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JP2015061020A - Cutting equipment - Google Patents

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JP2015061020A
JP2015061020A JP2013195195A JP2013195195A JP2015061020A JP 2015061020 A JP2015061020 A JP 2015061020A JP 2013195195 A JP2013195195 A JP 2013195195A JP 2013195195 A JP2013195195 A JP 2013195195A JP 2015061020 A JP2015061020 A JP 2015061020A
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孝之 北野
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Disco Abrasive Systems Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To allow for recognition of such a state that the cutting line meanders for the cutting direction, or inclines for the thickness direction of a planar work.SOLUTION: A cutting device (1) has cutting means (4) to which a cutting blade (42) for cutting a wafer (W) held on a holding table (3) is attached rotatably, cutting feed means performing cutting feed of the cutting means and holding table relatively, and a microscope (14) for imaging a cutting line (L) along which the wafer is cut by the cutting means subjected to cutting feed by the cutting feed means. The microscope includes a differential interference microscope (15). A recognition section (28a) for recognizing the inclination of the line cut by the cutting means, by an image captured by the differential interference microscope is also provided.

Description

本発明は、回転する切削ブレードによって板状ワークに切削ラインを切削する切削装置に関する。   The present invention relates to a cutting apparatus that cuts a cutting line into a plate-like workpiece by a rotating cutting blade.

半導体ウエーハ等のウエーハを個々のデバイスに分割する切削装置は、ウエーハを保持するチャックテーブルと、チャックテーブルに保持されたウエーハの切削予定ラインを切削する切削ブレードを回転可能に支持した切削手段とを具備しており、ウエーハを高精度に個々のデバイスに分割することができる(特許文献1参照)。   A cutting apparatus that divides a wafer such as a semiconductor wafer into individual devices includes a chuck table that holds the wafer, and a cutting means that rotatably supports a cutting blade that cuts a scheduled cutting line of the wafer held on the chuck table. The wafer can be divided into individual devices with high accuracy (see Patent Document 1).

切削手段は、例えばスピンドルを回転駆動するスピンドルユニットと、スピンドルの先端に取り付けられたブレードマウントと、このブレードマウントに装着された薄い切刃を有する切削ブレードと、切削ブレードをブレードマウントに固定する固定ナットとから構成される。   The cutting means includes, for example, a spindle unit that rotationally drives the spindle, a blade mount attached to the tip of the spindle, a cutting blade having a thin cutting blade attached to the blade mount, and a fixing that fixes the cutting blade to the blade mount. It consists of a nut.

このような切削装置で、サファイアウエーハや、ガラスウエーハ、SiCウエーハ、水晶ウエーハ等の円板状の被加工物を切削ブレードで切削する際、特に、ウエーハの外周の切り始め部分において切削ブレードが蛇行したり、逃げたりすることがある。   With such a cutting device, when cutting a disk-shaped workpiece such as a sapphire wafer, glass wafer, SiC wafer, or quartz wafer with a cutting blade, the cutting blade meanders, particularly at the beginning of the outer periphery of the wafer. Or run away.

そこで、特許文献1では、ウエーハの上面側から切削ブレードをウエーハに切り込ませ、この状態で切削ブレードとウエーハとを相対移動させてウエーハを切削ブレードによって切削して切削ラインを形成している。   Therefore, in Patent Document 1, the cutting blade is cut into the wafer from the upper surface side of the wafer, and the cutting blade and the wafer are moved relative to each other in this state to cut the wafer with the cutting blade to form a cutting line.

特開2012−121106号公報JP 2012-121106 A

切削ラインの連続切削においては、切削ブレードの回転速度や切削送り速度等の条件によって、切削送りされる切削ブレードが蛇行したり、切り込んだ切削ブレードが曲がったりする場合がある。このような切削ブレードの状態では、ウエーハの厚み方向に対して切削ラインの側面(幅方向両側を形成する側面)が傾いて形成されることとなる。この傾いた切削ラインを検出できれば、切削ブレードによる切削を中断させたり、切削ブレードのドレッシングを行ったりすることで、切削ラインの傾きが解消するよう対処することが可能となる。従って、切削ブレードの蛇行等を検出し得るようにするため、切削ブレードで切削した切削ラインにおける傾きを認識可能とすることが望まれていた。   In continuous cutting of a cutting line, depending on conditions such as the rotational speed and cutting feed speed of the cutting blade, the cutting blade that is cut and fed may meander or the cut cutting blade may be bent. In such a state of the cutting blade, the side surface of the cutting line (side surface forming both sides in the width direction) is inclined with respect to the thickness direction of the wafer. If this tilted cutting line can be detected, it is possible to take measures to eliminate the tilt of the cutting line by interrupting the cutting with the cutting blade or performing dressing of the cutting blade. Therefore, in order to be able to detect meandering of the cutting blade, it has been desired to be able to recognize the inclination in the cutting line cut by the cutting blade.

本発明の目的は、切削ラインが切削送り方向に対して蛇行したり、板状ワークの厚み方向に対して傾いたりした状態となっても、かかる状態を認識することができる切削装置を提供することである。   An object of the present invention is to provide a cutting apparatus capable of recognizing such a state even when the cutting line meanders with respect to the cutting feed direction or is inclined with respect to the thickness direction of the plate-like workpiece. That is.

