JP2019174366A - 撮像パネル - Google Patents

Abstract

【課題】シンチレーション光の検出精度を低下させることなく、製造コストを抑えて、撮像パネルへの水分の侵入を抑制する。【解決手段】撮像パネル１は、複数の画素のそれぞれに光電変換素子を備えるアクティブマトリクス基板１ａと、アクティブマトリクス基板１ａの表面に設けられたシンチレータ１ｂと、アクティブマトリクス基板１ａとシンチレータ１ｂとを覆う防湿材２１２と、防湿材２１２と、シンチレータ１ｂ及びアクティブマトリクス基板１ａとの間を接着する接着層２１１とを備える、アクティブマトリクス基板１ａは、画素領域と画素領域の外側に設けられ、感光性樹脂膜で構成された第１の平坦化膜１０８と、平面視でシンチレータ領域の境界と接着層２１１との間に、アクティブマトリクス基板１ａの表面から第１の平坦化膜１０８に向かって貫通し、接着層２１１と同じ材料が充填された接着剤充填部２１１０とを備える。【選択図】図５Ｂ

Description

本発明は、撮像パネルに関する。

従来より、画素ごとに、スイッチング素子と接続された光電変換素子を備えるアクティブマトリクス基板がＸ線撮像装置に用いられている。下記特許文献１には、このようなＸ線撮像装置への水分の侵入を抑制する技術が開示されている。この特許文献１のＸ線撮像装置は、光電変換基板上に設けられた蛍光体層を保護する防湿保護層と、光電変換基板とを接着する接着剤を介した水分の侵入を抑制する。具体的には、光電変換基板上にポリイミド等からなる表面有機膜を設け、蛍光体層の外周に沿って、樹脂が埋め込まれた溝部を表面有機膜に設ける。

特許第６０７４１１１号公報

上記特許文献１では、防湿効果を有する表面有機膜を光電変換基板上に設け、表面有機膜に樹脂が埋め込まれた溝部を設けるため、接着剤の液だまりが生じにくく、光電変換基板に水分が侵入しにくい。そのため、光電変換基板から蛍光体層への水分の侵入がある程度抑制される。しかしながら、例えば、数１０μｍのポリイミド等の表面有機膜は防湿効果があるが、シンチレーション光の波長域を吸収するため、シンチレーション光の検出精度が低下する。また、光電変換基板上に設けられる材料とは別に表面有機膜を設けるため、製造コストが上がる。

本発明は、シンチレーション光の検出精度を低下させることなく、製造コストを抑えて、撮像パネルへの水分の侵入を抑制し得る技術を提供する。

上記課題を解決する本発明の撮像パネルは、複数の画素を含む画素領域を有し、前記複数の画素のそれぞれに光電変換素子を備えるアクティブマトリクス基板と、前記アクティブマトリクス基板の表面に設けられ、Ｘ線をシンチレーション光に変換するシンチレータと、前記アクティブマトリクス基板と前記シンチレータとを覆う防湿材と、前記防湿材と、前記シンチレータ及び前記アクティブマトリクス基板との間を接着する接着層と、を備え、前記アクティブマトリクス基板は、前記画素領域と前記画素領域の外側に設けられ、感光性樹脂膜で構成された第１の平坦化膜と、平面視で前記シンチレータが設けられたシンチレータ領域の境界と前記接着層との間に、前記アクティブマトリクス基板の表面から前記第１の平坦化膜に向かって貫通し、前記接着層と同じ材料が充填された接着剤充填部と、を備える。

本発明によれば、シンチレーション光の検出精度を低下させることなく、撮像パネルへの水分の侵入を抑制することができる。

図１は、第１実施形態におけるＸ線撮像装置を示す模式図である。 図２は、図１に示すアクティブマトリクス基板の概略構成を示す模式図である。 図３は、図２に示すアクティブマトリクス基板の画素が設けられた画素部の一部を拡大した平面図である。 図４Ａは、図３の画素部におけるＡ−Ａ線の断面図である。 図４Ｂは、図１に示す撮像パネルの画素部の断面図である。 図５Ａは、図１に示す撮像パネルの概略平面図である。 図５Ｂは、図５Ａに示すＢ−Ｂ線の断面図である。 図６Ａは、第１実施形態の応用例に係る撮像パネルの平面図である。 図６Ｂは、図６Ａに示す撮像パネルの端部領域の断面図である。 図７は、第２実施形態における撮像パネルの端部領域の断面図である。 図８Ａは、第２実施形態の応用例１に係る撮像パネルの端部領域の断面図である。 図８Ｂは、第２実施形態の応用例２に係る撮像パネルの端部領域の断面図である。 図８Ｃは、第２実施形態の応用例３に係る撮像パネルの端部領域の断面図である。 図９は、第３実施形態における撮像パネルの端部領域の断面図である。 図１０は、第３実施形態の応用例１に係る撮像パネルの端部領域の断面図である。 図１１Ａは、第３実施形態の応用例２に係る撮像パネルの端部領域の断面図である。 図１１Ｂは、第３実施形態の応用例３に係る撮像パネルの端部領域の断面図である。 図１２は、第３実施形態の応用例４に係る撮像パネルの端部領域の断面図である。 図１３Ａは、変形例（１）に係る撮像パネルの端部領域の一例を示す断面図である。 図１３Ｂは、図１３Ａと異なる撮像パネルの端部領域の一例を示す断面図である。 図１３Ｃは、図１３Ｂとは異なる撮像パネルの端部領域の一例を示す断面図である。

本発明の一実施形態に係る撮像パネルは、複数の画素を含む画素領域を有し、前記複数の画素のそれぞれに光電変換素子を備えるアクティブマトリクス基板と、前記アクティブマトリクス基板の表面に設けられ、Ｘ線をシンチレーション光に変換するシンチレータと、前記アクティブマトリクス基板と前記シンチレータとを覆う防湿材と、前記防湿材と、前記シンチレータ及び前記アクティブマトリクス基板との間を接着する接着層と、を備え、前記アクティブマトリクス基板は、前記画素領域と前記画素領域の外側に設けられ、感光性樹脂膜で構成された第１の平坦化膜と、平面視で前記シンチレータが設けられたシンチレータ領域の境界と前記接着層との間に、前記アクティブマトリクス基板の表面から前記第１の平坦化膜に向かって貫通し、前記接着層と同じ材料が充填された接着剤充填部と、を備える（第１の構成）。

第１の構成によれば、撮像パネルは、アクティブマトリクス基板上に設けられたシンチレータは接着層を介して防湿材で覆われる。アクティブマトリクス基板は、画素領域と画素領域の外側に感光性樹脂膜で構成された第１の平坦化膜を備える。第１の平坦化膜は高温高湿下において接着層よりも吸湿性が高く、第１の平坦化膜を介してアクティブマトリクス基板に水分が入り込む場合がある。しかしながら、本構成では、平面視でシンチレータ領域の境界と接着層との間に、アクティブマトリクス基板の表面から第１の平坦化膜に向かって貫通する接着剤充填部が設けられている。接着剤充填部は接着層と同じ材料で構成され、第１の平坦化膜よりも防湿効果が高い。そのため、第１の平坦化膜の側端部側から水分が入り込んでも、シンチレータ領域側へ水分が浸透しにくい。そのため、アクティブマトリクス基板からシンチレータへ水分が侵入しにくく、所望の検出精度を得ることができる。

第１の構成において、前記アクティブマトリクス基板は、前記画素領域及び前記画素領域の外側において、前記シンチレータと反対側の前記第１の平坦化膜の面に設けられた第１の無機膜をさらに備え、前記第１の無機膜は、前記画素領域から前記接着剤充填部が設けられた位置まで連続して設けられていることとしてもよい（第２の構成）。

