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JP2017069474A - Circuit board and manufacturing method therefor - Google Patents

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JP2017069474A
JP2017069474A JP2015195557A JP2015195557A JP2017069474A JP 2017069474 A JP2017069474 A JP 2017069474A JP 2015195557 A JP2015195557 A JP 2015195557A JP 2015195557 A JP2015195557 A JP 2015195557A JP 2017069474 A JP2017069474 A JP 2017069474A
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JP
Japan
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circuit board
heat transfer
core substrate
board according
layer
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Application number
JP2015195557A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
満広 冨川
Mitsuhiro Tomikawa
満広 冨川
浅野 浩二
Koji Asano
浩二 浅野
幸治 泉
Koji Izumi
幸治 泉
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Ibiden Co Ltd
Original Assignee
Ibiden Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a circuit board in which connection reliability of a heat transfer block and a via conductor can be enhanced, and to provide a manufacturing method therefor.SOLUTION: A circuit board 10 has a core substrate 11, a cavity 16 penetrating the core substrate 11, a heat transfer block 17 housed in the cavity 16, build-up layers 20, 20 laminated on the front and back of the core substrate 11, and covering both sides of the cavity 16 and heat transfer block 17, and a via conductor 21D provided in the innermost insulation resin layer 21 of the build-up layers 20, 20, and connecting with the heat transfer block 17. The heat transfer block 17 has a heat transfer foil 17M composed of a heat transfer material, and a metal plating layer 17N formed on at least one of the front and back of the heat transfer foil 17M.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明は、コア基板に形成されているキャビティに伝熱性ブロックが収容されている回路基板及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a circuit board in which a heat transfer block is accommodated in a cavity formed in a core substrate, and a manufacturing method thereof.

従来、この種の回路基板として、伝熱性ブロックがビルドアップ層のビア導体と接続し、放熱に用いられているものが知られている(例えば、特許文献1参照)。   Conventionally, as this type of circuit board, one in which a heat conductive block is connected to a via conductor of a buildup layer and used for heat dissipation is known (for example, see Patent Document 1).

特開2013−135168号(段落[0009]、[0010])JP 2013-135168 (paragraphs [0009] and [0010])

上記した従来の回路基板では、伝熱性ブロックとビア導体との接続が弱くなると、放熱機能が低下することが考えられる。   In the above-described conventional circuit board, if the connection between the heat conductive block and the via conductor becomes weak, it is considered that the heat dissipation function is lowered.

本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、伝熱性ブロックとビア導体との接続の信頼性を向上することが可能な回路基板及びその製造方法の提供を目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a circuit board capable of improving the connection reliability between a heat conductive block and a via conductor and a method for manufacturing the circuit board.

上記目的を達成するためなされた請求項1に係る発明は、コア基板と、前記コア基板を貫通するキャビティと、前記キャビティに収容される伝熱性ブロックと、前記コア基板の表裏に積層されて、前記キャビティ及び前記伝熱性ブロックの表裏の両面を覆うビルドアップ層と、前記ビルドアップ層の最内部の絶縁樹脂層に設けられ、前記伝熱性ブロックと接続するビア導体と、を有する回路基板であって、前記伝熱性ブロックは、伝熱性素材により構成される伝熱箔と、前記伝熱箔の表裏の両面のうち少なくとも一方の面に形成され、前記ビア導体が接続される金属メッキ層と、を有する。   The invention according to claim 1 made to achieve the above object is laminated on the front and back of the core substrate, the core substrate, the cavity penetrating the core substrate, the heat conductive block accommodated in the cavity, A circuit board having a buildup layer that covers both surfaces of the cavity and the heat transfer block, and a via conductor that is provided on the innermost insulating resin layer of the buildup layer and is connected to the heat transfer block. The heat transfer block is a heat transfer foil made of a heat transfer material, and a metal plating layer formed on at least one of the front and back surfaces of the heat transfer foil, to which the via conductor is connected, Have

本発明の第1実施形態に係る回路基板の平面図The top view of the circuit board concerning a 1st embodiment of the present invention. 回路基板における製品領域の平面図Plan view of product area on circuit board 図2のA−A切断面における回路基板の側断面図FIG. 2 is a side sectional view of the circuit board taken along the line AA of FIG. 金属ブロックの拡大側断面図Enlarged side sectional view of metal block 回路基板の製造工程を示す側断面図Side sectional view showing circuit board manufacturing process 回路基板の製造工程を示す側断面図Side sectional view showing circuit board manufacturing process 回路基板の製造工程を示す側断面図Side sectional view showing circuit board manufacturing process 回路基板の製造工程を示す側断面図Side sectional view showing circuit board manufacturing process 回路基板の製造工程を示す側断面図Side sectional view showing circuit board manufacturing process 回路基板の製造工程を示す側断面図Side sectional view showing circuit board manufacturing process 金属ブロックの製造工程を示す側断面図Side sectional view showing the manufacturing process of metal block 回路基板を含むPoPの側断面図Side sectional view of PoP including circuit board 第2実施形態の回路基板の側断面図Side sectional view of the circuit board of the second embodiment 第3実施形態の回路基板の側断面図Side sectional view of the circuit board of the third embodiment 第3実施形態に係る金属ブロックの製造工程を示す側断面図Side sectional view which shows the manufacturing process of the metal block which concerns on 3rd Embodiment 変形例に係る回路基板における製品領域の平面図Plan view of product area in circuit board according to modification 変形例に係る回路基板の側断面図Side sectional view of circuit board according to modification

[第1実施形態]
以下、本発明の第1実施形態を図1〜図12に基づいて説明する。本実施形態の回路基板10は、図1の平面図に示されているように、例えば、外縁部に沿った枠状の捨て領域R1を有し、その捨て領域R1の内側が正方形の複数の製品領域R2に区画されている。図2には、1つの製品領域R2が拡大して示され、その製品領域R2を対角線に沿って切断した回路基板10の断面構造が図3に拡大して示されている。
[First Embodiment]
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. As shown in the plan view of FIG. 1, the circuit board 10 according to the present embodiment has, for example, a frame-shaped discarding region R1 along the outer edge, and the inside of the discarding region R1 is a plurality of squares. It is partitioned into product areas R2. 2 shows one product region R2 in an enlarged manner, and FIG. 3 shows an enlarged cross-sectional structure of the circuit board 10 obtained by cutting the product region R2 along a diagonal line.

図3に示すように、回路基板10は、コア基板11の表裏の両面にビルドアップ層20,20を有する構造になっている。コア基板11は、絶縁性部材で構成されている。コア基板11の表側の面であるF面11Fと、コア基板11の裏側の面であるB面11Bとには、導体回路層12がそれぞれ形成されている。また、コア基板11には、キャビティ16と複数の導電用貫通孔14が形成されている。   As shown in FIG. 3, the circuit board 10 has a structure having build-up layers 20 and 20 on both front and back surfaces of the core board 11. The core substrate 11 is made of an insulating member. Conductor circuit layers 12 are respectively formed on an F surface 11 </ b> F that is a surface on the front side of the core substrate 11 and a B surface 11 </ b> B that is a surface on the back side of the core substrate 11. Further, the core substrate 11 is formed with a cavity 16 and a plurality of conductive through holes 14.

導電用貫通孔14は、コア基板11のF面11F及びB面11Bの両面からそれぞれ穿孔しかつ奥側に向かって徐々に縮径したテーパー孔14A,14Aの小径側端部を互いに連通させた中間括れ形状をなしている。これに対し、キャビティ16は、直方体状の空間を有する形状になっている。   The through-holes for conduction 14 communicated with the small-diameter side ends of the tapered holes 14A and 14A, which are perforated from both the F surface 11F and the B surface 11B of the core substrate 11 and gradually reduced in diameter toward the back side. Has an intermediate constricted shape. On the other hand, the cavity 16 has a shape having a rectangular parallelepiped space.

