JP2014077818A

JP2014077818A - Liquid crystal device, method for manufacturing liquid crystal device, and electronic equipment

Info

Publication number: JP2014077818A
Application number: JP2012223881A
Authority: JP
Inventors: Nobutaka Tanaka; 信宇田中
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2012-10-09
Filing date: 2012-10-09
Publication date: 2014-05-01

Abstract

【課題】表示品質を向上させることができる液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】素子基板１０は、複数の画素電極２７と、複数の画素電極２７と液晶層との間に設けられた第１無機配向膜２８と、を含み、平面視で、少なくとも、複数の画素電極２７の間の領域に対応する第１無機配向膜２８には、短鎖アルキル基４１ａ及び長鎖アルキル基４１ｂが付与され、平面視で、複数の画素電極２７と重なる領域に対応する第１無機配向膜２８には、短鎖アルキル基４１ａが付与され、長鎖アルキル基４１ｂが付与されていない。
【選択図】図５A liquid crystal device capable of improving display quality, a method for manufacturing the liquid crystal device, and an electronic apparatus are provided.
An element substrate includes a plurality of pixel electrodes, and a first inorganic alignment film provided between the plurality of pixel electrodes and the liquid crystal layer, and at least a plurality of the plurality of pixel electrodes in a plan view. The first inorganic alignment film 28 corresponding to the region between the pixel electrodes 27 is provided with the short-chain alkyl group 41a and the long-chain alkyl group 41b, and the first inorganic alignment film 28 corresponding to the region overlapping the plurality of pixel electrodes 27 in plan view. 1 The inorganic alignment film 28 is provided with the short chain alkyl group 41a and is not provided with the long chain alkyl group 41b.
[Selection] Figure 5

Description

本発明は、液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器に関する。 The present invention relates to a liquid crystal device, a method for manufacturing a liquid crystal device, and an electronic apparatus.

上記液晶装置の一つとして、例えば、画素電極をスイッチング制御する素子としてトランジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。液晶装置は、例えば、直視型ディスプレイやプロジェクターのライトバルブなどにおいて用いられている。 As one of the liquid crystal devices, for example, an active drive type liquid crystal device including a transistor for each pixel as an element for switching control of a pixel electrode is known. Liquid crystal devices are used in, for example, direct-view displays and projector light valves.

液晶装置の製造方法は、まず、液晶装置を構成する一対の基板である素子基板及び対向基板の表面に無機材料からなる無機配向膜を形成する。その後、特許文献１に記載のように、例えば、無機配向膜の表面に、炭素数の異なるアルキル基を有する２種類のシランカップリング材を被覆して、無機配向膜表面の耐光性や配向性など、複数の特性を制御している。 In the method of manufacturing a liquid crystal device, first, an inorganic alignment film made of an inorganic material is formed on the surfaces of an element substrate and a counter substrate which are a pair of substrates constituting the liquid crystal device. After that, as described in Patent Document 1, for example, the surface of the inorganic alignment film is coated with two types of silane coupling materials having alkyl groups having different carbon numbers, and the light resistance and orientation of the surface of the inorganic alignment film are covered. Control multiple characteristics.

特開２０１０−２００９３号公報JP 2010-20093 A

しかしながら、特許文献１に記載の方法では、耐光性や配向性を制御するための表面処理（シランカップリング材の被覆）の条件設定が難しく、所望の耐光性や配向性を確保することが難しいという課題がある。 However, in the method described in Patent Document 1, it is difficult to set conditions for surface treatment (coating with a silane coupling material) for controlling light resistance and orientation, and it is difficult to ensure desired light resistance and orientation. There is a problem.

本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。 An aspect of the present invention has been made to solve at least a part of the above problems, and can be realized as the following forms or application examples.

［適用例１］本適用例に係る液晶装置は、第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、前記第１基板と前記第２基板とにより挟持された液晶層と、を含み、前記第１基板は、複数の画素電極と、前記複数の画素電極と前記液晶層との間に設けられた第１配向膜と、を含み、平面視で、少なくとも前記複数の画素電極の間の領域に対応する前記第１配向膜には、短鎖アルキル基及び長鎖アルキル基が付与され、平面視で、前記複数の画素電極と重なる領域に対応する前記第１配向膜には、短鎖アルキル基が付与され、長鎖アルキル基が付与されていないことを特徴とする。 Application Example 1 A liquid crystal device according to this application example includes a first substrate, a second substrate disposed opposite to the first substrate, a sealing material for bonding the first substrate and the second substrate, A liquid crystal layer sandwiched between the first substrate and the second substrate, wherein the first substrate is provided with a plurality of pixel electrodes and a first electrode provided between the plurality of pixel electrodes and the liquid crystal layer. A short-chain alkyl group and a long-chain alkyl group are provided to the first alignment film corresponding to at least a region between the plurality of pixel electrodes in a plan view. The first alignment film corresponding to the region overlapping with the plurality of pixel electrodes is provided with a short-chain alkyl group and no long-chain alkyl group.

本適用例によれば、画素電極と重なる領域に対応する第１配向膜に短鎖アルキル基が付与されているので、この領域の被覆率が高まり耐光性を向上させることができる。よって、例えば、画素電極に強い光が当たっても、第１配向膜と液晶との界面で、化学反応による液晶の分解が発生することを抑えることができる。一方、画素電極の間の領域に対応する第１配向膜には、短鎖アルキル基と長鎖アルキル基とが付与されているので、特に長鎖アルキル基によって配向規制力を高めることができる。その結果、表示品質を向上させることができる。 According to this application example, since the short-chain alkyl group is imparted to the first alignment film corresponding to the region overlapping with the pixel electrode, the coverage of this region is increased and the light resistance can be improved. Therefore, for example, even when strong light is applied to the pixel electrode, it is possible to suppress the decomposition of the liquid crystal due to a chemical reaction at the interface between the first alignment film and the liquid crystal. On the other hand, since the first alignment film corresponding to the region between the pixel electrodes is provided with the short-chain alkyl group and the long-chain alkyl group, the alignment regulating force can be particularly enhanced by the long-chain alkyl group. As a result, display quality can be improved.

［適用例２］上記適用例に係る液晶装置において、平面視で前記シール材が設けられている領域の前記第１配向膜には、前記長鎖アルキル基が付与されていることが好ましい。 Application Example 2 In the liquid crystal device according to the application example, it is preferable that the long-chain alkyl group is provided to the first alignment film in a region where the sealing material is provided in a plan view.

本適用例によれば、シール材と重なる領域の第１配向膜に長鎖アルキル基が付与されているので、長鎖アルキル基によってシール材との密着性を高めることができる。よって、例えば、第１基材からシール材が剥がれることを抑えることができる。 According to this application example, since the long-chain alkyl group is imparted to the first alignment film in the region overlapping with the seal material, the adhesion with the seal material can be enhanced by the long-chain alkyl group. Therefore, for example, it can suppress that a sealing material peels from a 1st base material.

［適用例３］上記適用例に係る液晶装置において、前記画素電極は、表示領域に設けられた第１画素電極と、前記表示領域と前記シール材との間の非表示領域に設けられた第２画素電極と、前記非表示領域の周囲のダミー画素領域に設けられた第３画素電極と、を含み、前記第１画素電極と前記液晶層との間の前記第１配向膜には、前記短鎖アルキル基が付与されており、前記第２画素電極と前記液晶層との間の前記第１配向膜には、前記短鎖アルキル基が付与されており、前記第３画素電極と前記液晶層との間の前記第１配向膜には、前記長鎖アルキル基が設けられていることが好ましい。 Application Example 3 In the liquid crystal device according to the application example described above, the pixel electrode includes a first pixel electrode provided in a display region and a first display electrode provided in a non-display region between the display region and the sealant. Two pixel electrodes and a third pixel electrode provided in a dummy pixel region around the non-display region, and the first alignment film between the first pixel electrode and the liquid crystal layer includes A short chain alkyl group is provided, and the first alignment film between the second pixel electrode and the liquid crystal layer is provided with the short chain alkyl group, and the third pixel electrode and the liquid crystal It is preferable that the long-chain alkyl group is provided in the first alignment film between the layers.

本適用例によれば、非表示領域の第１配向膜に短鎖アルキル基が付与されているので、短鎖アルキル基によって、表示領域と同様に、被覆率を高めることができる。また、画素電極間の長鎖アルキル基によって、配向規制力を高めることができる。一方、表示に寄与しないダミー画素領域の第１配向膜に長鎖アルキル基が設けられているので、長鎖アルキル基によって、例えば、シール材との密着性を向上させることができる。 According to this application example, since the short-chain alkyl group is imparted to the first alignment film in the non-display area, the coverage can be increased by the short-chain alkyl group as in the display area. Further, the alignment regulating force can be increased by the long chain alkyl group between the pixel electrodes. On the other hand, since the long-chain alkyl group is provided in the first alignment film in the dummy pixel region that does not contribute to the display, the long-chain alkyl group can improve, for example, adhesion to the sealing material.

［適用例４］上記適用例に係る液晶装置において、前記第２基板は、第２基材と前記液晶層との間に設けられた対向電極と、前記対向電極と前記液晶層との間に設けられた第２配向膜と、を含み、前記第２配向膜の表面には、短鎖アルキル基及び長鎖アルキル基が付与されていることが好ましい。 Application Example 4 In the liquid crystal device according to the application example, the second substrate includes a counter electrode provided between a second base material and the liquid crystal layer, and the counter electrode and the liquid crystal layer. It is preferable that a short-chain alkyl group and a long-chain alkyl group are provided on the surface of the second alignment film.

本適用例によれば、第２配向膜に短鎖アルキル基及び長鎖アルキル基が付与されているので、主に長鎖アルキル基によって、配向規制力を高めることができる。また、短鎖アルキル基及び長鎖アルキル基の両方を第２配向膜の全面に付与するため、位置決めをすることなく第１基板と第２基板とを貼り合わせることができる。 According to this application example, since the short-chain alkyl group and the long-chain alkyl group are imparted to the second alignment film, the alignment regulation force can be increased mainly by the long-chain alkyl group. In addition, since both the short-chain alkyl group and the long-chain alkyl group are provided on the entire surface of the second alignment film, the first substrate and the second substrate can be bonded together without positioning.

