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JP2016099583A - Interference filter, optical module, electronic device, and manufacturing method of structure - Google Patents

Interference filter, optical module, electronic device, and manufacturing method of structure Download PDF

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JP2016099583A
JP2016099583A JP2014238479A JP2014238479A JP2016099583A JP 2016099583 A JP2016099583 A JP 2016099583A JP 2014238479 A JP2014238479 A JP 2014238479A JP 2014238479 A JP2014238479 A JP 2014238479A JP 2016099583 A JP2016099583 A JP 2016099583A
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reflective film
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movable
film
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JP2014238479A
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晋 新東
Susumu Shinto
晋 新東
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Seiko Epson Corp
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Seiko Epson Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of an interference filter capable of cutting off a substrate while preventing a liquid from coming into contact with a substrate.SOLUTION: The manufacturing method of an interference filter 12 includes the steps of: forming a first groove 54 in a first composition surface 53b enclosing a movable part 13b which is formed on a first substrate 53; forming a second groove 56 in a second composition surface 55b enclosing a reflection film formation part 14a which is formed on the second substrate 55; bonding the first composition surface 53b and the second composition surface 55b with the first groove 54 and the second groove 56 being faced to each other; cutting off the first substrate 53 along the first groove 54; and cutting off the second substrate 55 along the second groove 56.SELECTED DRAWING: Figure 11

Description

本発明は、干渉フィルター、光学モジュール、電子機器および構造体の製造方法に関するものである。   The present invention relates to an interference filter, an optical module, an electronic device, and a method for manufacturing a structure.

従来、入射光の中から特定の波長の光を選択して通過させる光フィルターが活用されている。そして、特定の波長の光を通過させる光フィルターが特許文献1に開示されている。それによると、光フィルターは一対の基板を対向配置し、これら基板の対向する面のそれぞれに反射膜が設置されている。この光フィルターは、対向する一対の反射膜間のギャップに応じた波長の光を選択的に取り出すことができる。反射膜間のギャップは、基板に設けられた段差の深さにより設定されていた。   Conventionally, an optical filter that selectively passes light having a specific wavelength from incident light has been used. An optical filter that passes light of a specific wavelength is disclosed in Patent Document 1. According to this, the optical filter has a pair of substrates facing each other, and a reflective film is provided on each of the facing surfaces of these substrates. This optical filter can selectively extract light having a wavelength corresponding to the gap between a pair of opposing reflective films. The gap between the reflective films was set by the depth of the step provided on the substrate.

光フィルターを構成する基板の材質は脆性材料であり、基板は剛性を有する程度の厚みがある。そこで、マザーボードに光フィルターを多数形成した後で、切断して各光フィルターに分離する。このとき、ダイサー式切断機を用いてマザーボードに液体をかけながらダイシングブレードで切断していた。   The material of the substrate constituting the optical filter is a brittle material, and the substrate is thick enough to have rigidity. Therefore, after forming a large number of optical filters on the motherboard, they are cut and separated into optical filters. At this time, it was cut with a dicing blade while applying liquid to the mother board using a dicer type cutting machine.

特開2005−309174号公報JP 2005-309174 A

マザーボードに液体をかけて切断するとき、液体の一部が反射膜に付着する可能性がある。このとき、反射膜の反射率が低下する。そして、光フィルターが光を分離させる効率が低下する。そこで、液体をマザーボードに触れさせずにマザーボードを切断することができる構造体の製造方法が望まれていた。   When the liquid is applied to the motherboard and cut, a part of the liquid may adhere to the reflective film. At this time, the reflectance of the reflective film decreases. And the efficiency with which an optical filter separates light falls. Therefore, there has been a demand for a method of manufacturing a structure that can cut the mother board without causing liquid to touch the mother board.

本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and can be realized as the following forms or application examples.

[適用例1]
本適用例にかかる構造体の製造方法は、構造体の製造方法であって、第1基板に設置された第1構造体を囲んで第1面に第1溝部を設置し、第2基板に設置された第2構造体を囲んで第2面に第2溝部を設置し、前記第1面と前記第2面とを接合し、前記第1溝部に沿って前記第1基板を切断し、前記第2溝部に沿って前記第2基板を切断することを特徴とする。
[Application Example 1]
A structure manufacturing method according to this application example is a structure manufacturing method, in which a first groove is provided on a first surface surrounding a first structure provided on a first substrate, and the second substrate is provided with a first groove. Surrounding the installed second structure, installing a second groove on the second surface, joining the first surface and the second surface, cutting the first substrate along the first groove, The second substrate is cut along the second groove.

本適用例によれば、第1基板に第1構造体が設置され、第2基板に第2構造体が設置されている。第1構造体を囲んで第1基板の第1面に第1溝部を設置している。そして、第2構造体を囲んで第2基板の第2面に第2溝部を設置している。次に、第1面と第2面とを接合している。これにより、第1基板と第2基板とは合体して1枚の基板となる。次に、第1溝部に沿って第1基板を切断し、第2溝部に沿って第2基板を切断している。   According to this application example, the first structure is installed on the first substrate, and the second structure is installed on the second substrate. A first groove is provided on the first surface of the first substrate so as to surround the first structure. And the 2nd groove part is installed in the 2nd surface of the 2nd board | substrate surrounding the 2nd structure. Next, the first surface and the second surface are joined. As a result, the first substrate and the second substrate are combined into one substrate. Next, the first substrate is cut along the first groove portion, and the second substrate is cut along the second groove portion.

第1溝部のある場所では第1基板の厚みが薄くなっているので切断され易くなっている。従って、第1基板を乾式で切断することができる。同様に、第2溝部のある場所では第2基板の厚みが薄くなっているので切断され易くなっている。従って、第2基板を乾式で切断することができる。その結果、第1基板と第2基板とが合体した基板を乾式にて切断することができる為、第1構造体及び第2構造体に液体を触れさせずに基板を切断することができる。   Since the thickness of the first substrate is thin at a place where the first groove is present, the first substrate is easily cut. Therefore, the first substrate can be cut by a dry method. Similarly, since the thickness of the second substrate is thin at a place where the second groove is present, the second substrate is easily cut. Therefore, the second substrate can be cut by a dry method. As a result, since the board | substrate with which the 1st board | substrate and the 2nd board | substrate were united can be cut | disconnected by a dry type, a board | substrate can be cut | disconnected without making a liquid touch the 1st structure body and the 2nd structure body.

[適用例2]
上記適用例にかかる構造体の製造方法において、前記第1溝部の深さは前記第1基板の厚みの50%〜95%であり、前記第2溝部の深さは前記第2基板の厚みの50%〜95%であることを特徴とする。
[Application Example 2]
In the structure manufacturing method according to the application example described above, the depth of the first groove portion is 50% to 95% of the thickness of the first substrate, and the depth of the second groove portion is equal to the thickness of the second substrate. It is characterized by being 50% to 95%.

本適用例によれば、第1溝部の深さは第1基板の厚みの50%〜95%である。また、第2溝部の深さは第2基板の厚みの50%〜95%である。このとき、第1溝部における第1基板の厚みは、第1溝部がない場所の厚みの50%〜5%である。同様に、第2溝部における第2基板の厚みは、第2溝部がない場所の厚みの50%〜5%である。このとき、第1基板及び第2基板は剛性を確保している為、第1基板と第2基板とを接合させることができる。そして、第1溝部で第1基板を切断するときに必要な負荷を低減することができる。同様に、第2溝部で第2基板を切断するときに必要な負荷を低減することができる。従って、第1基板と第2基板とを接合して合体した基板を容易に切断することができる。   According to this application example, the depth of the first groove is 50% to 95% of the thickness of the first substrate. Further, the depth of the second groove is 50% to 95% of the thickness of the second substrate. At this time, the thickness of the 1st board | substrate in a 1st groove part is 50%-5% of the thickness of a place without a 1st groove part. Similarly, the thickness of the second substrate in the second groove portion is 50% to 5% of the thickness of the place where the second groove portion is not present. At this time, since the first substrate and the second substrate ensure rigidity, the first substrate and the second substrate can be joined. And a load required when cut | disconnecting a 1st board | substrate by a 1st groove part can be reduced. Similarly, the load required when cutting the second substrate at the second groove can be reduced. Therefore, the board | substrate which united and united the 1st board | substrate and the 2nd board | substrate can be cut | disconnected easily.

[適用例3]
上記適用例にかかる構造体の製造方法において、前記第1基板を切断するときは、前記第1基板において前記第1面の反対側の面に前記第1溝部に沿ってクラックを形成し、クラックに沿って前記第1基板を切断することを特徴とする。
[Application Example 3]
In the structure manufacturing method according to the application example, when the first substrate is cut, a crack is formed along the first groove portion on the surface opposite to the first surface in the first substrate, The first substrate is cut along the line.

本適用例によれば、第1基板において第1面の反対側の面に第1溝部に沿ってクラックを形成し、クラックに沿って第1基板を切断している。第1面の反対側の面は第1溝部が設置された面の反対側であり、第1溝部がないので容易にクラックを形成することができる。そして、クラックに沿って第1基板を切断するとき切断される面をクラックの形状に沿って精度良く形成することができる。   According to this application example, a crack is formed along the first groove on the surface of the first substrate opposite to the first surface, and the first substrate is cut along the crack. The surface on the opposite side of the first surface is the opposite side of the surface on which the first groove is provided, and since there is no first groove, a crack can be easily formed. And the surface cut | disconnected when cut | disconnecting a 1st board | substrate along a crack can be formed accurately along the shape of a crack.

[適用例4]
上記適用例にかかる構造体の製造方法において、前記第1基板を切断するときは、前記第1基板において前記第1面の反対側の面から前記第1溝部に沿ってレーザー光を照射し、前記第1溝部に沿って応力を加えて前記第1基板を切断することを特徴とする。
[Application Example 4]
In the method for manufacturing a structure according to the application example, when the first substrate is cut, the first substrate is irradiated with laser light along the first groove portion from the surface opposite to the first surface. The first substrate is cut by applying stress along the first groove.

本適用例によれば、第1基板において第1面の反対側の面に第1溝部に沿ってレーザー光を照射し、第1溝部に沿って第1基板を切断している。第1面の反対側の面は第1溝部が設置された面の反対側であり、第1溝部がないので容易にレーザー光を照射することができる。レーザー光が照射された場所では基板が熱により改質または溶解され切断され易くなっている。そして、第1溝部に沿って応力を加えて第1基板を切断するとき切断面を第1溝部に沿って位置精度良く形成することができる。従って、第1基板の形状を位置精度良く形成することができる。   According to this application example, the first substrate is irradiated with laser light along the first groove portion on the surface opposite to the first surface, and the first substrate is cut along the first groove portion. The surface on the opposite side of the first surface is the opposite side of the surface on which the first groove is provided, and since there is no first groove, the laser beam can be easily irradiated. In the place where the laser beam is irradiated, the substrate is easily modified or melted by heat to be easily cut. And when applying a stress along a 1st groove part and cut | disconnecting a 1st board | substrate, a cut surface can be formed with a sufficient positional accuracy along a 1st groove part. Therefore, the shape of the first substrate can be formed with high positional accuracy.

[適用例5]
本適用例にかかる干渉フィルターであって、第1反射膜が設置された第1基板と、前記第1反射膜に対向する第2反射膜が設置され前記第1基板と接合された第2基板と、前記第1反射膜と前記第2反射膜の間隔を制御する間隔制御部と、を備え、前記第1基板と前記第2基板とが接合された接合面が位置する場所の基板の側面には前記接合面に沿って第3溝部が設置されていることを特徴とする。
[Application Example 5]
An interference filter according to this application example, wherein a first substrate on which a first reflective film is installed, and a second substrate on which a second reflective film facing the first reflective film is installed and bonded to the first substrate And an interval controller that controls an interval between the first reflection film and the second reflection film, and a side surface of the substrate where a bonding surface where the first substrate and the second substrate are bonded is located Is characterized in that a third groove is provided along the joint surface.

本適用例によれば、第1基板には第1反射膜が設置され、第2基板には第2反射膜が設置されている。第1反射膜と第2反射膜とは互いに対向する場所に設置されている。そして、間隔制御部が第1反射膜と第2反射膜との間隔を制御する。これにより、干渉フィルターは第1反射膜と第2反射膜との間で反射する光の波長を制御することができる。   According to this application example, the first substrate is provided with the first reflective film, and the second substrate is provided with the second reflective film. The first reflective film and the second reflective film are installed at locations facing each other. And the space | interval control part controls the space | interval of a 1st reflective film and a 2nd reflective film. Thereby, the interference filter can control the wavelength of light reflected between the first reflective film and the second reflective film.

第1基板と第2基板とが接合面で接合され1枚の基板になっている。そして、基板の側面には接合面に沿って第3溝部が設置されている。第3溝部がある場所では第1基板及び第2基板の厚みが薄くなっている。従って、第1基板及び第2基板を乾式で切断することができる。その結果、第1基板と第2基板とが合体した基板を乾式にて切断することができる為、第1反射膜及び第2反射膜に液体を触れさせずに基板を切断することができる。   The first substrate and the second substrate are bonded at the bonding surface to form a single substrate. And the 3rd groove part is installed in the side surface of a board | substrate along the joining surface. Where the third groove is present, the thickness of the first substrate and the second substrate is reduced. Therefore, the first substrate and the second substrate can be cut by a dry method. As a result, since the board | substrate with which the 1st board | substrate and the 2nd board | substrate were united can be cut | disconnected by a dry type, a board | substrate can be cut | disconnected without making a liquid touch a 1st reflective film and a 2nd reflective film.

[適用例6]
本適用例にかかる光学モジュールであって、干渉フィルターと、内部空間を有し前記内部空間に前記干渉フィルターを収納する筐体と、前記筐体と接続され前記内部空間を密閉する蓋部と、を備え、前記干渉フィルターは、第1反射膜が設置された第1基板と、前記第1反射膜に対向する第2反射膜が設置され前記第1基板と接合された第2基板と、前記第1反射膜と前記第2反射膜の間隔を制御する間隔制御部と、を備え、前記第1基板と前記第2基板とが接合された接合面が位置する場所の基板の側面には前記接合面に沿って第3溝部が設置されていることを特徴とする。
[Application Example 6]
An optical module according to this application example, including an interference filter, a housing having an internal space and housing the interference filter in the internal space, a lid connected to the housing and sealing the internal space, The interference filter includes: a first substrate on which a first reflective film is installed; a second substrate on which a second reflective film facing the first reflective film is installed and bonded to the first substrate; An interval control unit that controls an interval between the first reflection film and the second reflection film, and the side surface of the substrate where the bonding surface where the first substrate and the second substrate are bonded is located on the side surface of the substrate A third groove is provided along the joint surface.

本適用例によれば、光学モジュールは筐体と蓋部とで密閉された内部空間を有し、内部空間には干渉フィルターが設置されている。干渉フィルターでは第1反射膜と第2反射膜とが互いに対向する場所に設置されている。そして、間隔制御部が第1反射膜と第2反射膜との間隔を制御する。これにより、干渉フィルターは第1反射膜と第2反射膜との間で反射する光の波長を制御することができる。   According to this application example, the optical module has an internal space sealed by the housing and the lid, and an interference filter is installed in the internal space. In the interference filter, the first reflective film and the second reflective film are installed at locations facing each other. And the space | interval control part controls the space | interval of a 1st reflective film and a 2nd reflective film. Thereby, the interference filter can control the wavelength of light reflected between the first reflective film and the second reflective film.

そして、干渉フィルターは第1基板と第2基板とが接合面で接合され、接合された基板の側面には接合面に沿って第3溝部が設置されている。これにより、第3溝部がある場所では第1基板及び第2基板の厚みが薄くなっている。そして、第1基板と第2基板とが合体した基板を乾式にて切断することができる為、第1反射膜及び第2反射膜に液体を触れさせずに基板を切断することができる。従って、光学モジュールは第1反射膜及び第2反射膜に液体を触れさせずに基板が切断された干渉フィルターを備えたモジュールとすることができる。   In the interference filter, the first substrate and the second substrate are bonded to each other at the bonding surface, and a third groove portion is provided along the bonding surface on the side surface of the bonded substrate. Thereby, the thickness of the 1st substrate and the 2nd substrate is thin in the place with the 3rd slot. And since the board | substrate with which the 1st board | substrate and the 2nd board | substrate were united can be cut | disconnected by a dry type, a board | substrate can be cut | disconnected without making a liquid touch a 1st reflective film and a 2nd reflective film. Therefore, the optical module can be a module including an interference filter in which the substrate is cut without touching the liquid with the first reflective film and the second reflective film.

[適用例7]
本適用例にかかる電子機器であって、光学モジュールと、前記光学モジュールを制御する制御部と、を備え、前記光学モジュールは、干渉フィルターと、内部空間を有し前記内部空間に前記干渉フィルターを収納する筐体と、前記筐体と接続され前記内部空間を密閉する蓋部と、を備え、前記干渉フィルターは、第1反射膜が設置された第1基板と、前記第1反射膜に対向する第2反射膜が設置され前記第1基板と接合された第2基板と、前記第1反射膜と前記第2反射膜の間隔を制御する間隔制御部と、を備え、前記第1基板と前記第2基板とが接合された接合面が位置する場所の基板の側面には前記接合面に沿って第3溝部が設置されていることを特徴とする。
[Application Example 7]
An electronic apparatus according to this application example, comprising: an optical module; and a control unit that controls the optical module, wherein the optical module includes an interference filter, an internal space, and the interference filter in the internal space. A housing that houses the lid, and a lid that is connected to the housing and seals the internal space, wherein the interference filter is opposed to the first substrate on which the first reflective film is disposed, and the first reflective film A second substrate that is installed and bonded to the first substrate, and an interval control unit that controls an interval between the first reflection film and the second reflection film, and the first substrate; A third groove is provided along the bonding surface on the side surface of the substrate where the bonding surface where the second substrate is bonded is located.

本適用例によれば、電子機器は光学モジュールと、光学モジュールを制御する制御部と、を備えている。そして、光学モジュールは筐体と蓋部とで密閉された内部空間を有し、内部空間には干渉フィルターが設置されている。干渉フィルターでは第1反射膜と第2反射膜とが互いに対向する場所に設置されている。そして、間隔制御部が第1反射膜と第2反射膜との間隔を制御する。これにより、干渉フィルターは第1反射膜と第2反射膜との間で反射する光の波長を制御することができる。   According to this application example, the electronic apparatus includes the optical module and a control unit that controls the optical module. The optical module has an internal space sealed by a housing and a lid, and an interference filter is installed in the internal space. In the interference filter, the first reflective film and the second reflective film are installed at locations facing each other. And the space | interval control part controls the space | interval of a 1st reflective film and a 2nd reflective film. Thereby, the interference filter can control the wavelength of light reflected between the first reflective film and the second reflective film.

そして、干渉フィルターは第1基板と第2基板とが接合面で接合され、接合された基板の側面には接合面に沿って第3溝部が設置されている。これにより、第3溝部がある場所では第1基板及び第2基板の厚みが薄くなっている。そして、第1基板と第2基板とが合体した基板を乾式にて切断することができる為、第1反射膜及び第2反射膜に液体を触れさせずに基板を切断することができる。従って、光学モジュールは第1反射膜及び第2反射膜に液体を触れさせずに基板が切断された干渉フィルターを備えている。その結果、電子機器は第1反射膜及び第2反射膜に液体を触れさせずに基板が切断された干渉フィルターを備えた機器とすることができる。   In the interference filter, the first substrate and the second substrate are bonded to each other at the bonding surface, and a third groove portion is provided along the bonding surface on the side surface of the bonded substrate. Thereby, the thickness of the 1st substrate and the 2nd substrate is thin in the place with the 3rd slot. And since the board | substrate with which the 1st board | substrate and the 2nd board | substrate were united can be cut | disconnected by a dry type, a board | substrate can be cut | disconnected without making a liquid touch a 1st reflective film and a 2nd reflective film. Accordingly, the optical module includes an interference filter in which the substrate is cut without touching the liquid with the first reflective film and the second reflective film. As a result, the electronic device can be a device including an interference filter in which the substrate is cut without touching the liquid with the first reflective film and the second reflective film.

