JP2014216458A - ビームリードおよび電源装置 - Google Patents
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- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 91
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 51
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 7
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 3
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 16
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 2
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
- H01L24/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/0601—Structure
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
- H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/37001—Core members of the connector
- H01L2224/37099—Material
- H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/37138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/37147—Copper [Cu] as principal constituent
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
-
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/4005—Shape
- H01L2224/4007—Shape of bonding interfaces, e.g. interlocking features
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/401—Disposition
- H01L2224/40135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/40137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
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- H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/401—Disposition
- H01L2224/40135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/40137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
- H01L2224/40139—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate with an intermediate bond, e.g. continuous strap daisy chain
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- H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
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- H01L2224/40151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/40221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/40225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/83801—Soldering or alloying
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- H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
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- H01L2224/84801—Soldering or alloying
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- H01L24/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
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- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
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Abstract
【課題】パワー素子チップの電極にハンダによって接続されるビームリードにおいて、温度変化によってハンダ(ハンダ層)に発生する応力を極力小さくする。【解決手段】パワー素子チップ5,7の電極19,21にハンダ45,47によって接続されるビームリード9であって、パワー素子チップに接続される接続部13,15には、ハンダに発生する応力を緩和するための切り欠き部29、貫通孔27の少なくともいずれかが設けられているビームリードである。【選択図】図1
Description
本発明は、ビームリードおよび電源装置に係り、特に、ハンダ付けされるビームリードの部位で発生する応力が緩和されるものに関する。
従来、図12で示すように、ビームリード303の接続部305をチップ307の電極309に近い形にして、接続部305を電極309にハンダによって接合している電力変換装置301が知られている(たとえば、特許文献1参照)。
しかしながら、上記従来の電力変換装置301では、ビームリード303の接続部305とチップ307の電極309とが広い面積でお互いにハンダ接合されている(ハンダ層を介して接合されている)ので、通電等による温度上昇があると、ビームリード303の熱膨張率とチップ307の熱膨張率との違いによって、ハンダ層に大きな応力が発生するという問題がある。
なお、上記応力は、せん断応力だけではなく、ビームリード303の熱膨張率とチップ307の熱膨張率との違いによって発生する基板(チップ307やビームリード303が設置されている基板)311の反りによって、部分的に発生する圧縮応力と引っ張り応力を含む組み合わせ応力の形態になっている。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、パワー素子チップの電極にハンダによって接続されるビームリードにおいて、温度変化によってハンダ(ハンダ層)に発生する応力を極力小さくすることを目的とする。
請求項1に記載の発明は、パワー素子チップの電極にハンダによって接続されるビームリードであって、
前記パワー素子チップに接続される接続部には、前記ハンダに発生する応力を緩和するための切り欠き部、貫通孔の少なくともいずれかが設けられているビームリードである。
前記パワー素子チップに接続される接続部には、前記ハンダに発生する応力を緩和するための切り欠き部、貫通孔の少なくともいずれかが設けられているビームリードである。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のビームリードにおいて、前記パワー素子チップに接続される接続部に前記切り欠き部、前記貫通孔の少なくともいずれかが設けられていることで、前記パワー素子チップに接続された状態を前記パワー素子チップの電極に対して直交する方向から見ると、前記パワー素子チップの電極の一部のみを前記パワー素子チップに接続される接続部が覆うように構成されているとともに、前記パワー素子チップの電極の他の部位には前記ハンダのハンダ層が設けられているビームリードである。
請求項3に記載の発明は、請求項2に記載のビームリードにおいて、前記パワー素子チップに接続される接続部は、前記パワー素子チップの電極に対して直交する方向から見ると、前記パワー素子チップの電極の外周部もしくはこの近傍の全周もしくは外周部もしくはこの近傍の一部を覆うように構成されているビームリードである。
請求項4に記載の発明は、請求項3に記載のビームリードにおいて、前記パワー素子チップに接続される接続部は、第1の接続部と第2の接続部とを備えて構成されており、前記パワー素子チップが設置されている基板の配線パターンの所定の部位にハンダによって接続される接続部としての第3の接続部を備えており、前記第1の接続部と前記第2の接続部とをお互いに結ぶ方向に対して、前記第2の接続部と前記第3の接続部とをお互いに結ぶ方向が交差しており、前記第1の接続部と前記第2の接続部との間および前記第2の接続部と前記第3の接続部との間には、脆弱部が設けられているビームリードである。