［適用例５］本適用例に係る液晶装置の製造方法は、第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、前記第１基板と前記第２基板とにより挟持された液晶層と、を含み、前記第１基板は、複数の画素電極と、前記複数の画素電極と前記液晶層との間に設けられた第１配向膜と、を含む液晶装置の製造方法であって、前記第１配向膜の表面に、長鎖アルキル基を有する長鎖シランカップリング材で表面処理する長鎖シランカップリング材表面処理工程と、前記画素電極と平面視で重なる領域に紫外線を照射する紫外線照射工程と、前記画素電極上及び第１基材上の全体に、短鎖アルキル基を有する短鎖シランカップリング材で表面処理する短鎖シランカップリング材表面処理工程と、を有することを特徴とする。 Application Example 5 A method for manufacturing a liquid crystal device according to this application example includes a first substrate, a second substrate disposed opposite to the first substrate, and a seal that bonds the first substrate and the second substrate together. And a liquid crystal layer sandwiched between the first substrate and the second substrate, wherein the first substrate is provided between the plurality of pixel electrodes and the plurality of pixel electrodes and the liquid crystal layer. A long-chain silane coupling material, wherein the surface of the first alignment film is subjected to surface treatment with a long-chain silane coupling material having a long-chain alkyl group. A surface treatment step, an ultraviolet irradiation step of irradiating the region overlapping with the pixel electrode in a plan view, and a short-chain silane coupling material having a short-chain alkyl group on the pixel electrode and the first substrate. Surface treatment of short-chain silane coupling materials And having a step.

本適用例によれば、第１配向膜の表面に長鎖シランカップリング材を付与した後に、紫外線によって画素電極と平面視で重なる領域の長鎖シランカップリング材（長鎖アルキル基）を分解し、その後、第１基材上の全体に短鎖シランカップリング材を付与するので、画素電極と重なる領域に対応する第１配向膜の短鎖アルキル基によって、この領域の被覆率が高まり耐光性を向上させることができる。よって、例えば、画素電極に強い光が当たっても、第１配向膜と液晶との界面で、化学反応による液晶の分解が発生することを抑えることができる。一方、画素電極の間の領域に対応する第１配向膜には、短鎖アルキル基と長鎖アルキル基とを付与するので、特に長鎖アルキル基によって配向規制力を高めることができる。その結果、表示品質を向上させることができる。 According to this application example, after applying a long-chain silane coupling material to the surface of the first alignment film, the long-chain silane coupling material (long-chain alkyl group) in the region overlapping with the pixel electrode in plan view is decomposed by ultraviolet rays. Then, since the short-chain silane coupling material is applied to the entire first substrate, the short-chain alkyl group of the first alignment film corresponding to the region overlapping the pixel electrode increases the coverage of this region. Can be improved. Therefore, for example, even when strong light is applied to the pixel electrode, it is possible to suppress the decomposition of the liquid crystal due to a chemical reaction at the interface between the first alignment film and the liquid crystal. On the other hand, since the first alignment film corresponding to the region between the pixel electrodes is provided with the short-chain alkyl group and the long-chain alkyl group, the alignment regulating force can be enhanced particularly by the long-chain alkyl group. As a result, display quality can be improved.

［適用例６］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の液晶装置を備えることを特徴とする。 Application Example 6 An electronic apparatus according to this application example includes the liquid crystal device described above.

本適用例によれば、上記した液晶装置を備えているので、表示特性を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。 According to this application example, since the liquid crystal device described above is provided, an electronic apparatus capable of improving display characteristics can be provided.

本実施形態の液晶装置の構成を示す模式平面図。FIG. 2 is a schematic plan view illustrating a configuration of a liquid crystal device according to an embodiment. 図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along the line H-H ′ of the liquid crystal device illustrated in FIG. 1. 液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram illustrating an electrical configuration of the liquid crystal device. 液晶装置の構造を示す模式断面図。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view illustrating a structure of a liquid crystal device. 液晶装置のうち主に無機配向膜の構成を示す模式断面図。The schematic cross section which mainly shows the structure of an inorganic alignment film among liquid crystal devices. 液晶装置（素子基板）の領域を示す模式平面図。The schematic plan view which shows the area | region of a liquid crystal device (element substrate). 図６に示す液晶装置のＫ部における画素電極層を示す拡大平面図。FIG. 7 is an enlarged plan view showing a pixel electrode layer in a K portion of the liquid crystal device shown in FIG. 6. 液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャート。5 is a flowchart showing a method for manufacturing a liquid crystal device in the order of steps. 液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を示す模式断面図。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view illustrating a part of the manufacturing method of the liquid crystal device. ＣＶＤ装置の構造を示す模式図。The schematic diagram which shows the structure of CVD apparatus. 液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図。Schematic which shows the structure of the projection type display apparatus provided with the liquid crystal device.

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。 DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings. Note that the drawings to be used are appropriately enlarged or reduced so that the part to be described can be recognized.

なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。 In the following embodiments, for example, when “on the substrate” is described, the substrate is disposed so as to be in contact with the substrate, or is disposed on the substrate via another component, or the substrate. It is assumed that a part is arranged so as to be in contact with each other and a part is arranged via another component.

本実施形態では、液晶装置として、薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。 In this embodiment, an active matrix liquid crystal device including a thin film transistor (TFT) as a pixel switching element will be described as an example of the liquid crystal device. This liquid crystal device can be suitably used, for example, as a light modulation element (liquid crystal light valve) of a projection display device (liquid crystal projector).

（第１実施形態）
＜液晶装置の構成＞
図１は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図２は、図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構成を、図１〜図３を参照しながら説明する。 (First embodiment)
<Configuration of liquid crystal device>
FIG. 1 is a schematic plan view showing the configuration of the liquid crystal device. 2 is a schematic cross-sectional view taken along the line HH ′ of the liquid crystal device shown in FIG. FIG. 3 is an equivalent circuit diagram showing an electrical configuration of the liquid crystal device. Hereinafter, the configuration of the liquid crystal device will be described with reference to FIGS.

図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０（第１基板）および対向基板２０（第２基板）と、これら一対の基板によって挟持された液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ、および対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられている。 As shown in FIGS. 1 and 2, the liquid crystal device 100 according to the present embodiment is sandwiched between the element substrate 10 (first substrate) and the counter substrate 20 (second substrate) arranged opposite to each other and the pair of substrates. And a liquid crystal layer 15. As the first base material 10a constituting the element substrate 10 and the second base material 20a constituting the counter substrate 20, for example, a transparent substrate such as a glass substrate or a quartz substrate is used.

素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接合されている。平面視で環状に設けられたシール材１４の内側で、素子基板１０は対向基板２０の間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。シール材１４は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。 The element substrate 10 is larger than the counter substrate 20, and both the substrates are bonded via a sealing material 14 disposed along the outer periphery of the counter substrate 20. In the element substrate 10, liquid crystal having positive or negative dielectric anisotropy is sealed between the opposing substrates 20 inside the sealing material 14 provided in an annular shape in plan view, thereby forming a liquid crystal layer 15. For the sealing material 14, for example, an adhesive such as a thermosetting or ultraviolet curable epoxy resin is employed. Spacers (not shown) are mixed in the sealing material 14 to keep the distance between the pair of substrates constant.

シール材１４の内縁より内側には、複数の画素Ｐが配列した表示領域Ｅが設けられている。表示領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐに加えて、複数の画素Ｐを囲むように配置されたダミー画素を含むとしてもよい。また、図１及び図２では図示を省略したが、表示領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光膜（ブラックマトリックス；ＢＭ）が対向基板２０に設けられている。 A display area E in which a plurality of pixels P are arranged is provided inside the inner edge of the sealing material 14. The display area E may include dummy pixels arranged so as to surround the plurality of pixels P in addition to the plurality of pixels P contributing to display. Although not shown in FIGS. 1 and 2, a light shielding film (black matrix; BM) for planarly dividing the plurality of pixels P in the display area E is provided on the counter substrate 20.

素子基板１０の１辺部に沿ったシール材１４と該１辺部との間に、データ線駆動回路２２が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に、検査回路２５が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に走査線駆動回路２４が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と検査回路２５との間には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。 A data line driving circuit 22 is provided between the sealing material 14 along one side of the element substrate 10 and the one side. Further, an inspection circuit 25 is provided between the sealing material 14 and the display area E along the other one side facing the one side. Further, a scanning line driving circuit 24 is provided between the sealing material 14 and the display area E along the other two sides that are orthogonal to the one side and face each other. A plurality of wirings 29 connecting the two scanning line driving circuits 24 are provided between the sealing material 14 and the inspection circuit 25 along the other one side facing the one side.

対向基板２０における環状に配置されたシール材１４と表示領域Ｅとの間には、遮光膜１８（見切り部）が設けられている。遮光膜１８は、例えば、遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜１８の内側が複数の画素Ｐを有する表示領域Ｅとなっている。なお、図１では図示を省略したが、表示領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光膜が設けられている。 A light shielding film 18 (parting portion) is provided between the sealing material 14 arranged in an annular shape on the counter substrate 20 and the display region E. The light shielding film 18 is made of, for example, a light shielding metal or metal oxide, and the inside of the light shielding film 18 is a display area E having a plurality of pixels P. Although not shown in FIG. 1, a light shielding film that divides a plurality of pixels P in a plane is also provided in the display area E.

これらデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子６１に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。 Wirings connected to the data line driving circuit 22 and the scanning line driving circuit 24 are connected to a plurality of external connection terminals 61 arranged along the one side. Hereinafter, the direction along the one side will be referred to as the X direction, and the direction along the other two sides orthogonal to the one side and facing each other will be described as the Y direction.

図２に示すように、第１基材１０ａの液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極２７およびスイッチング素子である薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor、以降、「ＴＦＴ３０」と呼称する）と、信号配線と、これらを覆う配向膜２８とが形成されている。 As shown in FIG. 2, on the surface of the first base material 10a on the liquid crystal layer 15 side, a transparent pixel electrode 27 provided for each pixel P and a thin film transistor (TFT: Thin Film Transistor, which is a switching element) are provided. Hereinafter, it is referred to as “TFT 30”), signal wirings, and an alignment film 28 covering them.

