JP2016225801A - Waveguide microstrip line converter - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、製造ばらつきを補償可能な構造を備えた導波管マイクロストリップ線路変換器に関する。 The present invention relates to a waveguide microstrip line converter having a structure capable of compensating for manufacturing variations.
従来の導波管マイクロストリップ線路変換器は、導波管側面に設けた窓から誘電体基板を導波管短絡面から管内波長の約1/4となる距離に挿入して構成されている。従来の導波管マイクロストリップ線路変換器では、誘電体基板上のプローブ導体のパターン形状あるいは窓からのプローブ導体の突出し量を調整し、導波管とマイクロストリップ線路のインピーダンスを整合させることで損失を抑え、マイクロ波信号の伝送を行う。その際、導波管に設けられた窓からの空間放射抑制、製造組立ばらつきに対する誘電体基板の取付け精度向上が重要な課題である。 A conventional waveguide microstrip line converter is configured by inserting a dielectric substrate through a window provided on the side surface of the waveguide at a distance that is approximately ¼ of the in-tube wavelength from the waveguide short-circuit surface. In the conventional waveguide microstrip line converter, the loss is obtained by adjusting the pattern shape of the probe conductor on the dielectric substrate or the protruding amount of the probe conductor from the window to match the impedance of the waveguide and the microstrip line. Suppresses the transmission of microwave signals. At that time, it is important to suppress the spatial radiation from the window provided in the waveguide and to improve the mounting accuracy of the dielectric substrate with respect to manufacturing and assembly variations.
そこで、例えば特許文献1の導波管マイクロストリップ線路変換器では、導波管の短絡面から1/4波長離れた距離に設けられた窓に誘電体基板を挿入する。筐体には溝が設けられており、溝に誘電体基板をはめ込んでいる。また、誘電体基板上にはマイクロストリップ線路とマイクロ波信号励振用のプローブ導体とが設けられており、誘電体基板の挿入量を変化させることで導波管とマイクロストリップ線路のインピーダンス整合が可能となる。上記構造は、簡易的な構造であり、マイクロストリップ線路とプローブ導体は誘電体基板の長手方向に形成されているため誘電体基板の幅は狭くなり、窓も小型になる。従って、マイクロ波信号の空間放射が低減できることで反射特性に対する影響を低減できるだけでなく、通過損失を低減できることでマイクロ波信号を効率よく伝送でき、更に、空間共振による発振のリスクも低減できる。しかし、誘電体基板の突き出し量とプローブ導体のみで導波管とマイクロストリップ線路を整合させるため、周波数変化に伴って変化するインピーダンスの軌跡は、低周波から高周波にかけて一方向となり反射特性が狭帯域となる。つまり、製造組立ばらつきによって誘電体基板の挿入量あるいは短絡面からの距離が微小に変化しただけで反射特性の劣化に繋がり、マイクロ波信号の損失が大きくなるという問題があった。周波数が高くなるにつれて問題は更に顕著となる。 Therefore, for example, in the waveguide microstrip line converter disclosed in Patent Document 1, a dielectric substrate is inserted into a window provided at a distance of ¼ wavelength from the short-circuit surface of the waveguide. A groove is provided in the housing, and a dielectric substrate is fitted in the groove. In addition, a microstrip line and a probe conductor for microwave signal excitation are provided on the dielectric substrate, and impedance matching between the waveguide and the microstrip line is possible by changing the amount of insertion of the dielectric substrate. It becomes. The above structure is a simple structure. Since the microstrip line and the probe conductor are formed in the longitudinal direction of the dielectric substrate, the width of the dielectric substrate is reduced and the window is also reduced in size. Therefore, not only can the spatial radiation of the microwave signal be reduced, but also the influence on the reflection characteristics can be reduced, and the microwave signal can be transmitted efficiently by reducing the passage loss, and further, the risk of oscillation due to spatial resonance can be reduced. However, since the waveguide and the microstrip line are matched only by the protruding amount of the dielectric substrate and the probe conductor, the impedance locus that changes with the frequency change is unidirectional from low frequency to high frequency, and the reflection characteristics are narrow band It becomes. That is, there has been a problem that the loss of the microwave signal is increased because the amount of insertion of the dielectric substrate or the distance from the short-circuit plane is changed minutely due to manufacturing and assembly variations, leading to deterioration of reflection characteristics. The problem becomes more pronounced as the frequency increases.
そこで、反射特性を広帯域化することで製造組立ばらつきに強い導波管マイクロストリップ線路変換器とした構造も提案されている。導波管マイクロストリップ線路変換器の導波管の開口部からマイクロ波信号が入力された場合を考える。マイクロ波信号は導波管の短絡面から1/4波長程度離れた距離に設けられた窓に挿入された誘電体基板上のプローブ導体によって励振される。導波管と誘電体基板上のマイクロストリップ線路のインピーダンスは、挿入量と略十字のプローブ導体を調整することで整合を取っていた。プローブ導体によってインピーダンスの軌跡は中心付近で一回転するため周波数共振点を作り出すことができ、反射特性の広帯域化を可能とした。これにより、製造組立ばらつきに強い構造となった。 In view of this, a structure has been proposed in which a waveguide microstrip line converter that is resistant to manufacturing and assembly variations by widening the reflection characteristics is provided. Consider a case where a microwave signal is input from an opening of a waveguide of a waveguide microstrip line converter. The microwave signal is excited by a probe conductor on a dielectric substrate inserted in a window provided at a distance of about ¼ wavelength from the short-circuit surface of the waveguide. The impedance between the waveguide and the microstrip line on the dielectric substrate is matched by adjusting the amount of insertion and the probe conductor of a substantially cross shape. The probe conductor rotates the impedance locus once around the center, so that a frequency resonance point can be created and the reflection characteristics can be broadened. Thereby, it became a structure strong against manufacturing assembly variation.
