JP2016525803A - Qスイッチ固体レーザー - Google Patents
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- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 119
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 3
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
- WQEVDHBJGNOKKO-UHFFFAOYSA-K vanadic acid Chemical compound O[V](O)(O)=O WQEVDHBJGNOKKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
Classifications
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08059—Constructional details of the reflector, e.g. shape
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- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
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- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08095—Zig-zag travelling beam through the active medium
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- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/081—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors
- H01S3/0813—Configuration of resonator
- H01S3/0817—Configuration of resonator having 5 reflectors, e.g. W-shaped resonators
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/086—One or more reflectors having variable properties or positions for initial adjustment of the resonator
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/11—Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
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- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/025—Constructional details of solid state lasers, e.g. housings or mountings
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/0602—Crystal lasers or glass lasers
- H01S3/0606—Crystal lasers or glass lasers with polygonal cross-section, e.g. slab, prism
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- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
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- H01S3/0615—Shape of end-face
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- H01S3/08072—Thermal lensing or thermally induced birefringence; Compensation thereof
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- H01S3/081—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors
- H01S3/0813—Configuration of resonator
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- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/081—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors
- H01S3/0813—Configuration of resonator
- H01S3/0816—Configuration of resonator having 4 reflectors, e.g. Z-shaped resonators
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
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- H01S3/081—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors
- H01S3/0818—Unstable resonators
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- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
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- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
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- H01S3/1123—Q-switching
- H01S3/115—Q-switching using intracavity electro-optic devices
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Abstract
【課題】エンドミラーの傾斜に対して低感度の構成を有するQスイッチ固体レーザーを提供する。【解決手段】レーザー光線が、第2エンドミラー(7)によって反射される方向に対して実質的に平行な方向に第1エンドミラー(6)によって反射される。光学素子を介して伝搬し、かつ、第2エンドミラー(7)により反射された後の像(F)が、当該伝搬方向について光軸(5)を基準とする元の姿勢から光軸(5)の回りに180°回転され、かつ、左右非反転されるように光学素子が構成されている。像(F)の回転および左右非反転が、光学素子および第2エンドミラー(7)におけるレーザー光線の反射によってのみ実現される。第1エンドミラー(6)および第2エンドミラー(7)が相互に堅固に接続されている。【選択図】 図3
Description
本発明は、Qスイッチ固体レーザーに関する。
Qスイッチ固体レーザーは、高パルスエネルギーのレーザーパルスを提供するために用いられる。パルス期間はナノ秒の範囲である。レーザー媒質の光学的ポンピングのため、通常はレーザーダイオードが採用される。代わりに、この例では、ガス放電ランプが用いられてもよい。レーザーダイオードによりポンピングが実行されるQスイッチ固体レーザーが知られている(例えば、非特許文献1および2ならびに特許文献1参照)。当該文献は、特にジグザグスラブレーザー(「ジグザグ状のスラブゲイン媒質」を有するレーザー)に関する。増幅されたレーザー媒質から放射され、共振器を伝搬するレーザー光線のためのレーザー媒質の入射面および出射面は反対向きのブリュースター角で配置されている。共振器は、ポロプリズムによって折り畳まれている。
1MW以上の高いピークパワーを有するこのようなQスイッチ固体レーザーの共振器は、通常、そこに焦点が存在しないように、第1エンドミラーおよび第2のエンドミラー、ならびにこれらの間に介在する光学素子によって構成される。そうでなければ、エネルギー密度が局所的に非常に高くなり、空気のイオン化(浸食)、光学要素への破壊的な影響および望ましくない非線形光学効果のうち少なくとも1つをもたらす。
これに対して、パルス長がピコ秒またはフェムト秒の範囲にある非ジェネリックのモード同期型の超高速パルスレーザーは、(折り畳まれている長さに関して)比較的長い共振器を有し、共振器に焦点を構成する、強力な集光光学素子が設けられている。モード同期型の固体レーザーが知られている(特許文献2および3参照)。傾斜に対する感度を低減させるため、同じ方向の傾斜が変位に敏感な基準点におけるレーザー光線の状態に対して反対の影響を及ぼす共振器の2つのミラーが相互に堅固に連結されている。当該文献では、2つのエンドミラーに言及されている。
Errico Armandillo and Callum Norrie:「Diode−pumped high−efficiency high−brightness Q−switched ND:YAG slab laser」, OPTICS LETTERS, Vol.22, No.15,(1997.8.1),第1章 第168頁〜第170頁。
Eric C. Honea et al.:「Analysis of an intracavity−doubled diode−pumped Q−switched Nd:YAG laser producing more than 100W of power at 0.532μm」, OPTICS LETTERS, Vol.23, No.15, (1998.8.1), 第1203頁〜第1205頁。
本発明の目的は、特にエンドミラーの傾斜に対して低感度の構成を有するQスイッチ固体レーザーを提供することである。
本発明は、1MW以上のピークパワーを有するQスイッチ固体レーザーであって、光軸を有するレーザー光線が伝搬し、かつ、第1エンドミラーおよび第2エンドミラーならびに前記第1エンドミラーおよび前記第2エンドミラーの間で前記レーザー光線と相互作用する光学素子を有する共振器を備え、前記光学素子はポンピングされるレーザー媒質を備え、前記レーザー光線が、前記第2エンドミラーによって反射される方向に対して実質的に平行なまたは同一の方向に前記第1エンドミラーによって反射されるようなQスイッチ個体レーザーに関する。
