JP2019165224A - 配線基板、及び配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】静電気の影響を抑えるための導電層が、配線基板における電気的な接続に影響を与えないようにする技術を提供する。【解決手段】配線基板１００は、紫外光を透過させる基板１１０と、基板１１０の上に設けられ、紫外光を透過させる導電層１２０と、導電層１２０の上に設けられた第１樹脂層１３０と、第１樹脂層１３０の上に設けられた配線としての薄膜トランジスタ２００と、を有する。【選択図】図１

Description

本開示は、配線基板、及び配線基板の製造方法に関する。

例えばフレキシブルなデバイスの製造工程は、ガラス基板の上に絶縁基板を形成し、該絶縁基板の上に配線を形成した後、該絶縁基板を該ガラス基板から剥離する工程を含む。絶縁基板をガラス基板から剥離する工程において、該絶縁基板の表面が静電気によって帯電する場合がある。静電気は、配線に含まれる素子を破壊する原因となる場合がある。また、静電気は、素子の電気的な特性を変化させる原因となる場合がある。

特許文献１は、支持基板の上に、カーボンナノチューブを混入したポリイミド樹脂からなる導電基板を形成し、該導電基板の上に絶縁基板を形成することを開示している。これにより、絶縁基板上の電子デバイスは静電気の影響を受けにくくなる。

国際公開第２０１２／７０４８３号

特許文献１に記載の技術によれば、絶縁基板の一方の面に電子デバイスが、当該絶縁基板の反対側の面に導電基板が形成されたフレキシブルデバイスが製造される。このフレキシブルデバイスにおいて、導電基板は電子デバイスと電気的に接続する。

これに対し、本開示の実施形態における目的の一つは、静電気の影響を抑えるための導電層が、配線基板における電気的な接続に影響を与えないようにするための技術を提供することである。

また、本開示の実施形態における他の目的の一つは、支持基板から絶縁基板を剥離する際に紫外光照射の妨げにならない中間層を含む配線基板を提供することである。

本開示の実施形態の一つである配線基板は、紫外光を透過する基板と、前記基板の上に設けられ、前記紫外光を透過する透光層と、前記透光層の上に設けられた第１樹脂層と、前記第１樹脂層の上に設けられた配線と、を有する。

上記配線基板において、前記透光層の上に設けられた第２樹脂層と、前記第２樹脂層の上に設けられ、前記紫外光を遮る遮光層と、を有し、前記第１樹脂層は、前記遮光層の上に設けられてもよい。

上記配線基板において、前記遮光層は、金属層であってもよい。

上記配線基板において、前記基板と前記透光層とで構成される積層構造の透過率は、所定の波長帯域において３５％以上（好ましくは、６０％以上）であってもよい。この場合において、前記基板と前記透光層とで構成される積層構造の透過率は、波長３０８ｎｍまたは波長３５５ｎｍにおいて３５％以上（好ましくは、６０％以上）であってもよい。

上記配線基板において、前記第１樹脂層は、第１面と、第２面と、前記第１面と前記第２面とを貫通する貫通孔と、を含み、前記貫通孔に設けられ、前記配線と電気的に接続する電極を有してもよい。

上記配線基板において、前記第１樹脂層は、第１面と、第２面と、前記第１面側に設けられた有底孔と、を含み、前記有底孔に設けられ、前記配線と電気的に接続する電極を有してもよい。

上記配線基板において、前記第１樹脂層は、ポリイミド樹脂を含んでもよい。

上記配線基板において、前記第２樹脂層は、ポリイミド樹脂を含んでもよい。

上記配線基板において、前記基板は、ガラス基板であってもよい。

上記配線基板は、薄膜トランジスタをさらに含んでもよい。

上記配線基板は、さらに、前記配線と電気的に接続する電極を有していてもよい。前記電極は、前記配線と前記透光層との間において前記第１樹脂層に設けられた貫通孔に設けられてもよい。このとき、前記金属層は、第１金属層と、該第１金属層とは異なる材料で構成され、前記電極に接続する第２金属層とを含み、前記電極及び前記第２金属層は、主成分の金属元素が同一であってもよい。

上記配線基板は、さらに、前記配線と電気的に接続する電極を有していてもよい。前記電極は、前記配線と前記透光層との間において前記第１樹脂層に設けられた貫通孔に設けられてもよい。このとき、前記金属層は、第１金属層と、該第１金属層とは異なる材料で構成され、前記電極に接続する第２金属層とを含み、前記第１金属層は、前記第２金属層に接する第１領域と前記第１樹脂層に接する第２領域とを有していてもよい。

上記配線基板において、前記透光層は、金属酸化物層であってもよい。

上記配線基板において、前記透光層は、導電層であってもよい。

本開示の実施形態の一つである配線基板は、第１面と、前記第１面に対向する第２面と、を含む樹脂層と、前記第１面に設けられた配線と、を有し、前記第２面の少なくとも一部の領域に紫外光を透過する導電性物質が存在する。この場合において、前記導電性物質は、波長３０８ｎｍまたは波長３５５ｎｍにおける前記紫外光の透過率が６０％以上（好ましくは、８０％以上）であってもよい。

上記配線基板において、前記導電性物質は、金属酸化物であってもよい。

本開示の実施形態の一つである配線基板は、紫外光を透過する基板の上面に、前記紫外光を透過する透光層を形成することと、前記透光層の上に、上面又は内部に配線が設けられた第１樹脂層を形成することと、を含む。

上記配線基板の製造方法において、前記透光層の上に第２樹脂層を形成することと、前記第２樹脂層の上に前記紫外光を遮る遮光層を形成することと、をさらに含み、前記第１樹脂層は、前記遮光層の上に形成されてもよい。

上記配線基板の製造方法において、前記第１樹脂層を形成した後、前記基板を挟んで前記第１樹脂層とは反対側から、前記第１樹脂層に前記紫外光を照射することをさらに含んでもよい。

上記配線基板の製造方法において、前記遮光層を形成することは、前記第２樹脂層の上に、第１金属層と、該第１金属層とは異なる材料で構成された第２金属層とを形成することを含み、さらに、前記第１樹脂層を形成する前に、開口部を有する第３樹脂層を形成することと、前記第２金属層をシード層とした電解めっきにより、前記開口部の内側に、前記第２金属層と接続する電極を形成することを含んでもよい。

上記配線基板の製造方法において、さらに、前記電極を形成した後、前記第３樹脂層を除去することと、前記第１金属層を残して前記第２金属層の一部を除去することを含んでもよい。

