JP2020084004A - Conductive polymer and conductive composition - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、導電性ポリマー及び導電性組成物に関する。 The present invention relates to conductive polymers and conductive compositions.
電子線やイオン線等の荷電粒子線を用いたパターン形成技術は、光リソグラフィーの次世代技術として期待されている。荷電粒子線を用いる場合、生産性向上にはレジスト層の感度向上が重要である。
従って、露光部分又は荷電粒子線が照射された部分に酸を発生させ、続いてポストエクスポージャーベーク(PEB)処理と呼ばれる加熱処理により架橋反応又は分解反応を促進させる、高感度な化学増幅型レジストの使用が主流となっている。
また、近年、半導体デバイスの微細化の流れに伴い、数nmオーダーでのレジスト形状の管理も要求されるようになってきている。
A pattern forming technique using a charged particle beam such as an electron beam or an ion beam is expected as a next-generation technique of photolithography. When using a charged particle beam, it is important to improve the sensitivity of the resist layer in order to improve productivity.
Therefore, a highly sensitive chemically-amplified resist that generates an acid in an exposed portion or a portion irradiated with a charged particle beam and then accelerates a crosslinking reaction or a decomposition reaction by a heat treatment called a post-exposure bake (PEB) treatment. Mainly used.
In addition, in recent years, with the trend toward miniaturization of semiconductor devices, management of resist shapes on the order of several nm has been required.
ところで、荷電粒子線を用いるパターン形成方法においては、特に基板が絶縁性の場合、基板の帯電(チャージアップ)によって発生する電界が原因で、荷電粒子線の軌道が曲げられ、所望のパターンが得られにくいという課題がある。
この課題を解決する手段として、導電性ポリマーを含む導電性組成物をレジスト層の表面に塗布して導電膜を形成し、前記導電膜でレジスト層の表面を被覆する技術が有効であることが既に知られている。
By the way, in a pattern forming method using a charged particle beam, especially when the substrate is insulative, the trajectory of the charged particle beam is bent due to the electric field generated by charging (charge-up) of the substrate, and a desired pattern is obtained. There is a problem that it is hard to be caught.
As a means for solving this problem, a technique of applying a conductive composition containing a conductive polymer to the surface of a resist layer to form a conductive film and coating the surface of the resist layer with the conductive film is effective. Already known.
導電性ポリマーとして、酸性基を有する導電性ポリマーが知られている。酸性基を有する導電性ポリマーは、ドープ剤を添加することなく導電性を発現できる。
例えば、特許文献1には、酸性基を有する導電性ポリマーと、含窒素官能基及び末端疎水性基を有する水溶性ポリマーと、溶剤とを含む導電性組成物が開示されている。
As a conductive polymer, a conductive polymer having an acidic group is known. The conductive polymer having an acidic group can exhibit conductivity without adding a doping agent.
For example, Patent Document 1 discloses a conductive composition containing a conductive polymer having an acidic group, a water-soluble polymer having a nitrogen-containing functional group and a terminal hydrophobic group, and a solvent.
しかしながら、特許文献1に記載の導電性組成物を化学増幅型レジストに適用すると、レジスト層が膜減りすることがある。
本発明は、レジスト層の膜減りが少ない導電膜を形成できる導電性ポリマー及び導電性組成物を提供することを目的とする。
However, when the conductive composition described in Patent Document 1 is applied to a chemically amplified resist, the resist layer may be thinned.
An object of the present invention is to provide a conductive polymer and a conductive composition capable of forming a conductive film with less reduction of the resist layer.
本発明者は鋭意研究を行なった結果、酸性基を有する導電性ポリマーの酸性基部は加水分解等を受けやすく、不安定であり、酸性基が脱離することがあることに着目した。また、酸性基を有する導電性ポリマーには、重合の際に用いられる酸化剤の分解物(例えば硫酸イオンなど)や、硝酸などが含まれていることを突き止めた。そして、これら導電性ポリマーから脱離した酸性基、酸化剤の分解物、硝酸などの低分子量の酸性物質が、レジスト層へ移行することで、現像時に未露光部のレジスト層が溶解してしまい、レジスト層の膜減りなどが起こることを突き止めた。そこで、酸性基を有する導電性ポリマー中の低分子量の酸性物質を低減することで、レジスト層の膜減りを抑制できることを見出し、本発明を完成するに至った。 As a result of earnest studies, the present inventor has paid attention to the fact that the acidic group portion of the conductive polymer having an acidic group is susceptible to hydrolysis and the like and is unstable, and the acidic group may be eliminated. Further, it was found that the conductive polymer having an acidic group contains a decomposed product of an oxidizing agent used during polymerization (for example, sulfate ion), nitric acid, and the like. Then, acidic groups desorbed from these conductive polymers, decomposition products of oxidizing agents, low-molecular-weight acidic substances such as nitric acid migrate to the resist layer, and the resist layer in the unexposed area is dissolved during development. , And found that the film thickness of the resist layer is reduced. Therefore, the inventors have found that reducing the low molecular weight acidic substance in the conductive polymer having an acidic group can suppress the film loss of the resist layer, and completed the present invention.
すなわち、本発明は以下の態様を有する。
[1] 酸性基を有する導電性ポリマーであって、
分子量が100以下の酸性物質の含有量が10000質量ppm以下である、導電性ポリマー。
[2] 荷電粒子線描画時の帯電防止用である、[1]の導電性ポリマー。
[3] [1]又は[2]の導電性ポリマーと、溶剤とを含む、導電性組成物。
That is, the present invention has the following aspects.
[1] A conductive polymer having an acidic group,
A conductive polymer in which the content of an acidic substance having a molecular weight of 100 or less is 10000 mass ppm or less.
[2] The conductive polymer according to [1], which is used for preventing electrostatic charge during charged particle beam drawing.
[3] A conductive composition containing the conductive polymer of [1] or [2] and a solvent.
本発明によれば、レジスト層の膜減りが少ない導電膜を形成できる導電性ポリマー及び導電性組成物を提供できる。 According to the present invention, it is possible to provide a conductive polymer and a conductive composition capable of forming a conductive film with less reduction of the resist layer.
以下、本発明を詳細に説明する。以下の実施の形態は、本発明を説明するための単なる例示であって、本発明をこの実施の形態にのみ限定することは意図されない。本発明は、その趣旨を逸脱しない限り、様々な態様で実施することが可能である。 Hereinafter, the present invention will be described in detail. The following embodiments are merely examples for explaining the present invention, and the present invention is not intended to be limited only to the embodiments. The present invention can be implemented in various modes without departing from the spirit thereof.
なお、本発明において「導電性」とは、1×1011Ω/□以下の表面抵抗値を有することである。表面抵抗値は、一定の電流を流した場合の電極間の電位差より求められる。
また、本発明において「分子量が100以下の酸性物質」とは、負電荷を有する分子量が100以下の物質のことである。具体的には導電性ポリマーから脱離した酸性基(例えば、カルボン酸、スルホン酸、硫酸、硝酸、塩酸、炭酸等由来の遊離の酸性基など)、導電性ポリマーの製造に用いた酸化剤の分解物(例えば硫酸イオンなど)、反応中に副生する成分(例えば硝酸など)等が挙げられる。なお、以下の明細書において「分子量が100以下の酸性物質」を「分子量が100以下の酸性物質(a)」又は単に「酸性物質(a)」ともいう。
また、本明細書において「溶解性」とは、単なる水、塩基及び塩基性塩の少なくとも一方を含む水、酸を含む水、水と水溶性有機溶媒との混合物のうち、10g(液温25℃)に、0.1g以上均一に溶解することを意味する。また、「水溶性」とは、上記溶解性に関して、水に対する溶解性のことを意味する。
また、本明細書において、「末端疎水性基」の「末端」とは、ポリマーを構成する繰り返し単位以外の部位を意味する。
また、本明細書において「質量平均分子量」とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)によって測定される質量平均分子量(ポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算)である。
In the present invention, “conductive” means having a surface resistance value of 1×10 11 Ω/□ or less. The surface resistance value is obtained from the potential difference between the electrodes when a constant current is applied.
In addition, in the present invention, the "acidic substance having a molecular weight of 100 or less" is a substance having a negative charge and a molecular weight of 100 or less. Specifically, the acidic groups desorbed from the conductive polymer (for example, free acidic groups derived from carboxylic acid, sulfonic acid, sulfuric acid, nitric acid, hydrochloric acid, carbonic acid, etc.) and the oxidizing agent used in the production of the conductive polymer Examples thereof include decomposition products (for example, sulfate ions), components by-produced during the reaction (for example, nitric acid), and the like. In addition, in the following specification, "an acidic substance having a molecular weight of 100 or less" is also referred to as "an acidic substance (a) having a molecular weight of 100 or less" or simply "an acidic substance (a)".
In addition, in the present specification, “solubility” refers to 10 g (liquid temperature: 25) of mere water, water containing at least one of a base and a basic salt, water containing an acid, and a mixture of water and a water-soluble organic solvent. (°C) means that 0.1 g or more is uniformly dissolved. Further, “water-soluble” means the solubility in water with respect to the above-mentioned solubility.
Further, in the present specification, the “terminal” of the “terminal hydrophobic group” means a site other than the repeating unit constituting the polymer.
Moreover, in this specification, a "mass average molecular weight" is a mass average molecular weight (as sodium polystyrene sulfonate conversion) measured by gel permeation chromatography (GPC).
[導電性ポリマー]
本発明の導電性ポリマー(A)は、酸性基を有する。導電性ポリマー(A)が酸性基を有していれば、水溶性が高まる。その結果、導電性ポリマー(A)を含む導電性組成物の塗布性が高まり、均一な厚さの塗膜が得られやすくなる。
導電性ポリマー(A)としては、分子内にスルホン酸基、及びカルボキシ基からなる群より選択される少なくとも1つの基を有していれば、本発明の効果を有する限り特に限定されず、公知の導電性ポリマーを用いることができる。例えば、特開昭61−197633号公報、特開昭63−39916号公報、特開平1−301714号公報、特開平5−504153号公報、特開平5−503953号公報、特開平4−32848号公報、特開平4−328181号公報、特開平6−145386号公報、特開平6−56987号公報、特開平5−226238号公報、特開平5−178989号公報、特開平6−293828号公報、特開平7−118524号公報、特開平6−32845号公報、特開平6−87949号公報、特開平6−256516号公報、特開平7−41756号公報、特開平7−48436号公報、特開平4−268331号公報、特開2014−65898号公報等に示された導電性ポリマーなどが、溶解性の観点から好ましい。
[Conductive polymer]
The conductive polymer (A) of the present invention has an acidic group. If the conductive polymer (A) has an acidic group, the water solubility will increase. As a result, the coating property of the conductive composition containing the conductive polymer (A) is enhanced, and a coating film having a uniform thickness is easily obtained.
The conductive polymer (A) is not particularly limited as long as it has at least one group selected from the group consisting of a sulfonic acid group and a carboxy group in the molecule as long as it has the effects of the present invention, and it is known. The conductive polymer of can be used. For example, JP-A-61-197633, JP-A-63-39916, JP-A-1-301714, JP-A-5-504153, JP-A-5-503953, and JP-A-4-32848. Publications, JP-A-4-328181, JP-A-6-145386, JP-A-6-56987, JP-A-5-226238, JP-A-5-178989, JP-A-6-293828, JP-A-7-118524, JP-A-6-32845, JP-A-6-87949, JP-A-6-256516, JP-A-7-41756, JP-A-7-48436, and JP-A-7-48436. The conductive polymers and the like disclosed in JP-A-4-268331 and JP-A-2014-65898 are preferable from the viewpoint of solubility.
導電性ポリマー(A)としては、具体的には、α位若しくはβ位が、スルホン酸基、及びカルボキシ基からなる群より選択される少なくとも1つの基で置換されたフェニレンビニレン、ビニレン、チエニレン、ピロリレン、フェニレン、イミノフェニレン、イソチアナフテン、フリレン、及びカルバゾリレンからなる群から選ばれた少なくとも1種を繰り返し単位として含む、π共役系導電性ポリマーが挙げられる。
また、前記π共役系導電性ポリマーがイミノフェニレン、及びガルバゾリレンからなる群から選ばれた少なくとも1種の繰り返し単位を含む場合は、前記繰り返し単位の窒素原子上に、スルホン酸基、及びカルボキシ基からなる群より選択される少なくとも1つの基を有する、又はスルホン酸基、及びカルボキシ基からなる群より選択される少なくとも1つの基で置換されたアルキル基、若しくはエーテル結合を含むアルキル基を前記窒素原子上に有する導電性ポリマーが挙げられる。
この中でも、導電性や溶解性の観点から、β位がスルホン酸基、及びカルボキシ基からなる群より選択される少なくとも1つの基で置換されたチエニレン、ピロリレン、イミノフェニレン、フェニレンビニレン、カルバゾリレン、及びイソチアナフテンからなる群から選ばれた少なくとも1種をモノマーユニット(単位)として有する導電性ポリマーが好ましく用いられる。
Specific examples of the conductive polymer (A) include phenylene vinylene, vinylene, thienylene, in which the α-position or the β-position is substituted with at least one group selected from the group consisting of a sulfonic acid group and a carboxy group, Examples of the π-conjugated conductive polymer include, as a repeating unit, at least one selected from the group consisting of pyrrolylene, phenylene, iminophenylene, isothianaphthene, furylene, and carbazolylene.
Further, when the π-conjugated conductive polymer contains at least one repeating unit selected from the group consisting of iminophenylene and galvazolylene, on the nitrogen atom of the repeating unit, a sulfonic acid group, and a carboxy group The nitrogen atom having an alkyl group having at least one group selected from the group consisting of or substituted with at least one group selected from the group consisting of a sulfonic acid group and a carboxy group, or an alkyl group containing an ether bond. The conductive polymer having the above may be mentioned.
Among these, from the viewpoint of conductivity and solubility, thienylene, pyrrolylene, iminophenylene, phenylenevinylene, carbazolylene in which the β-position is substituted with at least one group selected from the group consisting of a sulfonic acid group and a carboxy group, and A conductive polymer having at least one selected from the group consisting of isothianaphthenes as a monomer unit (unit) is preferably used.