また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。本発明における素子基板１０は、少なくとも画素電極２７、ＴＦＴ３０、配向膜２８を含むものである。 In addition, a light shielding structure is employed that prevents light from entering the semiconductor layer in the TFT 30 to make the switching operation unstable. The element substrate 10 in the present invention includes at least the pixel electrode 27, the TFT 30, and the alignment film 28.

対向基板２０の液晶層１５側の表面には、遮光膜１８と、これを覆うように成膜された平坦化層３３と、平坦化層３３を覆うように設けられた対向電極３１と、対向電極３１を覆う配向膜３２とが設けられている。本発明における対向基板２０は、少なくとも対向電極３１、配向膜３２を含むものである。 On the surface of the counter substrate 20 on the liquid crystal layer 15 side, a light shielding film 18, a planarizing layer 33 formed so as to cover the light shielding film 18, a counter electrode 31 provided so as to cover the planarizing layer 33, An alignment film 32 that covers the electrode 31 is provided. The counter substrate 20 in the present invention includes at least the counter electrode 31 and the alignment film 32.

遮光膜１８は、図１に示すように、表示領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路２４、検査回路２５と重なる位置に設けられている（図示簡略）。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。 As shown in FIG. 1, the light shielding film 18 surrounds the display area E and is provided at a position where the scanning line driving circuit 24 and the inspection circuit 25 overlap in a plan view (illustration is simplified). Thus, the light incident on the peripheral circuit including these drive circuits from the counter substrate 20 side is shielded, and the peripheral circuit is prevented from malfunctioning due to the light. Further, unnecessary stray light is shielded from entering the display area E, and high contrast in the display of the display area E is ensured.

平坦化層３３は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜１８を覆うように設けられている。このような平坦化層３３の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。 The planarizing layer 33 is made of an inorganic material such as silicon oxide, for example, and is provided so as to cover the light shielding film 18 with optical transparency. As a method for forming such a planarization layer 33, for example, a method of forming a film by using a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) method or the like can be cited.

対向電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、平坦化層３３を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。 The counter electrode 31 is made of a transparent conductive film such as ITO (Indium Tin Oxide), for example, covers the planarization layer 33, and includes an element substrate by vertical conduction portions 26 provided at the four corners of the counter substrate 20 as shown in FIG. It is electrically connected to the wiring on the 10 side.

画素電極２７を覆う配向膜２８および対向電極３１を覆う配向膜３２は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。例えば、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。 The alignment film 28 covering the pixel electrode 27 and the alignment film 32 covering the counter electrode 31 are selected based on the optical design of the liquid crystal device 100. For example, an inorganic alignment film formed by depositing an inorganic material such as SiOx (silicon oxide) using a vapor deposition method and substantially vertically aligning with liquid crystal molecules having negative dielectric anisotropy can be given.

このような液晶装置１００は、例えば透過型であって、画素Ｐが非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードや、非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。本実施形態ではノーマリーブラックモードが採用されている。 Such a liquid crystal device 100 is, for example, a transmissive type, and adopts an optical design of a normally white mode in which the pixel P is brightly displayed when not driven and a normally black mode in which the pixel P is darkly displayed when not driven. Polarizing elements are arranged and used according to the optical design on the light incident side and the light exit side, respectively. In this embodiment, a normally black mode is employed.

図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、容量線３ｂとを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。 As shown in FIG. 3, the liquid crystal device 100 includes a plurality of scanning lines 3 a and a plurality of data lines 6 a that are insulated from each other and orthogonal to each other at least in the display region E, and capacitance lines 3 b. The direction in which the scanning line 3a extends is the X direction, and the direction in which the data line 6a extends is the Y direction.

走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極２７と、ＴＦＴ３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。 A pixel electrode 27, a TFT 30, and a capacitive element 16 are provided in a region divided by the scanning line 3a, the data line 6a, the capacitive line 3b, and these signal lines, and these constitute a pixel circuit of the pixel P. doing.

走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のデータ線側ソースドレイン領域（ソース領域）に電気的に接続されている。画素電極２７は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域（ドレイン領域）に電気的に接続されている。 The scanning line 3 a is electrically connected to the gate of the TFT 30, and the data line 6 a is electrically connected to the data line side source / drain region (source region) of the TFT 30. The pixel electrode 27 is electrically connected to the pixel electrode side source / drain region (drain region) of the TFT 30.

データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路２４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。 The data line 6a is connected to the data line driving circuit 22 (see FIG. 1), and supplies image signals D1, D2,..., Dn supplied from the data line driving circuit 22 to the pixels P. The scanning line 3a is connected to the scanning line driving circuit 24 (see FIG. 1), and supplies the scanning signals SC1, SC2,..., SCm supplied from the scanning line driving circuit 24 to each pixel P.

データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングで供給する。 The image signals D1 to Dn supplied from the data line driving circuit 22 to the data lines 6a may be supplied line-sequentially in this order, or may be supplied for each of a plurality of adjacent data lines 6a for each group. Good. The scanning line driving circuit 24 supplies the scanning signals SC1 to SCm to the scanning line 3a at a predetermined timing.

液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された対向電極３１との間で一定期間保持される。 In the liquid crystal device 100, the TFT 30 as a switching element is turned on for a certain period by the input of the scanning signals SC1 to SCm, so that the image signals D1 to Dn supplied from the data line 6a are supplied to the pixel electrode 27 at a predetermined timing. It is the structure written in. The predetermined level of the image signals D1 to Dn written to the liquid crystal layer 15 through the pixel electrode 27 is held for a certain period between the pixel electrode 27 and the counter electrode 31 disposed to face the liquid crystal layer 15. The

保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と対向電極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている。容量素子１６は、２つの容量電極の間に誘電体層を有するものである。 In order to prevent the held image signals D1 to Dn from leaking, the capacitive element 16 is connected in parallel with the liquid crystal capacitance formed between the pixel electrode 27 and the counter electrode 31. The capacitive element 16 is provided between the pixel electrode side source / drain region of the TFT 30 and the capacitive line 3b. The capacitive element 16 has a dielectric layer between two capacitive electrodes.

図４は、液晶装置の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図４を参照しながら説明する。なお、図４は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。 FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing the structure of the liquid crystal device. Hereinafter, the structure of the liquid crystal device will be described with reference to FIG. FIG. 4 shows the cross-sectional positional relationship of each component and is expressed on a scale that can be clearly shown.

図４に示すように、液晶装置１００は、一対の基板のうち一方の基板である素子基板１０と、これに対向配置される他方の基板である対向基板２０とを備えている。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ、及び対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、上記したように、例えば、石英基板等によって構成されている。 As shown in FIG. 4, the liquid crystal device 100 includes an element substrate 10 that is one of a pair of substrates, and a counter substrate 20 that is the other substrate disposed to face the element substrate 10. As described above, the first base material 10a configuring the element substrate 10 and the second base material 20a configuring the counter substrate 20 are configured by, for example, a quartz substrate or the like.

第１基材１０ａ上には、チタン（Ｔｉ）やクロム（Ｃｒ）等からなる下側遮光膜３ｃが形成されている。下側遮光膜３ｃは、平面的に格子状にパターニングされており、各画素の開口領域を規定している。なお、下側遮光膜３ｃは、走査線３ａの一部として機能するようにしてもよい。第１基材１０ａ及び下側遮光膜３ｃ上には、シリコン酸化膜等からなる下地絶縁層１１ａが形成されている。 A lower light-shielding film 3c made of titanium (Ti), chromium (Cr), or the like is formed on the first base material 10a. The lower light-shielding film 3c is planarly patterned in a lattice shape and defines an opening area of each pixel. The lower light shielding film 3c may function as a part of the scanning line 3a. A base insulating layer 11a made of a silicon oxide film or the like is formed on the first base material 10a and the lower light shielding film 3c.

下地絶縁層１１ａ上には、ＴＦＴ３０及び走査線３ａ等が形成されている。ＴＦＴ３０は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ポリシリコン等からなる半導体層３０ａと、半導体層３０ａ上に形成されたゲート絶縁膜１１ｇと、ゲート絶縁膜１１ｇ上に形成されたポリシリコン膜等からなるゲート電極３０ｇとを有する。上記したように、走査線３ａは、ゲート電極３０ｇとしても機能する。 On the base insulating layer 11a, the TFT 30, the scanning line 3a, and the like are formed. The TFT 30 has, for example, an LDD (Lightly Doped Drain) structure, and is formed on the semiconductor layer 30a made of polysilicon, the gate insulating film 11g formed on the semiconductor layer 30a, and the gate insulating film 11g. And a gate electrode 30g made of a polysilicon film or the like. As described above, the scanning line 3a also functions as the gate electrode 30g.

半導体層３０ａは、例えば、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンが注入されることにより、Ｎ型のＴＦＴ３０として形成されている。具体的には、半導体層３０ａは、チャネル領域３０ｃと、データ線側ＬＤＤ領域３０ｓ１と、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと、画素電極側ＬＤＤ領域３０ｄ１と、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄとを備えている。 The semiconductor layer 30a is formed as an N-type TFT 30 by implanting N-type impurity ions such as phosphorus (P) ions. Specifically, the semiconductor layer 30a includes a channel region 30c, a data line side LDD region 30s1, a data line side source / drain region 30s, a pixel electrode side LDD region 30d1, and a pixel electrode side source / drain region 30d. ing.

チャネル領域３０ｃには、ボロン（Ｂ）イオン等のＰ型の不純物イオンがドープされている。その他の領域（３０ｓ１，３０ｓ，３０ｄ１，３０ｄ）には、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンがドープされている。このように、ＴＦＴ３０は、Ｎ型のＴＦＴとして形成されている。 The channel region 30c is doped with P-type impurity ions such as boron (B) ions. The other regions (30s1, 30s, 30d1, 30d) are doped with N-type impurity ions such as phosphorus (P) ions. Thus, the TFT 30 is formed as an N-type TFT.

