JP2015064271A - Optical axis adjustment method and inspection apparatus - Google Patents
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Abstract
【課題】検査効率の低下を抑制しつつ、レーザ光の光軸位置のずれを検出する技術を提供する。【解決手段】検査装置100では、第1方向に直線偏光し、太陽電池9に照射される測定用プローブ光LP11に対して、第1方向に直交する第2方向に直線偏光するポンプ光LP13の光軸位置を調整する。詳細には、測定用プローブ光LP11および測定用ポンプ光LP13の一部をビームスプリッターBP1で分割し、偏光子126でどちらか一方のみをイメージセンサー127に入射させる。そして、イメージセンサー127によって検出した、測定用プローブ光LP11の入射位置および測定用ポンプ光LP13の入射位置の比較に基づき、測定用ポンプ光LP13の光軸位置が調整される。【選択図】図1A technique for detecting a shift in the optical axis position of a laser beam while suppressing a decrease in inspection efficiency is provided. In the inspection apparatus 100, the pump light LP13 linearly polarized in the first direction and linearly polarized in the second direction orthogonal to the first direction with respect to the measurement probe light LP11 irradiated to the solar cell 9 is obtained. Adjust the optical axis position. Specifically, a part of the measurement probe light LP11 and the measurement pump light LP13 are divided by the beam splitter BP1, and only one of them is made incident on the image sensor 127 by the polarizer 126. Then, based on the comparison between the incident position of the measurement probe light LP11 and the incident position of the measurement pump light LP13 detected by the image sensor 127, the optical axis position of the measurement pump light LP13 is adjusted. [Selection] Figure 1
Description
この発明は、レーザ光の光軸位置のずれを検出または調整する技術に関する。 The present invention relates to a technique for detecting or adjusting an optical axis position shift of a laser beam.
パルスレーザ光を照射したときに、半導体デバイスから放射される電磁波を検出することによって、半導体デバイスを非接触で検査する半導体検査装置が公知である(特許文献1)。 A semiconductor inspection apparatus that inspects a semiconductor device in a non-contact manner by detecting an electromagnetic wave radiated from the semiconductor device when irradiated with pulsed laser light is known (Patent Document 1).
また、本願出願人は、パルス光をフォトデバイスに照射し、それに応じてフォトデバイスから放射される電磁波を検出することによって、フォトデバイスを検査する技術を提案している(特許文献2)。 The applicant of the present application has proposed a technique for inspecting a photo device by irradiating the photo device with pulsed light and detecting an electromagnetic wave radiated from the photo device accordingly (Patent Document 2).
さらに、ポンプ・プローブ測定法を用いて、ポンプ光の照射領域内をプローブ光で走査し、光励起キャリアの可視化する技術が提案されている(非特許文献1)。非特許文献1では、代表的なテラヘルツ波発生素子である低温成長ガリウム砒素の光伝導スイッチを試料として、サブピコ秒の時間分解能・数マイクロメートルの空間分解能で、光励起キャリアのダイナミクスを観察することが記載されている。
Furthermore, a technique has been proposed in which the pump-probe measurement method is used to scan the irradiation area of the pump light with the probe light to visualize the photoexcited carriers (Non-Patent Document 1). In
ところで、測定装置において物性を正しく評価するためには、測定系を精度良く整備することが求められる。具体的に、ポンプ・プローブ測定法では、スポット径が異なる2つのレーザ光(ポンプ光およびプローブ光)が検査対象物に照射されるが、それらの光軸の位置関係が僅かにずれただけで、レーザ光の相対的な照射位置が変化するため、測定データに大きな誤差が生じる虞がある。このため、これら2つのレーザ光の光軸調整が適宜行われる場合がある。 By the way, in order to correctly evaluate physical properties in a measuring apparatus, it is required to maintain a measuring system with high accuracy. Specifically, in the pump / probe measurement method, two laser beams (pump light and probe light) with different spot diameters are irradiated onto the inspection object, but the positional relationship between the optical axes is slightly shifted. Since the relative irradiation position of the laser beam changes, there is a possibility that a large error occurs in the measurement data. For this reason, the optical axis adjustment of these two laser beams may be appropriately performed.
従来の光軸調整は、検査対象物に照射されたレーザ光のスポット位置を目視で確認する方法によって行われていた。この光軸調整方法では、測定中に、検査対象物上において、それぞれの光軸位置を正確に特定するためには、どちらか一方を遮光する必要があった。このため、2つのレーザ光照射による検査を一時的に中断することが必要となる場合があり、検査効率が低下する虞があった。 Conventional optical axis adjustment has been performed by a method of visually confirming a spot position of a laser beam irradiated on an inspection object. In this optical axis adjustment method, in order to accurately specify the position of each optical axis on the inspection object during measurement, it is necessary to shield one of them. For this reason, it may be necessary to temporarily interrupt the inspection by the two laser light irradiations, and there is a possibility that the inspection efficiency is lowered.
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、検査効率の低下を抑制しつつ、レーザ光の光軸位置ずれを検出する技術を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a technique for detecting an optical axis position shift of laser light while suppressing a decrease in inspection efficiency.
上記の課題を解決するため、第1の態様は、第1方向に直線偏光し、検査対象物に照射される第1レーザ光に対して、前記第1方向に直交する第2方向に直線偏光し、前記検査対象物に照射される第2レーザ光の光軸位置を調整する光軸調整方法であって、(a)前記検査対象物に向かう第1レーザ光の一部を分割し、撮像部に入射させる工程と、(b)前記検査対象物に向かう第2レーザ光の一部を分割し、前記撮像部に入射させる工程と、(c)前記(a)工程にて検出された前記第1レーザ光の入射位置と、前記(b)工程にて前記撮像部にて検出された第2レーザ光の入射位置との比較に基づき、前記検査対象物に向かう前記第2レーザ光の光軸の位置を調整する工程とを含む。 In order to solve the above-mentioned problem, the first mode is linearly polarized in the first direction, and linearly polarized in the second direction orthogonal to the first direction with respect to the first laser light irradiated on the inspection object. An optical axis adjustment method for adjusting the optical axis position of the second laser light irradiated to the inspection object, wherein (a) a part of the first laser light directed to the inspection object is divided and imaged And (b) dividing a part of the second laser beam directed toward the inspection object and causing it to enter the imaging unit, and (c) the step detected in the step (a) Based on the comparison between the incident position of the first laser light and the incident position of the second laser light detected by the imaging unit in the step (b), the light of the second laser light toward the inspection object Adjusting the position of the shaft.
