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JP2019050460A - Laminate type electronic component - Google Patents

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JP2019050460A
JP2019050460A JP2017172643A JP2017172643A JP2019050460A JP 2019050460 A JP2019050460 A JP 2019050460A JP 2017172643 A JP2017172643 A JP 2017172643A JP 2017172643 A JP2017172643 A JP 2017172643A JP 2019050460 A JP2019050460 A JP 2019050460A
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Japan
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inductor
output terminal
capacitor
electronic component
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JP2017172643A
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圭佑 吉田
Keisuke Yoshida
圭佑 吉田
哲三 後藤
Tetsuzo Goto
哲三 後藤
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TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
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Abstract

To achieve a compact laminate type electronic component including a bandpass filter and a balun without worsening a property.SOLUTION: A laminate type electronic component 1 comprises a laminate 30 in which dielectric layers and conductor layers are laminated; and a bandpass filter 10 and a balun 20 which are configured by using the laminate 30. The bandpass filter 10 includes a plurality of resonators R1, R2, R3 and R4. The balun 20 includes a plurality of inductors L11, L12, L21 and L22, and a plurality of capacitors C11, C21 and C22. The laminate 30 includes a ground conductor layer 331 disposed in a position closer to a bottom face 30A of the laminate 30 in comparison to the plurality of inductors. There is no ground conductor layer over the plurality of inductors. The plurality of capacitors are disposed between the plurality of inductors and the ground conductor layer 331 in a lamination direction of the plurality of dielectric layers.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明は、バンドパスフィルタとバランを含む積層型電子部品に関する。   The present invention relates to a multilayer electronic component including a band pass filter and a balun.

携帯電話機やスマートフォンに代表される小型移動体通信機器、テレビジョン放送用通信機器、無線LAN通信機器等の通信機器に使用され得る電子部品の1つとして、バンドパスフィルタがある。通信機器では、不平衡信号を扱うバンドパスフィルタに対して、平衡信号を扱う回路を接続したい場合がある。この場合、一般的には、バンドパスフィルタと、平衡信号を扱う回路の間に、不平衡信号と平衡信号との間の変換を行うバランが設けられる。   There is a band pass filter as one of the electronic components that can be used for communication devices such as a small mobile communication device represented by a cellular phone and a smartphone, a communication device for television broadcasting, a wireless LAN communication device and the like. In communication devices, there are cases where it is desirable to connect a circuit that handles balanced signals to a band pass filter that handles unbalanced signals. In this case, a balun is generally provided between the band pass filter and the circuit handling the balanced signal to perform conversion between the unbalanced signal and the balanced signal.

一方、特に小型移動体通信機器では、多機能化、小型化が進み、それに伴い、電子部品の小型化および実装の高密度化が進んでいる。   On the other hand, particularly in small mobile communication devices, multifunctionalization and miniaturization are progressing, and along with that, miniaturization of electronic parts and densification of mounting are progressing.

バンドパスフィルタと、これに接続されるバランを必要とする通信機器において、別々の電子部品として構成されたバンドパスフィルタとバランを設けると、これらの占有面積が大きくなり、電子部品の実装の高密度化に反する。   In a band pass filter and a communication device that requires a balun connected thereto, if the band pass filter and the balun configured as separate electronic components are provided, the occupied area of these becomes large and the mounting of the electronic components becomes high. It is against the density.

そこで、例えば特許文献1に記載されているように、バンドパスフィルタとバランを一体化した積層型電子部品が提案されている。特許文献1に記載された積層型電子部品では、積層された複数の誘電体層と複数の導体層とを含む積層体内にバンドパスフィルタとバランが設けられている。バンドパスフィルタは、電磁気的に結合した第1の共振器と第2の共振器を有している。バランは、第1のコイルと第2のコイルと第3のコイルと第4のコイルを有している。第1のコイルの一端はバンドパスフィルタに接続されている。第1のコイルの他端は、第2のコイルの一端に接続されている。第3のコイルは第1のコイルに電磁気的に結合し、第4のコイルは第2のコイルに電磁気的に結合している。第3のコイルの一端と第4のコイルの一端は、接地されている。第3のコイルの他端と第4のコイルの他端は、一対の平衡用端子に接続されている。このバランは、いわゆるマーチャントバランである。   Therefore, as described in, for example, Patent Document 1, a multilayer electronic component in which a band pass filter and a balun are integrated has been proposed. In the multilayer electronic component described in Patent Document 1, a band pass filter and a balun are provided in a multilayer body including a plurality of stacked dielectric layers and a plurality of conductor layers. The band pass filter has a first resonator and a second resonator electromagnetically coupled. The balun includes a first coil, a second coil, a third coil, and a fourth coil. One end of the first coil is connected to the band pass filter. The other end of the first coil is connected to one end of the second coil. The third coil is electromagnetically coupled to the first coil and the fourth coil is electromagnetically coupled to the second coil. One end of the third coil and one end of the fourth coil are grounded. The other end of the third coil and the other end of the fourth coil are connected to the pair of balancing terminals. This balun is a so-called merchant balun.

特許文献1に記載された積層型電子部品では、バンドパスフィルタとバランは、積層体の複数の誘電体層の積層方向に直交する方向すなわち水平方向にずらして配置されている。   In the multilayer electronic component described in Patent Document 1, the band pass filter and the balun are offset in the direction orthogonal to the stacking direction of the plurality of dielectric layers of the multilayer, that is, in the horizontal direction.

特開2003−258585号公報Unexamined-Japanese-Patent No. 2003-258585

特許文献1に記載された積層型電子部品におけるバランでは、結合する第1および第3のコイルの組と、結合する第2および第4のコイルの組は、水平方向にずらして配置されている。そのため、この積層型電子部品では、バランの占有面積が大きくなり、積層型電子部品を小型化することが難しいという問題点がある。   In the balun in the multilayer electronic component described in Patent Document 1, the first and third sets of coupled coils and the second and fourth sets of coupled coils are arranged horizontally offset. . Therefore, in this multilayer electronic component, the area occupied by the balun increases, and there is a problem that it is difficult to miniaturize the multilayer electronic component.

なお、特許文献1に記載された積層型電子部品におけるバランでは、第1および第3のコイルの組と、第2および第4のコイルの組を、積層方向に並べて配置すると、本来、結合すべきではない2つのコイルの間で結合が生じて、特性が悪化する。   In the balun of the multilayer electronic component described in Patent Document 1, when the first and third coil pairs and the second and fourth coil pairs are arranged in the stacking direction, they are inherently coupled Coupling occurs between the two coils that should not be, and the characteristics deteriorate.

また、特許文献1に記載された積層型電子部品におけるバランでは、第1ないし第4のコイルの各々は、他のコイルと結合させる必要があるため、ほぼ全体を1つの層で構成する必要がある。この点からも、バランの占有面積が大きくなる。   Further, in the balun in the multilayer electronic component described in Patent Document 1, each of the first to fourth coils needs to be combined with other coils, so that it is necessary to configure substantially the entire one layer. is there. Also from this point, the occupied area of the balun is increased.

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、バンドパスフィルタとバランを含む積層型電子部品であって、特性を悪化させることなく、小型化することが可能な積層型電子部品を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is a multilayer electronic component including a band pass filter and a balun, which can be miniaturized without deteriorating the characteristics. It is in providing parts.

本発明の積層型電子部品は、積層された複数の誘電体層と複数の導体層とを含む積層体と、積層体を用いて構成されたバンドパスフィルタおよびバランを備えている。バンドパスフィルタとバランは、複数の誘電体層の積層方向に直交する方向について互いに異なる位置に配置されている。   The multilayer electronic component of the present invention includes a multilayer body including a plurality of stacked dielectric layers and a plurality of conductive layers, and a band pass filter and a balun configured using the multilayer body. The band pass filter and the balun are arranged at different positions in the direction orthogonal to the stacking direction of the plurality of dielectric layers.

バンドパスフィルタは、第1の入出力端と、第2の入出力端と、回路構成上、第1の入出力端と第2の入出力端との間に設けられた複数の共振器とを含んでいる。なお、本出願において、「回路構成上」という表現は、物理的な構成における配置ではなく、回路図上での配置を指すために用いている。   The band pass filter includes a first input / output terminal, a second input / output terminal, and a plurality of resonators provided between the first input / output terminal and the second input / output terminal in the circuit configuration. Contains. In the present application, the expression “in circuit configuration” is used to indicate an arrangement on a circuit diagram, not an arrangement in a physical configuration.

バランは、第2の入出力端に接続された不平衡入出力端と、第1の平衡入出力端と、第2の平衡入出力端と、回路構成上、不平衡入出力端と第1の平衡入出力端との間に設けられた第1の移相回路と、回路構成上、不平衡入出力端と第2の平衡入出力端との間に設けられた第2の移相回路とを含んでいる。   The balun includes an unbalanced input / output terminal connected to the second input / output terminal, a first balanced input / output terminal, a second balanced input / output terminal, and an unbalanced input / output terminal and a first And a second phase shift circuit provided between the unbalanced input / output terminal and the second balanced input / output terminal in terms of circuit configuration And contains.

第1の移相回路は、第1のインダクタを含み不平衡入出力端と第1の平衡入出力端とを接続する第1の経路と、回路構成上、第1の経路とグランドとの間に設けられた第1のキャパシタとを含んでいる。第2の移相回路は、第2のキャパシタを含み不平衡入出力端と第2の平衡入出力端とを接続する第2の経路と、回路構成上、第2の経路とグランドとの間に設けられた第2のインダクタとを含んでいる。   The first phase shift circuit includes a first path that includes a first inductor and connects the unbalanced input / output end and the first balanced input / output end, and in terms of circuit configuration, between the first path and ground. And a first capacitor provided on the The second phase shift circuit includes a second path including a second capacitor and connecting the unbalanced input / output end and the second balanced input / output end, and in terms of circuit configuration, between the second path and the ground. And a second inductor provided on the

積層体は、積層型電子部品が被実装体に実装される際に被実装体に対向する底面と、底面とは反対側の上面とを有している。複数の導体層は、グランドに接続されるグランド導体層を含んでいる。グランド導体層は、第1および第2のインダクタよりも底面により近い位置であって複数の誘電体層の積層方向から見たときに第1および第2のインダクタと重なる位置に配置されている。積層体は、第1および第2のインダクタよりも上面により近い位置であって複数の誘電体層の積層方向から見たときに第1および第2のインダクタと重なる位置に配置されてグランドに接続されるいかなる導体層も含んでいない。第1および第2のキャパシタは、複数の誘電体層の積層方向について、第1および第2のインダクタとグランド導体層との間に配置されている。   The stacked body has a bottom surface facing the mounted body when the multilayer electronic component is mounted on the mounted body, and a top surface opposite to the bottom surface. The plurality of conductor layers include ground conductor layers connected to the ground. The ground conductor layer is disposed closer to the bottom than the first and second inductors and at a position overlapping the first and second inductors when viewed in the stacking direction of the plurality of dielectric layers. The laminate is disposed closer to the upper surface than the first and second inductors, and is disposed at a position overlapping the first and second inductors when viewed from the stacking direction of the plurality of dielectric layers, and connected to the ground Does not include any conductive layers. The first and second capacitors are disposed between the first and second inductors and the ground conductor layer in the stacking direction of the plurality of dielectric layers.

本発明の積層型電子部品において、第1のインダクタと第2のインダクタの少なくとも一方は、複数の導体層のうちの2つ以上の導体層であって複数の誘電体層の積層方向について異なる位置に配置された2つ以上の導体層が接続されて構成されていてもよい。   In the multilayer electronic component of the present invention, at least one of the first inductor and the second inductor is two or more conductor layers of the plurality of conductor layers, and the positions differ in the lamination direction of the plurality of dielectric layers The two or more conductor layers arranged in may be connected and configured.

また、本発明の積層型電子部品において、第1の経路は、更に、第1のインダクタに対して直列に接続された第3のインダクタを含んでいてもよい。この場合、第1のキャパシタは、回路構成上、第1のインダクタと第3のインダクタの接続点とグランドとの間に設けられている。また、第3のインダクタは、第1および第2のキャパシタよりも上面により近い位置であって複数の誘電体層の積層方向から見たときにグランド導体層と重なる位置に配置されていてもよい。   In the multilayer electronic component of the present invention, the first path may further include a third inductor connected in series to the first inductor. In this case, the first capacitor is provided between the connection point of the first inductor and the third inductor and the ground in the circuit configuration. The third inductor may be disposed closer to the upper surface than the first and second capacitors and at a position overlapping the ground conductor layer when viewed in the stacking direction of the plurality of dielectric layers. .

