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JP2017112184A - Substrate for printed wiring board and manufacturing method thereof - Google Patents

Substrate for printed wiring board and manufacturing method thereof Download PDF

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JP2017112184A
JP2017112184A JP2015244623A JP2015244623A JP2017112184A JP 2017112184 A JP2017112184 A JP 2017112184A JP 2015244623 A JP2015244623 A JP 2015244623A JP 2015244623 A JP2015244623 A JP 2015244623A JP 2017112184 A JP2017112184 A JP 2017112184A
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佳世 橋爪
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上田  宏
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Atsushi Kimura
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide: a substrate for a printed wiring board, which is relatively inexpensive, and relatively small in the decrease in adhesion between a base film and a metal layer with time; and a method for manufacturing the substrate for a printed wiring board.SOLUTION: A substrate for a printed wiring board according to an embodiment of the present invention comprises: a base film having an insulating property; and a metal layer laminated on at least one face of the base film. The base film includes cobalt atoms in a surface region ranging from an interface of the metal layer and the base film to a depth of 1 μm in a thickness direction, and the content of the cobalt atoms is 1-15 atomic%. A method for manufacturing a substrate for a printed wiring board according to another embodiment of the invention comprises the steps of: performing an alkali treatment on at least one face of a base film; bringing a cobalt ion-containing aqueous solution into contact with the at least one face of the base film after the alkali treatment step; and laminating a metal layer on the at least one face of the base film after the contact step.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、プリント配線板用基板及びプリント配線板用基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a printed wiring board substrate and a method for manufacturing a printed wiring board substrate.

例えば樹脂等で形成される絶縁性のベースフィルムの少なくとも一方の面に、例えば金属等で形成される金属層が積層され、この金属層をエッチングすることで導電パターンを形成してプリント配線板を得るためのプリント配線板用基板が広く使用されている。   For example, a metal layer made of metal or the like is laminated on at least one surface of an insulating base film made of resin or the like, and a conductive pattern is formed by etching the metal layer to form a printed wiring board. Printed wiring board substrates for obtaining are widely used.

このようなプリント配線板用基板を使用して形成したプリント配線板に曲げ応力が作用した際に、ベースフィルムから金属層が剥離しないよう、ベースフィルムと金属層との剥離強度が大きいプリント配線板用基板が求められている。   A printed wiring board having a high peel strength between the base film and the metal layer so that the metal layer does not peel from the base film when bending stress acts on the printed wiring board formed using such a printed wiring board substrate. Substrates are required.

また、近年、電子機器の小型化及び高性能化に伴い、プリント配線板の高密度化が要求されている。高密度化されたプリント配線板は、導電パターンの微細化に伴って導電パターンがベースフィルムから剥離し易くなる。そのため、このような高密度化の要求を満たすプリント配線板用基板として、微細な導電パターンが形成できると共に金属層及びベースフィルム間の密着性に優れたプリント配線板用基板が求められている。   In recent years, with the miniaturization and high performance of electronic devices, it has been required to increase the density of printed wiring boards. In the printed wiring board having a high density, the conductive pattern easily peels off from the base film as the conductive pattern becomes finer. Therefore, there is a demand for a printed wiring board substrate that can form a fine conductive pattern and has excellent adhesion between a metal layer and a base film as a printed wiring board substrate that satisfies such a demand for higher density.

このような要求に対し、ベースフィルムの少なくとも一方の面に、例えばスパッタリング法等を用いて銅薄膜層を形成し、その上に電気めっき法を用いて銅厚膜層を形成することで、金属層とベースフィルムとの間の密着力を大きくする技術が公知である。しかし、ベースフィルムに金属層を直接積層した場合、時間経過と共に、金属層の金属原子がベースフィルム中に拡散し、金属層とベースフィルムとの間の密着性を低下させることが知られている。   In response to such a demand, a copper thin film layer is formed on at least one surface of the base film using, for example, a sputtering method, and a copper thick film layer is formed thereon using an electroplating method. Techniques for increasing the adhesion between the layer and the base film are known. However, when the metal layer is directly laminated on the base film, it is known that the metal atoms of the metal layer diffuse into the base film with time and the adhesion between the metal layer and the base film is lowered. .

そこで、銅箔のベースフィルムに対する接合面にスパッタリングによってクロムの薄膜を蒸着し、ベースフィルムに対して熱圧着する技術が提案されている(特開2000−340911号公報参照)。このように、金属層とベースフィルムとの界面に金属層の主金属とは異なる種類の金属の薄膜を介在させることによって、金属層の主金属のベースフィルムへの移動を阻害し、金属層の金属原子のベースフィルムへの拡散による金属層とベースフィルムとの間の密着性の低下を抑制する効果が得られる。   Therefore, a technique has been proposed in which a thin film of chromium is deposited by sputtering on the joint surface of the copper foil to the base film and thermocompression bonded to the base film (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-340911). In this way, by interposing a thin film of a metal different from the main metal of the metal layer at the interface between the metal layer and the base film, the movement of the main metal to the base film is hindered. The effect which suppresses the fall of the adhesiveness between the metal layer and base film by the diffusion to a base film of a metal atom is acquired.

特開2000−340911号公報JP 2000-340911 A

上記公報に記載される構成では、銅箔の一方の面にスパッタリング法を用いてクロムの薄膜を形成しているので、真空設備を必要とし、設備の建設、維持、運転等におけるコストが高くなる。また設備面において、基板のサイズを大きくすることに限界がある。   In the configuration described in the above publication, a chromium thin film is formed on one surface of the copper foil by using a sputtering method, so that a vacuum facility is required, and costs for construction, maintenance, operation, etc. of the facility are high. . Further, in terms of equipment, there is a limit to increasing the size of the substrate.

本発明は、上述のような事情に基づいてなされたものであり、比較的安価で時間経過によるベースフィルムと金属層との密着性の低下が比較的小さいプリント配線板用基板及びプリント配線板用基板の製造方法を提供することを課題とする。   The present invention has been made based on the above-described circumstances, and is relatively inexpensive and relatively low in adhesion between the base film and the metal layer over time, and for printed wiring board substrates and printed wiring boards. It is an object to provide a method for manufacturing a substrate.

上記課題を解決するためになされた本発明の一態様に係るプリント配線板用基板は、絶縁性を有するベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面に積層される金属層とを備えるプリント配線板用基板であって、上記ベースフィルムにおける金属層との界面から厚さ方向に1μmの表層領域にコバルト原子を含有し、このコバルト原子の含有率が1atomic%以上15atomic%以下である。   A printed wiring board substrate according to an aspect of the present invention, which has been made to solve the above problems, is a printed wiring comprising an insulating base film and a metal layer laminated on at least one surface of the base film. It is a board | substrate for plates, Comprising: A cobalt atom is contained in the surface layer area | region of 1 micrometer in the thickness direction from the interface with the metal layer in the said base film, The content rate of this cobalt atom is 1 atomic% or more and 15 atomic% or less.

また、上記課題を解決するためになされた本発明の別の態様に係るプリント配線板用基板の製造方法は、絶縁性を有するベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面に積層される金属層とを備えるプリント配線板用基板の製造方法であって、上記ベースフィルムの少なくとも一方の面をアルカリ処理する工程と、上記アルカリ処理工程後のベースフィルムの少なくとも一方の面にコバルトイオン含有水溶液を接触させる工程と、上記接触工程後のベースフィルムの少なくとも一方の面に金属層を積層する工程とを備える。   Moreover, the manufacturing method of the printed wiring board board | substrate which concerns on another aspect of this invention made | formed in order to solve the said subject is the base film which has insulation, and the metal laminated | stacked on at least one surface of this base film A printed wiring board substrate comprising: a step of alkali-treating at least one surface of the base film; and a cobalt ion-containing aqueous solution on at least one surface of the base film after the alkali treatment step. A step of contacting, and a step of laminating a metal layer on at least one surface of the base film after the contacting step.

本発明の一態様に係るプリント配線板用基板及び本発明の別の態様に係るプリント配線板用基板の製造方法によって得られるプリント配線板用基板は、比較的安価で時間経過によるベースフィルムと金属層との密着性の低下が比較的小さい。   The printed wiring board substrate according to one aspect of the present invention and the printed wiring board substrate obtained by the method for producing a printed wiring board substrate according to another aspect of the present invention are relatively inexpensive and have a base film and metal over time. The decrease in adhesion with the layer is relatively small.

図1は、本発明の一実施形態のプリント配線板用基板を示す模式的断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a printed wiring board substrate according to an embodiment of the present invention. 図2は、図1のプリント配線板用基板の詳細な模式的断面図である。FIG. 2 is a detailed schematic cross-sectional view of the printed wiring board substrate of FIG. 図3は、図1のプリント配線板用基板の製造方法の手順を示すフローチャートである。FIG. 3 is a flowchart showing the procedure of the method for manufacturing the printed wiring board substrate of FIG.

[本発明の実施形態の説明]
本発明の一態様に係るプリント配線板用基板は、絶縁性を有するベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面に積層される金属層とを備えるプリント配線板用基板であって、上記ベースフィルムにおける金属層との界面から厚さ方向に1μmの表層領域にコバルト原子を含有し、このコバルト原子の含有率が1atomic%以上15atomic%以下である。
[Description of Embodiment of the Present Invention]
A printed wiring board substrate according to an aspect of the present invention is a printed wiring board substrate comprising a base film having an insulating property and a metal layer laminated on at least one surface of the base film, wherein the base Cobalt atoms are contained in the surface layer region of 1 μm in the thickness direction from the interface with the metal layer in the film, and the content rate of the cobalt atoms is 1 atomic% or more and 15 atomic% or less.

当該プリント配線板用基板は、ベースフィルムにおける金属層との界面から厚さ方向に1μmまでの表層領域に、上記含有率範囲内のコバルト原子を含有するので、このコバルト原子が金属層の金属原子のベースフィルムへの拡散を抑制できる。ベースフィルムにコバルト原子を含有させる処理は、例えばベースフィルムへのコバルトイオン含有水溶液の接触等によって比較的容易に行うことができる。このため、当該プリント配線板用基板は、比較的安価でありながら、経時変化によるベースフィルムと金属層との密着性の低下が比較的小さい。   Since the substrate for a printed wiring board contains cobalt atoms within the above content rate range in the surface layer region from the interface with the metal layer in the base film to 1 μm in the thickness direction, this cobalt atom is a metal atom of the metal layer. Can be prevented from spreading into the base film. The treatment for containing the cobalt atom in the base film can be performed relatively easily, for example, by contacting the base film with a cobalt ion-containing aqueous solution. For this reason, the printed wiring board substrate is relatively inexpensive, but has a relatively small decrease in adhesion between the base film and the metal layer due to change over time.

上記金属層が金属粒子の焼結体層を含むとよい。このように、上記金属層が金属粒子の焼結体層を含むことによって、比較的安価に金属層を形成できる。   The metal layer may include a sintered body layer of metal particles. Thus, when the metal layer includes a sintered body layer of metal particles, the metal layer can be formed at a relatively low cost.

上記金属層がめっき層を含むとよい。このように、上記金属層がめっき層を含むことによって、金属層を比較的緻密で導電性に優れるものとすることができる。   The metal layer may include a plating layer. Thus, when the metal layer includes a plating layer, the metal layer can be made relatively dense and excellent in conductivity.