第1の実施形態にかかわり、(a)及び(b)は光学モジュールの構造を示す概略斜視図。(A) And (b) is a schematic perspective view which shows the structure of an optical module in connection with 1st Embodiment. (a)は光学モジュールの構造を示す模式平面図、(b)及び(c)は光学モジュールの構造を示す模式側断面図。(A) is a schematic plan view which shows the structure of an optical module, (b) and (c) is a schematic sectional side view which shows the structure of an optical module. (a)は干渉フィルターの構造を示す模式側断面図、(b)は可動基板の構造を示す模式平面図、(c)は固定基板の構造を示す模式平面図。(A) is a schematic sectional side view showing the structure of the interference filter, (b) is a schematic plan view showing the structure of the movable substrate, and (c) is a schematic plan view showing the structure of the fixed substrate. (a)及び(c)は、溝部の構造を示す要部拡大図、(b)は、干渉フィルターの構造を示す模式側断面図。(A) And (c) is a principal part enlarged view which shows the structure of a groove part, (b) is a typical sectional side view which shows the structure of an interference filter. 制御部の電気制御ブロック図。The electric control block diagram of a control part. 干渉フィルターの製造方法を示すフローチャート。The flowchart which shows the manufacturing method of an interference filter. 干渉フィルターの製造方法を説明するための模式図。The schematic diagram for demonstrating the manufacturing method of an interference filter. 干渉フィルターの製造方法を説明するための模式図。The schematic diagram for demonstrating the manufacturing method of an interference filter. 干渉フィルターの製造方法を説明するための模式図。The schematic diagram for demonstrating the manufacturing method of an interference filter. 干渉フィルターの製造方法を説明するための模式図。The schematic diagram for demonstrating the manufacturing method of an interference filter. 干渉フィルターの製造方法を説明するための模式図。The schematic diagram for demonstrating the manufacturing method of an interference filter. 第2の実施形態にかかわり、(a)及び(b)は干渉フィルターの製造方法を説明するための模式図。(A) And (b) is a schematic diagram for demonstrating the manufacturing method of an interference filter in connection with 2nd Embodiment. 第3の実施形態にかかわり、(a)及び(b)は光学モジュールの構造を示す要部模式側断面図。(A) And (b) is a principal part schematic sectional side view which shows the structure of an optical module in connection with 3rd Embodiment. 第4の実施形態にかかわる測色装置の構成を示すブロック図。FIG. 10 is a block diagram illustrating a configuration of a color measurement device according to a fourth embodiment. 第5の実施形態にかかわるガス検出装置の構成を示す模式正面図。The schematic front view which shows the structure of the gas detection apparatus in connection with 5th Embodiment. ガス検出装置の制御系の構成を示すブロック図。The block diagram which shows the structure of the control system of a gas detection apparatus. 第6の実施形態にかかわる食物分析装置の構成を示すブロック図。The block diagram which shows the structure of the food analyzer concerning 6th Embodiment. 第7の実施形態にかかわる分光カメラの構成を示す概略斜視図。The schematic perspective view which shows the structure of the spectroscopic camera in connection with 7th Embodiment.

以下、実施形態について図面に従って説明する。尚、各図面における各部材は、各図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせて図示している。   Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings. In addition, each member in each drawing is illustrated with a different scale for each member in order to make the size recognizable on each drawing.

(第1の実施形態)
本実施形態では、特徴的な構造を有する光学モジュールと、この光学モジュールの製造方法について図1〜図11に従って説明する。まず、光学モジュールについて図1〜図5に従って説明する。図1(a)及び図1(b)は光学モジュールの構造を示す概略斜視図である。図1(a)は光学モジュールの第1蓋体側から見た図であり、図1(b)は光学モジュールの第2蓋体側から見た図である。図1(a)に示すように、光学モジュール1は略直方体の形状となっている。光学モジュール1の図中下方向をZ方向とし、Z方向と直交する2方向をX方向及びY方向とする。X方向、Y方向、Z方向はそれぞれ光学モジュール1の辺に沿う方向であり、直交する方向となっている。
(First embodiment)
In the present embodiment, an optical module having a characteristic structure and a method for manufacturing the optical module will be described with reference to FIGS. First, the optical module will be described with reference to FIGS. FIG. 1A and FIG. 1B are schematic perspective views showing the structure of an optical module. FIG. 1A is a view from the first lid side of the optical module, and FIG. 1B is a view from the second lid side of the optical module. As shown in FIG. 1A, the optical module 1 has a substantially rectangular parallelepiped shape. The downward direction of the optical module 1 in the figure is the Z direction, and the two directions orthogonal to the Z direction are the X direction and the Y direction. The X direction, the Y direction, and the Z direction are directions along the sides of the optical module 1 and are orthogonal to each other.

光学モジュール1は有底角筒状の筐体2を備え、筐体2の−Z方向側には円形の第1孔2aが形成されている。そして、第1孔2aを塞ぐように第1蓋体3が設置されている。筐体2と第1蓋体3とは第1の低融点ガラス4により接合されている。筐体2において−Z方向側の面には第1端子5、第2端子6、第3端子7、第4端子8が設置されている。筐体2のZ方向側には蓋部としての第2蓋体9が設置され、筐体2と第2蓋体9とは第2の低融点ガラス10により接合されている。   The optical module 1 includes a bottomed rectangular tube-shaped housing 2, and a circular first hole 2 a is formed on the −Z direction side of the housing 2. And the 1st cover body 3 is installed so that the 1st hole 2a may be plugged up. The housing 2 and the first lid 3 are joined by a first low melting point glass 4. In the housing 2, the first terminal 5, the second terminal 6, the third terminal 7, and the fourth terminal 8 are disposed on the surface on the −Z direction side. A second lid 9 serving as a lid is installed on the Z direction side of the housing 2, and the housing 2 and the second lid 9 are joined by a second low melting point glass 10.

図1(b)に示すように、筐体2のZ方向には四角形の第2孔2bが形成されている。第2孔2bは第1孔2aより大きな孔となっている。そして、第2孔2bを塞ぐように第2蓋体9が設置されている。筐体2、第1蓋体3及び第2蓋体9に囲まれた内部空間11は密閉された空間であり、内部空間11には干渉フィルター12が設置されている。   As shown in FIG. 1B, a rectangular second hole 2 b is formed in the Z direction of the housing 2. The second hole 2b is larger than the first hole 2a. And the 2nd cover body 9 is installed so that the 2nd hole 2b may be plugged up. An internal space 11 surrounded by the housing 2, the first lid 3, and the second lid 9 is a sealed space, and an interference filter 12 is installed in the internal space 11.

図2(a)は光学モジュールの構造を示す模式平面図であり、光学モジュール1をZ方向側から見た図である。図2(a)は第2蓋体9を除いた図となっている。図2(b)は光学モジュールの構造を示す模式側断面図であり、図2(a)のA−A線に沿う断面側から見た図である。図2(c)は光学モジュールの構造を示す模式側断面図であり、図2(a)のB−B線に沿う断面から見た図である。図2に示すように、筐体2の底面2cに干渉フィルター12が設置され、干渉フィルター12は第1基板としての可動基板13と第2基板としての固定基板14とが接合され重なった構造となっている。   FIG. 2A is a schematic plan view showing the structure of the optical module, and is a view of the optical module 1 viewed from the Z direction side. FIG. 2A is a diagram excluding the second lid body 9. FIG. 2B is a schematic side cross-sectional view showing the structure of the optical module, as viewed from the cross-sectional side along the line AA in FIG. FIG. 2C is a schematic side cross-sectional view showing the structure of the optical module, and is a view seen from a cross section taken along line BB in FIG. As shown in FIG. 2, an interference filter 12 is installed on the bottom surface 2c of the housing 2, and the interference filter 12 has a structure in which a movable substrate 13 as a first substrate and a fixed substrate 14 as a second substrate are joined and overlapped. It has become.

可動基板13はX方向側の端に第1端子15、第2端子16、第3端子17、第4端子18が設置されている。X方向側の底面2cには第1端子22、第2端子23、第3端子24、第4端子25が設置されている。第1端子15は第1端子22と金線26により接続され、第2端子16は第2端子23と金線26により接続されている。さらに、第3端子17は第3端子24と金線26により接続され、第4端子18は第4端子25と金線26により接続されている。   The movable substrate 13 is provided with a first terminal 15, a second terminal 16, a third terminal 17 and a fourth terminal 18 at the end in the X direction. A first terminal 22, a second terminal 23, a third terminal 24, and a fourth terminal 25 are provided on the bottom surface 2c on the X direction side. The first terminal 15 is connected to the first terminal 22 by a gold wire 26, and the second terminal 16 is connected to the second terminal 23 and a gold wire 26. Further, the third terminal 17 is connected to the third terminal 24 by a gold wire 26, and the fourth terminal 18 is connected to the fourth terminal 25 and a gold wire 26.

筐体2には貫通電極27が設置され、第1端子22は第1端子5と貫通電極27により接続されている。同様に、第2端子23は第2端子6と貫通電極27により接続され、第3端子24は第3端子7と貫通電極27により接続されている。さらに、第4端子25は第4端子8と貫通電極27により接続されている。つまり、第1端子15は第1端子5と接続され、第2端子16は第2端子6と接続されている。そして、第3端子17は第3端子7と接続され、第4端子18は第4端子8と接続されている。   A through electrode 27 is installed in the housing 2, and the first terminal 22 is connected to the first terminal 5 by the through electrode 27. Similarly, the second terminal 23 is connected to the second terminal 6 by the through electrode 27, and the third terminal 24 is connected to the third terminal 7 by the through electrode 27. Further, the fourth terminal 25 is connected to the fourth terminal 8 by the through electrode 27. That is, the first terminal 15 is connected to the first terminal 5, and the second terminal 16 is connected to the second terminal 6. The third terminal 17 is connected to the third terminal 7, and the fourth terminal 18 is connected to the fourth terminal 8.

第1端子5〜第4端子8は制御部としての電圧制御部21と接続されている。電圧制御部21は第1端子5〜第4端子8、貫通電極27、第1端子22〜第4端子25及び金線26を介して第1端子15〜第4端子18の電圧を制御する。   The first terminal 5 to the fourth terminal 8 are connected to a voltage control unit 21 as a control unit. The voltage control unit 21 controls the voltages of the first terminal 15 to the fourth terminal 18 through the first terminal 5 to the fourth terminal 8, the through electrode 27, the first terminal 22 to the fourth terminal 25, and the gold wire 26.

第1蓋体3及び第2蓋体9は光透過性を有するガラスによって形成されている。可動基板13及び固定基板14の材料にはソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス等の各種ガラスや、水晶等を用いることができる。従って、第1蓋体3、干渉フィルター12、第2蓋体9を光28が通過することが可能になっている。筐体2の材質は第1蓋体3及び第2蓋体9と線膨張係数が近い材質であれば良く特に限定されないが、本実施形態では例えば、筐体2の材質にセラミックを用いている。   The 1st cover body 3 and the 2nd cover body 9 are formed with the glass which has a light transmittance. As materials for the movable substrate 13 and the fixed substrate 14, various glasses such as soda glass, crystalline glass, quartz glass, lead glass, potassium glass, borosilicate glass, and alkali-free glass, crystal, and the like can be used. Therefore, the light 28 can pass through the first lid 3, the interference filter 12, and the second lid 9. The material of the housing 2 is not particularly limited as long as it is a material having a linear expansion coefficient close to that of the first lid body 3 and the second lid body 9. In this embodiment, for example, ceramic is used as the material of the housing 2. .

可動基板13のX方向且つY方向側の角では固定部29が設置され、固定部29により可動基板13は端部の側面にて筐体2の側壁部2dに固定されている。固定部29は、例えば、エポキシ系やシリコーン系の接着剤にて構成されている。   Fixed portions 29 are installed at the corners of the movable substrate 13 in the X direction and the Y direction, and the movable substrate 13 is fixed to the side wall portion 2d of the housing 2 at the side surfaces of the end portions by the fixed portions 29. The fixing portion 29 is made of, for example, an epoxy or silicone adhesive.

筐体2と干渉フィルター12とは固定部29により1か所で固定されている。−X方向側と−Y方向側では干渉フィルター12の側面と筐体2の内側の側壁部2dとが接している。これにより、筐体2に対する干渉フィルター12の位置が固定されている。底面2cと可動基板13との間には隙間があっても良いが、隙間が無い方が好ましい。可動基板13と底面2cとが擦れることにより振動を減衰させやすくすることができる。   The housing 2 and the interference filter 12 are fixed at one place by a fixing portion 29. On the −X direction side and the −Y direction side, the side surface of the interference filter 12 is in contact with the side wall 2 d on the inner side of the housing 2. Thereby, the position of the interference filter 12 with respect to the housing | casing 2 is being fixed. There may be a gap between the bottom surface 2c and the movable substrate 13, but it is preferable that there is no gap. Vibration can be easily attenuated by rubbing the movable substrate 13 and the bottom surface 2c.

図3(a)は干渉フィルターの構造を示す模式側断面図であり、Y方向から見た図である。図3(b)は可動基板の構造を示す模式平面図であり、図3(c)は固定基板の構造を示す模式平面図である。図3(a)に示すように、干渉フィルター12では可動基板13と固定基板14とが接合膜30により接合されている。接合膜30には例えば、シロキサンを主成分とするプラズマ重合膜等により構成された膜を用いることができる。接合された可動基板13及び固定基板14を基板としての接合基板31とする。可動基板13において接合膜30と接する面を接合面としての第1接合面13fとし、固定基板14において接合膜30と接する面を接合面としての第2接合面14fとする。固定基板14のZ方向側の面にはアパーチャー32が設置されている。   FIG. 3A is a schematic side sectional view showing the structure of the interference filter, as viewed from the Y direction. FIG. 3B is a schematic plan view showing the structure of the movable substrate, and FIG. 3C is a schematic plan view showing the structure of the fixed substrate. As shown in FIG. 3A, in the interference filter 12, the movable substrate 13 and the fixed substrate 14 are bonded by the bonding film 30. As the bonding film 30, for example, a film made of a plasma polymerization film mainly containing siloxane can be used. The joined movable substrate 13 and fixed substrate 14 are used as a joining substrate 31 as a substrate. A surface in contact with the bonding film 30 in the movable substrate 13 is defined as a first bonding surface 13f as a bonding surface, and a surface in contact with the bonding film 30 in the fixed substrate 14 is defined as a second bonding surface 14f as a bonding surface. An aperture 32 is provided on the surface of the fixed substrate 14 on the Z direction side.

アパーチャー32は例えばCr等の非透光性部材の膜である。アパーチャー32は円環状であり、環内周径は干渉フィルター12が光干渉する光28の有効径に設定されている。これにより、アパーチャー32は光学モジュール1に入射した光28を所定の範囲に限定して絞ることができる。   The aperture 32 is a film of a non-translucent member such as Cr. The aperture 32 has an annular shape, and the inner diameter of the ring is set to the effective diameter of the light 28 that causes interference by the interference filter 12. Thereby, the aperture 32 can limit the light 28 incident on the optical module 1 to a predetermined range.

図3(a)及び図3(b)に示すように、Z方向から見た平面視で可動基板13には中央を囲む円環状の円環溝13aが設置されている。円環溝13aに囲まれた円柱状の部分を第1構造体としての可動部13bとする。可動部13bの周囲に位置し円環溝13aにより薄くなっている部分を保持部13cとする。保持部13cは厚みが薄いので変形し易くなっている。これにより、可動部13bは容易にZ方向に移動することが可能になっている。可動基板13は厚みが例えば600μmに形成されるガラス基材を加工することで形成されている。可動基板13の側面において第1接合面13fが位置する場所には全周に渡って第3溝部としての側面溝部13dが設置されている。   As shown in FIGS. 3A and 3B, the movable substrate 13 is provided with an annular ring groove 13a surrounding the center in a plan view viewed from the Z direction. A columnar portion surrounded by the annular groove 13a is defined as a movable portion 13b as a first structure. A portion located around the movable portion 13b and thinned by the annular groove 13a is defined as a holding portion 13c. Since the holding portion 13c is thin, it is easily deformed. Thereby, the movable part 13b can be easily moved in the Z direction. The movable substrate 13 is formed by processing a glass substrate having a thickness of, for example, 600 μm. On the side surface of the movable substrate 13, a side groove portion 13d as a third groove portion is provided over the entire circumference at a position where the first bonding surface 13f is located.

可動部13bには+Z方向側の面に第1反射膜としての可動反射膜33及び可動電極34が設置されている。可動反射膜33は略円形の膜であり、第3端子17と接続されている。第3端子17は筐体2の第3端子7と接続されているので、可動反射膜33は第3端子7と接続されている。   In the movable portion 13b, a movable reflective film 33 and a movable electrode 34 as a first reflective film are installed on the surface on the + Z direction side. The movable reflective film 33 is a substantially circular film and is connected to the third terminal 17. Since the third terminal 17 is connected to the third terminal 7 of the housing 2, the movable reflective film 33 is connected to the third terminal 7.

接合基板31の−X方向側の面では固定基板14において第3溝部としての側面溝部14dより突出した側面14eが筐体2の側壁部2dと接触する。そして、接合基板31の+X方向側の面では可動基板13において側面溝部13dより突出した側面13e及び側面溝部13dと筐体2の側壁部2dとの間に固定部29が設置される。   On the surface on the −X direction side of the bonding substrate 31, the side surface 14 e protruding from the side surface groove portion 14 d as the third groove portion in the fixed substrate 14 contacts the side wall portion 2 d of the housing 2. Then, on the surface on the + X direction side of the bonding substrate 31, the fixed portion 29 is installed between the side surface 13 e protruding from the side surface groove portion 13 d on the movable substrate 13 and the side surface groove portion 13 d and the side wall portion 2 d of the housing 2.

可動電極34は可動反射膜33の周囲に位置し円環状に可動反射膜33を囲んでいる。可動電極34は円環状の+X方向側が分断され、分断された場所に可動反射膜33の一部が設置されている。可動電極34は第2端子16と接続されている。第2端子16は筐体2の第2端子6と接続されているので、可動電極34は第2端子6と接続されている。   The movable electrode 34 is located around the movable reflective film 33 and surrounds the movable reflective film 33 in an annular shape. The movable electrode 34 is divided on the + X direction side of the annular shape, and a part of the movable reflection film 33 is installed at the divided position. The movable electrode 34 is connected to the second terminal 16. Since the second terminal 16 is connected to the second terminal 6 of the housing 2, the movable electrode 34 is connected to the second terminal 6.

図3(a)及び図3(c)に示すように、−Z方向から見た平面視で固定基板14の中央には円柱状に−Z方向に突出する第2構造体としての反射膜設置部14aが設置されている。反射膜設置部14aの周囲には円環状に凹んだ電極設置溝14bが設置されている。さらに、電極設置溝14bは+X方向側に延び固定基板14の外周にまで延在している。従って、干渉フィルター12は電極設置溝14bが開口している。固定基板14は厚みが例えば600μmに形成されたガラス基材を加工することで形成されている。固定基板14の側面において第2接合面14fが位置する場所には全周に渡って側面溝部14dが設置されている。   As shown in FIGS. 3A and 3C, a reflective film is installed as a second structure projecting in the −Z direction in a cylindrical shape in the center of the fixed substrate 14 in a plan view as viewed from the −Z direction. The part 14a is installed. An electrode installation groove 14b that is recessed in an annular shape is provided around the reflective film installation portion 14a. Furthermore, the electrode installation groove 14 b extends to the + X direction side and extends to the outer periphery of the fixed substrate 14. Therefore, the interference filter 12 has an electrode installation groove 14b opened. The fixed substrate 14 is formed by processing a glass substrate having a thickness of, for example, 600 μm. Side groove portions 14d are provided over the entire circumference at locations where the second bonding surfaces 14f are located on the side surfaces of the fixed substrate 14.

