JP2016090855A - 表示装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】貼り合わせられた母基板を複数の単位液晶表示パネルに切断した後、偏光板の貼り付けを行う方法では、狭額縁化が進むと、偏光板の端が額縁領域内に収まらず、表示領域内に入る可能性がある。【解決手段】表示装置の製造方法は、(a)第1基板と第2基板を貼り合せる工程と、(b)前記第1基板に第1偏光板を貼る工程と、(c)前記第2基板に第2偏光板を貼る工程と、(d)前記第1偏光板と、前記第1基板と、前記第2基板と、前記第2偏光板と、を一括してダイシングする工程と、を有する。【選択図】図1
Description
本開示は表示装置に関し、例えば偏光板を有する表示装置に適用可能である。
一般に、液晶表示パネルは、収率の向上を図るために、大面積の母基板に薄膜トランジスタを有するアレイ基板を複数形成し、別の母基板にカラーフィルタ等を有する対向基板を複数形成する。その後、シール材の内側に液晶材料を適量滴下した後、これら2つの母基板を貼り合わせることにより、複数の液晶表示パネルを同時に形成する。貼り合わせられた母基板を複数の液晶表示パネルに切れ目を入れ(スクライブし)、クラックを伝搬させて切断(ブレーク)する(例えば、特開2007−183550号公報またはこれに対応する米国特許第7583351号)。以下、スクライブしてブレークすることを単にスクライブという。
貼り合わせられた母基板を複数の液晶表示パネルに切断した後、偏光板の貼り付けを行う方法では、狭額縁化が進む、つまり、表示領域の外側で配線等が形成された周辺領域の幅が狭くなると、偏光板の貼り合せズレにより、偏光板の端が額縁領域内に収まらず、表示領域内に入る可能性がある。
その他の課題と新規な特徴は、本開示の記述および添付図面から明らかになるであろう。
その他の課題と新規な特徴は、本開示の記述および添付図面から明らかになるであろう。
本開示のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、表示装置の製造方法は、(a)第1母基板と第2母基板を貼り合せる工程と、(b)前記第1母基板に第1偏光板を貼る工程と、(c)前記第2母基板に第2偏光板を貼る工程と、(d)前記第1偏光板と、前記第1母基板と、前記第2母基板と、前記第2偏光板と、を一括してダイシングする工程と、を有する。
すなわち、表示装置の製造方法は、(a)第1母基板と第2母基板を貼り合せる工程と、(b)前記第1母基板に第1偏光板を貼る工程と、(c)前記第2母基板に第2偏光板を貼る工程と、(d)前記第1偏光板と、前記第1母基板と、前記第2母基板と、前記第2偏光板と、を一括してダイシングする工程と、を有する。
以下に、実施の形態、比較例、実施例および変形例について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
<実施の形態>
実施の形態に係る表示装置の製造方法について図1を用いて説明する。
図1は実施の形態に係る表示装置の製造方法を説明するためのフロー図である。
実施の形態に係る表示装置の製造方法では、複数のアレイ基板が形成された第1母基板と複数の対向基板が形成された第2母基板とを貼り合せて(ステップS1)、偏光板を第1母基板および第2母基板に貼り付ける(ステップS2)。ここで、第1母基板と第2母基板とが貼り合わせられた基板を母基板という。その後、母基板をダイシングによって複数の表示パネルに切断する(ステップS3)。複数のアレイ基板(対向基板)に跨って偏光板が貼り付けられている場合、その複数のアレイ基板(対向基板)の境界を切り離すときダイシングを用いる。少なくとも、複数のアレイ基板(対向基板)の長辺側同士を切り離すときにダイシングを用いる。ダイシングとは、切断する対象物に切削水をかけながらブレードを回転させ、対象物をブレードの左右2つの部分に切断する方法である。
ダイシング時、母基板とブレード間、偏光板とブレード間で摩擦熱が発生する。この熱によって、偏光板のダイシングされた断面付近を一度溶融させ、その後冷却固化することにより、偏光板断面から水分が浸透しにくい構造になる。通常、偏光板は吸湿性をもつ。したがって、室温大気中に保管しておくと、その初期状態と比べ偏光板内の水分は〜20%ほど増加する。しかし、断面を一度溶融した後固化させたものでは、同様の条件で水分の増加は〜12%ほどと抑制される。偏光板の断面が溶融後固化して緻密になるため、その断面からの水分の吸収を抑制することができる。
なお、ここで示した水分の値は、ダイシング条件や切断後の保管条件等によって異なる。しかし、偏光板の断面が溶融後固化して緻密になるため水分の吸収が抑制される原理は変わらない。
また、複数の薄膜の積層構造である偏光板の、各薄膜の断面が溶融して一体化することで、例えば偏光板に含まれている保護フィルムを剥がす工程で偏光板本来の一部が剥がれるというような現象を低減することができる。さらに、熱により偏光板表面に貼られている保護フィルムの端が白色化する場合があるので、後工程で保護フィルムを剥がす作業の際、目印になるため、作業効率の向上につなげることができる。
偏光板と母基板とを一括して切断するので、アレイ基板の端の位置とそれに貼付された偏光板の端の位置、および対向基板の端の位置とそれに貼付された偏光板の端の位置のそれぞれをほぼ一致させることができる。
実施の形態に係る表示装置の製造方法について図1を用いて説明する。
図1は実施の形態に係る表示装置の製造方法を説明するためのフロー図である。
実施の形態に係る表示装置の製造方法では、複数のアレイ基板が形成された第1母基板と複数の対向基板が形成された第2母基板とを貼り合せて(ステップS1)、偏光板を第1母基板および第2母基板に貼り付ける(ステップS2)。ここで、第1母基板と第2母基板とが貼り合わせられた基板を母基板という。その後、母基板をダイシングによって複数の表示パネルに切断する(ステップS3)。複数のアレイ基板(対向基板)に跨って偏光板が貼り付けられている場合、その複数のアレイ基板(対向基板)の境界を切り離すときダイシングを用いる。少なくとも、複数のアレイ基板(対向基板)の長辺側同士を切り離すときにダイシングを用いる。ダイシングとは、切断する対象物に切削水をかけながらブレードを回転させ、対象物をブレードの左右2つの部分に切断する方法である。
ダイシング時、母基板とブレード間、偏光板とブレード間で摩擦熱が発生する。この熱によって、偏光板のダイシングされた断面付近を一度溶融させ、その後冷却固化することにより、偏光板断面から水分が浸透しにくい構造になる。通常、偏光板は吸湿性をもつ。したがって、室温大気中に保管しておくと、その初期状態と比べ偏光板内の水分は〜20%ほど増加する。しかし、断面を一度溶融した後固化させたものでは、同様の条件で水分の増加は〜12%ほどと抑制される。偏光板の断面が溶融後固化して緻密になるため、その断面からの水分の吸収を抑制することができる。
