JP2019012230A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】表示品位の低下を抑制する。【解決手段】走査線と、画素電極１３と、を備えた第１基板ＳＵＢ１と、第１基板ＳＵＢ１と対向する第２基板ＳＵＢ２と、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に保持され、筋状のポリマー３１と、液晶分子３２とを含む液晶層３０と、を備え、液晶層３０は、前記走査線と重畳する第１領域３０１と、画素電極１３と重畳する第２領域３０２とを有し、第１領域３０１のポリマー３１は、第２領域３０２のポリマー３１より密である、表示装置。【選択図】図３

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

近年、入射した光を拡散する拡散状態と入射した光を透過させる透過状態とを切り替え可能な高分子分散液晶（Polymer Dispersed Liquid Crystal：以下、『ＰＤＬＣ』と称する場合がある）を用いた照明装置が種々提案されている。
一方で、ＰＤＬＣを用いた表示装置においては、表示品位の低下を抑制することが要望されている。

特許第５４６７３８９号公報 特開２０１０−９２６８２号公報 特開２０１６−５７３３８号公報

本実施形態の目的は、表示品位の低下を抑制することが可能な表示装置を提供することにある。

一実施形態によれば、
走査線と、画素電極と、を備えた第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持され、筋状のポリマーと、液晶分子とを含む液晶層と、を備え、前記液晶層は、前記走査線と重畳する第１領域と、前記画素電極と重畳する第２領域とを有し、前記第１領域の前記ポリマーは、前記第２領域の前記ポリマーより密である、表示装置が提供される。
一実施形態によれば、
高電圧配線と、画素電極と、を備えた第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持され、筋状のポリマーと、液晶分子とを含む液晶層と、を備え、前記液晶層は、前記高電圧配線と重畳する第１領域と、前記画素電極と重畳する第２領域とを有し、前記第１領域のしきい値電圧は、前記高電圧配線に印加される電圧よりも高い、表示装置が提供される。
一実施形態によれば、
走査線を備えた第１基板と、第２基板との間に、液晶性モノマーに液晶分子を分散させた液晶材料を配置した後に、前記走査線と重畳する遮蔽部を介して第１照度の紫外線で前記液晶材料を露光する第１露光工程と、前記第１照度より高い第２照度の紫外線で前記液晶材料を露光する第２露光工程と、を備えた、表示装置の製造方法が提供される。
一実施形態によれば、
走査線と、画素電極と、を備えた第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持され、筋状のポリマーと、液晶分子とを含む液晶層と、前記第１基板と前記第２基板との間に位置し、前記走査線と重畳し、前記走査線の延出方向に沿って延出し、透明な樹脂材料によって形成された突起と、を備えた、表示装置が提供される。

図１は、本実施形態における表示装置ＤＳＰの構成例を示す平面図である。 図２は、図１に示した表示装置ＤＳＰの断面図である。 図３は、図２に示した表示パネルＰＮＬの第１構成例を示す断面図である。 図４は、透明状態の液晶層３０を模式的に示す図である。 図５は、散乱状態の液晶層３０を模式的に示す図である。 図６は、液晶層３０の散乱特性を示す図である。 図７は、液晶層３０が透明状態である場合の表示パネルＰＮＬを示す断面図である。 図８は、液晶層３０が散乱状態である場合の表示パネルＰＮＬを示す断面図である。 図９は、一画素ＰＸの構成例を示す平面図である。 図１０は、図９に示した画素ＰＸのＡ−Ｂ線に沿った断面図である。 図１１は、第１領域３０１及び第２領域３０２の一例を示す平面図である。 図１２は、第１領域３０１及び第２領域３０２の他の例を示す平面図である。 図１３は、第１構成例の液晶層３０の形成方法を説明するための図である。 図１４は、図２に示した表示パネルＰＮＬの第２構成例を示す断面図である。 図１５は、第２構成例の液晶層３０の形成方法を説明するための図である。 図１６は、図２に示した表示パネルＰＮＬの第３構成例を示す断面図である。 図１７は、第３構成例の第１変形例を示す断面図である。 図１８は、第３構成例の第２変形例を示す断面図である。 図１９は、突起ＣＶの一例を示す平面図である。 図２０は、突起ＣＶの他の例を示す平面図である。 図２１は、図１に示した表示装置ＤＳＰの主要な構成要素を示す図である。 図２２は、サンプルの吸収率を測定するための測定方法を説明するための図である。 図２３は、突起ＣＶを形成する材料の吸収率の測定結果を示す図である。

以下、いくつかの実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

図１は、本実施形態における表示装置ＤＳＰの構成例を示す平面図である。図中において、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは互いに交差し、第３方向Ｚは第１方向Ｘ及び第２方向Ｙと交差している。一例では、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、互いに９０度以外の角度で交差していてもよい。本明細書において、第３方向Ｚを示す矢印の先端に向かう方向を「上」と称し、矢印の先端から逆に向かう方向を「下」と称する。「第１部材の上の第２部材」及び「第１部材の下の第２部材」とした場合、第２部材は、第１部材に接していてもよいし、第１部材から離間していてもよい。また、第３方向Ｚを示す矢印の先端側に表示装置ＤＳＰを観察する観察位置があるものとし、この観察位置から、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙによって規定されるＸ−Ｙ平面に向かってみることを平面視という。

本実施形態においては、表示装置の一例として、高分子分散型液晶を適用した表示装置について説明する。表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬ、配線基板Ｆ１乃至Ｆ３、及び、ここでは図示しない光源ユニットを備えている。
表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２を備えている。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、平面視で重畳している。表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡ、及び、表示領域ＤＡを囲む額縁状の非表示領域ＮＤＡを備えている。表示領域ＤＡは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２が重畳している領域に位置している。表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、ｎ本の走査線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、及び、ｍ本の信号線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）を備えている。なお、ｎ及びｍはいずれも正の整数であり、ｎがｍと等しくてもよいし、ｎがｍとは異なっていてもよい。複数の走査線Ｇは、それぞれ第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに間隔をおいて並んでいる。複数の信号線Ｓは、それぞれ第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに間隔をおいて並んでいる。

第１基板ＳＵＢ１は、第１方向Ｘに沿って延出した端部Ｅ１１及びＥ１２と、第２方向Ｙに沿って延出した端部Ｅ１３及びＥ１４とを有している。第２基板ＳＵＢ２は、第１方向Ｘに沿って延出した端部Ｅ２１及びＥ２２と、第２方向Ｙに沿って延出した端部Ｅ２３及びＥ２４とを有している。図示した例では、平面視で、端部Ｅ１１及びＥ２１、端部Ｅ１３及びＥ２３、及び、端部Ｅ１４及びＥ２４は、それぞれ重畳しているが、重畳していなくてもよい。端部Ｅ２２は、平面視で、端部Ｅ１２と表示領域ＤＡとの間に位置している。第１基板ＳＵＢ１は、端部Ｅ１２と端部Ｅ２２との間に延出部Ｅｘを有している。

