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JP2014238314A - 光学非破壊検査方法及び光学非破壊検査装置 - Google Patents

光学非破壊検査方法及び光学非破壊検査装置 Download PDF

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Landscapes

  • Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

【課題】加熱用レーザを照射して温度上昇特性を求めて測定対象物の内部の状態を検査する前に、測定対象物の外観の状態が、加熱用レーザを用いた検査をするべき状態であるか否かをより適切に検査することが可能であり、検査時間をより短時間で行うことができる、光学非破壊検査方法及び光学非破壊検査装置を提供する。【解決手段】加熱用レーザ光源と少なくとも1つの赤外線検出手段と制御手段とを用いた加熱用レーザ照射ステップを実行する前に、移動ステップと撮像ステップと輪郭抽出ステップと、抽出した第1部材の輪郭と記憶している理想モデル輪郭情報とに基づいて第1部材の外観の状態を評価する評価ステップとを実行し、第1部材の外観の状態が加熱用レーザを用いた検査をするべき状態であると判定した場合、実際の第1部材上に測定スポットを設定し、加熱用レーザ照射ステップ以降のステップを実行して測定対象物の内部の状態を判定する。【選択図】図4

Description

本発明は、光学非破壊検査方法及び光学非破壊検査装置に関する。
例えば半導体チップに電極をワイヤボンディングで接続する場合、種々の方法で電極とワイヤを接合するが、電極とワイヤとが適切に接合されていることを検査する必要がある。
従来では、接合個所を顕微鏡等で拡大して作業者が目視で検査したり、所定のサンプルを抜き取り、電極とワイヤを破壊してその強度等を検査したりしていた。破壊検査の方法としては、例えば接合部にせん断応力を印加してせん断破壊するシェアと呼ばれる方法や、接合したワイヤを引張ってワイヤを剥がし破壊するプルと呼ばれる方法がある。
作業者の目視で検査した場合、作業者のスキルによる差や、同じ作業者であっても疲れや体調等による差が発生するので、検査結果の信頼性が低く、検査の効率も悪い。
また抜き取りサンプルで破壊検査をした場合、実際にサンプルとして破壊されなかった対象物のすべて(抜き取られなかった残りのすべて)が、破壊したサンプルと同じ状態であると保証することはできない。
例えば特許文献1には、ワイヤボンディングによる接合状態の良否を、非接触にて接合部の面積から判定するために、ワイヤの対象位置をレーザで加熱し、加熱位置から放射される微少量の赤外線を2波長赤外放射温度計を用いて飽和温度に達するまでの温度変移を測定し、温度変移から接合面積と相関のある数値を求め、その数値から良否を判定する、微小径ワイヤボンディングの良否判定方法及び判定装置が記載されている。
また特許文献2には、ボンディング面とワイヤとの接合部において、シェアツールを用いてワイヤをせん断して、その強度を測定し、ボンディング面に残った接合痕を撮影し、接合痕の所定個所の面積等に基づいて接合状態の良否を判定する、ワイヤボンド検査装置及びワイヤボンド検査方法が開示されている。
また特許文献3には、ワイヤボンディング後の物品を撮像装置で撮像して得られた画像上のワイヤ像の形状を認識する方法であって、画像上のワイヤ像を、画像の分解能よりも粗い間隔で離散的な点列として認識し、離散的な点列によってワイヤ像の形状を表現する、ボンディングワイヤ形状認識方法が開示されている。
また特許文献4には、撮像対象物を撮像した撮像信号を、2値化手段にて画素毎に2値化信号に変換し、変換した2値化信号とメモリに登録されているテンプレートとを対応画素毎に比較して一致した画素数の大小で類似度を求めるテンプレートマッチング方式において、1つのテンプレートに対して拡大された形状のテンプレートと、縮小された形状のテンプレートと、を登録しておき、変換した2値化信号と、各テンプレートとを比較し、一致した画素数により類似度を求める、テンプレートマッチング方式が開示されている。
特開2011−191232号公報 特開2011−29275号公報 特開平6−323822号公報 特開昭63−298488号公報
特許文献1に記載された加熱用レーザを用いたワイヤボンディングの良否判定を行う際、接合されているワイヤの外観の状態が、加熱用レーザを用いた検査をするべき状態であるか否かを判定することは、非常に重要である。ワイヤの外観の状態が明らかに検査するべき状態でない場合は検査が無駄になり、検査時間が必要以上に長くかかるためである。しかし特許文献1には、接合されているワイヤの外観の状態が、加熱用レーザを用いた検査をするべき状態であるか否かを判定する点について記載がされていない。
また特許文献2は、いわゆる破壊検査であり、実際に破壊したサンプルが良品であると判定されても、実際にサンプルとして破壊されなかった対象物のすべて(抜き取られなかった残りのすべて)が、破壊したサンプルと同じ状態であると保証することはできない。
また特許文献3は、画像の分解能よりも粗い間隔の離散的な点列としてボンディング後のワイヤの形状を画像認識しているが、加熱用レーザを用いた検査をするべき外観の状態であるか否かを判定する点についての記載はない。
また特許文献4は、2値化信号とテンプレートとの対応する各画素を比較しているので比較に非常に時間がかかり、このテンプレートマッチング方式を利用して、加熱用レーザを用いた検査をするべき外観の状態であるか否かを判定した場合、判定時間が非常に長くなることが予想されるので好ましくない。
本発明は、このような点に鑑みて創案されたものであり、加熱用レーザを照射して温度上昇特性を求めて測定対象物の内部の状態を検査する前に、測定対象物の外観の状態が、加熱用レーザを用いた検査をするべき状態であるか否かをより適切に検査することが可能であり、検査時間をより短時間で行うことができる、光学非破壊検査方法及び光学非破壊検査装置を提供することを課題とする。
上記課題を解決するため、本発明に係る光学非破壊検査方法及び光学非破壊検査装置は次の手段をとる。
まず、本発明の第1の発明は、測定対象物を破壊することなく加熱する出力に設定された加熱レーザ波長の加熱用レーザを出射する加熱用レーザ光源と、赤外線を検出可能な少なくとも1つの赤外線検出手段と、前記加熱用レーザ光源を制御するとともに前記赤外線検出手段からの検出信号を取り込む制御手段と、を用い、前記制御手段から前記加熱用レーザ光源を制御して、測定対象物上に設定した測定スポットに向けて加熱用レーザを照射する、加熱用レーザ照射ステップと、前記制御手段にて前記測定スポットから放射される光の中から取り出した所定赤外線波長の赤外線を前記赤外線検出手段を用いて検出する、放射赤外線検出ステップと、前記制御手段にて、前記放射赤外線検出ステップにて検出した検出値と、前記加熱用レーザ照射ステップによる加熱用レーザの照射時間である加熱時間と、に基づいて、加熱時間に応じた前記測定スポットの温度上昇状態である温度上昇特性を測定する、温度上昇特性測定ステップと、前記制御手段にて、前記温度上昇特性に基づいて、測定対象物の状態を判定する、判定ステップと、を有する光学非破壊検査方法において、前記測定対象物は、2つの部材である第1部材と第2部材を接合した接合部を含む接合構造部位である。
そして、撮像手段と移動手段と記憶手段と前記制御手段と、を用い、前記記憶手段には、理想的な前記測定対象物の前記第1部材の輪郭に関する理想モデル輪郭情報が記憶されており、前記加熱用レーザ照射ステップを実行する前に、前記制御手段から前記移動手段を制御して、前記測定対象物を撮像可能な予め設定された位置へと前記測定対象物に対する前記撮像手段の位置を相対的に移動させる移動ステップと、移動先において前記制御手段から前記撮像手段を制御して、前記測定対象物の画像データを取得する撮像ステップと、前記制御手段にて、取得した画像データから前記第1部材の輪郭を抽出する輪郭抽出ステップと、前記制御手段にて、抽出した前記第1部材の輪郭と前記記憶手段に記憶されている前記理想モデル輪郭情報とに基づいて、抽出した第1部材の輪郭に基づいた前記第1部材の外観の状態を評価する評価ステップと、を実行する。
そして前記制御手段にて、前記評価ステップの結果、抽出した前記第1部材の輪郭に基づいた前記第1部材の外観の状態が、前記加熱用レーザを用いた検査をするべき状態であると判定した場合に、実際の前記第1部材上に前記測定スポットを設定し、前記加熱用レーザ照射ステップと、前記放射赤外線検出ステップと、前記温度上昇特性測定ステップと、前記判定ステップと、を実行して前記測定対象物の内部の状態を判定する、光学非破壊検査方法である。