また、第3のインダクタは、複数の導体層のうちの2つ以上の導体層であって複数の誘電体層の積層方向について異なる位置に配置された2つ以上の導体層が接続されて構成されていてもよい。   Further, the third inductor is configured by connecting two or more conductor layers which are two or more conductor layers among the plurality of conductor layers and arranged at different positions in the stacking direction of the plurality of dielectric layers. It may be done.

また、本発明の積層型電子部品において、第2の経路は、更に、第2のキャパシタに対して直列に接続された第3のキャパシタを含んでいてもよい。この場合、第2のインダクタは、回路構成上、第2のキャパシタと第3のキャパシタの接続点とグランドとの間に設けられている。また、第3のキャパシタは、複数の誘電体層の積層方向について、第1および第2のインダクタとグランド導体層との間に配置されていてもよい。   In the multilayer electronic component of the present invention, the second path may further include a third capacitor connected in series to the second capacitor. In this case, the second inductor is provided between the connection point of the second capacitor and the third capacitor and the ground in the circuit configuration. The third capacitor may be disposed between the first and second inductors and the ground conductor layer in the stacking direction of the plurality of dielectric layers.

また、第3のキャパシタは、回路構成上、第2のキャパシタと第2の平衡入出力端との間に設けられていてもよい。この場合、第2の移相回路は、更に、回路構成上、第2の平衡入出力端とグランドとの間に設けられた第4のインダクタを含んでいてもよい。第4のインダクタは、第1および第2のキャパシタよりも上面により近い位置であって複数の誘電体層の積層方向から見たときにグランド導体層と重なる位置に配置されていてもよい。   Also, the third capacitor may be provided between the second capacitor and the second balanced input / output terminal in terms of circuit configuration. In this case, the second phase shift circuit may further include a fourth inductor provided between the second balanced input / output end and the ground in terms of circuit configuration. The fourth inductor may be disposed closer to the upper surface than the first and second capacitors and at a position overlapping the ground conductor layer when viewed in the stacking direction of the plurality of dielectric layers.

また、第4のインダクタは、複数の導体層のうちの2つ以上の導体層であって複数の誘電体層の積層方向について異なる位置に配置された2つ以上の導体層が接続されて構成されていてもよい。   Further, the fourth inductor is configured by connecting two or more conductor layers which are two or more conductor layers among the plurality of conductor layers and arranged at different positions in the stacking direction of the plurality of dielectric layers. It may be done.

本発明の積層型電子部品では、バランは第1および第2のインダクタと第1および第2のキャパシタを含んでいる。本発明によれば、積層体の空間を有効に利用して、第1および第2のインダクタと第1および第2のキャパシタを配置することができる。また、本発明によれば、第1および第2のインダクタが発生する磁束が通過する空間を十分に広くすることが可能になる。これらのことから、本発明によれば、特性を悪化させることなく、バンドパスフィルタとバランを含む積層型電子部品を小型化することが可能になるという効果を奏する。   In the multilayer electronic component of the present invention, the balun includes the first and second inductors and the first and second capacitors. According to the present invention, it is possible to dispose the first and second inductors and the first and second capacitors by effectively utilizing the space of the laminate. Further, according to the present invention, it is possible to sufficiently widen the space through which the magnetic flux generated by the first and second inductors passes. From the above, according to the present invention, it is possible to miniaturize the laminated electronic component including the band pass filter and the balun without deteriorating the characteristics.

本発明の一実施の形態に係る積層型電子部品の斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of a multilayer electronic component according to an embodiment of the present invention. 図1に示した積層体の内部を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the inside of the laminated body shown in FIG. 図1に示した積層体の内部を示す平面図である。It is a top view which shows the inside of the laminated body shown in FIG. 図1に示した積層体の内部を示す側面図である。It is a side view which shows the inside of the laminated body shown in FIG. 本発明の一実施の形態に係る積層型電子部品の回路構成を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing a circuit configuration of a multilayer electronic component according to an embodiment of the present invention. 図2に示した積層体における3層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the pattern formation surface of the 3rd-layer dielectric material layer in the laminated body shown in FIG. 図2に示した積層体における4層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the pattern formation surface of the 4th-layer dielectric material layer in the laminated body shown in FIG. 図2に示した積層体における5層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the pattern formation surface of the 5th-layer dielectric material layer in the laminated body shown in FIG. 図2に示した積層体における6層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the pattern formation surface of the 6th-layer dielectric material layer in the laminated body shown in FIG. 図2に示した積層体における7層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the pattern formation surface of the 7th-layer dielectric material layer in the laminated body shown in FIG. 図2に示した積層体における8層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the pattern formation surface of the 8th-layer dielectric material layer in the laminated body shown in FIG. 図2に示した積層体における9層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the pattern formation surface of the 9th-layer dielectric material layer in the laminated body shown in FIG. 図2に示した積層体における10層目ないし16層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the pattern formation surface of the 10th through 16th dielectric material layer in the laminated body shown in FIG. 図2に示した積層体における17層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the pattern formation surface of the 17th-layer dielectric material layer in the laminated body shown in FIG. 図2に示した積層体における18層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the pattern formation surface of the 18th-layer dielectric material layer in the laminated body shown in FIG. 図2に示した積層体における19層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the pattern formation surface of the 19th-layer dielectric material layer in the laminated body shown in FIG. 図2に示した積層体における20層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the pattern formation surface of the 20th-layer dielectric material layer in the laminated body shown in FIG. 図2に示した積層体における21層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the pattern formation surface of the 21st-layer dielectric material layer in the laminated body shown in FIG. 図2に示した積層体における22層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the pattern formation surface of the 22nd-layer dielectric material layer in the laminated body shown in FIG. 図2に示した積層体における23層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the pattern formation surface of the 23rd-layer dielectric material layer in the laminated body shown in FIG. 図2に示した積層体における28層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the pattern formation surface of the 28th-layer dielectric material layer in the laminated body shown in FIG. 本発明の一実施の形態に係る積層型電子部品におけるバンドパスフィルタの挿入損失および反射損失の周波数特性を示す特性図である。It is a characteristic view which shows the frequency characteristic of the insertion loss of the band pass filter in the laminated type electronic component which concerns on one embodiment of this invention, and a reflection loss. 本発明の一実施の形態に係る積層型電子部品の挿入損失および反射損失の周波数特性を示す特性図である。FIG. 7 is a characteristic diagram showing frequency characteristics of insertion loss and reflection loss of the multilayer electronic component according to the embodiment of the present invention. 本発明の一実施の形態に係る積層型電子部品におけるバランの振幅バランス特性を示す特性図である。It is a characteristic view showing the amplitude balance characteristic of the balun in the multilayer electronic component concerning the 1 embodiment of the present invention. 本発明の一実施の形態に係る積層型電子部品の振幅バランス特性を示す特性図である。It is a characteristic view showing the amplitude balance characteristic of the lamination type electronic component concerning a 1 embodiment of the present invention. 本発明の一実施の形態に係る積層型電子部品におけるバランの位相バランス特性を示す特性図である。It is a characteristic view showing the phase balance characteristic of the balun in the multilayer electronic component concerning the 1 embodiment of the present invention. 本発明の一実施の形態に係る積層型電子部品の位相バランス特性を示す特性図である。It is a characteristic view showing the phase balance characteristic of the lamination type electronic component concerning a 1 embodiment of the present invention.

以下、本発明の一実施の形態に係る積層型電子部品について図面を参照して詳細に説明する。   Hereinafter, a multilayer electronic component according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図1は、本実施の形態に係る積層型電子部品の斜視図である。図1に示したように、本実施の形態に係る積層型電子部品1は、積層体30を備えている。後で詳しく説明するが、積層体30は、積層された複数の誘電体層と複数の導体層とを含んでいる。   FIG. 1 is a perspective view of a multilayer electronic component according to the present embodiment. As shown in FIG. 1, the multilayer electronic component 1 according to the present embodiment includes a multilayer body 30. As will be described in detail later, the stack 30 includes a plurality of stacked dielectric layers and a plurality of conductor layers.

図2は、積層体30の内部を示す斜視図である。図3は、積層体30の内部を示す平面図である。図4は、積層体30の内部を示す側面図である。   FIG. 2 is a perspective view showing the inside of the stacked body 30. As shown in FIG. FIG. 3 is a plan view showing the inside of the stacked body 30. As shown in FIG. FIG. 4 is a side view showing the inside of the stacked body 30. As shown in FIG.

ここで、図1に示したように、X方向、Y方向およびZ方向を定義する。X方向、Y方向およびZ方向は、互いに直交する。本実施の形態では、複数の誘電体層の積層方向をZ方向とする。   Here, as shown in FIG. 1, an X direction, a Y direction, and a Z direction are defined. The X, Y and Z directions are orthogonal to one another. In the present embodiment, the stacking direction of the plurality of dielectric layers is taken as the Z direction.

積層体30は、直方体形状を有している。積層体30は、積層型電子部品1が実装基板等の被実装体に実装される際に被実装体に対向する底面30Aと、底面30Aとは反対側の上面30Bと、底面30Aと上面30Bを接続する4つの側面30C,30D,30E,30Fを有している。底面30Aと上面30Bは、Z方向における積層体30の両端に位置している。側面30C,30Dは、Y方向における積層体30の両端に位置している。側面30E,30Fは、X方向における積層体30の両端に位置している。   The stacked body 30 has a rectangular parallelepiped shape. The stacked body 30 has a bottom surface 30A that faces the mounted object when the multilayer electronic component 1 is mounted on a mounting substrate or the like, a top surface 30B opposite to the bottom surface 30A, a bottom surface 30A, and a top surface 30B. And four side surfaces 30C, 30D, 30E, and 30F connecting the two. The bottom surface 30A and the top surface 30B are located at both ends of the stack 30 in the Z direction. The side surfaces 30C and 30D are located at both ends of the stack 30 in the Y direction. The side surfaces 30E and 30F are located at both ends of the stack 30 in the X direction.

積層型電子部品1は、更に、積層体30に対して一体化された6つの端子61,62,63,64,65,66を備えている。3つの端子61,62,63は、積層体30の底面30A、側面30Cおよび上面30Bに接している。3つの端子64,65,66は、積層体30の底面30A、側面30Dおよび上面30Bに接している。   The multilayer electronic component 1 further includes six terminals 61, 62, 63, 64, 65, 66 integrated with the multilayer body 30. The three terminals 61, 62, 63 are in contact with the bottom surface 30A, the side surface 30C, and the top surface 30B of the stacked body 30, respectively. The three terminals 64, 65 and 66 are in contact with the bottom surface 30A, the side surface 30D and the top surface 30B of the laminate 30, respectively.

図5は、本実施の形態に係る積層型電子部品1の回路構成を示す回路図である。図5に示したように、積層型電子部品1は、バンドパスフィルタ10とバラン20を備えている。バンドパスフィルタ10とバラン20は、いずれも積層体30を用いて構成されている。   FIG. 5 is a circuit diagram showing a circuit configuration of the multilayer electronic component 1 according to the present embodiment. As shown in FIG. 5, the multilayer electronic component 1 includes a band pass filter 10 and a balun 20. The band pass filter 10 and the balun 20 are both configured using the laminate 30.

バンドパスフィルタ10は、第1の入出力端T1と、第2の入出力端T2と、回路構成上、第1の入出力端T1と第2の入出力端T2との間に設けられた複数の共振器とを含んでいる。本実施の形態では特に、バンドパスフィルタ10は、複数の共振器として4つの共振器R1,R2,R3,R4を含んでいる。   The band pass filter 10 is provided between the first input / output end T1 and the second input / output end T2 in terms of circuit configuration. And a plurality of resonators. Particularly in the present embodiment, the band pass filter 10 includes four resonators R1, R2, R3, and R4 as a plurality of resonators.

共振器R1〜R4は、回路構成上隣接する2つの共振器が電磁結合するように構成されている。具体的に説明すると、共振器R1〜R4は、共振器R1,R2が回路構成上隣接して電磁結合し、共振器R2,R3が回路構成上隣接して電磁結合し、共振器R3,R4が回路構成上隣接して電磁結合するように構成されている。   The resonators R1 to R4 are configured such that two resonators adjacent to each other in circuit configuration are electromagnetically coupled. Specifically, in the resonators R1 to R4, the resonators R1 and R2 are electromagnetically coupled adjacent to each other in circuit configuration, and the resonators R2 and R3 are electromagnetically coupled adjacent to each other in circuit configuration, and the resonators R3 and R4 are electrically coupled. Are configured to be electromagnetically coupled adjacent to each other in circuit configuration.

共振器R1〜R4の各々は、回路構成上互いに反対側に位置する第1端と第2端を有している。共振器R1の第1端は、第1の入出力端T1に接続されている。共振器R4の第1端は、第2の入出力端T2に接続されている。共振器R1〜R4の各々の第2端は、グランドに接続されている。   Each of the resonators R1 to R4 has a first end and a second end opposite to each other in the circuit configuration. The first end of the resonator R1 is connected to the first input / output end T1. The first end of the resonator R4 is connected to the second input / output end T2. The second end of each of the resonators R1 to R4 is connected to the ground.

