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JP2017220033A - Transparent planar device and method for producing transparent planar device - Google Patents

Transparent planar device and method for producing transparent planar device Download PDF

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JP2017220033A
JP2017220033A JP2016113934A JP2016113934A JP2017220033A JP 2017220033 A JP2017220033 A JP 2017220033A JP 2016113934 A JP2016113934 A JP 2016113934A JP 2016113934 A JP2016113934 A JP 2016113934A JP 2017220033 A JP2017220033 A JP 2017220033A
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JP
Japan
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transparent
functional film
pattern
film
conductive
Prior art date
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Pending
Application number
JP2016113934A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
大屋 秀信
Hidenobu Oya
秀信 大屋
正好 山内
Masayoshi Yamauchi
正好 山内
小俣 猛憲
Takenori Omata
猛憲 小俣
直人 新妻
Naoto NIIZUMA
直人 新妻
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
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Application filed by Konica Minolta Inc filed Critical Konica Minolta Inc
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a transparent planer device in which an upper part of a transparent conductive film formed on the surface of a transparent base material is covered with a curable resin layer that can be stably operated under various environments such as outdoor for a long period of time, and to provide a method for producing a transparent planer device.SOLUTION: A transparent planer device has a transparent base material 1 of which a rear face 1b faces a display device, a transparent conductive film 11 that contains a conductive pattern 12, is formed on a surface 1a of the transparent base material 1 and constitutes a contact input surface, and at least two or more curable resin layers 14 formed on at least a part of the conductive pattern 12, where a total thickness of the curable resin layer 14 is 15 μm or more and less than 300 μm, and at least one layer of the curable resin layer 14 is an electromagnetic wave shield functional film or a migration prevention functional film.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、透明面状デバイス及び透明面状デバイスの製造方法に関し、詳しくは、透明基材の表面に形成された透明導電膜上を硬化樹脂層によってカバーした透明面状デバイスであって、屋外等の様々な環境下で安定に長期間稼働できる透明面状デバイス及び透明面状デバイスの製造方法に関する。   The present invention relates to a transparent planar device and a method for producing the transparent planar device, and more specifically, a transparent planar device in which a transparent conductive film formed on the surface of a transparent substrate is covered with a cured resin layer, and is outdoors. The present invention relates to a transparent planar device that can be stably operated for a long time under various environments such as the above and a method for manufacturing the transparent planar device.

特許文献1には、透明基材の表面に形成された透明導電膜上を種々の機能膜によってカバーした透明面状デバイス(タッチパネルフィルム及びタッチパネル)が記載されている。また、特許文献2には、基材フィルム上に透明電極と機能膜とを順次積層して構成した透明面状デバイス(タッチパネル用フィルム)が記載されている。   Patent Document 1 describes a transparent planar device (touch panel film and touch panel) in which a transparent conductive film formed on the surface of a transparent substrate is covered with various functional films. Patent Document 2 describes a transparent planar device (touch panel film) configured by sequentially laminating a transparent electrode and a functional film on a base film.

種々の機能膜とは、機械強度耐性や光学的機能等の機能を有する膜であって、ハードコート機能膜、反射防止機能膜、帯電防止機能膜、耐指紋付着機能膜、アンチグレア機能膜、アンチブロッキング機能膜などである。   Various functional films are films having functions such as mechanical strength resistance and optical functions, such as a hard coat functional film, an antireflection functional film, an antistatic functional film, an anti-fingerprint functional film, an antiglare functional film, an anti-glare functional film, and an anti-glare functional film. For example, a blocking functional film.

特開2015−69622号公報Japanese Patent Laying-Open No. 2015-69622 特開2015−64855号公報Japanese Patent Laying-Open No. 2015-64855

ところで、前述のような透明面状デバイスの機能膜は、従来はガラスにより形成されていたが、特に案内板やサイネージ等に用いる大型の透明面状デバイスにおいては、軽量化、破損防止や、コストダウンの観点から、合成樹脂材料により形成することが提案されている。   By the way, the functional film of the transparent planar device as described above has been conventionally formed of glass. However, particularly in a large transparent planar device used for a guide plate, a signage, etc., weight reduction, damage prevention, and cost From the viewpoint of down, it is proposed to form with a synthetic resin material.

このような機能膜としては、種々の機能を有するものが求められている。例えば、屋外等の様々な環境下でも安定して長期間稼働できる透明面状デバイスを実現するには、ノイズ耐性を向上させ、また、マイグレーションを防止し、透明導電膜の基材からの剥がれを防止できる機能膜が必要である。   As such a functional film, what has various functions is calculated | required. For example, to realize a transparent planar device that can operate stably for a long period of time even in various environments such as outdoors, noise resistance is improved, migration is prevented, and the transparent conductive film is peeled off from the substrate. A functional film that can be prevented is required.

そこで本発明の課題は、透明基材の表面に形成された透明導電膜上を硬化樹脂層によってカバーした透明面状デバイスであって、屋外等の様々な環境下で安定に長期間稼働できる透明面状デバイス及び透明面状デバイスの製造方法を提供することにある。   Therefore, an object of the present invention is a transparent planar device in which a transparent conductive film formed on the surface of a transparent substrate is covered with a cured resin layer, and can be stably operated for a long time in various environments such as outdoors. It is providing the manufacturing method of a planar device and a transparent planar device.

また本発明の他の課題は、以下の記載によって明らかとなる。   Other problems of the present invention will become apparent from the following description.

上記課題は、以下の各発明によって解決される。   The above problems are solved by the following inventions.

〔請求項1〕
裏面が表示デバイスに対向される透明基材と、
導電性パターンを含んで前記透明基材の表面に形成され、接触入力面を構成する透明導電膜と、
前記透明導電膜よりも前記透明基材の外縁側に位置し、該透明導電膜の導電性パターンに電気的に接続されている引出配線パターンと、
前記導電性パターン及び前記引出配線パターンの少なくとも一部の上に形成された少なくとも1層以上の硬化樹脂層とを備え、
前記硬化樹脂層のうちの少なくとも1層は、電磁波シールド機能膜、マイグレーション防止機能膜又は密着性向上機能膜であることを特徴とする透明面状デバイス。
〔請求項2〕
前記硬化樹脂層の総厚は、41μm以上300μm未満であることを特徴とする請求項1記載の透明面状デバイス。
〔請求項3〕
前記硬化樹脂層のうちの少なくとも1層は、ハードコート機能膜、紫外線吸収機能膜、平滑化機能膜、反射防止機能膜又は耐指紋機能膜であることを特徴とする請求項1又は2記載の透明面状デバイス。
〔請求項4〕
前記硬化性樹脂層は、前記導電性パターン及び前記引出配線パターンの少なくとも一部の上に形成された少なくとも2層以上の第1層群と、この第1層群上に形成された少なくとも2層以上の第2層群とからなり、
前記第1層群のうちの少なくとも1層は、平滑化機能膜又は密着性向上機能膜であり、
前記第2層群のうちの少なくとも1層は、ハードコート機能膜、反射防止機能膜、耐指紋機能膜又は紫外線吸収機能膜であることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の透明面状デバイス。
〔請求項5〕
前記導電性パターン及び前記引出配線パターンは、金属材料からなることを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載の透明面状デバイス。
〔請求項6〕
前記導電性パターン及び前記引出配線パターンは、2種以上の金属材料からなることを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載の透明面状デバイス。
〔請求項7〕
前記導電性パターン及び前記引出配線パターンの最外層は、酸化防止機能を有することを特徴とする請求項6記載の透明面状デバイス。
〔請求項8〕
前記電磁波シールド機能膜は、電磁波シールドを行う金属材料からなる細線パターンを有して構成されていることを特徴とする請求項1〜7の何れかに記載の透明面状デバイス。
〔請求項9〕
導電性パターンを含んで前記透明基材の裏面に形成された裏面透明導電膜と、
前記裏面透明導電膜よりも前記透明基材の外縁側に位置し、該裏面透明導電膜の導電性パターンに電気的に接続されている裏面引出配線パターンと、
前記裏面導電性パターン及び前記裏面引出配線パターンの少なくとも一部の上に形成された少なくとも1層以上の裏面硬化樹脂層とを備え、
前記裏面硬化樹脂層の膜厚は、前記透明基材の表面側に形成された硬化樹脂層の総厚の0.5倍以上2倍未満であることを特徴とする請求項1〜8の何れかに記載の透明面状デバイス。
〔請求項10〕
前記裏面硬化樹脂層の総厚は、前記透明基材の表面側の前記硬化性樹脂層の総厚の50%以上200%未満であることを特徴とする請求項9記載の透明面状デバイス。
〔請求項11〕
前記裏面硬化樹脂層は、紫外線吸収機能膜を含むことを特徴とする請求項9又は10記載の透明面状デバイス。
〔請求項12〕
前記裏面硬化樹脂層は、電磁波シールド機能膜を含むことを特徴とする請求項9又は10記載の透明面状デバイス。
〔請求項13〕
前記裏面導電性パターン及び前記裏面引出配線パターンは、金属材料からなることを特徴とする請求項9〜12の何れかに記載の透明面状デバイス。
〔請求項14〕
前記裏面導電性パターン及び前記裏面引出配線パターンは、2種以上の金属材料からなることを特徴とする請求項9〜12の何れかに記載の透明面状デバイス。
〔請求項15〕
前記裏面導電性パターン及び前記裏面引出配線パターンの最外層は、酸化防止機能を有することを特徴とする請求項14記載の透明面状デバイス。
〔請求項16〕
前記電磁波シールド機能膜は、電磁波シールドを行う金属材料からなる細線パターンを有して構成されていることを特徴とする請求項12〜15の何れかに記載の透明面状デバイス。
〔請求項17〕
前記透明基材上に導電性材料を含む少なくとも1本のライン状液体を付与し、このライン状液体にコーヒーステイン現象を生起させて乾燥させて細線化し、1本のライン状液体あたり一対の細線パターンを形成し、細線パターンに対して電解メッキを施して前記導電性パターンを形成し、請求項1〜8の何れかに記載の透明面状デバイスを製造することを特徴とする透明面状デバイスの製造方法。
〔請求項18〕
前記透明基材上に導電性材料を含む少なくとも1本のライン状液体を付与し、このライン状液体にコーヒーステイン現象を生起させて乾燥させて細線化し、1本のライン状液体あたり一対の細線パターンを形成し、細線パターンに対して電解メッキを施して前記裏面導電性パターンを形成し、請求項9〜16の何れかに記載の透明面状デバイスを製造することを特徴とする透明面状デバイスの製造方法。
[Claim 1]
A transparent substrate with the back surface facing the display device;
A transparent conductive film comprising a conductive pattern and formed on the surface of the transparent base material to constitute a contact input surface;
A lead-out wiring pattern located on the outer edge side of the transparent substrate than the transparent conductive film and electrically connected to the conductive pattern of the transparent conductive film,
And at least one cured resin layer formed on at least a part of the conductive pattern and the lead-out wiring pattern,
At least one of the cured resin layers is an electromagnetic wave shielding functional film, a migration preventing functional film, or an adhesion improving functional film.
[Claim 2]
The transparent planar device according to claim 1, wherein the total thickness of the cured resin layer is 41 μm or more and less than 300 μm.
[Claim 3]
3. At least one of the cured resin layers is a hard coat functional film, an ultraviolet absorption functional film, a smoothing functional film, an antireflection functional film, or an anti-fingerprint functional film. Transparent planar device.
[Claim 4]
The curable resin layer includes at least two layers formed on at least a part of the conductive pattern and the lead-out wiring pattern, and at least two layers formed on the first layer group. It consists of the above second layer group,
At least one layer of the first layer group is a smoothing functional film or an adhesion improving functional film,
The at least one layer in the second layer group is a hard coat functional film, an antireflection functional film, an anti-fingerprint functional film, or an ultraviolet absorption functional film. Transparent planar device.
[Claim 5]
The transparent planar device according to claim 1, wherein the conductive pattern and the lead-out wiring pattern are made of a metal material.
[Claim 6]
6. The transparent planar device according to claim 1, wherein the conductive pattern and the lead wiring pattern are made of two or more kinds of metal materials.
[Claim 7]
The transparent planar device according to claim 6, wherein an outermost layer of the conductive pattern and the lead-out wiring pattern has an antioxidant function.
[Claim 8]
The transparent planar device according to claim 1, wherein the electromagnetic wave shielding functional film has a fine line pattern made of a metal material that performs electromagnetic wave shielding.
[Claim 9]
A back transparent conductive film formed on the back surface of the transparent substrate including a conductive pattern;
Located on the outer edge side of the transparent base material than the back transparent conductive film, and is electrically connected to the conductive pattern of the back transparent conductive film;
Comprising at least one or more back side cured resin layers formed on at least a part of the back side conductive pattern and the back side lead wiring pattern;
The film thickness of the said back surface cured resin layer is 0.5 times or more and less than 2 times the total thickness of the cured resin layer formed in the surface side of the said transparent base material, Any one of Claims 1-8 characterized by the above-mentioned. A transparent planar device according to claim 1.
[Claim 10]
10. The transparent planar device according to claim 9, wherein the total thickness of the back surface cured resin layer is 50% or more and less than 200% of the total thickness of the curable resin layer on the surface side of the transparent substrate.
[Claim 11]
The transparent surface device according to claim 9 or 10, wherein the back surface cured resin layer includes an ultraviolet absorbing functional film.
[Claim 12]
The transparent surface device according to claim 9 or 10, wherein the back surface cured resin layer includes an electromagnetic wave shielding functional film.
[Claim 13]
The transparent planar device according to claim 9, wherein the back surface conductive pattern and the back surface lead-out wiring pattern are made of a metal material.
[Claim 14]
13. The transparent planar device according to claim 9, wherein the back surface conductive pattern and the back surface lead-out wiring pattern are made of two or more kinds of metal materials.
[Claim 15]
15. The transparent planar device according to claim 14, wherein the outermost layer of the back surface conductive pattern and the back surface lead-out wiring pattern has an antioxidant function.
[Claim 16]
16. The transparent planar device according to claim 12, wherein the electromagnetic wave shielding functional film has a fine line pattern made of a metal material that performs electromagnetic wave shielding.
[Claim 17]
At least one line-shaped liquid containing a conductive material is applied on the transparent substrate, and a coffee stain phenomenon is caused in the line-shaped liquid to be dried and thinned to form a pair of thin lines per line-shaped liquid. A transparent planar device comprising: forming a pattern, and performing electroplating on the fine line pattern to form the conductive pattern, wherein the transparent planar device according to any one of claims 1 to 8 is manufactured. Manufacturing method.
[Claim 18]
At least one line-shaped liquid containing a conductive material is applied on the transparent substrate, and a coffee stain phenomenon is caused in the line-shaped liquid to be dried and thinned to form a pair of thin lines per line-shaped liquid. A transparent planar device characterized in that a pattern is formed, and the back surface conductive pattern is formed by performing electrolytic plating on a fine line pattern to produce the transparent planar device according to any one of claims 9 to 16. Device manufacturing method.

本発明によれば、透明基材の表面に形成された透明導電膜上を硬化樹脂層によってカバーした透明面状デバイスであって、屋外等の様々な環境下で安定に長期間稼働できる透明面状デバイス及び透明面状デバイスの製造方法を提供することができる。   According to the present invention, a transparent planar device in which a transparent conductive film formed on the surface of a transparent substrate is covered with a cured resin layer, which can be stably operated for a long time in various environments such as outdoors. And a method of manufacturing a transparent planar device can be provided.

本発明の透明面状デバイスの実施形態を概念的に説明する概略平面図Schematic plan view conceptually illustrating an embodiment of a transparent planar device of the present invention 透明基材の被メッキ面上に形成された導電性パターンの一例を概念的に示す平面図The top view which shows notionally an example of the electroconductive pattern formed on the to-be-plated surface of a transparent base material 本発明の透明面状デバイスの導電性パターンの他の一例を示す平面図The top view which shows another example of the electroconductive pattern of the transparent planar device of this invention ライン状液体から平行線パターンが形成される様子を概念的に説明する一部切り欠き斜視図Partially cutaway perspective view for conceptually explaining how a parallel line pattern is formed from a line-shaped liquid 透明基材上に形成された平行線パターンの一例を示す一部切り欠き斜視図Partially cutaway perspective view showing an example of parallel line patterns formed on a transparent substrate

以下に、図面を参照して本発明を実施するための形態について説明する。   Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.

〔透明面状デバイスの構成〕
図1は、本発明の透明面状デバイスの実施形態を概念的に説明する概略平面図である。
[Configuration of transparent planar device]
FIG. 1 is a schematic plan view conceptually illustrating an embodiment of a transparent planar device of the present invention.

本発明の透明面状デバイスは、図1に示すように、透明基材1を有して構成される。この透明基材1は、透明な板材として構成されている。この透明基材1の表面1aには、導電性パターン12を含む透明導電膜11が形成されている。この透明導電膜11は、接触入力面を構成する。そして、この透明面状デバイスは、透明基材1の裏面1bを図示しない表示デバイスに対向させて使用される。   As shown in FIG. 1, the transparent planar device of the present invention is configured to have a transparent substrate 1. The transparent substrate 1 is configured as a transparent plate material. A transparent conductive film 11 including a conductive pattern 12 is formed on the surface 1 a of the transparent substrate 1. The transparent conductive film 11 constitutes a contact input surface. And this transparent planar device is used by making the back surface 1b of the transparent base material 1 oppose the display device which is not shown in figure.

導電性パターン12は、 透明な導電材料(金属酸化物、導電性高分子、炭素材料、金属材料(金属細線)など)により形成されている。   The conductive pattern 12 is formed of a transparent conductive material (metal oxide, conductive polymer, carbon material, metal material (metal fine wire), etc.).

