[go: up one dir, main page]

JP2019083393A - Semiconductor relay failure detection device - Google Patents

Semiconductor relay failure detection device Download PDF

Info

Publication number
JP2019083393A
JP2019083393A JP2017209238A JP2017209238A JP2019083393A JP 2019083393 A JP2019083393 A JP 2019083393A JP 2017209238 A JP2017209238 A JP 2017209238A JP 2017209238 A JP2017209238 A JP 2017209238A JP 2019083393 A JP2019083393 A JP 2019083393A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor relay
voltage
voltage monitor
failure
load
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2017209238A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
康隆 花岡
Yasutaka Hanaoka
康隆 花岡
前田　光章
Mitsuaki Maeda
光章 前田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yazaki Corp
Original Assignee
Yazaki Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yazaki Corp filed Critical Yazaki Corp
Priority to JP2017209238A priority Critical patent/JP2019083393A/en
Publication of JP2019083393A publication Critical patent/JP2019083393A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

To detect failures of a semiconductor relay with accuracy even in a case where a load generates a voltage, in such a circuit that a power is supplied from a battery to the load via the semiconductor relay.SOLUTION: A semiconductor relay failure detection device that detects failures of a semiconductor relay connected between a battery and a load, comprises: a second semiconductor relay connected between the semiconductor relay and the load; a first voltage monitor that detects a voltage between the semiconductor relay and the second semiconductor relay; a second voltage monitor that detects a voltage between the second semiconductor relay and the load; and a detector that on/off-controls the semiconductor relay and the second semiconductor relay, and detects failures of the semiconductor relay and the second semiconductor relay on the basis of detection results of the first voltage monitor and the second voltage monitor.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、半導体リレーの故障検出技術に関する。   The present invention relates to a failure detection technique of a semiconductor relay.

図３に示すように、バッテリ４１０からモータ等の負荷４２０に電源供給する場合、負荷４２０のオンオフを制御するために、例えば、メカリレー４３０が用いられる。また、メカリレー４３０に換えて半導体リレーが用いられることもある。   As shown in FIG. 3, when power is supplied from the battery 410 to the load 420 such as a motor, for example, a mechanical relay 430 is used to control the on / off of the load 420. Also, in place of the mechanical relay 430, a semiconductor relay may be used.

一般に、半導体リレーは、サージ電圧や過電流等により故障する確率がメカリレー４３０よりも高い。このため、負荷４２０のオンオフ制御に半導体リレーを用いた場合には、図４に示すように、半導体リレー４４０の出力側の電圧を電圧モニタ４５０で検出して、半導体リレー４４０を構成する半導体スイッチのショートあるいはオープン故障を検出することが望ましい。   In general, the semiconductor relay has a higher probability of failure due to a surge voltage or an overcurrent than the mechanical relay 430. Therefore, when the semiconductor relay is used for on / off control of the load 420, the voltage monitor 450 detects the voltage on the output side of the semiconductor relay 440 as shown in FIG. It is desirable to detect shorts or open faults in

この構成例では、半導体リレー４４０をオフ制御しているのにもかかわらず、電圧モニタ４５０が電圧を検出するときには、半導体リレー４４０がショート故障であると判定することができる。また、半導体リレー４４０をオン制御しているのにもかかわらず、電圧モニタ４５０が電圧を検出しないときには、半導体リレー４４０がオープン故障であると判定することができる。   In this configuration example, although the semiconductor relay 440 is controlled to be off, when the voltage monitor 450 detects a voltage, it can be determined that the semiconductor relay 440 has a short failure. When the voltage monitor 450 does not detect a voltage despite the on control of the semiconductor relay 440, it can be determined that the semiconductor relay 440 has an open failure.

特開平１０−１０１８１号公報JP 10-10181 A

ところで、負荷４２０の種類によっては、オフ制御中であっても電源供給側に電圧を発生することがある。例えば、半導体リレー４４０を車載システムに適用したときに、負荷４２０がラジエターファンであった場合、オフ制御中であっても走行中に受ける風等によって回転し、発電状態となることがある。また、負荷４２０が容量性の場合も、オフ制御中であっても電源供給側に電圧を発生することがある。   By the way, depending on the type of the load 420, a voltage may be generated on the power supply side even during the off control. For example, when the semiconductor relay 440 is applied to an in-vehicle system, if the load 420 is a radiator fan, it may be rotated by the wind or the like received during traveling even if it is in the off control, to enter a power generation state. Further, even when the load 420 is capacitive, a voltage may be generated on the power supply side even during the off control.

