JP2016099583A - Interference filter, optical module, electronic device, and manufacturing method of structure - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、干渉フィルター、光学モジュール、電子機器および構造体の製造方法に関するものである。 The present invention relates to an interference filter, an optical module, an electronic device, and a method for manufacturing a structure.
従来、入射光の中から特定の波長の光を選択して通過させる光フィルターが活用されている。そして、特定の波長の光を通過させる光フィルターが特許文献1に開示されている。それによると、光フィルターは一対の基板を対向配置し、これら基板の対向する面のそれぞれに反射膜が設置されている。この光フィルターは、対向する一対の反射膜間のギャップに応じた波長の光を選択的に取り出すことができる。反射膜間のギャップは、基板に設けられた段差の深さにより設定されていた。
Conventionally, an optical filter that selectively passes light having a specific wavelength from incident light has been used. An optical filter that passes light of a specific wavelength is disclosed in
光フィルターを構成する基板の材質は脆性材料であり、基板は剛性を有する程度の厚みがある。そこで、マザーボードに光フィルターを多数形成した後で、切断して各光フィルターに分離する。このとき、ダイサー式切断機を用いてマザーボードに液体をかけながらダイシングブレードで切断していた。 The material of the substrate constituting the optical filter is a brittle material, and the substrate is thick enough to have rigidity. Therefore, after forming a large number of optical filters on the motherboard, they are cut and separated into optical filters. At this time, it was cut with a dicing blade while applying liquid to the mother board using a dicer type cutting machine.
マザーボードに液体をかけて切断するとき、液体の一部が反射膜に付着する可能性がある。このとき、反射膜の反射率が低下する。そして、光フィルターが光を分離させる効率が低下する。そこで、液体をマザーボードに触れさせずにマザーボードを切断することができる構造体の製造方法が望まれていた。 When the liquid is applied to the motherboard and cut, a part of the liquid may adhere to the reflective film. At this time, the reflectance of the reflective film decreases. And the efficiency with which an optical filter separates light falls. Therefore, there has been a demand for a method of manufacturing a structure that can cut the mother board without causing liquid to touch the mother board.
本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and can be realized as the following forms or application examples.
[適用例1]
本適用例にかかる構造体の製造方法は、構造体の製造方法であって、第1基板に設置された第1構造体を囲んで第1面に第1溝部を設置し、第2基板に設置された第2構造体を囲んで第2面に第2溝部を設置し、前記第1面と前記第2面とを接合し、前記第1溝部に沿って前記第1基板を切断し、前記第2溝部に沿って前記第2基板を切断することを特徴とする。
[Application Example 1]
A structure manufacturing method according to this application example is a structure manufacturing method, in which a first groove is provided on a first surface surrounding a first structure provided on a first substrate, and the second substrate is provided with a first groove. Surrounding the installed second structure, installing a second groove on the second surface, joining the first surface and the second surface, cutting the first substrate along the first groove, The second substrate is cut along the second groove.
本適用例によれば、第1基板に第1構造体が設置され、第2基板に第2構造体が設置されている。第1構造体を囲んで第1基板の第1面に第1溝部を設置している。そして、第2構造体を囲んで第2基板の第2面に第2溝部を設置している。次に、第1面と第2面とを接合している。これにより、第1基板と第2基板とは合体して1枚の基板となる。次に、第1溝部に沿って第1基板を切断し、第2溝部に沿って第2基板を切断している。 According to this application example, the first structure is installed on the first substrate, and the second structure is installed on the second substrate. A first groove is provided on the first surface of the first substrate so as to surround the first structure. And the 2nd groove part is installed in the 2nd surface of the 2nd board | substrate surrounding the 2nd structure. Next, the first surface and the second surface are joined. As a result, the first substrate and the second substrate are combined into one substrate. Next, the first substrate is cut along the first groove portion, and the second substrate is cut along the second groove portion.
第1溝部のある場所では第1基板の厚みが薄くなっているので切断され易くなっている。従って、第1基板を乾式で切断することができる。同様に、第2溝部のある場所では第2基板の厚みが薄くなっているので切断され易くなっている。従って、第2基板を乾式で切断することができる。その結果、第1基板と第2基板とが合体した基板を乾式にて切断することができる為、第1構造体及び第2構造体に液体を触れさせずに基板を切断することができる。 Since the thickness of the first substrate is thin at a place where the first groove is present, the first substrate is easily cut. Therefore, the first substrate can be cut by a dry method. Similarly, since the thickness of the second substrate is thin at a place where the second groove is present, the second substrate is easily cut. Therefore, the second substrate can be cut by a dry method. As a result, since the board | substrate with which the 1st board | substrate and the 2nd board | substrate were united can be cut | disconnected by a dry type, a board | substrate can be cut | disconnected without making a liquid touch the 1st structure body and the 2nd structure body.
[適用例2]
上記適用例にかかる構造体の製造方法において、前記第1溝部の深さは前記第1基板の厚みの50%〜95%であり、前記第2溝部の深さは前記第2基板の厚みの50%〜95%であることを特徴とする。
[Application Example 2]
In the structure manufacturing method according to the application example described above, the depth of the first groove portion is 50% to 95% of the thickness of the first substrate, and the depth of the second groove portion is equal to the thickness of the second substrate. It is characterized by being 50% to 95%.
本適用例によれば、第1溝部の深さは第1基板の厚みの50%〜95%である。また、第2溝部の深さは第2基板の厚みの50%〜95%である。このとき、第1溝部における第1基板の厚みは、第1溝部がない場所の厚みの50%〜5%である。同様に、第2溝部における第2基板の厚みは、第2溝部がない場所の厚みの50%〜5%である。このとき、第1基板及び第2基板は剛性を確保している為、第1基板と第2基板とを接合させることができる。そして、第1溝部で第1基板を切断するときに必要な負荷を低減することができる。同様に、第2溝部で第2基板を切断するときに必要な負荷を低減することができる。従って、第1基板と第2基板とを接合して合体した基板を容易に切断することができる。 According to this application example, the depth of the first groove is 50% to 95% of the thickness of the first substrate. Further, the depth of the second groove is 50% to 95% of the thickness of the second substrate. At this time, the thickness of the 1st board | substrate in a 1st groove part is 50%-5% of the thickness of a place without a 1st groove part. Similarly, the thickness of the second substrate in the second groove portion is 50% to 5% of the thickness of the place where the second groove portion is not present. At this time, since the first substrate and the second substrate ensure rigidity, the first substrate and the second substrate can be joined. And a load required when cut | disconnecting a 1st board | substrate by a 1st groove part can be reduced. Similarly, the load required when cutting the second substrate at the second groove can be reduced. Therefore, the board | substrate which united and united the 1st board | substrate and the 2nd board | substrate can be cut | disconnected easily.
[適用例3]
上記適用例にかかる構造体の製造方法において、前記第1基板を切断するときは、前記第1基板において前記第1面の反対側の面に前記第1溝部に沿ってクラックを形成し、クラックに沿って前記第1基板を切断することを特徴とする。
[Application Example 3]
In the structure manufacturing method according to the application example, when the first substrate is cut, a crack is formed along the first groove portion on the surface opposite to the first surface in the first substrate, The first substrate is cut along the line.
本適用例によれば、第1基板において第1面の反対側の面に第1溝部に沿ってクラックを形成し、クラックに沿って第1基板を切断している。第1面の反対側の面は第1溝部が設置された面の反対側であり、第1溝部がないので容易にクラックを形成することができる。そして、クラックに沿って第1基板を切断するとき切断される面をクラックの形状に沿って精度良く形成することができる。 According to this application example, a crack is formed along the first groove on the surface of the first substrate opposite to the first surface, and the first substrate is cut along the crack. The surface on the opposite side of the first surface is the opposite side of the surface on which the first groove is provided, and since there is no first groove, a crack can be easily formed. And the surface cut | disconnected when cut | disconnecting a 1st board | substrate along a crack can be formed accurately along the shape of a crack.
[適用例4]
上記適用例にかかる構造体の製造方法において、前記第1基板を切断するときは、前記第1基板において前記第1面の反対側の面から前記第1溝部に沿ってレーザー光を照射し、前記第1溝部に沿って応力を加えて前記第1基板を切断することを特徴とする。
[Application Example 4]
In the method for manufacturing a structure according to the application example, when the first substrate is cut, the first substrate is irradiated with laser light along the first groove portion from the surface opposite to the first surface. The first substrate is cut by applying stress along the first groove.
本適用例によれば、第1基板において第1面の反対側の面に第1溝部に沿ってレーザー光を照射し、第1溝部に沿って第1基板を切断している。第1面の反対側の面は第1溝部が設置された面の反対側であり、第1溝部がないので容易にレーザー光を照射することができる。レーザー光が照射された場所では基板が熱により改質または溶解され切断され易くなっている。そして、第1溝部に沿って応力を加えて第1基板を切断するとき切断面を第1溝部に沿って位置精度良く形成することができる。従って、第1基板の形状を位置精度良く形成することができる。 According to this application example, the first substrate is irradiated with laser light along the first groove portion on the surface opposite to the first surface, and the first substrate is cut along the first groove portion. The surface on the opposite side of the first surface is the opposite side of the surface on which the first groove is provided, and since there is no first groove, the laser beam can be easily irradiated. In the place where the laser beam is irradiated, the substrate is easily modified or melted by heat to be easily cut. And when applying a stress along a 1st groove part and cut | disconnecting a 1st board | substrate, a cut surface can be formed with a sufficient positional accuracy along a 1st groove part. Therefore, the shape of the first substrate can be formed with high positional accuracy.
[適用例5]
本適用例にかかる干渉フィルターであって、第1反射膜が設置された第1基板と、前記第1反射膜に対向する第2反射膜が設置され前記第1基板と接合された第2基板と、前記第1反射膜と前記第2反射膜の間隔を制御する間隔制御部と、を備え、前記第1基板と前記第2基板とが接合された接合面が位置する場所の基板の側面には前記接合面に沿って第3溝部が設置されていることを特徴とする。
[Application Example 5]
An interference filter according to this application example, wherein a first substrate on which a first reflective film is installed, and a second substrate on which a second reflective film facing the first reflective film is installed and bonded to the first substrate And an interval controller that controls an interval between the first reflection film and the second reflection film, and a side surface of the substrate where a bonding surface where the first substrate and the second substrate are bonded is located Is characterized in that a third groove is provided along the joint surface.
本適用例によれば、第1基板には第1反射膜が設置され、第2基板には第2反射膜が設置されている。第1反射膜と第2反射膜とは互いに対向する場所に設置されている。そして、間隔制御部が第1反射膜と第2反射膜との間隔を制御する。これにより、干渉フィルターは第1反射膜と第2反射膜との間で反射する光の波長を制御することができる。 According to this application example, the first substrate is provided with the first reflective film, and the second substrate is provided with the second reflective film. The first reflective film and the second reflective film are installed at locations facing each other. And the space | interval control part controls the space | interval of a 1st reflective film and a 2nd reflective film. Thereby, the interference filter can control the wavelength of light reflected between the first reflective film and the second reflective film.
第1基板と第2基板とが接合面で接合され1枚の基板になっている。そして、基板の側面には接合面に沿って第3溝部が設置されている。第3溝部がある場所では第1基板及び第2基板の厚みが薄くなっている。従って、第1基板及び第2基板を乾式で切断することができる。その結果、第1基板と第2基板とが合体した基板を乾式にて切断することができる為、第1反射膜及び第2反射膜に液体を触れさせずに基板を切断することができる。 The first substrate and the second substrate are bonded at the bonding surface to form a single substrate. And the 3rd groove part is installed in the side surface of a board | substrate along the joining surface. Where the third groove is present, the thickness of the first substrate and the second substrate is reduced. Therefore, the first substrate and the second substrate can be cut by a dry method. As a result, since the board | substrate with which the 1st board | substrate and the 2nd board | substrate were united can be cut | disconnected by a dry type, a board | substrate can be cut | disconnected without making a liquid touch a 1st reflective film and a 2nd reflective film.
