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JP2014165197A - Lead frame, lead frame with resin, multifaceted body of lead frame, multifaceted body of lead frame with resin, optical semiconductor device, and multifaceted body of optical semiconductor device - Google Patents

Lead frame, lead frame with resin, multifaceted body of lead frame, multifaceted body of lead frame with resin, optical semiconductor device, and multifaceted body of optical semiconductor device Download PDF

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JP2014165197A
JP2014165197A JP2013032216A JP2013032216A JP2014165197A JP 2014165197 A JP2014165197 A JP 2014165197A JP 2013032216 A JP2013032216 A JP 2013032216A JP 2013032216 A JP2013032216 A JP 2013032216A JP 2014165197 A JP2014165197 A JP 2014165197A
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optical semiconductor
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恵 大石
Kazunori Oda
小田　　和範
Akira Sakamoto
章 坂本
Minoru Nakamura
稔 中村
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a lead frame which can suppress occurrence of peeling of each terminal and a resin layer between terminals, and to provide a lead frame with resin, a multifaceted body of lead frame, a multifaceted body of lead frame with resin, an optical semiconductor device, and a multifaceted body of optical semiconductor device.SOLUTION: A lead frame 10 used in an optical semiconductor device has a plurality of terminals 11, 12 provided, on the front and back surfaces thereof, with LED terminal surfaces 11a, 12a and external terminal surface 11b, 12b, respectively, and an LED element 2 is connected with the surface of at least one of terminals 11, 12. Each terminal 11, 12 has a dent M, recessed from the LED terminal surfaces 11a, 12a, in at least a part of the sides of the surface facing each other.

Description

本発明は、光半導体素子を実装する光半導体装置用のリードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体に関するものである。   The present invention relates to a lead frame for an optical semiconductor device on which an optical semiconductor element is mounted, a lead frame with resin, a multi-sided body of a lead frame, a multi-sided body of a lead frame with resin, an optical semiconductor device, and a multi-sided body of an optical semiconductor device. It is about.

従来、ＬＥＤ素子等の光半導体素子は、電気的に絶縁され樹脂層で覆われた２つの端子部を有するリードフレームに固定され、その周囲を透明樹脂層によって覆い、光半導体装置として照明装置等の基板に実装されていた（例えば、特許文献１）。
しかし、このような光半導体装置は、ＬＥＤ素子の発光や、実装した基板の熱等によって、樹脂層及びリードフレームがそれぞれ伸びてしまう場合がある。ここで、リードフレームの端子部は、銅等の導電材料から形成され、樹脂層は、熱可塑性樹脂等から形成されているので、両者の線膨張係数の差によって、樹脂層がリードフレームの端子部から剥離してしまうことがある。 2. Description of the Related Art Conventionally, an optical semiconductor element such as an LED element is fixed to a lead frame having two terminal portions that are electrically insulated and covered with a resin layer, and its periphery is covered with a transparent resin layer. (For example, Patent Document 1).
However, in such an optical semiconductor device, the resin layer and the lead frame may extend due to light emission of the LED element, heat of the mounted substrate, and the like. Here, since the terminal portion of the lead frame is formed of a conductive material such as copper and the resin layer is formed of a thermoplastic resin or the like, the resin layer is a terminal of the lead frame due to the difference in linear expansion coefficient between the two. May peel from the part.

また、このような光半導体装置の中には、端子部を覆う樹脂層が、光半導体素子を囲むようにして、光半導体素子の搭載面から突出するようにリフレクタが形成され、光半導体素子から発光する光の方向等を制御するものがある。このような光半導体装置は、リードフレームのリフレクタが形成される側の面が、その面とは反対側の面に比べ樹脂が多く形成されるため、温度変化が生じた場合において、金属及び樹脂の線膨張率の差によって反りが生じてしまい、上述の剥離現象の発生をより顕著にする場合がある。
特に、リードフレームの端子部間は、リードフレームの厚み部分のみで樹脂部と端子部とが接合しており、他の部分に比べ両者の接合面積が狭く接合強度が弱いため、上述の剥離が発生しやすくなる。この端子部間の剥離は、光半導体装置の製造時に透明樹脂を形成する工程で透明樹脂が裏面に漏れ出るほか、光半導体装置がその端子部間で破損したり、剥離した部分から半田に含まれるフラックスや、水分等が浸入し、端子部や樹脂層等を変色させてしまい光半導体装置の光反射特性を劣化させたりする要因になる場合があった。 Further, in such an optical semiconductor device, a reflector is formed so that a resin layer covering the terminal portion surrounds the optical semiconductor element so as to protrude from the mounting surface of the optical semiconductor element, and light is emitted from the optical semiconductor element. Some control the direction of light. In such an optical semiconductor device, the surface of the lead frame on which the reflector is formed is formed with a larger amount of resin than the surface opposite to the surface. There is a case where warpage occurs due to the difference in the linear expansion coefficient, and the occurrence of the above-described peeling phenomenon becomes more remarkable.
In particular, between the terminal parts of the lead frame, the resin part and the terminal part are joined only by the thickness part of the lead frame. It tends to occur. This separation between the terminal parts is caused by the transparent resin leaking to the back surface in the process of forming the transparent resin during the manufacture of the optical semiconductor device, and the optical semiconductor device is damaged between the terminal parts or included in the solder from the peeled part. In some cases, flux, moisture, and the like enter, causing discoloration of the terminal portion, the resin layer, and the like, thereby deteriorating the light reflection characteristics of the optical semiconductor device.

特開２０１１−１５１０６９号公報JP 2011-151069 A

本発明の課題は、端子部間における各端子部と樹脂層との剥離の発生を抑制することができるリードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体を提供することである。   An object of the present invention is to provide a lead frame, a lead frame with a resin, a multi-sided body of a lead frame, and a multi-sided body of a lead frame with a resin capable of suppressing the occurrence of peeling between each terminal part and a resin layer between the terminal parts. An optical semiconductor device and a multifaceted body of an optical semiconductor device are provided.

本発明は、以下のような解決手段により、前記課題を解決する。なお、理解を容易にするために、本発明の実施形態に対応する符号を付して説明するが、これに限定されるものではない。また、符号を付して説明した構成は、適宜改良してもよく、また、少なくとも一部を他の構成物に代替してもよい。   The present invention solves the above problems by the following means. In addition, in order to make an understanding easy, although the code | symbol corresponding to embodiment of this invention is attached | subjected and demonstrated, it is not limited to this. In addition, the configuration described with reference numerals may be improved as appropriate, or at least a part thereof may be replaced with another configuration.

第１の発明は、表面及び裏面に端子面（１１ａ、１２ａ）を設けた複数の端子部（１１、１２）を有し、前記端子部のうち少なくとも一つに光半導体素子（２）が接続される光半導体装置（１）に用いられるリードフレーム（１０）において、前記各端子部は、その表面又は裏面の互いに対向する辺の少なくとも一部に、その端子面から窪んだ凹部（Ｍ）を有すること、を特徴とするリードフレームである。
第２の発明は、第１の発明のリードフレーム（１０）において、前記凹部（Ｍ）と、前記端子部（１１、１２）の外周側面とは、連通していること、を特徴とするリードフレームである。
第３の発明は、第１の発明又は第２の発明のリードフレーム（１０）において、前記端子部（１１、１２）は、前記凹部（Ｍ）が設けられた面とは反対側の面の外周縁の少なくとも一部に、その端子面から落ち込んだ段部（Ｄ）を有すること、を特徴とするリードフレームである。
第４の発明は、第１の発明又は第２の発明のリードフレーム（１０）において、前記端子部（１１、１２）は、前記凹部（Ｍ）が設けられた面の外周縁の少なくとも一部に、その端子面から落ち込んだ段部（Ｄ）を有すること、を特徴とするリードフレームである。 1st invention has several terminal parts (11, 12) which provided the terminal surface (11a, 12a) on the surface and the back surface, and an optical semiconductor element (2) is connected to at least one of the said terminal parts. In the lead frame (10) used in the optical semiconductor device (1) to be manufactured, each terminal portion has a recess (M) recessed from the terminal surface in at least a part of opposite sides of the front surface or the back surface. It is a lead frame characterized by having.
According to a second invention, in the lead frame (10) of the first invention, the recess (M) and the outer peripheral side surface of the terminal portion (11, 12) communicate with each other. It is a frame.
According to a third aspect of the present invention, in the lead frame (10) of the first or second aspect, the terminal portions (11, 12) are on a surface opposite to the surface on which the concave portion (M) is provided. It is a lead frame characterized by having a stepped portion (D) that falls from the terminal surface on at least a part of the outer peripheral edge.
According to a fourth invention, in the lead frame (10) of the first invention or the second invention, the terminal portions (11, 12) are at least a part of an outer peripheral edge of a surface provided with the concave portion (M). In addition, the lead frame is characterized in that it has a stepped portion (D) that falls from the terminal surface.

第５の発明は、表面及び裏面に端子面（１６１１ａ、１６１１ｂ、１６１２ａ、１６１２ｂ）を設けた複数の端子部（１６１１、１６１２）を有し、前記端子部のうち少なくとも一つが光半導体素子（２）と接続される光半導体装置（１）に用いられるリードフレーム（１６１０）において、前記各端子部は、互いに対向する辺の少なくとも一部に、貫通孔（Ｈ）を有すること、を特徴とするリードフレームである。
第６の発明は、第５の発明のリードフレーム（１７１０）において、前記各端子部（１７１１、１７１２）は、その表面又は裏面にその端子面（１７１１ａ）から窪んだ凹部（Ｍ）を有し、前記凹部と、前記貫通孔（Ｈ）とは、連通していること、を特徴とするリードフレームである。
第７の発明は、第５の発明又は第６の発明のリードフレーム（１６１０）において、前記端子部（１６１１、１６１２）は、表面又は裏面の外周縁の少なくとも一部に、その端子面から落ち込んだ段部（Ｄ）を有すること、を特徴とするリードフレームである。 5th invention has the several terminal part (1611, 1612) which provided the terminal surface (1611a, 1611b, 1612a, 1612b) on the surface and the back surface, and at least one of the said terminal parts is an optical semiconductor element (2 In the lead frame (1610) used in the optical semiconductor device (1) connected to the terminal, each terminal portion has a through hole (H) in at least a part of the sides facing each other. Lead frame.
According to a sixth invention, in the lead frame (1710) of the fifth invention, each of the terminal portions (1711, 1712) has a recess (M) recessed from the terminal surface (1711a) on the front surface or the back surface. The lead frame is characterized in that the recess and the through hole (H) communicate with each other.
According to a seventh invention, in the lead frame (1610) of the fifth invention or the sixth invention, the terminal portions (1611, 1612) fall from at least a part of the outer peripheral edge of the front surface or the back surface from the terminal surface. A lead frame characterized by having a stepped portion (D).

第８の発明は、第１の発明から第７の発明までのいずれかのリードフレーム（１０）と、前記リードフレームの前記端子部（１１、１２）の外周側面及び前記端子部間に形成されるフレーム樹脂部（２０ａ）を有する樹脂層（２０）と、を備える樹脂付きリードフレームである。
第９の発明は、第８の発明の樹脂付きリードフレーム（１０）において、前記樹脂層（２０）は、前記リードフレームの前記光半導体素子（２）が接続される側の面に突出して形成されるリフレクタ樹脂部（２０ｂ）を有すること、を特徴とする樹脂付きリードフレームである。 The eighth invention is formed between any one of the lead frames (10) from the first invention to the seventh invention, and the outer peripheral side surfaces of the terminal portions (11, 12) of the lead frame and the terminal portions. And a resin layer (20) having a frame resin portion (20a).
According to a ninth invention, in the lead frame (10) with resin of the eighth invention, the resin layer (20) is formed so as to protrude from a surface of the lead frame on the side to which the optical semiconductor element (2) is connected. It is a lead frame with resin characterized by having the reflector resin part (20b) to be performed.

第１０の発明は、第１の発明から第７の発明までのいずれかのリードフレーム（１０）が枠体（Ｆ）に多面付けされていること、を特徴とするリードフレームの多面付け体（ＭＳ）である。   According to a tenth aspect of the present invention, in the lead frame multifaceted body (10), any one of the leadframes (10) from the first invention to the seventh aspect is multifaceted to the frame (F). MS).

第１１の発明は、第８の発明又は第９の発明の樹脂付きリードフレームが多面付けされていること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）である。   An eleventh aspect of the present invention is a multi-faced body (R) for resin-made lead frames, wherein the lead-frame with resin of the eighth or ninth aspect is multi-faced.

第１２の発明は、第８の発明又は第９の発明の樹脂付きリードフレームと、前記樹脂付きリードフレームの前記端子部（１１、１２）のうち少なくとも一つに接続される光半導体素子（２）と、前記樹脂付きリードフレームの前記光半導体素子が接続される側の面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層（３０）と、を備える光半導体装置（１）である。   The twelfth invention is an optical semiconductor element (2) connected to at least one of the lead frame with resin of the eighth or ninth invention and the terminal portion (11, 12) of the lead frame with resin. ) And a transparent resin layer (30) formed on the surface of the lead frame with resin to which the optical semiconductor element is connected, and covering the optical semiconductor element (1).

第１３の発明は、第１２の発明の光半導体装置（１）が多面付けされていること、を特徴とする光半導体装置の多面付け体である。   A thirteenth invention is a multifaceted body of an optical semiconductor device characterized in that the optical semiconductor device (1) of the twelfth invention is multifaceted.

本発明によれば、リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体は、端子部間の剥離の発生を抑制することができる。   According to the present invention, a lead frame, a lead frame with a resin, a multi-sided body of a lead frame, a multi-sided body of a lead frame with a resin, an optical semiconductor device, and a multi-sided body of an optical semiconductor device are subject to peeling between terminal portions. Can be suppressed.

第１実施形態の光半導体装置１の全体構成を示す図である。1 is a diagram illustrating an overall configuration of an optical semiconductor device 1 according to a first embodiment. 第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。It is a figure explaining the detail of the multi-faced body MS of the lead frame of 1st Embodiment. 第１実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの詳細を説明する図である。It is a figure explaining the detail of the multi-faced body R of the lead frame with resin of 1st Embodiment. 第１実施形態の光半導体装置１の他の形態を説明する図である。It is a figure explaining the other form of the optical semiconductor device 1 of 1st Embodiment. 第１実施形態のリードフレーム１０の製造過程を説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing process of the lead frame 10 of 1st Embodiment. 第１実施形態の光半導体装置１の多面付け体を示す図である。It is a figure which shows the multi-faced body of the optical semiconductor device 1 of 1st Embodiment. 第１実施形態の光半導体装置１の製造過程を説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing process of the optical semiconductor device 1 of 1st Embodiment. トランスファ成形の概略を説明する図である。It is a figure explaining the outline of transfer molding. インジェクション成形の概略を説明する図である。It is a figure explaining the outline of injection molding. 第２実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。It is a figure explaining the detail of the multi-faced body MS of the lead frame of 2nd Embodiment. 第２実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの詳細を説明する図である。It is a figure explaining the detail of the multi-faced body R of the lead frame with a resin of 2nd Embodiment. 第３実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。It is a figure explaining the detail of the multi-faced body MS of the lead frame of 3rd Embodiment. 第４実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。It is a figure explaining the detail of the multi-faced body MS of the lead frame of 4th Embodiment. 第５実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。It is a figure explaining the detail of the multi-faced body MS of the lead frame of 5th Embodiment. 第６実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。It is a figure explaining the detail of the multi-faced body MS of the lead frame of 6th Embodiment. 第７実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。It is a figure explaining the detail of the multi-faced body MS of the lead frame of 7th Embodiment. 第８実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。It is a figure explaining the detail of the multi-faced body MS of the lead frame of 8th Embodiment. 第９実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。It is a figure explaining the detail of the multi-faced body MS of the lead frame of 9th Embodiment. 第１０実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。It is a figure explaining the detail of the multi-faced body MS of the lead frame of 10th Embodiment. 第１１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。It is a figure explaining the detail of the multi-faced body MS of the lead frame of 11th Embodiment. 第１２実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。It is a figure explaining the detail of the multi-faced body MS of the lead frame of 12th Embodiment. 第１３実施形態のリードフレームの詳細を説明する図である。It is a figure explaining the detail of the lead frame of 13th Embodiment. 第１４実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。It is a figure explaining the detail of the multi-faced body MS of the lead frame of 14th Embodiment. 第１５実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。It is a figure explaining the detail of the multi-faced body MS of the lead frame of 15th Embodiment. 第１６実施形態のリードフレームの詳細を説明する図である。It is a figure explaining the detail of the lead frame of 16th Embodiment.

（第１実施形態）
以下、図面等を参照して、本発明の第１実施形態について説明する。
図１は、第１実施形態の光半導体装置１の全体構成を示す図である。
図１（ａ）は、光半導体装置１の平面図を示し、図１（ｂ）は、光半導体装置１の側面図を示し、図１（ｃ）は、光半導体装置１の裏面図を示す。図１（ｄ）は、図１（ａ）のｄ−ｄ断面図を示す。
図２は、第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。
図２（ａ）、図２（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示し、図２（ｃ）、図２（ｄ）は、それぞれ図２（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図を示す。
図３は、第１実施形態の光反射樹脂層２０が形成された樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの詳細を説明する図である。
図３（ａ）、図３（ｂ）は、それぞれ、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの平面図、裏面図を示し、図３（ｃ）、図３（ｄ）は、それぞれ図３（ａ）のｃ−ｃ断面図と、ｄ−ｄ断面図を示す。
各図において、光半導体装置１の平面図における左右方向をＸ方向、上下方向をＹ方向、厚み方向をＺ方向とする。 (First embodiment)
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings and the like.
FIG. 1 is a diagram illustrating an overall configuration of an optical semiconductor device 1 according to the first embodiment.
FIG. 1A shows a plan view of the optical semiconductor device 1, FIG. 1B shows a side view of the optical semiconductor device 1, and FIG. 1C shows a back view of the optical semiconductor device 1. . FIG.1 (d) shows the dd sectional drawing of Fig.1 (a).
FIG. 2 is a diagram illustrating details of the multi-faced body MS of the lead frame according to the first embodiment.
2 (a) and 2 (b) show a plan view and a back view of the multi-faced body MS of the lead frame, respectively, and FIGS. 2 (c) and 2 (d) respectively show FIG. 2 (a). A cc sectional view and a dd sectional view are shown.
FIG. 3 is a diagram for explaining the details of the multifaceted body R of the lead frame with resin on which the light reflecting resin layer 20 of the first embodiment is formed.
3 (a) and 3 (b) show a plan view and a back view of the multifaceted body R of the lead frame with resin, respectively, and FIG. 3 (c) and FIG. 3 (d) respectively show FIG. The cc sectional view of a) and the dd sectional view are shown.
In each figure, the horizontal direction in the plan view of the optical semiconductor device 1 is the X direction, the vertical direction is the Y direction, and the thickness direction is the Z direction.

光半導体装置１は、外部機器等の基板に取り付けられることによって、実装したＬＥＤ素子２が発光する照明装置である。光半導体装置１は、図１に示すように、ＬＥＤ素子２（光半導体素子）、リードフレーム１０、光反射樹脂層２０（樹脂層）、透明樹脂層３０を備える。
光半導体装置１は、多面付けされたリードフレーム１０（リードフレームの多面付け体ＭＳ、図２参照）に光反射樹脂層２０を形成して樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒ（図３参照）を作製し、ＬＥＤ素子２を電気的に接続し、透明樹脂層３０を形成して、パッケージ単位に切断（ダイシング）することによって製造される（詳細は後述する）。
ＬＥＤ素子２は、発光層として一般に用いられるＬＥＤ（発光ダイオード）の素子であり、例えば、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ等の化合物半導体単結晶、又は、ＩｎＧａＮ等の各種ＧａＮ系化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。 The optical semiconductor device 1 is an illumination device in which the mounted LED element 2 emits light when attached to a substrate such as an external device. As shown in FIG. 1, the optical semiconductor device 1 includes an LED element 2 (optical semiconductor element), a lead frame 10, a light reflecting resin layer 20 (resin layer), and a transparent resin layer 30.
In the optical semiconductor device 1, the light reflecting resin layer 20 is formed on the multi-sided lead frame 10 (lead-frame multi-sided body MS, see FIG. 2) to form a multi-sided body R of the lead frame with resin (see FIG. 3). Is manufactured by electrically connecting the LED elements 2, forming the transparent resin layer 30, and cutting (dicing) into package units (details will be described later).
The LED element 2 is an LED (light emitting diode) element generally used as a light emitting layer. For example, a compound semiconductor single crystal such as GaP, GaAs, GaAlAs, GaAsP, and AlInGaP, or various GaN compound semiconductor single elements such as InGaN are used. By appropriately selecting a material made of crystals, an emission wavelength ranging from ultraviolet light to infrared light can be selected.

