JP2016003929A - 硫化カルボニル濃度測定装置、及び硫化カルボニル濃度測定方法 - Google Patents

Abstract

【課題】空気を含むガス中に含まれる硫化カルボニルの濃度を連続的に精度良く測定することの可能な硫化カルボニル濃度測定装置、及び硫化カルボニル濃度測定方法を提供する。【解決手段】試料ガスに含まれる硫化カルボニル以外の成分を吸着させ、硫化カルボニルを通過させる精製筒１３と、加水分解反応により、精製筒１３を通過した硫化カルボニルから硫化水素を生成する触媒筒２１と、触媒筒２１で生成された硫化水素の濃度を測定する硫化水素濃度測定器３４と、硫化水素濃度測定器３４により測定された硫化水素の濃度と、触媒筒２１において標準ガスについて予め取得した硫化カルボニルから硫化水素への変換効率に基き、試料ガスに含まれる硫化カルボニルの濃度を算出する演算部４２と、を有する。【選択図】図１

Description

本発明は、空気を含むガス中に含まれる硫化カルボニルの濃度を連側的に精度良く測定することの可能な硫化カルボニル濃度測定装置、及び硫化カルボニル濃度測定方法に関する。

近年、硫化カルボニルは、半導体材料分野のエッチングガスとしての用途・使用量が急増している。硫化カルボニルは、毒性の強いガスとして知られている。このため、作業環境下の硫化カルボニルの濃度を連続的にモニターすることが重要である。

米国では、２０１２年に、硫化カルボニルの新たなる硫化カルボニルの許容濃度（ＴＬＶ値）が５ｐｐｍと設定された。
従来、硫化カルボニルの濃度の測定には、ガスクロマトグラフィー法を用いたガスクロマトグラフや、電解式の検知方法を採用した検知装置等が用いられている。
特許文献１には、ガスクロマトグラフィー法を用いて、硫化カルボニルを分析することが開示されている。

特公平６−７１２７号公報

しかしながら、特許文献１に開示されたガスクロマトグラフィー法を用いて、空気を含むガス中に含まれる硫化カルボニルの濃度を検出する場合、該検出を行う前に、ガス中に含まれる硫化カルボニルと他の成分とを分離させる必要がある。このため、硫化カルボニルの濃度を連続的に取得することができないという問題があった。

一方、電解式法による検知方法を用いて、ガス中に含まれる硫化カルボニルの検出を行う場合、連続的な分析や検出を行うことは可能であるが、検出感度（例えば、２０〜３０ｐｐｍ）が低いため、精度の良い硫化カルボニルの濃度を取得することができない（言い換えれば、硫化カルボニルの許容濃度（ＴＬＶ値）である５ｐｐｍを測定することができない）という問題があった。

上記説明したように、空気を含むガス中に含まれる硫化カルボニルの濃度を、連続的に、かつ精度良く検出可能な方法及び装置が見当たらなかった。一方、硫化水素の濃度を精度良く検出可能な方法及び装置は、世の中に存在している。

本発明者らは、空気を含むガス中に含まれる硫化カルボニルを直接測定するのではなく、硫化カルボニルから硫化水素を生成させて、連続的に該硫化水素の濃度を検出し、連続的に取得する硫化水素の濃度の結果と、標準ガスに含まれる濃度が既知の硫化カルボニルが硫化水素に変換される割合であり、かつ予め取得した変換効率と、に基づいて、ガス中に含まれる硫化カルボニルの濃度を換算して測定するという考えに至った。

そこで、本発明は、空気を含むガス中に含まれる硫化カルボニルの濃度を連側的に精度良く測定することの可能な硫化カルボニル濃度測定装置、及び硫化カルボニル濃度測定方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、請求項１に係る発明によれば、試料ガスに含まれる硫化カルボニル以外の成分を吸着させ、該硫化カルボニルを通過させる精製筒と、加水分解反応により、前記精製筒を通過した前記硫化カルボニルから硫化水素を生成する触媒筒と、前記触媒筒で生成された前記硫化水素の濃度を測定する硫化水素濃度測定器と、前記硫化水素濃度測定器により測定された前記硫化水素の濃度と、前記触媒筒において、標準ガスに含まれる濃度が既知の硫化カルボニルが硫化水素に変換される割合であり、かつ予め取得した変換効率と、に基づいて、前記試料ガスに含まれる前記硫化カルボニルの濃度を算出する演算部と、を有することを特徴とする硫化カルボニル濃度測定装置が提供される。

また、請求項２に係る発明によれば、前記精製筒は、筒本体と、前記筒本体内に充填されたアルミノケイ酸塩ゼオライトと、を有することを特徴とする請求項１記載の硫化カルボニル濃度測定装置が提供される。

また、請求項３に係る発明によれば、前記精製筒を通過した前記硫化カルボニルに水分を添加し、前記水分を含む前記硫化カルボニルを前記触媒筒に供給する水分添加部を有することを特徴とする請求項１または２記載の硫化カルボニル濃度測定装置が提供される。

また、請求項４に係る発明によれば、前記硫化水素濃度測定器の上流側或いは下流側に配置され、前記硫化水素濃度測定器に供給する前記硫化水素の流量を調節する流量調節部を有することを特徴とする請求項１ないし３のうち、いずれか１項記載の硫化カルボニル濃度測定装置が提供される。

また、請求項５に係る発明によれば、試料ガスに含まれる硫化カルボニルを選択的に取得する硫化カルボニル取得工程と、触媒を用いた加水分解反応により、前記硫化カルボニルから硫化水素を生成する硫化水素生成工程と、前記硫化水素の濃度を測定する硫化水素濃度測定工程と、前記硫化水素濃度測定工程で測定された前記硫化水素の濃度と、標準ガスに含まれる濃度が既知の硫化カルボニルが硫化水素に変換される割合であり、かつ予め取得した変換効率と、に基づいて、演算により、前記試料ガスに含まれる前記硫化カルボニルの濃度を測定する硫化カルボニル濃度測定工程と、を有することを特徴とする硫化カルボニル濃度測定方法が提供される。

また、請求項６に係る発明によれば、前記硫化カルボニル取得工程では、アルミノケイ酸塩ゼオライトを用いることを特徴とする請求項５記載の硫化カルボニル濃度測定方法が提供される。

また、請求項７に係る発明によれば、前記硫化カルボニル取得工程と前記硫化水素生成工程との間に、前記硫化カルボニルに水分を添加する水分添加工程を有することを特徴とする請求項５または６記載の硫化カルボニル濃度測定方法が提供される。