[適用例6]
本適用例にかかる光学モジュールであって、干渉フィルターと、内部空間を有し前記内部空間に前記干渉フィルターを収納する筐体と、前記筐体と接続され前記内部空間を密閉する蓋部と、を備え、前記干渉フィルターは、第1反射膜が設置された第1基板と、前記第1反射膜に対向する第2反射膜が設置され前記第1基板と接合された第2基板と、前記第1反射膜と前記第2反射膜の間隔を制御する間隔制御部と、を備え、前記第1基板と前記第2基板とが接合された接合面が位置する場所の基板の側面には前記接合面に沿って第3溝部が設置されていることを特徴とする。
[Application Example 6]
An optical module according to this application example, including an interference filter, a housing having an internal space and housing the interference filter in the internal space, a lid connected to the housing and sealing the internal space, The interference filter includes: a first substrate on which a first reflective film is installed; a second substrate on which a second reflective film facing the first reflective film is installed and bonded to the first substrate; An interval control unit that controls an interval between the first reflection film and the second reflection film, and the side surface of the substrate where the bonding surface where the first substrate and the second substrate are bonded is located on the side surface of the substrate A third groove is provided along the joint surface.
本適用例によれば、光学モジュールは筐体と蓋部とで密閉された内部空間を有し、内部空間には干渉フィルターが設置されている。干渉フィルターでは第1反射膜と第2反射膜とが互いに対向する場所に設置されている。そして、間隔制御部が第1反射膜と第2反射膜との間隔を制御する。これにより、干渉フィルターは第1反射膜と第2反射膜との間で反射する光の波長を制御することができる。 According to this application example, the optical module has an internal space sealed by the housing and the lid, and an interference filter is installed in the internal space. In the interference filter, the first reflective film and the second reflective film are installed at locations facing each other. And the space | interval control part controls the space | interval of a 1st reflective film and a 2nd reflective film. Thereby, the interference filter can control the wavelength of light reflected between the first reflective film and the second reflective film.
そして、干渉フィルターは第1基板と第2基板とが接合面で接合され、接合された基板の側面には接合面に沿って第3溝部が設置されている。これにより、第3溝部がある場所では第1基板及び第2基板の厚みが薄くなっている。そして、第1基板と第2基板とが合体した基板を乾式にて切断することができる為、第1反射膜及び第2反射膜に液体を触れさせずに基板を切断することができる。従って、光学モジュールは第1反射膜及び第2反射膜に液体を触れさせずに基板が切断された干渉フィルターを備えたモジュールとすることができる。 In the interference filter, the first substrate and the second substrate are bonded to each other at the bonding surface, and a third groove portion is provided along the bonding surface on the side surface of the bonded substrate. Thereby, the thickness of the 1st substrate and the 2nd substrate is thin in the place with the 3rd slot. And since the board | substrate with which the 1st board | substrate and the 2nd board | substrate were united can be cut | disconnected by a dry type, a board | substrate can be cut | disconnected without making a liquid touch a 1st reflective film and a 2nd reflective film. Therefore, the optical module can be a module including an interference filter in which the substrate is cut without touching the liquid with the first reflective film and the second reflective film.
[適用例7]
本適用例にかかる電子機器であって、光学モジュールと、前記光学モジュールを制御する制御部と、を備え、前記光学モジュールは、干渉フィルターと、内部空間を有し前記内部空間に前記干渉フィルターを収納する筐体と、前記筐体と接続され前記内部空間を密閉する蓋部と、を備え、前記干渉フィルターは、第1反射膜が設置された第1基板と、前記第1反射膜に対向する第2反射膜が設置され前記第1基板と接合された第2基板と、前記第1反射膜と前記第2反射膜の間隔を制御する間隔制御部と、を備え、前記第1基板と前記第2基板とが接合された接合面が位置する場所の基板の側面には前記接合面に沿って第3溝部が設置されていることを特徴とする。
[Application Example 7]
An electronic apparatus according to this application example, comprising: an optical module; and a control unit that controls the optical module, wherein the optical module includes an interference filter, an internal space, and the interference filter in the internal space. A housing that houses the lid, and a lid that is connected to the housing and seals the internal space, wherein the interference filter is opposed to the first substrate on which the first reflective film is disposed, and the first reflective film A second substrate that is installed and bonded to the first substrate, and an interval control unit that controls an interval between the first reflection film and the second reflection film, and the first substrate; A third groove is provided along the bonding surface on the side surface of the substrate where the bonding surface where the second substrate is bonded is located.
本適用例によれば、電子機器は光学モジュールと、光学モジュールを制御する制御部と、を備えている。そして、光学モジュールは筐体と蓋部とで密閉された内部空間を有し、内部空間には干渉フィルターが設置されている。干渉フィルターでは第1反射膜と第2反射膜とが互いに対向する場所に設置されている。そして、間隔制御部が第1反射膜と第2反射膜との間隔を制御する。これにより、干渉フィルターは第1反射膜と第2反射膜との間で反射する光の波長を制御することができる。 According to this application example, the electronic apparatus includes the optical module and a control unit that controls the optical module. The optical module has an internal space sealed by a housing and a lid, and an interference filter is installed in the internal space. In the interference filter, the first reflective film and the second reflective film are installed at locations facing each other. And the space | interval control part controls the space | interval of a 1st reflective film and a 2nd reflective film. Thereby, the interference filter can control the wavelength of light reflected between the first reflective film and the second reflective film.
そして、干渉フィルターは第1基板と第2基板とが接合面で接合され、接合された基板の側面には接合面に沿って第3溝部が設置されている。これにより、第3溝部がある場所では第1基板及び第2基板の厚みが薄くなっている。そして、第1基板と第2基板とが合体した基板を乾式にて切断することができる為、第1反射膜及び第2反射膜に液体を触れさせずに基板を切断することができる。従って、光学モジュールは第1反射膜及び第2反射膜に液体を触れさせずに基板が切断された干渉フィルターを備えている。その結果、電子機器は第1反射膜及び第2反射膜に液体を触れさせずに基板が切断された干渉フィルターを備えた機器とすることができる。 In the interference filter, the first substrate and the second substrate are bonded to each other at the bonding surface, and a third groove portion is provided along the bonding surface on the side surface of the bonded substrate. Thereby, the thickness of the 1st substrate and the 2nd substrate is thin in the place with the 3rd slot. And since the board | substrate with which the 1st board | substrate and the 2nd board | substrate were united can be cut | disconnected by a dry type, a board | substrate can be cut | disconnected without making a liquid touch a 1st reflective film and a 2nd reflective film. Accordingly, the optical module includes an interference filter in which the substrate is cut without touching the liquid with the first reflective film and the second reflective film. As a result, the electronic device can be a device including an interference filter in which the substrate is cut without touching the liquid with the first reflective film and the second reflective film.
