JP2019070861A - Exposure device, exposure method, and device manufacturing method - Google Patents
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
本発明は、露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法に関するものである。 The present invention relates to an exposure apparatus, an exposure method, and a device manufacturing method.
半導体デバイス、電子デバイス等のマイクロデバイスの製造工程において、例えば下記特許文献に開示されているような、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置が使用される。露光装置は、基板を保持して移動可能な基板ステージを備え、その基板ステージに保持された基板を露光する。 In the process of manufacturing microdevices such as semiconductor devices and electronic devices, an immersion exposure apparatus which exposes a substrate with exposure light through a liquid as disclosed in, for example, the following patent documents is used. The exposure apparatus includes a movable substrate stage that holds the substrate, and exposes the substrate held by the substrate stage.
液浸露光装置において、基板が基板ステージ上で周囲に間隙をもって保持される場合、基板の表面特性等によっては間隙へ流入する液体の量が変動する可能性がある。そしてこの間隙に流入する液体を基板ステージ側で回収する場合、上記した液体の量の変動によって液体の気化熱が変動することで、基板ステージにおける基板周囲の温度が変動し、露光不良が発生する可能性がある。その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。 In the immersion exposure apparatus, when the substrate is held with a gap around the substrate stage, the amount of liquid flowing into the gap may fluctuate depending on the surface characteristics of the substrate. When the liquid flowing into the gap is collected on the side of the substrate stage, the heat of vaporization of the liquid fluctuates due to the fluctuation of the amount of liquid described above, so that the temperature around the substrate on the substrate stage fluctuates and an exposure failure occurs. there is a possibility. As a result, defective devices may occur.
本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる露光装置及び露光方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。 An aspect of the present invention is to provide an exposure apparatus and an exposure method that can suppress the occurrence of exposure defects. Another object of the present invention is to provide a device manufacturing method capable of suppressing the occurrence of defective devices.
本発明の第1の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、射出面に対向可能な物体とギャップを介して配置される部材を有して光学部材下を移動可能なステージと、物体と光学部材との間に液体を供給する第1液体供給装置と、ステージに少なくとも一部が配置されて、ギャップに液体を供給する第2液体供給装置と、を備える露光装置が提供される。 According to a first aspect of the present invention, an exposure apparatus for exposing a substrate with exposure light through a liquid, the optical member having an emission surface from which the exposure light is emitted, and an object capable of facing the emission surface A stage having a member disposed via a gap and movable under the optical member, a first liquid supply device for supplying a liquid between the object and the optical member, and at least a portion disposed on the stage An exposure apparatus is provided, comprising: a second liquid supply device for supplying liquid to the gap.
本発明の第2の態様に従えば、本発明の第1の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。 According to a second aspect of the present invention, there is provided a device manufacturing method comprising exposing a substrate using the exposure apparatus of the first aspect of the present invention and developing the exposed substrate. .
本発明の第3の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、光学部材に対向する基板との間に第1液体供給装置によって液体を供給することと、射出面に対向可能な物体とギャップを介して部材を配置し、部材および基板を移動することと、移動する基板と光学部材との間の液体を介して基板を露光することと、ステージに少なくとも一部を配置した第2液体供給装置によってギャップに液体を供給することと、を含む露光方法が提供される。 According to a third aspect of the present invention, there is provided an exposure method for exposing a substrate with exposure light through a liquid, comprising: an optical member having an emission surface from which exposure light is emitted; and a substrate facing the optical member Supplying a liquid by the first liquid supply device between them, disposing the member through the object and the gap that can be opposed to the exit surface, moving the member and the substrate, and between the moving substrate and the optical member There is provided an exposure method comprising: exposing a substrate through the liquid; and supplying the liquid to the gap by a second liquid supply apparatus at least partially disposed on the stage.
本発明の第4の態様に従えば、本発明の第3の態様の露光方法を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。 According to a fourth aspect of the present invention there is provided a device manufacturing method comprising exposing a substrate using the exposure method of the third aspect of the present invention and developing the exposed substrate. .
本発明の態様によれば、露光不良の発生を抑制できる。また本発明の態様によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。 According to the aspect of the present invention, the occurrence of the exposure failure can be suppressed. Moreover, according to the aspect of this invention, generation | occurrence | production of a defect device can be suppressed.
以下、本発明の露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法の実施の形態を、図1ないし図9を参照して説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれと直交する方向(すなわち鉛直方向)をZ軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転(傾斜)方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。 Hereinafter, embodiments of the exposure apparatus, the exposure method, and the device manufacturing method of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 9, but the present invention is not limited thereto. In the following description, an XYZ orthogonal coordinate system is set, and the positional relationship of each part will be described with reference to this XYZ orthogonal coordinate system. A predetermined direction in the horizontal plane is taken as an X-axis direction, a direction orthogonal to the X-axis direction in a horizontal plane is taken as a Y-axis direction, and a direction (ie vertical direction) orthogonal to each of the X-axis direction and the Y-axis direction is taken as a Z-axis direction. Further, rotation (inclination) directions around the X axis, the Y axis, and the Z axis are taken as θX, θY, and θZ directions, respectively.
<第1実施形態>
第1実施形態について説明する。図1は、第1実施形態に係る露光装置EXの一例を示す概略構成図である。本実施形態の露光装置EXは、液体LQを介して露光光ELで基板Pを露光する液浸露光装置である。本実施形態においては、露光光ELの光路の少なくとも一部が液体LQで満たされるように液浸空間LSが形成される。液浸空間とは、液体で満たされた部分(空間、領域)をいう。基板Pは、液浸空間LSの液体LQを介して露光光ELで露光される。本実施形態においては、液体LQとして、水(純水)を用いる。
First Embodiment
The first embodiment will be described. FIG. 1 is a schematic block diagram showing an example of an exposure apparatus EX according to the first embodiment. The exposure apparatus EX of the present embodiment is a liquid immersion exposure apparatus that exposes the substrate P with the exposure light EL via the liquid LQ. In the present embodiment, the immersion space LS is formed so that at least a part of the optical path of the exposure light EL is filled with the liquid LQ. The immersion space refers to a portion (space, area) filled with liquid. The substrate P is exposed to the exposure light EL through the liquid LQ in the immersion space LS. In the present embodiment, water (pure water) is used as the liquid LQ.
また、本実施形態の露光装置EXは、例えば米国特許第6897963号明細書、及び欧州特許出願公開第1713113号明細書等に開示されているような、基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置である。 In addition, an exposure apparatus EX according to this embodiment includes an exposure apparatus including a substrate stage and a measurement stage as disclosed in, for example, US Pat. No. 6,889,963 and European Patent Application Publication No. 1713113. It is.
図1において、露光装置EXは、マスクMを保持して移動可能なマスクステージ1と、基板Pを保持して移動可能な基板ステージ2と、基板Pを保持せずに、露光光ELを計測する計測部材C及び計測器を搭載して移動可能な計測ステージ3と、マスクステージ1を移動する駆動システム4と、基板ステージ2を移動する駆動システム5と、計測ステージ3を移動する駆動システム6と、マスクMを露光光ELで照明する照明系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像を基板Pに投影する投影光学系PLと、露光光ELの光路の少なくとも一部が液体LQで満たされるように液浸空間LSを形成可能な液浸部材7と、露光装置EX全体の動作を制御する制御装置8と、制御装置8に接続され、露光に関する各種の情報を記憶する記憶装置8Rとを備えている。記憶装置8Rは、例えばRAM等のメモリ、ハードディスク、CD−ROM等の記録媒体を含む。記憶装置8Rには、コンピュータシステムを制御するオペレーティングシステム(OS)がインストールされ、露光装置EXを制御するためのプログラムが記憶されている。
In FIG. 1, the exposure apparatus EX measures the exposure light EL without holding the mask M, the
また、露光装置EXは、マスクステージ1、基板ステージ2、及び計測ステージ3の位置を計測する干渉計システム11と、検出システム300とを備えている。検出システム300は、基板Pのアライメントマークを検出するアライメントシステム302と、基板Pの上面(表面)Paの位置を検出する表面位置検出システム303とを含む。なお、検出システム300が、例えば米国特許出願公開第2007/0288121号明細書に開示されているような、基板ステージ2の位置を検出するエンコーダシステムを備えてもよい。
The exposure apparatus EX further includes an interferometer system 11 that measures the positions of the
マスクMは、基板Pに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。マスクMは、例えばガラス板等の透明板と、その透明板上にクロム等の遮光材料を用いて形成されたパターンとを有する透過型マスクを含む。なお、マスクMとして、反射型マスクを用いることもできる。 The mask M includes a reticle on which a device pattern to be projected onto the substrate P is formed. The mask M includes, for example, a transmissive mask having a transparent plate such as a glass plate and a pattern formed on the transparent plate using a light shielding material such as chromium. A reflective mask can also be used as the mask M.