また、第2の態様は、第1の態様に係る光軸調整方法であって、前記(a)工程は、分割された前記第1レーザ光の一部を、前記第1方向に適合するように操作された偏光子を介して前記撮像部に入射させる工程であり、前記(b)工程は、分割された前記第2レーザ光の一部を、前記第2方向に適合するように操作された前記偏光子を介して前記撮像部に入射させる工程である。 Further, the second aspect is an optical axis adjustment method according to the first aspect, wherein the step (a) is such that a part of the divided first laser light is adapted to the first direction. The step (b) is performed so that a part of the divided second laser light is adapted to the second direction. In addition, the light is incident on the imaging unit via the polarizer.
また、第3の態様は、第1または第2の態様に係る光軸調整方法において、前記(b)工程は、(b-1)前記撮像部によって取得された、前記第2レーザ光の入射位置を示す画像を表示する工程、を含む。 According to a third aspect, in the optical axis adjustment method according to the first or second aspect, the step (b) includes (b-1) incidence of the second laser light acquired by the imaging unit. Displaying an image indicating the position.
また、第4の態様は、第1から第3までのいずれか1態様に係る光軸調整方法であって、(e)前記(a)工程にて検出された前記第1レーザ光の入射位置に基づき、前記検査対象物に向かう前記第1レーザ光の光軸を調整する工程、をさらに含む。 A fourth aspect is an optical axis adjustment method according to any one of the first to third aspects, and (e) the incident position of the first laser light detected in the step (a). And adjusting the optical axis of the first laser beam toward the inspection object.
また、第5の態様は、第1から第4までのいずれか1態様に係る光軸調整方法であって、前記第1レーザ光が、プローブ光であり、前記第2レーザ光が、前記プローブ光よりもスポット径が大きいポンプ光である。 A fifth aspect is an optical axis adjustment method according to any one of the first to fourth aspects, wherein the first laser light is probe light, and the second laser light is the probe. This is pump light having a spot diameter larger than that of light.
また、第6の態様は、第1方向に直線偏光し、検査対象物に照射される第1レーザ光、および、前記第1方向に直交する第2方向に直線偏光し、前記検査対象物に照射される第2レーザ光を検査対象物に照射することによって、検査対象物を検査する検査装置において、前記第1レーザ光の一部および第2レーザ光の一部を分割する分割部と、前記分割部によって分割された前記第1レーザ光、および、前記分割部によって分割された前記第2レーザ光が入射する撮像部とを備えている。 Moreover, a 6th aspect is linearly polarized in the 2nd direction orthogonal to the 1st laser beam irradiated to a test | inspection object and linearly polarized in a 1st direction, and is in the said test | inspection object. In an inspection apparatus that inspects an inspection object by irradiating the inspection object with the irradiated second laser light, a dividing unit that divides a part of the first laser light and a part of the second laser light; An imaging unit on which the first laser beam divided by the dividing unit and the second laser beam divided by the dividing unit are incident;
また、第7の態様は、第6の態様に係る検査装置において、前記撮像部によって取得される画像を表示する表示部、をさらに備える。 Moreover, a 7th aspect is further provided with the display part which displays the image acquired by the said imaging part in the inspection apparatus which concerns on a 6th aspect.
第1の態様に係る光軸調整方法によると、第1レーザ光および第2レーザ光から取り出された一部のレーザ光を、撮像部に入射させることによって、それぞれの光軸の位置が特定される。このため、検査対象物に対する検査中に、光軸のずれを検出することができる。 According to the optical axis adjustment method according to the first aspect, a part of the laser light extracted from the first laser light and the second laser light is incident on the imaging unit, whereby the position of each optical axis is specified. The For this reason, the shift | offset | difference of an optical axis is detectable during the test | inspection with respect to a test object.
また、第2の態様に係る光軸調整方法によると、第1レーザ光と第2レーザ光が重なっていても、偏光子を用いることによって、第1レーザ光と第2レーザ光を切り替えて撮像部に入射させることができる。 Further, according to the optical axis adjustment method according to the second aspect, even if the first laser beam and the second laser beam overlap, imaging is performed by switching between the first laser beam and the second laser beam by using a polarizer. Can be incident on the part.
第3の態様に係る光軸調整方法によると、オペレータが、第2レーザ光の撮像部に対する入射位置のずれを、画像データに基づき視覚的に把握することができる。 According to the optical axis adjustment method according to the third aspect, the operator can visually grasp the shift of the incident position of the second laser light with respect to the imaging unit based on the image data.
また、第4の態様に係る光軸調整方法によると、第1レーザ光の光軸を、原点復帰させることができる。これによって、検査対象物の、狙った位置に、第1レーザ光および第2レーザ光を精度良く照射することができる。 In addition, according to the optical axis adjustment method according to the fourth aspect, the optical axis of the first laser beam can be returned to the origin. Thus, the first laser beam and the second laser beam can be accurately irradiated onto the target position of the inspection object.
また、第5の態様に係る光軸調整方法によると、ポンプ・プローブ測定において、ポンプ光の光軸位置を、プローブ光の光軸位置に対して調整することができる。このため、ポンプ・プローブ測定中に、光軸調整を行うことができる。 Further, according to the optical axis adjusting method according to the fifth aspect, in the pump / probe measurement, the optical axis position of the pump light can be adjusted with respect to the optical axis position of the probe light. For this reason, optical axis adjustment can be performed during pump-probe measurement.
第6の態様に係る検査装置によると、撮像部によって、第1レーザ光に対する、第2レーザ光の光軸のずれを検出できる。したがって、光軸位置調整の要否を容易に判断することができる。 According to the inspection apparatus according to the sixth aspect, it is possible to detect the shift of the optical axis of the second laser light with respect to the first laser light by the imaging unit. Therefore, the necessity of optical axis position adjustment can be easily determined.
また、第7の態様に係る検査装置によると、オペレータが、第2レーザ光の撮像部に対する入射位置のずれを、画像データに基づき視覚的に把握することができる。 Moreover, according to the inspection apparatus which concerns on a 7th aspect, the operator can grasp | ascertain visually the shift | offset | difference of the incident position with respect to the imaging part of a 2nd laser beam based on image data.
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。なお、図面においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In the drawings, the size and number of each part may be exaggerated or simplified as needed for easy understanding.