なお、ここで示した水分の値は、ダイシング条件や切断後の保管条件等によって異なる。しかし、偏光板の断面が溶融後固化して緻密になるため水分の吸収が抑制される原理は変わらない。
また、複数の薄膜の積層構造である偏光板の、各薄膜の断面が溶融して一体化することで、例えば偏光板に含まれている保護フィルムを剥がす工程で偏光板本来の一部が剥がれるというような現象を低減することができる。さらに、熱により偏光板表面に貼られている保護フィルムの端が白色化する場合があるので、後工程で保護フィルムを剥がす作業の際、目印になるため、作業効率の向上につなげることができる。
偏光板と母基板とを一括して切断するので、アレイ基板の端の位置とそれに貼付された偏光板の端の位置、および対向基板の端の位置とそれに貼付された偏光板の端の位置のそれぞれをほぼ一致させることができる。
実施例に係る表示装置の構成について、図2から図5を用いて説明する。
図2は実施例に係る表示装置を説明するための平面図である。図3は図2のA−A’線における断面図である。図4は実施例に係る表示装置のアレイ基板を説明するための図である。図5は、図4に示した表示装置における1画素の回路構成の一例を示す模式回路図である。
図2および図3に示すように、実施例に係る表示装置は表示パネル1とドライバIC2とバックライト3とを備える。表示パネル1は、アレイ基板10と、対向基板20と、アレイ基板10と対向基板20との間に封入される液晶材料30と、を備える。アレイ基板10と対向基板20とは、表示領域DAを囲む環状のシール材40で接着されており、液晶材料30は、アレイ基板10、対向基板20、およびシール材40で囲まれた空間に密封されている。また、アレイ基板10および対向基板20の外側を向いた面、すなわち液晶材料30と対向する面の裏面には、それぞれ、偏光板50Aおよび偏光板50Bが設けられている。また、表示領域DAは、たとえば、マトリクス状に配置された複数の画素の集合で構成されている。
アレイ基板10はドライバIC2とゲート走査回路GCと複数本の走査信号線GLと複数本の映像信号線SLとを有する。ドライバIC2は1つのシリコン基板上にCMOS回路で構成され、アレイ基板10にCOG(Chip On Glass)実装されている。ゲート走査回路GCはアレイ基板10を構成するガラス基板上に薄膜トランジスタ(TFT)で形成されている。複数本の走査信号線GLは、ゲート走査回路GCから走査信号が入力される信号線であり、複数本の映像信号線SLは、ドライバIC2から映像信号が入力される信号線である。また、走査信号線GLと映像信号線SLは、絶縁層を介して形成されており、1本の映像信号線SLは、前記絶縁層を介して複数本の走査信号線GLと立体的に交差している。なお、図4では、ゲート走査回路GCが走査信号線GLを両側に配置されているが、左右のゲート走査回路GCが片側ずつ交互に走査信号線GLを駆動するようにしてもよい。
また、図4では省略しているが、表示領域DAを構成する各画素には、TFT素子が配置されている。TFT素子が、1つの画素に対して1個の割合で配置される場合、たとえば、図5に示すように、隣接する2本の走査信号線GLn、GLn+1(nは1より大きい整数)と、隣接する2本の映像信号線SLm、SLm+1(mは1より大きい整数)とで囲まれる領域(画素)に対して配置されるTFT素子 Trは、ゲート電極Gが走査信号線GLnに接続し、ソースS電極が映像信号線SLmに接続している。また、TFT素子Trのドレイン電極Dは、画素電極PXに接続している。画素電極PXは、共通電極CT(対向電極と呼ぶこともある)および液晶層30と画素容量(液晶容量と呼ぶこともある)CIcを形成している。なお、本実施例では、TFT素子Trのドレイン電極とソース電極について、映像信号線SLに接続している方をソース電極と呼び、画素電極PXに接続している方をドレイン電極と呼んでいるが、この逆、すなわち、映像信号線SLに接続しているほうをドレイン電極と呼び、画素電極PXに接続しているほうをソース電極と呼ぶこともある。
対向基板20を構成するガラス基板上に遮光層とカラーフィルタ(着色層)とスペーサ等を備える。
図2は実施例に係る表示装置を説明するための平面図である。図3は図2のA−A’線における断面図である。図4は実施例に係る表示装置のアレイ基板を説明するための図である。図5は、図4に示した表示装置における1画素の回路構成の一例を示す模式回路図である。
図2および図3に示すように、実施例に係る表示装置は表示パネル1とドライバIC2とバックライト3とを備える。表示パネル1は、アレイ基板10と、対向基板20と、アレイ基板10と対向基板20との間に封入される液晶材料30と、を備える。アレイ基板10と対向基板20とは、表示領域DAを囲む環状のシール材40で接着されており、液晶材料30は、アレイ基板10、対向基板20、およびシール材40で囲まれた空間に密封されている。また、アレイ基板10および対向基板20の外側を向いた面、すなわち液晶材料30と対向する面の裏面には、それぞれ、偏光板50Aおよび偏光板50Bが設けられている。また、表示領域DAは、たとえば、マトリクス状に配置された複数の画素の集合で構成されている。
アレイ基板10はドライバIC2とゲート走査回路GCと複数本の走査信号線GLと複数本の映像信号線SLとを有する。ドライバIC2は1つのシリコン基板上にCMOS回路で構成され、アレイ基板10にCOG(Chip On Glass)実装されている。ゲート走査回路GCはアレイ基板10を構成するガラス基板上に薄膜トランジスタ(TFT)で形成されている。複数本の走査信号線GLは、ゲート走査回路GCから走査信号が入力される信号線であり、複数本の映像信号線SLは、ドライバIC2から映像信号が入力される信号線である。また、走査信号線GLと映像信号線SLは、絶縁層を介して形成されており、1本の映像信号線SLは、前記絶縁層を介して複数本の走査信号線GLと立体的に交差している。なお、図4では、ゲート走査回路GCが走査信号線GLを両側に配置されているが、左右のゲート走査回路GCが片側ずつ交互に走査信号線GLを駆動するようにしてもよい。
また、図4では省略しているが、表示領域DAを構成する各画素には、TFT素子が配置されている。TFT素子が、1つの画素に対して1個の割合で配置される場合、たとえば、図5に示すように、隣接する2本の走査信号線GLn、GLn+1(nは1より大きい整数)と、隣接する2本の映像信号線SLm、SLm+1(mは1より大きい整数)とで囲まれる領域(画素)に対して配置されるTFT素子 Trは、ゲート電極Gが走査信号線GLnに接続し、ソースS電極が映像信号線SLmに接続している。また、TFT素子Trのドレイン電極Dは、画素電極PXに接続している。画素電極PXは、共通電極CT(対向電極と呼ぶこともある)および液晶層30と画素容量(液晶容量と呼ぶこともある)CIcを形成している。なお、本実施例では、TFT素子Trのドレイン電極とソース電極について、映像信号線SLに接続している方をソース電極と呼び、画素電極PXに接続している方をドレイン電極と呼んでいるが、この逆、すなわち、映像信号線SLに接続しているほうをドレイン電極と呼び、画素電極PXに接続しているほうをソース電極と呼ぶこともある。
