応付けられたバスバ65aへ既知の通電があるときである。このとき、第2素子67dの出力は、他のバスバ65aからの漏れ磁束による影響のみを含む。よって、第2素子67dの出力を観測することにより、漏れ磁束の影響が確定される。このときに観測された第2素子67dの出力、すなわち電気信号は、第2素子67dの基本的な性能を示す。言い換えると、観測された電気信号は、第2素子67d基本的な性能を示す漏れ観測信号として利用される。
In the disclosure in this specification, the output of the
ひとつの例においては、漏れ観測信号は、第2素子67dの少なくとも正常または異常を判定するために利用される。漏れ観測信号は、例えば、0(ゼロ)か否かの判定に利用される。0(ゼロ)は、漏れ観測信号と比較される基準値である。0(ゼロ)は、断線などの電気回路に関する故障を示唆している。代替的に、または、追加的に、漏れ観測信号は、例えば、電源電圧(Vcc)か否かの判定に利用される。この場合、電源電圧は、基準値として利用されている。電源電圧は、短絡などの電気回路に関する故障を示唆している。
In one example, the leak observation signal is used to determine at least normal or abnormal of the
ひとつの例においては、漏れ観測信号は、素子167の少なくとも正常または異常を判定するために利用される。漏れ観測信号は、例えば、規定の基準範囲にあるか否かの判定に利用される。基準値としての規定の基準範囲は、上述の既知の通電が実行されたバスバ165、および、複数のバスバ165の間における幾何学的な位置関係に応じて設定することができる。漏れ観測信号は、例えば、規定の最低値を上回るか否かの判定に利用される。基準値としての規定の最低値は、上述の既知の通電が実行されたバスバ165、および、複数のバスバ165の間における幾何学的な位置関係に応じて予測的に設定することができる。漏れ観測信号は、例えば、規定の最高値を下回るか否かの判定に利用される。基準値としての規定の最高値は、上述の既知の通電が実行されたバスバ165、および、複数のバスバ165の間における幾何学的な位置関係に応じて予測的に設定することができる。
In one example, the leak observation signal is used to determine at least normal or abnormal of
ひとつの例においては、漏れ観測信号は、素子167が異常である場合に、異常の程度を示すために利用される。漏れ観測信号は、例えば、そのままで、正規の磁束に起因する正規観測信号を補正するために利用される。これに代えて、漏れ観測信号の所定割合だけ、正規の磁束に起因する正規観測信号が補正されてもよい。
In one example, the leak observation signal is used to indicate the degree of anomaly when
図5において、任意のn番目の回路LDnにおける任意の素子167の処理180が示されている。図5は、電力変換装置100の電流検出方法を示している。処理180は、任意の素子167に関する出力処理、または、較正処理とも呼ぶことができる。処理180は、所定の時間間隔で定期的に実行されてもよく、所定のイベント発生時に割り込み的に実行されてもよい。処理180は、例えば、電力変換装置100の起動時に実行される。
In FIG. 5, the
以下の説明でも、バスバ65aを第1バスバとし、バスバ65dを第2バスバとする。なお、図5に例示されたフローチャートは、センサユニット160に含まれる複数の素子167のそれぞれに対して実行可能である。フローチャートは、制御システムにおいて集中的に、または、分散的に実行される。
In the following description, the
制御システムは、ステップ181において、素子67dに関する処理のための漏れ観測条件の成立を判定する。ステップ181は、第1回路である第1スイッチ回路LD1における通電状態を判定するためのステップ181aと、第2回路である第2スイッチ回路LD2における通電状態を判定するためのステップ181bとを備える。ステップ181aは、処理対象である素子67dが漏れ磁束だけの影響を受ける条件が成立しているか否かを判定する。ステップ181bは、素子67dに作用する漏れ磁束を予測的に設定できる通電状態が発生しているか否かを判定する。ステップ181は、漏れ観測条件が成立したか否かを判定する条件判定部、および、条件判定ステップを提供する。漏れ観測条件は、第1バスバに第1電流が流れ、第2バスバに電流が流れない状態である。
In