反射膜設置部14aには−Z方向側の面に第2反射膜としての固定反射膜35が設置されている。固定反射膜35は略円形の膜であり固定反射膜35のX方向側に位置する反射膜端子36と接続されている。固定反射膜35の周囲では電極設置溝14bに固定電極37が設置されている。固定電極37は固定反射膜35の周囲に位置し円環状に固定反射膜35を囲んでいる。固定電極37は円環状の−X方向側が分断され、分断された場所に固定反射膜35の一部が設置されている。固定電極37は固定電極端子38と接続されている。   A fixed reflective film 35 as a second reflective film is installed on the surface on the −Z direction side in the reflective film installation part 14a. The fixed reflection film 35 is a substantially circular film and is connected to a reflection film terminal 36 located on the X direction side of the fixed reflection film 35. Around the fixed reflective film 35, a fixed electrode 37 is installed in the electrode installation groove 14b. The fixed electrode 37 is positioned around the fixed reflective film 35 and surrounds the fixed reflective film 35 in an annular shape. The fixed electrode 37 is divided at the annular −X direction side, and a part of the fixed reflection film 35 is installed at the divided position. The fixed electrode 37 is connected to a fixed electrode terminal 38.

反射膜端子36と第4端子18との間にはバンプ電極41が設置され、バンプ電極41により反射膜端子36は第4端子18と接続されている。第4端子18は筐体2の第4端子8と接続されているので、固定反射膜35は第4端子8と接続されている。同様に、固定電極端子38と第1端子15との間にはバンプ電極41が設置され、バンプ電極41により固定電極端子38は第1端子15と接続されている。第1端子15は筐体2の第1端子5と接続されているので、固定電極37は第1端子5と接続されている。   A bump electrode 41 is provided between the reflective film terminal 36 and the fourth terminal 18, and the reflective film terminal 36 is connected to the fourth terminal 18 by the bump electrode 41. Since the fourth terminal 18 is connected to the fourth terminal 8 of the housing 2, the fixed reflective film 35 is connected to the fourth terminal 8. Similarly, a bump electrode 41 is provided between the fixed electrode terminal 38 and the first terminal 15, and the fixed electrode terminal 38 is connected to the first terminal 15 by the bump electrode 41. Since the first terminal 15 is connected to the first terminal 5 of the housing 2, the fixed electrode 37 is connected to the first terminal 5.

可動反射膜33及び固定反射膜35の材質には、例えばAg等の金属膜や、Ag合金等の合金膜を用いることができる。また、可動反射膜33及び固定反射膜35の材質には、例えば高屈折層をTiO2、低屈折層をSiO2とした誘電体多層膜を用いてもよい。さらに、誘電体多層膜上に金属膜(または合金膜)を積層した反射膜や、金属膜(または合金膜)上に誘電体多層膜を積層した反射膜、単層の屈折層(TiO2やSiO2等)と金属膜(または合金膜)とを積層した反射膜等を用いてもよい。 As a material of the movable reflective film 33 and the fixed reflective film 35, for example, a metal film such as Ag or an alloy film such as an Ag alloy can be used. As the material of the movable reflective film 33 and the fixed reflective film 35, for example, a dielectric multilayer film in which the high refractive layer is TiO 2 and the low refractive layer is SiO 2 may be used. Further, a reflective film in which a metal film (or alloy film) is laminated on a dielectric multilayer film, a reflective film in which a dielectric multilayer film is laminated on a metal film (or alloy film), a single-layer refractive layer (TiO 2 , SiO 2) and a metal film (or alloy film) may be a reflective film or the like laminated.

可動電極34と固定電極37とは円環状の部分が対向して設置されている。そして、電圧制御部21が、第2端子6と第1端子5との間に所定のステップ電圧を印加する。これにより、可動電極34と固定電極37との間に静電引力が発生する。静電引力により保持部13cが撓むことで、可動部13bが固定基板14側に変位し、反射膜間ギャップ42を所望の寸法に設定することが可能となる。可動電極34、固定電極37及び保持部13c等により間隔制御部としての静電アクチュエーター43が構成されている。   The movable electrode 34 and the fixed electrode 37 are disposed so that the annular portions face each other. Then, the voltage control unit 21 applies a predetermined step voltage between the second terminal 6 and the first terminal 5. Thereby, an electrostatic attractive force is generated between the movable electrode 34 and the fixed electrode 37. When the holding portion 13c is bent by the electrostatic attractive force, the movable portion 13b is displaced to the fixed substrate 14 side, and the gap 42 between the reflection films can be set to a desired dimension. The movable electrode 34, the fixed electrode 37, the holding unit 13c, and the like constitute an electrostatic actuator 43 as a distance control unit.

可動反射膜33及び固定反射膜35は干渉フィルター12に入射する光28の一部を反射し一部を透過する。可動反射膜33と固定反射膜35との間で多重反射が生じ、位相の合う光28は光28が進行する方向に透過して進行する。電圧制御部21が反射膜間ギャップ42を制御することにより干渉フィルター12は所定の波長の光28を透過させることができる。   The movable reflective film 33 and the fixed reflective film 35 reflect a part of the light 28 incident on the interference filter 12 and transmit a part thereof. Multiple reflection occurs between the movable reflective film 33 and the fixed reflective film 35, and the light 28 in phase is transmitted and travels in the direction in which the light 28 travels. When the voltage control unit 21 controls the gap 42 between the reflection films, the interference filter 12 can transmit the light 28 having a predetermined wavelength.

可動反射膜33及び固定反射膜35は電圧制御部21に接続されている。電圧制御部21は可動反射膜33の電位を固定反射膜35の電位と同じ電位にする。これにより、電圧制御部21は可動反射膜33と固定反射膜35との間に静電引力が作用しないようにしている。従って、電圧制御部21は反射膜間ギャップ42を精度良く制御することができる。   The movable reflective film 33 and the fixed reflective film 35 are connected to the voltage control unit 21. The voltage control unit 21 sets the potential of the movable reflective film 33 to the same potential as that of the fixed reflective film 35. As a result, the voltage control unit 21 prevents electrostatic attraction between the movable reflective film 33 and the fixed reflective film 35. Therefore, the voltage control unit 21 can accurately control the gap 42 between the reflection films.

さらに、電圧制御部21は可動反射膜33と固定反射膜35との間の静電容量を測定することにより反射膜間ギャップ42を推定する機能も備えている。   Further, the voltage control unit 21 has a function of estimating the gap 42 between the reflection films by measuring the capacitance between the movable reflection film 33 and the fixed reflection film 35.

図4(a)は、溝部の構造を示す要部拡大図である。図4(a)に示すように、固定基板14には側面溝部14dが設置されている。固定基板14の厚みを固定基板厚み44とする。固定基板14の厚み方向における側面溝部14dの長さを固定板溝深さ45とする。固定板溝深さ45は固定基板厚み44の50%〜95%になっている。さらには、固定板溝深さ45は固定基板厚み44の65%〜95%が好ましい。さらには、固定板溝深さ45は固定基板厚み44の80%〜95%が好ましい。   FIG. 4A is an enlarged view of a main part showing the structure of the groove. As shown in FIG. 4A, the fixed substrate 14 is provided with a side groove 14d. The thickness of the fixed substrate 14 is a fixed substrate thickness 44. The length of the side groove 14 d in the thickness direction of the fixed substrate 14 is defined as a fixed plate groove depth 45. The fixed plate groove depth 45 is 50% to 95% of the fixed substrate thickness 44. Further, the fixed plate groove depth 45 is preferably 65% to 95% of the fixed substrate thickness 44. Furthermore, the fixed plate groove depth 45 is preferably 80% to 95% of the fixed substrate thickness 44.

同様に、可動基板13には側面溝部13dが設置されている。可動基板13の厚みを可動基板厚み46とする。可動基板13の厚み方向における側面溝部13dの長さを可動板溝深さ47とする。可動板溝深さ47は可動基板厚み46の50%〜95%になっている。さらには、可動板溝深さ47は可動基板厚み46の65%〜95%が好ましい。さらには、可動板溝深さ47は可動基板厚み46の80%〜95%が好ましい。   Similarly, the movable substrate 13 is provided with a side groove 13d. The thickness of the movable substrate 13 is defined as a movable substrate thickness 46. The length of the side groove 13 d in the thickness direction of the movable substrate 13 is defined as a movable plate groove depth 47. The movable plate groove depth 47 is 50% to 95% of the movable substrate thickness 46. Further, the movable plate groove depth 47 is preferably 65% to 95% of the movable substrate thickness 46. Furthermore, the movable plate groove depth 47 is preferably 80% to 95% of the movable substrate thickness 46.

このとき、可動基板13及び固定基板14は剛性を確保している為、可動基板13と固定基板14とを接合させることができる。そして、側面溝部13dで可動基板13を切断するときに必要な負荷を低減することができる。同様に、側面溝部14dで固定基板14を切断するときに必要な負荷を低減することができる。従って、可動基板13と固定基板14とを接合して合体した接合基板31を容易に切断することができる。   At this time, since the movable substrate 13 and the fixed substrate 14 have rigidity, the movable substrate 13 and the fixed substrate 14 can be joined. And a load required when the movable substrate 13 is cut by the side groove portion 13d can be reduced. Similarly, it is possible to reduce the load required when cutting the fixed substrate 14 with the side surface groove 14d. Therefore, it is possible to easily cut the bonded substrate 31 in which the movable substrate 13 and the fixed substrate 14 are bonded and combined.

図4(b)は、干渉フィルターの構造を示す模式側断面図であり、X方向から見た図である。図4(b)に示すように、固定基板14の+Y方向側の側面及び−Y方向側の側面にも側面溝部14dが設置されている。可動基板13の+Y方向側の側面及び−Y方向側の側面にも第1接合面13fが位置する場所に側面溝部13dが設置されている。+Y方向側の側面では側面溝部13dの+Y方向側を向く面と側面溝部14dの+Y方向側を向く面とが略同じ平面上に配置されている。同様に、−Y方向側の側面では側面溝部13dの−Y方向側を向く面と側面溝部14dの−Y方向側を向く面とが略同じ平面上に配置されている。   FIG. 4B is a schematic side sectional view showing the structure of the interference filter, as viewed from the X direction. As shown in FIG. 4B, side groove portions 14d are also provided on the side surface on the + Y direction side and the side surface on the −Y direction side of the fixed substrate 14. Side groove portions 13d are provided at positions where the first bonding surface 13f is located also on the side surface on the + Y direction side and the side surface on the −Y direction side of the movable substrate 13. On the side surface on the + Y direction side, the surface facing the + Y direction side of the side surface groove portion 13d and the surface facing the + Y direction side of the side surface groove portion 14d are arranged on substantially the same plane. Similarly, on the side surface on the −Y direction side, the surface facing the −Y direction side of the side surface groove portion 13d and the surface facing the −Y direction side of the side surface groove portion 14d are arranged on substantially the same plane.

接合基板31の−Y方向側の面では固定基板14において側面溝部14dより突出した側面14eが筐体2の側壁部2dと接触する。さらに、可動基板13において側面溝部13dより突出した側面13eが筐体2の側壁部2dと接触する。そして、接合基板31の+Y方向側の面では可動基板13において側面溝部13dより突出した側面13e及び側面溝部13dと筐体2の側壁部2dとの間に固定部29が設置される。   On the surface on the −Y direction side of the bonding substrate 31, the side surface 14 e protruding from the side surface groove portion 14 d in the fixed substrate 14 is in contact with the side wall portion 2 d of the housing 2. Further, the side surface 13 e protruding from the side surface groove portion 13 d in the movable substrate 13 contacts the side wall portion 2 d of the housing 2. Then, on the surface on the + Y direction side of the bonding substrate 31, the fixed portion 29 is installed between the side surface 13 e protruding from the side surface groove portion 13 d on the movable substrate 13 and the side surface groove portion 13 d and the side wall portion 2 d of the housing 2.

図4(c)は、溝部の構造を示す要部拡大図である。図4(c)に示すように、固定基板14の+Y方向側の側面及び−Y方向側の側面においても固定板溝深さ45は固定基板厚み44の50%〜95%になっている。さらには、固定板溝深さ45は固定基板厚み44の65%〜95%が好ましい。さらには、固定板溝深さ45は固定基板厚み44の80%〜95%が好ましい。同様に、可動基板13の+Y方向側の側面及び−Y方向側の側面においても可動板溝深さ47は可動基板厚み46の50%〜95%になっている。さらには、可動板溝深さ47は可動基板厚み46の65%〜95%が好ましい。さらには、可動板溝深さ47は可動基板厚み46の80%〜95%が好ましい。   FIG. 4C is an enlarged view of a main part showing the structure of the groove. As shown in FIG. 4C, the fixed plate groove depth 45 is 50% to 95% of the fixed substrate thickness 44 also on the side surface on the + Y direction side and the side surface on the −Y direction side of the fixed substrate 14. Further, the fixed plate groove depth 45 is preferably 65% to 95% of the fixed substrate thickness 44. Furthermore, the fixed plate groove depth 45 is preferably 80% to 95% of the fixed substrate thickness 44. Similarly, on the side surface on the + Y direction side and the side surface on the −Y direction side of the movable substrate 13, the movable plate groove depth 47 is 50% to 95% of the movable substrate thickness 46. Further, the movable plate groove depth 47 is preferably 65% to 95% of the movable substrate thickness 46. Furthermore, the movable plate groove depth 47 is preferably 80% to 95% of the movable substrate thickness 46.

図5は制御部の電気制御ブロック図である。図5に示すように、電圧制御部21には第1スイッチ48、第2スイッチ49の2個のスイッチと第1スイッチ48及び第2スイッチ49を制御するスイッチ制御部50とが設置されている。各スイッチは2回路2接点スイッチの形態となっている。第1スイッチ48は第1可動切片48a、第2可動切片48b、第1接点48c、第2接点48d、第3接点48e及び第4接点48fを備えている。   FIG. 5 is an electric control block diagram of the control unit. As shown in FIG. 5, the voltage control unit 21 is provided with two switches, a first switch 48 and a second switch 49, and a switch control unit 50 that controls the first switch 48 and the second switch 49. . Each switch is in the form of a two-circuit, two-contact switch. The first switch 48 includes a first movable piece 48a, a second movable piece 48b, a first contact 48c, a second contact 48d, a third contact 48e, and a fourth contact 48f.

第1可動切片48a及び第2可動切片48bは共に接地されている。第1接点48cは孤立し接続されていない接点である。第2接点48dは第4端子8を介して固定反射膜35と接続されている。第1可動切片48aは第1接点48c及び第2接点48dの一方と導通する。同様に、第3接点48eは孤立し接続されていない接点である。第4接点48fは第3端子7を介して可動反射膜33と接続されている。第2可動切片48bは第3接点48e及び第4接点48fの一方と導通する。   Both the first movable piece 48a and the second movable piece 48b are grounded. The first contact 48c is a contact that is isolated and not connected. The second contact 48 d is connected to the fixed reflective film 35 via the fourth terminal 8. The first movable piece 48a is electrically connected to one of the first contact 48c and the second contact 48d. Similarly, the third contact 48e is an isolated and not connected contact. The fourth contact 48 f is connected to the movable reflective film 33 via the third terminal 7. The second movable piece 48b is electrically connected to one of the third contact 48e and the fourth contact 48f.

第1可動切片48aと第2可動切片48bとは連動しスイッチ制御部50に制御される。スイッチ制御部50が第1可動切片48aを第1接点48cと導通させて第2可動切片48bを第3接点48eと導通させるとき、第1スイッチ48では固定反射膜35が第1可動切片48aと切断され、可動反射膜33が第2可動切片48bと切断された状態となる。一方、スイッチ制御部50が第1可動切片48aを第2接点48dと導通させて第2可動切片48bを第4接点48fと導通させるとき、第1スイッチ48では可動反射膜33及び固定反射膜35が接地された状態となる。従って、スイッチ制御部50は可動反射膜33及び固定反射膜35を短絡させて且つ接地させるか開放するかを制御することができる。   The first movable piece 48a and the second movable piece 48b are interlocked and controlled by the switch controller 50. When the switch control unit 50 connects the first movable piece 48a to the first contact 48c and connects the second movable piece 48b to the third contact 48e, the fixed reflective film 35 is connected to the first movable piece 48a in the first switch 48. The movable reflective film 33 is cut off from the second movable piece 48b. On the other hand, when the switch control unit 50 connects the first movable piece 48a to the second contact 48d and connects the second movable piece 48b to the fourth contact 48f, the first switch 48 includes the movable reflective film 33 and the fixed reflective film 35. Is grounded. Accordingly, the switch control unit 50 can control whether the movable reflective film 33 and the fixed reflective film 35 are short-circuited and grounded or opened.

第2スイッチ49は第1可動切片49a、第2可動切片49b、第1接点49c、第2接点49d、第3接点49e及び第4接点49fを備えている。第1可動切片49a及び第2可動切片49bは距離検出部51と接続されている。第1接点49cは第4端子8を介して固定反射膜35と接続されている。第2接点49dは孤立し接続されていない接点である。第1可動切片49aは第1接点49c及び第2接点49dの一方と導通する。同様に、第3接点49eは第3端子7を介して可動反射膜33と接続されている。第4接点49fは孤立し接続されていない接点である。第2可動切片49bは第3接点49e及び第4接点49fの一方と導通する。距離検出部51は可動反射膜33と固定反射膜35との間の電気容量を測定することにより可動反射膜33と固定反射膜35との間の距離を検出する機能を有する。   The second switch 49 includes a first movable piece 49a, a second movable piece 49b, a first contact 49c, a second contact 49d, a third contact 49e, and a fourth contact 49f. The first movable section 49a and the second movable section 49b are connected to the distance detection unit 51. The first contact 49 c is connected to the fixed reflective film 35 via the fourth terminal 8. The second contact 49d is an isolated and not connected contact. The first movable piece 49a is electrically connected to one of the first contact 49c and the second contact 49d. Similarly, the third contact 49 e is connected to the movable reflective film 33 via the third terminal 7. The fourth contact 49f is an isolated and not connected contact. The second movable piece 49b is electrically connected to one of the third contact 49e and the fourth contact 49f. The distance detection unit 51 has a function of detecting the distance between the movable reflective film 33 and the fixed reflective film 35 by measuring the electric capacity between the movable reflective film 33 and the fixed reflective film 35.

干渉フィルター12は第3端子7及び第4端子8の外部端子を備えている。そして、第3端子7及び第4端子8の外部端子を用いて距離検出部51が可動反射膜33と固定反射膜35との間の距離を検出することが可能になっている。   The interference filter 12 includes external terminals such as a third terminal 7 and a fourth terminal 8. The distance detection unit 51 can detect the distance between the movable reflective film 33 and the fixed reflective film 35 using the external terminals of the third terminal 7 and the fourth terminal 8.

第1可動切片49aと第2可動切片49bとは連動しスイッチ制御部50に制御される。スイッチ制御部50が第1可動切片49aを第1接点49cと導通させて第2可動切片49bを第3接点49eと導通させるとき、第2スイッチ49では可動反射膜33及び固定反射膜35が距離検出部51と接続される。一方、スイッチ制御部50が第1可動切片49aを第2接点49dと導通させて第2可動切片49bを第4接点49fと導通させるとき、第2スイッチ49では可動反射膜33及び固定反射膜35が距離検出部51と切断される。従って、スイッチ制御部50は可動反射膜33及び固定反射膜35を距離検出部51に接続させるか接地させるかを制御することができる。   The first movable piece 49a and the second movable piece 49b are interlocked and controlled by the switch control unit 50. When the switch control unit 50 connects the first movable piece 49a to the first contact 49c and connects the second movable piece 49b to the third contact 49e, the movable switch 33 and the fixed reflection film 35 are separated from each other by the second switch 49. Connected to the detector 51. On the other hand, when the switch control unit 50 connects the first movable piece 49a to the second contact 49d and connects the second movable piece 49b to the fourth contact 49f, the second switch 49 includes the movable reflective film 33 and the fixed reflective film 35. Is disconnected from the distance detector 51. Accordingly, the switch control unit 50 can control whether the movable reflection film 33 and the fixed reflection film 35 are connected to the distance detection unit 51 or grounded.

