JP2015019071A - 倒置型有機発光ダイオード表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、倒置型有機発光ダイオード表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】該製造方法には、一の基板を提供し、陰極として基板上に一層の導電材をスパッタリングするステップと、陰極上に多結晶状態である一の電子輸送層を形成するステップと、電子輸送層上に非晶質状態である一の発光層を形成するステップと、発光層上に非晶質状態である一の正孔輸送層を真空蒸着するステップと、正孔輸送層上に非晶質状態である一の正孔注入層を真空蒸着するステップと、及び真空蒸着またはスパッタリング堆積により、正孔注入層上に陰極を形成するステップとが含まれる。本発明よれば、電子の輸送速度が極大に強化され、陽極と正孔注入層の障壁も最適化されることができ、電子と正孔のいずれも高速に輸送されることができるので、効率を向上できるのみならず、駆動電圧を低下することもできる。
【選択図】図３

Description

本発明は、有機発光ダイオード表示装置に関し、特に倒置型有機発光ダイオード表示装置及びその製造方法に関するものである。

従来より、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は、表示および照明などの分野において応用されている。ＯＬＥＤは、主動的にＲ、Ｇ、Ｂの３色発光を提供することが可能であり、別途のフィルターが必要なくフルカラー表示を実現することができ、高い光利用率を得ることができる。またＡＭＯＬＥＤは、高いコントラスト、広視野角、低消費電力、より軽量で薄いなどのメリットを有し、ＡＭＬＣＤ技術の有力なライバルになっている。従って、ＡＭＯＬＥＤは次世代のフラットパネル表示技術中のメイン技術になると言われている。

図１は、従来技術における有機発光ダイオード表示装置の構造を示す概略図である。図１に示すように、有機発光ダイオード表示装置には、下から上まで基板１と、陽極７と、正孔注入層６（ＨＩＬ）と、正孔輸送層５（ＨＴＬ）と、発光層４（ＥＭＬ）と、電子輸送層３（ＥＴＬ）と、及び陰極２とが順次に含まれる。従来技術におけるＯＬＥＤでは、正孔輸送材料の移動度は電子輸送材料より多く大きく、通常１乃至２桁を超え、有機層の成膜は何れも非晶質状態（amorphous state）に形成されているため、ＯＬＥＤ構造において電子と正孔の輸送アンバランスを招き、それにより電子と正孔が発光層において完全に複合することができなく、従って発光効率にだけではなく装置寿命にも影響を与えている。伝統的なＯＬＥＤ構造では、陽極を下に、陰極を上にするものを採用することが多く、製造順序上では、一般的に先ず基板上に陽極を形成し、その後ＨＩＬ、ＨＴＬ、ＥＭＬ、ＥＴＬ、（ＥＩＬ）及び陰極を順次に蒸着する。このような製造順序は、有機材料と電極の接触障壁の観点から見ると、電子に有利であるが正孔には不利であり、また正孔輸送層が一般的には厚く形成されるため、正孔輸送材料の移動度の高すぎによる輸送アンバランスを抑制することができる。但し、これは、正孔の輸送速度を犠牲することによって電子の輸送バランスを取ることに当たり、すべての有機材料が最適な伝導效果を発揮するようにできることではない。このような構造では、電子輸送層の移動度が低く、また正孔輸送層の高速輸送を制限することがある。そして、このような製造順序は、転換過程における高温により下部の他の層を破壊してしまうので、単独にＥＴＬ層を多結晶状態に転換することができない。

有機材料の移動度が低い原因は、主には有機材料成膜における結晶形と関係あるが、非晶質状態のフィルム結晶配列が比較的に乱されており、欠陥状態のものが多く、それによりキャリアの輸送速度が影響を受けることになる。但し、有機フィルム成膜が多結晶状態であれば、移動度のレベルを１乃至２桁、ひいてはそれ以上向上することができる。

本発明は、従来技術における問題点に鑑みて、その問題点を克服した倒置型有機発光ダイオード表示装置及びその製造方法を提供している。従来の有機材料系では、電子輸送材料の移動度が低く、一般的には正孔輸送材料に比べて１乃至２桁低い。本発明の主な目的は、特殊なプロセス方法により電子輸送材料の成膜質を向上し、その移動度のレベルを向上し、電子の移動度が正孔輸送材料の移動度またはその以上まで達するようにすることにある。そして、倒置構造を利用することにより、正孔輸送層及び電子輸送層の高速伝導を有効に利用できるため、正孔と電子の輸送バランスに有利であり、また駆動電圧を低下することができる。

本発明の一局面によれば、
基板と、
前記基板上に設けられた陰極と、
前記陰極と離れている陽極と、
前記陰極と前記陽極の間に設けられた少なくとも一の発光層と、
前記陰極と一つまたは複数の前記発光層の間に設けられた電子輸送層と、
前記陽極と一つまたは複数の前記発光層の間に設けられた正孔輸送層と、及び
前記正孔輸送層と前記陽極の間に設けられた正孔注入層と、を備え、
前記電子輸送層は多結晶状態であり、且つ前記発光層、正孔輸送層及び正孔注入層はいずれも非晶質状態である倒置型有機発光ダイオード表示装置を提供する。

前記電子輸送層の材料は、Ｆ_１６ＣｕＰｃ、Ｃ_６０、Ａｌｑ_３、ＴＰＢｉ、Ｂｐｈｅｎ、ＬｉＱのうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものであることが好ましい。

前記電子輸送層は、一の仕事関数整合層と第１電子輸送層とを備え、前記仕事関数整合層は前記陰極の上面に設けられ、前記第１電子輸送層は前記発光層の下面に設けられることが好ましい。

前記第１電子輸送層の材料は、Ｆ_１６ＣｕＰｃ、Ｃ_６０、Ａｌｑ_３、ＴＰＢｉ、Ｂｐｈｅｎ、ＬｉＱのうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものであることが好ましい。

前記仕事関数整合層の最低非占有軌道のエネルギー準位と前記陰極の最低非占有軌道のエネルギー準位との差が０．３ｅＶ以下であることが好ましい。

前記電子輸送層は、一の仕事関数整合層と、第１電子輸送層と及び第２電子輸送層とを備え、前記第１電子輸送層は前記仕事関数整合層と第２電子輸送層との間に設けられ、前記仕事関数整合層は前記陰極の上面に設けられ、前記第２電子輸送層は前記発光層の下面に設けられ、前記第２電子輸送層の表面粗度が前記第１電子輸送層の表面粗度より小さいことが好ましい。

前記第１電子輸送層または第２電子輸送層の材料は、Ｆ_１６ＣｕＰｃ、Ｃ_６０、Ａｌｑ_３、ＴＰＢｉ、Ｂｐｈｅｎ、ＬｉＱのうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものであることが好ましい。

前記仕事関数整合層の最低非占有軌道のエネルギー準位と前記陰極の最低非占有軌道のエネルギー準位との差が０．３ｅＶ以下であることが好ましい。

前記第２電子輸送層の厚さは、１０Å乃至１０ｎｍ（ナノメートル）であることが好ましい。

前記陰極材料は、ＩＴＯ、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｐｂ及びＳｎからの一つ若しくはいくつかの積層または合金であることが好ましい。

前記発光層材料は、ＡＤＮ、ＴＣＴＡ、ＢＣＰ、ＣＢＰのうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものに、さらにＦＩｒｐｉｃ、Ｉｒ（ＭＤＱ）_２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３、Ｃ_５４５、Ｂｃｖｂｉ、ＴＢＰｅのうちの一つまたはいくつかを混合したものであることが好ましい。

前記正孔輸送層の材料は、ＮＰＢ、ＴＰＤ、Ｆ_４ＴＣＮＱ、ＣｕＰｃ、ＴｉＯＰｃ、ＶＯＰｃ、ＭＴＤＡＴＡのうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものであることが好ましい。

前記正孔注入層の材料は、ＭｏＯ_３、ＷＯ_３、ＣＦ_ｘのうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものであることが好ましい。

前記陽極材料は、ＩＴＯ、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｓｎ、グラフェ等の導電材からの一つ若しくはいくつかの積層または合金であることが好ましい。

