JP2016080623A

JP2016080623A - Semiconductor integrated circuit

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Publication number: JP2016080623A
Application number: JP2014214454A
Authority: JP
Inventors: 昭彦野木; Akihiko Nogi; 康正脇谷; Yasumasa Wakitani
Original assignee: Asahi Kasei Electronics Co Ltd
Current assignee: Asahi Kasei Electronics Co Ltd
Priority date: 2014-10-21
Filing date: 2014-10-21
Publication date: 2016-05-16

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor integrated circuit with which it is possible to conduct a mass-production test without adding a power supply terminal for test, and without increasing a chip area.SOLUTION: A series regulator 13, in a regulation mode, outputs a regulated voltage derived by stepping down the power supply voltage supplied to a power supply terminal 11, and in an electrical continuity mode, transmits the voltage supplied to the power supply terminal 11. A voltage operation circuit 15 operates by a voltage outputted from the series regulator 13. A control circuit 14 generates a control signal for controlling switching, in the series regulator 13, between the regulation mode in which the regulated voltage is outputted to the voltage operation circuit 15 and the electrical continuity mode in which the voltage supplied to the power supply terminal 11 is transmitted to the voltage operation circuit 15.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、半導体集積回路に関し、より詳細には、レギュレータを内蔵した動作テスト機能を有する半導体集積回路に関する。 The present invention relates to a semiconductor integrated circuit, and more particularly to a semiconductor integrated circuit having an operation test function with a built-in regulator.

近年、トランジスタの微細化が進み電源電圧よりトランジスタ耐圧が低くなってきた。このためＩＣチップに外部から入力される電源電圧を、ＩＣチップ内に内蔵したレギュレータにて降圧し、降圧した電圧（レギュレータ出力）を微細化したトランジスタなどで使用する回路構成が用いられる。
この種のレギュレータを内蔵した半導体集積回路において、レギュレータ出力で動作する回路の量産テストを行う場合、電源電圧の変動に対する動作マージンを確認するため、回路に供給される電圧の大きさを変更して動作テストをする必要がある。 In recent years, transistor miniaturization has progressed and the transistor breakdown voltage has become lower than the power supply voltage. For this reason, a circuit configuration is used in which a power supply voltage input from the outside to the IC chip is stepped down by a regulator built in the IC chip, and the stepped down voltage (regulator output) is used in a miniaturized transistor or the like.
In a semiconductor integrated circuit incorporating this type of regulator, when performing a mass production test of a circuit that operates with the regulator output, the magnitude of the voltage supplied to the circuit is changed in order to check the operating margin against fluctuations in the power supply voltage. It is necessary to test the operation.

例えば、特許文献１に記載のものは、内部で使用する電源電圧を生成する電圧レギュレータを内蔵した半導体集積回路とそのテスト方法に関するものである。
図１は、従来のレギュレータを内蔵した半導体集積回路の回路構成図である。
電源端子（ＶＤＤ）１とレギュレータ３が接続され、レギュレータ出力がテスト用電源端子２と電圧動作回路５に接続されている。内蔵レギュレータは、ＶＤＤ電源から降圧した電圧を出力し、レギュレータ出力に接続された電圧動作回路５に一定電圧を供給する。また、レギュレータ３はコントロール回路４により入出力端子（Ｄａｔａピン）６を通して制御される。 For example, the one described in Patent Document 1 relates to a semiconductor integrated circuit having a built-in voltage regulator that generates a power supply voltage used internally and a test method thereof.
FIG. 1 is a circuit diagram of a semiconductor integrated circuit incorporating a conventional regulator.
A power supply terminal (VDD) 1 and a regulator 3 are connected, and a regulator output is connected to a test power supply terminal 2 and a voltage operation circuit 5. The built-in regulator outputs a voltage stepped down from the VDD power supply, and supplies a constant voltage to the voltage operation circuit 5 connected to the regulator output. The regulator 3 is controlled by the control circuit 4 through an input / output terminal (Data pin) 6.

内蔵レギュレータで駆動される半導体集積回路のテストを行う場合には、レギュレータ３をコントロール回路４からの信号でパワーダウンし、レギュレータ出力をハイ・インピーダンス状態にする。レギュレータ３からの出力が停止した状態でテスト用電源端子（ＶＤＤＴ）２から動作マージン確認用の電源電圧を電圧動作回路５に供給する。
また、接触端子である電源電圧端子から供給された電源電圧を所定の電圧レベルに制限することによって内部回路の電源電圧を生成するためのレギュレータ回路として、半導体集積回路で一般的にシリーズレギュレータ回路が採用されている。 When testing a semiconductor integrated circuit driven by a built-in regulator, the regulator 3 is powered down by a signal from the control circuit 4 to bring the regulator output into a high impedance state. With the output from the regulator 3 stopped, a power supply voltage for operation margin confirmation is supplied to the voltage operation circuit 5 from the test power supply terminal (VDDT) 2.
A series regulator circuit is generally used in a semiconductor integrated circuit as a regulator circuit for generating a power supply voltage of an internal circuit by limiting a power supply voltage supplied from a power supply voltage terminal which is a contact terminal to a predetermined voltage level. It has been adopted.

この種のシリーズレギュレータは、負荷に直列に制御用トランジスタが接続された、降圧のみ可能な連続電流の定電圧直流電源回路である。トランジスタなど素子を負荷と直列に入れて、高過ぎる電圧の分だけ電力をそこで消費し電圧降下を発生させることで、負荷に一定の電圧がかかるよう調整する。スイッチング制御電源（スイッチングレギュレータ）と比べ、電力損失は多くなるが、電源リプルやノイズが少なく、安定性が高く、回路面積も小さく、低価格であるなど、優位な点が多いため、小電力回路の電源として多用されている。 This type of series regulator is a continuous-current constant-voltage DC power supply circuit capable of only stepping down, in which a control transistor is connected in series with a load. An element such as a transistor is placed in series with the load, and electric power is consumed there by an excessively high voltage to generate a voltage drop, thereby adjusting the load so that a constant voltage is applied. Power loss is higher than switching control power supply (switching regulator), but there are many advantages such as low power ripple and noise, high stability, small circuit area and low price. Often used as a power source.

特開２００７−３０３８６８号公報JP 2007-303868 A

しかしながら、量産テスト時にテスト用端子から電源を供給する構成は、テスト用電源端子が必要なためチップ面積が増大し、また、ピン数が増えるためプラスチックパッケージが大きくなるという問題がある。
一方、レギュレータ出力は定電圧を出力するため、電圧動作回路に供給する電圧の大きさを変更する事はできない。
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、テスト用電源端子を追加することなく、また、チップ面積を増加することなく、量産テストが可能な半導体集積回路を提供することにある。 However, a configuration in which power is supplied from a test terminal during a mass production test has a problem in that the test power supply terminal is required, which increases the chip area, and the number of pins increases, resulting in an increase in the plastic package.
On the other hand, since the regulator output outputs a constant voltage, the voltage supplied to the voltage operation circuit cannot be changed.
The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit capable of mass production testing without adding a test power supply terminal and without increasing the chip area. It is to provide a circuit.

