JP2019204779A - 導電材料、接続構造体及び接続構造体の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】電極上にはんだを効率的に配置することができる導電材料を提供する。【解決手段】本発明に係る導電材料は、熱硬化性成分と、フラックスと、はんだを含む導電性粒子とを含む導電材料であり、表面の材料が金である基板に前記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される前記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数が、１．０×１０−２３ｍ２／ｓ以上１．０×１０−１４ｍ２／ｓ以下である。【選択図】図１

Description

本発明は、導電性粒子を含む導電材料に関する。また、本発明は、上記導電材料を用いた接続構造体及び接続構造体の製造方法に関する。

異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。上記異方性導電材料では、バインダー樹脂中に導電性粒子が分散されている。

上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために使用されている。上記異方性導電材料による接続としては、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｂｏａｒｄ））等が挙げられる。

上記異方性導電材料により、例えば、フレキシブルプリント基板の電極とガラスエポキシ基板の電極とを電気的に接続する際には、ガラスエポキシ基板上に、導電性粒子を含む異方性導電材料を配置する。次に、フレキシブルプリント基板を積層して、加熱及び加圧する。これにより、異方性導電材料を硬化させて、導電性粒子を介して電極間を電気的に接続して、接続構造体を得る。

下記の特許文献１には、バインダー樹脂と、導電性粒子とを含む導電ペーストが開示されている。上記導電ペーストでは、上記バインダー樹脂は、熱ラジカル重合性化合物と、熱ラジカル重合開始剤とを含有する。上記導電ペーストでは、上記バインダー樹脂の９０℃での貯蔵弾性率は８Ｐａ以上５００ＭＰａ未満であるか、又は、上記導電ペーストの９０℃での貯蔵弾性率は８Ｐａ以上５００ＭＰａ未満である。

特開２０１５−００５５０２号公報

近年、プリント配線板等における配線のファインピッチ化が進行している。これに伴って、はんだ粒子又ははんだを表面に有する導電性粒子を含む導電材料では、はんだ粒子又ははんだを表面に有する導電性粒子の微小化及び小粒子径化が進行している。

はんだ粒子等を単に小粒子径化した場合には、導電材料を用いた導電接続時に、接続されるべき上下の電極間にはんだ粒子等を効率的に配置できないという課題がある。特に、導電材料を加熱硬化させる際に、接続されるべき上下方向の電極間にはんだ粒子等を十分に凝集させることができず、導電材料の粘度が上昇し、接続されてはならない横方向の電極間に、上下方向の電極間のはんだと離れて、はんだ粒子等がサイドボール等として残存することがある。結果として、接続されるべき電極間の導通信頼性及び接続されてはならない隣接する電極間の絶縁信頼性を十分に高めることができない場合がある。

本発明の目的は、電極上にはんだを効率的に配置することができる導電材料を提供することである。また、本発明の目的は、上記導電材料を用いた接続構造体及び接続構造体の製造方法を提供することである。

本発明の広い局面によれば、熱硬化性成分と、フラックスと、はんだを含む導電性粒子とを含む導電材料であり、表面の材料が金である基板に前記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される前記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数が、１．０×１０^−２３ｍ^２／ｓ以上１．０×１０^−１４ｍ^２／ｓ以下である、導電材料が提供される。

本発明の広い局面によれば、熱硬化性成分と、フラックスと、はんだを含む導電性粒子とを含む導電材料であり、表面の材料が銀である基板に前記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される前記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数が、１．０×１０^−２３ｍ^２／ｓ以上１．０×１０^−１４ｍ^２／ｓ以下である、導電材料が提供される。

本発明の広い局面によれば、熱硬化性成分と、フラックスと、はんだを含む導電性粒子とを含む導電材料であり、表面の材料が銅である基板に前記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される前記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数が、１．０×１０^−２３ｍ^２／ｓ以上１．０×１０^−１４ｍ^２／ｓ以下である、導電材料が提供される。

本発明の広い局面によれば、熱硬化性成分と、フラックスと、はんだを含む導電性粒子とを含む導電材料であり、表面の材料がアルミニウムである基板に前記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される前記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数が、１．０×１０^−２３ｍ^２／ｓ以上１．０×１０^−１４ｍ^２／ｓ以下である、導電材料が提供される。

本発明に係る導電材料のある特定の局面では、前記フラックスが、２３℃で液体である。

本発明に係る導電材料のある特定の局面では、前記はんだを含む導電性粒子の粒子径が、３５μｍ以下である。

本発明に係る導電材料のある特定の局面では、前記導電材料が、導電ペーストである。

本発明の広い局面によれば、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、前記第１の接続対象部材と、前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部の材料が、上述した導電材料であり、前記第１の電極と前記第２の電極とが、前記接続部中のはんだ部により電気的に接続されている、接続構造体が提供される。

本発明の広い局面によれば、熱硬化性成分と、フラックスと、はんだを含む導電性粒子とを含む導電材料を用いて、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材の表面上に、前記導電材料を配置する第１の工程と、前記導電材料の前記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材を、前記第１の電極と前記第２の電極とが対向するように配置する第２の工程と、前記導電性粒子の融点以上に前記導電材料を加熱することで、前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とを接続している接続部を、前記導電材料により形成し、かつ、前記第１の電極と前記第２の電極とを、前記接続部中のはんだ部により電気的に接続する第３の工程とを備え、前記第１の電極の表面の材料及び前記導電材料の組み合わせとして、表面の材料が前記第１の電極の表面の材料と同じである基板上に前記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される前記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数が、１．０×１０^−２３ｍ^２／ｓ以上１．０×１０^−１４ｍ^２／ｓ以下となる第１の電極の表面の材料及び導電材料を用いる、接続構造体の製造方法が提供される。

本発明に係る接続構造体の製造方法のある特定の局面では、前記第２の電極の表面の材料及び前記導電材料の組み合わせとして、表面の材料が前記第２の電極の表面の材料と同じである基板上に前記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される前記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数が、１．０×１０^−２３ｍ^２／ｓ以上１．０×１０^−１４ｍ^２／ｓ以下となる第２の電極の表面の材料及び導電材料を用いる。

本発明に係る接続構造体の製造方法のある特定の局面では、前記第１の電極及び前記第２の電極が、金電極、銀電極、銅電極又はアルミニウム電極である。

本発明に係る導電材料は、熱硬化性成分と、フラックスと、はんだを含む導電性粒子とを含む。本発明に係る導電材料では、表面の材料が金である基板に上記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される上記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数は、１．０×１０^−２３ｍ^２／ｓ以上１．０×１０^−１４ｍ^２／ｓ以下である。本発明に係る導電材料では、上記の構成が備えられているので、電極上にはんだを効率的に配置することができる。

本発明に係る導電材料は、熱硬化性成分と、フラックスと、はんだを含む導電性粒子とを含む。本発明に係る導電材料では、表面の材料が銀である基板に上記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される上記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数は、１．０×１０^−２３ｍ^２／ｓ以上１．０×１０^−１４ｍ^２／ｓ以下である。本発明に係る導電材料では、上記の構成が備えられているので、電極上にはんだを効率的に配置することができる。

本発明に係る導電材料は、熱硬化性成分と、フラックスと、はんだを含む導電性粒子とを含む。本発明に係る導電材料では、表面の材料が銅である基板に上記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される上記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数は、１．０×１０^−２３ｍ^２／ｓ以上１．０×１０^−１４ｍ^２／ｓ以下である。本発明に係る導電材料では、上記の構成が備えられているので、電極上にはんだを効率的に配置することができる。

本発明に係る導電材料は、熱硬化性成分と、フラックスと、はんだを含む導電性粒子とを含む。本発明に係る導電材料では、表面の材料がアルミニウムである基板に上記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される上記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数は、１．０×１０^−２３ｍ^２／ｓ以上１．０×１０^−１４ｍ^２／ｓ以下である。本発明に係る導電材料では、上記の構成が備えられているので、電極上にはんだを効率的に配置することができる。

本発明に係る接続構造体の製造方法は、熱硬化性成分と、フラックスと、はんだを含む導電性粒子とを含む導電材料を用いて、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材の表面上に、上記導電材料を配置する第１の工程を備える。本発明に係る接続構造体の製造方法は、上記導電材料の上記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材を、上記第１の電極と上記第２の電極とが対向するように配置する第２の工程を備える。本発明に係る接続構造体の製造方法は、上記導電性粒子の融点以上に上記導電材料を加熱することで、上記第１の接続対象部材と上記第２の接続対象部材とを接続している接続部を、上記導電材料により形成し、かつ、上記第１の電極と上記第２の電極とを、上記接続部中のはんだ部により電気的に接続する第３の工程を備える。本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記第１の電極の表面の材料及び上記導電材料の組み合わせとして、以下の第１の電極の表面の材料及び導電材料を用いる。表面の材料が上記第１の電極の表面の材料と同じである基板上に上記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される上記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数が、１．０×１０^−２３ｍ^２／ｓ以上１．０×１０^−１４ｍ^２／ｓ以下となる第１の電極の表面の材料及び導電材料。本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記の構成が備えられているので、電極上にはんだを効率的に配置することができる。

図１は、本発明の一実施形態に係る導電材料を用いて得られる接続構造体を模式的に示す断面図である。 図２（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施形態に係る導電材料を用いて、接続構造体を製造する方法の一例の各工程を説明するための断面図である。 図３は、接続構造体の変形例を示す断面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態に係る導電材料に使用可能な導電性粒子を示す断面図である。 図５は、本発明の第２の実施形態に係る導電材料に使用可能な導電性粒子を示す断面図である。 図６は、本発明の第３の実施形態に係る導電材料に使用可能な導電性粒子を示す断面図である。

以下、本発明の詳細を説明する。

（導電材料）
本発明に係る導電材料は、熱硬化性成分と、フラックスと、はんだを含む導電性粒子とを含む。本発明に係る導電材料では、表面の材料が金である基板に上記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される上記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数は、１．０×１０^−２３ｍ^２／ｓ以上１．０×１０^−１４ｍ^２／ｓ以下である。

本発明に係る導電材料は、熱硬化性成分と、フラックスと、はんだを含む導電性粒子とを含む。本発明に係る導電材料では、表面の材料が銀である基板に上記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される上記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数は、１．０×１０^−２３ｍ^２／ｓ以上１．０×１０^−１４ｍ^２／ｓ以下である。

本発明に係る導電材料は、熱硬化性成分と、フラックスと、はんだを含む導電性粒子とを含む。本発明に係る導電材料では、表面の材料が銅である基板に上記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される上記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数は、１．０×１０^−２３ｍ^２／ｓ以上１．０×１０^−１４ｍ^２／ｓ以下である。

本発明に係る導電材料は、熱硬化性成分と、フラックスと、はんだを含む導電性粒子とを含む。本発明に係る導電材料では、表面の材料がアルミニウムである基板に上記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される上記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数は、１．０×１０^−２３ｍ^２／ｓ以上１．０×１０^−１４ｍ^２／ｓ以下である。

本発明に係る導電材料では、上記の構成が備えられているので、電極上にはんだを効率的に配置することができる。

導電性粒子を単に小粒子径化した導電材料では、導電接続時に、接続されるべき上下方向の電極上に導電性粒子を効率的に配置させることができないことがある。このため、接続されてはならない横方向の電極間に、上下方向の電極間のはんだと離れて、導電性粒子がサイドボール等として残存することがある。また、接続されるべき電極間の導通信頼性及び接続されてはならない隣接する電極間の絶縁信頼性を十分に高めることができないことがある。

本発明者らは、電極に対する金属拡散について着目し、電極間の導電接続時に、特定の拡散係数の関係を満足する導電材料を用いることで、電極上にはんだを効率的に配置することができることを見出した。本発明では、はんだ粒子を小粒子径化した場合であっても、接続されるべき電極間に、はんだを効率的に配置することができ、導通信頼性及び絶縁信頼性を高めることができる。

また、本発明では、電極間の導電接続時に、複数の導電性粒子が、上下の対向した電極間に集まりやすく、複数の導電性粒子を電極（ライン）上に配置することができる。また、複数の導電性粒子の一部が、接続されてはならない横方向の電極間に配置され難く、接続されてはならない横方向の電極間に配置される導電性粒子の量をかなり少なくすることができる。結果として、本発明では、接続されてはならない横方向の電極間において、はんだの残存量を少なくすることができる。

本発明では、上記のような効果を得るために、特定の拡散係数の関係を満足する導電材料を用いることは大きく寄与する。

さらに、本発明では、電極間の位置ずれを防ぐことができる。本発明では、導電材料を上面に配置した第１の接続対象部材に、第２の接続対象部材を重ね合わせる際に、第１の接続対象部材の電極と第２の接続対象部材の電極とのアライメントがずれた状態でも、そのずれを補正して電極同士を接続させることができる（セルフアライメント効果）。