本発明の切削装置は、板状ワークを保持する保持テーブルと、該保持テーブルで保持された板状ワークを切削する切削ブレードを回転可能に装着した切削手段と、該切削手段と該保持テーブルとを相対的に切削送りする切削送り手段と、該切削送り手段により切削送りされる該切削手段で板状ワークを切削した切削ラインを撮像する顕微鏡と、を備えた切削装置であって、該顕微鏡は、微分干渉顕微鏡を備え、該切削手段の回転する該切削ブレードを所定の切込み深さに位置付け、該切削送り手段で切削送りさせて板状ワークを該切削手段で切削した切削ラインを、該微分干渉顕微鏡で撮像する撮像画によって該切削ラインの傾きを認識する認識部を、備えたことを特徴とする。   The cutting device of the present invention includes a holding table that holds a plate-like workpiece, a cutting means that rotatably mounts a cutting blade that cuts the plate-like workpiece held by the holding table, the cutting means, and the holding table. A cutting device comprising: a cutting feed means for relatively cutting and feeding; and a microscope for imaging a cutting line obtained by cutting a plate-like workpiece with the cutting means cut and fed by the cutting feed means, Is provided with a differential interference microscope, the cutting blade rotating by the cutting means is positioned at a predetermined cutting depth, and a cutting line in which a plate-like workpiece is cut by the cutting means by cutting and feeding by the cutting feeding means, It is characterized by comprising a recognition unit for recognizing the inclination of the cutting line by an image captured by a differential interference microscope.

この構成によれば、切削ラインの側面が傾いた場合、微分干渉顕微鏡で撮像する撮像画において、切削ラインの傾きに応じてレリーフのような立体感を認識することができる。これにより、切削ラインの側面における傾きを認識して切削ラインにおける蛇行や傾きの有無を確認することができ、認識した結果に応じて切削ブレードの調整等を行うことができる。この結果、板状ワークにおける切削ラインの加工不良を最小限に防止することが可能となる。特に、光デバイスに使用する硬質で透明なウエーハを板状ワークとした場合には、微分干渉顕微鏡の画像によって切削ラインの傾きを良好に認識することが可能となる。   According to this configuration, when the side surface of the cutting line is tilted, a stereoscopic effect such as a relief can be recognized in the captured image captured by the differential interference microscope according to the tilt of the cutting line. Thereby, the inclination in the side surface of the cutting line can be recognized and the presence or absence of meandering or inclination in the cutting line can be confirmed, and the cutting blade can be adjusted according to the recognized result. As a result, it becomes possible to prevent machining defects on the cutting line in the plate-like workpiece to the minimum. In particular, when a hard and transparent wafer used for an optical device is a plate-like workpiece, it becomes possible to recognize the inclination of the cutting line satisfactorily from the image of the differential interference microscope.

本発明によれば、切削ラインが切削送り方向に対して蛇行したり、板状ワークの厚み方向に対して傾いたりした状態となっても、かかる状態を認識することができる。   According to the present invention, even when the cutting line meanders with respect to the cutting feed direction or is inclined with respect to the thickness direction of the plate workpiece, such a state can be recognized.

本実施の形態に係る切削装置の斜視図である。It is a perspective view of the cutting device concerning this embodiment. 図2Aは、本実施の形態に係る撮像手段の撮像画の一例を示す模式図であり、図2Bは、図2AのA−A線に沿う断面図である。2A is a schematic diagram illustrating an example of an image captured by the imaging unit according to the present embodiment, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 2A. 図3Aは、上記撮像手段の撮像画の他の一例を示す模式図であり、図3Bは、図3AのB−B線に沿う断面図である。3A is a schematic diagram illustrating another example of an image captured by the imaging unit, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 3A. 図4Aは、上記撮像手段の撮像画の他の一例を示す模式図であり、図4Bは、図4AのC−C線に沿う断面図であり、図4Cは、図4AのD−D線に沿う断面図である。4A is a schematic diagram illustrating another example of an image captured by the imaging unit, FIG. 4B is a cross-sectional view taken along the line CC in FIG. 4A, and FIG. 4C is a line DD in FIG. 4A. FIG.

以下、添付図面を参照して、本実施の形態に係る切削装置について説明する。図1は、本実施の形態に係る切削装置の斜視図であり、図2Aは、本実施の形態に係る撮像手段の撮像画の一例を示す模式図であり、図2Bは、図2AのA−A線に沿う断面図である。   Hereinafter, the cutting apparatus according to the present embodiment will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a perspective view of the cutting apparatus according to the present embodiment, FIG. 2A is a schematic diagram illustrating an example of an image captured by the imaging unit according to the present embodiment, and FIG. It is sectional drawing which follows the -A line.

図1に示すように、切削装置1は、ハウジング2上の保持テーブル3に保持された円板状のウエーハWを、保持テーブル3の上方に設けられた切削手段4により加工するように構成されている。   As shown in FIG. 1, the cutting device 1 is configured to process a disk-shaped wafer W held on a holding table 3 on a housing 2 by a cutting means 4 provided above the holding table 3. ing.