以下、実施形態について図面に従って説明する。尚、各図面における各部材は、各図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせて図示している。 Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings. In addition, each member in each drawing is illustrated with a different scale for each member in order to make the size recognizable on each drawing.
(第1の実施形態)
本実施形態では、特徴的な構造を有する光学モジュールと、この光学モジュールの製造方法について図1〜図11に従って説明する。まず、光学モジュールについて図1〜図5に従って説明する。図1(a)及び図1(b)は光学モジュールの構造を示す概略斜視図である。図1(a)は光学モジュールの第1蓋体側から見た図であり、図1(b)は光学モジュールの第2蓋体側から見た図である。図1(a)に示すように、光学モジュール1は略直方体の形状となっている。光学モジュール1の図中下方向をZ方向とし、Z方向と直交する2方向をX方向及びY方向とする。X方向、Y方向、Z方向はそれぞれ光学モジュール1の辺に沿う方向であり、直交する方向となっている。
(First embodiment)
In the present embodiment, an optical module having a characteristic structure and a method for manufacturing the optical module will be described with reference to FIGS. First, the optical module will be described with reference to FIGS. FIG. 1A and FIG. 1B are schematic perspective views showing the structure of an optical module. FIG. 1A is a view from the first lid side of the optical module, and FIG. 1B is a view from the second lid side of the optical module. As shown in FIG. 1A, the
光学モジュール1は有底角筒状の筐体2を備え、筐体2の−Z方向側には円形の第1孔2aが形成されている。そして、第1孔2aを塞ぐように第1蓋体3が設置されている。筐体2と第1蓋体3とは第1の低融点ガラス4により接合されている。筐体2において−Z方向側の面には第1端子5、第2端子6、第3端子7、第4端子8が設置されている。筐体2のZ方向側には蓋部としての第2蓋体9が設置され、筐体2と第2蓋体9とは第2の低融点ガラス10により接合されている。
The
図1(b)に示すように、筐体2のZ方向には四角形の第2孔2bが形成されている。第2孔2bは第1孔2aより大きな孔となっている。そして、第2孔2bを塞ぐように第2蓋体9が設置されている。筐体2、第1蓋体3及び第2蓋体9に囲まれた内部空間11は密閉された空間であり、内部空間11には干渉フィルター12が設置されている。
As shown in FIG. 1B, a rectangular
図2(a)は光学モジュールの構造を示す模式平面図であり、光学モジュール1をZ方向側から見た図である。図2(a)は第2蓋体9を除いた図となっている。図2(b)は光学モジュールの構造を示す模式側断面図であり、図2(a)のA−A線に沿う断面側から見た図である。図2(c)は光学モジュールの構造を示す模式側断面図であり、図2(a)のB−B線に沿う断面から見た図である。図2に示すように、筐体2の底面2cに干渉フィルター12が設置され、干渉フィルター12は第1基板としての可動基板13と第2基板としての固定基板14とが接合され重なった構造となっている。
FIG. 2A is a schematic plan view showing the structure of the optical module, and is a view of the
可動基板13はX方向側の端に第1端子15、第2端子16、第3端子17、第4端子18が設置されている。X方向側の底面2cには第1端子22、第2端子23、第3端子24、第4端子25が設置されている。第1端子15は第1端子22と金線26により接続され、第2端子16は第2端子23と金線26により接続されている。さらに、第3端子17は第3端子24と金線26により接続され、第4端子18は第4端子25と金線26により接続されている。
The
筐体2には貫通電極27が設置され、第1端子22は第1端子5と貫通電極27により接続されている。同様に、第2端子23は第2端子6と貫通電極27により接続され、第3端子24は第3端子7と貫通電極27により接続されている。さらに、第4端子25は第4端子8と貫通電極27により接続されている。つまり、第1端子15は第1端子5と接続され、第2端子16は第2端子6と接続されている。そして、第3端子17は第3端子7と接続され、第4端子18は第4端子8と接続されている。
A through
第1端子5〜第4端子8は制御部としての電圧制御部21と接続されている。電圧制御部21は第1端子5〜第4端子8、貫通電極27、第1端子22〜第4端子25及び金線26を介して第1端子15〜第4端子18の電圧を制御する。
The
第1蓋体3及び第2蓋体9は光透過性を有するガラスによって形成されている。可動基板13及び固定基板14の材料にはソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス等の各種ガラスや、水晶等を用いることができる。従って、第1蓋体3、干渉フィルター12、第2蓋体9を光28が通過することが可能になっている。筐体2の材質は第1蓋体3及び第2蓋体9と線膨張係数が近い材質であれば良く特に限定されないが、本実施形態では例えば、筐体2の材質にセラミックを用いている。
The
可動基板13のX方向且つY方向側の角では固定部29が設置され、固定部29により可動基板13は端部の側面にて筐体2の側壁部2dに固定されている。固定部29は、例えば、エポキシ系やシリコーン系の接着剤にて構成されている。
筐体2と干渉フィルター12とは固定部29により1か所で固定されている。−X方向側と−Y方向側では干渉フィルター12の側面と筐体2の内側の側壁部2dとが接している。これにより、筐体2に対する干渉フィルター12の位置が固定されている。底面2cと可動基板13との間には隙間があっても良いが、隙間が無い方が好ましい。可動基板13と底面2cとが擦れることにより振動を減衰させやすくすることができる。
The
図3(a)は干渉フィルターの構造を示す模式側断面図であり、Y方向から見た図である。図3(b)は可動基板の構造を示す模式平面図であり、図3(c)は固定基板の構造を示す模式平面図である。図3(a)に示すように、干渉フィルター12では可動基板13と固定基板14とが接合膜30により接合されている。接合膜30には例えば、シロキサンを主成分とするプラズマ重合膜等により構成された膜を用いることができる。接合された可動基板13及び固定基板14を基板としての接合基板31とする。可動基板13において接合膜30と接する面を接合面としての第1接合面13fとし、固定基板14において接合膜30と接する面を接合面としての第2接合面14fとする。固定基板14のZ方向側の面にはアパーチャー32が設置されている。
FIG. 3A is a schematic side sectional view showing the structure of the interference filter, as viewed from the Y direction. FIG. 3B is a schematic plan view showing the structure of the movable substrate, and FIG. 3C is a schematic plan view showing the structure of the fixed substrate. As shown in FIG. 3A, in the
アパーチャー32は例えばCr等の非透光性部材の膜である。アパーチャー32は円環状であり、環内周径は干渉フィルター12が光干渉する光28の有効径に設定されている。これにより、アパーチャー32は光学モジュール1に入射した光28を所定の範囲に限定して絞ることができる。
The
図3(a)及び図3(b)に示すように、Z方向から見た平面視で可動基板13には中央を囲む円環状の円環溝13aが設置されている。円環溝13aに囲まれた円柱状の部分を第1構造体としての可動部13bとする。可動部13bの周囲に位置し円環溝13aにより薄くなっている部分を保持部13cとする。保持部13cは厚みが薄いので変形し易くなっている。これにより、可動部13bは容易にZ方向に移動することが可能になっている。可動基板13は厚みが例えば600μmに形成されるガラス基材を加工することで形成されている。可動基板13の側面において第1接合面13fが位置する場所には全周に渡って第3溝部としての側面溝部13dが設置されている。
As shown in FIGS. 3A and 3B, the
可動部13bには+Z方向側の面に第1反射膜としての可動反射膜33及び可動電極34が設置されている。可動反射膜33は略円形の膜であり、第3端子17と接続されている。第3端子17は筐体2の第3端子7と接続されているので、可動反射膜33は第3端子7と接続されている。
In the
接合基板31の−X方向側の面では固定基板14において第3溝部としての側面溝部14dより突出した側面14eが筐体2の側壁部2dと接触する。そして、接合基板31の+X方向側の面では可動基板13において側面溝部13dより突出した側面13e及び側面溝部13dと筐体2の側壁部2dとの間に固定部29が設置される。
On the surface on the −X direction side of the
可動電極34は可動反射膜33の周囲に位置し円環状に可動反射膜33を囲んでいる。可動電極34は円環状の+X方向側が分断され、分断された場所に可動反射膜33の一部が設置されている。可動電極34は第2端子16と接続されている。第2端子16は筐体2の第2端子6と接続されているので、可動電極34は第2端子6と接続されている。
The
図3(a)及び図3(c)に示すように、−Z方向から見た平面視で固定基板14の中央には円柱状に−Z方向に突出する第2構造体としての反射膜設置部14aが設置されている。反射膜設置部14aの周囲には円環状に凹んだ電極設置溝14bが設置されている。さらに、電極設置溝14bは+X方向側に延び固定基板14の外周にまで延在している。従って、干渉フィルター12は電極設置溝14bが開口している。固定基板14は厚みが例えば600μmに形成されたガラス基材を加工することで形成されている。固定基板14の側面において第2接合面14fが位置する場所には全周に渡って側面溝部14dが設置されている。
As shown in FIGS. 3A and 3C, a reflective film is installed as a second structure projecting in the −Z direction in a cylindrical shape in the center of the fixed
反射膜設置部14aには−Z方向側の面に第2反射膜としての固定反射膜35が設置されている。固定反射膜35は略円形の膜であり固定反射膜35のX方向側に位置する反射膜端子36と接続されている。固定反射膜35の周囲では電極設置溝14bに固定電極37が設置されている。固定電極37は固定反射膜35の周囲に位置し円環状に固定反射膜35を囲んでいる。固定電極37は円環状の−X方向側が分断され、分断された場所に固定反射膜35の一部が設置されている。固定電極37は固定電極端子38と接続されている。
A fixed
反射膜端子36と第4端子18との間にはバンプ電極41が設置され、バンプ電極41により反射膜端子36は第4端子18と接続されている。第4端子18は筐体2の第4端子8と接続されているので、固定反射膜35は第4端子8と接続されている。同様に、固定電極端子38と第1端子15との間にはバンプ電極41が設置され、バンプ電極41により固定電極端子38は第1端子15と接続されている。第1端子15は筐体2の第1端子5と接続されているので、固定電極37は第1端子5と接続されている。
A
可動反射膜33及び固定反射膜35の材質には、例えばAg等の金属膜や、Ag合金等の合金膜を用いることができる。また、可動反射膜33及び固定反射膜35の材質には、例えば高屈折層をTiO2、低屈折層をSiO2とした誘電体多層膜を用いてもよい。さらに、誘電体多層膜上に金属膜(または合金膜)を積層した反射膜や、金属膜(または合金膜)上に誘電体多層膜を積層した反射膜、単層の屈折層(TiO2やSiO2等)と金属膜(または合金膜)とを積層した反射膜等を用いてもよい。
As a material of the movable
可動電極34と固定電極37とは円環状の部分が対向して設置されている。そして、電圧制御部21が、第2端子6と第1端子5との間に所定のステップ電圧を印加する。これにより、可動電極34と固定電極37との間に静電引力が発生する。静電引力により保持部13cが撓むことで、可動部13bが固定基板14側に変位し、反射膜間ギャップ42を所望の寸法に設定することが可能となる。可動電極34、固定電極37及び保持部13c等により間隔制御部としての静電アクチュエーター43が構成されている。
The
可動反射膜33及び固定反射膜35は干渉フィルター12に入射する光28の一部を反射し一部を透過する。可動反射膜33と固定反射膜35との間で多重反射が生じ、位相の合う光28は光28が進行する方向に透過して進行する。電圧制御部21が反射膜間ギャップ42を制御することにより干渉フィルター12は所定の波長の光28を透過させることができる。
The movable
可動反射膜33及び固定反射膜35は電圧制御部21に接続されている。電圧制御部21は可動反射膜33の電位を固定反射膜35の電位と同じ電位にする。これにより、電圧制御部21は可動反射膜33と固定反射膜35との間に静電引力が作用しないようにしている。従って、電圧制御部21は反射膜間ギャップ42を精度良く制御することができる。
The movable
さらに、電圧制御部21は可動反射膜33と固定反射膜35との間の静電容量を測定することにより反射膜間ギャップ42を推定する機能も備えている。
Further, the
