JP2018067600A - Electronic device and method for manufacturing the same - Google Patents
Electronic device and method for manufacturing the same Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018067600A JP2018067600A JP2016204480A JP2016204480A JP2018067600A JP 2018067600 A JP2018067600 A JP 2018067600A JP 2016204480 A JP2016204480 A JP 2016204480A JP 2016204480 A JP2016204480 A JP 2016204480A JP 2018067600 A JP2018067600 A JP 2018067600A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- irradiation
- mounting surface
- electronic device
- electronic component
- bonding layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Lining Or Joining Of Plastics Or The Like (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
本発明は、電子装置及びその製造方法に関する。 The present invention relates to an electronic device and a method for manufacturing the same.
金属表面に電子部品（例えばＩＣチップ）を接合するとともに樹脂部材を密着させた構造を有する、半導体装置及びその製造方法が知られている（例えば特許文献１等参照）。また、特許文献１は、金属表面をレーザービーム照射により粗面化して樹脂部材との密着性を向上する技術を開示する。
2. Description of the Related Art A semiconductor device having a structure in which an electronic component (for example, an IC chip) is bonded to a metal surface and a resin member is in close contact with the metal surface and a manufacturing method thereof are known (for example, see Patent Document 1).
この種の装置において、レーザービーム照射による粗面化の影響が、金属表面における電子部品との密着部分にも及ぶ場合があり得る。この場合、金属表面と電子部品との密着性が低下する懸念がある。本発明は、上記に例示した課題に鑑みてなされたものである。即ち、本発明は、金属表面をレーザービーム照射により粗面化して樹脂部材との密着性を向上しても、金属表面と電子部品との良好な密着性が得られる、構成及びその製造方法を提供する。 In this type of apparatus, the effect of surface roughening due to laser beam irradiation may reach even the close contact portion with the electronic component on the metal surface. In this case, there is a concern that the adhesion between the metal surface and the electronic component is lowered. The present invention has been made in view of the problems exemplified above. That is, the present invention provides a configuration and a method for manufacturing the same, in which even if the metal surface is roughened by laser beam irradiation to improve the adhesion to the resin member, good adhesion between the metal surface and the electronic component can be obtained. provide.
請求項１に記載の電子装置（１）は、導電性接合層（４）を介して電子部品（３）を搭載した構成を有する。
An electronic device (1) according to
この電子装置は、
前記導電性接合層に接合される金属質表面である搭載面（２３）と、前記搭載面の面内方向について前記搭載面に隣接しつつ前記搭載面を囲むように前記搭載面の外側に設けられた金属質表面である封止面（２４）と、を有する支持部材（２）と、
合成樹脂成形体であって、前記電子部品を被覆しつつ前記封止面に接合される樹脂部材（５）と、
を備え、
前記封止面は、複数の略円形状のレーザー照射痕（２６）によって形成された粗面（２５）を有し、
前記面内方向について前記搭載面における前記封止面に隣接する部分である境界部（２３１）は、前記導電性接合層を構成する材料の濡れ性が、前記封止面における前記粗面よりも良好となるように形成されている。
This electronic device
A mounting surface (23) which is a metallic surface to be bonded to the conductive bonding layer, and provided outside the mounting surface so as to surround the mounting surface while being adjacent to the mounting surface in the in-plane direction of the mounting surface A support member (2) having a sealing surface (24) which is a metallic surface formed;
A resin member (5) which is a synthetic resin molded body and is bonded to the sealing surface while covering the electronic component;
With
The sealing surface has a rough surface (25) formed by a plurality of substantially circular laser irradiation marks (26),
In the in-plane direction, the boundary portion (231), which is a portion adjacent to the sealing surface in the mounting surface, has wettability of the material constituting the conductive bonding layer more than the rough surface in the sealing surface. It is formed to be good.
請求項６に記載の製造方法は、導電性接合層（４）を介して電子部品（３）を搭載した構成を有する電子装置（１）の製造方法である。 The manufacturing method according to claim 6 is a manufacturing method of the electronic device (1) having a configuration in which the electronic component (3) is mounted via the conductive bonding layer (4).
この製造方法は、以下の工程を含む。 This manufacturing method includes the following steps.
前記電子部品を搭載する支持部材（２）の有する一つの平面状の金属表面の一部であって、前記金属表面の面内方向における中心部寄りの領域である非照射領域（２７）よりも前記面内方向における外側に、パルス発振のレーザービームである粗面化ビームを照射することで、複数の略円形状のレーザー照射痕（２６）によって形成された粗面（２５）を有する金属質表面である封止面（２４）を、前記レーザー照射痕を有しない前記非照射領域よりも前記面内方向における外側に形成し、
前記非照射領域の外縁部を含む境界部（２３１）における、前記導電性接合層を構成する材料の濡れ性が、前記封止面における前記粗面よりも良好となるように、前記粗面化ビームよりも低エネルギーのレーザービームである後処理ビームを前記境界部に照射し、
前記後処理ビームを前記境界部に照射することで、前記導電性接合層に接合される金属質表面であって前記境界部及び前記非照射領域を含む搭載面（２３）を前記支持部材に形成し、
前記搭載面に前記導電性接合層を接合することで、前記導電性接合層を介して前記電子部品を前記支持部材に搭載し、
合成樹脂成形体である樹脂部材（５）を前記封止面に接合することで、前記樹脂部材により前記電子部品を被覆する。
More than the non-irradiated region (27), which is a part of one planar metal surface of the support member (2) on which the electronic component is mounted, and is a region closer to the center in the in-plane direction of the metal surface. A metallic material having a rough surface (25) formed by a plurality of substantially circular laser irradiation marks (26) by irradiating a roughening beam which is a pulsed laser beam on the outside in the in-plane direction. Forming a sealing surface (24) which is a surface on the outer side in the in-plane direction with respect to the non-irradiated region not having the laser irradiation trace,
The roughening is performed so that the wettability of the material constituting the conductive bonding layer at the boundary portion (231) including the outer edge portion of the non-irradiation region is better than the rough surface at the sealing surface. Irradiating the boundary with a post-processing beam, which is a laser beam having a lower energy than the beam,
By irradiating the boundary portion with the post-processing beam, a mounting surface (23) that is a metallic surface bonded to the conductive bonding layer and includes the boundary portion and the non-irradiated region is formed on the support member. And
By bonding the conductive bonding layer to the mounting surface, the electronic component is mounted on the support member via the conductive bonding layer,
The electronic component is covered with the resin member by bonding the resin member (5), which is a synthetic resin molded body, to the sealing surface.