導電性ポリマー(A)は、高い導電性や溶解性を発現できる観点から、下記一般式(1)〜(4)で表される単位からなる群より選ばれた1種以上のモノマーユニットを、導電性ポリマーを構成する全単位(100mol%)中に20〜100mol%含有する導電性ポリマーが好ましい。 The conductive polymer (A) contains one or more monomer units selected from the group consisting of units represented by the following general formulas (1) to (4), from the viewpoint of exhibiting high conductivity and solubility. A conductive polymer contained in 20 to 100 mol% in all units (100 mol%) constituting the conductive polymer is preferable.
式(1)〜(4)中、Xは硫黄原子、又は窒素原子を表し、R1〜R15は各々独立に、水素原子、炭素数1〜24の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基、炭素数1〜24の直鎖若しくは分岐鎖のアルコキシ基、酸性基、ヒドロキシ基、ニトロ基、ハロゲン原子(−F、−Cl、−Br又はI)、−N(R16)2、−NHCOR16、−SR16、−OCOR16、−COOR16、−COR16、−CHO、又は−CNを表す。R16は炭素数1〜24のアルキル基、炭素数1〜24のアリール基、又は炭素数1〜24のアラルキル基を表す。
ただし、一般式(1)のR1、R2のうちの少なくとも1つ、一般式(2)のR3〜R6のうちの少なくとも1つ、一般式(3)のR7〜R10のうちの少なくとも1つ、一般式(4)のR11〜R15のうちの少なくとも1つは、それぞれ酸性基又はその塩である。
In formulas (1) to (4), X represents a sulfur atom or a nitrogen atom, and R 1 to R 15 each independently represent a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 24 carbon atoms, or a carbon atom. the number 1 to 24 linear or branched alkoxy group having an acidic group, hydroxy group, a nitro group, a halogen atom (-F, -Cl, -Br or I), - N (R 16 ) 2, -NHCOR 16, It represents -SR 16 , -OCOR 16 , -COOR 16 , -COR 16 , -CHO, or -CN. R 16 represents an alkyl group having 1 to 24 carbon atoms, an aryl group having 1 to 24 carbon atoms, or an aralkyl group having 1 to 24 carbon atoms.
However, at least one of R 1 and R 2 in the general formula (1), at least one of R 3 to R 6 in the general formula (2), and R 7 to R 10 in the general formula (3). At least one of them and at least one of R 11 to R 15 in the general formula (4) is an acidic group or a salt thereof.
ここで、「酸性基」とは、スルホン酸基(スルホ基)又はカルボン酸基(カルボキシ基)を意味する。
スルホン酸基は、酸の状態(−SO3H)で含まれていてもよく、イオンの状態(−SO3 −)で含まれていてもよい。さらに、スルホン酸基には、スルホン酸基を有する置換基(−R17SO3H)も含まれる。
一方、カルボン酸基は、酸の状態(−COOH)で含まれていてもよく、イオンの状態(−COO−)で含まれていてもよい。さらに、カルボン酸基には、カルボン酸基を有する置換基(−R17COOH)も含まれる。
前記R17は炭素数1〜24の直鎖若しくは分岐鎖のアルキレン基、炭素数1〜24の直鎖若しくは分岐鎖のアリーレン基、又は炭素数1〜24の直鎖若しくは分岐鎖のアラルキレン基を表す。
Here, the "acidic group" means a sulfonic acid group (sulfo group) or a carboxylic acid group (carboxy group).
Sulfonic acid group may be contained in the form of acid (-SO 3 H), ion states - may be included in (-SO 3). Furthermore, the sulfonic acid group, substituent having a sulfonic acid group (-R 17 SO 3 H) are also included.
On the other hand, carboxylic acid groups, may be included in the form of an acid (-COOH), an ionic state - may be included in (-COO). In addition, the carboxylic acid group, a substituent having a carboxylic acid group (-R 17 COOH) are also included.
R 17 is a linear or branched alkylene group having 1 to 24 carbon atoms, a linear or branched arylene group having 1 to 24 carbon atoms, or a linear or branched aralkylene group having 1 to 24 carbon atoms. Represent
酸性基の塩としては、スルホン酸基又はカルボン酸基のアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモニウム塩、又は置換アンモニウム塩などが挙げられる。
アルカリ金属塩としては、例えば、硫酸リチウム、炭酸リチウム、水酸化リチウム、硫酸ナトリウム、炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、硫酸カリウム、炭酸カリウム、水酸化カリウム及びこれらの骨格を有する誘導体などが挙げられる。
アルカリ土類金属塩としては、例えばマグネシウム塩、カルシウム塩などが挙げられる。
置換アンモニウム塩としては、例えば脂肪族アンモニウム塩、飽和脂環式アンモニウム塩、不飽和脂環式アンモニウム塩などが挙げられる。
脂肪族アンモニウム塩としては、例えば、メチルアンモニウム、ジメチルアンモニウム、トリメチルアンモニウム、エチルアンモニウム、ジエチルアンモニウム、トリエチルアンモニウム、メチルエチルアンモニウム、ジエチルメチルアンモニウム、ジメチルエチルアンモニウム、プロピルアンモニウム、ジプロピルアンモニウム、イソプロピルアンモニウム、ジイソプロピルアンモニウム、ブチルアンモニウム、ジブチルアンモニウム、メチルプロピルアンモニウム、エチルプロピルアンモニウム、メチルイソプロピルアンモニウム、エチルイソプロピルアンモニウム、メチルブチルアンモニウム、エチルブチルアンモニウム、テトラメチルアンモニウム、テトラメチロールアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラn−ブチルアンモニウム、テトラsec−ブチルアンモニウム、テトラt−ブチルアンモニウムなどが挙げられる。
飽和脂環式アンモニウム塩としては、例えば、ピペリジニウム、ピロリジニウム、モルホリニウム、ピペラジニウム及びこれらの骨格を有する誘導体などが挙げられる。
不飽和脂環式アンモニウム塩としては、例えば、ピリジニウム、α−ピコリニウム、β−ピコリニウム、γ−ピコリニウム、キノリニウム、イソキノリニウム、ピロリニウム、及びこれらの骨格を有する誘導体などが挙げられる。
Examples of the salt of an acidic group include an alkali metal salt, an alkaline earth metal salt, an ammonium salt, and a substituted ammonium salt of a sulfonic acid group or a carboxylic acid group.
Examples of the alkali metal salt include lithium sulfate, lithium carbonate, lithium hydroxide, sodium sulfate, sodium carbonate, sodium hydroxide, potassium sulfate, potassium carbonate, potassium hydroxide, and derivatives having these skeletons.
Examples of the alkaline earth metal salt include magnesium salt and calcium salt.
Examples of the substituted ammonium salt include an aliphatic ammonium salt, a saturated alicyclic ammonium salt, and an unsaturated alicyclic ammonium salt.
Examples of the aliphatic ammonium salt include methylammonium, dimethylammonium, trimethylammonium, ethylammonium, diethylammonium, triethylammonium, methylethylammonium, diethylmethylammonium, dimethylethylammonium, propylammonium, dipropylammonium, isopropylammonium, diisopropyl. Ammonium, butylammonium, dibutylammonium, methylpropylammonium, ethylpropylammonium, methylisopropylammonium, ethylisopropylammonium, methylbutylammonium, ethylbutylammonium, tetramethylammonium, tetramethylammonium, tetraethylammonium, tetran-butylammonium, tetra Examples include sec-butylammonium and tetra-t-butylammonium.
Examples of the saturated alicyclic ammonium salt include piperidinium, pyrrolidinium, morpholinium, piperazinium, and derivatives having these skeletons.
Examples of the unsaturated alicyclic ammonium salt include pyridinium, α-picolinium, β-picolinium, γ-picolinium, quinolinium, isoquinolinium, pyrrolinium, and derivatives having these skeletons.
導電性ポリマー(A)としては、高い導電性を発現できる観点から、上記一般式(4)で表される単位を有することが好ましく、その中でも特に、溶解性にも優れる観点から、下記一般式(5)で表されるモノマーユニットを有することがより好ましい。 The conductive polymer (A) preferably has a unit represented by the above general formula (4) from the viewpoint of exhibiting high conductivity. Among them, the following general formula is particularly preferable from the viewpoint of excellent solubility. It is more preferable to have a monomer unit represented by (5).
式(5)中、R18〜R21は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜24の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基、炭素数1〜24の直鎖若しくは分岐鎖のアルコキシ基、酸性基、ヒドロキシ基、ニトロ基、又はハロゲン原子(−F、−Cl、−Br又はI)を表す。また、R18〜R21のうちの少なくとも1つは酸性基又はその塩である。 In formula (5), R 18 to R 21 are each independently a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 24 carbon atoms, a linear or branched alkoxy group having 1 to 24 carbon atoms, It represents an acidic group, a hydroxy group, a nitro group, or a halogen atom (-F, -Cl, -Br or I). Further, at least one of R 18 to R 21 is an acidic group or a salt thereof.
前記一般式(5)で表される単位としては、製造が容易な点で、R18〜R21のうち、いずれか1つが炭素数1〜4の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基であり、他のいずれか1つがスルホン酸基であり、残りが水素であるものが好ましい。 As the unit represented by the general formula (5), any one of R 18 to R 21 is a straight-chain or branched-chain alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms in terms of easy production, It is preferable that any one of the other is a sulfonic acid group and the rest is hydrogen.
導電性ポリマー(A)は、pHに関係なく水及び有機溶媒への溶解性に優れる観点から、該導電性ポリマー(A)を構成する全単位(100mol%)のうち、前記一般式(5)で表される単位を10〜100mol%含有することが好ましく、50〜100mol%含有することがより好ましく、100mol%含有することが特に好ましい。
また、導電性ポリマー(A)は、導電性に優れる観点で、前記一般式(5)で表される単位を1分子中に10以上含有することが好ましい。
From the viewpoint that the conductive polymer (A) is excellent in solubility in water and an organic solvent regardless of pH, among all units (100 mol%) constituting the conductive polymer (A), the general formula (5) is used. The content of the unit represented by is preferably 10 to 100 mol %, more preferably 50 to 100 mol %, and particularly preferably 100 mol %.
In addition, the conductive polymer (A) preferably contains 10 or more units represented by the general formula (5) in one molecule from the viewpoint of excellent conductivity.
また、導電性ポリマー(A)において、溶解性がより向上する観点から、ポリマー中の芳香環の総数に対する、酸性基が結合した芳香環の数は、50%以上であることが好ましく、70%以上がより好ましく、80%以上がさらに好ましく、90%以上が特に好ましく、100%が最も好ましい。
ポリマー中の芳香環の総数に対する、酸性基が結合した芳香環の数は、導電性ポリマー(A)製造時の、モノマーの仕込み比から算出した値のことを指す。
Further, in the conductive polymer (A), the number of aromatic rings to which an acidic group is bonded is preferably 50% or more, and 70% with respect to the total number of aromatic rings in the polymer, from the viewpoint of further improving the solubility. The above is more preferable, 80% or more is further preferable, 90% or more is particularly preferable, and 100% is the most preferable.
The number of aromatic rings to which an acidic group is bonded with respect to the total number of aromatic rings in the polymer refers to a value calculated from the charging ratio of monomers at the time of producing the conductive polymer (A).
また、導電性ポリマー(A)において、モノマーユニットの芳香環上の酸性基以外の置換基は、モノマーへの反応性付与の観点から電子供与性基が好ましく、具体的には、炭素数1〜24のアルキル基、炭素数1〜24のアルコキシ基、ハロゲン基(−F、−Cl、−Br又はI)等が好ましく、このうち、電子供与性の観点から、炭素数1〜24のアルコキシ基であることが最も好ましい。 Further, in the conductive polymer (A), the substituent other than the acidic group on the aromatic ring of the monomer unit is preferably an electron donating group from the viewpoint of imparting reactivity to the monomer, specifically, having 1 to 1 carbon atoms. An alkyl group having 24, an alkoxy group having 1 to 24 carbon atoms, a halogen group (-F, -Cl, -Br or I) and the like are preferable, and among these, an alkoxy group having 1 to 24 carbon atoms from the viewpoint of electron donating property. Is most preferred.
さらに、導電性ポリマー(A)は、前記一般式(5)で表される単位以外の構成単位として、溶解性、導電性及び性状に影響を及ぼさない限り、置換又は無置換のアニリン、チオフェン、ピロール、フェニレン、ビニレン、二価の不飽和基、二価の飽和基からなる群より選ばれる1種以上の単位を含んでいてもよい。 Furthermore, the conductive polymer (A) is a substituted or unsubstituted aniline, thiophene, or a structural unit other than the unit represented by the general formula (5) as long as it does not affect the solubility, conductivity and properties. It may contain at least one unit selected from the group consisting of pyrrole, phenylene, vinylene, a divalent unsaturated group and a divalent saturated group.
導電性ポリマー(A)としては、高い導電性と溶解性を発現できる観点から、下記一般式(6)で表される構造を有する化合物であることが好ましく、下記一般式(6)で表される構造を有する化合物の中でも、ポリ(2−スルホ−5−メトキシ−1,4−イミノフェニレン)が特に好ましい。 The conductive polymer (A) is preferably a compound having a structure represented by the following general formula (6) from the viewpoint of exhibiting high conductivity and solubility, and is represented by the following general formula (6). Among the compounds having the structure shown below, poly(2-sulfo-5-methoxy-1,4-iminophenylene) is particularly preferable.
式(6)中、R22〜R37は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基、炭素数1〜4の直鎖若しくは分岐鎖のアルコキシ基、酸性基、ヒドロキシ基、ニトロ基、又はハロゲン原子(−F、−Cl、−Br又はI)を表す。また、R22〜R37のうち少なくとも1つは酸性基又はその塩である。また、nは重合度を示す。本発明においては、nは5〜2500の整数であることが好ましい。 In formula (6), R 22 to R 37 are each independently a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, It represents an acidic group, a hydroxy group, a nitro group, or a halogen atom (-F, -Cl, -Br or I). Moreover, at least one of R 22 to R 37 is an acidic group or a salt thereof. Further, n represents the degree of polymerization. In the present invention, n is preferably an integer of 5 to 2500.
