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JP2015510614A - Device, lithographic apparatus, radiation guiding method and device manufacturing method - Google Patents

Device, lithographic apparatus, radiation guiding method and device manufacturing method Download PDF

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JP2015510614A JP2014558046A JP2014558046A JP2015510614A JP 2015510614 A JP2015510614 A JP 2015510614A JP 2014558046 A JP2014558046 A JP 2014558046A JP 2014558046 A JP2014558046 A JP 2014558046A JP 2015510614 A JP2015510614 A JP 2015510614A
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Abstract

【課題】ライフタイムを延ばしたデバイスを提供する。【解決手段】自身を通過する放射に対して透明な物質の連続体の形状を成す導波路であって、連続体が入射面および出射面を有する導波路と、入射面および/または出射面を冷却するよう構成された冷却器と、を有するデバイスである。複数の放射エミッタを備え、複数の放射ビームを提供するよう構成されたプログラマブル・パターニングデバイスと、固定部と可動部を備え、複数の放射ビームをパターンに基づいて選択されたターゲット上の位置に投影するよう構成された投影システムと、を備え、少なくとも1つの放射エミッタは、非偏光放射および/または円偏光放射を含む放射ビームを出力するよう構成された導波路を備える露光装置である。【選択図】図6A device with extended lifetime is provided. A waveguide in the form of a continuum of material transparent to radiation passing through it, the continuum having an entrance surface and an exit surface, and an entrance surface and / or an exit surface. A cooler configured to cool. Programmable patterning device with multiple radiation emitters, configured to provide multiple radiation beams, and with fixed and movable parts, projecting multiple radiation beams to locations on the target selected based on the pattern And at least one radiation emitter is an exposure apparatus comprising a waveguide configured to output a radiation beam including unpolarized radiation and / or circularly polarized radiation. [Selection] Figure 6

Description

関連出願の相互参照
本出願は、2012年2月23日に出願された米国特許仮出願第61/602,491号の利益を主張し、その全体が本明細書に援用される。
This application claims the benefit of US Provisional Application No. 61 / 602,491, filed February 23, 2012, which is hereby incorporated by reference in its entirety.

本発明は、デバイス、リソグラフィまたは露光装置、放射誘導方法およびデバイス製造方法に関する。   The present invention relates to a device, a lithography or exposure apparatus, a radiation guiding method, and a device manufacturing method.

リソグラフィまたは露光装置は、所望のパターンを基板に、または基板の部分に与える機械である。この装置は例えば、集積回路(IC)、フラットパネルディスプレイ、微細形状を備えるその他のデバイス又は構造の製造に用いられる。従来のリソグラフィまたは露光装置においては、マスクまたはレチクルとも称されるパターニングデバイスが、ICやフラットパネルディスプレイ、その他のデバイスの個々の層に対応する回路パターンを生成するために使用されることがある。このパターンは例えば、(例えばシリコンウェーハまたはガラスプレート等の)基板上に設けられた放射感応性材料(レジスト)層への結像により、基板(の部分)へと転写される。   A lithography or exposure apparatus is a machine that applies a desired pattern onto a substrate or part of a substrate. This apparatus is used, for example, in the manufacture of integrated circuits (ICs), flat panel displays, other devices or structures with fine features. In conventional lithography or exposure apparatus, patterning devices, also called masks or reticles, may be used to generate circuit patterns corresponding to individual layers of ICs, flat panel displays, and other devices. This pattern is transferred onto (parts of) the substrate, for example by imaging onto a radiation sensitive material (resist) layer provided on the substrate (such as a silicon wafer or glass plate).

パターニングデバイスを使用して、回路パターンではなく例えばカラーフィルタのパターンやドットのマトリックス状配列などの他のパターンを生成する場合もある。従来のマスクに代えて、パターニングデバイスは、回路パターンまたはその他の適用可能なパターンを生成する個別に制御可能な素子の配列を備えるパターニングアレイを備えてもよい。このような「マスクレス」方式では従来のマスクを使用する方式に比べて迅速かつ低コストにパターンを準備したり変更したりできるという利点がある。   In some cases, the patterning device is used to generate other patterns, such as a color filter pattern or a matrix of dots, instead of a circuit pattern. Instead of a conventional mask, the patterning device may comprise a patterning array comprising an array of individually controllable elements that produce a circuit pattern or other applicable pattern. Such a “maskless” method has an advantage that a pattern can be prepared or changed quickly and at a lower cost than a method using a conventional mask.

故に、マスクレスシステムはプログラマブルパターニングデバイス(例えば、空間光変調器、コントラストデバイスなど)を含む。プログラマブルパターニングデバイスは、個別制御可能素子のアレイを使用して所望のパターンが与えられたビームを形成するよう(例えば電子的に、または光学的に)プログラムされている。プログラマブルパターニングデバイスの種類には、マイクロミラーアレイ、液晶ディスプレイ(LCD)アレイ、グレーティングライトバルブアレイ、自己放射可能なコントラストデバイスなどがある。プログラマブルパターニングデバイスは、例えばターゲット(例えば基板)上に投影された放射のスポットを移動するよう、または放射ビームをターゲット(例えば基板)から、例えば放射ビーム吸収体に間欠的に導くよう構成された電気光学偏向器から形成されてもよい。どちらのこのような構成においても、放射ビームは連続的であってよい。   Thus, maskless systems include programmable patterning devices (eg, spatial light modulators, contrast devices, etc.). The programmable patterning device is programmed (eg, electronically or optically) to form a beam with a desired pattern using an array of individually controllable elements. Types of programmable patterning devices include micromirror arrays, liquid crystal display (LCD) arrays, grating light valve arrays, and self-emitting contrast devices. A programmable patterning device is an electric device configured, for example, to move a projected spot of radiation onto a target (eg, substrate) or to intermittently direct a radiation beam from a target (eg, substrate), eg, to a radiation beam absorber. It may be formed from an optical deflector. In either such configuration, the radiation beam may be continuous.

マスクレスリソグラフィまたは露光装置は、例えば、例えば基板の目標部分上にパターンを形成することのできる光学コラムが設けられてよい。光学コラムは、ビームを放射するよう構成された自己放射コントラストデバイスと、ビームの少なくとも一部を目標部分に投影するよう構成された投影システムとが設けられてよい。この装置は、光学コラムまたはその一部をターゲットに対して移動するためのアクチュエータが設けられてもよい。それによって、ビームはターゲットに対して移動されてよい。移動の間に自己放射コントラストデバイスの「オン」または「オフ」を切り替えることにより、基板上にパターンが形成されてよい。   The maskless lithography or exposure apparatus may be provided with, for example, an optical column that can form a pattern on a target portion of the substrate, for example. The optical column may be provided with a self-radiating contrast device configured to emit the beam and a projection system configured to project at least a portion of the beam onto the target portion. The apparatus may be provided with an actuator for moving the optical column or part thereof relative to the target. Thereby, the beam may be moved relative to the target. A pattern may be formed on the substrate by switching the self-radiating contrast device “on” or “off” during movement.

本発明のある実施形態によれば、自身を通過する放射に対して透明な物質の連続体の形状を成す導波路であって、連続体が入射面および出射面を有する導波路と、入射面および/または出射面を冷却するよう構成された冷却器と、を備えるデバイスが提供される。   According to an embodiment of the present invention, a waveguide is formed in the form of a continuum of material transparent to radiation passing through the waveguide, the continuum having an entrance surface and an exit surface, and an entrance surface. And / or a cooler configured to cool the exit surface.

本発明のある実施形態によれば、複数の放射エミッタを備え、複数の放射ビームを提供するよう構成されたプログラマブル・パターニングデバイスと、固定部と可動部を備え、複数の放射ビームをパターンに基づいて選択されたターゲット上の位置に投影するよう構成された投影システムと、を備え、少なくとも1つの放射エミッタは、非偏光放射および/または円偏光放射を含む放射ビームを出力するよう構成された導波路を備えるリソグラフィまたは露光装置が提供される。   According to an embodiment of the present invention, a programmable patterning device comprising a plurality of radiation emitters and configured to provide a plurality of radiation beams, a fixed portion and a movable portion, the plurality of radiation beams based on a pattern A projection system configured to project to a position on the selected target, wherein at least one radiation emitter is configured to output a radiation beam including unpolarized radiation and / or circularly polarized radiation. A lithography or exposure apparatus comprising a waveguide is provided.

本発明のある実施形態によれば、放射に対して透明な物質の連続体の形状を成す導波路を通して放射を誘導するステップであって、連続体が入射面および出射面を有するステップと、入射面および/または出射面を冷却するステップと、を備える放射誘導方法が提供される。   According to an embodiment of the present invention, directing radiation through a waveguide in the form of a continuum of material transparent to radiation, the continuum having an entrance surface and an exit surface; Cooling the surface and / or the exit surface.

本発明のある実施形態によれば、プログラマブル・パターニングデバイスの複数の放射エミッタから複数の放射ビームを提供するステップと、複数の放射ビームをパターンに基づいて選択されたターゲット上の位置に投影するステップと、を備え、少なくとも1つの前記放射エミッタは、非偏光放射および/または円偏光放射を含む放射ビームを出力するよう構成された導波路を備えるデバイス製造方法が提供される。   According to an embodiment of the present invention, providing a plurality of radiation beams from a plurality of radiation emitters of a programmable patterning device and projecting the plurality of radiation beams to a position on a target selected based on the pattern And at least one of said radiation emitters is provided with a waveguide configured to output a radiation beam comprising unpolarized radiation and / or circularly polarized radiation.

本発明のいくつかの実施の形態が付属の概略的な図面を参照して以下に説明されるがこれらは例示に過ぎない。対応する参照符号は各図面において対応する部分を指し示す。   Several embodiments of the present invention are described below with reference to the accompanying schematic drawings, which are exemplary only. Corresponding reference characters indicate corresponding parts in the various drawings.

本発明のある実施の形態に係るリソグラフィまたは露光装置の一部分を示す図である。1 is a diagram showing a part of a lithography or exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.

本発明のある実施の形態に係る図1の装置の一部分の上面図である。FIG. 2 is a top view of a portion of the apparatus of FIG. 1 according to an embodiment of the present invention.

本発明のある実施の形態に係るリソグラフィまたは露光装置の一部分を高度に概略的に示す斜視図である。1 is a highly schematic perspective view of a portion of a lithography or exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.

本発明のある実施の形態に係り、ターゲット上への図3に係る装置による投影を示す概略上面図である。FIG. 4 is a schematic top view showing projection by the apparatus according to FIG. 3 onto a target according to an embodiment of the present invention.

本発明のある実施の形態の一部分を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a part of one embodiment of this invention.

本発明のある実施の形態に係るデバイスの概略図である。1 is a schematic diagram of a device according to an embodiment of the present invention.

本発明のある実施の形態に係るデバイスの概略図である。1 is a schematic diagram of a device according to an embodiment of the present invention.

本発明のある実施の形態に係るデバイスの概略図である。1 is a schematic diagram of a device according to an embodiment of the present invention.

本発明のある実施の形態に係るデバイスの一部の概略図である。1 is a schematic view of a part of a device according to an embodiment of the present invention.

本発明のある実施の形態に係るデバイスの概略図である。1 is a schematic diagram of a device according to an embodiment of the present invention.

本発明のある実施の形態は、リソグラフィ装置に関連し、これはプログラマブルパターニングデバイスを含んでもよく、当該デバイスは例えば自己放射コントラストデバイスのアレイからなることがある。こうしたリソグラフィ装置に関する更なる情報は国際公開第2010/032224号および米国特許出願公開第2011−0188016号、米国特許出願第61/473636号および米国特許出願第61/524190号を参照してもよく、これらの全体が本明細書に援用される。本発明の実施形態は、しかしながら、例えば上述の文献に含まれる任意の形態のプログラマブルパターニングデバイスとともに用いられてもよい。   An embodiment of the invention relates to a lithographic apparatus, which may comprise a programmable patterning device, which may for example consist of an array of self-radiating contrast devices. For further information on such lithographic apparatus, reference may be made to WO 2010/032224 and US Patent Application Publication No. 2011-0188016, US Patent Application No. 61/473636 and US Patent Application No. 61/524190, All of which are incorporated herein by reference. Embodiments of the present invention, however, may be used with any form of programmable patterning device included, for example, in the above references.

