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JP2018509369A - Exterior zirconia ceramic parts and manufacturing method thereof - Google Patents

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JP2018509369A JP2017548092A JP2017548092A JP2018509369A JP 2018509369 A JP2018509369 A JP 2018509369A JP 2017548092 A JP2017548092 A JP 2017548092A JP 2017548092 A JP2017548092 A JP 2017548092A JP 2018509369 A JP2018509369 A JP 2018509369A
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Abstract

本出願は、外装ジルコニアセラミック部品及びその製造方法を提供する。外装ジルコニアセラミック部品は、ジルコニアセラミック基板及び指紋防止膜を含み、さらに、ジルコニアセラミック基板と指紋防止膜との間に配置され且つシリカセラミック基板及び指紋防止膜に別々に接合された中間層を含み、中間層の材料は二酸化ジルコニウム及び二酸化シリコンである。本発明の実施形態における外装ジルコニアセラミック部品によれば、中間層とジルコニアセラミック基板との間に、及び中間層と指紋防止膜との間に、安定した化学結合を生成させることができる。故に、この中間層を用いることによって、指紋防止膜をジルコニアセラミック基板に接着させることができ、ジルコニアセラミック基板と指紋防止膜との間の密着性が改善され得るとともに、指紋防止膜の耐摩耗性が改善され得る。The present application provides an exterior zirconia ceramic component and a method of manufacturing the same. The exterior zirconia ceramic component includes a zirconia ceramic substrate and an anti-fingerprint film, and further includes an intermediate layer disposed between the zirconia ceramic substrate and the anti-fingerprint film and separately bonded to the silica ceramic substrate and the anti-fingerprint film, The material of the intermediate layer is zirconium dioxide and silicon dioxide. According to the exterior zirconia ceramic component in the embodiment of the present invention, stable chemical bonds can be generated between the intermediate layer and the zirconia ceramic substrate and between the intermediate layer and the anti-fingerprint film. Therefore, by using this intermediate layer, the anti-fingerprint film can be adhered to the zirconia ceramic substrate, the adhesion between the zirconia ceramic substrate and the anti-fingerprint film can be improved, and the wear resistance of the anti-fingerprint film can be improved. Can be improved.

Description

本発明は、材料の分野に関し、特に、外装ジルコニアセラミック部品及びその製造方法に関する。   The present invention relates to the field of materials, and more particularly, to an exterior zirconia ceramic component and a method for manufacturing the same.

モバイル端末がますます人気になるにつれて、ユーザは、モバイル端末の外観について、ますます高い要求を持つようになっている。ジルコニアセラミックは、優れた総合性能を有しており、一般に、例えばタッチスクリーン、ハウジング、リアカバー、及びキーなどのモバイル端末の外装部品を製造するのに使用されている。例えば酸化アルミニウムなどの従来材料を用いることによって製造される外装セラミック部品と比較して、二酸化ジルコニウムを用いることによって製造される外装セラミック部品は、優れた機械的性能を有するだけでなく、丸くて滑らかな外観及び輝く色をも特徴とする。   As mobile terminals become more and more popular, users are increasingly demanding the appearance of mobile terminals. Zirconia ceramics have excellent overall performance and are commonly used to make mobile terminal exterior parts such as touch screens, housings, rear covers, and keys. Compared to exterior ceramic parts produced by using conventional materials such as aluminum oxide, exterior ceramic parts produced by using zirconium dioxide not only have excellent mechanical performance, but also are round and smooth. It also has a distinctive appearance and brilliant color.

しかしながら、二酸化ジルコニウムを用いることによって製造される外装セラミック部品はまた、例えば、油染み及び指紋などの跡で容易に汚れるといった欠点をも有する。実際には、外装ジルコニアセラミック部品が例えば油染み及び指紋などの跡で汚れるのを防止するために、通常、外装セラミック部品の表面に指紋防止(Anti−fingerprint)膜を配置することも必要である。故に、指紋防止膜を備えた外装ジルコニアセラミック部品が出現している。しかしながら、既存の指紋防止膜の主成分材料は、過フッ素化チェインの末端のシランであり、シラン材料と二酸化ジルコニウムとを化学的に結合させることは困難である。故に、外装ジルコニアセラミック部品上の指紋防止膜の密着性及び耐摩耗性の双方が比較的乏しいものである。   However, exterior ceramic parts produced by using zirconium dioxide also have the disadvantage that they are easily soiled with marks such as oil stains and fingerprints, for example. In practice, in order to prevent the exterior zirconia ceramic component from being soiled by, for example, oil stains and fingerprints, it is usually necessary to dispose an anti-fingerprint film on the surface of the exterior ceramic component. Therefore, exterior zirconia ceramic parts having an anti-fingerprint film have appeared. However, the main component material of the existing anti-fingerprint film is silane at the end of the perfluorinated chain, and it is difficult to chemically bond the silane material and zirconium dioxide. Therefore, both the adhesion and the wear resistance of the anti-fingerprint film on the exterior zirconia ceramic part are relatively poor.

本発明の実施形態は、外装ジルコニアセラミック部品上に配置される指紋防止膜の密着性及び耐摩耗性の双方が比較的乏しいという問題を解決するような、外装ジルコニアセラミック部品及びその製造方法を提供する。   Embodiments of the present invention provide an exterior zirconia ceramic component and a method for manufacturing the same that solve the problem that both the adhesion and wear resistance of the anti-fingerprint film disposed on the exterior zirconia ceramic component are relatively poor. To do.

第1の態様によれば、本発明の一実施形態は、外装ジルコニアセラミック部品を提供し、当該外装部品は、ジルコニアセラミック基板と指紋防止膜とを含み、さらに、上記ジルコニアセラミック基板と上記指紋防止膜との間に配置され且つ上記シリカセラミック基板及び上記指紋防止膜に別々に接合された中間層を含み、そして、上記中間層の材料が二酸化ジルコニウム及び二酸化シリコンである。   According to a first aspect, one embodiment of the present invention provides an exterior zirconia ceramic component, the exterior component including a zirconia ceramic substrate and an anti-fingerprint film, and further comprising the zirconia ceramic substrate and the anti-fingerprint. And an intermediate layer disposed between and separately bonded to the silica ceramic substrate and the anti-fingerprint film, and the material of the intermediate layer is zirconium dioxide and silicon dioxide.

上記第1の態様を参照するに、上記第1の態様の第1の取り得る実装様態において、上記中間層は、上記ジルコニア基板の表面上に配置され、その材料が二酸化ジルコニウムである遷移層と、上記遷移層上に配置され、その材料がジルコニア−シリカ複合物である混合物層と、上記混合物層と上記指紋防止膜との間に配置され、その材料が二酸化シリコンである接続層とを含む。   Referring to the first aspect, in the first possible implementation of the first aspect, the intermediate layer is disposed on the surface of the zirconia substrate, and the transition layer is made of zirconium dioxide. A mixture layer disposed on the transition layer, the material of which is a zirconia-silica composite, and a connecting layer disposed between the mixture layer and the anti-fingerprint film, the material of which is silicon dioxide. .

上記第1の態様を参照するに、上記第1の態様の第2の取り得る実装様態において、上記中間層は、上記ジルコニア基板の表面上に配置され、その材料が二酸化ジルコニウムである遷移層と、上記遷移層と上記指紋防止膜との間に配置され、その材料がジルコニア−シリカ複合物である混合物層とを含む。   Referring to the first aspect, in a second possible implementation of the first aspect, the intermediate layer is disposed on the surface of the zirconia substrate, and the transition layer is made of zirconium dioxide. And a mixture layer disposed between the transition layer and the anti-fingerprint film, the material of which is a zirconia-silica composite.

上記第1の態様を参照するに、上記第1の態様の第3の取り得る実装様態において、上記中間層は、上記ジルコニア基板の表面上に配置され、その材料が二酸化ジルコニウムである遷移層と、上記遷移層と上記指紋防止膜との間に配置され、その材料がジルコニア−シリカ複合物である混合物層とを含む。   Referring to the first aspect, in a third possible implementation of the first aspect, the intermediate layer is disposed on the surface of the zirconia substrate, and the transition layer is made of zirconium dioxide. And a mixture layer disposed between the transition layer and the anti-fingerprint film, the material of which is a zirconia-silica composite.

上記第1の態様を参照するに、上記第1の態様の第4の取り得る実装様態において、上記中間層は、上記ジルコニア基板の表面上に配置され、その材料が二酸化ジルコニウムである遷移層と、上記遷移層と上記指紋防止膜との間に配置され、その材料が二酸化シリコンである接続層とを含む。   Referring to the first aspect, in a fourth possible implementation of the first aspect, the intermediate layer is disposed on the surface of the zirconia substrate and the transition layer is made of zirconium dioxide. A connection layer disposed between the transition layer and the anti-fingerprint film, the material of which is silicon dioxide.

上記第1の態様を参照するに、上記第1の態様の第5の取り得る実装様態において、上記中間層は、上記ジルコニア基板と上記指紋防止膜との間に配置され、その材料がジルコニア−シリカ複合物である混合物層を含む。   Referring to the first aspect, in the fifth possible implementation mode of the first aspect, the intermediate layer is disposed between the zirconia substrate and the anti-fingerprint film, and the material is zirconia- It includes a mixture layer that is a silica composite.

上記第1の態様の第1、第2、第4、又は第5の取り得る実装様態を参照するに、上記第1の態様の第6の取り得る実装様態において、上記ジルコニア−シリカ複合物における、二酸化ジルコニウムの、二酸化シリコンに対するモル比が、1:9から9:1の範囲である。   Referring to the first, second, fourth, or fifth possible mounting aspects of the first aspect, in the sixth possible mounting aspect of the first aspect, in the zirconia-silica composite The molar ratio of zirconium dioxide to silicon dioxide is in the range of 1: 9 to 9: 1.

第2の態様によれば、本発明の一実施形態は更に、外装ジルコニアセラミック部品を製造する方法を提供し、当該方法は、ジルコニアセラミック基板を配置し、上記ジルコニアセラミック基板上に、その材料が二酸化ジルコニウム及び二酸化シリコンである中間層を堆積させて、上記シリカセラミック基板と上記中間層とが接合されるようにし、且つ上記中間層上に指紋防止膜を堆積させて、上記指紋防止膜と上記中間層とが接合されるようにする、ことを含む。   According to a second aspect, one embodiment of the present invention further provides a method of manufacturing an exterior zirconia ceramic component, the method comprising disposing a zirconia ceramic substrate, wherein the material is on the zirconia ceramic substrate. An intermediate layer made of zirconium dioxide and silicon dioxide is deposited so that the silica ceramic substrate and the intermediate layer are bonded, and an anti-fingerprint film is deposited on the intermediate layer, and the anti-fingerprint film and the above-mentioned Including joining the intermediate layer.