導電性ポリマー(A)に含有される酸性基は、導電性向上の観点から少なくともその一部が遊離酸型であることが望ましい。 It is desirable that at least a part of the acidic group contained in the conductive polymer (A) is a free acid type from the viewpoint of improving conductivity.
導電性ポリマー(A)の質量平均分子量は、GPCのポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算で、導電性、溶解性及び成膜性の観点から、1000〜100万が好ましく、1500〜80万がより好ましく、2000〜50万がさらに好ましく、2000〜10万が特に好ましい。導電性ポリマー(A)の質量平均分子量が1000未満の場合、溶解性には優れるものの、導電性及び成膜性が不足する場合がある。一方、質量平均分子量が100万を超える場合、導電性には優れるものの、溶解性が不充分な場合がある。
ここで、「成膜性」とは、ハジキ等が無い均一な膜となる性質のことを指し、ガラス上へのスピンコート等の方法で評価することができる。
The mass average molecular weight of the conductive polymer (A) is preferably 1000 to 1,000,000, more preferably 1500 to 800,000, and more preferably 2000 in terms of conductivity, solubility and film-forming property in terms of sodium polystyrene sulfonate of GPC. ˜500,000 is more preferable, and 2,000 to 100,000 is particularly preferable. When the mass average molecular weight of the conductive polymer (A) is less than 1000, the solubility is excellent, but the conductivity and the film forming property may be insufficient. On the other hand, when the mass average molecular weight exceeds 1,000,000, the conductivity may be excellent, but the solubility may be insufficient.
Here, the "film forming property" refers to the property of forming a uniform film without cissing and the like, and can be evaluated by a method such as spin coating on glass.
導電性ポリマー(A)中の分子量が100以下の酸性物質(a)の含有量は、導電性ポリマー(A)の総質量に対して10000質量ppm以下である。酸性物質(a)の含有量が10000質量ppm以下であれば、導電性ポリマー(A)を含む導電性組成物をレジスト層の表面に塗布して導電膜を形成したときに、導電膜からレジスト層への酸性物質(a)の移行が軽減され、レジスト層の膜減りを抑制できる。酸性物質(a)の含有量は、導電性ポリマー(A)の総質量に対して、8000質量ppm以下が好ましく、5000質量ppm以下がより好ましく、1000質量ppm以下がさらに好ましく、700質量ppm以下が特に好ましい。
導電性ポリマー(A)中の酸性物質(a)の含有量は少ないほど好ましく、下限値は導電性ポリマー(A)の総質量に対して0質量ppmが好ましい。
The content of the acidic substance (a) having a molecular weight of 100 or less in the conductive polymer (A) is 10,000 mass ppm or less based on the total mass of the conductive polymer (A). When the content of the acidic substance (a) is 10000 ppm by mass or less, when the conductive composition containing the conductive polymer (A) is applied to the surface of the resist layer to form a conductive film, the conductive film is removed from the resist. The migration of the acidic substance (a) to the layer is reduced, and the film loss of the resist layer can be suppressed. The content of the acidic substance (a) is preferably 8000 mass ppm or less, more preferably 5000 mass ppm or less, further preferably 1000 mass ppm or less, and 700 mass ppm or less with respect to the total mass of the conductive polymer (A). Is particularly preferable.
The smaller the content of the acidic substance (a) in the conductive polymer (A), the better, and the lower limit value is preferably 0 mass ppm with respect to the total mass of the conductive polymer (A).
酸性物質(a)の含有量は、イオンクロマトグラフィーにより測定できる。具体的には、以下のようにして測定できる。
まず、水に炭酸ナトリウムを固形分濃度が1.8mmol/Lになるように添加して、炭酸ナトリウム水溶液を調製する。同様に、水に炭酸水素ナトリウムを固形分濃度が1.7mmol/Lになるように添加して、炭酸水素ナトリウム水溶液を調製する。得られた炭酸ナトリウム水溶液と、炭酸水素ナトリウム水溶液とを質量比1:1の割合で混合して溶離液を得る。得られた溶離液に導電性ポリマー(A)を加えて溶解させ、試験溶液を調製する。このとき、試験溶液中の酸性物質(a)の濃度が濃すぎても薄すぎても正確な定量値が得られにくくなるため、適切な濃度(例えば10〜50000質量ppm程度)になるように、導電性ポリマー(A)を予め水に溶解しておき、これを溶離液に加えて試験溶液を調製する。
得られた試験溶液について、イオンクロマトグラフを用いて酸性物質(a)の濃度を測定し、クロマトグラムを得る。このクロマトグラム上の酸性物質(a)に相当するピークの面積または高さを読み取り、予め作成しておいた検量線から、導電性ポリマー(A)中の酸性物質(a)の含有量を求める。
The content of the acidic substance (a) can be measured by ion chromatography. Specifically, it can be measured as follows.
First, sodium carbonate is added to water so that the solid content concentration is 1.8 mmol/L to prepare an aqueous sodium carbonate solution. Similarly, sodium hydrogencarbonate is added to water so that the solid content concentration becomes 1.7 mmol/L to prepare an aqueous sodium hydrogencarbonate solution. The obtained sodium carbonate aqueous solution and the sodium hydrogen carbonate aqueous solution are mixed at a mass ratio of 1:1 to obtain an eluent. A conductive polymer (A) is added to and dissolved in the obtained eluent to prepare a test solution. At this time, it is difficult to obtain an accurate quantitative value when the concentration of the acidic substance (a) in the test solution is too high or too low, so that an appropriate concentration (for example, about 10 to 50000 mass ppm) should be obtained. The conductive polymer (A) is dissolved in water in advance, and this is added to the eluent to prepare a test solution.
With respect to the obtained test solution, the concentration of the acidic substance (a) is measured using an ion chromatograph to obtain a chromatogram. The area or height of the peak corresponding to the acidic substance (a) on this chromatogram is read, and the content of the acidic substance (a) in the conductive polymer (A) is obtained from the calibration curve prepared in advance. ..
導電性ポリマー(A)中の酸性物質(a)の含有量を10000質量ppm以下にするためには、例えば以下に示す重合工程と精製工程とを行い、導電性ポリマー(A)を製造すればよい。
以下に、導電性ポリマー(A)の製造方法の一例について説明する。
In order to make the content of the acidic substance (a) in the conductive polymer (A) 10000 mass ppm or less, for example, the following polymerization step and purification step may be performed to produce the conductive polymer (A). Good.
Below, an example of the manufacturing method of electroconductive polymer (A) is demonstrated.
<導電性ポリマー(A)の製造方法>
本実施形態の導電性ポリマー(A)の製造方法は、重合溶媒及び酸化剤の存在下、導電性ポリマー(A)の原料モノマーを重合する工程(重合工程)と、重合工程で得られた反応生成物を精製する工程(精製工程)とを含む。
<Method for producing conductive polymer (A)>
The method for producing the conductive polymer (A) of the present embodiment includes a step of polymerizing a raw material monomer of the conductive polymer (A) in the presence of a polymerization solvent and an oxidizing agent (polymerization step), and a reaction obtained in the polymerization step. And a step of purifying the product (purification step).
(重合工程)
重合工程は、重合溶媒及び酸化剤の存在下、導電性ポリマー(A)の原料モノマーを重合する工程である。
原料モノマーの具体例としては、上述したモノマーユニットの由来となる重合性単量体が挙げられ、具体的には酸性基置換アニリン、そのアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモニウム塩及び置換アンモニウム塩からなる群より選ばれる少なくとも1種が挙げられる。
酸性基置換アニリンとしては、例えば酸性基としてスルホン酸基を有するスルホン酸基置換アニリンが挙げられる。
スルホン基置換アニリンとして代表的なものは、アミノベンゼンスルホン酸類であり、具体的にはo−,m−,p−アミノベンゼンスルホン酸、アニリン−2,6−ジスルホン酸、アニリン−2,5−ジスルホン酸、アニリン−3,5−ジスルホン酸、アニリン−2,4−ジスルホン酸、アニリン−3,4−ジスルホン酸などが好ましく用いられる。
(Polymerization process)
The polymerization step is a step of polymerizing the raw material monomer of the conductive polymer (A) in the presence of a polymerization solvent and an oxidizing agent.
Specific examples of the raw material monomer include a polymerizable monomer from which the above-mentioned monomer unit is derived, and specifically, acidic group-substituted aniline, its alkali metal salt, alkaline earth metal salt, ammonium salt and substituted ammonium. At least one selected from the group consisting of salts can be mentioned.
Examples of the acidic group-substituted aniline include sulfonic acid group-substituted aniline having a sulfonic acid group as an acidic group.
Typical examples of the sulfo group-substituted aniline are aminobenzenesulfonic acids, specifically, o-, m-, p-aminobenzenesulfonic acid, aniline-2,6-disulfonic acid, aniline-2,5-. Disulfonic acid, aniline-3,5-disulfonic acid, aniline-2,4-disulfonic acid, aniline-3,4-disulfonic acid and the like are preferably used.
アミノベンゼンスルホン酸類以外のスルホン基置換アニリンとしては、例えばメチルアミノベンゼンスルホン酸、エチルアミノベンゼンスルホン酸、n−プロピルアミノベンゼンスルホン酸、iso−プロピルアミノベンゼンスルホン酸、n−ブチルアミノベンゼンスルホン酸、sec−ブチルアミノベンゼンスルホン酸、t−ブチルアミノベンゼンスルホン酸等のアルキル基置換アミノベンゼンスルホン酸類;メトキシアミノベンゼンスルホン酸、エトキシアミノベンゼンスルホン酸、プロポキシアミノベンゼンスルホン酸等のアルコキシ基置換アミノベンゼンスルホン酸類;ヒドロキシ基置換アミノベンゼンスルホン酸類;ニトロ基置換アミノベンゼンスルホン酸類;フルオロアミノベンゼンスルホン酸、クロロアミノベンゼンスルホン酸、ブロムアミノベンゼンスルホン酸等のハロゲン置換アミノベンゼンスルホン酸類などを挙げることができる。
これらの中では、導電性や溶解性に特に優れる導電性ポリマー(A)が得られる点で、アルキル基置換アミノベンゼンスルホン酸類、アルコキシ基置換アミノベンゼンスルホン酸類、ヒドロキシ基置換アミノベンゼンスルホン酸類、又はハロゲン置換アミノベンゼンスルホン酸類が好ましく、製造が容易な点で、アルコキシ基置換アミノベンゼンスルホン酸類、そのアルカリ金属塩、アンモニウム塩及び置換アンモニウム塩が特に好ましい。
これらのスルホン酸基置換アニリンは、いずれか1種を単独で用いてもよいし、2種以上を任意の割合で混合して用いてもよい。
Examples of sulfone group-substituted anilines other than aminobenzenesulfonic acids include methylaminobenzenesulfonic acid, ethylaminobenzenesulfonic acid, n-propylaminobenzenesulfonic acid, iso-propylaminobenzenesulfonic acid, n-butylaminobenzenesulfonic acid, Alkyl group-substituted aminobenzene sulfonic acids such as sec-butylaminobenzenesulfonic acid and t-butylaminobenzenesulfonic acid; Alkoxy group-substituted aminobenzene sulfones such as methoxyaminobenzenesulfonic acid, ethoxyaminobenzenesulfonic acid and propoxyaminobenzenesulfonic acid Acids; hydroxy group-substituted aminobenzene sulfonic acids; nitro group-substituted aminobenzene sulfonic acids; halogen-substituted aminobenzene sulfonic acids such as fluoroaminobenzene sulfonic acid, chloroaminobenzene sulfonic acid and bromoaminobenzene sulfonic acid.
Among these, alkyl group-substituted aminobenzene sulfonic acids, alkoxy group-substituted aminobenzene sulfonic acids, hydroxy group-substituted aminobenzene sulfonic acids, or a conductive polymer (A) having particularly excellent conductivity and solubility is obtained. Halogen-substituted aminobenzene sulfonic acids are preferable, and alkoxy group-substituted aminobenzene sulfonic acids, their alkali metal salts, ammonium salts and substituted ammonium salts are particularly preferable in terms of easy production.
Any one of these sulfonic acid group-substituted anilines may be used alone, or two or more thereof may be mixed and used at an arbitrary ratio.
重合溶媒としては、水、有機溶媒、水と有機溶媒との混合溶媒などが挙げられる。有機溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、プロピルアルコール、ブタノール等のアルコール類;アセトン、エチルイソブチルケトン等のケトン類;エチレングリコール、エチレングリコールメチルエーテル等のエチレングリコール類;プロピレングリコール、プロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールエチルエーテル、プロピレングリコールブチルエーテル、プロピレングリコールプロピルエーテル等のプロピレングリコール類;N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド類;N−メチルピロリドン、N−エチルピロリドン等のピロリドン類などが挙げられる。
重合溶媒としては、水、又は水と有機溶媒との混合溶媒が好ましい。
Examples of the polymerization solvent include water, an organic solvent, a mixed solvent of water and an organic solvent, and the like. Examples of the organic solvent include alcohols such as methanol, ethanol, isopropyl alcohol, propyl alcohol, butanol; ketones such as acetone and ethyl isobutyl ketone; ethylene glycols such as ethylene glycol and ethylene glycol methyl ether; propylene glycol and propylene glycol. Propylene glycols such as methyl ether, propylene glycol ethyl ether, propylene glycol butyl ether, propylene glycol propyl ether; amides such as N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide; N-methylpyrrolidone, N-ethylpyrrolidone, etc. And pyrrolidones of
As the polymerization solvent, water or a mixed solvent of water and an organic solvent is preferable.
酸化剤としては、標準電極電位が0.6V以上である酸化剤であれば限定はないが、例えばペルオキソ二硫酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸ナトリウム、ペルオキソ二硫酸カリウム等のペルオキソ二硫酸類;過酸化水素などが挙げられる。
これらの酸化剤は、いずれか1種を単独で用いてもよいし、2種以上を任意の割合で混合して用いてもよい。
The oxidizing agent is not limited as long as it has a standard electrode potential of 0.6 V or more. For example, peroxodisulfates such as peroxodisulfate, ammonium peroxodisulfate, sodium peroxodisulfate, and potassium peroxodisulfate; Examples include hydrogen peroxide.