リードフレーム１０は、一対の端子部、すなわち、ＬＥＤ素子２が載置、接続される端子部１１と、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２に接続される端子部１２とから構成される。
端子部１１、１２は、それぞれ導電性のある材料、例えば、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４０．５％〜４３％のＦｅ合金）等により形成されており、本実施形態では、熱伝導及び強度の観点から銅合金から形成されている。
端子部１１、１２は、図２に示すように、互いに対向する辺の間に空隙部Ｓが形成されており、電気的に独立している。端子部１１、１２は、１枚の金属基板（銅板）をプレス又はエッチング加工することにより形成されるため、両者の厚みは同等である。 The lead frame 10 includes a pair of terminal portions, that is, a terminal portion 11 on which the LED element 2 is placed and connected, and a terminal portion 12 connected to the LED element 2 through a bonding wire 2a.
Each of the terminal portions 11 and 12 is formed of a conductive material, for example, copper, a copper alloy, 42 alloy (Ni 40.5% to 43% Fe alloy), etc. In this embodiment, heat conduction and It is formed from a copper alloy from the viewpoint of strength.
As shown in FIG. 2, the terminal portions 11 and 12 have a gap S formed between sides facing each other, and are electrically independent. Since the terminal portions 11 and 12 are formed by pressing or etching a single metal substrate (copper plate), the thicknesses of both are the same.

端子部１１は、図１に示すように、その表面にＬＥＤ素子２が載置、接続されるＬＥＤ端子面１１ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１１ｂが形成される、いわゆるダイパッドを構成する。端子部１１は、ＬＥＤ素子２が載置されるため、端子部１２に比べ、その外形が大きく形成されている。
端子部１２は、その表面にＬＥＤ素子２のボンディングワイヤ２ａが接続されるＬＥＤ端子面１２ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１２ｂが形成される、いわゆるリード側端子部を構成する。
端子部１１、１２は、その表面及び裏面にめっき層Ｃが形成されており（図５（ｅ）参照）、表面側のめっき層Ｃは、ＬＥＤ素子２の発する光を反射する反射層としての機能を有し、裏面側のめっき層Ｃは、外部機器に実装されるときの半田の溶着性を高める機能を有する。 As shown in FIG. 1, the terminal portion 11 has an LED terminal surface 11a on which the LED element 2 is mounted and connected on the surface thereof, and an external terminal surface 11b mounted on an external device on the back surface. The so-called die pad is formed. Since the LED element 2 is placed on the terminal portion 11, the outer shape of the terminal portion 11 is larger than that of the terminal portion 12.
The terminal portion 12 has an LED terminal surface 12a connected to the bonding wire 2a of the LED element 2 formed on the surface thereof, and an external terminal surface 12b mounted on an external device formed on the back surface of the terminal portion 12 so-called lead side. Configure the terminal part.
As for the terminal parts 11 and 12, the plating layer C is formed in the surface and the back surface (refer FIG.5 (e)), and the plating layer C of the surface side is a reflection layer which reflects the light which the LED element 2 emits. The plating layer C on the back side has a function of improving the solderability when mounted on an external device.

端子部１１、１２は、図２に示すように、それぞれの裏面側の外周部に、厚みの薄くなる段部Ｄが設けられている。
段部Ｄは、リードフレーム１０の裏面側から見て、各端子部１１、１２の外周縁に外部端子面１１ｂ、１２ｂから落ち込んだ部分、換言すれば、端子部１１、１２の厚みと比較して１／３〜２／３程度に形成されている部分である。
また、端子部１１及び端子部１２は、それぞれの表面側の互いに対向する辺に、厚みの薄くなる凹部Ｍが設けられている。ここで、辺とは、各端子部の辺上だけでなく、その辺の近傍の領域を含むものをいう。 As shown in FIG. 2, the terminal portions 11 and 12 are each provided with a stepped portion D having a reduced thickness on the outer peripheral portion on the back surface side.
The step portion D is a portion that falls from the external terminal surfaces 11b and 12b to the outer peripheral edge of each terminal portion 11 and 12 when viewed from the back side of the lead frame 10, in other words, compared with the thickness of the terminal portions 11 and 12. This is a portion formed in about 1/3 to 2/3.
Moreover, the terminal part 11 and the terminal part 12 are provided with the recessed part M which becomes thin on the mutually opposing edge | side of each surface side. Here, the side means not only the side of each terminal part but also a region in the vicinity of the side.

凹部Ｍは、端子部１１、１２の互いに対向する辺の角部に、ＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａから窪んだ円弧状の凹みであり、端子部１１、１２の外周縁とつながって（連通して）いる。また、凹部Ｍは、その窪んだ部分の厚みが、端子部１１、１２の厚みの１／３〜２／３程度に形成されている。
ここで、端子部１１、１２は、その外周縁の一部において、表面に形成された凹部Ｍと、裏面に形成された段部Ｄとが平面視上重なる。本実施形態では、この凹部Ｍと段部Ｄとが平面視上重なる部位は、図２（ａ）、図２（ｂ）に示すように、各端子部の外周縁を切り欠いた切り欠き部Ｔとなるが、切り欠き部Ｔが形成されないように、凹部Ｍ及び段部Ｄの深さを浅くしてもよい。
ここで、平面視とは、リードフレームの多面付け体ＭＳの表面（ＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａ）に垂直な方向（Ｚ方向）から、リードフレームの多面付け体ＭＳの表面を視た状態をいい、例えば、図２（ａ）に示すように、平面図で表されるものをいう。 The recess M is an arc-shaped recess that is recessed from the LED terminal surfaces 11a and 12a at the corners of the opposing sides of the terminal portions 11 and 12, and is connected to the outer peripheral edges of the terminal portions 11 and 12 (in communication). ) Moreover, the recessed part M is formed so that the thickness of the recessed part is about 1/3 to 2/3 of the thickness of the terminal parts 11 and 12.
Here, in the terminal portions 11 and 12, the concave portion M formed on the front surface and the stepped portion D formed on the back surface overlap each other in a part of the outer periphery. In the present embodiment, the portion where the concave portion M and the step portion D overlap in plan view is a notch portion in which the outer peripheral edge of each terminal portion is notched as shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b). Although it becomes T, the depth of the recessed part M and the step part D may be made shallow so that the notch part T may not be formed.
Here, the plan view refers to a state in which the surface of the multi-sided body MS of the lead frame is viewed from a direction (Z direction) perpendicular to the surface (LED terminal surfaces 11a, 12a) of the multi-sided body MS of the lead frame. For example, as shown in FIG.

リードフレーム１０は、端子部１１、１２の周囲や、端子部１１、１２間の空隙部Ｓ等に、光反射樹脂層２０を形成する樹脂が充填される場合に、図３に示すように、凹部Ｍや段部Ｄにも樹脂が充填され、光反射樹脂層２０と各端子部１１、１２との接触面積を大きくしている。また、厚み（Ｚ）方向において、リードフレーム１０と光反射樹脂層２０とを交互に構成することができる。これにより、凹部Ｍ及び段部Ｄは、厚み方向において、光反射樹脂層２０がリードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。また、凹部Ｍは、端子部１１、１２の配列方向（Ｘ方向）において、端子部１１、１２間の光反射樹脂層２０が各端子部１１、１２から剥離してしまうのを抑制することができる。   As shown in FIG. 3, when the lead frame 10 is filled with the resin that forms the light reflecting resin layer 20 around the terminal portions 11 and 12, or the gap S between the terminal portions 11 and 12, etc. The concave portion M and the step portion D are also filled with resin to increase the contact area between the light reflecting resin layer 20 and the terminal portions 11 and 12. Further, the lead frames 10 and the light reflecting resin layers 20 can be alternately configured in the thickness (Z) direction. Thereby, the recessed part M and the step part D can suppress that the light reflection resin layer 20 peels from the lead frame 10 in the thickness direction. Further, the concave portion M suppresses the light reflecting resin layer 20 between the terminal portions 11 and 12 from being peeled off from the terminal portions 11 and 12 in the arrangement direction (X direction) of the terminal portions 11 and 12. it can.

連結部１３は、枠体Ｆ内に多面付けされた各リードフレーム１０の端子部１１、１２を、隣接する他のリードフレーム１０の端子部や、枠体Ｆに連結している。連結部１３は、多面付けされた各リードフレーム１０上にＬＥＤ素子２等が搭載され、光半導体装置１の多面付け体（図６参照）が形成された場合に、リードフレーム１０を形成する外形線（図３（ａ）及び図３（ｂ）中の破線）でダイシング（切断）される。
連結部１３は、端子部１１、１２を形成する各辺のうち、端子部１１、１２が対向する辺を除いた辺に形成されている。 The connecting portion 13 connects the terminal portions 11 and 12 of each lead frame 10 multifaceted in the frame F to the terminal portions of other adjacent lead frames 10 and the frame F. The connecting portion 13 has an outer shape that forms the lead frame 10 when the LED element 2 or the like is mounted on each of the multiple lead frames 10 and a multi-faced body (see FIG. 6) of the optical semiconductor device 1 is formed. Dicing (cutting) is performed along a line (broken line in FIGS. 3A and 3B).
The connection part 13 is formed in the edge | side except the edge | side which the terminal parts 11 and 12 oppose among each edge | side which forms the terminal parts 11 and 12. FIG.

具体的には、連結部１３ａは、図２（ａ）に示すように、端子部１２の右（＋Ｘ）側の辺と、右側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の左（−Ｘ）側の辺とを接続し、また、端子部１１の左側の辺と、左側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の右側の辺とを接続している。枠体Ｆに隣接する端子部１１、１２に対しては、連結部１３ａは、端子部１１の左側の辺又は端子部１２の右側の辺と、枠体Ｆとを接続している。   Specifically, as shown in FIG. 2A, the connecting portion 13a has a right side (+ X) side of the terminal portion 12 and a left side (− of the terminal portion 11 of another lead frame 10 adjacent to the right side. X) is connected to the side, and the left side of the terminal portion 11 is connected to the right side of the terminal portion 12 of another lead frame 10 adjacent to the left side. For the terminal portions 11 and 12 adjacent to the frame body F, the connecting portion 13a connects the frame body F with the left side of the terminal portion 11 or the right side of the terminal portion 12.

連結部１３ｂは、端子部１１の上（＋Ｙ）側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の下（−Ｙ）側の辺とを接続し、また、端子部１１の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の上側の辺とを接続する。枠体Ｆに隣接する端子部１１に対しては、連結部１３ｂは、端子部１１の上側又は下側の辺と、枠体Ｆとを接続している。
連結部１３ｃは、端子部１２の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の下側の辺とを接続し、また、端子部１２の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の上側の辺とを接続する。枠体Ｆに隣接する端子部１２に対しては、連結部１３ｃは、端子部１２の上側又は下側の辺と、枠体Ｆとを接続している。 The connecting portion 13 b connects the upper (+ Y) side of the terminal portion 11 and the lower (−Y) side of the terminal portion 11 of another lead frame 10 adjacent to the upper side, and the terminal portion 11. The lower side is connected to the upper side of the terminal portion 11 of another lead frame 10 adjacent to the lower side. For the terminal portion 11 adjacent to the frame F, the connecting portion 13b connects the frame F with the upper or lower side of the terminal portion 11.
The connecting portion 13c connects the upper side of the terminal portion 12 and the lower side of the terminal portion 12 of another lead frame 10 adjacent to the upper side, and the lower side and the lower side of the terminal portion 12 The upper side of the terminal portion 12 of another lead frame 10 adjacent to the side is connected. For the terminal portion 12 adjacent to the frame F, the connecting portion 13 c connects the frame F with the upper or lower side of the terminal portion 12.

なお、端子部１１、１２は、連結部１３によって、隣り合う他のリードフレーム１０の端子部１１、１２と電気的に導通されるが、光半導体装置１の多面付け体を形成した後に、光半導体装置１（リードフレーム１０）の外形（図２（ａ）の破線）に合わせて各連結部１３を切断（ダイシング）することによって絶縁される。また、個片化された場合に、各々の個片を同じ形状にすることができる。   The terminal portions 11 and 12 are electrically connected to the terminal portions 11 and 12 of the other adjacent lead frames 10 by the connecting portion 13. However, after the multifaceted body of the optical semiconductor device 1 is formed, Insulation is performed by cutting (dicing) each connecting portion 13 in accordance with the outer shape of the semiconductor device 1 (lead frame 10) (broken line in FIG. 2A). Moreover, when it divides into pieces, each piece can be made into the same shape.

連結部１３は、図２（ｂ）、図２（ｃ）に示すように、端子部１１、１２の厚みよりも薄く、かつ、その表面が端子部１１、１２の表面と同一平面内に形成されている。具体的には、連結部１３は、その裏面が、各端子部１１、１２の凹部Ｍの底面（窪んだ部分）と略同一面内に形成されている。これにより、光反射樹脂層２０の樹脂が充填された場合に、図３（ｂ）、図３（ｃ）に示すように、連結部１３の裏面にも樹脂が流れ込み、光反射樹脂層２０がリードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の裏面には、図３（ｂ）に示すように、矩形状の外部端子面１１ｂ、１２ｂが表出することとなり、光半導体装置１の外観を向上させることができることに加え、半田で基板に実装する場合に、基板側への半田印刷を容易にしたり、半田を均一に塗布したり、リフロー後に半田内へのボイドの発生を抑制したりすることができる。また、光半導体装置１の面内（ＸＹ平面内）の中心線に対して線対称であることから、熱応力等に対する信頼性を向上させることができる。
リードフレームの多面付け体ＭＳは、上述のリードフレーム１０を枠体Ｆ内に多面付けしたものをいう。枠体Ｆは、多面付けされたリードフレーム１０を固定する部材である。 2B and 2C, the connecting portion 13 is thinner than the terminal portions 11 and 12, and the surface thereof is formed in the same plane as the surfaces of the terminal portions 11 and 12. Has been. Specifically, the back surface of the connecting portion 13 is formed in substantially the same plane as the bottom surface (recessed portion) of the concave portion M of each terminal portion 11, 12. As a result, when the resin of the light reflecting resin layer 20 is filled, as shown in FIGS. 3B and 3C, the resin also flows into the back surface of the connecting portion 13, and the light reflecting resin layer 20 is The peeling from the lead frame 10 can be suppressed.
Further, as shown in FIG. 3B, rectangular external terminal surfaces 11 b and 12 b are exposed on the back surface of the lead frame 10 on which the light reflecting resin layer 20 is formed. In addition to being able to improve the appearance, when mounting on the board with solder, solder printing on the board side is easy, solder is evenly applied, and the generation of voids in the solder after reflow is suppressed. Can be. In addition, since it is axisymmetric with respect to the center line in the plane of the optical semiconductor device 1 (in the XY plane), the reliability against thermal stress and the like can be improved.
The lead frame multi-faced body MS is obtained by multi-faced the above-described lead frame 10 in the frame F. The frame body F is a member that fixes the multi-faced lead frame 10.

光反射樹脂層２０は、図３に示すように、フレーム樹脂部２０ａと、リフレクタ樹脂部２０ｂとから構成される。
フレーム樹脂部２０ａは、端子部１１、１２の外周側面（リードフレーム１０の外周や、空隙部Ｓ、切り欠き部Ｔ）だけでなく、各端子部に設けられた凹部Ｍや、段部Ｄ、連結部１３の裏面にも形成される。 As shown in FIG. 3, the light reflecting resin layer 20 includes a frame resin portion 20a and a reflector resin portion 20b.
The frame resin portion 20a includes not only the outer peripheral side surfaces of the terminal portions 11 and 12 (the outer periphery of the lead frame 10, the void portion S, and the cutout portion T), but also the concave portions M and step portions D, It is also formed on the back surface of the connecting portion 13.

リフレクタ樹脂部２０ｂは、リードフレーム１０の表面側（リードフレーム１０のＬＥＤ素子２が接続される側）に突出するように形成され、リードフレーム１０に接続されるＬＥＤ素子２から発光する光の方向等を制御するリフレクタを構成する。このリフレクタ樹脂部２０ｂは、端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａを囲むようにして、リードフレーム１０の表面側に突出しており、ＬＥＤ端子面１１ａに接続されるＬＥＤ素子２から発光する光を反射させて、光半導体装置１から光を効率よく照射させる。   The reflector resin portion 20b is formed so as to protrude to the surface side of the lead frame 10 (the side to which the LED element 2 of the lead frame 10 is connected), and the direction of light emitted from the LED element 2 connected to the lead frame 10 The reflector which controls etc. is comprised. The reflector resin portion 20b protrudes to the front surface side of the lead frame 10 so as to surround the LED terminal surfaces 11a and 12a of the terminal portions 11 and 12, and emits light emitted from the LED element 2 connected to the LED terminal surface 11a. The light is efficiently reflected from the optical semiconductor device 1 by reflection.

リフレクタ樹脂部２０ｂは、リードフレーム１０の多面付け体ＭＳの状態において、その外形が、枠体Ｆの内周縁に沿うようにして形成されており、その厚み（高さ）寸法が、ＬＥＤ端子面１１ａに接続されるＬＥＤ素子２の厚み寸法よりも大きい寸法で形成される。リフレクタ樹脂部２０ｂは、端子部１１、１２の外周縁に形成されたフレーム樹脂部２０ａの表面や、凹部Ｍに形成されたフレーム樹脂部２０ａの表面上の一部に形成されており、フレーム樹脂部２０ａと結合している。なお、リフレクタ樹脂部２０ｂは、凹部Ｍに形成されたフレーム樹脂部２０ａの表面の全面に重なるように形成されてもよい。   The reflector resin portion 20b is formed so that its outer shape is along the inner peripheral edge of the frame F in the state of the multi-faced body MS of the lead frame 10, and its thickness (height) dimension is the LED terminal surface. It is formed with a dimension larger than the thickness dimension of the LED element 2 connected to 11a. The reflector resin portion 20b is formed on the surface of the frame resin portion 20a formed on the outer peripheral edge of the terminal portions 11 and 12, or on a part of the surface of the frame resin portion 20a formed in the concave portion M. It couple | bonds with the part 20a. The reflector resin portion 20b may be formed so as to overlap the entire surface of the frame resin portion 20a formed in the recess M.

ここで、リードフレーム１０は銅などの金属により形成され、光反射樹脂層２０は熱硬化性樹脂等の樹脂により形成され、また、両者の材料の線膨張率には差がある。そのため、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０（樹脂付きリードフレーム）は、各端子部に外部機器との半田溶着による熱や、ＬＥＤ素子２の発光による熱が加わることによって、各端子部と光反射樹脂層２０との間で剥離が生じてしまう場合がある。
また、リードフレーム１０は、上述したように表面側にリフレクタ樹脂部２０ｂが形成されることから裏面側に比べ表面側に樹脂が多く形成される。そのため、樹脂付きリードフレームは、上記熱が加わったり、冷えたりすることで、上述の線膨張率の差によって反りが生じたり、その反りが戻ったりして、これが繰り返されると、上記剥離がより発生しやすくなる。 Here, the lead frame 10 is formed of a metal such as copper, the light reflecting resin layer 20 is formed of a resin such as a thermosetting resin, and the linear expansion coefficients of the two materials are different. Therefore, the lead frame 10 (lead frame with resin) on which the light-reflecting resin layer 20 is formed has each terminal portion added with heat due to solder welding with an external device or heat due to light emission of the LED element 2. There is a case where peeling occurs between the portion and the light reflecting resin layer 20.
In addition, since the lead frame 10 is formed with the reflector resin portion 20b on the front surface side as described above, more resin is formed on the front surface side than on the back surface side. Therefore, the lead frame with resin is warped due to the difference in the coefficient of linear expansion described above when the heat is applied or cooled, and when the warp returns, the above peeling is more likely. It tends to occur.

