[go: up one dir, main page]

JP2019096577A - 表示装置 - Google Patents

表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2019096577A
JP2019096577A JP2017227602A JP2017227602A JP2019096577A JP 2019096577 A JP2019096577 A JP 2019096577A JP 2017227602 A JP2017227602 A JP 2017227602A JP 2017227602 A JP2017227602 A JP 2017227602A JP 2019096577 A JP2019096577 A JP 2019096577A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
display device
layer
region
area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2017227602A
Other languages
English (en)
Inventor
拓海 金城
Hiroumi Kinjo
拓海 金城
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Display Inc
Original Assignee
Japan Display Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Display Inc filed Critical Japan Display Inc
Priority to JP2017227602A priority Critical patent/JP2019096577A/ja
Priority to US16/167,601 priority patent/US20190165310A1/en
Publication of JP2019096577A publication Critical patent/JP2019096577A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/451Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs characterised by the compositions or shapes of the interlayer dielectrics
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/481Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/60Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842Containers
    • H10K50/8426Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/86Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/8791Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111Flexible substrates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/311Flexible OLED
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

【課題】表示画面の周辺領域を折り曲げる際に、折り曲げる領域をより表示画面に近接させて、表示装置の狭額縁化を図ることを目的の一つとする。
【解決手段】表示装置は、第1面と第1面に対向する第2面とを有し、複数の画素が配列する第1領域と、端子部が配置される第2領域と、第1領域と第2領域との間の第3領域と、を第1面の側に含むベースフィルムと、第1領域を覆う第1フィルムと、第3領域を覆う樹脂層と、を有し、第1フィルムの第3領域に対向する端面は粗面化され、端面に前記樹脂層が接している。
【選択図】図3

Description

本発明の一実施形態は表示装置に関し、開示される発明の一実施形態は表示装置の封止構造を含む。
パネルを折り曲げることが可能な可撓性を有する表示装置において、表示画面の周辺領域(額縁領域)を縮小するために、当該周辺領域を折り曲げることのできる表示装置が開示されている(例えば、特許文献1参照)。
米国特許出願公開第2016/0174304号明細書
本発明の一実施形態は、表示画面の周辺領域を折り曲げる際に、折り曲げる領域をより表示画面に近接させて、表示装置の狭額縁化を図ることを目的の一つとする。
本発明の一実施形態に係る表示装置は、第1面と第1面に対向する第2面とを有し、第1面の側に位置し複数の画素が配列する第1領域と、第1面の側に位置し端子部が配置される第2領域と、第1面の側に位置し第1領域と第2領域との間の第3領域と、を含むベースフィルムと、第1領域を覆う第1フィルムと、第3領域を覆う樹脂層と、を有し、第1フィルムの第3領域に対向する端面は粗面化され、端面に前記樹脂層が接している。
本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す斜視図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す斜視図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置を折り曲げ領域で曲げたときの態様を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置に設けられる第1フィルムの構成を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置に設けられる第1フィルムの断面の形態を説明する図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の積層構造を模式的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の画素の構造を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構造を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置に設けられる第1フィルムの構成を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置に設けられる第1フィルムの構成を示す斜視図である。 表示装置の封止構造を説明する断面図である。