第２の構成によれば、第１の平坦化膜においてシンチレータと反対側の面に第１の無機膜が設けられており、第１の無機膜は画素領域から接着剤充填部が設けられた位置まで連続している。つまり、第１の無機膜には開口が形成されていない。第１の無機膜は第１の平坦化膜よりも防湿性が高いため、第１の平坦化膜のシンチレータと反対側の面から第１の平坦化膜に水分が入り込みにくく、シンチレータへの水分侵入をより抑制することができる。

第２の構成において、前記アクティブマトリクス基板は、前記第１の無機膜の前記第１の平坦化膜と反対側の面に設けられ、感光性樹脂膜からなる第２の平坦化膜をさらに備え、前記第１の無機膜は、前記第２の平坦化膜を貫通する凹部を有し、前記接着剤充填部は、前記第１の平坦化膜を貫通し、前記凹部まで連続して設けられていることとしてもよい（第３の構成）。

第３の構成によれば、第１の無機膜において第１の平坦化膜と反対側の面に第２の平坦化膜が設けられている。第１の無機膜は、第２の平坦化膜を貫通する凹部を有し、接着剤充填部は、第１の無機膜を貫通し、第１の無機膜の凹部まで達している。つまり、接着剤充填部は、第１の平坦化膜から第２の平坦化膜の層まで連続して設けられ、第２の平坦化膜の層において第１の無機膜に覆われている。そのため、第２の平坦化膜の側端部から水分が入り込んでも、接着剤充填部を通ってシンチレータ領域側へ水分が浸透しにくく、シンチレータへの水分侵入を抑制する効果をより高めることができる。

第２の構成において、前記アクティブマトリクス基板は、前記第１の無機膜の前記第１の平坦化膜と反対側の面に設けられ、感光性樹脂膜からなる第２の平坦化膜をさらに備え、前記第１の無機膜は、前記第２の平坦化膜を貫通する凹部を有し、前記第１の平坦化膜は、前記第１の無機膜の凹部の内壁のうち、少なくとも前記シンチレータ領域側に設けられた内壁を覆い、前記接着剤充填部は、前記第１の平坦化膜を貫通し、前記第１の無機膜の凹部まで連続して設けられていることとしてもよい（第４の構成）。

第４の構成によれば、第１の無機膜において第１の平坦化膜と反対側の面に第２の平坦化膜が設けられている。第１の無機膜は、第２の平坦化膜を貫通する凹部を有し、第１の平坦化膜は、少なくとも第１の無機膜の凹部におけるシンチレータ領域側の内壁を覆っている。接着剤充填部は、第１の平坦化膜を貫通し、第１の無機膜の凹部まで達している。つまり、接着剤充填部は、第１の平坦化膜から第２の平坦化膜が設けられた層まで連続して設けられ、第２の平坦化膜の層では、シンチレータ領域側の側面が第１の平坦化膜と第１の無機膜とに覆われている。そのため、第２の平坦化膜の側端部から水分が入り込んでも、接着剤充填部を通ってシンチレータ領域側へ水分が浸透しにくく、シンチレータへの水分侵入を抑制する効果をより高めることができる。

第２の構成において、前記アクティブマトリクス基板は、前記第１の無機膜の前記第１の平坦化膜と反対側の面に設けられ、感光性樹脂膜からなる第２の平坦化膜と、前記第１の平坦化膜の前記シンチレータ側の面に設けられた第２の無機膜と、をさらに備え、前記第１の無機膜は、前記第２の平坦化膜を貫通する第１の凹部を有し、前記第２の無機膜は、前記第１の平坦化膜を貫通し、前記第１の凹部の内壁を覆う第２の凹部を有し、前記接着剤充填部は、前記第２の無機膜の凹部に設けられていることとしてもよい（第５の構成）。

第５の構成によれば、第１の無機膜において第１の平坦化膜と反対側の面に第２の平坦化膜が設けられ、第１の平坦化膜のシンチレータ側の面に第２の無機膜が設けられている。第１の無機膜は、第２の平坦化膜を貫通する第１の凹部を有し、第２の無機膜は、第１の平坦化膜を貫通し、第１の凹部の内側に重なる第２の凹部を有し、第２の凹部に接着剤充填部が設けられる。つまり、第２の平坦化膜の層において、接着剤充填部の側面は、第２の無機膜と第１の無機膜とに覆われる。よって、第２の平坦化膜の側端部から水分が入り込んでも、接着剤充填部を通ってシンチレータ領域側へ水分が浸透しにくく、シンチレータへの水分侵入を抑制する効果をより高めることができる。

第２の構成において、前記アクティブマトリクス基板は、前記第１の平坦化膜の前記シンチレータ側の面に設けられた第２の無機膜をさらに備え、前記第２の無機膜は、前記第１の平坦化膜を貫通する凹部を有し、前記接着剤充填部は、前記第２の無機膜の凹部に設けられていることとしてもよい（第６の構成）。

第６の構成によれば、第２の無機膜の凹部において接着剤充填部の表面は第２の無機膜に覆われるため、感光性樹脂膜である第１の平坦化膜の側端部から水分が入り込んでも、接着剤充填部を通ってシンチレータ領域側へ水分が浸透しにくい。

第６の構成において、前記アクティブマトリクス基板は、前記第１の無機膜に対して前記第１の平坦化膜と反対側に設けられ、感光性樹脂膜からなる第２の平坦化膜と、前記第２の平坦化膜と前記第１の無機膜の間に設けられた金属膜と、をさらに備え、前記金属膜は、前記画素領域における素子と接続されていることとしてもよい（第７の構成）。

第７の構成によれば、第２の平坦化膜上に設けられた金属膜は、第１の無機膜と第２の平坦化膜と第１の無機膜とによって覆われるため、金属膜を介して画素領域に水分が侵入しにくい。

第２の構成において、前記アクティブマトリクス基板は、前記第１の無機膜の前記第１の平坦化膜と反対側の面に設けられた、感光性樹脂膜からなる第２の平坦化膜と、前記第１の平坦化膜の前記シンチレータ側の面に設けられた第２の無機膜と、をさらに備え、前記第１の無機膜は、前記第２の平坦化膜を貫通する第１の凹部を有し、前記第１の平坦化膜は、前記第１の凹部の内壁のうち、少なくとも前記シンチレータ領域側と前記シンチレータ領域側と反対側に設けられた内壁を覆う第２の凹部を有し、前記第２の無機膜は、前記第２の凹部の内壁を覆う第３の凹部を有し、前記接着剤充填部は、前記第３の凹部に設けられていることとしてもよい。（第８の構成）。

第８の構成によれば、第１の無機膜において第１の平坦化膜と反対側の面に第２の平坦化膜が設けられ、第１の平坦化膜のシンチレータ側の面に第２の無機膜が設けられている。第１の無機膜は、第２の平坦化膜に達する第１の凹部を有し、第１の平坦化膜は、第１の凹部の内側に重なる第２の凹部を有し、第２の無機膜は、第２の凹部の内側に重なる第３の凹部を有する。つまり、接着剤充填部は、第２の無機膜、第１の平坦化膜、第１の無機膜、及び第２の平坦化膜の層まで設けられ、第２の平坦化膜の層において、接着剤充填部の側面は、第２の無機膜と第１の平坦化膜と第１の無機膜とに覆われる。そのため、第２の平坦化膜の側端部から水分が入り込んでも、接着剤充填部を通ってシンチレータ領域側へ水分が浸透しにくく、シンチレータへの水分侵入を抑制する効果をより高めることができる。

第５から第８のいずれかの構成において、前記アクティブマトリクス基板は、前記第２の無機膜と前記シンチレータとの間に設けられた、感光性樹脂膜からなる第３の平坦化膜をさらに備え、前記第３の平坦化膜は、少なくとも前記第２の無機膜上において前記シンチレータと平面視で重なる位置に設けられていることとしてもよい（第９の構成）。