各導電用貫通孔14内にはメッキが充填されて複数のスルーホール導電導体15がそれぞれ形成され、それらスルーホール導電導体15によってF面11Fの導体回路層12とB面11Bの導体回路層12との間が接続されている。   A plurality of through-hole conductive conductors 15 are formed in each through-hole 14 for conduction to form a plurality of through-hole conductive conductors 15, and the conductive circuit layer 12 on the F surface 11 F and the conductive circuit layer 12 on the B surface 11 B are formed by these through-hole conductive conductors 15. Is connected.

キャビティ16には、金属ブロック17(本発明の「伝熱性ブロック」に相当する)が収容されている。金属ブロック17は、例えば銅製の直方体であって、金属ブロック17の平面形状はキャビティ16の平面形状より一回り小さくなっている。また、金属ブロック17の厚さ、即ち、金属ブロック17の表裏の一方の面である第1主面17Fと、金属ブロック17の表裏の他方の面である第2主面17Bとの間の距離は、コア基板11の表裏の導体回路層12,12の最外面間の距離と略同一になっている。また、金属ブロック17の第1主面17Fがコア基板11のF面11Fにおける導体回路層12の最外面と略面一になる一方、金属ブロック17の第2主面17Bがコア基板11のB面11Bにおける導体回路層12の最外面と略面一になっている。なお、金属ブロック17とキャビティ16の内面との間の隙間には、充填樹脂16Jが充填されている。   The cavity 16 accommodates a metal block 17 (corresponding to the “heat transfer block” of the present invention). The metal block 17 is a rectangular parallelepiped made of copper, for example, and the planar shape of the metal block 17 is slightly smaller than the planar shape of the cavity 16. Further, the thickness of the metal block 17, that is, the distance between the first main surface 17 </ b> F that is one surface of the metal block 17 and the second main surface 17 </ b> B that is the other surface of the metal block 17. Is substantially the same as the distance between the outermost surfaces of the conductor circuit layers 12, 12 on the front and back of the core substrate 11. The first main surface 17F of the metal block 17 is substantially flush with the outermost surface of the conductor circuit layer 12 on the F surface 11F of the core substrate 11, while the second main surface 17B of the metal block 17 is B of the core substrate 11. The surface 11B is substantially flush with the outermost surface of the conductor circuit layer 12. A gap between the metal block 17 and the inner surface of the cavity 16 is filled with a filling resin 16J.

図3に示すように、コア基板11のF面11F側のビルドアップ層20も、B面11B側のビルドアップ層20も共に、コア基板11側から順番に、絶縁樹脂層21、導体層22を積層してなり、導体層22上には、ソルダーレジスト層23が積層されている。また、絶縁樹脂層21には、複数のビアホール21Hが形成され、それらビアホール21Hは、コア基板11側に向かって徐々に縮径したテーパー状になっている。さらに、これらビアホール21H内にメッキが充填されて複数のビア導体21Dが形成されている。そして、これらビア導体21Dによって、導体回路層12と導体層22との間及び、金属ブロック17と導体層22との間が接続されている。なお、金属ブロック17は、第1主面17F側と第2主面17B側との両方において、導体層22,22に対し、4つのビア導体21Dを介して接続されている。ここで、導体回路層12と導体層22との間を接続するビア導体21Dの径(トップ径)と、金属ブロック17と導体層22との間を接続するビア導体21Dの径(トップ径)とは略同じでも良いが、異なっていても良い。   As shown in FIG. 3, both the build-up layer 20 on the F surface 11F side and the build-up layer 20 on the B surface 11B side of the core substrate 11 are in order from the core substrate 11 side, insulative resin layer 21 and conductor layer 22. A solder resist layer 23 is laminated on the conductor layer 22. In addition, a plurality of via holes 21H are formed in the insulating resin layer 21, and the via holes 21H have a tapered shape with a diameter gradually reduced toward the core substrate 11 side. Further, the via holes 21H are filled with plating to form a plurality of via conductors 21D. The via conductors 21D connect the conductor circuit layer 12 and the conductor layer 22 and the metal block 17 and the conductor layer 22. The metal block 17 is connected to the conductor layers 22 and 22 via the four via conductors 21D on both the first main surface 17F side and the second main surface 17B side. Here, the diameter (top diameter) of the via conductor 21D that connects the conductor circuit layer 12 and the conductor layer 22 and the diameter (top diameter) of the via conductor 21D that connects the metal block 17 and the conductor layer 22. May be substantially the same, but may be different.

図3に示すように、ソルダーレジスト層23には、複数のパッド用孔が形成され、導体層22の一部がパッド用孔内に位置してパッド26になっている。コア基板11のF面11F上のビルドアップ層20の最外面である回路基板10のF面10Fにおいては、複数のパッド26が、製品領域R2の外縁部に沿って2列に並べられた中パッド26A群と、それら中パッド26A群に囲まれた内側の領域に縦横複数列に並べられた小パッド26C群とから構成されている。また、小パッド26C群から電子部品実装部26Jが構成されている。さらに、例えば、図2に示すように、小パッド26C群の中央で製品領域R2の対角線上に並んだ4つの小パッド26Cと、それら4つの小パッド26Cの列の隣で前記対角線と平行に並んだ3つの小パッド26Cとの計7つの小パッド26Cの真下となる位置に金属ブロック17が配置されている。そして、それら7つの小パッド26Cのうち、図3に示すように、例えば4つの小パッド26Cが4つのビア導体21Dを介して金属ブロック17に接続されている。   As shown in FIG. 3, a plurality of pad holes are formed in the solder resist layer 23, and a part of the conductor layer 22 is located in the pad hole and becomes a pad 26. In the F surface 10F of the circuit board 10, which is the outermost surface of the buildup layer 20 on the F surface 11F of the core substrate 11, a plurality of pads 26 are arranged in two rows along the outer edge portion of the product region R2. The pad 26A group and the small pad 26C group arranged in a plurality of vertical and horizontal rows in an inner region surrounded by the middle pad 26A group. Further, an electronic component mounting portion 26J is composed of the small pads 26C group. Further, for example, as shown in FIG. 2, four small pads 26C arranged on the diagonal line of the product region R2 at the center of the small pad 26C group, and parallel to the diagonal line next to the row of the four small pads 26C. The metal block 17 is disposed at a position directly below the seven small pads 26C, including the three small pads 26C arranged side by side. Of the seven small pads 26C, as shown in FIG. 3, for example, four small pads 26C are connected to the metal block 17 via four via conductors 21D.

また、コア基板11のB面11B上のビルドアップ層20の最外面である回路基板10のB面10Bでは、中パッド26Aより大きな大パッド26Bが基板接続部を構成し、4つのビア導体21Dを介して金属ブロック17に接続されている。   On the B surface 10B of the circuit board 10, which is the outermost surface of the buildup layer 20 on the B surface 11B of the core substrate 11, a large pad 26B larger than the middle pad 26A constitutes a substrate connecting portion, and four via conductors 21D. It is connected to the metal block 17 via.