電圧制御部21が反射膜間ギャップ42を検出するとき、まず、スイッチ制御部50が第1スイッチ48及び第2スイッチ49を切り替える。第1スイッチ48ではスイッチ制御部50が第1可動切片48aを第1接点48cと接触させる。さらに、スイッチ制御部50は第2可動切片48bを第3接点48eと接触させる。さらに、第2スイッチ49ではスイッチ制御部50が第1可動切片49aを第1接点49cと接触させる。さらに、スイッチ制御部50は第2可動切片49bを第3接点49eと接触させる。これにより、可動反射膜33及び固定反射膜35はそれぞれ距離検出部51と接続される。そして、距離検出部51は可動反射膜33及び固定反射膜35に通電して可動反射膜33と固定反射膜35との間の電気容量を測定する。これにより、距離検出部51は反射膜間ギャップ42を検出する。   When the voltage control unit 21 detects the inter-reflection film gap 42, first, the switch control unit 50 switches the first switch 48 and the second switch 49. In the first switch 48, the switch control unit 50 brings the first movable piece 48a into contact with the first contact 48c. Further, the switch control unit 50 brings the second movable piece 48b into contact with the third contact 48e. Further, in the second switch 49, the switch control unit 50 brings the first movable piece 49a into contact with the first contact 49c. Further, the switch control unit 50 brings the second movable piece 49b into contact with the third contact 49e. Thereby, the movable reflective film 33 and the fixed reflective film 35 are connected to the distance detection unit 51, respectively. Then, the distance detection unit 51 energizes the movable reflective film 33 and the fixed reflective film 35 to measure the electric capacity between the movable reflective film 33 and the fixed reflective film 35. Thereby, the distance detection part 51 detects the gap 42 between reflective films.

距離検出部51が反射膜間ギャップ42を測定しないとき、第1スイッチ48ではスイッチ制御部50が第1可動切片48aを第2接点48dと接触させる。さらに、スイッチ制御部50は第2可動切片48bを第4接点48fと接触させる。第2スイッチ49ではスイッチ制御部50は第1可動切片49aを第2接点49dと接触させる。さらに、スイッチ制御部50は第2可動切片49bを第4接点49fと接触させる。これにより、可動反射膜33及び固定反射膜35はそれぞれ接地され、互いに導通する。   When the distance detector 51 does not measure the inter-reflective film gap 42, in the first switch 48, the switch controller 50 brings the first movable piece 48a into contact with the second contact 48d. Further, the switch control unit 50 brings the second movable piece 48b into contact with the fourth contact 48f. In the second switch 49, the switch control unit 50 brings the first movable piece 49a into contact with the second contact 49d. Further, the switch control unit 50 brings the second movable piece 49b into contact with the fourth contact 49f. Thereby, the movable reflective film 33 and the fixed reflective film 35 are grounded and are electrically connected to each other.

可動反射膜33と固定反射膜35との間には水分子や酸素分子等の分子が移動し、分子同士が衝突しあう。このとき、各分子に静電気が生ずることがある。そして、静電気をもつ分子が可動反射膜33及び固定反射膜35に接触するとき可動反射膜33及び固定反射膜35が帯電する。静電気により可動反射膜33と固定反射膜35との間で電圧差が生じるとき、可動反射膜33と固定反射膜35との間に静電気力が生じる。これにより反射膜間ギャップ42が変動する。反射膜間ギャップ42が変動することにより干渉フィルター12を通過する光の波長が変動する。そこで、スイッチ制御部50が所定の時間間隔にて可動反射膜33及び固定反射膜35を接地する。これにより、可動反射膜33及び固定反射膜35の静電気が除去される為反射膜間ギャップ42を精度良く制御することができる。   Molecules such as water molecules and oxygen molecules move between the movable reflective film 33 and the fixed reflective film 35, and the molecules collide with each other. At this time, static electricity may be generated in each molecule. When the molecules having static electricity come into contact with the movable reflective film 33 and the fixed reflective film 35, the movable reflective film 33 and the fixed reflective film 35 are charged. When a voltage difference is generated between the movable reflective film 33 and the fixed reflective film 35 due to static electricity, an electrostatic force is generated between the movable reflective film 33 and the fixed reflective film 35. As a result, the gap 42 between the reflection films varies. The wavelength of the light passing through the interference filter 12 varies as the gap 42 between the reflection films varies. Therefore, the switch control unit 50 grounds the movable reflective film 33 and the fixed reflective film 35 at predetermined time intervals. Thereby, since the static electricity of the movable reflective film 33 and the fixed reflective film 35 is removed, the gap 42 between the reflective films can be accurately controlled.

尚、第1スイッチ48及び第2スイッチ49はトランジスター等の半導体により構成されたスイッチング素子を用いても良く電磁スイッチでも良い。電流が小さいときには半導体により構成されたスイッチング素子を用いる方が製造し易く耐久性があり好ましい。本実施形態では、例えば、第1スイッチ48及び第2スイッチ49は半導体により構成されたスイッチング素子を用いている。   The first switch 48 and the second switch 49 may use switching elements made of semiconductors such as transistors or electromagnetic switches. When the current is small, it is preferable to use a switching element made of a semiconductor because it is easy to manufacture and durable. In the present embodiment, for example, the first switch 48 and the second switch 49 use switching elements made of semiconductors.

電圧制御部21には電圧制御部52が設置され、電圧制御部52には可動電極34及び固定電極37が電気的に接続されている。電圧制御部52は可動電極34及び固定電極37に印加する電圧を制御することにより反射膜間ギャップ42を制御することが可能になっている。電圧制御部52が反射膜間ギャップ42を所定の間隔に変更する。そして、光28が干渉フィルター12に入射される。光28は可動反射膜33と固定反射膜35との間で多重反射し、反射膜間ギャップ42の寸法に応じた波長の光が干渉フィルター12を通過する。従って、電圧制御部52が反射膜間ギャップ42を制御することにより干渉フィルター12を通過する光28の波長を制御することが可能になっている。   A voltage control unit 52 is installed in the voltage control unit 21, and the movable electrode 34 and the fixed electrode 37 are electrically connected to the voltage control unit 52. The voltage control unit 52 can control the gap 42 between the reflection films by controlling the voltage applied to the movable electrode 34 and the fixed electrode 37. The voltage controller 52 changes the gap 42 between the reflection films to a predetermined interval. Then, the light 28 enters the interference filter 12. The light 28 undergoes multiple reflections between the movable reflective film 33 and the fixed reflective film 35, and light having a wavelength corresponding to the dimension of the gap 42 between the reflective films passes through the interference filter 12. Therefore, the voltage controller 52 can control the wavelength of the light 28 that passes through the interference filter 12 by controlling the gap 42 between the reflection films.

次に、干渉フィルター12の製造方法について説明する。図6は干渉フィルターの製造方法を示すフローチャートであり、図7〜図11は干渉フィルターの製造方法を説明するための模式図である。図6において、ステップS1は、可動基板製造工程に相当する。この工程では、基板をエッチング及び成膜して可動基板13を製造する工程である。次にステップS2に移行する。ステップS2は、固定基板製造工程に相当する。この工程は、基板をエッチング及び成膜して固定基板14を製造する工程である。次にステップS3に移行する。ステップS3は、基板接合工程に相当する。この工程は、可動基板13と固定基板14とを接合する工程である。次にステップS4に移行する。ステップS4は、切断工程に相当する。この工程は、接合した接合基板31を複数の干渉フィルター12に分割する工程である。以上の工程により干渉フィルター12が製造される。   Next, a method for manufacturing the interference filter 12 will be described. FIG. 6 is a flowchart showing a manufacturing method of the interference filter, and FIGS. 7 to 11 are schematic diagrams for explaining the manufacturing method of the interference filter. In FIG. 6, step S1 corresponds to a movable substrate manufacturing process. In this step, the movable substrate 13 is manufactured by etching and forming a film on the substrate. Next, the process proceeds to step S2. Step S2 corresponds to a fixed substrate manufacturing process. This step is a step of manufacturing the fixed substrate 14 by etching and depositing the substrate. Next, the process proceeds to step S3. Step S3 corresponds to a substrate bonding step. This step is a step of bonding the movable substrate 13 and the fixed substrate 14 together. Next, the process proceeds to step S4. Step S4 corresponds to a cutting process. This step is a step of dividing the bonded bonding substrate 31 into a plurality of interference filters 12. The interference filter 12 is manufactured by the above process.

次に、図7〜図11を用いて、図6に示したステップと対応させて、製造方法を詳細に説明する。
図7及び図8はステップS1の可動基板製造工程に対応する図である。図7(a)に示すように、ステップS1において第1基板53を用意する。第1基板53は円板状の石英基板を0.6mmの厚みに研削し表面を研磨した板である。第1基板53は可動基板13の基になる基板である。
Next, the manufacturing method will be described in detail using FIGS. 7 to 11 in association with the steps shown in FIG.
7 and 8 are diagrams corresponding to the movable substrate manufacturing process in step S1. As shown in FIG. 7A, a first substrate 53 is prepared in step S1. The first substrate 53 is a plate obtained by grinding a disk-shaped quartz substrate to a thickness of 0.6 mm and polishing the surface. The first substrate 53 is a substrate on which the movable substrate 13 is based.

次に、図7(b)に示すように、第1基板53の第1面の反対側の面としての第1表面53aに円環溝13a及び保持部13cを形成する。円環溝13a及び保持部13cは公知のリソグラフィー法を用いてパターニングしエッチングすることにより形成することができる。例えば、クロム層及び金層からなる層をパターニングしてマスクを形成し、超高純度バッファードフッ酸を用いてエッチングすることにより形成することができる。例えば本実施形態では厚みが0.6mmの石英基板をエッチングして保持部13cの厚みを約30μmに形成した。円環溝13aを形成することにより可動部13bが形成される。   Next, as shown in FIG. 7B, the annular groove 13 a and the holding portion 13 c are formed on the first surface 53 a as the surface opposite to the first surface of the first substrate 53. The annular groove 13a and the holding portion 13c can be formed by patterning and etching using a known lithography method. For example, it can be formed by patterning a layer made of a chromium layer and a gold layer to form a mask and etching using ultra-high purity buffered hydrofluoric acid. For example, in this embodiment, a quartz substrate having a thickness of 0.6 mm is etched to form the holding portion 13c with a thickness of about 30 μm. The movable part 13b is formed by forming the annular groove 13a.

第1基板53において第1表面53aの反対側の面を第1面としての第1接合面53bとする。次に、図7(c)に示すように、第1接合面53bに第1溝部54を設置する。第1溝部54は側面溝部13dとなる部位である。第1溝部54は干渉フィルター12の側面の一部を構成する。第1溝部54は直交する2方向に延在する直線に沿って複数の場所に設置される。これにより、第1基板53に設置された可動部13bを囲んで第1接合面53bに第1溝部54が設置される。   A surface of the first substrate 53 opposite to the first surface 53a is a first bonding surface 53b as a first surface. Next, as shown in FIG. 7C, the first groove portion 54 is installed in the first joint surface 53b. The 1st groove part 54 is a site | part used as the side surface groove part 13d. The first groove portion 54 constitutes a part of the side surface of the interference filter 12. The 1st groove part 54 is installed in several places along the straight line extended in two orthogonal directions. As a result, the first groove portion 54 is installed on the first bonding surface 53 b so as to surround the movable portion 13 b installed on the first substrate 53.

第1溝部54はダイサー式切断機を用いて設置することができる。第1溝部54の幅をダイシングブレードの幅に合わせて設定する。そして、30μmの厚みを残して第1溝部54を設置する。尚、湿式や乾式のエッチング方法をもちいて第1溝部54を設置しても良い。   The 1st groove part 54 can be installed using a dicer type cutting machine. The width of the first groove portion 54 is set according to the width of the dicing blade. And the 1st groove part 54 is installed leaving the thickness of 30 micrometers. The first groove portion 54 may be installed by using a wet or dry etching method.

次に、図7(d)に示すように、第1接合面53b上に可動電極34を設置する。まず、第1基板53上に可動電極34の材料であるITO(Indium Tin Oxide)とAuとが積層されたベタ膜を形成する。ベタ膜は第1基板53上全体に同じ膜厚で設置された膜を示す。次に、ITOのベタ膜に重ねてAu膜のベタ膜を形成する。ベタ膜の形成には蒸着法、スパッタ法等の成膜方法を用いることができる。次に、ベタ膜をパターニングして可動電極34を形成する。可動電極34を形成するには公知のリソグラフィー法を用いてマスクをパターニングしてベタ膜をエッチングすることにより形成することができる。   Next, as shown in FIG. 7D, the movable electrode 34 is installed on the first bonding surface 53b. First, a solid film in which ITO (Indium Tin Oxide), which is a material of the movable electrode 34, and Au are stacked is formed on the first substrate 53. The solid film is a film installed on the entire first substrate 53 with the same film thickness. Next, a solid film of Au film is formed on the solid ITO film. A film formation method such as a vapor deposition method or a sputtering method can be used to form the solid film. Next, the solid film is patterned to form the movable electrode 34. The movable electrode 34 can be formed by patterning a mask using a known lithography method and etching the solid film.

次に、第1基板53上に第1端子15〜第4端子18及びバンプ電極41を形成する。第1端子15〜第4端子18及びバンプ電極41は金属下地層と金属上側層との2層で構成される。まず、第1基板53上に金属下地層の材料であるCrからなる下地導体ベタ膜を形成する。下地導体ベタ膜はCrの材料からなるベタ膜を示す。次に、下地導体ベタ膜に重ねて、金属上側層の材料であるAuからなる上側導体ベタ膜を形成する。上側導体ベタ膜はAuの材料からなるベタ膜を示す。下地導体ベタ膜及び上側導体ベタ膜の形成には蒸着法、スパッタ法等の成膜方法を用いることができる。   Next, the first terminal 15 to the fourth terminal 18 and the bump electrode 41 are formed on the first substrate 53. The first terminal 15 to the fourth terminal 18 and the bump electrode 41 are composed of two layers of a metal underlayer and a metal upper layer. First, an underlying conductor solid film made of Cr, which is a material for the metal underlayer, is formed on the first substrate 53. The underlying conductor solid film is a solid film made of a Cr material. Next, an upper conductor solid film made of Au, which is a material of the metal upper layer, is formed so as to overlap the base conductor solid film. The upper conductor solid film is a solid film made of Au. Film formation methods such as vapor deposition and sputtering can be used to form the underlying conductor solid film and the upper conductor solid film.

次に、上側導体ベタ膜の表面をパターニングしてバンプ電極41を形成する。さらに、上側導体ベタ膜の残った膜をパターニングして第1端子15〜第4端子18の金属上側層を形成する。さらに、下地導体ベタ膜をパターニングして第1端子15〜第4端子18の金属下地層を形成する。第1端子15〜第4端子18及びバンプ電極41を形成するには公知のリソグラフィー法を用いてマスクをパターニングして導体ベタ膜をエッチングすることにより形成することができる。Auのエッチング液は特に限定されないが例えばヨウ素系エッチング液を用いることができる。金属下地層の材料にCrまたはNiCrを用いるときのエッチング液は特に限定されないが例えば硝酸セリウム系エッチング液を用いることができる。金属下地層の材料にはTiWを用いても良い。このときのエッチング液は特に限定されないが例えば過塩素酸系エッチング液を用いることができる。   Next, the bump electrode 41 is formed by patterning the surface of the upper conductor solid film. Further, the remaining film of the upper conductor solid film is patterned to form a metal upper layer of the first terminal 15 to the fourth terminal 18. Further, the base conductor solid film is patterned to form metal base layers of the first terminal 15 to the fourth terminal 18. The first terminal 15 to the fourth terminal 18 and the bump electrode 41 can be formed by patterning a mask using a known lithography method and etching the conductive solid film. Although the etching solution of Au is not particularly limited, for example, an iodine-based etching solution can be used. The etching solution when Cr or NiCr is used as the material for the metal underlayer is not particularly limited, but for example, a cerium nitrate-based etching solution can be used. TiW may be used as the material for the metal underlayer. Although the etching solution at this time is not particularly limited, for example, a perchloric acid-based etching solution can be used.

次に、図7(e)に示すように、第1接合面53bに可動反射膜33を設置する。可動反射膜33上には図示しない保護膜が設置される。まず、第1基板53上に可動反射膜33の材料からなる反射ベタ膜を形成する。反射ベタ膜は例えばAgSmCuからなるベタ膜である。反射ベタ膜上に保護膜の材料からなる保護ベタ膜を形成する。保護ベタ膜はIGO(Indium−gallium oxide)からなるベタ膜である。反射ベタ膜及び保護ベタ膜の形成には蒸着法、スパッタ法等の成膜方法を用いることができる。次に、保護ベタ膜をパターニングして保護膜を形成する。続いて、反射ベタ膜をパターニングして可動反射膜33を形成する。このとき、可動反射膜33及び保護膜を同じ形状に形成する。保護膜及び可動反射膜33を形成するには公知のリソグラフィー法を用いてマスクをパターニングして保護ベタ膜及び反射ベタ膜をエッチングすることにより形成することができる。IGO膜のエッチング液はシュウ酸系エッチング液を用いることができる。反射ベタ膜のエッチング液はリン酸、硝酸、酢酸混合エッチング液を用いることができる。   Next, as shown in FIG. 7E, the movable reflective film 33 is installed on the first bonding surface 53b. A protective film (not shown) is provided on the movable reflective film 33. First, a reflective solid film made of the material of the movable reflective film 33 is formed on the first substrate 53. The reflective solid film is a solid film made of, for example, AgSmCu. A protective solid film made of a protective film material is formed on the reflective solid film. The protective solid film is a solid film made of IGO (Indium-gallium oxide). Film formation methods such as vapor deposition and sputtering can be used to form the reflective solid film and the protective solid film. Next, the protective solid film is patterned to form a protective film. Subsequently, the reflective solid film is patterned to form the movable reflective film 33. At this time, the movable reflective film 33 and the protective film are formed in the same shape. The protective film and the movable reflective film 33 can be formed by patterning a mask using a known lithography method and etching the protective solid film and the reflective solid film. An oxalic acid-based etching solution can be used as the etching solution for the IGO film. As the etching solution for the reflective solid film, a mixed etching solution of phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid can be used.

図8は第1基板53の構造を示す模式平面図である。図8に示すように、可動部13bを囲んで第1接合面53bに第1溝部54が格子状に設置される。尚、第1基板53は円板状としたが、四角形でも良い。効率良く可動部13bを配置することができる。   FIG. 8 is a schematic plan view showing the structure of the first substrate 53. As shown in FIG. 8, the 1st groove part 54 is installed in the grid | lattice form in the 1st joint surface 53b surrounding the movable part 13b. Although the first substrate 53 has a disc shape, it may have a quadrangular shape. The movable part 13b can be arranged efficiently.

図9及び図10はステップS2の固定基板製造工程に対応する図である。図9(a)に示すように、ステップS2において第2基板55を用意する。第2基板55は円板状の石英基板を0.6mmの厚みに研削し表面を研磨した板である。第2基板55は固定基板14の基になる基板である。   9 and 10 are diagrams corresponding to the fixed substrate manufacturing process of step S2. As shown in FIG. 9A, a second substrate 55 is prepared in step S2. The second substrate 55 is a plate obtained by grinding a disk-shaped quartz substrate to a thickness of 0.6 mm and polishing the surface. The second substrate 55 is a substrate on which the fixed substrate 14 is based.

次に、図9(b)に示すように第2基板55の第2面としての第2接合面55bに反射膜設置部14a及び電極設置溝14bを形成する。反射膜設置部14a及び電極設置溝14bは公知のリソグラフィー法を用いてパターニングしエッチングすることにより形成することができる。例えば、クロム層及び金層からなる層をパターニングしてマスクを形成し、超高純度バッファードフッ酸を用いてエッチングすることにより形成することができる。例えば、本実施形態では厚みが0.6mmの石英基板をエッチングして形成した。第2基板55において第2接合面55bと反対側の面を第2面の反対側の面としての第2表面55aとする。   Next, as illustrated in FIG. 9B, the reflective film installation portion 14 a and the electrode installation groove 14 b are formed on the second bonding surface 55 b as the second surface of the second substrate 55. The reflective film installation part 14a and the electrode installation groove 14b can be formed by patterning and etching using a known lithography method. For example, it can be formed by patterning a layer made of a chromium layer and a gold layer to form a mask and etching using ultra-high purity buffered hydrofluoric acid. For example, in this embodiment, a quartz substrate having a thickness of 0.6 mm is formed by etching. In the second substrate 55, a surface opposite to the second bonding surface 55b is defined as a second surface 55a as a surface opposite to the second surface.

