JP2017524627A - ナノ材料の生産のための方法および装置 - Google Patents
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Abstract
炭素を含むナノ材料を生産するための方法は、開示される。方法は、2以上の炭素源(1、2)の組合せを合成反応器(101)に導入すること、2以上の炭素源(1、2)から炭素(104)を放出するために合成反応器において2以上の炭素源(1、2)を少なくとも部分的に分解すること、そして、合成反応器(101)において放出された炭素(104)から炭素を含むナノ材料を合成すること、を含む。【選択図】図1
Description
本発明は、ナノ材料の合成に関する。特に、本発明は、炭素を含むナノ材料の生産のための方法および装置に関する。
透明でかつ導電性または半導電性の薄膜は、多くのアプリケーション(例えばトランジスタ、印刷された電子機器、タッチスクリーン、センサ、光子デバイス、太陽電池用の電極、照明、検出および表示デバイス)にとって重要である。より厚くかつ多孔性のフィルムは、バッテリ、スーパーキャパシタ、燃料電池、太陽電池、ならびに水および空気清浄器およびフィルタに役立つこともできる。合成およびフィルム製造プロセスが改良されるにつれて、構造は、向上する性能および安価なコストを呈する。例えば、透明電極にとって、カーボンナノチューブ(Carbon Nanotube(CNTs))およびカーボンナノバッド(Carbon NanoBud(登録商標)(CNB))フィルムの導電率および透明度パフォーマンスは、酸化インジウム錫(ITO)フィルムのそれに接近している。ITO薄層を超える高アスペクト比分子(High Aspect Ratio Molecular(HARM))薄膜の主要な利点は、それらの可撓性ならびに、減少した材料および合成コストのための可能性である。特に炭素ベースのHARM構造は、低い反射率、高い原材料有効性および低コストを有する。多くの場合に、HARM薄膜は、透明でかつ可撓性のコンポーネントおよびデバイスを得るために薄い可撓性基体上に堆積されることができる。一方、ITOは、通常、剛性および/または厚い基体上に堆積されなければならない脆性材料である。さらに、炭素系フィルムのコストは、安価でかつ容易に利用できる炭素供給に依存する。
しかしながら、CO不均化を介して生産される最新技術の炭素系フィルムは、優れた特性を有するために、基礎をなすCO不均化反応が比較的遅くて、ナノ炭素へのCOの転換に関して低い歩留まりを生じ、したがって、製造コストを増加させ、工業的用途を制限することが明らかになった。COベースの反応器の歩留まりを上昇させるために、COプロセスが高圧力で処理された。しかしながら、これは、安全性の減少およびコストの増加のせいで望ましくない。
本発明の目的は、炭素を含むナノ材料の合成における既存の技術の問題点を克服することである。
本発明は、既存の方法のコスト、安全性、歩留まりおよび品質に制限なしに商業的な量の炭素を含むナノ材料の合成に用いることができる、新規のかつ改良された方法および装置を提供する。
このセクションにおいて、請求項に記載の本発明の主要な実施形態は記載され、そして、特定の定義は与えられる。
本発明の第1の態様によれば、炭素を含むナノ材料の生産のための方法は、開示される。方法は、2以上の炭素源の組合せを合成反応器に導入するステップ、2以上の炭素源から炭素を放出するために合成反応器において2以上の炭素源を少なくとも部分的に分解するステップ、および、合成反応器において放出された炭素から炭素を含むナノ材料を合成するステップ、を含む。
方法は、連続フローにおいて、バッチにおいて、または、バッチおよび連続サブプロセスの組合せとして実行されることができる。
炭素を含むナノ材料は、フィルム、グラフェンのようなプレートレット、ナノオニオン、フラーレンおよびバッキーボールのような球体または回転楕円体、カーボンナノツリー、ナノホーン、ナノリボン、ナノコーン、グラフィネートされた(graphinated)カーボンナノチューブ、カーボンピーポッド、カーボン窒素ナノチューブおよびカーボンホウ素ナノチューブのようなファイバおよびより複雑な形状を含む、広範囲にわたる構造および形態をカバーする。