図1は、リソグラフィまたは露光装置の部分の概略側断面図を概略的に示す。この実施形態においては、装置は、後述するようにXY面で実質的に静止した個別制御可能素子を有するが、そうである必要はない。装置1は、基板を保持する基板テーブル2と、基板テーブル2を最大6自由度で移動させる位置決め装置3と、を備える。基板は、レジストで被覆された基板であってもよい。ある実施の形態においては、基板はウェーハである。ある実施の形態においては、基板は多角形(例えば矩形)の基板である。ある実施の形態においては、基板はガラスプレートである。ある実施の形態においては、基板はプラスチック基板である。ある実施の形態においては、基板は箔である。ある実施の形態においては、装置は、ロールトゥロール製造に適する。   FIG. 1 schematically shows a schematic cross-sectional side view of a part of a lithography or exposure apparatus. In this embodiment, the device has individually controllable elements that are substantially stationary in the XY plane, as described below, but this need not be the case. The apparatus 1 includes a substrate table 2 that holds a substrate, and a positioning device 3 that moves the substrate table 2 with a maximum of 6 degrees of freedom. The substrate may be a substrate coated with a resist. In some embodiments, the substrate is a wafer. In some embodiments, the substrate is a polygonal (eg, rectangular) substrate. In some embodiments, the substrate is a glass plate. In some embodiments, the substrate is a plastic substrate. In some embodiments, the substrate is a foil. In certain embodiments, the apparatus is suitable for roll to roll manufacturing.

装置1は、複数のビームを発するよう構成されている複数の個別に制御可能な自己放射可能なコントラストデバイス4をさらに備える。ある実施の形態においては、自己放射コントラストデバイス4は、放射エミッタ、例えば放射発光ダイオード(例えば、発光ダイオード(LED)、有機LED(OLED)、高分子LED(PLED))、ファイバレーザまたは、レーザダイオード(例えば、固体レーザダイオード)である。ある実施の形態においては、個別制御可能素子4の各々は青紫レーザダイオード(例えば、三洋の型式番号DL-3146-151)である。こうしたダイオードは、三洋、日亜、オスラム、ナイトライド等の企業により供給される。ある実施の形態においては、ダイオードは、例えば約365nmまたは約405nmの波長を有するUV放射を発する。ある実施の形態においては、ダイオードは、0.5mWないし250mWの範囲から選択される出力パワー、および随意に少なくとも50mWの出力パワーを提供することができる。ある実施の形態では、デバイス60、これは自己放射コントラストデバイス4を備えてもよい、の出力パワーは、250mWよりも大きい。ある実施の形態においては、レーザダイオードの(むき出しのダイの)サイズは、100μmないし800μmの範囲から選択される。ある実施の形態においては、レーザダイオードは、0.5μmないし5μmの範囲から選択される発光領域を有する。ある実施の形態においては、レーザダイオードは、5度ないし44度の範囲から選択される発散角を有する。ある実施の形態においては、それらのダイオードは、合計の明るさを約6.4×10W/(m・sr)以上にするための構成(例えば、発光領域、発散角、出力パワーなど)を有する。 The apparatus 1 further comprises a plurality of individually controllable self-radiating contrast devices 4 configured to emit a plurality of beams. In some embodiments, the self-radiating contrast device 4 is a radiation emitter, such as a radiation emitting diode (eg, light emitting diode (LED), organic LED (OLED), polymer LED (PLED)), fiber laser or laser diode. (For example, a solid-state laser diode). In one embodiment, each individually controllable element 4 is a blue-violet laser diode (eg, Sanyo model number DL-3146-151). Such diodes are supplied by companies such as Sanyo, Nichia, OSRAM, and Nitride. In some embodiments, the diode emits UV radiation having a wavelength of, for example, about 365 nm or about 405 nm. In certain embodiments, the diode can provide an output power selected from the range of 0.5 mW to 250 mW, and optionally an output power of at least 50 mW. In certain embodiments, the output power of device 60, which may comprise self-radiating contrast device 4, is greater than 250 mW. In one embodiment, the size of the laser diode (bare die) is selected from the range of 100 μm to 800 μm. In some embodiments, the laser diode has a light emitting region selected from the range of 0.5 μm 2 to 5 μm 2 . In some embodiments, the laser diode has a divergence angle selected from the range of 5 degrees to 44 degrees. In some embodiments, the diodes are configured to provide a total brightness of about 6.4 × 10 8 W / (m 2 · sr) or greater (eg, light emitting area, divergence angle, output power, etc.). ).

自己放射コントラストデバイス4は、フレーム5に配設されており、Y方向に沿っておよび/またはX方向に沿って延在してもよい。1つのフレーム5が図示されているが、装置は、図2に示すように複数のフレーム5を有してもよい。フレーム5には更に、レンズ12が配設されている。フレーム5、従って、自己放射コントラストデバイス4およびレンズ12はXY面内で実質的に静止している。フレーム5、自己放射コントラストデバイス4、およびレンズ12は、アクチュエータ7によってZ方向に移動されてもよい。それに代えて又はそれとともに、レンズ12はこの特定のレンズに関係づけられたアクチュエータによってZ方向に移動されてもよい。任意選択として、各レンズ12にアクチュエータが設けられていてもよい。   The self-radiating contrast device 4 is disposed on the frame 5 and may extend along the Y direction and / or along the X direction. Although one frame 5 is shown, the apparatus may have a plurality of frames 5 as shown in FIG. A lens 12 is further disposed on the frame 5. The frame 5, and thus the self-radiating contrast device 4 and the lens 12 are substantially stationary in the XY plane. The frame 5, the self-radiating contrast device 4 and the lens 12 may be moved in the Z direction by an actuator 7. Alternatively or in addition, the lens 12 may be moved in the Z direction by an actuator associated with this particular lens. Optionally, each lens 12 may be provided with an actuator.

自己放射コントラストデバイス4はビームを発するよう構成されていてもよく、投影系12、14、18はそのビームを例えば基板の目標部分に投影するよう構成されていてもよい。自己放射コントラストデバイス4および投影系が光学コラムを形成する。装置1は、光学コラム又はその一部を基板に対して移動させるためのアクチュエータ(例えばモータ)11を備えてもよい。フレーム8には視野レンズ14および結像レンズ18が配設されており、そのアクチュエータを用いてフレーム8は回転可能であってもよい。視野レンズ14と結像レンズ18との結合が可動光学素子9を形成する。使用時においては、フレーム8は自身の軸10まわりを、例えば図2に矢印で示す方向に、回転する。フレーム8は、アクチュエータ(例えばモータ)11を使用して軸10まわりに回転させられる。また、フレーム8はモータ7によってZ方向に移動されてもよく、それによって可動光学素子9が基板テーブル2に対し変位させられてもよい。   The self-radiating contrast device 4 may be configured to emit a beam, and the projection systems 12, 14, 18 may be configured to project the beam onto a target portion of the substrate, for example. The self-radiating contrast device 4 and the projection system form an optical column. The apparatus 1 may include an actuator (for example, a motor) 11 for moving the optical column or a part thereof with respect to the substrate. A field lens 14 and an imaging lens 18 are disposed in the frame 8, and the frame 8 may be rotatable using its actuator. The combination of the field lens 14 and the imaging lens 18 forms the movable optical element 9. In use, the frame 8 rotates about its own axis 10, for example, in the direction indicated by the arrow in FIG. The frame 8 is rotated around the axis 10 using an actuator (for example, a motor) 11. Further, the frame 8 may be moved in the Z direction by the motor 7, whereby the movable optical element 9 may be displaced with respect to the substrate table 2.

内側にアパーチャを有するアパーチャ構造13がレンズ12の上方でレンズ12と自己放射コントラストデバイス4との間に配置されてもよい。アパーチャ構造13は、レンズ12、それに関連する自己放射コントラストデバイス4、または隣接するレンズ12および自己放射コントラストデバイス4の回折効果を限定することができる。   An aperture structure 13 having an aperture on the inside may be disposed above the lens 12 and between the lens 12 and the self-radiating contrast device 4. The aperture structure 13 can limit the diffractive effects of the lens 12, the associated self-radiating contrast device 4, or the adjacent lens 12 and self-radiating contrast device 4.

図示される装置は、フレーム8を回転させると同時に光学コラム下方の基板テーブル2上の基板を移動させることによって、使用されてもよい。自己放射コントラストデバイス4は、レンズ12、14、18が互いに実質的に整列されたときこれらのレンズを通じてビームを放つことができる。レンズ14、18を移動させることによって、例えば基板上でのビームの像が基板の一部分を走査する。同時に光学コラム下方の基板テーブル2上の基板を移動させることによって、自己放射コントラストデバイス4の像にさらされる基板17の当該部分も移動する。光学コラム又はその一部の回転を制御し、自己放射コントラストデバイス4の強度を制御し、且つ基板速度を制御するコントローラにより自己放射コントラストデバイス4の「オン」と「オフ」とを高速に切り換える制御をすることによって(例えば、「オフ」であるとき出力がないか、しきい値を下回る出力を有し、「オン」であるときしきい値を上回る出力を有する)、所望のパターンを基板上のレジスト層に結像することができる。   The illustrated apparatus may be used by rotating the frame 8 and simultaneously moving the substrate on the substrate table 2 below the optical column. The self-radiating contrast device 4 can emit a beam through the lenses 12, 14, 18 when they are substantially aligned with each other. By moving the lenses 14, 18, for example, an image of the beam on the substrate scans a portion of the substrate. At the same time, by moving the substrate on the substrate table 2 below the optical column, the portion of the substrate 17 exposed to the image of the self-radiating contrast device 4 is also moved. Control that switches the “on” and “off” of the self-radiating contrast device 4 at high speed by a controller that controls the rotation of the optical column or a part thereof, controls the intensity of the self-radiating contrast device 4, and controls the substrate speed. (Eg, having no output when it is “off” or having an output that is below the threshold and having an output that is above the threshold when “on”), the desired pattern on the substrate An image can be formed on the resist layer.

図1に示す制御部500は、リソグラフィまたは露光装置の全体的な動作を制御し、特に、さらに以下で説明される最適化プロセスを実行する。制御部500は、中央演算処理装置並びに揮発性および不揮発性格納手段を備えた、適切にプログラムされた汎用コンピュータとして具体化することができる。随意に、制御部500は、キーボードおよびスクリーンなどの1つ以上の入出力装置、1つ以上のネットワーク接続および/またはリソグラフィまたは露光装置の各種部分に対する1つ以上のインタフェースを含む。当然のことながら、制御部とリソグラフィまたは露光装置間の一対一の関係は必須ではない。本発明のある実施形態では、1つの制御部が複数のリソグラフィまたは露光装置を制御することができる。本発明のある実施形態では、1つのリソグラフィまたは露光装置を制御するために複数のネットワーク・コンピュータを用いることができる。また、制御部500は、リソグラフィまたは露光装置が一部を形成するリソセルまたはクラスターにおける、1つ以上の関連する処理装置および基板ハンドリング装置を制御するよう構成されてもよい。また、制御部500は、リソセルまたはクラスターの監視制御システムおよび/または製造工場の統括制御システムに従属するよう構成できる。   The control unit 500 shown in FIG. 1 controls the overall operation of the lithography or exposure apparatus, and in particular performs an optimization process described further below. The controller 500 can be embodied as a suitably programmed general purpose computer with a central processing unit and volatile and non-volatile storage means. Optionally, the controller 500 includes one or more input / output devices such as a keyboard and screen, one or more network connections, and / or one or more interfaces to various parts of the lithography or exposure apparatus. Of course, a one-to-one relationship between the controller and the lithography or exposure apparatus is not essential. In an embodiment of the present invention, one control unit can control a plurality of lithography or exposure apparatuses. In some embodiments of the invention, multiple network computers can be used to control a single lithography or exposure apparatus. The controller 500 may also be configured to control one or more associated processing devices and substrate handling devices in a lithocell or cluster of which the lithography or exposure apparatus forms part. Further, the control unit 500 can be configured to be subordinate to a lithocell or cluster monitoring control system and / or a manufacturing plant general control system.