本発明は、このような目的を達成するためになされたもので、以下のような事項を特徴とする。
（１）；電源電圧が供給される電源端子と、レギュレートモードでは、前記電源端子に供給される前記電源電圧を降圧したレギュレート電圧を出力し、導通モードでは、前記電源端子に供給される電圧を伝送するシリーズレギュレータと、前記シリーズレギュレータから出力される電圧で動作する電圧動作回路と、前記シリーズレギュレータにおいて、前記レギュレート電圧を前記電圧動作回路へ出力する前記レギュレートモードと前記電源端子に供給される電圧を前記電圧動作回路へ伝送する前記導通モードとの切り替えを制御するコントロール回路とを備えていることを特徴とする半導体集積回路である。 The present invention has been made to achieve such an object, and has the following features.
(1); a power supply terminal to which a power supply voltage is supplied, and in the regulation mode, a regulation voltage obtained by stepping down the power supply voltage supplied to the power supply terminal is output, and in a conduction mode, the regulation voltage is supplied to the power supply terminal. A series regulator that transmits voltage, a voltage operation circuit that operates with a voltage output from the series regulator, and in the series regulator, the regulation mode that outputs the regulated voltage to the voltage operation circuit and the power supply terminal A semiconductor integrated circuit comprising: a control circuit that controls switching of the conduction mode for transmitting a supplied voltage to the voltage operation circuit.

（２）；（１）において、前記シリーズレギュレータが、基準電圧と前記シリーズレギュレータが出力する電圧に応じたフィードバック電圧とに基づいて制御信号を出力する制御回路と、一端が前記電源端子に接続され、他端が前記電圧動作回路への出力ノードに接続される制御用トランジスタと、前記制御用トランジスタの制御端子に、前記制御信号を入力して前記電源電圧を降圧した前記レギュレート電圧を出力するか、所定電圧を入力して前記電源端子に供給される電圧を伝送するかを前記コントロール信号に基づいて切り替える第１の切替部とを備えていることを特徴とする。 (2); In (1), the series regulator outputs a control signal based on a reference voltage and a feedback voltage corresponding to a voltage output from the series regulator, and one end is connected to the power supply terminal. The other end is connected to the output node to the voltage operation circuit, and the control signal is input to the control terminal of the control transistor to output the regulated voltage obtained by stepping down the power supply voltage. Or a first switching unit that switches whether to transmit a voltage supplied to the power supply terminal by inputting a predetermined voltage based on the control signal.

（３）；（２）において、前記シリーズレギュレータが、前記出力ノードの電圧を検出してフィードバック電圧を出力する電圧検出回路と、前記コントロール信号に基づいて、前記電圧検出回路と前記出力ノードとを接続するかを切り替える第２の切替部とをさらに備えていることを特徴とする。
（４）；（３）において、前記コントロール信号に基づいて、前記第１の切替部が、前記制御用トランジスタへ前記制御信号を入力し、かつ、前記第２の切替部が、前記電圧検出回路と前記出力ノードとを接続するか、前記第１の切替部が、前記制御用トランジスタへ前記所定電圧を入力し、かつ、前記第２の切替部が、前記電圧検出回路と前記出力ノードとを切断するかを切り替えることを特徴とする。 (3); In (2), the series regulator detects a voltage of the output node and outputs a feedback voltage, and based on the control signal, the voltage detection circuit and the output node And a second switching unit that switches between connection and connection.
(4); In (3), based on the control signal, the first switching unit inputs the control signal to the control transistor, and the second switching unit includes the voltage detection circuit. Or the output node, or the first switching unit inputs the predetermined voltage to the control transistor, and the second switching unit connects the voltage detection circuit and the output node. It is characterized by switching whether to cut.

（５）；（３）又は（４）において、前記制御回路は、第１の入力端子に前記基準電圧が入力され、第２の入力端子に前記フィードバック電圧が入力され、出力端子から制御信号を出力する演算増幅器であり、前記電圧検出回路は、前記出力ノードの電圧を分圧した前記フィードバック電圧を出力する分圧回路を備えていることを特徴とする。
（６）；（５）において、前記第２の切替部が、前記分圧回路の間に接続されていることを特徴とする。 (5); In (3) or (4), in the control circuit, the reference voltage is input to a first input terminal, the feedback voltage is input to a second input terminal, and a control signal is output from an output terminal. An operational amplifier for outputting, wherein the voltage detection circuit includes a voltage dividing circuit that outputs the feedback voltage obtained by dividing the voltage of the output node.
(6); In (5), the second switching unit is connected between the voltage dividing circuits.

（７）；電源電圧が供給される電源端子と、シリーズレギュレータと、前記シリーズレギュレータの出力ノードから出力される電圧で動作する電圧動作回路とを備えている半導体集積回路において、前記シリーズレギュレータは、第１の入力端子に基準電圧が入力され、第２の入力端子に前記出力ノードの出力電圧に応じたフィードバック電圧が入力される演算増幅器と、一端は電源電圧が供給され、他端が前記出力ノードと接続されるトランジスタと、前記トランジスタの制御端子と前記演算増幅器の出力端子とを接続するか、前記トランジスタの制御端子と所定電圧とを接続するかを切り替える第１のスイッチとを備えていることを特徴とする。 (7); In a semiconductor integrated circuit including a power supply terminal to which a power supply voltage is supplied, a series regulator, and a voltage operation circuit that operates with a voltage output from an output node of the series regulator, the series regulator includes: An operational amplifier in which a reference voltage is input to the first input terminal and a feedback voltage corresponding to the output voltage of the output node is input to the second input terminal, one end is supplied with a power supply voltage, and the other end is the output A transistor connected to a node; and a first switch for switching between connecting a control terminal of the transistor and an output terminal of the operational amplifier or connecting a control terminal of the transistor and a predetermined voltage. It is characterized by that.

（８）；（７）において、前記シリーズレギュレータが、前記出力ノードの電圧を検出してフィードバック電圧を出力する電圧検出回路と、前記コントロール信号に基づいて、前記電圧検出回路と前記出力ノードとを接続するかを切り替える第２のスイッチとをさらに備えていることを特徴とする。
（９）；（８）において、前記第２のスイッチが、前記出力ノードと前記電圧検出回路との間に接続されていることを特徴とする。 (8); In (7), the series regulator detects a voltage of the output node and outputs a feedback voltage; and, based on the control signal, the voltage detection circuit and the output node And a second switch for switching between connection and connection.
(9) In (8), the second switch is connected between the output node and the voltage detection circuit.