しかしながら、略十字のプローブ導体は誘電体基板の長手方向と垂直方向にしか延長できないため、窓が大型化する。窓の大型化に伴い導波管内のマイクロ波信号は空間に放射してしまい、反射特性に影響を与えるだけでなく、マイクロ波信号損失が増加することがある。また、空間共振による発振のリスクも増加した。また、広帯域化可能とはいえ誘電体基板は一般的に導電性接着剤あるいははんだ付けで筐体に貼着させるため、貼着状態あるいは製造ばらつきにより、目的とする特性を得ることができず、マイクロストリップ配線基板の交換が必要となる場合がある。さらには、試験、測定などの調整工程でパターン損傷を生じることがあり、誘電体基板の交換が必要になる場合もある。誘電体基板の交換が必要となった場合、誘電体基板を剥離する工程、剥離後の筐体を洗浄する工程など、煩雑な付加工程が必要となり、大きな工程戻りを生じてしまうという問題もあった。 However, since the substantially cross-shaped probe conductor can be extended only in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the dielectric substrate, the window is enlarged. As the window becomes larger, the microwave signal in the waveguide is radiated into the space, which not only affects the reflection characteristics but also increases the microwave signal loss. The risk of oscillation due to spatial resonance has also increased. In addition, although it is possible to broaden the bandwidth, the dielectric substrate is generally attached to the housing with a conductive adhesive or soldering, so the desired characteristics cannot be obtained due to the attachment state or manufacturing variation, It may be necessary to replace the microstrip wiring board. Furthermore, pattern damage may occur in adjustment processes such as testing and measurement, and the dielectric substrate may need to be replaced. When it is necessary to replace the dielectric substrate, complicated additional steps such as a step of peeling the dielectric substrate and a step of cleaning the casing after peeling are required, resulting in a large process return. It was.
以上のことから、製造ばらつきに対する許容範囲が大きく、製造ばらつきに対する補償が容易で、広帯域化が可能で且つ、反射特性が良好な導波管マイクロストリップ線路変換器が求められてきた。 In view of the above, there has been a demand for a waveguide microstrip line converter that has a large allowable range for manufacturing variations, can easily compensate for manufacturing variations, can be widened, and has good reflection characteristics.
本発明は、上記に鑑みてなされたもので、製造ばらつきに依存することなく広帯域化が可能で且つ、変換損失の小さい導波管マイクロストリップ線路変換器を得ることを目的とする。 The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to obtain a waveguide microstrip line converter that can be broadened without depending on manufacturing variations and has a small conversion loss.
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の導波管マイクロストリップ線路変換器は、一端に短絡面を有するとともに短絡面に直交する側面に窓を有し、他端に開口を備えた導波管と、導波管の窓から一端が挿入され、短絡面に直交する主面上にマイクロストリップ線路を備えた誘電体基板からなるマイクロストリップ配線基板と、を備える。マイクロストリップ線路は、導波管内で、マイクロストリップ線路よりも幅の狭いストリップ導体を介して、プローブ導体に接続される。誘電体基板は、導波管内の長さおよび位置を調整可能な支持体上に載置されており、プローブ導体上で、導波管内を伝搬する電磁波とマイクロストリップ線路上を伝送される電気信号とを相互変換する。 In order to solve the above-described problems and achieve the object, the waveguide microstrip line converter of the present invention has a short-circuited surface at one end and a window on a side surface orthogonal to the short-circuited surface, and an opening at the other end. And a microstrip wiring substrate made of a dielectric substrate having a microstrip line on the main surface orthogonal to the short-circuited surface, one end of which is inserted from the waveguide window. The microstrip line is connected to the probe conductor via a strip conductor narrower than the microstrip line in the waveguide. The dielectric substrate is placed on a support whose length and position in the waveguide can be adjusted, and an electromagnetic wave propagating in the waveguide and an electric signal transmitted on the microstrip line on the probe conductor. And interconvert.
この構成によれば、製造ばらつきに依存することなく、広帯域化が可能で且つ、変換損失の小さい導波管マイクロストリップ線路変換器を得ることができるという効果を奏する。 According to this configuration, there is an effect that it is possible to obtain a waveguide microstrip line converter capable of widening the band and having a small conversion loss without depending on manufacturing variations.