次に、図9(c)に示すように、第2基板55の第2接合面55bに第2溝部56を設置する。第2溝部56は側面溝部14dとなる部位である。第2溝部56は干渉フィルター12の側面の一部を構成する。第2溝部56は直交する2方向に延在する直線に沿って複数の場所に設置される。これにより、第2基板55に設置された反射膜設置部14aを囲んで第2接合面55bに第2溝部56が設置される。   Next, as shown in FIG. 9C, the second groove portion 56 is installed in the second bonding surface 55 b of the second substrate 55. The 2nd groove part 56 is a site | part used as the side surface groove part 14d. The second groove portion 56 constitutes a part of the side surface of the interference filter 12. The second groove portions 56 are installed at a plurality of locations along straight lines extending in two orthogonal directions. As a result, the second groove portion 56 is installed on the second bonding surface 55b so as to surround the reflective film installation portion 14a installed on the second substrate 55.

第2溝部56はダイサー式切断機を用いて設置することができる。第2溝部56の幅をダイシングブレードの幅に合わせて設定する。そして、30μmの厚みを残して第2溝部56を設置する。尚、湿式や乾式のエッチング方法をもちいて第2溝部56を設置しても良い。   The 2nd groove part 56 can be installed using a dicer type cutting machine. The width of the second groove portion 56 is set according to the width of the dicing blade. And the 2nd groove part 56 is installed leaving the thickness of 30 micrometers. The second groove 56 may be installed using a wet or dry etching method.

次に、図9(d)に示すように、第2基板55の第2表面55aにアパーチャー32を設置する。アパーチャー32を設置するには、まず、アパーチャー32の材料のベタ膜を形成する。ベタ膜の形成には蒸着法、スパッタ法等の成膜方法を用いることができる。次に、ベタ膜をパターニングしてアパーチャー32を形成する。アパーチャー32を形成するには公知のリソグラフィー法を用いてマスクをパターニングしてベタ膜をエッチングすることにより形成することができる。   Next, as shown in FIG. 9D, the aperture 32 is installed on the second surface 55 a of the second substrate 55. In order to install the aperture 32, first, a solid film of the material of the aperture 32 is formed. A film formation method such as a vapor deposition method or a sputtering method can be used to form the solid film. Next, the aperture film 32 is formed by patterning the solid film. The aperture 32 can be formed by patterning a mask using a known lithography method and etching the solid film.

次に、第2基板55の第2接合面55b側に固定電極37、反射膜端子36及び固定電極端子38を設置する。まず、第2基板55上に固定電極37の材料であるITOとAuとが積層されたベタ膜を形成する。ベタ膜の形成には蒸着法、スパッタ法等の成膜方法を用いることができる。次に、ベタ膜をパターニングして固定電極37、反射膜端子36及び固定電極端子38を形成する。固定電極37、反射膜端子36及び固定電極端子38を形成するには公知のリソグラフィー法を用いてマスクをパターニングしてベタ膜をエッチングすることにより形成することができる。   Next, the fixed electrode 37, the reflective film terminal 36, and the fixed electrode terminal 38 are installed on the second bonding surface 55 b side of the second substrate 55. First, a solid film in which ITO and Au, which are materials of the fixed electrode 37, are stacked is formed on the second substrate 55. A film formation method such as a vapor deposition method or a sputtering method can be used to form the solid film. Next, the solid film is patterned to form the fixed electrode 37, the reflective film terminal 36, and the fixed electrode terminal 38. The fixed electrode 37, the reflective film terminal 36, and the fixed electrode terminal 38 can be formed by patterning a mask using a known lithography method and etching the solid film.

次に、図9(e)に示すように、第2基板55の第2接合面55b上に固定反射膜35を設置する。固定反射膜35上には図示しない保護膜が設置される。まず、第2基板55上に固定反射膜35の材料からなる反射ベタ膜を形成する。反射ベタ膜は例えばAgSmCuからなるベタ膜である。反射ベタ膜上に保護膜の材料からなる保護ベタ膜を形成する。保護ベタ膜はIGOからなるベタ膜である。反射ベタ膜及び保護ベタ膜の形成には蒸着法、スパッタ法等の成膜方法を用いることができる。次に、保護ベタ膜をパターニングして保護膜を形成する。続いて、反射ベタ膜をパターニングして固定反射膜35を形成する。このとき固定反射膜35及び保護膜を同じ形状に形成する。保護膜及び固定反射膜35を形成するには公知のリソグラフィー法を用いてマスクをパターニングして反射ベタ膜をエッチングすることにより形成することができる。保護ベタ膜であるIGO膜のエッチング液にはシュウ酸系エッチング液を用いることができる。反射ベタ膜のエッチング液にはリン酸、硝酸、酢酸混合エッチング液を用いることができる。   Next, as shown in FIG. 9E, the fixed reflective film 35 is installed on the second bonding surface 55 b of the second substrate 55. A protective film (not shown) is provided on the fixed reflective film 35. First, a reflective solid film made of the material of the fixed reflective film 35 is formed on the second substrate 55. The reflective solid film is a solid film made of, for example, AgSmCu. A protective solid film made of a protective film material is formed on the reflective solid film. The protective solid film is a solid film made of IGO. Film formation methods such as vapor deposition and sputtering can be used to form the reflective solid film and the protective solid film. Next, the protective solid film is patterned to form a protective film. Subsequently, the fixed reflective film 35 is formed by patterning the reflective solid film. At this time, the fixed reflective film 35 and the protective film are formed in the same shape. The protective film and the fixed reflective film 35 can be formed by patterning a mask using a known lithography method and etching the reflective solid film. An oxalic acid-based etchant can be used as an etchant for the IGO film that is a protective solid film. A phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid mixed etching solution can be used as an etching solution for the reflective solid film.

図10は第2基板55の構造を示す模式平面図である。図10に示すように、反射膜設置部14aを囲んで第2接合面55bに第2溝部56が格子状に設置される。尚、第2基板55は円板状としたが、四角形でも良い。効率良く反射膜設置部14aを配置することができる。   FIG. 10 is a schematic plan view showing the structure of the second substrate 55. As shown in FIG. 10, the second groove portions 56 are installed in a lattice pattern on the second bonding surface 55b so as to surround the reflective film installation portion 14a. The second substrate 55 has a disc shape, but may have a quadrangular shape. The reflective film installation part 14a can be arranged efficiently.

図11(a)はステップS3の基板接合工程に対応する図である。図11(a)に示すように、ステップS3において、第1基板53の第1接合面53bと第2基板55の第2接合面55bとを接合する。第1基板53の第1接合面53b及び第2基板55の第2接合面55bにそれぞれシロキサンを主成分とするプラズマ重合膜を成膜する。次に、プラズマ重合膜を貼り合せて第1基板53と第2基板55とを接合する。貼り合せられたプラズマ重合膜は接合膜30となる。バンプ電極41は反射膜端子36と第4端子18とを接続し、固定電極端子38と第1端子15とを接続する。そして、第1溝部54の一部と第2溝部56の一部とが向かい合うように第1基板53と第2基板55とが接合されて基板57となる。   FIG. 11A is a diagram corresponding to the substrate bonding step of step S3. As shown in FIG. 11A, in step S3, the first bonding surface 53b of the first substrate 53 and the second bonding surface 55b of the second substrate 55 are bonded. A plasma polymerization film mainly composed of siloxane is formed on the first bonding surface 53b of the first substrate 53 and the second bonding surface 55b of the second substrate 55, respectively. Next, the first polymer 53 and the second substrate 55 are bonded by bonding the plasma polymerization film. The bonded plasma polymerization film becomes the bonding film 30. The bump electrode 41 connects the reflective film terminal 36 and the fourth terminal 18, and connects the fixed electrode terminal 38 and the first terminal 15. Then, the first substrate 53 and the second substrate 55 are joined to form a substrate 57 so that a part of the first groove part 54 and a part of the second groove part 56 face each other.

図11(b)及び図11(c)はステップS4の切断工程に対応する図である。図11(b)に示すように、ステップS4において、第1溝部54にそって第1表面53aにガラス用のスクライビングホイール58を転動させる。スクライビングホイール58は超鋼合金やダイヤモンドを焼結して形成されている。スクライビングホイール58は側面が突出する円板の形態をしている。操作者はスクライビングホイール58を第1基板53に押圧しながら転動させて、第1基板53にクラック61を形成する。   FIG.11 (b) and FIG.11 (c) are figures corresponding to the cutting process of step S4. As shown in FIG. 11B, in step S4, the glass scribing wheel 58 is rolled on the first surface 53a along the first groove 54. The scribing wheel 58 is formed by sintering a super steel alloy or diamond. The scribing wheel 58 is in the form of a disk with side surfaces protruding. The operator rolls the scribing wheel 58 while pressing it against the first substrate 53 to form the crack 61 in the first substrate 53.

同様に、第2溝部56にそって第2表面55aにガラス用のスクライビングホイール58を転動させる。操作者はスクライビングホイール58を第2基板55に押圧しながら転動させることにより、第2基板55にクラック61を形成することができる。クラック61はスクライビングホイール58が転動する軌跡に沿って形成される。従って、スクライビングホイール58を位置精度良く転動させることにより、クラック61を位置精度良く形成することができる。   Similarly, the glass scribing wheel 58 rolls on the second surface 55 a along the second groove portion 56. The operator can form the crack 61 on the second substrate 55 by rolling the scribe wheel 58 while pressing it against the second substrate 55. The crack 61 is formed along a locus along which the scribing wheel 58 rolls. Therefore, the crack 61 can be formed with high positional accuracy by rolling the scribing wheel 58 with high positional accuracy.

次に、図11(c)に示すように、第1基板53のクラック61を第1基板53の厚み方向に押圧治具62にて押圧する。押圧によりクラック61は第1表面53aから第1溝部54まで進行する。そして、クラック61に沿って第1基板53が切断されて可動基板13になる。同様に、第2基板55のクラック61を第2基板55の厚み方向に押圧治具62にて押圧する。押圧によりクラック61は第2表面55aから第2溝部56まで進行する。クラック61に沿って第2基板55が切断されて固定基板14になる。そして、第1溝部54及び第2溝部56は側面溝部13d及び側面溝部14dになる。以上の工程により干渉フィルター12が完成する。   Next, as shown in FIG. 11C, the crack 61 of the first substrate 53 is pressed by the pressing jig 62 in the thickness direction of the first substrate 53. The crack 61 advances from the first surface 53a to the first groove portion 54 by the pressing. Then, the first substrate 53 is cut along the crack 61 to become the movable substrate 13. Similarly, the crack 61 of the second substrate 55 is pressed by the pressing jig 62 in the thickness direction of the second substrate 55. The crack 61 advances from the second surface 55a to the second groove portion 56 by the pressing. The second substrate 55 is cut along the crack 61 to become the fixed substrate 14. And the 1st groove part 54 and the 2nd groove part 56 become the side surface groove part 13d and the side surface groove part 14d. The interference filter 12 is completed through the above steps.

さらに、続けて干渉フィルター12を筐体2の内部に設置しても良い。筐体2には第1蓋体3、第1端子5〜第4端子8、貫通電極27、第1端子22〜第4端子25等が設置されている。尚、筐体2の製造方法は公知の方法を用いて製造することが可能であり説明を省略する。   Furthermore, you may install the interference filter 12 in the inside of the housing | casing 2 continuously. The housing 2 is provided with the first lid 3, the first terminal 5 to the fourth terminal 8, the through electrode 27, the first terminal 22 to the fourth terminal 25, and the like. In addition, the manufacturing method of the housing | casing 2 can be manufactured using a well-known method, and description is abbreviate | omitted.

次に、筐体2または干渉フィルター12に固定部29の材料を配置し、固定部29の材料を挟んで筐体2の側壁部2dに干渉フィルター12を接合する。このとき、治具を用いて筐体2と干渉フィルター12との位置関係を固定する。続いて、固定部29が熱硬化型の接着剤であるときには固定部29を加熱乾燥し、さらに加熱して固定部29を固化する。固定部29が固化した後で治具を除去する。   Next, the material of the fixing portion 29 is disposed on the housing 2 or the interference filter 12, and the interference filter 12 is joined to the side wall portion 2 d of the housing 2 with the material of the fixing portion 29 interposed therebetween. At this time, the positional relationship between the housing 2 and the interference filter 12 is fixed using a jig. Subsequently, when the fixing portion 29 is a thermosetting adhesive, the fixing portion 29 is heated and dried, and further heated to solidify the fixing portion 29. After the fixing portion 29 is solidified, the jig is removed.

次に、第1端子15と第1端子22とを金線26で接続し、第2端子16と第2端子23とを金線26で接続する。さらに、第3端子17と第3端子24とを金線26で接続し、第4端子18と第4端子25とを金線26で接続する。金線26の接続はワイヤーボンディング法を用いて行われる。   Next, the first terminal 15 and the first terminal 22 are connected by a gold wire 26, and the second terminal 16 and the second terminal 23 are connected by a gold wire 26. Further, the third terminal 17 and the third terminal 24 are connected by a gold wire 26, and the fourth terminal 18 and the fourth terminal 25 are connected by a gold wire 26. The gold wire 26 is connected by using a wire bonding method.

次に、筐体2に第2蓋体9を接合する。まず、筐体2の第2蓋体9を設置する予定の面に低融点ガラスペーストを配置する。次に、筐体2上に第2蓋体9を配置し、真空チャンバー装置等によって真空雰囲気に設定された環境下で加熱する。低融点ガラスペーストが溶融した後、徐冷する。これにより、内部空間11が減圧された状態で光学モジュール1が封止される。以上の工程により光学モジュール1が完成する。   Next, the second lid 9 is joined to the housing 2. First, a low melting point glass paste is disposed on the surface of the housing 2 on which the second lid body 9 is to be installed. Next, the 2nd cover body 9 is arrange | positioned on the housing | casing 2, and it heats in the environment set to the vacuum atmosphere by the vacuum chamber apparatus etc. After the low melting glass paste is melted, it is gradually cooled. Thereby, the optical module 1 is sealed in a state where the internal space 11 is decompressed. The optical module 1 is completed through the above steps.

上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
(1)本実施形態によれば、第1溝部54に沿って第1基板53を切断し、第2溝部56に沿って第2基板55を切断している。第1溝部54のある場所では第1基板53の厚みが薄くなっているので切断され易くなっている。従って、第1基板53が石英基板のように硬い基板であっても第1基板53を乾式で切断することができる。同様に、第2溝部56のある場所では第2基板55の厚みが薄くなっているので切断され易くなっている。従って、第2基板55を乾式で切断することができる。その結果、第1基板53と第2基板55とが合体した基板57を乾式にて切断することができる為、可動部13b及び反射膜設置部14aに液体を触れさせずに基板57を切断することができる。従って、可動反射膜33及び固定反射膜35が液体により反射率が低下することを防止することができる。
As described above, this embodiment has the following effects.
(1) According to the present embodiment, the first substrate 53 is cut along the first groove portion 54, and the second substrate 55 is cut along the second groove portion 56. Since the thickness of the first substrate 53 is small at a place where the first groove portion 54 is present, the first substrate 53 is easily cut. Therefore, even if the first substrate 53 is a hard substrate such as a quartz substrate, the first substrate 53 can be cut by a dry method. Similarly, since the thickness of the second substrate 55 is small at a place where the second groove portion 56 is present, the second substrate 55 is easily cut. Therefore, the second substrate 55 can be cut by a dry method. As a result, since the substrate 57 in which the first substrate 53 and the second substrate 55 are combined can be cut by a dry method, the substrate 57 is cut without touching the movable portion 13b and the reflective film installation portion 14a. be able to. Therefore, it is possible to prevent the reflectance of the movable reflective film 33 and the fixed reflective film 35 from being lowered by the liquid.

(2)本実施形態によれば、第1溝部54の深さは第1基板53の厚みの50%〜95%である。また、第2溝部56の深さは第2基板55の厚みの50%〜95%である。このとき、第1溝部54における第1基板53の厚みは、第1溝部54がない場所の厚みの50%〜5%である。同様に、第2溝部56における第2基板55の厚みは、第2溝部56がない場所の厚みの50%〜5%である。このとき、第1基板53及び第2基板55は剛性を確保している為、第1基板53と第2基板55とを接合させることができる。そして、第1溝部54で第1基板53を切断するときに必要な負荷を低減することができる。同様に、第2溝部56で第2基板55を切断するときに必要な負荷を低減することができる。従って、第1基板53と第2基板55とを接合して合体した基板57を容易に切断することができる。   (2) According to this embodiment, the depth of the first groove portion 54 is 50% to 95% of the thickness of the first substrate 53. Further, the depth of the second groove portion 56 is 50% to 95% of the thickness of the second substrate 55. At this time, the thickness of the first substrate 53 in the first groove portion 54 is 50% to 5% of the thickness where the first groove portion 54 is not present. Similarly, the thickness of the second substrate 55 in the second groove portion 56 is 50% to 5% of the thickness where the second groove portion 56 is not present. At this time, since the first substrate 53 and the second substrate 55 have sufficient rigidity, the first substrate 53 and the second substrate 55 can be joined. And a load required when the 1st board | substrate 53 is cut | disconnected by the 1st groove part 54 can be reduced. Similarly, the load required when the second substrate 55 is cut by the second groove portion 56 can be reduced. Therefore, the board | substrate 57 which joined and united the 1st board | substrate 53 and the 2nd board | substrate 55 can be cut | disconnected easily.

(3)本実施形態によれば、第1基板53において第1表面53aに第1溝部54に沿ってクラック61を形成し、クラック61に沿って第1基板53を切断している。第1表面53aは第1溝部54が設置された面の反対側であり、容易にクラック61を形成することができる。そして、クラック61に沿って第1基板53を切断するとき切断される切断面をクラック61の形状に沿って精度良く形成することができる。   (3) According to the present embodiment, the crack 61 is formed along the first groove portion 54 on the first surface 53 a of the first substrate 53, and the first substrate 53 is cut along the crack 61. The first surface 53a is the opposite side of the surface on which the first groove portion 54 is installed, and the crack 61 can be easily formed. A cut surface to be cut when the first substrate 53 is cut along the crack 61 can be formed with high accuracy along the shape of the crack 61.

同様に、第2基板55においても第2表面55aに第2溝部56に沿ってクラック61を形成し、クラック61に沿って第2基板55を切断している。第2表面55aは第2溝部56が設置された面の反対側であり、容易にクラック61を形成することができる。そして、クラック61に沿って第2基板55を切断するとき切断面をクラックの形状に沿って精度良く形成することができる。従って、基板57を位置精度良く切断することができる。   Similarly, in the second substrate 55, the crack 61 is formed along the second groove portion 56 on the second surface 55 a, and the second substrate 55 is cut along the crack 61. The second surface 55a is on the opposite side of the surface on which the second groove portion 56 is installed, and the crack 61 can be easily formed. And when the 2nd board | substrate 55 is cut | disconnected along the crack 61, a cut surface can be accurately formed along the shape of a crack. Therefore, the substrate 57 can be cut with high positional accuracy.