本発明のQスイッチ固体レーザーは、前記光学素子を介して伝搬し、かつ、前記第2エンドミラーにより反射された後の像が、当該伝搬方向について前記光軸を基準とする元の姿勢から前記光軸の回りに180°回転され、かつ、左右が維持されるように前記光学素子が構成され、前記像の当該回転および左右維持が、前記光学素子および前記第2エンドミラーにおける前記レーザー光線の反射によってのみ実現され、かつ、前記第1エンドミラーおよび前記第2エンドミラーが相互に堅固に接続されていることを特徴とする。
第1エンドミラーおよび第2エンドミラーは別個の部材として構成され、たとえば相互に堅固に連結されている。一体的に形成された部材が設けられ、当該部材の一の部分により第1エンドミラーが構成され、他の部分により第2エンドミラーが構成されてもよい。
本発明は、前述したような第1エンドミラーおよび第2エンドミラーの間に配置されてレーザー光線と相互作用する光学素子の構成および等が2つのエンドミラーの堅固な連結によって、前述のタイプの従来のQスイッチ固体レーザーと比較して、任意の軸線回りのエンドミラーの傾斜に対して低感度である。
少なくとも1つのエンドミラーおよび2つのエンドミラーの間に介在する少なくとも1つの光学素子のうち一方または両方の焦点が合わせられた構成、例えば熱レンズの構成に基づく励起レーザー媒質により、光軸回りに像が実質的に180°回転されることに加えて、像のサイズが変更される。像のサイズ変化率は、伝搬方向に対して垂直な少なくとも2つの方向について異なっていてもよく、あるいは、伝搬方向に対して垂直な1つの方向にのみサイズが変化してもよい。
「光学素子を通じた伝播」という表現は、少なくとも1回の内側への反射または光学素子の外側表面の反射を伴う光学素子を通じた伝搬のために用いられる。
本発明のさらなる利点および詳細は、添付図面を用いて説明される。
本発明の第1実施形態を図1〜図3を参照しながら説明する。簡略化された当該図面は、共振器がQスイッチを有する固体レーザーを示している。固体レーザーにおいて、光ポンピングによって反転分布が実現される結晶性またはガラス状(アモルファス)の固体から製造された増幅(=活性)レーザー媒質が用いられる。増幅レーザー媒質1は、例えばNd:YAG、Nd:ガラス、Nd:バナジン酸、Yb:YAG、Ho:YAG、Tm:YAG、Er:YAGまたは共ドープされたその変異体(例えばTm:Ho:YAG)であってもよい。
増幅レーザー媒質1は、レーザーの共振器の一部であり、その構成要素を以下でより詳細に説明する。
ベースプレートと、レーザーの様々な構成要素をベースプレートに取り付けるための連結要素は図示されていない。
レーザー媒質1は、例えば板状に形成されている平面型レーザー(スラブレーザー)である。増幅レーザー媒質1により放射されたレーザー光線は、当該レーザー媒質1を介してジグザグに伝搬する。レーザー媒質1から放射されて共振器を通過するレーザー光線のための入射面2および出射面3は、好ましくはブリュースター角で配置されている。レーザー光線が増幅レーザー媒質1を直線的に通過してもよい。
本実施形態では、レーザー媒質1は上記のようにサイドポンピングされる。レーザー媒質1のポンピング放射光、特にレーザー光線は、入射面2または出射面3だけではなく側面4を通じてレーザー媒質1に侵入しない。当該側面4は入射面2および出射面3のそれぞれに対してある角度で傾斜している。
ポンピング機構8が図1および図2のみに概略的に示されている。ポンピング機構8は、好ましくは、複数のレーザーダイオードにより構成されている光源を備えている。レーザーダイオードスタックを有するポンピング機構が知られている。具体的には、レーザーダイオードスタックは複数のバーを備え、各バーは軸線方向に離間して配置されている複数のレーザーダイオードを有している。レーザーダイオードから放射されたレーザー光線は、光学系を介してレーザー媒質1に伝搬される。
レーザー媒質1は、板状であってもよく棒状であってもよい。
共振器を通過したレーザー光線(その光軸5が図3に示されている。)は、共振器の第1エンドミラー6および第2エンドミラー7の間で往復する。線形共振器は、定在波キャビティにおいて必要とされるように、レーザー光が回転方向に案内されるリング共振器とは異なり、レーザー光が基本的に2つの異なる回転方向に案内されるような定在波共振器である。
レーザー光線の半径またはレーザーモードとして、レーザー光線の強度が1/e2(約13.5%)にまで低減するような光軸(=中心軸)からの距離が採用される。レーザー光線の直径は、レーザー光線の半径の2倍である。
第1エンドミラー6および第2エンドミラー7のそれぞれが堅固に連結されている連結要素15を介して、第1エンドミラー6および第2エンドミラー7は堅固に連結されている。第1エンドミラー6および第2エンドミラー7が直接的に堅固に連結されていてもよい。一体的に構成された部材の一の部分が第1エンドミラー6を構成し、他の部分が第2エンドミラー7を構成してもよい。
第2エンドミラー7は、レーザーから放射されたレーザー光線をでカップリングするためのデカップリングミラーとして構成されている。これに代えて、例えば、第1エンドミラー6がデカップリングミラーとして構成されてもよく、または、他の方法による(具体的には、光路に配置された半透過性要素または偏光板を通じて)デカップリングが実現されてもよい。