ここで、切削対象となるウエーハWについて説明すると、円板状をなすウエーハWの表面は、格子状に配列された分割予定ラインによって複数の領域に区画され、この区画された領域にIC、LSI、又は、LED等の各種デバイスDが形成されている。また、ウエーハWの裏面にはダイシングテープTが貼着され、このダイシングテープTを介して環状のフレームFにウエーハWが装着されている。ダイシングテープTは、図2に示すように、テープ基台Taに糊層Tbが積層されて形成される。なお、本実施の形態において、板状ワークとしてのウエーハWは、サファイアウエーハや、ガラスウエーハ、SiCウエーハ、水晶ウエーハを例示でき、後述する微分干渉顕微鏡15で撮像されるので、透明な材質によってワークを構成することが好ましい。   Here, the wafer W to be cut will be described. The surface of the wafer W having a disk shape is partitioned into a plurality of regions by division lines arranged in a lattice pattern, and an IC, LSI is formed in the partitioned regions. Alternatively, various devices D such as LEDs are formed. A dicing tape T is attached to the back surface of the wafer W, and the wafer W is attached to the annular frame F via the dicing tape T. As shown in FIG. 2, the dicing tape T is formed by laminating a glue layer Tb on a tape base Ta. In the present embodiment, the wafer W as the plate-like workpiece can be exemplified by a sapphire wafer, a glass wafer, a SiC wafer, and a quartz wafer, and is imaged by a differential interference microscope 15 described later, so that the workpiece is made of a transparent material. It is preferable to constitute.

図1に戻り、ハウジング2の上面には、X軸方向に延在する矩形状の開口部2aが形成されており、この開口部2aは、保持テーブル3と共に移動可能な移動板31及び蛇腹状の防水カバー32により被覆されている。防水カバー32の下方には、保持テーブル3をX軸方向に移動させる研削送り手段(不図示)が設けられている。保持テーブル3の表面には、ポーラスセラミック材によりウエーハWを裏面側から吸引保持する保持面33が形成されている。保持面33は、保持テーブル3内の流路を通じて吸引源(不図示)に接続されている。保持テーブル3は、円盤形状を有し、図示しない回転手段によって円盤中心を軸に回転可能に設けられている。   Returning to FIG. 1, a rectangular opening 2 a extending in the X-axis direction is formed on the upper surface of the housing 2, and the opening 2 a is movable with the holding table 3 and a bellows-like moving plate 31. The waterproof cover 32 is covered. Below the waterproof cover 32, a grinding feed means (not shown) for moving the holding table 3 in the X-axis direction is provided. On the surface of the holding table 3, a holding surface 33 that sucks and holds the wafer W from the back side is formed of a porous ceramic material. The holding surface 33 is connected to a suction source (not shown) through a flow path in the holding table 3. The holding table 3 has a disk shape and is provided so as to be rotatable about a disk center by a rotating means (not shown).

保持テーブル3は、装置中央の受け渡し位置と切削手段4に臨む加工位置との間で往復移動される。図1は、保持テーブル3が受け渡し位置に待機した状態を示している。ハウジング2において、この受け渡し位置に隣接した一の角部が一段下がっており、下がった箇所に載置テーブル6が昇降可能に設けられている。載置テーブル6には、ウエーハWを収容したカセット5が載置される。カセット5が載置された状態で載置テーブル6が昇降することによって、高さ方向においてウエーハWの引出位置及び押込位置が調整される。   The holding table 3 is reciprocated between a delivery position at the center of the apparatus and a machining position facing the cutting means 4. FIG. 1 shows a state in which the holding table 3 is waiting at the delivery position. In the housing 2, one corner portion adjacent to the delivery position is lowered by one step, and the mounting table 6 is provided at a lowered position so as to be lifted and lowered. On the mounting table 6, a cassette 5 containing a wafer W is mounted. By moving the mounting table 6 up and down while the cassette 5 is mounted, the drawing position and the pushing position of the wafer W are adjusted in the height direction.

載置テーブル6の図1中右上方には、Y軸方向に平行な一対のガイドレール7と、一対のガイドレール7とカセット5との間でウエーハWを搬送するプッシュプル機構8が設けられている。一対のガイドレール7により、プッシュプル機構8のウエーハWの搬送がガイドされると共にウエーハWのX軸方向が位置決めされる。プッシュプル機構8は、カセット5から一対のガイドレール7に加工前のウエーハWを引き出す他、一対のガイドレール7からカセット5に加工済みのウエーハWを押し込むように構成されている。プッシュプル機構8によりウエーハWのY軸方向が位置決めされる。   A pair of guide rails 7 parallel to the Y-axis direction and a push-pull mechanism 8 that conveys the wafer W between the pair of guide rails 7 and the cassette 5 are provided at the upper right side of the mounting table 6 in FIG. ing. The pair of guide rails 7 guide the conveyance of the wafer W by the push-pull mechanism 8 and position the wafer W in the X-axis direction. The push-pull mechanism 8 is configured to pull out the unprocessed wafer W from the cassette 5 to the pair of guide rails 7 and to push the processed wafer W into the cassette 5 from the pair of guide rails 7. The push-pull mechanism 8 positions the wafer W in the Y-axis direction.