図2は、自己放射コントラストデバイス4を有する図1の装置の概略上面図である。図1に示す装置1と同様に、リソグラフィ装置1は、基板17を保持する基板テーブル2と、基板テーブル2を最大6自由度で移動させる位置決め装置3と、自己放射コントラストデバイス4と基板17とのアライメントを決定し、自己放射コントラストデバイス4の投影に対して基板17が水平か否かを決定するためのアライメント/レベルセンサ19と、を備える。図示されるように基板17は矩形形状を有するが、追加的に又は代替的に円形の基板が処理されてもよい。   FIG. 2 is a schematic top view of the apparatus of FIG. 1 having a self-radiating contrast device 4. Similar to the apparatus 1 shown in FIG. 1, the lithographic apparatus 1 includes a substrate table 2 that holds a substrate 17, a positioning device 3 that moves the substrate table 2 with a maximum of 6 degrees of freedom, a self-radiating contrast device 4, and a substrate 17. And an alignment / level sensor 19 for determining whether the substrate 17 is horizontal with respect to the projection of the self-radiating contrast device 4. As shown, the substrate 17 has a rectangular shape, but circular substrates may additionally or alternatively be processed.

自己放射コントラストデバイス4はフレーム15に配設されている。自己放射コントラストデバイス4は、放射発光ダイオード、例えばレーザダイオード、例えば青紫レーザダイオードであってもよい。図2に示されるように、自己放射コントラストデバイス4はXY面内に延在するアレイ21に配列されていてもよい。   The self-radiating contrast device 4 is arranged on the frame 15. The self-radiating contrast device 4 may be a radiant light emitting diode, for example a laser diode, for example a violet laser diode. As shown in FIG. 2, the self-radiating contrast devices 4 may be arranged in an array 21 extending in the XY plane.

アレイ21は細長い線であってもよい。ある実施の形態においては、アレイ21は、自己放射コントラストデバイス4の一次元配列であってもよい。ある実施の形態においては、アレイ21は、自己放射コントラストデバイス4の二次元配列であってもよい。   The array 21 may be an elongated line. In some embodiments, the array 21 may be a one-dimensional array of self-radiating contrast devices 4. In some embodiments, the array 21 may be a two-dimensional array of self-radiating contrast devices 4.

回転フレーム8が設けられていてもよく、これは、矢印で図示される方向に回転してもよい。回転フレームには、各自己放射コントラストデバイス4の像を与えるためのレンズ14、18(図1参照)が設けられていてもよい。本装置には、フレーム8およびレンズ14、18を備える光学コラムを基板に対して回転させるためのアクチュエータが設けられていてもよい。   A rotating frame 8 may be provided, which may rotate in the direction illustrated by the arrows. The rotating frame may be provided with lenses 14 and 18 (see FIG. 1) for providing an image of each self-radiating contrast device 4. This apparatus may be provided with an actuator for rotating an optical column including the frame 8 and the lenses 14 and 18 with respect to the substrate.

図3は、周辺部にレンズ14、18が設けられている回転フレーム8を高度に概略的に示す斜視図である。複数のビーム、本実施例では10本のビームが、それらレンズの一方へと入射し、基板テーブル2により保持された例えば基板17のある目標部分に投影されている。ある実施の形態においては、複数のビームは直線に配列されている。回転可能フレームは、アクチュエータ(図示せず)によって軸10まわりに回転可能である。回転可能フレーム8の回転の結果として、それらビームは、一連のレンズ14、18(視野レンズ14および結像レンズ18)に入射する。一連のレンズの各々に入射してビームは偏向され、それによりビームは基板17の表面の一部分に沿って動く。詳しくは図4を参照して後述する。ある実施の形態においては、各ビームが対応する源によって、すなわち自己放射コントラストデバイス、例えばレーザダイオードによって、生成される(図3には図示せず)。図3に示される構成においては、ビーム同士の距離を小さくするために、それらビームはともに、あるセグメントミラー30によって偏向されかつ運ばれる。それによって、後述するように、より多数のビームを同一のレンズを通じて投影し、要求解像度を実現することができる。   FIG. 3 is a perspective view schematically showing the rotating frame 8 provided with lenses 14 and 18 in the peripheral portion. A plurality of beams, 10 beams in this embodiment, enter one of the lenses and are projected onto a target portion of, for example, the substrate 17 held by the substrate table 2. In one embodiment, the plurality of beams are arranged in a straight line. The rotatable frame can be rotated around the axis 10 by an actuator (not shown). As a result of the rotation of the rotatable frame 8, the beams are incident on a series of lenses 14, 18 (field lens 14 and imaging lens 18). Upon entering each of the series of lenses, the beam is deflected so that the beam moves along a portion of the surface of the substrate 17. Details will be described later with reference to FIG. In one embodiment, each beam is generated by a corresponding source, ie by a self-radiating contrast device, such as a laser diode (not shown in FIG. 3). In the configuration shown in FIG. 3, both of the beams are deflected and carried by a segment mirror 30 to reduce the distance between the beams. Thereby, as will be described later, a larger number of beams can be projected through the same lens to achieve the required resolution.

回転可能フレームが回転すると、ビームが連続する複数のレンズへと入射する。あるレンズがビームに照射されるたびに、レンズ表面上でビームが入射する場所が移動する。レンズ上のビーム入射場所に依存してビームが異なって(例えば、異なる偏向をもって)ターゲットに投影される。従って、(ターゲットに到達する)ビームは後続のレンズが通過するたびに走査移動をすることになる。この原理について図4を参照して更に説明する。   When the rotatable frame rotates, the beam enters a plurality of continuous lenses. Each time a lens is irradiated with the beam, the location of the beam on the lens surface moves. Depending on where the beam is incident on the lens, the beam is projected onto the target differently (eg with different deflections). Thus, the beam (which reaches the target) will scan and move each time a subsequent lens passes. This principle will be further described with reference to FIG.

図4は、回転可能フレーム8の一部を高度に概略的に示す上面図である。第1ビームセットをB1と表記する。第2ビームセットをB2と表記する。第3ビームセットをB3と表記する。ビームセットのそれぞれが、回転可能フレーム8の対応するレンズセット14、18を通じて投影される。回転可能フレーム8が回転すると、ビームB1が基板17に投影され、走査移動によって領域A14を走査する。同様に、ビームB2は領域A24を走査し、ビームB3は領域A34を走査する。対応するアクチュエータによる回転可能フレーム8の回転と同時に、基板17および基板テーブルが方向Dに移動される。方向Dは、図2に示すX軸に沿う方向であってもよい。ほうこうDは、領域A14、A24、A34におけるビームの走査方向に実質的に垂直であってもよい。   FIG. 4 is a top view schematically showing a part of the rotatable frame 8 in a highly schematic manner. The first beam set is denoted as B1. The second beam set is denoted as B2. The third beam set is denoted as B3. Each of the beam sets is projected through a corresponding lens set 14, 18 of the rotatable frame 8. When the rotatable frame 8 rotates, the beam B1 is projected onto the substrate 17, and the region A14 is scanned by scanning movement. Similarly, the beam B2 scans the area A24, and the beam B3 scans the area A34. Simultaneously with the rotation of the rotatable frame 8 by the corresponding actuator, the substrate 17 and the substrate table are moved in the direction D. The direction D may be a direction along the X axis shown in FIG. The envelope D may be substantially perpendicular to the beam scanning direction in the regions A14, A24, and A34.

方向Dの第2のアクチュエータによる移動(例えば、対応する基板テーブルモータによる基板テーブルの移動)の結果、回転可能フレーム8の一連のレンズによって投影されるとき連続する複数回のビーム走査が互いに実質的に隣接するよう投影される。これにより、ビームB1の連続的な走査のたびに、実質的に隣接する領域A11、A12、A13、A14が生じる(図4に示すように、領域A11、A12、A13は以前に走査され、領域A14は今回走査されている)。領域A21、A22、A23、A24がビームB2に対して生じる(図4に示すように、領域A21、A22、A23は以前に走査され、領域A24は今回走査されている)。領域A31、A32、A33、A34がビームB3に対して生じる(図4に示すように、領域A31、A32、A33は以前に走査され、領域A34は今回走査されている)。このようにして、基板表面の領域A1、A2、A3が、回転可能フレーム8を回転させる間に基板を方向Dに移動させることにより、覆われてもよい。   As a result of the movement by the second actuator in direction D (eg movement of the substrate table by the corresponding substrate table motor), successive multiple beam scans are substantially relative to each other as projected by the series of lenses of the rotatable frame 8. Is projected adjacent to. This results in substantially adjacent regions A11, A12, A13, A14 for each successive scan of beam B1 (regions A11, A12, A13 were previously scanned, as shown in FIG. A14 is scanned this time). Regions A21, A22, A23, A24 occur for beam B2 (as shown in FIG. 4, regions A21, A22, A23 have been scanned previously and region A24 has been scanned this time). Regions A31, A32, A33, A34 occur for beam B3 (as shown in FIG. 4, regions A31, A32, A33 have been scanned previously and region A34 has been scanned this time). In this way, the areas A1, A2, A3 on the substrate surface may be covered by moving the substrate in direction D while rotating the rotatable frame 8.

多数のビームを同一のレンズを通じて投影することにより、(回転可能フレーム8をある同一の回転速度とすると)より短い時間で基板全体を処理することができる。これは、レンズ通過のたびに各レンズにより基板17を複数のビームが走査するからである。これにより、連続する複数回の走査に際して方向Dの変位量を大きくすることができる。見方を変えると、多数のビームを同一のレンズを通じて基板に投影するとき、ある所与の処理時間における回転可能フレームの回転速度を小さくしてもよいということである。これにより、回転可能フレームの変形、摩耗、振動、乱流などといった高回転速度による影響が軽減されうる。   By projecting multiple beams through the same lens, the entire substrate can be processed in less time (assuming the rotatable frame 8 is at the same rotational speed). This is because a plurality of beams scan the substrate 17 with each lens every time the lens passes. Thereby, the displacement amount in the direction D can be increased during a plurality of consecutive scans. In other words, when a large number of beams are projected onto the substrate through the same lens, the rotational speed of the rotatable frame at a given processing time may be reduced. Thereby, the influence by high rotational speed, such as a deformation | transformation of a rotatable frame, abrasion, a vibration, a turbulent flow, can be reduced.

ある実施の形態においては、図4に示すように、複数のビームは、レンズ14、18の回転の接線に対してある角度をなして配列されている。ある実施の形態においては、複数のビームは、各ビームが重なるか、又は各ビームが隣接ビームの走査経路に隣接するように配列されている。   In one embodiment, as shown in FIG. 4, the plurality of beams are arranged at an angle with respect to the tangent of rotation of the lenses 14, 18. In some embodiments, the plurality of beams are arranged such that each beam overlaps or each beam is adjacent to the scanning path of adjacent beams.

多数のビームを一度に同一レンズにより投影する態様の更なる効果は、公差の緩和に見ることができる。レンズの公差(位置決め、光学投影など)があるために、連続する領域A11、A12、A13、A14(および/または領域A21、A22、A23、A24および/またはA31、A32、A33、A34)の位置には、互いの位置決めにいくらかの不正確さが現れ得る。したがって、連続する領域A11、A12、A13、A14間にいくらかの重なりが必要とされるかもしれない。1本のビームの例えば10%を重なりとする場合、同一レンズに一度にビームが一つであると、同様に10%の係数で処理速度が遅くなるであろう。一方、同一レンズを通じて一度に5本又はそれより多数のビームが投影される状況においては、(上記同様1本のビームについて)同じ10%の重なりが5本又はそれより多数の投影線ごとにあるとすると、重なりの総計は概ね5(又はそれより多数)分の1である2%(又はそれ未満)へと小さくなるであろう。これは、全体的な処理速度を顕著に小さくする効果をもつ。同様に、少なくとも10本のビームを投影することにより、重なりの総計をおよそ10分の1に小さくしうる。したがって、多数のビームを同時に同一レンズにより投影するという特徴によって、基板の処理時間に生じる公差の影響を小さくしうる。それに加えて又はそれに代えて、より大きな重なり(従って、より大きな公差幅)が許容されてもよい。一度に同一レンズにより多数のビームを投影するのであれば、重なりが処理に与える影響が小さいからである。   A further effect of the aspect of projecting multiple beams at once with the same lens can be seen in tolerance reduction. Due to lens tolerances (positioning, optical projection, etc.), the position of successive areas A11, A12, A13, A14 (and / or areas A21, A22, A23, A24 and / or A31, A32, A33, A34) Some inaccuracy may appear in the positioning of each other. Therefore, some overlap may be required between successive regions A11, A12, A13, A14. If, for example, 10% of one beam is overlapped, if there is one beam at a time on the same lens, the processing speed will be similarly reduced by a factor of 10%. On the other hand, in a situation where 5 or more beams are projected at the same time through the same lens, the same 10% overlap (for one beam as above) is every 5 or more projection lines. If so, the total overlap would be reduced to 2% (or less), which is roughly one fifth (or more). This has the effect of significantly reducing the overall processing speed. Similarly, by projecting at least 10 beams, the total overlap can be reduced to approximately one tenth. Therefore, the influence of tolerance generated in the processing time of the substrate can be reduced by the feature that a plurality of beams are simultaneously projected by the same lens. In addition or alternatively, a larger overlap (and thus a larger tolerance width) may be allowed. This is because if a large number of beams are projected at the same time by the same lens, the influence of the overlap on the processing is small.