上記構成及び製造方法においては、前記支持部材に対する前記粗面化ビームの照射により、複数の前記レーザー照射痕を有する前記粗面が形成される。これにより、前記支持部材における金属質表面であって前記粗面を有する前記封止面と、前記樹脂部材との密着性が、よりいっそう向上する。一方、前記支持部材の、前記面内方向における中心部寄りには、前記非照射領域が形成される。即ち、前記非照射領域よりも、前記面内方向における外側に、前記封止面が形成される。 In the said structure and manufacturing method, the said rough surface which has several said laser irradiation traces is formed by irradiation of the said roughening beam with respect to the said supporting member. Thereby, the adhesiveness between the sealing member having the rough surface and the metallic surface of the support member, and the resin member are further improved. On the other hand, the non-irradiation region is formed near the center of the support member in the in-plane direction. That is, the sealing surface is formed outside the non-irradiated region in the in-plane direction.
このとき、前記レーザー照射痕の内側及び周囲には、堆積物が堆積する。この堆積物を構成する物質は、前記支持部材を構成する金属、及び／又はその化合物（例えば酸化物）等である。かかる堆積物の堆積等に伴い、前記レーザー照射痕の内側及び周囲には、微細な凹凸が発生する。 At this time, deposits are deposited inside and around the laser irradiation mark. The substance constituting the deposit is a metal constituting the support member and / or a compound thereof (for example, an oxide). Along with the deposition of the deposit, fine irregularities are generated inside and around the laser irradiation trace.
上記のような堆積物の堆積及び／又は微細な凹凸は、前記搭載面における、前記面内方向について前記封止面に隣接する前記境界部にも発生し得る。すると、前記化合物等の影響により、前記境界部にて、前記導電性接合層を構成する材料の濡れ性が悪化する懸念がある。 Deposits and / or fine irregularities as described above may also occur in the boundary portion of the mounting surface adjacent to the sealing surface in the in-plane direction. Then, there exists a possibility that the wettability of the material which comprises the said electroconductive joining layer may deteriorate in the said boundary part by the influence of the said compound etc.
そこで、上記構成及び製造方法においては、前記境界部に、前記粗面化ビームよりも低エネルギーのレーザービームである前記後処理ビームが照射される。前記後処理ビームの照射により、前記濡れ性の悪化の要因である前記化合物等が、良好に除去される。これにより、前記境界部は、前記濡れ性が前記封止面における前記粗面よりも良好とされる。したがって、前記封止面と前記樹脂部材との良好な密着性を実現しつつ、前記搭載面における前記導電性接合層の密着性が良好に確保され得る。 Therefore, in the above-described configuration and manufacturing method, the post-processing beam, which is a laser beam having a lower energy than the roughening beam, is irradiated onto the boundary portion. By the irradiation with the post-treatment beam, the compound and the like that are the cause of the deterioration of the wettability are satisfactorily removed. Thereby, the said boundary part makes the said wettability better than the said rough surface in the said sealing surface. Therefore, the adhesion of the conductive bonding layer on the mounting surface can be ensured satisfactorily while realizing good adhesion between the sealing surface and the resin member.
なお、上記及び特許請求の範囲欄における各手段に付された括弧付きの参照符号は、同手段と後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係の一例を示すものである。 Reference numerals in parentheses attached to each means in the above and claims column indicate an example of a correspondence relationship between the means and specific means described in the embodiments described later.
以下、本発明の実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、実施形態と後述の変形例とにおいて、互いに同一又は均等である部分には、同一符号が付されている。この場合、後続の変形例においては、技術的矛盾又は特段の追加説明なき限り、先行する実施形態における説明が適宜援用され得る。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. Note that, in the embodiment and a modified example described later, the same or equivalent portions are denoted by the same reference numerals. In this case, in the following modification, the description in the preceding embodiment can be incorporated as appropriate unless there is a technical contradiction or special additional description.
（実施形態の構成）
図１〜図４を参照しつつ、本実施形態の電子装置１の構成について説明する。図１に示されているように、電子装置１は、支持部材２と、電子部品３と、導電性接合層４と、樹脂部材５とを備えている。なお、図示及び説明の便宜のため、電子装置１に通常設けられる、保護膜、配線部、等の細部については、各図において図示及び説明が省略されている。また、同様の理由のため、図２の平面図においては、樹脂部材５の図示が省略されている。
(Configuration of the embodiment)
The configuration of the
支持部材２は、電子部品３を支持する部材であって、本実施形態においては金属部材として構成されている。具体的には、支持部材２は、いわゆるリードフレームであって、少なくとも電子部品３と接合される部分及びその近傍部分にて平板状に形成されている。支持部材２の構成の詳細については後述する。本実施形態においては、電子部品３は、ＩＣチップであって、図２に示されているように、平面形状が矩形状に形成されている。「平面形状」とは、六面体状に形成された電子部品３における最も大きな面積を有する一対の表面である、一対の主面のうちの一方を、当該一方の主面の法線方向と平行な視線で見た場合の、当該一方の主面の形状をいう。また、「平面形状」は、平面視における形状、即ち平面図中の形状をいう場合もある。
The
導電性接合層４は、支持部材２の一表面である実装面２０に電子部品３を接着するための部材であって、ハンダ又は導電性接着剤によって形成されている。実装面２０の面内方向、即ち、実装面２０と平行な方向を、以下単に「面内方向」と称する。樹脂部材５は、合成樹脂成形体であって、エポキシ樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂等の熱硬化性もしくは熱可塑性合成樹脂によって形成されている。電子装置１は、支持部材２の実装面２０に導電性接合層４を介して電子部品３を搭載するとともに、搭載した電子部品３及び実装面２０を樹脂部材５で被覆した構成を有している。