この第1の発明では、加熱用レーザ照射ステップを実行する前に、移動ステップと撮像ステップと輪郭抽出ステップと評価ステップとを実行し、評価ステップにて第1部材の輪郭に基づいた第1部材の外観の状態が、加熱用レーザを用いた検査をするべき状態であると判定された場合に、第1部材上に測定スポットを設定し、加熱用レーザ照射ステップ以降を実行する。
これにより、測定対象物の外観の状態が、加熱用レーザを用いた検査をするべき状態であるか否かを適切に判定することができるので、加熱用レーザを用いた検査をするに値しない状態で無駄な検査を行うことを排除し、検査時間をより短時間で行うことができる。
次に、本発明の第2の発明は、上記第1の発明に係る光学非破壊検査方法であって、前記理想モデル輪郭情報には、理想的な前記第1部材の輪郭を特定可能な所定個所に関連する数値が前記所定個所に対応付けられて記憶されており、前記評価ステップにおいて、前記制御手段にて判定する前記第1部材の外観の状態は前記第1部材の形状であり、前記制御手段にて、抽出した前記第1部材の輪郭から基準位置を抽出し、抽出した基準位置に基づいて、抽出した前記第1部材の輪郭における前記所定個所を特定し、特定した前記所定個所に相当する個所に関連する数値を求め、求めた数値が、前記記憶手段に記憶されている前記理想モデル輪郭情報の前記所定個所に関連する数値に対して許容範囲内である場合に、前記第1部材の輪郭に基づいた前記第1部材の形状が検査するべき形状であると判定する、光学非破壊検査方法である。
この第2の発明では、評価ステップにて判定する第1部材の外観の状態は第1部材の形状であり、第1部材の輪郭に基づいて第1部材の形状を評価する方法は、比較的時間がかかるテンプレートマッチング方式ではなく、第1部材の輪郭において基準位置に対する所定個所に関連する数値が、理想モデル輪郭情報の所定個所に関連する数値に対して許容範囲内であるか否かを判定する方法である。
これにより、テンプレートマッチング方式と比較して、非常に短時間に、第1部材の輪郭に基づいた第1部材の形状が、加熱用レーザを用いた検査をするべき形状であるか否かを判定することができる。
次に、本発明の第3の発明は、上記第2の発明に係る光学非破壊検査方法であって、前記第1部材は線状部材であり、長手方向における一方の端部の近傍が前記第2部材と接合されており、前記撮像ステップにて撮像された前記画像データには、前記第1部材の前記一方の端部が撮像されており、前記基準位置は、抽出した前記第1部材の輪郭における前記一方の端部の輪郭の位置である、光学非破壊検査方法である。
この第3の発明では、第1部材は線状部材であり、第1部材の輪郭における一方の端部の輪郭の位置を基準位置とする。
これにより、容易に、且つ短時間に、適切な基準位置を設定することが可能であり、関連する数値を求める際の所定個所を、容易に、且つ短時間に特定することができる。
次に、本発明の第4の発明は、上記第3の発明に係る光学非破壊検査方法であって、理想的な前記第1部材では、前記一方の端部から前記長手方向に沿う方向に第1所定距離だけ離れた位置から、前記一方の端部から第1所定距離よりも長い第2所定距離だけ離れた位置までが前記接合部であり、前記評価ステップにおいて、抽出した前記第1部材の輪郭に対して、前記基準位置から前記長手方向に沿う方向に、前記第1所定距離だけ離れた位置に前記長手方向にほぼ直交する第1仮想直線を設定し、前記第1部材の輪郭と前記第1仮想直線との交点である第1基準点と第2基準点を求め、抽出した前記第1部材の輪郭に対して、前記基準位置から前記長手方向に沿う方向に、前記第2所定距離だけ離れた位置に前記長手方向にほぼ直交する第2仮想直線を設定し、前記第1部材の輪郭と前記第2仮想直線との交点である第3基準点と第4基準点を求め、前記第1基準点〜前記第4基準点に基づいて特定した前記所定個所に関連する距離または角度を示す数値と、前記理想モデル輪郭情報の前記所定個所に関連する数値と、を比較して求めた距離または角度が許容範囲内であるか否かを判定することで、前記第1部材の輪郭に基づいた前記第1部材の形状が検査するべき形状であるか否かを判定する、光学非破壊検査方法である。
この第4の発明では、第1部材の輪郭に対して、基準位置からの所定の位置となる第1基準点〜第4基準点を、接合部の仮の四隅として設定し、当該第1基準点〜第4基準点に基づいて特定した所定個所に関連する距離または角度を示す数値と、理想モデル輪郭情報の所定個所に関連する数値とを比較する。
これにより、容易に、且つ短時間に、所定個所を適切に特定することが可能であり、所定個所に関連する数値を求めることと、理想モデル輪郭情報の所定個所に関連する数値との比較を、容易に、且つ短時間に行うことができる。
次に、本発明の第5の発明は、上記第4の発明に係る光学非破壊検査方法であって、前記第1部材上に前記測定スポットを設定する際、前記第1部材における前記接合部と反対の側の表面であって前記第1基準点〜前記第4基準点を頂点とする四角形の重心の位置を前記測定スポットとして設定する、光学非破壊検査方法である。
この第5の発明では、第1部材の輪郭に基づいた第1部材の形状が、加熱用レーザを用いた検査をするべき形状であると判定して測定スポットを設定する際、第1基準点〜第4基準点を頂点とする四角形の重心の位置を測定スポットとして設定する。
これにより、接合部のほぼ中央部へと、適切に測定スポットを設定することが可能であり、加熱用レーザにて発生させた熱を接合部の全体に均一に伝播させることができる。
次に、本発明の第6の発明は、上記第1の発明〜第5の発明のいずれか1つに係る光学非破壊検査方法であって、前記測定スポットは、前記第1部材における前記接合部と反対の側の表面に設定されており、判定する前記測定対象物の内部の状態とは、前記接合部の面積の大きさであり、前記記憶手段には、前記第1部材と前記第2部材との前記接合部の面積が許容下限のサンプルの温度上昇特性である下限温度上昇特性と、前記接合部の面積が許容上限のサンプルの温度上昇特性である上限温度上昇特性と、が記憶されており、前記制御手段にて前記判定ステップにおいて、前記温度上昇特性測定ステップにて測定した前記温度上昇特性と、前記記憶手段に記憶されている前記下限温度上昇及び前記上限温度上昇特性と、を比較して前記第1部材と前記第2部材との前記接合部の面積が許容範囲内であるか否かを判定する、光学非破壊検査方法である。
この第6の発明では、測定対象物の内部の状態とは、接合部の面積の大きさであり、記憶手段に、下限温度上昇特性と上限温度上昇特性を記憶させておく。
そして制御手段にて、測定した温度上昇特性と、下限温度上昇特性及び上限温度上昇特性と、を比較することで、接合部の面積が許容範囲内であるか否かを判定する。
これにより、接合部が所望する接合状態(所望する接合面積)であるか否かを適切に判定することができる。
次に、本発明の第7の発明は、上記第1の発明〜第6の発明のいずれか1つに係る光学非破壊検査方法であって、前記制御手段からの出力信号に基づいた画像を表示可能な表示手段を用い、前記制御手段から、前記判定ステップの結果に関する情報を前記表示手段に表示させる、光学非破壊検査方法である。
この第7の発明では、判定ステップの結果に関する情報を表示手段に表示する。
判定結果の良否の表示だけでなく、例えば測定した温度上昇特性と、理想的な面積に相当する温度上昇特性と、許容下限の面積に相当する温度上昇特性と、許容上限の面積に相当する温度上昇特性と、を重ねて表示することで、作業者は、良否の状態だけでなく、理想状態からどれくらい下限側あるいは上限側にずれているか、を容易に認識することができるので、測定対象物の品質のばらつきの管理に役立てることができる。
次に、本発明の第8の発明は、上記第1の発明〜第7の発明のいずれか1つに係る光学非破壊検査方法を実施するための光学非破壊検査装置である。
この第8の発明では、加熱用レーザを照射して温度上昇特性を求めて測定対象物の内部の状態を判定する前に、測定対象物の外観の状態が、加熱用レーザを用いた検査(内部の状態の検査)をするべき状態であるか否かをより適切に判定することが可能であり、無駄な検査を排除して検査時間をより短時間で行うことができる光学非破壊検査装置を適切に実現することができる。