本開示の第１実施形態に係る配線基板の部分側断面図である。 本開示の第１実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する図である。 本開示の第１実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する図である。 本開示の第１実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する図である。 本開示の第１実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する図である。 本開示の第１実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する図である。 本開示の第１実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する図である。 本開示の第１実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する図である。 本開示の第２実施形態である配線基板の部分側断面図である。 本開示の第２実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する図である。 本開示の第２実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する図である。 本開示の第２実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する図である。 本開示の第２実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する図である。 本開示の第２実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する図である。 本開示の第２実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する図である。 本開示の第３実施形態である配線基板の部分側断面図である。 本開示の第３実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する図である。 本開示の第３実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する図である。 本開示の第３実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する図である。 本開示の第４実施形態である配線基板の部分側断面図である。 本開示の第５実施形態である配線基板の部分側断面図である。 本開示の第５実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する図である。 本開示の第５実施形態におけるパッケージ基板の部分側断面図である。 本開示の第６実施形態である配線基板の部分側断面図である。 本開示の第６実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する図である。 本開示の第６実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する図である。 本開示の第６実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する図である。 本開示の第６実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する図である。 本開示の第６実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する図である。 本開示の第６実施形態である配線基板の部分側断面図である。

以下、本開示の各実施形態について、図面を参照し、説明する。ただし、本開示は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。なお、本実施形態で参照する図面において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号又は類似の符号（数字の後にＡ、Ｂ、Ｃのアルファベットを付しただけの符号）を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。

本明細書及び特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上（上面）に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。

本明細書及び特許請求の範囲において、ある構造体と他の構造体が重なるという表現は、これらの構造体の平面視において、少なくとも一部が重なるということを意味する。換言すると、これらの構造体のいずれか一方が他方の上、あるいは下に位置し、かつ、これらの構造体を上面から、あるいは下面から見た場合に、互いに少なくとも一部が重なるということを意味する。

以下、本開示の配線基板がインターポーザに用いられる場合の実施の形態を説明する。

［第１実施形態］
＜配線基板の構成＞
図１は、本開示の第１実施形態である配線基板１００の部分側断面図である。配線基板１００は、基板１１０と、導電層１２０と、第１樹脂層１３０と、電極１４０と、薄膜トランジスタ２００と、を有する。

基板１１０は、導電層１２０、第１樹脂層１３０、電極１４０、及び薄膜トランジスタ２００を支持する。基板１１０は、絶縁性の基板である。基板１１０は、紫外光を透過させる。基板１１０は、少なくとも、紫外光領域のうち、所定の波長帯域（例えば、波長３０８ｎｍ又は波長３５５ｎｍを含む波長帯域）の紫外光を透過させる。基板１１０は、例えば、ガラス基板（キャリアガラスともいう。）である。

本実施形態では、透光層の一例として導電層１２０を例示する。導電層１２０は、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、アルミニウムが添加された酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムが添加された酸化亜鉛（ＧＺＯ）等の金属酸化物、又はその他の導電性物質を含む。導電層１２０の膜厚は、例えば、２０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である。

導電層１２０は、基板１１０の上に設けられている。導電層１２０は、紫外光を透過させる。より具体的には、導電層１２０は、紫外光領域のうち所定の波長帯域（例えば、波長３０８ｎｍ又は波長３５５ｎｍを含む波長帯域）の紫外光を透過させる。導電層１２０の該波長帯域の紫外光の透過率は、６０％以上（好ましくは、８０％以上）である。導電層１２０の透過率が６０％以上であれば、ガラスで構成される基板１１０及び導電層１２０を介して第１樹脂層１３０に十分なエネルギーが到達するため、後に第１樹脂層１３０を導電層１２０から剥離する際の剥離不良を防ぐことができる。導電層１２０は、少なくとも、基板１１０側から第１樹脂層１３０を見た方向における紫外光の透過率が６０％以上（好ましくは、８０％以上）である。

実際には、紫外光は基板１１０及び導電層１２０を介して第１樹脂層１３０に到達するため、基板１１０と導電層１２０とで構成される積層構造の透過率が紫外光のエネルギーの減衰に影響する。本実施形態では、基板１１０と導電層１２０とで構成される積層構造の透過率を３５％以上（好ましくは、６０％以上）とすることにより、第１樹脂層１３０に十分なエネルギーを与えている。厳密に言えば、基板１１０を構成するガラスの種類、導電層１２０を構成する金属酸化物の種類、並びに、基板１１０及び導電層１２０の厚さなどのパラメータによって上記紫外光の透過率は変化する。しかし、いずれにしても、基板１１０の裏面側から入射した上記紫外光が３５％以上（好ましくは、６０％以上）の透過率で第１樹脂層１３０に到達すれば、第１樹脂層１３０を導電層１２０から剥離する際の剥離不良を防ぐことができる。

ガラス基板と導電層（例えば、ＩＴＯ）とで構成される積層構造の透過率の測定においては、例えば、測定機器として島津製作所の製品「ＵＶ−ｍｉｎｉ−１２４０」を用いることができる。例えば「ＵＶ−ｍｉｎｉ−１２４０」を用いた場合、モードを「フォトメリック」とし、測定波長を設定した後、基材をセットしない空気の状態にてゼロ合わせを行う。その後、基板を光が略垂直に基板に照射されるようセットして透過率を測定する。また、導電層単体の透過率を測定する場合は、例えば、測定機器として日立製作所の製品「Ｕ−４１００分光光度計」を用いることができる。例えば「Ｕ−４１００分光光度計」を用いた場合、モードを透過率［％Ｔ］とし、測定波長を設定した後、まずリファレンスとして導電層の成膜されていないガラス基板を測定する。次いで測定サンプルとして導電層の成膜されたサンプルを測定する。導電層単体の透過率の算出は、装置内で行われる。

第１樹脂層１３０は、導電層１２０の上面に設けられている。第１樹脂層１３０は、ここでは、絶縁性及び可撓性を有する。第１樹脂層１３０は、例えば、有機樹脂材料を含む。有機樹脂材料は、例えばポリイミド樹脂である。ただし、有機樹脂材料はアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、又はその他の有機樹脂材料であってもよい。例えば、第１樹脂層１３０は、３０８ｎｍまたは３５５ｎｍの波長の紫外光に対する吸収率が９０％以上であることが好ましい。

第１樹脂層１３０は、第１面１３２と、第２面１３４と、貫通孔１３６とを有する。第２面１３４は、第１面１３２と対向する面である。すなわち、第１面１３２と第２面１３４とは、第１樹脂層１３０において上と下、又は、表と裏の関係である。本実施形態では、第１面１３２が上面、第２面１３４が下面である。第１樹脂層１３０が導電層１２０の上面に設けられることにより、第２面１３４が導電層１２０と物理的に接触する。