以下、本発明の実施の形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号(又は数字の後にa、bなどを付した符号)を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。さらに各要素に対する「第1」、「第2」と付記された文字は、各要素を区別するために用いられる便宜的な標識であり、特段の説明がない限りそれ以上の意味を有さない。
本明細書において、ある部材又は領域が他の部材又は領域の「上に(又は下に)」あるとする場合、特段の限定がない限りこれは他の部材又は領域の直上(又は直下)にある場合のみでなく他の部材又は領域の上方(又は下方)にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方(又は下方)において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。なお、以下の説明では、特に断りのない限り、断面視においては、基板の一主面に対して画素領域、タッチセンサが配置される側を「上方」に該当するとして説明する。
第1実施形態:
図1は、本発明の一実施形態に係る表示装置100の構成を示す。表示装置100は、第1面及び第1面と反対側の面である第2面を有するベースフィルム102が用いられる。表示装置100の主な機能を実現する構成要素は、ベースフィルム102の第1面に形成される。ベースフィルム102の第1面は、第1領域とされる第1領域106と、第1駆動回路110及び端子部116が配置される第2領域107と、第1領域106と第2領域107との間の第3領域108とを含む。
第1領域106は、複数の画素109が配列される表示領域113を含む。また、第1領域106には、画素109を構成する電極に一定電位を与えるコモンコンタクト114、画素109に走査信号を出力する第2駆動回路112が含まれる。図1は、第1領域106において、表示領域113の第1辺とこの第1辺に対向する第2辺に沿って第2駆動回路112が配置される態様を示す。
第2領域107に配置される端子部116は、ベースフィルム102の一辺に沿って配置される。第2領域107に配置される第1駆動回路110は、端子部116に隣接して配置される。端子部116は、表示装置100を駆動する信号が入力される。入力された信号に基づき第1駆動回路110は、画素109に映像信号を出力する。第3領域108は、第1駆動回路110と画素109とを接続する複数の配線、第1駆動回路及び端子部116と第2駆動回路112とを接続する複数の配線が配設される。
ベースフィルム102の第1面には第1フィルム104が設けられる。第1フィルム104は、第1領域106を覆うように配置される。本実施形態において表示装置100は、第1フィルム104を通して第1領域106に表示される映像を視認するように構成される。第1フィルム104には、位相差フィルム、偏光フィルム、反射防止フィルム、光学的異方性を有さない透明フィルム等の光学フィルムである。表示装置100は、これら機能性フィルムの一つ又は複数が組み合わされた構造を有する。第1フィルム104は、これら機能性フィルムによって構成されることにより、第1領域106に表示される映像の視認性を向上させるために用いられる。また、第1フィルム104は、第1領域106を保護するための部材としても用いられる。
第1フィルム104の一辺は、第1領域106の第3辺(第2駆動回路112に沿った第1辺及び第2辺と交差する一辺)に沿って設けられる。当該第1フィルム104の一辺は、第1駆動回路110及び端子部116が配置される第2領域107よりも内側に配置される。したがって、第2領域107及び第3領域108は、第1フィルム104から露出されることとなる。第2領域107及び第3領域108は、直接映像を表示する領域とはならず、表示素子は設けられないので、必ずしも第1フィルム104で覆われている必要はないためである。
ベースフィルム102は、フィルム状の形態を有し可撓性を有するので、湾曲させたり、折り曲げたりすることができる。ベースフィルム102は有機材料によって作製される。例えば、ベースフィルム102は、繰り返し単位にイミド結合を含む高分子材料(ポリイミド)、アミド結合によって多数のモノマーが結合してできた高分子材料(ポリアミド)等によって作製される。本実施形態に係る表示装置100は、ベースフィルム102が可撓性を有することにより、湾曲させ、また折り曲げることが可能とされている。
本実施形態において、表示装置100は、第3領域108が折り曲げ領域118と重なる位置に配設されている。図1に示すX1−X2線は折り曲げ領域118の折り曲げ箇所を示す。ベースフィルム102を第3領域108で第1面とは反対の第2面側に折り曲げることで、第2領域107は、第1領域106の背面側に配置される。すなわち、第1駆動回路110及び端子部116は、画素109が配列する表示領域113の背面側に配置される。表示パネルにおいて、第1領域106の外側の領域は周辺領域、又は額縁領域と呼ばれる。本実施形態によれば、ベースフィルム102を第3領域108で折り曲げ可能とすることで、第2領域107が第1領域106の背面に隠れることとなり、実質的に狭額縁化を図ることができる。
表示パネルの狭額縁化を図るには、X1−X2線に沿った折り曲げ部をより第1領域106側、別言すれば第1フィルム104側に近づけることが好ましい。理想的には、第3領域108に隣接する(或いは第3領域108と重畳する)第1フィルム104の一辺に沿って折り曲げることが好ましい。このようにベースフィルム102を折り曲げることができれば、第2領域107及び第3領域108を含む額縁領域を、表示パネルの平面視において露出させないようにすることが可能となる。
ところで、図12に示すように、第3領域108は、第1フィルム104から露出されるものの、表面を保護するために樹脂層901が設けられる。しかし、樹脂層901と第1フィルム104の端面が接していると、樹脂の表面張力によって樹脂が第1フィルム104の端面を這い上がってしまう。それにより、樹脂層901は、第1フィルム104の端面から所定の距離W2に亘って厚膜化された領域が形成される。例えば、樹脂層901は、第1フィルム104の端面において膜厚t1を有し、他の領域の膜厚t2と比べて厚くなる。例えば、樹脂層901の膜厚t1は、第1フィルム104の膜厚と同等の厚さを有する。樹脂層901は、第1フィルム104の端面から離れるに従い厚さが膜厚t1から減少するが、平坦な領域の膜厚t2と略一致するまでに所定の幅W2を要することとなる。
例えば、第1フィルム104の厚さが90μm、樹脂層901の設計膜厚t2が70μm、第3領域108における折り曲げ領域118の幅が第1フィルム104の端面から2mmの場合において、樹脂層901の第1フィルム104端面の膜厚t1が90μm、厚膜化領域の幅W2が50μm以上となってしまう。このような場合、ベースフィルム102の折り曲げるとき、樹脂層901の厚膜部分が影響して、第1フィルム104の端部に近接させて折り曲げることが困難となる。