炭素源は、ここでは、炭素を含むナノ材料の形成のために放出されることができる炭素を含むいかなる材料も意味すると理解される。炭素源は、炭素または、一酸化炭素、アルコール、炭化水素および炭水化物を含むがこれに限定されない炭素含有化合物であることができる。より詳しくは、炭素源は、メタン、エタン、プロパン、エチレン、アセチレンのようなガス状の炭素化合物、ならびに、ベンゼン、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、メタノール、エタノール、オクタノール、糖(蔗糖)、acitates、イソプロピルアルコール、シクロヘキサン、テレビン油、ニーム油、やし油またはアセトニトリル、飽和炭化水素(例えばCH4、C2H6、C3H8)のような揮発性液体の炭素源、を含むが、これに限定されない。そして、C2H4を介してC2H2からC2H6までの飽和炭素結合を備える系、芳香族化合物(o−キシレンC6H4−(CH3)2、1,2,4−トリメチルベンゼンC6H3−(CH3)3)、フラーレン分子は、炭素源として用いられることもできる。にもかかわらず、示された化合物および多くの他の炭素含有分子の全てが、本発明の炭素源として用いられることができる。他の炭素源は可能である。そして、これらの例は、いかなる形であれ本発明の範囲を制限することを意図しない。
組合せで使用する2以上の炭素源は、単一の炭素源と比較して、より高い収率(歩留まり)、改良されたプロセス堅牢性、および結果として生じるカーボンナノ材料の増加した品質の利点を提供する。2以上のソースの組合せも、合成のパラメータおよび条件の選択におけるより多くの柔軟性を可能にする。
実施形態によれば、2以上の炭素源から炭素を放出するために合成反応器において2以上の炭素源を少なくとも部分的に分解するステップは、合成反応器にエネルギーを供給することによっておよび/または分解試薬を導入することによってなされる。
炭素源にエネルギーを伝達するために、またはさもなければ炭素を放出するために、エネルギーは、適切ないかなる形の合成反応器にも供給されることができる。このエネルギー源は、例えば、電気的、導電性の、誘導性の、抵抗性の、高周波、マイクロ波、振動性の、機械的、または音響ソース、レーザー誘導、対流または放射性加熱、燃焼または化学反応、核分裂または融合でありえる。化学反応は、炭素源から炭素を放出するために用いることもできる。
分解試薬は、ここでは、炭素を放出するために2以上の炭素源の1以上の分解を誘発するいかなる化学物質も意味すると理解される。
本発明の一実施形態によれば、方法は、1以上のプロモータを反応器に導入するステップをさらに含む。
プロモータは、ここでは、炭素を含む合成されたナノ材料の1つ以上の特性を制御する際のナノ材料のおよび/または援助の成長速度を改善する、ガス状の、液体の、固体のまたはエアゾールの形のすべての材料をカバーすると理解される。プロモータは、本明細書において、プロモータ材料を合成反応器に提供するプロモータ材料またはプロモータ前駆体に関連してよい。プロモータは、例えば、硫黄、リンまたは窒素元素またはそれらの化合物を含んでよい。プロモータの例は、チオフェン、ジメチル硫化物、水、硫黄、セレニウム、テルル、ガリウム、ゲルマニウム、亜リン酸、鉛、ビスマス、酸素、水素、アンモニア、アルコール、チオール、エーテル、チオエーテル、エステル、チオエステル、アミン、ケトン、チオケトン、アルデヒド、チオアルデヒド、および二酸化炭素を含むが、これに限定されない。他のプロモータは、本発明によって可能である。
プロモータを使用することは、改良された成長速度、化学的性質の変更態様、ナノ材料の形態または構造の変更態様、および/または結果として生じるナノ材料の特性(例えばキラル角度または直径)上の改良されたコントロールを提供することができる。
実施形態によれば、方法は、1つ以上の触媒を反応器に導入するステップをさらに含み、炭素を含むナノ材料は、放出された炭素および1つ以上の触媒から合成される。例えば、触媒性能を高めるために、触媒を活性化するために、触媒を復活させるために、触媒形態をコントロールするために、または触媒材料における炭素の可溶性をコントロールするために、プロモータは作用することができる。
触媒は、ここでは、炭素を含むナノ材料の成長を促進するために用いることができるガス、液体、固体、アクアゾル(aquasol)またはエアゾールの形のすべての材料をカバーすると理解される。触媒は、合成の前またはその間に触媒材料を生産するために処理されることができる触媒前駆体に関連してもよい。
2つ以上のソースからの炭素の放出が本発明による触媒粒子の存在なしで発生することがありうる点に留意する必要がある。しかしながら、放出された炭素に結果としてなる炭素源の分解が概して動力学的に限られたプロセスであるので、触媒粒子は、特に中程度の温度、低いかまたは中程度の圧力および比較的低い滞留時間で、改良された分解速度を提供してよい。用いられる場合、触媒粒子は、プロセスの一部として生じてよく、または既存のソースから到来することができる。
本発明の一実施形態によれば、方法は、精製試薬を導入することによって炭素を含む合成されたナノ材料を精製するステップをさらに含む。
例えば、望ましくないアモルファスカーボンコーティングおよび/またはカーボンナノ材料にカプセル化される触媒粒子を除去するために、精製は、なされることができる。精製試薬の例は、アルコール、ケトン、有機酸および無機酸を含む。精製性エージェントは、超音波処理または分離などのプロセスを含むこともできる。他の試薬は、本発明によって可能である。
