JP2015510614A - Device, lithographic apparatus, radiation guiding method and device manufacturing method - Google Patents
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 128
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 42
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 83
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 26
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 6
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 75
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 34
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 23
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 10
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 10
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 8
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 244000172533 Viola sororia Species 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000005811 Viola adunca Nutrition 0.000 description 2
- 240000009038 Viola odorata Species 0.000 description 2
- 235000013487 Viola odorata Nutrition 0.000 description 2
- 235000002254 Viola papilionacea Nutrition 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 238000012576 optical tweezer Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 206010027146 Melanoderma Diseases 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000009972 noncorrosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
- G03F7/70891—Temperature
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4296—Coupling light guides with opto-electronic elements coupling with sources of high radiant energy, e.g. high power lasers, high temperature light sources
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/7015—Details of optical elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
- G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
- G03F7/70391—Addressable array sources specially adapted to produce patterns, e.g. addressable LED arrays
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
- G03F7/704—Scanned exposure beam, e.g. raster-, rotary- and vector scanning
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Public Health (AREA)
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Abstract
【課題】ライフタイムを延ばしたデバイスを提供する。【解決手段】自身を通過する放射に対して透明な物質の連続体の形状を成す導波路であって、連続体が入射面および出射面を有する導波路と、入射面および/または出射面を冷却するよう構成された冷却器と、を有するデバイスである。複数の放射エミッタを備え、複数の放射ビームを提供するよう構成されたプログラマブル・パターニングデバイスと、固定部と可動部を備え、複数の放射ビームをパターンに基づいて選択されたターゲット上の位置に投影するよう構成された投影システムと、を備え、少なくとも1つの放射エミッタは、非偏光放射および/または円偏光放射を含む放射ビームを出力するよう構成された導波路を備える露光装置である。【選択図】図6A device with extended lifetime is provided. A waveguide in the form of a continuum of material transparent to radiation passing through it, the continuum having an entrance surface and an exit surface, and an entrance surface and / or an exit surface. A cooler configured to cool. Programmable patterning device with multiple radiation emitters, configured to provide multiple radiation beams, and with fixed and movable parts, projecting multiple radiation beams to locations on the target selected based on the pattern And at least one radiation emitter is an exposure apparatus comprising a waveguide configured to output a radiation beam including unpolarized radiation and / or circularly polarized radiation. [Selection] Figure 6
Description
関連出願の相互参照
本出願は、2012年2月23日に出願された米国特許仮出願第61/602,491号の利益を主張し、その全体が本明細書に援用される。
This application claims the benefit of US Provisional Application No. 61 / 602,491, filed February 23, 2012, which is hereby incorporated by reference in its entirety.
本発明は、デバイス、リソグラフィまたは露光装置、放射誘導方法およびデバイス製造方法に関する。 The present invention relates to a device, a lithography or exposure apparatus, a radiation guiding method, and a device manufacturing method.
リソグラフィまたは露光装置は、所望のパターンを基板に、または基板の部分に与える機械である。この装置は例えば、集積回路(IC)、フラットパネルディスプレイ、微細形状を備えるその他のデバイス又は構造の製造に用いられる。従来のリソグラフィまたは露光装置においては、マスクまたはレチクルとも称されるパターニングデバイスが、ICやフラットパネルディスプレイ、その他のデバイスの個々の層に対応する回路パターンを生成するために使用されることがある。このパターンは例えば、(例えばシリコンウェーハまたはガラスプレート等の)基板上に設けられた放射感応性材料(レジスト)層への結像により、基板(の部分)へと転写される。 A lithography or exposure apparatus is a machine that applies a desired pattern onto a substrate or part of a substrate. This apparatus is used, for example, in the manufacture of integrated circuits (ICs), flat panel displays, other devices or structures with fine features. In conventional lithography or exposure apparatus, patterning devices, also called masks or reticles, may be used to generate circuit patterns corresponding to individual layers of ICs, flat panel displays, and other devices. This pattern is transferred onto (parts of) the substrate, for example by imaging onto a radiation sensitive material (resist) layer provided on the substrate (such as a silicon wafer or glass plate).
パターニングデバイスを使用して、回路パターンではなく例えばカラーフィルタのパターンやドットのマトリックス状配列などの他のパターンを生成する場合もある。従来のマスクに代えて、パターニングデバイスは、回路パターンまたはその他の適用可能なパターンを生成する個別に制御可能な素子の配列を備えるパターニングアレイを備えてもよい。このような「マスクレス」方式では従来のマスクを使用する方式に比べて迅速かつ低コストにパターンを準備したり変更したりできるという利点がある。 In some cases, the patterning device is used to generate other patterns, such as a color filter pattern or a matrix of dots, instead of a circuit pattern. Instead of a conventional mask, the patterning device may comprise a patterning array comprising an array of individually controllable elements that produce a circuit pattern or other applicable pattern. Such a “maskless” method has an advantage that a pattern can be prepared or changed quickly and at a lower cost than a method using a conventional mask.
故に、マスクレスシステムはプログラマブルパターニングデバイス(例えば、空間光変調器、コントラストデバイスなど)を含む。プログラマブルパターニングデバイスは、個別制御可能素子のアレイを使用して所望のパターンが与えられたビームを形成するよう(例えば電子的に、または光学的に)プログラムされている。プログラマブルパターニングデバイスの種類には、マイクロミラーアレイ、液晶ディスプレイ(LCD)アレイ、グレーティングライトバルブアレイ、自己放射可能なコントラストデバイスなどがある。プログラマブルパターニングデバイスは、例えばターゲット(例えば基板)上に投影された放射のスポットを移動するよう、または放射ビームをターゲット(例えば基板)から、例えば放射ビーム吸収体に間欠的に導くよう構成された電気光学偏向器から形成されてもよい。どちらのこのような構成においても、放射ビームは連続的であってよい。 Thus, maskless systems include programmable patterning devices (eg, spatial light modulators, contrast devices, etc.). The programmable patterning device is programmed (eg, electronically or optically) to form a beam with a desired pattern using an array of individually controllable elements. Types of programmable patterning devices include micromirror arrays, liquid crystal display (LCD) arrays, grating light valve arrays, and self-emitting contrast devices. A programmable patterning device is an electric device configured, for example, to move a projected spot of radiation onto a target (eg, substrate) or to intermittently direct a radiation beam from a target (eg, substrate), eg, to a radiation beam absorber. It may be formed from an optical deflector. In either such configuration, the radiation beam may be continuous.
マスクレスリソグラフィまたは露光装置は、例えば、例えば基板の目標部分上にパターンを形成することのできる光学コラムが設けられてよい。光学コラムは、ビームを放射するよう構成された自己放射コントラストデバイスと、ビームの少なくとも一部を目標部分に投影するよう構成された投影システムとが設けられてよい。この装置は、光学コラムまたはその一部をターゲットに対して移動するためのアクチュエータが設けられてもよい。それによって、ビームはターゲットに対して移動されてよい。移動の間に自己放射コントラストデバイスの「オン」または「オフ」を切り替えることにより、基板上にパターンが形成されてよい。 The maskless lithography or exposure apparatus may be provided with, for example, an optical column that can form a pattern on a target portion of the substrate, for example. The optical column may be provided with a self-radiating contrast device configured to emit the beam and a projection system configured to project at least a portion of the beam onto the target portion. The apparatus may be provided with an actuator for moving the optical column or part thereof relative to the target. Thereby, the beam may be moved relative to the target. A pattern may be formed on the substrate by switching the self-radiating contrast device “on” or “off” during movement.
本発明のある実施形態によれば、自身を通過する放射に対して透明な物質の連続体の形状を成す導波路であって、連続体が入射面および出射面を有する導波路と、入射面および/または出射面を冷却するよう構成された冷却器と、を備えるデバイスが提供される。 According to an embodiment of the present invention, a waveguide is formed in the form of a continuum of material transparent to radiation passing through the waveguide, the continuum having an entrance surface and an exit surface, and an entrance surface. And / or a cooler configured to cool the exit surface.
本発明のある実施形態によれば、複数の放射エミッタを備え、複数の放射ビームを提供するよう構成されたプログラマブル・パターニングデバイスと、固定部と可動部を備え、複数の放射ビームをパターンに基づいて選択されたターゲット上の位置に投影するよう構成された投影システムと、を備え、少なくとも1つの放射エミッタは、非偏光放射および/または円偏光放射を含む放射ビームを出力するよう構成された導波路を備えるリソグラフィまたは露光装置が提供される。 According to an embodiment of the present invention, a programmable patterning device comprising a plurality of radiation emitters and configured to provide a plurality of radiation beams, a fixed portion and a movable portion, the plurality of radiation beams based on a pattern A projection system configured to project to a position on the selected target, wherein at least one radiation emitter is configured to output a radiation beam including unpolarized radiation and / or circularly polarized radiation. A lithography or exposure apparatus comprising a waveguide is provided.
本発明のある実施形態によれば、放射に対して透明な物質の連続体の形状を成す導波路を通して放射を誘導するステップであって、連続体が入射面および出射面を有するステップと、入射面および/または出射面を冷却するステップと、を備える放射誘導方法が提供される。 According to an embodiment of the present invention, directing radiation through a waveguide in the form of a continuum of material transparent to radiation, the continuum having an entrance surface and an exit surface; Cooling the surface and / or the exit surface.
本発明のある実施形態によれば、プログラマブル・パターニングデバイスの複数の放射エミッタから複数の放射ビームを提供するステップと、複数の放射ビームをパターンに基づいて選択されたターゲット上の位置に投影するステップと、を備え、少なくとも1つの前記放射エミッタは、非偏光放射および/または円偏光放射を含む放射ビームを出力するよう構成された導波路を備えるデバイス製造方法が提供される。 According to an embodiment of the present invention, providing a plurality of radiation beams from a plurality of radiation emitters of a programmable patterning device and projecting the plurality of radiation beams to a position on a target selected based on the pattern And at least one of said radiation emitters is provided with a waveguide configured to output a radiation beam comprising unpolarized radiation and / or circularly polarized radiation.
本発明のいくつかの実施の形態が付属の概略的な図面を参照して以下に説明されるがこれらは例示に過ぎない。対応する参照符号は各図面において対応する部分を指し示す。 Several embodiments of the present invention are described below with reference to the accompanying schematic drawings, which are exemplary only. Corresponding reference characters indicate corresponding parts in the various drawings.