図2は、本発明の一実施形態に係る表示装置100を示す斜視図を示す。図2で示す斜視図は、図1に示すA1−A2線に対応する構造を示す。表示装置100は、第1領域106に第1フィルム104が設けられ、第2領域107に第1駆動回路110及び端子部116が設けられる。第3領域108は、ベースフィルム102上に複数の配線が配設され、当該配線を覆うように樹脂層120が設けられる。樹脂層120は、樹脂組成物を塗布し、加熱処理又は光照射を行って硬化される。樹脂層120は第1フィルム104の端面105と接して設けられる。第1フィルム104の端面105は、粗面化されている。第1フィルム104の端面105が粗面化されていることで、樹脂組成物を塗布したときに、表面張力の影響によりせり上がることを防止することができる。第1フィルム104の端面105の粗面化の状態は、例えば、溝を有していてもよいし、段差を有していてもよいし、表面が梨地状にされていてもよい。図2は、一例として、第1フィルム104の端面105に溝126が設けられる態様を示す。
ベースフィルム102の第2面側には第2フィルム122が設けられていてもよい。第2フィルム122はベースフィルム102の折り曲げ領域118に対応する領域に開口部124が設けられ、他の領域に対しては略全面を覆うように設けられる。第2フィルム122は接着層(図2では図示せず。)を介してベースフィルム102と密着して設けられる。ベースフィルム102は、第2フィルム122が設けられる領域が、開口部124が設けられる領域に対して剛性が高まる。そのため、第2フィルム122に設けられる開口部124に対応する領域を、ベースフィルム102の折り曲げ領域118として画定させることが可能となる。すなわち、ベースフィルム102において第2フィルム122の開口部124と重なる領域は、他の領域と比べて曲がりやすくなるので、この領域を折り曲げ領域118として用いることが可能となる。第2フィルム122の開口部124は、例えば、表示装置100の第3領域108と重なる領域に配置させることができる。それにより、第3領域108を、表示装置100の折り曲げ領域118とすることができる。第2フィルム122は、ベースフィルム102を支持するものであるので、支持フィルムとしての機能を有する。
図3は、表示装置100の一部を折り曲げた状態を示す。具体的には、第3領域108に相当する領域においてベースフィルム102を折り曲げた状態を示す。図3に示すように、ベースフィルム102を折り曲げて、第2領域107を、第1フィルム104が配置される領域の背面に配置される。ベースフィルム102が曲げられることにより、ベースフィルム102上に設けられる樹脂層120も曲げられることとなる。この場合、ベースフィルム102、樹脂層120、及びベースフィルム102と樹脂層120との間の配線層(図3では図示せず。)には曲げ応力が作用する。
図4に示すように、ベースフィルム102を曲げたときに作用する曲げ応力は、各層に一様に作用するのではなく、ある曲率半径zを境界に、それより曲率半径が小さい領域(z−a)では圧縮応力、曲率半径が大きい領域(z+a)では引張応力が作用する。そして、曲率半径zでは、圧縮応力も引張応力も作用しない中立面となる。第3領域108に設けられる配線119は、断線を防ぐ観点から応力が作用しない(伸びも縮みもしない)中立面、又は中立面に近接させて配置されるようにすることが好ましいといえる。中立面の位置は各層の厚みによって変動する。例えば、図4に示すように、配線119に中立面が位置するように、ベースフィルム102、配線119、樹脂層120の各層の膜厚が設定される。しかしながら、図12に示すように、樹脂層901の膜厚が一様ではないと、中立面の位置がずれてしまうこととなる。これに対し、第1フィルム104の端面105が粗面化されることにより、図3に示すように、樹脂層120の這い上がりが抑制され、膜厚の均一化を図ることが可能となる。第1フィルム104の端面105に溝126が設けられることにより、樹脂層120の膜厚を均一化し、ベースフィルム102を折り曲げるときの折り曲げ領域118を、第1フィルム104に近接させることができる。これにより、ベースフィルム102の折り曲げ領域118の幅を狭くすることができ、折り曲げ領域118を第1フィルム104に近接させることができる。
第1フィルム104の構成を図5(A)及び図5(B)を参照して説明する。図5(A)及び図5(B)は、図1において示すB1−B2線に対応する断面構造を示す。具体的に図5(A)及び図5(B)は、ベースフィルム102、第1フィルム104、第3領域108、樹脂層120の配置を示す。第1フィルム104の端面105には溝126が設けられる。溝126は、第1フィルム104の端面105において複数設けられることが好ましい。例えば、図5(A)及び図5(B)に示すように、第1フィルム104の厚さ方向に複数の溝126が配置されることが好ましい。
図5(A)は、第1フィルム104の端面105に設けられた溝126が、ベースフィルム102の第1面に対して略平行に設けられた態様を示す。別言すれば、溝126は端面105から画素109の方向へ、ベースフィルム102の第1面に略平行に窪んでいる。樹脂層120は、第1フィルム104の端面105に接し、さらに溝126を充填するように設けられる。樹脂層120は第1フィルム104の厚みより薄く設けられる。第1フィルム104の端面105には、幅5μm〜30μm、深さ5μm以上、好ましくは深さ10μm以上の溝126が設けられる。このような溝126を設けることで、樹脂層120が溝126に充填され、第1フィルム104の端面105で樹脂が這い上がることを抑制することができる。それにより、第1フィルム104の近傍において、樹脂層120の膜厚が増加する領域の幅W1を縮小することができる。すなわち、第1フィルム104の端面105に溝126を設けることで、厚膜化領域の幅W1を、溝が設けられていないときの幅W2(図12で例示される幅W2)に比べて小さくすることができる(W2<W1)。また、樹脂層120が端面105のベースフィルム102とは反対側の端部(上端部)に達しないようにすることができる。
図6(A)、図6(B)、及び図6(C)は、第1フィルム104の端面105を正面から見たときの構造を模式的に示す。図6(A)は、溝126が、第1フィルム104の上面と略平行に設けられた態様を示す。別言すれば、溝126は端面105に開口部を備え、開口部は第1フィルム104の主面に略平行に延びている。溝126は、第1フィルム104の端面105の一端(第1端部)から該一端と対向する他端(第2端部)にかけて連続して設けられている。溝126は、第1フィルム104の厚さ方向に対し、所定の間隔で複数個設けられている。図6(B)は、第1フィルム104の上面と略平行に伸びる溝126が、不連続に設けられた態様を示す。また、図6(C)は、溝126が、第1フィルム104の上面に対して斜め方向に設けられた態様を示す。別言すれば、溝126は端面105に開口部を備え、開口部は第1フィルム104の主面に対して斜め方向に延びている。斜め方向に配設される溝126は、第1フィルム104の端面105に対し複数個設けられている。このように、第1フィルム104の端面105に複数の溝126を設けることで、第1フィルム104の厚さ以下の膜厚で樹脂層120が設けられても、樹脂が溝126に吸収されて当該樹脂層120の這い上がりを防止することが可能となる。なお、図6(A)、図6(B)、及び図6(C)は例示にすぎず、溝126の態様は図示されるものに限定されない。例えば、図6(A)及び図6(B)に示す水平方向の溝126と、図6(C)に示す斜め後方の溝126とが組み合わされてもよいし、溝126がランダムに配置されていてもよい。