上記第2の態様を参照するに、上記第2の態様の第1の取り得る実装様態において、上記ジルコニアセラミック基板を配置することは、上記ジルコニアセラミック基板をキャビティ内に置き、且つ上記キャビティの真空排気が行われた後に、上記ジルコニアセラミック基板を洗浄することを含む。   Referring to the second aspect, in the first possible implementation of the second aspect, disposing the zirconia ceramic substrate includes placing the zirconia ceramic substrate in a cavity and vacuuming the cavity. Cleaning the zirconia ceramic substrate after evacuation.

上記第2の態様の第1の取り得る実装様態を参照するに、上記第2の態様の第2の取り得る実装様態において、上記ジルコニアセラミック基板を洗浄することは、プラズマ洗浄法又はグロー放電洗浄法にて上記ジルコニアセラミック基板を洗浄することを含む。   Referring to the first possible mounting mode of the second aspect, in the second possible mounting mode of the second aspect, cleaning the zirconia ceramic substrate may be performed by plasma cleaning or glow discharge cleaning. Cleaning the zirconia ceramic substrate by a method.

上記第2の態様、又は上記第2の態様の第1乃至第2の取り得る実装様態、の何れか一を参照するに、上記第2の態様の第3の取り得る実装様態において、上記ジルコニアセラミック基板上に上記中間層を堆積させることは、ジルコニアセラミック基板上に、その材料が二酸化ジルコニウムである遷移層を堆積させ、上記遷移層上に、その材料がジルコニア−シリカ複合物である混合物層を堆積させ、且つ上記混合物層上に、その材料が二酸化シリコンである接続層を堆積させて、上記遷移層と、上記混合物層と、上記接続層とを含む上記中間層を形成することを含む。   Referring to any one of the second aspect or the first to second possible mounting modes of the second aspect, in the third possible mounting mode of the second aspect, the zirconia Depositing the intermediate layer on the ceramic substrate deposits a transition layer whose material is zirconium dioxide on the zirconia ceramic substrate, and a mixture layer whose material is zirconia-silica composite on the transition layer. And depositing a connection layer, the material of which is silicon dioxide, on the mixture layer to form the intermediate layer including the transition layer, the mixture layer, and the connection layer. .

上記第2の態様、又は上記第2の態様の第1乃至第2の取り得る実装様態、の何れか一を参照するに、上記第2の態様の第4の取り得る実装様態において、上記ジルコニアセラミック基板上に上記中間層を堆積させることは、ジルコニアセラミック基板上に、その材料が二酸化ジルコニウムである遷移層を堆積させ、且つ上記遷移層上に、その材料がジルコニア−シリカ複合物である混合物層を堆積させて、上記遷移層と上記混合物層とを含む上記中間層を形成することを含む。   Referring to any one of the second aspect or the first to second possible mounting modes of the second aspect, in the fourth possible mounting mode of the second aspect, the zirconia Depositing the intermediate layer on the ceramic substrate comprises depositing on the zirconia ceramic substrate a transition layer whose material is zirconium dioxide and on the transition layer a mixture in which the material is a zirconia-silica composite. Depositing a layer to form the intermediate layer comprising the transition layer and the mixture layer.

上記第2の態様、又は上記第2の態様の第1乃至第2の取り得る実装様態、の何れか一を参照するに、上記第2の態様の第5の取り得る実装様態において、上記ジルコニアセラミック基板上に上記中間層を堆積させることは、ジルコニアセラミック基板上に、その材料が二酸化ジルコニウムである遷移層を堆積させ、且つ上記遷移層上に、その材料が二酸化シリコンである接続層を堆積させて、上記遷移層と上記接続層とを含む上記中間層を形成することを含む。   Referring to any one of the second aspect or the first to second possible mounting modes of the second aspect, in the fifth possible mounting mode of the second aspect, the zirconia Depositing the intermediate layer on the ceramic substrate deposits a transition layer whose material is zirconium dioxide on the zirconia ceramic substrate, and deposits a connection layer whose material is silicon dioxide on the transition layer. Forming the intermediate layer including the transition layer and the connection layer.

上記第2の態様、又は上記第2の態様の第1乃至第2の取り得る実装様態、の何れか一を参照するに、上記第2の態様の第6の取り得る実装様態において、上記ジルコニアセラミック基板上に上記中間層を堆積させることは、ジルコニアセラミック基板上に、その材料がジルコニア−シリカ複合物である混合物層を堆積させ、且つ上記混合物層上に、その材料が二酸化シリコンである接続層を堆積させて、上記混合物層と上記接続層とを含む上記中間層を形成することを含む。   Referring to any one of the second aspect or the first to second possible mounting modes of the second aspect, in the sixth possible mounting mode of the second aspect, the zirconia Depositing the intermediate layer on the ceramic substrate deposits a mixture layer whose material is a zirconia-silica composite on the zirconia ceramic substrate and the material is silicon dioxide on the mixture layer. Depositing a layer to form the intermediate layer including the mixture layer and the connection layer.

上記第2の態様、又は上記第2の態様の第1乃至第2の取り得る実装様態、の何れか一を参照するに、上記第2の態様の第7の取り得る実装様態において、上記ジルコニアセラミック基板上に上記中間層を堆積させることは、ジルコニアセラミック基板上に、その材料がジルコニア−シリカ複合物である上記中間層を堆積させることを含む。   Referring to any one of the second aspect or the first to second possible mounting modes of the second aspect, in the seventh possible mounting mode of the second aspect, the zirconia Depositing the intermediate layer on the ceramic substrate includes depositing the intermediate layer, the material of which is a zirconia-silica composite, on the zirconia ceramic substrate.

上記第2の態様の第3、第4、第6、又は第7の取り得る実装様態を参照するに、上記第2の態様の第8の取り得る実装様態において、上記ジルコニア−シリカ複合物における、二酸化ジルコニウムの、二酸化シリコンに対するモル比は、1:9から9:1の範囲である。   Referring to the third, fourth, sixth, or seventh possible mounting aspects of the second aspect, in the eighth possible mounting aspect of the second aspect, in the zirconia-silica composite The molar ratio of zirconium dioxide to silicon dioxide ranges from 1: 9 to 9: 1.

本発明の実施形態において、外装ジルコニアセラミック部品は、ジルコニアセラミック基板と指紋防止膜との間に配置され且つシリカセラミック基板及び指紋防止膜に別々に接合された中間層を含み、中間層の材料は二酸化ジルコニウム及び二酸化シリコンである。本発明の実施形態によれば、その材料が二酸化ジルコニウム及び二酸化シリコンである中間層が、ジルコニア基板の表面上に配置される。中間層とジルコニアセラミック基板との間に、及び中間層と指紋防止膜との間に、安定した化学結合を生成させることができる。故に、この中間層を用いることによって、指紋防止膜をジルコニアセラミック基板に接着させることができ、ジルコニアセラミック基板と指紋防止膜との間の密着性が改善され得るとともに、指紋防止膜の耐摩耗性が改善され得る。   In an embodiment of the present invention, the exterior zirconia ceramic component includes an intermediate layer disposed between the zirconia ceramic substrate and the anti-fingerprint film and bonded separately to the silica ceramic substrate and the anti-fingerprint film, and the intermediate layer material is Zirconium dioxide and silicon dioxide. According to an embodiment of the invention, an intermediate layer whose material is zirconium dioxide and silicon dioxide is disposed on the surface of the zirconia substrate. Stable chemical bonds can be generated between the intermediate layer and the zirconia ceramic substrate and between the intermediate layer and the anti-fingerprint film. Therefore, by using this intermediate layer, the anti-fingerprint film can be adhered to the zirconia ceramic substrate, the adhesion between the zirconia ceramic substrate and the anti-fingerprint film can be improved, and the wear resistance of the anti-fingerprint film can be improved. Can be improved.

本発明の実施形態における又は従来技術における技術的ソリューションをいっそう明瞭に説明するため、以下、実施形態又は従来技術を説明するのに必要な添付図面を簡単に説明する。明らかなように、当業者はさらに、創作努力なしで、添付図面からその他の図を導き出し得る。
本発明の一実施形態に従った外装ジルコニアセラミック部品の模式的な構造図である。 本発明の他の一実施形態に従った外装ジルコニアセラミック部品の模式的な構造図である。 本発明の他の一実施形態に従った外装ジルコニアセラミック部品の模式的な構造図である。 本発明の他の一実施形態に従った外装ジルコニアセラミック部品の模式的な構造図である。 本発明の他の一実施形態に従った外装ジルコニアセラミック部品の模式的な構造図である。 本発明の他の一実施形態に従った外装ジルコニアセラミック部品の模式的な構造図である。 本発明の一実施形態に従った外装ジルコニアセラミック部品を製造する方法のフローチャートである。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS To describe the technical solutions in the embodiments of the present invention or in the prior art more clearly, the following briefly describes the accompanying drawings required for describing the embodiments or the prior art. As will be apparent, those skilled in the art can also derive other figures from the accompanying drawings without creative efforts.
1 is a schematic structural diagram of an exterior zirconia ceramic component according to an embodiment of the present invention. FIG. 6 is a schematic structural diagram of an exterior zirconia ceramic component according to another embodiment of the present invention. FIG. 6 is a schematic structural diagram of an exterior zirconia ceramic component according to another embodiment of the present invention. FIG. 6 is a schematic structural diagram of an exterior zirconia ceramic component according to another embodiment of the present invention. FIG. 6 is a schematic structural diagram of an exterior zirconia ceramic component according to another embodiment of the present invention. FIG. 6 is a schematic structural diagram of an exterior zirconia ceramic component according to another embodiment of the present invention. 2 is a flowchart of a method for manufacturing an exterior zirconia ceramic component according to an embodiment of the present invention.

本発明における技術的ソリューションを当業者によりよく理解してもらうため、以下、本発明の実施形態内の添付図面を参照して、本発明の実施形態における技術的ソリューションを明瞭且つ十分に説明する。明らかなように、説明される実施形態は、本発明の実施形態のうちの全てではなく単に一部である。本発明の実施形態に基づいて創作努力なしで当業者によって得られるその他全ての実施形態も、本発明の保護範囲に入るものである。   In order that those skilled in the art may better understand the technical solutions in the present invention, the technical solutions in the embodiments of the present invention will be described below clearly and fully with reference to the accompanying drawings in the embodiments of the present invention. Apparently, the described embodiments are merely a part rather than all of the embodiments of the present invention. All other embodiments obtained by a person of ordinary skill in the art based on the embodiments of the present invention without creative efforts shall fall within the protection scope of the present invention.