特に、リードフレーム１０の端子部１１、１２間は、端子部１１、１２と光反射樹脂層２０との接合面積が狭いため、接合強度が弱く、剥離の発生が顕著となる。光半導体装置１を組み立てる際に、ＬＥＤ素子２と電気的な接続部となる金属面を覆うために透明な樹脂で封止を行うが、特に高耐光性を持つためにシリコーン、エポキシなどの熱硬化樹脂が用いられる。熱硬化樹脂は、一般的に加熱硬化前はモノマーもしくはプレポリマーであり、液状もしくは非常に流動性の高い粘性体である。このため、樹脂付きのリードフレームの状態で、光反射樹脂層２０とリードフレーム１０の端子部間においてこの剥離が発生した場合、ＬＥＤ素子２の搭載側の端子部間から外部端子面側へ透明樹脂が漏れ出て外部端子面１１ｂ、１２ｂを覆い、製造された光半導体装置１が使用不可能な状態になる場合がある。
また、製造した光半導体装置１の端子部間においてこの剥離が発生した場合、端子部間で光半導体装置１が折れて破損する可能性がある。更に、光半導体装置１の雰囲気中の水分や、外部端子面に溶着する半田のフラックス等が、剥離した隙間に浸入してしまい、各端子部の表面のめっき層や、光反射樹脂層２０、透明樹脂層３０等を変色させてしまう可能性がある。 In particular, between the terminal portions 11 and 12 of the lead frame 10, since the bonding area between the terminal portions 11 and 12 and the light reflecting resin layer 20 is small, the bonding strength is weak and the occurrence of peeling becomes significant. When assembling the optical semiconductor device 1, sealing is performed with a transparent resin to cover the metal surface that is an electrical connection portion with the LED element 2, but in order to have particularly high light resistance, heat such as silicone and epoxy is used. A cured resin is used. The thermosetting resin is generally a monomer or a prepolymer before heat-curing, and is a liquid or a highly fluid viscous material. For this reason, when this peeling occurs between the light reflecting resin layer 20 and the terminal portion of the lead frame 10 in the state of the lead frame with resin, the LED element 2 is transparent from the mounting side terminal portion to the external terminal surface side. In some cases, the resin leaks and covers the external terminal surfaces 11b and 12b, and the manufactured optical semiconductor device 1 becomes unusable.
Moreover, when this peeling occurs between the terminal portions of the manufactured optical semiconductor device 1, the optical semiconductor device 1 may be broken and damaged between the terminal portions. Furthermore, moisture in the atmosphere of the optical semiconductor device 1 or solder flux that is welded to the external terminal surface enters the peeled gap, and the plating layer on the surface of each terminal portion, the light reflecting resin layer 20, The transparent resin layer 30 and the like may be discolored.

上記剥離の一因となる反りを抑制するために、光反射樹脂層２０の樹脂中に特定のフィラー（粉末）を含有させて線膨張率を、リードフレーム１０の金属に近づけることも可能である。しかし、光反射樹脂層２０の光反射特性を維持するために、フィラーの含有量は制限されてしまい、樹脂の線膨張率を十分に金属に近づけられない場合がある。また、樹脂に熱可塑性樹脂を使用した場合は、熱可塑性を維持するために三次元架橋密度を上げられないという分子構造上、フィラーを多量に充填した場合に強度が保てないことから、実用レベルとしては線膨張率の調整自体をすることが困難となる。   In order to suppress the warp that contributes to the peeling, it is possible to make the linear expansion coefficient closer to the metal of the lead frame 10 by including a specific filler (powder) in the resin of the light reflecting resin layer 20. . However, in order to maintain the light reflection characteristics of the light reflecting resin layer 20, the filler content is limited, and the linear expansion coefficient of the resin may not be sufficiently close to that of the metal. In addition, when a thermoplastic resin is used as the resin, the molecular structure that the three-dimensional crosslinking density cannot be increased in order to maintain the thermoplasticity, the strength cannot be maintained when a large amount of filler is filled, so that the practical use is not possible. As a level, it is difficult to adjust the linear expansion coefficient itself.

そのため、本実施形態では、リードフレーム１０は、各端子部１１、１２に凹部Ｍ及び段部Ｄを設け、厚み方向において、光反射樹脂層２０がリードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。また、特に各端子部間に対しては、凹部Ｍが、各端子部１１、１２の互いに対向する辺の角部に設けられることによって、凹部Ｍに形成された樹脂が、各端子部間の空隙部Ｓに形成された光反射樹脂層２０を各端子部に対して強固に結合し、上記剥離の発生を抑制する。   Therefore, in the present embodiment, the lead frame 10 is provided with the concave portions M and the step portions D in the respective terminal portions 11 and 12, and suppresses the light reflecting resin layer 20 from being peeled off from the lead frame 10 in the thickness direction. be able to. Moreover, especially between each terminal part, the recessed part M is provided in the corner | angular part of the mutually opposing side of each terminal part 11 and 12, and resin formed in the recessed part M is between each terminal part. The light-reflecting resin layer 20 formed in the gap S is firmly bonded to each terminal portion to suppress the occurrence of peeling.

光反射樹脂層２０は、リードフレーム１０に載置されるＬＥＤ素子２の発する光を反射させるために、光反射特性を有する熱可塑性樹脂や、熱硬化性樹脂が用いられる。
光反射樹脂層２０を形成する樹脂は、凹み部分への樹脂充填に関しては、樹脂形成時には流動性が高いことが、凹み部分での接着性に関しては、分子内に反応基を導入しやすいためにリードフレームとの化学接着性を得られることが必要なため、熱硬化性樹脂が望ましい。
例えば、熱可塑性樹脂としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリオレフィン等を用いることができる。
また、熱硬化性樹脂としては、シリコーン、エポキシ、ポリエーテルイミド、ポリウレタン及びポリブチレンアクリレート等を用いることができる。
さらに、これらの樹脂中に光反射材として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、光の反射率を増大させることができる。
また、ポリオレフィンなどの熱可塑性樹脂を成形した後に、電子線を照射することで架橋させる方法を用いた、いわゆる電子線硬化樹脂を用いてもよい。
以上より、リードフレームの多面付け体ＭＳに多面付けされるリードフレーム１０に光反射樹脂層２０を形成する樹脂が充填されることによって、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが形成される。 The light reflecting resin layer 20 is made of a thermoplastic resin having a light reflecting property or a thermosetting resin in order to reflect light emitted from the LED element 2 placed on the lead frame 10.
The resin forming the light reflecting resin layer 20 has high fluidity when the resin is formed with respect to the resin filling in the recessed portion, and the adhesiveness at the recessed portion is easy to introduce a reactive group into the molecule. Since it is necessary to obtain chemical adhesion with the lead frame, a thermosetting resin is desirable.
For example, as the thermoplastic resin, polyamide, polyphthalamide, polyphenylene sulfide, liquid crystal polymer, polyether sulfone, polybutylene terephthalate, polyolefin, or the like can be used.
As the thermosetting resin, silicone, epoxy, polyetherimide, polyurethane, polybutylene acrylate, or the like can be used.
Furthermore, the reflectance of light can be increased by adding any of titanium dioxide, zirconium dioxide, potassium titanate, aluminum nitride, and boron nitride as a light reflecting material to these resins.
Moreover, after molding a thermoplastic resin such as polyolefin, a so-called electron beam curable resin using a method of crosslinking by irradiation with an electron beam may be used.
As described above, the resin for forming the light reflecting resin layer 20 is filled in the lead frame 10 to be multi-faced to the multi-faceted body MS of the lead frame, thereby forming the multi-faceted body R of the lead frame with resin.

透明樹脂層３０は、リードフレーム１０上に載置されたＬＥＤ素子２を保護するとともに、発光したＬＥＤ素子２の光を外部に透過させるために設けられた透明又は略透明に形成された樹脂層である。透明樹脂層３０は、図１に示すように、光反射樹脂層２０のリフレクタ樹脂部２０ｂによって囲まれたＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａ上に形成される。
透明樹脂層３０は、光の取り出し効率を向上させるために、ＬＥＤ素子２の発光波長において光透過率が高く、また、屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。例えば、耐熱性、耐光性、及び機械的強度が高いという特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂や、シリコーン樹脂を選択することができる。特に、ＬＥＤ素子２に高輝度ＬＥＤ素子を用いる場合、透明樹脂層３０は、強い光にさらされるため、高い耐光性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。また、波長変換用の蛍光体を使用してもよく、透明樹脂に分散させてもよい。 The transparent resin layer 30 is a transparent or substantially transparent resin layer provided to protect the LED element 2 placed on the lead frame 10 and transmit the emitted light of the LED element 2 to the outside. It is. As illustrated in FIG. 1, the transparent resin layer 30 is formed on the LED terminal surfaces 11 a and 12 a surrounded by the reflector resin portion 20 b of the light reflecting resin layer 20.
For the transparent resin layer 30, it is desirable to select a material having a high light transmittance and a high refractive index at the emission wavelength of the LED element 2 in order to improve the light extraction efficiency. For example, an epoxy resin or a silicone resin can be selected as a resin that satisfies the properties of high heat resistance, light resistance, and mechanical strength. In particular, when a high-brightness LED element is used for the LED element 2, the transparent resin layer 30 is preferably made of a silicone resin having high light resistance because it is exposed to strong light. Moreover, a phosphor for wavelength conversion may be used, or it may be dispersed in a transparent resin.

次に、本実施形態の光半導体装置、リードフレームの他の形態について説明する。
図４は、第１実施形態の光半導体装置１の他の形態を説明する図である。
図４（ａ）は、光半導体装置１の平面図を示し、図４（ｂ）は、光半導体装置１の側面図を示し、図４（ｃ）は、光半導体装置１の裏面図を示す。
上述の説明では、凹部Ｍを設けたリードフレーム１０の表面にリフレクタ樹脂部２０ｂが形成される、いわゆるカップ型の光半導体装置１の例で説明したが、図４に示すように、リードフレーム１０と光反射樹脂層２０との厚みがほぼ同等となる、いわゆるフラット型の光半導体装置１に適用してもよい。
また、上述の説明では、リードフレーム１０は、各端子部の表裏面のそれぞれに、凹部Ｍ、段部Ｄを設けるようにしたが、裏面の段部Ｄを省略してもよい。これにより、上述の各端子部及び光反射樹脂層の剥離抑制の効果を奏しつつ、光半導体装置の裏面に表出する外部端子面の面積を広くすることができる。 Next, other forms of the optical semiconductor device and the lead frame of the present embodiment will be described.
FIG. 4 is a diagram illustrating another form of the optical semiconductor device 1 according to the first embodiment.
4A shows a plan view of the optical semiconductor device 1, FIG. 4B shows a side view of the optical semiconductor device 1, and FIG. 4C shows a back view of the optical semiconductor device 1. .
In the above description, the example of the so-called cup-type optical semiconductor device 1 in which the reflector resin portion 20b is formed on the surface of the lead frame 10 provided with the recess M has been described. However, as shown in FIG. And the light reflecting resin layer 20 may be applied to a so-called flat type optical semiconductor device 1 having substantially the same thickness.
In the above description, the lead frame 10 is provided with the concave portion M and the step portion D on the front and back surfaces of each terminal portion, but the step portion D on the back surface may be omitted. Thereby, the area of the external terminal surface exposed on the back surface of the optical semiconductor device can be increased while exhibiting the effect of suppressing the peeling of each terminal portion and the light reflecting resin layer.

次に、リードフレーム１０の製造方法について説明する。
図５は、第１実施形態のリードフレーム１０の製造過程を説明する図である。
図５（ａ）は、レジストパターンを形成した金属基板１００を示す平面図と、その平面図のａ−ａ断面図とを示す。図５（ｂ）は、エッチング加工されている金属基板１００を示す図である。図５（ｃ）は、エッチング加工後の金属基板１００を示す図である。図５（ｄ）は、レジストパターンが除去された金属基板１００を示す図である。図５（ｅ）は、めっき処理が施された金属基板１００を示す図である。
なお、図５においては、１枚のリードフレーム１０の製造過程について図示するが、実際には、１枚の金属基板１００からリードフレームの多面付け体ＭＳが製造される。 Next, a method for manufacturing the lead frame 10 will be described.
FIG. 5 is a diagram for explaining the manufacturing process of the lead frame 10 of the first embodiment.
FIG. 5A shows a plan view showing a metal substrate 100 on which a resist pattern is formed, and an aa cross-sectional view of the plan view. FIG. 5B shows the metal substrate 100 that has been etched. FIG.5 (c) is a figure which shows the metal substrate 100 after an etching process. FIG. 5D shows the metal substrate 100 from which the resist pattern has been removed. FIG. 5E shows the metal substrate 100 that has been subjected to plating.
In FIG. 5, the manufacturing process of one lead frame 10 is illustrated, but actually, a multi-faced body MS of the lead frame is manufactured from one metal substrate 100.

リードフレーム１０の製造において、金属基板１００を加工してリードフレーム１０を形成するが、その加工は、プレス加工でも良いが、薄肉部を形成しやすいエッチング処理が望ましい。以下にエッチング処理によるリードフレーム１０の製造方法について説明する。   In the manufacture of the lead frame 10, the metal substrate 100 is processed to form the lead frame 10. The processing may be press processing, but an etching process that easily forms a thin portion is desirable. Below, the manufacturing method of the lead frame 10 by an etching process is demonstrated.

まず、平板状の金属基板１００を用意し、図５（ａ）に示すように、その表面及び裏面のエッチング加工を施さない部分にレジストパターン４０ａ、４０ｂを形成する。なお、レジストパターン４０ａ、４０ｂの材料及び形成方法は、エッチング用レジストとして従来公知の技術を用いることができるが、アクリル系、カゼイン、ゼラチンなどのタンパク質系、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）系などが酸性のエッチング液耐性が高く、望ましい。
次に、図５（ｂ）に示すように、レジストパターン４０ａ、４０ｂを耐エッチング膜として、金属基板１００に腐食液でエッチング処理を施す。腐食液は、使用する金属基板１００の材質に応じて適宜選択することができる。本実施形態では、金属基板１００として銅板を使用しているため、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板１００の両面からスプレーエッチングすることができる。 First, a flat metal substrate 100 is prepared, and as shown in FIG. 5A, resist patterns 40a and 40b are formed on portions of the front and back surfaces that are not etched. The resist patterns 40a and 40b can be made of a material and a forming method using a conventionally known technique as an etching resist. However, acrylic, casein, gelatin and other protein systems, and polyvinyl alcohol (PVA) systems are acidic. Etch solution resistance is high and desirable.
Next, as shown in FIG. 5B, the metal substrate 100 is etched with a corrosive liquid using the resist patterns 40a and 40b as etching resistant films. The corrosive liquid can be appropriately selected according to the material of the metal substrate 100 to be used. In this embodiment, since a copper plate is used as the metal substrate 100, an aqueous ferric chloride solution can be used and spray etching can be performed from both surfaces of the metal substrate 100.

ここで、リードフレーム１０には、端子部１１、１２の外周部や、各端子部１１、１２間の空隙部Ｓ、各端子部の外周縁に設けられた切り欠き部Ｔのように貫通した空間と、凹部Ｍや、段部Ｄ、連結部１３の裏面のように貫通せずに厚みが薄くなった窪んだ空間とが存在する（図２参照）。本実施形態では、金属基板１００の板厚の半分程度までをエッチング加工する、いわゆるハーフエッチング処理を行い、貫通した空間に対しては、金属基板１００の両面にレジストパターンを形成しないようにし、金属基板１００の両面からエッチング加工して、貫通した空間を形成する。また、窪んだ空間に対しては、厚みが薄くなる側とは反対側の面にのみレジストパターンを形成して、レジストパターンがない面のみをエッチング加工して、窪んだ空間を形成する。
エッチング処理により金属基板１００には、図５（ｃ）に示すように、凹部Ｍや段部Ｄが形成された端子部１１、１２が形成され、金属基板１００上にリードフレーム１０が形成される。 Here, the lead frame 10 penetrates like the outer peripheral part of the terminal parts 11 and 12, the gap S between the terminal parts 11 and 12, and the notch part T provided at the outer peripheral edge of each terminal part. There are a space and a recessed space where the thickness is reduced without penetrating, such as the concave portion M, the step portion D, and the back surface of the connecting portion 13 (see FIG. 2). In the present embodiment, a so-called half-etching process that etches up to about half the plate thickness of the metal substrate 100 is performed, and a resist pattern is not formed on both surfaces of the metal substrate 100 in the penetrating space. Etching is performed from both sides of the substrate 100 to form a penetrating space. For the recessed space, a resist pattern is formed only on the surface opposite to the side where the thickness is reduced, and only the surface without the resist pattern is etched to form a recessed space.
As shown in FIG. 5C, terminal portions 11 and 12 having recesses M and stepped portions D are formed on the metal substrate 100 by the etching process, and the lead frame 10 is formed on the metal substrate 100. .

次に、図５（ｄ）に示すように、金属基板１００（リードフレーム１０）からレジストパターン４０を除去する。
そして、図５（ｅ）に示すように、リードフレーム１０が形成された金属基板１００にめっき処理を行い、端子部１１、１２にめっき層Ｃを形成する。めっき処理は、例えば、シアン化銀を主成分とした銀めっき液を用いた電界めっきを施すことにより行われる。
なお、めっき層Ｃを形成する前に、例えば、電解脱脂工程、酸洗工程、銅ストライク工程を適宜選択し、その後、電解めっき工程を経てめっき層Ｃを形成してもよい。
以上により、リードフレーム１０は、図２に示すように、枠体Ｆに多面付けされた状態で製造される。なお、図２において、めっき層Ｃは省略されている。 Next, as shown in FIG. 5D, the resist pattern 40 is removed from the metal substrate 100 (lead frame 10).
Then, as shown in FIG. 5 (e), the metal substrate 100 on which the lead frame 10 is formed is plated to form a plating layer C on the terminal portions 11 and 12. The plating process is performed, for example, by performing electroplating using a silver plating solution containing silver cyanide as a main component.
In addition, before forming the plating layer C, for example, an electrolytic degreasing process, a pickling process, and a copper strike process may be selected as appropriate, and then the plating layer C may be formed through an electrolytic plating process.
As described above, the lead frame 10 is manufactured in a state of being multifaceted to the frame F as shown in FIG. In FIG. 2, the plating layer C is omitted.

次に、光半導体装置１の製造方法について説明する。
図６は、第１実施形態の光半導体装置の多面付け体を示す図である。
図７は、第１実施形態の光半導体装置１の製造過程を説明する図である。
図７（ａ）は、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の断面図であり、図７（ｂ）は、ＬＥＤ素子２が電気的に接続されたリードフレーム１０の断面図を示す。図７（ｃ）は、透明樹脂層３０が形成されたリードフレーム１０の断面図を示す。図７（ｄ）は、ダイシングにより個片化された光半導体装置１の断面図を示す。
なお、図７においては、１台の光半導体装置１の製造過程について図示するが、実際には、１枚の金属基板１００から複数の光半導体装置１が製造されるものとする。また、図７（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ図５（ａ）の断面図に基づくものである。 Next, a method for manufacturing the optical semiconductor device 1 will be described.
FIG. 6 is a diagram illustrating a multifaceted body of the optical semiconductor device of the first embodiment.
FIG. 7 is a diagram illustrating a manufacturing process of the optical semiconductor device 1 according to the first embodiment.
7A is a cross-sectional view of the lead frame 10 on which the light reflecting resin layer 20 is formed, and FIG. 7B is a cross-sectional view of the lead frame 10 to which the LED elements 2 are electrically connected. . FIG. 7C shows a cross-sectional view of the lead frame 10 on which the transparent resin layer 30 is formed. FIG. 7D shows a cross-sectional view of the optical semiconductor device 1 singulated by dicing.
In FIG. 7, the manufacturing process of one optical semiconductor device 1 is illustrated, but actually, a plurality of optical semiconductor devices 1 are manufactured from one metal substrate 100. 7A to 7D are based on the cross-sectional view of FIG.

図７（ａ）に示すように、金属基板１００上にエッチング加工により形成されたリードフレーム１０の外周等に上述の光反射特性を有する樹脂を充填し、光反射樹脂層２０を形成する。光反射樹脂層２０は、例えば、トランスファ成形や、インジェクション成形（射出成形）のように、樹脂成形金型にリードフレーム１０（金属基板１００）をインサートし、樹脂を注入する方法や、リードフレーム１０上に樹脂をスクリーン印刷する方法等によって形成される。このとき、樹脂は、各端子部１１、１２の外周側から凹部Ｍや、段部Ｄ、連結部１３の裏面へと流れ込み、フレーム樹脂部２０ａが形成され、リードフレーム１０と接合する。
また、これと同時に、リフレクタ樹脂部２０ｂが、リードフレームの表面側に突出して、各端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａを囲むようにして形成される。これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、その表面及び裏面に、それぞれ、各端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａと、外部端子面１１ｂ、１２ｂとが表出した状態となる（図３（ａ）、図３（ｂ）参照）。
以上により、図３に示す樹脂付きのリードフレームの多面付け体Ｒが形成される。 As shown in FIG. 7A, the light reflecting resin layer 20 is formed by filling the outer periphery of the lead frame 10 formed by etching on the metal substrate 100 with the resin having the above-described light reflection characteristics. The light reflecting resin layer 20 is formed by inserting a lead frame 10 (metal substrate 100) into a resin molding die and injecting resin, for example, transfer molding or injection molding (injection molding), or lead frame 10 It is formed by a method such as screen printing of resin. At this time, the resin flows from the outer peripheral side of each of the terminal portions 11 and 12 to the concave portion M, the stepped portion D, and the back surface of the connecting portion 13, and the frame resin portion 20 a is formed and joined to the lead frame 10.
At the same time, the reflector resin portion 20b is formed so as to protrude to the surface side of the lead frame and surround the LED terminal surfaces 11a and 12a of the terminal portions 11 and 12, respectively. Thereby, the multi-faced body R of the lead frame with resin is in a state in which the LED terminal surfaces 11a and 12a and the external terminal surfaces 11b and 12b of the terminal portions 11 and 12 are exposed on the front and back surfaces, respectively. (Refer to FIG. 3A and FIG. 3B).
In this way, the multi-faced body R of the lead frame with resin shown in FIG. 3 is formed.

