JP2021018965A - 発光装置、発光装置の製造方法、および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】表示領域の周縁部においても色度変移の発生を抑制でき、十分な視野角特性を確保した発光装置を提供すること。【解決手段】表示領域に第１サブ画素、第２サブ画素を備える発光装置であって、反射層と、半透過反射層と、反射層と半透過反射層との間に設けられた発光機能層と、を有し、発光機能層が放射する光を、反射層と半透過反射層との間で共振させる共振構造を備え、共振構造から、第１サブ画素、および第２サブ画素が出射する光の波長域は、第１波長域であり、第２サブ画素における反射層および半透過反射層の間の距離は、第１サブ画素における反射層および半透過反射層の間の距離よりも長い。これにより、表示領域の周縁の第２サブ画素Ｐ２２における光共振構造の光路長Ｄ２２は、表示領域の基準エリアの第１サブ画素Ｐ１における光路長Ｄ１よりも長くなる。【選択図】図６Ｂ

Description

本発明は、発光装置、発光装置の製造方法、および当該発光装置を備えた電子機器に関する。

有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子と、所定の波長領域の光を透過させるカラーフィルターなどを備える表示装置が知られていた。例えば、特許文献１の表示装置は、有機ＥＬ素子と、反射層と、半透過反射層として機能する共通電極とを有し、有機ＥＬ素子からの光を共振させる共振構造を備えていた。詳しくは、Ｒ，Ｇ，Ｂの色光ごとに、反射層と共通電極との間の光路長を最適化することで、各色波長の光を干渉により強めて、光取り出し効率を向上させていた。なお、共振構造は、色光ごとに表示面内で共通に設定されていた。

また、当該文献では、この表示装置をＨＭＤ（Head Mounted Display）に用いている。ＨＭＤは、投射レンズを含む光学系を有しており、表示装置の画像を拡大した虚像をユーザーに視認させる。このようなＨＭＤでは、装着感を向上させるために小型化が求められており、表示装置も高精細化、小型化が進んでいる。他方、小型化された表示装置で大きな虚像を得るためには、画角を大きくする必要があった。

特開２０１７−１４６３７２号公報

しかしながら、特許文献１の従来の表示装置では、主光線が傾くにつれ、取り出し効率が低下し、色度が変化してしまう虞があった（特許文献１の図１５参照）。これは、主光線が傾くと光路長と反射の位相条件が変わり、共振波長がズレて色度変移してしまうからである。色度変移は、画角を大きくした際、表示装置の表示エリア周縁部で顕著であった。このように、従来の表示装置では、視野角特性が不足しているという課題があった。

本願の発光装置は、表示領域に第１サブ画素、第２サブ画素を備える発光装置であって、反射層と、半透過反射層と、反射層と半透過反射層との間に設けられた発光機能層と、を有し、発光機能層が放射する光を、反射層と半透過反射層との間で共振させる共振構造を備え、共振構造から、第１サブ画素、および第２サブ画素が出射する光の波長域は、第１波長域であり、第２サブ画素における反射層および半透過反射層の間の距離は、第１サブ画素における反射層および半透過反射層の間の距離よりも長い。

また、発光装置は、表示領域に第１サブ画素、第２サブ画素を備える発光装置であって、反射層と、半透過反射層と、反射層と半透過反射層との間に設けられた発光機能層と、を有し、発光機能層が放射する光を、反射層と半透過反射層との間で共振させる共振構造を備え、共振構造から、第１サブ画素、および第２サブ画素が出射する光の波長域は、第１波長域であり、第２サブ画素から所定の傾斜した角度に出射される光の波長域は、第１サブ画素から垂直方向に出射される光の波長域と一致する。

また、反射層と発光機能層との間に設けられた画素電極と、反射層と画素電極との間に設けられた絶縁層とを、さらに備え、絶縁層は、第１材料からなる第１層と、第１材料とは異なる第２材料からなる第２層と、を含み、第２サブ画素における第２層の厚さは、第１サブ画素における第２層の厚さより厚いことが好ましい。

また、第１サブ画素は、表示領域において基準となる基準エリアに配置されており、第２サブ画素は、基準エリアとは異なるエリアに配置されることが好ましい。

また、電子機器は、上記記載の発光装置を備えることが好ましい。

本願の発光装置の製造方法は、反射層と、絶縁層と、発光機能層と、半透過反射層とを有し、発光機能層が放射する光を、反射層と半透過反射層との間で共振させる共振構造を備えた発光装置の製造方法であって、第１材料からなる絶縁層の第１層を形成する工程と、第１層の上に、第１材料とは異なる第２材料を用いて第１材料層を形成する工程と、材料層上にレジストマスクを形成し、第１層をエッチングストッパーとして第１材料層をパターニングすることで、絶縁層の第２層を形成する工程と、第２層の上に、第２材料を用いて第２材料層を形成する工程と、第２材料層上にレジストマスクを形成し、第２材料層をパターニングすることで、絶縁層の第２層を厚くする工程と、を含み、表示領域において基準となる基準エリアに配置される第１サブ画素の第２層の厚さよりも、基準エリアとは異なるエリアに配置される第２サブ画素における第２層の厚さを厚くする。

また、発光装置の製造方法は、反射層と、絶縁層と、発光機能層と、半透過反射層とを有し、発光機能層が放射する光を、反射層と半透過反射層との間で共振させる共振構造を備えた発光装置の製造方法であって、絶縁層の第１層を形成する工程と、第１層の上に、第１材料とは異なる第２材料を用いて材料層を形成する工程と、材料層上にレジストを形成し、多階調の露光マスクを用いて階調露光を行う工程と、階調露光によって形成されたレジストマスクを用いて、材料層をパターニングすることで、材料層にレジストマスクの形状を転写して、絶縁層の第２層を形成する工程と、を含み、表示領域において基準となる基準エリアに配置される第１サブ画素の第２層の厚さよりも、基準エリアとは異なるエリアに配置される第２サブ画素における第２層の厚さを厚くする。

実施形態１に係る有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図。 有機ＥＬ装置の発光画素の電気的な構成を示す等価回路図。 発光画素の構成を示す概略平面図。 発光画素をＸ方向に沿って切ったときの概略断面図。 発光画素における光共振構造を示す模式断面図。 調整層、および関連層の厚さの事例の一覧表を示す図。 虚像を表示する装置の光学系を示す模式図。 サブ画素における模式断面図。 主光線角度と調整層厚さの相関性を示すグラフ図。 基準エリアにおける各色サブ画素の調整層数を示す図。 周縁エリアにおける各色サブ画素の調整層数を示す図。 調整層の製造の流れを示す工程フローチャート図。 各工程における製造過程を示す断面図。 各工程における製造過程を示す断面図。 各工程における製造過程を示す断面図。 各工程における製造過程を示す断面図。 各工程における製造過程を示す断面図。 エリアごとの波長成分の強さの分布を示すグラフ図。 エリアごとの代表サブ画素の色度を示したＸＹ色度図。 表示エリアの分割態様を示す図。 表示エリアの分割態様を示す図。 表示エリアの分割態様を示す図。 表示エリアの分割態様を示す図。 調整層の製造の流れを示す工程フローチャート図。 各工程における製造過程を示す断面図。 各工程における製造過程を示す断面図。 各工程における製造過程を示す断面図。 電子機器としてのヘッドマウントディスプレイを示す模式図。

１．実施形態１
＊＊発光装置の概要＊＊
まず、本実施形態の発光装置として有機ＥＬ装置を例に挙げて、図１〜図３を参照して説明する。図１は有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図、図２は有機ＥＬ装置の発光画素の電気的な構成を示す等価回路図、図３は有機ＥＬ装置の発光画素の構成を示す概略平面図である。

図１に示すように、発光装置としての有機ＥＬ装置１００は、素子基板１０と、素子基板１０の表示領域Ｅにマトリックス状に配置された複数の発光画素２０と、複数の発光画素２０を駆動制御する周辺回路であるデータ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０２と、外部回路との電気的な接続を図るための複数の外部接続用端子１０３とを備えている。本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、アクティブ駆動型、且つトップエミッション型の発光装置である。なお、表示領域Ｅのことを表示面Ｅともいう。

表示領域Ｅには、青色（Ｂ）の発光が得られる発光画素２０Ｂと、緑色（Ｇ）の発光が得られる発光画素２０Ｇと、赤色（Ｒ）の発光が得られる発光画素２０Ｒとが配置されている。また、同色の発光が得られる発光画素２０が図面上において縦方向に配列し、異なる色の発光が得られる発光画素２０が、図面上において横方向にＢ，Ｇ，Ｒの順に繰り返して配置されている。このような発光画素２０の配置は、ストライプ方式と呼ばれるものであるが、これに限定されるものではない。例えば、異なる色の発光が得られる発光画素２０の横方向における配置は、Ｂ，Ｇ，Ｒの順でなくてもよく、例えば、Ｒ，Ｇ，Ｂの順としてもよい。以降、同色の発光が得られる発光画素２０が配列した縦方向をＹ方向とし、Ｙ方向に直交する方向をＸ方向として説明する。また、発光画素２０の光の取り出し方向から素子基板１０を見ることを平面視として説明する。なお、隣り合うＢ，Ｇ，Ｒの３つのサブ画素により、表示単位における１つの画素が構成される。

発光画素２０の詳しい構成については後述するが、本実施形態における発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれは、発光素子として有機エレクトロルミネッセンス素子と、Ｂ，Ｇ，Ｒの各色に対応するカラーフィルターとを備え、有機ＥＬ素子からの発光をＢ，Ｇ，Ｒの各色に変換してフルカラー表示を可能とするものである。なお、有機エレクトロルミネッセンス素子のことを、有機ＥＬ素子と呼ぶ。また、有機ＥＬ素子からの発光波長範囲のうち特定の波長の輝度を向上させる光共振構造が発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとに構築されている。

有機ＥＬ装置１００において、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒは、サブ画素として機能するものであり、Ｂ，Ｇ，Ｒに対応する発光が得られる３つの発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒにより、画像表示における１つの画素単位が構成されている。なお、画素単位の構成はこれに限定されず、Ｂ，Ｇ，Ｒ以外の発光色（白色を含む）が得られる発光画素２０が画素単位に含まれていても良い。