以下に、本発明の実施の形態にかかる導波管マイクロストリップ線路変換器を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、以下に示す図面においては、理解の容易のため各層あるいは各部材の縮尺が現実と異なる場合があり、各図面間においても同様である。また、断面図であっても、図面を見易くするためにハッチングを付さない場合がある。 Hereinafter, a waveguide microstrip line converter according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, this invention is not limited by this embodiment, In the range which does not deviate from the summary, it can change suitably. In the drawings shown below, the scale of each layer or each member may be different from the actual for easy understanding, and the same applies to the drawings. Further, even a cross-sectional view may not be hatched for easy viewing of the drawing.
実施の形態1.
実施の形態1に係る導波管マイクロストリップ線路変換器について、図面を参照しながら詳細に説明する。図1は、実施の形態1に係る導波管マイクロストリップ線路変換器を示す斜視図、図2および図3は、同要部拡大断面図、図4は、同要部拡大斜視図である。図5は、実施の形態1に係る導波管マイクロストリップ線路変換器のマイクロストリップ配線基板の上面図であり、図6は、図5のA−A断面図である。図7は、同実施の形態1に係る導波管マイクロストリップ線路変換器の方形導波管の窓を臨む断面図、図8は、実施の形態1に係る導波管マイクロストリップ線路変換器のマイクロストリップ配線基板を搭載するキャリアを示す斜視図である。図2は図1のX−Y面に沿った面で導波管および筐体を切断した断面図である。図3は、図1の開口14側すなわちX−Z面に沿った面で導波管および筐体を切断した断面図である。図7は、図1の窓を含むY−Z面に沿った面で導波管を切断した断面図である。
Embodiment 1 FIG.
The waveguide microstrip line converter according to the first embodiment will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view showing a waveguide microstrip line converter according to Embodiment 1, FIG. 2 and FIG. 3 are enlarged sectional views of the principal part, and FIG. 4 is an enlarged perspective view of the principal part. FIG. 5 is a top view of the microstrip wiring board of the waveguide microstrip line converter according to Embodiment 1, and FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 7 is a cross-sectional view of the waveguide microstrip line converter according to the first embodiment, which faces the rectangular waveguide window, and FIG. 8 is a diagram of the waveguide microstrip line converter according to the first embodiment. It is a perspective view which shows the carrier which mounts a microstrip wiring board. FIG. 2 is a cross-sectional view of the waveguide and the housing cut along a plane along the XY plane of FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view of the waveguide and the housing cut along the
実施の形態1に係る導波管マイクロストリップ線路変換器100は、導波管として方形導波管10の導波管本体11の一端である短絡面12から管内波長の約1/4の距離L1にプローブ導体22Pの中心Oが位置するマイクロストリップ配線基板20を備える。導波管本体11は、断面長方形の伝送管を構成する。方形導波管10は、短絡面12に直交する側面11Sに窓13を有し、他端に開口14を備える。マイクロストリップ配線基板20上に配線22が形成されている。配線22を構成するマイクロストリップ線路22MCは、方形導波管10内で、マイクロストリップ線路22MCよりも幅の狭いストリップ導体22Cを介して、プローブ導体22Pに接続される。誘電体基板21は、方形導波管10内の長さおよび位置を調整可能な支持体としての導電性のキャリア30上に載置されている。誘電体基板21は、キャリア30上で位置を調整し、インピーダンス整合をとった状態で固定されている。導波管マイクロストリップ線路変換器100は、マイクロストリップ配線基板20のプローブ導体22P上で、方形導波管10内を伝搬する電磁波とマイクロストリップ線路22MC上を伝送される電気信号とを相互変換する。
The waveguide
方形導波管10は、短絡面12に直交する側面11Sに窓13を有し、他端に開口14を備える。また、導波管本体11は、開口14に接続先の導波管に接続するための導波管接続用フランジ15を有する。さらに、導波管本体11は、窓13に、筐体40に接続するための筐体接続用フランジ16を有する。導波管マイクロストリップ線路変換器100は、マイクロストリップ配線基板20のプローブ導体22P上で、方形導波管10内を伝搬する電磁波とマイクロストリップ線路22MC上を伝送される電気信号とを相互変換する。