基板Pは、デバイスを製造するための基板である。基板Pは、例えば半導体ウエハ等の基材と、その基材上に形成された感光膜とを含む。感光膜は、感光材(フォトレジスト)の膜である。また、基板Pが、感光膜に加えて別の膜を含んでもよい。例えば、基板Pが、反射防止膜を含んでもよいし、感光膜を保護する保護膜(トップコート膜)を含んでもよい。 The substrate P is a substrate for manufacturing a device. The substrate P includes, for example, a base material such as a semiconductor wafer and a photosensitive film formed on the base material. The photosensitive film is a film of a photosensitive material (photoresist). Also, the substrate P may include another film in addition to the photosensitive film. For example, the substrate P may include an antireflective film, or may include a protective film (top coat film) that protects the photosensitive film.
また、露光装置EXは、露光光ELが進行する空間102の環境(温度、湿度、圧力、及びクリーン度の少なくとも一つ)を調整するチャンバ装置103を備えている。チャンバ装置103は、空間102を形成するチャンバ部材104と、その空間102の環境を調整する空調システム105とを有する。
In addition, the exposure apparatus EX includes a
空間102は、空間102A及び空間102Bを含む。空間102Aは、基板Pが処理される空間である。基板ステージ2及び計測ステージ3は、空間102Aを移動する。
空調システム105は、空間102A、102Bに気体を供給する給気部105Sを有し、その給気部105Sから空間102A、102Bに気体を供給して、その空間102A、102Bの環境を調整する。本実施形態においては、少なくとも基板ステージ2、計測ステージ3、及び投影光学系PLの終端光学素子12が空間102Aに配置される。
The
照明系ILは、所定の照明領域IRに露光光ELを照射する。照明領域IRは、照明系ILから射出される露光光ELが照射可能な位置を含む。照明系ILは、照明領域IRに配置されたマスクMの少なくとも一部を、均一な照度分布の露光光ELで照明する。照明系ILから射出される露光光ELとして、例えば水銀ランプから射出される輝線(g線、h線、i線)及びKrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)、及びF2レーザ光(波長157nm)等の真空紫外光(VUV光)等が用いられる。本実施形態においては、露光光ELとして、紫外光(真空紫外光)であるArFエキシマレーザ光を用いる。 The illumination system IL irradiates the exposure light EL on a predetermined illumination area IR. The illumination area IR includes a position where the exposure light EL emitted from the illumination system IL can be irradiated. The illumination system IL illuminates at least a portion of the mask M disposed in the illumination region IR with the exposure light EL having a uniform illuminance distribution. As the exposure light EL emitted from the illumination system IL, for example, far ultraviolet light (DUV light) such as a bright line (g line, h line, i line) and KrF excimer laser light (wavelength 248 nm) emitted from a mercury lamp, ArF Excimer laser light (wavelength 193 nm), vacuum ultraviolet light (VUV light) such as F2 laser light (wavelength 157 nm), or the like is used. In the present embodiment, ArF excimer laser light which is ultraviolet light (vacuum ultraviolet light) is used as the exposure light EL.
マスクステージ1は、マスクMを保持した状態で、照明領域IRを含むベース部材9のガイド面9G上を移動可能である。駆動システム4は、ガイド面9G上でマスクステージ1を移動するための平面モータを含む。平面モータは、例えば米国特許第6452292号明細書に開示されているような、マスクステージ1に配置された可動子と、ベース部材9に配置された固定子とを有する。本実施形態においては、マスクステージ1は、駆動システム4の作動により、ガイド面9G上において、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6つの方向に移動可能である。
The
投影光学系PLは、所定の投影領域PRに露光光ELを照射する。投影領域PRは、投影光学系PLから射出される露光光ELが照射可能な位置を含む。投影光学系PLは、投影領域PRに配置された基板Pの少なくとも一部に、マスクMのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態の投影光学系PLは、その投影倍率が例えば1/4、1/5、又は1/8等の縮小系である。なお、投影光学系PLは、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系PLの光軸は、Z軸と平行である。また、投影光学系PLは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系PLは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。 The projection optical system PL irradiates the predetermined projection area PR with the exposure light EL. The projection area PR includes a position to which the exposure light EL emitted from the projection optical system PL can be irradiated. The projection optical system PL projects an image of the pattern of the mask M at a predetermined projection magnification onto at least a part of the substrate P arranged in the projection area PR. The projection optical system PL of this embodiment is a reduction system whose projection magnification is, for example, 1⁄4, 1⁄5, or 1⁄8. The projection optical system PL may be either an equal magnification system or a magnification system. In the present embodiment, the optical axis of the projection optical system PL is parallel to the Z axis. The projection optical system PL may be any of a refractive system that does not include a reflective optical element, a reflective system that does not include a refractive optical element, and a catadioptric system that includes a reflective optical element and a refractive optical element. The projection optical system PL may form either an inverted image or an erected image.
基板ステージ2は、投影光学系PLから射出される露光光ELが照射可能な位置(投影領域PR)に移動可能である。基板ステージ2は、基板Pを保持した状態で、投影領域PRを含むベース部材10のガイド面10G上を移動可能である。計測ステージ3は、投影光学系PLから射出される露光光ELが照射可能な位置(投影領域PR)に移動可能である。計測ステージ3は、計測部材Cを保持した状態で、投影領域PRを含むベース部材10のガイド面10G上を移動可能である。基板ステージ2と計測ステージ3とは、ガイド面10G上を独立して移動可能である。
The
基板ステージ2を移動するための駆動システム5は、ガイド面10G上で基板ステージ2を移動するための平面モータを含む。平面モータは、例えば米国特許第6452292号明細書に開示されているような、基板ステージ2に配置された可動子と、ベース部材10に配置された固定子とを有する。同様に、計測ステージ3を移動するための駆動システム6は、平面モータを含み、計測ステージ3に配置された可動子と、ベース部材10に配置された固定子とを有する。
The
本実施形態において、基板ステージ2は、基板Pの下面Pbをリリース可能に保持する第1保持部(基板保持部)31と、基板Pが配置可能な開口Thを規定し、基板Pが第1保持部31に保持されている状態において基板Pの上面Paの周囲に配置される上面とを有する。
In the present embodiment, the
本実施形態において、基板ステージ2は、例えば米国特許出願公開第2007/0177125号明細書、米国特許出願公開第2008/0049209号明細書等に開示されているような、第1保持部31の周囲に配置され、カバー部材(規定部材)Tの下面Tbをリリース可能に保持する第2保持部32を有する。カバー部材Tは、第1保持部31に保持された基板Pの周囲に配置される。本実施形態においては、カバー部材Tが、第1保持部31に保持された基板Pが配置される開口Thを有する。本実施形態においては、カバー部材Tが上面2Uを有する。
In the present embodiment, the
本実施形態において、第1保持部31は、基板Pの上面PaとXY平面とがほぼ平行となるように、基板Pを保持する。第2保持部32は、カバー部材Tの上面2UとXY平面とがほぼ平行となるように、カバー部材Tを保持する。本実施形態において、第1保持部31に保持された基板Pの上面Paと第2保持部32に保持されたカバー部材Tの上面2Uとは、ほぼ同一平面内に配置される(ほぼ面一である)。
In the present embodiment, the
なお、カバー部材Tは、基板ステージ2に一体的に形成されていてもよい。例えば、基板ステージ2の少なくとも一部の部材が上面2Uを有してもよい。