本発明のある実施の形態は、リソグラフィ装置に関連し、これはプログラマブルパターニングデバイスを含んでもよく、当該デバイスは例えば自己放射コントラストデバイスのアレイからなることがある。こうしたリソグラフィ装置に関する更なる情報は国際公開第2010/032224号および米国特許出願公開第2011−0188016号、米国特許出願第61/473636号および米国特許出願第61/524190号を参照してもよく、これらの全体が本明細書に援用される。本発明の実施形態は、しかしながら、例えば上述の文献に含まれる任意の形態のプログラマブルパターニングデバイスとともに用いられてもよい。 An embodiment of the invention relates to a lithographic apparatus, which may comprise a programmable patterning device, which may for example consist of an array of self-radiating contrast devices. For further information on such lithographic apparatus, reference may be made to WO 2010/032224 and US Patent Application Publication No. 2011-0188016, US Patent Application No. 61/473636 and US Patent Application No. 61/524190, All of which are incorporated herein by reference. Embodiments of the present invention, however, may be used with any form of programmable patterning device included, for example, in the above references.
図1は、リソグラフィまたは露光装置の部分の概略側断面図を概略的に示す。この実施形態においては、装置は、後述するようにXY面で実質的に静止した個別制御可能素子を有するが、そうである必要はない。装置1は、基板を保持する基板テーブル2と、基板テーブル2を最大6自由度で移動させる位置決め装置3と、を備える。基板は、レジストで被覆された基板であってもよい。ある実施の形態においては、基板はウェーハである。ある実施の形態においては、基板は多角形(例えば矩形)の基板である。ある実施の形態においては、基板はガラスプレートである。ある実施の形態においては、基板はプラスチック基板である。ある実施の形態においては、基板は箔である。ある実施の形態においては、装置は、ロールトゥロール製造に適する。 FIG. 1 schematically shows a schematic cross-sectional side view of a part of a lithography or exposure apparatus. In this embodiment, the device has individually controllable elements that are substantially stationary in the XY plane, as described below, but this need not be the case. The apparatus 1 includes a substrate table 2 that holds a substrate, and a positioning device 3 that moves the substrate table 2 with a maximum of 6 degrees of freedom. The substrate may be a substrate coated with a resist. In some embodiments, the substrate is a wafer. In some embodiments, the substrate is a polygonal (eg, rectangular) substrate. In some embodiments, the substrate is a glass plate. In some embodiments, the substrate is a plastic substrate. In some embodiments, the substrate is a foil. In certain embodiments, the apparatus is suitable for roll to roll manufacturing.
装置1は、複数のビームを発するよう構成されている複数の個別に制御可能な自己放射可能なコントラストデバイス4をさらに備える。ある実施の形態においては、自己放射コントラストデバイス4は、放射エミッタ、例えば放射発光ダイオード(例えば、発光ダイオード(LED)、有機LED(OLED)、高分子LED(PLED))、ファイバレーザまたは、レーザダイオード(例えば、固体レーザダイオード)である。ある実施の形態においては、個別制御可能素子4の各々は青紫レーザダイオード(例えば、三洋の型式番号DL-3146-151)である。こうしたダイオードは、三洋、日亜、オスラム、ナイトライド等の企業により供給される。ある実施の形態においては、ダイオードは、例えば約365nmまたは約405nmの波長を有するUV放射を発する。ある実施の形態においては、ダイオードは、0.5mWないし250mWの範囲から選択される出力パワー、および随意に少なくとも50mWの出力パワーを提供することができる。ある実施の形態では、デバイス60、これは自己放射コントラストデバイス4を備えてもよい、の出力パワーは、250mWよりも大きい。ある実施の形態においては、レーザダイオードの(むき出しのダイの)サイズは、100μmないし800μmの範囲から選択される。ある実施の形態においては、レーザダイオードは、0.5μm2ないし5μm2の範囲から選択される発光領域を有する。ある実施の形態においては、レーザダイオードは、5度ないし44度の範囲から選択される発散角を有する。ある実施の形態においては、それらのダイオードは、合計の明るさを約6.4×108W/(m2・sr)以上にするための構成(例えば、発光領域、発散角、出力パワーなど)を有する。
The apparatus 1 further comprises a plurality of individually controllable self-radiating contrast devices 4 configured to emit a plurality of beams. In some embodiments, the self-radiating contrast device 4 is a radiation emitter, such as a radiation emitting diode (eg, light emitting diode (LED), organic LED (OLED), polymer LED (PLED)), fiber laser or laser diode. (For example, a solid-state laser diode). In one embodiment, each individually controllable element 4 is a blue-violet laser diode (eg, Sanyo model number DL-3146-151). Such diodes are supplied by companies such as Sanyo, Nichia, OSRAM, and Nitride. In some embodiments, the diode emits UV radiation having a wavelength of, for example, about 365 nm or about 405 nm. In certain embodiments, the diode can provide an output power selected from the range of 0.5 mW to 250 mW, and optionally an output power of at least 50 mW. In certain embodiments, the output power of
自己放射コントラストデバイス4は、フレーム5に配設されており、Y方向に沿っておよび/またはX方向に沿って延在してもよい。1つのフレーム5が図示されているが、装置は、図2に示すように複数のフレーム5を有してもよい。フレーム5には更に、レンズ12が配設されている。フレーム5、従って、自己放射コントラストデバイス4およびレンズ12はXY面内で実質的に静止している。フレーム5、自己放射コントラストデバイス4、およびレンズ12は、アクチュエータ7によってZ方向に移動されてもよい。それに代えて又はそれとともに、レンズ12はこの特定のレンズに関係づけられたアクチュエータによってZ方向に移動されてもよい。任意選択として、各レンズ12にアクチュエータが設けられていてもよい。
The self-radiating contrast device 4 is disposed on the
自己放射コントラストデバイス4はビームを発するよう構成されていてもよく、投影系12、14、18はそのビームを例えば基板の目標部分に投影するよう構成されていてもよい。自己放射コントラストデバイス4および投影系が光学コラムを形成する。装置1は、光学コラム又はその一部を基板に対して移動させるためのアクチュエータ(例えばモータ)11を備えてもよい。フレーム8には視野レンズ14および結像レンズ18が配設されており、そのアクチュエータを用いてフレーム8は回転可能であってもよい。視野レンズ14と結像レンズ18との結合が可動光学素子9を形成する。使用時においては、フレーム8は自身の軸10まわりを、例えば図2に矢印で示す方向に、回転する。フレーム8は、アクチュエータ(例えばモータ)11を使用して軸10まわりに回転させられる。また、フレーム8はモータ7によってZ方向に移動されてもよく、それによって可動光学素子9が基板テーブル2に対し変位させられてもよい。
The self-radiating contrast device 4 may be configured to emit a beam, and the
内側にアパーチャを有するアパーチャ構造13がレンズ12の上方でレンズ12と自己放射コントラストデバイス4との間に配置されてもよい。アパーチャ構造13は、レンズ12、それに関連する自己放射コントラストデバイス4、または隣接するレンズ12および自己放射コントラストデバイス4の回折効果を限定することができる。
An
図示される装置は、フレーム8を回転させると同時に光学コラム下方の基板テーブル2上の基板を移動させることによって、使用されてもよい。自己放射コントラストデバイス4は、レンズ12、14、18が互いに実質的に整列されたときこれらのレンズを通じてビームを放つことができる。レンズ14、18を移動させることによって、例えば基板上でのビームの像が基板の一部分を走査する。同時に光学コラム下方の基板テーブル2上の基板を移動させることによって、自己放射コントラストデバイス4の像にさらされる基板17の当該部分も移動する。光学コラム又はその一部の回転を制御し、自己放射コントラストデバイス4の強度を制御し、且つ基板速度を制御するコントローラにより自己放射コントラストデバイス4の「オン」と「オフ」とを高速に切り換える制御をすることによって(例えば、「オフ」であるとき出力がないか、しきい値を下回る出力を有し、「オン」であるときしきい値を上回る出力を有する)、所望のパターンを基板上のレジスト層に結像することができる。
The illustrated apparatus may be used by rotating the
図1に示す制御部500は、リソグラフィまたは露光装置の全体的な動作を制御し、特に、さらに以下で説明される最適化プロセスを実行する。制御部500は、中央演算処理装置並びに揮発性および不揮発性格納手段を備えた、適切にプログラムされた汎用コンピュータとして具体化することができる。随意に、制御部500は、キーボードおよびスクリーンなどの1つ以上の入出力装置、1つ以上のネットワーク接続および/またはリソグラフィまたは露光装置の各種部分に対する1つ以上のインタフェースを含む。当然のことながら、制御部とリソグラフィまたは露光装置間の一対一の関係は必須ではない。本発明のある実施形態では、1つの制御部が複数のリソグラフィまたは露光装置を制御することができる。本発明のある実施形態では、1つのリソグラフィまたは露光装置を制御するために複数のネットワーク・コンピュータを用いることができる。また、制御部500は、リソグラフィまたは露光装置が一部を形成するリソセルまたはクラスターにおける、1つ以上の関連する処理装置および基板ハンドリング装置を制御するよう構成されてもよい。また、制御部500は、リソセルまたはクラスターの監視制御システムおよび/または製造工場の統括制御システムに従属するよう構成できる。
The
図2は、自己放射コントラストデバイス4を有する図1の装置の概略上面図である。図1に示す装置1と同様に、リソグラフィ装置1は、基板17を保持する基板テーブル2と、基板テーブル2を最大6自由度で移動させる位置決め装置3と、自己放射コントラストデバイス4と基板17とのアライメントを決定し、自己放射コントラストデバイス4の投影に対して基板17が水平か否かを決定するためのアライメント/レベルセンサ19と、を備える。図示されるように基板17は矩形形状を有するが、追加的に又は代替的に円形の基板が処理されてもよい。
FIG. 2 is a schematic top view of the apparatus of FIG. 1 having a self-radiating contrast device 4. Similar to the apparatus 1 shown in FIG. 1, the lithographic apparatus 1 includes a substrate table 2 that holds a
自己放射コントラストデバイス4はフレーム15に配設されている。自己放射コントラストデバイス4は、放射発光ダイオード、例えばレーザダイオード、例えば青紫レーザダイオードであってもよい。図2に示されるように、自己放射コントラストデバイス4はXY面内に延在するアレイ21に配列されていてもよい。
The self-radiating contrast device 4 is arranged on the
アレイ21は細長い線であってもよい。ある実施の形態においては、アレイ21は、自己放射コントラストデバイス4の一次元配列であってもよい。ある実施の形態においては、アレイ21は、自己放射コントラストデバイス4の二次元配列であってもよい。
The
回転フレーム8が設けられていてもよく、これは、矢印で図示される方向に回転してもよい。回転フレームには、各自己放射コントラストデバイス4の像を与えるためのレンズ14、18(図1参照)が設けられていてもよい。本装置には、フレーム8およびレンズ14、18を備える光学コラムを基板に対して回転させるためのアクチュエータが設けられていてもよい。
A
図3は、周辺部にレンズ14、18が設けられている回転フレーム8を高度に概略的に示す斜視図である。複数のビーム、本実施例では10本のビームが、それらレンズの一方へと入射し、基板テーブル2により保持された例えば基板17のある目標部分に投影されている。ある実施の形態においては、複数のビームは直線に配列されている。回転可能フレームは、アクチュエータ(図示せず)によって軸10まわりに回転可能である。回転可能フレーム8の回転の結果として、それらビームは、一連のレンズ14、18(視野レンズ14および結像レンズ18)に入射する。一連のレンズの各々に入射してビームは偏向され、それによりビームは基板17の表面の一部分に沿って動く。詳しくは図4を参照して後述する。ある実施の形態においては、各ビームが対応する源によって、すなわち自己放射コントラストデバイス、例えばレーザダイオードによって、生成される(図3には図示せず)。図3に示される構成においては、ビーム同士の距離を小さくするために、それらビームはともに、あるセグメントミラー30によって偏向されかつ運ばれる。それによって、後述するように、より多数のビームを同一のレンズを通じて投影し、要求解像度を実現することができる。
FIG. 3 is a perspective view schematically showing the
回転可能フレームが回転すると、ビームが連続する複数のレンズへと入射する。あるレンズがビームに照射されるたびに、レンズ表面上でビームが入射する場所が移動する。レンズ上のビーム入射場所に依存してビームが異なって(例えば、異なる偏向をもって)ターゲットに投影される。従って、(ターゲットに到達する)ビームは後続のレンズが通過するたびに走査移動をすることになる。この原理について図4を参照して更に説明する。 When the rotatable frame rotates, the beam enters a plurality of continuous lenses. Each time a lens is irradiated with the beam, the location of the beam on the lens surface moves. Depending on where the beam is incident on the lens, the beam is projected onto the target differently (eg with different deflections). Thus, the beam (which reaches the target) will scan and move each time a subsequent lens passes. This principle will be further described with reference to FIG.