表示領域Ｅは、２つの領域に区分けされる。詳しくは、表示領域Ｅの中央がエリアＡ１、エリアＡ１のＸ方向における両横がエリアＡ２となっている。換言すれば、表示領域Ｅは、Ｘ方向に沿ってエリアＡ２、エリアＡ１、エリアＡ２の順で縦のストライプ状の表示エリアに区分けされる。なお、基準エリアであるエリアＡ１に配置されたサブ画素が第１サブ画素に相当する。エリアＡ１とは異なる、周縁のエリアＡ２に配置されたサブ画素が第２サブ画素に相当する。第１サブ画素と第２サブ画素との発光色は同じである。また、エリアＡ１と、エリアＡ２とでは、サブ画素の構成が異なっているが、詳しくは、後述する。

素子基板１０の第１辺部に沿って、複数の外部接続用端子１０３がＸ方向に配列して設けられている。また、Ｙ方向において外部接続用端子１０３と表示領域Ｅとの間にデータ線駆動回路１０１が配置され、Ｘ方向に延在している。また、Ｘ方向において表示領域Ｅを挟んで一対の走査線駆動回路１０２が設けられている。

前述したように表示領域Ｅには、複数の発光画素２０がマトリックス状に設けられており、素子基板１０には、図２に示すように、発光画素２０に対応する信号線として、走査線１１、データ線１２、点灯制御線１３、電源線１４が設けられている。
本実施形態では、走査線１１と点灯制御線１３とがＸ方向に並行して延びており、データ線１２と電源線１４とがＹ方向に並行して延びている。
表示領域Ｅには、マトリックス状に配置された複数の発光画素２０におけるｍ行に対応して複数の走査線１１と複数の点灯制御線１３とが設けられ、それぞれ図１に示した一対の走査線駆動回路１０２に接続されている。また、マトリックス状に配置された複数の発光画素２０におけるｎ列に対応して複数のデータ線１２と複数の電源線１４とが設けられ、複数のデータ線１２は、それぞれ図１に示したデータ線駆動回路１０１に接続され、複数の電源線１４は複数の外部接続用端子１０３のうちいずれかと接続されている。

走査線１１とデータ線１２との交差部付近に、発光画素２０の画素回路を構成する第１トランジスター２１、第２トランジスター２２、第３トランジスター２３、蓄積容量２４、そして発光素子である有機ＥＬ素子３０が設けられている。
有機ＥＬ素子３０は、陽極である画素電極３１と、陰極である陰極３６と、これらの電極間に挟まれた、発光層を含む機能層３５とを有している。陰極３６は、複数の発光画素２０に跨って共通に設けられた電極であり、例えば、電源線１４に与えられる電源電圧Ｖｄｄに対して、低位の基準電位ＶｓｓやＧＮＤの電位が与えられる。
第１トランジスター２１、および第３トランジスター２３は、例えばｎチャネル型のトランジスターである。第２トランジスター２２は、例えば、ｐチャネル型のトランジスターである。

第１トランジスター２１のゲート電極は走査線１１に接続され、一方の電流端はデータ線１２に接続され、他方の電流端は第２トランジスター２２のゲート電極と、蓄積容量２４の一方の電極とに接続されている。
第２トランジスター２２の一方の電流端は、電源線１４に接続されると共に蓄積容量２４の他方の電極に接続されている。第２トランジスター２２の他方の電流端は、第３トランジスター２３の一方の電流端に接続されている。言い換えれば、第２トランジスター２２と第３トランジスター２３とは一対の電流端のうち１つの電流端を共有している。
第３トランジスター２３のゲート電極は点灯制御線１３に接続され、他方の電流端は有機ＥＬ素子３０の画素電極３１に接続されている。第１トランジスター２１、第２トランジスター２２及び第３トランジスター２３のそれぞれにおける一対の電流端は、一方がソースであり、他方がドレインである。

このような画素回路において、走査線駆動回路１０２から走査線１１に供給される走査信号Ｙｉの電圧水準がＨｉレベルになると、ｎチャネル型の第１トランジスター２１がオン状態（ＯＮ）となる。オン状態（ＯＮ）の第１トランジスター２１を介してデータ線１２と蓄積容量２４とが電気的に接続される。そして、データ線駆動回路１０１からデータ線１２にデータ信号が供給されると、データ信号の電圧水準Ｖｄａｔａと電源線１４に与えられた電源電圧Ｖｄｄとの電位差が蓄積容量２４に蓄積される。

走査線駆動回路１０２から走査線１１に供給される走査信号Ｙｉの電圧水準がＬｏｗレベルになると、ｎチャネル型の第１トランジスター２１がオフ状態（ＯＦＦ）となり、第２トランジスター２２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは、電圧水準Ｖｄａｔａが与えられたときの電圧に保持される。また、走査信号ＹｉがＬｏｗレベルになった後に、点灯制御線１３に供給される点灯制御信号Ｖｇｉの電圧水準がＨｉレベルとなり、第３トランジスター２３がオン状態（ＯＮ）となる。そうすると、第２トランジスター２２のソース・ドレイン間には、第２トランジスター２２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓに応じた電流が流れる。この電流は、具体的には、電源線１４から第２トランジスター２２及び第３トランジスター２３を経由して、有機ＥＬ素子３０に至る経路で流れる。

有機ＥＬ素子３０は、有機ＥＬ素子３０を流れる電流の大きさに応じて発光する。有機ＥＬ素子３０を流れる電流は、第２トランジスター２２のゲート・ソース間の電圧Ｖｇｓで設定される第２トランジスター２２と有機ＥＬ素子３０の動作点によって定まる。第２トランジスター２２のゲート・ソース間の電圧Ｖｇｓは、走査信号ＹｉがＨｉレベルのときに、データ線１２の電圧水準Ｖｄａｔａと電源電圧Ｖｄｄとの電位差によって蓄積容量２４に保持された電圧である。このように、発光画素２０は、データ信号における電圧水準Ｖｄａｔａ及び第３トランジスター２３がオン状態になる期間の長さによって発光輝度が規定される。つまり、データ信号における電圧水準Ｖｄａｔａの値により、発光画素２０において画像情報に応じた輝度の階調性を与えることができ、フルカラー表示を可能としている。

なお、本実施形態において、発光画素２０の画素回路は、３つのトランジスター２１，２２，２３を有することに限定されず、発光画素を表示駆動可能な画素回路であれば良く、例えば、２つのトランジスターを用いる回路構成であっても良い。また画素回路を構成するトランジスターは、ｎチャネル型のトランジスターでも良いし、ｐチャネル型のトランジスターでも良いし、ｎチャネル型のトランジスター及びｐチャネル型のトランジスターの双方を備えるものであっても良い。また、発光画素２０の画素回路を構成するトランジスターは、半導体基板にアクティブ層を有するＭＯＳ型トランジスターであっても良いし、薄膜トランジスターであってもよいし、電界効果トランジスターであっても良い。

図３に示すように、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれは、平面視で矩形状となっており、長手方向がＹ方向に沿って配置されている。発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれには、図２に示した等価回路の有機ＥＬ素子３０が設けられている。発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとに設けられた有機ＥＬ素子３０を区別するため、有機ＥＬ素子３０Ｂ，３０Ｇ，３０Ｒとして説明することもある。また、有機ＥＬ素子３０の画素電極３１を発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとに区別するため、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒとして説明することもある。

発光画素２０Ｂには画素電極３１Ｂ、および画素電極３１Ｂと第３トランジスター２３とを電気的に接続させるコンタクト部３１Ｂｃが設けられている。同様に、発光画素２０Ｇには画素電極３１Ｇ、および画素電極３１Ｇと第３トランジスター２３とを電気的に接続させるコンタクト部３１Ｇｃが設けられている。発光画素２０Ｒには画素電極３１Ｒ、および画素電極３１Ｒと第３トランジスター２３とを電気的に接続させるコンタクト部３１Ｒｃが設けられている。画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒは、共に平面視で略矩形状であり、長手方向の上方側に各コンタクト部３１Ｂｃ，３１Ｇｃ，３１Ｒｃがそれぞれ配置されている。

発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれは、隣り合う画素電極３１同士を電気的に絶縁すると共に、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ上に機能層と接する領域を規定する開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒが形成された絶縁構造を有している。なお、本実施形態では、開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒの形状や大きさは同一としている。

＊＊画素の構造＊＊
図４は発光画素をＸ方向に沿って切ったときの概略断面図である。
次に、発光画素２０の構造について、図４を参照して説明する。なお、図４では、図３のトランジスターなどを含む画素回路の図示を省略している。

図４に示すように、有機ＥＬ装置１００は、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒ、カラーフィルター５０などが形成された素子基板１０と、透光性の封止基板７０とを備えている。素子基板１０と封止基板７０とは、接着性と透明性とを兼ね備えた樹脂層６０によって貼り合わされている。
カラーフィルター５０は、Ｂ，Ｇ，Ｒの各色に対応したフィルター層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒを有している。各フィルター層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒは、素子基板１０において、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれに対応して配置されている。
有機ＥＬ装置１００は、封止基板７０側から発光が取り出されるトップエミッション構造であり、機能層３５から発せられた光は、対応するフィルター層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒのいずれかを透過して封止基板７０側から射出される。

本実施形態では、素子基板１０の基材１０ｓは、シリコン基板を用いている。なお、トップエミッション構造を採用しているので、不透明なセラミック基板や半導体基板を用いても良い。

