JP2016174062A - 半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】欠陥の発生を抑制することができる半導体発行素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、第１面６０ｄと第１面とは反対側の第２面６０ｕとを有する基板と、基板の第２面の上に設けられた絶縁層４０と、絶縁層の上に設けられた第１金属層５０と、第１金属層の上に設けられ、第１導電形の第１半導体層１０と、第２導電形の第２半導体層２０と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光層３０と、を含み、第１金属層に第２半導体層が電気的に接続された半導体発光部１５と、第１電極層６１と、を備える。基板および絶縁層には、基板の第１面から第１金属層に通じる貫通孔６２が設けられている。第１電極層は、基板の第１面と、貫通孔の内壁と、第１金属層と、に接している。
【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、半導体発光素子およびその製造方法に関する。

ＬＥＤ（Light Emitting Diode）などの半導体発光素子は、ｐ形半導体層、発光層、およびｎ形半導体層を含む半導体発光部を有する。半導体発光部は、例えば、エピタキシャル成長法により成長用基板の上に形成される。その後、半導体発光部と別の支持基板とが接合層を介して接合され、成長用基板が剥離される場合がある。

この場合、接合層としては、一般に金属層が用いられる。しかし、金属の熱膨張率と支持基板の熱膨張率との差が大きいと、支持基板が反る場合がある。支持基板が反ると、半導体発光部内に結晶歪による欠陥が発生する可能性がある。

米国特許出願公開第２０１４／２２５１４１号明細書

本発明が解決しようとする課題は、欠陥の発生が抑制された半導体発光素子およびその製造方法を提供することである。

実施形態の半導体発光素子は、第１面と前記第１面とは反対側の第２面とを有する基板と、前記基板の前記第２面の上に設けられた絶縁層と、前記絶縁層の上に設けられた第１金属層と、前記第１金属層の上に設けられ、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光層と、を含み、前記第１金属層に前記第２半導体層が電気的に接続された半導体発光部と、第１電極層と、を備える。前記基板および前記絶縁層には、前記基板の前記第１面から前記第１金属層に通じる貫通孔が設けられている。前記第１電極層は、前記基板の前記第１面と、前記貫通孔の内壁と、前記第１金属層と、に接している。

図１は、第１実施形態に係る半導体発光素子の要部を表す模式的断面図である。 図２（ａ）〜図２（ｂ）は、第１実施形態に係る半導体発光素子の要部の製造過程を表す模式的断面図である。 図３（ａ）〜図３（ｂ）は、第１実施形態に係る半導体発光素子の要部の製造過程を表す模式的断面図である。 図４（ａ）〜図４（ｂ）は、第１実施形態に係る半導体発光素子の要部の製造過程を表す模式的断面図である。 図５（ａ）〜図５（ｂ）は、第１実施形態に係る半導体発光素子の要部の製造過程を表す模式的断面図である。 図６（ａ）は、第２実施形態に係る半導体発光素子の要部を表す模式的断面図であり、図６（ｂ）は、第２実施形態に係る半導体発光素子を有する発光装置の要部を表す模式的断面図である。

以下、図面を参照しつつ、実施形態について説明する。以下の説明では、同一の部材には同一の符号を付し、一度説明した部材については適宜その説明を省略する。

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る半導体発光素子の要部を表す模式的断面図である。

第１実施形態に係る半導体発光素子１は、基板６０と、絶縁層４０と、第１金属層５０と、第１半導体層１０と、第２半導体層２０と、発光層３０と、を含む半導体発光部１５と、第１電極層６１と、第２電極層６３と、絶縁層７０と、を備える。

実施形態では、基板６０から半導体発光部１５に向かう方向をＺ軸方向とする。また、Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向とＸ軸方向とに対して垂直な方向をＹ軸方向とする。

基板６０は、半導体発光素子１の支持基板である。基板６０は、下面６０ｄ（第１面）と、下面６０ｄとは反対側で、基板６０の上面６０ｕ（第２面）とを有する。基板６０は、Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、半導体発光部１５と重なる。基板６０の面積は、第２半導体層２０の面積以上である。基板６０には、例えば、シリコン（Ｓｉ）などの半導体基板が用いられる。

絶縁層４０は、基板６０の上面６０ｕの上に設けられている。第１金属層５０は、絶縁層４０の上に設けられている。絶縁層４０は、基板６０と第１金属層５０とを接合する接合材である。絶縁層４０は、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯ_ｘ）を含む。第１金属層５０は、金属バリア膜５１と、金属反射膜５２と、を有する。