The
マイクロストリップ配線基板20は、図3および図4に示すように、導電性のキャリア30上に搭載されており、貫通穴32からネジ33によって筐体40の筐体本体41の壁面に設けられた取付け穴43にネジ止めによって固定されている。キャリア30は、金属板からなるキャリア本体31と、キャリア本体31の中央の両サイドに1対の貫通穴32を有するとともに、貫通穴32の両側に等間隔でそれぞれ1対の位置決め穴34を有し、ネジ33と位置出しピン35とで、筐体40の筐体本体41に固定できるようになっている。キャリア本体31の中央に設けられた貫通穴32は十字状の長穴であり、ネジ33を十字状の長穴である貫通穴32内でXY方向に固定位置を変えることができる。またZ方向つまり筐体本体41の壁面までの距離はネジ33の締め付け状態によって深さ微調整の範囲内ではあるがZ方向の位置を変えることができる。キャリア本体31に金シムなどの薄いシートを何枚も重ねれば厚みを出すことが出来、Z方向の調整は可能である。キャリア本体31にマイクロストリップ配線基板20が導電性接着剤で貼着される。その結果、マイクロストリップ配線基板20上のプローブ導体22Pの中心位置および方向を調整することができ、方形導波管10、筐体40、あるいはマイクロストリップ配線基板20の製造ばらつきによるインピーダンス整合のずれを補償することができる。なお、キャリア本体31とマイクロストリップ配線基板20との間の接続は導電性接着剤でもよいがはんだによる接続も可能である。
As shown in FIGS. 3 and 4, the
マイクロストリップ配線基板20の裏面である第2主面20Bは、図3に示すように、導電性を有するキャリア30に搭載されており、金属製の筐体40の筐体本体41の壁に密着して固定される。そしてマイクロストリップ配線基板20の第1主面20Aに設けられたプローブ導体22Pが、最適位置となるように、キャリア30に設けられたネジ33と位置出しピン35とによって、X、YおよびZ方向の位置を調整できる。
As shown in FIG. 3, the second
マイクロストリップ配線基板20は、図5および図6に示すように、誘電体基板21と、誘電体基板の第1主面21に形成されたマイクロストリップ線路22MCと、ストリップ導体22Cと、正方形のプローブ導体22Pとが、連続して一直線上に配置されている。誘電体基板21上のプローブ導体22Pは、方形導波管10内で、マイクロストリップ線路22MCよりも幅の狭いストリップ導体22Cを介して、マイクロストリップ線路22MCに接続される。誘電体基板21においては、プローブ導体22Pに対向する領域を除いて、ストリップ導体22C、マイクロストリップ線路22MCの形成領域に対向する第2主面21Bにはべたのグランド導体層22Gが形成されている。マイクロストリップ配線基板20は、プローブ導体22P上で、方形導波管10内を伝搬する電磁波の電界を結合し、マイクロストリップ線路22MC上を伝送される電気信号との間で、電磁波−電気信号の相互変換を行う。なお実施の形態1では、プローブ導体は正方形で構成したが、正方形に限定されることなく四角形であればよい。
5 and 6, the
マイクロストリップ配線基板20は、図7に示すように、方形導波管10の側壁に設けられた窓13から、導波管内部に挿入され、キャリア30のネジ33の調整によって、その突出し量を調整しつつインピーダンス整合がなされる。プローブ導体22Pの基準位置は、短絡面12から管内波長の1/4波長程度である距離L1離れた位置である。すなわち、短絡面12からプローブ導体22Pの中心線までの距離L1が1/4λであり、突出し量L2およびプローブ導体22Pの傾きまでネジ33を調整することで、調整を行う。
As shown in FIG. 7, the
また、方形導波管10は開口14に設けられた導波管接続用フランジ15を介して接続先導波管10Sにネジ15Nで固定される。また方形導波管10は窓13で筐体接続用フランジ16を介して筐体40の筐体本体41に設けられた接続用フランジ42とネジ16Nで固定される。
Further, the
誘電体基板21の第1主面21A上には、マイクロストリップ線路22MCと、ストリップ導体22Cと、プローブ導体22Pとが形成されており、裏面である第2主面21Bには全面にグランド導体層22Gが形成されているが、プローブ導体22Pの裏面側にはグランド導体層22Gは形成されていない。プローブ導体22Pとマイクロストリップ線路22MCとの間に幅の狭いストリップ導体22Cが設けられていることで、方形導波管10内でプローブ導体22Pと幅の狭いストリップ導体22Cとの2段階整合で、インピーダンス整合を実現している。プローブ導体22Pと幅の狭いストリップ導体22Cとの2段階整合によってインピーダンスの軌跡は中心付近で一回転するため、周波数共振点を作り出すことができ、反射特性の広帯域化が可能となる。
A microstrip line 22MC, a
この構造は、十字状のプローブ導体に比べ、誘電体基板21の幅を大きくすることなく、インピーダンス調整を行うことができ、窓を大きくする必要がないため、電磁波信号が空間に放射し反射特性に影響を与えるという不都合はない。つまり、マイクロストリップ線路22MCに対して十字状にプローブ導体を形成した特許文献1の導波管マイクロストリップ線路変換器のように、誘電体基板の増大を招き、その結果窓を大きくすることで、方形導波管10内の電磁波信号が空間に放射してしまうというおそれもない。また、特許文献1の導波管マイクロストリップ線路変換器の場合、電磁波信号が空間に放射することは、反射特性に影響を与えるだけでなく、マイクロ波信号損失が増加することがある。また、特許文献1の導波管マイクロストリップ線路変換器の場合、空間共振による発振のリスクが増加するという問題もあった。これに対し、実施の形態1の導波管マイクロストリップ線路変換器100は、小型でかつ損失が少ないという効果を奏する。
In this structure, impedance adjustment can be performed without increasing the width of the
また、実施の形態1のマイクロストリップ配線基板20は、広帯域化可能であるとはいえ、幅の狭いストリップ導体22Cの長さあるいは幅によって、インピーダンスの絶対値が大きいため、わずかな配線幅あるいは配線長のばらつきが、特性インピーダンスの大きな変化をもたらす場合がある。この場合は、後述するように、マイクロストリップ配線基板20はキャリア30上で、XYZ方向の位置調整が容易であるため、プローブ導体22Pの位置を調整することで、補償することができる。