基材１０ｓ上には、前述したトランジスターや、コンタクト部などの接続配線を含む画素回路層、反射電極１６、増反射層１７、第１保護層１８、埋め込み絶縁層１９、第２保護層２６、調整層２７、有機ＥＬ素子３０、画素分離層２９、封止層４０、カラーフィルター５０などが形成されている。なお、図４では、画素回路層の図示を省略している。
反射電極１６は、共振構造における反射層としても機能し、光反射性と導電性とを有する材料から形成されている。例えば、Ａｌ（アルミニウム）や、Ａｇ（銀）などの金属、これらの金属の合金を用いることができる。本実施形態では、Ｔｉ／Ａｌ-Ｃｕ合金を用いており、光を反射する反射面には、Ａｌ-Ｃｕ合金を用いている。反射電極１６は、平坦で、各画素の開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒよりも広く形成されている。
増反射層１７は、反射電極１６の上に形成された酸化珪素層であり、光反射性を向上させる増反射層として機能する。また、増反射層１７は、反射電極１６の形成工程において、パターニングのハードマスクとして用いられる。この工程において、反射電極１６を画素ごとに区画する際、画素の周縁に溝が形成される。すなわち、図４のように、ある発光画素２０の反射電極１６と、これと隣り合う発光画素２０の反射電極１６との間に溝を有する。

第１保護層１８は、増反射層１７上に形成された窒化珪素層であり、当該層は画素を区画する溝の内面にも形成される。増反射層１７の形成には、例えば、プラズマＣＶＤ法を用いる。
埋め込み絶縁層１９は、画素を区画する溝を埋めて平坦化するための酸化珪素層である。埋め込み絶縁層１９の形成には、例えば、高密度プラズマＣＶＤ法を用いる。酸化珪素層は、増反射層１７の上、および画素を区画する溝を埋めて形成された後、溝の上部に選択的にレジストを形成し、全面エッチバックすることで形成する。この際、第１保護層１８がエッチングストッパーとなることで第１保護層１８が露出し、かつ、溝は埋め込み絶縁層１９で充填され、平坦化される。

第２保護層２６は、第１保護層１８、および埋め込み絶縁層１９の上に形成された平坦な窒化珪素層である。第２保護層２６は絶縁層の第１層に相当し、窒化珪素は第１材料に相当する。第２保護層２６の形成には、例えば、プラズマＣＶＤ法を用いる。
調整層２７は、共振構造における光路の長さを調整するための光路長の調整層である。調整層２７は絶縁層の第２層に相当し、第１材料とは異なる第２材料としての酸化珪素から構成される。調整層２７は、表示領域Ｅのエリアごとで積層数が異なっており、図４は、基準のエリアＡ１の態様を示している。詳しくは、発光画素２０Ｇでは、第２保護層２６の上に、調整層２７が２層形成されている。発光画素２０Ｒでは、第２保護層２６の上に、調整層２７が４層形成されている。発光画素２０Ｂでは、第２保護層２６の上に調整層は形成されておらず、画素電極３１Ｂが第２保護層２６の上に直接形成されている。なお、調整層２７の詳細は、後述する。

画素分離層２９は、隣り合う画素電極３１間に形成されるとともに、各画素の開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒを区画する。画素分離層２９は、酸化珪素を用いている。
有機ＥＬ素子３０は、画素電極３１と、陰極３６との間に、機能層３５を挟持した構成となっている。
画素電極３１は、透光性の陽極であり、光透過性と導電性とを有する透明導電膜から形成されている。好適例としてＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を用いている。画素電極３１は、例えば、スパッタ法を用いて成膜した後、パターニングにより、サブ画素ごとに区画される。なお、機能層３５については、後述する。
陰極３６は、共振構造における半透過反射層を兼ねた陰極であり、本実施形態では、ＭｇとＡｇとを共蒸着したＭｇＡｇ合金の半透過反射性の薄膜を採用している。

封止層４０は、第１無機封止層９６、有機中間層９７、第２無機封止層９８から構成されている。
第１無機封止層９６は、ガスバリア性、および透明性に優れた材料で、陰極３６を覆って形成される。例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化チタンなどの 金属酸化物などの無機化合物を用いて形成される。第１無機封止層９６は、好適例として酸窒化珪素を用いている。
有機中間層９７は、第１無機封止層９６を覆って形成される透明性を有する有機樹脂層である。有機中間層９７の材料は、好適例としてエポキシ樹脂を用いている。当該材料を印刷法や、スピンコート法で塗布して硬化することにより、第１無機封止層９６の表面における凹凸形状や、異物を覆って平坦化する。
第２無機封止層９８は、有機中間層９７を覆って形成される無機化合物層である。第２無機封止層９８は、第１無機封止層９６と同様に、透明性とガスバリア性とを兼ね備え、かつ、耐水性、耐熱性に優れた無機化合物を用いて形成される。第２無機封止層９８は、好適例として酸窒化珪素を用いている。

カラーフィルター５０は、表面が平坦化された第２無機封止層９８の上に形成される。カラーフィルター５０の各フィルター層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒは、各色に対応した顔料を含む感光性樹脂を塗布して露光、および現像することにより形成される。

＊＊光共振構造＊＊
図５Ａは発光画素における光共振構造を示す模式断面図であり、図４に対応している。
次に、有機ＥＬ装置１００における光共振構造及び有機ＥＬ素子３０の構成について、図５Ａを参照して説明する。

前述の通り、有機ＥＬ素子３０は、画素電極３１と、陰極３６との間に、機能層３５を挟持した構成となっている。
機能層３５は、画素電極３１側から順に積層された、正孔注入層（ＨＩＬ）３２、有機発光層（ＥＭＬ）３３、電子輸送層（ＥＴＬ）３４を含む有機発光層である。これらの各層は、例えば、蒸着法を用いて形成される。
画素電極３１と陰極３６との間に駆動電位を印加することにより、画素電極３１から機能層３５に正孔が注入され、陰極３６から機能層３５に電子が注入される。機能層３５に含まれる有機発光層３３では、注入された正孔と電子が励起子（エキシトン）を形成し、励起子（エキシトン）が消滅する際にエネルギーの一部が蛍光や燐光となって放出される。なお、機能層３５は、正孔注入層３２、有機発光層３３、電子輸送層３４以外に、正孔や電子の有機発光層３３への注入性や輸送性を改善あるいは制御する、例えば、正孔輸送層や電子注入層あるいは中間層を含んでいても良い。

有機ＥＬ素子３０に駆動電圧が印可されると、有機発光層３３は白色光を放射する。好適例として、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の発光が得られる有機発光層を組み合わせることで白色光を得ている。また、青（Ｂ）と黄（Ｙ）の発光が得られる有機発光層を組み合わせても擬似白色光を得ることができる。機能層３５は、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒに跨って共通に形成されている。
ここで、有機ＥＬ素子３０では、反射層としての反射電極１６と半透過反射層としての陰極３６との間において光共振構造を採用することにより、Ｂ，Ｇ，Ｒの各発光色に対応した共振波長において輝度が強調された発光を得ている。

光共振構造における、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとの共振波長は、反射電極１６と陰極３６との間の光学的な距離によって決まり、具体的には、下記の数式（１）を満たすように設定される。以降、光学的な距離のことを光路長Ｄという。

光路長Ｄ＝{（２πｍ＋φＬ＋φＵ）／４π}λ・・・（１）
ｍは正の整数、φＬは反射電極１６での反射における位相シフト、φＵは陰極３６での反射における位相シフト、λは定在波のピーク波長である。
また、光共振構造における各層の光学的な距離は、光が透過する各層の膜厚と、屈折率との積で表わされる。

数式（１）は、主光線が表示面に対して垂直な方向の場合における基本式であり、主光線が傾いた場合については想定されていない。特に、小型化された表示装置において画角を大きくした際に、表示エリアの周縁部では主光線の角度が大きくなり光路長が長くなって色度ズレが発生してしまう。この点に鑑み、発明者等は、数式（１）を踏まえた上で、画角を考慮した光路長の調整方法を考案した。具体的な調整方法の説明に先立ち、従来技術の課題から詳しく説明する。

＊＊画角と調整層＊＊
図６Ａは、虚像を表示する装置の光学系を示す模式図である。図６Ａは、光学系９０を映像光の進行方向に沿って側面から見た図である。図６Ｂは、サブ画素における模式断面図である。
光学系９０は、カメラのビューファインダーや、ＨＭＤに搭載可能な光学系である。本実施形態では、ＨＭＤの光学系として説明する。
光学系９０は、表示装置９２と、接眼レンズ９５とを備えている。表示装置９２は、有機ＥＬパネルであり、平面的なサイズは接眼レンズ９５の平面積より小さい。これは、頭部に装着されるＨＭＤには装着性を良くするために、小型で、軽量であることが求められていることなどの理由による。接眼レンズ９５は、凸レンズである。

表示装置９２に表示される画像は、接眼レンズ９５で拡大されて、映像光として眼ＥＹに入射する。映像光は、表示装置９２の表示面Ｅの中央から垂直に延在する光軸Ｋを中心とした光束であり、図６Ａのように、表示面Ｅから広角で広がり、接眼レンズ９５で収束して眼ＥＹに入射する。光軸Ｋは、表示面Ｅの中央から接眼レンズ９５の中央を通り眼ＥＹの中心を結ぶ直線である。
眼ＥＹでは、接眼レンズ９５で拡大された映像光により形成される虚像が視認される。なお、接眼レンズ９５と眼ＥＹの間には、他の各種レンズや、導光板等が設けられても良い。

この光学系において、大きな虚像を得るためには、画角Ｆを大きくする必要がある。接眼レンズ９５よりも平面積が小さな表示装置９２を用いて、画角Ｆを大きくするためには、主光線の角度を大きくする必要がある。
ここで、主光線について説明する。主光線とは、画素から出射される光束のうち、適用される光学系において、主に用いられる光束の中心軸のことである。例えば、表示面Ｅの略中央に位置するサブ画素Ｐ１では、主光線は光軸Ｋに沿った光であり、主光線の傾きである角度θ１は、略０°である。同様に、表示面Ｅの＋Ｙ方向の端部に位置するサブ画素Ｐ２では、主光線の傾きは光軸Ｋに対して外側に広がる角度θ2となる。同様に、表示面Ｅの−Ｙ方向の端部に位置するサブ画素Ｐ３では、主光線の傾きは光軸Ｋに対して、サブ画素Ｐ２とは反対側の外側に広がる角度θ2となる。なお、角度θ2は、用途にも拠るが概ね１０°から２５°程度である。

