JP2016018121A - 光増幅モジュールを製造する方法 - Google Patents

Abstract

【課題】光増幅素子と、アイソレータを有する光接続部材との光学調芯が簡便に行える光増幅モジュールを製造する方法を提供する。【解決手段】光増幅素子４１を収容するモジュール本体１０と、光増幅素子４１の一の端面４１Ａに光学的に結合される第１光接続部材２２と、他の端面４１Ｂに光学的に結合され光増幅素子４１からの光を遮断する第１アイソレータ３５を有する第２光接続部材３２とを備える光増幅モジュール１を製造する。光増幅素子４１を駆動して自然放出光からなる第１光を発生させ、第１光を第１光接続部材２２を介して観測して、光増幅素子４１と第１光接続部材２２との光学調芯を行う工程と、第２光を第２光接続部材３２の光増幅素子側とは反対側の端部３２Ｂから入力し、光増幅素子４１によって増幅された第２光を第１光接続部材２２を介して観測して、光増幅素子４１と第２光接続部材３２との光学調芯を行う工程とが含まれる。【選択図】図１

Description

本発明は、光増幅モジュールを製造する方法に関する。

特許文献１は、半導体アンプについて開示する。この光増幅モジュールは、光信号を増幅する光増幅素子が収容されたモジュール本体と、モジュール本体に光学的に結合する光ファイバなどが含まれる光接続部材とを備えている。

特開平６−２３２８１４号公報

モジュール本体と光接続部材とは、光増幅素子と光接続部材との光学調芯が行われた後に接合される。光増幅素子と光接続部材との光学調芯では、例えば、光増幅素子の発光により発生した光が光接続部材を通過する通過光量が利用される。しかしながら、例えば、光増幅素子からの戻り光などを遮断するためのアイソレータが光接続部材に設けられた光増幅モジュールでは、光増幅素子の発光により発生した光を利用して光増幅素子と光接続部材との光学調芯を行うことは困難である。

本発明は、光増幅素子と、アイソレータを有する光接続部材との光学調芯が簡便に行える光増幅モジュールを製造する方法を提供することを目的とする。

本発明に係る光増幅モジュールを製造する方法は、光増幅素子を収容するモジュール本体と、光増幅素子の一の端面に光学的に結合される第１光接続部材と、光増幅素子の他の端面に光学的に結合され、光増幅素子に向かう光を通過させ光増幅素子からの光を遮断する第１アイソレータを有する第２光接続部材と、を備える光増幅モジュールを製造する方法であって、光増幅素子を駆動して自然放出光からなる第１光を発生させ、第１光を第１光接続部材を介して観測して、光増幅素子と第１光接続部材との光学調芯を行う工程と、第２光を第２光接続部材の光増幅素子側とは反対側の端部から入力し、光増幅素子によって増幅された第２光を前記第１光接続部材を介して観測して、光増幅素子と第２光接続部材との光学調芯を行う工程とを含む。

本発明によれば、光増幅素子と、アイソレータを有する光接続部材との光学調芯が簡便に行える光増幅モジュールを製造する方法を提供することができる。

本発明の第１実施形態に係る製造方法によって製造される光増幅モジュールの断面図である。 本発明の第１実施形態に係る光増幅モジュールを製造する方法を示す流れ図である。 図２に示す光増幅モジュールを製造するための各工程を示す図である。 図２に示す光増幅モジュールを製造するための各工程を示す図である。 図２に示す光増幅モジュールを製造するための各工程を示す図である。 本発明の第２実施形態に係る製造方法によって製造される光増幅モジュールの断面図である。 本発明の第２実施形態に係る光増幅モジュールを製造する方法を示す流れ図である。 図７に示す光増幅モジュールを製造するための各工程を示す図である。 図７に示す光増幅モジュールを製造するための各工程を示す図である。 図７に示す光増幅モジュールを製造するための各工程を示す図である。 図７に示す光増幅モジュールを製造するための各工程を示す図である。 本発明の第３実施形態に係る製造方法によって製造される光増幅モジュールの断面図である。