一対のガイドレール7の近傍には、ガイドレール7と保持テーブル3との間でウエーハWを搬送する第1の搬送アーム11が設けられている。第1の搬送アーム11の上面視L字状のアーム部16が旋回することでウエーハWが搬送される。また、受け渡し位置の保持テーブル3の図1中右側には、スピンナ式の洗浄機構12が設けられている。洗浄機構12では、回転中のスピンナテーブル17に向けて洗浄水が噴射されてウエーハWが洗浄された後、洗浄水の代わりに乾燥エアーが吹き付けられてウエーハWが乾燥される。   In the vicinity of the pair of guide rails 7, a first transport arm 11 that transports the wafer W between the guide rails 7 and the holding table 3 is provided. The wafer W is transported when the L-shaped arm portion 16 of the first transport arm 11 is turned. Further, a spinner type cleaning mechanism 12 is provided on the right side of the holding table 3 at the delivery position in FIG. In the cleaning mechanism 12, the cleaning water is sprayed toward the rotating spinner table 17 to clean the wafer W, and then the dry air is blown instead of the cleaning water to dry the wafer W.

ハウジング2上には、支持台22が設けられ、支持台22には、保持テーブル3の移動経路の上方を横切るようにして片持支持部25が設けられている。片持支持部25は、切削手段4及び顕微鏡14を保持テーブル3の上方に位置付けるように支持している。切削手段4及び顕微鏡14は、支持台22及び片持支持部25に組み込まれるボールネジ式の移動機構(不図示)によりY軸方向及びZ軸方向に移動される。   A support base 22 is provided on the housing 2, and a cantilever support portion 25 is provided on the support base 22 so as to cross over the movement path of the holding table 3. The cantilever support part 25 supports the cutting means 4 and the microscope 14 so as to be positioned above the holding table 3. The cutting means 4 and the microscope 14 are moved in the Y-axis direction and the Z-axis direction by a ball screw type moving mechanism (not shown) incorporated in the support base 22 and the cantilever support portion 25.

切削手段4は、スピンドル(不図示)の先端に設けた切削ブレード42を有している。切削ブレード42はブレードカバー43によって周囲が覆われており、ブレードカバー43には切削部分に向けて切削水を噴射する噴射ノズル44が設けられている。切削手段4では、切削ブレード42を高速回転させ、噴射ノズル44から切削水を噴射しつつウエーハWを切削加工することで、切削ラインL(図2参照)が形成される。ここで、切削ラインLの形成によって、その幅方向(図2中左右方向)両側に切削ラインLのエッジとなる一対の側面が形成され、本実施の形態では、図2中左縁を第1側面L1、図2中右縁を第2側面L2とする。   The cutting means 4 has a cutting blade 42 provided at the tip of a spindle (not shown). The cutting blade 42 is covered with a blade cover 43, and the blade cover 43 is provided with an injection nozzle 44 that injects cutting water toward the cutting portion. In the cutting means 4, the cutting line L (see FIG. 2) is formed by rotating the cutting blade 42 at a high speed and cutting the wafer W while spraying cutting water from the spray nozzle 44. Here, by forming the cutting line L, a pair of side surfaces serving as edges of the cutting line L are formed on both sides in the width direction (left and right direction in FIG. 2). In this embodiment, the left edge in FIG. The side surface L1 and the right edge in FIG. 2 are defined as a second side surface L2.

顕微鏡14は、微分干渉顕微鏡15によって構成されている。微分干渉顕微鏡15は、透明となるウエーハWの位相情報を、偏光干渉により干渉色のコントラストを付けて可視化する微分干渉法によってウエーハWを撮像可能とする構造が採用される。微分干渉法では、光源の光を直線偏光としてから、互いに直交した振動方向をもつ2つの直線偏光に分離し、この2つの光がウエーハWの僅かに異なる2点を透過する。この異なる2点を通る光は、媒質の屈折率の違いや経路長の差異から位相差が生じ、波面の変形を受けた後、それらを結合してから振動方向を合致することで2つの波面のずれに対応した干渉が起こる。このとき、位相のずれ(透過波面の微分係数)に対応した干渉色のコントラストが付き、微分干渉による撮像画には、レリーフのような立体感を出すことができる。従って、図2Aに示すように、切削ラインLの形成位置を含むウエーハWの表面領域を撮像すると、ウエーハW表面における切削ラインLの形成縁だけでなく、切削ラインLの各側面L1,L2の傾きの方向及び形成位置を認識することができる。なお、図2Aでは、レリーフのような立体感を複数の線によって模式的に表したが、実際の撮像画では、各側面L1,L2の傾きやウエーハWの厚み方向に応じたグラデーション状に表れる(後述する図3A及び図4Aについても同様)。   The microscope 14 is constituted by a differential interference microscope 15. The differential interference microscope 15 employs a structure that enables imaging of the wafer W by differential interference that visualizes phase information of the transparent wafer W with contrast of interference colors by polarization interference. In the differential interference method, light from a light source is converted into linearly polarized light, and then separated into two linearly polarized light having vibration directions orthogonal to each other, and these two lights are transmitted through two slightly different points on the wafer W. The light passing through these two different points has a phase difference due to the difference in the refractive index of the medium and the difference in the path length. After undergoing deformation of the wavefront, the two wavefronts are matched by combining them after matching them. Interference corresponding to the deviation occurs. At this time, the contrast of the interference color corresponding to the phase shift (differential coefficient of the transmitted wavefront) is added, and the captured image by the differential interference can have a three-dimensional feeling like a relief. Therefore, as shown in FIG. 2A, when the surface area of the wafer W including the formation position of the cutting line L is imaged, not only the forming edge of the cutting line L on the surface of the wafer W but also the side surfaces L1 and L2 of the cutting line L The direction of inclination and the formation position can be recognized. In FIG. 2A, a relief-like three-dimensional effect is schematically represented by a plurality of lines. However, in an actual captured image, it appears in a gradation according to the inclination of each side face L1, L2 and the thickness direction of the wafer W. (The same applies to FIGS. 3A and 4A described later).