図1を参照するに、図1は、本発明の一実施形態に従った外装ジルコニアセラミック部品の模式的な構造図である。   Referring to FIG. 1, FIG. 1 is a schematic structural diagram of an exterior zirconia ceramic component according to an embodiment of the present invention.

図1に示されるように、外装ジルコニアセラミック部品は、ジルコニアセラミック基板101と、ジルコニアセラミック基板101上に配置された中間層102と、中間層102上に配置された指紋防止膜103とを含んでいる。中間層102は、ジルコニアセラミック基板101及び指紋防止膜103に別々に接合されている。   As shown in FIG. 1, the exterior zirconia ceramic component includes a zirconia ceramic substrate 101, an intermediate layer 102 disposed on the zirconia ceramic substrate 101, and an anti-fingerprint film 103 disposed on the intermediate layer 102. Yes. The intermediate layer 102 is separately bonded to the zirconia ceramic substrate 101 and the fingerprint prevention film 103.

ジルコニアセラミック基板101の形状は、要求に従って設定され得る。指紋防止膜103の材料は、過フッ素化チェインの末端のシランである。指紋防止膜103の厚さは、5nmから30nmの範囲とし得る。中間層102は、二酸化シリコン及び二酸化ジルコニウム材料によって形成された単層又は多層の構造とし得る。中間層102が多層構造であるとき、様々な実際の要求に従って、中間層102の階層構造、及び中間層の各層を形成するのに使用される材料は様々であり得る。   The shape of the zirconia ceramic substrate 101 can be set according to requirements. The material of the anti-fingerprint film 103 is silane at the end of the perfluorinated chain. The thickness of the fingerprint prevention film 103 can be in the range of 5 nm to 30 nm. The intermediate layer 102 may be a single or multilayer structure formed of silicon dioxide and zirconium dioxide materials. When the intermediate layer 102 is a multilayer structure, the material used to form each layer of the intermediate layer 102 and the hierarchical structure of the intermediate layer 102 can vary according to various actual requirements.

オプションの一実装様態において、図2に示されるように、中間層102は、ジルコニアセラミック基板101の表面上に配置された遷移層1021と、遷移層1021上に配置された混合物層1022と、混合物層1022上に配置された接続層1023とを含むことができ、そして、接続層1023上に指紋防止膜103が配置される。   In one optional implementation, as shown in FIG. 2, the intermediate layer 102 comprises a transition layer 1021 disposed on the surface of the zirconia ceramic substrate 101, a mixture layer 1022 disposed on the transition layer 1021, and a mixture A connection layer 1023 disposed on the layer 1022, and an anti-fingerprint film 103 is disposed on the connection layer 1023.

オプションの他の一実装様態において、図3に示されるように、中間層102は、ジルコニアセラミック基板101の表面上に配置された遷移層1021と、遷移層1021上に配置された混合物層1022とを含むことができ、そして、混合物層1022上に指紋防止膜103が配置される。   In another optional implementation, as shown in FIG. 3, the intermediate layer 102 includes a transition layer 1021 disposed on the surface of the zirconia ceramic substrate 101, and a mixture layer 1022 disposed on the transition layer 1021. The anti-fingerprint film 103 is disposed on the mixture layer 1022.

オプションの他の一実装様態において、図4に示されるように、中間層102は、ジルコニアセラミック基板101の表面上に配置された遷移層1021と、遷移層1021上に配置された接続層1023とを含むことができ、そして、接続層1023上に指紋防止膜103が配置される。   In another optional implementation, the intermediate layer 102 includes a transition layer 1021 disposed on the surface of the zirconia ceramic substrate 101, and a connection layer 1023 disposed on the transition layer 1021, as shown in FIG. And an anti-fingerprint film 103 is disposed on the connection layer 1023.

オプションの他の一実装様態において、図5に示されるように、中間層102は、ジルコニアセラミック基板101の表面上に配置された混合物層1022と、混合物層1022上に配置された接続層1023とを含むことができ、そして、接続層1023上に指紋防止膜103が配置される。   In another optional implementation, the intermediate layer 102 includes a mixture layer 1022 disposed on the surface of the zirconia ceramic substrate 101, and a connection layer 1023 disposed on the mixture layer 1022, as shown in FIG. And an anti-fingerprint film 103 is disposed on the connection layer 1023.

オプションの他の一実装様態において、図6に示されるように、中間層102は、ジルコニアセラミック基板101の表面上に配置された混合物層1022のみを含むことができ、そして、混合物層1022上に直に指紋防止膜103が配置される。   In another optional implementation, as shown in FIG. 6, the intermediate layer 102 can include only the mixture layer 1022 disposed on the surface of the zirconia ceramic substrate 101, and on the mixture layer 1022 An anti-fingerprint film 103 is arranged directly.

以上の実施様態において、遷移層1021の材料は二酸化ジルコニウムとすることができ、混合物層1022の材料はジルコニア−シリカ複合物とすることができ、そして、接続層1023の材料は二酸化シリコンとすることができる。遷移層1021、混合物層1022、及び接続層1023の全厚さは、5nmから30nmの範囲とし得る。外装部品の硬度及び指紋防止膜103の密着性に関する様々な要求を満たすため、ジルコニア−シリカ複合物における、二酸化ジルコニウムの、二酸化シリコンに対するモル比は、1:9から9:1の範囲である。   In the above embodiment, the material of the transition layer 1021 can be zirconium dioxide, the material of the mixture layer 1022 can be a zirconia-silica composite, and the material of the connection layer 1023 can be silicon dioxide. Can do. The total thickness of the transition layer 1021, the mixture layer 1022, and the connection layer 1023 can be in the range of 5 nm to 30 nm. In order to satisfy various requirements regarding the hardness of the exterior parts and the adhesion of the anti-fingerprint film 103, the molar ratio of zirconium dioxide to silicon dioxide in the zirconia-silica composite is in the range of 1: 9 to 9: 1.

この実施形態によれば、その材料が二酸化ジルコニウム及び二酸化シリコンである中間層が、ジルコニア基板の表面上に配置される。中間層とジルコニアセラミック基板との間に、及び中間層と指紋防止膜との間に、安定した化学結合を生成させることができる。故に、ジルコニアセラミック基板と指紋防止膜との間の密着性が改善され得るとともに、指紋防止膜の耐摩耗性が改善され得る。   According to this embodiment, an intermediate layer whose material is zirconium dioxide and silicon dioxide is disposed on the surface of the zirconia substrate. Stable chemical bonds can be generated between the intermediate layer and the zirconia ceramic substrate and between the intermediate layer and the anti-fingerprint film. Therefore, the adhesion between the zirconia ceramic substrate and the anti-fingerprint film can be improved, and the wear resistance of the anti-fingerprint film can be improved.

本発明における外装ジルコニアセラミック部品の実施形態に対応して、本発明は更に、外装ジルコニアセラミック部品を製造する方法の実施形態を提供する。   Corresponding to the embodiment of the exterior zirconia ceramic component in the present invention, the present invention further provides an embodiment of a method of manufacturing the exterior zirconia ceramic component.

図7を参照するに、図7は、本発明の一実施形態に従った外装ジルコニアセラミック部品を製造する方法のフローチャートである。図7に示されるように、本発明における外装ジルコニアセラミック部品を製造する方法は、以下のステップを含み得る。   Referring to FIG. 7, FIG. 7 is a flowchart of a method for manufacturing an exterior zirconia ceramic component according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 7, the method for manufacturing an exterior zirconia ceramic component according to the present invention may include the following steps.

ステップ701:ジルコニアセラミック基板を配置する。   Step 701: Place a zirconia ceramic substrate.

ジルコニアセラミック基板が形を成した後、ジルコニアセラミック基板は、先ず外装部品製造装置のキャビティ内に置かれ、次いで洗浄される。様々なプロセス要求に従って、製造装置は、先ず、真空システムを用いることによってキャビティの真空排気を行い、次いで、雰囲気システム及び補助システムを用いることによってジルコニアセラミック基板の表面を洗浄し得る。ジルコニアセラミック基板の表面を洗浄することには数多くの手法が存在する。例えば、それらの手法は、プラズマ洗浄法又はグロー放電洗浄法を含み得る。   After the zirconia ceramic substrate is formed, the zirconia ceramic substrate is first placed in the cavity of the exterior component manufacturing apparatus and then cleaned. According to various process requirements, the manufacturing equipment can first evacuate the cavity by using a vacuum system and then clean the surface of the zirconia ceramic substrate by using an atmospheric system and an auxiliary system. There are many techniques for cleaning the surface of a zirconia ceramic substrate. For example, the techniques can include a plasma cleaning method or a glow discharge cleaning method.

ステップ702:ジルコニアセラミック基板上に中間層を堆積させる。中間層の材料は、二酸化ジルコニウム及び二酸化シリコンである。   Step 702: Deposit an intermediate layer on a zirconia ceramic substrate. The material of the intermediate layer is zirconium dioxide and silicon dioxide.

上記洗浄が完了した後、製造装置は、ジルコニアセラミック基板上に中間層を堆積させ得る。様々な実際の要求に従って、製造装置は、ジルコニアセラミック基板の表面の領域のうちの一部のみの上に中間層を堆積させてもよいし、ジルコニアセラミック基板の表面の領域全体上に中間層を堆積させてもよい。   After the cleaning is completed, the manufacturing apparatus can deposit an intermediate layer on the zirconia ceramic substrate. According to various actual requirements, the manufacturing apparatus may deposit the intermediate layer on only a part of the surface area of the zirconia ceramic substrate, or the intermediate layer on the entire surface area of the zirconia ceramic substrate. It may be deposited.

中間層の様々な構造に従って、製造装置は、異なる堆積法を用いることによって中間層を堆積させ得る。   According to various structures of the intermediate layer, the manufacturing apparatus can deposit the intermediate layer by using different deposition methods.

中間層が遷移層、混合物層及び接続層を含むとき、製造装置は、先ずジルコニアセラミック基板上に遷移層を堆積させ、次いで遷移層上に混合物層を堆積させ、最後に混合物層上に接続層を堆積させることで、これら遷移層、混合物層、及び接続層を含む中間層を形成し得る。   When the intermediate layer includes a transition layer, a mixture layer, and a connection layer, the manufacturing apparatus first deposits the transition layer on the zirconia ceramic substrate, then deposits the mixture layer on the transition layer, and finally the connection layer on the mixture layer. The intermediate layer including the transition layer, the mixture layer, and the connection layer can be formed.

中間層が遷移層及び混合物層を含むとき、製造装置は、先ずジルコニアセラミック基板上に遷移層を堆積させ、次いで遷移層上に混合物層を堆積させることで、これら遷移層及び混合物層を含む中間層を形成する。   When the intermediate layer includes the transition layer and the mixture layer, the manufacturing apparatus first deposits the transition layer on the zirconia ceramic substrate, and then deposits the mixture layer on the transition layer, so that the intermediate layer including the transition layer and the mixture layer is formed. Form a layer.