請求項5に記載の発明は、請求項4に記載のビームリードにおいて、平板状の金属材料を塑性変形させることで生成されており、前記第1の接続部と前記第2の接続部と前記第3の接続部とは平板状に形成されていて1つの平面上に存在しているか、もしくは、前記第1の接続部と前記第2の接続部と前記第3の接続部とは平板状に形成されており、前記第1の接続部と前記第2の接続部と前記第3の接続部はこれらの厚さ方向がお互いに一致しており、前記第1の接続部と前記第2の接続部と前記第3の接続部のうちの少なくとも1つの接続部は、これらの厚さ方向で、前記少なくとも1つの接続部以外の接続部から僅かに離れており、前記第1の接続部と前記第2の接続部と前記第3の接続部はこの厚さ方向から見ると、「L」字状になっており、前記第1の接続部は、前記「L」字の縦方向に延びている画の部位の上端部に形成されており、前記第2の接続部は、前記「L」字の縦方向に延びている画の部位と前記「L」字の横方向に延びている画の部位との交差部に形成されており、前記第の接続部は、前記「L」字の横方向に延びている画の部位の右端部に形成されており、前記脆弱部は、前記前記第1の接続部と前記第2の接続部と前記第3の接続部の厚さ方向で同じ側で屈曲もしくは湾曲して突出しているビームリードである。
請求項6に記載の発明は、配線パターンが設けられている基板と、前記基板の配線パターンの所定の部位に設置されているパワー素子チップと、請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載のビームリードとを有し、前記ビームリードの接続部が、ハンダによって前記パワー素子チップの電極に設置されている電源装置である。
本発明によれば、パワー素子チップの電極にハンダによって接続されるビームリードにおいて、温度変化によってハンダ(ハンダ層)に発生する応力を極力小さくすることができるという効果を奏する。
本発明の実施形態に係る電源装置(たとえば、インバータ用パワーモジュール)1は、EVやHEVなどの電動車輌に搭載されるインバータに使用されるものであり、たとえば、図1等で示すように、基板3と、第1のパワー素子チップ(たとえば、FWD)5と、第2のパワー素子チップ(たとえば、IGBT)7と、ビームリード9とを備えて構成されている。
基板3には配線パターン(回路パターン)11が設けられており、FWD(フリーホイールダイオード;Freewheel Diode)5は、基板3の第1の所定の部位に設置されており、IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ;Insulated Gate Bipolar Transistor)7は、基板3の第2の所定の部位に設置されている。なお、第2の所定の部位は第1の所定の部位から所定の距離だけ離れている。
ビームリード9は、第1の接続部(第1の接続点)13と、第2の接続部(第2の接続点)15と、第3の接続部17とを備えて構成されている。第1の接続部13はFWD5の電極(カソード)19にハンダによって接続されており、第2の接続部15はIGBTの電極(エミッタ)21にハンダによって接続されており、第3の接続部17は基板3の配線パターン11の所定の部位(第3の所定の部位)にハンダによって接続されている。基板3の第3の所定の部位は、第1の所定の部位と第2の所定の部位から所定の距離だけ離れている。
また、基板3は、冷却器22に設置されており、これにより、FWD5やIGBT7の発熱による温度上昇を抑制している。
ここで、ビームリード9についてさらに詳しく説明する。
ビームリード9は、たとえば、一体で成形されており、基板3に設置されたFWD5の電極19に接続される第1の接続部13と、基板3に設置されたIGBT7の電極21に接続される第2の接続部15と、基板3の第3の所定の部位に接続される第3の接続部17とを備えて構成されている。
第1の接続部13と第2の接続部15と第3の接続部17とはお互いが所定の距離だけ離れており、第1の接続部13と第2の接続部15とがお互いにつながっており(電気的、機械的に接続されており)、第2の接続部15と第3の接続部17とがお互いにつながっている。第1の接続部13と第3の接続部17とは、直接つながっておらず、第2の接続部15を間にしてお互いがつながっている。
ビームリード9では、第1の接続部13と第2の接続部15とをお互いに結ぶ方向に対して、第2の接続部15と第3の接続部17とをお互いに結ぶ方向が交差(たとえば、直交)しており、第1の接続部13と第2の接続部15との間および第2の接続部15と第3の接続部17との間には、脆弱部(易弾性変形部;容易弾性変形部)23,25が設けられている。