本発明の一実施形態によれば、方法は、機能性試薬を導入することによって炭素を含む合成されたナノ材料を機能化するステップをさらに含む。
炭素を含むナノ材料にその特性を変えるために1つ以上の化学基を結合するために、機能性試薬は、用いることができる。本発明によれば、機能性試薬は、ナノ材料の合成の前、中または後に導入されることができる。
一実施形態によれば、炭素源のうちの少なくとも1つは、液体、エアゾールまたはガスとして合成反応器に導入される。
一実施形態によれば、炭素源のうちの少なくとも1つは、炭素元素、互いにおよび/または酸素に付着した1以上の炭素原子SP、SP2またはSP3を含む分子またはポリマー、1以上のヒドロキシル基、窒素、1以上のニトロソ基、1以上のアミン基および/または1以上のスルホン酸基、有機化合物、炭素酸化物、カーバイド、炭酸塩およびシアン化物、の群から選択される。
一実施形態によれば、上記の有機化合物の1つ以上は、炭化水素または炭水化物である。
一実施形態によれば、触媒は、バルク金属または合金、あるいは金属または合金を含む材料である。
炭素源の分解または不均化のプロセスに触媒作用を及ぼすさまざまな金属(例えば遷移金属)が、触媒として用いられることができる。この実施形態による触媒の例は、例えば、鉄、ニッケル、コバルト、プラチナ、パラジウム、クロミウム、銅、モリブデン、銀または金などの金属およびそれらを含む混合物または化合物(例えば、有機金属または有機金属の化合物、メタロセン化合物、金属含有タンパク質、カルボニル化合物キレート化合物、および金属塩、cyonides、acitates、カーバイド、ニトリド、塩化物、臭化物、硫酸塩、カルボニルおよび酸化物)を含むが、これに限定されない。例は、フェロセン、五カルボニル鉄、nickelecene、コバルトセン、テトラカルボニル・ニッケル、有機マグネシウム化合物(例えばヨウ化(メチル)マグネシウムMeMgI)、ジエチルマグネシウム(Et2Mg)、グリニャール試薬、メチルコバラミン・ヘモグロビン、ミオグロビン、シトクロム、有機リチウム化合物(例えばn−ブチルリチウム(n−BuLi))、有機亜鉛化合物(例えばジエチル亜鉛(Et2Zn))およびクロル(エトキシカルボニルメチル)亜鉛(ClZnCH2C(=O)OEt)、および有機銅化合物(例えばリチウムジメチルクプラート(Li+[CuMe2]−))、金属β−ジケトン酸塩、アルコキシド、およびジアルキルアミド、アセチルアセトネート、金属アルコキシド、ランタニド、アクチニド、および半金属、トリエチルボラン(Et3B)、を含むが、これに限定されない。それが熟練した人に明らかであるように、その他の材料が本発明による触媒として用いられることができる。そして、前の例は、いかなる形であれ本発明の範囲を制限することを意図しない。
一実施形態によれば、エネルギーは、加熱によって合成反応器に供給される。
一実施形態によれば、第1の炭素源および第2の炭素源を含む2つの炭素源の組合せが合成反応器に導入される。
一実施形態によれば、合成反応器における第2の炭素源に対する第1の炭素源のモル比は、1:1000000と1000000:1との間にある。
一実施形態によれば、3つの炭素源の組合せが合成反応器に導入される。
3つ以上の炭素源の使用は、特定の状況、特に、合成プロセスの歩留まり、生産速度または堅牢性を増加させるように合成反応器の受け入れ可能な作動範囲まで広げるために、有利である。
一実施形態によれば、炭素源のうちの少なくとも1つは、一酸化炭素(CO)である。理論に束縛されないために、例えば、触媒表面だけで分解して、したがって望ましくない副産物(例えばアモルファスカーボン)の生産を最小化するその傾向に起因して、一酸化炭素は、有利である。
一実施形態によれば、炭素源のうちの少なくとも1つは、エチレン、スチレンまたはトルエンである。理論に束縛されないために、例えば、合成プロセスの温度を操作するウインドウを広げるためにそれらの異なる(通常はより高い)分解温度およびしたがってそれらの能力に起因して、これらの化合物は、COと結合して有利である。
一実施形態によれば、炭素を含むナノ材料は、炭素、グラフェンまたはフラーレンを含む高アスペクト比分子(HARM)材料、あるいは炭素を含むナノ材料の組合せまたは混成物である。
一実施形態によれば、上記のHARM材料は、カーボンナノチューブ(CNT)、カーボンナノバッド(CNB)、カーボンナノワイヤ、カーボンナノリボン、グラフィネートされた(graphinated)カーボンナノチューブ、カーボンナノホーン、カーボンファイバ、カーボンピーポッド、カーボン窒素ナノチューブまたはカーボンホウ素ナノチューブ、またはそれらの組合せまたは混成物である。