Any one of these oxidizing agents may be used alone, or two or more thereof may be mixed and used at an arbitrary ratio.
重合工程は、重合溶媒及び酸化剤に加えて、塩基性反応助剤の存在下で原料モノマーを重合してもよい。
塩基性反応助剤としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム等の無機塩基;アンモニア;メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、エチルメチルアミン、エチルジメチルアミン、ジエチルメチルアミン等の脂式アミン類;環式飽和アミン類;ピリジン、α−ピコリン、β−ピコリン、γ−ピコリン、キノリン等の環式不飽和アミン類などが挙げられる。
これらの中では、無機塩基、脂式アミン類、環式不飽和アミン類が好ましく、環式不飽和アミン類がより好ましい。
これらの塩基性反応助剤は、いずれか1種を単独で用いてもよいし、2種以上を任意の割合で混合して用いてもよい。
In the polymerization step, the raw material monomer may be polymerized in the presence of a basic reaction aid in addition to the polymerization solvent and the oxidizing agent.
Examples of the basic reaction aid include inorganic bases such as sodium hydroxide, potassium hydroxide and lithium hydroxide; ammonia; methylamine, dimethylamine, trimethylamine, ethylamine, diethylamine, triethylamine, ethylmethylamine, ethyldimethylamine, diethyl. Aliphatic amines such as methylamine; cyclic saturated amines; cyclic unsaturated amines such as pyridine, α-picoline, β-picoline, γ-picoline, and quinoline.
Among these, inorganic bases, aliphatic amines and cyclic unsaturated amines are preferable, and cyclic unsaturated amines are more preferable.
Any one of these basic reaction aids may be used alone, or two or more thereof may be mixed and used at an arbitrary ratio.
重合の方法としては、例えば、酸化剤溶液中に原料モノマー溶液を滴下する方法、原料モノマー溶液に酸化剤溶液を滴下する方法、反応容器等に原料モノマー溶液と、酸化剤溶液を同時に滴下する方法などが挙げられる。原料モノマー溶液には、必要に応じて塩基性反応助剤が含まれていてもよい。
酸化剤溶液及び原料モノマー溶液の溶媒としては、上述した重合溶媒を用いることができる。
Examples of the polymerization method include, for example, a method of dropping the raw material monomer solution into the oxidizing agent solution, a method of dropping the oxidizing agent solution into the raw material monomer solution, and a method of dropping the raw material monomer solution and the oxidizing agent solution into the reaction vessel at the same time. And so on. The raw material monomer solution may contain a basic reaction aid, if necessary.
As the solvent of the oxidant solution and the raw material monomer solution, the above-mentioned polymerization solvent can be used.
重合反応の反応温度は、50℃以下が好ましく、−15〜30℃がより好ましく、−10〜20℃がさらに好ましい。重合反応の反応温度が50℃以下、特に30℃以下であれば、副反応の進行や、生成する導電性ポリマー(A)の主鎖の酸化還元構造の変化による導電性の低下を抑止できる。重合反応の反応温度が−15℃以上であれば、十分な反応速度を維持し、反応時間を短縮できる。 The reaction temperature of the polymerization reaction is preferably 50°C or lower, more preferably -15 to 30°C, still more preferably -10 to 20°C. When the reaction temperature of the polymerization reaction is 50° C. or lower, particularly 30° C. or lower, it is possible to suppress the progress of side reactions and the decrease in conductivity due to the change in the redox structure of the main chain of the conductive polymer (A) produced. When the reaction temperature of the polymerization reaction is −15° C. or higher, a sufficient reaction rate can be maintained and the reaction time can be shortened.
重合工程により、反応生成物である導電性ポリマー(A)が重合溶媒に溶解または沈殿した状態で得られる。
反応生成物が重合溶媒に溶解している場合は、重合溶媒を留去して反応生成物を得る。
反応生成物が重合溶媒に沈殿している場合は、遠心分離器等の濾過器により重合溶媒を濾別して反応生成物を得る。
By the polymerization step, the conductive polymer (A) as a reaction product is obtained in a state of being dissolved or precipitated in the polymerization solvent.
When the reaction product is dissolved in the polymerization solvent, the polymerization solvent is distilled off to obtain the reaction product.
When the reaction product is precipitated in the polymerization solvent, the polymerization solvent is filtered off with a filter such as a centrifugal separator to obtain the reaction product.
反応生成物には、未反応の原料モノマー、副反応の併発に伴うオリゴマー、酸性物質(a)、塩基性物質(塩基性反応助剤や、酸化剤の分解物であるアンモニウムイオンなど)等の低分子量成分が含まれている場合がある。これら低分子量成分は不純物であり、導電性を阻害する要因となる。特に、酸性物質(a)はレジスト層の膜減りの要因にもなる。
そのため、重合工程の後、反応生成物を精製して、導電性ポリマー(A)を得る。
The reaction products include unreacted raw material monomers, oligomers accompanying side reactions, acidic substances (a), basic substances (basic reaction aids, ammonium ions which are decomposition products of oxidizing agents, etc.) It may contain low molecular weight components. These low molecular weight components are impurities and become a factor that hinders conductivity. In particular, the acidic substance (a) also causes a reduction in the film thickness of the resist layer.
Therefore, after the polymerization step, the reaction product is purified to obtain the conductive polymer (A).
(精製工程)
精製工程は、重合工程で得られた反応生成物を精製する工程である。
反応生成物を精製する方法としては、洗浄溶媒を用いた洗浄法、膜濾過法、イオン交換法、加熱処理による不純物の除去、中和析出などあらゆる方法を用いることができる。これらの中でも、純度の高い導電性ポリマー(A)を容易に得ることができる観点から、洗浄法、イオン交換法が有効である。その中でも特に、原料モノマー、オリゴマー、酸性物質(a)を効率よく除去できる観点から、洗浄法が好ましい。また、洗浄法とイオン交換法とを組み合わせて用いてもよい。
(Purification process)
The purification step is a step of purifying the reaction product obtained in the polymerization step.
As a method for purifying the reaction product, any method such as a washing method using a washing solvent, a membrane filtration method, an ion exchange method, removal of impurities by heat treatment, and neutralization precipitation can be used. Among these, the washing method and the ion exchange method are effective from the viewpoint that the conductive polymer (A) having high purity can be easily obtained. Among them, the washing method is particularly preferable from the viewpoint of efficiently removing the raw material monomer, oligomer, and acidic substance (a). Further, the cleaning method and the ion exchange method may be used in combination.
洗浄法に用いる洗浄溶媒としては、低分子量成分を溶解し、導電性ポリマー(A)を溶解しにくい溶媒であれば特に制限されないが、酸性物質(a)の溶解性に優れる観点から、溶解パラメータ(SP値)が20〜40MPa1/2である洗浄溶媒(α)を用いることが好ましい。
洗浄溶媒(α)のSP値が20MPa1/2以上であれば、酸性物質(a)を充分に抽出できる。なお、酸性物質(a)の抽出効果は、SP値が高すぎても得られない。SP値が40MPa1/2以下であれば、効率よく酸性物質(a)を抽出できる。
洗浄溶媒(α)のSP値は、例えば、「ポリマーハンドブック(Polymer Handbook)」、第4版、VII−675頁〜VII−711頁に記載の方法により求めることができ、具体的には、表1(VII−683頁)、表7〜8(VII−688頁〜VII−711頁)に記載されている。
また、洗浄溶媒として混合溶媒を用いる場合のSP値は、公知の方法により求めることができる。例えば、各溶媒のSP値と体積分率との積の総和として、下記数式より求めることができる。
The washing solvent used in the washing method is not particularly limited as long as it is a solvent that dissolves the low molecular weight component and hardly dissolves the conductive polymer (A), but from the viewpoint of excellent solubility of the acidic substance (a), the dissolution parameter It is preferable to use the washing solvent (α) having a (SP value) of 20 to 40 MPa 1/2 .
When the SP value of the washing solvent (α) is 20 MPa 1/2 or more, the acidic substance (a) can be sufficiently extracted. The effect of extracting the acidic substance (a) cannot be obtained even if the SP value is too high. When the SP value is 40 MPa 1/2 or less, the acidic substance (a) can be efficiently extracted.
The SP value of the washing solvent (α) can be determined, for example, by the method described in “Polymer Handbook”, 4th edition, VII-675 to VII-711, and specifically, a table 1 (page VII-683) and Tables 7 to 8 (pages VII-688 to VII-711).
Further, the SP value when a mixed solvent is used as the washing solvent can be obtained by a known method. For example, the sum of the products of the SP value and the volume fraction of each solvent can be obtained by the following mathematical formula.
式中、SPnは各溶媒のSP値であり、Vnは各溶媒の体積量であり、Vtotalは混合した後の溶媒の全体積量である。 In the formula, SP n is the SP value of each solvent, V n is the volume of each solvent, and V total is the total volume of the solvent after mixing.
洗浄溶媒(α)としては、メタノール、エタノール、n−プロパノール、イソプロパノール、n−ブタノール、イソブタノール、2−ブタノール、3−ブタノール、t−ブタノール、1−ペンタノール、3−メチル−1−ブタノール、2−ペンタノール、n−ヘキサノール、4−メチル−2−ペンタノール、2−エチルブチノール、ベンジルアルコール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール等のアルコール類;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメトキシエタノール、プロピレングリコールモノエチルエーテル、グリセリルモノアセテート等の多価アルコール誘導体;アセトン;アセトニトリル;N,N−ジメチルホルムアミド;N−メチルピロリドン;ジメチルスルホキシドなどが挙げられる。これらの中でも、メタノール、エタノール、イソプロパノール、アセトン、アセトニトリルが効果的である。 As the washing solvent (α), methanol, ethanol, n-propanol, isopropanol, n-butanol, isobutanol, 2-butanol, 3-butanol, t-butanol, 1-pentanol, 3-methyl-1-butanol, Alcohols such as 2-pentanol, n-hexanol, 4-methyl-2-pentanol, 2-ethylbutynol, benzyl alcohol, furfuryl alcohol, tetrahydrofurfuryl alcohol; ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether. , Methoxymethoxyethanol, propylene glycol monoethyl ether, glyceryl monoacetate and other polyhydric alcohol derivatives; acetone; acetonitrile; N,N-dimethylformamide; N-methylpyrrolidone; dimethylsulfoxide and the like. Among these, methanol, ethanol, isopropanol, acetone, and acetonitrile are effective.
精製工程において洗浄法を用いる場合、導電性ポリマー(A)の総質量に対して、酸性物質(a)の含有量が10000質量ppm以下になるまで、洗浄溶媒を用いて反応生成物を洗浄する。反応生成物の洗浄は、酸性物質(a)の含有量が導電性ポリマー(A)の総質量に対して、好ましくは8000質量ppm以下、より好ましくは5000質量ppm以下、さらに好ましくは1000質量ppm以下、特に好ましくは700質量ppm以下になるまで行う。 When a washing method is used in the purification step, the reaction product is washed with a washing solvent until the content of the acidic substance (a) becomes 10,000 mass ppm or less based on the total mass of the conductive polymer (A). . For washing the reaction product, the content of the acidic substance (a) is preferably 8000 mass ppm or less, more preferably 5000 mass ppm or less, and further preferably 1000 mass ppm with respect to the total mass of the conductive polymer (A). Hereafter, it is particularly preferable to carry out until the amount becomes 700 mass ppm or less.
洗浄後の反応生成物、すなわち洗浄後の導電性ポリマー(A)を乾燥すれば、原料モノマー、オリゴマー、酸性物質(a)が充分に除去された固体状の導電性ポリマー(A)が得られる。
なお、洗浄後の導電性ポリマー(A)を必要に応じてイオン交換法によりさらに精製してもよい。イオン交換法を用いることにより、導電性ポリマー(A)の酸性基と塩を形成した状態で存在する塩基性物質などを効果的に除去できる。
イオン交換法としては、陽イオン交換樹脂や陰イオン交換樹脂等のイオン交換樹脂を用いたカラム式、バッチ式の処理;電気透析法などが挙げられる。
なお、イオン交換法で反応生成物を精製する場合は、反応生成物を所望の固形分濃度になるように水性媒体に溶解させ、ポリマー溶液としてからイオン交換樹脂に接触させることが好ましい。
水性媒体としては、後述する溶剤(B)と同様のものが挙げられる。
ポリマー溶液中の導電性ポリマー(A)の濃度としては、工業性や精製効率の観点から、0.1〜20質量%が好ましく、0.1〜10質量%がより好ましい。
The reaction product after washing, that is, the conductive polymer (A) after washing is dried to obtain a solid conductive polymer (A) in which raw material monomers, oligomers and acidic substances (a) are sufficiently removed. ..
The conductive polymer (A) after washing may be further purified by an ion exchange method, if necessary. By using the ion exchange method, it is possible to effectively remove the basic substance and the like existing in a state of forming a salt with the acidic group of the conductive polymer (A).
Examples of the ion exchange method include column type and batch type treatments using an ion exchange resin such as a cation exchange resin and an anion exchange resin; and an electrodialysis method.
When the reaction product is purified by the ion exchange method, it is preferable that the reaction product is dissolved in an aqueous medium so as to have a desired solid content concentration, and as a polymer solution, contacted with the ion exchange resin.
Examples of the aqueous medium include the same as the solvent (B) described later.
The concentration of the conductive polymer (A) in the polymer solution is preferably 0.1 to 20% by mass, and more preferably 0.1 to 10% by mass from the viewpoint of industrial property and purification efficiency.
イオン交換樹脂を用いたイオン交換法の場合、イオン交換樹脂に対する試料液の量は、例えば固形分濃度5質量%のポリマー溶液の場合、イオン交換樹脂に対して10倍の容積までが好ましく、5倍の容積までがより好ましい。陽イオン交換樹脂としては、例えばオルガノ株式会社製の「アンバーライトIR−120B」などが挙げられる。陰イオン交換樹脂としては、例えばオルガノ株式会社製の「アンバーライトIRA410」などが挙げられる。 In the case of the ion exchange method using the ion exchange resin, the amount of the sample solution with respect to the ion exchange resin is preferably 10 times the volume of the ion exchange resin in the case of a polymer solution having a solid content concentration of 5% by mass. More preferably, the volume is doubled. Examples of the cation exchange resin include "Amberlite IR-120B" manufactured by Organo Corporation. Examples of the anion exchange resin include "Amberlite IRA410" manufactured by Organo Corporation.