次に、図７（ｂ）に示すように、端子部１１のＬＥＤ端子面１１ａに、ダイアタッチペーストや半田等の放熱性接着剤を介してＬＥＤ素子２を載置し、また、端子部１２のＬＥＤ端子面１２ａに、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２を電気的に接続する。ここで、ＬＥＤ素子２とボンディングワイヤ２ａは複数あってもよく、一つのＬＥＤ素子２に複数のボンディングワイヤ２ａが接続されてもよく、ボンディングワイヤ２ａをダイパッドに接続させてもよい。また、ＬＥＤ素子２を載置面で電気的に接続してもよい。ここで、ボンディングワイヤ２ａは、例えば、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の導電性の良い材料からなる。   Next, as shown in FIG. 7B, the LED element 2 is placed on the LED terminal surface 11 a of the terminal portion 11 via a heat-dissipating adhesive such as die attach paste or solder, and the terminal portion 12. The LED element 2 is electrically connected to the LED terminal surface 12a via the bonding wire 2a. Here, there may be a plurality of LED elements 2 and bonding wires 2a, a plurality of bonding wires 2a may be connected to one LED element 2, or the bonding wires 2a may be connected to a die pad. Moreover, you may electrically connect the LED element 2 by a mounting surface. Here, the bonding wire 2a is made of a material having good conductivity such as gold (Au), copper (Cu), silver (Ag), and the like.

そして、図７（ｃ）に示すように、リフレクタ樹脂部２０ｂに囲まれたＬＥＤ素子２を覆うようにして透明樹脂層３０を形成する。
透明樹脂層３０は平坦な形状のほかレンズ形状、屈折率勾配等、光学的な機能を持たせてもよい。以上により、図６に示すように、光半導体装置の多面付け体が製造される。
最後に、図７（ｄ）に示すように、光半導体装置１の外形（図６の破線部参照）に合わせて、光反射樹脂層２０及び透明樹脂層３０とともに、リードフレーム１０の連結部１３を切断（ダイシング、パンチング、カッティング等）して、１パッケージに分離（個片化）された光半導体装置１（図１参照）を得る。 And as shown in FIG.7 (c), the transparent resin layer 30 is formed so that the LED element 2 enclosed by the reflector resin part 20b may be covered.
The transparent resin layer 30 may have an optical function such as a lens shape and a refractive index gradient in addition to a flat shape. As described above, as shown in FIG. 6, the multi-faced body of the optical semiconductor device is manufactured.
Finally, as shown in FIG. 7D, the connecting portion 13 of the lead frame 10 together with the light reflecting resin layer 20 and the transparent resin layer 30 in accordance with the outer shape of the optical semiconductor device 1 (see the broken line portion in FIG. 6). Is cut (dicing, punching, cutting, etc.) to obtain an optical semiconductor device 1 (see FIG. 1) separated (divided into one piece) into one package.

次に、上述の図７（ａ）におけるリードフレーム１０に光反射樹脂層２０を形成するトランスファ成形及びインジェクション成形について説明する。
図８は、トランスファ成形の概略を説明する図である。図８（ａ）は、金型の構成を説明する図であり、図８（ｂ）〜図８（ｉ）は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが完成するまでの工程を説明する図である。
図９は、インジェクション成形の概略を説明する図である。図９（ａ）〜図９（ｃ）は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが完成するまでの工程を説明する図である。
なお、図８及び図９において、説明を明確にするために、リードフレーム１０の単体に対して光反射樹脂層２０が成形される図を示すが、実際には、リードフレームの多面付け体ＭＳに対して光反射樹脂層２０が形成される。 Next, transfer molding and injection molding for forming the light reflecting resin layer 20 on the lead frame 10 in FIG. 7A will be described.
FIG. 8 is a diagram for explaining the outline of transfer molding. FIG. 8A is a diagram for explaining the configuration of the mold, and FIGS. 8B to 8I are diagrams for explaining the steps until the multi-faced body R of the lead frame with resin is completed. It is.
FIG. 9 is a diagram for explaining the outline of injection molding. FIG. 9A to FIG. 9C are diagrams for explaining the process until the multifaceted body R of the lead frame with resin is completed.
8 and 9, for the sake of clarity, a diagram in which the light reflecting resin layer 20 is formed on a single lead frame 10 is shown. In practice, however, the lead frame multi-faced body MS is shown. On the other hand, the light reflecting resin layer 20 is formed.

（トランスファ成形）
トランスファ成形は、図８（ａ）に示すように、上型１１１及び下型１１２等から構成される金型１１０を使用する。
まず、作業者は、上型１１１及び下型１１２を加熱した後、図８（ｂ）に示すように、上型１１１と下型１１２との間にリードフレームの多面付け体ＭＳを配置するとともに、下型１１２の設けられたポット部１１２ａに光反射樹脂層２０を形成する樹脂を充填する。
そして、図８（ｃ）に示すように、上型１１１及び下型１１２を閉じて（型締め）、樹脂を加熱する。樹脂が十分に加熱されたら、図８（ｄ）及び図８（ｅ）に示すように、プランジャー１１３によって樹脂に圧力をかけて、樹脂を金型１１０内へと充填（トランスファ）させ、所定の時間その圧力を一定に保持する。 (Transfer molding)
As shown in FIG. 8A, the transfer molding uses a mold 110 composed of an upper mold 111, a lower mold 112, and the like.
First, the operator heats the upper mold 111 and the lower mold 112, and then places the multi-faced body MS of the lead frame between the upper mold 111 and the lower mold 112 as shown in FIG. 8B. The pot portion 112a provided with the lower mold 112 is filled with a resin that forms the light reflecting resin layer 20.
Then, as shown in FIG. 8C, the upper mold 111 and the lower mold 112 are closed (clamping), and the resin is heated. When the resin is sufficiently heated, as shown in FIGS. 8D and 8E, pressure is applied to the resin by the plunger 113 so that the resin is filled (transferred) into the mold 110. The pressure is kept constant for a period of time.

所定の時間の経過後、図８（ｆ）及び図８（ｇ）に示すように、上型１１１及び下型１１２を開き、上型１１１に設けられたイジェクターピン１１１ａにより、上型１１１から光反射樹脂層２０が成形されたリードフレームの多面付け体ＭＳを取り外す。その後、図８（ｈ）に示すように、上型１１１の流路（ランナー）部等の余分な樹脂部分を、製品となる部分から除去し、図８（ｉ）に示すように、光反射樹脂層２０が形成された樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが完成する。   After the elapse of a predetermined time, as shown in FIGS. 8 (f) and 8 (g), the upper mold 111 and the lower mold 112 are opened, and light is emitted from the upper mold 111 by the ejector pins 111 a provided on the upper mold 111. The lead frame multi-faced body MS in which the reflective resin layer 20 is molded is removed. Thereafter, as shown in FIG. 8 (h), the excess resin portion such as the flow path (runner) portion of the upper mold 111 is removed from the product portion, and the light reflection is performed as shown in FIG. 8 (i). A multi-faced body R of a lead frame with a resin on which the resin layer 20 is formed is completed.

（インジェクション成形）
インジェクション成形は、図９（ａ）に示すように、上から順に、ノズルプレート１２１、スプループレート１２２、ランナープレート１２３（上型）、下型１２４等から構成される金型１２０を使用する。
まず、作業者は、ランナープレート１２３及び下型１２４間にリードフレームの多面付け体ＭＳを配置して、金型１２０を閉じる（型締め）。
そして、図９（ｂ）に示すように、ノズル１２５をノズルプレート１２１のノズル穴に配置して、光反射樹脂層２０を形成する樹脂を金型１２０内に射出する。ノズル１２５から射出された樹脂は、スプループレート１２２のスプルー１２２ａを通過し、ランナープレート１２３のランナー１２３ａ及びゲートスプルー１２３ｂを通過した上で、リードフレームの多面付け体ＭＳが配置された金型１２０内へと樹脂が充填される。 (Injection molding)
As shown in FIG. 9A, the injection molding uses a mold 120 including a nozzle plate 121, a sprue plate 122, a runner plate 123 (upper mold), a lower mold 124, and the like in order from the top.
First, the operator arranges the multi-faced body MS of the lead frame between the runner plate 123 and the lower mold 124, and closes the mold 120 (clamping).
Then, as shown in FIG. 9B, the nozzle 125 is disposed in the nozzle hole of the nozzle plate 121, and the resin forming the light reflecting resin layer 20 is injected into the mold 120. The resin injected from the nozzle 125 passes through the sprue 122a of the sprue plate 122, passes through the runner 123a and the gate sprue 123b of the runner plate 123, and then in the mold 120 in which the multifaceted body MS of the lead frame is arranged. Filled with resin.

樹脂が充填されたら所定の時間保持した後に、作業者は、図９（ｃ）に示すように、ランナープレート１２３を下型１２４から開き、下型１２４に設けられたイジェクターピン１２４ａによって、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレームの多面付け体ＭＳを下型１２４から取り外す。そして、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレームの多面付け体ＭＳから余分なバリなどを除去して樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが完成する。   After the resin is filled and held for a predetermined time, the operator opens the runner plate 123 from the lower mold 124 and reflects light by the ejector pins 124a provided on the lower mold 124 as shown in FIG. 9C. The lead frame multi-faced body MS on which the resin layer 20 is formed is removed from the lower mold 124. Then, excess burrs and the like are removed from the multi-sided body MS of the lead frame on which the light reflecting resin layer 20 is formed, thereby completing the multi-sided body R of the lead frame with resin.

電子線硬化樹脂を用いた場合には、形成された樹脂つきリードフレームの多面付け体Ｒに、リードフレームの表裏面側から低加速電圧の電子線の照射あるいは、片面から高加速電圧の電子線の照射を行うことで、樹脂の耐熱性を高めた高架橋の光反射樹脂層２０を得ることができる。
また、各端子部の凹部Ｍが露出している面側から低加速電圧の電子線を照射した場合、リフレクタ樹脂部２０ｂの内部よりも、この露出した凹部Ｍ内に形成されたフレーム樹脂部２０ａの架橋密度を向上させることができる。そのため、リフレクタ樹脂部２０ｂの性能を損なうことなく、結合部分（凹部Ｍ内のフレーム樹脂部２０ａ）の強度をより向上させることができ、好適である。 When the electron beam curable resin is used, the formed multi-faced body R of the lead frame with resin is irradiated with an electron beam with a low acceleration voltage from the front and back sides of the lead frame or an electron beam with a high acceleration voltage from one side. By performing this irradiation, it is possible to obtain a highly crosslinked light reflecting resin layer 20 in which the heat resistance of the resin is improved.
Further, when an electron beam having a low acceleration voltage is irradiated from the surface side where the concave portion M of each terminal portion is exposed, the frame resin portion 20a formed in the exposed concave portion M rather than the inside of the reflector resin portion 20b. It is possible to improve the crosslink density. Therefore, the strength of the coupling portion (the frame resin portion 20a in the recess M) can be further improved without deteriorating the performance of the reflector resin portion 20b, which is preferable.

なお、本実施形態のインジェクション成形の金型１２０は、樹脂の流路が、一つのスプルーからランナーを介して複数のゲートへと分岐されているので、リードフレームの多面付け体ＭＳに対して、複数個所から均等に樹脂を射出するようにしている。これにより、リードフレームの多面付け体ＭＳの各リードフレーム１０に対して、樹脂を適正に充填させることができ、樹脂ムラのない樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒを得ることができる。   In the injection molding die 120 of the present embodiment, the resin flow path is branched from a single sprue to a plurality of gates via a runner, so that the multi-faced body MS of the lead frame is Resin is injected evenly from multiple locations. As a result, the resin can be appropriately filled in each lead frame 10 of the multi-sided body MS of the lead frame, and a multi-sided body R of the lead frame with resin without resin unevenness can be obtained.

本実施形態の発明には、以下のような効果がある。
（１）リードフレーム１０は、各端子部１１、１２の表面の互いに対向する辺の角部に、ＬＥＤ端子面から窪んだ凹部Ｍを形成しているので、光反射樹脂層２０を形成する樹脂が充填された場合に、凹部Ｍに形成された樹脂が、端子部間の空隙部Ｓに形成された樹脂を各端子部１１、１２に対して強固に結合する。そのため、リードフレーム１０は、接合強度の弱い端子部間における各端子部と光反射樹脂層２０において、結合強度を向上させることができ、各端子部と光反射樹脂層２０との剥離の発生を抑制することができる。これにより、端子部間における光半導体装置１の破損や、剥離した部分からの水分等の浸入による各部材の変色の発生を抑制することができる。また、光半導体装置１の製造時における透明樹脂の裏面への漏れ出しを防ぐことができる。
（２）リードフレーム１０は、凹部Ｍが各端子部１１、１２の外周側面とつながって（連通して）いるので、光反射樹脂層２０を形成する樹脂が充填された場合に、樹脂を、凹部Ｍ内に各端子部の外周側面から容易に流し込むことができる。
（３）リードフレーム１０は、各端子部の表面に凹部Ｍが形成され、各端子部の裏面に段部Ｄが形成されているので、厚み方向において、光反射樹脂層２０がリードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。 The invention of this embodiment has the following effects.
(1) Since the lead frame 10 has the recess M recessed from the LED terminal surface at the corners of the sides of the terminal portions 11 and 12 facing each other, the resin that forms the light reflecting resin layer 20 When the resin is filled, the resin formed in the recess M firmly bonds the resin formed in the gap S between the terminal portions to the terminal portions 11 and 12. Therefore, the lead frame 10 can improve the bonding strength between the terminal portions and the light reflecting resin layer 20 between the terminal portions having low bonding strength, and the occurrence of peeling between the terminal portions and the light reflecting resin layer 20 can be prevented. Can be suppressed. Thereby, generation | occurrence | production of the discoloration of each member by the breakage | damage of the optical semiconductor device 1 between terminal parts and the penetration | invasion of the water | moisture content etc. from the peeled part can be suppressed. Moreover, it is possible to prevent the transparent resin from leaking to the back surface during manufacturing of the optical semiconductor device 1.
(2) Since the recess M is connected to (communicated with) the outer peripheral side surfaces of the terminal portions 11 and 12 in the lead frame 10, when the resin for forming the light reflecting resin layer 20 is filled, It can be easily poured into the recess M from the outer peripheral side surface of each terminal portion.
(3) Since the lead frame 10 has the concave portions M formed on the surface of each terminal portion and the stepped portion D formed on the back surface of each terminal portion, the light reflecting resin layer 20 extends from the lead frame 10 in the thickness direction. It can suppress peeling.

（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
図１０は、第２実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。図１０（ａ）、図１０（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示し、図１０（ｃ）、図１０（ｄ）は、それぞれ図１０（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図を示す。
図１１は、第２実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの詳細を説明する図である。図１１（ａ）、図１１（ｂ）は、それぞれ樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの平面図、裏面図を示し、図１１（ｃ）、図１１（ｄ）は、それぞれ図１１（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図を示す。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第１実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。 (Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
FIG. 10 is a diagram for explaining the details of the multi-faced body MS of the lead frame of the second embodiment. 10 (a) and 10 (b) show a plan view and a back view of the multi-faced body MS of the lead frame, respectively, and FIG. 10 (c) and FIG. 10 (d) respectively show FIG. 10 (a). A cc sectional view and a dd sectional view are shown.
FIG. 11 is a diagram for explaining the details of the multi-faced body R of the lead frame with resin according to the second embodiment. 11 (a) and 11 (b) show a plan view and a back view, respectively, of the multifaceted body R of the lead frame with resin, and FIGS. 11 (c) and 11 (d) are respectively the same as FIG. 11 (a). Cc cross-sectional view and dd cross-sectional view of FIG.
Note that, in the following description and drawings, the same reference numerals or the same reference numerals are given to the portions that perform the same functions as those in the first embodiment described above, and overlapping descriptions will be omitted as appropriate.

第２実施形態のリードフレーム２１０は、端子部２１１、２１２に設けられる凹部Ｍの形状が第１実施形態と相違する。
また、端子部２１１及び端子部２１２は、それぞれの表面側の互いに対向する辺に、厚みの薄くなる凹部Ｍが設けられている。
凹部Ｍは、図１０に示すように、端子部２１１、２１２の互いに対向する辺の角部に、ＬＥＤ端子面２１１ａ、２１２ａから窪んだ円弧状の凹みである。凹部Ｍは、第１実施形態の凹部Ｍと相違して、端子部２１１、２１２の外周縁とはつながっておらず、各端子部の裏面に設けられた段部Ｄとは重ならないように形成されている。そのため、端子部２１１、２１２の外周縁には、第１実施形態のように切り欠き部が形成されない。
凹部Ｍは、図１１に示すように、リフレクタ樹脂部２２０ｂと平面視上重なる位置に形成されており、リフレクタ樹脂部２２０ｂが成形される場合に、凹部Ｍの内部にも樹脂が流れ込む。 The lead frame 210 of the second embodiment is different from the first embodiment in the shape of the recess M provided in the terminal portions 211 and 212.
Moreover, the terminal part 211 and the terminal part 212 are provided with a concave portion M having a small thickness on the sides facing each other on the surface side.
As shown in FIG. 10, the recess M is an arc-shaped recess that is recessed from the LED terminal surfaces 211 a and 212 a at the corners of the sides of the terminal portions 211 and 212 facing each other. Unlike the concave portion M of the first embodiment, the concave portion M is not connected to the outer peripheral edge of the terminal portions 211 and 212 and is formed so as not to overlap with the step portion D provided on the back surface of each terminal portion. Has been. Therefore, notches are not formed on the outer peripheral edges of the terminal portions 211 and 212 as in the first embodiment.
As shown in FIG. 11, the concave portion M is formed at a position overlapping the reflector resin portion 220b in plan view, and the resin flows into the concave portion M when the reflector resin portion 220b is molded.

以上の構成により、本実施形態のリードフレーム２１０は、上述の第１実施形態のリードフレーム１０と同様に、各端子部間において、各端子部２１１、２１２と光反射樹脂層２２０との結合強度を向上させ、端子部間の剥離の発生を抑制することができる。また、各端子部の裏面に段部Ｄを形成しているので、厚み方向において、光反射樹脂層２２０がリードフレーム２１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、リードフレーム２１０は、凹部Ｍが、各端子部の外周側面とつながっていないので、凹部Ｍ内に形成された光反射樹脂層２２０の各端子部の配列方向（Ｘ方向）に対して移動することができず端子部間における光反射樹脂層２２０の上記剥離発生の抑制効果を更に向上させることができる。 With the above configuration, the lead frame 210 of the present embodiment has a bonding strength between the terminal portions 211 and 212 and the light-reflecting resin layer 220 between the terminal portions, as in the lead frame 10 of the first embodiment described above. And the occurrence of peeling between the terminal portions can be suppressed. Further, since the step portion D is formed on the back surface of each terminal portion, it is possible to suppress the light reflecting resin layer 220 from being peeled off from the lead frame 210 in the thickness direction.
Moreover, since the recessed part M is not connected with the outer peripheral side surface of each terminal part, the lead frame 210 moves with respect to the arrangement direction (X direction) of each terminal part of the light reflecting resin layer 220 formed in the recessed part M. The effect of suppressing the occurrence of peeling of the light reflecting resin layer 220 between the terminal portions cannot be further improved.

（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態について説明する。
図１２は、第３実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。図１２（ａ）、図１２（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示し、図１２（ｃ）、図１２（ｄ）は、それぞれ図１２（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図を示す。 (Third embodiment)
Next, a third embodiment of the present invention will be described.
FIG. 12 is a diagram for explaining the details of the multi-faced body MS of the lead frame of the third embodiment. 12 (a) and 12 (b) are a plan view and a back view, respectively, of the multi-faced body MS of the lead frame, and FIGS. 12 (c) and 12 (d) are views of FIG. 12 (a), respectively. A cc sectional view and a dd sectional view are shown.

