JP2014099425A - Inspection apparatus, inspection method, manufacturing method, and manufacturing system for thin-film solar cell - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、薄膜太陽電池の検査装置、薄膜太陽電池の検査方法、薄膜太陽電池の製造方法、および薄膜太陽電池の製造システムに関する。 The present invention relates to a thin film solar cell inspection device, a thin film solar cell inspection method, a thin film solar cell manufacturing method, and a thin film solar cell manufacturing system.
薄膜太陽電池は、半導体材料を利用した光電変換素子に太陽光等の光を入射させることによって、光電変換素子の正極と負極との間に起電力を生じさせるものである。薄膜太陽電池モジュールは、屋外に設置されることが多く、雨に打たれるなどしても漏電が生じないよう、光電変換素子と他の部材との間での絶縁性能が求められている。本願において、薄膜太陽電池とは、基板上に、少なくとも透明電極層、半導体層及び裏面電極層を有する構造をもつものを示しており、光電変換素子とは、透明電極層、半導体層及び裏面電極層からなる素子を示している。薄膜太陽電池モジュールとは、薄膜太陽電池を封止した状態を示している。 A thin film solar cell generates an electromotive force between a positive electrode and a negative electrode of a photoelectric conversion element by making light such as sunlight enter a photoelectric conversion element using a semiconductor material. Thin film solar cell modules are often installed outdoors, and insulation performance between the photoelectric conversion element and other members is required so that leakage does not occur even if it is struck by rain. In the present application, a thin film solar cell indicates a structure having at least a transparent electrode layer, a semiconductor layer, and a back electrode layer on a substrate, and a photoelectric conversion element includes a transparent electrode layer, a semiconductor layer, and a back electrode. The element which consists of layers is shown. The thin film solar cell module indicates a state where the thin film solar cell is sealed.
薄膜太陽電池の周辺部分に金属フレームを取り付けた薄膜太陽電池モジュールを製造する場合、規格の一つであるIEC61730によれば、例えばシステム電圧が1000Vの場合に、8.4mm以上の絶縁部分を光電変換素子部と金属フレームとの間に設けなければならないことが規定されている。 When manufacturing a thin film solar cell module in which a metal frame is attached to the periphery of a thin film solar cell, according to IEC 61730, which is one of the standards, for example, when a system voltage is 1000 V, an insulating portion of 8.4 mm or more is photoelectrically generated. It is specified that it must be provided between the conversion element part and the metal frame.
特開2008−109041号公報(特許文献1)に、薄膜太陽電池の一般的な構造が示されている。図26に薄膜太陽電池の平面図を示し、図27に薄膜太陽電池の端部近傍の拡大断面図を示す。特許文献1に示された薄膜太陽電池1000は、絶縁基板1002の周縁部に絶縁基板が露出する領域1021(特許文献1では、絶縁部分)が存在する構造となっている。絶縁基板が露出する領域1021を形成する方法として、絶縁基板1002の上に、透明電極層1003、半導体層1004、裏面電極層1005を形成した後、レーザ光により透明電極層1003、半導体層1004及び裏面電極層1005の一部を除去することで、絶縁基板を露出させる方法が開示されている。絶縁基板が露出する領域1021は、薄膜太陽電池モジュールを製造したとき、光電変換素子部と金属フレームとの間の絶縁部分の一部になる箇所であり、本来ならば絶縁基板上に何も存在しない状態となっているべきであるが、実際には、レーザ光で各層の除去を行っても、何らかの材料の残渣が存在することがある。残渣があると、太陽電池モジュールとしたとき、光電変換素子と金属フレーム等の部材との間で十分な絶縁性能が得られなくなる。 Japanese Patent Laid-Open No. 2008-109041 (Patent Document 1) shows a general structure of a thin film solar cell. FIG. 26 shows a plan view of the thin film solar cell, and FIG. 27 shows an enlarged sectional view of the vicinity of the end of the thin film solar cell. A thin-film solar cell 1000 disclosed in Patent Document 1 has a structure in which a region 1021 (an insulating portion in Patent Document 1) where the insulating substrate is exposed at the peripheral edge of the insulating substrate 1002 exists. As a method for forming the region 1021 where the insulating substrate is exposed, a transparent electrode layer 1003, a semiconductor layer 1004, and a back electrode layer 1005 are formed over the insulating substrate 1002, and then the transparent electrode layer 1003, the semiconductor layer 1004, and A method of exposing an insulating substrate by removing a part of the back electrode layer 1005 is disclosed. The region 1021 where the insulating substrate is exposed is a portion that becomes a part of the insulating portion between the photoelectric conversion element portion and the metal frame when the thin film solar cell module is manufactured, and originally exists on the insulating substrate. However, in reality, some material residue may be present even if each layer is removed by laser light. If there is a residue, when it is a solar cell module, sufficient insulation performance cannot be obtained between the photoelectric conversion element and a member such as a metal frame.
このように、薄膜太陽電池モジュールは、設計上、絶縁部分を設けるだけでは十分とはいえず、実際に検査を行い、絶縁性能を確認する必要がある。薄膜太陽電池の周辺部分に金属フレームを装着した後に、絶縁性能を測定して不適合品を見つけるより、製造工程のより早い段階で絶縁性能の検査を行って不適合品を見つけるほうが、生産効率の向上という点からは望ましい。不適合品については以降の製造工程を施さずに済むためである。 As described above, it is not sufficient for the thin-film solar cell module to provide an insulating portion in design, and it is necessary to actually inspect and confirm the insulating performance. It is better to inspect the insulation performance earlier in the manufacturing process and find the nonconforming product than to measure the insulation performance after mounting the metal frame around the thin film solar cell and find the nonconforming product. This is desirable. This is because the non-conforming product does not need to be subjected to subsequent manufacturing processes.
薄膜太陽電池に金属フレームを装着する前の段階での、絶縁性能の検査方法のひとつとして、特開2005−236051号公報(特許文献2)があげられる。透明支持基板と、光電変換素子と、金属薄膜を樹脂薄膜で挟みこんでなる防湿シートとを、この順番で積層してなる薄膜太陽電池モジュール(特許文献2では、光電変換パネル)の検査方法であって、薄膜太陽電池モジュールの絶縁性能の検査を、光電変換素子の回路と、防湿シートの金属薄膜との間の絶縁性能を検査することによって行う検査方法が開示されている。この方法を用いれば、薄膜太陽電池に金属フレームを装着する前の段階で不適合品を発見できる。光電変換素子と光電変換パネルを覆っている防湿シート中の金属薄膜を電極材料として利用して、絶縁性能を測定しているので、太陽電池モジュール本体の表面全体についての絶縁性能の検査を容易、かつ迅速に行うことができる。 Japanese Patent Laid-Open No. 2005-236051 (Patent Document 2) is an example of a method for inspecting insulation performance before a metal frame is attached to a thin film solar cell. In a method for inspecting a thin film solar cell module (photoelectric conversion panel in Patent Document 2) in which a transparent support substrate, a photoelectric conversion element, and a moisture-proof sheet obtained by sandwiching a metal thin film with a resin thin film are stacked in this order. And the inspection method which performs the test | inspection of the insulation performance of a thin film solar cell module by inspecting the insulation performance between the circuit of a photoelectric conversion element, and the metal thin film of a moisture-proof sheet is disclosed. If this method is used, a nonconforming product can be found before the metal frame is attached to the thin film solar cell. Since the insulation performance is measured by using the metal thin film in the moisture-proof sheet covering the photoelectric conversion element and the photoelectric conversion panel as an electrode material, it is easy to inspect the insulation performance for the entire surface of the solar cell module body. And can be done quickly.
しかしながら、従来の表面全体についての絶縁性能の検査を行う方法では、全体測定しか行っていないため、絶縁不良部が有るか無いかは判断できるものの、絶縁不良部のおおよその位置もわからないという問題があった。 However, the conventional method for inspecting the insulation performance of the entire surface only measures the whole surface, so it is possible to determine whether or not there is a defective insulation part, but the approximate position of the defective insulation part is not known. there were.
本発明は上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、薄膜太陽電池の周縁部の絶縁性能の検査において、絶縁不良部の箇所を特定することである。 This invention is made | formed in view of said problem, The objective is to specify the location of an insulation defect part in the test | inspection of the insulation performance of the peripheral part of a thin film solar cell.
上記課題を解決するために、本発明の薄膜太陽電池の検査装置、薄膜太陽電池の検査方法、薄膜太陽電池の製造方法、薄膜太陽電池の製造システムは、以下の手段を採用する。 In order to solve the above-described problems, a thin film solar cell inspection apparatus, a thin film solar cell inspection method, a thin film solar cell manufacturing method, and a thin film solar cell manufacturing system according to the present invention employ the following means.
すなわち、本発明にかかわる薄膜太陽電池の検査装置は、絶縁基板上に透明電極層、半導体層、裏面電極層が積層され、かつ絶縁基板の周縁部に絶縁基板が露出する領域を有する薄膜太陽電池の検査装置であって、透明電極層又は裏面電極層の少なくとも一方に当接する第1端子と、絶縁基板が露出する領域又は絶縁基板の外周端の少なくとも一方に当接する第2端子と、第1端子と第2端子の間に電圧を印加する電圧印加部と、第1端子と第2端子の間に流れる電流を検出する電流検出部と、移動機構を備え、第1端子または第2端子の少なくとも一方は、複数の個別端子に分割され、移動機構は、個別端子をそれぞれ移動させるものである。 That is, the inspection apparatus for a thin film solar cell according to the present invention includes a thin film solar cell in which a transparent electrode layer, a semiconductor layer, and a back electrode layer are stacked on an insulating substrate, and the insulating substrate is exposed at the peripheral edge of the insulating substrate. A first terminal that comes into contact with at least one of the transparent electrode layer or the back electrode layer, a second terminal that comes into contact with at least one of the region where the insulating substrate is exposed or the outer peripheral edge of the insulating substrate, A voltage application unit that applies a voltage between the terminal and the second terminal; a current detection unit that detects a current flowing between the first terminal and the second terminal; and a moving mechanism, and the first terminal or the second terminal At least one is divided into a plurality of individual terminals, and the moving mechanism moves the individual terminals.
本発明にかかわる薄膜太陽電池の検査装置は、第1端子、第2端子に加え、第1端子の当接する箇所と第2端子の当接する箇所の間であって、絶縁基板が露出する領域に当接する第3端子を備え、第1端子、第2端子及び第3端子のうちから選択される2つの端子の間に電圧を印加する電圧印加部と、電圧を印加した端子間に流れる電流を検出する電流検出部と、移動機構を備え、第3端子は、複数の個別端子に分割され、移動機構は、個別端子をそれぞれ移動させるものである。 In addition to the first terminal and the second terminal, the inspection apparatus for a thin-film solar cell according to the present invention is between the place where the first terminal abuts and the place where the second terminal abuts, in the region where the insulating substrate is exposed. A third terminal that abuts, a voltage application unit that applies a voltage between two terminals selected from the first terminal, the second terminal, and the third terminal; and a current that flows between the terminals to which the voltage is applied A current detection unit for detection and a moving mechanism are provided, the third terminal is divided into a plurality of individual terminals, and the moving mechanism moves each of the individual terminals.
本発明にかかわる薄膜太陽電池の検査装置は、個別端子が絶縁基板の辺毎に分割されているものである。 In the thin-film solar cell inspection apparatus according to the present invention, the individual terminals are divided for each side of the insulating substrate.
本発明にかかわる薄膜太陽電池の検査装置は、第1端子、第2端子、第3端子の少なくとも1つの端子は、絶縁基板の少なくとも1つの辺において、辺の長さ方向に対し複数に分割されているものである。 In the thin-film solar cell inspection apparatus according to the present invention, at least one of the first terminal, the second terminal, and the third terminal is divided into a plurality of portions in the length direction of at least one side of the insulating substrate. It is what.
