JP2014069126A - 基板処理装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 296
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 271
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 156
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims abstract description 53
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 198
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 4
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 164
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 abstract 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 abstract 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 81
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000009471 action Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- VIKNJXKGJWUCNN-XGXHKTLJSA-N norethisterone Chemical compound O=C1CC[C@@H]2[C@H]3CC[C@](C)([C@](CC4)(O)C#C)[C@@H]4[C@@H]3CCC2=C1 VIKNJXKGJWUCNN-XGXHKTLJSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000004071 soot Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
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- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
【課題】 簡易な構成でありながら、基板の表面への裏面用の洗浄液の回り込みを防止しつつ、基板の裏面を適正に処理することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】 裏面洗浄部4は、ガラス基板100の搬送方向と直交する方向に配設され、洗浄液を吐出するための多数の吐出口45がガラス基板100の搬送方向と直交する方向に列設されたノズル本体43と、このノズル本体43に洗浄液を供給するための洗浄液供給管44と、このノズル本体43の上部においてガラス基板100の搬送方向に対して所定の間隔を置いて吐出口45の両側に配置された一対の支持部41と、これらの支持部41に各々接続され、一対の支持部41から搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の上流側および下流側に各々突出する一対の鍔部42とを備える。
【選択図】 図4
【解決手段】 裏面洗浄部4は、ガラス基板100の搬送方向と直交する方向に配設され、洗浄液を吐出するための多数の吐出口45がガラス基板100の搬送方向と直交する方向に列設されたノズル本体43と、このノズル本体43に洗浄液を供給するための洗浄液供給管44と、このノズル本体43の上部においてガラス基板100の搬送方向に対して所定の間隔を置いて吐出口45の両側に配置された一対の支持部41と、これらの支持部41に各々接続され、一対の支持部41から搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の上流側および下流側に各々突出する一対の鍔部42とを備える。
【選択図】 図4
Description
この発明は、LCD(液晶表示装置)やPDP(プラズマディスプレイ)等のFPD(フラットパネルディスプレイ)用ガラス基板、有機EL用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、半導体ウエハ、太陽電池および電子ペーパ用フィルム基板等の基板を処理液により処理する基板処理装置に関し、特に、基板の表面と裏面とに異なる処理液を供給して基板を処理する基板処理装置に関する。
例えば、アモルファスシリコン層がその表面に形成されたガラス基板100に対してレーザーアニールを行う前に、シリコン層表面に形成された酸化膜のエッチングを行う場合においては、基板の表面にはエッチング液としてのフッ酸(フッ化水素酸/HF)が供給される。一方、基板の裏面には、洗浄液としての純水が供給される。
このように、基板の表面と裏面とに異なる処理液を供給する場合において、搬送ローラにより搬送される基板の裏面に対して、スプレーノズルにより処理液を噴出した場合においては、裏面用の処理液が基板の表面に回り込み、基板の表面の処理が不均一になり、処理不良が発生する。また、基板の表面に処理液のパドルを形成して処理する場合においては、この表面用の処理液のパドルが裏面用の処理液により崩壊され、この場合にも処理不良が発生する。
