JP2018074646A - モータ制御装置 - Google Patents

Abstract

【課題】駆動停止期間中の暗電流を抑制しつつ、再起動時における電流制限を適切に実行するモータ制御装置を提供する。【解決手段】基板温度記憶部３２、外気温記憶部３４、及び上昇温度記憶部３８は、駆動停止時の基板温度、外気温、及び、上昇温度推定部３７が推定した上昇温度を記憶する。初回上昇温度補正部４０１は、駆動回路６０によるモータ８０の駆動停止後の再起動時の初回制御において、基板温度記憶値Ｔｓ＿ｍ、基板温度現在値Ｔｓ、外気温記憶値Ｔｇ＿ｍ及び外気温現在値Ｔｇに基づいて算出した補正後基板温度差ΔＴｓ＿ｃｏｍｐ（補正用引数）を用いて上昇温度記憶値Ｔｉ＿ｍを補正し、初回上昇温度補正値Ｔｉ＿ｃｏｍｐを演算する。初回上昇温度補正部４０１は、外気温記憶値から外気温現在値への変化に対し、基板温度記憶値から基板温度現在値への低下度合いが相対的に大きいほど、初回上昇温度補正値Ｔｉ＿ｃｏｍｐを小さくするように補正する。【選択図】図１

Description

本発明は、モータの通電を制御するモータ制御装置に関する。

従来、モータ又は駆動回路に流れる電流の値より推定した上昇温度に基づいて電流を制限し、モータや駆動回路の素子を保護するモータ制御装置において、駆動停止中の温度推定に着目した技術が知られている。
例えば、特許文献１に開示された電動パワーステアリング装置の制御装置は、イグニッションスイッチがオフ状態となって電源停止信号が入力されても、モータの温度推定値が所定値以下にならない間は、電源を自己保持し、モータの温度推定を継続する。

特開２００２−３６３３９３号公報

特許文献１の従来技術では、駆動電源を停止した後の所定期間、温度推定のための制御電源が保持（すなわち、パワーラッチ）されるため、駆動停止中の暗電流が増加するという問題がある。
また、駆動回路の基板温度等を検出する温度センサを設けた場合、駆動停止期間中に外気温が変化すると温度センサの検出温度が影響を受け、通電により上昇した温度の低下を正しく把握することができなくなる。その結果、駆動停止後の再起動時に、推定温度に基づく電流制限の判断が実状と乖離するおそれがある。すると、電流制限が不要であるにもかかわらず過剰な電流制限によりモータ出力性能を低下させたり、電流制限すべきときに適切な制限値が設定されず、過熱保護が不十分になったりする事態を招くこととなる。

本発明は上述の課題に鑑みて成されたものであり、その目的は、駆動停止期間中の暗電流を抑制しつつ、再起動時における電流制限を適切に実行するモータ制御装置を提供することにある。

本発明の一態様のモータ制御装置は、モータ（８０）を駆動する駆動回路（６０）と、駆動回路が搭載された基板（２０）と、基板温度センサ（７１）と、基板温度取得部（３１）と、基板温度記憶部（３２）と、外気温取得部（３３）と、外気温記憶部（３４）と、上昇温度推定部（３７）と、上昇温度記憶部（３８）と、電流制限値演算部（５１）と、初回上昇温度補正部（４０１、４０３）と、を備える。

基板温度センサは、基板の温度（Ｔｓ）を検出する。
基板温度取得部は、基板温度センサが検出した基板温度を取得する。
基板温度記憶部は、基板温度取得部が取得した任意の基準時の基板温度を基板温度記憶値（Ｔｓ＿ｍ）として記憶する。
外気温取得部は、外気温センサが検出した外気温（Ｔｇ）を取得する。
外気温記憶部は、外気温取得部が取得した基準時の外気温を外気温記憶値（Ｔｇ＿ｍ）として記憶する。

上昇温度推定部は、モータ又は駆動回路に流れる電流の値に基づき、モータ又は駆動回路の素子の上昇温度（Ｔｉ）を推定する。
上昇温度記憶部は、上昇温度推定部が推定した上昇温度を上昇温度記憶値（Ｔｉ＿ｍ）として記憶する。
なお、基板温度記憶部、外気温記憶部及び上昇温度記憶部は、典型的には不揮発性メモリで構成され、制御電源が停止しても記憶を保持することができる。

電流制限値演算部は、上昇温度推定部が推定した上昇温度に基づき、上昇温度が大きいほどモータに通電する電流を制限するように電流制限値を演算する。
初回上昇温度補正部は、駆動回路によるモータの駆動停止後の再起動時の初回制御において、基板温度記憶値、基板温度現在値、外気温記憶値及び外気温現在値に基づいて算出した補正用引数を用いて上昇温度記憶値を補正し、初回上昇温度補正値（Ｔｉ＿ｃｏｍｐ）を演算する。
そして、初回上昇温度補正部は、外気温記憶値から外気温現在値への変化に対し、基板温度記憶値から基板温度現在値への低下度合いが相対的に大きいほど、初回上昇温度補正値を小さくするように補正する。

ここで、基板温度及び外気温が記憶される基準時は、典型的には、駆動回路の通電がオフした時、及び、当該通電オフ時における基板温度及び外気温との温度差が実質的に無視可能な時間範囲を含む「駆動停止時」である。
また、補正用引数としては、例えば補正後基板温度差（ΔＴｓ＿ｃｏｍｐ）又は補正後基板温度比（αｓ＿ｃｏｍｐ）が用いられる。補正後基板温度差は、基板温度記憶値と基板温度現在値との差である基板温度差（ΔＴｓ）、及び、外気温記憶値と外気温現在値との差である外気温差（ΔＴｇ）に基づいて演算される。補正後基板温度比は、基板温度記憶値と基板温度現在値との比である基板温度比（αｓ）、及び、外気温記憶値と外気温現在値との比である外気温比（αｇ）に基づいて演算される。

本発明は、駆動停止期間中に温度推定のための制御電源を保持する必要がないため、特許文献１の従来技術に比べ、暗電流を抑制することができる。
また、初回上昇温度補正部は、駆動停止後の再起動時の初回制御において、基板温度に加え外気温の情報に基づいて上昇温度記憶値を補正し、初回上昇温度補正値を演算する。これにより、外気温の変化による影響を考慮しつつ、再起動時における電流制限を適切に実行することができる。

本発明の他の態様のモータ制御装置は、上記の態様のモータ制御装置に対し、基板温度記憶部及び外気温記憶部を備えない。初回上昇温度補正部（４０５）は、駆動回路によるモータの駆動停止後の再起動時の初回制御において、基板温度現在値から外気温現在値を減じた内外温度値（Ｔｄｉｆ）に基づいて上昇温度記憶値を補正し、初回上昇温度補正値（Ｔｉ＿ｃｏｍｐ）を演算する。そして、初回上昇温度補正部は、内外温度差が小さいほど、初回上昇温度補正値を小さくするように補正する。
この態様においても、再起動時の外気温の情報に基づいて上昇温度記憶値を補正することで、駆動停止期間中の暗電流を抑制しつつ、再起動時における電流制限を適切に実行することができる。

第１〜第４実施形態のモータ制御装置の全体構成図。 各実施形態による電流制限マップの例。 第１、第２実施形態の初回上昇温度補正部のブロック図。 第１（実線）、第２（破線）実施形態による上昇温度補正率マップの例。 各実施形態による駆動停止時記憶処理のフローチャート。 駆動停止時における温度記憶のタイミングを説明するタイムチャート。 第１実施形態による再起動時初回処理のフローチャート。 第１実施形態の動作例を示すタイムチャート（１）。 第１実施形態の動作例を示すタイムチャート（２）。 第１実施形態の動作例を示すタイムチャート（３）。 第２実施形態による再起動時初回処理のフローチャート。 第３、第４実施形態の初回上昇温度補正部のブロック図。 第３（実線）、第４（破線）実施形態による上昇温度補正率マップの例。 第３実施形態による再起動時初回処理のフローチャート。 第４実施形態による再起動時初回処理のフローチャート。 第５、第６実施形態のモータ制御装置の全体構成図。 第５、第６実施形態の初回上昇温度補正部のブロック図。 第５（実線）、第６（破線）実施形態による上昇温度補正率マップの例。 第５実施形態による再起動時初回処理のフローチャート。 第５実施形態の動作例を示すタイムチャート。 第６実施形態による再起動時初回処理のフローチャート。