配線基板Ｆ１乃至Ｆ３は、それぞれ延出部Ｅｘに接続され、この順に第１方向Ｘに並んでいる。配線基板Ｆ１は、ゲートドライバＧＤ１を備えている。配線基板Ｆ２は、ソースドライバＳＤを備えている。配線基板Ｆ３は、ゲートドライバＧＤ２を備えている。なお、配線基板Ｆ１乃至Ｆ３は、単一の配線基板に置換されてもよい。
複数の信号線Ｓは、非表示領域ＮＤＡに引き出され、ソースドライバＳＤに接続されている。複数の走査線Ｇは、非表示領域ＮＤＡに引き出され、ゲートドライバＧＤ１及びＧＤ２に接続されている。図示した例では、奇数番目の走査線Ｇは、端部Ｅ１４と表示領域ＤＡとの間に引き出され、ゲートドライバＧＤ２に接続されている。また、偶数番目の走査線Ｇは、端部Ｅ１３と表示領域ＤＡとの間に引き出され、ゲートドライバＧＤ１に接続されている。なお、ゲートドライバＧＤ１及びＧＤ２と各走査線Ｇとの接続関係は図示した例に限らない。

図２は、図１に示した表示装置ＤＳＰの断面図である。ここでは、第２方向Ｙ及び第３方向Ｚによって規定されるＹ−Ｚ平面における表示装置ＤＳＰの断面において、主要部のみを説明する。表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に保持された液晶層３０を備えている。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、シール４０によって接着されている。
光源ユニットＬＵは、光源としての発光素子ＬＳ、配線基板Ｆ４などを備えている。発光素子ＬＳは、配線基板Ｆ４に接続されている。図示した例では、発光素子ＬＳは、延出部ＥＸの上に位置している。また、発光素子ＬＳは、配線基板Ｆ１乃至Ｆ３と第２基板ＳＵＢ２との間に位置している。発光素子ＬＳは、端部Ｅ２２と対向する発光部ＥＭを有している。発光素子ＬＳは、発光部ＥＭから端部Ｅ２２に向けて光を照射する。端部Ｅ２２から入射した光は、後述するように、第２方向Ｙに沿って表示パネルＰＮＬを伝播する。なお、発光素子ＬＳは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の両方の端部と対向していてもよく、例えば、端部Ｅ１１及びＥ２１と対向していてもよい。

図３は、図２に示した表示パネルＰＮＬの第１構成例を示す断面図である。第１基板ＳＵＢ１は、透明基板１０、配線１１、絶縁層１２、画素電極１３、及び、配向膜１４を備えている。第２基板ＳＵＢ２は、透明基板２０、共通電極２１、及び、配向膜２２を備えている。なお、第２基板ＳＵＢ２は、配線１１と重畳する遮光層を備えていない。透明基板１０及び２０は、ガラス基板やプラスチック基板などの絶縁基板である。配線１１は、モリブデン、タングステン、アルミニウム、チタン、銀などの不透明な金属材料によって形成されている。図示した配線１１は、第１方向Ｘに延出しているが、第２方向Ｙに延出していてもよい。絶縁層１２は、透明な絶縁材料によって形成されている。画素電極１３及び共通電極２１は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電材料によって形成されている。画素電極１３は、画素ＰＸ毎に配置されている。共通電極２１は、複数の画素ＰＸに亘って配置されている。配向膜１４及び２２は、Ｘ−Ｙ平面に略平行な配向規制力を有する水平配向膜であってもよいし、第３方向に略平行な配向規制力を有する垂直配向膜であってもよい。

液晶層３０は、配向膜１４と配向膜２２との間に位置している。液晶層３０は、高分子化合物であるポリマー３１と、液晶分子３２と、を含む高分子分散液晶を備えている。一例では、ポリマー３１は、液晶性ポリマーである。ポリマーは、例えば、液晶性モノマーが配向膜１４及び２２の配向規制力によって所定の方向に配向した状態で重合されることによって得られる。一例では、配向膜１４及び２２の配向処理方向は第１方向Ｘであり、配向膜１４及び２２は第１方向Ｘに沿った配向規制力を有している。このため、ポリマー３１は、第１方向Ｘに沿って延びた筋状に形成される。液晶分子３２は、ポリマー３１の隙間に分散され、その長軸が第１方向Ｘに沿うように配向される。

ポリマー３１及び液晶分子３２の各々は、光学異方性あるいは屈折率異方性を有している。液晶分子３２は、正の誘電率異方性を有するポジ型の液晶性分子であってもよいし、負の誘電率異方性を有するネガ型の液晶性分子であってもよい。ポリマー３１及び液晶分子３２の各々の電界に対する応答性は異なる。ポリマー３１の電界に対する応答性は、液晶分子３２の電界に対する応答性より低い。

このような液晶層３０は、配線１１と重畳する第１領域３０１と、画素電極１３と重畳する第２領域３０２とを有している。図示した例では、第１領域３０１の第２方向Ｙに沿った幅Ｗ３０１は、第２基板ＳＵＢ２側よりも第１基板ＳＵＢ１側の方が小さい。なお、幅Ｗ３０１は、第３方向Ｚに沿って一定であってもよいし、第２基板ＳＵＢ２側よりも第１基板ＳＵＢ１側の方が大きくてもよい。幅Ｗ３０１は、配線１１の第２方向Ｙに沿った幅Ｗ１１と同等以上であることが望ましい。
第１領域３０１と第２領域３０２とでは、構成が相違している。図３の点線で囲んだ領域を拡大して模式的に示すと、第１領域３０１のポリマー３１は、第２領域３０２のポリマー３１よりも密である。なお、第１領域３０１のポリマー３１は、第２領域３０２のポリマー３１よりも細い。つまり、第１領域３０１においては、細いポリマー３１が密に形成され、これらのポリマー３１の隙間に液晶分子３２が存在している。このため、第１領域３０１では、液晶分子３２の挙動がポリマー３１によって制限される傾向にある。一方、第２領域３０２においては、比較的太く成長したポリマー３１が第１領域３０１のポリマー３１よりも大きい間隔で並び、これらのポリマー３１の間に液晶分子３２が存在している。このため、第２領域３０２では、液晶分子３２の挙動がポリマー３１による制限を受けにくい傾向にある。これにより、液晶層３０に電圧が印加された際、第１領域３０１の液晶分子３２の電界に対する応答性は、第２領域３０２の液晶分子３２の電界に対する応答性より低い。後に詳述するが、第１領域３０１のしきい値電圧は、第２領域３０２のしきい値電圧よりも高い。なお、図中の拡大部分において、ポリマー３１は右上がりの斜線で示し、液晶分子３２は右下がりの斜線で示している。