本発明のその他の局面によれば、さらに、前記の倒置型有機発光ダイオード表示装置を含んだディスプレイを提供する。

本発明のその他の局面によれば、
一の基板を提供し、陰極として前記基板上に一層の導電材をスパッタリングするステップと、
前記陰極上に多結晶状態である一の電子輸送層を形成するステップと、
前記電子輸送層上に非晶質状態である一の発光層を形成するステップと、
前記発光層上に非晶質状態である一の正孔輸送層を真空蒸着するステップと、
前記正孔輸送層上に非晶質状態である一の正孔注入層を真空蒸着するステップと、及び
真空蒸着またはスパッタリング堆積により、前記正孔注入層上に陰極を形成するステップとを含む倒置型有機発光ダイオード表示装置の製造方法を提供する。

まず、前記基板を１００〜２５０℃まで加熱し、その後真空蒸発により前記基板表面に少なくとも一層の前記電子輸送層の材料を蒸着することが好ましい。

電子輸送層を形成するステップにおいて、まず真空蒸発により前記基板表面に少なくとも一層の前記電子輸送層の材料を蒸着し、その後１００〜２５０℃まで焼鈍する工程を含むことが好ましい。

電子輸送層を形成するステップにおいて、まず溶液塗布により前記基板表面に少なくとも一層の前記電子輸送層の材料を蒸着し、その後１００〜２５０℃まで焼鈍する工程を含むことが好ましい。

発光層を形成するステップにおいて、まず前記基板の温度を８０度以下まで下げ、その後真空蒸発により前記発光層材料を蒸着する工程を含むことが好ましい。

前記電子輸送層の材料は、Ｆ_１６ＣｕＰｃ、Ｃ_６０、Ａｌｑ_３、ＴＰＢｉ、Ｂｐｈｅｎ、ＬｉＱのうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものであることが好ましい。

前記電子輸送層は、一の仕事関数整合層と第１電子輸送層とを含み、前記仕事関数整合層は前記陰極の上面に設けられ、前記第１電子輸送層は前記発光層の下面に設けられることが好ましい。

前記第１電子輸送層の材料は、Ｆ_１６ＣｕＰｃ、Ｃ_６０、Ａｌｑ_３、ＴＰＢｉ、Ｂｐｈｅｎ、ＬｉＱのうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものであることが好ましい。

前記仕事関数整合層の最低非占有軌道のエネルギー準位と前記陰極の最低非占有軌道のエネルギー準位との差は０．３ｅＶ以下であることが好ましい。

前記電子輸送層は、一の仕事関数整合層と、第１電子輸送層と、及び第２電子輸送層を含み、前記第１電子輸送層は前記仕事関数整合層と第２電子輸送層の間に設けられ、前記仕事関数整合層は、前記陰極の上面に設けられ、前記第２電子輸送層は前記発光層の下面に設けられ、前記第２電子輸送層の表面粗度は前記第１電子輸送層の表面粗度に小さいことが好ましい。

前記第１電子輸送層または第２電子輸送層の材料は、Ｆ_１６ＣｕＰｃ、Ｃ_６０、Ａｌｑ_３、ＴＰＢｉ、Ｂｐｈｅｎ、ＬｉＱのうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものであることが好ましい。

前記仕事関数整合層の最低非占有軌道のエネルギー準位と前記陰極の最低非占有軌道のエネルギー準位との差は、０．３ｅＶであることが好ましい。

前記第２電子輸送層の厚さは１０Å〜１０ｎｍであることが好ましい。
前記陰極材料は、ＩＴＯ、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｐｂ及びＳｎからの一つ若しくはいくつかの積層または合金であることが好ましい。

前記発光層材料は、ＡＤＮ、ＴＣＴＡ、ＢＣＰ、ＣＢＰのうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものに、さらにＦＩｒｐｉｃ、Ｉｒ（ＭＤＱ）_２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３、Ｃ_５４５、Ｂｃｖｂｉ、ＴＢＰｅのうちの一つまたはいくつかを混合したものであることが好ましい。

前記正孔輸送層の材料は、ＮＰＢ、ＴＰＤ、Ｆ_４ＴＣＮＱ、ＣｕＰｃ、ＴｉＯＰｃ、ＶＯＰｃ、ＭＴＤＡＴＡのうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものであることが好ましい。

前記正孔注入層の材料は、ＭｏＯ_３、ＷＯ_３、ＣＦ_ｘのうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものであることが好ましい。

前記陽極材料は、ＩＴＯ、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｓｎ、グラフェ等の導電材からの一つ若しくはいくつかの積層または合金であることが好ましい。

従来技術に比べて、上述のような技術を利用したため、本発明の倒置型有機発光ダイオード表示装置及びその製造方法において、まず基板上に陰極を形成し、その後基板上に多結晶状態の電子輸送層を蒸着し、その後順次に非晶質状態の発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極を蒸着する必要がある。これにより、電子の輸送速度が極大に強化され、陽極と正孔注入層の障壁も最適化されることができ、電子と正孔のいずれも高速に輸送されることができるので、効率を向上できるのみならず、駆動電圧を低下することもできる。

図１は、従来技術における有機発光ダイオード表示装置の構造を示した概略図である。 図２は、本発明の第１実施例に係る倒置型有機発光ダイオード表示装置の構造を示した概略図である。 図３は、本発明の第１実施例に係る倒置型有機発光ダイオード表示装置の製造方法を示したフローチャートである。 図４は、本発明の第２実施例に係る倒置型有機発光ダイオード表示装置の構造を示した概略図である。 図５は、本発明の第３実施例に係る倒置型有機発光ダイオード表示装置の構造を示した概略図である。

本発明のその他の特徴、目的及び利点は、非制限的な実施例について図面を参照しながら行なった詳細な説明により、さらに明確になるものである。

当業者は、当業者ならば従来技術及び前記の実施例を組み合わせることによって変形例を実現できることを理解すべきであり、ここではそれに関する説明を省略することにする。このような変形例は、本発明の実質的な内容に影響を与えず、ここでは省略することにする。

図２は本発明の第１実施例に係る本発明の倒置型有機発光ダイオード表示装置の構造を示した概略図である。図２に示すように、本発明の倒置型有機発光ダイオード表示装置は、基板１と、陰極２と、電子輸送層３と、発光層４と、正孔輸送層５と、正孔注入層６と及び陽極７とを備えている。陰極２は基板１の上に設けられている。陽極７と陰極２とは離れている。少なくとも一の発光層４が陰極２と陽極７との間に設けられている。電子輸送層３は、陰極２と一つまたは複数の発光層４との間に設けられている。正孔輸送層５は、陽極７と一つまたは複数の発光層４との間に設けられている。正孔注入層６は、正孔輸送層５と陽極７との間に設けられている。その中、電子輸送層３は多結晶状態であり、且つ発光層４、正孔輸送層５及び正孔注入層６はいずれも非晶質状態である。多結晶状態の電子輸送層３のフィルム結晶配列は、整列になっており、また結晶間隔も小さく、キャリアの輸送速度の向上に有利であり、移動度のレベルを１乃至２桁、ひいてはそれ以上向上することができる。

陰極２材料は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ：インジウムスズ酸化物、透明な導電フィルム）、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｐｂ及びＳｎからの一つ若しくはいくつかの積層または合金であるが、これに限定されることはない。

電子輸送層３の材料は、Ｆ_１６ＣｕＰｃ、Ｃ_６０、Ａｌｑ_３、ＴＰＢｉ（１，３，５−ｔｒｉｓ（Ｎ−ｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌ−２−ｙｌ）ｂｅｎｚｅｎｅ：１，３，５トリス（Ｎ−フェニルベンゾイミダゾール−２−イル）ベンゼン）、Ｂｐｈｅｎ（４，７−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ：４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）、ＬｉＱ（８−Ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ−ｌｉｔｈｉｕｍ：８−ヒドロキシキノリノラト−リチウム）のうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものであるが、これに限定されることはない。