第３実施形態のリードフレーム３１０は、端子部３１１、３１２に設けられる凹部Ｍの形状が第１実施形態と相違する。
端子部３１１及び端子部３１２は、それぞれの表面側の互いに対向する辺に、厚みの薄くなる凹部Ｍが設けられている。
凹部Ｍは、図１２に示すように、端子部３１１、３１２の互いに対向する辺の角部に、ＬＥＤ端子面３１１ａ、３１２ａから窪んだ円弧状の凹みである。凹部Ｍは、端子部３１１、３１２の互いに対向する辺の外周縁ではつながって（連通して）いないが、各端子部の配列方向（Ｘ方向）と平行な辺（上辺又は下辺）の外周縁とはつながるように形成されている。そのため、端子部３１１、３１２には、その上辺及び下辺の外周縁に切り欠き部Ｔが形成される。
凹部Ｍは、リフレクタ樹脂部と平面視上重なる位置に形成されており、リフレクタ樹脂部が成形される場合に、凹部Ｍの内部にも樹脂が流れ込む。また、凹部Ｍには、フレーム樹脂部が形成される場合に、切り欠き部Ｔが形成される位置からも樹脂が流れ込む。 The lead frame 310 of the third embodiment is different from the first embodiment in the shape of the recess M provided in the terminal portions 311 and 312.
The terminal portion 311 and the terminal portion 312 are each provided with a concave portion M having a reduced thickness on the sides facing each other.
As shown in FIG. 12, the concave portion M is an arc-shaped concave portion that is recessed from the LED terminal surfaces 311a and 312a at the corners of the opposite sides of the terminal portions 311 and 312. The concave portion M is not connected (communicated) at the outer peripheral edges of the opposite sides of the terminal portions 311 and 312, but the outer peripheral edge of the side (upper side or lower side) parallel to the arrangement direction (X direction) of each terminal portion. It is formed to be connected. Therefore, the terminal portions 311 and 312 are formed with cutout portions T on the outer peripheral edges of the upper and lower sides.
The concave portion M is formed at a position overlapping the reflector resin portion in plan view, and the resin flows into the concave portion M when the reflector resin portion is molded. In addition, when the frame resin portion is formed, the resin flows into the recess M also from the position where the cutout portion T is formed.

以上の構成により、本実施形態のリードフレーム３１０は、上述の第１実施形態のリードフレーム１０と同様に、各端子部間において、各端子部３１１、３１２と光反射樹脂層との結合強度を向上させ、端子部間の剥離の発生を抑制することができる。また、各端子部の裏面に段部Ｄを形成しているので、厚み方向において、光反射樹脂層がリードフレーム３１０から剥離してしまうのを抑制することができる。更に、凹部Ｍが各端子部３１１、３１２の外周側面とつながっているので、光反射樹脂層を形成する樹脂が充填された場合に、樹脂を、凹部Ｍ内に各端子部の外周側面から容易に流し込むことができる。
また、リードフレーム３１０は、凹部Ｍが、各端子部の互いに対向する辺の外周縁ではつながっていないので、上記剥離発生の抑制効果を向上させることができる。
なお、本実施形態のリードフレーム３１０は、第１実施形態のリードフレームと同様に、カップ型の光半導体装置だけでなく、フラット型の光半導体装置の製造に適用することができる。 With the above configuration, the lead frame 310 according to the present embodiment has a bonding strength between the terminal portions 311 and 312 and the light-reflecting resin layer between the terminal portions, similarly to the lead frame 10 according to the first embodiment described above. And the occurrence of peeling between the terminal portions can be suppressed. Further, since the step portion D is formed on the back surface of each terminal portion, it is possible to suppress the light reflecting resin layer from being peeled off from the lead frame 310 in the thickness direction. Furthermore, since the concave portion M is connected to the outer peripheral side surfaces of the terminal portions 311 and 312, the resin can be easily introduced into the concave portion M from the outer peripheral side surfaces of the terminal portions when the resin for forming the light reflecting resin layer is filled. Can be poured into.
Moreover, since the recessed part M is not connected with the outer periphery of the edge | side where each terminal part mutually opposes, the lead frame 310 can improve the suppression effect of said peeling generation | occurrence | production.
Note that the lead frame 310 of the present embodiment can be applied to the manufacture of not only a cup-type optical semiconductor device but also a flat-type optical semiconductor device, like the lead frame of the first embodiment.

（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態について説明する。
図１３は、第４実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。図１３（ａ）、図１３（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示し、図１３（ｃ）、図１３（ｄ）は、それぞれ図１３（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図を示す。 (Fourth embodiment)
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 13 is a diagram for explaining the details of the multifaceted body MS of the lead frame of the fourth embodiment. FIGS. 13A and 13B are a plan view and a back view, respectively, of the multi-faced body MS of the lead frame, and FIGS. 13C and 13D are views of FIG. 13A, respectively. A cc sectional view and a dd sectional view are shown.

第４実施形態のリードフレーム４１０は、端子部４１１、４１２に設けられる凹部Ｍの形状が第１実施形態と相違する。
端子部４１１及び端子部４１２は、それぞれの表面側の互いに対向する辺に、厚みの薄くなる凹部Ｍが設けられている。
凹部Ｍは、図１３に示すように、端子部４１１、４１２の互いに対向する辺の角部に、ＬＥＤ端子面４１１ａ、４１２ａから窪んだ円形状の穴である。凹部Ｍは、第１実施形態の凹部Ｍと相違して、端子部４１１、４１２の外周縁とはつながっておらず、各端子部の裏面に設けられた段部Ｄとは重ならないように形成されている。
凹部Ｍは、リフレクタ樹脂部と平面視上重なる位置に形成されており、リフレクタ樹脂部が成形される場合に、凹部Ｍの内部にも樹脂が流れ込む。 The lead frame 410 according to the fourth embodiment is different from the first embodiment in the shape of the recess M provided in the terminal portions 411 and 412.
The terminal portion 411 and the terminal portion 412 are each provided with a concave portion M having a reduced thickness on the sides facing each other.
As shown in FIG. 13, the recess M is a circular hole that is recessed from the LED terminal surfaces 411 a and 412 a at the corners of the opposing sides of the terminal portions 411 and 412. Unlike the concave portion M of the first embodiment, the concave portion M is not connected to the outer peripheral edge of the terminal portions 411 and 412 and is formed so as not to overlap with the step portion D provided on the back surface of each terminal portion. Has been.
The concave portion M is formed at a position overlapping the reflector resin portion in plan view, and the resin flows into the concave portion M when the reflector resin portion is molded.

以上の構成により、本実施形態のリードフレーム４１０は、上述の第１実施形態のリードフレーム１０と同様に、端子部間において、端子部４１１、４１２と光反射樹脂層との結合強度を向上させ、端子部間の剥離の発生を抑制することができる。また、各端子部の裏面に段部Ｄを形成しているので、厚み方向において、光反射樹脂層がリードフレーム４１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、リードフレーム４１０は、凹部Ｍが、各端子部の外周側面とつながっていないので、凹部Ｍ内に形成された光反射樹脂層の各端子部の配列方向（Ｘ方向）に対して移動することができず上記剥離発生の抑制効果を向上させることができる。
なお、凹部Ｍの形状は、円形状に限らず、楕円を含む長円形状や、矩形状等に形成されてもよい。 With the above configuration, the lead frame 410 according to the present embodiment improves the bonding strength between the terminal portions 411 and 412 and the light reflecting resin layer between the terminal portions, similarly to the lead frame 10 according to the first embodiment described above. The occurrence of peeling between the terminal portions can be suppressed. Further, since the step portion D is formed on the back surface of each terminal portion, it is possible to suppress the light reflecting resin layer from being peeled off from the lead frame 410 in the thickness direction.
Moreover, since the recessed part M is not connected with the outer peripheral side surface of each terminal part, the lead frame 410 moves with respect to the arrangement direction (X direction) of each terminal part of the light reflecting resin layer formed in the recessed part M. The effect of suppressing the occurrence of peeling cannot be improved.
Note that the shape of the recess M is not limited to a circular shape, and may be an elliptical shape including an ellipse, a rectangular shape, or the like.

（第５実施形態）
次に、本発明の第５実施形態について説明する。
図１４は、第５実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。図１４（ａ）、図１４（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示し、図１４（ｃ）は、それぞれ図１４（ａ）のｃ−ｃ断面図を示す。 (Fifth embodiment)
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 14 is a diagram for explaining the details of the multifaceted body MS of the lead frame of the fifth embodiment. 14 (a) and 14 (b) are a plan view and a back view, respectively, of the multifaceted body MS of the lead frame, and FIG. 14 (c) is a sectional view taken along the line cc of FIG. 14 (a). Show.

第５実施形態のリードフレーム５１０は、端子部５１１、５１２に設けられる凹部Ｍの形状が第１実施形態と相違する。
端子部５１１及び端子部５１２は、それぞれの表面側の互いに対向する辺に、厚みの薄くなる凹部Ｍが設けられている。
凹部Ｍは、図１４に示すように、端子部５１１、５１２の互いに対向する辺の中央部に、ＬＥＤ端子面５１１ａ、５１２ａから窪んだ半円状の凹みであり、半円の中心が互いに対向する端子部のある方向に向くように形成されている。凹部Ｍは、端子部５１１、５１２の外周縁とつながっている。そのため、端子部５１１、５１２は、その外周縁の一部において、表面に形成された凹部Ｍと、裏面に形成された段部Ｄとが重なり、その部分に切り欠き部Ｔが形成される。
凹部Ｍには、フレーム樹脂部が形成される場合に、切り欠き部Ｔが形成される位置から樹脂が流れ込む。 The lead frame 510 of the fifth embodiment is different from the first embodiment in the shape of the recess M provided in the terminal portions 511 and 512.
The terminal portion 511 and the terminal portion 512 are each provided with a concave portion M having a reduced thickness on the sides facing each other.
As shown in FIG. 14, the recess M is a semicircular recess that is recessed from the LED terminal surfaces 511 a and 512 a at the center of the opposite sides of the terminal portions 511 and 512, and the centers of the semicircles oppose each other. It is formed so as to face the direction in which the terminal portion to be operated is located. The recess M is connected to the outer peripheral edges of the terminal portions 511 and 512. Therefore, in the terminal portions 511 and 512, the concave portion M formed on the front surface and the stepped portion D formed on the back surface overlap each other at a part of the outer peripheral edge, and the cutout portion T is formed in that portion.
When the frame resin portion is formed, the resin flows into the recess M from the position where the cutout portion T is formed.

以上の構成により、本実施形態のリードフレーム５１０は、上述の第１実施形態のリードフレーム１０と同様に、各端子部間において、各端子部５１１、５１２と光反射樹脂層との結合強度を向上させ、端子部間の剥離の発生を抑制することができる。また、各端子部の裏面に段部Ｄを形成しているので、厚み方向において、光反射樹脂層がリードフレーム５１０から剥離してしまうのを抑制することができる。更に、凹部Ｍが各端子部５１１、５１２の外周側面とつながっているので、光反射樹脂層を形成する樹脂が充填された場合に、樹脂を、凹部Ｍ内に各端子部の外周側面から容易に流し込むことができる。
また、ＬＥＤ素子が載置されるリードフレーム５１０の外形（図１４中の破線）の中央部近傍は、ＬＥＤ素子の発光熱等により最も熱の影響を受けやすいが、この中央部近傍に凹部Ｍが設けられるので、この部位における端子部と光反射樹脂層との剥離を効果的に抑制することができる。
なお、本実施形態のリードフレーム５１０は、第１実施形態のリードフレームと同様に、カップ型の光半導体装置だけでなく、フラット型の光半導体装置の製造に適用することができる。また、凹部Ｍの形状は、半円状だけでなく、円や長円の円弧形状や、矩形状の凹みであってもよい。 With the above configuration, the lead frame 510 of the present embodiment has a bonding strength between the terminal portions 511 and 512 and the light-reflecting resin layer between the terminal portions, similarly to the lead frame 10 of the first embodiment described above. And the occurrence of peeling between the terminal portions can be suppressed. Moreover, since the step portion D is formed on the back surface of each terminal portion, it is possible to suppress the light reflecting resin layer from being peeled off from the lead frame 510 in the thickness direction. Furthermore, since the concave portion M is connected to the outer peripheral side surfaces of the respective terminal portions 511 and 512, when the resin forming the light reflecting resin layer is filled, the resin can be easily introduced into the concave portion M from the outer peripheral side surface of each terminal portion. Can be poured into.
Further, the vicinity of the central portion of the outer shape (dashed line in FIG. 14) of the lead frame 510 on which the LED element is placed is most susceptible to heat due to the light emission heat of the LED element. Therefore, peeling between the terminal portion and the light reflecting resin layer at this portion can be effectively suppressed.
Note that the lead frame 510 of the present embodiment can be applied to the manufacture of not only a cup-type optical semiconductor device but also a flat-type optical semiconductor device, like the lead frame of the first embodiment. Further, the shape of the recess M is not limited to a semicircular shape, and may be a circular or oval arc shape or a rectangular recess.

（第６実施形態）
次に、本発明の第６実施形態について説明する。
図１５は、第６実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。図１５（ａ）、図１５（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示し、図１５（ｃ）は、それぞれ図１５（ａ）のｃ−ｃ断面図を示す。 (Sixth embodiment)
Next, a sixth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 15 is a diagram for explaining details of the multi-faced body MS of the lead frame according to the sixth embodiment. FIGS. 15A and 15B are a plan view and a back view, respectively, of the lead frame multi-faced body MS, and FIG. 15C is a cross-sectional view taken along the line cc of FIG. 15A, respectively. Show.

第６実施形態のリードフレーム６１０は、端子部６１１、６１２に設けられる凹部Ｍの形状が第１実施形態と相違する。
また、端子部６１１及び端子部６１２は、それぞれの表面側の互いに対向する辺に、厚みの薄くなる凹部Ｍが設けられている。
凹部Ｍは、図１５に示すように、端子部６１１、６１２の互いに対向する辺に沿うようにして、ＬＥＤ端子面６１１ａ、６１２ａから窪んだ長円弧状の凹みであり、円弧の中心が互いに対向する端子部のある方向に向くように形成されている。凹部Ｍは、第１実施形態の凹部Ｍと相違して、端子部６１１、６１２の外周縁とはつながっておらず、各端子部の裏面に設けられた段部Ｄとは重ならないように形成されている。そのため、端子部６１１、６１２の外周縁には、第１実施形態のように切り欠き部が形成されない。
凹部Ｍは、リフレクタ樹脂部と平面視上重なる位置に形成されており、リフレクタ樹脂部が成形される場合に、凹部Ｍの内部にも樹脂が流れ込む。 The lead frame 610 of the sixth embodiment is different from the first embodiment in the shape of the recess M provided in the terminal portions 611 and 612.
Moreover, the terminal part 611 and the terminal part 612 are provided with the recessed part M which becomes thin in the mutually opposing edge | side of each surface side.
As shown in FIG. 15, the recess M is a long arc-shaped recess that is recessed from the LED terminal surfaces 611 a and 612 a along the opposing sides of the terminal portions 611 and 612, and the centers of the arcs oppose each other. It is formed so as to face the direction in which the terminal portion to be operated is located. Unlike the recess M of the first embodiment, the recess M is not connected to the outer peripheral edge of the terminal portions 611 and 612 and does not overlap with the step portion D provided on the back surface of each terminal portion. Has been. Therefore, notches are not formed on the outer peripheral edges of the terminal portions 611 and 612 as in the first embodiment.
The concave portion M is formed at a position overlapping the reflector resin portion in plan view, and the resin flows into the concave portion M when the reflector resin portion is molded.

以上の構成により、本実施形態のリードフレーム６１０は、上述の第１実施形態のリードフレーム１０と同様に、各端子部間において、各端子部６１１、６１２と光反射樹脂層との結合強度を向上させ、端子部間の剥離の発生を抑制することができる。また、各端子部の裏面に段部Ｄを形成しているので、厚み方向において、光反射樹脂層がリードフレーム６１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、リードフレーム６１０は、凹部Ｍが、各端子部の外周側面とつながっていないので、凹部Ｍ内に形成された光反射樹脂層の各端子部の配列方向（Ｘ方向）に対して移動することができず上記端子部間の剥離発生の抑制効果を向上させることができる。
更に、ＬＥＤ素子が載置されるリードフレーム６１０の外形（図１５中の破線部）の中央部近傍は、ＬＥＤ素子の発光熱等により最も熱の影響を受けやすいが、この中央部近傍に凹部Ｍが設けられるので、この部位における端子部と光反射樹脂層との剥離を効果的に抑制することができる。 With the above configuration, the lead frame 610 of the present embodiment has a bonding strength between the terminal portions 611 and 612 and the light-reflecting resin layer between the terminal portions, similarly to the lead frame 10 of the first embodiment described above. And the occurrence of peeling between the terminal portions can be suppressed. Further, since the step portion D is formed on the back surface of each terminal portion, it is possible to suppress the light reflecting resin layer from being peeled off from the lead frame 610 in the thickness direction.
Moreover, since the recessed part M is not connected with the outer peripheral side surface of each terminal part, the lead frame 610 moves with respect to the arrangement direction (X direction) of each terminal part of the light reflecting resin layer formed in the recessed part M. It is not possible to improve the effect of suppressing the occurrence of separation between the terminal portions.
Further, the vicinity of the central portion of the outer shape (dashed line portion in FIG. 15) of the lead frame 610 on which the LED element is placed is most susceptible to heat due to the light emission heat of the LED element. Since M is provided, peeling between the terminal portion and the light reflecting resin layer at this portion can be effectively suppressed.

（第７実施形態）
次に、本発明の第７実施形態について説明する。
図１６は、第７実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。図１６（ａ）、図１６（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示し、図１６（ｃ）は、それぞれ図１６（ａ）のｃ−ｃ断面図を示す。 (Seventh embodiment)
Next, a seventh embodiment of the present invention will be described.
FIG. 16 is a diagram illustrating details of the multi-faced body MS of the lead frame of the seventh embodiment. 16 (a) and 16 (b) are a plan view and a back view, respectively, of the multi-faced body MS of the lead frame, and FIG. 16 (c) is a sectional view taken along the line cc of FIG. 16 (a). Show.

第７実施形態のリードフレーム７１０は、端子部７１１、７１２に設けられる凹部Ｍの形状が第１実施形態と相違する。
端子部７１１及び端子部７１２は、それぞれの表面側の互いに対向する辺に、厚みの薄くなる凹部Ｍが設けられている。
凹部Ｍは、図１６に示すように、端子部７１１、７１２の互いに対向する辺に沿うようにして、ＬＥＤ端子面７１１ａ、７１２ａから窪んだ直方体状の凹みである。この直方体状の凹み部分は、各端子部の裏面に設けられた段部Ｄとは重ならない位置に形成されている。また、凹部Ｍは、直方体状の凹みの中央部に、各端子部の外周縁側につながる凹みが形成されており、端子部７１１、７１２の互いに対向する辺の外周縁につながっている。そのため、凹部Ｍは、この外周縁側につながる凹みが段部Ｄと平面視上重なることとなり、端子部７１１、７１２には、互いに対向する辺に切り欠き部Ｔが形成される。
凹部Ｍは、リフレクタ樹脂部と平面視上重なる位置に形成されており、リフレクタ樹脂部が成形される場合に、凹部Ｍの内部にも樹脂が流れ込む。また、凹部Ｍには、フレーム樹脂部が形成される場合に、切り欠き部Ｔが形成される位置からも樹脂が流れ込む。 The lead frame 710 of the seventh embodiment is different from the first embodiment in the shape of the recess M provided in the terminal portions 711 and 712.
The terminal portion 711 and the terminal portion 712 are each provided with a concave portion M having a reduced thickness on the sides facing each other.
As shown in FIG. 16, the recess M is a rectangular parallelepiped that is recessed from the LED terminal surfaces 711 a and 712 a so as to be along the sides of the terminal portions 711 and 712 facing each other. This rectangular parallelepiped-shaped recessed part is formed in the position which does not overlap with the step part D provided in the back surface of each terminal part. In addition, the recess M is formed with a recess connected to the outer peripheral edge side of each terminal portion at the center of the rectangular parallelepiped recess, and is connected to the outer peripheral edge of the terminals 711 and 712 facing each other. Therefore, in the recess M, the recess connected to the outer peripheral edge side overlaps the stepped portion D in plan view, and the terminal portions 711 and 712 are formed with cutout portions T on opposite sides.
The concave portion M is formed at a position overlapping the reflector resin portion in plan view, and the resin flows into the concave portion M when the reflector resin portion is molded. In addition, when the frame resin portion is formed, the resin flows into the recess M also from the position where the cutout portion T is formed.