なお、ビームリード9では、第1の接続部13と第2の接続部15との間の部位全体が脆弱部23を構成しているが、第1の接続部13と第2の接続部15との間の部位の一部が、脆弱部23を構成していてもよい。また、同様に、第2の接続部15と第3の接続部17との間の部位全体が脆弱部25を構成しているが、第2の接続部15と第3の接続部17との間の部位の一部が、脆弱部25を構成していてもよい。
ビームリード9には、たとえば、上述した3つの接続部13,15,17のみが設けられている。そして、ビームリード9は、第1の接続部13、第2の接続部15、第3の接続部17が、この順で、脆弱部23,25を間にし、電気的に直列接続されている。また、ビームリード9は、金属(たとえば、銅)等の導電性材料で構成されており、「L」字状になっている。
脆弱部23は、この両端に位置している2つの接続部13,15同士をお互いに結ぶ方向で2つの接続部13,15の間に圧縮力もしくは引っ張り力を加えた場合、2つの接続部13,15の間のビームリード9の部位が弾性変形しやすくなるようにするためのものである。脆弱部25も、脆弱部23と同様に、2つの接続部15,17の間のビームリード9の部位が弾性変形しやすくなるようにするためのものである。
たとえば、第1の接続部13と第2の接続部15との間で延伸しているビームリード9の部位の断面形状(延伸方向に対して直交する平面による断面の形状)は一定になっている。また、第1の接続部13と第2の接続部15との間で延伸しているビームリード9の部位は、第1の接続部13と第2の接続部15との間で曲がって延びている。この曲がりによって脆弱部23が構成されている。上記断面形状で第1の接続部13と第2の接続部15との間が直線的に延びている場合に比べて、第1の接続部13と第2の接続部15との間で曲がって延伸しているビームリード9の部位(脆弱部23)が、引っ張り力や圧縮力に対し、曲げモーメントによる撓みの発生があることで、弾性変形しやすくなっている。ただし、上記断面形状で第1の接続部13と第2の接続部15との間が直線的に延びている場合において挫屈の発生は無いものとする。
ビームリード9は、平板状の金属材料を塑性変形させることで(たとえば、平板状の銅の素材を、金型を用いて打ち抜き加工し、プレス加工することで)生成されている。
各接続部13,15,17は平板状に形成されていて、1つの平面上に存在している(より精確には、各接続部13,15,17の厚さ方向の一方の面が1つの平面上に存在している)。なお、各接続部13,15,17の位置関係が次のようになっていてもよい。
平板状に形成されている各接続部13,15,17の厚さ方向がお互いに一致している。各接続部13,15,17のうちの少なくとも1つの接続部(たとえば、第3の接続部17)が、各接続部13,15,17の厚さ方向で、少なくとも1つの接続部以外の接続部(たとえば、第1の接続部13と第2の接続部15)から僅かに離れている。
また、ビームリード9は、各接続部13,15,17の厚さ方向から見ると、「L」字状に形成されている。
第1の接続部13は、前記「L」字の縦方向に延びている画の部位の上端部に形成されており、第2の接続部15は、前記「L」字の縦方向に延びている画の部位と前記「L」字の横方向に延びている画の部位との交差部に形成されており、前記第3の接続部17は、前記「L」字の横方向に延びている画の部位の右端部または左端部に形成されている。
さらに、前記「L」字の縦方向に延びている画の部位は、横方向で所定の幅になっており、前記「L」字の横方向に延びている画の部位も、縦方向で所定の幅になっている。
各脆弱部23,25は、各接続部13,15,17の厚さ方向において同じ側に屈曲もしくは湾曲して突出している。
すなわち、平板状の第1の接続部13と第2の接続部15の厚さ方向の一方の面が、基板3に設置されているFWD5、IGBT7の電極19,21と対向し、薄膜状のハンダ45,47(図1、図7等参照)を介してFWD5、IGBT7の平面状の電極19,21の部位に接続されている。また、平板状の第3の接続部17の厚さ方向の一方の面が、基板3に設けられている配線パターン11の平面状の所定の部位と対向し、薄膜状のハンダ49(図1、図5参照)を介して配線パターン11の平面状の所定の部位に接続されている。各脆弱部23,25は、各接続部13,15,17の厚さ方向の一方の面から他方の面に向かう方向で、各接続部13,15,17から離れるように(基板3から離れるように;上方に)突出している。
また、ビームリード9のパワー素子チップ5,7に接続される接続部13,15には、図2や図3で示すように、ハンダ45,47(図1、図7等参照)に発生する応力(主に熱応力)を緩和するための貫通孔27が設けられている。なお、貫通孔27に代えてもしくは加えて、切り欠き部29が設けられていてもよい(図9参照)。すなわち、貫通孔27、切り欠き部29の少なくともいずれかが設けられていればよい。