このような場合、オフ制御により半導体リレー４４０がオフになっているのにもかかわらず、電圧モニタ４５０が電圧を検出し、半導体リレー４４０がショート故障であると誤検出してしまうおそれがある。   In such a case, although the semiconductor relay 440 is turned off by the off control, the voltage monitor 450 may detect a voltage and erroneously detect that the semiconductor relay 440 is a short circuit failure.

そこで、本発明は、半導体リレーを介してバッテリから負荷に電源を供給する回路において、負荷が電圧を発生する場合であっても半導体リレーの故障を精度よく検出できるようにすることを目的とする。   In view of the foregoing, it is an object of the present invention to enable accurate detection of a failure in a semiconductor relay even when the load generates a voltage in a circuit in which power is supplied from the battery to the load via the semiconductor relay. .

上記課題を解決するため、本発明の半導体リレー故障検出装置は、バッテリと負荷との間に接続された半導体リレーの故障を検出する半導体リレー故障検出装置であって、前記半導体リレーと前記負荷との間に接続された第２半導体リレーと、前記半導体リレーと前記第２半導体リレーとの間の電圧を検出する第１電圧モニタと、前記第２半導体リレーと前記負荷との間の電圧を検出する第２電圧モニタと、前記半導体リレーおよび前記第２半導体リレーのオンオフを制御し、前記第１電圧モニタおよび前記第２電圧モニタの検出結果に基づいて、前記半導体リレーおよび前記第２半導体リレーの故障を検出する検出部と、を備えたことを特徴とする。
ここで、前記検出部は、前記半導体リレーおよび前記第２半導体リレーをオフ制御しているときに、前記第１電圧モニタが電圧を検出し、前記第２電圧モニタが電圧を検出していない場合に、前記半導体リレーでショート故障が発生していると判定することができる。
また、前記検出部は、前記半導体リレーおよび前記第２半導体リレーをオフ制御しているときに、前記第１電圧モニタおよび前記第２電圧モニタが電圧を検出している場合に、前記半導体リレーおよび前記第２半導体リレーのいずれかでショート故障が発生していると判定することができる。
このとき、前記検出部は、さらに、前記半導体リレーをオン制御に切換えたときに、前記第２電圧モニタの検出電圧が変化しない場合に、前記半導体リレーでショート故障が発生していると判定することができる。
また、前記検出部は、前記半導体リレーおよび前記第２半導体リレーをオフ制御しているときに、前記第１電圧モニタが電圧を検出せず、前記第２電圧モニタが電圧を検出している場合に、前記半導体リレー、前記第２半導体リレーとも正常であると判定することができる。 In order to solve the above problems, a semiconductor relay failure detection device according to the present invention is a semiconductor relay failure detection device that detects a failure of a semiconductor relay connected between a battery and a load, and the semiconductor relay and the load A second semiconductor relay connected between the first and second semiconductor relays, a first voltage monitor detecting a voltage between the semiconductor relay and the second semiconductor relay, and a voltage between the second semiconductor relay and the load And controlling the on / off of the semiconductor relay and the second semiconductor relay, and based on the detection results of the first voltage monitor and the second voltage monitor, the semiconductor relay and the second semiconductor relay. And a detection unit that detects a failure.
Here, when the detection unit controls the semiconductor relay and the second semiconductor relay to be turned off, the first voltage monitor detects a voltage, and the second voltage monitor does not detect a voltage. In addition, it can be determined that a short circuit failure has occurred in the semiconductor relay.
Further, the detection unit is configured to detect the voltage when the first voltage monitor and the second voltage monitor detect a voltage when the semiconductor relay and the second semiconductor relay are turned off. It can be determined that a short failure has occurred in any of the second semiconductor relays.
At this time, the detection unit further determines that a short circuit failure has occurred in the semiconductor relay when the detection voltage of the second voltage monitor does not change when the semiconductor relay is switched to on control. be able to.
In addition, when the detection unit controls the semiconductor relay and the second semiconductor relay to be turned off, the first voltage monitor does not detect a voltage, and the second voltage monitor detects a voltage. In addition, it can be determined that both the semiconductor relay and the second semiconductor relay are normal.