ゲート電極３０ｇ、下地絶縁層１１ａ、及び走査線３ａ上には、シリコン酸化膜等からなる第１層間絶縁層１１ｂが形成されている。第１層間絶縁層１１ｂ上には、容量素子１６が設けられている。具体的には、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ及び画素電極２７に電気的に接続された画素電位側容量電極としての第１容量電極１６ａと、固定電位側容量電極としての容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）の一部とが、誘電体膜１６ｃを介して対向配置されることにより、容量素子１６が形成されている。 A first interlayer insulating layer 11b made of a silicon oxide film or the like is formed on the gate electrode 30g, the base insulating layer 11a, and the scanning line 3a. A capacitive element 16 is provided on the first interlayer insulating layer 11b. Specifically, the first capacitor electrode 16a as the pixel potential side capacitor electrode electrically connected to the pixel electrode side source / drain region 30d and the pixel electrode 27 of the TFT 30, and the capacitor line 3b (as the fixed potential side capacitor electrode). A part of the second capacitor electrode 16b) is disposed to face the dielectric film 16c, whereby the capacitor element 16 is formed.

容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。或いは、Ａｌ（アルミニウム）膜から形成することも可能である。 The capacitor line 3b (second capacitor electrode 16b) includes at least one of refractory metals such as Ti (titanium), Cr (chromium), W (tungsten), Ta (tantalum), and Mo (molybdenum). , Metal simple substance, alloy, metal silicide, polysilicide, and a laminate of these. Alternatively, it can be formed from an Al (aluminum) film.

第１容量電極１６ａは、例えば、導電性のポリシリコン膜からなり容量素子１６の画素電位側容量電極として機能する。ただし、第１容量電極１６ａは、容量線３ｂと同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。第１容量電極１６ａは、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホールＣＮＴ５２、中継層５５、コンタクトホールＣＮＴ５３、ＣＮＴ５１を介して、画素電極２７とＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）とを中継接続する機能を有する。 The first capacitor electrode 16 a is made of, for example, a conductive polysilicon film and functions as a pixel potential side capacitor electrode of the capacitor element 16. However, the first capacitor electrode 16a may be composed of a single layer film or a multilayer film containing a metal or an alloy, like the capacitor line 3b. The first capacitor electrode 16a functions as a pixel potential side capacitor electrode, and in addition to the pixel electrode 27 and the pixel electrode side source / drain region 30d (drain) via the contact hole CNT52, the relay layer 55, and the contact holes CNT53 and CNT51. A region).

容量素子１６上には、第２層間絶縁層１１ｃを介してデータ線６ａが形成されている。データ線６ａは、第１層間絶縁層１１ｂ及び第２層間絶縁層１１ｃに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ５４を介して、半導体層３０ａのデータ線側ソースドレイン領域３０ｓ（ソース領域）に電気的に接続されている。 A data line 6a is formed on the capacitive element 16 via the second interlayer insulating layer 11c. The data line 6a is electrically connected to the data line side source / drain region 30s (source region) of the semiconductor layer 30a through the contact hole CNT54 formed in the first interlayer insulating layer 11b and the second interlayer insulating layer 11c. Has been.

データ線６ａ上には、第３層間絶縁層１１ｄを介して画素電極２７が形成されている。画素電極２７は、第２層間絶縁層１１ｃ及び第３層間絶縁層１１ｄに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ５２、ＣＮＴ５３、中継層５５を介して第１容量電極１６ａに接続されることにより、半導体層３０ａの画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）に電気的に接続されている。なお、画素電極２７は、例えば、ＩＴＯ膜等の透明導電性膜から形成されている。 A pixel electrode 27 is formed on the data line 6a via a third interlayer insulating layer 11d. The pixel electrode 27 is connected to the first capacitor electrode 16a via the contact holes CNT52, CNT53, and the relay layer 55 that are opened in the second interlayer insulating layer 11c and the third interlayer insulating layer 11d, whereby the semiconductor layer 30a. The pixel electrode side source / drain region 30d (drain region) is electrically connected. The pixel electrode 27 is formed of a transparent conductive film such as an ITO film, for example.

画素電極２７及び第３層間絶縁層１１ｄ上には、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）などの無機材料を斜方蒸着した配向膜２８が設けられている。配向膜２８上には、シール材１４（図１及び図２参照）により囲まれた空間に液晶等が封入された液晶層１５が設けられている。 On the pixel electrode 27 and the third interlayer insulating layer 11d, an alignment film 28 obtained by obliquely depositing an inorganic material such as silicon oxide (SiO ₂ ) is provided. On the alignment film 28, a liquid crystal layer 15 in which liquid crystal or the like is sealed in a space surrounded by the sealing material 14 (see FIGS. 1 and 2) is provided.

一方、第２基材２０ａ上には、その全面に渡って対向電極３１が設けられている。対向電極３１上（図４では下側）には、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）などの無機材料を斜方蒸着した配向膜３２が設けられている。対向電極３１は、上述の画素電極２７と同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。 On the other hand, the counter electrode 31 is provided on the entire surface of the second base material 20a. On the counter electrode 31 (on the lower side in FIG. 4), an alignment film 32 obtained by obliquely depositing an inorganic material such as silicon oxide (SiO ₂ ) is provided. The counter electrode 31 is made of a transparent conductive film such as an ITO film, for example, like the pixel electrode 27 described above.

液晶層１５は、画素電極２７からの電界が印加されていない状態で配向膜２８，３２によって所定の配向状態をとる。シール材１４は、素子基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサーが混入されている。 The liquid crystal layer 15 takes a predetermined alignment state by the alignment films 28 and 32 in a state where an electric field from the pixel electrode 27 is not applied. The sealing material 14 is an adhesive made of, for example, a photocurable resin or a thermosetting resin, for bonding the element substrate 10 and the counter substrate 20 around them, and a distance between the two substrates is set to a predetermined value. Spacers such as glass fiber or glass beads are mixed.

＜無機配向膜の構成＞
図５は、液晶装置のうち主に無機配向膜の構成を示す模式断面図である。図６は、液晶装置（素子基板）の領域を示す模式平面図である。図７は、図６に示す液晶装置のＫ部における画素電極層を示す拡大平面図である。以下、主に無機配向膜の構成について、図５〜図７を参照しながら説明する。なお、第１基材１０ａから第２層間絶縁層１１ｃまでを第１基材１０ａと称して説明する。 <Configuration of inorganic alignment film>
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view mainly showing the configuration of the inorganic alignment film in the liquid crystal device. FIG. 6 is a schematic plan view showing a region of the liquid crystal device (element substrate). FIG. 7 is an enlarged plan view showing the pixel electrode layer in the K portion of the liquid crystal device shown in FIG. Hereinafter, the structure of the inorganic alignment film will be mainly described with reference to FIGS. The description from the first base material 10a to the second interlayer insulating layer 11c will be referred to as the first base material 10a.

図５に示すように、液晶装置１００の素子基板１０を構成する第１基材１０ａ上には、第３層間絶縁層１１ｄが設けられている。第３層間絶縁層１１ｄ上の表示領域Ｅには、画素電極２７が設けられている。画素電極２７の表面、及び画素電極２７が設けられていない第３層間絶縁層１１ｄの表面には、上記したように、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）などの無機材料を斜方蒸着した第１無機配向膜２８（第１配向膜）が設けられている。 As shown in FIG. 5, a third interlayer insulating layer 11 d is provided on the first base material 10 a constituting the element substrate 10 of the liquid crystal device 100. A pixel electrode 27 is provided in the display area E on the third interlayer insulating layer 11d. As described above, the first inorganic orientation in which an inorganic material such as silicon oxide (SiO ₂ ) is obliquely deposited on the surface of the pixel electrode 27 and the surface of the third interlayer insulating layer 11d where the pixel electrode 27 is not provided. A film 28 (first alignment film) is provided.

第１無機配向膜２８は、柱状構造物２８ａ（カラム）と、表面層４１とを有している。柱状構造物２８ａは、第１基材１０ａ上の全体に亘って密集して設けられている。複数の柱状構造物２８ａは、第１基材１０ａに対し傾斜して設けられており、傾斜角度によって液晶層１５の液晶分子にプレチルト角が付与されるようになっている。ここで、プレチルト角とは、第１基材１０ａ表面に直交する方向と液晶分子の長軸方向とのなす角度をいう。 The first inorganic alignment film 28 has a columnar structure 28 a (column) and a surface layer 41. The columnar structures 28a are densely provided over the entire first base material 10a. The plurality of columnar structures 28a are inclined with respect to the first base material 10a, and a pretilt angle is given to the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 15 by the inclination angle. Here, the pretilt angle refers to an angle formed by a direction perpendicular to the surface of the first substrate 10a and a major axis direction of liquid crystal molecules.

第１無機配向膜２８の表面層４１は、短鎖アルキル基４１ａと長鎖アルキル基４１ｂとを有している。ここで、短鎖アルキル基４１ａとは、短鎖の有機官能基を備えたアルキル基をいう。また、長鎖アルキル基４１ｂとは、長鎖の有機官能基を備えたアルキル基をいう。 The surface layer 41 of the first inorganic alignment film 28 has a short-chain alkyl group 41a and a long-chain alkyl group 41b. Here, the short-chain alkyl group 41a refers to an alkyl group having a short-chain organic functional group. The long-chain alkyl group 41b refers to an alkyl group having a long-chain organic functional group.

上記したように、有機官能基がアルキル（Ｃ_nＨ_2n+1）である場合、炭素数が多くなるほど分子量が大きくなって長鎖になる。また、炭素数が少なくなるほど分子量が小さくなって短鎖になる。本実施形態において、長鎖の有機官能基とは、炭素数ｎが８以上の有機官能基をいう（ｎ≧８）。短鎖の有機官能基とは、炭素数ｎが１又は２の有機官能基をいう（ｎ≦２）。 As described above, when the organic functional group is alkyl (C _n H _{2n + 1} ), the larger the number of carbon atoms, the larger the molecular weight and the longer the chain. Also, the smaller the carbon number, the smaller the molecular weight and the shorter the chain. In the present embodiment, the long-chain organic functional group means an organic functional group having 8 or more carbon atoms (n ≧ 8). The short-chain organic functional group means an organic functional group having 1 or 2 carbon atoms (n ≦ 2).