<1. 実施形態>
<1.1 構成および機能>
図1は、実施形態に係る検査装置100の概略構成図である。検査装置100は、半導体デバイスまたはフォトデバイスである検査対象物に対し、パルス光を照射し、該パルス光の照射に応じて検査対象物から放射される電磁波(例えば、周波数が0.1THz〜10THzのテラヘルツ波)を検出することによって、検査対象物の検査を行う。
<1. Embodiment>
<1.1 Configuration and function>
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an
本願において、半導体デバイスとは、半導体によりトランジスタ、集積回路(ICやLSI)、抵抗またはコンデンサなどにより構成される電子装置をいう。また、フォトデバイスとは、フォトダイオード、CMOSセンサもしくはCCDセンサなどのイメージセンサー、太陽電池またはLEDなど、半導体の光電効果を利用する電子装置をいう。以下では、検査対象物が、フォトデバイスの一種である平板状の太陽電池9である場合を例にして、具体的に説明する。太陽電池9の表面9Sは、平面状とするが、他の形状(例えば、曲面状)であってもよい。
In the present application, a semiconductor device refers to an electronic device that includes a semiconductor, a transistor, an integrated circuit (IC or LSI), a resistor, a capacitor, or the like. A photo device refers to an electronic device that uses the photoelectric effect of a semiconductor, such as a photodiode, an image sensor such as a CMOS sensor or a CCD sensor, a solar cell, or an LED. Hereinafter, the case where the inspection object is a flat
図1に示されるように、検査装置100は、ステージ11、照射部12、検出部13、測定用遅延部14A、検出用遅延部14B、ステージ移動機構15および制御部16を備えている。
As shown in FIG. 1, the
ステージ11は、図示を省略する固定手段によって、太陽電池9をステージ11上に固定して保持する。固定手段としては、太陽電池9を挟持する挟持具を利用したもの、粘着性シート、または、ステージ11の表面に形成される吸着孔などが例示される。ただし、太陽電池9を保持できるのであれば、これら以外の固定手段が採用されてもよい。
The
照射部12は、パルス光を出射する光源として、フェムト秒レーザ121を備えている。フェムト秒レーザ121は、例えば、300nm(ナノメートル)以上1.5μm(マイクロメートル)以下の可視光領域を含む波長のパルス光(パルス光LP1)を放射する。好適な例としては、中心波長が800nm付近であり、周期が数kHz〜数百MHz、パルス幅が10〜150フェムト秒程度の直線偏光のパルス光が、フェムト秒レーザから放射される。もちろん、その他の波長領域(例えば、青色波長(450〜495nm)、緑色波長(495〜570nm)の可視光波長)のパルス光が出射されるようにしてもよい。
The
フェムト秒レーザ121から出射されたパルス光LP1は、ハーフミラーHM1によって、2つに分割される。分割された一方のパルス光(測定用パルス光LP10)は、太陽電池9へ導かれる。測定用パルス光LP10の光強度は、例えば数百mW程度とされる。また、もう一方のパルス光(検出用パルス光LP21)は、電磁波を検出する検出部13の検出器131へと導かれる。検出用パルス光LP21の光強度は、例えば5mW程度とされる。
The pulsed light LP1 emitted from the
測定用パルス光LP10は、光路上に配置されたハーフミラーHM2によって、測定用プローブ光LP11と測定用ポンプ光LP13とに分割される。なお、以下の説明では、測定用プローブ光LP11および測定用ポンプ光LP13をまとめて、「測定用のレーザ光」と称する場合がある。 The measurement pulse light LP10 is divided into measurement probe light LP11 and measurement pump light LP13 by a half mirror HM2 disposed on the optical path. In the following description, the measurement probe light LP11 and the measurement pump light LP13 may be collectively referred to as “measurement laser light”.
測定用プローブ光LP11は、光チョッパ123によって数kHz(例えば、2kHzまたは4kHz)の変調がかけられる。なお、変調素子として、AOM(Acousto-Optic Modulator)などを用いてもよい。測定用プローブ光LP11は、ミラー群M10を反射して、1/2波長板124に到達する。そして、1/2波長板124を通過することによって、第1方向に直線偏光する。
The measurement probe light LP11 is modulated by several kHz (for example, 2 kHz or 4 kHz) by the
ハーフミラーHM2から太陽電池9までの測定用ポンプ光LP13の光路上には、測定用遅延部14Aが設けられている。測定用遅延部14Aは、測定用ポンプ光LP13が太陽電池9へ到達する時間を連続的に変更する。測定用遅延部14Aは、測定用遅延ステージ141Aおよび測定用遅延ステージ移動機構143Aを備えている。
A measurement delay unit 14A is provided on the optical path of the measurement pump light LP13 from the half mirror HM2 to the
測定用遅延ステージ141Aは、測定用ポンプ光LP13を入射方向に折り返させる折り返しミラーM8を備えたレトロリフレクターで構成されている。測定用遅延ステージ移動機構143Aは、制御部16の制御に基づいて、測定用ポンプ光LP13の入射方向に沿って測定用遅延ステージ141Aを平行移動させる。測定用遅延ステージ141Aが平行移動することによって、測定用ポンプ光LP13の光路長が連続的に変更されることとなる。
The
太陽電池9の内部電界が存在する部位に、禁制帯幅を超えるエネルギーを持つ測定用プローブ光LP11が照射されると、光励起キャリア(自由電子および自由正孔)が発生し、内部電場によって加速される。これにより、パルス状の電流が発生することとなり、それに応じて電磁波LT1が発生することとなる。内部電界は、例えばpn接合部やショットキー接合部などに発生していることが知られている。
When the portion of the
電磁波LT1は、内部電界の状態(強さや向きなど)に依存して発生する。つまり、pn接合やpn接合に接続されている配線状況などに依存して、電磁波LT1が発生する。このため、電磁波LT1を検出することによって、太陽電池9の特性を調べたり、不良判定などの検査をしたりすることができる。
The electromagnetic wave LT1 is generated depending on the state (strength, direction, etc.) of the internal electric field. That is, the electromagnetic wave LT1 is generated depending on the pn junction or the wiring state connected to the pn junction. For this reason, by detecting the electromagnetic wave LT1, it is possible to examine the characteristics of the
測定用遅延ステージ141Aは、測定用プローブ光LP11が太陽電池9に到達する時間および測定用ポンプ光LP13が太陽電池9に到達する時間の時間差を変更する装置である。測定用ポンプ光LP13が太陽電池9を励起してから、測定用プローブ光LP11が太陽電池9を励起するまでの時間の差を遅延時間として、測定用プローブ光LP11によって得られる信号(電磁波LT1)を、遅延時間の関数として測定する。これにより、光励起に対する太陽電池9の超高速応答が、フェムト秒領域の高い時間分解能で測定される(ポンプ・プローブ測定法)。
The