測定対象物の例を説明する図であり、ワイヤボンディングにて電極にワイヤを接合した状態の例を説明する図である。 光学非破壊検査装置の全体構成の例を説明する図である。 図2に示す光学非破壊検査装置のレーザヘッド部の内部の構成の例を説明する図である。 光学非破壊検査方法の処理手順の全体の流れを説明するフローチャートである。 光学非破壊検査方法の処理手順における接合部形状検査処理の処理手順の例を説明するフローチャートである。 光学非破壊検査方法の処理手順におけるレーザ照射検査処理の処理手順の例を説明するフローチャートである。 (A)は電極上に接合したワイヤの概略斜視図であり、(B)は電極上に接合したワイヤの概略側面図であり、(C)は電極上に接合したワイヤの概略平面図である。 (A)は抽出したワイヤ(第1部材)の輪郭と、基準位置及び基準点と、ボンド幅を求める例を説明する図であり、(B)は抽出したワイヤ(第1部材)の輪郭と、ワイヤ角度、ワイヤ幅を求める例を説明する図である。 赤外線波長と赤外線エネルギーと温度の関係を説明する図である。 温度と、異なる2波長の赤外線のエネルギーの比(2波長比)の関係を説明する図である。 測定した温度上昇特性と、下限温度上昇特性と、上限温度上昇特性と、理想温度上昇特性と、を重ねた例を説明する図である。 測定対象物の状態の判定結果に関する情報を表示手段に表示した例を説明する図である。
以下に本発明を実施するための形態を図面を用いて説明する。
●[測定対象物の例(図1)]
図1を用いて測定対象物の例について説明する。
図1(A)は、基板90上に設けた各電極92に、径(幅)が数10[μm]〜数100[μm]程度のアルミニウム等のワイヤ93の一方端をワイヤボンディングにて接合し、基板90上のベース91上に接着剤95等にて固定した半導体チップ94の各端子に、ワイヤ93の他方端をワイヤボンディングにて接合した状態の斜視図を示している。
また図1(B)は、図1(A)をB方向から見た図である。
なお、ワイヤ93は第1部材に相当し、電極92は第2部材に相当している。
電極92にワイヤ93が適切に接合されているか否かを判定するには、接合部96の面積(ワイヤ93と対向している電極92の面と平行な方向の面積)が許容範囲内であるか否かで接合状態(内部の状態)の良否を判定すればよい。
そこで、図1(B)の接合構造部位97の拡大図に示すように、接合構造部位97のワイヤ93の表面に測定スポットSPを設定し、測定スポットSPに加熱用レーザを照射して加熱する。すると、測定スポットSPの温度は徐々に上昇し、測定スポットSPからワイヤ93内及び接合部96を経由して電極92へと熱が伝播される。また測定スポットSPを含む接合構造部位97からは、上昇した温度に応じた赤外線が放射される。
また測定スポットSPの温度は徐々に上昇するが、加熱量と放熱量が一致する飽和温度に達すると、温度の上昇が止まり、加熱を継続してもほぼ一定の温度となる。ここで、接合部96の面積が比較的大きい場合は熱伝導量が多いので、加熱時間に応じた温度の上昇が比較的緩やかで飽和温度は比較的低くなり、接合部96の面積が比較的小さい場合は熱伝導量が少ないので(電極92に伝播される熱が少ない)、加熱時間に応じた温度の上昇が比較的急峻で飽和温度は比較的高くなる。
従って、測定スポットSPに加熱レーザを照射して図11に示すような温度上昇特性を測定し、温度上昇特性に基づいて、接合部96の面積の大きさを求め、求めた接合部96の面積が許容範囲内であるか否かを判定して接合状態(測定対象物の内部の状態)の良否を判定することが可能である。
図1に示す測定対象物にて、測定スポットSPをワイヤ93に設定し、測定スポットSPを加熱用レーザにて加熱しながら測定スポットSPから放射された赤外線のエネルギーを検出し、検出した赤外線エネルギーに基づいて接合構造部位97の温度上昇特性を求め、求めた温度上昇特性から接合構造部位97の接合状態(内部の状態)を判定することができる。
しかし、電極92にワイヤ93が接合された接合構造部位97の接合部の検査において、電極へのワイヤの接合状態によっては、外観上、検査するまでもなく明らかな不良品である場合がある。外観が明らかな不良品である場合は、加熱用レーザを用いて接合部の内部の状態の検査に時間をかけても無駄であるので(外観上で、不良品であることが確定しているため)、外観が明らかな不良品である場合は加熱用レーザを用いて接合部の内部の状態を検査を行わないほうが、検査時間をより短縮化できるので好ましい。
以降の説明にて、加熱用レーザを照射して温度上昇特性を求めて測定対象物の内部の状態を検査する前に、測定対象物の外観の状態が、加熱用レーザを用いた検査をするべき状態であるか否かをより適切に判定することが可能であり、検査時間をより短時間で行うことができる、光学非破壊検査方法の詳細について説明する。
●[光学非破壊検査装置1の構成の例(図2、図3)]
光学非破壊検査方法を説明する前に、光学非破壊検査方法にて用いる光学非破壊検査装置1の構成について説明する。
図2は、光学非破壊検査装置1の全体構成の斜視図を示しており、図3は、図2に示す光学非破壊検査装置1のレーザヘッド部73の内部の構成の例を示している。なお、各図においてX軸、Y軸、Z軸が示されている場合、X軸とY軸とZ軸は互いに直交しており、Z軸は鉛直上方に向かう方向を示しており、X軸とY軸は水平方向を示している。
図2に示すように、光学非破壊検査装置1は、基台70、支持部71、レーザヘッド部73、Z軸方向移動手段73Z、撮像手段74、X軸方向スライドテーブル75、X軸方向移動手段75X、Y軸方向スライドテーブル76、Y軸方向移動手段76Y、制御手段50等にて構成されている。
基台70には、支持部71が固定されている。
レーザヘッド部73は、支持部71に対してZ軸方向にスライド可能に支持されている。またZ軸方向移動手段73Z(エンコーダを備えた電動モータ等)は、制御手段50からの制御信号に基づいて、支持部71に対するレーザヘッド部73のZ軸方向の位置を相対的に移動し、移動量に応じた検出信号を制御手段50に出力する。またレーザヘッド部73には、CCDカメラ等の撮像手段74が取り付けられている。
X軸方向スライドテーブル75は基台70上に載置され、X軸方向移動手段75X(エンコーダを備えた電動モータ等)は、制御手段50からの制御信号に基づいて、基台70に対するX軸方向スライドテーブル75のX軸方向の位置を相対的に移動し、移動量に応じた検出信号を制御手段50に出力する。
Y軸方向スライドテーブル76はX軸方向スライドテーブル75上に載置され、Y軸方向移動手段76Y(エンコーダを備えた電動モータ等)は、制御手段50からの制御信号に基づいて、X軸方向スライドテーブル75に対するY軸方向スライドテーブル76のY軸方向の位置を相対的に移動し、移動量に応じた検出信号を制御手段50に出力する。
測定対象物(図2の例では、基板90及び半導体チップ94における電極とワイヤの接合構造部位)は、Y軸方向スライドテーブル76上に載置されている。
なお、Z軸方向移動手段73Z、X軸方向移動手段75X、Y軸方向移動手段76Yは、いずれも移動手段に相当する。
制御手段50は、例えばパーソナルコンピュータであり、ハードディスク等の記憶手段60が接続されている。本実施の形態の例では、制御手段50が記憶手段60を内臓しているが、記憶手段60は制御手段50の外部に設けられていてもよい。
そして制御手段50は、Z軸方向移動手段73Zに制御信号を出力するとともにZ軸方向移動手段73Zからの検出信号を取り込み、測定対象物に対するレーザヘッド部73のZ軸方向の相対的な位置を制御する。
また制御手段50は、X軸方向移動手段75Xに制御信号を出力するとともにX軸方向移動手段75Xからの検出信号を取り込み、測定対象物に対するレーザヘッド部73のX軸方向の相対的な位置を制御し、Y軸方向移動手段76Yに制御信号を出力するとともにY軸方向移動手段76Yからの検出信号を取り込み、測定対象物に対するレーザヘッド部73のY軸方向の相対的な位置を制御する。
また制御手段50は、撮像手段74に制御信号を出力して測定対象物の画像データを取り込み、取り込んだ画像データに基づいて、測定対象物の外観が、加熱用レーザを用いた検査をするべき状態であるか否かを判定する。そして制御手段50は、測定対象物の外観が、加熱用レーザを用いた検査をするべき状態であると判定した場合、レーザヘッド部73に制御信号を出力して加熱用レーザを照射し、レーザヘッド部73からの検出信号に基づいて、測定対象物の内部の状態を検査する。
本実施の形態にて説明する光学非破壊検査方法では、図2及び図3に示す光学非破壊検査装置1を用いて、測定スポットSPに加熱用レーザを照射して測定対象物の内部の状態を検査する前に、撮像手段74にてまず測定対象物を撮像し、測定対象物の外観が、加熱用レーザを用いた検査をするべき状態であると判定した場合に、加熱用レーザを用いて測定対象物の内部の状態を判定する。
次に図3を用いて、レーザヘッド部73の内部の構成の詳細について説明する。
レーザヘッド部73は、集光コリメート手段10、加熱用レーザ光源21、加熱用レーザコリメート手段41、加熱レーザ用選択反射手段11A、第1赤外線検出手段31、第1赤外線用選択反射手段12A、第1赤外線集光手段51、第2赤外線検出手段32、第2赤外線用選択反射手段13A、第2赤外線集光手段52等にて構成されている。