また、スプレーノズルから処理液を噴出する場合には、その噴出量を安定させる等の目的により、基板に処理液を供給する以前に、予め、スプレーノズルから処理液を噴出しておく必要がある。このような場合には、基板が存在しない状態でスプレーノズルから処理液を噴出することになり、この処理液がチャンバーの天井等に付着し、この処理液が処理中の基板の表面に滴下することにより、処理不良を生ずる原因となる。
特許文献1には、基板処理チャンバー内において基板をその主面が水平となる状態で水平方向に搬送する搬送機構と、下方を向く処理液吐出口が基板の搬送方向と交差する方向に延設されるとともに、処理液吐出口と基板の表面との距離が、それらの間が処理液吐出口より吐出された処理液の液膜により液密状態となる位置に配置された処理液吐出ノズルと、処理液吐出口と対向する位置に処理液の液溜まりを保持する処理液保持面を備え、処理液吐出口と処理液保持面との距離が、それらの間に処理液の液溜まりを形成可能となる位置に配置された液溜まり保持部材とを備えた基板処理装置が開示されている。この特許文献1に記載の基板処理装置においては、処理液吐出ノズルおよび液溜まり保持部材に対して基板の搬送方向の下流側に、基板の裏面に洗浄液を供給する裏面洗浄部が配設されている。この裏面洗浄部は、その上面に洗浄液の液溜まりを保持する洗浄液保持面を備え、この洗浄液の液溜まりを利用して基板の裏面を洗浄する構成を有する。
上述した特許文献1に記載の基板処理装置によれば、裏面用の処理液が表面側に回り込むことはなく、基板の両面を適正に処理できるものではあるが、基板の裏面の処理効率が悪いという問題がある。すなわち、例えば基板の裏面を洗浄処理する場合においては、その洗浄効率が高くないことから、所定の洗浄効果を得るためには裏面洗浄部を複数個設置する必要が生じ、装置のコストおよび使用する洗浄液のコストが高くなるという問題を生ずる。
この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、簡易な構成でありながら、基板の表面への裏面用の洗浄液の回り込みを防止しつつ、基板の裏面を適正に処理することが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。
請求項1に記載の発明は、基板処理チャンバーと、前記基板処理チャンバー内において、基板をその主面が水平となる状態で水平方向に搬送する搬送機構と、前記搬送機構により搬送される基板の表面に第1の処理液を供給して基板の表面を処理する表面処理液供給部と、前記搬送機構により搬送される基板の下方に配置され、前記基板の裏面に前記第1の処理液とは異なる第2の処理液を供給することにより、前記基板の裏面を処理する裏面処理液供給部と、を備えた基板処理装置において、前記裏面処理液供給部は、前記搬送機構による基板の搬送方向と交差する方向に配設され、前記第2の処理液を吐出する吐出部が前記搬送機構による基板の搬送方向と交差する方向に形成されたノズル本体と、前記ノズル本体の上部に付設され、前記搬送機構により搬送される基板の裏面に前記吐出部より吐出された第2の処理液を接液させた後に流下させる処理液接液部と、を備え、前記処理液接液部は、当該処理液接液部からの第2の処理液の流下量を、前記搬送機構による基板の搬送方向の下流側より、前記搬送機構による基板の搬送方向の上流側で大きくなるように構成される。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記処理液接液部と前記搬送機構により搬送される基板の裏面との距離は、前記搬送機構による基板の搬送方向の下流側より、前記搬送機構による基板の搬送方向の上流側の方が大きい。
請求項3に記載の発明は、請求項1または請求項2に記載の発明において、前記処理液接液部は、前記搬送機構による基板の搬送方向に対して所定の間隔を置いて前記吐出部の両側に配置された一対の支持部と、前記一対の支持部に各々接続され、当該一対の支持部から前記搬送機構による基板の搬送方向の上流側および下流側に各々突出する一対の鍔部とを備える。
請求項4に記載の発明は、請求項3に記載の発明において、前記処理液接液部を構成する一対の支持部は同一の高さを有するとともに、一対の鍔部は前記一対の支持部と各々直交する方向に配置され、前記一対の鍔部が前記搬送機構により搬送される基板の裏面に対して搬送方向の上流側に向けて下方へ傾斜するように、前記裏面処理液供給部全体を傾斜して配置する。
請求項5に記載の発明は、請求項3または請求項4に記載の発明において、前記一対の鍔部の表面と、前記搬送機構により搬送される基板の裏面との交差角度は、0.5度乃至2度である。
請求項6に記載の発明は、請求項1または請求項2に記載の発明において、前記処理液接液部は、前記搬送機構による基板の搬送方向に対して所定の間隔を置いて前記吐出部の両側に配置された一対の底面部材と、前記一対の底面部材に各々接続され、当該一対の底面部材から前記搬送機構により搬送される基板の裏面側に向けて立設された一対の壁部材とを備える。
請求項7に記載の発明は、請求項6に記載の発明において、前記処理液接液部を構成する一対の壁部材は同一の高さを有するとともに、これら一対の壁部材は前記一対の底面部材と直交する方向に配置され、前記一対の底面部材が前記搬送機構により搬送される基板の裏面に対して搬送方向の上流側に向けて下方へ傾斜するように、前記裏面処理液供給部全体を傾斜して配置する。
請求項8に記載の発明は、請求項1から請求項7のいずれかに記載の発明において、前記第1の処理液は基板を薬液処理するための薬液であり、前記第2の処理液は基板を洗浄処理するための洗浄液である。