なお、測定用遅延ステージ141Aとは異なる構成によって、測定用ポンプ光LP13の太陽電池9への到達時間を変更することも可能である。具体的には、電気光学効果を利用することが考えられる。すなわち、印加する電圧を変化させることで屈折率が変化する電気光学素子を、遅延素子として用いてもよい。例えば、特許文献3(特開2009−175127号公報)に開示されている電気光学素子を利用することができる。
Note that the arrival time of the measurement pump light LP13 to the
また、測定用ポンプ光LP13の光路長を変更する代わりに、測定用プローブ光LP11の光路長を変更することも考えられる。この場合においても、測定用ポンプ光LP13に対して、測定用プローブ光LP11が検出器131に到達する時間を、相対的に遅延させることができる。
It is also conceivable to change the optical path length of the measurement probe light LP11 instead of changing the optical path length of the measurement pump light LP13. Also in this case, the time for the measurement probe light LP11 to reach the
折り返しミラーM8を反射した測定用ポンプ光LP13は、1/2波長板125を通過することによって、第2方向に直線偏光する。この第2方向は、1/2波長板124によって直線偏光する測定用プローブ光LP11の偏光方向(第1方向)とは直交する方向となっている。このように、本実施形態では、測定用プローブ光LP11と測定用ポンプ光LP13とを、互いに直交する方向に直線偏光する。このため、測定用プローブ光LP11および測定用ポンプ光LP13を重ねたとしても、互いに干渉することを抑制できる。したがって、ポンプ・プローブ測定における電磁波応答を精度良く測定することができる。
The measurement pump light LP13 reflected from the folding mirror M8 passes through the half-
1/2波長板124を通過した測定用プローブ光LP11および1/2波長板125を通過した測定用ポンプ光LP13は、ハーフミラーHM3に導かれる。さらに、ハーフミラーHM3を通過した測定用プローブ光LP11および測定用ポンプ光LP13は、ビームスプリッターBS1によって、それぞれの一部が分割される。分割されたレーザ光は、偏光子126を介して、イメージセンサー127へと導かれる。このビームスプリッターBS1は、例えばハーフミラーによって構成される。また、ビームスプリッターBS1をそのまま通過した残余のレーザ光は、測定用プローブ光LP11および測定用ポンプ光LP13は、太陽電池9に導かれる。
The measurement probe light LP11 that has passed through the half-
偏光子126は、特定の方向に直線偏光した光のみを透過させる偏光板を備えている。偏光子126は、詳細な図示を省略するが、偏光板の回転操作によって、透過させる光の偏光方向を任意に変更することが可能に構成されている。偏光子126を操作することによって、偏光板が透過させる偏光方向が、測定用プローブ光LP11または測定用ポンプ光LP13の偏光方向(第1方向または第2方向)のいずれかに合わせられる。これによって、イメージセンサー127へ到達させる測定用のレーザ光を、測定用プローブ光LP11および測定用ポンプ光LP13のどちから一方に切り替えることができる。
The
イメージセンサー127は、2次元平面状に並べられた複数の受光素子(CCDまたはCMOSなど)によって構成されている。測定用プローブ光LP11または測定用ポンプ光LP13がイメージセンサー127に入射することで、その入射位置を示す画像データが取得される。取得された画像データは、後述する制御部16に送信され、モニター17(表示部)に表示される。
The
偏光子126によって、イメージセンサー127に到達するレーザ光を測定用プローブ光LP11または測定用ポンプ光LP13のいずれか一方にできるため、それぞれの入射位置を個別に特定することができる。したがって、それぞれの光軸位置を正確に特定することができる。
Since the laser light reaching the
仮に偏光子126を用いない場合は、測定用の2つのレーザ光のうち、一方をシャッターなどで遮断することも考えられる。この場合は、測定用プローブ光LP11および測定用ポンプ光LP13が同軸上に合わされる前の位置に、シャッター配置すればよい。なお、シャッターを用いた場合は、検査対象物である太陽電池9に照射できなくなる。すなわち、光軸位置のずれを確認するためには、ポンプ・プローブ測定を中断する必要となる。
If the
ただし、測定用の2つのレーザ光のそれぞれを、個別に検出するイメージセンサー127を設けた場合は、シャッター位置を、分割された後のレーザ光の光路上に配置することで、ポンプ・プローブ測定を中断しなくも、光軸位置のずれを確認することができる。
However, in the case where an
<電磁波検出機構>
太陽電池9から放射された電磁波LT1は、放物面鏡M1,M2において集光される。より詳細には、放物面鏡M1,M2は、測定用プローブ光LP11が照射される表面9Sと同じ側に放射される電磁波LT1を集光する。そして、集光された電磁波LT1は、検出部13の検出器131に入射する。
<Electromagnetic wave detection mechanism>
The electromagnetic wave LT1 radiated from the
検出器131は、検出用パルス光LP21が入射する光伝導スイッチで構成されている。検出用パルス光LP21は、光チョッパ145によって数kHzの変調がかけられる。電磁波LT1が検出器131に入射する状態で、検出用パルス光LP21が検出器131に照射されると、光伝導スイッチに瞬間的に電磁波LT1の電場強度に応じた電流が発生する。この電場強度に応じた電流は、図示しないロックインアンプやA/D変換回路などを介して適宜デジタル量に変換される。このように、検出部13は、検出用パルス光LP21の照射に応じて太陽電池9から放射された電磁波LT1の電場強度を検出する。なお、検出器131に、その他の素子、例えば非線形光学結晶を適用することも考えられる。
The
ハーフミラーHM1から検出器131までの検出用パルス光LP21の光路上には、検出用遅延部14Bが設けられている。検出用遅延部14Bは、検出用パルス光LP21が検出器131に到達する時間を変更する。検出用遅延部14Bは、検出用遅延ステージ141Bおよび検出用遅延ステージ移動機構143Bを備えている。
On the optical path of the detection pulsed light LP21 from the half mirror HM1 to the
検出用遅延ステージ141Bは、検出用パルス光LP21を入射方向に折り返させる折り返しミラーM8を備えたレトロリフレクターで構成されている。検出用遅延ステージ移動機構143Bは、制御部16の制御に基づいて、検出用パルス光LP21の入射方向に沿って検出用遅延ステージ141Bを平行移動させる。検出用遅延ステージ移動機構143Bが平行移動することによって、検出用パルス光LP21の光路長が連続的に変更される。
The
検出用遅延ステージ141Bは、電磁波LT1が検出器131に到達する時間と、検出用パルス光LP21が検出器131へ到達する時間との時間差を変更する。つまり、検出用遅延ステージ141Bにより、検出用パルス光LP21の光路長を変化させることによって、検出器131において電磁波LT1の電場強度を検出するタイミング(検出タイミングまたはサンプリングタイミング)が遅延される。
The
検出用遅延ステージ141Bについても、測定用遅延ステージ141Aと同様に、電気光学効果を利用することが考えられる。また、検出用パルス光LP21の光路長を変更する代わりに、測定用プローブ光LP11の光路長、もしくは、太陽電池9から放射された電磁波LT1の光路長を変更してもよい。いずれの場合においても、検出用パルス光LP21が検出器131に到達する時間に対して、電磁波LT1が検出器131に到達する時間を、相対的に遅延させることができる。つまり、検出器131における電磁波LT1の電場強度の検出タイミングを遅延させることができる。
As with the
また、検査装置100は、太陽電池9に対して、検査時に逆バイアス電圧を印加する逆バイアス電圧印加回路99を備えている。太陽電池9の受光面およびその反対側の面にそれぞれ形成された電極(表面電極および裏面電極)に、逆バイアス電圧印加回路99が接続され、逆バイアス電圧が印加される。逆バイアス電圧印加回路99が太陽電池9に印加する電圧の大きさは、制御部16からの制御に基づいて、変更可能としてよい。
In addition, the
逆バイアス電圧が印加されることによって、pn接合部の空乏層を大きくすることができる。これにより、検出器131において検出される電磁波LT1の電場強度を大きくすることができるため、検出部13における電磁波LT1の検出感度を向上することができる。ただし、逆バイアス電圧印加回路99は省略することもできる。