制御システムは、ステップ181aにおいて、第2スイッチ回路LD2への通電があるか否かを判定する。ステップ181aにおいて肯定的に判定された場合、処理はYESに分岐し、ステップ188が実行される。ステップ181aにおいて否定的に判定された場合、処理はNOに分岐し、ステップ181bが実行される。
In
制御システムは、ステップ181bにおいて、第2スイッチ回路LD2以外の1つの回路への通電があるか否かを判定する。ステップ181bにおいて肯定的に判定された場合、処理はYESに分岐し、ステップ182が実行される。ステップ181bにおいて否定的に判定された場合、処理はNOに分岐し、再びステップ181aが実行される。図示の例では、第2スイッチ回路LD2の素子67dを評価対象としているから、第1スイッチ回路LD1または第3スイッチ回路LD3への通電がある場合に、ステップ182へ進む。
In
ステップ181からステップ188へ進む場合は、第2スイッチ回路LD2に通電される場合である。この場合、素子67dは、第2スイッチ回路LD2に流れる第2電流を観測するために、バスバ65dに実際に流れる電流に起因する正規の磁束を示す正規観測信号Inを出力する。制御システムは、ステップ188において、第2スイッチ回路LD2を流れる第2電流を示す正規観測信号Inを素子67dから取得する。ステップ188は、漏れ観測条件が成立しないときの正規取得部、および、正規取得ステップを提供する。制御システムは、第1バスバ65aに流れる電流によって生成される正規の磁束を第1素子67aにより検出し、第1バスバ65aに流れる電流を示す正規観測信号Inを第1素子67aから取得する。制御システムは、第2バスバ65dに流れる電流によって生成される正規の磁束を第2素子67dにより検出し、第2バスバ65dに流れる電流を示す正規観測信号Inを第2素子67dから取得する。
The case of proceeding from
ステップ181により、第2素子67dに対応付けられた第2バスバ65dへの通電がなく、かつ、第1バスバ65aへ第1電流の通電がある両方の条件が成立したか否かが判定される。この判定が肯定的である場合、素子67dの出力にあらわれる信号Imは、漏れ磁束に起因する信号Imである。漏れ磁束に起因する信号Imは、ノイズ信号、または、ゴースト信号とも呼ぶことができる。この明細書における開示では、漏れ磁束に起因する信号Imは、素子67dの性能を示す漏れ観測信号とも呼ばれる。
In
制御システムは、ステップ182において、第2スイッチ回路LD2以外、すなわち図示の場合には第1スイッチ回路LD1へ実際に通電された電流を示す信号Iaを、第1素子67aから取得する。第2素子67dにおける漏れ磁束に起因する信号は、漏れ磁束を生成している電流Iaと、漏れ磁束を生成している第1バスバ65aと第2素子67dとの幾何学的な位置関係とに基づいて決定することができる。例えば、第2素子67dと第1バスバ65aとの関係を考える場合、幾何学的な位置関係は、係数、または、関数として画定することができる。一方、第1バスバ65aに流れる電流は、第1素子67aの信号として取得することができる。この結果、第2素子67dにおける漏れ磁束に起因する信号は、第1素子67aによって観測される第1バスバ65aに流れる電流と、上記係数、または、上記関数とによって決定することができる。ステップ182は、漏れ観測条件が成立するときに、第1電流に起因する正規の磁束を検出した正規観測信号Iaを第1素子67aから取得する正規取得部、および、正規取得ステップを提供している。
In
なお、ステップ182は、電力変換装置100における運転モードによって設定されてもよい。例えば、第1スイッチ回路LD1に所定の電流が流れる運転モードにおいて、ステップ182に代えて、所定の信号Iaが設定されてもよい。
Note that
制御システムは、ステップ183において、第1バスバ65aに流れる電流Iaに起因する漏れ磁束によって第2素子67dが出力する理論信号を演算する。例えば、上記関数がf( )である場合、理論信号は、f(Ia)として与えられる。理論信号は、第2素子67dから観測された漏れ観測信号Imと比較される理論的な信号である。理論信号は、基準信号である。言い換えると、制御システムは、ステップ183において、第2スイッチ回路LD2以外へ実際に通電された電流を示す信号Iaに基づいて、基準信号THmを演算する。この実施形態では、基準信号THmは、漏れ観測信号Imを評価するために、上限と下限とを含む範囲値として与えられる。これに代えて、基準信号は、ひとつの数値として与えられてもよい。ステップ183は、漏れ観測条件が成立するとき、漏れ観測信号Imと比較される基準となる基準信号THmを設定する基準設定部を提供する。さらに、ステップ183は、正規観測信号Iaに基づいて基準信号THmを設定する。ステップ183は、漏れ観測条件が成立するときに、正規観測信号Iaに基づいて、漏れ観測信号Imと比較される基準信号THmを設定する。