本発明の実施形態の内容を説明する。本発明の一形態に係る光増幅モジュールを製造する方法は、光増幅素子を収容するモジュール本体と、光増幅素子の一の端面に光学的に結合される第１光接続部材と、光増幅素子の他の端面に光学的に結合され、光増幅素子に向かう光を通過させ光増幅素子からの光を遮断する第１アイソレータを有する第２光接続部材と、を備える光増幅モジュールを製造する方法であって、光増幅素子を駆動して自然放出光からなる第１光を発生させ、第１光を第１光接続部材を介して観測して、光増幅素子と第１光接続部材との光学調芯を行う工程と、第２光を第２光接続部材の光増幅素子側とは反対側の端部から入力し、光増幅素子によって増幅された第２光を前記第１光接続部材を介して観測して、光増幅素子と第２光接続部材との光学調芯を行う工程とを含む。

この光増幅モジュールを製造する方法によれば、第２光接続部材が第１アイソレータを有する光増幅モジュールにおいて、光増幅素子の発光と増幅との使い分けによって、光増幅素子と、第１光接続部材及び第２光接続部材の両方との光学調芯が簡便に行われる。即ち、この光増幅モジュールを製造する方法によれば、光増幅素子と第１光接続部材との光学調芯において、光増幅素子を発光させ、第１光接続部材を通過する第１通過光量を利用する。また、光増幅素子と第２光接続部材との光学調芯では、光増幅モジュールの外部から第２光を入射し、光増幅素子による増幅後に第１光接続部材を通過する第２通過光量を利用する。これにより、光増幅素子と、アイソレータを有する光接続部材との光学調芯を簡便に行うことができる。

上記の光増幅モジュールを製造する方法では、第１光接続部材は、光増幅素子の一の端面に光学的に結合され、光増幅素子からの光を通過させ光増幅素子に向かう光を遮断する第２アイソレータを有することが好ましい。この光増幅モジュールを製造する方法によれば、第１光接続部材が第２アイソレータを有するので、例えば光増幅素子からの戻り光が第１光接続部材を通過することを抑制できる。これにより、例えば半導体レーザ素子が第１光接続部材に光学的に結合された光増幅モジュールにおいては、半導体レーザ素子が被る光損傷を低減することができる。そして、上記の光増幅モジュールによれば、このような場合であっても光増幅素子と光接続部材との光学調芯を簡便に行うことができる。

いくつかの実施形態に係る光増幅モジュールを製造する方法を、以下に図面を参照しつつ説明する。以下の説明では、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付する。

（第１の実施の形態）
図１は、第１実施形態に係る製造方法によって製造される光増幅モジュールの断面図である。光増幅モジュール１は、モジュール本体１０、第１光接続部材２２、及び第２光接続部材３２を備える。モジュール本体１０は、光増幅素子４１を収容する。第２光接続部材３２は、光増幅素子４１に光学的に結合され、光増幅素子４１は、第１光接続部材２２に光学的に結合される。図１の軸Ａｘ１は、光増幅素子４１と第１光接続部材２２とを結ぶ光軸であり、軸Ａｘ２は、第２光接続部材３２と光増幅素子４１とを結ぶ光軸である。

モジュール本体１０は、第１接合面１１Ａを有し、第１接合面１１Ａは、第１開口部１２を有する。第１開口部１２には第１レンズ２３が設置される。光増幅素子４１は、第１レンズ２３を介して第１光接続部材２２に光学的に結合される。第１光接続部材２２は、第２接合面２２Ａを有する。モジュール本体１０の第１接合面１１Ａは、第１光接続部材２２の第２接合面２２Ａと接合する。モジュール本体１０は、例えばＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金からなる。第１光接続部材２２は、例えば第１光ファイバ２４を含むことができ、また、第１光接続部材２２は、例えばステンレスからなる。

モジュール本体１０は、第３接合面１１Ｂを更に有し、第３接合面１１Ｂは、第２開口部１３を有する。第２開口部１３には第２レンズ３３が設置される。第２光接続部材３２は、第２レンズ３３を介して光増幅素子４１に光学的に結合される。第２光接続部材３２は、第４接合面３２Ａを有する。モジュール本体１０の第３接合面１１Ｂは、第２光接続部材３２の第４接合面３２Ａと接合する。第２光接続部材３２は、例えば光レセプタクルであることができ、また、第２光接続部材３２は、例えばステンレスからなる。