The
支持部材２は、本体部２１とメタライズ層２２とを有している。本体部２１は、導電性の良好な金属材料、例えば、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｌ、又はこれらの金属元素の少なくとも一種を含む合金（４２アロイ等）によって形成されている。メタライズ層２２は、本体部２１上に形成された金属薄膜であって、実装面２０を有している。即ち、実装面２０は、メタライズ層２２の表面として設けられている。本実施形態においては、メタライズ層２２は、導電性接合層４を構成する材料の濡れ性が良好な金属材料（例えばニッケル系金属）をメッキ等で成膜することによって形成されている。
The
実装面２０は、支持部材２の有する一つの平面状の金属表面の一部に対して、導電性接合層４及び樹脂部材５との接合性（即ち密着性）を向上するためのレーザービーム照射処理を施すことによって形成されている。具体的には、実装面２０には、搭載面２３と封止面２４とが含まれる。即ち、メタライズ層２２は、搭載面２３と封止面２４とを有している。搭載面２３は、導電性接合層４に接合される金属質表面であって、面内方向における実装面２０の中心部に設けられている。「金属質表面」とは、金属を主成分とする表面であって、金属表面及び金属化合物表面（例えば金属酸化物表面）を含む。本実施形態においては、搭載面２３は、導電性接合層４を構成する材料の濡れ性が良好な金属表面として形成されている。
The mounting
図３に示されているように、搭載面２３は、電子部品３における矩形状の平面形状に対応して、矩形状の平面形状に形成されている。封止面２４は、面内方向について搭載面２３に隣接する金属質表面であって、搭載面２３を囲むように搭載面２３の外側に設けられている。樹脂部材５は、電子部品３を被覆しつつ、封止面２４に接合されている。
As shown in FIG. 3, the mounting
封止面２４は、粗面２５を有している。粗面２５は、複数の略円形状のレーザー照射痕２６によって形成されている。レーザー照射痕２６は、外径が５〜３００μｍ程度のクレーター状の凹凸部であって、実装面２０にパルス発振のレーザービームを照射することによって形成されている。なお、一つの略円形状のレーザー照射痕２６は、一回のパルス発振のレーザービーム照射に対応する。また、粗面２５を形成するためのレーザービームを、以下「粗面化ビーム」と称することがある。
The sealing
図３に示されているように、本実施形態においては、粗面２５は、平面視にて、所定の線幅（具体的にはレーザー照射痕２６の外径の二倍に相当する幅）を有する矩形状に形成されている。即ち、封止面２４の、矩形状の粗面２５よりも面内方向における内側には、レーザー照射痕２６を有しない非照射領域２７が形成されている。なお、本実施形態においては、封止面２４の、粗面２５よりも面内方向における外側にも、レーザー照射痕２６を有しない領域が形成されている。
As shown in FIG. 3, in the present embodiment, the
上記の通り、粗面２５は、実装面２０の面内方向における中心部寄りの非照射領域２７よりも、面内方向における外側に、パルス発振の粗面化ビームを照射することによって形成されている。この非照射領域２７によって、搭載面２３の主要部が形成されている。具体的には、本実施形態においては、搭載面２３と非照射領域２７とは略一致している。
As described above, the
搭載面２３は、境界部２３１を有している。境界部２３１には、粗面化ビームよりも低エネルギーのレーザービームである後処理ビームの照射処理が施されている。これにより、境界部２３１は、導電性接合層４を構成する材料の濡れ性が、封止面２４における粗面２５よりも良好となるように形成されている。境界部２３１は、搭載面２３における、面内方向について封止面２４に隣接する、平面視にて略矩形状の帯状部分である。具体的には、境界部２３１は、非照射領域２７の外縁部に設けられている。このように、搭載面２３は、全体として、導電性接合層４を構成する材料の濡れ性が良好な金属質表面として形成されている。
The mounting
図４は、図３におけるIV−IV断面のうちの一部分を示す。図４に示されているように、粗面２５には、第一凸部２６１と第二凸部２６２とが、それぞれ複数形成されている。
FIG. 4 shows a part of the IV-IV cross section in FIG. As shown in FIG. 4, a plurality of first
第一凸部２６１は、クレーター状のレーザー照射痕２６の外縁部に対応して形成された凸部であって、０．５〜５μｍの高さを有している。第一凸部２６１の高さは、図４にて矢印Ｈ１により示されており、その定義は後述する。
The 1st
第二凸部２６２は、第一凸部２６１内及び第一凸部２６１の周囲に形成された凸部であって、１〜５００ｎｍの高さ及び１〜３００ｎｍの幅を有している。即ち、第二凸部２６２は、レーザー照射痕２６内及びレーザー照射痕２６の周囲に形成されている。第二凸部２６２の高さは、図４にて矢印Ｈ２により示されており、その定義は後述する。
The second
第二凸部２６２は、１〜３００ｎｍの幅を有している。第二凸部２６２の幅の定義も後述する。粗面２５は、隣り合う２つの第二凸部２６２の間隔が１〜３００ｎｍとなるように形成されている。
The second
上記のように、第二凸部２６２の高さは、第一凸部２６１の高さよりも充分小さい。故に、第一凸部２６１の高さは、第二凸部２６２の高さを捨象して定義可能である。即ち、第一凸部２６１の高さは、第二凸部２６２を平滑化して第一凸部２６１の仮想的な断面曲線（図４における点線参照）を形成した場合の、面内方向と直交する方向（即ち図４における上下方向）における、第一凸部２６１の最高位置と最低位置との間の距離である。
As described above, the height of the second
第二凸部２６２の高さは、第一凸部２６１における上記の仮想的な断面曲線を水平に伸ばした場合の、水平線と直交する方向における、第二凸部２６２の最高位置と最低位置との間の距離である。第二凸部２６２の幅は、第二凸部２６２の高さを規定する方向と直交する方向における、第二凸部２６２の隣接する２つの最低位置の間の距離である。
The height of the second
（製造方法及び効果）
上記構成を有する電子装置１は、以下のようにして製造することができる。なお、電子装置１に通常設けられる上記の細部に関しては、製造工程の説明を省略する。
(Manufacturing method and effect)
The
まず、支持部材２の一金属表面の一部（即ち非照射領域２７よりも面内方向における外側の領域）に、パルス発振の粗面化ビームを走査しつつ多数回照射することで、略円形状のレーザー照射痕２６を多数有する粗面２５が形成される。粗面化ビームの照射条件は以下の通りである。レーザー光源は、例えば、Ｎｄ：ＹＡＧ（ネオジム：イットリウム・アルミニウム・ガーネット）を用いることが可能である。Ｎｄ：ＹＡＧの場合、波長は、基本波長である１０６４μｍ、又はその高調波である５３３μｍ又は３５５μｍの波長を用いることが可能である。照射スポット径は５〜３００μｍ、エネルギー密度は５〜１００Ｊ／平方ｃｍ、パルス幅（即ち一つのスポットあたりの照射時間）は１０〜１０００ｎｓである。
First, a portion of one metal surface of the support member 2 (that is, a region outside the
図５は、粗面化ビームの一スポット分の照射によって一つのレーザー照射痕２６が形成された様子を示す。図中、破線は、粗面化ビームを示す。粗面化ビームの照射により、金属の溶融及び／又は気化と、これに伴う金属の凝固及び／又は堆積が生じる。これにより、図５に示されているように、ミクロンサイズの第一凸部２６１が平面視にて略円形に形成される。第一凸部２６１の外径は、粗面化ビームの照射スポット径よりも僅かに大きい。また、第一凸部２６１の内側及び周囲に、ナノサイズ又はサブミクロンサイズの第二凸部２６２が形成される。
FIG. 5 shows a state in which one
粗面化ビーム及び後述する後処理ビームの走査方式は以下の通りである。本実施形態においては、レーザー光源、光学系、及び支持部材２を着脱可能に支持するためのＸＹステージは、容易には移動しないように固定的に設けられている。支持部材２がＸＹステージ上に装着される。レーザー光源の駆動とＸＹステージの駆動とが同期されつつ、実装面２０上の所望の位置にてレーザービームが照射される。これにより、レーザービームを実装面２０上にて所望のパターンで走査することが可能である。なお、以下の説明では、説明の簡略化のため、レーザービームが実装面２０上を移動するような表現が用いられることがある。
The scanning method of the roughening beam and the post-processing beam described later is as follows. In the present embodiment, the laser light source, the optical system, and the XY stage for detachably supporting the
図６は、粗面化ビームの図中左方向に向かう走査によって、複数のレーザー照射痕２６が順に形成される様子を示す。なお、図示及び説明の簡略化のため、図６においては、粗面２５における第二凸部２６２（図５参照）の図示は省略されている。
FIG. 6 shows a state in which a plurality of laser irradiation marks 26 are sequentially formed by scanning the roughened beam toward the left in the drawing. For simplification of illustration and description, the illustration of the second convex portion 262 (see FIG. 5) on the