図4(a)は、溝部の構造を示す要部拡大図である。図4(a)に示すように、固定基板14には側面溝部14dが設置されている。固定基板14の厚みを固定基板厚み44とする。固定基板14の厚み方向における側面溝部14dの長さを固定板溝深さ45とする。固定板溝深さ45は固定基板厚み44の50%〜95%になっている。さらには、固定板溝深さ45は固定基板厚み44の65%〜95%が好ましい。さらには、固定板溝深さ45は固定基板厚み44の80%〜95%が好ましい。
FIG. 4A is an enlarged view of a main part showing the structure of the groove. As shown in FIG. 4A, the fixed
同様に、可動基板13には側面溝部13dが設置されている。可動基板13の厚みを可動基板厚み46とする。可動基板13の厚み方向における側面溝部13dの長さを可動板溝深さ47とする。可動板溝深さ47は可動基板厚み46の50%〜95%になっている。さらには、可動板溝深さ47は可動基板厚み46の65%〜95%が好ましい。さらには、可動板溝深さ47は可動基板厚み46の80%〜95%が好ましい。
Similarly, the
このとき、可動基板13及び固定基板14は剛性を確保している為、可動基板13と固定基板14とを接合させることができる。そして、側面溝部13dで可動基板13を切断するときに必要な負荷を低減することができる。同様に、側面溝部14dで固定基板14を切断するときに必要な負荷を低減することができる。従って、可動基板13と固定基板14とを接合して合体した接合基板31を容易に切断することができる。
At this time, since the
図4(b)は、干渉フィルターの構造を示す模式側断面図であり、X方向から見た図である。図4(b)に示すように、固定基板14の+Y方向側の側面及び−Y方向側の側面にも側面溝部14dが設置されている。可動基板13の+Y方向側の側面及び−Y方向側の側面にも第1接合面13fが位置する場所に側面溝部13dが設置されている。+Y方向側の側面では側面溝部13dの+Y方向側を向く面と側面溝部14dの+Y方向側を向く面とが略同じ平面上に配置されている。同様に、−Y方向側の側面では側面溝部13dの−Y方向側を向く面と側面溝部14dの−Y方向側を向く面とが略同じ平面上に配置されている。
FIG. 4B is a schematic side sectional view showing the structure of the interference filter, as viewed from the X direction. As shown in FIG. 4B,
接合基板31の−Y方向側の面では固定基板14において側面溝部14dより突出した側面14eが筐体2の側壁部2dと接触する。さらに、可動基板13において側面溝部13dより突出した側面13eが筐体2の側壁部2dと接触する。そして、接合基板31の+Y方向側の面では可動基板13において側面溝部13dより突出した側面13e及び側面溝部13dと筐体2の側壁部2dとの間に固定部29が設置される。
On the surface on the −Y direction side of the
図4(c)は、溝部の構造を示す要部拡大図である。図4(c)に示すように、固定基板14の+Y方向側の側面及び−Y方向側の側面においても固定板溝深さ45は固定基板厚み44の50%〜95%になっている。さらには、固定板溝深さ45は固定基板厚み44の65%〜95%が好ましい。さらには、固定板溝深さ45は固定基板厚み44の80%〜95%が好ましい。同様に、可動基板13の+Y方向側の側面及び−Y方向側の側面においても可動板溝深さ47は可動基板厚み46の50%〜95%になっている。さらには、可動板溝深さ47は可動基板厚み46の65%〜95%が好ましい。さらには、可動板溝深さ47は可動基板厚み46の80%〜95%が好ましい。
FIG. 4C is an enlarged view of a main part showing the structure of the groove. As shown in FIG. 4C, the fixed
図5は制御部の電気制御ブロック図である。図5に示すように、電圧制御部21には第1スイッチ48、第2スイッチ49の2個のスイッチと第1スイッチ48及び第2スイッチ49を制御するスイッチ制御部50とが設置されている。各スイッチは2回路2接点スイッチの形態となっている。第1スイッチ48は第1可動切片48a、第2可動切片48b、第1接点48c、第2接点48d、第3接点48e及び第4接点48fを備えている。
FIG. 5 is an electric control block diagram of the control unit. As shown in FIG. 5, the
第1可動切片48a及び第2可動切片48bは共に接地されている。第1接点48cは孤立し接続されていない接点である。第2接点48dは第4端子8を介して固定反射膜35と接続されている。第1可動切片48aは第1接点48c及び第2接点48dの一方と導通する。同様に、第3接点48eは孤立し接続されていない接点である。第4接点48fは第3端子7を介して可動反射膜33と接続されている。第2可動切片48bは第3接点48e及び第4接点48fの一方と導通する。
Both the first
第1可動切片48aと第2可動切片48bとは連動しスイッチ制御部50に制御される。スイッチ制御部50が第1可動切片48aを第1接点48cと導通させて第2可動切片48bを第3接点48eと導通させるとき、第1スイッチ48では固定反射膜35が第1可動切片48aと切断され、可動反射膜33が第2可動切片48bと切断された状態となる。一方、スイッチ制御部50が第1可動切片48aを第2接点48dと導通させて第2可動切片48bを第4接点48fと導通させるとき、第1スイッチ48では可動反射膜33及び固定反射膜35が接地された状態となる。従って、スイッチ制御部50は可動反射膜33及び固定反射膜35を短絡させて且つ接地させるか開放するかを制御することができる。
The first
第2スイッチ49は第1可動切片49a、第2可動切片49b、第1接点49c、第2接点49d、第3接点49e及び第4接点49fを備えている。第1可動切片49a及び第2可動切片49bは距離検出部51と接続されている。第1接点49cは第4端子8を介して固定反射膜35と接続されている。第2接点49dは孤立し接続されていない接点である。第1可動切片49aは第1接点49c及び第2接点49dの一方と導通する。同様に、第3接点49eは第3端子7を介して可動反射膜33と接続されている。第4接点49fは孤立し接続されていない接点である。第2可動切片49bは第3接点49e及び第4接点49fの一方と導通する。距離検出部51は可動反射膜33と固定反射膜35との間の電気容量を測定することにより可動反射膜33と固定反射膜35との間の距離を検出する機能を有する。
The
干渉フィルター12は第3端子7及び第4端子8の外部端子を備えている。そして、第3端子7及び第4端子8の外部端子を用いて距離検出部51が可動反射膜33と固定反射膜35との間の距離を検出することが可能になっている。
The
第1可動切片49aと第2可動切片49bとは連動しスイッチ制御部50に制御される。スイッチ制御部50が第1可動切片49aを第1接点49cと導通させて第2可動切片49bを第3接点49eと導通させるとき、第2スイッチ49では可動反射膜33及び固定反射膜35が距離検出部51と接続される。一方、スイッチ制御部50が第1可動切片49aを第2接点49dと導通させて第2可動切片49bを第4接点49fと導通させるとき、第2スイッチ49では可動反射膜33及び固定反射膜35が距離検出部51と切断される。従って、スイッチ制御部50は可動反射膜33及び固定反射膜35を距離検出部51に接続させるか接地させるかを制御することができる。
The first
電圧制御部21が反射膜間ギャップ42を検出するとき、まず、スイッチ制御部50が第1スイッチ48及び第2スイッチ49を切り替える。第1スイッチ48ではスイッチ制御部50が第1可動切片48aを第1接点48cと接触させる。さらに、スイッチ制御部50は第2可動切片48bを第3接点48eと接触させる。さらに、第2スイッチ49ではスイッチ制御部50が第1可動切片49aを第1接点49cと接触させる。さらに、スイッチ制御部50は第2可動切片49bを第3接点49eと接触させる。これにより、可動反射膜33及び固定反射膜35はそれぞれ距離検出部51と接続される。そして、距離検出部51は可動反射膜33及び固定反射膜35に通電して可動反射膜33と固定反射膜35との間の電気容量を測定する。これにより、距離検出部51は反射膜間ギャップ42を検出する。
When the
距離検出部51が反射膜間ギャップ42を測定しないとき、第1スイッチ48ではスイッチ制御部50が第1可動切片48aを第2接点48dと接触させる。さらに、スイッチ制御部50は第2可動切片48bを第4接点48fと接触させる。第2スイッチ49ではスイッチ制御部50は第1可動切片49aを第2接点49dと接触させる。さらに、スイッチ制御部50は第2可動切片49bを第4接点49fと接触させる。これにより、可動反射膜33及び固定反射膜35はそれぞれ接地され、互いに導通する。
When the
可動反射膜33と固定反射膜35との間には水分子や酸素分子等の分子が移動し、分子同士が衝突しあう。このとき、各分子に静電気が生ずることがある。そして、静電気をもつ分子が可動反射膜33及び固定反射膜35に接触するとき可動反射膜33及び固定反射膜35が帯電する。静電気により可動反射膜33と固定反射膜35との間で電圧差が生じるとき、可動反射膜33と固定反射膜35との間に静電気力が生じる。これにより反射膜間ギャップ42が変動する。反射膜間ギャップ42が変動することにより干渉フィルター12を通過する光の波長が変動する。そこで、スイッチ制御部50が所定の時間間隔にて可動反射膜33及び固定反射膜35を接地する。これにより、可動反射膜33及び固定反射膜35の静電気が除去される為反射膜間ギャップ42を精度良く制御することができる。
Molecules such as water molecules and oxygen molecules move between the movable
尚、第1スイッチ48及び第2スイッチ49はトランジスター等の半導体により構成されたスイッチング素子を用いても良く電磁スイッチでも良い。電流が小さいときには半導体により構成されたスイッチング素子を用いる方が製造し易く耐久性があり好ましい。本実施形態では、例えば、第1スイッチ48及び第2スイッチ49は半導体により構成されたスイッチング素子を用いている。
The
電圧制御部21には電圧制御部52が設置され、電圧制御部52には可動電極34及び固定電極37が電気的に接続されている。電圧制御部52は可動電極34及び固定電極37に印加する電圧を制御することにより反射膜間ギャップ42を制御することが可能になっている。電圧制御部52が反射膜間ギャップ42を所定の間隔に変更する。そして、光28が干渉フィルター12に入射される。光28は可動反射膜33と固定反射膜35との間で多重反射し、反射膜間ギャップ42の寸法に応じた波長の光が干渉フィルター12を通過する。従って、電圧制御部52が反射膜間ギャップ42を制御することにより干渉フィルター12を通過する光28の波長を制御することが可能になっている。
A
次に、干渉フィルター12の製造方法について説明する。図6は干渉フィルターの製造方法を示すフローチャートであり、図7〜図11は干渉フィルターの製造方法を説明するための模式図である。図6において、ステップS1は、可動基板製造工程に相当する。この工程では、基板をエッチング及び成膜して可動基板13を製造する工程である。次にステップS2に移行する。ステップS2は、固定基板製造工程に相当する。この工程は、基板をエッチング及び成膜して固定基板14を製造する工程である。次にステップS3に移行する。ステップS3は、基板接合工程に相当する。この工程は、可動基板13と固定基板14とを接合する工程である。次にステップS4に移行する。ステップS4は、切断工程に相当する。この工程は、接合した接合基板31を複数の干渉フィルター12に分割する工程である。以上の工程により干渉フィルター12が製造される。
Next, a method for manufacturing the
次に、図7〜図11を用いて、図6に示したステップと対応させて、製造方法を詳細に説明する。
図7及び図8はステップS1の可動基板製造工程に対応する図である。図7(a)に示すように、ステップS1において第1基板53を用意する。第1基板53は円板状の石英基板を0.6mmの厚みに研削し表面を研磨した板である。第1基板53は可動基板13の基になる基板である。
Next, the manufacturing method will be described in detail using FIGS. 7 to 11 in association with the steps shown in FIG.
7 and 8 are diagrams corresponding to the movable substrate manufacturing process in step S1. As shown in FIG. 7A, a
次に、図7(b)に示すように、第1基板53の第1面の反対側の面としての第1表面53aに円環溝13a及び保持部13cを形成する。円環溝13a及び保持部13cは公知のリソグラフィー法を用いてパターニングしエッチングすることにより形成することができる。例えば、クロム層及び金層からなる層をパターニングしてマスクを形成し、超高純度バッファードフッ酸を用いてエッチングすることにより形成することができる。例えば本実施形態では厚みが0.6mmの石英基板をエッチングして保持部13cの厚みを約30μmに形成した。円環溝13aを形成することにより可動部13bが形成される。
Next, as shown in FIG. 7B, the
第1基板53において第1表面53aの反対側の面を第1面としての第1接合面53bとする。次に、図7(c)に示すように、第1接合面53bに第1溝部54を設置する。第1溝部54は側面溝部13dとなる部位である。第1溝部54は干渉フィルター12の側面の一部を構成する。第1溝部54は直交する2方向に延在する直線に沿って複数の場所に設置される。これにより、第1基板53に設置された可動部13bを囲んで第1接合面53bに第1溝部54が設置される。
A surface of the
