JP2018053100A - ポリイミド多孔質体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
即ち、本発明は、以下の事項に関する。
本発明に用いるポリイミド前駆体は、前記一般式(1)で示される反復単位からなり、式中、Bはテトラカルボン酸成分に起因する4価のユニットである。また、Aはジアミン成分に起因する2価のユニットである。ポリイミド前駆体を構成するユニットについて以下に詳述する。
本発明に用いるポリイミド前駆体の溶媒としては、ポリイミド前駆体を溶解するものであれば特に限定されないが、具体的にはアミド系溶媒が挙げられる。アミド系溶媒の例としては、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)、N−エチル−2−ピロリドン(NEP)、ピリジン、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)、N,N−ジエチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン(DMI)等を挙げる事が出来る。これらの良溶媒は、それぞれ単体で用いてもよいし、二種以上の混合物として用いても構わない。
本発明では、化学イミド化によりポリイミド前駆体をイミド化する。具体的にはイミド化触媒と脱水剤をポリイミド前駆体に混合する事で、イミド化を促進し、相分離及びゲル化を誘起する事で高次構造が制御されたポリイミドゲルを得ることが出来る。イミド化触媒としては、トリエチルアミン、トリエチレンジアミン等の脂肪族第3級アミン、ジメチルアニリン等の芳香族第3級アミン、イソキノリン、ピリジン、2−メチルピリジン、3−メチルピリジン、4−メチルピリジン、イミダール、ベンズイミダゾール等の複素環第3級アミン等が挙げられるが、臭気や反応性の観点からイソキノリンやメチルピリジン、イミダゾール等がより好ましい。脱水剤としては、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸等の脂肪族酸無水物、無水安息香酸、無水フタル酸等の芳香族酸無水物等が挙げられるが、脂肪族酸無水物が好ましく、無水酢酸がより好ましい。
本発明のポリイミドゲル状組成物は、ポリイミド前駆体と、ポリイミド前駆体の溶媒と、イミド化触媒、及び脱水剤を少なくとも混合することで得られる。より具体的には、ポリイミド前駆体の溶液を調整し、その中にイミド化触媒、及び脱水剤を加える事でポリイミドゲル状組成物が得られる。
<溶媒置換>
本発明では、上記ポリイミドゲル状組成物を溶媒置換及び表面疎水化処理を経て常圧乾燥させることで、ポリイミド多孔質体を得ることが出来る。溶媒置換の方法としては、公知の手法を用いる事が出来るが、例えば、ポリイミドゲル状組成物の溶媒と相溶するエタノール、メタノール、イソプロピルアルコール等のアルコールで置換し、更に表面張力の低いヘキサン、ヘプタン、イソオクタン、フッ素系溶媒等へ置換させることが好ましい。
本発明では、溶媒置換と共に表面疎水化処理を行う事で、更に乾燥時の毛細管力によるゲルの収縮を抑制し、高い空孔率を示すポリイミド多孔質体を得ることが可能となる。表面疎水化処理としては、ヘキサン、ヘプタン、イソオクタン、フッ素系溶媒等が蒸発する際に表面張力が小さくなり、乾燥時の毛細管力による収縮を抑制出来るものであれば特に限定されないが、例えば、ヘキサメチルジシラザン(HMDS)、トリクロロメチルシラン(TMCS)及びその混合物等の疎水化剤による処理が挙げられる。より具体的には、ヘキサン、ヘプタン、イソオクタン等の中に疎水化剤を加え、その中に溶媒置換後のポリイミドゲル状組成物を浸漬し、必要に応じて加熱することで、ポリマーの一部に疎水化剤を反応させる事が出来る。表面疎水化処理されたポリイミドゲル状組成物は、再び低表面張力の溶媒中に浸漬して未反応の疎水化剤を洗浄後、常圧乾燥させることで高い空孔率を示すポリイミドゲルが得られる。
3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(s−BPDA)
4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(ODA)
N,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)
イソキノリン
無水酢酸
ヘキサメチルジシラザン(HMDS)
トリクロロメチルシラン(TMCS)
得られたポリイミド多孔質体の多孔構造を、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて観察した。試料を液体窒素中で破断した断面にスパッタリングにより金を蒸着して観察を行った。測定にはJEOL社製Carry Scope JCM−5700を用いた。