図５に示すように、画素電極２７の表面、及び画素電極２７が設けられていない第３層間絶縁層１１ｄの表面には、柱状構造物２８ａ（カラム）を有する第１無機配向膜２８が設けられている。画素電極２７上の柱状構造物２８ａには、短鎖アルキル基４１ａが付与されている。また、画素電極２７間の第３層間絶縁層１１ｄ上の柱状構造物２８ａには、短鎖アルキル基４１ａと長鎖アルキル基４１ｂとが付与されている。 As shown in FIG. 5, a first inorganic alignment film 28 having a columnar structure 28a (column) is provided on the surface of the pixel electrode 27 and the surface of the third interlayer insulating layer 11d where the pixel electrode 27 is not provided. It has been. A short chain alkyl group 41 a is added to the columnar structure 28 a on the pixel electrode 27. Further, the columnar structure 28a on the third interlayer insulating layer 11d between the pixel electrodes 27 is provided with a short-chain alkyl group 41a and a long-chain alkyl group 41b.

第２基材２０ａ上（液晶層１５側）には、対向電極３１が設けられている（図４参照）。対向電極３１の表面には、素子基板１０側と同様に、柱状構造物２８ａを有する第２無機配向膜３２（第２配向膜）と表面層４１とが設けられている。 A counter electrode 31 is provided on the second substrate 20a (the liquid crystal layer 15 side) (see FIG. 4). On the surface of the counter electrode 31, similarly to the element substrate 10 side, a second inorganic alignment film 32 (second alignment film) having a columnar structure 28 a and a surface layer 41 are provided.

第２無機配向膜３２の柱状構造物２８ａには、短鎖アルキル基４１ａと長鎖アルキル基４１ｂとが設けられている（図示せず）。 The columnar structure 28a of the second inorganic alignment film 32 is provided with a short chain alkyl group 41a and a long chain alkyl group 41b (not shown).

このように、画素電極２７と重なる領域に対応する第１無機配向膜２８に短鎖アルキル基４１ａが付与されているので、この領域の被覆率が高まり耐光性を向上させることができる。よって、例えば、画素電極２７に強い光が当たっても、第１無機配向膜２８と液晶との界面で、化学反応による液晶の分解が発生することを抑えることができる。 Thus, since the short-chain alkyl group 41a is added to the first inorganic alignment film 28 corresponding to the region overlapping with the pixel electrode 27, the coverage of this region is increased and the light resistance can be improved. Therefore, for example, even when the pixel electrode 27 is exposed to strong light, it is possible to suppress the decomposition of the liquid crystal due to a chemical reaction at the interface between the first inorganic alignment film 28 and the liquid crystal.

一方、画素電極２７の間の領域に対応する第１無機配向膜２８には、短鎖アルキル基４１ａと長鎖アルキル基４１ｂとが付与されているので、特に長鎖アルキル基４１ｂによって配向規制力を高めることができる。その結果、表示品質を向上させることができる。 On the other hand, the first inorganic alignment film 28 corresponding to the region between the pixel electrodes 27 is provided with the short chain alkyl group 41a and the long chain alkyl group 41b. Can be increased. As a result, display quality can be improved.

また図６は、対向基板２０（２０ａ）側から素子基板１０（１０ａ）の構成を示す模式平面図である。図６に示すように、液晶装置１００は、中央の領域を含む領域が表示領域Ｅ（ａ）である。表示領域Ｅ（ａ）の周囲の領域が非表示領域ｂである。非表示領域ｂから第１基材１０ａ端面までの領域がダミー画素領域ｃである。 FIG. 6 is a schematic plan view showing the configuration of the element substrate 10 (10a) from the counter substrate 20 (20a) side. As shown in FIG. 6, in the liquid crystal device 100, a region including a central region is a display region E (a). The area around the display area E (a) is the non-display area b. A region from the non-display region b to the end surface of the first base material 10a is a dummy pixel region c.

表示領域Ｅは、表示に寄与する画素電極２７がマトリックス状に配列されている領域である。非表示領域ｂは、表示領域Ｅを囲む領域であり、表示領域Ｅと周辺回路領域（データ線駆動回路２２や走査線駆動回路２４が設けられた領域）との間に位置する、表示に寄与しない領域である。ダミー画素領域ｃは、非表示領域ｂから第１基材１０ａの縁端部までの領域（シール材１４領域を含む）である。 The display area E is an area where pixel electrodes 27 contributing to display are arranged in a matrix. The non-display area b is an area surrounding the display area E and contributes to display, which is located between the display area E and the peripheral circuit area (the area where the data line driving circuit 22 and the scanning line driving circuit 24 are provided). It is an area that does not. The dummy pixel region c is a region (including the sealing material 14 region) from the non-display region b to the edge of the first base material 10a.

また、図７は、図６のＫ部を拡大した模式平面図である。具体的には、表示領域Ｅ、非表示領域ｂ、及びダミー画素領域ｃがＹ方向に沿って配列する領域を拡大した、画素電極２７の層のパターニング形状を示す模式平面図である。 FIG. 7 is an enlarged schematic plan view of a portion K in FIG. Specifically, it is a schematic plan view showing the patterning shape of the layer of the pixel electrode 27, in which the area where the display area E, the non-display area b, and the dummy pixel area c are arranged along the Y direction is enlarged.

図７に示すように、表示領域Ｅは、画素電極２７（第１画素電極）がマトリックス状に配列されている。非表示領域ｂは、表示領域Ｅの画素電極２７と同じサイズの画素電極２７ａ（第２画素電極）がマトリックス状に配列されている。ダミー画素領域ｃは、画素電極２７と同じサイズの電極をマトリックス配列させると共に、縦及び横で隣り合うもの同士を接続部４３によって相互に接続してパターン化した導電パターン２７ｂ（第３画素電極）が設けられている。なお、導電パターン２７ｂは、画素電極２７に対して電気的にフローティングした構成となっている。 As shown in FIG. 7, in the display area E, pixel electrodes 27 (first pixel electrodes) are arranged in a matrix. In the non-display area b, pixel electrodes 27a (second pixel electrodes) having the same size as the pixel electrodes 27 in the display area E are arranged in a matrix. In the dummy pixel region c, electrodes having the same size as the pixel electrode 27 are arranged in a matrix, and adjacent ones in the vertical and horizontal directions are connected to each other by the connecting portion 43 and patterned, thereby forming a conductive pattern 27b (third pixel electrode). Is provided. The conductive pattern 27b is configured to be electrically floating with respect to the pixel electrode 27.

このような液晶装置１００の構成において、非表示領域ｂにおける画素電極２７ａ上の第１無機配向膜２８には、表示領域Ｅと同様に、短鎖アルキル基４１ａが付与されている。また、画素電極２７ａ間の第１無機配向膜２８には、表示領域Ｅと同様、短鎖アルキル基４１ａ及び長鎖アルキル基４１ｂが付与されている。 In such a configuration of the liquid crystal device 100, the short-chain alkyl group 41 a is provided to the first inorganic alignment film 28 on the pixel electrode 27 a in the non-display region b as in the display region E. Similarly to the display region E, the first inorganic alignment film 28 between the pixel electrodes 27a is provided with a short chain alkyl group 41a and a long chain alkyl group 41b.

一方、ダミー画素領域ｃにおける導電パターン２７ｂ上の第１無機配向膜２８には、長鎖アルキル基４１ｂが付与されている。導電パターン２７ｂ間の第１無機配向膜２８には、導電パターン２７ｂ上と同様に、長鎖アルキル基４１ｂが付与されている。 On the other hand, a long-chain alkyl group 41b is added to the first inorganic alignment film 28 on the conductive pattern 27b in the dummy pixel region c. The first inorganic alignment film 28 between the conductive patterns 27b is provided with a long-chain alkyl group 41b in the same manner as on the conductive pattern 27b.

このように、シール材１４と重なる領域（ダミー画素領域ｃ）の第１無機配向膜２８に長鎖アルキル基４１ｂが付与されており、短鎖アルキル基４１ａが付与されていないので、長鎖アルキル基４１ｂによってシール材１４との密着性を高めることができる。よって、例えば、第１基材１０ａからシール材１４が剥がれることを抑えることができる。なお、シール材１４と重なる領域の第１無機配向膜２８に短鎖アルキル基４１ａが付与されていると、シール材１４との密着性が悪くなる恐れがある。 As described above, the long-chain alkyl group 41b is added to the first inorganic alignment film 28 in the region (dummy pixel region c) overlapping with the sealing material 14, and the short-chain alkyl group 41a is not added. Adhesiveness with the sealing material 14 can be enhanced by the base 41b. Therefore, for example, it can suppress that the sealing material 14 peels from the 1st base material 10a. In addition, when the short-chain alkyl group 41a is given to the 1st inorganic alignment film 28 of the area | region which overlaps with the sealing material 14, there exists a possibility that adhesiveness with the sealing material 14 may worsen.

なお、シール材１４には、長鎖アルキル基４１ｂと短鎖アルキル基４１ａの両方が付与されていても良い。長鎖アルキル基４１ｂが付与されていれば、短鎖アルキル基４１ａのみよりシール材１４と基板との密着性を高めることができる。 In addition, both the long chain alkyl group 41b and the short chain alkyl group 41a may be provided to the sealing material 14. If the long chain alkyl group 41b is provided, the adhesiveness between the sealing material 14 and the substrate can be improved more than the short chain alkyl group 41a alone.

＜液晶装置の製造方法＞
図８は、液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図９は、液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を示す模式断面図である。図１０は、ＣＶＤ装置の構造を示す模式図である。以下、液晶装置の製造方法を、図８〜図１０を参照しながら説明する。 <Method for manufacturing liquid crystal device>
FIG. 8 is a flowchart showing a method of manufacturing the liquid crystal device in the order of steps. FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing a part of the manufacturing method of the liquid crystal device. FIG. 10 is a schematic diagram showing the structure of a CVD apparatus. Hereinafter, a method for manufacturing the liquid crystal device will be described with reference to FIGS.

最初に、素子基板１０側の製造方法を説明する。なお、第１基材１０ａから第２層間絶縁層１１ｃまでを、第１基材１０ａと称して説明する。ステップＳ１１では、ガラス基板などからなる第１基材１０ａ上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、ＴＦＴ３０等を形成する。 First, a manufacturing method on the element substrate 10 side will be described. The first base material 10a to the second interlayer insulating layer 11c will be described as the first base material 10a. In step S11, the TFT 30 and the like are formed on the first base material 10a made of a glass substrate or the like using a well-known film forming technique, photolithography technique, and etching technique.