第９の構成によれば、第２の無機膜上においてシンチレータと平面視で重なる位置に第３の平坦化膜が設けらるため、シンチレータと重なる位置に無機膜が設けられる場合と比べ、シンチレータの結晶成長を促進させることができる。

第１から第９のいずれかの構成において、前記接着剤充填部は、前記シンチレータ領域の外周に沿って連続して形成されていることとしてもよい（第１０の構成）。

第１０の構成によれば、シンチレータ領域を囲むように接着剤充填部が形成されるため、アクティブマトリクス基板の端部から水分が入り込んでもシンチレータへの水分の侵入を抑制することができる。

第１から第１０のいずれかの構成において、前記接着剤充填部は複数設けられ、各接着剤充填部は、前記シンチレータ領域の外周の辺に直交する方向に離間して設けられていることとしてもよい（第１１の構成）。

第１１の構成によれば、シンチレータ領域の外周に沿って接着剤充填部が１つだけ設けられる場合と比べ、シンチレータへの水分侵入を抑制する効果を向上させることができる。

以下、図面を参照し、本発明の実施の形態を詳しく説明する。図中同一又は相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。

［第１実施形態］
（構成）
図１は、本実施形態における撮像パネルを適用したＸ線撮像装置を示す模式図である。Ｘ線撮像装置１００は、アクティブマトリクス基板１ａとシンチレータ１ｂとを備える撮像パネル１と、制御部２とを備える。

制御部２は、ゲート制御部２Ａと信号読出部２Ｂとを含む。被写体Ｓに対しＸ線源３からＸ線が照射される。被写体Ｓを透過したＸ線は、アクティブマトリクス基板１ａの上部に配置されたシンチレータ１ｂにおいて蛍光（以下、シンチレーション光）に変換される。Ｘ線撮像装置１００は、シンチレーション光を撮像パネル１及び制御部２において撮像することにより、Ｘ線画像を取得する。

図２は、アクティブマトリクス基板１ａの概略構成を示す模式図である。図２に示すように、アクティブマトリクス基板１ａには、複数のソース配線１０と、複数のソース配線１０と交差する複数のゲート配線１１とが形成されている。ゲート配線１１は、ゲート制御部２Ａと接続され、ソース配線１０は、信号読出部２Ｂと接続されている。

アクティブマトリクス基板１ａは、ソース配線１０とゲート配線１１とが交差する位置に、ソース配線１０及びゲート配線１１に接続されたＴＦＴ１３を有する。また、ソース配線１０とゲート配線１１とで囲まれた領域（以下、画素）には、フォトダイオード１２が設けられている。画素において、フォトダイオード１２により、被写体Ｓを透過したＸ線を変換したシンチレーション光がその光量に応じた電荷に変換される。

アクティブマトリクス基板１ａにおける各ゲート配線１１は、ゲート制御部２Ａにおいて順次選択状態に切り替えられ、選択状態のゲート配線１１に接続されたＴＦＴ１３がオン状態となる。ＴＦＴ１３がオン状態になると、フォトダイオード１２において変換された電荷に応じた信号がソース配線１０を介して信号読出部２Ｂに出力される。

図３は、図２に示すアクティブマトリクス基板１ａにおける一部の画素を拡大した平面図である。

図３に示すように、ゲート配線１１及びソース配線１０に囲まれた画素Ｐ１にフォトダイオード１２とＴＦＴ１３とを有する。

フォトダイオード１２は、一対の電極と、一対の電極の間に設けられた光電変換層とを有する。ＴＦＴ１３は、ゲート配線１１と一体化されたゲート電極１３ａと、半導体活性層１３ｂと、ソース配線１０と一体化されたソース電極１３ｃと、ドレイン電極１３ｄとを有する。ドレイン電極１３ｄと、フォトダイオード１２の一方の電極は、コンタクトホールＣＨ１を介して接続されている。

なお、ゲート電極１３ａとソース電極１３ｃはそれぞれ、ゲート配線１１又はソース配線１０と一体化されていなくてもよい。ゲート電極１３ａとゲート配線１１とを互いに別の層に設け、ゲート配線１１とゲート電極１３ａとがコンタクトホールを介して接続されてもよい。また、ソース電極１３ｃとソース配線１０とを互いに別の層に設け、ソース配線１０とソース電極１３ｃとがコンタクトホールを介して接続されてもよい。このように構成することで、ゲート配線１１及びソース配線１０を低抵抗化できる。

また、フォトダイオード１２と画素内で重なるようにバイアス配線１６が配置され、フォトダイオード１２とバイアス配線１６はコンタクトホールＣＨ２を介して接続されている。バイアス配線１６は、フォトダイオード１２に対してバイアス電圧を供給する。

ここで、画素Ｐ１のＡ−Ａ線の断面構造について説明する。図４Ａは、図３の画素Ｐ１のＡ−Ａ線の断面図である。図４Ａに示すように、基板１０１上に、ゲート配線１１（図３参照）と一体化されたゲート電極１３ａと、ゲート絶縁膜１０２とが形成されている。基板１０１は、絶縁性を有する基板であり、例えば、ガラス基板等で構成される。

ゲート電極１３ａ及びゲート配線１１は、この例において、下層から順にタングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）が積層された金属膜であって、膜厚は１００ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下程度で構成されてもよい。なお、ゲート電極１３ａ及びゲート配線１１は、２層構造に限らず、単層又は２層以上の複数層で構成されていてもよく、材料及び膜厚はこれに限定されない。

ゲート絶縁膜１０２は、ゲート電極１３ａを覆う。ゲート絶縁膜１０２は、この例において、２層の無機絶縁膜が積層された積層構造を有する。２層の無機絶縁膜は、下層から順に窒化ケイ素（ＳｉＮ_ｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ_ｘ）からなる無機絶縁膜で構成されてもよい。ゲート絶縁膜１０２の膜厚は、１００ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下程度が好ましい。なお、ゲート絶縁膜１０２は２層構造に限らず、単層又は２層以上の複数層で構成されていてもよい。また、ゲート絶縁膜１０２の材料及び膜厚は上記に限定されない。

ゲート絶縁膜１０２を介してゲート電極１３ａの上に、半導体活性層１３ｂと、半導体活性層１３ｂに接続されたソース電極１３ｃ及びドレイン電極１３ｄとが設けられている。

半導体活性層１３ｂは、ゲート絶縁膜１０２に接して形成されている。半導体活性層１３ｂは、酸化物半導体からなる。酸化物半導体は、例えば、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）を所定の比率で含有するアモルファス酸化物半導体等を用いてもよい。この場合、半導体活性層１３ｂの膜厚は、例えば１００ｎｍ程度が好ましい。ただし、半導体活性層１３ｂの材料及び膜厚は上記に限定されない。

ソース電極１３ｃ及びドレイン電極１３ｄは、ゲート絶縁膜１０２の上において半導体活性層１３ｂの一部と接するように配置されている。この例において、ソース電極１３ｃは、ソース配線１０（図３参照）と一体的に形成されている。ソース電極１３ｃ及びドレイン電極１３ｄは、３つの金属膜が積層された積層構造を有する。３層の金属膜は、下層から順にチタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）からなる金属膜で構成されてもよい。この場合、ソース電極１３ｃ及びドレイン電極１３ｄの膜厚は、例えば１００ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下程度が好ましい。なお、ソース電極１３ｃ及びドレイン電極１３ｄは３層構造に限らず、単層又は２層以上の複数層で構成されていてもよい。また、ソース電極１３ｃ及びドレイン電極１３ｄの材料及び膜厚は上記に限定されない。