本発明によれば、半導体リレーを介してバッテリから負荷に電源を供給する回路において、負荷が電圧を発生する場合であっても半導体リレーの故障を精度よく検出できるようになる。   According to the present invention, in a circuit in which power is supplied from a battery to a load via a semiconductor relay, failure of the semiconductor relay can be accurately detected even when the load generates a voltage.

本実施形態に係る半導体リレー故障検出装置の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the semiconductor relay failure detection apparatus which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る半導体リレー故障検出装置の動作を説明するフローチャートである。It is a flowchart explaining operation | movement of the semiconductor relay failure detection apparatus which concerns on this embodiment. メカリレーを介してバッテリから負荷に電源を供給する例を示す図である。It is a figure which shows the example which supplies power to a load from a battery via a mechanical relay. 半導体リレーを介してバッテリから負荷に電源を供給する例を示す図である。It is a figure which shows the example which supplies power to a load from a battery via a semiconductor relay.

本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る半導体リレー故障検出装置１００の構成を示すブロック図である。本図に示すように、半導体リレー故障検出装置１００は、バッテリ２１０と負荷２３０との間に接続された半導体リレー２２０の故障を検出する装置である。   Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of a semiconductor relay failure detection apparatus 100 according to the present embodiment. As shown in the figure, the semiconductor relay failure detection device 100 is a device that detects a failure of the semiconductor relay 220 connected between the battery 210 and the load 230.

半導体リレー２２０は、例えば、ＦＥＴスイッチで構成される。感光性ＭＯＳＦＥＴデバイスとデバイスを作動するＬＥＤとを備えて構成してもよい。半導体リレー２２０は、負荷２３０駆動用のスイッチとして用いられ、寄生ダイオードがバッテリ２１０と逆方向になるように接続されている。   The semiconductor relay 220 is configured of, for example, an FET switch. The photosensitive MOSFET device and the LED for operating the device may be configured. The semiconductor relay 220 is used as a switch for driving the load 230, and a parasitic diode is connected in the opposite direction to the battery 210.

負荷２３０は、オフ制御中であっても電源供給側に電圧を発生することがある性質を有している。このような負荷２３０は、自動車のラジエターファン、容量性の負荷等が該当する。   The load 230 has the property of generating a voltage on the power supply side even during off control. Such a load 230 corresponds to a radiator fan of a car, a capacitive load, and the like.

半導体リレー故障検出装置１００は、第２半導体リレー１１０と、第１電圧モニタ１２０と、第２電圧モニタ１３０と、検出部１４０とを備えている。第２半導体リレー１１０は、半導体リレー２２０と負荷２３０との間に接続され、第１電圧モニタ１２０は、半導体リレー２２０と第２半導体リレー１１０との間の電圧を検出し、第２電圧モニタ１３０は、第２半導体リレー１１０と負荷２３０との間の電圧を検出する。   The semiconductor relay failure detection device 100 includes a second semiconductor relay 110, a first voltage monitor 120, a second voltage monitor 130, and a detection unit 140. The second semiconductor relay 110 is connected between the semiconductor relay 220 and the load 230, and the first voltage monitor 120 detects a voltage between the semiconductor relay 220 and the second semiconductor relay 110. Detects the voltage between the second semiconductor relay 110 and the load 230.

第２半導体リレー１１０は、例えば、ＦＥＴスイッチで構成される。半導体リレーを用いて、半導体リレー２２０と同じ構成としてもよい。第２半導体リレー１１０は、寄生ダイオードがバッテリ２１０と順方向になるように接続されている。このため、オフ状態のとき、負荷２３０側方向には電流を流せるが、負荷２３０からの逆流電流は抑えることができる。   The second semiconductor relay 110 is configured of, for example, an FET switch. A semiconductor relay may be used to have the same configuration as the semiconductor relay 220. The second semiconductor relay 110 is connected such that a parasitic diode is in the forward direction with the battery 210. Therefore, in the off state, current can flow in the direction of the load 230, but reverse current from the load 230 can be suppressed.