図４は、透明状態の液晶層３０を模式的に示す図である。図示した例は、液晶層３０に電圧が印加されていない状態（例えば画素電極１３と共通電極２１との間の電位差がほぼゼロである状態）に相当する。ポリマー３１の光軸Ａｘ１及び液晶分子３２の光軸Ａｘ２は、互いに平行である。図示した例では、光軸Ａｘ１及び光軸Ａｘ２は、いずれも第１方向Ｘに平行である。ポリマー３１及び液晶分子３２は、ほぼ同等の屈折率異方性を有している。つまり、ポリマー３１及び液晶分子３２の常光屈折率は互いにほぼ同等であり、また、ポリマー３１及び液晶分子３２の異常光屈折率は互いにほぼ同等である。このため、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚを含むあらゆる方向において、ポリマー３１と液晶分子３２との間にほとんど屈折率差がない。このため、第３方向Ｚに沿って液晶層３０に入射した光Ｌ１は、液晶層３０内でほとんど散乱されることなく透過する。同様に、第３方向Ｚに対して傾斜した斜め方向に入射した光Ｌ２及びＬ３についても、液晶層３０内でほとんど散乱されることはない。このため、高い透明性が得られる。図４に示した状態を『透明状態』と称する。例えば、光Ｌ３は、図３に示した発光素子ＬＳから照射された光に相当し、液晶層３０においてほとんど散乱されることなく、第２方向Ｙの矢印で示した向きとは逆向きに伝播する。

図５は、散乱状態の液晶層３０を模式的に示す図である。図示した例は、液晶層３０に電圧が印加された状態（例えば画素電極１３と共通電極２１との間の電位差がしきい値以上である状態）に相当する。上記の通り、ポリマー３１の電界に対する応答性は、液晶分子３２の電界に対する応答性より低い。一例では、ポリマー３１の配向方向は、電界の有無にかかわらずほとんど変化しない。一方、液晶分子３２の配向方向は、液晶層３０にしきい値以上の高い電圧が印加された状態では、電界に応じて変化する。つまり、図示したように、光軸Ａｘ１は第１方向Ｘとほとんど平行であるのに対して、光軸Ａｘ２は第１方向Ｘに対して傾斜している。液晶分子３２がポジ型液晶性分子である場合には、液晶分子３２は、その長軸が電界に沿うように配向する。画素電極１３と共通電極２１との間の電界は、第３方向Ｚに沿って形成される。このため、液晶分子３２は、その長軸あるいは光軸Ａｘ２が第３方向Ｚに沿うように配向する。つまり、光軸Ａｘ１及びＡｘ２は、互いに交差する。したがって、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚを含むあらゆる方向において、ポリマー３１と液晶分子３２との間に大きな屈折率差が生ずる。これにより、液晶層３０に入射した光Ｌ１乃至Ｌ３は、液晶層３０内で散乱される。図５に示した状態を『散乱状態』と称する。

図６は、液晶層３０の散乱特性を示す図である。図中の横軸は電位差を示し、縦軸は明るさを示している。ここでの明るさは、液晶層３０にて光が散乱した際に得られる散乱光の輝度に相当する。他の観点から言えば、明るさは、液晶層３０の散乱度を表している。図示したように、第１領域３０１と、第２領域３０２とでは、透明状態から散乱状態に変化するしきい値電圧が異なる。なお、第１領域３０１のグラフについて、電位差は、配線１１と共通電極２１との電位差に相当する。第２領域３０２のグラフについて、電位差は、画素電極１３と共通電極２１との電位差に相当する。図示したように、第１領域３０１のしきい値電圧Ｖｔｈ１は、第２領域３０２のしきい値電圧Ｖｔｈ２よりも高い。
第１領域３０１における散乱度は、配線１１と共通電極２１との間に形成される電位差の範囲においてほぼゼロであることが望ましい。一例では、しきい値電圧Ｖｔｈ１は、例えば１５〜２５Ｖ程度である。配線１１は、高電圧が供給される高電圧配線である場合がある。例えば、配線１１が走査線Ｇである場合、例えば配線１１と共通電極２１との間には最大で２０Ｖ程度の電位差が形成される。このため、配線１１が高電圧配線である場合には、しきい値電圧Ｖｔｈ１は、配線１１上に形成される電位差よりも高く、例えば２０Ｖよりも高い。
第２領域３０２における散乱度は、画素電極１３と共通電極２１との間に形成される電位差の範囲で飽和することが望ましい。一例では、しきい値電圧Ｖｔｈ２は、５〜１０Ｖ程度である。第１領域３０１は、しきい値電圧Ｖｔｈ２程度の電圧、あるいは、第２領域３０２の散乱度が飽和する程度の電圧が印加されたとしても、透明状態を維持する。

図７は、液晶層３０が透明状態である場合の表示パネルＰＮＬを示す断面図である。発光素子ＬＳから照射された光Ｌ１１は、端部Ｅ２２から表示パネルＰＮＬに入射し、透明基板２０、液晶層３０、透明基板１０などを伝播する。配線１１及び画素電極１３と重畳する液晶層３０は、透明状態である。このため、光Ｌ１１は、液晶層３０でほとんど散乱されず、透明基板１０の下面１０Ｂ及び透明基板２０の上面２０Ｔからほとんど漏れ出すことはない。
表示パネルＰＮＬに入射する外部光Ｌ１２は、液晶層３０でほとんど散乱されることなく透過する。つまり、下面１０Ｂから表示パネルＰＮＬに入射した外部光は上面２０Ｔを透過し、上面２０Ｔから表示パネルＰＮＬに入射した外部光は下面１０Ｂを透過する。このため、ユーザは、表示パネルＰＮＬを上面２０Ｔ側から観察した場合には、表示パネルＰＮＬを透かして下面１０Ｂ側の背景を視認することができる。同様に、ユーザは、表示パネルＰＮＬを下面１０Ｂ側から観察した場合には、表示パネルＰＮＬを透かして上面２０Ｔ側の背景を視認することができる。