また、請求項８に係る発明によれば、前記触媒筒の温度が６０度〜１２０度の範囲内の所定の温度となるように、該触媒筒を加熱することを特徴とする請求項５ないし７のうち、いずれか１項記載の硫化カルボニル濃度測定方法が提供される。

また、請求項９に係る発明によれば、前記硫化水素濃度測定器に供給する前記硫化水素の流量が所定の流量となるように調節することを特徴とする請求項５ないし８のうち、いずれか１項記載の硫化カルボニル濃度測定方法が提供される。

本発明の硫化カルボニル濃度測定装置、及び硫化カルボニル濃度測定方法によれば、空気を含むガス中に含まれる硫化カルボニルの濃度を連側的に精度良く測定することができる。

本発明の実施の形態に係る硫化カルボニル濃度測定装置の概略構成を模式的に示す図（系統図）である。 標準ガスＧ１〜Ｇ６に含まれる既知の硫化カルボニルの濃度と、標準ガスＧ１〜Ｇ６に含まれる硫化カルボニルを加水分解することで生成される硫化水素の濃度と、の関係を示すグラフである。 試験例２で使用した精製筒の効果を確認するための精製筒評価用装置である。 Ｈ_２Ｓの非精製時、及びＨ_２Ｓの精製時における標準ガスＨ１に含まれるＨ_２Ｓ（硫化水素）の電圧強度（Ｏｕｔｐｕｔ）を示す図である。 ＳＯ_２の非精製時、及びＳＯ_２の精製時における標準ガスＨ２に含まれるＳＯ_２Ｓ（二酸化硫黄）の電圧強度（Ｏｕｔｐｕｔ）を示す図である。 ＣＯＳの非精製時、及びＣＯＳの精製時における標準ガスＨ３に含まれるＣＯＳ（二酸化硫黄）の電圧強度（Ｏｕｔｐｕｔ）を示す図である。 ＣＨ_３ＳＨの非精製時、及びＣＨ_３ＳＨの精製時における標準ガスＨ４に含まれるＣＨ_３ＳＨ（メタンチオール）の電圧強度（Ｏｕｔｐｕｔ）を示す図である。 ＤＭＳの非精製時、及びＤＭＳの精製時における標準ガスＨ５に含まれるＤＭＳ（ジメチルサルファド）の電圧強度（Ｏｕｔｐｕｔ）を示す図である。 ＤＭＤＳの非精製時、及びＤＭＤＳの精製時における標準ガスＨ６に含まれるＤＭＤＳ（ジメチルジスルフィド）の電圧強度（Ｏｕｔｐｕｔ）を示す図である。

以下、図面を参照して本発明を適用した実施の形態について詳細に説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、本発明の実施形態の構成を説明するためのものであり、図示される各部の大きさや厚さや寸法等は、実際の硫化カルボニル濃度測定装置の寸法関係とは異なる場合がある。

（実施の形態）
図１は、本発明の実施の形態に係る硫化カルボニル濃度測定装置の概略構成を模式的に示す図（系統図）である。

図１を参照するに、本実施の形態の硫化カルボニル濃度測定装置１０は、空気（例えば、半導体製造装置の周囲の雰囲気）やガス（例えば、試料ガス）に含まれる硫化カルボニルの濃度を測定する装置であり、試料ガス供給ライン１１と、精製筒１３と、硫化カルボニル供給ライン１４と、バルブ１６，２６，２８と、水分添加部１７と、水分含有硫化カルボニル供給ライン１９と、触媒筒２１と、加熱部２３と、第１の硫化水素供給ライン２４と、バイパスライン２７と、流量調節部３１と、第２の硫化水素供給ライン３３と、硫化水素濃度測定器３４と、排気ライン３６と、制御装置３７と、を有する。
なお、本実施の形態では、一例として、試料ガス供給ライン１１の一端から硫化カルボニルを含む試料ガスを供給する場合を例に挙げて、以下の説明を行う。

試料ガス供給ライン１１は、一端から試料ガスが導入され、他端が精製筒１３の一端と接続されている。試料ガス供給ライン１１は、精製筒１３に硫化カルボニルを含む試料ガスを供給するためのラインである。

精製筒１３は、その他端が硫化カルボニル供給ライン１４の一端と接続されている。精製筒１３は、筒本体１３−１と、有効孔径が０．３ｎｍ以下とされたアルミノケイ酸塩ゼオライト１３−２と、を有する。
筒本体１３−１は、その内部に中空部（図示せず）を有する。アルミノケイ酸塩ゼオライト１３−２は、筒本体１３−１の中空部（図示せず）を充填するように配置されている。

このように、精製筒１３の構成要素として、アルミノケイ酸塩ゼオライト１３−２を用いることで、試料ガスに含まれる硫化カルボニル以外の成分を吸着させ、硫化カルボニルを通過させることができる。
なお、アルミノケイ酸塩ゼオライト１３−２を通過することで、試料ガスに含まれる水分（言い換えれば、触媒筒２１で触媒反応（加水分解により、硫化カルボニルを硫化水素にする反応）を行う際に必要な水分）が除去されてしまう。

アルミノケイ酸塩ゼオライト１３−２としては、例えば、３Ａ型アルミノケイ酸塩ゼオライトを用いることができる。また、具体的な３Ａ型アルミノケイ酸塩ゼオライトとしては、例えば、ジーエルサイエンス株式会社製の有効孔径が０．３ｎｍとされたＭｏｌｅｃｕｌａｒ Ｓｉｅｖｅ ３Ａ（品名）を用いることができる。
精製筒１３は、試料ガスに含まれる硫化カルボニル以外の成分を吸着させ、該硫化カルボニルを通過させる。

なお、本実施の形態では、精製筒１３を構成する吸着剤の一例として、アルミノケイ酸塩ゼオライト１３−２を用いた場合を例に挙げて説明したが、精製筒１３を構成する吸着剤は、試料ガスに含まれる硫化カルボニル以外の成分を吸着可能なものであればよく、アルミノケイ酸塩ゼオライト１３−２に限定されない。

硫化カルボニル供給ライン１４は、その他端が水分添加部１７の一端と接続されている。硫化カルボニル供給ライン１４は、精製筒１３を通過した硫化カルボニルを水分添加部１７に供給するためのラインである。
バルブ１６は、硫化カルボニル供給ライン１４に設けられている。バルブ１６が開かれると、水分添加部１７に硫化カルボニルが供給され、バルブ１６が閉じられた状態で、かつバルブ２８が開かれると、バイパスライン２７及び第１の硫化水素供給ライン２４を介して、流量調節部３１に硫化カルボニルが供給される。

