JP2014239134A

JP2014239134A - ウェーハの加工方法

Info

Publication number: JP2014239134A
Application number: JP2013120530A
Authority: JP
Inventors: 芳昭清水; Yoshiaki Shimizu
Original assignee: Disco Abrasive Systems Ltd
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2013-06-07
Filing date: 2013-06-07
Publication date: 2014-12-18

Abstract

【課題】ウェーハの外周縁を精度よく検出し、ウェーハの外周部分を適切に切削可能なウェーハの加工方法を提供する。【解決手段】ウェーハ（１１）の外周縁を切削除去するウェーハの加工方法であって、チャックテーブル（４）の保持面（４ａ）にウェーハを載置するウェーハ保持ステップと、ウェーハの外周縁のＸＹ座標を３点以上検出する外周縁検出ステップと、外周縁のＸＹ座標からウェーハの中心（Ｏ１）の位置のＸＹ座標を算出する中心位置算出ステップと、ウェーハの中心の位置と、チャックテーブルの回転中心（Ｏ２）の位置との位置ずれ量を算出する位置ずれ算出ステップと、ウェーハの外周縁を切削する外周縁除去ステップと、を備え、外周縁検出ステップでは、レーザー変位計（８）からレーザー光線（３４）を保持面に向けて照射しつつレーザー変位計とチャックテーブルを相対移動させてレーザー光線を走査させる構成とした。【選択図】図５

Description

本発明は、面取りされたウェーハの外周部分を切削除去するウェーハの加工方法に関する。

近年、小型軽量なデバイスを実現するために、シリコンやガリウムヒ素等の半導体材料でなるウェーハを薄く加工することが求められている。ウェーハは、例えば、表面のストリート（分割予定ライン）で区画される各領域にＩＣ等のデバイスが形成された後、裏面側を研削されることで薄化される。薄化後のウェーハは、ストリートに沿って各デバイスに対応した複数のチップに分割される。

このようなデバイスの製造に使用されるウェーハは、搬送中の欠け（チッピング）を防ぐために面取りされている。しかしながら、面取りされたウェーハを研削によって薄化すると、ウェーハの外周部分（面取り部分）はナイフエッジのように薄く尖り、却ってチッピングが発生し易くなってしまう。

そこで、研削による薄化の前に、面取り部分を切削除去するウェーハの加工方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この加工方法では、ウェーハの研削前に切削ブレードを切り込ませて面取り部分を切削除去しておくことで、外周部分がナイフエッジのように薄く尖ってしまうのを防いでいる。

ところで、この加工方法においては、ウェーハをチャックテーブルに吸着保持させた上でチャックテーブルを回転させ、ウェーハの外周部分に切削ブレードを切り込ませる。そのため、チャックテーブルの回転中心とウェーハの中心とがずれると、ウェーハの外周部分を適切に切削できなくなる。

この問題を解決するために、ウェーハの外周部分を撮像した撮像画像の濃淡に基づいてウェーハの外周縁を検出し、切削ブレードの切り込み位置を補正する加工方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。

特開２００３−２７３０５３号公報特開２００６−９３３３３号公報

しかしながら、例えば、ウェーハの外周部分にまで金属膜等が形成されている場合や、チャックテーブルとウェーハとの光学特性（色等）が近い場合には、撮像画像中のチャックテーブルとウェーハとの境界が不明確になり易い。そのため、上述した方法でウェーハの外周縁を高精度に検出するのは必ずしも容易でなく、ウェーハの切り込み位置を適切に補正できないことがあった。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウェーハの外周縁を精度よく検出し、ウェーハの外周部分を適切に切削可能なウェーハの加工方法を提供することである。

本発明によれば、ウェーハを保持する保持面を有するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された該ウェーハをＹ軸方向に軸心を有するスピンドルに装着した切削ブレードで該Ｙ軸方向と直交するＸ軸方向に加工する切削手段と、を備えた切削装置を用い、該ウェーハの外周縁を切削して除去するウェーハの加工方法であって、該チャックテーブルの該保持面にウェーハを載置して保持するウェーハ保持ステップと、該ウェーハ保持ステップの後に、該保持面における該ウェーハの外周縁のＸＹ座標を３点以上検出する外周縁検出ステップと、該外周縁検出ステップで検出された該外周縁のＸＹ座標から該ウェーハの中心位置のＸＹ座標を算出する中心位置算出ステップと、該中心位置算出ステップで算出された該ウェーハの中心位置と、該チャックテーブルの回転中心位置との位置ずれ量を算出する位置ずれ算出ステップと、該位置ずれ算出ステップの後に、該スピンドルの該軸心の延長線上に該チャックテーブルの回転中心を位置付け、該チャックテーブルを回転させながら該位置ずれ量と該チャックテーブルの回転角度とに基づいて、該チャックテーブルの回転中心を通る該Ｙ軸方向に該切削ブレードを移動させつつ、該ウェーハの外周縁を該ウェーハの中心位置から略同一の距離で周方向に切削する外周縁除去ステップと、を備え、該外周縁検出ステップでは、レーザー変位計からレーザー光線を該保持面に向けて照射しつつ該レーザー変位計と該チャックテーブルを該Ｘ軸方向、該Ｙ軸方向に相対移動させて該レーザー光線を走査させ、走査した軌道が該ウェーハの外周縁と交差することで外周縁のＸＹ座標を検出することを特徴とするウェーハの加工方法が提供される。

本発明によれば、レーザー光線の走査によってウェーハの外周縁を検出するので、ウェーハの外周部分にまで膜が形成されている場合や、チャックテーブルとウェーハとの光学特性が近い場合のように、撮像画像中において十分なコントラストを得られない状況でも、ウェーハの外周縁を精度よく検出できる。

よって、ウェーハの中心と、チャックテーブルの回転中心との位置ずれ量を正確に算出して、ウェーハの外周部分を適切に切削できる。

図１（Ａ）は、本実施の形態のウェーハの加工方法で加工されるウェーハの構成例を示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、ウェーハの構成例を示す断面図である。本実施の形態のウェーハの加工方法に使用される切削装置の構成例を模式的に示す平面図である。本実施の形態のウェーハ保持ステップを模式的に示す一部断面側面図である。図４（Ａ）は、本実施の形態の外周縁検出ステップを模式的に示す一部断面側面図であり、図４（Ｂ）は、外周縁検出ステップを模式的に示す平面図である。本実施の形態の外周縁検出ステップにおいてレーザー変位計から出力されるデータの例を示すグラフである。本実施の形態の中心位置算出ステップを模式的に示す平面図である。本実施の形態の位置ずれ算出ステップを模式的に示す平面図である。図８（Ａ）は、本実施の形態の外周縁除去ステップを模式的に示す平面図であり、図８（Ｂ）は、本実施の形態の外周縁除去ステップを模式的に示す一部断面側面図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。本実施の形態のウェーハの加工方法は、ウェーハ保持ステップ（図３参照）、外周縁検出ステップ（図４及び図５参照）、中心位置算出ステップ（図６参照）、位置ずれ算出ステップ（図７参照）、及び外周縁除去ステップ（図８参照）を含む。

ウェーハ保持ステップでは、切削装置のチャックテーブルにウェーハを保持させる（図３参照）。外周縁検出ステップでは、レーザー変位計を用いてウェーハの外周縁上の複数の点の座標を検出する（図４及び図５参照）。中心位置算出ステップでは、検出された外周縁上の複数の点の座標に基づいて、ウェーハの中心の座標を算出する（図６参照）。

位置ずれ算出ステップでは、ウェーハの中心とチャックテーブルの回転中心との位置ずれ量を算出する（図７参照）。外周縁除去ステップでは、ウェーハの中心とチャックテーブルの回転中心との位置ずれ量に基づいて切削ブレードの切り込み位置を変化させながら、ウェーハの外周縁を切削除去する（図８参照）。以下、本実施の形態に係るウェーハの加工方法について詳述する。

図１（Ａ）は、本実施の形態のウェーハの加工方法で加工されるウェーハの構成例を示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、ウェーハの構成例を示す断面図である。図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、加工対象のウェーハ１１は、例えば、円盤状の外形を有する半導体ウェーハであり、中央のデバイス領域１３と、デバイス領域１３を囲む外周余剰領域１５とを備えている。

ウェーハ１１の表面１１ａ側のデバイス領域１３は、格子状に配列されたストリート（分割予定ライン）１７で複数の領域に区画されており、各領域にはＩＣ等のデバイス１９が形成されている。ウェーハ１１の外周部分１１ｃは面取り加工されており、断面形状は円弧状になっている。

本実施の形態のウェーハの加工方法では、まず、上述したウェーハ１１を加工装置のチャックテーブルに保持させるウェーハ保持ステップを実施する。図２は、本実施の形態のウェーハの加工方法に使用される切削装置の構成例を模式的に示す平面図である。

図２に示すように、切削装置２は、ウェーハ１１を吸引保持するチャックテーブル（保持手段）４を備えている。チャックテーブル４の上方には、ウェーハ１１を切削するブレードユニット（切削手段）６、及びチャックテーブル４に保持されるウェーハ１１の高さ位置を検出可能なレーザー変位計８が配置されている。

チャックテーブル４の下方には、チャックテーブル４を加工送り方向（Ｘ軸方向）に移動させるＸ軸移動機構（加工送り手段）１０が設けられている。Ｘ軸移動機構１０と隣接する位置には、ブレードユニット６及びレーザー変位計８を割り出し送り方向（Ｙ軸方向）に移動させるＹ軸移動機構（不図示）が配置されている。また、Ｙ軸移動機構上には、ブレードユニット６及びレーザー変位計８を上下方向（Ｚ軸方向）に移動させるＺ軸移動機構（不図示）が設けられている。

チャックテーブル４は回転機構（不図示）と連結されており、Ｚ軸の周りに回転する。チャックテーブル４の表面は、ウェーハ１１を吸引保持する保持面４ａとなっている。この保持面４ａには、チャックテーブル４の内部に形成された流路（不図示）を通じて吸引源（不図示）の負圧が作用し、ウェーハ１１を吸引する吸引力が発生する。

ブレードユニット６は、スピンドルハウジング１２内において回転可能に支持されたスピンドル１４を備えている。このスピンドル１４の軸心は、Ｙ軸方向に向けられている。また、スピンドル１４の一端側には、円環状の切削ブレード１６が装着されている。

スピンドル１４の他端側には、モータ（不図示）が連結されており、スピンドル１４に装着された切削ブレード１６は、モータから伝達される回転力で回転する。切削ブレード１６を回転させて、チャックテーブル４に保持されたウェーハ１１に切り込ませることで、ウェーハ１１は切削される。

レーザー変位計８は、チャックテーブル４の保持面４ａに向けてレーザー光線を照射する照射部１８と、反射したレーザー光線を受ける受光部２０とを含む。照射部１８は、例えば、半導体レーザー等のレーザー発振器を含み、レーザー光線を下方に向けて照射できるように構成されている。受光部２０は、ＣＭＯＳ、ＣＣＤ等の受光素子を備えており、下方から入射したレーザー光線を受光量等に応じた電気信号に変換する。

チャックテーブル４の近傍には、Ｘ軸方向に延びるＸ軸スケール２２が配置されている。チャックテーブル４には、Ｘ軸方向における原点Ｘ０からチャックテーブル４までの距離を、Ｘ軸スケール２２に基づいて検出するＸ軸センサ２４が設けられている。

また、ブレードユニット６及びレーザー変位計８の近傍には、Ｘ軸方向に直交するＹ軸方向に延びるＹ軸スケール２６が配置されている。ブレードユニット６には、Ｙ軸方向における原点Ｙ０からブレードユニット６及びレーザー変位計８までの距離を、Ｙ軸スケール２６に基づいて検出するＹ軸センサ２８が設けられている。

上述したチャックテーブル４、ブレードユニット６、レーザー変位計８、Ｘ軸移動機構１０、Ｙ軸移動機構、Ｚ軸移動機構等の各構成は、演算装置等を含む制御装置（制御手段）３０で制御される。制御装置３０には、記憶装置（記憶手段）３２が接続されている。制御装置３０は、各構成の制御に必要な情報を記憶装置３２に記憶させると共に、必要に応じて当該情報を読み出し利用する。

ウェーハ保持ステップでは、上述した加工装置２のチャックテーブル４にウェーハ１１を吸引保持させる。図３は、本実施の形態のウェーハ保持ステップを模式的に示す一部断面側面図である。

まず、チャックテーブル４の保持面４ａとウェーハ１１の裏面１１ｂとを対面させるように、チャックテーブル４とウェーハ１１とを位置合わせする。そして、ウェーハ１１をチャックテーブル４の保持面４ａに載置し、吸引源の負圧を作用させる。これにより、ウェーハ１１は、表面１１ａ側が上を向いた状態でチャックテーブル４に保持される。

ウェーハ保持ステップの後には、ウェーハ１１の外周縁上の複数の点の座標を検出する外周縁検出ステップを実施する。図４（Ａ）は、本実施の形態の外周縁検出ステップを模式的に示す一部断面側面図であり、図４（Ｂ）は、外周縁検出ステップを模式的に示す平面図である。

外周縁検出ステップでは、図４に示すように、まず、Ｘ軸移動機構１０、Ｙ軸移動機構、及びＺ軸移動機構を用いて、レーザー変位計８をチャックテーブル４の上方に位置付ける。具体的には、レーザー変位計８から照射されるレーザー光線３４の照射予定ライン（軌道）３６がウェーハ１１の外周縁上の点１１ｄ，１１ｅを通過するように、ウェーハ１１と重ならない始点３８の上方にレーザー変位計８を位置付ける。

次に、レーザー変位計８からレーザー光線３４を照射させつつ、チャックテーブル４をＸ軸方向に移動させる。この時、レーザー変位計８のＹ軸方向の位置は固定しておく。これにより、レーザー変位計８は、ウェーハ１１を横切るようにＸ軸方向に相対移動され、Ｘ軸方向に伸びる照射予定ライン３６に沿ってレーザー光線３４を走査できる。

チャックテーブル４は、照射予定ライン３６の終点４０にレーザー光線３４が到達するまで移動される。終点４０は、ウェーハ１１を挟んで始点３８の反対側に位置しており、始点３８と同様にウェーハ１１とは重ならない。以上により、レーザー光線３４は、ウェーハ１１の外周縁と２点（点１１ｄ，１１ｅ）で交差する照射予定ライン３６に沿って走査される。

照射予定ライン３６の走査が終了した後には、レーザー変位計８をＹ軸方向に移動させて、ウェーハ１１の外周縁上の点１１ｆ，１１ｇを通過する照射予定ライン（軌道）４２についての走査を行う。

すなわち、始点３８とは異なる始点４４の上方にレーザー変位計８を位置付け、レーザー変位計８からレーザー光線３４を照射させつつ、チャックテーブル４をＸ軸方向に移動させる。

チャックテーブル４は、照射予定ライン４２の終点４６にレーザー光線３４が到達するまで移動される。これにより、レーザー光線３４は、ウェーハ１１の外周縁と２点（点１１ｆ，１１ｇ）で交差する照射予定ライン４２に沿って走査される。

図５は、本実施の形態の外周縁検出ステップにおいてレーザー変位計８から出力されるデータの例を示すグラフである。レーザー変位計８の照射部１８からチャックテーブル４の保持面４ａに向けて照射されたレーザー光線３４は、チャックテーブル４の保持面４ａ、又はウェーハ１１の表面１１ａで反射され、レーザー変位計８の受光部２０に入射する。

レーザー変位計８は、Ｘ軸方向に相対移動されているので、受光部２０の受光量は時間の経過と共に変化する。レーザー変位計８は、この受光量の変化に基づき、図５に示すような、Ｘ軸方向におけるウェーハ１１の高さ位置に関するデータを制御装置３０に出力する。

制御装置３０は、レーザー変位計８から出力されるデータに基づき、ウェーハ１１の外周縁上の点のＸ軸方向の座標（Ｘ座標）を検出する。具体的には、図５に示すように、高さ位置が急激に変化する座標を、ウェーハ１１の外周縁上の点１１ｄ（１１ｆ），１１ｅ（１１ｇ）のＸ座標として検出する。

制御装置３０において、照射予定ライン３６，４２のＹ軸方向の座標（Ｙ座標）は、Ｙ軸スケール２６、Ｙ軸センサ２８等に基づいて既知なので、制御装置３０は、外周縁上の点１１ｄ，１１ｅ，１１ｆ，１１ｇのＸ座標及びＹ座標（ＸＹ座標）を認識できる。制御装置３０は、外周縁上の点１１ｄ，１１ｅ，１１ｆ，１１ｇのＸＹ座標を、記憶装置３２に記憶させる。

外周縁検出ステップの後には、ウェーハ１１の中心の座標を算出する中心位置算出ステップを実施する。図６は、本実施の形態の中心位置算出ステップを模式的に示す平面図である。

制御装置３０は、外周縁検出ステップで検出された外周縁上の点１１ｄ，１１ｅ，１１ｆ，１１ｇのＸＹ座標を記憶装置３２から読み出し、これら４点のＸＹ座標から、図６に示すようにウェーハ１１の中心Ｏ１のＸＹ座標を算出する。

中心Ｏ１のＸＹ座標は、例えば、外周縁上の点１１ｄ，１１ｅ，１１ｆ，１１ｇのいずれか３点を頂点とする三角形の外接円の中心を求める方法を利用して算出できる。ただし、中心Ｏ１のＸＹ座標の算出方法は特に限定されない。その後、制御装置３０は、算出した中心Ｏ１のＸＹ座標を記憶装置３２に記憶させる。

中心位置算出ステップの後には、ウェーハ１１の中心Ｏ１とチャックテーブル４の回転中心との位置ずれ量を算出する位置ずれ算出ステップを実施する。図７は、本実施の形態の位置ずれ算出ステップを模式的に示す平面図である。

図７に示すように、制御装置３０は、ウェーハ１１の中心Ｏ１のＸＹ座標を記憶装置３２から読み出し、この中心Ｏ１とチャックテーブル４の回転中心Ｏ２との位置ずれ量（偏心距離ｄ及び偏心角度φ）を、下記式（１），（２）に基づいて算出する。偏心距離ｄは、中心Ｏ１と回転中心Ｏ２との距離に相当し、偏心角度φは、Ｘ軸方向に対して中心Ｏ１と回転中心Ｏ２とを結ぶ線分のなす角度に相当する。

なお、下記式（１），（２）において、Ｘ１は中心Ｏ１のＸ座標を表し、Ｙ１は中心Ｏ１のＹ座標を表し、Ｘ２は回転中心Ｏ２のＸ座標を表し、Ｙ２は回転中心Ｏ２のＹ座標を表す。Ｘ２及びＹ２は、Ｘ軸スケール２２、Ｘ軸センサ２４、Ｙ軸スケール２６、Ｙ軸センサ２８等に基づいて決定される。

位置ずれ算出ステップの後には、上記位置ずれ量（偏心距離ｄ及び偏心角度φ）に基づいて切削ブレード１６の切り込み位置を変化させながら、ウェーハ１１の外周縁を切削除去する外周縁除去ステップを実施する。図８（Ａ）は、本実施の形態の外周縁除去ステップを模式的に示す平面図であり、図８（Ｂ）は、本実施の形態の外周縁除去ステップを模式的に示す一部断面側面図である。

外周縁除去ステップにおいては、まず、スピンドル１４の軸心の延長線上にチャックテーブル４の回転中心Ｏ２を位置付ける。そして、チャックテーブル４を所定の速度で回転させつつ、ウェーハ１１の外周部分１１ｃに高速回転する切削ブレード１６を切り込ませる。

ここでは、位置ずれ算出ステップで算出した位置ずれ量に基づいて切削ブレード１６をＹ軸方向に移動させながら、ウェーハ１１に切り込ませる。回転中心Ｏ２から切削ブレード１６の切り込み位置Ｐまでの距離ｙは、ウェーハ１１の中心Ｏ１から切り込み位置Ｐまでの距離ｒ、チャックテーブル４の回転角度θ等を用いて、下記式（３）で表現される。

なお、ウェーハ１１の中心Ｏ１から切削ブレード１６の切り込み位置Ｐまでの距離ｒは、ウェーハ１１の仕上がり半径に相当する。この距離ｒとしては、ウェーハ１１の半径以下の値を任意に設定できる。

このように、位置ずれ算出ステップで算出した位置ずれ量（偏心距離ｄ及び偏心角度φ）、及びチャックテーブル４の回転角度θに基づいて、切削ブレード１６をＹ軸方向に移動させながら切り込ませることで、ウェーハ１１の中心Ｏ１から一定の距離ｒの位置を周方向に切削できる。

本実施の形態のウェーハの加工方法によれば、レーザー光線３４の走査によってウェーハ１１の外周縁を検出するので、ウェーハ１１の外周部分１１ｃにまで膜が形成されている場合や、チャックテーブル４とウェーハ１１との光学特性が近い場合のように、撮像画像中において十分なコントラストを得られない状況でも、ウェーハ１１の外周縁を精度よく検出できる。

よって、ウェーハ１１の中心Ｏ１と、チャックテーブルの回転中心Ｏ２との位置ずれ量を正確に算出して、ウェーハ１１の外周部分１１ｃを適切に切削できる。

なお、本発明は上記実施の形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施の形態では、外周縁検出ステップにおいて、外周縁上の４点（点１１ｄ，１１ｅ，１１ｆ，１１ｇ）のＸＹ座標を検出しているが、本発明はこれに限定されない。少なくとも、外周縁上の３点以上のＸＹ座標を検出できれば、ウェーハ１１の中心Ｏ１の座標を算出できる。

また、上記実施の形態では、加工対象のウェーハ１１として半導体ウェーハを用いているが、本発明の加工対象はこれに限定されない。例えば、ＴＳＶ（ＴｈｒｏｕｇｈＳｉｌｉｃｏｎＶｉａ）ウェーハ等の貼り合わせウェーハを加工対象としても良い。

その他、上記実施の形態に係る構成、方法などは、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。

１１ウェーハ
１１ａ表面
１１ｂ裏面
１１ｃ外周部分
１１ｄ，１１ｅ，１１ｆ，１１ｇ点
１３デバイス領域
１５外周余剰領域
１７分割予定ライン（ストリート）
１９デバイス
２切削装置
４チャックテーブル（保持手段）
４ａ保持面
６ブレードユニット（切削手段）
８レーザー変位計
１０Ｘ軸移動機構（加工送り手段）
１２スピンドルハウジング
１４スピンドル
１６切削ブレード
１８照射部
２０受光部
２２Ｘ軸スケール
２４Ｘ軸センサ
２６Ｙ軸スケール
２８Ｙ軸センサ
３０制御装置（制御手段）
３２記憶装置（記憶手段）
３４レーザー光線
３６，４２照射予定ライン（軌道）
３８，４４始点
４０，４６終点

Claims

ウェーハを保持する保持面を有するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された該ウェーハをＹ軸方向に軸心を有するスピンドルに装着した切削ブレードで該Ｙ軸方向と直交するＸ軸方向に加工する切削手段と、を備えた切削装置を用い、該ウェーハの外周縁を切削して除去するウェーハの加工方法であって、
該チャックテーブルの該保持面にウェーハを載置して保持するウェーハ保持ステップと、
該ウェーハ保持ステップの後に、該保持面における該ウェーハの外周縁のＸＹ座標を３点以上検出する外周縁検出ステップと、
該外周縁検出ステップで検出された該外周縁のＸＹ座標から該ウェーハの中心位置のＸＹ座標を算出する中心位置算出ステップと、
該中心位置算出ステップで算出された該ウェーハの中心位置と、該チャックテーブルの回転中心位置との位置ずれ量を算出する位置ずれ算出ステップと、
該位置ずれ算出ステップの後に、該スピンドルの該軸心の延長線上に該チャックテーブルの回転中心を位置付け、該チャックテーブルを回転させながら該位置ずれ量と該チャックテーブルの回転角度とに基づいて、該チャックテーブルの回転中心を通る該Ｙ軸方向に該切削ブレードを移動させつつ、該ウェーハの外周縁を該ウェーハの中心位置から略同一の距離で周方向に切削する外周縁除去ステップと、を備え、
該外周縁検出ステップでは、レーザー変位計からレーザー光線を該保持面に向けて照射しつつ該レーザー変位計と該チャックテーブルを該Ｘ軸方向、該Ｙ軸方向に相対移動させて該レーザー光線を走査させ、走査した軌道が該ウェーハの外周縁と交差することで外周縁のＸＹ座標を検出することを特徴とするウェーハの加工方法。