（１０）；（１）において、前記シリーズレギュレータが、基準電圧と前記シリーズレギュレータが出力する電圧に応じたフィードバック電圧とに基づいて制御信号を出力する制御回路と、前記制御回路に直接接続されているとともに、一端が前記電源端子に接続され、他端が前記電圧動作回路への出力ノードに接続される制御用トランジスタと、前記出力ノードの電圧を検出してフィードバック電圧を出力する電圧検出回路と、前記コントロール信号に基づいて、前記電圧検出回路と前記出力ノードとを接続するかを切り替える第２の切替部とを備え、前記制御用トランジスタをスイッチとして機能させることを特徴とする。 (10); In (1), the series regulator is directly connected to a control circuit that outputs a control signal based on a reference voltage and a feedback voltage corresponding to a voltage output from the series regulator; and And a control transistor having one end connected to the power supply terminal and the other end connected to an output node to the voltage operation circuit, and a voltage detection circuit that detects the voltage of the output node and outputs a feedback voltage. And a second switching section that switches whether to connect the voltage detection circuit and the output node based on the control signal, and the control transistor functions as a switch.

（１１）；（１）において、前記シリーズレギュレータが、基準電圧とシリーズレギュレータが出力する電圧に応じたフィードバック電圧とに基づいて制御信号を出力する制御回路と、一端が電源端子に接続され、他端が前記電圧動作回路への出力ノードに接続される制御用トランジスタと、前記制御用トランジスタの制御端子に、制御信号を入力して電源電圧を降圧したレギュレート電圧を出力するか、所定電圧を入力して前記電源端子に供給される電圧を伝送するかをコントロール信号に基づいて切り替える第１の切替部と、前記出力ノードに直接接続されているとともに、前記出力ノードの電圧を検出してフィードバック電圧を出力する電圧検出回路とを備え、前記制御用トランジスタをスイッチとして機能させることを特徴とする。 (11); In (1), the series regulator outputs a control signal based on a reference voltage and a feedback voltage corresponding to a voltage output from the series regulator, one end is connected to a power supply terminal, and the like A control transistor whose end is connected to an output node to the voltage operation circuit, and a control voltage is input to the control terminal of the control transistor to output a regulated voltage obtained by stepping down the power supply voltage, or a predetermined voltage is set A first switching unit that switches whether to input and transmit a voltage supplied to the power supply terminal based on a control signal, and is directly connected to the output node, and detects and feeds back the voltage of the output node And a voltage detection circuit for outputting a voltage, wherein the control transistor functions as a switch.

本発明によれば、テスト用電源端子を追加することなく、また、チップ面積を増加することなく、量産テストが可能な半導体集積回路を実現できる。 According to the present invention, it is possible to realize a semiconductor integrated circuit capable of a mass production test without adding a test power supply terminal and without increasing the chip area.

従来のレギュレータを内蔵した半導体集積回路の回路構成図である。It is a circuit block diagram of the semiconductor integrated circuit incorporating the conventional regulator. 本発明に係る半導体集積回路に内蔵されるレギュレータとしてのシリーズレギュレータの回路構成図である。It is a circuit block diagram of the series regulator as a regulator built in the semiconductor integrated circuit which concerns on this invention. 本発明に係る半導体集積回路の実施形態１を説明するための回路構成図である。1 is a circuit configuration diagram for explaining a semiconductor integrated circuit according to a first embodiment of the present invention; 図３に示した実施形態１の具体的なシリーズレギュレータの実施例１を説明するための回路構成図である。FIG. 4 is a circuit configuration diagram for explaining Example 1 of the specific series regulator of Embodiment 1 shown in FIG. 3. 図４に示した半導体集積回路の量産テスト時における動作を説明するための回路構成図である。FIG. 5 is a circuit configuration diagram for explaining an operation during a mass production test of the semiconductor integrated circuit shown in FIG. 4. 本発明に係る半導体集積回路の実施形態３を説明するための回路構成図である。It is a circuit block diagram for demonstrating Embodiment 3 of the semiconductor integrated circuit which concerns on this invention. 本発明に係る半導体集積回路の実施形態４を説明するための回路構成図である。FIG. 7 is a circuit configuration diagram for explaining a semiconductor integrated circuit according to a fourth embodiment of the present invention.

以下、図面を参照して本発明の各実施形態について説明する。
図２は、本発明に係る半導体集積回路に内蔵されるレギュレータとしてのシリーズレギュレータの回路構成図である。
シリーズレギュレータ１３は、基準電圧発生回路２２と、この基準電圧発生回路２２に接続された制御回路２３と、この制御回路２３に接続された電圧検出回路２４と、電源端子１１及び制御回路２３に接続された制御用トランジスタ２１とを備えている。
また、シリーズレギュレータ１３は、通常動作時であるレギュレートモードでは、電源端子１１に供給される電源電圧を降圧したレギュレート電圧を出力し、テストモード時である導通モードでは、電源端子１１に供給される電圧を伝送する。 Hereinafter, each embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 2 is a circuit configuration diagram of a series regulator as a regulator built in the semiconductor integrated circuit according to the present invention.
The series regulator 13 is connected to the reference voltage generation circuit 22, the control circuit 23 connected to the reference voltage generation circuit 22, the voltage detection circuit 24 connected to the control circuit 23, the power supply terminal 11 and the control circuit 23. The control transistor 21 is provided.
The series regulator 13 outputs a regulated voltage obtained by stepping down the power supply voltage supplied to the power supply terminal 11 in the regular mode during normal operation, and supplies the power supply terminal 11 in the conduction mode during the test mode. Transmit voltage.

また、基準電圧発生回路２２は、基準電圧Ｖｒｅｆを制御回路２３へ出力する。制御回路２３は、出力電圧ＶＯＵＴ１２を検出する電圧検出回路２４の出力と、基準電圧発生回路２２の出力である基準電圧とを比較し、制御用トランジスタ２１へ制御電圧を出力する。
また、制御用トランジスタ２１は、制御回路２３からの制御電圧に基づいて、電源電圧から一定電圧であるＶｏｕｔを出力する。電圧検出回路２４は、出力電圧Ｖｏｕｔを検出して、上述したように、制御回路２３へ出力する。 Further, the reference voltage generation circuit 22 outputs the reference voltage Vref to the control circuit 23. The control circuit 23 compares the output of the voltage detection circuit 24 that detects the output voltage VOUT12 with the reference voltage that is the output of the reference voltage generation circuit 22, and outputs the control voltage to the control transistor 21.
The control transistor 21 outputs Vout, which is a constant voltage, from the power supply voltage based on the control voltage from the control circuit 23. The voltage detection circuit 24 detects the output voltage Vout and outputs it to the control circuit 23 as described above.

このように、制御電圧に基づいて制御用トランジスタ２１を制御することで、シリーズレギュレータの１３出力電流が変動しても出力電圧ＶＯＵＴ１２を一定に保つ動作をする。
所定電圧とは、制御用トランジスタ２１をスイッチとして動作させることができる電圧であり、ＰＭＯＳトランジスタでは接地電圧、ＮＭＯＳトランジスタでは電源電圧、ｎ型バイポーラトランジスタでは電源電圧、ｐ型バイポーラトランジスタでは接地電圧などが挙げられる。 In this way, by controlling the control transistor 21 based on the control voltage, an operation is performed to keep the output voltage VOUT12 constant even if the 13 output current of the series regulator fluctuates.
The predetermined voltage is a voltage that can be operated by using the control transistor 21 as a switch. A ground voltage is used for the PMOS transistor, a power supply voltage is used for the NMOS transistor, a power supply voltage is used for the n-type bipolar transistor, and a ground voltage is used for the p-type bipolar transistor. Can be mentioned.