水分添加部１７は、その他端が水分含有硫化カルボニル供給ライン１９の一端と接続されている。水分添加部１７は、硫化カルボニル供給ライン１４を介して供給される硫化カルボニルに水分を添加する。
このように、触媒筒２１の前段に配置された水分添加部１７を有することにより、アルミノケイ酸塩ゼオライト１３−２により水分が奪われた硫化カルボニルに水分（触媒筒２１での触媒反応に必要な水分）を添加することが可能となる。これにより、触媒筒２１において、硫化カルボニルを硫化水素に加水分解させることができる。

水分添加部１７としては、例えば、水分透過性チューブ（具体的には、例えば、テフロン（登録商標）チューブ）、バブリング機構、標準ガス（或いは、パーミエーター）で発生させた湿式ガスを硫化カルボニルに一定量混合させる水分付与システム等を例示することができる。
硫化カルボニル濃度測定装置１０の重量を軽量化する場合、水分添加部１７として、例えば、水分透過性チューブ（具体的には、例えば、テフロン（登録商標）チューブ）、またはバブリング機構を用いることが好ましい。
また、硫化カルボニル濃度測定装置１０の重量をあまり考慮しない場合、水分添加部１７として、例えば、上記水分付与システムを用いることが好ましい。該水分付与システムを用いることで、硫化カルボニルに添加する水分濃度を精度良く制御することができる。

水分添加部１７は、例えば、水分含有硫化カルボニル供給ライン１９に導出される水分を含む硫化カルボニルの水分濃度が、１〜１００ｐｐｍの範囲内の所定の濃度となる量に水分を添加するとよい。

なお、精製筒１３において、アルミノケイ酸塩ゼオライト１３−２に替えて、試料ガスに含まれる水分を奪うことなく、該試料ガスに含まれる硫化カルボニル以外の成分を除去することが可能な吸着剤（或いは、除去剤）を用いる場合、水分添加部１７は、触媒筒２１の前段に設ける必要がない。

水分含有硫化カルボニル供給ライン１９は、その他端が触媒筒２１の一端と接続されている。水分含有硫化カルボニル供給ライン１９は、水分添加部１７のより、水分が添加された硫化カルボニルを触媒筒２１に供給するためのラインである。

触媒筒２１は、その他端が第１の硫化水素供給ライン２４の一端と接続されている。触媒筒２１は、筒状部材２１−１と、触媒２１−２と、を有する。
筒状部材２１−１は、その内部に中空部（図示せず）を有する。筒状部材２１−１の材料としては、例えば、ステンレス鋼を用いることができる。

触媒２１−２は、筒状部材２１−１の中空部（図示せず）に充填されている。触媒２１−２は、精製筒１３を通過した硫化カルボニルを硫化水素に加水分解させるためのものである。
触媒２１−２としては、例えば、アルミナ顆粒を用いることができる。触媒２１−２としてアルミナ顆粒を用いる場合、その形状は、例えば、円柱形状とすることができる。この場合、例えば、直径を１ｍｍ、長さを３ｍｍとすることができる。

加熱部２３は、熱線２３−１（発熱体）と、電源２３−２と、を有する。熱線部２３−１は、触媒筒２１の外周に巻回されている。加熱部２３は、その一端が電源２３−２の一方の端子（例えば、プラス端子）と接続されており、他端が電源２３−２の他方の端子（例えば、マイナス端子）と接続されている。

上記構成とされた加熱部２３は、触媒筒２１に水分を含む硫化カルボニルが供給された状態において、触媒筒２１（具体的には、触媒２１−２）の温度が所定の温度となるように、触媒筒２１を加熱する。
触媒２１−２としてアルミナ顆粒を用いる場合、加熱部２３は、触媒筒２１（具体的には、触媒２１−２）の温度が６０〜１２０度の範囲内となるように加熱を行う。
このように、触媒筒２１（具体的には、触媒２１−２）の温度が６０〜１２０度の範囲内（好ましくは、８５度）となるように加熱する加熱部２３を有することで、硫化水素を生成する際の加水分解反応を促進させることができる。

第１の硫化水素供給ライン２４は、その他端が流量調節部３１と接続されている。第１の硫化水素供給ライン２４は、触媒筒２１で生成された硫化水素を流量調節部３１に供給するためのラインである。
バルブ２６は、第１の硫化水素供給ライン２４のうち、バイパスライン２７の接続位置と触媒筒２１との間に位置する部分に配置されている。バルブ２６が開かれると、触媒筒２１で生成された硫化水素が流量調節部３１に供給され、バルブ２６が閉じられると、流量調節部３１への硫化水素の供給が停止される。

バイパスライン２７は、精製筒１３とバルブ１６との間に位置する硫化カルボニル供給ライン１４から分岐したラインであり、バルブ２６と流量調節部３１との間に位置する第１の硫化水素供給ライン２４と接続されている。
バイパスライン２７は、バルブ１６，２６、水分添加部１７、及び触媒筒２１をバイパスするためのラインである。

バルブ２８は、バイパスライン２７に設けられている。バルブ２８が開かれ、かつバルブ１６，２６が閉じられると、試料ガス供給ライン１１に導入されたガスは、硫化カルボニル供給ライン１４の一部、バイパスライン２７、及び第１の硫化水素供給ライン２４の一部を介して、流量調節部３１に供給される。
後述する変換効率Ａを算出する際に必要なデータを取得する際、及び試料ガスに含まれる硫化カルボニルの濃度を測定する処理を行う際には、バルブ２８が閉じられる。

流量調節部３１は、第１の硫化水素供給ライン２４の他端と接続されると共に、第２の硫化水素供給ライン３３の一端と接続されている。流量調節部３１は、硫化水素濃度測定器３４に供給する硫化水素が所定の流量となるように調節を行う。
具体的には、第１の硫化水素供給ライン２４から導出された硫化水素の温度が８５度で、かつ試料ガスを構成するベースガスが窒素の場合、硫化水素濃度測定器３４に供給する硫化水素の流量は、例えば、４００ｃｃ／ｍｉｎとすることができる。
このように、硫化水素濃度測定器３４に供給する硫化水素の流量を調整する流量調節部３１を有することで、上記ベースガスのガス種に応じた最適な流量に設定することが可能となるので、ベースガスのガス種が変更になった場合において、後述する変換効率Ａが最も高効率になうように、硫化水素の流量を調整することができる。
なお、流量調節部３１は、硫化水素濃度測定器３４の上流側或いは下流側のどちらか一方に配置することができる。