本発明による方法によって合成される炭素を含むナノ材料は、例えば、透明な伝導、トランジスタ、ディスプレイ、太陽電池、スピーカ、バッテリ、スーパーキャパシタ、電磁シールド、静電的消散、例えば温度または化学化合物のセンサ、ヒートパイプまたはヒートシンク、ガスまたは粒子フィルタ、およびマイクロ流体デバイスにおいて、効率的に使われることができる。
炭素を含むナノ材料は、0.1〜100ナノメートルの最小限の特徴的長さを有することができる。例えば、ナノチューブ、ナノバッドまたはナノロッドの場合、特徴的長さは、直径である。
本発明の第2の態様によれば、装置が開示される。装置は、上記の実施形態のいずれかによる方法の実施のための手段を備える。
本発明についての例示の実施形態のより完全な理解のために、参照はここで、添付図面に関連してとられる以下の説明になされる。
本発明の主要な原理の説明は、後述する実施例に基づいてなされる。これらの実施例は、例示目的だけのためにあり、いかなる形であれ本発明の範囲を制限することを意図しない。
本発明の例示的実施形態による方法は、図1に示される。方法は、合成反応器101において実施される。2以上の炭素源は、合成反応器に最初に導入される。図1には、2つの炭素源(すなわち、炭素源1および炭素源2)がある。しかしながら、本発明は、2つの炭素源に限られていなくて、3つ、4つ、5つ以上含んでよい。炭素源が合成反応器において類似のまたは異なる挙動を有してよいことは、好ましくてもよい。たとえ反応器条件が時間でまたは空間で変化する場合であっても、ナノ材料の合成が中断せずに、あるいは最適または最適に近い状態で進行することができるように、したがって生産プロセスの堅牢さを改良するように、例えば、2以上の炭素源が異なる分解温度または化学分解力を有することは、好ましくてもよい。炭素源は、炭素を含むナノ材料の形成のために放出されることができる炭素を含む材料である。例えば、炭素源は、炭素または、一酸化炭素、アルコール、炭化水素および炭水化物を含むがこれに限定されない炭素含有化合物でありえる。炭素源の実施例は、エチレン、スチレン、トルエン、および一酸化炭素である。2つの炭素源の場合には、第2の炭素源に対する第1の炭素源のモル比は、1:1000000と1000000:1との間を変化してよい。
炭素源1および2のうちの少なくとも1つは、入口102を介して合成反応器101に導入されてよい。入口102は、パイプ、ノズルまたは他のいかなる適切な構造でもよい。炭素源は、炭素または、一酸化炭素、アルコール、炭化水素および炭水化物を含むがこれに限定されない炭素含有化合物でありえる。炭素源は、液体、エアゾール、ガス、アクアゾル(aquasol)または固体物質として導入されうる。
この方法によれば、炭素源分解によって炭素源から炭素を放出する手段が設けられる。図1に示す実施形態によれば、合成反応器101は、エネルギー源103(例えばヒーター)を含んでもよい。本発明によれば、他のエネルギー源が利用できる。例えば(しかし限定されない)、電気的、導電性の、誘導性の、抵抗性の、高周波、電磁放射、レーザー、マイクロ波、振動性の、機械的、または音響源。図に示すように、エネルギー源103は、合成反応器101の内側に位置することができる。あるいは、それは、合成反応器101の一部でもよく、またはその外側に位置してもよい。炭素源と反応して炭素を放出するために、あるいは、炭素がより容易にまたはより制御可能に放出されることができる形に炭素源を変換するために、反応物質が反応器に導入されることもできる。
次に、エネルギーは、反応器101に供給されてよい。エネルギーは、上記のリストされたソースのいずれかから、またはエネルギー源103からの他の手段によって供給されることができる。エネルギーが供給されて、炭素源に伝達されるときに、ステップ104によって示されるように、炭素は炭素源から放出される。ステップ104において炭素は、両方のソースから同時に、または一度に1つから(すなわち順番に)放出されてよい。2つ以上のソースの組合せは、炭素が合成反応器101へと放出されることができる条件の範囲を増加させる。
炭素源の分解104に炭素を放出させる化学試薬は、エネルギー源103によって作成されるエネルギーに加えてまたはその代わりに、反応器101内に提供されることができる。
(破線の矢印で示すように)任意のステップ105において、プロモータおよび/または触媒が合成反応器101に導入されてよい。プロモータおよび/または触媒は、このステップ中またはこのステップ後に、反応器101にエネルギーを供給する前に導入されてよい。プロモータおよび/または触媒は、予め作られたプロモータおよび/または触媒粒子として、または、合成反応器101においてプロモータおよび/または触媒粒子に変換されることができるプロモータおよび/または触媒前駆体粒子として、導入されてよい。