多数のビームを同一レンズを通じて同時に投影することに代えて又はそれとともに、インタレース技術を使用することができるかもしれない。しかしながらそのためには、より厳格にレンズ同士を整合させることが必要になるかもしれない。従って、それらレンズのうちある同一レンズを通じて一度に基板に投影される少なくとも2つのビームは相互間隔を有し、装置は、その間隔の中に後続のビーム投影がなされるように光学コラムに対して基板を移動させるよう第2アクチュエータを動作させるよう構成されていてもよい。   An interlace technique may be used instead of or in conjunction with simultaneously projecting multiple beams through the same lens. However, this may require more strict lens alignment. Thus, at least two beams projected onto the substrate at one time through one and the same lens have a mutual interval, and the apparatus is relative to the optical column so that subsequent beam projections are made during that interval. The second actuator may be configured to operate so as to move the substrate.

1つのグループにおいて連続するビーム同士の方向Dにおける距離を小さくするために(それによって、例えば方向Dに解像度を高くするために)、それらビームは方向Dに対して、互いに斜めに配列されていてもよい。そうした間隔は、各セグメントが複数ビームのうち対応する1つのビームを反射するセグメントミラー30を光路に設けることによって更に縮小されてもよい。それらセグメントは、それらミラーに入射するビーム同士の間隔よりもミラーで反射されたビーム同士の間隔を狭くするよう配設されている。そうした効果は、複数の光ファイバによっても実現しうる。ビームのそれぞれは、複数ファイバのうち対応する1つのファイバに入射する。それらのファイバは、光路に沿ってビーム同士の間隔を狭くするように配設されている。結果として、光ファイバ下流側でのビーム間隔は、光ファイバ上流側でのビーム間隔よりも狭い。   In order to reduce the distance in the direction D between consecutive beams in one group (thus increasing the resolution in the direction D, for example), the beams are arranged obliquely with respect to the direction D. Also good. Such spacing may be further reduced by providing segment mirrors 30 in the optical path, each segment reflecting a corresponding one of the multiple beams. The segments are arranged so that the interval between the beams reflected by the mirrors is narrower than the interval between the beams incident on the mirrors. Such an effect can be realized by a plurality of optical fibers. Each of the beams is incident on a corresponding one of the plurality of fibers. These fibers are arranged along the optical path so as to narrow the distance between the beams. As a result, the beam interval on the downstream side of the optical fiber is narrower than the beam interval on the upstream side of the optical fiber.

また、そうした効果は、複数ビームのうち対応する1つのビームを各々が受光する複数の入力を有する集積光学導波路回路を使用して実現されてもよい。この集積光学導波路回路は、光路に沿って集積光学導波路回路の上流側でのビーム同士の間隔よりも集積光学導波路回路の下流側でのビーム同士の間隔を狭くするよう構成されている。   Such an effect may also be realized using an integrated optical waveguide circuit having a plurality of inputs each receiving a corresponding one of the plurality of beams. The integrated optical waveguide circuit is configured such that the distance between the beams on the downstream side of the integrated optical waveguide circuit is narrower than the distance between the beams on the upstream side of the integrated optical waveguide circuit along the optical path. .

基板に投影される像の焦点を制御するためのシステムが提供されてもよい。上述のある構成において、ある光学コラムの部分又は全体により投影される像の焦点を調整するための構成が提供されてもよい。   A system for controlling the focus of the image projected onto the substrate may be provided. In certain configurations described above, a configuration may be provided for adjusting the focus of an image projected by a portion or all of an optical column.

ある実施形態では、投影システムは、少なくとも1つの放射ビームを基板上に投影する。基板は、物質(例えば金属)の液滴の局所堆積をレーザ誘起物質移動(laser induced material transfer)により生じさせるために、デバイスが形成されるべき基板17の上に物質層から形成される。   In certain embodiments, the projection system projects at least one beam of radiation onto the substrate. The substrate is formed from a material layer on the substrate 17 on which the device is to be formed in order to cause local deposition of droplets of material (eg metal) by laser induced material transfer.

図5を参照すると、レーザ誘起物質移動の物理的機構が表されている。ある実施形態では、放射ビーム200は、実質的に透明な物質202(例えばガラス)を通って物質202のプラズマブレークダウンより下の強度で集束される。表面熱吸収が、物質202を覆うドナー物質層204(例えば金属膜)から形成された基板上で起こる。熱吸収は、ドナー物質層204を溶融させる。さらに熱は、ドナー物質層204からの、従ってドナー構造(例えばプレート)208からのドナー物質の液滴206の順方向加速をもたらす順方向の誘起圧力勾配を生じさせる。ビーム200をドナープレート208上の適切な位置に向けることにより、ドナー物質パターンを基板17上に堆積することができる。ある実施形態では、ビームはドナー物質層204上に集束される。   Referring to FIG. 5, the physical mechanism of laser induced mass transfer is represented. In certain embodiments, the radiation beam 200 is focused through a substantially transparent material 202 (eg, glass) with an intensity below the plasma breakdown of the material 202. Surface heat absorption occurs on a substrate formed from a donor material layer 204 (eg, a metal film) overlying material 202. Heat absorption causes the donor material layer 204 to melt. Furthermore, the heat creates a forward induced pressure gradient that results in forward acceleration of the donor material droplet 206 from the donor material layer 204, and thus from the donor structure (eg, plate) 208. By directing the beam 200 to the appropriate location on the donor plate 208, a donor material pattern can be deposited on the substrate 17. In some embodiments, the beam is focused on the donor material layer 204.

ある実施形態では、1つまたは複数の短パルスがドナー物質の移動を生じさせるために用いられる。ある実施形態では、パルスは、擬似的な一次元の順方向の熱および溶融物質の物質移動を得るために、数ピコ秒またはフェムト秒の長さであってよい。このような短パルスは、物質層204中において側方の熱流動をほとんど又は全く促進せず、従ってドナー構造208への熱付加はほとんど又は全くない。短パルスは、急速な溶融と、物質の順方向の加速を可能とする(例えば、金属などの蒸発物質は、その順方向性を失って飛び散った堆積をもたらすであろう)。短パルスにより、物質の加熱を加熱温度の僅かに上であるが蒸発温度より下とすることができる。例えば、アルミニウムに関しては、摂氏約900から1000度が望ましい。   In certain embodiments, one or more short pulses are used to cause movement of the donor material. In certain embodiments, the pulses may be several picoseconds or femtoseconds long to obtain pseudo one-dimensional forward heat and mass transfer of the molten material. Such short pulses promote little or no lateral heat flow in the material layer 204, and thus little or no heat addition to the donor structure 208. Short pulses allow for rapid melting and forward acceleration of the material (eg, evaporating materials such as metals will lose their forward direction and result in scattered deposits). With short pulses, the heating of the material can be slightly above the heating temperature but below the evaporation temperature. For example, for aluminum, about 900 to 1000 degrees Celsius is desirable.

ある実施形態では、レーザパルスの使用によって、ドナー構造208から基板17に100〜1000nmの液滴の形で物質量(例えば金属)が移動する。ある実施形態では、ドナー物質は、基本的に金属を含むまたは金属から成る。ある実施形態では、物質はアルミニウムである。ある実施形態では、物質層204は膜状である。ある実施形態では、膜は別の物体又は層に付着している。上述したように、物体又は層はガラスであってよい。   In some embodiments, the use of laser pulses moves the amount of material (eg, metal) from the donor structure 208 to the substrate 17 in the form of 100-1000 nm droplets. In certain embodiments, the donor material essentially comprises or consists of a metal. In certain embodiments, the material is aluminum. In some embodiments, the material layer 204 is film-like. In certain embodiments, the film is attached to another object or layer. As mentioned above, the object or layer may be glass.

図1は、本発明のある実施形態を示す。リソグラフィまたは露光装置1は、固定部および可動部を含む投影システム50を備える。投影システムは、例えば図1に示すように、レンズ12,14および18を備えてよい。投影システム50は、複数の放射ビームをターゲット上(例えば基板17上)の位置に投影するよう構成される。この位置は、パターンに基づいて選択される。パターンは、基板17上に形成されるべきものである。ある実施形態では、パターンはフォトレジスト材料層に形成される。ある実施形態では、パターンはドナー材料層に形成され、これはその後、デバイスの層に対応するパターンを形成する。   FIG. 1 illustrates an embodiment of the present invention. The lithography or exposure apparatus 1 includes a projection system 50 including a fixed part and a movable part. The projection system may comprise lenses 12, 14, and 18, for example as shown in FIG. Projection system 50 is configured to project a plurality of radiation beams onto a target (eg, on substrate 17). This position is selected based on the pattern. The pattern is to be formed on the substrate 17. In some embodiments, the pattern is formed in a layer of photoresist material. In certain embodiments, a pattern is formed in the donor material layer, which then forms a pattern corresponding to the layer of the device.

図6に示すように、ある実施形態では、自己放射コントラストデバイス4は、導波路61を備えるデバイス60を備える。ある実施形態では、導波路61は、光ファイバを備える。光ファイバおよび物質の連続体(continuous body of material)から形成された他の導波路のライフタイムは限られている。光ファイバまたは他の導波路の端面(すなわち入射面および/または出射面)での結合効率の低下が観察されている。導波路は、限られた期間、良好且つ安定した結合効率で機能し、その後は導波路の出力はほぼリニアな低下をたどることが観察されている。導波路の結合効率は、導波路中に伝わるおよび導波路から送信される放射の比率に関係する。   As shown in FIG. 6, in one embodiment, the self-radiating contrast device 4 comprises a device 60 that comprises a waveguide 61. In some embodiments, the waveguide 61 comprises an optical fiber. The lifetime of other waveguides formed from optical fibers and a continuous body of material is limited. A reduction in coupling efficiency has been observed at the end faces (ie, the entrance and / or exit faces) of optical fibers or other waveguides. It has been observed that the waveguide functions with good and stable coupling efficiency for a limited period of time, after which the output of the waveguide follows a substantially linear drop. The coupling efficiency of a waveguide is related to the ratio of radiation transmitted into and transmitted from the waveguide.

光ファイバのライフタイムを延ばす一つの方法は、光ファイバの一端または両端にエンドキャップを設けることである。周知の光ファイバのエンドキャップの不利点は、光ファイバのおよそ10%に関して、エンドキャップが使用されているとしても望ましくないことに光ファイバが急速に劣化する。さらに、エンドキャップの取付は困難である。これは、エンドキャップとファイバとの間の100%の密着性が求められるからである。密着性が100%未満の場合、これは上記のような劣化をもたらす。   One way to extend the lifetime of an optical fiber is to provide end caps at one or both ends of the optical fiber. A disadvantage of known optical fiber end caps is that, for approximately 10% of the optical fibers, the optical fibers degrade rapidly, which is undesirable even if end caps are used. Furthermore, it is difficult to attach the end cap. This is because 100% adhesion between the end cap and the fiber is required. If the adhesion is less than 100%, this leads to the deterioration as described above.