第２の硫化水素供給ライン３３は、その一端が流量調節部３１と接続されており、他端が硫化水素濃度測定器３４と接続されている。第２の硫化水素供給ライン３３は、流量調節部３１により、所定の流量に調節された硫化水素を硫化水素濃度測定器３４に供給するためのラインである。

硫化水素濃度測定器３４は、第２の硫化水素供給ライン３３を介して、連続的に供給される硫化水素の濃度を連続的に測定し、測定した硫化水素に関するデータをリアルタイムで制御装置３７に送信する。
硫化水素濃度測定器３４としては、例えば、市販の硫化水素濃度計を用いることができる。

排気ライン３６は、その一端が硫化水素濃度測定器３４と接続されている。排気ライン３６は、硫化水素濃度測定器３４から導出された硫化水素を排気するためのラインである。

制御装置３７は、硫化カルボニル濃度測定装置１０の制御全般を行う装置であり、電源２３−２、流量調節部３１、及び硫化水素濃度測定器３４等と電気的に接続されている。制御装置３７は、記憶部４１と、演算部４２と、表示部４３と、スピーカー４４と、を有する。

記憶部４１には、硫化カルボニル濃度測定装置１０を駆動させるためのプログラムと、加熱部２３が加熱する触媒筒２１の温度（例えば、６０〜１２０度の範囲の所定の温度（例えば、８５度））に関するデータと、流量調節部３１が調節する硫化水素の所定の流量に関するデータと、触媒筒２１から所定の温度で導出した標準ガスに含まれた硫化水素を触媒筒２１に供給し、かつ流量調節部３１により所定の流量の硫化水素を硫化水素濃度測定器３４に供給させた際（硫化水素を生成する際の加水分解時）の変換効率（以下、「変換効率Ａ」という）に関するデータ（硫化カルボニルが既知の標準ガスを用いて予め試験を繰り返し行うことで取得したデータ）と、演算部４２により算出した試料ガスに含まれる硫化カルボニル濃度（後述する硫化カルボニル濃度Ｅ）の閾値と、該硫化カルボニル濃度Ｅが該閾値を超えた際に流れる危険な状態であることを作業者に認識させるための音声メッセージと、が格納されている。

ここでの「変換効率Ａ」とは、標準ガス（硫化カルボニルの濃度が既知であるガス）に含まれる硫化カルボニルの濃度（以下、「硫化カルボニル濃度Ｂ」という）と、硫化水素濃度測定器３４が測定する硫化水素の濃度（以下、「硫化水素濃度Ｃ」という）と、から求められる割合（％）のことをいう。
変換効率Ａは、下記（１）式により、算出することができる。
変換効率Ａ（％）＝１００×（硫化水素濃度Ｃ／硫化カルボニル濃度Ｂ）・・・（１）
具体的には、例えば、硫化カルボニル濃度Ｂが１０ｐｐｍで、硫化水素濃度Ｃが６ｐｐｍの場合、下記（１）式より、変換効率Ａは、６０％となる。

なお、変換効率Ａは、硫化カルボニル濃度Ｂの数値が異なる数種の標準ガスを用いて求めることが好ましい。
この場合、例えば、後述する図２に示すように、横軸を既知の硫化カルボニル濃度Ｂ（ｐｐｍ）、縦軸を硫化水素濃度測定器３４が測定した硫化水素濃度Ｃ（ｐｐｍ）とし、複数の標準ガスに含まれる硫化水素濃度Ｃ（ｐｐｍ）をプロットする。
その後、図２に示すプロットした複数の点に基づき、線形近似曲線Ｌを引き、線形近似曲線Ｌの傾きを求め、該傾きの値に１００を乗じることで、変換効率Ａ（％）を求めることができる。

演算部４２は、記憶部４１に格納された触媒筒２１の温度に関するデータ、及び流量調節部３１が調節する硫化水素の所定の流量に関するデータに基づいて、硫化水素濃度測定器３４に硫化水素を供給した際に硫化水素濃度測定器３４が測定する硫化水素（試料ガスに含まれていた濃度が未知の硫化カルボニルを加水分解させることで得られる硫化水素の濃度（以下、「硫化水素濃度Ｄ」という））と、記憶部４１に格納された変換効率Ａと、に基づいて、試料ガスに含まれる測定された硫化カルボニルの濃度（以下、「硫化カルボニル濃度Ｅ」という）を算出する。

演算部４２は、下記（２）式により、試料ガスに含まれる測定された硫化カルボニル濃度Ｅ（実測した硫化水素濃度Ｄ、及び変換効率Ａに基づいて、測定される硫化カルボニル濃度）を算出する。
測定された硫化カルボニル濃度Ｅ＝（１００／変換効率Ａ）×硫化水素濃度Ｄ ・・・（２）
具体的には、例えば、変換効率Ａが６０％で、硫化水素濃度Ｄが６（ｐｐｍ）の場合、上記（２）式より、測定された硫化カルボニル濃度Ｅは、１０（ｐｐｍ）となる。

表示部４３は、画像を表示させる部分である。表示部４３には、演算部４２により算出された硫化カルボニル濃度Ｅをリアルタイムで連続して表示させる。
スピーカー４４は、例えば、硫化カルボニル濃度測定装置１０が空気中（例えば、半導体製造装置の周囲に位置する空気中）に含まれる硫化カルボニルの濃度を測定する場合において、測定された硫化カルボニル濃度Ｅが記憶部４１に格納された閾値を超えた際、危険な状態であることを作業者に認識させるための音声メッセージを流す。
上記構成とされた制御装置３７としては、例えば、パーソナルコンピュータを用いることができる。

本実施の形態の硫化カルボニル濃度測定装置によれば、試料ガス（或いは、空気中）に含まれる硫化カルボニル以外の成分を吸着させ、該硫化カルボニルを通過させる精製筒１３と、精製筒１３を通過した硫化カルボニルから硫化水素を生成させる触媒筒２１と、触媒筒２１で生成された硫化水素の濃度を測定する硫化水素濃度測定器３４と、硫化水素濃度測定器３４により測定された硫化水素の濃度と、触媒筒２１において、標準ガスに含まれる濃度が既知の硫化カルボニルが硫化水素に変換される割合であり、かつ予め取得した変換効率Ａと、に基づいて、試料ガスに含まれる硫化カルボニルの濃度を算出する演算部４２と、を有することで、精度良く、連続して測定することの困難な硫化カルボニルの濃度を直接測定するのではなく、硫化カルボニルから生成され、かつ精度良く、容易に連続して測定可能な硫化水素の濃度を測定し、硫化水素濃度測定器３４により測定された硫化水素の濃度（硫化水素濃度Ｄ）と、予め取得した変換効率Ａと、に基づいて、試料ガスに含まれる硫化カルボニルの濃度（硫化カルボニル濃度Ｅ）を測定することで、空気を含むガス中に含まれる硫化カルボニルの濃度を連側的に精度良く測定することができる。