By applying the reverse bias voltage, the depletion layer of the pn junction can be enlarged. Thereby, since the electric field strength of the electromagnetic wave LT1 detected by the
ステージ移動機構15は、ステージ11を二次元平面内で移動させる装置であり、例えばX−Yテーブルなどで構成されている。ステージ移動機構15は、ステージ11に保持された太陽電池9を、照射部12に対して相対的に移動させる。検査装置100は、ステージ移動機構15によって、太陽電池9を2次元平面内で任意の位置に移動させることができる。ステージ移動機構15によって、太陽電池9を水平移動させることによって、ポンプ・プローブ測定法によって測定すべき範囲(測定範囲)を、測定用のレーザ光で走査することが可能である。
The
なお、太陽電池9の位置を固定したまま、ガルバノミラー、ポリゴンミラーなどで、測定用のレーザ光の光路を変更することによって、測定範囲を走査できるように検査装置100を構成することも考えられる。また、測定用のレーザ光の光路の変更と、太陽電池9の移動とを組み合わせて、測定範囲を走査できるようにしてもよい。
It is also conceivable to configure the
図2は、制御部16とその他の要素の接続関係を示すブロック図である。制御部16は、図示を省略するCPU、ROMおよびRAMなどを備えた一般的なコンピュータとして構成されている。図2に示されるように、制御部16は、フェムト秒レーザ121、検出器131、測定用遅延ステージ移動機構143A、検出用遅延ステージ移動機構143B、ステージ移動機構15、偏光子126、イメージセンサー127および逆バイアス電圧印加回路99に接続されており、これらの各要素の動作を制御したり、あるいは、これらの各要素からデータを受け取ったりする。
FIG. 2 is a block diagram illustrating a connection relationship between the
制御部16には、モニター17、操作入力部18およびカメラ19が接続されている。モニター17は、液晶ディスプレイなどの表示装置であり、オペレータに対して各種画像情報を表示する。モニター17には、イメージセンサー127が出力する測定用プローブ光LP11または測定用ポンプ光LP13の検出信号から得られる画像(後述する図4参照)、カメラ19が撮影した太陽電池9の表面9Sの画像などが表示される。
A
操作入力部18は、マウスおよびキーボードなどの各種入力デバイスで構成されている。オペレータは操作入力部18を介して所定の操作入力を行うことができる。なお、モニター17がタッチパネルとして構成されることによって、モニター17が操作入力部18として機能するようにしてもよい。
The
また、制御部16には、画像生成部21,時間波形復元部23が接続されている。
In addition, an
画像生成部21は、太陽電池9の検査範囲(太陽電池9の一部または全部)において、測定用のレーザ光の照射によって放射される電磁波LT1の電場強度の分布を視覚化した電場強度分布画像を生成する。電場強度分布画像においては、電場強度の相違が、例えば、異なる色または異なる模様などで視覚的に表現される。
The
時間波形復元部23は、検出器131にて検出される電場強度に基づいて、太陽電池9から放射される電磁波LT1の時間波形を復元する。具体的には、検出用遅延ステージ141Bを移動させることで、検出用パルス光LP21が検出器131に到達する時間を変更し、各位相で検出された電磁波LT1の電場強度が取得される。そして、この取得された電場強度が、時間軸上にプロットされることによって、電磁波LT1の時間波形が復元される。
The time
制御部16には、各種データが格納される記憶部31が接続されている。記憶部31は、ハードディスクなどの固定ディスクの他、可搬メディア(例えば磁気メディア、光ディスクメディアまたは半導体メモリなど)、または主記憶メモリなどで構成されていてもよい。また、制御部16と記憶部31とは、ネットワーク回線を介して接続されていてもよい。
A
<1.2. 光軸調整>
次に、光軸調整の流れについて、図3を参照しつつ説明する。図3は、ポンプ・プローブ測定における、光軸調整の流れの一例を示す図である。なお、以下の説明において、検査装置100の各要素の動作は、特に断らない限り、制御部16の制御のもとに行われるものとする。
<1.2. Optical axis adjustment>
Next, the flow of optical axis adjustment will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a diagram showing an example of the flow of optical axis adjustment in pump / probe measurement. In the following description, the operation of each element of the
まず、ステージ11に試料(ここでは、太陽電池9)が設置される(ステップS1)。そして、測定系の調整が行われる(ステップS2)。このステップS2では、例えば、太陽電池9の適当な位置に、測定用プローブ光LP11を照射し、その照射に応じて太陽電池9から放射される電磁波LT1が検出器131によって適切に検出できるように、光学系などの各要素の姿勢、位置などが調整される。
First, a sample (here, solar cell 9) is placed on the stage 11 (step S1). Then, the measurement system is adjusted (step S2). In this step S2, for example, an appropriate position of the
ステップS2が完了すると、測定用プローブ光LP11の光軸位置の情報が取得される(ステップS3)。詳細には、第1方向に直線偏光する測定用プローブ光LP11を透過するように、偏光子126が操作される。これによって、測定用ポンプ光LP13が遮断され、測定用プローブ光LP11のみがイメージセンサー127に到達することとなる。イメージセンサー127が取得した、測定用プローブ光LP11の検出信号は、制御部16に送信される。制御部16は、受信した検出信号に基づき、画像を生成し、モニター17に画像を表示する(ステップS4)。
When step S2 is completed, information on the optical axis position of the measurement probe light LP11 is acquired (step S3). Specifically, the
図4は、モニター17に表示される画像I1の一例を示す図である。図4に示されるように、測定用プローブ光LP11は、スポットSP1として検出される。本実施形態では、この測定用プローブ光LP11のスポットSP1の中心位置が、原点位置として記憶部31に保存される。
FIG. 4 is a diagram illustrating an example of an image I1 displayed on the
図3に戻って、測定用プローブ光LP11の位置情報が保存されると、偏光子126が操作されることによって、偏光板が90度回転される(ステップS5)。これによって、偏光子126を透過してイメージセンサー127に到達するレーザ光が、測定用プローブ光LP11から測定用ポンプ光LP13に切り替えられる。この状態で、測定用ポンプ光LP13の光軸調整が行われる(ステップS6)。
Returning to FIG. 3, when the position information of the measurement probe light LP11 is stored, the
ステップS6においては、ステップS4において説明したように、イメージセンサー127から送られてくる検出信号に基づき、制御部16が画像を生成し、モニター17にその画像を表示する。これによって、例えば、図4中、破線で示されるように、オペレータは、測定用ポンプ光LP13の入射位置に基づき、測定用プローブ光LP11に対する測定用ポンプ光LP13の光軸位置を確認することができる。
In step S 6, as described in
測定用ポンプ光LP13の入射位置のずれは、すなわち、測定用ポンプ光LP13の光軸位置のずれを意味する。このため、測定用ポンプ光LP13の光軸が所要の位置となるように、その光軸位置の調整が行われる。具体的には、モニター17上に示される測定用ポンプ光LP13のスポットSP2の中心位置が、例えば、測定用プローブ光LP11のスポットSP1の中心位置(原点位置)と一致するように、測定用ポンプ光LP13の光路上にある光学系の調整(例えば、測定用遅延ステージ141Aの位置調整)が実行される。なお、光軸位置の調整は、手作業によって行われてもよい。無論、光学系の各要素を駆動する駆動機構(モータ)を制御部16によって制御することで、光軸位置が自動で調整されるようにしてもよい。