第1溝部54はダイサー式切断機を用いて設置することができる。第1溝部54の幅をダイシングブレードの幅に合わせて設定する。そして、30μmの厚みを残して第1溝部54を設置する。尚、湿式や乾式のエッチング方法をもちいて第1溝部54を設置しても良い。
The
次に、図7(d)に示すように、第1接合面53b上に可動電極34を設置する。まず、第1基板53上に可動電極34の材料であるITO(Indium Tin Oxide)とAuとが積層されたベタ膜を形成する。ベタ膜は第1基板53上全体に同じ膜厚で設置された膜を示す。次に、ITOのベタ膜に重ねてAu膜のベタ膜を形成する。ベタ膜の形成には蒸着法、スパッタ法等の成膜方法を用いることができる。次に、ベタ膜をパターニングして可動電極34を形成する。可動電極34を形成するには公知のリソグラフィー法を用いてマスクをパターニングしてベタ膜をエッチングすることにより形成することができる。
Next, as shown in FIG. 7D, the
次に、第1基板53上に第1端子15〜第4端子18及びバンプ電極41を形成する。第1端子15〜第4端子18及びバンプ電極41は金属下地層と金属上側層との2層で構成される。まず、第1基板53上に金属下地層の材料であるCrからなる下地導体ベタ膜を形成する。下地導体ベタ膜はCrの材料からなるベタ膜を示す。次に、下地導体ベタ膜に重ねて、金属上側層の材料であるAuからなる上側導体ベタ膜を形成する。上側導体ベタ膜はAuの材料からなるベタ膜を示す。下地導体ベタ膜及び上側導体ベタ膜の形成には蒸着法、スパッタ法等の成膜方法を用いることができる。
Next, the
次に、上側導体ベタ膜の表面をパターニングしてバンプ電極41を形成する。さらに、上側導体ベタ膜の残った膜をパターニングして第1端子15〜第4端子18の金属上側層を形成する。さらに、下地導体ベタ膜をパターニングして第1端子15〜第4端子18の金属下地層を形成する。第1端子15〜第4端子18及びバンプ電極41を形成するには公知のリソグラフィー法を用いてマスクをパターニングして導体ベタ膜をエッチングすることにより形成することができる。Auのエッチング液は特に限定されないが例えばヨウ素系エッチング液を用いることができる。金属下地層の材料にCrまたはNiCrを用いるときのエッチング液は特に限定されないが例えば硝酸セリウム系エッチング液を用いることができる。金属下地層の材料にはTiWを用いても良い。このときのエッチング液は特に限定されないが例えば過塩素酸系エッチング液を用いることができる。
Next, the
次に、図7(e)に示すように、第1接合面53bに可動反射膜33を設置する。可動反射膜33上には図示しない保護膜が設置される。まず、第1基板53上に可動反射膜33の材料からなる反射ベタ膜を形成する。反射ベタ膜は例えばAgSmCuからなるベタ膜である。反射ベタ膜上に保護膜の材料からなる保護ベタ膜を形成する。保護ベタ膜はIGO(Indium−gallium oxide)からなるベタ膜である。反射ベタ膜及び保護ベタ膜の形成には蒸着法、スパッタ法等の成膜方法を用いることができる。次に、保護ベタ膜をパターニングして保護膜を形成する。続いて、反射ベタ膜をパターニングして可動反射膜33を形成する。このとき、可動反射膜33及び保護膜を同じ形状に形成する。保護膜及び可動反射膜33を形成するには公知のリソグラフィー法を用いてマスクをパターニングして保護ベタ膜及び反射ベタ膜をエッチングすることにより形成することができる。IGO膜のエッチング液はシュウ酸系エッチング液を用いることができる。反射ベタ膜のエッチング液はリン酸、硝酸、酢酸混合エッチング液を用いることができる。
Next, as shown in FIG. 7E, the movable
図8は第1基板53の構造を示す模式平面図である。図8に示すように、可動部13bを囲んで第1接合面53bに第1溝部54が格子状に設置される。尚、第1基板53は円板状としたが、四角形でも良い。効率良く可動部13bを配置することができる。
FIG. 8 is a schematic plan view showing the structure of the
図9及び図10はステップS2の固定基板製造工程に対応する図である。図9(a)に示すように、ステップS2において第2基板55を用意する。第2基板55は円板状の石英基板を0.6mmの厚みに研削し表面を研磨した板である。第2基板55は固定基板14の基になる基板である。
9 and 10 are diagrams corresponding to the fixed substrate manufacturing process of step S2. As shown in FIG. 9A, a
次に、図9(b)に示すように第2基板55の第2面としての第2接合面55bに反射膜設置部14a及び電極設置溝14bを形成する。反射膜設置部14a及び電極設置溝14bは公知のリソグラフィー法を用いてパターニングしエッチングすることにより形成することができる。例えば、クロム層及び金層からなる層をパターニングしてマスクを形成し、超高純度バッファードフッ酸を用いてエッチングすることにより形成することができる。例えば、本実施形態では厚みが0.6mmの石英基板をエッチングして形成した。第2基板55において第2接合面55bと反対側の面を第2面の反対側の面としての第2表面55aとする。
Next, as illustrated in FIG. 9B, the reflective
次に、図9(c)に示すように、第2基板55の第2接合面55bに第2溝部56を設置する。第2溝部56は側面溝部14dとなる部位である。第2溝部56は干渉フィルター12の側面の一部を構成する。第2溝部56は直交する2方向に延在する直線に沿って複数の場所に設置される。これにより、第2基板55に設置された反射膜設置部14aを囲んで第2接合面55bに第2溝部56が設置される。
Next, as shown in FIG. 9C, the
第2溝部56はダイサー式切断機を用いて設置することができる。第2溝部56の幅をダイシングブレードの幅に合わせて設定する。そして、30μmの厚みを残して第2溝部56を設置する。尚、湿式や乾式のエッチング方法をもちいて第2溝部56を設置しても良い。
The
次に、図9(d)に示すように、第2基板55の第2表面55aにアパーチャー32を設置する。アパーチャー32を設置するには、まず、アパーチャー32の材料のベタ膜を形成する。ベタ膜の形成には蒸着法、スパッタ法等の成膜方法を用いることができる。次に、ベタ膜をパターニングしてアパーチャー32を形成する。アパーチャー32を形成するには公知のリソグラフィー法を用いてマスクをパターニングしてベタ膜をエッチングすることにより形成することができる。
Next, as shown in FIG. 9D, the
次に、第2基板55の第2接合面55b側に固定電極37、反射膜端子36及び固定電極端子38を設置する。まず、第2基板55上に固定電極37の材料であるITOとAuとが積層されたベタ膜を形成する。ベタ膜の形成には蒸着法、スパッタ法等の成膜方法を用いることができる。次に、ベタ膜をパターニングして固定電極37、反射膜端子36及び固定電極端子38を形成する。固定電極37、反射膜端子36及び固定電極端子38を形成するには公知のリソグラフィー法を用いてマスクをパターニングしてベタ膜をエッチングすることにより形成することができる。
Next, the fixed
次に、図9(e)に示すように、第2基板55の第2接合面55b上に固定反射膜35を設置する。固定反射膜35上には図示しない保護膜が設置される。まず、第2基板55上に固定反射膜35の材料からなる反射ベタ膜を形成する。反射ベタ膜は例えばAgSmCuからなるベタ膜である。反射ベタ膜上に保護膜の材料からなる保護ベタ膜を形成する。保護ベタ膜はIGOからなるベタ膜である。反射ベタ膜及び保護ベタ膜の形成には蒸着法、スパッタ法等の成膜方法を用いることができる。次に、保護ベタ膜をパターニングして保護膜を形成する。続いて、反射ベタ膜をパターニングして固定反射膜35を形成する。このとき固定反射膜35及び保護膜を同じ形状に形成する。保護膜及び固定反射膜35を形成するには公知のリソグラフィー法を用いてマスクをパターニングして反射ベタ膜をエッチングすることにより形成することができる。保護ベタ膜であるIGO膜のエッチング液にはシュウ酸系エッチング液を用いることができる。反射ベタ膜のエッチング液にはリン酸、硝酸、酢酸混合エッチング液を用いることができる。
Next, as shown in FIG. 9E, the fixed
図10は第2基板55の構造を示す模式平面図である。図10に示すように、反射膜設置部14aを囲んで第2接合面55bに第2溝部56が格子状に設置される。尚、第2基板55は円板状としたが、四角形でも良い。効率良く反射膜設置部14aを配置することができる。
FIG. 10 is a schematic plan view showing the structure of the
図11(a)はステップS3の基板接合工程に対応する図である。図11(a)に示すように、ステップS3において、第1基板53の第1接合面53bと第2基板55の第2接合面55bとを接合する。第1基板53の第1接合面53b及び第2基板55の第2接合面55bにそれぞれシロキサンを主成分とするプラズマ重合膜を成膜する。次に、プラズマ重合膜を貼り合せて第1基板53と第2基板55とを接合する。貼り合せられたプラズマ重合膜は接合膜30となる。バンプ電極41は反射膜端子36と第4端子18とを接続し、固定電極端子38と第1端子15とを接続する。そして、第1溝部54の一部と第2溝部56の一部とが向かい合うように第1基板53と第2基板55とが接合されて基板57となる。
FIG. 11A is a diagram corresponding to the substrate bonding step of step S3. As shown in FIG. 11A, in step S3, the
図11(b)及び図11(c)はステップS4の切断工程に対応する図である。図11(b)に示すように、ステップS4において、第1溝部54にそって第1表面53aにガラス用のスクライビングホイール58を転動させる。スクライビングホイール58は超鋼合金やダイヤモンドを焼結して形成されている。スクライビングホイール58は側面が突出する円板の形態をしている。操作者はスクライビングホイール58を第1基板53に押圧しながら転動させて、第1基板53にクラック61を形成する。
FIG.11 (b) and FIG.11 (c) are figures corresponding to the cutting process of step S4. As shown in FIG. 11B, in step S4, the
同様に、第2溝部56にそって第2表面55aにガラス用のスクライビングホイール58を転動させる。操作者はスクライビングホイール58を第2基板55に押圧しながら転動させることにより、第2基板55にクラック61を形成することができる。クラック61はスクライビングホイール58が転動する軌跡に沿って形成される。従って、スクライビングホイール58を位置精度良く転動させることにより、クラック61を位置精度良く形成することができる。
Similarly, the
次に、図11(c)に示すように、第1基板53のクラック61を第1基板53の厚み方向に押圧治具62にて押圧する。押圧によりクラック61は第1表面53aから第1溝部54まで進行する。そして、クラック61に沿って第1基板53が切断されて可動基板13になる。同様に、第2基板55のクラック61を第2基板55の厚み方向に押圧治具62にて押圧する。押圧によりクラック61は第2表面55aから第2溝部56まで進行する。クラック61に沿って第2基板55が切断されて固定基板14になる。そして、第1溝部54及び第2溝部56は側面溝部13d及び側面溝部14dになる。以上の工程により干渉フィルター12が完成する。
Next, as shown in FIG. 11C, the
さらに、続けて干渉フィルター12を筐体2の内部に設置しても良い。筐体2には第1蓋体3、第1端子5〜第4端子8、貫通電極27、第1端子22〜第4端子25等が設置されている。尚、筐体2の製造方法は公知の方法を用いて製造することが可能であり説明を省略する。
Furthermore, you may install the
次に、筐体2または干渉フィルター12に固定部29の材料を配置し、固定部29の材料を挟んで筐体2の側壁部2dに干渉フィルター12を接合する。このとき、治具を用いて筐体2と干渉フィルター12との位置関係を固定する。続いて、固定部29が熱硬化型の接着剤であるときには固定部29を加熱乾燥し、さらに加熱して固定部29を固化する。固定部29が固化した後で治具を除去する。
Next, the material of the fixing
次に、第1端子15と第1端子22とを金線26で接続し、第2端子16と第2端子23とを金線26で接続する。さらに、第3端子17と第3端子24とを金線26で接続し、第4端子18と第4端子25とを金線26で接続する。金線26の接続はワイヤーボンディング法を用いて行われる。
Next, the
次に、筐体2に第2蓋体9を接合する。まず、筐体2の第2蓋体9を設置する予定の面に低融点ガラスペーストを配置する。次に、筐体2上に第2蓋体9を配置し、真空チャンバー装置等によって真空雰囲気に設定された環境下で加熱する。低融点ガラスペーストが溶融した後、徐冷する。これにより、内部空間11が減圧された状態で光学モジュール1が封止される。以上の工程により光学モジュール1が完成する。
Next, the
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
(1)本実施形態によれば、第1溝部54に沿って第1基板53を切断し、第2溝部56に沿って第2基板55を切断している。第1溝部54のある場所では第1基板53の厚みが薄くなっているので切断され易くなっている。従って、第1基板53が石英基板のように硬い基板であっても第1基板53を乾式で切断することができる。同様に、第2溝部56のある場所では第2基板55の厚みが薄くなっているので切断され易くなっている。従って、第2基板55を乾式で切断することができる。その結果、第1基板53と第2基板55とが合体した基板57を乾式にて切断することができる為、可動部13b及び反射膜設置部14aに液体を触れさせずに基板57を切断することができる。従って、可動反射膜33及び固定反射膜35が液体により反射率が低下することを防止することができる。
As described above, this embodiment has the following effects.