次に、図１を参照して、図１に示す硫化カルボニル濃度測定装置１０を用いた本実施の形態の硫化カルボニル濃度測定方法について説明する。ここでは、試料ガス供給ライン１１に、硫化カルボニルを含む試料ガスを流した場合を例に挙げて説明する。

始めに、後述する硫化カルボニル取得工程を行う前に、図１に示す硫化カルボニル濃度測定装置１０、及び濃度が既知の硫化カルボニルを含む標準ガスを用いて、変換効率Ａを取得する（変換効率取得工程）。
具体的には、変換効率取得工程では、硫化カルボニル濃度測定装置１０に濃度が未知の硫化カルボニルを含む試料ガスを用いて行う後述する硫化カルボニル取得工程、硫化水素生成工程、及び硫化水素濃度測定工程と同じ処理条件を用いて、変換効率Ａを取得する。取得された変換効率Ａは、制御装置３７の記憶部４１に格納される。
ここでの「同じ処理条件」とは、例えば、触媒筒２１を構成する触媒２１−２が加熱される温度や、流量調節部３１から硫化水素濃度測定器３４に供給する硫化水素の流量等が同じ条件であることをいう。

なお、変換効率Ａは、触媒筒２１を構成する触媒２１−２が加熱される温度や、流量調節部３１から硫化水素濃度測定器３４に供給する硫化水素の流量等の条件により変化する。
このため、上記説明したように、硫化カルボニル濃度測定装置１０に濃度が未知の硫化カルボニルを含む試料ガスを用いて行う硫化カルボニル取得工程、硫化水素生成工程、及び硫化水素濃度測定工程と同じ処理条件を用いて、変換効率Ａを取得することで、後述する硫化カルボニルの濃度を測定する硫化カルボニル濃度測定工程において、試料ガスに含まれる正確な硫化カルボニルの濃度を測定することができる。

次いで、バルブ１６，２６を開け、バルブ２８を閉じた状態で、試料ガス供給ライン１１に、濃度が未知の硫化カルボニルを含む試料ガスを供給する。試料ガスは、試料ガス供給ライン１１を介して、精製筒１３のアルミノケイ酸塩ゼオライト１３−２に供給される。
次いで、精製筒１３では、試料ガスに含まれる硫化カルボニル以外の成分がアルミノケイ酸塩ゼオライト１３−２に吸着され、硫化カルボニル供給ライン１４に試料ガスに含まれる硫化カルボニルが選択的に導出される（硫化カルボニル取得工程）。
このとき、試料ガスに含まれる水分も除去されてしまう。

なお、ここでは、精製筒１３を構成する吸着剤の一例として、アルミノケイ酸塩ゼオライト１３−２を用いた場合を例に挙げて説明したが、試料ガスに含まれる硫化カルボニル以外の成分を吸着可能なものであればよく、アルミノケイ酸塩ゼオライト１３−２に限定されない。

硫化カルボニル供給ライン１４に導出された硫化カルボニルは、バルブ１６を介して、硫化カルボニル供給ライン１４により、水分添加部１７に供給される。
水分添加部１７では、触媒筒２１で行われる加水分解反応に必要な水分を硫化カルボニルに添加させる（水分添加工程）。
水分添加部１７では、例えば、水分含有硫化カルボニル供給ライン１９に導出される水分を含む硫化カルボニルの水分濃度が、１〜１００ｐｐｍの範囲内の所定の濃度となる量に水分を添加させる。

水分が添加された硫化カルボニルは、水分含有硫化カルボニル供給ライン１９に導出され、その後、水分含有硫化カルボニル供給ライン１９を介して、触媒筒２１を構成する触媒２１−２に供給される。

次いで、加熱部２３により６０〜１２０度の温度範囲の所定の温度（例えば、８５度）で加熱された触媒筒２１では、触媒２１−２を用いた加水分解反応により、硫化カルボニルから硫化水素を生成する（硫化水素生成工程）。
なお、硫化水素生成工程では、全ての硫化カルボニルが硫化水素に変換されるのではなく、硫化水素の一部が硫化水素に変換される。
このように、触媒筒２１（具体的には、触媒２１−２）の温度が６０〜１２０度の範囲内（好ましくは、８５度）となるように加熱する加熱部２３を有することで、硫化水素を生成する際の加水分解反応を促進させることができる。

触媒筒２１−２において生成された硫化水素は、第１の硫化水素供給ライン２４を介して、流量調節部３１に供給される。
次いで、流量調節部３１では、硫化水素濃度測定器３４に供給する硫化水素の濃度が所定の流量となるように調節する。
上記所定の流量（硫化水素の流量）は、例えば、１００〜１０００ｃｃ／ｍｉｎの範囲内で適宜設定することができる。

硫化水素濃度測定器３４には、第２の硫化水素供給ライン３３を介して、流量調節部３１により所定の流量に調節された硫化水素が供給される。
硫化水素濃度測定器３４では、連続的に硫化水素の濃度が測定される。硫化水素濃度測定器３４が連続して測定した硫化水素の濃度に関するデータは、リアルタイムで制御装置３７に送信される。

制御装置３７の演算部４２では、硫化水素濃度測定工程で測定された硫化水素の濃度（硫化水素濃度Ｃ）と、予め取得した変換効率Ａと、に基づいて、演算（具体的には、先に説明した上記（２）式を用いた演算）により、試料ガスに含まれる硫化カルボニル濃度を測定する（硫化カルボニル濃度測定工程）。
演算部４２により求められた硫化カルボニル濃度Ｅは、表示部４３にリアルタイムで表示される。
なお、測定された硫化カルボニル濃度Ｅが記憶部４１に格納された閾値を超えた際、危険な状態であることを作業者に認識させるための音声メッセージを流す。