貫通孔１３６は、第１面１３２と第２面１３４とを貫通する孔である。貫通孔１３６は、例えば円柱状であるが、直方体状、三角柱状、又はその他の形状であってもよい。

電極１４０は、貫通孔１３６に設けられ、第１面１３２と第２面１３４とを電気的に接続させる。すなわち、電極１４０は、貫通電極である。電極１４０は、例えば銅（Ｃｕ）で形成されるが、銅以外の金属で形成されてもよい。電極１４０は、貫通孔１３６の全体に設けられてもよいし、貫通孔１３６の一部（例えば、貫通孔１３６の側壁部）にのみ設けられてもよい。

薄膜トランジスタ２００は、第１樹脂層１３０の上面に設けられている。薄膜トランジスタ２００は、電極１４０と電気的に接続する。薄膜トランジスタ２００は、本実施形態では、ボトムゲート型トランジスタである。薄膜トランジスタ２００は、ゲート電極２１０と、第１絶縁層２２０と、半導体層２３０と、第２絶縁層２４０と、ソース電極２５０と、ドレイン電極２６０と、を含む。第１絶縁層２２０は、ゲート電極２１０と半導体層２３０とを絶縁する。第１絶縁層２２０は、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜、又はその他の無機絶縁膜である。半導体層２３０は、例えば、酸化物半導体層である。第２絶縁層２４０は、半導体層２３０と、ソース電極２５０及びドレイン電極２６０の各々とを絶縁するとともに、エッチングストップ層として機能する。第２絶縁層２４０は、第１絶縁層２２０と同じ材料で形成されてもよい。ソース電極２５０、及びドレイン電極２６０は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、又はその他の材料を用いた電極である。ソース電極２５０は、電極１４０と電気的に接続する配線の一例である。なお、電極１４０と電気的に接続する配線はドレイン電極２６０であってもよい。また、配線は、薄膜トランジスタに限らず、他の素子と電気的に接続する配線であってもよい。

薄膜トランジスタ２００は、ボトムゲート型トランジスタに限られない。薄膜トランジスタ２００は、例えば、トップゲート型のトランジスタ、又はマルチゲート型トランジスタであってもよい。

＜配線基板の製造方法＞
図２から図８は、配線基板１００の製造方法を説明する図である。

まず、図２に示すように、導電層１２０が基板１１０の上面に形成される。導電層１２０は、例えば、スパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。

次に、図３に示すように、第１樹脂層１３０が導電層１２０の上面に形成される。第１樹脂層１３０は、例えば、導電層１２０の上面にワニス（例えば、ポリアミック酸溶液）を塗布し、該ワニスを焼き固めることによって形成される。

次に、図４に示すように、貫通孔１３６が第１樹脂層１３０に形成される。貫通孔１３６は、例えば、アルカリ溶液を用いて、第１面１３２側から第１樹脂層１３０のエッチングを行うことにより、形成される。

次に、図５に示すように、電極１４０が貫通孔１３６に形成される。電極１４０は、例えば、電気めっき法によって形成される。電極１４０は、例えば、スパッタリング法又は蒸着法を用いて、貫通孔１３６の側壁部に導電性の部材を形成する方法によって行われてもよい。

次に、薄膜トランジスタ２００が第１樹脂層１３０の第１面１３２に形成される。これにより、図１に示す配線基板１００が製造される。

次に、図６に示すように、基板１１０を挟んで第１樹脂層１３０とは反対側（つまり、第２面１３４側）から、基板１１０にレーザー光Ｌが照射される。レーザー光Ｌは、基板１１０及び導電層１２０を透過し、第１樹脂層１３０に吸収される。レーザー光Ｌのエネルギーによって、第１樹脂層１３０が導電層１２０から剥離されて、配線基板３００が製造される。レーザー光Ｌは、紫外光を含むレーザー光、より具体的には、波長３０８ｎｍ又は波長３５５ｎｍを含む波長帯域にエネルギーを有するレーザー光である。

図６では、簡単のため、第２面１３４が平坦な面として図示されているが、第２面１３４に凹凸が存在してもよい。この場合、第１樹脂層１３０が導電層１２０から剥離された後、第２面１３４が平坦な面となるように成形されてもよい。また、第１樹脂層１３０が導電層１２０から剥離された後、図７に示すように、配線基板３００の第２面１３４側の少なくとも一部の領域に、導電層１２０に含まれていた導電性物質１２２が存在する場合がある。導電性物質１２２は、例えば、レーザー光Ｌが基板１１０に照射されたときの拡散によって、配線基板３００に残存する。図７に示す導電性物質１２２の付着の態様は一例である。導電性物質１２２は、電極１４０にのみ付着する場合もあるし、第１樹脂層１３０にのみ付着する場合もあるし、電極１４０と第１樹脂層１３０との両方に付着する場合もある。導電性物質１２２が第１樹脂層１３０に付着する場合に、第２面１３４において導電性物質１２２は、均一に付着するとは限らない。換言すると、第２面１３４の第１領域は導電性物質１２２が付着し、第２面１３４の該第１領域と異なる第２領域は導電性物質１２２が付着しない場合もある。このような場合、例えばエッチングを行うことによって、第２面１３４に付着した導電性物質１２２が取り除かれてもよい。導電性物質１２２は、導電層１２０と同様、紫外光領域のうち所定の波長帯域（例えば、波長３０８ｎｍ又は波長３５５ｎｍを含む波長帯域）の紫外光を透過させる。導電性物質１２２の該波長帯域の紫外光の透過率は、６０％以上（好ましくは、８０％以上）である。

次に、図８に示すように、配線基板３００が基板４００に転写されることにより、インターポーザ５００が製造される。配線基板３００は、例えば、接合部４１０を用いて基板４００と接合される。接合部４１０は、例えば、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）である。基板４００は、例えば、ガラス基板である。基板４００は、シリコン基板、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）で例示されるフレキシブルな素材で形成された基板、又はその他の基板であってもよい。

基板４００には、あらかじめ貫通孔４２０が形成されている。貫通孔４２０は、例えば円柱状であるが、直方体状、三角柱状、又はその他の形状であってもよい。電極４３０が貫通孔４２０に設けられている。電極４３０は、貫通孔４２０の側壁部を覆う。薄膜トランジスタ２００と電極４３０とは、電極１４０を介して電気的に接続される。

以上説明した配線基板１００において、第１樹脂層１３０と基板１１０との間に、導電層１２０が設けられている。よって、第１樹脂層１３０を基板１１０から剥離する工程において静電気が発生した場合であっても、第１樹脂層１３０は静電気により帯電しにくくなる。これにより、静電気を原因とした薄膜トランジスタ２００の破壊、及び薄膜トランジスタ２００の電気的な特性の変化の発生が抑えられる。また、導電層１２０が存在することにより、基板１１０の上面に第１樹脂層１３０が形成される場合に比べて、第１樹脂層１３０の密着性が向上する。