導電性パターン12においては、外部から受ける刺激によりセンサー信号が発生する。外部から受ける刺激としては、例えば、導電性パターン12への人体の接近、接触等による静電容量や圧力の変化が想定される。透明導電膜11は、これら外部から受ける刺激により、その刺激に応じたセンサー信号を発生する。すなわち、透明導電膜11の導電性パターン12は、静電容量センサーや感圧センサーなどのプローブ(アンテナ)となっている。   In the conductive pattern 12, a sensor signal is generated by a stimulus received from the outside. As the stimulus received from the outside, for example, a change in capacitance or pressure due to the approach or contact of the human body to the conductive pattern 12 is assumed. The transparent conductive film 11 generates a sensor signal in response to the stimulus received from the outside. That is, the conductive pattern 12 of the transparent conductive film 11 is a probe (antenna) such as a capacitance sensor or a pressure sensor.

導電性パターン12の静電容量の変化を検出したい場合には、例えば、いわゆる自己容量方式を用いることができる。すなわち、導電性パターン12に指が触れると導電性パターン12の浮遊容量が変化し、入力信号が変化するので、この変化に応じた信号がセンサー信号となる。   When it is desired to detect a change in the capacitance of the conductive pattern 12, for example, a so-called self-capacitance method can be used. That is, when a finger touches the conductive pattern 12, the stray capacitance of the conductive pattern 12 changes and the input signal changes, and a signal corresponding to this change becomes a sensor signal.

透明導電膜11の導電性パターンにおいて発生したセンサー信号は、透明基材1上に形成された引出配線パターン13を経て、図示しない演算回路に送られる。この演算回路は、送られたセンサー信号に基づく所定の演算を行い、このセンサー信号を通電信号に変換する。すなわち、透明導電膜11の導電性パターン12と演算回路とにより、静電容量センサーや感圧センサーが構成される。   A sensor signal generated in the conductive pattern of the transparent conductive film 11 is sent to an arithmetic circuit (not shown) through the lead wiring pattern 13 formed on the transparent substrate 1. The arithmetic circuit performs a predetermined calculation based on the sent sensor signal and converts the sensor signal into an energization signal. That is, a capacitance sensor and a pressure sensor are constituted by the conductive pattern 12 of the transparent conductive film 11 and the arithmetic circuit.

〔透明基材〕
透明基材1を構成する材料は、透明な板材として構成できるものであれば特に限定されず、ガラス、合成樹脂材料、その他種々の透明材料を用いることができ、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)樹脂、ポリエチレンナフタレート(PEN)樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、セルロース系樹脂(ポリアセチルセルロース、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート等)、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン系樹脂、メタクリル系樹脂、環状ポリオレフィン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、アクリロニトリル−(ポリ)スチレン共重合体(AS樹脂)、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体(ABS樹脂)、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリ(メタ)アクリル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂等により構成される樹脂フィルムなどを好ましく挙げることができる。
(Transparent substrate)
The material which comprises the transparent base material 1 will not be specifically limited if it can comprise as a transparent board | plate material, Glass, a synthetic resin material, and other various transparent materials can be used, for example, a polyethylene terephthalate (PET) resin , Polyethylene naphthalate (PEN) resin, polybutylene terephthalate resin, cellulose resin (polyacetyl cellulose, cellulose diacetate, cellulose triacetate, etc.), polyethylene resin, polypropylene resin, methacrylic resin, cyclic polyolefin resin, polystyrene resin , Acrylonitrile- (poly) styrene copolymer (AS resin), acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer (ABS resin), polyvinyl chloride resin, poly (meth) acrylic resin, polycarbonate resin, polyester Le resins, polyimide resins, polyamide resins, preferably such as a resin film composed of a polyamide-imide resin and the like.

透明基材1の厚さ、大きさ(面積)及び形状は特に限定されず、この透明面状デバイスの用途、目的に応じて適宜定められるが、透明基材1の厚さは、20μm〜300μm程度が好ましい。   The thickness, size (area), and shape of the transparent substrate 1 are not particularly limited, and are appropriately determined according to the use and purpose of the transparent planar device. The thickness of the transparent substrate 1 is 20 μm to 300 μm. The degree is preferred.

透明基材1の透明の度合いは特に限定されず、その光透過率が数%〜数十%のいずれでもよく、その分光透過率もどのようなものでもよい。これら光透過率及び分光透過率は、この透明面状デバイスの用途、目的に応じて適宜定められる。   The degree of transparency of the transparent substrate 1 is not particularly limited, and the light transmittance may be any of several% to several tens%, and the spectral transmittance may be anything. These light transmittance and spectral transmittance are appropriately determined according to the use and purpose of the transparent planar device.

また、透明基材1には、表面エネルギーを変化させるための表面処理を施してもよい。さらに、透明基材1には、ハードコート層や反射防止層などを設けてもよい。   Further, the transparent substrate 1 may be subjected to a surface treatment for changing the surface energy. Further, the transparent substrate 1 may be provided with a hard coat layer, an antireflection layer, or the like.

透明基材1は、単一材料の単層構造のものでもよいし、単一材料又は複数材料の積層構造のものでもよい。透明基材1を積層構造とする場合には、各層を貼り合わせて構成してもよいし、各層を他の層の上に順次形成してもよい。また、貼り合わせと層形成とを組み合わせてもよい。さらに、透明基材1は、単層構造又は積層構造の膜を折り曲げて重ね合わせ、貼り合わせることによって積層構造としてもよい。   The transparent substrate 1 may have a single material single layer structure, or may have a single material or a laminated structure of a plurality of materials. When the transparent base material 1 has a laminated structure, the layers may be bonded to each other, or each layer may be sequentially formed on another layer. Moreover, you may combine bonding and layer formation. Furthermore, the transparent substrate 1 may have a laminated structure by folding and laminating and laminating films having a single layer structure or a laminated structure.

〔透明導電膜〕
透明導電膜11の導電性パターン12は、金属酸化物、導電性高分子、炭素材料、金属材料などにより形成されている。金属酸化物としては、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化カドミウム、酸化スズなどが好ましく挙げられ、異種金属をドーピングしたITOも好適である。
[Transparent conductive film]
The conductive pattern 12 of the transparent conductive film 11 is formed of a metal oxide, a conductive polymer, a carbon material, a metal material, or the like. Preferred examples of the metal oxide include indium oxide, zinc oxide, cadmium oxide, tin oxide and the like, and ITO doped with a different metal is also suitable.

導電性高分子としては、特に限定されないが、π共役系導電性高分子が好ましく挙げられる。π共役系導電性高分子としては、特に限定されず、ポリチオフェン(基本のポリチオフェンを含む、以下同様)類、ポリピロール類、ポリインドール類、ポリカルバゾール類、ポリアニリン類、ポリアセチレン類、ポリフラン類、ポリパラフェニレンビニレン類、ポリアズレン類、ポリパラフェニレン類、ポリパラフェニレンサルファイド類、ポリイソチアナフテン類、ポリチアジル類の鎖状導電性ポリマーを利用することができる。これらのうち、高い導電性と良好な精密パターニング特性が得られる点で、ポリチオフェン類やポリアニリン類が特に好ましい。ポリエチレンジオキシチオフェンが最も好ましい。   Although it does not specifically limit as a conductive polymer, (pi) conjugated system conductive polymer is mentioned preferably. The π-conjugated conductive polymer is not particularly limited, and includes polythiophenes (including basic polythiophenes, the same applies hereinafter), polypyrroles, polyindoles, polycarbazoles, polyanilines, polyacetylenes, polyfurans, polyparaffins. A chain conductive polymer of phenylene vinylenes, polyazulenes, polyparaphenylenes, polyparaphenylene sulfides, polyisothianaphthenes, polythiazyls can be used. Of these, polythiophenes and polyanilines are particularly preferable in that high conductivity and good precision patterning characteristics can be obtained. Most preferred is polyethylene dioxythiophene.

炭素材料としては、カーボンナノチューブ、グラフェンなどを用いることができる。金属材料としては、薄膜銀などを用いることができる。   Carbon nanotubes, graphene, and the like can be used as the carbon material. As the metal material, thin film silver or the like can be used.

図2は、透明基材の被メッキ面上に形成された導電性パターンの一例を概念的に示す平面図である。
図3は、本発明の透明面状デバイスの導電性パターンの他の一例を示す平面図である。
FIG. 2 is a plan view conceptually showing an example of the conductive pattern formed on the plated surface of the transparent substrate.
FIG. 3 is a plan view showing another example of the conductive pattern of the transparent planar device of the present invention.

また、導電性パターン2としては、図2及び図3に示すように、金属細線を疎に結合させた膜も用いることができる。金属細線をなす金属としては、金、銀、銅、ニッケル、コバルト及びそれらの合金もしくは2種以上の金属材料の積層体を用いることができる。金属細線の線幅は、20μm以下とすることが好ましく、数nm〜10μm程度とすることが特に好ましい。金属細線は、線幅を20μm以下とすることにより、肉眼では視認されず、透明基材1の透明度を阻害することがない。金属細線としては、図2(a)に示すように、1方向に複数並列したストライプ状や、図2(b)(c)に示すように、1方向に複数並列された金属細線とこれらと異なる方向に複数並列された金属細線とを交差させたメッシュ状(格子状)や、図3に示すように、多角形パターンの連続であって隣接するパターンの一部同士が重なり合ったものを用いることができる。さらに、図示はしないが、円形パターンやその他の形状のパターンの連続であって隣接するパターンの一部同士が重なり合ったものも用いることができる。   Further, as the conductive pattern 2, as shown in FIGS. 2 and 3, a film in which metal fine wires are loosely coupled can also be used. As the metal forming the metal thin wire, gold, silver, copper, nickel, cobalt, an alloy thereof, or a laminate of two or more metal materials can be used. The line width of the fine metal wire is preferably 20 μm or less, and particularly preferably about several nm to 10 μm. By setting the line width to 20 μm or less, the fine metal wire is not visually recognized by the naked eye and does not hinder the transparency of the transparent substrate 1. As shown in FIG. 2 (a), a plurality of stripes arranged in parallel in one direction, as shown in FIG. 2 (a), and a plurality of metal wires arranged in one direction as shown in FIGS. A mesh shape (lattice shape) obtained by intersecting a plurality of metal thin wires arranged in parallel in different directions, or a continuous polygon pattern and a part of adjacent patterns overlapped as shown in FIG. be able to. Furthermore, although not shown in the figure, a circular pattern or a pattern of other shapes that are continuous and part of adjacent patterns can be used.

このような導電性パターン12は、蒸着法やスパッタリング法などの真空設備を用いた方法や、塗布法、印刷法、インクジェット法などにより形成することができる。インクジェット法による導電性パターン12の形成方法については後述する。   Such a conductive pattern 12 can be formed by a method using vacuum equipment such as an evaporation method or a sputtering method, a coating method, a printing method, an ink jet method, or the like. A method for forming the conductive pattern 12 by the inkjet method will be described later.

また、透明基材1の表面には、透明導電膜11よりも外縁側に位置して、引出配線パターン13が形成されている。この引出配線パターン13は、透明導電膜11の導電性パターン12に電気的に接続されている。この引出配線パターン13としては、金属細線を用いることが好ましい。金属細線をなす金属としては、金、銀、銅、ニッケル、コバルト及びそれらの合金もしくは2種以上の金属材料の積層体を用いることができる。金属細線の線幅は、数μm〜200μm程度とすることが好ましい。   Further, a lead wiring pattern 13 is formed on the surface of the transparent substrate 1 so as to be positioned on the outer edge side of the transparent conductive film 11. The lead wiring pattern 13 is electrically connected to the conductive pattern 12 of the transparent conductive film 11. As this lead-out wiring pattern 13, it is preferable to use a fine metal wire. As the metal forming the metal thin wire, gold, silver, copper, nickel, cobalt, an alloy thereof, or a laminate of two or more metal materials can be used. The line width of the fine metal wire is preferably about several μm to 200 μm.

導電性パターン12及び引出配線パターン13は、2種以上の金属材料から形成する場合には、最外層が酸化防止機能を有することが好ましい。   When the conductive pattern 12 and the lead-out wiring pattern 13 are formed from two or more kinds of metal materials, it is preferable that the outermost layer has an antioxidant function.

〔硬化樹脂層〕
そして、導電性パターン12及び引出配線パターン13の少なくとも一部の上には、少なくとも1層以上の硬化樹脂層14が形成されている。この硬化樹脂層14は、導電性パターン12及び引出配線パターン13の少なくとも一部の上に樹脂材料を塗布後に硬化させて形成した樹脂層である。硬化樹脂層14は、単層であってもよいし、複数の層が積層されたものであってもよい。また、硬化樹脂層は、印刷又はインクジェット法により形成することもできる。なお、硬化樹脂層14は、導電性パターン12及び引出配線パターン13の少なくとも一部の上に粘接着剤(OCR、OCA)を塗布し、フィルム状カバー材を真空貼合せすることによっても形成することができる。ただし、大型の透明面状デバイスを作成するには、フィルム状カバー材の貼り合わせが困難である場合があるため、硬化樹脂層14は、樹脂材料の塗布、印刷又はインクジェット法により形成することが好ましい。
[Hardened resin layer]
Then, at least one or more cured resin layers 14 are formed on at least a part of the conductive pattern 12 and the lead wiring pattern 13. The cured resin layer 14 is a resin layer formed by applying a resin material on at least a part of the conductive pattern 12 and the lead wiring pattern 13 and then curing the resin material. The cured resin layer 14 may be a single layer or a laminate of a plurality of layers. The cured resin layer can also be formed by printing or an inkjet method. The cured resin layer 14 is also formed by applying an adhesive (OCR, OCA) on at least a part of the conductive pattern 12 and the lead-out wiring pattern 13 and vacuum-bonding a film-like cover material. can do. However, since it may be difficult to bond a film-like cover material to create a large transparent planar device, the cured resin layer 14 may be formed by application of a resin material, printing, or an inkjet method. preferable.

従来、このような機能膜の総厚は、2μm以上40μm以下の範囲が好ましいとされていた。しかし、このような機能膜は、その総厚が2μm以上40μm以下では不十分であり、所為の機能を発揮することができない。また、導電性パターン12を低抵抗の金属材料により形成する場合には、合成樹脂材料を塗布形成した総厚が2μm以上40μm以下の機能膜によっては、光学フィルムを貼合せた機能膜やガラス製機能膜に比較して、種々の環境下における十分な耐久性やマイグレーション防止性能、透明導電膜11の剥離防止性能を確保することができない。さらに、特に大型の透明面状デバイスにおいては、総厚が2μm以上40μm以下の合成樹脂材料からなる機能膜をムラなく均一に成膜することは困難である。ここで、大型とは、例えば32インチ以上もしくは2816cm以上の大きさをさす。 Conventionally, the total thickness of such a functional film is preferably in the range of 2 μm to 40 μm. However, such a functional film is insufficient when the total thickness is 2 μm or more and 40 μm or less, and the desired function cannot be exhibited. When the conductive pattern 12 is formed of a low-resistance metal material, depending on the functional film having a total thickness of 2 μm or more and 40 μm or less formed by applying a synthetic resin material, a functional film or glass made by bonding an optical film is used. Compared with a functional film, sufficient durability under various environments, migration prevention performance, and peeling prevention performance of the transparent conductive film 11 cannot be ensured. Further, in particular, in a large transparent planar device, it is difficult to uniformly form a functional film made of a synthetic resin material having a total thickness of 2 μm or more and 40 μm or less. Here, the large size means, for example, a size of 32 inches or more or 2816 cm 2 or more.

そこで、硬化樹脂層14の総厚は、41μm以上300μm未満であることが好ましい。   Therefore, the total thickness of the cured resin layer 14 is preferably 41 μm or more and less than 300 μm.

この硬化樹脂層14をなす樹脂材料としては、光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂、又は架橋剤などの化学種により硬化する樹脂を用いることができる。   As the resin material forming the cured resin layer 14, a resin that is cured by a chemical species such as a photocurable resin, a thermosetting resin, or a crosslinking agent can be used.

光硬化性樹脂は、モノマー、オリゴマー及び光重合開始剤を含み、紫外線や電子線のような活性線(活性エネルギー線ともいう。)の照射により架橋反応を経て硬化する活性線硬化樹脂を主成分とする樹脂材料である。活性線硬化樹脂としては、エチレン性不飽和二重結合を有するモノマーを含む樹脂が好ましく用いられる。活性線硬化樹脂としては、紫外線硬化性樹脂や電子線硬化性樹脂等が代表的なものとして挙げられるが、紫外線照射によって硬化する紫外線硬化性樹脂が特に機械的膜強度に優れる点から好ましい。紫外線硬化性樹脂としては、例えば、紫外線硬化型アクリレート系樹脂、紫外線硬化型ウレタンアクリレート系樹脂、紫外線硬化型ポリエステルアクリレート系樹脂、紫外線硬化型エポキシアクリレート系樹脂、紫外線硬化型ポリオールアクリレート系樹脂、又は紫外線硬化型エポキシ樹脂等が好ましく用いられ、中でも紫外線硬化型アクリレート系樹脂が好ましい。   The photocurable resin contains a monomer, an oligomer, and a photopolymerization initiator, and is mainly composed of an actinic radiation curable resin that is cured through a crosslinking reaction by irradiation with an actinic ray (also referred to as an active energy ray) such as an ultraviolet ray or an electron beam. It is a resin material. As the actinic radiation curable resin, a resin containing a monomer having an ethylenically unsaturated double bond is preferably used. Typical examples of the actinic radiation curable resin include an ultraviolet curable resin, an electron beam curable resin, and the like, and an ultraviolet curable resin that is cured by ultraviolet irradiation is particularly preferable because of excellent mechanical film strength. Examples of the ultraviolet curable resin include an ultraviolet curable acrylate resin, an ultraviolet curable urethane acrylate resin, an ultraviolet curable polyester acrylate resin, an ultraviolet curable epoxy acrylate resin, an ultraviolet curable polyol acrylate resin, and an ultraviolet curable resin. A curable epoxy resin or the like is preferably used, and an ultraviolet curable acrylate resin is particularly preferable.

