JP2017003708A - Liquid crystal display - Google Patents
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Abstract
【課題】 表示特性をより向上させることが可能な液晶表示装置を提供する。【解決手段】 液晶表示装置10は、対向配置された第1及び第2基板20、21と、第1及び第2基板20、21間に挟まれた高分子分散型液晶層22と、第1基板20に設けられた配線電極24と、配線電極24上に設けられ、配線電極24の一部を露出するスルーホール27を有する層間絶縁膜25と、層間絶縁膜25上に設けられた表示電極26と、スルーホール27内に設けられ、配線電極24と表示電極26とを電気的に接続する接続電極26Aと、第2基板21に設けられた共通電極28とを含む。スルーホール27の内壁と配線電極24の表面とがなす角度θは、平面視においてスルーホール27が視認されにくい値に設定される。【選択図】図5PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal display device capable of further improving display characteristics. A liquid crystal display device (10) includes first and second substrates (20, 21) arranged opposite to each other, a polymer dispersed liquid crystal layer (22) sandwiched between the first and second substrates (20, 21), and a first Wiring electrode 24 provided on substrate 20, interlayer insulating film 25 provided on wiring electrode 24 and having through hole 27 exposing a part of wiring electrode 24, and display electrode provided on interlayer insulating film 25 26, a connection electrode 26 </ b> A provided in the through hole 27 and electrically connecting the wiring electrode 24 and the display electrode 26, and a common electrode 28 provided on the second substrate 21. The angle θ formed by the inner wall of the through hole 27 and the surface of the wiring electrode 24 is set to a value that makes it difficult for the through hole 27 to be visually recognized in plan view. [Selection] Figure 5
Description
本発明は、液晶表示装置に係り、特に、高分子分散型液晶を用いた液晶表示装置に関する。 The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a liquid crystal display device using polymer dispersed liquid crystal.
高分子分散型液晶は、三次元の網状に形成された高分子(高分子ネットワーク)内において液晶が相分離した構造を有し、高分子ネットワークの側壁に沿って液晶分子がランダムに配置している状態と、電界を印加して液晶分子が電界方向に配列した状態とで光の散乱状態と光の透過状態とをそれぞれ作り出す(例えば、特許文献1)。散乱度合いは、液晶に印加される電圧により決定され、液晶に印加される電圧は、高分子材料と液晶との分圧により決定される。 A polymer-dispersed liquid crystal has a structure in which liquid crystals are phase-separated in a polymer (polymer network) formed in a three-dimensional network, and liquid crystal molecules are randomly arranged along the side wall of the polymer network. A light scattering state and a light transmission state are respectively created in a state where the liquid crystal molecules are arranged in the electric field direction by applying an electric field (for example, Patent Document 1). The degree of scattering is determined by the voltage applied to the liquid crystal, and the voltage applied to the liquid crystal is determined by the partial pressure between the polymer material and the liquid crystal.
例えば、液晶表示装置は、2枚のガラス基板で高分子分散型液晶層を挟み、高分子分散型液晶層を封入するようにして2枚のガラス基板をシール材で貼り合わせて構成される。ガラス基板上の配線電極上には、層間絶縁膜が形成され、さらに層間絶縁膜上に表示電極が形成されている。表示電極は、層間絶縁膜に形成されたスルーホール内の接続電極を通じて、配線電極に電気的に接続される。このような液晶表示装置では、透過状態時に表示領域内にあるスルーホールが目立って見えてしまう場合がある。 For example, a liquid crystal display device is configured by sandwiching a polymer-dispersed liquid crystal layer between two glass substrates and bonding the two glass substrates with a sealing material so as to enclose the polymer-dispersed liquid crystal layer. An interlayer insulating film is formed on the wiring electrode on the glass substrate, and a display electrode is further formed on the interlayer insulating film. The display electrode is electrically connected to the wiring electrode through a connection electrode in a through hole formed in the interlayer insulating film. In such a liquid crystal display device, a through hole in the display region may be noticeable when in a transmissive state.
本発明は、表示特性をより向上させることが可能な液晶表示装置を提供する。 The present invention provides a liquid crystal display device capable of further improving display characteristics.
本発明の一態様に係る液晶表示装置は、対向配置された第1及び第2基板と、前記第1及び第2基板間に挟まれた高分子分散型液晶層と、前記第1基板に設けられた配線電極と、前記配線電極上に設けられ、前記配線電極の一部を露出するスルーホールを有する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に設けられた表示電極と、前記スルーホール内に設けられ、前記配線電極と前記表示電極とを電気的に接続する接続電極と、前記第2基板に設けられた共通電極とを具備する。前記液晶層の屈折率をnPN、前記層間絶縁膜の屈折率をnINS、前記層間絶縁膜の膜厚をb(μm)としたとき、前記スルーホールの内壁と前記配線電極の表面とがなす角度θは、 A liquid crystal display device according to one embodiment of the present invention includes a first substrate and a second substrate arranged to face each other, a polymer-dispersed liquid crystal layer sandwiched between the first and second substrates, and the first substrate. A wiring electrode provided on the wiring electrode, an interlayer insulating film having a through hole exposing a part of the wiring electrode, a display electrode provided on the interlayer insulating film, and the through hole And a connection electrode that electrically connects the wiring electrode and the display electrode, and a common electrode provided on the second substrate. When the refractive index of the liquid crystal layer is n PN , the refractive index of the interlayer insulating film is n INS , and the film thickness of the interlayer insulating film is b (μm), the inner wall of the through hole and the surface of the wiring electrode are The angle θ formed is
であり、かつ90度以下であることを特徴とする。 And 90 degrees or less.
本発明によれば、表示特性をより向上させることが可能な液晶表示装置を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the liquid crystal display device which can improve a display characteristic more can be provided.
以下、実施形態について図面を参照して説明する。ただし、図面は模式的または概念的なものであり、各図面の寸法および比率などは必ずしも現実のものと同一とは限らないことに留意すべきである。また、図面の相互間で同じ部分を表す場合においても、互いの寸法の関係や比率が異なって表される場合もある。特に、以下に示す幾つかの実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための装置および方法を例示したものであって、構成部品の形状、構造、配置などによって、本発明の技術思想が特定されるものではない。なお、以下の説明において、同一の機能及び構成を有する要素については同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行う。 Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings. However, it should be noted that the drawings are schematic or conceptual, and the dimensions and ratios of the drawings are not necessarily the same as the actual ones. Further, even when the same portion is represented between the drawings, the dimensional relationship and ratio may be represented differently. In particular, the following embodiments exemplify an apparatus and a method for embodying the technical idea of the present invention, and the technical idea of the present invention depends on the shape, structure, arrangement, etc. of components. Is not specified. In the following description, elements having the same function and configuration are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be given only when necessary.