このように、サイズが小さな表示装置９２を用いて、画角Ｆを大きくするためには、表示面の端部側に位置するサブ画素の主光線の角度を大きくする必要がある。主光線の角度を大きくした場合、表示装置９２を従来の表示装置と見做した場合には、色度変移が発生してしまうという課題があった。

図６Ｂの断面図Ｐ１ａは、表示面Ｅの略中央のサブ画素Ｐ１の模式断面図である。サブ画素Ｐ１では、主光線の角度θ１は、略０°であるため、共振構造の光路長Ｄ１は基本式に基づき、光路長の調整層８７を１層備えた長さに設定されていた。サブ画素Ｐ１では、色度変移は発生しない。なお、サブ画素Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３は、緑色画素であるものとして説明する。
他方、図６Ｂの断面図Ｐ２ａのように、表示面Ｅの端部に位置するサブ画素Ｐ２では、主光線の角度θ２は、角度θ１よりも大きいが、光路長の設定はサブ画素Ｐ１と同一であったため、光路長が光路長Ｄ１よりも長い光路長Ｄ２となっていた。このため、光路長Ｄ１で光共振条件を満たす光路長設定において、主光線が傾いて光路長Ｄ２となることにより、狙いと異なる波長で共振することで色度変移が発生していた。

この点に鑑み、本実施形態の有機ＥＬ装置１００では、画角を考慮した光路長の調整方法を採用している。
図６Ｂの断面図Ｐ２２ａは、有機ＥＬ装置１００における表示面Ｅの端部に位置するサブ画素Ｐ２２の模式断面図である。なお、有機ＥＬ装置１００のサイズは表示装置９２と同一とし、サブ画素Ｐ２２はサブ画素Ｐ２に対応している。
サブ画素Ｐ２２の主光線の角度θ２は、サブ画素Ｐ２と同じであるが、光路長の調整層２７を３層設けることで、光共振条件を満たすように光路長を長くして、色度変移を抑制している。詳しくは、調整層２７の層数を増やして、光路長を光路長Ｄ２よりも長い光路長Ｄ２２とすることで、表示面Ｅの周縁部でも光共振条件を満たすことを可能としている。
これにより、第２サブ画素としてのサブ画素Ｐ２２から所定の傾斜した角度θ２で出射される光は、光路長調整が行われた光路長Ｄ２２となっていることにより、光共振条件を満たした緑色光となる。なお、赤色光、青色光においても同様である。そして、図６Ａの光学系９０において、表示装置９２として本実施形態の有機ＥＬ装置１００を採用した場合には、画角Ｆの拡大や光学系９０の小型化などの効果を奏する。また、光路長の調整方法の詳細については、後述する。

＊＊主光線角度と調整層厚さの相関性＊＊
図７は、主光線角度と調整層厚さの相関性を示すグラフ図である。グラフ９３において、横軸は主光線の角度（°）、縦軸は調整層の厚さ（ｎｍ）を示している。
グラフ９３は、主光線角度と調整層厚さの相関性について、数式（１）を踏まえ、各層の材質、厚さなどに基づいて、シミュレーションしたものである。

線分６１は、青色のサブ画素における主光線の角度と、当該角度において適切な光共振を行うための光路長とするために必要な調整層の厚さとの相関性を示している。線分６１に示すように、主光線角度が大きくなるに連れて調整層厚さは二次関数的に増加することが解る。
同様に、線分６２は、緑色のサブ画素における相関性を示しており、青色と同様に、主光線角度が大きくなると調整層厚さは二次関数的に増加するが、青色よりも傾きが大きくなっている。つまり、緑色のサブ画素の方が、青色のサブ画素よりも、調整層をより厚くする必要があることが解る。
同様に、線分６３は、赤色のサブ画素における相関性を示しており、緑色と同様に、主光線角度が大きくなると調整層厚さは二次関数的に増加するが、緑色よりも傾きが大きくなっている。つまり、赤色のサブ画素の方が、緑色のサブ画素よりも、調整層をより厚くする必要があることが解る。

つまり、各色のサブ画素共に、主光線角度に応じて、調整層厚さを調整することにより、表示面Ｅの周縁部でも光共振条件を満たすことが可能であることが解る。
本実施形態における光路長の調整方法は、グラフ９３の主光線角度と調整層厚さの相関性に基づいている。

＊＊光路長の調整方法＊＊
本実施形態おける光路長の調整方法は、表示領域Ｅを複数エリアに分割し、エリアごとの光路長を調整層の積層数によって調整するものである。複数エリアは、主光線の傾き度合いや、表示サイズ、用途などに応じてエリア分けする。
表示領域Ｅが複数エリアに分割されている際における総エリア数をｎ、調整対象のエリアをｍとしたときに、対象エリアｍにおけるサブ画素の色光ごとの調整層の数は、下記の数式（２）〜（４）によって求められる。

青色サブ画素の調整層数：Ｂ（ｎ，ｍ）＝ ｍ−１ ・・・（２）
緑色サブ画素の調整層数：Ｇ（ｎ，ｍ）＝ ｎ＋ｍ−１・・・（３）
赤色サブ画素の調整層数：Ｒ（ｎ，ｍ）＝２ｎ＋ｍ−１・・・（４）
但し、ｎ≧ｍ。

図８Ａは、基準エリアにおける各色サブ画素の調整層数を示す図である。図８Ｂは、周縁エリアにおける各色サブ画素の調整層数を示す図である。
ここでは、図１を交えて、具体的な光路長の調整方法の事例を説明する。
図１に示すように、有機ＥＬ装置１００の表示領域Ｅは、２つのエリアに区分けされている。表示領域Ｅの中央がエリアＡ１、エリアＡ１のＸ方向における両横がエリアＡ２となっている。よって、総エリア数ｎは２となる。

まず、基準となるエリアＡ１における対象エリアｍは１となるので、調整層の数を数式（２）〜（４）によって計算する。
青色サブ画素の調整層数：Ｂ（２，１）＝ １−１＝０層
緑色サブ画素の調整層数：Ｇ（２，１）＝ ２＋１−１＝２層
赤色サブ画素の調整層数：Ｒ（２，１）＝２×２＋１−１＝４層

図８Ａは、エリアＡ１において、上記計算結果に基づく各色サブ画素における調整層の形成態様を示す要部の断面図である。
青色の発光画素２０Ｂでは、第２保護層２６と画素電極３１Ｂとの間に、調整層は設けられず、第２保護層２６の上に画素電極３１Ｂが形成される。
緑色の発光画素２０Ｇでは、第２保護層２６と画素電極３１Ｇとの間に、２層の調整層２７が形成される。
赤色の発光画素２０Ｒでは、第２保護層２６と画素電極３１Ｒとの間に、４層の調整層２７が形成される。

図５Ｂは、調整層、および関連層の厚さの事例の一覧表を示す図である。図５Ｂの表３９は、エリアＡ１における調整層２７、および共振構造に係る関連層の厚さの事例を示しており、図５Ａに対応している。
ここでは、好適例における調整層２７、および関連層の厚さについて説明する。表３９では、好適例における各部位の材質、屈折率、および厚さの一例を示している。なお、これらの材質、数値に限定するものではなく、有機ＥＬ装置１００の用途、サイズを含む仕様などに応じて、適宜、設定することで良い。

表３９に示すように、好適例における調整層２７の厚さは、５０ｎｍとしている。
青色の発光画素２０Ｂでは、数式（２）の計算結果に基づき、調整層は設けられない。
緑色の発光画素２０Ｇでは、数式（３）の計算結果に基づき、調整層２７が２層形成され、総厚は１００ｎｍとなる。
赤色の発光画素２０Ｒでは、数式（４）の計算結果に基づき、調整層２７が４層形成され、総厚は２００ｎｍとなる。なお、エリアＡ２においても、調整層２７の層数が変わること以外は、同様である。

図８Ｂを用いて説明する。
エリアＡ１と同様に、エリアＡ２における対象エリアｍは２となるので、調整層の数を数式（２）〜（４）によって計算する。
青色サブ画素の調整層数：Ｂ（２，２）＝ ２−１＝１層
緑色サブ画素の調整層数：Ｇ（２，２）＝ ２＋２−１＝３層
赤色サブ画素の調整層数：Ｒ（２，２）＝２×２＋２−１＝５層

図８Ｂは、エリアＡ２において、上記計算結果に基づく各色サブ画素における調整層の形成態様を示す要部の断面図である。
青色の発光画素２０Ｂでは、第２保護層２６と画素電極３１Ｂとの間に、１層の調整層２７が形成される。
緑色の発光画素２０Ｇでは、第２保護層２６と画素電極３１Ｇとの間に、３層の調整層２７が形成される。
赤色の発光画素２０Ｒでは、第２保護層２６と画素電極３１Ｒとの間に、５層の調整層２７が形成される。

上述した通り、総エリア数ｎが２エリアの場合、調整層２７の数は、２つのエリアに跨って０層から５層までに区分けされる。換言すれば、エリアごと、サブ画素ごとに、適切な数の調整層を作り分けする必要がある。次に、調整層の製造方法について説明する。

＊＊調整層の製造方法＊＊
図９は、調整層の製造の流れを示す工程フローチャートである。図１０Ａ〜図１０Ｅは、各工程における製造過程を示す断面図である。
ここでは、調整層を０層から５層までの６段階に作り分け製造方法について、図９、および、図１０Ａ〜図１０Ｅを用いて説明する。なお、工程説明用の図であるため、完成状態は、図１０Ｅの過程図８５に示すように、調整層が０層から５層まで順番に階段状に形成された状態としているが、実際は、エリアごと、サブ画素ごとに算出された層数となるように、レジスト開口を設定して調整層を形成する。

まず、図１０Ａの過程図７１において、基材１０ｓ上には、調整層の下地となる第２保護層２６までの各層が形成されているものとして説明する。第２保護層２６は、第１保護層１８の上に形成された平坦な窒化珪素層である。
工程Ｓ１では、１層目の調整層２７ａを形成する。まず、第２保護層２６の上に、材料層４１を全面ベタに形成する。材料層４１は、酸化珪素層であり、エッチング加工される前の準備工程で形成される層である。材料層４１は、例えば、ＣＶＤ法を用いて成膜する。過程図７１は、材料層４１が形成された状態を示している。