また、導電層１２０は紫外光を透過させる。よって、第１樹脂層１３０が存在する領域に剥離位置が存在し、その結果、第１樹脂層１３０が導電層１２０から剥離される。この工程後は、第２面１３４が導電層１２０によって覆われない配線基板３００が製造される。よって、導電層１２０は、配線基板１００における電気的な接続に影響を与えない。したがって、配線基板１００及び配線基板３００は、インターポーザ５００の製造に適した構成を有している。

［第２実施形態］
＜配線基板の構成＞
図９は、本開示の第２実施形態である配線基板１００Ａの部分側断面図である。配線基板１００Ａは、基板１１０と、導電層１２０と、第１樹脂層１３０Ａと、電極１４０と、第２樹脂層１５０と、遮光層１６０と、薄膜トランジスタ２００とを有する。

第２樹脂層１５０は、導電層１２０の上面に設けられている。第２樹脂層１５０は、第１樹脂層１３０Ａよりも膜厚が小さい。第１樹脂層１３０Ａの膜厚をＴとする。Ｔは、例えば３００ｎｍ以下である。第２樹脂層１５０は、例えば、第１樹脂層１３０Ａと同じ材料で形成される。

遮光層１６０は、第２樹脂層１５０の上面に設けられている。遮光層１６０は、例えば、第２樹脂層１５０の上面の全体を覆う。遮光層１６０は、紫外光領域のうち、所定の波長帯域の紫外光を遮る。遮光層１６０は、当該波長帯域の紫外光の全部又は一部を遮る。遮光層１６０は、例えば、クロム（Ｃｒ）で例示される遮光性の金属材料を含む金属層である。

ただし、これに限らず、遮光層１６０としては、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）等の金属材料を含む金属層を用いることができる。これらの金属材料は、単体で用いてもよいし、他の元素と組み合わせてもよい。例えば、遮光層１６０としては、窒化チタン（ＴｉＮ）、チタン−タングステン合金（ＴｉＷ）、Ｎｉ合金、Ｍｏ合金等の金属材料を含む金属層を用いてもよい。さらに、これらの金属層を積層した構造を用いてもよい。例えば、積層構造を有する遮光層１６０としては、銅とチタン（又は、銅と窒化チタン）とを積層した構造としてもよい。

遮光層１６０の膜厚は、紫外光に対する遮光性を確保するために、２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下とすることが望ましい。例えば、遮光層１６０を単層で構成する場合、後に遮光層１６０を除去する時間を短縮するために、遮光性を確保できる範囲でなるべく薄くする（例えば、３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下とする）ことが望ましい。なお、遮光層１６０は、剥離面（第２樹脂層１５０を除去した後に配線基板３００Ａに現れる面）の平坦性を確保する役割も有する。

なお、遮光層１６０は、金属材料に限らず、例えば、黒色に着色された樹脂材料を含んでもよい。

第１樹脂層１３０Ａは、遮光層１６０の上面に設けられている。第１樹脂層１３０Ａの貫通孔１３６は、第１面１３２と第２面１３４とを貫通する孔である。ただし、貫通孔１３６の第２面１３４側の開口部は、遮光層１６０に面している。電極１４０は、第１樹脂層１３０Ａの貫通孔１３６に設けられ、第１面１３２と第２面１３４とを電気的に接続させる。薄膜トランジスタ２００は、第１樹脂層１３０Ａの上面に設けられ、電極１４０と電気的に接続する。

＜配線基板の製造方法＞
図１０から図１４は、配線基板１００Ａの製造方法を説明する図である。

図２で説明した方法で導電層１２０が基板１１０の上面に形成された後、図１０に示すように、第２樹脂層１５０が導電層１２０の上面に形成される。第２樹脂層１５０は、第１樹脂層１３０と同じ方法で形成されてもよいが、第１樹脂層１３０と異なる材料、または第１樹脂層１３０とは異なる方法で形成されてもよい。

次に、図１１に示すように、遮光層１６０が第２樹脂層１５０の上に形成される。遮光層１６０は、例えば、スパッタリング法又は蒸着法により形成される。

次に、図１２に示すように、第１樹脂層１３０Ａが遮光層１６０の上面に形成される。第１樹脂層１３０Ａは、第１樹脂層１３０と同じ方法で形成されてよい。次に、図１３に示すように、貫通孔１３６が第１樹脂層１３０Ａに形成される。次に、図１４に示すように、電極１４０が貫通孔１３６に形成される。次に、薄膜トランジスタ２００が、電極１４０と電気的に接続するように、第１樹脂層１３０の第１面１３２に形成される。これにより、図９に示す配線基板１００Ａが製造される。

次に、図１５に示すように、基板１１０を挟んで第１樹脂層１３０Ａとは反対側（つまり、第２面１３４側）から、基板１１０にレーザー光Ｌが照射される。レーザー光Ｌは、基板１１０及び導電層１２０を透過し、第２樹脂層１５０に吸収される。レーザー光Ｌのエネルギーによって、基板１１０及び導電層１２０から剥離された配線基板３００Ａが製造される。遮光層１６０が第１樹脂層１３０Ａと第２樹脂層１５０との間に設けられているため、第１樹脂層１３０Ａにはレーザー光Ｌは到達しない（又は、ほぼ到達しない）。よって、遮光層１６０よりも基板１１０側である第２樹脂層１５０の存在する領域に、剥離位置が存在する。すなわち、遮光層１６０は、レーザー光Ｌにより第１樹脂層１３０Ａの焦げを防止することに寄与するため、耐熱層又はバリア層と称することもできる。図１５に示すように、基板１１０及び導電層１２０から剥離された配線基板３００Ａが製造された後、遮光層１６０の下面の少なくとも一部の領域に、第２樹脂層１５０に含まれていた樹脂を含む付着物が付着する場合がある。

次に、配線基板３００Ａから遮光層１６０が除去される。例えば、配線基板１００Ａに対して第２面１３４側からエッチングが行われる。このエッチングにより、第２面１３４側から電極１４０が露出し、図６及び図７で説明した配線基板３００と同様な構成の配線基板が製造される。なお、遮光層１６０の下面に第２樹脂層１５０に由来する付着物が付着した場合でも、遮光層１６０とともに除去される。その後、この配線基板を用いて、例えば図８に示したようなインターポーザ５００が製造される。

配線基板１００Ａによれば、上述した第１実施形態の配線基板１００と同様の効果を奏する。また、配線基板３００Ａは、遮光層１６０よりも下方の領域である第２樹脂層１５０が存在する領域で、基板１１０及び導電層１２０から剥離されることにより、製造される。第２樹脂層１５０が存在することにより電極１４０と導電層１２０とが接触しないため、配線基板３００Ａが導電層１２０から剥離されやすくなる。また、遮光層１６０が金属層である場合は、遮光層１６０を除去するためのエッチングにおいて、第１樹脂層１３０Ａとの選択性が確保される。