また、図5(B)に示すように、第1フィルム104の端面105に設けられる溝126は、ベースフィルム102の第1面に対して斜め方向に設けられた態様を示す。別言すれば、溝126は、第1フィルム104の断面視において、端面105に対して斜め方向に深くなるように設けられている。溝126は端面105から画素109の方向へ、ベースフィルム102の第1面に対し斜め方向に窪んでいるということもできる。すなわち、図5(B)に示す溝126は、第1フィルム104の厚さ方向に対し、溝の底部の位置が、開口端よりも低い場所に位置している。第1フィルム104の端面105に深さが斜め方向に分布する溝126を設けることにより、樹脂が溝126に流れ込みやすくすることができる。それにより、第1フィルム104の端面105において、樹脂層120が端面105の上端にまで達し、厚膜化された領域の幅が広がることを抑制することができる。
第1フィルム104の端面105に設けられる溝126は、レーザ加工によって形成することができる。また、研削加工によって端面105に溝126を形成することができる。さらに、溝とは形態が異なるが、第1フィルム104の端面105をサンドブラスト加工して、梨地状の粗面を形成してもよい。
図7は、本発明の一実施形態に係る表示装置100の簡略化された積層構造を示す断面図である。ベースフィルム102の第1面に、駆動素子層130及び表示素子層132が積層される。駆動素子層130及び表示素子層132によって、第1領域106及び第2駆動回路112が形成される。表示素子層132は封止層134によって上面及び側面が覆われる。表示素子層132は、下層側の駆動素子層130と上層側の封止層134によって挟まれて配置される。封止層134の上層側には第1フィルム104は配置される。
表示素子層132は、複数の表示素子を含む。表示素子としては、例えば、発光素子が用いられる。発光素子としては、有機エレクトロルミネセンス材料(以下、「有機EL材料」ともいう。)で発光層が形成される有機エレクトロルミネセンス素子(以下、「有機EL素子」ともいう。)が好適に用いられる。また、表示素子層132は、発光素子に代えて、一対の電極間に液晶層が設けられた液晶素子、極性を有する粒子の流体を電界の作用によって制御する電気泳動素子等を用いて構成されてもよい。
駆動素子層130は、トランジスタ等の能動素子、キャパシタ、抵抗等の受動素子により、画素回路及び駆動回路が形成される。駆動素子層130は、これらの回路を形成するため絶縁層、半導体層、導電層が適宜積層される。駆動素子層130のトランジスタと表示素子層132の表示素子は電気的に接続される。
封止層134は、表示素子層132を、空気中に含まれる水蒸気から保護するために設けられる。封止層134は、水蒸気を遮断するために水蒸気透過率の低い無機絶縁膜を含む。例えば、封止層134は、有機絶縁膜の上層側及び下層側を水蒸気透過率の低い無機絶縁膜で挟んだ構造で設けられる。
第1フィルム104は、位相差フィルム、偏光フィルム、反射防止フィルム、光学的異方性を有さない透明フィルム等の機能性フィルムで構成される。第1フィルム104は、これらの機能性フィルムの一つ又は複数を組み合わせて構成されてもよい。第1フィルム104は、封止層134側から、光学的異方性を有さない透明フィルムと偏光フィルム170が積層されていてもよい。第1フィルム104は、偏光フィルムの上に、さらに反射防止フィルムが積層されていてもよい。本実施形態においては、樹脂層120が、第1フィルム104の端面105を超えてはみ出ないことにより、偏光フィルム170等を第1フィルム104に密接して設けることができる。
ベースフィルム102の第1面には、第2領域107において第1駆動回路110及び端子部116が設けられる。第1駆動回路110及び端子部116は、封止層134の外側に設けられる。第1駆動回路110は、駆動素子層130から伸びる配線119によって接続される。配線119が設けられる第3領域108は、封止層134で覆われない領域となる。その代わり、配線119は樹脂層120によって覆われる。樹脂層120は第3領域108の略全面を覆うように設けられる。
本実施形態に係る表示装置100は、ベースフィルム102に折り曲げ領域118を有する。折り曲げ領域118は、第3領域108に設定される。ベースフィルム102の厚さが10μm〜50μmであるとき、折り曲げ領域118の曲率半径は、例えば、0.1mm〜10mm、好ましくは0.5mm〜5mmとすることができる。なお、折り曲げ領域118の曲率半径はベースフィルム102が曲げられる部位において一定である必要はなく、曲率半径が連続的に変化していてもよい。また、ベースフィルム102を曲げる角度(屈曲角)は0度〜180度の範囲で設定することができる。
ベースフィルム102の第2面側には、第2フィルム122が設けられてもよい。第2フィルム122を設けることで、ベースフィルム102の剛性を高めることができる。また、第2フィルムの一部に開口部又は切欠き部を設けることで、当該部位でベースフィルム102剛性を低下させることができる。前述のように、表示装置100は、第3領域108に合わせて第2フィルム122に開口部124を設けることにより、当該部分を折り曲げ部として規定されていてもよい。
図8は、表示装置100における画素109の断面構造を示す。画素109は、少なくとも一つのトランジスタ164、発光素子166、容量素子168を含む。トランジスタ164、発光素子166及び容量素子168は電気的に接続される。トランジスタ164はゲートに印加される電圧によってソース−ドレイン間を流れる電流(ドレイン電流)が制御される。発光素子166はドレイン電流によって発光強度が制御される。容量素子168は、トランジスタ164のゲート−ソース間に接続されることによりゲート電圧が印加され、ゲート電圧を一定に保つために設けられる。
図8において、駆動素子層130は、第1絶縁層、半導体層138、第2絶縁層140、ゲート電極142、第3絶縁層144、ソース−ドレイン電極146、第4絶縁層148、容量電極150、第5絶縁層152、及び第1電極156を含む。表示素子層132は、第1電極156、第6絶縁層154、有機層158、及び第2電極160を含む。また、封止層134は、第1無機絶縁膜161、有機樹脂膜162、及び第2無機絶縁膜163を含む。
駆動素子層130において、トランジスタ164は、第1絶縁層136の上に設けられる半導体層138、第2絶縁層140(ゲート絶縁層)及びゲート電極142が積層された構造を有する。半導体層138は、非晶質シリコン又は多結晶のシリコン、若しくは金属酸化物等の半導体材料で作製される。半導体層138は第2絶縁層140によってゲート電極142と絶縁される。ゲート電極142の上層側には第3絶縁層144が設けられる。第3絶縁層144の上層側にはソース−ドレイン電極146が設けられる。ソース−ドレイン電極146は、第3絶縁層144に形成されたコンタクトホールを介して半導体層138と接触する。第1絶縁層136及び第2絶縁層140は、酸化シリコン、窒化シリコン又は酸窒化シリコン等の無機絶縁材料を用いて作製される。また、ゲート電極b142、ソース−ドレイン電極146、は、アルミニウム、モリブデン、チタン、タングステン等の金属材料を用いて作製される。