イオン交換処理後の導電性ポリマー(A)は、水性媒体に溶解した状態である。従って、エバポレータなどで水性媒体を全て除去すれば固体状の導電性ポリマー(A)が得られるが、導電性ポリマー(A)は水性媒体に溶解した状態のまま導電性組成物の製造に用いてもよい。 The conductive polymer (A) after the ion exchange treatment is in a state of being dissolved in an aqueous medium. Therefore, the solid conductive polymer (A) can be obtained by removing all the aqueous medium with an evaporator or the like, but the conductive polymer (A) is used in the production of the conductive composition in a state of being dissolved in the aqueous medium. Good.
<作用効果>
上述したように、レジスト層の上に導電膜を形成した際に、低分子量の酸性物質などが導電膜からレジスト層側へ移行すると、現像時に未露光部のレジスト層が溶解してしまい、レジスト層の膜減りなどが起こることがある。
しかし、本発明の導電性ポリマー(A)であれば、分子量が100以下の酸性物質の含有量が充分に低減されているので、酸性物質がレジスト層へ移行しにくい導電膜を形成できる。
よって、特に化学増幅型レジストを用いた荷電粒子線によるパターン形成法においては、酸性物質などの導電膜からレジスト層側への移行が抑制され、レジスト層の膜減り等の影響を抑制できる。
<Effect>
As described above, when a low molecular weight acidic substance migrates from the conductive film to the resist layer side when the conductive film is formed on the resist layer, the resist layer in the unexposed portion is dissolved during development, and the resist A layer loss may occur.
However, with the conductive polymer (A) of the present invention, since the content of the acidic substance having a molecular weight of 100 or less is sufficiently reduced, it is possible to form a conductive film in which the acidic substance does not easily migrate to the resist layer.
Therefore, particularly in the pattern formation method using a charged particle beam using a chemically amplified resist, the migration of an acidic substance or the like from the conductive film to the resist layer side is suppressed, and the influence of the resist layer thickness reduction or the like can be suppressed.
[導電性組成物]
本発明の導電性組成物は、上述した本発明の導電性ポリマー(A)と、溶剤(B)とを含む。導電性組成物は、必要に応じて塩基性化合物(C)、界面活性剤(D)などを含んでいてもよい。
[Conductive composition]
The conductive composition of the present invention contains the above-mentioned conductive polymer (A) of the present invention and a solvent (B). The conductive composition may contain a basic compound (C), a surfactant (D) and the like, if necessary.
<導電性ポリマー(A)>
導電性ポリマー(A)は、上述した本発明の導電性ポリマー(A)であり、その説明を省略する。
導電性ポリマー(A)の含有量は、導電性組成物の総質量に対して、0.1〜5質量%が好ましく、0.2〜3質量%がより好ましく、0.5〜2質量%がさらに好ましい。
また、導電性ポリマー(A)の含有量は、導電性組成物の固形分の総質量に対して、50〜100質量%が好ましく、80〜100質量%がより好ましく、95〜100質量%がさらに好ましい。なお、導電性組成物の固形分は、導電性組成物から溶剤(B)を除いた残分である。
導電性ポリマー(A)の含有量が上記範囲内であれば、導電性組成物の塗布性と、導電性組成物より形成される塗膜の導電性のバランスにより優れる。
<Conductive polymer (A)>
The conductive polymer (A) is the above-mentioned conductive polymer (A) of the present invention, and the description thereof is omitted.
The content of the conductive polymer (A) is preferably 0.1 to 5% by mass, more preferably 0.2 to 3% by mass, and 0.5 to 2% by mass with respect to the total mass of the conductive composition. Is more preferable.
In addition, the content of the conductive polymer (A) is preferably 50 to 100% by mass, more preferably 80 to 100% by mass, and 95 to 100% by mass based on the total mass of the solid content of the conductive composition. More preferable. The solid content of the conductive composition is the residue obtained by removing the solvent (B) from the conductive composition.
When the content of the conductive polymer (A) is within the above range, the coatability of the conductive composition and the conductivity of the coating film formed from the conductive composition are excellent.
<溶剤(B)>
溶剤(B)としては、導電性ポリマー(A)と、後述の塩基性化合物(C)及び界面活性剤(D)を溶解することができる溶剤であれば、本発明の効果を有する限り特に限定はされないが、水、有機溶剤、水と有機溶剤との混合溶剤が挙げられる。
水としては、水道水、イオン交換水、純水、蒸留水などが挙げられる。
有機溶剤としては、導電性ポリマー(A)の製造方法の説明において先に例示した重合溶媒のうちの有機溶媒が挙げられる。
溶剤(B)として、水と有機溶剤との混合溶剤を用いる場合、これらの質量比(水/有機溶剤)は1/100〜100/1であることが好ましく、2/100〜100/2であることがより好ましい。
<Solvent (B)>
The solvent (B) is not particularly limited as long as it has the effect of the present invention, as long as it is a solvent capable of dissolving the conductive polymer (A), the basic compound (C) and the surfactant (D) described below. Although not removed, water, an organic solvent, or a mixed solvent of water and an organic solvent can be used.
Examples of water include tap water, ion-exchanged water, pure water, distilled water and the like.
Examples of the organic solvent include organic solvents among the polymerization solvents exemplified above in the description of the method for producing the conductive polymer (A).
When a mixed solvent of water and an organic solvent is used as the solvent (B), their mass ratio (water/organic solvent) is preferably 1/100 to 100/1, and is 2/100 to 100/2. More preferably.
溶剤(B)は、レジスト層の膜減りをより抑制できる観点から、酸性物質(a)を実質的に含まないことが好ましい。
ここで、「実質的に含まない」とは、溶剤(B)の総質量に対して酸性物質(a)の含有量が100質量ppb以下であることを意味する。
It is preferable that the solvent (B) does not substantially contain the acidic substance (a) from the viewpoint of further suppressing the film loss of the resist layer.
Here, “not substantially containing” means that the content of the acidic substance (a) is 100 mass ppb or less with respect to the total mass of the solvent (B).
溶剤(B)の含有量は、導電性組成物の総質量に対して、1〜99.9質量%が好ましく、10〜98質量%がより好ましく、50〜98質量%がさらに好ましい。溶剤(B)の含有量が上記範囲内であれば、塗布性がより向上する。
なお、導電性ポリマー(A)を、精製などして水性媒体に溶解した状態(以下、この状態の導電性ポリマー(A)を「導電性ポリマー溶液」ともいう。)で用いる場合、導電性ポリマー溶液由来の水性媒体も導電性組成物中の溶剤(B)の含有量に含まれる。
The content of the solvent (B) is preferably 1 to 99.9% by mass, more preferably 10 to 98% by mass, and further preferably 50 to 98% by mass, based on the total mass of the conductive composition. When the content of the solvent (B) is within the above range, the coatability is further improved.
When the conductive polymer (A) is used in a state of being dissolved in an aqueous medium by purification or the like (hereinafter, the conductive polymer (A) in this state is also referred to as “conductive polymer solution”), the conductive polymer is used. The aqueous medium derived from the solution is also included in the content of the solvent (B) in the conductive composition.
<塩基性化合物(C)>
導電性組成物は、塩基性化合物(C)を含んでいてもよい。
導電性組成物が塩基性化合物(C)を含んでいれば、導電性ポリマー(A)の安定性を高めることが可能になると考えられる。
<Basic compound (C)>
The conductive composition may contain a basic compound (C).
It is considered that if the conductive composition contains the basic compound (C), the stability of the conductive polymer (A) can be increased.
塩基性化合物(C)としては、塩基性を有する化合物であれば特に限定されないが、例えば、下記の4級アンモニウム塩(c−1)、塩基性化合物(c−2)、塩基性化合物(c−3)などが挙げられる。
第4級アンモニウム塩(c−1):窒素原子に結合する4つの置換基のうちの少なくとも1つが炭素数3以上の炭化水素基である第4級アンモニウム化合物。
塩基性化合物(c−2):1つ以上の窒素原子を有する塩基性化合物(ただし、第4級アンモニウム塩(c−1)及び塩基性化合物(c−3)を除く。)。
塩基性化合物(c−3):同一分子内に塩基性基と2つ以上のヒドロキシ基とを有し、かつ30℃以上の融点を有する塩基性化合物。
The basic compound (C) is not particularly limited as long as it is a basic compound, but for example, the following quaternary ammonium salt (c-1), basic compound (c-2), basic compound (c -3) and the like.
Quaternary ammonium salt (c-1): A quaternary ammonium compound in which at least one of the four substituents bonded to the nitrogen atom is a hydrocarbon group having 3 or more carbon atoms.
Basic compound (c-2): A basic compound having one or more nitrogen atoms (provided that the quaternary ammonium salt (c-1) and the basic compound (c-3) are excluded).
Basic compound (c-3): a basic compound having a basic group and two or more hydroxy groups in the same molecule and having a melting point of 30° C. or higher.
第4級アンモニウム化合物(c−1)において、4つの置換基が結合する窒素原子は、第4級アンモニウムイオンの窒素原子である。
第4級アンモニウム化合物(c−1)において、第4級アンモニウムイオンの窒素原子に結合する炭化水素基としては、アルキル基、アラルキル基、アリール基などが挙げられる。
第4級アンモニウム化合物(c−1)としては、例えば、水酸化テトラプロピルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラペンチルアンモニウム、水酸化テトラヘキシルアンモニウム、水酸化ベンジルトリメチルアンモニウムなどが挙げられる。
In the quaternary ammonium compound (c-1), the nitrogen atom to which the four substituents are bonded is the nitrogen atom of the quaternary ammonium ion.
In the quaternary ammonium compound (c-1), examples of the hydrocarbon group bonded to the nitrogen atom of the quaternary ammonium ion include an alkyl group, an aralkyl group and an aryl group.
Examples of the quaternary ammonium compound (c-1) include tetrapropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, tetrapentylammonium hydroxide, tetrahexylammonium hydroxide, benzyltrimethylammonium hydroxide and the like.
塩基性化合物(c−2)としては、例えば、アンモニア、ピリジン、トリエチルアミン、4−ジメチルアミノピリジン、4−ジメチルアミノメチルピリジン、3,4−ビス(ジメチルアミノ)ピリジン、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノネン(DBN)、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン(DBU)、及びそれらの誘導体などが挙げられる。 Examples of the basic compound (c-2) include ammonia, pyridine, triethylamine, 4-dimethylaminopyridine, 4-dimethylaminomethylpyridine, 3,4-bis(dimethylamino)pyridine and 1,5-diazabicyclo[4]. .3.0]-5-nonene (DBN), 1,8-diazabicyclo[5.4.0]-7-undecene (DBU), and derivatives thereof.
塩基性化合物(c−3)において、塩基性基としては、例えば、アレニウス塩基、ブレンステッド塩基、ルイス塩基等で定義される塩基性基が挙げられる。具体的には、アンモニア等が挙げられる。ヒドロキシ基は、−OHの状態であってもよいし、保護基で保護された状態であってもよい。保護基としては、例えば、アセチル基;トリメチルシリル基、t−ブチルジメチルシリル基等のシリル基;メトキシメチル基、エトキシメチル基、メトキシエトキシメチル基等のアセタール型保護基;ベンゾイル基;アルコキシド基などが挙げられる。
塩基性化合物(c−3)としては、2−アミノ−1,3−プロパンジオール、トリス(ヒドロキシメチル)アミノメタン、2−アミノ−2−メチル−1,3−プロパンジオール、2−アミノ−2−エチル−1,3−プロパンジオール、3−[N−トリス(ヒドロキシメチル)メチルアミノ]−2−ヒドロキシプロパンスルホン酸、N−トリス(ヒドロキシメチル)メチル−2−アミノエタンスルホン酸などが挙げられる。
In the basic compound (c-3), examples of the basic group include a basic group defined by Arrhenius base, Bronsted base, Lewis base and the like. Specific examples include ammonia. The hydroxy group may be in the form of -OH or may be protected by a protecting group. Examples of the protecting group include an acetyl group; a silyl group such as a trimethylsilyl group and a t-butyldimethylsilyl group; an acetal-type protecting group such as a methoxymethyl group, an ethoxymethyl group, and a methoxyethoxymethyl group; a benzoyl group; an alkoxide group. Can be mentioned.
Examples of the basic compound (c-3) include 2-amino-1,3-propanediol, tris(hydroxymethyl)aminomethane, 2-amino-2-methyl-1,3-propanediol, 2-amino-2. -Ethyl-1,3-propanediol, 3-[N-tris(hydroxymethyl)methylamino]-2-hydroxypropanesulfonic acid, N-tris(hydroxymethyl)methyl-2-aminoethanesulfonic acid and the like can be mentioned. ..
これらの塩基性化合物は、いずれか1種を単独で用いてもよいし、2種以上を任意の割合で混合して用いてもよい。
これらの中でも、導電性ポリマー(A)の酸性基と塩を形成しやすい点から、第4級アンモニウム塩(c−1)及び塩基性化合物(c−2)からなる群から選ばれる少なくとも1種を含むことが好ましい。
Any one of these basic compounds may be used alone, or two or more thereof may be mixed and used at an arbitrary ratio.
Among these, at least one selected from the group consisting of a quaternary ammonium salt (c-1) and a basic compound (c-2) from the viewpoint of easily forming a salt with the acidic group of the conductive polymer (A). It is preferable to include.