対向基板20を構成するガラス基板上に遮光層とカラーフィルタ(着色層)とスペーサ等を備える。
実施例に係る表示装置の製造方法について図6を用いて説明する。
図6は実施例に係る表示装置の製造方法を説明するためのフロー図である。
表示装置の製造工程は、第1母基板を構成する第1ガラス基板に画素素子等を形成するアレイ基板製造工程と、第2母基板を構成する第2ガラス基板にカラーフィルタ等を形成する対向基板製造工程と、第1母基板と第2母基板を貼り合わせるセル製造工程とに分けられる。
まず、アレイ基板製造工程により、第1母基板に配列されて画素領域を定義する複数の走査信号線および複数の映像信号線を形成し、画素領域のそれぞれに走査信号線および映像信号線に接続される薄膜トランジスタを形成する(ステップS11)。また、アレイ基板製造工程により、薄膜トランジスタに接続されて、薄膜トランジスタを介して信号が供給されることによって液晶層を駆動する画素電極および共通電極を形成する。ここで、縦電界方式の液晶表示装置を製作する場合、共通電極は、対向基板製造工程によりカラーフィルタが形成された第2母基板に形成される。
また、対向基板製造工程により、第2母基板に、遮光層および赤、緑、青のカラーフィルタで構成されるカラーフィルタ層を形成する(ステップS21)。また、対向基板製造工程により、セルギャップを一定に維持するためのスペーサを形成する。なお、スペーサは第1母基板に形成するようにしてもよい。
次に、第1母基板および第2母基板にそれぞれ配向膜を塗布した後、第1母基板と第2母基板との間に形成される液晶層の液晶分子に配向規制力を提供するために、配向膜を配向処理する(ステップS12、S22)。ここで、配向処理方法としては、ラビングまたは光配向の方法を適用できる。
次に、配向膜工程を終了した第1母基板および第2母基板は、配向膜検査器により配向膜不良の有無を検査する(ステップS13)。
図6は実施例に係る表示装置の製造方法を説明するためのフロー図である。
表示装置の製造工程は、第1母基板を構成する第1ガラス基板に画素素子等を形成するアレイ基板製造工程と、第2母基板を構成する第2ガラス基板にカラーフィルタ等を形成する対向基板製造工程と、第1母基板と第2母基板を貼り合わせるセル製造工程とに分けられる。
まず、アレイ基板製造工程により、第1母基板に配列されて画素領域を定義する複数の走査信号線および複数の映像信号線を形成し、画素領域のそれぞれに走査信号線および映像信号線に接続される薄膜トランジスタを形成する(ステップS11)。また、アレイ基板製造工程により、薄膜トランジスタに接続されて、薄膜トランジスタを介して信号が供給されることによって液晶層を駆動する画素電極および共通電極を形成する。ここで、縦電界方式の液晶表示装置を製作する場合、共通電極は、対向基板製造工程によりカラーフィルタが形成された第2母基板に形成される。
また、対向基板製造工程により、第2母基板に、遮光層および赤、緑、青のカラーフィルタで構成されるカラーフィルタ層を形成する(ステップS21)。また、対向基板製造工程により、セルギャップを一定に維持するためのスペーサを形成する。なお、スペーサは第1母基板に形成するようにしてもよい。
次に、第1母基板および第2母基板にそれぞれ配向膜を塗布した後、第1母基板と第2母基板との間に形成される液晶層の液晶分子に配向規制力を提供するために、配向膜を配向処理する(ステップS12、S22)。ここで、配向処理方法としては、ラビングまたは光配向の方法を適用できる。
次に、配向膜工程を終了した第1母基板および第2母基板は、配向膜検査器により配向膜不良の有無を検査する(ステップS13)。
第2母基板にシール材で所定のシールパターンを形成すると共に、第1母基板に液晶を滴下して液晶層を形成する(ステップS14、S24)。なお、第1母基板にシール材で所定のシールパターンを形成し、第2母基板に液晶を滴下して液晶層を形成するようにしてもよい。この滴下方式は、ディスペンサを利用して、複数のアレイ基板が配置された大面積の第1母基板、または複数の対向基板が配置された第2母基板の画像表示領域に液晶を滴下および分配し、第1母基板と第2母基板とを貼り合わせる圧力により画像表示領域全体に液晶を均一に分布させて液晶層を形成する方式である。したがって、表示パネルに滴下方式により液晶層を形成する場合は、液晶が画像表示領域の外部に漏洩することを防止できるように、シールパターンを画像表示領域の外郭を取り囲む閉鎖された形状に形成する。
液晶が滴下された第1母基板とシール材が塗布された第2母基板とを整列した状態で加圧して、シール材により第1母基板と第2母基板とを貼り合わせると共に、滴下された液晶がパネル全体にわたって均一に広がるようにする(ステップS15)。このような工程により、大面積の母基板(第1母基板および第2母基板)には、液晶層が形成された複数の表示パネルが形成される。
その後、必要に応じてガラス基板の研磨等、母基板を加工し、偏光板の貼付、切断して複数の表示パネルに分離する(ステップS16)。それぞれの表示パネルを検査することにより、表示パネルを製作する(ステップS17)。さらに、表示パネルにドライバICやケーブル、バックライト等を取り付けて表示モジュール(表示装置)を製造する。
液晶が滴下された第1母基板とシール材が塗布された第2母基板とを整列した状態で加圧して、シール材により第1母基板と第2母基板とを貼り合わせると共に、滴下された液晶がパネル全体にわたって均一に広がるようにする(ステップS15)。このような工程により、大面積の母基板(第1母基板および第2母基板)には、液晶層が形成された複数の表示パネルが形成される。
その後、必要に応じてガラス基板の研磨等、母基板を加工し、偏光板の貼付、切断して複数の表示パネルに分離する(ステップS16)。それぞれの表示パネルを検査することにより、表示パネルを製作する(ステップS17)。さらに、表示パネルにドライバICやケーブル、バックライト等を取り付けて表示モジュール(表示装置)を製造する。
実施例に係る表示装置の切断方法(ステップS16)の詳細について図7から図9を用いて説明する。
図7は実施例に係る表示装置の切断方法を説明するためのフロー図である。図8Aおよび図8Bは実施例に係る表示装置の切断方法を説明するための平面図および側面図である。図8Aの上左側は平面図、上右側および下側は側面図である。図8Bの上側は平面図、下側は側面図である。図8Cから図8Fは実施例に係る表示装置の切断方法を説明するための平面図である。図8Gは図8FのD方向から見た側面図である。図8Hは図8FのE方向から見た側面図である。