本発明にかかわる薄膜太陽電池の検査方法は、透明電極層又は裏面電極層の少なくとも一方に当接する第1端子と、絶縁基板が露出する領域又は前記絶縁基板の外周端の少なくとも一方に当接する第2端子とを持ち、第1端子、第2端子の少なくとも一方の端子は複数の個別端子に分割され、移動機構によりそれぞれ移動するものであり、
個別端子の1つを、当接させる当接工程と、当接した端子に対応する端子を、当接させる当接工程と、当接した端子間の絶縁性能の検査を行う絶縁性能検査工程を有するものである。
The method for inspecting a thin-film solar cell according to the present invention includes a first terminal that contacts at least one of the transparent electrode layer and the back electrode layer, and a first terminal that contacts at least one of the region where the insulating substrate is exposed or the outer peripheral edge of the insulating substrate. It has two terminals, at least one of the first terminal and the second terminal is divided into a plurality of individual terminals, each moved by a moving mechanism,
An abutting process for abutting one of the individual terminals, an abutting process for abutting a terminal corresponding to the abutted terminal, and an insulation performance inspection process for inspecting the insulation performance between the abutted terminals It is what you have.
本発明にかかわる薄膜太陽電池の検査方法は、第1端子、第2端子に加え、第1端子が当接する箇所と第2端子が当接する箇所の間であって、絶縁基板が露出する領域に当接する第3端子を備え、第3端子は複数の個別端子に分割され、移動機構によりそれぞれ移動するものであり、個別端子の1つを、当接させる当接工程と、当接する端子に対応する第1端子または第2端子を当接させる当接工程と、当接した端子間の絶縁性能の検査を行う絶縁性能検査工程を有するものである。 In addition to the first terminal and the second terminal, the method for inspecting a thin-film solar cell according to the present invention is between the place where the first terminal abuts and the place where the second terminal abuts, in the region where the insulating substrate is exposed. A third terminal that abuts is provided. The third terminal is divided into a plurality of individual terminals, and each of the third terminals is moved by a moving mechanism. A contact process for contacting the first terminal or the second terminal, and an insulation performance test process for testing the insulation performance between the contacted terminals.
本発明にかかわる薄膜太陽電池の検査方法は、個別端子すべてを当接させる当接工程と、個別端子と対応する端子を当接させる当接工程と、当接した端子間の絶縁性能の検査を行う絶縁性能検査工程と、検査結果を予め保持する基準値と比較し、個別端子を個別に当接させるか否かを判断する判断工程と、判断工程の結果に応じて個別端子を個別に当接させる当接工程を有するものである。 The method for inspecting a thin-film solar cell according to the present invention includes a contact step for contacting all the individual terminals, a contact step for contacting the terminals corresponding to the individual terminals, and an inspection of insulation performance between the contacted terminals. The insulation performance inspection process to be performed, the inspection result is compared with a reference value held in advance, a determination process for determining whether or not the individual terminals are brought into contact individually, and the individual terminals are individually applied according to the result of the determination process. It has the contact process to contact.
本発明にかかわる薄膜太陽電池の製造方法は、本発明にかかわる薄膜太陽電池の検査方法によって検査を行う検査工程を有するものである。 The method for manufacturing a thin-film solar cell according to the present invention includes an inspection step of performing inspection by the thin-film solar cell inspection method according to the present invention.
本発明にかかわる薄膜太陽電池の製造方法は、検査工程の結果に基づいて実施する絶縁不良原因物除去工程を含むものである。 The method for manufacturing a thin-film solar cell according to the present invention includes a defective insulation cause removing step performed based on the result of the inspection step.
本発明にかかわる薄膜太陽電池の製造システムは、本発明にかかわる薄膜太陽電池の検査装置と、絶縁基板の周縁部の絶縁基板が露出する領域に存在する絶縁不良原因物を除去する絶縁不良原因物除去装置を含む薄膜太陽電池の製造システムであって、
検査装置からの検査情報に基づいて、絶縁不良原因物除去装置の制御部が処理部を制御するものである。
A thin-film solar cell manufacturing system according to the present invention includes a thin-film solar cell inspection apparatus according to the present invention, and an insulation failure cause that removes an insulation failure cause present in a region where the insulating substrate is exposed at the peripheral portion of the insulating substrate. A thin film solar cell manufacturing system including a removing device,
Based on the inspection information from the inspection device, the control unit of the defective insulation cause removing device controls the processing unit.
上記構成によれば、薄膜太陽電池の絶縁基板の周縁部の絶縁性能の検査において、絶縁不良部がある箇所を特定することができるという効果を奏する。 According to the said structure, in the test | inspection of the insulation performance of the peripheral part of the insulating substrate of a thin film solar cell, there exists an effect that the location with an insulation defect part can be specified.
〔第1の実施形態〕
本発明の薄膜太陽電池の検査装置について、図面を参照して説明すると、以下のとおりである。
[First Embodiment]
The thin film solar cell inspection apparatus of the present invention will be described below with reference to the drawings.
図1に、本実施形態に係る薄膜太陽電池の検査装置の説明図を示す。本実施の形態の薄膜太陽電池の検査装置は、薄膜太陽電池100に対して、絶縁基板が露出する領域21の絶縁性能を検査するための検査装置である。尚、薄膜太陽電池100は、主表面2sを有する絶縁基板2と、絶縁基板2の主表面2sに順次積層された透明電極層3、半導体層4、裏面電極層5からなる光電変換素子とを含み、絶縁基板2の周縁部に、絶縁基板2の主表面2sが露出する絶縁基板が露出する領域21を有する。 FIG. 1 is an explanatory view of a thin-film solar cell inspection apparatus according to this embodiment. The thin-film solar cell inspection device according to the present embodiment is an inspection device for inspecting the thin-film solar cell 100 for the insulating performance of the region 21 where the insulating substrate is exposed. The thin film solar cell 100 includes an insulating substrate 2 having a main surface 2s, and a photoelectric conversion element including a transparent electrode layer 3, a semiconductor layer 4, and a back electrode layer 5 sequentially stacked on the main surface 2s of the insulating substrate 2. In addition, in the peripheral portion of the insulating substrate 2, the insulating substrate 2 has a region 21 where the main surface 2 s is exposed.
検査装置は、裏面電極層5に当接させるための複数の個別端子である第1端子611、612と、絶縁基板の外周端に当接させるための第2端子62と、第1端子611、612それぞれを移動させる移動機構711、712と、第1端子と第2端子の間に電圧を印加するための電圧印加部8と、電圧印加部8によって電圧を印加した2つの端子の間に流れる電流を検出する電流検出部9とを備える。絶縁基板の外周端とは、絶縁基板の端面のことである。移動機構とは、端子と検査対象物を互いに当接または離間させる機構であり、基板の主表面2sに対し、垂直方向に動く場合のみを表すものではなく、角度をもって動く場合も含まれる。 The inspection apparatus includes first terminals 611 and 612 that are a plurality of individual terminals for contacting the back surface electrode layer 5, a second terminal 62 for contacting the outer peripheral edge of the insulating substrate, a first terminal 611, 612 flows through the moving mechanisms 711 and 712, the voltage applying unit 8 for applying a voltage between the first terminal and the second terminal, and the two terminals to which the voltage is applied by the voltage applying unit 8. And a current detection unit 9 for detecting current. The outer peripheral edge of the insulating substrate is the end surface of the insulating substrate. The moving mechanism is a mechanism for bringing a terminal and an inspection object into contact with or apart from each other, and does not represent only a case where the terminal moves in a vertical direction with respect to the main surface 2s of the substrate, but includes a case where the terminal and the inspection object move with an angle.
個別端子の1つである第1端子611が裏面電極層5に当接しているときには、もう1つの個別端子である第1端子612は離間し、第1端子612が裏面電極層5に当接しているときには、第1端子611を離間させるように、移動機構711及び712を用いる。すなわち、第1端子は2つあるが、電圧を印加する際に裏面電極層5に当接している第1端子は1つということになる。なお、図1における電圧印加部8及び電流検出部9は、模式的に示したものである。電圧印加部8及び電流検出部9は、第1端子611と612に、それぞれ個別に対応して2つあってもよく、1つの電圧印加部8及び電流検出部9を、分岐された導電配線にて前記2つの第1端子の両方に接続し、共有していてもよい。共有としたほうが、検査装置の部品を減らすことができ、装置の低コスト化が可能となるため望ましい。 When the first terminal 611 that is one of the individual terminals is in contact with the back electrode layer 5, the first terminal 612 that is another individual terminal is separated and the first terminal 612 is in contact with the back electrode layer 5. When moving, the moving mechanisms 711 and 712 are used so that the first terminal 611 is separated. That is, there are two first terminals, but there is one first terminal that is in contact with the back electrode layer 5 when a voltage is applied. In addition, the voltage application part 8 and the electric current detection part 9 in FIG. 1 are shown typically. There may be two voltage application units 8 and current detection units 9 corresponding to the first terminals 611 and 612, respectively, and one voltage application unit 8 and current detection unit 9 may be divided into conductive wires. And may be connected to both of the two first terminals. It is desirable to share it because the parts of the inspection apparatus can be reduced and the cost of the apparatus can be reduced.
図2に、薄膜太陽電池と検査装置の端子を、検査装置の上方からみた場合の平面模式図を示す。裏面電極層に当接させるための第1端子は、第1端子611と第1端子612の2つから構成されており、絶縁基板の外周端に当接させるための第2端子62は、絶縁基板の外周端に沿って一体に構成されている。図2中のA−A´断面を示したものが図1に該当する。第1端子611と第2端子62の距離t1は、約12mmである。 FIG. 2 is a schematic plan view of the thin film solar cell and the terminals of the inspection device as viewed from above the inspection device. The first terminal for contacting the back electrode layer is composed of two terminals, a first terminal 611 and a first terminal 612, and the second terminal 62 for contacting the outer peripheral edge of the insulating substrate is insulated. It is integrally formed along the outer peripheral edge of the substrate. FIG. 1 corresponds to a cross section taken along the line AA ′ in FIG. The distance t1 between the first terminal 611 and the second terminal 62 is about 12 mm.
なお、絶縁基板が露出する領域を211と212にわけて示しているのは、実際の絶縁基板上で分離がされているわけではなく、後で本実施形態の効果を説明するために、絶縁基板が露出する領域をわけて示したものである。 The region where the insulating substrate is exposed is divided into 211 and 212, which is not separated on the actual insulating substrate. In order to explain the effect of this embodiment later, the insulating substrate is isolated. The area where the substrate is exposed is shown separately.
移動機構は、第2端子62にも付いていてもよい。第2端子62に移動機構を設けることで、第2端子を、薄膜太陽電池の裏面電極層側から絶縁基板外周端に、当接させることができる。また、第2端子に、基板の端面側から絶縁基板外周端に当接するように、左右に動く機構を設けてもよい。 The moving mechanism may also be attached to the second terminal 62. By providing the moving mechanism on the second terminal 62, the second terminal can be brought into contact with the outer peripheral edge of the insulating substrate from the back electrode layer side of the thin film solar cell. The second terminal may be provided with a mechanism that moves to the left and right so as to contact the outer peripheral edge of the insulating substrate from the end surface side of the substrate.