所定の大きさに切り取った多孔質体の面積、厚み、及び質量を測定し、目付質量から密度及び空孔率を下記一般式(2)、(3)によって求めた。
密度(g/cm3)=w/S×d (一般式2)
空孔率(%)=(1−(w/S×d)/D)×100 (一般式3)
(式中、Sは多孔質体の面積、dは厚み、wは測定した質量、Dはポリイミド緻密体の推定密度をそれぞれ意味する。ポリイミド緻密体の推定密度はs−BPDA/ODAポリイミド緻密体の密度を1.37g/cm3として計算した。)
撹拌羽、窒素導入管、排気管を取り付けた500mlのガラス製セパラブルフラスコにODA12.16g及びDMAc270gを投入し、撹拌混合した。さらにs−BPDA約17.84gを徐々に加えながら撹拌し、室温で48時間混合してs−BPDA/ODAからなるポリイミド前駆体のDMAc溶液(ポリイミド前駆体固形分約10.0wt%)を調整した。
製造例1で得られたポリイミド前駆体のDMAc溶液10gと、DMAc10gと、イソキノリン0.522g(ポリイミド前駆体の−COOHに対して1モル当量)を混合し均一になるまで攪拌した。さらに、無水酢酸0.413g(ポリイミド前駆体の−COOHに対して1モル当量)を加え、THINKY社製あわとり練太郎(ARE−250)を用いて2000rpmで2分間攪拌、2200rpmで2分間脱泡を行い、均一になるように攪拌、脱泡操作を行った。得られた混合溶液をテフロン(登録商標)製のシャーレに移し、湿気が入らないように密閉した状態で、室温で1日静置して、ポリイミドゲル状組成物を得た。得られたポリイミドゲル状組成物をシャーレから取り出し、過剰量のエタノール中に浸漬し、8時間毎にエタノールを交換しながら24時間溶媒置換を行った。さらに、過剰量のヘプタン中に浸漬し、8時間毎にヘプタンを交換しながら24時間溶媒置換を行った。溶媒置換後のポリイミドゲル状組成物を、10wt%のHMDS/ヘプタン溶液に60℃で2時間浸漬し、表面疎水化処理を行った。さらに、過剰量のヘプタン中に浸漬し、8時間毎にヘプタンを交換しながら24時間溶媒置換を行って未反応のHMDSを洗浄し、室温、常圧で24時間乾燥させた後、110℃で2時間乾燥させてポリイミド多孔質体を得た。得られたポリイミド多孔質体の特性を表1に示す。また、得られた多孔質体の断面の走査型電子顕微鏡(SEM)像を図1に示す。表面疎水化処理を行う事で、高い空孔率の多孔質体が得られることが示された。
10wt%のHMDS/ヘプタン溶液の代わりに10wt%のTMCS/ヘプタン溶液を用いた他は、実施例1と同様の方法でポリイミド多孔質体を得た。得られたポリイミド多孔質体の特性を表1に示す。表面疎水化処理を行う事で、高い空孔率の多孔質体が得られることが示された。
10wt%のHMDS/ヘプタン溶液の代わりに、HMDS5wt%、TMCS5wt%のヘプタン溶液を用いた他は、実施例1と同様の方法でポリイミド多孔質体を得た。得られたポリイミド多孔質体の特性を表1に示す。表面疎水化処理を行う事で、高い空孔率の多孔質体が得られることが示された。
10wt%のHMDS/ヘプタン溶液を用いた表面疎水化処理を行わなかった他は、実施例1と同様の方法でポリイミド多孔質体を得た。得られたポリイミド多孔質体の特性を表1に示す。また、得られた多孔質体の断面の走査型電子顕微鏡(SEM)像を図2に示す。表面疎水化処理を行わなかった場合、溶媒置換後の常圧乾燥のみではゲルの収縮を抑制出来ず、高い空孔率の多孔質体は得られなかった。
Claims (5)
- 下記一般式(1)で示される反復単位からなるポリイミド前駆体と、ポリイミド前駆体の溶媒と、イミド化触媒と、脱水剤を少なくとも混合してなることを特徴とするポリイミドゲル状組成物を、溶媒置換及び表面疎水化処理を経て常圧乾燥させるポリイミド多孔質体の製造方法。
- 一般式(1)中、Bで示される構造の一部に下記化学式(2)で示される構造を含むことを特徴とする請求項1に記載のポリイミド多孔質体の製造方法。
- 一般式(1)中、Aで示される構造の一部に下記化学式(3)で示される構造を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載のポリイミド多孔質体の製造方法。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載のポリイミド多孔質体の製造方法において、表面疎水化処理が、ヘキサメチルジシラザン、メチルトリクロロシラン、のいずれか又は混合物を用いた処理であることを特徴とするポリイミド多孔質体の製造方法。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法で得られたポリイミド多孔質体を用いた断熱材。
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