The cover member T may be integrally formed on the
本実施形態において、計測ステージ3は、計測部材Cをリリース可能に保持する第3保持部33と、第3保持部33の周囲に配置され、カバー部材Qをリリース可能に保持する第4保持部34とを有する。第3,第4保持部33,34は、ピンチャック機構を有する。カバー部材Qは、第3保持部33に保持された計測部材Cの周囲に配置される。なお、第3保持部33及び第4保持部34の少なくとも一方で使用される保持機構はピンチャック機構に限られない。また、計測部材C及びカバー部材Qの少なくとも一方は、計測ステージ3に一体的に形成されていてもよい。
In the present embodiment, the
本実施形態において、第3保持部33は、計測部材Cの上面とXY平面とがほぼ平行となるように、計測部材Cを保持する。第4保持部34は、カバー部材Qの上面とXY平面とがほぼ平行となるように、カバー部材Qを保持する。本実施形態において、第3保持部33に保持された計測部材Cの上面と第4保持部34に保持されたカバー部材Qの上面とは、ほぼ同一平面内に配置される(ほぼ面一である)。
In the present embodiment, the
ここで、以下の説明において、第2保持部32に保持されたカバー部材Tの上面2Uを適宜、基板ステージ2の上面2U、と称し、第3保持部33に保持された計測部材Cの上面及び第4保持部34に保持されたカバー部材Qの上面を合わせて適宜、計測ステージ3の上面3U、と称する。
Here, in the following description, the
干渉計システム11は、マスクステージ1の位置を計測するレーザ干渉計ユニット11Aと、基板ステージ2及び計測ステージ3の位置を計測するレーザ干渉計ユニット11Bとを含む。レーザ干渉計ユニット11Aは、マスクステージ1に配置された計測ミラー1Rを用いて、マスクステージ1の位置を計測可能である。レーザ干渉計ユニット11Bは、基板ステージ2に配置された計測ミラー2R、及び計測ステージ3に配置された計測ミラー3Rを用いて、基板ステージ2及び計測ステージ3それぞれの位置を計測可能である。
The interferometer system 11 includes a
アライメントシステム302は、基板Pのアライメントマークを検出して、その基板Pのショット領域(露光領域)Sの位置を検出する。アライメントシステム302は、基板ステージ2(基板P)が対向可能な下面を有する。基板ステージ2の上面2U、及び基板ステージ2に保持されている基板Pの上面(表面)Paは、−Z方向を向くアライメントシステム302の下面と対向可能である。
The
表面位置検出システム303は、例えばオートフォーカス・レベリングシステムとも呼ばれ、基板ステージ2に保持された基板Pの上面(表面)Paに検出光を照射して、その基板Pの上面Paの位置を検出する。表面位置検出システム303は、基板ステージ2(基板P)が対向可能な下面を有する。基板ステージ2の上面2U、及び基板ステージ2に保持されている基板Pの上面Paは、−Z方向を向く表面位置検出システム303の下面と対向可能である。
The surface
基板Pの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、制御装置8は、干渉計システム11の計測結果、及び検出システム300の検出結果に基づいて、駆動システム4,5,6を作動し、マスクステージ1(マスクM)、基板ステージ2(基板P)、及び計測ステージ3(計測部材C)の位置制御を実行する。
When performing the exposure process of the substrate P or performing a predetermined measurement process, the
液浸部材7は、露光光ELの光路の少なくとも一部が液体LQで満たされるように液浸空間LSを形成可能である。液浸部材7は、投影光学系PLの複数の光学素子のうち、投影光学系PLの像面に最も近い終端光学素子12の近傍に配置される。本実施形態において、液浸部材7は、環状の部材であり、露光光ELの光路の周囲に配置される。本実施形態においては、液浸部材7の少なくとも一部が、終端光学素子12の周囲に配置される。
The
終端光学素子12は、投影光学系PLの像面に向けて露光光ELを射出する射出面13を有する。本実施形態において、射出面13側に液浸空間LSが形成される。液浸空間LSは、射出面13から射出される露光光ELの光路Kが液体LQで満たされるように形成される。射出面13から射出される露光光ELは、−Z方向に進行する。射出面13は、露光光ELの進行方向(−Z方向)を向く。本実施形態において、射出面13は、XY平面とほぼ平行な平面である。なお、射出面13がXY平面に対して傾斜していてもよいし、曲面を含んでもよい。
The last
液浸部材7は、少なくとも一部が−Z方向を向く下面14を有する。本実施形態において、射出面13及び下面14は、射出面13から射出される露光光ELが照射可能な位置(投影領域PR)に配置される物体との間で液体LQを保持することができる。液浸空間LSは、射出面13及び下面14の少なくとも一部と投影領域PRに配置される物体との間に保持された液体LQによって形成される。液浸空間LSは、射出面13と、投影領域PRに配置される物体との間の露光光ELの光路Kが液体LQで満たされるように形成される。液浸部材7は、終端光学素子12と物体との間の露光光ELの光路Kが液体LQで満たされるように物体との間で液体LQを保持可能である。
The
本実施形態において、投影領域PRに配置可能な物体は、投影光学系PLの像面側(終端光学素子12の射出面13側)で投影領域PRに対して移動可能な物体を含む。その物体は、終端光学素子12及び液浸部材7に対して移動可能である。その物体は、射出面13及び下面14の少なくとも一方と対向可能な上面(表面)を有する。物体の上面は、射出面13との間に液浸空間LSを形成可能である。その物体は、終端光学素子12の光軸(Z軸)と垂直な面内(XY平面内)において移動可能である。本実施形態において、物体の上面は、射出面13及び下面14の少なくとも一部との間に液浸空間LSを形成可能である。一方側の射出面13及び下面14と、他方側の物体の上面(表面)との間に液体LQが保持されることによって、終端光学素子12と物体との間の露光光ELの光路Kが液体LQで満たされるように液浸空間LSが形成される。
In the present embodiment, an object that can be disposed in the projection region PR includes an object that can be moved relative to the projection region PR on the image plane side (the
本実施形態において、その物体は、基板ステージ2、基板ステージ2に保持された基板P、計測ステージ3、及び計測ステージ3に保持された計測部材Cの少なくとも一つを含む。例えば、基板ステージ2の上面2U、及び基板ステージ2に保持されている基板Pの表面(上面)Paは、−Z方向を向く終端光学素子12の射出面13、及び−Z方向を向く液浸部材7の下面14と対向可能である。もちろん、投影領域PRに配置可能な物体は、基板ステージ2、基板ステージ2に保持された基板P、計測ステージ3、及び計測ステージ3に保持された計測部材Cの少なくとも一つに限られない。また、それら物体は、検出システム300の少なくとも一部と対向可能である。
In the present embodiment, the object includes at least one of the
本実施形態においては、基板Pに露光光ELが照射されているとき、投影領域PRを含む基板Pの表面の一部の領域が液体LQで覆われるように液浸空間LSが形成される。基板Pの露光時において、液浸部材7は、終端光学素子12と基板Pとの間の露光光ELの光路Kが液体LQで満たされるように基板Pとの間で液体LQを保持可能である。液体LQの界面(メニスカス、エッジ)LGの少なくとも一部は、液浸部材7の下面14と基板Pの表面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置EXは、局所液浸方式を採用する。
In the present embodiment, when the substrate P is irradiated with the exposure light EL, the liquid immersion space LS is formed such that a partial region of the surface of the substrate P including the projection region PR is covered with the liquid LQ. At the time of exposure of the substrate P, the
図2は、本実施形態に係る液浸部材7及び基板ステージ2の一例を示す側断面図である。図3は、図2の一部を拡大した図である。なお、図2においては、投影領域PR(終端光学素子12及び液浸部材7と対向する位置)に基板Pが配置されているが、上述のように、基板ステージ2(カバー部材T)、及び計測ステージ3(カバー部材Q、計測部材C)を配置することもできる。
FIG. 2 is a side sectional view showing an example of the
図2に示すように、液浸部材7は、少なくとも一部が終端光学素子12の射出面13と対向する対向部71と、少なくとも一部が終端光学素子12の周囲に配置される本体部72とを含む。対向部71は、射出面13と対向する位置に孔(開口)7Kを有する。対向部71は、少なくとも一部が射出面13とギャップを介して対向する上面7Uと、基板P(物体)が対向可能な下面7Hとを有する。孔7Kは、上面7Uと下面7Hとを結ぶように形成される。上面7Uは、孔7Kの上端の周囲に配置され、下面7Hは、孔7Kの下端の周囲に配置される。射出面13から射出された露光光ELは、孔7Kを通過して、基板Pに照射可能である。
As shown in FIG. 2, the
本実施形態において、上面7U及び下面7Hのそれぞれは、光路Kの周囲に配置される。本実施形態において、下面7Hは、平坦面である。下面7Hは、基板P(物体)との間で液体LQを保持可能である。以下の説明において、下面7Hを適宜、保持面7H、と称する。
In the present embodiment, each of the upper surface 7U and the
また、液浸部材7は、液体LQを供給可能な供給口15と、液体LQを回収可能な回収口16とを有する。供給口15は、例えば基板Pの露光時において液体LQを供給する。回収口16は、例えば基板Pの露光時において液体LQを回収する。なお、供給口15は、基板Pの露光時及び非露光時の一方又は両方において液体LQを供給可能である。なお、回収口16は、基板Pの露光時及び非露光時の一方又は両方において液体LQを回収可能である。
The
供給口15は、射出面13から射出される露光光ELの光路Kの近傍において、その光路Kに面するように配置されている。なお、供給口15は、射出面13と開口7Kとの間の空間及び終端光学素子12の側面の一方又は両方に面していればよい。本実施形態において、供給口15は、上面7Uと射出面13との間の空間に液体LQを供給する。供給口15から供給された液体LQは、その上面7Uと射出面13との間の空間を流れた後、開口7Kを介して、基板P(物体)上に供給される。
The
供給口15は、流路17を介して、液体供給装置(第1液体供給装置)18と接続されている。液体供給装置18は、清浄で温度調整された液体LQを送出可能である。この液体供給装置18は、露光装置EXに備えられていてもよいし、露光装置EX外の例えばクリーンルームに備えられていてもよい。流路17は、液浸部材7の内部に形成された供給流路17R、及びその供給流路17Rと液体供給装置18とを接続する供給管で形成される流路を含む。液体供給装置18から送出された液体LQは、流路17を介して供給口15に供給される。少なくとも基板Pの露光において、供給口15は、液体LQを供給する。
The