電極上にはんだをより一層効率的に配置する観点からは、上記導電材料は、２５℃で液状であることが好ましく、導電ペーストであることが好ましい。

電極上にはんだをより一層効率的に配置する観点からは、上記導電材料の２５℃での粘度（η２５）は、好ましくは３０Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは５０Ｐａ・ｓ以上であり、好ましくは４００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは３００Ｐａ・ｓ以下である。上記粘度（η２５）は、配合成分の種類及び配合量により適宜調整することができる。

上記粘度（η２５）は、例えば、Ｅ型粘度計（東機産業社製「ＴＶＥ２２Ｌ」）等を用いて、２５℃及び５ｒｐｍの条件で測定することができる。

本発明に係る導電材料では、表面の材料が金である基板に上記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される上記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数（ＤＡｕ）は、１．０×１０^−２３ｍ^２／ｓ以上１．０×１０^−１４ｍ^２／ｓ以下である。上記最大値を示す拡散係数（ＤＡｕ）は、好ましくは１．０×１０^−２１ｍ^２／ｓ以上、より好ましくは１．０×１０^−２０ｍ^２／ｓ以上であり、好ましくは１．０×１０^−１４ｍ^２／ｓ以下、より好ましくは１．０×１０^−１８ｍ^２／ｓ以下である。上記最大値を示す拡散係数（ＤＡｕ）が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができ、導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができる。

本発明に係る導電材料では、表面の材料が銀である基板に上記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される上記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数（ＤＡｇ）は、１．０×１０^−２３ｍ^２／ｓ以上１．０×１０^−１４ｍ^２／ｓ以下である。上記最大値を示す拡散係数（ＤＡｇ）は、好ましくは１．０×１０^−２１ｍ^２／ｓ以上、より好ましくは１．０×１０^−２０ｍ^２／ｓ以上であり、好ましくは１．０×１０^−１４ｍ^２／ｓ以下、より好ましくは１．０×１０^−１８ｍ^２／ｓ以下である。上記最大値を示す拡散係数（ＤＡｇ）が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができ、導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができる。

本発明に係る導電材料では、表面の材料が銅である基板に上記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される上記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数（ＤＣｕ）は、１．０×１０^−２３ｍ^２／ｓ以上１．０×１０^−１４ｍ^２／ｓ以下である。上記最大値を示す拡散係数（ＤＣｕ）は、好ましくは１．０×１０^−２３ｍ^２／ｓ以上、より好ましくは１．０×１０^−２１ｍ^２／ｓ以上であり、好ましくは１．０×１０^−１４ｍ^２／ｓ以下、より好ましくは１．０×１０^−１８ｍ^２／ｓ以下である。上記最大値を示す拡散係数（ＤＣｕ）が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができ、導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができる。

本発明に係る導電材料では、表面の材料がアルミニウムである基板に上記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される上記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数（ＤＡｌ）は、１．０×１０^−２３ｍ^２／ｓ以上１．０×１０^−１４ｍ^２／ｓ以下である。上記最大値を示す拡散係数（ＤＡｌ）は、好ましくは１．０×１０^−２１ｍ^２／ｓ以上、より好ましくは１．０×１０^−２０ｍ^２／ｓ以上であり、好ましくは１．０×１０^−１４ｍ^２／ｓ以下、より好ましくは１．０×１０^−１８ｍ^２／ｓ以下である。上記最大値を示す拡散係数（ＤＡｌ）が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができ、導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができる。

上記最大値を示す拡散係数（ＤＡｕ、ＤＡｇ、ＤＣｕ、及びＤＡｌ）は、ＥＰＭＡ分析により算出することができる。ＥＰＭＡ分析装置としては、日本電子社製「ＪＸＡ−８２００」等が挙げられる。上記最大値を示す拡散係数（ＤＡｕ、ＤＡｇ、ＤＣｕ、及びＤＡｌ）は、具体的には、以下のようにして測定することができる。

表面を金又は銀でめっきした銅基板、銅基板、及びアルミニウム基板の各種金属基板（５ｃｍ×５ｃｍ）を用意する。用意した各種金属基板に、導電材料をメタルマスク（厚さ：７０μｍ、大きさ：１ｃｍ×１ｃｍ）を用いて均一に塗布し、８０℃で３０分間加熱する。その後、導電材料を塗布した部分で金属基板を切断し、断面部に対してＥＰＭＡ分析を実施する。ＥＰＭＡ分析では、各種金属基板の金属のスペクトル及び導電性粒子に含まれる金属のスペクトルの交点を原点とし、各種金属基板の金属方向に対して導電性粒子に含まれる金属が非検出となる距離から、導電性粒子の金属の各種金属基板への移動距離（ｍ）を算出する。導電性粒子の金属の各種金属基板への一方向の移動距離を二乗し、移動距離の二乗（ｍ^２）及び加熱時間（ｓ）から、拡散係数（ｍ^２／ｓ）を算出する。式：移動距離の二乗（ｍ^２）／加熱時間（ｓ）の値を、拡散係数（ｍ^２／ｓ）とする。また、ＥＰＭＡ分析装置の照射電圧は１５．０ｋＶとする。

上記最大値を示す拡散係数（ＤＡｕ、ＤＡｇ、ＤＣｕ、及びＤＡｌ）を上記の好ましい範囲に調整する方法としては、金属拡散を活性化する方法等が挙げられる。具体的には、低温活性を有するフラックスを用いる方法等が挙げられる。

上記導電材料は、導電ペースト及び導電フィルム等として使用され得る。上記導電ペーストは異方性導電ペーストであることが好ましく、上記導電フィルムは異方性導電フィルムであることが好ましい。電極上にはんだをより一層効率的に配置する観点からは、上記導電材料は、導電ペーストであることが好ましい。上記導電材料は、電極の電気的な接続に好適に用いられる。上記導電材料は、回路接続材料であることが好ましい。

以下、上記導電材料に含まれる各成分を説明する。

（導電性粒子）
上記導電材料は、導電性粒子を含む。上記導電性粒子は、はんだを含む。上記導電性粒子は、はんだのみを含んでいてもよく、はんだとはんだ以外の金属とを含んでいてもよい。

上記導電性粒子は、はんだ粒子であってもよい。上記導電性粒子は、はんだ粒子以外のはんだを含む導電性粒子であってもよい。上記導電性粒子は、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電部とを有していてもよい。上記導電部は、はんだを含んでいてもよい。上記導電材料は、はんだ粒子のみを含んでいてもよく、はんだ粒子以外のはんだを含む導電性粒子を含んでいてもよい。

上記導電性粒子の粒子径は、好ましくは２μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上であり、好ましくは３５μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下である。上記導電性粒子の粒子径が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができ、導通信頼性及び接続信頼性をより一層効果的に高めることができる。上記導電性粒子の粒子径は、１５μｍ以下であることが特に好ましい。上記導電性粒子の粒子径が、１５μｍ以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができ、導通信頼性及び接続信頼性をより一層効果的に高めることができる。

上記導電性粒子の粒子径は、平均粒子径であることが好ましく、数平均粒子径であることがより好ましい。導電性粒子の粒子径は、例えば、任意の導電性粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、各導電性粒子の粒子径の平均値を算出することや、レーザー回折式粒度分布測定を行うことにより求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察では、１個当たりの導電性粒子の粒子径は、円相当径での粒子径として求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察において、任意の５０個の導電性粒子の円相当径での平均粒子径は、球相当径での平均粒子径とほぼ等しくなる。レーザー回折式粒度分布測定では、１個当たりの導電性粒子の粒子径は、球相当径での粒子径として求められる。上記導電性粒子の粒子径は、レーザー回折式粒度分布測定により算出することが好ましい。

導電材料１００重量％中、上記導電性粒子の含有量は、好ましくは４０重量％以上、より好ましくは４５重量％以上、さらに好ましくは５５重量％以上、特に好ましくは６０重量％以上であり、好ましくは９０重量％以下、より好ましくは８５重量％以下、さらに好ましくは８０重量％以下である。上記導電性粒子の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができ、電極間にはんだを多く配置することが容易であり、導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができる。

次に、図面を参照しつつ、導電性粒子の具体例を説明する。

図４は、本発明の第１の実施形態に係る導電材料に使用可能な導電性粒子を示す断面図である。

図４に示す導電性粒子２１は、はんだ粒子である。導電性粒子２１は、全体がはんだにより形成されている。導電性粒子２１は、基材粒子をコアに有さず、コアシェル粒子ではない。導電性粒子２１は、中心部分及び導電部の外表面部分のいずれもがはんだにより形成されている。

図５は、本発明の第２の実施形態に係る導電材料に使用可能な導電性粒子を示す断面図である。

図５に示す導電性粒子３１は、基材粒子３２と、基材粒子３２の表面上に配置された導電部３３とを備える。導電部３３は、基材粒子３２の表面を被覆している。導電性粒子３１は、基材粒子３２の表面が導電部３３により被覆された被覆粒子である。

導電部３３は、第２の導電部３３Ａと、第１の導電部３３Ｂとを有する。導電性粒子３１は、基材粒子３２と、第１の導電部３３Ｂとの間に、第２の導電部３３Ａを備える。従って、導電性粒子３１は、基材粒子３２と、基材粒子３２の表面上に配置された第２の導電部３３Ａと、第２の導電部３３Ａの外表面上に配置された第１の導電部３３Ｂとを備える。

図６は、本発明の第３の実施形態に係る導電材料に使用可能な導電性粒子を示す断面図である。

上記のように、導電性粒子３１における導電部３３は２層構造を有する。図６に示す導電性粒子４１は、単層の導電部として、導電部４２を有する。導電性粒子４１は、基材粒子３２と、基材粒子３２の表面上に配置された導電部４２とを備える。

以下、導電性粒子の他の詳細について説明する。

はんだ粒子：
上記はんだ粒子は、中心部分及び外表面のいずれもがはんだにより形成されている。上記はんだ粒子は、中心部分及び外表面のいずれもがはんだである粒子である。

上記はんだは、融点が４５０℃以下である金属（低融点金属）であることが好ましい。上記はんだ粒子は、融点が４５０℃以下である金属粒子（低融点金属粒子）であることが好ましい。上記低融点金属粒子は、低融点金属を含む粒子である。該低融点金属とは、融点が４５０℃以下の金属を示す。低融点金属の融点は好ましくは３００℃以下、より好ましくは１６０℃以下である。上記はんだ粒子は、融点が１５０℃未満の低融点はんだであることが好ましい。

上記はんだ粒子の融点は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）により求めることができる。示差走査熱量測定（ＤＳＣ）装置としては、ＳＩＩ社製「ＥＸＳＴＡＲ ＤＳＣ７０２０」等が挙げられる。

また、上記はんだ粒子は錫を含むことが好ましい。上記はんだ粒子に含まれる金属１００重量％中、錫の含有量は、好ましくは３０重量％以上、より好ましくは４０重量％以上、さらに好ましくは７０重量％以上、特に好ましくは９０重量％以上である。上記はんだ粒子における錫の含有量が、上記下限以上であると、はんだ部と電極との導通信頼性及び接続信頼性がより一層高くなる。

なお、上記錫の含有量は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析装置（堀場製作所社製「ＩＣＰ−ＡＥＳ」）、又は蛍光Ｘ線分析装置（島津製作所社製「ＥＤＸ−８００ＨＳ」）等を用いて測定することができる。

上記はんだ粒子を用いることで、はんだ粒子が溶融して電極に接合し、はんだ部が電極間を導通させる。例えば、はんだ部と電極とが点接触ではなく面接触しやすいため、接続抵抗が低くなる。また、上記はんだ粒子の使用により、はんだ部と電極との接合強度が高くなる結果、はんだ部と電極との剥離がより一層生じ難くなり、導通信頼性及び接続信頼性がより一層高くなる。

上記はんだ粒子を構成する低融点金属は特に限定されない。該低融点金属は、錫、又は錫を含む合金であることが好ましい。該合金は、錫−銀合金、錫−銅合金、錫−銀−銅合金、錫−ビスマス合金、錫−亜鉛合金、及び錫−インジウム合金等が挙げられる。電極に対する濡れ性に優れることから、上記低融点金属は、錫、錫−銀合金、錫−銀−銅合金、錫−ビスマス合金、又は錫−インジウム合金であることが好ましい。上記低融点金属は、錫−ビスマス合金、又は錫−インジウム合金であることがより好ましい。

上記はんだ粒子は、ＪＩＳ Ｚ３００１：溶接用語に基づき、液相線が４５０℃以下である溶加材であることが好ましい。上記はんだ粒子の組成としては、例えば亜鉛、金、銀、鉛、銅、錫、ビスマス、及びインジウム等を含む金属組成が挙げられる。低融点で鉛フリーである錫−インジウム系（１１７℃共晶）、又は錫−ビスマス系（１３９℃共晶）が好ましい。すなわち、上記はんだ粒子は、鉛を含まないことが好ましく、錫とインジウムとを含むか、又は錫とビスマスとを含むことが好ましい。