金属バリア膜５１は、第１電極層６１に電気的に接続されている。金属バリア膜５１は、電極の一部である。金属バリア膜５１は、絶縁層４０と密着性が高い金属を用いることができる。この金属として、例えば、Ｔｉ（チタン）またはＴｉＷ（チタン−タングステン）が用いられる。また、金属バリア膜５１には、例えば、Ｔｉ膜、Ｐｔ膜、Ａｕ膜、Ｎｉ膜、Ａｇ膜、または、これらの膜のいずれかを含む積層膜が用いられてもよい。

金属反射膜５２は、金属バリア膜５１と半導体発光部１５との間に配置されている。金属反射膜５２は、電極の一部である。金属反射膜５２は、光反射性である。金属反射膜５２は、第２半導体層２０に対してオーミック接触する。金属反射膜５２は、発光光に対して高い反射率を有することが好ましい。金属反射膜５２の反射率を高めることで、光取り出し効率が向上する。光取出し効率とは、発光層３０で発生した光の全光束のうち、半導体発光素子１の外部へ取り出すことができる光の全光束の割合を意味する。金属反射膜５２は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）および銀（Ａｇ）の少なくもいずれかを含む。

半導体発光部１５は、第１金属層５０の上に設けられている。半導体発光部１５は、第１導電形（例えば、ｎ形）の第１半導体層１０と、第２導電形（例えば、ｐ形）の第２半導体層２０と、発光層３０と、を有する。発光層３０は、第１半導体層１０と第２半導体層２０との間に設けられている。第１金属層５０には、第２半導体層２０が電気的に接続されている。

第１半導体層１０、第２半導体層２０、および発光層３０は、それぞれ窒化物半導体を含む。第１半導体層１０、第２半導体層２０、および発光層３０は、例えば、Ａｌ_ｘＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｉｎ_ｙＮ（ｘ≧０、ｙ≧０、ｘ＋ｙ≦１）を含む。

第１半導体層１０は、例えば、Ｓｉドープｎ形ＧａＮコンタクト層と、Ｓｉドープｎ形ＡｌＧａＮクラッド層と、を含む。Ｓｉドープｎ形ＧａＮコンタクト層と、発光層３０との間に、Ｓｉドープｎ形ＡｌＧａＮクラッド層が配置される。第１半導体層１０は、ＧａＮバッファ層をさらに含んでもよく、ＧａＮバッファ層とＳｉドープｎ形ＡｌＧａＮクラッド層との間に、Ｓｉドープｎ形ＧａＮコンタクト層が配置される。

発光層３０は、例えば、多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する。ＭＱＷ構造においては、例えば、複数のバリア層と、複数の井戸層と、が交互に積層される。例えば、井戸層には、ＡｌＧａＩｎＮが用いられる。例えば、井戸層には、ＧａＩｎＮが用いられる。

実施形態において、積層される状態は、直接接している状態に加え、間に別の要素が挿入される状態も含む。

バリア層には、例えば、Ｓｉドープｎ形ＡｌＧａＮが用いられる。例えば、バリア層には、Ｓｉドープｎ形Ａｌ_０．１１Ｇａ_０．８９Ｎが用いられる。バリア層の厚さは、例えば、２ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。複数のバリア層のうちで、最も半導体層２０に近いバリア層は、他のバリア層とは、異なってもよく、厚くても、薄くてもよい。

発光層３０から放出される光（発光光）の波長（ピーク波長）は、例えば、２１０ｎｍ以上７００ｎｍ以下である。発光光のピーク波長は、例えば、３７０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下でもよい。

第２半導体層２０は、例えば、ノンドープＡｌＧａＮスペーサ層と、Ｍｇドープｐ形ＡｌＧａＮクラッド層と、Ｍｇドープｐ形ＧａＮコンタクト層と、高濃度Ｍｇドープｐ形ＧａＮコンタクト層と、を含む。高濃度Ｍｇドープｐ形ＧａＮコンタクト層と発光層３０との間に、Ｍｇドープｐ形ＧａＮコンタクト層が配置される。Ｍｇドープｐ形ＧａＮコンタクト層と発光層３０との間に、Ｍｇドープｐ形ＡｌＧａＮクラッド層が配置される。Ｍｇドープｐ形ＡｌＧａＮクラッド層と発光層３０との間に、ノンドープＡｌＧａＮスペーサ層が配置される。例えば、第２半導体層２０は、ノンドープＡｌ_０．１１Ｇａ_０．８９Ｎスペーサ層、Ｍｇドープｐ形Ａｌ_０．２８Ｇａ_０．７２Ｎクラッド層、Ｍｇドープｐ形ＧａＮコンタクト層、および、高濃度Ｍｇドープｐ形ＧａＮコンタクト層を含む。