物質の連続体から形成された導波路を備えるデバイスのライフタイムを延ばすことが望ましい。上述の装置1には、それぞれが装置に用いられる導波路を備える、ほぼ約10,000程度のデバイスが存在する可能性がある。従って、信頼できるように、90%よりも高い割合のこのようなデバイスのライフタイムを延ばすことが特に望ましい。   It would be desirable to extend the lifetime of a device comprising a waveguide formed from a continuum of materials. In the apparatus 1 described above, there may be approximately about 10,000 devices each including a waveguide used in the apparatus. Therefore, it is particularly desirable to extend the lifetime of such devices by a percentage greater than 90% in a reliable manner.

図6は、本発明の実施形態に係るデバイス60を概略的に示す。ある実施形態では、デバイス60は、物質の連続体から形成された導波路61を備える。物質の連続体は、導波路61を通過する放射に対して透明である。この連続体は、入射面62および出射面63を有する。ある実施形態では、導波路は、光ファイバなどの光導波路である。ある実施形態では、光ファイバは、シングルモード光ファイバである。ある実施形態では、光ファイバは、偏波保持光ファイバである。   FIG. 6 schematically illustrates a device 60 according to an embodiment of the present invention. In certain embodiments, the device 60 comprises a waveguide 61 formed from a continuum of material. The continuum of material is transparent to the radiation passing through the waveguide 61. This continuum has an entrance surface 62 and an exit surface 63. In some embodiments, the waveguide is an optical waveguide, such as an optical fiber. In some embodiments, the optical fiber is a single mode optical fiber. In some embodiments, the optical fiber is a polarization maintaining optical fiber.

ある実施形態では、導波路61は、細長い形状を有する。導波路61は、導波路61の軸に対応する長手方向を有してよい。しかしながら、これは必ずしも必要なケースではない。例えば、ある実施形態では、導波路は平面形状を有する。この場合、導波路61は、平面導波路の任意の端部を介して放射を受光するとともに放射を出力する。ある実施形態では、導波路61は中空ではない。導波路61は、実質的に中身が詰まっている。導波路61が細長い形状を有する場合、導波路61の入射面62および出射面63は、導波路61の長手方向端部に位置する。   In some embodiments, the waveguide 61 has an elongated shape. The waveguide 61 may have a longitudinal direction corresponding to the axis of the waveguide 61. However, this is not always necessary. For example, in some embodiments, the waveguide has a planar shape. In this case, the waveguide 61 receives the radiation through an arbitrary end of the planar waveguide and outputs the radiation. In some embodiments, the waveguide 61 is not hollow. The waveguide 61 is substantially packed. When the waveguide 61 has an elongated shape, the entrance surface 62 and the exit surface 63 of the waveguide 61 are located at the longitudinal ends of the waveguide 61.

ある実施形態では、デバイス60は、冷却器70を備える。冷却器70は、入射面62および/または出射面63を冷却するよう構成される。   In certain embodiments, device 60 includes a cooler 70. The cooler 70 is configured to cool the entrance surface 62 and / or the exit surface 63.

デバイス60が使用されているとき、入射面62で受光される放射は、入射面62を加熱する。デバイス60に冷却器70を設けることにより、入射面62および/または出射面63の温度は、そのような冷却器を有していないデバイスに比べて低下する。   When the device 60 is in use, radiation received at the entrance surface 62 heats the entrance surface 62. By providing the cooler 70 in the device 60, the temperature of the entrance surface 62 and / or the exit surface 63 is reduced compared to a device that does not have such a cooler.

入射面62および/または出射面63の冷却は、デバイス60のライフタイムを延ばす効果を有する。これは、導波路の結合効率の低下は導波路の端面が変形することに起因するためである。端面の変形は、放射からの熱により少なくとも部分的に生じる。放射は、端面を部分的に溶かしたり、柔らかくしたりし、これが変形となる。   Cooling the entrance surface 62 and / or the exit surface 63 has the effect of extending the lifetime of the device 60. This is because the decrease in the coupling efficiency of the waveguide is caused by the deformation of the end face of the waveguide. The end face deformation is caused at least in part by heat from radiation. Radiation partially melts or softens the end face, which becomes a deformation.

当技術分野では、導波路の結合効率の低下は、導波路の端面における汚染物質の蓄積が原因であると以前は考えられていた。従って、この発見は、従来の考えからの逸脱である。電子顕微鏡を用いることにより、道路の端面上の黒点は汚染が原因ではなく、実際には変形した面が原因であることが観察された。この種の表面変形は、レーザ誘起周期表面構造(laser induced periodic surface structures)と称されてもよい。この種の変形は、粒子欠乏環境(particle deprived environments)でさえも光ファイバ中で起こる可能性があり、該環境では光ファイバ端面の重大な汚染は可能性がない。   In the art, it was previously thought that the reduction in the coupling efficiency of the waveguide was due to the accumulation of contaminants at the end face of the waveguide. Therefore, this discovery is a departure from the conventional idea. By using an electron microscope, it was observed that the black spot on the end face of the road was not caused by contamination but actually caused by a deformed surface. This type of surface deformation may be referred to as laser induced periodic surface structures. This type of deformation can occur in optical fibers even in particle deprived environments, where there is no possibility of significant contamination of the optical fiber end face.

入射面62および/または出射面63の温度を低下させることにより、入射面62および/または出射面63における周期表面構造の発生は、少なくとも速度が落ち、場合によっては防止される。   By reducing the temperature of the entrance surface 62 and / or the exit surface 63, the occurrence of a periodic surface structure on the entrance surface 62 and / or the exit surface 63 is at least slowed and possibly prevented.

ある実施形態では、冷却器70は、入射面62および/または出射面63を冷却する液体71を備える。導波路61の一端面または両端面は、液体71に漬かっていてよい。熱は、入射面62および/または出射面63から液体71へと移動する。   In some embodiments, the cooler 70 includes a liquid 71 that cools the entrance surface 62 and / or the exit surface 63. One end surface or both end surfaces of the waveguide 61 may be immersed in the liquid 71. The heat moves from the entrance surface 62 and / or the exit surface 63 to the liquid 71.

液体71は、入射面62および/または出射面63を冷却する簡単な方法を提供する。しかしながら、入射面62および/または出射面63を冷却するよう構成されているのであれば、その他の種類の冷却器70が用いられてもよい。ある実施形態では、液体71は導波路61の側面と接触していない。   The liquid 71 provides a simple way to cool the entrance surface 62 and / or the exit surface 63. However, other types of coolers 70 may be used as long as they are configured to cool the entrance surface 62 and / or the exit surface 63. In some embodiments, the liquid 71 is not in contact with the side surface of the waveguide 61.

ある実施形態では、液体71は、導波路61を通過する放射に対して透明である。放射に対して透明な液体71を設けることにより、液体71を避けながら導波路61が放射を受光および/または出力するのを可能とするための余分なメカニズムが必要とされない。
従って、デバイス60は、簡単な構造を有することができる。
In some embodiments, the liquid 71 is transparent to radiation that passes through the waveguide 61. By providing a liquid 71 that is transparent to the radiation, no extra mechanism is required to allow the waveguide 61 to receive and / or output the radiation while avoiding the liquid 71.
Therefore, the device 60 can have a simple structure.

液体71は、放射に対して完全に透明である必要はない。液体71は、導波路61が導光する放射の波長に対して少なくとも高いレベルの透明度を有していることが望ましい。少なくとも80%、随意に少なくとも90%の透明度が望ましい。   The liquid 71 need not be completely transparent to radiation. The liquid 71 desirably has at least a high level of transparency with respect to the wavelength of radiation guided by the waveguide 61. A transparency of at least 80% and optionally at least 90% is desirable.

ある実施形態では、液体71は、水から成る。水は、すぐに利用でき、安価であり、非腐食性である。冷却器70の液体71として水を用いることにより、デバイス60を安価且つ安全に製造することができる。しかしながら、他の種類の液体71が冷却器70において好適に用いられてもよい。液体71の種類は、特に限定されない。例えば、液体71は、エタノールであってもよい。液体71は、波長405nmの放射に対して高透過率を有する任意の液体であってよい。   In some embodiments, the liquid 71 consists of water. Water is readily available, inexpensive and non-corrosive. By using water as the liquid 71 of the cooler 70, the device 60 can be manufactured inexpensively and safely. However, other types of liquid 71 may be suitably used in the cooler 70. The type of the liquid 71 is not particularly limited. For example, the liquid 71 may be ethanol. The liquid 71 may be any liquid having a high transmittance with respect to radiation having a wavelength of 405 nm.

ある実施形態では、液体71は、導波路61の屈折率と、デバイス60が放射を放つ媒体の屈折率との間の値の屈折率を有する。ある実施形態では、デバイス60は、例えば放射を空気中に放つよう構成される。ある実施形態では、液体71の屈折率は、1よりも大きい。   In some embodiments, the liquid 71 has a refractive index that is between the refractive index of the waveguide 61 and the refractive index of the medium from which the device 60 emits radiation. In certain embodiments, device 60 is configured to emit radiation into the air, for example. In some embodiments, the refractive index of the liquid 71 is greater than one.

ある実施形態では、液体71は、導波路61が形成される材料の屈折率よりも小さい屈折率を有する。例えば、導波路61は、約1.5付近の屈折率を有するガラス材料から形成されてもよい。ある実施形態では、液体は、約1から約1.5の範囲内、より望ましくは約1.2から約1.4の範囲内の屈折率を有する。ある実施形態では、液体71は、導波路61が形成される材料の屈折率と同じ屈折率を有する。この利点は、表面変形からの光学的な影響を減らすことである。ある実施形態では、液体71は、導波路61が形成される材料の屈折率よりも大きい屈折率を有する。   In some embodiments, the liquid 71 has a refractive index that is less than the refractive index of the material from which the waveguide 61 is formed. For example, the waveguide 61 may be formed from a glass material having a refractive index near about 1.5. In certain embodiments, the liquid has a refractive index in the range of about 1 to about 1.5, more desirably in the range of about 1.2 to about 1.4. In some embodiments, the liquid 71 has the same refractive index as the refractive index of the material from which the waveguide 61 is formed. This advantage is to reduce optical effects from surface deformation. In some embodiments, the liquid 71 has a refractive index that is greater than the refractive index of the material from which the waveguide 61 is formed.

ある実施形態では、液体71は、導波路61と外部環境との間の屈折率ステップを低減する。液体71は、中間の屈折率ステップを提供する。これにより、外部媒体(例えば空気または真空)に対する導波路61の結合効率が改善される。加えて、液体71により提供される中間の屈折率ステップは、導波路61から出力される波面の歪みを低減することができる。液体71は、導波路61の端面に形成される可能性がある周期表面構造の悪影響を低減する。さらに、この液体71による屈折率整合は、望ましくない表面構造をもたらす、導波路61の入射面62および/または出射面63における不均一なエネルギー付与に有益な効果がある。屈折率整合は、導波路61の入射面62および/または出射面63における加熱を低減する。ある実施形態では、屈折率コーティングが導波路61の側面に設けられる。   In some embodiments, the liquid 71 reduces the refractive index step between the waveguide 61 and the external environment. Liquid 71 provides an intermediate refractive index step. Thereby, the coupling efficiency of the waveguide 61 with respect to an external medium (for example, air or vacuum) is improved. In addition, the intermediate refractive index step provided by the liquid 71 can reduce distortion of the wavefront output from the waveguide 61. The liquid 71 reduces the adverse effects of the periodic surface structure that may be formed on the end face of the waveguide 61. Furthermore, this index matching by the liquid 71 has a beneficial effect on non-uniform energy application at the entrance surface 62 and / or exit surface 63 of the waveguide 61 resulting in an undesirable surface structure. Refractive index matching reduces heating at the entrance surface 62 and / or the exit surface 63 of the waveguide 61. In some embodiments, a refractive index coating is provided on the side of the waveguide 61.