図4は、回転可能フレーム8の一部を高度に概略的に示す上面図である。第1ビームセットをB1と表記する。第2ビームセットをB2と表記する。第3ビームセットをB3と表記する。ビームセットのそれぞれが、回転可能フレーム8の対応するレンズセット14、18を通じて投影される。回転可能フレーム8が回転すると、ビームB1が基板17に投影され、走査移動によって領域A14を走査する。同様に、ビームB2は領域A24を走査し、ビームB3は領域A34を走査する。対応するアクチュエータによる回転可能フレーム8の回転と同時に、基板17および基板テーブルが方向Dに移動される。方向Dは、図2に示すX軸に沿う方向であってもよい。ほうこうDは、領域A14、A24、A34におけるビームの走査方向に実質的に垂直であってもよい。
FIG. 4 is a top view schematically showing a part of the
方向Dの第2のアクチュエータによる移動(例えば、対応する基板テーブルモータによる基板テーブルの移動)の結果、回転可能フレーム8の一連のレンズによって投影されるとき連続する複数回のビーム走査が互いに実質的に隣接するよう投影される。これにより、ビームB1の連続的な走査のたびに、実質的に隣接する領域A11、A12、A13、A14が生じる(図4に示すように、領域A11、A12、A13は以前に走査され、領域A14は今回走査されている)。領域A21、A22、A23、A24がビームB2に対して生じる(図4に示すように、領域A21、A22、A23は以前に走査され、領域A24は今回走査されている)。領域A31、A32、A33、A34がビームB3に対して生じる(図4に示すように、領域A31、A32、A33は以前に走査され、領域A34は今回走査されている)。このようにして、基板表面の領域A1、A2、A3が、回転可能フレーム8を回転させる間に基板を方向Dに移動させることにより、覆われてもよい。
As a result of the movement by the second actuator in direction D (eg movement of the substrate table by the corresponding substrate table motor), successive multiple beam scans are substantially relative to each other as projected by the series of lenses of the
多数のビームを同一のレンズを通じて投影することにより、(回転可能フレーム8をある同一の回転速度とすると)より短い時間で基板全体を処理することができる。これは、レンズ通過のたびに各レンズにより基板17を複数のビームが走査するからである。これにより、連続する複数回の走査に際して方向Dの変位量を大きくすることができる。見方を変えると、多数のビームを同一のレンズを通じて基板に投影するとき、ある所与の処理時間における回転可能フレームの回転速度を小さくしてもよいということである。これにより、回転可能フレームの変形、摩耗、振動、乱流などといった高回転速度による影響が軽減されうる。
By projecting multiple beams through the same lens, the entire substrate can be processed in less time (assuming the
ある実施の形態においては、図4に示すように、複数のビームは、レンズ14、18の回転の接線に対してある角度をなして配列されている。ある実施の形態においては、複数のビームは、各ビームが重なるか、又は各ビームが隣接ビームの走査経路に隣接するように配列されている。
In one embodiment, as shown in FIG. 4, the plurality of beams are arranged at an angle with respect to the tangent of rotation of the
多数のビームを一度に同一レンズにより投影する態様の更なる効果は、公差の緩和に見ることができる。レンズの公差(位置決め、光学投影など)があるために、連続する領域A11、A12、A13、A14(および/または領域A21、A22、A23、A24および/またはA31、A32、A33、A34)の位置には、互いの位置決めにいくらかの不正確さが現れ得る。したがって、連続する領域A11、A12、A13、A14間にいくらかの重なりが必要とされるかもしれない。1本のビームの例えば10%を重なりとする場合、同一レンズに一度にビームが一つであると、同様に10%の係数で処理速度が遅くなるであろう。一方、同一レンズを通じて一度に5本又はそれより多数のビームが投影される状況においては、(上記同様1本のビームについて)同じ10%の重なりが5本又はそれより多数の投影線ごとにあるとすると、重なりの総計は概ね5(又はそれより多数)分の1である2%(又はそれ未満)へと小さくなるであろう。これは、全体的な処理速度を顕著に小さくする効果をもつ。同様に、少なくとも10本のビームを投影することにより、重なりの総計をおよそ10分の1に小さくしうる。したがって、多数のビームを同時に同一レンズにより投影するという特徴によって、基板の処理時間に生じる公差の影響を小さくしうる。それに加えて又はそれに代えて、より大きな重なり(従って、より大きな公差幅)が許容されてもよい。一度に同一レンズにより多数のビームを投影するのであれば、重なりが処理に与える影響が小さいからである。 A further effect of the aspect of projecting multiple beams at once with the same lens can be seen in tolerance reduction. Due to lens tolerances (positioning, optical projection, etc.), the position of successive areas A11, A12, A13, A14 (and / or areas A21, A22, A23, A24 and / or A31, A32, A33, A34) Some inaccuracy may appear in the positioning of each other. Therefore, some overlap may be required between successive regions A11, A12, A13, A14. If, for example, 10% of one beam is overlapped, if there is one beam at a time on the same lens, the processing speed will be similarly reduced by a factor of 10%. On the other hand, in a situation where 5 or more beams are projected at the same time through the same lens, the same 10% overlap (for one beam as above) is every 5 or more projection lines. If so, the total overlap would be reduced to 2% (or less), which is roughly one fifth (or more). This has the effect of significantly reducing the overall processing speed. Similarly, by projecting at least 10 beams, the total overlap can be reduced to approximately one tenth. Therefore, the influence of tolerance generated in the processing time of the substrate can be reduced by the feature that a plurality of beams are simultaneously projected by the same lens. In addition or alternatively, a larger overlap (and thus a larger tolerance width) may be allowed. This is because if a large number of beams are projected at the same time by the same lens, the influence of the overlap on the processing is small.
多数のビームを同一レンズを通じて同時に投影することに代えて又はそれとともに、インタレース技術を使用することができるかもしれない。しかしながらそのためには、より厳格にレンズ同士を整合させることが必要になるかもしれない。従って、それらレンズのうちある同一レンズを通じて一度に基板に投影される少なくとも2つのビームは相互間隔を有し、装置は、その間隔の中に後続のビーム投影がなされるように光学コラムに対して基板を移動させるよう第2アクチュエータを動作させるよう構成されていてもよい。 An interlace technique may be used instead of or in conjunction with simultaneously projecting multiple beams through the same lens. However, this may require more strict lens alignment. Thus, at least two beams projected onto the substrate at one time through one and the same lens have a mutual interval, and the apparatus is relative to the optical column so that subsequent beam projections are made during that interval. The second actuator may be configured to operate so as to move the substrate.
1つのグループにおいて連続するビーム同士の方向Dにおける距離を小さくするために(それによって、例えば方向Dに解像度を高くするために)、それらビームは方向Dに対して、互いに斜めに配列されていてもよい。そうした間隔は、各セグメントが複数ビームのうち対応する1つのビームを反射するセグメントミラー30を光路に設けることによって更に縮小されてもよい。それらセグメントは、それらミラーに入射するビーム同士の間隔よりもミラーで反射されたビーム同士の間隔を狭くするよう配設されている。そうした効果は、複数の光ファイバによっても実現しうる。ビームのそれぞれは、複数ファイバのうち対応する1つのファイバに入射する。それらのファイバは、光路に沿ってビーム同士の間隔を狭くするように配設されている。結果として、光ファイバ下流側でのビーム間隔は、光ファイバ上流側でのビーム間隔よりも狭い。 In order to reduce the distance in the direction D between consecutive beams in one group (thus increasing the resolution in the direction D, for example), the beams are arranged obliquely with respect to the direction D. Also good. Such spacing may be further reduced by providing segment mirrors 30 in the optical path, each segment reflecting a corresponding one of the multiple beams. The segments are arranged so that the interval between the beams reflected by the mirrors is narrower than the interval between the beams incident on the mirrors. Such an effect can be realized by a plurality of optical fibers. Each of the beams is incident on a corresponding one of the plurality of fibers. These fibers are arranged along the optical path so as to narrow the distance between the beams. As a result, the beam interval on the downstream side of the optical fiber is narrower than the beam interval on the upstream side of the optical fiber.
また、そうした効果は、複数ビームのうち対応する1つのビームを各々が受光する複数の入力を有する集積光学導波路回路を使用して実現されてもよい。この集積光学導波路回路は、光路に沿って集積光学導波路回路の上流側でのビーム同士の間隔よりも集積光学導波路回路の下流側でのビーム同士の間隔を狭くするよう構成されている。 Such an effect may also be realized using an integrated optical waveguide circuit having a plurality of inputs each receiving a corresponding one of the plurality of beams. The integrated optical waveguide circuit is configured such that the distance between the beams on the downstream side of the integrated optical waveguide circuit is narrower than the distance between the beams on the upstream side of the integrated optical waveguide circuit along the optical path. .