半導体リレー故障検出装置１００を含んだ回路は、負荷２３０に電力を供給する通常動作モードと、半導体リレー２２０の故障を検出する故障検出モードとして動作を行なうことができる。半導体リレー２２０と第２半導体リレー１１０とは、通常動作モードにおいて、図示しない制御装置により、同期してオンオフが制御される。すなわち、オン制御の場合には負荷２３０にバッテリ２１０からの電力を供給し、オフ制御の場合にはバッテリ２１０からの電力を遮断する。第２半導体リレー１１０は、バッテリ２１０の逆接続等の際に負荷２３０の誤動作を防止する役割も担うことができる。   The circuit including the semiconductor relay failure detection device 100 can operate as a normal operation mode for supplying power to the load 230 and a failure detection mode for detecting a failure of the semiconductor relay 220. In the normal operation mode, the semiconductor relay 220 and the second semiconductor relay 110 are synchronously controlled to be turned on and off by a control device (not shown). That is, the power from the battery 210 is supplied to the load 230 in the case of the on control, and the power from the battery 210 is cut off in the case of the off control. The second semiconductor relay 110 can also play a role of preventing the malfunction of the load 230 when the battery 210 is reversely connected or the like.

検出部１４０は、故障検出モードにおいて、半導体リレー２２０および第２半導体リレー１１０のオンオフを制御し、第１電圧モニタ１２０および第２電圧モニタ１３０の検出結果に基づいて、半導体リレー２２０および第２半導体リレー１１０の故障を検出する。通常動作モードにおいて、半導体リレー２２０および第２半導体リレー１１０のオンオフを制御する制御装置に検出部１４０の機能を含めてもよい。   Detection unit 140 controls on / off of semiconductor relay 220 and second semiconductor relay 110 in the failure detection mode, and based on the detection results of first voltage monitor 120 and second voltage monitor 130, semiconductor relay 220 and the second semiconductor The failure of the relay 110 is detected. In the normal operation mode, the control device that controls the on / off of the semiconductor relay 220 and the second semiconductor relay 110 may include the function of the detection unit 140.

次に、半導体リレー故障検出装置１００の動作について図２のフローチャートを参照して説明する。本動作は、故障検出モードにおいて検出部１４０の制御により行なわれる。ただし、本フローチャートの動作は一例であり、半導体リレー２２０および第２半導体リレー１１０のオンオフ等について異なる手順により半導体リレー２２０の故障検出を行なってもよい。   Next, the operation of the semiconductor relay failure detection apparatus 100 will be described with reference to the flowchart of FIG. This operation is performed under the control of the detection unit 140 in the failure detection mode. However, the operation of this flowchart is an example, and failure detection of the semiconductor relay 220 may be performed according to different procedures for on / off of the semiconductor relay 220 and the second semiconductor relay 110.

故障検出モードでは、半導体リレー２２０の故障検出を第１の目的としているが、半導体リレー故障検出装置１００は、第２半導体リレー１１０を含んで構成されているため、一連の動作で第２半導体リレー１１０の故障検出も行なうようにしている。なお、フローチャートにおいては、半導体リレー２２０をＲＬＹ１と表し、第２半導体リレー１１０をＲＬＹ２と表している。   In the failure detection mode, the first object is to detect the failure of the semiconductor relay 220. However, since the semiconductor relay failure detection apparatus 100 is configured to include the second semiconductor relay 110, the second semiconductor relay can be operated in a series of operations. It is also arranged to detect 110 failures. In the flowchart, the semiconductor relay 220 is represented as RLY1 and the second semiconductor relay 110 is represented as RLY2.

まず、検出部１４０は、半導体リレー２２０（ＲＬＹ１）、第２半導体リレー１１０（ＲＬＹ２）ともオフ制御する（Ｓ１０１）。この状態で、第２電圧モニタ１３０が電圧を検出しているかどうかを判定する（Ｓ１０２）。   First, the detection unit 140 performs off control of the semiconductor relay 220 (RLY1) and the second semiconductor relay 110 (RLY2) (S101). In this state, it is determined whether the second voltage monitor 130 detects a voltage (S102).