(1) According to the present embodiment, the
(2)本実施形態によれば、第1溝部54の深さは第1基板53の厚みの50%〜95%である。また、第2溝部56の深さは第2基板55の厚みの50%〜95%である。このとき、第1溝部54における第1基板53の厚みは、第1溝部54がない場所の厚みの50%〜5%である。同様に、第2溝部56における第2基板55の厚みは、第2溝部56がない場所の厚みの50%〜5%である。このとき、第1基板53及び第2基板55は剛性を確保している為、第1基板53と第2基板55とを接合させることができる。そして、第1溝部54で第1基板53を切断するときに必要な負荷を低減することができる。同様に、第2溝部56で第2基板55を切断するときに必要な負荷を低減することができる。従って、第1基板53と第2基板55とを接合して合体した基板57を容易に切断することができる。
(2) According to this embodiment, the depth of the
(3)本実施形態によれば、第1基板53において第1表面53aに第1溝部54に沿ってクラック61を形成し、クラック61に沿って第1基板53を切断している。第1表面53aは第1溝部54が設置された面の反対側であり、容易にクラック61を形成することができる。そして、クラック61に沿って第1基板53を切断するとき切断される切断面をクラック61の形状に沿って精度良く形成することができる。
(3) According to the present embodiment, the
同様に、第2基板55においても第2表面55aに第2溝部56に沿ってクラック61を形成し、クラック61に沿って第2基板55を切断している。第2表面55aは第2溝部56が設置された面の反対側であり、容易にクラック61を形成することができる。そして、クラック61に沿って第2基板55を切断するとき切断面をクラックの形状に沿って精度良く形成することができる。従って、基板57を位置精度良く切断することができる。
Similarly, in the
(4)本実施形態によれば、可動基板13と固定基板14とが接合膜30で接合され1枚の接合基板31になっている。そして、接合基板31の側面には第1接合面13f及び第2接合面14fに沿って側面溝部13d及び側面溝部14dが設置されている。側面溝部13d及び側面溝部14dがある場所では第1基板53及び第2基板55の厚みが薄くなっている。従って、第1基板53及び第2基板55を乾式で切断することができる。その結果、第1基板53と第2基板55とが合体した基板57を乾式にて切断することができる為、可動反射膜33及び固定反射膜35に液体を触れさせずに基板57を切断することができる。
(4) According to the present embodiment, the
(5)本実施形態によれば、基板57を乾式にて切断することができる為、可動反射膜33及び固定反射膜35に液体を触れさせずに基板を切断することができる。従って、光学モジュール1は可動反射膜33及び固定反射膜35に液体を触れさせずに基板57が切断された干渉フィルター12を備えたモジュールとすることができる。
(5) According to this embodiment, since the
(6)本実施形態によれば、スクライビングホイール58を用いてクラック61を形成する場所は板厚が薄くなっている。従って、スクライビングホイール58を第1基板53や第2基板55に押圧する力を小さくすることができる。従って、スクライビングホイール58の摩耗が少なくなりスクライビングホイール58の寿命を長くすることができる。
(6) According to the present embodiment, the plate thickness of the place where the
(7)本実施形態によれば、スクライビングホイール58を用いてクラック61を形成する場所が可動基板13または固定基板14の側面になっている。そして、XYステージを用いることにより第1基板53または第2基板55に対してスクライビングホイール58を位置精度良く移動させることができる。従って、可動基板13及び固定基板14の平面形状を精度良く製造することができる。
(7) According to this embodiment, the place where the
(8)本実施形態によれば、ステップS4の切断工程で切断する場所の板厚が薄く形成されている。従って、切断時に可動基板13の保持部13cに衝撃を与えないようにすることができる。その結果、保持部13cに残留応力が残らないように可動基板13を製造することができる。同様に、可動基板13や固定基板14が切断時の衝撃で一部が欠ける等の損傷を受けることを防止することができる為、品質良く干渉フィルター12を製造することができる。
(8) According to this embodiment, the plate | board thickness of the place cut | disconnected by the cutting process of step S4 is formed thinly. Therefore, it is possible to prevent an impact on the holding
(第2の実施形態)
次に、干渉フィルター12を製造する方法の一実施形態について図12(a)及び図12(b)の干渉フィルターの製造方法を説明するための模式図を用いて説明する。本実施形態が第1の実施形態と異なるところは、図11(b)に示したスクライブ方法が異なる点にある。尚、第1の実施形態と同じ点については説明を省略する。
(Second Embodiment)
Next, an embodiment of a method for manufacturing the
すなわち、本実施形態では、図12(a)に示すように、ステップS4の切断工程においてレーザースクライブ装置63を用いて第1基板53及び第2基板55のスクライブを行う。レーザースクライブ装置63はレーザー光64を射出するレーザー光源63aを備えている。レーザー光源63aにはYAGレーザーまたはフェムト秒レーザーを用いることができる。レーザー光源63aから射出されたレーザー光64は反射鏡63bにて進行方向を変えて基板57に向かって進行する。次に、レーザー光64は集光レンズ63cを通過して第1基板53または第2基板55の内部に集光する。
That is, in the present embodiment, as shown in FIG. 12A, the
レーザー光64が集光された場所では石英ガラスの多光子吸収による改質部65が形成される。改質部65は脆い構造の組織であり応力を加えたときに容易に破壊される。第1基板53においてレーザースクライブ装置63は第1溝部54に近い場所から第1表面53aに向けて順次改質部65を形成する。そして、第1溝部54に沿って改質部65を配列させる。
In the place where the
同様に、第2基板55においてレーザースクライブ装置63は第2溝部56に近い場所から第2表面55aに向けて順次改質部65を形成する。そして、第2溝部56に沿って改質部65を配列させる。尚、改質部65を形成する順番は第2基板55の次に第1基板53を行っても良い。次に、第1の実施形態と同様に、押圧治具62を用いて改質部65に応力を加え、第1基板53及び第2基板55を切断する。
Similarly, in the
次の実施形態では、図12(b)に示すように、ステップS4の切断工程においてレーザースクライブ装置66を用いて第1基板53及び第2基板55のスクライブを行う。レーザースクライブ装置66はレーザー光64を射出するレーザー光源66aを備えている。レーザー光源66aには炭酸ガスレーザーを用いることができる。レーザー光源66aから射出されたレーザー光64は反射鏡66bにて進行方向を変えて基板57に向かって進行する。次に、レーザー光64は集光レンズ66cを通過して第1基板53または第2基板55の内部に集光する。
In the next embodiment, as shown in FIG. 12B, the
レーザー光64が集光された場所では石英ガラスが加熱されて溶解した溶解部67が形成される。レーザースクライブ装置66はガス68を噴射するノズル66dを備えている。溶解部67では溶融した材料の一部がガス68により吹き飛ばされて除去される。このため溶解部67は脆い構造の組織になり応力を加えたときに容易に破壊される。第1基板53においてレーザースクライブ装置66は第1表面53aに近い場所から第1溝部54に向けて順次溶解部67を形成する。そして、第1溝部54に沿って溶解部67を配置させる。
In the place where the
同様に、第2基板55においてレーザースクライブ装置66は第2表面55aに近い場所から第2溝部56に向けて順次溶解部67を形成する。そして、第2溝部56に沿って溶解部67を配列させる。尚、溶解部67を形成する順番は第2基板55の次に第1基板53を行っても良い。次に、第1の実施形態と同様に、押圧治具62を用いて溶解部67に応力を加え、第1基板53及び第2基板55を切断する。
Similarly, in the
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
(1)本実施形態によれば、第1基板53において第1表面53aに第1溝部54に沿ってレーザー光64を照射し、第1溝部54に沿って第1基板53を切断している。第1表面53aは第1溝部54が設置された面の反対側であり、容易にレーザー光64を照射することができる。レーザー光64が照射された場所では第1基板53が熱により改質され切断され易くなっている。そして、第1溝部54に沿って応力を加えて第1基板53を切断するとき切断面を第1溝部54に沿って位置精度良く形成することができる。
As described above, this embodiment has the following effects.
(1) According to the present embodiment, the
同様に、第2基板55においても第2表面55aに第2溝部56に沿ってレーザー光64を照射し、第2溝部56に沿って第2基板55を切断している。第2表面55aは第2溝部56が設置された面の反対側であり、容易にレーザー光64を照射することができる。レーザー光64が照射された場所では第2基板55が熱により改質され切断され易くなっている。そして、第2溝部56に沿って応力を加えて第2基板55を切断するとき切断面を第2溝部56に沿って位置精度良く形成することができる。従って、基板57の形状を位置精度良く形成することができる。
Similarly, also on the
(第3の実施形態)
次に、光学モジュールの一実施形態について図13(a)及び図13(b)の光学モジュールの構造を示す要部模式側断面図を用いて説明する。本実施形態が第1の実施形態と異なるところは、干渉フィルター12の側面溝部13d及び側面溝部14dと筐体の突出した部位とが接触する点にある。尚、第1の実施形態と同じ点については説明を省略する。
(Third embodiment)
Next, an embodiment of the optical module will be described with reference to a schematic side sectional view of a main part showing the structure of the optical module shown in FIGS. 13 (a) and 13 (b). This embodiment is different from the first embodiment in that the side
すなわち、本実施形態では、図13(a)に示すように、光学モジュール71は有底角筒状の筐体72を備え、筐体72のZ方向側には第2蓋体9が設置されている。筐体72において内部空間11を向く側壁部72dにはZ方向の中程に内部空間11側に突出する突出面72eが設置されている。
That is, in the present embodiment, as shown in FIG. 13A, the
干渉フィルター12の−X方向側では固定基板14における側面溝部14dが筐体72の突出面72eと接触する。そして、干渉フィルター12の+X方向側では可動基板13における側面溝部13dと筐体72の突出面72eとの間に固定部29が設置される。
On the −X direction side of the
図13(b)に示すように、干渉フィルター12の−Y方向側の面では固定基板14における側面溝部14dが筐体72の突出面72eと接触する。さらに、可動基板13における側面溝部13dが筐体72の突出面72eと接触する。そして、干渉フィルター12の+Y方向側の面では可動基板13における側面13e及び側面溝部13dと筐体72の突出面72eとの間に固定部29が設置される。
As shown in FIG. 13B, the
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
(1)本実施形態によれば、側面溝部13d及び側面溝部14dが筐体72と干渉フィルター12との位置決めに用いられている。側面溝部13d及び側面溝部14dはステップS1の可動基板製造工程及びステップS2の固定基板製造工程においてダイシングブレードにて形成された溝である。従って、側面溝部13d及び側面溝部14dは位置精度良く製造されている。従って、筐体72に対して干渉フィルター12を位置精度良く設置することができる。
As described above, this embodiment has the following effects.