基板に投影される像の焦点を制御するためのシステムが提供されてもよい。上述のある構成において、ある光学コラムの部分又は全体により投影される像の焦点を調整するための構成が提供されてもよい。 A system for controlling the focus of the image projected onto the substrate may be provided. In certain configurations described above, a configuration may be provided for adjusting the focus of an image projected by a portion or all of an optical column.
ある実施形態では、投影システムは、少なくとも1つの放射ビームを基板上に投影する。基板は、物質(例えば金属)の液滴の局所堆積をレーザ誘起物質移動(laser induced material transfer)により生じさせるために、デバイスが形成されるべき基板17の上に物質層から形成される。
In certain embodiments, the projection system projects at least one beam of radiation onto the substrate. The substrate is formed from a material layer on the
図5を参照すると、レーザ誘起物質移動の物理的機構が表されている。ある実施形態では、放射ビーム200は、実質的に透明な物質202(例えばガラス)を通って物質202のプラズマブレークダウンより下の強度で集束される。表面熱吸収が、物質202を覆うドナー物質層204(例えば金属膜)から形成された基板上で起こる。熱吸収は、ドナー物質層204を溶融させる。さらに熱は、ドナー物質層204からの、従ってドナー構造(例えばプレート)208からのドナー物質の液滴206の順方向加速をもたらす順方向の誘起圧力勾配を生じさせる。ビーム200をドナープレート208上の適切な位置に向けることにより、ドナー物質パターンを基板17上に堆積することができる。ある実施形態では、ビームはドナー物質層204上に集束される。
Referring to FIG. 5, the physical mechanism of laser induced mass transfer is represented. In certain embodiments, the
ある実施形態では、1つまたは複数の短パルスがドナー物質の移動を生じさせるために用いられる。ある実施形態では、パルスは、擬似的な一次元の順方向の熱および溶融物質の物質移動を得るために、数ピコ秒またはフェムト秒の長さであってよい。このような短パルスは、物質層204中において側方の熱流動をほとんど又は全く促進せず、従ってドナー構造208への熱付加はほとんど又は全くない。短パルスは、急速な溶融と、物質の順方向の加速を可能とする(例えば、金属などの蒸発物質は、その順方向性を失って飛び散った堆積をもたらすであろう)。短パルスにより、物質の加熱を加熱温度の僅かに上であるが蒸発温度より下とすることができる。例えば、アルミニウムに関しては、摂氏約900から1000度が望ましい。
In certain embodiments, one or more short pulses are used to cause movement of the donor material. In certain embodiments, the pulses may be several picoseconds or femtoseconds long to obtain pseudo one-dimensional forward heat and mass transfer of the molten material. Such short pulses promote little or no lateral heat flow in the
ある実施形態では、レーザパルスの使用によって、ドナー構造208から基板17に100〜1000nmの液滴の形で物質量(例えば金属)が移動する。ある実施形態では、ドナー物質は、基本的に金属を含むまたは金属から成る。ある実施形態では、物質はアルミニウムである。ある実施形態では、物質層204は膜状である。ある実施形態では、膜は別の物体又は層に付着している。上述したように、物体又は層はガラスであってよい。
In some embodiments, the use of laser pulses moves the amount of material (eg, metal) from the
図1は、本発明のある実施形態を示す。リソグラフィまたは露光装置1は、固定部および可動部を含む投影システム50を備える。投影システムは、例えば図1に示すように、レンズ12,14および18を備えてよい。投影システム50は、複数の放射ビームをターゲット上(例えば基板17上)の位置に投影するよう構成される。この位置は、パターンに基づいて選択される。パターンは、基板17上に形成されるべきものである。ある実施形態では、パターンはフォトレジスト材料層に形成される。ある実施形態では、パターンはドナー材料層に形成され、これはその後、デバイスの層に対応するパターンを形成する。
FIG. 1 illustrates an embodiment of the present invention. The lithography or exposure apparatus 1 includes a
図6に示すように、ある実施形態では、自己放射コントラストデバイス4は、導波路61を備えるデバイス60を備える。ある実施形態では、導波路61は、光ファイバを備える。光ファイバおよび物質の連続体(continuous body of material)から形成された他の導波路のライフタイムは限られている。光ファイバまたは他の導波路の端面(すなわち入射面および/または出射面)での結合効率の低下が観察されている。導波路は、限られた期間、良好且つ安定した結合効率で機能し、その後は導波路の出力はほぼリニアな低下をたどることが観察されている。導波路の結合効率は、導波路中に伝わるおよび導波路から送信される放射の比率に関係する。
As shown in FIG. 6, in one embodiment, the self-radiating contrast device 4 comprises a
光ファイバのライフタイムを延ばす一つの方法は、光ファイバの一端または両端にエンドキャップを設けることである。周知の光ファイバのエンドキャップの不利点は、光ファイバのおよそ10%に関して、エンドキャップが使用されているとしても望ましくないことに光ファイバが急速に劣化する。さらに、エンドキャップの取付は困難である。これは、エンドキャップとファイバとの間の100%の密着性が求められるからである。密着性が100%未満の場合、これは上記のような劣化をもたらす。 One way to extend the lifetime of an optical fiber is to provide end caps at one or both ends of the optical fiber. A disadvantage of known optical fiber end caps is that, for approximately 10% of the optical fibers, the optical fibers degrade rapidly, which is undesirable even if end caps are used. Furthermore, it is difficult to attach the end cap. This is because 100% adhesion between the end cap and the fiber is required. If the adhesion is less than 100%, this leads to the deterioration as described above.
物質の連続体から形成された導波路を備えるデバイスのライフタイムを延ばすことが望ましい。上述の装置1には、それぞれが装置に用いられる導波路を備える、ほぼ約10,000程度のデバイスが存在する可能性がある。従って、信頼できるように、90%よりも高い割合のこのようなデバイスのライフタイムを延ばすことが特に望ましい。 It would be desirable to extend the lifetime of a device comprising a waveguide formed from a continuum of materials. In the apparatus 1 described above, there may be approximately about 10,000 devices each including a waveguide used in the apparatus. Therefore, it is particularly desirable to extend the lifetime of such devices by a percentage greater than 90% in a reliable manner.
図6は、本発明の実施形態に係るデバイス60を概略的に示す。ある実施形態では、デバイス60は、物質の連続体から形成された導波路61を備える。物質の連続体は、導波路61を通過する放射に対して透明である。この連続体は、入射面62および出射面63を有する。ある実施形態では、導波路は、光ファイバなどの光導波路である。ある実施形態では、光ファイバは、シングルモード光ファイバである。ある実施形態では、光ファイバは、偏波保持光ファイバである。
FIG. 6 schematically illustrates a
ある実施形態では、導波路61は、細長い形状を有する。導波路61は、導波路61の軸に対応する長手方向を有してよい。しかしながら、これは必ずしも必要なケースではない。例えば、ある実施形態では、導波路は平面形状を有する。この場合、導波路61は、平面導波路の任意の端部を介して放射を受光するとともに放射を出力する。ある実施形態では、導波路61は中空ではない。導波路61は、実質的に中身が詰まっている。導波路61が細長い形状を有する場合、導波路61の入射面62および出射面63は、導波路61の長手方向端部に位置する。
In some embodiments, the
ある実施形態では、デバイス60は、冷却器70を備える。冷却器70は、入射面62および/または出射面63を冷却するよう構成される。
In certain embodiments,
デバイス60が使用されているとき、入射面62で受光される放射は、入射面62を加熱する。デバイス60に冷却器70を設けることにより、入射面62および/または出射面63の温度は、そのような冷却器を有していないデバイスに比べて低下する。
When the
入射面62および/または出射面63の冷却は、デバイス60のライフタイムを延ばす効果を有する。これは、導波路の結合効率の低下は導波路の端面が変形することに起因するためである。端面の変形は、放射からの熱により少なくとも部分的に生じる。放射は、端面を部分的に溶かしたり、柔らかくしたりし、これが変形となる。
Cooling the
当技術分野では、導波路の結合効率の低下は、導波路の端面における汚染物質の蓄積が原因であると以前は考えられていた。従って、この発見は、従来の考えからの逸脱である。電子顕微鏡を用いることにより、道路の端面上の黒点は汚染が原因ではなく、実際には変形した面が原因であることが観察された。この種の表面変形は、レーザ誘起周期表面構造(laser induced periodic surface structures)と称されてもよい。この種の変形は、粒子欠乏環境(particle deprived environments)でさえも光ファイバ中で起こる可能性があり、該環境では光ファイバ端面の重大な汚染は可能性がない。 In the art, it was previously thought that the reduction in the coupling efficiency of the waveguide was due to the accumulation of contaminants at the end face of the waveguide. Therefore, this discovery is a departure from the conventional idea. By using an electron microscope, it was observed that the black spot on the end face of the road was not caused by contamination but actually caused by a deformed surface. This type of surface deformation may be referred to as laser induced periodic surface structures. This type of deformation can occur in optical fibers even in particle deprived environments, where there is no possibility of significant contamination of the optical fiber end face.