上記コバルト原子がベースフィルムを構成するポリマーに化学結合しているとよい。このように、上記コバルト原子がベースフィルムを構成するポリマーに化学結合していることによって、金属層の金属原子がベースフィルムを構成するポリマーの官能基と反応してポリマー中に取り込まれることを抑制できるので、金属層の金属原子がベースフィルム中に拡散することをより確実に防止して、ベースフィルムと金属層との密着性の低下をより確実に抑制できる。   The cobalt atom may be chemically bonded to the polymer constituting the base film. In this way, the cobalt atoms are chemically bonded to the polymer constituting the base film, thereby suppressing the metal atoms in the metal layer from reacting with the functional groups of the polymer constituting the base film and being incorporated into the polymer. Since it can do, it can prevent more reliably that the metal atom of a metal layer diffuses in a base film, and can suppress more reliably the fall of the adhesiveness of a base film and a metal layer.

本発明の別の態様に係るプリント配線板用基板の製造方法は、絶縁性を有するベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面に積層される金属層とを備えるプリント配線板用基板の製造方法であって、上記ベースフィルムの少なくとも一方の面をアルカリ処理する工程と、上記アルカリ処理工程後のベースフィルムの少なくとも一方の面にコバルトイオン含有水溶液を接触させる工程と、上記接触工程後のベースフィルムの少なくとも一方の面に金属層を積層する工程とを備える。   A printed wiring board substrate manufacturing method according to another aspect of the present invention is a printed wiring board substrate including an insulating base film and a metal layer laminated on at least one surface of the base film. A method of alkali-treating at least one surface of the base film, a step of bringing a cobalt ion-containing aqueous solution into contact with at least one surface of the base film after the alkali treatment step, and a base after the contact step Laminating a metal layer on at least one surface of the film.

当該プリント配線板用基板の製造方法は、アルカリ処理工程後のベースフィルムの少なくとも一方の面にコバルトイオン含有水溶液を接触させる工程を備えるので、アルカリ処理によってベースフィルムを構成するポリマーに形成される比較的反応性に富んだ官能基と水溶液中のコバルトイオンとが反応してベースフィルムを構成するポリマーにコバルトが化学結合すると考えられる。これにより、ベースフィルムの表層領域にコバルト原子を含有させることができ、このコバルト原子によって金属層の金属原子がベースフィルム中に拡散することを抑制できる。このため、当該プリント配線板用基板の製造方法によって得られるプリント配線板用基板は、比較的安価でありながら、経時変化によるベースフィルムと金属層との密着性の低下が比較的小さい。   Since the method for manufacturing a printed wiring board substrate includes a step of bringing a cobalt ion-containing aqueous solution into contact with at least one surface of the base film after the alkali treatment step, the comparison is formed on the polymer constituting the base film by the alkali treatment. It is thought that cobalt is chemically bonded to a polymer constituting the base film by a reaction between a functional group rich in mechanical reactivity and cobalt ions in an aqueous solution. Thereby, a cobalt atom can be contained in the surface layer area | region of a base film, and it can suppress that the metal atom of a metal layer diffuses in a base film with this cobalt atom. For this reason, the printed wiring board substrate obtained by the method for manufacturing a printed wiring board substrate is relatively inexpensive, but has a relatively small decrease in adhesion between the base film and the metal layer due to aging.

上記コバルトイオン含有水溶液が酢酸コバルト水溶液であるとよい。このように、上記コバルトイオン含有水溶液が酢酸コバルト水溶液であることによって、比較的効率よくベースフィルムの表層領域にコバルト原子を含有させることができるので、経時変化によるベースフィルムと金属層との密着性の低下をより効果的に抑制できる。   The cobalt ion-containing aqueous solution may be a cobalt acetate aqueous solution. Thus, since the cobalt ion-containing aqueous solution is a cobalt acetate aqueous solution, cobalt atoms can be contained in the surface layer region of the base film relatively efficiently, so that the adhesion between the base film and the metal layer due to aging changes. Can be more effectively suppressed.

上記金属層積層工程が、ベースフィルムの少なくとも一方の面への金属粒子分散液の塗布及び加熱を行う工程を有するとよい。このように、上記金属層積層工程が、ベースフィルムの少なくとも一方の面への金属粒子分散液の塗布及び加熱を行う工程を有することによって、大規模な設備を必要とせず、比較的簡単かつ安価にベースフィルムの少なくとも一方の面に金属層を積層することができる。   The metal layer laminating step may include a step of applying and heating the metal particle dispersion on at least one surface of the base film. As described above, the metal layer laminating step includes a step of applying and heating the metal particle dispersion liquid to at least one surface of the base film, so that a large-scale facility is not required and it is relatively simple and inexpensive. Further, a metal layer can be laminated on at least one surface of the base film.

ここで、「原子の含有率」とは、例えばX線光電子分光法(ESCA:Electron Spectroscopy for Chemical Analysis又はXPS:X−ray Photoelectron Spectroscopy)、エネルギー分散型X線分光法(EDX:Energy Dispersive X−ray Spectroscopy又はEDS:Energy Dispersive X−ray Spectroscopy)、電子プローブマイクロアナリシス法(EPMA:Electron Probe Micro Analysis)、飛行時間型二次イオン質量分析法(TOF−SIMS:Time Of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry)、二次イオン質量分析法(SIMS:Secondary Ion Mass Spectrometry)、オージェ電子分光法(AES:Auger Electron Spectroscopy)等により測定することができる。X線光電子分光法による場合は、測定条件として、X線源をアルミニウム金属のKアルファ線、ビーム径を50μm、分析する面に対するX線入射角度を45°とし、断面を走査することによって測定することができる。測定装置としては、例えばULVAC−Phi社製の走査型X線光電子分光分析装置「Quantera」等を使うことができる。   Here, the “atom content” refers to, for example, X-ray photoelectron spectroscopy (ESCA: Electron Spectroscopy for Chemical Analysis or XPS: X-ray Photoelectron Spectroscopy), energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX: energypipe). ray Spectroscopy or EDS (Energy Dispersive X-ray Spectroscopy), electron probe microanalysis (EPMA), time-of-flight secondary ion mass spectrometry (TOF-SIMSSonFiSmFonSigMitSonFiSonFrM). two Ion mass spectrometry (SIMS: Secondary Ion Mass Spectrometry), Auger electron spectroscopy can be measured by (AES Auger Electron Spectroscopy) and the like. In the case of X-ray photoelectron spectroscopy, the measurement is performed by scanning the cross section with the X-ray source being an aluminum metal K alpha ray, the beam diameter being 50 μm, the X-ray incident angle with respect to the surface to be analyzed being 45 °. be able to. As the measuring device, for example, a scanning X-ray photoelectron spectrometer “Quantera” manufactured by ULVAC-Phi can be used.

[本発明の実施形態の詳細]
以下、本発明に係るプリント配線板用基板及びプリント配線板用基板の製造方法の各実施形態について図面を参照しつつ詳説する。
[Details of the embodiment of the present invention]
Hereinafter, embodiments of a printed wiring board substrate and a printed wiring board manufacturing method according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

[プリント配線板用基板]
本発明の一実施形態のプリント配線板用基板は、図1に示すように、絶縁性を有するベースフィルム1と、このベースフィルム1の一方の面(表面)に積層される金属層2とを備える。
[Substrates for printed wiring boards]
As shown in FIG. 1, a printed wiring board substrate according to an embodiment of the present invention includes an insulating base film 1 and a metal layer 2 laminated on one surface (surface) of the base film 1. Prepare.

<ベースフィルム>
当該プリント配線板用基板のベースフィルム1は、金属層2との界面から厚さ方向に1μmの表層領域Aにコバルト原子を含有する。ベースフィルム1の表層領域Aに含有されるコバルト原子は、金属層2を構成する金属原子がベースフィルム1に拡散することを阻害する。また、ベースフィルム1の表層領域Aにコバルト原子を含有させる処理は比較的容易であるため、当該プリント配線板用基板は比較的安価に提供できる。従って、当該プリント配線板用基板は、比較的安価でありながら、経時変化によるベースフィルム1と金属層2との密着性の低下が比較的小さい。
<Base film>
The base film 1 of the printed wiring board substrate contains cobalt atoms in the surface layer region A of 1 μm in the thickness direction from the interface with the metal layer 2. The cobalt atoms contained in the surface layer region A of the base film 1 inhibit the metal atoms constituting the metal layer 2 from diffusing into the base film 1. Moreover, since the process which makes the surface layer area | region A of the base film 1 contain a cobalt atom is comparatively easy, the said board | substrate for printed wiring boards can be provided comparatively cheaply. Therefore, although the printed wiring board substrate is relatively inexpensive, the decrease in adhesion between the base film 1 and the metal layer 2 due to a change with time is relatively small.

この表層領域Aにおけるコバルト原子の含有率の下限としては、1atomic%であり、2atomic%が好ましく、5%がより好ましい。一方、表層領域Aにおけるコバルト原子の含有率の上限としては、15atomic%であり、13atomic%が好ましく、12%がより好ましい。表層領域Aにおけるコバルト原子の含有率が上記下限に満たない場合、金属層2の金属原子のベースフィルム1への拡散を十分に防止できず、経時変化によるベースフィルム1と金属層2との密着性の低下を十分に抑制できないおそれがある。逆に、表層領域Aにおけるコバルト原子の含有率が上記上限を超える場合、初期段階(当該プリント配線板用基板製造直後)におけるベースフィルム1と金属層2との密着性が不十分となるおそれがある。   The lower limit of the content of cobalt atoms in the surface region A is 1 atomic%, preferably 2 atomic%, and more preferably 5%. On the other hand, the upper limit of the cobalt atom content in the surface layer region A is 15 atomic%, preferably 13 atomic%, and more preferably 12%. When the content of cobalt atoms in the surface layer region A is less than the lower limit, the diffusion of metal atoms of the metal layer 2 into the base film 1 cannot be sufficiently prevented, and the base film 1 and the metal layer 2 are adhered to each other due to a change over time. There is a possibility that deterioration of the property cannot be sufficiently suppressed. Conversely, when the content of cobalt atoms in the surface layer region A exceeds the above upper limit, the adhesion between the base film 1 and the metal layer 2 in the initial stage (immediately after the production of the printed wiring board substrate) may be insufficient. is there.

ベースフィルム1の厚さは、当該プリント配線板用基板を利用するプリント配線板によって設定されるものであり特に限定されないが、例えばベースフィルム1の平均厚さの下限としては、5μmが好ましく、12μmがより好ましい。一方、ベースフィルム1の平均厚さの上限としては、2mmが好ましく、1.6mmがより好ましい。ベースフィルム1の平均厚さが上記下限に満たない場合、ベースフィルム1ひいては当該プリント配線板用基板の強度が不十分となるおそれがある。逆に、ベースフィルム1の平均厚さが上記上限を超える場合、プリント配線板用基板が不必要に厚くなるおそれがある。   The thickness of the base film 1 is set by a printed wiring board using the printed wiring board substrate and is not particularly limited. For example, the lower limit of the average thickness of the base film 1 is preferably 5 μm, and 12 μm. Is more preferable. On the other hand, the upper limit of the average thickness of the base film 1 is preferably 2 mm, and more preferably 1.6 mm. When the average thickness of the base film 1 is less than the above lower limit, the strength of the base film 1 and thus the printed wiring board substrate may be insufficient. Conversely, when the average thickness of the base film 1 exceeds the above upper limit, the printed wiring board substrate may be unnecessarily thick.