(1) According to the present embodiment, the
(第4の実施形態)
次に、上記の光学モジュール1または光学モジュール71を備えた測色装置の一実施形態について図14を用いて説明する。尚、上記の実施形態と同じ点については説明を省略する。
(Fourth embodiment)
Next, an embodiment of a color measuring device including the
(測色装置)
図14は、測色装置の構成を示すブロック図である。図14に示すように、電子機器としての測色装置75は、測定対象物76に光28を射出する光源装置77と、測色センサー78と、測色装置75の全体動作を制御する制御装置81とを備える。そして、この測色装置75は光源装置77から射出される光28を測定対象物76にて反射させる。反射された検査対象光を測色センサー78が受光し、測色センサー78から出力される検出信号に基づいて測色装置75は検査対象光の色度すなわち測定対象物76の色を分析して測定する。
(Color measuring device)
FIG. 14 is a block diagram illustrating a configuration of the color measurement device. As shown in FIG. 14, a
光源装置77は光源82及び複数のレンズ83(図中には1つのみ記載)を備え、測定対象物76に対して例えば基準光(例えば、白色光)を射出する。また、複数のレンズ83にはコリメーターレンズが含まれてもよい。この場合、光源82から射出された基準光をコリメーターレンズが平行光にし、光源装置77は図示しない投射レンズから測定対象物76に向かって光を射出する。尚、本実施形態では、光源装置77を備える測色装置75を例示するが、例えば測定対象物76が液晶パネル等の発光部材である場合、光源装置77が設けられない構成としてもよい。
The
測色センサー78は光学モジュールとしての光フィルター84と、光フィルター84を透過する光を受光するディテクター79と、光フィルター84を透過させる光の波長を制御する制御部としての波長制御部80とを備える。光フィルター84には上記の光学モジュール1または光学モジュール71が用いられている。波長制御部80は第1の実施形態における電圧制御部21の機能を備えている。
The
また、測色センサー78は、光フィルター84に対向する場所に図示しない入射光学レンズを備えている。入射光学レンズは測定対象物76で反射された反射光(検査対象光)を測色センサー78の内部に導光する。そして、測色センサー78では入射光学レンズから入射した検査対象光のうち所定の波長の光を光フィルター84が分光し、分光した光をディテクター79が受光する。
The
制御装置81は測色装置75の全体動作を制御する。この制御装置81としては、例えば汎用パーソナルコンピューターや携帯情報端末の他にも測色専用コンピューター等を用いることができる。そして、制御装置81は光源制御部85、測色センサー制御部86及び測色処理部87等を備えて構成されている。光源制御部85は光源装置77に接続され、例えば、操作者の設定入力に基づいて光源装置77に所定の制御信号を出力して所定の明るさの白色光を射出させる。測色センサー制御部86は測色センサー78に接続されている。例えば、操作者の設定入力に基づいて測色センサー78にて受光させる光の波長を測色センサー制御部86が設定する。そして、設定した波長の光の受光量を検出する旨の制御信号を測色センサー制御部86が測色センサー78に出力する。これにより、制御信号に基づいて波長制御部80は光フィルター84を駆動させる。測色処理部87は、ディテクター79により検出された受光量から、測定対象物76の色度を分析する。
The
光フィルター84には上記の光学モジュール1または光学モジュール71が用いられている。光フィルター84では可動反射膜33及び固定反射膜35に液体を触れさせずに基板57が切断されている。従って、可動反射膜33及び固定反射膜35は反射率の高い膜であり、光フィルター84は効率よく光28を分光することができる。測色装置75は測色する光の波長を効率良く分光できる光フィルター84を備えた電子機器とすることができる。
The
(第5の実施形態)
次に、上記の光学モジュール1または光学モジュール71の何れかを備えたガス検出装置の一実施形態について図15及び図16を用いて説明する。このガス検出装置は、例えば、特定ガスを高感度検出する車載用ガス漏れ検出器や、呼気検査用の光音響希ガス検出器等に用いられる。尚、上記の実施形態と同じ点については説明を省略する。
(Fifth embodiment)
Next, an embodiment of a gas detection apparatus provided with either the
図15は、ガス検出装置の構成を示す模式正面図であり、図16は、ガス検出装置の制御系の構成を示すブロック図である。図15に示すように、電子機器としてのガス検出装置90はセンサーチップ91と吸引口92a、吸引流路92b、排出流路92c及び排出口92dを備えた流路92と本体部93とを有する構成となっている。
FIG. 15 is a schematic front view showing the configuration of the gas detection device, and FIG. 16 is a block diagram showing the configuration of the control system of the gas detection device. As shown in FIG. 15, a
本体部93は、センサー部カバー94、排出手段95及び筐体96を備えている。センサー部カバー94を開閉することにより、流路92を着脱することが可能になっている。さらに、本体部93は光学部97、フィルター98、光学モジュールとしての光フィルター99、受光素子100(検出部)等を含む検出装置を備えている。光フィルター99には上記の光学モジュール1または光学モジュール71が用いられている。
The
さらに、本体部93は検出された信号を処理し、検出部を制御する制御部101(処理部)及び電力を供給する電力供給部102等を備えている。光学部97は、光を射出する光源103、ビームスプリッター104、レンズ105、レンズ106及びレンズ107により構成されている。ビームスプリッター104は光源103から入射された光をセンサーチップ91側に反射し、センサーチップ側から入射された光を受光素子100側に透過する。
Furthermore, the
図16に示すように、ガス検出装置90には操作パネル108、表示部109、外部とのインターフェイスのための接続部110及び電力供給部102が設けられている。電力供給部102が二次電池の場合には充電のための接続部111を備えてもよい。更に、ガス検出装置90の制御部101は、CPU等により構成された信号処理部114及び光源103を制御するための光源ドライバー回路115を備えている。更に、制御部101は光フィルター99を制御するための制御部としての波長制御部116、受光素子100からの信号を受信する受光回路117を備えている。波長制御部116は第1の実施形態における電圧制御部21の機能を備えている。更に、制御部101はセンサーチップ91のコードを読み取り、センサーチップ91の有無を検出するセンサーチップ検出器118からの信号を受信するセンサーチップ検出回路119を備えている。更に、制御部101は排出手段95を制御する排出ドライバー回路120等を備えている。
As shown in FIG. 16, the
次に、ガス検出装置90の動作について説明する。本体部93の上部のセンサー部カバー94の内部にはセンサーチップ検出器118が設けられている。センサーチップ検出器118によりセンサーチップ91の有無が検出される。信号処理部114はセンサーチップ検出器118からの検出信号を検出するとセンサーチップ91が装着された状態であると判断する。そして、信号処理部114は表示部109へ検出動作を実施可能な旨を表示させる表示信号を出す。
Next, the operation of the
そして、操作者により操作パネル108が操作され、操作パネル108から検出処理を開始する旨の指示信号が信号処理部114へ出力される。まず、信号処理部114は光源ドライバー回路115に光源駆動の指示信号を出力して光源103を作動させる。光源103が駆動されると、光源103から単一波長で直線偏光の安定したレーザー光が射出される。光源103には温度センサーや光量センサーが内蔵されており、センサーの情報が信号処理部114へ出力される。光源103から入力された温度や光量に基づいて、光源103が安定動作していると信号処理部114が判断すると、信号処理部114は排出ドライバー回路120を制御して排出手段95を作動させる。これにより、検出すべき標的物質(ガス分子)を含んだ気体試料が、吸引口92aから吸引流路92b、センサーチップ91内、排出流路92c、排出口92dへと誘導される。尚、吸引口92aには、除塵フィルター92eが設けられ、比較的大きい粉塵や一部の水蒸気等が除去される。
Then, the operator operates the
センサーチップ91は金属ナノ構造体が複数組み込まれた素子であり、局在表面プラズモン共鳴を利用したセンサーである。このようなセンサーチップ91ではレーザー光により金属ナノ構造体間で増強電場が形成される。この増強電場内にガス分子が入り込むと、分子振動の情報を含んだラマン散乱光、及びレイリー散乱光が発生する。これらのレイリー散乱光やラマン散乱光は光学部97を通ってフィルター98に入射する。フィルター98によりレイリー散乱光が分離され、ラマン散乱光が光フィルター99に入射する。
The
そして、信号処理部114は波長制御部116に対して制御信号を出力する。これにより、波長制御部116は光フィルター99のアクチュエーターを駆動させて検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光を光フィルター99に分光させる。分光した光が受光素子100にて受光されると、受光量に応じた受光信号が受光回路117を介して信号処理部114に出力される。
Then, the
信号処理部114は、得られた検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光のスペクトルデータとROMに格納されているデータとを比較する。そしてし、検出対象となるガス分子が目的のガス分子か否かを判定し物質の特定をする。また、信号処理部114は表示部109にその結果情報を表示し、接続部110から外部へ出力する。
The
ラマン散乱光を光フィルター99により分光し、分光されたラマン散乱光からガス検出を行うガス検出装置90を例示した。ガス検出装置90はガス固有の吸光度を検出してガス種別を特定するガス検出装置として用いてもよい。この場合、センサー内部にガスを流入させ、入射光のうちガスにて吸収された光を検出するガスセンサーに光フィルター99を用いる。そして、ガス検出装置はガスセンサーによりセンサー内に流入されたガスを分析、判別する電子機器である。ガス検出装置90はこのような構成にすることで光フィルター99を用いてガスの成分を検出することができる。
A
光フィルター99には上記の光学モジュール1または光学モジュール71が用いられている。光フィルター99では可動反射膜33及び固定反射膜35に液体を触れさせずに基板57が切断されている。従って、可動反射膜33及び固定反射膜35は反射率の高い膜であり、光フィルター99は効率よく光28を分光することができる。ガス検出装置90は測色する光の波長を効率良く分光できる光フィルター99を備えた電子機器とすることができる。
The
(第6の実施形態)
次に、上記の光学モジュール1または光学モジュール71を備えた食物分析装置の一実施形態について図17を用いて説明する。上記の光学モジュールは近赤外線分光による糖類の非侵襲的測定装置や食物、生体、鉱物等の情報の非侵襲的測定装置等の物質成分分析装置に用いることができる。食物分析装置は物質成分分析装置の1種である。尚、上記の実施形態と同じ点については説明を省略する。
(Sixth embodiment)
Next, an embodiment of a food analysis apparatus including the
図17は、食物分析装置の構成を示すブロック図である。図17に示すように、電子機器としての食物分析装置123は検出器124、制御部125及び表示部126を備えている。検出器124は光を射出する光源127、測定対象物からの光が導入される撮像レンズ128、撮像レンズ128から導入された光を分光する光学モジュールとしての光フィルター129を備えている。光フィルター129には上記の光学モジュール1または光学モジュール71が用いられている。
FIG. 17 is a block diagram showing the configuration of the food analyzer. As shown in FIG. 17, the
さらに、検出器124は分光された光を検出する撮像部130(検出部)を備えている。また、制御部125は光源127の点灯・消灯制御、点灯時の明るさ制御を実施する光源制御部131及び光フィルター129を制御する制御部としての波長制御部132を備えている。波長制御部132は第1の実施形態における電圧制御部21の機能を備えている。さらに、制御部125は撮像部130を制御して撮像部130で撮像された分光画像を取得する検出制御部133、信号処理部134及び記憶部135を備えている。
Furthermore, the
食物分析装置123を駆動させると光源制御部131により光源127が制御されて光源127から測定対象物136に光が照射される。そして、測定対象物136で反射された光は撮像レンズ128を通って光フィルター129に入射する。光フィルター129は波長制御部132の制御により駆動される。これにより、光フィルター129から精度よく目的波長の光を取り出すことができる。そして、取り出された光は、例えば、CCDカメラ等により構成される撮像部130に撮像される。また、撮像された光は分光画像として記憶部135に蓄積される。また、信号処理部134は波長制御部132を制御して光フィルター129に印加する電圧値を変化させ、各波長に対する分光画像を取得する。
When the
そして、信号処理部134は記憶部135に蓄積された各画像における各画素のデータを演算処理し、各画素におけるスペクトルを求める。また、記憶部135にはスペクトルに対する食物の成分に関する情報が記憶されている。記憶部135に記憶された食物に関する情報を基に信号処理部134は求めたスペクトルのデータを分析する。そして、信号処理部134は測定対象物136に含まれる食物成分と各食物成分含有量を求める。また、得られた食物成分及び含有量から信号処理部134は食物カロリーや鮮度等をも算出することができる。更に、画像内のスペクトル分布を分析することで、信号処理部134は検査対象の食物の中で鮮度が低下している部分の抽出等をも実施することができる。更には、信号処理部134は食物内に含まれる異物等の検出をも実施することができる。そして、信号処理部134は上述のようにして得られた検査対象の食物の成分や含有量、カロリーや鮮度等の情報を表示部126に表示させる処理をする。
Then, the
光フィルター129には上記の光学モジュール1または光学モジュール71が用いられている。光フィルター129では可動反射膜33及び固定反射膜35に液体を触れさせずに基板57が切断されている。従って、可動反射膜33及び固定反射膜35は反射率の高い膜であり、光フィルター129は効率よく光28を分光することができる。食物分析装置123は測色する光の波長を効率良く分光できる光フィルター129を備えた電子機器とすることができる。
The
また、食物分析装置123の他にも略同様の構成により、上述したようなその他の情報の非侵襲的測定装置としても利用することができる。例えば、血液等の体液成分の測定、分析等、生体成分を分析する生体分析装置として用いることができる。このような生体分析装置としては、例えば、血液等の体液成分を測定する装置に食物分析装置123を用いることができる。他にも、エチルアルコールを検知する装置とすれば、運転者の飲酒状態を検出する酒気帯び運転防止装置に食物分析装置123を用いることができる。また、このような生体分析装置を備えた電子内視鏡システムとしても用いることができる。更には、鉱物の成分分析を実施する鉱物分析装置としても用いることができる。
In addition to the
更には、上記の光学モジュール1または光学モジュール71を用いた電子機器としては、以下のような装置に適用することができる。例えば、各波長の光の強度を経時的に変化させることで、各波長の光でデータを伝送させることも可能であり、この場合、上記の光学モジュール1または光学モジュール71により特定波長の光を分光する。そして、受光部で受光させることで、特定波長の光により伝送されるデータを抽出することができ、このように上記の光学モジュール1または光学モジュール71でデータを抽出する電子機器により各波長の光のデータを処理することで、複数波長の光通信を実施することもできる。
Furthermore, the electronic apparatus using the
(第7の実施形態)
次に、上記の光学モジュール1または光学モジュール71を備えた分光カメラの一実施形態について図18を用いて説明する。光を分光させて分光画像を撮像する分光カメラや分光分析機等に上記の光学モジュール1または光学モジュール71を用いることができる。このような分光カメラの一例として、上記の光学モジュール1または光学モジュール71を内蔵した赤外線カメラが挙げられる。尚、上記の実施形態と同じ点については説明を省略する。