バンドパスフィルタ10は、更に、キャパシタC1,C2,C3,C4,C5,C6,C7,C8を含んでいる。   The band pass filter 10 further includes capacitors C1, C2, C3, C4, C5, C6, C7, and C8.

キャパシタC1は、回路構成上、共振器R1の第1端とグランドとの間に設けられている。キャパシタC2は、回路構成上、共振器R2の第1端とグランドとの間に設けられている。キャパシタC3は、回路構成上、共振器R3の第1端とグランドとの間に設けられている。キャパシタC4は、回路構成上、共振器R4の第1端とグランドとの間に設けられている。   The capacitor C1 is provided between the first end of the resonator R1 and the ground in the circuit configuration. The capacitor C2 is provided between the first end of the resonator R2 and the ground in the circuit configuration. The capacitor C3 is provided between the first end of the resonator R3 and the ground in the circuit configuration. The capacitor C4 is provided between the first end of the resonator R4 and the ground in the circuit configuration.

キャパシタC5は、回路構成上、共振器R1の第1端と共振器R2の第1端との間に設けられている。キャパシタC6は、回路構成上、共振器R2の第1端と共振器R3の第1端との間に設けられている。キャパシタC7は、回路構成上、共振器R3の第1端と共振器R4の第1端との間に設けられている。キャパシタC8は、回路構成上、共振器R1の第1端と共振器R4の第1端との間に設けられている。   The capacitor C5 is provided between the first end of the resonator R1 and the first end of the resonator R2 in terms of circuit configuration. The capacitor C6 is provided between the first end of the resonator R2 and the first end of the resonator R3 in terms of circuit configuration. The capacitor C7 is provided between the first end of the resonator R3 and the first end of the resonator R4 in terms of circuit configuration. The capacitor C8 is provided between the first end of the resonator R1 and the first end of the resonator R4 in terms of circuit configuration.

バラン20は、バンドパスフィルタ10の第2の入出力端T2に接続された不平衡入出力端T10と、第1の平衡入出力端T11と、第2の平衡入出力端T12と、第1の移相回路21と、第2の移相回路22とを含んでいる。   The balun 20 includes an unbalanced input / output terminal T10 connected to the second input / output terminal T2 of the bandpass filter 10, a first balanced input / output terminal T11, a second balanced input / output terminal T12, and a first And a second phase shift circuit 22.

第1の移相回路21は、回路構成上、不平衡入出力端T10と第1の平衡入出力端T11との間に設けられている。第2の移相回路22は、回路構成上、不平衡入出力端T10と第2の平衡入出力端T12との間に設けられている。   The first phase shift circuit 21 is provided between the unbalanced input / output terminal T10 and the first balanced input / output terminal T11 in terms of circuit configuration. The second phase shift circuit 22 is provided between the unbalanced input / output terminal T10 and the second balanced input / output terminal T12 in terms of circuit configuration.

第1の移相回路21は、不平衡入出力端T10と第1の平衡入出力端T11とを接続する第1の経路P1を含んでいる。第1の経路P1は、直列に接続されたインダクタL11とインダクタL12を含んでいる。インダクタL12は、回路構成上、インダクタL11と第1の平衡入出力端T11との間に設けられている。   The first phase shift circuit 21 includes a first path P1 connecting the unbalanced input / output end T10 and the first balanced input / output end T11. The first path P1 includes an inductor L11 and an inductor L12 connected in series. The inductor L12 is provided between the inductor L11 and the first balanced input / output terminal T11 in terms of circuit configuration.

第1の移相回路21は、更に、回路構成上、第1の経路P1とグランドとの間に設けられたキャパシタC11を含んでいる。キャパシタC11は、特に、インダクタL11とインダクタL12の接続点とグランドとの間に設けられている。   The first phase shift circuit 21 further includes a capacitor C11 provided between the first path P1 and the ground in terms of circuit configuration. In particular, the capacitor C11 is provided between the connection point of the inductor L11 and the inductor L12 and the ground.

インダクタL11は、本発明における第1のインダクタに対応する。インダクタL12は、本発明における第3のインダクタに対応する。キャパシタC11は、本発明における第1のキャパシタに対応する。   The inductor L11 corresponds to the first inductor in the present invention. The inductor L12 corresponds to the third inductor in the present invention. The capacitor C11 corresponds to the first capacitor in the present invention.

なお、第1の経路P1は、インダクタL12を含んでいなくてもよい。   The first path P1 may not include the inductor L12.

第2の移相回路22は、不平衡入出力端T10と第2の平衡入出力端T12とを接続する第2の経路P2を含んでいる。第2の経路P2は、直列に接続されたキャパシタC21とキャパシタC22を含んでいる。キャパシタC22は、回路構成上、キャパシタC21と第2の平衡入出力端T12との間に設けられている。   The second phase shift circuit 22 includes a second path P2 connecting the unbalanced input / output end T10 and the second balanced input / output end T12. The second path P2 includes a capacitor C21 and a capacitor C22 connected in series. The capacitor C22 is provided between the capacitor C21 and the second balanced input / output terminal T12 in the circuit configuration.

第2の移相回路22は、更に、回路構成上、第2の経路P2とグランドとの間に設けられたインダクタL21を含んでいる。インダクタL21は、特に、キャパシタC21とキャパシタC22の接続点とグランドとの間に設けられている。   The second phase shift circuit 22 further includes an inductor L21 provided between the second path P2 and the ground in terms of circuit configuration. The inductor L21 is particularly provided between the connection point of the capacitor C21 and the capacitor C22 and the ground.

第2の移相回路22は、更に、回路構成上、第2の平衡入出力端T12とグランドとの間に設けられたインダクタL22を含んでいる。   The second phase shift circuit 22 further includes an inductor L22 provided between the second balanced input / output terminal T12 and the ground in the circuit configuration.

キャパシタC21は、本発明における第1のキャパシタに対応する。キャパシタC222は、本発明における第3のキャパシタに対応する。インダクタL21は、本発明における第2のインダクタに対応する。インダクタL22は、本発明における第4のインダクタに対応する。   The capacitor C21 corresponds to the first capacitor in the present invention. The capacitor C222 corresponds to the third capacitor in the present invention. The inductor L21 corresponds to the second inductor in the present invention. The inductor L22 corresponds to the fourth inductor in the present invention.

なお、第2の経路P2は、キャパシタC22およびインダクタL22を含んでいなくてもよい。   The second path P2 may not include the capacitor C22 and the inductor L22.

第1の移相回路21は、バンドパスフィルタ10の通過帯域内の周波数の信号の位相を、90度またはそれに近い値だけ遅らせるように設計されている。第2の移相回路22は、バンドパスフィルタ10の通過帯域内の周波数の信号の位相を、90度またはそれに近い値だけ進ませるように設計されている。   The first phase shift circuit 21 is designed to delay the phase of the signal of the frequency within the pass band of the band pass filter 10 by a value close to or at 90 degrees. The second phase shift circuit 22 is designed to advance the phase of the signal of the frequency within the pass band of the band pass filter 10 by a value close to or at 90 degrees.

図1に示した端子66は、図5に示した第1の入出力端T1に対応する。図1に示した端子63は、図5に示した第1の平衡入出力端T11に対応する。図1に示した端子64は、図5に示した第2の平衡入出力端T12に対応する。図1に示した端子61,62,65は、グランドに接続される。   The terminal 66 shown in FIG. 1 corresponds to the first input / output terminal T1 shown in FIG. The terminal 63 shown in FIG. 1 corresponds to the first balanced input / output terminal T11 shown in FIG. The terminal 64 shown in FIG. 1 corresponds to the second balanced input / output terminal T12 shown in FIG. The terminals 61, 62, 65 shown in FIG. 1 are connected to the ground.

ここで、本実施の形態に係る積層型電子部品1の作用について説明する。バンドパスフィルタ10は、第1の入出力端T1と第2の入出力端T2の一方に与えられた信号のうち、通過帯域内の周波数の信号を選択的に通過させて、第1の入出力端T1と第2の入出力端T2の他方から出力する。   Here, the operation of the multilayer electronic component 1 according to the present embodiment will be described. The band pass filter 10 selectively passes a signal of a frequency in the pass band among the signals applied to one of the first input / output terminal T1 and the second input / output terminal T2 to obtain the first input. It outputs from the other of the output end T1 and the second input / output end T2.

バラン20では、不平衡入出力端T10において不平衡信号が入出力され、第1の平衡入出力端T11において第1の平衡要素信号が入出力され、第2の平衡入出力端T12において第2の平衡要素信号が入出力される。第1の平衡要素信号と第2の平衡要素信号は、平衡信号を構成する。バラン20は、不平衡信号と平衡信号との間の変換を行う。   In the balun 20, an unbalanced signal is input / output at the unbalanced input / output terminal T10, and a first balanced element signal is input / output at the first balanced input / output terminal T11, and a second balanced input / output terminal T12 The balance element signal of is input / output. The first balanced element signal and the second balanced element signal constitute a balanced signal. The balun 20 converts between an unbalanced signal and a balanced signal.

バラン20において、不平衡入出力端T10に、バンドパスフィルタ10の通過帯域内の周波数の信号が入力されたときに、第1および第2の平衡入出力端T11,T12から出力される第1および第2の平衡要素信号の位相差は、180度またはそれに近い値になる。   In the balun 20, when a signal having a frequency within the pass band of the band pass filter 10 is input to the unbalanced input / output terminal T10, the first output from the first and second balanced input / output terminals T11 and T12 And the second balanced element signal have a phase difference of 180 degrees or near.

次に、図6ないし図21を参照して、積層体30を構成する複数の誘電体層と、この複数の誘電体層に形成された複数の導体層および複数のスルーホールの構成について説明する。積層体30は、積層された28層の誘電体層を有している。以下、この28層の誘電体層を、下から順に1層目ないし28層目の誘電体層と呼ぶ。また、1層目ないし28層目の誘電体層を、符号31〜58で表す。   Next, with reference to FIG. 6 to FIG. 21, configurations of a plurality of dielectric layers constituting the stacked body 30, a plurality of conductor layers formed in the plurality of dielectric layers, and a plurality of through holes will be described. . The laminate 30 has 28 laminated dielectric layers. Hereinafter, the twenty-eight dielectric layers are referred to as the first to twenty-eighth dielectric layers in order from the bottom. The first to twenty-eighth dielectric layers are denoted by reference numerals 31 to 58, respectively.

1層目の誘電体層31と2層目の誘電体層32には、導体層およびスルーホールは形成されていない。   Conductor layers and through holes are not formed in the first dielectric layer 31 and the second dielectric layer 32.

図6は、3層目の誘電体層33のパターン形成面を示している。誘電体層33のパターン形成面には、グランド導体層331が形成されている。グランド導体層331は、端子61,62,65に接続され、端子61,62,65を介してグランドに接続される。また、誘電体層33には、グランド導体層331に接続されたスルーホール33T1,33T2,33T3,33T4,33T5,33T6が形成されている。   FIG. 6 shows the pattern formation surface of the third dielectric layer 33. A ground conductor layer 331 is formed on the patterned surface of the dielectric layer 33. The ground conductor layer 331 is connected to the terminals 61, 62, 65, and is connected to the ground through the terminals 61, 62, 65. In the dielectric layer 33, through holes 33T1, 33T2, 33T3, 33T4, 33T5, 33T6 connected to the ground conductor layer 331 are formed.

図7は、4層目の誘電体層34のパターン形成面を示している。誘電体層34のパターン形成面には、キャパシタ用の導体層341,342,343,344,345が形成されている。導体層344は、矩形の主要部344Aと、この主要部344Aから側方に張り出した枝部344Bとを含んでいる。   FIG. 7 shows the patterned surface of the fourth dielectric layer 34. Conductor layers 341, 342, 343, 344, 345 for capacitors are formed on the patterned surface of the dielectric layer 34. The conductor layer 344 includes a rectangular main portion 344A and a branch portion 344B laterally projecting from the main portion 344A.

また、誘電体層34には、スルーホール34T1,34T2,34T3,34T4,34T5,34T6,34T7,34T8,34T11,34T12,34T13,34T14が形成されている。スルーホール34T7は、導体層344の枝部344Bに接続されている。スルーホール34T8は、導体層345に接続されている。スルーホール34T11,34T12,34T13,34T14は、それぞれ導体層341,342,343,344に接続されている。   In the dielectric layer 34, through holes 34T1, 34T2, 34T3, 34T4, 34T5, 34T6, 34T7, 34T8, 34T11, 34T12, 34T13, 34T14 are formed. The through hole 34T7 is connected to the branch portion 344B of the conductor layer 344. The through hole 34T8 is connected to the conductor layer 345. The through holes 34T11, 34T12, 34T13 and 34T14 are connected to the conductor layers 341, 342, 343 and 344 respectively.