ソース−ドレイン電極146の上層には、第4絶縁層148が設けられる。第4絶縁層148は、半導体層138、ゲート電極142及びソース−ドレイン電極146等による凹凸面を埋め込み、表面を平坦化する平坦化膜として用いられる。第4絶縁層148は、ポリイミド又はアクリル等の有機絶縁材料で作製される。
第4絶縁層148の上面には容量電極150が設けられ、さらに第5絶縁層152が作製される。さらに、第5絶縁層152の上面には、第1電極156が設けられる。第1電極156は、第5絶縁層152及び第4絶縁層148を貫通するコンタクトホールを介してソース−ドレイン電極146と電気的に接続される。第1電極156は、第5絶縁層152を挟んで容量電極150と重なるように設けられる。容量素子168は、容量電極150、第5絶縁層152及び第1電極156が重なる領域に作製される。容量素子168の誘電体膜として用いられる第5絶縁層152は、窒化シリコン、酸化シリコン、窒酸化シリコン等の無機絶縁材料で作製される。
表示素子層132は、実質的に第5絶縁層152の上層に配置される。第5絶縁層152上には、第1電極156の周縁部を覆い内側領域を露出する第6絶縁層154が設けられる。有機層158は、第1電極156上面から第6絶縁層154の表面を覆うように設けられる。第2電極160は、有機層158及び第6絶縁層154の上面を覆うように設けられる。発光素子166は、第1電極156、有機層158及び第2電極160によって作製される。発光素子166は、第1電極156、有機層158及び第2電極160が重畳する領域が発光領域となる。第6絶縁層は、第1電極156を露出する開口端において、滑らかな段差を形成するために有機樹脂材料で作製される。有機樹脂材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂及びポリアミド樹脂等が用いられる。
有機層158は、低分子系又は高分子系の有機EL材料を用いて作製される。低分子系の有機EL材料を用いる場合、有機層158は有機EL材料を含む発光層に加え、当該発光層を挟むようにキャリア注入層(正孔注入層、電子注入層)、キャリア輸送層(正孔輸送層、電子輸送層)等が適宜設けられる。例えば、有機層158は、発光層を正孔注入層と電子注入層とで挟んだ構造とされる。また、有機層158は、正孔注入層と電子注入層に加え、正孔輸送層、電子輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層などを適宜付加される。
本実施形態において、発光素子166は、有機層158で発光した光を第2電極160側に放射する、所謂トップエミッション型であるものとする。第1電極156は有機層158で発光した光を反射するように、金属膜又は金属膜を含んで作製される。例えば、第1電極156は、アルミニウム(Al)、銀(Ag)等の可視光帯域において光反射率の高い金属膜を含んで作製されることが好ましい。また、第1電極156は、酸化インジウムスズ(以下、「ITO」ともいう。)、酸化インジウム亜鉛(以下、「IZO」ともいう。)、アルミニウムが添加された酸化亜鉛(以下、「AZO」ともいう。)、ガリウムが添加された酸化亜鉛(以下、「GZO」ともいう。)等の透明導電膜と金属膜とを積層させて作製してもよい。第2電極160は、有機層158で発光した光を透過するため、ITO、IZO、AZO、GZO等の透明導電膜で作製される。第2電極160は第1領域106の略全面に亘って設けられる。
封止層134は、第2電極160の上面に設けられる。封止層134は無機絶縁膜で作製される。また、封止層134は、図8に示すように、第1無機絶縁膜161、有機樹脂膜162及び第2無機絶縁膜163とで作製されてもよい。第1無機絶縁膜161及び第2無機絶縁膜163としては、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等の無機絶縁材料が用いられる。有機樹脂膜としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂等が用いられる。
図8に示す画素109の構造において、駆動素子層130は概略2μm〜5μmの厚さを有し、表示素子層132は概略1μm〜3μmの厚さを有し、封止層134は概略10μm〜20μmの厚さを有する。
なお、図8では図示されていないが、封止層134の上層側には第1フィルム104が設けられる。
図1に示すC1−C2線に対応する表示装置100の断面構造を図9に示す。すなわち、図9は、表示装置100における、第2領域107、第3領域108、第1領域106におけるコモンコンタクト114周辺の断面構造を示す。
第1領域106に設けられるコモンコンタクト114は、画素109から延伸する第2電極160が、コモン配線115と接続する部位である。コモン配線115は、第3絶縁層144の上に設けられる第1コモン配線115aと、第2電極160との間に介在する第2コモン配線115bとで構成されていてもよい。第1コモン配線115aは、ソース−ドレイン電極146を形成する導電層と同様の導電層で形成することができ、第2コモン配線115bは、発光素子166の第1電極156と同様の導電層で形成することができる。
なお、コモンコンタクト114において、有機材料で形成される第4絶縁層148及び第6絶縁層154は除去され、第1コモン配線115aが露出するように開口部が設けられている。そして、第4絶縁層148の上面及び側面を覆うように第5絶縁層152が設けられる。コモンコンタクト114では、無機材料で形成される第3絶縁層144、第1コモン配線115a、第2コモン配線115b、第2電極160、第1無機絶縁膜161が積層された構成を有する。この構成により、第4絶縁層148に水蒸気が浸入するのを防ぐことができる。
コモンコンタクト114の外側、すなわち第3領域108側には、第5絶縁層152の上で第6絶縁層154(第6絶縁層154a、154b)が2つに分割された領域を有する。この領域では第1無機絶縁膜161及び第2無機絶縁膜163が接して設けられ、第6絶縁層154a、第5絶縁層152、及び第6絶縁層154bの表面に沿って設けられる。樹脂層120の端部は、第6絶縁層154aの上又は第6絶縁層154aを超えない領域に配置される。したがって、有機樹脂膜162の端部より先の領域では、第1無機絶縁膜161及び第2無機絶縁膜163が密接して設けられる。このような構成を有することで、封止層134を構成する有機樹脂膜162は外部に露出しないようにすることができる。また、第6絶縁層154が分割された領域を設けることで、有機樹脂膜162が第1無機絶縁膜161及び第2無機絶縁膜163の端部に達しないようにすることができる。
第1領域106は、封止樹脂155を介して第1フィルム104が設けられる。第1フィルム104の端面105は粗面化されている。また、第1フィルム104の端面105は、第6絶縁層154bの端と一致するか、それよりも外側に配置される。第1フィルム104が第6絶縁層154bの端部まで覆って配置されることで、第1領域106を確実に保護することができる。