次に、金属ブロック17について、図4に示される拡大図に基づいて詳細を説明する。本実施形態の金属ブロック17は、圧延銅箔17M(本発明の「伝熱箔」に相当する)の表裏の両面に銅メッキ層17N(本発明の「金属メッキ層」に相当する)を有してなる。圧延銅箔17Mと銅メッキ層17Nとの接触面は、算術平均粗さRaが0.1[μm]〜3.0[μm]の粗面になっている(JIS B 0601−1994の定義による)。また、金属ブロック17の第1主面17F及び第2主面17B(即ち、金属ブロック17の表裏の銅メッキ層17N,17Nの最外面)も、算術平均粗さRaが0.1[μm]〜3.0[μm]の粗面になっている。なお、金属ブロック17の第1主面17Fと第2主面17Bとは略同じ面積をなし、互いに平行になっている。また、金属ブロック17の側面は、第1主面17F及び第2主面17Bと直交し、略平坦となっている。   Next, the metal block 17 will be described in detail based on the enlarged view shown in FIG. The metal block 17 of this embodiment has a copper plating layer 17N (corresponding to the “metal plating layer” of the present invention) on both sides of the rolled copper foil 17M (corresponding to the “heat transfer foil” of the present invention). Do it. The contact surface between the rolled copper foil 17M and the copper plating layer 17N has an arithmetic average roughness Ra of 0.1 [μm] to 3.0 [μm] (according to the definition of JIS B 0601-1994). ). The first main surface 17F and the second main surface 17B of the metal block 17 (that is, the outermost surfaces of the copper plating layers 17N and 17N on the front and back surfaces of the metal block 17) also have an arithmetic average roughness Ra of 0.1 [μm]. It has a rough surface of ˜3.0 [μm]. The first main surface 17F and the second main surface 17B of the metal block 17 have substantially the same area and are parallel to each other. Further, the side surface of the metal block 17 is orthogonal to the first main surface 17F and the second main surface 17B and is substantially flat.

本実施形態の回路基板10は、以下のようにして製造される。
(1)図5(A)に示すように、エポキシ樹脂又はBT(ビスマレイミドトリアジン)樹脂とガラスクロスなどの補強材からなり、表裏の両面に銅箔11Cがラミネートされている絶縁性基材11Kが用意される。
The circuit board 10 of this embodiment is manufactured as follows.
(1) As shown in FIG. 5 (A), an insulating base 11K made of a reinforcing material such as epoxy resin or BT (bismaleimide triazine) resin and glass cloth, and laminated with copper foil 11C on both sides. Is prepared.

(2)図5(B)に示すように、絶縁性基材11KにF面11F側から例えばCO2レーザが照射されて導電用貫通孔14(図3参照)を形成するためのテーパー孔14Aが穿孔される。   (2) As shown in FIG. 5B, a tapered hole 14A for forming a conductive through hole 14 (see FIG. 3) by irradiating the insulating base material 11K with, for example, a CO2 laser from the F surface 11F side. Perforated.

(3)図5(C)に示すように、絶縁性基材11KのB面11Bのうち前述したF面11F側のテーパー孔14Aの真裏となる位置にCO2レーザが照射されてテーパー孔14Aが穿孔され、それらテーパー孔14A,14Aから導電用貫通孔14が形成される。   (3) As shown in FIG. 5C, CO2 laser is irradiated to a position directly behind the aforementioned tapered surface 14A on the F surface 11F side of the B surface 11B of the insulating base material 11K, so that the tapered hole 14A is formed. The conductive through hole 14 is formed from the tapered holes 14A and 14A.

(4)無電解メッキ処理が行われ、銅箔11C上と導電用貫通孔14の内面に無電解メッキ膜(図示せず)が形成される。   (4) An electroless plating process is performed, and an electroless plating film (not shown) is formed on the copper foil 11 </ b> C and the inner surface of the conductive through hole 14.

(5)図5(D)に示すように、銅箔11C上の無電解メッキ膜上に、所定パターンのメッキレジスト33が形成される。   (5) As shown in FIG. 5D, a predetermined pattern of plating resist 33 is formed on the electroless plating film on the copper foil 11C.

(6)電解メッキ処理が行われ、図6(A)に示すように、電解メッキが導電用貫通孔14内に充填されてスルーホール導電導体15が形成されると共に、銅箔11C上の無電解メッキ膜(図示せず)のうちメッキレジスト33から露出している部分に電解メッキ膜34が形成される。   (6) The electrolytic plating process is performed, and as shown in FIG. 6A, the electrolytic plating is filled in the conductive through holes 14 to form the through-hole conductive conductors 15 and the copper foil 11C on the copper foil 11C. An electrolytic plating film 34 is formed on a portion of the electrolytic plating film (not shown) exposed from the plating resist 33.

(7)メッキレジスト33が剥離されると共に、メッキレジスト33の下方の無電解メッキ膜(図示せず)及び銅箔11Cが除去され、図6(B)に示すように、残された電解メッキ膜34、無電解メッキ膜及び銅箔11Cにより、コア基板11のF面11F上に導体回路層12が形成されると共に、コア基板11のB面11B上に導体回路層12が形成される。そして、F面11Fの導体回路層12とB面11Bの導体回路層12とがスルーホール導電導体15によって接続された状態になる。   (7) The plating resist 33 is peeled off, and the electroless plating film (not shown) and the copper foil 11C below the plating resist 33 are removed. As shown in FIG. The conductive circuit layer 12 is formed on the F surface 11F of the core substrate 11 and the conductive circuit layer 12 is formed on the B surface 11B of the core substrate 11 by the film 34, the electroless plating film, and the copper foil 11C. Then, the conductor circuit layer 12 on the F surface 11F and the conductor circuit layer 12 on the B surface 11B are connected by the through-hole conductive conductor 15.

(8)図6(C)に示すように、コア基板11に、ルーター又はCO2レーザによってキャビティ16が形成される。   (8) As shown in FIG. 6C, the cavity 16 is formed in the core substrate 11 by a router or a CO2 laser.

(9)図6(D)に示すように、キャビティ16が塞がれるように、PETフィルムからなるテープ90がコア基板11のF面11F上に張り付けられる。   (9) As shown in FIG. 6D, a tape 90 made of a PET film is stuck on the F surface 11 </ b> F of the core substrate 11 so that the cavity 16 is closed.

(10)後述する方法により製造される金属ブロック17が用意される。   (10) A metal block 17 manufactured by a method described later is prepared.

(11)図7(A)に示すように、金属ブロック17がマウンター(図示せず)によってキャビティ16に第1主面17Fを下にして収められる。   (11) As shown in FIG. 7A, the metal block 17 is stored in the cavity 16 with the first main surface 17F facing down by a mounter (not shown).

(12)図7(B)に示すように、コア基板11のB面11B上の導体回路層12上に、絶縁樹脂層21としてのプリプレグ(心材を樹脂含浸してなるBステージの樹脂シート)と銅箔37が積層されてから、加熱プレスされる。その際、コア基板11のB面11Bの導体回路層12,12同士の間がプリプレグにて埋められ、プリプレグから染み出た熱硬化性樹脂がキャビティ16の内面と金属ブロック17との隙間に充填される。   (12) As shown in FIG. 7B, a prepreg as an insulating resin layer 21 on the conductive circuit layer 12 on the B surface 11B of the core substrate 11 (a B-stage resin sheet formed by impregnating a core material with a resin) And the copper foil 37 are laminated and then heated and pressed. At that time, the space between the conductor circuit layers 12 and 12 on the B surface 11B of the core substrate 11 is filled with the prepreg, and the thermosetting resin exuded from the prepreg is filled in the gap between the inner surface of the cavity 16 and the metal block 17. Is done.

(13)図7(C)に示すように、テープ90が除去される。   (13) As shown in FIG. 7C, the tape 90 is removed.

(14)図7(D)に示すように、コア基板11のF面11F上の導体回路層12上に絶縁樹脂層21としてのプリプレグと銅箔37が積層されてから、加熱プレスされる。その際、コア基板11のF面11Fの導体回路層12,12同士の間がプリプレグにて埋められ、プリプレグから染み出た熱硬化性樹脂がキャビティ16の内面と金属ブロック17との隙間に充填される。また、コア基板11のF面11F及びB面11Bのプリプレグから染み出てキャビティ16の内面と金属ブロック17との隙間に充填された熱硬化性樹脂によって前述の充填樹脂16Jが形成される。   (14) As shown in FIG. 7D, the prepreg as the insulating resin layer 21 and the copper foil 37 are laminated on the conductor circuit layer 12 on the F surface 11F of the core substrate 11, and then heated and pressed. At that time, the space between the conductor circuit layers 12 and 12 on the F surface 11F of the core substrate 11 is filled with the prepreg, and the thermosetting resin exuded from the prepreg is filled in the gap between the inner surface of the cavity 16 and the metal block 17. Is done. In addition, the above-described filling resin 16J is formed by the thermosetting resin that oozes out from the prepreg of the F surface 11F and the B surface 11B of the core substrate 11 and fills the gap between the inner surface of the cavity 16 and the metal block 17.