Further, although the
また、マイクロストリップ配線基板20はキャリア30上で、XYZ方向の位置調整が容易であるうえ、着脱自在であるため、別の特性を持つマイクロストリップ配線基板20と置き換えることも容易であり、製造組立ばらつきに強い構造となっている。また、広帯域化可能とは言え、幅の狭いストリップ導体22Cの長さあるいは幅によって、インピーダンスの絶対値が大きくなった場合、あるいは製造ばらつきにより、目的とする特性を得ることができない場合にも、マイクロストリップ配線基板20の交換が容易である。さらには、マイクロストリップ配線基板20は、試験調整でパターン損傷を生じることがあり、マイクロストリップ配線基板20の交換が必要になる場合もある。マイクロストリップ配線基板20の交換が必要となった場合も、はんだ、接着剤などの固着部材で固着するのではなく、ネジ止めによって着脱自在に固定されるため容易に交換可能である。
In addition, since the position of the
次に、実施の形態1に係る導波管マイクロストリップ線路変換器の組み立て工程について簡単に説明する。まず、マイクロストリップ配線基板20を形成する。誘電体基板21としてガラスエポキシ基板を用い誘電体基板21の両面に銅箔を貼着し、フォトリソグラフィにより、銅箔をパターニングすることで、図5および図6に示すように、マイクロストリップ配線基板20を形成する。誘電体基板21の第1主面21Aには、マイクロストリップ線路22MCと、マイクロストリップ線路22MCよりも幅の狭い、ストリップ導体22Cと、プローブ導体22Pとが1直線上に連続して形成されている。また誘電体基板21の第2主面21Bは、方形導波管10を伝搬してくるマイクロ波のアンテナとなる、プローブ導体22Pと対向する領域を除き、全面をグランド導体22Gで覆われている。
Next, the assembly process of the waveguide microstrip line converter according to the first embodiment will be briefly described. First, the
マイクロストリップ配線基板20を、図8に示す、キャリア30のキャリア本体31に、導電性接着剤により接合する。
The
このようにしてマイクロストリップ配線基板20を搭載したキャリア30を、図7に示すように、方形導波管10の窓13からプローブ導体22Pが突き出すように、筐体40の壁面に配置する。
In this way, the
そして図3に示すように、キャリア30に形成された2対の位置決め穴34から筐体40の壁面に貫通するように、位置出しピン35を挿入し、仮止めする。こののち、1対のネジ33を、長穴である貫通孔32を貫通し、筐体40の筐体本体41に設けられた取付け穴43に螺合させることでマイクロストリップ配線基板20を搭載したキャリア30を固定する。取付け穴43はネジ溝を有しており、ネジ33がネジ溝に螺合することで、キャリア30が筐体本体41に固定される。このとき、貫通孔32は長穴であるため、XZ方向の位置調整が可能となる。またネジ33による取付け穴43への螺合深さを調整することでY方向の位置調整が可能となる。
And as shown in FIG. 3, the
このとき、特性インピーダンスを測定して、長穴である貫通穴32に沿ってネジ33をXYZ方向に位置調整し、インピーダンス整合を行い、筐体本体41の取付け穴43に螺合させることで、キャリア30を筐体本体41に固定する。このようにしてマイクロストリップ配線基板20が筐体40に装着される。位置調整によりインピーダンス整合ができない場合には、別のマイクロストリップ配線基板20をキャリア30ごと取り換え、再度ネジ止めする。このように、複数のマイクロストリップ配線基板20とキャリア30との組を用意しておき、インピーダンス整合の範囲内にあるマイクロストリップ配線基板20とキャリア30との組を選択し、固定する。
At this time, by measuring the characteristic impedance, adjusting the position of the
次に、上述したようにして組み立てられた、実施の形態1に係る導波管マイクロストリップ線路変換器の動作について図面を参照しながら説明する。接続先導波管10Sから導波管マイクロストリップ線路変換器100の方形導波管10にマイクロ波信号が入力された場合を考える。接続先導波管10Sから入力されたマイクロ波信号は、方形導波管10を通り短絡面12で反射され、短絡面12から管内波長の1/4の距離L1で電界または磁界が集中する。電界または磁界が集中した箇所に方形導波管10に設けられた窓13より挿入されたマイクロストリップ配線基板20上のプローブ導体22Pはマイクロ波信号を励振し、ストリップ導体22Cを経て、マイクロストリップ線路22MCへ高周波信号としてマイクロ波信号を伝送する。当然、マイクロストリップ線路22MCから入力された場合も同じ原理である。マイクロストリップ線路22MCから入力されたマイクロ波信号は、ストリップ導体22Cを経て、プローブ導体22Pに伝送され、プローブ導体22Pはマイクロ波信号を励振し、方形導波管10から、接続先導波管10Sに伝送される。このときもマイクロ波信号は、短絡面12で反射され、短絡面12から管内波長の1/4の距離L1で電界または磁界が集中する。
Next, the operation of the waveguide microstrip line converter according to Embodiment 1 assembled as described above will be described with reference to the drawings. Consider a case where a microwave signal is input from the connected
マイクロストリップ配線基板20上のマイクロストリップ線路22MCと方形導波管10とをインピーダンスを整合させるために、プローブ導体22Pとストリップ導体22Cとによって2段階整合を取っている。インピーダンスを段階的に変化させることで、図9(a)に曲線aでスミスチャートを示すように、実施の形態1のマイクロストリップ配線基板20は、スミスチャート上の低周波から高周波のインピーダンスの軌跡に関して、中心付近で円を描くことができる。このため周波数共振点を作り出すことが可能となり反射特性を広帯域化することができる。図9(b)に周波数に対する反射特性を測定した結果を示すように、周波数12.9から18GHzであるKu帯において比帯域すなわち、中心周波数に対する帯域幅は21.4%となっている。図9(b)中に破線でスペックラインSLを示している。比帯域はスペックラインSLの範囲に入る帯域幅の中心周波数に対する比である。