第２電圧モニタ１３０が電圧を検出している場合（Ｓ１０２：Ｙｅｓ）には、第１電圧モニタ１２０が電圧を検出しているかどうかを判定する（Ｓ１０３）。そして、第１電圧モニタ１２０が電圧を検出していない場合（Ｓ１０３：Ｎｏ）は、負荷２３０が発生した電圧を第２電圧モニタ１３０が検出したものと考えられるため、半導体リレー２２０（ＲＬＹ１）、第２半導体リレー１１０（ＲＬＹ２）とも正常であると判定する（Ｓ１０４）。   When the second voltage monitor 130 detects a voltage (S102: Yes), it is determined whether the first voltage monitor 120 detects a voltage (S103). When the first voltage monitor 120 does not detect the voltage (S103: No), it is considered that the voltage generated by the load 230 is detected by the second voltage monitor 130, so the semiconductor relay 220 (RLY1), It is determined that the second semiconductor relay 110 (RLY2) is also normal (S104).

一方、第１電圧モニタ１２０が電圧を検出している場合（Ｓ１０３：Ｙｅｓ）は、バッテリ２１０あるいは負荷２３０が発生した電圧を第１電圧モニタ１２０および第２電圧モニタ１３０が検出したものと考えられる。このため、半導体リレー２２０（ＲＬＹ１）、第２半導体リレー１１０（ＲＬＹ２）のいずれかがショート故障していることになる（Ｓ１０５）。   On the other hand, when the first voltage monitor 120 detects a voltage (S103: Yes), it is considered that the first voltage monitor 120 and the second voltage monitor 130 detect the voltage generated by the battery 210 or the load 230. . As a result, either the semiconductor relay 220 (RLY1) or the second semiconductor relay 110 (RLY2) has a short circuit failure (S105).

そこで、検出部１４０は、第２半導体リレー１１０（ＲＬＹ２）をオフのまま、半導体リレー２２０（ＲＬＹ１）をオン制御する（Ｓ１０６）。この切換え制御で、第１電圧モニタ１２０の検出電圧が変化したかどうかを判定する（Ｓ１０７）。具体的には、検出電圧が上昇したかを判定する。なお、第１電圧モニタ１２０が電圧の有無のみを検出し、電圧値を検出していない場合には、この判定は省くようにする。   Therefore, the detection unit 140 turns on the semiconductor relay 220 (RLY1) while keeping the second semiconductor relay 110 (RLY2) off (S106). In this switching control, it is determined whether or not the detected voltage of the first voltage monitor 120 has changed (S107). Specifically, it is determined whether the detected voltage has risen. In addition, the first voltage monitor 120 detects only the presence or absence of the voltage, and when the voltage value is not detected, this determination is omitted.

第１電圧モニタ１２０の検出電圧が変化しない場合（Ｓ１０７：Ｎｏ）は、半導体リレー２２０（ＲＬＹ１）がショート故障していると判定する（Ｓ１０８）。この場合、第１電圧モニタ１２０はバッテリ電圧を検出し、第２電圧モニタ１３０は負荷２３０が発生した電圧を検出していたことになる。   If the detected voltage of the first voltage monitor 120 does not change (S107: No), it is determined that the semiconductor relay 220 (RLY1) has a short failure (S108). In this case, the first voltage monitor 120 detects the battery voltage, and the second voltage monitor 130 detects the voltage generated by the load 230.

一方、第１電圧モニタ１２０の検出電圧が変化した場合（Ｓ１０７：Ｙｅｓ）は、第２半導体リレー１１０（ＲＬＹ２）がショート故障していると判定する（Ｓ１０９）。この場合、第１電圧モニタ１２０および第２電圧モニタ１３０は負荷２３０が発生した電圧を検出しており、切換え制御により、さらにバッテリ電圧が印加されて第１電圧モニタ１２０の検出電圧が変化したことになる。   On the other hand, when the detected voltage of the first voltage monitor 120 has changed (S107: Yes), it is determined that the second semiconductor relay 110 (RLY2) has a short failure (S109). In this case, the first voltage monitor 120 and the second voltage monitor 130 detect the voltage generated by the load 230, and the switching control further applies the battery voltage and the detected voltage of the first voltage monitor 120 changes. become.