図8Aに示すように、貼り合わされた第1母基板100と第2母基板200をエッチング等により研磨して薄くした母基板を準備ずる。なお、研磨後、第2母基板200にITO(Indium Tin Oxide)膜や低反射膜付の金属膜を形成してもよい。第1母基板100は複数のアレイ基板10とダミー領域101とを有する。第2母基板200は複数の対向基板20とダミー領域201とダミー領域202とを有する。なお、アレイ基板10の上にドライバICを搭載するため、ダミー領域202は対向基板20が取り除かれる領域である。
次に、図8Bに示すように、第1母基板100と第2母基板200にそれぞれ偏光板500A、500Bを貼り付ける(ステップS161)。偏光板500A、500Bは偏光フィルムと基板フィルムと離形フィルムと保護フィルム等が積層されて構成されている。なお、偏光板500A、500Bを貼付する際、所定の大きさにするときは、スーパカッタで切断される。
次に、図8Cに示すように、図面において上下に位置するダミー領域101、201(ダミー領域101はダミー領域201の裏側にあるので図面上は見えない)を切り離すために、A−A破線部分をスクライブして切断する(ステップS162)。なお、A−A破線部分は、偏光板500Aおよび偏光板500Bが貼り付けられていない部分であるので、スクライブで切断される。
次に、図8Dに示すように、対向基板20(アレイ基板10)の短辺側同士を切り離すために、B−B破線部分をダイシングして切断する(ステップS163)。なお、B−B破線部分は、偏光板500Aおよび偏光板500Bが貼り付けられている部分であるので、ダイシングで切断される。ダイシングする場合は、例えば、母基板を孔の開いたゴム等のステージに真空吸着して行う。次に、図8Eに示すように、図面において左右に位置するダミー領域201(ダミー領域101)および対向基板20(アレイ基板10)長辺側同士を切り離すために、C−C破線部分をダイシングして切断する(ステップS163)。なお、C−C破線部分は、偏光板500Aおよび偏光板500Bが貼り付けられている部分であるので、ダイシングで切断される。B−B破線の矢印およびC−C破線の矢印はダイシングが進行する方向を示している。
ステップS161の偏光板の貼り付けとステップS162のスクライブは、順番が逆であってもよい。また、ステップS162のスクライブとステップS163のダイシングは、順番が逆であってもよい。ただし、ステップS161の偏光板の貼り付けとステップS163のダイシングはこの順番である必要がある。図8Eでは、ダイシングは上から下方向としているが、逆でもよいし、ライン毎にカットの方向が変わってもよい。
図8Fに示すように、アレイ基板10および対向基板20のそれぞれの長辺側2辺と上短辺側上辺がダイシングされ、アレイ基板10および対向基板20のそれぞれの短辺側下辺がスクライブされて短冊状態の形状になる。なお、ダミー領域202はスクライブで取り除かれる。
図8Gおよび図8Hに示すように、ダイシングされた部分T、R、Lは、アレイ基板10の端の位置と偏光板50Aの端の位置が±50μm以内から±100μm以内で一致し、対向基板20の端の位置と偏光板50Bの端の位置が±50μm以内から±100μm以内で一致する。なお、ダイシングされた部分Tはアレイ基板10および対向基板20の短辺部分であり、ダイシングされた部分R、Lはアレイ基板10および対向基板20の長辺部分である。また、ダイシングされた部分では、偏光板50Aの端の位置と偏光板50Bの端の位置も±100μm以内で一致するが、ダイシングされていない部分では、図8Gに示すように、偏光板50Aの端の位置と偏光板50Bの端の位置とのずれdがダイシングされた部分のずれよりも大きい。一般的に、第1母基板100と第2母基板200との貼り合わせにずれ、第1母基板と第2母基板が張り合わされた母基板の表面と裏面にスクライブ・ラインを入れる際に表面と裏面とでラインの位置のずれ、第1母基板100へ偏光板500Aを貼り付ける際のずれ、第2母基板200へ偏光板500Bを貼り付ける際のずれ等があるので、統計的に求められるずれの大きさは原理的に各工程でのずれより大きくなってしまう。
表面と裏面の両面に偏光板を貼り付けた後、母基板をダイシングすると、ダイシングした部分のアレイ基板および対向基板の端の位置と表面と裏面の偏光板の端の位置は基本的には一致するが、偏光板の方がアレイ基板及び対向基板の主成分であるガラスより材質的にやわらかいため、結果的に両偏光板の端と両基板の端の位置に多少のずれが生じる場合がある。しかし、その場合でもその差は±50μm以内または±100μm以内である。母基板を切断した後に偏光板を貼り付ける場合は、アレイ基板および対向基板の端の位置と偏光板の端の位置は現状の技術では±100μm以内に収まらない場合が多い。すなわち、現行の技術では3σが100μm以内に収めるように偏光板を貼りつけることが困難である。なお、アレイ基板10および対向基板20の短辺側の額縁領域はアレイ基板10および対向基板20の長辺側の額縁領域よりも余裕があるので、ずれdは100μmよりも大きくても問題にはならない。
図7は実施例に係る表示装置の切断方法を説明するためのフロー図である。図8Aおよび図8Bは実施例に係る表示装置の切断方法を説明するための平面図および側面図である。図8Aの上左側は平面図、上右側および下側は側面図である。図8Bの上側は平面図、下側は側面図である。図8Cから図8Fは実施例に係る表示装置の切断方法を説明するための平面図である。図8Gは図8FのD方向から見た側面図である。図8Hは図8FのE方向から見た側面図である。
図8Aに示すように、貼り合わされた第1母基板100と第2母基板200をエッチング等により研磨して薄くした母基板を準備ずる。なお、研磨後、第2母基板200にITO(Indium Tin Oxide)膜や低反射膜付の金属膜を形成してもよい。第1母基板100は複数のアレイ基板10とダミー領域101とを有する。第2母基板200は複数の対向基板20とダミー領域201とダミー領域202とを有する。なお、アレイ基板10の上にドライバICを搭載するため、ダミー領域202は対向基板20が取り除かれる領域である。
次に、図8Bに示すように、第1母基板100と第2母基板200にそれぞれ偏光板500A、500Bを貼り付ける(ステップS161)。偏光板500A、500Bは偏光フィルムと基板フィルムと離形フィルムと保護フィルム等が積層されて構成されている。なお、偏光板500A、500Bを貼付する際、所定の大きさにするときは、スーパカッタで切断される。
次に、図8Cに示すように、図面において上下に位置するダミー領域101、201(ダミー領域101はダミー領域201の裏側にあるので図面上は見えない)を切り離すために、A−A破線部分をスクライブして切断する(ステップS162)。なお、A−A破線部分は、偏光板500Aおよび偏光板500Bが貼り付けられていない部分であるので、スクライブで切断される。