ある実施形態では、冷却器70は、キャップ72を備える。キャップ72は、入射面62および/または出射面63において液体71を保持するよう構成される。導波路61は、液体71を介して放射を受光および/または出力する。キャップ72は、液体71を通さない材料から形成される。液体71は、キャップ72の中に含まれる。   In some embodiments, the cooler 70 includes a cap 72. The cap 72 is configured to hold the liquid 71 at the entrance surface 62 and / or the exit surface 63. The waveguide 61 receives and / or outputs radiation via the liquid 71. The cap 72 is formed from a material that does not allow the liquid 71 to pass through. Liquid 71 is contained in cap 72.

キャップ72を設けることにより、冷却器70は、導波路61の入射面62および/または出射面63を冷却するための簡単な構造を有することができる。キャップ72の容積容量は特に限定されない。ある実施形態では、キャップの容積容量は、少なくとも50mlおよび随意に少なくとも100mlである。ある実施形態では、キャップ72の容積容量は、約1mlの範囲内である。ある実施形態では、冷却器70は、複数の導波路61により共有されている。例えば、ある実施形態では、複数の光ファイバはそれぞれ同じキャップ72内に端面を有する。キャップ72は、約1mlから約10mlの容積を有してよい。入射面62および/または出射面63からの熱は、キャップ72内の液体71により吸収される。液体71の体積が大きくなるほど、放射の吸収に起因する液体71の平均温度上昇が低くなる。これは、導波路61の入射面62および/または出射面63を冷却するのに役立つ。   By providing the cap 72, the cooler 70 can have a simple structure for cooling the entrance surface 62 and / or the exit surface 63 of the waveguide 61. The volume capacity of the cap 72 is not particularly limited. In certain embodiments, the volume capacity of the cap is at least 50 ml and optionally at least 100 ml. In certain embodiments, the volume capacity of cap 72 is in the range of about 1 ml. In some embodiments, the cooler 70 is shared by the plurality of waveguides 61. For example, in some embodiments, each of the plurality of optical fibers has an end face within the same cap 72. The cap 72 may have a volume of about 1 ml to about 10 ml. Heat from the entrance surface 62 and / or the exit surface 63 is absorbed by the liquid 71 in the cap 72. The larger the volume of the liquid 71, the lower the average temperature rise of the liquid 71 due to the absorption of radiation. This serves to cool the entrance surface 62 and / or the exit surface 63 of the waveguide 61.

キャップ72は、導波路61を受け入れるよう構成されたポート73を有する。ある実施形態では、ポート73は、キャップ72と導波路61との間に液密シールを形成するよう構成されたシールを備える。このシールは、導波路61の外面の周りにおいてキャップ72からの液体の損失を少なくとも減らす。   Cap 72 has a port 73 configured to receive waveguide 61. In certain embodiments, the port 73 comprises a seal configured to form a liquid tight seal between the cap 72 and the waveguide 61. This seal at least reduces liquid loss from the cap 72 around the outer surface of the waveguide 61.

キャップ72の形状は、特に限定されない。ある実施形態では、キャップ72は細長い形状を有する。ある実施形態では、キャップ72の平均直径は、導波路61の平均直径よりも大きい。ある実施形態では、キャップ72は長手方向を有する。ある実施形態では、キャップ72の長手方向は、導波路61の長手方向と同じである。   The shape of the cap 72 is not particularly limited. In certain embodiments, the cap 72 has an elongated shape. In certain embodiments, the average diameter of the cap 72 is greater than the average diameter of the waveguide 61. In some embodiments, the cap 72 has a longitudinal direction. In some embodiments, the longitudinal direction of the cap 72 is the same as the longitudinal direction of the waveguide 61.

ある実施形態では、キャップ72は、ウィンドウ74を備える。導波路61は、液体71およびウィンドウ74を介して放射を受光および/または出力する。ウィンドウ74は、導波路61が導く放射に対して実質的に透明である材料から形成される。ウィンドウ74は、液体71を通さない。   In certain embodiments, the cap 72 includes a window 74. The waveguide 61 receives and / or outputs radiation via the liquid 71 and the window 74. The window 74 is formed from a material that is substantially transparent to the radiation guided by the waveguide 61. The window 74 does not pass the liquid 71.

ウィンドウ74を設けることにより、液体71を保持するキャップ72を形成する材料の残りの材料は、任意の光学特性を有することができる。これは、キャップ72の要件を緩和する。例えば、ウィンドウ74を除いたキャップ72の残りの部分は、導波路61により導かれる放射に対して不透明にできる。しかしながら、キャップ72は、必ずしもウィンドウ74を必要としない。例えば、キャップ72は、導波路61により導かれる放射に対して透明な材料から形成されてもよい。この場合、追加のウィンドウは必要ない。さらに、ある実施形態では、キャップ72のウィンドウ74は、デバイス60から出力される放射ビームを成形するよう構成される。ある実施形態では、キャップ72のウィンドウ74は、ピンホールまたはレンズの機能を果たすよう構成される。   By providing the window 74, the remaining material of the material forming the cap 72 that holds the liquid 71 can have any optical properties. This relaxes the requirement of the cap 72. For example, the remaining portion of the cap 72 except for the window 74 can be opaque to the radiation guided by the waveguide 61. However, the cap 72 does not necessarily require the window 74. For example, the cap 72 may be formed from a material that is transparent to the radiation guided by the waveguide 61. In this case, no additional windows are required. Further, in some embodiments, the window 74 of the cap 72 is configured to shape the radiation beam output from the device 60. In some embodiments, the window 74 of the cap 72 is configured to perform a pinhole or lens function.

図6に示すように、冷却器70は、導波路61の出射面63を冷却するよう構成されてもよい。図7は、本発明のある実施形態に係るデバイス60を概略的に示す。この実施形態では、冷却器70は、導波路61の入射面62を冷却するよう構成される。   As shown in FIG. 6, the cooler 70 may be configured to cool the emission surface 63 of the waveguide 61. FIG. 7 schematically illustrates a device 60 according to an embodiment of the invention. In this embodiment, the cooler 70 is configured to cool the entrance surface 62 of the waveguide 61.

図8は、デバイス60が2つの冷却器70を備える実施形態を示す。冷却器の一つは、入射面62を冷却するよう構成される。もう一つの冷却器70は、出射面63を冷却するよう構成される。   FIG. 8 shows an embodiment in which the device 60 comprises two coolers 70. One of the coolers is configured to cool the entrance surface 62. Another cooler 70 is configured to cool the exit surface 63.

ある実施形態では、放射エミッタは、本発明の実施形態に係るデバイス60を備える。ある実施形態では、ファイバレーザは、本発明の実施形態に係るデバイス60を備える。例えば、一つまたは複数の自己放射コントラストデバイス4は、本発明の実施形態に係るデバイス60を備えるファイバレーザを備えてもよい。   In certain embodiments, the radiation emitter comprises a device 60 according to an embodiment of the present invention. In certain embodiments, the fiber laser comprises a device 60 according to an embodiment of the present invention. For example, one or more self-radiating contrast devices 4 may comprise a fiber laser comprising a device 60 according to an embodiment of the invention.

図6に示すように、ある実施形態では、デバイス60は、放射源65を備える。放射源65は、放射を導波路61に供給するよう構成される。例えば、放射源65は、レーザダイオード、または他のファイバレーザを備えてもよい。レーザダイオードは、半導体レーザダイオードであってもよい。ある実施形態では、デバイス60は、放射源により励起されるファイバレーザの一部を備える。   As shown in FIG. 6, in some embodiments, the device 60 comprises a radiation source 65. The radiation source 65 is configured to supply radiation to the waveguide 61. For example, the radiation source 65 may comprise a laser diode or other fiber laser. The laser diode may be a semiconductor laser diode. In certain embodiments, device 60 comprises a portion of a fiber laser that is pumped by a radiation source.

ある実施形態では、放射源65は、導波路61に非偏光放射および/または円偏光放射を供給するよう構成される。ある実施形態では、放射源65は、完全非偏光放射を導波路61に供給するよう構成される。ある実施形態では、放射源65は、完全円偏光放射を導波路61に供給するよう構成される。ある実施形態では、放射源65は、非偏光放射と円偏光放射の混合を導波路61に供給するよう構成される。ある実施形態では、放射源65は、最大で10%、5%または1%の直線偏光放射を含む放射を供給するよう構成される。しかしながら、これは必ずしも必要なことではない。例えば、ある実施形態では、デバイス60の放射源65は、少なくともいくらかの、おおび随意に完全な、直線偏光放射を導波路61に供給するよう構成される。デバイス60は、任意の偏光の放射とともに用いられてよい。冷却器70の効果により、望ましくない表面構造の発生を減らすことができるので、デバイス60のライフタイムを縮めることなく直線偏光放射を用いることができる。   In certain embodiments, radiation source 65 is configured to provide unpolarized radiation and / or circularly polarized radiation to waveguide 61. In some embodiments, the radiation source 65 is configured to provide fully unpolarized radiation to the waveguide 61. In certain embodiments, the radiation source 65 is configured to provide fully circularly polarized radiation to the waveguide 61. In some embodiments, the radiation source 65 is configured to provide a mixture of unpolarized and circularly polarized radiation to the waveguide 61. In certain embodiments, the radiation source 65 is configured to provide radiation that includes up to 10%, 5%, or 1% linearly polarized radiation. However, this is not always necessary. For example, in some embodiments, the radiation source 65 of the device 60 is configured to provide at least some, and optionally complete, linearly polarized radiation to the waveguide 61. Device 60 may be used with any polarization of radiation. The effect of the cooler 70 can reduce the occurrence of undesirable surface structures, so that linearly polarized radiation can be used without reducing the lifetime of the device 60.

ある実施形態では、デバイス60は、少なくとも50mWの出力を有するよう構成される。ある実施形態では、デバイスは、最大でも250mWの出力パワーを有するよう構成される。ある実施形態では、デバイス60は、約405nmの波長を有する放射を誘導するよう構成される。しかしながら、導波路61により導かれる放射の波長は特に限定されない。デバイス60は、たとえば、青色レーザ、青紫レーザまたは紫レーザの一部を備えてもよい。しかしながら、他の放射波長を用いることができる。これは、任意の波長の放射は導波路61の入射面62および/または出射面63を加熱する影響を及ぼす可能性があるからであり、これは、入射面62および/または出射面63の変形を引き起こす可能性がある。従って、任意の波長の放射を誘導するための導波路を備えるデバイスは、本発明の実施形態に従って作られることから恩恵を受ける。   In certain embodiments, device 60 is configured to have an output of at least 50 mW. In certain embodiments, the device is configured to have an output power of at most 250 mW. In certain embodiments, device 60 is configured to induce radiation having a wavelength of about 405 nm. However, the wavelength of the radiation guided by the waveguide 61 is not particularly limited. Device 60 may comprise, for example, a blue laser, a blue-violet laser, or a portion of a violet laser. However, other emission wavelengths can be used. This is because radiation of any wavelength may have an effect of heating the entrance surface 62 and / or the exit surface 63 of the waveguide 61, which is a deformation of the entrance surface 62 and / or the exit surface 63. May cause. Thus, a device comprising a waveguide for directing radiation of any wavelength will benefit from being made according to embodiments of the present invention.

ある実施形態では、導波路61は、冷却器70を通って出射面63からガス中に放射を出力するよう構成される。リソグラフィまたは露光装置1で使用されているデバイス60との関連で、デバイス60は、放射を空気中にまたは随意に真空中に出力するよう構成された自己放射コントラストデバイス4の一部を備えてもよい。デバイス60の冷却器70は、導波路61からガスまたは真空への結合効率を増大し、特にしばらくすると、導波路61の結合効率はどんな場合でも安定する。   In some embodiments, the waveguide 61 is configured to output radiation into the gas from the exit surface 63 through the cooler 70. In the context of the device 60 used in the lithography or exposure apparatus 1, the device 60 may also comprise a part of a self-radiating contrast device 4 configured to output radiation in air or optionally in vacuum. Good. The cooler 70 of the device 60 increases the coupling efficiency from the waveguide 61 to the gas or vacuum, especially after a while, the coupling efficiency of the waveguide 61 is stable in any case.

図9は、本発明の実施形態に係るデバイス60の冷却器70を概略的に示す。図9に示すように、ある実施形態では、冷却器70は、加圧器80を備える。加圧器80は、加圧下で液体71を保持するよう構成される。使用の際、液体71は加圧器80により加圧される。   FIG. 9 schematically illustrates a cooler 70 of a device 60 according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 9, in some embodiments, the cooler 70 includes a pressurizer 80. The pressurizer 80 is configured to hold the liquid 71 under pressure. In use, the liquid 71 is pressurized by the pressurizer 80.