また、パワー素子チップ5,7に接続される接続部13,15の両方に貫通孔27や切り欠き部29が設けられている必要は無く、いずれか一方に設けられていてもよいし、第3の接続部17にハンダ49に発生する応力を緩和するための貫通孔や切り欠きが設けられていてもよい。
また、ビームリード9では、パワー素子チップ5,7に接続される接続部13,15に貫通孔27(切り欠き部29)が設けられていることで、パワー素子チップ5,7に接続された状態をパワー素子チップ5,7の平面状の電極(接続面)19,21に対して直交する方向から見ると、図5等で示すように、パワー素子チップ5,7の電極19,21の一部のみを、パワー素子チップ5,7に接続される接続部13,15が覆うように構成されている。さらに、パワー素子チップ5,7の電極19,21の他の部位にはハンダ45,47のハンダ層が設けられている(ハンダ層で覆われている)。
また、パワー素子チップ5,7の平面状の電極19,21に対して直交する方向から見ると、パワー素子チップ5,7に接続される接続部(ビームリード9の接続部)13,15で覆われている部位(パワー素子チップ5,7の電極19,21の部位)の面積は、ビームリード9の接続部13,15で覆われていない部位(パワー素子チップ5,7の電極19,21のハンダ層45,47で覆われているの部位)の面積よりも小さくなっている。また、ビームリード9の接続部13,15とパワー素子チップ5,7の電極19,21との間にもハンダ(たとえば、ごく薄い膜状のハンダ)が存在している(図8参照)。
ビームリード9のパワー素子チップ5,7に接続される接続部13,15は、パワー素子チップ5,7の平面状の電極19,21に対して直交する方向から見ると、パワー素子チップ5,7の電極19,21の外周部の全周もしくは外周部近傍の全周、または、外周部の一部もしくは外周部の近傍の一部を覆うように構成されている。
ビームリード9の接続部13,15がパワー素子チップ5,7の電極19,21の外周部の全周を覆うようになっている場合、ビームリード9の接続部13,15は環状(たとえば、「ロ」字状)に形成されている(図3等参照)。また、ビームリード9の接続部13,15がパワー素子チップ5,7の電極19,21の外周部の一部を覆うようになっている場合、ビームリード9の接続部13,15は一部が切り欠かれた環状(たとえば、「コ」字状)に形成されている(図9等参照)。
ここで、電源装置1についてさらに詳しく説明する。
説明の便宜のために、水平な一方向をX軸方向とし、水平な他の一方向であってX軸方向に対して直交する方向をY軸方向とし、X軸方向とY軸方向とに対して直交する鉛直方向をZ軸方向とする。
冷却器22は、たとえば、Y軸方向で所定の幅を有し、X軸方向に長く延びた矩形な平板状に形成されており、厚さ方向がZ軸方向になっている。
基板3は、図7等で示すように、セラミック等の絶縁性の材料で矩形な平板状に形成されている基板本体部31と、上述した配線パターン(銅等の導電性材料で構成された薄膜状の配線パターン)11とを備えて構成されている。配線パターン11は、基板本体部31の厚さ方向(Z軸方向)の一方の面(上面)に設けられている。なお、基板本体部31の厚さ方向(Z軸方向)の他方の面(下面)にも、配線パターン11と同様な配線パターン33が設けられている。
基板3は、冷却器22の上面にハンダ35によって一体的に設置されている。冷却器22の厚さ方向と基板3の厚さ方向とはおたがいに一致している。
FWD5は矩形な平板状に形成されており、厚さ方向がZ軸方向になって、薄い膜状のハンダ37によって基板3の配線パターン11の所定の部位に接合されている。薄い膜状のハンダ37は、基板3の配線パターン11の所定の部位と、FWD5の電極(カソード)39に接触している。
IGBT7も矩形な平板状の形成されており、厚さ方向がZ軸方向になって、薄い膜状のハンダ41によって基板3の配線パターン11の所定の部位に接合されている。薄い膜状のハンダ41は、基板3の配線パターン11の所定の部位と、IGBT7の電極(コレクタ)43に接触している。
ビームリード9は、上述したように、平板状の銅の素材をプレス成形することで生成されており、第1の接続部13と脆弱部23と第2の接続部15と脆弱部25と第3の接続部17とがこの順に直列的につながっている。また、ビームリード9は、平面視において(各接続部13,15,17の厚さ方向から見て;Z軸方向から見て)、「L」字状に形成されている(図5参照)。
平面視すると、第1の接続部13と脆弱部23と第2の接続部15とは、所定の幅(X軸方向の寸法)でY軸方向に延びて細長い矩形状になっている。第2の接続部15と脆弱部25と第3の接続部17とは、所定の幅(Y軸方向の寸法)でX軸方向に延びて細長い矩形状になっている。