In order to match the impedance between the microstrip line 22MC on the
比較のために、ストリップ導体22Cを設けることなく、マイクロストリップ線路22MCに直接プローブ導体22Pを接続した比較例のマイクロストリップ基板の場合のスミスチャートを図9(a)に曲線bで示す。インピーダンスの軌跡は図9(a)に曲線bでスミスチャートに示すように低周波から高周波にかけて一方向となり反射特性が狭帯域となる。図9(b)に曲線bで比較例のマイクロストリップ基板における周波数に対する反射特性を示す。比帯域は14.3%程度であった。比帯域はスペックラインSLの範囲に入る帯域幅の中心周波数に対する比である。つまり、製造組立ばらつきによって誘電体基板の挿入量あるいは短絡面からの距離が少し変化しただけで反射特性の劣化に繋がり、マイクロ波信号の損失が増大するという問題があった。損失が増大するという問題は、周波数が上がるにつれて更に顕著となる。
For comparison, a Smith chart in the case of a comparative microstrip substrate in which the
図9(b)における曲線aおよび曲線bの比較から、実施の形態1の導波管マイクロストリップ線路変換器100の比帯域は、幅の狭いストリップ導体22Cを介在させることで7%程度改善できることがわかる。
From the comparison of the curve a and the curve b in FIG. 9B, the specific band of the waveguide
また、マイクロストリップ配線基板20は、プローブ導体22Pの導体端間際まで幅を狭めることで方形導波管10の窓13を小型化することができ、マイクロ波の空間放射を抑制することができる。窓13の幅は特許文献1で用いられた十字状のプローブ導体を用いた導波管マイクロストリップ線路変換器に対し、Ku帯で半分以下に留めることが可能である。
In addition, the
更に、方形導波管10へのマイクロストリップ配線基板20の突出し量および方形導波管10の短絡面12からの距離に対する位置出し精度の向上には、キャリア30によって実現している。キャリア30は筐体40の筐体本体41に固定するネジ33に加え、製造時のみに使用する位置出しピン35を設けている。位置出しピン35はネジ33の公差による位置ずれを補正する機能を有する。
Further, the
また、マイクロストリップ配線基板20の誘電体基板21と筐体40との接続を接着あるいははんだ付けではなくネジ止めを用いることで、マイクロストリップ配線20を損傷した際でも容易に交換可能な構造となっている。
In addition, the connection between the
以上のような構成により、方形導波管10とマイクロストリップ線路22MC間のインピーダンスを広帯域に整合できるだけでなく、誘電体基板21の長手方向にインピーダンス変換機構として幅の狭いストリップ導体22Cを設けることで、方形導波管10の窓13を大きくすることなくマイクロ波信号の空間放射を抑制することができる。また、筐体40とマイクロストリップ配線基板20の誘電体基板21はネジ止めのため、誘電体基板21の損傷時に交換が容易であり、位置出しピン35による位置出し精度も出せるため、製造ばらつきに強い導波管マイクロストリップ線路変換器を実現することができる。
With the configuration as described above, not only can the impedance between the
なお、実施の形態1では誘電体基板としてガラスエポキシ基板を用いたが、セラミック基板など、他の誘電体基板を用いても良い。セラミック基板を用いた場合は、セラミック基板表面にスパッタあるいはストライクめっきにより所望の金属パターンを形成した後、例えば金属パターン上にTi(チタン)、Pd(パラジウム)、Cu(銅)、ni(ニッケル)、Au(金)の順にめっき層を形成することで、高精度のマイクロストリップ配線基板を形成することができる。また、セラミック基板表面にスパッタあるいはストライクめっきにより金属層を形成した後、例えば金属層上にTi(チタン)、Pd(パラジウム)、Cu(銅)、ni(ニッケル)、Au(金)の順にめっき層を形成し、フォトリソグラフィによりパターニングすることによっても、高精度のマイクロストリップ配線基板を形成することができる。 In the first embodiment, a glass epoxy substrate is used as the dielectric substrate, but another dielectric substrate such as a ceramic substrate may be used. When a ceramic substrate is used, a desired metal pattern is formed on the ceramic substrate surface by sputtering or strike plating, and then, for example, Ti (titanium), Pd (palladium), Cu (copper), ni (nickel) is formed on the metal pattern. By forming plating layers in the order of Au (gold), a highly accurate microstrip wiring board can be formed. In addition, after a metal layer is formed on the ceramic substrate surface by sputtering or strike plating, for example, Ti (titanium), Pd (palladium), Cu (copper), ni (nickel), Au (gold) are plated in this order on the metal layer. A highly accurate microstrip wiring substrate can also be formed by forming a layer and patterning by photolithography.