半導体リレー２２０（ＲＬＹ１）、第２半導体リレー１１０（ＲＬＹ２）ともオフ制御の状態で、第２電圧モニタ１３０が電圧を検出していない場合（Ｓ１０２：Ｎｏ）は、負荷２３０が電圧を発生していない状態であり、検出部１４０は、第１電圧モニタ１２０が電圧を検出しているかどうかを判定する（Ｓ１１０）。   When both the semiconductor relay 220 (RLY1) and the second semiconductor relay 110 (RLY2) are in the off control state and the second voltage monitor 130 does not detect a voltage (S102: No), the load 230 is generating a voltage In the absence state, the detection unit 140 determines whether the first voltage monitor 120 detects a voltage (S110).

第１電圧モニタ１２０が電圧を検出している場合（Ｓ１１０：Ｙｅｓ）は、バッテリ電圧を検出してものとして、半導体リレー２２０（ＲＬＹ１）がショート故障していると判定する（Ｓ１１１）。   If the first voltage monitor 120 detects a voltage (S110: Yes), it is determined that the semiconductor relay 220 (RLY1) has a short circuit failure as if the battery voltage is detected (S111).

第１電圧モニタ１２０が電圧を検出していない場合（Ｓ１１０：Ｎｏ）は、検出部１４０は、半導体リレー２２０（ＲＬＹ１）、第２半導体リレー１１０（ＲＬＹ２）ともオン制御する（Ｓ１１２）。この状態で、第２電圧モニタ１３０が電圧を検出しているかどうかを判定する（Ｓ１１３）。   When the first voltage monitor 120 does not detect a voltage (S110: No), the detection unit 140 performs on control of the semiconductor relay 220 (RLY1) and the second semiconductor relay 110 (RLY2) (S112). In this state, it is determined whether the second voltage monitor 130 detects a voltage (S113).

第２電圧モニタ１３０が電圧を検出している場合（Ｓ１１３：Ｙｅｓ）は、バッテリ電圧を第２電圧モニタ１３０が検出したものと考えられるため、半導体リレー２２０（ＲＬＹ１）、第２半導体リレー１１０（ＲＬＹ２）とも正常であると判定する（Ｓ１０４）。   If the second voltage monitor 130 detects a voltage (S113: Yes), it is considered that the battery voltage is detected by the second voltage monitor 130, so the semiconductor relay 220 (RLY1), the second semiconductor relay 110 ( It is determined that both RLY2) are normal (S104).

第２電圧モニタ１３０が電圧を検出していない場合（Ｓ１１３：Ｎｏ）は、第１電圧モニタ１２０が電圧を検出しているかどうかを判定する（Ｓ１１４）。そして、第１電圧モニタ１２０が電圧を検出している場合（Ｓ１１４：Ｙｅｓ）は、第２半導体リレー１１０（ＲＬＹ２）がオープン故障であると判定する（Ｓ１１５）。   When the second voltage monitor 130 does not detect a voltage (S113: No), it is determined whether the first voltage monitor 120 detects a voltage (S114). When the first voltage monitor 120 detects a voltage (S114: Yes), it is determined that the second semiconductor relay 110 (RLY2) has an open failure (S115).

第１電圧モニタ１２０が電圧を検出していない場合（Ｓ１１４：Ｎｏ）は、半導体リレー２２０（ＲＬＹ１）がオープン故障であると判定する（Ｓ１１６）。   When the first voltage monitor 120 does not detect a voltage (S114: No), it is determined that the semiconductor relay 220 (RLY1) has an open failure (S116).

以上説明したように、本実施形態の半導体リレー故障検出装置１００によれば、半導体リレー２２０を介してバッテリ２１０から負荷２３０に電源を供給する回路において、負荷２３０が電圧を発生する場合であっても半導体リレー２２０の故障を精度よく検出できる。   As described above, according to the semiconductor relay failure detection device 100 of the present embodiment, in the circuit where power is supplied from the battery 210 to the load 230 via the semiconductor relay 220, the load 230 generates a voltage. Also, the failure of the semiconductor relay 220 can be detected accurately.