中間層が遷移層及び接続層を含むとき、製造装置は、先ずジルコニアセラミック基板上に遷移層を堆積させ、次いで遷移層上に接続層を堆積させることで、これら遷移層及び接続層を含む中間層を形成し得る。   When the intermediate layer includes the transition layer and the connection layer, the manufacturing apparatus first deposits the transition layer on the zirconia ceramic substrate, and then deposits the connection layer on the transition layer, so that the intermediate layer including the transition layer and the connection layer is formed. Layers can be formed.

中間層が混合物層及び接続層を含むとき、製造装置は、先ずジルコニアセラミック基板上に混合物層を堆積させ、次いで混合物層上に接続層を堆積させることで、これら混合物層及び接続層を含む中間層を形成し得る。   When the intermediate layer includes the mixture layer and the connection layer, the manufacturing apparatus first deposits the mixture layer on the zirconia ceramic substrate, and then deposits the connection layer on the mixture layer, so that the intermediate layer including the mixture layer and the connection layer is formed. Layers can be formed.

中間層が混合物層のみを含むとき、製造装置は、ジルコニアセラミック基板上に混合物層のみを堆積させることで中間層を形成し得る。   When the intermediate layer includes only the mixture layer, the manufacturing apparatus can form the intermediate layer by depositing only the mixture layer on the zirconia ceramic substrate.

遷移層の材料は二酸化ジルコニウムとすることができ、混合物層の材料はジルコニア−シリカ複合物とすることができ、そして、接続層の材料は二酸化シリコンとすることができる。遷移層、混合物層、及び接続層の全厚さは、5nmから30nmの範囲とし得る。   The material of the transition layer can be zirconium dioxide, the material of the mixture layer can be a zirconia-silica composite, and the material of the connection layer can be silicon dioxide. The total thickness of the transition layer, mixture layer, and connection layer may be in the range of 5 nm to 30 nm.

中間層は、例えば物理気相成長(Physical Vapor Deposition)又は化学気相成長(Chemical Vapor Deposition)などの堆積法にて堆積され得る。ターゲット材料、堆積システム、及び雰囲気システムを制御することによって、異なる構造及び異なる材料を有する中間層を堆積させ得る。例えば、混合物層を堆積させるとき、ターゲット材料としてジルコニウム−シリコン合金又はジルコニウムシリケートを用いることができ、混合物層は、マグネトロンスパッタリング、マルチアークイオンプレーティング、又は他の手法によって堆積される。遷移層を堆積させるとき、ターゲット材料として二酸化ジルコニウムを選択し得る。接続層が堆積されるとき、ターゲット材料として二酸化シリコンを選択し得る。外装ジルコニアセラミック部品の硬度及び指紋防止膜の密着性に関する様々な要求に従って、混合物層を形成するのに使用されるジルコニア−シリカ複合物における、二酸化ジルコニウムの、二酸化シリコンに対するモル比は、1:9から9:1の範囲とし得る。   The intermediate layer can be deposited by a deposition method such as physical vapor deposition or chemical vapor deposition. By controlling the target material, the deposition system, and the atmospheric system, intermediate layers having different structures and different materials can be deposited. For example, when depositing the mixture layer, zirconium-silicon alloy or zirconium silicate can be used as the target material, and the mixture layer is deposited by magnetron sputtering, multi-arc ion plating, or other techniques. When depositing the transition layer, zirconium dioxide may be selected as the target material. When the connection layer is deposited, silicon dioxide can be selected as the target material. The molar ratio of zirconium dioxide to silicon dioxide in the zirconia-silica composite used to form the mixture layer according to various requirements regarding the hardness of the exterior zirconia ceramic component and the adhesion of the anti-fingerprint film is 1: 9. To 9: 1.

ステップ703:中間層上に指紋防止膜を堆積させる。   Step 703: Deposit an anti-fingerprint film on the intermediate layer.

中間層を堆積させることが完了した後、製造装置は更に、中間層上に指紋防止膜を堆積させ得る。具体的には、中間層が接続層と他の層とを含むとき、指紋防止膜は接続層上に堆積されることができ、あるいは、中間層が、遷移層及び混合物層のみを含むとき、又は混合物層のみを含むとき、指紋防止膜は混合物層上に堆積され得る。指紋防止膜の材料は、過フッ素化チェインの末端のシランとし得る。   After completing the deposition of the intermediate layer, the manufacturing apparatus may further deposit an anti-fingerprint film on the intermediate layer. Specifically, when the intermediate layer includes a connection layer and other layers, the anti-fingerprint film can be deposited on the connection layer, or when the intermediate layer includes only the transition layer and the mixture layer, Or, when including only the mixture layer, the anti-fingerprint film can be deposited on the mixture layer. The material of the anti-fingerprint film can be silane at the end of the perfluorinated chain.

この実施形態によれば、その材料が二酸化ジルコニウム及び二酸化シリコンである中間層が、ジルコニア基板の表面上に配置される。中間層とジルコニアセラミック基板との間に、及び中間層と指紋防止膜との間に、安定した化学結合を生成させることができる。故に、ジルコニアセラミック基板と指紋防止膜との間の密着性が改善され得るとともに、指紋防止膜の耐摩耗性が改善され得る。   According to this embodiment, an intermediate layer whose material is zirconium dioxide and silicon dioxide is disposed on the surface of the zirconia substrate. Stable chemical bonds can be generated between the intermediate layer and the zirconia ceramic substrate and between the intermediate layer and the anti-fingerprint film. Therefore, the adhesion between the zirconia ceramic substrate and the anti-fingerprint film can be improved, and the wear resistance of the anti-fingerprint film can be improved.

本明細書における実施形態は全て漸進的に説明されている。実施形態における同一又は同様の部分についてはそれらの実施形態を参照されたく、各実施形態は他の実施形態とのの差異に焦点を当てている。特に、方法の実施形態は、構造の実施形態と基本的に同様であり、それ故に簡単に説明されている。関連する部分については、構造の実施形態における説明を参照されたい。   All embodiments herein are described progressively. Reference is made to those embodiments for identical or similar parts in the embodiments, with each embodiment focusing on differences from other embodiments. In particular, the method embodiment is basically similar to the structure embodiment and is therefore briefly described. See the description in the structural embodiment for relevant parts.

以上の説明は、本発明の実施様態であり、本発明の保護範囲を限定することを意図したものではない。本発明の精神及び原理を逸脱することなく為される如何なる変更、均等物、置換、及び改良も、本発明の保護範囲に入るものである。   The above description is an embodiment of the present invention, and is not intended to limit the protection scope of the present invention. Any changes, equivalents, substitutions and improvements made without departing from the spirit and principle of the present invention shall fall within the protection scope of the present invention.

本発明は、材料の分野に関し、特に、外装ジルコニアセラミック部品及びその製造方法に関する。   The present invention relates to the field of materials, and more particularly, to an exterior zirconia ceramic component and a method for manufacturing the same.

モバイル端末がますます人気になるにつれて、ユーザは、モバイル端末の外観について、ますます高い要求を持つようになっている。ジルコニアセラミックは、優れた総合性能を有しており、一般に、例えばタッチスクリーン、ハウジング、リアカバー、及びキーなどのモバイル端末の外装部品を製造するのに使用されている。例えば酸化アルミニウムなどの従来材料を用いることによって製造される外装セラミック部品と比較して、二酸化ジルコニウムを用いることによって製造される外装セラミック部品は、優れた機械的性能を有するだけでなく、丸くて滑らかな外観及び輝く色をも特徴とする。   As mobile terminals become more and more popular, users are increasingly demanding the appearance of mobile terminals. Zirconia ceramics have excellent overall performance and are commonly used to make mobile terminal exterior parts such as touch screens, housings, rear covers, and keys. Compared to exterior ceramic parts produced by using conventional materials such as aluminum oxide, exterior ceramic parts produced by using zirconium dioxide not only have excellent mechanical performance, but also are round and smooth. It also has a distinctive appearance and brilliant color.

しかしながら、二酸化ジルコニウムを用いることによって製造される外装セラミック部品はまた、例えば、油染み及び指紋などの跡で容易に汚れるといった欠点をも有する。実際には、外装ジルコニアセラミック部品が例えば油染み及び指紋などの跡で汚れるのを防止するために、通常、外装セラミック部品の表面に指紋防止(Anti−fingerprint)膜を配置することも必要である。故に、指紋防止膜を備えた外装ジルコニアセラミック部品が出現している。しかしながら、既存の指紋防止膜の主成分材料は、過フッ素化チェインの末端のシランであり、シラン材料と二酸化ジルコニウムとを化学的に結合させることは困難である。故に、外装ジルコニアセラミック部品上の指紋防止膜の密着性及び耐摩耗性の双方が比較的乏しいものである。   However, exterior ceramic parts produced by using zirconium dioxide also have the disadvantage that they are easily soiled with marks such as oil stains and fingerprints, for example. In practice, in order to prevent the exterior zirconia ceramic component from being soiled by, for example, oil stains and fingerprints, it is usually necessary to dispose an anti-fingerprint film on the surface of the exterior ceramic component. Therefore, exterior zirconia ceramic parts having an anti-fingerprint film have appeared. However, the main component material of the existing anti-fingerprint film is silane at the end of the perfluorinated chain, and it is difficult to chemically bond the silane material and zirconium dioxide. Therefore, both the adhesion and the wear resistance of the anti-fingerprint film on the exterior zirconia ceramic part are relatively poor.

本発明の実施形態は、外装ジルコニアセラミック部品上に配置される指紋防止膜の密着性及び耐摩耗性の双方が比較的乏しいという問題を解決するような、外装ジルコニアセラミック部品及びその製造方法を提供する。   Embodiments of the present invention provide an exterior zirconia ceramic component and a method for manufacturing the same that solve the problem that both the adhesion and wear resistance of the anti-fingerprint film disposed on the exterior zirconia ceramic component are relatively poor. To do.

第1の態様によれば、本発明の一実施形態は、外装ジルコニアセラミック部品を提供し、当該外装部品は、ジルコニアセラミック基板と指紋防止膜とを含み、さらに、上記ジルコニアセラミック基板と上記指紋防止膜との間に配置され且つ上記ジルコニアセラミック基板及び上記指紋防止膜に別々に接合された中間層を含み、そして、上記中間層の材料が二酸化ジルコニウム及び二酸化シリコンである。 According to a first aspect, one embodiment of the present invention provides an exterior zirconia ceramic component, the exterior component including a zirconia ceramic substrate and an anti-fingerprint film, and further comprising the zirconia ceramic substrate and the anti-fingerprint. And an intermediate layer disposed between and separately bonded to the zirconia ceramic substrate and the anti-fingerprint film, and the material of the intermediate layer is zirconium dioxide and silicon dioxide.