図6に示したスルーホール33T1,33T2,33T3,33T4,33T5,33T6は、それぞれスルーホール34T1,34T2,34T3,34T4,34T5,34T6に接続されている。   The through holes 33T1, 33T2, 33T3, 33T4, 33T5 and 33T6 shown in FIG. 6 are connected to the through holes 34T1, 34T2, 34T3, 34T4 and 34T5, 34T6, respectively.

図8は、5層目の誘電体層35のパターン形成面を示している。誘電体層35のパターン形成面には、キャパシタ用の導体層351,352,353,354が形成されている。   FIG. 8 shows the pattern formation surface of the fifth dielectric layer 35. Conductor layers 351, 352, 353, and 354 for capacitors are formed on the patterned surface of the dielectric layer 35.

また、誘電体層35には、スルーホール35T1,35T2,35T3,35T4,35T5,35T6,35T7,35T8,35T11,35T12,35T13,35T14が形成されている。スルーホール35T12,35T13は、それぞれ導体層351,352に接続されている。   In the dielectric layer 35, through holes 35T1, 35T2, 35T3, 35T4, 35T5, 35T6, 35T7, 35T8, 35T11, 35T12, 35T13, 35T14 are formed. The through holes 35T12 and 35T13 are connected to the conductor layers 351 and 352, respectively.

図7に示したスルーホール34T1,34T2,34T3,34T4,34T5,34T6,34T7,34T8,34T11,34T12,34T13,34T14は、それぞれスルーホール35T1,35T2,35T3,35T4,35T5,35T6,35T7,35T8,35T11,35T12,35T13,35T14に接続されている。   Through holes 34T1, 34T2, 34T3, 34T4, 34T5, 34T6, 34T7, 34T11, 34T12, 34T13, 34T14 shown in FIG. 7 are respectively through holes 35T1, 35T2, 35T3, 35T4, 35T5, 35T6, 35T7, 35T8. , 35T11, 35T12, 35T13, and 35T14.

図9は、6層目の誘電体層36のパターン形成面を示している。誘電体層36のパターン形成面には、キャパシタ用の導体層361,362が形成されている。   FIG. 9 shows the patterned surface of the sixth dielectric layer 36. Conductor layers 361 and 362 for capacitors are formed on the pattern formation surface of the dielectric layer 36.

また、誘電体層36には、スルーホール36T1,36T2,36T3,36T4,36T5,36T6,36T7,36T8,36T11,36T12,36T13,36T14が形成されている。スルーホール36T11,36T14は、それぞれ導体層361,362に接続されている。   In the dielectric layer 36, through holes 36T1, 36T2, 36T3, 36T4, 36T5, 36T6, 36T7, 36T8, 36T11, 36T12, 36T13, 36T14 are formed. The through holes 36T11 and 36T14 are connected to the conductor layers 361 and 362, respectively.

図8に示したスルーホール35T1,35T2,35T3,35T4,35T5,35T6,35T7,35T8,35T11,35T12,35T13,35T14は、それぞれスルーホール36T1,36T2,36T3,36T4,36T5,36T6,36T7,36T8,36T11,36T12,36T13,36T14に接続されている。   Through holes 35T1, 35T2, 35T3, 35T5, 35T5, 35T6, 35T8, 35T11, 35T12, 35T13, 35T14 shown in FIG. 8 are respectively through holes 36T1, 36T2, 36T3, 36T4, 36T5, 36T6, 36T7, 36T8. , 36T11, 36T12, 36T13, 36T14.

図10は、7層目の誘電体層37のパターン形成面を示している。誘電体層37のパターン形成面には、導体層371,372と、キャパシタ用の導体層373が形成されている。導体層373は、矩形の主要部373Aと、この主要部373Aから側方に張り出した枝部373Bとを含んでいる。   FIG. 10 shows the pattern formation surface of the seventh dielectric layer 37. Conductor layers 371 and 372 and a conductor layer 373 for a capacitor are formed on the pattern formation surface of the dielectric layer 37. The conductor layer 373 includes a rectangular main portion 373A and a branch portion 373B laterally projecting from the main portion 373A.

また、誘電体層37には、スルーホール37T1,37T2,37T3,37T4,37T5,37T6,37T7,37T8,37T9,37T11,37T12,37T13,37T14が形成されている。スルーホール37T7は、導体層373の枝部373Bに接続されている。スルーホール37T9,37T11は、それぞれ導体層372,371に接続されている。   In the dielectric layer 37, through holes 37T1, 37T2, 37T3, 37T4, 37T5, 37T6, 37T7, 37T8, 37T9, 37T11, 37T12, 37T13, 37T14 are formed. The through hole 37T7 is connected to the branch portion 373B of the conductor layer 373. The through holes 37T9 and 37T11 are connected to the conductor layers 372 and 371, respectively.

導体層371は、図1に示した端子66に接続されている。導体層372は、図1に示した端子64に接続されている。   The conductor layer 371 is connected to the terminal 66 shown in FIG. The conductor layer 372 is connected to the terminal 64 shown in FIG.

図9に示したスルーホール36T1,36T2,36T3,36T4,36T5,36T6,36T7,36T8,36T11,36T12,36T13,36T14は、それぞれスルーホール37T1,37T2,37T3,37T4,37T5,37T6,37T7,37T8,37T11,37T12,37T13,37T14に接続されている。   Through holes 36T1, 36T2, 36T3, 36T4, 36T5, 36T6, 36T8, 36T11, 36T12, 36T13, 36T14 shown in FIG. 9 are respectively through holes 37T1, 37T2, 37T3, 37T4, 37T5, 37T6, 37T7, 37T8. , 37T11, 37T12, 37T13, and 37T14.

図11は、8層目の誘電体層38のパターン形成面を示している。誘電体層38のパターン形成面には、キャパシタ用の導体層381が形成されている。   FIG. 11 shows the patterned surface of the eighth dielectric layer 38. A conductor layer 381 for a capacitor is formed on the patterned surface of the dielectric layer 38.

また、誘電体層38には、スルーホール38T1,38T2,38T3,38T4,38T5,38T6,38T7,38T8,38T9,38T10,38T11,38T12,38T13,38T14が形成されている。スルーホール38T10は、導体層381に接続されている。   In the dielectric layer 38, through holes 38T1, 38T2, 38T3, 38T4, 38T5, 38T6, 38T7, 38T8, 38T9, 38T10, 38T11, 38T12, 38T13, 38T14 are formed. The through holes 38T10 are connected to the conductor layer 381.

図10に示したスルーホール37T1,37T2,37T3,37T4,37T5,37T6,37T7,37T8,37T9,37T11,37T12,37T13,37T14は、それぞれスルーホール38T1,38T2,38T3,38T4,38T5,38T6,38T7,38T8,38T9,38T11,38T12,38T13,38T14に接続されている。   Through holes 37T1, 37T2, 37T3, 37T4, 37T5, 37T6, 37T7, 37T9, 37T11, 37T12, 37T13, 37T14 shown in FIG. 10 are respectively through holes 38T1, 38T2, 38T3, 38T4, 38T5, 38T6, 38T7. , 38T8, 38T9, 38T11, 38T12, 38T13, 38T14.

図12は、9層目の誘電体層39のパターン形成面を示している。誘電体層39のパターン形成面には、キャパシタ用の導体層391,392が形成されている。   FIG. 12 shows the pattern formation surface of the ninth dielectric layer 39. Conductor layers 391 and 392 for capacitors are formed on the patterned surface of the dielectric layer 39.

また、誘電体層39には、スルーホール39T1,39T2,39T3,39T4,39T5,39T6,39T7,39T8,39T9,39T10,39T11,39T12,39T13,39T14が形成されている。スルーホール39T7,39T9は、それぞれ導体層391,392に接続されている。   In the dielectric layer 39, through holes 39T1, 39T2, 39T3, 39T4, 39T5, 39T6, 39T7, 39T8, 39T9, 39T10, 39T11, 39T12, 39T13, 39T14 are formed. The through holes 39T7 and 39T9 are connected to the conductor layers 391 and 392, respectively.

図11に示したスルーホール38T1,38T2,38T3,38T4,38T5,38T6,38T7,38T8,38T9,38T10,38T11,38T12,38T13,38T14は、それぞれスルーホール39T1,39T2,39T3,39T4,39T5,39T6,39T7,39T8,39T9,39T10,39T11,39T12,39T13,39T14に接続されている。   The through holes 38T1, 38T2, 38T3, 38T5, 38T6, 38T7, 38T9, 38T10, 38T11, 38T12, 38T13, 38T14 shown in FIG. 11 are respectively through holes 39T1, 39T2, 39T2, 39T3, 39T4, 39T5, 39T6. , 39T7, 39T8, 39T9, 39T10, 39T11, 39T12, 39T13, 39T14.

図13は、10層目ないし16層目の誘電体層40〜46のパターン形成面を示している。誘電体層40〜46の各々には、スルーホール40T1,40T2,40T3,40T4,40T5,40T6,40T7,40T8,40T9,40T10,40T11,40T12,40T13,40T14が形成されている。   FIG. 13 shows the patterned surface of the tenth to sixteenth dielectric layers 40 to 46. Through holes 40T1, 40T2, 40T2, 40T3, 40T4, 40T5, 40T7, 40T8, 40T9, 40T10, 40T11, 40T12, 40T13, 40T14 are formed in each of the dielectric layers 40-46.

図12に示したスルーホール39T1,39T2,39T3,39T4,39T5,39T6,39T7,39T8,39T9,39T10,39T11,39T12,39T13,39T14は、それぞれ、10層目の誘電体層40に形成されたスルーホール40T1,40T2,40T3,40T4,40T5,40T6,40T7,40T8,40T9,40T10,40T11,40T12,40T13,40T14に接続されている。誘電体層40〜46では、上下に隣接するスルーホール同士が互いに接続されている。   The through holes 39T1, 39T2, 39T2, 39T4, 39T5, 39T6, 39T8, 39T9, 39T10, 39T11, 39T12, 39T13, 39T14 shown in FIG. 12 are formed in the tenth dielectric layer 40 respectively. The through holes 40T1, 40T2, 40T3, 40T4, 40T5, 40T6, 40T7, 40T8, 40T9, 40T10, 40T11, 40T12, 40T13 and 40T14 are connected. In the dielectric layers 40 to 46, through holes adjacent in the upper and lower direction are connected to each other.

図14は、17層目の誘電体層47のパターン形成面を示している。誘電体層47のパターン形成面には、インダクタ用の導体層478が形成されている。導体層478は、互いに反対側の端に位置する第1端と第2端を有している。   FIG. 14 shows the pattern formation surface of the seventeenth dielectric layer 47. A conductor layer 478 for an inductor is formed on the patterned surface of the dielectric layer 47. The conductor layer 478 has a first end and a second end located at opposite ends.

また、誘電体層47には、スルーホール47T1,47T2,47T3,47T4,47T5,47T6,47T7,47T8,47T9,47T10,47T11,47T12,47T13,47T14が形成されている。スルーホール47T9は、導体層478における第1端の近傍の部分に接続されている。   In the dielectric layer 47, through holes 47T1, 47T2, 47T3, 47T4, 47T5, 47T6, 47T7, 47T8, 47T9, 47T10, 47T11, 47T12, 47T13, 47T14 are formed. The through hole 47T9 is connected to a portion of the conductor layer 478 near the first end.

16層目の誘電体層46に形成されたスルーホール40T1,40T2,40T3,40T4,40T5,40T6,40T7,40T8,40T10,40T11,40T12,40T13,40T14は、それぞれスルーホール47T1,47T2,47T3,47T4,47T5,47T6,47T7,47T8,47T10,47T11,47T12,47T13,47T14に接続されている。16層目の誘電体層46に形成されたスルーホール40T9は、導体層478における第2端の近傍の部分に接続されている。   Through holes 40T1, 40T2, 40T2, 40T4, 40T5, 40T6, 40T8, 40T10, 40T11, 40T12, 40T13 and 40T14 formed in the sixteenth dielectric layer 46 are respectively through holes 47T1, 47T2, 47T3, 47T4, 47T5, 47T6, 47T7, 47T8, 47T10, 47T11, 47T12, 47T13, 47T14 are connected. The through hole 40T9 formed in the sixteenth dielectric layer 46 is connected to a portion of the conductor layer 478 near the second end.