請求項1から請求項8に記載の発明によれば、第2の処理液により第1の処理液による基板の表面の処理に悪影響を与えることなく、処理液接液部の作用により形成された第2の処理液により基板の裏面を適正に処理することが可能となる。このとき、処理液接液部からの第2の処理液の流下量を、基板の搬送方向の下流側より上流側で大きくなるように構成されていることから、処理液による処理効果を高めることができ、基板の裏面を十分に処理することが可能となる。
請求項2に記載の発明によれば、処理液接液部と基板の裏面との距離の差により、処理液接液部からの第2の処理液の流下量を、基板の搬送方向の下流側より基板の搬送方向の上流側で大きくすることが可能となる。
請求項3に記載の発明によれば、一対の鍔部の作用により、基板の裏面に吐出部より吐出された第2の処理液を接液させて流下させることが可能となる。
請求項4に記載の発明によれば、シンプルな構成を有する裏面処理液供給部全体を傾斜して配置することにより、処理液接液部からの第2の処理液の流下量を、基板の搬送方向の下流側より基板の搬送方向の上流側で大きくすることが可能となる。
請求項5に記載の発明によれば、基板の搬送方向の下流側からの第2の処理液の流下量と基板の搬送方向の上流側からの第2の処理液の流下量とを適切なものとすることが可能となる。
請求項6に記載の発明によれば、一対の底面部材と一対の壁部材の作用により、基板の裏面に吐出部より吐出された第2の処理液を接液させて流下させることが可能となる。
請求項7に記載の発明によれば、シンプルな構成を有する裏面処理液供給部全体を傾斜して配置することにより、処理液接液部からの第2の処理液の流下量を、基板の搬送方向の下流側より基板の搬送方向の上流側で大きくすることが可能となる。
請求項8に記載の発明によれば、基板の表面を薬液で薬液処理するとともに、基板の裏面を洗浄液により洗浄処理することが可能となる。
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図1は、この発明に係る基板処理装置の側面概要図である。また、図2は、処理・洗浄ユニット1を拡大して示す側面図である。
この基板処理装置は、アモルファスシリコン層がその表面に形成されたガラス基板100に対してレーザーアニールを行う前に、シリコン層表面に形成された酸化膜のエッチングを行うためのものである。この基板処理装置は、処理チャンバー10内において、ガラス基板100をその主面が水平方向となる状態で支持するとともに、このガラス基板100を水平方向に搬送する複数の搬送ローラ9と、4個の処理・洗浄ユニット1a、1b、1c、1d(これらを総称するときには、単に「処理・洗浄ユニット1」という)を備える。
各処理・洗浄ユニット1は、複数の搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の表面に処理液を供給するための処理液吐出ノズル2と、この処理液吐出ノズル2との間に処理液の液溜まりを形成するための液溜まり保持部材3と、ガラス基板100の裏面を洗浄するためのこの発明の特徴部分である裏面洗浄部4とを備える。搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100に対し、4個の処理・洗浄ユニット1a、1b、1c、1dの作用により、順次、その表面への処理液の供給と、その裏面への洗浄液の供給とが実行される。
上述した4個の処理・洗浄ユニット1a、1b、1c、1dにおける処理液吐出ノズル2からは、処理液として、薬液であるエッチング液が供給される。このようなエッチング液としては、例えば、フッ酸(フッ化水素酸/HF)が使用される。なお、意図的にガラス基板100の表面に均一な酸化膜を形成するため、処理・洗浄ユニット1aにおける処理液吐出ノズル2から、または、処理・洗浄ユニット1dにおける処理液吐出ノズル2から、あるいは、処理・洗浄ユニット1aと1dにおける処理液吐出ノズル2から、処理液としてオゾン水を供給してもよい。この処理液吐出ノズルから供給される処理液は、この発明に係る第1処理液として機能する。
また、上述した4個の処理・洗浄ユニット1a、1b、1c、1dにおける裏面洗浄部4からは、ガラス基板100の裏面を洗浄処理するための洗浄液が供給される。このような洗浄液としては、例えば、純水が使用される。この洗浄液は、この発明に係る第2の処理液として機能する。
処理液吐出ノズル2は、搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100と対向する下面に、多数の処理液吐出口21が形成された構成を有する。これらの処理液吐出口21は、搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の搬送方向と直交する方向に列設されている。この処理液吐出口21は、例えば、0.5mm程度の直径を有し、処理液吐出ノズル2の長手方向(搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の搬送方向と直交する方向)に、5mm乃至10mm程度のピッチで形成されている。この処理液吐出口21は、ガラス基板100の幅方向(搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の搬送方向と直交する方向)全域にわたって設けられている。この処理液吐出ノズル2の材質としては、金属イオン等が溶出することがなく、処理の清浄性を確保できる、例えば、フッ素樹脂製のものを採用することが好ましい。