上記第1の態様を参照するに、上記第1の態様の第1の取り得る実装様態において、上記中間層は、上記ジルコニアセラミック基板の表面上に配置され、その材料が二酸化ジルコニウムである遷移層と、上記遷移層上に配置され、その材料がジルコニア−シリカ複合物である混合物層と、上記混合物層と上記指紋防止膜との間に配置され、その材料が二酸化シリコンである接続層とを含む。 Referring to the first aspect, in the first possible implementation mode of the first aspect, the intermediate layer is disposed on the surface of the zirconia ceramic substrate, and the transition layer is made of zirconium dioxide. A mixture layer disposed on the transition layer, the material of which is a zirconia-silica composite, and a connection layer disposed between the mixture layer and the anti-fingerprint film, the material of which is silicon dioxide. Including.

上記第1の態様を参照するに、上記第1の態様の第2の取り得る実装様態において、上記中間層は、上記ジルコニアセラミック基板の表面上に配置され、その材料が二酸化ジルコニウムである遷移層と、上記遷移層と上記指紋防止膜との間に配置され、その材料がジルコニア−シリカ複合物である混合物層とを含む。 Referring to the first aspect, in the second possible implementation of the first aspect, the intermediate layer is disposed on the surface of the zirconia ceramic substrate and the material is a transition layer made of zirconium dioxide. And a mixture layer disposed between the transition layer and the anti-fingerprint film, the material of which is a zirconia-silica composite.

上記第1の態様を参照するに、上記第1の態様の第3の取り得る実装様態において、上記中間層は、上記ジルコニアセラミック基板の表面上に配置され、その材料が二酸化ジルコニウムである遷移層と、上記遷移層と上記指紋防止膜との間に配置され、その材料がジルコニア−シリカ複合物である混合物層とを含む。 Referring to the first aspect, in a third possible implementation of the first aspect, the intermediate layer is disposed on the surface of the zirconia ceramic substrate, and the transition layer is zirconium dioxide. And a mixture layer disposed between the transition layer and the anti-fingerprint film, the material of which is a zirconia-silica composite.

上記第1の態様を参照するに、上記第1の態様の第4の取り得る実装様態において、上記中間層は、上記ジルコニアセラミック基板の表面上に配置され、その材料が二酸化ジルコニウムである遷移層と、上記遷移層と上記指紋防止膜との間に配置され、その材料が二酸化シリコンである接続層とを含む。 Referring to the first aspect, in a fourth possible implementation of the first aspect, the intermediate layer is disposed on the surface of the zirconia ceramic substrate and the material is a transition layer made of zirconium dioxide. And a connection layer disposed between the transition layer and the anti-fingerprint film, the material of which is silicon dioxide.

上記第1の態様を参照するに、上記第1の態様の第5の取り得る実装様態において、上記中間層は、上記ジルコニアセラミック基板と上記指紋防止膜との間に配置され、その材料がジルコニア−シリカ複合物である混合物層を含む。 Referring to the first aspect, in the fifth possible implementation mode of the first aspect, the intermediate layer is disposed between the zirconia ceramic substrate and the anti-fingerprint film, and the material is zirconia. Including a mixture layer that is a silica composite;

上記第1の態様の第1、第2、第4、又は第5の取り得る実装様態を参照するに、上記第1の態様の第6の取り得る実装様態において、上記ジルコニア−シリカ複合物における、二酸化ジルコニウムの、二酸化シリコンに対するモル比が、1:9から9:1の範囲である。   Referring to the first, second, fourth, or fifth possible mounting aspects of the first aspect, in the sixth possible mounting aspect of the first aspect, in the zirconia-silica composite The molar ratio of zirconium dioxide to silicon dioxide is in the range of 1: 9 to 9: 1.

第2の態様によれば、本発明の一実施形態は更に、外装ジルコニアセラミック部品を製造する方法を提供し、当該方法は、ジルコニアセラミック基板を配置し、上記ジルコニアセラミック基板上に、その材料が二酸化ジルコニウム及び二酸化シリコンである中間層を堆積させて、上記ジルコニアセラミック基板と上記中間層とが接合されるようにし、且つ上記中間層上に指紋防止膜を堆積させて、上記指紋防止膜と上記中間層とが接合されるようにする、ことを含む。 According to a second aspect, one embodiment of the present invention further provides a method of manufacturing an exterior zirconia ceramic component, the method comprising disposing a zirconia ceramic substrate, wherein the material is on the zirconia ceramic substrate. An intermediate layer made of zirconium dioxide and silicon dioxide is deposited so that the zirconia ceramic substrate and the intermediate layer are bonded, and an anti-fingerprint film is deposited on the intermediate layer, and the anti-fingerprint film and the above-mentioned Including joining the intermediate layer.

上記第2の態様を参照するに、上記第2の態様の第1の取り得る実装様態において、上記ジルコニアセラミック基板を配置することは、上記ジルコニアセラミック基板をキャビティ内に置き、且つ上記キャビティの真空排気が行われた後に、上記ジルコニアセラミック基板を洗浄することを含む。   Referring to the second aspect, in the first possible implementation of the second aspect, disposing the zirconia ceramic substrate includes placing the zirconia ceramic substrate in a cavity and vacuuming the cavity. Cleaning the zirconia ceramic substrate after evacuation.

上記第2の態様の第1の取り得る実装様態を参照するに、上記第2の態様の第2の取り得る実装様態において、上記ジルコニアセラミック基板を洗浄することは、プラズマ洗浄法又はグロー放電洗浄法にて上記ジルコニアセラミック基板を洗浄することを含む。   Referring to the first possible mounting mode of the second aspect, in the second possible mounting mode of the second aspect, cleaning the zirconia ceramic substrate may be performed by plasma cleaning or glow discharge cleaning. Cleaning the zirconia ceramic substrate by a method.

上記第2の態様、又は上記第2の態様の第1乃至第2の取り得る実装様態、の何れか一を参照するに、上記第2の態様の第3の取り得る実装様態において、上記ジルコニアセラミック基板上に上記中間層を堆積させることは、ジルコニアセラミック基板上に、その材料が二酸化ジルコニウムである遷移層を堆積させ、上記遷移層上に、その材料がジルコニア−シリカ複合物である混合物層を堆積させ、且つ上記混合物層上に、その材料が二酸化シリコンである接続層を堆積させて、上記遷移層と、上記混合物層と、上記接続層とを含む上記中間層を形成することを含む。   Referring to any one of the second aspect or the first to second possible mounting modes of the second aspect, in the third possible mounting mode of the second aspect, the zirconia Depositing the intermediate layer on the ceramic substrate deposits a transition layer whose material is zirconium dioxide on the zirconia ceramic substrate, and a mixture layer whose material is zirconia-silica composite on the transition layer. And depositing a connection layer, the material of which is silicon dioxide, on the mixture layer to form the intermediate layer including the transition layer, the mixture layer, and the connection layer. .

上記第2の態様、又は上記第2の態様の第1乃至第2の取り得る実装様態、の何れか一を参照するに、上記第2の態様の第4の取り得る実装様態において、上記ジルコニアセラミック基板上に上記中間層を堆積させることは、ジルコニアセラミック基板上に、その材料が二酸化ジルコニウムである遷移層を堆積させ、且つ上記遷移層上に、その材料がジルコニア−シリカ複合物である混合物層を堆積させて、上記遷移層と上記混合物層とを含む上記中間層を形成することを含む。   Referring to any one of the second aspect or the first to second possible mounting modes of the second aspect, in the fourth possible mounting mode of the second aspect, the zirconia Depositing the intermediate layer on the ceramic substrate comprises depositing on the zirconia ceramic substrate a transition layer whose material is zirconium dioxide and on the transition layer a mixture in which the material is a zirconia-silica composite. Depositing a layer to form the intermediate layer comprising the transition layer and the mixture layer.

上記第2の態様、又は上記第2の態様の第1乃至第2の取り得る実装様態、の何れか一を参照するに、上記第2の態様の第5の取り得る実装様態において、上記ジルコニアセラミック基板上に上記中間層を堆積させることは、ジルコニアセラミック基板上に、その材料が二酸化ジルコニウムである遷移層を堆積させ、且つ上記遷移層上に、その材料が二酸化シリコンである接続層を堆積させて、上記遷移層と上記接続層とを含む上記中間層を形成することを含む。   Referring to any one of the second aspect or the first to second possible mounting modes of the second aspect, in the fifth possible mounting mode of the second aspect, the zirconia Depositing the intermediate layer on the ceramic substrate deposits a transition layer whose material is zirconium dioxide on the zirconia ceramic substrate, and deposits a connection layer whose material is silicon dioxide on the transition layer. Forming the intermediate layer including the transition layer and the connection layer.

上記第2の態様、又は上記第2の態様の第1乃至第2の取り得る実装様態、の何れか一を参照するに、上記第2の態様の第6の取り得る実装様態において、上記ジルコニアセラミック基板上に上記中間層を堆積させることは、ジルコニアセラミック基板上に、その材料がジルコニア−シリカ複合物である混合物層を堆積させ、且つ上記混合物層上に、その材料が二酸化シリコンである接続層を堆積させて、上記混合物層と上記接続層とを含む上記中間層を形成することを含む。   Referring to any one of the second aspect or the first to second possible mounting modes of the second aspect, in the sixth possible mounting mode of the second aspect, the zirconia Depositing the intermediate layer on the ceramic substrate deposits a mixture layer whose material is a zirconia-silica composite on the zirconia ceramic substrate and the material is silicon dioxide on the mixture layer. Depositing a layer to form the intermediate layer including the mixture layer and the connection layer.

上記第2の態様、又は上記第2の態様の第1乃至第2の取り得る実装様態、の何れか一を参照するに、上記第2の態様の第7の取り得る実装様態において、上記ジルコニアセラミック基板上に上記中間層を堆積させることは、ジルコニアセラミック基板上に、その材料がジルコニア−シリカ複合物である上記中間層を堆積させることを含む。   Referring to any one of the second aspect or the first to second possible mounting modes of the second aspect, in the seventh possible mounting mode of the second aspect, the zirconia Depositing the intermediate layer on the ceramic substrate includes depositing the intermediate layer, the material of which is a zirconia-silica composite, on the zirconia ceramic substrate.

上記第2の態様の第3、第4、第6、又は第7の取り得る実装様態を参照するに、上記第2の態様の第8の取り得る実装様態において、上記ジルコニア−シリカ複合物における、二酸化ジルコニウムの、二酸化シリコンに対するモル比は、1:9から9:1の範囲である。   Referring to the third, fourth, sixth, or seventh possible mounting aspects of the second aspect, in the eighth possible mounting aspect of the second aspect, in the zirconia-silica composite The molar ratio of zirconium dioxide to silicon dioxide ranges from 1: 9 to 9: 1.