ゲート絶縁膜１０２の上に、ソース電極１３ｃ及びドレイン電極１３ｄと重なるように第１絶縁膜１０３が設けられている。第１絶縁膜１０３は、ドレイン電極１３ｄの上にコンタクトホールＣＨ１を有する。この例において、第１絶縁膜１０３は、２つの無機絶縁膜が積層された積層構造を有する。２層の無機絶縁膜は、下層から順に酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）からなる無機絶縁膜で構成されてもよい。この場合、第１絶縁膜１０３の膜厚は、１００ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下程度が好ましい。なお、第１絶縁膜１０３は２層構造に限らず、単層又は２層以上の複数層で構成されていてもよい。なお、第１絶縁膜１０３を単層で構成する場合は、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）だけで構成する。また、第１絶縁膜１０３の材料及び膜厚は上記に限定されない。

第１絶縁膜１０３の上には、フォトダイオード１２の一方の電極（以下、下部電極）１４ａと、第２絶縁膜１０５とが設けられている。下部電極１４ａは、コンタクトホールＣＨ１を介してドレイン電極１３ｄと接続されている。

下部電極１４ａは、この例において、３つの金属膜が積層された積層構造を有する。３層の金属膜は、例えば、下層から順に、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）からなる金属膜で構成されてもよい。この場合、下部電極１４ａの膜厚は、１００ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下程度が好ましい。なお、下部電極１４ａは３層構造に限らず、単層又は２層以上の複数層で構成されてもよい。また、下部電極１４ａの材料及び膜厚は上記に限定されない。

下部電極１４ａの上部に光電変換層１５が設けられ、下部電極１４ａと光電変換層１５とが接続されている。

光電変換層１５は、ｎ型非晶質半導体層１５１、真性非晶質半導体層１５２と、ｐ型非晶質半導体層１５３が順に積層されて構成されている。

ｎ型非晶質半導体層１５１は、ｎ型不純物（例えば、リン）がドーピングされたアモルファスシリコンからなる。

真性非晶質半導体層１５２は、真性のアモルファスシリコンからなる。真性非晶質半導体層１５２は、ｎ型非晶質半導体層１５１に接して形成されている。

ｐ型非晶質半導体層１５３は、ｐ型不純物（例えば、ボロン）がドーピングされたアモルファスシリコンからなる。ｐ型非晶質半導体層１５３は、真性非晶質半導体層１５２に接して形成されている。

この例において、ｎ型非晶質半導体層１５１、真性非晶質半導体層１５２、及びｐ型非晶質半導体層１５３の膜厚はそれぞれ、例えば、１ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度、５００ｎｍ以上、２０００ｎｍ以下程度、１ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であることが好ましい。なお、ｎ型非晶質半導体層１５１、真性非晶質半導体層１５２、及びｐ型非晶質半導体層１５３のドーパント及び膜厚は上記に限定されない。

ｐ型非晶質半導体層１５３の上には、フォトダイオード１２のもう一方の電極（以下、上部電極）１４ｂが設けられている。上部電極１４ｂは、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明導電膜で構成される。この場合、上部電極１４ｂの膜厚は、例えば１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度が好ましい。ただし、上部電極１４ｂの材料及び膜厚はこれに限定されない。

第１絶縁膜１０３、下部電極１４ａ、及び上部電極１４ｂ上には第２絶縁膜１０５が設けられ、第２絶縁膜１０５上には第３絶縁膜１０６が設けられている。上部電極１４ｂ上において、第２絶縁膜１０５と第３絶縁膜１０６とを貫通するコンタクトホールＣＨ２が形成されている。

この例において、第２絶縁膜１０５は、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）又は窒化ケイ素（ＳｉＮ）からなる無機絶縁膜で構成される。この場合、第２絶縁膜１０５の膜厚は、例えば１００ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下程度が好ましい。ただし、第２絶縁膜１０５の材料及び膜厚は上記に限定されない。また、第３絶縁膜１０６は、感光性アクリル樹脂で構成された平坦化膜であり、膜厚は、例えば１.０μｍ以上、３．０μｍ以下程度が好ましい。ただし、第３絶縁膜１０６の材料及び膜厚は上記に限定されない。

第３絶縁膜１０６の上にはバイアス配線１６が設けられ、コンタクトホールＣＨ２において、バイアス配線１６と上部電極１４ｂとが接続されている。バイアス配線１６は、制御部２（図１参照）に接続されている。バイアス配線１６は、制御部２から入力されるバイアス電圧を上部電極１４ｂに印加する。

この例において、バイアス配線１６は、下層に金属層、上層に透明導電層が積層された積層構造を有する。金属層は、例えば、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）が積層された積層膜で構成され、透明導電層は、例えばＩＴＯで構成されてもよい。バイアス配線１６の膜厚は、１００ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下程度が好ましい。なお、バイアス配線１６は単層又は２層以上の複数層で構成されていてもよい。また、バイアス配線１６の材料及び膜厚は上記に限定されない。

第３絶縁膜１０６上には、バイアス配線１６を覆う第４絶縁膜１０７が設けられている。この例において、第４絶縁膜１０７は、例えば窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）からなる無機絶縁膜で構成されてもよく、膜厚は、例えば１００ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下程度が好ましい。なお、第４絶縁膜１０７は１つの無機絶縁膜からなる単層構造でもよいし、複数の無機絶縁膜が積層された積層構造であってもよい。また、第４絶縁膜１０７の材料及び膜厚は上記に限定されない。

第４絶縁膜１０７を覆うように、第５絶縁膜１０８が設けられている。第５絶縁膜１０８は、感光性樹脂膜からなる平坦化膜であり、膜厚は、例えば１．０μｍ以上、１０．０μｍ程度が好ましい。但し、第５絶縁膜１０８の材料及び膜厚は上記に限定されない。

一の画素Ｐ１におけるアクティブマトリクス基板１ａの断面構造は以上の通りである。なお、撮像パネル１において、アクティブマトリクス基板１ａの上にはシンチレータ１ｂが設けられている。図４Ｂは、撮像パネル１の画素領域における断面構造を示す断面図である。図４Ｂに示すように、アクティブマトリクス基板１ａの上部には、第５絶縁膜１０８を覆うようにシンチレータ１ｂが設けられ、シンチレータ１ｂを覆うように、接着層２１１を介してシンチレータ１ｂと接着された防湿材２１２が設けられている。接着層２１１は、例えば光硬化樹脂、熱硬化樹脂、又はホットメルト樹脂等からなり、防湿効果を有する。防湿材２１２は、例えば防湿性を有する有機膜からなる。

次に、撮像パネル１の全画素領域より外側、すなわち、撮像パネル１における端部領域の構造について説明する。図５Ａは、撮像パネル１の概略平面図であり、図５Ｂは、図５Ａに示すＢ−Ｂ線の断面図であって、アクティブマトリクス基板１ａの一辺における端部領域Ｐ２の一部を拡大した断面図である。

図５Ａ、Ｂにおいて、図４Ｂと同じ構成には図４Ｂと同じ符号を付している。以下、端部領域Ｐ２の構造について具体的に説明する。なお、図５Ｂでは、便宜上、アクティブマトリクス基板１ａの一辺における端部領域の断面を示しているが、他の辺における端部領域も図５Ｂと同様に構成されているものとする。

図５Ｂに示すように、端部領域Ｐ２には、基板１０１上に、ゲート電極１３ａと同じ層に設けられ、ゲート電極１３ａと同じ材料からなるゲート層１３０が設けられ、ゲート層１３０上にゲート絶縁膜１０２が設けられている。また、ゲート絶縁膜１０２上には、ソース電極１３ａ及びドレイン電極１３ｄと同じ層に設けられ、ソース電極１３ａ及びドレイン電極１３ｄと同じ材料からなるソース層１３１が設けられている。なお、ゲート層１３０は、アクティブマトリクス基板１ａの画素領域の外側に設けられたゲート端子（図示略）とコンタクトホール（図示略）を介して接続され、ソース層１３１は、アクティブマトリクス基板１ａの画素領域の外側に設けられたソース端子（図示略）とコンタクトホール（図示略）を介して接続される。