紫外線硬化型アクリレート系樹脂としては、多官能アクリレートが好ましい。該多官能アクリレートとしては、ペンタエリスリトール多官能アクリレート、ジペンタエリスリトール多官能アクリレート、ペンタエリスリトール多官能メタクリレート、及びジペンタエリスリトール多官能メタクリレートよりなる群から選ばれることが好ましい。ここで、多官能アクリレートとは、分子中に2個以上のアクリロイルオキシ基又はメタクロイルオキシ基を有する化合物である。多官能アクリレートのモノマーとしては、例えばエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールエタントリアクリレート、テトラメチロールメタントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタグリセロールトリアクリレート、ペンタエリスリトールジアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールトリ/テトラアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、グリセリントリアクリレート、ジペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、トリス(アクリロイルオキシエチル)イソシアヌレート、エチレングリコールジメタクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、1,6−ヘキサンジオールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、トリメチロールエタントリメタクリレート、テトラメチロールメタントリメタクリレート、テトラメチロールメタンテトラメタクリレート、ペンタグリセロールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールジメタクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、グリセリントリメタクリレート、ジペンタエリスリトールトリメタクリレート、ジペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールペンタメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、活性エネルギー線硬化型のイソシアヌレート誘導体等が好ましく挙げられる。   As the ultraviolet curable acrylate resin, a polyfunctional acrylate is preferable. The polyfunctional acrylate is preferably selected from the group consisting of pentaerythritol polyfunctional acrylate, dipentaerythritol polyfunctional acrylate, pentaerythritol polyfunctional methacrylate, and dipentaerythritol polyfunctional methacrylate. Here, the polyfunctional acrylate is a compound having two or more acryloyloxy groups or methacryloyloxy groups in the molecule. Examples of the polyfunctional acrylate monomer include ethylene glycol diacrylate, diethylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, neopentyl glycol diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, trimethylolethane triacrylate, and tetramethylolmethane triacrylate. , Tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaglycerol triacrylate, pentaerythritol diacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tri / tetraacrylate, ditrimethylolpropane tetraacrylate, ethoxylated pentaerythritol tetraacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, glycerol triacrylate relay , Dipentaerythritol triacrylate, dipentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol pentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, tris (acryloyloxyethyl) isocyanurate, ethylene glycol dimethacrylate, diethylene glycol dimethacrylate, 1,6-hexanediol di Methacrylate, neopentyl glycol dimethacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, trimethylolethane trimethacrylate, tetramethylolmethane trimethacrylate, tetramethylolmethane tetramethacrylate, pentaglycerol trimethacrylate, pentaerythritol dimethacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, pen Pentaerythritol tetramethacrylate, glycerol trimethacrylate, dipentaerythritol trimethacrylate, dipentaerythritol tetramethacrylate, dipentaerythritol penta methacrylate, dipentaerythritol hexa methacrylate, etc. isocyanurate derivatives of the active energy ray-curable are preferably exemplified.

〔機能膜の形成方法〕
導電性パターン12及び引出配線パターン13の少なくとも一部の上に機能膜を形成する方法としては、塗布法、印刷法、インクジェット法などを用いることができる。塗布法としては、ウェットコーティング法を用いることができる。例えば、ロールコーティング法、グラビアロールコーティング法、エアドクターコーティング法、プレードコーティング法、ワイヤードクターコーティング法、ナイフコーティング法、リバースコーティング法、トランスファロールコーティング法、マイクログラビアコーティング法、ダイコーティング法などが挙げられる。マイクログラビアコーティング法、ダイコーティング法を用いると、薄い均一な層を形成することができる。
[Method of forming functional film]
As a method of forming a functional film on at least a part of the conductive pattern 12 and the lead wiring pattern 13, a coating method, a printing method, an ink jet method, or the like can be used. As the coating method, a wet coating method can be used. Examples include roll coating, gravure roll coating, air doctor coating, blade coating, wire doctor coating, knife coating, reverse coating, transfer roll coating, micro gravure coating, and die coating. . If a micro gravure coating method or a die coating method is used, a thin and uniform layer can be formed.

機能膜の組成物を塗布した後の硬化には、例えば、紫外線照射や加熱等を用いることができる。紫外線照射は、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、キセノンランプ等を用いて行うことができる。   For the curing after the functional film composition is applied, for example, ultraviolet irradiation or heating can be used. Ultraviolet irradiation can be performed using a high-pressure mercury lamp, a halogen lamp, a xenon lamp, or the like.

また、透明基材1の表面(透明導電膜11上)に粘接着剤(OCR、OCA)を塗布し、フィルムを真空貼合せすることによっても、機能膜を形成することができる。OCRは、液状の紫外線硬化樹脂等であり、ウェットラミネートに使用される。OCAは、シート状の粘接着剤であり、ドライラミネートに使用される。   Moreover, a functional film can be formed also by apply | coating an adhesive (OCR, OCA) to the surface (on transparent conductive film 11) of the transparent base material 1, and vacuum-bonding a film. OCR is a liquid ultraviolet curable resin or the like, and is used for wet lamination. OCA is a sheet-like adhesive and is used for dry lamination.

〔電磁波シールド機能膜、マイグレーション防止機能膜、密着性向上機能膜〕
硬化樹脂層14のうちの少なくとも1層は、電磁波シールド機能膜、マイグレーション防止機能膜、又は密着性向上機能膜である。屋外等の様々な環境下でも安定して長期間稼働できる透明面状デバイスを実現するには、ノイズ耐性を向上させ、また、マイグレーションを防止し、透明導電膜の基材からの剥がれを防止できる機能膜が必要である。
[Electromagnetic wave shielding functional film, migration preventing functional film, adhesion improving functional film]
At least one of the cured resin layers 14 is an electromagnetic wave shielding functional film, a migration preventing functional film, or an adhesion improving functional film. In order to realize a transparent planar device that can operate stably for a long time even in various environments such as outdoors, it can improve noise resistance, prevent migration, and prevent peeling of the transparent conductive film from the substrate A functional membrane is required.

〔電磁波シールド機能膜〕
電磁波シールド機能膜としては、金属材料からなる細線パターンを疎に結合させた膜を用いることが好ましい。金属細線をなす金属としては、金、銀、銅、ニッケル、コバルト及びそれらの合金もしくは2種以上の金属材料の積層体を用いることができる。金属細線の線幅は、数nm〜10μm程度とすることが好ましい。金属細線としては、規則的に配置して結合させたものや、不規則に配置したものを用いることができる。金属細線としては、直線状のもの、曲線状のもの、円状のものが挙げられ、これらを組み合わせたものも用いることができる。
[Electromagnetic shielding film]
As the electromagnetic shielding functional film, it is preferable to use a film in which fine line patterns made of a metal material are loosely coupled. As the metal forming the metal thin wire, gold, silver, copper, nickel, cobalt, an alloy thereof, or a laminate of two or more metal materials can be used. The line width of the fine metal wire is preferably about several nm to 10 μm. As the fine metal wires, those arranged and bonded regularly or those arranged irregularly can be used. Examples of the thin metal wire include a linear shape, a curved shape, and a circular shape, and a combination of these can also be used.

この電磁波シールド機能膜は、金属材料を単独で用いて形成してもよいし、高分子材料等からなる透明バインダ中に形成してもよい。   This electromagnetic wave shielding functional film may be formed using a metal material alone or in a transparent binder made of a polymer material or the like.

〔マイグレーション防止機能膜〕
マイグレーションのメカニズムは詳細には特定されていないが、金属イオンの移動が関与していると推定されているため、マイグレーション防止機能膜としては、金属イオンを安定化させる化合物を添加した膜を用いることが好ましい。添加する化合物としては、例えば、金属と反応するメルカプト基(−SH)、アミノ基(−NH−)、水酸基(−OH)、又はカルボキシル基(−COOH)を分子内に有する有機化合物が好ましい。これらの中でも、芳香族化合物、又はヘテロ環化合物に、メルカプト基(−SH)、アミノ基(−NH−)、水酸基(−OH)、又はカルボキシル基(−COOH)が結合した化合物が好ましい。また、ヘテロ環化合物の環状窒素原子(−NH−)を有する化合物も好ましい。
[Migration prevention function film]
Although the mechanism of migration is not specified in detail, it is presumed that the movement of metal ions is involved, so use a film to which a compound that stabilizes metal ions is added as the migration prevention functional film. Is preferred. As the compound to be added, for example, an organic compound having a mercapto group (—SH), amino group (—NH—), hydroxyl group (—OH), or carboxyl group (—COOH) that reacts with a metal in the molecule is preferable. Among these, a compound in which a mercapto group (—SH), an amino group (—NH—), a hydroxyl group (—OH), or a carboxyl group (—COOH) is bonded to an aromatic compound or a heterocyclic compound is preferable. A compound having a cyclic nitrogen atom (—NH—) of a heterocyclic compound is also preferred.

〔密着性向上機能膜〕
密着性向上機能膜は、透明基材1と透明導電膜11との密着性を向上させる機能膜である。密着性向上機能とは、熱湿環境保存や屈曲試験などの試験における透明導電膜11の透明基材1からの剥離や透明導電膜11の断裂に対する耐性を強化する機能である。この密着性向上機能膜は、透明導電膜11上に形成される。密着性向上層は、パターニングした透明導電膜11や金属細線の端部と透明基材1の界面とに作用してこれらの密着性を向上させると考えられる。あるいは、密着性向上機能膜は、熱湿環境や屈曲などによる応力を緩和することにより、密着性を向上させると考えられる。
[Adhesion-improving functional film]
The adhesion improving functional film is a functional film that improves the adhesion between the transparent substrate 1 and the transparent conductive film 11. The adhesion improving function is a function of enhancing resistance to peeling of the transparent conductive film 11 from the transparent substrate 1 and tearing of the transparent conductive film 11 in tests such as preservation in a hot and humid environment and a bending test. This adhesion improving functional film is formed on the transparent conductive film 11. It is considered that the adhesion improving layer acts on the patterned transparent conductive film 11 or the end of the thin metal wire and the interface of the transparent substrate 1 to improve the adhesion. Alternatively, it is considered that the adhesion improving functional film improves the adhesion by relieving stress due to a hot and humid environment or bending.

本願発明者らは、密着性向上機能の発現には、密着性向上機能膜の硬さが影響することを見出した。密着性向上機能膜の硬さは、50Mpa〜160Mpaの範囲であることが好ましい。この硬さは、密着性向上機能膜に微小針を押し込んで測定するナノインデンテーション法により測定することができる。ナノインデンテーション法は、ナノインデンテーション法用の圧子を用いて、密着性向上機能膜に対する圧子の押し込み荷重と押し込み深さとを連続して測定し、得られた測定結果から算出される。例えば、圧子の押し込み荷重を0.1μNから0.3μN刻みで大きくしてゆき、圧子の押し込み深さが密着性向上機能膜の厚さを十分に超える程度(例えば30μm)まで測定すれば、圧子を押し込んだ際の荷重曲線から、密着性向上機能膜の硬さを算出することができる。   The inventors of the present application have found that the hardness of the adhesion improving functional film affects the expression of the adhesion improving function. The hardness of the adhesion improving functional film is preferably in the range of 50 Mpa to 160 Mpa. This hardness can be measured by a nanoindentation method in which a microneedle is pushed into the adhesion improving functional film. In the nanoindentation method, using the indenter for the nanoindentation method, the indentation load and the indentation depth of the indenter with respect to the adhesion-improving functional film are continuously measured and calculated from the obtained measurement results. For example, if the indenter indentation load is increased in increments of 0.1 μN to 0.3 μN and the indenter indentation depth is measured to such a degree that it sufficiently exceeds the thickness of the adhesion improving functional film (for example, 30 μm), the indenter The hardness of the adhesion-improving functional film can be calculated from the load curve at the time of pressing.

また、密着性向上機能膜は、表面エネルギーとして40mN/m以上であることが好ましい。この場合には、金属細線の端部から透明基材1の界面まで樹脂層が形成され、これらの密着性を向上させると考えられる。   Moreover, it is preferable that an adhesive improvement functional film is 40 mN / m or more as surface energy. In this case, it is considered that a resin layer is formed from the end of the thin metal wire to the interface of the transparent base material 1 to improve the adhesion.

なお、本発明でいう表面エネルギーとは、水とジヨードメタンを標準液として接触角法を用いて測定した基材1表面の濡れ性を表す値である。具体的には、協和界面科学株式会社製「DM−500」を用いて、超純水とジヨードメタンの接触角を測定し、2成分系での表面エネルギーを計算して求めることができる。   In addition, the surface energy as used in the field of this invention is a value showing the wettability of the surface of the base material 1 measured using the contact angle method with water and diiodomethane as standard solutions. Specifically, the contact angle between ultrapure water and diiodomethane can be measured using “DM-500” manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd., and the surface energy in a two-component system can be calculated.

〔ハードコート機能膜、紫外線吸収機能膜、平滑化機能膜、反射防止機能膜、耐指紋機能膜〕
硬化樹脂層14のうちの少なくとも1層は、ハードコート機能膜、紫外線吸収機能膜、平滑化機能膜、反射防止機能膜又は耐指紋機能膜であることが好ましい。
[Hard coat functional film, UV absorbing functional film, smoothing functional film, antireflection functional film, anti-fingerprint functional film]
At least one of the cured resin layers 14 is preferably a hard coat functional film, an ultraviolet absorption functional film, a smoothing functional film, an antireflection functional film, or a fingerprint resistant functional film.

〔ハードコート機能膜紫、紫外線吸収機能膜〕
ハードコート機能膜は、一般にJIS5600−5−4(1999)で規定される鉛筆硬度試験で「H」以上の硬度を示機能膜である。ハードコート機能膜は、電磁波、紫外線、可視光線、電子線等の電離放射線エネルギーにより架橋硬化する組成物であって、1分子中に2個以上の(メタ)アクリロイル基を分子中に含有する多官能性モノマーを主成分として形成されることが好ましい。ハードコート機能膜の膜厚は、10μm以上あれば十分な強度が確保できる。
[Hard coat functional film purple, UV absorbing functional film]
The hard coat functional film is a functional film that exhibits a hardness of “H” or higher in a pencil hardness test generally defined by JIS 5600-5-4 (1999). The hard coat functional film is a composition that is cross-linked and cured by ionizing radiation energy such as electromagnetic waves, ultraviolet rays, visible rays, and electron beams, and contains multiple (meth) acryloyl groups in one molecule. It is preferably formed with a functional monomer as a main component. If the film thickness of the hard coat functional film is 10 μm or more, sufficient strength can be secured.

多官能性モノマーとしては、1,4‐ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコール(メタ)アクリレート、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、3−メチルペンタンジオールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールエタントリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、1,2−ビス(メタ)アクリロイルオキシメチルヘキサン、テトラデカンエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、10−デカンジオール(メタ)アクリレート、3,8−ビス(メタ)アクリロイルオキシメチルトリシクロ〔5.2.10〕デカン、水素添加ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、2,2−ビス(4−(メタ)アクリロイルオキシジエトキシフェニル)プロパン、1,4−ビス((メタ)アクリロイルオキシメチル)シクロヘキサン、ヒドロキシピバリン酸エステル、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ビスフェノールAジグリシジルエーテルジ(メタ)アクリレート、エポキシ変性ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート等を挙げることができる。多官能モノマーは、単独で使用しても良いし、2種類以上を併用してもよい。また、必要で有れば単官能モノマーと併用して共重合させることもできる。   As polyfunctional monomers, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, neopentyl glycol (meth) acrylate, ethylene glycol di (meth) acrylate, diethylene glycol diacrylate , Triethylene glycol di (meth) acrylate, tripropylene glycol di (meth) acrylate, dipropylene glycol di (meth) acrylate, 3-methylpentanediol di (meth) acrylate, trimethylolethane tri (meth) acrylate, trimethylol Propane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate 1,2-bis (meth) acryloyloxymethylhexane, tetradecane ethylene glycol di (meth) acrylate, 10-decanediol (meth) acrylate, 3,8-bis (meth) acryloyloxymethyltricyclo [5.2. 10] Decane, hydrogenated bisphenol A di (meth) acrylate, 2,2-bis (4- (meth) acryloyloxydiethoxyphenyl) propane, 1,4-bis ((meth) acryloyloxymethyl) cyclohexane, hydroxypivalin Examples thereof include acid esters, neopentyl glycol di (meth) acrylate, bisphenol A diglycidyl ether di (meth) acrylate, and epoxy-modified bisphenol A di (meth) acrylate. A polyfunctional monomer may be used independently and may use 2 or more types together. Further, if necessary, it can be copolymerized in combination with a monofunctional monomer.

また、多官能性モノマーとしては、ウレタンアクリレートも挙げられる。ウレタンアクリレートは、ポリエステルポリオールにイソシアネートモノマー、又はプレポリマーを反応させて得られた生成物に水酸基を有するアクリレートモノマーを反応させることにより、容易に形成することができる。   Moreover, urethane acrylate is also mentioned as a polyfunctional monomer. Urethane acrylate can be easily formed by reacting a polyester polyol with an isocyanate monomer or a product obtained by reacting a prepolymer with an acrylate monomer having a hydroxyl group.

具体的な例としては、ペンタエリスリトールトリアクリレートヘキサメチレンジイソシアネートウレタンプレポリマー、ジペンタエリスリトールペンタアクリレートヘキサメチレンジイソシアネートウレタンプレポリマー、ペンタエリスリトールトリアクリレートトルエンジイソシアネートウレタンプレポリマー、ジペンタエリスリトールペンタアクリレートトルエンジイソシアネートウレタンプレポリマー、ペンタエリスリトールトリアクリレートイソホロンジイソシアネートウレタンプレポリマー、ジペンタエリスリトールペンタアクリレートイソホロンジイソシアネートウレタンプレポリマーなどを用いることができる。また、これらの単量体は、1種または2種以上を混合して使用することができる。また、これらは塗液においてモノマーであってもよいし、一部が重合したオリゴマーであってもよい。   Specific examples include pentaerythritol triacrylate hexamethylene diisocyanate urethane prepolymer, dipentaerythritol pentaacrylate hexamethylene diisocyanate urethane prepolymer, pentaerythritol triacrylate toluene diisocyanate urethane prepolymer, dipentaerythritol pentaacrylate toluene diisocyanate urethane prepolymer. Pentaerythritol triacrylate isophorone diisocyanate urethane prepolymer, dipentaerythritol pentaacrylate isophorone diisocyanate urethane prepolymer, and the like can be used. Moreover, these monomers can be used 1 type or in mixture of 2 or more types. Further, these may be monomers in the coating liquid, or may be oligomers partially polymerized.