なお、絶縁樹脂層21としてプリプレグの代わりに心材を含まない樹脂フィルムを用いてもよい。その場合は、銅箔を積層することなく、樹脂フィルムの表面に、直接、セミアディティブ法で導体回路層を形成することができる。   Insulating resin layer 21 may be a resin film that does not contain a core material instead of prepreg. In that case, a conductor circuit layer can be directly formed on the surface of the resin film by a semi-additive method without laminating a copper foil.

(15)図8(A)に示すように、上記したプリプレグによって形成されたコア基板11の表裏の両側の絶縁樹脂層21,21にCO2レーザが照射されて、複数のビアホール21Hが形成される。それら複数のビアホール21Hの一部のビアホール21Hは、導体回路層12上に配置され、他の一部のビアホール21Hは金属ブロック17上に配置される。なお、金属ブロック17上にビアホール21Hを形成する際に、ビアホール21Hの奥側に位置する金属ブロック17の粗面の凹凸はレーザ光照射または、照射後のデスミア処理で排除されてもよい。   (15) As shown in FIG. 8A, the insulating resin layers 21 and 21 on both sides of the core substrate 11 formed by the prepreg described above are irradiated with CO2 laser to form a plurality of via holes 21H. . Some of the via holes 21H of the plurality of via holes 21H are arranged on the conductor circuit layer 12, and the other part of the via holes 21H are arranged on the metal block 17. When forming the via hole 21H on the metal block 17, the rough surface of the metal block 17 located on the back side of the via hole 21H may be eliminated by laser light irradiation or desmear treatment after irradiation.

(16)無電解メッキ処理が行われ、絶縁樹脂層21,21上と、ビアホール21H,21H内とに無電解メッキ膜(図示せず)が形成される。   (16) An electroless plating process is performed, and electroless plating films (not shown) are formed on the insulating resin layers 21 and 21 and in the via holes 21H and 21H.

(17)図8(B)に示すように、銅箔37上の無電解メッキ膜上に、所定パターンのメッキレジスト40が形成される。   (17) As shown in FIG. 8B, a predetermined pattern of plating resist 40 is formed on the electroless plating film on the copper foil 37.

(18)電解メッキ処理が行われ、図8(C)に示すように、メッキがビアホール21H,21H内に充填されてビア導体21D,21Dが形成され、さらには、絶縁樹脂層21,21上の無電解メッキ膜(図示せず)のうちメッキレジスト40から露出している部分に電解メッキ膜39,39が形成される。   (18) The electrolytic plating process is performed, and as shown in FIG. 8C, the plating is filled in the via holes 21H and 21H to form the via conductors 21D and 21D. Further, on the insulating resin layers 21 and 21 Electroless plating films 39 and 39 are formed on portions of the electroless plating film (not shown) exposed from the plating resist 40.

(19)メッキレジスト40が剥離されると共に、メッキレジスト40の下方の無電解メッキ膜(図示せず)及び銅箔37が除去され、図9(A)に示すように、残された電解メッキ膜39、無電解メッキ膜及び銅箔37により、コア基板11の表裏の各絶縁樹脂層21上に導体層22が形成される。そして、コア基板11の表裏の各導体層22の一部と導体回路層12とがビア導体21Dによって接続されると共に、各導体層22の他の一部と金属ブロック17とがビア導体21Dによって接続された状態になる。   (19) The plating resist 40 is peeled off, and the electroless plating film (not shown) and the copper foil 37 below the plating resist 40 are removed. As shown in FIG. The conductor layer 22 is formed on each insulating resin layer 21 on the front and back of the core substrate 11 by the film 39, the electroless plating film and the copper foil 37. A part of each conductor layer 22 on the front and back of the core substrate 11 and the conductor circuit layer 12 are connected by the via conductor 21D, and another part of each conductor layer 22 and the metal block 17 are connected by the via conductor 21D. Connected.

(20)図9(B)に示すように、コア基板11の表裏の各導体層22上にソルダーレジスト層23,23が積層される。   (20) As shown in FIG. 9B, solder resist layers 23, 23 are laminated on the respective conductor layers 22 on the front and back of the core substrate 11.

(21)図10に示すように、コア基板11の表裏のソルダーレジスト層23,23の所定箇所にテーパー状のパッド用孔が形成され、コア基板11の表裏の各導体層22のうちパッド用孔から露出した部分がパッド26になる。   (21) As shown in FIG. 10, tapered pad holes are formed at predetermined locations of the solder resist layers 23, 23 on the front and back of the core substrate 11. The portion exposed from the hole becomes the pad 26.

(22)パッド26上に、ニッケル層、パラジウム層、金層の順に積層されて図3に示した金属膜41が形成される。以上で回路基板10が完成する。なお、金属膜41として錫層を形成しても良い。また、金属膜41の代わりに、OSP(プリフラックス)による表面処理をおこなっても良い。   (22) On the pad 26, a nickel layer, a palladium layer, and a gold layer are laminated in this order to form the metal film 41 shown in FIG. Thus, the circuit board 10 is completed. Note that a tin layer may be formed as the metal film 41. Further, instead of the metal film 41, surface treatment with OSP (preflux) may be performed.

次に、図11に基づいて金属ブロック17の製造方法について説明する。   Next, the manufacturing method of the metal block 17 is demonstrated based on FIG.

(1)圧延銅箔50が用意される。   (1) A rolled copper foil 50 is prepared.

(2)圧延銅箔50が貯留槽に貯留されている酸液(例えば、硫酸と過酸化水素を主成分とした酸)に所定時間浸された後、水洗される。これにより、図11(A)に示すように、圧延銅箔50の表裏の両面が粗面となる。   (2) The rolled copper foil 50 is immersed in an acid solution (for example, an acid containing sulfuric acid and hydrogen peroxide as main components) stored in a storage tank for a predetermined time, and then washed with water. Thereby, as shown to FIG. 11 (A), both surfaces of the front and back of the rolled copper foil 50 become a rough surface.

(3)電解メッキ処理が行われて、図11(B)に示すように、圧延銅箔50上に銅メッキ層51が形成され、金属板52となる。   (3) An electrolytic plating process is performed, and a copper plating layer 51 is formed on the rolled copper foil 50 as shown in FIG.

(4)金属板52が貯留槽に貯留されている酸液(例えば、硫酸と過酸化水素を主成分とした酸)に所定時間浸された後、水洗される。これにより、図11(C)に示すように、金属板52の表裏の両面(即ち、銅メッキ層51,51の最外面)が粗面となる。   (4) The metal plate 52 is immersed in an acid solution (for example, an acid containing sulfuric acid and hydrogen peroxide as main components) stored in a storage tank for a predetermined time, and then washed with water. As a result, as shown in FIG. 11C, both the front and back surfaces of the metal plate 52 (that is, the outermost surfaces of the copper plating layers 51, 51) become rough surfaces.

(5)金属板52が金型やルーターによって機械的に分断されて、図11(D)に示すように、金属ブロック17が形成される。   (5) The metal plate 52 is mechanically divided by a mold or a router, and the metal block 17 is formed as shown in FIG.