モジュール本体１０内は、光増幅素子４１に加えて、サブキャリア４２、第１コリメートレンズ４３、第２コリメートレンズ４４、サーミスタ４５、キャリア４６、及び温度制御部４７を更に有する。光増幅素子４１は、例えば半導体光増幅器（ＳＯＡ：Semiconductor Optical Amplifier）であることができる。ＳＯＡは、例えばＩｎＰ系半導体からなる。具体的には、ｎ型ＩｎＰ基板上に、ｎ型ＩｎＰクラッド層、活性層（ＩｎＧａＡｓＰウエル／ＩｎＧａＡｓＰバリアからなる多重量子井戸構造）、及びｐ型ＩｎＰクラッド層が順に積層された構造を有する。光増幅素子４１は、第１端面（一の端面）４１Ａと、第１端面４１Ａに対向する第２端面（他の端面）４１Ｂとを有する。光増幅素子４１は、第１コリメートレンズ４３と第２コリメートレンズ４４とによって挟まれ、光増幅素子４１の第１端面４１Ａは第１コリメートレンズ４３に光学的に結合される。第２端面４１Ｂは、第２コリメートレンズ４４と光学的に結合される。光増幅素子４１の第１端面４１Ａ及び第２端面４１Ｂからの戻り光を低減させるために、第１端面４１Ａ及び第２端面４１Ｂは、軸Ａｘ１及び軸Ａｘ２に垂直な面に対して傾斜して対向している。

モジュール本体１０内の温度制御部４７上には、キャリア４６には、半導体光増幅素子４１を搭載したサブキャリア４２、第１コリメートレンズ４３、第２コリメートレンズ４４、サーミスタ４５が搭載されている。温度制御部４７は、例えばペルチェ素子であることができる。サーミスタ４５は、光増幅素子４１の素子温度を検知するために、光増幅素子４１の近傍に設置される。

モジュール本体１０は、第１側面１１Ｅを更に備える。第１側面１１Ｅは、第３開口部１４を有し、第３開口部１４にフィードスルー５１が設けられる。フィードスルー５１には、例えば６つの金属配線５２ａ〜５２ｆが設けられ、金属配線５２ａ〜５２ｆは、それぞれ、温度制御部４７、半導体光増幅素子４１、サーミスタ４５とワイヤを介して接続される。フィードスルー５１には、金属配線５２ａ〜５２ｆにそれぞれ接続される外部端子５３ａ〜５３ｆが更に設けられる。外部端子５３ａ〜５３ｆは、例えば、光増幅素子４１用の駆動端子、温度制御部４７用の駆動端子、及びサーミスタ４５用の駆動端子として利用される。半導体光増幅素子４１およびサーミスタ４５は、金属配線５２ａ〜５２ｆ及び外部端子５３ａ〜５３ｆのいずれかを介して、光増幅モジュール１の外部との間で電気信号の送受信を行う。フィードスルー５１は、例えばセラミックからなり、金属配線５２ａ〜５２ｆ及び外部端子５３ａ〜５３ｆは、例えばＡｕからなる。

第１実施形態では、第２光接続部材３２が光レセプタクルであるときは、第２光接続部材３２は、図１に示されるように、スタブ３４及び第１アイソレータ３５を有し、スタブ３４は、第１アイソレータ３５に光学的に結合され、第１アイソレータ３５は、第２レンズ３３に光学的に結合される。スタブ３４は、光レセプタクルのための光結合部品であり、例えばセラミックからなる。第１アイソレータ３５は、光増幅素子４１の第２端面４１Ｂに向かう光を通過させる一方で、光増幅素子４１の第２端面４１Ｂからの光を遮断するための光素子である。

図２は、第１実施形態に係る光増幅モジュールを製造する方法を示す流れ図である。第１実施形態の製造方法は、工程Ｓ１１〜工程Ｓ１３を有している。図３〜図５は、それぞれ、図２に示す光増幅モジュールを製造するための各工程Ｓ１１〜Ｓ１３を示す図である。

図３に示されるように、第１実施形態の製造方法では、初めに、モジュール本体１０内には、半導体光増幅素子４１を搭載したサブキャリア４２、第１コリメートレンズ４３、第２コリメートレンズ４４、サーミスタ４５が搭載されたキャリア４６を上部に備える温度制御部４７が収容される（工程Ｓ１１）。また、工程Ｓ１１の前工程として、第１レンズ２３がモジュール本体１０の第１開口部１２に設けられ、第２レンズ３３が第２開口部１３に設けられる。更に、フィードスルー５１がモジュール本体１０の第３開口部１４に設けられる。