本発明の実施形態において、外装ジルコニアセラミック部品は、ジルコニアセラミック基板と指紋防止膜との間に配置され且つジルコニアセラミック基板及び指紋防止膜に別々に接合された中間層を含み、中間層の材料は二酸化ジルコニウム及び二酸化シリコンである。本発明の実施形態によれば、その材料が二酸化ジルコニウム及び二酸化シリコンである中間層が、ジルコニアセラミック基板の表面上に配置される。中間層とジルコニアセラミック基板との間に、及び中間層と指紋防止膜との間に、安定した化学結合を生成させることができる。故に、この中間層を用いることによって、指紋防止膜をジルコニアセラミック基板に接着させることができ、ジルコニアセラミック基板と指紋防止膜との間の密着性が改善され得るとともに、指紋防止膜の耐摩耗性が改善され得る。 In an embodiment of the present invention, the exterior zirconia ceramic component includes an intermediate layer disposed between the zirconia ceramic substrate and the anti-fingerprint film and separately bonded to the zirconia ceramic substrate and the anti-fingerprint film, and the intermediate layer material is Zirconium dioxide and silicon dioxide. According to an embodiment of the invention, an intermediate layer whose material is zirconium dioxide and silicon dioxide is disposed on the surface of the zirconia ceramic substrate. Stable chemical bonds can be generated between the intermediate layer and the zirconia ceramic substrate and between the intermediate layer and the anti-fingerprint film. Therefore, by using this intermediate layer, the anti-fingerprint film can be adhered to the zirconia ceramic substrate, the adhesion between the zirconia ceramic substrate and the anti-fingerprint film can be improved, and the wear resistance of the anti-fingerprint film can be improved. Can be improved.

本発明の実施形態における又は従来技術における技術的ソリューションをいっそう明瞭に説明するため、以下、実施形態又は従来技術を説明するのに必要な添付図面を簡単に説明する。明らかなように、当業者はさらに、創作努力なしで、添付図面からその他の図を導き出し得る。
本発明の一実施形態に従った外装ジルコニアセラミック部品の模式的な構造図である。 本発明の他の一実施形態に従った外装ジルコニアセラミック部品の模式的な構造図である。 本発明の他の一実施形態に従った外装ジルコニアセラミック部品の模式的な構造図である。 本発明の他の一実施形態に従った外装ジルコニアセラミック部品の模式的な構造図である。 本発明の他の一実施形態に従った外装ジルコニアセラミック部品の模式的な構造図である。 本発明の他の一実施形態に従った外装ジルコニアセラミック部品の模式的な構造図である。 本発明の一実施形態に従った外装ジルコニアセラミック部品を製造する方法のフローチャートである。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS To describe the technical solutions in the embodiments of the present invention or in the prior art more clearly, the following briefly describes the accompanying drawings required for describing the embodiments or the prior art. As will be apparent, those skilled in the art can also derive other figures from the accompanying drawings without creative efforts.
1 is a schematic structural diagram of an exterior zirconia ceramic component according to an embodiment of the present invention. FIG. 6 is a schematic structural diagram of an exterior zirconia ceramic component according to another embodiment of the present invention. FIG. 6 is a schematic structural diagram of an exterior zirconia ceramic component according to another embodiment of the present invention. FIG. 6 is a schematic structural diagram of an exterior zirconia ceramic component according to another embodiment of the present invention. FIG. 6 is a schematic structural diagram of an exterior zirconia ceramic component according to another embodiment of the present invention. FIG. 6 is a schematic structural diagram of an exterior zirconia ceramic component according to another embodiment of the present invention. 2 is a flowchart of a method for manufacturing an exterior zirconia ceramic component according to an embodiment of the present invention.

本発明における技術的ソリューションを当業者によりよく理解してもらうため、以下、本発明の実施形態内の添付図面を参照して、本発明の実施形態における技術的ソリューションを明瞭且つ十分に説明する。明らかなように、説明される実施形態は、本発明の実施形態のうちの全てではなく単に一部である。本発明の実施形態に基づいて創作努力なしで当業者によって得られるその他全ての実施形態も、本発明の保護範囲に入るものである。   In order that those skilled in the art may better understand the technical solutions in the present invention, the technical solutions in the embodiments of the present invention will be described below clearly and fully with reference to the accompanying drawings in the embodiments of the present invention. Apparently, the described embodiments are merely a part rather than all of the embodiments of the present invention. All other embodiments obtained by a person of ordinary skill in the art based on the embodiments of the present invention without creative efforts shall fall within the protection scope of the present invention.

図1を参照するに、図1は、本発明の一実施形態に従った外装ジルコニアセラミック部品の模式的な構造図である。   Referring to FIG. 1, FIG. 1 is a schematic structural diagram of an exterior zirconia ceramic component according to an embodiment of the present invention.

図1に示されるように、外装ジルコニアセラミック部品は、ジルコニアセラミック基板101と、ジルコニアセラミック基板101上に配置された中間層102と、中間層102上に配置された指紋防止膜103とを含んでいる。中間層102は、ジルコニアセラミック基板101及び指紋防止膜103に別々に接合されている。   As shown in FIG. 1, the exterior zirconia ceramic component includes a zirconia ceramic substrate 101, an intermediate layer 102 disposed on the zirconia ceramic substrate 101, and an anti-fingerprint film 103 disposed on the intermediate layer 102. Yes. The intermediate layer 102 is separately bonded to the zirconia ceramic substrate 101 and the fingerprint prevention film 103.

ジルコニアセラミック基板101の形状は、要求に従って設定され得る。指紋防止膜103の材料は、過フッ素化チェインの末端のシランである。指紋防止膜103の厚さは、5nmから30nmの範囲とし得る。中間層102は、二酸化シリコン及び二酸化ジルコニウム材料によって形成された単層又は多層の構造とし得る。中間層102が多層構造であるとき、様々な実際の要求に従って、中間層102の階層構造、及び中間層の各層を形成するのに使用される材料は様々であり得る。   The shape of the zirconia ceramic substrate 101 can be set according to requirements. The material of the anti-fingerprint film 103 is silane at the end of the perfluorinated chain. The thickness of the fingerprint prevention film 103 can be in the range of 5 nm to 30 nm. The intermediate layer 102 may be a single or multilayer structure formed of silicon dioxide and zirconium dioxide materials. When the intermediate layer 102 is a multilayer structure, the material used to form each layer of the intermediate layer 102 and the hierarchical structure of the intermediate layer 102 can vary according to various actual requirements.

オプションの一実装様態において、図2に示されるように、中間層102は、ジルコニアセラミック基板101の表面上に配置された遷移層1021と、遷移層1021上に配置された混合物層1022と、混合物層1022上に配置された接続層1023とを含むことができ、そして、接続層1023上に指紋防止膜103が配置される。   In one optional implementation, as shown in FIG. 2, the intermediate layer 102 comprises a transition layer 1021 disposed on the surface of the zirconia ceramic substrate 101, a mixture layer 1022 disposed on the transition layer 1021, and a mixture A connection layer 1023 disposed on the layer 1022, and an anti-fingerprint film 103 is disposed on the connection layer 1023.

オプションの他の一実装様態において、図3に示されるように、中間層102は、ジルコニアセラミック基板101の表面上に配置された遷移層1021と、遷移層1021上に配置された混合物層1022とを含むことができ、そして、混合物層1022上に指紋防止膜103が配置される。   In another optional implementation, as shown in FIG. 3, the intermediate layer 102 includes a transition layer 1021 disposed on the surface of the zirconia ceramic substrate 101, and a mixture layer 1022 disposed on the transition layer 1021. The anti-fingerprint film 103 is disposed on the mixture layer 1022.

オプションの他の一実装様態において、図4に示されるように、中間層102は、ジルコニアセラミック基板101の表面上に配置された遷移層1021と、遷移層1021上に配置された接続層1023とを含むことができ、そして、接続層1023上に指紋防止膜103が配置される。   In another optional implementation, the intermediate layer 102 includes a transition layer 1021 disposed on the surface of the zirconia ceramic substrate 101, and a connection layer 1023 disposed on the transition layer 1021, as shown in FIG. And an anti-fingerprint film 103 is disposed on the connection layer 1023.

オプションの他の一実装様態において、図5に示されるように、中間層102は、ジルコニアセラミック基板101の表面上に配置された混合物層1022と、混合物層1022上に配置された接続層1023とを含むことができ、そして、接続層1023上に指紋防止膜103が配置される。   In another optional implementation, the intermediate layer 102 includes a mixture layer 1022 disposed on the surface of the zirconia ceramic substrate 101, and a connection layer 1023 disposed on the mixture layer 1022, as shown in FIG. And an anti-fingerprint film 103 is disposed on the connection layer 1023.

オプションの他の一実装様態において、図6に示されるように、中間層102は、ジルコニアセラミック基板101の表面上に配置された混合物層1022のみを含むことができ、そして、混合物層1022上に直に指紋防止膜103が配置される。   In another optional implementation, as shown in FIG. 6, the intermediate layer 102 can include only the mixture layer 1022 disposed on the surface of the zirconia ceramic substrate 101, and on the mixture layer 1022 An anti-fingerprint film 103 is arranged directly.

以上の実施様態において、遷移層1021の材料は二酸化ジルコニウムとすることができ、混合物層1022の材料はジルコニア−シリカ複合物とすることができ、そして、接続層1023の材料は二酸化シリコンとすることができる。遷移層1021、混合物層1022、及び接続層1023の全厚さは、5nmから30nmの範囲とし得る。外装部品の硬度及び指紋防止膜103の密着性に関する様々な要求を満たすため、ジルコニア−シリカ複合物における、二酸化ジルコニウムの、二酸化シリコンに対するモル比は、1:9から9:1の範囲である。   In the above embodiment, the material of the transition layer 1021 can be zirconium dioxide, the material of the mixture layer 1022 can be a zirconia-silica composite, and the material of the connection layer 1023 can be silicon dioxide. Can do. The total thickness of the transition layer 1021, the mixture layer 1022, and the connection layer 1023 can be in the range of 5 nm to 30 nm. In order to satisfy various requirements regarding the hardness of the exterior parts and the adhesion of the anti-fingerprint film 103, the molar ratio of zirconium dioxide to silicon dioxide in the zirconia-silica composite is in the range of 1: 9 to 9: 1.