［第３実施形態］
＜配線基板の構成＞
図１６は、本開示の第３実施形態である配線基板１００Ｂの部分側断面図である。配線基板１００Ｂは、基板１１０と、導電層１２０と、第１樹脂層１３０Ｂと、電極１４０Ｂと、薄膜トランジスタ２００と、を有する。第１樹脂層１３０Ｂは、貫通孔１３６ではなく、有底孔１３８を有する。有底孔１３８は、第１面１３２側に設けられ、底部１３８２を有する孔である。底部１３８２は、例えば、導電層１２０の上面からＬの距離に位置する。電極１４０Ｂは、有底孔１３８に設けられ、第１面１０２と底部１３８２とを電気的に接続させる。電極１４０Ｂは、例えば銅（Ｃｕ）で形成されるが、銅以外の金属で形成されてもよい。また、電極１４０Ｂは、有底孔１３８の全体に設けられてもよいし、有底孔１３８の一部（例えば、側壁部）にのみ設けられていてもよい。薄膜トランジスタ２００は、第１樹脂層１３０Ｂの上面に設けられ、電極１４０Ｂと電気的に接続する。

＜配線基板の製造方法＞
図１７及び図１８は、配線基板１００Ｂの製造方法を説明する図である。

図２及び図３で説明したのと同様の方法で、導電層１２０が基板１１０の上面に形成され、第１樹脂層１３０Ｂが導電層１２０の上面に形成される。次に、図１７に示すように、有底孔１３８が第１樹脂層１３０Ｂに形成される。有底孔１３８の形成の方法は、貫通孔１３６の形成方法と同じでよい。ただし、底部１３８２は、導電層１２０の位置には達しない。

次に、図１８に示すように、電極１４０Ｂが有底孔１３８に形成される。電極１４０Ｂの形成の方法は、電極１４０の形成の方法と同じでよい。次に、薄膜トランジスタ２００が第１樹脂層１３０Ｂの第１面１３２に形成される。これにより、図１６に示す配線基板１００Ｂが製造される。

次に、図１９に示すように、基板１１０を挟んで第１樹脂層１３０Ｂとは反対側（第２面１３４側）から、基板１１０にレーザー光Ｌが照射される。レーザー光Ｌは、基板１１０及び導電層１２０を透過し、第１樹脂層１３０Ｂで吸収される。レーザー光Ｌのエネルギーによって、基板１１０及び導電層１２０から剥離された、配線基板３００Ｂが製造される。好ましくは、この剥離する工程によって、第２面１３４側から電極１４０Ｂが露出する。ただし、電極１４０Ｂが第１樹脂層１３０Ｂに含まれていた樹脂により覆われて、電極１４０Ｂが露出しない場合でも、第２面１３４側からのエッチングによって電極１４０Ｂが露出されればよい。図１９では、簡単のため、第２面１３４が平坦な面として図示されているが、第２面１３４に凹凸が存在してもよい。また、図７で説明したのと同様、配線基板３００Ｂの第２面１３４側の少なくとも一部の領域に、導電層１２０に含まれていた導電性物質が付着した配線基板３００Ｂが製造されてもよい。この配線基板３００Ｂを用いて、例えば図８に示したようなインターポーザ５００が製造される。

配線基板１００Ｂによれば、上述した第１実施形態の配線基板１００と同様の効果を奏する。また、第１樹脂層１３０Ｂを導電層１２０から剥離する工程によって、第１樹脂層１３０Ｂの第２面１３４側の一部の領域が除去される。この除去される領域の厚さを考慮して導電層１２０の上面からの距離Ｌを設定することにより、剥離工程によって有底孔１３８を貫通孔１３９とすることができ、配線基板３００Ｂのインターポーザへの適用を容易とすることができる。また、第１樹脂層１３０Ｂに有底孔１３８が形成されていることにより、電極１４０と導電層１２０とが接触しないため、配線基板３００Ｂが導電層１２０から剥離されやすくなる。

［第４実施形態］
図２０は、本開示の第４実施形態である配線基板１００Ｃの部分側断面図である。配線基板１００Ｃは、実質的に、第２実施形態の配線基板１００Ａと、第３実施形態の配線基板１００Ｂとを組み合わせた構成に等しい。すなわち、配線基板１００Ｃは、基板１１０と、導電層１２０と、第１樹脂層１３０Ａと、電極１４０Ｂと、第２樹脂層１５０と、遮光層１６０と、薄膜トランジスタ２００と、を有する。すなわち、配線基板１００Ｃは、貫通孔１３６ではなく有底孔１３８を有し、かつ有底孔１３８に形成された電極１４０Ｂを有する点で、上述した第２実施形態の配線基板１００Ａとは相違する。

配線基板１００Ｃの製造方法も、第２実施形態の配線基板１００Ａと、第３実施形態の配線基板１００Ｂとの製造方法の組み合わせに等しい。すなわち、まず、導電層１２０が基板１１０の上面に形成される。次に、第２樹脂層１５０が導電層１２０の上面に形成される。次に、遮光層１６０が第２樹脂層１５０の上に形成される。次に、第１樹脂層１３０Ａが遮光層１６０の上面に形成される。次に、有底孔１３８が第１樹脂層１３０Ａに形成される。次に、電極１４０Ｂが有底孔１３８に形成される。次に、薄膜トランジスタ２００が第１樹脂層１３０Ａの第１面１３２に形成される。そして、基板１１０を挟んで第１樹脂層１３０Ａとは反対側（第２面１３４側）から、基板１１０にレーザー光Ｌが照射される。これにより、基板１１０及び導電層１２０が剥離された配線基板が製造される。

配線基板１００Ｃによれば、上述した第２実施形態の配線基板１００Ａ及び第３実施形態の配線基板１００Ｂと同様の効果を奏する。

［第５実施形態］
＜配線基板の構成＞
上記第１実施形態から第４実施形態まで、透光層の一例として導電層１２０を用いる例を示したが、本開示で使用し得る透光層は、導電性を有するものに限られない。例えば、配線基板が薄膜トランジスタ等の静電気に対して弱い電子デバイスではない電子デバイス（メモリ等）を搭載する場合や、電子デバイスを含まず、配線と樹脂層とを積層した配線層で構成される場合、支持基板から絶縁基板を剥離する際の静電破壊は問題とならない。この場合、透光層としては、導電性を有していない透光性物質、例えば、紫外光を含むレーザー光を透過する絶縁物であってもよい。このような絶縁物の例としては、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）等の金属酸化物や、酸化シリコン（ＳｉＯ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）等の無機絶縁物が挙げられる。また、絶縁物以外でも、例えばインジウム、ガリウム、亜鉛、酸素で構成されるアモルファス半導体（ＩＧＺＯ）を用いてもよい。ただし、本実施形態の用途で透光層を用いる場合、第１樹脂層１３０との密着性が高い材料を選択することが望ましい。