(4)本実施形態によれば、可動基板13と固定基板14とが接合膜30で接合され1枚の接合基板31になっている。そして、接合基板31の側面には第1接合面13f及び第2接合面14fに沿って側面溝部13d及び側面溝部14dが設置されている。側面溝部13d及び側面溝部14dがある場所では第1基板53及び第2基板55の厚みが薄くなっている。従って、第1基板53及び第2基板55を乾式で切断することができる。その結果、第1基板53と第2基板55とが合体した基板57を乾式にて切断することができる為、可動反射膜33及び固定反射膜35に液体を触れさせずに基板57を切断することができる。   (4) According to the present embodiment, the movable substrate 13 and the fixed substrate 14 are bonded by the bonding film 30 to form one bonded substrate 31. And the side surface groove part 13d and the side surface groove part 14d are installed in the side surface of the bonding substrate 31 along the 1st bonding surface 13f and the 2nd bonding surface 14f. The thickness of the first substrate 53 and the second substrate 55 is reduced where the side groove 13d and the side groove 14d are present. Therefore, the first substrate 53 and the second substrate 55 can be cut by a dry method. As a result, since the substrate 57 in which the first substrate 53 and the second substrate 55 are combined can be cut by a dry method, the substrate 57 is cut without touching the movable reflective film 33 and the fixed reflective film 35 with liquid. be able to.

(5)本実施形態によれば、基板57を乾式にて切断することができる為、可動反射膜33及び固定反射膜35に液体を触れさせずに基板を切断することができる。従って、光学モジュール1は可動反射膜33及び固定反射膜35に液体を触れさせずに基板57が切断された干渉フィルター12を備えたモジュールとすることができる。   (5) According to this embodiment, since the substrate 57 can be cut by a dry method, the substrate can be cut without touching the movable reflective film 33 and the fixed reflective film 35 with liquid. Therefore, the optical module 1 can be a module including the interference filter 12 in which the substrate 57 is cut without causing the liquid to come into contact with the movable reflective film 33 and the fixed reflective film 35.

(6)本実施形態によれば、スクライビングホイール58を用いてクラック61を形成する場所は板厚が薄くなっている。従って、スクライビングホイール58を第1基板53や第2基板55に押圧する力を小さくすることができる。従って、スクライビングホイール58の摩耗が少なくなりスクライビングホイール58の寿命を長くすることができる。   (6) According to the present embodiment, the plate thickness of the place where the crack 61 is formed using the scribing wheel 58 is thin. Accordingly, the force for pressing the scribing wheel 58 against the first substrate 53 and the second substrate 55 can be reduced. Therefore, wear of the scribing wheel 58 is reduced and the life of the scribing wheel 58 can be extended.

(7)本実施形態によれば、スクライビングホイール58を用いてクラック61を形成する場所が可動基板13または固定基板14の側面になっている。そして、XYステージを用いることにより第1基板53または第2基板55に対してスクライビングホイール58を位置精度良く移動させることができる。従って、可動基板13及び固定基板14の平面形状を精度良く製造することができる。   (7) According to this embodiment, the place where the crack 61 is formed using the scribing wheel 58 is the side surface of the movable substrate 13 or the fixed substrate 14. Then, by using the XY stage, the scribing wheel 58 can be moved with respect to the first substrate 53 or the second substrate 55 with high positional accuracy. Therefore, the planar shapes of the movable substrate 13 and the fixed substrate 14 can be manufactured with high accuracy.

(8)本実施形態によれば、ステップS4の切断工程で切断する場所の板厚が薄く形成されている。従って、切断時に可動基板13の保持部13cに衝撃を与えないようにすることができる。その結果、保持部13cに残留応力が残らないように可動基板13を製造することができる。同様に、可動基板13や固定基板14が切断時の衝撃で一部が欠ける等の損傷を受けることを防止することができる為、品質良く干渉フィルター12を製造することができる。   (8) According to this embodiment, the plate | board thickness of the place cut | disconnected by the cutting process of step S4 is formed thinly. Therefore, it is possible to prevent an impact on the holding portion 13c of the movable substrate 13 during cutting. As a result, the movable substrate 13 can be manufactured so that no residual stress remains in the holding portion 13c. Similarly, since it is possible to prevent the movable substrate 13 and the fixed substrate 14 from being damaged due to an impact at the time of cutting, the interference filter 12 can be manufactured with high quality.

(第2の実施形態)
次に、干渉フィルター12を製造する方法の一実施形態について図12(a)及び図12(b)の干渉フィルターの製造方法を説明するための模式図を用いて説明する。本実施形態が第1の実施形態と異なるところは、図11(b)に示したスクライブ方法が異なる点にある。尚、第1の実施形態と同じ点については説明を省略する。
(Second Embodiment)
Next, an embodiment of a method for manufacturing the interference filter 12 will be described with reference to schematic views for explaining the method for manufacturing the interference filter in FIGS. 12 (a) and 12 (b). This embodiment is different from the first embodiment in that the scribing method shown in FIG. 11B is different. Note that description of the same points as in the first embodiment is omitted.

すなわち、本実施形態では、図12(a)に示すように、ステップS4の切断工程においてレーザースクライブ装置63を用いて第1基板53及び第2基板55のスクライブを行う。レーザースクライブ装置63はレーザー光64を射出するレーザー光源63aを備えている。レーザー光源63aにはYAGレーザーまたはフェムト秒レーザーを用いることができる。レーザー光源63aから射出されたレーザー光64は反射鏡63bにて進行方向を変えて基板57に向かって進行する。次に、レーザー光64は集光レンズ63cを通過して第1基板53または第2基板55の内部に集光する。   That is, in the present embodiment, as shown in FIG. 12A, the first substrate 53 and the second substrate 55 are scribed using the laser scribing device 63 in the cutting process of step S4. The laser scribing device 63 includes a laser light source 63 a that emits a laser beam 64. As the laser light source 63a, a YAG laser or a femtosecond laser can be used. The laser light 64 emitted from the laser light source 63a travels toward the substrate 57 while changing the traveling direction by the reflecting mirror 63b. Next, the laser beam 64 passes through the condenser lens 63 c and is condensed inside the first substrate 53 or the second substrate 55.

レーザー光64が集光された場所では石英ガラスの多光子吸収による改質部65が形成される。改質部65は脆い構造の組織であり応力を加えたときに容易に破壊される。第1基板53においてレーザースクライブ装置63は第1溝部54に近い場所から第1表面53aに向けて順次改質部65を形成する。そして、第1溝部54に沿って改質部65を配列させる。   In the place where the laser beam 64 is condensed, a modified portion 65 is formed by multiphoton absorption of quartz glass. The modified portion 65 has a brittle structure and is easily destroyed when stress is applied. In the first substrate 53, the laser scribing device 63 sequentially forms the reforming portion 65 from a location near the first groove portion 54 toward the first surface 53a. Then, the reforming part 65 is arranged along the first groove part 54.

同様に、第2基板55においてレーザースクライブ装置63は第2溝部56に近い場所から第2表面55aに向けて順次改質部65を形成する。そして、第2溝部56に沿って改質部65を配列させる。尚、改質部65を形成する順番は第2基板55の次に第1基板53を行っても良い。次に、第1の実施形態と同様に、押圧治具62を用いて改質部65に応力を加え、第1基板53及び第2基板55を切断する。   Similarly, in the second substrate 55, the laser scribing device 63 sequentially forms the modified portion 65 from a location near the second groove portion 56 toward the second surface 55a. Then, the reforming part 65 is arranged along the second groove part 56. Note that the first substrate 53 may be formed next to the second substrate 55 in the order of forming the modified portion 65. Next, as in the first embodiment, the first substrate 53 and the second substrate 55 are cut by applying stress to the modified portion 65 using the pressing jig 62.

次の実施形態では、図12(b)に示すように、ステップS4の切断工程においてレーザースクライブ装置66を用いて第1基板53及び第2基板55のスクライブを行う。レーザースクライブ装置66はレーザー光64を射出するレーザー光源66aを備えている。レーザー光源66aには炭酸ガスレーザーを用いることができる。レーザー光源66aから射出されたレーザー光64は反射鏡66bにて進行方向を変えて基板57に向かって進行する。次に、レーザー光64は集光レンズ66cを通過して第1基板53または第2基板55の内部に集光する。   In the next embodiment, as shown in FIG. 12B, the first substrate 53 and the second substrate 55 are scribed using a laser scribing device 66 in the cutting process of step S4. The laser scribing device 66 includes a laser light source 66 a that emits a laser beam 64. A carbon dioxide laser can be used for the laser light source 66a. The laser light 64 emitted from the laser light source 66a travels toward the substrate 57 while changing the traveling direction by the reflecting mirror 66b. Next, the laser beam 64 passes through the condenser lens 66 c and is condensed inside the first substrate 53 or the second substrate 55.

レーザー光64が集光された場所では石英ガラスが加熱されて溶解した溶解部67が形成される。レーザースクライブ装置66はガス68を噴射するノズル66dを備えている。溶解部67では溶融した材料の一部がガス68により吹き飛ばされて除去される。このため溶解部67は脆い構造の組織になり応力を加えたときに容易に破壊される。第1基板53においてレーザースクライブ装置66は第1表面53aに近い場所から第1溝部54に向けて順次溶解部67を形成する。そして、第1溝部54に沿って溶解部67を配置させる。   In the place where the laser beam 64 is collected, a melted portion 67 is formed in which the quartz glass is heated and melted. The laser scribing device 66 includes a nozzle 66d that injects a gas 68. In the melting part 67, a part of the melted material is blown off by the gas 68 and removed. Therefore, the melted portion 67 becomes a brittle structure and is easily destroyed when stress is applied. In the first substrate 53, the laser scribing device 66 sequentially forms the dissolving portion 67 from a location near the first surface 53 a toward the first groove portion 54. Then, the dissolving portion 67 is disposed along the first groove portion 54.

同様に、第2基板55においてレーザースクライブ装置66は第2表面55aに近い場所から第2溝部56に向けて順次溶解部67を形成する。そして、第2溝部56に沿って溶解部67を配列させる。尚、溶解部67を形成する順番は第2基板55の次に第1基板53を行っても良い。次に、第1の実施形態と同様に、押圧治具62を用いて溶解部67に応力を加え、第1基板53及び第2基板55を切断する。   Similarly, in the second substrate 55, the laser scribing device 66 sequentially forms the dissolving portion 67 from a location near the second surface 55a toward the second groove portion 56. Then, the melting portions 67 are arranged along the second groove portions 56. Note that the first substrate 53 may be formed next to the second substrate 55 in the order of forming the melting portion 67. Next, as in the first embodiment, stress is applied to the melting portion 67 using the pressing jig 62 to cut the first substrate 53 and the second substrate 55.

上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
(1)本実施形態によれば、第1基板53において第1表面53aに第1溝部54に沿ってレーザー光64を照射し、第1溝部54に沿って第1基板53を切断している。第1表面53aは第1溝部54が設置された面の反対側であり、容易にレーザー光64を照射することができる。レーザー光64が照射された場所では第1基板53が熱により改質され切断され易くなっている。そして、第1溝部54に沿って応力を加えて第1基板53を切断するとき切断面を第1溝部54に沿って位置精度良く形成することができる。
As described above, this embodiment has the following effects.
(1) According to the present embodiment, the first substrate 53 is irradiated with the laser beam 64 along the first groove portion 54 on the first surface 53 a, and the first substrate 53 is cut along the first groove portion 54. . The first surface 53a is the opposite side of the surface on which the first groove portion 54 is installed, and the laser beam 64 can be easily irradiated. In the place where the laser beam 64 is irradiated, the first substrate 53 is modified by heat and easily cut. When the first substrate 53 is cut by applying stress along the first groove portion 54, the cut surface can be formed along the first groove portion 54 with high positional accuracy.

同様に、第2基板55においても第2表面55aに第2溝部56に沿ってレーザー光64を照射し、第2溝部56に沿って第2基板55を切断している。第2表面55aは第2溝部56が設置された面の反対側であり、容易にレーザー光64を照射することができる。レーザー光64が照射された場所では第2基板55が熱により改質され切断され易くなっている。そして、第2溝部56に沿って応力を加えて第2基板55を切断するとき切断面を第2溝部56に沿って位置精度良く形成することができる。従って、基板57の形状を位置精度良く形成することができる。   Similarly, also on the second substrate 55, the second surface 55 a is irradiated with the laser beam 64 along the second groove portion 56, and the second substrate 55 is cut along the second groove portion 56. The second surface 55a is the opposite side of the surface on which the second groove portion 56 is installed, and the laser beam 64 can be easily irradiated. In the place irradiated with the laser beam 64, the second substrate 55 is modified by heat and easily cut. Further, when the second substrate 55 is cut by applying stress along the second groove portion 56, the cut surface can be formed along the second groove portion 56 with high positional accuracy. Therefore, the shape of the substrate 57 can be formed with high positional accuracy.

(第3の実施形態)
次に、光学モジュールの一実施形態について図13(a)及び図13(b)の光学モジュールの構造を示す要部模式側断面図を用いて説明する。本実施形態が第1の実施形態と異なるところは、干渉フィルター12の側面溝部13d及び側面溝部14dと筐体の突出した部位とが接触する点にある。尚、第1の実施形態と同じ点については説明を省略する。
(Third embodiment)
Next, an embodiment of the optical module will be described with reference to a schematic side sectional view of a main part showing the structure of the optical module shown in FIGS. 13 (a) and 13 (b). This embodiment is different from the first embodiment in that the side surface groove portion 13d and the side surface groove portion 14d of the interference filter 12 are in contact with the protruding portion of the housing. Note that description of the same points as in the first embodiment is omitted.

すなわち、本実施形態では、図13(a)に示すように、光学モジュール71は有底角筒状の筐体72を備え、筐体72のZ方向側には第2蓋体9が設置されている。筐体72において内部空間11を向く側壁部72dにはZ方向の中程に内部空間11側に突出する突出面72eが設置されている。   That is, in the present embodiment, as shown in FIG. 13A, the optical module 71 includes a bottomed rectangular tube-shaped casing 72, and the second lid 9 is installed on the Z direction side of the casing 72. ing. A protruding surface 72e that protrudes toward the internal space 11 in the middle of the Z direction is provided on the side wall 72d facing the internal space 11 in the housing 72.

干渉フィルター12の−X方向側では固定基板14における側面溝部14dが筐体72の突出面72eと接触する。そして、干渉フィルター12の+X方向側では可動基板13における側面溝部13dと筐体72の突出面72eとの間に固定部29が設置される。   On the −X direction side of the interference filter 12, the side surface groove portion 14 d of the fixed substrate 14 is in contact with the protruding surface 72 e of the housing 72. Then, on the + X direction side of the interference filter 12, the fixed portion 29 is installed between the side surface groove portion 13 d of the movable substrate 13 and the protruding surface 72 e of the housing 72.

図13(b)に示すように、干渉フィルター12の−Y方向側の面では固定基板14における側面溝部14dが筐体72の突出面72eと接触する。さらに、可動基板13における側面溝部13dが筐体72の突出面72eと接触する。そして、干渉フィルター12の+Y方向側の面では可動基板13における側面13e及び側面溝部13dと筐体72の突出面72eとの間に固定部29が設置される。   As shown in FIG. 13B, the side groove 14 d of the fixed substrate 14 contacts the protruding surface 72 e of the housing 72 on the surface on the −Y direction side of the interference filter 12. Further, the side surface groove 13 d in the movable substrate 13 contacts the protruding surface 72 e of the housing 72. Then, on the surface on the + Y direction side of the interference filter 12, the fixing portion 29 is installed between the side surface 13 e and the side surface groove portion 13 d of the movable substrate 13 and the protruding surface 72 e of the housing 72.

上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
(1)本実施形態によれば、側面溝部13d及び側面溝部14dが筐体72と干渉フィルター12との位置決めに用いられている。側面溝部13d及び側面溝部14dはステップS1の可動基板製造工程及びステップS2の固定基板製造工程においてダイシングブレードにて形成された溝である。従って、側面溝部13d及び側面溝部14dは位置精度良く製造されている。従って、筐体72に対して干渉フィルター12を位置精度良く設置することができる。
As described above, this embodiment has the following effects.
(1) According to the present embodiment, the side groove 13d and the side groove 14d are used for positioning the housing 72 and the interference filter 12. The side groove 13d and the side groove 14d are grooves formed by a dicing blade in the movable substrate manufacturing process in step S1 and the fixed substrate manufacturing process in step S2. Therefore, the side groove 13d and the side groove 14d are manufactured with high positional accuracy. Therefore, the interference filter 12 can be installed with high positional accuracy with respect to the casing 72.

(第4の実施形態)
次に、上記の光学モジュール1または光学モジュール71を備えた測色装置の一実施形態について図14を用いて説明する。尚、上記の実施形態と同じ点については説明を省略する。
(Fourth embodiment)
Next, an embodiment of a color measuring device including the optical module 1 or the optical module 71 will be described with reference to FIG. In addition, description is abbreviate | omitted about the same point as said embodiment.

(測色装置)
図14は、測色装置の構成を示すブロック図である。図14に示すように、電子機器としての測色装置75は、測定対象物76に光28を射出する光源装置77と、測色センサー78と、測色装置75の全体動作を制御する制御装置81とを備える。そして、この測色装置75は光源装置77から射出される光28を測定対象物76にて反射させる。反射された検査対象光を測色センサー78が受光し、測色センサー78から出力される検出信号に基づいて測色装置75は検査対象光の色度すなわち測定対象物76の色を分析して測定する。
(Color measuring device)
FIG. 14 is a block diagram illustrating a configuration of the color measurement device. As shown in FIG. 14, a color measurement device 75 as an electronic apparatus includes a light source device 77 that emits light 28 onto a measurement object 76, a color measurement sensor 78, and a control device that controls the overall operation of the color measurement device 75. 81. The color measuring device 75 reflects the light 28 emitted from the light source device 77 by the measurement object 76. The colorimetric sensor 78 receives the reflected light to be inspected, and the colorimetric device 75 analyzes the chromaticity of the light to be inspected, that is, the color of the measurement object 76 based on the detection signal output from the colorimetric sensor 78. taking measurement.

光源装置77は光源82及び複数のレンズ83(図中には1つのみ記載)を備え、測定対象物76に対して例えば基準光(例えば、白色光)を射出する。また、複数のレンズ83にはコリメーターレンズが含まれてもよい。この場合、光源82から射出された基準光をコリメーターレンズが平行光にし、光源装置77は図示しない投射レンズから測定対象物76に向かって光を射出する。尚、本実施形態では、光源装置77を備える測色装置75を例示するが、例えば測定対象物76が液晶パネル等の発光部材である場合、光源装置77が設けられない構成としてもよい。   The light source device 77 includes a light source 82 and a plurality of lenses 83 (only one is shown in the drawing), and emits, for example, reference light (for example, white light) to the measurement object 76. The plurality of lenses 83 may include a collimator lens. In this case, the collimator lens converts the reference light emitted from the light source 82 into parallel light, and the light source device 77 emits light from the projection lens (not shown) toward the measurement object 76. In the present embodiment, the color measuring device 75 including the light source device 77 is illustrated. However, for example, when the measurement object 76 is a light emitting member such as a liquid crystal panel, the light source device 77 may not be provided.

測色センサー78は光学モジュールとしての光フィルター84と、光フィルター84を透過する光を受光するディテクター79と、光フィルター84を透過させる光の波長を制御する制御部としての波長制御部80とを備える。光フィルター84には上記の光学モジュール1または光学モジュール71が用いられている。波長制御部80は第1の実施形態における電圧制御部21の機能を備えている。   The colorimetric sensor 78 includes an optical filter 84 as an optical module, a detector 79 that receives light transmitted through the optical filter 84, and a wavelength control unit 80 as a control unit that controls the wavelength of light transmitted through the optical filter 84. Prepare. The optical module 1 or the optical module 71 is used for the optical filter 84. The wavelength control unit 80 has the function of the voltage control unit 21 in the first embodiment.

また、測色センサー78は、光フィルター84に対向する場所に図示しない入射光学レンズを備えている。入射光学レンズは測定対象物76で反射された反射光(検査対象光)を測色センサー78の内部に導光する。そして、測色センサー78では入射光学レンズから入射した検査対象光のうち所定の波長の光を光フィルター84が分光し、分光した光をディテクター79が受光する。   The colorimetric sensor 78 includes an incident optical lens (not shown) at a location facing the optical filter 84. The incident optical lens guides the reflected light (inspection target light) reflected by the measurement object 76 into the colorimetric sensor 78. In the colorimetric sensor 78, light having a predetermined wavelength out of the inspection target light incident from the incident optical lens is dispersed by the optical filter 84, and the detected light is received by the detector 79.