以下に、実施形態の液晶表示装置について説明する。 The liquid crystal display device of the embodiment will be described below.
[1]液晶表示装置の構成
図1は、本発明の実施形態に係る液晶表示装置の平面図である。図2は、図1のA−A’線に沿った液晶表示装置の断面図である。本実施形態に係る液晶表示装置10は、文字や図形などの複数のパターンを表示可能なパターン表示型の液晶表示装置である。
[1] Configuration of liquid crystal display device
FIG. 1 is a plan view of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device taken along line AA ′ of FIG. The liquid crystal display device 10 according to the present embodiment is a pattern display type liquid crystal display device capable of displaying a plurality of patterns such as characters and figures.
液晶表示装置10は、表示電極が設けられる第1基板20と、共通電極が設けられ、かつ第1基板20に対向配置される第2基板21と、第1基板20と第2基板21間に挟持された液晶層22とを備える。第1基板20及び第2基板21は、透明基板から構成され、例えばガラス基板から構成される。 The liquid crystal display device 10 includes a first substrate 20 provided with display electrodes, a second substrate 21 provided with a common electrode and disposed opposite to the first substrate 20, and between the first substrate 20 and the second substrate 21. And a sandwiched liquid crystal layer 22. The 1st board | substrate 20 and the 2nd board | substrate 21 are comprised from a transparent substrate, for example, are comprised from a glass substrate.
第1基板20及び第2基板21は、表示領域(ビューエリア)VAを囲む枠状のシール材23によって貼り合わされる。液晶層22は、シール材23によって第1基板20と第2基板21間に封止される。シール材23は、例えば有機系の接着材から構成され、例えば印刷工程により形成される。液晶層22の厚さ(セルギャップ)は、例えば7μm程度である。液晶層22については後で詳述する。 The first substrate 20 and the second substrate 21 are bonded together by a frame-shaped sealing material 23 surrounding the display area (view area) VA. The liquid crystal layer 22 is sealed between the first substrate 20 and the second substrate 21 by a sealing material 23. The sealing material 23 is made of, for example, an organic adhesive and is formed by, for example, a printing process. The thickness (cell gap) of the liquid crystal layer 22 is, for example, about 7 μm. The liquid crystal layer 22 will be described in detail later.
第1基板20の液晶層22側には、複数の配線電極24が設けられる。配線電極24上には、層間絶縁膜25が設けられる。表示領域VAにおける層間絶縁膜25上には、複数の表示電極26が設けられる。層間絶縁膜25は、配線電極24と表示電極26間を電気的に絶縁する。複数の表示電極26はそれぞれ、その平面形状が所望のパターンになるように加工される。 A plurality of wiring electrodes 24 are provided on the liquid crystal layer 22 side of the first substrate 20. An interlayer insulating film 25 is provided on the wiring electrode 24. A plurality of display electrodes 26 are provided on the interlayer insulating film 25 in the display area VA. The interlayer insulating film 25 electrically insulates between the wiring electrode 24 and the display electrode 26. Each of the plurality of display electrodes 26 is processed so that the planar shape thereof has a desired pattern.
表示電極26は、対応する配線電極24に、スルーホール27内に形成された接続電極26Aを介して電気的に接続される。例えば、接続電極26Aは、表示電極26と同一工程にて形成される。具体的には、層間絶縁膜25にスルーホール27を形成し、このスルーホール27に表示電極26と同じ導電材料を埋め込む。これにより、接続電極26Aと表示電極26は一体に形成される。配線電極24は、表示電極26の一部から表示領域VAの外側まで引き出され、表示電極26に電圧を印加するために使用される。スルーホール27については後で詳述する。 The display electrode 26 is electrically connected to the corresponding wiring electrode 24 via a connection electrode 26 </ b> A formed in the through hole 27. For example, the connection electrode 26 </ b> A is formed in the same process as the display electrode 26. Specifically, a through hole 27 is formed in the interlayer insulating film 25, and the same conductive material as that of the display electrode 26 is embedded in the through hole 27. Thereby, the connection electrode 26A and the display electrode 26 are integrally formed. The wiring electrode 24 is drawn from a part of the display electrode 26 to the outside of the display area VA, and is used to apply a voltage to the display electrode 26. The through hole 27 will be described in detail later.
表示電極26、接続電極26A、及び配線電極24は、透明な導電材料から構成され、例えばITO(インジウム錫酸化物)から構成される。表示電極26、及び配線電極24の膜厚は、例えば100Å以上1000Å以下である。層間絶縁膜25は、例えば、膜厚0.3μm以上0.9μm以下のシリコン窒化物(SiN)から構成される。 The display electrode 26, the connection electrode 26A, and the wiring electrode 24 are made of a transparent conductive material, for example, ITO (Indium Tin Oxide). The film thickness of the display electrode 26 and the wiring electrode 24 is, for example, 100 mm or more and 1000 mm or less. The interlayer insulating film 25 is made of, for example, silicon nitride (SiN) having a film thickness of 0.3 μm or more and 0.9 μm or less.
第2基板21の液晶層22側には、共通電極28が設けられる。共通電極28は、表示領域VA全面に平面状に設けられ、少なくとも全ての表示電極26と重なるサイズを有する。共通電極28は、例えばITOから構成され、その膜厚は、例えば100Å以上1000Å以下である。 A common electrode 28 is provided on the liquid crystal layer 22 side of the second substrate 21. The common electrode 28 is provided in a planar shape over the entire display area VA, and has a size that overlaps at least all the display electrodes 26. The common electrode 28 is made of, for example, ITO, and the film thickness is, for example, not less than 100 mm and not more than 1000 mm.
第1基板20のうち表示領域VA以外の周辺領域PAには、駆動回路30が設けられる。駆動回路30は、例えばLSI(large-scale integrated circuit)によって構成される。駆動回路30は、表示領域VA内の表示電極26及び共通電極28に接続された複数の配線電極24に複数の端子を介して電気的に接続される。駆動回路30は、表示電極26及び共通電極28を駆動するドライバ、及び該ドライバを制御する制御回路などを含む。駆動回路30は、複数の端子を介してフレキシブルプリント基板(FPC:flexible printed circuit)31に電気的に接続される。 A drive circuit 30 is provided in the peripheral area PA of the first substrate 20 other than the display area VA. The drive circuit 30 is configured by, for example, an LSI (large-scale integrated circuit). The drive circuit 30 is electrically connected to a plurality of wiring electrodes 24 connected to the display electrode 26 and the common electrode 28 in the display area VA via a plurality of terminals. The drive circuit 30 includes a driver that drives the display electrode 26 and the common electrode 28, a control circuit that controls the driver, and the like. The drive circuit 30 is electrically connected to a flexible printed circuit (FPC) 31 through a plurality of terminals.