はんだ部と電極との接合強度をより一層高めるために、上記はんだ粒子は、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム、亜鉛、鉄、金、チタン、リン、ゲルマニウム、テルル、コバルト、ビスマス、マンガン、クロム、モリブデン、及びパラジウム等の金属を含んでいてもよい。また、はんだ部と電極との接合強度をさらに一層高める観点からは、上記はんだ粒子は、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム又は亜鉛を含むことが好ましい。はんだ部と電極との接合強度をより一層高める観点からは、接合強度を高めるためのこれらの金属の含有量は、はんだ粒子に含まれる金属１００重量％中、好ましくは０．０００１重量％以上、好ましくは１重量％以下である。

上記はんだ粒子の粒子径は、好ましくは２μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上であり、好ましくは３５μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下である。上記はんだ粒子の粒子径が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができ、導通信頼性及び接続信頼性をより一層効果的に高めることができる。上記はんだ粒子の粒子径は、１５μｍ以下であることが特に好ましい。上記はんだ粒子の粒子径が、１５μｍ以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができ、導通信頼性及び接続信頼性をより一層効果的に高めることができる。

上記はんだ粒子の粒子径は、平均粒子径であることが好ましく、数平均粒子径であることがより好ましい。はんだ粒子の粒子径は、例えば、任意のはんだ粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、各はんだ粒子の粒子径の平均値を算出することや、レーザー回折式粒度分布測定を行うことにより求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察では、１個当たりのはんだ粒子の粒子径は、円相当径での粒子径として求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察において、任意の５０個のはんだ粒子の円相当径での平均粒子径は、球相当径での平均粒子径とほぼ等しくなる。レーザー回折式粒度分布測定では、１個当たりのはんだ粒子の粒子径は、球相当径での粒子径として求められる。上記はんだ粒子の粒子径は、レーザー回折式粒度分布測定により算出することが好ましい。

上記はんだ粒子の粒子径の変動係数（ＣＶ値）は、好ましくは５％以上、より好ましくは１０％以上であり、好ましくは４０％以下、より好ましくは３０％以下である。上記はんだ粒子の粒子径の変動係数が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができる。但し、上記はんだ粒子の粒子径のＣＶ値は、５％未満であってもよい。

上記変動係数（ＣＶ値）は、以下のようにして測定できる。

ＣＶ値（％）＝（ρ／Ｄｎ）×１００
ρ：はんだ粒子の粒子径の標準偏差
Ｄｎ：はんだ粒子の粒子径の平均値

上記はんだ粒子の形状は特に限定されない。上記はんだ粒子の形状は、球状であってもよく、球状以外の形状であってもよく、扁平状等の形状であってもよい。

導電材料１００重量％中、上記はんだ粒子の含有量は、好ましくは４０重量％以上、より好ましくは４５重量％以上、さらに好ましくは５５重量％以上、特に好ましくは６０重量％以上であり、好ましくは９０重量％以下、より好ましくは８５重量％以下、さらに好ましくは８０重量％以下である。上記はんだ粒子の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができ、電極間にはんだを多く配置することが容易であり、導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができる。

はんだ粒子以外のはんだを含む導電性粒子（導電性粒子Ｘ）：
上記導電性粒子は、上述したはんだ粒子以外のはんだを含む導電性粒子（以下、はんだ粒子以外のはんだを含む導電性粒子を、導電性粒子Ｘと記載することがある）であってもよい。上記導電性粒子Ｘは、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電部とを有していてもよい。上記導電性粒子Ｘは、上記導電部にはんだを含んでいてもよい。上記導電部は、単層構造であってもよく、２層以上の複層構造であってもよい。上記導電性粒子Ｘは、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された第２の導電部と、該第２の導電部の外表面上に配置された第１の導電部とを備えていてもよい。

以下、導電性粒子Ｘの他の詳細について説明する。

（基材粒子）
上記基材粒子としては、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子及び金属粒子等が挙げられる。上記基材粒子は、金属粒子を除く基材粒子であることが好ましく、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることがより好ましい。上記基材粒子は、コアと、該コアの表面上に配置されたシェルとを備えるコアシェル粒子であってもよい。上記コアが有機コアであってもよく、上記シェルが無機シェルであってもよい。

上記樹脂粒子の材料として、種々の有機物が好適に用いられる。上記樹脂粒子の材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイソブチレン、及びポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂；ポリメチルメタクリレート及びポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂；ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ジビニルベンゼン重合体、並びにジビニルベンゼン系共重合体等が挙げられる。上記ジビニルベンゼン系共重合体等としては、ジビニルベンゼン−スチレン共重合体及びジビニルベンゼン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。上記樹脂粒子の硬度を好適な範囲に容易に制御できるので、上記樹脂粒子の材料は、エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を１種又は２種以上重合させた重合体であることが好ましい。

上記樹脂粒子を、エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を重合させて得る場合には、該エチレン性不飽和基を有する重合性単量体としては、非架橋性の単量体と架橋性の単量体とが挙げられる。

上記非架橋性の単量体としては、例えば、スチレン、及びα−メチルスチレン等のスチレン系単量体；（メタ）アクリル酸、マレイン酸、及び無水マレイン酸等のカルボキシル基含有単量体；メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、セチル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、及びイソボルニル（メタ）アクリレート等のアルキル（メタ）アクリレート化合物；２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、グリセロール（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレン（メタ）アクリレート、及びグリシジル（メタ）アクリレート等の酸素原子含有（メタ）アクリレート化合物；（メタ）アクリロニトリル等のニトリル含有単量体；メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、及びプロピルビニルエーテル等のビニルエーテル化合物；酢酸ビニル、酪酸ビニル、ラウリン酸ビニル、及びステアリン酸ビニル等の酸ビニルエステル化合物；エチレン、プロピレン、イソプレン、及びブタジエン等の不飽和炭化水素；トリフルオロメチル（メタ）アクリレート、ペンタフルオロエチル（メタ）アクリレート、塩化ビニル、フッ化ビニル、及びクロルスチレン等のハロゲン含有単量体等が挙げられる。

上記架橋性の単量体としては、例えば、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート、グリセロールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）テトラメチレングリコールジ（メタ）アクリレート、及び１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等の多官能（メタ）アクリレート化合物；トリアリル（イソ）シアヌレート、トリアリルトリメリテート、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレート、ジアリルアクリルアミド、ジアリルエーテル、並びに、γ−（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシシリルスチレン、及びビニルトリメトキシシラン等のシラン含有単量体等が挙げられる。

「（メタ）アクリレート」の用語は、アクリレートとメタクリレートとを示す。「（メタ）アクリル」の用語は、アクリルとメタクリルとを示す。「（メタ）アクリロイル」の用語は、アクリロイルとメタクリロイルとを示す。

上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を、公知の方法により重合させることで、上記樹脂粒子を得ることができる。この方法としては、例えば、ラジカル重合開始剤の存在下で懸濁重合する方法、並びに非架橋の種粒子を用いてラジカル重合開始剤とともに単量体を膨潤させて重合する方法等が挙げられる。

上記基材粒子が金属を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である場合には、基材粒子を形成するための無機物としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム、ジルコニア及びカーボンブラック等が挙げられる。上記無機物は、金属ではないことが好ましい。上記シリカにより形成された粒子としては特に限定されないが、例えば、加水分解性のアルコキシシリル基を２つ以上有するケイ素化合物を加水分解して架橋重合体粒子を形成した後に、必要に応じて焼成を行うことにより得られる粒子が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子としては、例えば、架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。

上記有機無機ハイブリッド粒子は、コアと、該コアの表面上に配置されたシェルとを有するコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。上記コアが有機コアであることが好ましい。上記シェルが無機シェルであることが好ましい。電極間の接続抵抗を効果的に低くする観点からは、上記基材粒子は、有機コアと上記有機コアの表面上に配置された無機シェルとを有する有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。

上記有機コアの材料としては、上述した樹脂粒子の材料等が挙げられる。

上記無機シェルの材料としては、上述した基材粒子の材料として挙げた無機物が挙げられる。上記無機シェルの材料は、シリカであることが好ましい。上記無機シェルは、上記コアの表面上で、金属アルコキシドをゾルゲル法によりシェル状物とした後、該シェル状物を焼成させることにより形成されていることが好ましい。上記金属アルコキシドはシランアルコキシドであることが好ましい。上記無機シェルはシランアルコキシドにより形成されていることが好ましい。

上記基材粒子が金属粒子である場合に、該金属粒子の材料である金属としては、銀、銅、ニッケル、ケイ素、金、錫及びチタン等が挙げられる。また、上記金属粒子は、上述したはんだ粒子であってもよい。

上記基材粒子の粒子径は、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、さらに好ましくは３μｍ以上であり、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは６０μｍ以下、さらに好ましくは５０μｍ以下である。上記基材粒子の粒子径が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができる。さらに基材粒子の表面に導電部を形成する際に凝集し難くなり、凝集した導電性粒子Ｘが形成され難くなる。

上記基材粒子の粒子径は、５μｍ以上４０μｍ以下であることが特に好ましい。上記基材粒子の粒子径が、５μｍ以上４０μｍ以下の範囲内であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができる。

上記基材粒子の粒子径は、基材粒子が真球状である場合には、直径を示し、基材粒子が真球状ではない場合には、最大径を示す。

上記基材粒子の粒子径は、数平均粒子径を示す。上記基材粒子の粒子径は粒度分布測定装置等を用いて求められる。基材粒子の粒子径は、任意の基材粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求めることが好ましい。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察では、１個当たりの基材粒子の粒子径は、円相当径での粒子径として求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察において、任意の５０個の基材粒子の円相当径での平均粒子径は、球相当径での平均粒子径とほぼ等しくなる。粒度分布測定装置では、１個当たりの基材粒子の粒子径は、球相当径での粒子径として求められる。上記基材粒子の粒子径は、粒度分布測定装置により算出することが好ましい。導電性粒子Ｘにおいて、上記基材粒子の粒子径を測定する場合には、例えば、以下のようにして測定できる。

導電性粒子Ｘの含有量が３０重量％となるように、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に添加し、分散させて、導電性粒子Ｘ検査用埋め込み樹脂を作製する。検査用埋め込み樹脂中に分散した導電性粒子Ｘの中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、導電性粒子Ｘの断面を切り出す。そして、電界放射型走査型電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）を用いて、画像倍率を２５０００倍に設定し、５０個の導電性粒子Ｘを無作為に選択し、各導電性粒子Ｘの基材粒子を観察する。各導電性粒子Ｘにおける基材粒子の粒子径を計測し、それらを算術平均して基材粒子の粒子径とする。

（導電部）
上記基材粒子の表面上に導電部を形成する方法、並びに上記基材粒子の表面上又は上記第２の導電部の表面上に上記第１の導電部を形成する方法は特に限定されない。上記導電部を形成する方法としては、例えば、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的な衝突による方法、メカノケミカル反応による方法、物理的蒸着又は物理的吸着による方法、並びに金属粉末もしくは金属粉末とバインダーとを含むペーストを基材粒子の表面にコーティングする方法等が挙げられる。上記導電部を形成する方法は、無電解めっき、電気めっき又は物理的な衝突による方法であることが好ましい。上記物理的蒸着による方法としては、真空蒸着、イオンプレーティング及びイオンスパッタリング等の方法が挙げられる。また、上記物理的な衝突による方法では、例えば、シーターコンポーザ（徳寿工作所社製）等が用いられる。

上記基材粒子の融点は、上記導電部の融点よりも高いことが好ましい。上記基材粒子の融点は、好ましくは１６０℃を超え、より好ましくは３００℃を超え、さらに好ましくは４００℃を超え、特に好ましくは４５０℃を超える。なお、上記基材粒子の融点は、４００℃未満であってもよい。上記基材粒子の融点は、１６０℃以下であってもよい。上記基材粒子の軟化点は２６０℃以上であることが好ましい。上記基材粒子の軟化点は２６０℃未満であってもよい。

上記導電部は、金属を含むことが好ましい。上記導電部を構成する金属は、特に限定されない。該金属としては、例えば、金、銀、銅、白金、パラジウム、亜鉛、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム及びカドミウム、並びにこれらの合金等が挙げられる。また、上記金属として、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）やはんだを用いてもよい。上記金属は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記導電性粒子Ｘは、単層のはんだ部を有していてもよい。上記導電性粒子Ｘは、単層の導電部を有していてもよく、複数の層の導電部（第１の導電部及び第２の導電部）を有していてもよい。すなわち、上記導電性粒子Ｘでは、導電部を２層以上積層してもよい。上記導電部が２層以上の場合、上記導電性粒子Ｘは、導電部の外表面部分にはんだを有していてもよい。