図８は、液晶層３０が散乱状態である場合の表示パネルＰＮＬを示す断面図である。発光素子ＬＳから照射された光Ｌ２１は、端部Ｅ２２から表示パネルＰＮＬに入射し、透明基板２０、液晶層３０、透明基板１０などを伝播する。図示した例では、配線１１と重畳する液晶層３０は透明状態に維持されている。また、画素電極１３Ａと重畳する液晶層３０は透明状態である。このため、光Ｌ２１は、液晶層３０のうち配線１１及び画素電極１３Ａと重畳する領域でほとんど散乱されない。一方、画素電極１３Ｂと重畳する液晶層３０は散乱状態である。このため、光Ｌ２１は、液晶層３０のうち画素電極１３Ｂと重畳する領域で散乱される。光Ｌ２１のうち、一部の散乱光Ｌ２１１は上面２０Ｔを透過し、一部の散乱光Ｌ２１２は下面１０Ｂを透過し、他の散乱光は表示パネルＰＮＬ内を伝播する。
画素電極１３Ａと重畳する領域では、表示パネルＰＮＬに入射する外部光Ｌ２２は、図７に示した外部光Ｌ１２と同様に、液晶層３０でほとんど散乱されることなく透過される。画素電極１３Ｂと重畳する領域では、下面１０Ｂから入射した外部光Ｌ２３は、液晶層３０で散乱された後に、その一部の光Ｌ２３１が上面２０Ｔを透過する。また、上面２０Ｔから入射した外部光Ｌ２４は、液晶層３０で散乱された後に、その一部の光Ｌ２４１が下面１０Ｂを透過する。このため、ユーザは、表示パネルＰＮＬを上面２０Ｔ側から観察した場合には、画素電極１３Ｂと重畳する領域で光Ｌ２１の色を視認することができる。加えて、一部の外部光Ｌ２３１が表示パネルＰＮＬを透過するため、ユーザは、表示パネルＰＮＬを透かして下面１０Ｂ側の背景を視認することもできる。同様に、ユーザは、表示パネルＰＮＬを下面１０Ｂ側から観察した場合には、画素電極１３Ｂと重畳する領域で光Ｌ２１の色を視認することができる。加えて、一部の外部光Ｌ２４１が表示パネルＰＮＬを透過するため、ユーザは、表示パネルＰＮＬを透かして上面２０Ｔ側の背景を視認することもできる。なお、画素電極１３Ａと重なる領域では、液晶層３０が透明状態であるため、光Ｌ２１の色はほとんど視認されず、ユーザは、表示パネルＰＮＬを透かして背景を視認することができる。

以上の本実施形態の第１構成例によれば、配線１１と重畳する第１領域３０１のしきい値電圧Ｖｔｈ１は、画素電極１３と重畳する第２領域３０２のしきい値電圧Ｖｔｈ２より高い。このため、画素電極１３に供給される電圧と同等以上の電圧が配線１１に供給された際であっても、第１領域３０１を透明状態に維持することができる。つまり、配線１１と重畳する領域での不所望な散乱を抑制することができる。したがって、表示品位の低下を抑制することができる。また、不所望な散乱に起因した発光素子ＬＳからの光の減衰を抑制することができ、光の利用効率を改善することができる。

図９は、画素ＰＸの一例を示す平面図である。図示した例では、画素ＰＸは、第１方向Ｘに並ぶ２本の信号線Ｓと、第２方向Ｙに並ぶ２本の走査線Ｇとで区画されている。画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷと、画素電極１３とを備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタであり、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。より具体的には、スイッチング素子ＳＷは、ゲート電極ＧＥ、ソース電極ＳＥ、及び、ドレイン電極ＤＥを備えている。ゲート電極ＧＥは、走査線Ｇと一体的に形成されている。図示した例では、スイッチング素子ＳＷは、半導体層ＳＣの下にゲート電極ＧＥが位置するボトムゲート型であるが、半導体層ＳＣの上にゲート電極ＧＥが位置するトップゲート型であってもよい。半導体層ＳＣは、例えばアモルファスシリコンによって形成されるが、多結晶シリコンや酸化物半導体によって形成されてもよい。ソース電極ＳＥは、信号線Ｓと一体的に形成され、半導体層ＳＣに接触している。ドレイン電極ＤＥは、ソース電極ＳＥから離間し、半導体層ＳＣに接触している。画素電極１３は、ドレイン電極ＤＥの上に重畳し、コンタクトホールＣＨにおいてドレイン電極ＤＥに接触している。
また、２本の走査線Ｇの間には、容量線Ｃが配置されている。画素電極１３は、容量線Ｃの上に重畳している。容量線Ｃと画素電極１３とが重畳する部分は、蓄積容量を形成する。

図１０は、図９に示した画素ＰＸのＡ−Ｂ線に沿った断面図である。第１基板ＳＵＢ１において、ゲート電極ＧＥ及び図示しない走査線Ｇは、透明基板１０の上に位置し、例えば図３に示した配線１１に相当する。絶縁層１２１は、ゲート電極ＧＥ及び透明基板１０を覆っている。半導体層ＳＣは、ゲート電極ＧＥの直上において、絶縁層１２１の上に位置している。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、絶縁層１２１の上に位置し、それぞれ半導体層ＳＣに接触している。絶縁層１２２は、半導体層ＳＣ、ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、及び、絶縁層１２１を覆っている。絶縁層１２３は、絶縁層１２２を覆っている。絶縁層１２１乃至１２３は、例えば図３に示した絶縁層１２に相当する。絶縁層１２１及び１２２は、シリコン窒化物やシリコン酸化物などの透明な無機絶縁材料によって形成されている。絶縁層１２３は、アクリル樹脂などの透明な有機絶縁材料によって形成されている。画素電極１３は、絶縁層１２３の上に位置している。画素電極１３は、絶縁層１２２及び１２３を貫通するコンタクトホールＣＨにおいて、ドレイン電極ＤＥに接触している。配向膜１４は、画素電極１３及び絶縁層１２３を覆っている。
第２基板ＳＵＢ２において、共通電極２１は、透明基板２０の下に位置している。配向膜２２は、共通電極２１を覆っている。液晶層３０は、配向膜１４及び２１に接触している。

図１１は、第１領域３０１及び第２領域３０２の一例を示す平面図である。発光素子ＬＳから照射される光は、上記の通り第２方向Ｙに沿って伝播する。走査線Ｇは、光の伝播方向と交差する配線である。このような走査線Ｇは、平面視で、第１領域３０１と重畳している。走査線Ｇ及び第１領域３０１の各々は、配向膜１４の配向処理方向ＡＬあるいは第１方向Ｘに沿って延出している。図示した例では、第１領域３０１は、第２方向Ｙには延出していない。第２領域３０２は、信号線Ｓと交差し、第１方向Ｘに沿って延出している。
配向処理方向ＡＬは、第１方向Ｘに沿っている。このため、第１領域３０１及び第２領域３０２において、ポリマー３１は、第１方向Ｘに沿って延出している。図中に模式的に示したように、第１領域３０１のポリマー３１は、第２領域３０２のポリマー３１よりも細く且つ密である。また、液晶分子３２は、隣接するポリマー３１の間に存在している。図示した例によれば、走査線Ｇと重畳する領域での不所望な散乱を抑制することができる。