光重合開始剤系としては、2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン等のベンジルメチルケタール類、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン等のα−ヒドロキシケトン類、2−メチル−1〔4−(メチルチオ)フェニル〕−2−モルフォリノプロパン−1−オン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)ブタノン−1等のα−アミノケトン類、ビス(2,6−ジメトキシベンゾイル)−2,4,4−トリメチルペンチルフォスフィンオキサイド等のビスアシルフォスフィンオキサイド類、2,2′−ビス(o−クロロフェニル)−4,4′,5,5′−テトラフェニル−1,1′−ビイミダゾール、ビス(2,4,5−トリフェニル)イミダゾール等のビスイミダゾール類、N−フェニルグリシン等のN−アリールグリシン類、4,4′−ジアジドカルコン等の有機アジド類、3,3′,4,4′−テトラ(tert−ブチルペルオキシカルボキシル)ベンゾフェノン等の有機過酸化物類をはじめ、J.Photochem.Sci.Technol.,2,283(1987).に記載される化合物、具体的には鉄アレーン錯体、トリハロゲノメチル置換s−トリアジン、スルフォニウム塩、ジアゾニウム塩、フォスフォニウム塩、セレノニウム塩、アルソニウム塩、ヨードニウム塩等が挙げられる。また、ヨードニウム塩としては、Macromolecules、10、1307(1977).に記載の化合物、例えば、ジフェニルヨードニウム、ジトリルヨードニウム、フェニル(p−アニシル)ヨードニウム、ビス(m−ニトロフェニル)ヨードニウム、ビス(p−tert−ブチルフェニル)ヨードニウム、ビス(p−クロロフェニル)ヨードニウムなどのヨードニウムのクロリド、ブロミド、あるいはホウフッ化塩、ヘキサフルオロフォスフェート塩、ヘキサフルオロアルセネート塩、芳香族スルホン酸塩等や、ジフェニルフェナシルスルホニウム(n−ブチル)トリフェニルボレート等のスルホニウム有機ホウ素錯体類を挙げることができる。   Examples of the photopolymerization initiator system include benzylmethyl ketals such as 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, and 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropane. Α-hydroxy ketones such as -1-one, 2-methyl-1 [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropan-1-one, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4- Α-aminoketones such as morpholinophenyl) butanone-1, bisacylphosphine oxides such as bis (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,4,4-trimethylpentylphosphine oxide, 2,2′-bis (O-chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenyl-1,1'-biimidazole, bis (2,4,5 Bisimidazoles such as -triphenyl) imidazole, N-arylglycines such as N-phenylglycine, organic azides such as 4,4'-diazidochalcone, 3,3 ', 4,4'-tetra (tert -Organic peroxides such as -butylperoxycarboxyl) benzophenone, J.M. Photochem. Sci. Technol. , 2, 283 (1987). And specifically, iron arene complexes, trihalogenomethyl-substituted s-triazines, sulfonium salts, diazonium salts, phosphonium salts, selenonium salts, arsonium salts, iodonium salts, and the like. Moreover, as an iodonium salt, Macromolecules, 10, 1307 (1977). Compounds such as diphenyliodonium, ditolyliodonium, phenyl (p-anisyl) iodonium, bis (m-nitrophenyl) iodonium, bis (p-tert-butylphenyl) iodonium, bis (p-chlorophenyl) iodonium, etc. Iodonium chloride, bromide, or sulfonium organoboron complexes such as borofluoride, hexafluorophosphate salt, hexafluoroarsenate salt, aromatic sulfonate, and diphenylphenacylsulfonium (n-butyl) triphenylborate There can be mentioned.

また、光増感剤を用いることもできる。光増感剤としては、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、2−ジメチルアミノエタノール等の3級アミン、トリフェニルホスフィン等のアルキルフォスフィン系、β−チオジグリコール等のチオエーテル系を挙げることができる。これらの1種類、又は2種類以上を混合して使用することもできる。   Photosensitizers can also be used. Examples of the photosensitizer include tertiary amines such as triethylamine, triethanolamine and 2-dimethylaminoethanol, alkylphosphine such as triphenylphosphine, and thioethers such as β-thiodiglycol. These 1 type or 2 or more types can also be mixed and used.

さらに、ハードコート機能膜には、帯電防止剤、界面活性剤、消泡剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、重合禁止剤等を含有させることもできる。紫外線吸収剤を含有する機能膜は、紫外線吸収機能膜として用いることができる。   Further, the hard coat functional film may contain an antistatic agent, a surfactant, an antifoaming agent, an antioxidant, an ultraviolet absorber, a light stabilizer, a polymerization inhibitor and the like. A functional film containing an ultraviolet absorber can be used as an ultraviolet absorbing functional film.

〔平滑化機能膜〕
平滑化機能膜としては、アルコキシド(alkoxide)を塗布して形成された膜が知られている。
[Smoothing function membrane]
As a smoothing functional film, a film formed by applying alkoxide is known.

〔反射防止機能膜〕
反射防止機能膜としては、微粒子を添加した膜が知られている。この微粒子としては、各種金属酸化物、ガラス、プラスティックなど、透明性を有するものを使用することができる。例えば、シリカやジルコニア、チタニア、酸化カルシウム等の金属酸化物や導電性を有するアルミナ、酸化錫、酸化インジウム、酸化アンチモン等の無機系導電性微粒子、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリウレタン、アクリル−スチレン共重合体、メラミン、ポリカーボネート等の各種ポリマーからなる架橋または未架橋の有機系微粒子やシリコーン系微粒子などが挙げられる。
[Anti-reflective function film]
As an antireflection functional film, a film to which fine particles are added is known. As these fine particles, those having transparency such as various metal oxides, glass, plastic and the like can be used. For example, metal oxides such as silica, zirconia, titania, calcium oxide, inorganic conductive fine particles such as conductive alumina, tin oxide, indium oxide, antimony oxide, polymethyl methacrylate, polystyrene, polyurethane, acrylic-styrene. Examples include crosslinked or uncrosslinked organic fine particles and silicone fine particles composed of various polymers such as polymers, melamine, and polycarbonate.

なお、これら微粒子の形状は特に限定されず、ビーズのような球形であってもよく、粉末状のような不定形のものであってもよい。球状のものが好ましく、真球状のものが特に好ましい。これら微粒子は、1種類を用いてもよいし、2種類以上を混合して用いてもよい。これら微粒子の平均粒子径は、10nmから200nmが好ましく、10nmから100nmが特に好ましい。平均粒子径が10nm未満であると、表面に十分な凹凸形状を形成することができず、貼付きの虞がある。平均粒子径が200nm以上であると、反射防止機能膜内で光散乱が発生し、透過率が低下する。微粒子の割合は、反射防止機能膜の厚さと微粒子の平均粒子径とを考慮して決定されるが、例えば、機能膜の基材樹脂100重量部に対して、0.1重量部から10重量部とするのが好ましい。   In addition, the shape of these fine particles is not particularly limited, and may be spherical such as beads or may be indefinite such as powder. A spherical shape is preferred, and a true spherical shape is particularly preferred. These fine particles may be used alone or in combination of two or more. The average particle diameter of these fine particles is preferably 10 nm to 200 nm, particularly preferably 10 nm to 100 nm. If the average particle size is less than 10 nm, a sufficient uneven shape cannot be formed on the surface, which may cause sticking. When the average particle diameter is 200 nm or more, light scattering occurs in the antireflection functional film, and the transmittance is reduced. The proportion of the fine particles is determined in consideration of the thickness of the antireflection functional film and the average particle diameter of the fine particles. For example, 0.1 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base resin of the functional film. Part.

また、ハードコート機能膜上にハードコート機能膜よりも屈折率の低い低屈折率層を形成することにより、反射防止機能膜とすることができる。例えば、ハードコート機能膜の屈折率が1.5以上の場合に、反射防止機能膜(低屈折率層)の屈折率が1.5未満、好ましくは1.45以下、さらに好ましくは1.35以下であることにより、反射防止機能が実現される。この場合の反射防止機能膜の膜厚d(nm)は、下記の式で表される。
d=mλ/4n(∵nは反射防止機能膜の屈折率、mは正の奇数、λは波長)
Further, by forming a low refractive index layer having a refractive index lower than that of the hard coat functional film on the hard coat functional film, an antireflection functional film can be obtained. For example, when the refractive index of the hard coat functional film is 1.5 or more, the refractive index of the antireflection functional film (low refractive index layer) is less than 1.5, preferably 1.45 or less, more preferably 1.35. The antireflection function is realized by the following. In this case, the film thickness d (nm) of the antireflection functional film is expressed by the following equation.
d = mλ / 4n (∵n is the refractive index of the antireflection functional film, m is a positive odd number, and λ is the wavelength)

反射防止機能膜の屈折率を下げるには、低屈折率粒子を添加することが挙げられる。低屈折率粒子としては、空隙を有する微粒子が挙げられる。空隙を有する微粒子としては、微粒子の内部に気体が充填された構造や、気体を含む多孔質構造を有するものが挙げられる。このような構造の微粒子においては、微粒子構成材の屈折率に比べて、微粒子中の気体の占有率に反比例して屈折率が低下する。   In order to lower the refractive index of the antireflection functional film, it is possible to add low refractive index particles. Examples of the low refractive index particles include fine particles having voids. Examples of the fine particles having voids include a structure in which a gas is filled in the fine particles and a porous structure containing a gas. In the fine particles having such a structure, the refractive index decreases in inverse proportion to the gas occupancy in the fine particles as compared with the refractive index of the fine particle constituent material.

空隙を有する微粒子としては、例えば、中空シリカ微粒子を用いることができる。中空シリカ微粒子は、製造が容易であり、硬度が高いため、反射防止機能膜の基材樹脂に混合すると、膜の強度が向上するとともに、屈折率を1.20〜1.45程度に調整することができる。中空シリカ微粒子の平均粒子径は、反射防止機能膜の透明性を確保するうえで、5nm〜300nmであることが好ましく、8nm〜100nmであることがより好ましく、10nm〜80nmであることがさらに好ましい。中空シリカ微粒子は、反射防止機能膜に基材樹脂100重量部に対して、0.1重量部〜500重量部であることが好ましく、10重量部〜200重量部であることがより好ましい。   As fine particles having voids, for example, hollow silica fine particles can be used. Since the hollow silica fine particles are easy to manufacture and have high hardness, when mixed with the base resin of the antireflection functional film, the strength of the film is improved and the refractive index is adjusted to about 1.20 to 1.45. be able to. The average particle diameter of the hollow silica fine particles is preferably 5 nm to 300 nm, more preferably 8 nm to 100 nm, and even more preferably 10 nm to 80 nm in order to ensure the transparency of the antireflection functional film. . The hollow silica fine particles are preferably 0.1 parts by weight to 500 parts by weight, and more preferably 10 parts by weight to 200 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base resin in the antireflection functional film.

また、内部や表面の少なくとも一部にナノポーラス構造を有する微粒子も、低屈折率粒子として用いることができる。この微粒子を用いた反射防止機能膜は、屈折率を1.30〜1.45程度に調節することができる。   Further, fine particles having a nanoporous structure inside or at least part of the surface can also be used as the low refractive index particles. In the antireflection functional film using the fine particles, the refractive index can be adjusted to about 1.30 to 1.45.

低屈折率の反射防止機能膜は、反射防止機能膜の基材樹脂として1分子中に2個以上の(メタ)アクリロイル基を有する多官能性モノマー、低屈折率粒子、及び必要に応じて添加剤(公知の重合開始剤、帯電防止剤、防眩剤等)を溶剤に溶解又は分散させた溶液又は分散液による塗膜を形成し、この塗膜を紫外線照射、又は加熱等により硬化させることにより形成することができる。   A low refractive index antireflection functional film is added as a base resin of the antireflective functional film, a polyfunctional monomer having two or more (meth) acryloyl groups in one molecule, low refractive index particles, and if necessary Forming a coating film with a solution or dispersion in which an agent (known polymerization initiator, antistatic agent, antiglare agent, etc.) is dissolved or dispersed in a solvent, and curing the coating film by ultraviolet irradiation or heating. Can be formed.

なお、低屈折率の反射防止機能膜となる塗膜は、膜組成物を揮発性溶媒により希釈して塗布して形成することが好ましい。揮発性溶媒としては、膜組成物の安定性、ハードコート機能膜等の他の機能膜に対する濡れ性、揮発性などを考慮して、メタノール、エタノール、イソプロパノール、n−ブタノール、s−ブタノール、t−ブタノール、2−メトキシエタノール、1−メトキシ−2−プロパノール(PGME)、イソプロピルアルコール(IPA)等のアルコール類、アセトン、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチル等のケトン類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類、ジイソプロピルエーテル等のエーテル類、エチレングリコール、プロピレングリコール、へキシレングリコール等のグリコール類、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、エチルカルビトール、ブチルカルビトール等のグリコールエーテル類、プロピレングリコール1−モノメチルエーテル2−アセタート(PGMEA)等のアセタート類、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族炭化水素類、ハロゲン化炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、N−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド等が挙げられる。これらは単独で、又は2種類以上を混合して用いてもよい。   In addition, it is preferable that the coating film used as the low-refractive-index antireflection functional film is formed by diluting a film composition with a volatile solvent and applying it. The volatile solvent includes methanol, ethanol, isopropanol, n-butanol, s-butanol, t in consideration of stability of the film composition, wettability with respect to other functional films such as a hard coat functional film, and volatility. Alcohols such as butanol, 2-methoxyethanol, 1-methoxy-2-propanol (PGME), isopropyl alcohol (IPA), ketones such as acetone, methyl isobutyl ketone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl, methyl acetate, ethyl acetate, Esters such as butyl acetate, ethers such as diisopropyl ether, glycols such as ethylene glycol, propylene glycol, and hexylene glycol, glycol ethers such as ethyl cellosolve, butyl cellosolve, ethyl carbitol, and butyl carbitol Acetates such as propylene glycol 1-monomethyl ether 2-acetate (PGMEA), aliphatic hydrocarbons such as hexane, heptane and octane, halogenated hydrocarbons, aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene and xylene, N-methyl Examples include pyrrolidone and dimethylformamide. You may use these individually or in mixture of 2 or more types.

〔耐指紋機能膜〕
耐指紋機能膜としては、フッ素コーティング剤や紫外線硬化樹脂により表面処理した膜が知られている。
[Anti-fingerprint film]
As the anti-fingerprint function film, a film surface-treated with a fluorine coating agent or an ultraviolet curable resin is known.

〔アンチブロッキング機能膜〕
さらに、機能膜としては、生産工程でのフィルムのスリップ防止やブロッキング防止、巻回して保管するときのブロッキング防止のために、表面に微細な凹凸形状を形成したり、アンチブロッキング機能膜を設けることが好ましい。ブロッキングとは、生産工程での機能膜のガイドロール等への付着や、保管時における機能膜同士の互着をいう。
[Anti-blocking functional membrane]
Furthermore, as a functional film, to prevent slipping and blocking of the film in the production process, and to prevent blocking when wound and stored, a fine uneven shape is formed on the surface, or an anti-blocking functional film is provided. Is preferred. Blocking refers to adhesion of the functional film to a guide roll or the like in the production process, or mutual adhesion of the functional films during storage.

ブロッキングを防止するには、機能性膜の表面に微細な凹凸形状を形成して接触面積を少なくすることや、アンチブロッキング剤を添加したアンチブロッキング機能膜を形成することが有効である。アンチブロッキング剤としては、シリカ、タルク、珪藻土などの無機微粒子や、相溶性が利用できるポリマーなどが挙げられる。   In order to prevent blocking, it is effective to form a fine uneven shape on the surface of the functional film to reduce the contact area or to form an anti-blocking functional film to which an anti-blocking agent is added. Examples of the antiblocking agent include inorganic fine particles such as silica, talc, and diatomaceous earth, and polymers that can utilize compatibility.

〔硬化樹脂層の他の例〕
また、硬化性樹脂層14は、導電性パターン12及び引出配線パターン13の少なくとも一部の上に形成された少なくとも2層以上の第1層群と、この第1層群上に形成された少なくとも2層以上の第2層群とから構成することができる。この場合には、第1層群のうちの少なくとも1層を、平滑化機能膜又は密着性向上機能膜とし、第2層群のうちの少なくとも1層を、ハードコート機能膜、反射防止機能膜、耐指紋機能膜、又は紫外線吸収機能膜とすることが好ましい。
[Other examples of cured resin layer]
The curable resin layer 14 includes at least two or more first layer groups formed on at least a part of the conductive pattern 12 and the lead-out wiring pattern 13, and at least the first layer group formed on the first layer group. It can be composed of two or more second layer groups. In this case, at least one layer of the first layer group is a smoothing functional film or an adhesion improving functional film, and at least one layer of the second layer group is a hard coat functional film or an antireflection functional film. It is preferable to use a fingerprint-resistant functional film or an ultraviolet absorbing functional film.

〔裏面硬化樹脂層〕
透明基材1の裏面1bにも、前述した導電性パターン12及び引出配線パターン13と同様の裏面導電性パターン15及び裏面引出配線パターン16を形成することができる。また、裏面導電性パターン15及び裏面引出配線パターン16の少なくとも一部の上(裏面側)には、硬化樹脂層14と同様の裏面硬化樹脂層17を形成することができる。
[Back cured resin layer]
Also on the back surface 1 b of the transparent substrate 1, the back surface conductive pattern 15 and the back surface lead wiring pattern 16 similar to the conductive pattern 12 and the lead wiring pattern 13 described above can be formed. In addition, a back surface cured resin layer 17 similar to the cured resin layer 14 can be formed on at least a part of the back surface conductive pattern 15 and the back surface lead-out wiring pattern 16 (on the back surface side).