入射面62および/または出射面63の温度を低下させることにより、入射面62および/または出射面63における周期表面構造の発生は、少なくとも速度が落ち、場合によっては防止される。
By reducing the temperature of the
ある実施形態では、冷却器70は、入射面62および/または出射面63を冷却する液体71を備える。導波路61の一端面または両端面は、液体71に漬かっていてよい。熱は、入射面62および/または出射面63から液体71へと移動する。
In some embodiments, the cooler 70 includes a liquid 71 that cools the
液体71は、入射面62および/または出射面63を冷却する簡単な方法を提供する。しかしながら、入射面62および/または出射面63を冷却するよう構成されているのであれば、その他の種類の冷却器70が用いられてもよい。ある実施形態では、液体71は導波路61の側面と接触していない。
The liquid 71 provides a simple way to cool the
ある実施形態では、液体71は、導波路61を通過する放射に対して透明である。放射に対して透明な液体71を設けることにより、液体71を避けながら導波路61が放射を受光および/または出力するのを可能とするための余分なメカニズムが必要とされない。
従って、デバイス60は、簡単な構造を有することができる。
In some embodiments, the liquid 71 is transparent to radiation that passes through the
Therefore, the
液体71は、放射に対して完全に透明である必要はない。液体71は、導波路61が導光する放射の波長に対して少なくとも高いレベルの透明度を有していることが望ましい。少なくとも80%、随意に少なくとも90%の透明度が望ましい。
The liquid 71 need not be completely transparent to radiation. The liquid 71 desirably has at least a high level of transparency with respect to the wavelength of radiation guided by the
ある実施形態では、液体71は、水から成る。水は、すぐに利用でき、安価であり、非腐食性である。冷却器70の液体71として水を用いることにより、デバイス60を安価且つ安全に製造することができる。しかしながら、他の種類の液体71が冷却器70において好適に用いられてもよい。液体71の種類は、特に限定されない。例えば、液体71は、エタノールであってもよい。液体71は、波長405nmの放射に対して高透過率を有する任意の液体であってよい。
In some embodiments, the liquid 71 consists of water. Water is readily available, inexpensive and non-corrosive. By using water as the liquid 71 of the cooler 70, the
ある実施形態では、液体71は、導波路61の屈折率と、デバイス60が放射を放つ媒体の屈折率との間の値の屈折率を有する。ある実施形態では、デバイス60は、例えば放射を空気中に放つよう構成される。ある実施形態では、液体71の屈折率は、1よりも大きい。
In some embodiments, the liquid 71 has a refractive index that is between the refractive index of the
ある実施形態では、液体71は、導波路61が形成される材料の屈折率よりも小さい屈折率を有する。例えば、導波路61は、約1.5付近の屈折率を有するガラス材料から形成されてもよい。ある実施形態では、液体は、約1から約1.5の範囲内、より望ましくは約1.2から約1.4の範囲内の屈折率を有する。ある実施形態では、液体71は、導波路61が形成される材料の屈折率と同じ屈折率を有する。この利点は、表面変形からの光学的な影響を減らすことである。ある実施形態では、液体71は、導波路61が形成される材料の屈折率よりも大きい屈折率を有する。
In some embodiments, the liquid 71 has a refractive index that is less than the refractive index of the material from which the
ある実施形態では、液体71は、導波路61と外部環境との間の屈折率ステップを低減する。液体71は、中間の屈折率ステップを提供する。これにより、外部媒体(例えば空気または真空)に対する導波路61の結合効率が改善される。加えて、液体71により提供される中間の屈折率ステップは、導波路61から出力される波面の歪みを低減することができる。液体71は、導波路61の端面に形成される可能性がある周期表面構造の悪影響を低減する。さらに、この液体71による屈折率整合は、望ましくない表面構造をもたらす、導波路61の入射面62および/または出射面63における不均一なエネルギー付与に有益な効果がある。屈折率整合は、導波路61の入射面62および/または出射面63における加熱を低減する。ある実施形態では、屈折率コーティングが導波路61の側面に設けられる。
In some embodiments, the liquid 71 reduces the refractive index step between the
ある実施形態では、冷却器70は、キャップ72を備える。キャップ72は、入射面62および/または出射面63において液体71を保持するよう構成される。導波路61は、液体71を介して放射を受光および/または出力する。キャップ72は、液体71を通さない材料から形成される。液体71は、キャップ72の中に含まれる。
In some embodiments, the cooler 70 includes a
キャップ72を設けることにより、冷却器70は、導波路61の入射面62および/または出射面63を冷却するための簡単な構造を有することができる。キャップ72の容積容量は特に限定されない。ある実施形態では、キャップの容積容量は、少なくとも50mlおよび随意に少なくとも100mlである。ある実施形態では、キャップ72の容積容量は、約1mlの範囲内である。ある実施形態では、冷却器70は、複数の導波路61により共有されている。例えば、ある実施形態では、複数の光ファイバはそれぞれ同じキャップ72内に端面を有する。キャップ72は、約1mlから約10mlの容積を有してよい。入射面62および/または出射面63からの熱は、キャップ72内の液体71により吸収される。液体71の体積が大きくなるほど、放射の吸収に起因する液体71の平均温度上昇が低くなる。これは、導波路61の入射面62および/または出射面63を冷却するのに役立つ。
By providing the
キャップ72は、導波路61を受け入れるよう構成されたポート73を有する。ある実施形態では、ポート73は、キャップ72と導波路61との間に液密シールを形成するよう構成されたシールを備える。このシールは、導波路61の外面の周りにおいてキャップ72からの液体の損失を少なくとも減らす。
キャップ72の形状は、特に限定されない。ある実施形態では、キャップ72は細長い形状を有する。ある実施形態では、キャップ72の平均直径は、導波路61の平均直径よりも大きい。ある実施形態では、キャップ72は長手方向を有する。ある実施形態では、キャップ72の長手方向は、導波路61の長手方向と同じである。
The shape of the
ある実施形態では、キャップ72は、ウィンドウ74を備える。導波路61は、液体71およびウィンドウ74を介して放射を受光および/または出力する。ウィンドウ74は、導波路61が導く放射に対して実質的に透明である材料から形成される。ウィンドウ74は、液体71を通さない。
In certain embodiments, the
ウィンドウ74を設けることにより、液体71を保持するキャップ72を形成する材料の残りの材料は、任意の光学特性を有することができる。これは、キャップ72の要件を緩和する。例えば、ウィンドウ74を除いたキャップ72の残りの部分は、導波路61により導かれる放射に対して不透明にできる。しかしながら、キャップ72は、必ずしもウィンドウ74を必要としない。例えば、キャップ72は、導波路61により導かれる放射に対して透明な材料から形成されてもよい。この場合、追加のウィンドウは必要ない。さらに、ある実施形態では、キャップ72のウィンドウ74は、デバイス60から出力される放射ビームを成形するよう構成される。ある実施形態では、キャップ72のウィンドウ74は、ピンホールまたはレンズの機能を果たすよう構成される。
By providing the
図6に示すように、冷却器70は、導波路61の出射面63を冷却するよう構成されてもよい。図7は、本発明のある実施形態に係るデバイス60を概略的に示す。この実施形態では、冷却器70は、導波路61の入射面62を冷却するよう構成される。
As shown in FIG. 6, the cooler 70 may be configured to cool the
図8は、デバイス60が2つの冷却器70を備える実施形態を示す。冷却器の一つは、入射面62を冷却するよう構成される。もう一つの冷却器70は、出射面63を冷却するよう構成される。
FIG. 8 shows an embodiment in which the
ある実施形態では、放射エミッタは、本発明の実施形態に係るデバイス60を備える。ある実施形態では、ファイバレーザは、本発明の実施形態に係るデバイス60を備える。例えば、一つまたは複数の自己放射コントラストデバイス4は、本発明の実施形態に係るデバイス60を備えるファイバレーザを備えてもよい。
In certain embodiments, the radiation emitter comprises a
図6に示すように、ある実施形態では、デバイス60は、放射源65を備える。放射源65は、放射を導波路61に供給するよう構成される。例えば、放射源65は、レーザダイオード、または他のファイバレーザを備えてもよい。レーザダイオードは、半導体レーザダイオードであってもよい。ある実施形態では、デバイス60は、放射源により励起されるファイバレーザの一部を備える。
As shown in FIG. 6, in some embodiments, the
ある実施形態では、放射源65は、導波路61に非偏光放射および/または円偏光放射を供給するよう構成される。ある実施形態では、放射源65は、完全非偏光放射を導波路61に供給するよう構成される。ある実施形態では、放射源65は、完全円偏光放射を導波路61に供給するよう構成される。ある実施形態では、放射源65は、非偏光放射と円偏光放射の混合を導波路61に供給するよう構成される。ある実施形態では、放射源65は、最大で10%、5%または1%の直線偏光放射を含む放射を供給するよう構成される。しかしながら、これは必ずしも必要なことではない。例えば、ある実施形態では、デバイス60の放射源65は、少なくともいくらかの、おおび随意に完全な、直線偏光放射を導波路61に供給するよう構成される。デバイス60は、任意の偏光の放射とともに用いられてよい。冷却器70の効果により、望ましくない表面構造の発生を減らすことができるので、デバイス60のライフタイムを縮めることなく直線偏光放射を用いることができる。
In certain embodiments, radiation source 65 is configured to provide unpolarized radiation and / or circularly polarized radiation to
ある実施形態では、デバイス60は、少なくとも50mWの出力を有するよう構成される。ある実施形態では、デバイスは、最大でも250mWの出力パワーを有するよう構成される。ある実施形態では、デバイス60は、約405nmの波長を有する放射を誘導するよう構成される。しかしながら、導波路61により導かれる放射の波長は特に限定されない。デバイス60は、たとえば、青色レーザ、青紫レーザまたは紫レーザの一部を備えてもよい。しかしながら、他の放射波長を用いることができる。これは、任意の波長の放射は導波路61の入射面62および/または出射面63を加熱する影響を及ぼす可能性があるからであり、これは、入射面62および/または出射面63の変形を引き起こす可能性がある。従って、任意の波長の放射を誘導するための導波路を備えるデバイスは、本発明の実施形態に従って作られることから恩恵を受ける。
In certain embodiments,
ある実施形態では、導波路61は、冷却器70を通って出射面63からガス中に放射を出力するよう構成される。リソグラフィまたは露光装置1で使用されているデバイス60との関連で、デバイス60は、放射を空気中にまたは随意に真空中に出力するよう構成された自己放射コントラストデバイス4の一部を備えてもよい。デバイス60の冷却器70は、導波路61からガスまたは真空への結合効率を増大し、特にしばらくすると、導波路61の結合効率はどんな場合でも安定する。
In some embodiments, the
図9は、本発明の実施形態に係るデバイス60の冷却器70を概略的に示す。図9に示すように、ある実施形態では、冷却器70は、加圧器80を備える。加圧器80は、加圧下で液体71を保持するよう構成される。使用の際、液体71は加圧器80により加圧される。
FIG. 9 schematically illustrates a cooler 70 of a
使用中に加圧下で液体71を保持することの利点は、液体71の沸点が効果的に上昇することである。これは、デバイス60の使用中に液体71が沸騰する可能性を低減する。液体71は、使用中に導波路61の入射面62および/または出射面63から熱を吸収する。液体71の冷却効果が減少するため、液体71が沸騰することは望ましくない。特に、液体71の冷却効果は、気泡が冷却されるべき面と接触する場合に減少する。さらに、泡は、レンズとして機能する可能性があり、それは導波路61の端面における結合を低下させる。
The advantage of holding the liquid 71 under pressure during use is that the boiling point of the liquid 71 is effectively increased. This reduces the likelihood that the liquid 71 will boil during use of the
加圧器80の種類は、特に限定されない。ただ単に一例として、ある実施形態では、加圧器80は冷却器70のキャップ72内にガスポケット81を備えてもよい。ガスポケット81は、空気などのガスで満たされる。ガスポケット81は、少なくとも部分的にフレキシブルな膜により液体から分離されている。加圧器80は、さらに、ガスポケット81中のガスを加圧するよう構成されたコンプレッサ82を備える。ガスポケット81中のガスを加圧することにより、冷却器70中の液体71が加圧され得る。
The type of the