The deviation of the incident position of the measurement pump light LP13 means the deviation of the optical axis position of the measurement pump light LP13. For this reason, the optical axis position is adjusted so that the optical axis of the measurement pump light LP13 becomes a required position. Specifically, the measurement pump so that the center position of the spot SP2 of the measurement pump light LP13 shown on the
測定用ポンプ光LP13の光軸位置の調整が完了すると、ポンプ・プローブ測定が開始される(ステップS7)。ポンプ・プローブ測定では、測定用遅延ステージ141Aが駆動されることによって、測定用プローブ光LP11が、測定用ポンプ光LP13に対して遅延され、それによる太陽電池9の電磁波応答の変動が測定される。また、測定用のレーザ光で、太陽電池9を走査することによって、各部位から放射される電磁波LT1が計測されてもよい。
When the adjustment of the optical axis position of the measurement pump light LP13 is completed, pump-probe measurement is started (step S7). In the pump / probe measurement, the
ポンプ・プローブ測定中においては、測定用ポンプ光LP13の光軸位置のずれが、イメージセンサー127によって随時監視され、必要に応じて調整される(ステップS8、S9)。具体的には、ポンプ・プローブ測定中に、偏光子126を操作することによって、測定用ポンプ光LP13が、イメージセンサー127によって検出される。そして、スポットSP2を示す画像I1(図4参照)と同様の画像がモニター17に表示される。この画像に基づき、測定用ポンプ光LP13の光軸位置の調整が必要かどうか、判断される(ステップS8)。
During the pump / probe measurement, the displacement of the optical axis position of the measurement pump light LP13 is monitored as needed by the
なお、光軸調整の要否が、例えば画像I1(図4参照)のようなスポットSP2の画像に基づいて判断されるのではなく、他の情報に基づいて判断されるようにしてもよい。一例として、スポットSP2の座標(例えば中心座標)が自動的に取得され、その座標情報がモニター17などを介してオペレータに提示されるようにしてもよい。
Whether or not the optical axis adjustment is necessary may be determined based on other information, not based on the image of the spot SP2 such as the image I1 (see FIG. 4). As an example, the coordinates (for example, center coordinates) of the spot SP2 may be automatically acquired, and the coordinate information may be presented to the operator via the
また、光軸調整の要否を自動的に判断する判断手段を設けることも考えられる。例えば、取得された座標が、理想的な座標(ここでは、原点位置の座標)から離間する距離または方向などから、所定の閾値に基づいて、光軸位置の調整の要否が自動的に判断されるようにしてもよい。 It is also conceivable to provide a determination means for automatically determining whether or not the optical axis adjustment is necessary. For example, whether or not it is necessary to adjust the optical axis position is automatically determined based on a predetermined threshold based on a distance or direction in which the acquired coordinates are separated from ideal coordinates (here, the coordinates of the origin position). You may be made to do.
測定用ポンプ光LP13の光軸位置の調整が必要な場合は、適宜調整される(ステップS9)。このステップS9における測定用ポンプ光LP13の光軸位置の調整は、ステップS6と同じ要領で実行可能である。 If adjustment of the optical axis position of the measurement pump light LP13 is necessary, it is adjusted as appropriate (step S9). The adjustment of the optical axis position of the measurement pump light LP13 in step S9 can be performed in the same manner as in step S6.
測定用ポンプ光LP13の光軸調整が不要と判断されると(ステップS8においてNo)、もしくは、測定用ポンプ光LP13の光軸調整が完了すると、測定用プローブ光LP11の光軸位置の調整が必要かどうか、判断される(ステップS10)。測定用プローブ光LP11の光軸も、時間の経過と共に、ステップS3で特定された初期の位置(原点位置)からずれる場合があるため、その光軸位置が監視される。 When it is determined that the optical axis adjustment of the measurement pump light LP13 is unnecessary (No in step S8), or when the optical axis adjustment of the measurement pump light LP13 is completed, the optical axis position of the measurement probe light LP11 is adjusted. It is determined whether it is necessary (step S10). Since the optical axis of the measurement probe light LP11 may deviate from the initial position (origin position) specified in step S3 with the passage of time, the optical axis position is monitored.
詳細には、測定用ポンプ光LP13が遮断され、測定用プローブ光LP11のみが透過するように、偏光子126が操作され、イメージセンサー127に測定用プローブ光LP11が到達する。そして、図4に示される画像I1のように、スポットSP1を示す画像が、モニター17に表示される。この画像に基づいて、測定用プローブ光LP11の原点位置からのずれが確認される。
Specifically, the
測定用プローブ光LP11に関する光軸位置の調整の要否は、ステップS8と同様に、画像I1(図4参照)と同様の画像、または、イメージセンサー127における入射位置(スポットSP1の中心座標など)に基づいて、判断される。 Whether or not the optical axis position needs to be adjusted with respect to the measurement probe light LP11 is the same as the image I1 (see FIG. 4), or the incident position on the image sensor 127 (the center coordinates of the spot SP1, etc.) as in step S8. Based on the determination.