塩基性化合物(C)の含有量は、導電性組成物の塗布性がより向上する観点から、導電性ポリマー(A)を構成する単位のうち、酸性基を有する単位1molに対して、0.1〜1mol当量が好ましく、0.1〜0.9mol当量がより好ましい。さらに、導電膜としての性能の保持性に優れ、導電性ポリマー(A)中の酸性基をより安定にできる観点から、0.25〜0.85mol当量が特に好ましい。 The content of the basic compound (C) is from 0. 0 to 1 mol of the unit having an acidic group among the units constituting the conductive polymer (A) from the viewpoint of further improving the coating property of the conductive composition. 1-1 mol equivalent is preferable, and 0.1-0.9 mol equivalent is more preferable. Further, 0.25 to 0.85 mol equivalent is particularly preferable, from the viewpoint of excellent retention of performance as a conductive film and making the acidic group in the conductive polymer (A) more stable.
<界面活性剤(D)>
導電性組成物は、界面活性剤(D)を含んでいてもよい。
導電性組成物が界面活性剤(D)を含んでいれば、導電性組成物を基材やレジスト層の表面に塗布する際の塗布性が向上する。
界面活性剤としては、陰イオン系界面活性剤、陽イオン系界面活性剤、両性界面活性剤、非イオン系界面活性剤などが挙げられる。これらの界面活性剤は、いずれか1種を単独で用いてもよいし、2種以上を任意の割合で混合して用いてもよい。
<Surfactant (D)>
The conductive composition may include a surfactant (D).
When the conductive composition contains the surfactant (D), the coatability when the conductive composition is applied to the surface of the substrate or the resist layer is improved.
Examples of the surfactant include anionic surfactants, cationic surfactants, amphoteric surfactants and nonionic surfactants. Any one of these surfactants may be used alone, or two or more thereof may be mixed and used at an arbitrary ratio.
陰イオン系界面活性剤としては、例えば、オクタン酸ナトリウム、デカン酸ナトリウム、ラウリン酸ナトリウム、ミリスチン酸ナトリウム、パルミチン酸ナトリウム、ステアリン酸ナトリウム、ペルフルオロノナン酸、N‐ラウロイルサルコシンナトリウム、ココイルグルタミン酸ナトリウム、アルファスルホ脂肪酸メチルエステル塩、ラウリル硫酸ナトリウム、ミリスチル硫酸ナトリウム、ラウレス硫酸ナトリウム、ポリオキシエチレンアルキルフェノールスルホン酸ナトリウム、ラウリル硫酸アンモニウム、ラウリルリン酸、ラウリルリン酸ナトリウム、ラウリルリン酸カリウムなどが挙げられる。 Examples of the anionic surfactant include sodium octanoate, sodium decanoate, sodium laurate, sodium myristate, sodium palmitate, sodium stearate, perfluorononanoic acid, sodium N-lauroylsarcosine, sodium cocoyl glutamate, and alpha. Examples thereof include sulfo fatty acid methyl ester salt, sodium lauryl sulfate, sodium myristyl sulfate, sodium laureth sulfate, sodium polyoxyethylene alkylphenol sulfonate, ammonium lauryl sulfate, lauryl phosphoric acid, sodium lauryl phosphate and potassium lauryl phosphate.
陽イオン系界面活性剤としては、例えば、塩化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、塩化テトラブチルアンモニウム、塩化ドデシルジメチルベンジルアンモニウム、塩化アルキルトリメチルアンモニウム、塩化オクチルトリメチルアンモニウム、塩化デシルトリメチルアンモニウム、塩化ドデシルトリメチルアンモニウム、塩化テトラデシルトリメチルアンモニウム、塩化セチルトリメチルアンモニウム、塩化ステアリルトリメチルアンモニウム、臭化アルキルトリメチルアンモニウム、臭化ヘキサデシルトリメチルアンモニウム、塩化ベンジルトリメチルアンモニウム、塩化ベンジルトリエチルアンモニウム、塩化ベンザルコニウム、臭化ベンザルコニウム、塩化ベンゼトニウム、塩化ジアルキルジメチルアンモニウム、塩化ジデシルジメチルアンモニウム、塩化ジステアリルジメチルアンモニウム、モノメチルアミン塩酸塩、ジメチルアミン塩酸塩、トリメチルアミン塩酸塩、塩化ブチルピリジニウム、塩化ドデシルピリジニウム、塩化セチルピリジニウム などが挙げられる。 Examples of the cationic surfactant include tetramethylammonium chloride, tetramethylammonium hydroxide, tetrabutylammonium chloride, dodecyldimethylbenzylammonium chloride, alkyltrimethylammonium chloride, octyltrimethylammonium chloride, decyltrimethylammonium chloride, dodecyl chloride. Trimethyl ammonium, tetradecyl trimethyl ammonium chloride, cetyl trimethyl ammonium chloride, stearyl trimethyl ammonium chloride, alkyl trimethyl ammonium bromide, hexadecyl trimethyl ammonium bromide, benzyl trimethyl ammonium chloride, benzyl triethyl ammonium chloride, benzalkonium chloride, benz bromide Ruconium, benzethonium chloride, dialkyldimethylammonium chloride, didecyldimethylammonium chloride, distearyldimethylammonium chloride, monomethylamine hydrochloride, dimethylamine hydrochloride, trimethylamine hydrochloride, butylpyridinium chloride, dodecylpyridinium chloride, cetylpyridinium chloride, etc. Can be mentioned.
両性界面活性剤としては、例えば、ラウリルジメチルアミノ酢酸ベタイン、ステアリルジメチルアミノ酢酸ベタイン、ドデシルアミノメチルジメチルスルホプロピルベタイン、オクタデシルアミノメチルジメチルスルホプロピルベタイン、コカミドプロピルベタイン、コカミドプロピルヒドロキシスルタイン、2−アルキル−N−カルボキシメチル−N−ヒドロキシエチルイミダゾリニウムベタイン、ラウロイルグルタミン酸ナトリウム、ラウロイルグルタミン酸カリウム、ラウロイルメチル−β−アラニン、ラウリルジメチルアミン−N−オキシド、オレイルジメチルアミンN−オキシドなどが挙げられる。 Examples of the amphoteric surfactant include lauryldimethylaminoacetic acid betaine, stearyldimethylaminoacetic acid betaine, dodecylaminomethyldimethylsulfopropylbetaine, octadecylaminomethyldimethylsulfopropylbetaine, cocamidopropylbetaine, cocamidopropylhydroxysultaine, 2 -Alkyl-N-carboxymethyl-N-hydroxyethylimidazolinium betaine, sodium lauroylglutamate, potassium lauroylglutamate, lauroylmethyl-β-alanine, lauryldimethylamine-N-oxide, oleyldimethylamine N-oxide and the like can be mentioned. .
非イオン系界面活性剤としては、例えば、ラウリン酸グリセリン、モノステアリン酸グリセリン、ソルビタン脂肪酸エステル、ショ糖脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ペンタエチレングリコールモノドデシルエーテル、オクタエチレングリコールモノドデシルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、オクチルフェノールエトキシレート、ノニルフェノールエトキシレート、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコール、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンヘキシタン脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステルポリエチレングリコール、ラウリン酸ジエタノールアミド、オレイン酸ジエタノールアミド、ステアリン酸ジエタノールアミド、オクチルグルコシド、デシルグルコシド、ラウリルグルコシド、セタノール、ステアリルアルコール、オレイルアルコールなどが挙げられる。 As the nonionic surfactant, for example, glycerin laurate, glyceryl monostearate, sorbitan fatty acid ester, sucrose fatty acid ester, polyoxyethylene alkyl ether, pentaethylene glycol monododecyl ether, octaethylene glycol monododecyl ether, poly Oxyethylene alkyl phenyl ether, octylphenol ethoxylate, nonylphenol ethoxylate, polyoxyethylene polyoxypropylene glycol, polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester, polyoxyethylene hexitane fatty acid ester, sorbitan fatty acid ester polyethylene glycol, lauric acid diethanolamide, oleic acid Examples include diethanolamide, stearic acid diethanolamide, octyl glucoside, decyl glucoside, lauryl glucoside, cetanol, stearyl alcohol, and oleyl alcohol.
非イオン系界面活性剤として、上述した以外にも、含窒素官能基及び末端疎水性基を有する水溶性ポリマーを用いてもよい。この水溶性ポリマーは従来の界面活性剤とは異なり、含窒素官能基を有する主鎖部分(親水性部分)と、末端の疎水性基部分とによって界面活性能を有し、塗布性の向上効果が高い。よって、他の界面活性剤を併用しなくても、優れた塗布性を導電性組成物に付与できる。しかも、この水溶性ポリマーは酸や塩基を含まないうえ、加水分解により副生成物が生じにくいことから、レジスト層等への悪影響が特に少ない。 As the nonionic surfactant, a water-soluble polymer having a nitrogen-containing functional group and a terminal hydrophobic group other than the above may be used. Unlike conventional surfactants, this water-soluble polymer has surface activity due to the main chain portion (hydrophilic portion) that has a nitrogen-containing functional group and the hydrophobic group portion at the end, and it has the effect of improving coatability. Is high. Therefore, excellent coating properties can be imparted to the conductive composition without using any other surfactant. In addition, since this water-soluble polymer does not contain an acid or a base and a by-product hardly occurs due to hydrolysis, the adverse effect on the resist layer and the like is particularly small.
含窒素官能基としては、溶解性の観点から、アミド基が好ましい。
末端疎水性基としては、例えばアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、一級又は二級のアルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、アリールアミノ基などが挙げられる。これらの中でも、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基が好ましい。
末端疎水性基の炭素数は、3〜100が好ましく、5〜50がより好ましく、7〜30が特に好ましい。
水溶性ポリマー中の末端疎水性基の数は特に制限されない。また、同一分子内に末端疎水性基を2つ以上有する場合、末端疎水性基は同じ種類であってもよいし、異なる種類であってもよい。
As the nitrogen-containing functional group, an amide group is preferable from the viewpoint of solubility.
Examples of the terminal hydrophobic group include an alkyl group, an aralkyl group, an aryl group, an alkoxy group, an aralkyloxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an aralkylthio group, an arylthio group, a primary or secondary alkylamino group, and an aralkylamino group. , Arylamino groups and the like. Among these, an alkylthio group, an aralkylthio group, and an arylthio group are preferable.
3-100 are preferable, as for carbon number of a terminal hydrophobic group, 5-50 are more preferable, and 7-30 are especially preferable.
The number of terminal hydrophobic groups in the water-soluble polymer is not particularly limited. Further, when two or more terminal hydrophobic groups are contained in the same molecule, the terminal hydrophobic groups may be of the same type or of different types.
水溶性ポリマーとしては、含窒素官能基を有するビニルモノマーのホモポリマー、又は含窒素官能基を有するビニルモノマーと、含窒素官能基を有さないビニルモノマー(その他のビニルモノマー)とのコポリマーを主鎖構造とし、かつ、ポリマーを構成する繰り返し単位以外の部位に疎水性基を有する化合物が好ましい。
含窒素官能基を有するビニルモノマーとしては、アクリルアミド及びその誘導体、含窒素官能基を有する複素環状モノマー等が挙げられ、その中でもアミド結合を持つものが好ましい。具体的には、アクリルアミド、N,N−ジメチルアクリルアミド、N−イソプロピルアクリルアミド、N,N−ジエチルアクリルアミド、N,N−ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、t−ブチルアクリルアミド、ジアセトンアクリルアミド、N,N’−メチレンビスアクリルアミド、N−ビニル−N−メチルアクリルアミド、N−ビニルピロリドン、N−ビニルカプロラクタム等が挙げられる。これらの中でも、溶解性の観点から、アクリルアミド、N−ビニルピロリドン、N−ビニルカプロラクタム等が特に好ましい。
その他のビニルモノマーとしては、含窒素官能基を有するビニルモノマーを共重合可能であれば特に制限されないが、例えば、スチレン、アクリル酸、酢酸ビニル、長鎖α−オレフィンなどが挙げられる。
The water-soluble polymer is mainly a homopolymer of a vinyl monomer having a nitrogen-containing functional group, or a copolymer of a vinyl monomer having a nitrogen-containing functional group and a vinyl monomer having no nitrogen-containing functional group (other vinyl monomer). A compound having a chain structure and having a hydrophobic group at a site other than the repeating units constituting the polymer is preferable.
Examples of vinyl monomers having a nitrogen-containing functional group include acrylamide and its derivatives, and heterocyclic monomers having a nitrogen-containing functional group, and among them, those having an amide bond are preferable. Specifically, acrylamide, N,N-dimethylacrylamide, N-isopropylacrylamide, N,N-diethylacrylamide, N,N-dimethylaminopropylacrylamide, t-butylacrylamide, diacetone acrylamide, N,N'-methylene. Examples thereof include bisacrylamide, N-vinyl-N-methylacrylamide, N-vinylpyrrolidone and N-vinylcaprolactam. Among these, acrylamide, N-vinylpyrrolidone, N-vinylcaprolactam and the like are particularly preferable from the viewpoint of solubility.
The other vinyl monomer is not particularly limited as long as it can copolymerize a vinyl monomer having a nitrogen-containing functional group, and examples thereof include styrene, acrylic acid, vinyl acetate, and long-chain α-olefin.
水溶性ポリマーへの末端疎水性基の導入方法としては特に制限されないが、通常、ビニル重合時の連鎖移動剤を選択することにより導入するのが簡便で好ましい。この場合、連鎖移動剤としてはアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基等の疎水性基を含む基が、得られる重合体の末端に導入されるものであれば特に限定はされない。例えば、末端疎水性基としてアルキルチオ基、アラルキルチオ基、又はアリールチオ基を有する水溶性ポリマーを得る場合は、これらの末端疎水性基に対応する疎水性基を有する連鎖移動剤、具体的にはチオール、ジスルフィド、チオエーテルなどを用いてビニル重合することが好ましい。 The method of introducing the terminal hydrophobic group into the water-soluble polymer is not particularly limited, but it is usually convenient and preferable to select by introducing a chain transfer agent during vinyl polymerization. In this case, as the chain transfer agent, a group containing a hydrophobic group such as an alkyl group, an aralkyl group, an aryl group, an alkylthio group, an aralkylthio group and an arylthio group is introduced as long as it is introduced into the terminal of the obtained polymer. There is no particular limitation. For example, when obtaining a water-soluble polymer having an alkylthio group, an aralkylthio group, or an arylthio group as a terminal hydrophobic group, a chain transfer agent having a hydrophobic group corresponding to these terminal hydrophobic groups, specifically, a thiol It is preferable to carry out vinyl polymerization using disulfide, disulfide or thioether.