以上の構成により、本実施形態のリードフレーム７１０は、上述の第１実施形態のリードフレーム１０と同様に、各端子部間において、各端子部７１１、７１２と光反射樹脂層との結合強度を向上させ、端子部間の剥離の発生を抑制することができる。また、各端子部の裏面に段部Ｄを形成しているので、厚み方向において、光反射樹脂層がリードフレーム７１０から剥離してしまうのを抑制することができる。更に、凹部Ｍが各端子部７１１、７１２の外周側面とつながっているので、光反射樹脂層を形成する樹脂が充填された場合に、樹脂を、凹部Ｍ内に各端子部の外周側面から容易に流し込むことができる。   With the above configuration, the lead frame 710 of the present embodiment has a bonding strength between the terminal portions 711 and 712 and the light-reflecting resin layer between the terminal portions, similarly to the lead frame 10 of the first embodiment described above. And the occurrence of peeling between the terminal portions can be suppressed. Moreover, since the step portion D is formed on the back surface of each terminal portion, it is possible to suppress the light reflecting resin layer from being peeled off from the lead frame 710 in the thickness direction. Furthermore, since the concave portion M is connected to the outer peripheral side surfaces of the terminal portions 711 and 712, when the resin forming the light reflecting resin layer is filled, the resin can be easily introduced into the concave portion M from the outer peripheral side surface of each terminal portion. Can be poured into.

また、リードフレーム７１０は、各端子部の対向する辺に沿うようにして凹部Ｍが形成されているので、凹部Ｍに充填されるフレーム樹脂部が、各端子部と光反射樹脂層とをより強固に結合させることができ、上記剥離発生の抑制効果を向上させることができる。
更に、ＬＥＤ素子が載置されるリードフレーム７１０の外形（図１６中の破線部）の中央部近傍は、ＬＥＤ素子の発光熱等により最も熱の影響を受けやすいが、この部位の近傍に凹部Ｍが設けられるので、この部位における端子部と光反射樹脂層との剥離を効果的に抑制することができる。
なお、本実施形態のリードフレーム７１０は、第１実施形態のリードフレームと同様に、カップ型の光半導体装置だけでなく、フラット型の光半導体装置の製造に適用することができる。 In addition, since the lead frame 710 has the recesses M formed along the opposing sides of the terminal portions, the frame resin portion filled in the recesses M has more connection between the terminal portions and the light reflecting resin layer. They can be firmly bonded, and the effect of suppressing the occurrence of peeling can be improved.
Further, the vicinity of the central portion of the outer shape of the lead frame 710 on which the LED element is placed (broken line portion in FIG. 16) is most susceptible to heat due to the light emission heat of the LED element. Since M is provided, peeling between the terminal portion and the light reflecting resin layer at this portion can be effectively suppressed.
Note that the lead frame 710 of the present embodiment can be applied to the manufacture of not only a cup-type optical semiconductor device but also a flat-type optical semiconductor device, like the lead frame of the first embodiment.

（第８実施形態）
次に、本発明の第８実施形態について説明する。
図１７は、第８実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。図１７（ａ）、図１７（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示し、図１７（ｃ）は、それぞれ図１７（ａ）のｃ−ｃ断面図、を示す。 (Eighth embodiment)
Next, an eighth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 17 is a diagram for explaining the details of the multi-faced body MS of the lead frame according to the eighth embodiment. 17 (a) and 17 (b) are a plan view and a back view, respectively, of the lead frame multi-faced body MS, and FIG. 17 (c) is a cross-sectional view taken along the line cc of FIG. 17 (a), respectively. Indicates.

第８実施形態のリードフレーム８１０は、端子部８１１、８１２に設けられる凹部Ｍの形状が第１実施形態と相違する。
端子部８１１及び端子部８１２は、それぞれの表面側の互いに対向する辺に、厚みの薄くなる凹部Ｍが設けられている。
凹部Ｍは、図１７に示すように、端子部８１１、８１２の互いに対向する辺に沿うようにして、ＬＥＤ端子面８１１ａ、８１２ａから窪んだ直方体状の凹みである。凹部Ｍは、その直方体状の凹み一端が、各端子部８１１、８１２の上辺又は下辺のいずれかの外周縁につながるように形成されている。具体的には、端子部８１１の凹部Ｍは、端子部８１１の上辺の外周縁につながり、端子部８１２の凹部Ｍは、端子部８１２の下辺の外周縁につながる。そのため、凹部Ｍは、その外周縁とつながる部分が段部Ｄと平面視上重なることとなり、端子部８１１、８１２には、切り欠き部Ｔが形成される。
凹部Ｍは、リフレクタ樹脂部と平面視上重なる位置に形成されており、リフレクタ樹脂部が成形される場合に、凹部Ｍの内部にも樹脂が流れ込む。また、凹部Ｍには、フレーム樹脂部が形成される場合に、切り欠き部Ｔが形成される位置からも樹脂が流れ込む。 The lead frame 810 of the eighth embodiment is different from the first embodiment in the shape of the recess M provided in the terminal portions 811 and 812.
The terminal portion 811 and the terminal portion 812 are each provided with a concave portion M having a small thickness on the sides facing each other.
As shown in FIG. 17, the recess M is a rectangular parallelepiped recess recessed from the LED terminal surfaces 811 a and 812 a so as to be along the sides of the terminal portions 811 and 812 facing each other. The recess M is formed so that one end of the rectangular parallelepiped recess is connected to the outer peripheral edge of either the upper side or the lower side of each of the terminal portions 811 and 812. Specifically, the concave portion M of the terminal portion 811 is connected to the outer peripheral edge of the upper side of the terminal portion 811, and the concave portion M of the terminal portion 812 is connected to the outer peripheral edge of the lower side of the terminal portion 812. For this reason, in the recess M, a portion connected to the outer periphery of the recess M overlaps the stepped portion D in plan view, and a cutout portion T is formed in the terminal portions 811 and 812.
The concave portion M is formed at a position overlapping the reflector resin portion in plan view, and the resin flows into the concave portion M when the reflector resin portion is molded. In addition, when the frame resin portion is formed, the resin flows into the recess M also from the position where the cutout portion T is formed.

以上の構成により、本実施形態のリードフレーム８１０は、上述の第１実施形態のリードフレーム１０と同様に、各端子部間において、各端子部８１１、８１２と光反射樹脂層との結合強度を向上させ、端子部間の剥離の発生を抑制することができる。また、各端子部の裏面に段部Ｄを形成しているので、厚み方向において、光反射樹脂層がリードフレーム８１０から剥離してしまうのを抑制することができる。更に、凹部Ｍが各端子部８１１、８１２の外周側面とつながっているので、光反射樹脂層を形成する樹脂が充填された場合に、樹脂を、凹部Ｍ内に各端子部の外周側面から容易に流し込むことができる。   With the above configuration, the lead frame 810 of the present embodiment has a bonding strength between the terminal portions 811 and 812 and the light-reflecting resin layer between the terminal portions, similarly to the lead frame 10 of the first embodiment described above. And the occurrence of peeling between the terminal portions can be suppressed. In addition, since the step portion D is formed on the back surface of each terminal portion, it is possible to suppress the light reflecting resin layer from being peeled off from the lead frame 810 in the thickness direction. Further, since the concave portion M is connected to the outer peripheral side surfaces of the respective terminal portions 811 and 812, the resin can be easily introduced into the concave portion M from the outer peripheral side surface of each terminal portion when the resin for forming the light reflecting resin layer is filled. Can be poured into.

また、リードフレーム８１０は、凹部Ｍが、各端子部の互いに対向する辺の外周縁ではつながっていないので、上記剥離発生の抑制効果を向上させることができる。
更に、ＬＥＤ素子が載置されるリードフレーム８１０の外形（図１７中の破線部）の中央部近傍は、ＬＥＤ素子の発光熱等により最も熱の影響を受けやすいが、この部位の近傍に凹部Ｍが設けられるので、この部位における端子部と光反射樹脂層との剥離を効果的に抑制することができる。
なお、本実施形態のリードフレーム８１０は、第１実施形態のリードフレームと同様に、カップ型の光半導体装置だけでなく、フラット型の光半導体装置の製造に適用することができる。 Moreover, since the recessed part M is not connected in the outer periphery of the side which each terminal part mutually opposes, the lead frame 810 can improve the suppression effect of the said peeling generation | occurrence | production.
Further, the vicinity of the central portion of the outer shape of the lead frame 810 on which the LED element is placed (the broken line portion in FIG. 17) is most susceptible to heat due to the light emission heat of the LED element, but there is a recess in the vicinity of this portion. Since M is provided, peeling between the terminal portion and the light reflecting resin layer at this portion can be effectively suppressed.
Note that the lead frame 810 of the present embodiment can be applied to the manufacture of not only a cup-type optical semiconductor device but also a flat-type optical semiconductor device, like the lead frame of the first embodiment.

（第９実施形態）
次に、本発明の第９実施形態について説明する。
図１８は、第９実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。図１８（ａ）、図１８（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示し、図１８（ｃ）は、それぞれ図１８（ａ）のｃ−ｃ断面図を示す。 (Ninth embodiment)
Next, a ninth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 18 is a diagram for explaining the details of the multifaceted body MS of the lead frame of the ninth embodiment. 18 (a) and 18 (b) show a plan view and a back view of the multi-faced body MS of the lead frame, respectively, and FIG. 18 (c) shows a cc cross-sectional view of FIG. 18 (a), respectively. Show.

第９実施形態のリードフレーム９１０は、端子部９１１、９１２に設けられる凹部Ｍの形状が第１実施形態と相違する。
また、端子部９１１及び端子部９１２は、それぞれの表面側の互いに対向する辺に、厚みの薄くなる凹部Ｍが設けられている。
凹部Ｍは、図１８に示すように、端子部９１１、９１２の互いに対向する辺に沿うようにして、ＬＥＤ端子面９１１ａ、９１２ａから窪んだ円弧状の凹みである。凹部Ｍは、第６実施形態の凹部Ｍ（図１５参照）とは円弧の向きが反対向きに、すなわち、円弧の中心が互いに対向する端子部とは反対側の方向に向くように形成されている。凹部Ｍは、端子部９１１、９１２の外周縁とはつながっておらず、各端子部の裏面に設けられた段部Ｄとは重ならないように形成されている。そのため、端子部９１１、９１２の外周縁には、第１実施形態のように切り欠き部が形成されない。
凹部Ｍは、リフレクタ樹脂部と平面視上重なる位置に形成されており、リフレクタ樹脂部が成形される場合に、凹部Ｍの内部にも樹脂が流れ込む。 The lead frame 910 of the ninth embodiment is different from the first embodiment in the shape of the recess M provided in the terminal portions 911 and 912.
In addition, the terminal portion 911 and the terminal portion 912 are provided with a concave portion M having a small thickness on opposite sides on the surface side.
As shown in FIG. 18, the recess M is an arc-shaped recess that is recessed from the LED terminal surfaces 911 a and 912 a along the opposing sides of the terminal portions 911 and 912. The concave portion M is formed so that the direction of the arc is opposite to that of the concave portion M (see FIG. 15) of the sixth embodiment, that is, the center of the arc is directed to the direction opposite to the terminal portions facing each other. Yes. The concave portion M is not connected to the outer peripheral edge of the terminal portions 911 and 912, and is formed so as not to overlap with the step portion D provided on the back surface of each terminal portion. Therefore, notches are not formed on the outer peripheral edges of the terminal portions 911 and 912 as in the first embodiment.
The concave portion M is formed at a position overlapping the reflector resin portion in plan view, and the resin flows into the concave portion M when the reflector resin portion is molded.

以上の構成により、本実施形態のリードフレーム９１０は、上述の第１実施形態のリードフレーム１０と同様に、各端子部間において、各端子部９１１、９１２と光反射樹脂層との結合強度を向上させ、端子部間の剥離の発生を抑制することができる。また、各端子部の裏面に段部Ｄを形成しているので、厚み方向において、光反射樹脂層がリードフレーム９１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、リードフレーム９１０は、凹部Ｍが、各端子部の外周側面とつながっていないので、凹部Ｍ内に形成された光反射樹脂層の各端子部の配列方向（Ｘ方向）に対して移動することができず上記剥離発生の抑制効果を向上させることができる。
更に、リードフレーム９１０は、円弧状の凹部Ｍが、円弧の中心が互いに対向する端子部とは反対側の方向に向くように形成されるので、端子部９１１に配置されるＬＥＤ素子の配置位置を、第６実施形態の場合よりもリードフレーム９１０（光半導体装置）の外形の中央に配置することができる。これにより、製造された光半導体装置の光の出射効率等を向上させることができる。 With the above configuration, the lead frame 910 of the present embodiment has a bonding strength between the terminal portions 911 and 912 and the light-reflecting resin layer between the terminal portions, similarly to the lead frame 10 of the first embodiment described above. And the occurrence of peeling between the terminal portions can be suppressed. Further, since the step portion D is formed on the back surface of each terminal portion, it is possible to suppress the light reflecting resin layer from being peeled off from the lead frame 910 in the thickness direction.
Moreover, since the recessed part M is not connected with the outer peripheral side surface of each terminal part, the lead frame 910 moves with respect to the arrangement direction (X direction) of each terminal part of the light reflecting resin layer formed in the recessed part M. The effect of suppressing the occurrence of peeling cannot be improved.
Furthermore, the lead frame 910 is formed so that the arc-shaped recess M is oriented in a direction opposite to the terminal portions where the centers of the arcs face each other. Can be arranged at the center of the outer shape of the lead frame 910 (optical semiconductor device) than in the case of the sixth embodiment. Thereby, the light emission efficiency and the like of the manufactured optical semiconductor device can be improved.

（第１０実施形態）
次に、本発明の第１０実施形態について説明する。
図１９は、第１０実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。図１９（ａ）、図１９（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示し、図１９（ｃ）は、それぞれ図１９（ａ）のｃ−ｃ断面図を示す。 (10th Embodiment)
Next, a tenth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 19 is a diagram for explaining the details of the multi-faced body MS of the lead frame according to the tenth embodiment. 19A and 19B are a plan view and a back view, respectively, of the lead frame multi-faced body MS, and FIG. 19C is a cross-sectional view taken along the line cc of FIG. 19A, respectively. Show.

第１０実施形態のリードフレーム１０１０は、端子部１０１１、１０１２に設けられる凹部Ｍの形状が第１実施形態と相違する。
また、端子部１０１１及び端子部１０１２は、それぞれの表面側の互いに対向する辺に、厚みの薄くなる凹部Ｍが設けられている。
凹部Ｍは、図１９に示すように、端子部１０１１、１０１２の互いに対向する辺の中央部に、ＬＥＤ端子面１０１１ａ、１０１２ａから窪んだ円弧状の凹みである。凹部Ｍは、第５実施形態の凹部Ｍ（図１４参照）とは円弧の向きが反対向きに、すなわち、円弧の中心が互いに対向する端子部とは反対側の方向に向くように形成されている。凹部Ｍは、円弧の中央部で各端子部１０１１、１０１２の外周縁とつながっており、各端子部の外周縁には、各端子部の裏面に設けられた段部Ｄと平面視上重なる位置に切り欠き部Ｔが形成されている。
凹部Ｍには、フレーム樹脂部が形成される場合に、切り欠き部Ｔが形成される位置から樹脂が流れ込む。 The lead frame 1010 of the tenth embodiment is different from the first embodiment in the shape of the recess M provided in the terminal portions 1011 and 1012.
In addition, the terminal portion 1011 and the terminal portion 1012 are each provided with a concave portion M having a reduced thickness on the sides facing each other.
As shown in FIG. 19, the concave portion M is an arc-shaped concave portion that is recessed from the LED terminal surfaces 1011 a and 1012 a in the central portion of the opposite sides of the terminal portions 1011 and 1012. The concave portion M is formed such that the direction of the arc is opposite to that of the concave portion M (see FIG. 14) of the fifth embodiment, that is, the center of the arc is directed in the direction opposite to the terminal portions facing each other. Yes. The concave portion M is connected to the outer peripheral edge of each of the terminal portions 1011 and 1012 at the center of the arc, and the outer peripheral edge of each terminal portion overlaps with the step portion D provided on the back surface of each terminal portion in plan view. A notch T is formed in the.
When the frame resin portion is formed, the resin flows into the recess M from the position where the cutout portion T is formed.

以上の構成により、本実施形態のリードフレーム１０１０は、上述の第１実施形態のリードフレーム１０と同様に、各端子部間において、各端子部１０１１、１０１２と光反射樹脂層との結合強度を向上させ、端子部間の剥離の発生を抑制することができる。また、各端子部の裏面に段部Ｄを形成しているので、厚み方向において、光反射樹脂層がリードフレーム１０１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、リードフレーム１０１０は、円弧状の凹部Ｍが、円弧の中心が互いに対向する端子部とは反対側の方向に向くように形成されるので、端子部１０１１に配置されるＬＥＤ素子の配置位置を、第５実施形態の場合よりもリードフレーム１０１０（光半導体装置）の外形の中央に配置することができる。これにより、製造された光半導体装置の光の出射効率等を向上させることができる。 With the above configuration, the lead frame 1010 of the present embodiment has a bonding strength between the terminal portions 1011 and 1012 and the light-reflecting resin layer between the terminal portions, like the lead frame 10 of the first embodiment described above. And the occurrence of peeling between the terminal portions can be suppressed. In addition, since the step portion D is formed on the back surface of each terminal portion, it is possible to suppress the light reflecting resin layer from being peeled off from the lead frame 1010 in the thickness direction.
In addition, the lead frame 1010 is formed such that the arc-shaped concave portion M is oriented so that the center of the arc faces in the direction opposite to the terminal portions facing each other. Can be arranged at the center of the outer shape of the lead frame 1010 (optical semiconductor device) than in the case of the fifth embodiment. Thereby, the light emission efficiency and the like of the manufactured optical semiconductor device can be improved.

（第１１実施形態）
次に、本発明の第１１実施形態について説明する。
図２０は、第１１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。図２０（ａ）、図２０（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示し、図２０（ｃ）、図２０（ｄ）は、それぞれ図２０（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図を示す。 (Eleventh embodiment)
Next, an eleventh embodiment of the present invention will be described.
FIG. 20 is a diagram for explaining the details of the multi-faced body MS of the lead frame according to the eleventh embodiment. 20 (a) and 20 (b) show a plan view and a back view of the multi-faced body MS of the lead frame, respectively, and FIGS. 20 (c) and 20 (d) respectively show FIG. 20 (a). A cc sectional view and a dd sectional view are shown.

第１１実施形態のリードフレーム１１１０は、端子部１１１１、１１１２に設けられる段部Ｄの形状が第１実施形態と相違する。
端子部１１１１及び端子部１１１２は、それぞれの表面側の互いに対向する辺に、厚みの薄くなる凹部Ｍが設けられている。
凹部Ｍは、図２０に示すように、端子部１１１１、１１１２の互いに対向する辺の角部に、ＬＥＤ端子面１１１１ａ、１１１２ａから窪んだ円弧状の凹みであり、各端子部の外周縁とつながっている。
凹部Ｍは、リフレクタ樹脂部が成形される場合に、その内部にも樹脂が流れ込む。
段部Ｄは、リードフレーム１１１０の裏面側から見て、各端子部１１１１、１１１２の外周縁に外部端子面１１１１ｂ、１１１２ｂから落ち込んだ部分である。段部Ｄは、各端子部において、凹部Ｍと対応する位置には形成されていない。そのため、各端子部１１１１、１１１２の外周縁には、第１実施形態のように切り欠き部が形成されていない。 The lead frame 1110 of the eleventh embodiment is different from the first embodiment in the shape of the step portion D provided in the terminal portions 1111 and 1112.
The terminal portion 1111 and the terminal portion 1112 are each provided with a concave portion M having a reduced thickness on the sides facing each other.
As shown in FIG. 20, the recess M is an arc-shaped recess that is recessed from the LED terminal surfaces 1111 a and 1112 a at the corner portions of the terminal portions 1111 and 1112 that face each other, and is connected to the outer peripheral edge of each terminal portion. ing.
In the recess M, when the reflector resin portion is molded, the resin also flows into the recess M.
The step portion D is a portion that falls from the external terminal surfaces 1111b and 1112b to the outer peripheral edge of each of the terminal portions 1111 and 1112 when viewed from the back side of the lead frame 1110. The step portion D is not formed at a position corresponding to the concave portion M in each terminal portion. Therefore, the notch part is not formed in the outer periphery of each terminal part 1111 and 1112 like 1st Embodiment.

以上の構成により、本実施形態のリードフレーム１１１０は、上述の第１実施形態のリードフレーム１０と同様の効果を奏することができる。
なお、本実施形態のリードフレーム１１１０は、第１実施形態のリードフレームと同様に、カップ型の光半導体装置だけでなく、フラット型の光半導体装置の製造に適用することができる。 With the above configuration, the lead frame 1110 of this embodiment can achieve the same effects as the lead frame 10 of the first embodiment described above.
Note that the lead frame 1110 of this embodiment can be applied not only to the cup-type optical semiconductor device but also to the production of a flat-type optical semiconductor device, like the lead frame of the first embodiment.