支持台22の側面23には、保持テーブル3と洗浄機構12との間でウエーハWを搬送する第2の搬送アーム13が設けられている。第2の搬送アーム13のアーム部18は斜め前方に延びており、このアーム部18がY軸方向に移動することでウエーハWが搬送される。   A second transfer arm 13 that transfers the wafer W between the holding table 3 and the cleaning mechanism 12 is provided on the side surface 23 of the support base 22. The arm portion 18 of the second transfer arm 13 extends obliquely forward, and the wafer W is transferred by moving the arm portion 18 in the Y-axis direction.

ハウジング2の最前部には、装置各部への指示を受け付ける入力手段26が設けられている。また、支持台22の上面にはモニタ27が配置されている。モニタ27には、ウエーハWの加工条件、オペレータへの報知内容等が表示される。更に、ハウジング2内には、切削装置1の各部を統括制御する制御手段28が設けられている。制御手段28には入力手段26から各種指示が入力され、各種指示に基づいて切削装置1の保持テーブル3や切削手段4等の構成要素の動作が制御される。制御手段28は、切削装置1の各構成要素を動作させるプロセッサやメモリ等により構成されている。メモリは、用途に応じてROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)等の一つ又は複数の記憶媒体で構成される。   At the foremost part of the housing 2, input means 26 is provided for receiving instructions to various parts of the apparatus. A monitor 27 is arranged on the upper surface of the support base 22. On the monitor 27, processing conditions of the wafer W, notification contents to the operator, and the like are displayed. Further, in the housing 2, a control unit 28 that controls each part of the cutting device 1 is provided. Various instructions are input to the control means 28 from the input means 26, and operations of components such as the holding table 3 and the cutting means 4 of the cutting apparatus 1 are controlled based on the various instructions. The control means 28 is configured by a processor, a memory, and the like that operate each component of the cutting device 1. The memory is composed of one or a plurality of storage media such as a ROM (Read Only Memory) and a RAM (Random Access Memory) depending on the application.

制御手段28は、認識部28a、パターン判定部28bを有している。認識部28aは、微分干渉顕微鏡15の撮像画によって切削ラインLにおける各側面L1,L2の傾きを認識する。パターン判定部28bは、認識部28aで認識した切削ラインLの各側面L1,L2の傾きに基づいて、傾きを解消するために用意したオペレータへの数種類の指示パターンから、何れかを選択する。   The control unit 28 includes a recognition unit 28a and a pattern determination unit 28b. The recognizing unit 28a recognizes the inclinations of the side surfaces L1 and L2 in the cutting line L from the captured image of the differential interference microscope 15. The pattern determination unit 28b selects any one of several types of instruction patterns for the operator prepared for eliminating the inclination based on the inclinations of the side surfaces L1 and L2 of the cutting line L recognized by the recognition unit 28a.

次に、前述した切削装置1によるウエーハWの切削加工方法について説明する。先ず、カセット5からダイシングテープTを介してフレームFに装着されたウエーハWを取り出し、ウエーハWの表面を上向き、ダイシングテープTがウエーハWの下側に位置する向きとして保持テーブル3上に搬送されて保持面33に載置される。その後、保持面33が吸引源(不図示)に連通し、ダイシングテープTを介してフレームFに装着されたウエーハWが保持テーブル3に吸着保持される。   Next, a method for cutting the wafer W by the above-described cutting apparatus 1 will be described. First, the wafer W mounted on the frame F is taken out from the cassette 5 through the dicing tape T, and the wafer W is conveyed onto the holding table 3 with the surface of the wafer W facing upward and the dicing tape T positioned below the wafer W. And placed on the holding surface 33. Thereafter, the holding surface 33 communicates with a suction source (not shown), and the wafer W mounted on the frame F via the dicing tape T is sucked and held by the holding table 3.

