JP2018061008A - 電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】機械的強度を向上させること。【解決手段】直方体形状をした絶縁体からなる素体部１０と、素体部１０の内部に設けられた内部導体３０と、素体部１０の下面１４（実装面）に少なくとも設けられ、内部導体３０に電気的に接続された外部電極５０と、を備え、素体部１０は、内部導体３０のうちの電気的性能を発揮する部分となるコイル導体３６（機能部）が設けられた導体含有層２０と、素体部１０の下面１４（実装面）に平行な方向で導体含有層２０に並んで設けられ、導体含有層２０よりも高い硬度を有する高硬度層２２と、を有する、電子部品。【選択図】図１

Description

本発明は、電子部品に関する。

直方体形状をした絶縁体の内部に設けられた内部導体が、絶縁体の表面に設けられた外部電極に電気的に接続された電子部品が知られている。高周波回路で使用される電子部品に対して、小型化と高周波特性の改善が求められている。例えば、絶縁体の内部にコイル導体が設けられた電子部品において、コイル軸を絶縁体の実装面に平行且つ絶縁体の端面に形成された１対の外部電極の対向方向に垂直とすることで、高周波抵抗による損失が低下し、高いＱ値が得られることが知られている（例えば、特許文献１）。

特開２０１３−９８３５６号公報

例えば、特許文献１のような絶縁体からなる素体部の内部にコイル導体が設けられた電子部品では、高いＱ値を得るために、誘電率の低い絶縁材料を素体部に用いることが考えられる。しかしながら、低誘電率の絶縁材料を用いた場合では、素体部の機械的強度が低下し、クラックなどが発生し易くなってしまう。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、機械的強度を向上させることを目的とする。

本発明は、直方体形状をした絶縁体からなる素体部と、前記素体部の内部に設けられた内部導体と、前記素体部の実装面に少なくとも設けられ、前記内部導体に電気的に接続された外部電極と、を備え、前記素体部は、前記内部導体のうちの電気的性能を発揮する部分となる機能部が設けられた導体含有層と、前記実装面に平行な方向で前記導体含有層に並んで設けられ、前記導体含有層よりも高い硬度を有する高硬度層と、を有する、電子部品である。

上記構成において、前記高硬度層は、前記導体含有層よりも金属酸化物及び酸化シリコンの少なくとも一方からなるフィラーの含有率が高い構成とすることができる。

上記構成において、前記素体部は、複数の前記高硬度層を有し、前記複数の高硬度層は、前記導体含有層を挟んで設けられている構成とすることができる。

上記構成において、前記高硬度層は、前記素体部の前記実装面と前記素体部の前記実装面に隣接する端面とに平行な方向で前記導体含有層に並んで設けられている構成とすることができる。

上記構成において、前記端面において前記導体含有層は前記高硬度層に対して凹んでいて、前記外部電極は、前記素体部の前記実装面から前記端面に延在し、前記端面において少なくとも前記導体含有層に設けられている構成とすることができる。

上記構成において、前記外部電極は、前記端面において前記導体含有層及び前記高硬度層のうちの前記導体含有層にのみ設けられている構成とすることができる。

上記構成において、前記導体含有層と前記高硬度層とが並んだ方向において、前記導体含有層は前記高硬度層よりも厚い構成とすることができる。

上記構成において、前記内部導体は、前記機能部としてコイル導体を有する構成とすることができる。

上記構成において、前記コイル導体は、前記導体含有層及び前記高硬度層のうちの前記導体含有層にのみ設けられている構成とすることができる。

上記構成において、前記導体含有層は、前記高硬度層よりも誘電率が低い構成とすることができる。

上記構成において、前記導体含有層及び前記高硬度層は、ガラス又は樹脂を含む材料で構成され、前記導体含有層を構成する材料の成分としてのシリコンの含有率は、前記高硬度層を構成する材料の成分としてのシリコンの含有率よりも高い構成とすることができる。

上記構成において、前記コイル導体は、前記実装面に略平行なコイル軸を有する構成とすることができる。

上記構成において、前記機能部は、引き出し導体を介して、前記素体部の前記実装面又は前記実装面に隣接する端面で前記外部電極に電気的に接続されている構成とすることができる。

上記構成において、前記素体部に設けられたマーカー部を備えていてもよい。

本発明によれば、機械的強度を向上させることができる。

図１は実施例１に係る電子部品の透視斜視図である。 図２（ａ）は実施例１に係る電子部品の上面断面図、図２（ｂ）は側面断面図、図２（ｃ）は端面断面図である。 図３（ａ）から図３（ｆ）は実施例１に係る電子部品の製造方法を示す断面図（その１）である。 図４（ａ）から図４（ｄ）は実施例１に係る電子部品の製造方法を示す断面図（その２）である。 図５は比較例１に係る電子部品の透視斜視図である。 図６は実施例１の変形例１に係る電子部品の透視斜視図である。 図７（ａ）から図７（ｃ）は実施例１の変形例２から変形例４に係る電子部品の上面断面図である。 図８は実施例２に係る電子部品の透視斜視図である。 図９は実施例３に係る電子部品の透視斜視図である。 図１０（ａ）は実施例４に係る電子部品の透視斜視図、図１０（ｂ）は上面断面図である。 図１１はＣ字状パターンとＩ字状パターンを説明する図である。 図１２は実施例４に係る電子部品の製造方法を示す図である。 図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は電子部品の実装試験について説明する図である。 図１４（ａ）は実施例４の変形例１に係る電子部品の透視斜視図、図１４（ｂ）は素体部の上面側から見た図、図１４（ｃ）は素体部の端面側から見た図である。 図１５は実施例４の変形例２に係る電子部品の上面断面図である。 図１６（ａ）は実施例５に係る電子部品の上面断面図、図１６（ｂ）は側面断面図、図１６（ｃ）は端面断面図である。 図１７（ａ）は実施例６に係る電子部品の上面断面図、図１７（ｂ）は側面断面図、図１７（ｃ）は端面断面図である。 図１８は実施例６に係る電子部品の製造方法を示す図（その１）である。 図１９（ａ）及び図１９（ｂ）は実施例６に係る電子部品の製造方法を示す図（その２）である。 図２０（ａ）は実施例７に係る電子部品の上面断面図、図２０（ｂ）は側面断面図、図２０（ｃ）は端面断面図である。 図２１（ａ）は実施例８に係る電子部品の透視斜視図、図２１（ｂ）は実施例８の変形例１に係る電子部品の透視斜視図である。 図２２（ａ）から図２２（ｎ）は外部電極の形状の他の例を示す透視斜視図である。 図２３（ａ）は、実施例９に係る電子部品の透視斜視図、図２３（ｂ）は、上面断面図である。 図２４（ａ）は、実施例９の変形例１に係る電子部品の透視斜視図、図２４（ｂ）は、実施例９の変形例２に係る電子部品の透視斜視図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明する。

図１は、実施例１に係る電子部品の透視斜視図である。図２（ａ）は、実施例１に係る電子部品の上面断面図、図２（ｂ）は、側面断面図、図２（ｃ）は、端面断面図である。図１から図２（ｃ）のように、実施例１の電子部品１００は、絶縁体からなる素体部１０と、内部導体３０と、外部電極５０と、を備える。