この実施形態によれば、その材料が二酸化ジルコニウム及び二酸化シリコンである中間層が、ジルコニアセラミック基板の表面上に配置される。中間層とジルコニアセラミック基板との間に、及び中間層と指紋防止膜との間に、安定した化学結合を生成させることができる。故に、ジルコニアセラミック基板と指紋防止膜との間の密着性が改善され得るとともに、指紋防止膜の耐摩耗性が改善され得る。 According to this embodiment, an intermediate layer whose material is zirconium dioxide and silicon dioxide is disposed on the surface of the zirconia ceramic substrate. Stable chemical bonds can be generated between the intermediate layer and the zirconia ceramic substrate and between the intermediate layer and the anti-fingerprint film. Therefore, the adhesion between the zirconia ceramic substrate and the anti-fingerprint film can be improved, and the wear resistance of the anti-fingerprint film can be improved.

本発明における外装ジルコニアセラミック部品の実施形態に対応して、本発明は更に、外装ジルコニアセラミック部品を製造する方法の実施形態を提供する。   Corresponding to the embodiment of the exterior zirconia ceramic component in the present invention, the present invention further provides an embodiment of a method of manufacturing the exterior zirconia ceramic component.

図7を参照するに、図7は、本発明の一実施形態に従った外装ジルコニアセラミック部品を製造する方法のフローチャートである。図7に示されるように、本発明における外装ジルコニアセラミック部品を製造する方法は、以下のステップを含み得る。   Referring to FIG. 7, FIG. 7 is a flowchart of a method for manufacturing an exterior zirconia ceramic component according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 7, the method for manufacturing an exterior zirconia ceramic component according to the present invention may include the following steps.

ステップ701:ジルコニアセラミック基板を配置する。   Step 701: Place a zirconia ceramic substrate.

ジルコニアセラミック基板が形を成した後、ジルコニアセラミック基板は、先ず外装部品製造装置のキャビティ内に置かれ、次いで洗浄される。様々なプロセス要求に従って、製造装置は、先ず、真空システムを用いることによってキャビティの真空排気を行い、次いで、雰囲気システム及び補助システムを用いることによってジルコニアセラミック基板の表面を洗浄し得る。ジルコニアセラミック基板の表面を洗浄することには数多くの手法が存在する。例えば、それらの手法は、プラズマ洗浄法又はグロー放電洗浄法を含み得る。   After the zirconia ceramic substrate is formed, the zirconia ceramic substrate is first placed in the cavity of the exterior component manufacturing apparatus and then cleaned. According to various process requirements, the manufacturing equipment can first evacuate the cavity by using a vacuum system and then clean the surface of the zirconia ceramic substrate by using an atmospheric system and an auxiliary system. There are many techniques for cleaning the surface of a zirconia ceramic substrate. For example, the techniques can include a plasma cleaning method or a glow discharge cleaning method.

ステップ702:ジルコニアセラミック基板上に中間層を堆積させる。中間層の材料は、二酸化ジルコニウム及び二酸化シリコンである。   Step 702: Deposit an intermediate layer on a zirconia ceramic substrate. The material of the intermediate layer is zirconium dioxide and silicon dioxide.

上記洗浄が完了した後、製造装置は、ジルコニアセラミック基板上に中間層を堆積させ得る。様々な実際の要求に従って、製造装置は、ジルコニアセラミック基板の表面の領域のうちの一部のみの上に中間層を堆積させてもよいし、ジルコニアセラミック基板の表面の領域全体上に中間層を堆積させてもよい。   After the cleaning is completed, the manufacturing apparatus can deposit an intermediate layer on the zirconia ceramic substrate. According to various actual requirements, the manufacturing apparatus may deposit the intermediate layer on only a part of the surface area of the zirconia ceramic substrate, or the intermediate layer on the entire surface area of the zirconia ceramic substrate. It may be deposited.

中間層の様々な構造に従って、製造装置は、異なる堆積法を用いることによって中間層を堆積させ得る。   According to various structures of the intermediate layer, the manufacturing apparatus can deposit the intermediate layer by using different deposition methods.

中間層が遷移層、混合物層及び接続層を含むとき、製造装置は、先ずジルコニアセラミック基板上に遷移層を堆積させ、次いで遷移層上に混合物層を堆積させ、最後に混合物層上に接続層を堆積させることで、これら遷移層、混合物層、及び接続層を含む中間層を形成し得る。   When the intermediate layer includes a transition layer, a mixture layer, and a connection layer, the manufacturing apparatus first deposits the transition layer on the zirconia ceramic substrate, then deposits the mixture layer on the transition layer, and finally the connection layer on the mixture layer. The intermediate layer including the transition layer, the mixture layer, and the connection layer can be formed.

中間層が遷移層及び混合物層を含むとき、製造装置は、先ずジルコニアセラミック基板上に遷移層を堆積させ、次いで遷移層上に混合物層を堆積させることで、これら遷移層及び混合物層を含む中間層を形成する。   When the intermediate layer includes the transition layer and the mixture layer, the manufacturing apparatus first deposits the transition layer on the zirconia ceramic substrate, and then deposits the mixture layer on the transition layer, so that the intermediate layer including the transition layer and the mixture layer is formed. Form a layer.

中間層が遷移層及び接続層を含むとき、製造装置は、先ずジルコニアセラミック基板上に遷移層を堆積させ、次いで遷移層上に接続層を堆積させることで、これら遷移層及び接続層を含む中間層を形成し得る。   When the intermediate layer includes the transition layer and the connection layer, the manufacturing apparatus first deposits the transition layer on the zirconia ceramic substrate, and then deposits the connection layer on the transition layer, so that the intermediate layer including the transition layer and the connection layer is formed. Layers can be formed.

中間層が混合物層及び接続層を含むとき、製造装置は、先ずジルコニアセラミック基板上に混合物層を堆積させ、次いで混合物層上に接続層を堆積させることで、これら混合物層及び接続層を含む中間層を形成し得る。   When the intermediate layer includes the mixture layer and the connection layer, the manufacturing apparatus first deposits the mixture layer on the zirconia ceramic substrate, and then deposits the connection layer on the mixture layer, so that the intermediate layer including the mixture layer and the connection layer is formed. Layers can be formed.

中間層が混合物層のみを含むとき、製造装置は、ジルコニアセラミック基板上に混合物層のみを堆積させることで中間層を形成し得る。   When the intermediate layer includes only the mixture layer, the manufacturing apparatus can form the intermediate layer by depositing only the mixture layer on the zirconia ceramic substrate.

遷移層の材料は二酸化ジルコニウムとすることができ、混合物層の材料はジルコニア−シリカ複合物とすることができ、そして、接続層の材料は二酸化シリコンとすることができる。遷移層、混合物層、及び接続層の全厚さは、5nmから30nmの範囲とし得る。   The material of the transition layer can be zirconium dioxide, the material of the mixture layer can be a zirconia-silica composite, and the material of the connection layer can be silicon dioxide. The total thickness of the transition layer, mixture layer, and connection layer may be in the range of 5 nm to 30 nm.

中間層は、例えば物理気相成長(Physical Vapor Deposition)又は化学気相成長(Chemical Vapor Deposition)などの堆積法にて堆積され得る。ターゲット材料、堆積システム、及び雰囲気システムを制御することによって、異なる構造及び異なる材料を有する中間層を堆積させ得る。例えば、混合物層を堆積させるとき、ターゲット材料としてジルコニウム−シリコン合金又はジルコニウムシリケートを用いることができ、混合物層は、マグネトロンスパッタリング、マルチアークイオンプレーティング、又は他の手法によって堆積される。遷移層を堆積させるとき、ターゲット材料として二酸化ジルコニウムを選択し得る。接続層が堆積されるとき、ターゲット材料として二酸化シリコンを選択し得る。外装ジルコニアセラミック部品の硬度及び指紋防止膜の密着性に関する様々な要求に従って、混合物層を形成するのに使用されるジルコニア−シリカ複合物における、二酸化ジルコニウムの、二酸化シリコンに対するモル比は、1:9から9:1の範囲とし得る。   The intermediate layer can be deposited by a deposition method such as physical vapor deposition or chemical vapor deposition. By controlling the target material, the deposition system, and the atmospheric system, intermediate layers having different structures and different materials can be deposited. For example, when depositing the mixture layer, zirconium-silicon alloy or zirconium silicate can be used as the target material, and the mixture layer is deposited by magnetron sputtering, multi-arc ion plating, or other techniques. When depositing the transition layer, zirconium dioxide may be selected as the target material. When the connection layer is deposited, silicon dioxide can be selected as the target material. The molar ratio of zirconium dioxide to silicon dioxide in the zirconia-silica composite used to form the mixture layer according to various requirements regarding the hardness of the exterior zirconia ceramic component and the adhesion of the anti-fingerprint film is 1: 9. To 9: 1.

ステップ703:中間層上に指紋防止膜を堆積させる。   Step 703: Deposit an anti-fingerprint film on the intermediate layer.

中間層を堆積させることが完了した後、製造装置は更に、中間層上に指紋防止膜を堆積させ得る。具体的には、中間層が接続層と他の層とを含むとき、指紋防止膜は接続層上に堆積されることができ、あるいは、中間層が、遷移層及び混合物層のみを含むとき、又は混合物層のみを含むとき、指紋防止膜は混合物層上に堆積され得る。指紋防止膜の材料は、過フッ素化チェインの末端のシランとし得る。   After completing the deposition of the intermediate layer, the manufacturing apparatus may further deposit an anti-fingerprint film on the intermediate layer. Specifically, when the intermediate layer includes a connection layer and other layers, the anti-fingerprint film can be deposited on the connection layer, or when the intermediate layer includes only the transition layer and the mixture layer, Or, when including only the mixture layer, the anti-fingerprint film can be deposited on the mixture layer. The material of the anti-fingerprint film can be silane at the end of the perfluorinated chain.

この実施形態によれば、その材料が二酸化ジルコニウム及び二酸化シリコンである中間層が、ジルコニアセラミック基板の表面上に配置される。中間層とジルコニアセラミック基板との間に、及び中間層と指紋防止膜との間に、安定した化学結合を生成させることができる。故に、ジルコニアセラミック基板と指紋防止膜との間の密着性が改善され得るとともに、指紋防止膜の耐摩耗性が改善され得る。 According to this embodiment, an intermediate layer whose material is zirconium dioxide and silicon dioxide is disposed on the surface of the zirconia ceramic substrate. Stable chemical bonds can be generated between the intermediate layer and the zirconia ceramic substrate and between the intermediate layer and the anti-fingerprint film. Therefore, the adhesion between the zirconia ceramic substrate and the anti-fingerprint film can be improved, and the wear resistance of the anti-fingerprint film can be improved.