図3に、電圧印加される異なる端子の組合せの説明図を示す。図1と同様に、図2中のA−A´断面を示したものが図3に該当する。第1端子611または612のいずれかを裏面電極5に当接させることによって、電圧印加部8は、組合せC1、C2に電圧を印加することができる。本検査装置は、第1端子611と第2端子62、または第1端子612と第2端子62の間に、電圧を印加し、2つの端子の間に流れる電流を検出することで、絶縁性能を検査することができる。すなわち、第1端子は一体物ではなく、2つに分割されているので、図2で示した周縁部の絶縁基板が露出する領域211と212のどちらの領域に絶縁不良部があるかを特定することができる。 FIG. 3 shows an explanatory diagram of combinations of different terminals to which a voltage is applied. Similar to FIG. 1, a cross section taken along the line AA ′ in FIG. 2 corresponds to FIG. 3. By bringing either the first terminal 611 or 612 into contact with the back electrode 5, the voltage application unit 8 can apply a voltage to the combinations C1 and C2. This inspection apparatus applies a voltage between the first terminal 611 and the second terminal 62, or between the first terminal 612 and the second terminal 62, and detects the current flowing between the two terminals, thereby insulating performance. Can be inspected. That is, since the first terminal is not an integrated object but is divided into two parts, it is specified which of the regions 211 and 212 where the peripheral insulating substrate shown in FIG. can do.
図4に、第1の実施形態の変形例である薄膜太陽電池と検査装置の端子を、検査装置の上方からみた場合の平面図を示す。図2と異なり、第1端子は辺の数に対応して4個に分割されている。個別端子である第1端子613、614、615及び616のそれぞれに移動機構がついており、辺ごとに絶縁性能を検査することができる。このような薄膜太陽電池の検査装置を用いることで、絶縁基板が露出する領域のどの辺に絶縁不良部があるかを特定することができる。 In FIG. 4, the top view at the time of seeing the terminal of the thin film solar cell which is a modification of 1st Embodiment, and an inspection apparatus from the upper direction of an inspection apparatus is shown. Unlike FIG. 2, the first terminal is divided into four corresponding to the number of sides. Each of the first terminals 613, 614, 615, and 616, which are individual terminals, has a moving mechanism, so that the insulation performance can be inspected for each side. By using such a thin-film solar cell inspection device, it is possible to specify which side of the region where the insulating substrate is exposed has the defective insulation portion.
端子を細かく分割すればするほど、絶縁不十分な箇所をより正確に特定することが可能となるが、検査装置の複雑化も伴うため、双方のバランスを考えると、絶縁性能が不十分な辺を特定できる検査装置が望ましい。例えば、三角形の薄膜太陽電池であれば、第1端子は3個に分割することが望ましい。いいかえると、端子は、絶縁基板の各辺に対応して辺の数に分割されていることが望ましい。 The more finely divided the terminal, the more accurately the location where insulation is insufficient can be identified.However, the inspection equipment is also complicated, so considering the balance between the two, It is desirable to have an inspection device that can identify For example, in the case of a triangular thin film solar cell, the first terminal is desirably divided into three. In other words, the terminal is desirably divided into the number of sides corresponding to each side of the insulating substrate.
図5に、第1の実施形態の変形例を示す。図1と同じ薄膜太陽電池の検査装置を用いているが、第2端子62aが、絶縁基板の周縁部の絶縁基板が露出する領域21の主表面2sで当接する例を示す。第1端子617は、図1と同じように、移動機構717により透明電極層3に当接する。第2端子62aを絶縁基板2の主表面2sで当接させることで、第1端子617と第2端子62aの距離を短くすることができるため、より精度よく絶縁性能を測定することが可能となる。 FIG. 5 shows a modification of the first embodiment. Although the same thin-film solar cell inspection apparatus as that of FIG. 1 is used, an example is shown in which the second terminal 62a abuts on the main surface 2s of the region 21 where the insulating substrate at the peripheral edge of the insulating substrate is exposed. The first terminal 617 contacts the transparent electrode layer 3 by the moving mechanism 717 as in FIG. Since the distance between the first terminal 617 and the second terminal 62a can be shortened by bringing the second terminal 62a into contact with the main surface 2s of the insulating substrate 2, the insulation performance can be measured more accurately. Become.
図6に、第1の実施形態の変形例を示す。図1と同じ薄膜太陽電池の検査装置を用いているが、第1端子618が、移動機構718により透明電極層3に当接する例を示す。ここまでに示した例とは、薄膜太陽電池の透明電極層3が、光電変換層4及び裏面電極層5よりも外周側へ突出している点で異なる。この点以外については同じであり、第1端子618を透明電極層3に当接させても、同じ作用・効果が得られる。第1端子は、光電変換素子と電気的につながれば良いので、透明電極層と裏面電極層のどちらに接していてもよい。言い換えれば、第1端子は、少なくとも端子の一部が薄膜太陽電池の電極に当接していればよいことになる。 FIG. 6 shows a modification of the first embodiment. Although the same thin-film solar cell inspection apparatus as that in FIG. 1 is used, an example in which the first terminal 618 contacts the transparent electrode layer 3 by the moving mechanism 718 is shown. It differs from the example shown so far in that the transparent electrode layer 3 of the thin film solar cell protrudes to the outer peripheral side from the photoelectric conversion layer 4 and the back electrode layer 5. The other points are the same, and the same action and effect can be obtained even when the first terminal 618 is brought into contact with the transparent electrode layer 3. Since the first terminal only needs to be electrically connected to the photoelectric conversion element, the first terminal may be in contact with either the transparent electrode layer or the back electrode layer. In other words, at least a part of the first terminal only needs to be in contact with the electrode of the thin film solar cell.
周辺部において、透明電極層が、半導体層及び裏面電極層より突出した構造の薄膜太陽電池の場合、第1端子は、透明電極層に当接させたほうが、第2端子との距離が短くなるため、精度よく測定することができる。また、裏面電極層に負荷をかけると光電変換素子の半導体層にキズができ、透明電極層と裏面電極層との間で短絡がおきる可能性がある。短絡を避けるために、透明電極層に端子を接触させるほうが望ましい。 In the case of a thin film solar cell having a structure in which the transparent electrode layer protrudes from the semiconductor layer and the back electrode layer in the peripheral portion, the distance between the first terminal and the second terminal is shorter when the first terminal is in contact with the transparent electrode layer. Therefore, it can measure with high accuracy. Moreover, if a load is applied to the back electrode layer, the semiconductor layer of the photoelectric conversion element may be scratched, and a short circuit may occur between the transparent electrode layer and the back electrode layer. In order to avoid a short circuit, it is desirable to contact the terminal with the transparent electrode layer.
薄膜太陽電池の構造として、すべての辺において透明電極層が突出した構造をとっているのではない場合、突出した構造をとっている辺では第1端子を透明電極層に当接させ、それ以外の辺では裏面電極層に当接させるとよい。光電変換素子の半導体層にキズができ、透明電極層と裏面電極層の間の短絡を避けることができるためである。
尚、検査対象とする薄膜太陽電池は、必ずしも透明電極層、半導体層、裏面電極層のすべてが形成された光電変換素子として完成されたものである必要はなく、未完成のものであってもよい。他の実施形態においても同様である。
If the transparent electrode layer does not have a protruding structure on all sides as the structure of the thin film solar cell, the first terminal is brought into contact with the transparent electrode layer on the protruding structure, and the rest It is good to make it contact | abut to a back surface electrode layer in the edge | side. This is because the semiconductor layer of the photoelectric conversion element is scratched and a short circuit between the transparent electrode layer and the back electrode layer can be avoided.
The thin-film solar cell to be inspected does not necessarily have to be completed as a photoelectric conversion element in which all of the transparent electrode layer, the semiconductor layer, and the back electrode layer are formed. Good. The same applies to other embodiments.
〔第2の実施形態〕
本発明の薄膜太陽電池の検査装置の他の例について、図面を参照して説明すると、以下のとおりである。第1の実施形態と異なる点は、第1端子は一体型で、第2端子が分割されかつ移動機能を備えている点である。
[Second Embodiment]
Another example of the thin-film solar cell inspection apparatus of the present invention is described below with reference to the drawings. The difference from the first embodiment is that the first terminal is an integral type, the second terminal is divided, and has a moving function.
図7に、複数の個別端子である第2端子621、622を持ち、それぞれの個別端子が移動機構721、722を持っている検査装置によって、薄膜太陽電池の検査を行う場合の説明図を示す。第1端子61は一体型である。 FIG. 7 shows an explanatory diagram in the case where a thin film solar cell is inspected by an inspection apparatus having second terminals 621 and 622 which are a plurality of individual terminals, and each of the individual terminals has a moving mechanism 721 and 722. . The first terminal 61 is an integral type.
図8に、図7の薄膜太陽電池の検査装置の端子を検査装置の上側からみた場合の説明図を示す。図8のB−B´断面が、図7に対応する。第1の実施形態と異なるのは、分割する端子の種類だけであり、作用・効果は同じである。また、第1端子、第2端子の両方が分割されていても、作用・効果は同じである。 FIG. 8 is an explanatory diagram when the terminals of the inspection apparatus for the thin-film solar cell in FIG. 7 are viewed from above the inspection apparatus. The BB ′ cross section in FIG. 8 corresponds to FIG. The difference from the first embodiment is only the type of terminal to be divided, and the actions and effects are the same. Moreover, even if both the first terminal and the second terminal are divided, the operation and effect are the same.
図9に、第2の実施形態の変形例である薄膜太陽電池と検査装置の端子を、検査装置の上側からみた場合の平面図を示す。第2端子は辺の数に対応して4個に分割されている。複数の個別端子である第2端子623、624、625及び626のそれぞれに移動機構がついており、辺ごとに絶縁性能を検査することができる。 In FIG. 9, the top view at the time of seeing the terminal of the thin film solar cell which is a modification of 2nd Embodiment, and an inspection apparatus from the upper side of an inspection apparatus is shown. The second terminal is divided into four corresponding to the number of sides. Each of the second terminals 623, 624, 625, and 626, which are a plurality of individual terminals, has a moving mechanism, so that the insulation performance can be inspected for each side.
また、第1の実施形態で、図4を用いて説明した例との違いは、分割している端子が第1端子か、第2端子かという点だけであり、図4を用いて説明した場合と、同じ作用・効果を奏する。したがって、薄膜太陽電池の絶縁基板の各辺に対応して、辺の数に分割される検査装置の端子は、第1端子でも第2端子のいずれでもよく、第1端子と第2端子の両方でもよい。 Further, the difference from the example described with reference to FIG. 4 in the first embodiment is only whether the divided terminal is the first terminal or the second terminal, and has been described with reference to FIG. The same action and effect as the case. Therefore, the terminal of the inspection apparatus divided into the number of sides corresponding to each side of the insulating substrate of the thin-film solar cell may be either the first terminal or the second terminal, and both the first terminal and the second terminal. But you can.
〔第3の実施形態〕
本発明に係る薄膜太陽電池の検査装置の他の例について、図面を参照して説明すると、以下のとおりである。第1の実施形態と異なる点は、第1端子、第2端子は一体型で、第3端子を設け、かつ第3端子が複数の個別端子に分割されそれぞれに移動機構を備えている点である。
[Third Embodiment]
Another example of the thin-film solar cell inspection apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings. The difference from the first embodiment is that the first terminal and the second terminal are integrated, the third terminal is provided, and the third terminal is divided into a plurality of individual terminals, each having a moving mechanism. is there.
図10に、本実施形態に係る薄膜太陽電池の検査装置の説明図を示す。 In FIG. 10, explanatory drawing of the inspection apparatus of the thin film solar cell which concerns on this embodiment is shown.