図６に示されているように、支持部材２に対する粗面化ビームの照射及び走査により、支持部材２における封止面２４に、複数のレーザー照射痕２６による粗面２５が形成される。一方、支持部材２の面内方向における中心部寄りには、非照射領域２７が形成される。即ち、非照射領域２７よりも、面内方向における外側に、封止面２４が形成される。
As shown in FIG. 6, a
粗面化ビームの照射によって複数のレーザー照射痕２６が形成される際に、各レーザー照射痕２６の内側及び周囲には、堆積物２６３が堆積する。堆積物２６３は、メタライズ層２２を構成する金属、及びその化合物（典型的には酸化物）等によって形成される。かかる堆積物２６３の堆積等により、レーザー照射痕２６の内側及び周囲には、微細な凹凸が発生する。即ち、堆積物２６３は、図５に示された第二凸部２６２を形成する一要因となる。
When a plurality of laser irradiation marks 26 are formed by the irradiation of the roughening beam, a
堆積物２６３の堆積及びこれに伴う微細な凹凸は、搭載面２３における、面内方向について封止面２４に隣接する境界部２３１にも発生する場合がある。この場合、上述の化合物等の影響により、境界部２３１にて、導電性接合層４を構成する材料の濡れ性が悪化する懸念がある。特に、メタライズ層２２として、ハンダに対する濡れ性が良好なニッケル系の金属メッキを用いた場合、ニッケル酸化物である堆積物２６３の発生により、ハンダに対する濡れ性が大きく悪化する。このような、境界部２３１における濡れ性の悪化を考慮して、搭載面２３と粗面２５との間に所定幅のマージン領域を形成すると、電子装置１が大型化する。
Accumulation of the
また、電子部品３の矩形状の平面形状における角部近傍は、熱応力等の内部応力が発生しやすい部分である。この点、上記のような、境界部２３１における濡れ性の悪化、及び／又はマージン領域の形成により、電子部品３の角部近傍における支持部材２と導電性接合層４及び樹脂部材５との密着性が低下する。これにより、電子部品３の角部近傍にて、導電性接合層４に剥離及び／又はクラックが発生する懸念がある。
Further, the vicinity of the corner of the rectangular planar shape of the
そこで、本実施形態においては、図７に示されているように、境界部２３１に後処理ビームが照射される。後処理ビームの照射は、粗面化ビームの照射が終了した後、粗面化ビームの照射と同一のレーザー照射設備を用いて行われる。このレーザー照射設備は、レーザー光源、光学系、ＸＹステージ、及びこれらの制御装置等を含む。よって、上記のＸＹステージに支持部材２が一旦装着されると、粗面化ビームの照射とその後の後処理ビームの照射が完了するまで、支持部材２はＸＹステージから取り外されない。
Therefore, in the present embodiment, as shown in FIG. 7, the post-processing beam is irradiated to the
後処理ビームの照射条件は以下の通りである。後処理ビームの波長、照射スポット径、及びパルス幅は、粗面化ビームと同じ値を用いることが可能である。エネルギー密度は０．５〜３Ｊ／平方ｃｍである。濡れ性向上をより良好とするため、照射ピッチ（即ち連続する二つのスポットの中心間距離）は、粗面化ビームよりも短く設定される。具体的には、例えば、粗面化ビームのスポット径が８０μｍで照射ピッチが７０μｍに設定された場合、後処理ビームのスポット径は８０μｍで照射ピッチは３５μｍ以下に設定され得る。 The irradiation conditions of the post-processing beam are as follows. The wavelength of the post-processing beam, the irradiation spot diameter, and the pulse width can use the same values as those of the roughened beam. The energy density is 0.5-3 J / square cm. In order to improve the wettability, the irradiation pitch (that is, the distance between the centers of two consecutive spots) is set shorter than that of the roughened beam. Specifically, for example, when the spot diameter of the roughened beam is 80 μm and the irradiation pitch is set to 70 μm, the spot diameter of the post-processing beam can be set to 80 μm and the irradiation pitch can be set to 35 μm or less.
後処理ビームの照射により、図８に示されているように、導電性接合層４を構成する材料の濡れ性の悪化の要因である、上記の化合物等が、境界部２３１から良好に除去される。これにより、境界部２３１は、導電性接合層４を構成する材料の濡れ性が、封止面２４における粗面２５よりも良好とされる。
By irradiation with the post-processing beam, as shown in FIG. 8, the above-mentioned compounds and the like, which are the cause of deterioration of the wettability of the material constituting the
このように、粗面化ビームの照射により実装面２０に粗面２５が形成された後、後処理ビームが境界部２３１に照射される。これにより、導電性接合層４に接合される金属質表面であって境界部２３１及び非照射領域２７を含む搭載面２３が、支持部材２に形成される。粗面化ビームの照射と、その後の後処理ビームの照射は、同一のレーザー照射設備を用いて、途中に支持部材２の着脱作業を経ることなく連続的に行われる。故に、導電性接合層４を構成する材料の濡れ性が良好な搭載面２３の形成が、良好な位置精度にて迅速に行われ得る。
Thus, after the
その後、塗布等により、図９に示されているように、搭載面２３上に導電性接合層４が形成される。続いて、図１０に示されているように、導電性接合層４における、実装面２０と接合された側と反対側に、電子部品３が接合される。こうして、電子部品３が、導電性接合層４を介して支持部材２に搭載される。
Thereafter, the
上記の通り、搭載面２３における境界部２３１は、導電性接合層４を構成する材料の濡れ性が、封止面２４における粗面２５よりも良好とされている。したがって、搭載面２３における導電性接合層４の密着性が、良好に確保され得る。
As described above, the
その後、図１１に示されているように、合成樹脂成形体である樹脂部材５を封止面２４に接合して、電子部品３を樹脂部材５により被覆することで、電子装置１が製造される。このとき、封止面２４には、粗面２５が形成されている。この粗面２５は、微視的には、図４に示されているように、ミクロンサイズの第一凸部２６１と、ナノサイズ又はサブミクロンサイズの第二凸部２６２とを有している。このため、支持部材２と樹脂部材５とが、アンカー効果により良好に密着する。
Thereafter, as shown in FIG. 11, the
上記の通り、本実施形態においては、封止面２４と樹脂部材５との良好な密着性を実現しつつ、搭載面２３における導電性接合層４の密着性が良好に確保され得る。
As described above, in the present embodiment, good adhesion between the sealing
（変形例）
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、上記実施形態に対しては適宜変更が可能である。以下、代表的な変形例について説明する。以下の変形例の説明においては、上記実施形態と異なる部分についてのみ説明する。したがって、以下の変形例の説明において、上記実施形態と同一の符号を有する構成要素に関しては、技術的矛盾又は特段の説明なき限り、上記実施形態における説明が適宜援用され得る。
(Modification)
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and appropriate modifications can be made to the above-described embodiment. Hereinafter, typical modifications will be described. In the following description of the modified example, only the parts different from the above embodiment will be described. Therefore, in the following description of the modified example, regarding the components having the same reference numerals as those of the above-described embodiment, the description in the above-described embodiment can be incorporated as appropriate unless there is a technical contradiction or special description.