図１２は、第１領域３０１及び第２領域３０２の他の例を示す平面図である。図１２に示した例は、図１１に示した例と比較して、第１領域３０１が第１方向Ｘのみならず第２方向Ｙにも延出している点で相違している。走査線Ｇ及び信号線Ｓは、それぞれ平面視で第１領域３０１と重畳している。第２領域３０２は、第１領域３０１で囲まれた内側に位置している。図示した例によれば、走査線Ｇと重畳する領域のみならず、信号線Ｓと重畳する領域においても不所望な散乱を抑制することができる。

図１３は、第１構成例の液晶層３０の形成方法を説明するための図である。図１３の（Ａ）に示すように、液晶性モノマーに液晶分子を分散させた液晶材料３０Ａを用意し、配向処理された配向膜１４及び２１の間に液晶材料３０Ａを配置する。このとき、液晶性モノマーに液晶分子は、配向膜１４及び２１の配向規制力により第１方向Ｘに配向する。そして、透明基板２０の上にフォトマスクＰＭを配置する。フォトマスクＰＭは、配線１１と重畳し紫外線を遮蔽する遮蔽部ＰＭＡと、画素電極１３と重畳し紫外線を透過する透過部ＰＭＢとを備えている。そして、フォトマスクＰＭを介して、液晶材料３０Ａを紫外線で露光する（第１露光工程）。このとき、フォトマスクＰＭは、配線１１と重畳する領域で紫外線を遮蔽し、画素電極１３と重畳する領域で紫外線を透過する。つまり、液晶材料３０Ａのうち、画素電極１３と重畳する領域が露光され、配線１１と重畳する領域はほとんど露光されない。これにより、図１３の（Ｂ）に示すように、液晶材料３０Ａは、配線１１と重畳する未露光領域３０１Ａと、画素電極１３と重畳する露光領域３０２Ａとに分離される。露光領域３０２Ａでは、配向膜１４及び２１の配向規制力により所定方向に配向した状態の液晶性モノマーが重合し、上記の筋状のポリマーが形成される。このような第１露光工程では、比較的低照度の紫外線が長時間にわたって照射されることで、液晶性モノマーの重合が促進される。加えて、露光領域３０２Ａの液晶性モノマーの重合が進行するにしたがって液晶性モノマーの濃度が低下するため、未露光領域３０１Ａに含まれる液晶性モノマーが露光領域３０２Ａに拡散する。このため、露光領域３０２Ａでは、より多くの液晶性モノマーが重合し、太い筋状のポリマーが形成される。
その後、図１３の（Ｃ）に示すように、フォトマスクを介することなく、液晶材料３０Ａの全面を紫外線で露光する（第２露光工程）。これにより、未露光領域３０１Ａを含む液晶材料３０Ａの全域に亘って液晶性モノマーが重合し、ポリマーが形成される。第２露光工程で照射される紫外線の第２照度は、第１露光工程で照射される紫外線の第１照度よりも高い。但し、第１露光工程における第１露光時間は、第２露光工程における第２露光時間よりも長い。そして、第１露光工程における第１露光量は、第２露光工程における第２露光量と同等である。このような第２露光工程では、高照度の紫外線が短時間に照射されることで、液晶性モノマーが重合するものの、ポリマーが成長しにくい。このため、多数の細い筋状のポリマーが形成される。上記の未露光領域３０１Ａは第１領域３０１となり、露光領域３０２Ａは第２領域３０２となる。このような工程を経て形成された第１領域３０１のポリマーは、第２領域３０２のポリマーよりも密となり、上記の通り、第１領域３０１の電界に対する応答性は、第２領域３０２よりも低下する。
なお、第１露光工程においては、フォトマスクＰＭを透過した紫外線は、下方に進行するにしたがって、広がる傾向がある。配線１１と重畳する領域に、配線１１と同等の幅の第１領域３０１を高精度に形成するためには、透明基板２０は薄いことが望ましい。また、フォトマスクを介することなく、紫外線が配線１１に沿って直線状に照射されてもよい。また、第１露光量と第２露光量とが同等である場合には、複数の太い筋状のポリマーと複数の細い筋状のポリマーとを、所望とするそれぞれの領域に機械的に形成することができるが、第１露光量と第２露光量とが異なっている場合でも、複数の太い筋状のポリマー及び複数の細い筋状のポリマーをそれぞれの領域に形成することは可能である。

図１４は、図２に示した表示パネルＰＮＬの第２構成例を示す断面図である。第２構成例は、図３に示した第１構成例と比較して、第２基板ＳＵＢ２が配線１１と重畳する位置に遮光層２３を備えた点で相違している。遮光層２３の第２方向Ｙに沿った幅Ｗ２３は、配線１１の幅Ｗ１１と同等以上である。液晶層３０において、第１領域３０１は、配線１１と遮光層２３との間に位置している。なお、第１領域３０１及び第２領域３０２の詳細については、第１構成例と同様であるため説明を省略する。

図１５は、第２構成例の液晶層３０の形成方法を説明するための図である。図１５の（Ａ）に示すように、配向処理された配向膜１４及び２１の間に液晶材料３０Ａを配置した後に、フォトマスクを介することなく、透明基板２０の全面を紫外線で露光する（第１露光工程）。このとき、遮光層２３は、配線１１と重畳する領域で紫外線を遮蔽する。つまり、遮光層２３は、遮蔽部に相当する。このため、液晶材料３０Ａは、画素電極１３と重畳する領域のみが部分的に露光される。これにより、図１５の（Ｂ）に示すように、液晶材料３０Ａは、配線１１と重畳する未露光領域３０１Ａと、画素電極１３と重畳する露光領域３０２Ａとに分離される。露光領域３０２Ａでは、図１３を参照して説明したのと同様に、より多くの液晶性モノマーが重合し、太い筋状のポリマーが形成される。
その後、図１５の（Ｃ）に示すように、フォトマスクを介することなく、透明基板２０の全面を紫外線で露光する（第２露光工程）。第２露光工程で照射される紫外線の第２照度は、第１露光工程で照射される紫外線の第１照度よりも高いが、第１露光工程における第１露光量は、第２露光工程における第２露光量と同等である。これにより、遮光層２３と重畳する領域にも紫外線が広がり、液晶材料３０Ａの全域に亘って液晶性モノマーが重合し、ポリマーが形成される。遮光層２３と重畳する領域には、図１３を参照して説明したのと同様に、多数の細い筋状のポリマーが形成される。上記の未露光領域３０１Ａは第１領域３０１となり、露光領域３０２Ａは第２領域３０２となる。