素体部１０は、第２の面である上面１２と、第１の面である下面１４と、１対の端面１６と、１対の側面１８と、を有し、Ｘ軸方向に幅方向、Ｙ軸方向に長さ方向、Ｚ軸方向に高さ方向の各辺を有する直方体形状をしている。下面１４は実装面であり、上面１２は下面１４に対向する面である。端面１６は上面１２及び下面１４の１対の辺（例えば短辺）に接続された面であり、側面１８は上面１２及び下面１４の１対の辺（例えば長辺）に接続された面である。素体部１０は、例えば幅寸法が０．０５ｍｍ〜０．３ｍｍ、長さ寸法が０．１ｍｍ〜０．６ｍｍ、高さ寸法が０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍである。例えば高さ寸法を長さ寸法及び幅寸法に比べて小さくした場合であっても、部品の機械的な強度を高めることができる。なお、素体部１０は、完全な直方体形状である場合に限られず、例えば各頂点が丸みを帯びている場合や、各稜（各面の境界部のこと）が丸みを帯びている場合や、各面が曲面を有している場合などの略直方体形状でもよい。すなわち、直方体形状には、上述のような略直方体形状も含まれる。なお、各頂点の丸みは、素体部１０の短辺の長さの２０％未満の曲率半径Ｒであってもよい。下面１４と端面１６がなす稜部の丸みについては、高硬度層２２部分の丸みが導体含有層２０部分の丸みに比べて小さくなっていてもよい。これにより、実装時の姿勢の安定性が高まる。各面の平滑性は、実装基板への実装時の安定性の点から、一平面での凹凸の大きさが３０μｍ以下であってもよい。

内部導体３０は素体部１０の内部に設けられている。素体部１０は、内部導体３０のうちの電気的性能を発揮する機能部が少なくとも設けられた導体含有層２０と、内部導体３０のうちの機能部が設けられていない高硬度層２２と、を有する。導体含有層２０と高硬度層２２とは、Ｘ軸方向（幅方向）に並んで設けられている。高硬度層２２は、Ｘ軸方向（幅方向）から導体含有層２０を挟むように設けられていて、側面１８を構成している。Ｘ軸方向において、導体含有層２０は高硬度層２２よりも厚くなっている。

ここで、素体部１０の機械的強度は、主に高硬度層２２によるものである。このため、高硬度層２２を高く（Ｚ軸方向を長く）することで機械的強度を確保できることを踏まえ、高硬度層２２の各寸法は用いる材料に応じて決められる。また、高硬度層２２の各寸法は、電子部品の長さ（Ｙ軸方向の長さ）及び幅（Ｘ軸方向の長さ）も考慮することになる。一例として、電子部品の幅より長さが長く、素体部１０の幅方向（Ｘ軸方向）に導体含有層２０と高硬度層２２とが並んでいる場合、高硬度層２２の高さは幅より長い方が好ましい。つまり、高硬度層２２の高さにより機械的強度を確保できる分、幅を短くでき、これにより、内部導体３０の機能部を内蔵する導体含有層２０の割合を大きくできる。

例えば、Ｘ軸方向における導体含有層２０の厚さは０．１７ｍｍであり、高硬度層２２の厚さは合わせて０．０３ｍｍである。Ｙ軸方向及びＺ軸方向における高硬度層２２の長さ及び高さは、高さに対する長さの割合が小さい方がよい。この割合が２以下であれば、上記のような導体含有層２０と高硬度層２２の厚さの割合とすることができる。

Ｙ軸方向及びＺ軸方向における導体含有層２０の長さ及び高さは、高硬度層２２の長さ及び高さと同じにするか、又は僅かに小さく形成してもよい。これにより、導体含有層２０は、高硬度層２２に保護されるようになる。導体含有層２０の長さ及び高さは、高硬度層２２の長さ及び高さより、それぞれ０μｍ〜−６０μｍとすることで、実装基板への実装時のノズル吸着及び実装性への影響が小さくなる。

導体含有層２０及び高硬度層２２は、例えば樹脂を主体とする絶縁材料で形成されている。樹脂としては、熱、光、化学反応などにより硬化する樹脂が用いられ、例えばポリイミド、エポキシ樹脂、又は液晶ポリマなどが用いられる。また、導体含有層２０及び高硬度層２２は、ガラスを主成分とした絶縁材料で形成されていてもよいし、フェライト、誘電体セラミックス、軟磁性合金粒子を用いた磁性体、又は磁性体粉を混合した樹脂で形成されていてもよい。

導体含有層２０を樹脂又はガラスなどで形成した場合、導体含有層２０より高硬度層２２の色を濃くしたり、又は高硬度層２２より導体含有層２０の透過度を高くしたり、絶縁材料の視覚的な違いを出すこともできる。このようにすることで、画像による色の識別や、透過度による絶縁材料の識別や、光の透過による内部導体方向の識別などにより、電子部品の方向を識別できるようになる。これにより、生産工程での整列作業が容易にでき、また実装基板への実装時の不具合を低減することができる。

高硬度層２２は、導体含有層２０よりも高い硬度を有する。例えば、高硬度層２２は、微小な面積での硬度測定が可能なビッカース硬度又はヌープ硬度が導体含有層２０よりも高い。一例として、高硬度層２２のビッカース硬度は６５０Ｎ／ｍｍ^２であり、導体含有層２０のビッカース硬度は４００Ｎ／ｍｍ^２である。硬度と強度は相関があることから、高硬度層２２が導体含有層２０よりも高い硬度を有するということは、高硬度層２２は導体含有層２０よりも高い強度（機械的強度）を有することを意味する。

導体含有層２０と高硬度層２２とは、高硬度層２２が導体含有層２０よりも硬度が高ければ、同じ絶縁材料で形成されていてもよいし、異なる絶縁材料で形成されていてもよい。例えば、高硬度層２２は、導体含有層２０よりも金属酸化物及び酸化シリコン（ＳｉＯ_２）の少なくとも一方からなるフィラーの含有率（例えば体積パーセント）が高いことで、導体含有層２０よりも高い硬度を有する。ここで、フィラーとは、絶縁材料中に粒子として添加された強度部材のことを言う。添加されたフィラーは、ガラスや樹脂などの非晶質部分の内部に粒子として存在し、ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）分析やＴＥＭ（Transmission Electron Microscope）分析によりその存在を観察できる。２つの層を同一倍率にて観察した画面上にて粒子状のフィラーが占める面積の割合を、各々求めることで２つの層のフィラー含有量を比較することができる。硬度を高くすることに寄与する金属酸化物として、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、及び酸化チタン（ＴｉＯ_２）などが挙げられる。なお、導体含有層２０は、金属酸化物及びＳｉＯ_２の少なくとも一方からなるフィラーを含んでいてもよいし、含んでいなくてもよい。

導体含有層２０及び高硬度層２２は、それぞれ同じ主成分の材料を用いたり、又は異なる主成分の材料を用いたりすることが可能である。異なる材料を用いる場合、導体含有層２０と高硬度層２２は互いに材料同士が影響しないように焼成プロセスの調整や焼成後に接着による貼り合わせなどの方法で素体部１０が形成される。また、導体含有層２０と高硬度層２２に同じ主成分の材料を用いる場合、導体含有層２０と高硬度層２２の界面での密着性を確保し易く、またそれぞれの線膨張係数の差を小さくできる。これにより、素体部１０全体としての強度確保、またヒートサイクル試験などの信頼性を確保できる。また、外部電極５０を導体含有層２０と高硬度層２２にわたって形成する場合にも、導体含有層２０と高硬度層２２に対する外部電極５０の評価を同じ評価により行うことができ、外部電極５０の選定が容易になるだけでなく、当然ながら密着性を確保し易くなる。これは、特に信頼性の点についても同様の効果が得られる。