本実施形態の回路基板10の構造及び製造方法に関する説明は以上である。次に回路基板10の作用効果を、回路基板10の使用例と共に説明する。本実施形態の回路基板10は、例えば、以下のようにして使用される。即ち、図12に示すように、回路基板10の有する前述の大、中、小のパッド26B,26A,26C上に、それら各パッドの大きさに合った大、中、小の半田バンプ27B,27A,27Cが形成される。そして、例えば、回路基板10のF面10Fの小パッド群と同様に配置されたパッド群を下面に有するCPU80が、各製品領域R2の小半田バンプ27C群上に搭載されて半田付けされて、第1パッケージ基板10Pが形成される。このときCPU80が有する例えばグランド用の4
つのパッドが、ビア導体21Dを介して回路基板10の金属ブロック17に接続される。
This completes the description of the structure and manufacturing method of the circuit board 10 of the present embodiment. Next, the effect of the circuit board 10 will be described together with an example of use of the circuit board 10. The circuit board 10 of this embodiment is used as follows, for example. That is, as shown in FIG. 12, on the aforementioned large, medium, and small pads 26B, 26A, and 26C that the circuit board 10 has, large, medium, and small solder bumps 27B that match the sizes of these pads. 27A and 27C are formed. Then, for example, a CPU 80 having a pad group arranged on the lower surface in the same manner as the small pad group on the F surface 10F of the circuit board 10 is mounted on the small solder bump 27C group in each product region R2 and soldered. A first package substrate 10P is formed. At this time, the CPU 80 has, for example, a ground 4
One pad is connected to the metal block 17 of the circuit board 10 via the via conductor 21D.

次いで、メモリ81を回路基板82のF面82Fに実装してなる第2パッケージ基板82Pが、CPU80の上方から第1パッケージ基板10P上に配されて、その第2パッケージ基板82Pにおける回路基板82のB面82Bに備えるパッドに第1パッケージ基板10Pにおける回路基板10の中半田バンプ27Aが半田付けされてPoP83(Package on Package83)が形成される。なお、PoP83における回路基板10,82の間には図示しない樹脂が充填される。   Next, a second package substrate 82P formed by mounting the memory 81 on the F surface 82F of the circuit board 82 is disposed on the first package substrate 10P from above the CPU 80, and the circuit board 82 in the second package substrate 82P is disposed. PoP 83 (Package on Package 83) is formed by soldering the intermediate solder bumps 27A of the circuit board 10 in the first package substrate 10P to the pads provided on the B surface 82B. Note that a resin (not shown) is filled between the circuit boards 10 and 82 in the PoP 83.

次いで、PoP83がマザーボード84上に配されて、そのマザーボード84が有するパッド群にPoP83における回路基板10の大半田バンプ27Bが半田付けされる。このとき、マザーボード84が有する例えばグランド用のパッドが回路基板10のうち金属ブロック17に接続されているパッド26と半田付けされる。なお、CPU80及びマザーボード84が放熱専用のパッドを有している場合には、それら放熱専用のパッドと回路基板10の金属ブロック17とが、ビア導体21Dで接続されてもよい。   Next, the PoP 83 is disposed on the mother board 84, and the large solder bumps 27B of the circuit board 10 in the PoP 83 are soldered to the pad group of the mother board 84. At this time, for example, a ground pad included in the motherboard 84 is soldered to the pad 26 connected to the metal block 17 in the circuit board 10. When the CPU 80 and the motherboard 84 have pads dedicated for heat dissipation, the pads dedicated for heat dissipation and the metal block 17 of the circuit board 10 may be connected by via conductors 21D.

CPU80が発熱すると、その熱は、CPU80が実装されている回路基板10のF面10F側のビルドアップ層20に含まれるビア導体21Dを介して金属ブロック17に伝わり、回路基板10のB面10B側のビルドアップ層20に含まれるビア導体21Dを介して金属ブロック17からマザーボード84へと放熱される。   When the CPU 80 generates heat, the heat is transferred to the metal block 17 via the via conductor 21D included in the buildup layer 20 on the F surface 10F side of the circuit board 10 on which the CPU 80 is mounted, and the B surface 10B of the circuit board 10 is obtained. Heat is radiated from the metal block 17 to the mother board 84 via the via conductors 21D included in the build-up layer 20 on the side.

ここで、仮に、コア基板11の表裏の導体回路層12,12の最外面間の距離と金属ブロック17の厚さとの差が大きいと、ビアホール21H内へメッキが十分に充填されず、金属ブロック17とビア導体21Dとの接続が弱くなって断線してしまい、金属ブロック17を介した放熱が妨げられることが考えられる。また、ビア導体21Dが長くなることにより金属ブロック17とビア導体21Dとの接続面が小さくなるので、熱伝導が十分に行われなかったり、接続の信頼性が低下したりすることも考えられる。   Here, if the difference between the distance between the outermost surfaces of the conductor circuit layers 12 and 12 on the front and back sides of the core substrate 11 and the thickness of the metal block 17 is large, the plating into the via hole 21H is not sufficiently filled, and the metal block It is conceivable that the connection between the via 17 and the via conductor 21 </ b> D is weakened and disconnected, and heat dissipation through the metal block 17 is hindered. Moreover, since the connection surface of the metal block 17 and the via conductor 21D becomes small due to the length of the via conductor 21D, it is conceivable that the heat conduction is not sufficiently performed or the reliability of the connection is lowered.

これに対して、本実施形態の回路基板10では、金属ブロック17が、圧延銅箔17Mの表裏の両面に銅メッキ層17Nが形成されて構成されているので、金属ブロック17の厚さを調整しやすくなっている。これにより、コア基板11の表裏の導体回路層12,12の最外面間の距離と、金属ブロック17の厚さと、の差を小さくすることができ、上記した問題の発生が防がれる。さらに、本実施形態の回路基板10では、金属ブロック17の厚さが、コア基板11の表裏の導体回路層12,12の最外面間の距離と略同一となっているので、ビア導体21Dと金属ブロック17との接続性がより向上する。また、ビア導体21Dと、金属ブロック17の銅メッキ層17Nとが共に銅メッキからなり、両者の間の接続が強固となる。また、圧延銅箔17Mと銅メッキ層17Nとの接触面が粗面となっているので、圧延銅箔17Mと銅メッキ層17Nとの密着度が高まり、銅メッキ層17Nの剥離が防がれる。   On the other hand, in the circuit board 10 of the present embodiment, the metal block 17 is configured by forming the copper plating layers 17N on both the front and back surfaces of the rolled copper foil 17M, so the thickness of the metal block 17 is adjusted. It is easy to do. Thereby, the difference between the distance between the outermost surfaces of the conductor circuit layers 12 and 12 on the front and back sides of the core substrate 11 and the thickness of the metal block 17 can be reduced, and the above-described problem can be prevented. Furthermore, in the circuit board 10 of the present embodiment, the thickness of the metal block 17 is substantially the same as the distance between the outermost surfaces of the conductor circuit layers 12 and 12 on the front and back of the core substrate 11, and therefore the via conductor 21D and The connectivity with the metal block 17 is further improved. Further, the via conductor 21D and the copper plating layer 17N of the metal block 17 are both made of copper plating, and the connection between them is strengthened. Further, since the contact surface between the rolled copper foil 17M and the copper plating layer 17N is a rough surface, the degree of adhesion between the rolled copper foil 17M and the copper plating layer 17N is increased, and the peeling of the copper plating layer 17N is prevented. .