触媒粒子を形成するために触媒材料を分解して放出するかまたは合成するために、触媒は、加熱されることができる。あるいは、触媒前駆体は、触媒材料を合成して触媒粒子を形成するために触媒前駆体と反応するように試薬と接触していることができる。触媒粒子前駆体粒子を条件づける他の手段は、本発明によって可能である。さらなる制御特性を有する炭素を含むナノ材料の生産のために、触媒粒子は、例えば、可動性またはサイズにしたがって、そして、例えば、微分型電気移動度測定装置(DMA)または質量分析計によって、分類されることができる。分類のための他の方法および基準は、本発明によって可能である。そして、前の例は、いかなる形であれ本発明の範囲を制限することを意図しない。
プロモータは、作成されるまたは作成されるべきナノ材料の1つ以上の特性を制御する際のナノ材料または援助の成長速度を進める、加速する、またはさもなければ増加するまたは改良する、ガス状の、液体の、固体のまたは他のいかなる形のすべての材料もカバーする。好ましいプロモータは、硫黄、リンまたは窒素元素またはそれらの化合物である。誤解を避けるため、CO2は、本発明によるプロモータとして作用する。そして、それは炭素を含むけれども、本発明による炭素源のように合成に寄与する炭素を放出しないので、それは炭素源ではない。プロモータは、その分解速度を変えるために炭素源との反応のための試薬として作用することができる。そして、例えば水素がこの種のプロモータとして用いられることができる。周知の他のプロモータ化合物が本発明によって用いられることができる。そして、これらの例は、いかなる形であれ本発明の範囲を制限することを意図しない。
図1に示される次のステップとして、炭素を含むナノ材料は、放出された炭素から合成される。合成は、例えば基体上に、気相、液相または固相において起こってよい。触媒および/またはプロモータが導入される場合、炭素を含むナノ材料は、放出された炭素ならびに触媒および/またはプロモータとの相互作用から合成されることができる。
本発明による方法によって合成される炭素を含むナノ材料は、高アスペクト比分子構造(HARMs)、グラフェンまたはフラーレンでもよい。HARMsの場合には、ナノ材料は、カーボンナノチューブ(CNT)、カーボンナノバッド(CNB)、カーボンナノワイヤ、カーボンナノリボン、グラフィネートされた(graphinated)カーボンナノチューブ、カーボンナノホーン、カーボンファイバ、カーボンピーポッド、カーボン窒素ナノチューブまたはカーボンホウ素ナノチューブでもよい。
任意のステップ106において、合成されたナノ材料は、精製性および/または機能性試薬を導入することによって、精製されてよくおよび/または機能化されてよい。例えば、望ましくないアモルファスカーボンまたは、カーボンナノ材料にカプセル化される他の反応副産物、コーティングおよび/または触媒粒子を除去するために、精製(purification)は、なされることができる。精製試薬として、反応器において元の位置で形成されるいかなる化合物またはそれらの誘導体または分解物(合成されたカーボンナノ材料(例えばCNTsの場合における黒鉛化カーボン)によってよりもむしろアモルファスカーボンまたは他の合成副産物によって好ましくは反応する)も、用いられることができる。この種の試薬の例は、アルコール、ケトン、有機酸および無機酸を含む。他の試薬は、本発明によって可能である。他の試薬は、本発明によって可能であり、そしてこれらの例は、いかなる形であれ本発明の範囲を制限することを意図しない。
炭素を含むナノ材料にその特性を変えるために1つ以上の化学基を結合するために、機能性試薬は、用いることができる。ナノ材料の機能付与は、可溶性および電子構造(例えば、ゼロギャップ半導体を介して広いバンドギャップから金属的特性を有するCNTsまで変化する)などのこの種の特性を変化させてよい。例えば、リチウム、ナトリウムまたはカリウム元素によるCNTsのドーピングなどの機能付与は、CNTsの導電率の変化、すなわち、超電導特性を有するCNTsを得ることにつながる。本発明によれば、機能性試薬は、ナノ材料の合成の前、中または後に導入されることができる。
望ましくない副産物、前駆体または触媒(例えば、カーボンナノ材料内にカプセル化されるかまたはその周辺に分散するアモルファスカーボンコーティング、中間反応生成物および/または触媒粒子)を除去するために、精製プロセスは、通常用いられる。この手順は、ナノ材料生産自体のために必要であるよりもしばしば、重要な時間およびエネルギーをとる場合がある。本発明では、1つ以上の分離された被加熱ナノ材料反応器/反応器部を有することができる。ここで、1つの反応器または反応器部は、カーボンナノ材料を生産するために用いられ、そしてその他は、例えば、精製または機能付与(例えばドーピング)のために用いられる。成長および機能付与ステップを結合することもできる。カーボンナノ材料の表面上に堆積されるアモルファスカーボンは、例えば、熱処理および/または例えば反応性ラジカル(例えばOH)を形成する特別な化合物の添加によって、1つ以上の次の反応器/反応器部において取り除かれることができる。そしてその特別な化合物は、カーボンナノ材料によってよりもむしろ望ましくない産物によって反応する。触媒粒子が蒸発するかまたは反応する条件を作り出すことによって、1つ以上の次の反応器/反応器部は、カーボンナノ材料から例えば触媒粒子の除去のために使われることができる。他の処理ステップは、本発明によって可能である。