図２１は、本開示の第５実施形態である配線基板１００Ｄの部分側断面図である。配線基板１００Ｄは、基板１１０と、透光層１２０Ａと、剥離層１７０と、配線層２００Ａと、を有する。なお、第１実施形態と共通する部分については、同じ符号を用いることにより説明を省略する場合がある。

本実施形態では、基板１１０の上に透光層１２０Ａが設けられている。透光層１２０Ａとしては、上述の絶縁物を用いることができるが、本実施形態では、透光層１２０Ａとして、酸化シリコン層を用いている。

剥離層１７０は、透光層１２０Ａと配線層２００Ａとを接着する役割を果たす中間層であり、例えばポリイミド等の樹脂材料を用いることができる。後述するように、本実施形態では、基板１１０の裏面側（透光層１２０Ａが設けられていない側）からレーザー光を照射することにより、剥離層１７０及び配線層２００Ａを透光層１２０Ａから剥離することができる。

配線層２００Ａは、シード層２１０Ａ、端子２２０Ａ、配線２３０Ａ、及び樹脂層２４０Ａを含む構造体である。図示は省略しているが、樹脂層２４０Ａは、複数の樹脂層を積層した構成を有する。

シード層２１０Ａは、剥離層１７０の上に配置され、電気めっき法により配線２３０Ａを形成する際のシード層として用いる。端子２２０Ａは、樹脂層２４０Ａの上に配置され、配線層２００Ａの接続端子として機能する。例えば、端子２２０Ａは、ＩＣチップとの電気的接続を行うための接続端子として用いることができる。配線２３０Ａは、後述するランド２５０Ａと端子２２０Ａとを電気的に接続するための配線である。

樹脂層２４０Ａは、例えばエポキシやポリイミド、フェノール、アクリルなどの樹脂材料を用いることができる。本実施形態では、透光層１２０Ａと配線層２００Ａとの間に剥離層１７０を配置する例を示したが、剥離層１７０を省略し、透光層１２０Ａの上に直接的に配線層２００Ａを配置してもよい。この場合、樹脂層２４０Ａがレーザー光を吸収して変性することにより、配線層２００Ａを透光層１２０Ａから剥離することができる。

＜配線基板の製造方法＞
配線基板１００Ｄは、基板１１０の上に透光層１２０Ａ、剥離層１７０を形成した後、配線層２００Ａを形成することにより製造することができる。本実施形態では、透光層１２０Ａとして酸化シリコン層を用いるため、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法等の気相成長法を用いて形成することができる。剥離層１７０は、溶媒に溶かした樹脂材料を塗布して焼成することにより形成すればよい。配線層２００Ａは、公知の方法により、シード層２１０Ａ、端子２２０Ａ、配線２３０Ａ、及び樹脂層２４０Ａを形成すればよい。

その後、図２２に示すように、基板１１０の裏面側（透光層１２０Ａが設けられていない側）からレーザー光Ｌを照射する。レーザー光Ｌは、基板１１０及び透光層１２０Ａを透過し、剥離層１７０に吸収される。これにより、透光層１２０Ａに近い側の剥離層１７０の界面近傍が変性し、配線層２００Ａ及び剥離層１７０を透光層１２０Ａから剥離することができる。その後、剥離層１７０を除去すれば、図２２に示すように、配線層２００Ａを得ることができる。配線層２００Ａは、シード層２１０Ａを除去した後、配線基板として用いることができる。

図２３は、本開示の第５実施形態におけるパッケージ基板６００の部分側断面図である。図２３において、配線基板として用いる配線層２００Ａのうち端子２２０Ａとは反対側の面にランド２５０Ａが設けられる。ランド２５０Ａには、はんだボール６１０Ａを介して回路基板６２０が電気的に接続されている。また、配線層２００Ａの端子２２０Ａには、はんだボール６１０Ｂを介してＩＣチップ６３０Ａ及び６３０Ｂが電気的に接続されている。ＩＣチップ６３０Ａ及び６３０Ｂは、モールド樹脂６４０によって封止される。本開示の第５実施形態におけるパッケージ基板６００は、基板１１０の上に形成された配線層２００Ａを用いて回路基板６１０とＩＣチップ６３０Ａ及び６３０Ｂとを電気的に接続している。

なお、本実施形態では、透光層１２０Ａとして、絶縁物である酸化シリコン層を用いる例を示したが、透光層１２０Ａは絶縁物に限られるものではない。すなわち、第１実施形態と同様に、基板１１０の上に透光層１２０ＡとしてＩＴＯ等の金属酸化物層を設け、その上に配線層２００Ａを設けてもよい。

［第６実施形態］
＜配線基板の構成＞
図２４は、本開示の第６実施形態である配線基板１００Ｅの部分側断面図である。配線基板１００Ｅは、基板１１０及び導電層１２０の上に、第２樹脂層１５０と、第１金属層１６０Ａと、第２金属層１６０Ｂと、を有する。なお、第１実施形態と共通する部分については、同じ符号を用いることにより説明を省略する場合がある。

配線基板１００Ｅにおいて、第１金属層１６０Ａは、基板１１０のほぼ全面にわたって設けられている。第１金属層１６０Ａは、剥離面（最終的に第２樹脂層１５０を除去した後に現れる面）の平坦性を確保する役割を有するため、基板１１０から剥離した後、少なくとも配線基板として１００Ｅとして使用する領域に設けられていることが望ましい。

第２金属層１６０Ｂは、電極１４０の下方に位置する。後述するように、第２金属層１６０Ｂは、電気めっき法により電極１４０を形成する際のシード層として用いる。そのため、電極１４０を形成する際には、第２金属層１６０Ｂは、基板１１０の略全面にわたって設けておくが、その後は、電極１４０同士が導通しないように物理的に分離させる。したがって、上述の第１金属層１６０Ａは、第２金属層１６０Ｂに接する第１領域と、第１樹脂層１３０Ａに接する第２領域（すなわち、第２金属層１６０Ｂに接しない領域）とを有する。

配線基板１００Ｅを製造する過程において、第１金属層１６０Ａは、剥離面の平坦性を確保するとともに、基板１１０に紫外光を照射する際の遮光層としても機能する。また、第２金属層１６０Ｂは、電極１４０を形成する際のシード層として機能する。第１金属層１６０Ａとしては、紫外光領域のうち、所定の波長帯域の紫外光を遮蔽する金属材料を用いることができる。第２金属層１６０Ｂは、電極１４０のシード層として利用し得る金属材料であれば如何なる材料であってもよいが、電極１４０を構成する材料と同一の金属元素を主成分とする材料を用いることが望ましい。