また、本実施形態の金属ブロック17では、本発明の「伝熱箔」として圧延銅箔17Mが用いられているが電解銅箔が用いられてもよい。この場合、電解銅箔の製造時にその電解銅箔を必要な厚さとすることも考えられるが、銅箔の厚みが増すほど電解法により得ることが難しくなるため、ある程度の厚さの電解銅箔を得た後、金属メッキにより調整することが好ましい。なお、一般的に電解銅箔よりも圧延銅箔の方が安価であるため、本実施形態のように圧延銅箔50を用いることでコストが削減される。   In the metal block 17 of the present embodiment, the rolled copper foil 17M is used as the “heat transfer foil” of the present invention, but an electrolytic copper foil may be used. In this case, it is conceivable to make the electrolytic copper foil a necessary thickness at the time of producing the electrolytic copper foil, but as the thickness of the copper foil increases, it becomes difficult to obtain by an electrolytic method. After obtaining, it is preferable to adjust by metal plating. In addition, since the rolled copper foil is generally cheaper than the electrolytic copper foil, the cost is reduced by using the rolled copper foil 50 as in the present embodiment.

ところで、回路基板10は、CPU80の使用、不使用により熱伸縮を繰り返す。そして、金属ブロック17と、絶縁樹脂層21及び充填樹脂16Jとの熱伸縮率の相違から、絶縁樹脂層21と共にビア導体21Dが金属ブロック17から剥離することが懸念される。しかしながら、本実施形態の回路基板10では、金属ブロック17の表裏の両面(第1主面17F及び第2主面17B)が粗面になっているので、金属ブロック17と絶縁樹脂層21,21及びキャビティ16内の充填樹脂16Jとの固定をより強めることができる。   By the way, the circuit board 10 repeats thermal expansion and contraction depending on whether or not the CPU 80 is used. Then, due to the difference in thermal expansion / contraction rate between the metal block 17 and the insulating resin layer 21 and the filling resin 16J, there is a concern that the via conductor 21D is peeled off from the metal block 17 together with the insulating resin layer 21. However, in the circuit board 10 of the present embodiment, both the front and back surfaces (the first main surface 17F and the second main surface 17B) of the metal block 17 are rough, so that the metal block 17 and the insulating resin layers 21 and 21 are rough. And the fixation with the filling resin 16J in the cavity 16 can be further strengthened.

[第2実施形態]
本実施形態の回路基板10Vは、図13に示されている。この回路基板10Vには、金属ブロック17を収容したキャビティ16の近傍に、積層セラミックコンデンサ30を収容した複数のキャビティ32が備えられている。積層セラミックコンデンサ30は、例えば、セラミックス製の角柱体の両端部を1対の電極31,31で覆った構造になっている。また、各積層セラミックコンデンサ30は、金属ブロック17と同様に、積層セラミックコンデンサ30の各電極31の第1平面31Fがコア基板11のF面11F側の導体回路層12における最外面と面一になると共に、積層セラミックコンデンサ30の各電極31の第2平面31Bがコア基板11のB面11B側の導体回路層12における最外面と面一になっていて、電子部品実装部26Jの下方に配されている。そして、それら各積層セラミックコンデンサ30の電極31に、コア基板11の表裏両面のビルドアップ層20,20に含まれるビア導体21Dが接続されている。また、この回路基板10Vを製造する際には、金属ブロック17と積層セラミックコンデンサ30とが同じ工程でキャビティ16,32に収容される。
[Second Embodiment]
The circuit board 10V of this embodiment is shown in FIG. The circuit board 10 </ b> V is provided with a plurality of cavities 32 that accommodate a multilayer ceramic capacitor 30 in the vicinity of the cavity 16 that accommodates the metal block 17. The multilayer ceramic capacitor 30 has a structure in which, for example, both ends of a ceramic prismatic body are covered with a pair of electrodes 31, 31. In addition, each multilayer ceramic capacitor 30 has a first plane 31F of each electrode 31 of the multilayer ceramic capacitor 30 that is flush with the outermost surface of the conductor circuit layer 12 on the F surface 11F side of the core substrate 11, similarly to the metal block 17. In addition, the second flat surface 31B of each electrode 31 of the multilayer ceramic capacitor 30 is flush with the outermost surface of the conductor circuit layer 12 on the B surface 11B side of the core substrate 11, and is arranged below the electronic component mounting portion 26J. Has been. The via conductors 21 </ b> D included in the build-up layers 20, 20 on the front and back surfaces of the core substrate 11 are connected to the electrodes 31 of the respective multilayer ceramic capacitors 30. When the circuit board 10V is manufactured, the metal block 17 and the multilayer ceramic capacitor 30 are accommodated in the cavities 16 and 32 in the same process.

[第3実施形態]
本実施形態の回路基板10Wにおいては、図14に示されるように、金属ブロック17Wの側面が、中央に向かって深くなるように湾曲した溝形側面17Aとなっている。これにより、金属ブロック17の側面が平坦面のものよりも充填樹脂16Jとの接触面積を大きくすることができ、固定強度を従来よりも高くすることができる。
[Third Embodiment]
In the circuit board 10W of the present embodiment, as shown in FIG. 14, the side surface of the metal block 17W is a groove-shaped side surface 17A that is curved so as to become deeper toward the center. Thereby, the contact area with the filling resin 16J can be made larger than that in which the side surface of the metal block 17 is a flat surface, and the fixing strength can be made higher than in the past.

なお、この金属ブロック17Wは、例えば、以下のようにして製造される。   The metal block 17W is manufactured, for example, as follows.

(1)上記第1実施形態に示した方法により、金属板52が用意される。   (1) The metal plate 52 is prepared by the method shown in the first embodiment.

(2)図15(A)に示すように、金属板52の表裏の面に所定パターンのエッチングレジスト60が形成される。   (2) As shown in FIG. 15A, a predetermined pattern of etching resist 60 is formed on the front and back surfaces of the metal plate 52.

(3)図15(B)に示すように、エッチング処理により金属板52のエッチングレジスト60から露出している部分がハーフエッチングされる。   (3) As shown in FIG. 15B, the portion of the metal plate 52 exposed from the etching resist 60 is half-etched by the etching process.

(4)図15(C)に示すように、金属板52が支持部材61に貼られる。   (4) As shown in FIG. 15C, the metal plate 52 is attached to the support member 61.

(5)図15(D)に示すように、金属板52のエッチングレジスト60から露出している部分がエッチング処理により切断される。これにより金属ブロック17Wが形成される。また、エッチング処理は、金属ブロック17Wの側面が溝形側面17Aとなるまで行われる。つまり、一度のエッチング処理で分断と溝形側面17Aの形成との両方が行われる。   (5) As shown in FIG. 15D, the portion of the metal plate 52 exposed from the etching resist 60 is cut by an etching process. Thereby, the metal block 17W is formed. The etching process is performed until the side surface of the metal block 17W becomes the groove-shaped side surface 17A. That is, both the division and the formation of the groove-shaped side surface 17A are performed by a single etching process.

(6)図15(E)に示すように、支持部材61が除去された後、エッチングレジスト60が剥離される。   (6) As shown in FIG. 15E, after the support member 61 is removed, the etching resist 60 is peeled off.

(7)金属ブロック17Wが乾燥される。   (7) The metal block 17W is dried.

ここで、金属板52から金属ブロック17Wへの加工をプレス加工等により行うと、金属ブロック17の外縁部がダレて、第1主面17F又は第2主面17Bから突出した部分が導体層22と接触し、ショートが発生する虞がある。これに対し、本実施形態の回路基板10では、金属板52から金属ブロック17Wへの加工をエッチング処理により行っているため、金属ブロック17Wの外縁部が第1主面17F又は第2主面17Bより突出することを防ぐことができ、ショートの発生を防ぐことができる。
[他の実施形態]
Here, when the processing from the metal plate 52 to the metal block 17W is performed by pressing or the like, the outer edge portion of the metal block 17 is sagging and the portion protruding from the first main surface 17F or the second main surface 17B is the conductor layer 22. May cause short circuit. On the other hand, in the circuit board 10 of the present embodiment, since the processing from the metal plate 52 to the metal block 17W is performed by etching, the outer edge of the metal block 17W is the first main surface 17F or the second main surface 17B. Further protrusion can be prevented, and occurrence of a short circuit can be prevented.
[Other Embodiments]

本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に説明するような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。   The present invention is not limited to the above-described embodiment. For example, the embodiments described below are also included in the technical scope of the present invention, and various modifications are possible within the scope of the invention other than the following. It can be changed and implemented.