ベースフィルム1の材質としては、例えばポリイミド、液晶ポリマー、フッ素樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等の可撓性を有する樹脂、紙フェノール、紙エポキシ、ガラスコンポジット、ガラスエポキシ、ポリテトラフルオロエチレン、ガラス基材等のリジッド材、硬質材料と軟質材料とを複合したリジッドフレキシブル材などを用いることが可能である。これらの中でも、金属酸化物等との結合力が大きく、絶縁性及び機械的強度に優れることから、ポリイミドを主成分とするポリマーが特に好ましい。   Examples of the material of the base film 1 include flexible resins such as polyimide, liquid crystal polymer, fluororesin, polyethylene terephthalate, and polyethylene naphthalate, paper phenol, paper epoxy, glass composite, glass epoxy, polytetrafluoroethylene, and glass. It is possible to use a rigid material such as a base material, a rigid flexible material in which a hard material and a soft material are combined, and the like. Among these, a polymer mainly composed of polyimide is particularly preferable because it has a high bonding force with a metal oxide or the like and is excellent in insulation and mechanical strength.

このように、ベースフィルム1がポリマーによって構成される場合、上記コバルト原子は、ベースフィルム1を構成するポリマーに化学結合していることが好ましい。コバルト原子がベースフィルム1を構成するポリマーに化学結合していることによって、金属層2の金属原子がベースフィルム1を構成するポリマーの官能基と反応してポリマー中に取り込まれることを抑制できる。これにより、金属層2の金属原子がベースフィルム1中に拡散することをより確実に防止して、ベースフィルムと金属層との密着性の低下をより確実に抑制できる。   Thus, when the base film 1 is comprised with a polymer, it is preferable that the said cobalt atom is chemically bonded to the polymer which comprises the base film 1. FIG. Since the cobalt atom is chemically bonded to the polymer constituting the base film 1, it can be suppressed that the metal atom of the metal layer 2 reacts with the functional group of the polymer constituting the base film 1 and is taken into the polymer. Thereby, it can prevent more reliably that the metal atom of the metal layer 2 diffuses in the base film 1, and can suppress more reliably the fall of the adhesiveness of a base film and a metal layer.

(ポリイミド)
ベースフィルム1の主成分とされるポリイミドとしては、熱硬化性ポリイミド(縮合型ポリイミドともいう)又は熱可塑性ポリイミドを用いることができる。この中でも、耐熱性、引張強度、引張弾性率等の観点から熱硬化性ポリイミドが好ましい。
(Polyimide)
As the polyimide as the main component of the base film 1, thermosetting polyimide (also referred to as condensation type polyimide) or thermoplastic polyimide can be used. Among these, thermosetting polyimide is preferable from the viewpoint of heat resistance, tensile strength, tensile elastic modulus, and the like.

上記ポリイミドは、1種の構造単位からなる単独重合体であっても2種以上の構造単位からなる共重合体であってもよいし、2種類以上の単独重合体をブレンドしたものであっても良いが、下記式(1)で表される構造単位を有するものが好ましい。   The polyimide may be a homopolymer consisting of one type of structural unit or a copolymer consisting of two or more types of structural units, or a blend of two or more types of homopolymers. However, what has a structural unit represented by following formula (1) is preferable.

Figure 2017112184
Figure 2017112184

上記式(1)で表される構造単位は、例えばピロメリット酸二無水物と4,4’−ジアミノジフェニルエーテルとを用いてポリイミド前駆体であるポリアミド酸を合成し、これを加熱等によりイミド化することで得られる。   The structural unit represented by the above formula (1) synthesizes polyamic acid, which is a polyimide precursor, using, for example, pyromellitic dianhydride and 4,4′-diaminodiphenyl ether, and imidizes it by heating or the like. It is obtained by doing.

上記構造単位の含有量の下限としては、10質量%が好ましく、15質量%がより好ましく、18質量%がさらに好ましい。一方、上記構造単位の含有量の上限としては、50質量%が好ましく、40質量%がより好ましく、35質量%がさらに好ましい。上記構造単位の含有量が上記下限に満たない場合、当該プリント配線板用基板ひいては当該プリント配線板用基板を用いて形成されるプリント配線板の強度が不十分となるおそれがある。逆に、上記構造単位の含有量が上記上限を超える場合、当該プリント配線板用基板の可撓性が不十分となるおそれがある。   As a minimum of content of the above-mentioned structural unit, 10 mass% is preferred, 15 mass% is more preferred, and 18 mass% is still more preferred. On the other hand, as an upper limit of content of the said structural unit, 50 mass% is preferable, 40 mass% is more preferable, and 35 mass% is further more preferable. When the content of the structural unit is less than the lower limit, the printed wiring board substrate, and thus the printed wiring board formed using the printed wiring board substrate, may be insufficient in strength. Conversely, if the content of the structural unit exceeds the upper limit, the flexibility of the printed wiring board substrate may be insufficient.

ポリイミドを主成分とするベースフィルム1は、少なくとも金属層2との界面が改質されて、ポリイミドのイミド環の一部が開環していることが好ましい。このような改質は、例えばアルカリ処理、プラズマ処理等の公知の処理方法によって行うことができる。   The base film 1 having polyimide as a main component preferably has at least an interface with the metal layer 2 modified so that a part of the polyimide imide ring is opened. Such modification can be performed by a known treatment method such as alkali treatment or plasma treatment.

ベースフィルム1の金属層2との界面のイミド環の開環率の下限としては、3%が好ましく、15%がより好ましい。一方、ベースフィルム1の金属層2との界面のイミド環の開環率の上限としては、70%が好ましく、60%がより好ましい。ベースフィルム1の金属層2との界面のイミド環の開環率が上記下限に満たない場合、初期段階におけるベースフィルム1と金属層2との密着力が不十分となるおそれがある。逆に、ベースフィルム1の金属層2との界面のイミド環の開環率が上記上限を超える場合、ベースフィルム1の強度が不足し、基材破壊による金属層2の剥離が生じやすくなるおそれがある。   As a minimum of the ring-opening rate of the imide ring of the interface with the metal layer 2 of the base film 1, 3% is preferable and 15% is more preferable. On the other hand, the upper limit of the ring-opening rate of the imide ring at the interface with the metal layer 2 of the base film 1 is preferably 70% and more preferably 60%. When the ring-opening rate of the imide ring at the interface between the base film 1 and the metal layer 2 is less than the lower limit, the adhesion between the base film 1 and the metal layer 2 in the initial stage may be insufficient. On the contrary, when the ring opening rate of the imide ring at the interface with the metal layer 2 of the base film 1 exceeds the above upper limit, the strength of the base film 1 is insufficient, and the metal layer 2 may be easily peeled due to the substrate destruction. There is.

なお、ベースフィルム1と金属層2との界面のイミド環の開環率は、例えば赤外吸収分析(infrared absorption spectrometry)により得られる吸収強度スペクトルにおけるイミド環を示すピーク強度から算出することができる。より詳しくは、ダイヤモンドプリズムを用いた1回反射ATR(Attenuated Total Reflection)測定装置を用いた赤外全反射吸収測定法により、ベースフィルム1と金属層2との界面のイミド環の開環率を測定することができる。   In addition, the ring-opening rate of the imide ring at the interface between the base film 1 and the metal layer 2 can be calculated from the peak intensity showing the imide ring in the absorption intensity spectrum obtained by, for example, infrared absorption spectroscopy. . More specifically, the ring-opening rate of the imide ring at the interface between the base film 1 and the metal layer 2 is measured by an infrared total reflection absorption measurement method using a single reflection ATR (Attenuated Total Reflection) measurement device using a diamond prism. Can be measured.

赤外全反射吸収測定法による入射角45°での吸収強度スペクトルにおいて、波数1494cm−1のピーク強度は、ベンゼン環の数を示すピーク強度であり、ポリイミドのイミド環を開環した場合にも変化しない値である。一方、上記吸収強度スペクトルにおける波数1705cm−1のピーク強度は、イミド結合のカルボニル基の数を示すピーク強度であり、ポリイミドのイミド環が開環されることによって減少する値である。従って、上記吸収強度スペクトルにおける波数1494cm−1のピーク強度に対する波数1705cm−1のピーク強度の比からポリイミドのイミド環の開環率を概算することができる。具体的には、ポリイミドのイミド環の開環率は、上記吸収強度スペクトルにおける波数1494cm−1のピーク強度に対する波数1705cm−1のピーク強度の比に比例し、開環率が0%の場合に上記ピーク強度の比は約1.1となる。 In the absorption intensity spectrum at an incident angle of 45 ° by the infrared total reflection absorption measurement method, the peak intensity at a wave number of 1494 cm −1 is the peak intensity indicating the number of benzene rings, and even when the polyimide imide ring is opened. It is a value that does not change. On the other hand, the peak intensity at a wave number of 1705 cm −1 in the absorption intensity spectrum is a peak intensity indicating the number of carbonyl groups in the imide bond, and is a value that decreases as the imide ring of the polyimide is opened. Therefore, it is possible to estimate the ring opening of the polyimide imide ring from the ratio of the peak intensity at a wavenumber of 1705 cm -1 to the peak intensity at a wavenumber of 1494cm -1 in the absorption intensity spectrum. Specifically, ring-opening of the polyimide of the imide ring is proportional to the ratio of the peak intensity at a wavenumber of 1705 cm -1 to the peak intensity at a wavenumber of 1494cm -1 in the absorption intensity spectrum, when opening ratio of 0% The peak intensity ratio is about 1.1.

また、ベースフィルム1と金属層2との界面の赤外吸収分析は、酸性溶液を用いたエッチングにより金属層2を除去することによって可能となる。   Further, infrared absorption analysis of the interface between the base film 1 and the metal layer 2 can be performed by removing the metal layer 2 by etching using an acidic solution.

金属層2を除去するためのエッチングに用いる酸性溶液としては、一般的に金属層除去に用いられる酸性のエッチング液を使用でき、例えば塩化銅溶液、塩酸、硫酸、王水等が挙げられる。   As an acidic solution used for etching for removing the metal layer 2, an acidic etching solution generally used for removing the metal layer can be used, and examples thereof include a copper chloride solution, hydrochloric acid, sulfuric acid, and aqua regia.

エッチング時の上記エッチング液の温度の下限としては、10℃が好ましく、20℃がより好ましい。一方、上記エッチング液の温度の上限としては、90℃が好ましく、70℃がより好ましい。上記エッチング液の温度が上記下限に満たない場合、エッチングに要する時間が長くなり、作業性が低下するおそれがある。逆に、上記エッチング液の温度が上記上限を超える場合、温度調節のためのエネルギーコストが不必要に増加するおそれがある。   As a minimum of the temperature of the above-mentioned etching solution at the time of etching, 10 ° C is preferred and 20 ° C is more preferred. On the other hand, the upper limit of the temperature of the etching solution is preferably 90 ° C, more preferably 70 ° C. When the temperature of the etching solution is less than the lower limit, the time required for etching becomes long and workability may be deteriorated. On the contrary, when the temperature of the etching solution exceeds the upper limit, the energy cost for temperature adjustment may increase unnecessarily.

上記エッチング時間の下限としては、1分が好ましく、10分がより好ましい。一方、上記エッチング時間の上限としては、60分が好ましく、30分がより好ましい。上記エッチング時間が上記下限に満たない場合、エッチング液の濃度が高くなり取り扱い難くなるおそれがある。逆に、上記エッチング時間が上記上限を超える場合、作業性が低下するおそれがある。   The lower limit of the etching time is preferably 1 minute, and more preferably 10 minutes. On the other hand, the upper limit of the etching time is preferably 60 minutes, and more preferably 30 minutes. When the said etching time is less than the said minimum, there exists a possibility that the density | concentration of etching liquid may become high and it may become difficult to handle. Conversely, if the etching time exceeds the upper limit, workability may be reduced.