ソース層１３１上には第１絶縁膜１０３が設けられ、第１絶縁膜１０３上には、第２絶縁膜１０５が設けられ、第２絶縁膜１０５上に第３絶縁膜１０６が設けられている。第３絶縁膜１０６上には、バイアス配線１６と同じ層に設けられ、バイアス配線１６と同じ材料からなるバイアス配線層１６０が設けられている。

なお、ゲート層１３０、ソース層１３１、バイアス配線層１６０のそれぞれは、画素領域から端部領域まで延設されてもよい。また、画素領域の外側において、ゲート配線１１、ソース配線１０、バイアス配線１６のそれぞれと異なる層に設けた金属膜とこれら配線とをコンタクトホールを介して接続してもよい。

バイアス配線層１６０上には、第４絶縁膜１０７が設けられ、第４絶縁膜１０７上には、第４絶縁膜１０７上で離間して形成された第５絶縁膜１０８が設けられている。

第５絶縁膜１０８上にはシンチレータ１ｂが設けられ、シンチレータ１ｂの上には、接着層２１１を介してシンチレータ１ｂと接着された防湿材２１２が設けられている。

第５絶縁膜１０８の離間によって形成された開口１０８ａには接着層２１１の材料が充填され、接着剤充填部２１１０が形成されている。

図５Ａに示すように、接着剤充填部２１１０は、シンチレータ１ｂが設けられたシンチレータ領域の境界と接着層２１１との間であって、シンチレータ領域の外周に沿って形成されている。第５絶縁膜１０８は感光性樹脂膜で構成されているため高温高湿下において水分を吸収しやすいが、防湿効果が高い接着剤充填部２１１０によって、第５絶縁膜１０８の端部からの水分の侵入を遮り、シンチレータ領域に水分が入り込みにくくすることができる。

接着剤充填部２１１０の底部のＸ軸方向の長さは、第５絶縁膜１０８の高さ（Ｚ軸方向）に対して３〜１０倍の大きさを有することが好ましい。また、第５絶縁膜１０８の開口１０８ａの幅（Ｘ軸方向の長さ）は、シンチレータ１ｂ側よりも第４絶縁膜１０７側の幅が広い方が好ましい。このように構成することで、接着剤充填部２１１０と第４絶縁膜１０７との間の接触面積が大きくなり、接着性を高めることができる。

なお、本実施形態の端部領域Ｐ２における各層に用いられる材料は、画素Ｐ１に設けられた各層の材料と同じであり、画素Ｐ１と同時に作製することが可能である。よって、工数を増やすことなく、接着剤充填部２１１０を形成することができる。

（Ｘ線撮像装置１００の動作）
ここで、図１に示すＸ線撮像装置１００の動作について説明しておく。まず、Ｘ線源３からＸ線が照射される。このとき、制御部２は、バイアス配線１６（図３等参照）に所定の電圧（バイアス電圧）を印加する。Ｘ線源３から照射されたＸ線は、被写体Ｓを透過し、シンチレータ１ｂに入射する。シンチレータ１ｂに入射したＸ線は蛍光（シンチレーション光）に変換され、アクティブマトリクス基板１ａにシンチレーション光が入射する。アクティブマトリクス基板１ａにおける各画素に設けられたフォトダイオード１２にシンチレーション光が入射すると、フォトダイオード１２により、シンチレーション光の光量に応じた電荷に変化される。フォトダイオード１２で変換された電荷に応じた信号は、ＴＦＴ１３（図３等参照）がゲート制御部２Ａからゲート配線１１を介して出力されるゲート電圧（プラスの電圧）に応じてＯＮ状態となっているときに、ソース配線１０を通じて信号読出部２Ｂ（図２等参照）に読み出される。そして、読み出された信号に応じたＸ線画像が、制御部２において生成される。

（応用例）
第１実施形態では、撮像パネル１に１つの接着剤充填部が形成されている例を説明したが、複数の接着剤充填部が形成されていてもよい。

図６Ａは、本応用例に係る撮像パネルの平面図であり、図６Ｂは、図６ＡのＢ−Ｂ線の断面図、すなわち、撮像パネルにおける端部領域Ｐ２の断面図である。図６Ａ、６Ｂに示すように、本応用例では、撮像パネル１において、シンチレータ領域の境界と接着層２１１との間に、第１実施形態の接着剤充填部２１１０と同じ構造を有する接着剤充填部２１１０ａ、２１１０ｂを有する。図６Ａに示すように、接着剤充填部２１１０ａ、２１１０ｂはシンチレータ領域の外周に沿って設けられている。

このように、シンチレータ領域の境界と接着層２１１との間において、第５絶縁膜１０８に２つの接着剤充填部を設けることにより、１つの接着剤充填部が設けられる場合と比べ、第５絶縁膜１０８の端部からシンチレータ１ｂへの水分の侵入をより抑制することができる。

[第２実施形態]
本実施形態では、第１実施形態と異なる接着剤充填部の構造について説明する。図７は、本実施形態における撮像パネルの端部領域Ｐ２の断面図である。図７において、第１実施形態と同じ構成には、第１実施形態と同じ符号を付している。以下、主として第１実施形態と異なる構成について説明する。

図７に示すように、撮像パネル１−１は、アクティブマトリクス基板１ａにおいてバイアス配線層１６０を備えていない点で第１実施形態と異なる。

さらに、本実施形態における第３絶縁膜１０６には、第５絶縁膜１０８の開口１０８ａと平面視で重なる位置に、第５絶縁膜１０８の開口１０８ａより開口幅が小さい開口１０６ａが形成され、第３絶縁膜１０６の開口１０６ａの内壁に沿って第４絶縁膜１０７が形成されている。つまり、第４絶縁膜１０７は、第３絶縁膜１０６を貫通する第４絶縁膜１０７の窪み（凹部）を有し、第４絶縁膜１０７の窪みは、第５絶縁膜１０８の開口１０８ａとつながっている。第５絶縁膜１０８の開口１０８ａと第４絶縁膜１０７の窪みに接着層２１１の材料が充填され、接着剤充填部２１１１が形成されている。

第５絶縁膜１０８と同様、感光性樹脂膜からなる第３絶縁膜１０６は水分を吸収しやすい。本実施形態では、シンチレータ領域の境界と接着層２１１との間において、第５絶縁膜１０８、第４絶縁膜１０７、及び第３絶縁膜１０６に接着剤充填部２１１１が設けられ、第３絶縁膜１０６の層において、接着剤充填部２１１１の表面は無機絶縁膜である第４絶縁膜１０７に覆われる。そのため、第３絶縁膜１０６の端部から水分が入り込んでも、シンチレータ１ｂ側へ水分が浸透しにくく、シンチレータ１ｂへの水分侵入の抑制効果をより高めることができる。

（応用例１）
上述した第２実施形態では、撮像パネル１−１に接着剤充填部２１１１が１つ形成されているが、上述した図６Ａと同様、シンチレータ領域の境界と接着層２１１との間に接着剤充填部２１１１が複数形成されていてもよい。図８Ａは、本応用例に係る撮像パネルの端部領域Ｐ２の断面図である。

図８Ａに示すように、本応用例１に係る撮像パネル１−２のアクティブマトリクス基板１ａには、第２実施形態の接着剤充填部２１１１と同じ接着剤充填部２１１１ａ、２１１１ｂが離間して形成されている。

このように複数の接着剤充填部２１１１ａ、２１１１ｂを有することにより、第２実施形態の構成と比べて、第５絶縁膜１０８及び第３絶縁膜１０６の端部からシンチレータ１ｂへの水分侵入の抑制効果をより高めることができる。