次に、図8Dに示すように、対向基板20(アレイ基板10)の短辺側同士を切り離すために、B−B破線部分をダイシングして切断する(ステップS163)。なお、B−B破線部分は、偏光板500Aおよび偏光板500Bが貼り付けられている部分であるので、ダイシングで切断される。ダイシングする場合は、例えば、母基板を孔の開いたゴム等のステージに真空吸着して行う。次に、図8Eに示すように、図面において左右に位置するダミー領域201(ダミー領域101)および対向基板20(アレイ基板10)長辺側同士を切り離すために、C−C破線部分をダイシングして切断する(ステップS163)。なお、C−C破線部分は、偏光板500Aおよび偏光板500Bが貼り付けられている部分であるので、ダイシングで切断される。B−B破線の矢印およびC−C破線の矢印はダイシングが進行する方向を示している。
ステップS161の偏光板の貼り付けとステップS162のスクライブは、順番が逆であってもよい。また、ステップS162のスクライブとステップS163のダイシングは、順番が逆であってもよい。ただし、ステップS161の偏光板の貼り付けとステップS163のダイシングはこの順番である必要がある。図8Eでは、ダイシングは上から下方向としているが、逆でもよいし、ライン毎にカットの方向が変わってもよい。
図8Fに示すように、アレイ基板10および対向基板20のそれぞれの長辺側2辺と上短辺側上辺がダイシングされ、アレイ基板10および対向基板20のそれぞれの短辺側下辺がスクライブされて短冊状態の形状になる。なお、ダミー領域202はスクライブで取り除かれる。
図8Gおよび図8Hに示すように、ダイシングされた部分T、R、Lは、アレイ基板10の端の位置と偏光板50Aの端の位置が±50μm以内から±100μm以内で一致し、対向基板20の端の位置と偏光板50Bの端の位置が±50μm以内から±100μm以内で一致する。なお、ダイシングされた部分Tはアレイ基板10および対向基板20の短辺部分であり、ダイシングされた部分R、Lはアレイ基板10および対向基板20の長辺部分である。また、ダイシングされた部分では、偏光板50Aの端の位置と偏光板50Bの端の位置も±100μm以内で一致するが、ダイシングされていない部分では、図8Gに示すように、偏光板50Aの端の位置と偏光板50Bの端の位置とのずれdがダイシングされた部分のずれよりも大きい。一般的に、第1母基板100と第2母基板200との貼り合わせにずれ、第1母基板と第2母基板が張り合わされた母基板の表面と裏面にスクライブ・ラインを入れる際に表面と裏面とでラインの位置のずれ、第1母基板100へ偏光板500Aを貼り付ける際のずれ、第2母基板200へ偏光板500Bを貼り付ける際のずれ等があるので、統計的に求められるずれの大きさは原理的に各工程でのずれより大きくなってしまう。
表面と裏面の両面に偏光板を貼り付けた後、母基板をダイシングすると、ダイシングした部分のアレイ基板および対向基板の端の位置と表面と裏面の偏光板の端の位置は基本的には一致するが、偏光板の方がアレイ基板及び対向基板の主成分であるガラスより材質的にやわらかいため、結果的に両偏光板の端と両基板の端の位置に多少のずれが生じる場合がある。しかし、その場合でもその差は±50μm以内または±100μm以内である。母基板を切断した後に偏光板を貼り付ける場合は、アレイ基板および対向基板の端の位置と偏光板の端の位置は現状の技術では±100μm以内に収まらない場合が多い。すなわち、現行の技術では3σが100μm以内に収めるように偏光板を貼りつけることが困難である。なお、アレイ基板10および対向基板20の短辺側の額縁領域はアレイ基板10および対向基板20の長辺側の額縁領域よりも余裕があるので、ずれdは100μmよりも大きくても問題にはならない。
実施に係る表示装置の偏光板の状態について図9Aから図10Bを用いて説明する。
図9Aおよび図9Bは偏光板のみをスーパカッタで切断したときの偏光板の断面を説明するための図である。図9Aは断面SEM図である。図9Bは図9Aの模式図である。図10Aおよび図10Bは偏光板および母基板を一括してダイシングで切断したときの偏光板の断面を説明するための図である。図10Aは断面SEM図である。図10Bは図10Aの模式図である。
図9Aおよび図9Bに示すように、スーパカッタで切断した偏光板は積層面に平行に近い方向に横長の穴が多数開いている(例えば、輪Aの中)。なお、図8Fにおいて偏光板の下側短辺はダイシングで切断されないので、偏光板を貼付する前にスーパカッタで切断されたときの状態が残っている。
一方、図10Aおよび図10Bに示すように、ダイシングで切断した偏光板はブレードが進んで行くので斜めの筋が残る。また、高速で回転しているブレードの側面と接するので摩擦熱が発生し、それで軟化した後、固まるので、図9Aおよび図9Bに示すようなもともとあった横長の穴がつぶれてなくなってしまう。これにより、偏光板の断面からの水分の侵入が抑制され、偏光板、ひいては表示パネルの信頼性が向上する。なお、図10Aおよび図10Bにおいて、穴のように見える箇所はダイシングによるキズであり、表面のみにとどまっている。
図9Aおよび図9Bは偏光板のみをスーパカッタで切断したときの偏光板の断面を説明するための図である。図9Aは断面SEM図である。図9Bは図9Aの模式図である。図10Aおよび図10Bは偏光板および母基板を一括してダイシングで切断したときの偏光板の断面を説明するための図である。図10Aは断面SEM図である。図10Bは図10Aの模式図である。
図9Aおよび図9Bに示すように、スーパカッタで切断した偏光板は積層面に平行に近い方向に横長の穴が多数開いている(例えば、輪Aの中)。なお、図8Fにおいて偏光板の下側短辺はダイシングで切断されないので、偏光板を貼付する前にスーパカッタで切断されたときの状態が残っている。
一方、図10Aおよび図10Bに示すように、ダイシングで切断した偏光板はブレードが進んで行くので斜めの筋が残る。また、高速で回転しているブレードの側面と接するので摩擦熱が発生し、それで軟化した後、固まるので、図9Aおよび図9Bに示すようなもともとあった横長の穴がつぶれてなくなってしまう。これにより、偏光板の断面からの水分の侵入が抑制され、偏光板、ひいては表示パネルの信頼性が向上する。なお、図10Aおよび図10Bにおいて、穴のように見える箇所はダイシングによるキズであり、表面のみにとどまっている。
<変形例>
実施例に係る表示装置の切断方法において、ステップS161の偏光板の貼り付けとステップS162のスクライブを入れ替えてもよいと説明したが、さらにダイシングの一部をスクライブに変更してもよい(変形例)。変形例に係る表示装置の切断方法について図8A、図11から図12Hを用いて説明する。
図11は変形例に係る表示装置の切断方法を説明するためのフロー図である。図12Aおよび図12Dは変形例に係る表示装置の切断方法を説明するための平面図および側面図である。図12Aの上左側は平面図、上右側および下側は側面図である。図12Dの上側は平面図、下側は側面図である。図12Bおよび図12C、図12Eおよび図12Fは変形例に係る表示装置の切断方法を説明するための平面図である。図12Gは図12FのD方向から見た側面図である。図12Hは図12FのE方向から見た側面図である。
