JP2016518619A - 光照射分布を変化させるマイクロリソグラフィ装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本明細書では、Vが体積であり、Nが与えられた時点で体積V中に含まれるオゾン分子の個数である場合に、比N/Vを表す上で用語「オゾン分子の数密度」を使用する。
図1は、本発明によるマイクロリソグラフィ投影露光装置10の略斜視図である。装置10は、193nmの中心波長を有する投影光を生成する光源LSを収容する照明系12を含む。投影光は、微細特徴部19のパターン18を含むマスク16上の視野14を照明する。この実施形態において、照明視野14は、矩形形状を有する。しかし、他の形状の照明視野14、例えば、リングセグメント、及び同じく他の中心波長、例えば、157nm又は248nmも同様に考えられている。
図3は、正確な縮尺のものではない透過フィルタ42の略斜視図である。透過フィルタ42は、ガス供給ユニット56と吸引ユニット57とを含む第1のフィルタユニット54を含む。これらのユニット内に含まれる構成要素に対しては、図4を参照して後により詳細に説明する。ユニット56、57は、装置10の作動中に投影光PLが通って伝播する実質的に空の空間55によって離間している。
簡略化の目的で、以下では、第1及び第2のフィルタユニット54、154内の空洞70、170にパージガスのみが流入し、オゾンは全く流入しないと仮定する。従って、透過フィルタ42の透過率は、オゾン制御弁78、178によって制御される他の2つの空洞68及び168内のオゾン分子の数密度によってのみ決定される。
図9は、透過フィルタの第2の実施形態を通る図4と類似の断面図である。この実施形態において、透過フィルタ42は、1つだけの空洞68及び単一列のガス出口開口44を有する。
以下では、アポディゼーション目的で透過フィルタ42を如何に使用することができるかを説明する。
図10は、対物系22内の投影光路における光照射分布を変化させる方法の重要な態様を要約する流れ図である。
44 ガス出口開口
145 ガス入口開口
178 制御弁
PL 投影光
Claims (15)
- 投影光路における光照射分布を可変的に修正するように構成された透過フィルタ(42)を含む対物系(20)を含むマイクロリソグラフィ装置(10)であって、
前記透過フィルタ(42)は、
a)マイクロリソグラフィ装置(10)の作動中に投影光(PL)が通って伝播する空間(55)を通過するガス流れ(72,172)を放出するように構成された複数のガス出口開口(44,144)、及び
a)前記ガス流れ(72,172)内のオゾン分子の数密度を各ガス流れに対して個々に変化させるように構成された制御ユニット(48)、
を含む、
ことを特徴とするマイクロリソグラフィ装置(10)。 - 前記透過フィルタ(42)は、少なくとも実質的に前記対物系(20)の瞳平面(36)に配置されることを特徴とする請求項1に記載のマイクロリソグラフィ装置。
- 出口開口(44)の群が、前記対物系(20)の光軸(OA)に沿って離間した平行平面に配置されることを特徴とする請求項1から請求項2のいずれか1項に記載のマイクロリソグラフィ装置。
- 前記ガス流れ(72,172)は、各平面に関して異なる方向に沿って延びることを特徴とする請求項3に記載のマイクロリソグラフィ装置。
- 前記透過フィルタ(42)は、2つの隣接するガス流れ(72,172)を分離するように前記空間(55)に配置された少なくとも1つの透明光学要素(58,60,62,158,160)を含むことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のマイクロリソグラフィ装置。
- 前記少なくとも1つの透明光学要素(58,60,62,158,160)は、平行平坦面を有する板であることを特徴とする請求項5に記載のマイクロリソグラフィ装置。
- 前記制御ユニット(48)は、前記ガス出口開口(44,144)に接続されてオゾン分子の可変数密度を有する前記ガス流れ(72,172)を生成するように構成されたガス供給ユニット(56,156)を含むことを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載のマイクロリソグラフィ装置。
- 前記ガス流れ(72,172)は、パージガスを含むことを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載のマイクロリソグラフィ装置。
- 前記制御ユニット(48)は、オゾン分子の数密度が変化した場合に各ガス流れに対して全体圧力が0.5を上回って変化しないように、パージガス原子又は分子の数密度を各ガス流れに対して個々に変化させるように構成されることを特徴とする請求項8に記載のマイクロリソグラフィ装置。
- 前記ガス供給ユニット(56,156)は、
a)パージガス容器(174)、
b)前記パージガス容器に一端で接続され、かつ前記ガス出口開口(44,144)のうちの1つでの反対端で終端するチャネル(173)、
c)オゾン容器(176)、及び
d)前記チャネル(173)が入って終端する前記ガス出口開口(44,144)から流出する前記ガス流れ(72,172)内のオゾン分子の前記数密度を変化させるように、該チャネル(173)を通って案内される前記パージガス(174)の中に前記オゾン容器(176)から取られた該オゾン分子の可変個数を単位時間毎に給送するように構成された制御弁(178)、