支持部材２は、リードフレームに限定されない。例えば、支持部材２は、いわゆるＳＯＩ基板であってもよい。ＳＯＩはSilicon on Insulatorの略である。一方、本体部２１が金属部材であって、その表面の、導電性接合層４及び樹脂部材５との接合性が所定程度良好であれば、支持部材２は、メタライズ層２２を有していなくてもよい。
The
電子部品３は、ＩＣチップに限定されない。即ち、例えば、電子部品３は、コンデンサ素子等であってもよい。また、図９に示されている、搭載面２３上への導電性接合層４の形成と、図１０に示されている、搭載面２３への電子部品３の搭載とは、同時に行われ得る。
The
封止面２４における、粗面２５が設けられていない部分は、樹脂部材５に覆われていなくてもよい。あるいは、粗面２５、即ち複数のレーザー照射痕２６は、封止面２４の全体に形成されていてもよい。粗面２５の一部（即ち面内方向における外縁部）は、樹脂部材５に覆われていなくてもよい。
A portion of the sealing
レーザーの種類は、上記実施形態に限定されない。即ち、例えば、炭酸ガスレーザー、エキシマレーザー、等が利用可能である。 The type of laser is not limited to the above embodiment. That is, for example, a carbon dioxide laser, an excimer laser, etc. can be used.
粗面化ビームと後処理ビームとで、照射条件（波長、照射スポット径、パルス幅、等）が異なっていてもよい。例えば、酸化物等の除去の観点から、後処理ビームの波長は、短波長（即ち例えば紫外波長）に設定され得る。具体的には、Ｎｄ：ＹＡＧの場合、粗面化ビームでは基本波長の１０６４μｍが用いられ、後処理ビームでは第三高調波の３５５μｍが用いられ得る。この場合、紫外波長の後処理ビームの照射による酸化物等の除去は、熱プロセスを伴わないアブレーション加工となる。このため、酸化物等の除去が、周囲への熱影響を最小限にしつつ可能となる。また、後処理ビームは、パルス発振ではなく、連続照射であってもよい。 Irradiation conditions (wavelength, irradiation spot diameter, pulse width, etc.) may be different between the roughening beam and the post-processing beam. For example, from the viewpoint of removing oxides and the like, the wavelength of the post-processing beam can be set to a short wavelength (ie, an ultraviolet wavelength, for example). Specifically, in the case of Nd: YAG, the fundamental wavelength of 1064 μm can be used for the roughened beam, and the third harmonic of 355 μm can be used for the post-processed beam. In this case, removal of oxides or the like by irradiation with an ultraviolet wavelength post-processing beam is an ablation process not involving a thermal process. For this reason, it is possible to remove oxides and the like while minimizing the influence of heat on the surroundings. Further, the post-processing beam may be continuous irradiation instead of pulse oscillation.
粗面化ビームと後処理ビームとで、異なる種類のレーザーが用いられてもよい。例えば、粗面化ビームとしては、熱プロセスによる金属の溶融が発生しやすい、長波長レーザーが好適に用いられ得る。一方、後処理ビームとしては、上記のように、周囲への熱影響を最小限にしつつ酸化物等を除去する観点から、エキシマレーザー等の短波長レーザーが好適に用いられ得る。 Different types of lasers may be used for the roughening beam and the post-processing beam. For example, as the roughening beam, a long wavelength laser that is likely to cause melting of a metal by a thermal process can be suitably used. On the other hand, as the post-processing beam, as described above, a short wavelength laser such as an excimer laser can be suitably used from the viewpoint of removing oxides and the like while minimizing the influence of heat on the surroundings.