光軸位置の調整が必要な場合は、適宜調整が行われる(ステップS11)。測定用プローブ光LP11の光軸位置は、例えば、ミラー群M10の姿勢や位置を偏光することによって、調整される。光軸位置の調整は、手作業によって行われてもよい。もちろん、ミラー群M10の各要素の姿勢や位置を変更する駆動機構(モータ)を制御部16が制御することによって、測定用プローブ光LP11の光軸位置が自動で調整されるようにしてもよい。
If adjustment of the optical axis position is necessary, adjustment is performed as appropriate (step S11). The optical axis position of the measurement probe light LP11 is adjusted by, for example, polarizing the posture and position of the mirror group M10. The adjustment of the optical axis position may be performed manually. Of course, the optical axis position of the measurement probe light LP11 may be automatically adjusted by the
ステップS12にて、ポンプ・プローブ測定が完了したと判定されるまで、ステップS8〜S11が適宜実行されることによって、測定用のレーザ光の光軸位置の監視および調整が実現される。 Until it is determined in step S12 that the pump / probe measurement is completed, steps S8 to S11 are executed as appropriate, thereby monitoring and adjusting the optical axis position of the laser beam for measurement.
以上のように、本実施形態では、ポンプ・プローブ測定中において、ステップS3で特定された測定用プローブ光LP11の光軸位置に対する、測定用ポンプ光LP13の相対的な光軸位置が調整される。また、測定用プローブ光LP11についても光軸位置がステップS3で特定された初期の位置からずれてしまったとしても、測定用プローブ光LP11の入射位置を監視することによって、測定中に調整することができる。 As described above, in the present embodiment, the relative optical axis position of the measurement pump light LP13 with respect to the optical axis position of the measurement probe light LP11 specified in step S3 is adjusted during pump / probe measurement. . Further, even if the optical axis position of the measurement probe light LP11 is deviated from the initial position specified in step S3, the measurement probe light LP11 is adjusted during the measurement by monitoring the incident position of the measurement probe light LP11. Can do.
図5は、測定用プローブ光LP11および測定用ポンプ光LP13の相対的な光軸位置がずれたときの、電磁波LT1の時間波形の変動を示す図である。図5では、測定用プローブ光LP11および測定用ポンプ光LP13がスポット状に照射されている太陽電池9の一部が模式的に図示されている。また、スポットSP5は、測定用ポンプ光LP13が照射されている位置を示しており、当該スポットSP5内に示されるスポットSP61,SP62およびSP63は、測定用プローブ光LP11が照射されている位置を示している。図5に示される時間波形81〜83は、測定用プローブ光LP11がスポットSP61〜SP63のそれぞれに照射されたときに検出される電磁波から復元されたものである。なお、時間波形81〜83の横軸は時間を示し、縦軸は電磁波強度を示している。
FIG. 5 is a diagram showing the fluctuation of the time waveform of the electromagnetic wave LT1 when the relative optical axis positions of the measurement probe light LP11 and the measurement pump light LP13 are shifted. In FIG. 5, a part of the
図5に示されるように、測定用ポンプ光LP13に対して、測定用プローブ光LP11の光軸位置がずれると、測定用プローブ光LP11の照射位置が変化することとなる。具体的に、スポットSP5におけるスポット61に対して、測定用プローブ光LP11を照射すべき場合に、スポット62またはスポット63にずれてしまう。すると、図5に示されるように、時間波形の測定結果として、時間波形81ではなく、時間波形82または83が取得されてしまうこととなる。
As shown in FIG. 5, when the optical axis position of the measurement probe light LP11 is deviated from the measurement pump light LP13, the irradiation position of the measurement probe light LP11 changes. Specifically, when the spot 61 in the spot SP5 is to be irradiated with the measurement probe light LP11, the spot 61 is shifted to the spot 62 or 63. Then, as shown in FIG. 5, not the time waveform 81 but the
これに対して、本実施形態では、イメージセンサー127における、測定用のレーザ光の入射位置を検出し、これに基づいて、各レーザ光の光軸のずれを検出することができる。これによって、各レーザ光の光軸位置を適切に調整することができるため、再現性よく電磁波データを収集することができる。
On the other hand, in this embodiment, the incident position of the laser beam for measurement in the
また、本実施形態では、測定用のレーザ光を、ビームスプリッターBS1で分割して、測定用のレーザ光の一部から、光軸のずれを検出する。このため、電磁波の測定中においても、測定環境に影響与えることなく、光軸のずれを検出できる。すなわち、ポンプ・プローブ測定中においても光軸のずれを検出し、そのずれを適宜修正することができるため、再現性よく電磁波データを収集することができる。 In the present embodiment, the measurement laser beam is divided by the beam splitter BS1, and the deviation of the optical axis is detected from a part of the measurement laser beam. For this reason, even during the measurement of electromagnetic waves, it is possible to detect the deviation of the optical axis without affecting the measurement environment. That is, since the optical axis deviation can be detected and the deviation can be appropriately corrected even during the measurement of the pump and the probe, the electromagnetic wave data can be collected with high reproducibility.
<2. 変形例>
以上、実施形態について説明してきたが、本発明は上記のようなものに限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
<2. Modification>
Although the embodiment has been described above, the present invention is not limited to the above, and various modifications are possible.
例えば、上記実施形態では、測定用プローブ光LP11の光軸位置を最初に特定し、この光軸位置に対して、測定用ポンプ光LP13の光軸位置を調整している(図4、ステップS3、S6)。しかしながら、測定用ポンプ光LP13の光軸位置を特定して、この光軸位置に対して、測定用プローブ光LP11の光軸位置を調整するようにしてもよい。 For example, in the above embodiment, the optical axis position of the measurement probe light LP11 is first specified, and the optical axis position of the measurement pump light LP13 is adjusted with respect to this optical axis position (FIG. 4, step S3). , S6). However, the optical axis position of the measurement pump light LP13 may be specified and the optical axis position of the measurement probe light LP11 may be adjusted with respect to this optical axis position.