なお、レーザヘッド部73の内部の構成は、図3に示す構成に限定されるものではない。例えば赤外線検出手段を1個にして、反射率測定用のレーザ光源と光センサ等を追加し、反射率に基づいて赤外線検出手段にて検出した検出値を補正するように構成することもできる。
集光コリメート手段10は、自身の光軸に沿って一方の側から(図3の例では上方から)入射された平行光を、焦点位置として測定対象物上に設定した測定スポットSPに向けて集光して他方の側から(図3の例では下方から)出射する。
また集光コリメート手段10は、(焦点位置である)測定スポットSPから放射及び反射されて他方の側から入射された光を、自身の光軸に沿った平行光に変換して一方の側から出射する。
なお集光コリメート手段10は、光を透過させて屈折する集光レンズで構成することも可能であるが、異なる複数の波長の光を扱うので、色収差が発生する集光レンズではあまり好ましくない。そこで、(非球面)反射ミラー10A、10Bにて集光コリメート手段を構成することで、色収差の発生を排除し、広い波長帯に対応させている。
加熱用レーザ光源21は、測定対象物を破壊することなく加熱することが可能な出力に調整された、加熱レーザ波長(λa)の加熱用レーザを、制御手段50からの制御信号に基づいて出射する。例えば加熱用レーザ光源21は、半導体レーザである。
加熱用レーザコリメート手段41は、加熱用レーザ光源21の近傍(レーザ出射位置の近傍であって加熱用レーザの光軸上)に配置されて、加熱用レーザ光源21から出射された加熱用レーザを平行光の加熱用レーザLaに変換する。例えば加熱用レーザコリメート手段41は、加熱レーザ波長(λa)の光のみを平行光に変換すればよいので、コリメートレンズでよい。なお加熱用レーザ光源21が平行光の加熱用レーザを出射できるのであれば加熱用レーザコリメート手段41を省略することができる。
加熱レーザ用選択反射手段11Aは、集光コリメート手段10の光軸上に配置されて、加熱用レーザ光源21から出射されて平行光に変換された加熱レーザ波長(λa)の加熱用レーザLaを集光コリメート手段10の一方の側に向けて反射するとともに、測定スポットSPから放射及び反射されて集光コリメート手段10の一方の側から出射された加熱レーザ波長(λa)とは異なる波長の平行光L12を透過する。例えば加熱レーザ用選択反射手段11Aは、加熱レーザ波長(λa)の光を反射し、加熱レーザ波長(λa)以外の波長の光を透過するダイクロイックミラーである。
そして、加熱用レーザコリメート手段41と加熱レーザ用選択反射手段11Aにて加熱用レーザ導光手段が構成されており、加熱用レーザ導光手段は、加熱用レーザ光源21から出射された加熱用レーザを、平行光に変換して集光コリメート手段10の一方の側へと導く。
第1赤外線検出手段31は、測定スポットSPから放射された赤外線のエネルギーを検出可能であり、例えば第1赤外線検出手段31は、赤外線センサである。なお第1赤外線検出手段31からの検出信号は制御手段50に取り込まれる。
第1赤外線用選択反射手段12Aは、集光コリメート手段10の一方の側から出射されて加熱レーザ用選択反射手段11Aを透過してきた平行光L12(加熱レーザ波長とは異なる波長の平行光)の経路上に配置されている(この場合、集光コリメート手段10の光軸上に配置されている)。そして第1赤外線用選択反射手段12Aは、集光コリメート手段10の一方の側から出射されて加熱レーザ用選択反射手段11Aを透過してきた平行光L12の中から第1赤外線波長(λ1)の赤外線の平行光L1を第1赤外線検出手段31に向けて反射し、第1赤外線波長(λ1)とは異なる波長の平行光L13を透過する。
従って、第1赤外線検出手段31は、第1赤外線波長(λ1)の赤外線のエネルギーのみを検出する。例えば第1赤外線用選択反射手段12Aは、第1赤外線波長(λ1)の光を反射し、第1赤外線波長(λ1)以外の波長の光を透過するダイクロイックミラーである。
また第1赤外線集光手段51は、第1赤外線検出手段31の近傍(検出位置の近傍)に配置されて、第1赤外線用選択反射手段12Aにて反射された第1赤外線波長(λ1)の平行光L1の赤外線を、第1赤外線検出手段31に向けて集光する。例えば第1赤外線集光手段51は、第1赤外線波長(λ1)の光のみを集光すればよいので、集光レンズでよい。
そして、加熱レーザ用選択反射手段11Aと第1赤外線用選択反射手段12Aと第1赤外線集光手段51にて第1放射赤外線導光手段が構成されており、第1放射赤外線導光手段は、測定スポットSPから放射されて集光コリメート手段10の一方の側から出射されて加熱レーザ用選択反射手段11Aを透過してきた平行光L12の中から第1赤外線波長(λ1)の赤外線を、第1赤外線検出手段31へと導く。
第2赤外線検出手段32は、測定スポットSPから放射された赤外線のエネルギーを検出可能であり、例えば第2赤外線検出手段32は、赤外線センサである。なお第2赤外線検出手段32からの検出信号は制御手段50に取り込まれる。
第2赤外線用選択反射手段13Aは、集光コリメート手段10の一方の側から出射されて加熱レーザ用選択反射手段11A及び第1赤外線用選択反射手段12Aを透過してきた平行光L13(加熱レーザ波長及び第1赤外線波長とは異なる波長の平行光)の経路上に配置されている(この場合、集光コリメート手段10の光軸上に配置されている)。そして第2赤外線用選択反射手段13Aは、集光コリメート手段10の一方の側から出射されて加熱レーザ用選択反射手段11A及び第1赤外線用選択反射手段12Aを透過してきた平行光L13の中から第2赤外線波長(λ2)の赤外線の平行光L2を第2赤外線検出手段32に向けて反射し、第2赤外線波長(λ2)とは異なる波長の平行光L14を透過する。なお、透過した平行光L14は不要であるので、例えば光吸収体等に吸収させる。
従って、第2赤外線検出手段32は、第2赤外線波長(λ2)の赤外線のエネルギーのみを検出する。例えば第2赤外線用選択反射手段13Aは、第2赤外線波長(λ2)の光を反射し、第2赤外線波長(λ2)以外の波長の光を透過するダイクロイックミラーである。
また第2赤外線集光手段52は、第2赤外線検出手段32の近傍(検出位置の近傍)に配置されて、第2赤外線用選択反射手段13Aにて反射された第2赤外線波長(λ2)の平行光L2の赤外線を、第2赤外線検出手段32に向けて集光する。例えば第2赤外線集光手段52は、第2赤外線波長(λ2)の光のみを集光すればよいので、集光レンズでよい。
そして、加熱レーザ用選択反射手段11Aと第1赤外線用選択反射手段12Aと第2赤外線用選択反射手段13Aと第2赤外線集光手段52にて第2放射赤外線導光手段が構成されており、第2放射赤外線導光手段は、測定スポットSPから放射されて集光コリメート手段10の一方の側から出射されて加熱レーザ用選択反射手段11A及び第1赤外線用選択反射手段12Aを透過してきた平行光L13の中から第2赤外線波長(λ2)の赤外線を、第2赤外線検出手段32へと導く。
制御手段50は、加熱用レーザ光源21を制御して加熱用レーザLaを出射させ、加熱用レーザにて測定スポットSPを加熱しながら第1赤外線検出手段31からの検出信号と第2赤外線検出手段32からの検出信号を取り込み、第1赤外線検出手段31からの検出値と第2赤外線検出手段32からの検出値との比に基づいて測定スポットSPの温度を測定する。なお、温度の測定方法については後述する。
そして制御手段50は、加熱時間に応じた測定スポットの温度上昇状態である温度上昇特性を測定し、測定した温度上昇特性に基づいて測定対象物の内部の状態を判定する。
なお、制御手段50の動作の詳細については後述する。
記憶手段60は例えばハードディスク等の記憶装置であり、求めた温度上昇特性から接合部の状態の判定を支援するデータ等(詳細は後述する)が記憶されている。
本願の特徴は、接合構造部位97のワイヤ93の表面に加熱用レーザLaを照射して温度上昇特性を求めて接合構造部位の内部の状態を検査する前に、接合構造部位97におけるワイヤ93の外観の形状が、接合構造部位の内部の状態の検査に値する外観の状態であるか否かを判定し、内部の状態を検査するべき外観の状態であると判定した場合に加熱用レーザを照射して接合構造部位の内部の状態を判定する。内部の状態を検査するべき外観の状態でないと判定された場合は加熱用レーザを照射する検査を行わないことで、無駄な検査を行わない。このため、無駄な検査を行わない分、検査時間をより短縮化することができる。また、後述するように、内部の状態を検査するべき外観の状態であるか否かの判定に、テンプレートマッチング方式を用いず、画像データ中のワイヤの輪郭に基づいて各距離や角度を求めることで、内部の状態を検査するべき外観の状態であるか否かの判定を、より短時間に実行することができる。
以下、制御手段50による処理手順の例を説明する。
●[光学非破壊検査方法の処理手順(図4)]
次に図4に示すフローチャートを用いて、図2に示す光学非破壊検査装置1を用いた光学非破壊検査方法の処理手順等について説明する。
例えば光学非破壊検査装置1が起動された場合、または起動された光学非破壊検査装置1の制御手段50から検査の実行が指示された場合等において、図4に示すフローチャートの処理が実行される。
ステップS10にて、制御手段50は、接合部(この場合、ワイヤ93の接合部)の外観の状態(形状)が、加熱用レーザを用いた検査をするべき状態(形状)であるか否かを判定する接合部形状検査処理(SB100)を実行してステップS20に進む。なお接合部形状検査処理の詳細については後述する。
ステップS20にて、制御手段50は、ステップS10の接合部形状検査処理の結果、接合部の外観の形状が、加熱用レーザを用いた検査をするべき形状であるか否かを判定する。加熱用レーザを用いた検査をするべき外観の形状であると判定した場合(Yes)はステップS30に進み、加熱用レーザを用いた検査をするべき外観の形状でないと判定した場合(No)はステップS50に進む。
ステップS50に進んだ場合、制御手段50は、表示手段に接合部の外観の形状が不良であること(内部の状態の検査は無駄であること)を表示し、処理を終了する。
ステップS30に進んだ場合、制御手段50は、加熱用レーザを用いて接合部の内部の状態(この場合、接合面積が許容範囲内であるか否か)を判定するレーザ照射検査処理(SB200)を実行してステップS40に進む。なお、レーザ照射検査処理の詳細については後述する。
そしてステップS40にて、制御手段50は、ステップS30のレーザ照射検査処理の結果に関する情報を表示手段に表示し、処理を終了する。なお、表示の例については後述する。
●[接合部形状検査処理の処理手順(図5、図7、図8)]
次に図5、図7、図8を用いて、接合部形状検査処理(SB100)の処理手順の詳細について説明する。なお接合部形状検査処理は、接合部のワイヤの外観の状態(形状)を検査する処理である。
ステップS110にて、制御手段50は、測定対象物のワイヤの接合部の上方へと撮像手段を相対的に移動させてステップS115に進む。なお、移動先の(X、Y、Z)の座標は、予め記憶手段に記憶されており、制御手段50は、記憶手段から読み出した座標へと撮像手段が移動するように、X軸方向移動手段とY軸方向移動手段とZ軸方向移動手段を制御する。
なお図7(A)〜(C)にワイヤの接合部の外観形状の略図を示す。図7(A)は接合部であるボンド部93Bの周囲の斜視図を示し、図7(B)は接合部であるボンド部93Bの周囲の側面図を示し、図7(C)は接合部であるボンド部93Bの周囲の平面図を示している。ここで、ワイヤ93の先端部(長手方向の一方の端部)であって電極92と接合されていない部分をテール部93T、ワイヤ93と電極92とが接合されている部分をボンド部93B、テール部でもボンド部でもない部分をワイヤ部93Wとする。
例えば図7(C)に示すようにワイヤ93が複数の場合、ワイヤ93(1)が接合される電極92(1)の中央のP(1)に対応する座標が記憶手段に記憶されており、同様にワイヤ93(2)が接合される電極92(2)の中央のP(2)に対応する座標、及びワイヤ93(3)が接合される電極92(3)の中央のP(3)に対応する座標が、記憶手段に記憶されている。
例えば図7(C)のワイヤ93(2)の接合部の外観の形状を検査する場合、制御手段50は、P(2)に対応する座標を記憶手段から読み出して、当該座標へと撮像手段を相対的に移動させる。
なおステップS110は、制御手段から移動手段を制御して、測定対象物を撮像可能な予め設定された位置へと測定対象物に対する撮像手段の位置を相対的に移動させる移動ステップに相当する。
ステップS115にて、制御手段50は、撮像手段を制御して測定対象物を撮像し、撮像にて得られた画像データを撮像手段から取得してステップS120に進む。例えば撮像手段は、図7(C)におけるP(2)の座標に移動した場合、図7(C)におけるエリアA1を撮像し、画像データを制御手段50に出力する。
なおステップS115は、移動先において制御手段から撮像手段を制御して、測定対象物の画像データを取得する撮像ステップに相当する。
ステップS120にて、制御手段50は、エリアA1の画像データからワイヤ(第1部材)の輪郭を抽出してステップS125に進む。
なおステップS120は、制御手段にて、取得した画像データからワイヤの輪郭を抽出する輪郭抽出ステップに相当する。
ステップS125にて、制御手段50は、抽出した輪郭を所定方向に回転させ、ステップS130に進む。図1に示すように、電極に接合されているワイヤは、種々の方向を向いて接合されているので、予め設定した方向に統一する。なお、図8(A)及び(B)に示すように、本実施の形態では、抽出したワイヤの長手方向が左右となるように、かつワイヤの端部(テール部93T)が左側となるように、抽出した輪郭を回転させる。
ステップS130にて、制御手段50は、図8(A)に示す状態にて、ワイヤの輪郭の右側部と、画像データの右枠部との交点を抽出(図8(A)の例では交点W、Vを抽出)して、ステップS135に進む。
ステップS135にて、制御手段50は、ステップS130にて求めた交点の数が2個であるか否かを判定する。交点の数が2個である場合(Yes)はステップS140に進み、交点の数が2個でない場合(No)はステップS180Bに進む。
ステップS180Bに進んだ場合、制御手段50は、撮像した測定対象物(この場合、接合部を含むワイヤ)の外観の状態は、内部の検査をするべき外観の状態(形状)でないと判定し、処理を終了して図4に示すフローチャートのステップS20に戻る。
ステップS140に進んだ場合、制御手段50は、抽出したワイヤの輪郭である図8(A)の画像中の基準位置を抽出し、ステップS145に進む。
図7(A)〜(C)に示すように、第1部材であるワイヤ93は線状部材であり、長手方向における一方の端部の近傍が、第2部材である電極92と接合されている。
そして図8(A)に示すように、ワイヤの輪郭を抽出した画像データには、ワイヤの一方の端部が左側に撮像されている。そして制御手段50は、このワイヤの一方の端部の輪郭の位置を基準位置とする。より具体的には、図8(A)に示すように、制御手段50は、Y軸に平行な仮想直線MAを用意し、抽出したワイヤの輪郭の左端に接する位置に仮想直線MAを設定する。この仮想直線MAの位置が基準位置である。
ステップS145にて、制御手段50は、基準位置である仮想直線MAから、記憶手段に記憶されているテール長LTだけ離れた位置に、仮想直線MAに平行な仮想直線MBを設定し、仮想直線MBとワイヤの輪郭との交点である基準点Aと基準点Bを求める。また制御手段50は、仮想直線MBから、記憶手段に記憶されているボンド長LBだけ離れた位置に、仮想直線MBに平行な仮想直線MCを設定し、仮想直線MCとワイヤの輪郭との交点である基準点Cと基準点Dを求め、ステップS150に進む。
基準点A〜基準点Dは第1基準点〜第4基準点に相当しており、接合部の仮の四隅として設定される。
テール長LTの数値、及びボンド長LBの数値は、図7(A)〜(C)における理想的なテール部93Tの長さ、及び理想的なボンド部93Bの長さであり、理想モデル輪郭情報として、ワイヤの輪郭を特定可能な所定個所(この場合、テール部93Tとボンド部93Bとの境界個所、及びボンド部93Bとワイヤ部93Wとの境界個所)に関連させて記憶手段に記憶されている。
なおテール長LTは第1所定距離に相当し、テール長LT+ボンド長LBは第2所定距離に相当している。
ステップS150にて、制御手段50は、図8(A)に示す輪郭画像データ中の基準点A〜基準点D、及びボンド部93Bの輪郭に基づいて、ボンド部93Bにおける幅であるボンド幅を求めてステップS155Aに進む。例えばボンド幅を求める場合、制御手段50は、基準点Aと基準点Bの中点Eを求め、基準点Cと基準点Dの中点Fを求め、中点Eと中点Fを通る仮想直線MDを設定する。そして制御手段50は、仮想直線MDからボンド部93Bにおける一方側の輪郭(この場合、上側の輪郭BC)までの距離DB1を複数個所求め、最大の距離を一方側のボンド最大幅として、仮想直線MDからボンド部93Bにおける他方側の輪郭(この場合、下側の輪郭AD)までの距離DB2を複数個所求め、最大の距離を他方側のボンド最大幅とする。
ステップS155Aにて、制御手段50は、一方側(片側)の最大ボンド幅が許容範囲内であるか否かを判定する。一方側の最大ボンド幅の許容範囲は、理想的なボンド部の一方側のボンド幅の数値として、予め記憶手段に記憶されている。許容範囲内である場合(Yes)はステップS155Bに進み、許容範囲内でない場合(No)はステップS180Bを経由して処理を終了して、図4に示すフローチャートのステップS20に戻る。