第1領域106では、第2絶縁層140と第3絶縁層144との間に配線119aが設けられる。さらに、第3絶縁層144の上層側に設けられる配線119bは、第3領域108に延伸される。第3領域108は折り曲げ領域118と重なる領域を有する。折り曲げ領域118は、ベースフィルム102上の無機絶縁材料で形成される第1絶縁層136、第2絶縁層140、第3絶縁層144、第5絶縁層152が除去されている。別言すれば、第1領域106から延伸する配線119bの下層側に設けられていた第1絶縁層136、第2絶縁層140及び第3絶縁層144は折り曲げ領域118において除去され、配線119bはベースフィルム102の第1面に配設される。
第3領域108は、配線119bを埋設する樹脂層120が設けられる。樹脂層120は、配線119bの保護部材として設けられる。樹脂層120は、配線119bを確実に保護するために、第1フィルム104の端部と接するように設けられる。樹脂層120はベースフィルム102上に設けられるが、第1フィルム104の高さを超えない厚みで設けられる。
第1フィルム104は、50μm〜200μm、好ましくは80μm〜120μm、例えば、90μmの厚さを有する。前述したように、第1領域106における駆動素子層130及び封止層134の厚みは合計でも30μmを超えないので、樹脂層120は50μm〜100μm、例えば、70μmの厚さとすることで、第1フィルム104の高さを超えないようにすることができる。
樹脂層120の端部は、第1フィルム104の端面105と接して設けられる。この場合、第1フィルム104の端面105は粗面化されているので、樹脂組成物を塗布したとしても、表面張力の影響が軽減され、端面105での這い上がりを抑制することができる。別言すれば、樹脂層120の膜厚の均一化を図ることができる。それにより、折り曲げ領域118の幅を縮小することができる。折り曲げ領域118の幅は、1mm〜5mm、例えば、2mmとすることができる。
なお、樹脂層120は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂等を用いることができる。
端子部116においては、ベースフィルム102の第1面に第1絶縁層136、第2絶縁層140及び第3絶縁層144が積層され、その上に設けられた第1端子電極層121a、第2端子電極層121bにより端子電極117が形成される。例えば、第1端子電極層121aは、画素109に設けられるソース−ドレイン電極146を形成する導電層と同様の導電層で形成され、第2端子電極117bは、発光素子166の第1電極156と同様の導電層で形成される。
このように、本実施形態によれば、ベースフィルム102を折り曲げる際に、折り曲げ領域118に設けられる樹脂層120の膜厚を均一化することができる。それにより、第1領域106に近接させて折り曲げ領域118を設けることができ、表示装置の狭い額縁化を図ることができる。
第2実施形態:
本実施形態は、第1フィルム104の端面105の形態が、第1実施形態において図5(A)及び図5(B)に示すものと異なる態様を例示する。
図10(A)は、第1フィルム104の端面105に段差部128が設けられた態様を示す。このように、第1フィルム104の端面105に段差部128を設けることで、樹脂層120が接する端面の高さを低くすることができる。別言すれば、端面105における第1フィルム104の厚さは、第1の厚さと第1の厚さよりも大きい第2の厚さとを有し、第1の厚さの部分は、すなわち厚さが小さい部分は、第2の厚さの部分よりも第3領域108の側に位置する。それにより、樹脂層120の這い上がりを抑制することができる。なお、図10(A)は、第1フィルム104の端面105に一つの段差があることを示すが、本実施形態はこの態様に限定されない。第1フィルム104の端面105には複数の段差が設けられていてもよい。すなわち、段差部128は多段であってもよい。第1フィルム104の端面の段差を多段とすることで、より確実に樹脂層120の這い上がりを抑制することができる。別言すれば樹脂層120の端部における厚膜化を抑制することができる。
図10(B)は、第1フィルム104の端面105がテーパ状に成形されている態様を示す。端面105のテーパ形状は、ベースフィルム102に接する側の端部に対し、上方の端部が外側に位置する、所謂逆テーパ型である。樹脂層120は、このような逆テーパ型の端面105と接することにより、端部における這い上がりが抑制される。また、図10(B)に示すように、逆テーパ型の端面105に溝126を設けることで、より確実に樹脂層120の這い上がりを抑制することができる。別言すれば樹脂層120の端部における厚膜化を抑制することができる。
本実施形態で示す構成は、第1実施形態と適宜組み合わせて実施することができる。
第3実施形態:
本実施形態は、第1フィルム104の端面105の形態が、第1実施形態及び第2実施形態と異なるものを例示する。
図11は表示装置100の斜視図を示し、第1フィルム104の端面105が波形に屈曲する態様を示す。第1フィルム104の端面105が波形に屈曲することで、樹脂層120と接する面積が増加する。それにより、樹脂層120が端面105と接する領域の膜厚増加を抑制することが可能となる。また、図11で示す形態において、第1フィルム104の端面105には、溝126が設けられていてもよいし、段差部128が設けられていてもよい。このように、第1フィルム104の端面105を屈曲する波形とすることで、樹脂層120の這い上がりを抑制することができる。別言すれば樹脂層120の端部における厚膜化を抑制することができる。
本実施形態で示す構成は、第1実施形態及び第2実施形態と適宜組み合わせて実施することができる。
100・・・表示装置、102・・・ベースフィルム、104・・・第1フィルム、105・・・端面、106・・・第1領域、107・・・第2領域、108・・・第3領域、109・・・画素、110・・・第1駆動回路、112・・・第2駆動回路、113・・・表示領域、114・・・コモンコンタクト、115・・・コモン配線、116・・・端子部、117・・・端子電極、118・・・折り曲げ領域、119・・・配線、120・・・樹脂層、121・・・端子電極層、122・・・第2フィルム、124・・・開口部、126・・・溝、128・・・段差部、130・・・駆動素子層、132・・・表示素子層、134・・・封止層、136・・・第1絶縁層、138・・・半導体層、140・・・第2絶縁層、142・・・ゲート電極、144・・・第3絶縁層、146・・・ソース−ドレイン電極、148・・・第4絶縁層、150・・・容量電極、152・・・第5絶縁層、154・・・第6絶縁層、155・・・封止樹脂、156・・・第1電極、158・・・有機層、160・・・第2電極、161・・・第1無機絶縁膜、162・・・有機樹脂膜、163・・・第2無機絶縁膜、164・・・トランジスタ、166・・・発光素子、168・・・容量素子、170・・・偏光フィルム、901・・・樹脂層、

Claims (20)

  1. 第1面と前記第1面に対向する第2面とを有し、前記第1面の側に位置し複数の画素が配列する第1領域と、前記第1面の側に位置し端子部が配置される第2領域と、前記第1面の側に位置し前記第1領域と前記第2領域との間の第3領域と、を含むベースフィルムと、