検査装置は、裏面電極層5に当接させるための第1端子61と、絶縁基板の外周端に当接させるための第2端子62と、絶縁基板が露出する領域21に当接させる個別端子である第3端子631、632と、第3端子631、632それぞれを移動させる移動機構731、732と、電圧印加部81と、端子間に流れる電流を検出する電流検出部91を備えている。電圧印加部81は、第1端子61、第2端子62、第3端子631、第3端子632の3種類、計4個の端子の中から選択される2つの端子の間に、電圧を印加する。
第3端子631が、絶縁基板が露出する領域21に当接しているときには、第3端子632は離間し、第3端子632が当接しているときには、第3端子631は離間するように、移動機構731及び732を用いる。第1端子61、第2端子62のそれぞれ又は両方に移動機構がついていてもよい。なお、図10における電圧印加部81及び電流検出部91は、模式的に示したものである。
The inspection apparatus includes a first terminal 61 for contacting the back electrode layer 5, a second terminal 62 for contacting the outer peripheral edge of the insulating substrate, and an individual terminal contacting the region 21 where the insulating substrate is exposed. The third terminals 631 and 632, the moving mechanisms 731 and 732 that move the third terminals 631 and 632, the voltage application unit 81, and the current detection unit 91 that detects the current flowing between the terminals. The voltage application unit 81 applies a voltage between two terminals selected from a total of four terminals, three types of first terminal 61, second terminal 62, third terminal 631, and third terminal 632. To do.
When the third terminal 631 is in contact with the region 21 where the insulating substrate is exposed, the third terminal 632 moves away, and when the third terminal 632 is in contact, the third terminal 631 moves away. Mechanisms 731 and 732 are used. A movement mechanism may be attached to each or both of the first terminal 61 and the second terminal 62. In addition, the voltage application part 81 and the electric current detection part 91 in FIG. 10 are shown typically.
図11に、薄膜太陽電池と検査装置の端子を、検査装置の上側からみた場合の平面図を示す。絶縁基板が露出する領域21に当接する第3端子は、第3端子631と第3端子632の二つに分割されており、第1端子61と第2端子62は一体型である。第1端子61と第3端子631との距離t2は5mm、第3端子631と第2端子62との距離t3は6mmである。第3端子631の幅は1mmである。図11中のC−C´断面を示したものが図10に該当する。 In FIG. 11, the top view at the time of seeing the terminal of a thin film solar cell and an inspection apparatus from the upper side of an inspection apparatus is shown. The third terminal that contacts the region 21 where the insulating substrate is exposed is divided into a third terminal 631 and a third terminal 632, and the first terminal 61 and the second terminal 62 are integrated. The distance t2 between the first terminal 61 and the third terminal 631 is 5 mm, and the distance t3 between the third terminal 631 and the second terminal 62 is 6 mm. The width of the third terminal 631 is 1 mm. FIG. 10 corresponds to a cross section taken along the line CC ′ in FIG.
第3端子631と第3端子632のいずれか一方のみ絶縁基板が露出する領域21に当接させることにより、絶縁基板の周縁部のどの箇所に絶縁不良部があるのかを知ることができる。 Only one of the third terminal 631 and the third terminal 632 is brought into contact with the region 21 where the insulating substrate is exposed, so that it is possible to know which part of the peripheral portion of the insulating substrate has the defective insulation portion.
図12に電圧印加される端子の組合せの説明図を示す。第3端子631または632のいずれかを領域21に当接させることによって、電圧印加部81は、組合せC1、C2、C3、C2´、C3´に電圧を印加することができる。これらの端子の組合せすべてに電圧を印加し、電流を測定することが望ましいが、必須要件ではない。 FIG. 12 is an explanatory diagram of combinations of terminals to which voltages are applied. By bringing either the third terminal 631 or 632 into contact with the region 21, the voltage application unit 81 can apply a voltage to the combinations C1, C2, C3, C2 ′, and C3 ′. Although it is desirable to apply a voltage to all of these terminal combinations and measure the current, this is not a requirement.
C1とC2の両方に順に電圧を印加することで、よりきめ細かく絶縁不良部の箇所を特定することができる。加えて、C3も行うことでさらにきめ細こまかく検査することができ、絶縁検査の精度をあげることができる。また、十分な絶縁がとれない場所が予測できる場合、絶縁検査を行う箇所が決まっている場合等、基板の周縁部すべてを検査する必要がない場合は、測定に用いる端子を選択してもよい。 By applying a voltage to both C1 and C2 in order, it is possible to specify the location of the defective insulation portion more finely. In addition, by performing C3, a more detailed inspection can be performed, and the accuracy of the insulation inspection can be increased. In addition, when it is not necessary to inspect the entire periphery of the substrate, such as when it is possible to predict a place where sufficient insulation cannot be obtained, or when a place where insulation inspection is performed is determined, a terminal used for measurement may be selected. .
図11には、第3端子が長方形の枠から2つに分割された場合について示したが、絶縁基板の各辺に対応して、4個に分割されていてもよい。各辺に対応して分割されていることで、絶縁不良部の存在する箇所を特定することが可能となり、効率よく絶縁不良部の除去を行うことが可能となる。 Although FIG. 11 shows the case where the third terminal is divided into two from the rectangular frame, it may be divided into four corresponding to each side of the insulating substrate. By being divided corresponding to each side, it is possible to specify the location where the defective insulation portion exists, and it is possible to efficiently remove the defective insulation portion.
図13に、第3の実施形態の変形例を示す。薄膜太陽電池の検査装置の第3端子が、複数の個別端子に分割され、各辺に対し平行に複数存在している。各辺に対し平行に2つずつ合計8個の第3端子634a、634b、635a、635b、636a、636b、637a、及び637bが存在している。第1端子61と第2端子62は一体型である。第1端子61と第3端子634aとの距離t4は3mm、第3端子634aと第3端子634bとの距離t5は3mm、第3端子634bと第2端子62との距離t6は4mmとした。第3端子の幅は1mmである。 FIG. 13 shows a modification of the third embodiment. The third terminal of the thin-film solar cell inspection device is divided into a plurality of individual terminals, and a plurality of third terminals exist in parallel to each side. There are a total of eight third terminals 634a, 634b, 635a, 635b, 636a, 636b, 637a, and 637b, two in parallel with each side. The first terminal 61 and the second terminal 62 are integrated. The distance t4 between the first terminal 61 and the third terminal 634a was 3 mm, the distance t5 between the third terminal 634a and the third terminal 634b was 3 mm, and the distance t6 between the third terminal 634b and the second terminal 62 was 4 mm. The width of the third terminal is 1 mm.
基板周縁部の絶縁基板が露出する領域の幅が許す範囲内で、各辺に対し平行に存在する第3端子の数を増やせば増やすほど、精度よく絶縁性能の不十分な箇所の特定をすることができる。ただし、第3端子の数を多くしすぎると検査装置の構造が煩雑になることから2個程度がよい。 As the number of third terminals existing in parallel to each side is increased within the range allowed by the width of the region where the insulating substrate is exposed at the peripheral edge of the substrate, the location with insufficient insulation performance is more accurately identified. be able to. However, if the number of the third terminals is increased too much, the structure of the inspection apparatus becomes complicated, so about two are preferable.
第3の実施形態においては、第3端子が移動する場合について述べたが、あわせて第1端子、第2端子のいずれか又は両方が個別に分割され、移動機構をもっていてもよい。第1端子と第3端子の移動を同時に行えるように、共通の移動機構をもっていてもよい。共通化することにより、装置構造が簡素化され、装置コストを削減することができるとともに、装置メンテナンス負荷軽減の効果が得られる。 In the third embodiment, the case where the third terminal moves has been described. However, either or both of the first terminal and the second terminal may be individually divided to have a moving mechanism. A common moving mechanism may be provided so that the first terminal and the third terminal can be moved simultaneously. By sharing, the apparatus structure is simplified, the apparatus cost can be reduced, and the effect of reducing the apparatus maintenance load can be obtained.
以下に、第1から第3の実施の形態に適用できる端子の分割例、形状の例等について説明する。 Hereinafter, terminal division examples and shape examples that can be applied to the first to third embodiments will be described.
図14から図16に、第1端子、第2端子及び第3端子の分割の例を示す。これらの例は、第1の実施形態から第3の実施形態のいずれにおいても、用いることができる。 FIG. 14 to FIG. 16 show examples of division of the first terminal, the second terminal, and the third terminal. These examples can be used in any of the first to third embodiments.
図14、図15に示すように、端子は各辺の中で2分割、あるいは、4分割された形状でもよい。図14、図15は、すべての辺において端子が同じ数に分割されている形態を例示しているが、本発明はそれに限定されず、それぞれの辺の端子がそれぞれ異なる数に分割されていてもよい。 As shown in FIGS. 14 and 15, the terminals may be divided into two or four in each side. 14 and 15 exemplify a form in which the terminals are divided into the same number on all sides, but the present invention is not limited to this, and the terminals on each side are divided into different numbers. Also good.
また、図16に示すように、円柱状の端子を並べてもよい。端子は、円柱ではなく、角柱であってもよい。また、基板のすべての辺にそって端子が同じ形状をしている必要はなく、これまで示した例の組合せでもよい。 Moreover, as shown in FIG. 16, cylindrical terminals may be arranged. The terminal may be a prism instead of a cylinder. Further, the terminals do not have to have the same shape along all the sides of the substrate, and a combination of the examples shown so far may be used.
端子が、長方形の枠状のものから細かく分割されており、かつ、それぞれに移動機構を備えている検査装置を用いれば、薄膜太陽電池の絶縁基板の周縁部で、絶縁不良部の箇所をより詳細に特定することができる。 If the terminals are finely divided from rectangular frame-shaped terminals and each has a moving mechanism, the location of the poorly-insulated part is further removed at the peripheral edge of the insulating substrate of the thin-film solar cell. Can be specified in detail.
一例として、絶縁性能が十分に得られない辺が予測されている状況で、その辺に対応する端子のみ細かく分割したものを用いて、さらに絶縁不良部を詳細に特定するということも可能である。絶縁不良部の箇所を特定することで、どの工程で問題がおきているのかを推定することができるため、製造工程の不良発生原因をつきとめることにつなげることもできる。 As an example, in a situation where a side where insulation performance is not sufficiently obtained is predicted, it is also possible to further specify the insulation failure portion in detail using only the terminals corresponding to that side finely divided. . By identifying the location of the defective insulation portion, it is possible to estimate in which process the problem occurs, and thus it is possible to identify the cause of the occurrence of a defect in the manufacturing process.
図17に、第1端子が、各辺に対応するように辺の数の個別端子に分割されており、第2端子は、構造上は分割されているが、絶縁基板に当接させたときには端子同士は接している場合の説明図を示す。第1の実施形態から第3の実施形態のいずれにおいても、用いることができる。 In FIG. 17, the first terminal is divided into the number of individual terminals corresponding to each side, and the second terminal is divided in structure, but when it is brought into contact with the insulating substrate An explanatory view when the terminals are in contact with each other is shown. Any of the first to third embodiments can be used.
各辺に対応するように、第1端子619a、619b、619c、619d及び第2端子629a、629b、629c、629dが存在する。第1の実施の形態において、図4を用いて示した例と異なる点は、第2端子が構造上は4個に分割されているが、4個とも絶縁基板に当接させた場合、隣接する端子同士が接している点である。構造上は分割した構造とすることで、一体物の端子よりも、メンテナンスが容易であり、端子が破損した場合も、一部の交換で対応することが可能となる。 The first terminals 619a, 619b, 619c, and 619d and the second terminals 629a, 629b, 629c, and 629d exist so as to correspond to the respective sides. In the first embodiment, the difference from the example shown in FIG. 4 is that the second terminal is divided into four in terms of structure. However, when all four terminals are in contact with the insulating substrate, they are adjacent to each other. This is the point where the terminals to be in contact with each other. By having a divided structure, it is easier to maintain than a single terminal, and even if the terminal is damaged, it is possible to cope with part replacement.
図17では、第2端子の場合について述べたが、構造上は分割され、当接したときに隣接する端子同士が接するのは、第1端子でもよく、第1端子と第2端子の両方でもよい。 In FIG. 17, the case of the second terminal has been described. However, the first terminal may be the contact between adjacent terminals when the two terminals are in contact with each other, or both the first terminal and the second terminal. Good.