また、本発明が適用される検査装置は、図1に示される検査装置100の構成、すなわち、測定用のレーザ光を、太陽電池9の表面9Sに対して斜めに入射させ(具体的には、入射角=45°)、その入射面側に放射される電磁波LT1を検出するものに限定されない。例えば、本発明は、測定用のレーザ光を、太陽電池9の表面9Sに対して垂直に入射させて、その入射面の反対側に放射される電磁波LT1を検出する構成の検査装置にも適用可能である。
Further, the inspection apparatus to which the present invention is applied has a configuration of the
また、上記実施形態では、ポンプ・プローブ測定中に、測定用プローブ光LP11および測定用ポンプ光LP13の光軸調整(ステップS8〜ステップS11)が行われている。しかしながら、ポンプ・プローブ測定を中断しているときや、ポンプ・プローブ測定が終了した後など、ポンプ・プローブ測定中でない時に、光軸調整が行われてもよい。 In the above embodiment, the optical axis adjustment (steps S8 to S11) of the measurement probe light LP11 and the measurement pump light LP13 is performed during the pump / probe measurement. However, the optical axis adjustment may be performed when the pump / probe measurement is not being performed, such as when the pump / probe measurement is interrupted or after the pump / probe measurement is completed.
この発明は詳細に説明されたが、上記した説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。また、上記各実施形態及び各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせることができる。 Although the present invention has been described in detail, the above description is illustrative in all aspects, and the present invention is not limited thereto. It is understood that countless variations that are not illustrated can be envisaged without departing from the scope of the present invention. In addition, the configurations described in the above embodiments and modifications can be appropriately combined as long as they do not contradict each other.
100 検査装置
11 ステージ
12 照射部
121 フェムト秒レーザ
124,125 波長板
126 偏光子
127 イメージセンサー(撮像部)
13 検出部
131 検出器
14A 測定用遅延部
14B 検出用遅延部
15 ステージ移動機構
16 制御部
17 モニター(表示部)
31 記憶部
9 太陽電池(検査対象物)
9S 表面
99 逆バイアス電圧印加回路
I1 画像
LP1 パルス光
LP10 測定用パルス光
LP11 測定用プローブ光
LP13 測定用ポンプ光
LP21 検出用パルス光
LT1 電磁波
M8 折り返しミラー
M10 ミラー群
SP1,SP2,SP5,SP61〜SP63 スポット
DESCRIPTION OF
DESCRIPTION OF
31
Claims (7)
(a) 前記検査対象物に向かう第1レーザ光の一部を分割し、撮像部に入射させる工程と、
(b) 前記検査対象物に向かう第2レーザ光の一部を分割し、前記撮像部に入射させる工程と、
(c) 前記(a)工程にて検出された前記第1レーザ光の入射位置と、前記(b)工程にて前記撮像部にて検出された第2レーザ光の入射位置との比較に基づき、前記検査対象物に向かう前記第2レーザ光の光軸の位置を調整する工程と、
を含む、光軸調整方法。 Second laser light that is linearly polarized in the first direction and linearly polarized in the second direction orthogonal to the first direction with respect to the first laser light that is irradiated on the inspection object and irradiated on the inspection object An optical axis adjustment method for adjusting the optical axis position of
(a) dividing a part of the first laser beam directed toward the inspection object and making it incident on an imaging unit;
(b) dividing a part of the second laser beam directed toward the inspection object and causing it to enter the imaging unit;
(c) Based on a comparison between the incident position of the first laser beam detected in the step (a) and the incident position of the second laser beam detected in the imaging unit in the step (b). Adjusting the position of the optical axis of the second laser beam toward the inspection object;
An optical axis adjusting method.
前記(a)工程は、分割された前記第1レーザ光の一部を、前記第1方向に適合するように操作された偏光子を介して前記撮像部に入射させる工程であり、
前記(b)工程は、分割された前記第2レーザ光の一部を、前記第2方向に適合するように操作された前記偏光子を介して前記撮像部に入射させる工程である、光軸調整方法。 The optical axis adjustment method according to claim 1,
The step (a) is a step of causing a part of the divided first laser light to be incident on the imaging unit via a polarizer that is operated so as to be adapted to the first direction,
The step (b) is a step of causing a part of the divided second laser light to be incident on the imaging unit via the polarizer operated to fit in the second direction. Adjustment method.
前記(b)工程は、
(b-1) 前記撮像部によって取得された、前記第2レーザ光の入射位置を示す画像データを表示する工程、
を含む、光軸調整方法。 In the optical axis adjustment method according to claim 1 or 2,
The step (b)
(b-1) displaying image data indicating the incident position of the second laser beam acquired by the imaging unit;
An optical axis adjusting method.
(e) 前記(a)工程にて検出された前記第1レーザ光の入射位置に基づき、前記検査対象物に向かう前記第1レーザ光の光軸を調整する工程、
をさらに含む、光軸調整方法。 The optical axis adjustment method according to any one of claims 1 to 3,
(e) adjusting the optical axis of the first laser beam toward the inspection object based on the incident position of the first laser beam detected in the step (a);
An optical axis adjustment method further comprising:
前記第1レーザ光が、プローブ光であり、前記第2レーザ光が、前記プローブ光よりもスポット径が大きいポンプ光である、光軸調整方法。 The optical axis adjustment method according to any one of claims 1 to 4, wherein:
The optical axis adjustment method, wherein the first laser light is probe light, and the second laser light is pump light having a spot diameter larger than that of the probe light.
前記第1レーザ光の一部および第2レーザ光の一部を分割する分割部と、
前記分割部によって分割された前記第1レーザ光、および、前記分割部によって分割された前記第2レーザ光が入射する撮像部と、
を備えている、検査装置。 First laser light that is linearly polarized in the first direction and applied to the inspection object, and second laser light that is linearly polarized in the second direction orthogonal to the first direction and applied to the inspection object In an inspection device that inspects an inspection object by irradiating the inspection object,
A dividing unit for dividing a part of the first laser beam and a part of the second laser beam;
An imaging unit on which the first laser beam divided by the dividing unit and the second laser beam divided by the dividing unit are incident;
An inspection device.
前記撮像部によって取得される画像を表示する表示部、
をさらに備える、検査装置。 The inspection apparatus according to claim 6, wherein
A display unit for displaying an image acquired by the imaging unit;
An inspection apparatus further comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013197850A JP2015064271A (en) | 2013-09-25 | 2013-09-25 | Optical axis adjustment method and inspection apparatus |
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JP2013197850A JP2015064271A (en) | 2013-09-25 | 2013-09-25 | Optical axis adjustment method and inspection apparatus |
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Family Applications (1)
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20160245743A1 (en) * | 2015-02-19 | 2016-08-25 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Testing apparatus and testing method |
-
2013
- 2013-09-25 JP JP2013197850A patent/JP2015064271A/en active Pending
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