図15は、18層目の誘電体層48のパターン形成面を示している。誘電体層48のパターン形成面には、インダクタ用の導体層485,488が形成されている。導体層485,488の各々は、互いに反対側の端に位置する第1端と第2端を有している。   FIG. 15 shows the pattern formation surface of the eighteenth dielectric layer 48. Conductor layers 485 and 488 for inductors are formed on the patterned surface of the dielectric layer 48. Each of the conductor layers 485, 488 has a first end and a second end located at opposite ends.

また、誘電体層48には、スルーホール48T1,48T2,48T3,48T4,48T5,48T6,48T7,48T8,48T9,48T10,48T11,48T12,48T13,48T14,48T15が形成されている。スルーホール48T8は、導体層485における第1端の近傍の部分に接続されている。スルーホール48T15は、導体層485における第2端の近傍の部分に接続されている。スルーホール48T9は、導体層488における第1端の近傍の部分に接続されている。   In the dielectric layer 48, through holes 48T1, 48T2, 48T3, 48T4, 48T5, 48T6, 48T7, 48T8, 48T9, 48T10, 48T11, 48T12, 48T13, 48T14, 48T15 are formed. The through hole 48T8 is connected to a portion of the conductor layer 485 near the first end. The through hole 48T15 is connected to a portion of the conductor layer 485 near the second end. The through hole 48T9 is connected to a portion of the conductor layer 488 near the first end.

図14に示したスルーホール47T1,47T2,47T3,47T4,47T5,47T6,47T7,47T8,47T10,47T11,47T12,47T13,47T14は、それぞれスルーホール48T1,48T2,48T3,48T4,48T5,48T6,48T7,48T8,48T10,48T11,48T12,48T13,48T14に接続されている。図14に示したスルーホール47T9は、導体層488における第2端の近傍の部分に接続されている。   The through holes 47T1, 47T2, 47T3, 47T4, 47T5, 47T6, 47T7, 47T10, 47T11, 47T12, 47T13, 47T14 shown in FIG. 14 are respectively through holes 48T1, 48T2, 48T3, 48T4, 48T5, 48T6, 48T7. , 48T8, 48T10, 48T11, 48T12, 48T13, 48T14. The through hole 47T9 shown in FIG. 14 is connected to a portion of the conductor layer 488 near the second end.

図16は、19層目の誘電体層49のパターン形成面を示している。誘電体層49のパターン形成面には、インダクタ用の導体層495,498が形成されている。導体層495,498の各々は、互いに反対側の端に位置する第1端と第2端を有している。   FIG. 16 shows the pattern formation surface of the nineteenth dielectric layer 49. Conductor layers 495 and 498 for inductors are formed on the patterned surface of the dielectric layer 49. Each of the conductor layers 495 and 498 has a first end and a second end located at opposite ends.

また、誘電体層49には、スルーホール49T1,49T2,49T3,49T4,49T5,49T6,49T7,49T8,49T9,49T10,49T11,49T12,49T13,49T14,49T15が形成されている。スルーホール49T9は、導体層498における第1端の近傍の部分に接続されている。スルーホール49T15は、導体層495における第1端の近傍の部分に接続されている。   In the dielectric layer 49, through holes 49T1, 49T2, 49T3, 49T4, 49T5, 49T6, 49T7, 49T8, 49T9, 49T10, 49T11, 49T12, 49T13, 49T14, 49T15 are formed. The through hole 49T9 is connected to a portion of the conductor layer 498 near the first end. The through hole 49T15 is connected to a portion of the conductor layer 495 near the first end.

図15に示したスルーホール48T1,48T2,48T3,48T4,48T5,48T6,48T7,48T8,48T10,48T11,48T12,48T13,48T14は、それぞれスルーホール49T1,49T2,49T3,49T4,49T5,49T6,49T7,49T8,49T10,49T11,49T12,49T13,49T14に接続されている。   The through holes 48T1, 48T2, 48T3, 48T4, 48T5, 48T7, 48T8, 48T10, 48T12, 48T12, 48T13, 48T14 shown in FIG. 15 are respectively through holes 49T1, 49T2, 49T3, 49T4, 49T5, 49T5, 49T7. , 49T8, 49T10, 49T11, 49T12, 49T13, and 49T14.

図15に示したスルーホール48T9は、導体層498における第2端の近傍の部分に接続されている。図15に示したスルーホール48T15は、導体層495における第2端の近傍の部分に接続されている。   The through hole 48T9 shown in FIG. 15 is connected to a portion of the conductor layer 498 near the second end. Through hole 48T15 shown in FIG. 15 is connected to a portion of conductor layer 495 near the second end.

図17は、20層目の誘電体層50のパターン形成面を示している。誘電体層50のパターン形成面には、共振器用の導体層501,502,503,504と、インダクタ用の導体層505,506,508が形成されている。導体層501,502,503,504,505,506,508の各々は、互いに反対側の端に位置する第1端と第2端を有している。   FIG. 17 shows the pattern formation surface of the twentieth dielectric layer 50. Conductor layers 501, 502, 503, and 504 for a resonator and conductor layers 505, 506, and 508 for an inductor are formed on the pattern formation surface of the dielectric layer 50. Each of the conductor layers 501, 502, 503, 504, 505, 506, 508 has a first end and a second end located at opposite ends.

また、誘電体層50には、スルーホール50T1,50T2,50T3,50T4,50T5,50T6,50T7,50T8,50T9,50T10,50T11,50T12,50T13,50T14,50T15が形成されている。   In the dielectric layer 50, through holes 50T1, 50T2, 50T3, 50T4, 50T5, 50T6, 50T7, 50T8, 50T9, 50T10, 50T11, 50T12, 50T13, 50T14, 50T15 are formed.

スルーホール50T1,50T2,50T3,50T4は、それぞれ、導体層501,502,503,504における第1端の近傍の部分に接続されている。スルーホール50T11,50T12,50T13,50T14は、それぞれ、導体層501,502,503,504における第2端の近傍の部分に接続されている。   The through holes 50T1, 50T2, 50T3, and 50T4 are connected to portions of the conductor layers 501, 502, 503, and 504 near the first end, respectively. The through holes 50T11, 50T12, 50T13, and 50T14 are connected to portions of the conductor layers 501, 502, 503, and 504 near the second end, respectively.

スルーホール50T8は、導体層506における第1端の近傍の部分に接続されている。スルーホール50T9は、導体層508における第1端の近傍の部分に接続されている。スルーホール50T15は、導体層505における第1端の近傍の部分に接続されている。   The through hole 50T8 is connected to a portion of the conductor layer 506 near the first end. The through hole 50T9 is connected to a portion of the conductor layer 508 near the first end. The through hole 50T15 is connected to a portion of the conductor layer 505 near the first end.

図16に示したスルーホール49T1,49T2,49T3,49T4,49T5,49T6,49T7,49T10,49T11,49T12,49T13,49T14は、それぞれスルーホール50T1,50T2,50T3,50T4,50T5,50T6,50T7,50T10,50T11,50T12,50T13,50T14に接続されている。   The through holes 49T1, 49T2, 49T3, 49T4, 49T5, 49T7, 49T10, 49T11, 49T12, 49T13, 49T14 shown in FIG. 16 are respectively through holes 50T1, 50T2, 50T3, 50T4, 50T5, 50T5, 50T7, 50T10. , 50T11, 50T12, 50T13, and 50T14.

図16に示したスルーホール49T8は、導体層506における第2端の近傍の部分に接続されている。図16に示したスルーホール49T9は、導体層508における第2端の近傍の部分に接続されている。図16に示したスルーホール49T15は、導体層505における第2端の近傍の部分に接続されている。   The through hole 49T8 shown in FIG. 16 is connected to a portion of the conductor layer 506 near the second end. The through hole 49T9 shown in FIG. 16 is connected to a portion of the conductor layer 508 near the second end. The through hole 49T15 shown in FIG. 16 is connected to a portion of the conductor layer 505 near the second end.

図18は、21層目の誘電体層51のパターン形成面を示している。誘電体層51のパターン形成面には、共振器用の導体層511,512,513,514と、インダクタ用の導体層515,516,517,518が形成されている。導体層511〜518の各々は、互いに反対側の端に位置する第1端と第2端を有している。   FIG. 18 shows the pattern formation surface of the twenty-first dielectric layer 51. Conductor layers 511, 512, 513, and 514 for a resonator and conductor layers 515, 516, 517, and 518 for an inductor are formed on the pattern formation surface of the dielectric layer 51. Each of the conductor layers 511 to 518 has a first end and a second end located at opposite ends.

また、誘電体層51には、スルーホール51T1,51T2,51T3,51T4,51T5,51T7,51T8,51T10,51T11,51T12,51T13,51T14,51T15が形成されている。   In the dielectric layer 51, through holes 51T1, 51T2, 51T3, 51T4, 51T5, 51T5, 51T8, 51T10, 51T11, 51T12, 51T13, 51T14, 51T15 are formed.

スルーホール51T1,51T2,51T3,51T4は、それぞれ、導体層511,512,513,514における第1端の近傍の部分に接続されている。スルーホール51T11,51T12,51T13,51T14は、それぞれ、導体層511,512,513,514における第2端の近傍の部分に接続されている。   The through holes 51T1, 51T2, 51T3, and 51T4 are connected to portions of the conductor layers 511, 512, 513, and 514 near the first end, respectively. The through holes 51T11, 51T12, 51T13, and 51T14 are connected to portions of the conductor layers 511, 512, 513, and 514 near the second end, respectively.

スルーホール51T5は、導体層517における第1端の近傍の部分に接続されている。スルーホール51T8は、導体層516における第1端の近傍の部分に接続されている。スルーホール51T15は、導体層515における第1端の近傍の部分に接続されている。   The through hole 51T5 is connected to a portion of the conductor layer 517 in the vicinity of the first end. The through hole 51T8 is connected to a portion of the conductor layer 516 near the first end. The through hole 51T15 is connected to a portion of the conductor layer 515 in the vicinity of the first end.

図17に示したスルーホール50T1,50T2,50T3,50T4,50T7,50T10,50T11,50T12,50T13,50T14は、それぞれスルーホール51T1,51T2,51T3,51T4,51T7,51T10,51T11,51T12,51T13,51T14に接続されている。   Through holes 50T1, 50T2, 50T3, 50T4, 50T7, 50T10, 50T11, 50T12, 50T13 and 50T14 shown in FIG. 17 are respectively through holes 51T1, 51T2, 51T2, 51T3, 51T4, 51T10, 51T10, 51T11, 51T12, 51T13, 51T14. It is connected to the.

図17に示したスルーホール50T5は、導体層517における第2端の近傍の部分に接続されている。図17に示したスルーホール50T6は、導体層518における第1端の近傍の部分に接続されている。図17に示したスルーホール50T8は、導体層516における第2端の近傍の部分に接続されている。図17に示したスルーホール50T9は、導体層518における第2端の近傍の部分に接続されている。図17に示したスルーホール50T15は、導体層515における第2端の近傍の部分に接続されている。   Through hole 50T5 shown in FIG. 17 is connected to a portion of conductor layer 517 in the vicinity of the second end. Through hole 50T6 shown in FIG. 17 is connected to a portion of conductor layer 518 near the first end. Through hole 50T8 shown in FIG. 17 is connected to a portion of conductor layer 516 near the second end. Through hole 50T9 shown in FIG. 17 is connected to a portion of conductor layer 518 near the second end. Through hole 50T15 shown in FIG. 17 is connected to a portion of conductor layer 515 in the vicinity of the second end.

図19は、22層目の誘電体層52のパターン形成面を示している。誘電体層52のパターン形成面には、共振器用の導体層521,522,523,524と、インダクタ用の導体層525,526,527が形成されている。導体層521〜527の各々は、互いに反対側の端に位置する第1端と第2端を有している。   FIG. 19 shows the pattern formation surface of the 22nd dielectric layer 52. Conductor layers 521, 522, 523 and 524 for a resonator and conductor layers 525, 526 and 527 for an inductor are formed on the patterned surface of the dielectric layer 52. Each of the conductor layers 521 to 527 has a first end and a second end located at opposite ends.

また、誘電体層52には、スルーホール52T5,52T7,52T8,52T10,52T15が形成されている。   In the dielectric layer 52, through holes 52T5, 52T7, 52T8, 52T10, 52T15 are formed.

スルーホール52T5は、導体層527における第1端の近傍の部分に接続されている。スルーホール52T8は、導体層526における第1端の近傍の部分に接続されている。スルーホール52T15は、導体層525における第1端の近傍の部分に接続されている。   The through hole 52T5 is connected to a portion of the conductor layer 527 in the vicinity of the first end. The through hole 52T8 is connected to a portion of the conductor layer 526 near the first end. The through hole 52T15 is connected to a portion of the conductor layer 525 in the vicinity of the first end.

図18に示したスルーホール51T7,51T10は、それぞれスルーホール52T7,52T10に接続されている。   Through holes 51T7 and 51T10 shown in FIG. 18 are connected to through holes 52T7 and 52T10, respectively.