図18(a)と(b)を用いて、薄膜太陽電池の絶縁基板2の端部が半円形状となっている場合に、第2端子が当接する箇所について説明する。第1の実施形態から第3の実施形態のいずれにおいても用いることができる。 18 (a) and 18 (b), the location where the second terminal abuts when the end portion of the insulating substrate 2 of the thin-film solar cell has a semicircular shape will be described. It can be used in any of the first to third embodiments.
端部が半円形状になっている基板に対して第2端子627を絶縁基板2に当接させる場合、図18(a)に示すように、第2端子628を絶縁基板2の端面に当接させることによって、確実に真の端に当接させることが可能となる。これに対し、図18(b)のように、絶縁基板2の主表面上に、第2端子627を当接させようとすると、主表面2sが平坦な部分に当接せざるを得なくなり、真の端部から距離Dだけ内側で測定することになる。 When the second terminal 627 is brought into contact with the insulating substrate 2 with respect to the substrate having a semicircular end, the second terminal 628 is brought into contact with the end surface of the insulating substrate 2 as shown in FIG. By making contact, it is possible to reliably contact the true end. On the other hand, as shown in FIG. 18B, when the second terminal 627 is brought into contact with the main surface of the insulating substrate 2, the main surface 2s must be brought into contact with a flat portion. The distance D is measured on the inner side from the true end.
図18(a)、(b)には、絶縁基板の端部が半円形状となっている場合を示したが、半円形状に限定されるものではない。例えば、薄膜太陽電池の場合、絶縁基板としてガラス基板を用いることが多く、その場合、製造工程における安全性の観点から端部は面取りを行っている。面取りを行ったガラス基板を用いる場合には、確実に真の端に当接することができるという観点から、図18(a)のように第2端子は側面から当接させることが望ましい。 18A and 18B show the case where the end portion of the insulating substrate has a semicircular shape, but it is not limited to the semicircular shape. For example, in the case of a thin film solar cell, a glass substrate is often used as the insulating substrate, and in that case, the end portion is chamfered from the viewpoint of safety in the manufacturing process. In the case of using a chamfered glass substrate, it is desirable that the second terminal abuts from the side as shown in FIG. 18A from the viewpoint that it can surely abut the true end.
薄膜太陽電池が理想的な状態であれば、絶縁基板の端面には、導電性のあるものは存在しないはずである。しかしながら、透明電極層、裏面電極層の形成過程において、基板端面に導電膜が積層されていることがある。より具体的には、薄膜太陽電池の透明電極層として一般的に使用されているSnO2の成膜時の絶縁基板端面への回り込み、裏面電極層として用いられているAg、Al等の金属層、半導体層と金属層の間に成膜することのあるZnO等の透明導電膜の成膜時の回り込みがある。端面の状態も含めてより精度よく絶縁性能を測定するという観点からも、第2端子は、側面から当接させることが望ましい。 If the thin-film solar cell is in an ideal state, there should be no conductivity on the end face of the insulating substrate. However, in the process of forming the transparent electrode layer and the back electrode layer, a conductive film may be laminated on the substrate end face. More specifically, a metal layer made of Ag, Al, or the like used as a back electrode layer that wraps around the end face of the insulating substrate when SnO 2 is generally used as a transparent electrode layer of a thin film solar cell. There is a wraparound during the formation of a transparent conductive film such as ZnO that may be formed between the semiconductor layer and the metal layer. From the viewpoint of measuring the insulation performance more accurately including the state of the end face, it is desirable that the second terminal is brought into contact with the side face.
また、第2端子を絶縁基板の端面に対し側面から当接させることで、絶縁基板の位置を安定させることができるため、基板を固定させるための部材を別に用意する必要がなく、検査装置の低コスト化という効果も得られる。 In addition, since the position of the insulating substrate can be stabilized by bringing the second terminal into contact with the end surface of the insulating substrate from the side surface, there is no need to separately prepare a member for fixing the substrate. The effect of cost reduction can also be obtained.
図19に、端子の形状の例を示す。第1の実施形態及び第2の実施形態で用いることができる。 FIG. 19 shows an example of the shape of the terminal. It can be used in the first embodiment and the second embodiment.
検査端子は、第1端子と第2端子が別の形状であってもよい。例えば、図19に示したように、第1端子619eは棒状であって、第2端子629eは長く延在する板状の形状であってもよい。第1端子として、棒状のものを基板の主表面2sに対し垂直な方向から裏面電極に当接させ、第2端子として絶縁基板の各辺に平行に配置した長く延在する板状の形状の端子を、薄膜太陽電池の絶縁基板の各辺に沿って複数ならべ、側方から絶縁基板に当接させている。 The inspection terminal may have a different shape for the first terminal and the second terminal. For example, as shown in FIG. 19, the first terminal 619e may have a rod shape, and the second terminal 629e may have a plate shape that extends long. As a first terminal, a rod-shaped one is brought into contact with the back electrode from a direction perpendicular to the main surface 2s of the substrate, and as a second terminal, a long extending plate-like shape arranged in parallel with each side of the insulating substrate. A plurality of terminals are arranged along each side of the insulating substrate of the thin-film solar cell, and are in contact with the insulating substrate from the side.
第1端子が当接するのは、薄膜太陽電池の電極であるので、端子が棒状であっても電気的接続は十分に可能であり、棒状とすることで検査装置の複雑化を避けることができる。また、第2端子は長く延在する板状の形状とすることで、絶縁性能の検査測定の測定精度をあげるという効果があるとともに、側方から絶縁基板に当接させることで、検査装置の基板固定部材が不要になるため、検査装置の部品の数を減らすことが可能となる。 Since the first terminal is in contact with the electrode of the thin-film solar cell, electrical connection is sufficiently possible even if the terminal is in the form of a bar. . In addition, the second terminal has a long plate-like shape, which has the effect of increasing the measurement accuracy of the inspection and measurement of the insulation performance, and by bringing the second terminal into contact with the insulating substrate from the side, Since the board fixing member is not necessary, the number of parts of the inspection apparatus can be reduced.
図20に端子の形状の例を示す。第3の実施形態で用いることができる。 FIG. 20 shows examples of terminal shapes. It can be used in the third embodiment.
第1端子619fは棒状であって、第2端子629f及び第3端子638a、638bは長く延在する板状の形状である。第3端子を長く延在する板状の形状とすることで、より精度よく測定することが可能となる。第3端子は、絶縁基板が露出する領域に接する面積が大きいほど、絶縁性を低下させる要因となる絶縁不良原因物に接する可能性が高くなるためである。第1端子619fは絶縁基板表面に垂直な方向から薄膜太陽電池の裏面電極層5に当接させ、第2端子629fは絶縁基板端面に側方から当接させ、638a、638bは絶縁基板表面に垂直な方向から基板周縁の絶縁基板が露出する領域21に当接させている。 The first terminal 619f has a rod shape, and the second terminal 629f and the third terminals 638a and 638b have a plate shape extending long. By making the third terminal into a plate-like shape extending long, it becomes possible to measure with higher accuracy. This is because the third terminal has a higher possibility of coming into contact with a cause of poor insulation that causes a decrease in insulation as the area in contact with the region where the insulating substrate is exposed is larger. The first terminal 619f is brought into contact with the back electrode layer 5 of the thin film solar cell from the direction perpendicular to the surface of the insulating substrate, the second terminal 629f is brought into contact with the end surface of the insulating substrate from the side, and 638a and 638b are brought into contact with the surface of the insulating substrate. It is made to contact | abut to the area | region 21 where the insulated substrate of a board | substrate periphery is exposed from the perpendicular | vertical direction.
図20中では一部の記載を省略しているが、第1端子として各辺に対し2個ずつ計8個配置し、第2端子として各辺に対応するように4個に分割された板状の端子を計4個配置し、第3端子として各辺に対応するように4個に分割された板状の端子を各辺に平行に2個ずつ計8個配置している。このように端子を配置することで、装置の高コスト化を防ぎながら、精度よく測定することが可能となる。 Although a part of the description is omitted in FIG. 20, a total of eight pieces are arranged for each side as the first terminal, and the board is divided into four pieces so as to correspond to each side as the second terminal. A total of four plate-like terminals are arranged, and a total of eight plate-like terminals divided into four pieces corresponding to each side are arranged as third terminals, two in parallel with each side. By arranging the terminals in this way, it is possible to measure with high accuracy while preventing the cost of the apparatus from being increased.
〔第4の実施形態〕
本発明の第1又は第2の実施形態の検査装置を用いた検査方法について、図面を参照して説明すると、以下のとおりである。
[Fourth Embodiment]
An inspection method using the inspection apparatus according to the first or second embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
図21に、本実施形態における薄膜太陽電池の検査方法のフロー図を示す。本実施の形態の薄膜太陽電池の検査方法は、薄膜太陽電池に対して、基板周縁部の絶縁部分の絶縁性能の検査を行い、絶縁が不十分な箇所を特定するための検査方法である。 FIG. 21 shows a flow chart of a method for inspecting a thin-film solar cell in the present embodiment. The method for inspecting a thin film solar cell according to the present embodiment is an inspection method for inspecting the insulating performance of the insulating portion at the peripheral edge of the substrate with respect to the thin film solar cell and identifying a location where insulation is insufficient.
図21に示すように、少なくとも、第1端子のうちの1つを薄膜太陽電池の電極層に当接させる工程S1(Sはステップを表す。以下同様)と、第2端子を基板外周端に当接させる工程S2と、当接した端子間に電圧を印加する電圧印加工程S3と、端子間の電流を検出する電流検出工程S4と、当接させた第1端子を電極層から離間させる工程S5と、第1端子の他のひとつを電極層に当接させる工程S6と、端子間に電圧を印加する電圧印加工程S7と、端子間の電流を検出する電流検出工程S8とを含む。電圧印加工程S3と電流検出工程S4、または電圧印加工程S7と電流検出工程S8をあわせて、絶縁性能検査工程とする。 As shown in FIG. 21, at least one of the first terminals is brought into contact with the electrode layer of the thin-film solar cell (S1 represents a step; the same applies hereinafter), and the second terminal is placed on the outer peripheral edge of the substrate. Contact step S2, voltage application step S3 for applying a voltage between the contacted terminals, current detection step S4 for detecting a current between the terminals, and step of separating the contacted first terminal from the electrode layer S5, a step S6 in which the other one of the first terminals is brought into contact with the electrode layer, a voltage applying step S7 for applying a voltage between the terminals, and a current detecting step S8 for detecting a current between the terminals. The voltage application step S3 and the current detection step S4, or the voltage application step S7 and the current detection step S8 are combined to form an insulation performance inspection step.
工程S1は、第1端子のうちのひとつが薄膜太陽電池の裏面電極層または透明電極層に当接する工程であり、他の第1端子は離間した状態をさしている。工程S1とS2は、必ずしもこの順番に行われる必要はなく、S2の後にS1となってもよい。また、S1とS2は同時に行われてもよい。ただし、電圧印加工程S3が行われる前には、電圧印加の対象となる必要な2つの端子が、それぞれ対応する箇所に当接していることが必要である。電圧印加工程S3と電流検出工程S4は、端子の異なる組合せごとに複数回行われるものであってもよく、選択される端子の組合せが変わる度に、その前準備として、工程S1、S2のうちから必要な工程が行われる。電流検出工程S4は、電圧印加工程S3によって印加が開始された後かつ印加が終了する前に行われる。したがって、電圧印加工程S3が行われている間の一部の時間帯に電流検出工程S4が行われることになる。このように、複数の端子を個別に当接させて組合せごとに電圧を印加して電流が流れるかどうかを検査することで、絶縁不良をおこしている箇所が、基板のどこにあるのかを知ることができる。 Step S1 is a step in which one of the first terminals is in contact with the back electrode layer or the transparent electrode layer of the thin film solar cell, and the other first terminals are in a separated state. Steps S1 and S2 are not necessarily performed in this order, and may be S1 after S2. Moreover, S1 and S2 may be performed simultaneously. However, before the voltage application step S3 is performed, it is necessary that two necessary terminals to be applied with voltage are in contact with the corresponding locations. The voltage application step S3 and the current detection step S4 may be performed a plurality of times for each different combination of terminals, and each time the selected combination of terminals is changed, as a preparation, the steps S1 and S2 The necessary steps are performed. The current detection step S4 is performed after the application is started by the voltage application step S3 and before the application is finished. Therefore, the current detection step S4 is performed during a part of the time zone during which the voltage application step S3 is performed. In this way, it is possible to know where the insulation defect is on the board by inspecting whether the current flows by applying a voltage for each combination by contacting a plurality of terminals individually. Can do.