発光層４の材料は、ＡＤＮ（ａｍｍｏｎｉｕｍ ｄｉｎｉｔｒａｍｉｄｅ：アンモニウムジニトラミド）、ＴＣＴＡ（４，４’，４’’-Ｔｒｉｓ(ｃａｒｂａｚｏｌ -９-ｙｌ)-ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ：４，４’，４’’-トリス（カルバゾール-9-イル）-トリ フェニルアミン）、ＢＣＰ（２，９−Ｄｉｍｅｔｈｙｌ−４，７−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ：２，９−ジメチル−４，７−ジフェニルｌ−１，１０−フェナントロリン）、ＣＢＰ（４，４’−Ｂｉｓ（ｃａｒｂａｚｏｌ−９−ｙｌ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ：４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）ビフェニル）のうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものに、さらにＦＩｒｐｉｃ（Ｂｉｓ（４，６−ｄｉｆｌｕｏｒｏｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎａｔｏ−Ｎ，Ｃ２）ｐｉｃｏｌｉｎａｔｏｉｒｉｄｉｕｍ：ビス〔２−（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ２′〕イリジウム（III）ピコリネート）、Ｉｒ（ＭＤＱ）_２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３、Ｃ_５４５、Ｂｃｖｂｉ、ＴＢＰｅ（Ｔｅｔｒａｂｒｏｍｏｐｈｅｎｏｌｐｈｔｈａｌｅｉｎ Ｅｔｈｙｌ Ｅｓｔｅｒ：テトラブロモフェノールフタレインエチルエステル）のうちの一つまたはいくつかを混合したものであるが、これに限定されることはない。

正孔輸送層５の材料は、ＮＰＢ（Ｎ，Ｎ’−Ｄｉｐｈｅｎｙｌ−Ｎ，Ｎ’−ｂｉｓ（１−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｙｌ）−１，１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ：Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン）、ＴＰＤ（'Ｎ，Ｎ'-Ｂｉｓ(３-ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ)- Ｎ，Ｎ'-ｄｉｐｈｅｎｙｌ-ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ：Ｎ，Ｎ'-ジフェニル-Ｎ，Ｎ'-ビス(３-メチルフェニル)ベンジジン）、Ｆ_４ＴＣＮＱ、ＣｕＰｃ、ＴｉＯＰｃ、ＶＯＰｃ、ＭＴＤＡＴＡ（４，４’，４’’-Ｔｒｉｓ(Ｎ-３-ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ-Ｎ-ｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ)：４，４’，４’’−トリス［フェニル（ｍ−トリル）アミノ］トリフェニルアミン）のうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものであるが、これに限定されることはない。

正孔注入層６の材料は、ＭｏＯ_３、ＷＯ_３、ＣＦ_ｘのうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものであるが、これに限定されることはない。

陽極７の材料は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ：インジウムスズ酸化物、透明な導電フィルム）、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｓｎ、グラフェ等導電材からの一つ若しくはいくつかの積層または合金であるが、これに限定されることはない。

本発明の構造によれば、電子の輸送速度が極大に強化され、陽極と正孔注入層の障壁も最適化されることができ、電子と正孔のいずれも高速に輸送されることができるので、効率を向上できるのみならず、駆動電圧を低下することもできる。

また、前記の倒置型有機発光ダイオード表示装置を利用してディスプレイを製造することは容易に想到できることである。同様に、従来のディスプレイに比べて、本発明のディスプレイにおいて、電子と正孔はいずれも高速に輸送されることができるので、効率を向上できるのみならず、駆動電圧を低下することもできる。

図３は、本発明の第１実施例に係る、本発明の倒置型有機発光ダイオード表示装置の製造方法を示したフローチャートである。図３に示すように、本発明は、さらに、
一の基板１を提供し、陰極２として基板１の上に一層の導電材をスパッタリングするステップＳ１０１と、
陰極２の上に多結晶状態である一の電子輸送層３を形成するステップＳ１０２と、
電子輸送層３の上に非晶質状態である一の発光層４を形成するステップＳ１０３と、
発光層４の上に非晶質状態である一の正孔輸送層５を真空蒸着するステップＳ１０４と、
正孔輸送層５の上に非晶質状態である一の正孔注入層６を真空蒸着するステップＳ１０５と、及び
真空蒸着またはスパッタリング堆積により、正孔注入層６の上に陰極２を形成するステップＳ１０６とを含む倒置型有機発光ダイオード表示装置の製造方法を提供する。

その中、ステップＳ１０２では、主に電子輸送層３を単独に多結晶状態に転換するが、以下の方法を利用することができる。

ステップＳ１０２では、まず基板１を１００〜２５０℃まで加熱し、その後真空蒸発により基板１の表面に少なくとも一層の電子輸送層３の材料を蒸着する工程を含む。

または、ステップＳ１０２では、まず真空蒸発により基板１の表面に少なくとも一層の電子輸送層３の材料を蒸着し、その後１００〜２５０℃まで焼鈍する工程を含んでもよい。

または、ステップＳ１０２では、まず溶液塗布により基板１の表面に少なくとも一層の電子輸送層３の材料を蒸着し、その後１００〜２５０℃まで焼鈍する工程を含んでもよい。

その中、電子輸送層３の材料は、Ｆ_１６ＣｕＰｃ、Ｃ_６０、Ａｌｑ_３、ＴＰＢｉ（１，３，５−ｔｒｉｓ（Ｎ−ｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌ−２−ｙｌ）ｂｅｎｚｅｎｅ：１，３，５トリス（Ｎ−フェニルベンゾイミダゾール−２−イル）ベンゼン）、Ｂｐｈｅｎ（４，７−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ：４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）、ＬｉＱ（８−Ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ−ｌｉｔｈｉｕｍ：８−ヒドロキシキノリノラト−リチウム）のうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものであるが、これに限定されることはない。

ステップＳ１０３の発光層４を形成するステップでは、まず基板１の温度を８０度以下まで低下させ、その後真空蒸発により発光層４の材料を蒸着する工程を含む。

陰極２の材料は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ：インジウムスズ酸化物、透明な導電フィルム）、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｐｂ及びＳｎからの一つ若しくはいくつかの積層または合金であるが、これに限定されることはない。

発光層４の材料は、ＡＤＮ（ａｍｍｏｎｉｕｍ ｄｉｎｉｔｒａｍｉｄｅ：アンモニウムジニトラミド）、ＴＣＴＡ（４，４’，４’’-Ｔｒｉｓ(ｃａｒｂａｚｏｌ -９-ｙｌ)-ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ：４，４’，４’’-トリス（カルバゾール-9-イル）-トリ フェニルアミン）、ＢＣＰ（２，９−Ｄｉｍｅｔｈｙｌ−４，７−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ：２，９−ジメチル−４，７−ジフェニルｌ−１，１０−フェナントロリン）、ＣＢＰ（４，４’−Ｂｉｓ（ｃａｒｂａｚｏｌ−９−ｙｌ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ：４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）ビフェニル）のうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものに、さらにＦＩｒｐｉｃ（Ｂｉｓ（４，６−ｄｉｆｌｕｏｒｏｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎａｔｏ−Ｎ，Ｃ２）ｐｉｃｏｌｉｎａｔｏｉｒｉｄｉｕｍ：ビス〔２−（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ２′〕イリジウム（III）ピコリネート）、Ｉｒ（ＭＤＱ）_２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３、Ｃ_５４５、Ｂｃｖｂｉ、ＴＢＰｅ（Ｔｅｔｒａｂｒｏｍｏｐｈｅｎｏｌｐｈｔｈａｌｅｉｎ Ｅｔｈｙｌ Ｅｓｔｅｒ：テトラブロモフェノールフタレインエチルエステル）のうちの一つまたはいくつかを混合したものであるが、これに限定されることはない。

正孔輸送層５の材料は、ＮＰＢ（Ｎ，Ｎ’−Ｄｉｐｈｅｎｙｌ−Ｎ，Ｎ’−ｂｉｓ（１−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｙｌ）−１，１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ：Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン）、ＴＰＤ（'Ｎ，Ｎ'-Ｂｉｓ(３-ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ)- Ｎ，Ｎ'-ｄｉｐｈｅｎｙｌ-ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ：Ｎ，Ｎ'-ジフェニル-Ｎ，Ｎ'-ビス(３-メチルフェニル)ベンジジン）、Ｆ_４ＴＣＮＱ、ＣｕＰｃ、ＴｉＯＰｃ、ＶＯＰｃ、ＭＴＤＡＴＡ（４，４’，４’’-Ｔｒｉｓ(Ｎ-３-ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ-Ｎ-ｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ)：４，４’，４’’−トリス［フェニル（ｍ−トリル）アミノ］トリフェニルアミン）のうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものであるが、これに限定されることはない。