図４に示されるように、第１実施形態の製造方法では、次に、モジュール本体１０と第１光接続部材２２とが接合される（工程Ｓ１２）。工程Ｓ１２では、光増幅素子４１が発光させられ、この発光により、自然放出光が発生する。自然放出光である第１光Ｌ１が、光増幅素子４１の第１端面４１Ａから出射され、出射された第１光Ｌ１が第１コリメートレンズ４３によってコリメートされる。第１光Ｌ１が第１光接続部材２２を通過するように、第１光接続部材２２がモジュール本体１０に当接された後、第１光Ｌ１が、第１レンズ２３によって集光されて第１光接続部材２２に入射する。第１光接続部材２２を通過した第１光Ｌ１は、光増幅モジュール１の外部に設けられた光検出器（不図示）によって検出される。第１光接続部材２２を通過した第１光Ｌ１の第１通過光量に基づいて、光増幅素子４１と第１光接続部材２２との光学調芯が行われる。この光学調芯の後に、モジュール本体１０と第１光接続部材２２とが、例えばレーザ溶接されて、モジュール本体１０の第１接合面１１Ａと第１光接続部材２２の第２接合面２２Ａとが接合される。このとき、レーザ光は、モジュール本体１０の第１接合面１１Ａと第１光接続部材２２の第２接合面２２Ａの接合部の外側端部に照射され、レーザ溶接される。レーザ溶接用の光源としては、例えばＹＡＧレーザが用いられることができる。

図５に示されるように、第１実施形態の製造方法では、続いて、モジュール本体１０と第２光接続部材３２とが接合される（工程Ｓ１３）。第１実施形態の第２光接続部材３２には、第１アイソレータ３５が設けられるので、光増幅素子４１の第２端面４１Ｂからの自然放出光は第２光接続部材３２を通過し難い。このため、工程Ｓ１３では、第２光Ｌ２が、第２光接続部材３２の光増幅素子側とは反対側の端部３２Ｂから、モジュール本体１０に当接された第２光接続部材３２を介して光増幅素子４１の第２端面４１Ｂに入射される。第２光Ｌ２は、光増幅素子４１によって増幅されて、第１端面４１Ａから出射される。出射された第２光Ｌ２は第１コリメートレンズ４３によってコリメートされる。第２光Ｌ２は、コリメート後に第１レンズ２３によって集光されて第１光接続部材２２に入射される。工程Ｓ１２と同様に、光検出器（不図示）が設置され、この光検出器が、第１レンズ２３によって集光された第２光Ｌ２が第１光接続部材２２を通過する第２通過光量を検出する。第２通過光量に基づいて、光増幅素子４１と第２光接続部材３２との光学調芯が行われる。この光学調心の後にモジュール本体１０と第２光接続部材３２とが、例えばレーザ溶接されて、モジュール本体１０の第３接合面１１Ｂと第２光接続部材３２の第４接合面３２Ａとが接合される。このとき、レーザ光は、モジュール本体１０の第３接合面１１Ｂと第２光接続部材３２の第４接合面３２Ａの接合部の外側端部に照射され、レーザ溶接される。

以上に説明した光増幅モジュール１を製造する方法によって得られる効果について説明する。この光増幅モジュール１を製造する方法によれば、第２光接続部材３２が第１アイソレータ３５を有する光増幅モジュール１において、光増幅素子４１の発光と増幅との使い分けによって、光増幅素子４１と、第１光接続部材２２及び第２光接続部材３２の両方との光学調芯が簡便に行われる。即ち、この光増幅モジュール１を製造する方法によれば、光増幅素子４１と第１光接続部材２２との光学調芯において、光増幅素子４１を発光させ、自然放出光である第１光Ｌ１が第１光接続部材２２を通過する第１通過光量を利用する。また、光増幅素子４１と第２光接続部材３２との光学調芯では、光増幅モジュール１の外部から第２光Ｌ２を入射し、光増幅素子４１による増幅後に第１光接続部材２２を通過する第２通過光量を利用する。これにより、光増幅素子と、アイソレータを有する光接続部材との光学調芯を簡便に行うことができる。