図22に、本実地の形態における薄膜太陽電池の検査方法の他の例を示す。図21を用いて示した検査方法と異なる点は、第1端子を個別に当接させるかどうかを判断する工程があることである。 FIG. 22 shows another example of a method for inspecting a thin-film solar cell in the present embodiment. The difference from the inspection method shown in FIG. 21 is that there is a step of determining whether or not the first terminals are brought into contact individually.
複数の個別端子である第1端子のすべてを電極層に当接させる工程S11と、対応する第2端子を基板外周端に当接させる工程S12と、薄膜太陽電池の基板周縁部全体に対して電圧を印加する電圧印加工程S13と、端子間に流れる電流を検出する電流検出工程S14と、S14で検出された電流値を予め保持した基準値と比較し、その結果によって複数の個別端子である第1端子をそれぞれ当接させるか否かを判断する判断工程S15を含む。判断工程S15では、検出された電流が基準値以下であれば検査を終了し、基準値以上であれば、検査工程における次の工程にすすむと判断する。薄膜太陽電池の周縁部全体に電圧を印加し、検出された電流値が小さければ、絶縁基板が露出する領域において絶縁不良部がないと判断することができるためである。より具体的には、第1端子と第2端子の間に6000Vの電圧を印加し、50μA以上の電流が検出されなかったときには、検査終了と判断する。S11〜S15の工程を行うことにより、どこで絶縁不良がおきているかを判断する必要がない薄膜太陽電池を選別することができ、無駄な工程をなくすことで、生産効率をあげることができる。 Step S11 in which all of the first terminals, which are a plurality of individual terminals, are brought into contact with the electrode layer, step S12 in which the corresponding second terminal is brought into contact with the outer peripheral edge of the substrate, and the entire periphery of the substrate of the thin film solar cell. A voltage application step S13 for applying a voltage, a current detection step S14 for detecting a current flowing between the terminals, and a current value detected in S14 are compared with a reference value held in advance. A determination step S15 for determining whether or not the first terminals are brought into contact with each other is included. In the determination step S15, if the detected current is equal to or less than the reference value, the inspection is terminated. If the detected current is equal to or greater than the reference value, it is determined that the next step in the inspection step is proceeded. This is because if a voltage is applied to the entire periphery of the thin-film solar cell and the detected current value is small, it can be determined that there is no defective insulation in the region where the insulating substrate is exposed. More specifically, when a voltage of 6000 V is applied between the first terminal and the second terminal and a current of 50 μA or more is not detected, it is determined that the inspection is completed. By performing steps S11 to S15, it is possible to select thin-film solar cells that do not need to determine where insulation failure has occurred, and it is possible to increase production efficiency by eliminating unnecessary steps.
判断工程S15で、個別端子である第1端子をそれぞれ当接させると判断した場合には、第1端子のひとつを電極層に当接させる工程S16と、対応する第2端子を基板外周端に当接させる工程S17と、当接した2つの端子間に電圧を印加させる電圧印加工程S18と、端子間の電流を検出する電流検出工程S19を行う。 If it is determined in the determination step S15 that the first terminals, which are individual terminals, are brought into contact with each other, the step S16 in which one of the first terminals is brought into contact with the electrode layer, and the corresponding second terminal at the outer peripheral edge of the substrate. A contact step S17, a voltage application step S18 for applying a voltage between the two contacted terminals, and a current detection step S19 for detecting a current between the terminals are performed.
薄膜太陽電池の基板周縁部の絶縁性の検査を効率よく行うことができるため、図21に示した検査方法よりも、図22に示した検査方法のほうが望ましい。 The inspection method shown in FIG. 22 is more preferable than the inspection method shown in FIG. 21 because it is possible to efficiently inspect the insulation of the peripheral edge of the substrate of the thin-film solar cell.
〔第5の実施形態〕
本発明の第3の実施形態の検査装置を用いた検査方法について、図面を参照して説明すると、以下のとおりである。
[Fifth Embodiment]
An inspection method using the inspection apparatus according to the third embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
図23に、本実施形態における薄膜太陽電池の検査方法のフロー図を示す。第1端子を薄膜太陽電池の電極層に当接させる、又は第2端子を基板外周端に当接させる工程S21と、個別端子である第3端子のひとつを基板周縁部の絶縁基板が露出する領域に当接させる工程S22と、当接した端子の間に電圧を印加する電圧印加工程S23と、電圧を印加した2つの端子の間に流れる電流を検出する電流検出工程S24と、当接させた第3端子を絶縁基板が露出する領域から離間させる工程S25と、第3端子の他のひとつを絶縁基板が露出する領域に当接させる工程S26と、端子間に電圧を印加する電圧印加工程S27と、端子間の電流を検出する電流検出工程S28を含む。電圧印加工程S23と電流検出工程S24、または電圧印加工程S27と電流検出工程S28をあわせて、絶縁性能検査工程とする。 FIG. 23 shows a flowchart of the method for inspecting a thin-film solar cell in the present embodiment. Step S21 in which the first terminal is brought into contact with the electrode layer of the thin-film solar cell, or the second terminal is brought into contact with the outer peripheral edge of the substrate, and one of the third terminals, which are individual terminals, is exposed at the peripheral edge of the substrate. A contact step S22, a voltage application step S23 for applying a voltage between the contacted terminals, and a current detection step S24 for detecting a current flowing between the two terminals to which the voltage is applied. Step S25 for separating the third terminal from the region where the insulating substrate is exposed, Step S26 for bringing the other one of the third terminals into contact with the region where the insulating substrate is exposed, and a voltage applying step for applying a voltage between the terminals S27 and a current detection step S28 for detecting a current between the terminals are included. The voltage application step S23 and the current detection step S24, or the voltage application step S27 and the current detection step S28 are collectively referred to as an insulation performance inspection step.
工程S21においては、第1端子を薄膜太陽電池の裏面電極層または透明電極層に当接させる、又は第2端子を基板外周端に当接させる。工程S22は、複数の個別端子である第3端子のうちのひとつが、薄膜太陽電池の基板周縁部の絶縁基板が露出する絶縁領域に当接しており、他の第3端子は当接していない状態である。工程S21、S22は、必ずしもこの順番に行われる必要はなく、順番が入れ替わってもよい。また、S21、S22は同時に行われてもよい。ただし、電圧印加工程S23が行われる前には、電圧印加の対象となる必要な2つの端子が、それぞれ対応する箇所に当接していることが必要である。工程S23とS24は、端子の異なる組合せごとに複数回行われるものであってもよく、選択される端子の組合せが変わる度に、その前準備として、工程S21、S22のうちから必要な工程が行われてもよい。電流検出工程S24は、電圧印加工程S23によって印加が開始された後かつ印加が終了する前に行われる。したがって、工程S23が行われている間の一部の時間帯に工程S24が行われることになる。複数の端子を個別に当接させて組合せごとに電圧を印加して電流が流れるかどうかを検査することで、絶縁不良をおこしている箇所が、基板のどこにあるのかを知ることができる。 In step S21, the first terminal is brought into contact with the back electrode layer or the transparent electrode layer of the thin film solar cell, or the second terminal is brought into contact with the outer peripheral edge of the substrate. In step S22, one of the plurality of third terminals, which are individual terminals, is in contact with the insulating region where the insulating substrate at the peripheral edge of the thin film solar cell is exposed, and the other third terminals are not in contact. State. Steps S21 and S22 are not necessarily performed in this order, and the order may be changed. Moreover, S21 and S22 may be performed simultaneously. However, before the voltage application step S23 is performed, it is necessary that two necessary terminals to be applied with voltage are in contact with the corresponding locations. Steps S23 and S24 may be performed a plurality of times for each different combination of terminals, and each time a combination of selected terminals is changed, a necessary step from among steps S21 and S22 is performed as a preparation. It may be done. The current detection step S24 is performed after the application is started by the voltage application step S23 and before the application is finished. Therefore, step S24 is performed during a part of the time zone during which step S23 is performed. By inspecting whether or not a current flows by applying a voltage for each combination by bringing a plurality of terminals into contact with each other, it is possible to know where the insulation defect is on the substrate.
また、第4の実施形態において図22を用いて説明したように、端子を個別に当接させる必要があるかどうか判断する工程を追加してもよい。 Further, as described with reference to FIG. 22 in the fourth embodiment, a step of determining whether or not the terminals need to be brought into contact with each other may be added.
〔第6の実施形態〕
本発明に係る薄膜太陽電池の製造方法および製造システムについて、図面を参照して説明すると、以下のとおりである。
[Sixth Embodiment]
A method and system for manufacturing a thin-film solar cell according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
図24に、本実施形態における薄膜太陽電池の製造方法のフロー図を示す。搬入工程S31と、光電変換素子形成工程S32と、絶縁領域形成工程S33と、検査工程S34と、判断工程S35と、絶縁不良原因物除去工程S36と、発電性能評価工程S37と、搬出工程S38を含む。第1の実施形態において、図1を用いて説明した薄膜太陽電池100は、絶縁領域形成工程S33まで行った状態を示しており、以下の工程の説明で参照する。 FIG. 24 shows a flowchart of the method for manufacturing the thin-film solar cell in the present embodiment. A carrying-in process S31, a photoelectric conversion element forming process S32, an insulating region forming process S33, an inspection process S34, a judging process S35, an insulation failure cause removal process S36, a power generation performance evaluation process S37, and a carrying-out process S38. Including. In the first embodiment, the thin film solar cell 100 described with reference to FIG. 1 shows a state in which the insulating region forming step S33 has been performed, and will be referred to in the description of the following steps.
搬入工程S31において、薄膜太陽電池の製造ライン内に絶縁基板2を搬入する。 In the carrying-in step S31, the insulating substrate 2 is carried into the thin-film solar cell production line.
光電変換素子形成工程S32において、絶縁基板2上に透明電極層3、半導体層4、裏面電極層5を順次積層することで、光電変換素子を形成する。各層は、プラズマCVD、スパッタリング、蒸着等の方法で形成される。なお、光電変換素子形成工程S32において、透明電極層3、半導体層4、裏面電極層5のすべてを形成する必然性はない。例えば、搬入工程S31において、透明電極層3が形成された絶縁基板2を搬入し、光電変換素子形成工程S32において、半導体層4形成以降の工程を行ってもよい。 In the photoelectric conversion element forming step S <b> 32, the transparent electrode layer 3, the semiconductor layer 4, and the back electrode layer 5 are sequentially stacked on the insulating substrate 2 to form a photoelectric conversion element. Each layer is formed by a method such as plasma CVD, sputtering, or vapor deposition. In the photoelectric conversion element forming step S32, there is no necessity to form all of the transparent electrode layer 3, the semiconductor layer 4, and the back electrode layer 5. For example, in the carrying-in process S31, the insulating substrate 2 on which the transparent electrode layer 3 is formed may be carried in, and the processes after the formation of the semiconductor layer 4 may be performed in the photoelectric conversion element forming process S32.