＜実施形態１＞
図３は、本発明に係る半導体集積回路の実施形態１を説明するための回路構成図で、図２に示したシリーズレギュレータを備えた半導体集積回路の回路構成図である。なお、図２と同じ機能を有する構成要素には同一の符号を付してある。
本実施形態１の半導体集積回路は、電源端子１１と、この電源端子１１に接続されているシリーズレギュレータ１３と、このシリーズレギュレータ１３に接続されている電圧動作回路１５と、この電圧動作回路１５及びシリーズレギュレータ１３に接続されているコントロール回路１４とから構成されている。 <Embodiment 1>
FIG. 3 is a circuit configuration diagram for explaining the semiconductor integrated circuit according to the first embodiment of the present invention, and is a circuit configuration diagram of the semiconductor integrated circuit including the series regulator shown in FIG. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the component which has the same function as FIG.
The semiconductor integrated circuit of Embodiment 1 includes a power supply terminal 11, a series regulator 13 connected to the power supply terminal 11, a voltage operation circuit 15 connected to the series regulator 13, a voltage operation circuit 15 and The control circuit 14 is connected to the series regulator 13.

電源端子１１は、電源電圧が供給されるものである。また、シリーズレギュレータ１３は、レギュレートモードでは、電源端子１１に供給される電源電圧を降圧したレギュレート電圧を出力し、導通モードでは、電源端子１１に供給される電圧を伝送するものである。
また、電圧動作回路１５は、シリーズレギュレータ１３から出力される電圧で動作するものである。また、コントロール回路１４は、シリーズレギュレータ１３において、レギュレート電圧を電圧動作回路１５へ出力するレギュレートモードと電源端子１１に供給される電圧を電圧動作回路１５へ伝送する導通モードとの切り替えを制御するコントロール信号を発生するものである。 The power supply terminal 11 is supplied with a power supply voltage. The series regulator 13 outputs a regulated voltage obtained by stepping down the power supply voltage supplied to the power supply terminal 11 in the regulation mode, and transmits the voltage supplied to the power supply terminal 11 in the conduction mode.
The voltage operation circuit 15 operates with the voltage output from the series regulator 13. In addition, the control circuit 14 controls switching in the series regulator 13 between a regulation mode for outputting the regulated voltage to the voltage operation circuit 15 and a conduction mode for transmitting the voltage supplied to the power supply terminal 11 to the voltage operation circuit 15. A control signal is generated.

また、シリーズレギュレータ１３は、基準電圧とシリーズレギュレータ１３が出力する電圧に応じたフィードバック電圧とに基づいて制御信号を出力する制御回路２３と、一端が電源端子１１に接続され、他端が電圧動作回路１５への出力ノードに接続される制御用トランジスタ２１と、この制御用トランジスタ２１の制御端子に、制御信号を入力して電源電圧を降圧したレギュレート電圧を出力するか、所定電圧を入力して電源端子１１に供給される電圧を伝送するかをコントロール信号に基づいて切り替える第１の切替部２５とを備えている。 The series regulator 13 includes a control circuit 23 that outputs a control signal based on a reference voltage and a feedback voltage corresponding to a voltage output from the series regulator 13, one end connected to the power supply terminal 11, and the other end operated in voltage. A control transistor 21 connected to an output node to the circuit 15 and a control voltage is input to the control terminal of the control transistor 21 to output a regulated voltage obtained by stepping down the power supply voltage, or a predetermined voltage is input. And a first switching unit 25 for switching whether to transmit the voltage supplied to the power supply terminal 11 based on a control signal.

また、シリーズレギュレータ１３は、出力ノードの電圧を検出してフィードバック電圧を出力する電圧検出回路２４と、コントロール信号に基づいて、電圧検出回路２４と出力ノードとを接続するかを切り替える第２の切替部２６とをさらに備えている。
また、シリーズレギュレータ１３は、コントロール信号に基づいて、第１の切替部２５が、制御用トランジスタ２１へ制御信号を入力し、かつ、第２の切替部２６が、電圧検出回路２４と出力ノードとを接続するか、あるいは、第１の切替部２５が、制御用トランジスタ２１へ所定電圧を入力し、かつ、第２の切替部２６が、電圧検出回路２４と出力ノードとを切断するかを切り替えるように構成されている。 The series regulator 13 detects a voltage at the output node and outputs a feedback voltage, and a second switch that switches whether the voltage detection circuit 24 and the output node are connected based on the control signal. And a portion 26.
Further, in the series regulator 13, based on the control signal, the first switching unit 25 inputs the control signal to the control transistor 21, and the second switching unit 26 includes the voltage detection circuit 24, the output node, Or the first switching unit 25 inputs a predetermined voltage to the control transistor 21 and the second switching unit 26 switches between disconnecting the voltage detection circuit 24 and the output node. It is configured as follows.

つまり、本実施形態１における半導体集積回路は、シリーズレギュレータ１３と、シリーズレギュレータ１３のレギュレータ出力で動作する電圧動作回路１５と、コントロール回路１４と、電源端子１１と、入出力端子１６とを備えている。
また、シリーズレギュレータ１３は、電源端子１１から供給される電源電圧から定電圧であるレギュレータ出力を回路へ供給する。
また、コントロール回路１４は、入出力端子１６から入力される信号に基づいてレギュレータを制御するコントロール信号を出力する。また、電圧動作回路１５からの出力を外部出力することができる。
また、シリーズレギュレータ１３は、基準電圧発生回路２２と制御回路２３と電圧検出回路２４と制御用トランジスタ２１と第１の切替部２５と第２の切替部２６とを備えている。 That is, the semiconductor integrated circuit according to the first embodiment includes a series regulator 13, a voltage operation circuit 15 that operates based on the regulator output of the series regulator 13, a control circuit 14, a power supply terminal 11, and an input / output terminal 16. Yes.
The series regulator 13 supplies a regulator output, which is a constant voltage, from the power supply voltage supplied from the power supply terminal 11 to the circuit.
The control circuit 14 outputs a control signal for controlling the regulator based on a signal input from the input / output terminal 16. Further, the output from the voltage operation circuit 15 can be output externally.
The series regulator 13 includes a reference voltage generation circuit 22, a control circuit 23, a voltage detection circuit 24, a control transistor 21, a first switching unit 25, and a second switching unit 26.