（応用例２）
図８Ｂは、本応用例に係る撮像パネル１-３の端部領域Ｐ２の断面図である。図８Ｂにおいて、第２実施形態と同じ構成には第２実施形態と同じ符号を付している。以下、第２実施形態と異なる構成について説明する。

図８Ｂに示すように、本応用例では、第３絶縁膜１０６の開口１０６ａの内壁に沿って第４絶縁膜１０７が形成され、第４絶縁膜１０７の窪みが形成されている。第５絶縁膜１０８は、第４絶縁膜１０７の窪みの底部以外の内壁を覆うように第４絶縁膜１０７上に設けられ、第４絶縁膜１０７の窪みの内側に開口１０８ａを有する。第５絶縁膜１０８の開口１０８ａに接着層２１１の接着剤が充填され、接着剤充填部２１１２が形成されている。つまり、接着剤充填部２１１２は、第５絶縁膜１０８を貫通し、第４絶縁膜１０７の窪みの底部まで達している。

これにより、第４絶縁膜１０７における接着剤充填部２１１２の表面は第５絶縁膜１０８と第４絶縁膜１０７とによって覆われ、第３絶縁膜１０６における接着剤充填部２１１２の側面は第５絶縁膜１０８と第４絶縁膜１０７とによって覆われ、接着剤充填部２１１２の底部は第４絶縁膜１０７に覆われる。

この例では、第５絶縁膜１０８の開口１０８ａは第４絶縁膜１０７の窪みの底部まで貫通しているが、第５絶縁膜１０８が第４絶縁膜１０７の窪みに残るように第５絶縁膜１０８の開口を形成してもよい。この場合、接着剤充填部２１１２の底部は第５絶縁膜１０８と第４絶縁膜１０７によって覆われる。

本応用例では、第３絶縁膜１０６の層において、接着剤充填部２１１２の側面が第５絶縁膜１０８と第４絶縁膜１０７の２層に覆われる。そのため、第２実施形態と比べ、第３絶縁膜１０６の端部から水分が入り込んでも、第３絶縁膜１０６に水分が浸透しにくく、シンチレータ１ｂへの水分侵入を抑制できる。

なお、ここでは図示を省略するが、図６Ａと同様、シンチレータ領域の境界と接着層２１１との間において、複数の接着剤充填部２１１２が離間して配置されていてもよい。このように構成することで、シンチレータ１ｂへの水分侵入をより抑制することができる。

（応用例２−１）
上記応用例２では、第４絶縁膜１０７及び第３絶縁膜１０６における接着剤充填部２１１２において、シンチレータ１ｂ側の側面と、これに対向する側面、すなわち、アクティブマトリクス基板１ａの端部側の側面が第５絶縁膜１０８に覆われる例を説明したが、片側の側面のみ第５絶縁膜１０８で覆われるようにしてもよい。

図８Ｃは、本応用例に係る接着剤充填部の構造を示す撮像パネルの断面図である。図８Ｃにおいて、上記第２実施形態の応用例２と同じ構成は上記第２実施形態の応用例２と同じ符号を付している。

図８Ｃに示すように、撮像パネル１−３において、第４絶縁膜１０７及び第３絶縁膜１０６における接着剤充填部２１１３のシンチレータ１ｂ側の側面は、第５絶縁膜１０８に覆われる。一方、第４絶縁膜１０７及び第３絶縁膜１０６における接着剤充填部２１１３のアクティブマトリクス基板１ａの端部側の側面は第５絶縁膜１０８で覆われていない。

このように、少なくとも第３絶縁膜１０６における接着剤充填部２１１３のシンチレータ１ｂ側の側面は、第５絶縁膜１０８と第４絶縁膜１０７の２層に覆われる。そのため、第３絶縁膜１０６の端部から水分が入り込んでも、第３絶縁膜１０６のシンチレータ１ｂ側に水分が浸透しにくく、シンチレータ１ｂへの水分の侵入を抑制できる。

なお、ここでは図示を省略するが、図６Ａと同様、シンチレータ領域の境界と接着層２１１との間において、複数の接着剤充填部２１１３が離間して配置されていてもよい。このように構成することで、シンチレータ１ｂへの水分侵入をより抑制することができる。

［第３実施形態］
図９は、本実施形態における撮像パネルの構成を示す断面図である。図９において、第１実施形態と同じ構成には第１実施形態と同じ符号を付している。以下、主として第１実施形態と異なる構成について説明する。

図９に示すように、本実施形態における撮像パネル１−４は、アクティブマトリクス基板１ａに替えてアクティブマトリクス基板１ａ＿１を備える。

アクティブマトリクス基板１ａ＿１は、端部領域Ｐ２において、第４絶縁膜１０７と第３絶縁膜１０６の間に、金属膜として、バイアス配線１６と電気的に接続されたバイアス配線層１６０を備える。この図では図示を省略するが、アクティブマトリクス基板１ａ＿１の端部領域Ｐ２には、バイアス配線１６にバイアス電圧を供給する端子が設けられ、バイアス配線層１６０と接続されている。バイアス配線層１６０は、画素領域Ｐ１から端部領域Ｐ２までバイアス配線１６が延長されて形成されていてもよいし、画素領域Ｐ１のバイアス配線１６と異なる層に設けられ、コンタクトホール（図示略）を介してバイアス配線１６と接続されていてもよい。

また、アクティブマトリクス基板１ａ＿１は、端部領域Ｐ２において、第５絶縁膜１０８上に第６絶縁膜１０９を備える。第６絶縁膜１０９は、窒化ケイ素（ＳｉＮ）又は酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）からなる無機絶縁膜を用いてもよく、その膜厚は、５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下程度が好ましい。なお、第６絶縁膜１０９は、１つの無機絶縁膜からなる単層構造であってもよいし、複数の無機絶縁膜が積層された積層構造であってもよい。

第６絶縁膜１０９は、第５絶縁膜１０８の開口１０８ａの内壁に沿って形成され、第５絶縁膜１０８の窪みが形成されている。第６絶縁膜１０９の窪みに、接着層２１１の接着剤が充填され、接着剤充填部２１１４が形成されている。

つまり、接着剤充填部２１１４は、第５絶縁膜１０８を貫通する第６絶縁膜１０９の窪みに形成されており、第５絶縁膜１０８の層において、接着剤充填部２１１４の表面は第６絶縁膜１０９に覆われる。そのため、感光性樹脂膜である第５絶縁膜１０８の端部から水分が入り込んでも、第５絶縁膜１０８において、シンチレータ１ｂ側に水分が浸透しにくい。また、無機絶縁膜である第６絶縁膜１０９は、感光性樹脂膜である第５絶縁膜１０８よりも防湿性が高いため、第５絶縁膜１０８とシンチレータ１ｂとの間に第６絶縁膜１０９が設けられることで、第５絶縁膜１０８からシンチレータ１ｂへの水分侵入の抑制効果をより高めることができる。

また、バイアス配線層１６０の形成時、バイアス配線層１６０の表面に凹凸が生じることがあり、バイアス配線層１６０を無機絶縁膜である第４絶縁膜１０７で完全に覆うことができないことがある。バイアス配線層１６０と第４絶縁膜１０７の間に水分が入り込むと、バイアス配線層１６０に傷がある場合、バイアス配線層１６０からフォトダイオード１２へ水分が侵入してリーク電流が流れやすくなる。上記実施形態では、第５絶縁膜１０８上に無機絶縁膜である第６絶縁膜１０９が設けられている。そのため、第６絶縁膜１０９が設けられていない場合と比べ、バイアス配線層１６０の被覆性が向上し、バイアス配線層１６０を介してフォトダイオード１２へ水分が侵入しにくく、リーク電流を抑制することができる。