絶縁領域形成工程S33において、絶縁基板2の周縁部分の所定の領域における透明電極層3、半導体層4、裏面電極層5を、絶縁領域形成装置を用いて除去し、絶縁基板が露出する領域21を形成する。絶縁領域形成装置として、例えば、回転する研磨ディスクを用いた研磨装置、粒を吹き付けて膜を除去するブラスト装置、レーザを照射して膜を蒸散させるレーザ加工装置を用いることができる。 In the insulating region forming step S33, the transparent electrode layer 3, the semiconductor layer 4, and the back electrode layer 5 in a predetermined region at the peripheral portion of the insulating substrate 2 are removed using an insulating region forming apparatus, and the region 21 where the insulating substrate is exposed. Form. As the insulating region forming apparatus, for example, a polishing apparatus using a rotating polishing disk, a blasting apparatus that removes a film by spraying grains, or a laser processing apparatus that evaporates a film by irradiating a laser can be used.
検査工程S34において、第1の実施形態から第3の実施形態において示した検査装置により、薄膜太陽電池の周縁部の絶縁性能を検査する。 In the inspection step S34, the insulating performance of the peripheral portion of the thin-film solar cell is inspected by the inspection apparatus shown in the first to third embodiments.
判断工程S35において、検査結果を基準値と比較し、絶縁性能が十分ではないと判断された薄膜太陽電池は、絶縁不良原因物除去工程S36にまわす。十分な絶縁性能があると判断された薄膜太陽電池は、絶縁不良原因物除去工程S36は省略され、発電性能評価工程S37を行うことになる。 In the determination step S35, the inspection result is compared with the reference value, and the thin-film solar cell determined that the insulation performance is not sufficient is sent to the insulation failure cause removal step S36. The thin-film solar cell determined to have sufficient insulation performance omits the insulation failure cause removal step S36 and performs the power generation performance evaluation step S37.
絶縁不良原因物除去工程S36において、絶縁不良部の位置が特定された薄膜太陽電池の絶縁不良原因物の除去を行う。絶縁不良原因物として、例えば、透明電極層、半導体層及び/又は裏面電極層の成膜時の回り込み、絶縁基板が露出する領域21形成時の残渣等がある。
絶縁不良原因物除去装置として、例えば、研磨装置、ブラスト装置またはレーザ加工装置、純水や有機溶剤などの液体を染みこませた布等で拭くことで絶縁不良原因物を除去するふき取り装置等を用いることができる。なお、絶縁不良原因物除去装置を絶縁領域形成工程S33で用いた絶縁領域形成装置によって代替することもできる。代替する場合、絶縁基板2へ負荷がかかり損傷することを防ぐため、絶縁不良原因物を除去する際には、処理時間の短縮、研磨時の押圧やレーザ照射エネルギーを下げる等の装置動作条件の変更を行うことが望ましい。レーザ加工装置を用いる場合、レーザ加工は、直角に曲がるような角度のある加工をするよりも、直線加工のほうが加工時間を短くすることができるため、絶縁性能が不十分な箇所がどの辺に存在するかを、特定しておくことが望ましい。
In the insulation failure cause removal step S36, the insulation failure cause of the thin film solar cell in which the position of the insulation failure portion is specified is removed. Causes of poor insulation include, for example, wraparound during film formation of the transparent electrode layer, semiconductor layer and / or back electrode layer, and residues during formation of the region 21 where the insulating substrate is exposed.
As a defective insulation cause removing device, for example, a polishing device, a blast device or a laser processing device, a wiping device that removes a defective insulation cause by wiping with a cloth soaked in liquid such as pure water or an organic solvent, etc. Can be used. The defective insulation cause removing device can be replaced by the insulating region forming device used in the insulating region forming step S33. In the case of replacement, in order to prevent the insulating substrate 2 from being loaded and damaged, when removing the cause of the insulation failure, the operating conditions of the apparatus such as shortening the processing time, pressing during polishing and lowering the laser irradiation energy, etc. It is desirable to make changes. When using a laser processing device, laser processing can shorten the processing time with linear processing rather than processing with an angle that bends at a right angle, so the side where the insulation performance is insufficient is located on which side. It is desirable to specify whether it exists.
発電性能評価工程S37において、疑似太陽光を照射して発電性能を評価するソーラシミュレータを用いて、薄膜太陽電池の発電性能を評価する。なお、絶縁不良原因物除去工程S36の後、再び、薄膜太陽電池を検査工程S34に搬送し、絶縁性能の検査を行ってもよい。 In the power generation performance evaluation step S37, the power generation performance of the thin-film solar cell is evaluated using a solar simulator that evaluates the power generation performance by irradiating simulated sunlight. Note that after the defective insulation cause removal step S36, the thin-film solar cell may be transported again to the inspection step S34 to inspect the insulation performance.
搬出工程S38において、薄膜太陽電池を搬出する。この後、必要に応じて、他の性能検査や、薄膜太陽電池モジュールの製造工程を行う。 In the unloading step S38, the thin film solar cell is unloaded. Thereafter, other performance inspections and manufacturing processes of the thin-film solar cell module are performed as necessary.
本実施形態の製造方法において、絶縁不良原因物除去工程S36が必要と判断された薄膜太陽電池が少ない場合は、絶縁不良原因物除去装置を、他工程の装置が一連に搬送可能に設置された製造ラインから独立させて設置してもよい。この場合、検査装置と発電性能評価装置との間を搬送可能に設置するとともに、検査装置と絶縁不良原因物除去装置との間で搬送できる独立した搬送装置を設置すればよい。または、独立した搬送装置を設置せず、薄膜太陽電池を一時的に保管する保管棚を設け、保管棚から絶縁不良原因物除去装置へ搬送してもよい。 In the manufacturing method of the present embodiment, when there are few thin film solar cells that are determined to require the insulation failure cause removal step S36, the insulation failure cause removal device is installed so that the devices of other processes can be conveyed in series. You may install independently from a production line. In this case, it is only necessary to install an independent transport device that can be transported between the inspection device and the defective insulation cause removing device, while being installed so as to be transportable between the inspection device and the power generation performance evaluation device. Or you may provide the storage shelf which temporarily stores a thin film solar cell, without installing an independent conveying apparatus, and you may convey to an insulation defect cause substance removal apparatus from a storage shelf.
図25に、本実施形態における薄膜太陽電池の製造システムの概略説明図を示す。本システムは、検査装置K1、絶縁不良原因物除去装置Z1、及び搬送装置H1からなる。検査装置K1は、検査部K2と記憶部K3と通信部K4からなる。絶縁不良原因物除去装置Z1は、通信部Z2と記憶部Z3と制御部Z4と処理部Z5からなり、検査装置の通信部K4と絶縁不良原因物除去装置の通信部Z2の間で情報の伝達を行うものである。搬送装置H1は、検査装置K1と絶縁不良原因物除去装置Z1の間で薄膜太陽電池の搬送を行うものである。 In FIG. 25, the schematic explanatory drawing of the manufacturing system of the thin film solar cell in this embodiment is shown. This system includes an inspection device K1, an insulation failure cause removal device Z1, and a transfer device H1. The inspection device K1 includes an inspection unit K2, a storage unit K3, and a communication unit K4. The defective insulation cause removing device Z1 includes a communication unit Z2, a storage unit Z3, a control unit Z4, and a processing unit Z5. Information is transmitted between the communication unit K4 of the inspection device and the communication unit Z2 of the defective insulation cause removal device. Is to do. The transport device H1 transports the thin film solar cell between the inspection device K1 and the defective insulation cause removing device Z1.
検査装置の検査部K2として、第1の実施形態から第3の実施形態において示したいずれかの検査装置を用いることができる。検査装置の検査部K2にて検出された検査情報を、検査装置の記憶部K3に記憶する。検査情報は、絶縁不良物の箇所を特定する位置情報と、薄膜太陽電池を識別できる薄膜太陽電池識別情報を含むものである。検査装置K1と絶縁不良原因物除去装置Z1は互いに通信可能に接続されており、検査装置の記憶部K3に記憶した検査情報は、検査装置の通信部K4から絶縁不良原因物除去装置の通信部Z2に送信され、絶縁不良原因物除去装置の記憶部Z3にて記憶する。絶縁不良原因物除去装置の制御部Z4は、薄膜太陽電池が検査装置K1から絶縁不良異物除去装置の処理部Z5に搬送されたとき、記憶された検査情報に含まれる識別情報によって、搬送された薄膜太陽電池に対応する検査結果を特定する。さらに、検査情報に含まれる、絶縁不良物の箇所を特定する位置情報によって、除去を実施する場所を特定する。検査情報に基づき、絶縁不良原因物除去装置の制御部Z4にて処理部Z5を制御し、絶縁不良原因物除去を実施する。 As the inspection unit K2 of the inspection apparatus, any of the inspection apparatuses shown in the first to third embodiments can be used. The inspection information detected by the inspection unit K2 of the inspection apparatus is stored in the storage unit K3 of the inspection apparatus. The inspection information includes position information that identifies the location of the defective insulation and thin film solar cell identification information that can identify the thin film solar cell. The inspection device K1 and the defective insulation cause removing device Z1 are connected so as to communicate with each other, and the inspection information stored in the storage unit K3 of the inspection device is transmitted from the communication unit K4 of the inspection device to the communication unit of the defective insulation cause removing device. It is transmitted to Z2 and stored in the storage unit Z3 of the defective insulation cause removing device. When the thin-film solar cell is transferred from the inspection device K1 to the processing unit Z5 of the defective insulation foreign matter removal device, the control unit Z4 of the defective insulation cause removing device is conveyed by the identification information included in the stored inspection information. The test result corresponding to the thin film solar cell is specified. Further, the location where the removal is performed is specified by the position information that specifies the location of the defective insulation contained in the inspection information. Based on the inspection information, the processing unit Z5 is controlled by the control unit Z4 of the defective insulation cause removing device, and the defective insulation cause is removed.
なお、ここまで、検査装置K1と絶縁不良原因物除去装置Z1が直接通信可能に接続されたときについて示したが、薄膜太陽電池の製造システム全体を制御する制御装置(図示せず)に検査装置K1と絶縁不良原因物除去装置Z1がそれぞれ通信可能に接続されてもよい。この場合、薄膜太陽電池の製造システム全体を制御する制御装置を中継して検査情報を送信することになる。 Heretofore, the case where the inspection device K1 and the defective insulation cause removing device Z1 are connected so as to be directly communicable is shown, but the inspection device is not included in the control device (not shown) for controlling the entire thin film solar cell manufacturing system. K1 and the defective insulation cause removing device Z1 may be connected so as to be able to communicate with each other. In this case, inspection information is transmitted via a control device that controls the entire thin-film solar cell manufacturing system.
従来技術による検査装置では絶縁不良原因物の有無は検出できるものの、絶縁不良原因物の存在する位置を特定することができないため、絶縁不良原因物除去装置では絶縁不良原因物の存在しない部分も含めて全ての絶縁部分21について、絶縁原因物除去処理を行う必要があった。それに対して、本実施形態の製造方法では、検査装置K1で絶縁不良原因物の存在する位置を特定し、絶縁不良原因物の存在する箇所のみ除去処理を行うため、絶縁不良原因物除去の処理時間を短くすることができる。よって、薄膜太陽電池の製造効率を向上させることができる。 Although the inspection device according to the prior art can detect the presence or absence of a cause of insulation failure, the location where the cause of insulation failure exists cannot be specified. In other words, it is necessary to perform an insulation cause removal process on all the insulating portions 21. On the other hand, in the manufacturing method of the present embodiment, the inspection apparatus K1 identifies the position where the cause of the insulation failure exists, and only the portion where the insulation cause is present is removed. Time can be shortened. Therefore, the manufacturing efficiency of a thin film solar cell can be improved.
以上、第1の実施形態から第6の実施形態で、具体的に説明を行ったが、本発明はそれらに限定されるものではない。上述した実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。 As described above, the first embodiment to the sixth embodiment have been specifically described, but the present invention is not limited thereto. Embodiments obtained by appropriately combining the technical means disclosed in the above-described embodiments are also included in the technical scope of the present invention.
本発明は、薄膜太陽電池の検査装置、薄膜太陽電池の検査方法、薄膜太陽電池の製造方法、薄膜太陽電池の製造システム全般に広く適用することができる。 The present invention can be widely applied to thin film solar cell inspection devices, thin film solar cell inspection methods, thin film solar cell manufacturing methods, and thin film solar cell manufacturing systems in general.
100 薄膜太陽電池
2 絶縁基板
2s 絶縁基板の主表面
21、211、212 絶縁基板が露出する領域
3 透明電極層
4 半導体層
5 裏面電極層
61、611、612、613、614、615、616、617、618、619a、619b、619c、619d、619e、619f 第1端子
62、62a、621、622、623,624、625、626、627、628、629a、629b、629c、629d、629e、629f 第2端子
631、632、634a、634b、635a、635b、636a、636b、637a、637b、638a、639b 第3端子
711、712、717、718、721、722、731、732、733、734、735、736、737、738 移動機構
8、81 電圧印加部
9、91 電流検出部
C1、C2、C3、C2´、C3´ 電圧印加の組合せ
D 絶縁基板の端からの距離
K1 検査装置
K2 検査装置の検査部
K3 検査装置の記憶部
K4 検査装置の通信部
Z1 絶縁不良原因物除去装置
Z2 絶縁不良原因物除去装置の通信部
Z3 絶縁不良原因物除去装置の記憶部
Z4 絶縁不良原因物除去装置の制御部
Z5 絶縁不良原因物除去装置の処理部
H1 搬送装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Thin film solar cell 2 Insulating substrate 2s Main surface of insulating substrate 21, 211, 212 Area where insulating substrate is exposed 3 Transparent electrode layer 4 Semiconductor layer 5 Back electrode layer 61, 611, 612, 613, 614, 615, 616, 617 , 618, 619a, 619b, 619c, 619d, 619e, 619f First terminal 62, 62a, 621, 622, 623, 624, 625, 626, 627, 628, 629a, 629b, 629c, 629d, 629e, 629f Second Terminals 631, 632, 634a, 634b, 635a, 635b, 636a, 636b, 637a, 637b, 638a, 639b Third terminal 711, 712, 717, 718, 721, 722, 731, 732, 733, 734, 735, 736 , 737, 738 Movement mechanism
8, 81 Voltage application unit 9, 91 Current detection unit C1, C2, C3, C2 ′, C3 ′ Combination of voltage application D Distance from end of insulating substrate K1 Inspection device K2 Inspection device inspection unit K3 Storage unit of inspection device K4 Communication unit of inspection device Z1 Insulation defect cause removal device Z2 Insulation defect cause removal device communication unit Z3 Insulation defect cause removal device storage unit Z4 Insulation defect cause removal device control unit Z5 Insulation defect cause removal device Processing unit H1 conveyor
Claims (10)
前記薄膜太陽電池の透明電極層又は裏面電極層の少なくとも一方に当接する第1端子と、
前記絶縁基板が露出する領域又は前記絶縁基板の外周端の少なくとも一方に当接する第2端子と、
前記第1端子と前記第2端子の間に電圧を印加する電圧印加部と、
前記第1端子と前記第2端子の間に流れる電流を検出する電流検出部と、
移動機構を備え、
前記第1端子または前記第2端子の少なくとも一方は、複数の個別端子に分割され、
前記移動機構は、前記個別端子をそれぞれ移動させる薄膜太陽電池の検査装置。 An inspection apparatus for a thin-film solar cell, comprising: an insulating substrate; and a transparent electrode layer, a semiconductor layer, and a back electrode layer sequentially stacked on the insulating substrate, wherein the insulating substrate has a region where the insulating substrate is exposed at a peripheral portion. And
A first terminal in contact with at least one of the transparent electrode layer or the back electrode layer of the thin-film solar cell;
A second terminal that contacts at least one of a region where the insulating substrate is exposed or an outer peripheral end of the insulating substrate;
A voltage applying unit that applies a voltage between the first terminal and the second terminal;
A current detector for detecting a current flowing between the first terminal and the second terminal;
With a moving mechanism,
At least one of the first terminal or the second terminal is divided into a plurality of individual terminals,
The moving mechanism is a thin-film solar cell inspection apparatus that moves the individual terminals.
前記薄膜太陽電池の透明電極層又は裏面電極層の少なくとも一方に当接する第1端子と、
前記絶縁基板が露出する領域又は前記絶縁基板の外周端の少なくとも一方に当接する第2端子と、
前記第1端子の当接する箇所と前記第2端子の当接する箇所の間であって、前記絶縁基板が露出する領域に当接する第3端子と、
前記第1端子、前記第2端子及び前記第3端子のうちから選択される2つの端子の間に電圧を印加する電圧印加部と、
電圧を印加した端子間に流れる電流を検出する電流検出部と、
移動機構を備え、
前記第3端子は、複数の個別端子に分割され、
前記移動機構は、前記個別端子をそれぞれ移動させる薄膜太陽電池の検査装置。 An inspection apparatus for a thin-film solar cell, comprising: an insulating substrate; and a transparent electrode layer, a semiconductor layer, and a back electrode layer sequentially stacked on the insulating substrate, wherein the insulating substrate has a region where the insulating substrate is exposed at a peripheral portion. And
A first terminal in contact with at least one of the transparent electrode layer or the back electrode layer of the thin-film solar cell;
A second terminal that contacts at least one of a region where the insulating substrate is exposed or an outer peripheral end of the insulating substrate;
A third terminal that is in contact with a region where the insulating substrate is exposed, between the contact point of the first terminal and the contact point of the second terminal;
A voltage applying unit that applies a voltage between two terminals selected from the first terminal, the second terminal, and the third terminal;
A current detector for detecting a current flowing between terminals to which a voltage is applied;
With a moving mechanism,
The third terminal is divided into a plurality of individual terminals,
The moving mechanism is a thin-film solar cell inspection apparatus that moves the individual terminals.
前記透明電極層又は前記裏面電極層の少なくとも一方に当接する第1端子と、前記絶縁基板が露出する領域又は前記絶縁基板の外周端の少なくとも一方に当接する第2端子とを持ち、前記第1端子、前記第2端子の少なくとも一方の端子は複数の個別端子に分割され、移動機構によりそれぞれ移動するものであり、
前記個別端子の1つを、当接させる当接工程と、
前記当接した端子に対応する端子を、当接させる当接工程と、
当接した端子間の絶縁性能の検査を行う絶縁性能検査工程を有する薄膜太陽電池の検査方法。 An inspection method for a thin-film solar cell, comprising: an insulating substrate; and a transparent electrode layer, a semiconductor layer, and a back electrode layer sequentially stacked on the insulating substrate, wherein the insulating substrate has a region where the insulating substrate is exposed at a peripheral edge. And
A first terminal that contacts at least one of the transparent electrode layer or the back electrode layer; and a second terminal that contacts at least one of a region where the insulating substrate is exposed or an outer peripheral end of the insulating substrate. At least one terminal of the terminal and the second terminal is divided into a plurality of individual terminals, each of which is moved by a moving mechanism,
A contact step of contacting one of the individual terminals;
A contact step of contacting a terminal corresponding to the contacted terminal;
A method for inspecting a thin-film solar cell having an insulation performance inspection process for inspecting insulation performance between terminals in contact with each other.
前記透明電極層又は前記裏面電極層の少なくとも一方に当接する第1端子と、
前記絶縁基板が露出する領域又は前記絶縁基板の外周端の少なくとも一方に当接する第2端子と、
前記第1端子が当接する箇所と前記第2端子が当接する箇所の間であって、前記絶縁基板が露出する領域に当接する第3端子を備え、
第3端子は複数の個別端子に分割され、移動機構によりそれぞれ移動するものであり、
前記個別端子の1つを、当接させる当接工程と、
前記当接する端子に対応する第1端子または第2端子を当接させる当接工程と、
当接した端子間の絶縁性能の検査を行う絶縁性能検査工程を有する薄膜太陽電池の検査方法。 A method for inspecting a thin-film solar cell, comprising: an insulating substrate; and a transparent electrode layer, a semiconductor layer, and a back electrode layer sequentially stacked on the insulating substrate, wherein the insulating substrate has a region where the insulating substrate is exposed at a peripheral portion. There,
A first terminal in contact with at least one of the transparent electrode layer or the back electrode layer;
A second terminal that contacts at least one of a region where the insulating substrate is exposed or an outer peripheral end of the insulating substrate;
A third terminal that is in contact with a region where the insulating substrate is exposed between a portion where the first terminal contacts and a portion where the second terminal contacts;
The third terminal is divided into a plurality of individual terminals and is moved by a moving mechanism,
A contact step of contacting one of the individual terminals;
An abutting step of abutting a first terminal or a second terminal corresponding to the abutting terminal;
A method for inspecting a thin-film solar cell having an insulation performance inspection process for inspecting insulation performance between terminals in contact with each other.
前記個別端子すべてを当接させる当接工程と、
前記個別端子と対応する端子を当接させる当接工程と、
当接した端子間の絶縁性能の検査を行う絶縁性能検査工程と、
検査結果を予め保持する基準値と比較し、前記個別端子を個別に当接させるか否かを判断する判断工程と、
前記判断工程の結果に応じて前記個別端子を個別に当接させる当接工程を有する請求項5または6に記載の薄膜太陽電池の検査方法。 In the inspection method of the thin film solar cell,
A contact step for contacting all the individual terminals;
A contact step of contacting the corresponding terminals with the individual terminals;
Insulation performance inspection process for inspecting insulation performance between the contacted terminals,
A determination step of comparing the test result with a reference value held in advance and determining whether or not the individual terminals are brought into contact with each other;
The thin film solar cell inspection method according to claim 5, further comprising an abutting step in which the individual terminals are individually abutted according to a result of the determination step.
請求項5〜7のいずれかに記載の薄膜太陽電池の検査方法によって検査を行う検査工程を有する薄膜太陽電池の製造方法。 For a thin film solar cell having an insulating substrate, a transparent electrode layer sequentially laminated on the insulating substrate, a semiconductor layer, a back electrode layer, and a region where the insulating substrate is exposed at the peripheral edge of the insulating substrate,
The manufacturing method of the thin film solar cell which has a test | inspection process which test | inspects with the test | inspection method of the thin film solar cell in any one of Claims 5-7.
絶縁不良原因物除去工程を有し、
前記絶縁不良原因物除去工程は、前記検査工程の結果に基づいて実施する請求項8記載の薄膜太陽電池の製造方法。 The method of manufacturing the thin film solar cell is as follows:
It has a process of removing the cause of defective insulation,
The method for manufacturing a thin-film solar cell according to claim 8, wherein the defective insulation cause removal step is performed based on a result of the inspection step.
前記検査装置からの検査情報に基づいて、前記絶縁不良原因物除去装置の制御部が処理部を制御する薄膜太陽電池の製造システム。
5. A thin film comprising the thin-film solar cell inspection device according to claim 1 and a defective insulation cause removing device that removes a defective insulation present in a region where the insulating substrate is exposed at a peripheral portion of the insulating substrate. A solar cell manufacturing system,
A thin-film solar cell manufacturing system in which a control unit of the defective insulation cause removing device controls a processing unit based on inspection information from the inspection device.
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