以下、モータ制御装置の複数の実施形態を図面に基づいて説明する。複数の実施形態において、構成図の実質的に同一の構成、又は、フローチャートの実質的に同一のステップには同一の符号又はステップ番号を付して説明を省略する。また、以下の第１〜第６実施形態を包括して「本実施形態」という。
本実施形態のモータ制御装置は、例えば車両の電動パワーステアリング装置において、操舵アシストモータの制御装置として使用される。特に本実施形態は、イグニッションスイッチを備えるエンジン車に搭載されるものとして説明する。

以下、イグニッションスイッチのＯＮ／ＯＦＦを「ＩＧ−ＯＮ／ＯＦＦ」と記す。モータ制御装置の立場から、ＩＧ−ＯＮは、外部からのパワー電源供給指令が入力されたことを意味し、ＩＧ−ＯＦＦは、パワー電源供給指令が停止されたことを意味する。パワー電源が供給されると、モータの駆動が可能となる。
なお、ハイブリッド自動車や電気自動車に搭載される制御装置の場合、「ＩＧ−ＯＮ／ＯＦＦ」を「レディＯＮ／ＯＦＦ」と読み替えればよい。

（第１実施形態）
第１実施形態のモータ制御装置について、図１〜図１０を参照して説明する。
図１は、第１〜第４実施形態に共通する全体構成図である。
モータ制御装置１０１は、基板２０、並びに、基板２０に搭載された電源リレー２１、制御回路３０及び駆動回路６０を備え、バッテリ１５から入力された直流電力を変換してモータ８０に出力する。

バッテリ１５の電力は、パワー用のＰＩＧ電源、及び、制御用のＩＧ電源としてモータ制御装置１０１に入力される。ＰＩＧ電源は、電源リレー２１を経由して駆動回路６０に供給される。駆動回路６０は、いわゆるプリドライバとインバータとを含む回路であり、モータ８０を駆動する。駆動回路６０は、ＭＯＳＦＥＴ等のスイッチング素子や、コンパレータ、抵抗、コンデンサ等の素子で構成される。モータ８０は、例えば三相ブラシレスモータである。

制御回路３０は、典型的にはマイコンで構成され、操舵トルクに応じて、モータ電流Ｉｍのフィードバック制御により駆動回路６０への指令信号を生成する。図１には、一般的な電流フィードバック制御及びベクトル制御を構成する電流センサや回転角センサの図示を省略する。また、モータ電流Ｉｍは、モータ８０又は駆動回路６０を流れる電流を意味する。図１には、モータ電流Ｉｍがモータ８０から入力されるように図示されているが、駆動回路６０の出力電流を検出し制御回路３０にフィードバックしてもよい。

本実施形態の制御回路３０は、モータ電流Ｉｍに基づいて駆動回路６０の素子の上昇温度Ｔｉを推定し、更に、基板温度Ｔｓ及び上昇温度Ｔｉから推定した各素子の推定温度に基づいてモータ８０に通電する電流を制限することにより、素子の過熱保護を図る。
また、本実施形態の制御回路３０は、基板温度センサ７１が検出した基板２０の温度Ｔｓ、及び、外気温センサ７３が検出した外気温Ｔｇを取得する。基板温度センサ７１は、例えば基板２０に搭載されるサーミスタである。外気温センサ７３は、どのようなものであってもよく、車両の他の用途で用いられるものを流用してもよい。

制御回路３０は、基板温度取得部３１、基板温度記憶部３２、外気温取得部３３、外気温記憶部３４、上昇温度推定部３７、上昇温度記憶部３８、初回上昇温度補正部４０１、電流制限値演算部５１及び電流フィードバック（図中「ＦＢ」）演算部５２を含む。
基板温度取得部３１は、基板温度センサ７１が検出した基板温度Ｔｓを取得する。
基板温度記憶部３２は、基板温度取得部３１が取得した任意の基準時の基板温度Ｔｓを基板温度記憶値Ｔｓ＿ｍとして記憶する。

外気温取得部３３は、外気温センサ７３が検出した外気温Ｔｇを取得する。
外気温記憶部３４は、外気温取得部３３が取得した上記基準時の外気温Ｔｇを外気温記憶値Ｔｇ＿ｍとして記憶する。
すなわち、基板温度記憶部３２及び外気温記憶部３４は、同じ基準時の基板温度Ｔｓ及び外気温Ｔｇを記憶する。本実施形態では、基準時として、駆動回路６０の通電がオフした時、及びその前後の時間範囲を含む「駆動停止時」を想定する。

上昇温度推定部３７は、通常動作時、モータ電流Ｉｍの積算値に基づき、駆動回路６０の素子の上昇温度Ｔｉを推定する。この上昇温度Ｔｉの推定は、ジュール熱の式（１）を基本とする。ここで、Ｑはジュール熱［Ｊ］、Ｒは抵抗［Ω］、Ｉｍは電流［Ａ］、ｔは時間［ｓ］を表す。
Ｑ＝Ｒ×Ｉｍ²×ｔ ・・・（１）
通常動作時、上昇温度推定部３７が推定した上昇温度Ｔｉは、電流制限値演算部５１に通知される。

上昇温度記憶部３８は、上昇温度推定部３７が推定した上昇温度Ｔｉを上昇温度記憶値Ｔｉ＿ｍとして記憶する。
基板温度記憶部３２、外気温記憶部３４及び上昇温度記憶部３８は、典型的には不揮発性メモリで構成され、制御電源が停止しても記憶を保持することができる。

初回上昇温度補正部４０１は、駆動回路６０によるモータ８０の駆動停止後の再起動時の初回制御において、通常動作時の上昇温度Ｔｉに代えて、初回上昇温度補正値Ｔｉ＿ｃｏｍｐを演算する。
以下、再起動時の初回制御で検出される基板温度Ｔｓ及び外気温Ｔｇを「現在値」という。記号Ｔｓは、文脈に応じて、経時変化する基板温度Ｔｓと、基板温度現在値Ｔｓとの両方に用いる。同様に、記号Ｔｇは、文脈に応じて、経時変化する外気温Ｔｇと、外気温現在値Ｔｇとの両方に用いる。

初回上昇温度補正部４０１は、基板温度記憶値Ｔｓ＿ｍ、基板温度現在値Ｔｓ、外気温記憶値Ｔｇ＿ｍ及び外気温現在値Ｔｇに基づいて上昇温度記憶値Ｔｉ＿ｍを補正し、初回上昇温度補正値Ｔｉ＿ｃｏｍｐを演算する。その演算過程の詳細については後述する。
初回上昇温度補正部４０１が演算した初回上昇温度補正値Ｔｉ＿ｃｏｍｐは、上昇温度推定部３７を経由して電流制限値演算部５１に通知される。

電流制限値演算部５１は、通常動作時、随時、式（２．１）により基板温度Ｔｓに上昇温度Ｔｉを加算し、各素子の推定温度Ｔｘ＿ｅｓｔを算出する。
Ｔｘ＿ｅｓｔ＝Ｔｓ＋Ｔｉ ・・・（２．１）
また、電流制限値演算部５１は、駆動停止後の再起動時の初回制御のみ、式（２．２）により、基板温度現在値Ｔｓに初回上昇温度補正値Ｔｉ＿ｃｏｍｐを加算し、各素子の推定温度Ｔｘ＿ｅｓｔを算出する。
Ｔｘ＿ｅｓｔ＝Ｔｓ＋Ｔｉ＿ｃｏｍｐ ・・・（２．２）
そして、電流制限値演算部５１は、例えば、素子推定温度Ｔｘ＿ｅｓｔと電流制限値Ｉｌｉｍとの関係を規定した電流制限マップを参照して電流制限値Ｉｌｉｍを演算する。

図２に例示する電流制限マップによると、素子推定温度Ｔｘ＿ｅｓｔが臨界温度Ｔｘｃ未満のとき、電流制限値Ｉｌｉｍは、駆動回路６０の素子の定格等により定まる最大電流値Ｉｍａｘに等しく設定される。つまり、実質的に電流制限をしない。また、素子推定温度Ｔｘ＿ｅｓｔが臨界温度Ｔｘｃ以上のとき、電流制限値Ｉｌｉｍは、素子推定温度Ｔ＿ｅｓｔが高いほど低く設定される。
このように電流制限値演算部５１は、基板温度現在値Ｔｓが同等の条件では、上昇温度Ｔｉが大きいほどモータ８０に通電する電流を制限するように電流制限値Ｉｌｉｍを演算することで、素子の過熱保護を図る。