本実施の形態の硫化カルボニル濃度測定方法によれば、試料ガスに含まれる硫化カルボニルを選択的に取得する硫化カルボニル取得工程と、触媒２１−２を用いた加水分解反応により、硫化カルボニルから硫化水素を生成する硫化水素生成工程と、硫化水素の濃度を測定する硫化水素濃度測定工程と、硫化水素濃度測定工程で測定された硫化水素濃度Ｄと、標準ガスに含まれる濃度が既知の硫化カルボニルが硫化水素に変換される割合であり、かつ予め取得した変換効率Ａと、に基づいて、演算により、試料ガスに含まれる硫化カルボニルの濃度を測定する硫化カルボニル濃度測定工程と、を有することで、精度良く、連続して測定することの困難な硫化カルボニルの濃度を直接測定するのではなく、硫化カルボニルから硫化水素を生成させ、精度良く、かつ容易に連続して測定可能な硫化水素の濃度を測定し、硫化水素濃度測定器３４により測定された硫化水素濃度Ｄと、変換効率Ａと、に基づいて、試料ガスに含まれる硫化カルボニル濃度Ｅを連続的に精度良く測定（算出）することが可能となる。
これにより、空気を含むガス中に含まれる硫化カルボニル濃度Ｅを連側的に精度良く測定することができる。

以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

以下、試験例について説明するが、本発明は、下記試験例に限定されない。

（試験例１）
始めに、試験例１で使用した図１に示す硫化カルボニル濃度測定装置１０の構成及び試験条件について説明する。
試験例１では、筒本体１３−１として、内径が１／２インチ（＝１２．７ｍｍ）で、長さが１２０ｍｍとされたステンレス製の筒状部材を用いた。アルミノケイ酸塩ゼオライト１３−２として、ジーエルサイエンス株式会社製のＭｏｌｅｃｕｌａｒ Ｓｉｅｖｅ ３Ａ（品名）を用いた。

水分添加部１７として、内径が４ｍｍのテフロン（登録商標）チューブを用いた。筒状部材２１−１としては、内径が１／２インチ（＝１２．７ｍｍ）で、長さが１２０ｍｍとされたステンレス製の筒状部材を用いた。触媒２１−２としては、円柱形状とされ、直径が１ｍｍ、長さが３ｍｍとされたアルミナ顆粒を用いた。
加熱部２３が触媒２１−２を加熱する温度は、８５度とした。流量調節部３１としては、株式会社堀場エステック製のマスフローメーターであるＳＥＣ−４４００Ｍ（型番）を用いた。流量調節部３１から硫化水素濃度測定器３４に供給する硫化水素の流量は、４００ｃｃ／ｍｉｎとした。
硫化水素濃度測定器３４としては、理研計器株式会社製のポータブルガスモニターであるＳＣ−８０００（型番）を用いた。

次に、試験例１で使用した濃度が既知の硫化カルボニルを含む標準ガスＧ１〜Ｇ６について説明する。
標準ガスＧ１としては、硫化カルボニルが含まれていないもの（つまり、硫化カルボニル濃度が０ｐｐｍのガス）を用いた。標準ガスＧ２としては、硫化カルボニル濃度が５ｐｐｍのガスを用いた。標準ガスＧ３としては、硫化カルボニル濃度が１０ｐｐｍのガスを用いた。
標準ガスＧ４としては、硫化カルボニル濃度が１５ｐｐｍのガスを用いた。標準ガスＧ５としては、硫化カルボニル濃度が２０ｐｐｍのガスを用いた。標準ガスＧ６としては、硫化カルボニル濃度が２５ｐｐｍのガスを用いた。

試験例１では、上記説明した図１に示す硫化カルボニル濃度測定装置１０、試験条件、及び６種類の標準ガスＧ１〜Ｇ６を用いて、硫化水素濃度Ｄを測定した。この結果を表１に示す。表１は、試験例１で使用した標準ガスＧ１〜Ｇ６に含まれる既知の硫化カルボニルの濃度、及び標準ガスＧ１〜Ｇ６を用いた際の硫化水素濃度測定器が測定した硫化水素の濃度を示している。

表１に示すように、標準ガスＧ１を用いたときの硫化水素の濃度が０ｐｐｍ、標準ガスＧ２を用いたときの硫化水素の濃度が３．０ｐｐｍ、標準ガスＧ３を用いたときの硫化水素の濃度が５．２ｐｐｍ、標準ガスＧ４を用いたときの硫化水素の濃度が９．７ｐｐｍ、
標準ガスＧ５を用いたときの硫化水素の濃度が１１．５ｐｐｍ、標準ガスＧ５を用いたときの硫化水素の濃度が１４．８ｐｐｍであった。

図２は、標準ガスＧ１〜Ｇ６に含まれる既知の硫化カルボニルの濃度と、標準ガスＧ１〜Ｇ６に含まれる硫化カルボニルを加水分解することで生成される硫化水素の濃度と、の関係を示すグラフである。

その後、表１に示す標準ガスＧ１〜Ｇ６に含まれる既知の硫化カルボニルの濃度と、標準ガスＧ１〜Ｇ６に含まれる硫化カルボニルを加水分解することで生成される硫化水素の濃度と、の関係（図２に示す測定結果）をグラフ化することで、図２に示すグラフ（横軸が既知の硫化カルボニルの濃度、縦軸が測定された硫化水素の濃度）を作成し、線形近似曲線Ｌを作成した。
次いで、図２に示す線形近似曲線Ｌの傾きを求めたところ、０．６であった。よって、線形近似曲線Ｌの傾きの値（この場合、０．６）に１００を乗じることで、変換効率Ａとして、６０（％）を得た。

図２に示すように、上記手法により求めた変換効率Ａは、今回の場合、硫化カルボニルの濃度が０ｐｐｍ以上２５ｐｐｍ以下の範囲内で有効であることが確認できた。
また、表１に示す結果から、例えば、試料ガスに５ｐｐｍの濃度（低濃度）の硫化カルボニルが含まれている場合でも、試料ガスに含まれる硫化カルボニル濃度Ｅを精度良く測定可能なことが確認できた。

（試験例２）
図３は、試験例２で使用した精製筒の効果を確認するための精製筒評価用装置である。図３において、図１に示す硫化カルボニル濃度測定装置１０と同一構成部分には、同一符号を付す。

始めに、図３を参照して、試験例２で使用した精製筒評価用装置５０は、先に説明した試験例１で使用した硫化カルボニル濃度測定装置１０を構成する精製筒１３、流量調節部３１、及び排気ライン３６と、標準ガス導入ライン５１と、標準ガス供給ライン５３と、バルブ５４，５７，６１と、ガスクロマトグラフ５５と、硫化カルボニル供給ライン５６と、バイパスライン５９と、を有する。