レーザービームの走査方式も、上記実施形態に限定されない。即ち、例えば、支持部材２を固定して、光学系にてレーザービームスポットを実装面２０上にて移動させることが可能である。また、粗面化ビームの照射と後処理ビームの照射との間に、支持部材２の着脱が行われてもよい。
The laser beam scanning method is not limited to the above embodiment. That is, for example, it is possible to fix the
第二凸部２６２は、第一凸部２６１内又は第一凸部２６１の周囲に形成されていればよい。
The 2nd
図１２に示されているように、後処理ビームは、非照射領域２７の外縁部に加えて、面内方向について非照射領域２７に隣接するレーザー照射痕２６にも照射され得る。この場合、図１３に示されているように、境界部２３１は、非照射領域２７の外縁部（即ち粗面２５の内縁部）と、面内方向について当該外縁部に隣接しつつ平面視にて矩形状に配列する複数のレーザー照射痕２６の一部とを含む。
As shown in FIG. 12, the post-processing beam can be applied to the
すると、図１４に示されているように、導電性接合層４は、レーザー照射痕２６のうちの、境界部２３１に含まれる部分にも密着する。かかる構成においては、導電性接合層４の外縁部が、レーザー照射痕２６により形成される凹凸により、良好に搭載面２３に固着する。したがって、かかる構成によれば、搭載面２３における導電性接合層４の密着性が、よりいっそう良好に確保され得る。
Then, as shown in FIG. 14, the
搭載面２３の平面視における外形形状は、図３に示されているような矩形状に限定されない。但し、上記の通り、内部応力の観点から、電子部品３の角部に対応する位置にて、導電性接合層４を構成する材料の濡れ性が良好であることが好適である。したがって、搭載面２３における、少なくとも電子部品３の角部に対応する位置にて、後処理ビームが照射されることが好適である。即ち、導電性接合層４を構成する材料の濡れ性が良好な搭載面２３の、平面視における角部は、直角状の部分が面内方向について外側に突出するように形成され得る。
The outer shape of the mounting
例えば、図１５に示されている例では、搭載面２３は、矩形状の非照射領域２７から四つのマージン領域２８１を除外した平面形状を有している。境界部２３１は、矩形状の非照射領域２７における四つの角部のそれぞれに設けられている。マージン領域２８１は、台形状に形成されていて、下底が上底よりも外側に位置するように配置されている。また、マージン領域２８１は、矩形状の非照射領域２７の各辺に下底が接するように配置されている。即ち、マージン領域２８１は、図中上下方向又は左右方向に隣接する二つの境界部２３１の間に設けられている。換言すれば、搭載面２３は、非照射領域２７の内側の矩形状領域と、この矩形状領域における四つの角部のそれぞれから突出するほぼ矩形状の四つの境界部２３１とを重ねた領域として形成されている。
For example, in the example shown in FIG. 15, the mounting
搭載面２３と粗面２５との間に設けられるマージン領域２８１においては、導電性接合層４を構成する材料の濡れ性が悪化している可能性がある。もっとも、かかる構成においては、マージン領域２８１は、電子部品３の角部に対応する位置には設けられない。即ち、電子部品３の角部に対応する位置の境界部２３１は、導電性接合層４を構成する材料の濡れ性が良好に形成されている。また、境界部２３１の面内方向における外側に隣接する、粗面２５の内縁部における角部は、樹脂部材５と良好に密着する。したがって、かかる構成によれば、電子部品３の角部近傍における、導電性接合層４の剥離及び／又はクラックの発生が、良好に抑制され得る。
In the
搭載面２３が矩形状であっても、その角部以外の位置には、マージン領域２８１が設けられ得る。例えば、図１６に示されている例では、平面視にて枠状に形成された粗面２５の内縁部における角部（即ち内側の角部）は、搭載面２３側に突出する扇形の形状を有している。即ち、粗面２５における内側の角部には、搭載面２３の面内方向における中央部に向かって突出する扇形の部分が形成されている。境界部２３１は、かかる扇形の部分における一部（即ち突出方向における先端部）に後処理ビームを照射することによって形成されている。かかる構成においても、マージン領域２８１は、電子部品３の角部に対応する位置には設けられない。故に、電子部品３の角部近傍における、導電性接合層４の剥離及び／又はクラックの発生が、良好に抑制され得る。
Even if the mounting
図１７に示されているように、粗面２５は、第一領域２９１と第二領域２９２とを含んでいてもよい。第一領域２９１及び第二領域２９２には、それぞれ、レーザー照射痕２６が複数形成されている。第二領域２９２は、面内方向におけるレーザー照射痕２６の密度が第一領域２９１よりも高い領域である。具体的には、本変形例においては、第二領域２９２は、レーザービーム照射密度を第一領域２９１の１．２５倍以上とすることで形成されている。
As shown in FIG. 17, the
また、本変形例においては、第二領域２９２は、支持部材２と導電性接合層４及び樹脂部材５との接合部における、内部応力が他の部分よりも高い部分に対応して設けられている。具体的には、第二領域２９２は、電子部品３の角部近傍に設けられている。即ち、第二領域２９２は、粗面２５の矩形状の平面形状における角部に設けられている。
In the present modification, the
レーザー照射痕２６の密度が第一領域２９１よりも高い第二領域２９２においては、レーザービーム照射による金属の気化量及び堆積量が、比較的多くなる。故に、第二領域２９２における第二凸部２６２は、第一領域２９１における第二凸部２６２よりも、高さが高く形成される。したがって、電子部品３の角部近傍における、支持部材２と樹脂部材５との密着性が、よりいっそう向上する。
In the
一方、搭載面２３の外縁部である境界部２３１においては、上記の通り、導電性接合層４を構成する材料の濡れ性が悪化する懸念がある。特に、レーザー照射痕２６の密度が高い第二領域２９２の、近傍位置においては、かかる懸念が大きい。しかしながら、本変形例においても、境界部２３１には、後処理ビームが照射される。これにより、レーザー照射痕２６の密度が高い第二領域２９２を電子部品３の角部近傍に設けても、境界部２３１における電子部品３の角部に対応する位置にて、導電性接合層４を構成する材料の濡れ性が良好となる。したがって、かかる構成によれば、封止面２４と樹脂部材５との良好な密着性を実現しつつ、搭載面２３における導電性接合層４の密着性が良好に確保され得る。また、内部応力に起因する、導電性接合層４の剥離及び／又はクラックの発生、あるいは樹脂部材５の剥離等の発生が、可及的に抑制される。
On the other hand, at the
本変形例においては、レーザー照射痕２６の密度が高い第二領域２９２は、粗面２５の全部ではなく、必要な一部にのみ設けられる。具体的には、実装面２０上のレーザービームの一方向走査における、始点近傍及び終点近傍に、第二領域２９２が選択的に形成される。したがって、本変形例によれば、加工時間の増加を最小限に抑えつつ、良好な密着力を確保することが可能となる。
In the present modification, the
第一領域２９１及び第二領域２９２におけるレーザー照射痕２６の形成態様も、上記具体例に限定されない。例えば、第一領域２９１には、レーザー照射痕２６がない部分があってもよい。第二領域２９２におけるレーザー照射痕２６の形成密度も、一定であってもよいし、第二領域２９２内の特定の領域にて形成密度が特に高い部分が存在していてもよい。
The formation mode of the
図１８に示されているように、粗面２５は、支持部材２と導電性接合層４及び樹脂部材５との接合部における内部応力が他の部分よりも高い部分のみに対応して設けられていてもよい。具体的には、粗面２５は、電子部品３の角部の近傍部分に設けられていてもよい。なお、図１８の例においても、レーザー照射痕２６の構造は、上記実施形態（図４及び図５参照）と同様である。
As shown in FIG. 18, the
変形例も、上記の例示に限定されない。即ち、複数の変形例が、互いに組み合わされ得る。また、複数の実施形態が、互いに組み合わされ得る。更に、複数の実施形態の組み合わせに対して、上記変形例の全部又は一部が、適宜組み合わされ得る。 The modification is not limited to the above example. That is, a plurality of modifications can be combined with each other. Also, multiple embodiments can be combined with each other. Furthermore, all or a part of the above-described modified examples can be appropriately combined with the combination of the plurality of embodiments.