(1)上記実施形態では、圧延銅箔50に銅メッキ層51が形成された後に、金属ブロック17へ分断されていたが、圧延銅箔50を分断した後に銅メッキ層を形成する構成であってもよい。その場合は、金属ブロック17の表面すべてが銅メッキ層17Nにより覆われている状態になる。   (1) In the above embodiment, the copper plating layer 51 is formed on the rolled copper foil 50 and then divided into the metal blocks 17. However, after the rolled copper foil 50 is divided, the copper plating layer is formed. May be. In this case, the entire surface of the metal block 17 is covered with the copper plating layer 17N.

(2)上記実施形態では、金属ブロック17の表裏の粗面の形成が、金属板52を分断する前に行われていたが、分断後に行われてもよい。その場合は、金属ブロック17の表面すべて(即ち、第1主面17F、第2主面17B及び側面)が粗化されている状態になる。   (2) In the above embodiment, the formation of the rough surfaces on the front and back surfaces of the metal block 17 is performed before the metal plate 52 is divided, but may be performed after the division. In this case, all the surfaces of the metal block 17 (that is, the first main surface 17F, the second main surface 17B, and the side surfaces) are roughened.

(3)上記実施形態では、酸により表面の粗化を行っていたが、例えば、粒子の吹き付けや、凹凸面の押し付けにより粗化を行ってもよい。   (3) In the above embodiment, the surface is roughened with an acid. However, the surface may be roughened by, for example, spraying particles or pressing an uneven surface.

(4)上記第2実施形態では、キャビティ32に収容されているのが積層セラミックコンデンサ30であったが、積層セラミックコンデンサ30ではなく、他の電子部品、例えば、コンデンサ、抵抗、サーミスタ、コイル等の受動部品のほか、IC回路等の能動部品など、であってもよい。   (4) In the second embodiment, the multilayer ceramic capacitor 30 is housed in the cavity 32. However, the multilayer ceramic capacitor 30 is not a multilayer ceramic capacitor 30, but other electronic components such as capacitors, resistors, thermistors, coils, and the like. In addition to passive components, active components such as IC circuits may be used.

(5)上記実施形態の金属ブロック17は、その平面形状が長方形であったが、他の多角形状であってもよいし、図16に示すように円形であってもよいし、楕円形又は長円形であってもよい。   (5) The planar shape of the metal block 17 of the above embodiment is rectangular, but it may be other polygonal shapes, may be circular as shown in FIG. It may be oval.

(6)上記実施形態では、本発明の「伝熱性ブロック」が銅製の金属ブロック17であったが、例えば、銅にモリブデンやタングステンを混ぜたものや、アルミニウム等から構成されていてもよいし、金属ではなく、グラファイト等の伝熱性素材から構成されていてもよい。   (6) In the above embodiment, the “heat transfer block” of the present invention is the copper metal block 17. However, the heat transfer block may be made of, for example, copper mixed with molybdenum or tungsten, or aluminum. The heat transfer material such as graphite may be used instead of metal.

(7)上記実施形態では、金属ブロック17の厚さが、コア基板11の表裏の導体回路層12,12の最外面間の距離と略同一であったが、コア基板11の表裏の導体回路層12,12の最外面間の距離より大きくてもよいし、図17に示すように、小さくてもよい。図17に示される回路基板10では、金属ブロック17の第1主面17Fがコア基板11のF面11Fにおける導体回路層12の最外面と略面一になる一方、金属ブロック17の第2主面17Bがコア基板11のB面11Bにおける導体回路層12の最外面よりも上方に位置している。この場合であっても、金属ブロック17が圧延銅箔17Mのみで構成されるものよりも、金属ブロック17の厚さとコア基板11の表裏の導体回路層12,12の最外面間の距離との差を小さくすることができ、接続の信頼性を向上することができる。   (7) In the above embodiment, the thickness of the metal block 17 is substantially the same as the distance between the outermost surfaces of the conductor circuit layers 12, 12 on the front and back of the core substrate 11. The distance between the outermost surfaces of the layers 12 and 12 may be larger or smaller as shown in FIG. In the circuit board 10 shown in FIG. 17, the first main surface 17F of the metal block 17 is substantially flush with the outermost surface of the conductor circuit layer 12 on the F surface 11F of the core substrate 11, while the second main surface of the metal block 17 is. The surface 17B is positioned above the outermost surface of the conductor circuit layer 12 in the B surface 11B of the core substrate 11. Even in this case, the thickness of the metal block 17 and the distance between the outermost surfaces of the conductor circuit layers 12 and 12 on the front and back of the core substrate 11 are larger than those in which the metal block 17 is composed only of the rolled copper foil 17M. The difference can be reduced, and the connection reliability can be improved.

(8)上記実施形態の金属ブロック17では、銅メッキ層17Nが圧延銅箔17Mの表裏の両面に形成されていたが、圧延銅箔17Mの表面又は裏面のみに形成されていてもよい。   (8) In the metal block 17 of the above embodiment, the copper plating layer 17N is formed on both the front and back surfaces of the rolled copper foil 17M, but may be formed only on the front surface or the back surface of the rolled copper foil 17M.

10,10V,10W 回路基板
12 導体回路層
16,32 キャビティ
17,17W 金属ブロック(伝熱性ブロック)
17M 圧延銅箔(伝熱箔)
17N 銅メッキ層(金属メッキ層)
20 ビルドアップ層
21 絶縁樹脂層
21D ビア導体
22 導体層
30 積層セラミックコンデンサ(電子部品)
50 圧延銅箔
51 銅メッキ層(金属メッキ層)
52 金属板
10, 10V, 10W Circuit board 12 Conductor circuit layer 16, 32 Cavity 17, 17W Metal block (Heat transfer block)
17M Rolled copper foil (heat transfer foil)
17N copper plating layer (metal plating layer)
20 Build-up Layer 21 Insulating Resin Layer 21D Via Conductor 22 Conductor Layer 30 Multilayer Ceramic Capacitor (Electronic Component)
50 Rolled copper foil 51 Copper plating layer (metal plating layer)
52 Metal plate

Claims (17)