標準ガス導入ライン５１は、流量調節部３１の一端と接続されている。標準ガス導入ライン５１は、流量調節部３１に標準ガスを供給するためのラインである。
標準ガス供給ライン５３は、その一端が流量調節部３１と接続されており、他端が精製筒１３の一端と接続されている。標準ガス供給ライン５３は、流量調節部３１により所定の流量（試験例２では、後述する標準ガスＨ１〜Ｈ６の流量を５００ｃｃｍとした）とされた標準ガスを精製筒１３に供給する。

バルブ５４は、バイパスライン５９の分岐位置と精製筒１３との間に位置する標準ガス供給ライン５３に設けられている。バルブ５４が開かれると、標準ガス供給ライン５３を介して、標準ガスが供給される。
硫化カルボニル供給ライン５６は、その一端が精製筒１３の他端と接続されており、他端がガスクロマトグラフ５５と接続されている。硫化カルボニル供給ライン５６には、標準ガスに含まれる硫化カルボニルが導出される。導出された硫化カルボニルは、硫化カルボニル供給ライン５６を介して、ガスクロマトグラフ５５に供給される。

バルブ５７は、バイパスライン５９の接続位置と精製筒１３との間に位置する硫化カルボニル供給ライン５６に設けられている。
バイパスライン５９は、標準ガス供給ライン５３から分岐されたラインであり、硫化カルボニル供給ライン５６と接続されている。バルブ６１は、バイパスライン５９に設けられている。
バルブ５４，５７が閉じられた状態で、バルブ６１が開かれると、精製筒１３を経由することなく、所定の流量とされた標準ガスがガスクロマトグラフ５５に供給される。
ガスクロマトグラフ５５は、試料ガス中に含まれる硫黄化合物を測定するための装置であり、カラム分離構造を有していないアジレントテクノロジー株式会社製のＧＣ６８９０（型番）を用いた。

試験例２では、６種類の標準ガスＨ１〜Ｈ６を用いた。具体的には、標準ガスＨ１として、ベースガスがＮ_２で、５ｐｐｍのＨ_２Ｓ（硫化水素）を含むものを用いた。標準ガスＨ２として、ベースガスがＮ_２で、５ｐｐｍのＳＯ_２（二酸化硫黄）を含むものを用いた。
標準ガスＨ３として、ベースガスがＮ_２で、５ｐｐｍのＣＯＳ（硫化カルボニル）を含むものを用いた。標準ガスＨ４として、ベースガスがＮ_２で、５ｐｐｍのＣＨ_３ＳＨ（メタンチオール）を含むものを用いた。
標準ガスＨ５として、ベースガスがＮ_２で、５ｐｐｍのＤＭＳ（ジメチルサルファド）を含むものを用いた。標準ガスＨ６として、ベースガスがＮ_２で、１ｐｐｍのＤＭＤＳ（ジメチルジスルフィド）を含むものを用いた。

次いで、上記説明した精製筒評価用装置５０、上記試験条件、及び標準ガスＨ１を用いて、Ｈ_２Ｓの非精製と、Ｈ_２Ｓの精製と、を行った際に、ガスクロマトグラフ５５から出力されるＨ_２Ｓの電圧強度（μＶ）を取得した。この結果を、図４に示す。
なお、Ｈ_２Ｓの非精製時には、バルブ５４，５７を閉じた状態でバルブ６１を開き、Ｈ_２Ｓの精製時には、バルブ５４，５７を開けた状態でバルブ６１を閉じた。

図４は、Ｈ_２Ｓの非精製時、及びＨ_２Ｓの精製時における標準ガスＨ１に含まれるＨ_２Ｓ（硫化水素）の電圧強度（Ｏｕｔｐｕｔ）を示す図である。図４では、横軸を経過時間とし、縦軸にＨ_２Ｓの電圧強度（Ｏｕｔｐｕｔ）を示す。

次いで、上記説明した精製筒評価用装置５０、上記試験条件、及び標準ガスＨ２を用いて、ＳＯ_２の非精製と、ＳＯ_２の精製と、を行った際に、ガスクロマトグラフ５５から出力されるＳＯ_２の電圧強度（μＶ）を取得した。この結果を、図５に示す。

図５は、ＳＯ_２の非精製時、及びＳＯ_２の精製時における標準ガスＨ２に含まれるＳＯ_２Ｓ（二酸化硫黄）の電圧強度（Ｏｕｔｐｕｔ）を示す図である。図５では、横軸を経過時間とし、縦軸にＳＯ_２の電圧強度（Ｏｕｔｐｕｔ）を示す。

次いで、上記説明した精製筒評価用装置５０、上記試験条件、及び標準ガスＨ３を用いて、ＣＯＳの非精製と、ＣＯＳの精製と、を行った際に、ガスクロマトグラフ５５から出力されるＣＯＳの電圧強度（μＶ）を取得した。この結果を、図６に示す。

図６は、ＣＯＳの非精製時、及びＣＯＳの精製時における標準ガスＨ３に含まれるＣＯＳ（二酸化硫黄）の電圧強度（Ｏｕｔｐｕｔ）を示す図である。図６では、横軸を経過時間とし、縦軸にＣＯＳの電圧強度（Ｏｕｔｐｕｔ）を示す。

次いで、上記説明した精製筒評価用装置５０、上記試験条件、及び標準ガスＨ４を用いて、ＣＨ_３ＳＨの非精製と、ＣＨ_３ＳＨの精製と、を行った際に、ガスクロマトグラフ５５から出力されるＣＨ_３ＳＨの電圧強度のＯｕｔｐｕｔ（μＶ）を取得した。この結果を、図７に示す。

図７は、ＣＨ_３ＳＨの非精製時、及びＣＨ_３ＳＨの精製時における標準ガスＨ４に含まれるＣＨ_３ＳＨ（メタンチオール）の電圧強度（Ｏｕｔｐｕｔ）を示す図である。図７では、横軸を経過時間とし、縦軸にＣＨ_３ＳＨの電圧強度（Ｏｕｔｐｕｔ）を示す。

次いで、上記説明した精製筒評価用装置５０、上記試験条件、及び標準ガスＨ５を用いて、ＤＭＳの非精製と、ＤＭＳの精製と、を行った際に、ガスクロマトグラフ５５から出力されるＤＭＳの電圧強度（μＶ）を取得した。この結果を、図８に示す。

図８は、ＤＭＳの非精製時、及びＤＭＳの精製時における標準ガスＨ５に含まれるＤＭＳ（ジメチルサルファド）の電圧強度（Ｏｕｔｐｕｔ）を示す図である。図８では、横軸を経過時間とし、縦軸にＤＭＳの電圧強度（Ｏｕｔｐｕｔ）を示す。