硬化樹脂層14及び裏面硬化樹脂層17の両方を形成することにより、透明基材1の表裏で各樹脂層14,17の硬化バランスをとることができ、硬化時の透明基材1の反りを防止することができる。裏面硬化樹脂層17の総厚は、透明基材1の表面側の硬化性樹脂層14の総厚の50%以上200%未満であることが好ましい。   By forming both the cured resin layer 14 and the back surface cured resin layer 17, it is possible to balance the curing of the resin layers 14 and 17 on the front and back of the transparent substrate 1, and warp the transparent substrate 1 during curing. Can be prevented. The total thickness of the back surface cured resin layer 17 is preferably 50% or more and less than 200% of the total thickness of the curable resin layer 14 on the surface side of the transparent substrate 1.

裏面導電性パターン15及び裏面引出配線パターン16は、透明基材1の表面側の導電性パターン12及び引出配線パターン13と同様に形成されるものであり、金属材料から形成することができる。また、裏面導電性パターン15及び裏面引出配線パターン16は、2種以上の金属材料から形成することができる。この場合、裏面導電性パターン15及び裏面引出配線パターン16の最外層は、酸化防止機能を有することが好ましい。   The back surface conductive pattern 15 and the back surface extraction wiring pattern 16 are formed in the same manner as the conductive pattern 12 and the extraction wiring pattern 13 on the front surface side of the transparent substrate 1, and can be formed from a metal material. Moreover, the back surface conductive pattern 15 and the back surface extraction wiring pattern 16 can be formed from two or more kinds of metal materials. In this case, it is preferable that the outermost layers of the back surface conductive pattern 15 and the back surface lead wiring pattern 16 have an antioxidant function.

裏面硬化樹脂層17は、透明基材1の表面側の硬化性樹脂層14と同様に、紫外線吸収機能膜を含むことが好ましい。また、裏面硬化樹脂層17は、硬化性樹脂層14と同様に、電磁波シールド機能膜を含むことが好ましい。この電磁波シールド機能膜は、電磁波シールドを行う金属材料からなる細線パターンを有して構成することができる。   Similarly to the curable resin layer 14 on the front surface side of the transparent substrate 1, the back surface cured resin layer 17 preferably includes an ultraviolet absorbing functional film. Further, like the curable resin layer 14, the back surface cured resin layer 17 preferably includes an electromagnetic wave shielding functional film. This electromagnetic wave shielding functional film can be configured to have a fine line pattern made of a metal material that performs electromagnetic wave shielding.

〔インクジェット法による導電性パターンの形成方法〕
導電性パターン12及び裏面導電性パターン15は、透明基材1上に導電性材料を含む少なくとも1本のライン状液体を付与し、このライン状液体にコーヒーステイン現象を生起させて乾燥させて細線化し、1本のライン状液体あたり一対の細線パターンを形成し、これら細線パターンに対して電解メッキを施して形成することができる。
[Method of forming conductive pattern by inkjet method]
The conductive pattern 12 and the backside conductive pattern 15 are formed by applying at least one line-shaped liquid containing a conductive material on the transparent base material 1, causing the coffee-stain phenomenon to occur in the line-shaped liquid, and drying the fine line. Then, a pair of fine line patterns can be formed per one line-shaped liquid, and the fine line patterns can be formed by electrolytic plating.

なお、ライン状液体は、図2に示すように、直線状に付与するのみならず、図3に示すように、矩形状や、あるいは、円形状やその他の形状に付与してもよい。   The line-shaped liquid may be applied not only in a straight line as shown in FIG. 2, but also in a rectangular shape, a circular shape, or other shapes as shown in FIG.

図2及び図3において、71は被メッキ面である。導電性パターン12は、複数の導電性細線23の集合体から構成される。この導電性パターン12は、前述したように、例えば、図2(a)に示すように、導電性細線23を1方向に複数並列したストライプ状や、図2(b)(c)に示すように、1方向に複数並列された導電性細線23と、これと交差する方向に複数並列された導電性細線23とを交差させたメッシュ状(格子状ともいう)や、図3に示すように、多角形パターンの連続であって隣接するパターンの一部同士が重なり合った形態、さらに、図示はしないが、円形パターンやその他の形状のパターンの連続であって隣接するパターンの一部同士が重なり合った形態であることが好ましい。   2 and 3, reference numeral 71 denotes a surface to be plated. The conductive pattern 12 is composed of an assembly of a plurality of conductive thin wires 23. As described above, the conductive pattern 12 is, for example, as shown in FIG. 2A, a stripe shape in which a plurality of conductive thin wires 23 are arranged in one direction, or as shown in FIGS. 2B and 2C. In addition, as shown in FIG. 3, a mesh shape (also referred to as a lattice shape) in which a plurality of conductive thin wires 23 arranged in parallel in one direction and a plurality of conductive thin wires 23 arranged in a direction crossing the conductive thin wires 23 are intersected. A form in which a part of adjacent patterns overlap each other in a continuous polygon pattern. Further, although not shown, a part of adjacent patterns in a continuous pattern of circular patterns or other shapes overlap. It is preferable that it is a form.

導電性パターン2を導電性細線23により構成するには、導電性材料からなる線幅20μm以下(特に好ましくは数nm〜10μm程度)の細線に電解メッキを施すことが好ましい。   In order to form the conductive pattern 2 with the conductive thin wires 23, it is preferable to apply electrolytic plating to a thin wire made of a conductive material and having a line width of 20 μm or less (particularly preferably about several nm to 10 μm).

図4は、ライン状液体から平行線パターンが形成される様子を概念的に説明する一部切り欠き斜視図である。   FIG. 4 is a partially cutaway perspective view conceptually illustrating the manner in which a parallel line pattern is formed from a line-shaped liquid.

図4(a)に示すように、透明基板1上に、導電性材料を含むライン状液体24を付与する。透明基板1上へのライン状液体24の付与は、インクジェットヘッド(不図示)を用いて行うことができる。具体的には、インクジェットヘッドを透明基板1に対して相対移動させながら、インクジェットヘッドから導電性材料を含む液滴を複数吐出させ、吐出された液滴を基材上で合一させることで、導電性材料を含むライン状液体24を形成することができる。ライン状液体24は、長さ方向に複数の液滴を合一させたものである。また、ライン状液体24は、幅方向にも複数の液滴を合一させて、その形成幅を大きくしてもよい。   As shown in FIG. 4A, a line-shaped liquid 24 containing a conductive material is applied on the transparent substrate 1. The application of the line-shaped liquid 24 onto the transparent substrate 1 can be performed using an inkjet head (not shown). Specifically, by causing the inkjet head to move relative to the transparent substrate 1, a plurality of droplets containing a conductive material are ejected from the inkjet head, and the ejected droplets are combined on the base material, A line-like liquid 24 containing a conductive material can be formed. The line-like liquid 24 is a combination of a plurality of droplets in the length direction. In addition, the line-shaped liquid 24 may be formed by enlarging a plurality of droplets in the width direction.

図4(b)に示すように、ライン状液体24を蒸発させ、乾燥させる際に、コーヒーステイン現象を利用して、ライン状液体24の長さ方向に沿う両方の縁25a、25bに導電性材料を選択的に堆積させる。   As shown in FIG. 4 (b), when the line-shaped liquid 24 is evaporated and dried, the coffee stain phenomenon is used to make both edges 25a and 25b along the length direction of the line-shaped liquid 24 conductive. The material is selectively deposited.

コーヒーステイン現象を促進させるように、ライン状液体24を乾燥させる際の条件設定を行うことが好ましい。すなわち、透明基板1上に配置されたライン状液体24の乾燥は、中央部に比べて両縁25a、25bにおいて速く、ライン状液体24の両縁25a、25bに導電性材料の局所的な堆積が起こる。このように堆積した導電性材料により、ライン状液体24の両縁25a、25bが固定化された状態となり、それ以降の乾燥に伴うライン状液体24の幅方向の収縮が抑制される。   It is preferable to set conditions for drying the line-shaped liquid 24 so as to promote the coffee stain phenomenon. That is, the drying of the line-shaped liquid 24 disposed on the transparent substrate 1 is faster at both edges 25a and 25b than at the center, and the conductive material is locally deposited on both edges 25a and 25b of the line-shaped liquid 24. Happens. With the conductive material deposited in this manner, both edges 25a and 25b of the line-shaped liquid 24 are fixed, and the shrinkage in the width direction of the line-shaped liquid 24 accompanying subsequent drying is suppressed.

ライン状液体24では、両縁25a、25bでの蒸発により失った液体を補うように中央部から両縁に向かう流動が形成される。この流動によって、さらに導電性材料が両縁25a、25bに運ばれて堆積する。この流動は、乾燥に伴うライン状液体24の接触線の固定化と、ライン状液体24の中央部と両縁25a、25bとの蒸発量の差に起因する。そのため、この流動を促進させるように、導電性材料の濃度、ライン状液体24と透明基板1との接触角、ライン状液体24の液量、透明基板1の加熱温度、ライン状液体24の配置密度、又は温度、湿度、気圧の環境因子等の条件を設定することが好ましい。   In the line-shaped liquid 24, a flow from the central portion toward both edges is formed so as to compensate for the liquid lost by evaporation at both edges 25a and 25b. By this flow, the conductive material is further transported to and deposited on both edges 25a and 25b. This flow is caused by immobilization of the contact line of the line-shaped liquid 24 accompanying drying and a difference in evaporation amount between the central portion of the line-shaped liquid 24 and both edges 25a and 25b. Therefore, in order to promote this flow, the concentration of the conductive material, the contact angle between the line-shaped liquid 24 and the transparent substrate 1, the liquid amount of the line-shaped liquid 24, the heating temperature of the transparent substrate 1, the arrangement of the line-shaped liquid 24 It is preferable to set conditions such as density or environmental factors such as temperature, humidity, and atmospheric pressure.

その結果、図4(c)に示すように、透明基板1上に、導電性材料を含む細線23a、23bが形成される。これら細線23a、23bは、ライン状液体24の両方の縁25a、25bに対応する位置に形成される。すなわち、1本のライン状液体24から、互いに平行な2本の細線23a、23bが形成される。以下の説明では、2本の細線23a、23bを、平行線パターン27という場合がある。   As a result, as shown in FIG. 4C, fine wires 23 a and 23 b containing a conductive material are formed on the transparent substrate 1. These thin wires 23 a and 23 b are formed at positions corresponding to both edges 25 a and 25 b of the line-like liquid 24. That is, two thin wires 23 a and 23 b parallel to each other are formed from one line-shaped liquid 24. In the following description, the two thin lines 23 a and 23 b may be referred to as a parallel line pattern 27.

以上のようにして形成された細線23a、23bには、電解メッキを施す前に、焼成処理を施すことも好ましい。   The thin wires 23a and 23b formed as described above are preferably subjected to a firing treatment before the electrolytic plating.

例えば図2(b)及び(c)に示したように、被メッキ面71の導電部を、互いに交差する導電性細線により形成する場合は、まず、第1の方向に沿って第1のライン状液体を形成し、これを乾燥させて第1の方向に沿う第1の平行線パターン27を形成し、次いで、第1の平行線パターン27を跨ぐように、第1の方向に対して交差する第2の方向に沿って第2のライン状液体24を形成し、これを乾燥させて第2の方向に沿う第2の平行線パターン27を形成する方法を好ましく用いることができる。   For example, as shown in FIGS. 2B and 2C, when the conductive portion of the surface 71 to be plated is formed by thin conductive wires that intersect each other, first, the first line is formed along the first direction. The liquid is formed and dried to form a first parallel line pattern 27 along the first direction, and then intersects the first direction so as to straddle the first parallel line pattern 27 A method of forming the second line-shaped liquid 24 along the second direction, and drying the liquid to form the second parallel line pattern 27 along the second direction can be preferably used.

また、図3に示すように、ライン状液体を多角形パターンや円形パターンの連続であって隣接するパターンの一部同士が重なり合った形態に付与した場合には、細線23a、23bに電解メッキを施す前に、又は電解メッキ工程中に、多角形パターンや円形パターンの内側の細線を除去し、外側の細線のみを残すようにする。   In addition, as shown in FIG. 3, when the line liquid is applied in a form in which a part of adjacent patterns overlap each other in a continuous polygonal pattern or circular pattern, electrolytic plating is applied to the thin wires 23a and 23b. Prior to application or during the electroplating process, the inner fine lines of the polygonal pattern or circular pattern are removed, leaving only the outer fine lines.

ライン状液体24の形成のためにインクジェットヘッドから透明基材1に吐出される液体には、導電性材料、又は導電性材料前駆体を含有させる。導電性材料前駆体は、適宜後処理を施すことによって、導電性材料に変化させることができる。   The liquid discharged from the inkjet head to the transparent substrate 1 for forming the line-shaped liquid 24 contains a conductive material or a conductive material precursor. The conductive material precursor can be changed to a conductive material by appropriately performing post-treatment.

導電性材料としては、例えば、導電性微粒子、導電性ポリマー等を好ましく例示できる。   Preferred examples of the conductive material include conductive fine particles and conductive polymers.

導電性微粒子としては、格別限定されないが、Au、Pt、Ag、Cu、Ni、Cr、Rh、Pd、Zn、Co、Mo、Ru、W、Os、Ir、Fe、Mn、Ge、Sn、Ga、In等の微粒子を好ましく例示でき、中でも、Au、Ag、Cuのような金属微粒子を用いると、電気抵抗が小さく、かつ腐食に強い回路パターンを形成することができるので、より好ましい。コスト及び安定性の観点から、Agを含む金属微粒子が最も好ましい。これらの金属微粒子の平均粒子径は、好ましくは1〜100nmの範囲、より好ましくは3〜50nmの範囲である。   The conductive fine particles are not particularly limited, but Au, Pt, Ag, Cu, Ni, Cr, Rh, Pd, Zn, Co, Mo, Ru, W, Os, Ir, Fe, Mn, Ge, Sn, Ga. In particular, fine particles such as In can be exemplified, and among them, use of fine metal particles such as Au, Ag, and Cu is more preferable because a circuit pattern having a low electric resistance and strong against corrosion can be formed. From the viewpoint of cost and stability, metal fine particles containing Ag are most preferable. The average particle diameter of these metal fine particles is preferably in the range of 1 to 100 nm, more preferably in the range of 3 to 50 nm.

また、導電性微粒子として、カーボン微粒子を用いることも好ましい。カーボン微粒子としては、グラファイト微粒子、カーボンナノチューブ、フラーレン等を好ましく例示できる。   It is also preferable to use carbon fine particles as the conductive fine particles. Preferable examples of the carbon fine particles include graphite fine particles, carbon nanotubes, fullerenes and the like.

導電性ポリマーとしては、格別限定されないが、π共役系導電性高分子を好ましく挙げることができる。   Although it does not specifically limit as a conductive polymer, (pi) conjugated system conductive polymer can be mentioned preferably.

π共役系導電性高分子としては、特に限定されず、ポリチオフェン類、ポリピロール類、ポリインドール類、ポリカルバゾール類、ポリアニリン類、ポリアセチレン類、ポリフラン類、ポリパラフェニレン類、ポリパラフェニレンビニレン類、ポリパラフェニレンサルファイド類、ポリアズレン類、ポリイソチアナフテン類、ポリチアジル類等の鎖状導電性ポリマーを利用することができる。中でも、高い導電性が得られる点で、ポリチオフェン類やポリアニリン類が好ましい。   The π-conjugated conductive polymer is not particularly limited, and polythiophenes, polypyrroles, polyindoles, polycarbazoles, polyanilines, polyacetylenes, polyfurans, polyparaphenylenes, polyparaphenylene vinylenes, poly Chain conductive polymers such as paraphenylene sulfides, polyazulenes, polyisothianaphthenes, and polythiazyl can be used. Among these, polythiophenes and polyanilines are preferable in that high conductivity can be obtained.

導電性ポリマーは、より好ましくは、上述したπ共役系導電性高分子とポリアニオンとを含んでいるものである。こうした導電性ポリマーは、π共役系導電性高分子を形成する前駆体モノマーを、適切な酸化剤と酸化触媒と、ポリアニオンの存在下で化学酸化重合することによって容易に製造できる。   The conductive polymer more preferably contains the above-described π-conjugated conductive polymer and polyanion. Such a conductive polymer can be easily produced by chemical oxidative polymerization of a precursor monomer that forms a π-conjugated conductive polymer in the presence of an appropriate oxidizing agent, an oxidation catalyst, and a polyanion.

ポリアニオンは、置換若しくは未置換のポリアルキレン、置換若しくは未置換のポリアルケニレン、置換若しくは未置換のポリイミド、置換若しくは未置換のポリアミド、置換若しくは未置換のポリエステル及びこれらの共重合体であって、アニオン基を有する構成単位とアニオン基を有さない構成単位とからなるものである。   The polyanion is a substituted or unsubstituted polyalkylene, a substituted or unsubstituted polyalkenylene, a substituted or unsubstituted polyimide, a substituted or unsubstituted polyamide, a substituted or unsubstituted polyester, and a copolymer thereof. It consists of a structural unit having a group and a structural unit having no anionic group.

このポリアニオンは、π共役系導電性高分子を溶媒に可溶化させる可溶化高分子である。また、ポリアニオンのアニオン基は、π共役系導電性高分子に対するドーパントとして機能して、π共役系導電性高分子の導電性と耐熱性を向上させる。   This polyanion is a solubilized polymer that solubilizes the π-conjugated conductive polymer in a solvent. The anion group of the polyanion functions as a dopant for the π-conjugated conductive polymer, and improves the conductivity and heat resistance of the π-conjugated conductive polymer.

