JP2015061361A - 電力変換装置 - Google Patents
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Abstract
Description
該トランスの上記一次コイル側に接続された一次側回路部と、
上記トランスの上記二次コイル側に接続された二次側回路部と、
上記一次側回路部を形成する一次側電子部品又は上記二次側回路部を形成する二次側電子部品を接続する少なくとも一つの回路基板と、を備え、
上記トランスの上記一次コイル及び上記二次コイルの軸方向と、上記少なくとも一つの回路基板の法線方向とが直交していることを特徴とする電力変換装置にある。
上記電力変換装置の実施例につき、図1〜図3を用いて説明する。
本例の電力変換装置1は、図1に示すように、トランス2、一次側回路部3、二次側回路部4及び回路基板71、72、73、74を備える。
図2に示すように、トランス2は一次コイル21と二次コイル22とを有する。
一次側回路部3はトランス2の一次コイル21側に接続されている。
図1に示す二次側回路部4は、図2に示すトランス2の二次コイル22側に接続されている。
図1に示す回路基板71、72、73、74の少なくとも一つは、一次側回路部3を形成する一次側電子部品30又は二次側回路部4を形成する二次側電子部品40に接続されている。本例では、回路基板71、72が、一次側電子部品30に接続されている。
そして、図2に示すように、トランス2の一次コイル21及び二次コイル22の軸方向Zと、少なくとも一つの回路基板の法線方向とが直交している。本例では、回路基板71、72の法線方向Yとトランス2の軸方向Zとが直交している。また、図示しないが、回路基板73、74の法線方向Xもトランス2の軸方向Zと直交している。
本例の電力変換装置1によれば、トランス2に備えられる一次コイル21及び二次コイル22の軸方向Zと、一次側電子部品30に接続された回路基板71、72の法線方向Yとが直交している。そのため、トランス2からの漏れ磁束が回路基板71、72に形成された回路(制御回路部7)に対して及ぼす影響を低減することができる。また、トランス2に備えられる一次コイル21及び二次コイル22の軸方向Zと、回路基板73、74の法線方向Xとが直交している。そのため、トランス2からの漏れ磁束が回路基板73に形成された回路(入力フィルタ回路部5)及び回路基板74に形成された回路(出力フィルタ回路部6)に対して及ぼす影響を低減することができる。これにより、トランス2からの漏れ磁束を遮蔽する遮蔽物をケース8内に設ける必要がないため、小型の電力変換装置1とすることができる。
本例の電力変換装置1を図4に示す。なお、実施例1の場合と同一の構成要素には同一の符号を付して、その説明を省略する。
本例の電力変換装置1では、図4に示ように、積層体11は、実施例1における積層体11(図1参照)と配設方向が平面視で90°異なっている。これに伴って、回路基板71、73、74は、実施例1の場合と配設方向が平面視で90°異なっている。そして、制御回路部7は、回路基板71において形成されており、回路基板72(図1参照)は設けられていない。そして、入力フィルタ回路部5を形成する回路基板73と、出力フィルタ回路部6を形成する回路基板74とが互いの主面73a、74aが対向するように配置され、両主面73a、74aの間に積層体11が配設されている。
2 トランス
3 一次側回路部
30 一次側電子部品
4 二次側回路部
40 二次側電子部品
7 制御回路部
71 第1回路基板
72 第2回路基板
73 第3回路基板
74 第4回路基板
81 入力端子
82 出力端子
Claims (7)
- 一次コイル(21)と二次コイル(22)とを有するトランス(2)と、
該トランス(2)の上記一次コイル(21)側に接続された一次側回路部(3)と、
上記トランス(2)の上記二次コイル(22)側に接続された二次側回路部(4)と、
上記一次側回路部(3)を形成する一次側電子部品(30)又は上記二次側回路部(4)を形成する二次側電子部品(40)を接続する少なくとも一つの回路基板(71、72、73,74)と、を備え、
上記トランス(2)の上記一次コイル(21)及び上記二次コイル(22)の軸方向と、上記少なくとも一つの回路基板(71、72、73,74)の法線方向とが直交していることを特徴とする電力変換装置(1)。 - 上記トランス(2)と、上記一次側電子部品(30)及び上記二次側電子部品(40)のうちの少なくとも一つを含む電子部品とを積層してなる積層体(11)が備えられるとともに、該積層体(11)の積層方向が上記トランス(2)の軸方向と同一となるように配置されていることを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置(1)。
- 上記積層体(11)において、上記一次側電子部品(30)及び上記二次側電子部品(40)としてスイッチング素子を有しており、上記回路基板(71)は、上記スイッチング素子を有する上記一次側回路部(3)又は上記二次側回路部(4)を制御する制御回路部(7)を形成しているとともに、上記積層体(11)に隣接するように配設されていることを特徴とする請求項2に記載の電力変換装置(1)。
- 上記回路基板(71、72)として、第1回路基板(71)及び第2回路基板(72)を備え、該第1回路基板(71)及び該第2回路基板(72)は互いの主面(71a、72a)を対向させて配置されるとともに、該互いの主面(71a、72a)の間には上記トランス(2)が配設されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の電力変換装置(1)。
- 上記一次側電子部品(30)又は上記二次側電子部品(40)としてスイッチング素子を有しており、上記回路基板(71、73)として上記第1回路基板(71)と直交して配設される第3回路基板(73)を備えるとともに、上記第1回路基板(71)は上記スイッチング素子を備える上記一次側回路部(3)又は上記二次側回路部(4)を制御する制御回路部(7)を形成しており、上記第3回路基板(73)はフィルタ回路部(5、6)を形成していることを特徴とする請求項4に記載の電力変換装置(1)。
- 上記トランス(2)は、上記第1回路基板(71)、上記第2回路基板(72)及び上記第3回路基板(73)によって囲まれた領域(10)に配設されていることを特徴とする請求項5に記載の電力変換装置(1)。
- 上記第1回路基板(71)、上記第2回路基板(72)及び上記第3回路基板(73)の少なくとも一つの回路基板は、該回路基板の主面に平行に積層されて形成された接地導体層を有することを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の電力変換装置(1)。
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