In
ステップ183における演算処理は、関数に代えて、信号Iaと基準信号THmとを関連付けたマップを参照するマップ処理によって実行されてもよい。信号Iaと基準信号THmとの関係は、上述の幾何学的な位置関係、または、実験的に求めることができる。
The arithmetic processing in
制御システムは、ステップ184において、第2素子67dの出力可能状態と出力不能状態とを識別するための出力基準信号を設定する。出力不能状態は、例えば、電気回路に関する故障である。出力不能状態は、例えば、回路の断線、または、接地電位への短絡、または、電源電位への短絡である。断線を示す基準信号THcとして、0(ゼロ)が設定される。電源電位への短絡を示す基準信号THsとして、安定化電圧Vccが設定される。ステップ184は、出力基準設定部、および、出力基準設定ステップを提供する。
In
制御システムは、ステップ185において、漏れ磁束に起因する漏れ観測信号Imを、第2素子67dから取得する。漏れ観測信号Imは、第1バスバ65aからの漏れ磁束に起因するものであって、実際に第2バスバ65dを流れる電流ではない。しかし、漏れ観測信号Imは、第2素子67dの性能を示す有効な信号である。特に、漏れ観測信号Imは、微弱な磁束に対する第2素子67dの感度を示している。ステップ185は、漏れ観測信号Imを第2素子から取得する漏れ取得部、および、漏れ取得ステップを提供している。漏れ観測信号Imは、漏れ観測条件が成立するとき、第1電流に起因して生成され、第2素子67dに鎖交する漏れ磁束を検出した信号である。
In
制御システムは、ステップ186において、漏れ観測信号Imと基準信号THmとの比較に基づいて、第2素子67dを評価する。ステップ186は、評価部、および、評価ステップを提供する。制御システムは、ステップ186において、3種類の評価を実行する。ステップ186は、ステップ186aと、ステップ186bと、ステップ186cとを含む。ステップ186は、ステップ186a、ステップ186b、および、ステップ186cのうちの1つ、または、2つを備えることができる。ステップ186は、ステップ186a、ステップ186b、および、ステップ186cの順序を変更して採用することができる。
In
第1の評価は、素子67dの出力が量的に、正常であるか、異常であるかの判定である。この評価は、漏れ観測信号Imと、基準信号THmとの比較に基づいて実行される。この評価は、漏れ観測信号Imが基準信号THmと同等と評価できるか否かに基づいて実行される。同等は、数値としての同一だけでなく、規定の数値範囲における一致を含む。
The first evaluation is to determine whether the output of the
制御システムは、ステップ186aにおいて、第1の評価を実行する。制御システムは、ステップ186aにおいて、漏れ観測信号Imと基準信号THmとを比較する。処理は、ステップ186aにおける評価結果に応じて分岐する。漏れ観測信号Imと基準信号THmとが等しい場合(Im=THm)、漏れ観測信号Imは、正しいと考えられる。この場合、処理は、ステップ181aに戻る。漏れ観測信号Imと基準信号THmとが等しくない場合(Im≠THm)、漏れ観測信号Imは、何らかの誤差を含んでいると考えられる。この場合、処理は、ステップ186bに進む。ステップ186aの処理は、素子67dが正常であるか(Im=THm)、素子67dが異常であるか(Im≠THm)であるかを判定する処理である。ステップ186aは、基準信号THmと漏れ観測信号Imとの比較に基づいて、第2素子67dの正常と異常とを識別する正常異常識別部を提供している。
The control system performs the first evaluation in
第2の評価は、素子67dが電気回路として正常であるか、異常であるかの判定である。この評価は、漏れ観測信号Imと、基準信号THc、THsとの比較に基づいて実行される。基準信号THcは、素子67dに関する回路の断線、または、地絡を示す0(ゼロ)が設定されている。基準信号THsは、素子67dに関する回路の電源レベルへの短絡を示すVccが設定されている。
The second evaluation is to determine whether the
制御システムは、ステップ186bにおいて、第2の評価を実行する。制御システムは、ステップ186bにおいて、漏れ観測信号Imと基準信号THc、THsとを比較する。処理は、ステップ186bにおける評価結果に応じて分岐する。漏れ観測信号Imが0(ゼロ)である場合、素子67dは出力不能状態であると考えられる。この場合、処理は、ステップ187aに進む。漏れ観測信号ImがVccである場合、素子67dは出力不能状態であると考えられる。この場合、処理は、ステップ187aに進む。漏れ観測信号Imが0(ゼロ)でなく、Vccでもない場合、素子67dは出力可能状態であると考えられる。この場合、処理は、ステップ186cに進む。ステップ186bは、基準信号THmと漏れ観測信号Imとの比較に基づいて、第2素子67dの出力可能状態と出力不能状態とを識別する出力識別部を提供している。