本実施形態では、第１金属層１６０Ａの材料としてチタン（Ｔｉ）又はチタン合金を用い、第２金属層１６０Ｂの材料として銅（Ｃｕ）又は銅合金を用いる。電極１４０は、第２金属層１６０Ｂをシード層とする電気めっき法により、銅を用いて形成される。銅は樹脂材料に対して密着性が弱いため、銅を主成分とする金属層を第２樹脂層１５０に直接形成することには難がある。しかし、本実施形態では、第１金属層１６０Ａとして、第２樹脂層１５０に対して比較的密着性の良いチタンを主成分とする材料を用いることにより、第２金属層１６０Ｂを形成する際の密着性の問題を解決している。

＜配線基板の製造方法＞
図２５から図２９は、配線基板１００Ｅの製造方法を説明する図である。

本実施形態では、図２５に示すように、第２実施形態と同様の過程を経て基板１１０上に第２樹脂層１５０まで形成した後、公知の方法で第１金属層１６０Ａ及び第２金属層１６０Ｂを形成する。例えば、第１金属層１６０Ａ及び第２金属層１６０Ｂは、スパッタ法により連続的に形成することができる。

次に、図２６に示すように、電気めっき法により電極１４０を形成する。具体的には、まず第２金属層１６０Ｂの上に、例えばアクリル系樹脂材料等で構成される第３樹脂層７１０を形成し、開口部７１２を形成する。その後、第２金属層１６０Ｂをシード層とする電気めっき法により、開口部７１２の内側に、第２金属層１６０Ｂと接続する電極１４０を形成する。

電極１４０を形成したら、図２７に示すように、第３樹脂層７１０を除去して第２金属層１６０Ｂ及び電極１４０を露出させ、その後、電極１４０をマスクとして自己整合的に第２金属層１６０Ｂの一部を除去する。本実施形態では、電極１４０と第２金属層１６０Ｂが同一の金属元素を主成分とする材料で構成されているため、電極１４０と第２金属層１６０Ｂが同時にエッチングされる。したがって、本実施形態では、電極１４０の線幅と第２金属層１６０Ｂの膜厚とを考慮して、最終的に所望の線幅となるように電極１４０を設計している。

なお、本実施形態では、第１金属層１６０Ａを残して第２金属層１６０Ｂを選択的に除去するため、第１金属層１６０Ａと第２金属層１６０Ｂとの間でエッチングの選択比は大きいことが望ましい。勿論、エッチングの選択比が小さい場合は、時間制御によってエッチングを行えばよい。この場合、第２金属層１６０Ｂを完全に除去するためには第１金属層１６０Ａに至るまでエッチングを進行させればよいが、第１金属層１６０Ａは遮光層としての機能を失わない程度の膜厚が必要である。したがって、時間制御によるエッチングを行う場合は、オーバーエッチング分を考慮して第１金属層１６０Ａの膜厚を決定することが望ましい。

次に、図２８に示すように、第１金属層１６０Ａ及び第２金属層１６０Ｂの上に第１樹脂層１３０Ａを形成する。第１樹脂層１３０Ａは、樹脂材料を溶媒に溶かしたワニスの塗布、又は、ドライフィルムのラミネート等によって形成される。したがって、電極１４０は、第１樹脂層１３０Ａに埋め込まれる形になる。このとき、必要に応じて、電極１４０の上面を化学機械研磨（ＣＭＰ）等の方法により平坦にしてもよい。この後、第１樹脂層１３０Ａの上に薄膜トランジスタ２００を形成することにより、図２４に示した配線基板１００Ｅが製造される。

配線基板１００Ｅが完成した後、図２９に示すように、基板１１０の裏面側（導電層１２０が設けられていない側）からレーザー光Ｌを照射する。レーザー光Ｌは、基板１１０及び導電層１２０を透過し、第２樹脂層１５０に吸収される。これにより、導電層１２０に近い側の第２樹脂層１５０の界面近傍が変性し、第２樹脂層１５０より上の層全体を導電層１２０から剥離することができる。

剥離作業を終えた後、第２樹脂層１５０及び第１金属層１６０Ａを除去することにより、下面に第２金属層１６０Ｂが露出した配線基板７００を製造することができる。その後、配線基板７００を図８に示した基板４００に転写することによりインターポーザ５００を製造することができる。

本実施形態によれば、レーザー光の照射時に遮光層として機能する第１金属層１６０Ａを、シード層として機能する第２金属層１６０Ｂの接着層としても機能させることができる。また、配線基板７００においては、第２金属層１６０Ｂを図８の電極４３０と接続する際の密着層として利用できるため、インターポーザ５００を製造する際、基板４００との良好な接続を確保することができる。

なお、本実施形態では、電極１４０を形成した後に、シード層として用いた第２金属層１６０Ｂの一部を除去する例を示したが、第２金属層１６０Ｂの除去工程は省略してもよい。すなわち、第１金属層１６０Ａ及び第２金属層１６０Ｂを積層したまま薄膜トランジスタ２００の形成まで行い、基板１１０から配線基板７００を剥離した後、第１金属層１６０Ａ及び第２金属層１６０Ｂを除去することもできる。

また、本実施形態では、電極１４０をマスクとして自己整合的に第２金属層１６０Ｂをエッチングする例を示したが、レジストマスクを用いて第２金属層１６０Ｂをエッチングしてもよい。この場合、図３０に示す配線基板１００Ｆのように、第２金属層１６０Ｃの線幅が、電極１４０の線幅よりも大きくなる。レジストマスクを用いた場合、電極１４０がエッチングされないため、第２金属層１６０Ｂの膜厚を厚くすることができ、シード層として用いる際に有利である。また、第２金属層１６０Ｂを電極１４０のランドとして用いることもできるため、インターポーザ５００を製造する際、基板４００との良好な接続を確保することができる。

上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、上述した実施形態の各配線基板の構成、数値、各配線基板の製造方法は一例に過ぎない。また、各実施形態を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったものも、本開示の要旨を備えている限り、本開示の範囲に含まれる。

本開示に係る配線は、薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極に限られない。本開示に係る配線は、薄膜トランジスタを構成しない配線、例えば、導線、ビア、その他の配線であってもよい。

また、本開示に係る配線基板は、貫通孔及び当該貫通孔に設けられた電極、又は有底孔及び当該有底孔に設けられた電極を有しなくてもよい。すなわち、本開示に係る配線基板が有する配線の電気的な接続は、これら以外の構成で実現されてもよい。また、本開示に係る配線基板は、薄膜トランジスタを有しない配線基板であってもよい。

また、上述した各実施形態によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本開示によりもたらされるものと理解される。