導体含有層２０は、高硬度層２２よりも誘電率が小さい。例えば、導体含有層２０を構成する材料の成分としてのシリコン（Ｓｉ）（すなわち、フィラーとしてのＳｉＯ_２などのＳｉではない）の含有率（例えば重量パーセント）が高硬度層２２を構成する材料の成分としてのＳｉの含有率（例えば重量パーセント）よりも高いことで、導体含有層２０は高硬度層２２よりも誘電率が小さい。例えば、導体含有層２０を構成するガラスや樹脂などの成分としてのＳｉの含有率が高硬度層２２を構成するガラスや樹脂などの成分としてのＳｉの含有率よりも高い。

内部導体３０は複数の第１の導体３２と複数の第２の導体３４とを有し、これら複数の第１の導体３２と複数の第２の導体３４が接続されることでコイル導体３６が形成されている。すなわち、コイル導体３６は、複数の第１の導体３２と複数の第２の導体３４とを含んで構成されてスパイラル状を呈しており、所定の周回単位を有すると共に周回単位によって規定される面と略直交するコイル軸を有する。コイル導体３６は内部導体３０のうちの電気的性能を発揮する機能部である。

複数の第１の導体３２は概略Ｙ軸方向に相互に対向する２つの導体群で構成されている。２つの導体群それぞれを構成する第１の導体３２は、Ｚ軸方向に沿って延び、Ｘ軸方向に所定の間隔をおいて配列されている。複数の第２の導体３４は、ＸＹ平面に平行に形成され、Ｚ軸方向に相互に対向する２つの導体群で構成されている。２つの導体群それぞれを構成する第２の導体３４は、Ｙ軸方向に沿って延び、Ｘ軸方向において間隔をおいて配列され、第１の導体３２の間を個々に接続している。これにより、素体部１０の内部にＸ軸方向にコイル軸を有する開口が矩形形状のコイル導体３６が形成されている。すなわち、コイル導体３６は、素体部１０の下面１４に略平行な方向にコイル軸を有し、縦巻きとなっている。なお、略平行とはＸ軸方向から僅かに傾いている場合も含むものである。

外部電極５０は、表面実装用の外部端子であり、Ｙ軸方向に対向して２つ設けられている。外部電極５０は、素体部１０の下面１４から端面１６に延在して設けられ、下面１４の一部及び端面１６の一部を被覆している。すなわち、外部電極５０はＬ字型形状をしている。外部電極５０は、例えば導体含有層２０の表面にのみ形成されていて、高硬度層２２の表面には形成されていない。又、外部電極５０は、例えば導体含有層２０の表面及び高硬度層２２の表面にまたがって形成されることもできる。

内部導体３０は、複数の第１の導体３２及び複数の第２の導体３４からなる機能部としてのコイル導体３６に加えて、非機能部である引き出し導体３８をさらに有する。引き出し導体３８は、素体部１０の下面１４側に位置する第２の導体３４と同一のＸＹ平面上に配置されていて、Ｙ軸方向に平行に設けられている。コイル導体３６は、引き出し導体３８を介して、素体部１０の下面１４（実装面）もしくは端面１６で外部電極５０に電気的に接続されている。

内部導体３０は、例えば銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、又はパラジウム（Ｐｄ）などの金属材料、又はこれらを含む合金金属材料で形成されている。外部電極５０は、例えば銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、又はニッケル（Ｎｉ）などの金属材料、若しくは銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）又はアルミニウム（Ａｌ）とニッケル（Ｎｉ）メッキと錫（Ｓｎ）メッキとの積層膜、或いはニッケル（Ｎｉ）と錫（Ｓｎ）メッキとの積層膜で形成されている。

次に、実施例１の電子部品１００の製造方法について説明する。実施例１の電子部品１００は、ウエハレベルで複数個同時に作製され、作製後に素子毎に個片化される。また、実施例１の電子部品１００は、素体部１０の上面１２側から順に形成される。

図３（ａ）から図４（ｄ）は、実施例１に係る電子部品の製造方法を示す断面図である。図３（ａ）から図３（ｃ）、図４（ａ）、図４（ｂ）は、実施例１の電子部品の側面断面に相当する図、図３（ｄ）から図３（ｆ）、図４（ｃ）、図４（ｄ）は、端面断面に相当する図である。図３（ａ）及び図３（ｄ）のように、例えばシリコン基板、ガラス基板、又はサファイア基板などの支持基板９０上に、例えば樹脂材料を印刷又は塗布、或いは樹脂フィルムを粘着させることで、導体含有層２０の第１層２０ａと第１層２０ａを挟んで第１層２０ａに接する高硬度層２２の第１層２２ａとを形成する。導体含有層２０の第１層２０ａ上に、スパッタリング法により内部導体３０の第２の導体３４を形成すると共に、第２の導体３４を被覆する導体含有層２０の第２層２０ｂを形成する。高硬度層２２の第１層２２ａ上に、導体含有層２０の第２層２０ｂを挟んで第２層２０ｂに接する高硬度層２２の第２層２２ｂを形成する。導体含有層２０の第２層２０ｂ及び高硬度層２２の第２層２２ｂは、樹脂材料を印刷又は塗布、或いは樹脂フィルムを粘着させることで形成する。その後、導体含有層２０の第２層２０ｂ及び高硬度層２２の第２層２２ｂに対して研磨処理を施すことで、第２の導体３４の上面を露出させる。

次いで、導体含有層２０の第２層２０ｂ及び高硬度層２２の第２層２２ｂ上にシード層（不図示）を形成した後、シード層上に開口を有するレジスト膜９２を形成する。レジスト膜９２の形成後、開口内のレジスト残渣を除去するデスカム処理を行ってもよい。その後、電気めっき法によってレジスト膜９２の開口内に第１の導体３２の上側部分３２ａを形成する。

図３（ｂ）及び図３（ｅ）のように、レジスト膜９２及びシード層を除去した後、第１の導体３２の上側部分３２ａを被覆する導体含有層２０の第３層２０ｃと第３層２０ｃを挟んで第３層２０ｃに接する高硬度層２２の第３層２２ｃとを形成する。導体含有層２０の第３層２０ｃ及び高硬度層２２の第３層２２ｃは、樹脂材料を印刷又は塗布、或いは樹脂フィルムを粘着させることで形成する。その後、導体含有層２０の第３層２０ｃ及び高硬度層２２の第３層２２ｃに対して研磨処理を施すことで、第１の導体３２の上側部分３２ａの表面を露出させる。

図３（ｃ）及び図３（ｆ）のように、導体含有層２０の第３層２０ｃ上に、第１の導体３２の下側部分３２ｂと、第１の導体３２の下側部分３２ｂを被覆する導体含有層２０の第４層２０ｄと、を形成する。高硬度層２２の第３層２２ｃ上に、導体含有層２０の第４層２０ｄを挟んで第４層２０ｄに接する高硬度層２２の第４層２２ｄを形成する。第１の導体３２の下側部分３２ｂは、第１の導体３２の上側部分３２ａに接続するように形成される。第１の導体３２の下側部分３２ｂ、導体含有層２０の第４層２０ｄ、及び高硬度層２２の第４層２２ｄは、第１の導体３２の上側部分３２ａ、導体含有層２０の第３層２０ｃ、及び高硬度層２２の第３層２２ｃと同様の方法によって形成することができる。