ある実施形態では、冷却器70は、液体71が入射面62および/または出射面63を横切って流れるような循環路を備える。このような循環路は、図9に矢印で図示されている。矢印は、冷却器70を通り抜ける液体71の移動を表す。入射面62および/または出射面63を横切る液体71の流れを提供することにより、入射面62および/または出射面63と接触する液体71の平均温度は低レベルで維持することができる。これにより、液体71が入射面62および/または出射面63を冷却し続けることが可能となる。いったん液体71が熱を吸収すると、液体は冷却器70のキャップ72から抜け出ることができる。低温度の新たな液体は、キャップ72中に流れ、流れ出る液体71を取り替える。
In some embodiments, the cooler 70 includes a circulation path such that the liquid 71 flows across the
ある実施形態では、冷却器70は、液体供給口75および液体流出口76を備える。液体71は、液体供給口75を介して冷却器70のキャップ72内に流れ込む。液体71は、液体流出口76を通って冷却器70のキャップ72から流れ出る。
In some embodiments, the cooler 70 includes a
冷却器70を通り抜ける液体71の流れを提供することの利点は、液体71の流れが入射面62および/または出射面63に存在する汚染物質を取り除くのに役立つことである。例えば、このような汚染物質は、そうでなければ光ピンセット効果(optical tweezer effect)が原因で面62,63に堆積する可能性があり、特に光ファイバの光学コアに汚染物質をもたらす。液体71の流れは、ビーム焦点で生じる堆積を減らす。この流れ(表面に対して垂直であってもよい)は、光ビームの光ピンセット効果が原因で「トラップされた」粒子を、それらが表面に事実上移動するより前に、移動させる。加えて、汚染物質が表面に堆積している場合、液体71の流れは、汚染物質を減らす。従って、液体71の流れは、導波路61の端面上の汚染物質の悪影響を低減するのに役立つ。
An advantage of providing a flow of
ある実施形態では、冷却器70は、加熱器77を備える。加熱器77は、入射面62および/または出射面63の温度よりも高い温度に加熱するよう構成される。加熱器77の目的は、冷却器70液体71からガスを抜くことである。このガス抜きは、導波路61の入射面62および/または出射面63における気泡の形成を減らすのに役立つ。これは、冷却器70の有効性を高める。
In some embodiments, the cooler 70 includes a
加熱器77の種類は特に限定されない。加熱器77は、発熱体を備える。ある実施形態では、加熱器77は、冷却器70のキャップ72の外面または内面に取り付けられた薄膜ヒータを備える。他の適切な種類の加熱器77が用いられてもよい。
The kind of
加えてまたは代えて、冷却器70内の液体71は、液体を減圧することにより、少なくとも部分的にガス抜きされてもよい。例えば、液体71は、デバイス60内での液体71の使用の前に、液体71を減圧することによりガス抜きされてもよい。この場合、いったんデバイス60が使用されれば、圧力は、例えば液体71の沸点を上昇するために加圧器80を用いて増大されてもよい。
In addition or alternatively, the liquid 71 in the cooler 70 may be at least partially degassed by depressurizing the liquid. For example, the liquid 71 may be degassed by depressurizing the liquid 71 prior to use of the liquid 71 in the
ある実施形態では、リソグラフィまたは露光装置1は、本発明の実施形態に係るデバイス60を備える。ある実施形態では、リソグラフィまたは露光装置は、複数の放射ビームを提供するよう構成された、複数のデバイス60を備えるプログラマブル・パターニングデバイスを備える。ある実施形態では、リソグラフィまたは露光装置は、投影システム50を備える。投影システム50は、固定部と可動部を備え、パターンに基づいて選択されたターゲット(例えば基板17)上の位置に複数の放射ビームを投影するよう構成される。
In an embodiment, the lithography or exposure apparatus 1 comprises a
ある実施形態では、複数の自己放射コントラストデバイス4を備えるプログラマブル・パターニングデバイスと、固定部および可動部を備える投影システム50とを備えるリソグラフィまたは露光装置1が提供される。ある実施形態では、少なくとも1つの自己放射コントラストデバイス4は、非偏光放射および/または円偏光放射を含む放射ビームを出力するよう構成された導波路61を備える。少なくとも1つの自己放射コントラストデバイス4は、非偏光放射および/または円偏光放射のみを出力するよう構成された導波路61を備える。導波路61は、直線偏光放射を出力しないよう構成される。
In one embodiment, there is provided a lithography or exposure apparatus 1 comprising a programmable patterning device comprising a plurality of self-radiating contrast devices 4 and a
非偏光放射および/または円偏光放射のみを用いることにより、自己放射コントラストデバイス4のライフタイムを延ばすことができる。導波路61の端面の劣化および変形が減少する。これは、導波路61の導波路61および/または出射面63上に生じる可能性のある周期表面構造が直線偏光の方向に関連して形成されることが観察されているためである。特に、変形のリップルは放射の偏光に対して垂直であることが観察されている。言い換えると、リップルは優先的な方向を有する。円偏光放射または非偏光放射を用いることにより、変形のリップルが関連して形成されるような直線偏光方向は無くなる。これにより、端面の変形が低減される。
By using only non-polarized radiation and / or circularly polarized radiation, the lifetime of the self-radiating contrast device 4 can be extended. Deterioration and deformation of the end face of the
端面を水に漬けた光ファイバを用いて実験を行った。これらの実験は、光ファイバにより出力される放射ビームの形状が実質的にゆがんでいない又は動的ではなく、比較的安定したままであることを示した。さらに、実験は、光ファイバ端面の浸水の使用が光ファイバと外部媒体との間の結合効率の劣化を長期にわたって低減するのに役立つことを示した。 The experiment was carried out using an optical fiber whose end face was immersed in water. These experiments have shown that the shape of the radiation beam output by the optical fiber is substantially undistorted or dynamic and remains relatively stable. In addition, experiments have shown that the use of water immersion at the end face of the optical fiber helps to reduce the degradation of coupling efficiency between the optical fiber and the external medium over time.
図10は、スラブ型導波路91を備えるデバイス60の実施形態を示す。スラブ型導波路は、平面導波路とも呼ばれる。スラブ型導波路91は、入射面92および出射面93を有する。冷却器70は、スラブ型導波路91の入射面92および/または出射面93を冷却するよう構成される。
FIG. 10 shows an embodiment of a
実施形態では、スラブ型導波路は、異なる誘電率を有する材料の少なくとも3つの層を備える。中間層95は、最上層94と最下層96の間にある。中間層95の誘電率は、最上層94の誘電率および最下層96の誘電率と異なる。少なくとも3つの層94,95,96のそれぞれは、それらの界面に対して実質的に平行な方向に延在している。
In an embodiment, the slab waveguide comprises at least three layers of materials having different dielectric constants. The
ある実施形態では、デバイス60は、少なくとも2つの導波路を備える。例えば、図10に示すように、ある実施形態ではデバイス60はスラブ型導波路91および別の導波路61を備える。ある実施形態では、別の導波路61は光ファイバである。ある実施形態では、別の導波路61からの放射は、スラブ型導波路91により界面において受光される。界面は、スラブ型導波路の入射面92および/または別の導波路61の出射面63に対応する。ある実施形態では、放射は、別の導波路61からスラブ型導波路91の中間層95内に注入される。ある実施形態では、スラブ型導波路91の入射面92は、別の導波路61の出射面63と接触している。ある実施形態では、スラブ型導波路91の入射面92は、導波路61の出射面63から離間している。
In certain embodiments,
冷却器70は、別の導波路の入射面62、別の導波路の出射面63、スラブ型導波路91の入射面92、および/またはスラブ型導波路91の出射面93から選択された1つまたは複数の面を冷却するよう構成される。ある実施形態では、導波路61の入射面62、導波路61の出射面63、スラブ型導波路91の入射面92およびスラブ型導波路91の出射面93のそれぞれが冷却器70により冷却される。
The cooler 70 is selected from an
本発明の実施形態に係るデバイス60は、リソグラフィまたは露光装置において用いることができる。しかしながら、デバイス60は、リソグラフィの他にも多くの応用がある。例えば、このようなデバイス60は、特に405nmのレーザを用いるバイオサイエンスの分野で用いることができる。デバイス60の他の応用領域は、例えば、医療診断、環境モニタリング、マイクロ・プロジェクタおよびディスプレイ、通信およびその他の電子装置などを含む。デバイス60は、高出力の青色レーザまたは紫色レーザを含む応用で特に用いられてよい。
The
デバイス製造方法に従って、ディスプレイ、集積回路または任意の他の品目が、パターンが投影される基板から製造されてよい。 According to the device manufacturing method, the display, integrated circuit or any other item may be manufactured from the substrate onto which the pattern is projected.
本書ではICの製造におけるリソグラフィまたは露光装置の使用を例として説明しているが、本明細書に説明したリソグラフィまたは露光装置は他の用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。他の用途としては、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッドなどがある。当業者であればこれらの他の適用に際して、本明細書における「ウェーハ」あるいは「ダイ」という用語がそれぞれ「基板」あるいは「目標部分」という、より一般的な用語と同義であるとみなされると理解することができるであろう。本書に言及された基板は露光前または露光後において、例えばトラック(典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置)、メトロロジツール、および/またはインスペクションツールにより処理されてもよい。適用可能であれば、本明細書の開示はこれらのまたは他の基板処理装置にも適用され得る。また、基板は例えば多層ICを製造するために複数回処理されてもよく、その場合には本明細書における基板という用語は既に処理されている多数の処理層を含む基板をも意味し得る。 Although this document describes the use of lithography or exposure apparatus in the manufacture of ICs as an example, it should be understood that the lithography or exposure apparatus described herein can be applied to other applications. Other applications include integrated optical systems, magnetic domain memory guide and detection patterns, flat panel displays, liquid crystal displays (LCDs), thin film magnetic heads, and the like. For those other applications, those skilled in the art will consider that the terms "wafer" or "die" herein are considered synonymous with the more general terms "substrate" or "target portion", respectively. Will be able to understand. The substrates mentioned in this document are processed before or after exposure, for example by a track (typically a device that applies a resist layer to the substrate and develops the resist after exposure), a metrology tool, and / or an inspection tool. May be. Where applicable, the disclosure herein may be applied to these or other substrate processing apparatus. The substrate may also be processed multiple times, for example to produce a multi-layer IC, in which case the term substrate herein may also mean a substrate comprising a number of processing layers that have already been processed.