本明細書における実施形態は全て漸進的に説明されている。実施形態における同一又は同様の部分についてはそれらの実施形態を参照されたく、各実施形態は他の実施形態とのの差異に焦点を当てている。特に、方法の実施形態は、構造の実施形態と基本的に同様であり、それ故に簡単に説明されている。関連する部分については、構造の実施形態における説明を参照されたい。   All embodiments herein are described progressively. Reference is made to those embodiments for identical or similar parts in the embodiments, with each embodiment focusing on differences from other embodiments. In particular, the method embodiment is basically similar to the structure embodiment and is therefore briefly described. See the description in the structural embodiment for relevant parts.

以上の説明は、本発明の実施様態であり、本発明の保護範囲を限定することを意図したものではない。本発明の精神及び原理を逸脱することなく為される如何なる変更、均等物、置換、及び改良も、本発明の保護範囲に入るものである。   The above description is an embodiment of the present invention, and is not intended to limit the protection scope of the present invention. Any changes, equivalents, substitutions and improvements made without departing from the spirit and principle of the present invention shall fall within the protection scope of the present invention.

Claims (16)

ジルコニアセラミック基板と指紋防止膜とを有する外装ジルコニアセラミック部品であって、前記ジルコニアセラミック基板と前記指紋防止膜との間に配置され且つ前記シリカセラミック基板及び前記指紋防止膜に別々に接合された中間層を更に有し、前記中間層の材料が二酸化ジルコニウム及び二酸化シリコンである、外装ジルコニアセラミック部品。   An exterior zirconia ceramic component having a zirconia ceramic substrate and an anti-fingerprint film, the intermediate zirconia ceramic component being disposed between the zirconia ceramic substrate and the anti-fingerprint film and separately bonded to the silica ceramic substrate and the anti-fingerprint film An exterior zirconia ceramic component further comprising a layer, wherein the intermediate layer material is zirconium dioxide and silicon dioxide. 前記中間層は、
前記ジルコニア基板の表面上に配置され、その材料が二酸化ジルコニウムである遷移層と、
前記遷移層上に配置され、その材料がジルコニア−シリカ複合物である混合物層と、
前記混合物層と前記指紋防止膜との間に配置され、その材料が二酸化シリコンである接続層と
を有する、請求項1に記載の外装ジルコニアセラミック部品。
The intermediate layer is
A transition layer disposed on the surface of the zirconia substrate, the material of which is zirconium dioxide;
A mixture layer disposed on the transition layer, the material of which is a zirconia-silica composite;
The exterior zirconia ceramic component according to claim 1, further comprising: a connection layer disposed between the mixture layer and the anti-fingerprint film, the material of which is silicon dioxide.
前記中間層は、
前記ジルコニア基板の表面上に配置され、その材料が二酸化ジルコニウムである遷移層と、
前記遷移層と前記指紋防止膜との間に配置され、その材料がジルコニア−シリカ複合物である混合物層と
を有する、請求項1に記載の外装ジルコニアセラミック部品。
The intermediate layer is
A transition layer disposed on the surface of the zirconia substrate, the material of which is zirconium dioxide;
The exterior zirconia ceramic component according to claim 1, further comprising: a mixture layer disposed between the transition layer and the anti-fingerprint film, the material of which is a zirconia-silica composite.
前記中間層は、
前記ジルコニア基板の表面上に配置され、その材料が二酸化ジルコニウムである遷移層と、
前記遷移層と前記指紋防止膜との間に配置され、その材料が二酸化シリコンである接続層と
を有する、請求項1に記載の外装ジルコニアセラミック部品。
The intermediate layer is
A transition layer disposed on the surface of the zirconia substrate, the material of which is zirconium dioxide;
The exterior zirconia ceramic component according to claim 1, further comprising: a connection layer disposed between the transition layer and the anti-fingerprint film, the material of which is silicon dioxide.
前記中間層は、
前記ジルコニア基板の表面上に配置され、その材料がジルコニア−シリカ複合物である混合物層と、
前記混合物層と前記指紋防止膜との間に配置され、その材料が二酸化シリコンである接続層と
を有する、請求項1に記載の外装ジルコニアセラミック部品。
The intermediate layer is
A mixture layer disposed on the surface of the zirconia substrate, the material of which is a zirconia-silica composite;
The exterior zirconia ceramic component according to claim 1, further comprising: a connection layer disposed between the mixture layer and the anti-fingerprint film, the material of which is silicon dioxide.
前記中間層は、
前記ジルコニア基板と前記指紋防止膜との間に配置され、その材料がジルコニア−シリカ複合物である混合物層
を有する、請求項1に記載の外装ジルコニアセラミック部品。
The intermediate layer is
The exterior zirconia ceramic component of Claim 1 which has a mixture layer which is arrange | positioned between the said zirconia substrate and the said anti-fingerprint film | membrane, and the material is a zirconia-silica composite.
前記ジルコニア−シリカ複合物における、二酸化ジルコニウムの、二酸化シリコンに対するモル比が、1:9から9:1の範囲である、
請求項2、3、5、又は6の何れか一項に記載の外装ジルコニアセラミック部品。
The molar ratio of zirconium dioxide to silicon dioxide in the zirconia-silica composite is in the range of 1: 9 to 9: 1.
The exterior zirconia ceramic component according to any one of claims 2, 3, 5, and 6.
外装ジルコニアセラミック部品を製造する方法であって、
ジルコニアセラミック基板を配置し、
前記ジルコニアセラミック基板上に、その材料が二酸化ジルコニウム及び二酸化シリコンである中間層を堆積させて、前記シリカセラミック基板と前記中間層とが接合されるようにし、且つ
前記中間層上に指紋防止膜を堆積させて、前記指紋防止膜と前記中間層とが接合されるようにする、
ことを有する方法。
A method of manufacturing an exterior zirconia ceramic part,
Place the zirconia ceramic substrate,
An intermediate layer made of zirconium dioxide and silicon dioxide is deposited on the zirconia ceramic substrate so that the silica ceramic substrate and the intermediate layer are bonded, and an anti-fingerprint film is formed on the intermediate layer. Depositing so that the anti-fingerprint film and the intermediate layer are bonded;
A method that has that.
前記ジルコニアセラミック基板を配置することは、
前記ジルコニアセラミック基板をキャビティ内に置き、且つ
前記キャビティの真空排気が行われた後に、前記ジルコニアセラミック基板を洗浄する
ことを有する、請求項8に記載の方法。
Arranging the zirconia ceramic substrate,
The method of claim 8, comprising placing the zirconia ceramic substrate in a cavity and cleaning the zirconia ceramic substrate after the cavity has been evacuated.
前記ジルコニアセラミック基板を洗浄することは、
プラズマ洗浄法又はグロー放電洗浄法にて前記ジルコニアセラミック基板を洗浄する
ことを有する、請求項9に記載の方法。
Cleaning the zirconia ceramic substrate
The method according to claim 9, comprising cleaning the zirconia ceramic substrate by a plasma cleaning method or a glow discharge cleaning method.
前記ジルコニアセラミック基板上に前記中間層を堆積させることは、
ジルコニアセラミック基板上に、その材料が二酸化ジルコニウムである遷移層を堆積させ、
前記遷移層上に、その材料がジルコニア−シリカ複合物である混合物層を堆積させ、且つ
前記混合物層上に、その材料が二酸化シリコンである接続層を堆積させて、前記遷移層と、前記混合物層と、前記接続層とを有する前記中間層を形成する
ことを有する、請求項8乃至10の何れか一項に記載の方法。
Depositing the intermediate layer on the zirconia ceramic substrate;
On the zirconia ceramic substrate, deposit a transition layer whose material is zirconium dioxide,
Depositing on the transition layer a mixture layer whose material is a zirconia-silica composite; and depositing on the mixture layer a connecting layer whose material is silicon dioxide; The method according to claim 8, comprising forming the intermediate layer including a layer and the connection layer.
前記ジルコニアセラミック基板上に前記中間層を堆積させることは、
ジルコニアセラミック基板上に、その材料が二酸化ジルコニウムである遷移層を堆積させ、且つ
前記遷移層上に、その材料がジルコニア−シリカ複合物である混合物層を堆積させて、前記遷移層と前記混合物層とを有する前記中間層を形成する
ことを有する、請求項8乃至10の何れか一項に記載の方法。
Depositing the intermediate layer on the zirconia ceramic substrate;
A transition layer whose material is zirconium dioxide is deposited on a zirconia ceramic substrate, and a mixture layer whose material is zirconia-silica composite is deposited on the transition layer, and the transition layer and the mixture layer are deposited. The method according to claim 8, comprising forming the intermediate layer comprising:
前記ジルコニアセラミック基板上に前記中間層を堆積させることは、
ジルコニアセラミック基板上に、その材料が二酸化ジルコニウムである遷移層を堆積させ、且つ
前記遷移層上に、その材料が二酸化シリコンである接続層を堆積させて、前記遷移層と前記接続層とを有する前記中間層を形成する
ことを有する、請求項8乃至10の何れか一項に記載の方法。
Depositing the intermediate layer on the zirconia ceramic substrate;
A transition layer whose material is zirconium dioxide is deposited on a zirconia ceramic substrate, and a connection layer whose material is silicon dioxide is deposited on the transition layer to have the transition layer and the connection layer 11. The method according to any one of claims 8 to 10, comprising forming the intermediate layer.
前記ジルコニアセラミック基板上に前記中間層を堆積させることは、
ジルコニアセラミック基板上に、その材料がジルコニア−シリカ複合物である混合物層を堆積させ、且つ
前記混合物層上に、その材料が二酸化シリコンである接続層を堆積させて、前記混合物層と前記接続層とを有する前記中間層を形成する
ことを有する、請求項8乃至10の何れか一項に記載の方法。
Depositing the intermediate layer on the zirconia ceramic substrate;
A mixture layer whose material is a zirconia-silica composite is deposited on a zirconia ceramic substrate, and a connection layer whose material is silicon dioxide is deposited on the mixture layer, and the mixture layer and the connection layer The method according to claim 8, comprising forming the intermediate layer comprising:
前記ジルコニアセラミック基板上に前記中間層を堆積させることは、
ジルコニアセラミック基板上に、その材料がジルコニア−シリカ複合物である前記中間層を堆積させる
ことを有する、請求項8乃至10の何れか一項に記載の方法。
Depositing the intermediate layer on the zirconia ceramic substrate;
A method according to any one of claims 8 to 10, comprising depositing the intermediate layer, the material of which is a zirconia-silica composite, on a zirconia ceramic substrate.
前記ジルコニア−シリカ複合物における、二酸化ジルコニウムの、二酸化シリコンに対するモル比は、1:9から9:1の範囲である、
請求項11、12、14、又は15の何れか一項に記載の方法。
The molar ratio of zirconium dioxide to silicon dioxide in the zirconia-silica composite ranges from 1: 9 to 9: 1.
16. A method according to any one of claims 11, 12, 14, or 15.
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