<金属層>
当該プリント配線板用基板において、金属層2は、金属粒子の焼結体層を含んでもよい。金属粒子の焼結体層は、真空設備等の大がかりな装置を必要とせず、比較的容易かつ安価に形成することができるので、金属粒子の焼結体層を設けることで当該プリント配線板用基板の製造コストを抑制することができる。
<Metal layer>
In the printed wiring board substrate, the metal layer 2 may include a sintered body layer of metal particles. The sintered layer of metal particles does not require a large-scale apparatus such as a vacuum facility, and can be formed relatively easily and inexpensively. For this printed wiring board, a sintered layer of metal particles is provided. The manufacturing cost of the substrate can be suppressed.

また、金属層2は、めっき(無電解めっき又は電気めっき)による金属の積層により形成されるめっき層を含んでもよい。めっき層を設けることで金属層2を比較的安価で緻密かつ導電性に優れるものとすることが容易となる。   The metal layer 2 may include a plating layer formed by metal lamination by plating (electroless plating or electroplating). By providing the plating layer, it is easy to make the metal layer 2 relatively inexpensive, dense and excellent in conductivity.

具体的には、金属層2は、例えば図2に示すように、複数の金属粒子を焼結することによって、ベースフィルム1の表面に積層される焼結体層3と、この焼結体層3の表面に無電解めっきにより積層される無電解めっき層4と、この無電解めっき層4の表面に電気めっきによりさらに積層される電気めっき層5とを有する構成とすることができる。   Specifically, for example, as shown in FIG. 2, the metal layer 2 includes a sintered body layer 3 laminated on the surface of the base film 1 by sintering a plurality of metal particles, and the sintered body layer. The electroless plating layer 4 laminated on the surface of the electroless plating 3 and the electroplating layer 5 further laminated on the surface of the electroless plating layer 4 by electroplating can be used.

金属層2の主金属としては、例えば銅、ニッケル、アルミニウム、金、銀等を用いることができる。この中でも、導電性がよく、ベースフィルム1との密着性に優れると共に、エッチングによるパターニングが容易で比較的安価な金属として、銅が好適に使用される。また、金属層2の主金属が銅である場合、ベースフィルム1の表層領域Aにコバルト原子を含有させることによる金属層2との密着性低下抑制効果が顕著となる。   As the main metal of the metal layer 2, for example, copper, nickel, aluminum, gold, silver or the like can be used. Among these, copper is preferably used as a relatively inexpensive metal that has good conductivity and excellent adhesion to the base film 1 and that can be easily patterned by etching. Moreover, when the main metal of the metal layer 2 is copper, the adhesiveness fall inhibitory effect with the metal layer 2 by making the surface layer area | region A of the base film 1 contain a cobalt atom becomes remarkable.

(焼結体層)
焼結体層3は、ベースフィルム1の改質された面への上記金属層2の主金属となる金属を主成分とする複数の金属粒子を含む金属粒子分散液(インク)の塗工及び焼成によって、ベースフィルム1の表面に積層することができる。このように、金属粒子分散液を用いることで、ベースフィルム1の表面に容易かつ安価に金属層2を形成することができる。
(Sintered body layer)
The sintered body layer 3 is formed by coating a modified surface of the base film 1 with a metal particle dispersion (ink) containing a plurality of metal particles whose main component is a metal that is a main metal of the metal layer 2 and It can be laminated on the surface of the base film 1 by firing. Thus, the metal layer 2 can be easily and inexpensively formed on the surface of the base film 1 by using the metal particle dispersion.

焼結体層3を形成する金属粒子の平均粒子径の下限としては、1nmが好ましく、30nmがより好ましい。一方、上記金属粒子の平均粒子径の上限としては、500nmが好ましく、100nmがより好ましい。上記金属粒子の平均粒子径が上記下限に満たない場合、例えば上記金属粒子分散液中での金属粒子の分散性及び安定性が低下することにより、ベースフィルム1の表面に均一に積層することが容易でなくなるおそれがある。逆に、上記金属粒子の平均粒子径が上記上限を超える場合、金属粒子間の隙間が大きくなり、焼結体層3の空隙率を小さくすることが容易でなくなるおそれがある。なお、「平均粒子径」とは、レーザー回折法により測定される粒子径の分布において体積積算値が50%となる粒子径を意味する。   As a minimum of the average particle diameter of the metal particle which forms the sintered compact layer 3, 1 nm is preferable and 30 nm is more preferable. On the other hand, the upper limit of the average particle diameter of the metal particles is preferably 500 nm, and more preferably 100 nm. When the average particle diameter of the metal particles is less than the lower limit, for example, the dispersibility and stability of the metal particles in the metal particle dispersion may be reduced, so that the metal particles can be uniformly laminated on the surface of the base film 1. May not be easy. On the contrary, when the average particle diameter of the metal particles exceeds the upper limit, the gap between the metal particles becomes large, and it may not be easy to reduce the porosity of the sintered body layer 3. The “average particle size” means a particle size at which the volume integrated value is 50% in the particle size distribution measured by the laser diffraction method.

焼結体層3の平均厚さの下限としては、50nmが好ましく、100nmがより好ましい。一方、焼結体層3の平均厚さの上限としては、2μmが好ましく、1.5μmがより好ましい。焼結体層3の平均厚さが上記下限に満たない場合、平面視で金属粒子が存在しない部分が多くなり導電性が低下するおそれがある。逆に、焼結体層3の平均厚さが上記上限を超える場合、焼結体層3の空隙率を十分低下させることが困難となるおそれや、金属層2が不必要に厚くなるおそれがある。   As a minimum of average thickness of sintered compact layer 3, 50 nm is preferred and 100 nm is more preferred. On the other hand, the upper limit of the average thickness of the sintered body layer 3 is preferably 2 μm, and more preferably 1.5 μm. When the average thickness of the sintered body layer 3 is less than the lower limit, there are many portions where metal particles do not exist in a plan view, and the conductivity may be lowered. Conversely, if the average thickness of the sintered body layer 3 exceeds the above upper limit, it may be difficult to sufficiently reduce the porosity of the sintered body layer 3, or the metal layer 2 may be unnecessarily thick. is there.

(無電解めっき層)
無電解めっき層4は、焼結体層3の外面に無電解めっきを施すことにより、焼結体層3を形成する金属粒子の主金属と同一の金属を積層して形成される。また、無電解めっき層4は、焼結体層3の内部に含浸するよう形成されている。つまり、焼結体層3を形成する金属粒子間の隙間に無電解めっきにより主金属が充填されることにより、焼結体層3の内部の空隙を減少させている。このように、無電解めっき金属が金属粒子間の隙間に充填されることによって、金属粒子間の空隙を減少させることで、空隙が破壊起点となって焼結体層3がベースフィルム1から剥離することを抑制できる。
(Electroless plating layer)
The electroless plating layer 4 is formed by laminating the same metal as the main metal of the metal particles forming the sintered body layer 3 by performing electroless plating on the outer surface of the sintered body layer 3. The electroless plating layer 4 is formed so as to be impregnated into the sintered body layer 3. That is, voids inside the sintered body layer 3 are reduced by filling the gaps between the metal particles forming the sintered body layer 3 with the main metal by electroless plating. Thus, by filling the gap between the metal particles with the electroless plating metal, the gap between the metal particles is reduced, and the sintered body layer 3 is peeled off from the base film 1 with the gap as a starting point of fracture. Can be suppressed.

無電解めっき層4は、無電解めっきの条件によっては焼結体層3の内部にのみ形成される場合もある。一般論としては、焼結体層3の外面に形成される無電解めっき層4の平均厚さ(焼結体層3の内部のめっき金属の厚さを含まない)の下限としては、0.2μmが好ましく、0.3μmがより好ましい。一方、焼結体層3の外面に形成される無電解めっき層4の平均厚さの上限としては、1μmが好ましく、0.7μmがより好ましい。焼結体層3の外面に形成される無電解めっき層4の平均厚さが上記下限に満たない場合、無電解めっき層4が焼結体層3の金属粒子の隙間に十分に充填されず、空隙率を十分に低減できないことからベースフィルム1と金属層2との剥離強度が不十分となるおそれがある。逆に、焼結体層3の外面に形成される無電解めっき層4の平均厚さが上記上限を超える場合、無電解めっきに要する時間が長くなり製造コストが不必要に増大するおそれがある。   The electroless plating layer 4 may be formed only inside the sintered body layer 3 depending on the electroless plating conditions. As a general theory, the lower limit of the average thickness of the electroless plating layer 4 formed on the outer surface of the sintered body layer 3 (not including the thickness of the plating metal inside the sintered body layer 3) is 0. 2 μm is preferable, and 0.3 μm is more preferable. On the other hand, the upper limit of the average thickness of the electroless plating layer 4 formed on the outer surface of the sintered body layer 3 is preferably 1 μm, and more preferably 0.7 μm. When the average thickness of the electroless plating layer 4 formed on the outer surface of the sintered body layer 3 is less than the lower limit, the electroless plating layer 4 is not sufficiently filled in the gaps between the metal particles of the sintered body layer 3. Since the porosity cannot be reduced sufficiently, the peel strength between the base film 1 and the metal layer 2 may be insufficient. On the contrary, when the average thickness of the electroless plating layer 4 formed on the outer surface of the sintered body layer 3 exceeds the above upper limit, the time required for the electroless plating becomes longer and the production cost may be unnecessarily increased. .

(電気めっき層)
電気めっき層5は、焼結体層3の外面側、つまり無電解めっき層4の外面に電気めっきにより上記主金属をさらに積層することで形成される。この電気めっき層5によって、金属層2の厚さを容易かつ正確に調節することができる。また、電気めっきを用いることにより、金属層2の厚さを短時間で大きくすることが可能である。
(Electroplating layer)
The electroplating layer 5 is formed by further laminating the main metal by electroplating on the outer surface side of the sintered body layer 3, that is, the outer surface of the electroless plating layer 4. By this electroplating layer 5, the thickness of the metal layer 2 can be adjusted easily and accurately. In addition, the thickness of the metal layer 2 can be increased in a short time by using electroplating.

電気めっき層5の厚さは、当該プリント配線板用基板を用いて形成するプリント配線板に必要とされる導電パターンの種類や厚さに応じて設定されるものであって、特に限定されない。一般的には、電気めっき層5の平均厚さの下限としては、1μmが好ましく、2μmがより好ましい。一方、電気めっき層5の平均厚さの上限としては、100μmが好ましく、50μmがより好ましい。電気めっき層5の平均厚さが上記下限に満たない場合、金属層2が損傷し易くなるおそれがある。逆に、電気めっき層5の平均厚さが上記上限を超える場合、当該プリント配線板用基板が不必要に厚くなるおそれや、当該プリント配線板用基板の可撓性が不十分となるおそれがある。   The thickness of the electroplating layer 5 is set according to the type and thickness of the conductive pattern required for the printed wiring board formed using the printed wiring board substrate, and is not particularly limited. In general, the lower limit of the average thickness of the electroplating layer 5 is preferably 1 μm and more preferably 2 μm. On the other hand, as an upper limit of the average thickness of the electroplating layer 5, 100 micrometers is preferable and 50 micrometers is more preferable. When the average thickness of the electroplating layer 5 is less than the lower limit, the metal layer 2 may be easily damaged. On the contrary, when the average thickness of the electroplating layer 5 exceeds the above upper limit, the printed wiring board substrate may be unnecessarily thick, or the printed wiring board substrate may be insufficiently flexible. is there.