電流フィードバック演算部５２は、操舵トルクに応じて、モータ電流Ｉｍのフィードバック制御により駆動回路６０への指令信号を生成する。指令信号に基づいて駆動回路６０が動作することで、本来、モータ８０は所望のアシストトルクを出力する。
ここで、モータ８０に通電可能な電流は、電流制限値演算部５１が演算した電流制限値Ｉｌｉｍにより制限される。要求される電流値に対して電流制限値Ｉｌｉｍが低く設定されると、モータ８０は所望のアシストトルクを出力することができず、アシスト性能が低下することとなる。

次に図３を参照し、第１実施形態の初回上昇温度補正部４０１の構成を説明する。
第１実施形態、及び、次の第２実施形態では、初回上昇温度の補正演算における補正用引数として、補正後基板温度差ΔＴｓ＿ｃｏｍｐを用いる。
初回上昇温度補正部４０１は、減算器４１１、４１３、補正係数乗算器４２、減算器４３、補正率マップ４８１、及び補正率乗算器４９を有する。

減算器４１１は、基板温度現在値Ｔｓから基板温度記憶値Ｔｓ＿ｍを減じて基板温度差ΔＴｓを算出する。減算器４１３は、外気温現在値Ｔｇから外気温記憶値Ｔｇ＿ｍを減じて外気温差ΔＴｇを算出する。補正係数乗算器４２は、外気温差ΔＴｇに正の補正係数ｋを乗じる。ここで、補正係数ｋは、外気温Ｔｇの変化が基板温度Ｔｓの変化に及ぼす影響の大きさを示すものであり、基板周辺部品の伝熱特性等に応じて実験やシミュレーションにより求められ、例えば「ｋ＝０．５〜１．０」である。

さらに減算器４３は、外気温差ΔＴｇに補正係数ｋを乗じた値を基板温度差ΔＴｓから減じて、補正用引数としての補正後基板温度差ΔＴｓ＿ｃｏｍｐを算出する。
すなわち、初回上昇温度補正部４０１は、式（３．１）〜（３．３）の演算を行う。
ΔＴｓ＝Ｔｓ−Ｔｓ＿ｍ ・・・（３．１）
ΔＴｇ＝Ｔｇ−Ｔｇ＿ｍ ・・・（３．２）
ΔＴｓ＿ｃｏｍｐ＝ΔＴｓ−ｋΔＴｇ ・・・（３．３）

補正率マップ４８１は、補正後基板温度差ΔＴｓ＿ｃｏｍｐと上昇温度補正率ｐとの関係を規定する。図４に実線で示す第１実施形態の補正率マップ４８１では、補正後基板温度差Δｓ＿ｃｏｍｐが基礎値Ｂ_ΔT以上の領域で補正率ｐは１である。また、補正後基板温度差ΔＴｓ＿ｃｏｍｐが基礎値Ｂ_ΔT未満の領域では、負の補正後基板温度差ΔＴｓ＿ｃｏｍｐが小さくなるほど補正率ｐは減少し、０に漸近する。

図４の補正率マップ４８１の例では、基礎値Ｂ_ΔTは、０より少し小さい値に設定されている。理論的には、補正後基板温度差ΔＴｓ＿ｃｏｍｐが負であれば、補正率ｐを１よりも小さくし、電流制限を緩和してよいと考えられる。ただし、温度検出誤差等によるマージンを考慮して、基礎値Ｂ_ΔTを０より小さい値に設定し、補正後基板温度差ΔＴｓ＿ｃｏｍｐが基礎値Ｂ_ΔT未満のとき、電流制限を緩和するようにしている。
基礎値Ｂ_ΔTが０未満であるため、補正後基板温度差ΔＴｓ＿ｃｏｍｐが０又は正の領域では補正率ｐは１で一定となる。したがって、補正後基板温度差ΔＴｓ＿ｃｏｍｐが正の場合、補正後基板温度差ΔＴｓ＿ｃｏｍｐを０として扱ってもよい。その場合、補正率マップ４８１において二点鎖線で示す領域が省略され、補正後基板温度差ΔＴｓ＿ｃｏｍｐの上限が０となる。

補正率乗算器４９は、式（４）により、補正率マップ４８１から得られた上昇温度補正率ｐを上昇温度記憶値Ｔｉ＿ｍに乗じて初回上昇温度補正値Ｔｉ＿ｃｏｍｐを演算する。
Ｔｉ＿ｃｏｍｐ＝Ｔｉ＿ｍ×ｐ ・・・（４）
こうして演算された初回上昇温度補正値Ｔｉ＿ｃｏｍｐは、上述の通り、上昇温度推定部３７を経由して電流制限値演算部５１に通知される。

ところで、駆動停止期間中のモータ温度を推定する従来技術として、例えば特許文献１（特開２００２−３６３３９３号公報）等に開示されたものがある。
特許文献１に開示された電動パワーステアリング装置の制御装置は、イグニッションスイッチがオフ状態となって電源停止信号が入力されても、モータの温度推定値が所定値以下にならない間は、電源を自己保持し、モータの温度推定を継続する。
また、特許第２８９２８９９号に開示されたモータ制御装置は、モータへの電源供給遮断後、モータの上昇温度に基づいて、自己保持している電源を遮断するまでの遮断時間を演算する。そして、このモータ制御装置は、演算された遮断時間経過後に電源遮断指令を出力して、自己保持している電源を遮断する。

しかし、これらの従来技術では、駆動電源を停止した後の所定期間、温度推定のための制御電源が保持（すなわち、パワーラッチ）されるため、駆動停止中の暗電流が増加するという問題がある。そこで、本実施形態のモータ制御装置１０１は、駆動停止後に制御電源を保持せず、暗電流を抑制することを目的とする。
図５に、各実施形態に共通する駆動停止時記憶処理のフローチャートを示す。以下のフローチャートの説明で記号Ｓは「ステップ」を表す。

ここで、まず「駆動停止時」及び「駆動停止期間」の用語の意味を定義する。
「駆動停止時」は、駆動回路６０の通電がオフした時を基準とし、当該通電オフ時における基板温度Ｔｓ及び外気温Ｔｇとの温度差が実質的に無視可能な時間範囲を含む比較的短い期間（例えば１秒以内の期間）を意味する。本実施形態では、駆動停止時が、基板温度記憶部３２及び外気温記憶部３４に基板温度Ｔｓ及び外気温Ｔｇが記憶される基準時となる。
「駆動停止期間」は、駆動停止時ｔｑから再起動時Ｔｒｓまでの、例えば数分から数時間以上に及ぶ比較的長い期間を意味する。

Ｓ０１では、ＩＧがＯＮ状態である通常動作中に、上昇温度推定部３７は、モータ電流Ｉｍの値に基づき、駆動回路６０の素子の上昇温度Ｔｉを推定する。
Ｓ０２では、ＩＧ−ＯＦＦ、すなわち、駆動停止されたか判断される。Ｓ０２でＮＯの場合、Ｓ０１の処理が繰り返される。Ｓ０２でＹＥＳの場合、Ｓ０３で、各温度が記憶部３２、３４、３８に記憶される。

具体的に、駆動停止時に基板温度取得部３１が取得した基板温度Ｔｓが基板温度記憶値Ｔｓ＿ｍとして基板温度記憶部３２に記憶され、駆動停止時に外気温取得部３３が取得した外気温Ｔｇが外気温記憶値Ｔｇ＿ｍとして外気温記憶部３４に記憶される。また、駆動停止直前に上昇温度推定部３７が推定した上昇温度Ｔｉが上昇温度記憶値Ｔｉ＿ｍとして上昇温度記憶部３８に記憶される。
Ｓ０３で各温度が記憶された後、Ｓ０４で制御電源がオフされる。

駆動停止時における温度記憶の詳細なタイミングについて、図６を参照して説明する。各温度が記憶されるタイミングは、ＩＧ−ＯＦＦの瞬間と厳密に一致する必要はない。
例えば図６（ａ）に示すように、通電オフ時における基板温度Ｔｓ及び外気温Ｔｇとの温度差が実質的に無視可能な時間範囲において、停止時ｔｑから微小時間δ遅れたタイミングで基板温度Ｔｓ及び外気温Ｔｇが記憶されてもよい。こうして記憶された記憶値は、再起動時ｔｒｓに読み込まれる。