また、第２光接続部材３２に第１アイソレータ３５が設けられることによって、光増幅素子４１などからの第２光接続部材３２への戻り光が低減する。例えば半導体レーザ素子が第２光接続部材３２に光学的に結合された光増幅モジュールにおいて、半導体レーザ素子が戻り光によって被る光損傷が低減する。

（第２の実施の形態）
図６は、第２実施形態に係る製造方法によって製造される光増幅モジュールの断面図である。第２実施形態の光増幅モジュール１Ｐの構成は、モジュール本体１０Ｐの第１接合面１１Ｃ及び第３接合面１１Ｄと、新たに設けられる第１中間部材２１及び第２中間部材３１とを除いて、第１実施形態の光増幅モジュール１の構成と同様である。

第２実施形態の光増幅モジュール１Ｐでは、モジュール本体１０Ｐの第１接合面１１Ｃを含む側壁及び第３接合面１１Ｄを含む側壁の厚みが、共に、第１実施形態の第１側面１１Ｅを含む側壁の厚みと比べて薄くなっている。また、これに合わせて、第１接合面１１Ｃ及び第３接合面１１Ｄは、それぞれ第１開口部１２Ｐ及び第２開口部１３Ｐを有する一方で、第１開口部１２Ｐ及び第２開口部１３Ｐに、それぞれ第１レンズ２３及び第２レンズ３３を有さない。新たに設けられる第１中間部材２１及び第２中間部材３１が、それぞれ第４開口部２１ｃ及び第５開口部３１ｃを備え、第４開口部２１ｃ及び第５開口部３１ｃが、それぞれ第１レンズ２３Ｐ及び第２レンズ３３Ｐを内包する。

第１中間部材２１は、第５接合面２１Ａ、及び第５接合面２１Ａに対向する第６接合面２１Ｂを有する。光増幅素子４１は、第１中間部材２１の第１レンズ２３Ｐに光学的に結合され、第１中間部材２１の第１レンズ２３Ｐは、第１光接続部材２２に光学的に結合される。第２中間部材３１は、第７接合面３１Ａ、及び第７接合面３１Ａに対向する第８接合面３１Ｂを有する。第２光接続部材３２は、第２中間部材３１の第２レンズ３３Ｐに光学的に結合され、第２中間部材３１の第２レンズ３３Ｐは、光増幅素子４１に光学的に結合される。

モジュール本体１０Ｐの第１接合面１１Ｃは、第１中間部材２１の第５接合面２１Ａと接合し、第１中間部材２１の第６接合面２１Ｂは、第１光接続部材２２の第２接合面２２Ａと接合している。モジュール本体１０Ｐの第３接合面１１Ｄは、第２中間部材３１の第７接合面３１Ａと接合し、第２中間部材３１の第８接合面３１Ｂは、第２光接続部材３２の第４接合面３２Ａと接合している。第１中間部材２１及び第２中間部材３１は、共に、例えばステンレスからなる。

図７は、第２実施形態に係る光増幅モジュールを製造する方法を示す流れ図である。第２実施形態の製造方法は、工程Ｓ２１〜工程Ｓ２４を有している。図８〜図１１は、それぞれ、図７に示す光増幅モジュールを製造するための各工程Ｓ２１〜Ｓ２4を示す図である。

図８に示されるように、第２実施形態の製造方法では、初めに、モジュール本体１０Ｐと、第１中間部材２１及び第２中間部材３１とが接合される（工程Ｓ２１）。即ち、第２実施形態の製造方法では、モジュール本体１０Ｐの第１接合面１１Ｃと第１中間部材２１の第５接合面２１Ａとが接合され、また、モジュール本体１０Ｐの第３接合面１１Ｄと第２中間部材３１の第７接合面３１Ａとが接合される。この接合は、第１実施形態の製造方法と同様に、例えば、半田付けによることができる。半田付けによる場合には、第１中間部材２１の第５接合面２１Ａ及び第２中間部材３１の第７接合面３１Ａが、例えば電磁誘導加熱法によって加熱される。加熱によって、例えば第５接合面２１Ａ及び第７接合面３１Ａの上に載せられた半田が溶融され、この溶融された半田によって、第１中間部材２１の第５接合面２１Ａが、モジュール本体１０の第１接合面１１Ａに接合され、第２中間部材３１の第７接合面３１Ａが、モジュール本体１０の第３接合面１１Ｂに接合される。工程Ｓ２１の前工程として、モジュール本体１０の第１側面１１Ｅは、第３開口部１４にフィードスルー５１を設ける。