図４（ａ）及び図４（ｃ）のように、導体含有層２０の第４層２０ｄ及び高硬度層２２の第４層２２ｄ上にシード層（不図示）と開口を有するレジスト膜９４とを形成し、レジスト膜９４の開口内に電気めっき法によって第２の導体３４と引き出し導体３８（不図示）とを形成する。

図４（ｂ）及び図４（ｄ）のように、レジスト膜９４及びシード層を除去した後、第２の導体３４及び引き出し導体３８を被覆する導体含有層２０の第５層２０ｅと第５層２０ｅを挟んで第５層２０ｅに接する高硬度層２２の第５層２２ｅとを形成する。その後、導体含有層２０の第５層２０ｅ及び高硬度層２２の第５層２２ｅ上に、導体含有層２０の第６層２０ｆ及び高硬度層２２の第６層２２ｆを形成する。導体含有層２０は、第１層２０ａから第６層２０ｆにより構成される。高硬度層２２は、第１層２２ａから第６層２２ｆにより構成される。その後、素体部１０の表面に外部電極５０を形成する。これにより、実施例１の電子部品１００が形成される。

図５は、比較例１に係る電子部品の透視斜視図である。図５のように、比較例１の電子部品１０００では、素体部１０は、高硬度層２２を有さず、実施例１において高硬度層２２が設けられた部分に相当する部分に導体含有層２０を有する。その他の構成は、実施例１と同じであるため説明を省略する。

発明者は、実施例１及び比較例１の電子部品に対して、たわみ試験を行った。たわみ試験は、電子部品を実装基板の上面に実装し、実装基板の下面から力を加えて実装基板をたわませ、そのときに電子部品にクラックが発生するか否かを試験することで行った。たわみ試験を行った電子部品の大きさは、実施例１及び比較例１共に、幅が０．２ｍｍ、長さが０．４ｍｍ、高さが０．２ｍｍである。また、実施例１においては、厚さ０．１７ｍｍ、ビッカース硬度４００Ｎ／ｍｍ^２の導体含有層２０の両側に厚さ０．０１５ｍｍ、ビッカース硬度６５０Ｎ／ｍｍ^２の高硬度層２２が設けられている。

表１に、たわみ試験の試験結果を示す。表１のように、実装基板のたわみ量を２ｍｍにした場合、実施例１では試験を行った１０チップ全てでクラックが発生しなかったのに対し、比較例１では１０チップ中３チップでクラックが発生した。実装基板のたわみ量を４ｍｍにした場合では、実施例１では１０チップ全てでクラックが発生しなかったのに対し、比較例１では１０チップ全てでクラックが発生した。このように、実施例１は、比較例１に比べて、クラックの発生が抑えられた結果となった。これは、実施例１では、導体含有層２０に並んで高硬度層２２が設けられているためと考えられる。

以上のように、実施例１によれば、素体部１０は、コイル導体３６（機能部）が設けられた導体含有層２０と、素体部１０の下面１４（実装面）に平行な方向で導体含有層２０に並んで設けられた高硬度層２２と、を有する。このように、導体含有層２０よりも高い硬度を有する高硬度層２２が素体部１０の下面１４に平行な方向で導体含有層２０に並んで設けられることで、表１で説明したように、たわみ試験でのクラックの発生を抑えることができ、素体部１０の機械的強度を向上させることができる。

また、実施例１によれば、高硬度層２２は、導体含有層２０よりも金属酸化物及びＳｉＯ_２の少なくとも一方からなるフィラーの含有率が高い。これにより、高硬度層２２の硬度を導体含有層２０よりも容易に高くできるため、素体部１０の機械的強度を容易に向上させることができる。

また、実施例１によれば、コイル導体３６は、導体含有層２０の内部に設けられていて、高硬度層２２の内部には設けられていない。これにより、導体含有層２０をコイル導体３６の電気特性に適した材料で形成して電気特性を改善しつつ、素体部１０の機械的強度を向上させることができる。

また、実施例１によれば、コイル導体３６を内部に有する導体含有層２０は、高硬度層２２よりも誘電率が低い。これにより、コイル導体３６の導体間での寄生容量を低下させ、自己共振周波数を向上させることができるため、Ｑ値を向上させることができる。例えば、導体含有層２０は、高硬度層２２よりも層を構成する材料の成分としてのＳｉの含有率が高いことで、高硬度層２２よりも誘電率が低くなっていてもよい。また、導体含有層２０の誘電率が高硬度層２２よりも低い場合、Ｑ値の向上の点から、コイル導体３６は導体含有層２０の内部に設けられ、高硬度層２２の内部には設けられていないことが好ましい。

また、実施例１によれば、コイル導体３６は、素体部１０の下面１４（実装面）に略平行な方向にコイル軸を有する。例えば、素体部１０の下面１４（実装面）に垂直な方向にコイル軸がある場合、コイル導体を流れる交流による磁束の変化によって、電子部品が実装される実装基板上に渦電流が生じてしまう場合がある。この場合、Ｑ値が低下してしまう。しかしながら、素体部１０の下面１４（実装面）に略平行な方向にコイル軸がある場合は、実装基板上に渦電流が生じることが抑制され、Ｑ値の低下を抑制できる。

図６は、実施例１の変形例１に係る電子部品の透視斜視図である。図６のように、実施例１の変形例１の電子部品１１０では、外部電極５０は素体部１０の下面１４のＹ軸方向両端にのみ設けられ、端面１６には設けられていない。コイル導体３６は、引き出し導体３８を介して、素体部１０の下面１４で外部電極５０に電気的に接続されている。その他の構成は、実施例１と同じであるため説明を省略する。

実施例１では、図１のように、コイル導体３６は、引き出し導体３８を介して、素体部１０の端面１６で外部電極５０に電気的に接続されていたが、実施例１の変形例１のように、コイル導体３６は、引き出し導体３８を介して、素体部１０の下面１４（実装面）で外部電極５０に電気的に接続されていてもよい。また、外部電極５０を素体部１０の下面１４にのみ設け、コイル導体３６を素体部１０の下面１４で外部電極５０に電気的に接続させることで、外部電極５０と内部導体３０との間の寄生容量を小さくすることができる。

なお、図示は省略するが、コイル導体３６は、引き出し導体３８を介して、素体部１０の側面１８で外部電極５０に電気的に接続されていてもよい。

図７（ａ）から図７（ｃ）は、実施例１の変形例２から変形例４に係る電子部品の上面断面図である。図７（ａ）のように、実施例１の変形例２の電子部品１２０では、導体含有層２０が素体部１０の１対の側面１８のうちの一方に寄って設けられている。したがって、導体含有層２０を挟む高硬度層２２のうちの一方は他方に比べて、Ｘ軸方向における厚さが薄くなっている。その他の構成は、実施例１と同じであるため説明を省略する。

実施例１では、導体含有層２０は素体部１０の１対の側面１８の間の中央に設けられている場合を例に示したが、実施例１の変形例２のように、導体含有層２０は１対の側面１８のうちの一方に寄って設けられていてもよい。この場合、導体含有層２０を挟む高硬度層２２の厚さの差異によって電子部品の方向の識別が可能となる。

図７（ｂ）のように、実施例１の変形例３の電子部品１３０では、コイル導体３６（機能部）を内部に有する導体含有層２０は素体部１０の内部に設けられ、導体含有層２０の周りを覆って高硬度層２２が設けられている。内部導体３０のうちの非機能部である引き出し導体３８は高硬度層２２に設けられている。その他の構成は、実施例１と同じであるため説明を省略する。