The control system performs a second evaluation in
第3の評価は、素子67dの誤差量を特定することである。この評価は、漏れ観測信号Imそのものによって実行される。すなわち、漏れ観測信号Imそのものが、誤差量を示している。
The third evaluation is to specify the amount of error of the
制御システムは、ステップ186cにおいて、第3の評価を実行する。制御システムは、ステップ186cにおいて、漏れ観測信号Imと基準信号THmとを比較する。処理は、ステップ186cにおける評価結果に応じて分岐する。漏れ観測信号Imが基準信号THmより大きい場合(Im>THm)、素子67dは予定されている感度よりも過敏な反応をしていると考えられる。言い換えると、素子67dの故障モードは、出力が過大になる傾向を有していると考えられる。この場合、処理は、ステップ187bに進む。漏れ観測信号Imが基準信号THmより小さい場合(Im<THm)、素子67dは予定されている感度よりも鈍い反応をしていると考えられる。言い換えると、素子67dの故障モードは、出力が過小になる傾向を有していると考えられる。この場合、処理は、ステップ187cに進む。ステップ186cは、基準信号THmと漏れ観測信号Imとの比較に基づいて、第2素子67dの過敏な反応と鈍い反応とを識別する感度識別部を提供している。
The control system performs a third evaluation in
制御システムは、ステップ187において、素子67dの故障モードに応じた対策処理を実行する。対策処理は、素子67dの故障に起因する電力変換装置100の機能低下を抑制する処理である。対策処理は、例えば、電力変換装置100としての影響を抑制するように素子67dの出力を制限する処理を含む場合がある。対策処理は、例えば、車両が最低限の走行機能を発揮できるように電力変換装置100を制御する処理を含む場合がある。この処理は、リンプホーム処理とも呼ばれる。ステップ187は、ステップ187aと、ステップ187bと、ステップ187cとを含む。ステップ187は、素子67dの故障に起因する電力変換装置100の機能低下を抑制する対策処理部を提供している。
In
制御システムは、ステップ187aにおいて、素子67dが出力不能状態である場合の対策処理を実行する。対策処理は、例えば、素子67dの利用を停止する処理を含む場合がある。この場合、電力変換装置100は、素子67dの出力を利用しないように処理できる。電力変換装置100は、例えば、電流制御のない、オープンループ制御に移行することができる。電力変換装置100は、例えば、スイッチング素子の駆動デューティを制限することができる。
In
制御システムは、ステップ187bにおいて、素子67dが過敏に反応している場合の対策処理を実行する。この場合、以後のステップ188において観測される素子67dの正規観測信号Inは、漏れ観測信号Imだけ、ずれていると考えることができる。対策処理は、例えば、漏れ観測信号Im分の減少補正を加えて、素子67dの利用を継続する処理を含む場合がある。対策処理は、例えば、電力変換装置100および車両が壊れない程度に回転電機の出力トルクを制限する処理を含む場合がある。
In
制御システムは、ステップ187cにおいて、素子67dが鈍く反応している場合の対策処理を実行する。この場合、以後のステップ188において観測される素子67dの正規観測信号Inは、漏れ観測信号Imだけ、ずれていると考えることができる。対策処理は、例えば、漏れ観測信号Im分の増加補正を加えて、素子67dの利用を継続する処理を含む場合がある。対策処理は、例えば、電力変換装置100および車両が壊れない程度に回転電機の出力トルクを制限する処理を含む場合がある。
In
以上に述べた実施形態によると、電力変換装置100における電流検出装置は、検出されるべき電流に起因する正規の磁束による素子167からの出力を観測するだけでなく、漏れ磁束に起因する素子167からの出力を観測し、素子167を評価するために利用する。特に、基準信号THmと漏れ観測信号Imとが比較される。この結果、漏れ磁束を積極的に利用する電流検出装置、および、電流検出方法が提供される。この実施形態では、コアレス型の電流センサを利用することによって不可避に増加する漏れ磁束の影響を有効に利用することができる。また、正規の磁束を利用する場合に比べて、弱い漏れ磁束が利用されることにより、素子167の微小信号領域において素子167の正常または異常を判定することができる。