図９に示されるように、第２実施形態の製造方法では、次に、モジュール本体１０Ｐ内には、半導体光増幅素子４１を搭載したサブキャリア４２、第１コリメートレンズ４３、第２コリメートレンズ４４、サーミスタ４５が搭載されたキャリア４６を上部に備える温度制御部４７が収容される（工程Ｓ２２）。

図１０に示されるように、第２実施形態の製造方法では、続いて、第１中間部材２１と第１光接続部材２２とが接合される（工程Ｓ２３）。工程Ｓ２３では、第１実施形態の製造方法と同様に、第１光Ｌ１が光増幅素子４１の発光によって発生し、第１端面４１Ａを出射した第１光Ｌ１が第１光接続部材２２を通過する第１通過光量に基づいて、光増幅素子４１と第１光接続部材２２との光学調芯が行われる。この光学調芯の後に、第１中間部材２１と第１光接続部材２２とが、例えばレーザ溶接されて、第１中間部材２１の第６接合面２１Ｂと第１光接続部材２２の第２接合面２２Ａとが接合される。このとき、レーザ光は、第１中間部材２１の第６接合面２１Ｂと第１光接続部材２２の第２接合面２２Ａの接合部の外側端部に照射され、レーザ溶接される。

図１１に示されるように、第２実施形態の製造方法では、続いて、第１実施形態の製造方法と同様に、第２中間部材３１と第２光接続部材３２とが接合される（工程Ｓ２４）。第２実施形態の第２光接続部材３２には、第１アイソレータ３５が設けられるので、光増幅素子４１の第２端面４１Ｂからの自然放出光は第２光接続部材３２を通過し難い。このため、工程Ｓ２４では、第２光Ｌ２が光増幅モジュール１Ｐの外部から第２光接続部材３２を介して光増幅素子４１に照射され、光増幅素子４１によって増幅された第２光Ｌ２が第１光接続部材２２を通過する第２通過光量に基づいて、光増幅素子４１と第２光接続部材３２との光学調芯が行われる。この光学調心の後に、第２中間部材３１と第２光接続部材３２とが、例えばレーザ溶接されて、第２中間部材３１の第８接合面３１Ｂと、第２光接続部材３２の第４接合面３２Ａとが接合される。このとき、レーザ光は、第２中間部材３１の第８接合面３１Ｂと、第２光接続部材３２の第４接合面３２Ａの接合部の外側端部に照射され、レーザ溶接される。

以上に説明した光増幅モジュール１Ｐを製造する方法によって得られる効果について説明する。本実施形態の光増幅モジュール１Ｐを製造する方法では、モジュール本体１０Ｐの第１接合面１１Ｃと第１中間部材２１の第５接合面２１Ａとが接合され、また、モジュール本体１０Ｐの第３接合面１１Ｄと第２中間部材３１の第７接合面３１Ａとが、半田付けによって接合がされる。このため、モジュール本体の第１接合面１１Ｃ及び第３接合面１１Ｄの厚みが薄い場合でも、第１接合面１１Ｃ及び第３接合面１１Ｄに貫通等を生じさせないような接合が簡便に行われる。また、第１中間部材２１の第６接合面２１Ｂと第１光接続部材２２の第２接合面２２Ａとが、レーザ溶接によって簡便に接合され、また、第２中間部材３１の第８接合面３１Ｂと、第２光接続部材３２の第４接合面３２Ａとが、レーザ溶接によって簡便に接合される。この光増幅モジュール１Ｐを製造する方法によれば、モジュール本体の接合面の厚みが薄い光増幅モジュールの製造工程が更に簡便になる。

また、本実施形態の光増幅モジュール１Ｐを製造する方法と同様に、第２光接続部材３２に第１アイソレータ３５が設けられることによって、第２光接続部材３２に設けられる半導体レーザ素子などが戻り光によって被る光損傷が低減する。さらに、第２光接続部材３２が第１アイソレータ３５を有する光増幅モジュールにおいて、光増幅素子４１の発光と増幅との使い分けによって、光増幅素子４１と、第１光接続部材２２及び第２光接続部材３２の両方との光学調芯が簡便に行われる。