水溶性ポリマーの主鎖部分は水溶性であり、含窒素官能基を有する。主鎖部分の単位数(重合度)は、1分子中に2〜1000が好ましく、3〜1000がより好ましく、5〜10が特に好ましい。含窒素官能基を有する主鎖部分の単位数が大きすぎる場合は、界面活性能が低下する傾向がある。
水溶性ポリマー中の主鎖部分と、末端疎水性基部分(例えばアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基などの部分)との分子量比(主鎖部分の質量平均分子量/末端疎水性基部分の質量平均分子量)は、0.3〜170であることが好ましい。
The main chain portion of the water-soluble polymer is water-soluble and has a nitrogen-containing functional group. The number of units (degree of polymerization) of the main chain portion is preferably 2 to 1000, more preferably 3 to 1000, and particularly preferably 5 to 10 in one molecule. If the number of units in the main chain portion having a nitrogen-containing functional group is too large, the surface activity tends to decrease.
The molecular weight ratio of the main chain part in the water-soluble polymer to the terminal hydrophobic group part (eg, part such as alkyl group, aralkyl group, aryl group, alkylthio group, aralkylthio group, arylthio group) (mass average of main chain part) The ratio (molecular weight/mass average molecular weight of the terminal hydrophobic group portion) is preferably 0.3 to 170.
界面活性剤(D)としては、上述した中でもレジスト層への影響が少ない点で、非イオン系界面活性剤が好ましい。 As the surfactant (D), among the above, a nonionic surfactant is preferable because it has little influence on the resist layer.
界面活性剤(D)の含有量は、導電性ポリマー(A)と塩基性化合物(C)と界面活性剤(D)の合計を100質量部としたときに、5〜80質量部が好ましく、10〜70質量部がより好ましく、10〜60質量部がさらに好ましい。界面活性剤(D)の含有量が上記範囲内であれば、導電性組成物のレジスト層への塗布性がより向上する。 The content of the surfactant (D) is preferably 5 to 80 parts by mass, when the total amount of the conductive polymer (A), the basic compound (C) and the surfactant (D) is 100 parts by mass, 10 to 70 parts by mass is more preferable, and 10 to 60 parts by mass is further preferable. When the content of the surfactant (D) is within the above range, the coating property of the conductive composition on the resist layer is further improved.
<任意成分>
導電性組成物は、必要に応じて、導電性ポリマー(A)、溶剤(B)、塩基性化合物(C)及び界面活性剤(D)以外の成分(任意成分)を含んでいてもよい。
任意成分としては、例えば高分子化合物(導電性ポリマー(A)、塩基性化合物(C)及び界面活性剤(D)を除く)、添加剤などが挙げられる。
<Arbitrary ingredients>
The conductive composition may contain a component (optional component) other than the conductive polymer (A), the solvent (B), the basic compound (C) and the surfactant (D), if necessary.
Examples of the optional component include a high molecular compound (excluding the conductive polymer (A), the basic compound (C) and the surfactant (D)), an additive and the like.
高分子化合物としては、例えばポリビニールホルマール、ポリビニールブチラール等のポリビニルアルコール誘導体類、ポリアクリルアミド、ポリ(N−t−ブチルアクリルアミド)、ポリアクリルアミドメチルプロパンスルホン酸等のポリアクリルアミド類、ポリビニルピロリドン、ポリアクリル酸類、水溶性アルキド樹脂、水溶性メラミン樹脂、水溶性尿素樹脂、水溶性フェノール樹脂、水溶性エポキシ樹脂、水溶性ポリブタジエン樹脂、水溶性アクリル樹脂、水溶性ウレタン樹脂、水溶性アクリルスチレン共重合体樹脂、水溶性酢酸ビニルアクリル共重合体樹脂、水溶性ポリエステル樹脂、水溶性スチレンマレイン酸共重合樹脂、水溶性フッ素樹脂及びこれらの共重合体が挙げられる。
添加剤としては、例えば顔料、消泡剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、耐熱性向上剤、レベリング剤、たれ防止剤、艶消し剤、防腐剤などが挙げられる。
Examples of the polymer compound include polyvinyl alcohol derivatives such as polyvinyl formal and polyvinyl butyral, polyacrylamide, poly(N-t-butylacrylamide), polyacrylamides such as polyacrylamidemethylpropanesulfonic acid, polyvinylpyrrolidone and poly(vinylpyrrolidone). Acrylic acids, water-soluble alkyd resin, water-soluble melamine resin, water-soluble urea resin, water-soluble phenol resin, water-soluble epoxy resin, water-soluble polybutadiene resin, water-soluble acrylic resin, water-soluble urethane resin, water-soluble acrylic styrene copolymer Examples thereof include resins, water-soluble vinyl acetate acrylic copolymer resins, water-soluble polyester resins, water-soluble styrene-maleic acid copolymer resins, water-soluble fluororesins and copolymers thereof.
Examples of the additives include pigments, defoaming agents, ultraviolet absorbers, antioxidants, heat resistance improvers, leveling agents, anti-sagging agents, matting agents and preservatives.
<導電性組成物の製造方法>
導電性組成物は、本発明の導電性ポリマー(A)と、溶剤(B)と、必要に応じて塩基性化合物(C)、界面活性剤(D)及び任意成分の1つ以上とを混合することで得られる。
上述した導電性ポリマー(A)の製造方法により製造した、洗浄後の導電性ポリマー(A)は固体状であることから、予め固体状の導電性ポリマー(A)と溶剤(B)とを混合して導電性ポリマー溶液を調製し、得られた導電性ポリマー溶液を導電性組成物として用いてもよい。また、必要に応じて、導電性ポリマー溶液に塩基性化合物(C)、界面活性剤(D)及び任意成分の1つ以上を添加して、導電性組成物としてもよい。
なお、洗浄後にイオン交換法によりさらに精製した導電性ポリマー(A)を用いる場合、イオン交換処理後の導電性ポリマー(A)は、上述したように導電性ポリマー溶液の状態で得られる。そのため、この導電性ポリマー溶液をそのまま導電性組成物として用いてもよいし、溶剤(B)でさらに希釈してもよい。また、必要に応じて、導電性ポリマー溶液に塩基性化合物(C)、界面活性剤(D)及び任意成分の1つ以上を添加して、導電性組成物としてもよい。
<Method for producing conductive composition>
The conductive composition is a mixture of the conductive polymer (A) of the present invention, a solvent (B), and, if necessary, one or more of a basic compound (C), a surfactant (D) and optional components. It is obtained by doing.
Since the conductive polymer (A) after cleaning produced by the above-described method for producing the conductive polymer (A) is in a solid state, the solid state conductive polymer (A) and the solvent (B) are mixed in advance. Then, a conductive polymer solution may be prepared, and the obtained conductive polymer solution may be used as a conductive composition. Further, if necessary, one or more of the basic compound (C), the surfactant (D) and an optional component may be added to the conductive polymer solution to give a conductive composition.
When the conductive polymer (A) further purified by the ion exchange method after washing is used, the conductive polymer (A) after the ion exchange treatment is obtained in the state of the conductive polymer solution as described above. Therefore, this conductive polymer solution may be used as it is as the conductive composition, or may be further diluted with the solvent (B). Further, if necessary, one or more of the basic compound (C), the surfactant (D) and an optional component may be added to the conductive polymer solution to give a conductive composition.
<作用効果>
本発明の導電性組成物は、分子量が100以下の酸性物質の含有量が充分に低減されている導電性ポリマー(A)を含むので、酸性物質がレジスト層へ移行しにくい導電膜を形成できる。
よって、特に化学増幅型レジストを用いた荷電粒子線によるパターン形成法においては、酸性物質などの導電膜からレジスト層側への移行が抑制され、レジスト層の膜減り等の影響を抑制できる。
<Effect>
Since the conductive composition of the present invention contains the conductive polymer (A) in which the content of the acidic substance having a molecular weight of 100 or less is sufficiently reduced, it is possible to form a conductive film in which the acidic substance does not easily migrate to the resist layer. ..
Therefore, particularly in the pattern formation method using a charged particle beam using a chemically amplified resist, the migration of an acidic substance or the like from the conductive film to the resist layer side is suppressed, and the influence of the resist layer thickness reduction or the like can be suppressed.
<用途>
本発明の導電性組成物は、荷電粒子線描画時の帯電防止用として好適である。具体的には、本発明の導電性組成物を、化学増幅型レジストを用いた荷電粒子線によるパターン形成法のレジスト層の表面に塗布して導電膜を形成する。こうして形成された導電膜がレジスト層の帯電防止膜となる。
また、上述した以外にも、本発明の導電性組成物は、例えばコンデンサ、透明電極、半導体等の材料として使用することもできる。
<Use>
The conductive composition of the present invention is suitable for preventing electrostatic charge during charged particle beam drawing. Specifically, the conductive composition of the present invention is applied to the surface of a resist layer by a pattern formation method using a charged particle beam using a chemically amplified resist to form a conductive film. The conductive film thus formed serves as an antistatic film for the resist layer.
In addition to the above, the conductive composition of the present invention can also be used as a material for capacitors, transparent electrodes, semiconductors and the like.
以下、本発明を実施例により更に詳しく説明するが、以下の実施例は本発明の範囲を限定するものではない。
なお、実施例及び比較例における各種測定・評価方法は以下の通りである。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the following Examples do not limit the scope of the present invention.
Various measuring/evaluating methods in Examples and Comparative Examples are as follows.
[測定・評価方法]
<酸性物質(a)の含有量の測定>
導電性ポリマー(A)に以下の溶離液を加えて、試験溶液を調製した。得られた試験溶液について、以下のイオンクロマトグラフ(IC)測定条件にて、酸性物質(a)の濃度を測定し、クロマトグラムを得た。得られたクロマトグラム上の酸性物質(a)に相当するピークの面積又は高さを読み取り、予め作成しておいた検量線から、導電性ポリマー(A)の総質量に対する酸性物質(a)の含有量を求めた。
<<IC測定条件>>
・装置:イオンクロマトグラフ IC−2010(東ソー株式会社製)
・カラム:TSKguard Column Super IC−Anion HS C−No W00052
・溶離液:1.8mmol/Lの炭酸ナトリウム水溶液と、固形分濃度が1.7mmol/Lの炭酸水素ナトリウムとの混合液(質量比1:1)
・流速:1.5mL/分
・測定温度:40℃
・試料注入量:30μL
[Measurement and evaluation method]
<Measurement of content of acidic substance (a)>
A test solution was prepared by adding the following eluents to the conductive polymer (A). Regarding the obtained test solution, the concentration of the acidic substance (a) was measured under the following ion chromatograph (IC) measurement conditions to obtain a chromatogram. The area or height of the peak corresponding to the acidic substance (a) on the obtained chromatogram is read, and from the calibration curve prepared in advance, the acidic substance (a) of the total mass of the conductive polymer (A) is measured. The content was determined.
<<IC measurement conditions>>
・Device: Ion Chromatograph IC-2010 (manufactured by Tosoh Corporation)
-Column: TSKguard Column Super IC-Anion HS C-No W00052
Eluent: mixed solution of 1.8 mmol/L sodium carbonate aqueous solution and sodium hydrogen carbonate having a solid content concentration of 1.7 mmol/L (mass ratio 1:1)
・Flow rate: 1.5 mL/min ・Measuring temperature: 40°C
・Sample injection volume: 30 μL
<導電性の評価>
基材としてガラス基材上に導電性組成物を2.0mL滴下し、基材表面全体を覆うように、スピンコーターにて2000rpm×60秒間の条件で回転塗布して塗膜を形成した後、ホットプレートにて80℃で2分間加熱処理を行い、基材上に膜厚約30nmの導電膜を形成して導電体を得た。
ハイレスタUX−MCP−HT800(株式会社三菱ケミカルアナリテック製)を用い2端子法(電極間距離20mm)にて、導電膜の表面抵抗値[Ω/□]を測定した。
<Evaluation of conductivity>
After 2.0 mL of the conductive composition was dropped on a glass substrate as a substrate, and a coating film was formed by spin coating with a spin coater at 2000 rpm×60 seconds so as to cover the entire substrate surface. A heat treatment was performed on a hot plate at 80° C. for 2 minutes to form a conductive film having a film thickness of about 30 nm on the base material to obtain a conductor.
The surface resistance value [Ω/□] of the conductive film was measured by a two-terminal method (distance between electrodes 20 mm) using Hiresta UX-MCP-HT800 (manufactured by Mitsubishi Chemical Analytech Co., Ltd.).
<膜減り試験による評価>
(膜減り量の測定)
化学増幅型電子線レジスト(以下、「レジスト」と略す。)を使用し、レジスト層の膜減り量を以下の手順(1A)〜(8A)で測定した。
(1A)レジスト層の形成:基材として4インチシリコンウエハー上にレジスト0.2μmをスピンコーターにて2000rpm×60秒間の条件で回転塗布した後、ホットプレートにて130℃で90秒間プリベークを行い、溶剤を除去し、基材上にレジスト層を形成した。
(2A)レジスト層の膜厚測定1:基材上に形成されたレジスト層の一部を剥離し、基材面を基準位置として、触針式段差計(Stylus profiler P−16+, KLA−Tencor Corporation製)を用い、初期のレジスト層の膜厚a[nm]を測定した。
(3A)導電膜の形成:レジスト層上に導電性組成物2mLを滴下し、レジスト層の表面全体を覆うように、スピンコーターにて2000rpm×60秒間の条件で回転塗布した後、ホットプレートにて80℃で2分間加熱処理を行い、レジスト層上に膜厚約30nmの導電膜を形成した。
(4A)ベーク処理:導電膜とレジスト層が積層した基材を空気雰囲気下、ホットプレ−トにて120℃×20分加熱し、この状態の基材を空気中、常温(25℃)で90秒静置した。
(5A)水洗:導電膜を20mLの水で洗い流した後、スピンコーターにて2000rpm×60秒間で回転させ、レジスト層の表面の水を除去した。
(6A)現像:2.38質量%テトラメチルアンモニウムハドロオキサイド(TMAH)水溶液からなる現像液20mLをレジスト層の表面に滴下した。60秒静置した後、スピンコーターにて2000rpm×60秒間で回転させ、レジスト層の表面の現像液を除去し、引き続き60秒間回転を維持して乾燥した。
(7A)レジスト層の膜厚測定2:前記(2A)においてレジスト層を一部剥離した部分から5mm以内におけるレジスト層の一部を剥離した後、触針式段差計を用いて現像後のレジスト層の膜厚b[nm]を測定した。
(8A)膜減り量の算出:上記膜厚aの値から膜厚bの値を差し引いて、レジスト層の膜減り量c[nm](c=a−b)を算出した。
<Evaluation by film reduction test>
(Measurement of film loss)
A chemically amplified electron beam resist (hereinafter, abbreviated as “resist”) was used, and the film reduction amount of the resist layer was measured by the following procedures (1A) to (8A).