第1の接続部13の中心と第2の接続部15の中心とをお互いに結ぶ方向がX軸方向になっており、第2の接続部15の中心と第3の接続部17の中心とをお互いに結ぶ方向がY軸方向になっている。
第1の接続部13と第2の接続部15との間の脆弱部23は、平板状の銅の素材をこの厚さ方向で適宜曲げることで、等脚台形状になっており、第1の接続部13や第2の接続部15よりも上方に突出している(図3等参照)。
第2の接続部15と第3の接続部17との間の脆弱部25も、平板状の銅の素材をこの厚さ方向で適宜曲げることで、等脚台形状になっており、第2の接続部15や第3の接続部17よりも上方に突出している(図3等参照)。
第1の接続部13は、図7等で示すように、薄い膜状のハンダ45によってFWD5に接合されている。薄い膜状のハンダ45は、第1の接続部13と、FWD5の電極(アノード)19に接触している。
第2の接続部15は、薄い膜状のハンダ47によってIGBT7に接合されている。薄い膜状のハンダ47は、第2の接続部15と、IGBT7の電極(エミッタ)21に接触している。
第3の接続部17は、図5等で示すように、薄い膜状のハンダ49によって、基板3の配線パターン11の所定の部位に接続されている。
なお、第1の接続部13と第2の接続部15とは、Z軸方向でほぼ同じところに位置しているが、第3の接続部17は、FWD5やIGBT7の厚さ、ハンダ45やハンダ47の厚さの分だけ、第1の接続部13や第2の接続部15よりも下方に位置している。また、平面視すると、上述したように、第1の接続部13に貫通孔27(切り欠き部29)が設けられていることで、第1の接続部13がFWD5の一部を覆っており、第2の接続部15に貫通孔27(切り欠き部29)が設けられていることで、第2の接続部15がIGBT7の一部を覆っている。
また、切り欠き部29が設けられている場合、図9で示すように、第2の接続部15の矩形状の切り欠き部29は、Y軸方向で、第3の接続部17とは反対側に開口しており、第1の接続部13の矩形状の切り欠き部29も、Y軸方向で、第3の接続部17とは反対側に開口している。
なお、第2の接続部15の矩形状の切り欠き部29が、X軸方向で、第1の接続部13とは反対側に開口してもよいし、第1の接続部13の矩形状の切り欠き部29が、X軸方向で、第2の接続部15とは反対側に開口していてもよい。
次に、冷却器22への、基板3、FWD5、IGBT7、ビームリード9の設置について説明する。
まず、冷却器22の上にハンダシート(ハンダ層35になるハンダシート)を設置し、その上に基板3を設置する。
続いて、基板3の所定の部位に、シートハンダ(ハンダ37になるシートハンダ)を載置し、このシートハンダの上にFWD5を載置し、基板3の他の所定の部位に、シートハンダ(ハンダ41になるシートハンダ)を載置し、このシートハンダの上にIGBT7を載置する。また、基板3のさらなる他の所定の部位に、シートハンダ(ハンダ49になるシートハンダ)を載置する。
続いて、ビームリード9の貫通孔27にシートハンダ51を設置する(図4参照)。なお、シートハンダ51は、貫通孔27と同じ形状に形成されており、隙間無く貫通孔27に嵌り込んでいる。換言すれば、貫通孔27がシートハンダ51で蓋されている。また、図7で示すように、第2の接続部15の厚さ方向とシートハンダ51の厚さ方向とはお互いに一致しており、第2の接続部15でのビームリード9の厚さに比べて、シートハンダ51の厚さは、ほぼ等しいが僅かに薄くなっている。また、シートハンダ51は、第2の接続部15よりも下方に僅かに突出している。
なお、図4では、第2の接続部15にのみ貫通孔27を設け、この貫通孔27にシートハンダ51を設置してあるが、実際には、第1の接続部13に貫通孔27を設け、この貫通孔27にシートハンダ51を設置してある。
また、切り欠き部29へのシートハンダ51の設置も、貫通孔27へのシートハンダ51の設置と同様にしてなされる(図10参照)。
続いて、第1の接続部13に設置されたシートハンダ51がFWD5に接し、第2の接続部15に設置されたシートハンダ51がIGBT7に接し、第3の接続部17がシートハンダ(ハンダ49になるシートハンダ)に接するようにして、ビームリード9を基板3(FWD5、IGBT7、シートハンダ)の上に載置する。
続いて、加熱して各シートハンダを溶融させ、その後、冷却してハンダを固化させることで、冷却器22への、基板3、FWD5、IGBT7、ビームリード9の設置が終了する。
なお、IGBT7へのビームリード9の設置が終了した状態では、図8で示すうように、IGBT7と基板3の配線パターン11との間のハンダ37には、フィレット53が形成されている。また、シートハンダ51は、溶融したときに貫通孔27の外側に広がり、第2の接続部15の外周のところにフィレット55が形成されており、貫通孔27の内周のところ(第2の接続部15の内周のところ)にもフィレット57が形成されている。