（第１２実施形態）
次に、本発明の第１２実施形態について説明する。
図２１は、第１２実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。図２１（ａ）、図２１（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示し、図２１（ｃ）、図２１（ｄ）は、それぞれ図２１（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図を示す。 (Twelfth embodiment)
Next, a twelfth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 21 is a diagram for explaining the details of the multifaceted body MS of the lead frame of the twelfth embodiment. FIGS. 21A and 21B are a plan view and a back view, respectively, of the multi-faced body MS of the lead frame. FIGS. 21C and 21D are respectively the views of FIG. A cc sectional view and a dd sectional view are shown.

第１２実施形態のリードフレーム１２１０は、端子部１２１１、１２１２に設けられる凹部Ｍの形状が第１実施形態と相違する。
端子部１２１１及び端子部１２１２は、それぞれの表面側の互いに対向する辺に、厚みの薄くなる凹部Ｍが設けられている。
凹部Ｍは、図２１に示すように、端子部１２１１、１２１２の互いに対向する辺の角部に、ＬＥＤ端子面１２１１ａ、１２１２ａから窪んだ円形状の穴である。この円形状の穴は、各端子部の裏面に設けられた段部Ｄとは重ならない位置に形成されている。また、凹部Ｍは、円形状の穴に、各端子部間の外周縁側につながる穴径より小さい幅の凹みが形成されており、各端子部１２１１、１２１２の互いに対向する辺の外周縁につながっている。そのため、凹部Ｍは、この外周縁側につながる凹みが段部Ｄと平面視上重なることとなり、端子部１２１１、１２１２には、互いに対向する辺に切り欠き部Ｔが形成される。
また、凹部Ｍは、円形状の穴の底部が、図２１（ｄ）に示すように、各端子部の厚み方向（Ｚ方向）において、段部Ｄの底部よりも裏面側に形成されている。
凹部Ｍは、リフレクタ樹脂部と平面視上重なる位置に形成されており、リフレクタ樹脂部が成形される場合に、凹部Ｍの内部にも樹脂が流れ込む。また、凹部Ｍには、フレーム樹脂部が形成される場合に、切り欠き部Ｔが形成される位置からも樹脂が流れ込む。 The lead frame 1210 of the twelfth embodiment is different from the first embodiment in the shape of the recess M provided in the terminal portions 1211 and 1212.
The terminal portion 1211 and the terminal portion 1212 are each provided with a concave portion M having a small thickness on the sides facing each other.
As shown in FIG. 21, the recess M is a circular hole that is recessed from the LED terminal surfaces 1211a and 1212a at the corners of the sides of the terminal portions 1211 and 1212 facing each other. The circular hole is formed at a position that does not overlap with the step portion D provided on the back surface of each terminal portion. The recess M is formed in a circular hole with a width smaller than the hole diameter connected to the outer peripheral edge between the terminal portions, and is connected to the outer peripheral edge of the opposite sides of the terminal portions 1211 and 1212. ing. Therefore, in the recess M, the recess connected to the outer peripheral edge side overlaps the stepped portion D in plan view, and the terminal portions 1211 and 1212 are formed with cutout portions T on the sides facing each other.
Further, in the recess M, the bottom of the circular hole is formed on the back surface side of the bottom of the step D in the thickness direction (Z direction) of each terminal as shown in FIG. .
The concave portion M is formed at a position overlapping the reflector resin portion in plan view, and the resin flows into the concave portion M when the reflector resin portion is molded. In addition, when the frame resin portion is formed, the resin flows into the recess M also from the position where the cutout portion T is formed.

以上の構成により、本実施形態のリードフレーム１２１０は、上述の第１実施形態のリードフレーム１０と同様に、各端子部間において、各端子部１２１１、１２１２と光反射樹脂層との結合強度を向上させ、端子部間の剥離の発生を抑制することができる。また、各端子部の裏面に段部Ｄを形成しているので、厚み方向において、光反射樹脂層がリードフレーム１２１０から剥離してしまうのを抑制することができる。更に、凹部Ｍが各端子部１２１１、１２１２の外周側面とつながっているので、光反射樹脂層を形成する樹脂が充填された場合に、樹脂を、凹部Ｍ内に各端子部の外周側面から容易に流し込むことができる。
また、リードフレーム１２１０は、円形状の穴の底部が、各端子部の厚み方向において、段部Ｄの底部よりも裏面側に形成されているので、凹部Ｍに充填されるフレーム樹脂部が、各端子部と光反射樹脂層とをより強固に結合させることができ、上記剥離発生の抑制効果を向上させることができる。
なお、本実施形態のリードフレーム１２１０は、第１実施形態のリードフレームと同様に、カップ型の光半導体装置だけでなく、フラット型の光半導体装置の製造に適用することができる。 With the above configuration, the lead frame 1210 of the present embodiment has a bonding strength between the terminal portions 1211 and 1212 and the light reflecting resin layer between the terminal portions, as in the lead frame 10 of the first embodiment described above. And the occurrence of peeling between the terminal portions can be suppressed. Further, since the step portion D is formed on the back surface of each terminal portion, the light reflecting resin layer can be prevented from being peeled off from the lead frame 1210 in the thickness direction. Furthermore, since the concave portion M is connected to the outer peripheral side surfaces of the respective terminal portions 1211, 1212, when the resin forming the light reflecting resin layer is filled, the resin can be easily introduced into the concave portion M from the outer peripheral side surface of each terminal portion. Can be poured into.
In addition, the lead frame 1210 is formed such that the bottom of the circular hole is formed on the back side of the bottom of the step portion D in the thickness direction of each terminal portion. Each terminal part and the light reflecting resin layer can be more firmly bonded, and the effect of suppressing the occurrence of peeling can be improved.
Note that the lead frame 1210 of this embodiment can be applied to the manufacture of not only a cup-type optical semiconductor device but also a flat-type optical semiconductor device, like the lead frame of the first embodiment.

（第１３実施形態）
次に、本発明の第１３実施形態について説明する。
図２２は、第１３実施形態のリードフレームの詳細を説明する図である。図２２（ａ）は、第１３実施形態のリードフレーム１３１０の一の形態を示す図であり、図２２（ｂ）は、第１３実施形態のリードフレーム１４１０の別な形態を示す図であり、図２２（ｃ）は、第１３実施形態のリードフレーム１５１０の他の形態を示す図である。 (13th Embodiment)
Next, a thirteenth embodiment of the present invention is described.
FIG. 22 is a diagram for explaining the details of the lead frame of the thirteenth embodiment. FIG. 22A is a view showing one form of the lead frame 1310 of the thirteenth embodiment, and FIG. 22B is a view showing another form of the lead frame 1410 of the thirteenth embodiment. FIG. 22C shows another form of the lead frame 1510 of the thirteenth embodiment.

第１３実施形態のリードフレーム１３１０は、端子部１３１１、１３１２に設けられる凹部Ｍの形状が第１実施形態と相違する。
端子部１３１１及び端子部１３１２は、それぞれの表面側の互いに対向する辺に、厚みの薄くなる凹部Ｍが設けられている。
凹部Ｍは、図２２（ａ）に示すように、端子部１３１１、１３１２の互いに対向する辺の角部に、ＬＥＤ端子面１３１１ａ、１３１２ａから窪んだ直方体状の凹みであり、直方体状の窪みの短辺が、各端子部の互いに対向する辺と平行するように形成されている。凹部Ｍは、端子部の外周縁とつながっておらず、各端子部の裏面の外周縁に設けられた段部Ｄとは重ならないように形成されている。
凹部Ｍは、リフレクタ樹脂部と平面視上重なる位置に形成されており、リフレクタ樹脂部が成形される場合に、凹部Ｍの内部にも樹脂が流れ込む。 The lead frame 1310 of the thirteenth embodiment is different from the first embodiment in the shape of the recess M provided in the terminal portions 1311 and 1312.
The terminal portion 1311 and the terminal portion 1312 are each provided with a concave portion M having a reduced thickness on the sides facing each other.
As shown in FIG. 22 (a), the recess M is a rectangular parallelepiped recess recessed from the LED terminal surfaces 1311a and 1312a at the corners of the opposing sides of the terminal portions 1311 and 1312. The short sides are formed so as to be parallel to the mutually opposing sides of each terminal portion. The concave portion M is not connected to the outer peripheral edge of the terminal portion, and is formed so as not to overlap the step portion D provided on the outer peripheral edge of the back surface of each terminal portion.
The concave portion M is formed at a position overlapping the reflector resin portion in plan view, and the resin flows into the concave portion M when the reflector resin portion is molded.

以上の構成により、本実施形態のリードフレーム１３１０は、上述の第１実施形態のリードフレーム１０と同様に、各端子部間において、各端子部１３１１、１３１２と光反射樹脂層との結合強度を向上させ、端子部間の剥離の発生を抑制することができる。
また、リードフレーム１３１０は、凹部Ｍが、各端子部の外周縁につながっていないので、上記剥離発生の抑制効果を向上させることができる。 With the above configuration, the lead frame 1310 of this embodiment has a bonding strength between the terminal portions 1311 and 1312 and the light-reflecting resin layer between the terminal portions, similarly to the lead frame 10 of the first embodiment described above. And the occurrence of peeling between the terminal portions can be suppressed.
Moreover, since the recessed part M is not connected with the outer periphery of each terminal part, the lead frame 1310 can improve the suppression effect of said peeling generation | occurrence | production.

また、図２２（ｂ）に示すように、リードフレーム１４１０は、凹部Ｍを、ＬＥＤ端子面１４１１ａ、１４１２ａから窪んだ直方体状の凹みに形成し、直方体状の窪みの長辺が、各端子部１４１１、１４１２の互いに対向する辺と平行するようにしてもよい。
この場合、上述のリードフレーム１３１０に比べ、リードフレーム１４１０は、凹部Ｍに充填された光反射樹脂層の凹部Ｍ内における対向する端子部側の接触面積を広くすることができる。これにより、リードフレーム１４１０は、凹部Ｍに充填されるフレーム樹脂部が、各端子部と光反射樹脂層とをより強固に結合させることができ、上述の剥離発生の抑制効果を更に向上させることができる。 Further, as shown in FIG. 22B, the lead frame 1410 has a recess M formed in a rectangular parallelepiped recess recessed from the LED terminal surfaces 1411a and 1412a, and the long side of the rectangular parallelepiped recess corresponds to each terminal portion. 1411 and 1412 may be parallel to opposite sides of each other.
In this case, compared to the above-described lead frame 1310, the lead frame 1410 can increase the contact area on the opposite terminal portion side in the recess M of the light reflecting resin layer filled in the recess M. Thereby, in the lead frame 1410, the frame resin portion filled in the recess M can more firmly bond each terminal portion and the light reflecting resin layer, and further improve the above-described effect of suppressing the occurrence of peeling. Can do.

更に、図２２（ｃ）に示すように、リードフレーム１５１０は、凹部Ｍを、ＬＥＤ端子面１５１１ａ、１５１２ａから窪んだ直方体状の凹みに形成し、各凹部Ｍが、各端子部１５１１、１５１２の上辺又は下辺のいずれかの外周縁につながるように形成してもよい。凹部Ｍは、端子部の裏面の外周縁に設けられた段部Ｄと平面視上重なることとなり、各端子部の外周縁には切り欠き部Ｔが形成される。
また、凹部Ｍを、リフレクタ樹脂部と平面視上重なる位置に形成し、リフレクタ樹脂部が成形される場合に、凹部Ｍの内部にも樹脂が流れ込むようにしてもよい。
この場合、リードフレーム１５１０は、凹部Ｍが各端子部１５１１、１５１２の外周側面とつながっているので、光反射樹脂層を形成する樹脂が充填された場合に、樹脂を、凹部Ｍ内に各端子部の外周側面から容易に流し込むことができる。
なお、上述のリードフレーム１５１０は、第１実施形態のリードフレームと同様に、カップ型の光半導体装置だけでなく、フラット型の光半導体装置の製造に適用することができる。 Further, as shown in FIG. 22 (c), the lead frame 1510 has a recess M formed in a rectangular parallelepiped recessed from the LED terminal surfaces 1511a and 1512a, and each recess M corresponds to each of the terminal portions 1511 and 1512. You may form so that it may connect with the outer periphery of either an upper side or a lower side. The concave portion M overlaps with the step portion D provided on the outer peripheral edge of the back surface of the terminal portion in plan view, and a notch T is formed in the outer peripheral edge of each terminal portion.
Further, the concave portion M may be formed at a position overlapping with the reflector resin portion in plan view so that the resin flows into the concave portion M when the reflector resin portion is molded.
In this case, since the recess M is connected to the outer peripheral side surfaces of the terminal portions 1511 and 1512 in the lead frame 1510, when the resin for forming the light reflecting resin layer is filled, the resin is supplied to the terminals in the recess M. It can be easily poured from the outer peripheral side of the part.
The lead frame 1510 described above can be applied not only to the cup-type optical semiconductor device but also to the production of a flat-type optical semiconductor device, like the lead frame of the first embodiment.

（第１４実施形態）
次に、本発明の第１４実施形態について説明する。
図２３は、第１４実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。図２３（ａ）、図２３（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示し、図２３（ｃ）、図２３（ｄ）は、それぞれ図２３（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図を示す。 (14th Embodiment)
Next, a fourteenth embodiment of the present invention is described.
FIG. 23 is a diagram for explaining details of the multi-faced body MS of the lead frame according to the fourteenth embodiment. FIGS. 23 (a) and 23 (b) are a plan view and a back view, respectively, of the multifaceted body MS of the lead frame, and FIGS. 23 (c) and 23 (d) are respectively the views of FIG. 23 (a). A cc sectional view and a dd sectional view are shown.

第１４実施形態のリードフレーム１６１０は、端子部１６１１、１６１２に貫通孔Ｈが形成されている点で第１実施形態と相違する。
端子部１６１１及び端子部１６１２は、互いに対向する辺に、表裏面に貫通する貫通孔Ｈが設けられている。
貫通孔Ｈは、図２３に示すように、端子部１６１１、１６１２の互いに対向する辺の角部に設けられた円形状の孔である。貫通孔Ｈは、各端子部の裏面に設けられた段部Ｄと平面視上重なる位置に形成されている。
貫通孔Ｈは、リフレクタ樹脂部と平面視上重なる位置に形成されており、リフレクタ樹脂部が成形される場合に、貫通孔Ｈの内部にも樹脂が流れ込む。また、貫通孔Ｈには、フレーム樹脂部が形成される場合に、段部Ｄからも樹脂が流れ込む。 The lead frame 1610 of the fourteenth embodiment is different from the first embodiment in that through holes H are formed in the terminal portions 1611 and 1612.
The terminal portion 1611 and the terminal portion 1612 are provided with through holes H penetrating the front and back surfaces on opposite sides.
As shown in FIG. 23, the through-hole H is a circular hole provided at a corner of the sides of the terminal portions 1611 and 1612 facing each other. The through hole H is formed at a position overlapping the step portion D provided on the back surface of each terminal portion in plan view.
The through hole H is formed at a position overlapping the reflector resin portion in plan view, and the resin flows into the through hole H when the reflector resin portion is molded. Further, the resin flows into the through hole H also from the step portion D when the frame resin portion is formed.

以上の構成により、本実施形態のリードフレーム１６１０は、貫通孔Ｈに樹脂が充填されることによって、端子部間において、端子部１６１１、１６１２と光反射樹脂層との結合強度を向上させ、端子部間の剥離の発生を抑制することができる。また、各端子部の裏面に段部Ｄを形成しているので、厚み方向において、光反射樹脂層がリードフレーム１６１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、リードフレーム１６１０は、光反射樹脂層が形成された場合に、貫通孔Ｈの樹脂が、各端子部の表面のリフレクタ樹脂部及び裏面の段部Ｄに形成されたフレーム樹脂部と結合する。そのため、各端子部１６１１、１６１２は、貫通孔Ｈ内に形成された光反射樹脂層によって、各端子部の配列方向（Ｘ方向）だけでなく、垂直な厚み方向（Ｚ方向）や、上下方向（Ｙ方向）に対しての移動を規制することができ、上記剥離発生の抑制効果を向上させることができる。
なお、本実施形態のリードフレーム１６１０は、第１実施形態のリードフレームと同様に、カップ型の光半導体装置だけでなく、フラット型の光半導体装置の製造に適用することができる。また、貫通孔Ｈの形状は、円形状に限らず、楕円を含む長円形状や、矩形状等に形成されてもよい。さらに、貫通孔Ｈは、各端子部の互いに対向する辺上に沿って、複数個設けるようにしてもよい。 With the above configuration, the lead frame 1610 of this embodiment improves the coupling strength between the terminal portions 1611 and 1612 and the light reflecting resin layer between the terminal portions by filling the through holes H with resin. Generation | occurrence | production of peeling between parts can be suppressed. In addition, since the step portion D is formed on the back surface of each terminal portion, the light reflecting resin layer can be prevented from being peeled off from the lead frame 1610 in the thickness direction.
In the lead frame 1610, when the light reflecting resin layer is formed, the resin of the through hole H is combined with the reflector resin portion on the surface of each terminal portion and the frame resin portion formed on the step portion D on the back surface. . Therefore, the terminal portions 1611 and 1612 are not only arranged in the arrangement direction (X direction) of the terminal portions but also in the vertical thickness direction (Z direction) or the vertical direction by the light reflecting resin layer formed in the through hole H. The movement with respect to (Y direction) can be controlled, and the effect of suppressing the occurrence of peeling can be improved.
Note that the lead frame 1610 of this embodiment can be applied to the manufacture of not only a cup-type optical semiconductor device but also a flat-type optical semiconductor device, like the lead frame of the first embodiment. The shape of the through hole H is not limited to a circular shape, and may be an elliptical shape including an ellipse, a rectangular shape, or the like. Further, a plurality of through holes H may be provided along the sides of each terminal portion facing each other.

（第１５実施形態）
次に、本発明の第１５実施形態について説明する。
図２４は、第１５実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。図２４（ａ）、図２４（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示し、図２４（ｃ）、図２４（ｄ）、図２４（ｅ）は、それぞれ図２４（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図、ｅ−ｅ断面図を示す。 (Fifteenth embodiment)
Next, a fifteenth embodiment of the present invention is described.
FIG. 24 is a diagram for explaining the details of the multifaceted body MS of the lead frame of the fifteenth embodiment. 24 (a) and 24 (b) show a plan view and a back view of the multi-faced body MS of the lead frame, respectively. FIGS. 24 (c), 24 (d), and 24 (e) The cc sectional view of FIG. 24A, dd sectional view, and ee sectional view are shown.

第１５実施形態のリードフレーム１７１０は、端子部１７１１、１７１２に貫通孔Ｈが形成されている点で第１実施形態と主に相違する。
端子部１７１１及び端子部１７１２は、互いに対向する辺に、表裏面に貫通する貫通孔Ｈが設けられている。また、端子部１７１１、１７１２は、それぞれの表面側の貫通孔Ｈの近傍に凹部Ｍが設けられている。
貫通孔Ｈは、図２４に示すように、端子部１７１１、１７１２の互いに対向する辺の角部に設けられた円形状の孔である。貫通孔Ｈは、各端子部の裏面に設けられた段部Ｄと平面視上重なる位置に形成されている。
貫通孔Ｈは、リフレクタ樹脂部と平面視上重なる位置に形成されており、リフレクタ樹脂部が成形される場合に、凹部Ｍを介して貫通孔Ｈの内部にも樹脂が流れ込む。また、貫通孔Ｈには、フレーム樹脂部が形成される場合に、段部Ｄからも樹脂が流れ込む。 The lead frame 1710 of the fifteenth embodiment is mainly different from the first embodiment in that through holes H are formed in the terminal portions 1711 and 1712.
The terminal portion 1711 and the terminal portion 1712 are provided with through-holes H penetrating the front and back surfaces on opposite sides. Further, the terminal portions 1711 and 1712 are each provided with a recess M in the vicinity of the through hole H on the surface side.
As shown in FIG. 24, the through hole H is a circular hole provided in a corner portion of the sides of the terminal portions 1711 and 1712 facing each other. The through hole H is formed at a position overlapping the step portion D provided on the back surface of each terminal portion in plan view.
The through-hole H is formed at a position overlapping the reflector resin portion in plan view, and the resin flows into the through-hole H via the recess M when the reflector resin portion is molded. Further, the resin flows into the through hole H also from the step portion D when the frame resin portion is formed.

凹部Ｍは、端子部１７１１、１７１２の表面の互いに対向する辺の角部であって、貫通孔Ｈの開口部に設けられ、ＬＥＤ端子面１７１１ａ、１７１２ａから窪んだ直方体状の凹みである。凹部Ｍは、端子部１７１１、１７１２の互いに対向する辺の外周縁ではつながっていないが、その底部が貫通孔Ｈとつながるように形成されている。
凹部Ｍは、リフレクタ樹脂部と平面視上重なる位置に形成されており、リフレクタ樹脂部が成形される場合に、凹部Ｍの内部にも樹脂が流れ込む。 The concave portion M is a corner portion of the opposite sides of the surfaces of the terminal portions 1711 and 1712 and is a rectangular parallelepiped recess provided in the opening of the through hole H and recessed from the LED terminal surfaces 1711a and 1712a. The concave portion M is not connected at the outer peripheral edge of the opposite sides of the terminal portions 1711 and 1712, but is formed so that the bottom portion thereof is connected to the through hole H.
The concave portion M is formed at a position overlapping the reflector resin portion in plan view, and the resin flows into the concave portion M when the reflector resin portion is molded.