ガラス基板100の処理時には、この処理液吐出口21から処理液が吐出され、ガラス基板100の表面に供給される。このとき、処理液吐出口21と搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の表面との距離は、それらの間が処理液吐出口21より吐出された処理液の液膜により液密状態となるように、小さい距離に設定されている。
液溜まり保持部材3は、処理液吐出ノズル2との間に処理液の液溜まりを形成するためのものである。この液溜まり保持部材3は、処理液吐出ノズル2の処理液吐出口21と対向する位置に、処理液の液溜まりを保持する処理液保持面31を備える。そして、その処理液保持面31には、処理液の液溜まり保持用の凹部32が凹設されている。
この凹部32は、処理液保持面31に好適に処理液の液溜まりを保持するために使用される。すなわち、液溜まり保持部材3の材質としては、処理の清浄性を確保できる、処理液吐出ノズル2と同様の、例えば、フッ素樹脂製のものを採用することが好ましい。ここで、フッ素樹脂は処理液をはじく強い撥液性を有する。このため、処理液が液溜まり保持部材3における処理液保持面31から流下しやすくなる。このような流下を防止するために、処理液保持面31には凹部32が形成されている。なお、液溜まり保持部材3の材質として塩化ビニール等の樹脂を使用する場合には、この凹部32を省略してもよい。
この凹部32は、液溜まり保持部材3の長手方向(搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の搬送方向と直交する方向)に延びる形状を有する。この凹部32は、ガラス基板100の幅方向(搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の搬送方向と直交する方向)全域にわたって形成されている。
裏面洗浄部4は、ガラス基板100の裏面に洗浄液を供給してガラス基板100の裏面を洗浄するための、この発明に係る裏面処理液供給部として機能するものである。なお、この裏面洗浄部4の構成については、後程、詳細に説明する。
この基板処理装置により基板を処理する場合には、複数の搬送ローラ9により水平方向に搬送されるガラス基板100の先端が処理・洗浄ユニット1に到達する前に、処理液吐出ノズル2の処理液吐出口21から少量の処理液を吐出し、予め、処理液吐出ノズル2における処理液吐出口21と液溜まり保持部材3における処理液保持面31との間に、処理液の液溜まりを形成しておく。この状態において、さらに搬送ローラ9によりガラス基板100の搬送を継続すると、ガラス基板100の先端が、処理液吐出ノズル2と液溜まり保持部材3との間に形成された処理液の液溜まり中に進入する。ガラス基板100の先端が処理液の液溜まりまで到達すれば、処理液吐出ノズル2から処理液を吐出する。
この状態でさらにガラス基板100が水平方向に搬送された場合には、処理液吐出ノズル2とガラス基板100の表面との間に処理液の液膜が形成され、処理液吐出ノズル2とガラス基板100の表面との間は、処理液の液膜により液密状態となる。そして、処理液吐出ノズル2とガラス基板100との間を処理液の液膜により液密としたままの状態でガラス基板100が水平方向に搬送されることにより、処理液吐出ノズル2とガラス基板100の表面との間が処理液の液膜により液密状態となったまま、ガラス基板100の表面全域に処理液が供給される。
なお、ガラス基板100の先端が処理液吐出ノズル2と液溜まり保持部材3との間に形成された処理液の液溜まり中に進入したときには、ガラス基板100の裏面側にも処理液が到達する。この処理液は、後述するように、裏面洗浄部4によりガラス基板100の裏面に供給された洗浄液により洗浄される。
複数の搬送ローラ9により水平方向に搬送されるガラス基板100は、4個の処理・洗浄ユニット1a、1b、1c、1dにおいて上述した動作を繰り返すことにより、順次、その表面に処理液を供給されて表面をエッチング処理され、また、その裏面に洗浄液を供給されて裏面を洗浄処理される。
次に、ガラス基板100の裏面に洗浄液を供給してガラス基板100の裏面を洗浄するためのこの発明の裏面処理液供給部としての裏面洗浄部4の構成について説明する。図3は裏面洗浄部4の概要図である。なお、図3(a)は裏面洗浄部4の断面図であり、図3(b)は部分平面図である。また、図4は、裏面洗浄部4と複数の搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100との配置関係を示す側面概要図である。
この裏面洗浄部4は、搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向と直交する方向に配設され、洗浄液を吐出するための多数の吐出口45がガラス基板100の搬送方向と直交する方向に列設されたノズル本体43と、このノズル本体43に洗浄液を供給するための洗浄液供給管44と、このノズル本体43の上部において搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向に対して所定の間隔を置いて吐出口45の両側に配置された一対の支持部41と、これらの支持部41に各々接続され、一対の支持部41から搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の上流側および下流側に各々突出する一対の鍔部42とを備える。
なお、一対の支持部41と一対の鍔部42とは、ノズル本体43の上部に付設され、搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の裏面に吐出口45より吐出された洗浄液を接液させた後に流下させるための、この発明に係る処理液接液部として機能する。