上記はんだは、上述したはんだ粒子と同じ組成のはんだであることが好ましい。

上記はんだを構成する低融点金属は特に限定されない。上記低融点金属は、上述したはんだ粒子を構成する低融点金属であることが好ましい。

上記第２の導電部の融点は、上記第１の導電部の融点よりも高いことが好ましい。上記第２の導電部の融点は、好ましくは１６０℃を超え、より好ましくは３００℃を超え、さらに好ましくは４００℃を超え、さらに一層好ましくは４５０℃を超え、特に好ましくは５００℃を超え、最も好ましくは６００℃を超える。上記第１の導電部は融点が低いために導電接続時に溶融する。上記第２の導電部は導電接続時に溶融しないことが好ましい。上記第１の導電部は、はんだ部であることが好ましく、上記第１の導電部を溶融させて用いられることが好ましく、上記第１の導電部を溶融させてかつ上記第２の導電部を溶融させずに用いられることが好ましい。上記第２の導電部の融点が上記第１の導電部の融点をよりも高いことによって、導電接続時に、上記第２の導電部を溶融させずに、上記第１の導電部のみを溶融させることができる。

上記第１の導電部の融点と上記第２の導電部との融点との差の絶対値は、０℃を超え、好ましくは５℃以上、より好ましくは１０℃以上、さらに好ましくは３０℃以上、特に好ましくは５０℃以上、最も好ましくは１００℃以上である。

上記第２の導電部は、金属を含むことが好ましい。上記第２の導電部を構成する金属は、特に限定されない。該金属としては、例えば、金、銀、銅、白金、パラジウム、亜鉛、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム及びカドミウム、並びにこれらの合金等が挙げられる。また、上記金属として、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）を用いてもよい。上記金属は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記第２の導電部は、ニッケル層、パラジウム層、銅層又は金層であることが好ましく、ニッケル層、金層又は銅層であることがより好ましく、銅層であることがさらに好ましい。導電性粒子Ｘは、ニッケル層、パラジウム層、銅層又は金層を有することが好ましく、ニッケル層、金層又は銅層を有することがより好ましく、銅層を有することがさらに好ましい。これらの好ましい導電部を有する導電性粒子Ｘを電極間の接続に用いることにより、電極間にはんだをより一層効率的に配置することができる。

上記第１の導電部の厚みは、好ましくは０．００５μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上であり、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下、さらに好ましくは０．３μｍ以下である。第１の導電部の厚みが、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができ、導通信頼性及び接続信頼性をより一層効果的に高めることができる。

上記導電性粒子Ｘの粒子径は、好ましくは２μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上であり、好ましくは３５μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下である。上記導電性粒子Ｘの粒子径が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができ、導通信頼性及び接続信頼性をより一層効果的に高めることができる。上記導電性粒子Ｘの粒子径は、１５μｍ以下であることが特に好ましい。上記導電性粒子Ｘの粒子径が、１５μｍ以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができ、導通信頼性及び接続信頼性をより一層効果的に高めることができる。

上記導電性粒子Ｘの粒子径は、平均粒子径であることが好ましく、数平均粒子径であることがより好ましい。導電性粒子Ｘの平均粒子径は、例えば、任意の導電性粒子Ｘ５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することや、レーザー回折式粒度分布測定を行うことにより求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察では、１個当たりの導電性粒子Ｘの粒子径は、円相当径での粒子径として求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察において、任意の５０個の導電性粒子Ｘの円相当径での平均粒子径は、球相当径での平均粒子径とほぼ等しくなる。レーザー回折式粒度分布測定では、１個当たりの導電性粒子Ｘの粒子径は、球相当径での粒子径として求められる。上記導電性粒子Ｘの粒子径は、レーザー回折式粒度分布測定により算出することが好ましい。

上記導電性粒子Ｘの粒子径のＣＶ値は、好ましくは５％以上、より好ましくは１０％以上であり、好ましくは４０％以下、より好ましくは３０％以下である。上記粒子径のＣＶ値が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができる。但し、上記導電性粒子Ｘの粒子径のＣＶ値は、５％未満であってもよい。

上記導電性粒子Ｘの粒子径のＣＶ値（変動係数）は、以下のようにして測定できる。

ＣＶ値（％）＝（ρ／Ｄｎ）×１００
ρ：導電性粒子Ｘの粒子径の標準偏差
Ｄｎ：導電性粒子Ｘの粒子径の平均値

上記導電性粒子Ｘの形状は特に限定されない。上記導電性粒子Ｘの形状は、球状であってもよく、球状以外の形状であってもよく、扁平状等の形状であってもよい。

上記導電材料１００重量％中、上記導電性粒子Ｘの含有量は、好ましくは４０重量％以上、より好ましくは４５重量％以上、さらに好ましくは５５重量％以上、特に好ましくは６０重量％以上であり、好ましくは９０重量％以下、より好ましくは８５重量％以下、さらに好ましくは８０重量％以下である。上記導電性粒子Ｘの含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができ、電極間にはんだを多く配置することが容易であり、導通信頼性及び接続信頼性をより一層効果的に高めることができる。

（熱硬化性成分）
上記導電材料は、熱硬化性成分を含む。上記導電材料は、熱硬化性成分として、熱硬化性化合物と熱硬化剤とを含んでいてもよい。導電材料をより一層良好に硬化させるために、上記導電材料は、熱硬化性成分として、熱硬化性化合物と熱硬化剤とを含むことが好ましい。導電材料をより一層良好に硬化させるために、上記導電材料は、熱硬化性成分として硬化促進剤を含むことが好ましい。

（熱硬化性成分：熱硬化性化合物）
上記熱硬化性化合物は特に限定されない。上記熱硬化性化合物としては、オキセタン化合物、エポキシ化合物、エピスルフィド化合物、（メタ）アクリル化合物、フェノール化合物、アミノ化合物、不飽和ポリエステル化合物、ポリウレタン化合物、シリコーン化合物及びポリイミド化合物等が挙げられる。導電材料の硬化性及び粘度をより一層良好にする観点、導通信頼性をより一層効果的に高める観点、及び絶縁信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記熱硬化性化合物としては、エポキシ化合物又はエピスルフィド化合物が好ましく、エポキシ化合物がより好ましい。上記熱硬化性化合物は、エポキシ化合物を含むことが好ましい。上記熱硬化性化合物は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記エポキシ化合物は、少なくとも１個のエポキシ基を有する化合物である。上記エポキシ化合物としては、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、ビスフェノールＳ型エポキシ化合物、フェノールノボラック型エポキシ化合物、ビフェニル型エポキシ化合物、ビフェニルノボラック型エポキシ化合物、ビフェノール型エポキシ化合物、ナフタレン型エポキシ化合物、フルオレン型エポキシ化合物、フェノールアラルキル型エポキシ化合物、ナフトールアラルキル型エポキシ化合物、ジシクロペンタジエン型エポキシ化合物、アントラセン型エポキシ化合物、アダマンタン骨格を有するエポキシ化合物、トリシクロデカン骨格を有するエポキシ化合物、ナフチレンエーテル型エポキシ化合物、及びトリアジン核を骨格に有するエポキシ化合物等が挙げられる。上記エポキシ化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記エポキシ化合物は、常温（２３℃）で液状又は固体であり、上記エポキシ化合物が常温で固体である場合には、上記エポキシ化合物の溶融温度は、上記はんだの融点以下であることが好ましい。上記の好ましいエポキシ化合物を用いることで、接続対象部材を貼り合わせた段階では、粘度が高く、搬送等の衝撃により、加速度が付与された際に、第１の接続対象部材と、第２の接続対象部材との位置ずれを抑制することができる。さらに、硬化時の熱により、導電材料の粘度を大きく低下させることができ、はんだの凝集を効率よく進行させることができる。

絶縁信頼性をより一層効果的に高める観点、及び導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記熱硬化性化合物は、エポキシ化合物を含むことが好ましい。

電極上にはんだをより一層効率的に配置する観点からは、上記熱硬化性化合物は、ポリエーテル骨格を有する熱硬化性化合物を含むことが好ましい。

上記ポリエーテル骨格を有する熱硬化性化合物としては、炭素数３〜１２のアルキル鎖の両末端にグリシジルエーテル基を有する化合物、並びに炭素数２〜４のポリエーテル骨格を有し、該ポリエーテル骨格２〜１０個が連続して結合した構造単位を有するポリエーテル型エポキシ化合物等が挙げられる。

硬化物の耐熱性をより一層効果的に高める観点からは、上記熱硬化性化合物は、イソシアヌル骨格を有する熱硬化性化合物を含むことが好ましい。

上記イソシアヌル骨格を有する熱硬化性化合物としてはトリイソシアヌレート型エポキシ化合物等が挙げられ、日産化学工業社製ＴＥＰＩＣシリーズ（ＴＥＰＩＣ−Ｇ、ＴＥＰＩＣ−Ｓ、ＴＥＰＩＣ−ＳＳ、ＴＥＰＩＣ−ＨＰ、ＴＥＰＩＣ−Ｌ、ＴＥＰＩＣ−ＰＡＳ、ＴＥＰＩＣ−ＶＬ、ＴＥＰＩＣ−ＵＣ）等が挙げられる。

導電材料１００重量％中、上記熱硬化性化合物の含有量は、好ましくは５重量％以上、より好ましくは１０重量％以上、さらに好ましくは１５重量％以上であり、好ましくは９０重量％以下、より好ましくは７０重量％以下、さらに好ましくは５０重量％以下、特に好ましくは３０重量％以下である。上記熱硬化性化合物の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置し、電極間の絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができ、電極間の導通信頼性をより一層効果的に高めることができる。耐衝撃性をより一層効果的に高める観点からは、上記熱硬化性化合物の含有量は多い方が好ましい。

導電材料１００重量％中、上記エポキシ化合物の含有量は、好ましくは５重量％以上、より好ましくは１０重量％以上、さらに好ましくは１５重量％以上であり、好ましくは９０重量％以下、より好ましくは７０重量％以下、さらに好ましくは５０重量％以下、特に好ましくは３０重量％以下である。上記エポキシ化合物の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置し、電極間の絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができ、電極間の導通信頼性をより一層効果的に高めることができる。耐衝撃性をより一層高める観点からは、上記エポキシ化合物の含有量は多い方が好ましい。

（熱硬化性成分：熱硬化剤）
上記熱硬化剤は特に限定されない。上記熱硬化剤は、上記熱硬化性化合物を熱硬化させる。上記熱硬化剤としては、イミダゾール硬化剤、アミン硬化剤、フェノール硬化剤、ポリチオール硬化剤等のチオール硬化剤、酸無水物硬化剤、熱カチオン開始剤（熱カチオン硬化剤）及び熱ラジカル発生剤等が挙げられる。上記熱硬化剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

導電材料を低温でより一層速やかに硬化可能とする観点からは、上記熱硬化剤は、イミダゾール硬化剤、チオール硬化剤、又はアミン硬化剤であることが好ましい。また、上記熱硬化性化合物と上記熱硬化剤とを混合したときの保存安定性を高める観点からは、上記熱硬化剤は、潜在性の硬化剤であることが好ましい。潜在性の硬化剤は、潜在性イミダゾール硬化剤、潜在性チオール硬化剤又は潜在性アミン硬化剤であることが好ましい。なお、上記熱硬化剤は、ポリウレタン樹脂又はポリエステル樹脂等の高分子物質で被覆されていてもよい。

上記イミダゾール硬化剤は特に限定されない。上記イミダゾール硬化剤としては、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン及び２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−ベンジル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−パラトルイル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−メタトルイル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−メタトルイル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−パラトルイル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール等における１Ｈ−イミダゾールの５位の水素をヒドロキシメチル基で、かつ、２位の水素をフェニル基またはトルイル基で置換したイミダゾール化合物等が挙げられる。

上記チオール硬化剤は特に限定されない。上記チオール硬化剤としては、トリメチロールプロパントリス−３−メルカプトプロピオネート、ペンタエリスリトールテトラキス−３−メルカプトプロピオネート及びジペンタエリスリトールヘキサ−３−メルカプトプロピオネート等が挙げられる。

上記アミン硬化剤は特に限定されない。上記アミン硬化剤としては、ヘキサメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、３，９−ビス（３−アミノプロピル）−２，４，８，１０−テトラスピロ［５．５］ウンデカン、ビス（４−アミノシクロヘキシル）メタン、メタフェニレンジアミン及びジアミノジフェニルスルホン等が挙げられる。