    前記第1領域を覆う第1フィルムと、
    前記第3領域を覆う樹脂層と、を有し、
    前記第1フィルムの前記第3領域に対向する端面は粗面化され、前記端面に前記樹脂層が接している、ことを特徴とする表示装置。
  2. 前記第1フィルムは、前記端面に溝を有する、請求項1に記載の表示装置。
  3. 前記溝は、前記端面から前記画素の方向へ、前記第1面に略平行に窪んでいる、請求項2に記載の表示装置。
  4. 前記溝は、前記端面から前記画素の方向へ、前記第1面に対し斜め方向に窪んでいる、請求項2に記載の表示装置。
  5. 前記溝は前記端面に開口部を備え、
    前記開口部は前記第1フィルムの主面に略平行に延びている、請求項2に記載の表示装置。
  6. 前記溝は前記端面に開口部を備え、
    前記開口部は前記第1フィルムの主面に対して斜め方向に延びている、請求項2に記載の表示装置。
  7. 前記端面は、第1端部と前記第1端部と対向する第2端部とを有し、
    前記溝は、前記第1端部から前記第2端部まで連続して延びる、請求項2から請求項6の何れか1項に記載の表示装置。
  8. 前記端面は、第1端部と前記第1端部と対向する第2端部とを有し、
    前記溝は、前記第1端部から前記第2端部まで不連続に延びる、請求項2から請求項6の何れか1項に記載の表示装置。
  9. 前記端面に前記溝が複数設けられている、請求項2から請求項8の何れか1項に記載の表示装置。
  10. 前記複数の溝は、前記第1フィルムの厚さ方向に配列されている、請求項9に記載の表示装置。
  11. 前記溝は、5μm以上の深さを有する、請求項2から請求項10の何れか1項に記載の表示装置。
  12. 前記第1フィルムは、前記端面に段差を有する、請求項1に記載の表示装置。
  13. 前記端面における前記第1フィルムの厚さは、第1の厚さと、前記第1の厚さよりも大きい第2の厚さとを有し、
    前記第1フィルムの前記第1の厚さを有する部分は、前記第2の厚さを有する部分よりも、前記第3領域の側に位置する、請求項12に記載の表示装置。
  14. 前記第1フィルムは、前記端面がテーパ状に傾いている、請求項1に記載の表示装置。
  15. 前記樹脂層は、前記第1フィルムより薄い、請求項1から請求項14の何れか1項に記載の表示装置。
  16. 前記樹脂層は、前記端面の前記ベースフィルム側とは反対側の一端に達していない、請求項15に記載の表示装置。
  17. 前記第1フィルムは、前記端面が波形に屈曲している、請求項1に記載の表示装置。
  18. 前記第1フィルム上に、偏光フィルムが配置されている、請求項1から請求項17の何れか1項に記載の表示装置。
  19. 前記第2面に、前記第1領域と重なる第2フィルムを有する、請求項1から請求項18の何れか1項に記載の表示装置。
  20. 前記ベースフィルムは、前記第3領域で折り曲げられている、請求項1から請求項19の何れか1項に記載の表示装置。
JP2017227602A 2017-11-28 2017-11-28 表示装置 Pending JP2019096577A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017227602A JP2019096577A (ja) 2017-11-28 2017-11-28 表示装置
US16/167,601 US20190165310A1 (en) 2017-11-28 2018-10-23 Display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017227602A JP2019096577A (ja) 2017-11-28 2017-11-28 表示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2019096577A true JP2019096577A (ja) 2019-06-20

Family

ID=66634575

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017227602A Pending JP2019096577A (ja) 2017-11-28 2017-11-28 表示装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20190165310A1 (ja)
JP (1) JP2019096577A (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6556812B2 (ja) * 2017-11-28 2019-08-07 Nissha株式会社 ハードコート付フィルムタイプタッチセンサとこれを用いたフレキシブルディバイス
CN108922981B (zh) * 2018-07-19 2021-02-23 上海天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
KR20200108139A (ko) * 2019-03-06 2020-09-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
CN110297346B (zh) * 2019-06-28 2022-07-12 广州国显科技有限公司 一种显示面板及其制作方法
CN112750883B (zh) * 2020-12-30 2024-05-31 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板以及显示装置

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6204454B1 (en) * 1997-12-27 2001-03-20 Tdk Corporation Wiring board and process for the production thereof
US6950234B1 (en) * 1999-08-24 2005-09-27 Tsujiden Co., Ltd Protective film for a prism lens
US7541734B2 (en) * 2003-10-03 2009-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device having a layer with a metal oxide and a benzoxazole derivative
JP4498378B2 (ja) * 2007-03-30 2010-07-07 三洋電機株式会社 基板およびその製造方法、回路装置およびその製造方法
KR100997185B1 (ko) * 2008-09-17 2010-11-29 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 수지의 표면 처리 방법 및 상기 방법에 의해처리된 인쇄회로기판 수지