フレキシブルプリント基板31は、駆動回路30に各種信号を送るための信号線、及び駆動回路30に電源を供給するための電源線を含む。フレキシブルプリント基板31は、例えば、ポリイミドフィルムの基材に配線などが形成された柔軟性を有する回路基板である。フレキシブルプリント基板31は、複数の端子を介して電源回路を含む外部機器(外部回路)に電気的に接続される。液晶表示装置10は、フレキシブルプリント基板31及び駆動回路30を介して、外部機器から電力、及び画像信号を含む制御信号などの供給を受けることにより、表示領域VAにキャラクターを表示する。 The flexible printed circuit board 31 includes a signal line for sending various signals to the drive circuit 30 and a power line for supplying power to the drive circuit 30. The flexible printed circuit board 31 is a flexible circuit board in which, for example, wiring is formed on a polyimide film base material. The flexible printed circuit board 31 is electrically connected to an external device (external circuit) including a power supply circuit via a plurality of terminals. The liquid crystal display device 10 displays characters in the display area VA by receiving power and control signals including image signals from an external device via the flexible printed circuit board 31 and the drive circuit 30.
図1には、液晶表示装置10が表示可能なキャラクターの一例を示している。液晶表示装置10は、例えばカメラのファインダーに適用可能である。液晶表示装置10が表示可能なキャラクター32は、カメラのファインダーに表示させるフォーカスポイント(四角形)を表しており、キャラクター33は、複数のフォーカスポイントの領域を示す枠を表している。キャラクター32、33は、表示電極26と共通電極28間に電圧を印加することによって表示される。表示電極26は、それぞれ、キャラクター32、33のパターンと同じ形状に加工される。 FIG. 1 shows an example of characters that can be displayed on the liquid crystal display device 10. The liquid crystal display device 10 can be applied to, for example, a camera finder. The character 32 that can be displayed on the liquid crystal display device 10 represents a focus point (rectangle) to be displayed on the camera finder, and the character 33 represents a frame indicating a plurality of focus point areas. The characters 32 and 33 are displayed by applying a voltage between the display electrode 26 and the common electrode 28. The display electrode 26 is processed into the same shape as the pattern of the characters 32 and 33, respectively.
[2]液晶表示装置の動作
図3は、液晶表示装置の動作時における液晶層22の配向状態を示す概略図である。図3を用いて、先に液晶層22の具体的な構成を説明し、その後、液晶表示装置10の動作を説明する。
[2] Operation of liquid crystal display device
FIG. 3 is a schematic diagram showing the alignment state of the liquid crystal layer 22 during operation of the liquid crystal display device. With reference to FIG. 3, the specific configuration of the liquid crystal layer 22 will be described first, and then the operation of the liquid crystal display device 10 will be described.
液晶層22は、高分子層22A及び液晶層22Bを備える。液晶層22Bは、液晶分子22Cを含む。詳述すると、液晶層22は、高分子分散型液晶(PDLC:Polymer Dispersed Liquid Crystal)、又は高分子ネットワーク型液晶(PNLC:Polymer Network Liquid Crystal)により構成される。PDLCは、高分子層(高分子ネットワーク)22A内に液晶22Bが分散された構造を有しており、すなわち高分子層22A内において液晶22Bが相分離した構造を有する。或いは、高分子層22A内の液晶22Bが連続相を有していても良い。 The liquid crystal layer 22 includes a polymer layer 22A and a liquid crystal layer 22B. The liquid crystal layer 22B includes liquid crystal molecules 22C. More specifically, the liquid crystal layer 22 is made of polymer dispersed liquid crystal (PDLC) or polymer network liquid crystal (PNLC). The PDLC has a structure in which the liquid crystal 22B is dispersed in the polymer layer (polymer network) 22A. That is, the PDLC has a structure in which the liquid crystal 22B is phase-separated in the polymer layer 22A. Alternatively, the liquid crystal 22B in the polymer layer 22A may have a continuous phase.
高分子層22Aとしては光硬化樹脂を用いることができる。例えば、PDLCは、光重合型の高分子前駆体(モノマー)に液晶を混合させた溶液に紫外線を照射し、モノマーを重合させてポリマーを形成し、そのポリマーのネットワーク中に液晶が分散される。液晶22Bとしては、例えば、誘電率異方性が正(ポジ型)のネマティック液晶が用いられる。すなわち、液晶層22に電圧が印加されない場合は、液晶分子22Cが高分子層22A内にランダムに配置した状態となり、液晶層22に電圧が印加された場合は、液晶分子22Cが電界方向に立っている状態(液晶分子22Cの長軸が電界方向に向いている状態)となる。 A photo-curing resin can be used as the polymer layer 22A. For example, PDLC irradiates a solution in which liquid crystal is mixed with a photopolymerizable polymer precursor (monomer) by irradiating ultraviolet rays, polymerizes the monomer to form a polymer, and the liquid crystal is dispersed in the polymer network. . As the liquid crystal 22B, for example, nematic liquid crystal having positive (positive) dielectric anisotropy is used. That is, when a voltage is not applied to the liquid crystal layer 22, the liquid crystal molecules 22C are randomly arranged in the polymer layer 22A, and when a voltage is applied to the liquid crystal layer 22, the liquid crystal molecules 22C stand in the electric field direction. (A state in which the long axis of the liquid crystal molecules 22C is directed in the electric field direction).
次に、液晶表示装置10の動作について説明する。液晶表示装置10の表示動作は、駆動回路30によって制御される。駆動回路30は、表示電極26及び共通電極28に電気的に接続されており、表示電極26と共通電極28間に電圧を印加する。 Next, the operation of the liquid crystal display device 10 will be described. The display operation of the liquid crystal display device 10 is controlled by the drive circuit 30. The drive circuit 30 is electrically connected to the display electrode 26 and the common electrode 28, and applies a voltage between the display electrode 26 and the common electrode 28.
図3(a)は、液晶層22の散乱状態を示す図であり、図3(b)は、液晶層22の透過状態を示す図である。なお、図3には、表示電極26と共通電極28とに挟まれた液晶層22の一部を抽出して示している。液晶分子22Cは、光学的に回転楕円体(楕円の長軸で回転)で表わされ、短軸方向の径が正常光の屈折率no、長軸方向の径が異常光の屈折率neとなる。 FIG. 3A is a diagram illustrating a scattering state of the liquid crystal layer 22, and FIG. 3B is a diagram illustrating a transmission state of the liquid crystal layer 22. In FIG. 3, a part of the liquid crystal layer 22 sandwiched between the display electrode 26 and the common electrode 28 is extracted and shown. The liquid crystal molecules 22C is represented by the spheroid optically (rotation in the ellipse long axis), the refractive index n o of the size in the short-axis direction of the normal light, the refractive index n of the diameter in the major axis direction is abnormal light e .