レーザー光線の光軸5のうち第1エンドミラー6に連続する第1光路部分5aは、レーザー光線の光軸5のうち第2エンドミラー7に連続する第2光路部分5bに対して平行である。第1エンドミラー6および第2エンドミラー7のそれぞれは、第1反射面6aおよび第2反射面7aのそれぞれが向いているのと同じ側にレーザー光線を反射する。レーザー光線は、第1エンドミラー6において反射された後、第2エンドミラー7において反射された後のレーザー光線と同じ方向に伝搬する。当該方向は、図3においてカーテシアン座標系のz軸として示されている。
レーザー光線の光軸5のうち第1エンドミラー6に連続する第1光路部分5a および第2エンドミラー7に連続する第2光路部分5bは、第1エンドミラー6の第1反射面6aおよび第2エンドミラー7の第2反射面7aのそれぞれとの交点において、第1反射面6aおよび第2反射面7aのそれぞれに対して垂直である。これは、「レーザー要件」と呼ばれる。
第1エンドミラー6および第2エンドミラー7の間において、レーザー光線は複数の光学素子と相互作用する。レーザー媒質1はそれ自体が光学素子の1つを構成している。本実施形態では、レーザー光線は、側面4、9において全反射されて、レーザー媒質1をジグザグ軌道にしたがって伝搬する。レーザー光線は偶数回だけ反射される。レーザー光線がレーザー媒質1を介して反射せずに直接的に伝搬してもよい。
本実施形態では、共振器は、ポロプリズム10(=「シングルポロプリズム」)により折り曲げられている。二等辺直角三角形の反射プリズムの技術にしたがったプリズムに関して、光学的な不作用領域(「端面」)が削除または省略されている。シングルポロプリズム10の相互に90°の角度を持って配置されている横面10a、10bは、光軸5を平面において180°だけ屈折させるようにレーザー光線を内側に全反射する。横面10aおよび10bの両方に連続する底面10c(図示が省略された端面の反対側にあり、プリズムのさらなる横面が図示されている。)を通じて入射および出射が実現される。
光軸5のうち第1エンドミラー6に連続する第1光路部分5aは、光軸5のうち第2エンドミラー7に連続する第2光路部分5bと共通の平面上にある。当該共通の平面は、図3のカーテシアン座標系におけるy−z平面に相当する。
本実施形態では、光軸5のうち第1エンドミラー6に連続する第1光路部分5aは、光軸5のうち第2エンドミラー7に連続する第2光路部分5bが延在する平面において、ポロプリズム10によりレーザー光線が屈折される。
共振器のさらなる光学素子はダブプリズム11を含んでいる。これは、二等辺プリズムであり、光学的な不作用領域(=「端面」)の図示が省略されている。相互に同等に傾斜し、プリズムの左面11cおよび右面11dに連続する前面11aおよび後面11bを通じてレーザー光線が入射または出射する。前面11aおよび後面11bは、プリズムの端面である下面11eおよび上面11fを介して連続している。二等辺プリズムの光学的な不作用領域(=「端面」)が存在する場合、上面11fが省略される。
前面11aおよび後面11bにおける反射防止膜が省略されるように、前面11aおよび後面11bにおけるレーザー光線の入射は、例えばブリュースター角により実現される。前面11aおよび後面11bの角度は例えば約111.2°である。
前面11aおよび後面11bのそれぞれを通じた入射および出射の間に、下面11eにおける全反射が生じる。光軸5のうちダブプリズム11に連続する光路部分は、入射前および出射後に相互に離間している。ポロプリズム10における屈折が生じる平面に対して垂直な平面(本実施形態ではx−z平面)において、ダブプリズム11により光軸が転換される。
Qスイッチを構成するため、本実施形態では公知のように偏光板12、ポッケルスセル13および1/4波長板14が共振器の光路に配置されている。レーザーから放射されたレーザー光線は、これによりパルス化される。
パルスレーザー光線を形成するために他の形態のQスイッチが用いられてもよい。電気光学Qスイッチのほか、音響光学Qスイッチが採用されてもよい。
図1および図2を参照すると、偏光板12、ポッケルスセル13および1/4波長板14は、ダブプリズム11と第2エンドミラー7との間に配置されている。これらは共振器における光路の別の場所、例えば第1エンドミラー6とレーザー媒質との間に配置されてもよい。
第1エンドミラー6から始まる像の伝搬に基づいて共振器の光学特性を見ると、次のような情報が得られる(図3参照)。
図3において、例えばプリズムなどの光学特性を表現する一般的な方法と同様に、像が符号Fにより表わされている。
光軸5に対する像の向きは、レーザー媒質1を通過した後に変化させず、同様にその利き手(左右の正確性ともいえる。)を変化させずに、レーザー媒質1における整数回にわたる反射が起こる。像はレーザー媒質1を通過した後も(鏡映反転することなく)上下および左右が正確に維持される。
ポロプリズム10の通過後、像の伝搬方向について光軸5に対する向きおよび利き手に変化はなく、像は上下および左右が正確である。伝搬方向はポロプリズム10によって180°だけ屈折される。
ダブプリズム11の通過後、像の上下が反転しかつ左右が反転する。ダブプリズム11は、このようにy−z平面において鏡像を生成する。
偏光板12、ポッケルスセル13および1/4波長板14を通過する際に、光軸5に対する像の向きおよび像の利き手は変化しない。これらの光学素子は、簡単のために図3では省略されている。
伝播方向は図3に矢印で示されている。