回収口16は、液浸部材7の下面14と対向する物体上の液体LQの少なくとも一部を回収可能である。回収口16は、露光光ELが通過する開口7Kの周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態においては、回収口16は、保持面7Hの周囲の少なくとも一部に配置される。回収口16は、物体の表面と対向する液浸部材7の所定位置に配置されている。少なくとも基板Pの露光において、回収口16に基板Pが対向する。基板Pの露光において、回収口16は、基板P上の液体LQを回収する。
The
本実施形態において、本体部72は、基板P(物体)に面する開口7Pを有する。開口7Pは、保持面7Hの周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、液浸部材7は、開口7Pに配置された多孔部材19を有する。本実施形態において、多孔部材19は、複数の孔(openingsあるいはpores)を含むプレート状の部材である。なお、開口7Pに、網目状に多数の小さい孔が形成された多孔部材であるメッシュフィルタが配置されてもよい。
In the present embodiment, the
本実施形態において、多孔部材19は、基板P(物体)が対向可能な下面19Hと、下面19Hの反対方向を向く上面19Uと、上面19Uと下面19Hとを結ぶ複数の孔とを有する。下面19Hは、保持面7Hの周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、液浸部材7の下面14の少なくとも一部は、保持面7H及び下面19Hを含む。
In the present embodiment, the
本実施形態において、回収口16は、多孔部材19の孔を含む。本実施形態において、基板P(物体)上の液体LQは、多孔部材19の孔(回収口16)を介して回収される。なお、多孔部材19が配置されなくてもよい。
In the present embodiment, the
回収口16は、流路20を介して、液体回収装置21と接続されている。液体回収装置21は、例えば露光装置EX外に備えられた真空システムに回収口16を接続可能であり、回収口16を介して液体LQを吸引可能である。なお、この液体回収装置21は、露光装置EXに備えられていてもよいし、露光装置EX外の例えばクリーンルームに備えられてもよい。流路20は、液浸部材7の内部に形成された回収流路20R、及びその回収流路20Rと液体回収装置21とを接続する回収管で形成される流路を含む。回収口16から回収された液体LQは、流路20を介して、液体回収装置21に回収される。
The
本実施形態においては、制御装置8は、供給口15からの液体LQの供給動作と並行して、回収口16からの液体LQの回収動作を実行することによって、一方側の終端光学素子12及び液浸部材7と、他方側の物体との間に液体LQで液浸空間LSを形成可能である。
In the present embodiment, the
なお、液浸部材7として、例えば米国特許出願公開第2007/0132976号明細書、欧州特許出願公開第1768170号明細書に開示されているような液浸部材(ノズル部材)を用いることができる。
As the
図2及び図3に示すように、本実施形態において、基板ステージ2は、基板(物体)Pとカバー部材(部材)T(基板ステージ2)との間の間隙(ギャップ)Gaに通じる空間部23を有する。空間部23は、間隙Gaの下方に位置する。間隙Gaは、互いに対向する、第1保持部31に保持された基板Pの側面Pcと、第2保持部32に保持されたカバー部材Tの内面Tcとの間に形成される。
As shown in FIGS. 2 and 3, in the present embodiment, the
空間部23には、多孔部材80が配置されている。本実施形態において、多孔部材80は、射出面13及び下面14の少なくとも一方が対向可能な上面80Aを有する。上面80Aは、基板P及びカバー部材Tよりも下方(−Z側)に位置して配置される。本実施形態において、多孔部材80は、例えばチタン製である。多孔部材80は、例えば焼結法により形成可能である。本実施形態において、間隙Gaに流入する液体LQの少なくとも一部は、多孔部材80を介して回収される。
A
本実施形態において、多孔部材80は、ケース81に支持されている。ケース81は、空間部23に配置される。本実施形態において、ケース81は、例えばセラミック製であるが、金属製でもよい。なお、ケース81を用いずに多孔部材80が空間部23に直接配置されていてもよい。
In the present embodiment, the
また、本実施形態において、多孔部材80及びケース81とカバー部材Tとの間に、支持部材82が配置される。支持部材82は、多孔部材80及びケース81の少なくとも一部に支持される。支持部材82は、カバー部材Tの下面Tbの少なくとも一部と対向可能である。支持部材82は、カバー部材Tの下面Tbの少なくとも一部を支持する。なお、支持部材82を用いずにこれを省略してもよい。
Further, in the present embodiment, the
本実施形態において、基板ステージ2は、空間部23に配置される吸引口24を有する。本実施形態において、吸引口24は、空間部23を形成する基板ステージ2の内面の少なくとも一部に形成されている。吸引口24は、空間部23が負圧になるように、空間部23の流体の少なくとも一部を吸引する。吸引口24は、空間部23の液体及び気体の一方又は両方を吸引可能である。
In the present embodiment, the
吸引口24は、流路25を介して、流体吸引装置26と接続されている。流体吸引装置26は、吸引口24を真空システムに接続可能であり、吸引口24を介して液体及び気体の一方又は両方を吸引可能である。また、流体吸引装置26は、図示しない流量計を備えていてもよく、吸引した流体(液体)の量をこの流量計により計測してもよい。流路25の少なくとも一部は、基板ステージ2の内部に形成される。吸引口24から吸引された流体(液体及び気体の少なくとも一方)は、流路25を介して、流体吸引装置26に吸引される。なお、流体吸引装置26は、露光装置EXに備えられてもよいし、露光装置EX外の例えばクリーンルームに備えられていてもよい。
The
本実施形態において、ケース81は、ケース81の外面と内面とを結ぶ孔(開口)81Hを有する。孔81Hの上端の開口83は、多孔部材80の下面に臨んでいる。孔81Hの下端の開口は、吸引口24と結ばれる。吸引口24は、ケース81の内側の空間が負圧になるように、そのケース81の内側の空間の流体を、孔81Hを介して吸引可能である。
In the present embodiment, the
本実施形態において、基板ステージ2には、間隙Ga内に液体を供給する液体供給装置(第2液体供給装置)50の流路51が配置されている。流路51は、一端が供給口51aとして空間部23に臨んで開口し、他端側で液体供給装置50に接続されている。液体供給装置50は制御装置8の制御により、流路51を介して液体を空間部23に供給する。なお、本実施形態においては、液体供給装置50から供給する液体は、上述した液体LQと同じ水(純水)を用いている。
In the present embodiment, the
本実施形態において、第1保持部31は、例えばピンチャック機構を有する。第1保持部31は、基板ステージ2の支持面31Sに配置され、基板Pの下面Pbが対向可能な周壁部35と、周壁部35の内側の支持面31Sに配置され、複数のピン部材を含む支持部36と、支持面31Sに配置され、流体を吸引する吸引口37とを有する。吸引口37は、流体吸引装置と接続される。流体吸引装置は、制御装置8に制御される。周壁部35の上面は、基板Pの下面Pbと対向可能である。周壁部35は、基板Pの下面Pbとの間の少なくとも一部に負圧空間を形成可能である。なお、支持面31において、周壁部35は実質的に円形であり、前述、及び後述の説明において、第1保持部31の中心は、周壁部35の中心である。なお、本実施形態においては、XY平面内において、周壁部35は、実質的に円形(円環状)である。制御装置8は、基板Pの下面Pbと周壁部35の上面とが接触された状態で、吸引口37の吸引動作を実行することによって、周壁部35と基板Pの下面Pbと支持面31Sとで形成される空間31Hを負圧にすることができる。これにより、基板Pが第1保持部31に保持される。また、吸引口37の吸引動作が解除されることによって、基板Pは第1保持部31から解放される。
In the present embodiment, the
本実施形態においては、空間31Hを負圧にすることにより、基板Pの下面が支持部36(複数のピン部材)の上端に保持される。すなわち、支持部36(複数のピン部材)の上端によって基板Pを保持する保持面36Sの少なくとも一部が規定されている。
In the present embodiment, the lower surface of the substrate P is held at the upper end of the support portion 36 (a plurality of pin members) by applying a negative pressure to the
本実施形態において、第2保持部32は、例えばピンチャック機構を有する。第2保持部32は、基板ステージ2の支持面32Sにおいて周壁部35を囲むように配置され、カバー部材Tの下面Tbが対向可能な周壁部38と、支持面32Sにおいて周壁部38を囲むように配置され、カバー部材Tの下面Tbが対向可能な周壁部39と、周壁部38と周壁部39との間の支持面32Sに配置され、複数のピン部材を含む支持部40と、支持面32Sに配置され、流体を吸引する吸引口41とを有する。吸引口41は、流体吸引装置と接続される。流体吸引装置は、制御装置8に制御される。周壁部38、39の上面は、カバー部材Tの下面Tbと対向可能である。周壁部38、39は、カバー部材Tの下面Tbとの間の少なくとも一部に負圧空間を形成可能である。制御装置8は、カバー部材Tの下面Tbと周壁部38、39の上面とが接触された状態で、吸引口41の吸引動作を実行することによって、周壁部38と周壁部39とカバー部材Tの下面Tbと支持面32Sとで形成される空間32Hを負圧にすることができる。これにより、カバー部材Tが第2保持部32に保持される。また、吸引口41の吸引動作が解除されることによって、カバー部材Tは第2保持部32から解放される。
In the present embodiment, the
空間部23は、周壁部35の周囲の空間を含む。本実施形態において、空間部23は、周壁部35と周壁部38との間の空間を含む。
The
また、図4に示すように、基板ステージ2は、ヒータHT1、HT2、温度センサTS1、TS2を備えている。ヒータHT1は、主として、第1保持部31を加熱するものであって、XY平面に関して、基板Pの外周部近傍の位置に、周方向に間隔をあけて複数(図4では6つ)配置されている。各ヒータHT1の動作(加熱・加熱解除)は制御装置8に制御される。
Further, as shown in FIG. 4, the
ヒータHT2は、主として、第2保持部32を加熱するものであって、XY平面に関して、カバー部材Tの端縁に沿って矩形状に配置されている。各ヒータHT2の動作(加熱・加熱解除)は制御装置8に制御される。
The heater HT2 mainly heats the second holding
温度センサTS1は、第1保持部31の温度を計測し、計測結果を制御装置8に出力するものであり、XY平面に関して、各ヒータHT1の周方向の中央部近傍に配置されている。温度センサTS2は、第2保持部32の温度を計測し、計測結果を制御装置8に出力するものであり、XY平面に関して、矩形状のヒータHT2のコーナー部及び辺の中央部の位置に配置されている。
The temperature sensor TS1 measures the temperature of the
次に、露光装置EXの動作の一例について、図3乃至図5を参照して説明する。図5は、基板ステージ2における時間と温度との関係を示す図である。
Next, an example of the operation of the exposure apparatus EX will be described with reference to FIGS. 3 to 5. FIG. 5 is a diagram showing the relationship between time and temperature in the