次いで、上記説明した精製筒評価用装置５０、上記試験条件、及び標準ガスＨ６を用いて、ＤＭＤＳの非精製と、ＤＭＤＳの精製と、を行った際に、ガスクロマトグラフ５５から出力されるＤＭＤＳの電圧強度（μＶ）を取得した。この結果を、図９に示す。

図９は、ＤＭＤＳの非精製時、及びＤＭＤＳの精製時における標準ガスＨ６に含まれるＤＭＤＳ（ジメチルジスルフィド）の電圧強度（Ｏｕｔｐｕｔ）を示す図である。図９では、横軸を経過時間とし、縦軸にＤＭＤＳの電圧強度（Ｏｕｔｐｕｔ）を示す。

図４を参照するに、Ｈ_２Ｓの精製期間（言い換えれば、標準ガスＨ１が精製筒１３を通過する場合）において、Ｈ_２Ｓが検出されることはなかった。
図５を参照するに、ＳＯ_２の精製期間（言い換えれば、標準ガスＨ２が精製筒１３を通過する場合）において、ＳＯ_２が検出されることはなかった。
図６を参照するに、ＣＯＳの精製期間（言い換えれば、標準ガスＨ３が精製筒１３を通過する場合）では、ＣＯＳの非精製期間を同じ強度のＣＯＳが検出された。
図７を参照するに、ＣＨ_３ＳＨの精製期間（言い換えれば、標準ガスＨ４が精製筒１３を通過する場合）において、ＣＨ_３ＳＨが検出されることはなかった。
図８を参照するに、ＤＭＳの精製期間（言い換えれば、標準ガスＨ５が精製筒１３を通過する場合）において、ＤＭＳが検出されることはなかった。
図９を参照するに、ＤＭＤＳの精製期間（言い換えれば、標準ガスＨ６が精製筒１３を通過する場合）において、ＤＭＤＳが検出されることはなかった。
これらの結果から、アルミノケイ酸塩ゼオライト１３−２として、ジーエルサイエンス株式会社製のＭｏｌｅｃｕｌａｒ Ｓｉｅｖｅ ３Ａ（品名）を用いることで、Ｈ_２Ｓ、ＳＯ_２、ＣＨ_３ＳＨ、ＤＭＳ、及びＤＭＤＳが吸着され、ＣＯＳ（硫化水素）を選択的に通過させることが可能であることが確認できた。

本発明は、空気を含むガス中に含まれる硫化カルボニルの濃度を連側的に精度良く測定することの可能な硫化カルボニル濃度測定装置、及び硫化カルボニル濃度測定方法に適用可能である。

１０…硫化カルボニル濃度測定装置、１１…試料ガス供給ライン、１３…精製筒、１３−１…筒本体、１３−２…アルミノケイ酸塩ゼオライト、１４…硫化カルボニル供給ライン、１６，２６，２８，５４，５７，６１…バルブ、１７…水分添加部、１９…水分含有硫化カルボニル供給ライン、２１…触媒筒、２１−１…筒状部材、２１−２…触媒、２３…加熱部、２３−１…熱線、２３−２…電源、２４…第１の硫化水素供給ライン、２７，５９…バイパスライン、３１…流量調節部、３３…第２の硫化水素供給ライン、３４…硫化水素濃度測定器、３６…排気ライン、３７…制御装置、４１…記憶部、４２…演算部、４３…表示部、４４…スピーカー、５０…精製筒評価用装置、５１…標準ガス導入ライン、５３…標準ガス供給ライン、５５…ガスクロマトグラフ、５６…硫化カルボニル供給ライン

Claims (9)

1. 試料ガスに含まれる硫化カルボニル以外の成分を吸着させ、該硫化カルボニルを通過させる精製筒と、
   加水分解反応により、前記精製筒を通過した前記硫化カルボニルから硫化水素を生成する触媒筒と、
   前記触媒筒で生成された前記硫化水素の濃度を測定する硫化水素濃度測定器と、
   前記硫化水素濃度測定器により測定された前記硫化水素の濃度と、前記触媒筒において、標準ガスに含まれる濃度が既知の硫化カルボニルが硫化水素に変換される割合であり、かつ予め取得した変換効率と、に基づいて、前記試料ガスに含まれる前記硫化カルボニルの濃度を算出する演算部と、
   を有することを特徴とする硫化カルボニル濃度測定装置。
2. 前記精製筒は、筒本体と、
   前記筒本体内に充填されたアルミノケイ酸塩ゼオライトと、
   を有することを特徴とする請求項１記載の硫化カルボニル濃度測定装置。
3. 前記精製筒を通過した前記硫化カルボニルに水分を添加し、前記水分を含む前記硫化カルボニルを前記触媒筒に供給する水分添加部を有することを特徴とする請求項１または２記載の硫化カルボニル濃度測定装置。
4. 前記硫化水素濃度測定器の上流側或いは下流側に配置され、前記硫化水素濃度測定器に供給する前記硫化水素の流量を調節する流量調節部を有することを特徴とする請求項１ないし３のうち、いずれか１項記載の硫化カルボニル濃度測定装置。
5. 試料ガスに含まれる硫化カルボニルを選択的に取得する硫化カルボニル取得工程と、
   触媒を用いた加水分解反応により、前記硫化カルボニルから硫化水素を生成する硫化水素生成工程と、
   前記硫化水素の濃度を測定する硫化水素濃度測定工程と、
   前記硫化水素濃度測定工程で測定された前記硫化水素の濃度と、標準ガスに含まれる濃度が既知の硫化カルボニルが硫化水素に変換される割合であり、かつ予め取得した変換効率と、に基づいて、演算により、前記試料ガスに含まれる前記硫化カルボニルの濃度を測定する硫化カルボニル濃度測定工程と、
   を有することを特徴とする硫化カルボニル濃度測定方法。
6. 前記硫化カルボニル取得工程では、アルミノケイ酸塩ゼオライトを用いることを特徴とする請求項５記載の硫化カルボニル濃度測定方法。
7. 前記硫化カルボニル取得工程と前記硫化水素生成工程との間に、前記硫化カルボニルに水分を添加する水分添加工程を有することを特徴とする請求項５または６記載の硫化カルボニル濃度測定方法。
8. 前記触媒筒の温度が６０度〜１２０度の範囲内の所定の温度となるように、該触媒筒を加熱することを特徴とする請求項５ないし７のうち、いずれか１項記載の硫化カルボニル濃度測定方法。
9. 前記硫化水素濃度測定器に供給する前記硫化水素の流量が所定の流量となるように調節することを特徴とする請求項５ないし８のうち、いずれか１項記載の硫化カルボニル濃度測定方法。

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