使用中に加圧下で液体71を保持することの利点は、液体71の沸点が効果的に上昇することである。これは、デバイス60の使用中に液体71が沸騰する可能性を低減する。液体71は、使用中に導波路61の入射面62および/または出射面63から熱を吸収する。液体71の冷却効果が減少するため、液体71が沸騰することは望ましくない。特に、液体71の冷却効果は、気泡が冷却されるべき面と接触する場合に減少する。さらに、泡は、レンズとして機能する可能性があり、それは導波路61の端面における結合を低下させる。   The advantage of holding the liquid 71 under pressure during use is that the boiling point of the liquid 71 is effectively increased. This reduces the likelihood that the liquid 71 will boil during use of the device 60. The liquid 71 absorbs heat from the entrance surface 62 and / or the exit surface 63 of the waveguide 61 during use. Since the cooling effect of the liquid 71 is reduced, it is not desirable for the liquid 71 to boil. In particular, the cooling effect of the liquid 71 is reduced when the bubbles come into contact with the surface to be cooled. In addition, the foam can function as a lens, which reduces the coupling at the end face of the waveguide 61.

加圧器80の種類は、特に限定されない。ただ単に一例として、ある実施形態では、加圧器80は冷却器70のキャップ72内にガスポケット81を備えてもよい。ガスポケット81は、空気などのガスで満たされる。ガスポケット81は、少なくとも部分的にフレキシブルな膜により液体から分離されている。加圧器80は、さらに、ガスポケット81中のガスを加圧するよう構成されたコンプレッサ82を備える。ガスポケット81中のガスを加圧することにより、冷却器70中の液体71が加圧され得る。   The type of the pressurizer 80 is not particularly limited. By way of example only, in some embodiments, the pressurizer 80 may include a gas pocket 81 within the cap 72 of the cooler 70. The gas pocket 81 is filled with a gas such as air. The gas pocket 81 is separated from the liquid by an at least partially flexible membrane. The pressurizer 80 further includes a compressor 82 configured to pressurize the gas in the gas pocket 81. By pressurizing the gas in the gas pocket 81, the liquid 71 in the cooler 70 can be pressurized.

ある実施形態では、冷却器70は、液体71が入射面62および/または出射面63を横切って流れるような循環路を備える。このような循環路は、図9に矢印で図示されている。矢印は、冷却器70を通り抜ける液体71の移動を表す。入射面62および/または出射面63を横切る液体71の流れを提供することにより、入射面62および/または出射面63と接触する液体71の平均温度は低レベルで維持することができる。これにより、液体71が入射面62および/または出射面63を冷却し続けることが可能となる。いったん液体71が熱を吸収すると、液体は冷却器70のキャップ72から抜け出ることができる。低温度の新たな液体は、キャップ72中に流れ、流れ出る液体71を取り替える。   In some embodiments, the cooler 70 includes a circulation path such that the liquid 71 flows across the entrance surface 62 and / or the exit surface 63. Such a circulation path is illustrated by an arrow in FIG. The arrow represents the movement of the liquid 71 through the cooler 70. By providing a flow of liquid 71 across the entrance surface 62 and / or exit surface 63, the average temperature of the liquid 71 in contact with the entrance surface 62 and / or exit surface 63 can be maintained at a low level. As a result, the liquid 71 can continue to cool the entrance surface 62 and / or the exit surface 63. Once the liquid 71 has absorbed heat, the liquid can escape from the cap 72 of the cooler 70. The low temperature fresh liquid flows into the cap 72 and replaces the flowing liquid 71.

ある実施形態では、冷却器70は、液体供給口75および液体流出口76を備える。液体71は、液体供給口75を介して冷却器70のキャップ72内に流れ込む。液体71は、液体流出口76を通って冷却器70のキャップ72から流れ出る。   In some embodiments, the cooler 70 includes a liquid supply port 75 and a liquid outlet 76. The liquid 71 flows into the cap 72 of the cooler 70 through the liquid supply port 75. Liquid 71 flows out of cap 72 of cooler 70 through liquid outlet 76.

冷却器70を通り抜ける液体71の流れを提供することの利点は、液体71の流れが入射面62および/または出射面63に存在する汚染物質を取り除くのに役立つことである。例えば、このような汚染物質は、そうでなければ光ピンセット効果(optical tweezer effect)が原因で面62,63に堆積する可能性があり、特に光ファイバの光学コアに汚染物質をもたらす。液体71の流れは、ビーム焦点で生じる堆積を減らす。この流れ(表面に対して垂直であってもよい)は、光ビームの光ピンセット効果が原因で「トラップされた」粒子を、それらが表面に事実上移動するより前に、移動させる。加えて、汚染物質が表面に堆積している場合、液体71の流れは、汚染物質を減らす。従って、液体71の流れは、導波路61の端面上の汚染物質の悪影響を低減するのに役立つ。   An advantage of providing a flow of liquid 71 through the cooler 70 is that the flow of liquid 71 helps to remove contaminants present on the entrance surface 62 and / or exit surface 63. For example, such contaminants can otherwise accumulate on the surfaces 62, 63 due to the optical tweezer effect, particularly leading to contaminants in the optical core of the optical fiber. The flow of liquid 71 reduces the deposition that occurs at the beam focus. This flow (which may be perpendicular to the surface) moves the particles “trapped” due to the optical tweezer effect of the light beam before they effectively move to the surface. In addition, when contaminants are deposited on the surface, the flow of liquid 71 reduces the contaminants. Accordingly, the flow of liquid 71 helps to reduce the adverse effects of contaminants on the end face of the waveguide 61.

ある実施形態では、冷却器70は、加熱器77を備える。加熱器77は、入射面62および/または出射面63の温度よりも高い温度に加熱するよう構成される。加熱器77の目的は、冷却器70液体71からガスを抜くことである。このガス抜きは、導波路61の入射面62および/または出射面63における気泡の形成を減らすのに役立つ。これは、冷却器70の有効性を高める。   In some embodiments, the cooler 70 includes a heater 77. The heater 77 is configured to heat to a temperature higher than the temperature of the entrance surface 62 and / or the exit surface 63. The purpose of the heater 77 is to vent gas from the cooler 70 liquid 71. This degassing helps to reduce bubble formation at the entrance surface 62 and / or the exit surface 63 of the waveguide 61. This increases the effectiveness of the cooler 70.

加熱器77の種類は特に限定されない。加熱器77は、発熱体を備える。ある実施形態では、加熱器77は、冷却器70のキャップ72の外面または内面に取り付けられた薄膜ヒータを備える。他の適切な種類の加熱器77が用いられてもよい。   The kind of heater 77 is not specifically limited. The heater 77 includes a heating element. In certain embodiments, the heater 77 comprises a thin film heater attached to the outer or inner surface of the cap 72 of the cooler 70. Other suitable types of heaters 77 may be used.

加えてまたは代えて、冷却器70内の液体71は、液体を減圧することにより、少なくとも部分的にガス抜きされてもよい。例えば、液体71は、デバイス60内での液体71の使用の前に、液体71を減圧することによりガス抜きされてもよい。この場合、いったんデバイス60が使用されれば、圧力は、例えば液体71の沸点を上昇するために加圧器80を用いて増大されてもよい。   In addition or alternatively, the liquid 71 in the cooler 70 may be at least partially degassed by depressurizing the liquid. For example, the liquid 71 may be degassed by depressurizing the liquid 71 prior to use of the liquid 71 in the device 60. In this case, once the device 60 is used, the pressure may be increased using the pressurizer 80 to increase the boiling point of the liquid 71, for example.

ある実施形態では、リソグラフィまたは露光装置1は、本発明の実施形態に係るデバイス60を備える。ある実施形態では、リソグラフィまたは露光装置は、複数の放射ビームを提供するよう構成された、複数のデバイス60を備えるプログラマブル・パターニングデバイスを備える。ある実施形態では、リソグラフィまたは露光装置は、投影システム50を備える。投影システム50は、固定部と可動部を備え、パターンに基づいて選択されたターゲット(例えば基板17)上の位置に複数の放射ビームを投影するよう構成される。   In an embodiment, the lithography or exposure apparatus 1 comprises a device 60 according to an embodiment of the present invention. In certain embodiments, the lithographic or exposure apparatus comprises a programmable patterning device comprising a plurality of devices 60 configured to provide a plurality of radiation beams. In certain embodiments, the lithography or exposure apparatus includes a projection system 50. The projection system 50 includes a fixed part and a movable part, and is configured to project a plurality of radiation beams onto a position on a target (for example, the substrate 17) selected based on a pattern.

ある実施形態では、複数の自己放射コントラストデバイス4を備えるプログラマブル・パターニングデバイスと、固定部および可動部を備える投影システム50とを備えるリソグラフィまたは露光装置1が提供される。ある実施形態では、少なくとも1つの自己放射コントラストデバイス4は、非偏光放射および/または円偏光放射を含む放射ビームを出力するよう構成された導波路61を備える。少なくとも1つの自己放射コントラストデバイス4は、非偏光放射および/または円偏光放射のみを出力するよう構成された導波路61を備える。導波路61は、直線偏光放射を出力しないよう構成される。   In one embodiment, there is provided a lithography or exposure apparatus 1 comprising a programmable patterning device comprising a plurality of self-radiating contrast devices 4 and a projection system 50 comprising a fixed part and a movable part. In an embodiment, the at least one self-radiating contrast device 4 comprises a waveguide 61 configured to output a radiation beam comprising unpolarized radiation and / or circularly polarized radiation. The at least one self-radiating contrast device 4 comprises a waveguide 61 configured to output only unpolarized radiation and / or circularly polarized radiation. The waveguide 61 is configured not to output linearly polarized radiation.

非偏光放射および/または円偏光放射のみを用いることにより、自己放射コントラストデバイス4のライフタイムを延ばすことができる。導波路61の端面の劣化および変形が減少する。これは、導波路61の導波路61および/または出射面63上に生じる可能性のある周期表面構造が直線偏光の方向に関連して形成されることが観察されているためである。特に、変形のリップルは放射の偏光に対して垂直であることが観察されている。言い換えると、リップルは優先的な方向を有する。円偏光放射または非偏光放射を用いることにより、変形のリップルが関連して形成されるような直線偏光方向は無くなる。これにより、端面の変形が低減される。   By using only non-polarized radiation and / or circularly polarized radiation, the lifetime of the self-radiating contrast device 4 can be extended. Deterioration and deformation of the end face of the waveguide 61 are reduced. This is because it has been observed that periodic surface structures that can occur on the waveguide 61 and / or the exit surface 63 of the waveguide 61 are formed in relation to the direction of linearly polarized light. In particular, the deformation ripple has been observed to be perpendicular to the polarization of the radiation. In other words, the ripple has a preferential direction. By using circularly polarized or non-polarized radiation, there is no linear polarization direction in which deformation ripples are formed. Thereby, the deformation of the end face is reduced.

端面を水に漬けた光ファイバを用いて実験を行った。これらの実験は、光ファイバにより出力される放射ビームの形状が実質的にゆがんでいない又は動的ではなく、比較的安定したままであることを示した。さらに、実験は、光ファイバ端面の浸水の使用が光ファイバと外部媒体との間の結合効率の劣化を長期にわたって低減するのに役立つことを示した。   The experiment was carried out using an optical fiber whose end face was immersed in water. These experiments have shown that the shape of the radiation beam output by the optical fiber is substantially undistorted or dynamic and remains relatively stable. In addition, experiments have shown that the use of water immersion at the end face of the optical fiber helps to reduce the degradation of coupling efficiency between the optical fiber and the external medium over time.

図10は、スラブ型導波路91を備えるデバイス60の実施形態を示す。スラブ型導波路は、平面導波路とも呼ばれる。スラブ型導波路91は、入射面92および出射面93を有する。冷却器70は、スラブ型導波路91の入射面92および/または出射面93を冷却するよう構成される。   FIG. 10 shows an embodiment of a device 60 comprising a slab waveguide 91. A slab type waveguide is also called a planar waveguide. The slab waveguide 91 has an entrance surface 92 and an exit surface 93. The cooler 70 is configured to cool the entrance surface 92 and / or the exit surface 93 of the slab waveguide 91.