液晶層22に電界を印加していない場合、すなわち、表示電極26と共通電極28とを同電圧(例えば0V)にした場合、液晶分子22Cがランダムに配置される。この場合、液晶層22に白色光を入射すると、入射光が散乱して外部からは白濁した状態として観察される(白表示)。 When no electric field is applied to the liquid crystal layer 22, that is, when the display electrode 26 and the common electrode 28 are set to the same voltage (for example, 0 V), the liquid crystal molecules 22C are randomly arranged. In this case, when white light is incident on the liquid crystal layer 22, the incident light is scattered and is observed as a white turbid state from the outside (white display).
一方、液晶層22に電界を印加した場合、すなわち、表示電極26と共通電極28とに電圧差(例えば、表示電極26に正電圧、共通電極28に0V)を与えた場合、液晶分子22Cの長軸が電界方向(すなわち垂直方向)に配向する。この場合、液晶層22に白色光を入射すると、光の振動方向(進行方向に垂直な方向)は屈折率noに揃うので入射光は液晶層22を直進する。このため、入射光が透過して外部からは透明な状態として観察される(黒表示)。 On the other hand, when an electric field is applied to the liquid crystal layer 22, that is, when a voltage difference is applied between the display electrode 26 and the common electrode 28 (for example, a positive voltage is applied to the display electrode 26 and 0 V is applied to the common electrode 28), The major axis is oriented in the electric field direction (ie, the vertical direction). In this case, when the incident white light to the liquid crystal layer 22, (the direction perpendicular to the traveling direction) vibration direction of the light incident light so aligned to the refractive index n o goes straight through the liquid crystal layer 22. For this reason, incident light is transmitted and observed as a transparent state from the outside (black display).
[3]スルーホール27の構成
前述したように、層間絶縁膜25には、スルーホール27が空けられ、スルーホール27内には配線電極24と表示電極26とを電気的に接続する接続電極26Aが形成される。透過状態時にスルーホール27のテーパー部が目立ってしまう場合がある。テーパー部とは、スルーホール27の内壁を含む層間絶縁膜25の一部分であり、その断面が、スルーホール27の内壁を斜辺とし、配線電極24の表面に接する部分を底辺とする直角三角形の領域を指す。以下に、スルーホール27のテーパー部が目立つ原因を説明する。
[3] Configuration of through hole 27
As described above, a through hole 27 is formed in the interlayer insulating film 25, and the connection electrode 26 </ b> A that electrically connects the wiring electrode 24 and the display electrode 26 is formed in the through hole 27. The taper part of the through hole 27 may become conspicuous during the transmission state. The taper portion is a part of the interlayer insulating film 25 including the inner wall of the through hole 27, and the cross section of the tapered portion is a right triangle region having the inner wall of the through hole 27 as a hypotenuse and the portion in contact with the surface of the wiring electrode 24 as the base. Point to. The reason why the tapered portion of the through hole 27 is noticeable will be described below.
[3−1]テーパー部の見かけの長さ
図4は、液晶表示装置10におけるスルーホール27を表示領域の上方から見た平面図である。図5は、図4に示したスルーホールのB−B’線に沿った断面図である。なお図5では、第2基板21及び共通電極28を省略している。
[3-1] Apparent Length of Tapered Part FIG. 4 is a plan view of the through hole 27 in the liquid crystal display device 10 as viewed from above the display area. FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line BB ′ of the through hole shown in FIG. In FIG. 5, the second substrate 21 and the common electrode 28 are omitted.
図5に示すように、第1基板20上の配線電極24上には、層間絶縁膜25が形成され、さらに層間絶縁膜25上に表示電極26が形成されている。スルーホール27は、層間絶縁膜25に空けられ、配線電極24の一部を露出する孔である。スルーホール27内には、配線電極24と表示電極26とを電気的に接続する接続電極26Aが形成される。 As shown in FIG. 5, an interlayer insulating film 25 is formed on the wiring electrode 24 on the first substrate 20, and a display electrode 26 is further formed on the interlayer insulating film 25. The through hole 27 is a hole that is opened in the interlayer insulating film 25 and exposes a part of the wiring electrode 24. In the through hole 27, a connection electrode 26A for electrically connecting the wiring electrode 24 and the display electrode 26 is formed.
層間絶縁膜25に形成されたスルーホール27の内壁は、図5に示すように、配線電極24表面に対して傾斜を持つ。このときのスルーホール27の内壁(テーパー部27Aの斜辺)と配線電極24の表面とがなす角をテーパー角度θと称する。 The inner wall of the through hole 27 formed in the interlayer insulating film 25 is inclined with respect to the surface of the wiring electrode 24 as shown in FIG. At this time, an angle formed by the inner wall of the through hole 27 (the oblique side of the tapered portion 27A) and the surface of the wiring electrode 24 is referred to as a taper angle θ.
テーパー部27Aの底辺をaとし、高さをbとすると、表示領域VAの上方からスルーホール27を見たとき、観察者が視認するテーパー部27Aの底辺の見かけの長さはa’となる。このa’はaより長い。これは、テーパー部27Aの斜辺が液晶層22と層間絶縁膜25との界面(接続電極26Aの厚みは十分薄いため考慮していない)であるため、この界面で入射光の屈折が起こるからである。 Assuming that the bottom side of the taper portion 27A is a and the height is b, when the through hole 27 is viewed from above the display area VA, the apparent length of the bottom side of the taper portion 27A visually recognized by the observer is a ′. . This a 'is longer than a. This is because the oblique side of the tapered portion 27A is the interface between the liquid crystal layer 22 and the interlayer insulating film 25 (not considered because the thickness of the connection electrode 26A is sufficiently thin), and incident light is refracted at this interface. is there.
テーパー部27Aの底辺の見かけの長さa’は、以下のように算出できる。液晶層22からテーパー部27Aに入る光の入射角をθ(テーパー角度と同じ)、屈折角をφ、液晶層(高分子分散型液晶)22の屈折率nPNを1.5、層間絶縁膜25の屈折率nINSを1.8、層間絶縁膜25の膜厚bを0.5μm、とすると、
nPN・sinθ=nINS・sinφ (スネルの法則より) …(1)
a=b/tanθ …(2)
a’=(a/cosθ)・sin(90°−φ)=a(cosφ/cosθ) …(3)
となる。なお、表示電極26及び接続電極26Aの厚みは、液晶層22及び層間絶縁膜25の各々の厚さより十分薄いため、屈折角の条件を省略している。
The apparent length a ′ of the bottom side of the tapered portion 27A can be calculated as follows. The incident angle of light entering the tapered portion 27A from the liquid crystal layer 22 is θ (same as the taper angle), the refraction angle is φ, the refractive index n PN of the liquid crystal layer (polymer dispersed liquid crystal) 22 is 1.5, and the interlayer insulating film When the refractive index n INS of 25 is 1.8 and the film thickness b of the interlayer insulating film 25 is 0.5 μm,
n PN · sin θ = n INS · sin φ (from Snell's law) (1)
a = b / tan θ (2)
a ′ = (a / cos θ) · sin (90 ° −φ) = a (cos φ / cos θ) (3)
It becomes. The display electrode 26 and the connection electrode 26A are sufficiently thinner than the liquid crystal layer 22 and the interlayer insulating film 25, and the refraction angle condition is omitted.