また、運転者の意図通りＩＧ−ＯＦＦされる場合に限らず、不意にバッテリ１５が外されたとき等にもモータ８０の駆動は停止する。このような不意の駆動停止の場合にも記憶値を残すため、図６（ｂ）に示すように、通常動作中に所定の周期τで各温度を記憶し、更新するようにしてもよい。そして、駆動停止前の最後に記憶、更新された各温度が再起動時ｔｒｓに読み込まれる。再起動後は、再び所定の周期τで各温度の記憶、更新が繰り返される。

図７に、第１実施形態による再起動時初回処理のフローチャートを示す。
Ｓ１１では、駆動停止後にＩＧがＯＮされる。これをトリガーとして、再起動時の初回処理が実行される。

初回上昇温度補正部４０１は、Ｓ１２で、基板温度Ｔｓの現在値を基板温度取得部３１から取得し、外気温Ｔｇの現在値を外気温取得部３３から取得する。また、初回上昇温度補正部４０１は、基板温度記憶値Ｔｓ＿ｍを基板温度記憶部３２から、外気温記憶値Ｔｇ＿ｍを外気温記憶部３４から読み込み、さらに上昇温度記憶値Ｔｉ＿ｍを上昇温度記憶部３８から読み込む。
続いて初回上昇温度補正部４０１は、Ｓ１３で、基板温度現在値Ｔｓから基板温度記憶値Ｔｓ＿ｍを減じて基板温度差ΔＴｓを算出し、外気温現在値Ｔｇから外気温記憶値Ｔｇ＿ｍを減じて外気温差ΔＴｇを算出する。そして、初回上昇温度補正部４０１は、Ｓ１４で、式（３．３）を用いて補正後基板温度差ΔＴｓ＿ｃｏｍｐを算出する。

次に初回上昇温度補正部４０１は、Ｓ１５で、補正率マップ４８１を参照して上昇温度補正率ｐを演算し、Ｓ１６で、上昇温度記憶値Ｔｉ＿ｍに補正率ｐを乗じて初回上昇温度補正値Ｔｉ＿ｃｏｍｐを演算する。初回上昇温度補正値Ｔｉ＿ｃｏｍｐは、上昇温度推定部３７を経由して電流制限値演算部５１に通知される。
電流制限値演算部５１は、Ｓ１８で、基板温度現在値Ｔｓに初回上昇温度補正値Ｔｉ＿ｃｏｍｐを加算し、各素子の推定温度Ｔｘ＿ｅｓｔを算出する。そして、電流制限値演算部５１は、Ｓ１９で、図２の電流制限マップを参照し、各素子の推定温度Ｔｘ＿ｅｓｔに基づき、電流制限値Ｉｌｉｍを演算する。

次に図８〜図１０のタイムチャートを参照し、第１実施形態の動作例を説明する。各図には、ＩＧがＯＮ状態からＯＦＦ状態に移行したモータ駆動の停止時ｔｑから、ＩＧが再びＯＮした再起動時ｔｒｓまでの基板温度Ｔｓ及び外気温Ｔｇの変化、並びに、再起動時ｔｒｓの初回制御で設定される上昇温度補正率ｐ及び電流制限値Ｉｌｉｍを示す。
停止時ｔｑ以前の通常動作時、駆動回路６０への通電による素子の発熱により、基板温度Ｔｓは上昇しており、随時、モータ電流Ｉｍに基づいて上昇温度Ｔｉが演算される。このとき、上昇温度補正率ｐは１に相当し、電流制限値Ｉｌｉｍは、駆動回路６０の素子の定格等により定まる最大電流値Ｉｍａｘよりも低く設定される。

ＩＧがＯＦＦすると、停止時ｔｑの基板温度Ｔｓ及び外気温Ｔｇは、基板温度記憶値Ｔｓ＿ｍ及び外気温記憶値Ｔｇ＿ｍとして記憶される。図８〜図１０のいずれにおいても、基板温度記憶値Ｔｓ＿ｍは外気温記憶値Ｔｇ＿ｍより高い。
停止時ｔｑ以後、通電による発熱が無くなるため、基板温度Ｔｓは基本的に低下する。一方、外気温Ｔｇの変化には各種のパターンがあり得る。図８には外気温Ｔｇが変化しないパターン、図９には外気温Ｔｇが上昇するパターン、図１０には外気温Ｔｇが低下するパターンを示す。

また、第１実施形態による制御と対比する比較例として、基板温度差ΔＴｓを外気温差ΔＴｇにより補正しない制御構成を想定する。この比較例は、式（３．３）における補正係数ｋが０の場合と考えてもよい。比較例では、第１実施形態と同様の補正率マップ４８１を用いて基板温度差ΔＴｓのみに基づいて上昇温度補正率ｐを演算する。

図８のパターンでは、再起動時ｔｒｓにおいて基板温度Ｔｓは外気温Ｔｇと同程度にまで低下している。現実の場面では、駆動停止期間が十分に長かった場合に相当し、停止時ｔｑ以前に推定された上昇温度Ｔｉの推定値をゼロクリアして良いと考えられる。
図８において、基板温度差ΔＴｓは負の値であり、外気温差ΔＴｇは、ほぼ０である。したがって、補正後基板温度差ΔＴｓ＿ｃｏｍｐは、基板温度差ΔＴｓとほぼ等しく、負の値となる。

負の基板温度差ΔＴｓの絶対値が比較的大きいと、補正率マップ４８１より、上昇温度補正率ｐは０となる。また、再起動時ｔｒｓの基板温度Ｔｓ自体が比較的低ければ、電流制限は、ほとんど必要ないと判断される。その結果、再起動時ｔｒｓの初回制御における電流制限値Ｉｌｉｍは、最大電流値Ｉｍａｘと同程度にまで高く設定される。

これにより、例えば停止時ｔｑの上昇温度記憶値Ｔｉ＿ｍを再起動時ｔｒｓの初回制御にそのまま用いる場合に比べ、過剰な電流制限を抑制することができる。
ただし、図８のパターンでは駆動停止中の外気温差ΔＴｇがほぼ０であるため、第１実施形態と比較例とで実質的な差が生じない。つまり、図８のパターンでは比較例でも電流制限を抑制することができ、第１実施形態の優位性が明らかに現われない。

続いて、図９のパターンでは、駆動停止中に外気温Ｔｇが上昇する。基板温度Ｔｓは、外気温Ｔｇに一致するまで低下した後、外気温Ｔｇの上昇に伴って上昇する。
現実の場面では、例えば砂漠や内陸部等の昼夜の寒暖差が激しい地域において、前夜、極低温環境（例えば−１０℃）で走行した翌日、高温環境（例えば４０℃）でＩＧ−ＯＮする状況を考える。この場合、外気温差ΔＴｇは＋５０℃である。一方、基板温度Ｔｓは停止時ｔｑに３０℃、再起動時ｔｒｓに４０℃とすると、基板温度差ΔＴｓは＋１０℃である。つまり、駆動停止期間が十分に長く、前夜の動作時の通電による素子の発熱は完全に解消されており、上昇温度Ｔｉの推定値をゼロクリアして良いと考えられるにもかかわらず、基板温度Ｔｓ自体は上昇するという状況が発生している。

このような場面を想定した図９において、再起動時ｔｒｓにおける基板温度Ｔｓは、基板温度記憶値Ｔｓ＿ｍよりも高くなり、基板温度差ΔＴｓは正の値となる。また、外気温差ΔＴｇは、基板温度差ΔＴｓよりも絶対値の大きい正の値となり、「−ｋΔＴｇ」は負の値となる。補正係数ｋの値によるが、「−ｋΔＴｇ」の絶対値が基板温度差ΔＴより大きいと仮定すると、補正後基板温度差ΔＴｓ＿ｃｏｍｐは負の値となる。すなわち、補正後基板温度差ΔＴｓ＿ｃｏｍｐは、補正前の基板温度差ΔＴｓに対し符号が反転する。

したがって、補正率マップ４８１より、上昇温度補正率ｐは１より小さく０に近い値となる。ただし、再起動時ｔｒｓの基板温度Ｔｓ自体は比較的高めであるため、ある程度の電流制限は必要と判断される。その結果、再起動時ｔｒｓの初回制御における電流制限値Ｉｌｉｍは、停止時ｔｑ直前の値よりは高く、最大電流値Ｉｍａｘよりはやや低めの値となる。