第2エンドミラー7において反射された際、像の利き手が再び変化する。第2エンドミラー7による反射後に像が再び元の利き手に戻り、かつ、左右が正確である。すなわち、左右が反転されておらず、上下が反転されている。
第2エンドミラー7による反射後の像は、第1エンドミラー6および第2エンドミラー7の間に配置されている光学素子と相互作用する前に、伝搬方向について左右が正確であり、かつ、第1エンドミラー6から始まる伝搬方向について見た像に対して光軸5(=伝播方向)の回りに約180゜だけ回転されている。
光軸5のうち第1エンドミラー6に連続する第1光路部分5aに対する像の向きが、光軸5のうち第2エンドミラー7に連続する第2光路部分5bに対する像の向きに合わせられ、それぞれ伝搬方向になる。光軸5のうち第1光路部分5aおよび第2光路部分5bは平行であり、第1エンドミラー6から始まる伝搬方向および第2エンドミラー7から始まる伝搬方向は同じ方向である。
光軸5の第1光路部分5aと第2光路部分5bとが平行に延在していない場合、すなわち相互に非平行であってある角度をなしている場合でも、本発明の効果の大部分が奏される。第2エンドミラー7から始まるレーザー光線が反射される方向(=第2エンドミラー7から始まる像の伝搬方向)は、第1エンドミラー6から始まるレーザー光線が反射される方向(=第1エンドミラー6から始まる像の伝搬方向)に対して非平行であってある角度をなしている。本明細書の文章では、当該2つの方向が実質的に平行である旨が記述されているので、当該2つの方向がなす角度は30°未満である。
同様に、光軸5または伝搬方向の回りの像の上記回転が正確に180°ではない場合でも本発明の効果の少なくとも大部分が奏される。本明細書の文章では、実質的に180°とは、180°との相違が30°未満である回転角度を意味する。
第1エンドミラー6および第2エンドミラー7の間に配置されている光学素子を伝搬した後の符号Fにより表わされている像の方向は、像が2つの平面と、光軸5の第1光路部分5aおよび第2光路部分5bが存在する平面と、当該平面に対して垂直かつ光軸5の第1光路部分5aおよび第2光路部分5bに対して平行な平面と、において反射されるようなものであると説明される。
符号Fにより表わされている像は「虚像」と記載される。もちろん、これに代えて共振器の光学特性を調査するために説明したように、共振器によって実像を伝播させることも可能である。
実際の符号Fで表わされる像が、特定のレーザー光線の光線プロファイルとして(すなわち光軸5に対して垂直な全ての方向について光軸5の周囲の強度分布として)みなされる。実際の光線プロファイルは、例えば光軸5に対して垂直な全ての方向について均等な理想的な光線プロファイル(例えばガウス分布)とは異なる。これは、符号Fで表わされる像の写像に応じて構成される。レーザー光線の光線プロファイルにおける不規則性は、共振器の結像特性を調べるため、レーザー光線について意図的に変調されてもよい。
前述の回転および左右の正確性を伴う像の伝搬は、第1エンドミラー6および第2エンドミラー7の間に配置されている光学素子ならびに第2エンドミラー7におけるレーザー光線の反射のみによって実現される。このため、集光レンズおよび凹面鏡のうち一方または両方による像反転を伴わない。換言すると、第1エンドミラー6および第2エンドミラー7、ならびに第1エンドミラー6および第2エンドミラー7の間に配置されている光学素子は共振器内に焦点を構成しない。
特に、空気のイオン化、光学部品に対する破壊的な効果および非線形光学効果の誘発の可能性の観点から、比較的高いピークパワーを有するQスイッチ固体レーザーにおいて、共振器内でレーザー光線が少なくとも1つの焦点において収束することは好ましくない。
集束効果を有するすべての既知の集束部品(第1エンドミラー6および第2エンドミラー7ならびにこれらの間に配置されている光学素子を含む。)、さらには収束レンズまたは凹面鏡の焦点距離は、比較的大きく、発散レンズまたは凸面鏡などの発散効果を有する要素の少なくとも一部が補償される。
全ての公知の集束要素の焦点距離は、(折り畳まれた構成と比較して)各方向の共振器のサイズよりも大きいことが好ましい。
符号Fで表わされている像の伝搬は、集束素子または発散要素の影響を受けないように説明された。レーザー媒質1により構成される熱レンズに基づき、実際には像のサイズが変化する。第1エンドミラー6および第2エンドミラー7のうち少なくとも1つが中空ミラーを構成していてもよい。
像のサイズ変化率は、光軸5に対して垂直な異なる方向について異なる。このため、例えば第2エンドミラー7に伝搬されるレーザー光線は楕円形状であってもよい。
第1エンドミラー6および第2エンドミラー7、ならびにこれらの間に介在する光学要素がすべて最適に調整された上で、第1エンドミラー6は、x軸に対して平行な軸線回りにその対称の中心位置から回転され、続いて第1エンドミラー6および第2エンドミラー7が相互に堅固に連結されておらずに第2エンドミラー7が回動されていない状況で、少なくとも一定角度の回転は、第2エンドミラー7においてデカップリングされたレーザー光の強度に対して負の作用をもたらす。本発明に係るレーザーの前記光学的な構成により、第2エンドミラー7がx軸に対して平行な軸線回りに同方向に回転された場合、当該負の作用が少なくとも部分的に補償される。第1エンドミラー6および第2エンドミラーは7が堅固に連結されているため、このような同方向への回転が自動的に実現される。
これは、y軸に対して平行な軸線回りの第1エンドミラー6の回転および第2エンドミラー7の同方向の回転についても同様である。