層間絶縁膜25の膜厚を0.5μmとしたときのテーパー角度θに対するφ、a、a’の値を図6に、テーパー角度θに対するa、a’の値を図7に示す。テーパー部27Aの底辺の実際の長さaより、見かけの長さa’のほうが長いのがわかる。その差は、テーパー角度θが大きくなるのに従って、大きくなる。したがって、スルーホール27のテーパー部27Aの底辺の長さは、実際より長く見え、無視できないことがわかる。 FIG. 6 shows the values of φ, a, a ′ with respect to the taper angle θ when the film thickness of the interlayer insulating film 25 is 0.5 μm, and FIG. 7 shows the values of a, a ′ with respect to the taper angle θ. It can be seen that the apparent length a 'is longer than the actual length a of the bottom side of the tapered portion 27A. The difference increases as the taper angle θ increases. Therefore, it can be seen that the length of the bottom side of the tapered portion 27A of the through hole 27 is longer than the actual length and cannot be ignored.
[3−2]テーパー部の見かけの長さの視認性
次に、スルーホール27のテーパー部27Aの視認性について調べた結果を説明する。ここでは、観察者に視認されない見かけの長さa’を調べた。
[3-2] Visibility of apparent length of tapered part
Next, the result of examining the visibility of the tapered portion 27A of the through hole 27 will be described. Here, the apparent length a ′ that was not visually recognized by the observer was examined.
図8は、テーパー部27Aの底辺の見かけの長さa’とスルーホール27の視認性との関係を示した図である。観察者が表示領域VAの上方からスルーホール27を実際に見たとき、図8に示すように、テーパー部の底辺の見かけの長さa’が1.5μmより長い場合、スルーホール27のテーパー部が確実に視認され、見かけの長さa’が0.5μmより短い場合、スルーホール27のテーパー部が視認されないことがわかった。すなわち、見かけの長さa’が1.5μmより長い場合、スルーホール27のテーパー部が見え、見かけの長さa’が0.5μmより短い場合、スルーホール27のテーパー部が見えないことがわかった。なお、ここで記載した“視認される、視認されない”あるいは“見える、見えない”は、統計的に調べた結果であり、観察者によっては差が生じるものである。 FIG. 8 is a diagram showing the relationship between the apparent length a ′ of the bottom side of the tapered portion 27 </ b> A and the visibility of the through hole 27. When the observer actually sees the through hole 27 from above the display area VA, as shown in FIG. 8, when the apparent length a ′ of the bottom of the taper portion is longer than 1.5 μm, the taper of the through hole 27 is increased. It was found that the taper portion of the through hole 27 is not visually recognized when the portion is visually recognized reliably and the apparent length a ′ is shorter than 0.5 μm. That is, when the apparent length a ′ is longer than 1.5 μm, the tapered portion of the through hole 27 can be seen, and when the apparent length a ′ is shorter than 0.5 μm, the tapered portion of the through hole 27 cannot be seen. all right. Note that “visible / not visible” or “visible / invisible” described here is a result of a statistical examination, and a difference occurs depending on an observer.
この結果を、前述の図7に追記すると、図9に示すようになる。図8及び図9から、テーパー角度θを50度以上にすれば、見かけの長さa’を0.5μmより短くすることができ、スルーホール27のテーパー部が視認されないようにできることがわかる。また、見かけの長さa’が0.5μmのとき、図6からテーパー部27Aの底辺の長さaは0.42μm程度であることがわかる。よって、底辺の長さaを0.4μm以下にすればスルーホール27のテーパー部が視認されないようにできる。なお、前述したように、このときの層間絶縁膜25の膜厚は0.5μmである。 If this result is added to FIG. 7 described above, it will be as shown in FIG. 8 and 9, it can be seen that when the taper angle θ is 50 degrees or more, the apparent length a ′ can be made shorter than 0.5 μm, and the tapered portion of the through hole 27 can be prevented from being visually recognized. In addition, when the apparent length a ′ is 0.5 μm, it can be seen from FIG. 6 that the length a of the bottom side of the tapered portion 27A is about 0.42 μm. Therefore, if the bottom length a is 0.4 μm or less, the tapered portion of the through hole 27 can be prevented from being visually recognized. As described above, the film thickness of the interlayer insulating film 25 at this time is 0.5 μm.
また、見かけの長さa’が0.5μm以上1.5μm以下の範囲は、観察者によって見え方が異なる範囲、すなわち観察者によって視認されたり、視認されなかったりする範囲である。 Further, the range in which the apparent length a ′ is 0.5 μm or more and 1.5 μm or less is a range in which the appearance is different depending on the observer, that is, a range in which the observer is visually recognized or not visually recognized.
[3−3]テーパー部のテーパー角度
スルーホール27のテーパー部が視認されないテーパー角度θは以下のようになる。スルーホール27のテーパー部が視認されない条件、すなわち、テーパー部の底辺の見かけの長さa’が0.5μmより小さい(0≦a’<0.5μm)という条件から、テーパー角度θは、前記式(1)、(2)、(3)より、
[3-3] Taper angle of taper part
The taper angle θ at which the tapered portion of the through hole 27 is not visually recognized is as follows. From the condition that the tapered portion of the through hole 27 is not visually recognized, that is, the condition that the apparent length a ′ of the bottom side of the tapered portion is smaller than 0.5 μm (0 ≦ a ′ <0.5 μm), the taper angle θ is From equations (1), (2), (3)
であり、かつテーパー角度θは90度以下である。 And the taper angle θ is 90 degrees or less.
次に、層間絶縁膜25の膜厚bを変更し、テーパー部27Aの底辺の見かけの長さa’を0.5μmとした場合のテーパー角度θを調べた。図10は、層間絶縁膜25の膜厚bを変更した場合のテーパー角度θを示す図である。 Next, the taper angle θ when the film thickness b of the interlayer insulating film 25 was changed and the apparent length a ′ of the base of the tapered portion 27A was 0.5 μm was examined. FIG. 10 is a diagram illustrating the taper angle θ when the film thickness b of the interlayer insulating film 25 is changed.