第１の切替部２５は、制御用トランジスタ２１と制御回路２３との間に接続されている。また、第１の切替部２５は、通常動作時は、制御回路２３の出力が制御用トランジスタ２１へ入力され、テスト動作時は、制御用トランジスタ２１と制御回路２３を切り離すように切り替えを行う。
第２の切替部２６は、制御用トランジスタ２１の出力ノードＶｏｕｔと電圧検出回路２４１の間に接続されている。また、第２の切替部２６は、通常動作時は、出力ノードＶｏｕｔが電圧検出回路２４へ入力され、テスト動作時は、出力ノードＶｏｕｔから電圧検出回路２４を切り離すように切り替えを行う。 The first switching unit 25 is connected between the control transistor 21 and the control circuit 23. Further, the first switching unit 25 performs switching so that the output of the control circuit 23 is input to the control transistor 21 during normal operation, and the control transistor 21 and the control circuit 23 are disconnected during the test operation.
The second switching unit 26 is connected between the output node Vout of the control transistor 21 and the voltage detection circuit 241. Further, the second switching unit 26 performs switching so that the output node Vout is input to the voltage detection circuit 24 during normal operation, and the voltage detection circuit 24 is disconnected from the output node Vout during test operation.

第１の切替部２５及び第２の切替部２６は、コントロール信号によって制御され、通常動作時とテスト動作時で切り替えが行われる。
このような構成によって、通常動作時は、シリーズレギュレータとして動作し、テスト動作時は、制御用トランジスタ２１がスイッチとなるように切り替えが行われるため、電源端子１１に外部入力する電圧を変動させることによって、電圧動作回路１５に供給される電圧が変更できる。そのため、テスト用電源端子が不要となる。
制御用トランジスタ２１には、ＮＭＯＳトランジスタ、ＰＭＯＳトランジスタ、ＮＰＮトランジスタ、ＰＮＰトランジスタなどが使用され、ＶＯＵＴに接続される電圧動作回路１５に電流を供給するためオン抵抗が非常に小さい特徴を有する。また、第１の切替部２５や第２の切替部２６は、制御回路内部や分圧回路内部にある構成であってもよい。 The first switching unit 25 and the second switching unit 26 are controlled by a control signal, and are switched between a normal operation and a test operation.
With such a configuration, during normal operation, it operates as a series regulator, and during test operation, switching is performed so that the control transistor 21 functions as a switch, so that the voltage input to the power supply terminal 11 is varied. Thus, the voltage supplied to the voltage operation circuit 15 can be changed. This eliminates the need for a test power supply terminal.
As the control transistor 21, an NMOS transistor, a PMOS transistor, an NPN transistor, a PNP transistor, or the like is used. Since the current is supplied to the voltage operation circuit 15 connected to VOUT, the on-resistance is very small. Further, the first switching unit 25 and the second switching unit 26 may be configured inside the control circuit or the voltage dividing circuit.

図４は、図３に示した実施形態１の具体的なシリーズレギュレータの実施例１を説明するための回路構成図である。なお、図３と同じ機能を有する構成要素には同一の符号を付してある。
本実施例１の半導体集積回路において、制御回路２３は、第１の入力端子に基準電圧が入力され、第２の入力端子にフィードバック電圧が入力され、出力端子から制御信号を出力する演算増幅器であり、電圧検出回路２４は、出力ノードの電圧を分圧したフィードバック電圧を出力する分圧回路を備えている。 FIG. 4 is a circuit configuration diagram for explaining Example 1 of the specific series regulator of Embodiment 1 shown in FIG. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the component which has the same function as FIG.
In the semiconductor integrated circuit of the first embodiment, the control circuit 23 is an operational amplifier that receives a reference voltage at the first input terminal, a feedback voltage at the second input terminal, and outputs a control signal from the output terminal. The voltage detection circuit 24 includes a voltage dividing circuit that outputs a feedback voltage obtained by dividing the voltage of the output node.

また、本実施例１の半導体集積回路は、電源電圧が供給される電源端子１１と、シリーズレギュレータ１３と、このシリーズレギュレータ１３の出力ノードから出力される電圧で動作する電圧動作回路１５とを備えている。
また、シリーズレギュレータ１３は、第１の入力端子に基準電圧が入力され、第２の入力端子に出力ノードの出力電圧に応じたフィードバック電圧が入力される演算増幅器２３と、一端は電源電圧が供給され、他端が出力ノードと接続される制御トランジスタ２１と、この制御トランジスタ２１の制御端子と演算増幅器２３の出力端子とを接続するか、制御トランジスタ２１の制御端子と所定電圧ＶＤＤとを接続するかを切り替える第１のスイッチＳＷ１とを備えている。 The semiconductor integrated circuit according to the first embodiment includes a power supply terminal 11 to which a power supply voltage is supplied, a series regulator 13, and a voltage operation circuit 15 that operates with a voltage output from an output node of the series regulator 13. ing.
The series regulator 13 has an operational amplifier 23 in which a reference voltage is input to a first input terminal and a feedback voltage corresponding to an output voltage of an output node is input to a second input terminal, and a power supply voltage is supplied to one end. The other end of the control transistor 21 is connected to the output node, and the control terminal of the control transistor 21 is connected to the output terminal of the operational amplifier 23, or the control terminal of the control transistor 21 is connected to the predetermined voltage VDD. And a first switch SW1 for switching between the two.

また、シリーズレギュレータ１３は、出力ノードの電圧を検出してフィードバック電圧を出力する電圧検出回路２４と、コントロール信号に基づいて、電圧検出回路２４と出力ノードとを接続するかを切り替える第２のスイッチＳＷ２とをさらに備えている。また、第２のスイッチＳＷ２は、出力ノードと電圧検出回路２４との間に接続されている。
つまり、シリーズレギュレータ１３は、制御回路であるオペアンプ（ＥｒｒｏｒＡＭＰ）２３と、電圧検出回路２４である分圧回路と、制御用トランジスタ２１であるＰＭＯＳトランジスタと、第１の切替部２５であるスイッチＳＷ１と第２の切替部２６であるスイッチＳＷ２とを備えている。 The series regulator 13 detects a voltage at the output node and outputs a feedback voltage, and a second switch that switches between connecting the voltage detection circuit 24 and the output node based on a control signal. SW2 is further provided. The second switch SW2 is connected between the output node and the voltage detection circuit 24.
That is, the series regulator 13 includes an operational amplifier (Error AMP) 23 that is a control circuit, a voltage dividing circuit that is a voltage detection circuit 24, a PMOS transistor that is a control transistor 21, and a switch SW1 that is a first switching unit 25. And a switch SW2 which is the second switching unit 26.

オペアンプ２３の非反転入力端子（−）には、基準電圧Ｖｒｅｆが入力され、反転入力端子（＋）には分圧回路の出力が入力され、出力端子から制御用トランジスタ２１のゲートに制御電圧を出力する。
オペアンプ２３の出力端子と制御用トランジスタ２１のゲートとの間に第１の切替部２５であるスイッチＳＷ１が接続される。このスイッチＳＷ１は、制御用トランジスタ２１のゲートにオペアンプ２３の出力端子を接続するか、接地電圧に接続するかを切り替える。 The reference voltage Vref is input to the non-inverting input terminal (−) of the operational amplifier 23, the output of the voltage dividing circuit is input to the inverting input terminal (+), and the control voltage is applied from the output terminal to the gate of the control transistor 21. Output.
A switch SW1, which is the first switching unit 25, is connected between the output terminal of the operational amplifier 23 and the gate of the control transistor 21. The switch SW1 switches whether the output terminal of the operational amplifier 23 is connected to the gate of the control transistor 21 or to the ground voltage.