「レンズ」という用語は、文脈が許す限り、屈折光学部品、回折光学部品、反射光学部品、磁気的光学部品、電磁気的光学部品、静電的光学部品、またはこれらの組み合わせを含む各種の光学部品のいずれかを指し示してもよい。 The term “lens” refers to various optical components including refractive optical components, diffractive optical components, reflective optical components, magnetic optical components, electromagnetic optical components, electrostatic optical components, or combinations thereof, as the context allows. May be pointed to.
上述の説明は例示であり、限定を意図しない。よって、以下に述べる請求項の範囲から逸脱することなく既述の本発明に変更を加えることができるということは、当業者には明らかなことである。 The above description is illustrative and is not intended to be limiting. Thus, it will be apparent to one skilled in the art that modifications may be made to the invention as described without departing from the scope of the claims set out below.
Claims (15)
前記入射面および/または前記出射面を冷却するよう構成された冷却器と、
を備えることを特徴とするデバイス。 A waveguide in the form of a continuum of material transparent to radiation passing through it, the continuum having an entrance surface and an exit surface;
A cooler configured to cool the entrance surface and / or the exit surface;
A device comprising:
固定部と可動部を備え、前記複数の放射ビームをパターンに基づいて選択されたターゲット上の位置に投影するよう構成された投影システムと、
を備え、
少なくとも1つの前記放射エミッタは、非偏光放射および/または円偏光放射を含む放射ビームを出力するよう構成された導波路を備えることを特徴とする露光装置。 A programmable patterning device comprising a plurality of radiation emitters and configured to provide a plurality of radiation beams;
A projection system comprising a fixed part and a movable part and configured to project the plurality of radiation beams onto a position on a target selected based on a pattern;
With
An exposure apparatus, wherein the at least one radiation emitter comprises a waveguide configured to output a radiation beam comprising unpolarized radiation and / or circularly polarized radiation.
前記入射面および/または前記出射面を冷却するステップと、
を備えることを特徴とする放射誘導方法。 Directing radiation through a waveguide in the form of a continuum of material transparent to radiation, the continuum having an entrance surface and an exit surface;
Cooling the entrance surface and / or the exit surface;
A radiation induction method comprising:
前記複数の放射ビームをパターンに基づいて選択されたターゲット上の位置に投影するステップと、
を備え、
少なくとも1つの前記放射エミッタは、非偏光放射および/または円偏光放射を含む放射ビームを出力するよう構成された導波路を備えることを特徴とするデバイス製造方法。 Providing a plurality of radiation beams from a plurality of radiation emitters of a programmable patterning device;
Projecting the plurality of radiation beams onto a position on a target selected based on a pattern;
With
At least one said radiation emitter comprises a waveguide configured to output a radiation beam comprising unpolarized radiation and / or circularly polarized radiation.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201261602491P | 2012-02-23 | 2012-02-23 | |
US61/602,491 | 2012-02-23 | ||
PCT/EP2013/051355 WO2013124114A1 (en) | 2012-02-23 | 2013-01-24 | Device, lithographic apparatus, method for guiding radiation and device manufacturing method |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015510614A true JP2015510614A (en) | 2015-04-09 |
JP6042457B2 JP6042457B2 (en) | 2016-12-14 |
Family
ID=47664259
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014558046A Expired - Fee Related JP6042457B2 (en) | 2012-02-23 | 2013-01-24 | Device, exposure apparatus, and radiation induction method |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9715183B2 (en) |
JP (1) | JP6042457B2 (en) |
KR (1) | KR101650830B1 (en) |
CN (1) | CN104115068B (en) |
IL (1) | IL233540A0 (en) |
NL (1) | NL2010176A (en) |
WO (1) | WO2013124114A1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017530031A (en) * | 2014-08-07 | 2017-10-12 | オルボテック リミテッド | LIFT printing system |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102014203144A1 (en) * | 2014-02-21 | 2015-08-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Assembly of an optical system, in particular in a microlithographic projection exposure apparatus |
EP4380323A3 (en) | 2014-10-19 | 2024-09-25 | Orbotech Ltd. | Lift printing of conductive traces onto a semiconductor substrate |
CN107111205B (en) | 2014-11-12 | 2020-12-15 | 奥宝科技有限公司 | Acousto-optic polarizer with multiple output beams |
EP3247816A4 (en) | 2015-01-19 | 2018-01-24 | Orbotech Ltd. | Printing of three-dimensional metal structures with a sacrificial support |
WO2016116921A1 (en) * | 2015-01-21 | 2016-07-28 | Orbotech Ltd. | Angled lift jetting |
US10471538B2 (en) | 2015-07-09 | 2019-11-12 | Orbotech Ltd. | Control of lift ejection angle |
JP6784350B2 (en) | 2015-11-22 | 2020-11-11 | オルボテック リミテッド | Controlling surface properties of printed 3D structures |
JP6866193B2 (en) * | 2017-03-10 | 2021-04-28 | 東京応化工業株式会社 | Ultraviolet irradiation device and ultraviolet irradiation method |
TW201901887A (en) | 2017-05-24 | 2019-01-01 | 以色列商奧寶科技股份有限公司 | Electrical interconnection circuit components on the substrate without prior patterning |
EP3582008A1 (en) * | 2018-06-15 | 2019-12-18 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Exposure arrangement for an additive manufacturing system, additive manufacturing system and method of manufacturing an object |
EP3708998A1 (en) * | 2019-03-13 | 2020-09-16 | Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Apparatus and methods for particle testing |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62299908A (en) * | 1986-06-20 | 1987-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optical fiber cable |
JPH0486710A (en) * | 1990-07-31 | 1992-03-19 | Copal Co Ltd | Optical fiber incident device |
JPH08292339A (en) * | 1995-04-24 | 1996-11-05 | Siemens Ag | Optical fiber irradiation device |
JP2002131588A (en) * | 2000-10-24 | 2002-05-09 | Research & Development Bureau Ministry Of Education Culture Sports Sicence & Technology | High power pulse laser irradiation equipment |
JP2005005713A (en) * | 2003-06-11 | 2005-01-06 | Asml Netherlands Bv | Lithography apparatus and method of manufacturing device |
JP2005099062A (en) * | 2000-09-08 | 2005-04-14 | Waden Kogyo Kk | Method of preventing burnout of resin-based optical fiber and optical transmitter |
WO2011104176A1 (en) * | 2010-02-23 | 2011-09-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Family Cites Families (88)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2631850C2 (en) | 1976-07-15 | 1984-11-22 | Agfa-Gevaert Ag, 5090 Leverkusen | Method and device for line-by-line exposure of point-like surface elements of a light-sensitive recording medium |
JPS57152273A (en) | 1981-03-13 | 1982-09-20 | Ricoh Co Ltd | Electronic photograph type printer |
JPS58145916A (en) | 1982-02-24 | 1983-08-31 | Hitachi Ltd | Disk type lens optical scanner |
US4447126A (en) | 1982-07-02 | 1984-05-08 | International Business Machines Corporation | Uniformly intense imaging by close-packed lens array |
US4520472A (en) | 1983-02-07 | 1985-05-28 | Rca Corporation | Beam expansion and relay optics for laser diode array |
US4525729A (en) | 1983-04-04 | 1985-06-25 | Polaroid Corporation | Parallel LED exposure control system |
US4796038A (en) | 1985-07-24 | 1989-01-03 | Ateq Corporation | Laser pattern generation apparatus |
US4780730A (en) | 1986-04-11 | 1988-10-25 | Itek Graphix Corp. | Led-array image printer |
KR920002820B1 (en) | 1987-05-27 | 1992-04-04 | 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 | Scanning projection exposure apparatus |
US4821002A (en) * | 1988-04-07 | 1989-04-11 | Luly Robert A | Ku band polarizer |
US5523193A (en) | 1988-05-31 | 1996-06-04 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for patterning and imaging member |
US4864216A (en) | 1989-01-19 | 1989-09-05 | Hewlett-Packard Company | Light emitting diode array current power supply |
GB8923709D0 (en) | 1989-10-20 | 1989-12-06 | Minnesota Mining & Mfg | Production of images using an array of light emmiting diodes |
US4952949A (en) | 1989-11-28 | 1990-08-28 | Hewlett-Packard Company | LED printhead temperature compensation |
ATE123885T1 (en) | 1990-05-02 | 1995-06-15 | Fraunhofer Ges Forschung | EXPOSURE DEVICE. |
US5200722A (en) * | 1991-11-27 | 1993-04-06 | United Solar Systems Corporation | Microwave window assembly |
US5229872A (en) | 1992-01-21 | 1993-07-20 | Hughes Aircraft Company | Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning |
US5216247A (en) | 1992-02-07 | 1993-06-01 | Ying Wang | Optical scanning method with circular arc scanning traces |
US5216534A (en) | 1992-04-24 | 1993-06-01 | E-Systems, Inc. | Read-write head for an optical tape recorder |
JPH06275936A (en) | 1993-03-23 | 1994-09-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | Forming method of circuit pattern |
US5457488A (en) | 1993-04-12 | 1995-10-10 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method and apparatus for controlling array of light-emitting elements |
DE4315581A1 (en) | 1993-05-11 | 1994-11-17 | Fraunhofer Ges Forschung | Laser diodes with cooling system |
DE4315580A1 (en) | 1993-05-11 | 1994-11-17 | Fraunhofer Ges Forschung | Arrangement comprising laser diodes and a cooling system, and method for its production |
US5705788A (en) | 1993-05-19 | 1998-01-06 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. | Process for treatment of materials with diode radiation |
US5729331A (en) | 1993-06-30 | 1998-03-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus |
JPH0774503A (en) * | 1993-09-03 | 1995-03-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Circular polarization generator |
US5481392A (en) | 1993-12-21 | 1996-01-02 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Axial mirror scanner system and method |
JPH07276706A (en) | 1994-03-04 | 1995-10-24 | Xerox Corp | Digital printer and method of correcting ununiformity of ledpixel in led printing bar |
US5589973A (en) | 1994-05-16 | 1996-12-31 | Agfa Division, Bayer Corporation | Optical enclosure for high speed rotating beam deflector |
US5610754A (en) | 1994-08-09 | 1997-03-11 | Gheen; Gregory | Method and apparatus for photolithography by rotational scanning |
US5568320A (en) | 1994-11-30 | 1996-10-22 | Xerox Corporation | Multiple row lens array alignable with multiple row image bar |
IL115864A (en) | 1995-11-02 | 1999-05-09 | Orbotech Ltd | Method and apparatus for delivering laser energy to an object |
JP3318171B2 (en) | 1995-11-10 | 2002-08-26 | 株式会社リコー | Light emitting diode array and optical writing device |