ウエーハWが吸着保持された後、切削手段4をY軸方向に移動し、ウエーハWの分割予定ラインと、切削ブレード42とのY軸方向の位置が一致するように位置付ける。次に、切削手段4をZ軸方向に移動し、切削ラインLの深さがダイシングテープTの厚さ方向途中まで達するように切削ブレード42のZ軸方向の位置付けが行われる。その後、高速回転された切削ブレード42に対して保持テーブル3がX軸方向に相対的に切削送りされることで、X軸と平行なウエーハWの分割予定ラインに沿って切削ラインLが形成される。そして、切削ラインLを1本形成する毎に、分割予定ラインのY軸方向のピッチ間隔分、切削手段4がウエーハWのY軸方向に移動され、同様の動作を繰り返すことで、切削ラインLが順次形成される。ウエーハWにおいて、X軸と平行な分割予定ライン全てに切削ラインLが形成された後、保持テーブル3が90°回転される。この状態から前述と同様にX軸と平行な分割予定ライン全てに切削ラインLを形成することで、格子状の分割予定ライン全てにおいて切削ラインLが形成される。   After the wafer W is sucked and held, the cutting means 4 is moved in the Y-axis direction so that the planned division line of the wafer W and the position of the cutting blade 42 in the Y-axis direction coincide with each other. Next, the cutting means 4 is moved in the Z-axis direction, and the cutting blade 42 is positioned in the Z-axis direction so that the depth of the cutting line L reaches halfway in the thickness direction of the dicing tape T. Thereafter, the holding table 3 is cut and fed relative to the cutting blade 42 rotated at a high speed in the X-axis direction, so that a cutting line L is formed along the planned division line of the wafer W parallel to the X-axis. The Then, each time one cutting line L is formed, the cutting means 4 is moved in the Y-axis direction of the wafer W by the pitch interval in the Y-axis direction of the division line, and the cutting line L is repeated by repeating the same operation. Are sequentially formed. In the wafer W, after the cutting lines L are formed on all the division lines that are parallel to the X axis, the holding table 3 is rotated by 90 °. From this state, the cutting lines L are formed on all the planned dividing lines in the lattice shape by forming the cutting lines L on all the dividing lines parallel to the X axis in the same manner as described above.

このように、切削ラインLの切削作業を継続すると、切り込んだ切削ブレード42が曲がったり、切削ラインLがX軸方向に対して蛇行したりする場合がある。このような場合には、切削ラインLの各側面L1,L2がウエーハの厚み方向(Z軸方向)に対して傾くこととなる。各側面L1,L2における傾きを認識するため、微分干渉顕微鏡15によって切削ラインLが撮像される。かかる撮像を実行するタイミングは、数枚のウエーハWを切削する毎や、数本の切削ラインLを切削する毎に行う等、定期的とすることが例示できる。また、切削ラインLを切削する任意のタイミングで、切削手段4のX軸方向の移動を延長し、各切削ラインLの切削直後に撮像を行ってもよい。以下、切削ラインLの撮像方法と撮像画の処理方法について説明する。   As described above, when the cutting operation of the cutting line L is continued, the cut cutting blade 42 may be bent or the cutting line L may meander in the X-axis direction. In such a case, the side surfaces L1 and L2 of the cutting line L are inclined with respect to the thickness direction (Z-axis direction) of the wafer. The cutting line L is imaged by the differential interference microscope 15 in order to recognize the inclination in each of the side surfaces L1 and L2. The timing at which such imaging is performed can be exemplified as being regular, such as every time several wafers W are cut or every time several cutting lines L are cut. Alternatively, the movement of the cutting means 4 in the X-axis direction may be extended at an arbitrary timing for cutting the cutting line L, and imaging may be performed immediately after the cutting of each cutting line L. Hereinafter, an imaging method of the cutting line L and a captured image processing method will be described.

切削ラインLの撮像においては、切削ラインLの切削作業を一時停止した後、微分干渉顕微鏡15の視野に切削ラインLが入るよう、微分干渉顕微鏡15の直下に切削ラインLを位置付ける。そして、微分干渉顕微鏡15において、切削ラインLと、その周辺となるウエーハWの表面領域とが、例えば、図2A、図3A、図4Aに示すような撮像画として撮像される。微分干渉顕微鏡15で撮像された撮像画は、制御手段28の認識部28aに入力される。認識部28aでは、入力された撮像画を解析し、切削ラインLの各側面L1,L2における傾きの有無が確認される。認識部28aにおいて、各側面L1,L2に傾きがないと認識されれば、切削ラインLの切削作業が再開される。   In imaging of the cutting line L, after the cutting operation of the cutting line L is temporarily stopped, the cutting line L is positioned directly below the differential interference microscope 15 so that the cutting line L enters the visual field of the differential interference microscope 15. Then, in the differential interference microscope 15, the cutting line L and the surface area of the wafer W that is the periphery of the cutting line L are captured as captured images as shown in FIGS. 2A, 3A, and 4A, for example. The captured image captured by the differential interference microscope 15 is input to the recognition unit 28 a of the control unit 28. In the recognizing unit 28a, the input captured image is analyzed, and whether or not there is an inclination in each of the side surfaces L1, L2 of the cutting line L is confirmed. If the recognition unit 28a recognizes that the side surfaces L1 and L2 are not inclined, the cutting operation of the cutting line L is resumed.