ポリアニオンのアニオン基としては、π共役系導電性高分子への化学酸化ドープが起こりうる官能基であればよいが、中でも、製造の容易さ及び安定性の観点からは、一置換硫酸エステル基、一置換リン酸エステル基、リン酸基、カルボキシル基、スルホン基等が好ましい。さらに、官能基のπ共役系導電性高分子へのドープ効果の観点より、スルホン基、一置換硫酸エステル基、カルボキシル基がより好ましい。   The anion group of the polyanion may be a functional group capable of undergoing chemical oxidation doping to the π-conjugated conductive polymer. Among them, from the viewpoint of ease of production and stability, a monosubstituted sulfate group, A monosubstituted phosphate group, a phosphate group, a carboxyl group, a sulfone group and the like are preferable. Furthermore, from the viewpoint of the doping effect of the functional group on the π-conjugated conductive polymer, a sulfone group, a monosubstituted sulfate group, and a carboxyl group are more preferable.

ポリアニオンの具体例としては、ポリビニルスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、ポリアリルスルホン酸、ポリアクリル酸エチルスルホン酸、ポリアクリル酸ブチルスルホン酸、ポリ−2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸、ポリイソプレンスルホン酸、ポリビニルカルボン酸、ポリスチレンカルボン酸、ポリアリルカルボン酸、ポリアクリルカルボン酸、ポリメタクリルカルボン酸、ポリ−2−アクリルアミド−2−メチルプロパンカルボン酸、ポリイソプレンカルボン酸、ポリアクリル酸等が挙げられる。これらの単独重合体であってもよいし、2種以上の共重合体であってもよい。   Specific examples of polyanions include polyvinyl sulfonic acid, polystyrene sulfonic acid, polyallyl sulfonic acid, polyacrylic acid ethyl sulfonic acid, polyacrylic acid butyl sulfonic acid, poly-2-acrylamido-2-methylpropane sulfonic acid, polyisoprene sulfone. Examples include acid, polyvinyl carboxylic acid, polystyrene carboxylic acid, polyallyl carboxylic acid, polyacryl carboxylic acid, polymethacryl carboxylic acid, poly-2-acrylamido-2-methylpropane carboxylic acid, polyisoprene carboxylic acid, polyacrylic acid and the like. . These homopolymers may be sufficient and 2 or more types of copolymers may be sufficient.

また、化合物内にF(フッ素原子)を有するポリアニオンであってもよい。具体的には、パーフルオロスルホン酸基を含有する「ナフィオン」(Dupont社製)、カルボン酸基を含有するパーフルオロ型ビニルエーテルからなる「フレミオン」(旭硝子社製)等を挙げることができる。   Moreover, the polyanion which has F (fluorine atom) in a compound may be sufficient. Specific examples include “Nafion” containing a perfluorosulfonic acid group (manufactured by Dupont), “Flemion” (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) made of perfluoro vinyl ether containing a carboxylic acid group.

これらのうち、スルホン酸を有する化合物であると、インクジェットヘッドを用いた際にインク射出安定性が特に良好であり、かつ高い導電性が得られることから、より好ましい。   Among these, a compound having a sulfonic acid is more preferable since the ink ejection stability is particularly good when an ink jet head is used and high conductivity is obtained.

さらに、これらの中でも、ポリスチレンスルホン酸、ポリイソプレンスルホン酸、ポリアクリル酸エチルスルホン酸、ポリアクリル酸ブチルスルホン酸が好ましい。これらのポリアニオンは、導電性に優れるという効果を奏する。   Furthermore, among these, polystyrene sulfonic acid, polyisoprene sulfonic acid, polyacrylic acid ethylsulfonic acid, and polyacrylic acid butylsulfonic acid are preferable. These polyanions have the effect of being excellent in conductivity.

ポリアニオンの重合度は、モノマー単位が10〜100000個の範囲であることが好ましく、溶媒溶解性及び導電性の点からは、50〜10000個の範囲がより好ましい。   The degree of polymerization of the polyanion is preferably in the range of 10 to 100,000 monomer units, and more preferably in the range of 50 to 10,000 from the viewpoint of solvent solubility and conductivity.

導電性ポリマーとしては市販の材料も好ましく利用できる。例えば、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)とポリスチレンスルホン酸からなる導電性ポリマー(PEDOT/PSSと略す)が、H.C.Starck社から「CLEVIOSシリーズ」として、Aldrich社から「PEDOT−PSS483095、560598」として、NagaseChemtex社から「Denatronシリーズ」として市販されている。また、ポリアニリンが、日産化学社から「ORMECONシリーズ」として市販されている。   A commercially available material can also be preferably used as the conductive polymer. For example, a conductive polymer (abbreviated as PEDOT / PSS) made of poly (3,4-ethylenedioxythiophene) and polystyrenesulfonic acid is H.264. C. It is commercially available as “CLEVIOS series” from Starck, as “PEDOT-PSS 483095, 560598” from Aldrich, and as “Denatron series” from Nagase Chemtex. Polyaniline is also commercially available from Nissan Chemical Company as “ORMECON series”.

ライン状液体24を形成する際に用いる、導電性材料を含有させる液体としては、水や、有機溶剤等の1種又は2種以上を組み合わせて用いることができる。   As a liquid containing a conductive material used when forming the line-shaped liquid 24, one or more of water, an organic solvent, and the like can be used in combination.

有機溶剤は、格別限定されないが、例えば、1,2−ヘキサンジオール、2−メチル−2,4−ペンタンジオール、1,3−ブタンジオール、1,4−ブタンジオール、プロピレングリコールなどのアルコール類、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテルなどのエーテル類等を例示できる。   The organic solvent is not particularly limited. For example, alcohols such as 1,2-hexanediol, 2-methyl-2,4-pentanediol, 1,3-butanediol, 1,4-butanediol, propylene glycol, Examples include ethers such as diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, and dipropylene glycol monoethyl ether.

また、導電性材料を含有させる液体には、界面活性剤など種々の添加剤を含有させてもよい。界面活性剤を用いることで、インクジェットヘッドを用いてライン状液体24を形成する場合に、表面張力等を調整して吐出の安定化を図ること等が可能になる。界面活性剤としては、格別限定されないが、シリコン系界面活性剤等を用いることができる。シリコン系界面活性剤とはジメチルポリシロキサンの側鎖、又は末端をポリエーテル変性したものであり、例えば、信越化学工業製の「KF−351A、KF−642」やビッグケミー製の「BYK347、BYK348」などが市販されている。界面活性剤の添加量は、ライン状液体24を形成する液体の全量に対して、1重量%以下であることが好ましい。   Further, the liquid containing the conductive material may contain various additives such as a surfactant. By using the surfactant, when the line-like liquid 24 is formed using the ink jet head, it becomes possible to stabilize the discharge by adjusting the surface tension and the like. The surfactant is not particularly limited, but a silicon surfactant or the like can be used. Silicon surfactants are those in which the side chain or terminal of dimethylpolysiloxane is modified with polyether. For example, “KF-351A, KF-642” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Are commercially available. The addition amount of the surfactant is preferably 1% by weight or less with respect to the total amount of the liquid forming the line-like liquid 24.

インクジェットヘッドから透明基材1に吐出される液体における導電性材料の濃度範囲は、例えば、0.01〔wt%〕以上1.0〔wt%〕以下の範囲に調整されることが好ましい。これにより、細線23a、23bの形成を安定化できる。   The concentration range of the conductive material in the liquid discharged from the inkjet head to the transparent substrate 1 is preferably adjusted to a range of 0.01 wt% to 1.0 wt%, for example. Thereby, formation of the thin wires 23a and 23b can be stabilized.

図5は、透明基材上に形成された平行線パターンの一例を示す一部切り欠き斜視図であり、断面は、平行線パターンの形成方向に対して直交する方向で切断した縦断面に対応する。   FIG. 5 is a partially cutaway perspective view showing an example of a parallel line pattern formed on a transparent substrate, and the cross section corresponds to a vertical cross section cut in a direction orthogonal to the direction in which the parallel line pattern is formed. To do.

図5に示すように、1本のライン状液体から生成された平行線パターン27の2本の細線23a、23bは、必ずしも互いに完全に独立した島状である必要はない。2本の細線23a、23bは、該細線23a、23b間に亘って、該細線23a、23bの高さよりも低い高さで形成された薄膜部28によって接続された連続体として形成されてもよい。   As shown in FIG. 5, the two thin lines 23a and 23b of the parallel line pattern 27 generated from one line-shaped liquid do not necessarily need to be islands completely independent from each other. The two thin wires 23a and 23b may be formed as a continuous body connected by the thin film portion 28 formed at a height lower than the height of the thin wires 23a and 23b between the thin wires 23a and 23b. .

平行線パターン27の細線23a、23bの線幅Wa、Wbは、前述したように、各々20μm以下であることが好ましい。細線23a、23bの幅Wa、Wbとは、該細線23a、23b間において導電性材料の厚みが最薄となる最薄部分の高さをZとし、さらに該Zからの細線23a、23bの突出高さをY1、Y2としたときに、Y1、Y2の半分の高さにおける細線23a、23bの幅として定義される。例えば、平行線パターン27が上述した薄膜部28を有する場合は、該薄膜部28における最薄部分の高さをZとすることができる。なお、各細線23a、23b間における導電性材料の最薄部分の高さが0であるときは、細線23a、23bの線幅Wa、Wbは、透明基板1の表面からの細線23a、23bの高さH1、H2の半分の高さにおける細線23a、23bの幅とすることができる。   As described above, the line widths Wa and Wb of the fine lines 23a and 23b of the parallel line pattern 27 are preferably 20 μm or less, respectively. The widths Wa and Wb of the thin wires 23a and 23b are the height of the thinnest portion where the thickness of the conductive material is the thinnest between the thin wires 23a and 23b, and the protrusion of the thin wires 23a and 23b from the Z When the heights are Y1 and Y2, they are defined as the widths of the thin wires 23a and 23b at half the height of Y1 and Y2. For example, when the parallel line pattern 27 has the thin film portion 28 described above, the height of the thinnest portion in the thin film portion 28 can be set to Z. When the height of the thinnest portion of the conductive material between the thin wires 23 a and 23 b is 0, the line widths Wa and Wb of the thin wires 23 a and 23 b are the same as those of the thin wires 23 a and 23 b from the surface of the transparent substrate 1. The width of the thin wires 23a and 23b at half the height of the heights H1 and H2 can be set.

平行線パターン27を構成する細線23a、23bの線幅W1、W2は、上述した通り極めて細いものであるため、断面積を確保して低抵抗化を図る観点で、透明基板1の表面からの細線23a、23bの高さH1、H2は高い方が望ましい。具体的には、細線23a、23bの高さH1、H2は、50nm以上5μm以下の範囲であることが好ましい。   Since the line widths W1 and W2 of the thin lines 23a and 23b constituting the parallel line pattern 27 are extremely thin as described above, from the viewpoint of securing a cross-sectional area and reducing the resistance, The heights H1 and H2 of the thin wires 23a and 23b are preferably higher. Specifically, the heights H1 and H2 of the thin wires 23a and 23b are preferably in the range of 50 nm to 5 μm.

さらに、平行線パターン27の安定性を向上する観点から、H1/W1比、H2/W2比は、各々0.01以上1以下の範囲であることが好ましい。   Furthermore, from the viewpoint of improving the stability of the parallel line pattern 27, the H1 / W1 ratio and the H2 / W2 ratio are preferably in the range of 0.01 or more and 1 or less, respectively.

また、平行線パターン27の細線化をさらに向上する観点から、細線23a、23b間の薄膜部28の最薄部分の高さZが10nm以下の範囲であることが好ましい。最も好ましいのは、透明性と安定性のバランスの両立を図るために、0<Z≦10nmの範囲で、薄膜部28を備えることである。   Further, from the viewpoint of further improving the thinning of the parallel line pattern 27, the height Z of the thinnest portion 28 of the thin film portion 28 between the thin wires 23a and 23b is preferably in the range of 10 nm or less. Most preferably, the thin film portion 28 is provided in the range of 0 <Z ≦ 10 nm in order to achieve a balance between transparency and stability.

さらに、平行線パターン27のさらなる細線化向上のために、H1/Z比、H2/Z比は、各々5以上であることが好ましく、10以上であることがより好ましく、20以上であることが特に好ましい。   Further, in order to further improve the thinning of the parallel line pattern 27, the H1 / Z ratio and the H2 / Z ratio are each preferably 5 or more, more preferably 10 or more, and preferably 20 or more. Particularly preferred.

細線23a、23bの配置間隔Iの範囲は、格別限定されず、ライン状液体24の形成幅の設定により適宜設定することができる。例えば、配置間隔Iは、導電性パターン2を形成する場合には、100μm以上〜1000μm以下の範囲とすることが好ましく、100μm以上〜500μm以下の範囲とすることがさらに好ましい。   The range of the arrangement interval I of the thin wires 23a and 23b is not particularly limited, and can be appropriately set by setting the formation width of the line liquid 24. For example, when the conductive pattern 2 is formed, the arrangement interval I is preferably in the range of 100 μm to 1000 μm, and more preferably in the range of 100 μm to 500 μm.

なお、細線23a、23bの配置間隔Iとは、細線23a、23bの各最大突出部間の距離とする。   In addition, the arrangement | positioning space | interval I of the thin wires 23a and 23b is taken as the distance between each maximum protrusion part of the thin wires 23a and 23b.

さらに、細線23aと細線23bとは同様の形状(同程度の断面積)とすることが好ましく、具体的には、細線23aと細線23bの高さH1、H2を実質的に等しい値とすることが好ましい。これと同様に、細線23aと細線23bの線幅Wa、Wbについても実質的に等しい値とすることが好ましい。   Furthermore, it is preferable that the thin wire 23a and the thin wire 23b have the same shape (similar cross-sectional area). Specifically, the heights H1 and H2 of the thin wire 23a and the thin wire 23b are set to substantially equal values. Is preferred. Similarly, the line widths Wa and Wb of the thin wire 23a and the thin wire 23b are preferably set to substantially the same value.

細線23a、23bは、必ずしも平行である必要性はなく、少なくとも細線23a、23bの長さ方向のある距離Jに亘って、細線23a、23bが結合していなければ良い。好ましくは、少なくとも長さ方向のある距離Jに亘って、細線23a、23bが実質的に平行であることである。   The thin wires 23a and 23b do not necessarily have to be parallel, and it is sufficient that the thin wires 23a and 23b are not coupled to each other over at least a certain distance J in the length direction of the thin wires 23a and 23b. Preferably, the thin wires 23a and 23b are substantially parallel over at least a certain distance J in the length direction.

細線23a、23bの細線方向の長さJは、細線23a、23bの配置間隔Iの5倍以上であることが好ましく、10倍以上であることがより好ましい。長さJ及び配置間隔Iは、ライン状液体24の形成長さ及び形成幅に対応して設定することができる。   The length J of the fine wires 23a and 23b in the fine wire direction is preferably at least 5 times the arrangement interval I of the fine wires 23a and 23b, more preferably at least 10 times. The length J and the arrangement interval I can be set corresponding to the formation length and formation width of the line-like liquid 24.

ライン状液体24の形成始点と終点(長さ方向のある距離Jを隔てた始点と終点)では、細線23a、23bが接続し、連続体として形成されてもよい。   At the formation start point and end point of the line-shaped liquid 24 (start point and end point separated by a certain distance J in the length direction), the thin wires 23a and 23b may be connected to form a continuous body.

以下、本発明の具体的な実施例について説明する。各実施例及び比較例における透明基材1上の導電性パターン12及び硬化樹脂層14の層構成は、以下の〔表1〕に示す通りである。

Figure 2017220033
Hereinafter, specific examples of the present invention will be described. The layer configurations of the conductive pattern 12 and the cured resin layer 14 on the transparent substrate 1 in each Example and Comparative Example are as shown in [Table 1] below.
Figure 2017220033

〔実施例1〕
透明基材1を100μm厚のPETフィルムとした。このPETフィルム上の導電性パターン12は、ITOパターンにより形成し、引出配線パターン13は、銀配線により形成した。ITOパターンは、ITOフィルム(42インチサイズ、基材厚50μmPET,シート抵抗100Ω/□)を用いて、フォトリソプロセスにより格子状チャネルパターニングを行って形成した。格子幅は10mmとした。この材料に銀ナノペーストを用いて印刷法により、各チャネルより引き出し線を透明基材1の端部まで形成した。L/S=60/60(μm)とした。
[Example 1]
The transparent substrate 1 was a PET film having a thickness of 100 μm. The conductive pattern 12 on the PET film was formed of an ITO pattern, and the lead wiring pattern 13 was formed of silver wiring. The ITO pattern was formed by performing lattice-like channel patterning by a photolithography process using an ITO film (42 inch size, base material thickness 50 μm PET, sheet resistance 100Ω / □). The lattice width was 10 mm. A lead wire was formed from each channel to the end of the transparent substrate 1 by printing using silver nanopaste for this material. L / S = 60/60 (μm).

導電性パターン12上に、5μm厚の電磁波シールド機能膜を形成した。電磁波シールド機能膜は、銀ナノワイヤー7部、ペンタエリスリトールアクリレート(PETA(日本化薬社製))50部、開始剤(イルガキュア184(BASF社製))5部、溶剤(MEK)100部をマイクログラビアにて塗布して乾燥後、紫外線(400mJ/cm)を照射し硬化させた。 An electromagnetic wave shielding functional film having a thickness of 5 μm was formed on the conductive pattern 12. The electromagnetic shielding functional film is composed of 7 parts of silver nanowire, 50 parts of pentaerythritol acrylate (PETA (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)), 5 parts of initiator (Irgacure 184 (manufactured by BASF)), 100 parts of solvent (MEK). After applying with a gravure and drying, it was cured by irradiation with ultraviolet rays (400 mJ / cm 2 ).