上記酸無水物硬化剤は特に限定されず、エポキシ化合物等の熱硬化性化合物の硬化剤として用いられる酸無水物であれば広く用いることができる。上記酸無水物硬化剤としては、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルブテニルテトラヒドロ無水フタル酸、フタル酸誘導体の無水物、無水マレイン酸、無水ナジック酸、無水メチルナジック酸、無水グルタル酸、無水コハク酸、グリセリンビス無水トリメリット酸モノアセテート、及びエチレングリコールビス無水トリメリット酸等の２官能の酸無水物硬化剤、無水トリメリット酸等の３官能の酸無水物硬化剤、並びに、無水ピロメリット酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸、メチルシクロヘキセンテトラカルボン酸無水物、及びポリアゼライン酸無水物等の４官能以上の酸無水物硬化剤等が挙げられる。

上記熱カチオン開始剤は特に限定されない。上記熱カチオン開始剤としては、ヨードニウム系カチオン硬化剤、オキソニウム系カチオン硬化剤及びスルホニウム系カチオン硬化剤等が挙げられる。上記ヨードニウム系カチオン硬化剤としては、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスファート等が挙げられる。上記オキソニウム系カチオン硬化剤としては、トリメチルオキソニウムテトラフルオロボラート等が挙げられる。上記スルホニウム系カチオン硬化剤としては、トリ−ｐ−トリルスルホニウムヘキサフルオロホスファート等が挙げられる。

上記熱ラジカル発生剤は特に限定されない。上記熱ラジカル発生剤としては、アゾ化合物及び有機過酸化物等が挙げられる。上記アゾ化合物としては、アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）等が挙げられる。上記有機過酸化物としては、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシド及びメチルエチルケトンペルオキシド等が挙げられる。

上記熱硬化剤の反応開始温度は、好ましくは５０℃以上、より好ましくは７０℃以上、さらに好ましくは８０℃以上であり、好ましくは２５０℃以下、より好ましくは２００℃以下、さらに好ましくは１５０℃以下、特に好ましくは１４０℃以下である。上記熱硬化剤の反応開始温度が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置される。上記熱硬化剤の反応開始温度は、８０℃以上１４０℃以下であることが特に好ましい。

電極上にはんだをより一層効率的に配置する観点からは、上記熱硬化剤の反応開始温度は、上記はんだ粒子の融点よりも、高いことが好ましく、５℃以上高いことがより好ましく、１０℃以上高いことがさらに好ましい。

上記熱硬化剤の反応開始温度は、ＤＳＣでの発熱ピークの立ち上がり開始の温度を意味する。

上記熱硬化剤の含有量は特に限定されない。上記熱硬化性化合物１００重量部に対して、上記熱硬化剤の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは１重量部以上であり、好ましくは２００重量部以下、より好ましくは１００重量部以下、さらに好ましくは７５重量部以下である。熱硬化剤の含有量が、上記下限以上であると、導電材料を十分に硬化させることが容易である。熱硬化剤の含有量が、上記上限以下であると、硬化後に硬化に関与しなかった余剰の熱硬化剤が残存し難くなり、かつ硬化物の耐熱性がより一層高くなる。

（熱硬化性成分：硬化促進剤）
上記導電材料は硬化促進剤を含んでいてもよい。上記硬化促進剤は特に限定されない。上記硬化促進剤は、上記熱硬化性化合物と上記熱硬化剤との反応において硬化触媒として作用することが好ましい。上記硬化促進剤は、上記熱硬化性化合物との反応において硬化触媒として作用することが好ましい。上記硬化促進剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記硬化促進剤としては、ホスホニウム塩、三級アミン、三級アミン塩、四級オニウム塩、三級ホスフィン、クラウンエーテル錯体、及びホスホニウムイリド等が挙げられる。具体的には、上記硬化促進剤としては、イミダゾール化合物、イミダゾール化合物のイソシアヌル酸塩、ジシアンジアミド、ジシアンジアミドの誘導体、メラミン化合物、メラミン化合物の誘導体、ジアミノマレオニトリル、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ビス（ヘキサメチレン）トリアミン、トリエタノールアミン、ジアミノジフェニルメタン、有機酸ジヒドラジド等のアミン化合物、１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデセン−７、３，９−ビス（３−アミノプロピル）−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ［５，５］ウンデカン、三フッ化ホウ素、並びに、トリフェニルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリブチルホスフィン及びメチルジフェニルホスフィン等の有機リン化合物等が挙げられる。

上記ホスホニウム塩は特に限定されない。上記ホスホニウム塩としては、テトラノルマルブチルホスホニウムブロマイド、テトラノルマルブチルホスホニウムＯ，Ｏ−ジエチルジチオリン酸、メチルトリブチルホスホニウムジメチルリン酸塩、テトラノルマルブチルホスホニウムベンゾトリアゾール、テトラノルマルブチルホスホニウムテトラフルオロボレート、及びテトラノルマルブチルホスホニウムテトラフェニルボレート等が挙げられる。

上記熱硬化性化合物が良好に硬化するように、上記硬化促進剤の含有量は適宜選択される。上記熱硬化性化合物１００重量部に対する上記硬化促進剤の含有量は、好ましくは０．５重量部以上、より好ましくは０．８重量部以上であり、好ましくは１０重量部以下、より好ましくは８重量部以下である。上記硬化促進剤の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、上記熱硬化性化合物を良好に硬化させることができる。

（フラックス）
上記導電材料は、フラックスを含む。フラックスを用いることで、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができる。上記フラックスは特に限定されない。上記フラックスとして、はんだ接合等に一般的に用いられているフラックスを用いることができる。

上記フラックスとしては、塩化亜鉛、塩化亜鉛と無機ハロゲン化物との混合物、塩化亜鉛と無機酸との混合物、溶融塩、リン酸、リン酸の誘導体、有機ハロゲン化物、ヒドラジン、アミン化合物、有機酸及び松脂等が挙げられる。上記フラックスは、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記溶融塩としては、塩化アンモニウム等が挙げられる。上記有機酸としては、乳酸、クエン酸、ステアリン酸、グルタミン酸及びグルタル酸等が挙げられる。上記松脂としては、活性化松脂及び非活性化松脂等が挙げられる。上記フラックスは、カルボキシル基を２個以上有する有機酸、又は松脂であることが好ましい。上記フラックスは、カルボキシル基を２個以上有する有機酸であってもよく、松脂であってもよい。カルボキシル基を２個以上有する有機酸、又は松脂の使用により、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。

上記カルボキシル基を２個以上有する有機酸としては、例えば、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、及びセバシン酸等が挙げられる。

上記アミン化合物としては、シクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ベンジルアミン、ベンズヒドリルアミン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、フェニルイミダゾール、カルボキシベンゾイミダゾール、ベンゾトリアゾール、及びカルボキシベンゾトリアゾール等が挙げられる。

上記松脂はアビエチン酸を主成分とするロジン類である。上記ロジン類としては、アビエチン酸、及びアクリル変性ロジン等が挙げられる。フラックスはロジン類であることが好ましく、アビエチン酸であることがより好ましい。この好ましいフラックスの使用により、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。

上記フラックスは、２３℃で液体であることが好ましい。上記フラックスが、２３℃で液体であることで、上記最大値を示す拡散係数を上記の好ましい範囲により一層容易に調整することができ、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができる。

２３℃で液体であるフラックスは、特に限定されない。２３℃で液体であるフラックスは、酸性リン酸エステル化合物であることが好ましい。上記酸性リン酸エステル化合物の市販品としては、エチルアシッドホスフェート、及びブチルアシッドホスフェート（以上いずれも城北化学工業社製）等が挙げられる。

上記フラックスの活性温度（融点）は、好ましくは−２０℃以上、より好ましくは０℃以上であり、好ましくは１２０℃以下、より好ましくは６０℃以下である。上記フラックスの活性温度（融点）が、上記下限以上及び上記上限以下であると、フラックス効果がより一層効果的に発揮され、はんだが電極上により一層効率的に配置される。

また、上記フラックスの沸点は２００℃以下であることが好ましい。

上記フラックスは、上記導電材料中に分散されていてもよく、上記導電性粒子の表面上に付着していてもよい。

電極上にはんだをより一層効率的に配置する観点、絶縁信頼性をより一層効果的に高める観点、及び導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記フラックスは、酸化合物と塩基化合物との塩であることが好ましい。

上記酸化合物は、カルボキシル基を有する有機化合物であることが好ましい。上記酸化合物としては、脂肪族系カルボン酸であるマロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、クエン酸、リンゴ酸、環状脂肪族カルボン酸であるシクロヘキシルカルボン酸、１，４−シクロヘキシルジカルボン酸、芳香族カルボン酸であるイソフタル酸、テレフタル酸、トリメリット酸、及びエチレンジアミン四酢酸等が挙げられる。電極上にはんだをより一層効率的に配置する観点、絶縁信頼性をより一層効果的に高める観点、及び導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記酸化合物は、グルタル酸、シクロヘキシルカルボン酸、又はアジピン酸であることが好ましい。

上記塩基化合物は、アミノ基を有する有機化合物であることが好ましい。上記塩基化合物としては、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、エチルジエタノールアミン、シクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ベンジルアミン、ベンズヒドリルアミン、２−メチルベンジルアミン、３−メチルベンジルアミン、４−ｔｅｒｔ−ブチルベンジルアミン、Ｎ−メチルベンジルアミン、Ｎ−エチルベンジルアミン、Ｎ−フェニルベンジルアミン、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルベンジルアミン、Ｎ−イソプロピルベンジルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルベンジルアミン、イミダゾール化合物、及びトリアゾール化合物が挙げられる。電極上にはんだをより一層効率的に配置する観点、絶縁信頼性をより一層効果的に高める観点、及び導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記塩基化合物は、ベンジルアミンであることが好ましい。

導電材料１００重量％中、上記フラックスの含有量は、好ましくは０．５重量％以上であり、好ましくは３０重量％以下、より好ましくは２５重量％以下である。上記導電材料は、フラックスを含んでいなくてもよい。上記フラックスの含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ及び電極の表面に酸化被膜がより一層形成され難くなり、更に、はんだ及び電極の表面に形成された酸化被膜をより一層効果的に除去できる。

（フィラー）
本発明に係る導電材料は、フィラーを含んでいてもよい。フィラーは、有機フィラーであってもよく、無機フィラーであってもよい。上記導電材料がフィラーを含むことにより、基板の全電極上に対して、はんだを均一に凝集させることができる。

上記導電材料は、上記フィラーを含まないか、又は上記フィラーを５重量％以下で含むことが好ましい。上記熱硬化性化合物を用いている場合には、フィラーの含有量が少ないほど、電極上にはんだが移動しやすくなる。

導電材料１００重量％中、上記フィラーの含有量は、好ましくは０重量％（未含有）以上であり、好ましくは５重量％以下、より好ましくは２重量％以下、さらに好ましくは１重量％以下である。上記フィラーの含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだが電極上により一層均一に配置される。

（他の成分）
上記導電材料は、必要に応じて、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、チキソ剤、レベリング剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。

（接続構造体及び接続構造体の製造方法）
本発明に係る接続構造体は、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、上記第１の接続対象部材と、上記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備える。本発明に係る接続構造体では、上記接続部の材料が、上述した導電材料である。本発明に係る接続構造体では、上記第１の電極と上記第２の電極とが、上記接続部中のはんだ部により電気的に接続されている。

本発明に係る接続構造体の製造方法は、熱硬化性成分と、フラックスと、はんだを含む導電性粒子とを含む導電材料を用いて、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材の表面上に、上記導電材料を配置する第１の工程を備える。本発明に係る接続構造体の製造方法は、上記導電材料の上記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材を、上記第１の電極と上記第２の電極とが対向するように配置する第２の工程を備える。本発明に係る接続構造体の製造方法は、上記導電性粒子の融点以上に上記導電材料を加熱することで、上記第１の接続対象部材と上記第２の接続対象部材とを接続している接続部を、上記導電材料により形成し、かつ、上記第１の電極と上記第２の電極とを、上記接続部中のはんだ部により電気的に接続する第３の工程を備える。本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記第１の電極の表面の材料及び上記導電材料の組み合わせとして、以下の第１の電極の表面の材料及び導電材料を用いる。表面の材料が上記第１の電極の表面の材料と同じである基板上に上記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される上記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数が、１．０×１０^−２３ｍ^２／ｓ以上１．０×１０^−１４ｍ^２／ｓ以下となる第１の電極の表面の材料及び導電材料。

本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記の構成が備えられているので、電極上にはんだを効率的に配置することができる。

上記接続構造体の製造方法では、上記第２の電極の表面の材料及び上記導電材料の組み合わせとして、以下の第２の電極の表面の材料及び導電材料を用いることが好ましい。表面の材料が上記第２の電極の表面の材料と同じである基板上に上記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される上記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数が、１．０×１０^−２３ｍ^２／ｓ以上１．０×１０^−１４ｍ^２／ｓ以下となる第２の電極の表面の材料及び導電材料。第２の電極の表面の材料及び導電材料が、上記の好ましい態様を満足すると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができる。