実施例１では、導体含有層２０は素体部１０の１対の端面１６の一方から他方に延在して設けられている場合を例に示したが、実施例１の変形例３のように、導体含有層２０は素体部１０の内部に設けられていてもよい。この場合、導体含有層２０を囲んで高硬度層２２が設けられるため、機械的強度を更に向上できる。また、非機能部である引き出し導体３８が高硬度層２２に設けられていても、電気特性への影響は小さい。

図７（ｃ）のように、実施例１の変形例４の電子部品１４０では、Ｘ軸方向において、導体含有層２０が高硬度層２２よりも薄くなっている。その他の構成は、実施例１と同じであるため説明を省略する。

実施例１では、Ｘ軸方向において、導体含有層２０が高硬度層２２よりも厚い場合を例に示したが、実施例１の変形例４のように、Ｘ軸方向において、導体含有層２０が高硬度層２２よりも薄くてもよい。導体含有層２０が高硬度層２２よりも厚い場合、コイル導体３６を大きくできるのでインダクタンス値を大きくできる。一方、高硬度層２２が導体含有層２０よりも厚い場合は、素体部１０の機械的強度を高くできる。

図８は、実施例２に係る電子部品の透視斜視図である。図８のように、実施例２の電子部品２００では、導体含有層２０の片側にのみ高硬度層２２が設けられ、実施例１において高硬度層２２が設けられた他方側に相当する部分には導体含有層２０が設けられている。その他の構成は、実施例１と同じであるため説明を省略する。

発明者は、実施例２の電子部品に対して、たわみ試験を行った。たわみ試験は実施例１で説明した方法と同じ方法で行い、電子部品の寸法などは実施例１の場合と同じにした。表２に、たわみ試験の試験結果を示す。なお、比較のために、表１に示した比較例１の試験結果も示している。

表２のように、実装基板のたわみ量を２ｍｍにした場合、実施例２では試験を行った１０チップ全てでクラックが発生しなかった。実装基板のたわみ量を４ｍｍにした場合、実施例２では１０チップ中２チップでクラックが発生した。

実施例２のように、素体部１０の下面１４（実装面）に平行な方向で導体含有層２０に並んで高硬度層２２が設けられていれば、導体含有層２０の片側にだけ高硬度層２２が設けられている場合でも、素体部１０の機械的強度を向上させることができる。また、表１及び表２の試験結果から、素体部１０の機械的強度を向上させる点から、導体含有層２０を挟んで高硬度層２２を設けることが好ましいことが分かる。

図９は、実施例３に係る電子部品の透視斜視図である。なお、図９において、内部導体３０は、実施例１と同じ構造をしているため、図９では図示を省略している。図９のように、実施例３の電子部品３００では、外部電極５０は、素体部１０の下面１４から端面１６を経由して上面１２に延在し且つ端面１６から側面１８に延在して設けられている。すなわち、外部電極５０は、端面１６の全面と、上面１２、下面１４、及び側面１８の一部と、を被覆している。その他の構成は、実施例１と同じであるため説明を省略する。

発明者は、実施例３の電子部品に対して、たわみ試験を行った。たわみ試験は実施例１で説明した方法と同じ方法で行い、電子部品の寸法などは実施例１の場合と同じにした。表３に、たわみ試験の試験結果を示す。なお、比較のために、表１に示した比較例１の試験結果も示している。

表３のように、実装基板のたわみ量が２ｍｍ、４ｍｍのいずれの場合でも、実施例３では試験を行った１０チップ全てでクラックが発生しなかった。

実施例１から実施例３のたわみ試験の結果から、素体部１０の下面１４（実装面）に平行な方向で導体含有層２０に並んで高硬度層２２が設けられていれば、外部電極５０がどのような形状をしていても、素体部１０の機械的強度を向上できることが分かる。

図１０（ａ）は、実施例４に係る電子部品の透視斜視図、図１０（ｂ）は、上面断面図である。図１０（ａ）及び図１０（ｂ）のように、実施例４の電子部品４００では、内部導体３０は、導体パターン４０とビアホール導体４２と引き出し導体３８とを有する。また、端面１６において、導体含有層２０は高硬度層２２よりも凹んでいる。その他の構成は実施例１と同じであるため、以下では内部導体３０について説明し、その他については説明を省略する。

内部導体３０において、ビアホール導体４２は、複数の導体パターン４０を電気的に接続する。導体パターン４０は、例えばＣ字状パターン４４とＩ字状パターン４６とを含む。

図１１は、Ｃ字状パターンとＩ字状パターンを説明する図である。図１１のように、Ｃ字状パターン４４は、３つ以上の頂点を持つ多角形の導体パターンである。例えば、Ｃ字状パターン４４は、略矩形形状であって４つの頂点を有し且つ当該略矩形形状の一辺の一部を欠くものである。なお、略矩形形状には、図１１のような矩形形状に限らず、楕円形状のものなど矩形近似可能な形状が含まれる。図１１の場合のように、４つの頂点を含む場合や、略矩形形状が明確な頂点を持たない場合における矩形近似したときに頂点であると認識しうる箇所を含む場合を含む。なお、図１１における点線は、ビアホール導体４２が形成される位置を示している。

Ｉ字状パターン４６は、略矩形形状におけるＣ字状パターン４４にて欠けた一辺の一部を補う。略矩形形状の実際の形状に適合して、Ｉ字状パターン４６は、図１１に示すような直線であってもいし、或いは、楕円形状の一部をなす曲線形状であってもよい。Ｃ字状パターン４４とＩ字状パターン４６との組み合わせの使用により、コイル導体の寸法安定化が増し、インダクタンスの狭公差化が可能となる。Ｉ字状パターン４６の長さは、Ｃ字状パターン４４にて欠けた部分の長さよりも長い場合が好ましい。これにより、電気的接続がより確実になる。

次に、実施例４に係る電子部品４００の製造方法について説明する。図１２は、実施例４に係る電子部品の製造方法を示す図である。なお、実施例４の電子部品４００は、素体部１０の１対の側面１８の一方から他方にかけて絶縁性材料からなるグリーンシートを積層していくことで形成される。

図１２のように、素体部１０を構成する絶縁体層の前駆体であるグリーンシートＧ１からＧ１０を用意する。グリーンシートは、例えばガラスなどを主原料とする絶縁性材料スラリーをドクターブレード法などによりフィルム上に塗布することで形成される。なお、絶縁性材料として、ガラスを主成分とした材料の他、フェライト、誘電体セラミックス、軟磁性合金材料を用いた磁性体、又は磁性体粉を混合した樹脂などを用いてもよい。グリーンシートの厚みは特に限定はなく、例えば５μｍ〜６０μｍであり、一例として２０μｍである。グリーンシートは、金属酸化物からなるフィラー及びシリコンの含有率を異ならせた複数種を用意する。金属酸化物からなるフィラーの含有率が高いグリーンシートがグリーンシートＧ１、Ｇ１０であり、シリコンの含有率が高いグリーンシートがグリーンシートＧ２〜Ｇ９である。

グリーンシートＧ３〜Ｇ７の所定の位置、すなわちビアホール導体４２が形成される予定の位置に、レーザ加工などによってスルーホールを形成する。そして、グリーンシートＧ３〜Ｇ８に印刷法を用いて導電性材料を印刷することでＣ字状パターン４４、Ｉ字状パターン４６、及びビアホール導体４２を形成する。導電性材料の主成分としては、銀、銅などの金属が挙げられる。