正孔注入層６の材料は、ＭｏＯ_３、ＷＯ_３、ＣＦ_ｘのうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものであるが、これに限定されることはない。

陽極７の材料は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ：インジウムスズ酸化物、透明な導電フィルム）、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｓｎ、グラフェ等導電材からの一つ若しくはいくつかの積層または合金であるが、これに限定されることはない。

以下では、製造方法における一組みのプロセスパラメータを例として実施例１を説明することにする。

ガラス基板上に、ＩＴＯを１５００Ａの厚さにスパッタリングしてＯＬＥＤの陰極とする。

基板温度が１５０度の条件で、Ｆ_１６ＣｕＰｃを４００Ａの厚さに蒸着して電子輸送層とする。

基板温度を５０度まで冷却して、その後に５００ｎｍの厚さに発光層（主材料は、ＢＣＰであり、ＴＢＰｅを混合してなる）を蒸着する。

次に、ＮＰＢを蒸着して正孔輸送層とし、その正孔輸送層の厚さは３５０Ａとする。
その後、ＭｏＯ_３を１０Ａの厚さに蒸着して正孔注入層とする。

最後、Ａｌを１５００Ａの厚さに蒸着してＯＬＥＤの陽極とする。
本発明の製造方法では、特殊なプロセスにより電子輸送材料の成膜質を向上し、その移動度のレベルを向上し、電子の移動度が正孔輸送材料の移動度またはその以上まで達するようにする。また、倒置構造を利用することにより、正孔輸送層及び電子輸送層の高速伝導を有効に利用でき、正孔と電子の輸送バランスに有利であり、駆動電圧を低下することができる。

図４は、本発明の第２実施例に係る、本発明の倒置型有機発光ダイオード表示装置の構造を示した概略図である。図４に示すように、本発明の倒置型有機発光ダイオード表示装置は、基板１と、陰極２と、電子輸送層３と、発光層４と、正孔輸送層５と、正孔注入層６と及び陽極７とを備えている。陰極２は基板１の上に設けられている。陽極７と陰極２とは離れている。少なくとも一の発光層４が陰極２と陽極７との間に設けられている。電子輸送層３は、陰極２と一つまたは複数の発光層４との間に設けられている。正孔輸送層５は、陽極７と一つまたは複数の発光層４との間に設けられている。正孔注入層６は、正孔輸送層５と陽極７との間に設けられている。その中、電子輸送層３は多結晶状態であり、且つ発光層４、正孔輸送層５及び正孔注入層６はいずれも非晶質状態である。多結晶状態の電子輸送層３のフィルム結晶配列は、整列になっており、また結晶間隔も小さく、キャリアの輸送速度の向上に有利であり、移動度のレベルを１乃至２桁、ひいてはそれ以上向上することができる。そして、実施例１との相違点は、実施例２における電子輸送層３は、一の仕事関数整合層３１と第１電子輸送層３２とを含んであり、仕事関数整合層３１は陰極２の上面に設けられ、第１電子輸送層３２は発光層４の下面に設けられていることにある。仕事関数整合層３１は、第１電子輸送層３２と陰極２との間でよりよいエネルギー効率の整合を実現することができる。

第１電子輸送層３２の材料は、Ｆ_１６ＣｕＰｃ、Ｃ_６０、Ａｌｑ_３、ＴＰＢｉ（１，３，５−ｔｒｉｓ（Ｎ−ｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌ−２−ｙｌ）ｂｅｎｚｅｎｅ：１，３，５トリス（Ｎ−フェニルベンゾイミダゾール−２−イル）ベンゼン）、Ｂｐｈｅｎ（４，７−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ：４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）、ＬｉＱ（８−Ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ−ｌｉｔｈｉｕｍ：８−ヒドロキシキノリノラト−リチウム）のうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものである。

仕事関数整合層３１の最低非占有軌道のエネルギー準位と陰極２の最低非占有軌道のエネルギー準位の差は０．３ｅＶ以下である。

最低非占有軌道のエネルギー準位（ＬＵＭＯ：Ｌｏｗｅｓｔ Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）とは、非占有電子のエネルギー準位が一番低い軌道を最低非占有軌道のエネルギー準位と称する。

陰極２材料は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ：インジウムスズ酸化物、透明な導電フィルム）、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｐｂ及びＳｎからの一つ若しくはいくつかの積層または合金であるが、これに限定されることはない。

発光層４の材料は、ＡＤＮ（ａｍｍｏｎｉｕｍ ｄｉｎｉｔｒａｍｉｄｅ：アンモニウムジニトラミド）、ＴＣＴＡ（４，４’，４’’-Ｔｒｉｓ(ｃａｒｂａｚｏｌ -９-ｙｌ)-ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ：４，４’，４’’-トリス（カルバゾール-9-イル）-トリ フェニルアミン）、ＢＣＰ（２，９−Ｄｉｍｅｔｈｙｌ−４，７−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ：２，９−ジメチル−４，７−ジフェニルｌ−１，１０−フェナントロリン）、ＣＢＰ（４，４’−Ｂｉｓ（ｃａｒｂａｚｏｌ−９−ｙｌ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ：４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）ビフェニル）のうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものに、さらにＦＩｒｐｉｃ（Ｂｉｓ（４，６−ｄｉｆｌｕｏｒｏｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎａｔｏ−Ｎ，Ｃ２）ｐｉｃｏｌｉｎａｔｏｉｒｉｄｉｕｍ：ビス〔２−（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ２′〕イリジウム（III）ピコリネート）、Ｉｒ（ＭＤＱ）_２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３、Ｃ_５４５、Ｂｃｖｂｉ、ＴＢＰｅ（Ｔｅｔｒａｂｒｏｍｏｐｈｅｎｏｌｐｈｔｈａｌｅｉｎ Ｅｔｈｙｌ Ｅｓｔｅｒ：テトラブロモフェノールフタレインエチルエステル）のうちの一つまたはいくつかを混合したものであるが、これに限定されることはない。

正孔輸送層５の材料は、ＮＰＢ（Ｎ，Ｎ’−Ｄｉｐｈｅｎｙｌ−Ｎ，Ｎ’−ｂｉｓ（１−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｙｌ）−１，１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ：Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン）、ＴＰＤ（'Ｎ，Ｎ'-Ｂｉｓ(３-ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ)- Ｎ，Ｎ'-ｄｉｐｈｅｎｙｌ-ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ：Ｎ，Ｎ'-ジフェニル-Ｎ，Ｎ'-ビス(３-メチルフェニル)ベンジジン）、Ｆ_４ＴＣＮＱ、ＣｕＰｃ、ＴｉＯＰｃ、ＶＯＰｃ、ＭＴＤＡＴＡ（４，４’，４’’-Ｔｒｉｓ(Ｎ-３-ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ-Ｎ-ｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ)：４，４’，４’’−トリス［フェニル（ｍ−トリル）アミノ］トリフェニルアミン）のうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものであるが、これに限定されることはない。

正孔注入層６の材料は、ＭｏＯ_３、ＷＯ_３、ＣＦ_ｘのうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものであるが、これに限定されることはない。

陽極７の材料は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ：インジウムスズ酸化物、透明な導電フィルム）、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｓｎ、グラフェ等導電材からの一つ若しくはいくつかの積層または合金であるが、これに限定されることはない。

本発明の構造によれば、電子の輸送速度が極大に強化され、陽極と正孔注入層の障壁も最適化されることができ、電子と正孔のいずれも高速に輸送されることができるので、効率を向上できるのみならず、駆動電圧を低下することもできる。

また、前記の倒置型有機発光ダイオード表示装置を利用してディスプレイを製造することは容易に想到できることである。同様に、従来のディスプレイに比べて、本発明のディスプレイにおいて、電子と正孔はいずれも高速に輸送されることができるので、効率を向上できるのみならず、駆動電圧を低下することもできる。