図18に示したスルーホール51T1,51T2,51T3,51T4は、それぞれ、導体層521,522,523,524における第1端の近傍の部分に接続されている。図18に示したスルーホール51T11,51T12,51T13,51T14は、それぞれ、導体層521,522,523,524における第2端の近傍の部分に接続されている。   The through holes 51T1, 51T2, 51T3 and 51T4 shown in FIG. 18 are connected to portions of the conductor layers 521, 522, 523 and 524 near the first end, respectively. Through holes 51T11, 51T12, 51T13, and 51T14 shown in FIG. 18 are connected to portions of the conductor layers 521, 522, 523, and 524 near the second end, respectively.

図18に示したスルーホール51T5は、導体層527における第2端の近傍の部分に接続されている。図18に示したスルーホール51T8は、導体層526における第2端の近傍の部分に接続されている。図18に示したスルーホール51T15は、導体層525における第2端の近傍の部分に接続されている。   Through hole 51T5 shown in FIG. 18 is connected to a portion of conductor layer 527 near the second end. Through hole 51T8 shown in FIG. 18 is connected to a portion of conductor layer 526 near the second end. Through hole 51T15 shown in FIG. 18 is connected to a portion of conductor layer 525 in the vicinity of the second end.

図20は、23層目の誘電体層53のパターン形成面を示している。誘電体層53のパターン形成面には、インダクタ用の導体層537と、導体層536,539が形成されている。導体層536は、図1に示した端子63に接続されている。導体層537,539の各々は、互いに反対側の端に位置する第1端と第2端を有している。   FIG. 20 shows the pattern formation surface of the 23rd dielectric layer 53. A conductor layer 537 for an inductor and conductor layers 536 and 539 are formed on the patterned surface of the dielectric layer 53. The conductor layer 536 is connected to the terminal 63 shown in FIG. Each of the conductor layers 537, 539 has a first end and a second end located at opposite ends.

図19に示したスルーホール52T5は、導体層537における第1端の近傍の部分に接続されている。図19に示したスルーホール52T7は、導体層539における第1端の近傍の部分に接続されている。図19に示したスルーホール52T8は、導体層536に接続されている。図19に示したスルーホール52T10は、導体層537における第2端の近傍の部分に接続されている。図19に示したスルーホール52T15は、導体層539における第2端の近傍の部分に接続されている。   Through hole 52T5 shown in FIG. 19 is connected to a portion of conductor layer 537 near the first end. Through hole 52T7 shown in FIG. 19 is connected to a portion of conductor layer 539 near the first end. The through holes 52T8 shown in FIG. 19 are connected to the conductor layer 536. Through hole 52T10 shown in FIG. 19 is connected to a portion in the vicinity of the second end in conductor layer 537. Through hole 52T15 shown in FIG. 19 is connected to a portion of conductor layer 539 near the second end.

24層目ないし27層目の誘電体層54〜57には、導体層およびスルーホールは形成されていない。   Conductor layers and through holes are not formed in the twenty-fourth to twenty-seventh dielectric layers 54 to 57.

図21は、28層目の誘電体層58のパターン形成面を示している。誘電体層58のパターン形成面には、マークとして用いられる導体層581が形成されている。   FIG. 21 shows the patterned surface of the twenty-eighth dielectric layer 58. A conductor layer 581 used as a mark is formed on the patterned surface of the dielectric layer 58.

積層体30は、1層目の誘電体層31の一方の面が底面30Aになるように、1層目ないし28層目の誘電体層31〜58が積層されて構成される。28層目の誘電体層58におけるパターン形成面とは反対側の面は、積層体30の上面30Bになる。   The laminate 30 is configured by laminating first to 28th dielectric layers 31 to 58 such that one surface of the first dielectric layer 31 is a bottom surface 30A. The surface of the twenty-eighth dielectric layer 58 opposite to the patterned surface is the upper surface 30 B of the laminate 30.

以下、図5に示した積層型電子部品1の回路の構成要素と、図6ないし図21に示した積層体30の構成要素との対応関係について説明する。   Hereinafter, the correspondence between the components of the circuit of the multilayer electronic component 1 shown in FIG. 5 and the components of the laminate 30 shown in FIGS. 6 to 21 will be described.

始めに、バンドパスフィルタ10に関して説明する。共振器R1は、図17ないし図19に示した導体層501,511,521が、スルーホール50T1,51T1,50T11,51T11によって接続されて構成されている。共振器R2は、図17ないし図19に示した導体層502,512,522が、スルーホール50T2,51T2,50T12,51T12によって接続されて構成されている。共振器R3は、図17ないし図19に示した導体層503,513,523が、スルーホール50T3,51T3,50T13,51T13によって接続されて構成されている。共振器R4は、図17ないし図19に示した導体層504,514,524が、スルーホール50T4,51T4,50T14,51T14によって接続されて構成されている。   First, the band pass filter 10 will be described. The resonator R1 is configured by connecting the conductor layers 501, 511, and 521 shown in FIGS. 17 to 19 by through holes 50T1, 51T1, 50T11, and 51T11. The resonator R2 is configured by connecting the conductor layers 502, 512, 522 shown in FIGS. 17 to 19 by through holes 50T2, 51T2, 50T12, 51T12. The resonator R3 is configured by connecting the conductor layers 503, 513, and 523 shown in FIGS. 17 to 19 by through holes 50T3, 51T3, 50T13, and 51T13. The resonator R4 is configured by connecting the conductor layers 504, 514, 524 shown in FIGS. 17 to 19 by through holes 50T4, 51T4, 50T14, 51T14.

キャパシタC1は、図7に示した導体層341と、図6に示したグランド導体層331と、図6に示した誘電体層33によって構成されている。キャパシタC2は、図7に示した導体層342と、グランド導体層331と、誘電体層33によって構成されている。キャパシタC3は、図7に示した導体層343と、グランド導体層331と、誘電体層33によって構成されている。キャパシタC4は、図7に示した導体層344と、グランド導体層331と、誘電体層33によって構成されている。   The capacitor C1 is composed of the conductor layer 341 shown in FIG. 7, the ground conductor layer 331 shown in FIG. 6, and the dielectric layer 33 shown in FIG. The capacitor C2 is configured of the conductor layer 342, the ground conductor layer 331, and the dielectric layer 33 shown in FIG. The capacitor C3 is configured of the conductor layer 343 shown in FIG. 7, the ground conductor layer 331, and the dielectric layer 33. The capacitor C4 is composed of the conductor layer 344 shown in FIG. 7, the ground conductor layer 331, and the dielectric layer 33.

キャパシタC5は、図7に示した導体層341と、図8に示した導体層351と、図7に示した誘電体層34によって構成されている。キャパシタC6は、図7に示した導体層342,343と、図8に示した導体層353と、誘電体層34によって構成されている。キャパシタC7は、図7に示した導体層344と、図8に示した導体層352と、誘電体層34によって構成されている。キャパシタC8は、図7に示した導体層341,344と、図8に示した導体層354と、図9に示した導体層361,362と、誘電体層34,35によって構成されている。   The capacitor C5 is composed of the conductor layer 341 shown in FIG. 7, the conductor layer 351 shown in FIG. 8, and the dielectric layer 34 shown in FIG. The capacitor C6 is composed of the conductor layers 342 and 343 shown in FIG. 7, the conductor layer 353 shown in FIG. 8, and the dielectric layer 34. The capacitor C7 is composed of the conductor layer 344 shown in FIG. 7, the conductor layer 352 shown in FIG. 8, and the dielectric layer 34. The capacitor C8 is configured of the conductor layers 341 and 344 shown in FIG. 7, the conductor layer 354 shown in FIG. 8, the conductor layers 361 and 362 shown in FIG. 9, and the dielectric layers 34 and 35.

共振器R1とキャパシタC1,C5,C8の各一端は、複数のスルーホールと、図10に示した導体層371を介して、第1の入出力端T1に対応する端子66に接続されている。   One end of each of the resonator R1 and the capacitors C1, C5, and C8 is connected to a terminal 66 corresponding to the first input / output end T1 via a plurality of through holes and the conductor layer 371 shown in FIG. .

共振器R4を構成する導体層504と、キャパシタC4,C7,C8を構成する導体層344は、図7に示したスルーホール34T7に接続されている。   The conductor layer 504 forming the resonator R4 and the conductor layer 344 forming the capacitors C4, C7, and C8 are connected to the through holes 34T7 shown in FIG.

次に、バラン20に関して説明する。インダクタL11は、図15ないし図19に示した導体層485,495,505,515,525が複数のスルーホールによって直列に接続されて構成されている。インダクタL12は、図17ないし図19に示した導体層506,516,526が複数のスルーホールによって直列に接続されて構成されている。インダクタL21は、図18ないし図20に示した導体層517,527,537が複数のスルーホールによって直列に接続されて構成されている。インダクタL22は、図14ないし図18に示した導体層478,488,498,508,518が複数のスルーホールによって直列に接続されて構成されている。   Next, the balun 20 will be described. The inductor L11 is configured by connecting the conductor layers 485, 495, 505, 515, 525 shown in FIGS. 15 to 19 in series by a plurality of through holes. The inductor L12 is configured by connecting the conductor layers 506, 516, and 526 shown in FIGS. 17 to 19 in series by a plurality of through holes. The inductor L21 is configured by connecting the conductor layers 517, 527, 537 shown in FIG. 18 to FIG. 20 in series by a plurality of through holes. The inductor L22 is configured by connecting the conductor layers 478, 488, 498, 508, and 518 shown in FIGS. 14 to 18 in series by a plurality of through holes.

キャパシタC11は、図7に示した導体層345と、図6に示したグランド導体層331と、図6に示した誘電体層33によって構成されている。キャパシタC21は、図10ないし図12に示した導体層373,381,391と、図10および図11に示した誘電体層37,38によって構成されている。キャパシタC22は、図10ないし図12に示した導体層372,381,392と、誘電体層37,38によって構成されている。   The capacitor C11 is composed of the conductor layer 345 shown in FIG. 7, the ground conductor layer 331 shown in FIG. 6, and the dielectric layer 33 shown in FIG. The capacitor C21 is composed of the conductor layers 373, 381, and 391 shown in FIGS. 10 to 12 and the dielectric layers 37 and 38 shown in FIGS. The capacitor C22 is composed of the conductor layers 372, 381, and 392 shown in FIGS. 10 to 12 and the dielectric layers 37 and 38.

インダクタL11を構成する導体層525は、図20に示した導体層539と、複数のスルーホールを介して、図10に示したスルーホール37T7に接続されている。キャパシタC21を構成する導体層373もスルーホール37T7に接続されている。   The conductor layer 525 constituting the inductor L11 is connected to the through hole 37T7 shown in FIG. 10 via the conductor layer 539 shown in FIG. 20 and the plurality of through holes. The conductor layer 373 constituting the capacitor C21 is also connected to the through hole 37T7.

図7に示した導体層344の枝部344Bと、図10に示した導体層373の枝部373Bと、これらの間のスルーホール34T7,35T7,36T7は、第2の入出力端T2および不平衡入出力端T10に対応する。   The branch portion 344B of the conductor layer 344 shown in FIG. 7, the branch portion 373B of the conductor layer 373 shown in FIG. 10, and the through holes 34T7, 35T7, 36T7 between them are the second input / output end T2 and It corresponds to the balanced input / output terminal T10.

インダクタL12を構成する導体層526は、スルーホール52T8と、図20に示した導体層536を介して、第1の平衡入出力端T11に対応する端子63に接続されている。   The conductor layer 526 forming the inductor L12 is connected to the terminal 63 corresponding to the first balanced input / output terminal T11 through the through hole 52T8 and the conductor layer 536 shown in FIG.

キャパシタC22を構成する導体層372は、第2の平衡入出力端T12に対応する端子64に接続されている。インダクタL22を構成する導体層472は、複数のスルーホールと導体層372を介して、端子64に接続されている。   The conductor layer 372 constituting the capacitor C22 is connected to the terminal 64 corresponding to the second balanced input / output terminal T12. The conductor layer 472 constituting the inductor L22 is connected to the terminal 64 via the plurality of through holes and the conductor layer 372.

次に、本実施の形態に係る積層型電子部品1の構造上の特徴について説明する。図4に示したように、バンドパスフィルタ10とバラン20は、積層体30の複数の誘電体層の積層方向すなわちZ方向に直交する方向であるX方向について互いに異なる位置に配置されている。   Next, structural features of the multilayer electronic component 1 according to the present embodiment will be described. As shown in FIG. 4, the band pass filter 10 and the balun 20 are disposed at different positions in the X direction which is a direction perpendicular to the stacking direction of the plurality of dielectric layers of the multilayer body 30, ie, the Z direction.