WO2010070806A1 (ja) * 2008-12-16 2010-06-24 パナソニック株式会社 半導体装置とフリップチップ実装方法およびフリップチップ実装装置
JP5376653B2 (ja) * 2009-06-09 2013-12-25 株式会社フジクラ フレキシブルプリント基板およびその製造方法
WO2014017075A1 (ja) * 2012-07-26 2014-01-30 パナソニック株式会社 有機el装置
KR101971201B1 (ko) * 2012-08-20 2019-04-23 삼성디스플레이 주식회사 양면 표시 장치 및 이의 제작 방법
US9740035B2 (en) * 2013-02-15 2017-08-22 Lg Display Co., Ltd. Flexible organic light emitting display device and method for manufacturing the same
KR102076666B1 (ko) * 2013-04-11 2020-02-12 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시패널
KR102250061B1 (ko) * 2013-04-15 2021-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
US9818763B2 (en) * 2013-07-12 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing display device
US9706607B2 (en) * 2014-12-10 2017-07-11 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with multiple types of micro-coating layers
TWI740908B (zh) * 2016-03-11 2021-10-01 南韓商三星顯示器有限公司 顯示設備
JP2018010232A (ja) * 2016-07-15 2018-01-18 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の製造方法
JP6770859B2 (ja) * 2016-09-16 2020-10-21 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法
JP2018105976A (ja) * 2016-12-26 2018-07-05 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP6827820B2 (ja) * 2017-01-24 2021-02-10 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
JP2018124504A (ja) * 2017-02-03 2018-08-09 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP6896454B2 (ja) * 2017-02-24 2021-06-30 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US20190051858A1 (en) * 2017-08-10 2019-02-14 Japan Display Inc. Display device
CN107565018B (zh) * 2017-09-19 2021-04-13 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示背板及其制备方法
KR102508668B1 (ko) * 2017-11-24 2023-03-13 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조방법
JP2019101128A (ja) * 2017-11-30 2019-06-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、及び表示装置の製造方法
KR102430794B1 (ko) * 2017-11-30 2022-08-08 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102431808B1 (ko) * 2017-12-11 2022-08-10 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린 일체형 표시장치
KR102562900B1 (ko) * 2018-02-02 2023-08-04 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시장치 및 터치감지 표시장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20190165310A1 (en) 2019-05-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10707429B2 (en) Flexible display panel and flexible display apparatus
US10204846B2 (en) Display device
US10211416B2 (en) Flexible display panel, fabrication method, and flexible display apparatus
US10586839B2 (en) Flexible display device
CN106898612B (zh) 显示装置
KR101862529B1 (ko) 보강된 부분을 갖는 배선을 포함하는 플렉서블 디스플레이 디바이스 및 이의 제조 방법
KR101936109B1 (ko) 마이크로 커버층을 갖는 디스플레이 디바이스 및 이의 제조 방법
JP2019096577A (ja) 表示装置
CN107134471B (zh) 显示装置和挠性显示装置
JP6945994B2 (ja) 表示装置
CN106796949A (zh) 柔性显示装置
CN106716642A (zh) 具有分开的配线图案的显示装置
CN105826350A (zh) 显示装置
US10439164B2 (en) Cover window and display device including the same
JP2015204239A (ja) 表示装置及び表示装置の製造方法
JP2018155999A (ja) 表示装置
JP2018109683A (ja) 表示装置
TWI625855B (zh) Display device
KR20170071662A (ko) 가요성 표시 장치
JP2019191525A (ja) 表示装置
KR20190066252A (ko) 플렉서블 표시장치
CN116367625A (zh) 显示装置