一方、認識部28aにおいて、切削ラインLの各側面L1,L2に傾きがあると認定された場合、微分干渉顕微鏡15の撮像画から、第1側面L1及び第2側面L2それぞれの傾き方向及び傾きが形成された箇所の位置が認識される。これを図面にて説明すると、図2Aの撮像画では、切削ラインLの延在方向略全域に亘って、第1側面L1及び第2側面L2が両方とも、ダイシングテープT側に向かって図2B中右方向に傾く斜面が認識される。図3Aの撮像画では、切削ラインLの延在方向略全域に亘って、第1側面L1及び第2側面L2が、ダイシングテープT側に向かって次第に離れる方向に傾く斜面(図3B参照)が認識される。図4Aの撮像画では、切削ラインLが蛇行する方向に延びている。従って、第1側面L1及び第2側面L2が両方とも、ダイシングテープT側に向かって図4Bのように右方向に傾く斜面と、図4Cのように左方向に傾く斜面とが切削ラインLの延在方向において交互に認識される。   On the other hand, when the recognition unit 28a recognizes that the side surfaces L1 and L2 of the cutting line L are inclined, the inclination direction and the inclination of the first side surface L1 and the second side surface L2 from the captured image of the differential interference microscope 15, respectively. The position of the location where the is formed is recognized. 2A, both the first side face L1 and the second side face L2 are directed toward the dicing tape T side over substantially the entire extending direction of the cutting line L. In FIG. A slope inclined in the middle right direction is recognized. In the captured image of FIG. 3A, the inclined surface (see FIG. 3B) is inclined so that the first side face L1 and the second side face L2 gradually move away toward the dicing tape T side over substantially the entire extending direction of the cutting line L. Be recognized. In the captured image of FIG. 4A, the cutting line L extends in a meandering direction. Therefore, both the first side face L1 and the second side face L2 are formed by a slope inclined rightward as shown in FIG. 4B toward the dicing tape T side and a slope inclined leftward as shown in FIG. It is recognized alternately in the extending direction.

上記のように認定部28aで認定されたデータはパターン判定部28bに出力される。パターン判定部28bは、認識部28aで認識した切削ラインLの各側面L1,L2の傾きに基づいて、モニタ27によるオペレータへの表示内容を選択する。図2Aの撮像画に対しては、切削ブレード42の交換を促す報知内容を選択する。図3Aの撮像画に対しては、切削ブレード42のドレッシングを促す報知内容を選択する。図4Aの撮像画に対しては、切削ブレード42の切削送り速度を遅くすることを促す報知内容を選択する。パターン判定部28bで選択された報知内容は、モニタ27によって表示される。モニタ27を確認したオペレータは、モニタ27に表示された報知内容に応じて、切削ブレード42の交換や各種の調整が行われる。なお、上記の報知内容は、一例であり、これに限られるものでない。   The data certified by the certification unit 28a as described above is output to the pattern determination unit 28b. The pattern determination part 28b selects the display content to the operator by the monitor 27 based on the inclination of each side face L1, L2 of the cutting line L recognized by the recognition part 28a. For the captured image in FIG. 2A, notification content that prompts replacement of the cutting blade 42 is selected. For the captured image of FIG. 3A, notification content that prompts dressing of the cutting blade 42 is selected. For the captured image in FIG. 4A, notification content that prompts the cutting feed rate of the cutting blade 42 to be reduced is selected. The notification content selected by the pattern determination unit 28 b is displayed on the monitor 27. The operator who has confirmed the monitor 27 performs the replacement of the cutting blade 42 and various adjustments according to the notification content displayed on the monitor 27. In addition, said alerting | reporting content is an example and is not restricted to this.

以上のように、本実施の形態によれば、微分干渉顕微鏡15によって切削ラインLの各側面L1,L2を撮像するので、各側面L1,L2における傾きの方向等を認識することができる。そして、認識した結果から、各側面L1,L2の傾きを修正して正常な切削ラインLが切削できるよう切削ブレード42の調整等が可能となり、切削ラインLの切削不良が発生することを防止することができる。   As described above, according to the present embodiment, the side surfaces L1 and L2 of the cutting line L are imaged by the differential interference microscope 15, so that the inclination direction and the like on the side surfaces L1 and L2 can be recognized. And from the recognized result, it becomes possible to adjust the cutting blade 42 so that the normal cutting line L can be cut by correcting the inclinations of the side surfaces L1 and L2, and the cutting failure of the cutting line L is prevented from occurring. be able to.