次に、材料層４１の上に感光性レジスト層を全面ベタに形成する。そして、過程図７２のように、レジスト層を露光・現像して、所定の開口部を有するレジストパターンを形成する。この所定の開口部を有するレジストパターンがレジストマスク４２となる。
次に、レジストマスク４２、および材料層４１に対して、ドライエッチング処理を施す。詳しくは、レジストマスク４２を介して、開口部から露出した材料層４１に対して、例えば、フッ素系の処理ガスを用いてドライエッチングする。この際、窒化珪素からなる第２保護層２６は、材料層４１の酸化珪素に比べてドライエッチングにおけるエッチングレートが遅いため、第２保護層２６がエッチングストッパーとして機能する。換言すれば、エッチング選択比の違いを利用して、第２保護層２６をドライエッチングにおけるエッチングストップ膜としている。これにより、過程図７３に示すように、第２保護層２６の上に調整層２７ａが形成される。

工程Ｓ２では、２層目の調整層２７ｂを形成する。調整層２７ａ、および第２保護層２６の上に、材料層４３を全面ベタに形成する。材料層４３は酸化珪素層であり、形成方法は材料層４１と同じである。図１０Ｂの過程図７４は、材料層４３が形成された状態を示している。
次に、材料層４３の上に感光性レジスト層を全面ベタに形成する。そして、過程図７５のように、レジスト層を露光・現像して、所定の開口部を有するレジストマスク４４を形成する。
次に、レジストマスク４４、および材料層４３に対して、ドライエッチング処理を施す。詳しくは、レジストマスク４４を介して、開口部から露出した材料層４３に対して、工程Ｓ１と同様に、第２保護層２６をエッチングストップ膜としてドライエッチングする。これにより、過程図７６に示すように、第２保護層２６上の一部、および調整層２７ａの上に、調整層２７ｂが形成される。

工程Ｓ３では、３層目の調整層２７ｃを形成する。調整層２７ｂ、および第２保護層２６の上に、材料層４５を全面ベタに形成する。材料層４５は酸化珪素層であり、形成方法は材料層４１と同じである。図１０Ｃの過程図７７は、材料層４５が形成された状態を示している。
次に、材料層４５の上に感光性レジスト層を全面ベタに形成する。そして、過程図７８のように、レジスト層を露光・現像して、所定の開口部を有するレジストマスク４６を形成する。
次に、レジストマスク４６、および材料層４５に対して、ドライエッチング処理を施す。詳しくは、レジストマスク４６を介して、開口部から露出した材料層４５に対して、工程Ｓ１と同様に、第２保護層２６をエッチングストップ膜としてドライエッチングする。これにより、過程図７９に示すように、第２保護層２６上の一部、および調整層２７ｂの上に、調整層２７ｃが形成される。

工程Ｓ４では、４層目の調整層２７ｄを形成する。調整層２７ｃ、および第２保護層２６の上に、材料層４７を全面ベタに形成する。材料層４７は酸化珪素層であり、形成方法は材料層４１と同じである。図１０Ｄの過程図８０は、材料層４７が形成された状態を示している。
次に、材料層４７の上に感光性レジスト層を全面ベタに形成する。そして、過程図８１のように、レジスト層を露光・現像して、所定の開口部を有するレジストマスク４８を形成する。
次に、レジストマスク４８、および材料層４７に対して、ドライエッチング処理を施す。詳しくは、レジストマスク４８を介して、開口部から露出した材料層４７に対して、工程Ｓ１と同様に、第２保護層２６をエッチングストップ膜としてドライエッチングする。これにより、過程図８２に示すように、第２保護層２６上の一部、および調整層２７ｃの上に、調整層２７ｄが形成される。

工程Ｓ５では、５層目の調整層２７ｅを形成する。調整層２７ｄ、および第２保護層２６の上に、材料層４９を全面ベタに形成する。材料層４９は酸化珪素層であり、形成方法は材料層４１と同じである。図１０Ｅの過程図８３は、材料層４９が形成された状態を示している。
次に、材料層４９の上に感光性レジスト層を全面ベタに形成する。そして、過程図８４のように、レジスト層を露光・現像して、所定の開口部を有するレジストマスク５１を形成する。
次に、レジストマスク５１、および材料層４９に対して、ドライエッチング処理を施す。詳しくは、レジストマスク５１を介して、開口部から露出した材料層４９に対して、工程Ｓ１と同様に、第２保護層２６をエッチングストップ膜としてドライエッチングする。これにより、過程図８５に示すように、第２保護層２６上の一部、および調整層２７ｄの上に、調整層２７ｅが形成される。ここまでの工程で、第２保護層２６が露出した０層部分、および１層から５層の調整層が選択的に作り分けされる。

工程Ｓ６では、画素電極３１を形成する。調整層２７ｅ、および第２保護層２６の上に、スパッタ法で透明電極膜を形成し、パターニングすることにより、過程図８６に示すように、第２保護層２６の露出部分、および調整層２７の１層から５層部分に、画素電極３１が形成される。画素電極３１の材料は、ＩＴＯを用いている。
なお、説明を解り易くするために、調整層が０層から５層まで順番に階段状に形成される形態を用いて説明したが、実際は、エリアごと、サブ画素ごとに算出された層数となるように、レジスト開口を設定して調整層を形成する。例えば、図８Ａの事例では、隣り合う青、緑、赤色のサブ画素において、調整層が０層、２層、４層の順に形成される。同様に、図８Ｂの事例では、隣り合う青、緑、赤色のサブ画素において、調整層が１層、３層、５層の順に形成される。

＊＊光路長設定のエリア分けによる効果＊＊
図１１は、エリアごとの波長成分の強さの分布を示すグラフであり、グラフ１０５は従来の表示装置の光スペクトル、グラフ１０６は本実施形態の光路長設定による光スペクトルを示しており、両者とも発明者等によるシミュレーション結果である。グラフ１０５，１０６において、横軸は光の波長（ｎｍ）、縦軸は光の強度（a．u．）を示している。シミュレーション条件として、総エリア数ｎは３エリアとしている。表示エリアの基準のエリアＡ１における主光線の角度は０°、エリアＡ１の外側のエリアＡ２における主光線の角度は１５°、エリアＡ２の外側のエリアＡ３における主光線の角度は２５°とした。なお、これらスペクトルは、各エリアにおける代表サブ画素の光共振構造から出射される白色光のスペクトルを示している。

グラフ１０５のように、従来の表示装置では、主光線の角度が大きいエリアでスペクトルのズレがあり、色ズレが発生している。詳しくは、青色光のピークとなる４７０ｎｍ付近において、基準のエリアＡ１のスペクトルを示す線分１１１を基準として、外側のエリアＡ２のスペクトルを示す線分１１２の方が、ピーク値が短波長側へシフトしている。同様に、エリアＡ３のスペクトルを示す線分１１３のピーク値は、エリアＡ２の線分１１２よりも、短波長側へシフトしている。これは、緑色光、赤色光においても同様である。
つまり、従来の表示装置では、主光線の角度が大きいエリアほど、色光が短波長側へシフトして色度変移が生じることが解る。

これに対して、本実施形態の光路長の調整方法に基づく設定の場合、グラフ１０６のように、３エリアのスペクトルが略重なっており、色ズレの発生は認められない。詳しくは、青色光のピークとなる４７０ｎｍ付近において、基準のエリアＡ１のスペクトルを示す線分１２１と、外側のエリアＡ２のスペクトルを示す線分１２２とが、略重なっており、ピーク値のズレは認められない。同様に、エリアＡ３のスペクトルを示す線分１２３も、エリアＡ１の線分１２１と略重なっている。換言すれば、エリアＡ３の青色のサブ画素から所定の傾斜した角度２５°に出射される光の波長域は、エリアＡ１の青色のサブ画素から垂直方向に出射される光の波長域と略一致しているといえる。エリアＡ２の青色のサブ画素から主光線の角度１５°に出射される光の波長域も、エリアＡ１の青色のサブ画素から主光線の角度０°に出射される光の波長域と略一致する。

同様に、緑色光のピークとなる５４０ｎｍ付近において、基準のエリアＡ１のスペクトルを示す線分１２１と、外側のエリアＡ２のスペクトルを示す線分１２２とが、略重なっており、ピーク値のズレは認められない。同様に、エリアＡ３のスペクトルを示す線分１２３も、エリアＡ１の線分１２１と略重なっている。換言すれば、エリアＡ３の緑色のサブ画素から所定の傾斜した角度２５°に出射される光の波長域は、エリアＡ１の緑色のサブ画素から垂直方向に出射される光の波長域と略一致している。エリアＡ２の緑色のサブ画素から主光線の角度１５°に出射される光の波長域も、エリアＡ１の緑色のサブ画素から主光線の角度０°に出射される光の波長域と略一致する。

同様に、赤色光のピークとなる６２０ｎｍ付近において、基準のエリアＡ１のスペクトルを示す線分１２１と、外側のエリアＡ２のスペクトルを示す線分１２２とが、略重なっており、ピーク値のズレは認められない。同様に、エリアＡ３のスペクトルを示す線分１２３も、エリアＡ１の線分１２１と略重なっている。換言すれば、エリアＡ３の赤色のサブ画素から所定の傾斜した角度２５°に出射される光の波長域は、エリアＡ１の赤色のサブ画素から垂直方向に出射される光の波長域と略一致している。エリアＡ２の赤色のサブ画素から主光線の角度１５°に出射される光の波長域も、エリアＡ１の赤色のサブ画素から主光線の角度０°に出射される光の波長域と略一致する。
つまり、本実施形態の光路長の調整方法に基づく設定によれば、主光線の角度が大きいエリアにおいても、色度変移は発生しないことが解る。

なお、本実施形態では、第１サブ画素、および第２サブ画素を緑色のサブ画素としている。このとき、第１波長域は、概ね緑色光の波長域である４９５ｎｍから５７０ｎｍの範囲となる。また、緑色のサブ画素に限定するものではなく、青色、または赤色のサブ画素であっても良い。青色のサブ画素の場合には、第１波長域は、概ね青色光の波長域である４３０ｎｍから４９５ｎｍの範囲となる。赤色のサブ画素の場合には、概ね赤色光の波長域である５８０ｎｍから７５０ｎｍの範囲となる。