一方、三角印で示す比較例では、補正前の正の基板温度差ΔＴｓに基づき、上昇温度補正率ｐは１となり、電流制限が維持される。そのため、外気温Ｔｇの上昇に伴って基板温度Ｔｓが上昇しているに過ぎないにもかかわらず、過剰な電流制限がされるため、モータ出力性能が十分に発揮されなくなる。例えば電動パワーステアリング装置では、アシスト性能の低下を招くこととなる。

図１０のパターンでは、駆動停止中に外気温Ｔｇが低下する。しかも、その低下度合いは基板温度Ｔｓの低下度合いよりも大きい。言い換えれば、基板温度Ｔｓは外気温Ｔｇほどに低下しておらず、放熱性能が劣っていると考えられる。したがって、基板温度Ｔｓが低下しているとはいえ、保護の観点から注意を要する状況である。
このとき、基板温度差ΔＴｓは負の値である。外気温差ΔＴｇは、基板温度差ΔＴｓよりも絶対値の大きい負の値であり、「−ｋΔＴｇ」は正の値となる。補正係数ｋの値によるが、「−ｋΔＴｇ」の絶対値が基板温度差ΔＴｓの絶対値よりも大きいと仮定すると、補正後基板温度差ΔＴｓ＿ｃｏｍｐは正の値となる。すなわち、補正後基板温度差ΔＴｓ＿ｃｏｍｐは、補正前の基板温度差ΔＴｓに対し符号が反転する。

したがって、補正率マップ４８１より、四角印で示すように上昇温度補正率ｐは１となる。その結果、再起動時ｔｒｓの初回制御における電流制限値Ｉｌｉｍは、停止時ｔｑの直前の値が維持される。つまり、基板温度Ｔｓは低下しているが、外気温Ｔｇの低下度合いとの比較から、素子の過熱保護を優先する思想で電流制限値Ｉｌｉｍが決められる。
一方、三角印で示す比較例では、補正前の負の基板温度差ΔＴｓに基づき、上昇温度補正率ｐは１より小さい値となり、電流制限を抑制する方向に働く。そのため、放熱性能が劣っている基板２０上の素子を十分に保護できないおそれがある。

（効果）
以上のように、第１実施形態のモータ制御装置１０１は、駆動停止期間中に温度推定のための制御電源を保持する必要がないため、特許文献１の従来技術に比べ、暗電流を抑制することができる。
また、初回上昇温度補正部４０１は、駆動停止後の再起動時の初回制御において、基板温度Ｔｓに加え外気温Ｔｇの情報に基づいて上昇温度記憶値Ｔｉ＿ｍを補正し、初回上昇温度補正値Ｔｉ＿ｃｏｍｐを演算する。これにより、外気温Ｔｇの変化による影響を考慮しつつ、再起動時における電流制限を適切に実行することができる。

詳しくは、外気温記憶値Ｔｇ＿ｍから外気温現在値Ｔｇへの変化に対し、「基板温度記憶値Ｔｓ＿ｍから基板温度現在値Ｔｓへの低下度合いが相対的に大きい」とき、初回上昇温度補正値Ｔｉ＿ｃｏｍｐを小さくするように補正する。第１実施形態では、負の補正後基板温度差ΔＴｓ＿ｃｏｍｐがより小さいことが、「基板温度記憶値Ｔｓ＿ｍから基板温度現在値Ｔｓへの低下度合いが相対的に大きい」ことに相当する。
より具体的には、図９、図１０のパターンのように、基板温度差ΔＴｓを外気温差ΔＴｇにより補正し補正後基板温度差ΔＴｓ＿ｃｏｍｐを算出することで、外気温Ｔｇの変化に対する基板温度Ｔｓの相対的な低下度合いを評価することができる。

これにより、再起動時ｔｒｓの初回制御における電流制限の必要性をより適切に判断することができる。図９のパターンでは、過剰な電流制限が回避され、モータ出力性能が有効に発揮される。例えば電動パワーステアリング装置のアシストモータの駆動制御では、良好なアシスト性能を確保することができる。一方、図１０のパターンでは、外気温Ｔｇの変化に対する基板温度の低下度合いが相対的に小さいため、電流制限を実施し、素子の過熱保護を図る。よって、素子の過熱保護とモータ出力性能の確保とを好適に両立させることができる。

例えば電動パワーステアリング装置の操舵アシストモータは、定常回転用のモータに比べ、大きなトルクを急激に出力するニーズがある。また、モータ制御装置１０１が設置される場所は、一般にスペースの制約が厳しく、放熱に不利な環境である。しかも、高い信頼性が要求されるため、素子の故障を適切に防止することと、モータ８０の出力を可能な限り確保することとの両立が特に重要となる。したがって、本実施形態のモータ制御装置１０１により、素子の過熱保護とモータ出力性能の確保とを好適に両立させる効果が有効に発揮される。

（第２実施形態）
第２実施形態は、初回上昇温度補正部による上昇温度補正率ｐの演算方法が第１実施形態と異なる。第１実施形態では、補正用引数である補正後基板温度差ΔＴｓ＿ｃｏｍｐに応じて連続的に変化する補正率マップ４８１を参照して補正率ｐを演算する。これに対し第２実施形態では、補正後基板温度差ΔＴｓ＿ｃｏｍｐと、０以下の値である温度差臨界値Ｃ_ΔTとの比較により、二値で規定される補正率ｐを選択する。
なお、二値選択の演算では必ずしもマップを使用しなくてもよいが、第１実施形態との対比の都合上、二値マップとして、図４に破線で記載する。後述の第４、第６実施形態についても同様とする。

この二値マップでは、補正後基板温度差ΔＴｓ＿ｃｏｍｐが温度差臨界値Ｃ_ΔT未満のとき、補正率ｐは０であり、補正後基板温度差ΔＴｓ＿ｃｏｍｐが温度差臨界値Ｃ_ΔT以上のとき、補正率ｐは１である。
上昇温度記憶値Ｔｉ＿ｍに補正率ｐが乗算されることで、補正後基板温度差ΔＴｓ＿ｃｏｍｐが温度差臨界値Ｃ_ΔT未満のとき、初回上昇温度補正値Ｔｉ＿ｃｏｍｐは、０に設定される。また、補正後基板温度差ΔＴｓ＿ｃｏｍｐが温度差臨界値Ｃ_ΔT以上のとき、初回上昇温度補正値Ｔｉ＿ｃｏｍｐは、上昇温度記憶値Ｔｉ＿ｍに等しく設定される。

図１１のフローチャートに示すように、第２実施形態による再起動時初回処理では、図７のＳ１５及びＳ１６に代えてＳ２５−Ｓ２７のステップを含む。
補正後基板温度差ΔＴｓ＿ｃｏｍｐが温度差臨界値Ｃ_ΔT未満のとき、Ｓ２５でＹＥＳと判断され、Ｓ２６で初回上昇温度補正値Ｔｉ＿ｃｏｍｐが０に設定される。
補正後基板温度差ΔＴｓ＿ｃｏｍｐが温度差臨界値Ｃ_ΔT以上のとき、Ｓ２５でＮＯと判断され、Ｓ２７で初回上昇温度補正値Ｔｉ＿ｃｏｍｐが上昇温度記憶値Ｔｉ＿ｍに等しく設定される。
第２実施形態は、基本的に第１実施形態と同様の作用効果を奏する他、上昇温度補正率ｐの演算を二値選択とすることで、処理を単純化し、演算負荷を低減することができる。

（第３、第４実施形態）
第３、第４実施形態について、図１２〜図１５を参照して説明する。第３、第４実施形態は、第１、第２実施形態に対し、初回上昇温度の補正演算における補正用引数として、補正後基板温度比αｓ＿ｃｏｍｐを用いる。
図１２に示すように、初回上昇温度補正部４０３は、温度換算部４４、除算器４５１、４５３、４６、補正率マップ４８３、及び補正率乗算器４９を有する。