このような第２構成例においても、上記の第１構成例と同様の効果が得られる。

図１６は、図２に示した表示パネルＰＮＬの第３構成例を示す断面図である。第３構成例は、図３に示した第１構成例と比較して、配線１１と重畳する突起ＣＶを備えた点で相違している。突起ＣＶは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に位置し、配線１１の延出方向に沿って延出している。図示した例では、突起ＣＶは、配線１１と共通電極２１との間に位置している。突起ＣＶ及び配線１１は、第１方向Ｘに沿って延出している。突起ＣＶは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の双方に接触している。つまり、突起ＣＶと第１基板ＳＵＢ１との間、及び、突起ＣＶと第２基板ＳＵＢ２との間には、液晶層３０は介在していない。なお、液晶層３０は、第１構成例と同様に、ポリマー３１及び液晶分子３２を含んでいる。
一例では、突起ＣＶは、第２基板ＳＵＢ２に設けられている。突起ＣＶの第２方向Ｙに沿った幅ＷＣＶは、第２基板ＳＵＢ２側よりも第１基板ＳＵＢ１側の方が小さい。なお、幅ＷＣＶは、第３方向Ｚに沿って一定であってもよいし、第２基板ＳＵＢ２側よりも第１基板ＳＵＢ１側の方が大きくてもよい。幅ＷＣＶは、配線１１の幅Ｗ１１と同等以上であることが望ましい。
突起ＣＶは、透明な樹脂材料によって形成されている。突起ＣＶは、上記の第１領域３０１と同様に、発光素子ＬＳからの光の伝播方向と交差するが、発光素子ＬＳからの光を透過する。

このような第３構成例によれば、配線１１と重畳する領域に液晶層３０が介在しない。つまり、配線１１と共通電極２１との間に電位差が形成された際に、その電界によって散乱状態となり得る液晶層３０が存在しない。このため、配線１１と重畳する領域での不所望な散乱を抑制することができる。したがって、表示品位の低下を抑制することができる。また、不所望な散乱に起因した発光素子ＬＳからの光の減衰を抑制することができ、光の利用効率を改善することができる。また、突起ＣＶは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の双方に接触しており、液晶層３０を形成するためのセルギャップを保持することができる。
突起ＣＶを形成する樹脂材料は、液晶層３０を形成する材料と同等の屈折率を有することが望ましい。これにより、突起ＣＶと液晶層３０との界面での不所望な反射や散乱を抑制することができる。また、突起ＣＶを形成する樹脂材料は、液晶層３０を形成する材料と比較して、高い誘電率を有することが望ましい。これにより、配線１１と共通電極２１との間に電位差が形成された際に、電界が突起ＣＶに閉じ込められ、液晶層３０に不所望な電界が印加されることによる光漏れを抑制することができる。
また、突起ＣＶの幅ＷＣＶは、第２基板ＳＵＢ２側よりも第１基板ＳＵＢ１側の方が小さい。このため、たとえ配線１１から共通電極２１に向かう電界が、第１基板ＳＵＢ１から第２基板ＳＵＢ２に向かって第２方向Ｙに広がったとしても、電界が突起ＣＶに閉じ込められる。このため、液晶層３０における光漏れを抑制することができる。

図１７は、第３構成例の第１変形例を示す断面図である。突起ＣＶは、第２基板ＳＵＢ２に接触している一方で、第１基板ＳＵＢ１から離間している。つまり、突起ＣＶと第１基板ＳＵＢ１との間には、液晶層３０は介在している。但し、配線１１と突起ＣＶとの間に位置する液晶層３０の厚さＴ１は、画素電極１３と共通電極２１との間に位置する液晶層３０の厚さＴ２より小さい。なお、ここでの厚さとは、第３方向Ｚに沿った距離である。
このような第１変形例においては、突起ＣＶを設けなかった場合と比較して、配線１１と重畳する領域の液晶層３０の体積を低減することができる。また、配線１１と共通電極２１との間に形成された電位差は、突起ＣＶと液晶層３０とに分配される。このため、突起ＣＶを設けなかった場合と比較して、液晶層３０に印加される電位差を低減することができる。さらに、突起ＣＶを形成する材料が液晶層３０を形成する材料よりも高い誘電率を有する場合には、液晶層３０に配分される電位差をより低減することができる。したがって、配線１１と重畳する領域の不所望な光漏れを抑制することができる。加えて、突起ＣＶが第１基板ＳＵＢ１から離間しているため、液晶層３０を形成する際に、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に配置される液晶材料３０Ａの第２方向Ｙに沿った流動性を確保することができる。

図１８は、第３構成例の第２変形例を示す断面図である。突起ＣＶは、第１基板ＳＵＢ１に接触している一方で、第２基板ＳＵＢ２から離間している。つまり、突起ＣＶと第２基板ＳＵＢ２との間には、液晶層３０は介在している。但し、突起ＣＶと共通電極２１との間に位置する液晶層３０の厚さＴ３は、画素電極１３と共通電極２１との間に位置する液晶層３０の厚さＴ２より小さい。
このような第２変形例においても第１変形例と同様の効果が得られる。

図１９は、突起ＣＶの一例を示す平面図である。第３構成例において、図１６等に示した配線１１は、例えば走査線Ｇである。走査線Ｇは、平面視で、突起ＣＶと重畳している。なお、突起ＣＶの形状は、図１６乃至図１８のいずれに示した形状であってもよい。走査線Ｇ及び突起ＣＶの各々は、配向処理方向ＡＬあるいは第１方向Ｘに沿って延出している。図示した例では、突起ＣＶは、第２方向Ｙには延出していない。なお、突起ＣＶは、第１方向Ｘに沿って直線的且つ連続的に延出しているが、液晶材料の流動性を向上する観点では、部分的に途切れていてもよい。
図示した例によれば、走査線Ｇと重畳する領域において不所望な散乱を抑制することができる。

図２０は、突起ＣＶの他の例を示す平面図である。図２０に示した例は、図１９に示した例と比較して、突起ＣＶが第１方向Ｘのみならず第２方向Ｙにも延出している点で相違している。走査線Ｇ及び信号線Ｓは、それぞれ平面視で突起ＣＶと重畳している。図示した例においても、突起ＣＶは部分的に途切れていてもよい。
図示した例によれば、走査線Ｇと重畳する領域のみならず、信号線Ｓと重畳する領域においても不所望な散乱を抑制することができる。