実施例に係る表示装置の切断方法と同様、変形例に係る表示装置の切断方法では、図8Aに示すような貼り合わされた第1母基板100と第2母基板200をエッチング等により研磨して薄くした母基板を準備する。または図12Aに示すような貼り合わされた第1母基板100Aと第2母基板200Aをエッチング等により研磨して薄くした母基板を準備する。なお、研磨後、第2母基板200および第2母基板200AにそれぞれITO膜や低反射膜付の金属膜を形成してもよい。第1母基板100および第1母基板100Aのそれぞれは複数のアレイ基板10とダミー領域101を有する。第2母基板200および第2母基板200Aのそれぞれは複数の対向基板20とダミー領域201とダミー領域202を有する。第1母基板100および第2母基板200では、図8DのB−B破線に対し線対称にアレイ基板10および対向基板20がそれぞれ配置される。一方、第1母基板100Aおよび第2母基板200Aでは、アレイ基板10および対向基板20はそれぞれ同じ向きに配置される。
次に、図12Bに示すように、図面において上下に位置するダミー領域101、201を切り離すために、A−A破線部分をスクライブして切断し、対向基板20(アレイ基板10)の短辺側同士を切り離すために、B−B破線部分をスクライブして切断する(ステップS162A)。図12Cに示すような対向基板20(アレイ基板10)の長辺側同士が接続された母基板を得る。なお、A−A破線部分およびB−B破線部分は、偏光板500A’および偏光板500B’が貼り付けられていない部分であるので、スクライブで切断される。
次に、図12Dに示すように、第1母基板100Bと第2母基板200Bにそれぞれ偏光板500A’、500B’を貼り付ける(ステップS161A)。ここで、図12Cに示すようなスクライブで切断された第1母基板100(第1母基板100A)を第1母基板100Bといい、スクライブで切断された第2母基板200(第2母基板200A)を第2母基板200Bという。偏光板500A’、500B’の大きさ(平面形状)は偏光板500A、500Bとは異なるが、基本的には偏光板500A’、500B’と偏光板500A、500Bはそれぞれ同じものである。なお、偏光板500A’、500B’を貼付する際、所定の大きさするときは、スーパカッタで切断される。
次に、図12Eに示すように、図面において左右に位置するダミー領域101、201および対向基板20(アレイ基板10)長辺側同士を切り離すために、C−C破線部分をダイシングして切断する(ステップS163A)。なお、C−C破線部分は、偏光板500A’および偏光板500B’が貼り付けられている部分であるので、ダイシングで切断される。C−C破線の矢印はダイシングが進行する方向を示している。
ステップS162AのB−B破線部分をスクライブした後、ステップS161Aの偏光板の貼り付け、その後、A−A破線部分をスクライブするようにしてもよい。また、スクライブを行う前に、スクライブされる領域を避けて偏光板を貼り付けておいてもよい。図12Eでは、ダイシングは上から下方向としているが、逆でもよいし、ライン毎にカットの方向が変わってもよい。
図12Fに示すように、アレイ基板10および対向基板20のそれぞれの長辺側2辺がダイシングされ、アレイ基板10および対向基板20のそれぞれの短辺側2辺がスクライブされて短冊状態の形状になる。なお、ダミー領域202はスクライブで取り除かれる。
図12Gおよび図12Hに示すように、ダイシングされた部分R、Lは、アレイ基板10の端の位置と偏光板50A’の端の位置が±50μm以内から±100μm以内で一致し、対向基板20の端の位置と偏光板50B’の端の位置が±50μm以内から±100μm以内で一致する。なお、ダイシングされた部分R、Lはアレイ基板10および対向基板20の長辺部分である。一方、ダイシングされていない部分では、図12Gに示すように、偏光板50A’の端の位置と偏光板50B’の端の位置とのずれdが大きい。また、アレイ基板10の端の位置と偏光板50A’の端の位置とのずれd1がダイシングされた部分R、Lのずれよりも大きい。対向基板20の端の位置と偏光板50B’の端の位置とのずれd2がダイシングされた部分R、Lのずれよりも大きい。表面と裏面の両面に偏光板を貼り付けた後、母基板をダイシングすると、ダイシングした部分のアレイ基板および対向基板の端の位置と表面と裏面の偏光板の端の位置は基本的には一致するが、偏光板の方がアレイ基板及び対向基板の主成分であるガラスより材質的にやわらかいため、結果的に両偏光板の端と両基板の端の位置に多少のずれが生じる場合がある。しかし、その場合でもその差は±50μm以内または±100μm以内であり、母基板を切断した後に偏光板を貼り付ける場合は、アレイ基板および対向基板の端の位置と偏光板の端の位置は±100μm以内に収まらない場合が多い。なお、アレイ基板10および対向基板20の短辺側の額縁領域はアレイ基板10および対向基板20の長辺側の額縁領域よりも余裕があるので、ずれd、d1、d2は100μmよりも大きくても問題にはならない。
変形例に係る表示装置の切断方法では、実施例に係る表示装置の切断方法よりもダイシング回数を少なくすることができる。スクライブよりもダイシングのスループットが悪いので、ダイシング回数が少なくなることにより、スループットを向上することができる。また、変形例に表示装置の切断方法では、実施例に係る表示装置の切断方法よりもダイシング装置に搬入する母基板の大きさを小さくすることができる。これにより、小さなダイシング装置を使用することができる。
尚、アレイ基板と対向基板とはガラス基板上に素子や樹脂層が形成されているものを想定しているが、特に制限される訳ではなく、ガラス基板に替えて樹脂等の基板を用いてもよい。また、表示パネルとして液晶表示パネルについて記載しているが、画素に有機EL(OLED)を用いたものであってもよい。画素に有機ELを用いた有機EL表示パネルにおいても、対向基板側にカラーフィルタや偏光板を設ける場合がある。この場合は本願発明を適用することが可能である。但し、いずれの表示パネルにおいても、カラーフィルタを対向基板に設ける構成に限定されるわけではなくカラーフィルタをアレイ基板側に設ける構成であってもよく、何れの基板にもカラーフィルタを設けない構成であってもよい。
また、偏光板は、偏光子を保護フィルムで挟んだ構成があるが、それに限定される訳ではなく、保護フィルムとして位相差を有するものであったり、保護フィルムの他に位相差板を一層、或いは、多層追加して設けたものであってもよい。また、本願発明では偏光板を例示して記載しているが、これに限定されるものではなく、他の光学シートやカバーガラス、タッチパネル等、アレイ基板や対向基板に貼り付けられたもの全般に適用することが可能である。尚、本明細書では、偏光板と記載しているが、偏光シート、或いは、偏光フィルムと称することも可能である。