なお、上記の半導体層において、組成、組成比、不純物の種類、不純物濃度、および厚さは、例であり、種々の変形が可能である。

半導体発光部１５の上面１４は、凹凸になっている。凹凸、複数の凸部１４ｐを有する。複数の凸部１４ｐのうちの隣接する２つの凸部１４ｐどうしの間の距離は、半導体発光部１５から放射される発光光の発光波長以上であることが好ましい。発光波長は、半導体発光部１５（半導体層１０）中のピーク波長である。このような凹凸を設けることで、光取り出し効率が向上する。

凹凸の複数の凸部１４ｐのそれぞれ平面形状は、例えば、矩形である。例えば、凹凸は、例えば、半導体層１０を薬液（例えば、アルカリ系溶液）を用いて異方性エッチングすることにより形成される。これにより、半導体層１０と外界との界面において、発光層３０から放出される発光光は、ランバート反射される。凹凸は、マスクを用いたドライエッチングにより形成されてもよい。この方法においては、設計どおりの凹凸を形成できるため、再現性が向上し、光取り出し効率を高め易い。

半導体発光素子１においては、基板６０の下面６０ｄの側に設けた第１電極層６１が絶縁層４０によって、第２半導体層２０と絶縁されるのではなく、第１電極層６１が第２半導体層２０に電気的に接続された構造を有する。

例えば、第１電極層６１は、基板６０の下面６０ｄに設けられているとともに、基板６０内および絶縁層４０内を延在している。第１電極層６１は、半導体発光素子１の裏面電極である。第１電極層６１は、半導体発光素子１の電極の一部である。第１電極層６１は、第１金属層５０に電気的に接続されている。第１電極層６１は、第１金属層５０を介して、第２半導体層２０に電気的に接続されている。

基板６０および絶縁層４０には、基板６０の下面６０ｄから第１金属層５０にまで延在する貫通孔６２（孔）が設けられている。第１電極層６１は、基板６０の下面６０ｄと、貫通孔６２の内壁６２ｗと、第１金属層５０と、に接している。第１電極層６１の材料には、例えば、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ａｇ、Ａｌ等のいずれかが用いられる。

貫通孔６２および貫通孔６２内に設けられる第１電極層６１は、図示される数に限らず、複数設けてもよい。この場合、貫通孔６２および貫通孔６２内に設けられる第１電極層６１は、半導体発光部１５の下側で、均等の間隔で配置されてもよい。

第２電極層６３は、半導体発光部１５の第１半導体層１０の上に設けられている。第２電極層６３は、半導体発光素子１の電極である。第２電極層６３は、パッド電極である。絶縁層７０は、金属バリア膜５１の一部および半導体発光部１５の一部を保護する保護層である。第２電極層６３の材料には、例えば、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ａｇ、Ａｌ等のいずれかが用いられる。

半導体発光素子１は、半導体発光部１５を覆う封止部（図示しない）をさらに含んでもよい。この封止部には、例えば、樹脂が用いられる。封止部は、波長変換体を含んでもよい。波長変換体は、半導体発光素子１から出射する発光光の一部を吸収して、発光光の波長（ピーク波長）とは異なる波長（ピーク波長）の光を放出する。波長変換体には、例えば、蛍光体が用いられる。

第１電極層６１と第２電極層６３との間に電圧を印加することで、発光層３０に電圧が印加される。これにより、発光層３０から光が放出される。

放出された光は、主に上方向に向かって素子の外部に出射する。すなわち、発光層３０から放出された光の一部は、上方向に進行し、素子外に出射する。一方、発光層３０から放出された光の別の一部は、光反射性の金属反射膜５２で効率良く反射し、上方向に進行し、素子外に出射する。

半導体発光素子の製造方法について説明する。

図２（ａ）〜図５（ｂ）は、第１実施形態に係る半導体発光素子の要部の製造過程を表す模式的断面図である。

例えば、図２（ａ）に表すように、成長基板６５（第１基板）の上に、バッファ層１６を介し、成長基板６５に半導体層１０、発光層３０、半導体層２０の順にエピタキシャル成長させる。これにより、成長基板６５の上に半導体発光部１５が形成される。バッファ層１６には、第１半導体層１０が接している。