第1保持部31に保持されている基板Pを露光するために、制御装置8は、予め温度センサTS1、TS2による温度計測結果に基づいて、ヒータHT1、HT2の動作を制御して第1保持部31及び第2保持部32の温度を所定温度T1(図5参照)に制御する。そして、制御装置8は、基板ステージ2を露光位置に移動して、終端光学素子12及び液浸部材7と基板ステージ2(基板P)との間に液体LQで液浸空間LSが形成された後、制御装置8は、基板Pの露光処理を開始する。
In order to expose the substrate P held in the
本実施形態の露光装置EXは、マスクMと基板Pとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクMのパターンの像を基板Pに投影する走査型露光装置(所謂スキャニングステッパ)である。本実施形態においては、基板Pの走査方向(同期移動方向)をY軸方向とし、マスクMの走査方向(同期移動方向)もY軸方向とする。制御装置8は、基板Pを投影光学系PLの投影領域PRに対してY軸方向に移動するとともに、その基板PのY軸方向への移動と同期して、照明系ILの照明領域IRに対してマスクMをY軸方向に移動しつつ、投影光学系PLと基板P上の液浸空間LSの液体LQとを介して基板Pに露光光ELを照射する。これにより、基板Pが液体LQを介して露光光ELで露光され、マスクMのパターンの像が投影光学系PL及び液体LQを介して基板Pに投影される。
The exposure apparatus EX of this embodiment is a scanning exposure apparatus (so-called scanning stepper) which projects an image of a pattern of the mask M onto the substrate P while synchronously moving the mask M and the substrate P in a predetermined scanning direction. In the present embodiment, the scanning direction (synchronous movement direction) of the substrate P is taken as the Y-axis direction, and the scanning direction (synchronous movement direction) of the mask M is also taken as the Y-axis direction. The
図4に示すように、本実施形態においては、基板P上に露光対象領域であるショット領域Sがマトリクス状に複数配置されている。制御装置8は、基板P上に定められた複数のショット領域Sを順次露光する。
As shown in FIG. 4, in the present embodiment, a plurality of shot areas S which are exposure target areas are arranged in a matrix on the substrate P. The
基板Pのショット領域Sを露光するとき、終端光学素子12及び液浸部材7と基板Pとが対向され、終端光学素子12と基板Pとの間の露光光ELの光路Kが液体LQで満たされるように液浸空間LSが形成される。基板Pの複数のショット領域Sを順次露光するとき、終端光学素子12及び液浸部材7と基板Pの上面Pa及び基板ステージ2の上面2Uの少なくとも一方との間に液体LQで液浸空間LSが形成されている状態で、駆動システム5によって基板ステージ2がXY平面内において移動される。制御装置8は、終端光学素子12及び液浸部材7と基板Pの上面Pa及び基板ステージ2の上面2Uの少なくとも一方との間に液体LQで液浸空間LSが形成されている状態で、基板ステージ2を移動しながら、基板Pの露光を実行する。
When the shot area S of the substrate P is exposed, the terminal
例えば基板P上の複数のショット領域Sのうち最初のショット領域Sを露光するために、制御装置8は、その第1のショット領域Sを露光開始位置に移動する。制御装置8は、液浸空間LSが形成された状態で、第1のショット領域S(基板P)を投影光学系PLの投影領域PRに対してY軸方向に移動しながら、その第1のショット領域Sに対して露光光ELを照射する。
For example, in order to expose the first shot area S among the plurality of shot areas S on the substrate P, the
第1のショット領域Sの露光が終了した後、次の第2のショット領域Sを露光するために、制御装置8は、液浸空間LSが形成された状態で、基板PをX軸方向(あるいはXY平面内においてX軸方向に対して傾斜する方向)に移動し、第2のショット領域Sを露光開始位置に移動する。制御装置8は、第1のショット領域Sと同様に、第2のショット領域Sを露光する。
After the exposure of the first shot area S is completed, the
制御装置8は、投影領域PRに対してショット領域SをY軸方向に移動しながらそのショット領域Sに露光光ELを照射する動作(スキャン露光動作)と、そのショット領域Sの露光が終了した後、次のショット領域Sを露光開始位置に移動するための動作(ステッピング動作)とを繰り返しながら、基板P上の複数のショット領域Sを、投影光学系PL及び液浸空間LSの液体LQを介して順次露光する。基板Pの複数のショット領域Sに対して露光光ELが順次照射される。
The
本実施形態において、制御装置8は、投影光学系PLの投影領域PRと基板Pとが、図4中、矢印R1に示す移動軌跡に沿って相対的に移動するように基板ステージ2を移動しつつ投影領域PRに露光光ELを照射して、液体LQを介して基板Pの複数のショット領域Sを露光光ELで順次露光する。基板Pの露光における基板ステージ2の移動中の少なくとも一部において、液浸空間LSは、間隙Ga上に形成される。
In the present embodiment, the
このとき、間隙Gaには、図3に示すように、液体供給装置18から供給された液体LQが流入する。間隙Gaに流入した液体LQは、流体吸引装置26の作動による負圧吸引力で多孔部材80の孔を介して吸引され、吸引口24、孔81H及び流路25を介して吸引・回収される。ここで、間隙Gaに流入する液体LQの量は、例えば、基板Pの表面Paや側面Pcにおける撥液特性等によって変動する可能性がある。
At this time, as shown in FIG. 3, the liquid LQ supplied from the
例えば、図6に示すように、間隙Gaに流入する液体LQの量が、図3に示した液体LQの量よりも少ない場合には、液体LQの気化熱も少なくなることにより、図5にグラフG1で示すように、時間の経過とともに、駆動システム5の発熱等により基板ステージ2の温度が所定温度T1よりも高くなる可能性がある。逆に、間隙Gaに流入する液体LQの量が多い場合には、液体LQの気化熱も多くなることにより、図5にグラフG2で示すように、時間の経過とともに、駆動システム5の発熱等があっても基板ステージ2の温度が所定温度T1よりも低くなる可能性がある。このように、基板ステージ2に温度変動が生じた場合には、基板Pの熱変形に伴って基板Pにおけるショット領域Sの位置、大きさ等に誤差が生じたり、基板ステージ2に計測機器が設けられる場合には、計測精度が低下して露光不良となる可能性がある。
For example, as shown in FIG. 6, when the amount of the liquid LQ flowing into the gap Ga is smaller than the amount of the liquid LQ shown in FIG. 3, the heat of vaporization of the liquid LQ also decreases. As shown by the graph G1, the temperature of the
そのため、本実施形態では、制御装置8が液体供給装置50を制御し、図6に示すように、間隙Gaを介して流入する液体の量の変動に追従させて、流路51を介して間隙Ga(空間部23)に液体を供給させる。換言すれば、制御装置8は、液浸空間LSから間隙Gaに流入する液体の量の変動を相殺するように、流路51を介して間隙Ga(空間部23)に液体供給装置50から液体を供給する。
具体的には、制御装置8は以下に示すような方法で間隙Gaにおける液体の量の変動を減らす。
Therefore, in the present embodiment, the
Specifically, the
(液体回収量に応じた液体供給)
流体吸引装置26の作動により、間隙Gaにおける液体を吸引して回収するとともに回収した液体の量を第1センサーで検出し、第1センサーで検出した液体の量が、予め設定した範囲から外れた場合に、第1センサーで検出した液体の量が設定した範囲内となる量を液体供給装置50により供給させる。第1センサーとしては、例えば上述した流体吸引装置26に設けられる流量計が例示できる。この場合、制御装置8は、流体吸引装置26の動作と液体供給装置50の動作とを同期制御して、間隙Gaにおける液体のうち、例えば液体供給装置50からの液体の量が、液浸空間LSから間隙Gaへ流入する液体の量よりも相対的に多くすることにより、基板Pの表面Paを経て間隙Gaに流入する液体供給装置18からの液体に含まれる異物等の悪影響を抑制できる。
(Liquid supply according to the liquid recovery amount)
By the operation of the
(回収した液体の温度に応じた液体供給)
流体吸引装置26の作動により、間隙Gaにおける液体を吸引して回収するとともに回収した液体の温度を第2センサーで検出し、第2センサーで検出した液体の温度が、予め設定した範囲から外れた場合に、間隙Gaにおける液体の量が変動して基板ステージ2の温度変動が生じた可能性があるため、第2センサーで検出した液体の温度が設定した範囲内となる量を液体供給装置50により供給させる。この場合についても、制御装置8は、流体吸引装置26の動作と液体供給装置50の動作とを同期制御して、間隙Gaにおける液体のうち、液体供給装置50からの液体の量が、液浸空間LSから間隙Gaへ流入する液体の量よりも相対的に多くすることにより、基板Pの表面Paを経て間隙Gaに流入する液体供給装置18からの液体に含まれる異物等の悪影響を抑制できる。なお、上記各例において、流体吸引装置26による液体回収(吸引)量が一定となるのであれば、必ずしも液体供給装置50からの液体の量を、液浸空間LSから間隙Gaに流入する液体の量よりも相対的に多くしなくともよい。
(Liquid supply according to the temperature of the collected liquid)
By the operation of the
また、上記液体供給装置50による液体の供給では、液体の蒸発に伴う気化熱を調整しているが、例えば、液体供給装置50が供給する液体の温度を調整する温調装置を設け、間隙Gaにおける液体の温度が設定した範囲内となるように温度調整された液体が液体供給装置50から供給される構成とすることで、短時間での液温調整を可能とすることもできる。なお、回収した液体の温度に応じた液体供給装置50による液体供給と、先に説明した液体回収量に応じた液体供給装置50による液体供給とを併用してもよいことは言うまでもない。
In the liquid supply by the
(基板ステージ2の温度に応じた液体供給)
温度センサTS1、TS2の少なくとも一方の計測結果が予め設定した範囲から外れた場合には、液浸空間LSから間隙Gaに流入する液体の量が変動して基板ステージ2の温度変動が生じたと推定できる。よって、制御装置8は、温度センサTS1、TS2で計測される温度が設定した範囲内となるように、液体供給装置50により供給口51aから空間部23へ液体を供給させるように制御する。