なお、接着剤充填部２１１４の底部のＸ軸方向の長さは、第５絶縁膜１０８の高さ（Ｚ軸方向）に対して３〜１０倍の大きさを有することが好ましい。また、第５絶縁膜１０８の開口１０８ａの幅（Ｘ軸方向の長さ）は、シンチレータ１ｂ側よりも第４絶縁膜１０７側の幅が広い方が好ましい。このように構成することで、接着剤充填部２１１４と第６絶縁膜１０９との間の接触面積が大きくなり、接着性を高めることができる。

（応用例１）
上述した第３実施形態では、撮像パネル１−４に１つの接着剤充填部２１１４が形成されているが、上述した図６Ａと同様、シンチレータ領域の境界と接着層２１１との間に接着剤充填部２１１４が複数形成されていてもよい。

図１０は、本応用例に係る撮像パネルの端部領域Ｐ２の断面図である。図１０に示すように、本応用例１に係る撮像パネル１−４のアクティブマトリクス基板１ａ＿１には、第３実施形態の接着剤充填部２１１４と同じ構造の接着剤充填部２１１４ａ、２１１４ｂが離間して形成されている。

このように、撮像パネル１−５に複数の接着剤充填部２１１４ａ、２１１４ｂを有することにより、第３実施形態の構成と比べて、第５絶縁膜１０８の端部からシンチレータ１ｂへの水分侵入の抑制効果をより向上させることができる。

（応用例２）
図１１Ａは、本応用例における接着剤充填部の構造を示す撮像パネルの断面図である。なお、図１１Ａにおいて第３実施形態と同じ構成には同じ符号を付している。以下、主として第３実施形態と異なる構成について説明する。

図１１Ａに示すように、本応用例の撮像パネル１−５において、接着剤充填部２１１５は、第６絶縁膜１０９、第５絶縁膜１０８、第４絶縁膜１０７、及び第３絶縁膜１０６の各層に連続して設けられている。

具体的には、アクティブマトリクス基板１ａ＿１において、第３絶縁膜１０６の開口１０６ａの内壁に沿って第４絶縁膜１０７の窪みが形成されている。第５絶縁膜１０８の開口１０８ａの開口幅は、第４絶縁膜１０７の窪みの幅より大きい。第４絶縁膜１０７の窪みと、第５絶縁膜１０８の開口１０８ａの内壁に沿って第６絶縁膜１０９の窪みが形成されている。つまり、第６絶縁膜１０９の窪みは、第４絶縁膜１０７の窪みと重なっており、第６絶縁膜１０９の窪みに接着剤充填部２１１５が形成されている。

このように、本応用例の接着剤充填部２１１５は、第６絶縁膜１０９から第３絶縁膜１０６の各層に連続して設けられ、第３絶縁膜１０６の層において、接着剤充填部２１１５の表面は、第６絶縁膜１０９と第４絶縁膜１０７の２層の無機絶縁膜によって覆われる。そのため、第３絶縁膜１０６の端部から水分が入り込んでも、シンチレータ１ｂ側へ水分が浸透しにくく、シンチレータ１ｂへの水分侵入の抑制効果が高まる。

（応用例３）
上述の第３実施形態の応用例２では、撮像パネルに接着剤充填部２１１５が１つ形成されているが、上述した図６Ａと同様、シンチレータ領域の境界と接着層２１１との間に接着剤充填部２１１５が複数形成されていてもよい。

図１１Ｂは、本応用例に係る撮像パネルの端部領域Ｐ２の断面図である。図１１Ｂにおいて、第３実施形態の応用例２と同じ構成には同じ符号を付している。

図１１Ｂに示すように、本応用例に係る撮像パネル１−５は、アクティブマトリクス基板１ａ＿１において、上記応用例２の接着剤充填部２１１５と同じ構造を有する接着剤充填部２１１５ａ、２１１５ｂが離間して設けられている。このように、複数の接着剤充填部２１１５ａ、２１１５ｂが設けられることにより、上記応用例２の構成と比べて、第５絶縁膜１０８及び第３絶縁膜１０６の端部からシンチレータ１ｂへの水分侵入の抑制効果がより高められる。

（応用例４）
図１２は、本応用例に係る接着剤充填部の構造を示す撮像パネルの断面図である。図１２に示すように、本応用例に係る撮像パネル１−６におけるアクティブマトリクス基板１ａ＿１は、第３絶縁膜１０６を貫通する第４絶縁膜１０７の窪みの底部以外の内壁を第５絶縁膜１０８が覆い、第４絶縁膜１０７の窪みの内側に第５絶縁膜１０８の開口１０８ａが形成されている。第５絶縁膜１０８の開口１０８ａの内壁に沿って第６絶縁膜１０９の窪みが形成され、第６絶縁膜１０９の窪みに接着剤充填部２１１６が形成されている。

つまり、第３絶縁膜１０６の層において、接着剤充填部２１１６の側面は、第６絶縁膜１０９及び第４絶縁膜１０７の２層の無機絶縁膜と、第５絶縁膜１０８とに覆われる。そのため、上記応用例２と比べ、第３絶縁膜１０６の端部から水分が入り込んでも、シンチレータ１ｂ側へ水分が浸透しにくく、シンチレータ１ｂへの水分侵入の抑制効果がより高まる。

なお、ここでは図示を省略するが、図６Ａと同様、シンチレータ領域の境界と接着層２１１との間において、複数の接着剤充填部２１１６が離間して配置されていてもよい。このように構成することで、シンチレータ１ｂへの水分侵入をより抑制することができる。

以上、本発明の実施の形態を説明したが、上述した実施の形態は本発明を実施するための例示に過ぎない。よって、本発明は上述した実施の形態に限定されることなく、その趣旨を逸脱しない範囲内で上述した実施の形態を適宜変形して実施することが可能である。

（１）上述した第３実施形態（図９〜１２）において、第６絶縁膜１０９上にさらに、第５絶縁膜１０８と同じ感光性樹脂を材料とする有機膜（第３の平坦化膜）を設け、第６絶縁膜１０９の窪みよりも小さい或いは大きい有機膜の開口を形成し、有機膜の開口に接着層２１１の接着剤を充填することにより、接着剤充填部を形成してもよい。

ここで、図１１Ａの撮像パネルの構造において有機膜を設けた場合の断面図を図１３Ａ〜１３Ｂに示す。

図１３Ａに示す撮像パネル１−７におけるアクティブマトリクス基板１ａ＿２は、第６絶縁膜１０９上に有機膜１１０を有する。有機膜１１０は、第６絶縁膜１０９の窪みの底部を除く側面に沿って設けられ、第６絶縁膜１０９の窪みの内部において離間している。つまり、第６絶縁膜１０９の窪みにおいて、有機膜１１０の開口が形成されている。そして、有機膜１１０の開口に接着層２１１の接着剤が充填され、接着剤充填部２１１７が形成されている。

また、図１３Ｂに示す撮像パネル１−８のアクティブマトリクス基板１ａ＿２において、有機膜１１１ａ、１１１ｂが第６絶縁膜１０９の窪みを除く第６絶縁膜１０９上に設けられている。有機膜１１１ａは、第６絶縁膜１０９上のシンチレータ１ｂと重なる領域に設けられ、有機膜１１１ｂは、第６絶縁膜１０９上のシンチレータ１ｂと重ならない領域に設けられている。つまり、有機膜１１１ａ、１１１ｂは、第６絶縁膜１０９の窪みに設けられず、第６絶縁膜１０９上において、有機膜１１１ａと有機膜１１１ｂの間に開口が形成されている。そして、有機膜１１１ａと有機膜１１１ｂの間の開口と、第６絶縁膜１０９の窪みに接着層２１１の接着剤が充填され、接着剤充填部２１１８が形成されている。

なお、図１３Ｂの撮像パネル１−８において有機膜１１１ｂが配置されていなくてもよい。つまり、図１３Ｃに示すように、第６絶縁膜１０９上のシンチレータ１ｂと重なる領域にのみ有機膜１１１ａが配置されていてもよい。この場合、第６絶縁膜１０９の窪みに接着層２１１の接着剤が充填された接着剤充填部２１１９が形成される。