温度換算部４４は、初回上昇温度補正部４０３に入力された基板温度現在値Ｔｓ、基板温度記憶値Ｔｓ＿ｍ、外気温現在値Ｔｇ、外気温記憶値Ｔｇ＿ｍから一律に基準温度Ｔｏを減じることにより温度値を換算する。基準温度Ｔｏは、基板温度Ｔｓ及び外気温Ｔｇについて所定の処理対象温度範囲、すなわち、想定され得る最小温度から最大温度までの温度範囲の範囲外の温度が設定される。例えば処理対象温度範囲が−４０℃〜８０℃とすると、基準温度Ｔｏは、最小温度より低い−５０℃、或いは、最高温度より高い１００℃等の温度に設定可能である。
以下では、基準温度Ｔｏを処理対象温度範囲の低温側、すなわち最小温度より低い温度に設定する場合について説明する。なお、温度単位に絶対温度を用いる場合は、基準温度Ｔｏを０Ｋ（すなわち−２７３℃）に設定する場合に相当する。

ここで、例えば換算前の基板温度Ｔｓに対する換算後の基板温度を［Ｔｓ］のように記す。各温度は、式（５．１）〜（５．４）で表される。
［Ｔｓ］＝Ｔｓ−Ｔｏ ・・・（５．１）
［Ｔｓ＿ｍ］＝Ｔｓ＿ｍ−Ｔｏ ・・・（５．２）
［Ｔｇ］＝Ｔｇ−Ｔｏ ・・・（５．３）
［Ｔｇ＿ｍ］＝Ｔｇ＿ｍ−Ｔｏ ・・・（５．４）
例えば寒冷期の外気温Ｔｇは０℃以下となる場合があるが、換算後の各温度は全て正の値となる。これにより、除算におけるゼロ割りや符号反転による不連続の発生が防止される。つまり、この温度換算処理は、除算の準備としての意義を有する。

除算器４５１は、換算後の基板温度現在値［Ｔｓ］を基板温度記憶値［Ｔｓ＿ｍ］で除して基板温度比αｓを算出する。除算器４５３は、換算後の外気温現在値［Ｔｇ］を外気温記憶値［Ｔｇ＿ｍ］で除して外気温比αｇを算出する。さらに除算器４６は、基板温度比αｓを外気温比αｇで除して補正後基板温度比αｓ＿ｃｏｍｐを算出する。
すなわち、初回上昇温度補正部４０３は、式（６．１）〜（６．３）の演算を行う。
αｓ＝［Ｔｓ］／［Ｔｓ＿ｍ］ ・・・（６．１）
αｇ＝［Ｔｇ］／［Ｔｇ＿ｍ］ ・・・（６．２）
αｓ＿ｃｏｍｐ＝αｓ／αｇ ・・・（６．３）

補正率マップ４８３は、補正後基板温度比αｓ＿ｃｏｍｐと上昇温度補正率ｐとの関係を規定する。図１３に実線で示す第３実施形態の補正率マップ４８３では、補正後基板温度比αｓ＿ｃｏｍｐが基礎値Ｂ_α以上の領域で補正率ｐは１である。また、補正後基板温度比αｓ＿ｃｏｍｐが基礎値Ｂ_α未満の領域で、補正後基板温度比αｓ＿ｃｏｍｐが小さくなるほど補正率ｐは減少し、０に漸近する。

図１３の補正率マップ４８３の例では、基礎値Ｂ_αは、１より少し小さい値に設定されている。その理由は、第１実施形態の補正率マップ４８１における基礎値Ｂ_ΔTが０より小さい値に設定されている理由と同様である。基礎値Ｂ_αが１未満であるため、補正後基板温度比αｓ＿ｃｏｍｐが１以上の領域では補正率ｐは１で一定となる。したがって、補正後基板温度比αｓ＿ｃｏｍｐが１より大きい場合、補正後基板温度比αｓ＿ｃｏｍｐを１として扱ってもよい。その場合、補正率マップ４８３において二点鎖線で示す領域が省略され、補正後基板温度比αｓ＿ｃｏｍｐの上限が１となる。

図１４に、第３実施形態による再起動時初回処理のフローチャートを示す。
初回上昇温度補正部４０３は、Ｓ１２後のＳ３３で、基板温度現在値Ｔｓ、基板温度記憶値Ｔｓ＿ｍ、外気温現在値Ｔｇ、外気温記憶値Ｔｇ＿ｍを換算した後、基板温度比αｓ及び外気温比αｇを算出し、Ｓ３４で、補正後基板温度比αｓ＿ｃｏｍｐを算出する。
そして、初回上昇温度補正部４０３は、Ｓ３５で、補正後基板温度比αｓ＿ｃｏｍｐに基づき、補正率マップ４８３を参照して上昇温度補正率ｐを演算する。
以後のＳ１６、Ｓ１８、Ｓ１９は、図７と同様である。

第３実施形態では、補正後基板温度比αｓ＿ｃｏｍｐが１より小さく０に近いことが、「外気温記憶値Ｔｇ＿ｍから外気温現在値Ｔｇへの変化に対し、基板温度記憶値Ｔｓ＿ｍから基板温度現在値Ｔｓへの低下度合いが相対的に大きい」ことに相当する。また、補正後基板温度比αｓ＿ｃｏｍｐが小さいほど、初回上昇温度補正値Ｔｉ＿ｃｏｍｐを小さくするように補正することにより、第１実施形態と同様の作用効果を奏する。

第４実施形態は、第３実施形態に対し、上昇温度補正率ｐの演算を二値選択としたものである。
図１３に破線で示す第４実施形態の二値マップでは、補正後基板温度比αｓ＿ｃｏｍｐが１以下の値である温度比臨界値Ｃ_α未満のとき、補正率ｐは０であり、補正後基板温度比αｓ＿ｃｏｍｐが温度比臨界値Ｃ_α以上のとき、補正率ｐは１である。
上昇温度記憶値Ｔｉ＿ｍに補正率ｐが乗算されることで、補正後基板温度比αｓ＿ｃｏｍｐが温度比臨界値Ｃ_α未満のとき、初回上昇温度補正値Ｔｉ＿ｃｏｍｐは、０に設定される。また、補正後基板温度比αｓ＿ｃｏｍｐが温度比臨界値Ｃ_α以上のとき、初回上昇温度補正値Ｔｉ＿ｃｏｍｐは、上昇温度記憶値Ｔｉ＿ｍに等しく設定される。

図１５のフローチャートに示すように、第４実施形態による再起動時初回処理では、図１４のＳ３５及びＳ３６に代えてＳ４５−Ｓ４７のステップを含む。
補正後基板温度比αｓ＿ｃｏｍｐが温度比臨界値Ｃ_α未満のとき、Ｓ４５でＹＥＳと判断され、Ｓ４６で初回上昇温度補正値Ｔｉ＿ｃｏｍｐが０に設定される。
補正後基板温度比αｓ＿ｃｏｍｐが温度比臨界値Ｃ_α以上のとき、Ｓ４５でＮＯと判断され、Ｓ４７で初回上昇温度補正値Ｔｉ＿ｃｏｍｐが上昇温度記憶値Ｔｉ＿ｍに等しく設定される。
第４実施形態は、基本的に第３実施形態と同様の作用効果を奏する他、上昇温度補正率ｐの演算を二値選択とすることで、処理を単純化し、演算負荷を低減することができる。

（第５、第６実施形態）
第５、第６実施形態について、図１６〜図２１を参照して説明する。第５、第６実施形態では、内外温度差Ｔｄｉｆを用いて初回上昇温度補正値Ｔｉ＿ｃｏｍｐを演算する。
図１６に示すように、第５実施形態のモータ制御装置１０５は、図１に示すモータ制御装置１０１に対し、基板温度記憶部３２及び外気温記憶部３４を備えない。初回上昇温度補正部４０５は、駆動回路６０の動作停止後の再起動時の初回制御において、基板温度Ｔｓ及び外気温Ｔｇの現在値のみに基づいて上昇温度記憶値Ｔｉ＿ｍを補正し、初回上昇温度補正値Ｔｉ＿ｃｏｍｐを演算する。

図１７に示すように、初回上昇温度補正部４０５の減算器４７５は、基板温度現在値Ｔｓから外気温現在値Ｔｇを減じて内外温度差Ｔｄｉｆ（＝Ｔｓ−Ｔｇ）を算出する。補正率マップ４８５は、内外温度差Ｔｄｉｆと上昇温度補正率ｐとの関係を規定する。
図１８に実線で示す第５実施形態の補正率マップ４８５では、内外温度差Ｔｄｉｆが０のとき補正率ｐは０であり、内外温度差Ｔｄｉｆが０から大きくなるほど補正率ｐは増加し、１に漸近する。