本発明の構成によれば、Qスイッチ固体レーザーのロバスト性が向上する。例えば、レーザーは、広い温度範囲、例えば、−20℃〜+60℃の温度範囲で機能し、熱膨張係数の相違およびレーザー内部での温度勾配に基づく構成要素の角度変化があったとしても、レーザーヘッドのテンパリング(温度調節)の必要がない。
Qスイッチ固体レーザーは、振動および衝撃に耐性がある。
したがって、本発明により、コンパクトかつロバスト性が高く、輸送および屋外での使用に適当なレーザーが提供される。
レーザー光線が分離(デカップリング)される第2エンドミラー7には、反射面において中央領域が周辺領域よりも高くなるように反射率が変化する、いわゆる傾斜ミラー(=「反射率可変ミラー」)が用いられてもよい。このような傾斜ミラーによって「不安定共振器」が形成され、これにより大きなレーザー光線断面積が実現される。
例えば、第2エンドミラー7において、中心の反射率が0.5〜0.7の範囲にあり、かつ、ガウス次数(中心から径方向への距離の関数としての反射率がどの程度急峻に低下するかを示す。)が6である。第2エンドミラー7の半径パラメータは1.6[mm]であってもよい。
共振器の最長方向のサイズは50[cm]以下であり、より好ましくは20[cm]以下である。
本実施形態における共振器のz方向の長さは15[cm]であり、第1エンドミラー6の焦点距離は+60[cm]であり、第2エンドミラー7の焦点距離は−30[cm]であり、かつ、レーザー媒質1の熱レンズの焦点距離は+100[cm]以上の範囲である。
レーザーから放射されるレーザー光線のパルス期間は100[ps]以上、好ましくは1[ns]以上である。
レーザーから放射されるレーザー光線のパルス長は20[ns]以下であることが好ましい。
レーザーのピークパワー(=パルス中のレーザー光線のパワー)は1[MW]以上であり、5[MW]以上であることが好ましい。
レーザーから放射されたパルスのエネルギーは1[mJ]以上であり、10[mJ]以上であることが好ましく、50[mJ]以上であることがさらに好ましい。
本発明に係るレーザーは小型かつ軽量に構成される。レーザーヘッドのサイズは20[cm]×10[cm]以下であり、12[cm]×6[cm]以下であることが好ましい。レーザーヘッドそれ自体の質量が1[kg]以下にすることができる。
図1〜図3では、レーザー媒質1におけるジグザグ形状の軌跡はx−z平面において延在するように示されている。このジグザグ形状の軌跡は他の平面、すなわちy−z平面においても延在している。
レーザー媒質1のポンピングは、レーザー媒質1においてレーザー光線のジグザグ反射がない側面により実現されてもよい。
本発明の第2の実施形態は、レーザー光の光軸5を示す図4および図5に示されている。第2実施形態のレーザーは、次に説明する相違点を除いて基本的に第1実施形態と同様である。
別個のダブプリズムが省略され、レーザー媒質がダブプリズムの技術にしたがって構成されている。ここでは、レーザー媒質1を伝搬するレーザー光線は、レーザー媒質1の対向する平行な側面4、9において奇数回にわたり反射されてジグザグ軌道を描く。入射面2および出射面3は、光軸5の平行な光路部分に対して垂直であり、レーザー媒質1の両側を画定する逆方向に傾斜した平面である。入射面2および出射面3のそれぞれは、ブリュースター角で配置されている。レーザー媒質1の内部における光軸5のジグザグ形状の軌道は、ポロプリズム10における反射が実現される平面に対して垂直であり、本実施形態ではx−z平面に対して平行である。
基本的に所望の結像特性を達成するために側面4,9におけるレーザー光線の単一反射が実現される。これとは逆に、第1実施形態に示されているダブプリズムは、第2実施形態に示されているレーザー媒質1の形態に対応して構成されている長いプリズムに置換されてもよい。
本発明の第3実施形態が図6に示されている。以下に説明する相違点を除く構成は基本的に第1実施形態に対応している。
第1エンドミラー6から出発して、第1エンドミラー6および第2エンドミラー7の間に配置されている光学素子を通じて伝播されて第2エンドミラー7において反射される像の向きおよび利き手に影響を与える光学素子として、ここでは同じ側に直角三角形状の反射プリズム16およびアミチプリズム17が用いられている。反射プリズム16において相互に垂直に配置されている横面16b、16cに対して接続されている底面16aで反射が行われる。反射により、符号Fが付されている像の利き手が変更される。すなわち、像は反射後に反射プリズム16において反転される。アミチプリズム17により、反転像は光軸5の回りに(アミチプリズムの前後の各伝搬方向について)180°だけ回転されて上下が逆転する。
反射プリズム16およびアミチプリズム17の協働により、光軸5は平面(本実施形態ではy−z平面)において180°だけ反転される。
第2エンドミラー7における反射により、像の利き手が再び反転される。像は、第1エンドミラー6および第2エンドミラー7の間に配置されている光学素子の伝搬および第2エンドミラー7における反射によって光軸5の回りに約180°だけ回転され、これにより各伝搬方向について利き手が変化せずに維持される。
本実施形態でQスイッチを構成する偏光板、ポッケルスセルおよび1/4波長板は、光軸5に関して像の向きおよび利き手に影響を与えない(図6では感嘆のため図示が省略されている。)。
第3実施形態において反射プリズム16に代えてミラーが設けられてもよい。