この構造に対応する倒置型有機発光ダイオード表示装置の製造方法には、
一の基板１を提供し、陰極２として基板１の上に一層の導電材をスパッタリングするステップＳ１０１と、
陰極２の上に多結晶状態である一の電子輸送層３を形成するステップＳ１０２と、
電子輸送層３の上に非晶質状態である一の発光層４を形成するステップＳ１０３と、
発光層４の上に非晶質状態である一の正孔輸送層５を真空蒸着するステップＳ１０４と、
正孔輸送層５の上に非晶質状態である一の正孔注入層６を真空蒸着するステップＳ１０５と、及び
真空蒸着またはスパッタリング堆積により、正孔注入層６の上に陰極２を形成するステップＳ１０６とが含まれる。

その中、ステップＳ１０２では、主に電子輸送層３を単独に多結晶状態に転換するが、以下の方法を利用することができる。

ステップＳ１０２では、まず基板１を１００〜２５０℃まで加熱し、その後真空蒸発により基板１の表面に仕事関数整合層３１と第１電子輸送層３２の材料を順次に蒸着する工程を含む。

または、ステップＳ１０２では、まず真空蒸発により基板１の表面に仕事関数整合層３１と第１電子輸送層３２の材料を順次に蒸着し、その後１００〜２５０℃まで焼鈍する工程を含んでもよい。

または、ステップＳ１０２では、まず溶液塗布により基板１の表面に仕事関数整合層３１と第１電子輸送層３２の材料を順次に蒸着し、その後１００〜２５０℃まで焼鈍する工程を含んでもよい。

その中、第１電子輸送層３２の材料は、Ｆ_１６ＣｕＰｃ、Ｃ_６０、Ａｌｑ_３、ＴＰＢｉ（１，３，５−ｔｒｉｓ（Ｎ−ｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌ−２−ｙｌ）ｂｅｎｚｅｎｅ：１，３，５トリス（Ｎ−フェニルベンゾイミダゾール−２−イル）ベンゼン）、Ｂｐｈｅｎ（４，７−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ：４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）、ＬｉＱ（８−Ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ−ｌｉｔｈｉｕｍ：８−ヒドロキシキノリノラト−リチウム）のうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものであるが、これに限定されることはない。

ステップＳ１０３の発光層４を形成するステップでは、まず基板１の温度を８０度以下まで低下させ、その後真空蒸発により発光層４の材料を蒸着する工程を含む。

陰極２の材料は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ：インジウムスズ酸化物、透明な導電フィルム）、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｐｂ及びＳｎからの一つ若しくはいくつかの積層または合金であるが、これに限定されることはない。

発光層４の材料は、ＡＤＮ（ａｍｍｏｎｉｕｍ ｄｉｎｉｔｒａｍｉｄｅ：アンモニウムジニトラミド）、ＴＣＴＡ（４，４’，４’’-Ｔｒｉｓ(ｃａｒｂａｚｏｌ -９-ｙｌ)-ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ：４，４’，４’’-トリス（カルバゾール-9-イル）-トリ フェニルアミン）、ＢＣＰ（２，９−Ｄｉｍｅｔｈｙｌ−４，７−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ：２，９−ジメチル−４，７−ジフェニルｌ−１，１０−フェナントロリン）、ＣＢＰ（４，４’−Ｂｉｓ（ｃａｒｂａｚｏｌ−９−ｙｌ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ：４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）ビフェニル）のうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものに、さらにＦＩｒｐｉｃ（Ｂｉｓ（４，６−ｄｉｆｌｕｏｒｏｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎａｔｏ−Ｎ，Ｃ２）ｐｉｃｏｌｉｎａｔｏｉｒｉｄｉｕｍ：ビス〔２−（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ２′〕イリジウム（III）ピコリネート）、Ｉｒ（ＭＤＱ）_２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３、Ｃ_５４５、Ｂｃｖｂｉ、ＴＢＰｅ（Ｔｅｔｒａｂｒｏｍｏｐｈｅｎｏｌｐｈｔｈａｌｅｉｎ Ｅｔｈｙｌ Ｅｓｔｅｒ：テトラブロモフェノールフタレインエチルエステル）のうちの一つまたはいくつかを混合したものであるが、これに限定されることはない。

正孔輸送層５の材料は、ＮＰＢ（Ｎ，Ｎ’−Ｄｉｐｈｅｎｙｌ−Ｎ，Ｎ’−ｂｉｓ（１−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｙｌ）−１，１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ：Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン）、ＴＰＤ（'Ｎ，Ｎ'-Ｂｉｓ(３-ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ)- Ｎ，Ｎ'-ｄｉｐｈｅｎｙｌ-ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ：Ｎ，Ｎ'-ジフェニル-Ｎ，Ｎ'-ビス(３-メチルフェニル)ベンジジン）、Ｆ_４ＴＣＮＱ、ＣｕＰｃ、ＴｉＯＰｃ、ＶＯＰｃ、ＭＴＤＡＴＡ（４，４’，４’’-Ｔｒｉｓ(Ｎ-３-ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ-Ｎ-ｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ)：４，４’，４’’−トリス［フェニル（ｍ−トリル）アミノ］トリフェニルアミン）のうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものであるが、これに限定されることはない。

正孔注入層６の材料は、ＭｏＯ_３、ＷＯ_３、ＣＦ_ｘのうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものであるが、これに限定されることはない。

陽極７の材料は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ：インジウムスズ酸化物、透明な導電フィルム）、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｓｎ、グラフェ等導電材からの一つ若しくはいくつかの積層または合金であるが、これに限定されることはない。

以下では、製造方法における一組みのプロセスパラメータを例として実施例２を説明することにする。

ガラス基板上に、ＩＴＯを２０００Ａの厚さにスパッタリングしてＯＬＥＤの陰極とする。

基板温度が２１０度の条件で、２０Ａの厚さの仕事関数整合層とＡｌｑ_３による８００Ａの厚さの電子輸送層とを順次に蒸着する。

基板温度を６０度まで冷却して、その後に８００ｎｍの厚さに発光層（主材料は、ＡＮＤとＴＣＴＡであり、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３を混合してなる）を蒸着する。

次に、ＣｕＰｃを蒸着して正孔輸送層とし、その正孔輸送層の厚さは５２０Ａとする。
その後、ＷＯ_３を２０Ａの厚さに蒸着して正孔注入層とする。

最後、Ａｕを２２００Ａの厚さに蒸着してＯＬＥＤの陽極とする。
本発明の製造方法では、特殊なプロセスにより電子輸送材料の成膜質を向上し、その移動度のレベルを向上し、電子の移動度が正孔輸送材料の移動度またはその以上まで達するようにする。また、倒置構造を利用することにより、正孔輸送層及び電子輸送層の高速伝導を有効に利用でき、正孔と電子の輸送バランスに有利であり、駆動電圧を低下することができる。

図５は、本発明の第３実施例に係る、本発明の倒置型有機発光ダイオード表示装置の構造を示した概略図である。図５に示すように、本発明の倒置型有機発光ダイオード表示装置は、基板１と、陰極２と、電子輸送層３と、発光層４と、正孔輸送層５と、正孔注入層６及び陽極７とを備えている。陰極２は基板１の上に設けられている。陽極７と陰極２とは離れている。少なくとも一の発光層４が陰極２と陽極７との間に設けられている。電子輸送層３は、陰極２と一つまたは複数の発光層４との間に設けられている。正孔輸送層５は、陽極７と一つまたは複数の発光層４との間に設けられている。正孔注入層６は、正孔輸送層５と陽極７との間に設けられている。その中、電子輸送層３は多結晶状態であり、且つ発光層４、正孔輸送層５及び正孔注入層６はいずれも非晶質状態である。多結晶状態の電子輸送層３のフィルム結晶配列は、整列になっており、また結晶間隔も小さく、キャリアの輸送速度の向上に有利であり、移動度のレベルを１乃至２桁、ひいてはそれ以上向上することができる。また、実施例１と２との相違点は、実施例３における電子輸送層３は、一の仕事関数整合層３１及び第１電子輸送層３２と第２電子輸送層３３を含んであり、第１電子輸送層３２は、仕事関数整合層３１と第２電子輸送層３３との間に設けられ、仕事関数整合層３１は、陰極２の上面に、第２電子輸送層３３は発光層４の下面に設けられ、第２電子輸送層３３の表面粗度は、第１電子輸送層３２の表面粗度より小さい。仕事関数整合層３１は、第１電子輸送層３２と陰極２との間でよりよいエネルギー効率の整合を実現することができる。第２電子輸送層３３は、電子輸送層３と発光層４とがより緊密に貼合するように第１電子輸送層３２表面粗度を改善する。