(Liquid supply according to the temperature of substrate stage 2)
If the measurement result of at least one of the temperature sensors TS1 and TS2 deviates from the preset range, it is estimated that the amount of the liquid flowing into the gap Ga from the immersion space LS fluctuates to cause the temperature fluctuation of the
(露光条件に応じた液体供給)
基板Pの露光条件によっては、例えば、上述した各種センサーを用いない場合でも、液浸空間LSから間隙Ga内に流入する液体の量を推定することが可能である。そのため、露光条件に応じて液体供給装置50から供給する液体の量を調整することも可能である。この種の露光条件としては、例えば、基板Pの形状、基板Pの液体に対する撥液性、基板ステージ2の移動条件等が挙げられる。
(Liquid supply according to exposure conditions)
Depending on the exposure condition of the substrate P, for example, even when the various sensors described above are not used, it is possible to estimate the amount of liquid flowing from the immersion space LS into the gap Ga. Therefore, it is also possible to adjust the amount of liquid supplied from the
基板Pの形状として、例えば、円形の基板Pの真円度によって間隙Gaの幅が変動することが既知である場合には、予め推定される間隙Ga内に流入する液体の量の変動による間隙Ga内の液体量の変動を減らすように、上述した方法で液体供給装置50から液体を供給する。同様に、基板Pの液体に対する撥液性についても、撥液性にばらつきがある場合には、間隙Ga内に流入する液体の量が変動する。そのため、基板Pの撥液性のばらつき度合いが既知である場合には、予め推定される間隙Ga内に流入する液体の量の変動による間隙Ga内の液体量の変動を減らすように、上述した方法で液体供給装置50から液体を供給すればよい。
When it is known that the width of the gap Ga varies as the shape of the substrate P, for example, due to the circularity of the circular substrate P, the gap due to the variation of the amount of liquid flowing into the gap Ga estimated in advance The liquid is supplied from the
また、基板ステージ2の移動条件については、上述したように、液浸空間LSが間隙Gaを跨ぐように基板ステージ2が移動する場合と、間隙Gaを跨がずに基板ステージ2が移動する場合とでは間隙Ga内に流入する液体の量が変動する可能性がある。この場合、制御装置8は予め設定されているショット領域Sの分布及び露光順序に基づき、予め推定される間隙Ga内に流入する液体の量の変動による間隙Ga内の液体量の変動を減らすように、上述した方法で液体供給装置50から液体を供給すればよい。例えば、液浸空間LSが間隙Gaを跨いた状態で露光処理が行われる際には、液体供給装置50から供給する液体の量を減らし(または液体供給を停止し)、液浸空間LSが間隙Gaを跨がない状態で露光処理が行われる際には、液体供給装置50から供給する液体の量を増やすように供給量を調整してもよい。
Further, as described above, the movement condition of the
上述した液体供給装置50から液体を供給するタイミングとしては、例えば、基板P毎に実施することができる。この場合、基板Pに対する露光処理前、あるいは露光処理後に液体を供給することにより、露光処理中に実施した場合の振動等の悪影響を排除することが可能となる。また、予め設定された数の基板Pを露光するたびに、液体供給装置50から供給する液体の量を調整することで、液体供給装置18から間隙Gaに流入する液体の量が変動する場合でも、間隙Gaにおける液体の量の変動をより高精度に管理することができる。または、液体供給装置50から常時一定量の液体を供給しつつ、上述した変動があった場合に当該変動を抑制するように液体供給装置50からの液体供給量を変化させてもよい。
The timing at which the liquid is supplied from the
以上説明したように、本実施形態では、液体供給装置50から間隙Gaに液体を供給することにより、間隙Gaにおける液体の量の変動に起因して基板ステージ2に生じる温度変動を抑制するころができる。従って、本実施形態では、基板ステージ2の温度変動に伴う露光不良の発生を抑えることが可能となる。
As described above, in the present embodiment, by supplying the liquid from the
<第2実施形態>
次に、露光装置EXの第2実施形態について説明する。
第2実施形態では、液体回収装置21の液体回収量に基づいて、液体供給装置50からの液体供給量を調整する。
Second Embodiment
Next, a second embodiment of the exposure apparatus EX will be described.
In the second embodiment, the liquid supply amount from the
液体回収装置21は、液浸部材7により液浸空間LSから回収される液体の量を計測する流量計を備えている。この液体回収装置21の流量計の値は、液浸空間LSから間隙Gaに流入する液体の量により変動する。すなわち、液体回収装置21の流量計によって計測される液体回収量が増加した場合は、液浸空間LSから間隙Gaに流入する液体の量が少なくなったと推定できる。
The liquid recovery device 21 includes a flow meter that measures the amount of liquid recovered from the liquid immersion space LS by the
よって、本実施形態では、例えば液体回収装置21の流量計の値が増加したときに、液体供給装置50から空間部23へ液体の供給を開始するように制御する。なお、液体供給装置50から一定量の液体を常時供給している場合には、その供給量を増加させてもよい。
これにより、空間部23から流体吸引装置26へ吸引される流体(液体)の量を調整することができ、上述した気化熱の変動を抑制することができる。
Therefore, in the present embodiment, for example, when the value of the flow meter of the liquid recovery device 21 is increased, the
Thus, the amount of fluid (liquid) sucked from the
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。 Although the preferred embodiments according to the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, it goes without saying that the present invention is not limited to such examples. The shapes, combinations, and the like of the constituent members shown in the above-described example are merely examples, and various changes can be made based on design requirements and the like without departing from the spirit of the present invention.
例えば、上記実施形態では、間隙Gaにおける液体の量を調整することにより、基板ステージ2の温度を調整する構成について説明したが、これに限定されるものではなく、上述した液体の供給処理と、ヒータHT1、HT2による加熱処理を組み合わせて基板ステージ2の温度調整を行う構成としてもよい。
For example, in the above embodiment, the configuration of adjusting the temperature of the
また、基板の非露光時には、液体供給装置50の供給口51aからクリーニング液体を供給してもよい。これにより多孔部材80および空間部23のクリーニングを行なうことができる。クリーニング液体としては、例えばエタノール、イソプロピルアルコール(IPA)、及びペンタノールの少なくとも一つを含んでもよい。または、クリーニング液体として、アルカリ性液体、例えば水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH:tetramethylammonium hydroxide)を含んでもよい。なお、クリーニング液体として、酸性液体を用いてもよい。例えば、液体LCが、過酸化水素を含んでもよい。例えば、液体LCとして、過酸化水素水溶液(過酸化水素水)を用いてもよい。
When the substrate is not exposed, the cleaning liquid may be supplied from the
また、上記実施形態では、間隙Gaとして基板Pとカバー部材Tとの間に形成される構成を例示したが、これに限定されるものではなく、例えば、図7に示すように、基板ステージ2における物体としてのカバー部材Tの周囲に間隙Gmをあけて部材としてのスケール部材(計測部材)GTが設けられ、スケール部材GTを用いてその基板ステージ2の位置を計測するエンコーダシステムが用いられる場合には、間隙Gmに残留する液体LQの量を、上記実施形態と同様に調整することも可能である。この場合の間隙Gmは、スケール部材GTのエッジ部Eggと、カバー部材Tのエッジ部Egとの間に形成される。
なお、このようなエンコーダシステムは、例えば米国特許出願公開第2007/0288121号明細書に開示されている。
Further, in the above embodiment, the configuration formed between the substrate P and the cover member T has been illustrated as the gap Ga. However, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. When a scale member (measurement member) GT as a member is provided by opening a gap Gm around the cover member T as an object in the case, and an encoder system for measuring the position of the
Such an encoder system is disclosed, for example, in US Patent Application Publication No. 2007/0288121.