グランド導体層331は、インダクタL11,L12,L21,L22よりも底面30Aにより近い位置であってZ方向から見たときにインダクタL11,L12,L21,L22と重なる位置に配置されている。   The ground conductor layer 331 is disposed at a position closer to the bottom surface 30A than the inductors L11, L12, L21, and L22 and at a position overlapping the inductors L11, L12, L21, and L22 when viewed from the Z direction.

積層体30は、インダクタL11,L12,L21,L22よりも上面30Bにより近い位置であってZ方向から見たときにインダクタL11,L12,L21,L22と重なる位置に配置されてグランドに接続されるいかなる導体層も含んでいない。   Laminated body 30 is disposed at a position closer to upper surface 30B than inductors L11, L12, L21, and L22, and is disposed at a position overlapping with inductors L11, L12, L21, and L22 when viewed from the Z direction and connected to ground. It does not contain any conductor layer.

キャパシタC11,C21,C22は、Z方向について、インダクタL11,L12,L21,L22とグランド導体層331との間に配置されている。言い換えると、インダクタL11,L12,L21,L22は、キャパシタC11,C21,C22よりも上面30Bにより近い位置であってZ方向から見たときにグランド導体層331と重なる位置に配置されている。   Capacitors C11, C21 and C22 are arranged between inductors L11, L12, L21 and L22 and ground conductor layer 331 in the Z direction. In other words, the inductors L11, L12, L21, L22 are arranged closer to the top surface 30B than the capacitors C11, C21, C22 and at positions overlapping the ground conductor layer 331 when viewed from the Z direction.

インダクタL11,L12,L21,L22は、いずれも、積層体30に含まれる複数の導体層のうちの2つ以上の導体層であってZ方向について異なる位置に配置された2つ以上の導体層が接続されて構成されている。   Each of the inductors L11, L12, L21, L22 is two or more conductor layers among the plurality of conductor layers included in the stacked body 30, and two or more conductor layers arranged at different positions in the Z direction Are connected and configured.

次に、本実施の形態に係る積層型電子部品1の効果について説明する。本実施の形態におけるバラン20は、マーチャントバランではなく、第1の移相回路21と第2の移相回路22とによって構成されたものである。第1および第2の移相回路21,22の各々は、少なくとも1つのインダクタと少なくとも1つのキャパシタとを含むLC回路である。   Next, the effects of the multilayer electronic component 1 according to the present embodiment will be described. The balun 20 in the present embodiment is not a merchant balun, but is configured by a first phase shift circuit 21 and a second phase shift circuit 22. Each of the first and second phase shift circuits 21 and 22 is an LC circuit including at least one inductor and at least one capacitor.

本実施の形態では、上記の構造上の特徴の説明から理解されるように、バラン20を構成する複数のインダクタと複数のキャパシタを、積層体30内の空間を有効に利用して配置することができる。   In the present embodiment, as understood from the above description of the structural features, a plurality of inductors and a plurality of capacitors constituting the balun 20 are disposed by effectively utilizing the space in the stacked body 30. Can.

また、本実施の形態では、バラン20を構成する複数のインダクタとグランド導体層331の間に、バラン20を構成する複数のキャパシタが配置されている。そのため、上述のようにバラン20を構成する複数のインダクタと複数のキャパシタを、積層体30内の空間を有効に利用して配置しながら、複数のインダクタとグランド導体層331との間の距離を大きくすることができる。また、複数のインダクタの上方には、Z方向から見たときに複数のインダクタと重なる位置に配置されてグランドに接続されるいかなる導体層も存在しない。これらのことから、本実施の形態によれば、複数のインダクタの各々が発生する磁束が通過する空間を十分に広くすることができる。   Further, in the present embodiment, the plurality of capacitors constituting the balun 20 are disposed between the plurality of inductors constituting the balun 20 and the ground conductor layer 331. Therefore, while arranging the plurality of inductors and the plurality of capacitors constituting the balun 20 effectively utilizing the space in the stacked body 30 as described above, the distance between the plurality of inductors and the ground conductor layer 331 It can be enlarged. Also, above the plurality of inductors, there is no conductor layer disposed at a position overlapping with the plurality of inductors when viewed from the Z direction and connected to the ground. From these facts, according to the present embodiment, the space through which the magnetic flux generated by each of the plurality of inductors can pass can be made sufficiently wide.

以上のことから、本実施の形態によれば、特性を悪化させることなく、バンドパスフィルタ10とバラン20を含む積層型電子部品1を小型化することが可能になる。   From the above, according to the present embodiment, the multilayer electronic component 1 including the band pass filter 10 and the balun 20 can be miniaturized without deteriorating the characteristics.

また、前述のように、本実施の形態では、バラン20を構成する複数のインダクタの各々は、積層体30に含まれる複数の導体層のうちの2つ以上の導体層であってZ方向について異なる位置に配置された2つ以上の導体層が接続されて構成されている。本実施の形態におけるバラン20を構成する複数のインダクタの各々は、他のインダクタと結合させる必要がないので、本実施の形態のようにZ方向について異なる位置に配置された2つ以上の導体層を接続して構成することができる。これにより、複数のインダクタの各々の占有面積を小さくすることができる。この点からも、本実施の形態によれば、積層型電子部品1を小型化することが可能になる。   In addition, as described above, in the present embodiment, each of the plurality of inductors constituting balun 20 is two or more conductor layers among the plurality of conductor layers included in stacked body 30 in the Z direction. Two or more conductor layers arranged at different positions are connected and configured. Each of the plurality of inductors constituting the balun 20 in the present embodiment does not need to be coupled to other inductors, and therefore, two or more conductor layers disposed at different positions in the Z direction as in the present embodiment Can be connected and configured. Thereby, the occupied area of each of the plurality of inductors can be reduced. From this point as well, according to the present embodiment, the multilayer electronic component 1 can be miniaturized.

なお、積層体30内においてバンドパスフィルタ10とバラン20をZ方向に並べて配置する場合には、積層体30のZ方向の寸法をあまり大きくせずに、バランを構成する複数のインダクタの各々が発生する磁束が通過する空間を十分に広くすることは困難である。   In the case where the band pass filter 10 and the balun 20 are arranged side by side in the Z direction in the stacked body 30, each of the plurality of inductors constituting the balun does not increase the dimension in the Z direction of the stacked body 30 too much. It is difficult to make the space through which the generated magnetic flux passes sufficiently wide.

また、もし、バンドパスフィルタ10をLC回路で構成すると、所望の特性が得られなかったり、所望の特性を得るために多くのインダクタとキャパシタが必要になって積層型電子部品1が大型化したりするという問題が生じる。本実施の形態のように、バンドパスフィルタ10を、複数の共振器を含む構成とすることにより、積層型電子部品1を大型化させずに、所望の特性のバンドパスフィルタ10を実現することが可能になる。   In addition, if the band pass filter 10 is configured by an LC circuit, desired characteristics can not be obtained, or a large number of inductors and capacitors are required to obtain the desired characteristics, and the multilayer electronic component 1 is enlarged. Problems will arise. As in the present embodiment, by configuring the band pass filter 10 to include a plurality of resonators, the band pass filter 10 having desired characteristics can be realized without increasing the size of the multilayer electronic component 1. Becomes possible.

次に、シミュレーションで求めた積層型電子部品1の特性の一例について説明する。図22は、バラン20を接続していない状態のバンドパスフィルタ10単独の挿入損失および反射損失の周波数特性を示している。ここでは、バンドパスフィルタ10単独の挿入損失を、第1の入出力端T1に高周波信号を入力したときに第2の入出力端T2から出力される高周波信号の応答を表すシングルエンデッドSパラメータを用いて表す。また、バンドパスフィルタ10の反射損失を、第1の入出力端T1に高周波信号を入力したときに第1の入出力端T1から出力される高周波信号の応答を表すシングルエンデッドSパラメータを用いて表す。図22において、横軸は周波数を示し、縦軸は挿入損失および反射損失を示している。また、図22において、符号101を付した線は挿入損失の周波数特性を示し、符号102を付した線は反射損失の周波数特性を示している。   Next, an example of the characteristics of the multilayer electronic component 1 obtained by simulation will be described. FIG. 22 shows the frequency characteristics of the insertion loss and the reflection loss of the band pass filter 10 alone when the balun 20 is not connected. Here, a single-ended S-parameter representing the response of the high frequency signal output from the second input / output terminal T2 when the high frequency signal is input to the first input / output terminal T1 and the insertion loss of the band pass filter 10 alone. Express using. In addition, the reflection loss of the band pass filter 10 is determined using a single-ended S parameter representing the response of the high frequency signal output from the first input / output terminal T1 when the high frequency signal is input to the first input / output terminal T1. It represents. In FIG. 22, the horizontal axis shows frequency, and the vertical axis shows insertion loss and reflection loss. Further, in FIG. 22, the line denoted by reference numeral 101 indicates the frequency characteristic of insertion loss, and the line denoted by reference numeral 102 indicates the frequency characteristic of reflection loss.

図23は、バンドパスフィルタ10とバラン20を含む積層型電子部品1の挿入損失および反射損失の周波数特性を示している。ここでは、積層型電子部品1の挿入損失を、第1の入出力端T1に不平衡信号を入力したときに第1および第2の平衡入出力端T11,T12から出力される第1および第2の平衡要素信号の差信号の応答を表すミックスト・モードSパラメータを用いて表す。また、積層型電子部品1の反射損失を、第1の入出力端T1に高周波信号を入力したときに第1の入出力端T1から出力される高周波信号の応答を表すシングルエンデッドSパラメータを用いて表す。図23において、横軸は周波数を示し、縦軸は挿入損失および反射損失を示している。また、図23において、符号111を付した線は挿入損失の周波数特性を示し、符号112を付した線は反射損失の周波数特性を示している。   FIG. 23 shows the frequency characteristics of the insertion loss and the reflection loss of the multilayer electronic component 1 including the band pass filter 10 and the balun 20. Here, when an unbalanced signal is input to the first input / output terminal T1, the first and second balanced input / output terminals T11, T12 output the insertion loss of the multilayer electronic component 1 It is represented using mixed mode S-parameters representing the response of the difference signal of two balanced element signals. In addition, a single-ended S parameter representing the response of the high frequency signal output from the first input / output terminal T1 when the high frequency signal is input to the first input / output terminal T1 is used as the reflection loss of the multilayer electronic component 1. Use to represent. In FIG. 23, the horizontal axis represents frequency, and the vertical axis represents insertion loss and reflection loss. Further, in FIG. 23, the line denoted by reference numeral 111 indicates the frequency characteristic of insertion loss, and the line denoted by reference numeral 112 indicates the frequency characteristic of reflection loss.

図22および図23から、バンドパスフィルタ10単独と積層型電子部品1のいずれも、通過帯域がおよそ3400〜4600MHzのバンドパスフィルタとして機能していることが分かる。   From FIGS. 22 and 23, it can be seen that both the band pass filter 10 alone and the multilayer electronic component 1 function as a band pass filter having a pass band of about 3400 to 4600 MHz.

図24は、バンドパスフィルタ10を接続していない状態のバラン20単独の振幅バランス特性を示している。ここでは、バラン20単独の振幅バランス特性を、不平衡入出力端T10に不平衡信号を入力したときに第1および第2の平衡入出力端T11,T12から出力される第1および第2の平衡要素信号の振幅の差(以下、振幅差と言う。)を用いて表す。振幅差は、第2の平衡要素信号の振幅が第1の平衡要素信号の振幅よりも大きい場合には正の値で表し、第2の平衡要素信号の振幅が第1の平衡要素信号の振幅よりも小さい場合には負の値で表す。図24において、横軸は周波数を示し、縦軸は振幅差を示している。   FIG. 24 shows the amplitude balance characteristic of the balun 20 alone when the band pass filter 10 is not connected. Here, the amplitude balance characteristic of the balun 20 alone and the first and second balanced input / output terminals T11 and T12 output when the unbalanced signal is input to the unbalanced input / output terminal T10. This is expressed using the difference in amplitude of the balanced element signal (hereinafter referred to as "amplitude difference"). The amplitude difference is expressed as a positive value when the amplitude of the second balanced element signal is larger than the amplitude of the first balanced element signal, and the amplitude of the second balanced element signal is the amplitude of the first balanced element signal. If it is smaller than this, it is represented by a negative value. In FIG. 24, the horizontal axis indicates frequency, and the vertical axis indicates amplitude difference.