合成が例えばエアゾール・プロセスとして行われる場合、結果として生じる未精製ナノ材料製品の全てまたはサンプルをとられた部分は、公知技術の手段によって気相から直接集められることができて、および/または装置にさらに取り入れられることができる機能的な製品材料に組み込まれることができる。
特に明記しない限り、以下の実施例では、抵抗加熱される管状炉がカーボンナノ材料合成のために使われた。フェロセンが鉄触媒粒子のための前駆体物質として使われた。一酸化炭素が炭素源1として用いられた。そして、結果として生じるエアゾール製品は、ニトロセルロースフィルタ上に集められて、伝送および導電率試験のための透明なポリマー(PET)基体に転送された。炭素を含む合成されたナノ材料は、カーボンナノチューブ(CNTs)である。下記の実施例は、図2にまとめられる。
実施例0:
単一の炭素源ベースの場合。この実施例は、比較目的だけのために提供される。
単一の炭素源(モル分率):CO(0.978)
触媒前駆体(モル分率):フェロセン(9.65e−6)
プロモータ(モル分率):CO2(0.02214)
反応器ピーク設定温度:840℃
90%伝送でのシート抵抗:155オーム/平方
単一の炭素源ベースの場合。この実施例は、比較目的だけのために提供される。
単一の炭素源(モル分率):CO(0.978)
触媒前駆体(モル分率):フェロセン(9.65e−6)
プロモータ(モル分率):CO2(0.02214)
反応器ピーク設定温度:840℃
90%伝送でのシート抵抗:155オーム/平方
実施例1:
炭素源1(モル分率):CO(0.986)
炭素源2(モル分率):トルエン(1.03e−6)
追加キャリア(モル分率):N2(2.76e−5)
触媒前駆体(モル分率):フェロセン(3.5e−6)
プロモータ(モル分率):CO2(0.01381)
反応器ピーク設定温度:840℃
90%伝送でのシート抵抗:132オーム/平方
炭素源1(モル分率):CO(0.986)
炭素源2(モル分率):トルエン(1.03e−6)
追加キャリア(モル分率):N2(2.76e−5)
触媒前駆体(モル分率):フェロセン(3.5e−6)
プロモータ(モル分率):CO2(0.01381)
反応器ピーク設定温度:840℃
90%伝送でのシート抵抗:132オーム/平方
実施例2:
炭素源1(モル分率):CO(0.984)
炭素源2(モル分率):トルエン(5.85e−6)
追加キャリア(モル分率):N2(1.58e−4)
触媒前駆体(モル分率):フェロセン(3.5e−6)
プロモータ(モル分率):CO2(0.01381)
反応器ピーク設定温度:840℃
90%伝送でのシート抵抗:148オーム/平方
炭素源1(モル分率):CO(0.984)
炭素源2(モル分率):トルエン(5.85e−6)
追加キャリア(モル分率):N2(1.58e−4)
触媒前駆体(モル分率):フェロセン(3.5e−6)
プロモータ(モル分率):CO2(0.01381)
反応器ピーク設定温度:840℃
90%伝送でのシート抵抗:148オーム/平方
実施例3:
炭素源1(モル分率):CO(0.980)
炭素源2(モル分率):スチレン(0.000503)
追加キャリア(モル分率):N2(0.00051)
触媒前駆体(モル分率):フェロセン(4.6e−6)
プロモータ(モル分率):CO2(0.01882)
反応器ピーク設定温度:840℃
90%伝送でのシート抵抗:121オーム/平方
炭素源1(モル分率):CO(0.980)
炭素源2(モル分率):スチレン(0.000503)
追加キャリア(モル分率):N2(0.00051)
触媒前駆体(モル分率):フェロセン(4.6e−6)
プロモータ(モル分率):CO2(0.01882)
反応器ピーク設定温度:840℃
90%伝送でのシート抵抗:121オーム/平方
実施例4:
炭素源1(モル分率):CO(0.983)
炭素源2(モル分率):エチレン(0.000157)
追加キャリア(モル分率):なし
触媒前駆体(モル分率):フェロセン(3.5e−6)
プロモータ(モル分率):CO2(0.01652)
反応器ピーク設定温度:840℃
90%伝送でのシート抵抗:114オーム/平方