図3(b)に示すように、一対の支持部41の側方には、蓋部材51が配設されている。この裏面洗浄部4は、左右一対の支持部材52により支持されている。
一対の支持部41は同一の高さを有するとともに、一対の鍔部42は一対の支持部41と各々直交する方向に配置されている。そして、図4に示すように、一対の鍔部42が搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の裏面に対してガラス基板100の搬送方向の上流側に向けて下方へ傾斜して配置されるように、裏面洗浄部4全体が傾斜した状態で支持部材52により支持されている。このため、この発明に係る処理液接液部を構成する一対の鍔部42と搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の裏面との距離は、搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の下流側(図4に示す右側)より、搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の上流側(図4における左側)の方が大きくなっている。
このように、一対の鍔部42と搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の裏面との距離を、搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の下流側より、搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の上流側の方を大きく設定することにより、後述するように、一対の鍔部42からの洗浄液の流下量が、搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の下流側より、搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の上流側で大きくなる。
次に、このように構成された裏面洗浄部4によるガラス基板100の裏面の洗浄処理動作について説明する。図5は、この発明に係る裏面洗浄部4によるガラス基板100の裏面の洗浄処理動作を示す説明図である。
ガラス基板100の裏面を洗浄するときには、搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100が裏面洗浄部4に到達する前に、ノズル本体43に形成された吐出口45より洗浄液を吐出し、一対の鍔部42の上面に洗浄液の液溜まり101を形成しておく。この場合においては、吐出口45からの洗浄液の吐出を継続してもよく、また、液溜まり101ができた時点で吐出口45からの洗浄液の吐出を停止してもよい。
ガラス基板100が裏面洗浄部4に到達した状態においては、一対の鍔部42の作用により、搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の裏面に吐出口45より吐出された洗浄液が接触する接液状態となる。そして、この洗浄液は、一対の鍔部42より流下する。このときには、吐出口45より洗浄液を連続して吐出させる。
この状態においては、一対の鍔部42が搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の裏面に対してガラス基板100の搬送方向の上流側に向けて下方へ傾斜するように配置されていることから、図5に示すように、一対の鍔部42とガラス基板100の裏面との距離が搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の下流側より,搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の上流側で大きくなり、これにより洗浄液の流下量が、搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の下流側より、搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の上流側で大きくなる。このため、吐出口45から吐出されガラス基板100の裏面の洗浄に使用されて汚染された洗浄液は、ガラス基板100の裏面における搬送方向の下流側から上流側に移動した後に、主としてガラス基板100の搬送方向の上流側の鍔部42から流下することになる。従って、洗浄液による洗浄処理効果を高めることができ、ガラス基板100の裏面を十分に洗浄処理することが可能となる。
図6は、図5と比較のため、裏面洗浄部4を水平方向に配置した場合のガラス基板100の裏面の洗浄処理動作を示す説明図である。
この図に示すように、一対の鍔部42を搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の裏面と平行に配置した場合においては、ガラス基板100の移動に伴って洗浄液はガラス基板100の搬送方向の下流側に移動し、一対の鍔部42からの洗浄液の流下量が、搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の上流側より、搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の下流側で大きくなる。このため、吐出口45から吐出された洗浄液は、ガラス基板100の裏面における搬送方向の上流側から下流側に移動した後に、一対の鍔部42から流下することになる。従って、洗浄処理に使用された洗浄液がガラス基板100の下面に接触した後に、主としてガラス基板100の搬送方向の下流側の鍔部42から流下することになり、ガラス基板100の裏面が洗浄に使用された洗浄液により汚染されることになる。
図7は、一対の鍔部42をガラス基板100の裏面に対してガラス基板100の搬送方向の上流側に向けて下方へ傾斜するように配置した場合と、ガラス基板100の裏面に対して平行に配置した場合の洗浄処理結果の差異を示す表である。
なお、図7(a)は裏面洗浄部4からの洗浄液の流量を毎分10リットルとした場合を示し、図7(b)は裏面洗浄部4からの洗浄液の流量を毎分20リットルとした場合を示している。また、この表において、洗浄処理後にガラス基板100に付着する洗浄液の導電率の単位としてはmS/cm(ミリジーメンス毎センチメートル)を採用している。この導電率が高いほど、ガラス基板100に付着する洗浄液において処理液の成分がイオンとして残存していることになり、ガラス基板100の洗浄効果が低いことを示している。また、この導電率が低い場合には、ガラス基板100に付着する洗浄液が純水に近いことになり、ガラス基板100の洗浄効果が高いことを示している。
この表に示すように、鍔部42とガラス基板100の裏面との距離をガラス基板100の搬送方向の上流側と下流側とで同一とした場合には、鍔部42とガラス基板100の裏面との距離を変化させても洗浄効果に大きな差異はない。これに対して、一対の鍔部42をガラス基板100の裏面に対してガラス基板100の搬送方向の上流側に向けて下方へ傾斜するように配置した場合には、洗浄効果が飛躍的に向上する。図7(a)に示すように洗浄液の流量を毎分10リットルとした場合には、洗浄効果は約2.7倍となり、図7(b)に示すように洗浄液の流量を毎分20リットルとした場合には、洗浄効果は約4.4倍となっている。
一対の鍔部42と搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の裏面との距離をガラス基板100の搬送方向の下流側より上流側で大きくするために、一対の鍔部42をガラス基板100の裏面に対してガラス基板100の搬送方向の上流側に向けて下方へ傾斜させる場合に、一対の鍔部42の表面と搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の裏面との交差角度は、0.5度乃至2度とすることが好ましい。このように一対の鍔部42を配置することにより、裏面洗浄部4による洗浄効果を高いものとすることが可能となる。
なお、一対の鍔部42からの洗浄液の流下量を、搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の下流側より、搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の上流側で大きくするとは、搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の下流側では洗浄液の流下がなく、搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の上流側のみで洗浄液が流下することを含む概念である。
以下、裏面洗浄部4の他の実施形態について説明する。図8は、第2実施形態に係る裏面洗浄部4の概要図である。なお、以下の説明においては、上述した第1実施形態と同様の部材については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
上述した第1実施形態においては、同一の高さを有する支持部41に対して鍔部42を直交する方向に付設し、一対の鍔部42がガラス基板100の裏面に対してガラス基板100の搬送方向の上流側に向けて下方へ傾斜するように裏面洗浄部4全体を傾斜して配置している。これに対して、この第2実施形態においては、一対の支持部41の高さを、ガラス基板100の搬送方向の上流側で低く、下流側で高く設定することにより、鍔部42とガラス基板100の裏面との距離を、ガラス基板100の搬送方向の下流側より上流側の方が大きくなるようにしている。
図9は、第3実施形態に係る裏面洗浄部4の概要図である。
この第3実施形態においては、一対の支持部41に対して、一対の鍔部42をガラス基板100の搬送方向の上流側に向けて下方へ傾斜状態で付設することにより、鍔部42とガラス基板100の裏面との距離を、ガラス基板100の搬送方向の下流側より上流側の方が大きくなるようにしている。
図10は、第4実施形態に係る裏面洗浄部4の概要図である。
上述した第1乃至第3実施形態に係る裏面洗浄部4においては、いずれも、一対の支持部41と、これらの支持部41に各々接続され、一対の支持部41から搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の上流側および下流側に各々突出する一対の鍔部42とを備え、これらの支持部41および鍔部42により、この発明に係る処理液接液部を構成している。これに対して、この第4実施形態に係る裏面洗浄部4においては、一対の底面部材46と一対の壁部材47とにより、この発明に係る処理液接液部を構成している。
すなわち、この第4実施形態に係る裏面洗浄部4は、ノズル本体43の上部において搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向に対して所定の間隔を置いて吐出口45の両側に配置された一対の底面部材46と、これらの底面部材46に各々接続され、これら一対の底面部材46から搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の裏面側に向けて立設された一対の壁部材47とを備えている。