ここで、図２（ａ）に表す成長基板６５は、個片化前のウェーハ状態にある成長基板の一部分であり、実際には成長基板６５は、実際にはＸ方向およびＹ方向に延在している。また、図２（ａ）に表す成長基板６５の上に形成されたバッファ層１６および半導体発光部１５も、Ｘ方向およびＹ方向に延在している。図２（ａ）に表す成長基板６５、バッファ層１６、および半導体発光部１５は、半導体発光素子１の１チップ分が表されている。

次に、図２（ｂ）に表すように、第２半導体層２０の上に、第２半導体層２０に接する第１金属層５０を形成する。例えば、第２半導体層２０の上に、金属反射膜５２がパターニングされる。さらに、金属反射膜５２を覆う金属バリア膜５１が第２半導体層２０の上に形成される。

次に、図３（ａ）に表すように、第１金属層５０の上に、絶縁層４０を形成する。絶縁層４０は、第１金属層５０に接触している。続いて、絶縁層４０の表面を、真空中でプラズマ照射し、その表面を活性化させる。続いて、絶縁層４０に対して、基板６０（第２基板）の上面６０ｕを対向させる。絶縁層４０が基板６０に対向する表面４０ｕには、平坦化処理が行われる。例えば、絶縁層４０の表面４０ｕは、ＣＭＰ（化学的機械的研磨、Chemical Mechanical Polishing）処理によって、略平坦になっている。

次に、図３（ｂ）に表すように、基板６０の上面６０ｕと、第１金属層５０とを、絶縁層４０を介して接合する。例えば、基板６０の上面６０ｕに絶縁層４０を接触させた後、室温で、大気雰囲気で、約１０秒間、基板６０を絶縁層４０に対して押圧する。これにより、基板６０の上面６０ｕと絶縁層４０とが自発接合によって接合する。従って、基板６０の上面６０ｕと第１金属層５０とが絶縁層４０を介して接合される。

本実施形態では、基板６０と第１金属層５０とを絶縁層４０を介して接合させた後、約２００℃の雰囲気（例えば、窒素雰囲気、不活性ガス雰囲気等）で、基板６０および絶縁層４０を加熱してもよい。ここで、基板６０と成長基板６５とによって挟まれた絶縁層４０、第１金属層５０、半導体発光部１５、およびバッファ層１６を積層体８０と呼ぶ。本実施形態では、この積層体８０を予め複数個用意し、この複数個の積層体８０に対して一括して、約２００℃の加熱処理を行ってもよい。これにより、約２００℃の加熱処理における１チップ（個片化後の１個の半導体発光素子）あたりの加熱時間が大幅に短縮する。

この後、成長基板６５がバッファ層１６から除去され、さらにバッファ層１６が半導体発光部１５から除去される（図示しない）。

次に、図４（ａ）に表すように、例えば、エッチングにより、半導体層１０の上面１４に凸部１４ｐを形成する。さらに、金属バリア膜５１、半導体発光部１５の側壁１５ｗ、および半導体発光部１５の側壁１５ｗに連なった半導体発光部１５の上面１４の一部の上に、絶縁層７０を形成する。

次に、図４（ｂ）に表すように、リソグラフィおよびＲＩＥ（Reactive Ion Etching）により、第１半導体層１０の上に、第２電極層６３を形成する。

次に、図５（ａ）に表すように、基板６０の下面６０ｄに、マスク層９０をリソグラフィおよびＲＩＥによりパターニングする。

次に、図５（ｂ）に表すように、マスク層９０から露出された基板６０の下面６０ｄをＲＩＥによりエッチングする。これにより、基板６０および絶縁層４０に、基板６０の下面６０ｄから第１金属層５０にまで延在する貫通孔６２が形成される。この後、図１に表すように、基板６０の下面６０ｄと、貫通孔６２の内壁６２ｗと、第１金属層５０と、に接する第１電極層６１を形成する。さらに、基板６０、絶縁層４０、第１金属層５０、および絶縁層７０には、ダイシング処理が行われ、ウェーハ状態の基板６０は個片化される。

ここで、基板６０と第１金属層５０とを接続する接合材が絶縁層４０ではなく、銅（Ｃｕ）等の金属層である場合を想定する。

この場合、金属の熱膨張率と基板６０の熱膨張率との差が絶縁層４０の熱膨張率と基板６０の熱膨張率との差よりも大きくなる。これにより、基板６０が反る場合がある。基板６０が反ると、半導体発光部１５に応力が印加され、半導体発光部１５内に結晶歪による欠陥が発生する。また、基板６０が反ると、基板６０が搬送アームに把持され難くなる。