According to the embodiment described above, the current detection device in the
他の実施形態
この明細書および図面等における開示は、例示された実施形態に制限されない。開示は、例示された実施形態と、それらに基づく当業者による変形形態を包含する。例えば、開示は、実施形態において示された部品および/または要素の組み合わせに限定されない。開示は、多様な組み合わせによって実施可能である。開示は、実施形態に追加可能な追加的な部分をもつことができる。開示は、実施形態の部品および/または要素が省略されたものを包含する。開示は、ひとつの実施形態と他の実施形態との間における部品および/または要素の置き換え、または組み合わせを包含する。開示される技術的範囲は、実施形態の記載に限定されない。開示されるいくつかの技術的範囲は、請求の範囲の記載によって示され、さらに請求の範囲の記載と均等の意味及び範囲内での全ての変更を含むものと解されるべきである。
Other Embodiments The disclosure in this specification, drawings and the like is not limited to the exemplified embodiments. Disclosures include exemplary embodiments and modifications by those skilled in the art based on them. For example, disclosure is not limited to the parts and / or element combinations shown in the embodiments. Disclosure can be carried out in various combinations. The disclosure can have additional parts that can be added to the embodiment. Disclosures include those in which the parts and / or elements of the embodiment are omitted. Disclosures include the replacement or combination of parts and / or elements between one embodiment and another. The technical scope disclosed is not limited to the description of the embodiments. Some technical scopes disclosed are indicated by the claims description and should be understood to include all modifications within the meaning and scope equivalent to the claims statement.
明細書および図面等における開示は、請求の範囲の記載によって限定されない。明細書および図面等における開示は、請求の範囲に記載された技術的思想を包含し、さらに請求の範囲に記載された技術的思想より多様で広範な技術的思想に及んでいる。よって、請求の範囲の記載に拘束されることなく、明細書および図面等の開示から、多様な技術的思想を抽出することができる。 Disclosure in the description, drawings, etc. is not limited by the description of the scope of claims. The disclosure in the description, drawings, etc. includes the technical ideas described in the claims, and further covers a wider variety of technical ideas than the technical ideas described in the claims. Therefore, various technical ideas can be extracted from the disclosure of the description, drawings, etc. without being bound by the description of the claims.