実施形態では、スラブ型導波路は、異なる誘電率を有する材料の少なくとも3つの層を備える。中間層95は、最上層94と最下層96の間にある。中間層95の誘電率は、最上層94の誘電率および最下層96の誘電率と異なる。少なくとも3つの層94,95,96のそれぞれは、それらの界面に対して実質的に平行な方向に延在している。   In an embodiment, the slab waveguide comprises at least three layers of materials having different dielectric constants. The intermediate layer 95 is between the uppermost layer 94 and the lowermost layer 96. The dielectric constant of the intermediate layer 95 is different from the dielectric constant of the uppermost layer 94 and the dielectric constant of the lowermost layer 96. Each of the at least three layers 94, 95, 96 extends in a direction substantially parallel to their interface.

ある実施形態では、デバイス60は、少なくとも2つの導波路を備える。例えば、図10に示すように、ある実施形態ではデバイス60はスラブ型導波路91および別の導波路61を備える。ある実施形態では、別の導波路61は光ファイバである。ある実施形態では、別の導波路61からの放射は、スラブ型導波路91により界面において受光される。界面は、スラブ型導波路の入射面92および/または別の導波路61の出射面63に対応する。ある実施形態では、放射は、別の導波路61からスラブ型導波路91の中間層95内に注入される。ある実施形態では、スラブ型導波路91の入射面92は、別の導波路61の出射面63と接触している。ある実施形態では、スラブ型導波路91の入射面92は、導波路61の出射面63から離間している。   In certain embodiments, device 60 comprises at least two waveguides. For example, as shown in FIG. 10, in one embodiment, device 60 includes a slab waveguide 91 and another waveguide 61. In some embodiments, the other waveguide 61 is an optical fiber. In some embodiments, radiation from another waveguide 61 is received at the interface by a slab waveguide 91. The interface corresponds to the entrance surface 92 of the slab waveguide and / or the exit surface 63 of another waveguide 61. In one embodiment, radiation is injected from another waveguide 61 into the intermediate layer 95 of the slab waveguide 91. In some embodiments, the entrance surface 92 of the slab waveguide 91 is in contact with the exit surface 63 of another waveguide 61. In some embodiments, the entrance surface 92 of the slab waveguide 91 is spaced from the exit surface 63 of the waveguide 61.

冷却器70は、別の導波路の入射面62、別の導波路の出射面63、スラブ型導波路91の入射面92、および/またはスラブ型導波路91の出射面93から選択された1つまたは複数の面を冷却するよう構成される。ある実施形態では、導波路61の入射面62、導波路61の出射面63、スラブ型導波路91の入射面92およびスラブ型導波路91の出射面93のそれぞれが冷却器70により冷却される。   The cooler 70 is selected from an incident surface 62 of another waveguide, an exit surface 63 of another waveguide, an entrance surface 92 of a slab waveguide 91, and / or an exit surface 93 of a slab waveguide 91. Configured to cool one or more surfaces. In an embodiment, each of the entrance surface 62 of the waveguide 61, the exit surface 63 of the waveguide 61, the entrance surface 92 of the slab waveguide 91, and the exit surface 93 of the slab waveguide 91 is cooled by the cooler 70. .

本発明の実施形態に係るデバイス60は、リソグラフィまたは露光装置において用いることができる。しかしながら、デバイス60は、リソグラフィの他にも多くの応用がある。例えば、このようなデバイス60は、特に405nmのレーザを用いるバイオサイエンスの分野で用いることができる。デバイス60の他の応用領域は、例えば、医療診断、環境モニタリング、マイクロ・プロジェクタおよびディスプレイ、通信およびその他の電子装置などを含む。デバイス60は、高出力の青色レーザまたは紫色レーザを含む応用で特に用いられてよい。   The device 60 according to the embodiment of the present invention can be used in a lithography or exposure apparatus. However, device 60 has many applications besides lithography. For example, such a device 60 can be used especially in the field of bioscience using a 405 nm laser. Other application areas of device 60 include, for example, medical diagnostics, environmental monitoring, micro projectors and displays, communications and other electronic devices, and the like. Device 60 may be particularly used in applications involving high power blue lasers or violet lasers.

デバイス製造方法に従って、ディスプレイ、集積回路または任意の他の品目が、パターンが投影される基板から製造されてよい。   According to the device manufacturing method, the display, integrated circuit or any other item may be manufactured from the substrate onto which the pattern is projected.

本書ではICの製造におけるリソグラフィまたは露光装置の使用を例として説明しているが、本明細書に説明したリソグラフィまたは露光装置は他の用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。他の用途としては、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッドなどがある。当業者であればこれらの他の適用に際して、本明細書における「ウェーハ」あるいは「ダイ」という用語がそれぞれ「基板」あるいは「目標部分」という、より一般的な用語と同義であるとみなされると理解することができるであろう。本書に言及された基板は露光前または露光後において、例えばトラック(典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置)、メトロロジツール、および/またはインスペクションツールにより処理されてもよい。適用可能であれば、本明細書の開示はこれらのまたは他の基板処理装置にも適用され得る。また、基板は例えば多層ICを製造するために複数回処理されてもよく、その場合には本明細書における基板という用語は既に処理されている多数の処理層を含む基板をも意味し得る。   Although this document describes the use of lithography or exposure apparatus in the manufacture of ICs as an example, it should be understood that the lithography or exposure apparatus described herein can be applied to other applications. Other applications include integrated optical systems, magnetic domain memory guide and detection patterns, flat panel displays, liquid crystal displays (LCDs), thin film magnetic heads, and the like. For those other applications, those skilled in the art will consider that the terms "wafer" or "die" herein are considered synonymous with the more general terms "substrate" or "target portion", respectively. Will be able to understand. The substrates mentioned in this document are processed before or after exposure, for example by a track (typically a device that applies a resist layer to the substrate and develops the resist after exposure), a metrology tool, and / or an inspection tool. May be. Where applicable, the disclosure herein may be applied to these or other substrate processing apparatus. The substrate may also be processed multiple times, for example to produce a multi-layer IC, in which case the term substrate herein may also mean a substrate comprising a number of processing layers that have already been processed.

「レンズ」という用語は、文脈が許す限り、屈折光学部品、回折光学部品、反射光学部品、磁気的光学部品、電磁気的光学部品、静電的光学部品、またはこれらの組み合わせを含む各種の光学部品のいずれかを指し示してもよい。   The term “lens” refers to various optical components including refractive optical components, diffractive optical components, reflective optical components, magnetic optical components, electromagnetic optical components, electrostatic optical components, or combinations thereof, as the context allows. May be pointed to.

上述の説明は例示であり、限定を意図しない。よって、以下に述べる請求項の範囲から逸脱することなく既述の本発明に変更を加えることができるということは、当業者には明らかなことである。   The above description is illustrative and is not intended to be limiting. Thus, it will be apparent to one skilled in the art that modifications may be made to the invention as described without departing from the scope of the claims set out below.

Claims (15)

自身を通過する放射に対して透明な物質の連続体の形状を成す導波路であって、前記連続体が入射面および出射面を有する導波路と、
前記入射面および/または前記出射面を冷却するよう構成された冷却器と、
を備えることを特徴とするデバイス。
A waveguide in the form of a continuum of material transparent to radiation passing through it, the continuum having an entrance surface and an exit surface;
A cooler configured to cool the entrance surface and / or the exit surface;
A device comprising:
前記導波路は、光ファイバを備えることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。   The device of claim 1, wherein the waveguide comprises an optical fiber. 前記冷却器は、前記入射面および/または前記出射面を冷却する液体を備えることを特徴とする請求項1または2に記載のデバイス。   The device according to claim 1, wherein the cooler includes a liquid that cools the entrance surface and / or the exit surface. 前記液体は、前記導波路を通過する放射に対して透明であることを特徴とする請求項3に記載のデバイス。   4. A device according to claim 3, wherein the liquid is transparent to radiation passing through the waveguide. 前記液体は、1より大きく且つ前記物質の屈折率よりも小さい屈折率を有することを特徴とする請求項3または4に記載のデバイス。   The device according to claim 3 or 4, wherein the liquid has a refractive index greater than 1 and smaller than the refractive index of the substance. 加圧下で前記液体を保持するよう構成された加圧器を備えることを特徴とする請求項3から5のいずれかに記載のデバイス。   6. A device according to any one of claims 3 to 5, comprising a pressurizer configured to hold the liquid under pressure. 前記冷却器は、前記液体が前記入射面および/または前記出射面を横切って流れるような循環路を備えることを特徴とする請求項3から6のいずれかに記載のデバイス。   The device according to claim 3, wherein the cooler includes a circulation path through which the liquid flows across the entrance surface and / or the exit surface. 前記冷却器は、前記入射面および/または前記出射面の温度よりも高い温度に加熱するよう構成された加熱器を備えることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載のデバイス。   8. A device according to any preceding claim, wherein the cooler comprises a heater configured to heat to a temperature higher than the temperature of the entrance surface and / or the exit surface. 前記導波路に非偏光放射および/または円偏光放射を供給するよう構成された放射源を備えることを特徴とする請求項1から8のいずれかに記載のデバイス。   9. A device according to any preceding claim, comprising a radiation source configured to provide unpolarized radiation and / or circularly polarized radiation to the waveguide. 約405nmの波長を有する放射を誘導するよう構成された請求項1から9のいずれかに記載のデバイス。   10. A device according to any preceding claim, configured to induce radiation having a wavelength of about 405nm. 請求項1から10のいずれかに記載のデバイスを備える放射エミッタを有することを特徴とする露光装置。   An exposure apparatus comprising a radiation emitter comprising the device according to claim 1. 固定部および可動部を備え、複数の放射ビームをパターンに基づいて選択されたターゲット上の位置に投影するよう構成された投影システムを備えることを特徴とする請求項11に記載の露光装置。   12. The exposure apparatus according to claim 11, further comprising a projection system that includes a fixed unit and a movable unit, and is configured to project a plurality of radiation beams onto a position on a target selected based on a pattern. 複数の放射エミッタを備え、複数の放射ビームを提供するよう構成されたプログラマブル・パターニングデバイスと、
固定部と可動部を備え、前記複数の放射ビームをパターンに基づいて選択されたターゲット上の位置に投影するよう構成された投影システムと、
を備え、
少なくとも1つの前記放射エミッタは、非偏光放射および/または円偏光放射を含む放射ビームを出力するよう構成された導波路を備えることを特徴とする露光装置。
A programmable patterning device comprising a plurality of radiation emitters and configured to provide a plurality of radiation beams;
A projection system comprising a fixed part and a movable part and configured to project the plurality of radiation beams onto a position on a target selected based on a pattern;
With
An exposure apparatus, wherein the at least one radiation emitter comprises a waveguide configured to output a radiation beam comprising unpolarized radiation and / or circularly polarized radiation.
放射に対して透明な物質の連続体の形状を成す導波路を通して放射を誘導するステップであって、前記連続体が入射面および出射面を有するステップと、
前記入射面および/または前記出射面を冷却するステップと、
を備えることを特徴とする放射誘導方法。
Directing radiation through a waveguide in the form of a continuum of material transparent to radiation, the continuum having an entrance surface and an exit surface;
Cooling the entrance surface and / or the exit surface;
A radiation induction method comprising:
プログラマブル・パターニングデバイスの複数の放射エミッタから複数の放射ビームを提供するステップと、
前記複数の放射ビームをパターンに基づいて選択されたターゲット上の位置に投影するステップと、
を備え、
少なくとも1つの前記放射エミッタは、非偏光放射および/または円偏光放射を含む放射ビームを出力するよう構成された導波路を備えることを特徴とするデバイス製造方法。
Providing a plurality of radiation beams from a plurality of radiation emitters of a programmable patterning device;
Projecting the plurality of radiation beams onto a position on a target selected based on a pattern;
With
At least one said radiation emitter comprises a waveguide configured to output a radiation beam comprising unpolarized radiation and / or circularly polarized radiation.
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