AU1975197A (en) | 1996-02-28 | 1997-10-01 | Kenneth C. Johnson | Microlens scanner for microlithography and wide-field confocal microscopy |
SE509706C2 (en) * | 1996-07-05 | 1999-03-01 | Permanova Lasersystem Ab | Optical fiber cable |
US5840451A (en) | 1996-12-04 | 1998-11-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Individually controllable radiation sources for providing an image pattern in a photolithographic system |
AU2048097A (en) | 1997-01-29 | 1998-08-18 | Micronic Laser Systems Ab | Method and apparatus for the production of a structure by focused laser radiation on a photosensitively coated substrate |
SE509062C2 (en) | 1997-02-28 | 1998-11-30 | Micronic Laser Systems Ab | Data conversion method for a multi-beam laser printer for very complex microcolytographic designs |
DE19813127A1 (en) | 1997-03-27 | 1998-10-01 | Fraunhofer Ges Forschung | Laser device with several laser light emitting diodes |
ATE213373T1 (en) | 1997-05-14 | 2002-02-15 | Luescher Ursula | SYSTEM FOR EXPOSING PRINTING PLATES AND USE THEREOF |
US6137105A (en) | 1998-06-02 | 2000-10-24 | Science Applications International Corporation | Multiple parallel source scanning device |
US6268613B1 (en) | 1999-03-02 | 2001-07-31 | Phormax Corporation | Multiple-head phosphor screen scanner |
US6204875B1 (en) | 1998-10-07 | 2001-03-20 | Barco Graphics, Nv | Method and apparatus for light modulation and exposure at high exposure levels with high resolution |
AU1179200A (en) | 1998-11-18 | 2000-06-05 | Nikon Corporation | Exposure method and device |
CA2368958A1 (en) | 1999-03-31 | 2000-10-12 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. | Optical arrangement for symmetrizing the radiation of two-dimensional arrays of laser diodes |
US6310710B1 (en) | 1999-04-23 | 2001-10-30 | Arie Shahar | High-resolution reading and writing using beams and lenses rotating at equal or double speed |
US6466352B1 (en) | 1999-04-23 | 2002-10-15 | Arie Shahar | High-resolution reading and writing scan system for planar and cylindrical surfaces |
US6531681B1 (en) | 2000-03-27 | 2003-03-11 | Ultratech Stepper, Inc. | Apparatus having line source of radiant energy for exposing a substrate |
US7453486B2 (en) | 2000-12-13 | 2008-11-18 | Orbotech Ltd | Pulse light pattern writer |
US20020115021A1 (en) | 2001-02-01 | 2002-08-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Configurable patterning device and a method of making integrated circuits using such a device |
US20020126479A1 (en) | 2001-03-08 | 2002-09-12 | Ball Semiconductor, Inc. | High power incoherent light source with laser array |
US20020171047A1 (en) | 2001-03-28 | 2002-11-21 | Chan Kin Foeng | Integrated laser diode array and applications |
US20040257629A1 (en) | 2001-07-27 | 2004-12-23 | Steffen Noehte | Lithograph comprising a moving cylindrical lens system |
US20030043582A1 (en) | 2001-08-29 | 2003-03-06 | Ball Semiconductor, Inc. | Delivery mechanism for a laser diode array |
US20030091277A1 (en) | 2001-11-15 | 2003-05-15 | Wenhui Mei | Flattened laser scanning system |
JP2003220484A (en) | 2002-01-23 | 2003-08-05 | Fine Device:Kk | Laser processing apparatus and laser processing method |
GB2389457B (en) | 2002-06-07 | 2006-07-26 | Microsaic Systems Ltd | Microengineered optical scanner |
US6894292B2 (en) | 2002-08-02 | 2005-05-17 | Massachusetts Institute Of Technology | System and method for maskless lithography using an array of sources and an array of focusing elements |
US20050042390A1 (en) | 2003-01-09 | 2005-02-24 | Siegel Stephen B. | Rotary UV curing method and apparatus |
US7175712B2 (en) | 2003-01-09 | 2007-02-13 | Con-Trol-Cure, Inc. | Light emitting apparatus and method for curing inks, coatings and adhesives |
WO2005006082A1 (en) | 2003-07-15 | 2005-01-20 | Natalia Viktorovna Ivanova | Image producing methods and image producing devices |
US6967711B2 (en) | 2004-03-09 | 2005-11-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20060108508A1 (en) | 2004-03-12 | 2006-05-25 | Najeeb Khalid | Method and apparatus for high speed imaging |
WO2006002668A1 (en) | 2004-06-30 | 2006-01-12 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Light-emitting diode matrix and method for producing a light-emitting diode matrix |
US7116404B2 (en) | 2004-06-30 | 2006-10-03 | Asml Netherlands B.V | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2008523451A (en) | 2004-12-14 | 2008-07-03 | ラドーフ ゲーエムベーハー | Process and apparatus for generating collimated UV light for photolithography transfer |
WO2006076151A2 (en) | 2004-12-21 | 2006-07-20 | Carnegie Mellon University | Lithography and associated methods, devices, and systems |
JP4858439B2 (en) | 2005-01-25 | 2012-01-18 | 株式会社ニコン | Exposure apparatus, exposure method, and microdevice manufacturing method |
US8163580B2 (en) | 2005-08-10 | 2012-04-24 | Philips Lumileds Lighting Company Llc | Multiple die LED and lens optical system |
WO2007050022A2 (en) | 2005-10-26 | 2007-05-03 | Micronic Laser Systems Ab | Writing apparatuses and methods |
EP1956431A4 (en) | 2005-11-15 | 2009-06-24 | Nikon Corp | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
JP2009528561A (en) | 2006-02-28 | 2009-08-06 | マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット | Platform, apparatus, system and method for processing and analyzing substrates |
US9001028B2 (en) | 2006-08-19 | 2015-04-07 | David James Baker | Projector pen |
DK1892576T3 (en) | 2006-08-25 | 2013-09-16 | Luescher Technologies Ag | Exposure device to produce screen printing templates |
US20080113298A1 (en) * | 2006-11-15 | 2008-05-15 | Harald Baumann | Method of preparing lithographic printing plates |
DE102006059818B4 (en) | 2006-12-11 | 2017-09-14 | Kleo Ag | exposure system |
US7477827B2 (en) * | 2007-02-02 | 2009-01-13 | Jds Uniphase Corporation | Variable Optical Attenuator |
US7952685B2 (en) * | 2007-03-15 | 2011-05-31 | Carl Zeiss Smt Ag | Illuminator for a lithographic apparatus and method |
JP4473297B2 (en) | 2007-09-20 | 2010-06-02 | 日立ビアメカニクス株式会社 | Laser direct drawing system |
US8531648B2 (en) | 2008-09-22 | 2013-09-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, programmable patterning device and lithographic method |
EP2359193B1 (en) | 2008-12-05 | 2013-02-13 | Micronic Mydata AB | Rotating arm for writing an image on a workpiece |
US20100265557A1 (en) | 2009-04-21 | 2010-10-21 | Jesper Sallander | Optical Systems Configured to Generate More Closely Spaced Light Beams and Pattern Generators Including the Same |
EP2267534A1 (en) | 2009-06-22 | 2010-12-29 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Illumination system |
CN102713759B (en) | 2009-09-01 | 2015-04-29 | 麦克罗尼克迈达塔有限责任公司 | Pattern generation system |
WO2011104171A1 (en) * | 2010-02-23 | 2011-09-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN103597404B (en) | 2011-04-08 | 2017-04-26 | Asml荷兰有限公司 | Lithographic apparatus, programmable patterning device and lithographic method |
US20120324911A1 (en) * | 2011-06-27 | 2012-12-27 | Shedd Timothy A | Dual-loop cooling system |
WO2013023874A1 (en) | 2011-08-16 | 2013-02-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, programmable patterning device and lithographic method |
-
2013
- 2013-01-24 JP JP2014558046A patent/JP6042457B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-01-24 KR KR1020147019922A patent/KR101650830B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-01-24 NL NL2010176A patent/NL2010176A/en not_active Application Discontinuation
- 2013-01-24 US US14/365,549 patent/US9715183B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-01-24 WO PCT/EP2013/051355 patent/WO2013124114A1/en active Application Filing
- 2013-01-24 CN CN201380010004.1A patent/CN104115068B/en not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-07-07 IL IL233540A patent/IL233540A0/en unknown
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62299908A (en) * | 1986-06-20 | 1987-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optical fiber cable |
JPH0486710A (en) * | 1990-07-31 | 1992-03-19 | Copal Co Ltd | Optical fiber incident device |
JPH08292339A (en) * | 1995-04-24 | 1996-11-05 | Siemens Ag | Optical fiber irradiation device |
JP2005099062A (en) * | 2000-09-08 | 2005-04-14 | Waden Kogyo Kk | Method of preventing burnout of resin-based optical fiber and optical transmitter |
JP2002131588A (en) * | 2000-10-24 | 2002-05-09 | Research & Development Bureau Ministry Of Education Culture Sports Sicence & Technology | High power pulse laser irradiation equipment |
JP2005005713A (en) * | 2003-06-11 | 2005-01-06 | Asml Netherlands Bv | Lithography apparatus and method of manufacturing device |
WO2011104176A1 (en) * | 2010-02-23 | 2011-09-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017530031A (en) * | 2014-08-07 | 2017-10-12 | オルボテック リミテッド | LIFT printing system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IL233540A0 (en) | 2014-08-31 |
KR20140107495A (en) | 2014-09-04 |
US20140347641A1 (en) | 2014-11-27 |
CN104115068B (en) | 2017-04-05 |
US9715183B2 (en) | 2017-07-25 |
JP6042457B2 (en) | 2016-12-14 |
KR101650830B1 (en) | 2016-08-24 |
WO2013124114A1 (en) | 2013-08-29 |
NL2010176A (en) | 2013-08-26 |
CN104115068A (en) | 2014-10-22 |
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Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6042457B2 (en) | Device, exposure apparatus, and radiation induction method | |
TWI494708B (en) | Lithographic apparatus, programmable patterning device and lithographic method | |
JP6052931B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
KR101607181B1 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP5905126B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP5632894B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP2015506099A (en) | Lithographic apparatus, apparatus for providing setpoint data, device manufacturing method, setpoint data calculation method, and computer program | |
TWI479278B (en) | Photolithography device, component manufacturing method, and computer program | |
JP5809364B2 (en) | Exposure equipment | |
JP2010278433A (en) | Lithographic apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150813 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150818 |
|
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