第１電子輸送層３２または第２電子輸送層３３の材料は、Ｆ_１６ＣｕＰｃ、Ｃ_６０、Ａｌｑ_３、ＴＰＢｉ（１，３，５−ｔｒｉｓ（Ｎ−ｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌ−２−ｙｌ）ｂｅｎｚｅｎｅ：１，３，５トリス（Ｎ−フェニルベンゾイミダゾール−２−イル）ベンゼン）、Ｂｐｈｅｎ（４，７−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ：４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）、ＬｉＱ（８−Ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ−ｌｉｔｈｉｕｍ：８−ヒドロキシキノリノラト−リチウム）のうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものである。

仕事関数整合層３１の最低非占有軌道のエネルギー準位と陰極２の最低非占有軌道のエネルギー準位の差は０．３ｅＶ以下である。

第２電子輸送層３３の厚さは、１０Å〜１０ｎｍである。
陰極２材料は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ：インジウムスズ酸化物、透明な導電フィルム）、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｐｂ及びＳｎからの一つ若しくはいくつかの積層または合金であるが、これに限定されることはない。

発光層４の材料は、ＡＤＮ（ａｍｍｏｎｉｕｍ ｄｉｎｉｔｒａｍｉｄｅ：アンモニウムジニトラミド）、ＴＣＴＡ（４，４’，４’’-Ｔｒｉｓ(ｃａｒｂａｚｏｌ -９-ｙｌ)-ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ：４，４’，４’’-トリス（カルバゾール-9-イル）-トリ フェニルアミン）、ＢＣＰ（２，９−Ｄｉｍｅｔｈｙｌ−４，７−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ：２，９−ジメチル−４，７−ジフェニルｌ−１，１０−フェナントロリン）、ＣＢＰ（４，４’−Ｂｉｓ（ｃａｒｂａｚｏｌ−９−ｙｌ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ：４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）ビフェニル）のうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものに、さらにＦＩｒｐｉｃ（Ｂｉｓ（４，６−ｄｉｆｌｕｏｒｏｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎａｔｏ−Ｎ，Ｃ２）ｐｉｃｏｌｉｎａｔｏｉｒｉｄｉｕｍ：ビス〔２−（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ２′〕イリジウム（III）ピコリネート）、Ｉｒ（ＭＤＱ）_２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３、Ｃ_５４５、Ｂｃｖｂｉ、ＴＢＰｅ（Ｔｅｔｒａｂｒｏｍｏｐｈｅｎｏｌｐｈｔｈａｌｅｉｎ Ｅｔｈｙｌ Ｅｓｔｅｒ：テトラブロモフェノールフタレインエチルエステル）のうちの一つまたはいくつかを混合したものであるが、これに限定されることはない。

正孔輸送層５の材料は、ＮＰＢ（Ｎ，Ｎ’−Ｄｉｐｈｅｎｙｌ−Ｎ，Ｎ’−ｂｉｓ（１−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｙｌ）−１，１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ：Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン）、ＴＰＤ（'Ｎ，Ｎ'-Ｂｉｓ(３-ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ)- Ｎ，Ｎ'-ｄｉｐｈｅｎｙｌ-ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ：Ｎ，Ｎ'-ジフェニル-Ｎ，Ｎ'-ビス(３-メチルフェニル)ベンジジン）、Ｆ_４ＴＣＮＱ、ＣｕＰｃ、ＴｉＯＰｃ、ＶＯＰｃ、ＭＴＤＡＴＡ（４，４’，４’’-Ｔｒｉｓ(Ｎ-３-ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ-Ｎ-ｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ)：４，４’，４’’−トリス［フェニル（ｍ−トリル）アミノ］トリフェニルアミン）のうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものであるが、これに限定されることはない。

正孔注入層６の材料は、ＭｏＯ_３、ＷＯ_３、ＣＦ_ｘのうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものであるが、これに限定されることはない。

陽極７の材料は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ：インジウムスズ酸化物、透明な導電フィルム）、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｓｎ、グラフェ等導電材からの一つ若しくはいくつかの積層または合金であるが、これに限定されることはない。

本発明の構造によれば、電子の輸送速度が極大に強化され、陽極と正孔注入層の障壁も最適化されることができ、電子と正孔のいずれも高速に輸送されることができるので、効率を向上できるのみならず、駆動電圧を低下することもできる。

また、前記の倒置型有機発光ダイオード表示装置を利用してディスプレイを製造することは容易に想到できることである。同様に、従来のディスプレイに比べて、本発明のディスプレイにおいて、電子と正孔はいずれも高速に輸送されることができるので、効率を向上できるのみならず、駆動電圧を低下することもできる。

この構造に対応する倒置型有機発光ダイオード表示装置の製造方法には、
一の基板１を提供し、陰極２として基板１の上に一層の導電材をスパッタリングするステップＳ１０１と、
陰極２の上に多結晶状態である一の電子輸送層３を形成するステップＳ１０２と、
電子輸送層３の上に非晶質状態である一の発光層４を形成するステップＳ１０３と、
発光層４の上に非晶質状態である一の正孔輸送層５を真空蒸着するステップＳ１０４と、
正孔輸送層５の上に非晶質状態である一の正孔注入層６を真空蒸着するステップＳ１０５と、及び
真空蒸着またはスパッタリング堆積により、正孔注入層６の上に陰極２を形成するステップＳ１０６とが含まれる。

その中、ステップＳ１０２では、主に電子輸送層３を単独に多結晶状態に転換するが、以下の方法を利用することができる。

ステップＳ１０２では、まず基板１を１００〜２５０℃まで加熱し、その後真空蒸発により基板１の表面に仕事関数整合層３１及び第１電子輸送層３２と第２電子輸送層３３との材料を順次に蒸着する工程を含む。

または、ステップＳ１０２では、まず真空蒸発により基板１の表面に仕事関数整合層３１及び第１電子輸送層３２と第２電子輸送層３３の材料を順次に蒸着し、その後１００〜２５０℃まで焼鈍する工程を含んでもよい。

または、ステップＳ１０２では、まず溶液塗布により基板１の表面に仕事関数整合層３１及び第１電子輸送層３２と第２電子輸送層３３の材料を順次に蒸着し、その後１００〜２５０℃まで焼鈍する工程を含んでもよい。

その中、第１電子輸送層３２或第２電子輸送層３３の材料は、Ｆ_１６ＣｕＰｃ、Ｃ_６０、Ａｌｑ_３、ＴＰＢｉ（１，３，５−ｔｒｉｓ（Ｎ−ｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌ−２−ｙｌ）ｂｅｎｚｅｎｅ：１，３，５トリス（Ｎ−フェニルベンゾイミダゾール−２−イル）ベンゼン）、Ｂｐｈｅｎ（４，７−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ：４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）、ＬｉＱ（８−Ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ−ｌｉｔｈｉｕｍ：８−ヒドロキシキノリノラト−リチウム）のうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものであるが、これに限定されることはない。

仕事関数整合層３１の最低非占有軌道のエネルギー準位と陰極２との最低非占有軌道のエネルギー準位の差は、０．３ｅＶ以下である。

第２電子輸送層３３の厚さは１０Å〜１０ｎｍである。
ステップＳ１０３の発光層４を形成するステップでは、まず基板１の温度を８０度以下まで低下させ、その後真空蒸発により発光層４の材料を蒸着する工程を含む。

陰極２の材料は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ：インジウムスズ酸化物、透明な導電フィルム）、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｐｂ及びＳｎからの一つ若しくはいくつかの積層または合金であるが、これに限定されることはない。