電極上にはんだをより一層効率的に配置する観点からは、上記第１の電極及び上記第２の電極は、金電極、銀電極、銅電極又はアルミニウム電極であることが好ましく、金電極又は銀電極であることがより好ましい。

本発明に係る接続構造体及び接続構造体の製造方法では、特定の導電材料を用いているので、はんだが第１の電極と第２の電極との間に集まりやすく、はんだを電極（ライン）上に効率的に配置することができる。また、はんだの一部が、電極が形成されていない領域（スペース）に配置され難く、電極が形成されていない領域に配置されるはんだの量をかなり少なくすることができる。従って、第１の電極と第２の電極との間の導通信頼性を高めることができる。しかも、接続されてはならない横方向に隣接する電極間の電気的な接続を防ぐことができ、絶縁信頼性を高めることができる。

また、電極上にはんだを効率的に配置し、かつ電極が形成されていない領域に配置されるはんだの量をかなり少なくするためには、上記導電材料は、導電フィルムではなく、導電ペーストを用いることが好ましい。

電極間でのはんだ部の厚みは、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上であり、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは８０μｍ以下である。電極の表面上のはんだ濡れ面積（電極の露出した面積１００％中のはんだが接している面積）は、好ましくは５０％以上、より好ましくは７０％以上であり、好ましくは１００％以下である。

本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記第２の接続対象部材を配置する工程及び上記接続部を形成する工程において、加圧を行わず、上記導電材料には、上記第２の接続対象部材の重量が加わることが好ましい。本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記第２の接続対象部材を配置する工程及び上記接続部を形成する工程において、上記導電材料には、上記第２の接続対象部材の重量の力を超える加圧圧力は加わらないことが好ましい。これらの場合には、複数のはんだ部において、はんだ量の均一性をより一層高めることができる。さらに、はんだ部の厚みをより一層効果的に厚くすることができ、はんだが電極間に多く集まりやすくなり、はんだを電極（ライン）上により一層効率的に配置することができる。また、はんだの一部が、電極が形成されていない領域（スペース）に配置され難く、電極が形成されていない領域に配置されるはんだの量をより一層少なくすることができる。従って、電極間の導通信頼性をより一層高めることができる。しかも、接続されてはならない横方向に隣接する電極間の電気的な接続をより一層防ぐことができ、絶縁信頼性をより一層高めることができる。

また、導電フィルムではなく、導電ペーストを用いれば、導電ペーストの塗布量によって、接続部及びはんだ部の厚みを調整することが容易になる。一方で、導電フィルムでは、接続部の厚みを変更したり、調整したりするためには、異なる厚みの導電フィルムを用意したり、所定の厚みの導電フィルムを用意したりしなければならないという問題がある。また、導電フィルムでは、導電ペーストと比べて、はんだの溶融温度で、導電フィルムの溶融粘度を十分に下げることができず、はんだの凝集が阻害されやすい傾向がある。

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明する。

図１は、本発明の一実施形態に係る導電材料を用いて得られる接続構造体を模式的に示す断面図である。

図１に示す接続構造体１は、第１の接続対象部材２と、第２の接続対象部材３と、第１の接続対象部材２と第２の接続対象部材３とを接続している接続部４とを備える。接続部４は、上述した導電材料により形成されている。本実施形態では、上記導電材料は、熱硬化性成分と、フラックスと、はんだを含む導電性粒子とを含む。上記熱硬化性成分は、熱硬化性化合物と熱硬化剤とを含む。上記導電性粒子は、はんだ粒子である。本実施形態では、導電材料として、導電ペーストが用いられている。

接続部４は、複数のはんだ粒子が集まり互いに接合したはんだ部４Ａと、熱硬化性化合物が熱硬化された硬化物部４Ｂとを有する。

第１の接続対象部材２は表面（上面）に、複数の第１の電極２ａを有する。第２の接続対象部材３は表面（下面）に、複数の第２の電極３ａを有する。第１の電極２ａと第２の電極３ａとが、はんだ部４Ａにより電気的に接続されている。従って、第１の接続対象部材２と第２の接続対象部材３とが、はんだ部４Ａにより電気的に接続されている。なお、接続部４において、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間に集まったはんだ部４Ａとは異なる領域（硬化物部４Ｂ部分）では、はんだ粒子は存在しない。はんだ部４Ａとは異なる領域（硬化物部４Ｂ部分）では、はんだ部４Ａと離れたはんだ粒子は存在しない。なお、少量であれば、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間に集まったはんだ部４Ａとは異なる領域（硬化物部４Ｂ部分）に、はんだ粒子が存在していてもよい。

図１に示すように、接続構造体１では、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間に、複数のはんだ粒子が集まり、複数のはんだ粒子が溶融した後、はんだ粒子の溶融物が電極の表面を濡れ拡がった後に固化して、はんだ部４Ａが形成されている。このため、はんだ部４Ａと第１の電極２ａ、並びにはんだ部４Ａと第２の電極３ａとの接続面積が大きくなる。すなわち、はんだ粒子を用いることにより、導電性の外表面がニッケル、金又は銅等の金属である導電性粒子を用いた場合と比較して、はんだ部４Ａと第１の電極２ａ、並びにはんだ部４Ａと第２の電極３ａとの接触面積が大きくなる。このことによっても、接続構造体１における導通信頼性及び接続信頼性が高くなる。なお、導電材料にフラックスが含まれる場合に、フラックスは、一般に、加熱により次第に失活する。

なお、図１に示す接続構造体１では、はんだ部４Ａの全てが、第１，第２の電極２ａ，３ａ間の対向している領域に位置している。図３に示す変形例の接続構造体１Ｘは、接続部４Ｘのみが、図１に示す接続構造体１と異なる。接続部４Ｘは、はんだ部４ＸＡと硬化物部４ＸＢとを有する。接続構造体１Ｘのように、はんだ部４ＸＡの多くが、第１，第２の電極２ａ，３ａの対向している領域に位置しており、はんだ部４ＸＡの一部が第１，第２の電極２ａ，３ａの対向している領域から側方にはみ出していてもよい。第１，第２の電極２ａ，３ａの対向している領域から側方にはみ出しているはんだ部４ＸＡは、はんだ部４ＸＡの一部であり、はんだ部４ＸＡから離れたはんだ粒子ではない。なお、本実施形態では、はんだ部から離れたはんだ粒子の量を少なくすることができるが、はんだ部から離れたはんだ粒子が硬化物部中に存在していてもよい。

はんだ粒子の使用量を少なくすれば、接続構造体１を得ることが容易になる。はんだ粒子の使用量を多くすれば、接続構造体１Ｘを得ることが容易になる。

接続構造体１，１Ｘでは、第１の電極２ａと接続部４，４Ｘと第２の電極３ａとの積層方向に第１の電極２ａと第２の電極３ａとの対向し合う部分をみたときに、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの対向し合う部分の面積１００％中の５０％以上に、接続部４，４Ｘ中のはんだ部４Ａ，４ＸＡが配置されていることが好ましい。接続部４，４Ｘ中のはんだ部４Ａ，４ＸＡが、上記の好ましい態様を満足することで、導通信頼性をより一層高めることができる。

上記第１の電極と上記接続部と上記第２の電極との積層方向に上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分の面積１００％中の５０％以上に、上記接続部中のはんだ部が配置されていることが好ましい。上記第１の電極と上記接続部と上記第２の電極との積層方向に上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分の面積１００％中の６０％以上に、上記接続部中のはんだ部が配置されていることがより好ましい。上記第１の電極と上記接続部と上記第２の電極との積層方向に上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分の面積１００％中の７０％以上に、上記接続部中のはんだ部が配置されていることがさらに好ましい。上記第１の電極と上記接続部と上記第２の電極との積層方向に上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分の面積１００％中の８０％以上に、上記接続部中のはんだ部が配置されていることが特に好ましい。上記第１の電極と上記接続部と上記第２の電極との積層方向に上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分の面積１００％中の９０％以上に、上記接続部中のはんだ部が配置されていることが最も好ましい。上記接続部中のはんだ部が、上記の好ましい態様を満足することで、導通信頼性をより一層高めることができる。

上記第１の電極と上記接続部と上記第２の電極との積層方向と直交する方向に上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分に、上記接続部中のはんだ部の６０％以上が配置されていることが好ましい。上記第１の電極と上記接続部と上記第２の電極との積層方向と直交する方向に上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分に、上記接続部中のはんだ部の７０％以上が配置されていることがより好ましい。上記第１の電極と上記接続部と上記第２の電極との積層方向と直交する方向に上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分に、上記接続部中のはんだ部の９０％以上が配置されていることがさらに好ましい。上記第１の電極と上記接続部と上記第２の電極との積層方向と直交する方向に上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分に、上記接続部中のはんだ部の９５％以上が配置されていることが特に好ましい。上記第１の電極と上記接続部と上記第２の電極との積層方向と直交する方向に上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分に、上記接続部中のはんだ部の９９％以上が配置されていることが最も好ましい。上記接続部中のはんだ部が、上記の好ましい態様を満足することで、導通信頼性をより一層高めることができる。

次に、図２では、本発明の一実施形態に係る導電材料を用いて、接続構造体１を製造する方法の一例を説明する。

先ず、第１の電極２ａを表面（上面）に有する第１の接続対象部材２を用意する。次に、図２（ａ）に示すように、第１の接続対象部材２の表面上に、熱硬化性成分１１Ｂと、はんだ粒子１１Ａとを含む導電材料１１を配置する（第１の工程）。用いた導電材料１１は、熱硬化性成分１１Ｂとして、熱硬化性化合物と熱硬化剤とを含む。

第１の接続対象部材２の第１の電極２ａが設けられた表面上に、導電材料１１を配置する。導電材料１１の配置の後に、はんだ粒子１１Ａは、第１の電極２ａ（ライン）上と、第１の電極２ａが形成されていない領域（スペース）上との双方に配置されている。

導電材料１１の配置方法としては、特に限定されないが、ディスペンサーによる塗布、スクリーン印刷、及びインクジェット装置による吐出等が挙げられる。

また、第２の電極３ａを表面（下面）に有する第２の接続対象部材３を用意する。次に、図２（ｂ）に示すように、第１の接続対象部材２の表面上の導電材料１１において、導電材料１１の第１の接続対象部材２側とは反対側の表面上に、第２の接続対象部材３を配置する（第２の工程）。導電材料１１の表面上に、第２の電極３ａ側から、第２の接続対象部材３を配置する。このとき、第１の電極２ａと第２の電極３ａとを対向させる。

次に、はんだ粒子１１Ａの融点以上に導電材料１１を加熱する（第３の工程）。好ましくは、熱硬化性成分１１Ｂ（熱硬化性化合物）の硬化温度以上に導電材料１１を加熱する。この加熱時には、電極が形成されていない領域に存在していたはんだ粒子１１Ａは、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間に集まる（自己凝集効果）。導電フィルムではなく、導電ペーストを用いた場合には、はんだ粒子１１Ａが、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間により一層効果的に集まる。また、はんだ粒子１１Ａは溶融し、互いに接合する。また、熱硬化性成分１１Ｂは熱硬化する。この結果、図２（ｃ）に示すように、第１の接続対象部材２と第２の接続対象部材３とを接続している接続部４が、導電材料１１により形成される。導電材料１１により接続部４が形成され、複数のはんだ粒子１１Ａが接合することによってはんだ部４Ａが形成され、熱硬化性成分１１Ｂが熱硬化することによって硬化物部４Ｂが形成される。はんだ粒子１１Ａが十分に移動すれば、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間に位置していないはんだ粒子１１Ａの移動が開始してから、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間にはんだ粒子１１Ａの移動が完了するまでに、温度を一定に保持しなくてもよい。

本実施形態では、上記第１の電極の表面の材料及び上記導電材料の組み合わせとして、以下の第１の電極の表面の材料及び導電材料を用いている。表面の材料が上記第１の電極の表面の材料と同じである基板上に上記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される上記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数が、１．０×１０^−２３ｍ^２／ｓ以上１．０×１０^−１４ｍ^２／ｓ以下となる第１の電極の表面の材料及び導電材料。本実施形態では、上記の構成が備えられているので、電極上にはんだを効率的に配置することができる。

本実施形態では、上記第２の工程及び上記第３の工程において、加圧を行わない方が好ましい。この場合には、導電材料１１には、第２の接続対象部材３の重量が加わる。このため、接続部４の形成時に、はんだ粒子１１Ａが、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間により一層効果的に集まる。なお、上記第２の工程及び上記第３の工程の内の少なくとも一方において、加圧を行えば、はんだ粒子１１Ａが第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間に集まろうとする作用が阻害される傾向が高くなる。