１００ 半導体リレー故障検出装置
１１０ 第２半導体リレー
１２０ 第１電圧モニタ
１３０ 第２電圧モニタ
１４０ 検出部
２１０ バッテリ
２２０ 半導体リレー
２３０ 負荷 100 semiconductor relay failure detection device 110 second semiconductor relay 120 first voltage monitor 130 second voltage monitor 140 detection unit 210 battery 220 semiconductor relay 230 load

Claims (5)

バッテリと負荷との間に接続された半導体リレーの故障を検出する半導体リレー故障検出装置であって、
前記半導体リレーと前記負荷との間に接続された第２半導体リレーと、
前記半導体リレーと前記第２半導体リレーとの間の電圧を検出する第１電圧モニタと、
前記第２半導体リレーと前記負荷との間の電圧を検出する第２電圧モニタと、
前記半導体リレーおよび前記第２半導体リレーのオンオフを制御し、前記第１電圧モニタおよび前記第２電圧モニタの検出結果に基づいて、前記半導体リレーおよび前記第２半導体リレーの故障を検出する検出部と、
を備えたことを特徴とする半導体リレー故障検出装置。 A semiconductor relay failure detection device for detecting a failure of a semiconductor relay connected between a battery and a load, comprising:
A second semiconductor relay connected between the semiconductor relay and the load;
A first voltage monitor detecting a voltage between the semiconductor relay and the second semiconductor relay;
A second voltage monitor for detecting a voltage between the second semiconductor relay and the load;
A detection unit that controls on / off of the semiconductor relay and the second semiconductor relay, and detects a failure of the semiconductor relay and the second semiconductor relay based on detection results of the first voltage monitor and the second voltage monitor; ,
The semiconductor relay failure detection device characterized by having. 前記検出部は、
前記半導体リレーおよび前記第２半導体リレーをオフ制御しているときに、前記第１電圧モニタが電圧を検出し、前記第２電圧モニタが電圧を検出していない場合に、前記半導体リレーでショート故障が発生していると判定することを特徴とする請求項１に記載の半導体リレー故障検出装置。 The detection unit is
When the first voltage monitor detects a voltage when the semiconductor relay and the second semiconductor relay are controlled to be off, and the second voltage monitor does not detect a voltage, a short circuit failure occurs in the semiconductor relay. The semiconductor relay failure detection device according to claim 1, wherein it is determined that a failure has occurred. 前記検出部は、
前記半導体リレーおよび前記第２半導体リレーをオフ制御しているときに、前記第１電圧モニタおよび前記第２電圧モニタが電圧を検出している場合に、前記半導体リレーおよび前記第２半導体リレーのいずれかでショート故障が発生していると判定することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体リレー故障検出装置。 The detection unit is
When the first voltage monitor and the second voltage monitor detect voltages when the semiconductor relay and the second semiconductor relay are controlled to be off, any of the semiconductor relay and the second semiconductor relay The semiconductor relay failure detection device according to claim 1 or 2, wherein it is determined that a short failure has occurred. 前記検出部は、
さらに、前記半導体リレーをオン制御に切換えたときに、前記第２電圧モニタの検出電圧が変化しない場合に、前記半導体リレーでショート故障が発生していると判定することを特徴とする請求項３に記載の半導体リレー故障検出装置。 The detection unit is
Furthermore, when the detection voltage of the second voltage monitor does not change when the semiconductor relay is switched to on control, it is determined that a short circuit failure has occurred in the semiconductor relay. The semiconductor relay failure detection device according to claim 1. 前記検出部は、
前記半導体リレーおよび前記第２半導体リレーをオフ制御しているときに、前記第１電圧モニタが電圧を検出せず、前記第２電圧モニタが電圧を検出している場合に、前記半導体リレー、前記第２半導体リレーとも正常であると判定することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体リレー故障検出装置。 The detection unit is
When the first voltage monitor does not detect a voltage while the second voltage monitor detects a voltage when the semiconductor relay and the second semiconductor relay are turned off, the semiconductor relay, The semiconductor relay failure detection device according to any one of claims 1 to 4, wherein it is determined that both of the second semiconductor relays are normal.
JP2017209238A 2017-10-30 2017-10-30 Semiconductor relay failure detection device Pending JP2019083393A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017209238A JP2019083393A (en) 2017-10-30 2017-10-30 Semiconductor relay failure detection device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017209238A JP2019083393A (en) 2017-10-30 2017-10-30 Semiconductor relay failure detection device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2019083393A true JP2019083393A (en) 2019-05-30