発光層４の材料は、ＡＤＮ（ａｍｍｏｎｉｕｍ ｄｉｎｉｔｒａｍｉｄｅ：アンモニウムジニトラミド）、ＴＣＴＡ（４，４’，４’’-Ｔｒｉｓ(ｃａｒｂａｚｏｌ -９-ｙｌ)-ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ：４，４’，４’’-トリス（カルバゾール-9-イル）-トリ フェニルアミン）、ＢＣＰ（２，９−Ｄｉｍｅｔｈｙｌ−４，７−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ：２，９−ジメチル−４，７−ジフェニルｌ−１，１０−フェナントロリン）、ＣＢＰ（４，４’−Ｂｉｓ（ｃａｒｂａｚｏｌ−９−ｙｌ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ：４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）ビフェニル）のうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものに、さらにＦＩｒｐｉｃ（Ｂｉｓ（４，６−ｄｉｆｌｕｏｒｏｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎａｔｏ−Ｎ，Ｃ２）ｐｉｃｏｌｉｎａｔｏｉｒｉｄｉｕｍ：ビス〔２−（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ２′〕イリジウム（III）ピコリネート）、Ｉｒ（ＭＤＱ）_２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３、Ｃ_５４５、Ｂｃｖｂｉ、ＴＢＰｅ（Ｔｅｔｒａｂｒｏｍｏｐｈｅｎｏｌｐｈｔｈａｌｅｉｎ Ｅｔｈｙｌ Ｅｓｔｅｒ：テトラブロモフェノールフタレインエチルエステル）のうちの一つまたはいくつかを混合したものであるが、これに限定されることはない。

正孔輸送層５の材料は、ＮＰＢ（Ｎ，Ｎ’−Ｄｉｐｈｅｎｙｌ−Ｎ，Ｎ’−ｂｉｓ（１−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｙｌ）−１，１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ：Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン）、ＴＰＤ（'Ｎ，Ｎ'-Ｂｉｓ(３-ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ)- Ｎ，Ｎ'-ｄｉｐｈｅｎｙｌ-ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ：Ｎ，Ｎ'-ジフェニル-Ｎ，Ｎ'-ビス(３-メチルフェニル)ベンジジン）、Ｆ_４ＴＣＮＱ、ＣｕＰｃ、ＴｉＯＰｃ、ＶＯＰｃ、ＭＴＤＡＴＡ（４，４’，４’’-Ｔｒｉｓ(Ｎ-３-ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ-Ｎ-ｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ)：４，４’，４’’−トリス［フェニル（ｍ−トリル）アミノ］トリフェニルアミン）のうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものであるが、これに限定されることはない。

正孔注入層６の材料は、ＭｏＯ_３、ＷＯ_３、ＣＦ_ｘのうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものであるが、これに限定されることはない。

陽極７の材料は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ：インジウムスズ酸化物、透明な導電フィルム）、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｓｎ、グラフェ等導電材からの一つ若しくはいくつかの積層または合金であるが、これに限定されることはない。

以下では、製造方法における一組みのプロセスパラメータを例として実施例３を説明することにする。

ガラス基板上に、ＩＴＯを２３００Ａの厚さにスパッタリングしてＯＬＥＤの陰極とする。

基板温度が１８０度の条件で、１００Ａの厚さの仕事関数整合層、及びＢｐｈｅｎによる６００Ａの厚さの電子輸送層とＬｉＱによる１００Ａの厚さの電子輸送層とを順次に蒸着する。

基板温度を４０度まで冷却して、その後に５００ｎｍの厚さに発光層（主材料は、ＣＢＰであり、Ｂｃｖｂｉを混合してなる）を蒸着する。

次に、ＴｉＯＰｃを蒸着して正孔輸送層とし、その正孔輸送層の厚さは８００Ａとする。

その後、ＣＦ_ｘを５０Ａの厚さに蒸着して正孔注入層とする。
最後、Ａｕを４０００Ａの厚さに蒸着してＯＬＥＤの陽極とする。

本発明の製造方法では、特殊なプロセスにより電子輸送材料の成膜質を向上し、その移動度のレベルを向上し、電子の移動度が正孔輸送材料の移動度またはその以上まで達するようにする。また、倒置構造を利用することにより、正孔輸送層及び電子輸送層の高速伝導を有効に利用でき、正孔と電子の輸送バランスに有利であり、駆動電圧を低下することができる。

要するに、本発明の倒置型有機発光ダイオード表示装置及びその製造方法では、まず基板上に陰極を形成し、その後基板上に多結晶状態の電子輸送層を蒸着し、その後非晶質状態の発光層、正孔輸送層、正孔注入層、及び陽極を順次に蒸着する必要がある。このように、電子の輸送速度は、極大に強化され、陽極と正孔注入層の障壁も最適化されることができ、電子と正孔のいずれも高速に輸送されることができるので、効率を向上できるのみならず、駆動電圧を低下することもできる。

以上では、本発明の具体的な実施例について説明を行なった。本発明は前記の特定の実施方式に限定されるものではなく、当業者は、特許請求の範囲内でさまざまな変形と修正を行なうことができ、これは本発明の実質的内容に影響しないことであると考えるべきである。

１ 基板
２ 陰極
３ 電子輸送層
３１ 仕事関数整合層
３２ 第１電子輸送層
３３ 第２電子輸送層
４ 発光層
５ 正孔輸送層
６ 正孔注入層
７ 陽極

Claims (31)