実施例に係る表示装置の切断方法において、ステップS161の偏光板の貼り付けとステップS162のスクライブを入れ替えてもよいと説明したが、さらにダイシングの一部をスクライブに変更してもよい(変形例)。変形例に係る表示装置の切断方法について図8A、図11から図12Hを用いて説明する。
図11は変形例に係る表示装置の切断方法を説明するためのフロー図である。図12Aおよび図12Dは変形例に係る表示装置の切断方法を説明するための平面図および側面図である。図12Aの上左側は平面図、上右側および下側は側面図である。図12Dの上側は平面図、下側は側面図である。図12Bおよび図12C、図12Eおよび図12Fは変形例に係る表示装置の切断方法を説明するための平面図である。図12Gは図12FのD方向から見た側面図である。図12Hは図12FのE方向から見た側面図である。
実施例に係る表示装置の切断方法と同様、変形例に係る表示装置の切断方法では、図8Aに示すような貼り合わされた第1母基板100と第2母基板200をエッチング等により研磨して薄くした母基板を準備する。または図12Aに示すような貼り合わされた第1母基板100Aと第2母基板200Aをエッチング等により研磨して薄くした母基板を準備する。なお、研磨後、第2母基板200および第2母基板200AにそれぞれITO膜や低反射膜付の金属膜を形成してもよい。第1母基板100および第1母基板100Aのそれぞれは複数のアレイ基板10とダミー領域101を有する。第2母基板200および第2母基板200Aのそれぞれは複数の対向基板20とダミー領域201とダミー領域202を有する。第1母基板100および第2母基板200では、図8DのB−B破線に対し線対称にアレイ基板10および対向基板20がそれぞれ配置される。一方、第1母基板100Aおよび第2母基板200Aでは、アレイ基板10および対向基板20はそれぞれ同じ向きに配置される。
次に、図12Bに示すように、図面において上下に位置するダミー領域101、201を切り離すために、A−A破線部分をスクライブして切断し、対向基板20(アレイ基板10)の短辺側同士を切り離すために、B−B破線部分をスクライブして切断する(ステップS162A)。図12Cに示すような対向基板20(アレイ基板10)の長辺側同士が接続された母基板を得る。なお、A−A破線部分およびB−B破線部分は、偏光板500A’および偏光板500B’が貼り付けられていない部分であるので、スクライブで切断される。
次に、図12Dに示すように、第1母基板100Bと第2母基板200Bにそれぞれ偏光板500A’、500B’を貼り付ける(ステップS161A)。ここで、図12Cに示すようなスクライブで切断された第1母基板100(第1母基板100A)を第1母基板100Bといい、スクライブで切断された第2母基板200(第2母基板200A)を第2母基板200Bという。偏光板500A’、500B’の大きさ(平面形状)は偏光板500A、500Bとは異なるが、基本的には偏光板500A’、500B’と偏光板500A、500Bはそれぞれ同じものである。なお、偏光板500A’、500B’を貼付する際、所定の大きさするときは、スーパカッタで切断される。
次に、図12Eに示すように、図面において左右に位置するダミー領域101、201および対向基板20(アレイ基板10)長辺側同士を切り離すために、C−C破線部分をダイシングして切断する(ステップS163A)。なお、C−C破線部分は、偏光板500A’および偏光板500B’が貼り付けられている部分であるので、ダイシングで切断される。C−C破線の矢印はダイシングが進行する方向を示している。
ステップS162AのB−B破線部分をスクライブした後、ステップS161Aの偏光板の貼り付け、その後、A−A破線部分をスクライブするようにしてもよい。また、スクライブを行う前に、スクライブされる領域を避けて偏光板を貼り付けておいてもよい。図12Eでは、ダイシングは上から下方向としているが、逆でもよいし、ライン毎にカットの方向が変わってもよい。
図12Fに示すように、アレイ基板10および対向基板20のそれぞれの長辺側2辺がダイシングされ、アレイ基板10および対向基板20のそれぞれの短辺側2辺がスクライブされて短冊状態の形状になる。なお、ダミー領域202はスクライブで取り除かれる。
図12Gおよび図12Hに示すように、ダイシングされた部分R、Lは、アレイ基板10の端の位置と偏光板50A’の端の位置が±50μm以内から±100μm以内で一致し、対向基板20の端の位置と偏光板50B’の端の位置が±50μm以内から±100μm以内で一致する。なお、ダイシングされた部分R、Lはアレイ基板10および対向基板20の長辺部分である。一方、ダイシングされていない部分では、図12Gに示すように、偏光板50A’の端の位置と偏光板50B’の端の位置とのずれdが大きい。また、アレイ基板10の端の位置と偏光板50A’の端の位置とのずれd1がダイシングされた部分R、Lのずれよりも大きい。対向基板20の端の位置と偏光板50B’の端の位置とのずれd2がダイシングされた部分R、Lのずれよりも大きい。表面と裏面の両面に偏光板を貼り付けた後、母基板をダイシングすると、ダイシングした部分のアレイ基板および対向基板の端の位置と表面と裏面の偏光板の端の位置は基本的には一致するが、偏光板の方がアレイ基板及び対向基板の主成分であるガラスより材質的にやわらかいため、結果的に両偏光板の端と両基板の端の位置に多少のずれが生じる場合がある。しかし、その場合でもその差は±50μm以内または±100μm以内であり、母基板を切断した後に偏光板を貼り付ける場合は、アレイ基板および対向基板の端の位置と偏光板の端の位置は±100μm以内に収まらない場合が多い。なお、アレイ基板10および対向基板20の短辺側の額縁領域はアレイ基板10および対向基板20の長辺側の額縁領域よりも余裕があるので、ずれd、d1、d2は100μmよりも大きくても問題にはならない。
変形例に係る表示装置の切断方法では、実施例に係る表示装置の切断方法よりもダイシング回数を少なくすることができる。スクライブよりもダイシングのスループットが悪いので、ダイシング回数が少なくなることにより、スループットを向上することができる。また、変形例に表示装置の切断方法では、実施例に係る表示装置の切断方法よりもダイシング装置に搬入する母基板の大きさを小さくすることができる。これにより、小さなダイシング装置を使用することができる。
尚、アレイ基板と対向基板とはガラス基板上に素子や樹脂層が形成されているものを想定しているが、特に制限される訳ではなく、ガラス基板に替えて樹脂等の基板を用いてもよい。また、表示パネルとして液晶表示パネルについて記載しているが、画素に有機EL(OLED)を用いたものであってもよい。画素に有機ELを用いた有機EL表示パネルにおいても、対向基板側にカラーフィルタや偏光板を設ける場合がある。この場合は本願発明を適用することが可能である。但し、いずれの表示パネルにおいても、カラーフィルタを対向基板に設ける構成に限定されるわけではなくカラーフィルタをアレイ基板側に設ける構成であってもよく、何れの基板にもカラーフィルタを設けない構成であってもよい。