続いて、グリーンシートＧ１〜Ｇ１０を所定の順序で積層し、積層方向に圧力を加えてグリーンシートを圧着する。そして、圧着したグリーンシートをチップ単位に切断した後、所定温度（例えば７００℃〜９００℃程度）にて焼成を行って、素体部１０を形成する。この際、グリーンシートＧ１、Ｇ１０とグリーンシートＧ２〜Ｇ９の金属酸化物からなるフィラー及びシリコンの含有率が異なるため、焼成時の収縮率が異なり、その結果、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）のように、導体含有層２０が高硬度層２２に対して凹んだ形状となる。

続いて、素体部１０の所定の位置に外部電極５０を形成する。外部電極５０は、銀や銅などを主成分とする電極ペーストを塗布し、所定温度（例えば６００℃〜９００℃程度）で焼付けを行い、さらに電気めっきを施すことなどにより形成される。この電気めっきとしては、例えば銅、ニッケル、又は錫などを用いることができる。これにより、実施例４の電子部品４００が形成される。

発明者は、実施例４の電子部品に対して、実装基板上への実装試験を行った。図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は、電子部品の実装試験について説明する図である。図１３（ａ）は、電子部品４００を実装基板のランド７０に半田を用いて接合させることで、電子部品４００が適切な位置に実装された場合を示している。これに対し、実装試験では、図１３（ｂ）のように、ランド７０に対して故意に５０μｍずらした位置に電子部品４００を実装し、そのときの実装状態を確認することで行った。なお、ランド７０は、縦が０．２ｍｍ、横が０．１５ｍｍの長方形形状をしている。電子部品４００の大きさは、幅が０．２ｍｍ、長さが０．４ｍｍ、高さが０．２ｍｍである。

表４に、実装試験の試験結果を示す。なお、比較のために、比較例１の電子部品１０００を実装基板上に実装した場合の試験結果についても示している。なお、比較例１の電子部品１０００の大きさは、実施例４の電子部品４００と同じである。表４のように、実施例４では実装不良発生率が０％であったのに対し、比較例１では実装不良発生率が２．２５％であった。なお、実装不良とは、チップ立ち現象（マンハッタン現象やツームストーン現象など）のような場合のことをいう。

このように、実施例４は、比較例１に比べて、実装不良が減少した。これは以下の理由によるものと考えられる。すなわち、電子部品の外部電極５０を実装基板のランド７０に半田によって接合することで電子部品を実装基板に実装する場合、実装時に溶けた半田からの張力が駆動力となり、素体部１０の各面に設けられた外部電極５０に生じる張力がバランスするように電子部品を実装位置中央に移動させるセルフアライメント効果が生じる。このセルフアライメント効果によって、実装時の電子部品の実装面に対する水平方向の回転の抑制及び部品立ち（片側のランドから電子部品が外れてもう一方のランド側で直立するような現象）の抑制ができる。

セルフアライメント効果（セルフアライメント力）は、半田の量が多いほど大きく、また、半田は外部電極５０を濡れ広がることから外部電極５０の面積が大きいほど大きくなる。比較例１では導体含有層２０の端面１６は平坦面であるのに対し、実施例４では導体含有層２０の端面１６は高硬度層２２に対して凹んだ形状をしている。このため、実施例４では、比較例１に比べて、ランド７０に供給可能な半田の量を多くでき且つ半田が接合する外部電極５０の面積が大きいために、セルフアライメント効果が大きくなる。また、実施例４では、素体部１０の端面１６において導体含有層２０が高硬度層２２に対して凹んだ曲面形状をしていることから、導体含有層２０に設けられた外部電極５０は曲面形状となっている。このため、セルフアライメント力が実装位置中央に向かって働くようにより、電子部品が適切な位置に移動し易くなる。これらのことから、実施例４は比較例１に比べて実装不良が減少したものと考えられる。

実施例４によれば、素体部１０の端面１６において、導体含有層２０は高硬度層２２に対して凹んでいる。外部電極５０は、素体部１０の下面１４から端面１６に延在し、端面１６において少なくとも導体含有層２０に設けられている。これにより、電子部品を実装基板に実装する際のセルフアライメント性を向上させることができる。なお、実施例４のように、外部電極５０は、端面１６において導体含有層２０にのみ設けられ高硬度層２２には設けられていない場合が好ましい。また、導体含有層２０が高硬度層２２に対して凹んでいるため、導体含有層２０に外部電極５０を形成する際に、外部電極５０が高硬度層２２にまで広がって形成されることを抑制できる。すなわち、導体含有層２０の表面にだけ外部電極５０を形成し、高硬度層２２には外部電極５０を形成しないことを容易に実現できる。

図１４（ａ）は、実施例４の変形例１に係る電子部品の透視斜視図、図１４（ｂ）は、上面側から見た図、図１４（ｃ）は、端面側から見た図である。図１４（ａ）から図１４（ｃ）のように、実施例４の変形例１の電子部品４１０では、外部電極５０は、素体部１０の下面１４及び端面１６において導体含有層２０と高硬度層２２の両方に設けられている。端面１６において、外部電極５０は、導体含有層２０で曲面形状になっていることに加え、Ｚ軸方向の高さが高硬度層２２で導体含有層２０よりも高くなるような湾曲した形状となっている。また、下面１４においても同様に外部電極５０は湾曲した形状となっている。なお、外部電極５０は、素体部１０の側面１８にはみ出していてもよい。その他の構成は、実施例４と同じであるため説明を省略する。実施例４の変形例１の場合でも、実施例４と同様に、セルフアライメント性を向上させることができる。

図１５は、実施例４の変形例２に係る電子部品の上面断面図である。図１５のように、実施例４の変形例２の電子部品４２０では、導体含有層２０の片側にのみ高硬度層２２が設けられている。その他の構成は、実施例４と同じであるため説明を省略する。

発明者は、実施例４の変形例２の電子部品に対して、実装基板上への実装試験を行った。実装試験は実施例４で説明した方法と同じ方法で行い、電子部品の寸法などは実施例４の場合と同じにした。表５に、実装試験の試験結果を示す。なお、比較のために、表４に示した比較例１の試験結果も示している。

表５のように、実施例４の変形例２では実装不良発生率が０．７５％であった。

実施例４の変形例２のように、導体含有層２０の片側にだけ高硬度層２２が設けられている場合でも、セルフアライメント性を向上させることができる。表４及び表５の試験結果から、セルフアライメント性の向上の点からは、導体含有層２０を挟んで高硬度層２２を設けることが好ましいことが分かる。

図１６（ａ）は、実施例５に係る電子部品の上面断面図、図１６（ｂ）は、側面断面図、図１６（ｃ）は、端面断面図である。図１６（ａ）から図１６（ｃ）のように、実施例５の電子部品５００では、コイル導体３６は、Ｙ軸方向（長さ方向）にコイル軸を有し且つ開口が矩形形状になっている。その他の構成は、実施例１と同じであるため説明を省略する。

実施例１から実施例４では、コイル導体３６はコイル軸がＸ軸方向の縦巻きである場合を例に示したが、実施例５のように、コイル導体３６はコイル軸がＹ軸方向の縦巻きの場合でもよい。