１ 電子装置
２ 支持部材 ２０ 実装面
２１ 本体部 ２２ メタライズ層
２３ 搭載面 ２４ 封止面
２５ 粗面 ２６ レーザー照射痕
２６１ 第一凸部 ２６２ 第二凸部
２７ 非照射領域
２８ 第一領域 ２９ 第二領域
３ 電子部品 ４ 導電性接合層
５ 樹脂部材
DESCRIPTION OF
Claims (8)
前記導電性接合層に接合される金属質表面である搭載面（２３）と、前記搭載面の面内方向について前記搭載面に隣接しつつ前記搭載面を囲むように前記搭載面の外側に設けられた金属質表面である封止面（２４）と、を有する支持部材（２）と、
合成樹脂成形体であって、前記電子部品を被覆しつつ前記封止面に接合される樹脂部材（５）と、
を備え、
前記封止面は、複数の略円形状のレーザー照射痕（２６）によって形成された粗面（２５）を有し、
前記面内方向について前記搭載面における前記封止面に隣接する部分である境界部（２３１）は、前記導電性接合層を構成する材料の濡れ性が、前記封止面における前記粗面よりも良好となるように形成された、
電子装置。 An electronic device (1) having a configuration in which an electronic component (3) is mounted via a conductive bonding layer (4),
A mounting surface (23) which is a metallic surface to be bonded to the conductive bonding layer, and provided outside the mounting surface so as to surround the mounting surface while being adjacent to the mounting surface in the in-plane direction of the mounting surface A support member (2) having a sealing surface (24) which is a metallic surface formed;
A resin member (5) which is a synthetic resin molded body and is bonded to the sealing surface while covering the electronic component;
With
The sealing surface has a rough surface (25) formed by a plurality of substantially circular laser irradiation marks (26),
In the in-plane direction, the boundary portion (231), which is a portion adjacent to the sealing surface in the mounting surface, has wettability of the material constituting the conductive bonding layer more than the rough surface in the sealing surface. Formed to be good,
Electronic equipment.
前記境界部は、少なくとも前記矩形状における角部に対応する位置にて、前記濡れ性が前記封止面における前記粗面よりも良好となるように形成された、
請求項１〜３のいずれか１つに記載の電子装置。 The electronic component is formed in a rectangular planar shape,
The boundary portion is formed so that the wettability is better than the rough surface in the sealing surface at a position corresponding to a corner portion in the rectangular shape,
The electronic device according to claim 1.
金属製の本体部（２１）と、
前記本体部上に形成された金属薄膜であって前記搭載面及び前記封止面を有するメタライズ層（２２）と、
を有する、
請求項１〜４のいずれか１つに記載の電子装置。 The support member is
A metal body (21);
A metallized layer (22) which is a metal thin film formed on the main body and has the mounting surface and the sealing surface;
Having
The electronic device as described in any one of Claims 1-4.
前記電子部品を搭載する支持部材（２）の有する一つの平面状の金属表面の一部であって、前記金属表面の面内方向における中心部寄りの領域である非照射領域（２７）よりも前記面内方向における外側に、パルス発振のレーザービームである粗面化ビームを照射することで、複数の略円形状のレーザー照射痕（２６）によって形成された粗面（２５）を有する金属質表面である封止面（２４）を、前記レーザー照射痕を有しない前記非照射領域よりも前記面内方向における外側に形成し、
前記非照射領域の外縁部を含む境界部（２３１）における、前記導電性接合層を構成する材料の濡れ性が、前記封止面における前記粗面よりも良好となるように、前記粗面化ビームよりも低エネルギーのレーザービームである後処理ビームを前記境界部に照射し、
前記後処理ビームを前記境界部に照射することで、前記導電性接合層に接合される金属質表面であって前記境界部及び前記非照射領域を含む搭載面（２３）を前記支持部材に形成し、
前記搭載面に前記導電性接合層を接合することで、前記導電性接合層を介して前記電子部品を前記支持部材に搭載し、
合成樹脂成形体である樹脂部材（５）を前記封止面に接合することで、前記樹脂部材により前記電子部品を被覆する、
電子装置の製造方法。 A method of manufacturing an electronic device (1) having a configuration in which an electronic component (3) is mounted via a conductive bonding layer (4),
More than the non-irradiated region (27), which is a part of one planar metal surface of the support member (2) on which the electronic component is mounted, and is a region closer to the center in the in-plane direction of the metal surface. A metallic material having a rough surface (25) formed by a plurality of substantially circular laser irradiation marks (26) by irradiating a roughening beam which is a pulsed laser beam on the outside in the in-plane direction. Forming a sealing surface (24) which is a surface on the outer side in the in-plane direction with respect to the non-irradiated region not having the laser irradiation trace,
The roughening is performed so that the wettability of the material constituting the conductive bonding layer at the boundary portion (231) including the outer edge portion of the non-irradiation region is better than the rough surface at the sealing surface. Irradiating the boundary with a post-processing beam, which is a laser beam having a lower energy than the beam,
By irradiating the boundary portion with the post-processing beam, a mounting surface (23) that is a metallic surface bonded to the conductive bonding layer and includes the boundary portion and the non-irradiated region is formed on the support member. And
By bonding the conductive bonding layer to the mounting surface, the electronic component is mounted on the support member via the conductive bonding layer,
A resin member (5) that is a synthetic resin molded body is bonded to the sealing surface to cover the electronic component with the resin member.
A method for manufacturing an electronic device.
前記後処理ビームを前記境界部に照射することは、前記境界部の、少なくとも前記矩形状における角部に対応する位置に前記後処理ビームを照射することである、請求項６又は７に記載の電子装置の製造方法。 The electronic component is formed in a rectangular planar shape,
The irradiation of the post-processing beam to the boundary portion is irradiation of the post-processing beam to a position corresponding to at least a corner portion of the rectangular shape of the boundary portion. A method for manufacturing an electronic device.