また、基板ステージ2の他に、図7に示されるように、計測ステージ3において、露光光ELを計測するための計測部材(計測器)Cとカバー部材Qとの間に形成される間隙Gnに残留する液体LQの量を、上記実施形態と同様に調整することも可能である。この場合の間隙Gnは、カバー部材Qのエッジ部Egqと、計測部材Cのエッジ部Egcとの間に形成される。さらに、露光処理から計測処理への移行時、あるいは計測処理から露光処理への移行時に、基板ステージ2と計測ステージ3とが近接した状態を維持したまま、液浸空間LSが基板ステージ2上と計測ステージ3上との間を相対移動する際に、これら基板ステージ2と計測ステージ3との間の間隙に残留する液体LQを、上記実施形態と同様に調整することも可能である。
In addition to the
なお、上述の各実施形態においては、投影光学系PLの終端光学素子12の射出側(像面側)の光路Kが液体LQで満たされているが、投影光学系PLが、例えば国際公開第2004/019128号パンフレットに開示されているような、終端光学素子12の入射側(物体面側)の光路も液体LQで満たされる投影光学系でもよい。
In each of the above-described embodiments, the light path K on the emission side (image plane side) of the last
なお、上述の各実施形態においては、露光用の液体LQとして水を用いているが、水以外の液体であってもよい。液体LQとしては、露光光ELに対して透過性であり、露光光ELに対して高い屈折率を有し、投影光学系PLあるいは基板Pの表面を形成する感光材(フォトレジスト)などの膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体LQとして、ハイドロフロロエーテル(HFE)、過フッ化ポリエーテル(PFPE)、フォンブリンオイル等を用いることも可能である。また、液体LQとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。 In each of the above-described embodiments, water is used as the liquid LQ for exposure, but a liquid other than water may be used. The liquid LQ is transparent to the exposure light EL, has a high refractive index to the exposure light EL, and is a film such as a photosensitive material (photoresist) that forms the surface of the projection optical system PL or the substrate P Those stable against are preferred. For example, as liquid LQ, it is also possible to use hydrofluoroether (HFE), perfluorinated polyether (PFPE), fomblin oil, and the like. Moreover, it is also possible to use various fluids, for example, a supercritical fluid, as the liquid LQ.
なお、上述の各実施形態の基板Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用される。 As the substrate P in each of the above-described embodiments, not only a semiconductor wafer for manufacturing a semiconductor device, but also a glass substrate for a display device, a ceramic wafer for a thin film magnetic head, or an original plate of a mask or reticle used in an exposure apparatus. (Synthetic quartz, silicon wafer) or the like is applied.
露光装置EXとしては、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置(スキャニングステッパ)の他に、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパ)にも適用することができる。 As the exposure apparatus EX, in addition to a step-and-scan type scanning exposure apparatus (scanning stepper) that synchronously moves the mask M and the substrate P to scan and expose the pattern of the mask M, the mask M and the substrate P It is possible to apply the present invention to a step-and-repeat type projection exposure apparatus (stepper) in which the pattern of the mask M is collectively exposed in a stationary state and the substrate P is sequentially moved stepwise.
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第1パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第1パターンの縮小像を基板P上に転写した後、第2パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第2パターンの縮小像を第1パターンと部分的に重ねて基板P上に一括露光してもよい(スティッチ方式の一括露光装置)。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板P上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Pを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。 Furthermore, in the step-and-repeat type exposure, after the reduced image of the first pattern is transferred onto the substrate P using the projection optical system in a state where the first pattern and the substrate P are substantially stationary, the second pattern And the substrate P in a substantially stationary state, the reduced image of the second pattern may be partially overlapped with the first pattern using the projection optical system, and may be collectively exposed on the substrate P (Stitch-type collective exposure apparatus ). Further, as a stitch type exposure apparatus, it is also applicable to a step-and-stitch type exposure apparatus in which at least two patterns are partially overlapped and transferred on the substrate P and the substrate P is sequentially moved.
また、例えば米国特許第6611316号明細書に開示されているように、2つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、1回の走査露光によって基板上の1つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。 Also, as disclosed in, for example, US Pat. No. 6,611,316, patterns of two masks are synthesized on a substrate through projection optics, and one shot area on the substrate by one scanning exposure. The present invention can also be applied to an exposure apparatus and the like which double-exposures substantially simultaneously. The present invention can also be applied to a proximity type exposure apparatus, a mirror projection aligner, and the like.
また、本発明は、米国特許第6341007号明細書、米国特許第6208407号明細書、米国特許第6262796号明細書等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。例えば、図8に示すように、露光装置EXが2つの基板ステージ2001、2002を備えてもよい。その場合、射出面13と対向するように配置可能な物体は、一方の基板ステージ、その一方の基板ステージに保持された基板、他方の基板ステージ、及びその他方の基板ステージに保持された基板の少なくとも一つを含む。
Further, the present invention is a twin-stage type exposure including a plurality of substrate stages as disclosed in US Pat. Nos. 6,341,007, 6,208,407, and 6,262,796. It can be applied to the device. For example, as shown in FIG. 8, the exposure apparatus EX may include two
また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。 The present invention can also be applied to an exposure apparatus provided with a plurality of substrate stages and measurement stages.
露光装置EXの種類としては、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)、マイクロマシン、MEMS、DNAチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。 The type of the exposure apparatus EX is not limited to the exposure apparatus for semiconductor element production which exposes the semiconductor element pattern to the substrate P, and an exposure apparatus for liquid crystal display element production or display production, thin film magnetic head, imaging element (CCD The present invention can be widely applied to an exposure apparatus for manufacturing a micromachine, a MEMS, a DNA chip, or a reticle or a mask.
なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン(又は位相パターン・減光パターン)を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第6778257号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク(電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる)を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。 In the above embodiment, a light transmission type mask in which a predetermined light shielding pattern (or a phase pattern / light reduction pattern) is formed on a light transmitting substrate is used. Instead of this mask, for example, US Pat. As disclosed in US Pat. No. 6778257, a variable-shaped mask (also called an electronic mask, an active mask, or an image generator) that forms a transmission pattern or a reflection pattern or a light emission pattern based on electronic data of a pattern to be exposed ) May be used. Further, instead of the variable molding mask provided with the non-light emitting type image display device, a pattern forming apparatus including a self-light emitting type image display device may be provided.
上述の各実施形態においては、投影光学系PLを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系PLを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。例えば、レンズ等の光学部材と基板との間に液浸空間を形成し、その光学部材を介して、基板に露光光を照射することができる。 In each of the above-described embodiments, the exposure apparatus including the projection optical system PL has been described as an example, but the present invention can be applied to an exposure apparatus and an exposure method that do not use the projection optical system PL. For example, an immersion space can be formed between an optical member such as a lens and a substrate, and the substrate can be irradiated with exposure light through the optical member.
また、例えば国際公開第2001/035168号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板P上に形成することによって、基板P上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置(リソグラフィシステム)にも本発明を適用することができる。 Also, as disclosed in, for example, WO 2001/035168, an exposure apparatus (lithography system) that exposes a line-and-space pattern on a substrate P by forming interference fringes on the substrate P. The present invention can also be applied.
上述の実施形態の露光装置EXは、各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。 The exposure apparatus EX of the above-described embodiment is manufactured by assembling various subsystems including respective components so as to maintain predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy. Before and after this assembly, adjustments to achieve optical accuracy for various optical systems, adjustments to achieve mechanical accuracy for various mechanical systems, and various electrical systems to ensure these various accuracies Adjustments are made to achieve electrical accuracy. The assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus includes mechanical connection, wiring connection of electric circuits, piping connection of pressure circuits, etc. among the various subsystems. It goes without saying that there is an assembly process for each subsystem before the assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus. When the process of assembling the various subsystems into the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed to ensure various accuracies as the entire exposure apparatus. It is desirable that the manufacture of the exposure apparatus be performed in a clean room in which the temperature and the degree of cleanliness are controlled.
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図9に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、上述の実施形態に従って、マスクのパターンからの露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理(露光処理)を含む基板処理ステップ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む)205、検査ステップ206等を経て製造される。
A microdevice such as a semiconductor device is, as shown in FIG. 9, a
なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。 In addition, the requirements of each above-mentioned embodiment can be combined suitably. In addition, some components may not be used. In addition, the disclosures of all of the published publications and US patents related to the exposure apparatus and the like cited in the above-described embodiments and modifications are incorporated as part of the description of the text as far as the laws and regulations permit.