図２１は、図１に示した表示装置ＤＳＰの主要な構成要素を示す図である。表示装置ＤＳＰは、図中に点線で示すコントローラＣＮＴを備えている。コントローラＣＮＴは、タイミングコントローラＴＣ、ゲートドライバＧＤ１及びＧＤ２、ソースドライバＳＤ、Ｖｃｏｍ回路ＶＣ、光源ドライバＬＳＤなどを含む。タイミングコントローラＴＣは、外部から入力された画像データや同期信号などに基づいて各種信号を生成する。一例では、タイミングコントローラＴＣは、画像データに所定の信号処理を行って生成した映像信号をソースドライバＳＤに出力する。また、タイミングコントローラＴＣは、同期信号に基づいて生成した制御信号を、ゲートドライバＧＤ１及びＧＤ２、ソースドライバＳＤ、Ｖｃｏｍ回路ＶＣ、光源ドライバＬＳＤにそれぞれ出力する。

走査線Ｇの各々には、ゲートドライバＧＤ１またはＧＤ２から走査信号が供給される。信号線Ｓの各々には、ソースドライバＳＤから映像信号が供給される。共通電極２１には、Ｖｃｏｍ回路ＶＣからコモン電圧が供給される。信号線Ｓに供給された映像信号は、走査線Ｇに供給された走査信号に基づいてスイッチング素子ＳＷが導通状態となった期間に、当該スイッチング素子ＳＷに接続された画素電極１３に印加される。スイッチング素子ＳＷを導通状態とする期間には、走査信号として走査線Ｇにハイレベルの電圧が印加され、スイッチング素子ＳＷを非導通状態とする期間には、走査信号として走査線Ｇにローレベルの電圧が印加される。一例では、ハイレベルの電圧は＋２０Ｖであり、ローレベルの電圧は−２０Ｖである。共通電極２１がコモン電圧として０Ｖの電圧に設定されていた場合、ハイレベルの電圧が印加された走査線Ｇのみならず、ローレベルの電圧が印加された走査線Ｇとの間にも２０Ｖの電位差が生ずる。本実施形態では、上記の第１乃至第３構成例を適用することにより、走査線Ｇ及び共通電極２１の間において、液晶層３０の不所望な散乱に起因した光漏れを抑制することができる。

光源ユニットＬＵは、例えば、第１色の光を出射する発光素子（第１発光素子）ＬＳＲと、第２色の光を出射する発光素子（第２発光素子）ＬＳＧと、第３色の光を出射する発光素子（第３発光素子）ＬＳＢと、を備えている。一例では、第１色は赤色であり、第２色は緑色であり、第３色は青色である。発光素子ＬＳＲの発光主波長は、例えば６２２ｎｍである。発光素子ＬＳＧの発光主波長は、例えば５３１ｎｍである。発光素子ＬＳＢの発光主波長は、例えば４６６ｎｍである。複数の発光素子ＬＳＲ、ＬＳＧ、ＬＳＢは、走査線Ｇの延出方向（上記の第１方向Ｘ）に沿って並んでいる。また、複数の発光素子ＬＳＲ、ＬＳＧ、ＬＳＢは、端部Ｅ２２と対向している。
光源ドライバＬＳＤは、タイミングコントローラＴＣからの制御信号などに従い、発光素子ＬＳＲ、ＬＳＧ、ＬＳＢの点灯期間を制御する。１フレーム期間が複数のサブフレーム（フィールド）期間を有する駆動方式においては、各サブフレームにおいて３つの発光素子ＬＳＲ、ＬＳＧ、ＬＳＢのうちの少なくとも１つが点灯し、サブフレーム毎に照明光の色が切り替えられる。本実施形態では、上記の第３構成例において、発光素子ＬＳからの光の伝播方向とは交差する方向に延びた突起ＣＶが適用される。突起ＣＶは、透明であるため、発光素子ＬＳＲ、ＬＳＧ、ＬＳＢのいずれからの光もほとんど吸収しない。

図２２は、サンプルの吸収率を測定するための測定方法を説明するための図である。光源１０１は、サンプルＳＰに向けて参照光を照射する。検出器１０２は、サンプルＳＰを透過した光の透過率を測定する。検出器１０３は、サンプルＳＰで反射された光の反射率を測定する。ここでは、光源１０１、検出器１０２、及び、検出器１０３は、サンプルＳＰに対する参照光の入射角θｉ、サンプルＳＰを透過した光の出射角θｔ、及び、サンプルＳＰで反射された光の反射角θｒが所定の値となるように設置される。一例では、入射角θｉ、出射角θｔ、及び、反射角θｒは、いずれも等しく、例えば５°に設定される。サンプルＳＰの吸収率（％）、透過率（％）、及び、反射率（％）をそれぞれＡ、Ｔ、及び、Ｒとしたとき、吸収率Ａは、以下の通り定義することができる。

Ａ＝１００−Ｔ−Ｒ
但し、ここでは、サンプルＳＰのヘーズ、及び、サンプルＳＰでの散乱は無視できるものとし、サンプルＳＰの表面が平坦であるものと仮定している。

図２３は、突起ＣＶを形成する材料の吸収率の測定結果を示す図である。図中の横軸は波長（ｎｍ）であり、縦軸は吸収率（％）である。本実施形態の突起ＣＶを形成する材料（サンプルＡ）、及び、一般的な液晶表示装置のスペーサを形成する材料（サンプルＢ）の各々の吸収率について、図２２を参照して説明した測定方法により測定した。
サンプルＢについては、特に青色波長及び緑色波長において吸収率が１％を超えることが確認された。サンプルＡについては、４３０ｎｍから６８０ｎｍの波長範囲における吸収率が１％以下であることが確認された。図２１を参照して説明した通り、光源ユニットＬＵに適用される発光素子の発光主波長は、４６６ｎｍ、５３１ｎｍ、６２２ｎｍである。サンプルＡは、いずれの発光素子からの光についてもほとんど吸収しない。このため、発光素子からの光の伝播方向とは交差する方向に延びた突起ＣＶが適用された場合であっても、発光素子からの光がほとんど吸収されず、光の利用効率の低下を抑制することができる。

以上説明したように、本実施形態によれば、表示品位の低下を抑制することが可能な表示装置を提供することができる。

なお、この発明は、上記各実施形態そのものに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、各実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、各実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。

上記の実施形態では、表示パネルＰＮＬに高分子分散型液晶を適用した第１乃至第３構成例について説明したが、透過型表示パネルあるいは反射型表示パネルと組み合わされる照明装置に、上記の第１乃至第３構成例を適用してもよい。このような照明装置によれば、表示領域ＤＡの全面のみならず、部分的に散乱状態と透明状態との切り替えが可能である。また、上記の第１乃至第３構成例を適用することにより、不所望な散乱及び不所望な吸収による損失を低減することができ、光の利用効率を改善することができる。