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016204480A JP6776801B2 (en) | 2016-10-18 | 2016-10-18 | Electronic device and its manufacturing method |
| CN201780063832.XA CN109891575B (en) | 2016-10-18 | 2017-08-03 | Electronic device and method for manufacturing the same |
| PCT/JP2017/028285 WO2018074035A1 (en) | 2016-10-18 | 2017-08-03 | Electronic device and method for manufacturing same |
| US16/382,323 US10937711B2 (en) | 2016-10-18 | 2019-04-12 | Electronic device and method for manufacturing same |
| US16/914,903 US11367668B2 (en) | 2016-10-18 | 2020-06-29 | Electronic device and method for manufacturing same |
| US17/116,269 US11901253B2 (en) | 2016-10-18 | 2020-12-09 | Electronic device and method for manufacturing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016204480A JP6776801B2 (en) | 2016-10-18 | 2016-10-18 | Electronic device and its manufacturing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018067600A true JP2018067600A (en) | 2018-04-26 |
| JP6776801B2 JP6776801B2 (en) | 2020-10-28 |
Family
ID=62087304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016204480A Active JP6776801B2 (en) | 2016-10-18 | 2016-10-18 | Electronic device and its manufacturing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6776801B2 (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019212808A (en) * | 2018-06-06 | 2019-12-12 | トヨタ自動車株式会社 | Manufacturing method of semiconductor device |
| WO2020045274A1 (en) * | 2018-08-29 | 2020-03-05 | ローム株式会社 | Package structure, semiconductor device, and formation method for package structure |
| WO2021124806A1 (en) * | 2019-12-20 | 2021-06-24 | 株式会社村田製作所 | Electronic component module and method for manufacturing electronic component module |
| WO2023157795A1 (en) * | 2022-02-16 | 2023-08-24 | 三菱電機株式会社 | Joint body, semiconductor device equipped with joint body, and joint body production method |
| JP7528867B2 (en) | 2021-06-03 | 2024-08-06 | 株式会社デンソー | Semiconductor device and its manufacturing method |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02256249A (en) * | 1988-08-30 | 1990-10-17 | Hitachi Ltd | Circuit substrate and method of its surface treatment |
| JPH08213740A (en) * | 1995-02-01 | 1996-08-20 | Matsushita Electric Works Ltd | Surface treatment for circuit board |
| JP2006303216A (en) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Denso Corp | Resin-sealed semiconductor device |
| JP2010161098A (en) * | 2009-01-06 | 2010-07-22 | Nichiden Seimitsu Kogyo Kk | Method of manufacturing lead frame, lead frame, method of manufacturing heat sink, and heat sink |
| JP2014138042A (en) * | 2013-01-16 | 2014-07-28 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device, and method of manufacturing the same |
| JP2016020001A (en) * | 2013-12-09 | 2016-02-04 | 株式会社デンソー | Metallic member, metallic member surface treatment method, semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, and composite compact |
-
2016
- 2016-10-18 JP JP2016204480A patent/JP6776801B2/en active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02256249A (en) * | 1988-08-30 | 1990-10-17 | Hitachi Ltd | Circuit substrate and method of its surface treatment |
| JPH08213740A (en) * | 1995-02-01 | 1996-08-20 | Matsushita Electric Works Ltd | Surface treatment for circuit board |
| JP2006303216A (en) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Denso Corp | Resin-sealed semiconductor device |
| JP2010161098A (en) * | 2009-01-06 | 2010-07-22 | Nichiden Seimitsu Kogyo Kk | Method of manufacturing lead frame, lead frame, method of manufacturing heat sink, and heat sink |
| JP2014138042A (en) * | 2013-01-16 | 2014-07-28 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device, and method of manufacturing the same |
| JP2016020001A (en) * | 2013-12-09 | 2016-02-04 | 株式会社デンソー | Metallic member, metallic member surface treatment method, semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, and composite compact |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019212808A (en) * | 2018-06-06 | 2019-12-12 | トヨタ自動車株式会社 | Manufacturing method of semiconductor device |
| WO2020045274A1 (en) * | 2018-08-29 | 2020-03-05 | ローム株式会社 | Package structure, semiconductor device, and formation method for package structure |
| CN112585745A (en) * | 2018-08-29 | 2021-03-30 | 罗姆股份有限公司 | Package structure, semiconductor device and method for forming package structure |
| JPWO2020045274A1 (en) * | 2018-08-29 | 2021-08-10 | ローム株式会社 | Package structure, semiconductor device and method of forming package structure |
| US11515223B2 (en) | 2018-08-29 | 2022-11-29 | Rohm Co., Ltd. | Package structure, semiconductor device, and formation method for package structure |
| JP7268035B2 (en) | 2018-08-29 | 2023-05-02 | ローム株式会社 | Package structure, semiconductor device and method of forming package structure |
| CN112585745B (en) * | 2018-08-29 | 2024-04-12 | 罗姆股份有限公司 | Package structure, semiconductor device, and method for forming package structure |
| WO2021124806A1 (en) * | 2019-12-20 | 2021-06-24 | 株式会社村田製作所 | Electronic component module and method for manufacturing electronic component module |
| US11871523B2 (en) | 2019-12-20 | 2024-01-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component module and method for manufacturing electronic component module |
| JP7528867B2 (en) | 2021-06-03 | 2024-08-06 | 株式会社デンソー | Semiconductor device and its manufacturing method |
| WO2023157795A1 (en) * | 2022-02-16 | 2023-08-24 | 三菱電機株式会社 | Joint body, semiconductor device equipped with joint body, and joint body production method |
| JP7589835B2 (en) | 2022-02-16 | 2024-11-26 | 三菱電機株式会社 | Bonded body and semiconductor device including the bonded body |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6776801B2 (en) | 2020-10-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2018074035A1 (en) | Electronic device and method for manufacturing same | |
| JP6776801B2 (en) | Electronic device and its manufacturing method | |
| JP6387278B2 (en) | Circuit module and manufacturing method thereof | |
| JP5689514B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| JP5145729B2 (en) | Solder bonding method and semiconductor device manufacturing method using the same | |
| US20150043189A1 (en) | Circuit module and method of producing the same | |
| JP6815880B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor package | |
| JP6724851B2 (en) | Base material, mold package using the same, base material manufacturing method, and mold package manufacturing method | |
| JP2019140150A (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| JP2017005149A (en) | Substrate and manufacturing method thereof | |
| US11338393B2 (en) | Manufacturing method of processed resin substrate and laser processing apparatus | |
| JP6485397B2 (en) | Electronic device and manufacturing method thereof | |
| JP2014154848A (en) | Process of manufacturing resin-sealed semiconductor apparatus and lead frame | |
| CN111613599A (en) | Semiconductor package including roughened features | |
| JP6776800B2 (en) | Electronic device and its manufacturing method | |
| JP2013235961A (en) | Electronic component module and manufacturing method of the same | |
| JP6777063B2 (en) | Electronic devices and their manufacturing methods | |
| JPWO2017212965A1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| CN107665877B (en) | Component carrier with buried conductive strips | |
| JP2002280512A (en) | Method for manufacturing lead frame | |
| JP6846484B2 (en) | Substrates for semiconductor devices and their manufacturing methods, semiconductor devices | |
| JP2012199404A (en) | Pattern correction method | |
| JP3458648B2 (en) | Circuit board | |
| JP2024081398A (en) | Manufacturing method of semiconductor circuit board, and semiconductor circuit board | |
| JPH08148624A (en) | Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device, and lead frame |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181214 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200303 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200417 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200908 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200921 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6776801 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |