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JP2015003988A - Adhesive tape for semiconductor processing - Google Patents

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JP2015003988A
JP2015003988A JP2013129890A JP2013129890A JP2015003988A JP 2015003988 A JP2015003988 A JP 2015003988A JP 2013129890 A JP2013129890 A JP 2013129890A JP 2013129890 A JP2013129890 A JP 2013129890A JP 2015003988 A JP2015003988 A JP 2015003988A
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JP
Japan
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adhesive tape
semiconductor processing
mass
pressure
adhesive layer
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Pending
Application number
JP2013129890A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
侑弘 松原
Yukihiro Matsubara
侑弘 松原
有理 玉川
Arimichi Tamagawa
有理 玉川
朗 矢吹
Akira Yabuki
朗 矢吹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Furukawa Electric Co Ltd filed Critical Furukawa Electric Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an adhesive tape for semiconductor processing that exhibits excellent antistatic performance in a semiconductor device processing process, and has high die fly prevention performance.SOLUTION: An adhesive tape for semiconductor processing has an adhesive layer formed on at least one face of a substrate resin film, characterized in that a contact angle of the adhesive layer to pure water is 75° or more and 120° or less, and the adhesive layer contains ionic liquid.

Description

本発明は、半導体加工用粘着テープに関する。   The present invention relates to an adhesive tape for semiconductor processing.

従来から、電気部品や電子部品に用いられる半導体デバイスを加工する際に、半導体デバイスウェハを研削するバックグラインド工程や、半導体デバイスウェハや半導体樹脂封止パッケージなどを小片化するダイシング工程や、その他の工程において、部品の固定や保護を目的とする半導体加工用粘着テープが用いられている。   Conventionally, when processing semiconductor devices used for electrical components and electronic components, back grinding process for grinding semiconductor device wafers, dicing process for cutting semiconductor device wafers and semiconductor resin encapsulated packages, etc. In the process, an adhesive tape for semiconductor processing intended for fixing and protecting parts is used.

前記半導体加工用粘着テープを用いた工程では、セパレーターの剥離時・バックグラインド時・ダイシング時・電気絶縁性の高い超純水による切削粉の洗浄時・ピックアップ時などの、剥離・摩擦・接触などによって静電気が発生する。回路を形成する部品の基板がセラミックスやガラスなどの絶縁材料である場合には、静電気が速やかに漏洩されず、短絡による回路の放電破壊や埃などの異物の付着などの発生が懸念される。静電気障害を改善するため、イオナイザーなどの静電気除去装置の導入は行われているが、十分な帯電防止効果を得られていないのが実情であり、前記半導体加工用粘着テープ自体を帯電防止化することが望まれている。さらに近年、ウェハの薄膜化に伴い回路は高集積化し、静電気による回路破壊の危険性は更に高まり、帯電防止半導体加工用粘着テープに対する需要はより高まっている。   In the process using the above-mentioned adhesive tape for semiconductor processing, peeling, friction, contact, etc. at the time of separator peeling, back grinding, dicing, cleaning of cutting powder with ultrapure water with high electrical insulation, picking up, etc. Causes static electricity. In the case where the substrate of a component forming a circuit is an insulating material such as ceramics or glass, static electricity is not leaked quickly, and there is a concern about the occurrence of discharge breakdown of the circuit due to a short circuit or adhesion of foreign matters such as dust. In order to improve static electricity disturbance, static elimination devices such as ionizers have been introduced, but in reality, sufficient antistatic effects have not been obtained, and the adhesive tape for semiconductor processing itself is made antistatic. It is hoped that. Further, in recent years, as the wafer becomes thinner, circuits are highly integrated, the risk of circuit destruction due to static electricity is further increased, and the demand for adhesive tapes for antistatic semiconductor processing is increasing.

そこで、基材樹脂フィルムの片面または両面にポリチオフェンやポリピロールなどの導電性高分子を含有する帯電防止層を設けた半導体加工用粘着テープが提案されている(例えば、特許文献1、2参照)。しかしながら、この粘着テープは、帯電防止層を設けるために余計な加工工程が必要となるためコストの上昇は否めなかった。   Then, the adhesive tape for semiconductor processing which provided the antistatic layer containing conductive polymers, such as polythiophene and polypyrrole, on the single side | surface or both surfaces of the base resin film is proposed (for example, refer patent document 1, 2). However, this pressure-sensitive adhesive tape requires an extra processing step for providing the antistatic layer, and thus the cost cannot be denied.

そこで、粘着剤層にイオン液体を添加する粘着テープが提案されている(例えば、特許文献3参照)。この種のテープは、前者と異なり余計な加工工程がかからず、コストの上昇を抑えることが容易となる。しかしながら、イオン液体を添加することで、粘着物性への悪影響が大きく、特にダイフライの発生確率が飛躍的に高まってしまう。   Therefore, an adhesive tape in which an ionic liquid is added to the adhesive layer has been proposed (see, for example, Patent Document 3). Unlike the former, this type of tape does not require an extra processing step, and it is easy to suppress an increase in cost. However, the addition of the ionic liquid has a great adverse effect on the physical properties of the adhesive, and particularly the probability of die fly occurrence is dramatically increased.

特開2008−255345号公報JP 2008-255345 A 特開2008−280520号公報JP 2008-280520 A 特許第3912686号公報Japanese Patent No. 3912686

半導体デバイス加工工程において優れた帯電防止性を発揮し、かつ高いダイフライ防止性能を有する半導体加工用粘着テープを提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide an adhesive tape for semiconductor processing that exhibits excellent antistatic properties in a semiconductor device processing step and has high die fly prevention performance.

本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を行った。その結果、
(1)基材樹脂フィルムの少なくとも片面に粘着剤層が形成された半導体加工用粘着テープにおいて、粘着剤層の純水に対する接触角が75°以上120°以下であり、且つ、粘着剤層にイオン液体を含有することを特徴とする半導体加工用粘着テープ、
(2)前記半導体加工用粘着テープが、炭素−炭素不飽和結合を有する放射線硬化型化合物を含有することを特徴とする(1)に記載の半導体加工用粘着テープ、
(3)前記イオン液体の前記イオン液体のアニオン成分が、ビス(フルオロスルホニル)イミド又はビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドであることを特徴とする(1)または(2)記載の半導体加工用粘着テープ、
が半導体デバイス加工工程において優れた帯電防止性を発揮し、かつ高いダイフライ防止性能を有することを見出した。本発明はこれらの知見に基づきなされたものである。
The present inventors have intensively studied to achieve the above object. as a result,
(1) In the adhesive tape for semiconductor processing in which the adhesive layer is formed on at least one surface of the base resin film, the contact angle of the adhesive layer with respect to pure water is 75 ° or more and 120 ° or less, and the adhesive layer An adhesive tape for semiconductor processing characterized by containing an ionic liquid;
(2) The adhesive tape for semiconductor processing according to (1), wherein the adhesive tape for semiconductor processing contains a radiation curable compound having a carbon-carbon unsaturated bond,
(3) The adhesive tape for semiconductor processing according to (1) or (2), wherein the anionic component of the ionic liquid of the ionic liquid is bis (fluorosulfonyl) imide or bis (trifluoromethanesulfonyl) imide ,
Has found that it exhibits excellent antistatic properties in the semiconductor device processing step and has high anti-die-flying performance. The present invention has been made based on these findings.

本発明により、半導体デバイス加工工程において優れた帯電防止性を発揮し、かつ高いダイフライ防止性能を有する半導体加工用粘着テープの提供が可能となった。   According to the present invention, it has become possible to provide an adhesive tape for semiconductor processing which exhibits excellent antistatic properties in a semiconductor device processing step and has high die fly prevention performance.

本発明の半導体加工用テープの一実施態様を示す断面図であるIt is sectional drawing which shows one embodiment of the tape for semiconductor processing of this invention.

以下に、本発明の実施の形態について説明する。
図1は、本発明の半導体加工用粘着テープの一実施態様を示す断面図であり、基材樹脂フィルム2の表面に粘着剤層1が積層され、半導体用加工用粘着テープが形成されている。
Embodiments of the present invention will be described below.
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an embodiment of a pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing of the present invention, in which a pressure-sensitive adhesive layer 1 is laminated on the surface of a base resin film 2 to form a pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing. .

<<粘着剤層>>
<ベースポリマー>
粘着剤層1を構成するベースポリマーとしては、特に制限するものではないが、(メタ)アクリル系の感圧性ベースポリマーや通常のゴム系樹脂を使用することができる。
(メタ)アクリル系樹脂は、(メタ)アクリル酸エステルを主たる構成単量体単位(50質量%以上)とする単独重合体および共重合体を使用することができる。具体的にはポリ(メタ)アクリル酸アルキルエステル、(メタ)アクリル酸アルキルエステルと(メタ)アクリル酸や他のエチレン性不飽和基を有するモノマーとの共重合体が挙げられる。本発明では、(メタ)アクリル酸等の酸成分のモノマーで共重合されたものが好ましい。
他のエチレン性不飽和基を有するモノマーとしては、ブタジエン、スチレン、(メタ)アクリロニトリル、酢酸ビニル、塩化ビニル、マレイン酸、無水マレイン酸等が挙げられる。
<< Adhesive layer >>
<Base polymer>
Although it does not restrict | limit especially as a base polymer which comprises the adhesive layer 1, A (meth) acrylic-type pressure-sensitive base polymer and normal rubber-type resin can be used.
As the (meth) acrylic resin, a homopolymer and a copolymer having (meth) acrylic acid ester as a main constituent monomer unit (50% by mass or more) can be used. Specific examples include poly (meth) acrylic acid alkyl esters, and copolymers of (meth) acrylic acid alkyl esters with (meth) acrylic acid and other monomers having an ethylenically unsaturated group. In this invention, what was copolymerized with the monomer of acid components, such as (meth) acrylic acid, is preferable.
Examples of other monomers having an ethylenically unsaturated group include butadiene, styrene, (meth) acrylonitrile, vinyl acetate, vinyl chloride, maleic acid, maleic anhydride and the like.

(メタ)アクリル酸アルキルエステルは、アルコール部の炭素数は1〜18が好ましく、1〜12がより好ましい。例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸n−ブチル、アクリル酸2−エチルヘキシル、アクリル酸n−ドデシル、アクリル酸へキサデシル、アクリル酸2−ヒドロキシエチルやこれに対応するメタクリル酸エステルが挙げられる。   1-18 are preferable and, as for carbon number of an alcohol part, (meth) acrylic-acid alkylester has 1-12 more preferable. Examples include methyl acrylate, ethyl acrylate, n-butyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, n-dodecyl acrylate, hexadecyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, and the corresponding methacrylic acid esters. .

ゴム系樹脂としては天然ゴム、アクリルゴムといった各種の合成ゴム等を使用することができる。   As the rubber-based resin, various synthetic rubbers such as natural rubber and acrylic rubber can be used.

なお、ペースポリマーはその重量平均分子量が20万〜140万が好ましい。これは、イオン液体を添加した際の帯電防止性能が発現されやすくなるためである。   The pace polymer preferably has a weight average molecular weight of 200,000 to 1,400,000. This is because antistatic performance when an ionic liquid is added tends to be expressed.

<放射線硬化型化合物>
粘着剤層1を構成する炭素−炭素二重結合を有する放射線硬化型化合物は、放射線の照射により硬化して三次元網状化するものであれば特に制限なく使用することができる。該放射線硬化型化合物の分子量は、20,000以下のものが好ましい。また、放射線の照射による粘着剤層の三次元網状化が効率よくなされるように、分子量が5,000以下でかつ分子内の放射線重合性の炭素−炭素二重結合の数が2〜15個である低分子量化合物が好ましく、さらには、放射線の照射による弾性率向上により帯電防止性能が悪化するため、分子量1000に対して炭素−炭素二重結合の数は8個以下が好ましい。
<Radiation curable compound>
The radiation curable compound having a carbon-carbon double bond that constitutes the pressure-sensitive adhesive layer 1 can be used without particular limitation as long as it is cured by irradiation with radiation to form a three-dimensional network. The radiation curable compound preferably has a molecular weight of 20,000 or less. Moreover, the number of radiation-polymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule is 5,000 or less and the number of radiation-polymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule is 2 to 15 so that the three-dimensional networking of the pressure-sensitive adhesive layer can be efficiently performed by radiation irradiation. A low molecular weight compound is preferable, and furthermore, since the antistatic performance deteriorates due to the improvement of the elastic modulus by irradiation with radiation, the number of carbon-carbon double bonds is preferably 8 or less with respect to the molecular weight of 1000.

放射線硬化型化合物は、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、1,4−ブチレングリコールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オルガノポリシロキサン組成物、市販のオリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレートなどが挙げられる。   Examples of the radiation curable compound include trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, 1,4-butylene glycol. Examples include diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, organopolysiloxane composition, commercially available oligoester acrylate, and urethane acrylate.

炭素−炭素二重結合を有する放射線硬化型化合物は、1種を単独で用いても、2種以上を併用してもよい。配合量は、ベースポリマー100重量部に対して、5〜150重量部である。好ましくは、ベースポリマー100重量部に対して、8〜130重量部、さらに好ましくは、10〜100重量部である。この量が少なすぎると、粘着剤層の放射線の照射による三次元網状化が不十分となり、被着体から剥離しにくくなりピックアップ性能の悪化、糊残りが発生しやすくなる。また、この量が多すぎると、放射線による重合反応が過度に進み、放射線の照射による硬化収縮が発生する。その結果、粘着剤層が被着体の表面に追従して食い込み、被着体から剥離しにくくなり、ピックアップ性能の悪化、糊残りが発生しやすくなる。また、放射線硬化型化合物の量が多すぎると、粘着剤層の形状を保持しにくくなり、厚み精度が悪くなるなどの問題がある。   The radiation curable compound having a carbon-carbon double bond may be used alone or in combination of two or more. A compounding quantity is 5-150 weight part with respect to 100 weight part of base polymers. Preferably, it is 8-130 weight part with respect to 100 weight part of base polymers, More preferably, it is 10-100 weight part. If the amount is too small, the pressure-sensitive adhesive layer is not sufficiently three-dimensionally formed by irradiation with radiation, and it is difficult to peel off from the adherend, so that pick-up performance is deteriorated and adhesive residue tends to occur. On the other hand, if the amount is too large, the polymerization reaction due to radiation proceeds excessively and curing shrinkage due to radiation irradiation occurs. As a result, the pressure-sensitive adhesive layer bites the surface of the adherend and becomes difficult to peel off from the adherend, so that pickup performance is deteriorated and adhesive residue is likely to occur. Moreover, when there is too much quantity of a radiation-curable compound, there exists a problem that it becomes difficult to hold | maintain the shape of an adhesive layer and thickness accuracy worsens.

<イオン液体>
本発明では、粘着剤層1に少なくとも一種のイオン液体を含有する。
ここで、イオン液体とは、有機カチオンと無機もしくは有機アニオンの組み合わせからなる有機塩化合物であり、70℃以下で液状を呈する溶融塩を指し、融点が70℃以下、好ましくは室温(25℃)以下である化合物をいう。イオン液体は高いイオン伝導度を有するので、粘着剤への添加においては少量でも帯電防止性を発現することができる。そのため、添加による粘着物性への影響をある程度抑えることができる。
<Ionic liquid>
In the present invention, the pressure-sensitive adhesive layer 1 contains at least one ionic liquid.
Here, the ionic liquid is an organic salt compound comprising a combination of an organic cation and an inorganic or organic anion, and refers to a molten salt that exhibits a liquid state at 70 ° C. or lower, and has a melting point of 70 ° C. or lower, preferably room temperature (25 ° C.). Refers to the following compounds: Since the ionic liquid has high ionic conductivity, the antistatic property can be expressed even in a small amount when added to the adhesive. Therefore, the influence on the adhesive physical property by addition can be suppressed to some extent.

イオン液体を構成する有機カチオンとしては、オニウムが挙げられ、代表的には第四級窒素原子のアンモニウム(代表構造:R )、インモニウム(代表構造:R C=N )、スルホニウム(代表構造:R )、オキソニウム(代表構造:R )、第四級リン原子のホスホニウム(代表構造:R )、ヨウドニウム(代表構造:R )等が挙げられる。ここで、Rはアルキル基、アリール基、ヘテロ環基等の置換基を表し、Rは水素原子または置換基を表す。複数のRや複数のRまたはRとRが互いに結合して環を形成してもよい。さらには、2つのR、2つのRが共同して二重結合の基(例えば、=O、=S、=NR)を形成してもよい。なお、Rは水素原子または置換基を表す。 Examples of the organic cation constituting the ionic liquid include onium, typically ammonium of a quaternary nitrogen atom (representative structure: R 1 4 N + ), immonium (representative structure: R 2 2 C═N +). R 1 2 ), sulfonium (representative structure: R 1 3 S + ), oxonium (representative structure: R 1 2 O + ), phosphonium of quaternary phosphorus atom (representative structure: R 1 4 P + ), iodonium (representative) Structure: R 1 2 I + ) and the like. Here, R 1 represents a substituent such as an alkyl group, an aryl group, or a heterocyclic group, and R 2 represents a hydrogen atom or a substituent. A plurality of R 1 , a plurality of R 2, or R 1 and R 2 may be bonded to each other to form a ring. Furthermore, two R 1 and two R 2 may jointly form a double bond group (eg, ═O, ═S, ═NR 2 ). R 2 represents a hydrogen atom or a substituent.

本発明においては、第四級窒素原子のアンモニウム、インモニウム、スルホニウムが好ましく、これらは、例えば、ピリジニウムカチオン、ピペリジニウムカチオン、ピロリジニウムカチオン、イミダゾリウムカチオン、テトラヒドロピリミジニウムカチオン、ジヒドロピリミジニウムカチオン、ピラゾリウムカチオン、テトラアルキルアンモニウムカチオン、トリアルキルスルホニウムカチオンなどが挙げられるが、このうちピリジニウムカチオン、イミダゾリウムカチオン、が好ましく用いられる。特に、ピリジニウムカチオンを用いると、放射線硬化性半導体加工用粘着テープの帯電防止性に優れ、またダイシング後の半導体のピックアップ性に優れるため、好ましい。   In the present invention, ammonium, immonium and sulfonium having a quaternary nitrogen atom are preferable. These include, for example, pyridinium cation, piperidinium cation, pyrrolidinium cation, imidazolium cation, tetrahydropyrimidinium cation, Examples thereof include a midinium cation, a pyrazolium cation, a tetraalkylammonium cation, and a trialkylsulfonium cation. Among these, a pyridinium cation and an imidazolium cation are preferably used. In particular, it is preferable to use a pyridinium cation because it is excellent in the antistatic property of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing and in the pick-up property of the semiconductor after dicing.

ピリジニウムカチオンの具体例としては、例えば、1−エチルピリジニウムカチオン、1−ブチルピリジニウムカチオン、1−へキシルピリジニウムカチオン、1−ブチル−3−メチルピリジニウムカチオン、1−ブチル−4−メチルピリジニウムカチオン、1−へキシル−3−メチルピリジニウムカチオン、1−へキシル−4−メチルピリジニウムカチオン、1−ブチル−3,4−ジメチルピリジニウムカチオンなどが挙げられ、このうち、1−へキシル−4−メチルピリジニウムカチオンなどが好ましく用いられる。   Specific examples of the pyridinium cation include, for example, 1-ethylpyridinium cation, 1-butylpyridinium cation, 1-hexylpyridinium cation, 1-butyl-3-methylpyridinium cation, 1-butyl-4-methylpyridinium cation, 1 -Hexyl-3-methylpyridinium cation, 1-hexyl-4-methylpyridinium cation, 1-butyl-3,4-dimethylpyridinium cation, etc., among which 1-hexyl-4-methylpyridinium cation Etc. are preferably used.

無機アニオンとしては、イオン液体になることを満足するものであれば特に限定されず、例えば、Cl、Br、I、AlCl 、AlCl 、BF 、PF 、ClO 、NO 、AsF 、SbF 、NbF 、TaF 、F(HF)n、(CN)等が挙げられる。ここでnは0以上の整数である。
有機アニオンとしては、イオン液体になることを満足するものであれば特に限定されず、例えば、CHCOO、CFCOO、CHSO 、CFSO 、(CFSO、(FSO、(CFSO、CSO 、(CSO、CCOO、(CFSO)(CFCO)N等が挙げられる。
The inorganic anion is not particularly limited as long as it satisfies that it becomes an ionic liquid. For example, Cl , Br , I , AlCl 4 , Al 2 Cl 7 , BF 4 , PF 6 , ClO 4 , NO 3 , AsF 6 , SbF 6 , NbF 6 , TaF 6 , F (HF) n , (CN) 2 N − and the like. Here, n is an integer of 0 or more.
The organic anion is not particularly limited as long as it satisfies that it becomes an ionic liquid. For example, CH 3 COO , CF 3 COO , CH 3 SO 3 , CF 3 SO 3 , (CF 3 SO 2) 2 N -, (FSO 2) 2 N -, (CF 3 SO 2) 3 C -, C 4 F 9 SO 3 -, (C 2 F 5 SO 2) 2 N -, C 3 F 7 COO - , (CF 3 SO 2 ) (CF 3 CO) N — and the like.

無機もしくは有機アニオンなかでも特に、フッ素原子を含むアニオン成分は、イオン伝導性に優れ、このなかでも含フッ素有機アニオンが好ましく、特に、(FSO、(CFSOを用いると放射線硬化性半導体デバイス加工用粘着テープの帯電防止性能に優れるため、好ましい。 Among inorganic or organic anions, particularly, an anion component containing a fluorine atom is excellent in ionic conductivity, and among these, a fluorine-containing organic anion is preferable. In particular, (FSO 2 ) 2 N , (CF 3 SO 2 ) 2 N When- is used, it is preferable because the antistatic performance of the radiation-curable adhesive tape for semiconductor device processing is excellent.

本発明において、イオン性液体の好ましいものは、下記一般式(I)で表すことができる。   In the present invention, a preferable ionic liquid can be represented by the following general formula (I).

Figure 2015003988
Figure 2015003988

式中、RaおよびRbは各々独立に置換基を表す。nは0〜5の整数を表す。
Xは有機もしくは無機のアニオンを表す。
In the formula, Ra and Rb each independently represent a substituent. n represents an integer of 0 to 5.
X represents an organic or inorganic anion.

Raにおける置換基は、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基またはアリール基が好ましく、アルキル基がより好ましい。アルキル基の炭素数は1〜18が好ましく、1〜12がより好ましい。   The substituent in Ra is preferably an alkyl group, an alkenyl group, a cycloalkyl group or an aryl group, and more preferably an alkyl group. 1-18 are preferable and, as for carbon number of an alkyl group, 1-12 are more preferable.

Rbにおける置換基は、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロ環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロ環アミノ基、アシル基、アシルアミノ基、スルホンアミド基、カルバモイル基、スルファモイル基、水酸基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、スルホ基が挙げられ、アルキル基、アリール基が好ましく、アルキル基がより好ましい。   The substituent in Rb is a halogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, a heterocyclic group, an alkoxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkylsulfonyl group, an arylsulfonyl group, an amino group, Examples include alkylamino group, arylamino group, heterocyclic amino group, acyl group, acylamino group, sulfonamido group, carbamoyl group, sulfamoyl group, hydroxyl group, cyano group, nitro group, carboxyl group, sulfo group, alkyl group, aryl group Group is preferred, and an alkyl group is more preferred.

Rbの置換する位置は、ピリジン環の2〜6位のいずれでも構わないが、3〜6位が好ましく、4位がなかでも好ましい。   The position at which Rb is substituted may be any of the 2-6 positions of the pyridine ring, but the 3-6 positions are preferred, and the 4 position is particularly preferred.

nは0〜3が好ましく、0〜2がより好ましく、0または2がさらに好ましく、1が特に好ましい。
なお、nが2以上のとき、複数のRbは互いに同じでも異なってもよい。
n is preferably 0 to 3, more preferably 0 to 2, still more preferably 0 or 2, and particularly preferably 1.
When n is 2 or more, the plurality of Rb may be the same as or different from each other.

Xは、ハロゲンアニオン、BF 、PF 、ClO の無機のアニオン、RxCO 、RySO 、(RxCO)、(RxCO)(RySO)N、(RySOの有機のアニオンが好ましい。ここで、RxおよびRyは各々独立に、アルキル基またはアリール基を表す。 X is a halogen anion, an inorganic anion of BF 4 , PF 6 , ClO 4 , RxCO 2 , RySO 3 , (RxCO) 2 N , (RxCO) (RySO 2 ) N , (RySO 2) ) 2 N - organic anions are preferred. Here, Rx and Ry each independently represents an alkyl group or an aryl group.

Xは、PF6−、(RxCO)(RySO)N、(RySOが好ましく、(RxCO)(RySO)N、(RySOがより好ましく、(RySOが特に好ましい。
なお、Rx、Ryはハロゲン原子で置換されたアルキル基またはアリール基が好ましく、該ハロゲン原子としてはフッ素原子が好ましく、中でもパーフルオロアルキル基、パオーフルオロアリール基が好ましく、パーフルオロアルキル基が特に好ましい。アルキル基の炭素数は1〜10が好ましく、1〜6がより好ましく、1〜4がさらに好ましい。アリール基の炭素数は6〜10が好ましく、6〜8がより好ましい。
X is preferably PF 6− , (RxCO) (RySO 2 ) N , (RySO 2 ) 2 N −, more preferably (RxCO) (RySO 2 ) N , (RySO 2 ) 2 N , and (RySO 2 ). 2) 2 N - is particularly preferred.
Rx and Ry are preferably an alkyl group or an aryl group substituted with a halogen atom, and the halogen atom is preferably a fluorine atom, more preferably a perfluoroalkyl group or a perfluoroaryl group, and particularly preferably a perfluoroalkyl group. . 1-10 are preferable, as for carbon number of an alkyl group, 1-6 are more preferable, and 1-4 are more preferable. 6-10 are preferable and, as for carbon number of an aryl group, 6-8 are more preferable.

一般式(I)で表される化合物の具体例は、前述のものが挙げられる。   Specific examples of the compound represented by the general formula (I) include those described above.

また、イオン液体は、例えば、広栄化学工業(株)や日本カーリット(株)から市販されているものを好ましく使用することができる。   In addition, as the ionic liquid, for example, those commercially available from Guangei Chemical Industry Co., Ltd. or Nippon Carlit Co., Ltd. can be preferably used.

イオン性液体の配合量は、ベースポリマー100質量部に対し、3〜50質量部が好ましく、5〜40質量部がさらに好ましい。   3-50 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of base polymers, and, as for the compounding quantity of an ionic liquid, 5-40 mass parts is more preferable.

<イソシアネート化合物>
本発明においては、粘着剤層1は、イソシアネート化合物により架橋されていることが好ましい。
イソシアネート化合物としては、特に制限がなく、例えば、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、4,4’−ジフェニルエーテルジイソシアネート、4,4’−〔2,2−ビス(4−フェノキシフェニル)プロパン〕ジイソシアネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、2,2,4−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、4,4’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、2,4’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート等が挙げられる。具体的には、市販品として、コロネートL(商品名、日本ポリウレタン社製)等を用いることができる。
<Isocyanate compound>
In the present invention, the pressure-sensitive adhesive layer 1 is preferably crosslinked with an isocyanate compound.
The isocyanate compound is not particularly limited. For example, 4,4′-diphenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, 4,4′-diphenyl ether diisocyanate, 4,4 ′-[2,2-bis (4- Aromatic isocyanate such as phenoxyphenyl) propane] diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, 2,2,4-trimethyl-hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, 4,4′-dicyclohexylmethane diisocyanate, 2,4′-dicyclohexylmethane diisocyanate, Examples include lysine diisocyanate and lysine triisocyanate. Specifically, Coronate L (trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) or the like can be used as a commercial product.

本発明において、粘着剤層中、イソシアネート化合物の含有量は、放射線硬化型粘着剤の全重量に対して、0.01〜10質量%が好ましく、さらに好ましくは0.1〜8質量%である。イソシアネート化合物の含有量割合が少なすぎると粘着剤の架橋反応が鈍化してしまい、十分な特性を得ることができず、多すぎると粘着剤組成物を混合し、基材樹脂フィルムに塗布するまでのポットライフが短くなり、本発明の半導体加工用粘着テープを製造する場合に支障が生じるからである。   In the present invention, the content of the isocyanate compound in the pressure-sensitive adhesive layer is preferably 0.01 to 10% by mass, more preferably 0.1 to 8% by mass, based on the total weight of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive. . If the content ratio of the isocyanate compound is too small, the crosslinking reaction of the pressure-sensitive adhesive slows down, and sufficient characteristics cannot be obtained. If it is too large, the pressure-sensitive adhesive composition is mixed and applied to the base resin film. This is because the pot life is shortened and troubles occur when the adhesive tape for semiconductor processing of the present invention is produced.

なお、架橋に際しては、本発明においては、ジラウリン酸ジブチルスズのようなジ脂肪族カルボン酸ジアルキルスズのような架橋触媒を用いないで架橋することが好ましい。   In cross-linking, in the present invention, it is preferable to cross-link without using a cross-linking catalyst such as dialkyl tin dialiphatic carboxylate such as dibutyl tin dilaurate.

<粘着剤層の物理的特性>
(純水に対する接触角)
粘着剤層1は、純水に対する接触角が75°以上120°以下が好ましい。純水に対する接触角が75°未満である場合、粘着剤層とダイシング時に使用する切削水との親和性が高くなり、ダイシング時に粘着剤層と被着体の間に切削水が容易に浸入されることを助長することなる。その結果、被着体に対する粘着力が極端に低下し、ダイフライが誘発される。また、純水に対する接触角が120°より大きいと被着体との相互作用が強くなりすぎ、ピックアップ時に不具合が生じる場合があるからである。
<Physical characteristics of the adhesive layer>
(Contact angle against pure water)
The pressure-sensitive adhesive layer 1 preferably has a contact angle with respect to pure water of 75 ° or more and 120 ° or less. When the contact angle with pure water is less than 75 °, the affinity between the pressure-sensitive adhesive layer and the cutting water used during dicing increases, and cutting water easily enters between the pressure-sensitive adhesive layer and the adherend during dicing. Will help. As a result, the adhesive force to the adherend is extremely reduced, and die fly is induced. Moreover, if the contact angle with respect to pure water is larger than 120 °, the interaction with the adherend becomes too strong, and a problem may occur during pick-up.

純水に対する接触角は、75°以上117℃以下が好ましく、75°以上110°以下がさらに好ましい。   The contact angle with respect to pure water is preferably 75 ° to 117 ° C, and more preferably 75 ° to 110 °.

粘着剤層の純水に対する接触角を75°以上120°以下とするには、例えば、上記粘着剤のベースポリマーと、上記イオン液体から選択し、さらにその種類や量を調整することで、数値を75°以上120°以下とすることができる。   In order to set the contact angle of the pressure-sensitive adhesive layer with respect to pure water to 75 ° or more and 120 ° or less, for example, by selecting from the base polymer of the pressure-sensitive adhesive and the ionic liquid, and further adjusting the type and amount, Can be 75 ° or more and 120 ° or less.

(粘着剤層の厚さ)
また、粘着剤層1の厚さは、3〜50μmが好ましく、より好ましくは5〜20μmである。これらの数字は半導体加工用粘着テープに必要な機械特性、熱収縮などの観点から導き出されたものである。
(Adhesive layer thickness)
Moreover, 3-50 micrometers is preferable and, as for the thickness of the adhesive layer 1, More preferably, it is 5-20 micrometers. These numbers are derived from the viewpoints of mechanical properties and heat shrinkage required for adhesive tapes for semiconductor processing.

<基材樹脂フィルム>
図1に示される本発明に用いられる基材樹脂フィルム2は、ポリエチレン、ポリプロピレンおよびポリブテンのようなポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体およびエチレン−(メタ)アクリル酸エステル共重合体のようなエチレン共重合体、軟質ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、半硬質ポリ塩化ビニル、ポリエステル、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、天然ゴムならびに合成ゴム、金属イオンで架橋されたエチレン系アイオノマーなどの高分子材料で構成される。
本発明においては、ポリオレフィン、エチレン共重合体が好ましい。
基材樹脂フィルム2の厚さは通常30〜300μm、より好ましくは50〜200μmである。これらの数字は半導体加工用テープに必要な機械特性の観点から導き出されたものである。
<Base resin film>
The base resin film 2 used in the present invention shown in FIG. 1 is a polyolefin such as polyethylene, polypropylene and polybutene, an ethylene-vinyl acetate copolymer, an ethylene- (meth) acrylic acid copolymer and an ethylene- (meta ) Ethylene copolymers such as acrylic acid ester copolymers, soft polyvinyl chloride, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, semi-rigid polyvinyl chloride, polyester, polyurethane, polyamide, polyimide, natural rubber and synthetic rubber, metal ions It is composed of a polymer material such as a cross-linked ethylene ionomer.
In the present invention, polyolefin and ethylene copolymer are preferable.
The thickness of the base resin film 2 is usually 30 to 300 μm, more preferably 50 to 200 μm. These numbers are derived from the viewpoint of mechanical properties required for semiconductor processing tapes.

ここで、基材樹脂フィルム2は単一あるいは複数の樹脂を混合して製造したものでも良く、また様々な種類の樹脂を積層したものでもかまわない。   Here, the base resin film 2 may be produced by mixing a single resin or a plurality of resins, or may be a laminate of various types of resins.

以下、実施例に基づき、本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
なお、ベースポリマーの重量平均分子量は、テトラヒドロフランに溶解して得た1%溶液を、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(ウオータース社製、商品名:150−C ALC/GPC)により測定した値をポリスチレン換算して算出したものである。
EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated further in detail based on an Example, this invention is not limited to this.
In addition, the weight average molecular weight of the base polymer is a polystyrene conversion value obtained by measuring a 1% solution obtained by dissolving in tetrahydrofuran by gel permeation chromatography (product name: 150-C ALC / GPC). Calculated.

基材樹脂フィルムとして以下のものを用いた。   The following were used as the base resin film.

(基材樹脂フィルム)
低密度ポリエチレン(商品名:ノバテックLD LF640MA 日本ポリエチレン(株)製)を押出機に投入し、押出成型にて厚みが150μmの基材樹脂フィルムを製造した。
(Base resin film)
Low density polyethylene (trade name: Novatec LD LF640MA manufactured by Nippon Polyethylene Co., Ltd.) was put into an extruder, and a base resin film having a thickness of 150 μm was produced by extrusion molding.

ベースポリマーとして、以下のポリマーAおよびポリマーBを用いた。
(ポリマーA)
アクリル酸エチル40質量%、アクリル酸ブチル55質量%、アクリロニトリル10質量%を原料とし、乳化重合することでポリマーAを得た。重量平均分子量は700,000であった。
The following polymers A and B were used as base polymers.
(Polymer A)
Polymer A was obtained by emulsion polymerization using 40% by mass of ethyl acrylate, 55% by mass of butyl acrylate, and 10% by mass of acrylonitrile as raw materials. The weight average molecular weight was 700,000.

(ポリマーB)
アクリル酸メチル65質量%、アクリル酸−2−エチルヘキシル30質量%、アクリル酸5質量%を原料とし、溶液重合することでポリマーBを得た。重量平均分子量は350,000であった。
(Polymer B)
Polymer B was obtained by solution polymerization using 65% by mass of methyl acrylate, 30% by mass of 2-ethylhexyl acrylate, and 5% by mass of acrylic acid as raw materials. The weight average molecular weight was 350,000.

粘着剤として、以下の粘着剤A〜Hを用いた。   The following adhesives A to H were used as the adhesive.

(粘着剤A)
ポリマーA100質量部に対して、放射線硬化型化合物(分子量3600、1分子中の炭素−炭素二重結合の数が10個のウレタンアクリレートオリゴマー)を25質量部、イオン液体である1−n−ヘキシル−4−メチルピリジニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドを8質量部、ポリイソシアネート化合物(日本ポリウレタン社製、商品名コロネートL)2質量部、および光重合開始剤(日本チバガイギー社製、商品名イルガキュアー184)を、0.5質量部加えて混合し、放射線硬化性の粘着剤Aを調製した。
(Adhesive A)
25 parts by mass of a radiation curable compound (molecular weight 3,600, urethane acrylate oligomer having 10 carbon-carbon double bonds in one molecule) and 100 parts by mass of polymer A, 1-n-hexyl which is an ionic liquid 8 parts by mass of -4-methylpyridinium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide, 2 parts by mass of a polyisocyanate compound (manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd., trade name Coronate L), and a photopolymerization initiator (manufactured by Ciba Geigy Japan, trade name Irgacure 184) was added and mixed to prepare a radiation-curable pressure-sensitive adhesive A.

(粘着剤B)
ポリマーA100質量部に対して、放射線硬化型化合物(分子量3600、1分子中の炭素−炭素二重結合の数が10個のウレタンアクリレートオリゴマー)を25質量部、イオン液体である1−n−ヘキシル−4−メチルピリジニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドを12質量部、ポリイソシアネート化合物(日本ポリウレタン社製、商品名コロネートL)2質量部、および光重合開始剤(日本チバガイギー社製、商品名イルガキュアー184)を、0.5質量部加えて混合し、放射線硬化性の粘着剤Bを調製した。
(Adhesive B)
25 parts by mass of a radiation curable compound (molecular weight 3,600, urethane acrylate oligomer having 10 carbon-carbon double bonds in one molecule) and 100 parts by mass of polymer A, 1-n-hexyl which is an ionic liquid 12 parts by mass of -4-methylpyridinium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide, 2 parts by mass of a polyisocyanate compound (manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd., trade name Coronate L), and a photopolymerization initiator (manufactured by Ciba Geigy Japan, trade name Irgacure 184) was added and mixed to prepare a radiation-curable pressure-sensitive adhesive B.

(粘着剤C)
ポリマーB100質量部に対して、放射線硬化型化合物(分子量1100、1分子中の炭素−炭素二重結合の数が6個のウレタンアクリレートオリゴマー)を30質量部、イオン液体である1−n−ヘキシル−4−メチルピリジニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドを5質量部、ポリイソシアネート化合物(日本ポリウレタン社製、商品名コロネートL)2質量部、および光重合開始剤(日本チバガイギー社製、商品名イルガキュアー184)を、0.5質量部加えて混合し、放射線硬化性の粘着剤Cを調製した。
(Adhesive C)
30 parts by mass of a radiation-curable compound (molecular weight 1100, urethane acrylate oligomer having 6 carbon-carbon double bonds in one molecule) and 1-n-hexyl which is an ionic liquid with respect to 100 parts by mass of polymer B 5 parts by weight of -4-methylpyridinium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide, 2 parts by weight of a polyisocyanate compound (trade name Coronate L, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.), and a photopolymerization initiator (trade name, Irgacure, manufactured by Ciba Geigy Japan) 184) was added and mixed to prepare a radiation curable pressure-sensitive adhesive C.

(粘着剤D)
ポリマーB100質量部に対して、放射線硬化型化合物(分子量1100、1分子中の炭素−炭素二重結合の数が6個のウレタンアクリレートオリゴマー)を30質量部、イオン液体である1−n−ヘキシル−4−メチルピリジニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドを14質量部、ポリイソシアネート化合物(日本ポリウレタン社製、商品名コロネートL)2質量部、および光重合開始剤(日本チバガイギー社製、商品名イルガキュアー184)を、0.5質量部加えて混合し、放射線硬化性の粘着剤Dを調製した。
(Adhesive D)
30 parts by mass of a radiation-curable compound (molecular weight 1100, urethane acrylate oligomer having 6 carbon-carbon double bonds in one molecule) and 1-n-hexyl which is an ionic liquid with respect to 100 parts by mass of polymer B 14 parts by mass of -4-methylpyridinium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide, 2 parts by mass of a polyisocyanate compound (manufactured by Nippon Polyurethane, trade name Coronate L), and a photopolymerization initiator (manufactured by Ciba Geigy Japan, trade name Irgacure) 184) was added and mixed to prepare a radiation-curable pressure-sensitive adhesive D.

(粘着剤E)
ポリマーB100質量部に対して、放射線硬化型化合物(分子量1100、1分子中の炭素−炭素二重結合の数が6個のウレタンアクリレートオリゴマー)を30質量部、イオン液体である1−n−ヘキシル−4−メチルピリジニウムヘキサフルオロホスフェートを14質量部、ポリイソシアネート化合物(日本ポリウレタン社製、商品名コロネートL)2質量部、および光重合開始剤(日本チバガイギー社製、商品名イルガキュアー184)を、0.5質量部加えて混合し、放射線硬化性の粘着剤Eを調製した。
(Adhesive E)
30 parts by mass of a radiation-curable compound (molecular weight 1100, urethane acrylate oligomer having 6 carbon-carbon double bonds in one molecule) and 1-n-hexyl which is an ionic liquid with respect to 100 parts by mass of polymer B 14 parts by mass of -4-methylpyridinium hexafluorophosphate, 2 parts by mass of a polyisocyanate compound (manufactured by Nippon Polyurethane, trade name Coronate L), and a photopolymerization initiator (manufactured by Ciba Geigy Japan, trade name Irgacure 184) 0.5 mass part was added and mixed, and the radiation-curable adhesive E was prepared.

(粘着剤F)
ポリマーA100質量部に対して、放射線硬化型化合物(分子量3600、1分子中の炭素−炭素二重結合の数が10個のウレタンアクリレートオリゴマー)を25質量部、ポリイソシアネート化合物(日本ポリウレタン社製、商品名コロネートL)2質量部、および光重合開始剤(日本チバガイギー社製、商品名イルガキュアー184)を、0.5質重量部加えて混合し、放射線硬化性の粘着剤Fを調製した。
(Adhesive F)
25 parts by mass of a radiation curable compound (molecular weight 3600, urethane acrylate oligomer having 10 carbon-carbon double bonds in one molecule) with respect to 100 parts by mass of polymer A, polyisocyanate compound (manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd., 0.5 mass parts by weight of 2 parts by mass of trade name Coronate L) and a photopolymerization initiator (product name: Irgacure 184, manufactured by Ciba Geigy Japan, Inc.) were added and mixed to prepare a radiation curable pressure-sensitive adhesive F.

(粘着剤G)
ポリマーA100質量部に対して、放射線硬化型化合物(分子量3600、1分子中の炭素−炭素二重結合の数が10個のウレタンアクリレートオリゴマー)を25質量部、イオン液体である1−n−ヘキシル−4−メチルピリジニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドを4質量部、ポリイソシアネート化合物(日本ポリウレタン社製、商品名コロネートL)2質量部、および光重合開始剤(日本チバガイギー社製、商品名イルガキュアー184)を、0.5質量部加えて混合し、放射線硬化性の粘着剤Gを調製した。
(Adhesive G)
25 parts by mass of a radiation curable compound (molecular weight 3,600, urethane acrylate oligomer having 10 carbon-carbon double bonds in one molecule) and 100 parts by mass of polymer A, 1-n-hexyl which is an ionic liquid 4 parts by mass of -4-methylpyridinium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide, 2 parts by mass of a polyisocyanate compound (manufactured by Nippon Polyurethane, trade name Coronate L), and a photopolymerization initiator (manufactured by Ciba Geigy Japan, trade name Irgacure) 184) was added and mixed to prepare a radiation curable pressure-sensitive adhesive G.

(粘着剤H)
ポリマーB100質量部に対して、放射線硬化型化合物(分子量1600、1分子中の炭素−炭素二重結合の数が6個のウレタンアクリレートオリゴマー)を30質量部、イオン液体である1−n−ヘキシル−4−メチルピリジニウムヘキサフルオロホスフェートを5質量部、ポリイソシアネート化合物(日本ポリウレタン社製、商品名コロネートL)2質量部、および光重合開始剤(日本チバガイギー社製、商品名イルガキュアー184)を、0.5質量部加えて混合し、放射線硬化性の粘着剤Hを調製した。
(Adhesive H)
30 parts by mass of a radiation curable compound (molecular weight 1,600, urethane acrylate oligomer having 6 carbon-carbon double bonds in one molecule) and 100 parts by mass of polymer B, 1-n-hexyl which is an ionic liquid 5 parts by mass of -4-methylpyridinium hexafluorophosphate, 2 parts by mass of a polyisocyanate compound (trade name Coronate L, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.), and a photopolymerization initiator (trade name, Irgacure 184, manufactured by Ciba Geigy Japan) 0.5 mass part was added and mixed, and the radiation-curable adhesive H was prepared.

〔半導体加工用粘着剤テープの作製〕
上記基材樹脂フィルム上に、上記各粘着剤をそれぞれ、乾燥後の厚みが20μmになるように塗布することで、各半導体加工用粘着テープを作製した。
[Preparation of adhesive tape for semiconductor processing]
Each pressure-sensitive adhesive tape was prepared by applying each of the pressure-sensitive adhesives on the base resin film so that the thickness after drying was 20 μm.

〔評価〕
このようにして作製した各半導体加工用粘着テープを、以下のようにして評価した。
[Evaluation]
Thus, each produced adhesive tape for semiconductor processing was evaluated as follows.

(1)接触角の測定
基材樹脂フィルムの粘着剤層が設けられていない方の面を、両面テープを用いて表面が平らのガラス板上に固定した。セパレーターを剥離した後、純水を滴下し、接触角θを協和化学株式会社製FACE接触角計CA−S150型を用いて測定した。測定温度は23℃、測定湿度は50%RHである。
(1) Measurement of contact angle The surface where the adhesive layer of the base resin film was not provided was fixed on a glass plate having a flat surface using a double-sided tape. After the separator was peeled off, pure water was dropped, and the contact angle θ was measured using a FACE contact angle meter CA-S150 manufactured by Kyowa Chemical Co., Ltd. The measurement temperature is 23 ° C. and the measurement humidity is 50% RH.