ステップS155Bに進んだ場合、制御手段50は、他方側(片側)の最大ボンド幅が許容範囲内であるか否かを判定する。他方側の最大ボンド幅の許容範囲は、理想的なボンド部の他方側のボンド幅の数値として、予め記憶手段に記憶されている。許容範囲内である場合(Yes)はステップS155Cに進み、許容範囲内でない場合(No)はステップS180Bを経由して処理を終了して、図4に示すフローチャートのステップS20に戻る。
ステップS155Cに進んだ場合、制御手段50は、一方側の最大ボンド幅と他方側の最大ボンド幅を加算してボンド幅(全幅)を求め、求めたボンド幅が許容範囲内であるか否かを判定する。ボンド幅(全幅)の許容範囲は、理想的なボンド部のボンド幅(全幅)の数値として、予め記憶手段に記憶されている。許容範囲内である場合(Yes)はステップS160に進み、許容範囲内でない場合(No)はステップS180Bを経由して処理を終了して、図4に示すフローチャートのステップS20に戻る。
このように、ボンド部の一方側(片側)のボンド幅の許容範囲の数値、ボンド部の他方側(片側)のボンド幅の許容範囲の数値、ボンド部の一方側の幅と他方側の幅を加算したボンド幅(全幅)の許容範囲の数値は、理想モデル輪郭情報として、ワイヤの輪郭を特定可能な所定個所(この場合、ボンド部)に関連させて記憶手段に記憶されている。
ステップS160に進んだ場合、制御手段50は、図8(B)に示す輪郭画像データ中の基準点C、基準点D、及びワイヤ部93Wの輪郭に基づいて、ワイヤ部93Wにおけるワイヤ部93Wの延びる方向の角度であるワイヤ角度を求めてステップS165に進む。例えばワイヤ角度を求める場合、制御手段50は、図8(B)に示すように仮想直線MCに平行な仮想直線ME1〜MEnを所定間隔で設定し、仮想直線ME1〜MEnのそれぞれとワイヤ部93Wの輪郭との交点HUn、HLnを、仮想直線ME1〜MEnのそれぞれに対して求める。そして制御手段50は、交点HUnと交点HLnの中点Jnを、仮想直線ME1〜MEnのそれぞれに対して求め、中点F(基準点Cと基準点Dの中点)を通る仮想直線であって、各中点J1〜Jnからの距離の総和が最小となる仮想直線MFを設定する。そして制御手段50は、仮想直線MFと仮想直線MCとの角度(θw)を求め、この角度(θw)をワイヤ角度θwとする。
ステップS165にて、制御手段50は、求めたワイヤ角度θwが許容範囲内であるか否かを判定する。ワイヤ角度の許容範囲は、理想的なワイヤ部のワイヤ角度の数値として、予め記憶手段に記憶されている。許容範囲内である場合(Yes)はステップS170に進み、許容範囲内でない場合(No)はステップS180Bを経由して処理を終了して、図4に示すフローチャートのステップS20に戻る。
ステップS170に進んだ場合、制御手段50は、図8(B)に示す輪郭画像データ中の仮想直線MF、及びワイヤ部93Wの輪郭に基づいて、ワイヤ部93Wにおけるワイヤ部93Wの幅であるワイヤ幅を求めてステップS175に進む。例えばワイヤ幅を求める場合、制御手段50は、仮想直線MFに直交する仮想直線MG(図示省略)を所定間隔で設定し、各仮想直線MGとワイヤ部93Wの輪郭との交点を求め、各仮想直線MG上の2点の交点の距離をそれぞれ求め、求めた距離の中で最小の距離をワイヤ幅とする。
ステップS175にて、制御手段50は、ワイヤ幅が許容範囲内であるか否かを判定する。ワイヤ幅の許容範囲は、理想的なワイヤ部のワイヤ幅の数値として、予め記憶手段に記憶されている。許容範囲内である場合(Yes)はステップS180Aに進み、許容範囲内でない場合(No)はステップS180Bを経由して処理を終了して、図4に示すフローチャートのステップS20に戻る。
なお、ワイヤ角度の許容範囲の数値、ワイヤ幅の許容範囲の数値は、理想モデル輪郭情報として、ワイヤの輪郭を特定可能な所定個所(この場合、ワイヤ部)に関連させて記憶手段に記憶されている。
なおステップS130〜ステップS175は、制御手段にて、抽出したワイヤの輪郭と記憶手段に記憶されている理想モデル輪郭情報とに基づいて、抽出したワイヤの輪郭に基づいたワイヤの外観の状態を評価する評価ステップに相当する。
ステップS180Aに進んだ場合、制御手段50は、測定対象物(この場合、接合部を含むワイヤ)の輪郭に基づいた当該測定対象物の外観の状態(形状)は、測定対象物の内部を検査するべき状態(形状)であると判定し、ステップS185に進む。
なおステップS180Bに進んだ場合は、すでに説明したように、測定対象物(この場合、接合部を含むワイヤ)の輪郭に基づいた当該測定対象物の外観の状態(形状)は、測定対象物の内部を検査するべき状態(形状)でないと判定し、処理を終了して図4に示すフローチャートのステップS20に戻る。
ステップS185に進んだ場合、制御手段50は、基準点A−基準点B−基準点C−基準点Dにて形成される四角形ABCDの重心の位置を測定スポットSPに設定し、処理を終了して図4に示すフローチャートのステップS20に戻る。
測定対象物の内部の状態をより正確に検査するためには、測定スポットの位置を、それぞれのワイヤに対して正確な位置に設定する必要がある。そのためには、実際のワイヤを撮像した画像データに基づいて、実際のワイヤのそれぞれに対して測定スポットの位置を設定することが必要である。従って、せっかく画像データを取得するので、その画像データを用いて外観チェックも実施して、より効率よく検査を行う。
●[レーザ照射検査処理の処理手順(図6、図9〜図11)]
次に図6、図9〜図11を用いて、レーザ照射検査処理(SB200)の処理手順の詳細について説明する。なおレーザ照射検査処理は、接合部の内部の状態(接合部の面積の大きさ)を検査する処理である。
ステップS210にて、制御手段50は、設定した測定スポットの上方へとレーザヘッド部を相対的に移動させてステップS215に進む。
ステップS215では、制御手段50は、加熱用レーザ光源21を制御して、設定した測定スポットに向けて加熱用レーザの照射を開始してステップS220に進む。
そして加熱用レーザは測定スポットへと導光され、測定スポットから放射された赤外線は第1赤外線検出手段及び第2赤外線検出手段へと導光される。なお、この場合の加熱用レーザの出力は、図11に示す(測定した)温度上昇特性を適切に測定できる出力に設定されている。
なお、ステップS215は、制御手段から加熱用レーザ光源を制御して、測定対象物上に設定した測定スポットに向けて加熱用レーザを照射する、加熱用レーザ照射ステップに相当する。
ステップS220にて、制御手段50は、第1赤外線検出手段からの検出信号に基づいた第1赤外線波長(λ1)の赤外線のエネルギーの検出値と、第2赤外線検出手段からの検出信号に基づいた第2赤外線波長(λ2)の赤外線のエネルギーの検出値と、ステップS215にて加熱用レーザの照射を開始してからの時間(加熱時間)と、を取り込んで、ステップS225に進む。
なお、ステップS220は、制御手段にて、測定スポットから放射される光の中から取り出した所定赤外線波長(この場合、第1赤外線波長(λ1)と第2赤外線波長(λ2))の赤外線を、赤外線検出手段(この場合、第1赤外線検出手段と第2赤外線検出手段)を用いて検出する、放射赤外線検出ステップに相当する。
ステップS225にて、制御手段50は、第1赤外線検出手段からの検出値と、第2赤外線検出手段からの検出値と、の比に基づいて、加熱時間に対応する測定スポットの温度を求め、ステップS230に進む。
なお、ステップS225は、制御手段にて、放射赤外線検出ステップにて検出した検出値と、加熱用レーザ照射ステップによる加熱用レーザの照射時間である加熱時間と、に基づいて、加熱時間に応じた測定スポットの温度上昇状態である温度上昇特性を測定する、温度上昇特性測定ステップに相当する。
例えば図9は、照射された光を完全に吸収及び放射する黒体の温度が各温度(M1、M2・・M6)の場合において、黒体から放射される赤外線の波長(横軸)と、各波長の赤外線のエネルギー(縦軸)の関係を示す赤外線放射特性の例を示している。
例えば測定スポットが黒体である場合であって、第1赤外線波長(λ1)の位置が図9中に示す(λ1)の位置であり、第2赤外線波長(λ2)の位置が図9中に示す(λ2)の位置であるとする。
そして制御手段50は、加熱時間T1のタイミングで取り込んだ第1赤外線検出手段にて検出した第1赤外線波長(λ1)の赤外線エネルギーの検出値がE1Aであり、第2赤外線検出手段にて検出した第2赤外線波長(λ2)の赤外線エネルギーの検出値がE2Aであった場合、検出値の比であるE1A/E2Aと、温度・2波長比特性(図10)の「E(λ1)/E(λ2)」特性より、測定スポットの温度を求め、この場合はM5[℃]であると求める。なお2波長比は、異なる2波長の赤外線のエネルギーの比である。
なお図10の例に示す温度・2波長比特性は、予め記憶手段60に記憶されている。