電磁波シールド機能膜上に、10μm厚のハードコート機能膜を形成した。ハードコート機能膜は、ウレタンアクリレート(UV−1700B(日本合成化学社製))100部、ジペンタエルスリトールヘキサアクリレート(DPHA(日本化薬社製))50部、開始剤(イルガキュア184(BASF社製))5部、溶剤(MEK)100部をマイクログラビアにて塗布して乾燥後、紫外線(400mJ/cm)を照射し硬化させた。 A 10 μm thick hard coat functional film was formed on the electromagnetic shielding functional film. The hard coat functional film is composed of 100 parts of urethane acrylate (UV-1700B (manufactured by Nippon Synthetic Chemical)), 50 parts of dipentaerythritol hexaacrylate (DPHA (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)), initiator (Irgacure 184 (BASF) 5 parts and 100 parts of solvent (MEK) were applied by microgravure, dried, and then cured by irradiation with ultraviolet rays (400 mJ / cm 2 ).

そして、この透明面状デバイスを、10μm厚のOCR層(液状の粘接着剤を硬化させた層)を介して表示デバイス(表面パネル)に対向させて貼り合わせ、タッチパネル付き表示デバイスを作成した。引出配線パターン13には、制御IC(演算回路)をボンディングした。   Then, this transparent planar device was bonded to face the display device (surface panel) through a 10 μm thick OCR layer (layer obtained by curing a liquid adhesive) to create a display device with a touch panel. . A control IC (arithmetic circuit) was bonded to the lead wiring pattern 13.

〔実施例2〕
透明基材1を100μm厚のPETフィルムとした。このPETフィルム上の導電性パターン12は、ITOパターンにより形成し、引出配線パターン13は、銀配線により形成した(実施例1と同様)。
[Example 2]
The transparent substrate 1 was a PET film having a thickness of 100 μm. The conductive pattern 12 on the PET film was formed of an ITO pattern, and the lead wiring pattern 13 was formed of silver wiring (similar to Example 1).

導電性パターン12上に、5μm厚のマイグレーション防止機能膜を形成した。マイグレーション防止機能膜は、フェノール系化合物(IRGANOX1135(BASF社製))及びペンタエリスリトールアクリレート(PETA 日本化薬社製)50部、開始剤(イルガキュア184(BASF社製))5部、溶剤(MEK)100部をマイクログラビアにて塗布して乾燥後、紫外線(400mJ/cm)を照射し硬化させた。 A migration preventing functional film having a thickness of 5 μm was formed on the conductive pattern 12. The migration-preventing functional film comprises 50 parts of a phenolic compound (IRGANOX 1135 (manufactured by BASF)) and pentaerythritol acrylate (manufactured by PETA Nippon Kayaku Co., Ltd.), 5 parts of an initiator (Irgacure 184 (manufactured by BASF)), solvent (MEK). 100 parts were applied by microgravure and dried, and then cured by irradiation with ultraviolet rays (400 mJ / cm 2 ).

マイグレーション防止機能膜上に、10μm厚のハードコート機能膜を形成した。ハードコート機能膜は、実施例1と同様に形成した。   A hard coat functional film having a thickness of 10 μm was formed on the migration preventing functional film. The hard coat functional film was formed in the same manner as in Example 1.

そして、この透明面状デバイスを、10μm厚のOCR層を介して表示デバイス(表面パネル)に対向させて貼り合わせ、タッチパネル付き表示デバイスを作成した。引出配線パターン13には、制御IC(演算回路)をボンディングした。   And this transparent planar device was bonded together facing the display device (surface panel) through the 10-micrometer-thick OCR layer, and the display device with a touch panel was created. A control IC (arithmetic circuit) was bonded to the lead wiring pattern 13.

〔実施例3〕
透明基材1を100μm厚のPETフィルムとした。このPETフィルム上の導電性パターン12は、ITOパターンにより形成し、引出配線パターン13は、銀配線により形成した(実施例2と同様)。
Example 3
The transparent substrate 1 was a PET film having a thickness of 100 μm. The conductive pattern 12 on the PET film was formed of an ITO pattern, and the lead wiring pattern 13 was formed of silver wiring (similar to Example 2).

導電性パターン12上に、10μm厚の密着性向上機能膜を形成した。密着性向上機能膜は、ジペンタエルスリトールヘキサアクリレート(DPHA(日本化薬社製))40部、UV−3520TL(日本合成社製)40部、溶剤(MEK)200部をマイクログラビアにて塗布して乾燥後、紫外線(400mJ/cm)を照射し硬化させた。 On the conductive pattern 12, an adhesion improving functional film having a thickness of 10 μm was formed. The functional film for improving adhesion has 40 parts of dipentaerythritol hexaacrylate (DPHA (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)), 40 parts of UV-3520TL (manufactured by Nippon Gosei Co., Ltd.), and 200 parts of solvent (MEK) by microgravure. After coating and drying, the film was cured by irradiation with ultraviolet rays (400 mJ / cm 2 ).

密着性向上機能膜上に、10μm厚のハードコート機能膜を形成した。ハードコート機能膜は、実施例2と同様に形成した。   A 10 μm thick hard coat functional film was formed on the adhesion improving functional film. The hard coat functional film was formed in the same manner as in Example 2.

そして、この透明面状デバイスを、10μm厚のOCR層を介して表示デバイス(表面パネル)に対向させて貼り合わせ、タッチパネル付き表示デバイスを作成した。引出配線パターン13には、制御IC(演算回路)をボンディングした。   And this transparent planar device was bonded together facing the display device (surface panel) through the 10-micrometer-thick OCR layer, and the display device with a touch panel was created. A control IC (arithmetic circuit) was bonded to the lead wiring pattern 13.

〔実施例4〕
透明基材1を100μm厚のPETフィルムとした。このPETフィルム上の導電性パターン12は、ITOパターンにより形成し、引出配線パターン13は、銀配線により形成した(実施例3と同様)。
Example 4
The transparent substrate 1 was a PET film having a thickness of 100 μm. The conductive pattern 12 on the PET film was formed of an ITO pattern, and the lead-out wiring pattern 13 was formed of silver wiring (similar to Example 3).

導電性パターン12上に、25μm厚の密着性向上機能膜を形成した。密着性向上機能膜は、実施例3と同様に形成した。   On the conductive pattern 12, an adhesion improving functional film having a thickness of 25 μm was formed. The adhesion improving functional film was formed in the same manner as in Example 3.

密着性向上機能膜上に、10μm厚の電磁波シールド機能膜を形成した。電磁波シールド機能膜は、実施例1と同様に形成した。   An electromagnetic wave shielding functional film having a thickness of 10 μm was formed on the adhesion improving functional film. The electromagnetic shielding functional film was formed in the same manner as in Example 1.

電磁波シールド機能膜上に、10μm厚のハードコート機能膜を形成した。ハードコート機能膜は、実施例3と同様に形成した。   A 10 μm thick hard coat functional film was formed on the electromagnetic shielding functional film. The hard coat functional film was formed in the same manner as in Example 3.

そして、この透明面状デバイスを、10μm厚のOCR層を介して表示デバイス(表面パネル)に対向させて貼り合わせ、タッチパネル付き表示デバイスを作成した。引出配線パターン13には、制御IC(演算回路)をボンディングした。   And this transparent planar device was bonded together facing the display device (surface panel) through the 10-micrometer-thick OCR layer, and the display device with a touch panel was created. A control IC (arithmetic circuit) was bonded to the lead wiring pattern 13.

〔実施例5〕
透明基材1を100μm厚のPETフィルムとした。このPETフィルム上の導電性パターン12は、銀ナノワイヤーにより形成し、引出配線パターン13は、銀配線により形成した。銀ナノワイヤーは、42インチサイズ、基材厚50μmPET上のビューエリア全面に塗布し硬化させた。フォトリソプロセスにより格子状チャネルパターニングを行って形成した。格子幅は10mmとした。この材料に銀ナノペーストを用いて印刷法により、各チャネルより引き出し線を透明基材1の端部まで形成した。L/S=60/60(μm)とした。
Example 5
The transparent substrate 1 was a PET film having a thickness of 100 μm. The conductive pattern 12 on the PET film was formed by silver nanowires, and the lead wiring pattern 13 was formed by silver wiring. Silver nanowires were applied to the entire view area on a 42-inch size PET with a substrate thickness of 50 μm and cured. It was formed by performing lattice-like channel patterning by a photolithography process. The lattice width was 10 mm. A lead wire was formed from each channel to the end of the transparent substrate 1 by printing using silver nanopaste for this material. L / S = 60/60 (μm).

導電性パターン12上に、25μm厚の密着性向上機能膜を形成した。密着性向上機能膜は、実施例4と同様に形成した。   On the conductive pattern 12, an adhesion improving functional film having a thickness of 25 μm was formed. The adhesion improving functional film was formed in the same manner as in Example 4.

密着性向上機能膜上に、10μm厚の電磁波シールド機能膜を形成した。電磁波シールド機能膜は、実施例1と同様に形成した。   An electromagnetic wave shielding functional film having a thickness of 10 μm was formed on the adhesion improving functional film. The electromagnetic shielding functional film was formed in the same manner as in Example 1.

電磁波シールド機能膜上に、10μm厚のハードコート機能膜を形成した。ハードコート機能膜は、実施例4と同様に形成した。   A 10 μm thick hard coat functional film was formed on the electromagnetic shielding functional film. The hard coat functional film was formed in the same manner as in Example 4.

そして、この透明面状デバイスを、10μm厚のOCR層を介して表示デバイス(表面パネル)に対向させて貼り合わせ、タッチパネル付き表示デバイスを作成した。引出配線パターン13には、制御IC(演算回路)をボンディングした。   And this transparent planar device was bonded together facing the display device (surface panel) through the 10-micrometer-thick OCR layer, and the display device with a touch panel was created. A control IC (arithmetic circuit) was bonded to the lead wiring pattern 13.

〔実施例6〕
透明基材1を100μm厚のPETフィルムとした。このPETフィルム上の導電性パターン12及び引出配線パターン13は、銅スパッタフィルム(42インチサイズ、基材厚50μmPET,シート抵抗10Ω/□)を用いて、フォトリソプロセスにより、格子状チャネルパターニング及び引き出し配線パターニングを同時に行った。格子幅は10mm、L/S=60/60(μm)とした。
Example 6
The transparent substrate 1 was a PET film having a thickness of 100 μm. The conductive pattern 12 and the lead-out wiring pattern 13 on this PET film are made of a copper sputter film (42-inch size, base material thickness 50 μm PET, sheet resistance 10 Ω / □), and lithographic channel patterning and lead-out wiring by a photolithography process. Patterning was performed simultaneously. The lattice width was 10 mm and L / S = 60/60 (μm).

導電性パターン12上に、25μm厚の密着性向上機能膜を形成した。密着性向上機能膜は、実施例5と同様に形成した。   On the conductive pattern 12, an adhesion improving functional film having a thickness of 25 μm was formed. The adhesion improving functional film was formed in the same manner as in Example 5.

密着性向上機能膜上に、15μm厚の電磁波シールド機能膜を形成した。電磁波シールド機能膜は、実施例5と同様に形成した。   An electromagnetic shielding functional film having a thickness of 15 μm was formed on the adhesion improving functional film. The electromagnetic shielding functional film was formed in the same manner as in Example 5.

電磁波シールド機能膜上に、10μm厚のハードコート機能膜を形成した。ハードコート機能膜は、実施例5と同様に形成した。   A 10 μm thick hard coat functional film was formed on the electromagnetic shielding functional film. The hard coat functional film was formed in the same manner as in Example 5.

そして、この透明面状デバイスを、10μm厚のOCR層を介して表示デバイス(表面パネル)に対向させて貼り合わせ、タッチパネル付き表示デバイスを作成した。引出配線パターン13には、制御IC(演算回路)をボンディングした。   And this transparent planar device was bonded together facing the display device (surface panel) through the 10-micrometer-thick OCR layer, and the display device with a touch panel was created. A control IC (arithmetic circuit) was bonded to the lead wiring pattern 13.

〔実施例7〕
透明基材1を100μm厚のPETフィルムとした。このPETフィルム上の導電性パターン12及び引出配線パターン13は、銅スパッタフィルムを用いて、実施例6と同様に形成した。
Example 7
The transparent substrate 1 was a PET film having a thickness of 100 μm. The conductive pattern 12 and the lead wiring pattern 13 on the PET film were formed in the same manner as in Example 6 using a copper sputtered film.

導電性パターン12上に25μm厚の密着性向上機能膜を形成した。密着性向上機能膜は、実施例6と同様に形成した。   On the conductive pattern 12, an adhesion improving functional film having a thickness of 25 μm was formed. The adhesion improving functional film was formed in the same manner as in Example 6.

密着性向上機能膜上に、15μm厚の電磁波シールド機能膜を形成した。電磁波シールド機能膜は、実施例6と同様に形成した。   An electromagnetic shielding functional film having a thickness of 15 μm was formed on the adhesion improving functional film. The electromagnetic shielding functional film was formed in the same manner as in Example 6.

電磁波シールド機能膜上に、10μm厚のハードコート機能膜を形成した。ハードコート機能膜は、実施例6と同様に形成した。   A 10 μm thick hard coat functional film was formed on the electromagnetic shielding functional film. The hard coat functional film was formed in the same manner as in Example 6.

透明基材1の裏面には、裏面導電性パターン15及び裏面引出配線パターン16を形成した。この裏面導電性パターン15及び裏面引出配線パターン16は、銅スパッタフィルムを用いて、実施例6と同様に形成した。   On the back surface of the transparent substrate 1, a back surface conductive pattern 15 and a back surface extraction wiring pattern 16 were formed. The back surface conductive pattern 15 and the back surface extraction wiring pattern 16 were formed in the same manner as in Example 6 using a copper sputtered film.

そして、この透明面状デバイスを、10μm厚のOCR層を介して表示デバイス(表面パネル)に対向させて貼り合わせ、タッチパネル付き表示デバイスを作成した。引出配線パターン13には、制御IC(演算回路)をボンディングした。   And this transparent planar device was bonded together facing the display device (surface panel) through the 10-micrometer-thick OCR layer, and the display device with a touch panel was created. A control IC (arithmetic circuit) was bonded to the lead wiring pattern 13.

〔実施例8〕
透明基材1を100μm厚のPETフィルムとした。このPETフィルム上の導電性パターン12及び引出配線パターン13は、銅スパッタフィルムを用いて、実施例7と同様に形成した。
Example 8
The transparent substrate 1 was a PET film having a thickness of 100 μm. The conductive pattern 12 and the lead wiring pattern 13 on the PET film were formed in the same manner as in Example 7 using a copper sputtered film.

導電性パターン12上に25μm厚の密着性向上機能膜を形成した。密着性向上機能膜は、実施例7と同様に形成した。   On the conductive pattern 12, an adhesion improving functional film having a thickness of 25 μm was formed. The adhesion improving functional film was formed in the same manner as in Example 7.

密着性向上機能膜上に、15μm厚の電磁波シールド機能膜を形成した。電磁波シールド機能膜は、実施例7と同様に形成した。   An electromagnetic shielding functional film having a thickness of 15 μm was formed on the adhesion improving functional film. The electromagnetic wave shielding functional film was formed in the same manner as in Example 7.

電磁波シールド機能膜上に、10μm厚のハードコート機能膜を形成した。ハードコート機能膜は、実施例7と同様に形成した。   A 10 μm thick hard coat functional film was formed on the electromagnetic shielding functional film. The hard coat functional film was formed in the same manner as in Example 7.

透明基材1の裏面には、裏面導電性パターン15及び裏面引出配線パターン16を形成した。この裏面導電性パターン15及び裏面引出配線パターン16は、銅スパッタフィルムを用いて、実施例7と同様に形成した。   On the back surface of the transparent substrate 1, a back surface conductive pattern 15 and a back surface extraction wiring pattern 16 were formed. The back surface conductive pattern 15 and the back surface extraction wiring pattern 16 were formed in the same manner as in Example 7 using a copper sputtered film.

裏面導電性パターン15及び裏面引出配線パターン16の裏面には、10μm厚の電磁波シールド機能膜を形成した。電磁波シールド機能膜は、実施例7と同様に形成した。   An electromagnetic wave shielding functional film having a thickness of 10 μm was formed on the back surface of the back surface conductive pattern 15 and the back surface extraction wiring pattern 16. The electromagnetic wave shielding functional film was formed in the same manner as in Example 7.

そして、この透明面状デバイスを、10μm厚のOCR層を介して表示デバイス(表面パネル)に対向させて貼り合わせ、タッチパネル付き表示デバイスを作成した。引出配線パターン13には、制御IC(演算回路)をボンディングした。   And this transparent planar device was bonded together facing the display device (surface panel) through the 10-micrometer-thick OCR layer, and the display device with a touch panel was created. A control IC (arithmetic circuit) was bonded to the lead wiring pattern 13.

〔実施例9〕
透明基材1を100μm厚のPETフィルムとした。このPETフィルム上に、まず、銅スパッタフィルム(42インチサイズ、基材厚50μmPET,シート抵抗10Ω/□)上に電解メッキによりニッケル層(0.5μm)を形成した。このフィルム上にフォトリソプロセスにより、格子状チャネルパターニング及び引き出し配線パターニングを同時に行って、導電性パターン12及び引出配線パターン13とした。格子幅は5mmとし、L/S=60/60(μm)とした。
Example 9
The transparent substrate 1 was a PET film having a thickness of 100 μm. On this PET film, first, a nickel layer (0.5 μm) was formed by electrolytic plating on a copper sputtered film (42 inch size, base material thickness 50 μm PET, sheet resistance 10 Ω / □). On this film, lattice-like channel patterning and lead wiring patterning were simultaneously performed by a photolithography process to form conductive patterns 12 and lead wiring patterns 13. The grating width was 5 mm and L / S = 60/60 (μm).

導電性パターン12上に25μm厚の密着性向上機能膜を形成した。密着性向上機能膜は、実施例8と同様に形成した。   On the conductive pattern 12, an adhesion improving functional film having a thickness of 25 μm was formed. The adhesion improving functional film was formed in the same manner as in Example 8.

密着性向上機能膜上に、15μm厚の電磁波シールド機能膜を形成した。電磁波シールド機能膜は、実施例8と同様に形成した。   An electromagnetic shielding functional film having a thickness of 15 μm was formed on the adhesion improving functional film. The electromagnetic shielding functional film was formed in the same manner as in Example 8.