(Seventh embodiment)
Next, an embodiment of a spectroscopic camera including the
図18は、分光カメラの構成を示す概略斜視図である。図18に示すように、電子機器としての分光カメラ139はカメラ本体140、撮像レンズユニット141及び撮像部142を備えている。カメラ本体140は操作者により把持され操作される部分である。
FIG. 18 is a schematic perspective view showing the configuration of the spectroscopic camera. As shown in FIG. 18, a
撮像レンズユニット141はカメラ本体140に接続され、入射した画像光を撮像部142に導光する。また、この撮像レンズユニット141は対物レンズ143、結像レンズ144及びこれらのレンズ間に設けられた光学モジュールとしての光フィルター145を備えて構成されている。光フィルター145には上記の光学モジュール1または光学モジュール71が用いられている。さらに、カメラ本体140には光フィルター145が分光する光の波長を制御する制御部としての波長制御部146が設置されている。波長制御部146は第1の実施形態における電圧制御部21の機能を備えている。
The
撮像部142は受光素子により構成され、撮像レンズユニット141により導光された画像光を撮像する。分光カメラ139では光フィルター145が撮像対象となる波長の光を透過させて、撮像部142が所望の波長の光の分光画像を撮像する。
The
光フィルター145には上記の光学モジュール1または光学モジュール71が用いられている。光フィルター145では可動反射膜33及び固定反射膜35に液体を触れさせずに基板57が切断されている。従って、可動反射膜33及び固定反射膜35は反射率の高い膜であり、光フィルター145は効率よく光28を分光することができる。分光カメラ139は測色する光の波長を効率良く分光できる光フィルター145を備えた電子機器とすることができる。
The
更には、光フィルター145を組み合わせた光学モジュールをバンドパスフィルターとして用いてもよい。例えば、発光素子が射出する所定波長域の光のうち、所定の波長を中心とした狭帯域の光のみを光フィルター145で分光して透過させる光学式レーザー装置としても用いることができる。また、光学モジュールを生体認証装置として用いてもよく、例えば、近赤外領域や可視領域の光を用いた血管、指紋、網膜及び虹彩等の認証装置にも適用できる。更には、光学モジュールを濃度検出装置に用いることができる。この場合、上記の光学モジュール1または光学モジュール71により物質から射出された赤外エネルギー(赤外光)を分光して分析し、サンプル中の被検体濃度を測定する。
Furthermore, an optical module in which the
上記に示すように、上記の光学モジュール1または光学モジュール71は、入射光から所定の光を分光するいかなる装置にも適用することができる。そして、上記の光学モジュール1または光学モジュール71は上記のように複数の波長を効率良く分光させることができる。このため、複数の波長のスペクトルの測定、複数の成分に対する検出を効率よく実施することができる。したがって、単一波長を分光させる複数の光モジュールにより所望の波長を取り出す従来の装置に比べて、電子機器の小型化を促進でき、例えば、携帯用や車載用の光学デバイスとして好適に用いることができる。このときにも、上記の光学モジュール1または光学モジュール71は光28を効率良く分光させることができる為、これらの光学モジュールを用いた電子機器は複数の波長の光28を効率良く取り出して利用することができる。
As described above, the
尚、本実施形態は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で当分野において通常の知識を有する者により種々の変更や改良を加えることも可能である。変形例を以下に述べる。
(変形例1)
前記第1の実施形態では、第1溝部54及び第2溝部56はダイサー式切断機を用いて設置された。第1溝部54は円環溝13aを設置する工程でエッチングにて設置されても良い。そして、第2溝部56は電極設置溝14bを設置する工程でエッチングにて設置されても良い。工程数が削減されるので、生産性良く干渉フィルター12を製造することができる。
Note that the present embodiment is not limited to the above-described embodiment, and various changes and improvements can be added by those having ordinary knowledge in the art within the technical idea of the present invention. A modification will be described below.
(Modification 1)
In the said 1st Embodiment, the
(変形例2)
前記第1の実施形態では、静電アクチュエーター43により反射膜間ギャップ42が制御された。反射膜間ギャップ42は静電引力の他に電磁気力を用いても良い。引力と斥力とを作用させることができるので、反射膜間ギャップ42を制御する範囲を広くすることができる。尚、変形例1及び変形例2の内容は前記第2の実施形態にも適用しても良い。
(Modification 2)
In the first embodiment, the
(変形例3)
前記第1の実施形態では、第1基板53及び第2基板55の両方にクラック61を形成して切断した。第1基板53及び第2基板55の一方にクラック61を形成して切断し、他方にはレーザー光64を照射して改質部65または溶解部67を形成して切断してもよい。このときにも乾式で第1基板53及び第2基板55を切断することができる。そして、製造装置の自由度を上げることができる。
(Modification 3)
In the first embodiment, the
1…光学モジュール、2…筐体、9…蓋部としての第2蓋体、12…干渉フィルター、13…第1基板としての可動基板、13b…第1構造体としての可動部、13d,14d…第3溝部としての側面溝部、13f…接合面としての第1接合面、14…第2基板としての固定基板、14a…第2構造体としての反射膜設置部、14f…接合面としての第2接合面、21…制御部としての電圧制御部、31…基板としての接合基板、33…第1反射膜としての可動反射膜、35…第2反射膜としての固定反射膜、43…間隔制御部としての静電アクチュエーター、53…第1基板、53a…第1面の反対側の面としての第1表面、53b…第1面としての第1接合面、54…第1溝部、55…第2基板、55a…第2面の反対側の面としての第2表面、55b…第2面としての第2接合面、56…第2溝部、61…クラック、64…レーザー光、75…電子機器としての測色装置、90…電子機器としてのガス検出装置、123…電子機器としての食物分析装置、139…電子機器としての分光カメラ。
DESCRIPTION OF
Claims (7)
第1基板に設置された第1構造体を囲んで第1面に第1溝部を設置し、
第2基板に設置された第2構造体を囲んで第2面に第2溝部を設置し、
前記第1面と前記第2面とを接合し、
前記第1溝部に沿って前記第1基板を切断し、
前記第2溝部に沿って前記第2基板を切断することを特徴とする構造体の製造方法。 A structure manufacturing method comprising:
Surrounding the first structure installed on the first substrate, a first groove is installed on the first surface,
Surrounding the second structure installed on the second substrate, a second groove is installed on the second surface,
Bonding the first surface and the second surface;
Cutting the first substrate along the first groove,
A method for manufacturing a structure, comprising cutting the second substrate along the second groove.
前記第1溝部の深さは前記第1基板の厚みの50%〜95%であり、
前記第2溝部の深さは前記第2基板の厚みの50%〜95%であることを特徴とする構造体の製造方法。 It is a manufacturing method of the structure according to claim 1,
The depth of the first groove is 50% to 95% of the thickness of the first substrate,
The depth of the second groove is 50% to 95% of the thickness of the second substrate.
前記第1基板を切断するときは、前記第1基板において前記第1面の反対側の面に前記第1溝部に沿ってクラックを形成し、クラックに沿って前記第1基板を切断することを特徴とする構造体の製造方法。 It is a manufacturing method of the structure according to claim 1 or 2,
When cutting the first substrate, forming a crack along the first groove on the surface of the first substrate opposite to the first surface, and cutting the first substrate along the crack. A method for producing a characteristic structure.
前記第1基板を切断するときは、前記第1基板において前記第1面の反対側の面から前記第1溝部に沿ってレーザー光を照射し、前記第1溝部に沿って応力を加えて前記第1基板を切断することを特徴とする構造体の製造方法。 It is a manufacturing method of the structure according to claim 1 or 2,
When cutting the first substrate, the first substrate is irradiated with laser light from the surface opposite to the first surface along the first groove, and stress is applied along the first groove. A method for manufacturing a structure, comprising cutting the first substrate.
前記第1反射膜に対向する第2反射膜が設置され前記第1基板と接合された第2基板と、
前記第1反射膜と前記第2反射膜の間隔を制御する間隔制御部と、を備え、
前記第1基板と前記第2基板とが接合された接合面が位置する場所の基板の側面には前記接合面に沿って第3溝部が設置されていることを特徴とする干渉フィルター。 A first substrate provided with a first reflective film;
A second substrate in which a second reflective film facing the first reflective film is installed and bonded to the first substrate;
An interval controller that controls an interval between the first reflective film and the second reflective film;
An interference filter, wherein a third groove is provided along a side surface of a substrate where a bonding surface where the first substrate and the second substrate are bonded is located.
内部空間を有し前記内部空間に前記干渉フィルターを収納する筐体と、
前記筐体と接続され前記内部空間を密閉する蓋部と、を備え、
前記干渉フィルターは、
第1反射膜が設置された第1基板と、
前記第1反射膜に対向する第2反射膜が設置され前記第1基板と接合された第2基板と、
前記第1反射膜と前記第2反射膜の間隔を制御する間隔制御部と、を備え、
前記第1基板と前記第2基板とが接合された接合面が位置する場所の基板の側面には前記接合面に沿って第3溝部が設置されていることを特徴とする光学モジュール。 An interference filter,
A housing having an internal space and housing the interference filter in the internal space;
A lid that is connected to the housing and seals the internal space,
The interference filter is
A first substrate provided with a first reflective film;
A second substrate in which a second reflective film facing the first reflective film is installed and bonded to the first substrate;
An interval controller that controls an interval between the first reflective film and the second reflective film;
An optical module, wherein a third groove portion is provided along a side surface of the substrate where a bonding surface where the first substrate and the second substrate are bonded is located.
前記光学モジュールを制御する制御部と、を備え、
前記光学モジュールは、干渉フィルターと、
内部空間を有し前記内部空間に前記干渉フィルターを収納する筐体と、
前記筐体と接続され前記内部空間を密閉する蓋部と、を備え、
前記干渉フィルターは、
第1反射膜が設置された第1基板と、
前記第1反射膜に対向する第2反射膜が設置され前記第1基板と接合された第2基板と、
前記第1反射膜と前記第2反射膜の間隔を制御する間隔制御部と、を備え、
前記第1基板と前記第2基板とが接合された接合面が位置する場所の基板の側面には前記接合面に沿って第3溝部が設置されていることを特徴とする電子機器。 An optical module;
A control unit for controlling the optical module,
The optical module includes an interference filter;
A housing having an internal space and housing the interference filter in the internal space;
A lid that is connected to the housing and seals the internal space,
The interference filter is
A first substrate provided with a first reflective film;
A second substrate in which a second reflective film facing the first reflective film is installed and bonded to the first substrate;
An interval controller that controls an interval between the first reflective film and the second reflective film;
An electronic apparatus, wherein a third groove is provided along a side surface of a substrate where a bonding surface where the first substrate and the second substrate are bonded is located.
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