検出値の比を用いることで、制御手段は、測定スポットの反射率(放射率)の影響を受けることなく、正しい測定スポットの温度を求めることができる。
なお、加熱時間T2、T3、T4のタイミングで取り込んだ(第1赤外線波長の赤外線エネルギー、第2赤外線波長の赤外線エネルギー)が、それぞれ(E1B、E2B)、(E1C、E2C)、(E1D、E2D)であった場合、温度・2波長比特性より、加熱時間T2、T3、T4のタイミングのそれぞれの温度は、M4、M3、M2であることがわかる。
そして制御手段は、照射開始後の時間(加熱時間に相当)と、当該時間に対応する温度から、図11の例に示す(測定した)温度上昇特性を求める。
ステップS230に進んだ場合、制御手段50は、測定終了タイミングであるか否かを判定する。制御手段50は、求めた温度が飽和温度に達していると判定した場合、測定終了タイミングであると判定する。例えば制御手段50は、今回のステップS225にて求めた温度が、前回のステップS225にて求めた温度に対して、所定値以下の温度上昇状態であった場合、飽和温度に達したと判定する。なお飽和温度は、図11に示す温度上昇特性の傾きが所定値以下となった場合であって、温度がほぼ一定となった状態の温度である。
制御手段50は、飽和温度に達して測定終了タイミングであると判定した場合(Yes)はステップS235に進み、測定終了タイミングでないと判定した場合(No)はステップS220に戻る。なお、ステップS220に戻る際、所定時間(例えば1ms程度)待ってから戻ると、所定時間間隔で温度を求めることができるので、より好ましい。
ステップS235に進んだ場合、制御手段50は、加熱用レーザ光源を制御して、加熱用レーザの照射を停止し、ステップS240に進む。
ステップS240にて制御手段50は、図11に示すように、ステップS225にて求めた温度と加熱時間による温度上昇特性に基づいて、測定対象物の接合部の内部の状態を判定し、処理を終了して図4に示すフローチャートのステップS40に戻る。なお、判定方法の詳細の例について、以下に説明する。
例えば記憶手段60に、予め接合部96の面積が理想サイズのサンプルの理想温度上昇特性と、接合部96の面積が許容下限のサンプルの下限温度上昇特性と、接合部96の面積が許容上限のサンプルの上限温度上昇特性と、を予め記憶させておく。図11に示すように、接合部96の面積のサイズに応じて電極92への熱伝導量が異なるので、各温度上昇特性が異なる。
そして制御手段50は、図11に示すように、下限温度上昇特性と上限温度上昇特性との間に、測定した温度上昇特性がある場合は接合部96の状態は良好であると判定し、測定した温度上昇特性が下限温度上昇特性と上限温度上昇特性との間から外れている場合は接合部96の状態は不良であると判定する。
なお、理想温度上昇特性は省略してもよいが、理想温度上昇特性があると、測定した温度上昇特性が理想状態から上限側あるいは下限側に、どれくらい離れているか、作業者は容易に理解できるので、より好ましい。
また、ステップS240は、判定ステップに相当する。
そして制御手段50は、レーザ照射検査処理(SB200)の処理を終了して、図4に示すフローチャートに戻り、ステップS40に進む。
●[表示手段への表示の例(図12)]
図4に示すフローチャートにおけるステップS40にて、制御手段50は、図6に示すレーザ照射検査処理の判定結果に関する情報を表示手段に表示して、処理を終了する。なお、表示手段は、制御手段からの出力信号に基づいた画面を表示するものであり、例えばモニタである。
図12に示す例は、制御手段50の表示手段50Gの画面50Mに、レーザ照射検査処理の判定結果に関する情報を表示した例を示している。
この例では、判定結果は「良好」であり、電極とワイヤとの接合部96の内部の状態に基づいた「測定した温度上昇特性」は、下限温度上昇特性と上限温度上昇特性の間にあり、理想温度上昇特性に対して、やや下限温度上昇特性の側にずれていることを示している。
作業者は、表示された各温度上昇特性を見ることで、電極とワイヤとの接合部96の面積は許容範囲に収まってはいるが、面積が下限側に少しずれていると容易に判断することができるので、接合面積がやや大きくなるように、電極とワイヤとの接合用の装置を調整して理想面積に近づけるようにすることが容易であり、品質管理を行う際に非常に便利である。
なお、図4に示すフローチャートにおけるステップS50の表示を行う場合、制御手段50は、表示手段50Gの画面50Mに、例えば「ワイヤの外観の形状不良です。レーザ照射検査の実行を中止しました。」と表示して処理を終了する。
以上に説明した処理手順を実施することで、接合部を含むワイヤの外観の状態(形状)が、レーザを用いた(内部の状態の)検査をするべき外観の状態(形状)であるか否か(レーザを用いた検査をする価値がある状態であるか否か)、そして測定対象物の接合部の内部の状態(電極92とワイヤ93との接合部96の面積が許容範囲内であるか否か)、を制御手段にて判定する光学非破壊検査装置を構成することも、もちろん可能である。
以上、本実施の形態にて説明した光学非破壊検査方法では、加熱用レーザを照射して温度上昇特性を求めて測定対象物の内部の状態を検査する前に、接合部形状検査処理(SB100)を行うことで、測定対象物の外観の状態(形状)が、加熱用レーザを用いた検査をするべき外観の状態(形状)であるか否かを適切に判定する。そして加熱用レーザを用いた検査をするべき外観の状態でないと判定した場合は、レーザ照射検査処理を行わないので、無駄な検査を行わず、検査時間をより短縮化することができる。
また、接合部形状検査処理(SB100)の処理では、時間がかかるテンプレートマッチング方式を用いずに、所定個所の数値が許容範囲内であるか否かを判定するシンプルであるが確実な判定を行うことで、検査時間をより短縮化することができる。
本発明の光学非破壊検査方法及び光学非破壊検査装置、の処理手順、構成、構造、外観、形状等は、本発明の要旨を変更しない範囲で種々の変更、追加、削除が可能である。
なお、本実施の形態にて説明した赤外線放射特性(図9)の例と、この赤外線放射特性中に示した第1赤外線波長(λ1)、第2赤外線波長(λ2)の位置は、ひとつの例であり、これに限定されるものではない。
また、以上(≧)、以下(≦)、より大きい(>)、未満(<)、AとCの間にBがあるという表現(A<B<C)等は、等号を含んでも含まなくてもよい。
また、本実施の形態の説明に用いた数値は一例であり、この数値に限定されるものではない。
1 光学非破壊検査装置
10 集光コリメート手段
10A、10B (非球面)反射ミラー
11A 加熱レーザ用選択反射手段
12A 第1赤外線用選択反射手段
13A 第2赤外線用選択反射手段
21 加熱用レーザ光源
31 第1赤外線検出手段
32 第2赤外線検出手段
41 加熱用レーザコリメート手段
50 制御手段
50G 表示手段
51 第1赤外線集光手段
52 第2赤外線集光手段
60 記憶手段
70 基台
71 支持部
73 レーザヘッド部
73Z Z軸方向移動手段
74 撮像手段
75 X軸方向スライドテーブル
75X X軸方向移動手段
76 Y軸方向スライドテーブル
76Y Y軸方向移動手段
90 基板
92 電極(第2部材)
93 ワイヤ(第1部材)
96 接合部
97 接合構造部位
A〜D 基準点(第1基準点〜第4基準点)
LB ボンド長
LT テール長(第1所定距離)
MA 仮想直線(基準位置)
SP 測定スポット
θw ワイヤ角度

Claims (8)

  1. 測定対象物を破壊することなく加熱する出力に設定された加熱レーザ波長の加熱用レーザを出射する加熱用レーザ光源と、
    赤外線を検出可能な少なくとも1つの赤外線検出手段と、
    前記加熱用レーザ光源を制御するとともに前記赤外線検出手段からの検出信号を取り込む制御手段と、を用い、
    前記制御手段から前記加熱用レーザ光源を制御して、測定対象物上に設定した測定スポットに向けて加熱用レーザを照射する、加熱用レーザ照射ステップと、
    前記制御手段にて前記測定スポットから放射される光の中から取り出した所定赤外線波長の赤外線を前記赤外線検出手段を用いて検出する、放射赤外線検出ステップと、
    前記制御手段にて、前記放射赤外線検出ステップにて検出した検出値と、前記加熱用レーザ照射ステップによる加熱用レーザの照射時間である加熱時間と、に基づいて、加熱時間に応じた前記測定スポットの温度上昇状態である温度上昇特性を測定する、温度上昇特性測定ステップと、
    前記制御手段にて、前記温度上昇特性に基づいて、測定対象物の状態を判定する、判定ステップと、を有する光学非破壊検査方法において、
    前記測定対象物は、2つの部材である第1部材と第2部材を接合した接合部を含む接合構造部位であり、
    撮像手段と移動手段と記憶手段と前記制御手段と、を用い、