上記実施形態では、電力変換装置100に設けられた単一のセンサユニット160の中で、ひとつの検出部におけるバスバからの漏れ磁束が、他の検出部における素子によって検出される場合を説明した。これに代えて、電力変換装置100に設けられた複数のセンサユニットの間において、漏れ磁束が作用してもよい。例えば、ひとつのセンサユニットの検出部におけるバスバからの漏れ磁束が、他のセンサユニットの検出部における素子によって検出されてもよい。
In the above embodiment, the case where the leakage flux from the bus bar in one detection unit is detected by the elements in the other detection units in the
上記実施形態では、ひとつのバスバ65aと、ひとつの素子67dを例に漏れ磁束と、漏れ観測信号Imとが説明されている。これに代えて、複数のバスバからひとつの素子へ作用する複数の漏れ磁束を考慮してもよい。例えば、ひとつのスイッチ回路に所属する素子を評価する場合、他のふたつのスイッチ回路に所属するバスバからの漏れ磁束を考慮することができる。
In the above embodiment, the leakage flux and the leakage observation signal Im are described by taking one
1 第1回転電機、 2 第2回転電機、 3 直流電源、
30 コンデンサユニット、 30a コンデンサ素子、
40、41、42、43 モジュール、 44 電力端子、
44H 高電位端子、 44L 低電位端子、 44M 接続点端子、
45 制御端子、50 冷却器、60 リアクトル、90 ケース、
100 電力変換装置、110 コンデンサ、120 コンバータ、
130 平滑コンデンサ、 131、133 バスバ、
132、134 接続部、135 並列接続部、136 ブリッジ部、
140 スイッチユニット、 140a 第1インバータ、
140b 第2インバータ、 160 センサユニット、
161、162、163 検出部、 165 バスバ、 167 素子、
168 回路基板、 169 シールド板、 170 制御回路、
LD1、LD2、LD3 スイッチ回路、 RG 配列範囲、
XD 高さ範囲、 YD 幅範囲、 ZD 奥行き範囲。
1 1st rotary electric machine, 2 2nd rotary electric machine, 3 DC power supply,
30 capacitor unit, 30a capacitor element,
40, 41, 42, 43 modules, 44 power terminals,
44H high potential terminal, 44L low potential terminal, 44M connection point terminal,
45 control terminals, 50 coolers, 60 reactors, 90 cases,
100 power converter, 110 capacitor, 120 converter,
130 smoothing capacitor, 131, 133 bus bar,
132, 134 connection, 135 parallel connection, 136 bridge,
140 switch unit, 140a first inverter,
140b 2nd inverter, 160 sensor unit,
161, 162, 163 detectors, 165 bus bars, 167 elements,
168 circuit board, 169 shield plate, 170 control circuit,
LD1, LD2, LD3 switch circuit, RG array range,
XD height range, YD width range, ZD depth range.
Claims (10)
前記第1バスバに流れる電流に起因する正規の磁束を検出する第1素子(67a)、および、前記第2バスバに流れる電流に起因する正規の磁束を検出する第2素子(67d)を含む複数の素子(167)と、
前記電流を示す信号を前記第1素子から取得し、前記電流を示す信号を前記第2素子から取得する制御システム(170、175)とを備え、
前記制御システムは、
前記第1バスバに第1電流が流れ、前記第2バスバに電流が流れない漏れ観測条件の成立を判定する条件判定部(181)と、
前記漏れ観測条件が成立するとき、前記第1電流に起因して生成され、前記第2素子に鎖交する漏れ磁束を検出した漏れ観測信号(Im)を前記第2素子から取得する漏れ取得部(185)と、
前記漏れ観測信号によって前記第2素子を評価する評価部(186)とを有する電流検出装置。 A plurality of bus bars (165) including at least a first bus bar (65a) and a second bus bar (65d).
A plurality of devices including a first element (67a) for detecting a normal magnetic flux caused by a current flowing through the first bus bar and a second element (67d) for detecting a normal magnetic flux caused by a current flowing through the second bus bar. Element (167) and
A control system (170, 175) for acquiring a signal indicating the current from the first element and acquiring a signal indicating the current from the second element is provided.
The control system
A condition determination unit (181) for determining the establishment of a leak observation condition in which a first current flows through the first bus bar and no current flows through the second bus bar.
When the leak observation condition is satisfied, a leak acquisition unit that acquires a leak observation signal (Im) that detects a leakage flux generated due to the first current and interlinks with the second element from the second element. (185) and
A current detection device having an evaluation unit (186) that evaluates the second element based on the leak observation signal.