（第３の実施の形態）
図１２は、第３実施形態に係る製造方法によって製造される光増幅モジュールの断面図である。第３実施形態の光増幅モジュール１Ｑの構成は、第１光接続部材２２Ｑに含まれる第１光ファイバ２４Ｑが第２アイソレータ２５を有することを除いて、第２実施形態の光増幅モジュール１Ｐの構成と同様である。

第２アイソレータ２５は、光増幅素子４１の第１端面４１Ａからの光を通過させる一方で、光増幅素子４１の第１端面４１Ａに向かう光を遮断する光素子である。これ故に、光増幅素子４１と第１光接続部材２２Ｑとの光学調芯のときに、光増幅素子４１の発光によって生じる自然放出光が利用されることができる。即ち、光増幅素子４１の第１端面４１Ａから出射された第１光Ｌ１が、第１光接続部材２２Ｑを通過できるので、第１光Ｌ１が第１光接続部材２２Ｑを通過する第１通過光量が検出される。第１通過光量に基づいて、光増幅素子４１と第１光接続部材２２Ｑとの光学調芯が行われ、この光学調心の後に、第１中間部材２１と第１光接続部材２２Ｑとが、例えばレーザ溶接される。その結果、第１中間部材２１の第６接合面２１Ｂと、第１光接続部材２２Ｑの第２接合面２２Ａとが接合される。このとき、レーザ光は、第１中間部材２１の第６接合面２１Ｂと、第１光接続部材２２Ｑの第２接合面２２Ａの接合部の外側端部に照射され、レーザ溶接される。

本実施形態の光増幅モジュール１Ｑを製造する方法では、第１光接続部材２２が第２アイソレータ２５を有するので、例えば光増幅素子４１からの戻り光が第１光接続部材２２を通過することを抑制できる。これにより、例えば半導体レーザ素子が第１光接続部材２２に光学的に結合された光増幅モジュール１Ｑにおいては、半導体レーザ素子が被る光損傷を低減することができる。そして、上記の光増幅モジュール１Ｑによれば、このような場合であっても光増幅素子と光接続部材との光学調芯を簡便に行うことができる。

以上、好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置及び詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲及びその精神の範囲から来る全ての修正及び変更に権利を請求する。

１、１Ｐ、１Ｑ…光増幅モジュール、１０、１０Ｐ…モジュール本体、１１Ａ、１１Ｃ…第１接合面、１１Ｂ、１１Ｄ…第３接合面、２１…第１中間部材、２１Ａ…第５接合面、２１Ｂ…第６接合面、２２、２２Ｑ…第１光接続部材、２２Ａ…第２接合面、２３…第１レンズ、２５…第２アイソレータ、３１…第２中間部材、３１Ａ…第７接合面、３１Ｂ…第８接合面、３２…第２光接続部材、３２Ａ…第４接合面、３２Ｂ…端部、３５…第１アイソレータ、４１…光増幅素子、４１Ａ…第１端面（一の端面）、４１Ｂ…第２端面（他の端面）、Ｌ１…第１光、Ｌ２…第２光。

Claims (2)

1. 光増幅素子を収容するモジュール本体と、
   前記光増幅素子の一の端面に光学的に結合される第１光接続部材と、
   前記光増幅素子の他の端面に光学的に結合され、前記光増幅素子に向かう光を通過させ前記光増幅素子からの光を遮断する第１アイソレータを有する第２光接続部材と、を備える光増幅モジュールを製造する方法であって、
   前記光増幅素子を駆動して自然放出光からなる第１光を発生させ、前記第１光を前記第１光接続部材を介して観測して、前記光増幅素子と前記第１光接続部材との光学調芯を行う工程と、
   第２光を前記第２光接続部材の前記光増幅素子側とは反対側の端部から入力し、前記光増幅素子によって増幅された前記第２光を前記第１光接続部材を介して観測して、前記光増幅素子と前記第２光接続部材との光学調芯を行う工程とを含む、光増幅モジュールを製造する方法。
2. 前記第１光接続部材は、前記光増幅素子の前記一の端面に光学的に結合され、前記光増幅素子からの光を通過させ前記光増幅素子に向かう光を遮断する第２アイソレータを有する、請求項１に記載の光増幅モジュールを製造する方法。

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