図１７（ａ）は、実施例６に係る電子部品の上面断面図、図１７（ｂ）は、側面断面図、図１７（ｃ）は、端面断面図である。図１７（ａ）から図１７（ｃ）のように、実施例６の電子部品６００では、Ｚ軸方向（高さ方向）にコイル軸を有し、開口形状が矩形形状のコイル導体３６が設けられている。すなわち、コイル導体３６は、水平巻きとなっている。コイル導体３６は、Ｚ軸方向における素体部１０の中央から上面１２側に寄って設けられている。その他の構成は、実施例１と同じであるため説明を省略する。

図１８から図１９（ｂ）は、実施例６に係る電子部品の製造方法を示す図である。図１９（ａ）及び図１９（ｂ）は、実施例６の電子部品の上面断面に相当する図である。図１８のように、導体含有層２０の前駆体である複数枚の絶縁性のグリーンシートＧ１１〜Ｇ１６を用意する。グリーンシートについては実施例４で説明しているためここでは説明を省略する。

グリーンシートＧ１２〜Ｇ１５の所定の位置に、レーザ加工などによってスルーホールを形成する。そして、グリーンシートＧ１２〜Ｇ１６に印刷法を用いて導電性材料を印刷することで内部導体３０を形成する。

続いて、グリーンシートＧ１１〜Ｇ１６を所定の順序で積層し、積層方向に圧力を加えてグリーンシートを圧着する。そして、圧着したグリーンシートをチップ単位に切断した後、所定温度（例えば７００℃〜９００℃程度）にて焼成を行う。これにより、図１９（ａ）のように、内部導体３０を内部に有する導体含有層２０が形成される。

続いて、図１９（ｂ）のように、導体含有層２０の両側に、例えばスラリーやペースト、インクなどを印刷したり、ディップしたり又はシート状に加工したものを接着したりするなどによって、高硬度層２２を形成する。これにより、導体含有層２０を挟んで高硬度層２２が設けられた素体部１０が形成される。その後、素体部１０の所定の位置に外部電極５０を形成する。これにより、実施例６の電子部品６００が形成される。

導体含有層２０の形成には、上述のようにグリーンシートにスルーホールを形成し、さらに内部導体部を形成した後、コイルを形成するように所定の順序にてグリーンシートを積層、圧着したものを焼成して作製する方法、絶縁層に樹脂などを用いて内部導体などを薄膜法により作製して焼成しない方法、内部導体となる導体をコイル状に巻いた後、樹脂などで固めた焼成しない方法を取ることが可能である。また、コイルの巻き方向も、実装面に垂直にコイル軸がある水平巻き、実装面に平行にコイル軸があり、実装面の長さ方向又は幅方向にコイル軸が略一致している２種類の縦巻きがあり、この３種類のどの巻き方を適用してもよい。

高硬度層２２の形成については、印刷、ディップ、又はシートの接着などで行うことができるが、それらに使用される、スラリーやペースト、インクや接着剤、バインダーなどによっては、焼成を行うことができる場合とできない場合がある。焼成を行うことができる場合、導体含有層２０の作製で焼成が行われる場合に同時に焼成を行う工程手順とすることも、各々の焼成を別々に行う工程手順とすることもできる。焼成を行うことができない場合、導体含有層２０の作製において焼成が行われるか否かにかかわらず、導体含有層２０の完成を待って、その後、高硬度層２２の形成を行う。

導体含有層２０に高硬度層２２を付加、形成する際に、複数の導体含有層２０を粘着シートなどに整列配置することにより、個片化されている場合の個々に高硬度層２２を付加、形成することに比べて、効率的に付加、形成を行うことができる。

実施例１から実施例５ではコイル導体３６は縦巻きであったが、実施例６のようにコイル導体３６は水平巻きであってもよい。また、実施例６によれば、コイル導体３６は素体部１０の上面１２側に寄って設けられている。これにより、コイル導体３６は実装面である下面１４から離れて配置されているため、電子部品を実装基板に搭載した後にコイル導体３６が実装基板から受ける寄生容量の影響を低減でき、特性の変化を抑制することができる。

図２０（ａ）は、実施例７に係る電子部品の上面断面図、図２０（ｂ）は、側面断面図、図２０（ｃ）は、端面断面図である。図２０（ａ）から図２０（ｃ）のように、実施例７の電子部品７００では、内部導体３０は複数の平坦電極６０を含む。複数の平坦電極６０が互いに重なる領域が、内部導体３０のうちの電気的性能を発揮する機能部となるコンデンサ部６２である。複数の平坦電極６０のうちの互いに重ならない領域は、コンデンサ部６２を外部電極５０に電気的に接続する引き出し部に相当する。すなわち、内部導体３０は、複数の平坦電極６０が互いに重なる領域からなる機能部としてのコンデンサ部６２と、複数の平坦電極６０のうちの互いに重ならない領域である非機能部と、を有する。その他の構成は、実施例１と同じであるため説明を省略する。

実施例１から実施例６では、内部導体３０が機能部としてコイル導体３６を含む場合、すなわち電子部品がインダクタ素子である場合を例に示したが、これに限られない。実施例７のように、内部導体３０が機能部としてコンデンサ部６２を含む場合、すなわち電子部品がコンデンサ素子の場合でもよい。また、機能部としてコンデンサ部６２を含む場合でも、図６と同様にコンデンサ部６２は引き出し導体によって素体部１０の下面１４で外部電極５０に電気的に接続されていてもよし、素体部１０の側面１８で外部電極５０に電気的に接続されていてもよい。

図２１（ａ）は、実施例８に係る電子部品の透視斜視図、図２１（ｂ）は、実施例８の変形例１に係る電子部品の透視斜視図である。図２１（ａ）のように、実施例８の電子部品８００では、高硬度層２２は、Ｙ軸方向（長さ方向）で導体含有層２０に並んで設けられている。高硬度層２２は、Ｙ軸方向（長さ方向）から導体含有層２０を挟んで導体含有層２０の両側に設けられ、素体部１０の端面１６を構成している。Ｙ軸方向において、導体含有層２０の厚さは、高硬度層２２よりも厚くなっている。内部導体３０のうちのコイル導体３６（機能部）は、導体含有層２０の内部に設けられている。その他の構成は、実施例１と同じであるため説明を省略する。図２１（ｂ）のように、実施例８の変形例１の電子部品８１０では、素体部１０の幅（Ｘ軸方向の長さ）が長さ（Ｙ軸方向の長さ）よりも長くなっている。その他の構成は、実施例８と同じであるため説明を省略する。

実施例１から実施例７では、高硬度層２２はＸ軸方向で導体含有層２０に並んでいる場合を例に示したが、高硬度層２２は素体部１０の下面１４（実装面）に平行な方向で導体含有層２０に並んでいれば、実施例８及び実施例８の変形例１のように、高硬度層２２がＹ軸方向で導体含有層２０に並んでいる場合でもよい。

電子部品を実装基板に実装した場合、外部電極５０の端の部分と内部導体３０の端の部分に応力が集中し易いため、この間でクラックが発生し易い。したがって、高硬度層２２がこの部分にあることで、クラックの発生を抑制することができる。また、実施例８の変形例１では、素体部１０の機械的強度は、高硬度層２２の高さだけでなく、長さと幅が大きく関係する。例えば、実施例８の変形例１のように電子部品の幅が長さよりも大きい場合、素体部１０の長さ方向に導体含有層２０と高硬度層２２とが並んでいることで、素体部１０の幅方向の強度を確保できる。