図１２は、エリアごとの代表サブ画素の色度を示したＸＹ色度図であり、グラフ１０７は従来の表示装置における色度、グラフ１０８は本実施形態の光路長設定における色度を示しており、両者とも発明者等によるシミュレーション結果である。図１２は図１１と対応しており、グラフ１０７はグラフ１０５と、グラフ１０８はグラフ１０６と、それぞれ対応している。シミュレーション条件も図１１における条件と同一である。

グラフ１０７のように、従来の表示装置では、主光線の角度が大きいエリアで色度ズレが発生している。詳しくは、基準のエリアＡ１の色度を示す点１１１ａを基準として、外側のエリアＡ２の色度を示す点１１２ａの方が、ＸＹ座標ともにプラス側にシフトしている。同様に、エリアＡ３の色度を示す点１１３ａのピーク値は、エリアＡ２の点１１２ａよりも、ＸＹ座標ともにプラス側にシフトしている。
つまり、従来の表示装置では、主光線の角度が大きいエリアほど、色光が短波長側へシフトして色度変移が生じることが解る。

これに対して、本実施形態の光路長の調整方法に基づく設定の場合、グラフ１０８のように、３エリアの色度が略重なっており、色ズレの発生は認められない。詳しくは、基準のエリアＡ１の色度を示す点１２１ａと、外側のエリアＡ２の色度を示す点１２２ａと、さらに外側のエリアＡ３の色度を示す点１２３ａとが略重なっている。
つまり、本実施形態の光路長の調整方法に基づく設定によれば、主光線の角度が大きいエリアにおいても、色度変移は発生しないことが解る。これらのシミュレーション結果に基づき、発明者等が検証した結果、本実施形態の光路長の調整方法を採用することで、従来の表示装置と比べて、色度変移を約８割改善することができる。

＊＊実施形態１の効果＊＊
上述の説明の通り、有機ＥＬ装置１００、およびその製造方法によれば、以下の効果を得ることができる。
共振構造における光路長の調整方法では、主光線の傾き度合いや、表示サイズ、用途などに応じて表示領域を複数の表示エリアに区分けする。そして、複数の表示エリアにおける、エリアごとの光路長を数式（２）〜（４）に基づき、調整層の積層数によって調整する。これにより、主光線が傾きをもつエリアにおいても、所望波長の光共振条件を満たすように、光路長を調整することができる。詳しくは、基準の表示エリアにおける光路長よりも、基準エリアとは異なる表示エリアにおける光路長が長くなるように調整する。
従って、主光線が傾くと光路長が長くなり、共振波長がズレて色度変移が発生していた従来の表示装置と異なり、有機ＥＬ装置１００によれば、調整層の積層数により光路長が最適化されているため、主光線の角度が大きいサブ画素においても、色度変移が抑制された鮮明な画像を得ることができる。

従来の表示装置では、平面的に、接眼レンズのサイズよりも、小さなサイズの表示装置を用いる際に、画角が大きくなり、特に、表示エリアの端部で色度変移が発生していた。これに対して、有機ＥＬ装置１００によれば、表示エリアの端部においても、光路長を最適化できるため、色度変移の発生を抑制でき、十分な視野角特性を確保することができる。詳しくは、主線光の角度が大きい周縁側の表示エリアにおける光路長が長くなるように調整する。
さらに、有機ＥＬ装置１００のサイズを接眼レンズのサイズよりも小さくして、大きな画角設定とした場合であっても、表示エリア全体において光路長を最適化できるため、小型化のニーズに応えることができる。つまり、小型で、かつ、視野角特性に優れた有機ＥＬ装置１００を提供することができる。

２．実施形態２
＊＊表示エリアの分割態様＊＊
図１３Ａ〜図１３Ｄは、表示エリアの分割態様を示す図である。
実施形態１では、表示領域を２つにエリア分けした事例を説明したが、この構成に限定するものではなく、表示領域を複数にエリア分けすることであれば良い。以下、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を使用し、重複する説明は省略する。なお、以下説明において、Ｘ方向を横、Ｙ方向を縦、＋Ｘ方向を右、−Ｘ方向を左、＋Ｙ方向を上、−Ｙ方向を下ともいう。

図１３Ａでは、有機ＥＬ装置１００の表示領域Ｅを縦のストライプ状にｎエリアに分割している。詳しくは、表示領域ＥのＸ方向における中央のエリアをエリアＡ１として、＋Ｘ方向にエリアＡ２、エリアＡ３の順に、エリアＡｎまで区分けされている。各エリアのＸ方向における幅は同一である。同様に、−Ｘ方向には、基準エリアとなるエリアＡ１から、エリアＡ２、エリアＡ３の順に、エリアＡｎまで区分けされている。
つまり、エリアＡ１を基準にして、左右にエリアが、それぞれエリアｎまで縦ストライプ状に形成されている。

このようなエリア分けとした場合であっても、実施形態１の数式（２）〜（４）を用いて、対象エリアｍにおけるサブ画素の色光ごとの調整層の数を求めることができる。

図１３Ｂでは、図１３Ａと同様に、表示領域Ｅを縦のストライプ状にｎエリアに分割しているが、エリアＡ１の位置が右側にシフトしている。詳しくは、エリアＡ１が表示領域Ｅの略中央から＋Ｘ方向に若干シフトしている。基準エリアとしてのエリアＡ１から、−Ｘ方向には、エリアＡ２、エリアＡ３の順に、エリアＡｎまで区分けされている。＋Ｘ方向には、エリアＡ１から、エリアＡｎ−αまで区分けされている。
このようなエリア分けとした場合であっても、実施形態１の数式（２）〜（４）を用いて、対象エリアｍにおけるサブ画素の色光ごとの調整層の数を求めることができる。

なお、図１３Ａ、図１３Ｂでは、表示領域Ｅを縦のストライプ状に複数エリアに分割した事例を説明したが、横のストライプ状に分割しても良い。また、同様に、主線光の傾きが小さいエリアＡ１の位置が表示領域Ｅの中心からシフトしていても良い。
このようなエリア分けとした場合であっても、実施形態１の数式（２）〜（４）を用いて、対象エリアｍにおけるサブ画素の色光ごとの調整層の数を求めることができる。

図１３Ｃでは、表示領域Ｅを四角環状にｎエリアに分割している。詳しくは、表示領域Ｅの略中央の横長の長方形のエリアをエリアＡ１として、基準エリアとしてのエリアＡ１を囲う相似形の長方形からなるエリアＡ２、エリアＡ２を囲う相似形の長方形からなるエリアＡ３の順に、同心円的に、エリアＡｎまで区分けされている。各エリア間の長さは、均等としているが、均等でなくても良い。なお、エリアの形状は、楕円や、円であっても良い。楕円や、円の場合、同心円状に複数エリアに分割すれば良い。
このようなエリア分けとした場合であっても、実施形態１の数式（２）〜（４）を用いて、対象エリアｍにおけるサブ画素の色光ごとの調整層の数を求めることができる。

図１３Ｄでは、図１３Ｃと同様に、表示領域Ｅを四角環状にｎエリアに分割しているが、エリアＡ１の位置が右上にシフトしている。詳しくは、エリアＡ１が表示領域Ｅの略中央から＋Ｘ方向、かつ、＋Ｙ方向にシフトしている。このため、エリアＡ１を基準として、エリアＡ３までは、図１３Ｃと同様、同心円的に長方形の全周が大きくなるが、エリアＡ４以降は下辺と左辺のみが大きくなる。エリアＡ４以降は、上辺と右辺は固定で、下辺と左辺のみが大きくなる区分けとしている。なお、エリアの形状は、楕円や、円であっても良い。楕円や、円の場合、同心円状に複数エリアに分割すれば良い。
このようなエリア分けとした場合であっても、実施形態１の数式（２）〜（４）を用いて、対象エリアｍにおけるサブ画素の色光ごとの調整層の数を求めることができる。

＊＊効果＊＊
これらの表示エリアの分割態様であっても、実施形態１と同様に、エリアごとの光路長を数式（２）〜（４）に基づき、調整層の積層数によって調整することができる。
従って、色度変移が低減され、視野角特性に優れた有機ＥＬ装置１００を提供することができる。
また、表示エリアの分割は、主光線の傾き度合いや、表示サイズ、用途などに応じて表示領域を複数の表示エリアに区分けできる。詳しくは、主光線が略垂直となる領域を基準エリアＡ１として区画し、エリアＡ１とは異なるエリアを主光線の角度に応じて複数の表示エリアに区分けすれば良い。図１３Ｃ、図１３Ｄで説明したように、エリアＡ１は表示領域Ｅの中央に配置されることに限定されず、表示領域Ｅのどこにでも設定することができる。特に、用途においては、シースルー型、没入型などのＨＭＤの形式や、男性、女性、大人、子供などの利用者の違い、ゲーム、地図の案内表示などアプリケーションの違いなどに合せて、表示領域を決めることが望ましい。

３．実施形態３
＊＊第２の調整層の製造方法＊＊
図１４は、調整層の製造の流れを示す工程フローチャートである。図１５Ａ〜図１５Ｃは、各工程における製造過程を示す断面図である。
ここでは、実施形態１の製造方法とは異なる調整層の製造方法について、図１４、および、図１５Ａ〜図１５Ｃを用いて説明する。なお、上記実施形態と同一の構成部位については、同一の符号を使用し、重複する説明は省略する。

まず、図１５Ａの過程図１３１において、基材１０ｓ上には、調整層の下地となる第２保護層２６までの各層が形成されているものとして説明する。第２保護層２６は、第１保護層１８の上に形成された平坦な窒化珪素層である。
工程Ｓ１１では、材料層５２を形成する。第２保護層２６の上に、材料層５２を全面ベタに形成する。材料層５２は酸化珪素層であり、形成方法は実施形態１と同じであるが、厚く形成する必要がある。詳しくは、調整層５層分の厚さが必要となるため、複数回に分けて成膜しても良い。また、適宜、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法を用いて平坦化処理を行っても良い。過程図１３１は、材料層５２が形成された状態を示している。

工程Ｓ１２では、レジストマスク５４を形成する。まず、材料層５２の上に感光性のレジスト層５３を全面ベタに形成する。次に、レジスト層５３に対して、多階調の露光マスクを用いて、領域毎に異なる露光量で露光する階調露光を行う。過程図１３２では、調整層数が０層に相当する部分の露光量が最も多く、調整層数が５層に相当する部分の露光量が最も少なくなるように、段階的に露光量が調整される。なお、多階調露光を行うフォトマスクとしてはグレイトーンマスクを用いる。グレイトーンマスクでは、露光機の解像度以下のスリットが形成されており、そのスリット部が光の一部を遮ることで、中間露光を行うことができる。または、半透過の膜を利用して中間露光を行う、ハーフトーンマスクを用いても良い。

グレイトーンマスクを用いた階調露光を行うことで、過程図１３３に示す、レジストマスク５４が形成される。レジストマスク５４には、露光量の違いにより、６段階の厚さの異なる領域が形成されている。まず、調整層数が０層となる部分は開口部となっている。そして、調整層数が１層に相当する部分から、層数が増えるに連れて段階的に厚くなり、調整層数が５層に相当する部分が最も厚くなっている。

工程Ｓ１３では、光路長の調整層を形成する。レジストマスク５４、および材料層５２に対して、ドライエッチング処理を施す。詳しくは、レジストマスク５４、および開口部から露出した材料層５２に対して、ドライエッチングを行う。
これにより、過程図１３４に示すように、開口部から露出した材料層５２部分は、調整層１層分浸食される。また、レジストマスク５４も表面が調整層１層分浸食されて、材料層５２の露出部分が増えている。なお、説明を解り易くするために、過程図１３４では、調整層を１層分浸食した状態を図示しているが、実際は、レジストマスク５４が無くなるまで連続してドライエッチングを行う。換言すれば、レジストマスク５４の形状が、材料層５２に転写されるまで、ドライエッチングが行われる。

図１５Ｂの過程図１３５のように、レジストマスク５４、および開口部から露出した材料層５２に対して、継続してドライエッチングが行われる。
これにより、過程図１３６に示すように、材料層５２は調整層２層分まで浸食される。レジストマスク５４も表面が調整層１層分浸食されて、材料層５２の露出部分が増える。
さらに、継続してドライエッチングが行われることで、過程図１３７に示すように、材料層５２は調整層３層分まで浸食される。レジストマスク５４も表面が調整層１層分浸食されて、材料層５２の露出部分が増える。

図１５Ｃの過程図１３８のように、レジストマスク５４、および開口部から露出した材料層５２に対して、継続してドライエッチングが行われる。
これにより、過程図１３９に示すように、材料層５２は調整層４層分まで浸食される。レジストマスク５４も表面が調整層１層分浸食されて、材料層５２の露出部分が増える。
さらに、継続してドライエッチングが行われることで、過程図１４０に示すように、レジストマスク５４が転写されて、調整層２７が形成される。この際、第２保護層２６がエッチングストッパーとして機能する。ここまでの工程で、第２保護層２６が露出した０層部分、および１層から５層の厚さを有する調整層２７が選択的に作り分けされる。

工程Ｓ１４では、画素電極３１を形成する。調整層２７、および第２保護層２６の上に、スパッタ法で透明電極膜を形成し、パターニングすることにより、過程図１４１に示すように、第２保護層２６の露出部分、および調整層２７の１層から５層の厚さを有する部分に、画素電極３１が形成される。画素電極３１の材料は、ＩＴＯを用いている。
なお、この製造方法で形成される調整層２７は、製造方法は異なるが、同じ材料、かつ、同じ形状であることから、実施形態１の図１０Ｅの過程図８６の調整層２７と同等と見做すことができる。

＊＊効果＊＊
この製造方法を用いても、実施形態１の製造方法と同様に、第２保護層２６が露出した０層部分、および１層から５層の厚さを有する調整層２７が選択的に作り分けすることができる。

４．実施形態４
図１６は、電子機器としてのヘッドマウントディスプレイを示す模式図である。
ＨＭＤ１０００は、左右の眼に対応して情報を表示するための一対の光学ユニット１００１Ｌ，１００１Ｒ、眼鏡のつるに相当する装着部、電源部、および制御部などから構成されている。なお、装着部、電源部、および制御部の図示は省略している。ここで、一対の光学ユニット１００１Ｌ，１００１Ｒは左右対称の構成であるため、右眼用の光学ユニット１００１Ｒを例として説明する。

光学ユニット１００１Ｒは、上記実施形態の有機ＥＬ装置１００が適用された表示部１００Ｒと、集光光学系１００２と、Ｌ字状に折れ曲がった導光体１００３とを備えている。導光体１００３にはハーフミラー層１００４が設けられている。光学ユニット１００１Ｒにおいて、表示部１００Ｒから射出された表示光は、凸レンズからなる集光光学系１００２で集光された後、導光体１００３に入射し、ハーフミラー層１００４で反射して右眼Ｒｅｙに導かれる。表示光は、ハーフミラー層１００４おいて虚像を表示する。
このような構成により、ＨＭＤ１０００の装着者は、透明な導光体１００３を介して観察される景色と、ハーフミラー層１００４に表示される虚像とを重ねて観察することになる。つまり、ＨＭＤ１０００は、シースルー型のＨＭＤである。

導光体１００３は、ロッドレンズを組み合わせたものであって、ロッドインテグレーターを形成している。導光体１００３の光の入射側に、集光光学系１００２と表示部１００Ｒとが配置され、集光光学系１００２により集光された表示光を、上記ロッドレンズが受光する構成となっている。また、導光体１００３のハーフミラー層１００４は、集光光学系１００２で集光され、ロッドレンズ内で全反射して伝達される光束を、右眼Ｒｅｙに向って反射する角度を有している。

ここで、表示部１００Ｒの平面的なサイズは、集光光学系１００２の平面的なサイズよりも小さく設定されている。小さな表示部１００Ｒで大きな虚像を得るためには、画角を大きくする必要がある。そのため、表示部１００Ｒでは、表示領域を複数エリアに分けて、上述の数式（２）〜（４）に基づき、エリアごとに光路長を調整している。

なお、左眼用の光学ユニット１００１Ｌについても、上記実施形態の有機ＥＬ装置１００が適用された表示部１００Ｌを有しており、左右反転して設置されていること以外は、右眼用の光学ユニット１００１Ｒと同じである。

＊＊効果＊＊
上述の通り、ＨＭＤ１０００は、小型で、視野角特性に優れた有機ＥＬ装置１００を備えている。従って、小型で、大きな虚像が得られ、視野角特性に優れたＨＭＤ１０００を提供することができる。

なお、上記実施形態の有機ＥＬ装置１００が適用されるＨＭＤ１０００は、両眼に対応した一対の光学ユニット１００１Ｌ，１００１Ｒを備える構成に限定されず、例えば、片方の光学ユニット１００１Ｒを備える構成であってもよい。また、シースルー型に限定されず、外光を遮光した状態で表示を視認する没入型であってもよい。

５．変形例１
＊＊その他の調整層の製造方法−１＊＊
図１５Ａを主体に、適宜、図１４、図１５Ｃを交えて説明する。
上記実施形態においては、過程図１３３のレジストマスク５４の形状が、材料層５２に転写されるまでエッチングを継続するものとして説明したが、これに限定するものではなく、例えば、レジストマスク５４を調整層として利用することであっても良い。詳しくは、レジストマスク５４の形状は、調整層２７（図１５Ｃの過程図１４０）の形状と同じであるため、調整層としても利用可能である。この場合、図１４の工程Ｓ１２でレジストマスク５４を形成した後、工程Ｓ１３の調整層の形成工程は行わずに、工程Ｓ１４の画素電極の形成工程を行えば良い。つまり、工程Ｓ１３におけるレジストマスク５４をエッチングして材料層５２に転写する工程は行わない。

この方法によれば、レジストマスク５４を調整層として利用することができる。さらに、工程Ｓ１３の調整層の形成工程が不要となるため、工程数を減らすことができる。さらに、製造コストを抑制することができる。

６．変形例２
＊＊その他の調整層の製造方法−２＊＊
図１０Ｅを用いて説明する。
他の調整層の製造方法について説明する。
図１０Ｅの過程図８５における調整層は、１層から５層までの領域が作り分けられている。この作り分けは、インクジェット法を用いることでも対応可能である。
詳しくは、インクジェットヘッドからＵＶ硬化性インクを１層目となる領域に選択的に吐出する。次に、紫外線照射して１層目の調整層を硬化する。
続いて、インクジェットヘッドからＵＶ硬化性インクを２層目となる領域に選択的に吐出する。次に、紫外線照射して２層目の調整層を硬化する。これを５層目まで繰り返すことで、過程図８５の調整層と同様な調整層を形成することができる。

この方法によれば、レジストマスクなどが不要となるため、工程数、および製造コストを抑制することができる。

以下に、実施形態から導き出される内容を記載する。

表示領域に第１サブ画素、第２サブ画素を備える発光装置であって、反射層と、半透過反射層と、反射層と半透過反射層との間に設けられた発光機能層と、を有し、発光機能層が放射する光を、反射層と半透過反射層との間で共振させる共振構造を備え、共振構造から、第１サブ画素、および第２サブ画素が出射する光の波長域は、第１波長域であり、第２サブ画素における反射層および半透過反射層の間の距離は、第１サブ画素における反射層および半透過反射層の間の距離よりも長い、発光装置。

この構成によれば、第２サブ画素における光共振構造の光路長は、第１サブ画素における光路長よりも長くなっている。ここで、表示領域において、第２サブ画素は、第１サブ画素よりも周縁側に位置している。つまり、周縁側の第２サブ画素の光路長を、基準エリアに近い第１サブ画素の光路長よりも長くすることで、第１波長域において光共振を満たす適切な光路長に設定している。
よって、表示領域の周縁部においても、光路長が最適化されているため、色度変移の発生を抑制でき、十分な視野角特性を確保した発光装置を提供することができる。

表示領域に第１サブ画素、第２サブ画素を備える発光装置であって、反射層と、半透過反射層と、反射層と半透過反射層との間に設けられた発光機能層と、を有し、発光機能層が放射する光を、反射層と半透過反射層との間で共振させる共振構造を備え、共振構造から、第１サブ画素、および第２サブ画素が出射する光の波長域は、第１波長域であり、第２サブ画素から所定の傾斜した角度に出射される光の波長域は、第１サブ画素から垂直方向に出射される光の波長域と一致する、発光装置。

この構成によれば、第２サブ画素における共振構造の光路長は、第１波長域において適切な光路長に調整されている。ここで、表示領域において、第２サブ画素は、第１サブ画素よりも周縁側に位置している。つまり、周縁側において主線光の角度が大きい第２サブ画素の光路長を、主線光の角度が小さい第２サブ画素の光路長よりも長くすることで、第１波長域において光共振を満たす適切な光路長に設定している。
よって、表示領域の周縁部においても、光路長が最適化されているため、色度変移の発生を抑制でき、十分な視野角特性を確保した発光装置を提供することができる。

反射層と発光機能層との間に設けられた画素電極と、反射層と画素電極との間に設けられた絶縁層とを、さらに備え、絶縁層は、第１材料からなる第１層と、第１材料とは異なる第２材料からなる第２層と、を含み、第２サブ画素における第２層の厚さは、第１サブ画素における第２層の厚さより厚い、発光装置。

この構成によれば、第２サブ画素における絶縁層の第２層の厚さを調整することで、第２サブ画素の光路長を第１サブ画素の光路長よりも、長くすることができる。

第１サブ画素は、表示領域において基準となる基準エリアに配置されており、第２サブ画素は、基準エリアとは異なるエリアに配置される、発光装置。

この構成によれば、表示領域において、基準エリアとは異なる周縁側の表示エリアに配置された第２サブ画素も光路長が最適化されているため、色度変移の発生を抑制できる。

電子機器は、上記記載の発光装置を備えている。

この構成によれば、色度変移の発生を抑制でき、十分な視野角特性を確保した電子機器を提供することができる。

反射層と、絶縁層と、発光機能層と、半透過反射層とを有し、発光機能層が放射する光を、反射層と半透過反射層との間で共振させる共振構造を備えた発光装置の製造方法であって、第１材料からなる絶縁層の第１層を形成する工程と、第１層の上に、第１材料とは異なる第２材料を用いて第１材料層を形成する工程と、材料層上にレジストマスクを形成し、第１層をエッチングストッパーとして第１材料層をパターニングすることで、絶縁層の第２層を形成する工程と、第２層の上に、第２材料を用いて第２材料層を形成する工程と、第２材料層上にレジストマスクを形成し、第２材料層をパターニングすることで、絶縁層の第２層を厚くする工程と、を含み、表示領域において基準となる基準エリアに配置される第１サブ画素の第２層の厚さよりも、基準エリアとは異なるエリアに配置される第２サブ画素における第２層の厚さを厚くする、発光装置の製造方法。

この製造方法によれば、第１層をエッチングストッパーとしてパターニングすることで、絶縁層の第２層を形成した後、絶縁層の第２層を厚くする工程を複数回繰り返すことで、光路長の調整層となる第２層の厚さを、基準エリアと、基準エリアとは異なる表示エリアとで選択的に作り分けることができる。よって、基準エリアに配置される第１サブ画素の第２層の厚さよりも、周縁のエリアに配置される第２サブ画素における第２層の厚さを厚くすることができる。
従って、表示領域の基準エリア、および周縁部においても、光路長を最適化することが可能な発光装置の製造方法を提供することができる。

反射層と、絶縁層と、発光機能層と、半透過反射層とを有し、発光機能層が放射する光を、反射層と半透過反射層との間で共振させる共振構造を備えた発光装置の製造方法であって、絶縁層の第１層を形成する工程と、第１層の上に、第１材料とは異なる第２材料を用いて材料層を形成する工程と、材料層上にレジストを形成し、多階調の露光マスクを用いて階調露光を行う工程と、階調露光によって形成されたレジストマスクを用いて、材料層をパターニングすることで、材料層にレジストマスクの形状を転写して、絶縁層の第２層を形成する工程と、を含み、表示領域において基準となる基準エリアに配置される第１サブ画素の第２層の厚さよりも、基準エリアとは異なるエリアに配置される第２サブ画素における第２層の厚さを厚くする、発光装置の製造方法。

この製造方法によれば、階調露光によって形成されたレジストマスクを用いて、材料層をパターニングし、材料層にレジストマスクの形状を転写して、絶縁層の第２層を形成することで、光路長の調整層となる第２層の厚さを、基準エリアと、基準エリアとは異なる表示エリアとで選択的に作り分けることができる。よって、基準エリアに配置される第１サブ画素の第２層の厚さよりも、周縁のエリアに配置される第２サブ画素における第２層の厚さを厚くすることができる。
従って、表示領域の基準エリア、および周縁部においても、光路長を最適化することが可能な発光装置の製造方法を提供することができる。

１６…反射電極、１８…第１保護層、２０Ｂ…青色の発光画素、２０Ｇ…緑色の発光画素、２０Ｒ…赤色の発光画素、２６…第２保護層、２７…調整層、２７ａ〜２７ｅ…調整層、３０…有機ＥＬ素子、３０Ｂ，３０Ｇ，３０Ｒ…有機ＥＬ素子、３１…画素電極、３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ…画素電極、３３…有機発光層、３５…機能層、４１，４３，４５，４７，４９，５２…材料層、９０…光学系、９２…表示装置、９３…グラフ、９５…接眼レンズ、１００…有機ＥＬ装置、１０００…ＨＭＤ、１００１Ｌ…左眼用の光学ユニット、１００１Ｒ…右眼用の光学ユニット、１００２…集光光学系、１００３…導光体、１００４…ハーフミラー層、Ａ１〜Ａｎ…表示エリア、Ｄ１，Ｄ２，Ｄ２２…光路長、Ｐ１，Ｐ２，Ｐ２２…サブ画素。

Claims (7)

1. 表示領域に第１サブ画素、第２サブ画素を備える発光装置であって、
   反射層と、半透過反射層と、前記反射層と前記半透過反射層との間に設けられた発光機能層と、を有し、
   前記発光機能層が放射する光を、前記反射層と前記半透過反射層との間で共振させる共振構造を備え、
   前記共振構造から、前記第１サブ画素、および前記第２サブ画素が出射する光の波長域は、第１波長域であり、
   前記第２サブ画素における前記反射層および前記半透過反射層の間の距離は、前記第１サブ画素における前記反射層および前記半透過反射層の間の距離よりも長い、発光装置。
2. 表示領域に第１サブ画素、第２サブ画素を備える発光装置であって、
   反射層と、半透過反射層と、前記反射層と前記半透過反射層との間に設けられた発光機能層と、を有し、
   前記発光機能層が放射する光を、前記反射層と前記半透過反射層との間で共振させる共振構造を備え、
   前記共振構造から、前記第１サブ画素、および前記第２サブ画素が出射する光の波長域は、第１波長域であり、
   前記第２サブ画素から所定の傾斜した角度に出射される光の波長域は、前記第１サブ画素から垂直方向に出射される光の波長域と一致する、発光装置。
3. 前記反射層と前記発光機能層との間に設けられた画素電極と、前記反射層と前記画素電極との間に設けられた絶縁層とを、さらに備え、
   前記絶縁層は、第１材料からなる第１層と、
   前記第１材料とは異なる第２材料からなる第２層と、を含み、
   前記第２サブ画素における前記第２層の厚さは、前記第１サブ画素における前記第２層の厚さより厚い、請求項１または２に記載の発光装置。
4. 前記第１サブ画素は、前記表示領域において基準となる基準エリアに配置されており、
   前記第２サブ画素は、前記基準エリアとは異なるエリアに配置される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光装置。
5. 請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の発光装置を備えた電子機器。
6. 反射層と、絶縁層と、発光機能層と、半透過反射層とを有し、前記発光機能層が放射する光を、前記反射層と前記半透過反射層との間で共振させる共振構造を備えた発光装置の製造方法であって、
   第１材料からなる前記絶縁層の第１層を形成する工程と、
   前記第１層の上に、前記第１材料とは異なる第２材料を用いて第１材料層を形成する工程と、
   前記材料層上にレジストマスクを形成し、前記第１層をエッチングストッパーとして第１材料層をパターニングすることで、前記絶縁層の第２層を形成する工程と、
   前記第２層の上に、前記第２材料を用いて第２材料層を形成する工程と、
   前記第２材料層上にレジストマスクを形成し、前記第２材料層をパターニングすることで、前記絶縁層の第２層を厚くする工程と、を含み、
   前記表示領域において基準となる基準エリアに配置される第１サブ画素の前記第２層の厚さよりも、基準エリアとは異なるエリアに配置される第２サブ画素における前記第２層の厚さを厚くする、発光装置の製造方法。
7. 反射層と、絶縁層と、発光機能層と、半透過反射層とを有し、前記発光機能層が放射する光を、前記反射層と前記半透過反射層との間で共振させる共振構造を備えた発光装置の製造方法であって、
   前記絶縁層の第１層を形成する工程と、
   前記第１層の上に、前記第１材料とは異なる第２材料を用いて材料層を形成する工程と、
   前記材料層上にレジストを形成し、多階調の露光マスクを用いて階調露光を行う工程と、
   前記階調露光によって形成されたレジストマスクを用いて、前記材料層をパターニングすることで、前記材料層に前記レジストマスクの形状を転写して、前記絶縁層の第２層を形成する工程と、を含み、
   前記表示領域において基準となる基準エリアに配置される第１サブ画素の前記第２層の厚さよりも、基準エリアとは異なるエリアに配置される第２サブ画素における前記第２層の厚さを厚くする、発光装置の製造方法。

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