[プリント配線板用基板の製造方法]
当該プリント配線板用基板は、具体例として、図3に示すように、ベースフィルム1の表面をアルカリ処理する工程(ステップS1:アルカリ処理工程)と、アルカリ処理工程後のベースフィルム1の表面にコバルトイオン含有水溶液を接触させる工程(ステップS2:接触工程)と、接触工程後のベースフィルム1の表面に金属層2を積層する工程(ステップS3:積層工程)とを備える方法によって製造することができる。
[Method of manufacturing printed circuit board substrate]
As a specific example, the printed wiring board substrate is formed on the surface of the base film 1 after the alkali treatment step (step S1: alkali treatment step), as shown in FIG. It can be manufactured by a method comprising a step of contacting a cobalt ion-containing aqueous solution (step S2: contact step) and a step of laminating the metal layer 2 on the surface of the base film 1 after the contact step (step S3: lamination step). it can.

<アルカリ処理工程>
ステップS1のアルカリ処理工程では、ベースフィルム1の少なくとも金属層2を積層する予定の面にアルカリ液を接触させることによって、ベースフィルム1を構成するポリマーの結合を弱めて反応性を付与することで、後述する接触工程でベースフィルム1中にコバルト原子を含有させやすくする。典型的には、ポリイミドを主成分とするベースフィルム1のイミド環の一部を開環する。アルカリ処理工程では、ベースフィルム1全体をアルカリ液に浸漬してもよい。
<Alkali treatment process>
In the alkali treatment step of step S1, by bringing the alkali liquid into contact with at least the surface of the base film 1 on which the metal layer 2 is to be laminated, the bond of the polymer constituting the base film 1 is weakened to impart reactivity. The base film 1 is made easy to contain a cobalt atom in the contact process mentioned later. Typically, a part of the imide ring of the base film 1 containing polyimide as a main component is opened. In the alkali treatment step, the entire base film 1 may be immersed in an alkali solution.

このアルカリ処理工程で用いるアルカリ液としては、例えば水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液等が挙げられ、一般的には水酸化ナトリウム水溶液が用いられる。   Examples of the alkali solution used in this alkali treatment step include a sodium hydroxide aqueous solution and a potassium hydroxide aqueous solution, and a sodium hydroxide aqueous solution is generally used.

アルカリ処理工程で用いるアルカリ液のpHとしては、例えば12以上15以下とすることができる。また、ベースフィルム1のアルカリ液との接触時間としては、例えば15秒以上10分以下とすることができる。アルカリ液の温度としては、例えば10℃以上70℃以下とすることができる。   The pH of the alkali solution used in the alkali treatment step can be, for example, 12 or more and 15 or less. Moreover, as contact time with the alkaline liquid of the base film 1, it can be 15 seconds or more and 10 minutes or less, for example. The temperature of the alkaline liquid can be set at, for example, 10 ° C. or more and 70 ° C. or less.

また、アルカリ処理工程は、ベースフィルム1を水洗いする水洗工程を有することが好ましい。この水洗工程では、ベースフィルム1を水洗いして、ベースフィルム1の表面に付着しているアルカリ液を除去する。また、アルカリ処理工程は、水洗工程後に洗浄水を乾燥する乾燥工程を有することがさらに好ましい。ベースフィルム1中の水分を蒸発させることによって、ベースフィルム1内のイオンを金属や金属酸化物として析出させたり、ベースフィルム1の樹脂成分等と結合させることによって、ベースフィルム1の品質を安定化することができる。   Moreover, it is preferable that an alkali treatment process has a water washing process of washing the base film 1 with water. In this water washing step, the base film 1 is washed with water to remove the alkaline liquid adhering to the surface of the base film 1. Moreover, it is more preferable that the alkali treatment step has a drying step of drying the washing water after the water washing step. By evaporating the water in the base film 1, ions in the base film 1 are precipitated as metals and metal oxides, or combined with resin components of the base film 1 to stabilize the quality of the base film 1. can do.

<接触工程>
ステップS2の接触工程では、ベースフィルム1のアルカリ処理した面にコバルトイオン含有水溶液を接触させることにより、ベースフィルム1の表層領域Aにコバルト原子を導入する。具体的には、ベースフィルム1を構成するポリマーにアルカリ処理によって形成される比較的反応性に富んだ官能基とコバルトイオンとが反応し、ベースフィルム1を構成するポリマーにコバルト原子が化学結合することによって、ベースフィルム1の表層領域Aにコバルト原子が取り込まれると考えられる。この接触工程では、ベースフィルム1全体をコバルトイオン含有水溶液に浸漬してもよい。
<Contact process>
In the contact step of step S <b> 2, cobalt atoms are introduced into the surface layer region A of the base film 1 by bringing the cobalt ion-containing aqueous solution into contact with the alkali-treated surface of the base film 1. Specifically, a relatively reactive functional group formed by alkali treatment reacts with a polymer constituting the base film 1 and cobalt ions, and a cobalt atom chemically bonds to the polymer constituting the base film 1. Thus, it is considered that cobalt atoms are taken into the surface layer region A of the base film 1. In this contact step, the entire base film 1 may be immersed in an aqueous solution containing cobalt ions.

上記コバルトイオン含有水溶液としては、例えば酢酸コバルト水溶液、臭化コバルト水溶液、塩化コバルト水溶液、安息香酸コバルト水溶液、硝酸コバルト水溶液等が挙げられ、入手及び取り扱いが比較的容易な酢酸コバルト水溶液が好適に用いられる。また、これらの水溶液は、コバルト化合物又はその水和物を水に溶解することによって調製することができる。   Examples of the cobalt ion-containing aqueous solution include a cobalt acetate aqueous solution, a cobalt bromide aqueous solution, a cobalt chloride aqueous solution, a cobalt benzoate aqueous solution, and a cobalt nitrate aqueous solution. A cobalt acetate aqueous solution that is relatively easy to obtain and handle is preferably used. It is done. These aqueous solutions can be prepared by dissolving a cobalt compound or a hydrate thereof in water.

コバルトイオン含有水溶液のコバルトイオン濃度の下限としては、0.05mol/Lが好ましく、0.1mol/Lがより好ましい。一方、コバルトイオン含有水溶液のコバルトイオン濃度の上限としては、2mol/Lが好ましく、1mol/Lがより好ましい。コバルトイオン含有水溶液のコバルトイオン濃度が上記下限に満たない場合、処理時間が長くなることで当該プリント配線板用基板の生産性が不十分となるおそれがある。逆に、コバルトイオン含有水溶液のコバルトイオン濃度が上記上限を超える場合、コバルト原子含有率の調整が容易ではなくなるおそれがある。   The lower limit of the cobalt ion concentration of the aqueous solution containing cobalt ions is preferably 0.05 mol / L, more preferably 0.1 mol / L. On the other hand, the upper limit of the cobalt ion concentration of the aqueous solution containing cobalt ions is preferably 2 mol / L, and more preferably 1 mol / L. When the cobalt ion concentration of the cobalt ion-containing aqueous solution is less than the lower limit, the processing time may be long, and the productivity of the printed wiring board substrate may be insufficient. On the contrary, when the cobalt ion concentration of the cobalt ion-containing aqueous solution exceeds the above upper limit, the adjustment of the cobalt atom content rate may not be easy.

コバルトイオン含有水溶液の温度の下限としては、5℃が好ましく、10℃がより好ましい。一方、コバルトイオン含有水溶液の温度の上限としては、60℃が好ましく、45℃がより好ましい。コバルトイオン含有水溶液の温度が上記下限に満たない場合、処理時間が長くなることで当該プリント配線板用基板の生産性が不十分となるおそれがある。逆に、コバルトイオン含有水溶液の温度が上記上限を超える場合、コバルト原子含有率の調整が容易ではなくなるおそれや、温度調節のためのエネルギーコストが不必要に増大するおそれがある。   As a minimum of the temperature of cobalt ion content aqueous solution, 5 ° C is preferred and 10 ° C is more preferred. On the other hand, as an upper limit of the temperature of cobalt ion containing aqueous solution, 60 degreeC is preferable and 45 degreeC is more preferable. When the temperature of cobalt ion containing aqueous solution is less than the said minimum, there exists a possibility that productivity of the said board | substrate for printed wiring boards may become inadequate because processing time becomes long. Conversely, when the temperature of the cobalt ion-containing aqueous solution exceeds the above upper limit, the adjustment of the cobalt atom content rate may not be easy, and the energy cost for temperature adjustment may increase unnecessarily.

ベースフィルム1へのコバルトイオン含有水溶液の接触時間の下限としては、0.5分が好ましく、1分がより好ましい。一方、ベースフィルム1へのコバルトイオン含有水溶液の接触時間の上限としては、10分が好ましく、5分がより好ましい。ベースフィルム1へのコバルトイオン含有水溶液の接触時間が上記下限に満たない場合、コバルトイオン含有水溶液の濃度を高くする必要があるので取り扱いが容易ではなくなるおそれがある。逆に、ベースフィルム1へのコバルトイオン含有水溶液の接触時間が上記上限を超える場合、当該プリント配線板用基板の生産性が不十分となるおそれがある。   As a minimum of contact time of cobalt ion content aqueous solution to base film 1, 0.5 minutes are preferred and 1 minute is more preferred. On the other hand, the upper limit of the contact time of the cobalt ion-containing aqueous solution to the base film 1 is preferably 10 minutes, and more preferably 5 minutes. When the contact time of the cobalt ion-containing aqueous solution to the base film 1 is less than the lower limit, it is necessary to increase the concentration of the cobalt ion-containing aqueous solution, so that the handling may not be easy. On the contrary, when the contact time of the cobalt ion containing aqueous solution to the base film 1 exceeds the said upper limit, there exists a possibility that the productivity of the said board | substrate for printed wiring boards may become inadequate.

上記コバルトイオン含有水溶液のコバルトイオン濃度、温度及びベースフィルム1への最適な接触時間は、相互に影響し合うと共に、上記アルカリ処理の条件によっても異なるが、ベースフィルム1の表層領域Aにおける上述のコバルト原子含有率を達成できるよう適宜選択すればよい。   The cobalt ion concentration of the cobalt ion-containing aqueous solution, the temperature, and the optimal contact time to the base film 1 influence each other and vary depending on the conditions of the alkali treatment, but the above-described surface layer region A of the base film 1 What is necessary is just to select suitably so that a cobalt atom content rate can be achieved.

<積層工程>
ステップS3の積層工程は、複数の金属粒子を含む金属粒子分散液の塗布及び加熱を行うことにより焼結体層3を形成する工程を有することが、比較的安価に金属層を形成できる点で好ましい。また、積層工程は、無電解めっきにより無電解めっき層4を形成する工程と、電気めっきにより電気めっき層5を形成する工程とを有することが好ましい。
<Lamination process>
The stacking step of step S3 includes the step of forming the sintered body layer 3 by applying and heating a metal particle dispersion containing a plurality of metal particles, so that the metal layer can be formed relatively inexpensively. preferable. Moreover, it is preferable that a lamination process has the process of forming the electroless-plating layer 4 by electroless plating, and the process of forming the electroplating layer 5 by electroplating.