また、金属層の接合材は、基板６０の側に設けられた金属層と、半導体発光部１５の側に設けられた２つの金属層を貼り合わせた層である。ここで、貼り合わせる前の２つの金属層の対向面が著しく凹凸になっていると、貼り合わせ後、接合材内にボイドが発生する。ボイドが発生すると、ボイドを起点に接合材が裂ける場合がある。また、２つの金属層を貼り合わせは、減圧下で、数１０分の加熱処理によって行われるため、接合工程に要する時間が長くなる。

また、半導体発光素子１を個片化する際には、ダイシング刃が用いられる。しかし、基板６０（例えば、シリコン基板）とは材料が異なる金属層にダイシング刃が当たると、ダイシング刃の摩耗が早くなってしまう。ダイシング刃に金属がめり込むと、ダイシング刃の切断力が劣化し、基板６０にチッピング不良が発生する場合がある。

これに対して、第１実施形態では、基板６０と第１金属層５０とを接続する接合材が絶縁層４０である。

従って、絶縁層４０の熱膨張率と基板６０の熱膨張率との差が金属の熱膨張率と基板６０の熱膨張率と差よりも小さくなる。これにより、基板６０が反り難くなる。これにより、半導体発光部１５に応力が印加され難くなり、半導体発光部１５内に欠陥が発生し難くなる。また、基板６０は、搬送アームに把持され易くなる。

また、絶縁層４０の表面４０ｕは、例えば、ＣＭＰによって略平坦化された後、基板６０と接合する。従って、絶縁層４０内には、ボイドが発生し難く、接合材内には裂けが起き難くなっている。

また、絶縁層４０と基板６０との接合は、大気雰囲気で数１０秒で終わるため、接合工程に要する時間が大幅に短縮する。

また、絶縁層４０（例えば、シリコン酸化物）は、基板６０（例えば、シリコン基板）と同じ元素（例えば、シリコン）を含んでいる。これにより、ダイシング刃が絶縁層４０に当たっても、ダイシング刃が摩耗し難い。また、ダイシング刃に金属がめり込むことが解消され、ダイシング刃の切断力が維持し、基板６０にチッピング不良が起き難くなっている。

（第２実施形態）
図６（ａ）は、第２実施形態に係る半導体発光素子の要部を表す模式的断面図であり、図６（ｂ）は、第２実施形態に係る半導体発光素子を有する発光装置の要部を表す模式的断面図である。

図６（ａ）に表す半導体発光素子２においては、第１電極層６１が基板６０の下面６０ｄから基板６０の下面６０ｄと上面６０ｕとに連なる側面６０ｗ（第３面）に接している。この側面６０ｗに設けられた第１電極層６１は、電極のほかに、光反射膜として機能する。

例えば、図６（ｂ）に半導体発光素子２が設置された発光装置１００を示す。半導体発光素子２は、第２金属層６４をさらに備える。第２金属層６４は、第１電極層６１を介して基板６０の下面６０ｄおよび貫通孔６２内に設けられている。第２金属層６４は、第１電極層６１に電気的に接続されている。

半導体発光素子２は、樹脂ケース１０１内に搭載される。樹脂ケース１０１内の側壁１０１ｗの少なくとも一部および底部１０１ｂの少なくとも一部には、リフレクタ１０３が設けられている。リフレクタ１０３は、発光層３０から放出された光を反射する。この光は、リフレクタ１０３によって、例えば、全反射または高い反射率で反射される。リフレクタ１０３の材料または構造は特に限定されない。その材料は、高反射特性を有する金属でもよい。また、効率よく全反射できるように吸収率が低く屈折率の低い誘電体または誘電体積層構造でも良く、光学設計を施した微細構造でも良く、それらの組み合わせたものでもよい。

発光装置１００においては、発光層３０から放出され、リフレクタ１０３によって反射された光が基板６０の側面６０ｗに向かったとき、側面６０ｗに設けられた第１電極層６１によって光が再び反射される。つまり、リフレクタ１０３によって反射された光は、基板６０に吸収され難くなる。これにより、リフレクタ１０３で反射した光を樹脂ケース１０１から外に取り出しやすくなり、発光効率がさらに向上する。また、樹脂ケース１０１内には、この光を散乱する粒子を分散させてもよい。また、発光装置１００には、半導体発光素子１を設置してもよい。