    前記記憶手段には、理想的な前記測定対象物の前記第1部材の輪郭に関する理想モデル輪郭情報が記憶されており、
    前記加熱用レーザ照射ステップを実行する前に、前記制御手段から前記移動手段を制御して、前記測定対象物を撮像可能な予め設定された位置へと前記測定対象物に対する前記撮像手段の位置を相対的に移動させる移動ステップと、
    移動先において前記制御手段から前記撮像手段を制御して、前記測定対象物の画像データを取得する撮像ステップと、
    前記制御手段にて、取得した画像データから前記第1部材の輪郭を抽出する輪郭抽出ステップと、
    前記制御手段にて、抽出した前記第1部材の輪郭と前記記憶手段に記憶されている前記理想モデル輪郭情報とに基づいて、抽出した第1部材の輪郭に基づいた前記第1部材の外観の状態を評価する評価ステップと、を実行し、
    前記制御手段にて、前記評価ステップの結果、抽出した前記第1部材の輪郭に基づいた前記第1部材の外観の状態が、前記加熱用レーザを用いた検査をするべき状態であると判定した場合に、実際の前記第1部材上に前記測定スポットを設定し、前記加熱用レーザ照射ステップと、前記放射赤外線検出ステップと、前記温度上昇特性測定ステップと、前記判定ステップと、を実行して前記測定対象物の内部の状態を判定する、
    光学非破壊検査方法。
  2. 請求項1に記載の光学非破壊検査方法であって、
    前記理想モデル輪郭情報には、理想的な前記第1部材の輪郭を特定可能な所定個所に関連する数値が前記所定個所に対応付けられて記憶されており、
    前記評価ステップにおいて、前記制御手段にて判定する前記第1部材の外観の状態は前記第1部材の形状であり、前記制御手段にて、抽出した前記第1部材の輪郭から基準位置を抽出し、抽出した基準位置に基づいて、抽出した前記第1部材の輪郭における前記所定個所を特定し、特定した前記所定個所に相当する個所に関連する数値を求め、求めた数値が、前記記憶手段に記憶されている前記理想モデル輪郭情報の前記所定個所に関連する数値に対して許容範囲内である場合に、前記第1部材の輪郭に基づいた前記第1部材の形状が検査するべき形状であると判定する、
    光学非破壊検査方法。
  3. 請求項2に記載の光学非破壊検査方法であって、
    前記第1部材は線状部材であり、長手方向における一方の端部の近傍が前記第2部材と接合されており、
    前記撮像ステップにて撮像された前記画像データには、前記第1部材の前記一方の端部が撮像されており、
    前記基準位置は、抽出した前記第1部材の輪郭における前記一方の端部の輪郭の位置である、
    光学非破壊検査方法。
  4. 請求項3に記載の光学非破壊検査方法であって、
    理想的な前記第1部材では、前記一方の端部から前記長手方向に沿う方向に第1所定距離だけ離れた位置から、前記一方の端部から第1所定距離よりも長い第2所定距離だけ離れた位置までが前記接合部であり、
    前記評価ステップにおいて、
    抽出した前記第1部材の輪郭に対して、前記基準位置から前記長手方向に沿う方向に、前記第1所定距離だけ離れた位置に前記長手方向にほぼ直交する第1仮想直線を設定し、前記第1部材の輪郭と前記第1仮想直線との交点である第1基準点と第2基準点を求め、
    抽出した前記第1部材の輪郭に対して、前記基準位置から前記長手方向に沿う方向に、前記第2所定距離だけ離れた位置に前記長手方向にほぼ直交する第2仮想直線を設定し、前記第1部材の輪郭と前記第2仮想直線との交点である第3基準点と第4基準点を求め、
    前記第1基準点〜前記第4基準点に基づいて特定した前記所定個所に関連する距離または角度を示す数値と、前記理想モデル輪郭情報の前記所定個所に関連する数値と、を比較して求めた距離または角度が許容範囲内であるか否かを判定することで、前記第1部材の輪郭に基づいた前記第1部材の形状が検査するべき形状であるか否かを判定する、
    光学非破壊検査方法。
  5. 請求項4に記載の光学非破壊検査方法であって、
    前記第1部材上に前記測定スポットを設定する際、前記第1部材における前記接合部と反対の側の表面であって前記第1基準点〜前記第4基準点を頂点とする四角形の重心の位置を前記測定スポットとして設定する、
    光学非破壊検査方法。
  6. 請求項1〜5のいずれか一項に記載の光学非破壊検査方法であって、
    前記測定スポットは、前記第1部材における前記接合部と反対の側の表面に設定されており、
    判定する前記測定対象物の内部の状態とは、前記接合部の面積の大きさであり、
    前記記憶手段には、前記第1部材と前記第2部材との前記接合部の面積が許容下限のサンプルの温度上昇特性である下限温度上昇特性と、前記接合部の面積が許容上限のサンプルの温度上昇特性である上限温度上昇特性と、が記憶されており、
    前記制御手段にて前記判定ステップにおいて、
    前記温度上昇特性測定ステップにて測定した前記温度上昇特性と、前記記憶手段に記憶されている前記下限温度上昇及び前記上限温度上昇特性と、を比較して前記第1部材と前記第2部材との前記接合部の面積が許容範囲内であるか否かを判定する、
    光学非破壊検査方法。
  7. 請求項1〜6のいずれか一項に記載の光学非破壊検査方法であって、
    前記制御手段からの出力信号に基づいた画像を表示可能な表示手段を用い、
    前記制御手段から、
    前記判定ステップの結果に関する情報を前記表示手段に表示させる、
    光学非破壊検査方法。
  8. 請求項1〜7のいずれか一項に記載の光学非破壊検査方法を実施するための光学非破壊検査装置。

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019102742A (ja) * 2017-12-07 2019-06-24 三菱電機株式会社 ウエハの検査方法
CN114449217A (zh) * 2021-12-24 2022-05-06 中国船舶重工集团公司第七一五研究所 一种基于机器视觉的船载收放设备动态视频监视的设备与方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102421732B1 (ko) 2018-04-20 2022-07-18 삼성전자주식회사 반도체 기판 측정 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0658893A (ja) * 1992-05-28 1994-03-04 Shuji Nakada 電子部品の接合部検査方法および検査装置
JP2006258721A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Mdix:Kk 電子部品のはんだ接合部検査方法
WO2011114945A1 (ja) * 2010-03-16 2011-09-22 常陽機械株式会社 微小径ワイヤボンディングの良否判定方法及び判定装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0658893A (ja) * 1992-05-28 1994-03-04 Shuji Nakada 電子部品の接合部検査方法および検査装置
JP2006258721A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Mdix:Kk 電子部品のはんだ接合部検査方法
WO2011114945A1 (ja) * 2010-03-16 2011-09-22 常陽機械株式会社 微小径ワイヤボンディングの良否判定方法及び判定装置
JP2011191232A (ja) * 2010-03-16 2011-09-29 Joyo Machine Co Ltd 微小径ワイヤボンディングの良否判定方法及び判定装置
EP2549268A1 (en) * 2010-03-16 2013-01-23 Joyo Machine Co. Ltd. Method and apparatus for determining acceptance/rejection of fine diameter wire bonding

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019102742A (ja) * 2017-12-07 2019-06-24 三菱電機株式会社 ウエハの検査方法
CN114449217A (zh) * 2021-12-24 2022-05-06 中国船舶重工集团公司第七一五研究所 一种基于机器视觉的船载收放设备动态视频监视的设备与方法

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