制御用トランジスタ２１のソースは、電源端子ＶＤＤと接続され、ドレインがレギュレータ出力ＶＯＵＴに接続される。制御用トランジスタ２１には、ＰＭＯＳトランジスタが使用され、ＶＯＵＴに接続される電圧動作回路１５に電流を供給するためオン抵抗が非常に小さい特徴を有する。
分圧回路は、第１の抵抗素子Ｒ１と第２の抵抗素子Ｒ２が直列接続され、レギュレータ出力であるＶｏｕｔを分圧してオペアンプ２３の反転入力端子へ出力する。
分圧回路と、レギュレータ出力との間に第２の切替部２６であるスイッチＳＷ２が接続される。このスイッチＳＷ２は、分圧回路とレギュレータ出力ノードとを接続するか、切断するかを切り替える。 The source of the control transistor 21 is connected to the power supply terminal VDD, and the drain is connected to the regulator output VOUT. A PMOS transistor is used as the control transistor 21 and has a feature that the on-resistance is very small because current is supplied to the voltage operation circuit 15 connected to VOUT.
In the voltage dividing circuit, the first resistor element R1 and the second resistor element R2 are connected in series, and the regulator output Vout is divided and output to the inverting input terminal of the operational amplifier 23.
A switch SW2, which is the second switching unit 26, is connected between the voltage dividing circuit and the regulator output. This switch SW2 switches whether the voltage dividing circuit and the regulator output node are connected or disconnected.

次に、図４に示した実施例１の半導体集積回路の回路動作について説明する。レギュレータが動作する場合、図３に示すように、Ｄａｔａピン１６を通してシリーズレギュレータ１３のスイッチＳＷ１，ＳＷ２をコントロールし、スイッチＳＷ１は、オペアンプ（ＥｒｒｏｒＡＭＰ）２３の出力とＰＭＯＳトランジスタのゲートと接続され、スイッチＳＷ２はオンしている。 Next, the circuit operation of the semiconductor integrated circuit according to the first embodiment shown in FIG. 4 will be described. When the regulator operates, as shown in FIG. 3, the switches SW1 and SW2 of the series regulator 13 are controlled through the Data pin 16, and the switch SW1 is connected to the output of the operational amplifier (Error AMP) 23 and the gate of the PMOS transistor. The switch SW2 is on.

オペアンプ（ＥｒｒｏｒＡＭＰ）２３が反転入力端子に接続されるレギュレータ出力ＶＯＵＴの分圧した電圧と基準電圧発生回路２２の出力が一致するようＰＭＯＳトランジスタを制御することにより、レギュレータ出力電圧ＶＯＵＴはレギュレータ出力に接続された電圧動作回路１５に電流を供給し、その出力ＶＯＵＴは定電圧を得る事ができる。また、分圧回路の分圧比を変える事によりＶＤＤ電源から降圧した所望の出力電圧を得る事ができる。 By controlling the PMOS transistor so that the voltage obtained by dividing the regulator output VOUT connected to the inverting input terminal of the operational amplifier (Error AMP) 23 matches the output of the reference voltage generation circuit 22, the regulator output voltage VOUT becomes the regulator output. A current is supplied to the connected voltage operation circuit 15, and the output VOUT can obtain a constant voltage. Further, by changing the voltage dividing ratio of the voltage dividing circuit, a desired output voltage stepped down from the VDD power supply can be obtained.

図５は、図４に示した半導体集積回路の量産テスト時における動作を説明するための回路構成図で、量産テスト時に本発明の内蔵レギュレータで駆動される電圧動作回路に外部から電源を供給する回路構成図である。
量産テスト時において、図５に示すように、Ｄａｔａピン１６を通してコントロール回路１４の出力を制御し、スイッチＳＷ１は、ＰＭＯＳトランジスタのゲートとＶＳＳ電源に接続され、スイッチＳＷ２は、オフしている。このスイッチ接続にすると電圧検出回路２４の入力は、ハイ・インピーダンス状態となり、電圧検出回路２４に出力電圧ＶＯＵＴから電流が流れない。制御用トランジスタ２１のＰＭＯＳは、スイッチとして使用され、電源端子ＶＤＤとレギュレータ配下の電圧動作回路１５が接続される。
つまり、電源端子ＶＤＤの電源電圧を変更することで電圧動作回路１５に供給される電圧が変更される。動作マージンテストの結果は、電圧動作回路１５からの出力を、Ｄａｔａピン１６を通して出力することで判定できる。 FIG. 5 is a circuit configuration diagram for explaining the operation of the semiconductor integrated circuit shown in FIG. 4 during a mass production test. In the mass production test, power is supplied from the outside to the voltage operation circuit driven by the built-in regulator of the present invention. It is a circuit block diagram.
During the mass production test, as shown in FIG. 5, the output of the control circuit 14 is controlled through the Data pin 16, the switch SW1 is connected to the gate of the PMOS transistor and the VSS power supply, and the switch SW2 is turned off. With this switch connection, the input of the voltage detection circuit 24 is in a high impedance state, and no current flows from the output voltage VOUT to the voltage detection circuit 24. The PMOS of the control transistor 21 is used as a switch, and the power supply terminal VDD and the voltage operation circuit 15 under the regulator are connected.
That is, the voltage supplied to the voltage operation circuit 15 is changed by changing the power supply voltage of the power supply terminal VDD. The result of the operation margin test can be determined by outputting the output from the voltage operation circuit 15 through the Data pin 16.

本実施形態１及び実施例１では、シリーズレギュレータ１３にスイッチＳＷ１，ＳＷ２を追加しているが、このスイッチＳＷ１，ＳＷ２のサイズは非常に小さく、スイッチＳＷ１，ＳＷ２によるチップサイズの増加は問題とならない。図４の構成によれば、シリーズレギュレータ１３で使用されるオン抵抗が小さい制御トランジスタ２１をスイッチとして使用するため、制御トランジスタ２１での電圧降下は、非常に小さい状態で電源端子ＶＤＤとレギュレータ配下の電圧動作回路１５が接続される。 In the first embodiment and the first embodiment, the switches SW1 and SW2 are added to the series regulator 13. However, the size of the switches SW1 and SW2 is very small, and the increase in chip size due to the switches SW1 and SW2 does not cause a problem. . According to the configuration of FIG. 4, since the control transistor 21 having a small on-resistance used in the series regulator 13 is used as a switch, the voltage drop in the control transistor 21 is very small and the power supply terminal VDD and the regulator are under control. A voltage operation circuit 15 is connected.