実施形態において「窒化物半導体」とは、Ｂ_ｘＩｎ_ｙＡｌ_ｚＧａ_{１−ｘ−ｙ−ｚ}Ｎ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１，ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）なる化学式において組成比ｘ、ｙ及びｚをそれぞれの範囲内で変化させた全ての組成の半導体を含むものとする。またさらに、上記化学式において、Ｎ（窒素）以外のＶ族元素もさらに含むもの、導電形などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むもの、及び、意図せずに含まれる各種の元素をさらに含むものも、「窒化物半導体」に含まれるものとする。

以上、具体例を参照しつつ実施形態について説明した。しかし、実施形態はこれらの具体例に限定されるものではない。すなわち、これら具体例に、当業者が適宜設計変更を加えたものも、実施形態の特徴を備えている限り、実施形態の範囲に包含される。前述した各具体例が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。

また、前述した各実施形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて複合させることができ、これらを組み合わせたものも実施形態の特徴を含む限り実施形態の範囲に包含される。その他、実施形態の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例および修正例に想到し得るものであり、それら変更例および修正例についても実施形態の範囲に属するものと了解される。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１、２ 半導体発光素子、 １０ 第１半導体層、 １４ 上面、 １４ｐ 凸部、 １５ 半導体発光部、 １５ｗ 側壁、 １６ バッファ層、 ２０ 第２半導体層、 ３０ 発光層、 ４０ 絶縁層、 ４０ｕ 表面、 ５０ 第１金属層、 ５１ 金属バリア膜、 ５２ 金属反射膜、 ６０ 基板、 ６０ｄ 下面、 ６０ｕ 上面、 ６０ｗ 側面、 ６１ 第１電極層、 ６２ 貫通孔、 ６２ｗ 内壁、 ６３ 第２電極層、 ６４ 第２金属層、 ６５ 成長基板、 ７０ 絶縁層、 ８０ 積層体、 ９０ マスク層、 １００ 発光装置、 １０１ 樹脂ケース、 １０１ｂ 底部、 １０１ｗ 側壁、 １０３ リフレクタ

Claims (7)

1. 第１面と前記第１面とは反対側の第２面とを有する基板と、
   前記基板の前記第２面の上に設けられた絶縁層と、
   前記絶縁層の上に設けられた第１金属層と、
   前記第１金属層の上に設けられ、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を含み、前記第１金属層に前記第２半導体層が電気的に接続された半導体発光部と、
   前記基板の前記第１面に設けられているとともに、前記基板内および前記絶縁層内を延在し、前記第１金属層に電気的に接続された第１電極層と、
   を備えた半導体発光素子。
2. 前記第１電極層は、前記基板の前記第１面と前記第２面とに連なる第３面に接している請求項１記載の半導体発光素子。
3. 前記基板および前記絶縁層には、前記基板の前記第１面から前記第１金属層にまで延在する貫通孔が設けられ、
   前記第１電極層は、前記基板の前記第１面と、前記貫通孔の内壁と、前記第１金属層と、に接し、
   前記第１電極層を介して前記基板の前記第２面および前記貫通孔内に設けられた第２金属層をさらに備えた請求項１または２に記載の半導体発光素子。
4. 前記第１半導体層の上に設けられた第２電極層をさらに備えた請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
5. 第１基板の上に、バッファ層を介して、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を含み、前記バッファ層に前記第１半導体層が接する半導体発光部を形成する工程と、
   前記第２半導体層の上に、前記第２半導体層に接する第１金属層を形成する工程と、
   前記第１金属層の上に、絶縁層を形成する工程と、
   第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する第２基板の前記第２面と、絶縁層と、を接合する工程と、
   を備えた半導体発光素子の製造方法。
6. 前記第２面と前記絶縁層とを接合する前に、前記絶縁層が前記第２基板に対向する面を研磨する請求項５記載の半導体発光素子の製造方法。
7. 前記第１金属層と前記第２基板とを前記絶縁層を介して接合した後に、
   前記バッファ層から前記第１基板を除去する工程と、
   前記第１半導体層から前記バッファ層を除去する工程と、
   前記第２基板および前記絶縁層に、前記第２基板の前記第１面から前記第１金属層にまで延在する貫通孔を形成する工程と、
   前記基板の前記第１面と、前記貫通孔の内壁と、前記第１金属層と、に接する第１電極層を形成する工程と、
   をさらに備えた請求項５または６に記載の半導体発光素子の製造方法。

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