また、偏光板は、偏光子を保護フィルムで挟んだ構成があるが、それに限定される訳ではなく、保護フィルムとして位相差を有するものであったり、保護フィルムの他に位相差板を一層、或いは、多層追加して設けたものであってもよい。また、本願発明では偏光板を例示して記載しているが、これに限定されるものではなく、他の光学シートやカバーガラス、タッチパネル等、アレイ基板や対向基板に貼り付けられたもの全般に適用することが可能である。尚、本明細書では、偏光板と記載しているが、偏光シート、或いは、偏光フィルムと称することも可能である。
1・・・表示パネル
2・・・ドライバIC
3・・・バックライト
10・・・アレイ基板
20・・・対向基板
30・・・液晶層
40・・・シール材
50A、50A’、50B、50B’・・・偏光板
100、100A、100B・・・第1母基板
101・・・ダミー領域
200、200A、200B・・・第2母基板
201、202・・・ダミー領域
300・・・表示装置
500A、500A’、500B、500B’・・・偏光板
CT・・・共通電極
DA・・・表示領域
GC・・・ゲート走査回路
GL、GLm、GLm+1・・・走査信号線
PX・・・画素電極
SL、SLm、SLm+1・・・映像信号線
Tr・・・TFT素子
2・・・ドライバIC
3・・・バックライト
10・・・アレイ基板
20・・・対向基板
30・・・液晶層
40・・・シール材
50A、50A’、50B、50B’・・・偏光板
100、100A、100B・・・第1母基板
101・・・ダミー領域
200、200A、200B・・・第2母基板
201、202・・・ダミー領域
300・・・表示装置
500A、500A’、500B、500B’・・・偏光板
CT・・・共通電極
DA・・・表示領域
GC・・・ゲート走査回路
GL、GLm、GLm+1・・・走査信号線
PX・・・画素電極
SL、SLm、SLm+1・・・映像信号線
Tr・・・TFT素子
Claims (20)
- 表示装置の製造方法は、
(a)第1母基板と第2母基板を貼り合せる工程と、
(b)前記第1母基板に第1偏光板を貼る工程と、
(c)前記第2母基板に第2偏光板を貼る工程と、
(d)前記第1偏光板と、前記第1母基板と、前記第2母基板と、前記第2偏光板と、を一括してダイシングする工程と、
を有する。 - 請求項1の表示装置の製造方法において、
前記(d)工程は切削水をかけながらブレードを回転させて切断する。 - 請求項1の表示装置の製造方法において、
前記(a)工程の後で前記(d)工程の前に、
前記第1母基板と前記第2母基板とをスクライブする工程を有する。 - 請求項3の表示装置の製造方法において、
前記(b)工程および(c)工程の前に、
前記第1母基板と前記第2母基板とをスクライブする工程を有する。 - 請求項3の表示装置の製造方法において、
前記(b)工程および(c)工程の後に、
前記第1母基板と前記第2母基板とをスクライブする工程を有する。 - 請求項1の表示装置の製造方法において、
前記(a)工程の後で前記(b)工程および(c)工程の前に、
前記第1母基板と前記第2母基板とを研磨する工程を有する。 - 請求項1の表示装置の製造方法において、
前記(d)工程の後に、
前記第1母基板と前記第2母基板とをスクライブする工程を有する。 - 請求項1の表示装置の製造方法において、
前記(d)工程の後に、
前記第1偏光板と、前記第1母基板と、前記第2母基板と、前記第2偏光板と、を一括してダイシングする工程を有する。 - 請求項1の表示装置の製造方法において、
前記第1偏光板および前記第2偏光板のそれぞれは保護フィルムを含み、
前記(d)工程の後に、
前記保護フィルムを剥離する工程を有する。 - 請求項1の表示装置の製造方法において、
前記(a)工程では滴下法により液晶が封入される。 - 表示装置は、
平面視で矩形状のアレイ基板と、
平面視で矩形状の対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板に挟持された液晶層と、
前記アレイ基板に設けられた平面視で矩形状の第1偏光板と、
前記対向基板に設けられた平面視で矩形状の第2偏光板と、
を備え、
前記第1偏光板および前記第2偏光板はそれぞれ積層フィルムで構成され、
平面視で前記アレイ基板の第1長辺側の端と前記第1偏光板の第1長辺側の端の位置および前記アレイ基板の第2長辺側の端と前記第1偏光板の第2長辺側の端の位置が、それぞれ±100μm以内で一致し、
平面視で前記対向基板の第1長辺側の端と前記第2偏光板の第1長辺側の端の位置および前記対向基板の第2長辺側の端と前記第2偏光板の第2長辺側の端の位置が、それぞれ±100μm以内で一致する。 - 請求項11の表示装置において、
平面視で前記アレイ基板の第1長辺側の端と前記第1偏光板の第1長辺側の端の位置および前記アレイ基板の第2長辺側の端と前記第1偏光板の第2長辺側の端の位置が、それぞれ±50μm以内で一致し、
平面視で前記対向基板の第1長辺側の端と前記第2偏光板の第1長辺側の端の位置および前記対向基板の第2長辺側の端と前記第2偏光板の第2長辺側の端の位置が、それぞれ±50μm以内で一致する。 - 請求項11の表示装置において、
平面視で前記アレイ基板の第1短辺側の端と前記第1偏光板の第1短辺側の端の位置が±100μm以内で一致し、
平面視で前記対向基板の第1短辺側の端と前記第2偏光板の第1短辺側の端の位置が±100μm以内で一致する。 - 請求項13の表示装置において、
平面視で前記アレイ基板の第1短辺側の端と前記第1偏光板の第1短辺側の端の位置が±50μm以内で一致し、
平面視で前記対向基板の第1短辺側の端と前記第2偏光板の第1短辺側の端の位置が±50μm以内で一致する。 - 請求項11の表示装置において、
前記第1偏光板の第1長辺側および第2長辺側のそれぞれの断面の表面が溶融した状態であり、
前記第2偏光板の第1長辺側および第2長辺側のそれぞれの断面の表面が溶融した状態である。 - 請求項15の表示装置において、
前記第1偏光板の第1短辺側の断面の表面が溶融した状態であり、
前記第2偏光板の第1短辺側の断面の表面が溶融した状態である。 - 請求項11の表示装置において、さらに、
前記アレイ基板の第2短辺側と前記対向基板の第2短辺側との間の前記アレイ基板の上にドライバICを備える。 - 請求項11の表示装置において、
前記アレイ基板は薄膜トランジスタと画素電極とを備える。 - 請求項18の表示装置において、
前記対向基板は遮光層とカラーフィルタとを備える。 - 請求項18の表示装置において、
前記アレイ基板は共通電極を備える。
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