新たにスイッチを追加して電源電圧ＶＤＤとレギュレータ出力に接続された電圧動作回路１５を接続する構成と比較すると、スイッチでの電圧降下を抑えるためスイッチのオン抵抗を下げる必要があり、スイッチサイズを大きくする必要があり、チップサイズが増加する問題が発生する。
一方、本実施形態１及び実施例１では、一般的なシリーズレギュレータにスイッチを追加すれば所望の設定が可能となる。追加するスイッチは非常に小さくチップサイズの増加は問題とならない。 Compared to a configuration in which a switch is added and the voltage operation circuit 15 connected to the power supply voltage VDD and the regulator output is connected, it is necessary to lower the on-resistance of the switch in order to suppress the voltage drop at the switch. There is a problem that the chip size needs to be increased and the chip size increases.
On the other hand, in Embodiment 1 and Example 1, a desired setting can be made by adding a switch to a general series regulator. The switch to be added is very small and the increase in chip size is not a problem.

本発明により、テスト用電源端子を追加することなく、また、チップ面積を増加することなく内蔵レギュレータで駆動される回路に外部から電圧を変動させて供給することが可能となる。
通常、動作時からテスト時に動作モードの変更を行う場合、スイッチ切り替え時の電源電圧変動を緩和するためレギュレータ出力ＶＯＵＴとＶＳＳ電源間にコンデンサをいれると好ましい。 According to the present invention, it is possible to supply a voltage driven from the outside to a circuit driven by a built-in regulator without adding a test power supply terminal and without increasing the chip area.
Normally, when changing the operation mode from the operation to the test, it is preferable to insert a capacitor between the regulator output VOUT and the VSS power supply in order to reduce the power supply voltage fluctuation at the time of switching.

＜実施形態２＞
本実施形態２は、図示しないが、第２の切替部２６は、分圧回路の間に接続されていてもよい。電圧検出回路２４の入力部をハイ・インピーダンス状態とするために、スイッチを用いてレギュレータ出力ＶＯＵＴから接続を切り離せる構成であればよい。スイッチＳＷ２の位置は変更可能であり、電源端子ＶＤＤからの電流がすべて電圧動作回路１５に供給できる様、電流パスをオフできる位置であればどこに入れてもよい。 <Embodiment 2>
Although the second embodiment is not illustrated, the second switching unit 26 may be connected between the voltage dividing circuits. In order to bring the input portion of the voltage detection circuit 24 into a high impedance state, any connection may be used as long as the connection can be disconnected from the regulator output VOUT using a switch. The position of the switch SW2 can be changed, and it may be inserted anywhere as long as the current path can be turned off so that all the current from the power supply terminal VDD can be supplied to the voltage operation circuit 15.

＜実施形態３＞
図６は、本発明に係る半導体集積回路の実施形態３を説明するための回路構成図である。なお、図３と同じ機能を有する構成要素には同一の符号を付してある。
本実施形態３の半導体集積回路は、シリーズレギュレータ１３が、基準電圧とシリーズレギュレータ１３が出力する電圧に応じたフィードバック電圧とに基づいて制御信号を出力する制御回路２３と、この制御回路２３に直接接続されているとともに、一端が電源端子１１に接続され、他端が電圧動作回路１５への出力ノードに接続される制御用トランジスタ２１と、出力ノードの電圧を検出してフィードバック電圧を出力する電圧検出回路２４と、コントロール信号に基づいて、電圧検出回路２４と出力ノードとを接続するかを切り替える第２の切替部２６とを備え、制御回路２３は制御用トランジスタ２１をスイッチとして機能させるように構成されている。 <Embodiment 3>
FIG. 6 is a circuit configuration diagram for explaining the semiconductor integrated circuit according to the third embodiment of the present invention. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the component which has the same function as FIG.
In the semiconductor integrated circuit according to the third embodiment, the series regulator 13 outputs a control signal based on the reference voltage and the feedback voltage corresponding to the voltage output from the series regulator 13, and the control circuit 23 directly. A control transistor 21 having one end connected to the power supply terminal 11 and the other end connected to the output node to the voltage operation circuit 15 and a voltage for detecting a voltage at the output node and outputting a feedback voltage A detection circuit 24 and a second switching unit 26 that switches whether the voltage detection circuit 24 and the output node are connected based on a control signal are provided, and the control circuit 23 causes the control transistor 21 to function as a switch. It is configured.

つまり、テスト時において制御回路２３から制御用トランジスタ２１をスイッチとして使用する形態であってもよく、電源電圧ＶＤＤ又は接地電圧ＶＳＳ又は任意の定電圧を、制御用トランジスタがオンする電圧として供給する構成であってもよい。
なお、本実施形態３において、制御回路２３が制御用トランジスタ２１をスイッチとして機能させるように構成されていれば、第２切替部がない構成であってもよい。 That is, the configuration may be such that the control transistor 21 is used as a switch from the control circuit 23 during the test, and the power supply voltage VDD or the ground voltage VSS or an arbitrary constant voltage is supplied as a voltage for turning on the control transistor. It may be.
In the third embodiment, as long as the control circuit 23 is configured to cause the control transistor 21 to function as a switch, the second switching unit may be omitted.

＜実施形態４＞
図７は、本発明に係る半導体集積回路の実施形態４を説明するための回路構成図である。なお、図３と同じ機能を有する構成要素には同一の符号を付してある。
本実施形態４の半導体集積回路は、シリーズレギュレータ１３は、基準電圧とシリーズレギュレータ１３が出力する電圧に応じたフィードバック電圧とに基づいて制御信号を出力する制御回路２３と、一端が電源端子１１に接続され、他端が電圧動作回路１５への出力ノードに接続される制御用トランジスタ２１と、この制御用トランジスタ２１の制御端子に、制御信号を入力して電源電圧を降圧したレギュレート電圧を出力するか、所定電圧を入力して電源端子１１に供給される電圧を伝送するかをコントロール信号に基づいて切り替える第１の切替部２５とを備えている。 <Embodiment 4>
FIG. 7 is a circuit configuration diagram for explaining a semiconductor integrated circuit according to a fourth embodiment of the present invention. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the component which has the same function as FIG.
In the semiconductor integrated circuit according to the fourth embodiment, the series regulator 13 includes a control circuit 23 that outputs a control signal based on a reference voltage and a feedback voltage corresponding to a voltage output from the series regulator 13, and one end connected to the power supply terminal 11. A control transistor 21 connected at the other end to the output node to the voltage operation circuit 15 and a control voltage input to the control terminal of the control transistor 21 to output a regulated voltage obtained by stepping down the power supply voltage. Or a first switching unit 25 that switches whether to input a predetermined voltage and transmit a voltage supplied to the power supply terminal 11 based on a control signal.