ステップＳ１２では、第１基材１０ａ上に、ＩＴＯなどからなる画素電極２７を形成する。ステップＳ１３では、第１無機配向膜２８を形成する。ステップＳ１４では、表面層４１を形成する。具体的には、図９に示す工程断面図を参照しながら説明する。 In step S12, the pixel electrode 27 made of ITO or the like is formed on the first base material 10a. In step S13, the first inorganic alignment film 28 is formed. In step S14, the surface layer 41 is formed. Specifically, the process will be described with reference to a process cross-sectional view shown in FIG.

まず、図９（ａ）に示す工程では、第１基材１０ａ上に酸化シリコン（ＳｉＯ₂）等からなる第３層間絶縁層１１ｄを形成する。次に、第３層間絶縁層１１ｄ上に画素電極２７を形成する。第３層間絶縁層１１ｄ及び画素電極２７の製造方法は、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いる。 First, in the step shown in FIG. 9A, a third interlayer insulating layer 11d made of silicon oxide (SiO ₂ ) or the like is formed on the first base material 10a. Next, the pixel electrode 27 is formed on the third interlayer insulating layer 11d. As a method for manufacturing the third interlayer insulating layer 11d and the pixel electrode 27, a well-known film formation technique, photolithography technique, and etching technique are used.

図９（ｂ）に示す工程では、画素電極２７が設けられた第３層間絶縁層１１ｄ上の全体に第１無機配向膜２８を形成する。具体的には、酸化シリコンなどの無機材料を斜方蒸着することで、柱状構造物２８ａを有する第１無機配向膜２８を形成する。 In the step shown in FIG. 9B, the first inorganic alignment film 28 is formed on the entire third interlayer insulating layer 11d provided with the pixel electrode 27. Specifically, the first inorganic alignment film 28 having the columnar structures 28a is formed by oblique deposition of an inorganic material such as silicon oxide.

図９（ｃ）に示す工程では、第１無機配向膜２８に表面層４１を形成する。具体的には、化学気相成長法（Chemical Vapor Deposition：以下ＣＶＤという。）を用いる。以下、図１０を参照しながら、ＣＶＤ装置７０の構造及び表面層４１の製造方法を説明する。 In the step shown in FIG. 9C, the surface layer 41 is formed on the first inorganic alignment film 28. Specifically, chemical vapor deposition (hereinafter referred to as CVD) is used. Hereinafter, the structure of the CVD apparatus 70 and the method for manufacturing the surface layer 41 will be described with reference to FIG.

図１０に示すように、まず、素子基板１０と液状の長鎖アルキル基４１ｂを有する長鎖シランカップリング材４１ｂ１の入った容器７２とを、ＣＶＤ装置７０の真空槽の如き密閉チャンバー７１に入れる。次に、ヒーター７３によって容器７２を加熱し、長鎖シランカップリング材４１ｂ１を気化させる。これにより、図９（ｃ）に示すように（長鎖シランカップリング材表面処理工程）、画素電極２７の表面、及び画素電極２７が設けられていない第３層間絶縁層１１ｄの表面に、長鎖アルキル基４１ｂが付与される。 As shown in FIG. 10, first, the element substrate 10 and a container 72 containing a long-chain silane coupling material 41b1 having a liquid long-chain alkyl group 41b are placed in a sealed chamber 71 such as a vacuum chamber of the CVD apparatus 70. . Next, the container 72 is heated by the heater 73 to vaporize the long-chain silane coupling material 41b1. As a result, as shown in FIG. 9C (long-chain silane coupling material surface treatment step), the surface of the pixel electrode 27 and the surface of the third interlayer insulating layer 11d where the pixel electrode 27 is not provided are long. A chain alkyl group 41b is provided.

つまり、第１無機配向膜２８表面のシラノール基と長鎖シランカップリング材４１ｂ１の加水分解基とが反応し、長鎖シランカップリング材４１ｂ１が付着することにより、第１無機配向膜２８表面に直鎖アルキル鎖の長鎖アルキル基４１ｂが付与される。本実施形態では、例えば長鎖シランカップリング材４１ｂ１として、アルキル基の炭素数が１８の（Ｃ₁₈Ｈ₃₇）Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃を用いる。ここで、長鎖アルキル基４１ｂは、Ｃ₁₈Ｈ₃₇である。 That is, the silanol group on the surface of the first inorganic alignment film 28 reacts with the hydrolysis group of the long-chain silane coupling material 41b1, and the long-chain silane coupling material 41b1 adheres to the surface of the first inorganic alignment film 28. A long chain alkyl group 41b of a straight chain alkyl chain is provided. In this embodiment, for example, (C ₁₈ H ₃₇ ) Si (OCH ₃ ) ₃ having an alkyl group with 18 carbon atoms is used as the long-chain silane coupling material 41b1. Here, the long chain alkyl group 41b is C ₁₈ H ₃₇ .

次に、図９（ｄ）に示す工程（紫外線照射工程）では、付与された長鎖アルキル基４１ｂの一部を分解して除去する。具体的には、素子基板１０を真空槽の如き密閉チャンバー８０に入れる。その後、少なくとも表示領域の画素電極２７と平面視で重なる領域に開口部８１ａを有するフォトマスク８１を用いて、素子基板１０に真空紫外線（Vacuum Ultra Violet：ＵＶ）を照射する。 Next, in the step shown in FIG. 9D (ultraviolet irradiation step), a part of the provided long-chain alkyl group 41b is decomposed and removed. Specifically, the element substrate 10 is placed in a sealed chamber 80 such as a vacuum chamber. Thereafter, vacuum ultraviolet (Vacuum Ultra Violet: UV) is radiated onto the element substrate 10 using a photomask 81 having an opening 81a at least in a region overlapping the pixel electrode 27 in the display region in plan view.

これにより、平面視で画素電極２７と重なる領域の第１無機配向膜２８に付与された表面層４１（長鎖アルキル基４１ｂ）が分解されて除去される。また、画素電極２７間の第１無機配向膜２８に付与されている表面層４１（長鎖アルキル基４１ｂ）は残存する。この表面層４１の除去は、真空紫外線の照射により表面層４１の有機官能基が直接励起されるとともにオゾン等の活性酸素が生成されて、この活性酸素によって励起された表面層４１が酸化されるためだと考えられている。 Thereby, the surface layer 41 (long-chain alkyl group 41b) applied to the first inorganic alignment film 28 in a region overlapping the pixel electrode 27 in plan view is decomposed and removed. Further, the surface layer 41 (long-chain alkyl group 41b) applied to the first inorganic alignment film 28 between the pixel electrodes 27 remains. The surface layer 41 is removed by directly irradiating the organic functional group of the surface layer 41 by irradiation with vacuum ultraviolet rays, generating active oxygen such as ozone, and oxidizing the surface layer 41 excited by the active oxygen. It is thought to be for the purpose.

次に、フォトマスク８１を除去した後に、液状の短鎖アルキル基４１ａを有する短鎖シランカップリング材４１ａ１の入った容器７２（図１０参照）と素子基板１０とを密閉チャンバー７１に入れる。そして、ヒーター７３によって容器７２を加熱し、短鎖シランカップリング材４１ａ１を気化させる。これにより、図９（ｅ）に示すように（短鎖シランカップリング材表面処理工程）、素子基板１０の表面の全体に亘って短鎖アルキル基４１ａが付与される。以上により、素子基板１０側が完成する。本実施形態では、例えば短鎖シランカップリング材４１ａ１として、アルキル基の炭素数が２の（Ｃ₂Ｈ₅）Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃を用いる。ここで、短鎖アルキル基４１ａは、Ｃ₂Ｈ₅である。 Next, after removing the photomask 81, the container 72 (see FIG. 10) containing the short-chain silane coupling material 41a1 having the liquid short-chain alkyl group 41a and the element substrate 10 are placed in the sealed chamber 71. And the container 72 is heated with the heater 73 and the short chain silane coupling material 41a1 is vaporized. As a result, as shown in FIG. 9E (short-chain silane coupling material surface treatment step), the short-chain alkyl group 41 a is imparted over the entire surface of the element substrate 10. Thus, the element substrate 10 side is completed. In the present embodiment, for example, (C ₂ H ₅ ) Si (OCH ₃ ) ₃ having an alkyl group with 2 carbon atoms is used as the short-chain silane coupling material 41a1. Here, the short chain alkyl group 41a is C ₂ H ₅ .

次に、対向基板２０側の製造方法を説明する。まず、ステップＳ２１では、ガラス基板等の透光性材料からなる第２基材２０ａ上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、対向電極３１を形成する。 Next, a manufacturing method on the counter substrate 20 side will be described. First, in step S21, the counter electrode 31 is formed on the second base material 20a made of a translucent material such as a glass substrate by using a well-known film forming technique, photolithography technique, and etching technique.

ステップＳ２２では、対向電極３１上に第２無機配向膜３２を形成する。第２無機配向膜３２の製造方法は、例えば、第１無機配向膜２８と同様に、斜方蒸着法を用いて形成する。 In step S <b> 22, the second inorganic alignment film 32 is formed on the counter electrode 31. The method for manufacturing the second inorganic alignment film 32 is, for example, formed using an oblique vapor deposition method in the same manner as the first inorganic alignment film 28.

ステップＳ２３では、第２無機配向膜３２に表面層４１を形成する。具体的には、素子基板１０と同じ化学気相成長法を用いる。まず、対向基板２０と液状の長鎖アルキル基４１ｂを有する長鎖シランカップリング材４１ｂ１の入った容器７２とを、ＣＶＤ装置７０（図１０参照）の真空槽の如き密閉チャンバー７１に入れる。次に、ヒーター７３によって容器７２を加熱し、長鎖シランカップリング材４１ｂ１を気化させる。これにより、対向電極３１の表面に長鎖アルキル基４１ｂが付与される。 In step S <b> 23, the surface layer 41 is formed on the second inorganic alignment film 32. Specifically, the same chemical vapor deposition method as that for the element substrate 10 is used. First, the counter substrate 20 and the container 72 containing the long-chain silane coupling material 41b1 having the liquid long-chain alkyl group 41b are placed in a sealed chamber 71 such as a vacuum chamber of the CVD apparatus 70 (see FIG. 10). Next, the container 72 is heated by the heater 73 to vaporize the long-chain silane coupling material 41b1. Thereby, the long chain alkyl group 41 b is imparted to the surface of the counter electrode 31.