この裏面洗浄部4においては、一対の壁部材47は同一の高さを有するとともに、これら一対の壁部材47は一対の底面部材46と直交する方向に配置され、一対の底面部材46がガラス基板100の裏面に対してガラス基板100の搬送方向の上流側に向けて下方へ傾斜して配置されるように、裏面洗浄部4全体が傾斜した状態で、図3(b)に示す支持部材52により支持されている。このため、一対の壁部材47と搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の裏面との距離は、搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の下流側(図10に示す右側)より、搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の上流側(図10における左側)の方が大きくなっている。
この第4実施形態に係る裏面洗浄部4においても、第1実施形態に係る裏面洗浄部4と同様、一対の壁部材47からの洗浄液の流下量が、搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の下流側より、搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の上流側で大きくなる。このため、吐出口45から吐出されガラス基板100の裏面の洗浄に使用されて汚染された洗浄液は、ガラス基板100の裏面における搬送方向の下流側から上流側に移動した後に、主としてガラス基板100の搬送方向の上流側の壁部材47から流下することになる。従って、洗浄液による洗浄処理効果を高めることができ、ガラス基板100の裏面を十分に洗浄処理することが可能となる。
図11は、第5実施形態に係る裏面洗浄部4の概要図である。
上述した第4実施形態においては、一対の壁部材47の高さを同一とし、一対の底面部材46がガラス基板100の裏面に対してガラス基板100の搬送方向の上流側に向けて下方へ傾斜するように裏面洗浄部4全体を傾斜して配置している。これに対して、この第5実施形態においては、一対の壁部材47の高さを、ガラス基板100の搬送方向の上流側で低く、下流側で高く設定することにより、壁部材47とガラス基板100の裏面との距離を、ガラス基板100の搬送方向の下流側より上流側の方が大きくなるようにしている。
図12は、第6実施形態に係る裏面洗浄部4の概要図である。
この第6実施形態においては、一対の底面部材46をノズル本体43に対してガラス基板100の搬送方向の上流側に向けて下方へ傾斜する状態で付設することにより、壁部材47とガラス基板100の裏面との距離を、ガラス基板100の搬送方向の下流側より上流側の方が大きくなるようにしている。
次に、基板処理装置の他の実施形態について説明する。図13は、他の実施形態に係る基板処理装置の概要図である。なお、以下の実施形態においては、ガラス基板100の表面に対する処理形態が異なっている。
すなわち、図1および図2に示す実施形態においては、複数の搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の表面に処理液を供給するための処理液吐出ノズル2と、この処理液吐出ノズル2との間に処理液の液溜まりを形成するための液溜まり保持部材3とを利用してガラス基板100の表面を処理している。これに対して、図13に示す実施形態においては、複数の搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の表面に対して、複数のスプレーノズル61により処理液を供給することで、ガラス基板100の表面を処理する構成を有する。スプレーノズル61より供給された処理液は、裏面洗浄部4の上流側に配置されたエアナイフ62により除去される。そして、ガラス基板100の裏面が裏面洗浄部4により洗浄処理される。
図14は、さらに他の実施形態に係る基板処理装置の概要図である。
この図14に示す実施形態においては、複数の搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の表面に対して、ノズル64より処理液を供給し、さらに、ブラシ63でガラス基板100の表面を擦ることで、ガラス基板100の表面を処理する構成を有する。ノズル64よりブラシ63を介して供給された処理液は、裏面洗浄部4の上流側に配置されたエアナイフ62により除去される。そして、ガラス基板100の裏面が裏面洗浄部4により洗浄処理される。
なお、上述した実施形態においては、ガラス基板100の表面にエッチング液としてのフッ酸等を供給しているが、この発明はこれに限定されるものではない。例えば、ガラス基板100に対して現像液を供給することにより現像処理を行う基板処理装置にこの発明を適用してもよい。また、上述した実施形態においては、ガラス基板100の裏面に、洗浄液としての純水を供給しているが、純水以外の洗浄液を使用してもよい。さらに、ガラス基板100以外の基板に対して、その表面およびその裏面に、互いに異なるその他の処理液を各々供給する基板処理装置にこの発明を適用することも可能である。
1 処理・洗浄ユニット
2 処理液吐出ノズル
3 液溜まり保持部材
4 裏面洗浄部
9 搬送ローラ
10 処理チャンバー
21 処理液吐出口
31 処理液保持面
32 凹部
41 支持部
42 鍔部
43 ノズル本体
44 洗浄液供給管
45 吐出口
46 底面部材
47 壁部材
61 スプレーノズル
62 エアナイフ
63 ブラシ
64 ノズル
100 ガラス基板
101 洗浄液の液溜まり
2 処理液吐出ノズル