図１９に、第５実施形態による再起動時初回処理のフローチャートを示す。
初回上昇温度補正部４０５は、Ｓ１１後のＳ５２で、基板温度Ｔｓ及び外気温Ｔｇの現在値を取得するとともに、上昇温度記憶部３８から上昇温度記憶値Ｔｉ＿ｍを読み込む。
初回上昇温度補正部４０５は、Ｓ５４で、内外温度差Ｔｄｉｆ（＝Ｔｓ−Ｔｇ）を算出し、Ｓ５５で、補正率マップ４８５を参照して上昇温度補正率ｐを演算する。
以後のＳ１６、Ｓ１８、Ｓ１９は、図７等と同様である。

次に図２０のタイムチャートを参照し、第５実施形態の動作例を説明する。
駆動停止時ｔｑには基板温度Ｔｓは外気温Ｔｇより高く、駆動停止中に基板温度Ｔｓ、外気温Ｔｇとも低下する。このとき、外気温Ｔｇの低下量に比べ基板温度Ｔｓの低下量が大きいため、内外温度差Ｔｄｉｆは徐々に減少し、再起動時ｔｒｓには０に近い値となっている。したがって、補正率マップ４８５より補正率ｐは０に近い値となる。その結果、電流制限はほとんど不要と判断され、再起動時の初回制御における電流制限値Ｉｌｉｍは、電流最大値Ｉｍａｘに近い値に設定される。

一方、図２０の例に対し、再起動時ｔｒｓの内外温度差Ｔｄｉｆが比較的大きい場合には、補正率ｐは１に近い値となり、初回上昇温度補正値Ｔｉ＿ｃｏｍｐは、上昇温度記憶値Ｔｉ＿ｍに近い値となる。その結果、再起動時の初回制御における電流制限値Ｉｌｉｍは、停止時ｔｑ直前と同等の値に設定される。
第５実施形態もまた、再起動時の外気温Ｔｇの情報に基づいて上昇温度記憶値Ｔｉ＿ｍを補正することで、駆動停止期間中の暗電流を抑制しつつ、再起動時における電流制限を適切に実行することができる。また、上記第１〜第４実施形態に対し、基板温度記憶部３２及び外気温記憶部３４を不要とすることができる。

第６実施形態は、第５実施形態に対し、上昇温度補正率ｐの演算を二値選択としたものである。
図１８に破線で示す第６実施形態の二値マップでは、内外温度差Ｔｄｉｆが内外温度差臨界値Ｃｄｉｆ未満のとき、補正率ｐは０であり、内外温度差Ｔｄｉｆが内外温度差臨界値Ｃｄｉｆ以上のとき、補正率ｐは１である。
上昇温度記憶値Ｔｉ＿ｍに補正率ｐが乗算されることで、内外温度差Ｔｄｉｆが内外温度差臨界値Ｃｄｉｆ未満のとき、初回上昇温度補正値Ｔｉ＿ｃｏｍｐは、０に設定される。また、内外温度差Ｔｄｉｆが内外温度差臨界値Ｃｄｉｆ以上のとき、初回上昇温度補正値Ｔｉ＿ｃｏｍｐは、上昇温度記憶値Ｔｉ＿ｍに等しく設定される。

図２１のフローチャートに示すように、第６実施形態による再起動時初回処理では、図１９のＳ５５及びＳ１６に代えてＳ６５−Ｓ６７のステップを含む。
内外温度差Ｔｄｉｆが内外温度差臨界値Ｃｄｉｆ未満のとき、Ｓ６５でＹＥＳと判断され、Ｓ６６で初回上昇温度補正値Ｔｉ＿ｃｏｍｐが０に設定される。
内外温度差Ｔｄｉｆが内外温度差臨界値Ｃｄｉｆ以上のとき、Ｓ６５でＮＯと判断され、Ｓ６７で初回上昇温度補正値Ｔｉ＿ｃｏｍｐが上昇温度記憶値Ｔｉ＿ｍに等しく設定される。
第６実施形態は、基本的に第５実施形態と同様の作用効果を奏する他、上昇温度補正率ｐの演算を二値選択とすることで、処理を単純化し、演算負荷を低減することができる。

（その他の実施形態）
（ａ）第１、第２実施形態の初回上昇温度補正部４０１の演算において、基板温度差ΔＴｓ及び外気温差ΔＴｇの算出式を、上記の式（３．１）、（３．２）とは逆に、式（７．１）、（７．２）のように定義してもよい。
ΔＴｓ＝Ｔｓ＿ｍ−Ｔｓ ・・・（７．１）
ΔＴｇ＝Ｔｇ＿ｍ−Ｔｇ ・・・（７．２）

この場合、上昇温度補正率マップは、図４のマップに対し「ΔＴｓ＿ｃｏｍｐ＝０」の位置を対称として横軸が正負反転して表される。正の補正後基板温度差ΔＴｓ＿ｃｏｍｐが大きいほど、上昇温度補正率ｐが１から小さくなり、０に漸近する。つまり、初回上昇温度補正部は、補正後基板温度差ΔＴｓ＿ｃｏｍｐが大きいほど初回上昇温度補正値Ｔｉ＿ｃｏｍｐを小さくするように補正する。
また、補正率マップは、補正後基板温度差ΔＴｓ＿ｃｏｍｐの下限を０とし、補正率ｐが１で一定となる「ΔＴｓ＿ｃｏｍｐ＜０」の領域を省略してもよい。

第２実施形態に対応する二値マップでは、補正後基板温度差ΔＴｓ＿ｃｏｍｐが温度差臨界値Ｃ_ΔTより大きいとき補正率ｐが０となり、補正後基板温度差ΔＴｓ＿ｃｏｍｐが温度差臨界値Ｃ_ΔT以下のとき補正率ｐが１となる。
このように、式の正負を逆に定義することで大小関係が反転するに過ぎない形態は、特許請求の範囲に記載された発明の技術的範囲に含まれるものと解釈する。

（ｂ）第３、第４実施形態の初回上昇温度補正部４０３の演算において、基板温度比αｓ及び外気温比αｇの算出式を、上記の式（６．１）、（６．２）とは逆に、式（８．１）、（８．２）のように定義してもよい。
αｓ＝［Ｔｓ＿ｍ］／［Ｔｓ］ ・・・（８．１）
αｇ＝［Ｔｇ＿ｍ］／［Ｔｇ］ ・・・（８．２）

この場合、上昇温度補正率マップは、図１３のマップに対し「αｓ＿ｃｏｍｐ＝１」の位置を基準として横軸が逆数の関係に表される。補正後基板温度比αｓ＿ｃｏｍｐが１より大きいほど、上昇温度補正率ｐが１から小さくなり、０に漸近する。つまり、初回上昇温度補正部は、補正後基板温度比αｓ＿ｃｏｍｐが大きいほど初回上昇温度補正値Ｔｉ＿ｃｏｍｐを小さくするように補正する。
また、補正率マップは、補正後基板温度比αｓ＿ｃｏｍｐの下限を１とし、補正率ｐが１で一定となる「αｓ＿ｃｏｍｐ＜１」の領域を省略してもよい。

第４実施形態に対応する二値マップでは、補正後基板温度比αｓ＿ｃｏｍｐが温度比臨界値Ｃ_αより大きいとき補正率ｐが０となり、補正後基板温度比αｓ＿ｃｏｍｐが温度比臨界値Ｃ_α以下のとき補正率ｐが１となる。
このように、式の分母、分子を逆に定義することで大小関係が反転するに過ぎない形態は、特許請求の範囲に記載された発明の技術的範囲に含まれるものと解釈する。
なお、温度換算における基準温度Ｔｏを処理対象温度範囲の高温側に設定する場合にも演算値の大小関係が反転する。この形態も同様に、特許請求の範囲に記載された発明の技術的範囲に含まれるものと解釈する。

（ｃ）上記実施形態の初回上昇温度補正部は、補正用引数から求めた上昇温度補正率ｐを上昇温度記憶値Ｔｉ＿ｍに乗ずることにより、初回上昇温度補正値Ｔｉ＿ｃｏｍｐを演算している。他の実施形態では、補正率ｐを用いず、上昇温度記憶値Ｔｉ＿ｍ毎に補正用引数と初回上昇温度補正値Ｔｉ＿ｃｏｍｐとの関係を直接規定した複数のマップにより、上昇温度記憶値Ｔｉ＿ｍを補正するようにしてもよい。