層間絶縁膜25は、配線電極24と表示電極26との電気的な絶縁性を保ち、さらにスルーホール27の形成が容易である必要がある。このためには、層間絶縁膜25の膜厚bは、0.3μm以上0.9μm以下であることが好ましい。図10に示すように、層間絶縁膜25の膜厚bが0.3μm以上0.9μm以下のとき、テーパー部の底辺の見かけの長さa’が0.5μmとなる場合のテーパー角度θは32.5度以上86.8度以下である。したがって、層間絶縁膜25の膜厚bが0.3μm以上0.9μm以下である場合、スルーホール27のテーパー角度θは32度以上90度以下に設定する。 The interlayer insulating film 25 needs to maintain electrical insulation between the wiring electrode 24 and the display electrode 26 and to facilitate the formation of the through hole 27. For this purpose, the film thickness b of the interlayer insulating film 25 is preferably not less than 0.3 μm and not more than 0.9 μm. As shown in FIG. 10, when the film thickness b of the interlayer insulating film 25 is 0.3 μm or more and 0.9 μm or less, the taper angle θ when the apparent length a ′ of the bottom of the taper portion is 0.5 μm is It is 32.5 degrees or more and 86.8 degrees or less. Therefore, when the film thickness b of the interlayer insulating film 25 is 0.3 μm or more and 0.9 μm or less, the taper angle θ of the through hole 27 is set to 32 degrees or more and 90 degrees or less.
[3−4]テーパー角度θの制御方法
次に、スルーホール27のテーパー部のテーパー角度θを制御する方法を説明する。テーパー角度θを制御するためには、スルーホール27の内壁(テーパー部27Aの斜辺)の傾斜を制御する。
[3-4] Method for Controlling Taper Angle θ Next, a method for controlling the taper angle θ of the tapered portion of the through hole 27 will be described. In order to control the taper angle θ, the inclination of the inner wall of the through hole 27 (the oblique side of the tapered portion 27A) is controlled.
図11は、層間絶縁膜25にスルーホール27を形成する工程を示す断面図である。ここでは、テーパー角度θα、θβ、θγ(θα>θβ>θγ)をそれぞれ形成する工程を示す。また、スルーホール27は、実際には配線電極24が露出するまで空けられるが、ここでは層間絶縁膜25の途中まで空ける例を示す。 FIG. 11 is a cross-sectional view showing a process of forming a through hole 27 in the interlayer insulating film 25. Here, a process of forming taper angles θ α , θ β , and θ γ (θ α > θ β > θ γ ) is shown. In addition, the through hole 27 is actually opened until the wiring electrode 24 is exposed, but here, an example is shown in which the through hole 27 is opened halfway through the interlayer insulating film 25.
まず、図11(a)に示すように、第1基板20及び配線電極24(図示しない)上に、層間絶縁膜25、例えば、窒化シリコン膜を膜厚0.5μm程度形成する。この層間絶縁膜25は、例えば、CVD(Chemical Vapor Deposition)により主な反応ガスとしてSiH(例えば、SiH4)とNH3を用いて形成される。このときのSiHとNH3のガス流量比(SiH/NH3)はαである。 First, as shown in FIG. 11A, an interlayer insulating film 25, for example, a silicon nitride film is formed to a thickness of about 0.5 μm on the first substrate 20 and the wiring electrode 24 (not shown). The interlayer insulating film 25 is formed using, for example, SiH (eg, SiH 4 ) and NH 3 as main reaction gases by CVD (Chemical Vapor Deposition). The gas flow ratio (SiH / NH 3 ) between SiH and NH 3 at this time is α.
次に、層間絶縁膜25上に、フォトリソグラフィ法により、スルーホール27の部分が開口されたレジスト膜40を形成する。続いて、ドライエッチング、例えばRIE(Reactive Ion Etching)により、層間絶縁膜25をエッチングする。これにより、図11(b)に示すように、テーパー角度がθαであるスルーホール27が形成される。このときのテーパー角度θαは約90度である。 Next, a resist film 40 having an opening in the through hole 27 is formed on the interlayer insulating film 25 by photolithography. Subsequently, the interlayer insulating film 25 is etched by dry etching, for example, RIE (Reactive Ion Etching). Thus, as shown in FIG. 11 (b), through holes 27 taper angle is theta alpha is formed. The taper angle theta alpha in this case is about 90 degrees.
次に、テーパー角度θαより小さいテーパー角度θβを持つスルーホール27を形成する場合を述べる。まず、図11(c)に示すように、第1基板20及び配線電極24(図示しない)上に、層間絶縁膜25、例えば、窒化シリコン膜を膜厚0.48μm程度形成する。この層間絶縁膜25は、例えば、CVDにより主な反応ガスとしてSiHとNH3を用いて形成される。このときのSiHとNH3のガス流量比は、図11(a)に示した工程と同様にαとする。 Next, the case where the through hole 27 having the taper angle θ β smaller than the taper angle θ α is formed will be described. First, as shown in FIG. 11C, an interlayer insulating film 25, for example, a silicon nitride film is formed to a thickness of about 0.48 μm on the first substrate 20 and the wiring electrode 24 (not shown). The interlayer insulating film 25 is formed by using, for example, SiH and NH 3 as main reaction gases by CVD. The gas flow rate ratio between SiH and NH 3 at this time is α as in the step shown in FIG.
続いて、層間絶縁膜25上に、層間絶縁膜25A、例えば、窒化シリコン膜を膜厚0.02μm程度形成する。この層間絶縁膜25Aは、例えば、CVDにより主な反応ガスとしてSiH/NH3を用いて形成され、このときのSiHとNH3のガス流量比は、αより小さいβとする。すなわち、ガス流量比βは、ガス流量比αよりもNH3の流量が大きい。これにより、層間絶縁膜25上に、層間絶縁膜25よりN(窒素)とH(水素)の含有量が多い層間絶縁膜(N−Hリッチの窒化シリコン膜)25Aが積層される。 Subsequently, an interlayer insulating film 25A, for example, a silicon nitride film is formed on the interlayer insulating film 25 to a thickness of about 0.02 μm. This interlayer insulating film 25A is formed by using, for example, SiH / NH 3 as a main reaction gas by CVD, and the gas flow ratio of SiH and NH 3 at this time is β smaller than α. That is, the flow rate of NH 3 is larger than the gas flow rate ratio α. As a result, the interlayer insulating film (N-H rich silicon nitride film) 25A having a higher content of N (nitrogen) and H (hydrogen) than the interlayer insulating film 25 is laminated on the interlayer insulating film 25.