(焼結体層形成工程)
この焼結体層形成工程で用いる金属粒子分散液としては、金属粒子の分散媒と、この分散媒中に金属粒子を均一に分散させる分散剤とを含むものが好適に使用される。このように均一に金属粒子が分散する金属粒子分散液を用いることで、ベースフィルム1の表面に金属粒子を均一に付着させることができ、ベースフィルム1の表面に均一な焼結体層3を形成することができる。
(Sintered body layer forming step)
As the metal particle dispersion used in the sintered body layer forming step, a liquid containing a dispersion medium of metal particles and a dispersant for uniformly dispersing the metal particles in the dispersion medium is preferably used. By using the metal particle dispersion liquid in which the metal particles are uniformly dispersed in this way, the metal particles can be uniformly attached to the surface of the base film 1, and the uniform sintered body layer 3 is formed on the surface of the base film 1. Can be formed.

上記金属粒子分散液に含まれる金属粒子は、高温処理法、液相還元法、気相法等で製造することができるが、粒子径が均一な粒子を比較的安価に製造できる液相還元法により製造されるものを使用することが好ましい。   The metal particles contained in the metal particle dispersion can be produced by a high temperature treatment method, a liquid phase reduction method, a gas phase method, etc., but a liquid phase reduction method capable of producing particles having a uniform particle size at a relatively low cost. It is preferable to use what is manufactured by.

上記金属粒子分散液に含まれる分散剤としては、特に限定されないが、分子量が2,000以上300,000以下の高分子分散剤を用いることが好ましい。このように、分子量が上記範囲の高分子分散剤を用いることで、金属粒子を分散媒中に良好に分散させることができ、得られる焼結体層3の膜質を緻密でかつ欠陥のないものにすることができる。上記分散剤の分子量が上記下限に満たない場合、金属粒子の凝集を防止して分散を維持する効果が十分に得られないおそれがあり、その結果、ベースフィルム1に積層される焼結体層3を緻密で欠陥の少ないものにできないおそれがある。逆に、上記分散剤の分子量が上記上限を超える場合、分散剤の嵩が大き過ぎ、金属粒子分散液の塗布後に行う加熱時に、金属粒子同士の焼結を阻害してボイドを生じさせるおそれがある。また、分散剤の嵩が大き過ぎると、焼結体層3の膜質の緻密さが低下したり、分散剤の分解残渣が導電性を低下させるおそれがある。   The dispersant contained in the metal particle dispersion is not particularly limited, but a polymer dispersant having a molecular weight of 2,000 to 300,000 is preferably used. Thus, by using the polymer dispersant having a molecular weight in the above range, the metal particles can be dispersed well in the dispersion medium, and the film quality of the obtained sintered body layer 3 is dense and has no defects. Can be. When the molecular weight of the dispersant is less than the lower limit, there is a possibility that the effect of preventing the aggregation of the metal particles and maintaining the dispersion may not be obtained. As a result, the sintered body layer laminated on the base film 1 There is a possibility that 3 cannot be made dense and has few defects. On the contrary, when the molecular weight of the dispersant exceeds the upper limit, the bulk of the dispersant is too large, and during heating performed after application of the metal particle dispersion, there is a risk of inhibiting the sintering of the metal particles and generating voids. is there. Moreover, when the volume of a dispersing agent is too large, there exists a possibility that the denseness of the film quality of the sintered compact layer 3 may fall, or the decomposition residue of a dispersing agent may reduce electroconductivity.

上記分散剤は、部品の劣化防止の観点より、硫黄、リン、ホウ素、ハロゲン及びアルカリを含まないものが好ましい。好ましい分散剤としては、分子量が上記範囲にあるもので、ポリエチレンイミン、ポリビニルピロリドン等のアミン系の高分子分散剤、ポリアクリル酸、カルボキシメチルセルロース等の分子中にカルボン酸基を有する炭化水素系の高分子分散剤、ポバール(ポリビニルアルコール)、スチレン−マレイン酸共重合体、オレフィン−マレイン酸共重合体、あるいは1分子中にポリエチレンイミン部分とポリエチレンオキサイド部分とを有する共重合体等の極性基を有する高分子分散剤等を挙げることができる。   The dispersant preferably does not contain sulfur, phosphorus, boron, halogen, and alkali from the viewpoint of preventing deterioration of parts. Preferred dispersants are those having a molecular weight in the above range, amine-based polymer dispersants such as polyethyleneimine and polyvinylpyrrolidone, and hydrocarbon-based hydrocarbons having a carboxylic acid group in the molecule such as polyacrylic acid and carboxymethylcellulose. Polar groups such as polymer dispersants, poval (polyvinyl alcohol), styrene-maleic acid copolymers, olefin-maleic acid copolymers, or copolymers having a polyethyleneimine moiety and a polyethylene oxide moiety in one molecule The polymer dispersing agent which has can be mentioned.

上記分散剤は、水又は水溶性有機溶媒に溶解した溶液の状態で反応系に添加することもできる。分散剤の含有割合としては、金属粒子100質量部当たり1質量部以上60質量部以下が好ましい。分散剤が金属粒子を取り囲むことで凝集を防止して金属粒子を良好に分散させるが、上記分散剤の含有割合が上記下限に満たない場合、この凝集防止効果が不十分となるおそれがある。逆に、上記分散剤の含有割合が上記上限を超える場合、金属粒子分散液の塗布後の加熱工程において、過剰の分散剤が金属粒子の焼結を阻害してボイドが発生するおそれがあり、また、高分子分散剤の分解残渣が不純物として焼結体層3中に残存して導電性を低下させるおそれがある。   The dispersant can also be added to the reaction system in the form of a solution dissolved in water or a water-soluble organic solvent. As a content rate of a dispersing agent, 1 to 60 mass parts is preferable per 100 mass parts of metal particles. The dispersing agent surrounds the metal particles to prevent aggregation and disperse the metal particles satisfactorily. However, when the content of the dispersing agent is less than the lower limit, the aggregation preventing effect may be insufficient. On the contrary, when the content ratio of the dispersant exceeds the upper limit, in the heating step after the application of the metal particle dispersion, excess dispersant may inhibit the sintering of the metal particles, and voids may be generated. In addition, the decomposition residue of the polymer dispersant may remain as an impurity in the sintered body layer 3 to reduce the conductivity.

金属粒子分散液における分散媒となる水の含有割合としては、金属粒子100質量部当たり20質量部以上1900質量部以下が好ましい。分散媒の水は、分散剤を十分に膨潤させて分散剤で囲まれた金属粒子を良好に分散させるが、上記水の含有割合が上記下限に満たない場合、水によるこの分散剤の膨潤効果が不十分となるおそれがある。逆に、上記水の含有割合が上記上限を超える場合、金属粒子分散液中の金属粒子割合が少なくなり、ベースフィルム1の表面に必要な厚さと密度とを有する良好な焼結体層3を形成できないおそれがある。   The content ratio of water serving as a dispersion medium in the metal particle dispersion is preferably 20 parts by mass or more and 1900 parts by mass or less per 100 parts by mass of the metal particles. The water of the dispersion medium sufficiently swells the dispersing agent to disperse the metal particles surrounded by the dispersing agent well, but when the content ratio of the water is less than the lower limit, the swelling effect of the dispersing agent by water May become insufficient. On the contrary, when the water content exceeds the upper limit, the metal particle ratio in the metal particle dispersion is reduced, and a good sintered body layer 3 having the necessary thickness and density on the surface of the base film 1 is obtained. There is a possibility that it cannot be formed.

上記金属粒子分散液に必要に応じて配合する有機溶媒として、水溶性である種々の有機溶媒が使用可能である。その具体例としては、メチルアルコール、エチルアルコール、n−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、sec−ブチルアルコール、tert−ブチルアルコール等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、エチレングリコール、グリセリン等の多価アルコールやその他のエステル類、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等のグリコールエーテル類等を挙げることができる。   Various organic solvents that are water-soluble can be used as the organic solvent blended into the metal particle dispersion as necessary. Specific examples thereof include alcohols such as methyl alcohol, ethyl alcohol, n-propyl alcohol, isopropyl alcohol, n-butyl alcohol, isobutyl alcohol, sec-butyl alcohol and tert-butyl alcohol, ketones such as acetone and methyl ethyl ketone, Examples thereof include polyhydric alcohols such as ethylene glycol and glycerin and other esters, and glycol ethers such as ethylene glycol monoethyl ether and diethylene glycol monobutyl ether.

金属粒子分散液における水溶性の有機溶媒の含有割合としては、金属粒子100質量部当たり30質量部以上900質量部以下が好ましい。上記水溶性の有機溶媒の含有割合が上記下限に満たない場合、上記有機溶媒による分散液の粘度調整及び蒸気圧調整の効果が十分に得られないおそれがある。逆に、上記水溶性の有機溶媒の含有割合が上記上限を超える場合、水による分散剤の膨潤効果が不十分となり、金属粒子分散液中で金属粒子の凝集が生じるおそれがある。   The content ratio of the water-soluble organic solvent in the metal particle dispersion is preferably 30 parts by mass or more and 900 parts by mass or less per 100 parts by mass of the metal particles. When the content ratio of the water-soluble organic solvent is less than the lower limit, the effects of adjusting the viscosity and vapor pressure of the dispersion with the organic solvent may not be sufficiently obtained. Conversely, when the content ratio of the water-soluble organic solvent exceeds the above upper limit, the swelling effect of the dispersant by water becomes insufficient, and the metal particles may aggregate in the metal particle dispersion.

ベースフィルム1に金属粒子分散液を塗布する方法としては、例えばスピンコート法、スプレーコート法、バーコート法、ダイコート法、スリットコート法、ロールコート法、ディップコート法等の従来公知の塗布方法を用いることができる。また、例えばスクリーン印刷、ディスペンサ等によりベースフィルム1の表面の一部のみに金属粒子分散液を塗布するようにしてもよい。   As a method for applying the metal particle dispersion liquid to the base film 1, conventionally known application methods such as a spin coating method, a spray coating method, a bar coating method, a die coating method, a slit coating method, a roll coating method, and a dip coating method are used. Can be used. Further, for example, the metal particle dispersion may be applied to only a part of the surface of the base film 1 by screen printing, a dispenser, or the like.

そして、金属粒子分散液をベースフィルム1に塗布した金属粒子分散液の塗膜を加熱する。これにより、金属粒子分散液の溶媒分散剤が蒸発又は熱分解し、残る金属粒子が焼結されてベースフィルム1の表面に固着された焼結体層3が得られる。なお、上記加熱の前に金属粒子分散液の塗膜を乾燥させることが好ましい。   And the coating film of the metal particle dispersion liquid which apply | coated the metal particle dispersion liquid to the base film 1 is heated. As a result, the solvent dispersant in the metal particle dispersion is evaporated or thermally decomposed, and the remaining metal particles are sintered and the sintered body layer 3 fixed to the surface of the base film 1 is obtained. In addition, it is preferable to dry the coating film of a metal particle dispersion before the said heating.