図25は、バンドパスフィルタ10とバラン20を含む積層型電子部品1の振幅バランス特性を示している。ここでは、積層型電子部品1の振幅バランス特性を、第1の入出力端T1に不平衡信号を入力したときに第1および第2の平衡入出力端T11,T12から出力される第1および第2の平衡要素信号の振幅の差(振幅差)を用いて表す。図25において、横軸は周波数を示し、縦軸は振幅差を示している。   FIG. 25 shows the amplitude balance characteristics of the multilayer electronic component 1 including the band pass filter 10 and the balun 20. Here, the amplitude balance characteristic of the multilayer electronic component 1 is determined according to the first and second balanced input and output ends T11 and T12 when an unbalanced signal is input to the first input and output end T1. Expressed using the difference in amplitude (amplitude difference) of the second balanced element signal. In FIG. 25, the horizontal axis represents frequency, and the vertical axis represents amplitude difference.

図24と図25のいずれにおいても前述の通過帯域における振幅差は0(dB)に近い。従って、バラン20単独の振幅バランス特性と、積層型電子部品1の振幅バランス特性は、いずれも良好である。   In both of FIG. 24 and FIG. 25, the amplitude difference in the above-mentioned pass band is close to 0 (dB). Therefore, the amplitude balance characteristic of the balun 20 alone and the amplitude balance characteristic of the multilayer electronic component 1 are both good.

図26は、バンドパスフィルタ10を接続していない状態のバラン20単独の位相バランス特性を示している。ここでは、バラン20単独の位相バランス特性を、不平衡入出力端T10に不平衡信号を入力したときに第1および第2の平衡入出力端T11,T12から出力される第1および第2の平衡要素信号の位相の差(以下、位相差と言う。)を用いて表す。位相差は、第1の平衡要素信号の位相に対して第2の平衡要素信号の位相が進んでいる大きさを表している。図24において、横軸は周波数を示し、縦軸は位相差を示している。   FIG. 26 shows the phase balance characteristics of the balun 20 alone when the band pass filter 10 is not connected. Here, the phase balance characteristic of the balun 20 alone, the unbalanced signal input to the unbalanced input / output terminal T10, and the first and second balanced input / output terminals T11 and T12 output from the first and second It represents using the difference in phase of the balanced element signal (hereinafter referred to as phase difference). The phase difference represents the amount by which the phase of the second balanced element signal is advanced with respect to the phase of the first balanced element signal. In FIG. 24, the horizontal axis represents frequency, and the vertical axis represents phase difference.

図27は、バンドパスフィルタ10とバラン20を含む積層型電子部品1の位相バランス特性を示している。ここでは、積層型電子部品1の位相バランス特性を、第1の入出力端T1に不平衡信号を入力したときに第1および第2の平衡入出力端T11,T12から出力される第1および第2の平衡要素信号の位相の差(位相差)を用いて表す。図27において、横軸は周波数を示し、縦軸は位相差を示している。   FIG. 27 shows phase balance characteristics of the multilayer electronic component 1 including the band pass filter 10 and the balun 20. As shown in FIG. Here, the phase balance characteristic of the multilayer electronic component 1 is determined by comparing the first and second balanced input / output terminals T11 and T12 when an unbalanced signal is input to the first input / output terminal T1. This is expressed using the phase difference (phase difference) of the second balanced element signal. In FIG. 27, the horizontal axis represents frequency, and the vertical axis represents phase difference.

図26と図27のいずれにおいても前述の通過帯域における位相差は180度(deg)に近い。従って、バラン20単独の位相バランス特性と、積層型電子部品1の位相バランス特性は、いずれも良好である。   In both of FIG. 26 and FIG. 27, the phase difference in the above-mentioned pass band is close to 180 degrees (deg). Therefore, the phase balance characteristics of the balun 20 alone and the phase balance characteristics of the multilayer electronic component 1 are both good.

なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、実施の形態では、バンドパスフィルタ10が4つの共振器を含んでいるが、本発明におけるバンドパスフィルタが含む共振器の数は2以上であればよい。   The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications are possible. For example, in the embodiment, the band pass filter 10 includes four resonators, but the number of resonators included in the band pass filter in the present invention may be two or more.

1…積層型電子部品、10…バンドパスフィルタ、20…バラン、21…第1の移相回路、22…第2の移相回路、30…積層体。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Stacked type electronic component, 10 ... Band pass filter, 20 ... Balun, 21 ... 1st phase shift circuit, 22 ... 2nd phase shift circuit, 30 ... Laminated body.

Claims (8)

積層された複数の誘電体層と複数の導体層とを含む積層体と、
前記積層体を用いて構成されたバンドパスフィルタおよびバランを備えた積層型電子部品であって、
前記バンドパスフィルタと前記バランは、前記複数の誘電体層の積層方向に直交する方向について互いに異なる位置に配置され、
前記バンドパスフィルタは、
第1の入出力端と、
第2の入出力端と、
回路構成上、前記第1の入出力端と前記第2の入出力端との間に設けられた複数の共振器とを含み、
前記バランは、
前記第2の入出力端に接続された不平衡入出力端と、
第1の平衡入出力端と、
第2の平衡入出力端と、
回路構成上、前記不平衡入出力端と前記第1の平衡入出力端との間に設けられた第1の移相回路と、
回路構成上、前記不平衡入出力端と前記第2の平衡入出力端との間に設けられた第2の移相回路とを含み、
前記第1の移相回路は、第1のインダクタを含み前記不平衡入出力端と前記第1の平衡入出力端とを接続する第1の経路と、回路構成上、前記第1の経路とグランドとの間に設けられた第1のキャパシタとを含み、
前記第2の移相回路は、第2のキャパシタを含み前記不平衡入出力端と前記第2の平衡入出力端とを接続する第2の経路と、回路構成上、前記第2の経路とグランドとの間に設けられた第2のインダクタとを含み、
前記積層体は、前記積層型電子部品が被実装体に実装される際に前記被実装体に対向する底面と、前記底面とは反対側の上面とを有し、
前記複数の導体層は、グランドに接続されるグランド導体層を含み、
前記グランド導体層は、前記第1および第2のインダクタよりも前記底面により近い位置であって前記複数の誘電体層の積層方向から見たときに前記第1および第2のインダクタと重なる位置に配置され、
前記積層体は、前記第1および第2のインダクタよりも前記上面により近い位置であって前記複数の誘電体層の積層方向から見たときに前記第1および第2のインダクタと重なる位置に配置されてグランドに接続されるいかなる導体層も含まず、
前記第1および第2のキャパシタは、前記複数の誘電体層の積層方向について、前記第1および第2のインダクタと前記グランド導体層との間に配置されていることを特徴とする積層型電子部品。
A laminate including a plurality of stacked dielectric layers and a plurality of conductor layers;
A multilayer electronic component comprising a band pass filter and a balun configured using the above laminate, comprising:
The band pass filter and the balun are disposed at different positions in a direction orthogonal to the stacking direction of the plurality of dielectric layers,
The band pass filter is
A first input / output terminal,
A second input / output terminal,
The circuit configuration includes a plurality of resonators provided between the first input / output terminal and the second input / output terminal,
The balun is
An unbalanced input / output terminal connected to the second input / output terminal;
A first balanced input / output terminal,
A second balanced input / output terminal,
In terms of circuit configuration, a first phase shift circuit provided between the unbalanced input / output terminal and the first balanced input / output terminal;
The circuit configuration includes a second phase shift circuit provided between the unbalanced input / output terminal and the second balanced input / output terminal,
The first phase shift circuit includes a first path that includes a first inductor and connects the unbalanced input / output end and the first balanced input / output end, and in terms of circuit configuration, the first path And a first capacitor provided between the ground and
The second phase shift circuit includes a second path that includes a second capacitor and connects the unbalanced input / output end and the second balanced input / output end, and in terms of circuit configuration, the second path And a second inductor provided between the ground and the
The laminated body has a bottom surface facing the mounting target when the multilayer electronic component is mounted on the mounting target, and a top surface opposite to the bottom surface.
The plurality of conductor layers include a ground conductor layer connected to ground,
The ground conductor layer is closer to the bottom surface than the first and second inductors, and overlaps the first and second inductors when viewed in the stacking direction of the plurality of dielectric layers. Placed
The laminate is disposed at a position closer to the upper surface than the first and second inductors and at a position overlapping the first and second inductors when viewed from the laminating direction of the plurality of dielectric layers. Does not include any conductor layers that are connected to ground,
The first and second capacitors are disposed between the first and second inductors and the ground conductor layer in the stacking direction of the plurality of dielectric layers. parts.
前記第1のインダクタと前記第2のインダクタの少なくとも一方は、前記複数の導体層のうちの2つ以上の導体層であって前記複数の誘電体層の積層方向について異なる位置に配置された2つ以上の導体層が接続されて構成されていることを特徴とする請求項1記載の積層型電子部品。   At least one of the first inductor and the second inductor is two or more conductor layers of the plurality of conductor layers and arranged at different positions in the stacking direction of the plurality of dielectric layers The multilayer electronic component according to claim 1, wherein one or more conductor layers are connected. 前記第1の経路は、更に、第1のインダクタに対して直列に接続された第3のインダクタを含み、
前記第1のキャパシタは、回路構成上、前記第1のインダクタと前記第3のインダクタの接続点とグランドとの間に設けられ、
前記第3のインダクタは、前記第1および第2のキャパシタよりも前記上面により近い位置であって前記複数の誘電体層の積層方向から見たときに前記グランド導体層と重なる位置に配置されていることを特徴とする請求項1または2記載の積層型電子部品。
The first path further includes a third inductor connected in series to the first inductor,
The first capacitor is provided between the connection point of the first inductor and the third inductor and the ground in the circuit configuration.
The third inductor is disposed at a position closer to the upper surface than the first and second capacitors and at a position overlapping the ground conductor layer when viewed in the stacking direction of the plurality of dielectric layers. The laminated electronic component according to claim 1 or 2, characterized in that
前記第3のインダクタは、前記複数の導体層のうちの2つ以上の導体層であって前記複数の誘電体層の積層方向について異なる位置に配置された2つ以上の導体層が接続されて構成されていることを特徴とする請求項3記載の積層型電子部品。   The third inductor is connected to two or more conductor layers of the plurality of conductor layers, the two or more conductor layers disposed at different positions in the stacking direction of the plurality of dielectric layers. The multilayer electronic component according to claim 3, wherein the multilayer electronic component is configured. 前記第2の経路は、更に、第2のキャパシタに対して直列に接続された第3のキャパシタを含み、
前記第2のインダクタは、回路構成上、前記第2のキャパシタと前記第3のキャパシタの接続点とグランドとの間に設けられていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の積層型電子部品。
The second path further includes a third capacitor connected in series to the second capacitor,
The circuit according to any one of claims 1 to 4, wherein the second inductor is provided between a connection point of the second capacitor and the third capacitor and the ground in terms of circuit configuration. Multilayer electronic components.
前記第3のキャパシタは、前記複数の誘電体層の積層方向について、前記第1および第2のインダクタと前記グランド導体層との間に配置されていることを特徴とする請求項5記載の積層型電子部品。   The lamination according to claim 5, wherein the third capacitor is disposed between the first and second inductors and the ground conductor layer in the lamination direction of the plurality of dielectric layers. Type electronic components. 前記第3のキャパシタは、回路構成上、前記第2のキャパシタと前記第2の平衡入出力端との間に設けられ、
前記第2の移相回路は、更に、回路構成上、前記第2の平衡入出力端とグランドとの間に設けられた第4のインダクタを含み、
前記第4のインダクタは、前記第1および第2のキャパシタよりも前記上面により近い位置であって前記複数の誘電体層の積層方向から見たときに前記グランド導体層と重なる位置に配置されていることを特徴とする請求項5または6記載の積層型電子部品。
The third capacitor is provided between the second capacitor and the second balanced input / output terminal in the circuit configuration.
The second phase shift circuit further includes a fourth inductor provided between the second balanced input / output terminal and the ground in the circuit configuration,
The fourth inductor is disposed at a position closer to the upper surface than the first and second capacitors and at a position overlapping the ground conductor layer when viewed in the stacking direction of the plurality of dielectric layers. The laminated electronic component according to claim 5 or 6, characterized in that
前記第4のインダクタは、前記複数の導体層のうちの2つ以上の導体層であって前記複数の誘電体層の積層方向について異なる位置に配置された2つ以上の導体層が接続されて構成されていることを特徴とする請求項7記載の積層型電子部品。   The fourth inductor is connected to two or more conductor layers of the plurality of conductor layers, the two or more conductor layers disposed at different positions in the stacking direction of the plurality of dielectric layers. The laminated electronic component according to claim 7, characterized in that it is configured.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN115051671A (en) * 2021-03-09 2022-09-13 Tdk株式会社 Laminated filter device
CN115118245A (en) * 2021-03-23 2022-09-27 Tdk株式会社 Layered low-pass filter
JP2023042191A (en) * 2021-09-14 2023-03-27 Tdk株式会社 Laminated electronic component

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