さらに、層間絶縁膜25A上に、フォトリソグラフィ法により、スルーホール27の部分が開口されたレジスト膜40を形成する。続いて、ドライエッチング、例えばRIEにより、層間絶縁膜25Aと層間絶縁膜25をエッチングする。これにより、図11(d)に示すように、テーパー角度がθβであるスルーホール27が形成される。このとき、層間絶縁膜25Aのエッチング速度は、層間絶縁膜25のエッチング速度より速い。このエッチング速度の違いにより、テーパー角度θβはθαより小さくなる。 Further, a resist film 40 in which a portion of the through hole 27 is opened is formed on the interlayer insulating film 25A by photolithography. Subsequently, the interlayer insulating film 25A and the interlayer insulating film 25 are etched by dry etching, for example, RIE. Thus, as shown in FIG. 11 (d), the through-holes 27 taper angle is theta beta is formed. At this time, the etching rate of the interlayer insulating film 25 </ b> A is faster than the etching rate of the interlayer insulating film 25. Due to the difference in the etching rate, the taper angle θ β is smaller than θ α .
次に、テーパー角度θβより小さいテーパー角度θγを持つスルーホール27を形成する場合を述べる。まず、図11(e)に示すように、第1基板20及び配線電極24(図示しない)上に、層間絶縁膜25、例えば、窒化シリコン膜を膜厚0.48μm程度形成する。この層間絶縁膜25は、例えば、CVDにより主な反応ガスとしてSiHとNH3を用いて形成される。このときのSiHとNH3のガス流量比は、図11(a)に示した工程と同様にαとする。 Next, the case where the through hole 27 having the taper angle θ γ smaller than the taper angle θ β is formed will be described. First, as shown in FIG. 11E, an interlayer insulating film 25, for example, a silicon nitride film is formed to a thickness of about 0.48 μm on the first substrate 20 and the wiring electrode 24 (not shown). The interlayer insulating film 25 is formed by using, for example, SiH and NH 3 as main reaction gases by CVD. The gas flow rate ratio between SiH and NH 3 at this time is α as in the step shown in FIG.
続いて、層間絶縁膜25上に、層間絶縁膜25B、例えば、窒化シリコン膜を膜厚0.02μm程度形成する。この層間絶縁膜25Bは、例えば、CVDにより主な反応ガスとしてSiH/NH3を用いて形成され、このときのSiHとNH3のガス流量比は、βより小さいγとする。すなわち、ガス流量比γは、ガス流量比βよりもNH3の流量が大きい。これにより、層間絶縁膜25上に、層間絶縁膜25AよりN(窒素)とH(水素)の含有量が多い層間絶縁膜(N−Hリッチの窒化シリコン膜)25Bが積層される。 Subsequently, an interlayer insulating film 25B, for example, a silicon nitride film is formed on the interlayer insulating film 25 to a thickness of about 0.02 μm. The interlayer insulating film 25B is formed by using, for example, SiH / NH 3 as a main reaction gas by CVD, and the gas flow rate ratio of SiH and NH 3 at this time is γ smaller than β. That is, the flow rate of NH 3 is larger than the flow rate ratio β of the gas flow rate ratio γ. As a result, the interlayer insulating film (N-H rich silicon nitride film) 25B having a higher content of N (nitrogen) and H (hydrogen) than the interlayer insulating film 25A is stacked on the interlayer insulating film 25.
さらに、層間絶縁膜25B上に、フォトリソグラフィ法により、スルーホール27の部分が開口されたレジスト膜40を形成する。続いて、ドライエッチング、例えばRIEにより、層間絶縁膜25Bと層間絶縁膜25をエッチングする。これにより、図11(f)に示すように、テーパー角度がθγであるスルーホール27が形成される。このとき、層間絶縁膜25Bのエッチング速度は、窒化シリコン膜25Aのエッチング速度より速い。このエッチング速度の違いにより、テーパー角度θγはθβより小さくなる。 Further, a resist film 40 having an opening in the through hole 27 is formed on the interlayer insulating film 25B by photolithography. Subsequently, the interlayer insulating film 25B and the interlayer insulating film 25 are etched by dry etching, for example, RIE. Thus, as shown in FIG. 11 (f), through-holes 27 taper angle is theta gamma is formed. At this time, the etching rate of the interlayer insulating film 25B is faster than the etching rate of the silicon nitride film 25A. Due to the difference in the etching rate, the taper angle θ γ becomes smaller than θ β .
本実施形態では、前記図11(a)〜図11(f)に示したような形成方法により、スルーホール27のテーパー角度θを制御することが可能である。例えば、層間絶縁膜25の膜厚が0.5μmの場合、スルーホール27のテーパー角度θを50度以上に形成することができる。また、層間絶縁膜25の膜厚が0.3μm以上0.9μm以下の場合、スルーホール27のテーパー角度θを32度以上90度以下に形成することができる。 In the present embodiment, the taper angle θ of the through hole 27 can be controlled by the forming method as shown in FIGS. 11 (a) to 11 (f). For example, when the thickness of the interlayer insulating film 25 is 0.5 μm, the taper angle θ of the through hole 27 can be formed to be 50 degrees or more. Further, when the film thickness of the interlayer insulating film 25 is 0.3 μm or more and 0.9 μm or less, the taper angle θ of the through hole 27 can be formed to 32 degrees or more and 90 degrees or less.
[4]実施形態の効果
本実施形態の液晶表示装置では、表示領域VA内にあるスルーホールのテーパー部底辺の見かけの長さを所定の長さ、すなわち0.5μmより短い長さに設定することにより、スルーホールのテーパー部が視認されにくくすることができる、言い換えるとスルーホールを目立たなくすることができる。
[4] Effects of the embodiment
In the liquid crystal display device according to this embodiment, the apparent length of the bottom of the tapered portion of the through hole in the display area VA is set to a predetermined length, that is, a length shorter than 0.5 μm, so that the through hole tapers. The portion can be made difficult to visually recognize, in other words, the through hole can be made inconspicuous.
高分子分散型液晶層を有する液晶表示装置は、基板上の配線電極上に層間絶縁膜を介して表示電極が配置される。表示電極は、スルーホールにより配線電極に電気的に接続される。このため、スルーホールのテーパー部底辺の見かけの長さが長くなると、スルーホールが視認されてしまう。例えば、スルーホールが密集すると、透過状態時に表示領域内にあるスルーホールのテーパー部が目立って見えてしまう。 In a liquid crystal display device having a polymer-dispersed liquid crystal layer, a display electrode is disposed on a wiring electrode on a substrate via an interlayer insulating film. The display electrode is electrically connected to the wiring electrode through a through hole. For this reason, when the apparent length of the bottom part of the tapered portion of the through hole is increased, the through hole is visually recognized. For example, when the through holes are densely packed, the tapered portions of the through holes in the display region are conspicuously visible in the transmissive state.