本明細書にて開示した構成から得られる表示装置の一例を以下に付記する。
（１）
走査線と、画素電極と、を備えた第１基板と、
前記第１基板と対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に保持され、筋状のポリマーと、液晶分子とを含む液晶層と、を備え、
前記液晶層は、前記走査線と重畳する第１領域と、前記画素電極と重畳する第２領域とを有し、
前記第１領域の前記ポリマーは、前記第２領域の前記ポリマーより密である、表示装置。
（２）
前記第１領域の前記ポリマーは、前記第２領域の前記ポリマーより細い、（１）に記載の表示装置。
（３）
前記第１基板は、さらに、配向膜を備え、
前記走査線、及び、前記第１領域の前記ポリマーは、前記配向膜の配向処理方向に沿って延出している、（１）または（２）に記載の表示装置。
（４）
さらに、光源を備え、
前記光源は、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の端部と対向し、
前記端部は、前記配向処理方向に沿って延出している、（３）に記載の表示装置。
（５）
前記第２基板は、前記走査線と重畳する位置に遮光層を備えていない、（１）乃至（４）のいずれか１項に記載の表示装置。
（６）
前記第２基板は、前記走査線と重畳する位置に遮光層を備え、
前記遮光層の幅は、前記走査線の幅と同等以上である、（１）乃至（４）のいずれか１項に記載の表示装置。
（７）
高電圧配線と、画素電極と、を備えた第１基板と、
前記第１基板と対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に保持され、筋状のポリマーと、液晶分子とを含む液晶層と、を備え、
前記液晶層は、前記高電圧配線と重畳する第１領域と、前記画素電極と重畳する第２領域とを有し、
前記第１領域のしきい値電圧は、前記高電圧配線に印加される電圧よりも高い、表示装置。
（８）
前記第１領域のしきい値電圧は、前記第２領域のしきい値電圧よりも高い、（７）に記載の表示装置。
（９）
前記第１領域の前記ポリマーは、前記第２領域の前記ポリマーより密である、（７）または（８）に記載の表示装置。
（１０）
前記第１領域の前記ポリマーは、前記高電圧配線に沿って延出した筋状に形成されている、（７）乃至（９）のいずれか１項に記載の表示装置。
（１１）
走査線を備えた第１基板と第２基板との間に液晶性モノマーに液晶分子を分散させた液晶材料を配置した後に、前記走査線と重畳する遮蔽部を介して第１照度の紫外線で前記液晶材料を露光する第１露光工程と、
前記第１照度より高い第２照度の紫外線で前記液晶材料を露光する第２露光工程と、
を備えた、表示装置の製造方法。
（１２）
前記第１露光工程における第１露光量は、前記第２露光工程における第２露光量と同等である、（１１）に記載の表示装置の製造方法。
（１３）
前記第１露光工程では、前記遮蔽部を有するフォトマスクを適用し、
前記第２露光工程では、フォトマスクを適用することなく前記液晶材料の全面を露光する、（１１）または（１２）に記載の表示装置の製造方法。
（１４）
前記第２基板は、前記走査線と重畳する前記遮蔽部を備え、
前記第１露光工程及び前記第２露光工程では、前記第２基板の全面を露光する、（１１）または（１２）に記載の表示装置の製造方法。
（１５）
走査線と、画素電極と、を備えた第１基板と、
前記第１基板と対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に保持され、筋状のポリマーと、液晶分子とを含む液晶層と、
前記第１基板と前記第２基板との間に位置し、前記走査線と重畳し、前記走査線の延出方向に沿って延出し、透明な樹脂材料によって形成された突起と、
を備えた、表示装置。
（１６）
前記突起は、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方に接触している、（１５）に記載の表示装置。
（１７）
さらに、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の端部と対向する複数の光源を備え、
前記複数の光源は、前記延出方向に沿って並んでいる、（１５）または（１６）に記載の表示装置。
（１８）
前記突起は、４３０ｎｍから６８０ｎｍの波長範囲における吸収率が１％以下である、（１７）に記載の表示装置。

ＤＳＰ…表示装置 ＰＮＬ…表示パネル
ＳＵＢ１…第１基板 １１…配線 １３…画素電極 １４…配向膜
ＳＵＢ２…第２基板 ２１…共通電極 ２２…配向膜 ２３…遮光層
３０…液晶層 ３０１…第１領域 ３０２…第２領域 ３１…ポリマー ３２…液晶分子 ＣＶ…突起

Claims (10)

1. 走査線と、画素電極と、を備えた第１基板と、
   前記第１基板と対向する第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に保持され、筋状のポリマーと、液晶分子とを含む液晶層と、を備え、
   前記液晶層は、前記走査線と重畳する第１領域と、前記画素電極と重畳する第２領域とを有し、
   前記第１領域の前記ポリマーは、前記第２領域の前記ポリマーより密である、表示装置。
2. 前記第１領域の前記ポリマーは、前記第２領域の前記ポリマーより細い、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１基板は、さらに、配向膜を備え、
   前記走査線、及び、前記第１領域の前記ポリマーは、前記配向膜の配向処理方向に沿って延出している、請求項１または２に記載の表示装置。
4. さらに、光源を備え、
   前記光源は、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の端部と対向し、
   前記端部は、前記配向処理方向に沿って延出している、請求項３に記載の表示装置。
5. 前記第２基板は、前記走査線と重畳する位置に遮光層を備えていない、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の表示装置。
6. 前記第２基板は、前記走査線と重畳する位置に遮光層を備え、
   前記遮光層の幅は、前記走査線の幅と同等以上である、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の表示装置。
7. 高電圧配線と、画素電極と、を備えた第１基板と、
   前記第１基板と対向する第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に保持され、筋状のポリマーと、液晶分子とを含む液晶層と、を備え、
   前記液晶層は、前記高電圧配線と重畳する第１領域と、前記画素電極と重畳する第２領域とを有し、
   前記第１領域のしきい値電圧は、前記高電圧配線上に形成される電位差よりも高い、表示装置。
8. 前記第１領域のしきい値電圧は、前記第２領域のしきい値電圧よりも高い、請求項７に記載の表示装置。
9. 前記第１領域の前記ポリマーは、前記第２領域の前記ポリマーより密である、請求項７または８に記載の表示装置。
10. 前記第１領域の前記ポリマーは、前記高電圧配線に沿って延出した筋状に形成されている、請求項７乃至９のいずれか１項に記載の表示装置。

Images