本開示の配線基板は、ノート型パーソナルコンピュータ、タブレット端末、携帯電話、スマートフォン、デジタルビデオカメラ、デジタルカメラ、又はその他の電気機器に搭載される半導体装置に用いられる。本開示の配線基板は上記の電子機器のほかにも、ＬＥＤ照明、デジタルサイネージ、デスクトップ型パーソナルコンピュータ、サーバ、カーナビゲーション、又はその他の電子機器に搭載される半導体装置にも広く用いることができる。

１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ，１００Ｅ，１００Ｆ，３００，３００Ａ，３００Ｂ：配線基板、１０２：第１面、１０４：第２面、１１０：基板、１２０：導電層、１２０Ａ：透光層、１２２：導電性物質、１３０，１３０Ａ，１３０Ｂ：第１樹脂層、１３２：第１面、１３４：第２面、１３６，１３９：貫通孔、１３８：有底孔、１３８２：底部、１４０：電極、１４０Ｂ：電極、１５０：第２樹脂層、１６０：遮光層、１６０Ａ：第１金属層、１６０Ｂ、１６０Ｃ：第２金属層、２００：薄膜トランジスタ、２００Ａ：配線層、２１０Ａ：シード層、２２０Ａ：端子、２３０Ａ：配線、２４０Ａ：樹脂層、２５０Ａ：ランド、２１０：ゲート電極、２２０：第１絶縁層、２３０：半導体層、２４０：第２絶縁層、２５０：ソース電極、２６０：ドレイン電極、４００：基板、４１０：接合部、４２０：貫通孔、４３０：電極、５００：インターポーザ、６００：パッケージ基板、６１０Ａ，６１０Ｂ：はんだボール、６２０：回路基板、６３０Ａ，６３０Ｂ：ＩＣチップ、６４０：モールド樹脂、７００：配線基板、７１０：第３樹脂層、７１２：開口部

Claims (25)

1. 紫外光を透過する基板と、
   前記基板の上に設けられ、前記紫外光を透過する透光層と、
   前記透光層の上に設けられた第１樹脂層と、
   前記第１樹脂層の上又は内部に設けられた配線と、
   を有する配線基板。
2. 前記透光層の上に設けられた第２樹脂層と、
   前記第２樹脂層の上に設けられ、前記紫外光を遮る遮光層と、
   を有し、
   前記第１樹脂層は、前記遮光層の上に設けられている
   請求項１に記載の配線基板。
3. 前記遮光層は、金属層である
   請求項２に記載の配線基板。
4. 前記基板と前記透光層とで構成される積層構造の透過率は、所定の波長帯域において３５％以上である
   請求項１又は請求項２に記載の配線基板。
5. 前記基板と前記透光層とで構成される積層構造の透過率は、波長３０８ｎｍまたは波長３５５ｎｍにおいて３５％以上である
   請求項４に記載の配線基板。
6. 前記第１樹脂層は、第１面と、第２面と、前記第１面と前記第２面とを貫通する貫通孔と、を含み、
   前記貫通孔に設けられ、前記配線と電気的に接続する電極を有する
   請求項１又は請求項２に記載の配線基板。
7. 前記第１樹脂層は、第１面と、第２面と、前記第１面の側に設けられた有底孔と、を含み、
   前記有底孔に設けられ、前記配線と電気的に接続する電極を有する
   請求項１又は請求項２に記載の配線基板。
8. 前記第１樹脂層は、ポリイミド樹脂を含む
   請求項１又は請求項２に記載の配線基板。
9. 前記第２樹脂層は、ポリイミド樹脂を含む
   請求項２に記載の配線基板。
10. 前記基板は、ガラス基板である
    請求項１又は請求項２に記載の配線基板。
11. 薄膜トランジスタをさらに含む
    請求項１又は請求項２に記載の配線基板。
12. さらに、前記配線と電気的に接続する電極を有し、
    前記電極は、前記配線と前記透光層との間において前記第１樹脂層に設けられた貫通孔に設けられ、
    前記金属層は、第１金属層と、該第１金属層とは異なる材料で構成され、前記電極に接続する第２金属層とを含み、
    前記電極及び前記第２金属層は、主成分の金属元素が同一である
    請求項３に記載の配線基板。
13. さらに、前記配線と電気的に接続する電極を有し、
    前記電極は、前記配線と前記透光層との間において前記第１樹脂層に設けられた貫通孔に設けられ、
    前記金属層は、第１金属層と、該第１金属層とは異なる材料で構成され、前記電極に接続する第２金属層とを含み、
    前記第１金属層は、前記第２金属層に接する第１領域と前記第１樹脂層に接する第２領域とを有する
    請求項３に記載の配線基板。
14. 前記透光層は、金属酸化物層である
    請求項１又は請求項２に記載の配線基板。
15. 前記透光層は、導電層である
    請求項１又は請求項２に記載の配線基板。
16. 第１面と、前記第１面に対向する第２面と、を含む樹脂層と、
    前記第１面に設けられた配線と、
    を有し、
    前記第２面の少なくとも一部の領域に紫外光を透過する導電性物質が存在する配線基板。
17. 前記導電性物質は、波長３０８ｎｍまたは波長３５５ｎｍにおける前記紫外光の透過率が６０％以上である
    請求項１６に記載の配線基板。
18. 前記導電性物質は、金属酸化物である
    請求項１６に記載の配線基板。
19. 紫外光を透過する基板の上に、当該基板に接するように前記紫外光を透過する透光層を形成することと、
    前記透光層の上に、上面又は内部に配線が設けられた第１樹脂層を形成することと、
    を含む配線基板の製造方法。
20. 前記透光層の上に第２樹脂層を形成することと、
    前記第２樹脂層の上に前記紫外光を遮る遮光層を形成することと、
    をさらに含み、
    前記第１樹脂層は、前記遮光層の上に形成される
    請求項１９に記載の配線基板の製造方法。
21. 前記第１樹脂層を形成した後、前記基板を挟んで前記第１樹脂層とは反対側から、前記基板に前記紫外光を照射すること
    をさらに含む請求項１９又は請求項２０に記載の配線基板の製造方法。
22. 前記遮光層を形成することは、前記第２樹脂層の上に、第１金属層と、該第１金属層とは異なる材料で構成された第２金属層とを形成することを含み、
    さらに、前記第１樹脂層を形成する前に、開口部を有する第３樹脂層を形成することと、
    前記第２金属層をシード層とした電気めっき法により、前記開口部の内側に、前記第２金属層と接続する電極を形成することを含む
    請求項２０に記載の配線基板の製造方法。
23. さらに、前記電極を形成した後、前記第３樹脂層を除去することと、
    前記第１金属層を残して前記第２金属層の一部を除去することを含む
    請求項２２に記載の配線基板の製造方法。
24. 前記透光層は、金属酸化物層である
    請求項１９又は請求項２０に記載の配線基板の製造方法。
25. 前記透光層は、導電層である
    請求項１９又は請求項２０に記載の配線基板の製造方法。

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