を含む、
ことを特徴とする請求項8又は請求項9のいずれか1項に記載のマイクロリソグラフィ装置。 - 前記ガス供給ユニット(56,156)は、
a)分子酸素を含むガスを収容するガス容器(75)、
b)前記ガス容器(75)に一端で接続され、かつ前記ガス出口開口(44,144)のうちの1つでの反対端で終端するチャネル(173)と、及び
c)240nmよりも短い中心波長を有する反応光を生成するように構成された光源(114)であって、該反応光が、前記ガスに含まれる前記分子酸素の少なくとも一部分が原子酸素に解離し、これが次に分子酸素と再結合してオゾンを形成するように前記チャネル(173)内を案内される該ガス上に向けられ、該ガス上に向けられた該反応光の照射を変化させることによって前記ガス流れ(72)内のオゾン分子の前記数密度を変化させることができる前記光源(114)、
を含む、
ことを特徴とする請求項8又は請求項9のいずれか1項に記載のマイクロリソグラフィ装置。 - 前記対物系(20)の像平面(30)における角度光分布を測定するように構成された測定系(120)を含み、
前記測定系(120)は、前記投影光路における前記光照射分布が、該測定系(120)によって生成された測定信号に応答して可変であるように、前記透過フィルタ(42)の前記制御ユニット(48)に接続される、
ことを特徴とする請求項1から請求項11のいずれか1項に記載のマイクロリソグラフィ装置。 - 対物系(20)内の投影光路における光照射分布を変化させる方法であって、
a)マイクロリソグラフィ装置(10)の作動中に投影光(PL)が通って伝播する空間(55)を通して複数のガス流れ(72,172)を案内する段階、及び
b)前記ガス流れ(72,172)内のオゾン分子の数密度を各ガス流れに対して個々に変化させる段階、
を含み、
前記対物系(20)は、前記マイクロリソグラフィ装置(10)に収容される、
ことを特徴とする方法。 - 前記対物系(20)の像平面(30)における角度光分布を測定する更に別の段階と、
前記ガス流れ(72,172)内の前記オゾン分子の数密度を変化させることにより、ターゲット角度光分布からの前記測定角度光分布のずれが低減されるように前記投影光路における前記光照射分布を変化させる更に別の段階と、
を含むことを特徴とする請求項13に記載の方法。 - 分子酸素を含むガスを240nmよりも短い中心波長を有する反応光で照射することによって前記オゾン分子を生成する段階を含むことを特徴とする請求項13又は請求項14に記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/EP2013/000952 WO2014154229A1 (en) | 2013-03-28 | 2013-03-28 | Microlithographic apparatus and method of varying a light irradiance distribution |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016518619A true JP2016518619A (ja) | 2016-06-23 |
JP2016518619A5 JP2016518619A5 (ja) | 2018-02-22 |
JP6339658B2 JP6339658B2 (ja) | 2018-06-06 |
Family
ID=48142719
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016504497A Active JP6339658B2 (ja) | 2013-03-28 | 2013-03-28 | 可変透過フィルタを有する対物系を含むマイクロリソグラフィ装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9720336B2 (ja) |
JP (1) | JP6339658B2 (ja) |
WO (1) | WO2014154229A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
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- 2013-03-28 JP JP2016504497A patent/JP6339658B2/ja active Active
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US20160004174A1 (en) | 2016-01-07 |
JP6339658B2 (ja) | 2018-06-06 |
US9720336B2 (en) | 2017-08-01 |
WO2014154229A1 (en) | 2014-10-02 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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