上記焼結は、一定量の酸素が含まれる雰囲気下で行うことが好ましい。焼結時の雰囲気の酸素濃度の下限としては、1体積ppmが好ましく、10体積ppmがより好ましい。一方、上記酸素濃度の上限としては、10,000体積ppmが好ましく、1,000体積ppmがより好ましい。上記酸素濃度が上記下限に満たない場合、焼結体層3の界面近傍における金属酸化物の生成量が少なくなり、ベースフィルム1と焼結体層3との密着力を十分に向上できないおそれがある。逆に、上記酸素濃度が上記上限を超える場合、金属粒子が過剰に酸化してしまい焼結体層3の導電性が低下するおそれがある。   The sintering is preferably performed in an atmosphere containing a certain amount of oxygen. The lower limit of the oxygen concentration in the atmosphere during sintering is preferably 1 volume ppm, and more preferably 10 volume ppm. On the other hand, the upper limit of the oxygen concentration is preferably 10,000 volume ppm, more preferably 1,000 volume ppm. When the oxygen concentration is less than the lower limit, the amount of metal oxide generated in the vicinity of the interface of the sintered body layer 3 is reduced, and the adhesion between the base film 1 and the sintered body layer 3 may not be sufficiently improved. is there. Conversely, when the oxygen concentration exceeds the upper limit, the metal particles are excessively oxidized and the conductivity of the sintered body layer 3 may be reduced.

上記焼結温度の下限としては、150℃が好ましく、200℃がより好ましい。一方、上記焼結温度の上限としては、500℃が好ましく、400℃がより好ましい。上記焼結温度が上記下限に満たない場合、金属粒子間を接続できず、次の無電解めっき層4の形成時に焼結体層3が崩壊するおそれがある。逆に、上記焼結温度が上記上限を超える場合、ベースフィルム1が変形するおそれがある。   As a minimum of the above-mentioned sintering temperature, 150 ° C is preferred and 200 ° C is more preferred. On the other hand, the upper limit of the sintering temperature is preferably 500 ° C, more preferably 400 ° C. When the said sintering temperature is less than the said minimum, between metal particles cannot be connected, and when the next electroless-plating layer 4 is formed, there exists a possibility that the sintered compact layer 3 may collapse | crumble. Conversely, when the sintering temperature exceeds the upper limit, the base film 1 may be deformed.

(無電解めっき層形成工程)
上記無電解めっき層形成工程では、上記焼結体層形成工程でベースフィルム1の表面に積層した焼結体層3の表面に、無電解めっきを施すことにより無電解めっき層4を形成する。
(Electroless plating layer formation process)
In the electroless plating layer forming step, the electroless plating layer 4 is formed by performing electroless plating on the surface of the sintered body layer 3 laminated on the surface of the base film 1 in the sintered body layer forming step.

なお上記無電解めっきは、例えばクリーナ工程、水洗工程、酸処理工程、水洗工程、プレディップ工程、アクチベーター工程、水洗工程、還元工程、水洗工程等の処理と共に行うことが好ましい。   In addition, it is preferable to perform the said electroless-plating with processes, such as a cleaner process, a water washing process, an acid treatment process, a water washing process, a pre-dip process, an activator process, a water washing process, a reduction process, a water washing process, for example.

また、無電解めっきにより無電解めっき層4を形成した後、さらに熱処理を行うことが好ましい。無電解めっき層4形成後に熱処理を施すと、焼結体層3のベースフィルム1との界面近傍の金属酸化物等がさらに増加し、ベースフィルム1と焼結体層3との間の密着力がさらに大きくなる。この無電解めっき後の熱処理の温度及び酸素濃度としては、上記焼結体層形成工程における加熱温度及び酸素濃度と同様とすることができる。   Moreover, after forming the electroless-plating layer 4 by electroless plating, it is preferable to heat-process further. When heat treatment is performed after the formation of the electroless plating layer 4, the metal oxide or the like in the vicinity of the interface of the sintered body layer 3 with the base film 1 further increases, and the adhesion between the base film 1 and the sintered body layer 3. Becomes even larger. The heat treatment temperature and oxygen concentration after electroless plating can be the same as the heating temperature and oxygen concentration in the sintered body layer forming step.

(電気めっき層形成工程)
電気めっき層形成工程では、無電解めっき層4の外面に、電気めっきによって電気めっき層5を積層する。この電気めっき層形成工程において、金属層3全体の厚さを所望の厚さまで増大させる。
(Electroplating layer forming process)
In the electroplating layer forming step, the electroplating layer 5 is laminated on the outer surface of the electroless plating layer 4 by electroplating. In this electroplating layer forming step, the thickness of the entire metal layer 3 is increased to a desired thickness.

この電気めっきは、例えば銅、ニッケル、銀等のめっきする金属に応じた従来公知の電気めっき浴を用いて、かつ適切な条件を選んで、所望の厚さの金属層3が欠陥なく速やかに形成されるように行うことができる。   In this electroplating, for example, a conventionally known electroplating bath corresponding to a metal to be plated such as copper, nickel, silver or the like is used, and appropriate conditions are selected. Can be made to form.

<利点>
上述のように、当該プリント配線板用基板は、ベースフィルム1における金属層2との界面から厚さ方向に1μmの表層領域Aに、上記含有率範囲内のコバルト原子を含有するので、このコバルト原子が金属層2の金属原子のベースフィルム1への拡散を抑制する。ベースフィルム2にコバルト原子を含有させるための上述の接触工程は比較的容易に行うことができるため、当該プリント配線板用基板は、比較的安価でありながら、経時変化によるベースフィルム1と金属層2との密着性の低下が比較的小さい。
<Advantages>
As described above, the printed wiring board substrate contains cobalt atoms in the content range in the surface layer region A of 1 μm in the thickness direction from the interface with the metal layer 2 in the base film 1. The atoms suppress the diffusion of metal atoms in the metal layer 2 into the base film 1. Since the above-described contact step for containing cobalt atoms in the base film 2 can be performed relatively easily, the printed wiring board substrate is relatively inexpensive, and the base film 1 and the metal layer due to changes over time. 2 is relatively small.

[その他の実施形態]
今回開示された実施の形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
[Other Embodiments]
The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is not limited to the configuration of the embodiment described above, but is defined by the scope of the claims, and is intended to include all modifications within the meaning and scope equivalent to the scope of the claims. The

当該プリント配線板用基板は、図3に示す当該プリント配線板の製造方法とは異なる方法で製造されてもよい。例えば、当該プリント配線板用基板は、アルカリ処理工程を省略して製造されたものであってもよく、アルカリ処理に代えて例えばプラズマ処理等によってベースフィルムの表面が改質されているものであってもよい。   The printed wiring board substrate may be manufactured by a method different from the method for manufacturing the printed wiring board shown in FIG. For example, the printed wiring board substrate may be manufactured by omitting the alkali treatment step, and the surface of the base film is modified by, for example, plasma treatment instead of the alkali treatment. May be.

さらに、当該プリント配線板用基板における金属層の詳細構造や積層方法は任意である。具体的には、当該プリント配線板用基板の金属層は、焼結体層、無電解めっき層及び電気めっき層の一又は複数を有しないものであってもよく、ベースフィルムに金属板を熱圧着したものであってもよい。   Furthermore, the detailed structure of the metal layer in the said printed wiring board board | substrate and the lamination | stacking method are arbitrary. Specifically, the metal layer of the printed wiring board substrate may not include one or more of the sintered body layer, the electroless plating layer, and the electroplating layer, and the metal film is heated on the base film. It may be a crimped one.

また、当該プリント配線板用基板は、ベースフィルの両面に金属層を積層した両面基板や複数のベースフィルム又は絶縁層と3層以上の金属層とを備える多層基板であってもよい。複数の金属層を備える場合、当該プリント配線板用基板は、ベースフィルムの表層領域のいずれかがコバルト原子の含有率が上記範囲内である構成を有していればよい。   The printed wiring board substrate may be a double-sided board in which metal layers are laminated on both sides of the base fill, or a multilayer board including a plurality of base films or insulating layers and three or more metal layers. When a plurality of metal layers are provided, the printed wiring board substrate only needs to have a configuration in which any of the surface layer regions of the base film has a cobalt atom content within the above range.

以下、実施例に基づき本発明を詳述するが、この実施例の記載に基づいて本発明が限定的に解釈されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although this invention is explained in full detail based on an Example, this invention is not interpreted limitedly based on description of this Example.

以下の要領で、ポリイミド製ベースフィルムの表面をアルカリ処理してから表層領域にコバルト原子を含有させた後、金属層を積層したプリント配線板用基板の試作品No.1〜No.14を作製した。これらのプリント配線板用基板の試作品No.1〜No.14の作製課程において、アルカリ処理後のベースフィルムの表面のイミド環の開環率と、コバルト原子を含有させた後のベースフィルムの表面から厚さ方向に1μmの表層領域におけるコバルト原子の含有率とを測定した。また、プリント配線板用基板の試作品No.1〜No.14の作製直後のベースフィルムと金属層との剥離強度を測定すると共に、温度150℃で7日間保持する耐熱性試験に供した後のベースフィルムと金属層との剥離強度を測定した。   In the following manner, the surface of the polyimide base film is alkali-treated and then cobalt atoms are added to the surface layer region, and then a printed wiring board substrate prototype No. 1-No. 14 was produced. Prototype No. of these printed wiring board substrates 1-No. In the preparation process of No. 14, the ring opening rate of the imide ring on the surface of the base film after the alkali treatment and the content rate of cobalt atoms in the surface layer region of 1 μm in the thickness direction from the surface of the base film after containing the cobalt atoms And measured. In addition, prototype No. of printed wiring board substrate is shown. 1-No. The peel strength between the base film and the metal layer immediately after the production of 14 was measured, and the peel strength between the base film and the metal layer after being subjected to a heat resistance test held at a temperature of 150 ° C. for 7 days was measured.

(試作品No.1)
ベースフィルムとして、東レデュポン社のポリイミドフィルム「カプトンEN−S」(平均厚さ25μm)を使用し、先ず、温度40℃、濃度100g/Lの水酸化ナトリウム水溶液に90秒浸漬した後、10秒の水洗を3回行って乾燥させた。次に、酢酸コバルト四水和物を37.0g/Lの割合で水に溶解した温度25℃のコバルトイオン含有水溶液(コバルトイオンのモル濃度に換算して0.15mol/L)に上記アルカリ処理したベースフィルムを90秒浸漬して表層領域にコバルト原子を含有させた後、10秒の水洗を3回行ってから乾燥させた。さらに、このコバルト原子を含有させたベースフィルムの表面に、銅粒子の焼結体層、無電解めっき層及び電気めっき層をこの順番に積層することにより金属層を形成することで、プリント配線板用基板の試作品No.1を得た。
(Prototype No. 1)
A polyimide film “Kapton EN-S” (average thickness 25 μm) manufactured by Toray DuPont Co., Ltd. was used as a base film. Was washed three times with water and dried. Next, the alkali treatment was performed on a cobalt ion-containing aqueous solution (0.15 mol / L in terms of the molar concentration of cobalt ions) at a temperature of 25 ° C. in which cobalt acetate tetrahydrate was dissolved in water at a rate of 37.0 g / L. The base film was immersed for 90 seconds to contain cobalt atoms in the surface layer region, washed with water for 10 seconds three times, and then dried. Further, a printed wiring board is formed by laminating a sintered body layer of copper particles, an electroless plating layer and an electroplating layer in this order on the surface of the base film containing cobalt atoms. Prototype board No. 1 was obtained.