以上の構成により、本実施形態のリードフレーム１７１０は、貫通孔Ｈに樹脂が充填されることによって、端子部間において、端子部１７１１、１７１２と光反射樹脂層との結合強度を向上させ、端子部間の剥離の発生を抑制することができる。また、各端子部の裏面に段部Ｄを形成しているので、厚み方向において、光反射樹脂層がリードフレーム１７１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、リードフレーム１７１０は、光反射樹脂層が形成された場合に、貫通孔Ｈの樹脂が、凹部Ｍの樹脂及び裏面の段部Ｄに形成されたフレーム樹脂部と結合する。そのため、各端子部１７１１、１７１２は、貫通孔Ｈ内に形成された光反射樹脂層によって、各端子部の配列方向（Ｘ方向）だけでなく、垂直な厚み方向（Ｚ方向）や、上下方向（Ｙ方向）に対しての移動を規制することができ、上記剥離発生の抑制効果を向上させることができる。 With the above configuration, the lead frame 1710 of this embodiment improves the coupling strength between the terminal portions 1711 and 1712 and the light reflecting resin layer between the terminal portions by filling the through holes H with resin. Generation | occurrence | production of peeling between parts can be suppressed. Further, since the step portion D is formed on the back surface of each terminal portion, it is possible to suppress the light reflecting resin layer from being peeled off from the lead frame 1710 in the thickness direction.
Further, in the lead frame 1710, when the light reflecting resin layer is formed, the resin of the through hole H is combined with the resin of the recess M and the frame resin portion formed in the step D on the back surface. Therefore, the terminal portions 1711 and 1712 are not only arranged in the arrangement direction (X direction) of the terminal portions, but also in the vertical thickness direction (Z direction) or the vertical direction by the light reflecting resin layer formed in the through hole H. The movement with respect to (Y direction) can be controlled, and the effect of suppressing the occurrence of peeling can be improved.

更に、リードフレーム１７１０は、凹部Ｍを設けることによって、凹部Ｍ及び貫通孔Ｈ内に形成される光反射樹脂層の各端子部の配列方向（Ｘ方向）対する接触面積を増やすことができ、上記剥離発生の抑制効果を更に向上させることができる。
なお、本実施形態のリードフレーム１７１０は、第１実施形態のリードフレームと同様に、カップ型の光半導体装置だけでなく、フラット型の光半導体装置の製造に適用することができる。また、貫通孔Ｈの形状は、円形状に限らず、楕円を含む長円形状や、矩形状等に形成されてもよい。さらに、貫通孔Ｈは、各端子部の互いに対向する辺上に沿って、複数個設けるようにしてもよい。 Furthermore, the lead frame 1710 can increase the contact area with respect to the arrangement direction (X direction) of each terminal portion of the light reflecting resin layer formed in the recess M and the through hole H by providing the recess M. The effect of suppressing the occurrence of peeling can be further improved.
Note that the lead frame 1710 of this embodiment can be applied to the manufacture of not only a cup-type optical semiconductor device but also a flat-type optical semiconductor device, like the lead frame of the first embodiment. The shape of the through hole H is not limited to a circular shape, and may be an elliptical shape including an ellipse, a rectangular shape, or the like. Further, a plurality of through holes H may be provided along the sides of each terminal portion facing each other.

（第１６実施形態）
次に、本発明の第１６実施形態について説明する。
図２５は、第１６実施形態のリードフレームの詳細を説明する図である。図２５（ａ）は、第１６実施形態のリードフレーム１８１０の裏面の一の形態を示す図であり、図２５（ｂ）は、第１６実施形態のリードフレーム１９１０の裏面の別な形態を示す図である。また、図２５（ｃ）は、第１６実施形態のリードフレーム２０１０の裏面の他の形態を示す図であり、図２５（ｄ）は、第１６実施形態のリードフレーム２１１０の裏面のその他の形態を示す図である。 (Sixteenth embodiment)
Next, a sixteenth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 25 is a diagram for explaining the details of the lead frame of the sixteenth embodiment. FIG. 25A is a diagram showing one form of the back surface of the lead frame 1810 of the sixteenth embodiment, and FIG. 25B is a diagram showing another form of the back surface of the lead frame 1910 of the sixteenth embodiment. FIG. FIG. 25C is a diagram showing another form of the back surface of the lead frame 2010 of the sixteenth embodiment, and FIG. 25D is another form of the back surface of the lead frame 2110 of the sixteenth embodiment. FIG.

第１６実施形態のリードフレーム１８１０は、凹部Ｍ及び段部Ｄが各端子部の裏面にのみ設けられる点で第１実施形態と相違する。
端子部１８１１及び端子部１８１２は、それぞれの裏面側の互いに対向する辺に、厚みの薄くなる凹部Ｍが設けられている。
凹部Ｍは、図２５（ａ）に示すように、端子部１８１１、１８１２の互いに対向する辺に沿って、外部端子面１８１１ｂ、１８１２ｂから窪んだ複数の円形状の穴である。この円形状の穴は、各端子部の裏面に設けられた段部Ｄとは重ならない位置に形成されている。また、凹部Ｍは、円形状の穴に、各端子部間の外周縁側につながる穴径より小さい幅の凹みが形成されており、段部Ｄにつながっている。
凹部Ｍは、フレーム樹脂部が形成される場合に、段部Ｄを介して凹部Ｍの内部にも樹脂が流れ込む。 The lead frame 1810 of the sixteenth embodiment is different from the first embodiment in that the concave portion M and the step portion D are provided only on the back surface of each terminal portion.
The terminal portion 1811 and the terminal portion 1812 are provided with a concave portion M having a small thickness on the opposite sides of the respective back surfaces.
As shown in FIG. 25A, the recess M is a plurality of circular holes recessed from the external terminal surfaces 1811b and 1812b along the sides of the terminal portions 1811 and 1812 facing each other. The circular hole is formed at a position that does not overlap with the step portion D provided on the back surface of each terminal portion. In addition, the recess M is formed in a circular hole having a width smaller than the hole diameter connected to the outer peripheral edge between the terminal portions, and is connected to the step portion D.
In the concave portion M, the resin flows into the concave portion M via the step portion D when the frame resin portion is formed.

以上の構成により、本実施形態のリードフレーム１８１０は、上述の第１実施形態のリードフレーム１０と同様に、各端子部間において、各端子部１８１１、１８１２と光反射樹脂層との結合強度を向上させ、端子部間の剥離の発生を抑制することができる。また、各端子部の裏面に段部Ｄを形成しているので、厚み方向において、光反射樹脂層がリードフレーム１８１０から剥離してしまうのを抑制することができる。   With the above configuration, the lead frame 1810 of this embodiment has a bonding strength between the terminal portions 1811 and 1812 and the light-reflecting resin layer between the terminal portions, similarly to the lead frame 10 of the first embodiment described above. And the occurrence of peeling between the terminal portions can be suppressed. Further, since the step portion D is formed on the back surface of each terminal portion, it is possible to suppress the light reflecting resin layer from being peeled off from the lead frame 1810 in the thickness direction.

また、図２５（ｂ）に示すように、リードフレーム１９１０は、第１０実施形態の凹部Ｍのように、各端子部の裏面の互いに対向する辺に、円弧状の凹みからなる凹部Ｍを、円弧の中心が互いに対向する端子部とは反対側の方向に向くように形成し、円弧の中央部と段部Ｄとがつながるように形成してもよい。
この場合、上述のリードフレーム１８１０の効果に加え、リードフレーム１９１０は、端子部１９１１に配置されるＬＥＤ素子の配置位置を、第１実施形態の場合よりもリードフレーム１９１０（光半導体装置）の外形の中央に配置することができる。これにより、製造された光半導体装置の光の出射効率等を向上させることができる。 Further, as shown in FIG. 25 (b), the lead frame 1910 has, as in the concave portion M of the tenth embodiment, concave portions M formed by arc-shaped concave portions on opposite sides of the back surface of each terminal portion. The center of the arc may be formed in the direction opposite to the terminal portions facing each other, and the center of the arc may be formed so as to be connected to the step portion D.
In this case, in addition to the effects of the lead frame 1810 described above, the lead frame 1910 is arranged such that the LED element disposed at the terminal portion 1911 is arranged in the outer shape of the lead frame 1910 (optical semiconductor device) as compared with the case of the first embodiment. Can be placed in the center of Thereby, the light emission efficiency and the like of the manufactured optical semiconductor device can be improved.

更に、図２５（ｃ）に示すように、リードフレーム２０１０は、第５実施形態の凹部Ｍのように、各端子部の裏面の互いに対向する辺に、半円状の凹みからなる凹部Ｍを、半円の中心が互いに対向する端子部の方向に向くように形成し、半円の端部と段部Ｄとがつながるように形成してもよい。
この場合も、上述のリードフレーム１８１０の効果と同様の効果を奏することができる。 Further, as shown in FIG. 25 (c), the lead frame 2010 has a recess M made of a semicircular recess on the opposite sides of the back surface of each terminal portion, like the recess M of the fifth embodiment. Alternatively, the semicircle may be formed so that the centers of the semicircles face the terminal portions facing each other, and the end of the semicircle and the step portion D may be connected.
Also in this case, the same effects as those of the lead frame 1810 described above can be obtained.

更に、図２５（ｄ）に示すように、リードフレーム２１１０は、第１実施形態の凹部Ｍのように、各端子部の裏面の互いに対向する辺の角部に、円弧状の凹みからなる凹部Ｍを段部Ｄとつながるように形成してもよい。
この場合も、上述のリードフレーム１８１０の効果と同様の効果を奏することができる。 Further, as shown in FIG. 25 (d), the lead frame 2110 is a recess formed of an arc-shaped recess at the corners of the opposite sides of the back surface of each terminal portion, like the recess M of the first embodiment. M may be formed so as to be connected to the step portion D.
Also in this case, the same effects as those of the lead frame 1810 described above can be obtained.

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は前述した実施形態に限定されるものではなく、後述する変形形態のように種々の変形や変更が可能であって、それらも本発明の技術的範囲内である。また、実施形態に記載した効果は、本発明から生じる最も好適な効果を列挙したに過ぎず、本発明による効果は、実施形態に記載したものに限定されない。なお、前述した実施形態及び後述する変形形態は、適宜組み合わせて用いることもできるが、詳細な説明は省略する。   Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and changes can be made as in the modifications described later, and these are also included in the present invention. Within the technical scope. In addition, the effects described in the embodiments are merely a list of the most preferable effects resulting from the present invention, and the effects of the present invention are not limited to those described in the embodiments. It should be noted that the above-described embodiment and modifications described later can be used in appropriate combination, but detailed description thereof is omitted.

（変形形態）
（１）各実施形態において、リードフレーム１０は、各端子部１１、１２の裏面に段部Ｄを設ける例を説明したが、これに限定されるものでない。例えば、各端子部の裏面に段部Ｄを設けなくてもよい。
（２）第１実施形態から第１３実施形態において、リードフレーム１０は、各端子部１１、１２の表面に凹部Ｍを設ける例を説明したが、これに限定されるものでない。例えば、各端子部の裏面に凹部Ｍを設けるようにしてもよい。この場合、第１６実施形態のように、凹部Ｍと段部Ｄとを並存させてもよく、また、段部Ｄを省略し、凹部Ｍのみを設けるようにしてもよい。 (Deformation)
(1) In each embodiment, although the lead frame 10 demonstrated the example which provides the step part D in the back surface of each terminal part 11 and 12, it is not limited to this. For example, the step portion D may not be provided on the back surface of each terminal portion.
(2) In the first to thirteenth embodiments, the lead frame 10 has been described with the example in which the recesses M are provided on the surfaces of the terminal portions 11 and 12, but the present invention is not limited to this. For example, you may make it provide the recessed part M in the back surface of each terminal part. In this case, as in the sixteenth embodiment, the concave portion M and the step portion D may coexist, or the step portion D may be omitted and only the concave portion M may be provided.

（３）各実施形態においては、リードフレーム１０は、端子部１１及び端子部１２を備える例を示したが、リードフレームは、３以上の端子部を備えていてもよい。例えば、端子部を３つ設け、その１つにはＬＥＤ素子２を実装し、他の２つにはボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２と接続してもよい。この場合、それぞれの端子部間に凹部Ｍや、貫通孔Ｈを設けることにより、上述の実施形態と同様に、端子部間における、各端子部と光反射樹脂層との剥離に発生を抑制することができる。 (3) In each embodiment, although the lead frame 10 showed the example provided with the terminal part 11 and the terminal part 12, the lead frame may be provided with three or more terminal parts. For example, three terminal portions may be provided, one of which is mounted with the LED element 2, and the other two may be connected to the LED element 2 via bonding wires 2a. In this case, by providing the concave portions M and the through holes H between the respective terminal portions, the occurrence of separation between the terminal portions and the light reflecting resin layer between the terminal portions is suppressed as in the above-described embodiment. be able to.

（４）各実施形態において、リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２を載置、接続するダイパッドとなる端子部１１と、ＬＥＤ素子２とボンディングワイヤ２ａを介して接続されるリード側端子部となる端子部１２とから構成する例を説明したが、これに限定されない。例えば、ＬＥＤ素子２が２つの端子部を跨ぐようにして載置、接続されるようにしてもよい。この場合、２つの端子部のそれぞれの外形は、同等に形成されてもよい。
（５）各実施形態においては、リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２等の光半導体素子を接続する光半導体装置１に使用する例を示したが、光半導体素子以外の半導体素子を用いた半導体装置にも使用することができる。 (4) In each embodiment, the lead frame 10 is a terminal portion 11 that serves as a die pad on which the LED element 2 is placed and connected, and a terminal that serves as a lead-side terminal portion connected to the LED element 2 via the bonding wire 2a. Although the example comprised from the part 12 was demonstrated, it is not limited to this. For example, the LED element 2 may be placed and connected so as to straddle two terminal portions. In this case, the outer shapes of the two terminal portions may be formed equally.
(5) In each embodiment, although the lead frame 10 showed the example used for the optical semiconductor device 1 which connects optical semiconductor elements, such as the LED element 2, the semiconductor device using semiconductor elements other than an optical semiconductor element was shown. Can also be used.

１ 光半導体装置
２ ＬＥＤ素子
１０ リードフレーム
１１ 端子部
１２ 端子部
１３ 連結部
２０ 光反射樹脂層
２０ａ フレーム樹脂部
２０ｂ リフレクタ樹脂部
３０ 透明樹脂層
Ｄ 段部
Ｆ 枠体
Ｍ 凹部
ＭＳ リードフレームの多面付け体
Ｒ 樹脂付きリードフレームの多面付け体
Ｓ 空隙部
Ｔ 切り欠き部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Optical semiconductor device 2 LED element 10 Lead frame 11 Terminal part 12 Terminal part 13 Connection part 20 Light reflection resin layer 20a Frame resin part 20b Reflector resin part 30 Transparent resin layer D Step part F Frame body M Concave part MS Multiple attachment of lead frame Body R Multi-faceted body of lead frame with resin S Air gap T Notch

Claims (13)

表面及び裏面に端子面を設けた複数の端子部を有し、前記端子部のうち少なくとも一つに光半導体素子が接続される光半導体装置に用いられるリードフレームにおいて、
前記各端子部は、その表面又は裏面の互いに対向する辺の少なくとも一部に、その端子面から窪んだ凹部を有すること、
を特徴とするリードフレーム。 In a lead frame used for an optical semiconductor device having a plurality of terminal portions provided with terminal surfaces on the front surface and the back surface, and an optical semiconductor element connected to at least one of the terminal portions,
Each of the terminal portions has a recess recessed from the terminal surface in at least a part of opposite sides of the front surface or the back surface thereof,
Lead frame characterized by. 請求項１に記載のリードフレームにおいて、
前記凹部と、前記端子部の外周側面とは、連通していること、
を特徴とするリードフレーム。 The lead frame according to claim 1,
The recess and the outer peripheral side surface of the terminal portion are in communication with each other;
Lead frame characterized by. 請求項１又は請求項２に記載のリードフレームにおいて、
前記端子部は、前記凹部が設けられた面とは反対側の面の外周縁の少なくとも一部に、その端子面から落ち込んだ段部を有すること、
を特徴とするリードフレーム。 The lead frame according to claim 1 or 2,
The terminal portion has a stepped portion that has dropped from the terminal surface at least at a part of the outer peripheral edge of the surface opposite to the surface provided with the recess,
Lead frame characterized by. 請求項１又は請求項２に記載のリードフレームにおいて、
前記端子部は、前記凹部が設けられた面の外周縁の少なくとも一部に、その端子面から落ち込んだ段部を有すること、
を特徴とするリードフレーム。 The lead frame according to claim 1 or 2,
The terminal portion has a stepped portion that has dropped from the terminal surface on at least a part of the outer peripheral edge of the surface provided with the recess,
Lead frame characterized by. 表面及び裏面に端子面を設けた複数の端子部を有し、前記端子部のうち少なくとも一つに光半導体素子が接続される光半導体装置に用いられるリードフレームにおいて、
前記各端子部は、互いに対向する辺の少なくとも一部に、貫通孔を有すること、
を特徴とするリードフレーム。 In a lead frame used for an optical semiconductor device having a plurality of terminal portions provided with terminal surfaces on the front surface and the back surface, and an optical semiconductor element connected to at least one of the terminal portions,
Each of the terminal portions has a through hole in at least a part of sides facing each other,
Lead frame characterized by. 請求項５に記載のリードフレームにおいて、
前記各端子部は、その表面又は裏面にその端子面から窪んだ凹部を有し、
前記凹部と、前記貫通孔とは、連通していること、
を特徴とするリードフレーム。 The lead frame according to claim 5,
Each of the terminal portions has a recess recessed from the terminal surface on the front surface or the back surface,
The recess and the through hole communicate with each other;
Lead frame characterized by. 請求項５又は請求項６に記載のリードフレームにおいて、
前記端子部は、表面又は裏面の外周縁の少なくとも一部に、その端子面から落ち込んだ段部を有すること、
を特徴とするリードフレーム。 The lead frame according to claim 5 or 6,
The terminal portion has a stepped portion that has dropped from the terminal surface on at least a part of the outer peripheral edge of the front surface or back surface
Lead frame characterized by. 請求項１から請求項７までのいずれか１項に記載のリードフレームと、
前記リードフレームの前記端子部の外周側面及び前記端子部間に形成されるフレーム樹脂部を有する樹脂層と、
を備える樹脂付きリードフレーム。 A lead frame according to any one of claims 1 to 7,
A resin layer having a frame resin portion formed between an outer peripheral side surface of the terminal portion of the lead frame and the terminal portion;
Lead frame with resin. 請求項８に記載の樹脂付きリードフレームにおいて、
前記樹脂層は、前記リードフレームの前記光半導体素子が接続される側の面に突出して形成されるリフレクタ樹脂部を有すること、
を特徴とする樹脂付きリードフレーム。 The lead frame with resin according to claim 8,
The resin layer has a reflector resin portion formed to protrude from a surface of the lead frame to which the optical semiconductor element is connected;
Lead frame with resin. 請求項１から請求項７までのいずれか１項に記載のリードフレームが枠体に多面付けされていること、
を特徴とするリードフレームの多面付け体。 The lead frame according to any one of claims 1 to 7 is multifaceted to the frame,
Multi-faceted body of lead frame characterized by 請求項８又は請求項９に記載の樹脂付きリードフレームが多面付けされていること、
を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。 The resin-attached lead frame according to claim 8 or 9 is multifaceted,
Multi-faceted body of resin-attached lead frame characterized by 請求項８又は請求項９に記載の樹脂付きリードフレームと、
前記樹脂付きリードフレームの前記端子部のうち少なくとも一つに接続される光半導体素子と、
前記樹脂付きリードフレームの前記光半導体素子が接続される側の面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層と、
を備える光半導体装置。 A lead frame with a resin according to claim 8 or 9,
An optical semiconductor element connected to at least one of the terminal portions of the lead frame with resin;
A transparent resin layer formed on a surface of the lead frame with resin to which the optical semiconductor element is connected, and covering the optical semiconductor element;
An optical semiconductor device comprising: 請求項１２に記載の光半導体装置が多面付けされていること、
を特徴とする光半導体装置の多面付け体。 The optical semiconductor device according to claim 12 is multifaceted,
A multifaceted body of an optical semiconductor device characterized by the above.
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