制御装置81は測色装置75の全体動作を制御する。この制御装置81としては、例えば汎用パーソナルコンピューターや携帯情報端末の他にも測色専用コンピューター等を用いることができる。そして、制御装置81は光源制御部85、測色センサー制御部86及び測色処理部87等を備えて構成されている。光源制御部85は光源装置77に接続され、例えば、操作者の設定入力に基づいて光源装置77に所定の制御信号を出力して所定の明るさの白色光を射出させる。測色センサー制御部86は測色センサー78に接続されている。例えば、操作者の設定入力に基づいて測色センサー78にて受光させる光の波長を測色センサー制御部86が設定する。そして、設定した波長の光の受光量を検出する旨の制御信号を測色センサー制御部86が測色センサー78に出力する。これにより、制御信号に基づいて波長制御部80は光フィルター84を駆動させる。測色処理部87は、ディテクター79により検出された受光量から、測定対象物76の色度を分析する。   The control device 81 controls the overall operation of the color measuring device 75. As the control device 81, for example, a computer for exclusive use of color measurement can be used in addition to a general-purpose personal computer or a portable information terminal. The control device 81 includes a light source control unit 85, a colorimetric sensor control unit 86, a colorimetric processing unit 87, and the like. The light source control unit 85 is connected to the light source device 77 and, for example, outputs a predetermined control signal to the light source device 77 based on an operator's setting input to emit white light with a predetermined brightness. The colorimetric sensor control unit 86 is connected to the colorimetric sensor 78. For example, the colorimetric sensor control unit 86 sets the wavelength of light received by the colorimetric sensor 78 based on the setting input by the operator. Then, the colorimetric sensor control unit 86 outputs a control signal for detecting the amount of received light of the set wavelength to the colorimetric sensor 78. Thereby, the wavelength control unit 80 drives the optical filter 84 based on the control signal. The colorimetric processing unit 87 analyzes the chromaticity of the measurement object 76 from the amount of received light detected by the detector 79.

光フィルター84には上記の光学モジュール1または光学モジュール71が用いられている。光フィルター84では可動反射膜33及び固定反射膜35に液体を触れさせずに基板57が切断されている。従って、可動反射膜33及び固定反射膜35は反射率の高い膜であり、光フィルター84は効率よく光28を分光することができる。測色装置75は測色する光の波長を効率良く分光できる光フィルター84を備えた電子機器とすることができる。   The optical module 1 or the optical module 71 is used for the optical filter 84. In the optical filter 84, the substrate 57 is cut without touching the movable reflective film 33 and the fixed reflective film 35 with liquid. Therefore, the movable reflective film 33 and the fixed reflective film 35 are films having high reflectance, and the optical filter 84 can efficiently split the light 28. The color measuring device 75 can be an electronic device including an optical filter 84 that can efficiently split the wavelength of light to be measured.

(第5の実施形態)
次に、上記の光学モジュール1または光学モジュール71の何れかを備えたガス検出装置の一実施形態について図15及び図16を用いて説明する。このガス検出装置は、例えば、特定ガスを高感度検出する車載用ガス漏れ検出器や、呼気検査用の光音響希ガス検出器等に用いられる。尚、上記の実施形態と同じ点については説明を省略する。
(Fifth embodiment)
Next, an embodiment of a gas detection apparatus provided with either the optical module 1 or the optical module 71 will be described with reference to FIGS. 15 and 16. This gas detection device is used for, for example, a vehicle-mounted gas leak detector that detects a specific gas with high sensitivity, a photoacoustic noble gas detector for a breath test, and the like. In addition, description is abbreviate | omitted about the same point as said embodiment.

図15は、ガス検出装置の構成を示す模式正面図であり、図16は、ガス検出装置の制御系の構成を示すブロック図である。図15に示すように、電子機器としてのガス検出装置90はセンサーチップ91と吸引口92a、吸引流路92b、排出流路92c及び排出口92dを備えた流路92と本体部93とを有する構成となっている。   FIG. 15 is a schematic front view showing the configuration of the gas detection device, and FIG. 16 is a block diagram showing the configuration of the control system of the gas detection device. As shown in FIG. 15, a gas detection device 90 as an electronic device includes a sensor chip 91, a suction port 92 a, a suction channel 92 b, a discharge channel 92 c, and a channel 92 including a discharge port 92 d and a main body 93. It has a configuration.

本体部93は、センサー部カバー94、排出手段95及び筐体96を備えている。センサー部カバー94を開閉することにより、流路92を着脱することが可能になっている。さらに、本体部93は光学部97、フィルター98、光学モジュールとしての光フィルター99、受光素子100(検出部)等を含む検出装置を備えている。光フィルター99には上記の光学モジュール1または光学モジュール71が用いられている。   The main body portion 93 includes a sensor portion cover 94, a discharge means 95, and a housing 96. The flow path 92 can be attached and detached by opening and closing the sensor unit cover 94. The main body 93 further includes a detection device including an optical unit 97, a filter 98, an optical filter 99 as an optical module, a light receiving element 100 (detection unit), and the like. The optical module 1 or the optical module 71 is used for the optical filter 99.

さらに、本体部93は検出された信号を処理し、検出部を制御する制御部101(処理部)及び電力を供給する電力供給部102等を備えている。光学部97は、光を射出する光源103、ビームスプリッター104、レンズ105、レンズ106及びレンズ107により構成されている。ビームスプリッター104は光源103から入射された光をセンサーチップ91側に反射し、センサーチップ側から入射された光を受光素子100側に透過する。   Furthermore, the main body 93 includes a control unit 101 (processing unit) that processes the detected signal and controls the detection unit, a power supply unit 102 that supplies power, and the like. The optical unit 97 includes a light source 103 that emits light, a beam splitter 104, a lens 105, a lens 106, and a lens 107. The beam splitter 104 reflects light incident from the light source 103 to the sensor chip 91 side and transmits light incident from the sensor chip side to the light receiving element 100 side.

図16に示すように、ガス検出装置90には操作パネル108、表示部109、外部とのインターフェイスのための接続部110及び電力供給部102が設けられている。電力供給部102が二次電池の場合には充電のための接続部111を備えてもよい。更に、ガス検出装置90の制御部101は、CPU等により構成された信号処理部114及び光源103を制御するための光源ドライバー回路115を備えている。更に、制御部101は光フィルター99を制御するための制御部としての波長制御部116、受光素子100からの信号を受信する受光回路117を備えている。波長制御部116は第1の実施形態における電圧制御部21の機能を備えている。更に、制御部101はセンサーチップ91のコードを読み取り、センサーチップ91の有無を検出するセンサーチップ検出器118からの信号を受信するセンサーチップ検出回路119を備えている。更に、制御部101は排出手段95を制御する排出ドライバー回路120等を備えている。   As shown in FIG. 16, the gas detection device 90 includes an operation panel 108, a display unit 109, a connection unit 110 for interface with the outside, and a power supply unit 102. When the power supply unit 102 is a secondary battery, a connection unit 111 for charging may be provided. Further, the control unit 101 of the gas detection device 90 includes a signal processing unit 114 configured by a CPU or the like and a light source driver circuit 115 for controlling the light source 103. The control unit 101 further includes a wavelength control unit 116 as a control unit for controlling the optical filter 99 and a light receiving circuit 117 that receives a signal from the light receiving element 100. The wavelength controller 116 has the function of the voltage controller 21 in the first embodiment. The control unit 101 further includes a sensor chip detection circuit 119 that reads a code of the sensor chip 91 and receives a signal from a sensor chip detector 118 that detects the presence or absence of the sensor chip 91. Further, the control unit 101 includes a discharge driver circuit 120 for controlling the discharge unit 95 and the like.

次に、ガス検出装置90の動作について説明する。本体部93の上部のセンサー部カバー94の内部にはセンサーチップ検出器118が設けられている。センサーチップ検出器118によりセンサーチップ91の有無が検出される。信号処理部114はセンサーチップ検出器118からの検出信号を検出するとセンサーチップ91が装着された状態であると判断する。そして、信号処理部114は表示部109へ検出動作を実施可能な旨を表示させる表示信号を出す。   Next, the operation of the gas detection device 90 will be described. A sensor chip detector 118 is provided inside the sensor unit cover 94 above the main body unit 93. The sensor chip detector 118 detects the presence or absence of the sensor chip 91. When the signal processing unit 114 detects the detection signal from the sensor chip detector 118, the signal processing unit 114 determines that the sensor chip 91 is attached. Then, the signal processing unit 114 outputs a display signal for displaying on the display unit 109 that the detection operation can be performed.

そして、操作者により操作パネル108が操作され、操作パネル108から検出処理を開始する旨の指示信号が信号処理部114へ出力される。まず、信号処理部114は光源ドライバー回路115に光源駆動の指示信号を出力して光源103を作動させる。光源103が駆動されると、光源103から単一波長で直線偏光の安定したレーザー光が射出される。光源103には温度センサーや光量センサーが内蔵されており、センサーの情報が信号処理部114へ出力される。光源103から入力された温度や光量に基づいて、光源103が安定動作していると信号処理部114が判断すると、信号処理部114は排出ドライバー回路120を制御して排出手段95を作動させる。これにより、検出すべき標的物質(ガス分子)を含んだ気体試料が、吸引口92aから吸引流路92b、センサーチップ91内、排出流路92c、排出口92dへと誘導される。尚、吸引口92aには、除塵フィルター92eが設けられ、比較的大きい粉塵や一部の水蒸気等が除去される。   Then, the operator operates the operation panel 108, and an instruction signal for starting the detection process is output from the operation panel 108 to the signal processing unit 114. First, the signal processing unit 114 outputs a light source driving instruction signal to the light source driver circuit 115 to operate the light source 103. When the light source 103 is driven, a linearly polarized laser beam having a single wavelength is emitted from the light source 103. The light source 103 includes a temperature sensor and a light amount sensor, and sensor information is output to the signal processing unit 114. When the signal processing unit 114 determines that the light source 103 is stably operating based on the temperature and light quantity input from the light source 103, the signal processing unit 114 controls the discharge driver circuit 120 to operate the discharge unit 95. Thereby, the gas sample containing the target substance (gas molecule) to be detected is guided from the suction port 92a to the suction flow channel 92b, the sensor chip 91, the discharge flow channel 92c, and the discharge port 92d. The suction port 92a is provided with a dust removal filter 92e, which removes relatively large dust, some water vapor, and the like.

センサーチップ91は金属ナノ構造体が複数組み込まれた素子であり、局在表面プラズモン共鳴を利用したセンサーである。このようなセンサーチップ91ではレーザー光により金属ナノ構造体間で増強電場が形成される。この増強電場内にガス分子が入り込むと、分子振動の情報を含んだラマン散乱光、及びレイリー散乱光が発生する。これらのレイリー散乱光やラマン散乱光は光学部97を通ってフィルター98に入射する。フィルター98によりレイリー散乱光が分離され、ラマン散乱光が光フィルター99に入射する。   The sensor chip 91 is an element in which a plurality of metal nanostructures are incorporated, and is a sensor using localized surface plasmon resonance. In such a sensor chip 91, an enhanced electric field is formed between the metal nanostructures by laser light. When gas molecules enter the enhanced electric field, Raman scattered light and Rayleigh scattered light including molecular vibration information are generated. These Rayleigh scattered light and Raman scattered light enter the filter 98 through the optical unit 97. Rayleigh scattered light is separated by the filter 98, and Raman scattered light is incident on the optical filter 99.

そして、信号処理部114は波長制御部116に対して制御信号を出力する。これにより、波長制御部116は光フィルター99のアクチュエーターを駆動させて検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光を光フィルター99に分光させる。分光した光が受光素子100にて受光されると、受光量に応じた受光信号が受光回路117を介して信号処理部114に出力される。   Then, the signal processing unit 114 outputs a control signal to the wavelength control unit 116. As a result, the wavelength controller 116 drives the actuator of the optical filter 99 to cause the optical filter 99 to split the Raman scattered light corresponding to the gas molecules to be detected. When the dispersed light is received by the light receiving element 100, a received light signal corresponding to the amount of received light is output to the signal processing unit 114 via the light receiving circuit 117.

信号処理部114は、得られた検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光のスペクトルデータとROMに格納されているデータとを比較する。そしてし、検出対象となるガス分子が目的のガス分子か否かを判定し物質の特定をする。また、信号処理部114は表示部109にその結果情報を表示し、接続部110から外部へ出力する。   The signal processing unit 114 compares the obtained spectrum data of the Raman scattered light corresponding to the gas molecules to be detected with the data stored in the ROM. Then, it is determined whether the gas molecule to be detected is the target gas molecule, and the substance is specified. Further, the signal processing unit 114 displays the result information on the display unit 109 and outputs the result information from the connection unit 110 to the outside.

ラマン散乱光を光フィルター99により分光し、分光されたラマン散乱光からガス検出を行うガス検出装置90を例示した。ガス検出装置90はガス固有の吸光度を検出してガス種別を特定するガス検出装置として用いてもよい。この場合、センサー内部にガスを流入させ、入射光のうちガスにて吸収された光を検出するガスセンサーに光フィルター99を用いる。そして、ガス検出装置はガスセンサーによりセンサー内に流入されたガスを分析、判別する電子機器である。ガス検出装置90はこのような構成にすることで光フィルター99を用いてガスの成分を検出することができる。   A gas detection device 90 that divides the Raman scattered light with the optical filter 99 and detects gas from the dispersed Raman scattered light is exemplified. The gas detection device 90 may be used as a gas detection device that detects gas-specific absorbance and identifies the gas type. In this case, an optical filter 99 is used for a gas sensor that allows gas to flow into the sensor and detects light absorbed by the gas in incident light. The gas detection device is an electronic device that analyzes and discriminates gas introduced into the sensor by the gas sensor. With this configuration, the gas detection device 90 can detect a gas component using the optical filter 99.

光フィルター99には上記の光学モジュール1または光学モジュール71が用いられている。光フィルター99では可動反射膜33及び固定反射膜35に液体を触れさせずに基板57が切断されている。従って、可動反射膜33及び固定反射膜35は反射率の高い膜であり、光フィルター99は効率よく光28を分光することができる。ガス検出装置90は測色する光の波長を効率良く分光できる光フィルター99を備えた電子機器とすることができる。   The optical module 1 or the optical module 71 is used for the optical filter 99. In the optical filter 99, the substrate 57 is cut without touching the movable reflective film 33 and the fixed reflective film 35 with liquid. Therefore, the movable reflective film 33 and the fixed reflective film 35 are films having high reflectivity, and the optical filter 99 can efficiently split the light 28. The gas detection device 90 can be an electronic device including an optical filter 99 that can efficiently split the wavelength of light to be measured.

(第6の実施形態)
次に、上記の光学モジュール1または光学モジュール71を備えた食物分析装置の一実施形態について図17を用いて説明する。上記の光学モジュールは近赤外線分光による糖類の非侵襲的測定装置や食物、生体、鉱物等の情報の非侵襲的測定装置等の物質成分分析装置に用いることができる。食物分析装置は物質成分分析装置の1種である。尚、上記の実施形態と同じ点については説明を省略する。
(Sixth embodiment)
Next, an embodiment of a food analysis apparatus including the optical module 1 or the optical module 71 will be described with reference to FIG. The optical module described above can be used in a substance component analyzer such as a non-invasive measuring apparatus for saccharides by near-infrared spectroscopy and a non-invasive measuring apparatus for information on food, living bodies, minerals, and the like. A food analyzer is one type of substance component analyzer. In addition, description is abbreviate | omitted about the same point as said embodiment.

図17は、食物分析装置の構成を示すブロック図である。図17に示すように、電子機器としての食物分析装置123は検出器124、制御部125及び表示部126を備えている。検出器124は光を射出する光源127、測定対象物からの光が導入される撮像レンズ128、撮像レンズ128から導入された光を分光する光学モジュールとしての光フィルター129を備えている。光フィルター129には上記の光学モジュール1または光学モジュール71が用いられている。   FIG. 17 is a block diagram showing the configuration of the food analyzer. As shown in FIG. 17, the food analyzer 123 as an electronic device includes a detector 124, a control unit 125, and a display unit 126. The detector 124 includes a light source 127 that emits light, an imaging lens 128 into which light from the measurement target is introduced, and an optical filter 129 as an optical module that splits the light introduced from the imaging lens 128. The optical module 129 is the optical module 1 or the optical module 71 described above.

さらに、検出器124は分光された光を検出する撮像部130(検出部)を備えている。また、制御部125は光源127の点灯・消灯制御、点灯時の明るさ制御を実施する光源制御部131及び光フィルター129を制御する制御部としての波長制御部132を備えている。波長制御部132は第1の実施形態における電圧制御部21の機能を備えている。さらに、制御部125は撮像部130を制御して撮像部130で撮像された分光画像を取得する検出制御部133、信号処理部134及び記憶部135を備えている。   Furthermore, the detector 124 includes an imaging unit 130 (detection unit) that detects the dispersed light. In addition, the control unit 125 includes a light source control unit 131 that performs on / off control of the light source 127 and brightness control at the time of lighting, and a wavelength control unit 132 as a control unit that controls the optical filter 129. The wavelength control unit 132 has the function of the voltage control unit 21 in the first embodiment. Furthermore, the control unit 125 includes a detection control unit 133 that controls the imaging unit 130 to acquire a spectral image captured by the imaging unit 130, a signal processing unit 134, and a storage unit 135.

食物分析装置123を駆動させると光源制御部131により光源127が制御されて光源127から測定対象物136に光が照射される。そして、測定対象物136で反射された光は撮像レンズ128を通って光フィルター129に入射する。光フィルター129は波長制御部132の制御により駆動される。これにより、光フィルター129から精度よく目的波長の光を取り出すことができる。そして、取り出された光は、例えば、CCDカメラ等により構成される撮像部130に撮像される。また、撮像された光は分光画像として記憶部135に蓄積される。また、信号処理部134は波長制御部132を制御して光フィルター129に印加する電圧値を変化させ、各波長に対する分光画像を取得する。   When the food analyzer 123 is driven, the light source 127 is controlled by the light source control unit 131 so that the measurement object 136 is irradiated with light from the light source 127. Then, the light reflected by the measurement object 136 passes through the imaging lens 128 and enters the optical filter 129. The optical filter 129 is driven under the control of the wavelength controller 132. Thereby, the light of the target wavelength can be extracted from the optical filter 129 with high accuracy. Then, the extracted light is imaged by the imaging unit 130 configured by, for example, a CCD camera or the like. The captured light is accumulated in the storage unit 135 as a spectral image. Further, the signal processing unit 134 controls the wavelength control unit 132 to change the voltage value applied to the optical filter 129, and acquires a spectral image for each wavelength.

そして、信号処理部134は記憶部135に蓄積された各画像における各画素のデータを演算処理し、各画素におけるスペクトルを求める。また、記憶部135にはスペクトルに対する食物の成分に関する情報が記憶されている。記憶部135に記憶された食物に関する情報を基に信号処理部134は求めたスペクトルのデータを分析する。そして、信号処理部134は測定対象物136に含まれる食物成分と各食物成分含有量を求める。また、得られた食物成分及び含有量から信号処理部134は食物カロリーや鮮度等をも算出することができる。更に、画像内のスペクトル分布を分析することで、信号処理部134は検査対象の食物の中で鮮度が低下している部分の抽出等をも実施することができる。更には、信号処理部134は食物内に含まれる異物等の検出をも実施することができる。そして、信号処理部134は上述のようにして得られた検査対象の食物の成分や含有量、カロリーや鮮度等の情報を表示部126に表示させる処理をする。   Then, the signal processing unit 134 performs arithmetic processing on the data of each pixel in each image accumulated in the storage unit 135 and obtains a spectrum at each pixel. In addition, the storage unit 135 stores information related to food components with respect to the spectrum. Based on the information on food stored in the storage unit 135, the signal processing unit 134 analyzes the obtained spectrum data. And the signal processing part 134 calculates | requires the food component contained in the measuring object 136 and each food component content. Further, the signal processing unit 134 can also calculate food calories and freshness from the obtained food components and content. Furthermore, by analyzing the spectral distribution in the image, the signal processing unit 134 can also extract a portion of the food to be inspected where the freshness is reduced. Furthermore, the signal processing unit 134 can also detect foreign substances contained in food. Then, the signal processing unit 134 performs processing for causing the display unit 126 to display information such as the component and content of the food to be examined, the calories, and the freshness obtained as described above.