炭素源1(モル分率):CO(0.983)
炭素源2(モル分率):エチレン(0.000157)
追加キャリア(モル分率):なし
触媒前駆体(モル分率):フェロセン(3.5e−6)
プロモータ(モル分率):CO2(0.01652)
反応器ピーク設定温度:840℃
90%伝送でのシート抵抗:114オーム/平方
実施例5:
炭素源1(モル分率):CO(0.662)
炭素源2(モル分率):エチレン(0.000208)
追加キャリア(モル分率):N2(0.00051)
触媒前駆体(モル分率):フェロセン(8.2e−7)
プロモータ1(モル分率):CO2(0.00621)
プロモータ2(モル分率):H2(0.33115)
プロモータ3(モル分率):チオフェン(6.7e−7)
反応器ピーク設定温度:860℃
90%伝送でのシート抵抗:83オーム/平方
炭素源1(モル分率):CO(0.662)
炭素源2(モル分率):エチレン(0.000208)
追加キャリア(モル分率):N2(0.00051)
触媒前駆体(モル分率):フェロセン(8.2e−7)
プロモータ1(モル分率):CO2(0.00621)
プロモータ2(モル分率):H2(0.33115)
プロモータ3(モル分率):チオフェン(6.7e−7)
反応器ピーク設定温度:860℃
90%伝送でのシート抵抗:83オーム/平方
実施例6:
炭素源1(モル分率):CO(0.662)
炭素源2(モル分率):エチレン(0.000167)
追加キャリア(モル分率):N2(0.00051)
触媒前駆体(モル分率):フェロセン(8.2e−7)
プロモータ1(モル分率):CO2(0.00621)
プロモータ2(モル分率):H2(0.33115)
プロモータ3(モル分率):チオフェン(6.7e−7)
反応器ピーク設定温度:860℃
90%伝送でのシート抵抗:97オーム/平方
炭素源1(モル分率):CO(0.662)
炭素源2(モル分率):エチレン(0.000167)
追加キャリア(モル分率):N2(0.00051)
触媒前駆体(モル分率):フェロセン(8.2e−7)
プロモータ1(モル分率):CO2(0.00621)
プロモータ2(モル分率):H2(0.33115)
プロモータ3(モル分率):チオフェン(6.7e−7)
反応器ピーク設定温度:860℃
90%伝送でのシート抵抗:97オーム/平方
実施例7:
炭素源1(モル分率):CO(0.662)
炭素源2(モル分率):エチレン(0.000125)
追加キャリア(モル分率):N2(0.00051)
触媒前駆体(モル分率):フェロセン(8.2e−7)
プロモータ1(モル分率):CO2(0.00621)
プロモータ2(モル分率):H2(0.33115)
プロモータ3(モル分率):チオフェン(6.7e−7)
反応器ピーク設定温度:860℃
90%伝送でのシート抵抗:131オーム/平方
炭素源1(モル分率):CO(0.662)
炭素源2(モル分率):エチレン(0.000125)
追加キャリア(モル分率):N2(0.00051)
触媒前駆体(モル分率):フェロセン(8.2e−7)
プロモータ1(モル分率):CO2(0.00621)
プロモータ2(モル分率):H2(0.33115)
プロモータ3(モル分率):チオフェン(6.7e−7)
反応器ピーク設定温度:860℃
90%伝送でのシート抵抗:131オーム/平方
図2に見ることができるように、複数の炭素源は、所与の透明度でシート抵抗を減少させる(すなわち導電率を上昇させる)ことがわかる。上記の実施例において、550ナノメートル波長の光の90%伝送は、所与の透明度であった。このように、導電性薄膜の品質は、改善される。電気的レートは、所与の時間を通じてできるまたは所与の材料入力によってできる導電率として定義される。増加した導電率はまた、電気的レートを上昇させることによって、導電性薄膜の収率および品質を増加させる。
上記の実施例において使用するピーク温度(すなわち860℃)は、方法のための制限となるまたは好適な温度範囲として理解されるべきでない。例えば、使用する炭素源の分解温度に応じて、860℃よりも高い温度または700〜1300℃間の他の温度は、合成速度、収率および/または材料品質をさらに改善することができる。
同様に、炭素源、試薬、触媒およびプロモータ・モル分率のより広い範囲が使用されうる。上記の実施例は、方法のための制限となるまたは好適なモル分率範囲として解釈されるべきでない。条件のより広い範囲(例えば1:1と1000000:1との間の炭素源のモル分率)は、例えば、合成速度、収率および/または材料品質をさらに改善することができる。
それが熟練した人に明らかであるように、本発明は、上記の実施例に制限されない。しかし、実施形態は、請求項の範囲内で自由に変化することができる。
Claims (21)