2…基板ステージ(ステージ)、 8…制御装置、 12…終端光学素子(光学部材)、 13…射出面、 18…液体供給装置(第1液体供給装置)、 31…第1保持部、 32…第2保持部、 50…液体供給装置(第2液体供給装置)、 51a…供給口、 80…多孔部材、 DP…ダミー基板(第2の物体、第2液体供給装置)、 EL…露光光、 EX…露光装置、 Ga、Gm、Gn…間隙(ギャップ)、 GT…スケール部材(部材、計測部材)、 LQ…液体、 LS…液浸空間、 P…基板(物体)、 S…ショット領域(露光領域)、 T…カバー部材(部材、規定部材)
Claims (36)
前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、
前記射出面に対向可能な物体とギャップを介して配置される部材を有して前記光学部材下を移動可能なステージと、
前記物体と前記光学部材との間に液体を供給する第1液体供給装置と、
前記ステージに少なくとも一部が配置されて、前記ギャップに液体を供給する第2液体供給装置と、を備える露光装置。 An exposure apparatus for exposing a substrate with exposure light through a liquid, the exposure apparatus comprising:
An optical member having an emission surface from which the exposure light is emitted;
A stage which is movable under the optical member, having an object which can be opposed to the emission surface, and a member which is disposed via a gap;
A first liquid supply device for supplying a liquid between the object and the optical member;
An exposure apparatus comprising: a second liquid supply device at least a part of which is disposed on the stage to supply a liquid to the gap;
請求項1記載の露光装置。 The second liquid supply device supplies liquid to the gap so as to reduce fluctuations in the amount of liquid in the gap including the liquid supplied from the first liquid supply device and flowing into the gap. Exposure apparatus as described.
請求項1または2記載の露光装置。 The exposure apparatus according to claim 1, wherein the second liquid supply device supplies the liquid so as to offset the fluctuation of the amount of the liquid flowing into the gap among the liquids supplied from the first liquid supply device. .
請求項1または2記載の露光装置。 The exposure according to claim 1 or 2, wherein the second liquid supply device supplies the liquid to the gap such that the amount of the liquid from the second liquid supply device among the liquid in the gap is relatively large. apparatus.
前記第2液体供給装置は、前記液体回収装置が回収した液体に基づいて、前記ギャップに供給する液体の量を調整する
請求項1〜4のいずれか一項に記載の露光装置。 A liquid recovery device for recovering the liquid in the gap;
The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the second liquid supply device adjusts the amount of liquid supplied to the gap based on the liquid recovered by the liquid recovery device.
前記第2液体供給装置は、前記第1センサーの検出結果に応じて、前記ギャップに供給する液体の量を調整する
請求項5記載の露光装置。 The liquid recovery device comprises a first sensor for detecting the amount of liquid recovered;
The exposure apparatus according to claim 5, wherein the second liquid supply device adjusts the amount of liquid to be supplied to the gap in accordance with the detection result of the first sensor.
請求項6記載の露光装置。 The exposure apparatus according to claim 6, wherein the second liquid supply device adjusts the amount of liquid supplied to the gap when the amount of liquid detected by the first sensor deviates from a preset range.
前記第2液体供給装置は、前記第2センサーの検出結果に応じて、前記ギャップに供給する液体の量を調整する
請求項5〜7のいずれか一項に記載の露光装置。 The liquid recovery apparatus further includes a second sensor that detects the temperature of the recovered liquid,
The exposure apparatus according to any one of claims 5 to 7, wherein the second liquid supply device adjusts the amount of liquid to be supplied to the gap according to the detection result of the second sensor.
請求項8記載の露光装置。 9. The exposure apparatus according to claim 8, wherein the second liquid supply device adjusts the amount of liquid supplied to the gap when the temperature of the liquid detected by the second sensor deviates from a preset range.
請求項1〜9のいずれか一項に記載の露光装置。 The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 9, wherein the second liquid supply apparatus adjusts the amount of liquid supplied to the gap each time a predetermined number of the substrates are exposed.
請求項1〜10のいずれか一項に記載の露光装置。 The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 10, further comprising: a control device configured to control an amount of liquid supplied to the gap by the second liquid supply device.
請求項11記載の露光装置。 The exposure apparatus according to claim 11, wherein the control device controls the second liquid supply position based on the liquid recovered from the gap.
請求項11または12記載の露光装置。 The exposure apparatus according to claim 11, wherein the control device controls the second liquid supply device based on a result of detecting a temperature of the stage.
請求項11〜13のいずれか一項に記載の露光装置。 The control device controls the second liquid supply device based on an estimation result of estimating the amount of liquid supplied from the first liquid supply device and flowing into the gap. An exposure apparatus according to item 5.
請求項11〜14のいずれか一項に記載の露光装置。 The exposure apparatus according to any one of claims 11 to 14, wherein the control device controls the second liquid supply device based on an exposure condition of the substrate.
請求項15記載の露光装置。 The exposure apparatus according to claim 15, wherein the exposure condition of the substrate includes at least one of the shape of the substrate and the liquid repellency with respect to the liquid.
請求項15または16記載の露光装置。 The exposure apparatus according to claim 15, wherein the exposure condition of the substrate includes a movement condition of the stage.
請求項17記載の露光装置。 The exposure apparatus according to claim 17, wherein the movement condition of the stage is set according to the distribution of the exposure area on the substrate.
請求項1〜18のいずれか一項記載の露光装置。 The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 18, wherein the second liquid supply apparatus supplies the liquid to the gap in at least a part of the exposure of the substrate.
請求項1〜19のいずれか一項に記載の露光装置。 The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 19, wherein the second liquid supply apparatus supplies the liquid to the gap at least one of before and after exposure of the substrate.
請求項1〜20のいずれか一項に記載の露光装置。 The stage according to any one of claims 1 to 20, wherein the liquid supplied from the first liquid supply device moves across the gap at least in part while holding the substrate. Exposure device.
前記ギャップは、前記第1保持部および前記第2保持部との間の空間の少なくとも一部を含む
請求項1〜21のいずれか一項に記載の露光装置。 The stage includes a first holding unit that holds the object, and a second holding unit that holds the member.
The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 21, wherein the gap includes at least a part of a space between the first holding unit and the second holding unit.
前記第2液体供給装置により供給された液体が前記多孔部材と接触する
請求項22記載の露光装置。 The stage comprises a porous member disposed in the gap,
The exposure apparatus according to claim 22, wherein the liquid supplied by the second liquid supply device is in contact with the porous member.
請求項1〜23のいずれか一項に記載の露光装置。 The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 23, wherein the second liquid supply device supplies the liquid to the gap through a supply port provided on the stage facing the gap.
前記第2液体供給装置は、前記基板の代わりに第2の物体を前記ステージに配置することで、前記第1液体供給装置から供給される液体のうち前記ギャップに流入する液体の量を調整する
請求項1〜23のいずれか一項に記載の露光装置。 The object comprises the substrate;
The second liquid supply device arranges a second object on the stage instead of the substrate to adjust the amount of the liquid flowing into the gap among the liquid supplied from the first liquid supply device. The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 23.
請求項25記載の露光装置。 The exposure apparatus according to claim 25, wherein a distance between the member and the second object arranged on the stage is different from a distance between the substrate held by the stage and the member.
請求項25または26記載の露光装置。 The liquid repellency between the portion of the second object disposed on the stage adjacent to the gap and the liquid is determined by the portion of the substrate held on the stage adjacent to the gap and the liquid. 27. The exposure apparatus according to claim 25 different from liquid repellency.
請求項25〜27のいずれか一項に記載の露光装置。 The shape of the portion adjacent to the gap in the second object disposed on the stage is different from the shape of the portion adjacent to the gap in the substrate held on the stage. An exposure apparatus according to any one of the preceding claims.
前記部材は、前記ステージが前記基板を保持する位置を規定する規定部材を含む
請求項1〜28のいずれか一項記載の露光装置。 The object comprises the substrate;
The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 28, wherein the member includes a defining member that defines a position at which the stage holds the substrate.
請求項1〜28のいずれか一項記載の露光装置。 The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 28, wherein the object includes a defining member that defines a position at which the stage holds the substrate.
請求項30記載の露光装置。 The exposure apparatus according to claim 30, wherein the member includes a measurement member for measuring the stage.
請求項30または31記載の露光装置。 The exposure apparatus according to claim 30 or 31, wherein the member includes a measurement member for measuring the exposure light.
露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。 Exposing a substrate using the exposure apparatus according to any one of claims 1 to 32;
Developing the exposed substrate.
前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、前記光学部材に対向する基板との間に第1液体供給装置によって液体を供給することと、
前記射出面に対向可能な物体とギャップを介して部材を配置し、前記部材および前記基板を移動することと、
前記移動する基板と前記光学部材との間の液体を介して前記基板を露光することと、
前記ステージに少なくとも一部を配置した第2液体供給装置によって前記ギャップに液体を供給することと、
を含む露光方法。 An exposure method for exposing a substrate with exposure light through a liquid, comprising:
Supplying a liquid by a first liquid supply device between an optical member having an emission surface from which the exposure light is emitted, and a substrate facing the optical member;
Placing a member through an object and a gap that can be opposed to the emission surface, and moving the member and the substrate;
Exposing the substrate through the liquid between the moving substrate and the optical member;
Supplying a liquid to the gap by a second liquid supply device at least partially disposed on the stage;
Exposure method.
露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。 Exposing the substrate using the exposure method according to claim 34 or 35;
Developing the exposed substrate.
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