また、本実施形態では、加圧を行っていないため、第１の電極２ａと第２の電極３ａとのアライメントがずれた状態で、第１の接続対象部材２と第２の接続対象部材３とが重ね合わされた場合でも、そのずれを補正して、第１の電極２ａと第２の電極３ａとを接続させることができる（セルフアライメント効果）。これは、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間に自己凝集している溶融したはんだが、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間のはんだと導電材料のその他の成分とが接する面積が最小となる方がエネルギー的に安定になり、その最小の面積となる接続構造であるアライメントのあった接続構造にする力が働くためである。この際、導電材料が硬化していないこと、及び、その温度、時間にて、導電材料のはんだ粒子以外の成分の粘度が十分低いことが望ましい。

はんだの融点での導電材料の粘度（ηｍｐ）は、好ましくは５０Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは１０Ｐａ・ｓ以下、さらに好ましくは１Ｐａ・ｓ以下であり、好ましくは０．１Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは０．２Ｐａ・ｓ以上である。上記粘度（ηｍｐ）が、上記上限以下であれば、電極上にはんだを効率的に凝集させることができる。上記粘度（ηｍｐ）が、上記下限以上であれば、接続部でのボイドを抑制し、接続部以外への導電材料のはみだしを抑制することができる。

上記粘度（ηｍｐ）は、ＳＴＲＥＳＳＴＥＣＨ（ＲＥＯＬＯＧＩＣＡ社製）等を用いて、歪制御１ｒａｄ、周波数１Ｈｚ、昇温速度２０℃／分、測定温度範囲２５℃〜２００℃（但し、はんだの融点が２００℃を超える場合には温度上限をはんだの融点とする）の条件で測定可能である。測定結果から、はんだの融点（℃）での粘度が評価される。

このようにして、図１に示す接続構造体１が得られる。なお、上記第２の工程と上記第３の工程とは連続して行われてもよい。また、上記第２の工程を行った後に、得られる第１の接続対象部材２と導電材料１１と第２の接続対象部材３との積層体を、加熱部に移動させて、上記第３の工程を行ってもよい。上記加熱を行うために、加熱部材上に上記積層体を配置してもよく、加熱された空間内に上記積層体を配置してもよい。

上記第３の工程における上記加熱温度は、好ましくは１４０℃以上、より好ましくは１６０℃以上であり、好ましくは４５０℃以下、より好ましくは２５０℃以下、さらに好ましくは２００℃以下である。

上記第３の工程における加熱方法としては、はんだの融点以上及び熱硬化性成分の硬化温度以上に、接続構造体全体を、リフロー炉を用いて又はオーブンを用いて加熱する方法や、接続構造体の接続部のみを局所的に加熱する方法が挙げられる。

局所的に加熱する方法に用いる器具としては、ホットプレート、熱風を付与するヒートガン、はんだゴテ、及び赤外線ヒーター等が挙げられる。

また、ホットプレートにて局所的に加熱する際、接続部直下は、熱伝導性の高い金属にて、その他の加熱することが好ましくない個所は、フッ素樹脂等の熱伝導性の低い材質にて、ホットプレート上面を形成することが好ましい。

上記第１，第２の接続対象部材は、特に限定されない。上記第１，第２の接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、半導体パッケージ、ＬＥＤチップ、ＬＥＤパッケージ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びに樹脂フィルム、プリント基板、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル、リジッドフレキシブル基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板等の電子部品等が挙げられる。上記第１，第２の接続対象部材は、電子部品であることが好ましい。

上記第１の接続対象部材及び上記第２の接続対象部材の内の少なくとも一方が、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板であることが好ましい。上記第２の接続対象部材が、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板であることが好ましい。樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル及びリジッドフレキシブル基板は、柔軟性が高く、比較的軽量であるという性質を有する。このような接続対象部材の接続に導電フィルムを用いた場合には、はんだが電極上に集まりにくい傾向がある。これに対して、導電ペーストを用いることで、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板を用いたとしても、はんだを電極上に効率的に集めることで、電極間の導通信頼性を十分に高めることができる。樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板を用いる場合に、半導体チップ等の他の接続対象部材を用いた場合と比べて、加圧を行わないことによる電極間の導通信頼性の向上効果がより一層効果的に得られる。

上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極、銀電極、ＳＵＳ電極、及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極、銀電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極、銀電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、３価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び３価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記３価の金属元素としては、Ｓｎ、Ａｌ及びＧａ等が挙げられる。電極上にはんだをより一層効率的に配置する観点からは、上記接続対象部材に設けられている電極は、金電極、銀電極、銅電極又はアルミニウム電極であることが好ましい。

本発明に係る接続構造体では、上記第１の電極及び上記第２の電極は、エリアアレイ又はペリフェラルにて配置されていることが好ましい。上記第１の電極及び上記第２の電極が、エリアアレイ又はペリフェラルにて配置されている場合において、本発明の効果がより一層効果的に発揮される。上記エリアアレイとは、接続対象部材の電極が配置されている面にて、格子状に電極が配置されている構造のことである。上記ペリフェラルとは、接続対象部材の外周部に電極が配置されている構造のことである。電極が櫛型に並んでいる構造の場合は、櫛に垂直な方向に沿ってはんだが凝集すればよいのに対して、上記エリアアレイ又はペリフェラル構造では電極が配置されている面において、全面にて均一にはんだが凝集する必要がある。そのため、従来の方法では、はんだ量が不均一になりやすいのに対して、本発明の方法では、全面にて均一にはんだを凝集させることができる。

以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。

熱硬化性成分（熱硬化性化合物）：
熱硬化性化合物１：ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、新日鉄住金化学社製「ＹＤＦ−８１７０Ｃ」
熱硬化性化合物２：ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、新日鉄住金化学社製「ＹＤ−８１２５」
熱硬化性化合物３：フェノールノボラック型エポキシ化合物、ＤＯＷ社製「ＤＥＮ４３１」
熱硬化性化合物４：脂肪族エポキシ化合物、共栄社化学社製「エポライト１６００」
熱硬化性化合物５：イソシアヌル骨格含有エポキシ化合物、日産化学社製「ＴＥＰＩＣ−ＳＰ」

熱硬化性成分（熱硬化剤）：
熱硬化剤１：酸無水物硬化剤、新日本理化社製「リカシッドＴＨ」
熱硬化剤２：酸無水物硬化剤、新日本理化社製「リカシッドＭＨ」

熱硬化性成分（硬化促進剤）：
硬化促進剤１：有機ホスホニウム塩、日本化学工業社製「ＰＸ−４ＭＰ」

フラックス：
フラックス１：酸性リン酸エステル化合物（ブチルアシッドホスフェート）、城北化学工業社製「ＪＰ−５０４」、２３℃で液体
フラックス２：酸性リン酸エステル化合物（エチルアシッドホスフェート）、城北化学工業社製「ＪＰ−５０２」、２３℃で液体
フラックス３：昭和化学工業社製「ステアリン酸」、２３℃で固体
フラックス４：城北化学工業社製「ジエチルホスホノ酢酸」、２３℃で液体
フラックス５：「グルタル酸ベンジルアミン塩」、融点１０８℃、２３℃で固体

フラックス５の作製方法：
ガラスビンに、反応溶媒である水２４ｇと、グルタル酸（和光純薬工業社製）１３．２１２ｇとを入れ、室温で均一になるまで溶解させた。その後、ベンジルアミン（和光純薬工業社製）１０．７１５ｇを入れて、約５分間撹拌し、混合液を得た。得られた混合液を５℃〜１０℃の冷蔵庫に入れて、一晩放置した。析出した結晶をろ過により分取し、水で洗浄し、真空乾燥し、フラックス５を得た。

フラックス６：「アジピン酸ベンジルアミン塩」、融点１７１℃、２３℃で固体

フラックス６の作製方法：
ガラスビンに、反応溶媒である水２４ｇと、アジピン酸（和光純薬工業社製）１３．８９ｇとを入れ、室温で均一になるまで溶解させた。その後、ベンジルアミン（和光純薬工業社製）１０．７１５ｇを入れて、約５分間撹拌し、混合液を得た。得られた混合液を５℃〜１０℃の冷蔵庫に入れて、一晩放置した。析出した結晶をろ過により分取し、水で洗浄し、真空乾燥し、フラックス６を得た。

フラックス７：昭和化学工業社製「アゼライン酸」、２３℃で固体
フラックス８：昭和化学工業社製「セバシン酸」、２３℃で固体

導電性粒子（はんだ粒子、はんだ粒子以外のはんだを含む導電性粒子（導電性粒子Ｘ））：
はんだ粒子１：ＳｎＢｉはんだ粒子、融点１３８℃、三井金属社製「Ｓｎ４２Ｂｉ５８」を選別したはんだ粒子、平均粒子径：２０μｍ
はんだ粒子２：ＳｎＢｉはんだ粒子、融点１３８℃、三井金属社製「Ｓｎ４２Ｂｉ５８」を選別したはんだ粒子、平均粒子径：１０μｍ
はんだ粒子３：ＳｎＢｉはんだ粒子、融点１３８℃、三井金属社製「Ｓｎ４２Ｂｉ５８」を選別したはんだ粒子、平均粒子径：７μｍ
はんだ粒子４：ＳｎＢｉはんだ粒子、融点１３８℃、三井金属社製「Ｓｎ４２Ｂｉ５８」を選別したはんだ粒子、平均粒子径：５μｍ
はんだ粒子５：ＳｎＢｉはんだ粒子、融点１３８℃、三井金属社製「Ｓｎ６６Ｂｉ３４」を選別したはんだ粒子、平均粒子径：１０μｍ
はんだ粒子６：ＳｎＡｇＣｕはんだ粒子、三井金属鉱業社製「ＳｎＡｇ３Ｃｕ０．５」、平均粒子径：１０μｍ、融点：２１７℃
はんだ粒子７：銀めっきしたＳｎＢｉはんだ粒子、融点１３８℃、三井金属社製「Ｓｎ４２Ｂｉ５８」を選別したはんだ粒子を銀めっきした導電性粒子、平均粒子径：１０μｍ

はんだ粒子７の作製方法：
粒子径が１０μｍのＳｎＢｉはんだ粒子２０ｇを、１重量％クエン酸溶液５００ｇに入れて、はんだ粒子の表面の酸化膜を除去した。硝酸銀５ｇと、イオン交換水１０００ｇと、１，３−ジブロモ−５，５−ジメチルヒダントイン５ｇと、チオリンゴ酸３ｇとを含む溶液を調製した。該溶液に酸化膜を除去したはんだ粒子５０ｇを入れて混合し、懸濁液を得た。得られた懸濁液を用いて、アノード：白金、カソード：含リン銅、電流密度：２Ａ／ｄｍ^２の条件で、電解めっきを実施することによって、ＳｎＢｉはんだ粒子を銀めっきしたはんだ粒子７を得た。

はんだ粒子８：ニッケルめっきしたＳｎＢｉはんだ粒子、融点１３８℃、三井金属社製「Ｓｎ４２Ｂｉ５８」を選別したはんだ粒子をニッケルめっきした導電性粒子、平均粒子径：１０μｍ

はんだ粒子８の作製方法：
粒子径が１０μｍのＳｎＢｉはんだ粒子２０ｇを、ドーム直径２８０ｍｍ、公転２３４ｒｐｍ、２２．８Ａ／ｄｍ^２、２時間の条件でフロースループレータを用いて電解めっきを行った。めっき浴はワットＮｉ(サプレアニッケルＡＥＰ−１)を用い、導電メディアとしてはスチールボールを充填密度４．７４で用いた。上記の電解めっきにより、ＳｎＢｉはんだ粒子をニッケルめっきしたはんだ粒子８を得た。

（実施例１〜１９及び比較例１〜５）
（１）導電材料（異方性導電ペースト）の作製
下記の表１，２に示す成分を下記の表１，２に示す配合量で配合して、導電材料（異方性導電ペースト）を得た。

（２）第１の接続構造体の作製
第１の接続対象部材として、Ｌ／Ｓ＝５０μｍ／５０μｍの金電極（電極長さ：３ｍｍ、電極厚み：１２μｍ）を表面に有するガラスエポキシ基板（材質：ＦＲ−４、厚み：０．６ｍｍ）を用意した。

第２の接続対象部材として、Ｌ／Ｓ＝５０μｍ／５０μｍの金電極（電極長さ：３ｍｍ、電極厚み：１２μｍ）を表面に有するフレキシブルプリント基板（材質：ポリイミド、厚み：０．１ｍｍ）を用意した。