(1A) Formation of resist layer: 0.2 μm of resist was spin-coated on a 4-inch silicon wafer as a base material by a spin coater under the conditions of 2000 rpm×60 seconds, and then prebaked at 130° C. for 90 seconds on a hot plate. Then, the solvent was removed and a resist layer was formed on the substrate.
(2A) Measurement of resist layer thickness 1: Part of the resist layer formed on the base material is peeled off, and the surface of the base material is used as a reference position, and a stylus profiler P-16+, KLA-Tencor is used. The film thickness a [nm] of the initial resist layer was measured using Corporation.
(3A) Formation of conductive film: 2 mL of the conductive composition was dropped on the resist layer, spin-coated with a spin coater under the conditions of 2000 rpm×60 seconds so as to cover the entire surface of the resist layer, and then applied to a hot plate. Then, heat treatment was performed at 80° C. for 2 minutes to form a conductive film having a film thickness of about 30 nm on the resist layer.
(4A) Baking treatment: The base material on which the conductive film and the resist layer are laminated is heated at 120° C. for 20 minutes in a hot plate in an air atmosphere, and the base material in this state is kept in air at room temperature (25° C.) for 90 minutes. Let stand for a second.
(5A) Washing with water: After washing the conductive film with 20 mL of water, the spin coater was rotated at 2000 rpm for 60 seconds to remove water on the surface of the resist layer.
(6A) Development: 20 mL of a developing solution composed of a 2.38% by mass tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution was dropped on the surface of the resist layer. After standing for 60 seconds, the spin coater was rotated at 2000 rpm for 60 seconds to remove the developing solution on the surface of the resist layer, and subsequently the coating was kept rotating for 60 seconds to dry.
(7A) Resist layer thickness measurement 2: After peeling off a part of the resist layer within 5 mm from the part where the resist layer was peeled off in (2A) above, the resist after development using a stylus type step meter The layer thickness b [nm] was measured.
(8A) Calculation of film thickness reduction amount: The value of the film thickness b was subtracted from the value of the film thickness a to calculate the film thickness reduction amount c [nm] (c=ab) of the resist layer.
(基準膜減り量の測定)
レジスト層は、レジスト層形成後の保管期間によって個々のレジストに特有の膜減り量(以下、「基準膜減り量」という。)d[nm]が存在する。導電膜に起因しないこの基準膜減り量dを以下の手順(1B)〜(6B)で測定した。
(1B)レジスト層の形成:前記(1A)と同様にして、基材上にレジスト層を形成した。
(2B)レジスト層の膜厚測定1:前記(2A)と同様にして、初期のレジスト層の膜厚a[nm]を測定した。
(3B)ベーク処理:レジスト層が積層した基材を用いた以外は、前記(4A)と同様にしてベーク処理した。
(4B)現像:前記(6A)と同様にして、現像を行った。
(5B)レジスト層の膜厚測定2:前記(2B)においてレジスト層を剥離した部分から5mm以内におけるレジスト層の一部を剥離した後、触針式段差計を用いて現像後のレジスト層の膜厚e[nm]を測定した。
(6B)膜減り量の算出:上記膜厚aの値から膜厚eの値を差し引いて、レジスト層の基準膜減り量d(d=a−e)を算出した。
なお、レジスト層の基準膜減り量dは、3nmであった。
(Measurement of reference film loss)
The resist layer has a film reduction amount (hereinafter referred to as “reference film reduction amount”) d [nm] peculiar to each resist depending on the storage period after the formation of the resist layer. This reference film reduction amount d not attributable to the conductive film was measured by the following procedures (1B) to (6B).
(1B) Formation of resist layer: A resist layer was formed on the substrate in the same manner as in (1A) above.
(2B) Measurement of resist layer thickness 1: The initial resist layer thickness a [nm] was measured in the same manner as in (2A) above.
(3B) Baking treatment: Baking treatment was carried out in the same manner as (4A) above, except that a substrate having a resist layer laminated thereon was used.
(4B) Development: Development was carried out in the same manner as (6A) above.
(5B) Thickness measurement of resist layer 2: After peeling off a part of the resist layer within 5 mm from the portion where the resist layer was peeled off in (2B) above, the resist layer after development was developed using a stylus type step meter. The film thickness e [nm] was measured.
(6B) Calculation of film thickness reduction amount: The value of the film thickness e was subtracted from the value of the film thickness a to calculate the reference film thickness reduction amount d (d=a−e) of the resist layer.
The reference film reduction amount d of the resist layer was 3 nm.
(導電膜中の成分が原因となるレジスト層の膜減り量の算出)
上記レジスト層の膜減り量cの値からレジスト層の基準膜減り量dの値を差し引いて、導電膜からレジスト層へ移行した、分子量が100以下の酸性物質が原因となるレジスト層の膜減り量f[nm](f=c−d)を算出し、以下の評価基準にて評価した。膜減り量fが少ないほど好ましく、AとBを合格とする。
A:膜減り量fが5nm未満である。
B:膜減り量fが5nm以上、20nm未満である。
C:膜減り量fが20nm以上である。
(Calculation of the amount of resist layer loss due to the components in the conductive film)
The value of the reference film reduction amount d of the resist layer is subtracted from the value of the film reduction amount c of the resist layer to reduce the film thickness of the resist layer caused by an acidic substance having a molecular weight of 100 or less, which is transferred from the conductive film to the resist layer. The amount f [nm] (f=c−d) was calculated and evaluated according to the following evaluation criteria. The smaller the film reduction amount f is, the more preferable, and A and B are passed.
A: The film reduction amount f is less than 5 nm.
B: The film reduction amount f is 5 nm or more and less than 20 nm.
C: The film reduction amount f is 20 nm or more.
[実施例1]
<導電性ポリマー(A)の製造>
2−アミノアニソール−4−スルホン酸100mmolに、ピリジン100mmolと水100mLを添加して、モノマー溶液を得た。
得られたモノマー溶液に、ペルオキソ二硫酸アンモニウム100mmolの水溶液(酸化剤溶液)を10℃で滴下した。滴下終了後、25℃で15時間さらに攪拌した後、35℃まで昇温してさらに2時間撹拌して、反応生成物が沈殿した反応液を得た(重合工程)。
得られた反応液を遠心濾過器にて濾過し、沈殿物(反応生成物)を回収して、1Lのメタノール(SP値:29.7MPa1/2)にて反応生成物を洗浄した後に乾燥させ、粉末状の導電性ポリマー(A1)を得た(精製工程)。
精製工程で用いたメタノールの量は、導電性ポリマー(A1)100質量部に対して5000質量部に相当する。
得られた導電性ポリマー(A1)について、酸性物質(a)の含有量を測定した。結果を表1に示す。
[Example 1]
<Production of conductive polymer (A)>
To 100 mmol of 2-aminoanisole-4-sulfonic acid, 100 mmol of pyridine and 100 mL of water were added to obtain a monomer solution.
An aqueous solution of 100 mmol of ammonium peroxodisulfate (oxidant solution) was added dropwise to the obtained monomer solution at 10°C. After completion of dropping, the mixture was further stirred at 25° C. for 15 hours, then heated to 35° C. and further stirred for 2 hours to obtain a reaction liquid in which a reaction product was precipitated (polymerization step).
The obtained reaction liquid is filtered by a centrifugal filter to collect a precipitate (reaction product), wash the reaction product with 1 L of methanol (SP value: 29.7 MPa 1/2 ) and then dry the product. The powdery conductive polymer (A1) was obtained (purification step).
The amount of methanol used in the purification step corresponds to 5000 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the conductive polymer (A1).
The content of the acidic substance (a) in the obtained conductive polymer (A1) was measured. The results are shown in Table 1.
<導電性組成物の調製>
導電性ポリマー(A1)2質量部と、水93.1質量部と、イソプロピルアルコール(IPA)4.9質量部とを混合し、導電性組成物を得た。
得られた導電性組成物について、導電性を評価し、膜減り試験を行った。これらの結果を表1に示す。
<Preparation of conductive composition>
2 parts by mass of the conductive polymer (A1), 93.1 parts by mass of water, and 4.9 parts by mass of isopropyl alcohol (IPA) were mixed to obtain a conductive composition.
The electroconductivity of the obtained electroconductive composition was evaluated and a film reduction test was conducted. The results are shown in Table 1.
[実施例2]
精製工程で用いた洗浄溶媒をエタノール(SP値:26.0MPa1/2)に変更した以外は、実施例1と同様にして導電性ポリマー(A2)を製造し、酸性物質(a)の含有量を測定した。結果を表1に示す。
また、得られた導電性ポリマー(A2)を用いた以外は、実施例1と同様にして導電性組成物を調製し、導電性を評価し、膜減り試験を行った。これらの結果を表1に示す。
[Example 2]
A conductive polymer (A2) was produced in the same manner as in Example 1 except that the washing solvent used in the purification step was changed to ethanol (SP value: 26.0 MPa 1/2 ) and the acidic substance (a) was contained. The quantity was measured. The results are shown in Table 1.
Further, a conductive composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that the obtained conductive polymer (A2) was used, the conductivity was evaluated, and the film reduction test was performed. The results are shown in Table 1.
[実施例3]
精製工程で用いたメタノールの使用量を0.3Lに変更した以外は、実施例1と同様にして導電性ポリマー(A3)を製造し、酸性物質(a)の含有量を測定した。結果を表1に示す。なお、精製工程で用いたメタノールの量は、導電性ポリマー(A3)100質量部に対して1500質量部に相当する。
また、得られた導電性ポリマー(A3)を用いた以外は、実施例1と同様にして導電性組成物を調製し、導電性を評価し、膜減り試験を行った。これらの結果を表1に示す。
[Example 3]
A conductive polymer (A3) was produced in the same manner as in Example 1 except that the amount of methanol used in the purification step was changed to 0.3 L, and the content of the acidic substance (a) was measured. The results are shown in Table 1. The amount of methanol used in the purification step is 1500 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the conductive polymer (A3).
Further, a conductive composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that the obtained conductive polymer (A3) was used, the conductivity was evaluated, and a film reduction test was performed. The results are shown in Table 1.
[比較例1]
精製工程を行わなかった以外は、実施例1と同様にして導電性ポリマー(A4)を製造し、酸性物質(a)の含有量を測定した。結果を表1に示す。
また、得られた導電性ポリマー(A4)を用いた以外は、実施例1と同様にして導電性組成物を調製し、導電性を評価し、膜減り試験を行った。これらの結果を表1に示す。
[Comparative Example 1]
A conductive polymer (A4) was produced in the same manner as in Example 1 except that the purification step was not performed, and the content of the acidic substance (a) was measured. The results are shown in Table 1.
Further, a conductive composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that the obtained conductive polymer (A4) was used, the conductivity was evaluated, and the film reduction test was performed. The results are shown in Table 1.
表1中の略号は以下の通りである。
・MeOH:メタノール
・EtOH:エタノール
・IPA:イソプロピルアルコール
The abbreviations in Table 1 are as follows.
-MeOH: Methanol-EtOH: Ethanol-IPA: Isopropyl alcohol
表1から明らかなように、各実施例で得られた導電性ポリマー(A)は酸性物質(a)の含有量が10000質量ppm以下であり、これら導電性ポリマー(A)を含む導電性組成物からは、レジスト層の膜減りが少なく、かつ導電性に優れた導電膜を形成できた。
一方、比較例1で得られた導電性ポリマー(A)は酸性物質(a)の含有量が多く、レジスト層が膜減りしやすかった。
As is clear from Table 1, the conductive polymer (A) obtained in each Example has a content of the acidic substance (a) of 10000 mass ppm or less, and a conductive composition containing these conductive polymers (A). From the product, it was possible to form a conductive film with little loss of the resist layer and excellent conductivity.
On the other hand, the conductive polymer (A) obtained in Comparative Example 1 contained a large amount of the acidic substance (a), and the resist layer was easily reduced in film thickness.
本発明の導電性ポリマー及び導電性組成物はレジスト層の膜減りが少ない導電膜を形成でき、荷電粒子線描画時の帯電防止用として有用である。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The conductive polymer and the conductive composition of the present invention can form a conductive film in which the resist layer has little film loss, and are useful as an antistatic agent during charged particle beam drawing.
Claims (3)
分子量が100以下の酸性物質の含有量が10000質量ppm以下である、導電性ポリマー。 A conductive polymer having an acidic group,
A conductive polymer in which the content of an acidic substance having a molecular weight of 100 or less is 10000 mass ppm or less.
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JPH10110030A (en) * | 1996-10-08 | 1998-04-28 | Nitto Chem Ind Co Ltd | Production method of high-purity soluble aniline-based conductive polymer |
JP2000219739A (en) * | 1999-02-01 | 2000-08-08 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | Method for producing highly conductive aniline polymer |
JP2006301073A (en) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | Conductive composition for forming resist pattern |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10110030A (en) * | 1996-10-08 | 1998-04-28 | Nitto Chem Ind Co Ltd | Production method of high-purity soluble aniline-based conductive polymer |
JP2000219739A (en) * | 1999-02-01 | 2000-08-08 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | Method for producing highly conductive aniline polymer |
JP2006301073A (en) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | Conductive composition for forming resist pattern |
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