上記焼結体層は、ベースフィルムの表面に、平均粒子径が70nmの銅粒子を水に分散させた銅濃度が26質量%の銅粒子分散液を塗布し、酸素濃度が100体積ppmの窒素雰囲気中で温度350℃に30分間加熱することにより形成し、その平均厚さが0.15μmであった。この焼結体層の上から無電解銅めっきを行うことにより無電解めっき層を形成し、焼結体層と無電解めっき層との合計平均厚さは0.45μmとなった。さらにこの無電解めっき層の上に電気銅めっきを行うことにより平均厚さ18μmの電気めっき層を積層して、三層構造の金属層を形成した。   The sintered body layer is coated with a copper particle dispersion having a copper concentration of 26% by mass, in which copper particles having an average particle diameter of 70 nm are dispersed in water, on the surface of the base film, and nitrogen having an oxygen concentration of 100 volume ppm The film was formed by heating at 350 ° C. for 30 minutes in the atmosphere, and the average thickness was 0.15 μm. An electroless plating layer was formed by performing electroless copper plating on the sintered body layer, and the total average thickness of the sintered body layer and the electroless plating layer was 0.45 μm. Further, an electroplating layer having an average thickness of 18 μm was laminated on the electroless plating layer to form a three-layer metal layer.

(試作品No.2〜7)
水酸化ナトリウム水溶液によるアルカリ処理時間、コバルトイオン含有水溶液の酢酸コバルト四水和物溶解量(溶解後のコバルトイオン濃度)及び浸漬時間、並びに焼結体層を形成する銅粒子の平均粒子径を変更して、他は試作品No.1と同じ条件でプリント配線板用基板の試作品No.2〜7を得た。なお、銅粒子の平均粒子径を異ならせることに起因して無電解めっき後の金属層の平均厚さ(焼結体層と無電解めっき層の合計平均厚さ)も異なるものとなった。これらの条件の違いは、表1にまとめて示す。
(Prototype Nos. 2-7)
Change alkali treatment time with aqueous sodium hydroxide solution, cobalt acetate tetrahydrate dissolution amount (cobalt ion concentration after dissolution) and immersion time in aqueous solution containing cobalt ions, and average particle size of copper particles forming sintered body layer Others are prototype No. Prototype No. of printed wiring board substrate under the same conditions as in No. 1. 2-7 were obtained. Note that the average thickness of the metal layer after electroless plating (the total average thickness of the sintered body layer and the electroless plating layer) was also different due to the difference in the average particle diameter of the copper particles. The differences between these conditions are summarized in Table 1.

(試作品No.8〜14)
さらに、ベースフィルムとして、カネカ社のポリイミドフィルム「アピカルNPI」(平均厚さ25μm)を使用し、水酸化ナトリウム水溶液によるアルカリ処理時間、コバルトイオン含有水溶液の酢酸コバルト四水和物溶解量及び浸漬時間、並びに焼結体層を形成する銅粒子の平均粒子径(及びこれに伴う無電解めっき後の金属層の平均厚さ)を変更して、他は同じ条件でプリント配線板用基板の試作品No.8〜14を得た。これらの条件も、表1にまとめて示す。
(Prototype No. 8-14)
Furthermore, Kaneka's polyimide film “Apical NPI” (average thickness 25 μm) is used as the base film, alkali treatment time with aqueous sodium hydroxide solution, cobalt acetate tetrahydrate dissolved amount and immersion time in aqueous solution containing cobalt ions In addition, the average particle diameter of the copper particles forming the sintered body layer (and the average thickness of the metal layer after electroless plating) is changed, and the prototype of the printed wiring board substrate is the same under the same conditions. No. 8-14 were obtained. These conditions are also summarized in Table 1.

(イミド開環率)
ポリイミドのイミド環の開環率は、サーモフィッシャー社の赤外全反射吸収測定(FT−IR)装置「Nicolet8700」を用い、SensIR社の1回反射ATRアクセサリ「Dura Scope」(ダイヤモンドプリズム)を使用して、入射角45°での測定波数4000〜650cm−1の範囲における吸収強度スペクトルを積算回数(スキャン回数)16回としてそれぞれ、分解能を4cm−1に設定して測定し、得られた吸収強度スペクトルから、波数1494cm−1のピーク強度に対する波数1705cm−1のピーク強度の比を算出し、表面処理をしていないベースフィルムのピーク強度の比を100%として換算した。このイミド開環率は、表1に合わせて示す。
(Imide ring opening rate)
The ring opening rate of the polyimide imide ring is measured by using Thermo Fisher's infrared total reflection absorption measurement (FT-IR) device "Nicolet 8700" and SensIR's single reflection ATR accessory "Dura Scope" (diamond prism). Then, the absorption intensity spectrum in the range of the measurement wave number of 4000 to 650 cm −1 at an incident angle of 45 ° is measured by setting the resolution to 4 cm −1 with 16 times of integration (number of scans), and the obtained absorption From the intensity spectrum, the ratio of the peak intensity at the wave number of 1705 cm −1 to the peak intensity at the wave number of 1494 cm −1 was calculated, and the ratio of the peak intensity of the base film not subjected to the surface treatment was converted to 100%. This imide ring-opening rate is shown in Table 1.

(コバルト含有率)
ベースフィルムの表層領域におけるコバルト原子の含有率は、ULVAC−Phi社製の走査型X線光電子分光分析装置「Quantera」を用い、X線源をアルミニウム金属のKアルファ線、ビーム径を50μm、分析表面に対するX線入射角度を45°として測定した。このコバルト原子の含有率は、表1に合わせて示す。
(Cobalt content)
The content ratio of cobalt atoms in the surface layer region of the base film was determined by using a scanning X-ray photoelectron spectrometer “Quantera” manufactured by ULVAC-Phi, analyzing the X-ray source with an aluminum metal K alpha ray and a beam diameter of 50 μm. The X-ray incident angle with respect to the surface was measured as 45 °. The cobalt atom content is shown in Table 1.

(剥離強度)
剥離強度は、樹脂フィルムをたわみ性被着材としてJIS−K−6854−2(1999)「接着剤−はく離接着強さ試験方法−2部:180度はく離」に準じた方法により測定した。この剥離強度は、表1に合わせて示す。
(Peel strength)
The peel strength was measured by a method according to JIS-K-6854-2 (1999) “Adhesive—Peeling peel strength test method—2 parts: 180 degree peeling” with a resin film as a flexible adherend. The peel strength is shown in Table 1.

Figure 2017112184
Figure 2017112184

以上のように、ベースフィルムの表層領域に、1atomic%以上15atomic%以下のコバルト原子を含有する試作品No.1〜3及びNo.8〜10は、耐熱性試験の前後で共に比較的大きい剥離強度を有し、かつ耐熱性試験の前後での剥離強度の変化が小さく、時間経過によるベースフィルムと金属層との密着性の低下が比較的小さいことが確認された。一方、ベースフィルムの表層領域のコバルト原子含有率が15atomic%よりも大きい試作品No.4及びNo.11は、耐熱性試験の前後での剥離強度の低下は小さいが、耐熱性試験前の剥離強度が不十分であった。また、ベースフィルムの表層領域にコバルト元素を含有しない試作品No.5〜7及びNo.12〜14は、耐熱性試験前の剥離強度は十分であるものの、耐熱性試験による剥離強度の低下が比較的大きく、時間経過によるベースフィルムと金属層との密着性の低下が比較的大きかった。   As described above, prototype No. 1 containing cobalt atoms of 1 atomic% or more and 15 atomic% or less in the surface layer region of the base film. 1-3 and No.1. 8 to 10 both have a relatively large peel strength before and after the heat resistance test, and the change in the peel strength before and after the heat resistance test is small, resulting in a decrease in adhesion between the base film and the metal layer over time. Was confirmed to be relatively small. On the other hand, in the prototype No. in which the cobalt atom content in the surface layer region of the base film is greater than 15 atomic%. 4 and no. No. 11 had a small decrease in peel strength before and after the heat resistance test, but the peel strength before the heat resistance test was insufficient. Prototype No. which does not contain cobalt element in the surface layer region of the base film. 5-7 and no. In Nos. 12 to 14, although the peel strength before the heat resistance test was sufficient, the decrease in the peel strength by the heat resistance test was relatively large, and the decrease in the adhesion between the base film and the metal layer over time was relatively large. .

本発明の実施形態に係るプリント配線板用基板及びプリント配線板用基板の製造方法は、プリント配線板を製造するために広く利用することができる。   The printed wiring board substrate and the printed wiring board manufacturing method according to the embodiment of the present invention can be widely used for manufacturing a printed wiring board.

1 ベースフィルム
2 金属層
3 焼結体層
4 無電解めっき層
5 電気めっき層
A 表層領域
S1 アルカリ処理工程
S2 接触工程
S3 積層工程
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Base film 2 Metal layer 3 Sintered body layer 4 Electroless plating layer 5 Electroplating layer A Surface layer area | region S1 Alkali process S2 Contact process S3 Lamination process

Claims (7)

絶縁性を有するベースフィルムと、
このベースフィルムの少なくとも一方の面に積層される金属層と
を備えるプリント配線板用基板であって、
上記ベースフィルムにおける金属層との界面から厚さ方向に1μmの表層領域にコバルト原子を含有し、
このコバルト原子の含有率が1atomic%以上15atomic%以下であるプリント配線板用基板。
An insulating base film;
A printed wiring board substrate comprising a metal layer laminated on at least one surface of the base film,
Cobalt atoms are contained in the surface layer region of 1 μm in the thickness direction from the interface with the metal layer in the base film,
A printed wiring board substrate having a cobalt atom content of 1 atomic% or more and 15 atomic% or less.
上記金属層が金属粒子の焼結体層を含む請求項1に記載のプリント配線板用基板。   The printed wiring board substrate according to claim 1, wherein the metal layer includes a sintered body layer of metal particles. 上記金属層がめっき層を含む請求項1又は請求項2に記載のプリント配線板用基板。   The printed wiring board substrate according to claim 1, wherein the metal layer includes a plating layer. 上記コバルト原子がベースフィルムを構成するポリマーに化学結合している請求項1、請求項2又は請求項3に記載のプリント配線板用基板。   The printed wiring board substrate according to claim 1, wherein the cobalt atom is chemically bonded to a polymer constituting the base film. 絶縁性を有するベースフィルムと、
このベースフィルムの少なくとも一方の面に積層される金属層と
を備えるプリント配線板用基板の製造方法であって、
上記ベースフィルムの少なくとも一方の面をアルカリ処理する工程と、
上記アルカリ処理工程後のベースフィルムの少なくとも一方の面にコバルトイオン含有水溶液を接触させる工程と、
上記接触工程後のベースフィルムの少なくとも一方の面に金属層を積層する工程と
を備えるプリント配線板用基板の製造方法。
An insulating base film;
A printed wiring board substrate comprising a metal layer laminated on at least one surface of the base film,
A step of alkali-treating at least one surface of the base film;
A step of bringing a cobalt ion-containing aqueous solution into contact with at least one surface of the base film after the alkali treatment step;
And a step of laminating a metal layer on at least one surface of the base film after the contact step.
上記コバルトイオン含有水溶液が酢酸コバルト水溶液である請求項5に記載のプリント配線板用基板の製造方法。   The method for producing a printed wiring board substrate according to claim 5, wherein the cobalt ion-containing aqueous solution is a cobalt acetate aqueous solution. 上記金属層積層工程が、ベースフィルムの少なくとも一方の面への金属粒子分散液の塗布及び加熱を行う工程を有する請求項5又は請求項6に記載のプリント配線板用基板の製造方法。   The method for producing a printed wiring board substrate according to claim 5 or 6, wherein the metal layer laminating step includes a step of applying and heating the metal particle dispersion on at least one surface of the base film.
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