FWD5へのビームリード9の設置が終了した状態も、図8で示す状態と同様になっている。
電源装置1のビームリード9によれば、パワー素子チップ5,7に接続される接続部13,15に、ハンダ45,47に発生する応力を緩和するための貫通孔27や切り欠き部29が設けられているので、換言すれば、接続部13,15の剛性が小さくなっているので、温度変化があったとき、接続部13,15が従来のものよりも大きく弾性変形し、これにより、ハンダ45,47に発生する応力が低減される。そして、熱疲労によるハンダ45,47の破損を防止することができる。また、同様にして、ハンダ37,41,49の破損を防止することができる。
また、電源装置1のビームリード9によれば、パワー素子チップ5,7の電極19,21の一部のみをパワー素子チップ5,7に接続される接続部15,17が覆うように構成されており、パワー素子チップ5,7の電極19,21の他の部位にはハンダ45,47が設けられるように構成されているので、パワー素子チップ5,7に接続されるビームリード9の接続部13,15に貫通孔27や切り欠き部29が設けられていても、パワー素子チップ5,7とビームリード9との間の電気抵抗が大きくなることは無い。
また、電源装置1のビームリード9によれば、パワー素子チップ5,7に接続されるビームリード9の接続部13,15が、パワー素子チップ5,7の電極19,21の外周部の全周もしくは外周部の一部を覆うように構成されているので、ビームリード9をパワー素子チップ5,7に接合させるべくシートハンダ51を溶融させたとき、パワー素子チップ5,7の電極19,21の他の部位を覆うハンダが、パワー素子チップ5,7の電極19,21の外側に流れ出ることを防止することができる。
また、電源装置1のビームリード9によれば、第1の接続部13と第2の接続部15と第3の接続部17とが1列にならんではおらず、ビームリード9が基板3とパワー素子チップ5,7とに接合されるときにおける温度変化によっても、第1の接続部13と第2の接続部15と第3の接続部17とが1列にならんでいるときのように応力が加算されることがなくなる。これにより、ビームリード9が基板3とパワー素子チップ5,7とに接合されるときの温度変化による基板3の反り量を低減することができる。また、第1の接続部13と第2の接続部15との間および第2の接続部15と第3の接続部17との間には、脆弱部23,25が設けられているので、これらの脆弱部23,25により応力が緩和され、ビームリード9が基板3とパワー素子チップ5,7とに接合されるときの温度変化による基板3の反り量を少なくすることができる。
また、電源装置1のビームリード9によれば、各接続部13,15,17の厚さ方向(Z軸方向)から見ると、「L」字状に形成されていることで、第1の接続部13と第2の接続部15とをお互いに結ぶ方向に対して、第2の接続部15と第3の接続部17とをお互いに結ぶ方向が、直交している。これにより、ビームリード9が基板3とパワー素子チップ5,7とに接合されるときの温度変化による基板3の反り量を一層低減することができる。
また、電源装置1のビームリード9によれば、各脆弱部23,25が、各接続部13,15,17の厚さ方向において同じ側に屈曲もしくは湾曲して突出しているので、ビームリード9を基板3に設置するとき、簡素な構成でビームリード9と基板3との干渉を避けることができる。
ところで、ビームリード9の第2の接続部15に設ける貫通孔27や切り欠き部29の形態を適宜変更してもよい。
たとえば、図11(a)で示すように、同形状の矩形状の切り欠き部29Aを複数(たとえば、2つ)ならべて設けてもよいし、図11(b)で示すように、同形状の矩形状の貫通孔27Aを複数(たとえば、2つ)ならべて設けてもよいし、さらに、図11(c)で示すうように、切り欠き部29の開口部に突起59を一対設け、第2の接続部15を「C」字状に形成してもよい。
また、第2の接続部15の肉厚を薄くするような(Z軸方向の寸法)切り欠き部(図示せず)を形成してもよい。さらに、ビームリード9の第1の接続部13に設ける貫通孔27や切り欠き部29の形態を、第2の接続部15と同様に適宜変更してもよい。
1 電源装置
3 基板
5、7 パワー素子チップ
9 ビームリード
11 配線パターン
13 第1の接続部
15 第2の接続部
17 第3の接続部
19、21 電極
23、25 脆弱部
27 貫通孔
29 切り欠き部
45、47、49 ハンダ
3 基板
5、7 パワー素子チップ
9 ビームリード
11 配線パターン
13 第1の接続部
15 第2の接続部
17 第3の接続部
19、21 電極
23、25 脆弱部
27 貫通孔
29 切り欠き部
45、47、49 ハンダ