3 液溜まり保持部材
4 裏面洗浄部
9 搬送ローラ
10 処理チャンバー
21 処理液吐出口
31 処理液保持面
32 凹部
41 支持部
42 鍔部
43 ノズル本体
44 洗浄液供給管
45 吐出口
46 底面部材
47 壁部材
61 スプレーノズル
62 エアナイフ
63 ブラシ
64 ノズル
100 ガラス基板
101 洗浄液の液溜まり
Claims (8)
- 基板処理チャンバーと、
前記基板処理チャンバー内において、基板をその主面が水平となる状態で水平方向に搬送する搬送機構と、
前記搬送機構により搬送される基板の表面に第1の処理液を供給して基板の表面を処理する表面処理液供給部と、
前記搬送機構により搬送される基板の下方に配置され、前記基板の裏面に前記第1の処理液とは異なる第2の処理液を供給することにより、前記基板の裏面を処理する裏面処理液供給部と、
を備えた基板処理装置において、
前記裏面処理液供給部は、
前記搬送機構による基板の搬送方向と交差する方向に配設され、前記第2の処理液を吐出する吐出部が前記搬送機構による基板の搬送方向と交差する方向に形成されたノズル本体と、
前記ノズル本体の上部に付設され、前記搬送機構により搬送される基板の裏面に前記吐出部より吐出された第2の処理液を接液させた後に流下させる処理液接液部と、
を備え、
前記処理液接液部は、当該処理液接液部からの第2の処理液の流下量を、前記搬送機構による基板の搬送方向の下流側より、前記搬送機構による基板の搬送方向の上流側で大きくなるように構成される基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記処理液接液部と前記搬送機構により搬送される基板の裏面との距離は、前記搬送機構による基板の搬送方向の下流側より、前記搬送機構による基板の搬送方向の上流側の方が大きい基板処理装置。 - 請求項1または請求項2に記載の基板処理装置において、
前記処理液接液部は、
前記搬送機構による基板の搬送方向に対して所定の間隔を置いて前記吐出部の両側に配置された一対の支持部と、
前記一対の支持部に各々接続され、当該一対の支持部から前記搬送機構による基板の搬送方向の上流側および下流側に各々突出する一対の鍔部と、
を備える基板処理装置。 - 請求項3に記載の基板処理装置において、
前記処理液接液部を構成する一対の支持部は同一の高さを有するとともに、一対の鍔部は前記一対の支持部と各々直交する方向に配置され、
前記一対の鍔部が前記搬送機構により搬送される基板の裏面に対して搬送方向の上流側に向けて下方へ傾斜するように、前記裏面処理液供給部全体を傾斜して配置する基板処理装置。 - 請求項3または請求項4に記載の基板処理装置において、
前記一対の鍔部の表面と、前記搬送機構により搬送される基板の裏面との交差角度は、0.5度乃至2度である基板処理装置。 - 請求項1または請求項2に記載の基板処理装置において、
前記処理液接液部は、
前記搬送機構による基板の搬送方向に対して所定の間隔を置いて前記吐出部の両側に配置された一対の底面部材と、
前記一対の底面部材に各々接続され、当該一対の底面部材から前記搬送機構により搬送される基板の裏面側に向けて立設された一対の壁部材と、
を備える基板処理装置。 - 請求項6に記載の基板処理装置において、
前記処理液接液部を構成する一対の壁部材は同一の高さを有するとともに、これら一対の壁部材は前記一対の底面部材と直交する方向に配置され、
前記一対の底面部材が前記搬送機構により搬送される基板の裏面に対して搬送方向の上流側に向けて下方へ傾斜するように、前記裏面処理液供給部全体を傾斜して配置する基板処理装置。 - 請求項1から請求項7のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第1の処理液は基板を薬液処理するための薬液であり、前記第2の処理液は基板を洗浄処理するための洗浄液である基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2012216728A JP2014069126A (ja) | 2012-09-28 | 2012-09-28 | 基板処理装置 |
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ID=50744855
Family Applications (1)
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JP2012216728A Pending JP2014069126A (ja) | 2012-09-28 | 2012-09-28 | 基板処理装置 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2018006616A (ja) * | 2016-07-05 | 2018-01-11 | 住友精密工業株式会社 | 基板処理装置 |
KR20190011682A (ko) | 2017-07-25 | 2019-02-07 | 호야 가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 포토마스크 세정 방법 및 포토마스크 제조 방법 |
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- 2012-09-28 JP JP2012216728A patent/JP2014069126A/ja active Pending
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