本発明のさらなるさまざまな実施形態が可能である。例えば、共振器が1より大きい任意の奇数個の屈折要素を備えてもよい。付加的な屈折要素は、付加的なポロプリズムなどによって実現されてもよい。2つの付加的な屈折要素について、2つの簡易な屈折ミラーが設けられてもよい。2回の反射によって元の利き手が復元される。また、任意の偶数個の屈折要素が設けられてもよく、例えば少なくとも1つのアミチプリズムが用いられる。
1‥レーザー媒質、2‥入射面、3‥出射面、4‥側面、5‥光軸、5a‥第1光路部分、5b‥第2光路部分、6‥第1エンドミラー、6a‥反射面、7‥第2エンドミラー、7a‥反射面、8‥ポンピング機構、9‥側面、10‥ポロプリズム、10a‥横面、10b‥横面、10c‥下面、11‥ダブプリズム、11a‥前面、11b‥後面、11c‥右面、11d‥左面、11e‥下面、11f‥上面、12‥偏光板、13‥ポッケルスセル、14‥1/4波長板、15‥連結要素、16‥反射プリズム、16a‥底面、16b‥横面、16c‥横面、17‥アミチプリズム。
Claims (14)
- 1MW以上のピークパワーを有するQスイッチ固体レーザーであって、
光軸(5)を有するレーザー光線が伝搬し、かつ、第1エンドミラー(6)および第2エンドミラー(7)ならびに前記第1エンドミラー(6)および前記第2エンドミラー(7)の間で前記レーザー光線と相互作用する光学素子を有する共振器を備え、前記光学素子はポンピングされるレーザー媒質(1)を備え、
前記レーザー光線が、前記第2エンドミラー(7)によって反射される方向に対して実質的に平行なまたは同一の方向に前記第1エンドミラー(6)によって反射され、
前記光学素子を介して伝搬し、かつ、前記第2エンドミラー(7)により反射された後の像(F)が、当該伝搬方向について前記光軸(5)を基準とする元の姿勢から前記光軸(5)の回りに180°回転され、かつ、左右非反転されるように前記光学素子が構成され、
前記像(F)の当該回転および左右非反転が、前記光学素子および前記第2エンドミラー(7)における前記レーザー光線の反射によってのみ実現され、かつ、前記第1エンドミラー(6)および前記第2エンドミラー(7)が相互に堅固に接続されていることを特徴とするQスイッチ固体レーザー。 - 請求項1記載のQスイッチ固体レーザーにおいて、さらに、少なくとも伝搬方向に対して垂直に延在する軸線を基準として、像(F)のサイズ変更が実現されることを特徴とするQスイッチ固体レーザー。
- 請求項1または2記載のQスイッチ固体レーザーにおいて、前記光学素子が、前記レーザー光線の光軸(5)を平面において180°だけ屈折させるポロプリズム(10)を備えていることを特徴とするQスイッチ固体レーザー。
- 請求項3記載のQスイッチ固体レーザーにおいて、前記光学素子が、ポロプリズム(10)からの像(F)が180°だけ屈折される平面に対して平行な平面において像(F)の反射を引き起こすプリズム(1)を備えていることを特徴とするQスイッチ固体レーザー。
- 請求項4記載のQスイッチ固体レーザーにおいて、前記平面において前記像(F)を反射する前記プリズムが、前記レーザー媒質(1)それ自体によって構成されていることを特徴とするQスイッチ固体レーザー。
- 請求項1または2記載のQスイッチ固体レーザーにおいて、前記光学素子がアミチプリズム(17)を備えていることを特徴とするQスイッチ固体レーザー。
- 請求項6記載のQスイッチ固体レーザーにおいて、前記光学素子は、反射プリズム(16)またはミラーを備え、前記アミチプリズム(17)が、前記反射プリズム(16)または前記ミラーと連携して前記レーザー光線の光軸(5)を平面において180°だけ屈折させるように機能することを特徴とするQスイッチ固体レーザー。
- 請求項1〜7のうちいずれか1つに記載のQスイッチ固体レーザーにおいて、前記共振器が不安定共振器として構成されていることを特徴とするQスイッチ固体レーザー。
- 請求項1〜8のうちいずれか1つに記載のQスイッチ固体レーザーにおいて、前記第1エンドミラー(6)および前記第2エンドミラー(7)が、出力ミラーとして構成されていることを特徴とするQスイッチ固体レーザー。
- 請求項9記載のQスイッチ固体レーザーにおいて、前記出力ミラーが傾斜ミラーとして構成されていることを特徴とするQスイッチ固体レーザー。
- 請求項1〜10のうちいずれか1つに記載のQスイッチ固体レーザーにおいて、前記レーザーがスラブレーザーとして構成されていることを特徴とするQスイッチ固体レーザー。
- 請求項1〜11のうちいずれか1つに記載のQスイッチ固体レーザーにおいて、前記レーザー媒質(1)がサイドポンピングされることを特徴とするQスイッチ固体レーザー。
- 請求項1〜12のうちいずれか1つに記載のQスイッチ固体レーザーにおいて、電気光学的なQスイッチを備えていることを特徴とするQスイッチ固体レーザー。
- 請求項1〜13のうちいずれか1つに記載のQスイッチ固体レーザーにおいて、前記共振器の最長方向についてのサイズが50[cm]以下または20[cm]以下であることを特徴とするQスイッチ固体レーザー。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
ATA638/2013 | 2013-08-12 | ||
ATA638/2013A AT515530B1 (de) | 2013-08-12 | 2013-08-12 | Gütegeschalteter Festkörperlaser |
PCT/AT2014/000146 WO2015021488A1 (de) | 2013-08-12 | 2014-07-22 | Gütegeschalteter festkörperlaser |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016525803A true JP2016525803A (ja) | 2016-08-25 |