その後、液状の短鎖アルキル基４１ａを有する短鎖シランカップリング材４１ａ１の入った容器７２を加熱して、短鎖シランカップリング材４１ａ１を気化させる。これにより、第２無機配向膜３２に、短鎖アルキル基４１ａと長鎖アルキル基４１ｂとが付与される。以上により、対向基板２０側が完成する。次に、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる方法を説明する。 Thereafter, the container 72 containing the short chain silane coupling material 41a1 having the liquid short chain alkyl group 41a is heated to vaporize the short chain silane coupling material 41a1. Thereby, the short-chain alkyl group 41a and the long-chain alkyl group 41b are imparted to the second inorganic alignment film 32. Thus, the counter substrate 20 side is completed. Next, a method for bonding the element substrate 10 and the counter substrate 20 will be described.

ステップＳ３１では、素子基板１０上にシール材１４を塗布する。具体的には、例えば、素子基板１０とディスペンサー（吐出装置でも可能）との相対的な位置関係を変化させて、素子基板１０における表示領域Ｅの周縁部に（表示領域Ｅを囲むように）シール材１４を塗布する。 In step S <b> 31, the sealing material 14 is applied on the element substrate 10. Specifically, for example, the relative positional relationship between the element substrate 10 and a dispenser (also possible with a discharge device) is changed, so that the periphery of the display area E in the element substrate 10 (so as to surround the display area E). The sealing material 14 is applied.

ステップＳ３２では、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。具体的には、素子基板１０に塗布されたシール材１４を介して素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。より具体的には、互いの基板１０，２０の平面的な縦方向や横方向の位置精度を確保しながら行う。 In step S32, the element substrate 10 and the counter substrate 20 are bonded together. Specifically, the element substrate 10 and the counter substrate 20 are bonded together via the sealing material 14 applied to the element substrate 10. More specifically, it is performed while ensuring the positional accuracy in the vertical and horizontal directions of the substrates 10 and 20.

ステップＳ３３では、液晶注入口（符号省略）から構造体の内部に液晶を注入し、その後、液晶注入口を封止材で封止する。以上により、液晶装置１００が完成する。 In step S33, liquid crystal is injected into the structure from a liquid crystal injection port (reference number omitted), and then the liquid crystal injection port is sealed with a sealing material. Thus, the liquid crystal device 100 is completed.

＜電子機器の構成＞
次に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図１１を参照して説明する。図１１は、上記した液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図である。 <Configuration of electronic equipment>
Next, a projection display device as an electronic apparatus according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 11 is a schematic diagram showing a configuration of a projection display device including the above-described liquid crystal device.

図１１に示すように、本実施形態の投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。 As shown in FIG. 11, the projection display apparatus 1000 of the present embodiment includes a polarization illumination device 1100 arranged along the system optical axis L, two dichroic mirrors 1104 and 1105 as light separation elements, and three Reflective mirrors 1106, 1107, 1108, five relay lenses 1201, 1202, 1203, 1204, 1205, three transmissive liquid crystal light valves 1210, 1220, 1230 as light modulation means, and a cross dichroic as a light combiner A prism 1206 and a projection lens 1207 are provided.

偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。 The polarized light illumination device 1100 is generally configured by a lamp unit 1101 as a light source composed of a white light source such as an ultra-high pressure mercury lamp or a halogen lamp, an integrator lens 1102, and a polarization conversion element 1103.

ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。 The dichroic mirror 1104 reflects red light (R) and transmits green light (G) and blue light (B) among the polarized light beams emitted from the polarization illumination device 1100. Another dichroic mirror 1105 reflects the green light (G) transmitted through the dichroic mirror 1104 and transmits the blue light (B).

ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。 The red light (R) reflected by the dichroic mirror 1104 is reflected by the reflection mirror 1106 and then enters the liquid crystal light valve 1210 via the relay lens 1205. Green light (G) reflected by the dichroic mirror 1105 enters the liquid crystal light valve 1220 via the relay lens 1204. The blue light (B) transmitted through the dichroic mirror 1105 enters the liquid crystal light valve 1230 via a light guide system including three relay lenses 1201, 1202, 1203 and two reflection mirrors 1107, 1108.

液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。 The liquid crystal light valves 1210, 1220, and 1230 are disposed to face the incident surfaces of the cross dichroic prism 1206 for each color light. The color light incident on the liquid crystal light valves 1210, 1220, and 1230 is modulated based on video information (video signal) and emitted toward the cross dichroic prism 1206.

このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。 In this prism, four right-angle prisms are bonded together, and a dielectric multilayer film that reflects red light and a dielectric multilayer film that reflects blue light are formed in a cross shape on the inner surface thereof. The three color lights are synthesized by these dielectric multilayer films, and the light representing the color image is synthesized. The synthesized light is projected on the screen 1300 by the projection lens 1207 which is a projection optical system, and the image is enlarged and displayed.

液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。 The liquid crystal light valve 1210 is the one to which the liquid crystal device 100 described above is applied. The liquid crystal device 100 is arranged with a gap between a pair of polarizing elements arranged in crossed Nicols on the incident side and the emission side of colored light. The same applies to the other liquid crystal light valves 1220 and 1230.

このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、焼き付き等が抑えられた液晶装置１００を用いているので、高い表示品質を実現することができる。 According to such a projection type display apparatus 1000, the liquid crystal light valve 1210, 1220, 1230 uses the liquid crystal apparatus 100 in which image sticking or the like is suppressed, so that high display quality can be realized.

なお、液晶装置１００が搭載される電子機器としては、投射型表示装置１０００の他、ヘッドアップディスプレイ、スマートフォン、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、モバイルミニプロジェクター、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。 The electronic device on which the liquid crystal device 100 is mounted includes a projection display device 1000, a head-up display, a smartphone, an EVF (Electrical View Finder), a mobile mini projector, a mobile phone, a mobile computer, a digital camera, and a digital video. It can be used for various electronic devices such as cameras, displays, in-vehicle devices, audio devices, exposure devices, and lighting devices.

以上詳述したように、本実施形態の液晶装置１００、液晶装置１００の製造方法、及び電子機器によれば、以下に示す効果が得られる。 As described above in detail, according to the liquid crystal device 100, the method for manufacturing the liquid crystal device 100, and the electronic apparatus of the present embodiment, the following effects can be obtained.

（１）本実施形態の液晶装置１００によれば、画素電極２７と重なる領域に対応する第１配向膜２８に短鎖アルキル基４１ａが付与されているので、この領域の被覆率が高まり耐光性を向上させることができる。よって、例えば、画素電極２７に強い光が当たっても、第１配向膜２８と液晶との界面で、化学反応による液晶の分解が発生することを抑えることができる。一方、画素電極２７間の領域に対応する第１配向膜２８には、短鎖アルキル基４１ａと長鎖アルキル基４１ｂとが付与されているので、特に長鎖アルキル基４１ｂによって配向規制力を高めることができる。その結果、表示品質を向上させることができる。 (1) According to the liquid crystal device 100 of this embodiment, since the short-chain alkyl group 41a is added to the first alignment film 28 corresponding to the region overlapping the pixel electrode 27, the coverage of this region is increased and the light resistance is increased. Can be improved. Therefore, for example, even when strong light is applied to the pixel electrode 27, it is possible to suppress the decomposition of the liquid crystal due to a chemical reaction at the interface between the first alignment film 28 and the liquid crystal. On the other hand, the first alignment film 28 corresponding to the region between the pixel electrodes 27 is provided with the short-chain alkyl group 41a and the long-chain alkyl group 41b. be able to. As a result, display quality can be improved.

（２）本実施形態の液晶装置１００によれば、シール材１４と重なる領域の第１配向膜２８に長鎖アルキル基４１ｂが付与されているので、長鎖アルキル基４１ｂによってシール材１４との密着性を高めることができる。よって、例えば、第１基材１０ａからシール材１４が剥がれることを抑えることができる。 (2) According to the liquid crystal device 100 of the present embodiment, since the long-chain alkyl group 41b is provided to the first alignment film 28 in the region overlapping with the seal material 14, the long-chain alkyl group 41b and the seal material 14 Adhesion can be increased. Therefore, for example, it can suppress that the sealing material 14 peels from the 1st base material 10a.

（３）本実施形態の液晶装置１００の製造方法によれば、第１配向膜２８の表面に長鎖シランカップリング材４１ｂ１を付与した後に、紫外線によって画素電極２７と平面視で重なる領域の長鎖シランカップリング材４１ｂ１（長鎖アルキル基４１ｂ）を分解し、その後、第１基材１０ａ上の全体に短鎖シランカップリング材４１ａ１を付与するので、画素電極２７と重なる領域に対応する第１配向膜２８の短鎖アルキル基４１ａによって、この領域の被覆率が高まり耐光性を向上させることができる。よって、例えば、画素電極２７に強い光が当たっても、第１配向膜２８と液晶との界面で、化学反応による液晶の分解が発生することを抑えることができる。一方、画素電極２７間の領域に対応する第１配向膜２８には、短鎖アルキル基４１ａと長鎖アルキル基４１ｂとを付与するので、特に長鎖アルキル基４１ｂによって配向規制力を高めることができる。その結果、表示品質を向上させることができる。 (3) According to the method for manufacturing the liquid crystal device 100 of the present embodiment, after applying the long-chain silane coupling material 41b1 to the surface of the first alignment film 28, the length of the region overlapping the pixel electrode 27 in plan view by ultraviolet rays The chain silane coupling material 41b1 (long chain alkyl group 41b) is decomposed, and then the short chain silane coupling material 41a1 is applied to the entire surface of the first substrate 10a. The short-chain alkyl group 41a of the one alignment film 28 increases the coverage of this region and can improve the light resistance. Therefore, for example, even when strong light is applied to the pixel electrode 27, it is possible to suppress the decomposition of the liquid crystal due to a chemical reaction at the interface between the first alignment film 28 and the liquid crystal. On the other hand, the first alignment film 28 corresponding to the region between the pixel electrodes 27 is provided with the short-chain alkyl group 41a and the long-chain alkyl group 41b. it can. As a result, display quality can be improved.