また、シリーズレギュレータ１３は、出力ノードに直接接続されているとともに、出力ノードの電圧を検出してフィードバック電圧を出力する電圧検出回路２４とを備えている。
また、シリーズレギュレータ１３は、コントロール信号に基づいて、第１の切替部２５が、制御用トランジスタ２１へ制御信号を入力し、あるいは、第１の切替部２５が、制御用トランジスタ２１へ所定電圧を入力するのを切り替えるように構成されている。 The series regulator 13 is directly connected to the output node, and includes a voltage detection circuit 24 that detects the voltage of the output node and outputs a feedback voltage.
In the series regulator 13, the first switching unit 25 inputs a control signal to the control transistor 21 based on the control signal, or the first switching unit 25 applies a predetermined voltage to the control transistor 21. It is configured to switch input.

第１の切替部２５は、通常動作時であるレギュレートモードで、制御回路２３の出力が制御用トランジスタ２１へ入力され、テスト動作時である導通モードで、制御用トランジスタ２１と制御回路２３を切り離すように切り替えを行う。つまり、テスト時において第２の切替部２６がない形態であってもよい。
また、シリーズレギュレータ１３で使用する制御用トランジスタ２１は、ＥＳＤ（静電気放電；ＥｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃＤｉｓｃｈａｒｇｅ）保護のため、ソースに保護抵抗を入れる場合がある。つまり、図４においてＰＭＯＳトランジスタと直列に保護抵抗を有する構成である。
このように、上述したような構成により、テスト用電源端子を追加することなく、また、チップ面積を増加することなく、量産テストが可能な半導体集積回路を実現できる。 The first switching unit 25 is configured so that the output of the control circuit 23 is input to the control transistor 21 in the regulation mode during normal operation, and the control transistor 21 and the control circuit 23 are switched in the conduction mode during test operation. Switch to disconnect. That is, the second switching unit 26 may not be provided during the test.
In addition, the control transistor 21 used in the series regulator 13 may include a protective resistor in the source for ESD (electrostatic discharge) protection. In other words, in FIG. 4, the protection resistor is provided in series with the PMOS transistor.
Thus, with the configuration as described above, it is possible to realize a semiconductor integrated circuit capable of a mass production test without adding a test power supply terminal and without increasing the chip area.

１，１１電源端子
２テスト用電源端子
３レギュレータ
４，１４コントロール回路
５，１５電圧動作回路
６，１６入出力端子（Ｄａｔａピン）
１２出力端子（出力電圧ＶＯＵＴ）
１３シリーズレギュレータ
２１制御用トランジスタ
２２基準電圧発生回路
２３制御回路
２４電圧検出回路
２５第１の切替部
２６第２の切替部 1, 11 Power supply terminal 2 Test power supply terminal 3 Regulator 4, 14 Control circuit 5, 15 Voltage operation circuit 6, 16 Input / output terminal (Data pin)
12 Output terminal (Output voltage VOUT)
13 series regulator 21 control transistor 22 reference voltage generation circuit 23 control circuit 24 voltage detection circuit 25 first switching unit 26 second switching unit

Claims

A power supply terminal to which a power supply voltage is supplied;
In the regulation mode, it outputs a regulation voltage obtained by stepping down the power supply voltage supplied to the power supply terminal, and in the conduction mode, a series regulator that transmits the voltage supplied to the power supply terminal;
A voltage operation circuit that operates with a voltage output from the series regulator;
In the series regulator, a control circuit for controlling switching between the regulation mode for outputting the regulated voltage to the voltage operation circuit and the conduction mode for transmitting a voltage supplied to the power supply terminal to the voltage operation circuit; A semiconductor integrated circuit comprising:

The series regulator is
A control circuit that outputs a control signal based on a reference voltage and a feedback voltage corresponding to the voltage output by the series regulator;
A control transistor having one end connected to the power supply terminal and the other end connected to an output node to the voltage operation circuit;
Whether the control signal is input to the control terminal of the control transistor to output the regulated voltage obtained by stepping down the power supply voltage, or a predetermined voltage is input to transmit the voltage supplied to the power supply terminal. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, further comprising: a first switching unit that switches based on the control signal.

The series regulator is
A voltage detection circuit for detecting a voltage of the output node and outputting a feedback voltage;
The semiconductor integrated circuit according to claim 2, further comprising: a second switching unit that switches whether to connect the voltage detection circuit and the output node based on the control signal.

Based on the control signal, whether the first switching unit inputs the control signal to the control transistor, and the second switching unit connects the voltage detection circuit and the output node. The first switching unit inputs the predetermined voltage to the control transistor, and the second switching unit switches between disconnecting the voltage detection circuit and the output node. The semiconductor integrated circuit as described.

The control circuit is an operational amplifier that receives the reference voltage at a first input terminal, receives the feedback voltage at a second input terminal, and outputs a control signal from an output terminal;
The semiconductor integrated circuit according to claim 3, wherein the voltage detection circuit includes a voltage dividing circuit that outputs the feedback voltage obtained by dividing the voltage of the output node.

The semiconductor integrated circuit according to claim 5, wherein the second switching unit is connected between the voltage dividing circuits.

In a semiconductor integrated circuit including a power supply terminal to which a power supply voltage is supplied, a series regulator, and a voltage operation circuit that operates with a voltage output from an output node of the series regulator.
The series regulator is
An operational amplifier in which a reference voltage is input to a first input terminal and a feedback voltage corresponding to the output voltage of the output node is input to a second input terminal;
One end is supplied with a power supply voltage and the other end is connected to the output node;
A semiconductor integrated circuit comprising: a first switch that switches between connecting a control terminal of the transistor and an output terminal of the operational amplifier, or switching between the control terminal of the transistor and a predetermined voltage.

The series regulator is
A voltage detection circuit for detecting a voltage of the output node and outputting a feedback voltage;
The semiconductor integrated circuit according to claim 7, further comprising: a second switch that switches whether to connect the voltage detection circuit and the output node based on the control signal.

The semiconductor integrated circuit according to claim 8, wherein the second switch is connected between the output node and the voltage detection circuit.

The series regulator is
A control circuit that outputs a control signal based on a reference voltage and a feedback voltage corresponding to the voltage output by the series regulator;
A control transistor connected directly to the control circuit, having one end connected to the power supply terminal and the other end connected to an output node to the voltage operation circuit;
A voltage detection circuit for detecting a voltage of the output node and outputting a feedback voltage;
A second switching unit that switches whether to connect the voltage detection circuit and the output node based on the control signal;
The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the control transistor functions as a switch.

The series regulator is
A control circuit that outputs a control signal based on a reference voltage and a feedback voltage corresponding to the voltage output by the series regulator;
A control transistor having one end connected to a power supply terminal and the other end connected to an output node to the voltage operation circuit;
Whether the control signal is input to the control terminal of the control transistor to output a regulated voltage obtained by stepping down the power supply voltage, or a predetermined voltage is input to transmit the voltage supplied to the power supply terminal. A first switching unit that switches based on;
A voltage detection circuit that is directly connected to the output node and detects a voltage of the output node to output a feedback voltage;
The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the control transistor functions as a switch.