実施例１から実施例８では、外部電極５０は、素体部１０の下面１４から端面１６に延在したＬ字型形状をしていて且つ素体部１０の幅（Ｘ軸方向の幅）よりも狭い場合を例に示したが、この場合に限られる訳ではない。図２２（ａ）から図２２（ｎ）は、外部電極の形状の他の例を示す透視斜視図である。外部電極５０は、図２２（ａ）のように下面にのみ設けられてもよいし、図２２（ｂ）のように端面の下側にのみ設けられてもよいし、図２２（ｃ）のように端面全面に設けられてもよい。図２２（ｄ）のように下面から端面を経由して上面に延在して設けられてもよいし、図２２（ｅ）のようにさらに側面に延在していてもよし、図２２（ｆ）、図２２（ｇ）のように上面での長さが下面より短くてもよい。図２２（ｈ）のように下面から端面の一部まで延在して設けられてもよいし、図２２（ｉ）のように下面から端面全面に延在して設けられてもよい。図２２（ｊ）、図２２（ｋ）のように下面の端に三角柱形状で設けられてもよいし、図２２（ｌ）のように下面の一部と側面の一部と端面の一部とを覆って設けられてもよいし、図２２（ｍ）、図２２（ｎ）のように下面の一部と側面の一部と端面の全面とを覆って設けられてもよい。なお、図２２（ａ）から図２２（ｎ）においても、外部電極５０は、素体部１０の幅よりも狭い場合でもよい。

なお、実施例１では、電気めっきを用いて電子部品を製造する場合を示し、実施例４、５では、シートを積層することで電子部品を製造する場合を示したが、実施例１から実施例８において、電子部品は電気めっき又はシートの積層のいずれで製造してもよい。また、本発明の構造が得られる方法であれば、その製造方法は上述の方法に限定されるものではなく、またいくつかの方法を組み合わせる製造方法であってもよい。

図２３（ａ）は、実施例９に係る電子部品の透視斜視図、図２３（ｂ）は、上面断面図である。なお、図２３（ａ）においては、図の明瞭化のためにコイル導体３６などの図示を省略している（後述の図２４（ａ）及び図２４（ｂ）も同様）。図２３（ａ）及び図２３（ｂ）のように、実施例９の電子部品９００では、素体部１０の内部にマーカー部８０が設けられている。例えば、マーカー部８０は、高硬度層２２の内部に設けられていて、高硬度層２２と比べて色の三属性（色相、彩度、及び明度）の少なくとも１つが異なっている。すなわち、マーカー部８０はその位置が識別できるようになっている。マーカー部８０は、高硬度層２２と異なる材料で形成されていてもよいし、高硬度層２２と同じ材料で形成され且つ高硬度層２２と異なる色となるような色素を含有していてもよい。また、マーカー部８０は、高硬度層２２と同様に、導体含有層２０よりも高い硬度を有していてもよい。その他の構成は、実施例１と同じであるため説明を省略する。

実施例９によれば、素体部１０にマーカー部８０が設けられている。これにより、電子部品９００の方向を識別できるようになる。よって、生産工程での整列作業が容易にでき、また実装基板への実装時の不具合を低減することができる。

図２４（ａ）は、実施例９の変形例１に係る電子部品の透視斜視図、図２４（ｂ）は、実施例９の変形例２に係る電子部品の透視斜視図である。図２４（ａ）の実施例９の変形例１の電子部品９１０のように、マーカー部８０は素体部１０の側面１８（すなわち、高硬度層２２の表面）に設けられていてもよい。図２４（ｂ）の実施例９の変形例２の電子部品９２０のように、マーカー部８０は導体含有層２０と高硬度層２２にまたがって素体部１０の表面に設けられていてもよい。マーカー部８０が導体含有層２０と高硬度層２２にまたがって設けられている場合、マーカー部８０は導体含有層２０及び高硬度層２２の両方と比べて色の三属性の少なくとも１つが異なっている場合が好ましい。なお、図２４（ｂ）では、マーカー部８０は、素体部１０の上面１２に設けられている場合を例に示しているが、下面１４又は端面１６に設けられていてもよい。素体部１０の表面のマーカー部８０は、例えば印刷によって形成されてもよい。

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１０ 素体部
１２ 上面
１４ 下面
１６ 端面
１８ 側面
２０ 導体含有層
２２ 高硬度層
３０ 内部導体
３２ 第１の導体
３４ 第２の導体
３６ コイル導体
３８ 引き出し導体
４０ 導体パターン
４２ ビアホール導体
４４ Ｃ字状パターン
４６ Ｉ字状パターン
５０ 外部電極
６０ 平坦電極
６２ コンデンサ部
８０ マーカー部
Ｇ１〜Ｇ１６ グリーンシート
１００〜１０００ 電子部品

Claims (14)

1. 直方体形状をした絶縁体からなる素体部と、
   前記素体部の内部に設けられた内部導体と、
   前記素体部の実装面に少なくとも設けられ、前記内部導体に電気的に接続された外部電極と、を備え、
   前記素体部は、前記内部導体のうちの電気的性能を発揮する部分となる機能部が設けられた導体含有層と、前記実装面に平行な方向で前記導体含有層に並んで設けられ、前記導体含有層よりも高い硬度を有する高硬度層と、を有する、電子部品。
2. 前記高硬度層は、前記導体含有層よりも金属酸化物及び酸化シリコンの少なくとも一方からなるフィラーの含有率が高い、請求項１記載の電子部品。
3. 前記素体部は、複数の前記高硬度層を有し、
   前記複数の高硬度層は、前記導体含有層を挟んで設けられている、請求項１または２記載の電子部品。
4. 前記高硬度層は、前記素体部の前記実装面と前記素体部の前記実装面に隣接する端面とに平行な方向で前記導体含有層に並んで設けられている、請求項１から３のいずれか一項記載の電子部品。
5. 前記端面において前記導体含有層は前記高硬度層に対して凹んでいて、
   前記外部電極は、前記素体部の前記実装面から前記端面に延在し、前記端面において少なくとも前記導体含有層に設けられている、請求項４記載の電子部品。
6. 前記外部電極は、前記端面において前記導体含有層及び前記高硬度層のうちの前記導体含有層にのみ設けられている、請求項５記載の電子部品。
7. 前記導体含有層と前記高硬度層とが並んだ方向において、前記導体含有層は前記高硬度層よりも厚い、請求項１から６のいずれか一項記載の電子部品。
8. 前記内部導体は、前記機能部としてコイル導体を有する、請求項１から７のいずれか一項記載の電子部品。
9. 前記コイル導体は、前記導体含有層及び前記高硬度層のうちの前記導体含有層にのみ設けられている、請求項８記載の電子部品。
10. 前記導体含有層は、前記高硬度層よりも誘電率が低い、請求項８または９記載の電子部品。
11. 前記導体含有層及び前記高硬度層は、ガラス又は樹脂を含む材料で構成され、
    前記導体含有層を構成する材料の成分としてのシリコンの含有率は、前記高硬度層を構成する材料の成分としてのシリコンの含有率よりも高い、請求項１０記載の電子部品。
12. 前記コイル導体は、前記実装面に略平行なコイル軸を有する、請求項８から１１のいずれか一項記載の電子部品。
13. 前記機能部は、引き出し導体を介して、前記素体部の前記実装面又は前記実装面に隣接する端面で前記外部電極に電気的に接続されている、請求項１から１２のいずれか一項記載の電子部品。
14. 前記素体部に設けられたマーカー部を備える、請求項１から１３のいずれか一項記載の電子部品。

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