電磁波シールド機能膜上に、10μm厚のハードコート機能膜を形成した。ハードコート機能膜は、実施例8と同様に形成した。   A 10 μm thick hard coat functional film was formed on the electromagnetic shielding functional film. The hard coat functional film was formed in the same manner as in Example 8.

透明基材1の裏面には、裏面導電性パターン15及び裏面引出配線パターン16を形成した。この裏面導電性パターン15及び裏面引出配線パターン16は、前述と同様に、銅スパッタフィルム(42インチサイズ、基材厚50μmPET,シート抵抗10Ω/□)上に電解メッキによりニッケル層(0.5μm)を形成し、このフィルム上にフォトリソプロセスにより、格子状チャネルパターニング及び引き出し配線パターニングを同時に行って形成した。   On the back surface of the transparent substrate 1, a back surface conductive pattern 15 and a back surface extraction wiring pattern 16 were formed. The back surface conductive pattern 15 and the back surface lead wiring pattern 16 are made of a nickel layer (0.5 μm) by electrolytic plating on a copper sputtered film (42 inch size, base material thickness 50 μm PET, sheet resistance 10Ω / □), as described above. On the film, lattice-like channel patterning and lead wiring patterning were simultaneously performed by a photolithography process.

裏面導電性パターン15及び裏面引出配線パターン16の裏面には、10μm厚の電磁波シールド機能膜を形成した。電磁波シールド機能膜は、実施例8と同様に形成した。   An electromagnetic wave shielding functional film having a thickness of 10 μm was formed on the back surface of the back surface conductive pattern 15 and the back surface extraction wiring pattern 16. The electromagnetic shielding functional film was formed in the same manner as in Example 8.

そして、この透明面状デバイスを、10μm厚のOCR層を介して表示デバイス(表面パネル)に対向させて貼り合わせ、タッチパネル付き表示デバイスを作成した。引出配線パターン13には、制御IC(演算回路)をボンディングした。   And this transparent planar device was bonded together facing the display device (surface panel) through the 10-micrometer-thick OCR layer, and the display device with a touch panel was created. A control IC (arithmetic circuit) was bonded to the lead wiring pattern 13.

〔比較例1〕
透明基材1を100μm厚のPETフィルムとした。このPETフィルム上の導電性パターン12は、ITOパターンにより形成し、引出配線パターン13は、銀配線により形成した(実施例1と同様)。
[Comparative Example 1]
The transparent substrate 1 was a PET film having a thickness of 100 μm. The conductive pattern 12 on the PET film was formed of an ITO pattern, and the lead wiring pattern 13 was formed of silver wiring (similar to Example 1).

導電性パターン12上に、15μm厚のハードコート機能膜を形成した。ハードコート機能膜は、実施例1と同様に形成した。   A 15 μm thick hard coat functional film was formed on the conductive pattern 12. The hard coat functional film was formed in the same manner as in Example 1.

そして、この透明面状デバイスを、10μm厚のOCR層を介して表示デバイス(表面パネル)に対向させて貼り合わせ、タッチパネル付き表示デバイスを作成した。引出配線パターン13には、制御IC(演算回路)をボンディングした。   And this transparent planar device was bonded together facing the display device (surface panel) through the 10-micrometer-thick OCR layer, and the display device with a touch panel was created. A control IC (arithmetic circuit) was bonded to the lead wiring pattern 13.

〔評価〕
(耐傷性)
各実施例及び比較例について、鉛筆硬度試験によりハードコート機能膜の硬度を確認した。すなわち、JIS−S6006が規定する試験用鉛筆を用いて、JIS−K5400が規定する鉛筆硬度評価法に従い、500gのおもりを用いて各硬度の鉛筆でハードコート機能膜を5回繰り返し引っ掻き、傷が1本までの硬度を測定した。そして、以下の基準に基づいて硬度を評価した。
[Evaluation]
(Scratch resistance)
About each Example and the comparative example, the hardness of the hard-coat functional film was confirmed by the pencil hardness test. That is, using a test pencil specified by JIS-S6006, according to the pencil hardness evaluation method specified by JIS-K5400, the hard coat functional film was repeatedly scratched with a pencil of each hardness using a weight of 500 g, and the scratch was damaged. Up to one hardness was measured. And hardness was evaluated based on the following criteria.

(評価基準)
3:2H以上
2:H
1:F以下
各実施例では全て3であり、比較例1では1であった。
(Evaluation criteria)
3: 2H or more 2: H
1: F or less In all the examples, it was 3, and in Comparative Example 1, it was 1.

(屈曲耐性)
各実施例及び比較例について、表示デバイスに接合する前の透明面状デバイスを直径5mmの鉄製丸棒を用いて180°屈曲させ、n回往復させた。このとき、透明面状デバイスの縁部を、反対側の縁部に接触させた。
(Bending resistance)
About each Example and the comparative example, the transparent planar device before joining to a display device was bent 180 degree | times using the iron round bar of diameter 5mm, and was reciprocated n times. At this time, the edge of the transparent planar device was brought into contact with the opposite edge.

こののち、透明面状デバイスの機能評価を行い、断線やショートなどのエラーの有無を評価した。   After that, the function of the transparent planar device was evaluated and the presence or absence of errors such as disconnection or short circuit was evaluated.

(評価基準)
3:n=3000回以上で異常なし
2:n=1000回まで異常なく、3000回で部分的エラー発生
1:n=100回で部分的エラー
実施例3〜9では全て2以上(実施例5〜9では3)であり、比較例1では1であった。
(Evaluation criteria)
3: n = 3000 times or more without abnormality 2: n = no abnormality up to 1000 times, partial error occurring at 3000 times 1: partial error occurring at n = 100 times All of Examples 3 to 9 are 2 or more (Example 5) It was 3) in ˜9, and 1 in Comparative Example 1.

(面均一性)
各実施例及び比較例について、表示デバイスの最表面について、正面及び斜め45°の角度から30cmの距離を置き、目視によりムラの有無を判別した。
(Surface uniformity)
About each Example and the comparative example, about the outermost surface of the display device, the distance of 30 cm was set | placed from the front and the angle of 45 degrees diagonally, and the presence or absence of the nonuniformity was discriminate | determined visually.

(評価基準)
3:ムラ無
2:全体の10%以下の面積でムラあるが軽微
1:全体の30%以内にムラ有
各実施例では全て2以上(実施例4〜9では3)であり、比較例1では1であった。
(Evaluation criteria)
3: No unevenness 2: Unevenness in the area of 10% or less of the whole, but slight 1: Unevenness within 30% of the whole In each example, 2 or more (3 in Examples 4 to 9), Comparative Example 1 Then it was 1.

(ノイズ耐性)
各実施例及び比較例について、表示デバイスの正面20cmの距離に、30Wの蛍光灯を配置し、透明面状デバイスのノイズによる誤作動の有無を評価した。
(Noise immunity)
About each Example and the comparative example, the fluorescent lamp of 30W was arrange | positioned in the distance of 20 cm in front of a display device, and the presence or absence of the malfunction by the noise of a transparent planar device was evaluated.

(評価基準)
3:誤作動無
2:数チャネルで誤作動
1:半数以上のチャネルで誤作動
各実施例では全て2以上(実施例1、4〜9では3)であり、比較例1では1であった。
(Evaluation criteria)
3: No malfunction 2: Malfunction in several channels 1: Malfunction in more than half of the channels All the examples were 2 or more (3 in Examples 1 and 4 to 9), and 1 in Comparative Example 1. .

(高温高湿耐性)
各実施例及び比較例について、透明面状デバイスを85℃、85%RHの条件下に置いたのち、常温環境にて、透明面状デバイスの誤作動の有無を評価した。
(High temperature and high humidity resistance)
About each Example and the comparative example, after putting a transparent planar device on the conditions of 85 degreeC and 85% RH, the presence or absence of malfunction of the transparent planar device was evaluated in normal temperature environment.

(評価基準)
4:1000時間の環境評価後も異常なし
3:500時間の環境評価まで異常なし
2:500時間の環境評価で5%以内のチャネル異常
1:500時間の環境評価で半数以上のチャネル異常
各実施例では全て2以上(実施例2〜3では3、実施例4〜9では4)であり、比較例1では1であった。
(Evaluation criteria)
4: No abnormality after 1000 hours of environmental evaluation 3: No abnormality until 500 hours of environmental evaluation 2: 500% of channel abnormalities in 500 hours of environmental evaluation 1: More than half of channel abnormalities in 500 hours of environmental evaluation Each implementation In the examples, all were 2 or more (3 in Examples 2-3, 4 in Examples 4-9), and 1 in Comparative Example 1.

1:透明基材
1a:表面
1b:裏面
11:透明導電膜
12:導電性パターン
13:引出配線パターン
14:硬化樹脂層
15:裏面導電性パターン
16:裏面引出配線パターン
17:裏面硬化樹脂層
1: Transparent substrate 1a: Front surface 1b: Back surface 11: Transparent conductive film 12: Conductive pattern 13: Lead wiring pattern 14: Cured resin layer 15: Back conductive pattern 16: Back lead wiring pattern 17: Back cured resin layer

Claims (18)

裏面が表示デバイスに対向される透明基材と、
導電性パターンを含んで前記透明基材の表面に形成され、接触入力面を構成する透明導電膜と、
前記透明導電膜よりも前記透明基材の外縁側に位置し、該透明導電膜の導電性パターンに電気的に接続されている引出配線パターンと、
前記導電性パターン及び前記引出配線パターンの少なくとも一部の上に形成された少なくとも1層以上の硬化樹脂層とを備え、
前記硬化樹脂層のうちの少なくとも1層は、電磁波シールド機能膜、マイグレーション防止機能膜又は密着性向上機能膜であることを特徴とする透明面状デバイス。
A transparent substrate with the back surface facing the display device;
A transparent conductive film comprising a conductive pattern and formed on the surface of the transparent base material to constitute a contact input surface;
A lead-out wiring pattern located on the outer edge side of the transparent substrate than the transparent conductive film and electrically connected to the conductive pattern of the transparent conductive film,
And at least one cured resin layer formed on at least a part of the conductive pattern and the lead-out wiring pattern,
At least one of the cured resin layers is an electromagnetic wave shielding functional film, a migration preventing functional film, or an adhesion improving functional film.
前記硬化樹脂層の総厚は、41μm以上300μm未満であることを特徴とする請求項1記載の透明面状デバイス。   The transparent planar device according to claim 1, wherein the total thickness of the cured resin layer is 41 μm or more and less than 300 μm. 前記硬化樹脂層のうちの少なくとも1層は、ハードコート機能膜、紫外線吸収機能膜、平滑化機能膜、反射防止機能膜又は耐指紋機能膜であることを特徴とする請求項1又は2記載の透明面状デバイス。   3. At least one of the cured resin layers is a hard coat functional film, an ultraviolet absorption functional film, a smoothing functional film, an antireflection functional film, or an anti-fingerprint functional film. Transparent planar device. 前記硬化性樹脂層は、前記導電性パターン及び前記引出配線パターンの少なくとも一部の上に形成された少なくとも2層以上の第1層群と、この第1層群上に形成された少なくとも2層以上の第2層群とからなり、
前記第1層群のうちの少なくとも1層は、平滑化機能膜又は密着性向上機能膜であり、
前記第2層群のうちの少なくとも1層は、ハードコート機能膜、反射防止機能膜、耐指紋機能膜又は紫外線吸収機能膜であることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の透明面状デバイス。
The curable resin layer includes at least two layers formed on at least a part of the conductive pattern and the lead-out wiring pattern, and at least two layers formed on the first layer group. It consists of the above second layer group,
At least one layer of the first layer group is a smoothing functional film or an adhesion improving functional film,
The at least one layer in the second layer group is a hard coat functional film, an antireflection functional film, an anti-fingerprint functional film, or an ultraviolet absorption functional film. Transparent planar device.
前記導電性パターン及び前記引出配線パターンは、金属材料からなることを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載の透明面状デバイス。   The transparent planar device according to claim 1, wherein the conductive pattern and the lead-out wiring pattern are made of a metal material. 前記導電性パターン及び前記引出配線パターンは、2種以上の金属材料からなることを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載の透明面状デバイス。   6. The transparent planar device according to claim 1, wherein the conductive pattern and the lead wiring pattern are made of two or more kinds of metal materials. 前記導電性パターン及び前記引出配線パターンの最外層は、酸化防止機能を有することを特徴とする請求項6記載の透明面状デバイス。   The transparent planar device according to claim 6, wherein an outermost layer of the conductive pattern and the lead-out wiring pattern has an antioxidant function. 前記電磁波シールド機能膜は、電磁波シールドを行う金属材料からなる細線パターンを有して構成されていることを特徴とする請求項1〜7の何れかに記載の透明面状デバイス。   The transparent planar device according to claim 1, wherein the electromagnetic wave shielding functional film has a fine line pattern made of a metal material that performs electromagnetic wave shielding. 導電性パターンを含んで前記透明基材の裏面に形成された裏面透明導電膜と、
前記裏面透明導電膜よりも前記透明基材の外縁側に位置し、該裏面透明導電膜の導電性パターンに電気的に接続されている裏面引出配線パターンと、
前記裏面導電性パターン及び前記裏面引出配線パターンの少なくとも一部の上に形成された少なくとも1層以上の裏面硬化樹脂層とを備え、
前記裏面硬化樹脂層の膜厚は、前記透明基材の表面側に形成された硬化樹脂層の総厚の0.5倍以上2倍未満であることを特徴とする請求項1〜8の何れかに記載の透明面状デバイス。
A back transparent conductive film formed on the back surface of the transparent substrate including a conductive pattern;
Located on the outer edge side of the transparent base material than the back transparent conductive film, and is electrically connected to the conductive pattern of the back transparent conductive film;
Comprising at least one or more back side cured resin layers formed on at least a part of the back side conductive pattern and the back side lead wiring pattern;
The film thickness of the said back surface cured resin layer is 0.5 times or more and less than 2 times the total thickness of the cured resin layer formed in the surface side of the said transparent base material, Any one of Claims 1-8 characterized by the above-mentioned. A transparent planar device according to claim 1.
前記裏面硬化樹脂層の総厚は、前記透明基材の表面側の前記硬化性樹脂層の総厚の50%以上200%未満であることを特徴とする請求項9記載の透明面状デバイス。   10. The transparent planar device according to claim 9, wherein the total thickness of the back surface cured resin layer is 50% or more and less than 200% of the total thickness of the curable resin layer on the surface side of the transparent substrate. 前記裏面硬化樹脂層は、紫外線吸収機能膜を含むことを特徴とする請求項9又は10記載の透明面状デバイス。   The transparent surface device according to claim 9 or 10, wherein the back surface cured resin layer includes an ultraviolet absorbing functional film. 前記裏面硬化樹脂層は、電磁波シールド機能膜を含むことを特徴とする請求項9又は10記載の透明面状デバイス。   The transparent surface device according to claim 9 or 10, wherein the back surface cured resin layer includes an electromagnetic wave shielding functional film. 前記裏面導電性パターン及び前記裏面引出配線パターンは、金属材料からなることを特徴とする請求項9〜12の何れかに記載の透明面状デバイス。   The transparent planar device according to claim 9, wherein the back surface conductive pattern and the back surface lead-out wiring pattern are made of a metal material. 前記裏面導電性パターン及び前記裏面引出配線パターンは、2種以上の金属材料からなることを特徴とする請求項9〜12の何れかに記載の透明面状デバイス。   13. The transparent planar device according to claim 9, wherein the back surface conductive pattern and the back surface lead-out wiring pattern are made of two or more kinds of metal materials. 前記裏面導電性パターン及び前記裏面引出配線パターンの最外層は、酸化防止機能を有することを特徴とする請求項14記載の透明面状デバイス。   15. The transparent planar device according to claim 14, wherein the outermost layer of the back surface conductive pattern and the back surface lead-out wiring pattern has an antioxidant function. 前記電磁波シールド機能膜は、電磁波シールドを行う金属材料からなる細線パターンを有して構成されていることを特徴とする請求項12〜15の何れかに記載の透明面状デバイス。   16. The transparent planar device according to claim 12, wherein the electromagnetic wave shielding functional film has a fine line pattern made of a metal material that performs electromagnetic wave shielding. 前記透明基材上に導電性材料を含む少なくとも1本のライン状液体を付与し、このライン状液体にコーヒーステイン現象を生起させて乾燥させて細線化し、1本のライン状液体あたり一対の細線パターンを形成し、細線パターンに対して電解メッキを施して前記導電性パターンを形成し、請求項1〜8の何れかに記載の透明面状デバイスを製造することを特徴とする透明面状デバイスの製造方法。   At least one line-shaped liquid containing a conductive material is applied on the transparent substrate, and a coffee stain phenomenon is caused in the line-shaped liquid to be dried and thinned to form a pair of thin lines per line-shaped liquid. A transparent planar device comprising: forming a pattern, and performing electroplating on the fine line pattern to form the conductive pattern, wherein the transparent planar device according to any one of claims 1 to 8 is manufactured. Manufacturing method. 前記透明基材上に導電性材料を含む少なくとも1本のライン状液体を付与し、このライン状液体にコーヒーステイン現象を生起させて乾燥させて細線化し、1本のライン状液体あたり一対の細線パターンを形成し、細線パターンに対して電解メッキを施して前記裏面導電性パターンを形成し、請求項9〜16の何れかに記載の透明面状デバイスを製造することを特徴とする透明面状デバイスの製造方法。   At least one line-shaped liquid containing a conductive material is applied on the transparent substrate, and a coffee stain phenomenon is caused in the line-shaped liquid to be dried and thinned to form a pair of thin lines per line-shaped liquid. A transparent planar device characterized in that a pattern is formed, and the back surface conductive pattern is formed by performing electrolytic plating on a fine line pattern to produce the transparent planar device according to any one of claims 9 to 16. Device manufacturing method.
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