Claims (6)
- パワー素子チップの電極にハンダによって接続されるビームリードであって、
前記パワー素子チップに接続される接続部には、前記ハンダに発生する応力を緩和するための切り欠き部、貫通孔の少なくともいずれかが設けられていることを特徴とするビームリード。 - 請求項1に記載のビームリードにおいて、
前記パワー素子チップに接続される接続部に前記切り欠き部、前記貫通孔の少なくともいずれかが設けられていることで、前記パワー素子チップに接続された状態を前記パワー素子チップの電極に対して直交する方向から見ると、前記パワー素子チップの電極の一部のみを前記パワー素子チップに接続される接続部が覆うように構成されているとともに、前記パワー素子チップの電極の他の部位には前記ハンダのハンダ層が設けられていることを特徴とするビームリード。 - 請求項2に記載のビームリードにおいて、
前記パワー素子チップに接続される接続部は、前記パワー素子チップの電極に対して直交する方向から見ると、前記パワー素子チップの電極の外周部もしくはこの近傍の全周もしくは外周部もしくはこの近傍の一部を覆うように構成されていることを特徴とするビームリード。 - 請求項3に記載のビームリードにおいて、
前記パワー素子チップに接続される接続部は、第1の接続部と第2の接続部とを備えて構成されており、
前記パワー素子チップが設置されている基板の配線パターンの所定の部位にハンダによって接続される接続部としての第3の接続部を備えており、
前記第1の接続部と前記第2の接続部とをお互いに結ぶ方向に対して、前記第2の接続部と前記第3の接続部とをお互いに結ぶ方向が交差しており、前記第1の接続部と前記第2の接続部との間および前記第2の接続部と前記第3の接続部との間には、脆弱部が設けられていることを特徴とするビームリード。 - 請求項4に記載のビームリードにおいて、
平板状の金属材料を塑性変形させることで生成されており、
前記第1の接続部と前記第2の接続部と前記第3の接続部とは平板状に形成されていて1つの平面上に存在しているか、もしくは、前記第1の接続部と前記第2の接続部と前記第3の接続部とは平板状に形成されており、前記第1の接続部と前記第2の接続部と前記第3の接続部はこれらの厚さ方向がお互いに一致しており、前記第1の接続部と前記第2の接続部と前記第3の接続部のうちの少なくとも1つの接続部は、これらの厚さ方向で、前記少なくとも1つの接続部以外の接続部から僅かに離れており、
前記第1の接続部と前記第2の接続部と前記第3の接続部はこの厚さ方向から見ると、「L」字状になっており、
前記第1の接続部は、前記「L」字の縦方向に延びている画の部位の上端部に形成されており、前記第2の接続部は、前記「L」字の縦方向に延びている画の部位と前記「L」字の横方向に延びている画の部位との交差部に形成されており、前記第の接続部は、前記「L」字の横方向に延びている画の部位の右端部に形成されており、
前記脆弱部は、前記前記第1の接続部と前記第2の接続部と前記第3の接続部の厚さ方向で同じ側で屈曲もしくは湾曲して突出していることを特徴とするビームリード。 - 配線パターンが設けられている基板と、
前記基板の配線パターンの所定の部位に設置されているパワー素子チップと、
請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載のビームリードと、
を有し、前記ビームリードの接続部が、ハンダによって前記パワー素子チップの電極に設置されていることを特徴とする電源装置。
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ID=51941960
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KR20210115821A (ko) * | 2020-03-16 | 2021-09-27 | 현대모비스 주식회사 | 반도체 패키지용 연결장치 및 그 제조방법 |
JPWO2023119837A1 (ja) * | 2021-12-24 | 2023-06-29 |
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2013
- 2013-04-25 JP JP2013092207A patent/JP2014216458A/ja active Pending
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KR102760590B1 (ko) * | 2020-03-16 | 2025-02-03 | 현대모비스 주식회사 | 반도체 패키지용 연결장치 및 그 제조방법 |
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