本変形例の接着剤充填部２１１７〜２１１９は、有機膜、第６絶縁膜１０９、第５絶縁膜１０８、第４絶縁膜１０７、及び第３絶縁膜１０６の各層に連続して設けられる。このように、第６絶縁膜１０９上のシンチレータ１ｂと重なる領域、すなわち、シンチレータ１ｂの底面に有機膜が設けられることによって、シンチレータ１ｂの結晶成長を促進し得る。

なお、ここでは図示を省略するが、図９、１０、１１Ｂ、１２の各撮像パネルの構造において、第６絶縁膜１０９上のシンチレータ１ｂと重なる領域、すなわち、シンチレータ１ｂの底面に、上記した有機膜を設けてもよい。

（２）上述した第１実施形態から第３実施形態における第５絶縁膜１０８と第３絶縁膜１０６は、ポジ型又はネガ型の感光性樹脂材料で構成されていてもよい。

１，１−１〜１−９…撮像パネル、１ａ，１ａ＿１，１ａ＿２…アクティブマトリクス基板、１ｂ…シンチレータ、２…制御部、２Ａ…ゲート制御部、２Ｂ…信号読出部、３…Ｘ線源、１０…ソース配線、１１…ゲート配線、１２…フォトダイオード、１３…薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、１３ａ…ゲート電極、１３ｂ…半導体活性層、１３ｃ…ソース電極、１３ｄ…ドレイン電極、１４ａ…下部電極、１４ｂ…上部電極、１５…光電変換層、１６…バイアス配線、１００…Ｘ線撮像装置、１０１…基板、１０２…ゲート絶縁膜、１０３…第１絶縁膜、１０５…第２絶縁膜、１０６…第３絶縁膜、１０７…第４絶縁膜、１０８…第５絶縁膜、１０９…第６絶縁膜、１１０，１１１ａ，１１１ｂ…有機膜、１５１…ｎ型非晶質半導体層、１５２…真性非晶質半導体層、１５３…ｐ型非晶質半導体層、２１１…接着層、２１２…防湿材、２１１０〜２１１６，２１１０ａ，２１１１ａ，２１１４ａ，２１１５ａ，２１１０ｂ，２１１１ｂ，２１１４ｂ，２１１５ｂ，２１１６〜２１１９…接着剤充填部

Claims (11)

1. 複数の画素を含む画素領域を有し、前記複数の画素のそれぞれに光電変換素子を備えるアクティブマトリクス基板と、
   前記アクティブマトリクス基板の表面に設けられ、Ｘ線をシンチレーション光に変換するシンチレータと、
   前記アクティブマトリクス基板と前記シンチレータとを覆う防湿材と、
   前記防湿材と、前記シンチレータ及び前記アクティブマトリクス基板との間を接着する接着層と、を備え、
   前記アクティブマトリクス基板は、
   前記画素領域と前記画素領域の外側に設けられ、感光性樹脂膜で構成された第１の平坦化膜と、
   平面視で前記シンチレータが設けられたシンチレータ領域の境界と前記接着層との間に、前記アクティブマトリクス基板の表面から前記第１の平坦化膜に向かって貫通し、前記接着層と同じ材料が充填された接着剤充填部と、を備える撮像パネル。
2. 前記アクティブマトリクス基板は、
   前記画素領域及び前記画素領域の外側において、前記シンチレータと反対側の前記第１の平坦化膜の面に設けられた第１の無機膜をさらに備え、
   前記第１の無機膜は、前記画素領域から前記接着剤充填部が設けられた位置まで連続して設けられている、請求項１に記載の撮像パネル。
3. 前記アクティブマトリクス基板は、
   前記第１の無機膜の前記第１の平坦化膜と反対側の面に設けられ、感光性樹脂膜からなる第２の平坦化膜をさらに備え、
   前記第１の無機膜は、前記第２の平坦化膜を貫通する凹部を有し、
   前記接着剤充填部は、前記第１の平坦化膜を貫通し、前記凹部まで連続して設けられている、請求項２に記載の撮像パネル。
4. 前記アクティブマトリクス基板は、前記第１の無機膜の前記第１の平坦化膜と反対側の面に設けられ、感光性樹脂膜からなる第２の平坦化膜をさらに備え、
   前記第１の無機膜は、前記第２の平坦化膜を貫通する凹部を有し、
   前記第１の平坦化膜は、前記第１の無機膜の凹部の内壁のうち、少なくとも前記シンチレータ領域側に設けられた内壁を覆い、
   前記接着剤充填部は、前記第１の平坦化膜を貫通し、前記第１の無機膜の凹部まで連続して設けられている、請求項２に記載の撮像パネル。
5. 前記アクティブマトリクス基板は、
   前記第１の無機膜の前記第１の平坦化膜と反対側の面に設けられ、感光性樹脂膜からなる第２の平坦化膜と、
   前記第１の平坦化膜の前記シンチレータ側の面に設けられた第２の無機膜と、をさらに備え、
   前記第１の無機膜は、前記第２の平坦化膜を貫通する第１の凹部を有し、
   前記第２の無機膜は、前記第１の平坦化膜を貫通し、前記第１の凹部の内壁を覆う第２の凹部を有し、
   前記接着剤充填部は、前記第２の無機膜の凹部に設けられている、請求項２に記載の撮像パネル。
6. 前記アクティブマトリクス基板は、
   前記第１の平坦化膜の前記シンチレータ側の面に設けられた第２の無機膜をさらに備え、
   前記第２の無機膜は、前記第１の平坦化膜を貫通する凹部を有し、
   前記接着剤充填部は、前記第２の無機膜の凹部に設けられている、請求項２に記載の撮像パネル。
7. 前記アクティブマトリクス基板は、
   前記第１の無機膜に対して前記第１の平坦化膜と反対側に設けられた、感光性樹脂膜からなる第２の平坦化膜と、
   前記第２の平坦化膜と前記第１の無機膜の間に設けられた金属膜と、をさらに備え、
   前記金属膜は、前記画素領域における素子と接続されている、請求項６に記載の撮像パネル。
8. 前記アクティブマトリクス基板は、
   前記第１の無機膜の前記第１の平坦化膜と反対側の面に設けられ、感光性樹脂膜からなる第２の平坦化膜と、
   前記第１の平坦化膜の前記シンチレータ側の面に設けられた第２の無機膜と、をさらに備え、
   前記第１の無機膜は、前記第２の平坦化膜を貫通する第１の凹部を有し、
   前記第１の平坦化膜は、前記第１の凹部の内壁のうち、少なくとも前記シンチレータ領域側と前記シンチレータ領域側と反対側に設けられた内壁を覆う第２の凹部を有し、
   前記第２の無機膜は、前記第２の凹部の内壁を覆う第３の凹部を有し、
   前記接着剤充填部は、前記第３の凹部に設けられている、請求項２に記載の撮像パネル。
9. 前記アクティブマトリクス基板は、
   前記第２の無機膜と前記シンチレータとの間に設けられた、感光性樹脂膜からなる第３の平坦化膜をさらに備え、
   前記第３の平坦化膜は、少なくとも前記第２の無機膜上において前記シンチレータと平面視で重なる位置に設けられている、請求項５から８のいずれか一項に記載の撮像パネル。
10. 前記接着剤充填部は、前記シンチレータ領域の外周に沿って連続して形成されている、請求項１から９のいずれか一項に記載の撮像パネル。
11. 前記接着剤充填部は複数設けられ、各接着剤充填部は、前記シンチレータ領域の外周の辺に直交する方向に離間して設けられている、請求項１から１０のいずれか一項に記載の撮像パネル。

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