Family
ID=51454499
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016532161A Pending JP2016525803A (ja) | 2013-08-12 | 2014-07-22 | Qスイッチ固体レーザー |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP3033811B1 (ja) |
JP (1) | JP2016525803A (ja) |
AT (1) | AT515530B1 (ja) |
WO (1) | WO2015021488A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105390917A (zh) * | 2015-12-08 | 2016-03-09 | 南京先进激光技术研究院 | 紧凑稳定的高峰值功率光纤输出激光器 |
DE102016101108A1 (de) * | 2016-01-22 | 2017-07-27 | Fabio Ferrario | Pulslasersystem und Verfahren zum Betrieb eines Pulslasersystems |
AT521943A1 (de) | 2018-12-14 | 2020-06-15 | Dr Daniel Kopf | Gütegeschalteter Festkörperlaser |
AT521942B1 (de) | 2018-12-14 | 2022-09-15 | Daniel Kopf Dr | Gütegeschalteter Festkörperlaser |
AT522108B1 (de) | 2019-01-31 | 2022-09-15 | Montfort Laser Gmbh | Passiv gütegeschalteter Festkörperlaser |
CN110289542B (zh) * | 2019-07-04 | 2020-08-04 | 南京信息工程大学 | 一种基于角锥环形腔的2μm高重频注入锁频激光器 |
CN116526276A (zh) * | 2023-07-03 | 2023-08-01 | 北京中星时代科技有限公司 | 一种激光器 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2306550A1 (fr) * | 1975-04-03 | 1976-10-29 | Cilas | Generateur laser |
US4504956A (en) * | 1982-09-29 | 1985-03-12 | Laser Manufacturing Technologies, Inc. | Laser resonator cavity |
JP3621623B2 (ja) * | 2000-03-27 | 2005-02-16 | 三菱電機株式会社 | レーザ共振器 |
US7548575B1 (en) * | 2006-05-24 | 2009-06-16 | Lockheed Martin Corporation | Self-seeding and phase-locking of an array of lasers |
EP2184818A1 (de) * | 2008-11-10 | 2010-05-12 | High Q Technologies GmbH | Laserpumpanordnung und Laserpumpverfahren mit Strahlhomogenisierung |
EP2284965A1 (de) * | 2009-08-04 | 2011-02-16 | High Q Technologies GmbH | Laserresonator mit verkippungs-unempfindlichen Spiegeln |
AT510116B1 (de) | 2010-06-22 | 2012-06-15 | High Q Laser Gmbh | Laser |
-
2013
- 2013-08-12 AT ATA638/2013A patent/AT515530B1/de not_active IP Right Cessation
-
2014
- 2014-07-22 WO PCT/AT2014/000146 patent/WO2015021488A1/de active Application Filing
- 2014-07-22 EP EP14758275.3A patent/EP3033811B1/de active Active
- 2014-07-22 JP JP2016532161A patent/JP2016525803A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AT515530B1 (de) | 2015-10-15 |
EP3033811A1 (de) | 2016-06-22 |
AT515530A4 (de) | 2015-10-15 |
EP3033811B1 (de) | 2019-07-03 |
WO2015021488A1 (de) | 2015-02-19 |
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