コア基板と、
前記コア基板を貫通するキャビティと、
前記キャビティに収容される伝熱性ブロックと、
前記コア基板の表裏に積層されて、前記キャビティ及び前記伝熱性ブロックの表裏の両面を覆うビルドアップ層と、
前記ビルドアップ層の最内部の絶縁樹脂層に設けられ、前記伝熱性ブロックと接続するビア導体と、を有する回路基板であって、
前記伝熱性ブロックは、伝熱性素材により構成される伝熱箔と、前記伝熱箔の表裏の両面のうち少なくとも一方の面に形成され、前記ビア導体が接続される金属メッキ層と、を有する。
A core substrate;
A cavity penetrating the core substrate;
A heat conductive block housed in the cavity;
A build-up layer that is laminated on the front and back of the core substrate and covers both the front and back of the cavity and the heat conductive block;
A circuit board having a via conductor provided on the innermost insulating resin layer of the buildup layer and connected to the heat conductive block;
The heat transfer block includes a heat transfer foil made of a heat transfer material, and a metal plating layer formed on at least one of the front and back surfaces of the heat transfer foil and connected to the via conductor. .
請求項1に記載の回路基板であって、
前記ビア導体と前記金属メッキ層とが銅メッキからなる。
The circuit board according to claim 1,
The via conductor and the metal plating layer are made of copper plating.
請求項1又は2に記載の回路基板であって、
前記伝熱性ブロックのうち前記ビルドアップ層で覆われる表裏の両面が粗面になっている。
The circuit board according to claim 1 or 2,
Both the front and back surfaces covered with the build-up layer of the heat conductive block are rough.
請求項3に記載の回路基板であって、
前記伝熱性ブロックのうち表面の外縁部と裏面の外縁部との間を接続する側面が粗面になっている。
The circuit board according to claim 3,
The side surface which connects between the outer edge part of a surface and the outer edge part of a back surface among the said heat conductive blocks is a rough surface.
請求項1乃至4の何れか1の請求項に記載の回路基板であって、
前記伝熱箔と前記金属メッキ層との接触面が粗面になっている。
A circuit board according to any one of claims 1 to 4,
The contact surface between the heat transfer foil and the metal plating layer is a rough surface.
請求項1乃至5の何れか1の請求項に記載の回路基板であって、
前記伝熱箔は、圧延銅箔からなる。
A circuit board according to any one of claims 1 to 5,
The heat transfer foil is made of a rolled copper foil.
請求項1乃至6の何れか1の請求項に記載の回路基板であって、
前記伝熱箔の表裏の両面に前記金属メッキ層が設けられている。
A circuit board according to any one of claims 1 to 6,
The metal plating layer is provided on both the front and back surfaces of the heat transfer foil.
請求項7に記載の回路基板であって、
前記ビア導体が、前記伝熱性ブロックの表裏の両面に接続されている。
The circuit board according to claim 7,
The via conductors are connected to both the front and back surfaces of the heat conductive block.
請求項7又は8に記載の回路基板であって、
前記伝熱箔のうち表面の外縁部と裏面の外縁部との間を接続する側面に前記金属メッキ層が設けられている。
The circuit board according to claim 7 or 8,
The said metal plating layer is provided in the side surface which connects between the outer edge part of a surface, and the outer edge part of a back surface among the said heat-transfer foil.
請求項1乃至9の何れか1の請求項に記載の回路基板であって、
前記コア基板の表裏の両面上に積層される導体回路層を有し、
前記コア基板の表裏の前記導体回路層の最外面間の距離と前記伝熱性ブロックの厚さとの差は、前記コア基板の表裏の前記導体回路層の最外面間の距離と前記伝熱箔の厚さとの差よりも小さい。
A circuit board according to any one of claims 1 to 9,
Having a conductor circuit layer laminated on both front and back surfaces of the core substrate;
The difference between the distance between the outermost surfaces of the conductor circuit layers on the front and back of the core substrate and the thickness of the heat conductive block is the distance between the outermost surfaces of the conductor circuit layers on the front and back of the core substrate and the heat transfer foil. Smaller than the difference in thickness.
請求項10に記載の回路基板であって、
前記伝熱性ブロックの厚さは、前記コア基板の表裏の前記導体回路層の最外面間の距離と略同一である。
The circuit board according to claim 10,
The thickness of the heat conductive block is substantially the same as the distance between the outermost surfaces of the conductor circuit layers on the front and back of the core substrate.
請求項10に記載の回路基板であって、
前記伝熱性ブロックの厚さは、前記コア基板の表裏の前記導体回路層の最外面間の距離よりも小さい。
The circuit board according to claim 10,
The thickness of the heat conductive block is smaller than the distance between the outermost surfaces of the conductor circuit layers on the front and back of the core substrate.
請求項1乃至12の何れか1の請求項に記載の回路基板であって、
前記コア基板を貫通する複数の前記キャビティと、
何れかの前記キャビティに収容される前記伝熱性ブロックと、
何れかの他の前記キャビティに収容される電子部品と、を有する。
A circuit board according to any one of claims 1 to 12,
A plurality of the cavities penetrating the core substrate;
The thermally conductive block housed in any of the cavities;
And any other electronic component housed in the cavity.
コア基板にキャビティを形成することと、
伝熱性ブロックを準備することと、
前記キャビティに、前記伝熱性ブロックを収容することと、
前記コア基板の表裏にビルドアップ層を積層して、前記キャビティ及び前記伝熱性ブロックを覆うことと、
前記ビルドアップ層の最内部の絶縁樹脂層に、前記伝熱性ブロックと接続するビア導体を設けることと、を行う回路基板の製造方法であって、
前記伝熱性ブロックを、伝熱性素材により構成される伝熱箔と、前記伝熱箔の表裏の両面のうち少なくとも一方の面に形成され、前記ビア導体が接続される金属メッキ層と、から構成する。
Forming a cavity in the core substrate;
Preparing a heat transfer block;
Accommodating the thermally conductive block in the cavity;
Laminating build-up layers on the front and back of the core substrate to cover the cavity and the heat conductive block;
In the innermost insulating resin layer of the build-up layer, providing a via conductor connected to the heat conductive block,
The heat transfer block includes a heat transfer foil made of a heat transfer material, and a metal plating layer formed on at least one of the front and back surfaces of the heat transfer foil and connected to the via conductor. To do.
請求項14に記載の回路基板の製造方法であって、
前記伝熱性ブロックの準備は、
圧延銅箔を準備することと、
前記圧延銅箔の表裏の両面に金属メッキ層を形成することと、
前記金属メッキ層を表裏の両面に有する前記圧延銅箔を切断することと、を含む。
A method for manufacturing a circuit board according to claim 14,
Preparation of the heat transfer block
Preparing rolled copper foil,
Forming metal plating layers on both sides of the rolled copper foil;
Cutting the rolled copper foil having the metal plating layer on both front and back surfaces.
請求項15に記載の回路基板の製造方法であって、
前記圧延銅箔に前記金属メッキ層を形成する前に、前記圧延銅箔の表裏の両面を粗化することを含む。
A method of manufacturing a circuit board according to claim 15,
Before forming the metal plating layer on the rolled copper foil, the method includes roughening both the front and back surfaces of the rolled copper foil.
請求項15又は16に記載の回路基板の製造方法であって、
前記金属メッキ層を表裏の両面に有する前記圧延銅箔を切断する前に、前記圧延銅箔の表裏の両面の前記金属メッキ層を粗化することを含む。
A method for manufacturing a circuit board according to claim 15 or 16,
Before cutting the rolled copper foil having the metal plated layers on both sides, the method includes roughening the metal plated layers on both sides of the rolled copper foil.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111149192A (en) * 2017-12-07 2020-05-12 琳得科株式会社 Sheet for processing workpiece and method for manufacturing processed workpiece
JPWO2022004280A1 (en) * 2020-07-02 2022-01-06
CN115148726A (en) * 2021-03-30 2022-10-04 株式会社电装 Semiconductor device having electric component built in circuit board

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111149192A (en) * 2017-12-07 2020-05-12 琳得科株式会社 Sheet for processing workpiece and method for manufacturing processed workpiece
JPWO2019111481A1 (en) * 2017-12-07 2020-12-24 リンテック株式会社 Manufacturing method of work sheet and processed work
JP7162612B2 (en) 2017-12-07 2022-10-28 リンテック株式会社 Work processing sheet and manufacturing method for processed work
CN111149192B (en) * 2017-12-07 2023-09-15 琳得科株式会社 Workpiece processing sheet and method for manufacturing processed workpiece
JPWO2022004280A1 (en) * 2020-07-02 2022-01-06
WO2022004280A1 (en) * 2020-07-02 2022-01-06 株式会社村田製作所 Multilayer circuit board and electronic-component-mounted multilayer board
CN115148726A (en) * 2021-03-30 2022-10-04 株式会社电装 Semiconductor device having electric component built in circuit board
JP2022154271A (en) * 2021-03-30 2022-10-13 株式会社デンソー Semiconductor device with electrical component built into circuit board
JP7640332B2 (en) 2021-03-30 2025-03-05 株式会社デンソー Semiconductor device with built-in electrical components on a circuit board

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