また、従来の顕微鏡で切削ラインLを撮像する場合、例えば、ウエーハWの厚さ方向で焦点が合う範囲が極めて小さくなり、例えば、ウエーハWの上面に顕微鏡の焦点を合わせると、上面より低い位置では焦点が合わなくなる。従って、切削ラインLの各側面L1,L2の傾きを認識するためには、ウエーハWの上面から下面に向かって複数箇所で検出が行う必要がある。このため、切削ラインLの検出が複数回となるだけでなく、焦点合わせも複数回行う必要があり、切削ラインLの各側面L1,L2の傾きを認識する時間が長くなる、という不都合がある。この点、本実施の形態では、焦点合わせを複数回行う必要がないので、切削ラインLの撮像に要する時間を短縮して効率化を図ることができる。しかも、微分干渉顕微鏡15では、切削ラインLの傾きに応じてレリーフのような立体感を認識できるので、従来の顕微鏡での撮像に比べ、傾きの角度や形成領域を精度良く認識することができる。   In addition, when the cutting line L is imaged with a conventional microscope, for example, the focus range in the thickness direction of the wafer W is extremely small. For example, when the microscope is focused on the upper surface of the wafer W, the position is lower than the upper surface. Then it becomes out of focus. Therefore, in order to recognize the inclinations of the side surfaces L1 and L2 of the cutting line L, it is necessary to perform detection at a plurality of locations from the upper surface to the lower surface of the wafer W. For this reason, not only the detection of the cutting line L is performed a plurality of times, but also the focusing needs to be performed a plurality of times, and there is an inconvenience that it takes a long time to recognize the inclinations of the side surfaces L1 and L2 of the cutting line L. . In this respect, in the present embodiment, since it is not necessary to perform focusing a plurality of times, it is possible to shorten the time required for imaging the cutting line L and to improve efficiency. In addition, since the differential interference microscope 15 can recognize a three-dimensional effect such as a relief according to the inclination of the cutting line L, the angle of inclination and the formation region can be recognized with higher precision than in the case of imaging with a conventional microscope. .

なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。   In addition, this invention is not limited to the said embodiment, It can change and implement variously. In the above-described embodiment, the size, shape, and the like illustrated in the accompanying drawings are not limited to this, and can be appropriately changed within a range in which the effect of the present invention is exhibited. In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the object of the present invention.

例えば、制御手段28におけるパターン判定部28bを省略し、モニタ27に微分干渉顕微鏡15で撮像された撮像画を表示するようにしてもよい。この場合、モニタ27によって認識部が構成され、モニタ27の撮像画を見たオペレータによって、切削ブレード42の交換等の対応を選択することができる。   For example, the pattern determination unit 28 b in the control unit 28 may be omitted, and a captured image captured by the differential interference microscope 15 may be displayed on the monitor 27. In this case, a recognition unit is configured by the monitor 27, and an operator who views the captured image of the monitor 27 can select a response such as replacement of the cutting blade 42.

また、上記実施の形態では、研削送り手段(不図示)によって保持テーブル3を移動する構成としたが、これに代えて、研削手段4だけを移動したり、研削手段4と保持テーブル3との両方を移動する構成にし、研削手段4及び保持テーブル3が相対的に移動するようにしてもよい。   In the above embodiment, the holding table 3 is moved by the grinding feed means (not shown). Instead, only the grinding means 4 is moved, or the grinding means 4 and the holding table 3 are moved. Both may be configured to move so that the grinding means 4 and the holding table 3 move relative to each other.

以上説明したように、本発明は、板状ワークを切削して形成される切削ラインの蛇行や傾きを認識することができるという効果を有し、特に、回転する切削ブレードによって切削ラインを切削する切削装置に有用である。   As described above, the present invention has an effect of being able to recognize meandering and inclination of a cutting line formed by cutting a plate-like workpiece, and in particular, cutting the cutting line with a rotating cutting blade. Useful for cutting equipment.

1 切削装置
3 保持テーブル
4 切削手段
14 顕微鏡
15 微分干渉顕微鏡
28a 認識部
42 切削ブレード
L 切削ライン
W ウエーハ(板状ワーク)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Cutting device 3 Holding table 4 Cutting means 14 Microscope 15 Differential interference microscope 28a Recognition part 42 Cutting blade L Cutting line W Wafer (plate-shaped workpiece)

Claims (1)

板状ワークを保持する保持テーブルと、該保持テーブルで保持された板状ワークを切削する切削ブレードを回転可能に装着した切削手段と、該切削手段と該保持テーブルとを相対的に切削送りする切削送り手段と、該切削送り手段により切削送りされる該切削手段で板状ワークを切削した切削ラインを撮像する顕微鏡と、を備えた切削装置であって、
該顕微鏡は、微分干渉顕微鏡を備え、
該切削手段の回転する該切削ブレードを所定の切込み深さに位置付け、該切削送り手段で切削送りさせて板状ワークを該切削手段で切削した切削ラインを、該微分干渉顕微鏡で撮像する撮像画によって該切削ラインの傾きを認識する認識部を、備えた切削装置。
A holding table for holding a plate-like workpiece, a cutting means for rotatably mounting a cutting blade for cutting the plate-like workpiece held by the holding table, and the cutting means and the holding table are relatively cut and fed. A cutting apparatus comprising: a cutting feed means; and a microscope for imaging a cutting line obtained by cutting a plate-like workpiece with the cutting means cut and fed by the cutting feed means,
The microscope comprises a differential interference microscope,
An imaging image in which a cutting line in which the cutting blade rotating by the cutting means is positioned at a predetermined cutting depth and cut by the cutting feed means to cut a plate-like workpiece by the cutting means is imaged by the differential interference microscope. The cutting device provided with the recognition part which recognizes the inclination of this cutting line by.
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