実施の形態2.
実施の形態2に係る導波管マイクロストリップ線路変換器は、図10に示すように、方形導波管10と筐体40との間では、フランジをネジで固定することで接続される。方形導波管10の筐体接続用フランジ16と、筐体40の接続用フランジ42との間が、ネジ16Nで接続される。一方、方形導波管10の導波管接続用フランジ15と接続先導波管10Sの接続先導波管フランジ15Sとの間では、ネジ15Nで固定される。これらの接続においても、キャリア30と同様、製造組立ばらつきを抑制するために設けられた導波管接続用フランジ15のピン15CPおよび、16CPによって構成される。筐体40との間では、マイクロストリップ配線基板20の位置出し精度を向上させる位置出しピン35とは別に、方形導波管10と筐体40および、方形導波管10と接続先導波管10Sの製造組立ばらつきを抑制するためにピン15CPおよび、16CPが設けられている。
Embodiment 2. FIG.
As shown in FIG. 10, the waveguide microstrip line converter according to the second embodiment is connected between the
一般的に方形導波管10と筐体40はネジ16によって接続されるが、製造時にピン16CPを用いることでマイクロストリップ配線基板20の位置出しをあらかじめ実施してからネジ止めが可能となるため製造組立てばらつきを軽減でき、導波管マイクロストリップ線路変換器の反射特性の劣化を抑制できる。
In general, the
また、方形導波管10と筐体40との接続とは別に、導波管マイクロストリップ線路変換器には接続先導波管10Sが存在する。接続先導波管10Sと方形導波管10の接続にも導波管接続用フランジ15上に設けられたピン15CPを用いることで、ネジ15で固定する際の位置出し精度を向上でき、反射特性の劣化を抑制できる。
In addition to the connection between the
以上の構成により、実施の形態2の、導波管マイクロストリップ線路変換器は、マイクロストリップ配線基板20の位置出し精度だけでなく、導波管10と筐体40間、導波管10と接続先導波管10Sとの間のインターフェース部も考慮した製造組立ばらつきに強固な構造を実現できる。
With the above configuration, the waveguide microstrip line converter according to the second embodiment is connected not only to the positioning accuracy of the
実施の形態3.
実施の形態3に係る導波管マイクロストリップ線路変換器は、図11に示すように、ストリップ導体22Cの幅が3段階に徐々に変化しており、第1ストリップ導体22C1と第2ストリップ導体22C2と第3ストリップ導体22C3とで構成された点が、実施の形態1の導波管マイクロストリップ線路変換器と異なる点である。他は、実施の形態1の導波管マイクロストリップ線路変換器と同様である。マイクロストリップ配線基板20上のマイクロストリップ線路22MCは、方形導波管10内で、マイクロストリップ線路22MCよりも幅の狭い第1から第3のストリップ導体22C1から22C3を介して、プローブ導体22Pに接続される点では実施の形態1の導波管マイクロストリップ線路変換器と同様である。
Embodiment 3 FIG.
Waveguide microstrip line transducer according to the third embodiment, as shown in FIG. 11, the width of the
実施の形態3の導波管マイクロストリップ線路変換器は、実施の形態1の導波管マイクロストリップ線路変換器の効果に加えて、よりなめらかな伝送特性を得ることができ、より広帯域化が可能となる。つまりインピーダンスを徐々に段階的に変化させることで、実施の形態3のマイクロストリップ配線基板20は、スミスチャート上の低周波から高周波のインピーダンスの軌跡に関して、中心付近で複数の円を描くことができる。このため周波数共振点を作り出すことがさらに容易に可能となり反射特性を広帯域化することができる。
In addition to the effect of the waveguide microstrip line converter of the first embodiment, the waveguide microstrip line converter of the third embodiment can obtain a smoother transmission characteristic and can have a wider band. It becomes. That is, by gradually changing the impedance stepwise, the
実施の形態3においても、誘電体基板21は、方形導波管10内の長さおよび位置を調整可能な支持体としての導電性のキャリア30上に載置されている。誘電体基板21は、キャリア30上で位置を調整し、インピーダンス整合をとった状態で固定されている。導波管マイクロストリップ線路変換器100は、マイクロストリップ配線基板20のプローブ導体22P上で、方形導波管10内を伝搬する電磁波とマイクロストリップ線路22MC上を伝送される電気信号とを相互変換する。
Also in the third embodiment, the
なお、実施の形態3の導波管マイクロストリップ線路変換器は、ストリップ導体を3段階に変化させたが、さらに多段としても良く、また線幅が滑らかに変化する形状をとるようにしてもよく、実施の形態1の導波管マイクロストリップ線路変換器の効果に加えて、さらになめらかな伝送特性を得ることができ、より広帯域化が可能となる。つまりインピーダンスを徐々にさらに段階的に変化させることで、実施の形態3のマイクロストリップ配線基板20は、スミスチャート上の低周波から高周波のインピーダンスの軌跡に関して、中心付近でさらに多数の円を描くことができる。このため周波数共振点を作り出すことがさらに容易に可能となり反射特性を広帯域化することができる。
In the waveguide microstrip line converter according to the third embodiment, the strip conductor is changed in three stages. However, the strip conductor may be further multi-staged and may have a shape in which the line width changes smoothly. In addition to the effect of the waveguide microstrip line converter according to the first embodiment, a smoother transmission characteristic can be obtained, and a wider band can be realized. That is, by gradually changing the impedance stepwise, the