（ｄ）モータ制御装置の駆動回路、及び、駆動されるモータは、上記実施形態で例示したインバータ及び三相ブラシレスモータに限らず、Ｈブリッジ回路及びＤＣモータ等であってもよい。
（ｅ）本発明のモータ制御装置は、電動パワーステアリング装置の操舵アシストモータに限らず、どのようなモータを駆動する装置として適用されてもよい。特に駆動停止期間中の外気温の変化が比較的大きい車載用モータ等の制御装置として有効である。
以上、本発明はこのような実施形態に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の形態で実施することができる。

１０１、１０５・・・モータ制御装置、
２０・・・基板、
３１・・・基板温度取得部、 ３２・・・基板温度記憶部、
３３・・・外気温取得部、 ３４・・・外気温記憶部、
３７・・・上昇温度推定部、 ３８・・・上昇温度記憶部、
４０１、４０３、４０５・・・初回上昇温度補正部、
５１・・・電流制限値演算部、
６０・・・駆動回路、
７１・・・基板温度センサ、 ７３・・・外気温センサ、
８０・・・モータ。

Claims (12)

1. モータ（８０）を駆動する駆動回路（６０）と、
   前記駆動回路が搭載された基板（２０）と、
   前記基板の温度（Ｔｓ）を検出する基板温度センサ（７１）と、
   前記基板温度センサが検出した基板温度を取得する基板温度取得部（３１）と、
   前記基板温度取得部が取得した任意の基準時の基板温度を基板温度記憶値（Ｔｓ＿ｍ）として記憶する基板温度記憶部（３２）と、
   外気温センサ（７３）が検出した外気温（Ｔｇ）を取得する外気温取得部（３３）と、
   前記外気温取得部が取得した前記基準時の外気温を外気温記憶値（Ｔｇ＿ｍ）として記憶する外気温記憶部（３４）と、
   前記モータ又は前記駆動回路に流れる電流の値に基づき、前記駆動回路の素子の上昇温度（Ｔｉ）を推定する上昇温度推定部（３７）と、
   前記上昇温度推定部が推定した上昇温度を上昇温度記憶値（Ｔｉ＿ｍ）として記憶する上昇温度記憶部（３８）と、
   前記上昇温度推定部が推定した前記上昇温度に基づき、前記上昇温度が大きいほど前記モータに通電する電流を制限するように電流制限値を演算する電流制限値演算部（５１）と、
   前記駆動回路による前記モータの駆動停止後の再起動時の初回制御において、前記基板温度記憶値、基板温度現在値、前記外気温記憶値及び外気温現在値に基づいて算出した補正用引数を用いて前記上昇温度記憶値を補正し、初回上昇温度補正値（Ｔｉ＿ｃｏｍｐ）を演算する初回上昇温度補正部（４０１、４０３）と、
   を備え、
   前記初回上昇温度補正部は、前記外気温記憶値から外気温現在値への変化に対し、前記基板温度記憶値から基板温度現在値への低下度合いが相対的に大きいほど、前記初回上昇温度補正値を小さくするように補正するモータ制御装置。
2. 前記基準時は、前記駆動回路の通電がオフした時、及び、当該通電オフ時における基板温度及び外気温との温度差が実質的に無視可能な時間範囲を含む駆動停止時である請求項１に記載のモータ制御装置。
3. 前記初回上昇温度補正部（４０１）は、
   前記基板温度記憶値と基板温度現在値との差である基板温度差（ΔＴｓ）、及び、前記外気温記憶値と外気温現在値との差である外気温差（ΔＴｇ）に基づいて、前記補正用引数である補正後基板温度差（ΔＴｓ＿ｃｏｍｐ）を演算する請求項１または２に記載のモータ制御装置。
4. 基板温度現在値から前記基板温度記憶値を減じた値を前記基板温度差と定義し、外気温現在値から前記外気温記憶値を減じた値を前記外気温差と定義したとき、
   前記初回上昇温度補正部は、前記外気温差に正の補正係数（ｋ）を乗じた値を前記基板温度差から減じて前記補正後基板温度差を算出し、前記補正後基板温度差が小さいほど前記初回上昇温度補正値を小さくするように補正する請求項３に記載のモータ制御装置。
5. 前記初回上昇温度補正部は、前記補正後基板温度差が正の場合、前記補正後基板温度差を０として扱う請求項４に記載のモータ制御装置。
6. 前記初回上昇温度補正部は、
   前記補正後基板温度差が０以下の値である温度差臨界値（Ｃ_ΔT）未満のとき、前記初回上昇温度補正値を０に設定し、
   前記補正後基板温度差が前記温度差臨界値以上のとき、前記初回上昇温度補正値を前記上昇温度記憶値に等しく設定する請求項４または５に記載のモータ制御装置。
7. 前記初回上昇温度補正部（４０３）は、
   前記基板温度記憶値、基板温度現在値、前記外気温記憶値及び外気温現在値について、所定の処理対象温度範囲外の基準温度（Ｔｏ）からの差分で表される温度値に換算し
   前記基板温度記憶値と基板温度現在値との比である基板温度比（αｓ）、及び、前記外気温記憶値と外気温現在値との比である外気温比（αｇ）に基づいて、前記補正用引数である補正後基板温度比（αｓ＿ｃｏｍｐ）を演算する請求項１または２に記載のモータ制御装置。
8. 前記基準温度は、前記処理対象温度範囲の低温側に設定され、
   基板温度現在値を前記基板温度記憶値で除した値を前記基板温度比と定義し、外気温現在値を前記外気温記憶値で除した値を前記外気温比と定義したとき、
   前記初回上昇温度補正部は、前記基板温度比を前記外気温比で除して前記補正後基板温度比を算出し、前記補正後基板温度比が小さいほど前記初回上昇温度補正値を小さくするように補正する請求項７に記載のモータ制御装置。
9. 前記初回上昇温度補正部は、前記補正後基板温度比が１より大きい場合、前記補正後基板温度比を１として扱う請求項８に記載のモータ制御装置。
10. 前記初回上昇温度補正部は、
    前記補正後基板温度比が１以下の値である温度比臨界値（Ｃ_α）未満のとき、前記初回上昇温度補正値を０に設定し、
    前記補正後基板温度比が前記温度比臨界値以上のとき、前記初回上昇温度補正値を前記上昇温度記憶値に等しく設定する請求項８または９に記載のモータ制御装置。
11. モータ（８０）を駆動する駆動回路（６０）と、
    前記駆動回路が搭載された基板（２０）と、
    前記基板の温度（Ｔｓ）を検出する基板温度センサ（７１）と、
    前記基板温度センサが検出した基板温度を取得する基板温度取得部（３１）と、
    外気温センサ（７３）が検出した外気温（Ｔｇ）を取得する外気温取得部（３３）と、
    前記モータ又は前記駆動回路に流れる電流の値に基づき、前記駆動回路の素子の上昇温度（Ｔｉ）を推定する上昇温度推定部（３７）と、
    前記上昇温度推定部が推定した上昇温度を上昇温度記憶値（Ｔｉ＿ｍ）として記憶する上昇温度記憶部（３８）と、
    前記上昇温度推定部が推定した前記上昇温度に基づき、前記上昇温度が大きいほど前記モータに通電する電流を制限するように電流制限値を演算する電流制限値演算部（５１）と、
    前記駆動回路による前記モータの駆動停止後の再起動時の初回制御において、基板温度現在値から外気温現在値を減じた内外温度値（Ｔｄｉｆ）に基づいて前記上昇温度記憶値を補正し、初回上昇温度補正値（Ｔｉ＿ｃｏｍｐ）を演算する初回上昇温度補正部（４０５）と、
    を備え、
    前記初回上昇温度補正部は、前記内外温度差が小さいほど、前記初回上昇温度補正値を小さくするように補正するモータ制御装置。
12. 前記初回上昇温度補正部は、前記内外温度差が内外温度差臨界値（Ｃｄｉｆ）未満のとき、前記初回上昇温度補正値を０に設定し、
    前記内外温度差が前記内外温度差臨界値以上のとき、前記初回上昇温度補正値を前記上昇温度記憶値に等しく設定する請求項１１に記載のモータ制御装置。

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