Family

ID=66671199

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017209238A Pending JP2019083393A (en) 2017-10-30 2017-10-30 Semiconductor relay failure detection device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2019083393A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112750659A (en) * 2019-10-30 2021-05-04 欧姆龙株式会社 Semiconductor relay module and semiconductor relay circuit
WO2023073754A1 (en) * 2021-10-25 2023-05-04 三菱電機株式会社 Power supply shut-off device, motor drive device, and electric power steering device
DE112022001738T5 (en) 2021-03-25 2024-01-11 Autonetworks Technologies, Ltd. Device and method for detecting anomalies

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001236871A (en) * 2000-02-24 2001-08-31 Denso Corp Abnormality detection device of switching element
JP2009259762A (en) * 2008-03-28 2009-11-05 Hitachi Ltd Power source having a plurality of relays
JP2011130077A (en) * 2009-12-16 2011-06-30 Yokogawa Electric Corp Digital signal output circuit
JP2012070055A (en) * 2010-09-21 2012-04-05 Hitachi Automotive Systems Ltd Power supply unit and control device
JP2017022828A (en) * 2015-07-08 2017-01-26 株式会社ジェイテクト Motor control device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001236871A (en) * 2000-02-24 2001-08-31 Denso Corp Abnormality detection device of switching element
JP2009259762A (en) * 2008-03-28 2009-11-05 Hitachi Ltd Power source having a plurality of relays
JP2011130077A (en) * 2009-12-16 2011-06-30 Yokogawa Electric Corp Digital signal output circuit
JP2012070055A (en) * 2010-09-21 2012-04-05 Hitachi Automotive Systems Ltd Power supply unit and control device
JP2017022828A (en) * 2015-07-08 2017-01-26 株式会社ジェイテクト Motor control device

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112750659A (en) * 2019-10-30 2021-05-04 欧姆龙株式会社 Semiconductor relay module and semiconductor relay circuit
JP2021072525A (en) * 2019-10-30 2021-05-06 オムロン株式会社 Semiconductor relay module and semiconductor relay circuit
JP7380084B2 (en) 2019-10-30 2023-11-15 オムロン株式会社 Semiconductor relay module and semiconductor relay circuit
CN112750659B (en) * 2019-10-30 2025-02-11 欧姆龙株式会社 Semiconductor relay module and semiconductor relay circuit
DE112022001738T5 (en) 2021-03-25 2024-01-11 Autonetworks Technologies, Ltd. Device and method for detecting anomalies
WO2023073754A1 (en) * 2021-10-25 2023-05-04 三菱電機株式会社 Power supply shut-off device, motor drive device, and electric power steering device
JPWO2023073754A1 (en) * 2021-10-25 2023-05-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11038371B2 (en) Power supply control device
US10418988B2 (en) Power breaker apparatus
JP6582133B2 (en) In-vehicle control device
JP2015095442A (en) Switch diagnosis device, switching circuit and switch diagnosis method
JP2019083393A (en) Semiconductor relay failure detection device
JP7530555B2 (en) Power Switching Device
JP2014202625A (en) Failure detection circuit of switch element
JP7082758B2 (en) Voltage regulator and backup power supply for vehicles
KR102416595B1 (en) Load adaptive smart actuator driver and operation method thereof
WO2013088996A1 (en) In-vehicle electronic control device
JP2018074525A (en) Power supply device
JP2012094980A (en) External adapter
CN113544018A (en) Motor vehicle control device having a switching function for at least one electrical consumer controlled by the motor vehicle control device
JP2012070045A (en) Load driving device
JP5203742B2 (en) Inverter device
KR101629580B1 (en) Semiconductor apparatus with open detecting function
WO2012039200A1 (en) Load drive device
JP2018046646A (en) Power supply controller
EP3258601B1 (en) Power supply shut-off device
JP2004294404A (en) Disconnection detecting circuit
JP2002062903A (en) Control device
JP2016191575A (en) Current detection circuit and vehicular electronic control device including the same
JP7530556B2 (en) Earth fault detection device
KR102246702B1 (en) Electronic Control Apparatus and Power Control Method for Electronic Power Steering
JP2015119594A (en) Drive control device of semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20180215

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200918

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210715

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210817

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210908

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220222

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220406

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20220823