光フィルター129には上記の光学モジュール1または光学モジュール71が用いられている。光フィルター129では可動反射膜33及び固定反射膜35に液体を触れさせずに基板57が切断されている。従って、可動反射膜33及び固定反射膜35は反射率の高い膜であり、光フィルター129は効率よく光28を分光することができる。食物分析装置123は測色する光の波長を効率良く分光できる光フィルター129を備えた電子機器とすることができる。   The optical module 129 is the optical module 1 or the optical module 71 described above. In the optical filter 129, the substrate 57 is cut without touching the movable reflective film 33 and the fixed reflective film 35 with liquid. Therefore, the movable reflective film 33 and the fixed reflective film 35 are films having high reflectivity, and the optical filter 129 can efficiently split the light 28. The food analyzer 123 can be an electronic device including an optical filter 129 that can efficiently split the wavelength of light to be measured.

また、食物分析装置123の他にも略同様の構成により、上述したようなその他の情報の非侵襲的測定装置としても利用することができる。例えば、血液等の体液成分の測定、分析等、生体成分を分析する生体分析装置として用いることができる。このような生体分析装置としては、例えば、血液等の体液成分を測定する装置に食物分析装置123を用いることができる。他にも、エチルアルコールを検知する装置とすれば、運転者の飲酒状態を検出する酒気帯び運転防止装置に食物分析装置123を用いることができる。また、このような生体分析装置を備えた電子内視鏡システムとしても用いることができる。更には、鉱物の成分分析を実施する鉱物分析装置としても用いることができる。   In addition to the food analysis device 123, it can also be used as a non-invasive measurement device for other information as described above with a substantially similar configuration. For example, it can be used as a biological analyzer for analyzing biological components such as measurement and analysis of body fluid components such as blood. As such a biological analyzer, for example, the food analyzer 123 can be used as an apparatus for measuring body fluid components such as blood. In addition, if it is set as the apparatus which detects ethyl alcohol, the food analyzer 123 can be used for the drunk driving prevention apparatus which detects a driver | operator's drinking state. Further, it can also be used as an electronic endoscope system provided with such a biological analyzer. Furthermore, it can also be used as a mineral analyzer for performing component analysis of minerals.

更には、上記の光学モジュール1または光学モジュール71を用いた電子機器としては、以下のような装置に適用することができる。例えば、各波長の光の強度を経時的に変化させることで、各波長の光でデータを伝送させることも可能であり、この場合、上記の光学モジュール1または光学モジュール71により特定波長の光を分光する。そして、受光部で受光させることで、特定波長の光により伝送されるデータを抽出することができ、このように上記の光学モジュール1または光学モジュール71でデータを抽出する電子機器により各波長の光のデータを処理することで、複数波長の光通信を実施することもできる。   Furthermore, the electronic apparatus using the optical module 1 or the optical module 71 can be applied to the following devices. For example, it is possible to transmit data with light of each wavelength by changing the intensity of light of each wavelength over time. In this case, light of a specific wavelength is transmitted by the optical module 1 or the optical module 71 described above. Spectroscopy. By receiving light at the light receiving unit, data transmitted by light of a specific wavelength can be extracted, and light of each wavelength can be extracted by the electronic device that extracts data by the optical module 1 or the optical module 71 as described above. By processing this data, optical communication with a plurality of wavelengths can be performed.

(第7の実施形態)
次に、上記の光学モジュール1または光学モジュール71を備えた分光カメラの一実施形態について図18を用いて説明する。光を分光させて分光画像を撮像する分光カメラや分光分析機等に上記の光学モジュール1または光学モジュール71を用いることができる。このような分光カメラの一例として、上記の光学モジュール1または光学モジュール71を内蔵した赤外線カメラが挙げられる。尚、上記の実施形態と同じ点については説明を省略する。
(Seventh embodiment)
Next, an embodiment of a spectroscopic camera including the optical module 1 or the optical module 71 will be described with reference to FIG. The optical module 1 or the optical module 71 described above can be used in a spectroscopic camera, a spectroscopic analyzer, or the like that separates light and captures a spectroscopic image. An example of such a spectroscopic camera is an infrared camera incorporating the optical module 1 or the optical module 71 described above. In addition, description is abbreviate | omitted about the same point as said embodiment.

図18は、分光カメラの構成を示す概略斜視図である。図18に示すように、電子機器としての分光カメラ139はカメラ本体140、撮像レンズユニット141及び撮像部142を備えている。カメラ本体140は操作者により把持され操作される部分である。   FIG. 18 is a schematic perspective view showing the configuration of the spectroscopic camera. As shown in FIG. 18, a spectroscopic camera 139 as an electronic device includes a camera body 140, an imaging lens unit 141, and an imaging unit 142. The camera body 140 is a part that is gripped and operated by an operator.

撮像レンズユニット141はカメラ本体140に接続され、入射した画像光を撮像部142に導光する。また、この撮像レンズユニット141は対物レンズ143、結像レンズ144及びこれらのレンズ間に設けられた光学モジュールとしての光フィルター145を備えて構成されている。光フィルター145には上記の光学モジュール1または光学モジュール71が用いられている。さらに、カメラ本体140には光フィルター145が分光する光の波長を制御する制御部としての波長制御部146が設置されている。波長制御部146は第1の実施形態における電圧制御部21の機能を備えている。   The imaging lens unit 141 is connected to the camera body 140 and guides incident image light to the imaging unit 142. The imaging lens unit 141 includes an objective lens 143, an imaging lens 144, and an optical filter 145 as an optical module provided between these lenses. The optical module 1 or the optical module 71 is used for the optical filter 145. Further, the camera body 140 is provided with a wavelength control unit 146 as a control unit that controls the wavelength of light that is split by the optical filter 145. The wavelength controller 146 has the function of the voltage controller 21 in the first embodiment.

撮像部142は受光素子により構成され、撮像レンズユニット141により導光された画像光を撮像する。分光カメラ139では光フィルター145が撮像対象となる波長の光を透過させて、撮像部142が所望の波長の光の分光画像を撮像する。   The imaging unit 142 includes a light receiving element, and images the image light guided by the imaging lens unit 141. In the spectroscopic camera 139, the optical filter 145 transmits light having a wavelength to be imaged, and the imaging unit 142 captures a spectral image of light having a desired wavelength.

光フィルター145には上記の光学モジュール1または光学モジュール71が用いられている。光フィルター145では可動反射膜33及び固定反射膜35に液体を触れさせずに基板57が切断されている。従って、可動反射膜33及び固定反射膜35は反射率の高い膜であり、光フィルター145は効率よく光28を分光することができる。分光カメラ139は測色する光の波長を効率良く分光できる光フィルター145を備えた電子機器とすることができる。   The optical module 1 or the optical module 71 is used for the optical filter 145. In the optical filter 145, the substrate 57 is cut without touching the movable reflective film 33 and the fixed reflective film 35 with liquid. Therefore, the movable reflective film 33 and the fixed reflective film 35 are films having high reflectivity, and the optical filter 145 can efficiently split the light 28. The spectroscopic camera 139 can be an electronic device including an optical filter 145 that can efficiently split the wavelength of light to be measured.

更には、光フィルター145を組み合わせた光学モジュールをバンドパスフィルターとして用いてもよい。例えば、発光素子が射出する所定波長域の光のうち、所定の波長を中心とした狭帯域の光のみを光フィルター145で分光して透過させる光学式レーザー装置としても用いることができる。また、光学モジュールを生体認証装置として用いてもよく、例えば、近赤外領域や可視領域の光を用いた血管、指紋、網膜及び虹彩等の認証装置にも適用できる。更には、光学モジュールを濃度検出装置に用いることができる。この場合、上記の光学モジュール1または光学モジュール71により物質から射出された赤外エネルギー(赤外光)を分光して分析し、サンプル中の被検体濃度を測定する。   Furthermore, an optical module in which the optical filter 145 is combined may be used as a bandpass filter. For example, it can also be used as an optical laser device that splits and transmits only narrow-band light centered on a predetermined wavelength out of light in a predetermined wavelength range emitted from the light emitting element. In addition, the optical module may be used as a biometric authentication device, and for example, can be applied to authentication devices such as blood vessels, fingerprints, retinas and irises using light in the near infrared region and visible region. Furthermore, an optical module can be used for the concentration detection apparatus. In this case, the infrared energy (infrared light) emitted from the substance by the optical module 1 or the optical module 71 is spectrally analyzed and the analyte concentration in the sample is measured.

上記に示すように、上記の光学モジュール1または光学モジュール71は、入射光から所定の光を分光するいかなる装置にも適用することができる。そして、上記の光学モジュール1または光学モジュール71は上記のように複数の波長を効率良く分光させることができる。このため、複数の波長のスペクトルの測定、複数の成分に対する検出を効率よく実施することができる。したがって、単一波長を分光させる複数の光モジュールにより所望の波長を取り出す従来の装置に比べて、電子機器の小型化を促進でき、例えば、携帯用や車載用の光学デバイスとして好適に用いることができる。このときにも、上記の光学モジュール1または光学モジュール71は光28を効率良く分光させることができる為、これらの光学モジュールを用いた電子機器は複数の波長の光28を効率良く取り出して利用することができる。   As described above, the optical module 1 or the optical module 71 can be applied to any device that splits predetermined light from incident light. The optical module 1 or the optical module 71 can efficiently split a plurality of wavelengths as described above. For this reason, the measurement of the spectrum of a some wavelength and the detection with respect to a some component can be implemented efficiently. Therefore, compared with the conventional apparatus which takes out a desired wavelength with a plurality of optical modules for splitting a single wavelength, it is possible to promote downsizing of an electronic device, and for example, it can be suitably used as a portable or in-vehicle optical device. it can. Also at this time, since the optical module 1 or the optical module 71 can efficiently split the light 28, an electronic device using these optical modules efficiently takes out and uses the light 28 having a plurality of wavelengths. be able to.

尚、本実施形態は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で当分野において通常の知識を有する者により種々の変更や改良を加えることも可能である。変形例を以下に述べる。
(変形例1)
前記第1の実施形態では、第1溝部54及び第2溝部56はダイサー式切断機を用いて設置された。第1溝部54は円環溝13aを設置する工程でエッチングにて設置されても良い。そして、第2溝部56は電極設置溝14bを設置する工程でエッチングにて設置されても良い。工程数が削減されるので、生産性良く干渉フィルター12を製造することができる。
Note that the present embodiment is not limited to the above-described embodiment, and various changes and improvements can be added by those having ordinary knowledge in the art within the technical idea of the present invention. A modification will be described below.
(Modification 1)
In the said 1st Embodiment, the 1st groove part 54 and the 2nd groove part 56 were installed using the dicer type cutting machine. The first groove portion 54 may be installed by etching in the step of installing the annular groove 13a. And the 2nd groove part 56 may be installed by the etching at the process of installing the electrode installation groove | channel 14b. Since the number of processes is reduced, the interference filter 12 can be manufactured with high productivity.

(変形例2)
前記第1の実施形態では、静電アクチュエーター43により反射膜間ギャップ42が制御された。反射膜間ギャップ42は静電引力の他に電磁気力を用いても良い。引力と斥力とを作用させることができるので、反射膜間ギャップ42を制御する範囲を広くすることができる。尚、変形例1及び変形例2の内容は前記第2の実施形態にも適用しても良い。
(Modification 2)
In the first embodiment, the gap 42 between the reflection films is controlled by the electrostatic actuator 43. The reflection film gap 42 may use electromagnetic force in addition to electrostatic attraction. Since the attractive force and the repulsive force can be applied, the range for controlling the inter-reflective film gap 42 can be widened. The contents of Modification 1 and Modification 2 may be applied to the second embodiment.

(変形例3)
前記第1の実施形態では、第1基板53及び第2基板55の両方にクラック61を形成して切断した。第1基板53及び第2基板55の一方にクラック61を形成して切断し、他方にはレーザー光64を照射して改質部65または溶解部67を形成して切断してもよい。このときにも乾式で第1基板53及び第2基板55を切断することができる。そして、製造装置の自由度を上げることができる。
(Modification 3)
In the first embodiment, the crack 61 is formed on both the first substrate 53 and the second substrate 55 and cut. A crack 61 may be formed on one of the first substrate 53 and the second substrate 55 and cut, and the other may be irradiated with a laser beam 64 to form a modified portion 65 or a dissolved portion 67 and cut. Also at this time, the first substrate 53 and the second substrate 55 can be cut by a dry method. And the freedom degree of a manufacturing apparatus can be raised.

1…光学モジュール、2…筐体、9…蓋部としての第2蓋体、12…干渉フィルター、13…第1基板としての可動基板、13b…第1構造体としての可動部、13d,14d…第3溝部としての側面溝部、13f…接合面としての第1接合面、14…第2基板としての固定基板、14a…第2構造体としての反射膜設置部、14f…接合面としての第2接合面、21…制御部としての電圧制御部、31…基板としての接合基板、33…第1反射膜としての可動反射膜、35…第2反射膜としての固定反射膜、43…間隔制御部としての静電アクチュエーター、53…第1基板、53a…第1面の反対側の面としての第1表面、53b…第1面としての第1接合面、54…第1溝部、55…第2基板、55a…第2面の反対側の面としての第2表面、55b…第2面としての第2接合面、56…第2溝部、61…クラック、64…レーザー光、75…電子機器としての測色装置、90…電子機器としてのガス検出装置、123…電子機器としての食物分析装置、139…電子機器としての分光カメラ。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Optical module, 2 ... Housing | casing, 9 ... 2nd cover body as a cover part, 12 ... Interference filter, 13 ... Movable board as 1st board | substrate, 13b ... Movable part as 1st structure, 13d, 14d A side groove as a third groove, 13f: a first bonding surface as a bonding surface, 14: a fixed substrate as a second substrate, 14a: a reflective film installation portion as a second structure, 14f: a first as a bonding surface 2 bonding surfaces, 21... Voltage control unit as a control unit, 31... Bonding substrate as a substrate, 33... Movable reflection film as a first reflection film, 35... Fixed reflection film as a second reflection film, 43. Electrostatic actuator as a portion, 53... First substrate, 53 a... First surface as a surface opposite to the first surface, 53 b... First joint surface as a first surface, 54. 2 substrates, 55a ... as the surface opposite to the second surface Surface: 55b ... Second joint surface as second surface, 56 ... Second groove, 61 ... Crack, 64 ... Laser light, 75 ... Color measuring device as electronic device, 90 ... Gas detection device as electronic device, 123 ... Food analyzer as electronic equipment, 139 ... Spectroscopic camera as electronic equipment.

Claims (7)

構造体の製造方法であって、
第1基板に設置された第1構造体を囲んで第1面に第1溝部を設置し、
第2基板に設置された第2構造体を囲んで第2面に第2溝部を設置し、
前記第1面と前記第2面とを接合し、
前記第1溝部に沿って前記第1基板を切断し、
前記第2溝部に沿って前記第2基板を切断することを特徴とする構造体の製造方法。
A structure manufacturing method comprising:
Surrounding the first structure installed on the first substrate, a first groove is installed on the first surface,
Surrounding the second structure installed on the second substrate, a second groove is installed on the second surface,
Bonding the first surface and the second surface;
Cutting the first substrate along the first groove,
A method for manufacturing a structure, comprising cutting the second substrate along the second groove.
請求項1に記載の構造体の製造方法であって、
前記第1溝部の深さは前記第1基板の厚みの50%〜95%であり、
前記第2溝部の深さは前記第2基板の厚みの50%〜95%であることを特徴とする構造体の製造方法。
It is a manufacturing method of the structure according to claim 1,
The depth of the first groove is 50% to 95% of the thickness of the first substrate,
The depth of the second groove is 50% to 95% of the thickness of the second substrate.
請求項1または2に記載の構造体の製造方法であって、
前記第1基板を切断するときは、前記第1基板において前記第1面の反対側の面に前記第1溝部に沿ってクラックを形成し、クラックに沿って前記第1基板を切断することを特徴とする構造体の製造方法。
It is a manufacturing method of the structure according to claim 1 or 2,
When cutting the first substrate, forming a crack along the first groove on the surface of the first substrate opposite to the first surface, and cutting the first substrate along the crack. A method for producing a characteristic structure.
請求項1または2に記載の構造体の製造方法であって、
前記第1基板を切断するときは、前記第1基板において前記第1面の反対側の面から前記第1溝部に沿ってレーザー光を照射し、前記第1溝部に沿って応力を加えて前記第1基板を切断することを特徴とする構造体の製造方法。
It is a manufacturing method of the structure according to claim 1 or 2,
When cutting the first substrate, the first substrate is irradiated with laser light from the surface opposite to the first surface along the first groove, and stress is applied along the first groove. A method for manufacturing a structure, comprising cutting the first substrate.
第1反射膜が設置された第1基板と、
前記第1反射膜に対向する第2反射膜が設置され前記第1基板と接合された第2基板と、
前記第1反射膜と前記第2反射膜の間隔を制御する間隔制御部と、を備え、
前記第1基板と前記第2基板とが接合された接合面が位置する場所の基板の側面には前記接合面に沿って第3溝部が設置されていることを特徴とする干渉フィルター。
A first substrate provided with a first reflective film;
A second substrate in which a second reflective film facing the first reflective film is installed and bonded to the first substrate;
An interval controller that controls an interval between the first reflective film and the second reflective film;
An interference filter, wherein a third groove is provided along a side surface of a substrate where a bonding surface where the first substrate and the second substrate are bonded is located.
干渉フィルターと、
内部空間を有し前記内部空間に前記干渉フィルターを収納する筐体と、
前記筐体と接続され前記内部空間を密閉する蓋部と、を備え、
前記干渉フィルターは、
第1反射膜が設置された第1基板と、
前記第1反射膜に対向する第2反射膜が設置され前記第1基板と接合された第2基板と、
前記第1反射膜と前記第2反射膜の間隔を制御する間隔制御部と、を備え、
前記第1基板と前記第2基板とが接合された接合面が位置する場所の基板の側面には前記接合面に沿って第3溝部が設置されていることを特徴とする光学モジュール。
An interference filter,
A housing having an internal space and housing the interference filter in the internal space;
A lid that is connected to the housing and seals the internal space,
The interference filter is
A first substrate provided with a first reflective film;
A second substrate in which a second reflective film facing the first reflective film is installed and bonded to the first substrate;
An interval controller that controls an interval between the first reflective film and the second reflective film;
An optical module, wherein a third groove portion is provided along a side surface of the substrate where a bonding surface where the first substrate and the second substrate are bonded is located.
光学モジュールと、
前記光学モジュールを制御する制御部と、を備え、
前記光学モジュールは、干渉フィルターと、
内部空間を有し前記内部空間に前記干渉フィルターを収納する筐体と、
前記筐体と接続され前記内部空間を密閉する蓋部と、を備え、
前記干渉フィルターは、
第1反射膜が設置された第1基板と、
前記第1反射膜に対向する第2反射膜が設置され前記第1基板と接合された第2基板と、
前記第1反射膜と前記第2反射膜の間隔を制御する間隔制御部と、を備え、
前記第1基板と前記第2基板とが接合された接合面が位置する場所の基板の側面には前記接合面に沿って第3溝部が設置されていることを特徴とする電子機器。
An optical module;
A control unit for controlling the optical module,
The optical module includes an interference filter;
A housing having an internal space and housing the interference filter in the internal space;
A lid that is connected to the housing and seals the internal space,
The interference filter is
A first substrate provided with a first reflective film;
A second substrate in which a second reflective film facing the first reflective film is installed and bonded to the first substrate;
An interval controller that controls an interval between the first reflective film and the second reflective film;
An electronic apparatus, wherein a third groove is provided along a side surface of a substrate where a bonding surface where the first substrate and the second substrate are bonded is located.
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