- 炭素を含むナノ材料を生産するための方法であって、2以上の炭素源の組合せを合成反応器に導入するステップ、前記2以上の炭素源から炭素を放出するために前記合成反応器において前記2以上の炭素源を少なくとも部分的に分解するステップ、および、前記合成反応器において放出された炭素から炭素を含むナノ材料を合成するステップ、を含む、方法。
- 前記2以上の炭素源から炭素を放出するために前記合成反応器において前記2以上の炭素源を少なくとも部分的に分解するステップは、前記合成反応器にエネルギーを供給することによっておよび/または分解試薬を導入することによってなされる、請求項1に記載の方法。
- 1以上のプロモータを前記合成反応器に導入するステップをさらに含む、請求項1〜2のいずれか1項に記載の方法。
- 1以上の触媒を前記合成反応器に導入するステップをさらに含み、炭素を含む前記ナノ材料を合成するステップは、前記放出された炭素および前記1以上の触媒から炭素を含む前記ナノ材料を合成するステップを含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
- 精製試薬を導入することによって炭素を含む前記合成されたナノ材料を精製するステップをさらに含む、請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
- 機能性試薬を導入することによって炭素を含む前記合成されたナノ材料を機能化するステップをさらに含む、請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法。
- 前記炭素源のうちの少なくとも1つは、液体、エアゾールまたはガスとして前記合成反応器に導入される、請求項1〜6のいずれか1項に記載の方法。
- 前記炭素源のうちの少なくとも1つは、炭素元素、互いにおよび/または酸素に付着した1以上の炭素原子SP、SP2またはSP3を含む分子またはポリマー、1以上のヒドロキシル基、窒素、1以上のニトロソ基、1以上のアミン基および/または1以上のスルホン酸基、有機化合物、炭素酸化物、カーバイド、炭酸塩およびシアン化物、の群から選択される、請求項1〜7のいずれか1項に記載の方法。
- 前記有機化合物の1つ以上は、炭化水素または炭水化物である、請求項8に記載の方法。
- 前記触媒は、バルク金属または合金、あるいは金属または合金を含む材料である、請求項4に記載の方法。
- 前記合成反応器にエネルギーを供給するステップは、加熱によって実行される、請求項1〜10のいずれか1項に記載の方法。
- 第1の炭素源および第2の炭素源を含む2つの炭素源の組合せが前記合成反応器に導入される、請求項1〜11のいずれか1項に記載の方法。
- 前記合成反応器における前記第2の炭素源に対する前記第1の炭素源のモル比は、1:10000000と10000000:1との間にある、請求項12に記載の方法。
- 3つの炭素源の組合せが前記合成反応器に導入される、請求項1〜13のいずれか1項に記載の方法。
- 前記炭素源のうちの少なくとも1つは、一酸化炭素(CO)である、請求項1〜14のいずれか1項に記載の方法。
- 前記炭素源のうちの少なくとも1つは、エチレンまたはトルエンである、請求項1〜15のいずれか1項に記載の方法。
- 炭素を含む前記ナノ材料は、炭素、グラフェンまたはフラーレンを含む高アスペクト比分子(HARM)材料である、請求項1〜16のいずれか1項に記載の方法。
- 炭素を含む前記高アスペクト比分子(HARM)材料は、カーボンナノチューブ(CNT)、カーボンナノバッド(CNB)、カーボンナノワイヤ、カーボンナノリボン、グラフィネートされた(graphinated)カーボンナノチューブ、カーボンナノホーン、カーボンファイバ、カーボンピーポッド、カーボン窒素ナノチューブまたはカーボンホウ素ナノチューブである、請求項17に記載の方法。
- 前記合成反応器に基体を導入するステップをさらに含み、前記放出された炭素から炭素を含む前記ナノ材料を合成するステップは、前記基体上の前記放出された炭素から炭素を含む前記ナノ材料を合成するステップを含む、請求項1〜18のいずれか1項に記載の方法。
- トランジスタ、可撓性電子デバイス、タッチスクリーン、センサ、光子デバイス、太陽電池用の電極、照明デバイス、検出デバイスまたは表示デバイスの製作における請求項1〜19のいずれか1項に記載の方法の使用。
- 炭素を含むナノ材料を生産するための装置であって、請求項1〜19のいずれか1項に記載の方法の実施のための手段を含む装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109554683A (zh) * | 2018-12-14 | 2019-04-02 | 哈尔滨工业大学 | 一种不锈钢表面碳纳米带防腐层的制备方法 |
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