(2)帯電防止性の評価
デジタル超高抵抗/微小電流計R8340/8340Aとレジスティビティ・チェンバR12702A(共に(株)アドバンテスト製)を用いて23℃、50%RHの環境下で500Vの電圧を印加し、印加後60秒後の電流値を読み取り、得られた各粘着テープにおける粘着剤面の表面抵抗率を測定し、以下の基準で評価した。
(2) Evaluation of antistatic property Using a digital ultrahigh resistance / microammeter R8340 / 8340A and a resiliency chamber R12702A (both manufactured by Advantest Co., Ltd.), a voltage of 500 V was applied in an environment of 23 ° C. and 50% RH. Applied, the current value 60 seconds after the application was read, the surface resistivity of the pressure-sensitive adhesive surface of each obtained adhesive tape was measured, and evaluated according to the following criteria.

評価基準
◎:表面抵抗率が1×1012Ω/□未満
○:表面抵抗率が1×1012Ω/□以上であり5×1012Ω/□未満
△:表面抵抗率が5×1012Ω/□以上であり1×1013Ω/□未満
×:表面抵抗率が1×1013Ω/□以上
Evaluation criteria A: Surface resistivity is less than 1 × 10 12 Ω / □ ○: Surface resistivity is 1 × 10 12 Ω / □ or more and less than 5 × 10 12 Ω / □ Δ: Surface resistivity is 5 × 10 12 Ω / □ or more and less than 1 × 10 13 Ω / □ ×: Surface resistivity is 1 × 10 13 Ω / □ or more

(3)ダイフライの評価
リングフレームを貼合し、リングフレーム中央部に、巾50mm、長さ150mm、厚さ500μmの一括封止型樹脂封止パッケージを固定した。その後、下記に示す条件でダイシングを行い、洗浄・乾燥を行った。
(3) Evaluation of die fly A ring frame was bonded, and a batch sealed resin-sealed package having a width of 50 mm, a length of 150 mm, and a thickness of 500 μm was fixed to the center of the ring frame. Thereafter, dicing was performed under the conditions shown below, followed by washing and drying.

ダイシング条件
ダイシング装置:(株)DISCO製 DFD−6340
ブレード:(株)DISCO製 メタルボンドブレード
B1A801 SD320N100M42
56.5mm×0.22mm×40mm
ダイシングサイズ:2mm角
ブレード回転数:20000rpm
切削速度:50mm/s
ブレードクーラー水量:2L/min
シャワー水量:1L/min
スプレー水量:1L/min
ダイシングサイズ:2mm角
ブレードハイト:80μm
洗浄時間:20s
洗浄回転数:1800rpm
乾燥時間:20s
乾燥尾回転数:1800rpm
Dicing conditions Dicing machine: DFD-6340 manufactured by DISCO Corporation
Blade: Metal bond blade manufactured by DISCO Corporation
B1A801 SD320N100M42
56.5mm x 0.22mm x 40mm
Dicing size: 2mm square Blade rotation speed: 20000rpm
Cutting speed: 50 mm / s
Blade cooler water volume: 2L / min
Shower water volume: 1 L / min
Spray water volume: 1 L / min
Dicing size: 2mm square Blade height: 80μm
Cleaning time: 20s
Washing speed: 1800 rpm
Drying time: 20s
Dry tail rotation speed: 1800 rpm

評価基準
○:パッケージの飛散がなかった場合
×:パッケージの飛散が観測された場合
Evaluation criteria ○: When there is no package scattering ×: When package scattering is observed

得られた結果をまとめて、下記表1に示す。
なお、下記表では、イオン液体の1−n−ヘキシル−4−メチルピリジニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドをPyNTFSI、1−n−ヘキシル−4−メチルピリジニウムヘキサフルオロホスフェートをPyNPF と記載した。
The results obtained are summarized in Table 1 below.
In the table below, 1-n-hexyl-4-methylpyridinium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide of ionic liquid is changed to PyN + TFSI , and 1-n-hexyl-4-methylpyridinium hexafluorophosphate is changed to PyN + PF 6. - .

Figure 2015003988
Figure 2015003988

表1から、イオン液体を含有し、粘着剤層の純水に対する接触角が75°以上120°以下を満たす実施例1〜5はいずれも耐電防止性能が5×1012Ω/□未満であり、ダイフライの評価で、パッケージの飛散が認めらなかった。これに対し、比較例1から明らかなように、粘着剤層の水に対する接触角が75°以上120°以下であっても、イオン液体を含有していないと耐電防止性能が劣り、比較例2、3から明らかなように、逆に、イオン液体を含有していても、粘着剤層の純水に対する接触角が75°以上120°以下でないと、ダイフライの評価において、パッケージの飛散が観測され、イオン液体を含有し、粘着剤層の純水に対する接触角が75°以上120°以下を満たすことが必要であることがわかる。 From Table 1, Examples 1-5 which contain an ionic liquid, and the contact angle with respect to the pure water of an adhesive layer satisfy | fills 75 degrees or more and 120 degrees or less are all less than 5 * 10 < 12 > ohm / square in anti-static performance. In the evaluation of the die fly, no scattering of the package was observed. On the other hand, as is clear from Comparative Example 1, even when the contact angle of the pressure-sensitive adhesive layer with respect to water is not less than 75 ° and not more than 120 °, if the ionic liquid is not contained, the antistatic performance is inferior. As can be seen from FIG. 3, on the contrary, even if the ionic liquid is contained, if the contact angle of the pressure-sensitive adhesive layer to the pure water is not 75 ° or more and 120 ° or less, the scattering of the package is observed in the evaluation of the die fly. It can be seen that the contact angle with respect to the pure water of the pressure-sensitive adhesive layer must be 75 ° or more and 120 ° or less.

1 粘着剤層
2 基材樹脂フィルム(基材フィルム)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Adhesive layer 2 Base resin film (base film)

Claims (3)

基材樹脂フィルムの少なくとも片面に粘着剤層が形成された半導体加工用粘着テープであって、該粘着剤層の純水に対する接触角が75°以上120°以下であり、かつ該粘着剤層にイオン液体を含有することを特徴とする半導体加工用粘着テープ。   A pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing in which a pressure-sensitive adhesive layer is formed on at least one surface of a base resin film, wherein a contact angle of the pressure-sensitive adhesive layer with respect to pure water is 75 ° or more and 120 ° or less, and the pressure-sensitive adhesive layer An adhesive tape for semiconductor processing, comprising an ionic liquid. 前記半導体加工用粘着テープが、炭素−炭素不飽和結合を有する放射線硬化型化合物を含有することを特徴とする請求項1に記載の半導体加工用粘着テープ。   The adhesive tape for semiconductor processing according to claim 1, wherein the adhesive tape for semiconductor processing contains a radiation curable compound having a carbon-carbon unsaturated bond. 前記イオン液体の前記イオン液体のアニオン成分が、ビス(フルオロスルホニル)イミドまたはビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドであることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体加工用粘着テープ。   The pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing according to claim 1 or 2, wherein an anionic component of the ionic liquid of the ionic liquid is bis (fluorosulfonyl) imide or bis (trifluoromethanesulfonyl) imide.
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