1. 基板と、
   前記基板上に設けられた陰極と、
   前記陰極と離れている陽極と、
   前記陰極と前記陽極の間に設けられた少なくとも一つの発光層と、
   前記陰極と一つまたは複数の前記発光層の間に設けられた電子輸送層と、
   前記陽極と一つまたは複数の前記発光層の間に設けられた正孔輸送層と、及び
   前記正孔輸送層と前記陽極の間に設けられた正孔注入層と、
   を備え、
   前記電子輸送層は多結晶状態であり、且つ前記発光層、正孔輸送層及び正孔注入層はいずれも非晶質状態であることを特徴とする倒置型有機発光ダイオード表示装置。
2. 請求項１に記載の倒置型有機発光ダイオード表示装置において、
   前記電子輸送層の材料は、Ｆ_１６ＣｕＰｃ、Ｃ_６０、Ａｌｑ_３、ＴＰＢｉ、Ｂｐｈｅｎ、ＬｉＱのうちの一つ若しくはいくつかが積層されてなるまたはいくつかが混合されてなるものであることを特徴とする倒置型有機発光ダイオード表示装置。
3. 請求項１に記載の倒置型有機発光ダイオード表示装置において、
   前記電子輸送層は、一の仕事関数整合層と第１電子輸送層とを備え、前記仕事関数整合層は前記陰極の上面に設けられ、前記第１電子輸送層は前記発光層の下面に設けられることを特徴とする倒置型有機発光ダイオード表示装置。
4. 請求項３に記載の倒置型有機発光ダイオード表示装置において、
   前記第１電子輸送層の材料は、Ｆ_１６ＣｕＰｃ、Ｃ_６０、Ａｌｑ_３、ＴＰＢｉ、Ｂｐｈｅｎ、ＬｉＱのうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものであることを特徴とする倒置型有機発光ダイオード表示装置。
5. 請求項３に記載の倒置型有機発光ダイオード表示装置において、
   前記仕事関数整合層の最低非占有軌道のエネルギー準位と前記陰極の最低非占有軌道のエネルギー準位との差が０．３ｅＶ以下であることを特徴とする倒置型有機発光ダイオード表示装置。
6. 請求項１に記載の倒置型有機発光ダイオード表示装置において、
   前記電子輸送層は、一の仕事関数整合層と、第１電子輸送層と及び第２電子輸送層とを備え、前記第１電子輸送層は前記仕事関数整合層と第２電子輸送層との間に設けられ、前記仕事関数整合層は前記陰極の上面に設けられ、前記第２電子輸送層は前記発光層の下面に設けられ、前記第２電子輸送層の表面粗度が前記第１電子輸送層の表面粗度より小さいことを特徴とする倒置型有機発光ダイオード表示装置。
7. 請求項６に記載の倒置型有機発光ダイオード表示装置において、
   前記第１電子輸送層または第２電子輸送層の材料は、Ｆ_１６ＣｕＰｃ、Ｃ_６０、Ａｌｑ_３、ＴＰＢｉ、Ｂｐｈｅｎ、ＬｉＱのうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものであることを特徴とする倒置型有機発光ダイオード表示装置。
8. 請求項６に記載の倒置型有機発光ダイオード表示装置において、
   前記仕事関数整合層の最低非占有軌道のエネルギー準位と前記陰極の最低非占有軌道のエネルギー準位との差が０．３ｅＶ以下であることを特徴とする倒置型有機発光ダイオード表示装置。
9. 請求項６に記載の倒置型有機発光ダイオード表示装置において、
   前記第２電子輸送層の厚さは、１０Å乃至１０ｎｍであることを特徴とする倒置型有機発光ダイオード表示装置。
10. 請求項１に記載の倒置型有機発光ダイオード表示装置において、
    前記陰極材料は、ＩＴＯ、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｐｂ及びＳｎからの一つ若しくはいくつかの積層または合金であることを特徴とする倒置型有機発光ダイオード表示装置。
11. 請求項１に記載の倒置型有機発光ダイオード表示装置において、
    前記発光層材料は、ＡＤＮ、ＴＣＴＡ、ＢＣＰ、ＣＢＰのうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものに、さらにＦＩｒｐｉｃ、Ｉｒ（ＭＤＱ）_２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３、Ｃ_５４５、Ｂｃｖｂｉ、ＴＢＰｅのうちの一つまたはいくつかを混合したものであることを特徴とする倒置型有機発光ダイオード表示装置。
12. 請求項１に記載の倒置型有機発光ダイオード表示装置において、
    前記正孔輸送層の材料は、ＮＰＢ、ＴＰＤ、Ｆ_４ＴＣＮＱ、ＣｕＰｃ、ＴｉＯＰｃ、ＶＯＰｃ、ＭＴＤＡＴＡのうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものであることを特徴とする倒置型有機発光ダイオード表示装置。
13. 請求項１に記載の倒置型有機発光ダイオード表示装置において、
    前記正孔注入層の材料は、ＭｏＯ_３、ＷＯ_３、ＣＦ_ｘのうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものであることを特徴とする倒置型有機発光ダイオード表示装置。
14. 請求項１に記載の倒置型有機発光ダイオード表示装置において、
    前記陽極材料は、ＩＴＯ、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｓｎ、グラフェ等の導電材からの一つ若しくはいくつかの積層または合金であることを特徴とする倒置型有機発光ダイオード表示装置。
15. 一の基板を提供し、陰極として前記基板上に一層の導電材をスパッタリングするステップと、
    前記陰極上に多結晶状態である一の電子輸送層を形成するステップと、
    前記電子輸送層上に非晶質状態である一の発光層を形成するステップと、
    前記発光層上に非晶質状態である一の正孔輸送層を真空蒸着するステップと、
    前記正孔輸送層上に非晶質状態である一の正孔注入層を真空蒸着するステップと、及び
    真空蒸着またはスパッタリング堆積により、前記正孔注入層上に陰極を形成するステップとを含む倒置型有機発光ダイオード表示装置の製造方法。
16. 請求項１５に記載の製造方法において、
    電子輸送層を形成するステップにおいて、まず前記基板を１００〜２５０℃まで加熱し、その後真空蒸発により前記基板表面に少なくとも一層の前記電子輸送層の材料を蒸着する工程を含むことを特徴とする倒置型有機発光ダイオード表示装置の製造方法。
17. 請求項１５に記載の製造方法において、
    電子輸送層を形成するステップにおいて、まず真空蒸発により前記基板表面に少なくとも一層の前記電子輸送層の材料を蒸着し、その後１００〜２５０℃まで焼鈍する工程を含むことを特徴とする倒置型有機発光ダイオード表示装置の製造方法。
18. 請求項１５に記載の製造方法において、
    電子輸送層を形成するステップにおいて、まず溶液塗布により前記基板表面に少なくとも一層の前記電子輸送層の材料を蒸着し、その後１００〜２５０℃まで焼鈍する工程を含むことを特徴とする倒置型有機発光ダイオード表示装置の製造方法。
19. 請求項１５に記載の製造方法において、
    前記電子輸送層の材料は、Ｆ_１６ＣｕＰｃ、Ｃ_６０、Ａｌｑ_３、ＴＰＢｉ、Ｂｐｈｅｎ、ＬｉＱのうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものであることを特徴とする倒置型有機発光ダイオード表示装置の製造方法。
20. 請求項１５に記載の製造方法において、
    前記電子輸送層は、一の仕事関数整合層と第１電子輸送層とを含み、前記仕事関数整合層は前記陰極の上面に設けられ、前記第１電子輸送層は前記発光層の下面に設けられることを特徴とする倒置型有機発光ダイオード表示装置の製造方法。
21. 請求項２０に記載の製造方法において、
    前記第１電子輸送層の材料は、Ｆ_１６ＣｕＰｃ、Ｃ_６０、Ａｌｑ_３、ＴＰＢｉ、Ｂｐｈｅｎ、ＬｉＱのうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものであることを特徴とする倒置型有機発光ダイオード表示装置の製造方法。
22. 請求項２０に記載の製造方法において、
    前記仕事関数整合層の最低非占有軌道のエネルギー準位と前記陰極の最低非占有軌道のエネルギー準位との差は０．３ｅＶ以下であることを特徴とする倒置型有機発光ダイオード表示装置の製造方法。
23. 請求項１５に記載の製造方法において、
    前記電子輸送層は、一の仕事関数整合層と、第１電子輸送層と及び第２電子輸送層とを備え、前記第１電子輸送層は前記仕事関数整合層と第２電子輸送層との間に設けられ、前記仕事関数整合層は前記陰極の上面に設けられ、前記第２電子輸送層は前記発光層の下面に設けられ、前記第２電子輸送層の表面粗度が前記第１電子輸送層の表面粗度より小さいことを特徴とする倒置型有機発光ダイオード表示装置の製造方法。
24. 請求項２３に記載の製造方法において、
    前記第１電子輸送層または第２電子輸送層の材料は、Ｆ_１６ＣｕＰｃ、Ｃ_６０、Ａｌｑ_３、ＴＰＢｉ、Ｂｐｈｅｎ、ＬｉＱのうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものであることを特徴とする倒置型有機発光ダイオード表示装置の製造方法。
25. 請求項２３に記載の製造方法において、
    前記仕事関数整合層の最低非占有軌道のエネルギー準位と前記陰極の最低非占有軌道のエネルギー準位との差が０．３ｅＶ以下であることを特徴とする倒置型有機発光ダイオード表示装置の製造方法。
26. 請求項２３に記載の製造方法において、
    前記第２電子輸送層の厚さは、１０Å至１０ｎｍであることを特徴とする倒置型有機発光ダイオード表示装置の製造方法。
27. 請求項１５に記載の製造方法において、
    前記陰極材料は、ＩＴＯ、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｐｂ及びＳｎからの一つ若しくはいくつかの積層または合金であることを特徴とする倒置型有機発光ダイオード表示装置の製造方法。
28. 請求項１５に記載の製造方法において、
    前記発光層材料は、ＡＤＮ、ＴＣＴＡ、ＢＣＰ、ＣＢＰのうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものに、さらにＦＩｒｐｉｃ、Ｉｒ（ＭＤＱ）_２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３、Ｃ_５４５、Ｂｃｖｂｉ、ＴＢＰｅのうちの一つまたはいくつかを混合したものであることを特徴とする倒置型有機発光ダイオード表示装置の製造方法。
29. 請求項１５に記載の製造方法において、
    前記正孔輸送層の材料は、ＮＰＢ、ＴＰＤ、Ｆ_４ＴＣＮＱ、ＣｕＰｃ、ＴｉＯＰｃ、ＶＯＰｃ、ＭＴＤＡＴＡのうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものであることを特徴とする倒置型有機発光ダイオード表示装置の製造方法。
30. 請求項１５に記載の製造方法において、
    前記正孔注入層の材料は、ＭｏＯ_３、ＷＯ_３、ＣＦ_ｘのうちの一つまたはいくつかが積層されてなる、若しくはいくつかが混合されてなるものであることを特徴とする倒置型有機発光ダイオード表示装置の製造方法。
31. 請求項１５に記載の製造方法において、
    前記陽極材料は、ＩＴＯ、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｓｎ、グラフェ等の導電材からの一つ若しくはいくつかの積層または合金であることを特徴とする倒置型有機発光ダイオード表示装置の製造方法。