また、キャリア30の構成は適宜変更可能である。例えば、キャリア30へのマイクロストリップ配線基板20の接続は、導電性接着剤により固定したが、キャリア30に固定クリップを設け、固定クリップでマイクロストリップ配線基板20を挟み込む構成とすることで、着脱が容易となる。固定クリップによる接続は接触抵抗をできるだけ小さくする必要があり、圧着により固定するとともに、隙間にはんだあるいは導電性樹脂などを流し込むようにしてもよい。隙間にわずかに流し込む程度である場合、わずかな熱で溶融させるあるいは機械的手法により容易に脱離することができる。
Further, the configuration of the
本発明のいくつかの実施の形態を説明したが、これらの実施の形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施の形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施の形態およびその変形は、発明の範囲に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。 Although several embodiments of the present invention have been described, these embodiments are presented as examples and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the scope of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.
10 方形導波管、10S 接続先導波管、11 導波管本体、11S 側面、12 短絡面、13 窓、14 開口、15 導波管接続用フランジ、15N ネジ、15CP ピン、16 筐体接続用フランジ、16N ネジ、16CP ピン、20 マイクロストリップ配線基板、21 誘電体基板、22 配線、22MC マイクロストリップ線路、22C ストリップ導体、22C1 第1ストリップ導体、22C2 第2ストリップ導体、22C3 第3ストリップ導体、22P プローブ導体、22G グランド導体、30 キャリア、31キャリア本体、32 貫通穴、33 ネジ、34 位置決め穴、35、位置出しピン、40 筐体、41 筐体本体、42 フランジ、43 取付け穴、100 導波管マイクロストリップ線路変換器。 10 rectangular waveguide, 10S connected waveguide, 11 waveguide body, 11S side, 12 short-circuited surface, 13 window, 14 opening, 15 waveguide flange, 15N screw, 15CP pin, 16 for housing connection Flange, 16N screw, 16CP pin, 20 microstrip wiring board, 21 dielectric board, 22 wiring, 22MC microstrip line, 22C strip conductor, 22C 1 first strip conductor, 22C 2 second strip conductor, 22C 3 third strip Conductor, 22P probe conductor, 22G ground conductor, 30 carrier, 31 carrier body, 32 through hole, 33 screw, 34 positioning hole, 35, positioning pin, 40 housing, 41 housing body, 42 flange, 43 mounting hole, 100 Waveguide microstrip line converter.
Claims (6)
前記導波管の窓から、一端が挿入され、前記短絡面に直交する主面上にマイクロストリップ線路を備えた誘電体基板からなるマイクロストリップ配線基板と、
を備え、
前記マイクロストリップ線路は、前記導波管内で、前記マイクロストリップ線路よりも幅の狭いストリップ導体を介して、プローブ導体に接続され、
前記誘電体基板は、前記導波管内の長さおよび位置を調整可能な支持体上に載置されており、
前記プローブ導体上で、前記導波管内を伝搬する電磁波と前記マイクロストリップ線路上を伝送される電気信号とを相互変換することを特徴とする導波管マイクロストリップ線路変換器。 A waveguide having a short-circuited surface at one end, a window on a side surface orthogonal to the short-circuited surface, and an opening at the other end;
A microstrip wiring substrate comprising a dielectric substrate having one end inserted from the window of the waveguide and having a microstrip line on a main surface orthogonal to the short-circuited surface;
With
The microstrip line is connected to the probe conductor in the waveguide through a strip conductor that is narrower than the microstrip line,
The dielectric substrate is placed on a support whose length and position in the waveguide can be adjusted,
A waveguide microstrip line converter characterized in that on the probe conductor, an electromagnetic wave propagating in the waveguide and an electric signal transmitted on the microstrip line are mutually converted.
前記筐体は、前記マイクロストリップ配線基板を収納する筐体本体と、前記筐体本体と前記導波管との当接部に設けられたフランジとを有し、
前記導波管と前記筐体本体のフランジ接続部分に、位置出しピンを設けたことを特徴とする請求項1に記載の導波管マイクロストリップ線路変換器。 The microstrip wiring board is housed in a housing,
The housing includes a housing body that houses the microstrip wiring substrate, and a flange that is provided at a contact portion between the housing body and the waveguide,
2. The waveguide microstrip line converter according to claim 1, wherein a positioning pin is provided at a flange connecting portion between the waveguide and the housing body.
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