上記ガラスエポキシ基板の上面に、作製直後の導電材料（異方性導電ペースト）を厚さ１００μｍとなるように塗工し、導電材料（異方性導電ペースト）層を形成した。次に、導電材料（異方性導電ペースト）層の上面にフレキシブルプリント基板を電極同士が対向するように積層した。導電材料（異方性導電ペースト）層には、上記フレキシブルプリント基板の重量は加わる。その状態から、導電材料（異方性導電ペースト）層の温度が、昇温開始から５秒後に導電性粒子の融点となるように加熱した。さらに、昇温開始から１５秒後に、導電材料（異方性導電ペースト）層の温度が１６０℃となるように加熱し、導電材料（異方性導電ペースト）層を硬化させ、接続構造体を得た。加熱時には、加圧を行わなかった。

（３）第２の接続構造体の作製
第１の接続対象部材として、Ｌ／Ｓ＝５０μｍ／５０μｍの銀電極（電極長さ：３ｍｍ、電極厚み：１２μｍ）を表面に有するガラスエポキシ基板（材質：ＦＲ−４、厚み：０．６ｍｍ）を用意した。

第２の接続対象部材として、Ｌ／Ｓ＝５０μｍ／５０μｍの銀電極（電極長さ：３ｍｍ、電極厚み：１２μｍ）を表面に有するフレキシブルプリント基板（材質：ポリイミド、厚み：０．１ｍｍ）を用意した。

上記ガラスエポキシ基板の上面に、作製直後の導電材料（異方性導電ペースト）を厚さ１００μｍとなるように塗工し、導電材料（異方性導電ペースト）層を形成した。次に、導電材料（異方性導電ペースト）層の上面にフレキシブルプリント基板を電極同士が対向するように積層した。導電材料（異方性導電ペースト）層には、上記フレキシブルプリント基板の重量は加わる。その状態から、導電材料（異方性導電ペースト）層の温度が、昇温開始から５秒後に導電性粒子の融点となるように加熱した。さらに、昇温開始から１５秒後に、導電材料（異方性導電ペースト）層の温度が１６０℃となるように加熱し、導電材料（異方性導電ペースト）層を硬化させ、接続構造体を得た。加熱時には、加圧を行わなかった。

（４）第３の接続構造体の作製
第１の接続対象部材として、Ｌ／Ｓ＝５０μｍ／５０μｍの銅電極（電極長さ：３ｍｍ、電極厚み：１２μｍ）を表面に有するガラスエポキシ基板（材質：ＦＲ−４、厚み：０．６ｍｍ）を用意した。

第２の接続対象部材として、Ｌ／Ｓ＝５０μｍ／５０μｍの銅電極（電極長さ：３ｍｍ、電極厚み：１２μｍ）を表面に有するフレキシブルプリント基板（材質：ポリイミド、厚み：０．１ｍｍ）を用意した。

上記ガラスエポキシ基板の上面に、作製直後の導電材料（異方性導電ペースト）を厚さ１００μｍとなるように塗工し、導電材料（異方性導電ペースト）層を形成した。次に、導電材料（異方性導電ペースト）層の上面にフレキシブルプリント基板を電極同士が対向するように積層した。導電材料（異方性導電ペースト）層には、上記フレキシブルプリント基板の重量は加わる。その状態から、導電材料（異方性導電ペースト）層の温度が、昇温開始から５秒後に導電性粒子の融点となるように加熱した。さらに、昇温開始から１５秒後に、導電材料（異方性導電ペースト）層の温度が１６０℃となるように加熱し、導電材料（異方性導電ペースト）層を硬化させ、接続構造体を得た。加熱時には、加圧を行わなかった。

（５）第４の接続構造体の作製
第１の接続対象部材として、Ｌ／Ｓ＝５０μｍ／５０μｍのアルミニウム電極（電極長さ：３ｍｍ、電極厚み：１２μｍ）を表面に有するガラスエポキシ基板（材質：ＦＲ−４、厚み：０．６ｍｍ）を用意した。

第２の接続対象部材として、Ｌ／Ｓ＝５０μｍ／５０μｍのアルミニウム電極（電極長さ：３ｍｍ、電極厚み：１２μｍ）を表面に有するフレキシブルプリント基板（材質：ポリイミド、厚み：０．１ｍｍ）を用意した。

上記ガラスエポキシ基板の上面に、作製直後の導電材料（異方性導電ペースト）を厚さ１００μｍとなるように塗工し、導電材料（異方性導電ペースト）層を形成した。次に、導電材料（異方性導電ペースト）層の上面にフレキシブルプリント基板を電極同士が対向するように積層した。導電材料（異方性導電ペースト）層には、上記フレキシブルプリント基板の重量は加わる。その状態から、導電材料（異方性導電ペースト）層の温度が、昇温開始から５秒後に導電性粒子の融点となるように加熱した。さらに、昇温開始から１５秒後に、導電材料（異方性導電ペースト）層の温度が１６０℃となるように加熱し、導電材料（異方性導電ペースト）層を硬化させ、接続構造体を得た。加熱時には、加圧を行わなかった。

（評価）
（１）最大値を示す拡散係数
表面の材料が、第１，２，３，４の接続対象部材の電極の表面の材料（金、銀、銅又はアルミニウム）と同じである基板を準備した。

表面の材料が金である基板に、得られた導電材料を塗布し、７０℃となるように加熱し、ＥＰＭＡ分析により導電性粒子に含まれる金属の拡散係数を算出した。得られた金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数をＤＡｕとした。ＤＡｕを以下の基準で判定した。

表面の材料が銀である基板に、得られた導電材料を塗布し、７０℃となるように加熱し、ＥＰＭＡ分析により導電性粒子に含まれる金属の拡散係数を算出した。得られた金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数をＤＡｇとした。ＤＡｇを以下の基準で判定した。

表面の材料が銅である基板に、得られた導電材料を塗布し、７０℃となるように加熱し、ＥＰＭＡ分析により導電性粒子に含まれる金属の拡散係数を算出した。得られた金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数をＤＣｕとした。ＤＣｕを以下の基準で判定した。

表面の材料がアルミニウムである基板に、得られた導電材料を塗布し、７０℃となるように加熱し、ＥＰＭＡ分析により導電性粒子に含まれる金属の拡散係数を算出した。得られた金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数をＤＡｌとした。ＤＡｌを以下の基準で判定した。

［最大値を示す拡散係数（ＤＡｕ、ＤＡｇ、ＤＣｕ又はＤＡｌ）の判定基準］
○○：最大値を示す拡散係数（ＤＡｕ、ＤＡｇ、ＤＣｕ又はＤＡｌ）が１．０×１０^−２０ｍ^２／ｓ以上１．０×１０^−１４ｍ^２／ｓ未満
○：最大値を示す拡散係数（ＤＡｕ、ＤＡｇ、ＤＣｕ又はＤＡｌ）が１．０×１０^−２３ｍ^２／ｓ以上１．０×１０^−２０ｍ^２／ｓ未満
△：最大値を示す拡散係数（ＤＡｕ、ＤＡｇ、ＤＣｕ又はＤＡｌ）が１．０×１０^−２６ｍ^２／ｓ以上１．０×１０^−２３ｍ^２／ｓ未満
×：最大値を示す拡散係数（ＤＡｕ、ＤＡｇ、ＤＣｕ又はＤＡｌ）が１．０×１０^−２６ｍ^２／ｓ未満

（２）電極上のはんだの配置精度
得られた第１，２，３，４の接続構造体において、第１の電極と接続部と第２の電極との積層方向に第１の電極と第２の電極との対向し合う部分をみたときに、第１の電極と第２の電極との対向し合う部分の面積１００％中の、接続部中のはんだ部が配置されている面積の割合Ｘを評価した。電極上のはんだの配置精度を以下の基準で判定した。

［電極上のはんだの配置精度の判定基準］
○○○：割合Ｘが８０％以上
○○：割合Ｘが７０％以上８０％未満
○：割合Ｘが６０％以上７０％未満
△：割合Ｘが５０％以上６０％未満
×：割合Ｘが５０％未満

（３）マイグレーション
得られた第１，２，３，４の接続構造体において、マイグレーション試験（温度１１０℃、湿度８５％、５Ｖ印加の条件で１００時間放置）を実施した。マイグレーション試験後の上下の電極間の接続抵抗をそれぞれ、４端子法により測定した。なお、電圧＝電流×抵抗の関係から、一定の電流を流した時の電圧を測定することにより絶縁抵抗を求めることができる。マイグレーションを下記の基準で判定した。

［マイグレーションの判定基準］
〇〇：マイグレーション試験後の絶縁抵抗の平均値が１．０×１０^１４Ω以上
○：マイグレーション試験後の絶縁抵抗の平均値が１．０×１０^１２Ω以上１．０×１０^１４Ω未満
△：マイグレーション試験後の絶縁抵抗の平均値が１．０×１０^１０Ω以上１．０×１０^１２Ω未満
×：マイグレーション試験後の絶縁抵抗の平均値が１．０×１０^１０Ω未満であり、絶縁不良が生じている

結果を下記の表１，２に示す。

樹脂フィルム、フレキシブルフラットケーブル及びリジッドフレキシブル基板を用いた場合でも、同様の傾向が見られた。

１，１Ｘ…接続構造体
２…第１の接続対象部材
２ａ…第１の電極
３…第２の接続対象部材
３ａ…第２の電極
４，４Ｘ…接続部
４Ａ，４ＸＡ…はんだ部
４Ｂ，４ＸＢ…硬化物部
１１…導電材料
１１Ａ…はんだ粒子
１１Ｂ…熱硬化性成分
２１…導電性粒子
３１…導電性粒子
３２…基材粒子
３３…導電部
３３Ａ…第２の導電部
３３Ｂ…第１の導電部
４１…導電性粒子
４２…導電部

Claims (11)

1. 熱硬化性成分と、フラックスと、はんだを含む導電性粒子とを含む導電材料であり、
   表面の材料が金である基板に前記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される前記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数が、１．０×１０^−２３ｍ^２／ｓ以上１．０×１０^−１４ｍ^２／ｓ以下である、導電材料。
2. 熱硬化性成分と、フラックスと、はんだを含む導電性粒子とを含む導電材料であり、
   表面の材料が銀である基板に前記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される前記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数が、１．０×１０^−２３ｍ^２／ｓ以上１．０×１０^−１４ｍ^２／ｓ以下である、導電材料。
3. 熱硬化性成分と、フラックスと、はんだを含む導電性粒子とを含む導電材料であり、
   表面の材料が銅である基板に前記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される前記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数が、１．０×１０^−２３ｍ^２／ｓ以上１．０×１０^−１４ｍ^２／ｓ以下である、導電材料。
4. 熱硬化性成分と、フラックスと、はんだを含む導電性粒子とを含む導電材料であり、
   表面の材料がアルミニウムである基板に前記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される前記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数が、１．０×１０^−２３ｍ^２／ｓ以上１．０×１０^−１４ｍ^２／ｓ以下である、導電材料。
5. 前記フラックスが、２３℃で液体である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の導電材料。
6. 前記はんだを含む導電性粒子の粒子径が、３５μｍ以下である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電材料。
7. 導電ペーストである、請求項１〜６のいずれか１項に記載の導電材料。
8. 第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、
   第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、
   前記第１の接続対象部材と、前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、
   前記接続部の材料が、請求項１〜７のいずれか１項に記載の導電材料であり、
   前記第１の電極と前記第２の電極とが、前記接続部中のはんだ部により電気的に接続されている、接続構造体。
9. 熱硬化性成分と、フラックスと、はんだを含む導電性粒子とを含む導電材料を用いて、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材の表面上に、前記導電材料を配置する第１の工程と、
   前記導電材料の前記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材を、前記第１の電極と前記第２の電極とが対向するように配置する第２の工程と、
   前記導電性粒子の融点以上に前記導電材料を加熱することで、前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とを接続している接続部を、前記導電材料により形成し、かつ、前記第１の電極と前記第２の電極とを、前記接続部中のはんだ部により電気的に接続する第３の工程とを備え、
   前記第１の電極の表面の材料及び前記導電材料の組み合わせとして、表面の材料が前記第１の電極の表面の材料と同じである基板上に前記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される前記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数が、１．０×１０^−２３ｍ^２／ｓ以上１．０×１０^−１４ｍ^２／ｓ以下となる第１の電極の表面の材料及び導電材料を用いる、接続構造体の製造方法。
10. 前記第２の電極の表面の材料及び前記導電材料の組み合わせとして、表面の材料が前記第２の電極の表面の材料と同じである基板上に前記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される前記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数が、１．０×１０^−２３ｍ^２／ｓ以上１．０×１０^−１４ｍ^２／ｓ以下となる第２の電極の表面の材料及び導電材料を用いる、請求項９に記載の接続構造体の製造方法。
11. 前記第１の電極及び前記第２の電極が、金電極、銀電極、銅電極又はアルミニウム電極である、請求項９又は１０に記載の接続構造体の製造方法。

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