そこで、本実施形態では、層間絶縁膜に形成されたスルーホールを、液晶層を介して見た場合、スルーホールのテーパー部の底辺の長さが実際より長く見えることを考慮し、テーパー部の底辺の見かけの長さa’を短くするために、スルーホールのテーパー角度を所定範囲に設定する。具体的には、前記(4)式を満たし、かつテーパー角度θが90度以下になるように、テーパー角度θを決定することにより、見かけの長さa’が0.5μm以下になるようにする。これにより、スルーホールのテーパー部が視認されにくくすることができる、すなわち、スルーホールを目立たなくすることができる。この結果、表示特性をより向上させることが可能な液晶表示装置を実現できる。 Therefore, in the present embodiment, when the through hole formed in the interlayer insulating film is viewed through the liquid crystal layer, the length of the bottom side of the tapered portion of the through hole appears to be longer than the actual length. In order to shorten the apparent length a ′ of the bottom side, the taper angle of the through hole is set within a predetermined range. Specifically, the apparent length a ′ is set to 0.5 μm or less by determining the taper angle θ so that the formula (4) is satisfied and the taper angle θ is 90 degrees or less. To do. Thereby, the taper part of a through hole can be made difficult to visually recognize, ie, a through hole can be made inconspicuous. As a result, a liquid crystal display device capable of further improving display characteristics can be realized.
また、製造装置、製造条件または導電材料などにより、スルーホールのテーパー角度θが90度のとき、スルーホールに形成される接続電極(ITO)が断線し、配線電極と表示電極とが電気的に接続されない場合がある。このような場合には、前記式(4)を満たし、かつテーパー角度θが90度より小さくなるように、テーパー角度θを決定する。これにより、テーパー角度θを90度より小さくすることで、スルーホールに形成される接続電極の断線を防ぐことができる。さらに、テーパー角度θが前記式(4)を満たすことから、スルーホールを目立たなくすることができる。すなわち、スルーホールの接続電極による電気的な接続を確保しつつ、スルーホールを目立たなくすることが可能である。 Further, when the taper angle θ of the through hole is 90 degrees due to the manufacturing apparatus, manufacturing conditions or conductive material, the connection electrode (ITO) formed in the through hole is disconnected, and the wiring electrode and the display electrode are electrically connected. May not be connected. In such a case, the taper angle θ is determined so that the formula (4) is satisfied and the taper angle θ is smaller than 90 degrees. Thereby, disconnection of the connection electrode formed in the through hole can be prevented by making the taper angle θ smaller than 90 degrees. Furthermore, since the taper angle θ satisfies the formula (4), the through hole can be made inconspicuous. That is, it is possible to make the through-hole inconspicuous while ensuring the electrical connection by the connection electrode of the through-hole.
なお、本実施形態に係る液晶表示装置10は、カメラなどのファインダーに文字や図形を重ねて表示するパターン表示型の液晶表示装置に適用することができる。その他、本実施形態に係る液晶表示装置10は、デジタル時計、調光ガラス、セグメント表示が可能な液晶表示装置、マトリクス表示が可能な液晶表示装置などに適用することも可能である。また、被写体、背景、及び画像などに、これらと異なる画像を重ねて表示する用途の様々な電子機器に、本実施形態の液晶表示装置10を適用することが可能である。 In addition, the liquid crystal display device 10 according to the present embodiment can be applied to a pattern display type liquid crystal display device that displays characters and figures superimposed on a finder such as a camera. In addition, the liquid crystal display device 10 according to the present embodiment can be applied to a digital timepiece, light control glass, a liquid crystal display device capable of segment display, a liquid crystal display device capable of matrix display, and the like. In addition, the liquid crystal display device 10 of the present embodiment can be applied to various electronic devices that are used to display different images on a subject, background, and image.
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲内で、構成要素を変形して具体化することが可能である。さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、1つの実施形態に開示される複数の構成要素の適宜な組み合わせ、若しくは異なる実施形態に開示される構成要素の適宜な組み合わせにより種々の発明を構成することができる。例えば、実施形態に開示される全構成要素から幾つかの構成要素が削除されても、発明が解決しようとする課題が解決でき、発明の効果が得られる場合には、これらの構成要素が削除された実施形態が発明として抽出されうる。 The present invention is not limited to the above embodiment, and can be embodied by modifying the constituent elements without departing from the scope of the invention. Further, the above embodiments include inventions at various stages, and are obtained by appropriately combining a plurality of constituent elements disclosed in one embodiment or by appropriately combining constituent elements disclosed in different embodiments. Various inventions can be configured. For example, even if some constituent elements are deleted from all the constituent elements disclosed in the embodiments, the problems to be solved by the invention can be solved and the effects of the invention can be obtained. Embodiments made can be extracted as inventions.
10…液晶表示装置、20…第1基板、21…第2基板、22…液晶層、22A…高分子層、22B…液晶層、22C…液晶分子、VA…表示領域(ビューエリア)、23…シール材、24…配線電極、25…層間絶縁膜、26…表示電極、27…スルーホール、28…共通電極、30…駆動回路、31…フレキシブルプリント基板(FPC)、32,33…キャラクター。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Liquid crystal display device, 20 ... 1st board | substrate, 21 ... 2nd board | substrate, 22 ... Liquid crystal layer, 22A ... Polymer layer, 22B ... Liquid crystal layer, 22C ... Liquid crystal molecule, VA ... Display area (view area), 23 ... Sealing material, 24 ... wiring electrode, 25 ... interlayer insulating film, 26 ... display electrode, 27 ... through hole, 28 ... common electrode, 30 ... drive circuit, 31 ... flexible printed circuit board (FPC), 32, 33 ... character.
Claims (6)
前記第1及び第2基板間に挟まれた高分子分散型液晶層と、
前記第1基板に設けられた配線電極と、
前記配線電極上に設けられ、前記配線電極の一部を露出するスルーホールを有する層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に設けられた表示電極と、
前記スルーホール内に設けられ、前記配線電極と前記表示電極とを電気的に接続する接続電極と、
前記第2基板に設けられた共通電極と、
を具備し、
前記液晶層の屈折率をnPN、前記層間絶縁膜の屈折率をnINS、前記層間絶縁膜の膜厚をb(μm)としたとき、前記スルーホールの内壁と前記配線電極の表面とがなす角度θは、
A polymer-dispersed liquid crystal layer sandwiched between the first and second substrates;
A wiring electrode provided on the first substrate;
An interlayer insulating film provided on the wiring electrode and having a through hole exposing a part of the wiring electrode;
A display electrode provided on the interlayer insulating film;
A connection electrode provided in the through hole and electrically connecting the wiring electrode and the display electrode;
A common electrode provided on the second substrate;
Comprising
When the refractive index of the liquid crystal layer is n PN , the refractive index of the interlayer insulating film is n INS , and the film thickness of the interlayer insulating film is b (μm), the inner wall of the through hole and the surface of the wiring electrode are The angle θ formed is
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