前記漏れ観測条件が成立するとき、前記漏れ観測信号と比較される基準となる基準信号(THm)を設定する基準設定部(183)を有し、
前記評価部は、前記基準信号と前記漏れ観測信号との比較に基づいて、前記第2素子を評価する請求項1から請求項3のいずれかに記載の電流検出装置。 The control system further
It has a reference setting unit (183) for setting a reference signal (THm) as a reference to be compared with the leak observation signal when the leak observation condition is satisfied.
The current detection device according to any one of claims 1 to 3, wherein the evaluation unit evaluates the second element based on a comparison between the reference signal and the leak observation signal.
前記漏れ観測条件が成立するときに、前記第1電流に起因する前記正規の磁束を検出した正規観測信号(Ia)を前記第1素子から取得する正規取得部(182)を有し、
前記基準設定部は、前記正規観測信号に基づいて前記基準信号を設定する請求項4に記載の電流検出装置。 The control system further
It has a normal acquisition unit (182) that acquires a normal observation signal (Ia) that detects the normal magnetic flux caused by the first current when the leak observation condition is satisfied from the first element.
The current detection device according to claim 4, wherein the reference setting unit sets the reference signal based on the normal observation signal.
前記第2素子の出力可能状態と出力不能状態とを識別するための出力基準信号(0、Vcc)を設定する出力基準設定部(184)を有し、
前記評価部は、前記出力基準信号と前記漏れ観測信号との比較に基づいて、前記第2素子の前記出力可能状態と前記出力不能状態とを識別する出力識別部(186b)を含む請求項1から請求項7のいずれかに記載の電流検出装置。 The control system further
It has an output reference setting unit (184) for setting an output reference signal (0, Vcc) for distinguishing between an output enable state and an output impossible state of the second element.
1. The evaluation unit includes an output identification unit (186b) that discriminates between the output enable state and the output impossible state of the second element based on the comparison between the output reference signal and the leak observation signal. The current detection device according to any one of claims 7.
前記第1バスバに第1電流が流れ、かつ、前記第2バスバに電流が流れない漏れ観測条件の成立を判定する条件判定ステップ(181)と、
前記漏れ観測条件が成立するとき、前記第1電流に起因して生成され、前記第2素子に鎖交する漏れ磁束を検出した漏れ観測信号(Im)を前記第2素子から取得する漏れ取得ステップ(185)と、
前記漏れ観測信号によって前記第2素子を評価する評価ステップ(186)とを有する電流検出方法。 The normal magnetic flux generated by the current flowing through the first bus bar (65a) is detected by the first element (67a), and the normal observation signal (In) indicating the current is acquired from the first element, or the second With the normal acquisition step (188), the normal magnetic flux generated by the current flowing in the bus bar (65d) is detected by the second element (67d), and the normal observation signal (In) indicating the current is acquired from the second element. ,
A condition determination step (181) for determining the establishment of a leak observation condition in which the first current flows through the first bus bar and no current flows through the second bus bar.
When the leak observation condition is satisfied, a leak acquisition step of acquiring a leak observation signal (Im) that detects a leakage flux generated due to the first current and interlinking with the second element from the second element. (185) and
A current detection method including an evaluation step (186) for evaluating the second element by the leak observation signal.
前記漏れ観測条件が成立するときに、前記第1電流に起因する正規の磁束を検出した正規観測信号(Ia)を前記第1素子から取得する正規取得ステップ(182)と、
前記漏れ観測条件が成立するときに、前記正規観測信号に基づいて、前記漏れ観測信号と比較される基準信号(THm)を設定する基準設定ステップ(183)とを含み、
前記評価ステップは、前記基準信号と前記漏れ観測信号とを比較する請求項9に記載の電流検出方法。 Moreover,
When the leak observation condition is satisfied, the normal acquisition step (182) of acquiring the normal observation signal (Ia) for detecting the normal magnetic flux caused by the first current from the first element, and
A reference setting step (183) for setting a reference signal (THm) to be compared with the leak observation signal based on the normal observation signal when the leak observation condition is satisfied is included.
The current detection method according to claim 9, wherein the evaluation step compares the reference signal with the leak observation signal.
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