（４）本実施形態の電子機器によれば、上記に記載の液晶装置１００を備えるので、表示特性を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。 (4) According to the electronic apparatus of the present embodiment, since the liquid crystal device 100 described above is provided, an electronic apparatus capable of improving display characteristics can be provided.

なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。 The aspect of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately changed without departing from the spirit or idea of the invention that can be read from the claims and the entire specification. It is included in the range. Moreover, it can also implement with the following forms.

（変形例１）
上記したように、シール材１４と接触する第１無機配向膜２８の表面は、長鎖アルキル基４１ｂが付与されていることに限定されず、少なくとも短鎖アルキル基４１ａが付与されていなければよく、例えば、表面層４１のない第１無機配向膜２８のままでもよい。なお、シール材１４の成分よって接着状態が変化すると考えられるため、用いるシール材１４に応じて長鎖アルキル基４１ｂを残すか否かを選択するようにしてもよい。 (Modification 1)
As described above, the surface of the first inorganic alignment film 28 that is in contact with the sealing material 14 is not limited to being provided with the long-chain alkyl group 41b, and it is sufficient that at least the short-chain alkyl group 41a is not provided. For example, the first inorganic alignment film 28 without the surface layer 41 may be left as it is. In addition, since it is thought that an adhesion state changes with the components of the sealing material 14, you may make it select whether the long chain alkyl group 41b is left according to the sealing material 14 to be used.

（変形例２）
上記したように、画素電極２７上の長鎖アルキル基４１ｂを除去するために、フォトマスク８１を介して真空紫外線を照射させることに限定されず、例えば、素子基板１０を傾けると共に、直進性の高い紫外線を用いて、画素電極２７上の長鎖シランカップリング材４１ｂ１のみを分解するようにしてもよい。これによれば、素子基板１０を傾けるので、画素電極２７間に付与された長鎖アルキル基４１ｂは、画素電極２７の影に隠れて、真空紫外線が照射されずに残ることになる。 (Modification 2)
As described above, in order to remove the long-chain alkyl group 41b on the pixel electrode 27, it is not limited to irradiating with vacuum ultraviolet rays through the photomask 81. For example, the element substrate 10 is tilted and linearly movable. Only the long-chain silane coupling material 41b1 on the pixel electrode 27 may be decomposed using high ultraviolet rays. According to this, since the element substrate 10 is tilted, the long-chain alkyl group 41b provided between the pixel electrodes 27 is hidden behind the pixel electrode 27 and remains without being irradiated with vacuum ultraviolet rays.

（変形例３）
上記したように、素子基板１０に対しフォトマスク８１を用いて真空紫外線を照射する際、照射される領域にばらつきが生じることが考えられる。よって、少なくとも、画素電極２７上の縁部近傍においては、長鎖アルキル基４１ｂが付与されている領域があってもよい。 (Modification 3)
As described above, when the element substrate 10 is irradiated with vacuum ultraviolet rays using the photomask 81, it is conceivable that the irradiated region varies. Therefore, at least in the vicinity of the edge on the pixel electrode 27, there may be a region to which the long-chain alkyl group 41b is added.

（変形例４）
上記したように、透過型の液晶装置１００であることに限定されず、例えば、反射型の液晶装置に本発明を適用するようにしてもよい。 (Modification 4)
As described above, the present invention is not limited to the transmissive liquid crystal device 100. For example, the present invention may be applied to a reflective liquid crystal device.

３ａ…走査線、３ｂ…容量線、３ｃ…下側遮光膜、６ａ…データ線、１０…第１基板としての素子基板、１０ａ…第１基材、１１ａ…下地絶縁層、１１ｂ…第１層間絶縁層、１１ｃ…第２層間絶縁層、１１ｄ…第３層間絶縁層、１１ｇ…ゲート絶縁膜、１４…シール材、１５…液晶層、１６…容量素子、１６ａ…第１容量電極、１６ｂ…第２容量電極、１６ｃ…誘電体膜、１８…遮光膜、２０…第２基板としての対向基板、２０ａ…第２基材、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通部、２７，２７ａ…画素電極、２７ｂ…導電パターン、２８…第１配向膜としての第１無機配向膜、２８ａ…柱状構造物、２９…配線、３０…ＴＦＴ、３０ａ…半導体層、３０ｃ…チャネル領域、３０ｄ…画素電極側ソースドレイン領域、３０ｄ１…画素電極側ＬＤＤ領域、３０ｇ…ゲート電極、３０ｓ…データ線側ソースドレイン領域、３０ｓ１…データ線側ＬＤＤ領域、３１…対向電極、３２…第２配向膜としての第２無機配向膜、３３…平坦化層、４１…表面層、４１ａ…短鎖アルキル基、４１ａ１…短鎖シランカップリング材、４１ｂ…長鎖アルキル基、４１ｂ１…長鎖シランカップリング材、４３…接続部、ＣＮＴ５１，５２，５３，５４…コンタクトホール、５５…中継層、６１…外部接続用端子、７０…ＣＶＤ装置、７１…密閉チャンバー、７２…容器、７３…ヒーター、８０…密閉チャンバー、８１…フォトマスク、８１ａ…開口部、１００…液晶装置、１０００…投射型表示装置、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１０４，１１０５…ダイクロイックミラー、１１０６，１１０７，１１０８…反射ミラー、１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５…リレーレンズ、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投射レンズ、１２１０，１２２０，１２３０…液晶ライトバルブ、１３００…スクリーン。 3a ... scanning line, 3b ... capacitance line, 3c ... lower light shielding film, 6a ... data line, 10 ... element substrate as first substrate, 10a ... first base material, 11a ... underlying insulating layer, 11b ... first interlayer Insulating layer, 11c ... second interlayer insulating layer, 11d ... third interlayer insulating layer, 11g ... gate insulating film, 14 ... sealing material, 15 ... liquid crystal layer, 16 ... capacitor element, 16a ... first capacitor electrode, 16b ... first 2 capacitance electrodes, 16c ... dielectric film, 18 ... light-shielding film, 20 ... counter substrate as second substrate, 20a ... second base material, 22 ... data line driving circuit, 24 ... scanning line driving circuit, 25 ... inspection circuit , 26 ... vertical conduction part, 27, 27a ... pixel electrode, 27b ... conductive pattern, 28 ... first inorganic alignment film as the first alignment film, 28a ... columnar structure, 29 ... wiring, 30 ... TFT, 30a ... semiconductor Layer, 30c ... channel region, 30d ... pixel electrode Source / drain region, 30d1 ... pixel electrode side LDD region, 30g ... gate electrode, 30s ... data line side source / drain region, 30s1 ... data line side LDD region, 31 ... counter electrode, 32 ... second inorganic as second alignment film Alignment film, 33 ... Flattening layer, 41 ... Surface layer, 41a ... Short chain alkyl group, 41a1 ... Short chain silane coupling material, 41b ... Long chain alkyl group, 41b1 ... Long chain silane coupling material, 43 ... Connection part CNT 51, 52, 53, 54 ... contact hole, 55 ... relay layer, 61 ... external connection terminal, 70 ... CVD device, 71 ... sealed chamber, 72 ... container, 73 ... heater, 80 ... sealed chamber, 81 ... photo Mask, 81a ... Opening, 100 ... Liquid crystal device, 1000 ... Projection type display device, 1100 ... Polarized illumination device, 1101 ... Lamp unit 1102: Integrator lens, 1103: Polarization conversion element, 1104, 1105 ... Dichroic mirror, 1106, 1107, 1108 ... Reflection mirror, 1201, 1202, 1203, 1204, 1205 ... Relay lens, 1206 ... Cross dichroic prism, 1207 ... Projection lens , 1210, 1220, 1230 ... liquid crystal light valve, 1300 ... screen.

Claims

A first substrate;
A second substrate disposed opposite the first substrate;
A sealing material for bonding the first substrate and the second substrate;
A liquid crystal layer sandwiched between the first substrate and the second substrate;
Including
The first substrate is
A plurality of pixel electrodes;
A first alignment film provided between the plurality of pixel electrodes and the liquid crystal layer;
Including
In the plan view, a short-chain alkyl group and a long-chain alkyl group are provided to the first alignment film corresponding to at least a region between the plurality of pixel electrodes,
A short-chain alkyl group is provided to the first alignment film corresponding to a region overlapping with the plurality of pixel electrodes in a plan view, and a long-chain alkyl group is not provided.

The liquid crystal device according to claim 1,
The liquid crystal device, wherein the long-chain alkyl group is imparted to the first alignment film in a region where the sealing material is provided in a plan view.

The liquid crystal device according to claim 1 or 2,
The pixel electrode is
A first pixel electrode provided in the display area;
A second pixel electrode provided in a non-display area between the display area and the sealing material;
A third pixel electrode provided in a dummy pixel region around the non-display region;
Including
The short-chain alkyl group is imparted to the first alignment film between the first pixel electrode and the liquid crystal layer,
The short-chain alkyl group is imparted to the first alignment film between the second pixel electrode and the liquid crystal layer,
The liquid crystal device, wherein the long-chain alkyl group is provided in the first alignment film between the third pixel electrode and the liquid crystal layer.

The liquid crystal device according to any one of claims 1 to 3,
The second substrate is
A counter electrode provided between the second substrate and the liquid crystal layer;
A second alignment film provided between the counter electrode and the liquid crystal layer;
Including
A short-chain alkyl group and a long-chain alkyl group are provided on the surface of the second alignment film.

A first substrate;
A second substrate disposed opposite the first substrate;
A sealing material for bonding the first substrate and the second substrate;
A liquid crystal layer sandwiched between the first substrate and the second substrate;
Including
The first substrate is
A plurality of pixel electrodes;
A first alignment film provided between the plurality of pixel electrodes and the liquid crystal layer;
A method of manufacturing a liquid crystal device including:
A long-chain silane coupling material surface treatment step for treating the surface of the first alignment film with a long-chain silane coupling material having a long-chain alkyl group;
An ultraviolet irradiation step of irradiating the region overlapping the pixel electrode in a plan view with ultraviolet rays;
A short-chain silane coupling material surface treatment step for surface-treating the entire surface of the pixel electrode and the first substrate with a short-chain silane coupling material having a short-chain alkyl group;
A method for manufacturing a liquid crystal device, comprising:

An electronic apparatus comprising the liquid crystal device according to any one of claims 1 to 4.